JP5493276B2 - Method for producing metal fine particle array film and metal fine particle array film - Google Patents

Method for producing metal fine particle array film and metal fine particle array film Download PDF

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Description

本発明は、金属微粒子を秩序だって配列する方法に関し、詳しくはポリマー膜中に金属微粒子を膜と平行方向に層状に配列させる方法に関する。   The present invention relates to a method for arranging metal fine particles in an orderly manner, and more particularly, to a method for arranging metal fine particles in a polymer film in a direction parallel to the film.

近年、有機/無機複合体に関しては、多くの研究例があり、有機高分子の機能特性を改変できることから、有機高分子に無機材料を複合化させた有機/無機複合材料が盛んに開発されている。その中でも、高分子中に金属微粒子が層状に配列された金属配列多層膜は、電気的および光学的に有用な特性を示すことが知られている(例えば非特許文献1)。従来の研究では、例えば、金属微粒子の前駆体として金属錯体を用い、これを昇華させ、金属の還元能力が異なる2種類のモノマーユニットからなるブロック共重合ポリマーに窒素下で接触させると、金属錯体が一方の相でのみ選択的に還元され、金属微粒子のナノレベルでの配列が実現されている(例えば非特許文献2〜4参照)。   In recent years, there have been many examples of research on organic / inorganic composites, and functional properties of organic polymers can be modified. Therefore, organic / inorganic composite materials in which inorganic materials are combined with organic polymers have been actively developed. Yes. Among them, it is known that a metal-arranged multilayer film in which metal fine particles are arranged in layers in a polymer exhibits electrically and optically useful characteristics (for example, Non-Patent Document 1). In conventional research, for example, when a metal complex is used as a precursor of metal fine particles, sublimated, and brought into contact with a block copolymer composed of two types of monomer units having different metal reducing ability under nitrogen, the metal complex Is selectively reduced only in one phase, and nano-level arrangement of metal fine particles is realized (for example, see Non-Patent Documents 2 to 4).

しかしながら、報告されている高分子中の金属微粒子の配列に関しては、共重合体の各ポリマーの分布(配列形態)は自己組織的に決定されており、任意の構造制御が難しい、ポリマー種が限定される、などの問題点があった。
Science、314号、1107頁(2006年) Langmuir、19号、2963頁(2003年) Advanced Materials、12号、1507頁(2000年) Nature、414号、735頁(2001年) Optical Interference Coatings(OIC) Topical Meeting and Tabletop Exhibit (2007年)予稿集 No.MC3 「A Facile,Novel Methodology for Preparation of Multilayer Metal/Polymer Composite Films」
However, with regard to the arrangement of the metal fine particles in the reported polymer, the distribution (arrangement form) of each polymer in the copolymer is determined in a self-organized manner, and it is difficult to control the structure arbitrarily. There was a problem such as being.
Science 314, 1107 (2006) Langmuir, No. 19, 2963 (2003) Advanced Materials, No. 12, p. 1507 (2000) Nature 414, p.735 (2001) Optical Interference Coatings (OIC) Topical Meeting and Tabletop Exhibit (2007) Proceedings No. MC3 “A Facial, Novel Methodology for Preparation of Multilayer Metal / Polymer Composite Films”

そこで、本発明者らは、金属微粒子配列膜を、一般性の高い、簡便な方法により製造する方法を提供することを目的として、光の干渉現象を利用してポリマー中に金属微粒子を規則的に配列する手法について研究を進めてきた(例えば非特許文献5)。   In view of the above, the inventors of the present invention have provided a method for manufacturing a metal fine particle array film by a general method that is simple and easy to use. Research has been carried out on a method for arranging in a non-patent document (for example, Non-Patent Document 5).

しかし、ポリマー種によっては、金属微粒子配列の規則性が充分に高くない場合があった。本発明は、この問題を解決するためになされたものであり、金属微粒子配列膜を、より汎用性の高い、簡便な方法により製造する方法を提供すること、更には、波長選択性の反射膜を提供することを目的とする。   However, the regularity of the metal fine particle arrangement may not be sufficiently high depending on the polymer type. The present invention has been made to solve this problem, and provides a method for producing a metal fine particle array film by a more versatile and simple method, and further, a wavelength-selective reflective film. The purpose is to provide.

本発明者は、鋭意検討を重ね、従来の金属成分を含むポリマー溶液に、添加剤としてリン含有化合物を微量加えることにより著しい配列促進効果が得られることを見出し、本発明を完成した。即ち、本出願の開示事項をまとめると次のとおりである。 The present inventor has conducted extensive studies and found that a significant effect of promoting alignment can be obtained by adding a small amount of a phosphorus-containing compound as an additive to a conventional polymer solution containing a metal component, thereby completing the present invention. That is, the disclosure items of the present application are summarized as follows.

1. 反射基板上に、金属成分と、添加剤としてリン含有化合物とを含むポリマー膜を製膜する工程(A)と、
前記ポリマー膜に、特定の波長の光を照射する工程(B)と
を有することを特徴とする金属微粒子配列膜の製造方法。
1. (A) forming a polymer film containing a metal component and a phosphorus-containing compound as an additive on the reflective substrate;
And (B) irradiating the polymer film with light having a specific wavelength.

2. 前記金属微粒子配列膜の構造が、金属微粒子が密集した層がポリマー膜の膜厚方向に周期的に多層として存在する構造である上記1記載の製造方法。   2. 2. The production method according to 1 above, wherein the metal fine particle array film has a structure in which a layer in which metal fine particles are densely present periodically as a multilayer in the film thickness direction of the polymer film.

3. 前記ポリマー膜の製膜工程(A)が、前記添加剤と金属成分を含むポリマー溶液を反射基板上に製膜するサブ工程と、溶媒を留去するサブ工程とを有することを特徴とする上記1または2記載の製造方法。   3. The polymer film forming step (A) includes a sub-step of forming a polymer solution containing the additive and a metal component on a reflective substrate, and a sub-step of distilling off the solvent. 3. The production method according to 1 or 2.

4. 前記リン含有化合物が、31P−NMRで測定したスペクトルにおいて、85重量%リン酸を標準物質として、ケミカルシフトδ値が−170〜+150ppmの範囲内にピークが観察されることを特徴とする上記1〜3のいずれかに記載の製造方法。 4). The above phosphorus-containing compound is characterized in that, in a spectrum measured by 31 P-NMR, a peak is observed in the range of chemical shift δ value of −170 to +150 ppm with 85 wt% phosphoric acid as a standard substance. The manufacturing method in any one of 1-3.

5. 前記リン含有化合物が、ホスフィン類、ホスファイト類、およびそれらの組み合わせからなる群より選ばれることを特徴とする上記1〜4のいずれかに記載の製造方法。   5. 5. The production method according to any one of the above 1 to 4, wherein the phosphorus-containing compound is selected from the group consisting of phosphines, phosphites, and combinations thereof.

6. 前記リン含有化合物が、トリフェニルホスフィン、ジフェニル(ペンタフルオロフェニル)ホスフィン、トリス(4−クロロフェニル)ホスフィン、トリ(o−トリル)ホスフィンおよびトリス(2,4,6−トリメチルフェニル)ホスフィン、トリフェニルホスファイトからなる群より選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする上記5記載の製造方法。   6). The phosphorus-containing compound is triphenylphosphine, diphenyl (pentafluorophenyl) phosphine, tris (4-chlorophenyl) phosphine, tri (o-tolyl) phosphine and tris (2,4,6-trimethylphenyl) phosphine, triphenylphosphine. 6. The production method according to 5 above, wherein the production method is at least one selected from the group consisting of fights.

7. 前記金属成分が、前記特定の波長の光によって還元されて金属微粒子を生成する金属化合物を含むことを特徴とする上記1〜6のいずれかに記載の製造方法。   7). The manufacturing method according to any one of the above items 1 to 6, wherein the metal component includes a metal compound that is reduced by light of the specific wavelength to generate metal fine particles.

8. 前記金属成分が、金属微粒子を含むことを特徴とする上記1〜7のいずれかに記載の製造方法。   8). 8. The method according to any one of 1 to 7 above, wherein the metal component contains metal fine particles.

9. 前記金属化合物が、過塩素酸銀、硝酸銀および塩化金酸からなる群より選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする上記7記載の製造方法。   9. 8. The production method according to 7 above, wherein the metal compound is at least one selected from the group consisting of silver perchlorate, silver nitrate and chloroauric acid.

10. 前記ポリマー膜を構成するポリマーが、少なくとも前記特定の波長において透明であることを特徴とする上記1〜9のいずれかに記載の製造方法。   10. 10. The production method according to any one of 1 to 9, wherein the polymer constituting the polymer film is transparent at least at the specific wavelength.

11. 前記ポリマーが、ポリメタクリレート、ポリアクリレート、ポリスチレン、ポリビニルピロリドン、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸、メタクリル酸モノマーユニットまたはアクリル酸モノマーユニットを含有する共重合体、およびポリビニルアルコールからなる群より選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする上記1〜10のいずれかに記載の製造方法。   11. The polymer is at least one selected from the group consisting of polymethacrylate, polyacrylate, polystyrene, polyvinylpyrrolidone, polymethacrylic acid, polyacrylic acid, a copolymer containing a methacrylic acid monomer unit or an acrylic acid monomer unit, and polyvinyl alcohol. 11. The production method according to any one of 1 to 10 above, which is a seed.

12. 上記1〜11のいずれかに記載の方法によって製造され、ポリマー膜中に、金属微粒子が密集した層が、膜厚方向に周期的に多層として存在している構造を有する金属微粒子配列膜。   12 A metal fine particle arrangement film produced by the method according to any one of 1 to 11 above, wherein the polymer film has a structure in which metal fine particle dense layers are periodically present as multilayers in the film thickness direction.

13. 上記12記載の金属微粒子配列膜を用いた波長選択性の反射膜。   13. 13. A wavelength-selective reflective film using the metal fine particle array film described in 12 above.

本発明によれば、金属微粒子の層が周期的に多層積層された構造を有する金属微粒子配列膜を汎用性の高い、簡便な方法で作製することができる。得られる金属微粒子配列膜は、軽量で輸送性と耐衝撃性、および機械的な柔軟性に優れるため、種々の用途で利用可能である。また特定の波長の光を選択的に反射するために、反射膜として、種々の光学素子、光学部品等に広く応用することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the metal fine particle arrangement | sequence film which has the structure where the layer of the metal fine particle was periodically laminated | stacked multilayer can be produced with a versatile and simple method. The resulting metal fine particle array film is lightweight and excellent in transportability, impact resistance, and mechanical flexibility, and thus can be used in various applications. Further, in order to selectively reflect light of a specific wavelength, the reflective film can be widely applied to various optical elements, optical components, and the like.

本発明の金属微粒子配列膜の製造方法は、反射基板上に、金属成分と、添加剤としてリン含有化合物とを含むポリマー膜を製膜する工程(A)と、前記ポリマー膜に、特定の波長(λ)の光を照射する工程(B)とを有する。以下、詳細に説明する。   The method for producing a metal fine particle array film of the present invention includes a step (A) of forming a polymer film containing a metal component and a phosphorus-containing compound as an additive on a reflective substrate, and the polymer film has a specific wavelength. (B) irradiating with light of (λ). Details will be described below.

