JP5499651B2

JP5499651B2 - Packages for piezoelectric elements, piezoelectric components

Info

Publication number: JP5499651B2
Application number: JP2009264675A
Authority: JP
Inventors: 順孝後藤; 勇青木
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2009-11-20
Filing date: 2009-11-20
Publication date: 2014-05-21
Anticipated expiration: 2029-11-20
Also published as: JP2011109567A

Description

本発明は、水晶振動子などの圧電素子を収納する圧電素子用のパッケージ、圧電部品に関する。 The present invention relates to a piezoelectric element package and a piezoelectric component that house a piezoelectric element such as a crystal resonator.

近年、水晶振動子などの圧電素子の小型化に伴って、圧電素子を収納するためのパッケージの小型化も図られている。例えば、熱成形により小型の圧電素子用のパッケージを成形する従来例がある（特許文献１〜３）。
特許文献１〜３に示される従来例では、金型としての上型及び下型間にガラス材料を配置して、パッケージのベースなどを所定形状に成形している。また、特許文献１に示される従来例では、パッケージの外側からレーザービームを通して、パッケージに収納された水晶振動子の周波数調整を実施している。この水晶振動子の周波数調整は、水晶振動子の先端に積層された金属膜にパッケージの外からレーザービームを照射して行う。 In recent years, with the miniaturization of piezoelectric elements such as crystal resonators, the size of packages for housing piezoelectric elements has also been reduced. For example, there is a conventional example in which a package for a small piezoelectric element is formed by thermoforming (Patent Documents 1 to 3).
In the conventional examples shown in Patent Documents 1 to 3, a glass material is disposed between an upper mold and a lower mold as molds, and a package base or the like is formed into a predetermined shape. Further, in the conventional example disclosed in Patent Document 1, the frequency of the crystal resonator housed in the package is adjusted through a laser beam from the outside of the package. The frequency adjustment of the crystal unit is performed by irradiating the metal film laminated on the tip of the crystal unit with a laser beam from the outside of the package.

特開２００２―１２１０３７号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2002-121037 特開２００３―２０９１９８号公報JP 2003-209198 A 特開２００４―６５２５号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2004-6525

しかしながら、特許文献１〜３に示される従来例では、例えば、パッケージを構成するベース部を凹状に成形する場合、凸部を有する金型を用いて成形するが、その凸部が小さくなるとベース部にクラックが発生したり、ベース部と凸部との離型での不良が発生しやすい。
これは、ベース部の内側のベース側面とベース底面とが交差する角部において、凸部との摩擦が大きいためと考えられる。
そこで、ベース部のベース側面とベース底面とのなす角を９０°より大きくして、ベース側面をベース傾斜面とすることで、凸部との摩擦を低減することが考えられる。
しかしながら、単にベース傾斜面とするだけでは、ベース部と凸部との離型での不良を抑制することができるが、ベース傾斜面とベース底面とのなす傾斜角度が大きすぎると、パッケージの外からベース部を通して周波数調整を実施する際、レーザービームは水晶振動子の先端に積層された金属膜に照射されるから、レーザービームの照射線上にベース傾斜面が重なる場合がある。この場合、レーザービームがベース傾斜面により散乱したり、屈折して周波数調整の際の操作性が低下するおそれがある。
ここで、レーザービームの照射線上にベース傾斜面が重ならないようにしようとすると、パッケージ自体が大型化し、小型化が図れないという問題がある。 However, in the conventional examples shown in Patent Documents 1 to 3, for example, when the base portion constituting the package is formed in a concave shape, the base portion is formed by using a mold having a convex portion. Cracks are likely to occur, and defects due to mold release between the base portion and the convex portion are likely to occur.
This is presumably because the friction with the convex portion is large at the corner where the base side surface and the base bottom surface inside the base portion intersect.
Therefore, it is conceivable to reduce the friction with the convex portion by making the angle formed by the base side surface and the base bottom surface of the base portion larger than 90 ° and making the base side surface a base inclined surface.
However, it is possible to suppress defects due to mold release between the base portion and the convex portion by simply using the base inclined surface. However, if the inclination angle formed between the base inclined surface and the base bottom surface is too large, the outside of the package will be removed. When the frequency adjustment is performed through the base portion, the laser beam is applied to the metal film laminated on the tip of the crystal resonator, so that the base inclined surface may overlap the irradiation line of the laser beam. In this case, the laser beam may be scattered or refracted by the base inclined surface, and the operability during frequency adjustment may be reduced.
Here, there is a problem that if the base inclined surface is not overlapped on the irradiation line of the laser beam, the package itself is increased in size and cannot be reduced in size.

本発明の目的は、成形が容易な小型の圧電素子用のパッケージ、圧電部品を提供することである。 An object of the present invention is to provide a package and a piezoelectric component for a small piezoelectric element that can be easily formed.

［適用例１］
本適用例に係る圧電素子用のパッケージは、圧電素子を収納する圧電素子用のパッケージであって、前記圧電素子を収納する収納空間を形成する第一ケース部と、前記第一ケース部と接合する第二ケース部とを備え、前記第一ケース部と前記第二ケース部との少なくともいずれか一方は、ガラス材料からなり、レーザービームを直線状に透過する底面と、この底面に連続し前記圧電素子を囲む傾斜面と、他方と接合する接合面とを有し、前記傾斜面は、底側傾斜面と、前記底側傾斜面よりも前記接合面側に位置し、その前記底面側の端が前記底側傾斜面の前記接合面側の端に接続されている接合側傾斜面と、前記底側傾斜面と前記接合側傾斜面との接続部に形成されている段差部と、を有し、前記底側傾斜面と前記底面の仮想延長線とのなす傾斜角度（θ１）は、４５°≦θ１≦８８°であり、前記接合側傾斜面と前記底面の仮想延長線と略平行な第二仮想延長線とのなす傾斜角度（θ２）が４５°≦θ２≦８８°であり、さらに、θ２＜θ１なる関係を満足することを特徴とする。 [Application Example 1]
A package for a piezoelectric element according to this application example is a package for a piezoelectric element that accommodates a piezoelectric element, and includes a first case part that forms a storage space for accommodating the piezoelectric element, and a joint with the first case part A second case portion, and at least one of the first case portion and the second case portion is made of a glass material, and a bottom surface that linearly transmits a laser beam, and the bottom surface is continuous with the bottom surface. An inclined surface that surrounds the piezoelectric element, and a bonding surface that is bonded to the other, wherein the inclined surface is positioned on the bonding surface side of the bottom inclined surface and on the bottom surface side of the bottom inclined surface. A junction-side inclined surface having an end connected to the end of the bottom-side inclined surface on the bonding surface side, and a step portion formed at a connection portion between the bottom-side inclined surface and the bonding-side inclined surface, Between the bottom inclined surface and a virtual extension line of the bottom surface The oblique angle (θ1) is 45 ° ≦ θ1 ≦ 88 °, and the inclination angle (θ2) formed between the joint-side inclined surface and the second virtual extension line substantially parallel to the virtual extension line of the bottom surface is 45 ° ≦ It is characterized in that θ2 ≦ 88 ° and further satisfies the relationship θ2 <θ1 .

ここで、傾斜面と底面の仮想延長線とのなす傾斜角度（θ）を８８°よりも大きくした場合、傾斜面及び底面を有するケース部と、このケース部を成形する金型の凸部との摩擦が大きくなり、ケース部にクラックが発生したり、ケース部と凸型との離型が不良になる。
一方、傾斜面と底面の仮想延長線とのなす傾斜角度（θ）を４５°よりも小さくした場合、周波数調整の際、レーザービームの照射線上に傾斜面が重なり周波数調整の操作性が低下する。ここで、レーザービームの照射線上に傾斜面が重ならないようにすると、圧電素子用のパッケージが大型化する。
そこで、この構成の本適用例では、傾斜面と底面の仮想延長線とのなす傾斜角度（θ）を特定の範囲としたから、ケース部の成形不良を抑制できる。また、圧電素子用のパッケージを小型化した場合にも、傾斜面がレーザービームの照射線上に重なることがないので、周波数調整の操作性を向上させることができる。
したがって、成形が容易で、周波数調整を良好に実施できる小型の圧電素子用パッケージとすることができる。
レーザービームを直線状に透過する底面とは、入射するレーザービームを光学的に同じように出射する形状である。 Here, when the inclination angle (θ) formed between the inclined surface and the virtual extension line of the bottom surface is larger than 88 °, the case portion having the inclined surface and the bottom surface, and the convex portion of the mold for forming the case portion, The friction of the case increases, cracks occur in the case part, and the mold release between the case part and the convex mold becomes poor.
On the other hand, when the inclination angle (θ) formed between the inclined surface and the virtual extension line of the bottom surface is smaller than 45 °, the inclined surface overlaps the irradiation line of the laser beam and the frequency adjustment operability is lowered during frequency adjustment. . Here, if the inclined surfaces do not overlap with the irradiation line of the laser beam, the package for the piezoelectric element is increased in size.
Therefore, in this application example having this configuration, the inclination angle (θ) formed between the inclined surface and the virtual extension line of the bottom surface is set to a specific range, so that molding failure of the case portion can be suppressed. In addition, even when the package for the piezoelectric element is downsized, the inclined surface does not overlap the irradiation line of the laser beam, so that the operability of frequency adjustment can be improved.
Therefore, it is possible to obtain a small package for a piezoelectric element that can be easily molded and can be satisfactorily adjusted in frequency.
The bottom surface that transmits the laser beam linearly is a shape that optically emits the incident laser beam in the same manner.

