JP5525777B2 - Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and pattern forming method using the same - Google Patents

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and pattern forming method using the same Download PDF

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Description

本発明は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法に関し、特にIC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、更にその他のフォトファブリケーション工程に使用される感活性光線性又は感放射線性組成物、及びそれを用いたパターン形成方法に関するものである。更に詳しくは、本発明は、250nm以下、好ましくは220nm以下の遠紫外線及び電子線等を露光光源とする場合に好適な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法に関するものである。   The present invention relates to an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and a pattern forming method using the same, and more particularly to a semiconductor manufacturing process such as an IC, a circuit board such as a liquid crystal or a thermal head, and other photofabrics. The present invention relates to an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition used in an application process and a pattern forming method using the same. More specifically, the present invention relates to an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition suitable for using far-ultraviolet rays and electron beams of 250 nm or less, preferably 220 nm or less as an exposure light source, and pattern formation using the same. It is about the method.

なお、本発明において「活性光線」又は「放射線」とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線、X線、電子線等を意味する。また、本発明において光とは、活性光線又は放射線を意味する。   In the present invention, “active light” or “radiation” means, for example, an emission line spectrum of a mercury lamp, far ultraviolet rays represented by excimer laser, extreme ultraviolet rays, X-rays, electron beams, and the like. In the present invention, light means actinic rays or radiation.

感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物として、いわゆる化学増幅系ポジ型感光性組成物は、遠紫外光等の放射線の照射により露光部に酸を生成させ、この酸を触媒とする反応によって、活性放射線の照射部と非照射部の現像液に対する溶解性を変化させ、パターンを基板上に形成させるパターン形成材料である。
LSIの高集積化と高速度化に伴い、パターンルールの微細化が求められている中、微細加工技術として遠紫外線リソグラフィーが有望視され、すでに適用が始まっている。遠紫外線リソグラフィーは、0.2μm以下の加工も可能であり、光吸収の低いレジスト材料を用いた場合、基板に対して垂直に近い側壁を有したパターン形成が可能となる。また、近年、遠紫外線の光源として高輝度なKrF及びArFエキシマレーザーを利用する技術が注目されており、これが量産技術として用いられるためには、光吸収が低く、高感度なレジスト材料が要望されている。
なお、特許文献1及び2におけるように、化学増幅型レジストには、露光後経時での性能変化などを抑制すべく、塩基性化合物が添加される場合が一般的となってきている。
また、特許文献3は、解像性、パターン倒れ、エッチング耐性を向上すべく、アミンオキサイド構造を有する化合物を化学増幅型レジストに添加したレジスト材料を開示している。
上記のような化学増幅型レジストにおいても、微細パターンの形成における現像欠陥の抑制、ラインエッジラフネスの抑制、更には広い露光ラチチュードが望まれていた。
As an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, a so-called chemical amplification type positive photosensitive composition generates an acid in an exposed area by irradiation with radiation such as far ultraviolet light, and a reaction using this acid as a catalyst. And a pattern forming material for changing the solubility of the active radiation irradiated portion and the non-irradiated portion in the developer to form a pattern on the substrate.
Along with the high integration and high speed of LSI, there is a demand for miniaturization of pattern rules, and far-ultraviolet lithography is promising as a fine processing technique, and its application has already started. Far-ultraviolet lithography can process 0.2 μm or less, and when a resist material with low light absorption is used, it is possible to form a pattern having sidewalls that are nearly perpendicular to the substrate. In recent years, a technique using high-brightness KrF and ArF excimer lasers as a deep ultraviolet light source has attracted attention. In order to be used as a mass-production technique, a resist material with low light absorption and high sensitivity is required. ing.
In addition, as in Patent Documents 1 and 2, a basic compound is generally added to a chemically amplified resist in order to suppress a change in performance over time after exposure.
Patent Document 3 discloses a resist material in which a compound having an amine oxide structure is added to a chemically amplified resist in order to improve resolution, pattern collapse, and etching resistance.
Even in the chemically amplified resist as described above, it has been desired to suppress development defects in forming a fine pattern, to suppress line edge roughness, and to provide a wide exposure latitude.

特開2002−214774号公報JP 2002-214774 A 特開2008−170983号公報JP 2008-170983 A 特開2008−102383号公報JP 2008-102383 A

本発明者らによる種々検討の結果、化学増幅型レジストに、露光後経時での性能変化などを抑制すべく、添加されている塩基性化合物が、露光及びその後の加熱によるポリマーの脱保護によって生じたカルボン酸と塩を形成し、現像欠陥の一因となっていることがわかってきた。本発明者らは、従来の塩基性化合物の添加に依存せずに、良好なレジスト性能を可能とする添加剤を見出し、本発明を完成するに至った。
本発明の目的は、遠紫外光、EUV、電子線等、特にArFエキシマレーザー光を使用するミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決することであり、通常露光更には液浸露光によるパターニングにおいても、現像欠陥が抑制されるとともに、ラインエッジラフネスを抑制でき、更には露光ラチチュードが広く、優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することにある。
As a result of various studies by the present inventors, a basic compound added to a chemically amplified resist to suppress performance change with time after exposure is generated by deprotection of the polymer by exposure and subsequent heating. It has been found that it forms a salt with carboxylic acid and contributes to development defects. The present inventors have found an additive that enables good resist performance without depending on the addition of a conventional basic compound, and have completed the present invention.
An object of the present invention is to solve the problems of the technology for improving the performance of microphotofabrication using far-ultraviolet light, EUV, electron beam, etc., especially ArF excimer laser light, and normal exposure and liquid immersion. In patterning by exposure, development defects can be suppressed, line edge roughness can be suppressed, exposure latitude is wide, and an excellent actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and a pattern forming method using the same It is to provide.

本発明者らは、通常の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物で用いられる含窒素塩基性化合物の代わりにラジカルトラップ基を有する化合物を用いることで上記課題を達成できることを見出し、下記に示す本発明を完成するに至った。本発明の効果は、定かではないがラジカルトラップ基が通常の酸塩基反応よりも早い段階で酸発生を抑止すること、及び非塩基性化合物であるために、樹脂上の酸基と塩を形成しないことによって画像性能、現像欠陥に改良効果があると推定している。
〔1〕
(A)活性光線又は放射線の照射に酸を発生する化合物、(B)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、及び(C)ラジカルトラップ基を有する化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、上記(B)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂が、下記一般式(I)又は(A)で表される繰り返し単位を有し、上記(C)ラジカルトラップ基を有する化合物が、窒素酸素結合を有する化合物であることを特徴とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

Figure 0005525777

一般式(I)中、
は、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は−CH −R で表される基を表す。R は1価の有機基を表す。
は、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Rは、炭素原子とともに脂環構造を形成するのに必要な原子団を表す。
一般式(A)中、R 01 、R 02 及びR 03 は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。Ar は、芳香環基を表す。なお、R 03 とAr とがアルキレン基であり、両者が互いに結合することにより、−C−C−鎖と共に、5員又は6員環を形成していてもよい。
n個のYは、各々独立に、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。但し、Yの少なくとも1つは、酸の作用により脱離する基を表す。
nは、1〜4の整数を表す。
〔2〕
上記(B)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂が、上記一般式(A)で表される繰り返し単位を有し、上記一般式(A)において、Yが、下記一般式(B)で表される基であることを特徴とする〔1〕に記載の組成物。
Figure 0005525777

式中、L 及びL は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
Mは、単結合又は2価の連結基を表す。
Qは、アルキル基、脂環基、芳香環基、アミノ基、アンモニウム基、メルカプト基、シアノ基又はアルデヒド基を表す。なお、これら脂環基及び芳香環基は、ヘテロ原子を含んでいてもよい。
なお、Q、M、L の少なくとも2つが互いに結合して、5員又は6員環を形成していてもよい。
〔3〕
上記一般式(B)において、−(M−Q)で表される基が、炭素数5〜20の基であることを特徴とする〔2〕に記載の組成物。
〔4〕
上記(B)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂が、ラクトン基を有する繰り返し単位を有することを特徴とする〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載の組成物。
〔5〕
(A)活性光線又は放射線の照射に酸を発生する化合物、(B)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、及び(C)ラジカルトラップ基を有する化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、上記(B)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂が、ラクトン基を有する繰り返し単位を有し、上記(C)ラジカルトラップ基を有する化合物が、窒素酸素結合を有する化合物であることを特徴とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
〔6〕
更に疎水性樹脂を含有することを特徴とする〔1〕〜〔5〕のいずれかに記載の組成物。
〔7〕
上記(C)ラジカルトラップ基を有する化合物が、下記一般式(1)〜(3)のいずれかで示す化合物であることを特徴とする〔1〕〜〔6〕のいずれかに記載の組成物。
Figure 0005525777

一般式中、R 〜R 6 は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。式(1)においてR 及びR 2 が結合して環を形成していても良く、式(3)においてR 4 〜R 6 の少なくとも二つが結合して環を形成していても良い。
〔8〕
上記(C)ラジカルトラップ基を有する化合物が、上記一般式(2)で示す化合物であることを特徴とする〔7〕に記載の組成物。
〔9〕
〔1〕〜〔8〕のいずれかに記載の組成物により形成される膜。
〔10〕
〔9〕に記載の膜を露光、現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
本発明は、上記〔1〕〜〔10〕に関するものであるが、以下、その他の事項についても記載した。
The present inventors have found that the above problem can be achieved by using a compound having a radical trap group instead of the nitrogen-containing basic compound used in a normal actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition. The present invention shown has been completed. Although the effect of the present invention is not clear, the radical trap group suppresses acid generation at an earlier stage than a normal acid-base reaction, and forms a salt with an acid group on the resin because it is a non-basic compound. It is estimated that there is an improvement effect on image performance and development defects.
[1]
(A) a compound capable of generating an acid upon irradiation with actinic rays or radiation, (B) a resin capable of increasing the dissolution rate in an alkali developer by the action of an acid, and (C) an actinic ray containing a compound having a radical trap group A resin having a repeating unit represented by the following general formula (I) or (A), wherein the resin (B) has a dissolution rate increased in an alkaline developer by the action of the acid. And (C) the compound having a radical trap group is a compound having a nitrogen-oxygen bond, an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition.
Figure 0005525777

In general formula (I),
R 1 represents a hydrogen atom, a methyl group which may have a substituent, or a group represented by —CH 2 —R 9 . R 9 represents a monovalent organic group.
R 2 represents an alkyl group or a cycloalkyl group.
R represents an atomic group necessary for forming an alicyclic structure together with a carbon atom.
In general formula (A), R 01 , R 02 and R 03 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkoxycarbonyl group. Ar 1 represents an aromatic ring group. Note that R 03 and Ar 1 are alkylene groups, and they may be bonded to each other to form a 5-membered or 6-membered ring together with the —C—C— chain.
n Y's each independently represent a hydrogen atom or a group capable of leaving by the action of an acid. However, at least one of Y represents a group capable of leaving by the action of an acid.
n represents an integer of 1 to 4.
[2]
The resin (B) whose dissolution rate in an alkaline developer increases by the action of the acid has a repeating unit represented by the general formula (A). In the general formula (A), Y represents the following general formula The composition according to [1], which is a group represented by (B).
Figure 0005525777

In the formula, L 1 and L 2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group.
M represents a single bond or a divalent linking group.
Q represents an alkyl group, an alicyclic group, an aromatic ring group, an amino group, an ammonium group, a mercapto group, a cyano group, or an aldehyde group. In addition, these alicyclic groups and aromatic ring groups may contain a hetero atom.
In addition, at least two of Q, M, and L 1 may be bonded to each other to form a 5-membered or 6-membered ring.
[3]
In the above general formula (B), the group represented by-(MQ) is a group having 5 to 20 carbon atoms.
[4]
(B) The resin according to any one of [1] to [3], wherein the resin whose rate of dissolution in an alkaline developer is increased by the action of an acid has a repeating unit having a lactone group.
[5]
(A) a compound capable of generating an acid upon irradiation with actinic rays or radiation, (B) a resin capable of increasing the dissolution rate in an alkali developer by the action of an acid, and (C) an actinic ray containing a compound having a radical trap group Or a radiation-sensitive resin composition, wherein the resin (B) whose dissolution rate in an alkaline developer is increased by the action of an acid has a repeating unit having a lactone group, and the (C) radical trap group An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, wherein the compound having a nitrogen-oxygen bond is included.
[6]
The composition according to any one of [1] to [5], further comprising a hydrophobic resin.
[7]
The composition according to any one of [1] to [6], wherein the compound (C) having a radical trap group is a compound represented by any one of the following general formulas (1) to (3): .
Figure 0005525777

In the general formula, R 1 to R 6 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group. In Formula (1), R 1 and R 2 may be bonded to form a ring, and in Formula (3), at least two of R 4 to R 6 may be bonded to form a ring.
[8]
The composition according to [7], wherein the compound (C) having a radical trap group is a compound represented by the general formula (2).
[9]
The film | membrane formed with the composition in any one of [1]-[8].
[10]
The pattern formation method characterized by including the process of exposing and developing the film | membrane as described in [9].
The present invention relates to the above [1] to [10], but other matters are also described below.

<1>(A)活性光線又は放射線の照射に酸を発生する化合物、(B)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、及び(C)ラジカルトラップ基を有する化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
<2>上記(C)ラジカルトラップ基を有する化合物が、窒素酸素結合を有する化合物であることを特徴とする上記<1>に記載の組成物。
<3>更に疎水性樹脂を含有することを特徴とする上記<1>又は<2>に記載の組成物。
<4>上記(C)ラジカルトラップ基を有する化合物が、下記一般式(1)〜(3)のいずれかで示す化合物であることを特徴とする上記<1>〜<3>のいずれかに記載の組成物。
<1> (A) a compound that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation, (B) a resin that increases the dissolution rate in an alkali developer by the action of the acid, and (C) a compound having a radical trap group. An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition.
<2> The composition according to <1>, wherein the compound (C) having a radical trap group is a compound having a nitrogen-oxygen bond.
<3> The composition according to <1> or <2>, further comprising a hydrophobic resin.
<4> The compound having a radical trap group (C) is a compound represented by any one of the following general formulas (1) to (3), wherein any of the above <1> to <3> The composition as described.

Figure 0005525777
Figure 0005525777

一般式中、R〜R6は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。式(1)においてR及びR2が結合して環を形成していても良く、式(3)においてR4〜R6の少なくとも二つが結合して環を形成していても良い。
<5> 上記<1>〜<4>のいずれかに記載の組成物を用いて膜を形成し、該膜を露光、現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
In the general formula, R 1 to R 6 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group. In Formula (1), R 1 and R 2 may be bonded to form a ring, and in Formula (3), at least two of R 4 to R 6 may be bonded to form a ring.
<5> A pattern forming method comprising: forming a film using the composition according to any one of <1> to <4>, and exposing and developing the film.

本発明により、現像欠陥が抑制されるとともに、ラインエッジラフネスを抑制でき、優れた微細パターンを、広い露光ラチチュードにて、形成することが可能となった。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、特にポジ型レジスト組成物として好適である。   According to the present invention, development defects can be suppressed and line edge roughness can be suppressed, and an excellent fine pattern can be formed with a wide exposure latitude. The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention is particularly suitable as a positive resist composition.

以下、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。
なお、本明細書に於ける基(原子団)の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも包含するものである。
Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described in detail.
In addition, in the description of the group (atomic group) in this specification, the description which does not describe substitution and non-substitution includes the thing which has a substituent with the thing which does not have a substituent. . For example, the “alkyl group” includes not only an alkyl group having no substituent (unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).

〔1〕(A)光酸発生剤
本発明は、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物(光酸発生剤)を含有する。光酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。
[1] (A) Photoacid generator The present invention contains a compound (photoacid generator) that decomposes upon irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid. Photoacid generator includes photoinitiator for photocationic polymerization, photoinitiator for photoradical polymerization, photodecoloring agent for dyes, photochromic agent, irradiation of actinic ray or radiation used for micro resist, etc. The known compounds that generate an acid and mixtures thereof can be appropriately selected and used.

たとえば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、イミドスルホネート、オキシムスルホネート、ジアゾジスルホン、ジスルホン、o−ニトロベンジルスルホネートを挙げることができる。   Examples thereof include diazonium salts, phosphonium salts, sulfonium salts, iodonium salts, imide sulfonates, oxime sulfonates, diazodisulfones, disulfones, and o-nitrobenzyl sulfonates.

また、これらの活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基、あるいは化合物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化合物、たとえば、米国特許第3,849,137号明細書、独国特許第3914407号明細書、特開昭63−26653号公報、特開昭55−164824号公報、特開昭62−69263号公報、特開昭63−146038号公報、特開昭63−163452号公報、特開昭62−153853号公報、特開昭63−146029号公報等に記載の化合物を用いることができる。   Further, a group that generates an acid upon irradiation with these actinic rays or radiation, or a compound in which a compound is introduced into the main chain or side chain of the polymer, such as US Pat. No. 3,849,137, German Patent No. No. 3914407, JP-A 63-26653, JP-A 55-164824, JP-A 62-69263, JP-A 63-146038, JP-A 63-163452, The compounds described in JP-A-62-153853 and JP-A-63-146029 can be used.

更に米国特許第3,779,778号明細書、欧州特許第126,712号明細書等に
記載の光により酸を発生する化合物も使用することができる。
酸発生剤の内で好ましい化合物として、下記一般式(ZI)、(ZII)、(ZIII)で表される化合物を挙げることができ、この中でも一般式(ZI)で表される化合物を少なくとも1種以上用いることが好ましい。
Furthermore, compounds capable of generating an acid by light described in US Pat. No. 3,779,778, European Patent 126,712, etc. can also be used.
Preferred examples of the acid generator include compounds represented by the following general formulas (ZI), (ZII), and (ZIII). Among these, at least one compound represented by the general formula (ZI) is preferable. It is preferable to use more than one species.

Figure 0005525777
Figure 0005525777

上記一般式(ZI)において、
201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。
201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1〜30、好ましくは1
〜20である。
また、R201〜R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201〜R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基(例えば、ブチレン基、ペンチレン基)を挙げることができる。
-は、非求核性アニオンを表す。
In the general formula (ZI),
R 201 , R 202 and R 203 each independently represents an organic group.
The carbon number of the organic group as R 201 , R 202 and R 203 is generally 1 to 30, preferably 1
~ 20.
Two of R 201 to R 203 may be bonded to form a ring structure, and the ring may contain an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond, an amide bond, or a carbonyl group. The two of the group formed by bonding of the R 201 to R 203, there can be mentioned an alkylene group (e.g., butylene, pentylene).
Z represents a non-nucleophilic anion.

-としての非求核性アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン、カルボン酸ア
ニオン、スルホニルイミドアニオン、ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチルアニオン等を挙げることができる。
Examples of the non-nucleophilic anion as Z include a sulfonate anion, a carboxylate anion, a sulfonylimide anion, a bis (alkylsulfonyl) imide anion, and a tris (alkylsulfonyl) methyl anion.

非求核性アニオンとは、求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンであり、分子内求核反応による経時分解を抑制することができるアニオンである。これにより感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の経時安定性が向上する。   A non-nucleophilic anion is an anion that has an extremely low ability to cause a nucleophilic reaction, and is an anion that can suppress degradation over time due to an intramolecular nucleophilic reaction. Thereby, the temporal stability of the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition is improved.

スルホン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族スルホン酸アニオン、芳香族スルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオンなどが挙げられる。   Examples of the sulfonate anion include an aliphatic sulfonate anion, an aromatic sulfonate anion, and a camphor sulfonate anion.

カルボン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなどが挙げられる。   Examples of the carboxylate anion include an aliphatic carboxylate anion, an aromatic carboxylate anion, and an aralkylcarboxylate anion.

脂肪族スルホン酸アニオンにおける脂肪族部位は、アルキル基であってもシクロアルキル基であってもよく、好ましくは炭素数1〜30のアルキル基及び炭素数3〜30のシクロアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、ボルニル基等を挙げることができる。   The aliphatic moiety in the aliphatic sulfonate anion may be an alkyl group or a cycloalkyl group, preferably an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms and a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms such as methyl. Group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, pentyl group, neopentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group , Tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, hexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group, nonadecyl group, eicosyl group, cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, adamantyl group, norbornyl group, bornyl group and the like.

芳香族スルホン酸アニオンにおける芳香族基としては、好ましくは炭素数6〜14のアリール基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。   The aromatic group in the aromatic sulfonate anion is preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, such as a phenyl group, a tolyl group, and a naphthyl group.

脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基としては、例えば、ニトロ基、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子)、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜15)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜15)、アリール基(好まし
くは炭素数6〜14)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜7)、アシル基(好ましくは炭素数2〜12)、アルコキシカルボニルオキシ基(好ましくは炭素数2〜7)、アルキルチオ基(好ましくは炭素数1〜15)、アルキルスルホニル基(好ましくは炭素数1〜15)、アルキルイミノスルホニル基(好ましくは炭素数2〜15)、アリールオキシスルホニル基(好ましくは炭素数6〜20)、アルキルアリールオキシスルホニル基(好ましくは炭素数7〜20)、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基(好ましくは炭素数10〜20)、アルキルオキシアルキルオキシ基(好ましくは炭素数5〜20)、シクロアルキルアルキルオキシアルキルオキシ基(好ましくは炭素数8〜20)等を挙げることができる。各基が有するアリール基及び環構造については、置換基として更にアルキル基(好ましくは炭素数1〜15)を挙げることができる。
The alkyl group, cycloalkyl group and aryl group in the aliphatic sulfonate anion and aromatic sulfonate anion may have a substituent. Examples of the substituent of the alkyl group, cycloalkyl group, and aryl group in the aliphatic sulfonate anion and aromatic sulfonate anion include, for example, a nitro group, a halogen atom (fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom), carboxyl group , Hydroxyl group, amino group, cyano group, alkoxy group (preferably having 1 to 15 carbon atoms), cycloalkyl group (preferably having 3 to 15 carbon atoms), aryl group (preferably having 6 to 14 carbon atoms), alkoxycarbonyl group ( Preferably 2 to 7 carbon atoms, acyl group (preferably 2 to 12 carbon atoms), alkoxycarbonyloxy group (preferably 2 to 7 carbon atoms), alkylthio group (preferably 1 to 15 carbon atoms), alkylsulfonyl group (Preferably having 1 to 15 carbon atoms), alkyliminosulfonyl group (preferably having 2 to 15 carbon atoms), aryl Ruoxysulfonyl group (preferably having 6 to 20 carbon atoms), alkylaryloxysulfonyl group (preferably having 7 to 20 carbon atoms), cycloalkylaryloxysulfonyl group (preferably having 10 to 20 carbon atoms), alkyloxyalkyloxy group (Preferably having 5 to 20 carbon atoms), a cycloalkylalkyloxyalkyloxy group (preferably having 8 to 20 carbon atoms), and the like. About the aryl group and ring structure which each group has, an alkyl group (preferably C1-C15) can further be mentioned as a substituent.

脂肪族カルボン酸アニオンにおける脂肪族部位としては、脂肪族スルホン酸アニオンおけると同様のアルキル基及びシクロアルキル基を挙げることができる。   Examples of the aliphatic moiety in the aliphatic carboxylate anion include the same alkyl group and cycloalkyl group as in the aliphatic sulfonate anion.

芳香族カルボン酸アニオンにおける芳香族基としては、芳香族スルホン酸アニオンにおけると同様のアリール基を挙げることができる。   Examples of the aromatic group in the aromatic carboxylate anion include the same aryl group as in the aromatic sulfonate anion.

アラルキルカルボン酸アニオンにおけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数6〜12のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルブチル基等を挙げることができる。   The aralkyl group in the aralkyl carboxylate anion is preferably an aralkyl group having 6 to 12 carbon atoms, such as benzyl group, phenethyl group, naphthylmethyl group, naphthylethyl group, naphthylbutyl group, and the like.

脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、置換基を有していてもよい。脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキ
ル基の置換基としては、例えば、芳香族スルホン酸アニオンにおけると同様のハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等を挙げることができる。
スルホニルイミドアニオンとしては、例えば、サッカリンアニオンを挙げることができる。
The alkyl group, cycloalkyl group, aryl group and aralkyl group in the aliphatic carboxylate anion, aromatic carboxylate anion and aralkylcarboxylate anion may have a substituent. Examples of the substituent of the alkyl group, cycloalkyl group, aryl group and aralkyl group in the aliphatic carboxylate anion, aromatic carboxylate anion and aralkylcarboxylate anion include, for example, the same halogen atom and alkyl as in the aromatic sulfonate anion Group, cycloalkyl group, alkoxy group, alkylthio group and the like.
Examples of the sulfonylimide anion include saccharin anion.

ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチルアニオンにおけるアルキル基は、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基等を挙げることができる。これらのアルキル基の置換基としてはハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基等を挙げることができ、フッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。   The alkyl group in the bis (alkylsulfonyl) imide anion and tris (alkylsulfonyl) methyl anion is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, An isobutyl group, a sec-butyl group, a pentyl group, a neopentyl group, and the like can be given. Examples of substituents for these alkyl groups include halogen atoms, alkyl groups substituted with halogen atoms, alkoxy groups, alkylthio groups, alkyloxysulfonyl groups, aryloxysulfonyl groups, cycloalkylaryloxysulfonyl groups, and the like. Alkyl groups substituted with fluorine atoms are preferred.

その他の非求核性アニオンとしては、例えば、弗素化燐、弗素化硼素、弗素化アンチモン等を挙げることができる。   Examples of other non-nucleophilic anions include fluorinated phosphorus, fluorinated boron, and fluorinated antimony.

また、酸発生剤として、スルホン酸基又はイミド基を1つ有する酸を発生する化合物が好ましく、更に好ましくは1価のパーフルオロアルカンスルホン酸を発生する化合物、又は1価のフッ素原子又はフッ素原子を含有する基で置換された芳香族スルホン酸を発生する化合物、1価のフッ素原子又はフッ素原子を含有する基で置換されたイミド酸を発生する化合物、又は一価のフッ素原子又はフッ素原子を含有する基で置換されたメチド酸を発生する化合物であり、更により好ましくは、フッ化置換アルカンスルホン酸、フッ素置換ベンゼンスルホン酸、フッ素置換イミド酸又はフッ素置換メチド酸のスルホニウム塩である。酸発生剤は、発生した酸のpKaがpKa=−1以下のフッ化置換アルカンスルホン酸、フッ化置換ベンゼンスルホン酸、フッ化置換イミド酸であることが特に好ましく、感度が向上する。
-により表わされる対イオンとして、下記一般式(II)で表される構造が挙げられる。
Further, the acid generator is preferably a compound that generates an acid having one sulfonic acid group or imide group, more preferably a compound that generates monovalent perfluoroalkanesulfonic acid, or a monovalent fluorine atom or fluorine atom. A compound that generates an aromatic sulfonic acid substituted with a group that contains a monovalent fluorine atom or a compound that generates an imide acid substituted with a group containing a fluorine atom, or a monovalent fluorine atom or fluorine atom It is a compound that generates a methide acid substituted with a contained group, and still more preferably a fluoride-substituted alkanesulfonic acid, a fluorine-substituted benzenesulfonic acid, a fluorine-substituted imide acid, or a sulfonium salt of a fluorine-substituted methide acid. The acid generator is particularly preferably a fluorinated substituted alkane sulfonic acid, a fluorinated substituted benzene sulfonic acid, or a fluorinated substituted imido acid having a pKa of the generated acid of pKa = -1 or less, and the sensitivity is improved.
Examples of the counter ion represented by X include a structure represented by the following general formula (II).

Figure 0005525777
Figure 0005525777

一般式(II)中、Aは酸素原子、窒素原子、炭素原子を表す。
はフッ素原子を含有する一価の有機基を表す。
は、フッ素原子、アルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。
Aが酸素原子であるときn=1、m=0であり、Aが窒素原子であるときn+m=2かつn=1又は2、m=0又は1であり、Aが炭素原子であるときn+m=3かつn=1〜3の整数、m=0〜2の整数である。nが2以上のときRは同一でも異なっていてもよく、Rがそれぞれ結合し環を形成していてもよい。
In general formula (II), A represents an oxygen atom, a nitrogen atom, or a carbon atom.
R 1 represents a monovalent organic group containing a fluorine atom.
R 2 represents a fluorine atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group.
When A is an oxygen atom, n = 1, m = 0, when A is a nitrogen atom, n + m = 2 and n = 1 or 2, m = 0 or 1, and when A is a carbon atom, n + m = 3 and n = 1-3, m = 0-2. When n is 2 or more, R 1 may be the same or different, and R 1 may be bonded to each other to form a ring.

一般式(II)について更に詳細に説明する。
により表されるフッ素原子を含有する一価の有機基としては、スルホニル基に結合した少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキレン部を含む有機基が挙げられ、該アルキレン部はパーフルオロアルキレン基であることがより好ましい。また、その末端は環状構造を有する基が置換していることが好ましく、連結基を介して置換していてもよい
。低フッ素含有率の観点からこの環状構造を有する基はフッ素原子を含まないことが好ましい。Rにより表される一価の有機基は、一態様において、後掲の一般式(III)で表さるRに対応する構造が挙げられる。
General formula (II) will be described in more detail.
Examples of the monovalent organic group containing a fluorine atom represented by R 1 include an organic group containing an alkylene part substituted with at least one fluorine atom bonded to a sulfonyl group, and the alkylene part is a perfluoroalkylene. More preferably, it is a group. Moreover, it is preferable that the group which has a cyclic structure is substituted for the terminal, and you may substitute through the coupling group. From the viewpoint of low fluorine content, the group having this cyclic structure preferably does not contain a fluorine atom. In one embodiment, the monovalent organic group represented by R 1 includes a structure corresponding to R 1 represented by the following general formula (III).

により表されるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基とは、鎖式アルキル基、単環式アルキル基、多環式炭化水素基、又は単環式アリール基を表し、該鎖状アルキル基、該単環式アルキル基、該多環式炭化水素基、該単環式アリール基は、置換基を有していてもよい。置換基としてはフッ素原子を有していることが好ましい。
鎖式アルキル基としては、直鎖状でも分岐鎖状でもよく、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ドデシル、2−エチルヘキシル、イソプロピル、sec-ブチル、t-ブチル、iso-アミル等が挙げられる。
The alkyl group, cycloalkyl group, and aryl group represented by R 2 represent a chain alkyl group, a monocyclic alkyl group, a polycyclic hydrocarbon group, or a monocyclic aryl group, and the chain alkyl group The monocyclic alkyl group, the polycyclic hydrocarbon group, and the monocyclic aryl group may have a substituent. The substituent preferably has a fluorine atom.
The chain alkyl group may be linear or branched, and is methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, dodecyl, 2-ethylhexyl, isopropyl, sec-butyl, t-butyl, iso -Amyl etc. are mentioned.

単環式アルキル基としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロプチル、シクロオクチル、シクロドデカニル、シクロベンテニル、シクロヘキセニル、シクロオクタジエニル等が挙げられ、特にシクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロオクチルが好ましい。
多環式炭化水素基としては、ビシクロ[4.3.0]ノナニル、デカヒドロナフタレニル、トリシクロ[5.2.1.0(2,6)]デカニル、ボルニル、イソボルニル、ノルボルニル、アダマンチル、ノルアダマンチル、1,7,7-トリメチルトリシクロ[2.2.1.02,6]ヘプタニル、3,7,7-トリメチルビシクロ[4.1.0]ヘプタニル等があげられ、特にノルボルニル、アダマンチル、ノルアダマンチルが好ましい。
Examples of monocyclic alkyl groups include cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl, cycloptyl, cyclooctyl, cyclododecanyl, cyclobenthenyl, cyclohexenyl, cyclooctadienyl, and the like, particularly cyclopropyl, cyclopentyl, cyclohexyl, Cyclooctyl is preferred.
Examples of polycyclic hydrocarbon groups include bicyclo [4.3.0] nonanyl, decahydronaphthalenyl, tricyclo [5.2.1.0 (2,6)] decanyl, bornyl, isobornyl, norbornyl, adamantyl, noradamantyl, 1,7 , 7-trimethyltricyclo [2.2.1.0 2,6 ] heptanyl, 3,7,7-trimethylbicyclo [4.1.0] heptanyl and the like, and norbornyl, adamantyl and noradamantyl are particularly preferable.

単環式アリール基は、置換又は無置換のフェニル基を意味する。
としての鎖式アルキル基、単環式アルキル基、多環式炭化水素基又は単環式アリール基が有していてもよい置換基としては、例えば、水酸基、ハロゲン原子(フッ素、塩素、臭素、ヨウ素)、ニトロ基、シアノ基、アミド基、スルホンアミド基、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、カルボキシ基が挙げられる。但し、Rとしての鎖式アルキル基が有してもよい置換基として水酸基を除く。
A monocyclic aryl group means a substituted or unsubstituted phenyl group.
Examples of the substituent that the chain alkyl group, monocyclic alkyl group, polycyclic hydrocarbon group or monocyclic aryl group as R 2 may have include a hydroxyl group, a halogen atom (fluorine, chlorine, Bromine, iodine), nitro group, cyano group, amide group, sulfonamide group, methyl group, ethyl group, propyl group, n-butyl group, sec-butyl group, hexyl group, 2-ethylhexyl group, octyl group and other alkyls Group, methoxy group, ethoxy group, hydroxyethoxy group, propoxy group, hydroxypropoxy group, butoxy group and other alkoxy groups, methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group and other alkoxycarbonyl groups, formyl group, acetyl group, benzoyl group and other acyl groups Group, an acetoxy group, an acyloxy group such as a butyryloxy group, and a carboxy group. However, a hydroxyl group is excluded as a substituent that the chain alkyl group as R 2 may have.

は、酸強度の観点から電子求引性基を有することが好ましい、電子求引性基としては特に限定はされないが、シアノ基、トリフルオロメチル基、ニトロ基、カルボキシル基、ケトン基、アシルオキシ基、ヒドロキシ基、パーフルオロアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、t−ブトキシ基、ベンジルオキシ基等のアルコキシ基等、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子などが挙げられ、特にフッ素原子を有することが好ましい。より好ましくは分子量220以下のフッ素原子を有する基、特に好ましくはトリフルオロメチル基である。 R 2 preferably has an electron-withdrawing group from the viewpoint of acid strength. The electron-withdrawing group is not particularly limited, but is a cyano group, a trifluoromethyl group, a nitro group, a carboxyl group, a ketone group, Examples include acyloxy groups, hydroxy groups, perfluoroalkyl groups, methoxy groups, ethoxy groups, isopropoxy groups, t-butoxy groups, alkoxy groups such as benzyloxy groups, halogen atoms such as fluorine atoms and chlorine atoms, etc. It preferably has a fluorine atom. More preferred is a group having a fluorine atom having a molecular weight of 220 or less, and particularly preferred is a trifluoromethyl group.

上記一般式(II)で表される対アニオンは、下記一般式(III)で表される構造であることが好ましい。   The counter anion represented by the general formula (II) is preferably a structure represented by the following general formula (III).

Figure 0005525777
Figure 0005525777

一般式(III)中、A、R、m、nは、一般式(II)における各々と同義である。
は、複数ある場合はそれぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、Rは水素原子を表す。
Lは単結合又は連結基を表す。
p1は1〜8の整数を表し、p2=1又は2を表し、p3=0又は1を表す。
p2=2である場合、2つのRは互いに結合し環構造を形成してもよく、n=2以上である場合、複数あるRは互いに結合し環構造を形成していてもよい。
により表されるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の具体例としては、Rの各々において例示した基と同様の基が挙げられる。
ここでRは、フッ素原子を有さないことが好ましい。
In the general formula (III), A, R 2 , m, n are as defined above in the general formula (II).
When there are a plurality of R 3 s , each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group, and R 4 represents a hydrogen atom.
L represents a single bond or a linking group.
p1 represents an integer of 1 to 8, p2 = 1 or 2, and p3 = 0 or 1.
When p2 = 2, two R 3 may be bonded to each other to form a ring structure, and when n = 2 or more, a plurality of R 3 may be bonded to each other to form a ring structure.
Specific examples of the alkyl group, cycloalkyl group and aryl group represented by R 3 include the same groups as those exemplified for each of R 2 .
Here, R 3 preferably has no fluorine atom.

Lは、単結合、酸素原子(−O−)、硫黄原子(−S−)、窒素原子(>N−)、カルボキシル基(−OC=O−,−CO=O−)、アミド基(>NC=O−)、スルホンアミド基(>NSO−)であることが好ましい。特に、p2=2であり、2つのRが互いに結合して環を形成する場合、Lはアミド基、スルホンアミド基等の窒素原子を有する連結基であることが好ましく、このとき2つのRは互いに結合してL上の窒素原子を環内に有する環状アミン残基を形成する。 環状アミン残基構造としてはアジリジン、アゼチジン、ピロリジン、ピペリジン、ヘキサメチレンイミン、ヘプタメチレンイミン、ピペラジン、デカヒドロキノリン、デカヒドロキノリン、8-アザビシクロ[3.2.1]オクタン、インドール、オキサゾリジン、チアゾリジン、2−アザノルボルナン、7−アザノルボルナン、モルホリン、チアモルホリン等が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。置換基としては、水酸基、ハロゲン原子(フッ素、塩素、臭素、ヨウ素)、ニトロ基、シアノ基、アミド基、スルホンアミド基、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基、及び環を形成する炭素上のカルボニル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、カルボキシ基が挙げられる。
本発明の一般式(II)で表される対アニオン構造としては以下の具体例が挙げられる。
L is a single bond, an oxygen atom (—O—), a sulfur atom (—S—), a nitrogen atom (> N—), a carboxyl group (—OC═O—, —CO═O—), an amide group (> NC = O—) and a sulfonamide group (> NSO 2 —) are preferable. In particular, a p2 = 2, when two R 3 join to form a ring together, preferably L is a linking group having an amide group, the nitrogen atom such as a sulfonamide group, two where R 3 combine with each other to form a cyclic amine residue having a nitrogen atom on L in the ring. Cyclic amine residue structures include aziridine, azetidine, pyrrolidine, piperidine, hexamethyleneimine, heptamethyleneimine, piperazine, decahydroquinoline, decahydroquinoline, 8-azabicyclo [3.2.1] octane, indole, oxazolidine, thiazolidine, 2 -Azanorbornane, 7-azanorbornane, morpholine, thiamorpholine and the like may be mentioned, and these may have a substituent. Substituents include hydroxyl groups, halogen atoms (fluorine, chlorine, bromine, iodine), nitro groups, cyano groups, amide groups, sulfonamido groups, methyl groups, ethyl groups, propyl groups, n-butyl groups, sec-butyl groups. , Hexyl group, 2-ethylhexyl group, alkyl group such as octyl group, alkoxy group such as methoxy group, ethoxy group, hydroxyethoxy group, propoxy group, hydroxypropoxy group, butoxy group, alkoxy group such as methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, etc. Examples include carbonyl groups, formyl groups, acetyl groups, benzoyl groups, acyl groups such as carbonyl groups on the carbon forming the ring, acyloxy groups such as acetoxy groups and butyryloxy groups, and carboxy groups.
Examples of the counter anion structure represented by the general formula (II) of the present invention include the following specific examples.

Figure 0005525777
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Figure 0005525777
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上記一般式(ZI)におけるR201、R202及びR203としての有機基としては、例えば、後述する化合物(ZI−1)、(ZI−2)、(ZI−3)における対応する基を挙げることができる。 Examples of the organic group as R 201 , R 202 and R 203 in the general formula (ZI) include corresponding groups in the compounds (ZI-1), (ZI-2) and (ZI-3) described later. be able to.

