JP5545879B2

JP5545879B2 - Semiconductor laser device

Info

Publication number: JP5545879B2
Application number: JP2011041324A
Authority: JP
Inventors: 貴志田所; 亘小林
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 2011-02-28
Filing date: 2011-02-28
Publication date: 2014-07-09
Anticipated expiration: 2031-02-28
Also published as: JP2012178498A

Description

本発明は変調器集積型半導体レーザを用いた半導体レーザ装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor laser device using a modulator integrated semiconductor laser.

変調器集積型半導体レーザを使った伝送装置は小型化が可能であり、また信号品質が高いという利点を持ち、光ファイバを用いた高速長距離伝送システムで広く用いられている。現在、変調器集積型半導体レーザを用いた光通信の伝送速度は１０Ｇｂｐｓ以上に達しており、その伝送距離も４０ｋｍ以上が可能となっている。更に、伝送システムの低消費電力化及び低コスト化を実現するために温調機能なしに動作可能な変調器集積型半導体レーザの開発も行われている。 A transmission apparatus using a modulator integrated type semiconductor laser can be miniaturized and has an advantage of high signal quality, and is widely used in a high-speed long-distance transmission system using an optical fiber. Currently, the transmission speed of optical communication using a modulator integrated semiconductor laser reaches 10 Gbps or more, and the transmission distance can be 40 km or more. Further, in order to realize low power consumption and low cost of the transmission system, a modulator integrated semiconductor laser that can operate without a temperature control function has been developed.

一般的に変調器集積型半導体レーザは、その変調器部を逆バイアス状態にして使用する。このため、高速信号用伝送路にインピーダンス整合させるために固定抵抗を、前記変調器部と並列に接続する。 Generally, a modulator integrated semiconductor laser is used with its modulator portion in a reverse bias state. Therefore, a fixed resistor is connected in parallel with the modulator section in order to perform impedance matching with the high-speed signal transmission line.

また、下記の非特許文献１（特にp.354の“B Impedance Matching Circuit”）には、内蔵のＭＯＳトランジスタでフィードバックループを構成し、外部環境に応じて電圧制御することで５０Ωの終端抵抗とすることが記載されている。 Non-Patent Document 1 below (especially “B Impedance Matching Circuit” on p. 354) includes a built-in MOS transistor to form a feedback loop and control the voltage according to the external environment to achieve a 50Ω termination resistance. It is described to do.

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, VOL. 30, NO. 4, pp.353-364, (1995)."A CMOS Serial Link for Fully Duplexed Data Communication", K. Lee. 他IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, VOL. 30, NO. 4, pp.353-364, (1995). "A CMOS Serial Link for Fully Duplexed Data Communication", K. Lee.

図５〜図７には、変調器集積型半導体レーザの変調器部に並列に固定抵抗を接続した場合のインピーダンスの値と、前記変調器部に印加する逆バイアス電圧の関係の一例を示す。 5 to 7 show an example of the relationship between the impedance value and the reverse bias voltage applied to the modulator section when a fixed resistor is connected in parallel to the modulator section of the modulator integrated semiconductor laser.

図５は前記変調器部に並列接続した固定抵抗の抵抗値が５０Ωの場合、図６は前記変調器部に並列接続した固定抵抗の抵抗値が７０Ωの場合、図７は前記変調器部に並列接続した固定抵抗の抵抗値が１００Ωの場合である。これらの図中において黒丸（●）は環境温度２５℃でレーザの駆動電流６０ｍＡの場合の結果、白丸（○）は環境温度２５℃でレーザの駆動電流１２０ｍＡの場合の結果、黒三角（▲）は環境温度８５℃でレーザの駆動電流６０ｍＡの場合の結果、白三角（△）は環境温度８５℃でレーザの駆動電流１２０ｍＡの場合の結果である。 5 shows a case where the resistance value of the fixed resistor connected in parallel to the modulator unit is 50Ω, FIG. 6 shows a case where the resistance value of the fixed resistor connected in parallel to the modulator unit is 70Ω, and FIG. This is a case where the resistance value of the fixed resistors connected in parallel is 100Ω. In these figures, black circles (●) indicate the results when the laser drive current is 60 mA at an environmental temperature of 25 ° C, and white circles (◯) indicate the results when the laser drive current is 120 mA at an environmental temperature of 25 ° C. Is the result when the laser drive current is 60 mA at an environmental temperature of 85 ° C., and the white triangle (Δ) is the result when the laser drive current is 120 mA at an environmental temperature of 85 ° C.

これらの図５〜図７から、インピーダンスの値は動作条件によって大きく変化することがわかる。また、変調器集積型半導体レーザを用いて長距離伝送を行う場合、その伝送特性は変調器集積型半導体レーザの変調器部に印加する逆バイアス電圧の値に大きく依存する。一例を挙げると、この変調器集積型半導体レーザを環境温度２５℃、レーザ駆動電流１２０ｍＡで動作させる場合、逆バイアス電圧を２．３Ｖ以上にするとチャープパラメータの値が０以下になり、良好な伝送特性が得られる。伝送線路を５０Ωで設計した場合、図７のように変調器集積型半導体レーザの変調器部と並列に１００Ωの固定抵抗を配置すると、この変調器部分のインピーダンスの値が５０Ωに整合し、電力の反射を抑えることができる。一方、環境温度８５℃で温調せずに変調器集積型半導体レーザを動作させた場合、チャープパラメータを０以下にするためには、変調器集積型半導体レーザの変調器部の逆バイアス電圧を１．３Ｖ以上にしなくてはならない。この場合、図７からインピーダンスの値は９６Ωということになり、５０Ωの伝送路のインピーダンスから大きく外れて電力の反射が大きくなり、消費電力の増大及び反射の影響による伝送特性の劣化が生じてしまっていた。 From FIG. 5 to FIG. 7, it can be seen that the impedance value varies greatly depending on the operating conditions. When long-distance transmission is performed using a modulator integrated semiconductor laser, the transmission characteristics greatly depend on the value of the reverse bias voltage applied to the modulator section of the modulator integrated semiconductor laser. For example, when this modulator integrated semiconductor laser is operated at an ambient temperature of 25 ° C. and a laser drive current of 120 mA, if the reverse bias voltage is set to 2.3 V or more, the value of the chirp parameter becomes 0 or less and good transmission is achieved. Characteristics are obtained. When the transmission line is designed with 50Ω, if a fixed resistor of 100Ω is placed in parallel with the modulator part of the modulator integrated semiconductor laser as shown in FIG. 7, the impedance value of this modulator part matches 50Ω, and the power Can suppress reflection. On the other hand, when the modulator integrated semiconductor laser is operated without adjusting the temperature at an environmental temperature of 85 ° C., in order to reduce the chirp parameter to 0 or less, the reverse bias voltage of the modulator section of the modulator integrated semiconductor laser is set to Must be 1.3V or higher. In this case, the impedance value is 96Ω from FIG. 7, which greatly deviates from the impedance of the 50Ω transmission path and the reflection of power increases, resulting in an increase in power consumption and deterioration of transmission characteristics due to the influence of reflection. It was.