<反射基板>
本発明で使用できる「反射基板」は、基板の表面が、特定の波長λの光を反射できるものであれば特に限定されない。例えば、基板の表面に、アルミニウム、銀等の種々の金属および金属酸化物等から選ばれる材料を用いて、単層膜または多層膜を形成した反射鏡(ミラー)が挙げられる。その中でもガラス基板上にアルミニウム、シリカを順に製膜したものが好適である。これは、アルミニウムが紫外から可視領域において安定して高い反射率を持つ膜を形成できるためである。シリカ層はアルミニウムが酸化するのを防止する効果がある。
<Reflective substrate>
The “reflective substrate” that can be used in the present invention is not particularly limited as long as the surface of the substrate can reflect light having a specific wavelength λ. For example, a reflecting mirror (mirror) in which a single layer film or a multilayer film is formed on the surface of the substrate using a material selected from various metals such as aluminum and silver and metal oxides. Among these, a film obtained by sequentially forming aluminum and silica on a glass substrate is preferable. This is because aluminum can form a film having a high reflectance stably in the ultraviolet to visible region. The silica layer is effective in preventing aluminum from being oxidized.

反射基板中のアルミニウムの厚み(膜厚)は、例えば、100〜2000nm、好ましくは150〜1000nm、さらに好ましくは200〜800nm程度である。また、シリカの厚み(膜厚)はアルミニウムの反射特性を低下させないため薄い方が良く、例えば、5〜100nm、好ましくは10〜50nm、さらに好ましくは10〜30nm程度である。   The thickness (film thickness) of aluminum in the reflective substrate is, for example, about 100 to 2000 nm, preferably about 150 to 1000 nm, and more preferably about 200 to 800 nm. Further, the thickness (film thickness) of silica is better because it does not deteriorate the reflective properties of aluminum, and is, for example, about 5 to 100 nm, preferably about 10 to 50 nm, and more preferably about 10 to 30 nm.

<添加剤>
本発明においては、添加剤としてリン含有化合物を、金属成分と共にポリマー中に含有させる。リン含有化合物は、分子内に少なくとも1つのリンを含む化合物ならば特に限定されず、公知のものを用いることができるが、配列促進効果が高いことから、特に有機化合物が好ましい。このなかでも、金属成分と適度な相互作用を持つ、リン含有化合物の31P−NMRで測定したスペクトルにおいて、85重量%リン酸を標準物質として、ケミカルシフトδ値が好ましくは−200〜+210ppm、さらに好ましくは−180〜+200ppm、特に好ましくは−170〜+150ppmの範囲内にピークが観察される化合物が好適に用いられる。この範囲を満たさない化合物では、金属成分との相互作用が強すぎるために金属成分と複合体を形成して沈殿が生じ、溶媒中に金属成分とポリマーを均一に溶解または分散することが難しい場合があったり、金属成分との相互作用が弱くなり、十分な配列促進効果が得られない場合があったりするなどの問題がある。
<Additives>
In the present invention, a phosphorus-containing compound as an additive is contained in the polymer together with the metal component. The phosphorus-containing compound is not particularly limited as long as it is a compound containing at least one phosphorus in the molecule, and a known compound can be used, but an organic compound is particularly preferable because of its high sequence promoting effect. Among these, in a spectrum measured by 31 P-NMR of a phosphorus-containing compound having an appropriate interaction with a metal component, a chemical shift δ value is preferably −200 to +210 ppm with 85 wt% phosphoric acid as a standard substance, More preferably, a compound in which a peak is observed in the range of −180 to +200 ppm, particularly preferably −170 to +150 ppm is preferably used. For compounds that do not meet this range, the interaction with the metal component is too strong, so that it forms a complex with the metal component and precipitates, making it difficult to uniformly dissolve or disperse the metal component and the polymer in the solvent. And there is a problem that the interaction with the metal component becomes weak and a sufficient alignment promoting effect may not be obtained.

さらに、このような化合物の中でも、これらに限定されるわけではないが、ホスフィン類、ホスファイト類、ホスフェート類、ホスフォラン類およびホスフィンオキサイド類が好適に用いられる。これらは混合して用いてもよく、特にホスフィン類、ホスファイト類およびこれらの混合物が、配列促進効果が高いことから好適に用いられる。   Furthermore, among these compounds, phosphines, phosphites, phosphates, phosphoranes and phosphine oxides are preferably used, although not limited thereto. These may be used as a mixture. In particular, phosphines, phosphites, and mixtures thereof are preferably used because of their high sequence promoting effect.

具体的には、例えば、ホスフィン類としては、例えばトリフェニルホスフィン、トリ(o−トリル)ホスフィン、トリ(4−トリフルオロメチルフェニル)ホスフィン、トリ(4−メトキシフェニル)ホスフィン、トリ(2−フリル)ホスフィン、ジフェニルメチルホスフィン、ジフェニルイソプロピルホスフィン、ジフェニル(ペンタフルオロフェニル)ホスフィン、ジメチルフェニルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリオクチルホスフィン、ジシクロヘキシルフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、ジメチルホスフィノエタン、ジフェニルホスフィノエタン、ジフェニルホスフィノプロパン、ジフェニルホスフィノブタン、ジフェニルホスフィノフェロセン、トリス(4−クロロフェニル)ホスフィン、トリス(2,4,6−トリメチルフェニル)ホスフィン、BINAP(2,2’−ビス(ジフェニルホスフィノ)−1,1’−ビナフチル)およびそれら誘導体等が挙げられる。   Specifically, for example, as phosphines, for example, triphenylphosphine, tri (o-tolyl) phosphine, tri (4-trifluoromethylphenyl) phosphine, tri (4-methoxyphenyl) phosphine, tri (2-furyl) ) Phosphine, diphenylmethylphosphine, diphenylisopropylphosphine, diphenyl (pentafluorophenyl) phosphine, dimethylphenylphosphine, trimethylphosphine, triethylphosphine, tributylphosphine, trioctylphosphine, dicyclohexylphenylphosphine, tricyclohexylphosphine, dimethylphosphinoethane, diphenyl Phosphinoethane, diphenylphosphinopropane, diphenylphosphinobutane, diphenylphosphinoferrocene, tris (4-chloro Phenyl) phosphine, tris (2,4,6-trimethylphenyl) phosphine, BINAP (2,2'-bis (diphenylphosphino) -1,1'-binaphthyl), and their derivatives.

ホスファイト類としては、例えばジメチルホスファイト、ジエチルホスファイト、トリメチルホスファイト、トリエチルホスファイト、トリフェニルホスファイト、トリイソデシルホスファイト、トリスノニルフェニルホスファイト、ジフェニルイソデシルホスファイト、フェニルジイソデシルホスファイト、2,2−メチレンビス(4,6−ジ−t−ブチルフェニル)オクチルホスファイト、4,4’−ブチリデンビス(3−メチル−6−t−ブチルフェニル)ジトリデシルホスファイト、トリス(分岐C3−6アルキルフェニル)ホスファイト{例えば、トリス(2,4−ジ−t−ブチルフェニル)ホスファイト、トリス(2−t−ブチル−4−メチルフェニル)ホスファイト、トリス(2,4−ジ−t−アミルフェニル)ホスファイト、トリス(2−t−ブチルフェニル)ホスファイト、トリス[2−(1,1−ジメチルプロピル)−フェニル]ホスファイト、トリス[2,4−(1,1−ジメチルプロピル)−フェニル]ホスファイトなど}、ビス(2−t−ブチルフェニル)フェニルホスファイト、トリス(2−シクロヘキシルフェニル)ホスファイト、トリス(2−t−ブチル−4−フェニルフェニル)ホスファイト、ビス(C3−9アルキルアリール)ペンタエリスリトールジホスファイト{例えば、ビス(2,4−ジ−t−ブチル−4−メチルフェニル)ペンタエリスリトールジホスファイト、ビス(2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェニル)ペンタエリスリトールジホスファイト、ビス(ノニルフェニル)ペンタエリスリトールジホスファイト、ビス(ノニルフェニル)ペンタエリスリトールジホスファイトなど}およびその誘導体等が挙げられる。これらの化合物を単独でまたは2種以上含んでいてもよい。 Examples of phosphites include dimethyl phosphite, diethyl phosphite, trimethyl phosphite, triethyl phosphite, triphenyl phosphite, triisodecyl phosphite, trisnonylphenyl phosphite, diphenylisodecyl phosphite, phenyl diisodecyl phosphite. 2,2-methylenebis (4,6-di-t-butylphenyl) octyl phosphite, 4,4′-butylidenebis (3-methyl-6-tert-butylphenyl) ditridecyl phosphite, tris (branched C 3 -6 alkylphenyl) phosphites {e.g., tris (2,4-di-t-butylphenyl) phosphite, tris (2-t-butyl-4-methylphenyl) phosphite, tris (2,4-di- t-Amylphenyl) phosphite Tris (2-t-butylphenyl) phosphite, tris [2- (1,1-dimethylpropyl) -phenyl] phosphite, tris [2,4- (1,1-dimethylpropyl) -phenyl] phosphite, etc. }, Bis (2-t-butylphenyl) phenyl phosphite, tris (2-cyclohexylphenyl) phosphite, tris (2-t-butyl-4-phenylphenyl) phosphite, bis (C 3-9 alkylaryl) Pentaerythritol diphosphite {eg, bis (2,4-di-t-butyl-4-methylphenyl) pentaerythritol diphosphite, bis (2,6-di-t-butyl-4-methylphenyl) pentaerythritol Diphosphite, bis (nonylphenyl) pentaerythritol diphosphite, bis (no Butylphenyl) pentaerythritol diphosphite} and derivatives thereof. These compounds may be contained alone or in combination of two or more.

これらの化合物のうち、特に、トリフェニルホスフィン、ジフェニル(ペンタフルオロフェニル)ホスフィン、トリス(4−クロロフェニル)ホスフィン、トリ(o−トリル)ホスフィンおよびトリス(2,4,6−トリメチルフェニル)ホスフィン、トリフェニルホスファイトが、安定で取り扱い易いことから好適に用いられる。   Of these compounds, triphenylphosphine, diphenyl (pentafluorophenyl) phosphine, tris (4-chlorophenyl) phosphine, tri (o-tolyl) phosphine and tris (2,4,6-trimethylphenyl) phosphine, Phenyl phosphite is preferably used because it is stable and easy to handle.

ポリマー中に含有させる添加剤の割合は、ポリマーの分子量などにもよるが、ポリマー100重量部に対して、例えば、0.1〜100重量部、好ましくは0.5〜50重量部、さらに好ましくは1〜20重量部程度である。   The ratio of the additive to be contained in the polymer depends on the molecular weight of the polymer, but is, for example, 0.1 to 100 parts by weight, preferably 0.5 to 50 parts by weight, more preferably 100 parts by weight of the polymer. Is about 1 to 20 parts by weight.

<金属成分>
「金属成分」を形成する金属元素の種類は1種類であっても2種類以上であっても良い。金属成分は、好ましくは金属化合物(錯体および塩を含む。以下同じ。)および金属微粒子の少なくとも一方を含むことが好ましい。一般には、上記添加剤と金属化合物および/または金属微粒子を含むポリマー溶液を反射基板に塗布する方法が好ましく、特に、上記添加剤と金属化合物が溶解したポリマー溶液を反射基板に塗布する方法が好ましい。
<Metal component>
The type of the metal element forming the “metal component” may be one type or two or more types. The metal component preferably contains at least one of a metal compound (including a complex and a salt; the same applies hereinafter) and metal fine particles. In general, a method of applying a polymer solution containing the additive and a metal compound and / or metal fine particles to a reflective substrate is preferable, and a method of applying a polymer solution in which the additive and the metal compound are dissolved is particularly preferable. .

本発明で用いられる金属化合物は、特定の波長λの照射によって金属化合物が移動し、金属微粒子を生成するものである。このような材料としては、光のエネルギーを吸収し、還元によって金属微粒子(または金属微粒子を構成する金属)を生成する化合物(すなわち、金属原子の酸化数が正である金属化合物)が知られており、通常、金属塩である場合が多い。   The metal compound used in the present invention is one in which the metal compound is moved by irradiation with a specific wavelength λ to produce metal fine particles. As such a material, a compound that absorbs light energy and generates metal fine particles (or a metal constituting the metal fine particles) by reduction (that is, a metal compound having a positive oxidation number of metal atoms) is known. Usually, it is often a metal salt.