［適用例２］
本適用例に係る圧電素子用のパッケージは、略矩形状に形成され、前記傾斜面は、前記底面の４辺に対応して４つ配置され、前記４つの傾斜面のうち１つは、周波数調整が実施される端部近傍に配置され、底側傾斜面と、前記底側傾斜面よりも前記接合面側に位置し、その前記底面側の端が前記底側傾斜面の前記接合面側の端に接続されている接合側傾斜面と、前記底側傾斜面と前記接合側傾斜面との接続部に形成されている段差部と、を有し、前記底側傾斜面と前記底面の仮想延長線とのなす傾斜角度（θ１）は、４５°≦θ１≦８８°であり、前記接合側傾斜面と前記底面の仮想延長線と略平行な第二仮想延長線とのなす傾斜角度（θ２）が４５°≦θ２≦８８°であり、さらに、θ２＜θ１なる関係を満足することを特徴とする。
この構成の本適用例では、周波数調整が実施される端部近傍の傾斜面を最も大きな傾斜角度としたから、圧電素子用のパッケージを小型化しても、傾斜面がレーザービームの照射線上に重なることを防止できるので、良好な周波数調整を確保できる。
また、金型の凸部によりケース部を成形する場合、傾斜面を形成する凸部のプレス傾斜面は、凸部の底面を形成するプレス先端面とのなす傾斜角度が９０°に近いほうが金型の製造上、平坦度を高くできる。従って、プレス傾斜面により成形される傾斜面は、傾斜角度（θ）が９０°に近い８８°であるから平坦度を高くできる。したがって、仮に、傾斜面がレーザービームの照射線上と重なったとしても、周波数調整の際の操作性の低下を抑制することができる。 [Application Example 2]
The package for the piezoelectric element according to this application example is formed in a substantially rectangular shape, and the four inclined surfaces are arranged corresponding to the four sides of the bottom surface, and one of the four inclined surfaces is a peripheral surface. Arranged near the end where the wave number adjustment is performed, the bottom inclined surface is positioned closer to the joining surface than the bottom inclined surface, and the bottom side end of the bottom inclined surface is the joining surface of the bottom inclined surface A joint-side inclined surface connected to an end on the side, and a step portion formed at a connection portion between the bottom-side inclined surface and the joint-side inclined surface, the bottom-side inclined surface and the bottom surface The inclination angle (θ1) formed with the virtual extension line is 45 ° ≦ θ1 ≦ 88 °, and the inclination angle formed between the joint-side inclined surface and the second virtual extension line substantially parallel to the virtual extension line of the bottom surface (Θ2) is 45 ° ≦ θ2 ≦ 88 °, and further satisfies the relationship of θ2 <θ1 .
In this application example of this configuration, since the inclined surface near the end where the frequency adjustment is performed is set to the largest inclination angle, the inclined surface overlaps the laser beam irradiation line even if the package for the piezoelectric element is downsized. Since this can be prevented, good frequency adjustment can be secured.
In addition, when the case part is formed by the convex part of the mold, the press inclined surface of the convex part forming the inclined surface is closer to 90 ° with respect to the press front end surface forming the bottom surface of the convex part. The flatness can be increased in manufacturing the mold. Therefore, since the inclined surface formed by the press inclined surface has an inclination angle (θ) of 88 ° close to 90 °, the flatness can be increased. Therefore, even if the inclined surface overlaps the irradiation line of the laser beam, it is possible to suppress a decrease in operability during frequency adjustment.

［適用例３］
本適用例に係る圧電素子用のパッケージは、前記４つの傾斜面は、それぞれ、底側傾斜面と、前記底側傾斜面よりも前記接合面側に位置し、その前記底面側の端が前記底側傾斜面の前記接合面側の端に接続されている接合側傾斜面と、前記底側傾斜面と前記接合側傾斜面との接続部に形成されている段差部と、を有し、前記底側傾斜面と前記底面の仮想延長線とのなす傾斜角度（θ１）は、４５°≦θ１≦８８°であり、前記接合側傾斜面と前記底面の仮想延長線と略平行な第二仮想延長線とのなす傾斜角度（θ２）が４５°≦θ２≦８８°であり、さらに、θ２＜θ１なる関係を満足することを特徴とする。
この構成の本適用例では、４つの傾斜面の傾斜角度を最も大きな傾斜角度としたから、さらに、圧電素子用のパッケージを小型化できる。 [Application Example 3]
In the package for a piezoelectric element according to this application example, the four inclined surfaces are respectively positioned on the bonding surface side with respect to the bottom-side inclined surface and the bottom-side inclined surface, and the bottom-side end thereof is the A joint-side inclined surface connected to an end of the bottom-side inclined surface on the joint surface side, and a step portion formed at a connection portion between the bottom-side inclined surface and the joint-side inclined surface, An inclination angle (θ1) formed by the bottom inclined surface and the virtual extension line of the bottom surface is 45 ° ≦ θ1 ≦ 88 °, and is a second substantially parallel to the virtual extension line of the bonding side inclined surface and the bottom surface. The inclination angle (θ2) formed with the virtual extension line is 45 ° ≦ θ2 ≦ 88 °, and further satisfies the relationship of θ2 <θ1 .
In this application example having this configuration, the inclination angle of the four inclined surfaces is set to the largest inclination angle, so that the package for the piezoelectric element can be further reduced in size.

［適用例４］
本適用例に係る圧電素子用のパッケージは、前記圧電素子が前記段差部と同じ高さに配置されていることを特徴とする。 [Application Example 4]
The piezoelectric element package according to this application example is characterized in that the piezoelectric element is arranged at the same height as the stepped portion .

［適用例５］
本適用例に係る圧電素子用のパッケージは、前記第一ケース部と前記第二ケース部とは、プラズマ重合膜により形成された接合層を介して接合されていることを特徴とする。
この構成の本適用例では、圧電素子用のパッケージをさらに小型化するため、第一ケース部と第二ケース部との接合面積を小さくしても、接合層がプラズマ重合膜により形成されているので、第一ケース部と第二ケース部との接合強度を十分に得ることができる。
したがって、容易に小型で密封性に優れた圧電素子用のパッケージとすることができる。 [Application Example 5]
The package for a piezoelectric element according to this application example is characterized in that the first case portion and the second case portion are bonded via a bonding layer formed of a plasma polymerization film.
In this application example of this configuration, in order to further reduce the size of the package for the piezoelectric element, the bonding layer is formed of a plasma polymerization film even if the bonding area between the first case portion and the second case portion is reduced. As a result, sufficient bonding strength between the first case portion and the second case portion can be obtained.
Therefore, a package for a piezoelectric element having a small size and excellent sealing performance can be easily obtained.

［適用例６］
本適用例に係る圧電部品は、上述の圧電素子用のパッケージと、この圧電素子用のパッケージに収納された圧電素子としての水晶振動子と、この水晶振動子を外部電極に接続する電極と、を備えることを特徴とする。
この構成の本適用例では、成形が容易で、水晶振動子の周波数調整を良好に実施できる小型のパッケージを備えるから、良質で生産性の高い小型の水晶振動子とすることができる。 [Application Example 6]
The piezoelectric component according to this application example includes the above-described piezoelectric element package, a crystal resonator as a piezoelectric element housed in the piezoelectric element package, an electrode that connects the crystal resonator to an external electrode, It is characterized by providing.
In this application example having this configuration, a compact crystal resonator that is easy to mold and that can satisfactorily adjust the frequency of the crystal resonator can be provided.

本発明の第一実施形態に係る圧電部品の第二ケース部が透過した平面図。The top view which the 2nd case part of the piezoelectric component which concerns on 1st embodiment of this invention permeate | transmitted. 図１のII−II断面図。II-II sectional drawing of FIG. 図１のIII−III断面図。III-III sectional drawing of FIG. 前記圧電部品の第一ケース部における、水晶振動子の端部近傍を拡大した図。The figure which expanded the edge part vicinity of the crystal oscillator in the 1st case part of the said piezoelectric component. 前記第一ケース部を成形する方法を示す図。The figure which shows the method of shape | molding said 1st case part. 本発明の第二実施形態に係る圧電部品の第一ケース部における、水晶振動子の端部近傍を拡大した図。The figure which expanded the edge part vicinity of the crystal oscillator in the 1st case part of the piezoelectric component which concerns on 2nd embodiment of this invention. 実施例及び比較例のグラフ。The graph of an Example and a comparative example.

