JP5427653B2 - Gas production apparatus and gas production method - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 148
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 1075
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 296
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims description 105
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 90
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 90
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 87
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 78
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 78
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 78
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 67
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 63
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 49
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 21
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 17
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 15
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 9
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 9
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 claims description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 6
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 claims description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000003075 superhydrophobic effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 58
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 description 51
- 239000010408 film Substances 0.000 description 40
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 26
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 26
- -1 for example Substances 0.000 description 25
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 23
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 21
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 20
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 16
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 12
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 10
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 7
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 7
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 6
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 5
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 5
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 5
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 5
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N Carbazole Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000181 Ethylene propylene rubber Polymers 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 3
- 239000004693 Polybenzimidazole Substances 0.000 description 3
- 229910020923 Sn-O Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910007604 Zn—Sn—O Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003011 anion exchange membrane Substances 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 3
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 3
- 229920002480 polybenzimidazole Polymers 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Chemical compound [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 3
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 3
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 3
- FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M sodium iodide Chemical compound [Na+].[I-] FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 3
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 239000004114 Ammonium polyphosphate Substances 0.000 description 2
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 108090000790 Enzymes Proteins 0.000 description 2
- 102000004190 Enzymes Human genes 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 2
- 239000002879 Lewis base Substances 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 2
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019826 ammonium polyphosphate Nutrition 0.000 description 2
- 229920001276 ammonium polyphosphate Polymers 0.000 description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 238000005341 cation exchange Methods 0.000 description 2
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 2
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 2
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 2
- 150000007527 lewis bases Chemical class 0.000 description 2
- HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M lithium iodide Chemical compound [Li+].[I-] HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229920003209 poly(hydridosilsesquioxane) Polymers 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 2
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 239000005518 polymer electrolyte Substances 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 2
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000004634 thermosetting polymer Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical compound [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- INZDTEICWPZYJM-UHFFFAOYSA-N 1-(chloromethyl)-4-[4-(chloromethyl)phenyl]benzene Chemical compound C1=CC(CCl)=CC=C1C1=CC=C(CCl)C=C1 INZDTEICWPZYJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 1lambda4,2lambda4-dimolybdacyclopropa-1,2,3-triene Chemical compound [Mo]=C=[Mo] QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHZPRMZZQOIPDS-UHFFFAOYSA-N 2-Methyl-2-[(1-oxo-2-propenyl)amino]-1-propanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CC(C)(C)NC(=O)C=C XHZPRMZZQOIPDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IWTYTFSSTWXZFU-UHFFFAOYSA-N 3-chloroprop-1-enylbenzene Chemical compound ClCC=CC1=CC=CC=C1 IWTYTFSSTWXZFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SOSAUKRKGXFQKS-UHFFFAOYSA-N 4,5-dimethyl-2-propyl-1H-imidazole hydroiodide Chemical compound I.CCCC1=NC(C)=C(C)N1 SOSAUKRKGXFQKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003934 Aciplex® Polymers 0.000 description 1
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017008 AsF 6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002028 Biomass Substances 0.000 description 1
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical compound N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910004612 CdTe—CdS Inorganic materials 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017813 Cu—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229920003935 Flemion® Polymers 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical group [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010020056 Hydrogenase Proteins 0.000 description 1
- 235000000177 Indigofera tinctoria Nutrition 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910039444 MoC Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000557 Nafion® Polymers 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000299 Nylon 12 Polymers 0.000 description 1
- 229920002292 Nylon 6 Polymers 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010060806 Photosystem II Protein Complex Proteins 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001370 Se alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003086 Ti–Pt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical compound C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910026551 ZrC Inorganic materials 0.000 description 1
- OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N [C].[Zr] Chemical compound [C].[Zr] OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVYYOKWPCQYKEY-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co] Chemical compound [Fe].[Co] QVYYOKWPCQYKEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006230 acetylene black Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000074 antimony hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000987 azo dye Substances 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N carbon carbon Chemical compound C.C CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- 239000002134 carbon nanofiber Substances 0.000 description 1
- 150000001244 carboxylic acid anhydrides Chemical group 0.000 description 1
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 229910001567 cementite Inorganic materials 0.000 description 1
- MEAHOQPOZNHISZ-UHFFFAOYSA-M cesium;hydrogen sulfate Chemical compound [Cs+].OS([O-])(=O)=O MEAHOQPOZNHISZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N chalcopyrite Chemical class [S-2].[S-2].[Fe+2].[Cu+2] DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052951 chalcopyrite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007809 chemical reaction catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- GVEHJMMRQRRJPM-UHFFFAOYSA-N chromium(2+);methanidylidynechromium Chemical compound [Cr+2].[Cr]#[C-].[Cr]#[C-] GVEHJMMRQRRJPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000152 cobalt phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- ZBDSFTZNNQNSQM-UHFFFAOYSA-H cobalt(2+);diphosphate Chemical compound [Co+2].[Co+2].[Co+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O ZBDSFTZNNQNSQM-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004567 concrete Substances 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001795 coordination polymer Polymers 0.000 description 1
- HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N copper indium Chemical compound [Cu].[In] HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- ZZEMEJKDTZOXOI-UHFFFAOYSA-N digallium;selenium(2-) Chemical compound [Ga+3].[Ga+3].[Se-2].[Se-2].[Se-2] ZZEMEJKDTZOXOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N dioxoiridium Chemical compound O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000002657 fibrous material Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQSQSQZYBQSBJZ-UHFFFAOYSA-N fluorosulfonic acid Chemical compound OS(F)(=O)=O UQSQSQZYBQSBJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000006232 furnace black Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010440 gypsum Substances 0.000 description 1
- 229910052602 gypsum Inorganic materials 0.000 description 1
- WHJFNYXPKGDKBB-UHFFFAOYSA-N hafnium;methane Chemical compound C.[Hf] WHJFNYXPKGDKBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229940097275 indigo Drugs 0.000 description 1
- COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N indigo powder Natural products N1C2=CC=CC=C2C(=O)C1=C1C(=O)C2=CC=CC=C2N1 COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000003014 ion exchange membrane Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910000457 iridium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003273 ketjen black Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M merocyanine Chemical compound [Na+].O=C1N(CCCC)C(=O)N(CCCC)C(=O)C1=C\C=C\C=C/1N(CCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=CC=C2O\1 DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M 0.000 description 1
- 229910001511 metal iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- UNASZPQZIFZUSI-UHFFFAOYSA-N methylidyneniobium Chemical compound [Nb]#C UNASZPQZIFZUSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002116 nanohorn Substances 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N naphthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C(N=C3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=C2C(C=CC=C2)=C2)C2=C1N=C1C2=CC3=CC=CC=C3C=C2C4=N1 LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N oxalonitrile Chemical compound N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N oxetane Chemical compound C1COC1 AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000005365 phosphate glass Substances 0.000 description 1
- 125000005499 phosphonyl group Chemical group 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001007 phthalocyanine dye Substances 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000412 polyarylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001088 polycarbazole Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005597 polymer membrane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000005373 porous glass Substances 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008057 potassium phosphate buffer Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008262 pumice Substances 0.000 description 1
- 239000001008 quinone-imine dye Substances 0.000 description 1
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001932 seasonal effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000009518 sodium iodide Nutrition 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- OUULRIDHGPHMNQ-UHFFFAOYSA-N stibane Chemical compound [SbH3] OUULRIDHGPHMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003440 styrenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003115 supporting electrolyte Substances 0.000 description 1
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003470 tongbaite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- CMPGARWFYBADJI-UHFFFAOYSA-L tungstic acid Chemical compound O[W](O)(=O)=O CMPGARWFYBADJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 description 1
- 239000001018 xanthene dye Substances 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Description
本発明は、気体製造装置および気体製造方法に関する。 The present invention relates to a gas production apparatus and a gas production method.
近年、化石燃料の使用に伴う地球温暖化および化石燃料資源自体の枯渇の懸念から、環境に優しく、かつ無尽蔵なエネルギー供給の可能性を持つ再生可能エネルギーの利用が注目を集め、開発も盛んに行われている。再生可能エネルギーとしては太陽光、風力、水力、地熱等があり、これらのエネルギーにより電力を作り出す技術は実用化もされてきている。中でも太陽光は地上において、どこでも得ることが可能なエネルギー源であり、太陽光により電力を作る太陽電池は世界各地に設置され、現在ではまだ少数ではあるが、一般家庭にも普及しつつある。しかし、太陽光によるエネルギー供給は季節や、気候の変動により一定しないという欠点があり、この変動を平滑化することが課題である。この課題を解決するための方法のひとつとして、太陽から得たエネルギーを別の物質、例えば液体燃料や、水素等のガスに変換して、保存するという方法が考えられている。 In recent years, the use of renewable energy, which is friendly to the environment and has an inexhaustible energy supply, has attracted attention due to concerns about global warming associated with the use of fossil fuels and the depletion of fossil fuel resources themselves. Has been done. Renewable energies include sunlight, wind power, hydropower, geothermal heat, etc., and technologies for generating electric power using these energies have been put into practical use. In particular, sunlight is an energy source that can be obtained anywhere on the ground, and solar cells that generate electricity from sunlight are installed in various parts of the world, and nowadays, although they are still few, they are spreading to ordinary households. However, there is a drawback that the energy supply by sunlight is not constant due to seasonal and climate fluctuations, and it is a problem to smooth this fluctuation. As one method for solving this problem, a method of converting energy obtained from the sun into another substance, for example, liquid fuel, gas such as hydrogen, and the like is conceived.
これらの太陽光エネルギーからの変換物質の中でも水素は燃やすと水が出来るだけで、地球温暖化の原因となる二酸化炭素や有害な窒素酸化物などを排出しない為、将来のエネルギーとして期待されている。水素ガス生成については、メタン等の化石燃料から生成する方法と水を電気分解して生成する方法が試みられているが、CO2の排出を伴わない後者が最終的な手段であり、中でも安定的かつ地域普遍的な手段としては太陽光発電を利用した水の電気分解による水素ガス生成がもっとも確実な手段であると言われている。これにより太陽光エネルギーは化学的なエネルギーとして貯蔵出来ることとなり、太陽光エネルギーの利用範囲を大きく広げることになる。 Among these conversion materials from solar energy, hydrogen is expected to be a future energy because it only produces water when burned, and does not emit carbon dioxide or harmful nitrogen oxides that cause global warming. . As for hydrogen gas generation, a method of generating from fossil fuel such as methane and a method of generating water by electrolysis are tried, but the latter without CO 2 emission is the final means, and among them stable It is said that hydrogen gas generation by electrolysis of water using solar power generation is the most reliable means as a general and regional universal means. As a result, solar energy can be stored as chemical energy, and the range of use of solar energy is greatly expanded.
なお、太陽光エネルギーからより直接的に水素を生成する方法として光触媒(本多藤島効果)による水素ガス生成も研究されているが、現在まだ太陽エネルギーのわずか3%程度を占めるに過ぎない紫外線領域の光しか利用できない等の問題があり実用化の目処は立っていない。その他原子力を利用した水の熱分解による水素の生成やバイオマスを利用した水素ガス生成が試みられているが、まだ研究段階である。 In addition, hydrogen gas generation by photocatalyst (Honda Fujishima effect) has been studied as a method of generating hydrogen more directly from solar energy, but the ultraviolet region that currently accounts for only about 3% of solar energy. However, there is a problem that only the light can be used. Other attempts have been made to generate hydrogen by thermal decomposition of water using nuclear power or hydrogen gas using biomass, but it is still in the research stage.
従来、太陽光を利用した水電解システムには例えば特許文献1に示されるようなものがある。この水電解システムは光電変換半導電体に光触媒の層を積層した光電気化学セルを鉛直に設置し、光を照射することで直接水分解をすることを可能としている。また、特許文献2においては導電体上にp型半導体とn型半導体を積層し、絶縁部材で隔てて同一面上に前記半導体を逆順に積層することにより、水素、酸素をともに非受光面側で生成することが可能であることが示されている。他にも、特許文献3に示されるようなものがある。この水電解システムは光触媒層と対極がイオン伝導膜を介して設けられている。また、水電解セルの外壁に流通孔を設け、前記流通孔を介して隣接する水電解セル同士で電解液が流通可能となるように構成され、隣接する水電解セル同士の電気的導通を防止するようしている。この水分解セルを傾けた状態で設置し、光を照射することにより水を分解している。また、水分解セルを傾けた状態で設置することにより、太陽光の利用効率を高くしている。
Conventionally, there is a water electrolysis system using sunlight as shown in Patent Document 1, for example. In this water electrolysis system, a photoelectrochemical cell in which a layer of a photocatalyst is laminated on a photoelectric conversion semiconductor is installed vertically, and water can be directly decomposed by irradiating light. In
しかし、従来の水分解システムでは、水分解反応面が鉛直な面に設置した場合、発生した気体は気泡として浮上しにくく、水分解反応面に滞留しやすい。また、太陽光の利用効率を高くするために、水分解反応面を斜めに設置した場合、受光面側の水分解反応面で発生した気体は、気泡として浮上しやすく、水分解反応面に滞留しにくいが、受光面の反対側の水分解反応面では、発生した気体が気泡として浮上しにくく、発生した気体が滞留しやすい。このため、水と接触する水分解反応面の面積が減少し、水分解効率を低下させている。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、電解液から発生させた気体の反応面における滞留を抑制することができ、気体生成効率の高い気体製造装置を提供する。
However, in the conventional water splitting system, when the water splitting reaction surface is installed on a vertical surface, the generated gas is unlikely to rise as bubbles and is likely to stay on the water splitting reaction surface. In addition, when the water splitting reaction surface is installed obliquely in order to increase the use efficiency of sunlight, the gas generated on the water splitting reaction surface on the light receiving surface side tends to float as bubbles and stays on the water splitting reaction surface. However, on the water splitting reaction surface on the opposite side of the light receiving surface, the generated gas is unlikely to rise as bubbles, and the generated gas tends to stay. For this reason, the area of the water splitting reaction surface in contact with water is reduced, and the water splitting efficiency is lowered.
The present invention has been made in view of such circumstances, and provides a gas production apparatus that can suppress the retention of gas generated from an electrolyte solution on the reaction surface and has high gas generation efficiency.
本発明は、受光面および裏面を有する光電変換部と、前記裏面と電気的に接続しかつ前記光電変換部が受光することにより生じる起電力を用いて電解液から第1気体を発生させる第1気体発生部と、前記受光面と電気的に接続しかつ前記光電変換部が受光することにより生じる起電力を用いて電解液から第2気体を発生させる第2気体発生部と、気体流路と、気体排出口とを備え、前記気体流路は、第1気体発生部および第2気体発生部のうち少なくとも一方と前記光電変換部の裏面との間に設けられ、前記気体流路は、第1気体または第2気体を前記気体排出口へと導通させることを特徴とする気体製造装置を提供する。 The present invention provides a photoelectric conversion unit having a light receiving surface and a back surface, and a first gas that is electrically connected to the back surface and generates an first gas from an electrolyte using an electromotive force generated when the photoelectric conversion unit receives light. A gas generator, a second gas generator that is electrically connected to the light receiving surface, and generates a second gas from the electrolyte using an electromotive force generated by the photoelectric conversion unit receiving light; and a gas flow path; The gas flow path is provided between at least one of the first gas generation unit and the second gas generation unit and the back surface of the photoelectric conversion unit, A gas production apparatus is provided, wherein one gas or a second gas is conducted to the gas discharge port.
本発明によれば、前記気体流路は、第1気体発生部および第2気体発生部のうち少なくとも一方と前記光電変換部の裏面との間に設けられ、前記気体流路は、第1気体または第2気体を前記気体排出口へと導通させるため、第1気体の第1気体発生部の表面での滞留または第2気体の第2気体発生部の表面での滞留を抑制することができる。また、第1気体または第2気体を気体排出口から迅速に排出することができ、回収することができる。つまり、本発明の気体製造装置を斜め設置した場合、受光面の反対側の第1気体発生部または第2気体発生部において電解液から発生させた第1気体または第2気体は、その浮力により浮上する。この浮力により第1気体または第2気体は、気体流路に流入することができ、第1気体または第2気体は、気体流路を導通し、気体排出口から回収することができる。このため、第1気体が第1気体発生部の表面に滞留することまたは第2気体が第2気体発生部の表面に滞留することを抑制することができ、電解液を効率よく分解し第1気体または第2気体を発生させることができる。また、発生させた第1気体または第2気体を迅速に回収することができ、光の照射から生成気体回収までの応答性をよくすることができる。
本発明によれば、第1気体流路を設けることにより気体の滞留を抑制することができるため、電解液を対流させるための付加装置や装置全体を振動させるための付加装置を取り付ける必要がなく、気体製造装置を小型化することができる。
According to the present invention, the gas flow path is provided between at least one of the first gas generation part and the second gas generation part and the back surface of the photoelectric conversion part, and the gas flow path is a first gas. Alternatively, since the second gas is conducted to the gas discharge port, the retention of the first gas on the surface of the first gas generation unit or the retention of the second gas on the surface of the second gas generation unit can be suppressed. . Further, the first gas or the second gas can be quickly discharged from the gas discharge port and can be recovered. That is, when the gas production apparatus of the present invention is installed obliquely, the first gas or the second gas generated from the electrolyte in the first gas generation part or the second gas generation part on the opposite side of the light receiving surface is caused by the buoyancy. Surface. By this buoyancy, the first gas or the second gas can flow into the gas flow path, and the first gas or the second gas can be conducted through the gas flow path and recovered from the gas discharge port. For this reason, it can suppress that 1st gas stagnates on the surface of a 1st gas generation part, or 2nd gas stagnates on the surface of a 2nd gas generation part, and decomposes | disassembles electrolyte solution efficiently and is 1st. A gas or a second gas can be generated. Further, the generated first gas or second gas can be quickly recovered, and the responsiveness from light irradiation to product gas recovery can be improved.
According to the present invention, since the retention of gas can be suppressed by providing the first gas flow path, there is no need to attach an additional device for convection of the electrolytic solution or an additional device for vibrating the entire device. The gas production apparatus can be reduced in size.
本発明の気体製造装置は、受光面および裏面を有する光電変換部と、前記裏面と電気的に接続しかつ前記光電変換部が受光することにより生じる起電力を用いて電解液から第1気体を発生させる第1気体発生部と、前記受光面と電気的に接続しかつ前記光電変換部が受光することにより生じる起電力を用いて電解液から第2気体を発生させる第2気体発生部と、気体流路と、気体排出口とを備え、前記気体流路は、第1気体発生部および第2気体発生部のうち少なくとも一方と前記光電変換部の裏面との間に設けられ、前記気体流路は、第1気体または第2気体を前記気体排出口へと導通させることを特徴とする。 The gas production apparatus of the present invention is configured to remove a first gas from an electrolyte solution using a photoelectric conversion unit having a light receiving surface and a back surface, and an electromotive force that is electrically connected to the back surface and received by the photoelectric conversion unit. A first gas generating unit to be generated, a second gas generating unit that is electrically connected to the light receiving surface and generates a second gas from the electrolytic solution using an electromotive force generated by the photoelectric conversion unit receiving light, A gas flow path and a gas discharge port, wherein the gas flow path is provided between at least one of the first gas generation unit and the second gas generation unit and the back surface of the photoelectric conversion unit, and the gas flow The path is characterized in that the first gas or the second gas is conducted to the gas outlet.
気体製造装置とは、電解液から第1気体および第2気体を製造することができる装置である。
光電変換部とは、光を受光し起電力が生じる部分である。
受光面とは、光が入射する光電変換部の面である。
裏面とは、受光面の裏の面である。
A gas production apparatus is an apparatus that can produce a first gas and a second gas from an electrolytic solution.
The photoelectric conversion part is a part that receives light and generates an electromotive force.
The light receiving surface is a surface of the photoelectric conversion unit on which light is incident.
The back surface is the back surface of the light receiving surface.
