JP5466414B2 - Charged particle beam drawing apparatus, pattern inspection apparatus, and layout display method - Google Patents
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Description
本発明は、階層化された荷電粒子ビーム描画装置用データをレイアウト表示する画面を具備する荷電粒子ビーム描画装置、および、荷電粒子ビームにより描画されたパターンを検査するための階層化されたパターン検査装置用データをレイアウト表示する画面を具備するパターン検査装置、並びに、階層化された荷電粒子ビーム描画装置用データまたはパターン検査装置用データを画面にレイアウト表示するレイアウト表示方法に関する。 The present invention relates to a charged particle beam drawing apparatus having a screen for laying out and displaying layered data for a charged particle beam drawing apparatus, and a layered pattern inspection for inspecting a pattern drawn by a charged particle beam The present invention relates to a pattern inspection apparatus having a screen for displaying the layout of apparatus data, and a layout display method for laying out and displaying hierarchized charged particle beam drawing apparatus data or pattern inspection apparatus data on a screen.
従来から、荷電粒子ビームによってパターンを描画するための階層化された荷電粒子ビーム描画装置用データをレイアウト表示(ビューワ処理)する画面を具備する荷電粒子ビーム描画装置が知られている。この種の荷電粒子ビーム描画装置の例としては、例えば特許文献1(特開2008−244196号公報)の図7および段落〔0041〕に記載されたものがある。 2. Description of the Related Art Conventionally, a charged particle beam drawing apparatus having a screen for displaying a layout (viewer process) of hierarchized charged particle beam drawing apparatus data for drawing a pattern with a charged particle beam is known. An example of this type of charged particle beam drawing apparatus is described in FIG. 7 and paragraph [0041] of Patent Document 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 2008-244196), for example.
特許文献1に記載された荷電粒子ビーム描画装置では、荷電粒子ビームによってパターンを描画するための荷電粒子ビーム描画装置用データが、チップ階層、フレーム階層、ブロック階層、セル階層および図形階層を有するように階層化されている。チップ階層、フレーム階層、ブロック階層、セル階層および図形階層については、例えば特許文献2に詳細に記載されている。
In the charged particle beam drawing apparatus described in
詳細には、特許文献1に記載された荷電粒子ビーム描画装置では、階層化された荷電粒子ビーム描画装置用データをレイアウト表示(ビューワ処理)する時に、レイアウト表示させるべきセルを選択することができる旨が、特許文献1の段落〔0041〕に記載されている。
In detail, in the charged particle beam drawing apparatus described in
ところで、特許文献1には、階層化された荷電粒子ビーム描画装置用データをレイアウト表示する時に、レイアウト表示させるべきセルをどのように選択するかについて、詳細に記載されていない。
By the way,
また、特許文献1には、荷電粒子ビーム描画装置用データの図形階層の多数の図形の読み込みが開始されるまでレイアウト表示の倍率が拡大せしめられた時に、どのような処理が行われるかについて記載されていない。
一般に、荷電粒子ビーム描画装置用データに含まれる図形階層のデータ量は、荷電粒子ビーム描画装置用データに含まれるチップ階層、フレーム階層、ブロック階層およびセル階層のデータ量に比べて非常に大きくなっている。また、荷電粒子ビーム描画装置用データを画面にレイアウト表示する一般的な手法では、レイアウト表示の倍率が低い時に、荷電粒子ビーム描画装置用データに含まれるチップ階層、フレーム階層、ブロック階層およびセル階層のデータが読み込まれて画面にレイアウト表示されるものの、図形階層のデータは読み込まれず、画面にレイアウト表示されない。そのため、レイアウト表示の倍率が低い時には、荷電粒子ビーム描画装置用データ(詳細には、チップ階層、フレーム階層、ブロック階層およびセル階層のデータ)の読み込みおよびレイアウト表示に要する時間(ビューワタイム)は比較的短くなる。 In general, the data amount of the graphic layer included in the charged particle beam drawing apparatus data is much larger than the data amount of the chip hierarchy, frame hierarchy, block hierarchy, and cell layer included in the charged particle beam drawing apparatus data. ing. Further, in a general method of displaying the data for the charged particle beam drawing apparatus on the screen, when the layout display magnification is low, the chip hierarchy, the frame hierarchy, the block hierarchy, and the cell hierarchy included in the charged particle beam drawing apparatus data However, the graphic hierarchy data is not read and the layout is not displayed on the screen. Therefore, when the magnification of the layout display is low, the time required to read the data for the charged particle beam lithography system (specifically, the data of the chip hierarchy, the frame hierarchy, the block hierarchy, and the cell hierarchy) and the layout display (viewer time) is compared. Shorter.
ところが、荷電粒子ビーム描画装置用データを画面にレイアウト表示する一般的な手法では、レイアウト表示の倍率が所定値まで拡大せしめられると、大量の図形階層のデータの読み込みが開始され、その結果、荷電粒子ビーム描画装置用データ(詳細には、チップ階層、フレーム階層、ブロック階層、セル階層および図形階層のデータ)の読み込みおよびレイアウト表示に要する時間(View Time)が非常に長くなってしまう。 However, in a general method for displaying the data for the charged particle beam drawing apparatus on the screen, when the magnification of the layout display is expanded to a predetermined value, reading of a large amount of figure hierarchy data is started. The time (View Time) required for reading and layout display of the data for the particle beam drawing apparatus (specifically, data of the chip hierarchy, frame hierarchy, block hierarchy, cell hierarchy, and graphic hierarchy) will be very long.
上述した問題点に鑑み、本発明は、階層化された荷電粒子ビーム描画装置用データを高速にレイアウト表示することができる荷電粒子ビーム描画装置を提供することを目的とする。 In view of the above-described problems, an object of the present invention is to provide a charged particle beam drawing apparatus capable of displaying layout data for hierarchized charged particle beam drawing apparatus at high speed.
更に、本発明は、階層化されたパターン検査装置用データを高速にレイアウト表示することができるパターン検査装置を提供することを目的とする。 It is another object of the present invention to provide a pattern inspection apparatus capable of displaying layout data for hierarchized pattern inspection apparatuses at high speed.
また、本発明は、階層化された荷電粒子ビーム描画装置用データまたはパターン検査装置用データを高速にレイアウト表示することができるレイアウト表示方法を提供することを目的とする。 It is another object of the present invention to provide a layout display method capable of performing layout display of hierarchized charged particle beam drawing apparatus data or pattern inspection apparatus data at high speed.
本発明の一態様によれば、第1階層の要素を含むと共に、第1階層よりも下位の第2階層に少なくとも第1要素と第2要素とを含む階層化された荷電粒子ビーム描画装置用データを読み込む読込手段と、
荷電粒子ビーム描画装置用データをレイアウト表示する画面と、
概略格子状に配列された複数の区画にフラグを有するマップと、
第2階層の第1要素が読み込まれ、第1要素の位置に対応するマップ上の区画が算出されると、第2階層の第1要素の位置に対応する区画のフラグを「第2階層の要素のレイアウト表示可」の状態から「第2階層の要素のレイアウト表示不可」の状態に切り換える切換手段と、
第2階層の第2要素の位置に対応する区画のフラグが「第2階層の要素のレイアウト表示不可」の状態になっているか否かを判定する判定手段と、
前記第1要素の位置に対応するマップ上の区画と前記第2要素の位置に対応する前記マップ上の区画とが同じになることによって、第2階層の第2要素の位置に対応する区画のフラグが「第2階層の要素のレイアウト表示不可」の状態になっている場合に、第2階層の第2要素を画面上にレイアウト表示する処理を中止するレイアウト表示処理中止手段とを具備し、
前記画面は、前記第1要素の位置に対応する、前記切り換え前に「第2階層の要素のレイアウト表示可」の状態であった前記マップ上の区画をレイアウト表示することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置が提供される。
According to one aspect of the present invention, for a charged particle beam lithography apparatus that includes a first layer element and includes at least a first element and a second element in a second layer lower than the first layer. Reading means for reading data,
A screen for layout display of data for a charged particle beam drawing apparatus;
A map having flags in a plurality of sections arranged roughly in a grid pattern;
When the first element of the second layer is read and the section on the map corresponding to the position of the first element is calculated, the flag of the section corresponding to the position of the first element of the second layer is set to “second layer Switching means for switching from the "element layout display possible" state to the "second layer element layout not displayable"state;
Determining means for determining whether or not the flag of the section corresponding to the position of the second element of the second hierarchy is in a state of “impossible to display layout of elements of the second hierarchy”;
Since the section on the map corresponding to the position of the first element and the section on the map corresponding to the position of the second element are the same, the section corresponding to the position of the second element of the second hierarchy Layout display processing stop means for canceling the processing of displaying the second element of the second hierarchy on the screen when the flag is in a state of “impossible to display the layout of the element of the second hierarchy” ;
The charged particle is characterized in that the screen displays a layout on the map corresponding to the position of the first element, which is in a state in which “the layout display of the elements of the second hierarchy is possible” before the switching. A beam drawing apparatus is provided.
本発明の別の一態様によれば、第1階層の要素を含むと共に、第1階層よりも下位の第2階層に少なくとも第1要素と第2要素とを含む、荷電粒子ビームにより描画されたパターンを検査するための階層化されたパターン検査装置用データを読み込む読込手段と、
パターン検査装置用データをレイアウト表示する画面と、
概略格子状に配列された複数の区画にフラグを有するマップと、
第2階層の第1要素が読み込まれ、第1要素の位置に対応するマップ上の区画が算出されると、第2階層の第1要素の位置に対応する区画のフラグを「第2階層の要素のレイアウト表示可」の状態から「第2階層の要素のレイアウト表示不可」の状態に切り換える切換手段と、
第2階層の第2要素の位置に対応する区画のフラグが「第2階層の要素のレイアウト表示不可」の状態になっているか否かを判定する判定手段と、
前記第1要素の位置に対応するマップ上の区画と前記第2要素の位置に対応する前記マップ上の区画とが同じになることによって、第2階層の第2要素の位置に対応する区画のフラグが「第2階層の要素のレイアウト表示不可」の状態になっている場合に、第2階層の第2要素を画面上にレイアウト表示する処理を中止するレイアウト表示処理中止手段とを具備し、
前記画面は、前記第1要素の位置に対応する、前記切り換え前に「第2階層の要素のレイアウト表示可」の状態であった前記マップ上の区画をレイアウト表示することを特徴とするパターン検査装置が提供される。
According to another aspect of the present invention, the image is drawn by a charged particle beam that includes an element in the first layer and includes at least a first element and a second element in a second layer lower than the first layer. A reading means for reading data for a layered pattern inspection apparatus for inspecting a pattern;
A screen for layout display of data for the pattern inspection device;
A map having flags in a plurality of sections arranged roughly in a grid pattern;
When the first element of the second layer is read and the section on the map corresponding to the position of the first element is calculated, the flag of the section corresponding to the position of the first element of the second layer is set to “second layer Switching means for switching from the "element layout display possible" state to the "second layer element layout not displayable"state;
Determining means for determining whether or not the flag of the section corresponding to the position of the second element of the second hierarchy is in a state of “impossible to display layout of elements of the second hierarchy”;
Since the section on the map corresponding to the position of the first element and the section on the map corresponding to the position of the second element are the same, the section corresponding to the position of the second element of the second hierarchy Layout display processing stop means for canceling the processing of displaying the second element of the second hierarchy on the screen when the flag is in a state of “impossible to display the layout of the element of the second hierarchy” ;
The screen displays a layout on the map corresponding to the position of the first element, which is in a state in which “the layout display of the elements of the second hierarchy is possible” before the switching. An apparatus is provided.
本発明の更に別の一態様によれば、第1階層の要素を含むと共に、第1階層よりも下位の第2階層に少なくとも第1要素と第2要素とを含む荷電粒子ビーム描画装置用データまたはパターン検査装置用データを画面にレイアウト表示するレイアウト表示方法において、
第2階層の第1要素および第2要素の読み込みが開始されるまでレイアウト表示の倍率が拡大せしめられると、概略格子状に配列された複数の区画にフラグを有するマップを作成する工程と、
第2階層の第1要素を読み込む工程と、
第2階層の第1要素を画面上にレイアウト表示する工程と、
第2階層の第1要素が読み込まれ、第1要素の位置に対応するマップ上の区画が算出されると、第2階層の第1要素の位置に対応する区画のフラグを「第2階層の要素のレイアウト表示可」の状態から「第2階層の要素のレイアウト表示不可」の状態に切り換える工程と、
第2階層の第2要素を読み込む工程と、
第2階層の第2要素の位置に対応する区画のフラグが「第2階層の要素のレイアウト表示不可」の状態になっているか否かを判定する工程と、
前記第1要素の位置に対応するマップ上の区画と前記第2要素の位置に対応する前記マップ上の区画とが同じになることによって、第2階層の第2要素の位置に対応する区画のフラグが「第2階層の要素のレイアウト表示不可」の状態になっている場合に、第2階層の第2要素を画面上にレイアウト表示する処理を中止する工程とを含み、
第1要素を画面上にレイアウト表示する際、前記第1要素の位置に対応する、前記切り換え前に「第2階層の要素のレイアウト表示可」の状態であった前記マップ上の区画をレイアウト表示することを特徴とするレイアウト表示方法が提供される。
According to still another aspect of the present invention, charged particle beam lithography apparatus data includes an element of a first hierarchy and includes at least a first element and a second element in a second hierarchy lower than the first hierarchy. Alternatively, in a layout display method for displaying pattern inspection device data on a screen,
A step of creating a map having flags in a plurality of sections arranged in a substantially grid pattern when the magnification of the layout display is expanded until reading of the first element and the second element of the second hierarchy is started;
Reading the first element of the second hierarchy;
Displaying a layout of the first element of the second hierarchy on the screen;
When the first element of the second layer is read and the section on the map corresponding to the position of the first element is calculated, the flag of the section corresponding to the position of the first element of the second layer is set to “second layer Switching from the “element layout display enabled” state to the “second layer element layout display disabled” state;
Reading the second element of the second hierarchy;
Determining whether the flag of the section corresponding to the position of the second element of the second hierarchy is in a state of “impossible to display layout of elements of the second hierarchy”;
Since the section on the map corresponding to the position of the first element and the section on the map corresponding to the position of the second element are the same, the section corresponding to the position of the second element of the second hierarchy If the flag is in a state of "layout display not the elements of the second hierarchy", seen including a step to stop the process of displaying a layout of the second element of the second hierarchy on the screen,
When displaying the layout of the first element on the screen, the section of the map corresponding to the position of the first element and in which the layout of the element of the second hierarchy was in the state of “possible to display the layout of the element of the second hierarchy” before the switching A layout display method is provided.
本発明によれば、階層化された荷電粒子ビーム描画装置用データまたはパターン検査装置用データを高速にレイアウト表示することができる。 According to the present invention, hierarchized charged particle beam drawing apparatus data or pattern inspection apparatus data can be laid out and displayed at high speed.