なお、一般式(ZI)で表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式(ZI)で表される化合物のR201〜R203の少なくとも1つが、一般式(ZI)で表されるもうひとつの化合物のR201〜R203の少なくとも一つと結合した構造を有する化合物であってもよい。 In addition, the compound which has two or more structures represented by general formula (ZI) may be sufficient. For example, the general formula at least one of R 201 to R 203 of a compound represented by (ZI), the structures attached to at least one of R 201 to R 203 of another compound represented by formula (ZI) It may be a compound.

更に好ましい(ZI)成分として、以下に説明する化合物(ZI−1)、(ZI−2)
、(ZI−3)及び(ZI−4)を挙げることができる。
As more preferred (ZI) components, compounds (ZI-1) and (ZI-2) described below
, (ZI-3) and (ZI-4).

化合物(ZI−1)は、上記一般式(ZI)のR201〜R203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニウム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。 The compound (ZI-1) is at least one of the aryl groups R 201 to R 203 in formula (ZI), arylsulfonium compounds, namely, compounds containing an arylsulfonium as a cation.

アリールスルホニウム化合物は、R201〜R203の全てがアリール基でもよいし、R201
〜R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基又はシクロアルキル基でもよい。
In the arylsulfonium compound, all of R 201 to R 203 may be an aryl group, or R 201
Some of to R 203 is an aryl group and the remainder may be an alkyl group or a cycloalkyl group.

アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物、ジアリールシクロアルキルスルホニウム化合物、アリールジシクロアルキルスルホニウム化合物を挙げることができる。   Examples of the arylsulfonium compound include triarylsulfonium compounds, diarylalkylsulfonium compounds, aryldialkylsulfonium compounds, diarylcycloalkylsulfonium compounds, and aryldicycloalkylsulfonium compounds.

アリールスルホニウム化合物のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。アリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造を有するアリール基としては、例えば、ピロール残基(ピロールから水素原子が1個失われることによって形成される基)、フラン残基(フランから水素原子が1個失われることによって形成される基)、チオフェン残基(チオフェンから水素原子が1個失われることによって形成される基)、インドール残基(インドールから水素原子が1個失われることによって形成される基)、ベンゾフラン残基(ベンゾフランから水素原子が1個失われることによって形成される基)、ベンゾチオフェン残基(ベンゾチオフェンから水素原子が1個失われることによって形成される基)等を挙げることができる。アリールスルホニウム化合物が2つ以上のアリール基を有する場合に、2つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。   The aryl group of the arylsulfonium compound is preferably a phenyl group or a naphthyl group, and more preferably a phenyl group. The aryl group may be an aryl group having a heterocyclic structure having an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom or the like. Examples of the aryl group having a heterocyclic structure include a pyrrole residue (a group formed by losing one hydrogen atom from pyrrole) and a furan residue (a group formed by losing one hydrogen atom from furan). Groups), thiophene residues (groups formed by the loss of one hydrogen atom from thiophene), indole residues (groups formed by the loss of one hydrogen atom from indole), benzofuran residues ( A group formed by losing one hydrogen atom from benzofuran), a benzothiophene residue (a group formed by losing one hydrogen atom from benzothiophene), and the like. When the arylsulfonium compound has two or more aryl groups, the two or more aryl groups may be the same or different.

アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数1〜15の直鎖又は分岐アルキル基及び炭素数3〜15のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。   The alkyl group or cycloalkyl group that the arylsulfonium compound has as necessary is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 15 carbon atoms and a cycloalkyl group having 3 to 15 carbon atoms, such as a methyl group, Examples thereof include an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a t-butyl group, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, and a cyclohexyl group.

201〜R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、アルキル基(例えば炭素数1〜15)、シクロアルキル基(例えば炭素数3〜15)、アリール基(例えば炭素数6〜14)、アルコキシ基(例えば炭素数1〜15)、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基としては炭素数1〜12の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数3〜12のシクロアルキル基、炭素数1〜12の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、より好ましくは炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基である。置換基は、3つのR201〜R203のうちのいずれか1つに置換していてもよいし、3つ全てに置換していてもよい。また、R201〜R203がアリール基の場合に、置換基はアリール基のp−位に置換していることが好ましい。 Aryl group, alkyl group of R 201 to R 203, cycloalkyl group, an alkyl group (for example, 1 to 15 carbon atoms), a cycloalkyl group (for example, 3 to 15 carbon atoms), an aryl group (for example, 6 to 14 carbon atoms) , An alkoxy group (for example, having 1 to 15 carbon atoms), a halogen atom, a hydroxyl group, or a phenylthio group may be substituted. Preferred substituents are linear or branched alkyl groups having 1 to 12 carbon atoms, cycloalkyl groups having 3 to 12 carbon atoms, and linear, branched or cyclic alkoxy groups having 1 to 12 carbon atoms, more preferably carbon. An alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. The substituent may be substituted with any one of the three R 201 to R 203 , or may be substituted with all three. When R 201 to R 203 are an aryl group, the substituent is preferably substituted at the p-position of the aryl group.

次に、化合物(ZI−2)について説明する。   Next, the compound (ZI-2) will be described.

化合物(ZI−2)は、式(ZI)におけるR201〜R203が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。 Compound (ZI-2) is a compound in which R 201 to R 203 in formula (ZI) each independently represents an organic group having no aromatic ring. Here, the aromatic ring includes an aromatic ring containing a hetero atom.

201〜R203としての芳香環を含有しない有機基は、一般的に炭素数1〜30、好まし
くは炭素数1〜20である。
The organic group having no aromatic ring as R 201 to R 203 generally has 1 to 30 carbon atoms, preferably 1 to 20 carbon atoms.

201〜R203は、各々独立に、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリル基、ビニル基であり、更に好ましくは直鎖又は分岐の2−オキソアルキル基、2−オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、特に好ましくは直鎖又は分岐2−オキソアルキル基である。 R 201 to R 203 are each independently preferably an alkyl group, a cycloalkyl group, an allyl group, or a vinyl group, more preferably a linear or branched 2-oxoalkyl group, 2-oxocycloalkyl group, alkoxy group. A carbonylmethyl group, particularly preferably a linear or branched 2-oxoalkyl group.

201〜R203のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1〜10の直鎖又は分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基)、炭素数3〜10のシクロアルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基)を挙げることができる。アルキル基として、より好ましくは2−オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基を挙げることができる。シクロアルキル基として、より好ましくは、2−オキソシクロアルキル基を挙げることができる。 The alkyl group and cycloalkyl group of R 201 to R 203, preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (e.g., methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group), carbon Examples thereof include cycloalkyl groups of several 3 to 10 (cyclopentyl group, cyclohexyl group, norbornyl group). More preferred examples of the alkyl group include a 2-oxoalkyl group and an alkoxycarbonylmethyl group. More preferred examples of the cycloalkyl group include a 2-oxocycloalkyl group.

2−オキソアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、好ましくは、上記のアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。   The 2-oxoalkyl group may be either linear or branched, and a group having> C = O at the 2-position of the above alkyl group is preferable.

2−オキソシクロアルキル基は、好ましくは、上記のシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。   The 2-oxocycloalkyl group is preferably a group having> C═O at the 2-position of the cycloalkyl group.

アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基としては、好ましくは炭素数1〜5のアルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基)を挙げることができる。   The alkoxy group in the alkoxycarbonylmethyl group is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms (methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, pentoxy group).

201〜R203は、ハロゲン原子、アルコキシ基(例えば炭素数1〜5)、水酸基、シアノ基、ニトロ基によって更に置換されていてもよい。 R 201 to R 203 may be further substituted with a halogen atom, an alkoxy group (for example, having 1 to 5 carbon atoms), a hydroxyl group, a cyano group, or a nitro group.

化合物(ZI−3)とは、以下の一般式(ZI−3)で表される化合物であり、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物である。   The compound (ZI-3) is a compound represented by the following general formula (ZI-3), and is a compound having a phenacylsulfonium salt structure.

Figure 0005525777
Figure 0005525777

一般式(ZI−3)に於いて、
1c〜R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子を表す。
6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
x及びRyは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。
In general formula (ZI-3),
R 1c to R 5c each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group or a halogen atom.
R 6c and R 7c each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group or a cycloalkyl group.
R x and R y each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an allyl group or a vinyl group.

1c〜R5c中のいずれか2つ以上、R6cとR7c、及びRxとRyは、それぞれ結合して環構造を形成しても良く、この環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合
を含んでいてもよい。R1c〜R5c中のいずれか2つ以上、R6cとR7c、及びRxとRyが結合して形成する基としては、ブチレン基、ペンチレン基等を挙げることができる。
Any two or more of R 1c to R 5c , R 6c and R 7c , and R x and R y may be bonded to each other to form a ring structure, and this ring structure includes an oxygen atom and a sulfur atom. , An ester bond and an amide bond may be included. Examples of the group formed by combining any two or more of R 1c to R 5c , R 6c and R 7c , and R x and R y include a butylene group and a pentylene group.

Zc-は、非求核性アニオンを表し、一般式(ZI)に於けるZ-と同様の非求核性アニオンを挙げることができる。 Zc represents a non-nucleophilic anion, and examples thereof include the same non-nucleophilic anion as Z − in formula (ZI).

1c〜R7cとしてのアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、例えば炭素数1〜20個のアルキル基、好ましくは炭素数1〜12個の直鎖及び分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、直鎖又は分岐プロピル基、直鎖又は分岐ブチル基、直鎖又は分岐ペンチル基)を挙げることができ、シクロアルキル基としては、例えば炭素数3〜8個のシクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基)を挙げることができる。 The alkyl group as R 1c to R 7c may be either linear or branched, for example, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms ( Examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a linear or branched propyl group, a linear or branched butyl group, and a linear or branched pentyl group. Examples of the cycloalkyl group include cyclohexane having 3 to 8 carbon atoms. An alkyl group (for example, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group) can be mentioned.

1c〜R5cとしてのアルコキシ基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数1〜10のアルコキシ基、好ましくは、炭素数1〜5の直鎖及び分岐アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、直鎖又は分岐プロポキシ基、直鎖又は分岐ブトキシ基、直鎖又は分岐ペントキシ基)、炭素数3〜8の環状アルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基)を挙げることができる。 The alkoxy group as R 1c to R 5c may be linear, branched or cyclic, for example, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, preferably a linear or branched alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms. (For example, methoxy group, ethoxy group, linear or branched propoxy group, linear or branched butoxy group, linear or branched pentoxy group), C3-C8 cyclic alkoxy group (for example, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group) ).

好ましくは、R1c〜R5cの内のいずれかが直鎖又は分岐アルキル基、シクロアルキル基又は直鎖、分岐若しくは環状アルコキシ基であり、更に好ましくは、R1c〜R5cの炭素数の和が2〜15である。これにより、より溶剤溶解性が向上し、保存時にパーティクルの発生が抑制される。 Preferably, any of R 1c to R 5c is a linear or branched alkyl group, a cycloalkyl group, or a linear, branched or cyclic alkoxy group, and more preferably the sum of the carbon number of R 1c to R 5c. Is 2-15. Thereby, solvent solubility improves more and generation | occurrence | production of a particle is suppressed at the time of a preservation | save.

x及びRyとしてのアルキル基及びシクロアルキル基は、R1c〜R7cおけると同様のアルキル基及びシクロアルキル基を挙げることができ、2−オキソアルキル基、2−オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基がより好ましい。 Examples of the alkyl group and cycloalkyl group as R x and R y include the same alkyl group and cycloalkyl group as in R 1c to R 7c , such as a 2-oxoalkyl group, a 2-oxocycloalkyl group, an alkoxy group. A carbonylmethyl group is more preferred.

2−オキソアルキル基及び2−オキソシクロアルキル基は、R1c〜R7cとしてのアルキル基及びシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基については、R1c〜R5cおけると同様のアルコキシ基を挙げることができる。
Examples of the 2-oxoalkyl group and 2-oxocycloalkyl group include a group having> C═O at the 2-position of the alkyl group or cycloalkyl group as R 1c to R 7c .
Examples of the alkoxy group in the alkoxycarbonylmethyl group include the same alkoxy groups as in R 1c to R 5c .

x及びRyは、好ましくは炭素数4個以上のアルキル基又はシクロアルキル基であり、より好ましくは6個以上、更に好ましくは8個以上のアルキル基又はシクロアルキル基である。 R x and R y are preferably an alkyl group or cycloalkyl group having 4 or more carbon atoms, more preferably 6 or more, and still more preferably 8 or more alkyl groups or cycloalkyl groups.

化合物(ZI−4)とは、以下の一般式(ZI−4)で表される化合物である。   The compound (ZI-4) is a compound represented by the following general formula (ZI-4).

Figure 0005525777
Figure 0005525777

一般式(ZI−4)中、
13は水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基
、又はアルコキシカルボニル基を表す。
In general formula (ZI-4),
R 13 represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a hydroxyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, or an alkoxycarbonyl group.

14は複数存在する場合は各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基を表す。 When a plurality of R 14 are present, each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an alkylsulfonyl group, or a cycloalkylsulfonyl group.

15は各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基を表す。2個のR15が互いに結合して環を形成してもよい。 R 15 each independently represents an alkyl group or a cycloalkyl group. Two R 15 may be bonded to each other to form a ring.

lは0〜2の整数を表す。   l represents an integer of 0-2.

rは0〜10の整数を表す。   r represents an integer of 0 to 10.

-は、非求核性アニオンを表し、一般式(ZI)に於けるZ-と同様の非求核性アニオンを挙げることができる。 Z represents a non-nucleophilic anion, and examples thereof include the same non-nucleophilic anion as Z − in formula (ZI).

一般式(ZI−4)において、R13、R14及びR15のアルキル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数1〜10のものが好ましく、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、ネオペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、2−エチルヘキシル基、n−ノニル基、n−デシル基等を挙げることができる。これらのアルキル基のうち、メチル基、エチル基、n−ブチル基、t−ブチル基等が好ましい。 In the general formula (ZI-4), the alkyl group of R 13 , R 14 and R 15 is linear or branched and preferably has 1 to 10 carbon atoms, and is preferably a methyl group, an ethyl group, n -Propyl group, i-propyl group, n-butyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylpropyl group, t-butyl group, n-pentyl group, neopentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n -An octyl group, 2-ethylhexyl group, n-nonyl group, n-decyl group etc. can be mentioned. Of these alkyl groups, a methyl group, an ethyl group, an n-butyl group, a t-butyl group, and the like are preferable.

13、R14及びR15のシクロアルキル基としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロへプチル、シクロオクチル、シクロドデカニル、シクロベンテニル、シクロヘキセニル、シクロオクタジエニル等があげられ、特にシクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロオクチルが好ましい。 Examples of the cycloalkyl group of R 13 , R 14 and R 15 include cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, cyclododecanyl, cyclobenenyl, cyclohexenyl, cyclooctadienyl and the like. In particular, cyclopropyl, cyclopentyl, cyclohexyl and cyclooctyl are preferred.

13及びR14のアルコキシ基としては、直鎖状、分岐状、環状であってもよく、炭素原子数10以下のものが好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基、2−メチルプロポキシ基、1−メチルプロポキシ基、t−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、n−ヘプチルオキシ基、n−オクチルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、n−ノニルオキシ基、n−デシルオキシ基、シクロヘキシルメトキシ基等を挙げることができる。これらのアルコキシ基のうち、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、n−ブトキシ基、シクロヘキシルメトキシ基等が好ましい。 The alkoxy group for R 13 and R 14 may be linear, branched or cyclic, and preferably has 10 or less carbon atoms, such as a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, i- Propoxy group, n-butoxy group, 2-methylpropoxy group, 1-methylpropoxy group, t-butoxy group, n-pentyloxy group, neopentyloxy group, n-hexyloxy group, n-heptyloxy group, n- Examples include octyloxy group, 2-ethylhexyloxy group, n-nonyloxy group, n-decyloxy group, cyclohexylmethoxy group and the like. Of these alkoxy groups, a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an n-butoxy group, a cyclohexylmethoxy group, and the like are preferable.

13のアルコキシカルボニル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数2〜11のものが好ましく、例えば、R13及びR14として例示したアルコキシ基に対応するアルコキシカルボニル基を挙げることができる。これらのアルコキシカルボニル基のうち、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基等が好ましい。 The alkoxycarbonyl group for R 13 is linear or branched and preferably has 2 to 11 carbon atoms, and examples thereof include alkoxycarbonyl groups corresponding to the alkoxy groups exemplified as R 13 and R 14. Can do. Of these alkoxycarbonyl groups, a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, an n-butoxycarbonyl group, and the like are preferable.

14のアルキルスルホニル基及びシクロアルキルスルホニル基としては、直鎖状、分岐状、環状であり、炭素原子数1〜10のものが好ましく、例えば、R13、R14及びR15として例示したアルキル基又はシクロアルキル基に対応するアルキルスルホニル基及びシクロアルキルスルホニル基を挙げることができる。これらのアルキルスルホニル基及びシクロアルキルスルホニル基のうちメタンスルホニル基、エタンスルホニル基、n−プロパンスルホニル基、n−ブタンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基、シクロヘキサンスルホニル基等が好ましい。 The alkylsulfonyl group and cycloalkylsulfonyl group for R 14 are linear, branched, or cyclic, and preferably have 1 to 10 carbon atoms. For example, alkyls exemplified as R 13 , R 14, and R 15 Mention may be made of alkylsulfonyl groups and cycloalkylsulfonyl groups corresponding to groups or cycloalkyl groups. Of these alkylsulfonyl groups and cycloalkylsulfonyl groups, a methanesulfonyl group, an ethanesulfonyl group, an n-propanesulfonyl group, an n-butanesulfonyl group, a cyclopentanesulfonyl group, a cyclohexanesulfonyl group, and the like are preferable.

lとしては、0又は1が好ましく、1がより好ましい。rとしては、0〜2が好ましい。   l is preferably 0 or 1, and more preferably 1. As r, 0-2 are preferable.

前記、R13、R14、R15の各基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子)、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができ、好ましくは炭素数21以下である。 Examples of the substituent that each group of R 13 , R 14 , and R 15 may have include a halogen atom (for example, a fluorine atom), a hydroxyl group, a carboxyl group, a cyano group, a nitro group, an alkoxy group, and an alkoxy group. An alkyl group, an alkoxycarbonyl group, an alkoxycarbonyloxy group and the like can be mentioned, and preferably has 21 or less carbon atoms.

2個のR15が互いに結合して形成してもよい環構造としては、一般式(ZI−4)中の硫黄原子と共に5員又は6員の環、特に好ましくは5員の環(即ち、テトラヒドロチオフェン環)を形成する基が望ましい。また、前記2価の基に対する置換基としては、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アルコキアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。一般式(ZI−4)におけるR15としては、メチル基、エチル基、2個のR15が互いに結合して硫黄原子と共にテトラヒドロチオフェン環構造を形成する2価の基等が好ましい。
以下に、一般式(ZI−4)で表される化合物におけるカチオンの好ましい具体例を示す。
As the ring structure that two R 15 may be bonded to each other, a 5- or 6-membered ring, particularly preferably a 5-membered ring (that is, a 5-membered ring together with the sulfur atom in the general formula (ZI-4) (that is, A group that forms a tetrahydrothiophene ring) is desirable. Examples of the substituent for the divalent group include a hydroxyl group, a carboxyl group, a cyano group, a nitro group, an alkoxy group, an alkoxyalkyl group, an alkoxycarbonyl group, and an alkoxycarbonyloxy group. R 15 in the general formula (ZI-4) is preferably a methyl group, an ethyl group, a divalent group in which two R 15 are bonded to each other to form a tetrahydrothiophene ring structure together with a sulfur atom.
Below, the preferable specific example of the cation in the compound represented by general formula (ZI-4) is shown.

Figure 0005525777
Figure 0005525777

一般式(ZII)及び(ZIII)中、
204〜R207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
204〜R207のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましく
はフェニル基である。R204〜R207のアリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造を有するアリール基としては、例えば、ピロール残基(ピロールから水素原子が1個失われることによって形成される基)、フラン残基(フランから水素原子が1個失われることによって形成される基)、チオフェン残基(チオフェンから水素原子が1個失われることによって形成される基)、インドール残基(インドールから水素原子が1個失われることによって形成される基)、ベンゾフラン残基(ベンゾフランから水素原子が1個失われることによって形成される基)、ベンゾチオフェン残基(ベンゾチオフェンから水素原子が1個失われることによって形成される基)等を挙げることができる。
In the general formulas (ZII) and (ZIII),
R 204 to R 207 each independently represents an aryl group, an alkyl group or a cycloalkyl group.
Phenyl group and a naphthyl group are preferred as the aryl group of R 204 to R 207, more preferably a phenyl group. Aryl group R 204 to R 207 represents an oxygen atom, a nitrogen atom, may be an aryl group having a heterocyclic structure having a sulfur atom and the like. Examples of the aryl group having a heterocyclic structure include a pyrrole residue (a group formed by losing one hydrogen atom from pyrrole) and a furan residue (a group formed by losing one hydrogen atom from furan). Groups), thiophene residues (groups formed by the loss of one hydrogen atom from thiophene), indole residues (groups formed by the loss of one hydrogen atom from indole), benzofuran residues ( A group formed by losing one hydrogen atom from benzofuran), a benzothiophene residue (a group formed by losing one hydrogen atom from benzothiophene), and the like.

204〜R207におけるアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1〜10の直鎖又は分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基)、炭素数3〜10のシクロアルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基)を挙げることができる。
The alkyl group and cycloalkyl group in R 204 to R 207, preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (e.g., methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group), carbon Examples thereof include cycloalkyl groups of several 3 to 10 (cyclopentyl group, cyclohexyl group, norbornyl group).

204〜R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。R204〜R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基(例えば炭素数1〜15)、シクロアルキル基(例えば炭素数3〜15)、アリール基(例えば炭素数6〜15)、アルコキシ基(例えば炭素数1〜15)、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基等を挙げることができる。 Aryl group, alkyl group of R 204 to R 207, cycloalkyl groups may have a substituent. Aryl group, alkyl group of R 204 to R 207, the cycloalkyl group substituent which may be possessed by, for example, an alkyl group (for example, 1 to 15 carbon atoms), a cycloalkyl group (for example, 3 to 15 carbon atoms ), An aryl group (for example, having 6 to 15 carbon atoms), an alkoxy group (for example, having 1 to 15 carbon atoms), a halogen atom, a hydroxyl group, and a phenylthio group.

-は、非求核性アニオンを表し、一般式(ZI)に於けるZ-の非求核性アニオンと同様のものを挙げることができる。
酸発生剤として、更に、下記一般式(ZIV)、(ZV)、(ZVI)で表される化合物を挙げることができる。
Z represents a non-nucleophilic anion, and examples thereof include the same as the non-nucleophilic anion of Z − in formula (ZI).
Examples of the acid generator further include compounds represented by the following general formulas (ZIV), (ZV), and (ZVI).

Figure 0005525777
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一般式(ZIV)〜(ZVI)中、
Ar3及びAr4は、各々独立に、アリール基を表す。R208、R209及びR210は、各々
独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。
Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。
酸発生剤の内でより好ましくは、一般式(ZI)〜(ZIII)で表される化合物である。
In general formulas (ZIV) to (ZVI),
Ar 3 and Ar 4 each independently represents an aryl group. R 208 , R 209 and R 210 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group.
A represents an alkylene group, an alkenylene group or an arylene group.
Among the acid generators, compounds represented by the general formulas (ZI) to (ZIII) are more preferable.

酸発生剤の中で、特に好ましい例を以下に挙げる。   Among acid generators, particularly preferred examples are given below.

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上記(A)光酸発生剤は単独で使用しても、複数を組み合わせて使用してもよい。
上記(A)光酸発生剤は本発明の組成物中の全固形分量に対して1〜60質量%含まれることが好ましく、3〜50質量%含まれることがより好ましく、3〜35質量%含まれることが特に好ましい。
The (A) photoacid generator may be used alone or in combination.
The (A) photoacid generator is preferably contained in an amount of 1 to 60% by mass, more preferably 3 to 50% by mass, and more preferably 3 to 35% by mass with respect to the total solid content in the composition of the present invention. It is particularly preferred that it be included.

〔2〕(B)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂(B)を含有する。
[2] (B) Resin whose dissolution rate in an alkaline developer is increased by the action of an acid The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention is a resin whose solubility in an alkaline developer is increased by the action of an acid. (B) is contained.

酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂(酸分解性樹脂)は、樹脂の主鎖又は側鎖、あるいは、主鎖及び側鎖の両方に、酸の作用により分解し、アルカリ可溶性基を生じる基(以下、「酸分解性基」ともいう)を有する。
樹脂(B)は、好ましくはアルカリ現像液に不溶又は難溶性である。
Resins whose acid solubility is increased by the action of an acid (acid-decomposable resins) are decomposed into the main chain or side chain of the resin or both the main chain and the side chain by the action of an acid, resulting in an alkali-soluble group. (Hereinafter also referred to as “acid-decomposable group”).
The resin (B) is preferably insoluble or hardly soluble in an alkali developer.

酸分解性基は、アルカリ可溶性基を酸の作用により分解し脱離する基で保護された構造を有することが好ましい。
アルカリ可溶性基としては、フェノール性水酸基、カルボキシル基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)メチレン基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルカルボニル)メチレン基、ビス(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルスルホニル)メチレン基、ビス(アルキルスルホニル)イミド基、トリス(アルキルカルボニル)メチレン基、トリス(アルキルスルホニル)メチレン基等が挙げられる。
The acid-decomposable group preferably has a structure protected with a group capable of decomposing and leaving an alkali-soluble group by the action of an acid.
Alkali-soluble groups include phenolic hydroxyl groups, carboxyl groups, fluorinated alcohol groups, sulfonic acid groups, sulfonamido groups, sulfonylimide groups, (alkylsulfonyl) (alkylcarbonyl) methylene groups, (alkylsulfonyl) (alkylcarbonyl) imides. Group, bis (alkylcarbonyl) methylene group, bis (alkylcarbonyl) imide group, bis (alkylsulfonyl) methylene group, bis (alkylsulfonyl) imide group, tris (alkylcarbonyl) methylene group, tris (alkylsulfonyl) methylene group, etc. Is mentioned.

好ましいアルカリ可溶性基としては、カルボキシル基、フッ素化アルコール基(好まし
くはヘキサフルオロイソプロパノール)、スルホン酸基が挙げられる。
Preferred alkali-soluble groups include carboxyl groups, fluorinated alcohol groups (preferably hexafluoroisopropanol), and sulfonic acid groups.

酸分解性基として好ましい基は、これらのアルカリ可溶性基の水素原子を酸で脱離する基で置換した基である。
酸で脱離する基としては、例えば、−C(R36)(R37)(R38)、−C(R36)(R37)(OR39)、−C(R01)(R02)(OR39)等を挙げることができる。
式中、R36〜R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。
A preferable group as the acid-decomposable group is a group obtained by substituting the hydrogen atom of these alkali-soluble groups with a group capable of leaving with an acid.
Examples of the group leaving with an acid include -C (R 36 ) (R 37 ) (R 38 ), -C (R 36 ) (R 37 ) (OR 39 ), -C (R 01 ) (R 02 ). ) (OR 39 ) and the like.
In the formula, R 36 to R 39 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, or an alkenyl group. R 36 and R 37 may be bonded to each other to form a ring.

01〜R02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。 R 01 and R 02 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group or an alkenyl group.

酸分解性基としては好ましくは、クミルエステル基、エノールエステル基、アセタールエステル基、第3級のアルキルエステル基等である。更に好ましくは、第3級アルキルエステル基である。   The acid-decomposable group is preferably a cumyl ester group, an enol ester group, an acetal ester group, a tertiary alkyl ester group or the like. More preferably, it is a tertiary alkyl ester group.

樹脂(B)が含有し得る、酸分解性基を有する繰り返し単位としては、下記一般式(AI)で表される繰り返し単位が好ましい。   The repeating unit having an acid-decomposable group that can be contained in the resin (B) is preferably a repeating unit represented by the following general formula (AI).

Figure 0005525777
Figure 0005525777

一般式(AI)に於いて、
Xa1は、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は−CH2−R9で表される
基を表す。R9は、ヒドロキシ基又は1価の有機基を表し、例えば、炭素数5以下のアル
キル基、アシル基が挙げられ、好ましくは炭素数3以下のアルキル基であり、更に好ましくはメチル基である。Xa1は好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基
又はヒドロキシメチル基を表す。
In general formula (AI),
Xa 1 represents a hydrogen atom, a methyl group which may have a substituent, or a group represented by —CH 2 —R 9 . R 9 represents a hydroxy group or a monovalent organic group, and examples thereof include an alkyl group having 5 or less carbon atoms and an acyl group, preferably an alkyl group having 3 or less carbon atoms, and more preferably a methyl group. . Xa 1 preferably represents a hydrogen atom, a methyl group, a trifluoromethyl group or a hydroxymethyl group.

Tは、単結合又は2価の連結基を表す。
Rx1〜Rx3は、それぞれ独立に、アルキル基(直鎖若しくは分岐)又はシクロアルキル基(単環若しくは多環)を表す。
Rx1〜Rx3の2つが結合して、シクロアルキル基(単環若しくは多環)を形成してもよい。
T represents a single bond or a divalent linking group.
Rx 1 to Rx 3 each independently represents an alkyl group (straight or branched) or a cycloalkyl group (monocyclic or polycyclic).
Two of Rx 1 to Rx 3 may combine to form a cycloalkyl group (monocyclic or polycyclic).

Tの2価の連結基としては、アルキレン基、−COO−Rt−基、−O−Rt−基等が挙げられる。式中、Rtは、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表す。
Tは、単結合又は−COO−Rt−基が好ましい。Rtは、炭素数1〜5のアルキレン基が好ましく、−CH2−基、−(CH23−基がより好ましい。
Rx1〜Rx3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基などの炭素数1〜4のものが好まし
い。
Examples of the divalent linking group for T include an alkylene group, —COO—Rt— group, —O—Rt— group, and the like. In the formula, Rt represents an alkylene group or a cycloalkylene group.
T is preferably a single bond or a —COO—Rt— group. Rt is preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a —CH 2 — group or a — (CH 2 ) 3 — group.
The alkyl group of Rx 1 to Rx 3 is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms such as a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, or a t-butyl group.

Rx1〜Rx3のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。
Rx1〜Rx3の2つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。炭素数5〜6の単環のシクロアルキル基が特に好ましい。
Rx1がメチル基又はエチル基であり、Rx2とRx3とが結合して上述のシクロアル
キル基を形成している態様が好ましい。
Examples of the cycloalkyl group represented by Rx 1 to Rx 3 include monocyclic cycloalkyl groups such as cyclopentyl group and cyclohexyl group, polycyclic cycloalkyl groups such as norbornyl group, tetracyclodecanyl group, tetracyclododecanyl group, and adamantyl group. Groups are preferred.
Examples of the cycloalkyl group formed by combining two of Rx 1 to Rx 3 include a monocyclic cycloalkyl group such as a cyclopentyl group and a cyclohexyl group, a norbornyl group, a tetracyclodecanyl group, a tetracyclododecanyl group, an adamantyl group A polycyclic cycloalkyl group such as a group is preferred. A monocyclic cycloalkyl group having 5 to 6 carbon atoms is particularly preferable.
An embodiment in which Rx 1 is a methyl group or an ethyl group, and Rx 2 and Rx 3 are combined to form the above-described cycloalkyl group is preferred.

上記各基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アルキル基(炭素数1〜4)、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基(炭素数1〜4)、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基(炭素数2〜6)などが挙げられ、炭素数8以下が好ましい。   Each of the above groups may have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group (1 to 4 carbon atoms), a halogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group (1 to 4 carbon atoms), a carboxyl group, An alkoxycarbonyl group (C2-C6) etc. are mentioned, C8 or less is preferable.

酸分解性基を有する繰り返し単位の合計としての含有率は、樹脂中の全繰り返し単位に対し、20〜70mol%が好ましく、より好ましくは30〜50mol%である。   The content of the repeating unit having an acid-decomposable group as a total is preferably 20 to 70 mol%, more preferably 30 to 50 mol%, based on all repeating units in the resin.

好ましい酸分解性基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。   Although the specific example of the repeating unit which has a preferable acid-decomposable group is shown below, this invention is not limited to this.

具体例中、Rx、Xa1は、水素原子、CH、CF、又はCHOHを表す。Rxa、Rxbはそれぞれ炭素数1〜4のアルキル基を表す。Zは、極性基を含む置換基を表し、複数存在する場合は各々独立であり、例えば、水酸基、シアノ基、アミノ基、アルキルアミド基若しくはスルホンアミド基、又は、これらの少なくともいずれかを有する、直鎖若しくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基が挙げられる。pは0又は正の整数を表す。 In specific examples, Rx and Xa 1 represent a hydrogen atom, CH 3 , CF 3 , or CH 2 OH. Rxa and Rxb each represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Z represents a substituent containing a polar group, and when there are a plurality thereof, each is independent, for example, a hydroxyl group, a cyano group, an amino group, an alkylamide group or a sulfonamide group, or at least one of these, A linear or branched alkyl group or a cycloalkyl group may be mentioned. p represents 0 or a positive integer.

Figure 0005525777
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樹脂(B)は、一般式(AI)で表される繰り返し単位として、一般式(I)で表される繰り返し単位及び一般式(II)で表される繰り返し単位の少なくともいずれかを有する樹脂であることがより好ましい。   The resin (B) is a resin having at least one of the repeating unit represented by the general formula (I) and the repeating unit represented by the general formula (II) as the repeating unit represented by the general formula (AI). More preferably.

Figure 0005525777
Figure 0005525777

式(I)及び(II)中、
1、R3は、各々独立して、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は−CH2−R9で表される基を表す。R9は1価の有機基を表す。
2、R4、R5、R6は、各々独立して、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Rは、炭素原子とともに脂環構造を形成するのに必要な原子団を表す。
In formulas (I) and (II),
R 1 and R 3 each independently represents a hydrogen atom, an optionally substituted methyl group or a group represented by —CH 2 —R 9 . R 9 represents a monovalent organic group.
R 2 , R 4 , R 5 and R 6 each independently represents an alkyl group or a cycloalkyl group.
R represents an atomic group necessary for forming an alicyclic structure together with a carbon atom.

1は、好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル
基を表す。
R 1 preferably represents a hydrogen atom, a methyl group, a trifluoromethyl group or a hydroxymethyl group.

2におけるアルキル基は、直鎖型でも分岐型でもよく、置換基を有していてもよい。R2におけるシクロアルキル基は、単環でも多環でもよく、置換基を有していてもよく、メチレン基の一部が酸素原子又は硫黄原子に置き換えられていても良い。R2は好ましくはアルキル基又は多環のシクロアルキル基であり、より好ましくは炭素数1〜10、
更に好ましくは炭素数1〜7のものであり、例えばメチル基、エチル基、オキサノルボルニル基が挙げられる。
2は好ましくはアルキル基であり、より好ましくは炭素数1〜10、更に好ましくは炭素数1〜5のものであり、例えばメチル基、エチル基が挙げられる。
The alkyl group in R 2 may be linear or branched, and may have a substituent. The cycloalkyl group in R 2 may be monocyclic or polycyclic, may have a substituent, and part of the methylene group may be replaced with an oxygen atom or a sulfur atom. R 2 is preferably an alkyl group or a polycyclic cycloalkyl group, more preferably 1 to 10 carbon atoms,
More preferably, it is a C1-C7 thing, for example, a methyl group, an ethyl group, and an oxanorbornyl group are mentioned.
R 2 is preferably an alkyl group, more preferably 1 to 10 carbon atoms, still more preferably 1 to 5 carbon atoms, and examples thereof include a methyl group and an ethyl group.

Rは、炭素原子とともに脂環構造を形成するのに必要な原子団を表す。Rが形成する脂環構造としては、好ましくは、単環の脂環構造であり、その炭素数は好ましくは3〜7、より好ましくは5又は6である。   R represents an atomic group necessary for forming an alicyclic structure together with a carbon atom. The alicyclic structure formed by R is preferably a monocyclic alicyclic structure, and the carbon number thereof is preferably 3 to 7, and more preferably 5 or 6.

3は好ましくは水素原子又はメチル基であり、より好ましくはメチル基である。 R 3 is preferably a hydrogen atom or a methyl group, more preferably a methyl group.

4、R5、R6におけるアルキル基は、直鎖型でも分岐型でもよく、置換基を有してい
てもよい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基などの炭素数1〜4のものが好ましい。
The alkyl group in R 4 , R 5 and R 6 may be linear or branched and may have a substituent. As the alkyl group, those having 1 to 4 carbon atoms such as methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group and t-butyl group are preferable.

4、R5、R6におけるシクロアルキル基は、単環でも多環でもよく、置換基を有して
いてもよい。シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。
The cycloalkyl group in R 4 , R 5 and R 6 may be monocyclic or polycyclic and may have a substituent. The cycloalkyl group is preferably a monocyclic cycloalkyl group such as a cyclopentyl group or a cyclohexyl group, or a polycyclic cycloalkyl group such as a norbornyl group, a tetracyclodecanyl group, a tetracyclododecanyl group or an adamantyl group.

一般式(II)で表される繰り返し単位が、以下の一般式(II−1)で表される繰り返し単位であることが好ましい。   The repeating unit represented by the general formula (II) is preferably a repeating unit represented by the following general formula (II-1).

Figure 0005525777
Figure 0005525777

式(II−1)中、
3〜R5は、一般式(II)におけるものと同義である。
In formula (II-1),
R < 3 > -R < 5 > is synonymous with the thing in general formula (II).

10は極性基を含む置換基を表す。R10が複数存在する場合、互いに同じでも異なっていてもよい。極性基を含む置換基としては、例えば、水酸基、シアノ基、アミノ基、アルキルアミド基若しくはスルホンアミド基、又は、これらの少なくともいずれかを有する、直鎖若しくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基が挙げられ、好ましくは、水酸基を有するアルキル基である。分岐状アルキル基としてはイソプロピル基が特に好ましい。 R 10 represents a substituent containing a polar group. When a plurality of R 10 are present, they may be the same as or different from each other. Examples of the substituent containing a polar group include a hydroxyl group, a cyano group, an amino group, an alkylamide group, a sulfonamide group, or a linear or branched alkyl group or cycloalkyl group having at least one of them. An alkyl group having a hydroxyl group is preferable. As the branched alkyl group, an isopropyl group is particularly preferable.

pは0〜15の整数を表す。pは好ましくは0〜2、より好ましくは0又は1である。   p represents an integer of 0 to 15. p is preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1.

樹脂(B)が酸分解性繰り返し単位を併用する場合、一般式(I)で表される繰り返し単位と一般式(II)で表される繰り返し単位との組み合わせ、異なる一般式(I)で表される繰り返し単位の2種以上の組み合わせが好ましく、更に好ましい組み合わせとして
は、以下に挙げるものが好ましい。下式において、Rは、各々独立に、水素原子又はメチル基を表す。
When the resin (B) uses an acid-decomposable repeating unit in combination, the combination of the repeating unit represented by the general formula (I) and the repeating unit represented by the general formula (II), represented by a different general formula (I) A combination of two or more repeating units is preferable, and more preferable combinations are listed below. In the following formula, each R independently represents a hydrogen atom or a methyl group.

Figure 0005525777
Figure 0005525777

樹脂(B)は、下記一般式(III)で表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を含有
することが好ましい。
The resin (B) preferably contains a repeating unit having a lactone structure represented by the following general formula (III).