本発明の気体製造装置において、第1導電部をさらに備え、第1気体発生部および第2気体発生部は、前記光電変換部の裏面上に設けられ、前記気体流路は、第1気体発生部と前記裏面との間および第2気体発生部と前記裏面との間にそれぞれ設けられ、第2気体発生部は、第1導電部を介して前記受光面と電気的に接続することが好ましい。
このような構成によれば、受光面に電解液を介さず光を入射させることができ、電解液による入射光の吸収や入射光の散乱を防止することができる。このことにより、光電変換部へ入射光の量を多くすることができ、光利用効率を高くすることができる。また、受光面に入射する光が、第1気体発生部、第2気体発生部、第1気体および第2気体により吸収や散乱されることはない。このことにより、光電変換部へ入射光の量を多くすることができ、光利用効率を高くすることができる。
本発明の気体製造装置において、絶縁部をさらに備え、第2気体発生部は、絶縁部を介して前記光電変換部の裏面上に設けられることが好ましい。
このような構成によれば、このような構成によれば、第2気体発生部と光電変換部の裏面との間にリーク電流が流れることを防止することができる。
The gas manufacturing apparatus of the present invention further includes a first conductive unit, the first gas generation unit and the second gas generation unit are provided on the back surface of the photoelectric conversion unit, and the gas flow path is configured to generate the first gas. It is preferable that the second gas generation unit is electrically connected to the light receiving surface via the first conductive unit, and the second gas generation unit is provided between the back surface and the second gas generation unit. .
According to such a configuration, light can be incident on the light receiving surface without using the electrolytic solution, and absorption of incident light and scattering of incident light by the electrolytic solution can be prevented. As a result, the amount of incident light to the photoelectric conversion unit can be increased, and the light use efficiency can be increased. In addition, light incident on the light receiving surface is not absorbed or scattered by the first gas generation unit, the second gas generation unit, the first gas, and the second gas. As a result, the amount of incident light to the photoelectric conversion unit can be increased, and the light use efficiency can be increased.
In the gas manufacturing apparatus of the present invention, it is preferable that an insulating part is further provided, and the second gas generating part is provided on the back surface of the photoelectric conversion part via the insulating part.
According to such a configuration, according to such a configuration, it is possible to prevent a leak current from flowing between the second gas generation unit and the back surface of the photoelectric conversion unit.
本発明の気体製造装置において、第1導電部は、前記光電変換部の受光面に接触する第1電極と、第1電極および第2気体発生部にそれぞれ接触する第2導電部とを含むことが好ましい。
このような構成によれば、光電変換部の受光面と第2気体発生部を電気的に接続させることができ、より効率的に第2気体を発生させることができる。
本発明の気体製造装置において、光電変換部は、裏面から受光面へ貫通する第1コンタクトホールを有し、第2導電部は、前記光電変換部を貫通する第1コンタクトホールに設けられることが好ましい。
このような構成によれば、第1電極と第2気体発生部を電気的に接続させることができ、第2導電部を設けたことによる光電変換部の受光面の面積の減少を少なくすることができる。
In the gas manufacturing apparatus of the present invention, the first conductive part includes a first electrode that contacts the light receiving surface of the photoelectric conversion part, and a second conductive part that contacts the first electrode and the second gas generation part, respectively. Is preferred.
According to such a configuration, the light receiving surface of the photoelectric conversion unit and the second gas generation unit can be electrically connected, and the second gas can be generated more efficiently.
In the gas manufacturing apparatus of the present invention, the photoelectric conversion unit may have a first contact hole that penetrates from the back surface to the light receiving surface, and the second conductive unit may be provided in the first contact hole that penetrates the photoelectric conversion unit. preferable.
According to such a configuration, the first electrode and the second gas generation unit can be electrically connected, and the reduction in the area of the light receiving surface of the photoelectric conversion unit due to the provision of the second conductive unit is reduced. Can do.
本発明の気体製造装置において、透光性基板をさらに備え、前記光電変換部は、透光性基板の上に設けられることが好ましい。
このような構成によれば、基板上に形成する必要がある光電変換部を本発明の気体製造装置に適用することができる。また、本発明の気体製造装置を取り扱いやすくすることができる。
本発明の気体製造装置において、気体支流路をさらに備えることが好ましく、気体支流路は、第1気体発生部および第2気体発生部のうちどちら一方により形成され、かつ、気体流路に繋がり、気体支流路は、第1気体または第2気体を気体流路へ導通させることが好ましい。
このような構成によれば、第1気体発生部で発生させた第1気体または第2気体発生部で発生させた第2気体を気体支流路を導通させ、気体流路に流入させることができる。その結果、第1気体の第1気体発生部の表面での滞留または第2気体の第2気体発生部の表面での滞留を抑制することができ、電解液を効率よく分解し第1気体および第2気体を発生させることができる。また、第1気体発生部または第2気体発生部が金属板などの気体を透過させない材料により構成された場合でも第1気体または第2気体を気体流路に流入させることができ、第1気体または第2気体の滞留を抑制することができる。
In the gas production apparatus of the present invention, it is preferable that the gas production apparatus further includes a translucent substrate, and the photoelectric conversion unit is provided on the translucent substrate.
According to such a structure, the photoelectric conversion part which needs to be formed on a board | substrate is applicable to the gas manufacturing apparatus of this invention. Moreover, the gas manufacturing apparatus of this invention can be made easy to handle.
In the gas manufacturing apparatus of the present invention, it is preferable to further include a gas branch channel, the gas branch channel is formed by either one of the first gas generation unit and the second gas generation unit, and is connected to the gas channel, It is preferable that the gas branch channel conducts the first gas or the second gas to the gas channel.
According to such a configuration, the first gas generated by the first gas generation unit or the second gas generated by the second gas generation unit can be made to flow through the gas branch channel and flow into the gas channel. . As a result, the retention of the first gas on the surface of the first gas generation part or the retention of the second gas on the surface of the second gas generation part can be suppressed, and the electrolytic solution is efficiently decomposed and the first gas and A second gas can be generated. In addition, even when the first gas generation unit or the second gas generation unit is made of a material that does not transmit gas such as a metal plate, the first gas or the second gas can flow into the gas flow path. Alternatively, the retention of the second gas can be suppressed.
本発明の気体製造装置において、第1気体発生部または第2気体発生部は複数であり、気体支流路は、隣接する2つの第1気体発生部の間または隣接する2つの第2気体発生部の間に設けられることが好ましい。
このような構成によれば、隣接する2つの第1気体発生部を形成することまたは隣接する2つの第2気体発生部を形成することでその間に気体支流路を容易に形成することができる。または、1つの第1気体発生部または1つの第2気体発生部を形成し、分割溝を形成することにより、容易に気体支流路を形成することができる。
本発明の気体製造装置において、気体支流路は、両端に第1開口と第2開口とを有し、第1開口は、第1気体発生部および第2気体発生部のうちどちらか一方の気体流路側の面に設けられ、第2開口は、第1開口が設けられた面と反対側の面に設けられ、第2開口は、高さの異なる第1縁部および第2縁部を有し、第1縁部は、第2縁部より高い第2開口の縁であり、かつ、第1気体または第2気体を気体支流路に流入させることが好ましい。
このような構成によれば、気体支流路が第1開口と第2開口を有するため、第1気体発生部または第2気体発生部の気体流路側の面と反対側の面付近で発生させた第1気体または第2気体も気体支流路を導通させ、気体流路に流入させることができる。また、第2開口は、高さの異なる第1縁部および第2縁部を有し、第1縁部は第2縁部より高い第2開口の縁であるため、第1気体発生部または第2気体発生部の気体流路側の面と反対側の面付近で発生させた第1気体または第2気体が気体支流路により流入しやすくなる。このことにより第1気体または第2気体の滞留を抑制することができ、電解液の分解効率を高くすることができる。
In the gas manufacturing apparatus of the present invention, there are a plurality of first gas generation units or second gas generation units, and the gas branch channel is between two adjacent first gas generation units or two adjacent second gas generation units. It is preferable to be provided between.
According to such a configuration, it is possible to easily form a gas branch channel between two adjacent first gas generating portions or by forming two adjacent second gas generating portions. Alternatively, the gas branch channel can be easily formed by forming one first gas generating part or one second gas generating part and forming the dividing groove.
In the gas manufacturing apparatus of the present invention, the gas branch channel has a first opening and a second opening at both ends, and the first opening is one of the first gas generation part and the second gas generation part. The second opening is provided on a surface opposite to the surface provided with the first opening, and the second opening has a first edge and a second edge having different heights. And it is preferable that a 1st edge is an edge of 2nd opening higher than a 2nd edge, and makes 1st gas or 2nd gas flow in into a gas branch flow path.
According to such a configuration, since the gas branch channel has the first opening and the second opening, the gas branch channel is generated in the vicinity of the surface opposite to the gas channel side surface of the first gas generation unit or the second gas generation unit. The first gas or the second gas can also be caused to flow through the gas flow path through the gas branch flow path. The second opening has a first edge and a second edge having different heights, and the first edge is an edge of the second opening that is higher than the second edge. The first gas or the second gas generated in the vicinity of the surface on the opposite side of the surface on the gas flow path of the second gas generating portion is likely to flow in through the gas branch flow path. As a result, the retention of the first gas or the second gas can be suppressed, and the decomposition efficiency of the electrolytic solution can be increased.
本発明の気体製造装置において、第1気体および第2気体のうち一方は、H2であり、他方は、O2であることが好ましい。
このような構成によれば、電解液に含まれる水を分解し、燃料となるH2を製造することができる。
本発明の気体製造装置において、前記気体流路は、前記光電変換部の裏面に沿うように設けられることが好ましい。
このような構成によれば、気体流路に第1気体または第2気体を流入しやすくすることができ、第1気体または第2気体を気体排出口から回収しやすくすることができる。
In the gas production apparatus of the present invention, one of the first gas and the second gas is preferably H 2 and the other is preferably O 2 .
According to such a configuration, it is possible to degrade the water contained in the electrolytic solution, to produce and H 2 as a fuel.
In the gas manufacturing apparatus of the present invention, it is preferable that the gas flow path is provided along the back surface of the photoelectric conversion unit.
According to such a configuration, the first gas or the second gas can be easily flown into the gas flow path, and the first gas or the second gas can be easily recovered from the gas discharge port.
本発明の気体製造装置において、電解液チェンバーをさらに備え、第1気体発生部および第2気体発生部のうち少なくとも一方は、前記光電変換部の裏面と前記電解液チェンバーとの間に設けられ、かつ、電解液に浸漬可能であることが好ましい。
このような構成によれば、第1気体発生部または第2気体発生部を電解液に浸漬することができ、第1気体発生部または第2気体発生部において、電解液から第1気体または第2気体を発生させることができる。
The gas production apparatus of the present invention further includes an electrolyte chamber, and at least one of the first gas generation unit and the second gas generation unit is provided between the back surface of the photoelectric conversion unit and the electrolyte chamber, And it is preferable that it can be immersed in electrolyte solution.
According to such a configuration, the first gas generation unit or the second gas generation unit can be immersed in the electrolytic solution, and in the first gas generation unit or the second gas generation unit, the first gas or the second gas is generated from the electrolytic solution. Two gases can be generated.
本発明の気体製造装置において、前記気体流路は、第1気体および第2気体のいずれか1つがその浮力により流入することができるように設けられることが好ましい。
このような構成によれば、第1気体または第2気体を気体流路に流入させることができ、第1気体の第1気体発生部の表面での滞留または第2気体の第2気体発生部の表面での滞留を抑制することができる。
In the gas manufacturing apparatus of the present invention, it is preferable that the gas flow path is provided so that any one of the first gas and the second gas can flow in by buoyancy.
According to such a configuration, the first gas or the second gas can flow into the gas flow path, and the first gas stays on the surface of the first gas generation unit or the second gas generation unit of the second gas. It is possible to suppress the retention on the surface.
本発明の気体製造装置において、第1気体発生部および第2気体発生部のうち少なくとも一方と前記光電変換部との間に気体導通部をさらに備えることが好ましく、前記気体導通部は、気体流路を有することが好ましい。
このような構成によれば、気体流路を容易に設けることができる。
本発明の気体製造装置において、前記気体導通部は、多孔性材料から形成されることが好ましい。
このような構成によれば、多孔性材料が有する孔を気体流路とすることができる。
本発明の気体製造装置において、前記気体導通部は、疎水性の表面を有することが好ましい。
このような構成によれば、第1気体または第2気体の滞留を抑制することができ、電解液の分解効率を高くすることができる。
In the gas manufacturing apparatus of the present invention, it is preferable that a gas conduction part is further provided between at least one of the first gas generation part and the second gas generation part and the photoelectric conversion part. It is preferable to have a path.
According to such a configuration, the gas flow path can be easily provided.
In the gas manufacturing apparatus of the present invention, it is preferable that the gas conduction part is formed of a porous material.
According to such a structure, the hole which a porous material has can be made into a gas flow path.
In the gas manufacturing apparatus of the present invention, it is preferable that the gas conduction part has a hydrophobic surface.
According to such a configuration, the stagnation of the first gas or the second gas can be suppressed, and the decomposition efficiency of the electrolytic solution can be increased.
本発明の気体製造装置において、前記気体導通部は、超疎水性多孔質膜から形成されることが好ましい。
このような構成によれば、疎水性多孔質膜が有する電解液が流入しない孔を気体流路とすることができる。この電解液が満たされていない孔を気体流路とすることにより、第1気体または第2気体を気泡ではない状態で気体流路を迅速に導通させることができる。その結果、第1気体または第2気体の滞留を抑制することができ、電解液の分解効率を高くすることができる。また、このことにより、光電変換部への光の照射から第1気体および第2気体を回収するための時間を短縮することができ応答性をよくすることができ、第1気体および第2気体の回収効率を向上させることができる。
本発明の気体製造装置において、第1気体発生部および第2気体発生部は、前記裏面上に設けられ、前記気体導通部は、前記裏面と第1気体発生部および第2気体発生部との間に設けられ、かつ、前記電解液に対する耐食性および遮液性を有することが好ましい。
このような構成によれば、光電変換部と電解液とを気体導通部により分離することができ、光電変換部が電解液と接触することを防止することができる。このことにより、例えば、光電変換部が電解液により腐食されることを防止することができ、また、光電変換部への電解液の流入などによる光電変換効率の低下を防止することができる。
In the gas production apparatus of the present invention, it is preferable that the gas conduction part is formed of a superhydrophobic porous film.
According to such a structure, the hole which the electrolyte solution which a hydrophobic porous membrane has does not flow in can be made into a gas flow path. By using the hole not filled with the electrolytic solution as a gas flow path, the gas flow path can be quickly conducted in a state where the first gas or the second gas is not a bubble. As a result, the retention of the first gas or the second gas can be suppressed, and the decomposition efficiency of the electrolytic solution can be increased. In addition, this makes it possible to shorten the time for recovering the first gas and the second gas from the irradiation of light to the photoelectric conversion unit, improve the responsiveness, and the first gas and the second gas. The recovery efficiency can be improved.
In the gas manufacturing apparatus of the present invention, the first gas generation unit and the second gas generation unit are provided on the back surface, and the gas conduction unit includes the back surface, the first gas generation unit, and the second gas generation unit. It is preferably provided between and having corrosion resistance and liquid shielding properties against the electrolytic solution.
According to such a structure, a photoelectric conversion part and electrolyte solution can be isolate | separated by a gas conduction | electrical_connection part, and it can prevent that a photoelectric conversion part contacts an electrolyte solution. Accordingly, for example, the photoelectric conversion unit can be prevented from being corroded by the electrolytic solution, and a decrease in photoelectric conversion efficiency due to the inflow of the electrolytic solution to the photoelectric conversion unit can be prevented.
本発明の気体製造装置において、前記気体導通部は、前記光電変換部を覆うように設けられることが好ましい。
このような構成によれば、光電変換部と電解液とを気体導通部により分離することができる。
本発明の気体製造装置において、前記気体導通部は、導電性を有することが好ましい。
このような構成によれば、第1気体発生部と光電変換部の裏面とをほぼ同じ電位とすることができ、または、第2気体発生部と光電変換部の受光面とをほぼ同じ電位にすることができる。このことにより、電解液の分解効率を高くすることができる。
In the gas manufacturing apparatus of the present invention, it is preferable that the gas conduction part is provided so as to cover the photoelectric conversion part.
According to such a structure, a photoelectric conversion part and electrolyte solution can be isolate | separated by a gas conduction | electrical_connection part.
In the gas manufacturing apparatus of the present invention, it is preferable that the gas conduction part has conductivity.
According to such a configuration, the first gas generation unit and the back surface of the photoelectric conversion unit can be set to substantially the same potential, or the second gas generation unit and the light receiving surface of the photoelectric conversion unit are set to substantially the same potential. can do. Thereby, the decomposition efficiency of the electrolytic solution can be increased.
本発明の気体製造装置において、第1気体発生部および第2気体発生部は、前記裏面上に設けられ、前記裏面と第1気体発生部とを電気的に接続する第3導電部をさらに備え、前記気体導通部は、前記裏面と第1気体発生部との間に設けられ、かつ、前記気体導通部を貫通する第2コンタクトホールを有し、第3導電部は、第2コンタクトホールに設けられることが好ましい。
このような構成によれば、気体導通部に絶縁体や半導体をもちいた場合でも、光電変換部の裏面と第1気体発生部とをほぼ同じ電位にすることができ、電解液の分解効率を高くすることができる。
本発明の気体製造装置において、前記光電変換部は、p型半導体層、i型半導体層およびn型半導体層からなる光電変換層を有することが好ましい。
このような構成によれば、光電変換部がpin構造を有することができ、効率よく光電変換をすることができる。また、光電変換部で生じる起電力をより大きくすることができ、電解液をより効率的に電気分解することができる。
In the gas manufacturing apparatus of the present invention, the first gas generation unit and the second gas generation unit further include a third conductive unit that is provided on the back surface and electrically connects the back surface and the first gas generation unit. The gas conduction part is provided between the back surface and the first gas generation part, and has a second contact hole penetrating the gas conduction part, and the third conduction part is a second contact hole. It is preferable to be provided.
According to such a configuration, even when an insulator or a semiconductor is used for the gas conduction part, the back surface of the photoelectric conversion part and the first gas generation part can be set to substantially the same potential, and the decomposition efficiency of the electrolytic solution can be improved. Can be high.
In the gas production apparatus of the present invention, it is preferable that the photoelectric conversion unit has a photoelectric conversion layer including a p-type semiconductor layer, an i-type semiconductor layer, and an n-type semiconductor layer.
According to such a configuration, the photoelectric conversion unit can have a pin structure, and photoelectric conversion can be performed efficiently. Moreover, the electromotive force generated in the photoelectric conversion unit can be increased, and the electrolytic solution can be electrolyzed more efficiently.
本発明の気体製造装置において、第1気体発生部および第2気体発生部のうち、一方は、電解液からH2を発生させる水素発生部であり、他方は、電解液からO2を発生させる酸素発生部であり、前記水素発生部および前記酸素発生部は、それぞれ電解液からH2が発生する反応の触媒および電解液からO2が発生する反応の触媒を含むことが好ましい。
このような構成によれば、第1気体発生部および第2気体発生部のうちの一方である水素発生部における電解液からH2が発生する反応の反応速度を増大させることができ、第1気体発生部および第2気体発生部のうちの他方である酸素発生部における電解液からO2が発生する反応の反応速度を増大させることができる。このことにより、光電変換部で生じた起電力により、より効率的にH2を製造することができ、光の利用効率を向上させることができる。
本発明の気体製造装置において、前記水素発生部および前記酸素発生部のうち少なくとも一方は、触媒が担持された多孔質の導電体であることが好ましい。
このような構成によれば、このような構成によれば、第1気体発生部および第2気体発生部のうち少なくとも一方の触媒表面積を大きくすることができ、より効率的に酸素または水素を発生させることができる。また、多孔質の導電体を用いることにより、光電変換部と触媒との間の電流が流れることによる電位の変化を抑制することができ、より効率的に水素または酸素を発生させることができる。また、触媒表面で発生させた水素または酸素を水素発生部または酸素発生部が有する孔を導通させて気体流路に流入させることができる。このことにより、水素発生部における水素の滞留または酸素発生部での酸素の滞留を抑制することができる。
In the gas production apparatus of the present invention, one of the first gas generation unit and the second gas generation unit is a hydrogen generation unit that generates H 2 from the electrolytic solution, and the other generates O 2 from the electrolytic solution. It is an oxygen generation part, and it is preferable that the hydrogen generation part and the oxygen generation part include a catalyst for a reaction for generating H 2 from the electrolytic solution and a catalyst for a reaction for generating O 2 from the electrolytic solution, respectively.
According to such a configuration, it is possible to increase the reaction rate of the reaction in which H 2 is generated from the electrolytic solution in the hydrogen generation unit that is one of the first gas generation unit and the second gas generation unit. It is possible to increase the reaction rate of the reaction in which O 2 is generated from the electrolytic solution in the oxygen generation unit which is the other of the gas generation unit and the second gas generation unit. Thus, H 2 can be more efficiently produced by the electromotive force generated in the photoelectric conversion unit, and the light utilization efficiency can be improved.