以下、本発明の荷電粒子ビーム描画装置の第1の実施形態について説明する。図1は第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10の概略的な構成図である。第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1に示すように、例えばマスク(ブランク)、ウエハなどのような試料M上に荷電粒子ビーム10a1bを照射することによって、試料M上に目的のパターンを描画するための描画部10aが設けられている。
A charged particle beam drawing apparatus according to a first embodiment of the present invention will be described below. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a charged particle
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、荷電粒子ビームとして例えば電子ビームが用いられるが、第2の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、代わりに、荷電粒子ビームとして例えばイオンビーム等の電子ビーム以外の荷電粒子ビームを用いることも可能である。
In the charged particle
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1に示すように、荷電粒子銃10a1aと、荷電粒子銃10a1aからの荷電粒子ビーム10a1bを偏向する偏向器10a1f,10a1iと、偏向器10a1f,10a1iによって偏向された荷電粒子ビーム10a1bによる描画が行われる試料Mを載置する可動ステージ10a2aとが、描画部10aに設けられている。
In the charged particle
詳細には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1に示すように、描画部10aの一部を構成する描画室10a2に、例えば試料Mが載置された可動ステージ10a2aが配置されている。更に、描画部10aの一部を構成する光学鏡筒10a1に、例えば荷電粒子銃10a1aと、照明レンズ10a1cと、第1成形アパーチャ10a1dと、投影レンズ10a1eと、偏向器10a1fと、第2成形アパーチャ10a1gと、対物レンズ10a1hと、偏向器10a1iとが配置されている。
Specifically, in the charged particle
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1に示すように、例えば半導体集積回路などのレイアウトデータ(設計データ、CADデータ)を例えば描画データ作成装置(図示せず)によって変換することにより得られた荷電粒子ビーム描画装置用データD1が、例えばディスク形式で入力される。
In the charged particle
図2は図1に示す荷電粒子ビーム描画装置用データD1を概略的に示した図である。図2に示すように、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10で用いられる荷電粒子ビーム描画装置用データD1は、例えば、チップ階層CP、チップ階層CPよりも下位のフレーム階層FR、フレーム階層FRよりも下位のブロック階層BL、ブロック階層BLよりも下位のセル階層CL、および、セル階層CLよりも下位の図形階層FGに階層化されている。
FIG. 2 is a diagram schematically showing the charged particle beam drawing apparatus data D1 shown in FIG. As shown in FIG. 2, the charged particle beam drawing apparatus data D1 used in the charged particle
詳細には、図2に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム描画装置用データD1のチップ階層CPの要素の一部であるチップCP1が、荷電粒子ビーム描画装置用データD1のフレーム階層FRの要素の一部である3個のフレームFR1,FR2,FR3に対応している。また、例えば、荷電粒子ビーム描画装置用データD1のフレーム階層FRの要素の一部であるフレームFR2が、荷電粒子ビーム描画装置用データD1のブロック階層BLの要素の一部である18個のブロックBL00,BL10,BL20,BL30,BL40,BL50,BL01,BL11,BL21,BL31,BL41,BL51,BL02,BL12,BL22,BL32,BL42,BL52に対応している。更に、例えば、荷電粒子ビーム描画装置用データD1のブロック階層BLの要素の一部であるブロックBL21が、荷電粒子ビーム描画装置用データD1のセル階層CLの要素の一部である4個のセルCL1,CL2,CL3,CL4に対応している。また、例えば、荷電粒子ビーム描画装置用データD1のセル階層CLの要素の一部であるセルCL1が、荷電粒子ビーム描画装置用データD1の図形階層FGの要素の一部である多数の図形FG1,FG2,・・に対応している。 Specifically, in the example illustrated in FIG. 2, for example, the chip CP1 which is a part of the element of the chip hierarchy CP of the charged particle beam drawing apparatus data D1 is an element of the frame hierarchy FR of the charged particle beam drawing apparatus data D1. Corresponds to three frames FR1, FR2 and FR3. Further, for example, a frame FR2 which is a part of the element of the frame hierarchy FR of the charged particle beam drawing apparatus data D1 is 18 blocks which are a part of the elements of the block hierarchy BL of the charged particle beam drawing apparatus data D1. It corresponds to BL00, BL10, BL20, BL30, BL40, BL50, BL01, BL11, BL21, BL31, BL41, BL51, BL02, BL12, BL22, BL32, BL42, BL52. Further, for example, the block BL21 which is a part of the element of the block hierarchy BL of the charged particle beam drawing apparatus data D1 is four cells which are a part of the elements of the cell hierarchy CL of the charged particle beam drawing apparatus data D1. It corresponds to CL1, CL2, CL3, and CL4. In addition, for example, the cell CL1 that is a part of the element of the cell hierarchy CL of the charged particle beam drawing apparatus data D1 is a large number of figures FG1 that are part of the elements of the figure hierarchy FG of the charged particle beam drawing apparatus data D1. , FG2,.
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1に示すように、荷電粒子ビーム描画装置用データD1が、装置内部フォーマットデータ作成部10bによって装置内部フォーマットに変換され、荷電粒子ビーム描画装置用データD2が作成される。次いで、この荷電粒子ビーム描画装置用データD2が描画制御部10cに入力され、描画制御部10cによって描画部10aが制御される。その結果、荷電粒子ビーム10a1bによって試料M上に目的のパターンが描画される。
In the charged particle
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、装置内部フォーマットデータ作成部10bによって作成された荷電粒子ビーム描画装置用データD2も、荷電粒子ビーム描画装置用データD1と同様に、図2に示すように階層化されている。
In the charged particle
更に、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1に示すように、荷電粒子ビーム描画装置用データD1が、装置内部フォーマットデータ作成部10bに入力されるのみならず、レイアウト表示部10dにも入力される。つまり、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図2に示すような階層化された荷電粒子ビーム描画装置用データD1が、レイアウト表示部10dのモニタ10d5の画面にレイアウト表示(ビューワ処理)される。
Further, in the charged particle
詳細には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、階層化された荷電粒子ビーム描画装置用データD2が、描画制御部10cに入力されるのみならず、図1に破線で示すように、レイアウト表示部10dにも入力可能に構成されている。つまり、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図2に示す荷電粒子ビーム描画装置用データD1と同様に階層化された荷電粒子ビーム描画装置用データD2も、レイアウト表示部10dのモニタ10d5の画面にレイアウト表示(ビューワ処理)することができる。
Specifically, in the charged particle
図3は図1に示すモニタ10d5の画面と図2に示すセルCL1との関係などを示した図である。詳細には、図3(A)はレイアウト表示の倍率が所定値に設定されている時におけるモニタ10d5の画面とセルCL1との関係を示しており、図3(B)は図3(A)に示すセルCL1に対応して作成されたマップMPCL1を示している。 FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the screen of the monitor 10d5 shown in FIG. 1 and the cell CL1 shown in FIG. Specifically, FIG. 3A shows the relationship between the screen of the monitor 10d5 and the cell CL1 when the magnification of the layout display is set to a predetermined value, and FIG. 3B is the same as FIG. The map MPCL1 created corresponding to the cell CL1 shown in FIG.
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、荷電粒子ビーム描画装置用データD1(図1参照)が、レイアウト表示部10d(図1参照)のモニタ10d5(図3(A)参照)の画面にレイアウト表示(ビューワ処理)される場合、モニタ10d5(図3(A)参照)の画面上におけるセルCL1(図3(A)参照)のX方向寸法(幅寸法)wCL1(図3(A)参照)がモニタ10d5(図3(A)参照)の例えばピクセル5個分のX方向寸法(幅寸法)より小さく、かつ、セルCL1(図3(A)参照)のY方向寸法hCL1(図3(A)参照)がモニタ10d5(図3(A)参照)の例えばピクセル5個分のY方向寸法より小さい時(つまり、レイアウト表示の倍率が拡大せしめられていない時)には、セルCL1(図3(A)参照)に対応する図形階層FGの要素(図形FG1,FG2,・・)が、読み込まれず、モニタ10d5(図3(A)参照)の画面にレイアウト表示されない。
In the charged particle
つまり、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、荷電粒子ビーム描画装置用データD1中の図形階層FGの要素(図形FG1,FG2,・・)が読み込まれない程度にレイアウト表示の倍率が低い時(つまり、図3(A)よりもレイアウト表示の倍率が低い時)であって、チップ階層CPの要素(チップCP1,・・)のレイアウト表示が選択されている場合には、例えば、図1および図2に示すように、データ読込ユニット10d1により、荷電粒子ビーム描画装置用データD1中のチップ階層CPの要素(チップCP1,・・)が順次読み込まれる。次いで、データ処理ユニット10d2により、チップ階層CPの要素(チップCP1,・・)の配置座標、大きさ(X方向寸法およびY方向寸法)に対応するモニタ10d5の画面上の位置が算出される。次いで、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット10d3により、チップ階層CPの要素(チップCP1,・・)をレイアウト表示する色などの情報が付加され、レイアウト表示用のオブジェクトが生成される。次いで、レイアウト表示ユニット10d4により、例えばチップ階層CPの要素(チップCP1,・・)の輪郭がモニタ10d5の画面上にレイアウト表示される。
That is, in the charged particle
また、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、荷電粒子ビーム描画装置用データD1中の図形階層FGの要素(図形FG1,FG2,・・)が読み込まれない程度にレイアウト表示の倍率が低い時(つまり、図3(A)よりもレイアウト表示の倍率が低い時)であって、フレーム階層FRの要素(フレームFR1,FR2,・・)のレイアウト表示が選択されている場合には、例えば、図1および図2に示すように、データ読込ユニット10d1により、荷電粒子ビーム描画装置用データD1中のフレーム階層FRの要素(フレームFR1,FR2,・・)が順次読み込まれる。次いで、データ処理ユニット10d2により、フレーム階層FRの要素(フレームFR1,FR2,・・)の配置座標、大きさ(X方向寸法およびY方向寸法)に対応するモニタ10d5の画面上の位置が算出される。次いで、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット10d3により、フレーム階層FRの要素(フレームFR1,FR2,・・)をレイアウト表示する色などの情報が付加され、レイアウト表示用のオブジェクトが生成される。次いで、レイアウト表示ユニット10d4により、例えばフレーム階層FRの要素(フレームFR1,FR2,・・)の輪郭がモニタ10d5の画面上にレイアウト表示される。
In the charged particle
更に、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、荷電粒子ビーム描画装置用データD1中の図形階層FGの要素(図形FG1,FG2,・・)が読み込まれない程度にレイアウト表示の倍率が低い時(つまり、図3(A)よりもレイアウト表示の倍率が低い時)であって、ブロック階層BLの要素(ブロックBL00,BL10,・・)のレイアウト表示が選択されている場合には、例えば、図1および図2に示すように、データ読込ユニット10d1により、荷電粒子ビーム描画装置用データD1中のブロック階層BLの要素(ブロックBL00,BL10,・・)が順次読み込まれる。次いで、データ処理ユニット10d2により、ブロック階層BLの要素(ブロックBL00,BL10,・・)の配置座標、大きさ(X方向寸法およびY方向寸法)に対応するモニタ10d5の画面上の位置が算出される。次いで、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット10d3により、ブロック階層BLの要素(ブロックBL00,BL10,・・)をレイアウト表示する色などの情報が付加され、レイアウト表示用のオブジェクトが生成される。次いで、レイアウト表示ユニット10d4により、例えばブロック階層BLの要素(ブロックBL00,BL10,・・)の輪郭がモニタ10d5の画面上にレイアウト表示される。
Furthermore, in the charged particle
また、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、荷電粒子ビーム描画装置用データD1中の図形階層FGの要素(図形FG1,FG2,・・)が読み込まれない程度にレイアウト表示の倍率が低い時(つまり、図3(A)よりもレイアウト表示の倍率が低い時)であって、セル階層CLの要素(セルCL1,CL2,・・)のレイアウト表示が選択されている場合には、例えば、図1および図2に示すように、データ読込ユニット10d1により、荷電粒子ビーム描画装置用データD1中のセル階層CLの要素(セルCL1,CL2,・・)が順次読み込まれる。次いで、データ処理ユニット10d2により、セル階層CLの要素(セルCL1,CL2,・・)の配置座標、大きさ(X方向寸法およびY方向寸法)に対応するモニタ10d5の画面上の位置が算出される。次いで、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット10d3により、セル階層CLの要素(セルCL1,CL2,・・)をレイアウト表示する色などの情報が付加され、レイアウト表示用のオブジェクトが生成される。次いで、レイアウト表示ユニット10d4により、例えばセル階層CLの要素(セルCL1,CL2,・・)の輪郭がモニタ10d5の画面上にレイアウト表示される。詳細には、この場合には、セルCL1,CL2,・・が塗りつぶされてレイアウト表示される。
In the charged particle
更に、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図3(A)に示すように、モニタ10d5の画面上におけるセルCL1のX方向寸法(幅寸法)wCL1が、モニタ10d5の例えばピクセル5個分のX方向寸法(幅寸法)に等しくなるまでレイアウト表示の倍率が拡大せしめられると、セルCL1に対応する図形階層FGの要素(図形FG1,FG2,・・)の読み込みが開始される。
Furthermore, in the charged particle
具体的には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、例えば、図3(A)に示すように、セルCL1に対応する図形階層FGの要素(図形FG1,FG2,・・)の読み込みが開始されるまでレイアウト表示の倍率が拡大せしめられると、セルCL1に対応する図形階層FGの要素(図形FG1,FG2,・・)が読み込まれる前に、図3(B)に示すように、まず最初に、概略格子状に配列された複数の区画SC00,SC10,SC20,SC30,SC40,SC01,SC11,SC21,SC31,SC41,SC02,SC12,SC22,SC32,SC42,SC03,SC13,SC23,SC33,SC43,SC04,SC14,SC24,SC34,SC44,SC05,SC15,SC25,SC35,SC45にフラグ(「0」または「1」)を有するマップMPCL1が作成される。
Specifically, in the charged particle
詳細には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図3(A)および図3(B)に示すように、マップMPCL1が、セルCL1に対応して作成される。また、マップMPCL1を例えばX方向に複数に分割すると共に、マップMPCL1を例えばY方向に複数に分割することにより、複数の区画SC00,SC10,・・,SC35,SC45が作成される。
Specifically, in the charged particle
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図3(B)に示すように、各区画SC00,SC10,・・,SC35,SC45のフラグが初期化される。つまり、各区画SC00,SC10,・・,SC35,SC45のフラグが、「図形階層FGの要素(図形FG1,FG2,・・)のレイアウト表示可」の状態「0」に設定される。
Next, in the charged particle
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、データ読込ユニット10d1(図1参照)により、荷電粒子ビーム描画装置用データD1中の図形階層FGの要素(図形FG1)(図2および図3(A)参照)が読み込まれる。
Next, in the charged particle
図4は図形FG1の配置座標(xFG1,yFG1)および大きさ(X方向寸法wFG1、Y方向寸法hFG1)などを示した図である。詳細には、図4(A)は図形FG1の配置座標(xFG1,yFG1)および大きさ(X方向寸法wFG1、Y方向寸法hFG1)を示しており、図4(B)はモニタ10d5の画面上における図形FG1の位置を示しており、図4(C)はマップMPCL1上における図形FG1の位置を示している。 FIG. 4 is a diagram showing the arrangement coordinates (xFG1, yFG1) and size (X-direction dimension wFG1, Y-direction dimension hFG1) of the figure FG1. Specifically, FIG. 4A shows the arrangement coordinates (xFG1, yFG1) and size (X-direction dimension wFG1, Y-direction dimension hFG1) of the figure FG1, and FIG. 4B shows the screen on the monitor 10d5. The position of the figure FG1 is shown, and FIG. 4C shows the position of the figure FG1 on the map MPCL1.
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図4(A)および図4(B)に示すように、データ処理ユニット10d2(図1参照)により、図形階層FGの要素(図形FG1)の配置座標(xFG1,yFG1)、大きさ(X方向寸法wFG1およびY方向寸法hFG1)に対応するモニタ10d5の画面上の位置(ピクセルPX22)が算出される。また、図4(A)および図4(C)に示すように、データ処理ユニット10d2(図1参照)により、図形階層FGの要素(図形FG1)の配置座標(xFG1,yFG1)、大きさ(X方向寸法wFG1およびY方向寸法hFG1)に対応するマップMPCL1上の位置(区画SC22)が算出される。
Next, in the charged particle
図5は図形FG1がレイアウト表示された状態におけるモニタ10d5の画面などを示した図である。詳細には、図5(A)は図形FG1(図4(B)参照)がレイアウト表示された状態におけるモニタ10d5の画面を示しており、図5(B)は図形FG1(図4(C)参照)がレイアウト表示された後のマップMPCL1のフラグの状態を示している。 FIG. 5 is a diagram showing a screen of the monitor 10d5 and the like in a state where the figure FG1 is laid out. Specifically, FIG. 5A shows the screen of the monitor 10d5 in a state where the graphic FG1 (see FIG. 4B) is laid out, and FIG. 5B shows the graphic FG1 (FIG. 4C). Reference) shows the flag state of the map MPCL1 after the layout display.
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット10d3(図1参照)により、図形階層FGの要素(図形FG1)をレイアウト表示する色などの情報が付加され、レイアウト表示用のオブジェクトが生成される。次いで、図5(A)に示すように、レイアウト表示ユニット10d4(図1参照)により、図形階層FGの要素(図形FG1)(図4(B)参照)がモニタ10d5の画面上のピクセルPX22の位置にレイアウト表示される。また、図4(C)および図5(B)に示すように、図形階層FGの要素(図形FG1)の位置に対応する区画SC22のフラグが、「図形階層FGの要素(図形FG2,・・)のレイアウト表示可」の状態「0」(図3(B)参照)から「図形階層FGの要素(図形FG2,・・)のレイアウト表示不可」の状態「1」に切り換えられる。
Next, in the charged particle
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、データ読込ユニット10d1(図1参照)により、荷電粒子ビーム描画装置用データD1中の図形階層FGの要素(図形FG2)(図2および図3(A)参照)が読み込まれる。
Next, in the charged particle
図6は図形FG2の配置座標(xFG2,yFG2)および大きさ(X方向寸法wFG2、Y方向寸法hFG2)などを示した図である。詳細には、図6(A)は図形FG2の配置座標(xFG2,yFG2)および大きさ(X方向寸法wFG2、Y方向寸法hFG2)を示しており、図6(B)はモニタ10d5の画面上における図形FG2の位置を示しており、図6(C)はマップMPCL1上における図形FG2の位置を示している。 FIG. 6 is a diagram showing the arrangement coordinates (xFG2, yFG2) and size (X-direction dimension wFG2, Y-direction dimension hFG2) of the figure FG2. Specifically, FIG. 6A shows the arrangement coordinates (xFG2, yFG2) and size (X-direction dimension wFG2, Y-direction dimension hFG2) of the figure FG2, and FIG. 6B shows the screen on the monitor 10d5. FIG. 6C shows the position of the figure FG2 on the map MPCL1.
