JP5602045B2

JP5602045B2 - Circuit board

Info

Publication number: JP5602045B2
Application number: JP2011028462A
Authority: JP
Inventors: 知史神; 智之鈴木; 雅也古川
Original assignee: Nippon Steel and Sumikin Chemical Co Ltd
Current assignee: Nippon Steel Chemical and Materials Co Ltd
Priority date: 2011-02-14
Filing date: 2011-02-14
Publication date: 2014-10-08
Anticipated expiration: 2031-02-14
Also published as: JP2012169412A

Description

本発明は、例えば０．１〜２０ＧＨｚの高周波帯域における電子機器の半導体素子又は高周波電子部品で問題となる近傍界電磁波ノイズを抑制する目的で利用可能なカバーレイフィルム用いた回路基板に関する。 The present invention relates to a circuit board using a coverlay film that can be used for the purpose of suppressing near-field electromagnetic noise, which is a problem in a semiconductor element or high-frequency electronic component of an electronic device in a high-frequency band of 0.1 to 20 GHz, for example.

近年、パーソナルコンピューター（ＰＣ）、携帯電話器、携帯情報端末（ＰＤＡ）、情報家電、高速道路情報システム等、０．１〜２０ＧＨｚの高いクロック周波数を利用した電子機器、情報通信機器が普及している。特に、ＰＣではＣＰＵでの動作周波数は１ＧＨｚを超え、通信機器においては、例えば携帯電話器では０．９ＧＨｚ、１．５ＧＨｚ、１．９ＧＨｚが用いられ、無線ＬＡＮでは２．４５ＧＨｚ、５．０ＧＨｚ、１９．０ＧＨｚが用いられるようになっており、このような背景から、今後ますますＧＨｚ帯域での高速な半導体集積素子の利用は増加することが予想される。一方、携帯電話、ノートパソコン、デジタルカメラ等のモバイル電子機器や、液晶テレビ、ブルーレイディスクレコーダー、ゲーム機等の情報家電では、小型化、軽量化、薄型化、高機能化の要求に伴い、これら電子機器内部に搭載されているＣＰＵ、ＬＳＩ、周辺半導体等の電子部品の高密度化、高集積化、およびプリント配線基板への電子部品の高密度実装化が進んでいる。その結果、過密に集積、実装された電子部品や配線はお互いに近接する状況となり、前述の高周波化と融合して電磁波の不要輻射が発生しやすい状態となる。すなわち、このことが機器の誤作動等の問題を引き起こし、電子機器の不具合の発生および小型化や高機能化を阻害する重大な要因となっている。 In recent years, electronic devices and information communication devices using a high clock frequency of 0.1 to 20 GHz such as personal computers (PCs), mobile phones, personal digital assistants (PDAs), information appliances, and highway information systems have become widespread. Yes. In particular, the operating frequency of the CPU in a PC exceeds 1 GHz in a PC, and in communication equipment, for example, 0.9 GHz, 1.5 GHz, and 1.9 GHz are used in a mobile phone, and 2.45 GHz, 5.0 GHz, 19.0 GHz has been used, and against this background, it is expected that the use of high-speed semiconductor integrated devices in the GHz band will increase in the future. On the other hand, mobile electronic devices such as mobile phones, notebook computers, digital cameras, and information home appliances such as LCD TVs, Blu-ray disc recorders, and game consoles are becoming more and more demanding as they become smaller, lighter, thinner, and more sophisticated. Increasing the density and integration of electronic components such as CPUs, LSIs, and peripheral semiconductors mounted in electronic devices, and mounting electronic components on printed wiring boards with high density are in progress. As a result, the electronic components and wirings that are densely integrated and mounted are in close proximity to each other, and are in a state where unnecessary radiation of electromagnetic waves is likely to occur in combination with the increase in frequency described above. That is, this causes problems such as malfunction of the equipment, and is a serious factor that hinders the occurrence of malfunctions and downsizing and high functionality of the electronic equipment.

このような問題に対して、最近では、不要輻射などの電磁波障害（ＥＭＩ）が指摘されており、その総合的な対策として電磁両立性（ＥＭＣ）が重視され、この分野での研究が盛んに行われている。例えば、駆動周波数が低周波〜数ＭＨｚまでの電子機器では、筐体などを軟磁性材料で覆う方法がなされており、１〜２ＧＨｚ程度の電子機器では、シート状の複合磁性体を電子部品や電磁波ノイズ発生源に直接貼り付ける対策が施されている。さらに、前述の電子機器の小型化、高機能化等の要求に対して、これらに用いられる電磁波シールド材、電磁波吸収体、電磁波ノイズ抑制体においても、電磁波障害を抑制する効果が高いことに加え、薄くて軽い材料が望まれている。また、電磁波ノイズ抑制効果と軽薄化を兼ね備えた材料は、半導体素子の集積回路、半導体パッケージのサブストレート、多層回路基板等への実装作業の簡便さという点でも有効であり、さらに、フレキシブルプリント基板等のフレキシブル性が必要な部分には、薄くて軽い特徴に加え、屈曲性に富んだ材料が待望されている。 Recently, electromagnetic interference (EMI) such as unwanted radiation has been pointed out to deal with such problems, and electromagnetic compatibility (EMC) is emphasized as a comprehensive countermeasure, and research in this field is actively conducted. Has been done. For example, in an electronic device having a driving frequency from a low frequency to several MHz, a method of covering a housing or the like with a soft magnetic material is performed, and in an electronic device of about 1 to 2 GHz, a sheet-like composite magnetic material is used as an electronic component or Measures are applied directly to the electromagnetic noise source. Furthermore, in response to the demands for downsizing and high functionality of the electronic devices described above, the electromagnetic wave shielding material, the electromagnetic wave absorber, and the electromagnetic wave noise suppressor used for these are also highly effective in suppressing electromagnetic interference. Thin and light materials are desired. In addition, the material that combines electromagnetic noise suppression effect and light weight reduction is also effective in terms of ease of mounting on semiconductor device integrated circuits, semiconductor package substrates, multilayer circuit boards, etc. In addition to the thin and light features, a material with high flexibility is awaited for the parts that require flexibility.

従来、プリント配線板の電磁波障害を防止する方法として、例えば特許文献１では、電磁波を反射させる金属薄膜を有するシールドフィルムが提案されている。このような金属薄膜は、導電性接着剤層とグランド回路との接続を必要とすることや、電磁波シールド機能を有するものの、プリント配線板の導体層を伝導する伝導ノイズを抑制することは困難であった。また、特許文献２では、伝導ノイズ抑制機能を有するプリント配線板が提案されている。この特許文献によると、プリント配線板における導体層を流れる伝導ノイズを抑制するため、抵抗体層をエッジ部の近傍に配置するとともに、２対の抵抗体層が対向するように配置する必要があった。 Conventionally, as a method for preventing electromagnetic interference of a printed wiring board, for example, Patent Document 1 proposes a shield film having a metal thin film that reflects electromagnetic waves. Such a metal thin film requires a connection between the conductive adhesive layer and the ground circuit and has an electromagnetic wave shielding function, but it is difficult to suppress conduction noise conducted through the conductor layer of the printed wiring board. there were. Patent Document 2 proposes a printed wiring board having a conduction noise suppression function. According to this patent document, in order to suppress conduction noise flowing through a conductor layer in a printed wiring board, it is necessary to dispose the resistor layer in the vicinity of the edge portion and to dispose the two pairs of resistor layers facing each other. It was.