In the gas production apparatus of the present invention, it is preferable that at least one of the hydrogen generation part and the oxygen generation part is a porous conductor carrying a catalyst.
According to such a configuration, according to such a configuration, the catalyst surface area of at least one of the first gas generation unit and the second gas generation unit can be increased, and oxygen or hydrogen is generated more efficiently. Can be made. In addition, by using a porous conductor, a change in potential due to a current flowing between the photoelectric conversion unit and the catalyst can be suppressed, and hydrogen or oxygen can be generated more efficiently. Further, hydrogen or oxygen generated on the catalyst surface can be made to flow through the gas flow path through the hydrogen generation part or the hole of the oxygen generation part. Thereby, the retention of hydrogen in the hydrogen generation part or the retention of oxygen in the oxygen generation part can be suppressed.
本発明の気体製造装置において、前記水素発生部および前記酸素発生部は、親水性の表面を有することが好ましい。
このような構成によれば、水素発生部および酸素発生部と電解液との接触面積を広くすることができ、電解液をより効率的に分解することができる。また、このような構成によれば、水素発生部および酸素発生部でそれぞれ発生させた水素および酸素を気泡の状態で長時間滞留することを抑制することができ、気体流路への水素及び酸素の送達効率を向上させることができる。
本発明の気体製造装置において、第1気体発生部および第2気体発生部は、前記光電変換部の裏面上に設けられ、前記光電変換部は、透光性基板の上に設けられ、第1気体発生部および第2気体発生部の上に前記透光性基板に対向する天板をさらに備え、第1気体発生部と前記天板との間および第2気体発生部と前記天板との間にそれぞれ電解液チェンバーが設けられることが好ましい。
このような構成によれば、第1気体発生部および第2気体発生部と前記天板との間の電解液チェンバーに電解液を導入することができ、第1気体発生部および第2気体発生部において電解液からより効率的に第1気体および第2気体を発生させることができる。
In the gas production apparatus of the present invention, it is preferable that the hydrogen generation unit and the oxygen generation unit have a hydrophilic surface.
According to such a configuration, the contact area between the hydrogen generator and the oxygen generator and the electrolytic solution can be widened, and the electrolytic solution can be decomposed more efficiently. In addition, according to such a configuration, it is possible to suppress the hydrogen and oxygen generated in the hydrogen generation unit and the oxygen generation unit from staying in the state of bubbles for a long time, and the hydrogen and oxygen to the gas flow path can be suppressed. The delivery efficiency of can be improved.
In the gas production apparatus of the present invention, the first gas generation unit and the second gas generation unit are provided on the back surface of the photoelectric conversion unit, and the photoelectric conversion unit is provided on the translucent substrate, A top plate facing the translucent substrate is further provided on the gas generating unit and the second gas generating unit, and between the first gas generating unit and the top plate and between the second gas generating unit and the top plate. It is preferable that an electrolyte chamber is provided between each.
According to such a configuration, the electrolyte can be introduced into the electrolyte chamber between the first gas generator and the second gas generator and the top plate, and the first gas generator and the second gas generator. The first gas and the second gas can be more efficiently generated from the electrolytic solution in the part.
本発明の気体製造装置において、第1気体発生部と前記天板との間の電解液チェンバーおよび第2気体発生部と天板との間の電解液チェンバーとを仕切る隔壁をさらに備えることが好ましい。
このような構成によれば、第1気体発生部および第2気体発生部でそれぞれ発生した第1気体および第2気体を分離することができ、第1気体および第2気体をより効率的に回収することができる。
本発明の気体製造装置において、前記隔壁は、イオン交換体を含むことが好ましい。
このような構成によれば、第1気体発生部の上部の空間に導入された電解液と第2気体発生部の上部の空間に導入された電解液との間のプロトン濃度の不均衡を解消することができ、安定して第1気体および第2気体を発生させることができる。
In the gas manufacturing apparatus of the present invention, it is preferable that the apparatus further includes a partition that partitions the electrolyte chamber between the first gas generator and the top plate and the electrolyte chamber between the second gas generator and the top plate. .
According to such a configuration, the first gas and the second gas generated in the first gas generation unit and the second gas generation unit can be separated, and the first gas and the second gas can be recovered more efficiently. can do.
In the gas production apparatus of the present invention, the partition preferably includes an ion exchanger.
According to such a configuration, the proton concentration imbalance between the electrolyte introduced into the space above the first gas generator and the electrolyte introduced into the space above the second gas generator is eliminated. The first gas and the second gas can be generated stably.
さらに本発明では、本発明の気体製造装置を前記受光面が水平面に対し傾斜するように設置し、前記気体製造装置の下部から前記気体製造装置に電解液を導入し、太陽光を前記受光面に入射させることにより第1気体発生部および第2気体発生部からそれぞれ第1気体および第2気体を発生させ、前記気体製造装置の上部から第1気体および第2気体を排出する気体製造方法も提供する。
本発明の気体製造方法によれば、太陽光を利用して、低コストで第1気体および第2気体を製造することができる。また、気体製造装置を前記受光面が水平面に対し傾斜するように設置することにより、高効率で太陽光を利用し電解液を分解をさせることができ、また、気体製造装置を建造物の傾斜の付いた屋根等に設置することができる。
Further, in the present invention, the gas production apparatus of the present invention is installed so that the light receiving surface is inclined with respect to a horizontal plane, an electrolyte is introduced into the gas production apparatus from a lower part of the gas production apparatus, and sunlight is received by the light receiving surface. And a gas production method for generating the first gas and the second gas from the first gas generation unit and the second gas generation unit, respectively, and discharging the first gas and the second gas from the upper part of the gas production apparatus. provide.
According to the gas production method of the present invention, the first gas and the second gas can be produced at low cost using sunlight. In addition, by installing the gas production apparatus so that the light receiving surface is inclined with respect to the horizontal plane, it is possible to decompose the electrolyte using sunlight with high efficiency. It can be installed on a roof with a mark.
以下、本発明の一実施形態を図面を用いて説明する。図面や以下の記述中で示す構成は、例示であって、本発明の範囲は、図面や以下の記述中で示すものに限定されない。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The configurations shown in the drawings and the following description are merely examples, and the scope of the present invention is not limited to those shown in the drawings and the following description.
気体製造装置の構成
図1は、本発明の一実施形態の気体製造装置の概略平面図である。なお、透光性基板は省略している。図2は、本発明の一実施形態の気体製造装置の概略裏面図である。なお、外箱の底板は省略している。図3〜6は、それぞれ本発明の一実施形態の気体製造装置の概略断面図であり、図1に示した気体製造装置の点線A−Aの断面図に対応している。図7は、本発明の一実施形態の気体製造装置の概略断面図であり、図1に示した気体製造装置の点線C−Cの断面図に対応している。図8は、図7の点線で囲んだ範囲Dの拡大図である。図9は、本発明の一実施形態の気体製造装置の概略断面図である。
Configuration of Gas Production Apparatus FIG. 1 is a schematic plan view of a gas production apparatus according to an embodiment of the present invention. Note that the translucent substrate is omitted. FIG. 2 is a schematic back view of the gas production apparatus according to the embodiment of the present invention. The bottom plate of the outer box is omitted. FIGS. 3-6 is a schematic sectional drawing of the gas manufacturing apparatus of one Embodiment of this invention, respectively, and respond | corresponds to sectional drawing of the dotted line AA of the gas manufacturing apparatus shown in FIG. FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of the gas production apparatus according to one embodiment of the present invention, and corresponds to the cross-sectional view taken along the dotted line CC of the gas production apparatus shown in FIG. FIG. 8 is an enlarged view of a range D surrounded by a dotted line in FIG. FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of a gas production apparatus according to an embodiment of the present invention.
本実施形態の気体製造装置23は、受光面および裏面を有する光電変換部2と、前記裏面と電気的に接続しかつ光電変換部2が受光することにより生じる起電力を用いて電解液から第1気体を発生させる第1気体発生部8と、前記受光面と電気的に接続しかつ光電変換部2が受光することにより生じる起電力を用いて電解液から第2気体を発生させる第2気体発生部7と、気体流路17と、気体排出口19、20とを備え、気体流路17は、第1気体発生部8および第2気体発生部7のうち少なくとも一方と光電変換部2の裏面との間に設けられ、気体流路17は、第1気体または第2気体を気体排出口19、20へと導通させることを特徴とする。
The
また、本実施形態の気体製造装置23は、さらに透光性基板1、第1導電部9、第2電極5、絶縁部11、隔壁13、電解液チェンバー15、外箱16、給水口18、第1気体排出口20、第2気体排出口19、気体導通部21、第3導通部22および気体支流路29を有してもよい。
第1導電部9は、第1電極4および第2導電部10を有してもよい。また、外箱16は天板14を有してもよい。
以下、本実施形態の気体製造装置23について説明する。
In addition, the
The first
Hereinafter, the
1.透光性基板
透光性基板1は、本実施形態の気体製造装置23が備えてもよい。また、例えば、図3のように光電変換部2は、受光面が透光性基板1側となるように透光性基板1の上に設けられてもよい。なお、光電変換部2が、半導体基板などからなり一定の強度を有する場合、透光性基板1は省略することが可能である。また、光電変換部2が樹脂フィルムなど柔軟性を有する材料の上に形成可能な場合、透光性基板1は省略することができる。また、例えば、図9のように第1気体発生部8および第2気体発生部7がそれぞれ光電変換部2の裏面上および受光面上に設けられている場合、透光性基板1は、光電変換部2などとの間に電解液チェンバー15を挟んで設けられてもよい。
1. Translucent substrate The translucent substrate 1 may be provided in the
また、透光性基板1は、本気体製造装置を構成するための土台となる部材であってもよい。また、太陽光を光電変換部2の受光面で受光するためには、透明であり光透過率が高いことが好ましいが、光電変換部2へ効率的な光の入射が可能な構造であれば、光透過率に制限はない。
光透過率が高い基板材料として、例えば、ソーダガラス、石英ガラス、パイレックス(登録商標)等のホウケイ酸ガラス、合成石英板等の透明なリジッド材、あるいはポリブチレンテレフタラート(PBT)製の板などの透明樹脂板やフィルム材等が好適に用いられる。化学的および物理的安定性および耐熱性を備える点より、石英ガラス、パイレックス(登録商標)等のガラス基板を用いることが好ましい。また、集光度を高めるためにフレネルレンズ等、集光用に加工されたものを用いても良い。
透光性基板1の光電変換部2側の表面には、入射した光が光電変換部2の表面で有効に乱反射されるように、微細な凹凸構造に形成することができる。この微細な凹凸構造は、例えば反応性イオンエッチング(RIE)処理もしくはブラスト処理等の公知の方法により形成することが可能である。
Moreover, the translucent board | substrate 1 may be a member used as the foundation for comprising this gas manufacturing apparatus. Moreover, in order to receive sunlight with the light-receiving surface of the
As a substrate material having a high light transmittance, for example, soda glass, quartz glass, borosilicate glass such as Pyrex (registered trademark), a transparent rigid material such as a synthetic quartz plate, or a plate made of polybutylene terephthalate (PBT) A transparent resin plate, a film material, or the like is preferably used. In view of chemical and physical stability and heat resistance, it is preferable to use a glass substrate such as quartz glass or Pyrex (registered trademark). Moreover, you may use what was processed for condensing, such as a Fresnel lens, in order to raise a condensing degree.
On the surface of the translucent substrate 1 on the
2.第1導電部
第1導電部9は、第2気体発生部7と光電変換部2の受光面とを電気的に接続させることができる。また、第1導電部9は、1つの部材からなってもよく、第1電極4と第2導電部10からなってもよい。第1導電部9を設けることにより、光電変換部2の受光面の電位と第2気体発生部7の電位をほぼ同じにすることができ、第2気体発生部7で第2気体を発生させることができる。
第1導電部9が1つの部材からなる場合としては、例えば、光電変換部2の受光面と第2気体発生部7を電気的に接続させる金属配線などである。また、例えば、Agからなる金属配線である。また、この金属配線は、光電変換部2に入射する光を減少させいないように、フィンガー電極のような形状を有してもよい。第1導電部9は、透光性基板1の光電変換部2側に設けられてもよく、光電変換部2の受光面に設けられてもよい。
また、本実施形態の気体製造装置23が図9のような断面を有する場合、第1導電部9は省略することもできる。
2. First Conductive Part The first
Examples of the case where the first
Moreover, when the
3.第1電極
第1電極4は、透光性基板1の上に設けることができ、光電変換部2の受光面と接触するように設けることができる。また、第1電極4は透光性を有してもよい。また、第1電極4は、透光性基板1を省略可能の場合、光電変換部2の受光面に直接設けられてもよい。第1電極4を設けることにより、光電変換部2の受光面と第2気体発生部7との間に流れる電流を大きくすることができる。
また、本実施形態の気体製造装置23が図9のような断面を有する場合、第1電極4を第2気体発生部7と光電変換部2との間に設けることもできる。
3. 1st electrode The
Moreover, when the
第1電極4は、例えば、SnO2、ZnO、In2O3またはITO(In2O3―SnO2)、IZO(InSnO2―ZnO)などの透明導電膜からなってもよく、Ag、Auなどの金属のフィンガー電極からなってもよい。
The
以下に第1電極4を透明導電膜とした場合について説明する。
透明導電膜は、光電変換部2の受光面と第2気体発生部7とのコンタクトを取りやすくするために用いている。
一般に透明電極として使用されているものを用いることが可能である。具体的にはIn−Zn−O(IZO)、In−Sn−O(ITO)、ZnO−Al、Zn−Sn−O、SnO2等を挙げることができる。なお本透明導電膜は、太陽光の光線透過率が85%以上、中でも90%以上、特に92%以上であることが好ましい。このことにより光電変換部2が光を効率的に吸収することができるためである。
透明導電膜の作成方法としては公知の方法を用いることができ、スパッタリング、真空蒸着、ゾルゲル法、クラスタービーム蒸着法、PLD(Pulse Laser Deposition)法などが挙げられる。
A case where the
The transparent conductive film is used to facilitate contact between the light receiving surface of the
What is generally used as a transparent electrode can be used. Specifically, In—Zn—O (IZO), In—Sn—O (ITO), ZnO—Al, Zn—Sn—O, SnO 2 and the like can be given. The transparent conductive film preferably has a sunlight transmittance of 85% or more, particularly 90% or more, and particularly 92% or more. This is because the
As a method for producing the transparent conductive film, a known method can be used, and examples thereof include sputtering, vacuum deposition, sol-gel method, cluster beam deposition method, and PLD (Pulse Laser Deposition) method.
4.光電変換部
光電変換部2は、受光面および裏面を有し、光電変換部2の裏面の上に第1気体発生部8と第2気体発生部7を設けることができる。なお、受光面とは、光電変換するための光を受光する面であり、裏面とは、受光面の裏の面である。また、光電変換部2は、第1電極4が設けられた透光性基板1の上に受光面を下にして設けることができる。
光電変換部2は、入射光により電荷分離することができ、受光面と裏面との間に起電力が生じるものであれば、特に限定されないが、例えば、シリコン系半導体を用いた光電変換部、化合物半導体を用いた光電変換部、色素増感剤を利用した光電変換部、有機薄膜を用いた光電変換部などである。また、光電変換部2は、第1気体発生部と第2気体発生部に電解液の分解のために必要な正孔および電子を供給する。光電変換部2が受光することにより生じる受光面と裏面との間の電位差は、第1気体発生部から第1気体を発生させることができ、第2気体発生部から第2気体を発生させることができれば特に限定されないが、電解液を分解するための理論電圧よりも十分に大きくすることができる。
4). Photoelectric Conversion Unit The
The
第1気体発生部および第2気体発生部がそれぞれ水素発生部および酸素発生部であり、電解液に含まれる水を分解しから水素を及び酸素を発生させる場合、光電変換部2は、光を受光することにより、水素発生部と酸素発生部において水素と酸素が発生するために必要な起電力が生じる材料を使用する必要がある。水素発生部と酸素発生部の電位差は、水分解のための理論電圧(1.23V)より十分に大きくする必要がある。これは、水素発生部おける水素発生反応と酸素発生部における酸素発生反応の過電圧を加味する必要があるためである。そのためには光電変換部2で十分大きな電位差を生み出す必要がある。また、そのため光電変換部2は、pn接合など起電力を生じさせる部分を二接合以上直列に接続することが好ましい。
When the first gas generation unit and the second gas generation unit are a hydrogen generation unit and an oxygen generation unit, respectively, when hydrogen and oxygen are generated after decomposing water contained in the electrolyte, the
光電変換を行う材料は、シリコン系半導体、化合物半導体、有機材料をベースとしたものなどが挙げられるが、いずれの光電変換材料も使用することが可能である。また、起電力を大きくするために、これらの光電変換材料を積層することが可能である。積層する場合には同一材料で多接合構造を形成することが可能であるが、光学的バンドギャップの異なる複数の光電変換層を積層し、各々の光電変換層の低感度波長領域を相互に補完することにより、広い波長領域にわたり入射光を効率よく吸収することが可能となる。 Examples of the material that performs photoelectric conversion include silicon-based semiconductors, compound semiconductors, and materials based on organic materials, and any photoelectric conversion material can be used. In order to increase the electromotive force, these photoelectric conversion materials can be stacked. In the case of stacking, it is possible to form a multi-junction structure with the same material, but stacking multiple photoelectric conversion layers with different optical band gaps and complementing the low sensitivity wavelength region of each photoelectric conversion layer mutually By doing so, incident light can be efficiently absorbed over a wide wavelength region.
また、光電変換層間の直列接続特性の改善や、光電変換部2で発生する光電流の整合のために、層間に透明導電膜等の導電体を介在させることが可能である。これにより光電変換部2の劣化を抑制することが可能となる。
光電変換部2の例を以下に具体的に説明する。また、光電変換部2は、これらを組み合わせたものでもよい。
Moreover, it is possible to interpose a conductor such as a transparent conductive film between the layers in order to improve the serial connection characteristics between the photoelectric conversion layers and to match the photocurrent generated in the
An example of the
4−1.シリコン系半導体を用いた光電変換部
シリコン系半導体を用いた光電変換部2は、例えば、単結晶型、多結晶型、アモルファス型、球状シリコン型、及びこれらを組み合わせたもの等が挙げられる。いずれもp型半導体とn型半導体が接合したpn接合を有することができる。また、p型半導体とn型半導体との間にi型半導体を設けたpin接合を有するものとすることもできる。また、pn接合を複数有するもの、pin接合を複数有するもの、pn接合とpin接合を有するものとすることもできる。
シリコン系半導体とは、シリコンを含む半導体であり、例えば、シリコン、シリコンカーバイド、シリコンゲルマニウムなどである。また、シリコンなどにn型不純物またはp型不純物が添加されたものも含み、また、結晶質、非晶質、微結晶、多結晶のものも含む。
また、シリコン系半導体を用いた光電変換部2は、透光性基板1の上に形成された薄膜または厚膜の光電変換層であってもよく、また、シリコンウェハなどのウェハにpn接合またはpin接合を形成したものでもよく、また、pn接合またはpin接合を形成したウェハの上に薄膜の光電変換層を形成したものでもよい。
4-1. Photoelectric conversion part using a silicon-based semiconductor Examples of the
The silicon-based semiconductor is a semiconductor containing silicon, such as silicon, silicon carbide, or silicon germanium. In addition, silicon or the like in which an n-type impurity or p-type impurity is added is included, and crystalline, amorphous, microcrystalline, or polycrystalline silicon is also included.
In addition, the
シリコン系半導体を用いた光電変換部の作製方法としては、多結晶シリコンの場合はシリコンのシート化もしくはアモルファスの熱処理、アモルファスシリコンの場合はシランガス等を原料とするプラズマCVD法がある。
シリコン系半導体を用いた光電変換部2の形成例を以下に示す。
透光性基板1上に積層した第1電極4上に、第1導電型半導体層をプラズマCVD法等の方法で形成する。この第1導電型半導体層としては、導電型決定不純物原子濃度が1×1018〜5×1021/cm3程度ドープされた、p+型またはn+型の非晶質Si薄膜、または多結晶あるいは微結晶Si薄膜とする。第1導電型半導体層の材料としては、Siに限らず、SiCあるいはSiGe,SixO1-x等の化合物を用いることも可能である。
As a method for manufacturing a photoelectric conversion unit using a silicon-based semiconductor, there is a plasma CVD method using a silicon sheet or amorphous heat treatment in the case of polycrystalline silicon and a silane gas or the like as a raw material in the case of amorphous silicon.