また、上記非特許文献１の場合には、トランジスタを用いたフィードバックループを有するため、コストが高くなるという問題点があった。 Further, in the case of Non-Patent Document 1, since there is a feedback loop using transistors, there is a problem that the cost is increased.

従って、本発明は上記のような問題点に鑑みてなされたものであり、変調器集積型半導体レーザを用いた半導体レーザ装置に関し、従来に比べて低消費電力及び低コストで高速変調可能な半導体レーザ装置を提供することを課題とする。 Accordingly, the present invention has been made in view of the above-described problems, and relates to a semiconductor laser device using a modulator integrated semiconductor laser, and a semiconductor capable of high-speed modulation with lower power consumption and lower cost than in the past. It is an object to provide a laser device.

上記課題を解決する第１発明の半導体レーザ装置は、温度により抵抗値の変化する抵抗を、変調器集積型半導体レーザの変調器部に並列に接続し、高周波信号線からの変調信号を前記抵抗を介して前記変調器部へ入力する構成としたことにより、前記高周波信号線と前記変調器部のインピーダンスを整合させたことを特徴とする。 A semiconductor laser device according to a first aspect of the present invention that solves the above-described problem comprises that a resistor whose resistance value changes with temperature is connected in parallel to a modulator section of a modulator integrated semiconductor laser, and a modulation signal from a high-frequency signal line is transmitted to it was configured to enter into the modulator unit via the result, characterized in that to match the impedance of the modulator portion and the high-frequency signal lines.

また、第２発明の半導体レーザ装置は、温度により抵抗値の変化する第１の抵抗と、温度により抵抗値が変化しない第２の抵抗とを直列に接続し、この直列接続した第１の抵抗及び第２の抵抗を変調器集積型半導体レーザの変調器部に並列に接続し、高周波信号線からの変調信号を前記直列接続した第１の抵抗及び第２の抵抗を介して前記変調器部へ入力する構成としたことにより、前記高周波信号線と前記変調器部のインピーダンスを整合させたことを特徴とする。 The semiconductor laser device of the second invention, connected a first resistor which changes in resistance with temperature, and a second resistor without resistance value changes with temperature in series, the first was the series connection A resistor and a second resistor are connected in parallel to the modulator section of the modulator integrated semiconductor laser, and the modulator is connected to the modulator via the first resistor and the second resistor connected in series with a modulation signal from a high-frequency signal line . with the construction in which to enter the parts, characterized in that to match the impedance of the modulator portion and the high-frequency signal lines.

また、第３発明の半導体レーザ装置は、第１又は第２発明の半導体レーザ装置において、前記温度により抵抗値の変化する抵抗とグランドとの間にコンデンサを配置したこと、
又は、前記第１の抵抗もしくは前記第２の抵抗とグランドとの間にコンデンサを配置したこと、
を特徴とする。 Further, in the semiconductor laser device of the third invention, in the semiconductor laser device of the first or second invention, a capacitor is disposed between the resistor whose resistance value changes with the temperature and the ground,
Or a capacitor is disposed between the first resistor or the second resistor and the ground,
It is characterized by.

本発明によれば、変調器集積型半導体レーザを、温調機能が無い場合でも環境温度によらずに変調器集積型半導体レーザの変調器部分のインピーダンスを伝送路と整合させることができ、このインピーダンス整合した条件で変調器集積型半導体レーザを動作させることができるため、インピーダンス不整合による電力反射と伝送特性の劣化を防ぐことができる。従って、半導体レーザ装置から温調機能を除去することができ、また、トランジスタを用いたフィードバックループなども不要であるため、従来に比べて低消費電力及び低コストで高速変調可能な半導体レーザ装置を実現することができるようになる。その結果、小型で低コストな高速伝送システムを提供することができる。 According to the present invention, the modulator integrated semiconductor laser can match the impedance of the modulator portion of the modulator integrated semiconductor laser with the transmission line regardless of the environmental temperature even when there is no temperature control function. Since the modulator integrated semiconductor laser can be operated under impedance matching conditions, it is possible to prevent power reflection and deterioration of transmission characteristics due to impedance mismatch. Therefore, the temperature control function can be removed from the semiconductor laser device, and a feedback loop using a transistor is unnecessary, so that a semiconductor laser device capable of high-speed modulation with lower power consumption and lower cost than conventional ones. Can be realized. As a result, a small and low-cost high-speed transmission system can be provided.

本発明の実施の形態例１に係る半導体レーザ装置の平面図である（キャリアの金コーティングの一部を破断して示している）。1 is a plan view of a semiconductor laser device according to a first embodiment of the present invention (a part of a gold coating on a carrier is shown broken away). 変調器集積型半導体レーザの構造例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structural example of a modulator integrated type semiconductor laser. 本発明の実施の形態例２に係る半導体レーザ装置の平面図である（キャリアの金コーティングの一部を破断して示している）。It is a top view of the semiconductor laser apparatus which concerns on Example 2 of this invention (a part of gold | metal coating of a carrier is cut | disconnected and shown). 本発明の実施の形態例３に係る半導体レーザ装置の平面図である（キャリアの金コーティングの一部を破断して示している）。It is a top view of the semiconductor laser apparatus which concerns on Example 3 of Embodiment of this invention (a part of gold | metal coating of a carrier is cut | disconnected and shown). 逆バイアス電圧とインピーダンスの関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between a reverse bias voltage and an impedance. 逆バイアス電圧とインピーダンスの関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between a reverse bias voltage and an impedance. 逆バイアス電圧とインピーダンスの関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between a reverse bias voltage and an impedance. 反射特性の比較を示す図である。It is a figure which shows the comparison of a reflection characteristic.