特開２００７−２９４９１８号公報JP 2007-294918 A 特開２０１０−５０１６６号公報JP 2010-50166 A

本発明は、配線基板への組み込み応用が容易で、さらに、高周波帯域における近傍界での単位面積あたりの電磁波ノイズ抑制効果が高く、長期間安定した電磁波ノイズ抑制効果を維持できるカバーレイフィルムを備えた回路基板を提供することを目的とする。また、他の目的は、薄く、軽量で、可撓性があり、電磁波ノイズ抑制層をグランド層などの導体層に接続させる必要がない回路基板を提供することを目的とする。 The present invention has a coverlay film that can be easily incorporated into a wiring board, has a high electromagnetic noise suppression effect per unit area in the near field in a high frequency band, and can maintain a stable electromagnetic noise suppression effect for a long period of time. An object of the present invention is to provide a circuit board. Another object of the present invention is to provide a circuit board that is thin, lightweight, flexible, and does not require an electromagnetic wave noise suppression layer to be connected to a conductor layer such as a ground layer.

本発明者らは、上記実情に鑑み鋭意努力して検討を進めた結果、所望の構成を有する回路基板は、上記要求を満たすものであることを見出し、本発明を完成した。 As a result of diligent efforts in consideration of the above circumstances, the present inventors have found that a circuit board having a desired configuration satisfies the above requirements, and completed the present invention.

すなわち、本発明の回路基板は、基材及び該基材上に形成された配線層を有する配線基板と、
接着剤層、カバーレイ用フィルム材層及び電磁波ノイズ抑制層を有するカバーレイフィルムと、
を備え、前記接着剤層によって、前記配線層が被覆されるとともに、前記配線基板と前記カバーレイフィルムとが貼り合わされた回路基板であって、
前記電磁波ノイズ抑制層は、前記カバーレイ用フィルム材層の表面に形成された金属薄膜であり、該金属薄膜の表面抵抗が１０〜９０Ω／□の範囲内にあり、前記配線基板の配線層との間隔が３０〜７０μｍの範囲内にあることを特徴とする。 That is, the circuit board of the present invention is a wiring board having a base material and a wiring layer formed on the base material;
A cover lay film having an adhesive layer, a cover lay film material layer and an electromagnetic wave noise suppression layer;
A circuit board in which the wiring layer is covered by the adhesive layer, and the wiring board and the coverlay film are bonded together,
The electromagnetic wave noise suppression layer is a metal thin film formed on the surface of the coverlay film material layer, and the surface resistance of the metal thin film is in the range of 10 to 90Ω / □, and the wiring layer of the wiring board Is in the range of 30 to 70 μm.

本発明の回路基板において、前記カバーレイフィルムは、接着剤層と、カバーレイ用フィルム材層と、電磁波ノイズ抑制層とが、この順序で積層されたカバーレイフィルムであってもよい。 In the circuit board of the present invention, the coverlay film may be a coverlay film in which an adhesive layer, a coverlay film material layer, and an electromagnetic wave noise suppression layer are laminated in this order.

また、本発明の回路基板は、前記電磁波ノイズ抑制層が、ニッケル−クロム合金を含む金属薄膜であってもよい。 In the circuit board of the present invention, the electromagnetic wave noise suppression layer may be a metal thin film containing a nickel-chromium alloy.

本発明の回路基板は、特定の表面抵抗を有する金属薄膜が、配線層との間隔を特定の範囲内に保持した状態で位置しているため、回路基板における配線層で生じる電磁波エネルギーを導電損失として熱に変換しやすく、電磁波ノイズ抑制効果が高く、かつ薄く、軽量であり、可撓性・屈曲性に優れる。さらに、本発明によれば、電磁波を効率よく熱に変換して吸収できるため、電磁波ノイズ抑制層をグランド回路に接続させる必要がない回路基板を提供することができる。 In the circuit board according to the present invention, the metal thin film having a specific surface resistance is positioned in a state where the distance from the wiring layer is kept within a specific range, so that the electromagnetic wave energy generated in the wiring layer in the circuit board is lost as a conductive loss. It is easily converted into heat, has a high electromagnetic noise suppression effect, is thin and lightweight, and has excellent flexibility and flexibility. Furthermore, according to the present invention, since an electromagnetic wave can be efficiently converted into heat and absorbed, a circuit board that does not require the electromagnetic wave noise suppression layer to be connected to a ground circuit can be provided.

本発明の第１の実施の形態の回路基板を説明する要部断面図である。It is principal part sectional drawing explaining the circuit board of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施の形態の回路基板を説明する要部断面図である。It is principal part sectional drawing explaining the circuit board of the 2nd Embodiment of this invention. 実施例１、２及び参考例１、２の回路基板のＳ１１（反射損失）を示すグラフである。It is a graph which shows S11 (reflection loss) of the circuit board of Examples 1, 2 and Reference Examples 1, 2. 実施例１、２及び参考例１、２の回路基板のＳ２１（挿入損失）を示すグラフである。It is a graph which shows S21 (insertion loss) of the circuit board of Examples 1, 2 and Reference Examples 1, 2.

［回路基板］
本発明の回路基板１００は、基材１０１及び該基材１０１上に形成された配線層１０２を有する配線基板１１０と、接着剤層１１１、カバーレイ用フィルム材層１１２及び電磁波ノイズ抑制層１１３を有するカバーレイフィルム１２０とが、カバーレイフィルム１２０の接着剤層１１１によって、配線基板１１０の配線層１０２を被覆して貼り合わされたものである。本発明の第１の実施の形態の回路基板１００Ａは、図１に示したように、カバーレイフィルム１２０Ａは、接着剤層１１１と、カバーレイ用フィルム材層１１２と、電磁波ノイズ抑制層１１３とが、この順序で積層されている。また、本発明の第２の実施の形態の回路基板１００Ｂは、図２に示したように、カバーレイフィルム１２０Ｂは、接着剤層１１１と、電磁波ノイズ抑制層１１３と、カバーレイ用フィルム材層１１２とが、この順序で積層されている。本明細書では、第１の実施の形態の回路基板１００Ａと第２の実施の形態の回路基板１００Ｂを区別しない場合は、「回路基板１００」と記載する。同様に、カバーレイフィルム１２０Ａとカバーレイフィルム１２０Ｂとを区別しない場合は、「カバーレイフィルム１２０」と記載する。 [Circuit board]
The circuit board 100 of the present invention includes a substrate 101 and a wiring substrate 110 having a wiring layer 102 formed on the substrate 101, an adhesive layer 111, a coverlay film material layer 112, and an electromagnetic noise suppression layer 113. The cover lay film 120 having the cover lay film 120 is bonded to the wiring layer 102 of the wiring substrate 110 by the adhesive layer 111 of the cover lay film 120. As shown in FIG. 1, the circuit board 100 </ b> A according to the first embodiment of the present invention includes a coverlay film 120 </ b> A, an adhesive layer 111, a coverlay film material layer 112, and an electromagnetic wave noise suppression layer 113. Are stacked in this order. In addition, as shown in FIG. 2, the circuit board 100B according to the second embodiment of the present invention includes a cover lay film 120B, an adhesive layer 111, an electromagnetic wave noise suppression layer 113, and a cover lay film material layer. 112 are stacked in this order. In this specification, when the circuit board 100A of the first embodiment and the circuit board 100B of the second embodiment are not distinguished, they are described as “circuit board 100”. Similarly, when the coverlay film 120A and the coverlay film 120B are not distinguished, they are described as “coverlay film 120”.