次に、本発明の第一実施形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明の第一実施形態に係る圧電部品の第二ケース部が透過した平面図である。すなわち、図１では、圧電部品の第二ケース部の記載は省略している。図２は、図１のII−II断面図であり、図３は、図１のIII−III断面図である。図４は、前記圧電部品の第一ケース部における、水晶振動子の端部近傍を拡大した図である。 Next, a first embodiment of the present invention will be described based on the drawings.
FIG. 1 is a plan view through which a second case portion of the piezoelectric component according to the first embodiment of the present invention is transmitted. That is, in FIG. 1, the description of the second case portion of the piezoelectric component is omitted. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II in FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line III-III in FIG. FIG. 4 is an enlarged view of the vicinity of the end portion of the crystal resonator in the first case portion of the piezoelectric component.

図１〜３において、圧電部品１は、平面視で略矩形状の圧電素子用のパッケージ２（以下、「パッケージ」と略記する場合がある）と、このパッケージ２の内部に収納された水晶振動子３と、水晶振動子３と図示しない外部電極とを接続する内部電極４とを備える。
パッケージ２の大きさは、例えば、３．２ｍｍ（パッケージ２の短手方向）×５ｍｍ（パッケージ２の長手方向）である。
水晶振動子３は、音叉型であり、その長手方向がパッケージ２の長手方向に沿うように配置されている。
水晶振動子３は、長手方向の一端が内部電極４に接続した固定端３１であり、他端が周波数調整が実施される自由端３２である。
図１には、周波数調整が施される領域Ｒを示す。領域Ｒの面積は、例えば、０．８ｍｍ（パッケージ２の長手方向）×０．６ｍｍ（パッケージ２の短手方向）である。 1 to 3, a piezoelectric component 1 includes a piezoelectric element package 2 (hereinafter sometimes abbreviated as “package”) having a substantially rectangular shape in plan view, and a crystal vibration housed in the package 2. A child 3 and an internal electrode 4 for connecting the crystal resonator 3 and an external electrode (not shown) are provided.
The size of the package 2 is, for example, 3.2 mm (short direction of the package 2) × 5 mm (longitudinal direction of the package 2).
The crystal unit 3 is a tuning fork type, and is arranged so that its longitudinal direction is along the longitudinal direction of the package 2.
In the crystal resonator 3, one end in the longitudinal direction is a fixed end 31 connected to the internal electrode 4, and the other end is a free end 32 on which frequency adjustment is performed.
FIG. 1 shows a region R where frequency adjustment is performed. The area of the region R is, for example, 0.8 mm (longitudinal direction of the package 2) × 0.6 mm (short side direction of the package 2).

パッケージ２は、ガラス材料からなり、一対の凹状の第一ケース部としてのベース部１０及び第二ケース部としてのリッド部２０から構成されている。
ベース部１０は、水晶振動子３の固定端３１を支持するベース底部１１と、ベース底部１１に一体的に形成された水晶振動子３を囲むベース側壁１２とを備える。
図２，３において、ベース底部１１は、水晶振動子３と所定の間隔を有するベース底面１１Ａと、厚さ方向に貫通した貫通孔１１Ｂを有する。貫通孔１１Ｂには、内部電極４が嵌合されている。 The package 2 is made of a glass material, and includes a base portion 10 as a pair of concave first case portions and a lid portion 20 as a second case portion.
The base portion 10 includes a base bottom portion 11 that supports the fixed end 31 of the crystal resonator 3, and a base side wall 12 that surrounds the crystal resonator 3 formed integrally with the base bottom portion 11.
2 and 3, the base bottom portion 11 has a base bottom surface 11A having a predetermined distance from the crystal resonator 3, and a through hole 11B penetrating in the thickness direction. The internal electrode 4 is fitted in the through hole 11B.

図１〜３において、ベース側壁１２は、第一側壁１２Ａ、第二側壁１２Ｂ、第三側壁１２Ｃ及び第四側壁１２Ｄの４つから構成されている。
第一側壁１２Ａは、水晶振動子３の自由端３２近傍に配置され、第二側壁１２Ｂは、水晶振動子３の固定端３１近傍に配置されている。
第三側壁１２Ｃは、第一及び第二側壁１２Ａ，１２Ｂの一端側に配置され、第四側壁１２Ｄは、第一及び第二側壁１２Ａ，１２Ｂの他端側に配置されている。
第一及び第二側壁１２Ａ，１２Ｂは、パッケージ２の短手方向に沿って設けられ、第三及び第四側壁１２Ｃ，１２Ｄは、パッケージ２の長手方向に沿って設けられている。すなわち、第三及び第四側壁１２Ｃ，１２Ｄは、第一及び第二側壁１２Ａ，１２Ｂよりも長く形成されている。 1-3, the base side wall 12 is comprised from four, 1st side wall 12A, 2nd side wall 12B, 3rd side wall 12C, and 4th side wall 12D.
The first side wall 12 A is disposed near the free end 32 of the crystal unit 3, and the second side wall 12 B is disposed near the fixed end 31 of the crystal unit 3.
The third side wall 12C is arranged on one end side of the first and second side walls 12A, 12B, and the fourth side wall 12D is arranged on the other end side of the first and second side walls 12A, 12B.
The first and second side walls 12 A and 12 B are provided along the short direction of the package 2, and the third and fourth side walls 12 C and 12 D are provided along the longitudinal direction of the package 2. That is, the third and fourth side walls 12C and 12D are formed longer than the first and second side walls 12A and 12B.

第一〜第四側壁１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄは、それぞれ水晶振動子３側にベース底面１１Ａと連続するベース傾斜面としての第一〜第四傾斜面１２Ａ１，１２Ｂ１，１２Ｃ１，１２Ｄ１を有する。
例えば、第一傾斜面１２Ａ１は、第一側壁１２Ａの高さが水晶振動子３に向かうに従って次第に小さくなる形状に形成されている。
第二〜第四傾斜面１２Ｂ１，１２Ｃ１，１２Ｄ１も第一傾斜面１２Ａ１と同様に、第二〜第四側壁１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄの高さが水晶振動子３に向かうに従って次第に小さくなる形状に形成されている。
また、ベース部１０は、第一〜第四傾斜面１２Ａ１，１２Ｂ１，１２Ｃ１，１２Ｄ１と、ベース底面１１Ａとの交差する位置にベース角部１３を有する。 The first to fourth side walls 12A, 12B, 12C, and 12D have first to fourth inclined surfaces 12A1, 12B1, 12C1, and 12D1 as base inclined surfaces that are continuous with the base bottom surface 11A on the quartz resonator 3 side, respectively.
For example, the first inclined surface 12A1 is formed in a shape that gradually decreases as the height of the first side wall 12A moves toward the crystal unit 3.
Similarly to the first inclined surface 12A1, the second to fourth inclined surfaces 12B1, 12C1, and 12D1 are formed in a shape that gradually decreases as the heights of the second to fourth side walls 12B, 12C, and 12D move toward the crystal unit 3. Has been.
Moreover, the base part 10 has the base corner | angular part 13 in the position where 1st-4th inclined surface 12A1, 12B1, 12C1, 12D1 and the base bottom face 11A cross | intersect.

第一傾斜面１２Ａ１は、図４において、ベース底面１１Ａの仮想延長線Ｌに対して傾斜角度（θ）を有して傾斜している。この傾斜角度（θ）は、４５°≦θ≦８８°であり、第一実施形態では、８８°である。 In FIG. 4, the first inclined surface 12A1 is inclined with an inclination angle (θ) with respect to the virtual extension line L of the base bottom surface 11A. This inclination angle (θ) is 45 ° ≦ θ ≦ 88 °, and is 88 ° in the first embodiment.

なお、図示を省略したが、第二〜第四傾斜面１２Ｂ１，１２Ｃ１，１２Ｄ１も、第一傾斜面１２Ａ１と同様に、ベース底面１１Ａの仮想延長線Ｌに対して傾斜した傾斜角度（θ）を有している。それらの傾斜角度（θ）も、それぞれ４５°≦θ≦８８°である。 Although not shown, the second to fourth inclined surfaces 12B1, 12C1, and 12D1 also have an inclination angle (θ) inclined with respect to the virtual extension line L of the base bottom surface 11A, similarly to the first inclined surface 12A1. Have. Their inclination angles (θ) are also 45 ° ≦ θ ≦ 88 °.

また、第一〜第四側壁１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄは、その上端部側、すなわちリッド部２０側に第一〜第四傾斜面１２Ａ１，１２Ｂ１，１２Ｃ１，１２Ｄ１に連続する第一接合面としてのベース接合面１２Ｅを有する。このベース接合面１２Ｅには、プラズマ重合膜により形成された図示しない接合層を介してリッド部２０が接合されている。 Further, the first to fourth side walls 12A, 12B, 12C, 12D serve as first joining surfaces that are continuous with the first to fourth inclined surfaces 12A1, 12B1, 12C1, 12D1 on the upper end side, that is, the lid portion 20 side. The base joint surface 12E is provided. The lid portion 20 is bonded to the base bonding surface 12E via a bonding layer (not shown) formed of a plasma polymerization film.