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図6(A)および図6(B)に示すように、データ処理ユニット10d2(図1参照)により、図形階層FGの要素(図形FG2)の配置座標(xFG2,yFG2)、大きさ(X方向寸法wFG2およびY方向寸法hFG2)に対応するモニタ10d5の画面上の位置(ピクセルPX22)が算出される。また、図6(A)および図6(C)に示すように、データ処理ユニット10d2(図1参照)により、図形階層FGの要素(図形FG2)の配置座標(xFG2,yFG2)、大きさ(X方向寸法wFG2およびY方向寸法hFG2)に対応するマップMPCL1上の位置(区画SC22)が算出される。
Next, in the charged particle
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、データ処理ユニット10d2(図1参照)により、図形階層FGの要素(図形FG2)の位置に対応する区画SC22のフラグが「図形階層FGの要素(図形FG2,・・)のレイアウト表示不可」の状態「1」になっているか否かが判定される。この段階では、図5(B)に示すように、図形階層FGの要素(図形FG2)の位置に対応する区画SC22のフラグが「図形階層FGの要素(図形FG2,・・)のレイアウト表示不可」の状態「1」になっているため、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット10d3(図1参照)およびレイアウト表示ユニット10d4(図1参照)による図形階層FGの要素(図形FG2)をモニタ10d5の画面にレイアウト表示するための処理が行われない。
Next, in the charged particle
詳細には、仮に、図形階層FGの要素(図形FG1)がモニタ10d5の画面にレイアウト表示されると共に、図形階層FGの要素(図形FG2)がモニタ10d5の画面にレイアウト表示される場合には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10のように、図形階層FGの要素(図形FG1)がモニタ10d5の画面にレイアウト表示され、図形階層FGの要素(図形FG2)がモニタ10d5の画面にレイアウト表示されない場合と、レイアウト表示結果が同一になる(つまり、ピクセルPX22が塗りつぶされた状態になる)(図5(A)参照)。
Specifically, if the elements of the graphic hierarchy FG (graphic FG1) are laid out and displayed on the screen of the monitor 10d5, and the elements of the graphic hierarchy FG (graphic FG2) are laid out and displayed on the screen of the monitor 10d5, As in the charged particle
この点に鑑み、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図形階層FGの要素(図形FG2)をモニタ10d5の画面にレイアウト表示した場合におけるレイアウト表示結果と、図形階層FGの要素(図形FG2)をモニタ10d5の画面にレイアウト表示しない場合におけるレイアウト表示結果とが同一になる時には、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット10d3(図1参照)およびレイアウト表示ユニット10d4(図1参照)による図形階層FGの要素(図形FG2)をモニタ10d5の画面にレイアウト表示するための処理が省略される。
In view of this point, in the charged particle
そのため、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット10d3(図1参照)およびレイアウト表示ユニット10d4(図1参照)により図形階層FGの要素(図形FG2)をモニタ10d5の画面にレイアウト表示するための処理が行われる場合よりも、階層化された荷電粒子ビーム描画装置用データD1のレイアウト表示を高速に行うことができる。
Therefore, according to the charged particle
換言すれば、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、図形階層FGのすべての要素に対してレイアウト表示オブジェクト生成ユニット10d3(図1参照)およびレイアウト表示ユニット10d4(図1参照)によるモニタ10d5の画面にレイアウト表示するための処理が行われる場合よりも、階層化された荷電粒子ビーム描画装置用データD1のレイアウト表示を高速に行うことができる。
In other words, according to the charged particle
また、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、階層化された荷電粒子ビーム描画装置用データD1のレイアウト表示を更に高速にするために、後述するような処理も行われる。
Further, in the charged particle
図7は図2および図3(A)に示すセルCL1に対応する図形階層FGの図形FGn−1の配置座標(xFGn−1,yFGn−1)および大きさ(X方向寸法wFGn−1、Y方向寸法hFGn−1)などを示した図である。詳細には、図7(A)は図形FGn−1の配置座標(xFGn−1,yFGn−1)および大きさ(X方向寸法wFGn−1、Y方向寸法hFGn−1)を示しており、図7(B)はモニタ10d5の画面上における図形FGn−1の位置を示しており、図7(C)はマップMPCL1上における図形FGn−1の位置を示している。 FIG. 7 shows the arrangement coordinates (xFGn−1, yFGn−1) and size (X-direction dimension wFGn−1, Y) of the figure hierarchy FG corresponding to the cell CL1 shown in FIG. 2 and FIG. It is the figure which showed the direction dimension hFGn-1). Specifically, FIG. 7A shows the arrangement coordinates (xFGn-1, yFGn-1) and size (X-direction dimension wFGn-1, Y-direction dimension hFGn-1) of the figure FGn-1. 7B shows the position of the figure FGn-1 on the screen of the monitor 10d5, and FIG. 7C shows the position of the figure FGn-1 on the map MPCL1.
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、データ読込ユニット10d1(図1参照)により、荷電粒子ビーム描画装置用データD1中の図形階層FGの要素(図形FGn−1)(図7(A)参照)が読み込まれる。
In the charged particle
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図7(A)および図7(B)に示すように、データ処理ユニット10d2(図1参照)により、図形階層FGの要素(図形FGn−1)の配置座標(xFGn−1,yFGn−1)、大きさ(X方向寸法wFGn−1およびY方向寸法hFGn−1)に対応するモニタ10d5の画面上の位置(ピクセルPX10)が算出される。また、図7(A)および図7(C)に示すように、データ処理ユニット10d2(図1参照)により、図形階層FGの要素(図形FGn−1)の配置座標(xFGn−1,yFGn−1)、大きさ(X方向寸法wFGn−1およびY方向寸法hFGn−1)に対応するマップMPCL1上の位置(区画SC10)が算出される。
Next, in the charged particle
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、データ処理ユニット10d2(図1参照)により、図形階層FGの要素(図形FGn−1)の位置に対応する区画SC10のフラグが「図形階層FGの要素(図形FGn−1,・・)のレイアウト表示不可」の状態「1」になっているか否かが判定される。
Next, in the charged particle
図8は図形階層FGの要素(図形FGn−1,・・)のレイアウト表示が可能か否かが判定される段階におけるマップMPCL1のフラグの状態を示した図である。図8に示すように、この段階では、図形階層FGの要素(図形FGn−1)の位置に対応する区画SC10のフラグが「図形階層FGの要素(図形FGn−1,・・)のレイアウト表示可」の状態「0」になっているため、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット10d3(図1参照)により、図形階層FGの要素(図形FGn−1)をレイアウト表示する色などの情報が付加され、レイアウト表示用のオブジェクトが生成される。
FIG. 8 is a diagram showing the state of the flag of the map MPCL1 at the stage where it is determined whether or not the layout display of the elements of the graphic hierarchy FG (graphic FGn-1,...) Is possible. As shown in FIG. 8, at this stage, the flag of the section SC10 corresponding to the position of the element (figure FGn-1) of the figure hierarchy FG is "layout display of the elements (figure FGn-1, ...) of the figure hierarchy FG. In the charged particle
図9は図形FGn−1がレイアウト表示された状態におけるモニタ10d5の画面などを示した図である。詳細には、図9(A)は図形FGn−1(図7(B)参照)がレイアウト表示された状態におけるモニタ10d5の画面を示しており、図9(B)は図形FGn−1(図7(C)参照)がレイアウト表示された後のマップMPCL1のフラグの状態を示している。 FIG. 9 is a diagram showing a screen of the monitor 10d5 and the like in a state where the figure FGn-1 is laid out. Specifically, FIG. 9A shows a screen of the monitor 10d5 in a state where the figure FGn-1 (see FIG. 7B) is displayed in a layout, and FIG. 9B shows the figure FGn-1 (see FIG. 9). 7 (C)) shows the state of the flag of the map MPCL1 after the layout display.
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図9(A)に示すように、レイアウト表示ユニット10d4(図1参照)により、図形階層FGの要素(図形FGn−1)(図7(B)参照)がモニタ10d5の画面上のピクセルPX10の位置にレイアウト表示される。また、図7(C)および図9(B)に示すように、図形階層FGの要素(図形FGn−1)の位置に対応する区画SC10のフラグが、「図形階層FGの要素(図形FGn,・・)のレイアウト表示可」の状態「0」(図8参照)から「図形階層FGの要素(図形FGn,・・)のレイアウト表示不可」の状態「1」に切り換えられる。
Next, in the charged particle
図10は図2および図3(A)に示すセルCL1に対応する図形階層FGの図形FGnの配置座標(xFGn,yFGn)および大きさ(X方向寸法wFGn、Y方向寸法hFGn)などを示した図である。詳細には、図10(A)は図形FGnの配置座標(xFGn,yFGn)および大きさ(X方向寸法wFGn、Y方向寸法hFGn)を示しており、図10(B)はモニタ10d5の画面上における図形FGnの位置を示しており、図10(C)はマップMPCL1上における図形FGnの位置を示している。 FIG. 10 shows the arrangement coordinates (xFGn, yFGn) and size (X-direction dimension wFGn, Y-direction dimension hFGn) of the figure FGn of the figure hierarchy FG corresponding to the cell CL1 shown in FIGS. 2 and 3A. FIG. Specifically, FIG. 10 (A) shows the arrangement coordinates (xFGn, yFGn) and size (X-direction dimension wFGn, Y-direction dimension hFGn) of the figure FGn, and FIG. 10 (B) is on the screen of the monitor 10d5. FIG. 10C shows the position of the figure FGn on the map MPCL1.
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、データ読込ユニット10d1(図1参照)により、荷電粒子ビーム描画装置用データD1中の図形階層FGの要素(図形FGn)(図10(A)参照)が読み込まれる。
Next, in the charged particle
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図10(A)および図10(B)に示すように、データ処理ユニット10d2(図1参照)により、図形階層FGの要素(図形FGn)の配置座標(xFGn,yFGn)、大きさ(X方向寸法wFGnおよびY方向寸法hFGn)に対応するモニタ10d5の画面上の位置(ピクセルPX12)が算出される。また、図10(A)および図10(C)に示すように、データ処理ユニット10d2(図1参照)により、図形階層FGの要素(図形FGn)の配置座標(xFGn,yFGn)、大きさ(X方向寸法wFGnおよびY方向寸法hFGn)に対応するマップMPCL1上の位置(区画SC12)が算出される。
Next, in the charged particle
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、データ処理ユニット10d2(図1参照)により、図形階層FGの要素(図形FGn)の位置に対応する区画SC12のフラグが「図形階層FGの要素(図形FGn,・・)のレイアウト表示不可」の状態「1」になっているか否かが判定される。
Next, in the charged particle
図9(B)に示すように、この段階では、図形階層FGの要素(図形FGn)の位置に対応する区画SC12のフラグが「図形階層FGの要素(図形FGn,・・)のレイアウト表示可」の状態「0」になっているため、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット10d3(図1参照)により、図形階層FGの要素(図形FGn)をレイアウト表示する色などの情報が付加され、レイアウト表示用のオブジェクトが生成される。
As shown in FIG. 9B, at this stage, the flag of the section SC12 corresponding to the position of the element (figure FGn) of the figure hierarchy FG indicates that the layout display of the element (figure FGn,...) Of the figure hierarchy FG is possible. In the charged particle
図11は図形FGnがレイアウト表示された状態におけるモニタ10d5の画面などを示した図である。詳細には、図11(A)は図形FGn(図10(B)参照)がレイアウト表示された状態におけるモニタ10d5の画面を示しており、図11(B)は図形FGn(図10(C)参照)がレイアウト表示された後のマップMPCL1のフラグの状態を示しており、図11(C)は図形FGn+1の配置座標(xFGn+1,yFGn+1)および大きさ(X方向寸法wFGn+1、Y方向寸法hFGn+1)を示している。
FIG. 11 is a diagram showing a screen of the monitor 10d5 and the like in a state in which the figure FGn is laid out. Specifically, FIG. 11A shows the screen of the monitor 10d5 in a state where the graphic FGn (see FIG. 10B) is displayed in a layout, and FIG. 11B shows the graphic FGn (FIG. 10C). FIG. 11C shows the arrangement coordinates (xFGn + 1, yFGn + 1) and size (X-direction dimension wFGn + 1, Y-direction dimension hFGn + 1) of the
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図11(A)に示すように、レイアウト表示ユニット10d4(図1参照)により、図形階層FGの要素(図形FGn)(図10(B)参照)がモニタ10d5の画面上のピクセルPX12(図9(A)および図10(B)参照)の位置にレイアウト表示される。また、図10(C)および図11(B)に示すように、図形階層FGの要素(図形FGn)の位置に対応する区画SC12のフラグが、「図形階層FGの要素(図形FGn+1,・・)のレイアウト表示可」の状態「0」(図9(B)参照)から「図形階層FGの要素(図形FGn+1,・・)のレイアウト表示不可」の状態「1」に切り換えられる。この結果、図11(B)に示すように、マップMPCL1のすべての区画SC00,SC10,・・,SC35,SC45のフラグの状態が、「図形階層FGの要素(図形FGn+1,・・)のレイアウト表示不可」の状態「1」になる。
Next, in the charged particle
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図11(B)に示すように、フラグの状態が「図形階層FGの要素(図形FGn+1,・・)のレイアウト表示不可」の状態「1」になっている区画SC00,SC10,・・,SC35,SC45の割合が例えば100%に到達した場合に、データ読込ユニット10d1(図1参照)による図形階層FGの要素(図形FGn+1,・・)(図11(C)参照)の読み込みが終了せしめられる。
In the charged particle
詳細には、仮に、図形階層FGの要素(図形FGn+1,・・)がデータ読込ユニット10d1(図1参照)により読み込まれてモニタ10d5の画面にレイアウト表示される場合には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10のように、図形階層FGの要素(図形FGn+1,・・)がデータ読込ユニット10d1(図1参照)により読み込まれない場合と、レイアウト表示結果が同一になる(つまり、セルCL1に含まれる30個のすべてのピクセルPX00,・・,PX40,PX01,・・,PX41,P02,・・,PX42,PX03,・・,PX43,PX04,・・,PX44,PX05,・・,PX45(図3(A)参照)が塗りつぶされた状態になる)(図11(A)参照)。
Specifically, if the elements of the graphic hierarchy FG (
この点に鑑み、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図形階層FGの要素(図形FGn+1,・・)をデータ読込ユニット10d1(図1参照)により読み込んでモニタ10d5の画面にレイアウト表示した場合におけるレイアウト表示結果と、図形階層FGの要素(図形FGn+1,・・)をデータ読込ユニット10d1(図1参照)により読み込まない場合におけるレイアウト表示結果とが同一になる時には、データ読込ユニット10d1(図1参照)による図形階層FGの要素(図形FGn+1,・・)を読み込む処理、データ処理ユニット10d2(図1参照)による図形階層FGの要素(図形FGn+1,・・)に対する処理、並びに、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット10d3(図1参照)およびレイアウト表示ユニット10d4(図1参照)による図形階層FGの要素(図形FGn+1,・・)をモニタ10d5の画面にレイアウト表示するための処理が省略される。
In view of this point, in the charged particle
そのため、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、データ読込ユニット10d1(図1参照)による図形階層FGの要素(図形FGn+1,・・)を読み込む処理、データ処理ユニット10d2(図1参照)による図形階層FGの要素(図形FGn+1,・・)に対する処理、並びに、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット10d3(図1参照)およびレイアウト表示ユニット10d4(図1参照)による図形階層FGの要素(図形FGn+1,・・)をモニタ10d5の画面にレイアウト表示するための処理が行われる場合よりも、階層化された荷電粒子ビーム描画装置用データD1のレイアウト表示を高速に行うことができる。
Therefore, according to the charged particle
換言すれば、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、図形階層FGのすべての要素に対して、データ読込ユニット10d1(図1参照)による読み込み処理、データ処理ユニット10d2(図1参照)による処理、並びに、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット10d3(図1参照)およびレイアウト表示ユニット10d4(図1参照)によるレイアウト表示するための処理が行われる場合よりも、階層化された荷電粒子ビーム描画装置用データD1のレイアウト表示を高速に行うことができる。
In other words, according to the charged particle
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、フラグの状態が「図形階層FGの要素(図形FGn+1,・・)のレイアウト表示不可」の状態「1」になっている区画SC00,SC10,・・,SC35,SC45の割合が例えば100%に到達した場合に、データ読込ユニット10d1(図1参照)による図形階層FGの要素(図形FGn+1,・・)(図11(C)参照)の読み込みが終了せしめられるが、第3の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、代わりに、フラグの状態が「図形階層FGの要素(図形FGn+1,・・)のレイアウト表示不可」の状態「1」になっている区画SC00,SC10,・・,SC35,SC45の割合が例えば50%〜95%のような100%以外の値に到達した場合に、データ読込ユニット10d1(図1参照)による図形階層FGの要素(図形FGn+1,・・)(図11(C)参照)の読み込みを終了させることも可能である。
In the charged particle
詳細には、第3の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図形階層FGの要素(図形FGn+1,・・)をデータ読込ユニット10d1(図1参照)により読み込んでモニタ10d5の画面にレイアウト表示した場合におけるレイアウト表示結果と、図形階層FGの要素(図形FGn+1,・・)をデータ読込ユニット10d1(図1参照)により読み込まない場合におけるレイアウト表示結果とがほぼ同一になる場合(詳細には、例えば同一に見える場合)に、データ読込ユニット10d1(図1参照)による図形階層FGの要素(図形FGn+1,・・)を読み込む処理、データ処理ユニット10d2(図1参照)による図形階層FGの要素(図形FGn+1,・・)に対する処理、並びに、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット10d3(図1参照)およびレイアウト表示ユニット10d4(図1参照)による図形階層FGの要素(図形FGn+1,・・)をモニタ10d5の画面にレイアウト表示するための処理が省略される。
Specifically, in the charged particle
図3〜図11には、モニタ10d5の画面上におけるセルCL1のX方向寸法(幅寸法)wCL1がモニタ10d5のピクセル5個分のX方向寸法(幅寸法)に等しくなるように、レイアウト表示の倍率が設定されている時の状態が示されている。詳細には、図3〜図11に示す例では、例えば図3(A)および図3(B)に示すように、モニタ10d5の画面上のセルCL1の輪郭と、モニタ10d5の画面の隣接する2個のピクセルの境界線とが一致しており、また、モニタ10d5の画面の1個のピクセルPX00の輪郭と、マップMPCL1の1個の区画SC00の輪郭とが対応(一致)している。 3 to 11 show the layout display so that the X-direction dimension (width dimension) wCL1 of the cell CL1 on the screen of the monitor 10d5 is equal to the X-direction dimension (width dimension) of five pixels of the monitor 10d5. The state when the magnification is set is shown. Specifically, in the example shown in FIGS. 3 to 11, for example, as shown in FIGS. 3A and 3B, the outline of the cell CL1 on the screen of the monitor 10d5 and the screen of the monitor 10d5 are adjacent to each other. The boundary line of the two pixels matches, and the contour of one pixel PX00 on the screen of the monitor 10d5 and the contour of one section SC00 of the map MPCL1 correspond (match).