Figure 0005525777
Figure 0005525777

式(III)中、
Aは、エステル結合(−COO−で表される基)又はアミド結合(−CONH−で表される基)を表す。
は、複数個ある場合にはそれぞれ独立にアルキレン基、シクロアルキレン基、又その組み合わせを表す。
Zは、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合
In formula (III),
A represents an ester bond (a group represented by —COO—) or an amide bond (a group represented by —CONH—).
R 0 independently represents an alkylene group, a cycloalkylene group, or a combination thereof when there are a plurality of R 0 .
When there are a plurality of Zs, each independently represents an ether bond, an ester bond, an amide bond, or a urethane bond.

Figure 0005525777
Figure 0005525777

又はウレア結合 Or urea bond

Figure 0005525777
Figure 0005525777

を表す。ここで、Rは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基を表す。 Represents. Here, R represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group.

8は、ラクトン構造を有する1価の有機基を表す。
nは、−R−Z−で表される構造の繰り返し数であり、1〜5の整数を表す。
7は、水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。
R 8 represents a monovalent organic group having a lactone structure.
n is the repeating number of the structure represented by —R 0 —Z—, and represents an integer of 1 to 5.
R 7 represents a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group.

のアルキレン基、シクロアルキレン基は置換基を有してよい。
Zは好ましくは、エーテル結合、エステル結合であり、特に好ましくはエステル結合である。
The alkylene group and cycloalkylene group represented by R 0 may have a substituent.
Z is preferably an ether bond or an ester bond, and particularly preferably an ester bond.

7のアルキル基は、炭素数1〜4のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基がよ
り好ましく、メチル基が特に好ましい。R7におけるアルキル基は置換されていてもよく
、置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子やメルカプト基、ヒドロキシ基、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、t−ブトキシ基、ベンジルオキシ基等のアルコキシ基、アセチル基、プロピオニル基等のアセトキシ基が挙げられる。R7は、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、ヒドロキシメチル基が
好ましい。
The alkyl group for R 7 is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, more preferably a methyl group or an ethyl group, and particularly preferably a methyl group. The alkyl group in R 7 may be substituted. Examples of the substituent include halogen atoms such as fluorine atom, chlorine atom and bromine atom, mercapto group, hydroxy group, methoxy group, ethoxy group, isopropoxy group, t -Acetoxy groups such as alkoxy groups such as butoxy group and benzyloxy group, acetyl groups and propionyl groups. R 7 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, a trifluoromethyl group, or a hydroxymethyl group.

における好ましい鎖状アルキレン基としては炭素数が1〜10の鎖状のアルキレンが好ましく、より好ましくは炭素数1〜5であり、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等が挙げられる。好ましいシクロアルキレンとしては、炭素数1〜20のシクロアルキレンであり、例えば、シクロヘキシレン、シクロペンチレン、ノルボルニレン、アダマンチレン等が挙げられる。本発明の効果を発現するためには鎖状アルキレン基がより好ましく、メチレン基が特に好ましい。 Preferable chain alkylene group in R 0 is preferably a chain alkylene having 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 5 carbon atoms, and examples thereof include a methylene group, an ethylene group, and a propylene group. Preferable cycloalkylene is cycloalkylene having 1 to 20 carbon atoms, and examples thereof include cyclohexylene, cyclopentylene, norbornylene, adamantylene and the like. In order to exhibit the effect of the present invention, a chain alkylene group is more preferable, and a methylene group is particularly preferable.

8で表されるラクトン構造を有する置換基は、ラクトン構造を有していれば限定され
るものではなく、具体例として後述する一般式(LC1−1)〜(LC1−17)で表されるラクトン構造が挙げられ、これらのうち(LC1−4)で表される構造が特に好ましい。また、(LC1−1)〜(LC1−17)におけるn2は2以下のものがより好まし
い。
また、R8は無置換のラクトン構造を有する1価の有機基、或いはメチル基、シアノ基
又はアルコキシカルボニル基を置換基として有するラクトン構造を有する1価の有機基が
好ましく、シアノ基を置換基として有するラクトン構造(シアノラクトン)を有する1価の有機基がより好ましい。
The substituent having a lactone structure represented by R 8 is not limited as long as it has a lactone structure, and is represented by general formulas (LC1-1) to (LC1-17) described later as specific examples. Among them, the structure represented by (LC1-4) is particularly preferable. Further, n 2 in (LC1-1) to (LC1-17) is more preferably 2 or less.
R 8 is preferably a monovalent organic group having an unsubstituted lactone structure or a monovalent organic group having a lactone structure having a methyl group, a cyano group or an alkoxycarbonyl group as a substituent. A monovalent organic group having a lactone structure (cyanolactone) as is more preferable.

以下に一般式(III)で表されるラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。
下記具体例中、Rは、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又はハロゲン原子を表し、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、アセトキシメチル基を表す。
Specific examples of the repeating unit having a group having a lactone structure represented by the general formula (III) are shown below, but the present invention is not limited thereto.
In the following specific examples, R represents a hydrogen atom, an alkyl group which may have a substituent, or a halogen atom, preferably a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group or an acetoxymethyl group.

Figure 0005525777
Figure 0005525777

ラクトン構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式 (III−1)で表される繰り返し単位がより好ましい。   The repeating unit having a lactone structure is more preferably a repeating unit represented by the following general formula (III-1).

Figure 0005525777
Figure 0005525777

一般式(III−1)に於いて、
7、A、R、Z、及びnは、上記一般式(III)と同義である。
9は、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコ
キシカルボニル基、シアノ基、水酸基又はアルコキシ基を表し、複数個ある場合には2つのR9が結合し、環を形成していてもよい。
In general formula (III-1),
R 7 , A, R 0 , Z, and n are as defined in the general formula (III).
R 9 independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxycarbonyl group, a cyano group, a hydroxyl group or an alkoxy group, when there are a plurality of R 9 s , May be formed.

Xは、アルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。
mは、置換基数であって、0〜5の整数を表す。mは0又は1であることが好ましい。
X represents an alkylene group, an oxygen atom, or a sulfur atom.
m is the number of substituents and represents an integer of 0 to 5. m is preferably 0 or 1.

9のアルキル基としては、炭素数1〜4のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル
基、がより好ましく、メチル基が最も好ましい。シクロアルキル基としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル基を挙げることができる。アルコキシカルボニル基としてはメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基等を挙げることができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等を挙げることができる。これらの基は置換基を有していてもよく、該置換基としてはヒドロキシ基、メトキシ基、エトキシ基などのアルコキシ基、シアノ基、フッ素原子などのハロゲン原子を挙げることができる。R9はメチル基、シアノ基又はアルコキシカルボニル基であることがより好ましく、シアノ基であることが更に好ましい。
The alkyl group for R 9 is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, more preferably a methyl group or an ethyl group, and most preferably a methyl group. Examples of the cycloalkyl group include cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, and cyclohexyl groups. Examples of the alkoxycarbonyl group include a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, an n-butoxycarbonyl group, and a t-butoxycarbonyl group. Examples of the alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, an isopropoxy group, and a butoxy group. These groups may have a substituent, and examples of the substituent include an alkoxy group such as a hydroxy group, a methoxy group, and an ethoxy group, and a halogen atom such as a cyano group and a fluorine atom. R 9 is more preferably a methyl group, a cyano group or an alkoxycarbonyl group, and even more preferably a cyano group.

Xのアルキレン基としてはメチレン基、エチレン基等が挙げられる。Xは酸素原子又はメチレン基であることが好ましく、メチレン基であることが更に好ましい。   Examples of the alkylene group for X include a methylene group and an ethylene group. X is preferably an oxygen atom or a methylene group, and more preferably a methylene group.

mが1以上である場合、少なくとも1つのRはラクトンのカルボニル基のα位又はβ位に置換することが好ましく、特にα位に置換することが好ましい。 When m is 1 or more, at least one R 9 is preferably substituted at the α-position or β-position of the lactone carbonyl group, particularly preferably at the α-position.

一般式(III−1)で表されるラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位の具体例を
示すが、本発明はこれに限定されるものではない。下記具体例中、Rは、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又はハロゲン原子を表し、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、アセトキシメチル基を表す。
Specific examples of the repeating unit having a group having a lactone structure represented by formula (III-1) are shown below, but the present invention is not limited thereto. In the following specific examples, R represents a hydrogen atom, an alkyl group which may have a substituent, or a halogen atom, preferably a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group or an acetoxymethyl group.

Figure 0005525777
Figure 0005525777

Figure 0005525777
Figure 0005525777

一般式 (III)で表される繰り返し単位の含有率は、複数種類含有する場合は合計して樹脂中の全繰り返し単位に対し、15〜60mol%が好ましく、より好ましくは20〜60mol%、更に好ましくは30〜50mol%である。   The content of the repeating unit represented by the general formula (III) is preferably 15 to 60 mol%, more preferably 20 to 60 mol%, and more preferably 20 to 60 mol% with respect to all repeating units in the resin when a plurality of types are contained. Preferably it is 30-50 mol%.

樹脂(B)は、一般式(III)で表される単位以外にも、ラクトン基を有する繰り返し単
位を含有していてもよい。
The resin (B) may contain a repeating unit having a lactone group in addition to the unit represented by the general formula (III).

ラクトン基としては、ラクトン構造を有していればいずれでも用いることができるが、好ましくは5〜7員環ラクトン構造であり、5〜7員環ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。下記一般式(LC1−1)〜(LC1−17)のいずれかで表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。また、ラクトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。好ましいラクトン構造としては(LC1−1)、(LC1−4)、(LC1−5)、(LC1−6)、(LC1−13)、(LC1−14)、(LC1−17)であり、特定のラクトン構造を用いることでLER、現像欠陥が良好になる。   Any lactone group can be used as long as it has a lactone structure, but it is preferably a 5- to 7-membered ring lactone structure, and forms a bicyclo structure or a spiro structure in the 5- to 7-membered ring lactone structure. The other ring structure is preferably condensed. It is more preferable to have a repeating unit having a lactone structure represented by any of the following general formulas (LC1-1) to (LC1-17). The lactone structure may be directly bonded to the main chain. Preferred lactone structures are (LC1-1), (LC1-4), (LC1-5), (LC1-6), (LC1-13), (LC1-14), and (LC1-17). By using this lactone structure, LER and development defects are improved.

Figure 0005525777
Figure 0005525777

ラクトン構造部分は、置換基(Rb2)を有していても有していなくてもよい。好まし
い置換基(Rb2)としては、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数4〜7のシクロアルキ
ル基、炭素数1〜8のアルコキシ基、炭素数1〜8のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基などが挙げられる。より好ましくは炭素数1〜4のアルキル基、シアノ基、酸分解性基である。nは、0〜4の整数を表す。nが2以上の時、複数存在する置換基(Rb2)は、同一でも異なっていてもよく
、また、複数存在する置換基(Rb2)同士が結合して環を形成してもよい。
The lactone structure moiety may or may not have a substituent (Rb 2 ). Preferred substituents (Rb 2 ) include an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a cycloalkyl group having 4 to 7 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group having 1 to 8 carbon atoms, and a carboxyl group. , Halogen atom, hydroxyl group, cyano group, acid-decomposable group and the like. More preferably, they are a C1-C4 alkyl group, a cyano group, and an acid-decomposable group. n 2 represents an integer of 0-4. When n 2 is 2 or more, a plurality of substituents (Rb 2 ) may be the same or different, and a plurality of substituents (Rb 2 ) may be bonded to form a ring. .

一般式(III)で表される単位以外のラクトン構造を有する繰り返し単位としては、下記
一般式(AII’)で表される繰り返し単位も好ましい。
As the repeating unit having a lactone structure other than the unit represented by the general formula (III), a repeating unit represented by the following general formula (AII ′) is also preferable.

Figure 0005525777
Figure 0005525777

一般式(AII’)中、
Rb0は、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。Rb0のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Rb0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。
In general formula (AII ′),
Rb 0 represents a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Preferred substituents that the alkyl group represented by Rb 0 may have include a hydroxyl group and a halogen atom. Examples of the halogen atom for Rb 0 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. Preferred are a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group, and a trifluoromethyl group, and a hydrogen atom and a methyl group are particularly preferred.

Vは、一般式(LC1−1)〜(LC1−17)の内のいずれかで示される構造を有する基を表す。
一般式(III)で表される単位以外のラクトン基を有する繰り返し単位の具体例を以下に
挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
V represents a group having a structure represented by any one of the general formulas (LC1-1) to (LC1-17).
Specific examples of the repeating unit having a lactone group other than the unit represented by the general formula (III) are shown below, but the present invention is not limited thereto.

Figure 0005525777
Figure 0005525777

Figure 0005525777
Figure 0005525777

Figure 0005525777
Figure 0005525777

特に好ましい一般式(III)で表される単位以外のラクトン基を有する繰り返し単位とし
ては、下記の繰り返し単位が挙げられる。最適なラクトン基を選択することにより、パタ
ーンプロファイル、疎密依存性が良好となる。
Examples of the repeating unit having a lactone group other than the unit represented by the general formula (III) include the following repeating units. By selecting an optimal lactone group, the pattern profile and the density dependency are improved.

Figure 0005525777
Figure 0005525777

ラクトン基を有する繰り返し単位は、通常光学異性体が存在するが、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、1種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体混合して用いてもよい。1種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度(ee)が90以上のものが好ましく、より好ましくは95以上である。   The repeating unit having a lactone group usually has an optical isomer, but any optical isomer may be used. One optical isomer may be used alone, or a plurality of optical isomers may be mixed and used. When one kind of optical isomer is mainly used, the optical purity (ee) thereof is preferably 90 or more, more preferably 95 or more.

一般式(III)で表される繰り返し単位以外のラクトンを有する繰り返し単位の含有率は
、複数種類含有する場合は合計して樹脂中の全繰り返し単位に対し、15〜60mol%が好ましく、より好ましくは20〜50mol%、更に好ましくは30〜50mol%である。
The content of the repeating unit having a lactone other than the repeating unit represented by the general formula (III) is preferably 15 to 60 mol% in total with respect to all the repeating units in the resin when more than one type is contained, more preferably Is 20 to 50 mol%, more preferably 30 to 50 mol%.

本発明の効果を高めるために、一般式(III)から選ばれる2種以上のラクトン繰り返
し単位を併用することも可能である。併用する場合には一般式(III)の内、nが1であ
るラクトン繰り返し単位から2種以上を選択し併用することが好ましい。
In order to enhance the effect of the present invention, two or more lactone repeating units selected from general formula (III) can be used in combination. When using together, it is preferable to select and use 2 or more types from the lactone repeating unit whose n is 1 among general formula (III).

樹脂(B)は、一般式(AI)及び(III)以外の水酸基又はシアノ基を有する繰り返
し単位を有することが好ましい。これにより基板密着性、現像液親和性が向上する。水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位は、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位であることが好ましく、酸分解性基を有さないことが好ましい。水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造に於ける、脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルナン基が好ましい。好ましい水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造としては、下記一般式(VIIa)〜(VIId)で表される部分構造が好ましい。
The resin (B) preferably has a repeating unit having a hydroxyl group or a cyano group other than the general formulas (AI) and (III). This improves the substrate adhesion and developer compatibility. The repeating unit having a hydroxyl group or a cyano group is preferably a repeating unit having an alicyclic hydrocarbon structure substituted with a hydroxyl group or a cyano group, and preferably has no acid-decomposable group. The alicyclic hydrocarbon structure in the alicyclic hydrocarbon structure substituted with a hydroxyl group or a cyano group is preferably an adamantyl group, a diamantyl group, or a norbornane group. As the alicyclic hydrocarbon structure substituted with a preferred hydroxyl group or cyano group, partial structures represented by the following general formulas (VIIa) to (VIId) are preferred.

Figure 0005525777
Figure 0005525777

一般式(VIIa)〜(VIIc)に於いて、
2c〜R4cは、各々独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、R2c〜R4cの内の少なくとも1つは、水酸基又はシアノ基を表す。好ましくは、R2c〜R4cの内の1つ又は2つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式(VIIa)に於いて、更に好ましくは、R2c〜R4cの内の2つが、水酸基で、残りが水素原子である。
In general formulas (VIIa) to (VIIc),
R 2 c to R 4 c each independently represents a hydrogen atom, a hydroxyl group or a cyano group. However, at least one of R 2 c to R 4 c represents a hydroxyl group or a cyano group. Preferably, one or two of R 2 c to R 4 c are a hydroxyl group and the remaining is a hydrogen atom. In general formula (VIIa), more preferably, two of R 2 c to R 4 c are hydroxyl groups and the remaining are hydrogen atoms.

一般式(VIIa)〜(VIId)で表される部分構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式(AIIa)〜(AIId)で表される繰り返し単位を挙げることができる。   Examples of the repeating unit having a partial structure represented by the general formulas (VIIa) to (VIId) include the repeating units represented by the following general formulas (AIIa) to (AIId).

Figure 0005525777
Figure 0005525777

一般式(AIIa)〜(AIId)に於いて、R1cは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。 In the general formulas (AIIa) to (AIId), R 1 c represents a hydrogen atom, a methyl group, a trifluoromethyl group, or a hydroxymethyl group.

2c〜R4cは、一般式(VIIa)〜(VIIc)に於ける、R2c〜R4cと同義である。 R 2 c to R 4 c are in the general formula (VIIa) ~ (VIIc), same meanings as R 2 c~R 4 c.

水酸基又はシアノ基 を有する繰り返し単位の含有率は、樹脂(B)中の全繰り返し単
位に対し、5〜40mol%が好ましく、より好ましくは5〜30mol%、更に好ましくは10〜25mol%である。
The content of the repeating unit having a hydroxyl group or a cyano group is preferably from 5 to 40 mol%, more preferably from 5 to 30 mol%, still more preferably from 10 to 25 mol%, based on all repeating units in the resin (B).

水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。   Specific examples of the repeating unit having a hydroxyl group or a cyano group are given below, but the present invention is not limited thereto.

Figure 0005525777
Figure 0005525777

本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に用いられる樹脂は、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を有してもよい。アルカリ可溶性基としてはカルボキシル基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、ビスルスルホニルイミド基、α位が電子求引性基で置換された脂肪族アルコール(例えばヘキサフロロイソプロパノール基)が挙げられ、カルボキシル基を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を含有することによりコンタクトホール用途での解像性が増す。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接アルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖にアルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、更にはアルカリ可溶性基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入、のいずれも好ましく、連結基は単環又は多環の環状炭化水素構造を有していてもよい。特に好ましくはアクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位である。   The resin used in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention may have a repeating unit having an alkali-soluble group. Examples of the alkali-soluble group include a carboxyl group, a sulfonamide group, a sulfonylimide group, a bisulsulfonylimide group, and an aliphatic alcohol (for example, hexafluoroisopropanol group) substituted with an electron withdrawing group at the α-position. It is more preferable to have a repeating unit. By containing the repeating unit having an alkali-soluble group, the resolution in contact hole applications is increased. The repeating unit having an alkali-soluble group includes a repeating unit in which an alkali-soluble group is directly bonded to the main chain of the resin, such as a repeating unit of acrylic acid or methacrylic acid, or an alkali in the main chain of the resin through a linking group. Either a repeating unit to which a soluble group is bonded, or a polymerization initiator or chain transfer agent having an alkali-soluble group is used at the time of polymerization and introduced at the end of the polymer chain. Both are preferable, and the linking group is monocyclic or polycyclic. It may have a cyclic hydrocarbon structure. Particularly preferred are repeating units of acrylic acid or methacrylic acid.

アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の含有率は、樹脂(B)中の全繰り返し単位に対し、0〜20mol%が好ましく、より好ましくは3〜15mol%、更に好ましくは5〜10mol%である。
アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。
具体例中、RxはH,CH,CHOH,又はCFを表す。
As for the content rate of the repeating unit which has an alkali-soluble group, 0-20 mol% is preferable with respect to all the repeating units in resin (B), More preferably, it is 3-15 mol%, More preferably, it is 5-10 mol%.
Specific examples of the repeating unit having an alkali-soluble group are shown below, but the present invention is not limited thereto.
In specific examples, Rx represents H, CH 3 , CH 2 OH, or CF 3 .

Figure 0005525777
Figure 0005525777

本発明の樹脂(B)は、更に極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を有することができる。このような繰り返し単位としては、一般式(IV)で表される繰り返し単位が挙げられる。   The resin (B) of the present invention can further have a repeating unit that has an alicyclic hydrocarbon structure having no polar group and does not exhibit acid decomposability. Examples of such a repeating unit include a repeating unit represented by the general formula (IV).

Figure 0005525777
Figure 0005525777

一般式(IV)中、Rは少なくとも一つの環状構造を有し、水酸基及びシアノ基のい
ずれも有さない炭化水素基を表す。
Raは水素原子、アルキル基又は−CH2−O−Ra2基を表す。式中、Ra2は、水素
原子、アルキル基又はアシル基を表す。Raは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。
In general formula (IV), R 5 represents a hydrocarbon group having at least one cyclic structure and having neither a hydroxyl group nor a cyano group.
Ra represents a hydrogen atom, an alkyl group, or a —CH 2 —O—Ra 2 group. In the formula, Ra 2 represents a hydrogen atom, an alkyl group or an acyl group. Ra is preferably a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group or a trifluoromethyl group, particularly preferably a hydrogen atom or a methyl group.

が有する環状構造には、単環式炭化水素基及び多環式炭化水素基が含まれる。単環式炭化水素基としては、たとえば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基などの炭素数3から12のシクロアルキル基、シクロへキセニル基など炭素数3から12のシクロアルケニル基が挙げられる。好ましい単環式炭化水素基としては、炭素数3から7の単環式炭化水素基であり、より好ましくは、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が挙げられる。 The cyclic structure possessed by R 5 includes a monocyclic hydrocarbon group and a polycyclic hydrocarbon group. Examples of the monocyclic hydrocarbon group include cycloalkenyl having 3 to 12 carbon atoms such as cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group and the like, and cycloalkyl groups having 3 to 12 carbon atoms and cyclohexenyl group. Groups. Preferable monocyclic hydrocarbon groups are monocyclic hydrocarbon groups having 3 to 7 carbon atoms, and more preferable examples include a cyclopentyl group and a cyclohexyl group.

多環式炭化水素基には環集合炭化水素基、架橋環式炭化水素基が含まれ、環集合炭化水素基の例としては、ビシクロヘキシル基、パーヒドロナフタレニル基などが含まれる。架橋環式炭化水素環として、例えば、ピナン、ボルナン、ノルピナン、ノルボルナン、ビシクロオクタン環(ビシクロ[2.2.2]オクタン環、ビシクロ[3.2.1]オクタン環等)などの2環式炭化水素環及び、ホモブレダン、アダマンタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、トリシクロ[4.3.1.12,5]ウンデカン環などの3環式炭化水素環、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン、パーヒドロ−1,4−メタノ−5,8−メタノナフタレン環などの4環式炭化水素環などが挙げられる。また、架橋環式炭化水素環には、縮合環式炭化水素環、例えば、パーヒドロナフタレン(デカリン)、パーヒドロアントラセン、パーヒドロフェナントレン、パーヒドロアセナフテン、パーヒドロフルオレン、パーヒドロインデン、パーヒドロフェナレン環などの5〜8員シクロアルカン環が複数個縮合した縮合環も含まれる。 The polycyclic hydrocarbon group includes a ring assembly hydrocarbon group and a bridged cyclic hydrocarbon group, and examples of the ring assembly hydrocarbon group include a bicyclohexyl group and a perhydronaphthalenyl group. As the bridged cyclic hydrocarbon ring, for example, bicyclic such as pinane, bornane, norpinane, norbornane, bicyclooctane ring (bicyclo [2.2.2] octane ring, bicyclo [3.2.1] octane ring, etc.) Hydrocarbon rings and tricyclic hydrocarbon rings such as homobredan, adamantane, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane, tricyclo [4.3.1.1 2,5 ] undecane ring, tetracyclo [ 4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodecane, and tetracyclic hydrocarbon rings such as perhydro-1,4-methano-5,8-methanonaphthalene ring. The bridged cyclic hydrocarbon ring includes a condensed cyclic hydrocarbon ring such as perhydronaphthalene (decalin), perhydroanthracene, perhydrophenanthrene, perhydroacenaphthene, perhydrofluorene, perhydroindene, perhydroindene. A condensed ring in which a plurality of 5- to 8-membered cycloalkane rings such as a phenalene ring are condensed is also included.

好ましい架橋環式炭化水素環として、ノルボルニル基、アダマンチル基、ビシクロオクタニル基、トリシクロ[5、2、1、02,6]デカニル基、などが挙げられる。より好ましい架橋環式炭化水素環としてノルボニル基、アダマンチル基が挙げられる。 Preferred examples of the bridged cyclic hydrocarbon ring include a norbornyl group, an adamantyl group, a bicyclooctanyl group, a tricyclo [5,2,1,0 2,6 ] decanyl group, and the like. More preferable examples of the bridged cyclic hydrocarbon ring include a norbornyl group and an adamantyl group.

これらの脂環式炭化水素基は置換基を有していても良く、好ましい置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、保護基で保護されたヒドロキシル基、保護基で保護されたアミノ基などが挙げられる。好ましいハロゲン原子としては臭素、塩素、フッ素原子、好ましいアルキル基としてはメチル、エチル、ブチル、t−ブチル基が挙げられる。上記のアルキル基は更に置換基を有していても良く、更に有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、保護基で保護されたヒドロキシル基、保護基で保護されたアミノ基を挙げることができる。   These alicyclic hydrocarbon groups may have a substituent, and preferred substituents include a halogen atom, an alkyl group, a hydroxyl group protected with a protecting group, an amino group protected with a protecting group, and the like. It is done. Preferred halogen atoms include bromine, chlorine and fluorine atoms, and preferred alkyl groups include methyl, ethyl, butyl and t-butyl groups. The above alkyl group may further have a substituent, and the substituent which may further have a halogen atom, an alkyl group, a hydroxyl group protected with a protecting group, an amino protected with a protecting group The group can be mentioned.

保護基としては、たとえばアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換メチル基、置換エチル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。好ましいアルキル基としては、炭素数1〜4のアルキル基、好ましい置換メチル基としてはメトキシメチル、メトキシチオメチル、ベンジルオキシメチル、t−ブトキシメチル、2−メトキシエトキシメチル基、好ましい置換エチル基としては、1−エトキシエチル、1−メチル−1−メトキシエチル、好ましいアシル基としては、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、ピバロイル基などの炭素数1〜6の脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基としては炭素数1〜4のアルコキシカルボニル基などが挙げられる。   Examples of the protecting group include an alkyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group, a substituted methyl group, a substituted ethyl group, an alkoxycarbonyl group, and an aralkyloxycarbonyl group. Preferred alkyl groups include alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, preferred substituted methyl groups include methoxymethyl, methoxythiomethyl, benzyloxymethyl, t-butoxymethyl, 2-methoxyethoxymethyl groups, and preferred substituted ethyl groups. 1-ethoxyethyl, 1-methyl-1-methoxyethyl, preferred acyl groups include formyl, acetyl, propionyl, butyryl, isobutyryl, valeryl, pivaloyl groups, etc., aliphatic acyl groups having 1 to 6 carbon atoms, alkoxycarbonyl Examples of the group include an alkoxycarbonyl group having 1 to 4 carbon atoms.

極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位の含有率は、樹脂(B)中の全繰り返し単位に対し、0〜40モル%が好ましく、より好ましくは0〜20モル%である。
極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH、CHOH、又はCFを表す。
The content of the repeating unit having an alicyclic hydrocarbon structure having no polar group and not exhibiting acid decomposability is preferably 0 to 40 mol%, more preferably based on all repeating units in the resin (B). 0 to 20 mol%.
Specific examples of the repeating unit having an alicyclic hydrocarbon structure having no polar group and not exhibiting acid decomposability are shown below, but the present invention is not limited thereto. In the formula, Ra represents H, CH 3 , CH 2 OH, or CF 3 .

Figure 0005525777
Figure 0005525777

本発明の組成物に用いられる樹脂(B)は、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストのプロファイル、更にレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を有することができる。   The resin (B) used in the composition of the present invention has, in addition to the above repeating structural units, dry etching resistance, standard developer suitability, substrate adhesion, resist profile, and general necessary characteristics of the resist. Various repeating structural units can be included for the purpose of adjusting the resolution, heat resistance, sensitivity, and the like.

このような繰り返し構造単位としては、下記の単量体に相当する繰り返し構造単位を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。   Examples of such repeating structural units include, but are not limited to, repeating structural units corresponding to the following monomers.

これにより、本発明の組成物に用いられる樹脂に要求される性能、特に、
(1)塗布溶剤に対する溶解性、
(2)製膜性(ガラス転移点)、
(3)アルカリ現像性、
(4)膜べり(親疎水性、アルカリ可溶性基選択)、
(5)未露光部の基板への密着性、
(6)ドライエッチング耐性、
等の微調整が可能となる。
Thereby, performance required for the resin used in the composition of the present invention, in particular,
(1) Solubility in coating solvent,
(2) Film formability (glass transition point),
(3) Alkali developability,
(4) Membrane slip (hydrophobic, alkali-soluble group selection),
(5) Adhesion of unexposed part to substrate,
(6) Dry etching resistance,
Etc. can be finely adjusted.

このような単量体として、例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を1個有する化合物等を挙げることができる。   As such a monomer, for example, a compound having one addition polymerizable unsaturated bond selected from acrylic acid esters, methacrylic acid esters, acrylamides, methacrylamides, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl esters, etc. Etc.

その他にも、上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であれば、共重合されていてもよい。   In addition, any addition-polymerizable unsaturated compound that can be copolymerized with monomers corresponding to the above various repeating structural units may be copolymerized.

本発明の組成物に用いられる樹脂(B)において、各繰り返し構造単位の含有モル比はドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、プロファイル、更には一般的な必要性能である解像力、耐熱性、感度等を調節するために適宜設定される。   In the resin (B) used in the composition of the present invention, the content molar ratio of each repeating structural unit is dry etching resistance, standard developer suitability, substrate adhesion, profile, and general required performances such as resolution and heat resistance. It is appropriately set to adjust the property, sensitivity, etc.

本発明の組成物が、ArF露光用であるとき、ArF光への透明性の点から本発明の組成物に用いられる樹脂(B)は芳香族基を有さないことが好ましく、樹脂(B)は単環又は多環の脂環炭化水素構造を有することが好ましい。
なお、樹脂(B)は、後述する疎水性樹脂(HR)との相溶性の観点から、フッ素原子
及び珪素原子を含有しないことが好ましい。
When the composition of the present invention is for ArF exposure, the resin (B) used in the composition of the present invention preferably has no aromatic group from the viewpoint of transparency to ArF light. ) Preferably has a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon structure.
In addition, it is preferable that resin (B) does not contain a fluorine atom and a silicon atom from a compatible viewpoint with the hydrophobic resin (HR) mentioned later.

本発明の組成物に用いられる樹脂(B)として好ましくは、繰り返し単位のすべてが(メタ)アクリレート系繰り返し単位で構成されたものである。この場合、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがアクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位とアクリレート系繰り返し単位とによるもののいずれのものでも用いることができるが、アクリレート系繰り返し単位が全繰り返し単位の50mol%以下であることが好ましい。
また、酸分解性基を有する(メタ)アクリレート系繰り返し単位20〜50モル%、ラクトン基を有する(メタ)アクリレート系繰り返し単位20〜50モル%、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する(メタ)アクリレート系繰り返し単位5〜30モル%、更にその他の(メタ)アクリレート系繰り返し単位を0〜20モル%含む共重合ポリマーも好ましい。
The resin (B) used in the composition of the present invention is preferably one in which all of the repeating units are composed of (meth) acrylate-based repeating units. In this case, all of the repeating units are methacrylate repeating units, all of the repeating units are acrylate repeating units, or all of the repeating units are methacrylate repeating units and acrylate repeating units. Although it can be used, the acrylate-based repeating unit is preferably 50 mol% or less of the total repeating units.
Moreover, the alicyclic hydrocarbon substituted by the (meth) acrylate type repeating unit 20-50 mol% which has an acid-decomposable group, the (meth) acrylate type repeating unit 20-50 mol% which has a lactone group, and a hydroxyl group or a cyano group. A copolymer containing 5 to 30 mol% of a (meth) acrylate-based repeating unit having a structure and further containing 0 to 20 mol% of another (meth) acrylate-based repeating unit is also preferred.

本発明の組成物に、KrFエキシマレーザー光、電子線、X線又は波長50nm以下の高エネルギー光線(例えば、EUV)を照射する場合には、この樹脂は、ヒドロキシスチレン繰り返し単位を有することが好ましい。更に好ましくは、この樹脂は、ヒドロキシスチレンと酸の作用により脱離する基で保護されたヒドロキシスチレンとの共重合体、又は、ヒドロキシスチレンと(メタ)アクリル酸3級アルキルエステルとの共重合体である。   In the case where the composition of the present invention is irradiated with KrF excimer laser light, electron beam, X-ray or high energy light having a wavelength of 50 nm or less (for example, EUV), this resin preferably has a hydroxystyrene repeating unit. . More preferably, the resin is a copolymer of hydroxystyrene and hydroxystyrene protected with a group capable of leaving by the action of an acid, or a copolymer of hydroxystyrene and a (meth) acrylic acid tertiary alkyl ester. It is.

このような樹脂としては、具体的には、下記一般式(A)で表される繰り返し単位を有する樹脂(B’)が挙げられる。   Specific examples of such a resin include a resin (B ′) having a repeating unit represented by the following general formula (A).

Figure 0005525777
Figure 0005525777

式中、R01、R02及びR03は、各々独立に、例えば、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。Arは、例えば、芳香環基を表す。なお、R03とArとがアルキレン基であり、両者が互いに結合することにより、−C−C−鎖と共に、5員又は6員環を形成していてもよい。 In the formula, R 01 , R 02 and R 03 each independently represent, for example, a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkoxycarbonyl group. Ar 1 represents an aromatic ring group, for example. Note that R 03 and Ar 1 are alkylene groups, and they may be bonded to each other to form a 5-membered or 6-membered ring together with the —C—C— chain.

n個のYは、各々独立に、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。但し、Yの少なくとも1つは、酸の作用により脱離する基を表す。
nは、1〜4の整数を表し、1〜2が好ましく、1がより好ましい。
n Y's each independently represent a hydrogen atom or a group capable of leaving by the action of an acid. However, at least one of Y represents a group capable of leaving by the action of an acid.
n represents an integer of 1 to 4, preferably 1 to 2, and more preferably 1.

01〜R03としてのアルキル基は、例えば、炭素数20以下のアルキル基であり、好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基又はドデシル基である。より好ましくは、これらアルキル基は、炭素数8以下のアルキル基である。なお、これらアルキル基は、置換基を有していてもよい。 The alkyl group as R 01 to R 03 is, for example, an alkyl group having 20 or less carbon atoms, and preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, or a hexyl group. , 2-ethylhexyl group, octyl group or dodecyl group. More preferably, these alkyl groups are alkyl groups having 8 or less carbon atoms. In addition, these alkyl groups may have a substituent.

アルコキシカルボニル基に含まれるアルキル基としては、上記R01〜R03におけるアルキル基と同様のものが好ましい。 The alkyl group contained in the alkoxycarbonyl group is preferably the same as the alkyl group in R 01 to R 03 described above.

シクロアルキル基は、単環のシクロアルキル基であってもよく、多環のシクロアルキル
基であってもよい。好ましくは、シクロプロピル基、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基等の炭素数3〜8の単環のシクロアルキル基が挙げられる。なお、これらシクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。
The cycloalkyl group may be a monocyclic cycloalkyl group or a polycyclic cycloalkyl group. Preferably, a C3-C8 monocyclic cycloalkyl group, such as a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group, is mentioned. In addition, these cycloalkyl groups may have a substituent.

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子がより好ましい。   Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is more preferable.

03がアルキレン基を表す場合、このアルキレン基としては、好ましくは、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基及びオクチレン基等の炭素数1〜8のものが挙げられる。 When R 03 represents an alkylene group, the alkylene group is preferably an alkylene group having 1 to 8 carbon atoms such as a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a hexylene group and an octylene group.

Arとしての芳香環基は、炭素数6〜14のものが好ましく、例えば、ベンゼン環、トルエン環及びナフタレン環が挙げられる。なお、これら芳香環基は、置換基を有していてもよい。 The aromatic ring group as Ar 1 preferably has 6 to 14 carbon atoms, and examples thereof include a benzene ring, a toluene ring and a naphthalene ring. In addition, these aromatic ring groups may have a substituent.

酸の作用により脱離する基Yとしては、例えば、−C(R36)(R37)(R38)、−C(=O)−O−C(R36)(R37)(R38)、−C(R01)(R02)(OR39)、−C(R01)(R02)−C(=O)−O−C(R36)(R37)(R38)及び−CH(R36)(Ar)により表される基が挙げられる。 Examples of the group Y leaving by the action of an acid include —C (R 36 ) (R 37 ) (R 38 ), —C (═O) —O—C (R 36 ) (R 37 ) (R 38 ). ), -C (R 01 ) (R 02 ) (OR 39 ), -C (R 01 ) (R 02 ) -C (= O) -O-C (R 36 ) (R 37 ) (R 38 ) and And a group represented by —CH (R 36 ) (Ar).

式中、R36〜R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して、環構造を形成していてもよい。 In the formula, R 36 to R 39 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, or an alkenyl group. R36 and R37 may be bonded to each other to form a ring structure.

01及びR02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。
Arは、アリール基を表す。
R 01 and R 02 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group or an alkenyl group.
Ar represents an aryl group.

36〜R39、R01、又はR02としてのアルキル基は、炭素数1〜8のアルキル基であることが好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、へキシル基及びオクチル基が挙げられる。 The alkyl group as R 36 to R 39 , R 01 , or R 02 is preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, sec- A butyl group, a hexyl group, and an octyl group are mentioned.

36〜R39、R01、又はR02としてのシクロアルキル基は、単環のシクロアルキル基であってもよく、多環のシクロアルキル基であってもよい。単環のシクロアルキル基としては、炭素数3〜8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基及びシクロオクチルが挙げられる。多環のシクロアルキル基としては、炭素数6〜20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α−ピネル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデシル基及びアンドロスタニル基が挙げられる。なお、シクロアルキル基中の炭素原子の一部は、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。 The cycloalkyl group as R 36 to R 39 , R 01 , or R 02 may be a monocyclic cycloalkyl group or a polycyclic cycloalkyl group. The monocyclic cycloalkyl group is preferably a cycloalkyl group having 3 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and a cyclooctyl group. The polycyclic cycloalkyl group is preferably a cycloalkyl group having 6 to 20 carbon atoms, such as an adamantyl group, norbornyl group, isobornyl group, camphanyl group, dicyclopentyl group, α-pinel group, tricyclodecanyl group, A tetracyclododecyl group and an androstanyl group are mentioned. A part of carbon atoms in the cycloalkyl group may be substituted with a hetero atom such as an oxygen atom.

36〜R39、R01、R02、又はArとしてのアリール基は、炭素数6〜10のアリール基であることが好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基及びアントリル基が挙げられる。 The aryl group as R 36 to R 39 , R 01 , R 02 , or Ar is preferably an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, and examples thereof include a phenyl group, a naphthyl group, and an anthryl group.

36〜R39、R01、又はR02としてのアラルキル基は、炭素数7〜12のアラルキル基であることが好ましく、例えば、ベンジル基、フェネチル基及びナフチルメチル基が好ましい。 The aralkyl group as R 36 to R 39 , R 01 , or R 02 is preferably an aralkyl group having 7 to 12 carbon atoms, and for example, a benzyl group, a phenethyl group, and a naphthylmethyl group are preferable.