リッド部２０は、ベース部１０と略同一形状に形成され、ベース底部１１と同様のリッド底部２１と、ベース側壁１２と同様のリッド側壁２２とを備える。なお、リッド底部２１には、内部電極４を嵌合するための貫通孔は形成されていない。
リッド底部２１は、ベース底面１１Ａに対向した平坦なリッド底面２１Ａを有する。また、リッド側壁２２は、第一傾斜面１２Ａ１に連続する第五傾斜面２２Ａ１と、第二傾斜面１２Ｂ１に連続する第六傾斜面２２Ｂ１と、第三傾斜面１２Ｃ１に連続する第七傾斜面２２Ｃ１と、第四傾斜面１２Ｄ１に連続する第八傾斜面２２Ｄ１とを有する。
これら第五〜第八傾斜面２２Ａ１、２２Ｂ１、２２Ｃ１、２２Ｄ１は、リッド底面２１Ａの仮想延長線Ｌとのなす傾斜角度（θ）が、第一傾斜面１２Ａ１の傾斜角度（θ）と同様に、４５°≦θ≦８８°である。
また、第五〜第八リッド側壁２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃ，２２Ｄは、その下端部側、すなわちベース部１０側に第五〜第八傾斜面２２Ａ１、２２Ｂ１、２２Ｃ１、２２Ｄ１に連続する第二接合面としてのリッド接合面２２Ｅを有する。このリッド接合面２２Ｅは、接合層を介してベース接合面１２Ｅに接合されている。 The lid portion 20 is formed in substantially the same shape as the base portion 10, and includes a lid bottom portion 21 similar to the base bottom portion 11 and a lid sidewall 22 similar to the base side wall 12. Note that a through hole for fitting the internal electrode 4 is not formed in the lid bottom 21.
The lid bottom portion 21 has a flat lid bottom surface 21A facing the base bottom surface 11A. The lid side wall 22 includes a fifth inclined surface 22A1 continuous with the first inclined surface 12A1, a sixth inclined surface 22B1 continuous with the second inclined surface 12B1, and a seventh inclined surface 22C1 continuous with the third inclined surface 12C1. And an eighth inclined surface 22D1 continuous to the fourth inclined surface 12D1.
The fifth to eighth inclined surfaces 22A1, 22B1, 22C1, and 22D1 have an inclination angle (θ) formed with the virtual extension line L of the lid bottom surface 21A, similarly to the inclination angle (θ) of the first inclined surface 12A1. 45 ° ≦ θ ≦ 88 °.
In addition, the fifth to eighth lid side walls 22A, 22B, 22C, and 22D are second joint surfaces that are continuous with the fifth to eighth inclined surfaces 22A1, 22B1, 22C1, and 22D1 on the lower end side, that is, the base portion 10 side. A lid joint surface 22E. The lid bonding surface 22E is bonded to the base bonding surface 12E via a bonding layer.

［パッケージの成形方法］
まず、ベース部を成形するための成形装置について説明する。図５は、ベース部を成形する方法を示す図である。
図５において、金型５は、４つのベース部１０を同時に成形する、いわゆる複数個取り加工を行う一対のプレス下型５１とプレス上型５２とを備える。プレス上型５２は、略平板状に形成され、プレス下型５１に対して進退する移動型である。
プレス下型５１は、プレス上型５２に向かって開口した凹部５３を有する。この凹部５３は、その内側に成形底面５３Ａと、成形底面５３Ａに連続した成形側面５３Ｂとを有する。
成形底面５３Ａは、プレス上型５２に向かって突出した凸部５３Ｃを有する。凸部５３Ｃは、その先端に、ベース部１０のベース底部１１を形成するためのプレス先端面５３Ｃ１と、ベース部１０の第一〜第四傾斜面１２Ａ１，１２Ｂ１，１２Ｃ１，１２Ｄ１を形成するためのプレス傾斜面５３Ｃ２とを有する。
ここでは、一例としてベース部１０を４つ同時に成形する構成を示すが、同時に成形するベース部１０の個数はこれに限られない。 [Package forming method]
First, the shaping | molding apparatus for shape | molding a base part is demonstrated. FIG. 5 is a diagram illustrating a method of forming the base portion.
In FIG. 5, the mold 5 includes a pair of lower press molds 51 and upper press molds 52 that simultaneously form four base portions 10 and perform so-called plural machining. The press upper die 52 is a movable die that is formed in a substantially flat plate shape and moves forward and backward with respect to the press lower die 51.
The lower press mold 51 has a recess 53 that opens toward the upper press mold 52. The recess 53 has a molding bottom surface 53A and a molding side surface 53B continuous with the molding bottom surface 53A.
The molding bottom surface 53 A has a convex portion 53 C protruding toward the press upper die 52. The convex portion 53C has, at its tip, a press front end surface 53C1 for forming the base bottom portion 11 of the base portion 10 and first to fourth inclined surfaces 12A1, 12B1, 12C1, 12D1 of the base portion 10. A press inclined surface 53C2.
Here, as an example, a configuration in which four base portions 10 are simultaneously formed is shown, but the number of base portions 10 to be simultaneously formed is not limited thereto.

次に、パッケージの成形方法について説明する。
先ず、プレス下型５１の凹部５３にガラス板１Ａを載置する。そして、プレス下型５１及びプレス上型５２を図示しない電気炉に投入して、ガラス軟化点温度以上に加熱する。
ガラス板１Ａが軟化したら、プレス上型５２をプレス下型５１に押し付けてガラス板１Ａをベース部１０に成形する。この際、プレス先端面５３Ｃ１がベース底面１１Ａを形成し、プレス傾斜面５３Ｃ２が第一〜第四傾斜面１２Ａ１，１２Ｂ１，１２Ｃ１，１２Ｄ１を形成する。
ここで、プレス先端面５３Ｃ１とプレス傾斜面５３Ｃ２とのなす傾斜角度（θ_Ａ）は、１０２°≦θ_Ａ≦１３５°である。傾斜角度（θ_Ａ）が１０２°未満の場合、ベース角部１３と、凸部５３Ｃとの摩擦が大きくなり、ベース部１０にクラックが発生したり、ベース部１０と凸部５３Ｃとの離型が不良になる。
一方、傾斜角度（θ_Ａ）が１３５°を超える場合、プレス傾斜面５３Ｃ２の平坦度が悪くなる。これは、削りだしによる鏡面加工が困難になるためである。そのため、プレス傾斜面５３Ｃ２により成形される第一〜第四傾斜面１２Ａ１、１２Ｂ１，１２Ｃ１，１２Ｄ１も平坦度が悪くなる。
そして、図４のように、ベース部１０の外側からベース部１０を通して周波数調整をする際、パッケージを小型化すると、周波数調整の際、第一傾斜面１２Ａ１がレーザービームの照射線上に重なり、第一傾斜面１２Ａ１の平坦度が悪いため、レーザービームが散乱したり、屈折する。したがって、周波数調整を良好に実施することができない。
さらに、傾斜角度（θ_Ａ）が１３５°を超える場合、凹部５３に形成できる凸部５３Ｃの数が少なくなるから、一度に成形できるベース部１０の個数が少なくなり、ベース部１０の生産に時間がかかる。
そして、プレス下型５１を削り出して凹部５３を形成する際、凸部５３Ｃの数が少ないから、削り出す量が増えて、プレス下型５１の製造に時間がかかる。 Next, a package forming method will be described.
First, the glass plate 1 A is placed in the recess 53 of the lower press mold 51. Then, the lower press mold 51 and the upper press mold 52 are put into an electric furnace (not shown) and heated to the glass softening point temperature or higher.
When the glass plate 1A is softened, the upper press mold 52 is pressed against the lower press mold 51 to form the glass plate 1A on the base portion 10. At this time, the press front end surface 53C1 forms the base bottom surface 11A, and the press inclined surface 53C2 forms the first to fourth inclined surfaces 12A1, 12B1, 12C1, and 12D1.
Here, the inclination angle (θ _A ) formed by the press front end surface 53C1 and the press inclined surface 53C2 is 102 ° ≦ θ _A ≦ 135 °. When the inclination angle (θ _A ) is less than 102 °, the friction between the base corner portion 13 and the convex portion 53C increases, cracks occur in the base portion 10, and the mold release between the base portion 10 and the convex portion 53C occurs. Becomes defective.
On the other hand, when the inclination angle (θ _A ) exceeds 135 °, the flatness of the press inclined surface 53C2 is deteriorated. This is because it is difficult to perform mirror surface processing by cutting. Therefore, the flatness of the first to fourth inclined surfaces 12A1, 12B1, 12C1, and 12D1 formed by the press inclined surface 53C2 also deteriorates.
As shown in FIG. 4, when the frequency is adjusted from the outside of the base portion 10 through the base portion 10, when the package is downsized, the first inclined surface 12A1 overlaps the laser beam irradiation line when the frequency is adjusted. Since the flatness of one inclined surface 12A1 is poor, the laser beam is scattered or refracted. Therefore, the frequency adjustment cannot be performed satisfactorily.
Further, when the inclination angle (θ _A ) exceeds 135 °, the number of the convex portions 53C that can be formed in the concave portion 53 is reduced, so that the number of the base portions 10 that can be molded at a time is reduced, and time is required for the production of the base portion 10. It takes.
Then, when the press lower die 51 is cut out to form the recesses 53, the number of the convex portions 53C is small, so that the amount to be cut out increases and it takes time to manufacture the press lower die 51.