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10のレイアウト表示部10dにおいて、モニタ10d5の画面に表示される矩形領域が指定され、レイアウト表示の倍率が設定されると、当然のことながら、モニタ10d5の画面上のセルCL1の輪郭とモニタ10d5の画面の隣接する2個のピクセルの境界線とが図3(A)に示すように一致しない場合(図3(A)に示すようにはならない場合)や、モニタ10d5の画面の1個のピクセルPX00の輪郭とマップMPCL1の1個の区画SC00の輪郭とが図3(A)および図3(B)に示すように対応(一致)しない場合(図3(A)に示すようにはならない場合)がある。このような場合に、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10でどのような処理が行われるかについて説明する。
When the rectangular area displayed on the screen of the monitor 10d5 is specified in the layout display unit 10d of the charged particle
図12は図3よりもレイアウト表示の倍率が高倍率に設定されている場合であって、モニタ10d5の画面上のセルCL1の輪郭とモニタ10d5の画面の隣接する2個のピクセルの境界線とが一致しない場合であって、モニタ10d5の画面の1個のピクセルPX00の輪郭とマップMPCL1の1個の区画SC00の輪郭とが対応(一致)しない場合について説明するための図である。詳細には、図12(A)はレイアウト表示の倍率が図3(A)よりも高倍率に設定されている時におけるモニタ10d5の画面の一部とセルCL1の一部との関係を示しており、図12(B)は図12(A)に示すセルCL1に対応して作成されたマップMPCL1の一部を示している。 FIG. 12 shows a case where the magnification of the layout display is set higher than that in FIG. 3, and the outline of the cell CL1 on the screen of the monitor 10d5 and the boundary line between two adjacent pixels on the screen of the monitor 10d5. Is a diagram for explaining a case where the outline of one pixel PX00 on the screen of the monitor 10d5 does not correspond (match) with the outline of one section SC00 of the map MPCL1. Specifically, FIG. 12A shows the relationship between a part of the screen of the monitor 10d5 and a part of the cell CL1 when the magnification of the layout display is set to be higher than that of FIG. FIG. 12B shows a part of the map MPCL1 created corresponding to the cell CL1 shown in FIG.
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図12(A)に示すように、レイアウト表示の倍率およびモニタ10d5の画面に表示される矩形領域(図示せず)が設定されると、セルCL1に対応する図形階層FGの要素(図形FGm,FGm+1,・・)の読み込みが開始される。
In the charged particle
具体的には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、セルCL1に対応する図形階層FGの要素(図形FGm,FGm+1,・・)が読み込まれる前に、図12(B)に示すように、まず最初に、概略格子状に配列された複数の区画SC00,SC10,・・,SC01,SC11,・・にフラグを有するマップMPCL1が作成される。
Specifically, in the charged particle
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図12(B)に示すように、各区画SC00,SC10,・・,SC01,SC11,・・のフラグが初期化される。つまり、各区画SC00,SC10,・・,SC01,SC11,・・のフラグが、「図形階層FGの要素(図形FGm,FGm+1,・・)のレイアウト表示可」の状態「0」に設定される。
Next, in the charged particle
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、データ読込ユニット10d1(図1参照)により、荷電粒子ビーム描画装置用データD1中の図形階層FGの要素(図形FGm)(図12(A)参照)が読み込まれる。
Next, in the charged particle
これ以降の処理については、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10による処理が行われる場合と、そのような処理が行われない場合とに分けて説明する。まず最初に、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10による処理が行われない場合について説明する。
Subsequent processing will be described separately when the processing by the charged particle
図13は第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10による処理が行われない場合における図形FGmの配置座標(xFGm,yFGm)および大きさ(X方向寸法wFGm、Y方向寸法hFGm)などを示した図である。詳細には、図13(A)は第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10による処理が行われない場合における図形FGmの配置座標(xFGm,yFGm)および大きさ(X方向寸法wFGm、Y方向寸法hFGm)を示しており、図13(B)は第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10による処理が行われない場合におけるモニタ10d5の画面上の図形FGmの位置を示しており、図13(C)は第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10による処理が行われない場合におけるマップMPCL1上の図形FGmの位置を示している。
FIG. 13 shows the arrangement coordinates (xFGm, yFGm) and size (X-direction dimension wFGm, Y-direction dimension hFGm) and the like of the figure FGm when processing by the charged particle
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10による処理が行われない場合には、次いで、図13(A)および図13(B)に示すように、データ処理ユニット10d2(図1参照)により、図形階層FGの要素(図形FGm)の配置座標(xFGm,yFGm)、大きさ(X方向寸法wFGmおよびY方向寸法hFGm)に対応するモニタ10d5の画面上の位置(ピクセルPX01)が算出される。また、図13(A)および図13(C)に示すように、データ処理ユニット10d2(図1参照)により、図形階層FGの要素(図形FGm)の配置座標(xFGm,yFGm)、大きさ(X方向寸法wFGmおよびY方向寸法hFGm)に対応するマップMPCL1上の位置(区画SC00)が算出される。
If the process by the charged particle
図14は第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10による処理が行われない場合に図形FGmがレイアウト表示されたモニタ10d5の画面などを示した図である。詳細には、図14(A)は第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10による処理が行われない場合に図形FGm(図13(B)参照)がレイアウト表示されたモニタ10d5の画面を示しており、図14(B)は第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10による処理が行われない場合に図形FGm(図13(C)参照)がレイアウト表示された後のマップMPCL1のフラグの状態を示している。
FIG. 14 is a diagram showing a screen of a monitor 10d5 on which a graphic FGm is displayed in a layout when processing by the charged particle
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10による処理が行われない場合には、次いで、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット10d3(図1参照)により、図形階層FGの要素(図形FGm)をレイアウト表示する色などの情報が付加され、レイアウト表示用のオブジェクトが生成される。次いで、図14(A)に示すように、レイアウト表示ユニット10d4(図1参照)により、図形階層FGの要素(図形FGm)(図13(B)参照)がモニタ10d5の画面上のピクセルPX01の位置にレイアウト表示される。また、図13(C)および図14(B)に示すように、図形階層FGの要素(図形FGm)の位置に対応する区画SC00のフラグが、「図形階層FGの要素(図形FGm+1,・・)のレイアウト表示可」の状態「0」(図12(B)参照)から「図形階層FGの要素(図形FGm+1,・・)のレイアウト表示不可」の状態「1」に切り換えられる。
When the process by the charged particle
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10による処理が行われない場合には、次いで、データ読込ユニット10d1(図1参照)により、荷電粒子ビーム描画装置用データD1中の図形階層FGの要素(図形FGm+1)(図12(A)参照)が読み込まれる。
If the processing by the charged particle
図15は図形FGm+1の配置座標(xFGm+1,yFGm+1)および大きさ(X方向寸法wFGm+1、Y方向寸法hFGm+1)などを示した図である。詳細には、図15(A)は図形FGm+1の配置座標(xFGm+1,yFGm+1)および大きさ(X方向寸法wFGm+1、Y方向寸法hFGm+1)を示しており、図15(B)はモニタ10d5の画面上における図形FGm+1の位置を示しており、図15(C)はマップMPCL1上における図形FGm+1の位置を示している。
FIG. 15 is a diagram showing the arrangement coordinates (xFGm + 1, yFGm + 1) and size (X-direction dimension wFGm + 1, Y-direction dimension hFGm + 1) of the
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10による処理が行われない場合には、次いで、図15(A)および図15(B)に示すように、データ処理ユニット10d2(図1参照)により、図形階層FGの要素(図形FGm+1)の配置座標(xFGm+1,yFGm+1)、大きさ(X方向寸法wFGm+1およびY方向寸法hFGm+1)に対応するモニタ10d5の画面上の位置(ピクセルPX11)が算出される。また、図15(A)および図15(C)に示すように、データ処理ユニット10d2(図1参照)により、図形階層FGの要素(図形FGm+1)の配置座標(xFGm+1,yFGm+1)、大きさ(X方向寸法wFGm+1およびY方向寸法hFGm+1)に対応するマップMPCL1上の位置(区画SC00)が算出される。
If processing by the charged particle
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10による処理が行われない場合には、次いで、データ処理ユニット10d2(図1参照)により、図形階層FGの要素(図形FGm+1)の位置に対応する区画SC00のフラグが「図形階層FGの要素(図形FGm+1,・・)のレイアウト表示不可」の状態「1」になっているか否かが判定される。この段階では、図14(B)に示すように、図形階層FGの要素(図形FGm+1)の位置に対応する区画SC00のフラグが「図形階層FGの要素(図形FGm+1,・・)のレイアウト表示不可」の状態「1」になっている。そのため、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10による処理が行われない場合には、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット10d3(図1参照)およびレイアウト表示ユニット10d4(図1参照)による図形階層FGの要素(図形FGm+1)をモニタ10d5の画面にレイアウト表示するための処理が行われない。
If the processing by the charged particle
つまり、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10による処理が行われない場合には、図15(B)に示すように、図形階層FGの要素(図形FGm+1)が、モニタ10d5の画面上のピクセルPX11に対応する位置に存在しているにもかかわらず、図14(A)に示すように、モニタ10d5の画面上のピクセルPX11が塗りつぶされない状態で維持される事態が生じてしまう。つまり、図14(A)に示すように、モニタ10d5の画面上のピクセルPX11に対応する位置に図形階層FGの要素(図形FGm+1)(図15(B)参照)が存在しない旨を示すレイアウト表示が維持される事態が生じてしまう。
That is, when the process by the charged particle
この事態を回避するために、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、後述するような処理が行われる
In order to avoid this situation, the charged particle
図16は第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10による処理が行われる場合における図形FGmの配置座標(xFGm,yFGm)および大きさ(X方向寸法wFGm、Y方向寸法hFGm)などを示した図である。詳細には、図16(A)は第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10による処理が行われる場合における図形FGmの配置座標(xFGm,yFGm)および大きさ(X方向寸法wFGm、Y方向寸法hFGm)を示しており、図16(B)は第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10による処理が行われる場合におけるモニタ10d5の画面上の図形FGmおよびみなし図形FGm’の位置を示しており、図16(C)は第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10による処理が行われる場合におけるマップMPCL1上の図形FGmおよびみなし図形FGm’の位置を示している。
FIG. 16 shows the arrangement coordinates (xFGm, yFGm) and size (X-direction dimension wFGm, Y-direction dimension hFGm) and the like of the figure FGm when processing by the charged particle
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10による処理が行われる場合には、次いで、図16(A)および図16(B)に示すように、データ処理ユニット10d2(図1参照)により、図形階層FGの要素(図形FGm)の配置座標(xFGm,yFGm)、大きさ(X方向寸法wFGmおよびY方向寸法hFGm)に対応するモニタ10d5の画面上の位置(ピクセルPX01)が算出される。また、図16(A)および図16(C)に示すように、データ処理ユニット10d2(図1参照)により、図形階層FGの要素(図形FGm)の配置座標(xFGm,yFGm)、大きさ(X方向寸法wFGmおよびY方向寸法hFGm)に対応するマップMPCL1上の位置(区画SC00)が算出される。
When processing by the charged particle
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10による処理が行われる場合には、更に、図16(B)および図16(C)に示すように、データ処理ユニット10d2(図1参照)により、例えば、図形階層FGの要素(図形FGm)が位置しているマップMPCL1上の区画SC00の大きさに対応する「みなし図形FGm’」が作成される。
When the process by the charged particle
図17は第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10による処理が行われる場合にみなし図形FGm’がレイアウト表示されたモニタ10d5の画面などを示した図である。詳細には、図17(A)は第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10による処理が行われる場合にみなし図形FGm’(図16(B)参照)がレイアウト表示されたモニタ10d5の画面を示しており、図17(B)はみなし図形FGm’(図16(C)参照)がレイアウト表示された後のマップMPCL1のフラグの状態を示している。
FIG. 17 is a diagram illustrating a screen of the monitor 10d5 on which an assumed figure FGm ′ is displayed in a layout when processing by the charged particle
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10による処理が行われる場合には、次いで、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット10d3(図1参照)により、図形階層FGの要素(みなし図形FGm’)(図16(B)参照)をレイアウト表示する色などの情報が付加され、レイアウト表示用のオブジェクトが生成される。次いで、図17(A)に示すように、レイアウト表示ユニット10d4(図1参照)により、図形階層FGの要素(みなし図形FGm’)(図16(B)参照)がモニタ10d5の画面上のピクセルPX00,PX10,PX20,PX01,PX11,PX21,PX02,PX12,PX22(図16(B)参照)の位置にレイアウト表示される。詳細には、例えば、みなし図形FGm’を含んでいるモニタ10d5の画面上のすべてのピクセルPX00,PX10,PX20,PX01,PX11,PX21,PX02,PX12,PX22(図16(B)参照)が塗りつぶされる。
When the processing by the charged particle
また、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10による処理が行われる場合には、図16(C)および図17(B)に示すように、図形階層FGの要素(みなし図形FGm’)の位置に対応する区画SC00のフラグが、「図形階層FGの要素(図形FGm+1,・・)のレイアウト表示可」の状態「0」(図12(B)参照)から「図形階層FGの要素(図形FGm+1,・・)のレイアウト表示不可」の状態「1」に切り換えられる。
Further, when processing by the charged particle
そのため、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10による処理が行われない場合のように、図形階層FGの要素(図形FGm+1)(図12(A)参照)がモニタ10d5の画面上のピクセルPX11に対応する位置に存在しているにもかかわらず、モニタ10d5の画面上のピクセルPX11(図14(A)参照)が塗りつぶされない状態で維持されてしまう事態を回避することができる。
Therefore, according to the charged particle
換言すれば、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10による処理が行われない場合のように、モニタ10d5の画面上のピクセルPX11(図14(A)参照)に対応する位置に図形階層FGの要素(図形FGm+1)(図12(A)参照)が存在しない旨を示すレイアウト表示(図14(A)参照)が維持されてしまう事態を回避することができる。
In other words, according to the charged particle
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図16(B)および図16(C)に示すように、みなし図形FGm’が作成され、図17(A)に示すように、みなし図形FGm’がモニタ10d5の画面にレイアウト表示されるが、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10のようにモニタ10d5の画面のピクセルPX11が塗りつぶされるレイアウト表示結果(図17(A)参照)と、モニタ10d5の画面のピクセルPX11が塗りつぶされないレイアウト表示結果(図14(A)参照)とがほぼ同一になる(詳細には、例えば同一に見える)と考えられる場合には、みなし図形FGm’を作成する処理、および、みなし図形FGm’をモニタ10d5の画面にレイアウト表示する処理を省略することも可能である。
In the charged particle
つまり、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、みなし図形FGm’が作成され、みなし図形FGm’がモニタ10d5の画面にレイアウト表示されるが、第4の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、代わりに、みなし図形FGm’を作成する処理、および、みなし図形FGm’をモニタ10d5の画面にレイアウト表示する処理を省略することも可能である。
That is, in the charged particle
図18は第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10の効果を説明するための図である。詳細には、図18の横軸はモニタ10d5の画面のレイアウト表示の倍率(Zoom No)を示しており、図18の縦軸は荷電粒子ビーム描画装置用データD1のうち、モニタ10d5の画面上に位置する要素が読み込まれてレイアウト表示されるのに要する時間(View Time)を示している。また、図18において、「VT1」は第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10のView Timeを示しており、「VT2」はモニタ10d5の画面上に位置する図形階層FGのすべての要素が読み込まれてレイアウト表示される従来の荷電粒子ビーム描画装置のView Timeを示している。
FIG. 18 is a diagram for explaining the effect of the charged particle
図18に示す例では、モニタ10d5の画面のレイアウト表示の倍率(Zoom No)が1倍〜11倍の時には、モニタ10d5の画面上におけるすべてのセルCL1,CL2,・・のX方向寸法(幅寸法)wCL1,wCL2,・・(図3(A)参照)がモニタ10d5のピクセル5個分のX方向寸法(幅寸法)より小さく、かつ、すべてのセルCL1,CL2,・・のY方向寸法hCL1,hCL2,・・(図3(A)参照)がモニタ10d5のピクセル5個分のY方向寸法(幅寸法)より小さい。そのため、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10および従来の荷電粒子ビーム描画装置では、共に、モニタ10d5の画面上に位置する図形階層FGの要素(図形FG1,FG2,・・)(図3(A)参照)の読み込みおよびレイアウト表示が行われない(詳細には、セルCL1,CL2,・・を塗りつぶしたものがモニタ10d5の画面上にレイアウト表示される)。その結果、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10のView Time「VT1」および従来の荷電粒子ビーム描画装置のView Time「VT2」は、共に小さい値になっている。
In the example shown in FIG. 18, when the magnification (Zoom No) of the screen layout display of the monitor 10d5 is 1 to 11 times, the X-direction dimensions (widths) of all the cells CL1, CL2,. (Dimensions) wCL1, wCL2,... (See FIG. 3A) is smaller than the X-direction dimension (width dimension) of five pixels of the monitor 10d5, and the Y-direction dimensions of all the cells CL1, CL2,. hCL1, hCL2,... (see FIG. 3A) is smaller than the Y-direction dimension (width dimension) of five pixels of the monitor 10d5. Therefore, in the charged particle
更に、図18に示す例では、モニタ10d5の画面のレイアウト表示の倍率(Zoom No)が13倍まで拡大せしめられると、モニタ10d5の画面上のほぼすべてのセルCL1,CL2,・・のX方向寸法(幅寸法)wCL1,wCL2,・・(図3(A)参照)が、モニタ10d5のピクセル5個分のX方向寸法(幅寸法)以上になるか、あるいは、ほぼすべてのセルCL1,CL2,・・のY方向寸法hCL1,hCL2,・・(図3(A)参照)が、モニタ10d5のピクセル5個分のY方向寸法(幅寸法)以上になる。 Further, in the example shown in FIG. 18, when the magnification (Zoom No) of the screen layout display of the monitor 10d5 is enlarged to 13 times, almost all the cells CL1, CL2,. The dimension (width dimension) wCL1, wCL2,... (See FIG. 3A) is equal to or larger than the X-direction dimension (width dimension) of five pixels of the monitor 10d5, or almost all the cells CL1, CL2. The Y-direction dimensions hCL1, hCL2,... (See FIG. 3A) are larger than the Y-direction dimensions (width dimensions) of five pixels of the monitor 10d5.