［基材］
基材１０１は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ＢＴレジン、カルド樹脂（フルオレン樹脂）、ポリシロキサン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、ビニル樹脂、フェノール樹脂、液晶ポリマーなどの絶縁性の樹脂材料によって形成することができる。これらの樹脂材料の１種又は２種以上で構成されてもよく、単層又は複数層であってもよい。また、出来るだけ耐熱性の高い絶縁材料を用いることが好ましい。このような観点から、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂を用いることが好ましい。基材１０１の厚みは、例えば５μｍ〜２００μｍの範囲内が好ましく、屈曲性の観点から、例えば５μｍ〜５０μｍの範囲内が好ましく、１５μｍ〜４０μｍの範囲内がより好ましい。 [Base material]
The substrate 101 is made of, for example, polyimide resin, epoxy resin, BT resin, cardo resin (fluorene resin), polysiloxane resin, polyethylene terephthalate resin, polyphenylene ether resin, epoxy resin, fluorine resin, vinyl resin, phenol resin, liquid crystal polymer, etc. It can be formed of an insulating resin material. It may be composed of one or more of these resin materials, and may be a single layer or a plurality of layers. In addition, it is preferable to use an insulating material with as high a heat resistance as possible. From such a viewpoint, it is preferable to use a polyimide resin or an epoxy resin. The thickness of the substrate 101 is preferably in the range of 5 μm to 200 μm, for example, and preferably in the range of 5 μm to 50 μm, and more preferably in the range of 15 μm to 40 μm from the viewpoint of flexibility.

［配線層］
配線層１０２は、例えば銅、アルミニウム、ステンレス、鉄、銀、金、パラジウム、ニッケル、コバルト、クロム、モリブデン、タングステン、ベリリウム、亜鉛、インジウム、スズ、ジルコニウム、タンタル、チタン、マグネシウム、マンガン又はそれらの合金を構成する金属種によって構成され、この中でも銅又は銅合金が好ましい。配線層１０２の厚みは、例えば５μｍ〜１５０μｍの範囲内が好ましく、回路基板１００に屈曲性を付与する観点から、５〜３５μｍの範囲内がより好ましく、９〜１８μｍの範囲内が更に好ましい。また、配線層１０２の表面には、接着力等の向上を目的として、その表面に化学的又は機械的な表面処理を施してもよい。 [Wiring layer]
The wiring layer 102 is made of, for example, copper, aluminum, stainless steel, iron, silver, gold, palladium, nickel, cobalt, chromium, molybdenum, tungsten, beryllium, zinc, indium, tin, zirconium, tantalum, titanium, magnesium, manganese, or their It is comprised by the metal seed | species which comprises an alloy, and copper or a copper alloy is preferable among these. The thickness of the wiring layer 102 is preferably in the range of 5 μm to 150 μm, for example, from the viewpoint of imparting flexibility to the circuit board 100, more preferably in the range of 5 to 35 μm, and still more preferably in the range of 9 to 18 μm. Further, the surface of the wiring layer 102 may be subjected to chemical or mechanical surface treatment for the purpose of improving the adhesive force or the like.

［カバーレイフィルム］
カバーレイフィルム１２０は、カバーレイ用フィルム材層１１２、電磁波ノイズ抑制層１１３及び接着剤層１１１、を備えている。このカバーレイフィルム１２０は、０．１ＧＨｚ〜２０ＧＨｚの準マイクロ波のノイズ抑制能力に優れており、動作駆動周波数が主にＧＨｚ帯域の電子部品に好適に使用できるが、これに限定されるものではない。 [Coverlay film]
The coverlay film 120 includes a coverlay film material layer 112, an electromagnetic wave noise suppression layer 113, and an adhesive layer 111. This cover lay film 120 is excellent in noise suppression ability of quasi-microwaves of 0.1 GHz to 20 GHz, and can be suitably used for electronic components whose operation drive frequency is mainly in the GHz band, but is not limited to this. Absent.

［カバーレイ用フィルム材層］
カバーレイ用フィルム材層１１２は、任意の合成樹脂により形成することができ、例えばポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリブテン樹脂、ポリブチレン樹脂、ポリスチレン樹脂、ＡＳ樹脂、ＡＢＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリメタアクリル酸エステル樹脂、メタアクリル酸メチル−スチレン共重合体樹脂、無水マレイン酸−スチレン共重合体樹脂、無水マレイン酸−スチレン共重合体樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、セルロース樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリエチレンオキサイド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリビニルエーテル樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリアセタール樹脂、キシレン樹脂、グアナミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ビニルエステル樹脂、フェノール樹脂、フラン樹脂、ポリウレタン樹脂、マレイン酸樹脂、メラミン樹脂、ポリシロキサン樹脂、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、カルド樹脂（フルオレン樹脂）、フッ素樹脂等が挙げられるが、これに限定されない。これらの樹脂中でも、耐熱性に優れ、適度な可とう性を有するポリイミド樹脂が好ましい。 [Film material layer for coverlay]
The coverlay film material layer 112 can be formed of any synthetic resin, for example, polyethylene resin, polypropylene resin, polypropylene resin, polybutadiene resin, polybutene resin, polybutylene resin, polystyrene resin, AS resin, ABS resin, MBS resin. , Polyvinyl alcohol resin, polymethacrylate resin, methyl methacrylate-styrene copolymer resin, maleic anhydride-styrene copolymer resin, maleic anhydride-styrene copolymer resin, polyvinyl acetate resin, cellulose resin , Polyimide resin, polyamide resin, epoxy resin, polyamideimide resin, polyarylate resin, polyetherimide resin, polyetherketone resin, polyethylene oxide resin, polyethylene terephthalate resin, polycarbonate Resin, polysulfone resin, polyvinyl ether resin, polyvinyl butyral resin, polyphenylene ether resin, polyphenylene sulfide resin, polybutylene terephthalate resin, polymethylpentene resin, polyacetal resin, xylene resin, guanamine resin, diallyl phthalate resin, vinyl ester resin, phenol Examples include, but are not limited to, resins, furan resins, polyurethane resins, maleic acid resins, melamine resins, polysiloxane resins, liquid crystal polymers (LCP), cardo resins (fluorene resins), and fluorine resins. Among these resins, a polyimide resin having excellent heat resistance and moderate flexibility is preferable.

カバーレイ用フィルム材層１１２の厚みＴ_１は、回路基板１００に可とう性を付与する観点から、好ましくは３μｍ〜１００μｍの範囲内、より好ましくは５μｍ〜５０μｍの範囲内がよい。 The thickness _{T 1} of the cover lay film material layer 112, from the viewpoint of imparting flexibility to the circuit board 100, preferably in the range of 3Myuemu～100myuemu, more preferably in the range of 5 m to 50 m.