このような金属化合物としては、例えば、金属酸化物、金属水酸化物、金属ハロゲン化物(金属塩化物など)、金属酸塩[金属無機酸塩(硫酸塩、硝酸塩、リン酸塩、過塩素酸塩、塩酸塩などのオキソ酸塩など)、金属有機酸塩(酢酸塩など)など]が挙げられる。金属塩の形態は、単塩、複塩、または錯塩(電解質錯体または非電解質錯体、通常、電解質錯体)であっても、多量体(例えば、2量体)などであってもよい。また、金属化合物(金属塩)は、例えば、酸成分[塩化水素(HCl)など]、塩基成分(アンモニアなど)、水(HO)などを含有する化合物(例えば、含ハロゲン化水素化合物、含水物、水和物など)であってもよい。金属化合物は、単独でまたは2種以上組み合わせてもよい。 Examples of such metal compounds include metal oxides, metal hydroxides, metal halides (metal chlorides, etc.), metal acid salts [metal inorganic acid salts (sulfates, nitrates, phosphates, perchloric acid). Salt, oxo acid salt such as hydrochloride), metal organic acid salt (such as acetate) and the like. The form of the metal salt may be a single salt, a double salt, or a complex salt (electrolyte complex or non-electrolyte complex, usually an electrolyte complex), or a multimer (for example, a dimer). The metal compound (metal salt) includes, for example, an acid component [hydrogen chloride (HCl) and the like], a base component (ammonia and the like), water (H 2 O) and the like (for example, a halogenated hydrogen compound, It may be a hydrate or hydrate). The metal compounds may be used alone or in combination of two or more.

また、金属化合物を構成する金属元素も特に限定されない。金属化合物を構成する金属元素としては、周期表第8〜11族金属(すなわち、鉄、ルテニウム、オスミウム、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、銀、金など)が好ましく、特定の実施形態においては、貴金属(銀、金、白金、ロジウムなど)が特に好ましい。金属化合物は、これらの金属元素を単独でまたは2種以上含んでいてもよい。   Moreover, the metal element which comprises a metal compound is not specifically limited. As the metal element constituting the metal compound, Group 8-11 metals of the periodic table (that is, iron, ruthenium, osmium, rhodium, iridium, nickel, palladium, platinum, copper, silver, gold, etc.) are preferable, and specific implementation In the form, noble metals (silver, gold, platinum, rhodium, etc.) are particularly preferable. The metal compound may contain one or more of these metal elements.

具体的な金属化合物としては、周期表第8〜11族金属化合物(金属塩を含む)が挙げられる。例えば、周期表第8〜11族金属酸塩として、無機酸塩[例えば、過塩素酸銀(AgClO)、硝酸銀(AgNO)などの貴金属無機酸塩]、および有機酸塩[例えば、酢酸パラジウム(Pd(CHCOなど)、酢酸ロジウム([Rh(CHCOなど)などの貴金属酢酸塩などの貴金属有機酸塩]などが挙げられる。また、周期第8〜11族金属ハロゲン化物として、貴金属ハロゲン化物[例えば、塩化銀(AgCl)、塩化金(AuCl)、塩化白金(PtCl、PtClなど)、塩化パラジウム(PdClなど)などの貴金属塩化物など]、酸成分含有金属ハロゲン化物[例えば、塩化金酸(HAuClなど)、塩化白金酸(HPtClなど)などの塩化貴金属酸などの塩化水素含有貴金属ハロゲン化物]、およびこれらの水和物などが挙げられる。 Specific examples of the metal compound include Group 8-11 metal compounds (including metal salts) of the periodic table. For example, as Group 8-11 metal salts of the periodic table, inorganic acid salts [for example, noble metal inorganic acid salts such as silver perchlorate (AgClO 4 ), silver nitrate (AgNO 3 )], and organic acid salts [for example, acetic acid Palladium (Pd (CH 3 CO 2 ) 2 and the like), rhodium acetate (noble metal organic acid salts such as noble metal acetates such as [Rh (CH 3 CO 2 ) 2 ] 2 ) and the like. Further, as a periodic group 8-11 metal halide, noble metal halide [eg, silver chloride (AgCl), gold chloride (AuCl 3 ), platinum chloride (PtCl 2 , PtCl 4 etc.), palladium chloride (PdCl 2 etc.) Noble metal chlorides such as], acid component-containing metal halides [for example, hydrogen chloride-containing noble metal halides such as chlorinated noble metal acids such as chloroauric acid (HAuCl 4 etc.), chloroplatinic acid (H 2 PtCl 6 etc.)] And hydrates thereof.

以下に、周期表第11族金属のうち、金、銀、銅、白金、パラジウム、ロジウムについて、代表的な金属化合物を例示する。   Below, typical metal compounds are illustrated about gold | metal | money, silver, copper, platinum, palladium, and rhodium among periodic table 11 group metals.

金化合物としては、金ハロゲン化物(AuCl、AuCl、AuBr、AuI、AuI、AuCl(PPh)、AuCl(SC)など)、ハロゲン化金酸またはその塩(HAuCl、HAuCl・4HO、NaAuCl・4HO、KAuCl・4HOなど)、水酸化金(AuOH)、シアン化金(AuCN)、酸化金(Auなど)、硫化金(AuS、Au(III)など)などの無機塩、又は、トリメチル金(III)(Au(CH)、メチル(トリフェニルホスフィン)金(I)(AuCH(PPh))、4−エチルベンゼンチオラト金(I)(Au{S(C)C})、{μ−1,8−ビス(ジフェニルホスフィノ)−3,6−ジオキサオクタン}ビス{クロロ金(I)}((AuCl)(μ−{PhP(CHO(CHO(CH)2PPh})、(ペンタフルオロフェニル)(テトラヒドロチオフェン)金(I)([Au(C)(SC)])、トリス(ペンタフルオロフェニル)(テトラヒドロチオフェン)金(III)([Au(C(SC)])などが挙げられる。 Examples of the gold compound include gold halides (AuCl, AuCl 3 , AuBr 3 , AuI, AuI 3 , AuCl (PPh 3 ), AuCl (SC 4 H 8 ), halogenated gold acid or a salt thereof (HAuCl 4 , HAuCl). 4 · 4H 2 O, NaAuCl 4 · 4H 2 O, KAuCl 4 · 4H 2 O , etc.), gold hydroxide (AuOH), gold cyanide (AuCN), such as gold oxide (Au 2 O 3), gold sulfide (Au 2 S, Au 2 S 3 (III), etc.), or trimethyl gold (III) (Au 2 (CH 3 ) 6 ), methyl (triphenylphosphine) gold (I) (Au 2 CH 3 ( PPh 3)), 4-ethylbenzene-thio Ratn gold (I) (Au {S ( C 6 H 4) C 2 H 5}), {μ-1,8- bis (diphenylphosphino) 3,6 Dioxaoctane} bis {chloroauric (I)} ((AuCl) 2 (μ- {Ph 2 P (CH 2) 2 O (CH 2) 2 O (CH 2) 2PPh 2}), ( pentafluorophenyl) (Tetrahydrothiophene) gold (I) ([Au (C 6 F 5 ) (SC 4 H 8 )]), tris (pentafluorophenyl) (tetrahydrothiophene) gold (III) ([Au (C 6 F 5 ) 3 (SC 4 H 8 )]) and the like.

銀化合物としては、無機塩[例えば、AgF、AgCl、AgI、AgBrなどの銀ハロゲン化物、AgOなどの酸化銀、AgSO、AgS、AgCN、AgClO、AgPO、AgSCN、AgNO、AgSO、AgCO、AgCrO、AgSe、AgReO、AgBF、AgW16、AgAsO、AgSbF、AgPF、AgHF、AgIO、AgBrO、AgOCN、AgMnO、AgVOなどの無機酸塩など]、有機塩(または錯体)[例えば、CCOAg、C11(CHCOAg、CHCH(OH)COAg、トリフルオロ酢酸銀(CFCOAg)、CCOAg、CCOAg、AgOCCHC(OH)(COAg)CHCOAgなどのカルボン酸塩、p−トルエンスルホン酸銀、トリフルオロメタンスルホン酸銀(CFSOAg)などのスルホン酸塩、(CHC(O)CHC(O)CH)Ag、(CNCSAg、フェニル銀(I)、テトラメシチル四銀(I)、ブチルアセチリド銀(I)、クロロ(イソシアノシクロヘキサン)銀、(シクロペンタジエニル)トリフェニルホスフィン銀(I)、ビスピリジン銀(I)過塩素酸塩、(η−1、5−シクロオクタジエン)(1,1,1,5,5,5−ヘキサフルオロ−2,4−ペンタンジオナト)銀(I)、ブロモ(トリ−n−ブチルホスフィン)銀(I)、ビスイミダゾール銀(I)硝酸塩、ビス(1,10−フェナントロリン)銀(I)過塩素酸塩および硝酸塩、1,4,8,11−テトラアザシクロテトラデカン銀(II)過塩素酸塩、(1,1,1,5,5,5−ヘキサフルオロ−2,4−ペンタンジオナト)(N,N,N’−トリメチルエチレンジアミン)銀(I)]などが挙げられる。 Silver compounds include inorganic salts [for example, silver halides such as AgF, AgCl, AgI, AgBr, silver oxides such as Ag 2 O, Ag 2 SO 4 , AgS, AgCN, AgClO 4 , Ag 3 PO 4 , AgSCN, AgNO 3, Ag 2 SO 3, Ag 2 CO 3, Ag 2 CrO 4, Ag 2 Se, AgReO 4, AgBF 4, AgW 4 O 16, Ag 3 AsO 4, AgSbF 6, AgPF 6, AgHF 2, AgIO 3, Inorganic acid salts such as AgBrO 3 , AgOCN, AgMnO 4 , AgVO 3, etc.], organic salts (or complexes) [eg, C 6 H 5 CO 2 Ag, C 6 H 11 (CH 2 ) 3 CO 2 Ag, CH 3 CH (OH) CO 2 Ag, silver trifluoroacetate (CF 3 CO 2 Ag), C 2 F 5 CO 2 Ag, C 3 F 7 CO 2 Ag, carboxylates such as AgO 2 CCH 2 C (OH) (CO 2 Ag) CH 2 CO 2 Ag, p- toluenesulfonate, silver silver trifluoromethanesulfonate (CF 3 SO 3 Ag), etc. (CH 3 C (O) CHC (O) CH 3 ) Ag, (C 2 H 5 ) 2 NCS 2 Ag, phenyl silver (I), tetramesityl tetrasilver (I), butyl acetylide silver (I ), Chloro (isocyanocyclohexane) silver, (cyclopentadienyl) triphenylphosphine silver (I), bispyridine silver (I) perchlorate, (η 4 -1,5-cyclooctadiene) (1,1 , 1,5,5,5-hexafluoro-2,4-pentanedionato) silver (I), bromo (tri-n-butylphosphine) silver (I), bisimidazole silver (I) nitrate, Bis (1,10-phenanthroline) silver (I) perchlorate and nitrate, 1,4,8,11-tetraazacyclotetradecane silver (II) perchlorate, (1,1,1,5,5 , 5-hexafluoro-2,4-pentanedionato) (N, N, N′-trimethylethylenediamine) silver (I)] and the like.