36〜R39、R01、又はR02としてのアルケニル基は、炭素数2〜8のアルケニル基であることが好ましく、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基及びシクロへキセニル基が挙げられる。 The alkenyl group as R 36 to R 39 , R 01 , or R 02 is preferably an alkenyl group having 2 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a vinyl group, an allyl group, a butenyl group, and a cyclohexenyl group. .

36とR37とが互いに結合して形成し得る環は、単環型であってもよく、多環型であってもよい。単環型としては、炭素数3〜8のシクロアルカン構造が好ましく、例えば、シクロプロパン構造、シクロブタン構造、シクロペンタン構造、シクロへキサン構造、シクロヘプタン構造及びシクロオクタン構造が挙げられる。多環型としては、炭素数6〜20のシクロアルカン構造が好ましく、例えば、アダマンタン構造、ノルボルナン構造、ジシクロペンタン構造、トリシクロデカン構造及びテトラシクロドデカン構造が挙げられる。なお、環構造中の炭素原子の一部は、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。 The ring formed by combining R 36 and R 37 with each other may be monocyclic or polycyclic. The monocyclic type is preferably a cycloalkane structure having 3 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a cyclopropane structure, a cyclobutane structure, a cyclopentane structure, a cyclohexane structure, a cycloheptane structure, and a cyclooctane structure. As the polycyclic type, a cycloalkane structure having 6 to 20 carbon atoms is preferable, and examples thereof include an adamantane structure, a norbornane structure, a dicyclopentane structure, a tricyclodecane structure, and a tetracyclododecane structure. Note that some of the carbon atoms in the ring structure may be substituted with a heteroatom such as an oxygen atom.

上記各基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、チオエーテル基、アシル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基及びニトロ基が挙げられる。これら置換基は、炭素数が8以下であることが好ましい。   Each of the above groups may have a substituent. Examples of this substituent include alkyl groups, cycloalkyl groups, aryl groups, amino groups, amide groups, ureido groups, urethane groups, hydroxyl groups, carboxyl groups, halogen atoms, alkoxy groups, thioether groups, acyl groups, and acyloxy groups. , Alkoxycarbonyl group, cyano group and nitro group. These substituents preferably have 8 or less carbon atoms.

酸の作用により脱離する基Yとしては、下記一般式(B)で表される構造がより好ましい。   As the group Y leaving by the action of an acid, a structure represented by the following general formula (B) is more preferable.

Figure 0005525777
Figure 0005525777

式中、L及びLは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
Mは、単結合又は2価の連結基を表す。
Qは、アルキル基、脂環基、芳香環基、アミノ基、アンモニウム基、メルカプト基、シアノ基又はアルデヒド基を表す。なお、これら脂環基及び芳香環基は、ヘテロ原子を含んでいてもよい。
なお、Q、M、Lの少なくとも2つが互いに結合して、5員又は6員環を形成していてもよい。
In the formula, L 1 and L 2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group.
M represents a single bond or a divalent linking group.
Q represents an alkyl group, an alicyclic group, an aromatic ring group, an amino group, an ammonium group, a mercapto group, a cyano group, or an aldehyde group. In addition, these alicyclic groups and aromatic ring groups may contain a hetero atom.
In addition, at least two of Q, M, and L 1 may be bonded to each other to form a 5-membered or 6-membered ring.

及びLとしてのアルキル基は、例えば炭素数1〜8のアルキル基であり、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec−ブチル基、ヘキシル基及びオクチル基が挙げられる。
及びLとしてのシクロアルキル基は、例えば炭素数3〜15のシクロアルキル基であり、具体的には、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基及びアダマンチル基が挙げられる。
及びLとしてのアリール基は、例えば炭素数6〜15のアリール基であり、具体的には、フェニル基、トリル基、ナフチル基及びアントリル基が挙げられる。
及びLとしてのアラルキル基は、例えば炭素数6〜20のアラルキル基であり、具体的には、ベンジル基及びフェネチル基が挙げられる。
The alkyl group as L 1 and L 2 is, for example, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and specifically includes a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a hexyl group, and An octyl group is mentioned.
The cycloalkyl group as L 1 and L 2 is, for example, a cycloalkyl group having 3 to 15 carbon atoms, and specific examples include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a norbornyl group, and an adamantyl group.
The aryl group as L 1 and L 2 is, for example, an aryl group having 6 to 15 carbon atoms, and specifically includes a phenyl group, a tolyl group, a naphthyl group, and an anthryl group.
The aralkyl group as L 1 and L 2 is, for example, an aralkyl group having 6 to 20 carbon atoms, and specific examples include a benzyl group and a phenethyl group.

Mとしての2価の連結基は、例えば、アルキレン基(例えば、メチレン基、エチレン基
、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基又はオクチレン基)、シクロアルキレン基(例えば、シクロペンチレン基又はシクロヘキシレン基)、アルケニレン基(例えば、エチレン基、プロペニレン基又はブテニレン基)、アリーレン基(例えば、フェニレン基、トリレン基又はナフチレン基)、−S−、−O−、−CO−、−SO−、−N(R)−、又は、これらの2以上の組み合わせである。ここで、Rは、水素原子又はアルキル基である。Rとしてのアルキル基は、例えば炭素数1〜8のアルキル基であり、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、ヘキシル基及びオクチル基が挙げられる。
The divalent linking group as M is, for example, an alkylene group (for example, methylene group, ethylene group, propylene group, butylene group, hexylene group or octylene group), cycloalkylene group (for example, cyclopentylene group or cyclohexylene group). ), an alkenylene group (e.g., an ethylene group, a propenylene group or a butenylene group), an arylene group (e.g., phenylene, tolylene or naphthylene group), - S -, - O -, - CO -, - SO 2 -, - N (R 0 ) — or a combination of two or more thereof. Here, R 0 is a hydrogen atom or an alkyl group. The alkyl group as R 0 is, for example, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and specifically includes a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a hexyl group, and an octyl group. Can be mentioned.

Qとしてのアルキル基は、上述したL及びLとしてのアルキル基と同様である。 The alkyl group as Q is the same as the alkyl group as L 1 and L 2 described above.

Qとしての脂環基又は芳香環基としては、例えば、上述したL及びLとしてのシクロアルキル基及びアリール基が挙げられ、好ましくは、炭素数3〜15の基である。 Examples of the alicyclic group or aromatic ring group as Q include the cycloalkyl group and aryl group as L 1 and L 2 described above, and preferably a group having 3 to 15 carbon atoms.

Qとしてのヘテロ原子を含んだ脂環基又は芳香環基としては、例えば、チイラン、シクロチオラン、チオフェン、フラン、ピロール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ベンゾピロール、トリアジン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、チアジアゾール、チアゾール及びピロリドン等の複素環構造を有した基が挙げられる。但し、炭素とヘテロ原子とで形成される環、又は、ヘテロ原子のみによって形成される環であれば、これらに限定されない。   Examples of the alicyclic group or aromatic ring group containing a hetero atom as Q include thiirane, cyclothiolane, thiophene, furan, pyrrole, benzothiophene, benzofuran, benzopyrrole, triazine, imidazole, benzimidazole, triazole, thiadiazole, thiazole. And a group having a heterocyclic structure such as pyrrolidone. However, the ring is not limited to these as long as it is a ring formed of carbon and a heteroatom, or a ring formed only of a heteroatom.

Q、M及びLの少なくとも2つが互いに結合して形成し得る環構造としては、例えば、これらがプロピレン基又はブチレン基を形成してなる5員又は6員環構造が挙げられる。なお、この5員又は6員環構造は、酸素原子を含有している。 Examples of the ring structure that can be formed by bonding at least two of Q, M, and L 1 to each other include a 5-membered or 6-membered ring structure in which these form a propylene group or a butylene group. This 5-membered or 6-membered ring structure contains an oxygen atom.

一般式(B)におけるL、L、M及びQで表される各基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、チオエーテル基、アシル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基及びニトロ基が挙げられる。これら置換基は、炭素数が8以下であることが好ましい。
−(M−Q)で表される基としては、炭素数1〜30の基が好ましく、炭素数5〜20の基がより好ましい。特に、アウトガス抑制の観点からは、炭素数が6以上の基が好ましい。
Each group represented by L 1 , L 2 , M and Q in the general formula (B) may have a substituent. Examples of this substituent include alkyl groups, cycloalkyl groups, aryl groups, amino groups, amide groups, ureido groups, urethane groups, hydroxyl groups, carboxyl groups, halogen atoms, alkoxy groups, thioether groups, acyl groups, and acyloxy groups. , Alkoxycarbonyl group, cyano group and nitro group. These substituents preferably have 8 or less carbon atoms.
The group represented by-(MQ) is preferably a group having 1 to 30 carbon atoms, and more preferably a group having 5 to 20 carbon atoms. In particular, from the viewpoint of outgas suppression, a group having 6 or more carbon atoms is preferable.

好ましい樹脂(B’)として、更に前記一般式(AI)で表される繰り返し単位を有する樹脂が挙げられる。   Preferable resin (B ′) further includes a resin having a repeating unit represented by the general formula (AI).

樹脂(B’)中における一般式(AI)で表される繰り返し単位の含有量は、全繰り返し単位に対して、好ましくは3〜90モル%の範囲内であり、より好ましくは5〜80モル%の範囲内であり、特に好ましくは7〜70モル%の範囲内である。   The content of the repeating unit represented by the general formula (AI) in the resin (B ′) is preferably in the range of 3 to 90 mol%, more preferably 5 to 80 mol based on all repeating units. %, Particularly preferably in the range of 7 to 70 mol%.

KrF、EB,EUVなどに好適な樹脂は、上記で説明した繰り返し単位以外の繰り返し単位を有していてもよい。この例としては、例えば以下に説明するような、酸の作用に対して安定な繰り返し単位、ラクトン構造を有する繰り返し単位などを好ましく挙げることができる。 Resins suitable for KrF, EB, EUV and the like may have a repeating unit other than the repeating units described above. Preferred examples of this include, for example, a repeating unit that is stable against the action of an acid and a repeating unit having a lactone structure as described below.

ここで、酸の作用に対して安定な繰り返し単位として、より具体的には、先に示した一般式(IV)で表される繰り返し単位(但し、Rは炭化水素基であり、その中に環状構造を有することが好ましい。環状構造を有する場合の具体例として、単環又は多環のシクロ
アルキル基(炭素数3〜12が好ましく、より好ましくは炭素数3〜7)、単環又は多環のシクロアルケニル基(炭素数3〜12が好ましい)、アリール基(好ましくは炭素数6〜20、より好ましくは炭素数6〜12)、アラルキル基(好ましくは炭素数7〜20、より好ましくは炭素数7〜12)などが挙げられる。)として示されるような、アクリル構造の側鎖に、非酸分解性のアリール構造やシクロアルキル構造を有する繰り返し単位が挙げられる。この構造を有することにより、コントラストの調節、エッチング耐性の向上などが期待できる。
Here, as the repeating unit stable to the action of acid, more specifically, the repeating unit represented by the general formula (IV) shown above (wherein R 5 is a hydrocarbon group, among which In the case of having a cyclic structure, a monocyclic or polycyclic cycloalkyl group (preferably having 3 to 12 carbon atoms, more preferably 3 to 7 carbon atoms), monocyclic or A polycyclic cycloalkenyl group (preferably having 3 to 12 carbon atoms), an aryl group (preferably having 6 to 20 carbon atoms, more preferably 6 to 12 carbon atoms), and an aralkyl group (preferably having 7 to 20 carbon atoms, more preferably Includes a repeating unit having a non-acid-decomposable aryl structure or a cycloalkyl structure in the side chain of the acrylic structure as shown in FIG. By having this structure, adjustment of contrast, improvement in etching resistance, and the like can be expected.

酸の作用に対して安定な繰り返し単位の含有率は、樹脂(B’)中の全繰り返し単位に対し、0〜40モル%が好ましく、より好ましくは0〜20モル%である。
酸の作用に対して安定な繰り返し単位の具体例としては、先に挙げた一般式(IV)で表される繰り返し単位の具体例に加えて、以下のものを挙げることができる。式中、Raは、H、CH、CHOH、又はCFを表す。
The content of the repeating unit that is stable with respect to the action of the acid is preferably 0 to 40 mol%, more preferably 0 to 20 mol%, based on all repeating units in the resin (B ′).
Specific examples of the repeating unit that is stable against the action of an acid include the following in addition to the specific examples of the repeating unit represented by the general formula (IV). In the formula, Ra represents H, CH 3 , CH 2 OH, or CF 3 .

Figure 0005525777
Figure 0005525777

樹脂(B’)が含有してもよいラクトン構造を有する繰り返し単位としては、先に樹脂(B)が含有してもよいラクトン構造を有する繰り返し単位と同様のものが挙げられる。   Examples of the repeating unit having a lactone structure that may be contained in the resin (B ′) include those similar to the repeating unit having a lactone structure that may be contained in the resin (B).

以上において説明した樹脂の具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。   Although the specific example of resin demonstrated above is shown below, this invention is not limited to these.

Figure 0005525777
Figure 0005525777

Figure 0005525777
Figure 0005525777

Figure 0005525777
Figure 0005525777

上記具体例において、tBuはt−ブチル基を表す。
酸で分解し得る基の含有率は、樹脂中の酸で分解し得る基の数(B)と酸で脱離する基で保護されていないアルカリ可溶性基の数(S)とにより、式B/(B+S)によって計算される。この含有率は、好ましくは0.01〜0.7であり、より好ましくは0.05〜0.50であり、更に好ましくは0.05〜0.40である。
In the above specific example, tBu represents a t-butyl group.
The content of the group capable of decomposing with an acid is determined by the formula B according to the number of groups (B) capable of decomposing with an acid in the resin and the number of alkali-soluble groups not protected by a group capable of leaving with an acid (S). / (B + S). This content is preferably 0.01 to 0.7, more preferably 0.05 to 0.50, and still more preferably 0.05 to 0.40.

樹脂(B‘)を含む樹脂(B)は、市販されている場合は市販品を使ってもよいが、常法に従って(例えばラジカル重合)合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1〜10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒としては、例えばテトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤、更には後述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノンのような感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を溶解する溶媒が挙げられる。より好ましくは感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に用いられる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。   The resin (B) containing the resin (B ′) may be a commercially available product when commercially available, but can be synthesized according to a conventional method (for example, radical polymerization). For example, as a general synthesis method, a monomer polymerization method in which a monomer species and an initiator are dissolved in a solvent and heating is performed, and a solution of the monomer species and the initiator is dropped into the heating solvent over 1 to 10 hours. The dropping polymerization method is added, and the dropping polymerization method is preferable. Examples of the reaction solvent include ethers such as tetrahydrofuran, 1,4-dioxane and diisopropyl ether, ketones such as methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone, ester solvents such as ethyl acetate, amide solvents such as dimethylformamide and dimethylacetamide, Furthermore, the solvent which melt | dissolves the actinic-ray sensitive or radiation sensitive resin composition like the below-mentioned propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, and cyclohexanone is mentioned. More preferably, the polymerization is carried out using the same solvent as that used in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition. Thereby, generation | occurrence | production of the particle at the time of a preservation | save can be suppressed.

重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤(アゾ系開始剤、パーオキサイドなど)を用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2'−アゾビス(2−メチルプロピオネート)などが挙げられる。反応の濃度は5〜50質量%であり、好ましくは30〜50質量%である。反応温度は、通常10℃〜150℃であり、好ましくは30℃〜120℃、更に好ましくは60〜100℃である。   The polymerization reaction is preferably performed in an inert gas atmosphere such as nitrogen or argon. As a polymerization initiator, a commercially available radical initiator (azo initiator, peroxide, etc.) is used to initiate the polymerization. As the radical initiator, an azo initiator is preferable, and an azo initiator having an ester group, a cyano group, or a carboxyl group is preferable. Preferred examples of the initiator include azobisisobutyronitrile, azobisdimethylvaleronitrile, dimethyl 2,2′-azobis (2-methylpropionate) and the like. The concentration of the reaction is 5 to 50% by mass, preferably 30 to 50% by mass. The reaction temperature is usually from 10 ° C to 150 ° C, preferably from 30 ° C to 120 ° C, more preferably from 60 ° C to 100 ° C.

反応終了後、室温まで放冷し、精製する。精製は、水洗や適切な溶媒を組み合わせることにより残留単量体やオリゴマー成分を除去する液々抽出法、特定の分子量以下のもののみを抽出除去する限外ろ過等の溶液状態での精製方法や、樹脂溶液を貧溶媒へ滴下することで樹脂を貧溶媒中に凝固させることにより残留単量体等を除去する再沈澱法やろ別した樹脂スラリーを貧溶媒で洗浄する等の固体状態での精製方法等の通常の方法を適用できる。たとえば、上記樹脂が難溶あるいは不溶の溶媒(貧溶媒)を、該反応溶液の10倍以下の体積量、好ましくは10〜5倍の体積量で、接触させることにより樹脂を固体として析出させる。   After completion of the reaction, the mixture is allowed to cool to room temperature and purified. Purification can be accomplished by a liquid-liquid extraction method that removes residual monomers and oligomer components by combining water and an appropriate solvent, and a purification method in a solution state such as ultrafiltration that extracts and removes only those having a specific molecular weight or less. , Reprecipitation method that removes residual monomer by coagulating resin in poor solvent by dripping resin solution into poor solvent and purification in solid state such as washing filtered resin slurry with poor solvent A normal method such as a method can be applied. For example, the resin is precipitated as a solid by contacting a solvent (poor solvent) in which the resin is hardly soluble or insoluble in a volume amount of 10 times or less, preferably 10 to 5 times that of the reaction solution.

ポリマー溶液からの沈殿又は再沈殿操作の際に用いる溶媒(沈殿又は再沈殿溶媒)とし
ては、該ポリマーの貧溶媒であればよく、ポリマーの種類に応じて、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、ニトロ化合物、エーテル、ケトン、エステル、カーボネート、アルコール、カルボン酸、水、これらの溶媒を含む混合溶媒等の中から適宜選択して使用できる。これらの中でも、沈殿又は再沈殿溶媒として、少なくともアルコール(特に、メタノールなど)又は水を含む溶媒が好ましい。
The solvent (precipitation or reprecipitation solvent) used in the precipitation or reprecipitation operation from the polymer solution may be a poor solvent for the polymer, and may be a hydrocarbon, halogenated hydrocarbon, nitro, depending on the type of polymer. A compound, ether, ketone, ester, carbonate, alcohol, carboxylic acid, water, a mixed solvent containing these solvents, and the like can be appropriately selected for use. Among these, as a precipitation or reprecipitation solvent, a solvent containing at least an alcohol (particularly methanol or the like) or water is preferable.

沈殿又は再沈殿溶媒の使用量は、効率や収率等を考慮して適宜選択できるが、一般には、ポリマー溶液100質量部に対して、100〜10000質量部、好ましくは200〜2000質量部、更に好ましくは300〜1000質量部である。   The amount of the precipitation or reprecipitation solvent used can be appropriately selected in consideration of efficiency, yield, and the like, but generally 100 to 10000 parts by mass, preferably 200 to 2000 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymer solution, More preferably, it is 300-1000 mass parts.

沈殿又は再沈殿する際の温度としては、効率や操作性を考慮して適宜選択できるが、通常0〜50℃程度、好ましくは室温付近(例えば20〜35℃程度)である。沈殿又は再沈殿操作は、攪拌槽などの慣用の混合容器を用い、バッチ式、連続式等の公知の方法により行うことができる。   The temperature for precipitation or reprecipitation can be appropriately selected in consideration of efficiency and operability, but is usually about 0 to 50 ° C., preferably around room temperature (for example, about 20 to 35 ° C.). The precipitation or reprecipitation operation can be performed by a known method such as a batch method or a continuous method using a conventional mixing vessel such as a stirring tank.

沈殿又は再沈殿したポリマーは、通常、濾過、遠心分離等の慣用の固液分離に付し、乾燥して使用に供される。濾過は、耐溶剤性の濾材を用い、好ましくは加圧下で行われる。乾燥は、常圧又は減圧下(好ましくは減圧下)、30〜100℃程度、好ましくは30〜50℃程度の温度で行われる。   The precipitated or re-precipitated polymer is usually subjected to conventional solid-liquid separation such as filtration and centrifugation, and dried before use. Filtration is performed using a solvent-resistant filter medium, preferably under pressure. Drying is performed at a temperature of about 30 to 100 ° C., preferably about 30 to 50 ° C. under normal pressure or reduced pressure (preferably under reduced pressure).

なお、一度、樹脂を析出させて、分離した後に、再び溶媒に溶解させ、該樹脂が難溶あるいは不溶の溶媒と接触させてもよい。即ち、上記ラジカル重合反応終了後、該ポリマーが難溶あるいは不溶の溶媒を接触させ、樹脂を析出させ(工程a)、樹脂を溶液から分離し(工程b)、改めて溶媒に溶解させ樹脂溶液Aを調製(工程c)、その後、該樹脂溶液Aに、該樹脂が難溶あるいは不溶の溶媒を、樹脂溶液Aの10倍未満の体積量(好ましくは5倍以下の体積量)で、接触させることにより樹脂固体を析出させ(工程d)、析出した樹脂を分離する(工程e)ことを含む方法でもよい。   In addition, once the resin is precipitated and separated, it may be dissolved again in a solvent, and the resin may be brought into contact with a hardly soluble or insoluble solvent. That is, after completion of the radical polymerization reaction, a solvent in which the polymer is hardly soluble or insoluble is brought into contact, the resin is precipitated (step a), the resin is separated from the solution (step b), and dissolved again in the solvent. (Step c), and then contact the resin solution A with a solvent in which the resin is hardly soluble or insoluble in a volume amount less than 10 times that of the resin solution A (preferably 5 times or less volume). This may be a method including precipitating a resin solid (step d) and separating the precipitated resin (step e).

本発明の樹脂(B)の重量平均分子量は、GPC法によりポリスチレン換算値として、好ましくは1,000〜200,000であり、より好ましくは2,000〜20,000、更により好ましくは3,000〜15,000、特に好ましくは3,000〜10,000である。重量平均分子量を、1,000〜200,000とすることにより、耐熱性やドライエッチング耐性の劣化を防ぐことができ、かつ現像性が劣化したり、粘度が高くなって製膜性が劣化することを防ぐことができる。   The weight average molecular weight of the resin (B) of the present invention is preferably 1,000 to 200,000, more preferably 2,000 to 20,000, still more preferably 3, as a polystyrene conversion value by GPC method. 000 to 15,000, particularly preferably 3,000 to 10,000. By setting the weight average molecular weight to 1,000 to 200,000, deterioration of heat resistance and dry etching resistance can be prevented, and developability is deteriorated, and viscosity is increased, resulting in deterioration of film forming property. Can be prevented.

分散度(分子量分布)は、通常1〜3であり、好ましくは1〜2.6、更に好ましくは1〜2、特に好ましくは1.4〜2.0の範囲のものが使用される。分子量分布の小さいものほど、解像度、パターン形状が優れ、かつレジストパターンの側壁がスムーズであり、ラフネス性に優れる。   The dispersity (molecular weight distribution) is usually 1 to 3, preferably 1 to 2.6, more preferably 1 to 2, and particularly preferably 1.4 to 2.0. The smaller the molecular weight distribution, the better the resolution and pattern shape, the smoother the sidewall of the resist pattern, and the better the roughness.

本発明において樹脂(B)の組成物全体中の配合率は、全固形分中30〜99質量%が好ましく、より好ましくは60〜95質量%である。
また、本発明の樹脂は、1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。
In the present invention, the blending ratio of the resin (B) in the entire composition is preferably 30 to 99% by mass, more preferably 60 to 95% by mass in the total solid content.
In addition, the resins of the present invention may be used alone or in combination.

〔3〕(RT)ラジカルトラップ基を有する化合物
本発明の組成物は必須成分としてラジカルトラップ基を有する化合物(RT)を含有する。ラジカルトラップ基とは活性ラジカルを捕捉し、ラジカル反応を停止させる基である、このような基としては特に活性ラジカルと反応し、安定フリーラジカルへと変換される基及び、安定フリーラジカルを有する基が挙げられる。塩基性を有さず、ラジカルトラップ基を有する構造としてはこのような基としてはヒンダードフェノール基、ヒドロキノン基、N−オキシルフリーラジカル基、ニトロソ基、ニトロン基等があげられる。
化合物RTが有するラジカルトラップ基の数としては特に限定はないが、RTが繰り返し単位を有する高分子化合物である場合、ラジカルトラップ基を有する繰り返し単位は1〜5個のラジカルトラップ基を有し、特に1〜3個の繰り返し単位を有することが好ましい。また上記高分子化合物中のラジカルトラップ基を有する繰り返し単位の組成比は1〜100モル%であることが好ましく、10〜100モル%がより好ましく、30〜100モル%が特に好ましい。化合物RTが上記高分子化合物以外の化合物である場合、ラジカルトラップ基は1分子中1〜10個のラジカルトラップ基を有することが好ましく1〜5であることがより好ましく、1〜3であることが特に好ましい。
[3] (RT) Compound having radical trap group The composition of the present invention contains a compound (RT) having a radical trap group as an essential component. A radical trap group is a group that traps an active radical and stops a radical reaction. As such a group, a group that reacts with an active radical and is converted into a stable free radical and a group that has a stable free radical Is mentioned. Examples of such a structure having no basicity and having a radical trap group include hindered phenol groups, hydroquinone groups, N-oxyl free radical groups, nitroso groups, and nitrone groups.
The number of radical trap groups that compound RT has is not particularly limited, but when RT is a polymer compound having a repeating unit, the repeating unit having a radical trap group has 1 to 5 radical trap groups, In particular, it is preferable to have 1 to 3 repeating units. Moreover, it is preferable that the composition ratio of the repeating unit which has a radical trap group in the said high molecular compound is 1-100 mol%, 10-100 mol% is more preferable, 30-100 mol% is especially preferable. When the compound RT is a compound other than the above polymer compound, the radical trap group preferably has 1 to 10 radical trap groups in one molecule, more preferably 1 to 5, and preferably 1 to 3. Is particularly preferred.

ラジカルトラップ基としては特に窒素酸素結合を有する基であることが好ましく、下記一般式(1)〜(3)のいずれかに示す基(それぞれ順に、N−オキシルフリーラジカル基、ニトロソ基、ニトロン基)であることがより好ましい。   The radical trap group is particularly preferably a group having a nitrogen-oxygen bond, and groups represented by any one of the following general formulas (1) to (3) (in order, N-oxyl free radical group, nitroso group, nitrone group, respectively) ) Is more preferable.

Figure 0005525777
Figure 0005525777

一般式中、R〜R6は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。式(1)においてR及びR2が結合して環を形成していても良く、式(3)においてR4〜R6の少なくとも二つが結合して環を形成していても良い。
〜Rとしてのアルキル基、シクロアルキル基若しくはアリール基、R及びR2が結合して形成してもよい環、及びR4〜R6の少なくとも二つが結合して形成してもよい環は、置換基を有していてもよい。
〜Rとしてのアルキル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数1〜10のものが好ましく、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、ネオペンチル基、n−ヘキシル基等を挙げることができる。これらのアルキル基のうち、メチル基、エチル基、n−ブチル基、t−ブチル基等が好ましい。
〜Rとしてののシクロアルキル基としては、炭素数3〜15が好ましく、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロへプチル、シクロオクチル、ノルボルニル、アダマンチル等があげられる。
〜Rとしてのアリール基としては、炭素数6〜14が好ましく、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。
及びR2が形成してもよい環、R4〜Rが形成してもよい環としては、好ましくは5〜10員環、より好ましくは5又は6員環である。
In the general formula, R 1 to R 6 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group. In Formula (1), R 1 and R 2 may be bonded to form a ring, and in Formula (3), at least two of R 4 to R 6 may be bonded to form a ring.
An alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group as R 1 to R 6 , a ring that R 1 and R 2 may be bonded to each other, and at least two of R 4 to R 6 may be bonded to each other. A good ring may have a substituent.
The alkyl group as R 1 to R 6 is linear or branched and preferably has 1 to 10 carbon atoms, and is preferably a methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n- A butyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylpropyl group, t-butyl group, n-pentyl group, neopentyl group, n-hexyl group and the like can be mentioned. Of these alkyl groups, a methyl group, an ethyl group, an n-butyl group, a t-butyl group, and the like are preferable.
The cycloalkyl group as R 1 to R 6 preferably has 3 to 15 carbon atoms, and examples thereof include cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, norbornyl, adamantyl and the like.
The aryl group as R 1 to R 6 preferably has 6 to 14 carbon atoms, and examples thereof include a phenyl group, a tolyl group, and a naphthyl group.
The ring that R 1 and R 2 may form and the ring that R 4 to R 6 may form are preferably 5 to 10 membered rings, more preferably 5 or 6 membered rings.

〜Rとしての、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、R及びR2が結合して形成してもよい環、及びR4〜Rが結合して形成してもよい環が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子)、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、オキシ基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基、アシルアミド基(RCONH−:Rは、置換若しくは無置換のアルキル基又はフェニル基)、−SO2Na、−P(=O)(OC25)2、等を挙げることができる。R〜Rとしてのシクロアルキル基、アリール基が有していてもよい置換基としては、更に、アルキル基を挙げることができる。
また、一般式(1)〜(3)のいずれかで表される化合物は、樹脂の形態であってもよ
く、R〜Rの少なくとも一つが、樹脂の主鎖又は側鎖へ結合していてもよい。
また、化合物(C)の分子量は特に限定されず、分子量100〜5000であることが好ましく、100〜2000であることがより好ましく、100〜1000であることが特に好ましい。
As R 1 to R 6 , an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, a ring that may be formed by combining R 1 and R 2 , and a ring that may be formed by combining R 4 to R 6 As the substituent that may have, a halogen atom (for example, fluorine atom), hydroxyl group, carboxyl group, cyano group, nitro group, amino group, oxy group, alkoxy group, alkoxyalkyl group, alkoxycarbonyl group, alkoxycarbonyloxy group, an acylamido group (RCONH-: R is a substituted or unsubstituted alkyl group or a phenyl group), - SO 2 Na, -P (= O) (OC 2 H 5) 2, etc. and the like it can. Examples of the substituent that the cycloalkyl group or aryl group as R 1 to R 6 may have further include an alkyl group.
Further, the compound represented by any one of the general formulas (1) to (3) may be in the form of a resin, and at least one of R 1 to R 6 is bonded to the main chain or side chain of the resin. It may be.
The molecular weight of the compound (C) is not particularly limited, and is preferably a molecular weight of 100 to 5000, more preferably 100 to 2000, and particularly preferably 100 to 1000.

以下にラジカルトラップ基を有する化合物の具体例を示すが本発明はこれに限定されるものではない。   Specific examples of the compound having a radical trap group are shown below, but the present invention is not limited thereto.

Figure 0005525777
Figure 0005525777

ラジカルトラップ基を有する化合物は、市販のものを用いてもよいし、公知の方法で合成したものを用いてもよい。高分子上にラジカルトラップ基を有する化合物は、市販のラジカルトラップ基を有する低分子化合物と、エポキシ基、ハロゲン化アルキル基、酸ハライド基、カルボキシル基、イソシアネート基等の反応性基を有する高分子化合物との高分子反応によって合成することができる。
ラジカルトラップ基を有する化合物の使用量は、本発明の組成物の全固形分を基準として、通常、0.001〜10質量%、好ましくは0.01〜5質量%である。
As the compound having a radical trap group, a commercially available product may be used, or a compound synthesized by a known method may be used. A compound having a radical trap group on a polymer is a low molecular compound having a commercially available radical trap group and a polymer having a reactive group such as an epoxy group, a halogenated alkyl group, an acid halide group, a carboxyl group, or an isocyanate group. It can be synthesized by a polymer reaction with a compound.
The usage-amount of the compound which has a radical trap group is 0.001-10 mass% normally on the basis of the total solid of the composition of this invention, Preferably it is 0.01-5 mass%.

〔4〕疎水性樹脂
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物からなる膜を、液浸媒体を介して露光する場合には、必要に応じて更に疎水性樹脂(HR)を添加することができる。これにより、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物膜表層に疎水性樹脂(HR)が偏在化し、液浸媒体が水
の場合、膜とした際の水に対する膜表面の後退接触角を向上させ、液浸水追随性を向上させることができる。疎水性樹脂(HR)としては、表面の後退接触角が添加することにより向上する樹脂であれば何でもよいが、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂であることが好ましい。感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物膜の後退接触角は60°〜90°が好ましく、更に好ましくは70°以上である。添加量は、膜の後退接触角が前記範囲になるよう適宜調整して使用できるが、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分を基準として、0.1〜10質量%であることが好ましく、より好ましくは0.1〜5質量%である。疎水性樹脂(HR)は前述のように界面に偏在するものであるが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性/非極性物質を均一に混合することに寄与しなくても良い。
[4] Hydrophobic resin When a film comprising an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition is exposed through an immersion medium, a hydrophobic resin (HR) may be added as necessary. it can. As a result, hydrophobic resin (HR) is unevenly distributed on the surface layer of the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and when the immersion medium is water, the receding contact angle of the film surface with respect to water is improved. And immersion water followability can be improved. As the hydrophobic resin (HR), any resin can be used as long as the receding contact angle of the surface can be improved by addition, but a resin having at least one of fluorine atom and silicon atom is preferable. The receding contact angle of the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition film is preferably 60 ° to 90 °, more preferably 70 ° or more. The addition amount can be adjusted as appropriate so that the receding contact angle of the film falls within the above range, but is 0.1 to 10% by mass based on the total solid content of the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition. It is preferable that it is 0.1 to 5% by mass. Hydrophobic resin (HR) is unevenly distributed at the interface as described above, but unlike surfactants, it does not necessarily have a hydrophilic group in the molecule, and polar / nonpolar substances should be mixed uniformly. It does not have to contribute to

後退接触角とは、液滴-基板界面での接触線が後退する際に測定される接触角であり、動的な状態での液滴の移動しやすさをシミュレートする際に有用であることが一般に知られている。簡易的には、針先端から吐出した液滴を基板上に着滴させた後、その液滴を再び針へと吸い込んだときの、液滴の界面が後退するときの接触角として定義でき、一般に拡張収縮法と呼ばれる接触角の測定方法を用いて測定することができる。
液浸露光工程に於いては、露光ヘッドが高速でウェハ上をスキャンし露光パターンを形成していく動きに追随して、液浸液がウェハ上を動く必要があるので、動的な状態に於ける膜に対する液浸液の接触角が重要になり、液滴が残存することなく、露光ヘッドの高速なスキャンに追随する性能が求められる。
The receding contact angle is the contact angle measured when the contact line at the droplet-substrate interface recedes, and is useful for simulating the ease of droplet movement under dynamic conditions. It is generally known. In simple terms, it can be defined as the contact angle when the droplet interface recedes when the droplet discharged from the needle tip is deposited on the substrate and then sucked into the needle again. It can be measured by using a contact angle measuring method generally called an expansion / contraction method.
In the immersion exposure process, the immersion head needs to move on the wafer following the movement of the exposure head to scan the wafer at high speed to form the exposure pattern. The contact angle of the immersion liquid with respect to the film in the film becomes important, and the performance of following the high-speed scanning of the exposure head is required without droplets remaining.

疎水性樹脂(HR)に於けるフッ素原子又は珪素原子は、樹脂の主鎖中に有していても、側鎖に置換していてもよい。   The fluorine atom or silicon atom in the hydrophobic resin (HR) may be contained in the main chain of the resin or may be substituted on the side chain.

疎水性樹脂(HR)は、フッ素原子を有する部分構造として、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、又は、フッ素原子を有するアリール基を有する樹脂であることが好ましい。
フッ素原子を有するアルキル基(好ましくは炭素数1〜10、より好ましくは炭素数1〜4)は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖又は分岐アルキル基であり、更に他の置換基を有していてもよい。
フッ素原子を有するシクロアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された単環又は多環のシクロアルキル基であり、更に他の置換基を有していてもよい。
フッ素原子を有するアリール基としては、フェニル基、ナフチル基などのアリール基の少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたものが挙げられ、更に他の置換基を有していてもよい。
The hydrophobic resin (HR) is preferably a resin having an alkyl group having a fluorine atom, a cycloalkyl group having a fluorine atom, or an aryl group having a fluorine atom as a partial structure having a fluorine atom.
The alkyl group having a fluorine atom (preferably having 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms) is a linear or branched alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, It may have a substituent.
The cycloalkyl group having a fluorine atom is a monocyclic or polycyclic cycloalkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, and may further have another substituent.
Examples of the aryl group having a fluorine atom include those in which at least one hydrogen atom of an aryl group such as a phenyl group or a naphthyl group is substituted with a fluorine atom, and the aryl group may further have another substituent.

フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、又は、フッ素原子を有するアリール基として、好ましくは、下記一般式(F2)〜(F4)で表される基を挙げることができるが、本発明は、これに限定されるものではない。   Preferred examples of the alkyl group having a fluorine atom, the cycloalkyl group having a fluorine atom, or the aryl group having a fluorine atom include groups represented by the following general formulas (F2) to (F4). The present invention is not limited to this.

Figure 0005525777
Figure 0005525777

一般式(F2)〜(F4)中、
57〜R68は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。但し、R57〜R61、R62〜R64及びR65〜R68の内、少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基(好ましくは炭素数1〜4)を表す。R57〜R61及びR65〜R67は、全てがフッ素原子であることが好ましい。R62、R63及びR68は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基(好ましくは炭素数1〜4)が好ましく、炭素数1〜4のパーフルオロアルキル基であることが更に好ましい。R62とR63は、互いに連結して環を形成してもよい。
In general formulas (F2) to (F4),
R 57 to R 68 each independently represents a hydrogen atom, a fluorine atom or an alkyl group. However, at least one of R 57 to R 61 , R 62 to R 64 and R 65 to R 68 is a fluorine atom or an alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom (preferably having a carbon number of 1 ~ 4). R 57 to R 61 and R 65 to R 67 are preferably all fluorine atoms. R 62 , R 63 and R 68 are preferably an alkyl group (preferably having 1 to 4 carbon atoms) in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, and preferably a perfluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Further preferred. R 62 and R 63 may be connected to each other to form a ring.

一般式(F2)で表される基の具体例としては、例えば、p−フルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、3,5-ジ(トリフルオロメチル)フェニル基等が挙げられる。
一般式(F3)で表される基の具体例としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロプロピル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロブチル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ(2−メチル)イソプロピル基、ノナフルオロブチル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロヘキシル基、ノナフルオロ−t−ブチル基、パーフルオロイソペンチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロ(トリメチル)ヘキシル基、2,2,3,3-テトラフルオロシクロブチル基、パーフルオロシクロヘキシル基などが挙げられる。ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ(2−メチル)イソプロピル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロ−t−ブチル基、パーフルオロイソペンチル基が好ましく、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基が更に好ましい。
一般式(F4)で表される基の具体例としては、例えば、−C(CF32OH、−C(C252OH、−C(CF3)(CH3)OH、−CH(CF3)OH等が挙げられ、−C(CF32OHが好ましい。
Specific examples of the group represented by the general formula (F2) include a p-fluorophenyl group, a pentafluorophenyl group, and a 3,5-di (trifluoromethyl) phenyl group.
Specific examples of the group represented by the general formula (F3) include trifluoromethyl group, pentafluoropropyl group, pentafluoroethyl group, heptafluorobutyl group, hexafluoroisopropyl group, heptafluoroisopropyl group, hexafluoro (2 -Methyl) isopropyl group, nonafluorobutyl group, octafluoroisobutyl group, nonafluorohexyl group, nonafluoro-t-butyl group, perfluoroisopentyl group, perfluorooctyl group, perfluoro (trimethyl) hexyl group, 2,2 1,3,3-tetrafluorocyclobutyl group, perfluorocyclohexyl group and the like. Hexafluoroisopropyl group, heptafluoroisopropyl group, hexafluoro (2-methyl) isopropyl group, octafluoroisobutyl group, nonafluoro-t-butyl group and perfluoroisopentyl group are preferable, and hexafluoroisopropyl group and heptafluoroisopropyl group are preferable. Further preferred.
Specific examples of the group represented by the general formula (F4) include, for example, —C (CF 3 ) 2 OH, —C (C 2 F 5 ) 2 OH, —C (CF 3 ) (CH 3 ) OH, -CH (CF 3) OH and the like, -C (CF 3) 2 OH is preferred.