４つ連なったベース部１０を成形した後、ベース側壁１２部分で分断して、１つのベース部１０を得る。そして、図示しない孔開け装置により、ベース部１０に貫通孔１１Ｂを形成する。なお、４つ連なったベース部１０を成形する前に、ガラス板１Ａに予め貫通孔１１Ｂを形成し、この貫通孔１１Ｂに内部電極４を嵌合した状態で４つ連なったベース部１０を成形してもよい。
リッド部２０は、ベース部１０と同様の形状であるため、ベース部１０と同様にして成形することができる。 After the four base portions 10 are molded, the base side wall 12 is divided to obtain one base portion 10. And the through-hole 11B is formed in the base part 10 with the punching apparatus which is not shown in figure. Before forming the four base portions 10, the through holes 11B are formed in the glass plate 1A in advance, and the four base portions 10 are formed in a state where the internal electrodes 4 are fitted in the through holes 11B. May be.
Since the lid portion 20 has the same shape as the base portion 10, it can be formed in the same manner as the base portion 10.

［圧電部品の製造方法］
まず、ベース部１０の貫通孔１１Ｂに内部電極４を嵌合させる。そして、内部電極４の先端に接続材により水晶振動子３を接続する。これにより、ベース部１０に水晶振動子３を実装する。
次に、ベース部１０とリッド部２０とを接合する。ベース部１０とリッド部２０との接合は、ベース接合面１２Ｅ及びリッド接合面２２Ｅ間に接合層を形成し、これらのプラズマ重合膜を接合することにより行う。
具体的には、ベース部１０とリッド部２０とを炉に投入し、この炉の中に原料ガスを発生させて、ベース接合面１２Ｅとリッド接合面２２Ｅにて、プラズマエネルギーにより原料ガスを重合させてプラズマ重合膜を形成する。
形成されたプラズマ重合膜にプラズマを照射してプラズマ重合膜を活性化し表面を活性化させる。
そして、プラズマ重合膜の活性化されたベース接合面１２Ｅとリッド接合面２２Ｅとを貼り合わせて、接合層を形成し、一つのパッケージ２を得る。
なお、プラズマ重合膜は、その平均厚さが１０〜１０００ｎｍである。プラズマ重合膜の平均厚さが１０ｎｍを下回ると、十分な接合強度を得ることができず、１０００ｎｍを超えると、パッケージ２の寸法精度が著しく低下する。
また、原料ガスとしては、例えば、メチルシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン等のオルガノシロキサン、トリメチルガリウム、トリエチルガリウム、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリメチルインジウム、トリエチルインジウム、トリメチル亜鉛、トリエチル亜鉛のような有機金属系化合物、各種炭化水素系化合物、各種フッ素系化合物等が挙げられる。
このような原料ガスを用いて得られるプラズマ重合膜は、これらの原料が重合してなるもの（重合物）、つまり、ポリオルガノシロキサン、有機金属ポリマー、炭化水素系ポリマー、フッ素系ポリマー等で構成されることになる。 [Piezoelectric component manufacturing method]
First, the internal electrode 4 is fitted into the through hole 11 B of the base portion 10. Then, the crystal resonator 3 is connected to the tip of the internal electrode 4 with a connecting material. Thereby, the crystal unit 3 is mounted on the base unit 10.
Next, the base part 10 and the lid part 20 are joined. The base portion 10 and the lid portion 20 are bonded by forming a bonding layer between the base bonding surface 12E and the lid bonding surface 22E and bonding these plasma polymerization films.
Specifically, the base portion 10 and the lid portion 20 are put into a furnace, a raw material gas is generated in the furnace, and the raw material gas is polymerized by plasma energy at the base joint surface 12E and the lid joint surface 22E. To form a plasma polymerized film.
The formed plasma polymerization film is irradiated with plasma to activate the plasma polymerization film and activate the surface.
Then, the activated base bonding surface 12E and the lid bonding surface 22E of the plasma polymerized film are bonded together to form a bonding layer, and one package 2 is obtained.
The plasma polymerized film has an average thickness of 10 to 1000 nm. If the average thickness of the plasma polymerized film is less than 10 nm, sufficient bonding strength cannot be obtained, and if it exceeds 1000 nm, the dimensional accuracy of the package 2 is significantly reduced.
Examples of the source gas include organosiloxanes such as methylsiloxane and hexamethyldisiloxane, trimethylgallium, triethylgallium, trimethylaluminum, triethylaluminum, triisobutylaluminum, trimethylindium, triethylindium, trimethylzinc, and triethylzinc. Organic metal compounds, various hydrocarbon compounds, various fluorine compounds, and the like.
A plasma polymerized film obtained by using such a raw material gas is formed by polymerizing these raw materials (polymer), that is, composed of polyorganosiloxane, organometallic polymer, hydrocarbon polymer, fluorine polymer, etc. Will be.

［水晶振動子の調整（Ｆ調）］
水晶振動子の周波数調整について説明する。
図４において、水晶振動子３の自由端３２には、予め金属膜３３が積層されている。パッケージ２の外側からベース部１０を通して、レーザービームを水晶振動子３の自由端３２上の金属膜３３に照射する。
この際、第一傾斜面１２Ａ１は、傾斜角度（θ）が８８°であるため、パッケージを小型化してもレーザービームの照射線上に位置しない。したがって、レーザービームが第一傾斜面１２Ａ１により、散乱したり、屈折しない。レーザービームの照射により、金属膜３３が削られ、周波数の調整が行われる。
レーザービーム種としては、例えば、ＬＤ＿（第二高調波：ＳＨＧ）＿５３２ｎｍである。 [Adjustment of crystal unit (F)]
The frequency adjustment of the crystal unit will be described.
In FIG. 4, a metal film 33 is previously laminated on the free end 32 of the crystal unit 3. A laser beam is applied to the metal film 33 on the free end 32 of the crystal resonator 3 through the base portion 10 from the outside of the package 2.
At this time, since the first inclined surface 12A1 has an inclination angle (θ) of 88 °, it is not positioned on the irradiation line of the laser beam even if the package is downsized. Therefore, the laser beam is not scattered or refracted by the first inclined surface 12A1. The metal film 33 is shaved by laser beam irradiation, and the frequency is adjusted.
The laser beam type is, for example, LD_ (second harmonic: SHG) _532 nm.

したがって、第一実施形態では、次の効果を奏することができる。
（１）水晶振動子３を収納するベース部１０において、第一〜第四傾斜面１２Ａ１，１２Ｂ１，１２Ｃ１，１２Ｄ１とベース底面１１Ａの仮想延長線Ｌとのなす傾斜角度（θ）を４５°≦θ≦８８°としたから、ベース部１０の成形不良を抑制して、歩留まりを向上させることができる。また、第一傾斜面１２Ａ１の傾斜角度（θ）を上記特定の範囲としたから、パッケージ２を小型化した場合にも、第一傾斜面１２Ａ１がレーザービームの照射線上に重なることがないので、レーザー加工の際の操作性が低下しない。 Therefore, in the first embodiment, the following effects can be achieved.
(1) In the base portion 10 that houses the crystal unit 3, the inclination angle (θ) formed by the first to fourth inclined surfaces 12A1, 12B1, 12C1, 12D1 and the virtual extension line L of the base bottom surface 11A is 45 ° ≦ Since θ ≦ 88 °, the molding failure of the base portion 10 can be suppressed and the yield can be improved. In addition, since the inclination angle (θ) of the first inclined surface 12A1 is in the specific range, even when the package 2 is downsized, the first inclined surface 12A1 does not overlap with the laser beam irradiation line. The operability during laser processing does not deteriorate.

（２）プレス先端面５３Ｃ１とプレス傾斜面５３Ｃ２とのなす傾斜角度（θ_Ａ）を１０２°≦θ_Ａ≦１３５°としたから、傾斜角度（θ_Ａ）が１３５°を超える場合と比較して、凹部５３に形成できる凸部５３Ｃの数を多くできるので、プレス下型５１から凹部５３に対応する部分を削り出す際、削りだす量が比較的少なくて済む。
また、傾斜角度（θ_Ａ）が１３５°を超える場合と比較して、凹部５３に形成できる凸部５３Ｃの数を比較的多くできるから、一度に成形できるベース部１０の個数が多くなり、ベース部１０の生産にかかる時間を短くできる。 (2) Since the inclination angle (θ _A ) formed by the press front end surface 53C1 and the press inclined surface 53C2 is set to 102 ° ≦ θ _A ≦ 135 °, the inclination angle (θ _A ) exceeds 135 °. Since the number of the convex portions 53C that can be formed in the concave portion 53 can be increased, when the portion corresponding to the concave portion 53 is cut out from the lower press mold 51, the amount to be cut out can be relatively small.
Further, as compared with the case where the inclination angle (θ _A ) exceeds 135 °, the number of the convex portions 53C that can be formed in the concave portion 53 can be made relatively large, so that the number of the base portions 10 that can be molded at a time increases. The time required for the production of the part 10 can be shortened.