銅化合物としては、無機塩[例えば、CuO、CuO、Cu(OH)、CuF、CuCl、CuCl、CuBr、CuBr、CuIなどの銅ハロゲン化物、CuCO、CuCN、Cu(NO、Cu(ClO、Cu、CuSe、CuSe、CuSeO、CuSO、CuS、CuS、Cu(BF、CuHgI、CuSCN、(CFCOCu、(CFSOCu、CuWO、Cu(OH)POなどの無機酸塩など]、有機塩(または錯体)[例えば、酢酸銅(I)、酢酸銅(II)、[C11(CHCOCu、[CH(CHCH(C)COCu、(HCOCu、[HOCH[CH(OH)]COCuなどのカルボン酸塩、(CHC(O)CHC(O)CHCu、CH(CHSCu、(CHO)Cu]などが挙げられる。 Examples of the copper compound include inorganic salts [eg, Cu 2 O, CuO, Cu (OH) 2 , CuF 2 , CuCl, CuCl 2 , CuBr, CuBr 2 , CuI and other copper halides, CuCO 3 , CuCN, Cu (NO 3) 2, Cu (ClO 4 ) 2, Cu 2 P 2 O 7, Cu 2 Se, CuSe, CuSeO 3, CuSO 4, Cu 2 S, CuS, Cu (BF 4) 2, Cu 2 HgI 4, CuSCN, Inorganic acid salts such as (CF 3 CO 2 ) 2 Cu, (CF 3 SO 3 ) 2 Cu, CuWO 4 , Cu 2 (OH) PO 4 ], organic salts (or complexes) [eg, copper (I) acetate , copper acetate (II), [C 6 H 11 (CH 2) 3 CO 2] 2 Cu, [CH 3 (CH 2) 3 CH (C 2 H 5) CO 2] 2 Cu, (HCO 2) 2 u, [HOCH 2 [CH ( OH)] 4 CO 2] carboxylate such as 2 Cu, (CH 3 C ( O) CHC (O) CH 3) 2 Cu, CH 3 (CH 2) 3 SCu, ( CH 3 O) 2 Cu] and the like.

白金化合物としては、無機塩[例えば、PtO、PtCl、PtCl、PtBr、PtBr、PtI、PtIなどの白金ハロゲン化物、HPtCl・2HOなどのハロゲン化白金酸、PtS、Pt(CN)など]、有機塩(または錯体)[例えば、(CHC(O)CHC(O)CHPt、(CCN)PtCl]などが挙げられる。 Platinum compounds include inorganic salts [for example, platinum halides such as PtO 2 , PtCl 2 , PtCl 4 , PtBr 2 , PtBr 4 , PtI 2 , PtI 5 , haloplatinic acids such as HPtCl 6 · 2H 2 O, PtS 2, Pt (CN) 2, etc.], an organic salt (or complex) [e.g., like (CH 3 C (O) CHC (O) CH 3) 2 Pt, (C 6 H 5 CN) 2 PtCl 2] It is done.

パラジウム化合物としては、無機塩[例えば、PdO、PdCl、PdBr、PdI、などのハロゲン化パラジウム、PdCN、Pd(NO、PdS、PdSO、KPd(S・HO、塩化パラジウム酸など]、有機塩(または錯体)[例えば、Pd(CHCO)、プロピオン酸パラジウム(II)、(CFCOPdなどのカルボン酸塩、(CHC(O)CHC(O)CHPd、(CCN)PdCl、(CHCN)PdCl]などが例示できる。 Examples of the palladium compound include inorganic salts [eg, palladium halides such as PdO, PdCl 2 , PdBr 2 , PdI 2 , PdCN 2 , Pd (NO 3 ) 2 , PdS, PdSO 4 , K 2 Pd (S 2 O 3 ) 2 · H 2 O, chloropalladic acid, etc.], organic salts (or complexes) [for example, carboxylates such as Pd (CH 3 CO 2 ), palladium (II) propionate, (CF 3 CO 2 ) 2 Pd , (CH 3 C (O) CHC (O) CH 3 ) 2 Pd, (C 6 H 5 CN) 2 PdCl 2 , (CH 3 CN) 2 PdCl 2 ], and the like.

ロジウム化合物としては、無機塩[例えば、Rh、RhO、RhCl、RhBr、RhIなどのロジウムハロゲン化物、RhPO、RhSOなど]、有機塩(または錯体)[例えば、[Rh(CHCO、(CFCORh、{[CH(CHCORh}、[(CFCFCFCORh]、{[(CHCCORh}などのカルボン酸塩、(CHC(O)CHC(O)CHRh]などが挙げられる。 Examples of rhodium compounds include inorganic salts [eg, rhodium halides such as Rh 2 O 3 , RhO 3 , RhCl 3 , RhBr 3 , RhI 3 , RhPO 4 , Rh 2 SO 4, etc.], organic salts (or complexes) [eg, , [Rh (CH 3 CO 2 ) 2 ] 2 , (CF 3 CO 2 ) 2 Rh, {[CH 3 (CH 2 ) 6 CO 2 ] 2 Rh} 2 , [(CF 3 CF 2 CF 2 CO 2 ) 2 Rh] 2 , carboxylates such as {[(CH 3 ) 3 CCO 2 ] 2 Rh} 2 , (CH 3 C (O) CHC (O) CH 3 ) 3 Rh] and the like.

これらの金属化合物のうち、特に、銀塩や金化合物は光感受性が高く、光によって還元されやすい金属化合物であり、過塩素酸銀や硝酸銀、塩化金酸が好適に用いられる。   Among these metal compounds, in particular, silver salts and gold compounds are metal compounds that have high photosensitivity and are easily reduced by light, and silver perchlorate, silver nitrate, and chloroauric acid are preferably used.

また、金属微粒子(ここでは、工程(A)の時点でポリマー膜に含まれる金属微粒子を意味する。)としては、特定の波長λの照射によって膜中を移動できるようなものが好ましく、特にコロイド状粒子などの、10nm程度以下、特に好ましくは2nm以下の金属粒子が好ましい。例えば上記の金属化合物から金属微粒子が析出したものが挙げられる。例えば、銀の微粒子が好ましい。また、金属化合物と金属微粒子の混合物であってもよい。   Further, the metal fine particles (here, meaning the metal fine particles contained in the polymer film at the time of step (A)) are preferably those that can move in the film by irradiation with a specific wavelength λ. Metal particles of about 10 nm or less, particularly preferably 2 nm or less, such as particle-like particles are preferred. For example, the thing which metal fine particles precipitated from said metal compound is mentioned. For example, silver fine particles are preferable. Further, it may be a mixture of a metal compound and metal fine particles.

ポリマー中に含有させる金属成分の割合は、ポリマーの分子量などにもよるが、ポリマー100重量部に対して、例えば、0.5重量部以上、好ましくは1重量部以上、さらに好ましくは5重量部以上程度であり、また例えば500重量部以下、好ましくは200重量部以下、より好ましくは100重量部以下、さらに好ましくは50重量部以下程度である。   The proportion of the metal component contained in the polymer depends on the molecular weight of the polymer, but is, for example, 0.5 parts by weight or more, preferably 1 part by weight or more, and more preferably 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer. For example, it is about 500 parts by weight or less, preferably about 200 parts by weight or less, more preferably about 100 parts by weight or less, and still more preferably about 50 parts by weight or less.

<ポリマー膜を構成するポリマー、およびポリマー膜の製膜>
ポリマー膜を構成するポリマーは、特定の波長λにおいて透明であり、添加剤と金属成分を均一に溶解または分散して含有することができるもの(特に溶解するもの)が好ましく使用される。加えて、一実施形態においては、有機溶媒に均一に溶解するものが好ましく使用される。
<Polymer constituting polymer film and film formation of polymer film>
As the polymer constituting the polymer film, a polymer that is transparent at a specific wavelength λ and can contain (is particularly soluble) an additive and a metal component that are uniformly dissolved or dispersed is preferably used. In addition, in one embodiment, those that are uniformly dissolved in an organic solvent are preferably used.

例えば、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートおよびポリエチレンナフタレートのようなポリエステル類、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリレート、ポリメタクリル酸およびポリアクリル酸のようなアクリルポリマー類、メチルスチレン樹脂、アクリロニトリルブタジエンスチレン(ABS)樹脂、アクリロニトリルスチレン(AS)樹脂のようなスチレン樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテンのようなポリオレフィン類、ポリオキセタンのようなポリエーテル類、ナイロン6、ナイロン66のような透明ポリアミド類、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、ポリアクリレートおよび三酢酸セルロース、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニル、環状ポリオレフィン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シクロヘキサジエン系ポリマー、非晶ポリエステル樹脂、透明ポリイミド、透明ポリウレタン、透明フッ素樹脂、熱可塑性エラストマー、ポリ乳酸を始めとする各種の透明ポリマーなどを挙げることが出来る。さらに、これらポリマーの構成要素であるモノマーのコポリマー(例えば、メタクリル酸モノマーユニットまたはアクリル酸モノマーユニットを含有する共重合体)、および/またはこれらポリマーの混合物も使用することができる。この中でも、ポリメタクリレート、ポリアクリレート、ポリスチレン、ポリビニルピロリドン、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸、メタクリル酸モノマーユニットまたはアクリル酸モノマーユニットを含有する共重合体、およびポリビニルアルコールから選ばれるポリマーが好適に用いられる。   For example, polyesters such as polycarbonate, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate and polyethylene naphthalate, acrylic polymers such as polymethyl methacrylate, polyacrylate, polymethacrylic acid and polyacrylic acid, methylstyrene resin, acrylonitrile butadiene styrene (ABS ) Resin, styrene resin such as acrylonitrile styrene (AS) resin, polyolefin such as polyethylene, polypropylene and polymethylpentene, polyether such as polyoxetane, transparent polyamide such as nylon 6 and nylon 66, polystyrene , Polyvinyl chloride, polyethersulfone, polysulfone, polyacrylate and cellulose triacetate, polyvinyl alcohol, polyvinyl chloride Various materials including lupyrrolidone, polyacrylonitrile, polyvinyl chloride, cyclic polyolefin, acrylic resin, epoxy resin, cyclohexadiene polymer, amorphous polyester resin, transparent polyimide, transparent polyurethane, transparent fluororesin, thermoplastic elastomer, polylactic acid And transparent polymers. Further, copolymers of monomers that are constituents of these polymers (eg, copolymers containing methacrylic acid monomer units or acrylic acid monomer units) and / or mixtures of these polymers can also be used. Among these, a polymer selected from polymethacrylate, polyacrylate, polystyrene, polyvinylpyrrolidone, polymethacrylic acid, polyacrylic acid, a copolymer containing a methacrylic acid monomer unit or an acrylic acid monomer unit, and polyvinyl alcohol is preferably used. .