カバーレイ用フィルム材層１１２としては、市販の合成樹脂フィルムを用いることができる。ポリイミド樹脂を用いる場合は、例えば東レ・デュポン株式会社製のカプトンＥＮ、カプトンＨ、カプトンＶ（いずれも商品名）、鐘淵化学株式会社製のアピカルＮＰＩ（商品名）、宇部興産株式会社製のユーピレックスＳ（商品名）、三菱ガス化学社製のネオプリム（商品名）、東洋紡社製のゼノマックス（商品名）、クラボウ社製のミドフィル（商品名）、三井化学社製のオーラム（商品名）等を使用することが可能である。 As the coverlay film material layer 112, a commercially available synthetic resin film can be used. When polyimide resin is used, for example, Kapton EN, Kapton H, Kapton V (all trade names) manufactured by Toray DuPont, Apical NPI (trade names) manufactured by Kaneka Chemical Co., Ltd., Ube Industries, Ltd. Upilex S (trade name), Neoprim (trade name) manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company, Xenomax (trade name) manufactured by Toyobo Co., Ltd., Midophil (trade name) manufactured by Kurabo Industries, Aurum (trade name) manufactured by Mitsui Chemicals, Inc. Etc. can be used.

また、カバーレイ用フィルム材層１１２は、電磁波ノイズ抑制層１１３との接着性を強固なものにするために、電磁波ノイズ抑制層１１３を形成する前に、電磁波ノイズ抑制層１１３を積層する側の表面にプラズマ処理を施してもよい。また、電磁波ノイズ抑制体からの放熱を促進したり、機能性や意匠性を向上させたりするために、電磁波ノイズ抑制性能を損なわない範囲で、例えばカバーレイ用フィルム材層１１２内に、強磁性フィラー、導電性フィラー、熱伝導性フィラー、補強性フィラー、難燃剤、酸化防止剤、着色剤、耐熱向上材などを添加してもよい。 Further, the coverlay film material layer 112 is formed on the side where the electromagnetic wave noise suppression layer 113 is laminated before the electromagnetic wave noise suppression layer 113 is formed in order to make the adhesiveness with the electromagnetic wave noise suppression layer 113 strong. Plasma treatment may be performed on the surface. In addition, in order to promote heat dissipation from the electromagnetic wave noise suppression body or improve functionality and designability, within the range that does not impair the electromagnetic wave noise suppression performance, for example, in the film material layer 112 for coverlay, A filler, a conductive filler, a heat conductive filler, a reinforcing filler, a flame retardant, an antioxidant, a colorant, a heat resistance improving material, and the like may be added.

［電磁波ノイズ抑制層］
電磁波ノイズ抑制層１１３は、カバーレイ用フィルム材層１１２の表面に形成された金属薄膜であり、該金属薄膜の表面抵抗が１０〜９０Ω／□の範囲内にある。表面抵抗が、このような範囲内にあるので、該金属薄膜の導電損失によって電磁波エネルギーは熱に変換されやすいと考えられる。また、電磁波ノイズ抑制層１１３を有し、電磁波ノイズ発生源の配線層１０２との間隔が制御されているので、入射してきた電磁波を反射させる機能（シールド機能）が抑えられ、電磁波ノイズ抑制層１１３の背面に抜けるのを抑制する機能（抑制機能）を有する。このように制御された電磁波ノイズ抑制層１１３は、電磁波エネルギーから熱エネルギーへの変換効率が高いので、グランド回路に接続する必要がなく、回路基板１００への装着を容易に行うことができる。 [Electromagnetic wave noise suppression layer]
The electromagnetic wave noise suppression layer 113 is a metal thin film formed on the surface of the coverlay film material layer 112, and the surface resistance of the metal thin film is in the range of 10 to 90Ω / □. Since the surface resistance is in such a range, it is considered that electromagnetic wave energy is easily converted into heat due to the conductive loss of the metal thin film. Further, since the electromagnetic wave noise suppressing layer 113 is provided and the distance from the wiring layer 102 of the electromagnetic wave noise generating source is controlled, the function of reflecting incident electromagnetic waves (shield function) is suppressed, and the electromagnetic wave noise suppressing layer 113 is controlled. It has the function (suppression function) which suppresses coming out to the back of the. Since the electromagnetic wave noise suppression layer 113 controlled in this way has high conversion efficiency from electromagnetic wave energy to thermal energy, it is not necessary to connect to the ground circuit and can be easily mounted on the circuit board 100.

電磁波ノイズ抑制層１１３に含まれる金属材料は、電磁波ノイズ抑制層１１３の耐酸化性及び耐熱性を考慮し、ニッケルを主成分とするニッケル合金であることが好ましい。また、電磁波ノイズ抑制層１１３を加熱処理した後においても電磁波ノイズ抑制効果低下の影響を殆ど受けないニッケル合金として、より好ましくはニッケル−クロム合金がよい。特に、ニッケル−クロム合金である場合は、金属薄膜が高温加熱処理後においても脆化しにくく、しかも好適な発熱素子として機能し、効率よく電磁波エネルギーを熱エネルギーに変換できるものと考えられる。このような電磁波ノイズ抑制層１１３の特徴は、カバーレイフィルム１２０を配線基板１１０に貼り合わせる際に、例えば熱プレス装置などを用いて熱圧着する場合においても、電磁波ノイズ抑制効果を低下させることがないので、特に有利である。 In consideration of the oxidation resistance and heat resistance of the electromagnetic wave noise suppression layer 113, the metal material contained in the electromagnetic wave noise suppression layer 113 is preferably a nickel alloy containing nickel as a main component. Further, a nickel-chromium alloy is more preferable as the nickel alloy that is hardly affected by the reduction in the electromagnetic wave noise suppression effect even after the electromagnetic wave noise suppression layer 113 is heat-treated. In particular, in the case of a nickel-chromium alloy, it is considered that the metal thin film is not easily embrittled even after high-temperature heat treatment, functions as a suitable heating element, and can efficiently convert electromagnetic wave energy into heat energy. Such a feature of the electromagnetic wave noise suppression layer 113 is that when the cover lay film 120 is bonded to the wiring substrate 110, the electromagnetic noise suppression effect is reduced even when thermocompression bonding is performed using, for example, a hot press device. This is particularly advantageous.