その結果、従来の荷電粒子ビーム描画装置では、モニタ10d5の画面上に位置する図形階層FGのすべての要素(図形FG1,FG2,・・)(図3(A)参照)が読み込まれ、例えば、図形階層FGの複数の要素(図形FG1,FG2)(図3(A)参照)をモニタ10d5の画面上の同じ位置(ピクセルPX22)(図3(A)参照)にレイアウト表示する処理が重複して行われる。そのため、従来の荷電粒子ビーム描画装置のView Time「VT2」は、非常に大きい値になってしまう。 As a result, in the conventional charged particle beam drawing apparatus, all elements (graphics FG1, FG2,...) (See FIG. 3A) located on the screen of the monitor 10d5 are read. The process of laying out a plurality of elements (figure FG1, FG2) (see FIG. 3A) of the figure hierarchy FG at the same position (pixel PX22) (see FIG. 3A) on the screen of the monitor 10d5 is duplicated. Done. Therefore, the View Time “VT2” of the conventional charged particle beam drawing apparatus becomes a very large value.
一方、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図3(B)に示すようにマップMPCL1,・・が作成され、図4〜図6に示すように、例えば、図形階層FGの複数の要素(図形FG1,FG2)をモニタ10d5の画面上の同じ位置(ピクセルPX22)(図3(A)参照)にレイアウト表示する処理が重複して行われない。また、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、モニタ10d5の画面上に位置する図形階層FGのすべての要素(図形FG1,FG2,・・)(図3(A)参照)が読み込まれるのではなく、図11(B)に示すように、フラグの状態が「図形階層FGの要素(図形FGn+1,・・)のレイアウト表示不可」の状態「1」になっている区画SC00,SC10,・・,SC35,SC45の割合が例えば100%に到達した場合に、図形階層FGの要素(図形FGn+1,・・)(図11(C)参照)の読み込みが終了せしめられる。そのため、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10のView Time「VT1」は、従来の荷電粒子ビーム描画装置のView Time「VT2」に比べて、非常に小さい値に抑制されている(図18中の矢印↓参照)。
On the other hand, in the charged particle
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、モニタ10d5の画面のレイアウト表示の倍率(Zoom No)(図18参照)が12倍〜38倍の時に、マップMPCL1,・・(図3(B)参照)を作成する処理、図形階層FGの複数の要素(図形FG1,FG2,・・)がモニタ10d5の画面上の同じ位置(ピクセルPX22,・・)に重複してレイアウト表示されるのを回避する処理(図4〜図6参照)、および、図形階層FGの要素(図形FGn+1,・・)の読み込みが終了せしめられる処理(図10および図11参照)が行われるが、第5の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、代わりに、例えば、モニタ10d5の画面上における図形FG1,FG2,・・のX方向寸法(幅寸法)が、モニタ10d5のピクセル1個分のX方向寸法(幅寸法)よりも大きくなる程度に、モニタ10d5の画面のレイアウト表示の倍率(Zoom No)(図18参照)が拡大せしめられた時(例えば、図18のレイアウト表示の倍率(Zoom No)が23倍より高い時)に、これらの処理を行わないようにすることも可能である。
In the charged particle
また、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、マップMPCL1,・・(図3(B)参照)が作成される場合、モニタ10d5の画面のレイアウト表示の倍率(Zoom No)(図18参照)が12倍〜38倍のすべての時に、例えばマップMPCL1がX方向に5分割されると共にY方向に6分割されて、30個の区画SC00,SC10,・・,SC35,SC45が作成されるが(図3(B)参照)、第6の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、代わりに、例えば、モニタ10d5の画面のレイアウト表示の倍率(Zoom No)(図18参照)が低い時(例えば、図18のレイアウト表示の倍率(Zoom No)が12倍〜18倍の時)に、モニタ10d5の画面のレイアウト表示の倍率(Zoom No)(図18参照)が高い時(例えば、図18のレイアウト表示の倍率(Zoom No)が19倍〜23倍の時)よりも、マップMPCL1,・・(図3(B)参照)に含まれる区画SC00,・・の数を少なくすることも可能である。
Further, in the charged particle
詳細には、第6の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、モニタ10d5の画面のレイアウト表示の倍率(Zoom No)(図18参照)に応じて、マップMPCL1,・・(図3(B)参照)に含まれる区画SC00,・・の数を変更することも可能である。第6の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、モニタ10d5の画面のレイアウト表示の倍率(Zoom No)(図18参照)が低い時(例えば、図18のレイアウト表示の倍率(Zoom No)が12倍〜18倍の時)に、読み込まれてレイアウト表示される図形階層FGの要素(図形FG1,FG2,・・)(図3(A)参照)の数を低減することができ、それにより、View Time(図18参照)を小さい値に抑制することができる。
Specifically, in the charged particle
更に、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、マップMPCL1,・・(図3(B)参照)が作成される場合、モニタ10d5の画面のレイアウト表示の倍率(Zoom No)が12倍〜38倍(図18参照)のすべての時に、例えばマップMPCL1がX方向に5分割されると共にY方向に6分割されて、30個の区画SC00,SC10,・・,SC35,SC45が作成されるが、第7の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、代わりに、例えば、モニタ10d5の画面のレイアウト表示の倍率(Zoom No)が12倍〜38倍(図18参照)の時であって、モニタ10d5の画面上の図形階層FGの要素(図形FG1,FG2,・・)(図3(A)参照)の数(データ量)が多い時に、モニタ10d5の画面上の図形階層FGの要素(図形FG1,FG2,・・)(図3(A)参照)の数(データ量)が少ない時よりも、マップMPCL1,・・(図3(B)参照)に含まれる区画SC00,・・の数を少なくすることも可能である。
Furthermore, in the charged particle
詳細には、第7の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、モニタ10d5の画面上の図形階層FGの要素(図形FG1,FG2,・・)(図3(A)参照)の数(データ量)に応じて、マップMPCL1,・・(図3(B)参照)に含まれる区画SC00,・・の数を変更することも可能である。第7の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、モニタ10d5の画面上の図形階層FGの要素(図形FG1,FG2,・・)(図3(A)参照)の数(データ量)が多い時に、レイアウト表示される図形階層FGの要素(図形FG1,FG2,・・)(図3(A)参照)の数を低減することができ、それにより、View Time(図18参照)を小さい値に抑制することができる。
Specifically, in the charged particle
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図形階層FGの要素(FG1,FG2,・・)の数が多い荷電粒子ビーム描画装置用データD1を高速にレイアウト表示するために、セルマップCLMP1(図3(B)参照)が作成され、図形階層FGの要素(FG1,FG2,・・)の読み込み処理の一部、および、図形階層FGの要素(FG1,FG2,・・)をレイアウト表示するための処理の一部が省略されているが、第8の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、代わりに、セル階層CLの要素(CL1,CL2,・・)の数が多い荷電粒子ビーム描画装置用データD1を高速にレイアウト表示するために、ブロックマップ(図示せず)を作成し、セル階層CLの要素(CL1,CL2,・・)の読み込み処理の一部、および/または、セル階層CLの要素(CL1,CL2,・・)をレイアウト表示するための処理の一部を省略することも可能である。
In the charged particle
また、第9の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、代わりに、ブロック階層BLの要素(BL00,BL10,・・)の数が多い荷電粒子ビーム描画装置用データD1を高速にレイアウト表示するために、フレームマップ(図示せず)を作成し、ブロック階層BLの要素(BL00,BL10,・・)の読み込み処理の一部、および/または、ブロック階層BLの要素(BL00,BL10,・・)をレイアウト表示するための処理の一部を省略することも可能である。
In the charged particle
あるいは、第10の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、代わりに、フレーム階層FRの要素(FR1,FR2,・・)の数が多い荷電粒子ビーム描画装置用データD1を高速にレイアウト表示するために、チップマップ(図示せず)を作成し、フレーム階層FRの要素(FR1,FR2,・・)の読み込み処理の一部、および/または、フレーム階層FRの要素(FR1,FR2,・・)をレイアウト表示するための処理の一部を省略することも可能である。
Alternatively, in the charged particle
一方、例えば、図形階層FGの要素(FG1,FG2,・・)の数が多く、かつ、セル階層CLの要素(CL1,CL2,・・)の数が多い荷電粒子ビーム描画装置用データD1を高速にレイアウト表示しなければならない場合もある。この点に鑑み、第11の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10と同様に、セルマップCLMP1(図3(B)参照)が作成され、図形階層FGの要素(FG1,FG2,・・)の読み込み処理の一部、および、図形階層FGの要素(FG1,FG2,・・)をレイアウト表示するための処理の一部が省略されると共に、後述するように、ブロックマップBLMP21(図19(A)参照)が作成され、セル階層CLの要素(CL1,CL2,・・)をレイアウト表示するための処理の一部、および/または、セル階層CLの要素(CL1,CL2,・・)の読み込み処理の一部が省略される。
On the other hand, for example, the charged particle beam drawing apparatus data D1 having a large number of elements (FG1, FG2,...) In the graphic hierarchy FG and a large number of elements (CL1, CL2,. In some cases, it is necessary to display the layout at high speed. In view of this point, in the charged particle
図19は第11の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10のモニタ10d5の画面とブロックBL21との関係などを示した図である。詳細には、図19(A)はレイアウト表示の倍率が所定値に設定されている時におけるモニタ10d5(図1参照)の画面とブロックBL21(図2参照)との関係を示しており、図19(B)は図19(A)に示すブロックBL21に対応して作成されたマップMPBL21を示している。
FIG. 19 is a diagram showing the relationship between the screen of the monitor 10d5 of the charged particle
第11の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、荷電粒子ビーム描画装置用データD1が、レイアウト表示部10dのモニタ10d5の画面にレイアウト表示(ビューワ処理)される場合、図19(A)に示すようにモニタ10d5の画面上におけるブロックBL21のX方向寸法(幅寸法)wBL21がモニタ10d5の例えばピクセル5個分のX方向寸法(幅寸法)より小さく、かつ、ブロックBL21のY方向寸法hBL21がモニタ10d5の例えばピクセル5個分のY方向寸法(幅寸法)より小さい時(つまり、レイアウト表示の倍率が拡大せしめられていない時)には、ブロックBL21に対応するセル階層CLの要素(セルCL1,CL2,・・)が、読み込まれず、モニタ10d5の画面にレイアウト表示されない。
In the charged particle
つまり、第11の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、荷電粒子ビーム描画装置用データD1中のセル階層CLの要素(セルCL1,CL2,・・)が読み込まれない程度にレイアウト表示の倍率が低い時(つまり、図19(A)よりもレイアウト表示の倍率が低い時)であって、チップ階層CPの要素(チップCP1,・・)のレイアウト表示が選択されている場合には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10と同様に、例えばチップ階層CPの要素(チップCP1,・・)の輪郭がモニタ10d5の画面上にレイアウト表示される。
That is, in the charged particle
また、第11の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、荷電粒子ビーム描画装置用データD1中のセル階層CLの要素(セルCL1,CL2,・・)が読み込まれない程度にレイアウト表示の倍率が低い時(つまり、図19(A)よりもレイアウト表示の倍率が低い時)であって、フレーム階層FRの要素(フレームFR1,FR2,・・)のレイアウト表示が選択されている場合には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10と同様に、例えばフレーム階層FRの要素(フレームFR1,FR2,・・)の輪郭がモニタ10d5の画面上にレイアウト表示される。
In the charged particle
更に、第11の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、荷電粒子ビーム描画装置用データD1中のセル階層CLの要素(セルCL1,CL2,・・)が読み込まれない程度にレイアウト表示の倍率が低い時(つまり、図19(A)よりもレイアウト表示の倍率が低い時)であって、ブロック階層BLの要素(ブロックBL00,BL10,・・)のレイアウト表示が選択されている場合には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10と同様に、例えばブロック階層BLの要素(ブロックBL00,BL10,・・)の輪郭がモニタ10d5の画面上にレイアウト表示される。
Further, in the charged particle
また、第11の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図19(A)に示すように、モニタ10d5の画面上におけるブロックBL21のX方向寸法(幅寸法)wBL21が、モニタ10d5の例えばピクセル5個分のX方向寸法(幅寸法)以上になるか、あるいは、ブロックBL21のY方向寸法hBL21が、モニタ10d5の例えばピクセル5個分のY方向寸法以上になるまでレイアウト表示の倍率が拡大せしめられると、ブロックBL21に対応するセル階層CLの要素(セルCL1,CL2,・・)の読み込みが開始される。
In the charged particle
具体的には、第11の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、例えば、図19(A)に示すように、ブロックBL21に対応するセル階層CLの要素(セルCL1,CL2,・・)の読み込みが開始されるまでレイアウト表示の倍率が拡大せしめられると、ブロックBL21に対応するセル階層CLの要素(セルCL1,CL2,・・)が読み込まれる前に、図19(B)に示すように、まず最初に、概略格子状に配列された複数の区画SC00,SC10,SC20,SC30,SC40,SC01,SC11,SC21,SC31,SC41,SC02,SC12,SC22,SC32,SC42,SC03,SC13,SC23,SC33,SC43,SC04,SC14,SC24,SC34,SC44,SC05,SC15,SC25,SC35,SC45にフラグ(「0」または「1」)を有するマップMPBL21が作成される。
Specifically, in the charged particle
詳細には、第11の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図19(A)および図19(B)に示すように、マップMPBL21が、ブロックBL21に対応して作成される。また、マップMPBL21を例えばX方向に複数に分割すると共に、マップMPBL21を例えばY方向に複数に分割することにより、複数の区画SC00,SC10,・・,SC35,SC45が作成される。
Specifically, in the charged particle
次いで、第11の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図19(B)に示すように、各区画SC00,SC10,・・,SC35,SC45のフラグが初期化される。つまり、各区画SC00,SC10,・・,SC35,SC45のフラグが、「セル階層CLの要素(セルCL1,CL2,・・)のレイアウト表示可」の状態「0」に設定される。
Next, in the charged particle
次いで、第11の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、データ読込ユニット10d1(図1参照)により、荷電粒子ビーム描画装置用データD1中のセル階層CLの要素(セルCL1)(図2および図19(A)参照)が読み込まれる。
Next, in the charged particle
図20はセルCL1の配置座標(xCL1,yCL1)および大きさ(X方向寸法wCL1、Y方向寸法hCL1)などを示した図である。詳細には、図20(A)はセルCL1の配置座標(xCL1,yCL1)および大きさ(X方向寸法wCL1、Y方向寸法hCL1)を示しており、図20(B)はモニタ10d5の画面上におけるセルCL1の位置を示しており、図20(C)はマップMPBL21上におけるセルCL1の位置を示している。 FIG. 20 is a diagram showing the arrangement coordinates (xCL1, yCL1) and size (X-direction dimension wCL1, Y-direction dimension hCL1) of the cell CL1. Specifically, FIG. 20A shows the arrangement coordinates (xCL1, yCL1) and size (X-direction dimension wCL1, Y-direction dimension hCL1) of the cell CL1, and FIG. 20B shows the screen on the monitor 10d5. 20C shows the position of the cell CL1, and FIG. 20C shows the position of the cell CL1 on the map MPBL21.