溶媒は、通常、ポリマー、添加剤および金属成分を溶解させるためまたは分散させるため(特に溶解させるため)使用する。このような溶媒としては、ポリマー、添加剤および金属成分の種類に応じて適宜選択でき、例えば、水(酸性でも中性でもアルカリ性でも良い)、アルコール類(メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、イソブタノールなどのアルキルアルコール類など)、エーテル類(ジメチルエーテル、ジエチルエーテルなどの鎖状エーテル類、ジオキサン、テトラヒドロフランなどの環状エーテル類など)、エステル類(酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどの酢酸エステル類など)、ケトン類(アセトン、エチルメチルケトンなどのジアルキルケトン類など)、グリコールエーテルエステル類(エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、セロソルブアセテート、ブトキシカルビトールアセテートなど)、セロソルブ類(メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブなど)、カルビトール類(カルビトールなど)、ハロゲン化炭化水素類(塩化メチレン、クロロホルムなど)、アセタール類(アセタール、メチラールなど)、アミド類(ジメチルホルムアミドなど)、スルホキシド類(ジメチルスルホキシドなど)、ニトリル類(アセトニトリル、ベンゾニトリルなど)などが挙げられる。これらの溶媒は、単独でまたは二種以上組み合わせて用いてもよい。   The solvent is usually used to dissolve or disperse (especially dissolve) the polymer, additives and metal components. Such a solvent can be appropriately selected according to the type of polymer, additive and metal component, and includes, for example, water (which may be acidic, neutral or alkaline), alcohols (methanol, ethanol, propanol, isopropanol, butanol, Alkyl alcohols such as isobutanol), ethers (chain ethers such as dimethyl ether and diethyl ether, cyclic ethers such as dioxane and tetrahydrofuran), esters (acetic esters such as methyl acetate, ethyl acetate and butyl acetate) ), Ketones (dialkyl ketones such as acetone and ethyl methyl ketone), glycol ether esters (ethylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, celloso) Butacetate, butoxycarbitol acetate, etc.), cellosolves (methylcellosolve, ethylcellosolve, butylcellosolve, etc.), carbitols (carbitol, etc.), halogenated hydrocarbons (methylene chloride, chloroform, etc.), acetals (acetal, Methylal etc.), amides (dimethylformamide etc.), sulfoxides (dimethyl sulfoxide etc.), nitriles (acetonitrile, benzonitrile etc.) and the like. These solvents may be used alone or in combination of two or more.

溶媒の割合は、反射基板上に製膜を意図する金属成分を含有するポリマー膜の厚み(膜厚)なども考慮して決められるが、前記ポリマー100重量部に対して、例えば、溶媒10〜10000重量部、好ましくは30〜5000重量部、さらに好ましくは50〜3000重量部程度である。   The proportion of the solvent is determined in consideration of the thickness (film thickness) of a polymer film containing a metal component intended for film formation on the reflective substrate. The amount is about 10,000 parts by weight, preferably about 30 to 5,000 parts by weight, and more preferably about 50 to 3,000 parts by weight.

さらに、添加剤および金属成分を含有するポリマー溶液の反射基板への製膜法は、膜形成が可能であれば特に限定されず、慣用の塗布法、例えば、スピンコーティング法(回転塗布法)、ロールコーティング法、カーテンコーティング法、ディップコーティング法、キャスト法などが利用できる。塗布装置としては、上記塗布方法に対応する装置、例えば、スピンコーター、スリットコーター、ロールコーター、バーコーターなどを使用できる。   Furthermore, the method for forming the polymer solution containing the additive and the metal component on the reflective substrate is not particularly limited as long as film formation is possible, and a conventional coating method such as a spin coating method (rotary coating method), Roll coating method, curtain coating method, dip coating method, casting method, etc. can be used. As the coating device, a device corresponding to the above coating method, for example, a spin coater, a slit coater, a roll coater, a bar coater or the like can be used.

また、添加剤および金属成分を含有するポリマー溶液を基板に製膜した後に行う溶媒の留去方法も特に限定されず、慣用の溶媒留去法、例えば、加熱による蒸発や各種エバポレーターによる真空乾燥が挙げられる。   Further, the method for distilling off the solvent after the polymer solution containing the additive and the metal component is formed on the substrate is not particularly limited, and a conventional solvent distilling method, for example, evaporation by heating or vacuum drying by various evaporators can be used. Can be mentioned.

このようにして、反射基板上に製膜された添加剤と金属成分を含有するポリマー膜の厚さは、特に限定されず、用途に応じて適宜設定することができる。例えば、0.5〜500μm、好ましくは0.5〜100μm、さらに好ましくは1〜20μm程度の厚さに形成することができる。   Thus, the thickness of the polymer film containing the additive and the metal component formed on the reflective substrate is not particularly limited, and can be appropriately set according to the application. For example, it can be formed to a thickness of about 0.5 to 500 μm, preferably 0.5 to 100 μm, and more preferably about 1 to 20 μm.

<光照射>
本発明の製造方法では、次に、反射基板上に製膜された添加剤と金属成分を含有するポリマー膜に、特定の波長λの光を照射する。波長λは、所望の波長を選ぶことができるが、前述の金属成分がこの波長の光を受けたときに、金属微粒子の生成、金属化合物の移動、および金属粒子の成長のいずれかが起こりうるような波長領域の中から設定する。通常、金属化合物を励起して金属微粒子へ還元するのに十分なエネルギーを有する波長領域から選ばれ、紫外から可視光領域が好ましい。具体的には、200〜600nm、好ましくは300〜500nm、より好ましくは350〜500nmの波長領域から1波長が選ばれることが好ましい。このような波長範囲では、各種金属化合物を効率良く金属微粒子へ光還元することができる。
<Light irradiation>
In the production method of the present invention, the polymer film containing the additive and the metal component formed on the reflective substrate is then irradiated with light having a specific wavelength λ. A desired wavelength can be selected as the wavelength λ, but when the above-described metal component receives light of this wavelength, generation of metal fine particles, migration of metal compounds, and growth of metal particles can occur. It sets from such a wavelength range. Usually, it is selected from a wavelength region having sufficient energy to excite a metal compound and reduce it to metal fine particles, and an ultraviolet to visible light region is preferable. Specifically, it is preferable that one wavelength is selected from a wavelength region of 200 to 600 nm, preferably 300 to 500 nm, more preferably 350 to 500 nm. In such a wavelength range, various metal compounds can be efficiently photoreduced into metal fine particles.

照射する光源としては、例えば、ハロゲンランプ、水銀ランプ(低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプなど)、重水素ランプ、UVランプ、レーザー(例えば、ヘリウム−カドミウムレーザー、エキシマーレーザーなど)等が使用できる。一実施形態においては、超高圧水銀ランプが好適である。また、なるべく半値幅の狭い1波長を照射することが好ましい。照射波長の半値幅は、好ましくは50nm、より好ましくは30nm以下、特に好ましくは20nm以下、最も好ましくは10nm以下である。半値幅を狭くするためには、市販の狭帯域バンドパスフィルターを組み合わせるのが好ましい。   Examples of the light source for irradiation include halogen lamps, mercury lamps (low pressure mercury lamps, high pressure mercury lamps, ultrahigh pressure mercury lamps, etc.), deuterium lamps, UV lamps, lasers (eg, helium-cadmium lasers, excimer lasers, etc.), etc. Can be used. In one embodiment, an ultra high pressure mercury lamp is suitable. Further, it is preferable to irradiate one wavelength with a narrow half width as much as possible. The full width at half maximum of the irradiation wavelength is preferably 50 nm, more preferably 30 nm or less, particularly preferably 20 nm or less, and most preferably 10 nm or less. In order to reduce the half-value width, it is preferable to combine a commercially available narrow band-pass filter.

光照射時間は、照射光源の能力(照射強度)に大きく依存するが、反応速度と共に金属成分の移動を考慮し、生成する金属粒子の径等も考慮して決めることが好ましい。限定はされないが、1例として、500Wの高圧水銀ランプ(照射強度;165W/cm以上)を用いる場合、照射時間は20分〜20時間、好ましくは40分〜15時間、特に好ましくは1時間〜10時間である。 Although the light irradiation time largely depends on the ability (irradiation intensity) of the irradiation light source, it is preferable to determine the size of the generated metal particles in consideration of the reaction rate and the movement of the metal component. Although not limited, as an example, when a 500 W high-pressure mercury lamp (irradiation intensity: 165 W / cm 2 or more) is used, the irradiation time is 20 minutes to 20 hours, preferably 40 minutes to 15 hours, particularly preferably 1 hour. -10 hours.

<金属微粒子配列膜>
前記光照射工程により、添加剤と金属成分含有ポリマー膜中で、金属化合物から金属微粒子が生成し、あるいは金属微粒子が移動し、密集して膜面に平行な層を形成し、さらにこの層が、周期的な多層構造となる。即ち、膜の断面方向で見ると、金属が密集した金属微粒子層と、ポリマーのみの層とが交互に積層された多層構造となっている。
<Metal fine particle alignment film>
By the light irradiation step, metal fine particles are generated from the metal compound in the additive and metal component-containing polymer film, or the metal fine particles move and densely form a layer parallel to the film surface. It becomes a periodic multilayer structure. That is, when viewed in the cross-sectional direction of the film, it has a multi-layer structure in which metal fine particle layers in which metals are densely packed and polymer-only layers are alternately laminated.

これは、入射光と反射光が干渉して、周期的な光強度分布を持つ定在波が生じることにより、金属化合物が移動し、その結果、多層構造が形成されたものと推定される。さらに、リン含有化合物を系中に加えることにより、ポリマーと金属化合物の間に働く相互作用に影響を与え、配列が促進されたものと推定される。一方、金属微粒子を含有したポリマー内においても、定在的な電場の強度分布が生じ、同様な機構により、金属微粒子が移動し、多層構造が形成されたものと推定される。   It is presumed that the incident light and the reflected light interfere to generate a standing wave having a periodic light intensity distribution, so that the metal compound moves, and as a result, a multilayer structure is formed. Furthermore, it is presumed that by adding a phosphorus-containing compound into the system, the interaction between the polymer and the metal compound is affected, and the arrangement is promoted. On the other hand, it is presumed that a standing electric field intensity distribution also occurs in the polymer containing metal fine particles, and the metal fine particles move and a multilayer structure is formed by the same mechanism.

また、本発明の製造方法では、金属微粒子層の繰り返し距離(ピッチ)を任意に調節することができる。上記の理論に従い、ポリマー膜の厚み方向に生じる光強度の周期を変化させるように調節することで、金属微粒子層の繰り返し距離(ピッチ)が変化する。代表的には、照射光の波長λを変えることにより調節することができる。例えば、照射光の波長を長波長とすることで金属微粒子層の繰り返し距離を長くすることができる。さらに、照射光の角度を変化させることでも、金属微粒子層の繰り返し距離(ピッチ)を調節することができる。例えば、照射光の入射角を、大きくすることで金属微粒子層の繰り返し距離を長くすることができる。入射角の変化は、基板を傾ける、もしくは照射光をある角度で入射させるだけで実現できることから、非常に簡便な方法である。さらにこの方法では、金属微粒子層の繰り返し距離を、照射光の波長から独立して調節することができるので、製造時にあっては、所望の繰り返し距離(ピッチ)を得るために適した波長の光を選択することができる。そのため、照射光の波長とは異なる波長の光を選択的に反射する膜を作製することも容易である。本発明の金属微粒子膜では、このようにして任意制御によって、金属微粒子層の配列を決定することができる。尚、光照射後の処理等により、膜厚の収縮または増加が生じることがあり、その場合には、金属微粒子層の繰り返し距離(ピッチ)も変化することがある。   Moreover, in the manufacturing method of this invention, the repetition distance (pitch) of a metal fine particle layer can be adjusted arbitrarily. In accordance with the above theory, the repetition distance (pitch) of the metal fine particle layer is changed by adjusting the period of the light intensity generated in the thickness direction of the polymer film. Typically, it can be adjusted by changing the wavelength λ of the irradiation light. For example, the repetition distance of the metal fine particle layer can be increased by setting the wavelength of the irradiation light to a long wavelength. Furthermore, the repetition distance (pitch) of the metal fine particle layer can also be adjusted by changing the angle of the irradiation light. For example, the repetition distance of the metal fine particle layer can be increased by increasing the incident angle of the irradiation light. The change in the incident angle is a very simple method because it can be realized simply by tilting the substrate or making the irradiation light incident at a certain angle. Furthermore, in this method, the repetition distance of the metal fine particle layer can be adjusted independently from the wavelength of the irradiation light. Therefore, at the time of manufacture, light having a wavelength suitable for obtaining a desired repetition distance (pitch). Can be selected. Therefore, it is easy to produce a film that selectively reflects light having a wavelength different from the wavelength of irradiation light. In the metal fine particle film of the present invention, the arrangement of the metal fine particle layer can be determined by arbitrary control in this way. Note that the film thickness may shrink or increase due to the treatment after the light irradiation, and in this case, the repetition distance (pitch) of the metal fine particle layer may also change.