（３）リッド部２０の形状をベース部１０の形状と略同様としたから、同一のプレス下型５１及びプレス上型５２を使用してリッド部２０とベース部１０とを成形できる。したがって、生産効率が向上する。 (3) Since the shape of the lid portion 20 is substantially the same as the shape of the base portion 10, the lid portion 20 and the base portion 10 can be formed using the same lower press mold 51 and upper press mold 52. Therefore, production efficiency is improved.

（４）水晶振動子３の自由端３２近傍に第一傾斜面１２Ａ１を配置して、その傾斜角度（θ）を最も大きな８８°としたから、第一傾斜面１２Ａ１が水晶振動子３に照射するレーザービームの照射線上に重なることを防止できる。また、第一傾斜面１２Ａ１の傾斜角度（θ）を８８°としたから、凸部５３Ｃのプレス傾斜面５３Ｃ２とプレス先端面５３Ｃ１とのなす傾斜角度が９０°に近くなる。このため、凸部５３Ｃを形成する際の削り出しが容易になり、プレス傾斜面５３Ｃ２の平坦度が向上する。したがって、プレス傾斜面５３Ｃ２に成形される第一傾斜面１２Ａ１の平坦度も向上し、仮に第一傾斜面１２Ａ１がレーザービームの照射線上に重なったとしても、レーザービームの散乱や屈折を抑制することができるので、周波数調整を比較的容易に実施できる。 (4) Since the first inclined surface 12A1 is disposed in the vicinity of the free end 32 of the crystal resonator 3 and the inclination angle (θ) is set to 88 ° which is the largest, the first inclined surface 12A1 irradiates the crystal resonator 3 It is possible to prevent the laser beam from overlapping the irradiation line. Further, since the inclination angle (θ) of the first inclined surface 12A1 is 88 °, the inclination angle formed by the press inclined surface 53C2 of the convex portion 53C and the press leading end surface 53C1 is close to 90 °. For this reason, it becomes easy to cut out when forming the convex portion 53C, and the flatness of the press inclined surface 53C2 is improved. Therefore, the flatness of the first inclined surface 12A1 formed on the press inclined surface 53C2 is also improved, and even if the first inclined surface 12A1 overlaps the laser beam irradiation line, the scattering and refraction of the laser beam are suppressed. Therefore, the frequency adjustment can be performed relatively easily.

（５）第一〜第四傾斜面１２Ａ１，１２Ｂ１，１２Ｃ１，１２Ｄ１のそれぞれの傾斜角度（θ）を最も大きな８８°とすることができるから、パッケージをさらに小型化できる。 (5) Since the respective inclination angles (θ) of the first to fourth inclined surfaces 12A1, 12B1, 12C1, and 12D1 can be the largest 88 °, the package can be further downsized.

（６）プラズマ重合膜により形成された接合層を介して、ベース部１０とリッド部２０とを接合したから、パッケージ２を小型化するためにベース接合面１２Ｅの面積を小さくしても、十分な接合強度を得ることができる。したがって、さらに小型化で密封性を確保できる。 (6) Since the base portion 10 and the lid portion 20 are bonded via the bonding layer formed of the plasma polymerized film, it is sufficient even if the area of the base bonding surface 12E is reduced in order to reduce the size of the package 2 Can obtain a high bonding strength. Therefore, the sealing performance can be secured by further downsizing.

（７）圧電部品１が、成形が容易で周波数調整も良好に実施できる小型のパッケージ２を備えるから、良質で生産性の高い小型の圧電部品１とすることができる。 (7) Since the piezoelectric component 1 includes the small package 2 that can be easily molded and can perform the frequency adjustment well, the small piezoelectric component 1 having high quality and high productivity can be obtained.

［第二実施形態］
次に、第二実施形態を図６に基づいて説明する。
第二実施形態はベース部の傾斜面が複数段にて構成された例である。図６はベース部における水晶振動子の端部近傍を拡大した図である。 [Second Embodiment]
Next, a second embodiment will be described based on FIG.
The second embodiment is an example in which the inclined surface of the base portion is configured in a plurality of stages. FIG. 6 is an enlarged view of the vicinity of the end portion of the crystal resonator in the base portion.

図６において、ベース部１０の第一傾斜面１２Ａ１は、ベース底面１１Ａ側の第一底側傾斜面１２Ａ１１と、ベース接合面１２Ｅ側の第一接合側傾斜面１２Ａ１２との２段により構成されている。
第一底側傾斜面１２Ａ１１はベース底面１１Ａに連続し、ベース底面１１Ａの仮想延長線Ｌとのなす傾斜角度（θ_１）は、４５°≦θ_１≦８８°である。
また、第一接合側傾斜面１２Ａ１２は、仮想延長線Ｌと平行な第二仮想延長線Ｌ２とのなす傾斜角度（θ_２）が、４５°≦θ_２≦８８°である。
第一接合側傾斜面１２Ａ１２の傾斜角度（θ_２）と第一底側傾斜面１２Ａ１１の傾斜角度（θ_１）との関係は、θ_１＞θ_２であることが好ましいが、θ_１＜θ_２でもよい。 In FIG. 6, the first inclined surface 12A1 of the base portion 10 is composed of two steps of a first bottom-side inclined surface 12A11 on the base bottom surface 11A side and a first bonding-side inclined surface 12A12 on the base bonding surface 12E side. Yes.
The first bottom-side inclined surface 12A11 is continuous with the base bottom surface 11A, and the inclination angle (θ ₁ ) formed with the virtual extension line L of the base bottom surface 11A is 45 ° ≦ θ ₁ ≦ 88 °.
Further, the inclination angle (θ ₂ ) between the first joint side inclined surface 12A12 and the second virtual extension line L2 parallel to the virtual extension line L is 45 ° ≦ θ ₂ ≦ 88 °.
Relationship between the inclination angle (theta ₂₎ and the inclination angle of the first bottom-side inclined surface 12A11 in the first bonding side inclined surface 12A12 (θ ₁₎ is preferably a _{_{_{θ 1> θ 2, θ 1}}} <θ ₂ is acceptable.

また、段差部１２Ｆと同じ高さ位置には、水晶振動子３の自由端３２が配置されている。すなわち、水晶振動子３は、ベース接合面１２Ｅの高さ位置よりも低く、ベース底面１１Ａ側に配置されている。
なお、図示を省略したが、第二傾斜面１２Ｂ１も第一傾斜面１２Ａ１と同様に、第二底側傾斜面及び第二接合側傾斜面により構成されていてもよく、第三傾斜面１２Ｃ１も第一傾斜面１２Ａ１と同様に第三底側傾斜面及び第三接合側傾斜面により構成されていてもよく、第四傾斜面１２Ｄ１も第一傾斜面１２Ａ１と同様に第四底側傾斜面及び第四接合側傾斜面により構成されていてもよい。 Further, the free end 32 of the crystal resonator 3 is disposed at the same height position as the stepped portion 12F. That is, the crystal unit 3 is disposed on the base bottom surface 11A side, which is lower than the height position of the base joint surface 12E.
In addition, although illustration was abbreviate | omitted, 2nd inclined surface 12B1 may be comprised by the 2nd bottom side inclined surface and the 2nd joining side inclined surface similarly to 1st inclined surface 12A1, and 3rd inclined surface 12C1 is also the same. Similarly to the first inclined surface 12A1, it may be constituted by a third bottom-side inclined surface and a third joint-side inclined surface, and the fourth inclined surface 12D1 is also similar to the first inclined surface 12A1, and the fourth bottom-side inclined surface and You may be comprised by the 4th joining side inclined surface.

したがって、第二実施形態では、前記第一実施形態の効果（１）〜（７）に加えて、次の効果を奏することができる。
（８）第一傾斜面１２Ａ１を第一底側傾斜面１２Ａ１１と第一接合側傾斜面１２Ａ１２とにより構成し、第一底側傾斜面１２Ａ１１の傾斜角度（θ_１）と第一接合側傾斜面１２Ａ１２の傾斜角度（θ_２）とを特定の範囲としたから、ベース部１０と凸部５３Ｃとの摩擦をさらに減少させることができる。
また、第一接合側傾斜面１２Ａ１２の傾斜角度（θ_２）よりも、レーザービーム照射線に近い第一底側傾斜面１２Ａ１１の傾斜角度（θ_１）の方を大きくしたから、上述したように、プレス下型５１の製造上、第一接合側傾斜面１２Ａ１２よりも第一底側傾斜面１２Ａ１１の平坦度を高くすることができる。したがって、仮に、第一底側傾斜面１２Ａ１１がレーザービームの照射線上と重なったとしても、周波数調整の操作性の低下を抑制することができる。 Therefore, in the second embodiment, in addition to the effects (1) to (7) of the first embodiment, the following effects can be achieved.
(8) The first inclined surface 12A1 is constituted by the first bottom-side inclined surface 12A11 and the first bonding-side inclined surface 12A12, and the inclination angle (θ ₁ ) of the first bottom-side inclined surface 12A11 and the first bonding-side inclined surface. Since the inclination angle (θ ₂ ) of 12A12 is in a specific range, the friction between the base portion 10 and the convex portion 53C can be further reduced.
Further, since the inclination angle (θ ₁ ) of the first bottom side inclined surface 12A11 close to the laser beam irradiation line is made larger than the inclination angle (θ ₂ ) of the first bonding side inclined surface 12A12, as described above. The flatness of the first bottom-side inclined surface 12A11 can be made higher than that of the first bonding-side inclined surface 12A12 in manufacturing the press lower mold 51. Therefore, even if the first bottom-side inclined surface 12A11 overlaps the laser beam irradiation line, it is possible to suppress a decrease in the operability of the frequency adjustment.