次いで、第11の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図20(A)および図20(B)に示すように、データ処理ユニット10d2(図1参照)により、セル階層CLの要素(セルCL1)の配置座標(xCL1,yCL1)、大きさ(X方向寸法wCL1およびY方向寸法hCL1)に対応するモニタ10d5の画面上の位置(ピクセルPX11,PX21,PX12,PX22)が算出される。また、図20(A)および図20(C)に示すように、データ処理ユニット10d2(図1参照)により、セル階層CLの要素(セルCL1)の配置座標(xCL1,yCL1)、大きさ(X方向寸法wCL1およびY方向寸法hCL1)に対応するマップMPBL21上の位置(区画SC11,SC21,SC12,SC22)が算出される。
Next, in the charged particle
図21はセルCL1がレイアウト表示された状態におけるモニタ10d5の画面などを示した図である。詳細には、図21(A)はセルCL1(図20(B)参照)がレイアウト表示された状態におけるモニタ10d5の画面を示しており、図21(B)はセルCL1(図20(C)参照)がレイアウト表示された後のマップMPBL21のフラグの状態を示している。 FIG. 21 is a diagram showing a screen of the monitor 10d5 in a state where the cell CL1 is displayed in a layout manner. Specifically, FIG. 21A shows a screen of the monitor 10d5 in a state where the cell CL1 (see FIG. 20B) is laid out, and FIG. 21B shows the cell CL1 (FIG. 20C). Reference) shows the state of the flag of the map MPBL21 after the layout display.
次いで、第11の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット10d3(図1参照)により、セル階層CLの要素(セルCL1)をレイアウト表示する色などの情報が付加され、レイアウト表示用のオブジェクトが生成される。次いで、図21(A)に示すように、レイアウト表示ユニット10d4(図1参照)により、セル階層CLの要素(セルCL1)(図20(B)参照)がモニタ10d5の画面上のピクセルPX11,PX21,PX12,PX22の位置にレイアウト表示される。また、図20(C)および図21(B)に示すように、セル階層CLの要素(セルCL1)の位置に対応する区画SC11,SC21,SC12,SC22のフラグが、「セル階層CLの要素(セルCL2,・・)のレイアウト表示可」の状態「0」(図19(B)参照)から「セル階層CLの要素(セルCL2,・・)のレイアウト表示不可」の状態「1」に切り換えられる。
Next, in the charged particle
次いで、第11の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、データ読込ユニット10d1(図1参照)により、荷電粒子ビーム描画装置用データD1中のセル階層CLの要素(セルCL2)(図2および図19(A)参照)が読み込まれる。
Next, in the charged particle
図22はセルCL2の配置座標(xCL2,yCL2)および大きさ(X方向寸法wCL2、Y方向寸法hCL2)などを示した図である。詳細には、図22(A)はセルCL2の配置座標(xCL2,yCL2)および大きさ(X方向寸法wCL2、Y方向寸法hCL2)を示しており、図22(B)はモニタ10d5の画面上におけるセルCL2の位置を示しており、図22(C)はマップMPBL21上におけるセルCL2の位置を示している。 FIG. 22 is a diagram showing the arrangement coordinates (xCL2, yCL2) and size (X-direction dimension wCL2, Y-direction dimension hCL2) of the cell CL2. Specifically, FIG. 22A shows the arrangement coordinates (xCL2, yCL2) and the size (X-direction dimension wCL2, Y-direction dimension hCL2) of the cell CL2, and FIG. 22B shows the monitor 10d5 on the screen. 22C shows the position of the cell CL2, and FIG. 22C shows the position of the cell CL2 on the map MPBL21.
次いで、第11の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図22(A)および図22(B)に示すように、データ処理ユニット10d2(図1参照)により、セル階層CLの要素(セルCL2)の配置座標(xCL2,yCL2)、大きさ(X方向寸法wCL2およびY方向寸法hCL2)に対応するモニタ10d5の画面上の位置(ピクセルPX21)が算出される。また、図22(A)および図22(C)に示すように、データ処理ユニット10d2(図1参照)により、セル階層CLの要素(セルCL2)の配置座標(xCL2,yCL2)、大きさ(X方向寸法wCL2およびY方向寸法hCL2)に対応するマップMPBL21上の位置(区画SC21)が算出される。
Next, in the charged particle
次いで、第11の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、データ処理ユニット10d2(図1参照)により、セル階層CLの要素(セルCL2)の位置に対応する区画SC21のフラグが「セル階層CLの要素(セルCL2,・・)のレイアウト表示不可」の状態「1」になっているか否かが判定される。この段階では、図21(B)に示すように、セル階層CLの要素(セルCL2)の位置に対応する区画SC21のフラグが「セル階層CLの要素(セルCL2,・・)のレイアウト表示不可」の状態「1」になっているため、第11の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット10d3(図1参照)およびレイアウト表示ユニット10d4(図1参照)によるセル階層CLの要素(セルCL2)をモニタ10d5の画面にレイアウト表示するための処理が行われない。
Next, in the charged particle
詳細には、仮に、セル階層CLの要素(セルCL1)がモニタ10d5の画面にレイアウト表示されると共に、セル階層CLの要素(セルCL2)がモニタ10d5の画面にレイアウト表示される場合には、第11の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10のように、セル階層CLの要素(セルCL1)がモニタ10d5の画面にレイアウト表示され、セル階層CLの要素(セルCL2)がモニタ10d5の画面にレイアウト表示されない場合と、レイアウト表示結果が同一になる(つまり、ピクセルPX11,PX21,PX12,PX22が塗りつぶされた状態になる)(図21(A)参照)。
Specifically, if the element of the cell hierarchy CL (cell CL1) is laid out on the monitor 10d5 screen and the element of the cell hierarchy CL (cell CL2) is laid out on the monitor 10d5 screen, Like the charged particle
この点に鑑み、第11の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、セル階層CLの要素(セルCL2)をモニタ10d5の画面にレイアウト表示した場合におけるレイアウト表示結果と、セル階層CLの要素(セルCL2)をモニタ10d5の画面にレイアウト表示しない場合におけるレイアウト表示結果とが同一になる時には、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット10d3(図1参照)およびレイアウト表示ユニット10d4(図1参照)によるセル階層CLの要素(セルCL2)をモニタ10d5の画面にレイアウト表示するための処理が省略される。
In view of this point, in the charged particle
そのため、第11の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット10d3(図1参照)およびレイアウト表示ユニット10d4(図1参照)によりセル階層CLの要素(セルCL2)をモニタ10d5の画面にレイアウト表示するための処理が行われる場合よりも、階層化された荷電粒子ビーム描画装置用データD1のレイアウト表示を高速に行うことができる。
Therefore, according to the charged particle
換言すれば、第11の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、セル階層CLのすべての要素に対してレイアウト表示オブジェクト生成ユニット10d3(図1参照)およびレイアウト表示ユニット10d4(図1参照)によるモニタ10d5の画面にレイアウト表示するための処理が行われる場合よりも、階層化された荷電粒子ビーム描画装置用データD1のレイアウト表示を高速に行うことができる。
In other words, according to the charged particle
図23は第11の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10の効果を説明するための図である。詳細には、図23の横軸はモニタ10d5の画面のレイアウト表示の倍率(Zoom No)を示しており、図23の縦軸は荷電粒子ビーム描画装置用データD1のうち、モニタ10d5の画面上に位置する要素が読み込まれてレイアウト表示されるのに要する時間(View Time)を示している。また、図23において、「VT11」は第11の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10のView Timeを示しており、「VT12」はモニタ10d5の画面上に位置するセル階層CLのすべての要素が読み込まれてレイアウト表示される従来の荷電粒子ビーム描画装置のView Timeを示している。
FIG. 23 is a diagram for explaining the effect of the charged particle
図23に示す例では、モニタ10d5の画面のレイアウト表示の倍率(Zoom No)が例えば1倍より高い時に、モニタ10d5の画面上のほぼすべてのブロックBL00,・・,BL21,・・のX方向寸法(幅寸法)wBL00,・・,wBL21(図19(A)参照),・・が、モニタ10d5のピクセル5個分のX方向寸法(幅寸法)以上になるか、あるいは、ほぼすべてのブロックBL00,・・,BL21,・・のY方向寸法(幅寸法)hBL00,・・,hBL21(図19(A)参照),・・が、モニタ10d5のピクセル5個分のY方向寸法(幅寸法)以上になる。 In the example shown in FIG. 23, when the magnification (Zoom No) of the screen layout display of the monitor 10d5 is higher than, for example, 1 time, almost all the blocks BL00,..., BL21,. The dimension (width dimension) wBL00,..., WBL21 (see FIG. 19A),... Is equal to or larger than the X-direction dimension (width dimension) of five pixels of the monitor 10d5, or almost all blocks. BL00,..., BL21,... Y-direction dimension (width dimension) hBL00,..., HBL21 (see FIG. 19A),. ) Or more.
その結果、第11の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10においても、従来の荷電粒子ビーム描画装置と同様に、モニタ10d5の画面上に位置するセル階層CLの多数の要素(セルCL1,CL2,・・)(図19(A)参照)が読み込まれる。
As a result, also in the charged particle
一方、第11の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図19(B)に示すようにマップMPBL21,・・が作成され、図20〜図22に示すように、例えば、セル階層CLの複数の要素(セルCL1,CL2)をモニタ10d5の画面上の同じ位置(ピクセルPX11,PX21,PX12,PX22)(図19(A)参照)にレイアウト表示する処理が重複して行われない。そのため、モニタ10d5の画面のレイアウト表示の倍率(Zoom No)が例えば1倍〜6倍の時に、第11の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10のView Time「VT11」は、従来の荷電粒子ビーム描画装置のView Time「VT12」に比べて、小さい値に抑制されている。
On the other hand, in the charged particle
第11の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、モニタ10d5の画面のレイアウト表示の倍率(Zoom No)(図23参照)が例えば7倍〜11倍の時にも、マップMPBL21,・・(図19(B)参照)を作成する処理、セル階層CLの複数の要素(セルCL1,CL2,・・)がモニタ10d5の画面上の同じ位置(ピクセルPX11,PX21,PX12,PX22,・・)に重複してレイアウト表示されるのを回避する処理(図20〜図22参照)等が行われるが、第12の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、代わりに、モニタ10d5の画面のレイアウト表示の倍率(Zoom No)(図23参照)が例えば7倍〜11倍の時に、これらの処理を行わないようにすることも可能である。
In the charged particle
つまり、第12の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、モニタ10d5の画面のレイアウト表示の倍率(Zoom No)(図23参照)が例えば1倍〜6倍の時に、マップMPBL21(図19(A)参照),・・を用いた処理が行われる。また、モニタ10d5の画面のレイアウト表示の倍率(Zoom No)(図23参照)が例えば7倍〜11倍の時に、マップMPBL21(図19(A)参照),・・を用いない従来の荷電粒子ビーム描画装置と同様の処理が行われる。更に、モニタ10d5の画面のレイアウト表示の倍率(Zoom No)(図23参照)が例えば12倍より高い時に、マップMPCL1(図3(A)参照),・・を用いた第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10と同様の処理が行われる。
That is, in the charged particle
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10は、マップのフラグが2種類の状態(「0」および「1」)(図3(B)および図5(B))を有するように構成されているが、第13の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10は、マップのフラグが3種類以上の状態(「0」,「1」,「2」,・・)を有するように構成されている。
The charged particle
図24は第13の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10のモニタ10d5の画面と図2に示すセルCL1との関係などを示した図である。詳細には、図24(A)はレイアウト表示の倍率が所定値に設定されている時におけるモニタ10d5の画面とセルCL1との関係を示しており、図24(B)は図24(A)に示すセルCL1に対応して作成されたマップMPCL1を示している。
FIG. 24 is a diagram showing the relationship between the screen of the monitor 10d5 of the charged particle
第13の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、荷電粒子ビーム描画装置用データD1が、レイアウト表示部10dのモニタ10d5の画面にレイアウト表示(ビューワ処理)される場合、図24(A)に示すようにモニタ10d5の画面上におけるセルCL1のX方向寸法(幅寸法)wCL1がモニタ10d5の例えばピクセル5個分のX方向寸法(幅寸法)より小さく、かつ、セルCL1のY方向寸法hCL1がモニタ10d5の例えばピクセル5個分のY方向寸法(幅寸法)より小さい時(つまり、レイアウト表示の倍率が拡大せしめられていない時)には、セルCL1に対応する図形階層FGの要素(図形FG11,FG12,FG21,FG22,・・)が、読み込まれず、モニタ10d5の画面にレイアウト表示されない。
In the charged particle
つまり、第13の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、荷電粒子ビーム描画装置用データD1中の図形階層FGの要素(図形FG11,FG12,FG21,FG22,・・)が読み込まれない程度にレイアウト表示の倍率が低い時(つまり、図24(A)よりもレイアウト表示の倍率が低い時)であって、チップ階層CPの要素(チップCP1,・・)のレイアウト表示が選択されている場合には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10と同様に、例えばチップ階層CPの要素(チップCP1,・・)の輪郭がモニタ10d5の画面上にレイアウト表示される。
That is, in the charged particle
また、第13の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、荷電粒子ビーム描画装置用データD1中の図形階層FGの要素(図形FG11,FG12,FG21,FG22,・・)が読み込まれない程度にレイアウト表示の倍率が低い時(つまり、図24(A)よりもレイアウト表示の倍率が低い時)であって、フレーム階層FRの要素(フレームFR1,FR2,・・)のレイアウト表示が選択されている場合には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10と同様に、例えばフレーム階層FRの要素(フレームFR1,FR2,・・)の輪郭がモニタ10d5の画面上にレイアウト表示される。
In the charged particle
更に、第13の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、荷電粒子ビーム描画装置用データD1中の図形階層FGの要素(図形FG11,FG12,FG21,FG22,・・)が読み込まれない程度にレイアウト表示の倍率が低い時(つまり、図24(A)よりもレイアウト表示の倍率が低い時)であって、ブロック階層BLの要素(ブロックBL00,BL10,・・)のレイアウト表示が選択されている場合には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10と同様に、例えばブロック階層BLの要素(ブロックBL00,BL10,・・)の輪郭がモニタ10d5の画面上にレイアウト表示される。
Further, in the charged particle
また、第13の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、荷電粒子ビーム描画装置用データD1中の図形階層FGの要素(図形FG11,FG12,FG21,FG22,・・)が読み込まれない程度にレイアウト表示の倍率が低い時(つまり、図24(A)よりもレイアウト表示の倍率が低い時)であって、セル階層CLの要素(セルCL1,CL2,・・)のレイアウト表示が選択されている場合には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10と同様に、例えばセル階層CLの要素(セルCL1,CL2,・・)の輪郭がモニタ10d5の画面上にレイアウト表示される。
In the charged particle
更に、第13の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図24(A)に示すように、モニタ10d5の画面上におけるセルCL1のX方向寸法(幅寸法)wCL1が、モニタ10d5の例えばピクセル5個分のX方向寸法(幅寸法)以上になるか、あるいは、セルCL1のY方向寸法hCL1が、モニタ10d5の例えばピクセル5個分のY方向寸法以上になるまでレイアウト表示の倍率が拡大せしめられると、セルCL1に対応する図形階層FGの要素(図形FG11,FG12,FG21,FG22,・・)の読み込みが開始される。
Furthermore, in the charged particle
具体的には、第13の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、例えば、図24(A)に示すように、セルCL1に対応する図形階層FGの要素(図形FG11,FG12,FG21,FG22,・・)の読み込みが開始されるまでレイアウト表示の倍率が拡大せしめられると、セルCL1に対応する図形階層FGの要素(図形FG11,FG12,FG21,FG22,・・)が読み込まれる前に、図24(B)に示すように、まず最初に、概略格子状に配列された複数の区画SC00,SC10,SC20,SC30,SC40,SC01,SC11,SC21,SC31,SC41,SC02,SC12,SC22,SC32,SC42,SC03,SC13,SC23,SC33,SC43,SC04,SC14,SC24,SC34,SC44,SC05,SC15,SC25,SC35,SC45にフラグ(「0」、「1」、「2」または「3」)を有するマップMPCL1が作成される。
Specifically, in the charged particle
詳細には、第13の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図24(A)および図24(B)に示すように、マップMPCL1が、セルCL1に対応して作成される。また、マップMPCL1を例えばX方向に複数に分割すると共に、マップMPCL1を例えばY方向に複数に分割することにより、複数の区画SC00,SC10,・・,SC35,SC45が作成される。
Specifically, in the charged particle
次いで、第13の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図24(B)に示すように、各区画SC00,SC10,・・,SC35,SC45のフラグが初期化される。つまり、各区画SC00,SC10,・・,SC35,SC45のフラグが、「第1レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG11,FG12,・・)のレイアウト表示可、かつ、第2レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG21,FG22,・・)のレイアウト表示可」の状態「0」に設定される。
Next, in the charged particle
第1レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG11,FG12,・・)が第2レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG21,FG22,・・)よりも先に読み込まれるか、あるいは、第2レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG21,FG22,・・)が第1レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG11,FG12,・・)よりも先に読み込まれるかは、場合によって異なる。まず最初に、第1レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG11,FG12,・・)が第2レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG21,FG22,・・)よりも先に読み込まれる場合について説明する。 The elements of the graphic hierarchy FG belonging to the first layer (graphics FG11, FG12,...) Are read before the elements of the graphic hierarchy FG belonging to the second layer (graphics FG21, FG22,...) Whether the elements of the graphic hierarchy FG belonging to the two layers (graphics FG21, FG22,...) Are read before the elements of the graphic hierarchy FG belonging to the first layer (graphics FG11, FG12,. . First, when the elements of the graphic hierarchy FG belonging to the first layer (graphics FG11, FG12,...) Are read before the elements of the graphic hierarchy FG belonging to the second layer (graphics FG21, FG22,...). Will be described.