以下、本発明の実施の形態例を図面に基づいて詳細に説明する。 Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

＜実施の形態例１＞
本発明の実施の形態例１に係る半導体レーザ装置を、図１、図２等を参照して説明する。 <Embodiment 1>
A semiconductor laser device according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to FIGS.

図１に示すように、本実施の形態例１の半導体レーザ装置は、セラミック基板１ａの上面に金をコーティング（金コーティング１ｂ）して成るキャリア１の上に高周波信号線基板２と、レーザ部３ａと変調器部３ｂを有する変調器集積型半導体レーザ３と、温度により抵抗値の変化する温度依存終端抵抗４とを配置し、これらに金ワイヤ８〜１１を接続した構成となっている。そして、本実施の形態例１の半導体レーザ装置では、温度依存終端抵抗４を変調器集積型半導体レーザ３の変調器部３ｂに並列に接続し、この温度依存終端抵抗４を介して変調器部３ｂへ変調信号を入力する構成としたことを特徴としている。 As shown in FIG. 1, the semiconductor laser device according to the first embodiment includes a high frequency signal line substrate 2 on a carrier 1 formed by coating gold on the upper surface of a ceramic substrate 1a (gold coating 1b), and a laser unit. A modulator integrated semiconductor laser 3 having 3a and a modulator section 3b and a temperature-dependent termination resistor 4 whose resistance value changes with temperature are arranged, and gold wires 8 to 11 are connected to these. In the semiconductor laser device according to the first embodiment, the temperature dependent termination resistor 4 is connected in parallel to the modulator unit 3b of the modulator integrated semiconductor laser 3, and the modulator unit is connected via the temperature dependent termination resistor 4. A feature is that the modulation signal is input to 3b.

詳述すると、変調器部３ｂの表面電極（図２の表面電極２９を参照：図２の構造の詳細については後述）には、金ワイヤ１１の一端を接続する。金ワイヤ１１の他端は、温度依存終端抵抗４の表面電極に接続する。一方、変調器部３ｂの裏面電極（図２の基板側電極３０を参照）と、温度依存終端抵抗４の裏面電極は何れも、キャリア１の金コーティング１ｂに接続する。かくして、温度依存終端抵抗４は、変調器集積型半導体レーザ３の変調器部３ｂに並列に接続される。キャリア１の金コーティング１ｂは、グランド電位に設定する。 More specifically, one end of the gold wire 11 is connected to the surface electrode of the modulator section 3b (see the surface electrode 29 in FIG. 2; details of the structure in FIG. 2 will be described later). The other end of the gold wire 11 is connected to the surface electrode of the temperature dependent termination resistor 4. On the other hand, the back electrode of the modulator section 3b (see the substrate-side electrode 30 in FIG. 2) and the back electrode of the temperature-dependent termination resistor 4 are both connected to the gold coating 1b of the carrier 1. Thus, the temperature dependent termination resistor 4 is connected in parallel to the modulator section 3b of the modulator integrated semiconductor laser 3. The gold coating 1b of the carrier 1 is set to the ground potential.

レーザ部３ａの表面電極（図２の表面電極２７を参照）には金ワイヤ９を接続し、レーザ部３ｂの裏面電極（図２の基板側電極３０を参照）はキャリア１の金コーティング１ｂに接続する。高周波信号線基板２には高周波信号線２ａが形成されている。高周波信号線２ａの一端部には金ワイヤ８を接続し、高周波信号線２ａの他端部には金ワイヤ１０の一端を接続する。金ワイヤ１０の他端は変調器部３ｂの表面電極に接続する。 A gold wire 9 is connected to the surface electrode of the laser unit 3a (see the surface electrode 27 in FIG. 2), and the back electrode (see the substrate side electrode 30 in FIG. 2) of the laser unit 3b is connected to the gold coating 1b of the carrier 1 Connecting. A high frequency signal line 2 a is formed on the high frequency signal line substrate 2. A gold wire 8 is connected to one end of the high-frequency signal line 2a, and one end of the gold wire 10 is connected to the other end of the high-frequency signal line 2a. The other end of the gold wire 10 is connected to the surface electrode of the modulator unit 3b.

変調器集積型半導体レーザ３は、従来の変調器集積型半導体レーザと同様の材料系或いは同様の製造方法で製造される。例えば、図２に例示する変調器集積型半導体レーザ３は、半導体基板としてｎ型ＩｎＰ基板２１を用い、このｎ型ＩｎＰ基板２１上にレーザ部３ａと変調器部３ｂとを形成したものである。 The modulator integrated semiconductor laser 3 is manufactured by the same material system as the conventional modulator integrated semiconductor laser or the same manufacturing method. For example, the modulator integrated semiconductor laser 3 illustrated in FIG. 2 uses an n-type InP substrate 21 as a semiconductor substrate, and a laser portion 3a and a modulator portion 3b are formed on the n-type InP substrate 21. .

レーザ部３ａはｎ型ＩｎＰ基板２１上に形成されたレーザ部活性層であるＩｎＧａＡｓＰ活性層２２と、ＩｎＧａＡｓＰ活性層２２上に形成され且つ回折格子２４が形成されたガイド層であるＩｎＧａＡｓＰガイド層２３と、ＩｎＧａＡｓＰガイド層２３上に形成されたクラッド層であるｐ型ＩｎＰクラッド層２５と、ｐ型ＩｎＰクラッド層２５上に形成されたレーザ部キャップ層であるｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層２６とで構成されている。変調器部３ｂはｎ型ＩｎＰ基板２１上に形成された、レーザ部３ａと組成の異なる変調器部活性層であるＩｎＧａＡｓＰ活性層３１と、ＩｎＧａＡｓＰ活性層３１上に形成されたクラッド層であるｐ型ＩｎＰクラッド層２５と、ｐ型ＩｎＰクラッド層２５上に形成された変調器部キャップ層であるｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層２８とで構成されている。 The laser unit 3a includes an InGaAsP active layer 22 which is a laser unit active layer formed on an n-type InP substrate 21, and an InGaAsP guide layer 23 which is a guide layer formed on the InGaAsP active layer 22 and formed with a diffraction grating 24. A p-type InP clad layer 25 that is a clad layer formed on the InGaAsP guide layer 23, and a p-type InGaAsP cap layer 26 that is a laser part cap layer formed on the p-type InP clad layer 25. ing. The modulator section 3b is an InGaAsP active layer 31 which is a modulator section active layer having a composition different from that of the laser section 3a and is formed on the n-type InP substrate 21, and a cladding layer p formed on the InGaAsP active layer 31. The p-type InP cladding layer 25 and the p-type InGaAsP cap layer 28 that is a modulator portion cap layer formed on the p-type InP cladding layer 25.