An example of forming the
A first conductivity type semiconductor layer is formed on the
このように形成された第1導電型半導体層上に、結晶質Si系光活性層として多結晶あるいは微結晶の結晶質Si薄膜をプラズマCVD法等の方法で形成する。なお、導電型は第1導電型半導体よりドーピング濃度が低い第1導電型とするか、あるいはi型とする。結晶質Si系光活性層の材料としては、Siに限らず、SiCあるいはSiGe,SixO1-x等の化合物を用いることも可能である。 On the first conductivity type semiconductor layer thus formed, a polycrystalline or microcrystalline crystalline Si thin film is formed as a crystalline Si photoactive layer by a method such as plasma CVD. The conductivity type is the first conductivity type having a lower doping concentration than the first conductivity type semiconductor, or the i conductivity type. The material for the crystalline Si-based photoactive layer is not limited to Si, and it is also possible to use a compound such as SiC, SiGe, or Si x O 1-x .
次に、結晶質Si系光活性層上に半導体接合を形成するため、第1導電型半導体層とは反対導電型である第2導電型半導体層をプラズマCVD等の方法で形成する。この第2導電型半導体層としては、導電型決定不純物原子が1×1018〜5×1021/cm3程度ドープされた、n+型またはp+型の非晶質Si薄膜、または多結晶あるいは微結晶Si薄膜とする。第2導電型半導体層の材料としては、Siに限らず、SiCあるいはSiGe,SixO1-x等の化合物を用いることも可能である。また接合特性をより改善するために、結晶質Si系光活性層と第2導電型半導体層との間に、実質的にi型の非単結晶Si系薄膜を挿入することも可能である。このようにして、受光面に最も近い光電変換層を一層積層することができる。 Next, in order to form a semiconductor junction on the crystalline Si-based photoactive layer, a second conductivity type semiconductor layer having a conductivity type opposite to the first conductivity type semiconductor layer is formed by a method such as plasma CVD. As the second conductivity type semiconductor layer, an n + type or p + type amorphous Si thin film doped with about 1 × 10 18 to 5 × 10 21 / cm 3 of conductivity type determining impurity atoms, or a polycrystalline or microscopic A crystalline Si thin film is used. The material of the second conductivity type semiconductor layer is not limited to Si, and it is also possible to use a compound such as SiC, SiGe, or Si x O 1-x . In order to further improve the bonding characteristics, it is possible to insert a substantially i-type non-single-crystal Si-based thin film between the crystalline Si-based photoactive layer and the second conductive type semiconductor layer. In this manner, one photoelectric conversion layer closest to the light receiving surface can be stacked.
続けて第二層目の光電変換層を形成する。第二層目の光電変換層は、第1導電型半導体層、結晶質Si系光活性層、第2導電型半導体層からなり、それぞれの層は、第一層目の光電変換層中の対応する第1導電型半導体層、結晶質Si系光活性層、第2導電型半導体層と同様に形成する。二層のタンデムで水分解に十分な電位を得ることができない場合は、三層あるいはそれ以上の層状構造を取ることが好ましい。ただし第二層目の光電変換層の結晶質Si系光活性層の体積結晶化分率は、第一層目の結晶質Si系光活性層と比較すると高くすることが好ましい。三層以上積層する場合も同様に下層と比較すると体積結晶化分率を高くすることが好ましい。これは、長波長域での吸収が大きくなり、分光感度が長波長側にシフトし、同じSi材料を用いて光活性層を構成した場合においても、広い波長域で感度を向上させることが可能となるためである。すなわち、結晶化率の異なるSiでタンデム構造にすることにより、分光感度が広くなり、光の高効率利用が可能となる。このとき低結晶化率材料を受光面側にしないと高効率とならない。また結晶化率が40%以下に下がるとアモルファス成分が増え、劣化が生じてしまう。 Subsequently, a second photoelectric conversion layer is formed. The second photoelectric conversion layer is composed of a first conductivity type semiconductor layer, a crystalline Si-based photoactive layer, and a second conductivity type semiconductor layer, each layer corresponding to the first photoelectric conversion layer. The first conductive type semiconductor layer, the crystalline Si-based photoactive layer, and the second conductive type semiconductor layer are formed. When a potential sufficient for water splitting cannot be obtained with a two-layer tandem, it is preferable to take a three-layer structure or more. However, the volume crystallization fraction of the crystalline Si photoactive layer of the second photoelectric conversion layer is preferably higher than that of the first crystalline Si photoactive layer. Similarly, when three or more layers are laminated, it is preferable to increase the volume crystallization fraction as compared with the lower layer. This increases the absorption in the long wavelength region, shifts the spectral sensitivity to the long wavelength side, and can improve the sensitivity in a wide wavelength region even when the photoactive layer is configured using the same Si material. It is because it becomes. That is, by using a tandem structure with Si having different crystallization rates, the spectral sensitivity is widened, and light can be used with high efficiency. At this time, if the low crystallization rate material is not on the light receiving surface side, high efficiency cannot be achieved. Further, when the crystallization rate is lowered to 40% or less, the amorphous component increases and deterioration occurs.
4−2.化合物半導体を用いた光電変換部
化合物半導体を用いた光電変換部は、例えば、III−V族元素で構成されるGaP、GaAsやInP、InAs、II−VI族元素で構成されるCdTe/CdS、II−VI族の変
形であるカルコパイライト系化合物(I―III―VI2等)の化合物半導体などを用いたものが挙げられる。化合物半導体はシリコンに比べて光吸収係数が1〜2桁大きい。このため薄膜セルとして利用するのに適しており、軽量化、低コスト化につなげることが可能である。
III―V族化合物については例えば、p型ドープしたGaAsウェハ表面にn型層をエピタキシャル成長させることで太陽電池セルが作製される。また、GaAsとの格子整合がよく、GaAsを汚染しないGaInP2を用いてGaAs―GaInP2ヘテロ構造とし、さらに変換効率を高めることも可能である。
II―VI族化合物については例えば、CdTe−CdSヘテロ構造が、低価格で工業化されている。作製法としては、ガラス基板上にペースト塗布した後、焼成をするという工程を繰り返すスクリーン方式により作製される。ガラス基板上にCdS膜を形成した後、櫛形にCdTeを堆積させて作製する。CdTeはバンドギャップが1.44eVの理想的な太陽電池材料であり、CdSはバンドギャップが2.42eVで太陽光の大部分を透過する窓材である。ワイドギャップ層を窓材とするヘテロ接合は光が窓材を透過して接合界面で光の吸収が起こるため、発生したキャリアが接合界面付近で効率よく分離・吸収される。
カルコパイライト系化合物については例えば、Cu(In, Ga)Se2(CIGS)(Copper Indium Gallium DiSelenide)やCuIn(S,Se)2(CISS)がある。CIGSについてはバンドギャップが1.55eV〜1.6eVであり、作製法としては3元または4元蒸着法によりMo膜を被覆したガラス板上に製膜させる方法もしくはCu−In膜を製膜した後でSeを含む雰囲気中で熱処理を行うセレン化法が用いられている。
4-2. Photoelectric conversion part using a compound semiconductor The photoelectric conversion part using a compound semiconductor is, for example, GaP, GaAs, InP, InAs, or IId-VI group elements composed of III-V group elements, CdTe / CdS, Examples include those using a compound semiconductor of a chalcopyrite compound (I-III-VI 2 etc.) which is a modification of the II-VI group. Compound semiconductors have a light absorption coefficient that is one to two orders of magnitude greater than that of silicon. Therefore, it is suitable for use as a thin film cell, and can be reduced in weight and cost.
For III-V compounds, for example, an n-type layer is epitaxially grown on the surface of a p-type doped GaAs wafer to produce a solar battery cell. Moreover, it is possible to make a GaAs-GaInP 2 heterostructure by using GaInP 2 which has good lattice matching with GaAs and does not contaminate GaAs, thereby further improving the conversion efficiency.
As for the II-VI group compounds, for example, CdTe-CdS heterostructures are industrialized at a low price. As a manufacturing method, it is manufactured by a screen method in which a paste is applied on a glass substrate and then baked. After a CdS film is formed on a glass substrate, CdTe is deposited in a comb shape. CdTe is an ideal solar cell material having a band gap of 1.44 eV, and CdS is a window material having a band gap of 2.42 eV and transmitting most of sunlight. In a heterojunction using a wide gap layer as a window material, light is transmitted through the window material and light is absorbed at the junction interface, so that generated carriers are efficiently separated and absorbed near the junction interface.
Examples of chalcopyrite compounds include Cu (In, Ga) Se 2 (CIGS) (Copper Indium Gallium DiSelenide) and CuIn (S, Se) 2 (CISS). For CIGS, the band gap is 1.55 eV to 1.6 eV, and as a production method, a method of forming a film on a glass plate coated with a Mo film by a ternary or quaternary vapor deposition method or a Cu-In film was formed. A selenization method in which heat treatment is performed in an atmosphere containing Se later is used.
化合物半導体を用いた光電変換部の製造方法の一例を以下に示すが、本製造方法では、製膜処理等はすべて有機金属気相成長法(MOCVD;Metal Organic Chemical Vapor Deposition)装置を使って連続して行われる。III族元素の材料としては、例えばトリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、トリメチルインジウムなどの有機金属が水素をキャリアガスとして成長装置に供給される。V族元素の材料としては、例えばアルシン(AsH3)、ホスフィン(PH3)、スチビン(SbH3)等のガスが使われる。p型不純物またはn型不純物のドーパントとしては、例えばp型化にはジエチルジンク、またはn型化には、モノシラン(SiH4)やジシラン(Si2H6)、セレン化水素(H2Se)等が利用される。これらの原料ガスを、例えば700℃に加熱された基板上に供給することにより熱分解させ、所望の化合物半導体材料膜をエピタキシャル成長させることが可能である。これら成長層の組成は導入するガス組成により、また膜厚はガスの導入時間によって制御することが可能である。これらの光電変換部を多接合積層する場合は、層間での格子定数を可能な限り合わせることにより、結晶性に優れた成長層を形成することができ、光電変換効率を向上することが可能となる。 An example of a method for manufacturing a photoelectric conversion unit using a compound semiconductor is shown below. In this manufacturing method, all film-forming processes are continuously performed using a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) apparatus. Done. As a group III element material, for example, an organic metal such as trimethylgallium, trimethylaluminum, or trimethylindium is supplied to the growth apparatus using hydrogen as a carrier gas. For example, a gas such as arsine (AsH 3 ), phosphine (PH 3 ), and stibine (SbH 3 ) is used as the material of the group V element. As a dopant of p-type impurities or n-type impurities, for example, diethyl zinc for p-type conversion, monosilane (SiH 4 ), disilane (Si 2 H 6 ), hydrogen selenide (H 2 Se) for n-type conversion. Etc. are used. These source gases can be thermally decomposed by supplying them onto a substrate heated to, for example, 700 ° C., and a desired compound semiconductor material film can be epitaxially grown. The composition of these growth layers can be controlled by the gas composition to be introduced, and the film thickness can be controlled by the gas introduction time. When multi-junction laminating these photoelectric conversion parts, it is possible to form a growth layer with excellent crystallinity by adjusting the lattice constant between layers as much as possible, and to improve the photoelectric conversion efficiency. Become.
pn接合を形成した部分以外にも、例えば受光面側に公知の窓層や、非受光面側に公知の電界層等を設けることによりキャリア収集効率を高める工夫を有してもよい。また不純物の拡散を防止するためのバッファ層を有していてもよい。 In addition to the portion where the pn junction is formed, for example, a known window layer on the light receiving surface side or a known electric field layer on the non-light receiving surface side may be provided to improve carrier collection efficiency. Further, a buffer layer for preventing diffusion of impurities may be provided.
4−3.色素増感剤を利用した光電変換部
色素増感剤を利用した光電変換部は、例えば、主に多孔質半導体、色素増感剤、電解質、溶媒などにより構成される。
多孔質半導体を構成する材料としては、例えば、酸化チタン、酸化タングステン、酸化亜鉛、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、硫化カドミウム等公知の半導体から1種類以上を選択することが可能である。多孔質半導体を基板上に形成する方法としては、半導体粒子を含有するペーストをスクリーン印刷法、インクジェット法等で塗布し乾燥もしくは焼成する方法や、原料ガスを用いたCVD法等により製膜する方法、PVD法、蒸着法、スパッタ法、ゾルゲル法、電気化学的な酸化還元反応を利用した方法等が挙げられる。
4-3. Photoelectric conversion part using a dye sensitizer The photoelectric conversion part using a dye sensitizer is mainly composed of, for example, a porous semiconductor, a dye sensitizer, an electrolyte, a solvent, and the like.
As a material constituting the porous semiconductor, for example, one or more kinds of known semiconductors such as titanium oxide, tungsten oxide, zinc oxide, barium titanate, strontium titanate, cadmium sulfide can be selected. As a method for forming a porous semiconductor on a substrate, a paste containing semiconductor particles is applied by a screen printing method, an ink jet method and the like, dried or baked, a method of forming a film by a CVD method using a raw material gas, etc. , PVD method, vapor deposition method, sputtering method, sol-gel method, method using electrochemical oxidation-reduction reaction, and the like.
多孔質半導体に吸着する色素増感剤としては、可視光領域および赤外光領域に吸収を持つ種々の色素を用いることが可能である。ここで、多孔質半導体に色素を強固に吸着させるには、色素分子中にカルボン酸基、カルボン酸無水基、アルコキシ基、スルホン酸基、ヒドロキシル基、ヒドロキシルアルキル基、エステル基、メルカプト基、ホスホニル基等が存在することが好ましい。これらの官能基は、励起状態の色素と多孔質半導体の伝導帯との間の電子移動を容易にする電気的結合を提供する。 As the dye sensitizer adsorbed on the porous semiconductor, various dyes having absorption in the visible light region and the infrared light region can be used. Here, in order to firmly adsorb the dye to the porous semiconductor, the carboxylic acid group, carboxylic anhydride group, alkoxy group, sulfonic acid group, hydroxyl group, hydroxylalkyl group, ester group, mercapto group, phosphonyl in the dye molecule It is preferable that a group or the like is present. These functional groups provide an electrical bond that facilitates electron transfer between the excited state dye and the conduction band of the porous semiconductor.
これらの官能基を含有する色素として、例えば、ルテニウムビピリジン系色素、キノン系色素、キノンイミン系色素、アゾ系色素、キナクリドン系色素、スクアリリウム系色素、シアニン系色素、メロシアニン系色素、トリフェニルメタン系色素、キサンテン系色素、ポルフィリン系色素、フタロシアニン系色素、ベリレン系色素、インジゴ系色素、ナフタロシアニン系色素等が挙げられる。 Examples of dyes containing these functional groups include ruthenium bipyridine dyes, quinone dyes, quinone imine dyes, azo dyes, quinacridone dyes, squarylium dyes, cyanine dyes, merocyanine dyes, and triphenylmethane dyes. Xanthene dyes, porphyrin dyes, phthalocyanine dyes, berylene dyes, indigo dyes, naphthalocyanine dyes, and the like.
多孔質半導体への色素の吸着方法としては、例えば多孔質半導体を、色素を溶解した溶液(色素吸着用溶液)に浸漬する方法が挙げられる。色素吸着用溶液に用いられる溶媒としては、色素を溶解するものであれば特に制限されず、具体的には、エタノール、メタノール等のアルコール類、アセトン等のケトン類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類、アセトニトリル等の窒素化合物類、ヘキサン等の脂肪族炭化水素、ベンゼン等の芳香族炭化水素、酢酸エチル等のエステル類、水等を挙げることができる。 Examples of the method for adsorbing the dye to the porous semiconductor include a method in which the porous semiconductor is immersed in a solution in which the dye is dissolved (dye adsorption solution). The solvent used in the dye adsorption solution is not particularly limited as long as it dissolves the dye, and specifically, alcohols such as ethanol and methanol, ketones such as acetone, ethers such as diethyl ether and tetrahydrofuran. Nitrogen compounds such as acetonitrile, aliphatic hydrocarbons such as hexane, aromatic hydrocarbons such as benzene, esters such as ethyl acetate, water, and the like.
電解質は、酸化還元対とこれを保持する液体または高分子ゲル等固体の媒体からなる。
酸化還元対としては一般に、鉄系、コバルト系等の金属類や塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン物質が好適に用いられ、ヨウ化リチウム、ヨウ化ナトリウム、ヨウ化カリウム等の金属ヨウ化物とヨウ素の組み合わせが好ましく用いられる。さらに、ジメチルプロピルイミダゾールアイオダイド等のイミダゾール塩等を混入することもできる。
The electrolyte is composed of a redox pair and a solid medium such as a liquid or polymer gel holding the redox pair.
In general, iron- and cobalt-based metals and halogen substances such as chlorine, bromine, and iodine are preferably used as the redox pair, and metal iodides such as lithium iodide, sodium iodide, and potassium iodide and iodine are used. The combination of is preferably used. Furthermore, imidazole salts such as dimethylpropylimidazole iodide can also be mixed.
また、溶媒としては、プロピレンカーボネート等のカーボネート化合物、アセトニトリル等のニトリル化合物、エタノール、メタノール等のアルコール、その他、水や非プロトン極性物質等が用いられるが、中でも、カーボネート化合物やニトリル化合物が好適に用いられる。 As the solvent, carbonate compounds such as propylene carbonate, nitrile compounds such as acetonitrile, alcohols such as ethanol and methanol, water, aprotic polar substances, and the like are used. Of these, carbonate compounds and nitrile compounds are preferred. Used.
4−4.有機薄膜を用いた光電変換部
有機薄膜を用いた光電変換部は、電子供与性および電子受容性を持つ有機半導体材料で構成される電子正孔輸送層、または電子受容性を有する電子輸送層と電子供与性を有する正孔輸送層とが積層されたものであってもよい。
電子供与性の有機半導体材料としては、電子供与体としての機能を有するものであれば特に限定されないが、塗布法により製膜できることが好ましく、中でも電子供与性の導電性高分子が好適に使用される。
4-4. Photoelectric conversion part using organic thin film A photoelectric conversion part using an organic thin film comprises an electron hole transport layer composed of an organic semiconductor material having electron donating properties and electron accepting properties, or an electron transport layer having electron accepting properties. It may be a laminate of a hole transport layer having an electron donating property.
The electron-donating organic semiconductor material is not particularly limited as long as it has a function as an electron donor, but it is preferable that a film can be formed by a coating method, and among them, an electron-donating conductive polymer is preferably used. The
ここで導電性高分子とはπ共役高分子を示し、炭素−炭素またはヘテロ原子を含む二重結合または三重結合が、単結合と交互に連なったπ共役系からなり、半導体的性質を示すものをさす。 Here, the conductive polymer means a π-conjugated polymer, which is composed of a π-conjugated system in which double bonds or triple bonds containing carbon-carbon or hetero atoms are alternately linked to single bonds, and exhibits semiconducting properties. Point.
電子供与性の導電性高分子材料としては、例えばポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリカルバゾール、ポリビニルカルバゾール、ポリシラン、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリフルオレン、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、およびこれらの誘導体、共重合体、あるいはフタロシアニン含有ポリマー、カルバゾール含有ポリマー、有機金属ポリマー等が挙げられる。中でも、チオフェン−フルオレン共重合体、ポリアルキルチオフェン、フェニレンエチニレン−フェニレンビニレン共重合体、フルオレン−フェニレンビニレン共重合体、チオフェン−フェニレンビニレン共重合体等が好適に利用される。 Examples of the electron-donating conductive polymer material include polyphenylene, polyphenylene vinylene, polythiophene, polycarbazole, polyvinyl carbazole, polysilane, polyacetylene, polypyrrole, polyaniline, polyfluorene, polyvinyl pyrene, polyvinyl anthracene, and derivatives, Examples thereof include a polymer, a phthalocyanine-containing polymer, a carbazole-containing polymer, and an organometallic polymer. Among these, thiophene-fluorene copolymer, polyalkylthiophene, phenyleneethynylene-phenylene vinylene copolymer, fluorene-phenylene vinylene copolymer, thiophene-phenylene vinylene copolymer, and the like are preferably used.