第13の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、マップMPCL1のフラグの初期化に続き、データ読込ユニット10d1(図1参照)により、荷電粒子ビーム描画装置用データD1中の第1レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG11)(図24(A)参照)が読み込まれる。
In the charged particle
図25は第1レイヤーに属する図形FG11の配置座標(xFG11,yFG11)および大きさ(X方向寸法wFG11、Y方向寸法hFG11)などを示した図である。詳細には、図25(A)は第1レイヤーに属する図形FG11の配置座標(xFG11,yFG11)および大きさ(X方向寸法wFG11、Y方向寸法hFG11)を示しており、図25(B)はモニタ10d5の画面上における図形FG11の位置を示しており、図25(C)はマップMPCL1上における図形FG11の位置を示している。 FIG. 25 is a diagram showing the arrangement coordinates (xFG11, yFG11) and size (X-direction dimension wFG11, Y-direction dimension hFG11) of the figure FG11 belonging to the first layer. Specifically, FIG. 25A shows the arrangement coordinates (xFG11, yFG11) and size (X-direction dimension wFG11, Y-direction dimension hFG11) of the figure FG11 belonging to the first layer, and FIG. The position of the figure FG11 on the screen of the monitor 10d5 is shown, and FIG. 25C shows the position of the figure FG11 on the map MPCL1.
次いで、第13の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図25(A)および図25(B)に示すように、データ処理ユニット10d2(図1参照)により、第1レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG11)の配置座標(xFG11,yFG11)、大きさ(X方向寸法wFG11およびY方向寸法hFG11)に対応するモニタ10d5の画面上の位置(ピクセルPX00)が算出される。また、図25(A)および図25(C)に示すように、データ処理ユニット10d2(図1参照)により、第1レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG11)の配置座標(xFG11,yFG11)、大きさ(X方向寸法wFG11およびY方向寸法hFG11)に対応するマップMPCL1上の位置(区画SC00)が算出される。
Next, in the charged particle
図26は第1レイヤーに属する図形FG11がレイアウト表示された状態におけるモニタ10d5の画面などを示した図である。詳細には、図26(A)は第1レイヤーに属する図形FG11(図25(B)参照)がレイアウト表示された状態におけるモニタ10d5の画面を示しており、図26(B)は第1レイヤーに属する図形FG11(図25(C)参照)がレイアウト表示された後のマップMPCL1のフラグの状態を示している。 FIG. 26 is a diagram showing the screen of the monitor 10d5 and the like in a state where the figure FG11 belonging to the first layer is displayed in a layout manner. Specifically, FIG. 26A shows the screen of the monitor 10d5 in a state in which the graphic FG11 (see FIG. 25B) belonging to the first layer is displayed in a layout, and FIG. 26B shows the first layer. The state of the flag of the map MPCL1 after the figure FG11 (see FIG. 25C) belonging to is displayed in a layout manner is shown.
次いで、第13の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット10d3(図1参照)により、第1レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG11)をレイアウト表示する色などの情報が付加され、レイアウト表示用のオブジェクトが生成される。次いで、図26(A)に示すように、レイアウト表示ユニット10d4(図1参照)により、第1レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG11)(図25(B)参照)がモニタ10d5の画面上のピクセルPX00の位置にレイアウト表示される(第1の色で塗りつぶされる)。また、図25(C)および図26(B)に示すように、第1レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG11)の位置に対応する区画SC00のフラグが、「第1レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG12,・・)のレイアウト表示可、かつ、第2レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG21,FG22,・・)のレイアウト表示可」の状態「0」(図24(B)参照)から「第1レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG12,・・)のレイアウト表示不可、かつ、第2レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG21,FG22,・・)のレイアウト表示可」の状態「1」に切り換えられる。
Next, in the charged particle
次いで、第13の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、データ読込ユニット10d1(図1参照)により、荷電粒子ビーム描画装置用データD1中の第1レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG12)(図24(A)参照)が読み込まれる。
Next, in the charged particle
図27は第1レイヤーに属する図形FG12の配置座標(xFG12,yFG12)および大きさ(X方向寸法wFG12、Y方向寸法hFG12)などを示した図である。詳細には、図27(A)は第1レイヤーに属する図形FG12の配置座標(xFG12,yFG12)および大きさ(X方向寸法wFG12、Y方向寸法hFG12)を示しており、図27(B)はモニタ10d5の画面上における図形FG12の位置を示しており、図27(C)はマップMPCL1上における図形FG12の位置を示している。 FIG. 27 is a diagram showing the arrangement coordinates (xFG12, yFG12) and size (X-direction dimension wFG12, Y-direction dimension hFG12) of the figure FG12 belonging to the first layer. Specifically, FIG. 27A shows the arrangement coordinates (xFG12, yFG12) and size (X-direction dimension wFG12, Y-direction dimension hFG12) of the figure FG12 belonging to the first layer, and FIG. The position of the figure FG12 on the screen of the monitor 10d5 is shown, and FIG. 27C shows the position of the figure FG12 on the map MPCL1.
次いで、第13の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図27(A)および図27(B)に示すように、データ処理ユニット10d2(図1参照)により、第1レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG12)の配置座標(xFG12,yFG12)、大きさ(X方向寸法wFG12およびY方向寸法hFG12)に対応するモニタ10d5の画面上の位置(ピクセルPX00)が算出される。また、図27(A)および図27(C)に示すように、データ処理ユニット10d2(図1参照)により、第1レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG12)の配置座標(xFG12,yFG12)、大きさ(X方向寸法wFG12およびY方向寸法hFG12)に対応するマップMPCL1上の位置(区画SC00)が算出される。
Next, in the charged particle
次いで、第13の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、データ処理ユニット10d2(図1参照)により、第1レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG12)の位置に対応する区画SC00のフラグが「第1レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG12,・・)のレイアウト表示不可、かつ、第2レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG21,FG22,・・)のレイアウト表示可」の状態「1」または「第1レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG12,・・)のレイアウト表示不可、かつ、第2レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG22,・・)のレイアウト表示不可」の状態「3」になっているか否かが判定される。この段階では、図26(B)に示すように、第1レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG12)の位置に対応する区画SC00のフラグが「第1レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG12,・・)のレイアウト表示不可、かつ、第2レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG21,FG22,・・)のレイアウト表示可」の状態「1」になっているため、第13の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット10d3(図1参照)およびレイアウト表示ユニット10d4(図1参照)による第1レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG12)をモニタ10d5の画面にレイアウト表示するための処理が行われない。
Next, in the charged particle
次いで、第13の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、データ読込ユニット10d1(図1参照)により、荷電粒子ビーム描画装置用データD1中の第2レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG21)(図24(A)参照)が読み込まれる。
Next, in the charged particle
図28は第2レイヤーに属する図形FG21の配置座標(xFG21,yFG21)および大きさ(X方向寸法wFG21、Y方向寸法hFG21)などを示した図である。詳細には、図28(A)は第2レイヤーに属する図形FG21の配置座標(xFG21,yFG21)および大きさ(X方向寸法wFG21、Y方向寸法hFG21)を示しており、図28(B)はモニタ10d5の画面上における図形FG21の位置を示しており、図28(C)はマップMPCL1上における図形FG21の位置を示している。 FIG. 28 is a diagram showing the arrangement coordinates (xFG21, yFG21) and size (X-direction dimension wFG21, Y-direction dimension hFG21) of the figure FG21 belonging to the second layer. Specifically, FIG. 28A shows the arrangement coordinates (xFG21, yFG21) and size (X-direction dimension wFG21, Y-direction dimension hFG21) of the figure FG21 belonging to the second layer, and FIG. The position of the figure FG21 on the screen of the monitor 10d5 is shown, and FIG. 28C shows the position of the figure FG21 on the map MPCL1.
次いで、第13の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図28(A)および図28(B)に示すように、データ処理ユニット10d2(図1参照)により、第2レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG21)の配置座標(xFG21,yFG21)、大きさ(X方向寸法wFG21およびY方向寸法hFG21)に対応するモニタ10d5の画面上の位置(ピクセルPX00)が算出される。また、図28(A)および図28(C)に示すように、データ処理ユニット10d2(図1参照)により、第2レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG21)の配置座標(xFG21,yFG21)、大きさ(X方向寸法wFG21およびY方向寸法hFG21)に対応するマップMPCL1上の位置(区画SC00)が算出される。
Next, in the charged particle
図29は第1レイヤーに属する図形FG11および第2レイヤーに属する図形FG21がレイアウト表示された状態におけるモニタ10d5の画面などを示した図である。詳細には、図29(A)は第1レイヤーに属する図形FG11(図25(B)参照)および第2レイヤーに属する図形FG21(図28(B)参照)がレイアウト表示された状態におけるモニタ10d5の画面を示しており、図29(B)は第1レイヤーに属する図形FG11(図25(C)参照)および第2レイヤーに属する図形FG21(図28(C)参照)がレイアウト表示された後のマップMPCL1のフラグの状態を示している。 FIG. 29 is a diagram showing a screen of the monitor 10d5 and the like in a state where the graphic FG11 belonging to the first layer and the graphic FG21 belonging to the second layer are displayed in a layout manner. Specifically, FIG. 29A shows a monitor 10d5 in a state in which a figure FG11 (see FIG. 25B) belonging to the first layer and a figure FG21 (see FIG. 28B) belonging to the second layer are layout-displayed. FIG. 29B shows a layout after the figure FG11 (see FIG. 25C) belonging to the first layer and the figure FG21 (see FIG. 28C) belonging to the second layer are laid out. The map MPCL1 flag state is shown.
次いで、第13の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット10d3(図1参照)により、第1レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG11)および第2レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG21)をレイアウト表示する色などの情報が付加され、レイアウト表示用のオブジェクトが生成される。次いで、図29(A)に示すように、レイアウト表示ユニット10d4(図1参照)により、第1レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG11)(図25(B)参照)および第2レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG21)(図28(B)参照)がモニタ10d5の画面上のピクセルPX00の位置にレイアウト表示される(第2の色で塗りつぶされる)。また、図28(C)および図29(B)に示すように、第1レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG11)および第2レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG21)の位置に対応する区画SC00のフラグが、「第1レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG12,・・)のレイアウト表示不可、かつ、第2レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG22,・・)のレイアウト表示可」の状態「1」(図26(B)参照)から「第1レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG12,・・)のレイアウト表示不可、かつ、第2レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG22,・・)のレイアウト表示不可」の状態「3」に切り換えられる。
Next, in the charged particle
次いで、第13の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、データ読込ユニット10d1(図1参照)により、荷電粒子ビーム描画装置用データD1中の第2レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG22)(図24(A)参照)が読み込まれる。
Next, in the charged particle
図30は第2レイヤーに属する図形FG22の配置座標(xFG22,yFG22)および大きさ(X方向寸法wFG22、Y方向寸法hFG22)などを示した図である。詳細には、図30(A)は第2レイヤーに属する図形FG22の配置座標(xFG22,yFG22)および大きさ(X方向寸法wFG22、Y方向寸法hFG22)を示しており、図30(B)はモニタ10d5の画面上における図形FG22の位置を示しており、図30(C)はマップMPCL1上における図形FG22の位置を示している。 FIG. 30 is a diagram showing the arrangement coordinates (xFG22, yFG22) and size (X-direction dimension wFG22, Y-direction dimension hFG22) and the like of the figure FG22 belonging to the second layer. Specifically, FIG. 30A shows the arrangement coordinates (xFG22, yFG22) and size (X-direction dimension wFG22, Y-direction dimension hFG22) of the figure FG22 belonging to the second layer, and FIG. The position of the figure FG22 on the screen of the monitor 10d5 is shown, and FIG. 30C shows the position of the figure FG22 on the map MPCL1.
次いで、第13の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図30(A)および図30(B)に示すように、データ処理ユニット10d2(図1参照)により、第2レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG22)の配置座標(xFG22,yFG22)、大きさ(X方向寸法wFG22およびY方向寸法hFG22)に対応するモニタ10d5の画面上の位置(ピクセルPX00)が算出される。また、図30(A)および図30(C)に示すように、データ処理ユニット10d2(図1参照)により、第2レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG22)の配置座標(xFG22,yFG22)、大きさ(X方向寸法wFG22およびY方向寸法hFG22)に対応するマップMPCL1上の位置(区画SC00)が算出される。
Next, in the charged particle
次いで、第13の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、データ処理ユニット10d2(図1参照)により、第2レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG22)の位置に対応する区画SC00のフラグが「第1レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG11,FG12,・・)のレイアウト表示可、かつ、第2レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG22,・・)のレイアウト表示不可」の状態「2」または「第1レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG12,・・)のレイアウト表示不可、かつ、第2レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG22,・・)のレイアウト表示不可」の状態「3」になっているか否かが判定される。この段階では、図29(B)に示すように、第2レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG22)の位置に対応する区画SC00のフラグが「第1レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG12,・・)のレイアウト表示不可、かつ、第2レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG22,・・)のレイアウト表示不可」の状態「3」になっているため、第13の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット10d3(図1参照)およびレイアウト表示ユニット10d4(図1参照)による第2レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG22)をモニタ10d5の画面にレイアウト表示するための処理が行われない。
Next, in the charged particle
次に、第2レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG21,FG22,・・)が第1レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG11,FG12,・・)よりも先に読み込まれる場合について説明する。 Next, the case where the elements of the graphic hierarchy FG belonging to the second layer (graphics FG21, FG22,...) Are read before the elements of the graphic hierarchy FG belonging to the first layer (graphics FG11, FG12,...). explain.
第13の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、マップMPCL1のフラグの初期化(図24(B)参照)に続き、データ読込ユニット10d1(図1参照)により、荷電粒子ビーム描画装置用データD1中の第2レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG21)(図24(A)参照)が読み込まれる。
In the charged particle
図31は第2レイヤーに属する図形FG21の配置座標(xFG21,yFG21)および大きさ(X方向寸法wFG21、Y方向寸法hFG21)などを示した図である。詳細には、図31(A)は第2レイヤーに属する図形FG21の配置座標(xFG21,yFG21)および大きさ(X方向寸法wFG21、Y方向寸法hFG21)を示しており、図31(B)はモニタ10d5の画面上における図形FG21の位置を示しており、図31(C)はマップMPCL1上における図形FG21の位置を示している。 FIG. 31 is a diagram showing the arrangement coordinates (xFG21, yFG21) and size (X-direction dimension wFG21, Y-direction dimension hFG21) and the like of the figure FG21 belonging to the second layer. Specifically, FIG. 31A shows the arrangement coordinates (xFG21, yFG21) and size (X-direction dimension wFG21, Y-direction dimension hFG21) of the figure FG21 belonging to the second layer, and FIG. The position of the figure FG21 on the screen of the monitor 10d5 is shown, and FIG. 31C shows the position of the figure FG21 on the map MPCL1.