また、活性層側面（図２の紙面に垂直な方向の側面）は、ルテニウムをドープしたＩｎＰ層を成長させた埋込み構造になっている。ｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層２６上に形成されたレーザ部３ａの表面電極２７と、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層２８上に形成された変調器部３ｂの表面電極２９は、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層の一部を除去することで電極分離されている。一方、ｎ型ＩｎＰ基板２１の下面に形成された基板側電極（裏面電極）３０は、レーザ部３ａと変調器部３ｂとで共通となっている。左右の両端面には高反射膜３２と反射防止膜３３とが形成されている。 The active layer side surface (the side surface in the direction perpendicular to the paper surface of FIG. 2) has a buried structure in which an InP layer doped with ruthenium is grown. The surface electrode 27 of the laser part 3a formed on the p-type InGaAsP cap layer 26 and the surface electrode 29 of the modulator part 3b formed on the p-type InGaAsP cap layer 28 are formed by partially forming the p-type InGaAsP cap layer. The electrode is separated by removing. On the other hand, the substrate side electrode (back surface electrode) 30 formed on the lower surface of the n-type InP substrate 21 is common to the laser unit 3a and the modulator unit 3b. High reflection films 32 and antireflection films 33 are formed on the left and right end faces.

温度により抵抗値の変化する温度依存終端抵抗４は、ホウ素がドープされた抵抗率１０Ω・ｃｍのシリコンを０．４ｍｍ×０．５ｍｍ×０．２ｍｍのサイズの直方体状のシリコンチップに加工し、このシリコンチップの上下面（０．４ｍｍ×０．５ｍｍのサイズの面）にそれぞれ上面電極（表面電極）と下面電極（裏面電極）とを取り付けることで実現される。本実施の形態例１で使用した抵抗率１０Ω・ｃｍのシリコンの抵抗率は、１℃あたり０．８％変化する。 The temperature-dependent termination resistor 4 whose resistance value changes with temperature is obtained by processing silicon having a resistivity of 10 Ω · cm doped with boron into a rectangular silicon chip having a size of 0.4 mm × 0.5 mm × 0.2 mm, This is realized by attaching an upper surface electrode (front surface electrode) and a lower surface electrode (back surface electrode) to the upper and lower surfaces (surface having a size of 0.4 mm × 0.5 mm) of the silicon chip. The resistivity of silicon having a resistivity of 10 Ω · cm used in the first embodiment changes by 0.8% per 1 ° C.

従って、図１のように配置したシリコンチップの温度依存終端抵抗４の抵抗値は、２５℃で約１００Ωであり、８５℃で約５０Ωとなる。このようにすることで、図７から環境温度２５℃で変調器集積型半導体レーザ３のレーザ駆動電流を１２０ｍＡ、変調器集積型半導体レーザ３の変調器部３ｂの逆バイアス電圧を２．３Ｖにした場合のインピーダンスが５０Ωとなり、また、図５から環境温度８５℃で変調器集積型半導体レーザ３のレーザ駆動電流を１２０ｍＡ、変調器集積型半導体レーザの変調器部３ｂの逆バイアス電圧を１．３Ｖにした場合のインピーダンスも５０Ωとなることがわかる。 Accordingly, the resistance value of the temperature-dependent termination resistor 4 of the silicon chip arranged as shown in FIG. 1 is about 100Ω at 25 ° C. and about 50Ω at 85 ° C. By doing so, the laser drive current of the modulator integrated semiconductor laser 3 is 120 mA and the reverse bias voltage of the modulator section 3b of the modulator integrated semiconductor laser 3 is 2.3 V at an ambient temperature of 25 ° C. from FIG. In this case, the impedance is 50Ω, the laser drive current of the modulator integrated semiconductor laser 3 is 120 mA and the reverse bias voltage of the modulator unit 3b of the modulator integrated semiconductor laser is 1. It can be seen that the impedance when the voltage is 3 V is also 50Ω.

高速の変調信号は、金ワイヤ８を通し、高周波信号線基板２の高周波信号線２ａを介して変調器部３ｂに伝達される。レーザ駆動用電流は、金ワイヤ９を通してレーザ部３ａに与えられる。キャリア１の上面（金コーティング１ｂ）はグランド電位に設定されており、変調器集積型半導体レーザの裏面電極（図２の構造例では裏面電極３０）、及び、温度依存終端抵抗４の裏面電極を通して、キャリア１の上面（金コーティング１ｂ）へ電流が流れる。 The high-speed modulation signal is transmitted to the modulator unit 3b through the gold wire 8 and the high-frequency signal line 2a of the high-frequency signal line substrate 2. The laser driving current is applied to the laser unit 3 a through the gold wire 9. The top surface of the carrier 1 (gold coating 1b) is set to the ground potential, and passes through the back electrode of the modulator integrated semiconductor laser (the back electrode 30 in the structure example of FIG. 2) and the back electrode of the temperature dependent termination resistor 4. A current flows to the upper surface of the carrier 1 (gold coating 1b).

環境温度２５℃、レーザ駆動電流１２０ｍＡ、逆バイアス電圧２．３Vの条件でインピーダンス整合するように１００Ωの固定抵抗を変調器集積半導体レーザの変調器部に並列に接続した半導体レーザ装置と、上記のように温度により抵抗値が変化する温度依存終端抵抗４を変調器集積半導体レーザ３の変調器部３ｂに並列に接続した半導体レーザ装置とを、環境温度８５℃、レーザ駆動電流１２０ｍＡ、逆バイアス電圧１．３Ｖで動作させた場合の電圧反射係数Ｓ１１を、ネットワークアナライザで測定した結果が図８である。図８の実線は１００Ωの固定抵抗を変調器部に並列接続した半導体レーザ装置の測定結果であり、破線は本発明の温度により抵抗値が変化する温度依存終端抵抗４を変調器部３ｂに並列接続した半導体レーザ装置の測定結果である。 A semiconductor laser device in which a fixed resistance of 100Ω is connected in parallel to the modulator portion of the modulator integrated semiconductor laser so as to perform impedance matching under conditions of an environmental temperature of 25 ° C., a laser drive current of 120 mA, and a reverse bias voltage of 2.3 V; Thus, a semiconductor laser device in which a temperature-dependent termination resistor 4 whose resistance value changes with temperature is connected in parallel to the modulator section 3b of the modulator integrated semiconductor laser 3 is connected to an ambient temperature of 85 ° C., a laser drive current of 120 mA, and a reverse bias voltage. FIG. 8 shows the result of measuring the voltage reflection coefficient S11 when operated at 1.3 V with a network analyzer. The solid line in FIG. 8 is a measurement result of a semiconductor laser device in which a fixed resistor of 100Ω is connected in parallel to the modulator unit, and the broken line is a temperature-dependent terminating resistor 4 whose resistance value changes according to the temperature of the present invention in parallel to the modulator unit 3b. It is a measurement result of the connected semiconductor laser apparatus.