（９）水晶振動子３をベース接合面１２Ｅの高さ位置よりも低く、ベース底面１１Ａ側に配置しているから、ベース部１０と接合されるリッド部２０は、凹状に限らず、例えば、平板状とすることができる。リッド部２０を平板状とすることにより、リッド部２０の生産性をさらに向上させることができる。 (9) Since the crystal unit 3 is lower than the height position of the base joint surface 12E and is disposed on the base bottom surface 11A side, the lid portion 20 joined to the base portion 10 is not limited to a concave shape, for example, It can be flat. By making the lid part 20 into a flat plate shape, the productivity of the lid part 20 can be further improved.

なお、本発明は、上述した第一及び第二実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲で以下に示される変形をも含むものである。
例えば、本発明では、圧電素子として水晶振動子３を例示したが、セラミック振動子でもよい。 In addition, this invention is not limited to 1st and 2nd embodiment mentioned above, The deformation | transformation shown below is included in the range which can achieve the objective of this invention.
For example, in the present invention, the crystal resonator 3 is exemplified as the piezoelectric element, but a ceramic resonator may be used.

また、前記実施形態では、ベース部１０の貫通孔１１Ｂに内部電極４を嵌合させ、この内部電極４を外部電極に電気的に接続させる構成であったが、これに限られない。例えば、ベース接合面１２Ｅ間に層間電極を配置して、この層間電極を介してパッケージ２内の内部電極４と外部電極とを電気的に接続させる構成でもよい。この場合、ベース部１０に貫通孔１１Ｂを形成する必要がないので、貫通孔１１Ｂを形成する工程を省略することができる。
そして、ベース接合面１２Ｅ間に層間電極を配置した場合、ベース部１０とリッド部２０を接合する接合材としては、例えば、金を２０質量％含んだスズはんだや、有機接着剤などを使用することができる。 Moreover, in the said embodiment, although the internal electrode 4 was fitted to the through-hole 11B of the base part 10, and this internal electrode 4 was electrically connected to an external electrode, it is not restricted to this. For example, an interlayer electrode may be disposed between the base bonding surfaces 12E, and the internal electrode 4 and the external electrode in the package 2 may be electrically connected via the interlayer electrode. In this case, since it is not necessary to form the through hole 11B in the base portion 10, the step of forming the through hole 11B can be omitted.
And when an interlayer electrode is arrange | positioned between the base joining surfaces 12E, as a joining material which joins the base part 10 and the lid part 20, the tin solder containing 20 mass% of gold | metal | money, an organic adhesive etc. are used, for example. be able to.

また、ベース部１０とリッド部２０とは、プラズマ重合膜からなる接合層を介して接合する構成であったが、陽極接合により接合してもよく、ガラス系接着剤により接合してもよい。
そして、水晶振動子３の周波数調整の際、自由端３２のベース底面１１Ａ側に予め金属膜３３を積層し、ベース部１０を通して、レーザービームを金属膜３３に照射する構成であったが、自由端３２のリッド底面２１Ａ側に予め金属膜３３を積層し、リッド部２０を通して、レーザービームを金属膜３３に照射する構成でもよい。
さらに、前記第二実施形態では、第一底側傾斜面１２Ａ１１及び第一接合側傾斜面１２Ａ１２の２段により第一傾斜面１２Ａ１を構成したが、第一傾斜面１２Ａ１を３段以上の複数の傾斜面により構成してもよい。 Moreover, although the base part 10 and the lid part 20 were the structures joined through the joining layer which consists of a plasma polymerization film | membrane, they may be joined by anodic bonding and may be joined by a glass-type adhesive agent.
When the frequency of the crystal unit 3 is adjusted, the metal film 33 is previously laminated on the base bottom surface 11A side of the free end 32, and the metal film 33 is irradiated with the laser beam through the base portion 10. The metal film 33 may be laminated in advance on the lid bottom surface 21 A side of the end 32, and the metal film 33 may be irradiated with the laser beam through the lid portion 20.
Further, in the second embodiment, the first inclined surface 12A1 is configured by two steps of the first bottom-side inclined surface 12A11 and the first joint-side inclined surface 12A12. However, the first inclined surface 12A1 is composed of a plurality of steps of three or more. You may comprise by an inclined surface.

本実施形態の実施例について説明する。まず、本発明の第一実施形態のパッケージに対応する実施例１〜５、及び比較例１〜５について説明する。
図７は、実施例及び比較例のグラフである。
成形実験に関しては、赤外線ヒーター加熱式のガラス素材熱成形機（東芝機械（株）製）を用いた。この熱成形機は、モールドダイ方式であり、モールサイズとしては、直径が１５０ｍｍ以下のものを使用した。また、プレス圧力は４０ｋＮ以下とし、成形温度は８００℃以下とした。モールドの金属素材には、超硬合金を使用した。
パッケージのガラス材料としては、ホウケイ酸ガラス（製品名：Ｄ２６３、会社名：ＳＣＨＯＴＴ）を使用した。 Examples of the present embodiment will be described. First, Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 5 corresponding to the package of the first embodiment of the present invention will be described.
FIG. 7 is a graph of examples and comparative examples.
For the molding experiment, an infrared heater heating type glass material thermoforming machine (manufactured by Toshiba Machine Co., Ltd.) was used. This thermoforming machine is a mold die type, and a molding size having a diameter of 150 mm or less was used. The press pressure was 40 kN or less, and the molding temperature was 800 ° C. or less. Cemented carbide was used for the metal material of the mold.
Borosilicate glass (product name: D263, company name: SCHOTT) was used as the glass material for the package.

（実施例１〜実施例５及び比較例１〜５）
実施例１では、第一〜第四傾斜面について傾斜角度（θ）が４５°となるようにベース部を成形した。そして、成形したベース部の不良率を算出した。
実施例２〜５及び比較例１〜５では、第一〜第四傾斜面について傾斜角度（θ）を表１に示す傾斜角度（θ）に変えた以外は、実施例１と同様に実施した。その結果を表１及び図７に示す。なお、図７では、「◇」印により示す。 (Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 5)
In Example 1, the base portion was molded so that the inclination angle (θ) was 45 ° with respect to the first to fourth inclined surfaces. And the defect rate of the shape | molded base part was computed.
In Examples 2-5 and Comparative Examples 1-5, it implemented similarly to Example 1 except having changed the inclination angle ((theta)) into the inclination angle ((theta)) shown in Table 1 about the 1st-4th inclined surface. . The results are shown in Table 1 and FIG. In FIG. 7, it is indicated by “◇”.

（評価）
実施例１〜５と比較例２〜５とを比較すると、実施例１〜５では、傾斜角度（θ）が８８°以下であるため、不良率が低くなり、良好にベース部を得ることができることがわかった。
また、実施例１〜５と比較例１とを比較すると、比較例１では、成形品の不良率は低かった。しかし、傾斜角度（θ）を３０°と非常に小さくしたため、圧電素子用のパッケージを小型化すると、第一傾斜面がレーザービームの照射線上に重なりやすくなり、重なると、第一傾斜面によりレーザービームが散乱したり、屈折したりして、周波数調整を良好に実施できないおそれがあった。 (Evaluation)
When Examples 1 to 5 and Comparative Examples 2 to 5 are compared, in Examples 1 to 5, since the inclination angle (θ) is 88 ° or less, the defect rate is reduced, and a base portion can be obtained satisfactorily. I knew it was possible.
Moreover, when Examples 1-5 were compared with Comparative Example 1, in Comparative Example 1, the defective rate of the molded product was low. However, since the inclination angle (θ) is very small at 30 °, if the package for the piezoelectric element is reduced in size, the first inclined surface easily overlaps with the laser beam irradiation line. The beam may be scattered or refracted, and the frequency adjustment may not be performed satisfactorily.

（実施例６〜実施例１０及び比較例６〜１０）
実施例６では、４つの傾斜面のうち自由端近傍の第一傾斜面のみについて傾斜角度（θ）を４５°とし、他の３つの第二〜第四傾斜面については傾斜角度（θ）を９０°とした。それ以外は実施例１と同様にして実施した。
実施例７〜１０及び比較例６〜１０では、第一傾斜面について傾斜角度（θ）を表２に示す傾斜角度（θ）とした以外は、実施例６と同様に実施した。その結果を表２及び図７に示す。なお、図７では、「▲」印により示す。 (Examples 6 to 10 and Comparative Examples 6 to 10)
In Example 6, the inclination angle (θ) is set to 45 ° only for the first inclined surface near the free end among the four inclined surfaces, and the inclination angle (θ) is set to the other three second to fourth inclined surfaces. The angle was 90 °. Other than that was carried out in the same manner as in Example 1.
Examples 7 to 10 and Comparative Examples 6 to 10 were carried out in the same manner as Example 6 except that the inclination angle (θ) of the first inclined surface was changed to the inclination angle (θ) shown in Table 2. The results are shown in Table 2 and FIG. In FIG. 7, it is indicated by “▲”.