金属材料がニッケル−クロム合金である場合、電磁波ノイズ抑制層１１３の平均厚さＴ_２は、例えば３５〜１６０ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは４０〜１５０ｎｍの範囲内である。この場合は、電磁波ノイズ抑制層１１３の平均厚さＴ_２を３５ｎｍ以上にすることにより、電磁波の透過を抑制し、充分な電磁波ノイズ抑制効果を発揮することができる。一方、電磁波ノイズ抑制層１１３の平均厚さＴ_２が１６０ｎｍを超えると、表面抵抗が２０Ω／□よりも小さくなり、その結果、電磁波ノイズ抑制層１１３の表面で電磁波の反射機能が強まることで電磁波ノイズ抑制効果が小さくなる。ここで、電磁波ノイズ抑制層１１３の平均厚さＴ_２とは、電磁波ノイズ抑制層１１３の膜厚方向断面のＴＥＭ画像をもとにして、５箇所の電磁波ノイズ抑制層１１３の厚さをＴＥＭ画像上で測定し、平均した厚さである。 Metallic material is nickel - When a chromium alloy, the average thickness _{T 2} of the electromagnetic noise suppressing layer 113, for example, preferably in the range of 35～160Nm, more preferably in the range of 40 to 150 nm. In this case, by setting the average thickness T ₂ of the electromagnetic noise suppressing layer 113 over 35 nm, to suppress the transmission of electromagnetic waves, it is possible to exhibit sufficient electromagnetic noise suppression effect. On the other hand, if the average thickness T ₂ of the electromagnetic noise suppressing layer 113 exceeds 160 nm, the surface resistance is smaller than 20 [Omega / □, as a result, the electromagnetic wave by the reflection function of the electromagnetic wave is strengthened on the surface of the electromagnetic noise suppressing layer 113 Noise suppression effect is reduced. Here, the average thickness T ₂ of the electromagnetic noise suppressing layer 113, the TEM image of the film thickness direction cross-section of the electromagnetic noise suppressing layer 113 based on the thickness of the electromagnetic noise suppressing layer 113 of five positions TEM image The thickness measured above and averaged.

金属薄膜の形成方法としては、例えば物理的蒸着法、湿式還元法等が挙げられる。量産性の観点から、物理的蒸着法による形成方法を適用することが好ましい。物理的蒸着法は、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法等が挙げられ、製造コスト面のメリットから、スパッタリング法を適用することが特に好ましい。このスパッタリング法は、２極型、３極型、４極型、対抗ターゲット型、ＤＣスパッタ、ＲＦスパッタ、ＤＣマグネトロンスパッタ、ＲＦマグネトロンスパッタ、ＥＣスパッタ、レーザービームスパッタ、ミラートロンスパッタ、イオンビームスパッタ、デュアルイオンビームスパッタ、ＥＣＲスパッタ、ＰＥＭＳスパッタ等の各種手法が挙げられる。また、スパッタリングに使用するガス種としては、例えばアルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン、窒素、酸素等を用いることができる。特に、アルゴンガスはスパッタリングの効率が高いため、好適に用いられる。これらのガスは２種類以上混合して使用することもできる。スパッタリング法による金属薄膜の成膜条件については、例えば、アルゴンガスをスパッタガスとして使用し、圧力は好ましくは１×１０^−２〜１Ｐａ、より好ましくは５×１０^−２〜５×１０^−１Ｐａであり、スパッタの電力は、好ましくは１０〜１０００Ｗ、より好ましくは２０〜６００Ｗの条件で行う方法がよい。 Examples of the method for forming the metal thin film include a physical vapor deposition method and a wet reduction method. From the viewpoint of mass productivity, it is preferable to apply a formation method by physical vapor deposition. Examples of the physical vapor deposition method include a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, an electron beam vapor deposition method, and an ion plating method, and it is particularly preferable to apply the sputtering method from the viewpoint of manufacturing cost. This sputtering method is dipole type, triode type, quadrupole type, counter target type, DC sputtering, RF sputtering, DC magnetron sputtering, RF magnetron sputtering, EC sputtering, laser beam sputtering, mirrortron sputtering, ion beam sputtering, Various methods such as dual ion beam sputtering, ECR sputtering, and PEMS sputtering can be used. Further, as a gas species used for sputtering, for example, argon, helium, neon, xenon, krypton, nitrogen, oxygen, or the like can be used. In particular, argon gas is preferably used because of its high sputtering efficiency. Two or more kinds of these gases can be mixed and used. Regarding the film forming conditions of the metal thin film by the sputtering method, for example, argon gas is used as a sputtering gas, and the pressure is preferably 1 × 10 ^{−2 to} ¹ Pa, more preferably 5 × 10 ^{−2 to} 5 × 10 ⁻¹ Pa. The sputtering power is preferably 10 to 1000 W, more preferably 20 to 600 W.

金属材料が、例えばニッケル−クロム合金である場合、金属薄膜の形成は物理的蒸着法の適用が好ましく、スパッタリング法の適用が特に好ましい。ニッケル−クロム合金をスパッタリングのターゲットとして用いる場合は、クロム含有率が好ましくは５重量％以上３５重量％以下の範囲内、より好ましくは１５重量％以上２５重量％以下の範囲内がよい。このような範囲内とすることで優れた電磁波ノイズ抑制効果を持つ金属薄膜を形成することができる。 When the metal material is, for example, a nickel-chromium alloy, the physical vapor deposition method is preferably used for forming the metal thin film, and the sputtering method is particularly preferable. When a nickel-chromium alloy is used as a sputtering target, the chromium content is preferably in the range of 5 wt% to 35 wt%, more preferably in the range of 15 wt% to 25 wt%. By setting it within such a range, a metal thin film having an excellent electromagnetic noise suppression effect can be formed.

電磁波ノイズ抑制層１１３は、配線層１０２との間隔Ｔ_３が３０〜７０μｍの範囲内、好ましくは３５〜６５μｍの範囲内、より好ましくは３５〜４５μｍの範囲内にあることがよい。電磁波ノイズ抑制層１１３と配線層１０２との間隔Ｔ_３は、カバーレイフィルム１２０の接着剤層１１１及びカバーレイ用フィルム材層１１２の合計厚み、又はカバーレイフィルム１２０の接着剤層１１１の厚みによって制御することができる。すなわち、図１に示したように、カバーレイフィルム１２０が、接着剤層１１１と、カバーレイ用フィルム材層１１２と、電磁波ノイズ抑制層１１３とが、この順序で積層されたもの（カバーレイフィルム１２０Ａ）である場合には、電磁波ノイズ抑制層１１３と配線層１０２との間隔Ｔ_３は、接着剤層１１１及びカバーレイ用フィルム材層１１２によって制御することができる。また、図２に示したように、カバーレイフィルム１２０が、接着剤層１１１と、電磁波ノイズ抑制層１１３と、カバーレイ用フィルム材層１１２とが、この順序で積層されたもの（カバーレイフィルム１２０Ｂ）である場合には、電磁波ノイズ抑制層１１３と配線層１０２との間隔Ｔ_３は、接着剤層１１１のみによって制御することができる。 The electromagnetic wave noise suppression layer 113 may have an interval T3 with the wiring layer 102 in the range of ₃₀ to 70 μm, preferably in the range of 35 to 65 μm, and more preferably in the range of 35 to 45 μm. The interval T ₃ between the electromagnetic wave noise suppression layer 113 and the wiring layer 102 depends on the total thickness of the adhesive layer 111 and the coverlay film material layer 112 of the coverlay film 120 or the thickness of the adhesive layer 111 of the coverlay film 120. Can be controlled. That is, as shown in FIG. 1, the coverlay film 120 is formed by laminating an adhesive layer 111, a coverlay film material layer 112, and an electromagnetic noise suppression layer 113 in this order (coverlay film). If it is 120A), the interval _{T 3} between the electromagnetic noise suppressing layer 113 and the wiring layer 102 can be controlled by the adhesive layer 111 and the cover lay film material layer 112. Further, as shown in FIG. 2, the cover lay film 120 is formed by laminating an adhesive layer 111, an electromagnetic wave noise suppression layer 113, and a cover lay film material layer 112 in this order (cover lay film). If it is 120B), the interval _{T 3} between the electromagnetic noise suppressing layer 113 and the wiring layer 102 can be controlled only by the adhesive layer 111.