この図８からわかるように、２ＧＨｚ付近では電圧反射係数Ｓ１１が、約２０ｄＢ程度改善された。 As can be seen from FIG. 8, the voltage reflection coefficient S11 is improved by about 20 dB in the vicinity of 2 GHz.

＜実施の形態例２＞
本発明の実施の形態例２に係る半導体レーザ装置を、図３等を参照して説明する。なお、図３において、実施の形態例１の半導体レーザ装置（図１）と同様の部分には同一の符号を付している。 <Embodiment 2>
A semiconductor laser device according to Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to FIG. In FIG. 3, the same parts as those of the semiconductor laser device (FIG. 1) of the first embodiment are denoted by the same reference numerals.

図３に示すように、本実施の形態例２の半導体レーザ装置は、キャリア１の上に高周波信号線基板２と、変調器集積型半導体レーザ３と、中継基板５上に搭載した温度依存終端抵抗４と、温度により抵抗値がほとんど変化しない抵抗であるチップ抵抗６とを配置し、これらに金ワイヤ８〜１３を接続した構成となっている。そして、本実施の形態例２の半導体レーザ装置では、温度依存終端抵抗４とチップ抵抗６とを直列に接続し、この直列接続した温度依存終端抵抗４及びチップ抵抗６を変調器集積型半導体レーザ３の変調器部３ｂに並列に接続することにより、前記直列接続した温度依存終端抵抗４及びチップ抵抗６を介して変調器部３ｂへ変調信号を入力する構成としたことを特徴としている。 As shown in FIG. 3, the semiconductor laser device according to the second embodiment has a temperature-dependent termination mounted on a carrier 1 on a high-frequency signal line substrate 2, a modulator integrated semiconductor laser 3, and a relay substrate 5. A resistor 4 and a chip resistor 6 which is a resistor whose resistance value hardly changes with temperature are arranged, and gold wires 8 to 13 are connected to these. In the semiconductor laser device of the second embodiment, the temperature-dependent termination resistor 4 and the chip resistor 6 are connected in series, and the temperature-dependent termination resistor 4 and the chip resistor 6 connected in series are connected to the modulator integrated semiconductor laser. 3 is connected in parallel to the modulator unit 3b, and the modulation signal is input to the modulator unit 3b via the temperature-dependent termination resistor 4 and the chip resistor 6 connected in series.

詳述すると、キャリア１の上面（金コーティング１ｂ）に高周波信号線基板２と、変調器集積型半導体レーザ３と、セラミック基板５ａの上面の一部に金電極５ｂをパターニングした中継基板５と、温度により抵抗値がほとんど変化しないチップ抵抗６を搭載する。温度により抵抗値の変化する温度依存終端抵抗４は、中継基板５上の金電極５ｂの部分に搭載する。その後、図３に示すように金ワイヤ８〜１３で各部を接続する。 More specifically, the high-frequency signal line substrate 2, the modulator integrated semiconductor laser 3 on the upper surface (gold coating 1b) of the carrier 1, the relay substrate 5 in which the gold electrode 5b is patterned on a part of the upper surface of the ceramic substrate 5a, A chip resistor 6 whose resistance value hardly changes with temperature is mounted. The temperature-dependent termination resistor 4 whose resistance value changes with temperature is mounted on the gold electrode 5 b on the relay substrate 5. Then, as shown in FIG. 3, each part is connected with the gold wires 8-13.

即ち、実施の形態例１と同様に金ワイヤ８は高周波信号線２ａの一端部に接続され、金ワイヤ９はレーザ部３ａの表面電極に接続され、金ワイヤ１０は両端が高周波信号線２ａの他端部と変調器部３ｂの表面電極とに接続され、金ワイヤ１１は両端が変調器部３ｂの表面電極と温度依存終端抵抗４の表面電極とに接続され、変調器部３ｂの裏面電極はキャリア１の金コーティング１に接続される。 That is, as in the first embodiment, the gold wire 8 is connected to one end of the high-frequency signal line 2a, the gold wire 9 is connected to the surface electrode of the laser unit 3a, and the gold wire 10 has both ends connected to the high-frequency signal line 2a. The other end of the gold wire 11 is connected to the surface electrode of the modulator unit 3b, and the gold wire 11 is connected to the surface electrode of the modulator unit 3b and the surface electrode of the temperature dependent termination resistor 4 at both ends. Is connected to the gold coating 1 of the carrier 1.

そして、温度依存終端抵抗４の裏面電極は中継基板５の金電極５ｂに接続され、この金電極５ｂに金ワイヤ１２の一端が接続される。金ワイヤ１２の他端は、チップ抵抗６の一端側の電極６ａに接続される。チップ抵抗６の他端側の電極６ｂには、金ワイヤ１３の一端が接続される。金ワイヤ１３の他端は、キャリア１の金コーティング１ｂに接続される。かくして、温度依存終端抵抗４とチップ抵抗６とが直列に接続され、この直列接続された温度依存終端抵抗４及びチップ抵抗６が変調器部３ｂに並列に接続される。 The back electrode of the temperature-dependent termination resistor 4 is connected to the gold electrode 5b of the relay substrate 5, and one end of the gold wire 12 is connected to the gold electrode 5b. The other end of the gold wire 12 is connected to the electrode 6 a on one end side of the chip resistor 6. One end of a gold wire 13 is connected to the electrode 6 b on the other end side of the chip resistor 6. The other end of the gold wire 13 is connected to the gold coating 1 b of the carrier 1. Thus, the temperature-dependent termination resistor 4 and the chip resistor 6 are connected in series, and the temperature-dependent termination resistor 4 and the chip resistor 6 connected in series are connected in parallel to the modulator unit 3b.