金属微粒子層中の金属微粒子は、その生成時においては、極めて小さいものであるが、金属微粒子において通常に観察される凝集・固結により、その粒径が大きくなり、また、実質的に金属膜と見なせる態様を取ることもある。一方、金属微粒子を含有したポリマーにおいても、光強度を大きくすることにより、定在波として生じる電場の強度の大きい部分と小さい部分の差が大きくなり、これにより、移動できる金属微粒子の大きさは大きくなる。   The metal fine particles in the metal fine particle layer are extremely small at the time of generation, but the particle diameter becomes large due to the aggregation and consolidation normally observed in the metal fine particles, and the metal fine particles are substantially reduced. It may take the form that can be considered. On the other hand, even in a polymer containing metal fine particles, by increasing the light intensity, the difference between the portion where the electric field strength generated as a standing wave is high and the portion where the electric field strength is small becomes large. growing.

このように条件にも依存するが、通常2〜100nmである。特定の態様においては、微粒子の大部分(例えば80%以上)が50nm以下のナノレベルの粒子径を有している。金属微粒子層の周期的な多層構造を利用して、金属微粒子配列膜は種々の応用が期待される。代表的には、後述するように反射膜として利用することができる。   Thus, although it depends on conditions, it is usually 2 to 100 nm. In a particular embodiment, the majority (eg 80% or more) of the fine particles have a nano-level particle size of 50 nm or less. Various applications of the metal fine particle array film are expected by utilizing the periodic multilayer structure of the metal fine particle layer. Typically, it can be used as a reflective film as described later.

本発明の金属微粒子配列膜は、反射基板上に形成された状態で使用してもよいし、また反射基板から剥離することもできる。剥離方法としては、反射基板との接着強度によってはそのまま機械的に剥離してもよいし、金属微粒子配列膜に溶解を生じさせない溶媒、例えば水等を含浸させて、反射基板との接着性を弱めてから剥離することも好ましい。また、次の第2の実施形態で説明するような方法によって剥離することもできる。   The metal fine particle array film of the present invention may be used in a state of being formed on a reflective substrate, or may be peeled from the reflective substrate. As a peeling method, depending on the adhesive strength with the reflective substrate, it may be mechanically peeled as it is, or a metal fine particle array film is impregnated with a solvent that does not cause dissolution, such as water, so that the adhesive property with the reflective substrate is improved. It is also preferable to peel after weakening. Moreover, it can also peel by the method as demonstrated in the following 2nd Embodiment.

{本発明の第2の実施形態}
以上説明した製造方法(第1の実施形態とする。)では、金属微粒子配列膜が反射基板上に形成されるため、材料などの選択によっては、金属微粒子配列膜を反射基板から剥離できない場合があり、用途が制限される。第2の実施形態では、金属微粒子配列膜を、自立膜として得る方法について説明する。尚、第2の実施形態の説明中で、特に言及していない事項に関しては、矛盾のない限り第1の実施形態で説明した事項(材料、条件、好ましい範囲等)が採用される。
{Second Embodiment of the Invention}
In the manufacturing method described above (referred to as the first embodiment), since the metal fine particle array film is formed on the reflective substrate, the metal fine particle array film may not be peeled from the reflective substrate depending on the selection of materials and the like. Yes, application is limited. In the second embodiment, a method for obtaining the metal fine particle array film as a self-supporting film will be described. In the description of the second embodiment, the matters (materials, conditions, preferred ranges, etc.) described in the first embodiment are adopted as long as there is no contradiction regarding matters not specifically mentioned.

第2の実施形態では、反射基板上に、添加剤と金属成分を含有するポリマー膜を直接製膜するのではなく、最初に反射基板上に剥離層を設ける。剥離層は、特定の波長λの照射を阻害しないような材料、即ち、その波長において透明な材料であって、後の工程で形成される金属微粒子配列膜を反射基板から剥離できるようなものであれば特に限定されない。例えば、剥離層自身が後の工程で除去されることにより、金属微粒子配列膜が剥離できる形態、反射基板と剥離層の接着強度が小さいために後の工程で金属微粒子配列膜と共に剥離できる形態、剥離層と金属微粒子配列膜との接着強度が小さいために後の工程で金属微粒子配列膜を剥離できる形態等が挙げられる。   In the second embodiment, a polymer film containing an additive and a metal component is not directly formed on a reflective substrate, but a release layer is first provided on the reflective substrate. The release layer is a material that does not inhibit irradiation of a specific wavelength λ, that is, a material that is transparent at that wavelength, and can release the metal fine particle array film formed in a later step from the reflective substrate. If there is no particular limitation. For example, when the release layer itself is removed in a later step, the metal fine particle array film can be peeled off. For example, since the adhesive strength between the release layer and the metal fine particle array film is small, the metal fine particle array film can be peeled off in a later step.

安定的な剥離を達成するためには、剥離層自身を後の工程で除去する形態が好ましく、特に剥離層が溶媒に溶解することで除去される形態が好ましい。このための剥離層としては、ポリマーにより形成されることが好ましく、例えば、金属成分含有ポリマー溶液の溶媒に溶けないポリマーが挙げられる。   In order to achieve stable peeling, a mode in which the peeling layer itself is removed in a later step is preferable, and a mode in which the peeling layer is removed by dissolving in a solvent is particularly preferable. For this purpose, the release layer is preferably formed of a polymer, for example, a polymer that is insoluble in the solvent of the metal component-containing polymer solution.

例えば、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートおよびポリエチレンナフタレートのようなポリエステル類、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリレートのようなアクリルポリマー類、メチルスチレン樹脂、アクリロニトリルブタジエンスチレン(ABS)樹脂、アクリロニトリルスチレン(AS)樹脂のようなスチレン樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテンのようなポリオレフィン類、ポリオキセタンのようなポリエーテル類、ナイロン6、ナイロン66のような透明ポリアミド類、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、ポリアクリレートおよび三酢酸セルロース、ポリビニルアルコール、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニル、環状ポリオレフィン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シクロヘキサジエン系ポリマー、非晶ポリエステル樹脂、透明ポリイミド、透明ポリウレタン、透明フッ素樹脂、熱可塑性エラストマー、ポリ乳酸を始めとする各種の透明ポリマーなどを挙げることが出来る。さらに、これらポリマーの構成要素であるモノマーのコポリマー、および/またはこれらポリマーの混合物も使用することができる。この中でもポリスチレンが好適に用いられる。   For example, polyesters such as polycarbonate, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate and polyethylene naphthalate, acrylic polymers such as polymethyl methacrylate and polyacrylate, methyl styrene resin, acrylonitrile butadiene styrene (ABS) resin, acrylonitrile styrene (AS) Styrene resin such as resin, polyolefins such as polyethylene, polypropylene and polymethylpentene, polyethers such as polyoxetane, transparent polyamides such as nylon 6 and nylon 66, polystyrene, polyvinyl chloride, polyethersulfone , Polysulfone, polyacrylate and cellulose triacetate, polyvinyl alcohol, polyacrylonitrile, polyvinyl chloride, cyclic Olefin, acrylic resin, epoxy resin, cyclohexadiene based polymers, amorphous polyester resin, transparent polyimide, transparent polyurethane, transparent fluororesin, a thermoplastic elastomer, such as various transparent polymers, including polylactic acid can be cited. In addition, copolymers of monomers that are constituents of these polymers and / or mixtures of these polymers can also be used. Among these, polystyrene is preferably used.

この剥離層の厚みは、光照射によるポリマー中の金属微粒子の配列を阻害しないようにするため、薄い方が良く、例えば、0.01〜50μm、好ましくは0.01〜20μm、さらに好ましくは0.01〜5μm程度である。   The thickness of the release layer is preferably thin so as not to hinder the arrangement of the metal fine particles in the polymer due to light irradiation. For example, 0.01 to 50 μm, preferably 0.01 to 20 μm, and more preferably 0. About 0.01 to 5 μm.

層の形成は、例えばこれらのポリマーの溶液を塗布後、溶媒を除去する方法、あるいはモノマーを必要により開始剤と共に塗布後、重合させてもよい。塗布方法は、慣用の塗布法、例えば、スピンコーティング法(回転塗布法)、ロールコーティング法、カーテンコーティング法、ディップコーティング法、キャスト法などが利用できる。塗布装置としては、上記塗布方法に対応する装置、例えば、スピンコーター、スリットコーター、ロールコーター、バーコーターなどを使用できる。   The layer may be formed, for example, by applying a solution of these polymers and then removing the solvent, or by applying a monomer together with an initiator if necessary, followed by polymerization. As a coating method, a conventional coating method such as a spin coating method (rotary coating method), a roll coating method, a curtain coating method, a dip coating method, a casting method, or the like can be used. As the coating device, a device corresponding to the above coating method, for example, a spin coater, a slit coater, a roll coater, a bar coater or the like can be used.

このようにして、反射基板上に剥離層を形成した後、剥離層の上に、第1の実施形態と同様にして、添加剤と金属成分を含有するポリマー膜を製膜し、特定の波長λの光を照射する。ポリマー膜は、金属微粒子層が多層に配列した金属微粒子配列膜となる。   After forming the release layer on the reflective substrate in this way, a polymer film containing an additive and a metal component is formed on the release layer in the same manner as in the first embodiment, and a specific wavelength is formed. Irradiate light of λ. The polymer film is a metal fine particle array film in which metal fine particle layers are arranged in multiple layers.

次に、光が照射された後の前記ポリマー膜、即ち金属微粒子配列膜を反射基板から剥離する。剥離方法は、剥離層の材料に依存する。剥離層が界面での接着強度を小さくする物である場合には、機械的に引きはがすことができる。   Next, the polymer film after being irradiated with light, that is, the metal fine particle array film is peeled off from the reflective substrate. The peeling method depends on the material of the peeling layer. When the release layer is a material that reduces the adhesive strength at the interface, it can be mechanically peeled off.

剥離層が除去可能な材料である場合、特に上述の溶解可能な材料である場合には、剥離層が溶解可能であって、金属微粒子配列膜が溶解しないような溶媒に、剥離層を浸漬することにより、剥離層を溶解除去する。その結果、金属微粒子配列膜を反射基板から剥離することができる。   When the release layer is a removable material, particularly when the release layer is the above-described soluble material, the release layer is immersed in a solvent in which the release layer can be dissolved and the metal fine particle array film does not dissolve. As a result, the release layer is dissolved and removed. As a result, the metal fine particle array film can be peeled from the reflective substrate.

このようにして得られた、反射基板から剥離された金属微粒子配列膜は、そのまま使用してもよいし、また適当な基材に貼付して使用することもできる。例えば基材として透明または不透明のフィルムまたはシート、特に樹脂製(ポリマー製)フィルムまたはシートを使用し、これに金属微粒子配列膜を貼付または積層すると、本発明の金属微粒子配列膜の機械的柔軟性および軽量性が損なわれることなく、機械的強度および取り扱い性が向上するために、種々の用途に使用できる。   The metal fine particle array film peeled from the reflective substrate thus obtained may be used as it is, or may be used after being attached to a suitable base material. For example, when a transparent or opaque film or sheet, in particular, a resin (polymer) film or sheet is used as a substrate and a metal fine particle array film is pasted or laminated thereon, the mechanical flexibility of the metal fine particle array film of the present invention In addition, the mechanical strength and handleability can be improved without impairing the lightness, so that it can be used in various applications.