電子受容性の有機半導体材料としては、電子受容体としての機能を有するものであれば特に限定されないが、塗布法により製膜できることが好ましく、中でも電子供与性の導電性高分子が好適に使用される。
電子受容性の導電性高分子としては、例えばポリフェニレンビニレン、ポリフルオレン、およびこれらの誘導体、共重合体、あるいはカーボンナノチューブ、フラーレンおよびこれらの誘導体、CN基またはCF3基含有ポリマーおよびそれらの−CF3置換ポリマー等が挙げられる。
The electron-accepting organic semiconductor material is not particularly limited as long as it has a function as an electron acceptor. However, it is preferable that a film can be formed by a coating method, and among them, an electron-donating conductive polymer is preferably used. The
Examples of the electron-accepting conductive polymer include polyphenylene vinylene, polyfluorene, and derivatives and copolymers thereof, or carbon nanotubes, fullerene and derivatives thereof, CN group or CF 3 group-containing polymers, and -CF thereof. Examples thereof include 3- substituted polymers.
また、電子供与性化合物がドープされた電子受容性の有機半導体材料や、電子受容性化合物がドープされた電子供与性の有機半導体材料等を用いることが可能である。電子供与性化合物がドープされる電子受容性の導電性高分子材料としては、上述の電子受容性の導電性高分子材料を挙げることができる。ドープされる電子供与性化合物としては、例えばLi、K、Ca、Cs等のアルカリ金属やアルカリ土類金属のようなルイス塩基を用いることができる。なお、ルイス塩基は電子供与体として作用する。また、電子受容性化合物がドープされる電子供与性の導電性高分子材料としては、上述した電子供与性の導電性高分子材料を挙げることができる。ドープされる電子受容性化合物としては、例えばFeCl3、AlCl3、AlBr3、AsF6やハロゲン化合物のようなルイス酸を用いることができる。なお、ルイス酸は電子受容体として作用する。 In addition, an electron-accepting organic semiconductor material doped with an electron-donating compound, an electron-donating organic semiconductor material doped with an electron-accepting compound, or the like can be used. Examples of the electron-accepting conductive polymer material doped with the electron-donating compound include the above-described electron-accepting conductive polymer material. As the electron-donating compound to be doped, for example, a Lewis base such as an alkali metal such as Li, K, Ca, or Cs or an alkaline earth metal can be used. The Lewis base acts as an electron donor. Examples of the electron-donating conductive polymer material doped with the electron-accepting compound include the above-described electron-donating conductive polymer material. As the electron-accepting compound to be doped, for example, a Lewis acid such as FeCl 3 , AlCl 3 , AlBr 3 , AsF 6 or a halogen compound can be used. In addition, Lewis acid acts as an electron acceptor.
上記にて示した光電変換部2においては、第一義的には太陽光を受光させ光電変換を行うことを想定しているが、用途により蛍光灯や白熱灯、LED、特定の熱源から発せられる光等の人工光を照射し光電変換を行うことも可能である。
In the
5.第2電極
第2電極5は、光電変換部2と第1気体発生部8との間に設けることができる。第2電極5を設けることにより、光電変換部2の裏面の電位と第1気体発生部8の電位をほぼ同じにすることができる。また、光電変換部2の裏面と第1気体発生部8との間に流れる電流を大きくすることができる。このことにより、光電変換部2で生じた起電力により第1気体をより効率的に発生させることができる。また、例えば、図9のように第1気体発生部8と光電変換部2との間に導電性の気体導通部21を設ける場合、第2電極5は省略することができ、気体導通部21を設けることにより第2電極5を設けることと同様の効果を得ることができる。
5. Second Electrode The
また、例えば、図6のように光電変換部2の裏面と第1気体発生部8とを第3導通部22により電気的に接続する場合、第3導通部22と光電変換部2の裏面とにそれぞれ接触する第2電極を設けることができる。この構成により、絶縁性の気体導通部21を設けた場合でも、光電変換部2の裏面の電位と第1気体発生部8の電位をほぼ同じにすることができる。
第2電極5は、導電性を有すれば特に限定されないが、例えば、金属薄膜であり、また、例えば、Al、Ag、Auなどの薄膜である。これらは、例えば、スパッタリングなどにより形成することができる。また、例えば、In−Zn−O(IZO)、In−Sn−O(ITO)、ZnO−Al、Zn−Sn−O、SnO2等の透明導電膜である。
Further, for example, when the back surface of the
Although it will not specifically limit if the
6.絶縁部
絶縁部11は、光電変換部2の裏面と第2気体発生部7との間に設けることができる。また、絶縁部11は、第1気体発生部8と第2気体発生部7との間に設けることもできる。さらに、絶縁部11は、第1導電部9と光電変換部2との間、第2導電部10と光電変換部2との間、および第2導電部10と第2電極5との間に設けることができる。また、本実施形態の気体製造装置23が図9のような断面を有する場合、絶縁部11は省略することができる。
絶縁部11を設けることにより、光電変換部2で生じた起電力により、光電変換部2の受光面と第2気体発生部7との間に電流を流し、光電変換部2の裏面と第1気体発生部8との間に電流を流すことができる。また、リーク電流をより小さくすることができる。このことにより、光電変換部2の受光面の電位と第2気体発生部7の電位をほぼ同じにすることができ、また、光電変換部2の裏面の電位と第1気体発生部8の電位をほぼ同じにすることができ、より効率的に第1気体および第2気体を発生させることができる。
また、例えば、図6のように第2気体発生部7と光電変換部2との間に絶縁性の気体導通部21を設ける場合、第2気体発生部7と光電変換部2との間の絶縁部11は省略することができる。
6). Insulating part The insulating
By providing the insulating
For example, when providing the insulating gas conduction | electrical_connection
絶縁部11としては、有機材料、無機材料を問わず用いることが可能であり、例えば、ポリアミド、ポリイミド、ポリアリーレン、芳香族ビニル化合物、フッ素系重合体、アクリル系重合体、ビニルアミド系重合体等の有機ポリマー、無機系材料としては、Al2O3等の金属酸化物、多孔質性シリカ膜等のSiO2や、フッ素添加シリコン酸化膜(FSG)、SiOC、HSQ(Hydrogen Silsesquioxane)膜、SiNx、シラノール(Si(OH)4)をアルコール等の溶媒に溶かし塗布・加熱することにより製膜する方法を用いることが可能である。
The insulating
絶縁部11を形成する方法としては、絶縁性材料を含有するペーストをスクリーン印刷法、インクジェット法、スピンコーティング法等で塗布し乾燥もしくは焼成する方法や、原料ガスを用いたCVD法等により製膜する方法、PVD法、蒸着法、スパッタ法、ゾルゲル法を利用した方法等が挙げられる。
As a method for forming the insulating
7.第2導電部
第2導電部10は、第1電極4と第2気体発生部7とにそれぞれ接触するように設けることができる。第2導電部10を設けることにより、容易に光電変換部2の受光面に接触した第1電極4と第2気体発生部7とを電気的に接続することができる。また、本実施形態の気体製造装置23が図9のような断面を有する場合、第2導電部10は省略することができる。
第2導電部10は光電変換部2の受光面と接触した第1電極4と光電変換部2の裏面上に設けられた第2気体発生部7とに接触するため、光電変換部2の受光面と平行な第2導電部の断面積を大きくしすぎると、光電変換部2の受光面の面積を小さくすることにつながる。また、光電変換部2の受光面に平行な第2導電部10の断面積を小さくしすぎると光電変換部2の受光面の電位と第2気体発生部7の電位との間に差が生じ、電解液を分解する電位差が得られなくなる場合もあり、第1気体または第2気体の発生効率の減少につながる場合もある。従って、光電変換部2の受光面と平行な第2導電部の断面積は、一定の範囲である必要がある。例えば、光電変換部2の受光面と平行な第2導電部の断面積(第2導電部が複数の場合、その断面積の総計)は、光電変換部2の受光面の面積を100%としたとき、0.1%以上10%以下とすることができ、好ましくは、0.5%以上8%以下、さらに好ましくは、1%以上6%以下とすることができる。
7). Second Conductive Part The second
Since the second
また、第2導電部10は、光電変換部2を貫通するコンタクトホールに設けられてもよい。このことにより、第2導電部10を設けることによる光電変換部2の受光面の面積の減少をより小さくすることができる。また、このことにより、光電変換部2の受光面と第2気体発生部7との間の電流経路を短くすることができ、より効率的に第2気体を発生させることができる。また、このことにより、光電変換部2の受光面と平行な第2導電部10の断面積を容易に調節することができる。
また、第2導電部10が設けられたコンタクトホールは、1つまたは複数でもよく、円形の断面を有してもよい。また、光電変換部2の受光面と平行なコンタクトホールの断面積(コンタクトホールが複数の場合、その断面積の総計)は、光電変換部2の受光面の面積を100%としたとき、0.1%以上10%以下とすることができ、好ましくは、0.5%以上8%以下、さらに好ましくは、1%以上6%以下とすることができる。
The second
In addition, the contact hole provided with the second
第2導電部10の材料は、導電性を有しているものであれば特に制限されない。導電性粒子を含有するペースト、例えばカーボンペースト、Agペースト等をスクリーン印刷法、インクジェット法等で塗布し乾燥もしくは焼成する方法や、原料ガスを用いたCVD法等により製膜する方法、PVD法、蒸着法、スパッタ法、ゾルゲル法、電気化学的な酸化還元反応を利用した方法等が挙げられる。
The material of the 2nd
8.気体流路
気体流路17は、第1気体発生部8および第2気体発生部7のうち少なくとも一方と光電変換部2との間に設けられる。また、気体流路17は、第1気体発生部8で発生させた第1気体または第2気体発生部7で発生させた第2気体を気体排出口へと導通させる。また、気体流路17は、気体が導通することができる空洞であり、電解液で満たされてもよく、電解液で満たされなくてもよい。
気体流路17は、発生させた第1気体または第2気体を導通させることができれば、特に限定されないが、例えば、第1気体発生部8または第2気体発生部7と光電変換部2との間に形成された空洞部や気体導通部21が有する空洞部であってもよい。なお、気体導通部21についての説明は後述する。
気体流路17を設けることにより、第1気体の第1気体発生部8における滞留または第2気体の第2気体発生部7における滞留を抑制することができる。このことを図面を使って説明する。
8). Gas Channel The
The
By providing the
図10および図12は、図4のような断面を有する気体製造装置を斜めに設置し、電解液チェンバー15に電解液25を満たし、受光面側から光を照射したときの概略断面図である。なお、図10は、図1に示した気体製造装置23の一点鎖線B−Bの概略断面図に対応し、図12は、図1に示した気体製造装置23の点線C−Cの概略断面図に対応している。また、図11は、図10の点線で囲んだ範囲Eの拡大図であり、図13は、図12の点線で囲んだ範囲Fの拡大図である。
10 and 12 are schematic cross-sectional views when a gas production apparatus having a cross section as shown in FIG. 4 is installed obliquely, the
図10および図12に示した気体製造装置に含まれる光電変換部2に光を照射すると、光電変換部2の受光面と裏面との間に電位差が生じ、前記受光面と電気的に接続した第2気体発生部7と前記裏面と電気的に接続した第1気体発生部8の間にも電位差が生じる。この電位差により、電解液25の分解反応が生じ、第1気体発生部8において第1気体が発生し、第2気体発生部7において第2気体が発生する。発生した第1気体または第2気体である発生気体27には、図11または図13のようにその浮力により上昇し、第1気体発生部8または第2気体発生部7の隙間を導通し、気体流路17に流入させることができる。気体流路17に流入した発生気体27は、気体流路17を導通し、第1気体排出口20および第2気体排出口19から気体製造装置23の外部に取り出すことができ、回収することができる。なお、図10〜13に示した気体製造装置23の場合、気体流路17は、気体導通部21に含まれている。
When the
気体流路17は、図10〜13のように気体導通部21に含まれてもよいが、例えば、図3に示した気体製造装置23の断面図のように、第1気体発生部8と光電変換部2間または第2気体発生部7と光電変換部2との間に形成された溝状の空洞部であってもよい。図3のような気体製造装置の場合、気体導通部21は形成されず、気体流路17は、例えば、光電変換部2、絶縁部11、第1気体発生部8または第2気体発生部7に溝状に形成された空洞部であってもよい。また、この空洞部は、第1気体排出口20または第2気体排出口19に繋がるように形成されてもよい。
Although the
また、例えば、図5のようにこのような第1気体排出口20または第2気体排出口19に繋がる溝状に形成された空洞部は、気体導通部21に設けられていてもよい。
図14は、図5のような断面を有する気体製造装置を斜めに設置し、電解液チェンバー15に電解液25を満たし、受光面側から光を照射したときの概略断面図である。なお、図14は、図1に示した気体製造装置23の一点鎖線B−Bの概略断面図に対応している。また、図15は、図14の点線で囲んだ範囲Gの拡大図である。
図14のような気体製造装置23の場合、第1気体発生部8で発生した発生気体27は、図15のようにその浮力により上昇し、第1気体発生部8の隙間を導通し、気体流路17に流入させることができる。気体流路17に流入した発生気体27は、気体流路を導通し、第1気体排出口20から気体製造装置23の外部に取り出すことができ、回収することができる。
また、溝状の気体流路17は、図5、14のように気体導通部21の端部から第1気体排出口20に向かうように設けることができる。又、同様に気体導通部21の端部から第2気体排出口19に向かうように設けることができる。このことにより、気体回収効率をより高めることができる。溝状の気体流路17の断面形状は、層の強度の点から円形もしくは円弧形とするのが望ましいが、第1気体発生部8または第2気体発生部7から回収された気体を第1気体排出口20または第2気体排出口19まで円滑に送達することが可能であれば特に限定はしない。
Further, for example, as shown in FIG. 5, such a cavity portion formed in a groove shape connected to the first
FIG. 14 is a schematic cross-sectional view when a gas production apparatus having a cross section as shown in FIG. 5 is installed obliquely, the
In the case of the
Moreover, the groove-shaped
また、気体流路17は、光電変換部2の裏面と第1気体発生部8との間および光電変換部2の裏面と第2気体発生部7との間にそれぞれ設けることができ、この2つの気体流路17は、お互いに導通させないことができる。このことにより、第1気体発生部8と第2気体発生部7とでそれぞれ発生させた気体を混合させずに回収することができる。第1気体発生部8と前記裏面との間の気体流路17および第2気体発生部7と前記裏面との間の気体流路17をお互いに導通させない手段は特に限定されないが、例えば、2つの気体流路17の間に隔壁13または絶縁部11を設けることにより、導通させないことができる。
Moreover, the
また、例えば、図9のように第2気体発生部7と第1気体発生部8がそれぞれ光電変換部2の受光面側と裏面側に設けられている場合、気体流路17は、第1気体発生部8と光電変換部2の裏面との間に設けることができる。
図16は、図9のような断面を有する気体製造装置を斜めに設置し、電解液チェンバー15に電解液25を満たし、受光面側から光を照射したときの概略断面図である。また、図17は、図16の点線で囲んだ範囲Jの拡大図である。
図16のような気体製造装置23の場合、第1気体発生部8で発生した発生気体27は、図17のようにその浮力により上昇し、第1気体発生部8の隙間を導通し、気体流路17に流入させることができる。気体流路17に流入した発生気体27は、気体流路17を導通し、第1気体排出口20から気体製造装置23の外部に取り出すことができ、回収することができる。なお、第2気体発生部7で発生した発生気体27は、その浮力により第2気体発生部7から気泡として脱離することができ、第2気体排出口19から回収することができる。
For example, when the 2nd
FIG. 16 is a schematic cross-sectional view when a gas production apparatus having a cross section as shown in FIG. 9 is installed obliquely, the
In the case of the
気体流路17は、親水性または疎水性の内壁を有することができる。気体流路17が電解液で満たされた場合であって、気体流路17の内壁が親水性の場合、気泡として導通する発生気体27は、気体流路17の内壁に吸着しにくく、気体流路17を導通させることができる。このことにより、発生気体27を第1気体排出口20または第2気体排出口19から応答性よく回収することができる。この場合、発生気体27が気泡として導通しやすいように、気体流路の直径を大きくすることができ、また、気体流路を溝状にすることができる。
The
また、気体流路17が電解液で満たされた場合であって、気体流路17の内壁が疎水性の場合、発生した発生気体27が電解液を押し出し気体流路17を発生気体27で満たすことができる。気体流路17が発生気体27で満たされると、第1気体発生部8または第2気体発生部7で発生した発生気体27は、気体流路を満たした発生気体27中を導通することができ、迅速に第1気体排出口20または第2気体排出口19から回収することができる。この場合、気体流路17の容積を小さくすることができる。このことにより、気体流路17を迅速に発生気体27で満たすことができ、発生気体をより迅速に回収することができる。
Further, when the
また、気体流路17の内壁が疎水性であって、気体流路17が電解液で満たされていない場合、第1気体発生部8または第2気体発生部7で発生した発生気体27は、気体流路17の空洞を導通して迅速に回収することができる。例えば、疎水性多孔質膜で気体導通部21を形成することにより、このような気体流路17を形成することができる。
Further, when the inner wall of the
9.気体導通部
気体導通部21は、第1気体発生部8および第2気体発生部7のうち少なくとも一方と光電変換部2との間に設けることができる。また、気体導通部21は、気体流路17を有する。
気体導通部21は、気体流路17を有すれば特に限定されないが、例えば、多孔質材料により構成することができる。この場合、多孔質材料の孔が気体流路17となる。また、気体導通部21は、格子状構造、微小な粒子を充填させた構造とすることもできる。この場合これらの構造の隙間が気体流路17となる。また、気体導通部21は、図5、図14、図15のように溝状の気体流路17を形成したものであってもよい。
9. Gas Conducting Unit The
Although the gas conduction | electrical_connection
気体導通部21は、導電性を有しても有さなくてもよいが、導電性を有することが好ましい。気体導通部21が導電性を有することが好ましい。導電性を有する気体導通部21を光電変換部2と第2気体発生部7との間に設けることにより、光電変換部2の受光面と第2気体発生部7とをほぼ同じ電位とすることができる。また、導電性を有する気体導通部21を光電変換部2と第1気体発生部8との間に設けることにより、光電変換部2の裏面と第1気体発生部8とをほぼ同じ電位とすることができる。
The
気体導通部21が導電性を有さない場合、気体導通部21を貫通する第2コンタクトホールに第3導電部22を形成し、光電変換部2の裏面と第1気体発生部8とを電気的に接続することができる。例えば、図6に示したような断面を有する気体製造装置とすることができる。このことにより、気体導通部21が導電性を有さない場合でも、光電変換部2の裏面と第1気体発生部8の電位をほぼ同じにすることができ、効率よく電解液を分解することができる。また、気体導通部21が絶縁性を有する場合、図6のように第2気体発生部7と光電変換部2との間の絶縁部11を省略することができる。
When the
また、気体導通部21は、親水性の表面を有する材料から形成されてもよく、また、親水性の表面を有するように表面処理されていてもよい。このことにより、親水性の内壁を有する気体流路17を設けることができるからである。また、気体導通部21は、疎水性の表面を有する材料から形成されてもよく、また、疎水性の表面を有するように表面処理されていてもよい。このことにより、疎水性の内壁を有する気体流路17を設けることができるからである。
Moreover, the gas conduction | electrical_connection
また、第1気体発生部8および第2気体発生部7が前記裏面上に設けられた気体製造装置において、気体導通部21は、光電変換部2の裏面と第1気体発生部8および第2気体発生部7との間に設けられ、かつ、電解液に対する耐食性および遮液性を有してもよい。また、気体導通部21は、光電変換部2を覆うように設けられてもよい。このことにより、光電変換部2と電解液の接触を防止することができ、光電変換部2に電解液により腐食されやすい光電変換材料や電解液が流入することにより光電変換効率が低下するような光電変換材料を用いることができる。
In the gas manufacturing apparatus in which the first
気体導通部21としては、例えば、導電性のあるカーボン製やアルミニウム、タングステン、鉄等の金属製の多孔質材料を用いることが好ましい。しかし、図6のように第3導電部22を設けることにより、ポリエチレン、エチレンプロピレンゴム(EPR)等の非導電性の高分子もしくはアルミナ、ジルコニア等のセラミック製の多孔質材料を用いることも可能である。また、気体導通部21はポリビニリデンフルオライド(PVDF)からなるMillipore社製Durapel膜(登録商標)等の超疎水性多孔質膜を使用することも可能である。これにより、気体導通部21が有する気体流路17内への電解液の浸透を遮断し、気体流路17内を電解液で満たされていない状態とすることができる。このことにより、第1気体発生部8で発生した第1気体または第2気体発生部7で発生した第2気体を電解液のない気体流路17を導通させることができ、気体回収をより効率よく行うことが可能となる。
As the
また、気体導通部21としては、例えば、非導電性の金属酸化物や高分子又は天然由来の材料であってもよい。前記金属酸化物の多孔質材料の例は、周期表の2、3、4 、12、13 及び14族の元素の酸化物のような多孔質酸化物であり、例えばアルミニウム、ジルコニウム、ケイ素、マグネシウム及びそれらの混合物の酸化物、特に陽極酸化軽金属、特にアルミニウム又はその合金である。多孔質合成材料は、例えばフッ素系樹脂や、ポリエチレン、エチレンプロピレンゴム(EPR)、多孔質ポリアミド充填剤である。特にポリアミド充填剤はポリアミド−12 、ポリアミド−6 又はコーポリアミド−6/12 充填剤であり、商品名Orgasol(登録商標) でAtofina社により販売されている。更に、天然由来の多孔質材料としては、白亜、軽石、焼成クレー、素焼きセラミック、石膏、コンクリート、キーゼルグール、シリカゲル、ゼオライト、及び毛等も使用可能である。
Moreover, as the gas conduction | electrical_connection
10.第1気体発生部
第1気体発生部8は、光電変換部2の裏面の上に設けられてもよい。このことにより、第1気体発生部8は光電変換部2に入射する光を遮ることはない。また、第1気体発生部8は、光電変換部2の裏面と電気的に接続することができる。このことにより、光電変換部2の裏面の電位と第1気体発生部8の電位をほぼ同じとすることができ、光電変換部2で生じた起電力により電解液を分解し、第1気体を発生させることができる。また、第1気体発生部8は、第2気体発生部7と接触しないように設けることができる。このことにより、第1気体発生部8と第2気体発生部7との間にリーク電流が流れるのを防止することとができる。さらに、第1気体発生部8は、電解液チェンバー15に露出してもよい。このことにより、第1気体発生部8の表面で電解液から第1気体を発生させることができる。また、第1気体発生部8は複数設けられてもよい。
また、第1気体発生部8は、水素発生部および酸素発生部のいずれか一方とすることができる。このことにより、第1気体発生部において電解液に含まれる水を分解し、水素または酸素を発生させることができる。
10. First Gas Generation Unit The first
The first
11.第2気体発生部
第2気体発生部7は、光電変換部2の裏面の上に設けられてもよい。このことにより、第2気体発生部7は光電変換部2に入射する光を遮ることはない。また、第2気体発生部7は、光電変換部2の受光面と第1導電部9を介して電気的に接続する。このことにより、光電変換部2の受光面の電位と第2気体発生部7の電位をほぼ同じにすることができ、光電変換部2で生じた起電力により電解液を分解し第2気体を発生させることができる。また、第2気体発生部7は、絶縁部11を介して光電変換部2の裏面の上に設けられてもよい。また、第2気体発生部7は、第1気体発生部8と接触しないように設けることができる。このことによりリーク電流が流れることを防止することができる。また、第2気体発生部7は、電解液チェンバー15に露出してもよい。このことにより、第2気体発生部7の表面で電解液から第2気体を発生させることができる。また、第2気体発生部8は複数設けられてもよい。
また、第2気体発生部8は、水素発生部および酸素発生部のいずれか一方とすることができる。このことにより、第2気体発生部において電解液に含まれる水を分解し、水素または酸素を発生させることができる。
11. Second Gas Generating Unit The second
The second
第1気体発生部8および第2気体発生部7は、気体透過性を有してもよい。このことにより、第1気体発生部8で発生させた第1気体または第2気体発生部7で発生させた第2気体は、その浮力により上昇し、気体流路17に流入することができる。このことにより、第1気体または第2気体の滞留を抑制することができる。
気体透過性を持たせる方法は、特に限定されないが、多孔質材料を用いて第1気体発生部8および第2気体発生部7を形成してもよいし、第1気体発生部8および第2気体発生部7がそれぞれ隙間を有するようにまばらに設けてもよい。
また、第1気体発生部8および第2気体発生部7が気体透過性を有さない場合、後述する気体支流路29を形成することにより、気体透過性を持たせてもよい。
The 1st
A method for imparting gas permeability is not particularly limited, but the first
Moreover, when the 1st
多孔質材料からなる第1気体発生部および第2気体発生部としては、例えば、カーボンクロス、カーボンペーパー等のカーボン多孔質体またはアルミニウム、チタン、ニオブ、タンタル等を主とする多孔質の弁金属等を担体として用いて、触媒を担持法により担持させたものが挙げられる。 Examples of the first gas generation unit and the second gas generation unit made of a porous material include a carbon porous body such as carbon cloth and carbon paper, or a porous valve metal mainly composed of aluminum, titanium, niobium, tantalum, or the like. Or the like as a carrier, and a catalyst supported by a supporting method.