［接着剤層］
接着剤層１１１は、配線基板１１０の配線を被覆し、且つ配線層１０２と電磁波ノイズ抑制層１１３との間隔を制御する機能を有する。従って、配線基板１１０に貼り合わせる前の接着剤層１１１の厚みは、配線基板１１０全体又は単位面積当たりに存在する配線層１０２の占有面積比率などを考慮して設定することが好ましい。接着剤層１１１の厚みは、配線基板１１０に貼り合わせる前であれば、例えば１０〜８５μｍの範囲内が好ましく、２５〜５０μｍの範囲内がより好ましい。 [Adhesive layer]
The adhesive layer 111 has a function of covering the wiring of the wiring substrate 110 and controlling the distance between the wiring layer 102 and the electromagnetic wave noise suppression layer 113. Therefore, the thickness of the adhesive layer 111 before being bonded to the wiring board 110 is preferably set in consideration of the entire area of the wiring board 110 or the occupation area ratio of the wiring layer 102 existing per unit area. The thickness of the adhesive layer 111 is, for example, preferably in the range of 10 to 85 μm and more preferably in the range of 25 to 50 μm before being bonded to the wiring substrate 110.

接着剤層１１１の材質は、特に限定されるものではないが、例えばポリスチレン系、酢酸ビニル系、ポリエステル系、ポリエチレン系、ポリプロピレン系、ポリアミド系、ゴム系、アクリル系などの熱可塑性樹脂や、フェノール系、エポキシ系、シロキサン系、ウレタン系、メラミン系、アルキッド系などの熱硬化性樹脂等を挙げることができる。耐熱性や可撓性が要求される場合においては、信頼性が高く好ましいものとして、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等を挙げることができる。なお、エポキシ系の熱硬化性樹脂を使用する場合には、熱プレス時のにじみ出し（リフロー）の小さいものが好ましい。ここで、ポリイミド樹脂としては、例えばポリイミド、ポリアミドイミド、ポリベンゾイミダゾール、ポリイミドエステル、ポリエーテルイミド、ポリシロキサンイミド等を挙げることができる。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、テトラメチルビスフェノールＡ型等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型等のノボラック型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタントリグリシジルエーテル等のような芳香族エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂等を挙げることができる。なお、接着剤層１１１は、フィルム状の接着シートであってもよく、市販のボンディングシートも利用できる。 The material of the adhesive layer 111 is not particularly limited. For example, polystyrene, vinyl acetate, polyester, polyethylene, polypropylene, polyamide, rubber, acrylic, and other thermoplastic resins, phenol And thermosetting resins such as epoxy, epoxy, siloxane, urethane, melamine, and alkyd. In the case where heat resistance and flexibility are required, examples of high reliability and preferable materials include polyimide resins and epoxy resins. In addition, when using an epoxy-type thermosetting resin, a thing with small bleeding (reflow) at the time of a hot press is preferable. Here, examples of the polyimide resin include polyimide, polyamideimide, polybenzimidazole, polyimide ester, polyetherimide, polysiloxaneimide, and the like. Examples of the epoxy resin include bisphenol type epoxy resins such as bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type and tetramethylbisphenol A type, novolac type epoxy resins such as phenol novolak type and cresol novolak type, and trisphenolmethane triglycidyl. Aromatic epoxy resins such as ether, naphthalene type epoxy resins, fluorene type epoxy resins, dicyclopentadiene type epoxy resins and the like can be mentioned. The adhesive layer 111 may be a film-like adhesive sheet, and a commercially available bonding sheet can also be used.

また、接着剤層１１１には、強磁性フィラー、導電性フィラー、熱伝導性フィラー、補強性フィラー、難燃剤、酸化防止剤、着色剤、耐熱向上材などを添加してもよい。 In addition, a ferromagnetic filler, a conductive filler, a heat conductive filler, a reinforcing filler, a flame retardant, an antioxidant, a colorant, a heat resistance improver, and the like may be added to the adhesive layer 111.

なお、本発明の回路基板１００は、配線基板１１０において基材１０１及び配線層１０２以外に、任意の層を設けてもよく、また、カバーレイフィルム１２０において接着剤層１１１、カバーレイ用フィルム材層１１２及び電磁波ノイズ抑制層１１３以外に、任意の層を設けてもよい。 In the circuit board 100 of the present invention, an arbitrary layer may be provided in addition to the base material 101 and the wiring layer 102 in the wiring board 110, and the adhesive layer 111 and the coverlay film material in the coverlay film 120. In addition to the layer 112 and the electromagnetic wave noise suppression layer 113, an arbitrary layer may be provided.

［製造方法］
本発明の回路基板１００は、配線基板１１０及びカバーレイフィルム１２０をそれぞれ作製し、配線基板１１０の配線層１０２にカバーレイフィルム１２０の接着剤層１１１を重ね、例えば熱プレス等の手段で張り合わせることによって製造できる。また、カバーレイ用フィルム材層１１２と電磁波ノイズ抑制層１１３との積層体を作製し、この積層体と配線基板１１０を、間に接着剤層１１１となる接着剤フィルムを介在させた状態で、例えば熱プレス等の手段で張り合わせることによって製造することも可能である。 [Production method]
In the circuit board 100 of the present invention, the wiring board 110 and the coverlay film 120 are respectively produced, and the adhesive layer 111 of the coverlay film 120 is overlaid on the wiring layer 102 of the wiring board 110 and bonded together by means such as hot press. Can be manufactured. Also, a laminate of the coverlay film material layer 112 and the electromagnetic wave noise suppression layer 113 is produced, and the laminate and the wiring board 110 are interposed with an adhesive film serving as the adhesive layer 111 interposed therebetween. For example, it is also possible to manufacture by bonding by means such as a hot press.

以上説明したように、本発明の回路基板１００は、電磁波ノイズ抑制層１１３として、表面抵抗が１０〜９０Ω／□である金属薄膜が、配線層１０２との間隔Ｔ_３を３０〜７０μｍの範囲内に保持した状態で位置している。このため、回路基板１００における配線層１０２で生じる電磁波エネルギーを導電損失として熱に変換しやすく、電磁波ノイズ抑制効果が高く、かつ薄く、軽量であり、可撓性・屈曲性に優れる。さらに、本発明によれば、電磁波を効率よく熱に変換して吸収できるため、電磁波ノイズ抑制層１１３をグランド回路に接続させる必要がない。 As described above, in the circuit board 100 of the present invention, as the electromagnetic wave noise suppression layer 113, the metal thin film having a surface resistance of 10 to 90Ω / □ has a distance T3 with the wiring layer 102 in the range of ₃₀ to 70 μm. It is located in a state that is held in. For this reason, the electromagnetic wave energy generated in the wiring layer 102 in the circuit board 100 is easily converted into heat as a conductive loss, the electromagnetic wave noise suppression effect is high, it is thin and lightweight, and it is excellent in flexibility and flexibility. Furthermore, according to the present invention, electromagnetic waves can be efficiently converted into heat and absorbed, so that it is not necessary to connect the electromagnetic noise suppression layer 113 to a ground circuit.