<反射膜としての応用>
第1の実施形態および第2の実施形態として説明した本発明の金属微粒子配列膜は、種々の用途が考えられるが、特に反射膜として有用である。金属微粒子配列膜の反射特性を測定すると、例えば後述する実施例1で作製した膜は、光照射した際の波長λとほぼ一致する波長位置に反射の極大値を有し、波長選択性の反射膜として機能することが明らかになった。
<Application as reflective film>
The metal fine particle array film of the present invention described as the first embodiment and the second embodiment can be used for various purposes, but is particularly useful as a reflective film. When the reflection characteristics of the metal fine particle array film are measured, for example, the film produced in Example 1 to be described later has a maximum value of reflection at a wavelength position almost coincident with the wavelength λ when irradiated with light, and the wavelength selective reflection. It became clear that it functions as a membrane.

シミュレーションにより、透明層中に、金属層(部分反射・部分透過性)が光学距離dの周期で多層が積層されている形態を計算すると、
d=λ/2
(ここで、dは光学距離、λは反射波長)
を満たす波長λが選択的に反射されることが示された。
By calculating the form in which a multilayer is laminated with a period of an optical distance d in a transparent layer, a metal layer (partial reflection / partial transparency) is calculated by simulation.
d = λ / 2
(Where d is the optical distance and λ is the reflected wavelength)
It was shown that the wavelength λ satisfying the above condition is selectively reflected.

本発明で得られる金属微粒子配列膜は、金属微粒子の層が、ほぼ等間隔のピッチで積層されているために、金属微粒子層が部分反射・部分透過性の層と類似の機能を果たしていると推定される。金属粒子層の周期(層の中央から中央までの距離)を光学距離d(幾何学的距離d’=d/n、nはポリマーの屈折率)で表すと、反射スペクトルの極大位置は、上記式を満たす波長λに対応していると考えられる。しかしながら、金属微粒子の分布、密度等により、ピークの半値幅、他波長の反射抑制等の選択性が影響を受けると考えられる。   In the metal fine particle array film obtained in the present invention, since the metal fine particle layers are laminated at substantially equal intervals, the metal fine particle layer performs a function similar to a partially reflective / partially transmissive layer. Presumed. When the period of the metal particle layer (the distance from the center to the center of the layer) is expressed by the optical distance d (geometric distance d ′ = d / n, n is the refractive index of the polymer), the maximum position of the reflection spectrum is This is considered to correspond to a wavelength λ that satisfies the equation. However, it is considered that the selectivity such as the half width of the peak and the reflection suppression of other wavelengths is affected by the distribution and density of the metal fine particles.

本発明で製造される金属微粒子配列膜は、従来の、無機物や無機酸化物よりなる光学多
層反射膜の代わりに使用することができる。そのため、軽量化、輸送性、耐衝撃性、機械
的な柔軟性等が改良され、光学材料として光学部品等への幅広い応用が可能である。
The metal fine particle array film produced in the present invention can be used in place of a conventional optical multilayer reflective film made of an inorganic material or an inorganic oxide. Therefore, weight reduction, transportability, impact resistance, mechanical flexibility, and the like are improved, and a wide range of applications as optical materials to optical components and the like are possible.

以下、実施例に基づいて、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は本実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated further in detail based on an Example, this invention is not limited to a present Example.

(参考例1)
ソーダライムガラス上に、直流スパッタ法により200nmのアルミニウムを成膜し、さらに、13.56MHzの交流スパッタ法により10nmのシリカを成膜し、反射基板とした。
(Reference Example 1)
A 200 nm aluminum film was formed on soda lime glass by a direct current sputtering method, and a 10 nm silica film was formed by an alternating current sputtering method at 13.56 MHz to obtain a reflective substrate.

(実施例1)
10wt%ポリメチルメタクリレートのテトラヒドロフラン溶液3.34gにトリフェニルホスフィン15.8mg、過塩素酸銀33.0mgを順に溶解させて得られた溶液を参考例1で作製した反射基板にスピンコート(1500rpm、10秒間)した後、室温で一晩乾燥した。その後、反射基板上の薄膜に対して、超高圧水銀ランプ(ウシオ電機(株)製、「マルチライト」)と狭帯域バンドパスフィルターを用いて、365nmの波長の紫外光を垂直に8.5時間照射した。得られた試料を水に含浸させ、反射基板から金属微粒子配列膜を剥離した。
Example 1
A solution obtained by sequentially dissolving 15.8 mg of triphenylphosphine and 33.0 mg of silver perchlorate in 3.34 g of a tetrahydrofuran solution of 10 wt% polymethyl methacrylate was spin-coated on the reflective substrate prepared in Reference Example 1 (1500 rpm, 10 seconds) and then dried overnight at room temperature. Thereafter, an ultraviolet light having a wavelength of 365 nm is vertically applied to the thin film on the reflective substrate by using an ultra-high pressure mercury lamp (manufactured by Ushio Electric Co., Ltd., “Multilight”) and a narrow band-pass filter. Irradiated for hours. The obtained sample was impregnated with water, and the metal fine particle array film was peeled from the reflective substrate.

得られた薄膜の断面の透過型電子顕微鏡(TEM)写真を図1に示す。ポリメチルメタクリレート中に銀が基板と平行方向に層状に配列していることを確認した。さらに、この薄膜の反射スペクトルを図2に示す。照射波長である365nm近傍に反射の極大値を示した。   A transmission electron microscope (TEM) photograph of the cross section of the obtained thin film is shown in FIG. It was confirmed that silver was arranged in layers in the direction parallel to the substrate in the polymethyl methacrylate. Furthermore, the reflection spectrum of this thin film is shown in FIG. The maximum value of reflection was shown in the vicinity of the irradiation wavelength of 365 nm.

(比較例1)
参考例1で作製した反射基板上に10wt%ポリメチルメタクリレートのテトラヒドロフラン溶液5.02gに過塩素酸銀51.2mgを溶解させて得られた溶液をスピンコート(1500rpm、10秒間)した後、室温で3.5時間乾燥した。その後、反射基板上の薄膜に対して、超高圧水銀ランプ(ウシオ電機(株)製、「マルチライト」)と狭帯域バンドパスフィルターを用いて、365nmの波長の紫外光を垂直に6時間照射した。
(Comparative Example 1)
A solution obtained by dissolving 51.2 mg of silver perchlorate in 5.02 g of a 10 wt% polymethyl methacrylate tetrahydrofuran solution on the reflective substrate prepared in Reference Example 1 was spin-coated (1500 rpm, 10 seconds), and then room temperature. For 3.5 hours. Thereafter, ultraviolet light with a wavelength of 365 nm is vertically irradiated for 6 hours to the thin film on the reflective substrate using an ultra-high pressure mercury lamp (manufactured by USHIO INC., “Multi Light”) and a narrow band-pass filter. did.

得られた試料断面の透過型電子顕微鏡(TEM)写真を図3に示す。銀粒子はポリマー中に分散しており、ポリマー中の銀粒子の配列規則性は低かった。さらに、上記と同じ条件で、作製した反射基板上の薄膜に対して光照射を行った後、得られた試料を水に含浸させ、反射基板から剥離した金属微粒子配列膜の反射スペクトルを図4に示す。照射波長である365nm近傍にわずかに反射の極大値が観察されたのみであった。   A transmission electron microscope (TEM) photograph of the obtained sample cross section is shown in FIG. The silver particles were dispersed in the polymer, and the arrangement regularity of the silver particles in the polymer was low. Furthermore, after irradiating light to the thin film on the produced reflective substrate under the same conditions as above, the obtained sample was impregnated with water, and the reflection spectrum of the metal fine particle array film peeled from the reflective substrate is shown in FIG. Shown in Only a slight maximum value of reflection was observed in the vicinity of the irradiation wavelength of 365 nm.

このように、適当なリン含有化合物を添加することで、従来の方法ではポリマー中の金属微粒子の規則性が低かった系でも、高度な規則性を持つ、金属微粒子配列膜を得ることができる。   As described above, by adding an appropriate phosphorus-containing compound, even in a system in which the regularity of the metal fine particles in the polymer is low in the conventional method, a metal fine particle array film having a high degree of regularity can be obtained.

(実施例2)
参考例1で作製した反射基板上に10wt%ポリメチルメタクリレートのテトラヒドロフラン溶液5.03gにトリフェニルホスファイト36.7mg、過塩素酸銀58.1mgを順に溶解させて得られた溶液をスピンコート(1500rpm、10秒間)した後、室温で一晩乾燥した。その後、反射基板上の薄膜に対して、超高圧水銀ランプ(ウシオ電機(株)製、「マルチライト」)と狭帯域バンドパスフィルターを用いて、365nmの波長の紫外光を垂直に8.5時間照射した。得られた試料を水に含浸させ、反射基板から金属微粒子配列膜を剥離した。
(Example 2)
A solution obtained by dissolving 36.7 mg of triphenylphosphite and 58.1 mg of silver perchlorate in this order on 5.03 g of a 10 wt% polymethylmethacrylate tetrahydrofuran solution on the reflective substrate prepared in Reference Example 1 was spin-coated ( (1500 rpm for 10 seconds) and then dried overnight at room temperature. Thereafter, an ultraviolet light having a wavelength of 365 nm is vertically applied to the thin film on the reflective substrate by using an ultra-high pressure mercury lamp (manufactured by Ushio Electric Co., Ltd., “Multilight”) and a narrow band-pass filter. Irradiated for hours. The obtained sample was impregnated with water, and the metal fine particle array film was peeled from the reflective substrate.

得られた薄膜の反射スペクトルを図5に示す。照射波長である365nm近傍に反射の極大値を示した。   The reflection spectrum of the obtained thin film is shown in FIG. The maximum value of reflection was shown in the vicinity of the irradiation wavelength of 365 nm.

(実施例3)
参考例1で作製した反射基板上に10wt%ポリメチルメタクリレートのテトラヒドロフラン溶液5.00gにジフェニル(ペンタフルオロフェニル)ホスフィン26.6mg、過塩素酸銀59.4mgを順に溶解させて得られた溶液をスピンコート(1500rpm、10秒間)した後、室温で一晩乾燥した。その後、反射基板上の薄膜に対して、超高圧水銀ランプ(ウシオ電機(株)製、「マルチライト」)と狭帯域バンドパスフィルターを用いて、365nmの波長の紫外光を垂直に8.5時間照射した。得られた試料を水に含浸させ、反射基板から金属微粒子配列膜を剥離した。
(Example 3)
A solution obtained by sequentially dissolving 26.6 mg of diphenyl (pentafluorophenyl) phosphine and 59.4 mg of silver perchlorate in 5.00 g of a 10 wt% polymethylmethacrylate tetrahydrofuran solution on the reflective substrate prepared in Reference Example 1 was obtained. After spin coating (1500 rpm, 10 seconds), it was dried overnight at room temperature. Thereafter, an ultraviolet light having a wavelength of 365 nm is vertically applied to the thin film on the reflective substrate by using an ultra-high pressure mercury lamp (manufactured by Ushio Electric Co., Ltd., “Multilight”) and a narrow band-pass filter. Irradiated for hours. The obtained sample was impregnated with water, and the metal fine particle array film was peeled from the reflective substrate.

得られた薄膜の反射スペクトルを図6に示す。照射波長である365nm近傍に反射の極大値を示した。   The reflection spectrum of the obtained thin film is shown in FIG. The maximum value of reflection was shown in the vicinity of the irradiation wavelength of 365 nm.