第1気体発生部8および第2気体発生部7は、親水性の表面を有してもよい。このことにより、第1気体発生部8および第2気体発生部7への電解液の浸透性を向上させることができる。その結果、電解液から第1気体および第2気体を発生させる反応を活性化することができ、気体発生効率を向上することができる。
The 1st
また、第1気体発生部8および第2気体発生部7が親水性の表面を有することにより、気泡として発生した第1気体または第2気体が、第1気体発生部8または第2気体発生部7の表面に吸着しにくくすることができる。つまり、気泡と第1気体発生部8または第2気体発生部7との間に電解液が入りやすくなるため、気泡が吸着しにくくなる。その結果、発生した気泡は、その浮力により上昇し、気体流路に流入しやすくすることができる。従って、発生した第1気体の第1気体発生部8における滞留または第2気体の第2気体発生部7における滞留を抑制することができ、発生した第1気体または第2気体を気体流路17を経由して迅速に回収することができる。
Moreover, since the 1st
第1気体発生部8および第2気体発生部7に親水性の表面を持たせる方法は、特に限定されないが、例えば、親水性の表面を有する材料を用いて第1気体発生部8および第2気体発生部7を形成してもよく、また、親水化処理を施して第1気体発生部8および第2気体発生部7が親水性の表面を有するようにしてもよい。親水化処理は、例えば、イオンスパッタリングなどにより施すことが可能である。
Although the method to give the hydrophilic surface to the 1st
また、図18は、本発明の一実施形態の気体製造装置の概略平面図である。図19は、本発明の一実施形態の気体製造装置の概略断面図であり、図19の点線K−Kの断面図に対応している。第1気体発生部8と第2気体発生部7は、光電変換部2の裏面の上に並列に配置されてもよい。さらに、第1気体発生部8と第2気体発生部7のうち少なくとも一方は複数であり、交互に配置されてもよい。例えば、図18、19のような構成を有してもよい。このことにより、光電変換部2の受光面と第2気体発生部7との間の電流経路をより短くすることができ、より効率的に第2気体を発生させることができる。このことにより第1気体発生部8と第2気体発生部9とが隣接する部分が増加し、第1気体発生部8付近の電解液と第2気体発生部9付近の電解液との間のイオンがイオン伝導する距離を短くすることができる。また、このイオンがイオン伝導する電解液またはイオン交換体のイオン伝導経路が多くすることができ、イオン伝導領域の比率を大きくすることができる。この結果、伝導イオンの濃度を小さくすることができる。イオンは、例えばプロトンである。
このことにより、イオンが第1気体発生部8付近の電解液と第2気体発生部9付近の電解液において移動しやすくなり、イオン濃度の不均衡を小さくすることができる。その結果、気体発生速度の低下を防止することができる。
FIG. 18 is a schematic plan view of a gas production apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 19 is a schematic cross-sectional view of a gas production apparatus according to an embodiment of the present invention, and corresponds to the cross-sectional view taken along the dotted line KK in FIG. The first
This facilitates movement of ions in the electrolyte solution in the vicinity of the first
また、第1気体発生部8および第2気体発生部7は、それぞれ光電変換部2の裏面上および光電変換部2の受光面上に設けてもよい。この構成により、第2導電部10を省略することができる。本実施形態の気体製造装置は、例えば、図16のような断面を有してもよい。
図16のような断面を有する気体製造装置は、受光面と裏面を有する光電変換部2を有し、前記裏面上に気体導通部21が積層され、さらにその上に第1気体発生部8が積層されている。例えば、図16に示すように受光面側から順に第2気体発生部7、光電変換部2、気体導通部21、第1気体発生部8の順に積層され、受光面を水平面に対して傾けて設置される際、第1気体発生部8が光電変換部2の下側となる構造を取る。なお、図16に示すような気体製造装置は、光電変換部2、第2気体発生部7、第1気体発生部8、および気体導通部21、隔壁13、透光性基板1、外箱16、第1気体排出口20、第2気体排出口19、給水口18により構成され、構成要素は他の実施形態と同様のものを使用することが可能である。ただし、第2気体発生部7については、受光面側に配置するため光電変換部2にまで光を透過させる必要がある。そのため触媒を半導電体太陽電池からなる光電変換部2に直接、またはSnO2、ZnO、TiO2、In2O3またはITO(In2O3―SnO2)、IZO(InSnO2―ZnO)等の透明導電性を有する第1電極4に、イオンスパッタリング法、スプレー法、CVD法、ゾル―ゲル法、電解析出等の方法を用いて担持させることが好ましい。
The first
The gas manufacturing apparatus having a cross section as shown in FIG. 16 has a
12.水素発生部
水素発生部は、電解液からH2を発生させる部分であり、第1気体発生部8および第2気体発生部7のうちどちらか一方とすることができる。また、水素発生部は、電解液からH2が発生する反応の触媒(水素発生触媒)を含んでもよい。このことにより、電解液からH2が発生する反応の反応速度を大きくすることができる。水素発生部は、電解液からH2が発生する反応の触媒のみからなってもよく、この触媒が担体に担持されたものであってもよい。また、水素発生部は、光電変換部2の受光面の面積より大きい触媒表面積を有してもよい。このことにより、電解液からH2が発生する反応をより速い反応速度とすることができる。また、水素発生部は、触媒が担持された多孔質の導電体であってもよい。このことにより、触媒表面積を大きくすることができる。また、光電変換部2の受光面または裏面と水素発生部に含まれる触媒との間に電流が流れることによる電位の変化を抑制することができる。また、この水素発生部を第1気体発生部8としたとき、第2電極を省略しても光電変換部2の裏面と触媒との間に電流が流れることによる電位の変化を抑制することができる。
12 Hydrogen generating part The hydrogen generating part is a part that generates H 2 from the electrolytic solution, and can be either the first
電解液からH2が発生する反応の触媒(水素発生触媒)は、2つのプロトンと2つの電子から1分子の水素への変換を促進する触媒であり、化学的に安定であり、水素生成過電圧が小さい材料を用いることができる。例えば、水素に対して触媒活性を有するPt、Ir、Ru、Pd、Rh、Os、Au等の白金族金属およびその合金あるいは化合物、水素生成酵素であるヒドロゲナーゼの活性中心を構成するFe,Ni,Seの合金あるいは化合物、およびこれらの組み合わせ等を好適に用いることが可能である。中でもPtおよびPtを含有するナノ構造体は水素発生過電圧が小さく好適に用いることが可能である。光照射により水素発生反応が確認されるCdS,CdSe,ZnS,ZrO2などの材料を用いることもできる。なお、水素発生触媒は水素発生の理論過電圧が低いものを用いることが好ましいが、前記過電圧が低いものであれば特に限定はしない。 The catalyst for the reaction of generating H 2 from the electrolyte (hydrogen generation catalyst) is a catalyst that promotes the conversion of two protons and two electrons into one molecule of hydrogen, is chemically stable, and generates hydrogen overvoltage. Can be used. For example, platinum group metals such as Pt, Ir, Ru, Pd, Rh, Os, and Au having catalytic activity against hydrogen and alloys or compounds thereof, Fe, Ni, which constitutes an active center of hydrogenase that is a hydrogen generating enzyme, Se alloys or compounds, combinations thereof, and the like can be suitably used. Among them, a nanostructure containing Pt and Pt has a small hydrogen generation overvoltage and can be suitably used. Materials such as CdS, CdSe, ZnS, and ZrO 2 whose hydrogen generation reaction is confirmed by light irradiation can also be used. In addition, although it is preferable to use a hydrogen generation catalyst having a low theoretical overvoltage for hydrogen generation, there is no particular limitation as long as the overvoltage is low.
水素発生触媒を直接光電変換部2の裏面などに担持することは可能であるが、反応面積をより大きくし気体生成速度を向上させるために、触媒を導電体に担持することができる。触媒を担持する導電体としては、金属材料、炭素質材料、導電性を有する無機材料等が挙げられる。
Although it is possible to directly support the hydrogen generating catalyst on the back surface of the
金属材料としては、電子伝導性を有し、酸性雰囲気下で耐腐食性を有する材料が好ましい。具体的には、Au、Pt、Pd等の貴金属、Ti、Ta、W、Nb、Ni、Al、Cr、Ag、Cu、Zn、Su、Si等の金属並びにこれらの金属の窒化物および炭化物、ステンレス鋼、Cu−Cr、Ni−Cr、Ti−Pt等の合金が挙げられる。金属材料には、Pt、Ti、Au、Ag、Cu、Ni、Wからなる群より選ばれる少なくとも一つの元素を含むことが、他の化学的な副反応が少ないという観点から、より好ましい。これら金属材料は、比較的電気抵抗が小さく、面方向に電流を取り出しても電圧の低下を抑制することができる。また、Cu、Ag、Zn等の酸性雰囲気下での耐腐食性に乏しい金属材料を用いる場合には、Au、Pt、Pd等の耐腐食性を有する貴金属および金属、カーボン、グラファイト、グラッシーカーボン、導電性高分子、導電性窒化物、導電性炭化物、導電性酸化物等によって耐腐食性に乏しい金属の表面をコーティングしてもよい。 As the metal material, a material having electronic conductivity and resistance to corrosion in an acidic atmosphere is preferable. Specifically, noble metals such as Au, Pt, Pd, metals such as Ti, Ta, W, Nb, Ni, Al, Cr, Ag, Cu, Zn, Su, Si, and nitrides and carbides of these metals, Examples of the alloy include stainless steel, Cu—Cr, Ni—Cr, and Ti—Pt. It is more preferable that the metal material contains at least one element selected from the group consisting of Pt, Ti, Au, Ag, Cu, Ni, and W from the viewpoint that there are few other chemical side reactions. These metal materials have a relatively small electric resistance, and can suppress a decrease in voltage even when a current is extracted in the surface direction. Further, when using a metal material having poor corrosion resistance in an acidic atmosphere such as Cu, Ag, Zn, etc., noble metals and metals having corrosion resistance such as Au, Pt, Pd, carbon, graphite, glassy carbon, A metal surface having poor corrosion resistance may be coated with a conductive polymer, a conductive nitride, a conductive carbide, a conductive oxide, or the like.
炭素質材料としては、化学的に安定で導電性を有する材料が好ましい。例えば、アセチレンブラック、バルカン、ケッチェンブラック、ファーネスブラック、VGCF、カーボンナノチューブ、カーボンナノホーン、フラーレン等の炭素粉末や炭素繊維が挙げられる。 As the carbonaceous material, a chemically stable and conductive material is preferable. Examples thereof include carbon powders and carbon fibers such as acetylene black, vulcan, ketjen black, furnace black, VGCF, carbon nanotube, carbon nanohorn, and fullerene.
導電性を有する無機材料としては、例えば、In−Zn−O(IZO)、In−Sn−O(ITO)、ZnO−Al、Zn−Sn−O、SnO2、酸化アンチモンドープ酸化スズが挙げられる。 Examples of the inorganic material having conductivity include In—Zn—O (IZO), In—Sn—O (ITO), ZnO—Al, Zn—Sn—O, SnO 2 , and antimony oxide-doped tin oxide. .
なお、導電性高分子としては、ポリアセチレン、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリパラフェニレン、ポリパラフェニレンビニレン等が挙げられ、導電性窒化物としては、窒化炭素、窒化ケイ素、窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化ゲルマニウム、窒化チタニウム、窒化ジルコニウム、窒化タリウム等が挙げられ、導電性炭化物としては、炭化タンタル、炭化ケイ素、炭化ジルコニウム、炭化チタニウム、炭化モリブデン、炭化ニオブ、炭化鉄、炭化ニッケル、炭化ハフニウム、炭化タングステン、炭化バナジウム、炭化クロム等が挙げられ、導電性酸化物としては、酸化スズ、酸化インジウムスズ(ITO)、酸化アンチモンドープ酸化スズ等が挙げられる。 In addition, examples of the conductive polymer include polyacetylene, polythiophene, polyaniline, polypyrrole, polyparaphenylene, polyparaphenylene vinylene, and the like, and examples of the conductive nitride include carbon nitride, silicon nitride, gallium nitride, indium nitride, and nitride. Germanium, titanium nitride, zirconium nitride, thallium nitride, etc. are listed, and conductive carbides include tantalum carbide, silicon carbide, zirconium carbide, titanium carbide, molybdenum carbide, niobium carbide, iron carbide, nickel carbide, hafnium carbide, tungsten carbide. , Vanadium carbide, chromium carbide, and the like. Examples of the conductive oxide include tin oxide, indium tin oxide (ITO), and antimony oxide-doped tin oxide.
水素発生触媒を担持する導電体の構造としては、板状、箔状、棒状、メッシュ状、ラス板状、多孔質板状、多孔質棒状、織布状、不織布状、繊維状、フェルト状が好適に使用できる。また、フェルト状電極の表面を溝状に圧着した溝付き導電体は、電気抵抗と電極液の流動抵抗を低減できるので好適である。 The structure of the conductor supporting the hydrogen generation catalyst includes a plate shape, a foil shape, a rod shape, a mesh shape, a lath plate shape, a porous plate shape, a porous rod shape, a woven fabric shape, a nonwoven fabric shape, a fiber shape, and a felt shape. It can be used suitably. Further, a grooved conductor in which the surface of the felt-like electrode is pressure-bonded in a groove shape is preferable because the electric resistance and the flow resistance of the electrode liquid can be reduced.
13.酸素発生部
酸素発生部は、電解液からO2を発生させる部分であり、第1気体発生部8および第2気体発生部7のうちどちらか一方とすることができる。また、酸素発生部は、電解液からO2が発生する反応の触媒(酸素発生触媒)を含んでもよい。このことにより、電解液からO2が発生する反応の反応速度を大きくすることができる。また、酸素発生部は、電解液からO2が発生する反応の触媒のみからなってもよく、この触媒が担体に担持されたものであってもよい。また、酸素発生部は、光電変換部2の受光面の面積より大きい触媒表面積を有してもよい。このことにより、電解液からO2が発生する反応をより速い反応速度とすることができる。また、酸素発生部は、触媒が担持された多孔質の導電体であってもよい。このことにより、触媒表面積を大きくすることができる。また、光電変換部2の受光面または裏面と酸素発生部に含まれる触媒との間に電流が流れることによる電位の変化を抑制することができる。また、この水素発生部を第1気体発生部8としたとき、第2電極を省略しても光電変換部2の裏面と触媒との間に電流が流れることによる電位の変化を小さくすることができる。さらに、酸素発生部は、酸素発生触媒としてMn、Ca、Zn、CoおよびIrのうち少なくとも1つを含んでもよい。
13. Oxygen generating part The oxygen generating part is a part that generates O 2 from the electrolyte, and can be either the first
電解液からO2が発生する反応の触媒(酸素発生触媒)は、2つの水分子から1分子の酸素および4つのプロトンと4つの電子への変換を促進する触媒であり、化学的に安定であり、酸素発生過電圧が小さい材料を用いることができる。例えば、光を用い水から酸素発生を行う反応を触媒する酵素であるPhotosystem IIの活性中心を担うMn,Ca,Zn,Coを含む酸化物あるいは化合物や、Pt,RuO2,IrO2等の白金族金属を含む化合物や、Ti,Zr,Nb,Ta,W,Ce,Fe,Ni等の遷移金属を含む酸化物あるいは化合物、および上記材料の組み合わせ等を用いることが可能である。中でも酸化イリジウム、酸化マンガン、酸化ルテニウム、酸化コバルト、リン酸コバルトは、過電圧が小さく酸素発生効率が高いことから好適に用いることができる。 The catalyst for the reaction of generating O 2 from the electrolyte (oxygen generating catalyst) is a catalyst that promotes the conversion of two water molecules into one molecule of oxygen, four protons, and four electrons, and is chemically stable. In addition, a material having a small oxygen generation overvoltage can be used. For example, oxides or compounds containing Mn, Ca, Zn, Co, which are active centers of Photosystem II, which is an enzyme that catalyzes the reaction of generating oxygen from water using light, and platinum such as Pt, RuO 2 , IrO 2 It is possible to use compounds containing group metals, oxides or compounds containing transition metals such as Ti, Zr, Nb, Ta, W, Ce, Fe, Ni, and combinations of the above materials. Among these, iridium oxide, manganese oxide, ruthenium oxide, cobalt oxide, and cobalt phosphate can be preferably used because they have low overvoltage and high oxygen generation efficiency.