次に、本発明を実施例によって具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。なお、本発明の実施例において特にことわりのない限り、各種測定、評価は下記によるものである。 EXAMPLES Next, although an Example demonstrates this invention concretely, this invention is not limited at all by these Examples. In the examples of the present invention, various measurements and evaluations are as follows unless otherwise specified.

［金属薄膜の厚みの測定］
金属薄膜の厚みは、試料の断面をミクロトーム（ライカ社製、商品名；ウルトラカットＵＴＣウルトラミクロトーム）を用いて厚さ１００ｎｍの超薄切片を作製し、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ；日本電子社製、商品名；ＪＥＭ−２０００ＥＸ）により観察し、５箇所の電磁波ノイズ抑制層の厚さを画像上で測定し、平均した値を算出した。 [Measurement of metal thin film thickness]
For the thickness of the metal thin film, a cross section of the sample was prepared by using a microtome (trade name; Ultracut UTC Ultramicrotome) to prepare an ultrathin section having a thickness of 100 nm, and a transmission electron microscope (TEM; manufactured by JEOL Ltd.). , Trade name: JEM-2000EX), the thickness of the five electromagnetic wave noise suppression layers was measured on the image, and the average value was calculated.

［金属薄膜の表面抵抗の測定］
金属薄膜の表面抵抗は、抵抗率計（三菱化学社製、商品名；ＭＣＰ−Ｔ６１０）を用い、４探針プローブ（三菱化学社製、商品名；ＭＣＰ−ＴＰ０３Ｐ）により測定した。 [Measurement of surface resistance of metal thin film]
The surface resistance of the metal thin film was measured with a 4-probe probe (trade name; MCP-TP03P, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) using a resistivity meter (trade name; MCP-T610 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation).

［電磁波ノイズ抑制効果の評価］
特性インピーダンスを５０Ωとしたマイクロストリップ線路を回路加工した評価サンプルを使用し、回路加工した側（伝送線路側）の電磁波ノイズ抑制効果を評価した。ＴＲＬ法（Ｔｈｒｕ−Ｒｅｆｌｅｃｔ−Ｌｉｎｅ）にて校正したベクトルネットワークアナライザにより、５０ＭＨｚから１０ＧＨｚの周波数帯域でＳパラメータを測定することにより、Ｓ１１（反射損失）及びＳ２１（挿入損失）で評価を行った。 [Evaluation of electromagnetic noise suppression effect]
An evaluation sample obtained by processing a microstrip line with a characteristic impedance of 50Ω was used to evaluate the electromagnetic noise suppression effect on the circuit processed side (transmission line side). Evaluation was performed with S11 (reflection loss) and S21 (insertion loss) by measuring S parameters in a frequency band from 50 MHz to 10 GHz with a vector network analyzer calibrated by the TRL method (Thru-Reflect-Line).

［実施例１］
１）配線基板の作製
１５ｍｍ×１２０ｍｍの銅張積層板（新日鐵化学社製、商品名；エスパネックスＭＢ１２−３８−１２ＳＥＱ、銅箔層厚み；１２μｍ、絶縁層厚み；３８μｍ）を用いて、一方の面の銅箔層をエッチング加工することにより、線幅が８０μｍの線路を形成し、配線基板１を作製した。 [Example 1]
1) Production of wiring board Using a 15 mm x 120 mm copper clad laminate (manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., trade name: Espanex MB12-38-12SEQ, copper foil layer thickness: 12 μm, insulating layer thickness: 38 μm), By etching the copper foil layer on one side, a line having a line width of 80 μm was formed, and the wiring board 1 was produced.

２）カバーレイフィルムの作製
カバーレイ用フィルム材として、ポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製、商品名；カプトンＥＮ、１５ｍｍ×１０４ｍｍ×厚さ２５μｍ）を用意し、このフィルムをバッチ式スパッタリング装置（ＡＮＥＬＶＡ社製、商品名；ＳＰＦ−３３２ＨＳ）へセットし、真空ポンプ及びターボモレキュラーポンプを用いて、３．０×１０^−４Ｐａまで減圧し、アルゴンガスを導入して、２．０×１０^−１Ｐａの圧力になるよう調整した。次に、Ｎｉ８０重量％／Ｃｒ２０重量％の合金（Ｎｉ−Ｃｒ合金として９９．９重量％以上）のターゲットを用いて、スパッタリングを行い、１５ｍｍ×１０４ｍｍ×厚さ１００ｎｍの金属薄膜（表面抵抗；３５Ω／□）を形成し、金属薄膜形成フィルム１を得た。 2) Production of coverlay film As a film material for coverlay, a polyimide film (manufactured by Toray DuPont, trade name: Kapton EN, 15 mm x 104 mm x thickness 25 µm) is prepared, and this film is batch-type sputtering apparatus (ANELVA). (Trade name; SPF-332HS), and reduced pressure to 3.0 × 10 ⁻⁴ Pa using a vacuum pump and a turbomolecular pump, and introduced argon gas to 2.0 × 10 ^−1. The pressure was adjusted to Pa pressure. Next, sputtering was performed using a target of an alloy of Ni 80 wt% / Cr 20 wt% (99.9 wt% or more as a Ni—Cr alloy), and a metal thin film (surface resistance: 35Ω) of 15 mm × 104 mm × 100 nm thick / □) to form a metal thin film forming film 1.

金属薄膜形成フィルム１の金属薄膜を形成していない側の面に、厚さ２５μｍのＢステージ状のエポキシ樹脂層（フェノールノボラック系硬化剤を含むビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を主成分とするエポキシ系接着剤を成膜後、乾燥させたもの）を形成し、カバーレイフィルム１を作製した。 On the surface of the metal thin film forming film 1 on which the metal thin film is not formed, a B-stage epoxy resin layer having a thickness of 25 μm (epoxy adhesive mainly composed of a bisphenol F type epoxy resin containing a phenol novolac curing agent) The cover lay film 1 was prepared by forming the agent after film formation and drying.

３）回路基板の作製
配線基板１の線路側の表面に、カバーレイフィルム１のエポキシ樹脂層を、配線基板１の線路が被覆されるように重ね合わせ、１７０℃、圧力４ＭＰａ、時間６０分の条件でプレスし、回路基板１を作製した。このときの回路基板１における線路と金属薄膜層との間隔は、３９μｍであった。 3) Production of circuit board The epoxy resin layer of the coverlay film 1 is overlaid on the surface of the wiring board 1 on the line side so that the line of the wiring board 1 is covered, and the temperature is 170 ° C., the pressure is 4 MPa, and the time is 60 minutes. The circuit board 1 was produced by pressing under conditions. At this time, the distance between the line and the metal thin film layer in the circuit board 1 was 39 μm.