以下、フッ素原子を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明は、これに限定されるものではない。
具体例中、X1は、水素原子、−CH3、−F又は−CF3を表す。
2は、−F又は−CF3を表す。
Hereinafter, although the specific example of the repeating unit which has a fluorine atom is shown, this invention is not limited to this.
In specific examples, X 1 represents a hydrogen atom, —CH 3 , —F or —CF 3 .
X 2 represents —F or —CF 3 .

Figure 0005525777
Figure 0005525777

疎水性樹脂(HR)は、珪素原子を有する部分構造として、アルキルシリル構造(好ましくはトリアルキルシリル基)、又は環状シロキサン構造を有する樹脂であることが好ましい。
アルキルシリル構造、又は環状シロキサン構造としては、具体的には、下記一般式(CS−1)〜(CS−3)で表される基などが挙げられる。
The hydrophobic resin (HR) is preferably a resin having an alkylsilyl structure (preferably a trialkylsilyl group) or a cyclic siloxane structure as a partial structure having a silicon atom.
Specific examples of the alkylsilyl structure or the cyclic siloxane structure include groups represented by the following general formulas (CS-1) to (CS-3).

Figure 0005525777
Figure 0005525777

一般式(CS−1)〜(CS−3)に於いて、
12〜R26は、各々独立に、直鎖若しくは分岐アルキル基(好ましくは炭素数1〜20)又はシクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜20)を表す。
3〜L5は、単結合又は2価の連結基を表す。2価の連結基としては、アルキレン基、フェニレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、ウレタン基、又はウレイレン基よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを挙げられる。
nは、1〜5の整数を表す。
In general formulas (CS-1) to (CS-3),
R 12 to R 26 each independently represents a linear or branched alkyl group (preferably having 1 to 20 carbon atoms) or a cycloalkyl group (preferably having 3 to 20 carbon atoms).
L < 3 > -L < 5 > represents a single bond or a bivalent coupling group. As the divalent linking group, an alkylene group, a phenylene group, an ether group, a thioether group, a carbonyl group, an ester group, an amide group, a urethane group, or a group selected from the group consisting of a ureylene group or two or more groups. A combination is mentioned.
n represents an integer of 1 to 5.

以下、一般式(CS−1)〜(CS−3)で表される基を有する繰り返し単位の具体例を挙げるが、本発明は、これに限定されるものではない。なお、具体例中、X1は、水素原子、−CH3、−F又は−CF3を表す。 Hereinafter, although the specific example of the repeating unit which has group represented by general formula (CS-1)-(CS-3) is given, this invention is not limited to this. In specific examples, X 1 represents a hydrogen atom, —CH 3 , —F or —CF 3 .

Figure 0005525777
Figure 0005525777

更に、疎水性樹脂(HR)は、塩基存在下において水に対する親和性が向上する基を有していてもよい。塩基存在下において水に対する親和性が向上する基とは、特に制限は無いが、
(x)活性プロトンを有する基、
(y)アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基
である。
(x)活性プロトンを有する基としては、pKaが15以下である基を有するものが好ましい。活性プロトンを有する基としては、フェノール性水酸基、カルボン酸基、α位が電子求引性基で置換された脂肪族アルコール(例えばヘキサフロロイソプロパノール基)、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)メチレン基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルカルボニル)メチレン基、ビス(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルスルホニル)メチレン基、ビス(アルキルスルホニル)イミド基、トリス(アルキルカルボニル)メチレン基、トリス(アルキルスルホニル)メチレン基等が挙げられる。
(x)活性プロトンを有する基を有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接アルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖にアルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位などが挙げられ、更にはアルカリ可溶性基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入することもでき、いずれの場合も好ましい。
Furthermore, the hydrophobic resin (HR) may have a group that improves the affinity for water in the presence of a base. There is no particular limitation on the group that improves the affinity for water in the presence of a base,
(X) a group having an active proton,
(Y) A group that decomposes by the action of an alkali developer and increases the solubility in the alkali developer.
(x) The group having an active proton is preferably a group having a pKa of 15 or less. Examples of the group having an active proton include a phenolic hydroxyl group, a carboxylic acid group, an aliphatic alcohol substituted with an electron withdrawing group at the α-position (for example, hexafluoroisopropanol group), a sulfonic acid group, a sulfonamide group, and a sulfonylimide group. , (Alkylsulfonyl) (alkylcarbonyl) methylene group, (alkylsulfonyl) (alkylcarbonyl) imide group, bis (alkylcarbonyl) methylene group, bis (alkylcarbonyl) imide group, bis (alkylsulfonyl) methylene group, bis (alkyl Examples include a sulfonyl) imide group, a tris (alkylcarbonyl) methylene group, and a tris (alkylsulfonyl) methylene group.
(x) The repeating unit having a group having an active proton is a repeating unit in which an alkali-soluble group is directly bonded to the main chain of the resin, such as a repeating unit of acrylic acid or methacrylic acid, or a resin via a linking group. Examples include repeating units in which an alkali-soluble group is bonded to the main chain, and further, a polymerization initiator or a chain transfer agent having an alkali-soluble group can be introduced at the end of the polymer chain at the time of polymerization. This is also preferable.

このような繰り返し単位の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。Rxは、水素原子、CH、CF又はCHOHを表す。 Specific examples of such repeating units are shown below, but are not limited thereto. Rx represents a hydrogen atom, CH 3 , CF 3 or CH 2 OH.

Figure 0005525777
Figure 0005525777

更に、活性プロトンを有する基を有する繰り返し単位を提供するモノマーの具体例を示す。具体例中、Yは水素原子を表し、Rは水素原子又はメチル基を表す。 Furthermore, the specific example of the monomer which provides the repeating unit which has group which has an active proton is shown. In specific examples, Y represents a hydrogen atom, and R 3 represents a hydrogen atom or a methyl group.

Figure 0005525777
Figure 0005525777

Figure 0005525777
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Figure 0005525777
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Figure 0005525777
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アルカリ可溶性基(x)を有する繰り返し単位の含有量は、ポリマー中の全繰り返し単位に対し、1〜50mol%が好ましく、より好ましくは3〜35mol%、更に好ましくは5〜20mol%である。   The content of the repeating unit having an alkali-soluble group (x) is preferably from 1 to 50 mol%, more preferably from 3 to 35 mol%, still more preferably from 5 to 20 mol%, based on all repeating units in the polymer.

(y)アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基とは例えば、活性カルボン酸エステル基、ラクトン構造を有する基、酸無水物基、酸イミ
ド基、炭酸エステル基、硫酸エステル基、スルホン酸エステル基などが挙げられ(ここで活性カルボン酸エステル基とはpKa13以下のアルコール等から得られるエステル、例えばフェノール、チオールα位が電子求引性基で置換された脂肪族アルコール(例えばヘキサフロロイソプロパノール基)等のエステルを表す。)好ましくはラクトン構造を有する基である。
アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基(y)を有する繰り返し単位としては、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステルによる繰り返し単位のように、樹脂の主鎖にアルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基(y)が結合している繰り返し単位、あるいはアルカリ現像液中での溶解度が増大する基(y)を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入、のいずれも好ましい。
更に、疎水性樹脂(HR)は、塩基存在下において水に対する親和性が向上する基を有する繰り返し単位として、下記一般式(2)〜(4)で表される構造の少なくとも1種を含有することが好ましい。
(Y) Groups that decompose by the action of an alkali developer and increase the solubility in an alkali developer include, for example, an active carboxylic acid ester group, a group having a lactone structure, an acid anhydride group, an acid imide group, and a carbonate ester. Groups, sulfate ester groups, sulfonate ester groups, etc. (wherein the active carboxylate ester group is an ester obtained from an alcohol having a pKa of 13 or less, such as phenol, thiol α-position is substituted with an electron withdrawing group. It represents an ester such as an aliphatic alcohol (for example, hexafluoroisopropanol group). A group having a lactone structure is preferred.
As the repeating unit having a group (y) that is decomposed by the action of an alkali developer and increases the solubility in the alkali developer, an alkali is added to the main chain of the resin, such as a repeating unit of an acrylate ester or a methacrylate ester. A polymerization initiator having a repeating unit to which a group (y) that decomposes by the action of the developer and increases the solubility in an alkali developer is bonded, or a group (y) that increases the solubility in an alkali developer And a chain transfer agent used at the time of polymerization are preferably introduced at the end of the polymer chain.
Further, the hydrophobic resin (HR) contains at least one of the structures represented by the following general formulas (2) to (4) as a repeating unit having a group that improves the affinity for water in the presence of a base. It is preferable.

Figure 0005525777
Figure 0005525777

一般式(2)〜(4)において、R1は各々独立に、水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。R2は水素原子、−R−COH又は−R−OHを示す。Rはフッ素を含んでもよい2価の有機基を示す。Rはメチレン基、酸素原子又は硫黄原子を示す。Rは水素原子、直鎖状又は分岐状のアルキル基又は−CO2を示す。Rは水素原子、直鎖状又は分岐状のアルキル基、シアノ基、又は−CO2である。Rは水素原子、炭素数1〜20の直鎖状又は分岐状のアルキル基、又はシクロアルキル基を示す。R8a、R8bは各々独立に、単結合、炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキレン基、又はシクロアルキレン基を示す。上記置換基は、更に置換基を有していてもよい。 In the general formulas (2) to (4), each R 1 independently represents a hydrogen atom, a fluorine atom, or a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. R 2 represents a hydrogen atom, —R 3 —CO 2 H or —R 3 —OH. R 3 represents a divalent organic group which may contain fluorine. R 4 represents a methylene group, an oxygen atom or a sulfur atom. R 5 represents a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group, or —CO 2 R 7 . R 6 is a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group, a cyano group, or —CO 2 R 7 . R 7 represents a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or a cycloalkyl group. R 8a and R 8b each independently represent a single bond, a linear or branched alkylene group having 1 to 4 carbon atoms, or a cycloalkylene group. The above substituent may further have a substituent.

また、式(K0)で示される繰り返し単位を挙げることができる。   In addition, a repeating unit represented by the formula (K0) can be given.

Figure 0005525777
Figure 0005525777

式中、Rk1は水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は極性変換基を含む基を表す。 In the formula, R k1 represents a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or a group containing a polarity converting group.

k2はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は極性変換基を含む基を表す。 R k2 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or a group containing a polarity converting group.

但し、Rk1、Rk2の少なくとも一方は、極性変換基を有する。 However, at least one of R k1 and R k2 has a polarity converting group.

なお、一般式(K0)に示されている繰り返し単位の主鎖に直結しているエステル基は、前述したように、本発明における極性変換基には含まれない。   In addition, as described above, the ester group directly connected to the main chain of the repeating unit represented by the general formula (K0) is not included in the polar conversion group in the present invention.

極性変換基としては、一般式(KA−1)又は(KB−1)で表される部分構造におけるXで表される基であることが好ましい。   The polar conversion group is preferably a group represented by X in the partial structure represented by the general formula (KA-1) or (KB-1).

Figure 0005525777
Figure 0005525777

一般式(KA−1)又は(KB−1)におけるXは、カルボン酸エステル基:−COO−、酸無水物基:−C(O)OC(O)−、酸イミド基:−NHCONH−、カルボン酸チオエステル基:−COS−、炭酸エステル基:−OC(O)O−、硫酸エステル基:−OSOO−、スルホン酸エステル基:−SOO−を表す。 X in the general formula (KA-1) or (KB-1) is a carboxylic acid ester group: —COO—, an acid anhydride group: —C (O) OC (O) —, an acid imide group: —NHCONH—, Carboxylic acid thioester group: —COS—, carbonate ester group: —OC (O) O—, sulfate ester group: —OSO 2 O—, sulfonate ester group: —SO 2 O—.

及びYは、それぞれ同一でも異なっても良く、電子求引性基を表す。 Y 1 and Y 2 may be the same or different and each represents an electron-withdrawing group.

なお、繰り返し単位(c)は、一般式(KA−1)又は(KB−1)で表される部分構造を有する基を有することで、好ましい極性変換基を有するが、一般式(KA−1)で表される部分構造、Y及びYが1価である場合の(KB−1)で表される部分構造の場合のように、該部分構造が結合手を有しない場合は、該部分構造を有する基とは、該部分構造における任意の水素原子を少なくとも1つ除いた1価以上の基を有する基である。一般式(KA−1)又は(KB−1)で表される部分構造は、任意の位置で置換基を介して樹脂(C)の主鎖に連結している。 The repeating unit (c) has a group having a partial structure represented by the general formula (KA-1) or (KB-1), and thus has a preferred polarity conversion group, but the general formula (KA-1 In the case where the partial structure does not have a bond as in the case of the partial structure represented by (KB-1) when Y 1 and Y 2 are monovalent, The group having a partial structure is a group having a monovalent or higher group obtained by removing at least one arbitrary hydrogen atom in the partial structure. The partial structure represented by the general formula (KA-1) or (KB-1) is linked to the main chain of the resin (C) through a substituent at an arbitrary position.

一般式(KA−1)で表される部分構造は、Xとしての基とともに環構造を形成する構造である。   The partial structure represented by the general formula (KA-1) is a structure that forms a ring structure with the group as X.

一般式(KA−1)におけるXとして好ましくは、カルボン酸エステル基(即ち、KA−1としてラクトン環構造を形成する場合)、及び酸無水物基、炭酸エステル基である。より好ましくはカルボン酸エステル基である。   X in the general formula (KA-1) is preferably a carboxylic acid ester group (that is, when a lactone ring structure is formed as KA-1), an acid anhydride group, or a carbonic acid ester group. More preferably, it is a carboxylic acid ester group.

一般式(KA−1)で表される環構造は、置換基を有していてもよく、例えば、置換基Zka1をnka個有していてもよい。 The ring structure represented by the general formula (KA-1) may have a substituent, for example, may have nka substituents Z ka1 .

ka1は、複数ある場合はそれぞれ独立して、アルキル基、シクロアルキル基、エーテル基、ヒドロキシル基、アミド基、アリール基、ラクトン環基、又は電子求引性基を表す。 Z ka1 independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an ether group, a hydroxyl group, an amide group, an aryl group, a lactone ring group, or an electron withdrawing group, when there are a plurality of them.

ka1同士が連結して環を形成しても良い。Zka1同士が連結して形成する環としては、例えば、シクロアルキル環、ヘテロ環(環状エーテル環、ラクトン環など)が挙げられる。 Z ka1 may be linked to form a ring. Examples of the ring formed by linking Z ka1 to each other include a cycloalkyl ring and a hetero ring (such as a cyclic ether ring and a lactone ring).

nkaは0〜10の整数を表す。好ましくは0〜8の整数、より好ましくは0〜5の整数、更に好ましくは1〜4の整数、最も好ましくは1〜3の整数である。   nka represents an integer of 0 to 10. Preferably it is an integer of 0 to 8, more preferably an integer of 0 to 5, more preferably an integer of 1 to 4, and most preferably an integer of 1 to 3.

ka1としての電子求引性基は、後述のY及びYとしての電子求引性基と同様であ
る。
The electron withdrawing group as Z ka1 is the same as the electron withdrawing group as Y 1 and Y 2 described later.

なお、上記電子求引性基は、別の電子求引性基で置換されていてもよい。   The electron withdrawing group may be substituted with another electron withdrawing group.

ka1は好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、エーテル基、ヒドロキシル基、又は電子求引性基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又は電子求引性基である。なお、エーテル基としては、アルキル基又はシクロアルキル基等で置換されたもの、すなわち、アルキルエーテル基等が好ましい。電子求引性基は前記と同義である。 Z ka1 is preferably an alkyl group, a cycloalkyl group, an ether group, a hydroxyl group, or an electron withdrawing group, and more preferably an alkyl group, a cycloalkyl group, or an electron withdrawing group. In addition, as an ether group, the thing substituted by the alkyl group or the cycloalkyl group, ie, the alkyl ether group, etc. are preferable. The electron withdrawing group has the same meaning as described above.

ka1としてのハロゲン原子はフッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。 Examples of the halogen atom as Z ka1 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.

ka1としてのアルキル基は置換基を有していてもよく、直鎖、分岐のいずれでもよい。直鎖アルキル基としては、好ましくは炭素数1〜30、更に好ましくは1〜20であり、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デカニル基等が挙げられる。分岐アルキル基としては、好ましくは炭素数3〜30、更に好ましくは3〜20であり、例えば、i−プロピル基、i−ブチル基、t−ブチル基、i−ペンチル基、t−ペンチル基、i−ヘキシル基、t−ヘキシル基、i−ヘプチル基、t−ヘプチル基、i−オクチル基、t−オクチル基、i−ノニル基、t−デカノイル基等が挙げられる。メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、t−ブチル基などの炭素数1〜4のものが好ましい。 The alkyl group as Z ka1 may have a substituent and may be linear or branched. As a linear alkyl group, Preferably it is C1-C30, More preferably, it is 1-20, for example, a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, sec-butyl group, t-butyl. Group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decanyl group and the like. As a branched alkyl group, Preferably it is C3-C30, More preferably, it is 3-20, for example, i-propyl group, i-butyl group, t-butyl group, i-pentyl group, t-pentyl group, Examples include i-hexyl group, t-hexyl group, i-heptyl group, t-heptyl group, i-octyl group, t-octyl group, i-nonyl group, t-decanoyl group and the like. C1-C4 things, such as a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, t-butyl group, are preferable.

ka1としてのシクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、単環型でもよく、多環型でもよく、有橋式であってもよい。例えば、シクロアルキル基は橋かけ構造を有していてもよい。単環型としては、炭素数3〜8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数5以上のビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができ、炭素数6〜20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α−ピネル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基、アンドロスタニル基あるいは下記構造等を挙げることができる。なお、シクロアルキル基中の炭素原子の一部が、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。 The cycloalkyl group as Z ka1 may have a substituent, may be monocyclic, polycyclic, or bridged. For example, the cycloalkyl group may have a bridged structure. The monocyclic type is preferably a cycloalkyl group having 3 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cyclobutyl group, and a cyclooctyl group. Examples of the polycyclic type include groups having a bicyclo, tricyclo, tetracyclo structure or the like having 5 or more carbon atoms, and a cycloalkyl group having 6 to 20 carbon atoms is preferable. For example, an adamantyl group, norbornyl group, isobornyl group, Examples thereof include a camphanyl group, a dicyclopentyl group, an α-pinel group, a tricyclodecanyl group, a tetocyclododecyl group, an androstanyl group, and the following structures. A part of carbon atoms in the cycloalkyl group may be substituted with a hetero atom such as an oxygen atom.

Figure 0005525777
Figure 0005525777

上記脂環部分の好ましいものとしては、アダマンチル基、ノルアダマンチル基、デカリン基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基を挙げることができる。より好ましくは、アダマンチル基、デカリン基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基、トリシクロデカニル基である。   Preferred examples of the alicyclic moiety include an adamantyl group, a noradamantyl group, a decalin group, a tricyclodecanyl group, a tetracyclododecanyl group, a norbornyl group, a cedrol group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, and a cyclodecanyl group. And cyclododecanyl group. More preferred are an adamantyl group, a decalin group, a norbornyl group, a cedrol group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a cyclodecanyl group, a cyclododecanyl group, and a tricyclodecanyl group.

これらの脂環式構造の置換基としては、アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基が挙げられる。アルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基を表す。上記アルコキシ基としては、好ましくはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個のものを挙げることができる。アルキル基及びアルコキシ基が有してもよい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜4)等を挙げることができる。   Examples of the substituent of these alicyclic structures include an alkyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group, a carboxyl group, and an alkoxycarbonyl group. The alkyl group is preferably a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, or a butyl group, and more preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, or an isopropyl group. Preferred examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group. Examples of the substituent that the alkyl group and the alkoxy group may have include a hydroxyl group, a halogen atom, and an alkoxy group (preferably having 1 to 4 carbon atoms).

また、上記基が有していてもよい更なる置換基としては、水酸基、ハロゲン原子(フッ素、塩素、臭素、ヨウ素)、ニトロ基、シアノ基、上記のアルキル基、メトキシ基、エト
キシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基、t−ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ベンジル基、フエネチル基、クミル基等のアラルキル基、アラルキルオキシ基、ホルミル基、アセチル基、ブチリル基、ベンゾイル基、シアナミル基、バレリル基等のアシル基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、上記のアルケニル基、ビニルオキシ基、プロペニルオキシ基、アリルオキシ基、ブテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基、上記のアリール基、フエノキシ基等のアリールオキシ基、ベンゾイルオキシ基等のアリールオキシカルボニル基等を挙げることができる。
Further, further substituents that the above group may have include hydroxyl group, halogen atom (fluorine, chlorine, bromine, iodine), nitro group, cyano group, the above alkyl group, methoxy group, ethoxy group, hydroxy group. Alkoxy groups such as ethoxy group, propoxy group, hydroxypropoxy group, n-butoxy group, isobutoxy group, sec-butoxy group and t-butoxy group, alkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonyl group and ethoxycarbonyl group, benzyl group and phenethyl group Aralkyl group such as cumyl group, aralkyloxy group, formyl group, acetyl group, butyryl group, benzoyl group, cyanamyl group, acyl group such as valeryl group, acyloxy group such as butyryloxy group, the above alkenyl group, vinyloxy group, propenyl Such as oxy group, allyloxy group, butenyloxy group, etc. Rukeniruokishi group, said aryl group, an aryloxy group such as phenoxy group, and an aryloxycarbonyl group such as benzoyloxy group.

一般式(KA−1)におけるXがカルボン酸エステル基であり、一般式(KA−1)が示す部分構造がラクトン環であることが好ましく、5〜7員環ラクトン環であることが好ましい。   X in the general formula (KA-1) is a carboxylic acid ester group, and the partial structure represented by the general formula (KA-1) is preferably a lactone ring, and more preferably a 5- to 7-membered lactone ring.

なお、下記(KA−1−1)〜(KA−1−17)におけるように、一般式(KA−1)で表される部分構造としての5〜7員環ラクトン環に、ビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環していることが好ましい。   In addition, as in the following (KA-1-1) to (KA-1-17), a 5- to 7-membered lactone ring as a partial structure represented by the general formula (KA-1) has a bicyclo structure, a spiro It is preferred that other ring structures are condensed in a form that forms the structure.

一般式(KA−1)で表される環構造が結合してもよい周辺の環構造については、例えば、下記(KA−1−1)〜(KA−1−17)におけるもの、又はこれに準じたものを挙げることができる。   As for the peripheral ring structure to which the ring structure represented by the general formula (KA-1) may be bonded, for example, those in the following (KA-1-1) to (KA-1-17), or The thing according to can be mentioned.

一般式(KA−1)が示すラクトン環構造を含有する構造として、下記(KA−1−1)〜(KA−1−17)のいずれかで表される構造がより好ましい。なお、ラクトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。好ましい構造としては、(KA−1−1)、(KA−1−4)、(KA−1−5)、(KA−1−6)、(KA−1−13)、(KA−1−14)、(KA−1−17)である。   As a structure containing a lactone ring structure represented by the general formula (KA-1), a structure represented by any one of the following (KA-1-1) to (KA-1-17) is more preferable. The lactone structure may be directly bonded to the main chain. Preferred structures include (KA-1-1), (KA-1-4), (KA-1-5), (KA-1-6), (KA-1-13), (KA-1- 14) and (KA-1-17).

Figure 0005525777
Figure 0005525777

上記ラクトン環構造を含有する構造は、置換基を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基としては、上記一般式(KA−1)が示す環構造が有してもよい置換基と同様のものが挙げられる。   The structure containing the lactone ring structure may or may not have a substituent. Preferable substituents include those similar to the substituents that the ring structure represented by the general formula (KA-1) may have.

ラクトン構造は光学活性体が存在するものもあるが、いずれの光学活性体を用いてもよい。また、1種の光学活性体を単独で用いても、複数の光学活性体を混合して用いてもよ
い。1種の光学活性体を主に用いる場合、その光学純度(ee)が90以上のものが好ましく、より好ましくは95以上、最も好ましくは98以上である。
Some lactone structures have optically active substances, but any optically active substance may be used. One optically active substance may be used alone or a plurality of optically active substances may be mixed and used. When one kind of optically active substance is mainly used, the optical purity (ee) is preferably 90 or more, more preferably 95 or more, and most preferably 98 or more.

一般式(KB−1)のXとして好ましくは、カルボン酸エステル基(−COO−)を挙げることができる。   Preferred examples of X in the general formula (KB-1) include a carboxylic acid ester group (—COO—).

一般式(KB−1)におけるY及びYは、それぞれ独立に、電子求引性基を表す。 Y 1 and Y 2 in formula (KB-1) each independently represent an electron-withdrawing group.

電子求引性基は、下記式(EW)で示す部分構造である。式(EW)における*は(KA−1)に直結している結合手、又は(KB−1)中のXに直結している結合手を表す。   The electron withdrawing group is a partial structure represented by the following formula (EW). * In the formula (EW) represents a bond directly connected to (KA-1) or a bond directly connected to X in (KB-1).

Figure 0005525777
Figure 0005525777

式(EW)中、
ewは−C(Rew1)(Rew2)−で表される連結基の繰り返し数であり、0又は1の整数を表す。newが0の場合は単結合を表し、直接Yew1が結合していることを示す。
ew1は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトリル基、ニトロ基、−C(Rf1)(Rf2)−
f3で表されるハロ(シクロ)アルキル基、ハロアリール基、オキシ基、カルボニル基、スルホニル基、スルフィニル基、及びこれらの組み合わせをあげることができ、電子求引性基は例えば下記構造であってもよい。なお、「ハロ(シクロ)アルキル基」とは、少なくとも一部がハロゲン化したアルキル基及びシクロアルキル基を表す。Rew3、Rew4は、各々独立して任意の構造を表す。Rew3、Rew4はどのような構造でも式(EW)で表される部分構造は電子求引性を有し、例えば樹脂の主鎖に連結していてもよいが、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、フッ化アルキル基である。
In formula (EW),
n ew is the number of repeating linking groups represented by —C (R ew1 ) (R ew2 ) — and represents an integer of 0 or 1. When n ew is 0, it represents a single bond, indicating that Y ew1 is directly bonded.
Y ew1 represents a halogen atom, a cyano group, a nitrile group, a nitro group, —C (R f1 ) (R f2 ) —
Examples thereof include a halo (cyclo) alkyl group represented by R f3 , a haloaryl group, an oxy group, a carbonyl group, a sulfonyl group, a sulfinyl group, and combinations thereof. The electron-withdrawing group has, for example, the following structure: Also good. The “halo (cyclo) alkyl group” represents an alkyl group or a cycloalkyl group that is at least partially halogenated. R ew3 and R ew4 each independently represent an arbitrary structure. R ew3 and R ew4 may have any structure, and the partial structure represented by the formula (EW) may have an electron withdrawing property, and may be linked to, for example, the main chain of the resin. An alkyl group and a fluorinated alkyl group;

Figure 0005525777
Figure 0005525777

ew1が2価以上の基である場合、残る結合手は、任意の原子又は置換基との結合を
形成するものである。Yew1、Rew1、Rew2の少なくとも何れかの基が更なる置換基を介
して樹脂(C)の主鎖に連結していてもよい。
ew1は、好ましくはハロゲン原子、又は、−C(Rf1)(Rf2)−Rf3で表されるハロ(シクロ)アルキル基又はハロアリール基である。
ew1、Rew2、各々独立して任意の置換基を表し、例えば水素原子、アルキル基、シク
ロアルキル基又はアリール基を表す。
When Y ew1 is a divalent or higher group, the remaining bond forms a bond with an arbitrary atom or substituent. At least one group of Y ew1 , R ew1 , and R ew2 may be connected to the main chain of the resin (C) through a further substituent.
Y ew1 is preferably a halogen atom, or a halo (cyclo) alkyl group or haloaryl group represented by —C (R f1 ) (R f2 ) —R f3 .
R ew1 and R ew2 each independently represent an arbitrary substituent, for example, a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group.

ew1、Rew2及びYew1の少なくとも2つが互いに連結して環を形成していてもよい。 At least two of R ew1 , R ew2 and Y ew1 may be connected to each other to form a ring.

ここでRf1はハロゲン原子、パーハロアルキル基、パーハロシクロアルキル基、又はパーハロアリール基を表し、より好ましくはフッ素原子、パーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基、更に好ましくはフッ素原子又はトリフルオロメチル基を表す。 Here, R f1 represents a halogen atom, a perhaloalkyl group, a perhalocycloalkyl group or a perhaloaryl group, more preferably a fluorine atom, a perfluoroalkyl group or a perfluorocycloalkyl group, still more preferably a fluorine atom or a trialkyl group. Represents a fluoromethyl group.

f2、Rf3は各々独立して水素原子、ハロゲン原子又は有機基を表し、Rf2とRf3とが連結して環を形成してもよい。有機基としては例えばアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基等を表す。Rf2、はRf1と同様の基を表すか、又はRf3と連結して環を形成していることがより好ましい。 R f2 and R f3 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom or an organic group, and R f2 and R f3 may be linked to form a ring. Examples of the organic group include an alkyl group, a cycloalkyl group, and an alkoxy group. More preferably, R f2 represents the same group as R f1 , or is linked to R f3 to form a ring.

f1〜Rf3とは連結して環を形成してもよく、形成する環としては、(ハロ)シクロアルキル環、(ハロ)アリール環等が挙げられる。 R f1 to R f3 may be linked to form a ring, and examples of the ring formed include a (halo) cycloalkyl ring and a (halo) aryl ring.

f1〜Rf3における(ハロ)アルキル基としては、例えば前述したZka1におけるアル
キル基、及びこれがハロゲン化した構造が挙げられる。
Examples of the (halo) alkyl group in R f1 to R f3 include the alkyl group in Z ka1 described above and a structure in which this is halogenated.

f1〜Rf3における、又は、Rf2とRf3とが連結して形成する環における(パー)ハロシクロアルキル基及び(パー)ハロアリール基としては、例えば前述したZka1におけ
るシクロアルキル基がハロゲン化した構造、より好ましくは−C(n)(2n-2)Hで表されるフルオロアルキル基、及び、−C(n)(n-1)で表されるパーフルオロアリール基が挙
げられる。ここで炭素数nは特に限定されないが、5〜13のものが好ましく、6がより好ましい。
Examples of the (per) halocycloalkyl group and (per) haloaryl group in R f1 to R f3 or in the ring formed by linking R f2 and R f3 include the above-described cycloalkyl group in Z ka1 is halogen. phased structure, more preferably -C (n) F (2n- 2) fluoroalkyl group represented by H, and include perfluoro aryl group represented by -C (n) F (n- 1) It is done. Although carbon number n is not specifically limited here, the thing of 5-13 is preferable and 6 is more preferable.

ew1、Rew2及びYew1の少なくとも2つが互いに連結して形成してもよい環として
は、好ましくはシクロアルキル基又はヘテロ環基が挙げられ、ヘテロ環基としてはラクトン環基が好ましい。ラクトン環としては、例えば上記式(KA−1−1)〜(KA−1−17)で表される構造が挙げられる。
The ring that may be formed by connecting at least two of R ew1 , R ew2 and Y ew1 to each other is preferably a cycloalkyl group or a heterocyclic group, and the heterocyclic group is preferably a lactone ring group. Examples of the lactone ring include structures represented by the above formulas (KA-1-1) to (KA-1-17).

なお、繰り返し単位中(c)中に、一般式(KA−1)で表される部分構造を複数、一般式(KB−1)で表される部分構造を複数、あるいは、一般式(KA−1)の部分構造と一般式(KB−1)の両方を有していてもよい。   In the repeating unit (c), a plurality of partial structures represented by the general formula (KA-1), a plurality of partial structures represented by the general formula (KB-1), or a general formula (KA- You may have both the partial structure of 1) and general formula (KB-1).

なお、一般式(KA−1)の部分構造の一部又は全部が、一般式(KB−1)におけるY又はYとしての電子求引性基を兼ねてもよい。例えば、一般式(KA−1)のXがカルボン酸エステル基である場合、そのカルボン酸エステル基は一般式(KB−1)におけるY又はYとしての電子求引性基として機能することもあり得る。 Note that part or all of the partial structure of the general formula (KA-1) may also serve as an electron withdrawing group as Y 1 or Y 2 in the general formula (KB-1). For example, when X in the general formula (KA-1) is a carboxylic acid ester group, the carboxylic acid ester group functions as an electron withdrawing group as Y 1 or Y 2 in the general formula (KB-1). There is also a possibility.

繰り返し単位(c)が、1つの側鎖上に、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかと、極性変換基とを有する繰り返し単位(c’)であっても、極性変換基を有し、かつ、フッ素原子及び珪素原子を有さない繰り返し単位(c*)であっても、1つの側鎖上に極性変換基を有し、かつ、同一繰り返し単位内の前記側鎖と異なる側鎖上に、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位(c”)であってもよいが、樹脂(C)は繰り返し単位(c)として繰り返し単位(c’)を有することがより好ましい。   Even if the repeating unit (c) is a repeating unit (c ′) having at least one of a fluorine atom and a silicon atom and a polarity converting group on one side chain, it has a polarity converting group, and Even a repeating unit (c *) having no fluorine atom and silicon atom has a polarity converting group on one side chain, and on a side chain different from the side chain in the same repeating unit, Although it may be a repeating unit (c ″) having at least one of a fluorine atom and a silicon atom, the resin (C) more preferably has a repeating unit (c ′) as the repeating unit (c).

なお、樹脂(C)が、繰り返し単位(c*)を有する場合、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位(後述する繰り返し単位(c1))とのコポリマーであることが好ましい。また、繰り返し単位(c”)における、極性変換基を有する側鎖とフッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する側鎖とは、主鎖中の同一の炭素原子に結合している、すなわち下記式(4)のような位置関係にあることが好ましい。式中、B1は極性変換基を有する部分構造、B2はフッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する部分構造を表す。   In addition, when resin (C) has a repeating unit (c *), it is preferable that it is a copolymer with the repeating unit (repeating unit (c1) mentioned later) which has at least any one of a fluorine atom and a silicon atom. In the repeating unit (c ″), the side chain having a polarity converting group and the side chain having at least one of a fluorine atom and a silicon atom are bonded to the same carbon atom in the main chain. It is preferable to have a positional relationship as shown in Formula 4. In the formula, B1 represents a partial structure having a polar conversion group, and B2 represents a partial structure having at least one of a fluorine atom and a silicon atom.

Figure 0005525777
Figure 0005525777

また、繰り返し単位(c*)及び繰り返し単位(c”)においては、極性変換基が、一般式(KA−1)で示す構造における−COO−で表される部分構造であることがより好ましい。   In the repeating unit (c *) and the repeating unit (c ″), the polar conversion group is more preferably a partial structure represented by —COO— in the structure represented by the general formula (KA-1).

極性変換基がアルカリ現像液の作用により分解し極性変換がなされることによって、アルカリ現像後の樹脂組成物膜の水との後退接触角を下げることが出来る。   When the polarity conversion group is decomposed by the action of an alkali developer and converted in polarity, the receding contact angle with water of the resin composition film after alkali development can be lowered.

アルカリ現像後の樹脂組成物膜の水との後退接触角は、露光時の温度、通常室温23±3℃、湿度45±5%において50°以下であることが好ましく、より好ましくは40°以下、更に好ましくは35°以下、最も好ましくは30°以下である。   The receding contact angle with water of the resin composition film after alkali development is preferably 50 ° or less, more preferably 40 ° or less at the temperature at the time of exposure, usually room temperature 23 ± 3 ° C. and humidity 45 ± 5%. More preferably, it is 35 ° or less, and most preferably 30 ° or less.

後退接触角とは、液滴−基板界面での接触線が後退する際に測定される接触角であり、動的な状態での液滴の移動しやすさをシミュレートする際に有用であることが一般に知られている。簡易的には、針先端から吐出した液滴を基板上に着滴させた後、その液滴を再び針へと吸い込んだときの、液滴の界面が後退するときの接触角として定義でき、一般に拡張収縮法と呼ばれる接触角の測定方法を用いて測定することができる。   The receding contact angle is a contact angle measured when the contact line at the droplet-substrate interface recedes, and is useful for simulating the ease of movement of the droplet in a dynamic state. It is generally known. In simple terms, it can be defined as the contact angle when the droplet interface recedes when the droplet discharged from the needle tip is deposited on the substrate and then sucked into the needle again. It can be measured by using a contact angle measuring method generally called an expansion / contraction method.

樹脂(C)のアルカリ現像液に対する加水分解速度は0.001nm/sec以上であることが好ましく、0.01nm/sec以上であることがより好ましく、0.1nm/sec以上であることが更に好ましく、1nm/sec以上であることが最も好ましい。   The hydrolysis rate of the resin (C) with respect to the alkaline developer is preferably 0.001 nm / sec or more, more preferably 0.01 nm / sec or more, and further preferably 0.1 nm / sec or more. Most preferably, it is 1 nm / sec or more.

ここで樹脂(C)のアルカリ現像液に対する加水分解速度は23℃のTMAH(テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液)(2.38質量%)に対して、樹脂(C)のみで樹脂膜を製膜した際の膜厚が減少する速度である。   Here, the hydrolysis rate of the resin (C) with respect to the alkaline developer was 23.degree. C. TMAH (tetramethylammonium hydroxide aqueous solution) (2.38 mass%), and the resin film was formed only with the resin (C). This is the rate at which the film thickness decreases.

本発明の樹脂(C)は、少なくとも2つ以上の極性変換基を有する繰り返し単位(c)を含有し、かつ、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂(C1)であることが好ましい。   The resin (C) of the present invention is preferably a resin (C1) containing a repeating unit (c) having at least two or more polar conversion groups and having at least one of a fluorine atom and a silicon atom. .

繰り返し単位(c)が少なくとも2つの極性変化基を有する場合、下記一般式(KY−1)で示す、2つの極性変化基を有する部分構造を有する基を有することが好ましい。なお、一般式(KY−1)で表される構造が、結合手を有さない場合は、該構造における任意の水素原子を少なくとも1つ除いた1価以上の基を有する基である。   When the repeating unit (c) has at least two polar changing groups, the repeating unit (c) preferably has a group having a partial structure having two polar changing groups represented by the following general formula (KY-1). Note that when the structure represented by the general formula (KY-1) does not have a bond, it is a group having a monovalent or higher valent group in which at least one arbitrary hydrogen atom in the structure is removed.