酸素発生触媒を直接光電変換部2の受光面または裏面に担持することは可能であるが、反応面積をより大きくし気体生成速度を向上させるために、触媒を導電体に担持することができる。触媒を担持する導電体としては、金属材料、炭素質材料、導電性を有する無機材料等が挙げられる。これらの説明は、「12.水素発生部」に記載した水素発生触媒についての説明が矛盾がない限り当てはまる。
Although the oxygen generating catalyst can be directly supported on the light receiving surface or the back surface of the
水素発生触媒および酸素発生触媒の単独の触媒活性が小さい場合、助触媒を用いることも可能である。例えば、Ni,Cr,Rh,Mo,Co,Seの酸化物あるいは化合物などが挙げられる。 When the catalytic activity of the hydrogen generating catalyst and the oxygen generating catalyst alone is small, a promoter can be used. Examples thereof include oxides or compounds of Ni, Cr, Rh, Mo, Co, and Se.
なお、水素発生触媒、酸素発生触媒の担持方法は、導電体もしくは半導体に直接塗布する方法や、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法等のPVD法、CVD法等の乾式塗工法、電析法など、材料により適宜その手法を変え作製ことが可能である。光電変換部と触媒の間に適宜導電物質を担持することが可能である。また水素発生および酸素発生のための触媒活性が十分でない場合、金属やカーボン等の多孔質体や繊維状物質、ナノ粒子等に担持することにより反応表面積を大きくし、水素及び酸素発生速度を向上させることが可能である。 The method for supporting the hydrogen generating catalyst and the oxygen generating catalyst can be applied directly to a conductor or semiconductor, PVD methods such as vacuum deposition, sputtering, and ion plating, dry coating methods such as CVD, The method can be appropriately changed depending on the material such as an analysis method. A conductive material can be appropriately supported between the photoelectric conversion unit and the catalyst. Also, when the catalytic activity for hydrogen generation and oxygen generation is not sufficient, the reaction surface area is increased by supporting it on porous materials such as metals and carbon, fibrous materials, nanoparticles, etc., and the hydrogen and oxygen generation rates are improved. It is possible to make it.
14.気体支流路
気体支流路29は、第1気体発生部8および第2気体発生部7のうちどちらか一方により形成され、かつ、気体流路17に繋がる。また、気体支流路29は、第1気体発生部で発生させた第1気体または第2気体発生部で発生させた第2気体を気体流路17へ導通させることができる。このことにより、第1気体または第2気体を迅速に気体流路17に流入させることができ、第1気体発生部8における第1気体の滞留および第2気体発生部7における第2気体の滞留を抑制することができる。
また、気体支流路29は、2つの第1気体発生部8の間に形成された隙間であってもよく、また、2つの第2気体発生部7の間に形成された隙間であってもよい。また、気体支流路29は、2つの帯状の第1気体発生部8の間に形成された隙間であってもよく、また、2つの帯状の第2気体発生部7の間に形成された隙間であってもよい。また、気体支流路29は、発生させた気泡が浮上する方向に対して垂直な方向に伸びるように形成されてもよい。
このことにより、第1気体発生部8または第2気体発生部7の気体流路17側と反対側の表面付近で発生した第1気体または第2気体を気体支流路29を導通させて気体流路17に流入させることができる。また、気体支流路29を備えることにより、第1気体発生部8または第2気体発生部7に金属板などの気体透過性を有さない材料を用いることができる。
このことを図面を用いて説明する。
14 Gas Branch Channel The
Further, the
As a result, the first gas or the second gas generated near the surface of the first
This will be described with reference to the drawings.
図20は、気体支流路29を有する気体製造装置を斜めに設置し、電解液チェンバー15に電解液25を満たし、受光面側から光を照射したときの概略断面図である。なお、図20は、図1に示した気体製造装置23の点線C−Cの断面図に対応している。また、図21は、図20の点線で囲んだ範囲Mの拡大図である。
第1気体発生部8または第2気体発生部7の気体流路17側と反対側の表面付近で発生した第1気体または第2気体の気泡は、図21のように気体支流路29に流入することができ、この気泡は、気体流路17に流入することができる。このことにより、発生した第1気体が第1気体発生部8に滞留することまたは第2気体が第2気体発生部7に滞留することを抑制することができる。
FIG. 20 is a schematic cross-sectional view when a gas production apparatus having a
The gas bubbles of the first gas or the second gas generated near the surface opposite to the
また、図22は、図7のような断面を有する気体製造装置を斜めに設置し、電解液チェンバー15に電解液25を満たし、受光面側から光を照射したときの概略断面図である。なお、図22は、図1に示した気体製造装置23の点線C−Cの断面図に対応している。また、図23は、図22の点線で囲んだ範囲Nの拡大図である。
FIG. 22 is a schematic cross-sectional view when a gas production apparatus having a cross section as shown in FIG. 7 is installed obliquely, the
気体支流路29は、第1開口31と第2開口32とを有し、第1開口31は、第1気体発生部8および第2気体発生部7のうちどちらか一方の気体流路17側の面に設けられ、第2開口32は、第1開口31が設けられた面と反対側の面に設けられ、第2開口29は、高さの異なる第1縁部33および第2縁部34を有し、第1縁部33は、第2縁部34より高い第2開口32の縁であり、第1縁部33において第1気体発生部において発生させた第1気体または第2気体発生部において発生させた第2気体を気体支流路29に流入させてもよい。このような構成を有することにより、第1気体発生部8または第2気体発生部7の気体流路17側と反対側の表面付近で発生した第1気体又は第2気体を気体支流路29に流入しやすくすることができる。図23を用いてより具体的に説明すると、第2気体発生部7の電解液25側を浮上する発生気体27は、より高い縁である第1縁部33にぶつかり、気体支流路29に流入することができる。
The
第1縁部33と第2縁部34を形成する方法は特に限定されないが、例えば、図7、図22のように複数の第2気体発生部7を隙間を置いて設け、それぞれの第2気体発生部の電解液チェンバー側の面を第1縁部33と第2縁部34ができるように光電変換部2の裏面に対して傾斜させることができる。このように傾斜させることにより、傾斜の下側の角部が第2縁部34となり、傾斜の上側の角部が第1縁部33とすることができる。このことにより、発生気体が気泡として第2気体発生部7の表面に沿って上昇した際、該第2気体発生部7の上部に隣接する第2気体発生部7の第1縁部33に止められ、気泡は気体支流路29に流入する。このことにより、気泡は、気体支流路29を導通し気体流路17に流入することができる。そのため、発生気体がより上方に配置された第2気体発生部7の表面に滞留することを抑制することができる。
また、第1気体発生部8および第2気体発生部7に設ける傾斜角度は特に限定さらないが反応面における気体滞留を少量に抑えるためには、光電変換部2の裏面に対して30度以上とすることが望ましい。
The method for forming the
In addition, the inclination angles provided in the first
次に気体支流路29についてより具体的に説明する。
2つの第1気体発生部8および2つの第2気体発生部7は、それぞれ数百μm〜2mm程度の隙間を設けて積層される。この構造を取ることにより、第1気体発生部8または第2気体発生部7に金属板やSnO2、ITO等の透明導電性酸化被膜のような、電解液が透過しない非多孔質の導電性材料を用いることができる。また、第1気体発生部8または第2気体発生部7を多孔質材料を用いて形成する場合でも、多孔質材料が有する孔を介して発生気体27を気体流路17に流入させるだけではなく、電解液25と第1気体発生部8または第2気体発生部7の界面付近にわずかに滞留する発生気体27を気体支流路29を介して気体流路17に流入させ回収することも可能となる。
また、第1気体発生部8または第2気体発生部7のサイズに関して、1つの第1気体発生部8または第2気体発生部7の電解液との反応面がより小さくなるほど発生気体27の滞留を少なくすることが可能となるため、1つの第1気体発生部8または第2気体発生部7の縦方向の幅は2〜5cm程度とすることが好ましい。
Next, the
The two
In addition, with respect to the size of the first
15.外箱
外箱16は、光電変換部2、第1気体発生部8、第2気体発生部7などを収容することができ、電解液チェンバー15を形成することができるものであれば特に限定されない。また、外箱16は天板14を有することができる。
外箱16は耐熱性、および耐食性を備えていることが望ましい。外箱16は例えばステンレス鋼等の鋼材または、ジルコニア、アルミナ等のセラミック、フェノール樹脂、メラミン樹脂(MF)、ガラス繊維強化ポリアミド樹脂等の合成樹脂を用いることが好ましい。
15. Outer box The
The
16.天板
天板14は、第1気体発生部8および第2気体発生部7の上に透光性基板1と対向するように設けることができる。また、天板14は、第1気体発生部8および第2気体発生部7と天板14との間に電解液チェンバーが設けられるように設けることができる。また、天板14は、外箱16の一部であってもよい。
16. The
また、天板14は、電解液チェンバーを構成し、生成した第1気体および第2気体を閉じ込めるために構成される材料であり、機密性が高い物質が求められる。透明なものであっても不透明なものであっても特に限定されるものではないが、第1気体および第2気体が発生していることを視認できる点においては透明な材料であることが好ましい。透明な天板としては特に限定されず、例えば石英ガラス、パイレックス(登録商標)、合成石英板等の透明なリジッド材、あるいは透明樹脂板、透明樹脂フィルムなどを挙げることができる。中でも、ガスの透過性がなく、化学的物理的に安定な物質である点でガラス材を用いることが好ましい。
Moreover, the
17.隔壁
隔壁13は、第1気体発生部8と天板14との間の電解液チェンバーおよび第2気体発生部7と天板14との間の電解液チェンバーとを仕切るように設けることができる。また、隔壁13は、光電変換部2の裏面と第1気体発生部8との間に設けられた気体導通部21および光電変換部2の裏面と第2気体発生部7との間に設けられた気体導通部21を仕切るように設けることができる。
このことにより、第1気体発生部8で発生させた第1気体および第2気体発生部7で発生させた第2気体が混合することを防止することができ、第1気体および第2気体を分離して回収することができる。
また、隔壁13は、イオン交換体を含んでもよい。このことにより、第1気体発生部8と天板14との間の電解液チェンバーの電解液と第2気体発生部7と天板14との間の電解液チェンバーの電解液でアンバランスとなったイオン濃度を一定に保つことができる。つまり、イオンが隔壁9を介してイオン移動が起こることによりイオン濃度のアンバランスを解消することができる。イオンは、例えば、プロトンである。
17. Partition Wall The
Thereby, it is possible to prevent the first gas generated by the first
The
電解液に含まれる水から水素および酸素を発生させる場合、水素発生量および酸素発生量の割合は、2:1のモル比であり、第1気体発生部8と第2気体発生部7により、気体発生量が異なる。このため、装置内の含水量を一定量にする目的から、隔壁13は電解液を透過する材料であることが好ましい。隔壁13は、例えば、多孔質ガラス、多孔質ジルコニア、多孔質アルミナ等の無機膜あるいはイオン交換体を用いることが可能である。
イオン交換体としては、当該分野で公知のイオン交換体をいずれも使用でき、プロトン伝導性膜、カチオン交換膜、アニオン交換膜等を使用できる。
In the case of generating hydrogen and oxygen from water contained in the electrolytic solution, the ratio of the hydrogen generation amount and the oxygen generation amount is a molar ratio of 2: 1, and the first
As the ion exchanger, any ion exchanger known in the art can be used, and a proton conductive membrane, a cation exchange membrane, an anion exchange membrane, or the like can be used.
プロトン伝導性膜の材質としては、プロトン伝導性を有しかつ電気的絶縁性を有する材質であれば特に限定されず、高分子膜、無機膜又はコンポジット膜を用いることができる。 The material of the proton conductive film is not particularly limited as long as it is a material having proton conductivity and electrical insulation, and a polymer film, an inorganic film, or a composite film can be used.
高分子膜としては、例えば、パーフルオロスルホン酸系電解質膜である、デュポン社製のナフィオン(登録商標)、旭化成社製のアシプレックス(登録商標)、旭硝子社製のフレミオン(登録商標)等の膜や、ポリスチレンスルホン酸、スルホン化ポリエーテルエーテルケトン等の炭化水素系電解質膜等が挙げられる。 Examples of the polymer membrane include Nafion (registered trademark) manufactured by DuPont, Aciplex (registered trademark) manufactured by Asahi Kasei Co., and Flemion (registered trademark) manufactured by Asahi Glass Co., Ltd., which are perfluorosulfonic acid electrolyte membranes. Examples thereof include membranes and hydrocarbon electrolyte membranes such as polystyrene sulfonic acid and sulfonated polyether ether ketone.
無機膜としては、例えば、リン酸ガラス、硫酸水素セシウム、ポリタングストリン酸、ポリリン酸アンモニウム等からなる膜が挙げられる。コンポジット膜としては、スルホン化ポリイミド系ポリマー、タングステン酸等の無機物とポリイミド等の有機物とのコンポジット等からなる膜が挙げられ、具体的にはゴア社製のゴアセレクト膜(登録商標)や細孔フィリング電解質膜等が挙げられる。さらに、高温環境下(例えば、100℃以上)で使用する場合には、スルホン化ポリイミド、2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸(AMPS)、スルホン化ポリベンゾイミダゾール、ホスホン化ポリベンゾイミダゾール、硫酸水素セシウム、ポリリン酸アンモニウム等が挙げられる。 Examples of the inorganic film include films made of phosphate glass, cesium hydrogen sulfate, polytungstophosphoric acid, ammonium polyphosphate, and the like. Examples of the composite membrane include a membrane made of a sulfonated polyimide polymer, a composite of an inorganic material such as tungstic acid and an organic material such as polyimide, and specifically, Gore Select membrane (registered trademark) or pores manufactured by Gore. Examples thereof include a filling electrolyte membrane. Furthermore, when used in a high temperature environment (for example, 100 ° C. or higher), sulfonated polyimide, 2-acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid (AMPS), sulfonated polybenzimidazole, phosphonated polybenzimidazole, sulfuric acid. Examples include cesium hydrogen and ammonium polyphosphate.
カチオン交換膜としては、カチオンを移動させることができる固体高分子電解質であればよい。具体的には、パーフルオロカーボンスルフォン酸膜や、パーフルオロカーボンカルボン酸膜等のフッ素系イオン交換膜、リン酸を含浸させたポリベンズイミダゾール膜、ポリスチレンスルホン酸膜、スルホン酸化スチレン・ビニルベンゼン共重合体膜等が挙げられる。 The cation exchange membrane may be any solid polymer electrolyte that can move cations. Specifically, fluorine ion exchange membranes such as perfluorocarbon sulfonic acid membranes and perfluorocarbon carboxylic acid membranes, polybenzimidazole membranes impregnated with phosphoric acid, polystyrene sulfonic acid membranes, sulfonated styrene / vinylbenzene copolymers Examples include membranes.
支持電解質溶液のアニオン輸率が高い場合には、アニオン交換膜の使用が好ましい。アニオン交換膜としては、アニオンの移動可能な固体高分子電解質を使用できる。具体的には、ポリオルトフェニレンジアミン膜、アンモニウム塩誘導体基を有するフッ素系イオン交換膜、アンモニウム塩誘導体基を有するビニルベンゼンポリマー膜、クロロメチルスチレン・ビニルベンゼン共重合体をアミノ化した膜等が挙げられる。
水素発生、酸素発生がそれぞれ水素発生触媒、酸素発生触媒にて選択的に行われ、これに伴うイオンの移動が起こる場合、必ずしもイオン交換のための特殊な膜等の部材を配置する必要はない。ガスを物理的に隔離することのみの目的であれば、後述のシール材に記載の紫外線硬化性樹脂あるいは熱硬化性樹脂を用いることが可能である。
When the anion transport number of the supporting electrolyte solution is high, it is preferable to use an anion exchange membrane. As the anion exchange membrane, a solid polymer electrolyte capable of transferring anions can be used. Specifically, a polyorthophenylenediamine film, a fluorine-based ion exchange film having an ammonium salt derivative group, a vinylbenzene polymer film having an ammonium salt derivative group, a film obtained by aminating a chloromethylstyrene / vinylbenzene copolymer, etc. Can be mentioned.
When hydrogen generation and oxygen generation are selectively performed by a hydrogen generation catalyst and an oxygen generation catalyst, respectively, and ion movement accompanying this occurs, it is not always necessary to arrange a member such as a special membrane for ion exchange. . For the purpose of only physically isolating the gas, it is possible to use an ultraviolet curable resin or a thermosetting resin described in a sealing material described later.
18.シール材
シール材は、透光性基板1と天板14または外箱16を接着し、気体製造装置23内を流れる電解液および気体製造装置23内で生成した第1気体および第2気体を密閉するための材料である。シール材は、例えば、紫外線硬化性接着剤、熱硬化性接着剤等が好適に使用されるが、その種類は限定されるものではない。紫外線硬化性の接着剤としては、200〜400nmの波長を持つ光を照射することにより重合が起こり光照射後数秒で硬化反応が起こる樹脂であり、ラジカル重合型とカチオン重合型に分けられ、ラジカル重合型樹脂としてはアクリルレート、不飽和ポリエステル、カチオン重合型としては、エポキシ、オキセタン、ビニルエーテル等が挙げられる。また熱硬化性の高分子接着剤としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、熱硬化性ポリイミド等の有機樹脂が挙げられる。熱硬化性の高分子接着剤は、熱圧着時に圧力を掛けた状態で加熱重合し、その後、加圧したまま、室温まで冷却することにより、各部材を良好に接合させるため、締め付け部材等を要しない。また、有機樹脂に加えて、ガラス基板に対して密着性の高いハイブリッド材料を用いることが可能である。ハイブリッド材料を用いることによって、弾性率や硬度等の力学的特性が向上し、耐熱性や耐薬品性が飛躍的に向上する。ハイブリッド材料は、無機コロイド粒子と有機バインダ樹脂とから構成される。例えば、シリカなどの無機コロイド粒子と、エポキシ樹脂、ポリウレタンアクリレート樹脂やポリエステルアクリレート樹脂などの有機バインダ樹脂とから構成されるものが挙げられる。
18. Sealing material The sealing material adheres the translucent substrate 1 and the
ここではシール材と記しているが、透光性基板1と天板14または外箱16を接着させる機能を有するものであれば限定されず、樹脂製あるいは金属製のガスケットを用い外部からネジ等の部材を用いて物理的に圧力を加え機密性を高める方法等を適宜用いることも可能である。
Here, although it is described as a sealing material, it is not limited as long as it has a function of adhering the translucent substrate 1 to the
19.電解液チェンバー
電解液チェンバー15は、第1気体発生部8と天板14との間の空間および第2気体発生部7と天板14との間の空間とすることができる。また、電解液チェンバー15は、隔壁13により仕切ることができる。
19. Electrolyte Chamber The
20.給水口、第1気体排出口および第2気体排出口
給水口18は、気体製造装置23に含まれるシール材または外箱16の一部に開口を作ることにより設けることができる。給水口18は、第1気体及び第2気体へと分解された電解液を補充するために配置され、その配置箇所および形状は、原料となる電解液が効率よく気体製造装置へ供給されさえすれば、特に限定されるものではないが、流動性および供給の容易性の観点から、気体製造装置下部に設置することが好ましい。
20. The water supply port, the first gas discharge port, and the second gas discharge port The
また、第1気体排出口20および第2気体排出口19は、給水口18を下側にして気体製造装置23を設置したとき、気体製造装置23の上側の部分のシール材または外箱16に開口を作ることにより設けることができる。また、第1気体排出口20と第2気体排出口19は、それぞれ隔壁13を挟んで第1気体発生部20側と第2気体発生部19側に設けることができる。また、第1気体排出口20および第2気体排出口19は、気体流路17の一端と隣接して設けることもできる。また、外部に設置した吸引機等と第1気体排出口20または第2気体排出口19を接続することにより気体回収の効率を高めることも可能である。
The first
このように給水口18、第1気体排出口20および第2気体排出口19を設けることにより、気体製造装置23を光電変換部2の受光面が上向きの状態で水平面に対し傾斜し、給水口18が下側になり第1気体排出口20および第2気体排出口19が上側になるように設置することができる。このように設置することにより、給水口18から電解液を気体製造装置23内に導入し、電解液チェンバー15を電解液で満たすことができる。この状態で、気体製造装置23に光を入射させることにより、第1気体発生部および第2気体発生部でそれぞれ、連続して第1気体および第2気体を発生させることができる。この発生した第1気体および第2気体は、隔壁13により分離することができ、第1気体及び第2気体は気体流路17を導通し、第1気体排出口20および第2気体排出口19から回収することができる。
By providing the
21.電解液
電解液は、電解質を含む水溶液であり、例えば、0.1MのH2SO4電解液、0.1Mリン酸カリウム緩衝液などである。
21. Electrolytic Solution The electrolytic solution is an aqueous solution containing an electrolyte, such as a 0.1M H 2 SO 4 electrolytic solution, a 0.1M potassium phosphate buffer solution, and the like.