電磁波ノイズ抑制効果について評価を行ったところ、Ｓ１１は、４ＧＨｚ〜８ＧＨｚ領域において、−２０ｄＢ以下に抑えられていた。Ｓ１１の結果を図３に示す。また、Ｓ２１は、出力信号が入力信号に対して半分になる周波数領域（−３ｄＢ）が２ＧＨｚ付近に存在した。Ｓ２１の結果を図４に示す。 When the electromagnetic noise suppression effect was evaluated, S11 was suppressed to −20 dB or less in the 4 GHz to 8 GHz region. The result of S11 is shown in FIG. In S21, a frequency region (−3 dB) in which the output signal is halved with respect to the input signal was present near 2 GHz. The result of S21 is shown in FIG.

参考例１
実施例１と同様にして、配線基板２及び金属薄膜形成フィルム２を作製した。金属薄膜形成フィルム２の金属薄膜を形成している側の面に、厚さ２５μｍのＢステージ状のエポキシ樹脂層（フェノールノボラック系硬化剤を含むビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を主成分とするエポキシ系接着剤を成膜後、乾燥させたもの）を形成し、カバーレイフィルム２を作製したのち、実施例１と同様にして、回路基板２を作製した。このときの回路基板２における線路と金属薄膜層との間隔は、１４μｍであった。Ｓ１１及びＳ２１の結果をそれぞれ図３及び図４に示す。 Reference example 1
In the same manner as in Example 1, a wiring substrate 2 and a metal thin film forming film 2 were produced. On the surface of the metal thin film forming film 2 on which the metal thin film is formed, a B-stage epoxy resin layer having a thickness of 25 μm (epoxy adhesive mainly composed of a bisphenol F type epoxy resin containing a phenol novolac type curing agent) After the agent was formed into a film and dried, the cover lay film 2 was produced, and then the circuit board 2 was produced in the same manner as in Example 1. At this time, the distance between the line and the metal thin film layer in the circuit board 2 was 14 μm. The results of S11 and S21 are shown in FIGS. 3 and 4, respectively.

実施例２
実施例１と同様にして、配線基板３及び金属薄膜形成フィルム３を作製した。配線基板３の線路側の表面に、１５ｍｍ×１０４ｍｍのカバーレイフィルム３（有沢製作所社製、商品名；ＣＥＡ０５２５、カバーレイ用フィルム材の厚さ；１２．５μｍ、接着剤層の厚さ；２５μｍ）の接着剤層を、配線基板３の線路が被覆されるように重ね合わせ、１７０℃、圧力４ＭＰａ、時間６０分の条件でプレスし、回路基板３’を作製した。この回路基板３のカバーレイフィルムの上に、フィルム両面テープ（寺岡製作所社製、商品名；７０７０、厚さ；１０μｍ）を重ね、更にその上に、金属薄膜形成フィルム３の金属薄膜側の面を重ね合わせ、貼り合わせることによって、回路基板３を作製した。このときの回路基板３における線路と金属薄膜層との間隔は、３６μｍであった。Ｓ１１及びＳ２１の結果をそれぞれ図３及び図４に示す。 Example 2
In the same manner as in Example 1, a wiring substrate 3 and a metal thin film forming film 3 were produced. 15 mm × 104 mm coverlay film 3 (trade name; CEA0525, thickness of coverlay film material; 12.5 μm, thickness of adhesive layer; 25 μm The adhesive layer of 2) was overlapped so that the lines of the wiring board 3 were covered, and pressed under the conditions of 170 ° C., pressure 4 MPa, and time 60 minutes to produce a circuit board 3 ′. A film double-sided tape (trade name: 7070, thickness: 10 μm) is overlaid on the cover lay film of the circuit board 3, and further, the surface on the metal thin film side of the metal thin film forming film 3. The circuit board 3 was produced by superimposing and pasting together. At this time, the distance between the line and the metal thin film layer in the circuit board 3 was 36 μm. The results of S11 and S21 are shown in FIGS. 3 and 4, respectively.

参考例２
実施例１と同様にして、配線基板４及び金属薄膜形成フィルム４を作製した。金属薄膜形成フィルム４の金属薄膜を形成している側の面に、厚さ２５μｍのＢステージ状のエポキシ樹脂層（フェノールノボラック系硬化剤を含むビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を主成分とするエポキシ系接着剤を成膜後、乾燥させたもの）を形成し、このエポキシ樹脂層の表面にフィルム両面テープ（寺岡製作所社製、商品名；７０５、厚さ；３０μｍ）を２枚重ね、配線基板４の線路側の表面に貼り合わせることによって、回路基板４を作製した。このときの回路基板４における線路と金属薄膜層との間隔は、８５μｍであった。Ｓ１１及びＳ２１の結果をそれぞれ図３及び図４に示す。 Reference example 2
In the same manner as in Example 1, a wiring substrate 4 and a metal thin film forming film 4 were produced. On the surface of the metal thin film forming film 4 on the side where the metal thin film is formed, a B-stage epoxy resin layer having a thickness of 25 μm (epoxy adhesive mainly composed of a bisphenol F type epoxy resin containing a phenol novolac type curing agent) The film was dried after the film was formed, and two double-sided film tapes (trade name: 705, thickness: 30 μm, manufactured by Teraoka Seisakusho Co., Ltd.) were stacked on the surface of the epoxy resin layer. The circuit board 4 was produced by pasting on the surface on the line side. At this time, the distance between the line and the metal thin film layer in the circuit board 4 was 85 μm. The results of S11 and S21 are shown in FIGS. 3 and 4, respectively.

以上、本発明の実施の形態を例示の目的で詳細に説明したが、本発明は上記実施の形態に制約されることはなく、種々の変形が可能である。 As mentioned above, although embodiment of this invention was described in detail for the purpose of illustration, this invention is not restrict | limited to the said embodiment, A various deformation | transformation is possible.

１００，１００Ａ，１００Ｂ…回路基板、１０１…基材、１０２…配線層、１１０…配線基板、１１１…接着剤層、１１２…カバーレイ用フィルム材層、１１３…電磁波ノイズ抑制層、１２０，１２０Ａ，１２０Ｂ…カバーレイフィルム DESCRIPTION OF SYMBOLS 100,100A, 100B ... Circuit board, 101 ... Base material, 102 ... Wiring layer, 110 ... Wiring board, 111 ... Adhesive layer, 112 ... Film material layer for coverlay, 113 ... Electromagnetic wave noise suppression layer, 120, 120A, 120B ... Coverlay film

Claims

A wiring board having a base material and a wiring layer formed on the base material;
A cover lay film having an adhesive layer, a cover lay film material layer and an electromagnetic wave noise suppression layer;
A circuit board in which the wiring layer is covered by the adhesive layer, and the wiring board and the coverlay film are bonded together,
The electromagnetic wave noise suppression layer is a metal thin film formed on the surface of the coverlay film material layer, and the surface resistance of the metal thin film is in the range of 10 to 90Ω / □, and the wiring layer of the wiring board The circuit board is characterized in that the interval is within a range of 30 to 70 μm.

The circuit board according to claim 1, wherein the coverlay film is a coverlay film in which an adhesive layer, a coverlay film material layer, and an electromagnetic wave noise suppression layer are laminated in this order. .

The circuit board according to claim 1, wherein the electromagnetic wave noise suppression layer is a metal thin film containing a nickel-chromium alloy.