Figure 0005525777
Figure 0005525777

一般式(KY−1)において、
ky1、Rky4はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、エーテル基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミド基、又はアリール基を表す。或いは、Rky1、Rky4が同一の原子と結合して二重結合を形成していてもよく、例えばRky1、Rky4が同一の酸素原子と結合してカルボニル基の一部(=O)を形成してもよい。
In general formula (KY-1),
R ky1 and R ky4 are each independently a hydrogen atom, halogen atom, alkyl group, cycloalkyl group, carbonyl group, carbonyloxy group, oxycarbonyl group, ether group, hydroxyl group, cyano group, amide group, or aryl group Represents. Alternatively, R ky1 and R ky4 may be bonded to the same atom to form a double bond. For example, R ky1 and R ky4 are bonded to the same oxygen atom to form a part of a carbonyl group (= O). May be formed.

ky2、Rky3はそれぞれ独立して電子求引性基であるか、又はRky1とRky2が連結してラクトン環を形成するとともにRky3が電子求引性基である。形成するラクトン環として
は、前記(KA−1−1)〜(KA−1−17)の構造が好ましい。電子求引性基としては、前記式(KB−1)におけるY、Yと同様のものが挙げられ、好ましくはハロゲン原子、又は、−C(Rf1)(Rf2)−Rf3で表されるハロ(シクロ)アルキル基又はハロアリール基である。好ましくはRky3がハロゲン原子、又は、−C(Rf1)(Rf2)−Rf3で表されるハロ(シクロ)アルキル基又はハロアリール基であり、Rky2はRky1と連結してラクトン環を形成するか、ハロゲン原子を有さない電子求引性基である。
R ky2 and R ky3 are each independently an electron withdrawing group, or R ky1 and R ky2 are linked to form a lactone ring and R ky3 is an electron withdrawing group. As the lactone ring to be formed, the structures (KA-1-1) to (KA-1-17) are preferable. Examples of the electron withdrawing group include the same groups as Y 1 and Y 2 in the formula (KB-1), preferably a halogen atom or —C (R f1 ) (R f2 ) —R f3 . It is a halo (cyclo) alkyl group or a haloaryl group represented. Preferably R ky3 halogen atom, or, -C (R f1) (R f2) halo (cyclo) alkyl groups or haloaryl groups represented by -R f3, lactone ring R ky2 is linked to R ky1 Or an electron withdrawing group having no halogen atom.

ky1、Rky2、Rky4はそれぞれ互いに連結して単環又は多環構造を形成しても良い。 R ky1 , R ky2 and R ky4 may be connected to each other to form a monocyclic or polycyclic structure.

ky1、Rky4は具体的には式(KA−1)におけるZka1と同様の基が挙げられる。 Specific examples of R ky1 and R ky4 include the same groups as Z ka1 in formula (KA-1).

ky1とRky2が連結して形成するラクトン環としては、前記(KA−1−1)〜(KA−1−17)の構造が好ましい。電子求引性基としては、前記式(KB−1)におけるY、Yと同様のものが挙げられる。 As the lactone ring formed by linking R ky1 and R ky2 , the structures (KA-1-1) to (KA-1-17) are preferable. Examples of the electron withdrawing group include those similar to Y 1 and Y 2 in the formula (KB-1).

一般式(KY−1)で表される構造としては、下記一般式(KY−2)で示す構造であることがより好ましい。なお、一般式(KY−2)で表される構造は、該構造における任意の水素原子を少なくとも1つ除いた1価以上の基を有する基である。   The structure represented by the general formula (KY-1) is more preferably a structure represented by the following general formula (KY-2). Note that the structure represented by the general formula (KY-2) is a group having a monovalent or higher group obtained by removing at least one arbitrary hydrogen atom in the structure.

Figure 0005525777
Figure 0005525777

式(KY−2)中、
ky6〜Rky10は、各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロ
アルキル基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、エーテル基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミド基、又はアリール基を表す。
In formula (KY-2),
R ky6 to R ky10 are each independently a hydrogen atom, halogen atom, alkyl group, cycloalkyl group, carbonyl group, carbonyloxy group, oxycarbonyl group, ether group, hydroxyl group, cyano group, amide group, or aryl. Represents a group.

ky6〜Rky10は、2つ以上が互いに連結して単環又は多環構造を形成しても良い。 Two or more of R ky6 to R ky10 may be connected to each other to form a monocyclic or polycyclic structure.

ky5は電子求引性基を表す。電子求引性基は前記Y、Yにおけるものと同様のも
のが挙げられ、好ましくはハロゲン原子、又は、−C(Rf1)(Rf2)−Rf3で表されるハロ(シクロ)アルキル基又はハロアリール基である。
R ky5 represents an electron withdrawing group. Examples of the electron withdrawing group are the same as those described above for Y 1 and Y 2 , preferably a halogen atom or halo (cyclo) represented by —C (R f1 ) (R f2 ) —R f3. An alkyl group or a haloaryl group;

ky5〜Rky10は具体的には式(KA−1)におけるZka1と同様の基が挙げられる。 Specific examples of R ky5 to R ky10 include the same groups as Z ka1 in formula (KA-1).

式(KY−2)で表される構造は、下記一般式(KY−3)で示す部分構造であることがより好ましい。   The structure represented by the formula (KY-2) is more preferably a partial structure represented by the following general formula (KY-3).

Figure 0005525777
Figure 0005525777

式(KY−3)中、
ka1、nkaは各々前記一般式(KA−1)と同義である。Rky5は前記式(KY−2)と同義である。
kyはアルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。Lkyのアルキレン基としてはメチレン基、エチレン基等が挙げられる。Lkyは酸素原子又はメチレン基であることが好ましく、メチレン基であることが更に好ましい。
In formula (KY-3),
Z ka1 and nka each have the same meaning as in the general formula (KA-1). R ky5 is synonymous with the formula (KY-2).
L ky represents an alkylene group, an oxygen atom or a sulfur atom. Examples of the alkylene group for L ky include a methylene group and an ethylene group. L ky is preferably an oxygen atom or a methylene group, and more preferably a methylene group.

繰り返し単位(c)は、付加重合、縮合重合、付加縮合、等、重合により得られる繰り返し単位であれば限定されるものではないが、炭素−炭素2重結合の付加重合により得られる繰り返し単位であることが好ましい。例として、アクリレート系繰り返し単位(α位、β位に置換基を有する系統も含む)、スチレン系繰り返し単位(α位、β位に置換基を有する系統も含む)、ビニルエーテル系繰り返し単位、ノルボルネン系繰り返し単位、マレイン酸誘導体(マレイン酸無水物やその誘導体、マレイミド、等)の繰り返し単位、等を挙げることが出来、アクリレート系繰り返し単位、スチレン系繰り返し単位、ビニルエーテル系繰り返し単位、ノルボルネン系繰り返し単位が好ましく、アクリレート系繰り返し単位、ビニルエーテル系繰り返し単位、ノルボルネン系繰り返し単位がより好ましく、アクリレート系繰り返し単位が最も好ましい。
繰り返し単位(c)は、以下に示す部分構造を有する繰り返し単位であり得る。
The repeating unit (c) is not limited as long as it is a repeating unit obtained by polymerization such as addition polymerization, condensation polymerization, addition condensation, etc., but is a repeating unit obtained by addition polymerization of a carbon-carbon double bond. Preferably there is. Examples include acrylate-based repeating units (including those having substituents at the α-position and β-position), styrene-based repeating units (including those having substituents at the α-position and β-position), vinyl ether-based repeating units, norbornene-based Repeating units, maleic acid derivatives (maleic anhydride and derivatives thereof, maleimides, etc.), and the like, acrylate-based repeating units, styrene-based repeating units, vinyl ether-based repeating units, norbornene-based repeating units An acrylate-based repeating unit, a vinyl ether-based repeating unit, and a norbornene-based repeating unit are more preferable, and an acrylate-based repeating unit is most preferable.
The repeating unit (c) may be a repeating unit having the partial structure shown below.

Figure 0005525777
Figure 0005525777

一般式(cc)において、
は、それぞれ独立に、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタ
ン結合又はウレア結合を表し、好ましくはエステル結合を表す。
は、それぞれ独立に、鎖状若しくは環状アルキレン基を表し、好ましくは、炭素数1若しくは2のアルキレン基又は炭素数5〜10のシクロアルキレン基を表す。
Taは、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ニトリル基、ヒドロキシル基、アミド基、アリール基又は電子求引性基(前記一般式(KB−1)におけるY及びYとしての電子求引性基と同義である)を表し、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、電子求引性基を表し、更に好ましくは電子求引性基を表す。Taが複数個ある場合には、Ta同士が結合して、環を形成してもよい。
In general formula (cc),
Z 1 each independently represents a single bond, an ether bond, an ester bond, an amide bond, a urethane bond or a urea bond, and preferably represents an ester bond.
Z 2 each independently represents a chain or cyclic alkylene group, preferably an alkylene group having 1 or 2 carbon atoms or a cycloalkylene group having 5 to 10 carbon atoms.
Ta independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, a nitrile group, a hydroxyl group, an amide group, an aryl group, or an electron withdrawing group (as Y 1 and Y 2 in the general formula (KB-1)). And preferably represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an electron withdrawing group, and more preferably represents an electron withdrawing group. When there are a plurality of Ta, Tas may be bonded to form a ring.

0は、単結合又はm+1価の炭化水素基(好ましくは炭素数20以下)を表し、好
ましくは単結合を表す。L0としての単結合は、mが1の場合である。L0としてのm+1価の炭化水素基は、例えば、アルキレン基、シクロアルキレン基、フェニレン基、又は、これらの組み合わせから、任意の水素原子をm−1個除いたm+1価の炭化水素基を表す。kが2のとき、二つのL同士が結合して環を形成してもよい。
L 0 represents a single bond or an m + 1 valent hydrocarbon group (preferably having 20 or less carbon atoms), and preferably represents a single bond. The single bond as L 0 is when m is 1. The m + 1 valent hydrocarbon group as L 0 represents, for example, an m + 1 valent hydrocarbon group obtained by removing m-1 arbitrary hydrogen atoms from an alkylene group, a cycloalkylene group, a phenylene group, or a combination thereof. . when k is 2, it may form a ring by bonding to each other two L o.

Lは、それぞれ独立に、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はエーテル基を表す。 Tcは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ニトリル基、ヒドロキシル基、アミド基、アリール基又は電子求引性基(前記一般式(KB−1)におけるY及びYとしての電子求引性基と同義である)を表す。 L each independently represents a carbonyl group, a carbonyloxy group or an ether group. Tc is a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a nitrile group, a hydroxyl group, an amide group, an aryl group or an electron withdrawing group (electron withdrawing as Y 1 and Y 2 in the general formula (KB-1)) It is synonymous with a sex group.

*は、樹脂の主鎖又は側鎖への結合手を表す。すなわち、式(cc)で表される部分構造が主鎖に直結していてもよいし、樹脂の側鎖に、式(cc)で表される部分構造が結合していてもよい。なお、主鎖への結合手とは、主鎖を構成する結合中に存在する原子への結合手であり、側鎖への結合手とは、主鎖を構成する結合中以外に存在する原子への結合手である。   * Represents a bond to the main chain or side chain of the resin. That is, the partial structure represented by the formula (cc) may be directly bonded to the main chain, or the partial structure represented by the formula (cc) may be bonded to the side chain of the resin. The bond to the main chain is a bond to an atom existing in the bond constituting the main chain, and the bond to the side chain is an atom existing outside the bond constituting the main chain. Is a bond to the hand.

mは、0〜28の整数を表し、好ましくは1〜3の整数であり、更に好ましくは1である。
kは、0〜2の整数を表し、好ましくは1である。
qは、0〜5の整数を表し、好ましくは0〜2である。
rは、0〜5の整数を表す。
なお、−(L)r−Tcの代わりに、−L0−(Ta)mが置換していてもよい。
糖ラクトンの末端にフッ素原子を有する場合、そして同一繰り返し単位内の糖ラクトン側の側鎖と異なる側鎖上にフッ素原子を有する場合(繰り返し単位(c“))も好ましい。
m represents an integer of 0 to 28, preferably an integer of 1 to 3, and more preferably 1.
k represents an integer of 0 to 2, and is preferably 1.
q represents the integer of 0-5, Preferably it is 0-2.
r represents an integer of 0 to 5.
In addition, -L 0- (Ta) m may be substituted instead of-(L) r-Tc.
The case where the sugar lactone has a fluorine atom at the terminal and the case where the sugar lactone has a fluorine atom on a side chain different from the side chain on the sugar lactone side in the same repeating unit (repeating unit (c ")) are also preferable.

繰り返し単位(c)のより具体的な構造としては、以下に示す部分構造を有する繰り返し単位が好ましい。   The more specific structure of the repeating unit (c) is preferably a repeating unit having the partial structure shown below.

Figure 0005525777
Figure 0005525777

一般式(ca−2)及び(cb−2)において、
、Z、Tc、Ta、L、q及びrは、一般式(cc)における各々と同義である。
In general formulas (ca-2) and (cb-2),
Z 1 , Z 2 , Tc, Ta, L, q and r have the same meanings as in the general formula (cc).

Tbは、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ニトリル基、ヒドロキシル基、アミド基、アリール基又は電子求引性基(前記一般式(KB−1)におけるY及びYとしての電子求引性基と同義である)を表す。 Tb independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, a nitrile group, a hydroxyl group, an amide group, an aryl group, or an electron withdrawing group (as Y 1 and Y 2 in the general formula (KB-1)). It is synonymous with the electron withdrawing group.

*は、樹脂の主鎖又は側鎖への結合手を表す。すなわち、式(ca−2)又は(cb−2)で表される部分構造が主鎖に直結していてもよいし、樹脂の側鎖に、式(ca−2)又は(cb−2)で表される部分構造が結合していてもよい。   * Represents a bond to the main chain or side chain of the resin. That is, the partial structure represented by the formula (ca-2) or (cb-2) may be directly connected to the main chain, or the side chain of the resin may have the formula (ca-2) or (cb-2) The partial structure represented by may be combined.

mは、1〜28の整数を表し、好ましくは1〜3の整数であり、より好ましくは1である。   m represents an integer of 1 to 28, preferably an integer of 1 to 3, and more preferably 1.

nは、0〜11の整数を表し、好ましくは0〜5の整数であり、より好ましくは1又は2である。
pは、0〜5の整数を表し、好ましくは0〜3の整数であり、より好ましくは1又は2である。
n represents an integer of 0 to 11, preferably an integer of 0 to 5, and more preferably 1 or 2.
p represents an integer of 0 to 5, preferably an integer of 0 to 3, and more preferably 1 or 2.

Figure 0005525777
Figure 0005525777

一般式(2)に於いて、
2は、鎖状若しくは環状アルキレン基を表し、複数個ある場合は、同じでも異なって
いてもよい。
3は、構成炭素上の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換され、直鎖状、分岐
状又は環状の炭化水素基を示す。
4は、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシ基、アミド基、アルキル基、シクロアル
キル基、アルコキシ基、フェニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、又はR−C(=O)−若しくはR−C(=O) O−で表される基(Rは、アルキル基若しくはシクロア
ルキル基を表す。)を表す。R4が複数個ある場合は、同じでも異なっていてもよく、ま
た、2つ以上のR4が結合し、環を形成していても良い。
In general formula (2),
R 2 represents a chain or cyclic alkylene group, and when there are a plurality of R 2 groups, they may be the same or different.
R 3 represents a linear, branched or cyclic hydrocarbon group in which part or all of the hydrogen atoms on the constituent carbons are substituted with fluorine atoms.
R 4 is a halogen atom, cyano group, hydroxy group, amide group, alkyl group, cycloalkyl group, alkoxy group, phenyl group, acyl group, alkoxycarbonyl group, or R—C (═O) — or R—C ( = O) A group represented by O- (R represents an alkyl group or a cycloalkyl group). When there are a plurality of R 4 s , they may be the same or different, and two or more R 4 may be bonded to form a ring.

Xは、アルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。
Zは、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表し、複数ある場合は、同じでも異なっていてもよい。
*は、樹脂の主鎖への結合手を表す。
nは、繰り返し数を表し、0〜5の整数を表す。
mは、置換基数であって、0〜7の整数を表す。
−R−Z−の構造として好ましくは、−(CH)−COO−で表される構造が好ましい(lは1〜5の整数を表す)。
以下に、塩基存在下において水に対する親和性が向上する基を有する繰り返し単位の具体例を示す。
Raは水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表す。
X represents an alkylene group, an oxygen atom, or a sulfur atom.
Z represents a single bond, an ether bond, an ester bond, an amide bond, a urethane bond or a urea bond, and when there are a plurality thereof, they may be the same or different.
* Represents a bond to the main chain of the resin.
n represents the number of repetitions and represents an integer of 0 to 5.
m is the number of substituents and represents an integer of 0 to 7.
The structure represented by —R 2 —Z— is preferably a structure represented by — (CH 2 ) 1 —COO— (l represents an integer of 1 to 5).
Specific examples of the repeating unit having a group that improves the affinity for water in the presence of a base are shown below.
Ra represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.

Figure 0005525777
Figure 0005525777

Figure 0005525777
Figure 0005525777

Figure 0005525777
Figure 0005525777

Figure 0005525777
Figure 0005525777

Figure 0005525777
Figure 0005525777

式中、R1bは水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。アルキル基は置換基としてフッ素原子、又はヒドロキシ基を有していてもよい。R7は水素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状又は分岐状のアルキル基、又はシクロア
ルキル基を示す。Rとしてのアルキル基、シクロアルキル基は、それぞれ置換基としてフッ素原子を有していてもよい。
In the formula, R 1b represents a hydrogen atom, a fluorine atom, or a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. The alkyl group may have a fluorine atom or a hydroxy group as a substituent. R 7 represents a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or a cycloalkyl group. The alkyl group and cycloalkyl group as R 7 may each have a fluorine atom as a substituent.

アルカリ現像液中での溶解度が増大する基(y)を有する繰り返し単位の含有量は、ポリマー中の全繰り返し単位に対し、1〜40mol%が好ましく、より好ましくは3〜30mol%、更に好ましくは5〜15mol%である。
塩基存在下において水に対する親和性が向上する基を有する繰り返し単位の含有量は、ポリマー中の全繰り返し単位に対し、1〜50mol%が好ましく、より好ましくは3〜35mol%、更に好ましくは5〜20mol%である。
The content of the repeating unit having a group (y) whose solubility in an alkali developer is increased is preferably 1 to 40 mol%, more preferably 3 to 30 mol%, still more preferably based on all repeating units in the polymer. 5 to 15 mol%.
The content of the repeating unit having a group that improves the affinity for water in the presence of a base is preferably 1 to 50 mol%, more preferably 3 to 35 mol%, and still more preferably 5 to 5 mol%, based on all repeating units in the polymer. 20 mol%.

疎水性樹脂(HR)は、更に(z)酸の作用により分解する基を有していてもよい。
疎水性樹脂(HR)に於ける、酸の作用により分解する基(z)を有する繰り返し単位は、(B)成分の樹脂で挙げた酸分解性基を有する繰り返し単位と同様のものに加え、下記具体例が挙げられる。
The hydrophobic resin (HR) may further have (z) a group that decomposes by the action of an acid.
In the hydrophobic resin (HR), the repeating unit having a group (z) that is decomposed by the action of an acid is the same as the repeating unit having an acid-decomposable group listed for the resin of the component (B), Specific examples are given below.

Figure 0005525777
Figure 0005525777

疎水性樹脂(HR)に於ける、酸の作用により分解する基(z)を有する繰り返し単位の含有量は、ポリマー中の全繰り返し単位に対し、1〜80mol%が好ましく、より好ましくは10〜80mol%、更に好ましくは20〜60mol%である。   In the hydrophobic resin (HR), the content of the repeating unit having a group (z) that is decomposed by the action of an acid is preferably 1 to 80 mol%, more preferably 10 to 10%, based on all repeating units in the polymer. 80 mol%, more preferably 20 to 60 mol%.

疎水性樹脂(HR)は、更に、下記一般式(CIII)で表される繰り返し単位を有していてもよい。

Figure 0005525777
The hydrophobic resin (HR) may further have a repeating unit represented by the following general formula (CIII).
Figure 0005525777

一般式(CIII)に於いて、
c31は、水素原子、フッ素原子で置換されていても良いアルキル基、シアノ基又は−
CH2−O−Rac2基を表す。式中、Rac2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表
す。Rc31は、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ま
しく、水素原子、メチル基が特に好ましい。
c32は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基を有す
る基を表す。これら基はフッ素原子、珪素原子で置換されていても良い。
c3は、単結合又は2価の連結基を表す。
In general formula (CIII):
R c31 represents a hydrogen atom, an alkyl group optionally substituted with a fluorine atom, a cyano group, or —
It represents a CH 2 -O-Rac 2 group. Wherein, Rac 2 represents a hydrogen atom, an alkyl group or an acyl group. R c31 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group or a trifluoromethyl group, particularly preferably a hydrogen atom or a methyl group.
R c32 represents a group having an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, or a cycloalkenyl group. These groups may be substituted with a fluorine atom or a silicon atom.
L c3 represents a single bond or a divalent linking group.

一般式(CIII)に於ける、Rc32のアルキル基は、炭素数3〜20の直鎖若しくは
分岐状アルキル基が好ましい。
シクロアルキル基は、炭素数3〜20のシクロアルキル基が好ましい。
アルケニル基は、炭素数3〜20のアルケニル基が好ましい。
シクロアルケニル基は、炭素数3〜20のシクロアルケニル基が好ましい。
In general formula (CIII), the alkyl group represented by R c32 is preferably a linear or branched alkyl group having 3 to 20 carbon atoms.
The cycloalkyl group is preferably a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms.
The alkenyl group is preferably an alkenyl group having 3 to 20 carbon atoms.
The cycloalkenyl group is preferably a cycloalkenyl group having 3 to 20 carbon atoms.

c32は無置換のアルキル基又はフッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。
c3の2価の連結基は、エステル基、アルキレン基(好ましくは炭素数1〜5)、オキシ基、フェニレン基、エステル結合(−COO−で表される基)が好ましい。
R c32 is preferably an unsubstituted alkyl group or an alkyl group substituted with a fluorine atom.
The divalent linking group of L c3 is preferably an ester group, an alkylene group (preferably having a carbon number of 1 to 5), an oxy group, a phenylene group, or an ester bond (a group represented by —COO—).

疎水性樹脂(HR)がフッ素原子を有する場合、フッ素原子の含有量は、疎水性樹脂(HRC)の分子量に対し、5〜80質量%であることが好ましく、10〜80質量%であることがより好ましい。また、フッ素原子を含む繰り返し単位が、疎水性樹脂(HR)中10〜100質量%であることが好ましく、30〜100質量%であることがより好ましい。
疎水性樹脂(HR)が珪素原子を有する場合、珪素原子の含有量は、疎水性樹脂(HR)の分子量に対し、2〜50質量%であることが好ましく、2〜30質量%であることがより好ましい。また、珪素原子を含む繰り返し単位は、疎水性樹脂(HR)中10〜100質量%であることが好ましく、20〜100質量%であることがより好ましい。
When the hydrophobic resin (HR) has a fluorine atom, the fluorine atom content is preferably 5 to 80% by mass, and preferably 10 to 80% by mass with respect to the molecular weight of the hydrophobic resin (HRC). Is more preferable. Moreover, it is preferable that the repeating unit containing a fluorine atom is 10-100 mass% in hydrophobic resin (HR), and it is more preferable that it is 30-100 mass%.
When the hydrophobic resin (HR) has a silicon atom, the content of the silicon atom is preferably 2 to 50% by mass, and 2 to 30% by mass with respect to the molecular weight of the hydrophobic resin (HR). Is more preferable. Moreover, it is preferable that it is 10-100 mass% in a hydrophobic resin (HR), and, as for the repeating unit containing a silicon atom, it is more preferable that it is 20-100 mass%.

疎水性樹脂(HR)の標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は、好ましくは1,000〜100,000で、より好ましくは1,000〜50,000、更により好ましくは2,000〜15,000である。   The weight average molecular weight of the hydrophobic resin (HR) in terms of standard polystyrene is preferably 1,000 to 100,000, more preferably 1,000 to 50,000, and still more preferably 2,000 to 15,000. is there.

疎水性樹脂(HR)は、樹脂(B)同様、金属等の不純物が少ないのは当然のことながら、残留単量体やオリゴマー成分が0〜10質量%であることが好ましく、より好ましくは0〜5質量%、0〜1質量%が更により好ましい。それにより、液中異物や感度等の経時変化のない感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が得られる。また、解像度、パターン形状、パターンの側壁、ラフネスなどの点から、分子量分布(Mw/Mn、分散度ともいう)は、1〜5の範囲が好ましく、より好ましくは1〜3、更に好ましくは1〜2の範囲である。   The hydrophobic resin (HR), like the resin (B), naturally has few impurities such as metals, and the residual monomer or oligomer component is preferably 0 to 10% by mass, more preferably 0. -5 mass%, 0-1 mass% is still more preferable. As a result, an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition that does not change over time such as foreign matter in liquid or sensitivity can be obtained. The molecular weight distribution (Mw / Mn, also referred to as dispersity) is preferably in the range of 1 to 5, more preferably 1 to 3, and still more preferably 1 in terms of resolution, pattern shape, pattern sidewall, roughness, and the like. It is the range of ~ 2.

疎水性樹脂(HR)は、市販されている場合は、各種市販品を利用することもできるし、前述の樹脂(B)と同様、常法に従って(例えばラジカル重合)合成、精製することができる。   In the case where the hydrophobic resin (HR) is commercially available, various commercially available products can be used, and in the same manner as the resin (B) described above, it can be synthesized and purified according to a conventional method (for example, radical polymerization). .

以下に疎水性樹脂(HR)の具体例を示す。また、下記表1に、各樹脂における繰り返し単位のモル比(各繰り返し単位と左から順に対応)、重量平均分子量、分散度を示す。   Specific examples of the hydrophobic resin (HR) are shown below. Table 1 below shows the molar ratio of the repeating units in each resin (corresponding to each repeating unit in order from the left), the weight average molecular weight, and the degree of dispersion.

Figure 0005525777
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Figure 0005525777
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Figure 0005525777
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樹脂(C)は1種類単独又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。   Resin (C) can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

〔5〕溶剤
前記各成分を溶解させて本発明の組成物を調製する際に使用することができる溶剤としては、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、環状ラクトン(好ましくは炭素数4〜10)、環を含有しても良いモノケトン化合物(好ましくは炭素数4〜10)、アルキレンカーボネート、アルコキシ酢酸アルキル、ピルビン酸アルキル等の有機溶剤を挙げることができる。
[5] Solvent Examples of the solvent that can be used in preparing the composition of the present invention by dissolving the above components include alkylene glycol monoalkyl ether carboxylate, alkylene glycol monoalkyl ether, alkyl lactate ester, Organic solvents such as alkyl alkoxypropionates, cyclic lactones (preferably having 4 to 10 carbon atoms), monoketone compounds that may contain rings (preferably having 4 to 10 carbon atoms), alkylene carbonates, alkyl alkoxyacetates, alkyl pyruvates, etc. Can be mentioned.

アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテートが好ましく挙げられる。   Examples of the alkylene glycol monoalkyl ether carboxylate include propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether propionate, propylene glycol monoethyl Preferred examples include ether propionate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, and ethylene glycol monoethyl ether acetate.

アルキレングリコールモノアルキルエーテルとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルを好ましく挙げられる。   Preferred examples of the alkylene glycol monoalkyl ether include propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, and ethylene glycol monoethyl ether.

乳酸アルキルエステルとしては、例えば、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチルを好ましく挙げられる。
アルコキシプロピオン酸アルキルとしては、例えば、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチルを好ましく挙げられる。
Preferred examples of the alkyl lactate include methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactate and butyl lactate.
Preferable examples of the alkyl alkoxypropionate include ethyl 3-ethoxypropionate, methyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, and ethyl 3-methoxypropionate.

環状ラクトンとしては、例えば、β−プロピオラクトン、β−ブチロラクトン、γ−ブチロラクトン、α−メチル−γ−ブチロラクトン、β−メチル−γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、γ−カプロラクトン、γ−オクタノイックラクトン、α−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトンが好ましく挙げられる。   Examples of the cyclic lactone include β-propiolactone, β-butyrolactone, γ-butyrolactone, α-methyl-γ-butyrolactone, β-methyl-γ-butyrolactone, γ-valerolactone, γ-caprolactone, and γ-octano. Preferred are iclactone and α-hydroxy-γ-butyrolactone.

環を含有しても良いモノケトン化合物としては、例えば、2−ブタノン、3−メチルブタノン、ピナコロン、2−ペンタノン、3−ペンタノン、3−メチル−2−ペンタノン、4−メチル−2−ペンタノン、2−メチル−3−ペンタノン、4,4−ジメチル−2−ペンタノン、2,4−ジメチル−3−ペンタノン、2,2,4,4−テトラメチル−3−ペンタノン、2−ヘキサノン、3−ヘキサノン、5−メチル−3−ヘキサノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、2−メチル−3−ヘプタノン、5−メチル−3−ヘプタノン、2,6−ジメチル−4−ヘプタノン、2−オクタノン、3−オクタノン、2−ノナノン、3−ノナノン、5−ノナノン、2−デカノン、3−デカノン、4−デカノン、5−ヘキセン−2−オン、3−ペンテン−2−オン、シクロペンタノン、2−メチルシクロペンタノン、3−メチルシクロペンタノン、2,2−ジメチルシクロペンタノン、2,4,4−トリメチルシクロペンタノン、シクロヘキサノン、3−メチルシクロヘキサノン、4−メチルシクロヘキサノン、4−エチルシクロヘキサノン、2,2−ジメチルシクロヘキサノン、2,6−ジメチルシクロヘキサノン、2,2,6−トリメチルシクロヘキサノン、シクロヘプタノン、2−メチルシクロヘプタノン、3−メチルシクロヘプタノンが好ましく挙げられる。   Examples of the monoketone compound which may contain a ring include 2-butanone, 3-methylbutanone, pinacolone, 2-pentanone, 3-pentanone, 3-methyl-2-pentanone, 4-methyl-2-pentanone, 2 -Methyl-3-pentanone, 4,4-dimethyl-2-pentanone, 2,4-dimethyl-3-pentanone, 2,2,4,4-tetramethyl-3-pentanone, 2-hexanone, 3-hexanone, 5-methyl-3-hexanone, 2-heptanone, 3-heptanone, 4-heptanone, 2-methyl-3-heptanone, 5-methyl-3-heptanone, 2,6-dimethyl-4-heptanone, 2-octanone, 3-octanone, 2-nonanone, 3-nonanone, 5-nonanone, 2-decanone, 3-decanone, 4-decanone, 5-hexen-2-one, -Penten-2-one, cyclopentanone, 2-methylcyclopentanone, 3-methylcyclopentanone, 2,2-dimethylcyclopentanone, 2,4,4-trimethylcyclopentanone, cyclohexanone, 3-methyl Cyclohexanone, 4-methylcyclohexanone, 4-ethylcyclohexanone, 2,2-dimethylcyclohexanone, 2,6-dimethylcyclohexanone, 2,2,6-trimethylcyclohexanone, cycloheptanone, 2-methylcycloheptanone, 3-methylcyclo A preferred example is heptanone.

アルキレンカーボネートとしては、例えば、プロピレンカーボネート、ビニレンカーボネート、エチレンカーボネート、ブチレンカーボネートが好ましく挙げられる。
アルコキシ酢酸アルキルとしては、例えば、酢酸−2−メトキシエチル、酢酸−2−エトキシエチル、酢酸−2−(2−エトキシエトキシ)エチル、酢酸−3−メトキシ−3−メチルブチル、酢酸−1−メトキシ−2−プロピルが好ましく挙げられる。
Preferred examples of the alkylene carbonate include propylene carbonate, vinylene carbonate, ethylene carbonate, and butylene carbonate.
Examples of the alkyl alkoxyacetate include 2-methoxyethyl acetate, 2-ethoxyethyl acetate, 2- (2-ethoxyethoxy) ethyl acetate, 3-methoxy-3-methylbutyl acetate, and 1-methoxy-acetate. 2-propyl is preferred.

ピルビン酸アルキルとしては、例えば、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピルが好ましく挙げられる。
好ましく使用できる溶剤としては、常温常圧下で、沸点130℃以上の溶剤が挙げられ
る。具体的には、シクロペンタノン、γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノン、乳酸エチル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、3−エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸−2−エトキシエチル、酢酸−2−(2−エトキシエトキシ)エチル、プロピレンカーボネートが挙げられる。
本発明に於いては、上記溶剤を単独で使用してもよいし、2種類以上を併用してもよい。
Preferred examples of the alkyl pyruvate include methyl pyruvate, ethyl pyruvate, and propyl pyruvate.
As a solvent which can be preferably used, a solvent having a boiling point of 130 ° C. or higher under normal temperature and normal pressure can be mentioned. Specifically, cyclopentanone, γ-butyrolactone, cyclohexanone, ethyl lactate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl 3-ethoxypropionate, ethyl pyruvate, 2-ethoxyethyl acetate, acetic acid -2- (2-ethoxyethoxy) ethyl and propylene carbonate are mentioned.
In the present invention, the above solvents may be used alone or in combination of two or more.

本発明においては、有機溶剤として構造中に水酸基等を含有するプロトン性溶剤を使用しないことが好ましいが、水酸基を含有する溶剤と、水酸基を含有しない溶剤とを混合した混合溶剤を使用してもよい。   In the present invention, it is preferable not to use a protic solvent containing a hydroxyl group or the like in the structure as the organic solvent, but a mixed solvent in which a solvent containing a hydroxyl group and a solvent not containing a hydroxyl group are used may be used. Good.

水酸基を含有する溶剤としては、例えば、エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、乳酸エチル等を挙げることができ、これらの内でプロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチルが特に好ましい。   Examples of the solvent containing a hydroxyl group include ethylene glycol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, ethyl lactate, and the like. Particularly preferred are propylene glycol monomethyl ether and ethyl lactate.

水酸基を含有しない溶剤としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチル、N−メチルピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等を挙げることができ、これらの内で、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチルが特に好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2−ヘプタノンが最も好ましい。   Examples of the solvent not containing a hydroxyl group include propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl ethoxypropionate, 2-heptanone, γ-butyrolactone, cyclohexanone, butyl acetate, N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide and the like. Among these, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl ethoxypropionate, 2-heptanone, γ-butyrolactone, cyclohexanone, and butyl acetate are particularly preferred, and propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl ethoxypropionate. 2-heptanone is most preferred.

水酸基を含有する溶剤と水酸基を含有しない溶剤との混合比(質量)は、0/100〜99/1、好ましくは0/100〜80/20、更に好ましくは0/100〜60/40である。水酸基を含有しない溶剤を50質量%以上含有する混合溶剤が塗布均一性の点で特に好ましい。   The mixing ratio (mass) of the solvent containing a hydroxyl group and the solvent not containing a hydroxyl group is 0/100 to 99/1, preferably 0/100 to 80/20, more preferably 0/100 to 60/40. . A mixed solvent containing 50% by mass or more of a solvent not containing a hydroxyl group is particularly preferred from the viewpoint of coating uniformity.

〔6〕塩基性化合物
本発明の組成物は、露光から加熱までの経時による性能変化を低減するために、塩基性化合物を含有することが好ましい。
塩基性化合物としては、好ましくは、下記式(A)〜(E)で示される構造を有する化合物を挙げることができる。
[6] Basic compound The composition of the present invention preferably contains a basic compound in order to reduce the change in performance over time from exposure to heating.
Preferred examples of the basic compound include compounds having structures represented by the following formulas (A) to (E).

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一般式(A)及び(E)中、
200 、R201及びR202 は、同一でも異なってもよく、水素原子、アルキル基(好ま
しくは炭素数1〜20)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜20)又はアリール基(炭素数6〜20)を表し、ここで、R201とR202は、互いに結合して環を形成してもよい。R203、R204、R205及びR206 は、同一でも異なってもよく、炭素数1〜20個
のアルキル基を表す。
In general formulas (A) and (E),
R 200 , R 201 and R 202 may be the same or different, and are a hydrogen atom, an alkyl group (preferably having 1 to 20 carbon atoms), a cycloalkyl group (preferably having 3 to 20 carbon atoms) or an aryl group (having a carbon number). 6-20), wherein R 201 and R 202 may combine with each other to form a ring. R 203 , R 204 , R 205 and R 206 may be the same or different and each represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.

上記アルキル基について、置換基を有するアルキル基としては、炭素数1〜20のアミノアルキル基、炭素数1〜20のヒドロキシアルキル基、又は炭素数1〜20のシアノアルキル基が好ましい。   About the said alkyl group, as an alkyl group which has a substituent, a C1-C20 aminoalkyl group, a C1-C20 hydroxyalkyl group, or a C1-C20 cyanoalkyl group is preferable.

これら一般式(A)及び(E)中のアルキル基は、無置換であることがより好ましい。   The alkyl groups in the general formulas (A) and (E) are more preferably unsubstituted.

好ましい化合物として、グアニジン、アミノピロリジン、ピラゾール、ピラゾリン、ピペラジン、アミノモルホリン、アミノアルキルモルフォリン、ピペリジン等を挙げることができ、更に好ましい化合物として、イミダゾール構造、ジアザビシクロ構造、オニウムヒドロキシド構造、オニウムカルボキシレート構造、トリアルキルアミン構造、アニリン構造又はピリジン構造を有する化合物、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体等を挙げることができる。   Preferred compounds include guanidine, aminopyrrolidine, pyrazole, pyrazoline, piperazine, aminomorpholine, aminoalkylmorpholine, piperidine and the like, and more preferred compounds include imidazole structure, diazabicyclo structure, onium hydroxide structure, onium carboxylate Examples thereof include a compound having a structure, a trialkylamine structure, an aniline structure or a pyridine structure, an alkylamine derivative having a hydroxyl group and / or an ether bond, and an aniline derivative having a hydroxyl group and / or an ether bond.