温度により抵抗値の変化する温度依存終端抵抗４は、ホウ素がドープされた抵抗率１０Ω・ｃｍのシリコンを０．５ｍｍ×１．０ｍｍ×０．２ｍｍのサイズの直方体状のシリコンチップに加工し、このシリコンチップの上下面（０．５ｍｍ×１．０ｍｍのサイズの面）に上面電極（表面電極）と下面電極（裏面電極）を取り付けることで実現される。実施の形態例１と同様に本実施の形態例２で使用した抵抗率１０Ω・ｃｍのシリコンの抵抗率は、１℃あたり０．８％変化する。 The temperature-dependent termination resistor 4 whose resistance value changes with temperature is obtained by processing silicon having a resistivity of 10 Ω · cm doped with boron into a rectangular silicon chip having a size of 0.5 mm × 1.0 mm × 0.2 mm, This is realized by attaching an upper surface electrode (front surface electrode) and a lower surface electrode (back surface electrode) to the upper and lower surfaces (surface having a size of 0.5 mm × 1.0 mm) of the silicon chip. Similar to the first embodiment, the resistivity of silicon having a resistivity of 10 Ω · cm used in the second embodiment is changed by 0.8% per 1 ° C.

従って、図３のように配置したシリコンチップの温度依存終端抵抗４の抵抗値は、２５℃で４０Ωであり、８５℃で２０Ωとなる。また、温度依存終端抵抗４に直列に配置するチップ抵抗６の抵抗値を３０Ωとすると、図６から環境温度２５℃で変調器集積型半導体レーザ３のレーザ駆動電流を６０ｍＡ、変調器部３ｂの逆バイアス電圧を２．２Ｖにした場合のインピーダンスが５０Ωとなり、また、図５から環境温度８５℃で変調器集積型半導体レーザ３のレーザ駆動電流を６０ｍＡ、変調器部３ｂの逆バイアス電圧を１．３Ｖにした場合のインピーダンスも５０Ωとなることがわかる。 Therefore, the resistance value of the temperature-dependent termination resistor 4 of the silicon chip arranged as shown in FIG. 3 is 40Ω at 25 ° C. and 20Ω at 85 ° C. If the resistance value of the chip resistor 6 arranged in series with the temperature dependent termination resistor 4 is 30Ω, the laser drive current of the modulator integrated semiconductor laser 3 is 60 mA at the ambient temperature of 25 ° C. from FIG. When the reverse bias voltage is 2.2 V, the impedance is 50Ω, and from FIG. 5, the laser drive current of the modulator integrated semiconductor laser 3 is 60 mA and the reverse bias voltage of the modulator section 3b is 1 at an environmental temperature of 85 ° C. It can be seen that the impedance when the voltage is 3 V is also 50Ω.

実施の形態例１と同様に本実施の形態例２においても高速変調信号は、金ワイヤ８を通し、高周波信号線基板２の高周波信号線２ａを介して変調器部３ｂに伝達され、レーザ駆動用電流は金ワイヤ９を通してレーザ部３ａに与えられる。本実施の形態例２の場合も、実施の形態例１と同様に電圧反射係数が改善された。 Similarly to the first embodiment, in the second embodiment, the high-speed modulation signal is transmitted to the modulator section 3b through the gold wire 8 and the high-frequency signal line 2a of the high-frequency signal line substrate 2, and is laser-driven. The working current is applied to the laser unit 3 a through the gold wire 9. In the case of the second embodiment, the voltage reflection coefficient was improved as in the first embodiment.

なお、温度依存終端抵抗４とチップ抵抗６の配置は、必ずしも図３に示す配置に限定するものではなく、両者を入れ替えてもよい。この場合、変調器部３ｂの表面電極とチップ抵抗６の電極６ａとを金ワイヤ１１で接続し、チップ抵抗６の電極６ｂと温度依存終端抵抗４の表面電極とを金ワイヤ１２で接続し、温度依存終端抵抗４の裏面電極をキャリア１の金コーティング１ｂに接続すればよい。 The arrangement of the temperature dependent termination resistor 4 and the chip resistor 6 is not necessarily limited to the arrangement shown in FIG. In this case, the surface electrode of the modulator unit 3b and the electrode 6a of the chip resistor 6 are connected by a gold wire 11, the electrode 6b of the chip resistor 6 and the surface electrode of the temperature-dependent termination resistor 4 are connected by a gold wire 12, What is necessary is just to connect the back surface electrode of the temperature dependent termination resistor 4 to the gold coating 1 b of the carrier 1.

＜実施の形態例３＞
本発明の実施の形態例３に係る半導体レーザ装置を、図４等を参照して説明する。なお、図４において、実施の形態例１，２の半導体レーザ装置（図１，図３）と同様の部分には同一の符号を付している。 <Embodiment 3>
A semiconductor laser device according to Embodiment 3 of the present invention will be described with reference to FIG. In FIG. 4, the same components as those in the semiconductor laser devices (FIGS. 1 and 3) of the first and second embodiments are denoted by the same reference numerals.

図４に示すように、本実施の形態例３の半導体レーザ装置は、キャリア１の上に高周波信号線基板２と、変調器集積型半導体レーザ３と、中継基板５上に搭載した温度依存終端抵抗４と、チップ抵抗６と、チップコンデンサ７とを配置し、これらに金ワイヤ８〜１３を接続した構成となっている。即ち、本実施の形態例３の半導体レーザ装置は、実施の形態例２の半導体レーザ装置（図３）と同様の構成において、チップ抵抗６とグランド（キャリア１の金コーティング１ｂ）との間にチップコンデンサ７を配置したことを特徴としている。 As shown in FIG. 4, the semiconductor laser device according to the third embodiment has a temperature-dependent termination mounted on a carrier 1 on a high-frequency signal line substrate 2, a modulator integrated semiconductor laser 3, and a relay substrate 5. The resistor 4, the chip resistor 6, and the chip capacitor 7 are arranged, and gold wires 8 to 13 are connected to them. That is, the semiconductor laser device according to the third embodiment has a configuration similar to that of the semiconductor laser device according to the second embodiment (FIG. 3), and is between the chip resistor 6 and the ground (the gold coating 1b of the carrier 1). The chip capacitor 7 is arranged.