(実施例4)
参考例1で作製した反射基板上に10wt%ポリメチルメタクリレートのテトラヒドロフラン溶液5.00gにトリス(4−クロロフェニル)ホスフィン27.6mg、過塩素酸銀57.0mgを順に溶解させて得られた溶液をスピンコート(1500rpm、10秒間)した後、室温で一晩乾燥した。その後、反射基板上の薄膜に対して、超高圧水銀ランプ(ウシオ電機(株)製、「マルチライト」)と狭帯域バンドパスフィルターを用いて、365nmの波長の紫外光を垂直に8.5時間照射した。得られた試料を水に含浸させ、反射基板から金属微粒子配列膜を剥離した。
(Example 4)
A solution obtained by sequentially dissolving 27.6 mg of tris (4-chlorophenyl) phosphine and 57.0 mg of silver perchlorate in 5.00 g of a 10 wt% polymethylmethacrylate tetrahydrofuran solution on the reflective substrate prepared in Reference Example 1 was obtained. After spin coating (1500 rpm, 10 seconds), it was dried overnight at room temperature. Thereafter, an ultraviolet light having a wavelength of 365 nm is vertically applied to the thin film on the reflective substrate by using an ultra-high pressure mercury lamp (manufactured by Ushio Electric Co., Ltd., “Multilight”) and a narrow band-pass filter. Irradiated for hours. The obtained sample was impregnated with water, and the metal fine particle array film was peeled from the reflective substrate.

得られた薄膜の反射スペクトルを図7に示す。照射波長である365nm近傍に反射の極大値を示した。   The reflection spectrum of the obtained thin film is shown in FIG. The maximum value of reflection was shown in the vicinity of the irradiation wavelength of 365 nm.

(実施例5)
参考例1で作製した反射基板上に10wt%ポリメチルメタクリレートのテトラヒドロフラン溶液5.02gにトリ(o−トリル)ホスフィン20.5mg、過塩素酸銀59.2mgを順に溶解させて得られた溶液をスピンコート(1500rpm、10秒間)した後、室温で一晩乾燥した。その後、反射基板上の薄膜に対して、超高圧水銀ランプ(ウシオ電機(株)製、「マルチライト」)と狭帯域バンドパスフィルターを用いて、365nmの波長の紫外光を垂直に9時間照射した。得られた試料を水に含浸させ、反射基板から金属微粒子配列膜を剥離した。
(Example 5)
A solution obtained by sequentially dissolving 20.5 mg of tri (o-tolyl) phosphine and 59.2 mg of silver perchlorate in 5.02 g of a 10 wt% polymethylmethacrylate tetrahydrofuran solution on the reflective substrate prepared in Reference Example 1 was obtained. After spin coating (1500 rpm, 10 seconds), it was dried overnight at room temperature. Thereafter, ultraviolet light with a wavelength of 365 nm is vertically irradiated for 9 hours to the thin film on the reflective substrate using an ultra-high pressure mercury lamp (manufactured by USHIO INC., “Multi Light”) and a narrow band-pass filter. did. The obtained sample was impregnated with water, and the metal fine particle array film was peeled from the reflective substrate.

得られた薄膜の反射スペクトルを図8に示す。照射波長である365nm近傍に反射の極大値を示した。   The reflection spectrum of the obtained thin film is shown in FIG. The maximum value of reflection was shown in the vicinity of the irradiation wavelength of 365 nm.

(実施例6)
参考例1で作製した反射基板上に10wt%ポリメタクリレートのテトラヒドロフラン溶液5.00gにトリス(2、4,6−トリメチルフェニル)ホスフィン21.2mg、過塩素酸銀51.4mgを順に溶解させて得られた溶液をスピンコート(1500rpm、10秒間)した後、室温で一晩乾燥した。その後、反射基板上の薄膜に対して、超高圧水銀ランプ(ウシオ電機(株)製、「マルチライト」)と狭帯域バンドパスフィルターを用いて、365nmの波長の紫外光を垂直に9時間照射した。得られた試料を水に含浸させ、反射基板から金属微粒子配列膜を剥離した。
(Example 6)
Obtained by sequentially dissolving 21.2 mg of tris (2,4,6-trimethylphenyl) phosphine and 51.4 mg of silver perchlorate in 5.00 g of a 10 wt% polymethacrylate tetrahydrofuran solution on the reflective substrate prepared in Reference Example 1. The obtained solution was spin-coated (1500 rpm, 10 seconds) and then dried overnight at room temperature. Thereafter, ultraviolet light with a wavelength of 365 nm is vertically irradiated for 9 hours to the thin film on the reflective substrate using an ultra-high pressure mercury lamp (manufactured by USHIO INC., “Multi Light”) and a narrow band-pass filter. did. The obtained sample was impregnated with water, and the metal fine particle array film was peeled from the reflective substrate.

得られた薄膜の反射スペクトルを図9に示す。照射波長である365nm近傍に反射の極大値を示した。   The reflection spectrum of the obtained thin film is shown in FIG. The maximum value of reflection was shown in the vicinity of the irradiation wavelength of 365 nm.

実施例1で作製された金属微粒子配列膜のTEM写真である。2 is a TEM photograph of a metal fine particle array film produced in Example 1. FIG. 実施例1の金属微粒子配列膜の反射特性を示す図である。It is a figure which shows the reflective characteristic of the metal microparticle arrangement | sequence film | membrane of Example 1. FIG. 比較例1で作製された金属微粒子配列膜のTEM写真である。4 is a TEM photograph of a metal fine particle array film produced in Comparative Example 1. 比較例1の薄膜の反射特性を示す図である。It is a figure which shows the reflective characteristic of the thin film of the comparative example 1. 実施例2の金属微粒子配列膜の反射特性を示す図である。It is a figure which shows the reflective characteristic of the metal fine particle arrangement | sequence film | membrane of Example 2. FIG. 実施例3の金属微粒子配列膜の反射特性を示す図である。It is a figure which shows the reflective characteristic of the metal microparticle arrangement | sequence film of Example 3. FIG. 実施例4の金属微粒子配列膜の反射特性を示す図である。It is a figure which shows the reflective characteristic of the metal microparticle arrangement | sequence film | membrane of Example 4. FIG. 実施例5の金属微粒子配列膜の反射特性を示す図である。It is a figure which shows the reflective characteristic of the metal microparticle arrangement | sequence film of Example 5. 実施例6の金属微粒子配列膜の反射特性を示す図である。It is a figure which shows the reflective characteristic of the metal microparticle arrangement | sequence film | membrane of Example 6.

Claims (12)

反射基板上に、金属成分と、添加剤としてリン含有化合物とを含むポリマー膜を製膜する工程(A)と、
前記反射基板上に前記ポリマー膜が存在する状態で、前記ポリマー膜に、特定の波長の光を照射する工程(B)と
を有し、
前記工程(B)において、光照射により、金属微粒子が密集した層がポリマー膜の膜厚方向に周期的に多層として存在する構造が形成されることを特徴とする金属微粒子配列膜の製造方法。
(A) forming a polymer film containing a metal component and a phosphorus-containing compound as an additive on the reflective substrate;
Wherein in a state where the polymer film is present on a reflective substrate, the polymer film, have a and step (B) for irradiating light of a specific wavelength,
In the step (B), a structure in which a layer in which metal fine particles are densely formed as a multilayer periodically exists in the film thickness direction of the polymer film is formed by light irradiation .
前記ポリマー膜の製膜工程(A)が、前記添加剤と金属成分を含むポリマー溶液を反射基板上に製膜するサブ工程と、溶媒を留去するサブ工程とを有することを特徴とする請求項記載の製造方法。 The film forming step (A) of the polymer film includes a sub-step of forming a polymer solution containing the additive and a metal component on a reflective substrate, and a sub-step of distilling off the solvent. Item 2. The production method according to Item 1 . 前記リン含有化合物が、31P−NMRで測定したスペクトルにおいて、85重量%リン酸を標準物質として、ケミカルシフトδ値が−170〜+150ppmの範囲内にピークが観察されることを特徴とする請求項1または2に記載の製造方法。 The spectrum of the phosphorus-containing compound measured by 31 P-NMR is characterized in that a peak is observed in the range of chemical shift δ value of −170 to +150 ppm with 85 wt% phosphoric acid as a standard substance. Item 3. The method according to Item 1 or 2 . 前記リン含有化合物が、ホスフィン類、ホスファイト類、およびそれらの組み合わせからなる群より選ばれることを特徴とする請求項1〜のいずれかに記載の製造方法。 The method according to any one of claims 1 to 3 , wherein the phosphorus-containing compound is selected from the group consisting of phosphines, phosphites, and combinations thereof. 前記リン含有化合物が、トリフェニルホスフィン、ジフェニル(ペンタフルオロフェニル)ホスフィン、トリス(4−クロロフェニル)ホスフィン、トリ(o−トリル)ホスフィンおよびトリス(2,4,6−トリメチルフェニル)ホスフィン、トリフェニルホスファイトからなる群より選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項記載の製造方法。 The phosphorus-containing compound is triphenylphosphine, diphenyl (pentafluorophenyl) phosphine, tris (4-chlorophenyl) phosphine, tri (o-tolyl) phosphine and tris (2,4,6-trimethylphenyl) phosphine, triphenylphosphine. The production method according to claim 4 , wherein the production method is at least one selected from the group consisting of fights. 前記金属成分が、前記特定の波長の光によって還元されて金属微粒子を生成する金属化合物を含むことを特徴とする請求項1〜のいずれかに記載の製造方法。 Said metal component, the manufacturing method according to any one of claims 1 to 5, characterized in that it comprises a metal compound which forms a being reduced metal particles by light of said specific wavelength. 前記金属成分が、金属微粒子を含むことを特徴とする請求項1〜のいずれかに記載の製造方法。 The process according to any one of claims 1 to 6, wherein said metal component, which comprises metal fine particles. 前記金属化合物が、過塩素酸銀、硝酸銀および塩化金酸からなる群より選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項記載の製造方法。 The method according to claim 6 , wherein the metal compound is at least one selected from the group consisting of silver perchlorate, silver nitrate, and chloroauric acid. 前記ポリマー膜を構成するポリマーが、少なくとも前記特定の波長において透明であることを特徴とする請求項1〜のいずれかに記載の製造方法。 The production method according to any one of claims 1 to 8 , wherein a polymer constituting the polymer film is transparent at least at the specific wavelength. 前記ポリマーが、ポリメタクリレート、ポリアクリレート、ポリスチレン、ポリビニルピロリドン、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸、メタクリル酸モノマーユニットまたはアクリル酸モノマーユニットを含有する共重合体、およびポリビニルアルコールからなる群より選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項1〜のいずれかに記載の製造方法。 The polymer is at least one selected from the group consisting of polymethacrylate, polyacrylate, polystyrene, polyvinylpyrrolidone, polymethacrylic acid, polyacrylic acid, a copolymer containing a methacrylic acid monomer unit or an acrylic acid monomer unit, and polyvinyl alcohol. the process according to any one of claims 1 to 9, characterized in that it is a seed. 請求項1〜10のいずれかに記載の方法であって、前記工程(B)において200〜600nmの範囲にある特定の波長の光を照射する方法によって製造され、ポリマー膜中に、金属微粒子が密集した層が、膜厚方向に周期的に多層として存在している構造を有する金属微粒子配列膜。 It is a method in any one of Claims 1-10 , Comprising: It manufactures by the method of irradiating the light of the specific wavelength which exists in the range of 200-600 nm in the said process (B) , A metal microparticle is in a polymer film. A metal fine particle array film having a structure in which dense layers are periodically present as multilayers in the film thickness direction. 請求項11記載の金属微粒子配列膜を用いた波長選択性の反射膜。 A wavelength-selective reflective film using the metal fine particle array film according to claim 11 .
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