イミダゾール構造を有する化合物としてはイミダゾール、2、4、5−トリフェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール、2−フェニルベンゾイミダゾール等が挙げられる。ジアザビシクロ構造を有する化合物としては1、4−ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン、1、5−ジアザビシクロ[4,3,0]ノナ−5−エン、1、8−ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデカー7−エン等が挙げられる。オニウムヒドロキシド構造を有する化合物としてはテトラブチルアンモニウムヒドロキシド、トリアリールスルホニウムヒドロキシド、フェナシルスルホニウムヒドロキシド、2−オキソアルキル基を有するスルホニウムヒドロキシド、具体的にはトリフェニルスルホニウムヒドロキシド、トリス(t−ブチルフェニル)スルホニウムヒドロキシド、ビス(t−ブチルフェニル)ヨードニウムヒドロキシド、フェナシルチオフェニウムヒドロキシド、2−オキソプロピルチオフェニウムヒドロキシド等が挙げられる。オニウムカルボキシレート構造を有する化合物としてはオニウムヒドロキシド構造を有する化合物のアニオン部がカルボキシレートになったものであり、例えばアセテート、アダマンタンー1−カルボキシレート、パーフロロアルキルカルボキシレート等が挙げられる。トリアルキルアミン構造を有する化合物としては、トリ(n−ブチル)アミン、トリ(n−オクチル)アミン等を挙げることができる。アニリン化合物としては、2,6−ジイソプロピルアニリン、N,N−ジメチルアニリン、N,N−ジブチルアニリン、N,N−ジヘキシルアニリン等を挙げることができる。水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、N−フェニルジエタノールアミン、トリス(メトキシエトキシエチル)アミン等を挙げることができる。水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体としては、N,N−ビス(ヒドロキシエチル)アニリン等を挙げることができる。   Examples of the compound having an imidazole structure include imidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, benzimidazole, and 2-phenylbenzimidazole. Examples of the compound having a diazabicyclo structure include 1,4-diazabicyclo [2,2,2] octane, 1,5-diazabicyclo [4,3,0] non-5-ene, and 1,8-diazabicyclo [5,4,0. ] Undecar 7-ene etc. are mentioned. Examples of the compound having an onium hydroxide structure include tetrabutylammonium hydroxide, triarylsulfonium hydroxide, phenacylsulfonium hydroxide, sulfonium hydroxide having a 2-oxoalkyl group, specifically, triphenylsulfonium hydroxide, tris ( and t-butylphenyl) sulfonium hydroxide, bis (t-butylphenyl) iodonium hydroxide, phenacylthiophenium hydroxide, 2-oxopropylthiophenium hydroxide, and the like. As the compound having an onium carboxylate structure, an anion portion of the compound having an onium hydroxide structure is converted to a carboxylate, and examples thereof include acetate, adamantane-1-carboxylate, and perfluoroalkylcarboxylate. Examples of the compound having a trialkylamine structure include tri (n-butyl) amine and tri (n-octyl) amine. Examples of the aniline compound include 2,6-diisopropylaniline, N, N-dimethylaniline, N, N-dibutylaniline, N, N-dihexylaniline and the like. Examples of the alkylamine derivative having a hydroxyl group and / or an ether bond include ethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, N-phenyldiethanolamine, and tris (methoxyethoxyethyl) amine. Examples of aniline derivatives having a hydroxyl group and / or an ether bond include N, N-bis (hydroxyethyl) aniline.

好ましい塩基性化合物として、更に、フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物を挙げることができる。   Preferred examples of the basic compound further include an amine compound having a phenoxy group, an ammonium salt compound having a phenoxy group, an amine compound having a sulfonic acid ester group, and an ammonium salt compound having a sulfonic acid ester group.

アミン化合物は、1級、2級、3級のアミン化合物を使用することができ、少なくとも1つのアルキル基が窒素原子に結合しているアミン化合物が好ましい。アミン化合物は、3級アミン化合物であることがより好ましい。アミン化合物は、少なくとも1つのアルキル基(好ましくは炭素数1〜20)が窒素原子に結合していれば、アルキル基の他に、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜20)又はアリール基(好ましくは炭素数6〜12)が窒素原子に結合していてもよい。アミン化合物は、アルキル鎖中に、酸素原子を有し、オキシアルキレン基が形成されていることが好ましい。オキシアルキレン基の数は、分子内に1つ以上、好ましくは3〜9個、更に好ましくは4〜6個である。オキシアルキレン基の中でもオキシエチレン基(−CH2CH2O−)若しくはオキシプロピレン基(−CH(CH3)CH2O−若しくは−CH2CH2CH2O−)が好ましく、更に好ましくはオキシエチレン基である。 As the amine compound, a primary, secondary or tertiary amine compound can be used, and an amine compound in which at least one alkyl group is bonded to a nitrogen atom is preferable. The amine compound is more preferably a tertiary amine compound. As long as at least one alkyl group (preferably having 1 to 20 carbon atoms) is bonded to a nitrogen atom, the amine compound has an cycloalkyl group (preferably having 3 to 20 carbon atoms) or an aryl group (preferably having 3 to 20 carbon atoms). Preferably C6-C12) may be bonded to a nitrogen atom. The amine compound preferably has an oxygen atom in the alkyl chain and an oxyalkylene group is formed. The number of oxyalkylene groups is 1 or more, preferably 3 to 9, more preferably 4 to 6 in the molecule. Among the oxyalkylene groups, an oxyethylene group (—CH 2 CH 2 O—) or an oxypropylene group (—CH (CH 3 ) CH 2 O— or —CH 2 CH 2 CH 2 O—) is preferable, and more preferably oxy Ethylene group.

アンモニウム塩化合物は、1級、2級、3級、4級のアンモニウム塩化合物を使用することができ、少なくとも1つのアルキル基が窒素原子に結合しているアンモニウム塩化合物が好ましい。アンモニウム塩化合物は、少なくとも1つのアルキル基(好ましくは炭素数1〜20)が窒素原子に結合していれば、アルキル基の他に、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜20)又はアリール基(好ましくは炭素数6〜12)が窒素原子に結合していてもよい。アンモニウム塩化合物は、アルキル鎖中に、酸素原子を有し、オキシアルキレン基が形成されていることが好ましい。オキシアルキレン基の数は、分子内に1つ以上、好ましくは3〜9個、更に好ましくは4〜6個である。オキシアルキレン基の中でもオキシエチレン基(−CH2CH2O−)若しくはオキシプロピレン基(−CH(CH3)CH2O−若しくは−CH2CH2CH2O−)が好ましく、更に好ましくはオキシエチレン基である。 アンモニウム塩化合物のアニオンとしては、ハロゲン原子、スルホネート、ボレート、フォスフェート等が挙げられるが、中でもハロゲン原子、スルホネートが好ましい。ハロゲン原子としてはクロライド、ブロマイド、アイオダイドが特に好ましく、スルホネートとしては、炭素数1〜20の有機スルホネートが特に好ましい。有機スルホネートとしては、炭素数1〜20のアルキルスルホネート、アリールスルホネートが挙げられる。アルキルスルホネートのアルキル基は置換基を有していてもよく、置換基としては例えばフッ素、塩素、臭素、アルコキシ基、アシル基、アリール基等が挙げられる。アルキルスルホネートとして、具体的にはメタンスルホネート、エタンスルホネート、ブタンスルホネート、ヘキサンスルホネート、オクタンスルホネート、ベンジルスルホネート、トリフルオロメタンスルホネート、ペンタフルオロエタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート等が挙げられる。アリールスルホネートのアリール基としてはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環が挙げられる。ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環は置換基を有していてもよく、置換基としては炭素数1〜6の直鎖若しくは分岐アルキル基、炭素数3〜6のシクロアルキル基が好ましい。直鎖若しくは分岐アルキル基、シクロアルキル基として、具体的にはメチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、i−ブチル、t−ブチル、n−ヘキシル、シクロヘキシル等が挙げられる。他の置換基としては炭素数1〜6のアルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ、ニトロ、アシル基、アシロキシ基等が挙げられる。 As the ammonium salt compound, a primary, secondary, tertiary, or quaternary ammonium salt compound can be used, and an ammonium salt compound in which at least one alkyl group is bonded to a nitrogen atom is preferable. As long as at least one alkyl group (preferably having 1 to 20 carbon atoms) is bonded to a nitrogen atom, the ammonium salt compound has a cycloalkyl group (preferably having 3 to 20 carbon atoms) or an aryl group in addition to the alkyl group. (Preferably having 6 to 12 carbon atoms) may be bonded to a nitrogen atom. The ammonium salt compound preferably has an oxygen atom in the alkyl chain and an oxyalkylene group is formed. The number of oxyalkylene groups is 1 or more, preferably 3 to 9, more preferably 4 to 6 in the molecule. Among the oxyalkylene groups, an oxyethylene group (—CH 2 CH 2 O—) or an oxypropylene group (—CH (CH 3 ) CH 2 O— or —CH 2 CH 2 CH 2 O—) is preferable, and more preferably oxy Ethylene group. Examples of the anion of the ammonium salt compound include halogen atoms, sulfonates, borates, and phosphates. Among them, halogen atoms and sulfonates are preferable. As the halogen atom, chloride, bromide, and iodide are particularly preferable. As the sulfonate, an organic sulfonate having 1 to 20 carbon atoms is particularly preferable. Examples of the organic sulfonate include alkyl sulfonates having 1 to 20 carbon atoms and aryl sulfonates. The alkyl group of the alkyl sulfonate may have a substituent, and examples of the substituent include fluorine, chlorine, bromine, alkoxy groups, acyl groups, and aryl groups. Specific examples of the alkyl sulfonate include methane sulfonate, ethane sulfonate, butane sulfonate, hexane sulfonate, octane sulfonate, benzyl sulfonate, trifluoromethane sulfonate, pentafluoroethane sulfonate, and nonafluorobutane sulfonate. Examples of the aryl group of the aryl sulfonate include a benzene ring, a naphthalene ring, and an anthracene ring. The benzene ring, naphthalene ring and anthracene ring may have a substituent, and the substituent is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a cycloalkyl group having 3 to 6 carbon atoms. Specific examples of the linear or branched alkyl group and cycloalkyl group include methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, i-butyl, t-butyl, n-hexyl, cyclohexyl and the like. Examples of the other substituent include an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a halogen atom, cyano, nitro, an acyl group, and an acyloxy group.

フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物とは、アミン化合物又はアンモニウム塩化合物のアルキル基の窒素原子と反対側の末端にフェノキシ基を有するものである。フェノキシ基は、置換基を有していてもよい。フェノキシ基の置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、カルボン酸エステル基、スルホン酸エステル基、アリール基、アラルキル基、アシロキシ基、アリールオキシ基等が挙げられる。置換基の置換位は、2〜6位のいずれであってもよい。置換基の数は、1〜5の範囲で何れであってもよい。   The amine compound having a phenoxy group and the ammonium salt compound having a phenoxy group are those having a phenoxy group at the terminal opposite to the nitrogen atom of the alkyl group of the amine compound or ammonium salt compound. The phenoxy group may have a substituent. Examples of the substituent of the phenoxy group include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a carboxyl group, a carboxylic acid ester group, a sulfonic acid ester group, an aryl group, an aralkyl group, an acyloxy group, and an aryloxy group. Etc. The substitution position of the substituent may be any of the 2-6 positions. The number of substituents may be any in the range of 1 to 5.

フェノキシ基と窒素原子との間に、少なくとも1つのオキシアルキレン基を有することが好ましい。オキシアルキレン基の数は、分子内に1つ以上、好ましくは3〜9個、更に好ましくは4〜6個である。オキシアルキレン基の中でもオキシエチレン基(−CH2CH2O−)若しくはオキシプロピレン基(−CH(CH3)CH2O−若しくは−CH2CH2CH2O−)が好ましく、更に好ましくはオキシエチレン基である。 It is preferable to have at least one oxyalkylene group between the phenoxy group and the nitrogen atom. The number of oxyalkylene groups is 1 or more, preferably 3 to 9, more preferably 4 to 6 in the molecule. Among the oxyalkylene groups, an oxyethylene group (—CH 2 CH 2 O—) or an oxypropylene group (—CH (CH 3 ) CH 2 O— or —CH 2 CH 2 CH 2 O—) is preferable, and more preferably oxy Ethylene group.

スルホン酸エステル基を有するアミン化合物、スルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物に於ける、スルホン酸エステル基としては、アルキルスルホン酸エステル、
シクロアルキル基スルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステルのいずれであっても良く、アルキルスルホン酸エステルの場合にアルキル基は炭素数1〜20、シクロアルキルスルホン酸エステルの場合にシクロアルキル基は炭素数3〜20、アリールスルホン酸エステルの場合にアリール基は炭素数6〜12が好ましい。アルキルスルホン酸エステル、シクロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステルは置換基を有していてもよく、置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、カルボン酸エステル基、スルホン酸エステル基が好ましい。
In the amine compound having a sulfonic acid ester group and the ammonium salt compound having a sulfonic acid ester group, the sulfonic acid ester group includes an alkyl sulfonic acid ester,
Either cycloalkyl group sulfonate ester or aryl sulfonate ester may be used. In the case of alkyl sulfonate ester, the alkyl group has 1 to 20 carbon atoms, and in the case of cycloalkyl sulfonate ester, the cycloalkyl group has 3 carbon atoms. In the case of -20 and aryl sulfonate ester, the aryl group preferably has 6 to 12 carbon atoms. Alkyl sulfonic acid ester, cycloalkyl sulfonic acid ester, and aryl sulfonic acid ester may have a substituent. Examples of the substituent include a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a carboxyl group, a carboxylic acid ester group, and a sulfonic acid. An ester group is preferred.

スルホン酸エステル基と窒素原子との間に、少なくとも1つのオキシアルキレン基を有することが好ましい。オキシアルキレン基の数は、分子内に1つ以上、好ましくは3〜9個、更に好ましくは4〜6個である。オキシアルキレン基の中でもオキシエチレン基(−CH2CH2O−)若しくはオキシプロピレン基(−CH(CH3)CH2O−若しくは−CH2CH2CH2O−)が好ましく、更に好ましくはオキシエチレン基である。
これらの塩基性化合物は、単独であるいは2種以上一緒に用いられる。
It is preferable to have at least one oxyalkylene group between the sulfonate group and the nitrogen atom. The number of oxyalkylene groups is 1 or more, preferably 3 to 9, more preferably 4 to 6 in the molecule. Among the oxyalkylene groups, an oxyethylene group (—CH 2 CH 2 O—) or an oxypropylene group (—CH (CH 3 ) CH 2 O— or —CH 2 CH 2 CH 2 O—) is preferable, and more preferably oxy Ethylene group.
These basic compounds are used alone or in combination of two or more.

塩基性化合物の使用量は、本発明の組成物の固形分を基準として、通常0〜10質量%、好ましくは0〜5質量%である。   The usage-amount of a basic compound is 0-10 mass% normally based on solid content of the composition of this invention, Preferably it is 0-5 mass%.

酸発生剤と塩基性化合物の組成物中の使用割合は、酸発生剤/塩基性化合物(モル比)=2.5〜300であることが好ましい。即ち、感度、解像度の点からモル比が2.5以上が好ましく、露光後加熱処理までの経時でのパターンの太りによる解像度の低下抑制の点から300以下が好ましい。酸発生剤/塩基性化合物(モル比)は、より好ましくは5.0〜200、更に好ましくは7.0〜150である。   The use ratio of the acid generator and the basic compound in the composition is preferably acid generator / basic compound (molar ratio) = 2.5 to 300. That is, the molar ratio is preferably 2.5 or more from the viewpoints of sensitivity and resolution, and is preferably 300 or less from the viewpoint of suppressing the reduction in resolution due to pattern thickening over time until post-exposure heat treatment. The acid generator / basic compound (molar ratio) is more preferably 5.0 to 200, still more preferably 7.0 to 150.

〔7〕界面活性剤
本発明の組成物は、更に界面活性剤を含有することもできる。界面活性剤としては、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤(フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤、フッ素原子と珪素原子の両方を有する界面活性剤)のいずれか、あるいは2種以上が好ましい。
[7] Surfactant The composition of the present invention may further contain a surfactant. As the surfactant, any one of fluorine-based and / or silicon-based surfactant (fluorine-based surfactant, silicon-based surfactant, surfactant having both fluorine atom and silicon atom), or two or more kinds thereof Is preferred.

本発明の組成物が上記界面活性剤を含有することにより、250nm以下、特に220nm以下の露光光源の使用時に、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠陥の少ないパターンを与えることが可能となる。   When the composition of the present invention contains the above-mentioned surfactant, it is possible to give a pattern with less adhesion and development defects with good sensitivity and resolution when using an exposure light source of 250 nm or less, particularly 220 nm or less. Become.

フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤としては、例えば特開昭62−36663号公報、特開昭61−226746号公報、特開昭61−226745号公報、特開昭62−170950号公報、特開昭63−34540号公報、特開平7−230165号公報、特開平8−62834号公報、特開平9−54432号公報、特開平9−5988号公報、特開2002−277862号公報、米国特許第5405720号明細書、同5360692号明細書、同5529881号明細書、同5296330号明細書、同5436098号明細書、同5576143号明細書、同5294511号明細書、同5824451号明細書記載の界面活性剤を挙げることができ、下記市販の界面活性剤をそのまま用いることもできる。   Examples of the fluorine-based and / or silicon-based surfactant include, for example, JP-A No. 62-36663, JP-A No. 61-226746, JP-A No. 61-226745, JP-A No. 62-170950, JP 63-34540 A, JP 7-230165 A, JP 8-62834 A, JP 9-54432 A, JP 9-5988 A, JP 2002-277862 A, US Patent Nos. 5,405,720, 5,360,692, 5,529,881, 5,296,330, 5,436,098, 5,576,143, 5,294,511, 5,824,451 Surfactant can be mentioned, The following commercially available surfactant can also be used as it is.

使用できる市販の界面活性剤として、例えばエフトップEF301、EF303、(新
秋田化成(株)製)、フロラードFC430、431、4430(住友スリーエム(株)製)、
メガファックF171、F173、F176、F189、F113、F110、F177、F120、R08(大日本インキ化学工業(株)製)、サーフロンS−382、SC101、102、103、104、105、106(旭硝子(株)製)、トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)製)、GF−300、GF−150(東亜合成化学(株)製
)、サーフロンS−393(セイミケミカル(株)製)、エフトップEF121、EF122A、EF122B、RF122C、EF125M、EF135M、EF351、EF352、EF801、EF802、EF601((株)ジェムコ製)、PF636、PF656、PF6320、PF6520(OMNOVA社製)、FTX−204G、208G、218G、230G、204D、208D、212D、218D、222D((株)ネオス製)等のフッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を挙げることができる。またポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工業(株)製)もシリコン系界面活性剤として用いることができる。
Examples of commercially available surfactants that can be used include F-top EF301, EF303 (manufactured by Shin-Akita Kasei Co., Ltd.), Florard FC430, 431, 4430 (manufactured by Sumitomo 3M Co., Ltd.),
Megafuck F171, F173, F176, F189, F113, F110, F177, F120, R08 (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals), Surflon S-382, SC101, 102, 103, 104, 105, 106 (Asahi Glass ( Co., Ltd.), Troisol S-366 (manufactured by Troy Chemical Co., Ltd.), GF-300, GF-150 (manufactured by Toagosei Co., Ltd.), Surflon S-393 (manufactured by Seimi Chemical Co., Ltd.), F-top EF121, EF122A, EF122B, RF122C, EF125M, EF135M, EF351, EF352, EF801, EF801, EF601 (manufactured by Gemco), PF636, PF656, PF6320, PF6520 (manufactured by OMNOVA), FTX-18204, FTX-18204 230G, 2 4D, may be mentioned 208D, 212D, 218D, the fluorine-based surfactant or silicone-based surfactants such as 222D ((KK) Neos). Polysiloxane polymer KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) can also be used as a silicon-based surfactant.

また、界面活性剤としては、上記に示すような公知のものの他に、テロメリゼーション法(テロマー法ともいわれる)若しくはオリゴメリゼーション法(オリゴマー法ともいわれる)により製造されたフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を有する重合体を用いた界面活性剤を用いることが出来る。フルオロ脂肪族化合物は、特開2002−90991号公報に記載された方法によって合成することが出来る。   In addition to the known surfactants described above, surfactants are derived from fluoroaliphatic compounds produced by the telomerization method (also referred to as the telomer method) or the oligomerization method (also referred to as the oligomer method). A surfactant using a polymer having a fluoroaliphatic group can be used. The fluoroaliphatic compound can be synthesized by the method described in JP-A-2002-90991.

フルオロ脂肪族基を有する重合体としては、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート及び/又は(ポリ(オキシアルキレン))メタクリレートとの共重合体が好ましく、不規則に分布しているものでも、ブロック共重合していてもよい。また、ポリ(オキシアルキレン)基としては、ポリ(オキシエチレン)基、ポリ(オキシプロピレン)基、ポリ(オキシブチレン)基などが挙げられ、また、ポリ(オキシエチレンとオキシプロピレンとオキシエチレンとのブロック連結体)やポリ(オキシエチレンとオキシプロピレンとのブロック連結体)など同じ鎖長内に異なる鎖長のアルキレンを有するようなユニットでもよい。更に、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体は2元共重合体ばかりでなく、異なる2種以上のフルオロ脂肪族基を有するモノマーや、異なる2種以上の(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)などを同時に共重合した3元系以上の共重合体でもよい。   As the polymer having a fluoroaliphatic group, a copolymer of a monomer having a fluoroaliphatic group and (poly (oxyalkylene)) acrylate and / or (poly (oxyalkylene)) methacrylate is preferable and distributed irregularly. Or may be block copolymerized. Examples of the poly (oxyalkylene) group include a poly (oxyethylene) group, a poly (oxypropylene) group, a poly (oxybutylene) group, and the like, and a poly (oxyethylene, oxypropylene, and oxyethylene group). A unit having different chain lengths in the same chain length, such as a block link) or poly (block link of oxyethylene and oxypropylene) may be used. Furthermore, a copolymer of a monomer having a fluoroaliphatic group and (poly (oxyalkylene)) acrylate (or methacrylate) is not only a binary copolymer but also a monomer having two or more different fluoroaliphatic groups, Further, it may be a ternary or higher copolymer obtained by simultaneously copolymerizing two or more different (poly (oxyalkylene)) acrylates (or methacrylates).

例えば、市販の界面活性剤として、メガファックF178、F−470、F−473、F−475、F−476、F−472(大日本インキ化学工業(株)製)を挙げることができる。更に、C613基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オ
キシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、C37基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシエチレン))アクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシプロピレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体などを挙げることができる。
Examples of commercially available surfactants include Megafac F178, F-470, F-473, F-475, F-476, and F-472 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.). Further, a copolymer of an acrylate (or methacrylate) having a C 6 F 13 group and (poly (oxyalkylene)) acrylate (or methacrylate), an acrylate (or methacrylate) having a C 3 F 7 group and (poly (oxy And a copolymer of (ethylene)) acrylate (or methacrylate) and (poly (oxypropylene)) acrylate (or methacrylate).

また、本発明では、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を使用することもできる。具体的には、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテ−ト、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤等を挙げることができる。
これらの界面活性剤は単独で使用してもよいし、また、いくつかの組み合わせで使用し
てもよい。
界面活性剤の使用量は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物全量(溶剤を除く)に対して、好ましくは0〜2質量%、更に好ましくは0.0001〜2質量%、特に好ましくは0.0005〜1質量%である。
In the present invention, other surfactants other than fluorine-based and / or silicon-based surfactants can also be used. Specifically, polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene cetyl ether, polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octylphenol ether, polyoxyethylene nonylphenol ether, etc. Sorbitans such as polyoxyethylene alkyl aryl ethers, polyoxyethylene / polyoxypropylene block copolymers, sorbitan monolaurate, sorbitan monopalmitate, sorbitan monostearate, sorbitan monooleate, sorbitan trioleate, sorbitan tristearate Fatty acid esters, polyoxyethylene sorbitan monolaurate, polyoxyethylene sorbitan monopa Mite - DOO, polyoxyethylene sorbitan monostearate, polyoxyethylene sorbitan trioleate, may be mentioned polyoxyethylene sorbitan tristearate nonionic surfactants of polyoxyethylene sorbitan fatty acid esters such as such.
These surfactants may be used alone or in several combinations.
The amount of the surfactant used is preferably 0 to 2% by mass, more preferably 0.0001 to 2% by mass, particularly preferably based on the total amount of the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition (excluding the solvent). Is 0.0005 to 1 mass%.

〔8〕カルボン酸オニウム塩
本発明の組成物は、カルボン酸オニウム塩を含有してもよい。カルボン酸オニウム塩としては、カルボン酸スルホニウム塩、カルボン酸ヨードニウム塩、カルボン酸アンモニウム塩などを挙げることができる。特に、カルボン酸オニウム塩としては、ヨードニウム塩、スルホニウム塩が好ましい。更に、本発明のカルボン酸オニウム塩のカルボキシレート残基が芳香族基、炭素−炭素2重結合を含有しないことが好ましい。特に好ましいアニオン部としては、炭素数1〜30の直鎖、分岐、単環又は多環環状アルキルカルボン酸アニオンが好ましい。更に好ましくはこれらのアルキル基の一部又は全てがフッ素置換されたカルボン酸のアニオンが好ましい。アルキル鎖中に酸素原子を含んでいても良い。これにより220nm以下の光に対する透明性が確保され、感度、解像力が向上し、疎密依存性、露光マージンが改良される。
[8] Carboxylic acid onium salt The composition of the present invention may contain a carboxylic acid onium salt. Examples of the carboxylic acid onium salt include a carboxylic acid sulfonium salt, a carboxylic acid iodonium salt, and a carboxylic acid ammonium salt. In particular, as the carboxylic acid onium salt, an iodonium salt and a sulfonium salt are preferable. Furthermore, it is preferable that the carboxylate residue of the carboxylic acid onium salt of the present invention does not contain an aromatic group or a carbon-carbon double bond. As a particularly preferable anion moiety, a linear, branched, monocyclic or polycyclic alkylcarboxylic acid anion having 1 to 30 carbon atoms is preferable. More preferably, an anion of a carboxylic acid in which some or all of these alkyl groups are fluorine-substituted is preferable. The alkyl chain may contain an oxygen atom. This ensures transparency with respect to light of 220 nm or less, improves sensitivity and resolution, and improves density dependency and exposure margin.

フッ素置換されたカルボン酸のアニオンとしては、フロロ酢酸、ジフロロ酢酸、トリフロロ酢酸、ペンタフロロプロピオン酸、ヘプタフロロ酪酸、ノナフロロペンタン酸、パーフロロドデカン酸、パーフロロトリデカン酸、パーフロロシクロヘキサンカルボン酸、2,2−ビストリフロロメチルプロピオン酸のアニオン等が挙げられる。   Fluorine-substituted carboxylic acid anions include fluoroacetic acid, difluoroacetic acid, trifluoroacetic acid, pentafluoropropionic acid, heptafluorobutyric acid, nonafluoropentanoic acid, perfluorododecanoic acid, perfluorotridecanoic acid, perfluorocyclohexanecarboxylic acid, 2 , 2-bistrifluoromethylpropionic acid anion and the like.

これらのカルボン酸オニウム塩は、スルホニウムヒドロキシド、ヨードニウムヒドロキシド、アンモニウムヒドロキシドとカルボン酸を適当な溶剤中酸化銀と反応させることによって合成できる。 These carboxylic acid onium salts can be synthesized by reacting sulfonium hydroxide, iodonium hydroxide, ammonium hydroxide and carboxylic acid with silver oxide in a suitable solvent.

カルボン酸オニウム塩の組成物中の含量は、組成物の全固形分に対し、一般的には0.1〜20質量%、好ましくは0.5〜10質量%、更に好ましくは1〜7質量%である。   The content of the carboxylic acid onium salt in the composition is generally 0.1 to 20% by mass, preferably 0.5 to 10% by mass, more preferably 1 to 7% by mass, based on the total solid content of the composition. %.

〔9〕溶解阻止化合物
本発明の組成物は、酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する、分子量3000以下の溶解阻止化合物(以下、「溶解阻止化合物」ともいう)を含有してもよい。溶解阻止化合物としては、220nm以下の透過性を低下させないため、ProceedingofSPIE, 2724,355 (1996)に記載されている酸分解性基を含むコール酸誘導体の様な、酸分解性基を含有する脂環族又は脂肪族化合物が好ましい。酸分解性基、脂環式構造としては、(B)成分の樹脂のところで説明したものと同様のものが挙げられる。
[9] Dissolution-inhibiting compound The composition of the present invention comprises a dissolution-inhibiting compound having a molecular weight of 3000 or less (hereinafter also referred to as “dissolution-inhibiting compound”), which decomposes by the action of an acid and increases the solubility in an alkaline developer. You may contain. As a dissolution inhibiting compound, a fat containing an acid-decomposable group such as a cholic acid derivative containing an acid-decomposable group described in Proceeding of SPIE, 2724, 355 (1996) is used because it does not lower the permeability below 220 nm. Cyclic or aliphatic compounds are preferred. Examples of the acid-decomposable group and alicyclic structure are the same as those described for the component (B) resin.

本発明の組成物をKrFエキシマレーザーで露光するか、或いは電子線で照射する場合には、フェノール化合物のフェノール性水酸基を酸分解基で置換した構造を含有するものが好ましい。フェノール化合物としてはフェノール骨格を1〜9個含有するものが好ましく、更に好ましくは2〜6個含有するものである。   When the composition of the present invention is exposed with a KrF excimer laser or irradiated with an electron beam, it preferably contains a structure in which the phenolic hydroxyl group of the phenol compound is substituted with an acid-decomposable group. The phenol compound preferably contains 1 to 9 phenol skeletons, more preferably 2 to 6 phenol skeletons.

本発明における溶解阻止化合物の分子量は、3000以下であり、好ましくは300〜3000、更に好ましくは500〜2500である。
溶解阻止化合物の添加量は、本発明の組成物の固形分に対し、好ましくは3〜50質量%であり、より好ましくは5〜40質量%である。
以下に溶解阻止化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。
The molecular weight of the dissolution inhibiting compound in the present invention is 3000 or less, preferably 300 to 3000, and more preferably 500 to 2500.
The addition amount of the dissolution inhibiting compound is preferably 3 to 50% by mass, more preferably 5 to 40% by mass, based on the solid content of the composition of the present invention.
Specific examples of the dissolution inhibiting compound are shown below, but the present invention is not limited thereto.

Figure 0005525777
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〔10〕その他の添加剤
本発明の組成物には、必要に応じて更に染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、及び現像液に対する溶解性を促進させる化合物(例えば、分子量1000以下のフェノール化合物、カルボキシル基を有する脂環族、又は脂肪族化合物)等を含有させることができる。
[10] Other additives In the composition of the present invention, if necessary, a dye, a plasticizer, a photosensitizer, a light absorber, and a compound that promotes solubility in a developer (for example, a molecular weight of 1000 or less) A phenol compound, an alicyclic compound having a carboxyl group, or an aliphatic compound).

このような分子量1000以下のフェノール化合物は、例えば、特開平4−122938号公報、特開平2−28531号公報、米国特許第4,916,210号明細書、欧州特許第219294号明細書等に記載の方法を参考にして、当業者において容易に合成することができる。   Such a phenol compound having a molecular weight of 1000 or less is disclosed in, for example, JP-A-4-1222938, JP-A-2-28531, US Pat. No. 4,916,210, European Patent 219294, and the like. It can be easily synthesized by those skilled in the art with reference to the method described.

カルボキシル基を有する脂環族、又は脂肪族化合物の具体例としてはコール酸、デオキシコール酸、リトコール酸などのステロイド構造を有するカルボン酸誘導体、アダマンタンカルボン酸誘導体、アダマンタンジカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、シクロヘキサンジカルボン酸などが挙げられるがこれらに限定されるものではない。   Specific examples of alicyclic or aliphatic compounds having a carboxyl group include carboxylic acid derivatives having a steroid structure such as cholic acid, deoxycholic acid, lithocholic acid, adamantane carboxylic acid derivatives, adamantane dicarboxylic acid, cyclohexane carboxylic acid, cyclohexane Examples thereof include, but are not limited to, dicarboxylic acids.

〔11〕パターン形成方法
本発明の組成物は、解像力向上の観点から、膜厚30〜250nmで使用されることが好ましく、より好ましくは、膜厚30〜200nmで使用されることが好ましい。感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の固形分濃度を適切な範囲に設定して適度な粘度をもたせ、塗布性、製膜性を向上させることにより、このような膜厚とすることができる。
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の全固形分濃度は、一般的には1〜10質量%、より好ましくは1〜8.0質量%、更に好ましくは1.0〜6.0質量%である。
[11] Pattern Forming Method The composition of the present invention is preferably used at a film thickness of 30 to 250 nm, more preferably at a film thickness of 30 to 200 nm, from the viewpoint of improving resolution. By setting the solid content concentration in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition to an appropriate range to have an appropriate viscosity, and improving the coating property and film forming property, such a film thickness is obtained. Can do.
The total solid concentration in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition is generally 1 to 10% by mass, more preferably 1 to 8.0% by mass, and still more preferably 1.0 to 6.0. % By mass.

本発明の組成物は、上記の成分を所定の有機溶剤、好ましくは前記混合溶剤に溶解し、フィルター濾過した後、次のように所定の支持体上に塗布して用いる。フィルター濾過に用いるフィルターのポアサイズは0.1μm以下、より好ましくは0.05μm以下、更に好ましくは0.03μm以下のポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のものが好ましい。   The composition of the present invention is used by dissolving the above-described components in a predetermined organic solvent, preferably the mixed solvent, filtering the solution, and applying the solution on a predetermined support as follows. The pore size of the filter used for filter filtration is preferably 0.1 μm or less, more preferably 0.05 μm or less, and still more preferably 0.03 μm or less made of polytetrafluoroethylene, polyethylene, or nylon.

例えば、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を精密集積回路素子の製造に使用されるような基板(例:シリコン/二酸化シリコン被覆)上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法により塗布、乾燥し、膜を形成する。
当該膜に、所定のマスクを通して活性光線又は放射線を照射し、好ましくはベーク(加熱)を行い、現像、リンスする。これにより良好なパターンを得ることができる。
For example, an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition is applied to a substrate (eg, silicon / silicon dioxide coating) used for manufacturing a precision integrated circuit element by an appropriate application method such as a spinner or a coater. Dry to form a film.
The film is irradiated with actinic rays or radiation through a predetermined mask, preferably baked (heated), developed and rinsed. Thereby, a good pattern can be obtained.

活性光線又は放射線としては、赤外光、可視光、紫外光、遠紫外光、極紫外光、X線、電子線等を挙げることができるが、好ましくは250nm以下、より好ましくは220nm以下、特に好ましくは1〜200nmの波長の遠紫外光、具体的には、KrFエキシマレーザー(248nm)、ArFエキシマレーザー(193nm)、F2エキシマレーザ
ー(157nm)、X線、電子ビーム等であり、ArFエキシマレーザー、F2エキシマ
レーザー、EUV(13nm)、電子ビームが好ましい。
Examples of the actinic ray or radiation include infrared light, visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, extreme ultraviolet light, X-ray, electron beam, etc., preferably 250 nm or less, more preferably 220 nm or less, particularly Preferably, far ultraviolet light having a wavelength of 1 to 200 nm, specifically KrF excimer laser (248 nm), ArF excimer laser (193 nm), F 2 excimer laser (157 nm), X-ray, electron beam, etc., ArF excimer Laser, F 2 excimer laser, EUV (13 nm), and electron beam are preferable.

感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物からなる膜を形成する前に、基板上に予め反射防止膜を塗設してもよい。
反射防止膜としては、チタン、二酸化チタン、窒化チタン、酸化クロム、カーボン、アモルファスシリコン等の無機膜型と、吸光剤とポリマー材料からなる有機膜型のいずれも用いることができる。また、有機反射防止膜として、ブリューワーサイエンス社製のDUV30シリーズや、DUV−40シリーズ、シプレー社製のAR−2、AR−3、AR−5等の市販の有機反射防止膜を使用することもできる。
An antireflective film may be coated on the substrate in advance before forming a film comprising the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition.
As the antireflection film, any of an inorganic film type such as titanium, titanium dioxide, titanium nitride, chromium oxide, carbon, and amorphous silicon, and an organic film type made of a light absorber and a polymer material can be used. In addition, as the organic antireflection film, commercially available organic antireflection films such as DUV30 series, DUV-40 series manufactured by Brewer Science, AR-2, AR-3, AR-5 manufactured by Shipley, etc. may be used. it can.

現像工程では、アルカリ現像液を次のように用いる。感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物のアルカリ現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカリ性水溶液を使用することができる。   In the development step, an alkaline developer is used as follows. Examples of the alkali developer for the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, and aqueous ammonia, ethylamine, and n-propyl. Primary amines such as amines, secondary amines such as diethylamine and di-n-butylamine, tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine, alcohol amines such as dimethylethanolamine and triethanolamine, tetramethylammonium hydroxy Alkaline aqueous solutions such as quaternary ammonium salts such as tetraethylammonium hydroxide and cyclic amines such as pyrrole and pihelidine can be used.

更に、上記アルカリ現像液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常0.1〜20質量%である。
アルカリ現像液のpHは、通常10.0〜15.0である。
更に、上記アルカリ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
リンス液としては、純水を使用し、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
Furthermore, alcohols and surfactants can be added in appropriate amounts to the alkaline developer.
The alkali concentration of the alkali developer is usually from 0.1 to 20% by mass.
The pH of the alkali developer is usually from 10.0 to 15.0.
Furthermore, an appropriate amount of alcohol or surfactant may be added to the alkaline aqueous solution.
As the rinsing liquid, pure water can be used, and an appropriate amount of a surfactant can be added.

また、現像処理又は、リンス処理の後に、パターン上に付着している現像液又はリンス液を超臨界流体により除去する処理を行うことができる。   Further, after the development process or the rinsing process, a process of removing the developer or the rinsing liquid adhering to the pattern with a supercritical fluid can be performed.

本発明の組成物による膜と液浸液との間には、膜を直接、液浸液に接触させないために、液浸液難溶性膜(以下、「トップコート」ともいう)を設けてもよい。
トップコートに求められる性能、その使用法などについては、シーエムシー出版「液浸リソグラフィのプロセスと材料」の第7章に解説されている。
トップコートは、193nm透明性という観点からは、芳香族を豊富に含有しないポリマーが好ましく、具体的には、炭化水素ポリマー、アクリル酸エステルポリマー、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸、ポリビニルエーテル、シリコン含有ポリマー、フッ素含有ポリマーなどが挙げられる。前述の疎水性樹脂(HR)はトップコートとしても好適なものである。また、市販のトップコート材料も適宜使用可能である。トップコートから液浸液へ不純物が溶出すると光学レンズを汚染するという観点からは、トップコートに含まれるポリマーの残留モノマー成分は少ない方が好ましい。
An immersion liquid poorly soluble film (hereinafter also referred to as “topcoat”) may be provided between the film of the composition of the present invention and the immersion liquid so that the film does not directly contact the immersion liquid. Good.
The performance required for the top coat and how to use it are explained in Chapter 7 of "Category and process of immersion lithography" published by CMMC.
From the viewpoint of 193 nm transparency, the top coat is preferably a polymer that does not contain abundant aromatics. Specifically, the polymer contains a hydrocarbon polymer, an acrylate polymer, polymethacrylic acid, polyacrylic acid, polyvinyl ether, and silicon. Examples thereof include a polymer and a fluorine-containing polymer. The aforementioned hydrophobic resin (HR) is also suitable as a top coat. Commercially available top coat materials can also be used as appropriate. From the viewpoint of contaminating the optical lens when impurities are eluted from the top coat into the immersion liquid, it is preferable that the residual monomer component of the polymer contained in the top coat is small.

トップコートを剥離する際は、現像液を使用してもよいし、別途剥離剤を使用してもよい。剥離剤としては、膜への浸透が小さい溶剤が好ましい。剥離工程が膜の現像処理工程
と同時にできるという点では、アルカリ現像液により剥離できることが好ましい。アルカリ現像液で剥離するという観点からは、トップコートは酸性が好ましいが、膜との非インターミクス性の観点から、中性であってもアルカリ性であってもよい。
トップコートと液浸液との間には屈折率の差がない方が、解像力が向上する。ArFエキシマレーザー(波長:193nm)において、液浸液として水を用いる場合には、ArF液浸露光用トップコートは、液浸液の屈折率に近いことが好ましい。屈折率を液浸液に近くするという観点からは、トップコート中にフッ素原子を有することが好ましい。また、透明性・屈折率の観点から薄膜の方が好ましい。
When peeling the top coat, a developer may be used, or a separate release agent may be used. As the release agent, a solvent having low penetration into the film is preferable. In terms of being able to perform the peeling process simultaneously with the film development process, it is preferable that the peeling process can be performed with an alkaline developer. The top coat is preferably acidic from the viewpoint of peeling with an alkali developer, but may be neutral or alkaline from the viewpoint of non-intermixability with the film.
The resolution is improved when there is no difference in refractive index between the top coat and the immersion liquid. In the case of using water as the immersion liquid in an ArF excimer laser (wavelength: 193 nm), the top coat for ArF immersion exposure is preferably close to the refractive index of the immersion liquid. From the viewpoint of making the refractive index close to the immersion liquid, it is preferable to have fluorine atoms in the topcoat. A thin film is more preferable from the viewpoint of transparency and refractive index.