詳述すると、キャリア１の上面（金コーティング１ｂ）に高周波信号線基板２と、変調器集積型半導体レーザ３と、セラミック基板５ａの上面の一部に金電極５ｂをパターニングした中継基板５と、温度により抵抗値がほとんど変化しないチップ抵抗６と、チップコンデンサ７を搭載する。温度により抵抗値の変化する温度依存終端抵抗４は、中継基板５上の金電極５ｂの部分に搭載する。その後、図４に示すように金ワイヤ８〜１３で各部を接続する。 More specifically, the high-frequency signal line substrate 2, the modulator integrated semiconductor laser 3 on the upper surface (gold coating 1b) of the carrier 1, the relay substrate 5 in which the gold electrode 5b is patterned on a part of the upper surface of the ceramic substrate 5a, A chip resistor 6 whose resistance value hardly changes with temperature and a chip capacitor 7 are mounted. The temperature-dependent termination resistor 4 whose resistance value changes with temperature is mounted on the gold electrode 5 b on the relay substrate 5. Then, as shown in FIG. 4, each part is connected with the gold wires 8-13.

即ち、実施の形態例１，２と同様に金ワイヤ８は高周波信号線２ａの一端部に接続され、金ワイヤ９はレーザ部３ａの表面電極に接続され、金ワイヤ１０は両端が高周波信号線２ａの他端部と変調器部３ｂの表面電極とに接続され、金ワイヤ１１は両端が変調器部３ｂの表面電極と温度依存終端抵抗４の表面電極とに接続され、変調器部３ｂの裏面電極はキャリア１の金コーティング１に接続される。また、実施の形態例２と同様に温度依存終端抵抗４の裏面電極は中継基板５の金電極５ｂに接続され、この金電極５ｂに金ワイヤ１２の一端が接続され、金ワイヤ１２の他端はチップ抵抗６の電極６ａに接続され、チップ抵抗６の電極６ｂに金ワイヤ１３の一端が接続される。 That is, as in Embodiments 1 and 2, the gold wire 8 is connected to one end of the high-frequency signal line 2a, the gold wire 9 is connected to the surface electrode of the laser unit 3a, and the gold wire 10 has both ends connected to the high-frequency signal line. The other end of 2a is connected to the surface electrode of the modulator section 3b, and the gold wire 11 is connected at both ends to the surface electrode of the modulator section 3b and the surface electrode of the temperature-dependent termination resistor 4, and The back electrode is connected to the gold coating 1 of the carrier 1. Similarly to the second embodiment, the back electrode of the temperature-dependent termination resistor 4 is connected to the gold electrode 5b of the relay substrate 5, and one end of the gold wire 12 is connected to the gold electrode 5b, and the other end of the gold wire 12 is connected. Is connected to the electrode 6 a of the chip resistor 6, and one end of the gold wire 13 is connected to the electrode 6 b of the chip resistor 6.

そして、金ワイヤ１３の他端はチップコンデンサ７の表面電極に接続され、チップコンデンサ７の裏面電極はキャリア１の金コーティング１ｂに接続される。かくして、温度依存終端抵抗４とチップ抵抗６とチップコンデンサ７が直列に接続され、この直列接続された温度依存終端抵抗４、チップ抵抗６及びチップコンデンサ７が変調器部３ｂに並列に接続される。即ち、チップ抵抗６とグランド（キャリア１の金コーティング１ｂ）との間にチップコンデンサ７が配置される。 The other end of the gold wire 13 is connected to the front electrode of the chip capacitor 7, and the back electrode of the chip capacitor 7 is connected to the gold coating 1 b of the carrier 1. Thus, the temperature-dependent termination resistor 4, the chip resistor 6 and the chip capacitor 7 are connected in series, and the temperature-dependent termination resistor 4, the chip resistor 6 and the chip capacitor 7 connected in series are connected in parallel to the modulator unit 3b. . That is, the chip capacitor 7 is disposed between the chip resistor 6 and the ground (the gold coating 1b of the carrier 1).

温度依存終端抵抗４は実施の形態例２と同じものを使った。このようにチップ抵抗６とグランド（キャリア１の金コーティング１ｂ）との間にチップコンデンサ７を配置した構成にすることで抵抗部分に流れる直流電流成分を除去することができ、２５℃で７６ｍＷの消費電力の低減につながり、８５℃では３４ｍＷの消費電力の低減が可能となった。 The same temperature-dependent termination resistor 4 as that in the second embodiment was used. In this way, by arranging the chip capacitor 7 between the chip resistor 6 and the ground (the gold coating 1b of the carrier 1), the direct current component flowing in the resistance portion can be removed, and 76 mW at 25 ° C. This led to a reduction in power consumption, and a power consumption of 34 mW could be reduced at 85 ° C.

なお、実施の形態例２の場合と同様に本実施の形態例３においても、温度依存終端抵抗４とチップ抵抗６の配置を入れ替えてもよい。この場合には、変調器部３ｂの表面電極とチップ抵抗６の電極６ａとを金ワイヤ１１で接続し、チップ抵抗６の電極６ｂと温度依存終端抵抗４の表面電極とを金ワイヤ１２で接続し、温度依存終端抵抗４の裏面電極は中継基板５の金電極５ｂに接続し、金電極５ｂとチップコンデンサ７の表面電極を金ワイヤ１３で接続し、チップコンデンサ７の裏面電極をキャリア１の金コーティング１ｂに接続すればよい。この場合、チップコンデンサ７は温度依存終端抵抗４とグランド（キャリア１の金コーティング１ｂ）との間に配置される。 As in the second embodiment, the arrangement of the temperature-dependent termination resistor 4 and the chip resistor 6 may be interchanged in the third embodiment. In this case, the surface electrode of the modulator section 3b and the electrode 6a of the chip resistor 6 are connected by the gold wire 11, and the electrode 6b of the chip resistor 6 and the surface electrode of the temperature dependent termination resistor 4 are connected by the gold wire 12. The back electrode of the temperature dependent termination resistor 4 is connected to the gold electrode 5 b of the relay substrate 5, the gold electrode 5 b and the surface electrode of the chip capacitor 7 are connected by the gold wire 13, and the back electrode of the chip capacitor 7 is connected to the carrier 1. What is necessary is just to connect to the gold coating 1b. In this case, the chip capacitor 7 is disposed between the temperature dependent termination resistor 4 and the ground (the gold coating 1b of the carrier 1).