次いで、第13の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図31(A)および図31(B)に示すように、データ処理ユニット10d2(図1参照)により、第2レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG21)の配置座標(xFG21,yFG21)、大きさ(X方向寸法wFG21およびY方向寸法hFG21)に対応するモニタ10d5の画面上の位置(ピクセルPX00)が算出される。また、図31(A)および図31(C)に示すように、データ処理ユニット10d2(図1参照)により、第2レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG21)の配置座標(xFG21,yFG21)、大きさ(X方向寸法wFG21およびY方向寸法hFG21)に対応するマップMPCL1上の位置(区画SC00)が算出される。
Next, in the charged particle
図32は第2レイヤーに属する図形FG21がレイアウト表示された状態におけるモニタ10d5の画面などを示した図である。詳細には、図32(A)は第2レイヤーに属する図形FG21(図31(B)参照)がレイアウト表示された状態におけるモニタ10d5の画面を示しており、図32(B)は第2レイヤーに属する図形FG21(図31(C)参照)がレイアウト表示された後のマップMPCL1のフラグの状態を示している。 FIG. 32 is a diagram showing the screen of the monitor 10d5 and the like in a state where the figure FG21 belonging to the second layer is displayed in a layout manner. Specifically, FIG. 32A shows the screen of the monitor 10d5 in a state where the figure FG21 (see FIG. 31B) belonging to the second layer is displayed in a layout, and FIG. 32B shows the second layer. This shows the state of the flag of the map MPCL1 after the graphic FG21 (see FIG. 31C) belonging to is displayed in the layout.
次いで、第13の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット10d3(図1参照)により、第2レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG21)をレイアウト表示する色などの情報が付加され、レイアウト表示用のオブジェクトが生成される。次いで、図32(A)に示すように、レイアウト表示ユニット10d4(図1参照)により、第2レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG21)(図31(B)参照)がモニタ10d5の画面上のピクセルPX00の位置にレイアウト表示される(第3の色で塗りつぶされる)。また、図31(C)および図32(B)に示すように、第2レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG21)の位置に対応する区画SC00のフラグが、「第1レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG11,FG12,・・)のレイアウト表示可、かつ、第2レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG22,・・)のレイアウト表示可」の状態「0」(図24(B)参照)から「第1レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG11,FG12,・・)のレイアウト表示可、かつ、第2レイヤーに属する図形階層FGの要素(図形FG22,・・)のレイアウト表示不可」の状態「2」に切り換えられる。
Next, in the charged particle
第14の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、上述した第1から第13の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10を適宜組み合わせることも可能である。
In the charged particle
以下、本発明のパターン検査装置の第1の実施形態について説明する。図33は第1の実施形態のパターン検査装置20の概略的な構成図である。第1の実施形態のパターン検査装置20では、図33に示すように、例えば半導体集積回路などのレイアウトデータ(設計データ、CADデータ)を例えばパターン検査装置用データ作成装置(図示せず)によって変換することにより得られたパターン検査装置用データD3が、例えばディスク形式で入力される。パターン検査装置用データD3は、図2に示す荷電粒子ビーム描画装置用データD1と同様に、例えば、チップ階層CP、チップ階層CPよりも下位のフレーム階層FR、フレーム階層FRよりも下位のブロック階層BL、ブロック階層BLよりも下位のセル階層CL、および、セル階層CLよりも下位の図形階層FGに階層化されている。 Hereinafter, a first embodiment of a pattern inspection apparatus of the present invention will be described. FIG. 33 is a schematic configuration diagram of the pattern inspection apparatus 20 according to the first embodiment. In the pattern inspection apparatus 20 of the first embodiment, as shown in FIG. 33, layout data (design data, CAD data) such as a semiconductor integrated circuit is converted by, for example, a pattern inspection apparatus data creation apparatus (not shown). The pattern inspection apparatus data D3 obtained by doing so is input in a disk format, for example. The pattern inspection apparatus data D3 is, for example, the chip hierarchy CP, the frame hierarchy FR lower than the chip hierarchy CP, and the block hierarchy lower than the frame hierarchy FR, similarly to the charged particle beam drawing apparatus data D1 shown in FIG. BL, a cell hierarchy CL lower than the block hierarchy BL, and a graphic hierarchy FG lower than the cell hierarchy CL.
更に、第1の実施形態のパターン検査装置20では、図33に示すように、例えば、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10の荷電粒子ビーム10a1bによって試料M上に実際に描画されたパターンに基づいて作成されたパターン検査装置用データD4が、例えばディスク形式で入力される。
Furthermore, in the pattern inspection apparatus 20 of the first embodiment, as shown in FIG. 33, for example, the pattern inspection apparatus 20 is actually drawn on the sample M by the charged particle beam 10a1b of the charged particle
詳細には、第1の実施形態のパターン検査装置20では、図33に示すように、検査部20aに入力されたパターン検査装置用データD3,D4に基づいて、例えば第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10の荷電粒子ビーム10a1bによって試料M上に実際に描画されたパターンなどの検査が行われる。
Specifically, in the pattern inspection apparatus 20 of the first embodiment, as shown in FIG. 33, for example, the charge of the first embodiment is based on the pattern inspection apparatus data D3 and D4 input to the inspection unit 20a. Inspection of a pattern actually drawn on the sample M by the charged particle beam 10a1b of the particle
更に、第1の実施形態のパターン検査装置20では、図33に示すように、パターン検査装置用データD3が、検査部20aに入力されるのみならず、レイアウト表示部20bにも入力される。つまり、第1の実施形態のパターン検査装置20では、図2に示す荷電粒子ビーム描画装置用データD1と同様に階層化されたパターン検査装置用データD3が、レイアウト表示部20bのモニタ20b5の画面にレイアウト表示(ビューワ処理)される。 Furthermore, in the pattern inspection apparatus 20 of the first embodiment, as shown in FIG. 33, the pattern inspection apparatus data D3 is input not only to the inspection section 20a but also to the layout display section 20b. That is, in the pattern inspection apparatus 20 of the first embodiment, the pattern inspection apparatus data D3 hierarchized similarly to the charged particle beam drawing apparatus data D1 shown in FIG. 2 is displayed on the screen of the monitor 20b5 of the layout display unit 20b. The layout is displayed (viewer processing).
第1の実施形態のパターン検査装置20のレイアウト表示部20bのデータ読込ユニット20b1は、図1に示す第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10のレイアウト表示部10dのデータ読込ユニット10d1と同様に構成されている。また、第1の実施形態のパターン検査装置20のレイアウト表示部20bのデータ処理ユニット20b2は、図1に示す第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10のレイアウト表示部10dのデータ処理ユニット10d2と同様に構成されている。更に、第1の実施形態のパターン検査装置20のレイアウト表示部20bのレイアウト表示オブジェクト生成ユニット20b3は、図1に示す第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10のレイアウト表示部10dのレイアウト表示オブジェクト生成ユニット10d3と同様に構成されている。
The data reading unit 20b1 of the layout display unit 20b of the pattern inspection apparatus 20 of the first embodiment is the same as the data reading unit 10d1 of the layout display unit 10d of the charged particle
また、第1の実施形態のパターン検査装置20のレイアウト表示部20bのレイアウト表示ユニット20b4は、図1に示す第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10のレイアウト表示部10dのレイアウト表示ユニット10d4と同様に構成されている。更に、第1の実施形態のパターン検査装置20のレイアウト表示部20bのモニタ20b5は、図1に示す第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10のレイアウト表示部10dのモニタ10d5と同様に構成されている。
The layout display unit 20b4 of the layout display unit 20b of the pattern inspection apparatus 20 of the first embodiment is the layout display unit 10d4 of the layout display unit 10d of the charged particle
更に、第1の実施形態のパターン検査装置20のレイアウト表示部20bでは、上述した第1から第14のいずれかの実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10のレイアウト表示部10dにおける荷電粒子ビーム描画装置用データD1をレイアウト表示するための処理と同様の処理が、パターン検査装置用データD3に対して行われる。
Furthermore, in the layout display unit 20b of the pattern inspection apparatus 20 of the first embodiment, the charged particle beam drawing apparatus in the layout display unit 10d of the charged particle
10 荷電粒子ビーム描画装置
10a 描画部
10a1b 荷電粒子ビーム
10d レイアウト表示部
10d5 モニタ
10 charged particle
Claims (5)
荷電粒子ビーム描画装置用データをレイアウト表示する画面と、
概略格子状に配列された複数の区画にフラグを有するマップと、
第2階層の第1要素が読み込まれ、第1要素の位置に対応するマップ上の区画が算出されると、第2階層の第1要素の位置に対応する区画のフラグを「第2階層の要素のレイアウト表示可」の状態から「第2階層の要素のレイアウト表示不可」の状態に切り換える切換手段と、
第2階層の第2要素の位置に対応する区画のフラグが「第2階層の要素のレイアウト表示不可」の状態になっているか否かを判定する判定手段と、
前記第1要素の位置に対応するマップ上の区画と前記第2要素の位置に対応する前記マップ上の区画とが同じになることによって、第2階層の第2要素の位置に対応する区画のフラグが「第2階層の要素のレイアウト表示不可」の状態になっている場合に、第2階層の第2要素を画面上にレイアウト表示する処理を中止するレイアウト表示処理中止手段とを具備し、
前記画面は、前記第1要素の位置に対応する、前記切り換え前に「第2階層の要素のレイアウト表示可」の状態であった前記マップ上の区画をレイアウト表示することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 Reading means for reading the data for the hierarchical charged particle beam drawing apparatus including the elements of the first hierarchy and including at least the first element and the second element in the second hierarchy lower than the first hierarchy;
A screen for layout display of data for a charged particle beam drawing apparatus;
A map having flags in a plurality of sections arranged roughly in a grid pattern;
When the first element of the second layer is read and the section on the map corresponding to the position of the first element is calculated, the flag of the section corresponding to the position of the first element of the second layer is set to “second layer Switching means for switching from the "element layout display possible" state to the "second layer element layout not displayable"state;
Determining means for determining whether or not the flag of the section corresponding to the position of the second element of the second hierarchy is in a state of “impossible to display layout of elements of the second hierarchy”;
Since the section on the map corresponding to the position of the first element and the section on the map corresponding to the position of the second element are the same, the section corresponding to the position of the second element of the second hierarchy Layout display processing stop means for canceling the processing of displaying the second element of the second hierarchy on the screen when the flag is in a state of “impossible to display the layout of the element of the second hierarchy” ;
The charged particle is characterized in that the screen displays a layout on the map corresponding to the position of the first element, which is in a state in which “the layout display of the elements of the second hierarchy is possible” before the switching. Beam drawing device.
フラグの状態が「第2階層の要素のレイアウト表示可」の状態から「第2階層の要素のレイアウト表示不可」の状態に切り換わった区画の割合が所定値に到達した場合に第2階層の要素の読み込みを終了させる読込終了手段を具備することを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子ビーム描画装置。 The charged particle beam writing apparatus data includes a number of elements in the second layer in addition to the first element and the second element.
When the ratio of the section in which the flag state has changed from the state in which the layout of the elements in the second hierarchy can be displayed to the state in which the layout of the elements in the second hierarchy cannot be displayed reaches a predetermined value, The charged particle beam drawing apparatus according to claim 1, further comprising a reading end unit that ends reading of an element.
パターン検査装置用データをレイアウト表示する画面と、
概略格子状に配列された複数の区画にフラグを有するマップと、
第2階層の第1要素が読み込まれ、第1要素の位置に対応するマップ上の区画が算出されると、第2階層の第1要素の位置に対応する区画のフラグを「第2階層の要素のレイアウト表示可」の状態から「第2階層の要素のレイアウト表示不可」の状態に切り換える切換手段と、
第2階層の第2要素の位置に対応する区画のフラグが「第2階層の要素のレイアウト表示不可」の状態になっているか否かを判定する判定手段と、
前記第1要素の位置に対応するマップ上の区画と前記第2要素の位置に対応する前記マップ上の区画とが同じになることによって、第2階層の第2要素の位置に対応する区画のフラグが「第2階層の要素のレイアウト表示不可」の状態になっている場合に、第2階層の第2要素を画面上にレイアウト表示する処理を中止するレイアウト表示処理中止手段とを具備し、
前記画面は、前記第1要素の位置に対応する、前記切り換え前に「第2階層の要素のレイアウト表示可」の状態であった前記マップ上の区画をレイアウト表示することを特徴とするパターン検査装置。 A hierarchized pattern for inspecting a pattern drawn by a charged particle beam, including an element of the first hierarchy and including at least a first element and a second element in a second hierarchy lower than the first hierarchy A reading means for reading data for the inspection device;
A screen for layout display of data for the pattern inspection device;
A map having flags in a plurality of sections arranged roughly in a grid pattern;
When the first element of the second layer is read and the section on the map corresponding to the position of the first element is calculated, the flag of the section corresponding to the position of the first element of the second layer is set to “second layer Switching means for switching from the "element layout display possible" state to the "second layer element layout not displayable"state;
Determining means for determining whether or not the flag of the section corresponding to the position of the second element of the second hierarchy is in a state of “impossible to display layout of elements of the second hierarchy”;
Since the section on the map corresponding to the position of the first element and the section on the map corresponding to the position of the second element are the same, the section corresponding to the position of the second element of the second hierarchy Layout display processing stop means for canceling the processing of displaying the second element of the second hierarchy on the screen when the flag is in a state of “impossible to display the layout of the element of the second hierarchy” ;
The screen displays a layout on the map corresponding to the position of the first element, which is in a state in which “the layout display of the elements of the second hierarchy is possible” before the switching. apparatus.
第2階層の第1要素および第2要素の読み込みが開始されるまでレイアウト表示の倍率が拡大せしめられると、概略格子状に配列された複数の区画にフラグを有するマップを作成する工程と、
第2階層の第1要素を読み込む工程と、
第2階層の第1要素を画面上にレイアウト表示する工程と、
第2階層の第1要素が読み込まれ、第1要素の位置に対応するマップ上の区画が算出されると、第2階層の第1要素の位置に対応する区画のフラグを「第2階層の要素のレイアウト表示可」の状態から「第2階層の要素のレイアウト表示不可」の状態に切り換える工程と、
第2階層の第2要素を読み込む工程と、
第2階層の第2要素の位置に対応する区画のフラグが「第2階層の要素のレイアウト表示不可」の状態になっているか否かを判定する工程と、
前記第1要素の位置に対応するマップ上の区画と前記第2要素の位置に対応する前記マップ上の区画とが同じになることによって、第2階層の第2要素の位置に対応する区画のフラグが「第2階層の要素のレイアウト表示不可」の状態になっている場合に、第2階層の第2要素を画面上にレイアウト表示する処理を中止する工程とを含み、
第1要素を画面上にレイアウト表示する際、前記第1要素の位置に対応する、前記切り換え前に「第2階層の要素のレイアウト表示可」の状態であった前記マップ上の区画をレイアウト表示することを特徴とするレイアウト表示方法。 The charged particle beam drawing apparatus data or the pattern inspection apparatus data including the elements of the first hierarchy and including at least the first element and the second element in the second hierarchy lower than the first hierarchy are displayed on the screen. In the layout display method,
A step of creating a map having flags in a plurality of sections arranged in a substantially grid pattern when the magnification of the layout display is expanded until reading of the first element and the second element of the second hierarchy is started;
Reading the first element of the second hierarchy;
Displaying a layout of the first element of the second hierarchy on the screen;
When the first element of the second layer is read and the section on the map corresponding to the position of the first element is calculated, the flag of the section corresponding to the position of the first element of the second layer is set to “second layer Switching from the “element layout display enabled” state to the “second layer element layout display disabled” state;
Reading the second element of the second hierarchy;
Determining whether the flag of the section corresponding to the position of the second element of the second hierarchy is in a state of “impossible to display layout of elements of the second hierarchy”;
Since the section on the map corresponding to the position of the first element and the section on the map corresponding to the position of the second element are the same, the section corresponding to the position of the second element of the second hierarchy If the flag is in a state of "layout display not the elements of the second hierarchy", seen including a step to stop the process of displaying a layout of the second element of the second hierarchy on the screen,
When displaying the layout of the first element on the screen, the section of the map corresponding to the position of the first element and in which the layout of the element of the second hierarchy was in the state of “possible to display the layout of the element of the second hierarchy” before the switching A layout display method characterized by:
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