トップコートは、膜と混合せず、更に液浸液とも混合しないことが好ましい。この観点から、液浸液が水の場合には、トップコートに使用される溶剤は、本発明の組成物に使用される溶媒に難溶で、かつ非水溶性の媒体であることが好ましい。更に、液浸液が有機溶剤である場合には、トップコートは水溶性であっても非水溶性であってもよい。   The topcoat is preferably not mixed with the membrane and further not mixed with the immersion liquid. From this point of view, when the immersion liquid is water, the solvent used for the top coat is preferably a water-insoluble medium that is hardly soluble in the solvent used for the composition of the present invention. Further, when the immersion liquid is an organic solvent, the topcoat may be water-soluble or water-insoluble.

以下、実施例により本発明を説明するが、本発明は、これに限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention, this invention is not limited to this.

〈ArF露光評価〉
<樹脂RA−1の合成>
窒素気流下シクロヘキサノン57.59gを3つ口フラスコに入れこれを80℃に加熱した。これに化合物Xを12.42g、化合物Yを11.11g、化合物Zを5.51g、及び開始剤V−601 1.43g(モノマーに対し5.0mol%、和光純薬製)をシクロヘキサノン98.84gに溶解させた溶液を6時間かけて滴下した。滴下終了後、更に80℃で2時間反応させた。反応液を放冷後、メタノール900ml/水100mlの混合液に20分かけて滴下し、析出した粉体をろ取、乾燥すると樹脂(RA−1)が18g得られた。得られた樹脂の重量平均分子量は標準ポリスチレン換算で13700、分散度(Mw/Mn)は1.89であった。
<ArF exposure evaluation>
<Synthesis of Resin RA-1>
Under a nitrogen stream, 57.59 g of cyclohexanone was placed in a three-necked flask and heated to 80 ° C. To this, 12.42 g of compound X, 11.11 g of compound Y, 5.51 g of compound Z, and 1.43 g of initiator V-601 (5.0 mol% based on the monomer, manufactured by Wako Pure Chemical Industries) were converted to 98.84 g of cyclohexanone. The dissolved solution was added dropwise over 6 hours. After completion of dropping, the reaction was further continued at 80 ° C. for 2 hours. The reaction solution was allowed to cool and then added dropwise to a mixed solution of 900 ml of methanol / 100 ml of water over 20 minutes. The precipitated powder was collected by filtration and dried to obtain 18 g of Resin (RA-1). The weight average molecular weight of the obtained resin was 13700 in terms of standard polystyrene, and the dispersity (Mw / Mn) was 1.89.

Figure 0005525777
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他の樹脂(RA-2〜RA-10)についても同様の手法を用いて合成した。重量平均分子量は開始剤の量を変更することで調製した。   Other resins (RA-2 to RA-10) were synthesized using the same method. The weight average molecular weight was prepared by changing the amount of initiator.

<p−(1−(シクロヘキシルエトキシ)エトキシ)スチレン/p−ヒドロキシスチレン(40/60)(樹脂RA-11)の合成>
p−ヒドロキシスチレン(日本曹達製VP−8000)70gをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)320gに加熱溶解させ、減圧留去により脱水した後20℃まで冷却した。そこへシクロヘキシルビニルエーテル41.4gを添加、攪拌したところへ、p−トルエンスルホン酸100mgを添加し、3時間反応させた。
反応液にトリエチルアミン0.28g、酢酸エチル320mlを加え、これを蒸留水150mlで3回洗浄した。溶剤を留去、濃縮した。得られたオイルをアセトン100mlに溶解させこれを、蒸留水2Lにゆっくりと注いだ。析出した粉体をろ取、乾燥すると目
的物が54g得られた。(重量平均分子量10000、分散度1.30)
<Synthesis of p- (1- (cyclohexylethoxy) ethoxy) styrene / p-hydroxystyrene (40/60) (resin RA-11)>
70 g of p-hydroxystyrene (Nippon Soda VP-8000) was dissolved in 320 g of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), dehydrated by distillation under reduced pressure, and then cooled to 20 ° C. Thereto, 41.4 g of cyclohexyl vinyl ether was added and stirred, and 100 mg of p-toluenesulfonic acid was added and reacted for 3 hours.
To the reaction solution, 0.28 g of triethylamine and 320 ml of ethyl acetate were added, and this was washed 3 times with 150 ml of distilled water. The solvent was distilled off and concentrated. The obtained oil was dissolved in 100 ml of acetone, and this was slowly poured into 2 L of distilled water. The precipitated powder was collected by filtration and dried to obtain 54 g of the desired product. (Weight average molecular weight 10,000, dispersity 1.30)

以下に各樹脂における繰り返し単位(モル比)、重量平均分子量(Mw)、分散度(Mw/Mn)を示す。   The repeating unit (molar ratio), weight average molecular weight (Mw), and dispersity (Mw / Mn) in each resin are shown below.

PAG−1の合成例 Synthesis example of PAG-1

Figure 0005525777
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化合物Aの合成
撹拌機、滴下漏斗、温度計を備えた100mL四つ口フラスコに、デカヒドロイソキノリン2.32g(16.7mmol)、トリエチルアミン1.69g(16.7mmol)、クロロホルム30gを投入した。滴下漏斗より上記2−(フルオロスルホニル)ジフルオロアセチルフルオライド3.00g(16.7mmol)を20〜35℃に維持しながら滴下し、投入後反応液を室温付近において1時間撹拌を継続した。この反応液に水30gを加えて有機層を分離した。この水洗操作を更に2回実施した後、有機層を濃縮して反応混合物5.84gを得た。この反応混合物は、展開液にヘキサン:酢酸エチル=5:1(体積比)を用いた15gのシリカゲルカラムで精製した。溶媒を減圧下で除去後、3.25g(10.8mmol)の化合物Aが収率65.2%で得られた。
Synthesis of Compound A A 100 mL four-necked flask equipped with a stirrer, a dropping funnel and a thermometer was charged with 2.32 g (16.7 mmol) of decahydroisoquinoline, 1.69 g (16.7 mmol) of triethylamine and 30 g of chloroform. From the dropping funnel, 3.00 g (16.7 mmol) of 2- (fluorosulfonyl) difluoroacetyl fluoride was added dropwise while maintaining the temperature at 20 to 35 ° C. After the addition, the reaction solution was continuously stirred at around room temperature for 1 hour. 30 g of water was added to the reaction solution to separate the organic layer. This washing operation was further performed twice, and then the organic layer was concentrated to obtain 5.84 g of a reaction mixture. This reaction mixture was purified by a 15 g silica gel column using hexane: ethyl acetate = 5: 1 (volume ratio) as a developing solution. After removing the solvent under reduced pressure, 3.25 g (10.8 mmol) of compound A was obtained in 65.2% yield.

化合物Bの合成
撹拌機、滴下漏斗、温度計を備えた100mL四つ口フラスコに、化合物A3.00g(10.0mmol)、THF50gを投入した。滴下漏斗よりトリエチルアミン10.2g(100mmol)、トリフルオロメタンスルホンアミド1.49g(10.0mmol)のTHF50g溶液を滴下し、投入後反応液を80℃にて6時間撹拌した。この反応液にジクロロメタン50g1N塩酸50gを加えて有機層を分離した。この有機層を1N水酸化ナトリウム水溶液50g、水50gで洗浄したのち濃縮して粗生成物6.2gを得た。この粗生成物は精製を行わず次の反応に用いた。
Synthesis of Compound B Compound A3.00 g (10.0 mmol) and THF 50 g were charged into a 100 mL four-necked flask equipped with a stirrer, a dropping funnel, and a thermometer. From a dropping funnel, a solution of 10.2 g (100 mmol) of triethylamine and 1.49 g (10.0 mmol) of trifluoromethanesulfonamide in 50 g of THF was added dropwise, and after addition, the reaction solution was stirred at 80 ° C. for 6 hours. To this reaction solution, 50 g of dichloromethane and 50 g of 1N hydrochloric acid were added to separate the organic layer. This organic layer was washed with 50 g of 1N aqueous sodium hydroxide and 50 g of water and then concentrated to obtain 6.2 g of a crude product. This crude product was used for the next reaction without purification.

PAG1の合成
1−(シクロヘキシルメトキシ)ナフタレン2.40g(10.0mmol)を三口フラスコ中でEaton試薬15gに溶解させた後、攪拌しながらテトラメチレンスルホキシド1.04
g(10.0mmol)を滴下し、更に3時間攪拌を行った。反応液を、水100gにあけた後、上記化合物Bの組成生物を6.2g、クロロホルムを50g添加した。有機層を分離した後、水層からクロロホルム50gを用いて更に2回抽出を行った。得られた有機層を合わせ、水洗を2回行い濃縮した。得られた組成生物を酢酸エチル10gを用いて再結晶を行い、PAG1を4.17g(5.53mmol,55.3%)得た。
Synthesis of PAG1 1.40 g (10.0 mmol) of 1- (cyclohexylmethoxy) naphthalene was dissolved in 15 g of Eaton reagent in a three-necked flask, and then tetramethylene sulfoxide 1.04 with stirring.
g (10.0 mmol) was added dropwise, and the mixture was further stirred for 3 hours. The reaction solution was poured into 100 g of water, and then 6.2 g of the composition product of Compound B and 50 g of chloroform were added. After separating the organic layer, the aqueous layer was further extracted twice with 50 g of chloroform. The obtained organic layers were combined, washed twice with water and concentrated. The resulting compositional organism was recrystallized from 10 g of ethyl acetate to obtain 4.17 g (5.53 mmol, 55.3%) of PAG1.

<感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の調製>
下記表2に示す成分を溶剤に溶解させ、それぞれについて固形分濃度5質量%の溶液を調製し、これを0.03μmのポアサイズを有するポリエチレンフィルターで濾過して、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物(ポジ型レジスト組成物に相当)を調製した。調製した組成物を下記の方法で評価し、結果を表2に示した。表2における各成分について、複数使用した場合の比は質量比である。
<Preparation of actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition>
The components shown in Table 2 below are dissolved in a solvent, and a solution with a solid concentration of 5% by mass is prepared for each, and this is filtered through a polyethylene filter having a pore size of 0.03 μm, and actinic ray sensitive or radiation sensitive. A resin composition (corresponding to a positive resist composition) was prepared. The prepared composition was evaluated by the following method, and the results are shown in Table 2. About each component in Table 2, the ratio at the time of using multiple is a mass ratio.

Figure 0005525777
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Figure 0005525777
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Figure 0005525777
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ラジカルトラップ基を有する化合物(ラジカルトラップ剤) Compounds having radical trap groups (radical trapping agents)

Figure 0005525777
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Figure 0005525777
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以下、表中の略号を示す。   Hereinafter, abbreviations in the table are shown.

〔溶剤〕
S1:プロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA:1−メトキシ−2−アセトキシプロパン)
S2:2−ヘプタノン
S3:シクロヘキサノン
S4:γ−ブチロラクトン
S5:プロピレングリコールメチルエーテル(PGME:1−メトキシ−2−プロパノール)
〔界面活性剤〕
W−1:メガファックF176(大日本インキ化学工業(株)製)(フッ素系)
W−2:メガファックR08(大日本インキ化学工業(株)製)(フッ素及びシリコン系)
W−3:ポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工業(株)製)(シリコン系)
W−4:トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)製)
〔塩基性化合物〕
D−1:トリフェニルスルホニウムアセテート
D−2:2,6−ジイソプロピルアニリン
D−3:トリエタノールアミン
〔solvent〕
S1: Propylene glycol methyl ether acetate (PGMEA: 1-methoxy-2-acetoxypropane)
S2: 2-Heptanone
S3: cyclohexanone
S4: γ-butyrolactone
S5: Propylene glycol methyl ether (PGME: 1-methoxy-2-propanol)
[Surfactant]
W-1: MegaFuck F176 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.) (Fluorine)
W-2: Megafuck R08 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.) (fluorine and silicon)
W-3: Polysiloxane polymer KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (silicon-based)
W-4: Troisol S-366 (manufactured by Troy Chemical Co., Ltd.)
[Basic compounds]
D-1: Triphenylsulfonium acetate
D-2: 2,6-Diisopropylaniline D-3: Triethanolamine

Figure 0005525777
Figure 0005525777

<評価>
(露光条件(1)ArFドライ露光:実施例1)
シリコンウエハー上に有機反射防止膜ARC29A(日産化学社製)を塗布し、205℃で、60秒間ベークを行い、膜厚78nmの反射防止膜を形成した。その上に調製したポジ型組成物を塗布し、130℃で、60秒間ベークを行い、膜厚120nmの膜を形成した。得られたウエハーArFエキシマレーザースキャナー(ASML社製 PAS5500/1100、NA0.75)を用い、75nm1:1ラインアンドスペースパターンの6%ハーフトーンマスクを通して露光した。その後130℃で、60秒間加熱した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液(2.38質量%)で30秒間現像し、純水でリンスした後、スピン乾燥してパターンを得た。
<Evaluation>
(Exposure conditions (1) ArF dry exposure: Example 1)
An organic antireflection film ARC29A (Nissan Chemical Co., Ltd.) was applied on a silicon wafer and baked at 205 ° C. for 60 seconds to form an antireflection film having a thickness of 78 nm. The prepared positive composition was applied thereon and baked at 130 ° C. for 60 seconds to form a 120 nm thick film. Using the obtained wafer ArF excimer laser scanner (manufactured by ASML, PAS5500 / 1100, NA0.75), exposure was performed through a 6% halftone mask of 75 nm 1: 1 line and space pattern. After heating at 130 ° C. for 60 seconds, the film was developed with an aqueous tetramethylammonium hydroxide solution (2.38 mass%) for 30 seconds, rinsed with pure water, and then spin-dried to obtain a pattern.

〔露光ラチチュード〕
75nm 1:1ラインアンドスペースのマスクパターンを再現する露光量を最適露光量とし、露光量を変化させた際にパターンサイズが75nm±10%を許容する露光量幅を求め、この値を最適露光量で割って百分率表示した。値が大きいほど露光量変化による性能変化が小さく、露光ラチチュードが良好である。
[Exposure latitude]
The exposure amount that reproduces a mask pattern of 75 nm 1: 1 line and space is set as the optimal exposure amount, and when the exposure amount is changed, an exposure amount width that allows a pattern size of 75 nm ± 10% is obtained, and this value is determined as the optimal exposure amount. Divided by the amount and expressed as a percentage. The larger the value, the smaller the change in performance due to the change in exposure amount, and the better the exposure latitude.

〔ラインエッジラフネス〕
ラインエッジエッジラフネスの測定は、測長SEM((株)日立製作所S−9260)を使用して、最適露光量における75nmの孤立パターンを観察し、ラインパターンの長手方向のエッジが5μmの範囲についてエッジのあるべき基準線からの距離をにより50ポイント測定し、標準偏差を求め、3σを算出した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。
[Line edge roughness]
For the measurement of line edge edge roughness, a length measuring SEM (Hitachi, Ltd. S-9260) is used to observe an isolated pattern of 75 nm at an optimum exposure amount, and the edge of the line pattern in the longitudinal direction is 5 μm. The distance from the reference line that should have an edge was measured at 50 points, the standard deviation was obtained, and 3σ was calculated. A smaller value indicates better performance.

〔現像欠陥〕
ケー・エル・エー・テンコール社製の欠陥検査装置KLA2360(商品名)を用い、欠陥検査装置のピクセルサイズを0.16μmに、また閾値を20に設定して、ランダムモードで測定し、比較イメージとピクセル単位の重ね合わせによって生じる差異から抽出される現像欠陥を検出して、単位面積(cm2)あたりの現像欠陥数を算出した。値が0
.5未満のものを○、0.5以上0.8未満のものを△、0.8以上のものを×とした。値が小さいほど良好な性能であることを示す。
〔プロファイル〕
85nmの孤立パターンを走査型電子顕微鏡を用いて観察した。
[Development defects]
Using a defect inspection device KLA2360 (trade name) manufactured by KLA-Tencor Corporation, the pixel size of the defect inspection device is set to 0.16 μm, the threshold value is set to 20, and measurement is performed in a random mode. And the number of development defects per unit area (cm 2 ) was calculated. The value is 0
. A sample having a value of less than 5 was evaluated as “◯”, a value of 0.5 or more and less than 0.8 as “Δ”, and a value of 0.8 or more as “x”. A smaller value indicates better performance.
[Profile]
An isolated pattern of 85 nm was observed using a scanning electron microscope.

(露光条件(2)ArF液浸露光:実施例2〜12及び比較例1〜3)
シリコンウエハー上に有機反射防止膜ARC29A(日産化学社製)を塗布し、205℃で、60秒間ベークを行い、膜厚98nmの反射防止膜を形成した。その上に調製したポジ型組成物を塗布し、130℃で、60秒間ベークを行い、膜厚120nmの膜を形成した。得られたウエハーをArFエキシマレーザー液浸スキャナー(ASML社製 XT1700i、NA1.20、C-Quad、アウターシグマ0.981、インナーシグマ0.895、XY偏向)を
用い、65nm1:1ラインアンドスペースパターンの6%ハーフトーンマスクを通して露光した。液浸液としては超純水を使用した。その後130℃で、60秒間加熱した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液(2.38質量%)で30秒間現像し、純水でリンスした後、スピン乾燥してパターンを得た。
(Exposure condition (2) ArF immersion exposure: Examples 2 to 12 and Comparative Examples 1 to 3)
An organic antireflection film ARC29A (manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) was applied onto a silicon wafer and baked at 205 ° C. for 60 seconds to form an antireflection film having a thickness of 98 nm. The prepared positive composition was applied thereon and baked at 130 ° C. for 60 seconds to form a 120 nm thick film. The obtained wafer was used with an ArF excimer laser immersion scanner (manufactured by ASML, XT1700i, NA1.20, C-Quad, outer sigma 0.981, inner sigma 0.895, XY deflection), 6% half of 65 nm 1: 1 line and space pattern Exposed through tone mask. Ultra pure water was used as the immersion liquid. After heating at 130 ° C. for 60 seconds, the film was developed with an aqueous tetramethylammonium hydroxide solution (2.38 mass%) for 30 seconds, rinsed with pure water, and then spin-dried to obtain a pattern.

〔露光ラチチュード〕
65nm 1:1ラインアンドスペースのマスクパターンを再現する露光量を最適露光量とし、露光量を変化させた際にパターンサイズが65nm±10%を許容する露光量幅を求め、この値を最適露光量で割って百分率表示した。値が大きいほど露光量変化による性能変化が小さく、露光ラチチュードが良好である。
[Exposure latitude]
The exposure amount that reproduces a 65 nm 1: 1 line and space mask pattern is the optimum exposure amount, and when the exposure amount is changed, an exposure amount width that allows a pattern size of 65 nm ± 10% is obtained, and this value is the optimum exposure amount. Divided by the amount and expressed as a percentage. The larger the value, the smaller the change in performance due to the change in exposure amount, and the better the exposure latitude.

〔ラインエッジラフネス〕
ラインエッジエッジラフネスの測定は、測長SEM((株)日立製作所S−9260)を使用して、最適露光量における65nmの孤立パターンを観察し、ラインパターンの長手方向のエッジが5μmの範囲についてエッジのあるべき基準線からの距離を50ポイント測定し、標準偏差を求め、3σを算出した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。
[Line edge roughness]
The line edge edge roughness is measured using a length measuring SEM (Hitachi, Ltd. S-9260) to observe an isolated pattern of 65 nm at the optimum exposure amount, and the edge of the line pattern in the longitudinal direction is 5 μm. The distance from the reference line that should have an edge was measured at 50 points, the standard deviation was obtained, and 3σ was calculated. A smaller value indicates better performance.

〔現像欠陥〕
ケー・エル・エー・テンコール社製の欠陥検査装置KLA2360(商品名)を用い、欠陥検査装置のピクセルサイズを0.16μmに、また閾値を20に設定して、ランダムモードで測定し、比較イメージとピクセル単位の重ね合わせによって生じる差異から抽出される現像欠陥を検出して、単位面積(cm2)あたりの現像欠陥数を算出した。値が0
.5未満のものを○、0.5以上0.8未満のものを△、0.8以上のものを×とした。値が小さいほど良好な性能であることを示す。
[Development defects]
Using a defect inspection device KLA2360 (trade name) manufactured by KLA-Tencor Corporation, the pixel size of the defect inspection device is set to 0.16 μm, the threshold value is set to 20, and measurement is performed in a random mode. And the number of development defects per unit area (cm 2 ) was calculated. The value is 0
. A sample having a value of less than 5 was evaluated as “◯”, a value of 0.5 or more and less than 0.8 as “Δ”, and a value of 0.8 or more as “x”. A smaller value indicates better performance.

上記評価結果より、本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いることにより、通常露光及び液浸露光のいずれにおいても、現像欠陥が抑制され、露光ラチチュード及びラインエッジラフネスに優れるパターンを提供できることがわかった。
〔プロファイル〕
85nmの孤立パターンを走査型電子顕微鏡を用いて観察した。
From the above evaluation results, by using the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention, development defects are suppressed in both normal exposure and immersion exposure, and the pattern is excellent in exposure latitude and line edge roughness. It was found that can provide.
[Profile]
An isolated pattern of 85 nm was observed using a scanning electron microscope.

〈KrF露光評価〉
(1)感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の調製
下記表3で示した各成分を溶剤に溶解させ、固形分濃度14.5質量%の溶液を調製した後、得られた溶液を0.1μmの孔径を有するポリテトラフルオロエチレンフィルターで精密ろ過して、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を得た。
以下、表3において、溶剤以外の各成分の添加量(質量%)(表中の括弧内の数値)は、溶剤を除いた固形分に対する質量%を意味する。溶剤については、それぞれの混合比(質量%)を表す。
<KrF exposure evaluation>
(1) Preparation of actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition Each component shown in Table 3 below is dissolved in a solvent to prepare a solution having a solid content concentration of 14.5% by mass, and then the obtained solution is prepared. Microfiltration was performed with a polytetrafluoroethylene filter having a pore size of 0.1 μm to obtain an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition.
Hereinafter, in Table 3, the addition amount (mass%) of each component other than the solvent (numerical value in parentheses in the table) means mass% relative to the solid content excluding the solvent. About a solvent, each mixing ratio (mass%) is represented.

Figure 0005525777
Figure 0005525777

表中の略号は、該略号で示される化合物を表す。
<樹脂>
The abbreviations in the table represent the compounds represented by the abbreviations.
<Resin>

Figure 0005525777
Figure 0005525777

Figure 0005525777
Figure 0005525777

(2)ポジ型パターンの形成及び評価(KrF露光)
シリコン上に、SiNを100nm蒸着してある8インチウエハー上に東京エレクトロン製スピンコーターACT8を用いて、ヘキサメチルジシラザン処理を行った。その後、この膜上に、上記のポジ型組成物を塗布し、90℃、90秒ベークして平均膜厚600nmの膜を得た。
得られた膜に、KrFエキシマレーザースキャナー(ASML製PAS5500/850C、波長248nm、NA=0.60、Sigma=0.70)を用いて、パターン露光した。この際に用いたレチクルはバイナリーマスクを用いた。
露光後に110℃、60秒ベークし、2.38質量%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)水溶液を用いて60秒間浸漬した後、30秒間、水でリンスして乾燥した。得られたパターンを下記の方法で評価した。
(2) Formation and evaluation of positive pattern (KrF exposure)
Hexamethyldisilazane treatment was performed on an 8-inch wafer obtained by depositing SiN on a silicon substrate with a thickness of 100 nm using a spin coater ACT8 manufactured by Tokyo Electron. Thereafter, the positive composition was applied onto this film and baked at 90 ° C. for 90 seconds to obtain a film having an average film thickness of 600 nm.
The obtained film was subjected to pattern exposure using a KrF excimer laser scanner (PAS5500 / 850C manufactured by ASML, wavelength 248 nm, NA = 0.60, Sigma = 0.70). The reticle used at this time used a binary mask.
After exposure, it was baked at 110 ° C. for 60 seconds, immersed in an aqueous 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) solution for 60 seconds, rinsed with water for 30 seconds, and dried. The obtained pattern was evaluated by the following method.

(2−1)感度
得られたパターンを走査型電子顕微鏡(日立社製S−8840)により線幅を観察し、線幅180nmのライン(マスクにおいて、ラインサイズ=170nm、ライン:スペース=1:1.2)を解像する時の照射エネルギーを感度(Eopt)とした。
(2-1) Sensitivity The line width of the obtained pattern was observed with a scanning electron microscope (S-8840 manufactured by Hitachi, Ltd.), and a line having a line width of 180 nm (in the mask, line size = 170 nm, line: space = 1: Irradiation energy when resolving 1.2) was defined as sensitivity (Eopt).

(2−2)露光量依存性(EL)
露光量に対する線幅を上記と同様の方法で測定し、ターゲットサイズである180nmの±10%つまり、線幅162nm及び、線幅198nmとなる露光量を求め、以下の式
で定義される露光量依存性(EL)を算出した。値が大きいほど露光量依存性が小さく、解像力が高いことを示す。
〔EL(%)〕=〔(線幅162nmとなる露光量)−(線幅198nmとなる露光量)〕/(Eopt)
(2-2) Exposure dose dependency (EL)
The line width with respect to the exposure amount is measured by the same method as described above, and the exposure amount that is ± 10% of the target size of 180 nm, that is, the line width of 162 nm and the line width of 198 nm is obtained. Dependency (EL) was calculated. Larger values indicate less exposure dose dependency and higher resolution.
[EL (%)] = [(exposure amount at which line width is 162 nm) − (exposure amount at which line width is 198 nm)] / (Eopt)

(2−3)LER評価
(2−1)で得られた感度において、線幅180nmのラインパターンについて走査型顕微鏡(日立社製S8840)で観察し、ラインパターンの長手方向の2μmの範囲について、エッジがあるべき基準線から実際のエッジまでの距離を等間隔で50ポイント測定し、これらの測定値に関して標準偏差を求め、3σを算出した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。
(2-3) LER evaluation In the sensitivity obtained in (2-1), the line pattern with a line width of 180 nm was observed with a scanning microscope (S8840 manufactured by Hitachi, Ltd.), and the range of 2 μm in the longitudinal direction of the line pattern was The distance from the reference line that should have an edge to the actual edge was measured at 50 points at equal intervals, and the standard deviation was calculated for these measured values, and 3σ was calculated. A smaller value indicates better performance.

(2−4)欠陥
マスクサイズ180nm、ピッチ360nmのマスクパターンで180nmのパターンが得られる露光量で、0.18μmのパターンをウエハ面内78箇所露光した。この得られたパターン付きウエハをケーエルエー・テンコール(株)製KLA−2360により現像欠陥数を測定した。この際の検査面積は計205cm、ピクセルサイズ0.25μm、スレッシュホールド=30、検査光は可視光を用いた。得られた数値を検査面積で割った値を欠陥数(個/cm2)として評価し、値が0.5未満のものを○、0.5以上0.8未満のものを△、0.8以上のものを×とした。値が小さいほど良好な性能であることを示す。
(2-4) Defects A 0.18 μm pattern was exposed in 78 locations on the wafer surface with an exposure amount that provides a 180 nm pattern with a mask pattern of 180 nm mask size and 360 nm pitch. The number of development defects of the obtained patterned wafer was measured with KLA-2360 manufactured by KLA-Tencor Corporation. In this case, the inspection area was 205 cm 2 in total, the pixel size was 0.25 μm, the threshold = 30, and the inspection light was visible light. A value obtained by dividing the obtained numerical value by the inspection area is evaluated as the number of defects (pieces / cm 2 ). Eight or more were marked with x. A smaller value indicates better performance.

Figure 0005525777
Figure 0005525777

〈EUV露光評価〉
(3)ポジ型パターンの形成及び評価(EUV露光)
固形分濃度を5質量%に変えた以外は上記(KrF露光)で用いたものと同じ組成物を、ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコンウエハー上に東京エレクトロン製スピンコーターMark8を用いて塗布し、100℃、90秒ベークして平均膜厚100nmの膜を得た。
得られた膜にEUV光(波長13nm:リソトラックジャパン社製、EUVES)を用いて露光を行い、更に110℃、60秒ベークした。その後2.38質量%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)水溶液を用いて、現像した。露光量を0〜20.0mJ/cm2の範囲で0.5mJ/cm2ずつ変えながら各露光量における膜の現像液に対する溶解速度を測定し、感度曲線を得た。
<EUV exposure evaluation>
(3) Formation and evaluation of positive pattern (EUV exposure)
The same composition as that used in the above (KrF exposure) except that the solid content concentration was changed to 5% by mass was applied on a silicon wafer subjected to hexamethyldisilazane treatment using a spin coater Mark8 manufactured by Tokyo Electron. The film was baked at 100 ° C. for 90 seconds to obtain a film having an average film thickness of 100 nm.
The obtained film was exposed using EUV light (wavelength 13 nm: EUVES, manufactured by RISO TRACK JAPAN), and further baked at 110 ° C. for 60 seconds. Thereafter, development was performed using an aqueous 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) solution. While changing the exposure amount in a range of 0 to 20.0 mJ / cm 2 by 0.5 mJ / cm 2, the dissolution rate of the film in the developer at each exposure amount was measured to obtain a sensitivity curve.

(感度及び解像力(溶解コントラスト))
この感度曲線において、溶解速度が飽和するときの露光量を感度とし、また、解像力の指標として、感度曲線の直線部の勾配から溶解コントラスト(γ値)を算出した。γ値が大きいほど溶解コントラストに優れ、解像力が高い。
(Sensitivity and resolution (dissolution contrast))
In this sensitivity curve, the exposure amount when the dissolution rate is saturated was taken as sensitivity, and the dissolution contrast (γ value) was calculated from the gradient of the linear portion of the sensitivity curve as an index of resolution. The larger the γ value, the better the dissolution contrast and the higher the resolution.

EUV露光評価結果を下記表に示した。   The EUV exposure evaluation results are shown in the following table.

Figure 0005525777
Figure 0005525777

〈EB露光評価〉 <EB exposure evaluation>

(4)ポジ型パターンの形成及び評価(電子線(EB)露光)   (4) Formation and evaluation of positive pattern (electron beam (EB) exposure)

固形分濃度を8質量%に変えた以外は上記(2)(KrF露光)で用いたものと同じ組成物を、ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコンウエハー上に東京エレクトロン製スピンコーターMark8を用いて塗布し、100℃、90秒ベークして平均膜厚300nmの膜を得た。
この膜に対し、電子線描画装置((株)日立製作所製HL750、加速電圧50KeV)を用いて電子線照射を行った。照射後に110℃、60秒ベークし、2.38質量%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)水溶液を用いて60秒間浸漬した後、30秒間、水でリンスして乾燥した。得られたパターンを下記の方法で評価した。
The same composition as that used in the above (2) (KrF exposure) except that the solid content concentration was changed to 8% by mass was applied to a hexamethyldisilazane-treated silicon wafer using a spin coater Mark8 manufactured by Tokyo Electron. And then baked at 100 ° C. for 90 seconds to obtain a film having an average film thickness of 300 nm.
The film was irradiated with an electron beam by using an electron beam drawing apparatus (HL750 manufactured by Hitachi, Ltd., acceleration voltage 50 KeV). After irradiation, it was baked at 110 ° C. for 60 seconds, immersed in an aqueous 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) solution for 60 seconds, rinsed with water for 30 seconds and dried. The obtained pattern was evaluated by the following method.

(4−1) 感度
得られたパターンを走査型電子顕微鏡(日立社製S−9260)により線幅を観察し、線幅150nmのライン(ライン:スペース=1:1)を解像する時の照射エネルギーを感度とした。
(4-1) Sensitivity When the line width of the obtained pattern was observed with a scanning electron microscope (S-9260 manufactured by Hitachi, Ltd.) and a line with a line width of 150 nm (line: space = 1: 1) was resolved. Irradiation energy was taken as sensitivity.

(4−2) 解像力評価
(3−1)で得られた感度でライン:スペース=1:1のパターンを解像する場合における、解像可能なラインの線幅の最小値を上記走査型電子顕微鏡により観察した。
(4-2) Resolving power evaluation In the case of resolving a line: space = 1: 1 pattern with the sensitivity obtained in (3-1), the minimum value of the line width of a resolvable line is the scanning electron. Observed with a microscope.

(4−3) LER評価
(4−1)で得られた感度において、線幅150nmのラインパターンについて走査型顕微鏡(日立社製S9260)で観察し、ラインパターンの長手方向の2μmの範囲について、エッジがあるべき基準線から実際のエッジまでの距離を等間隔で50ポイント測定し、標準偏差を求め、3σを算出した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。
(4-3) LER evaluation In the sensitivity obtained in (4-1), a line pattern with a line width of 150 nm was observed with a scanning microscope (S9260 manufactured by Hitachi, Ltd.), and the range of 2 μm in the longitudinal direction of the line pattern was The distance from the reference line that should have an edge to the actual edge was measured at 50 points at regular intervals, the standard deviation was obtained, and 3σ was calculated. A smaller value indicates better performance.

Figure 0005525777
Figure 0005525777

本発明の組成物は、上記各評価において、優れた性能を有していることがわかる。   It turns out that the composition of this invention has the outstanding performance in said each evaluation.

Claims (10)

(A)活性光線又は放射線の照射に酸を発生する化合物、(B)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、及び(C)ラジカルトラップ基を有する化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、上記(B)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂が、下記一般式(I)又は(A)で表される繰り返し単位を有し、上記(C)ラジカルトラップ基を有する化合物が、窒素酸素結合を有する化合物であることを特徴とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物
Figure 0005525777

一般式(I)中、
は、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は−CH −R で表される基を表す。R は1価の有機基を表す。
は、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Rは、炭素原子とともに脂環構造を形成するのに必要な原子団を表す。
一般式(A)中、R 01 、R 02 及びR 03 は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。Ar は、芳香環基を表す。なお、R 03 とAr とがアルキレン基であり、両者が互いに結合することにより、−C−C−鎖と共に、5員又は6員環を形成していてもよい。
n個のYは、各々独立に、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。但し、Yの少なくとも1つは、酸の作用により脱離する基を表す。
nは、1〜4の整数を表す。
(A) a compound capable of generating an acid upon irradiation with actinic rays or radiation, (B) a resin capable of increasing the dissolution rate in an alkali developer by the action of an acid, and (C) an actinic ray containing a compound having a radical trap group A resin having a repeating unit represented by the following general formula (I) or (A), wherein the resin (B) has a dissolution rate increased in an alkaline developer by the action of the acid. And (C) the compound having a radical trap group is a compound having a nitrogen-oxygen bond, an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition .
Figure 0005525777

In general formula (I),
R 1 represents a hydrogen atom, a methyl group which may have a substituent, or a group represented by —CH 2 —R 9 . R 9 represents a monovalent organic group.
R 2 represents an alkyl group or a cycloalkyl group.
R represents an atomic group necessary for forming an alicyclic structure together with a carbon atom.
In general formula (A), R 01 , R 02 and R 03 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkoxycarbonyl group. Ar 1 represents an aromatic ring group. Note that R 03 and Ar 1 are alkylene groups, and they may be bonded to each other to form a 5-membered or 6-membered ring together with the —C—C— chain.
n Y's each independently represent a hydrogen atom or a group capable of leaving by the action of an acid. However, at least one of Y represents a group capable of leaving by the action of an acid.
n represents an integer of 1 to 4.
上記(B)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂が、上記一般式(A)で表される繰り返し単位を有し、上記一般式(A)において、Yが、下記一般式(B)で表される基であることを特徴とする請求項1に記載の組成物。  The resin (B) whose dissolution rate in an alkaline developer increases by the action of the acid has a repeating unit represented by the general formula (A). In the general formula (A), Y represents the following general formula The composition according to claim 1, which is a group represented by (B).
Figure 0005525777
Figure 0005525777

式中、L  Where L 1 及びLAnd L 2 は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。 Each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group.
Mは、単結合又は2価の連結基を表す。   M represents a single bond or a divalent linking group.
Qは、アルキル基、脂環基、芳香環基、アミノ基、アンモニウム基、メルカプト基、シアノ基又はアルデヒド基を表す。なお、これら脂環基及び芳香環基は、ヘテロ原子を含んでいてもよい。   Q represents an alkyl group, an alicyclic group, an aromatic ring group, an amino group, an ammonium group, a mercapto group, a cyano group, or an aldehyde group. In addition, these alicyclic groups and aromatic ring groups may contain a hetero atom.
なお、Q、M、L  Q, M, L 1 の少なくとも2つが互いに結合して、5員又は6員環を形成していてもよい。At least two of them may be bonded to each other to form a 5-membered or 6-membered ring.
上記一般式(B)において、−(M−Q)で表される基が、炭素数5〜20の基であることを特徴とする請求項2に記載の組成物。  In the said general formula (B), group represented by-(MQ) is C5-C20 group, The composition of Claim 2 characterized by the above-mentioned. 上記(B)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂が、ラクトン基を有する繰り返し単位を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の組成物。  The composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the resin (B) whose rate of dissolution in an alkaline developer is increased by the action of an acid has a repeating unit having a lactone group. (A)活性光線又は放射線の照射に酸を発生する化合物、(B)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、及び(C)ラジカルトラップ基を有する化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、上記(B)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂が、ラクトン基を有する繰り返し単位を有し、上記(C)ラジカルトラップ基を有する化合物が、窒素酸素結合を有する化合物であることを特徴とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。  (A) a compound capable of generating an acid upon irradiation with actinic rays or radiation, (B) a resin capable of increasing the dissolution rate in an alkali developer by the action of an acid, and (C) an actinic ray containing a compound having a radical trap group Or a radiation-sensitive resin composition, wherein the resin (B) whose dissolution rate in an alkaline developer is increased by the action of an acid has a repeating unit having a lactone group, and the (C) radical trap group An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, wherein the compound having a nitrogen-oxygen bond is included. 更に疎水性樹脂を含有することを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の組成物。 The composition according to any one of claims 1 to 5, further comprising a hydrophobic resin. 上記(C)ラジカルトラップ基を有する化合物が、下記一般式(1)〜(3)のいずれかで示す化合物であることを特徴とする請求項1〜のいずれかに記載の組成物。
Figure 0005525777

一般式中、R〜R6は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。式(1)においてR及びR2が結合して環を形成していても良く、式(3)においてR4〜R6の少なくとも二つが結合して環を形成していても良い。
The composition according to any one of claims 1 to 6 , wherein the compound (C) having a radical trap group is a compound represented by any one of the following general formulas (1) to (3).
Figure 0005525777

In the general formula, R 1 to R 6 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group. In Formula (1), R 1 and R 2 may be bonded to form a ring, and in Formula (3), at least two of R 4 to R 6 may be bonded to form a ring.
上記(C)ラジカルトラップ基を有する化合物が、上記一般式(2)で示す化合物であることを特徴とする請求項7に記載の組成物。  The composition according to claim 7, wherein the compound having the (C) radical trap group is a compound represented by the general formula (2). 請求項1〜8のいずれかに記載の組成物により形成される膜。  The film | membrane formed with the composition in any one of Claims 1-8. 請求項9に記載の膜を露光、現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。 A pattern forming method comprising: exposing and developing the film according to claim 9 .
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