また、実施の形態例１（図１）と同様の構成において、温度依存終端抵抗４とグランド（キャリア１の金コーティング１ｂ）との間にチップコンデンサ７を配置するようにしてもよい。この場合には、例えば温度依存終端抵抗４を中継基板５上に搭載して温度依存終端抵抗４の裏面電極と中継基板５の金電極５ｂを接続し、金電極５ｂとチップコンデンサ７の表面電極を金ワイヤで接続し、チップコンデンサ７の裏面電極をキャリア１の金コーティング１ｂに接続すればよい。 Further, in the same configuration as in the first embodiment (FIG. 1), the chip capacitor 7 may be disposed between the temperature-dependent termination resistor 4 and the ground (the gold coating 1b of the carrier 1). In this case, for example, the temperature-dependent termination resistor 4 is mounted on the relay substrate 5, the back electrode of the temperature-dependent termination resistor 4 is connected to the gold electrode 5 b of the relay substrate 5, and the gold electrode 5 b and the surface electrode of the chip capacitor 7 are connected. Are connected by a gold wire, and the back electrode of the chip capacitor 7 is connected to the gold coating 1b of the carrier 1.

また、各実施の形態例１〜３では温度依存終端抵抗４の材料としてホウ素ドープのシリコンを使用したが、これに限定するものではなく、温度依存終端抵抗４の材料は砒素ドープのシリコンや燐ドープのシリコンでもよいし、マンガン、コバルト、ニッケルなどの遷移金属の酸化物からなる半導体でもよい。
また、各実施の形態例１〜３では温度が高くなると温度依存終端抵抗４の抵抗値が小さくなることでインピーダンス整合が取れることが条件であったが、温度が高くなると温度依存終端抵抗４の抵抗値を大きくすればインピーダンス整合が取れるような条件の場合には、ＰＴＣサーミスタで使われるのと同様な材料を温度依存終端抵抗４の材料として用いればよい。 In each of the first to third embodiments, boron-doped silicon is used as the material for the temperature-dependent termination resistor 4. However, the present invention is not limited to this, and the material for the temperature-dependent termination resistor 4 is arsenic-doped silicon or phosphorous. Doped silicon or a semiconductor made of an oxide of a transition metal such as manganese, cobalt, or nickel may be used.
In each of the first to third embodiments, the condition is that impedance matching can be achieved by decreasing the resistance value of the temperature-dependent termination resistor 4 when the temperature increases. However, when the temperature increases, the temperature-dependent termination resistor 4 In the condition that impedance matching can be obtained by increasing the resistance value, the same material as that used in the PTC thermistor may be used as the material of the temperature dependent termination resistor 4.

本発明は変調器集積型半導体レーザを用いた半導体レーザ装置に関するものであり、低消費電力及び低コストで高速変調半導体レーザ装置や高速伝送システムを実現する場合に適用して有用なものである。 The present invention relates to a semiconductor laser device using a modulator integrated semiconductor laser, and is useful when applied to a high-speed modulation semiconductor laser device or a high-speed transmission system with low power consumption and low cost.

１キャリア
１ａセラミック基板
１ｂ金コーティング
２高周波信号線基板
２ａ高周波信号線
３変調器集積型半導体レーザ
３ａレーザ部
３ｂ変調器部
４温度依存終端抵抗（温度により抵抗値の変化する抵抗）
５中継基板
５ａセラミック基板
５ｂ金電極
６チップ抵抗（温度により抵抗値がほとんど変化しない抵抗）
６ａ，６ｂ電極
７チップコンデンサ
８，９，１０，１１，１２，１３金ワイヤ
２１半導体基板（ｎ型ＩｎＰ基板）
２２レーザ部活性層（ＩｎＧａＡｓＰ活性層）
２３ガイド層（ＩｎＧａＡｓＰガイド層）
２４回折格子
２５クラッド層（ｐ型ＩｎＰクラッド層）
２６レーザ部キャップ層（ｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層）
２７レーザ部電極（表面電極）
２８変調器部キャップ層（ｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層）
２９変調器部電極（表面電極）
３０基板側電極（裏面電極）
３１変調器部活性層（ＩｎＧａＡｓＰ活性層）
３２高反射膜
３３反射防止膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Carrier 1a Ceramic substrate 1b Gold coating 2 High frequency signal line substrate 2a High frequency signal line 3 Modulator integrated semiconductor laser 3a Laser part 3b Modulator part 4 Temperature dependent termination resistance (resistance whose resistance value changes with temperature)
5 Relay substrate 5a Ceramic substrate 5b Gold electrode 6 Chip resistance (resistance whose resistance value hardly changes with temperature)
6a, 6b Electrode 7 Chip capacitor 8, 9, 10, 11, 12, 13 Gold wire 21 Semiconductor substrate (n-type InP substrate)
22 Laser part active layer (InGaAsP active layer)
23 Guide layer (InGaAsP guide layer)
24 Diffraction grating 25 Clad layer (p-type InP clad layer)
26 Laser part cap layer (p-type InGaAsP cap layer)
27 Laser electrode (surface electrode)
28 Modulator part cap layer (p-type InGaAsP cap layer)
29 Modulator electrode (surface electrode)
30 Substrate side electrode (back electrode)
31 Modulator active layer (InGaAsP active layer)
32 High reflection film 33 Antireflection film

Claims

A resistance that varies in resistance with temperature, connected in parallel to the modulator portion of the modulator-integrated semiconductor laser and configured to enter into the modulator portion of the modulated signal from the high-frequency signal line via the resistor Thus , the impedance of the high-frequency signal line and the modulator section are matched .

A first resistor which changes in resistance with temperature, and connects the second resistor without resistance value changes with temperature in series, the first resistor and a second resistor connected in series modulator integrated connected in parallel to the modulator portion of the semiconductor laser, by the modulation signal from the high-frequency signal line and configured to enter into the modulator section through a first resistor and a second resistor in the series connection, A semiconductor laser device characterized in that impedances of the high-frequency signal line and the modulator section are matched .

The semiconductor laser device according to claim 1 or 2,
Arranging a capacitor between the resistor whose resistance value changes with the temperature and the ground,
Or a capacitor is disposed between the first resistor or the second resistor and the ground,
A semiconductor laser device.