（評価）
実施例６〜１０と比較例６〜１０とを比較すると、実施例６〜１０では第一傾斜面のみの傾斜角度（θ）を８８°以下しただけであったが、不良率を低くできることがわかった。一方、第一傾斜面の傾斜角度（θ）を８８°よりも大きくすると、不良率が６０％以上となった。 (Evaluation)
Comparing Examples 6 to 10 and Comparative Examples 6 to 10, in Examples 6 to 10, the inclination angle (θ) of only the first inclined surface was only 88 ° or less, but the defect rate can be reduced. all right. On the other hand, when the inclination angle (θ) of the first inclined surface was larger than 88 °, the defect rate was 60% or more.

（実施例１１〜１６及び比較例１１）
次に、本発明の第二実施形態のパッケージに対応する実施例１１〜１６、及び比較例１１について説明する。
実施例１１〜１３では、第一底側傾斜面の傾斜角度（θ_１）と第一接合側傾斜面の傾斜角度（θ_２）との関係が、θ_１＞θ_２となるように実施した。
実施例１４〜１６及び比較例１１では、第一底側傾斜面の傾斜角度（θ_１）と第一接合側傾斜面の傾斜角度（θ_２）との関係が、θ_１＜θ_２となるように実施した。
実施例１１〜１６及び比較例１１での傾斜角度（θ_１）及び傾斜角度（θ_２）は、表３に示す角度とし、下記式（数１）より、不良率を算出した。式（数１）中、「Ｎ」は傾斜面の数であり、Ｎ＝２である。表３に結果を示す。 (Examples 11 to 16 and Comparative Example 11)
Next, Examples 11 to 16 and Comparative Example 11 corresponding to the package of the second embodiment of the present invention will be described.
In Examples 11-13, the relationship between the inclination angle of the first bottom-side inclined surface (theta ₁₎ and the inclination angle of the first joint side inclined surface (theta ₂₎ was performed such that θ _1> θ ₂ .
In Examples 14-16 and Comparative Example 11, the relationship between the inclination angle of the first bottom-side inclined surface (theta ₁₎ and the inclination angle of the first joint side inclined surface (theta _2), the θ _{1 <θ} ₂ Was carried out as follows.
The inclination angle (θ ₁ ) and the inclination angle (θ ₂ ) in Examples 11 to 16 and Comparative Example 11 were the angles shown in Table 3, and the defect rate was calculated from the following formula (Equation 1). In the formula (Equation 1), “N” is the number of inclined surfaces, and N = 2. Table 3 shows the results.

不良率（％）＝（１−（良品率）^Ｎ）×１００・・・（数１） Defective rate (%) = (1− (non-defective product rate) ^N ) × 100 (Equation 1)

（評価）
実施例１１〜１６と比較例１１とを比較すると、実施例１１〜１３では、第一底側傾斜面の傾斜角度（θ_１）と第一接合側傾斜面の傾斜角度（θ_２）の傾斜角度が４５°≦θ_１≦８８°、４５°≦θ_２≦８８°であったから、不良率が低くなることがわかった。
また、実施例１１〜１３と実施例１４〜１６とを比較すると、θ_１＞θ_２の関係のほうがθ_１＜θ_２よりも不良率を低くできることがわかった。 (Evaluation)
Comparing with Comparative Example 11 Example 11 to 16 In Example 11 to 13, the inclination of the inclination angle (theta ₁₎ and the inclination angle of the first joint-side inclined surface of the first bottom-side inclined surface (theta ₂₎ Since the angles were 45 ° ≦ θ ₁ ≦ 88 ° and 45 ° ≦ θ ₂ ≦ 88 °, it was found that the defect rate was lowered.
Moreover, when Examples 11-13 were compared with Examples 14-16, it turned out that the defect rate can be made lower in the relationship of θ ₁ > θ ₂ than θ ₁ <θ ₂ .

本発明は、時計、クロック発振回路を備えるコンピューター、計測機器、その他の装置に用いられる振動子、及びそのパッケージとして利用できる。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be used as a timepiece, a computer including a clock oscillation circuit, a measuring instrument, a vibrator used in other devices, and a package thereof.

１…圧電部品、２…圧電素子用のパッケージ、３…水晶振動子、４…電極としての内部電極、１０…第一ケース部としてのベース部、１１Ａ…ベース底面、１２Ａ１…傾斜面としての第一傾斜面、１２Ａ１２…接合側の傾斜面としての第一接合側傾斜面、１２Ｅ…接合面としてのベース接合面、１２Ｆ…段差部、２０…第二ケース部としてのリッド部、２２Ｅ…蓋接合面としてのリッド接合面、Ｌ…仮想延長線、Ｌ２…第二仮想延長線 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Piezoelectric component, 2 ... Package for piezoelectric elements, 3 ... Quartz crystal oscillator, 4 ... Internal electrode as electrode, 10 ... Base part as 1st case part, 11A ... Base bottom surface, 12A1 ... 1st as inclined surface 1 inclined surface, 12A12: first bonding side inclined surface as a bonding inclined surface, 12E: base bonding surface as a bonding surface, 12F: stepped portion, 20 ... lid portion as a second case portion, 22E: lid bonding Lid joint surface as a surface, L ... virtual extension line, L2 ... second virtual extension line

Claims

A package for a piezoelectric element that houses a piezoelectric element,
A first case portion that forms a storage space for storing the piezoelectric element, and a second case portion that is joined to the first case portion,
At least one of the first case part and the second case part is made of a glass material, a bottom surface that transmits a laser beam linearly, an inclined surface that continues to the bottom surface and surrounds the piezoelectric element, and the other And a joining surface for joining with
The inclined surface is positioned closer to the bonding surface side than the bottom inclined surface and the bottom inclined surface, and the bottom surface side end is connected to the bonding surface side end of the bottom inclined surface. A bonding side inclined surface, and a step portion formed at a connection portion between the bottom inclined surface and the bonding side inclined surface,
An inclination angle (θ1) formed by the bottom inclined surface and a virtual extension line of the bottom surface is 45 ° ≦ θ1 ≦ 88 °,
An inclination angle (θ2) formed between the joint-side inclined surface and a second virtual extension line substantially parallel to the virtual extension line of the bottom surface is 45 ° ≦ θ2 ≦ 88 °,
Furthermore, the package for piezoelectric elements characterized by satisfying a relationship of θ2 <θ1 .

The package for a piezoelectric element according to claim 1,
The package for the piezoelectric element is formed in a substantially rectangular shape,
Four inclined surfaces are arranged corresponding to the four sides of the bottom surface,
One of the four inclined surfaces is located near the edge of the frequency adjustment is performed, a bottom-side inclined surface, located on the bonding surface side of the bottom-side inclined surface, the said bottom side An end of which is connected to an end of the bottom-side inclined surface on the side of the joining surface, a stepped portion formed at a connection portion between the bottom-side inclined surface and the joint-side inclined surface, The inclination angle (θ1) formed by the bottom inclined surface and the virtual extension line of the bottom surface is 45 ° ≦ θ1 ≦ 88 °, which is substantially the same as the virtual extension line of the bonding side inclined surface and the bottom surface. A package for a piezoelectric element, wherein an inclination angle (θ2) formed with a parallel second virtual extension line is 45 ° ≦ θ2 ≦ 88 ° and further satisfies a relationship of θ2 <θ1 .

The package for a piezoelectric element according to claim 2,
The four inclined surfaces are respectively positioned on the joining surface side of the bottom inclined surface and the bottom inclined surface, and the bottom side end thereof is the end of the bottom inclined surface on the joining surface side. And a virtual extension line between the bottom-side inclined surface and the bottom surface, the connecting-side inclined surface being connected, and a step portion formed at a connection portion between the bottom-side inclined surface and the joint-side inclined surface. And the inclination angle (θ2) formed by the second virtual extension line substantially parallel to the virtual extension line of the bottom surface and the virtual extension line of the bottom surface is 45 ° ≦ θ1 ≦ 88 °. A package for a piezoelectric element , wherein 45 ° ≦ θ2 ≦ 88 °, and further satisfies a relationship of θ2 <θ1 .

In the package for piezoelectric elements according to any one of claims 1 to 3,
A package for a piezoelectric element, wherein the piezoelectric element is disposed at the same height as the stepped portion .

In the package for a piezoelectric element according to any one of claims 1 to 4,
The package for a piezoelectric element, wherein the first case portion and the second case portion are bonded via a bonding layer formed of a plasma polymerization film.

A package for a piezoelectric element according to any one of claims 1 to 5,
A crystal resonator as a piezoelectric element housed in the package for the piezoelectric element;
An electrode for connecting the crystal resonator to an external electrode.