JP5429908B2 - 走査照射装置のステージ位置合わせ方法 - Google Patents
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走査型電子顕微鏡の倍率の検定には「倍率標準試料」という、一定の大きさあるいはピッチを持った、倍率の基準となる試料を用いる。メッシュ、ラテックス球、などがあるが、最近ではリソグラフィー技術を応用した数百nm〜数十μmピッチのパターンが使われるようになっている。検定するためにはある倍率でこの標準試料を観察し基準物の長さを測定し倍率を補正、またこの観察により像のゆがみや縦横比の違いにより走査位置や幅の精度を調査していた。
本発明の位置あわせ方法は、ビームを走査する装置内でのステージの位置合わせなどにも用いることができる。モアレ縞が一致すれば平行直線群がぴたりと合っていることを示し、容易に位置あわせを行うことができる。
グリッド作製に際してはフォトリソグラフィー、電子線リソグラフィー、X線リソグラフィー、高精度のX−Yステージを有するレーザー加工機等を用いて作製する。校正すべき装置の能力に見合うグリッドを正確に(高精度で)作製し、これを用いてモアレ縞を発生させることにより走査幅の不均一や不正確さを検定校正する。グリッドの間隔は装置が本来有するべき走査間隔とほぼ同じか若干異なる間隔がよい。装置が本来有するべき走査間隔とほぼ同じグリッドの場合はモアレ縞が画面内に0から1本観察され、若干異なる間隔の場合は数本から十数本観察されるくらいが判断しやすい。モアレ縞の間隔が異なれば粒子線の走査間隔が異なることを意味している。
図4左図に示すように、グリッドの間隔が異なることにより発生するモアレ縞をミスマッチによるモアレ縞、右図に示す2つのグリッドがある角度をもっている時に現れるモアレ縞をミスアライメントによるモアレ縞という。
(式1)
走査型音響顕微鏡のように高周波の超音波(100MHz〜3GHz)を音響レンズなどを用いて集束し、焦点面に置いた試料を機械的に走査し、試料の部分的な超音波反射率または透過率の変化を検出し、画像としてCRT上に表示する装置の場合は超音波伝播速度が異なる弾性率や密度の異なる物質を用いて作製したマスターグリッドを用いる。
基板は304ステンレス鋼と炭素鋼の積層板である。格子はフェムト秒レーザー照射装置の3軸稼働ステージ上に基板を置き、レーザーと照射しながらステージを3μm間隔で平行に移動することにより作製した。レーザー光源はサイバーレーザー製IFRITを用い、その波長は780nmである。レーザーを照射するパルス幅は170フェムト秒である。このレーザーが照射された部分は高温に熱せられるため基板表面が溶発し、細かい凹凸が生じる。この凹凸により光は乱反射して暗く観察される。この図は100倍の対物レンズを用いた走査型レーザー顕微鏡(レーザーテック社製 走査型レーザー顕微鏡1LM15W)による観察結果である。
ガルバノミラー
高速にレーザーを走査するために光軸を動かすためのユニット。一般的には2枚のミラーをモーターで動かし、試料上のx,y方向を走査する。その動作はコンピュータを使って電気的に制御する。
対象とする試料を電子線で走査し、反射電子や二次電子を検出器で検出してその強度をブラウン管上に映像として表示し、対象物の拡大像などを得る装置。反射法(SEM)が表面形状、組織の観察に広く用いられている。分解能は2〜3mm程度。透過電子像を観察する方式を走査透過電子顕微鏡(STEM)という。
電圧をかけることにより、非常に小さな変形を起こす圧電体で、XYZ方向に移動可能なステージを構成し、非常に小さなプローブを走査してデータを取り込み、画像化することを原理とする顕微鏡でSPMと呼ばれている。現在では非常に多くの種類のものが考案されている。たとえば、すでに市販されているものでは、STM(走査トンネル顕微鏡)、AFM(原子間力顕微鏡)以外に表面の摩擦力を測るLMFFM(Lateral Force Modulation Friction Force Microscope)、表面の粘弾性を測るVE−AFM(Visco-elasticity Atomic Force Microscope)、表面の電位分布を測るKFM(Kelvin Force Microscope)などがある。また、SPMの大きな特徴としては、真空中から水溶液中にいたるまで、非常に広い環境中で使用できることと、観察だけでなく種々の加工ができることが挙げられる。このようにSPMは非常に多目的に使用できるのが特徴である。
高周波の超音波(100MHz〜3GHz)を音響レンズなどを用いて集束し、焦点面に置いた試料を機械的に走査し、試料の部分的な超音波反射率または透過率の変化を検出し、画像としてCRT上に表示する装置。金属、セラミックスなどの組織や微小欠陥の観察に用いる。
=SAM
走査型レーザー顕微鏡
レーザー光を平行線状に走査させて反射光の輝度をブラウン管上に写し出して観察する顕微鏡
走査型電子顕微鏡の倍率や性能を確認するためには倍率標準試料(一定の大きさあるいはピッチを持った、倍率の基準となる試料。倍率精度を上げるためには大きさの基準となる試料を使って一定条件で計測する必要がある。メッシュ、ラテックス球、などがあるが、最近ではリソグラフィー技術を応用した数百nmピッチのパターンが使われるようになり、ISOのトレーサビリティーを満足するものもある。)を用いる。
Claims (1)
- ターゲットをステージに置くと共に、粒子線又はエネルギー線を走査状に当該ターゲットに照射する走査照射装置のステージ位置合わせ方法であって、
前記ステージの端に平行線を描き、前記位置合わせするもう片方にも同じ幅の平行線を描いておき、
前記粒子線やエネルギー線を平行線状に照射してモアレ縞を出し、
前記モアレ縞が一致することで前記位置あわせを行うことを特徴とする走査照射装置のステージ位置合わせ方法。
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JP2007273050A Division JP2009103470A (ja) | 2007-10-19 | 2007-10-19 | 走査照射装置の走査精度検定方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2012215584A JP2012215584A (ja) | 2012-11-08 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP5429908B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0045321B1 (de) * | 1980-07-31 | 1986-12-10 | International Business Machines Corporation | Verfahren und Einrichtung zur optischen Distanzmessung |
JPH02154101A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造装置 |
JP3029133B2 (ja) * | 1990-03-27 | 2000-04-04 | キヤノン株式会社 | 測定方法及び装置 |
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A977 | Report on retrieval |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
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