実施例
本発明を以下に示す実施例を用いてより具体的に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。
(実施例1)
図4のような断面を有する気体製造装置を次の条件にて作製した。
光電変換部2にはn型ドープしたGaAsおよびGaInP2と、p型ドープしたGaAsおよびGaInP2と積層させた化合物半導電体太陽電池を使用した。透光性基板1に光透過性および耐熱性、耐腐食性に優れる石英ガラス基板を使用した。作製方法としては、二酸化スズ(SnO2)からなる第1電極4が被膜されたガラス基板の表面にMOCVD法(有機金属気相堆積法)により、p型GaInP2を膜厚0.1μm、更にその上にp型GaAsを膜厚3.0μm、n型GaAsを膜厚0.1μm、n型GaInP2を0.05μmで順に堆積させた。その後、n型GaInP2層の表面に基板温度250℃でスパッタリング法により0.1μmの膜厚でITOを積層させた。以上により透光性基板1上にGaAsのpn接合の両側をGaInP2で挟んだヘテロ構造の半導電体太陽電池が作製できた。
EXAMPLES The present invention will be described more specifically with reference to the following examples, but the present invention is not limited to the examples.
Example 1
A gas production apparatus having a cross section as shown in FIG. 4 was produced under the following conditions.
For the
次に、第1気体発生部8である水素発生部は、触媒に白金を使用し、第2気体発生部7である酸素発生部は、触媒にはRuO2(二酸化ルテニウム)粒子を使用し、それぞれゾル―ゲル法により多孔質カーボン板に担持させた。また、光電変換部2と酸素発生部の間に挟みこむ気体導通部21には発泡ニッケルを用いた。
次に、第2導電部10であるコンタクトホールと酸素発生部の間に配置する気体導通部21を光電変換部2から絶縁するための絶縁部11を形成するために、スピンコート法にて原料の塗布、焼成を行うことによりポリイミド膜を作製した。続けて、Agペーストをスクリーン印刷法にて基板上に塗布することにより第2導電部10を形成し、その上に発泡ニッケルおよび二酸化ルテニウムを担持させた多孔質カーボンシートを配置し、加熱処理を行った。このことにより第2導電部10上に気体導通部21および酸素発生部を形成した。同様にガラスフィルタからなる隔膜13で隔てて水素発生部および気体導通部21を光電変換部2の裏面上に積層した。
Next, the hydrogen generating part that is the first
Next, in order to form the insulating
外箱16はステンレス板を所望のサイズにプレス加工して成型した後、第1気体排出口19、第2気体排出口19および給水口18をそれぞれ設けた。前記外箱16に光電変換部2などを形成した透光性基板1をシール材(エポキシ系樹脂)で接合し、気体製造装置を作成した。
The
(実施例2)
図20に示すような断面を有する気体製造装置を次の条件にて作製した。
装置の各構成要件の構成材料および規格は基本的に実施例1の気体製造装置と同様である。しかし、以下の点で異なっている。まず、水素発生部および酸素発生部は本実施例においては、縦方向の幅を3cmに加工した厚さ3mmのアルミニウム板を複数作成し、その表面に水素発生触媒であるPtまたは酸素発生触媒であるRuO2を実施例1と同様の方法で担持させ作成した。次に、水素発生部および酸素発生部は、図20ように複数設けた。2つの水素発生部の間および2つの酸素発生部の間には、気体支流路29となる2mmの隙間を置いて設けた。
(Example 2)
A gas production apparatus having a cross section as shown in FIG. 20 was produced under the following conditions.
The constituent materials and standards for each component of the apparatus are basically the same as those of the gas production apparatus of the first embodiment. However, it differs in the following points. First, in this embodiment, the hydrogen generation part and the oxygen generation part are made of a plurality of aluminum plates having a thickness of 3 mm and processed to have a vertical width of 3 cm, and the surface thereof is made of Pt or oxygen generation catalyst which is a hydrogen generation catalyst. A certain RuO 2 was prepared in the same manner as in Example 1. Next, a plurality of hydrogen generators and oxygen generators were provided as shown in FIG. A gap of 2 mm serving as a
(実施例3)
図7に示すような断面を有する気体製造装置を次の条件にて作製した。
装置の各構成要件の構成材料および規格は基本的に実施例2の気体製造装置と同様である。しかし、図7に示すように水素発生部および酸素発生部の気体導通部側の面と反対側の面(反応面)に気体導通部の面に対して角度が設けられている点で異なっている。水素発生部および酸素発生部は、縦方向の幅を3cmに加工した厚さ2cmのアルミニウム板それぞれの反応面が気体導通部21の表面に対して30度の角度がつくように切削加工した。その後、アルミニウム板の表面に実施例1と同様の方法で水素発生触媒であるPtおよび酸素発生触媒であるRuO2(膜厚1μm)を担持させた。気体導通部21上に水素発生部または酸素発生部を積層する際は、2つの水素発生部の間および2つの酸素発生部の間には、2mmの隙間を設けた。
(Example 3)
A gas production apparatus having a cross section as shown in FIG. 7 was produced under the following conditions.
The constituent materials and standards of each constituent element of the apparatus are basically the same as those of the gas production apparatus of the second embodiment. However, as shown in FIG. 7, the difference is that the surface (reaction surface) opposite to the surface of the gas conducting portion of the hydrogen generating portion and the oxygen generating portion is provided with an angle with respect to the surface of the gas conducting portion. Yes. The hydrogen generation part and the oxygen generation part were cut so that the reaction surface of each 2 cm-thick aluminum plate having a vertical width of 3 cm was formed at an angle of 30 degrees with respect to the surface of the
(実施例4)
実施例1において作製した気体製造装置を太陽光が透光性基板1に対して垂直に照射されるように装置を水平面に対して斜めに設置した。給水口18より0.1MのH2SO4電解液を給水して電解液チェンバー15内を満たした後、太陽光を照射した。
また、太陽光の照射開始から2時間後までの第1気体排出口20および第2気体排出口19から回収された気体量を蛍光センサー分析にて定量したところ、それぞれから水素、酸素が回収されていることが確認できた。また、それぞれの気体量は以下に示す表1に示すとおり、水素0.41mol、酸素0.19molであった。
Example 4
The gas production apparatus produced in Example 1 was installed obliquely with respect to the horizontal plane so that sunlight was irradiated perpendicularly to the translucent substrate 1. After supplying 0.1 M H 2 SO 4 electrolyte from the
Further, when the amount of gas recovered from the
(実施例5)
実施例2において作製した気体製造装置を太陽光が透光性基板1に対して垂直に照射されるように装置を水平面に対して斜めに設置した。給水口18より0.1MのH2SO4電解液を給水して電解液チェンバー15を満たした後、太陽光を照射した。
また、太陽光の照射開始から2時間後までに第1気体排出口20および第2気体排出口19から回収された気体量を蛍光センサー分析にて定量したところ、それぞれから水素、酸素が回収されていることが確認できた。また、それぞれの気体量は表1に示すとおり、水素0.47mol、酸素0.23molであった。
(Example 5)
The gas production apparatus produced in Example 2 was installed obliquely with respect to the horizontal plane so that sunlight was irradiated perpendicularly to the translucent substrate 1. After supplying 0.1 M H 2 SO 4 electrolyte from the
Further, when the amount of gas recovered from the
(実施例6)
実施例3において作製した気体製造装置を太陽光が透光性基板1に対して垂直に照射されるように装置を水平面に対して斜めに設置した。給水口18より0.1MのH2SO4電解液を給水して電解液チェンバーを満たした後、太陽光を照射した。
また、太陽光の照射開始から2時間後までに第1気体排出口20および第2気体排出口19から回収された気体量を蛍光センサー分析にて定量したところ、それぞれから水素、酸素が回収されていることが確認できた。また、それらの気体量は表1に示すとおり、水素0.54mol、酸素0.26molであった。
(Example 6)
The gas production apparatus produced in Example 3 was installed obliquely with respect to the horizontal plane so that sunlight was irradiated perpendicularly to the translucent substrate 1. After supplying 0.1 M H 2 SO 4 electrolytic solution from the
Further, when the amount of gas recovered from the
(比較例1)
実施例1の気体製造装置において、気体導通部21を積層せずに水素発生部は水素発生触媒である白金を光電変換部2の裏面に直接担持し、また酸素発生部は絶縁部11上に酸素発生触媒であるRuO2をCVD法により1μmの膜厚で積層し、図24に示すような気体製造装置を作製した。
上記のようにして作製した気体製造装置を太陽光が透光性基板1に対して垂直に照射されるように装置を水平面に対して斜めに設置した。給水口18より0.1MのH2SO4電解液を給水して電解液チェンバー15を満たした後、太陽光を照射したところ、水素発生部の表面から気体が発生していることが確認できた。
また、太陽光の照射開始から2時間後までに第1気体排出口20および第2気体排出口19から回収された気体量を蛍光センサー分析にて定量したところ、それぞれから水素、酸素が回収されていることが確認できた。また、それらの気体量は表1に示すとおり、水素0.31mol、酸素0.14molであった。
(Comparative Example 1)
In the gas production apparatus according to the first embodiment, the hydrogen generation unit directly supports platinum as a hydrogen generation catalyst on the back surface of the
The gas production apparatus produced as described above was installed obliquely with respect to the horizontal plane so that sunlight was irradiated perpendicularly to the translucent substrate 1. After supplying 0.1 M H 2 SO 4 electrolyte from the
Further, when the amount of gas recovered from the
以上により、反応面が下向きの第1気体発生部8および第2気体発生部7から発生させた気体を気体導通部21に含まれる気体流路17を介して回収することにより、水素の発生効率を高めることが可能となることが示された。
As described above, by generating the gas generated from the first
本発明の気体製造装置は太陽光エネルギーにより水の分解反応を起こし、燃料として活用できる水素および酸素の製造を可能とする。この装置を設置することにより集中的な大規模燃料製造はもちろんのこと、工場、家庭等における分散型の燃料製造も可能となる。 The gas production apparatus of the present invention causes the decomposition reaction of water by solar energy and enables production of hydrogen and oxygen that can be used as fuel. By installing this apparatus, not only concentrated large-scale fuel production but also distributed fuel production in factories, homes, etc. becomes possible.
1:透光性基板 2:光電変換部 4:第1電極 5:第2電極 7:第2気体発生部 8:第1気体発生部 9:第1導電部 10:第2導電部 11:絶縁部 13:隔壁 14:天板 15:電解液チェンバー 16:外箱 17:気体流路 18:給水口 19:第2気体排出口 20:第1気体排出口 21:気体導通部 22:第3導電部 23:気体製造装置 25:電解液 27:発生気体 29:気体支流路 31:第1開口 32:第2開口 33:第1縁部 34:第2縁部 1: translucent substrate 2: photoelectric conversion unit 4: first electrode 5: second electrode 7: second gas generation unit 8: first gas generation unit 9: first conductive unit 10: second conductive unit 11: insulation Part 13: Partition 14: Top plate 15: Electrolyte chamber 16: Outer box 17: Gas flow path 18: Water supply port 19: Second gas outlet 20: First gas outlet 21: Gas conduction part 22: Third conductive Part 23: Gas production apparatus 25: Electrolyte solution 27: Generated gas 29: Gas branch channel 31: First opening 32: Second opening 33: First edge 34: Second edge
Claims (29)
第1気体発生部および第2気体発生部のうち少なくとも一方は、前記光電変換部の裏面上に設けられ、
前記気体流路は、第1気体発生部および第2気体発生部のうち少なくとも一方と前記光電変換部の裏面との間に設けられ、
前記気体流路は、第1気体または第2気体を前記気体排出口へと導通させることを特徴とする気体製造装置。 A photoelectric conversion unit having a light-receiving surface and a back surface; and a first gas generation unit that generates a first gas from the electrolytic solution by using an electromotive force that is electrically connected to the back surface and is received by the photoelectric conversion unit. , A second gas generation unit that generates a second gas from the electrolyte using an electromotive force that is electrically connected to the light receiving surface and received by the photoelectric conversion unit, a gas flow path, and a gas discharge port And
At least one of the first gas generation unit and the second gas generation unit is provided on the back surface of the photoelectric conversion unit,
The gas flow path is provided between at least one of the first gas generation unit and the second gas generation unit and the back surface of the photoelectric conversion unit,
The gas production apparatus characterized in that the gas flow path conducts the first gas or the second gas to the gas discharge port.
第1気体発生部および第2気体発生部は、前記光電変換部の裏面上に設けられ、
前記気体流路は、第1気体発生部と前記裏面との間および第2気体発生部と前記裏面との間にそれぞれ設けられ、
第2気体発生部は、第1導電部を介して前記受光面と電気的に接続する請求項1に記載の装置。 A first conductive part;
The first gas generation unit and the second gas generation unit are provided on the back surface of the photoelectric conversion unit,
The gas flow path is provided between the first gas generation unit and the back surface and between the second gas generation unit and the back surface, respectively.
The apparatus according to claim 1, wherein the second gas generation unit is electrically connected to the light receiving surface via the first conductive unit.
第2気体発生部は、前記絶縁部を介して前記光電変換部の裏面上に設けられた請求項2に記載の装置。 And further comprising an insulating part,
The device according to claim 2, wherein the second gas generation unit is provided on a back surface of the photoelectric conversion unit via the insulating unit.
第2導電部は、第1コンタクトホールに設けられた請求項4に記載の装置。 The photoelectric conversion unit has a first contact hole penetrating from the back surface to the light receiving surface,
The apparatus according to claim 4, wherein the second conductive portion is provided in the first contact hole.
前記光電変換部は、前記透光性基板の上に設けられた請求項2〜5のいずれか1つに記載の装置。 A translucent substrate;
The said photoelectric conversion part is an apparatus as described in any one of Claims 2-5 provided on the said translucent board | substrate.
前記気体支流路は、第1気体発生部および第2気体発生部のうちどちら一方により形成され、かつ、前記気体流路に繋がり、
前記気体支流路は、第1気体または第2気体を前記気体流路へと導通させる請求項1〜6のいずれか1つに記載の装置。 A gas branch channel;
The gas branch channel is formed by one of the first gas generation unit and the second gas generation unit, and is connected to the gas channel,
The apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein the gas branch channel conducts the first gas or the second gas to the gas channel.
前記気体支流路は、隣接する2つの第1気体発生部の間または隣接する2つの第2気体発生部の間に設けられた請求項7に記載の装置。 The first gas generator or the second gas generator is plural,
The apparatus according to claim 7, wherein the gas branch channel is provided between two adjacent first gas generation units or between two adjacent second gas generation units.
第1開口は、第1気体発生部および第2気体発生部のうちどちらか一方の前記気体流路側の面に設けられ、
第2開口は、第1開口が設けられた面と反対側の面に設けられ、
第2開口は、高さの異なる第1縁部および第2縁部を有し、
第1縁部は、第2縁部より高い第2開口の縁であり、かつ、第1気体または第2気体を前記気体支流路に流入させる請求項7または8に記載の装置。 The gas branch channel has a first opening and a second opening at both ends,
The first opening is provided on one of the first gas generation part and the second gas generation part on the surface of the gas flow path,
The second opening is provided on a surface opposite to the surface provided with the first opening,
The second opening has a first edge and a second edge having different heights,
The device according to claim 7 or 8, wherein the first edge is an edge of the second opening higher than the second edge, and causes the first gas or the second gas to flow into the gas branch flow path.
第1気体発生部および第2気体発生部のうち少なくとも一方は、前記光電変換部の裏面と前記電解液チェンバーとの間に設けられ、かつ、電解液に浸漬可能である請求項1〜11のいずれか1つに記載の装置。 Further comprising an electrolyte chamber,
The at least one of a 1st gas generation part and a 2nd gas generation part is provided between the back surface of the said photoelectric conversion part, and the said electrolyte chamber, and can be immersed in electrolyte solution. The device according to any one of the above.
前記気体導通部は、前記気体流路を有する請求項1〜13のいずれか1つに記載の装置。 A gas conduction part is further provided between at least one of the first gas generation part and the second gas generation part and the photoelectric conversion part,
The apparatus according to claim 1, wherein the gas conduction unit includes the gas flow path.
前記気体導通部は、前記光電変換部の裏面と第1気体発生部および第2気体発生部との間に設けられ、かつ、前記電解液に対する耐食性および遮液性を有する請求項14〜17のいずれか1つに記載の装置。 The first gas generation unit and the second gas generation unit are provided on the back surface of the photoelectric conversion unit,
The gas conduction part is provided between the back surface of the photoelectric conversion part and the first gas generation part and the second gas generation part, and has corrosion resistance and liquid shielding properties against the electrolytic solution. The device according to any one of the above.
前記光電変換部の裏面と第1気体発生部とを電気的に接続する第3導電部をさらに備え、前記気体導通部は、前記光電変換部の裏面と第1気体発生部との間に設けられ、かつ、前記気体導通部を貫通する第2コンタクトホールを有し、
第3導電部は、第2コンタクトホールに設けられた請求項14〜19のいずれか1つに記載の装置。 The first gas generation unit and the second gas generation unit are provided on the back surface of the photoelectric conversion unit,
The apparatus further includes a third conductive portion that electrically connects the back surface of the photoelectric conversion unit and the first gas generation unit, and the gas conduction unit is provided between the back surface of the photoelectric conversion unit and the first gas generation unit. And having a second contact hole penetrating the gas conduction part,
The device according to any one of claims 14 to 19, wherein the third conductive portion is provided in the second contact hole.
前記水素発生部および前記酸素発生部は、それぞれ電解液からH2が発生する反応の触媒および電解液からO2が発生する反応の触媒を含む請求項1〜22のいずれか1つに記載の装置。 One of the first gas generation unit and the second gas generation unit is a hydrogen generation unit that generates H 2 from the electrolytic solution, and the other is an oxygen generation unit that generates O 2 from the electrolytic solution,
The hydrogen generation part and the oxygen generation part each include a catalyst for a reaction in which H 2 is generated from the electrolytic solution and a catalyst for a reaction in which O 2 is generated from the electrolytic solution. apparatus.
前記光電変換部は、透光性基板の上に設けられ、
第1気体発生部および第2気体発生部の上に前記透光性基板に対向する天板をさらに備え、
第1気体発生部と前記天板との間および第2気体発生部と前記天板との間にそれぞれ電解液チェンバーが設けられた請求項1〜25のいずれか1つに記載の装置。 The first gas generation unit and the second gas generation unit are provided on the back surface of the photoelectric conversion unit,
The photoelectric conversion unit is provided on a translucent substrate,
A top plate facing the translucent substrate on the first gas generation unit and the second gas generation unit;
The apparatus according to any one of claims 1 to 25, wherein an electrolyte chamber is provided between the first gas generation unit and the top plate and between the second gas generation unit and the top plate.
前記気体製造装置の下部から前記気体製造装置に電解液を導入し、太陽光を前記受光面に入射させることにより第1気体発生部および第2気体発生部からそれぞれ第1気体および第2気体を発生させ、前記気体製造装置の上部から第1気体および第2気体を排出する気体製造方法。 The gas production apparatus according to any one of claims 26 to 28 is installed such that the light receiving surface is inclined with respect to a horizontal plane,
An electrolyte is introduced into the gas production apparatus from the lower part of the gas production apparatus, and sunlight is incident on the light receiving surface, whereby the first gas and the second gas are respectively supplied from the first gas generation part and the second gas generation part. A gas production method for generating and discharging the first gas and the second gas from the upper part of the gas production apparatus.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010053105A JP5427653B2 (en) | 2010-03-10 | 2010-03-10 | Gas production apparatus and gas production method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010053105A JP5427653B2 (en) | 2010-03-10 | 2010-03-10 | Gas production apparatus and gas production method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011184767A JP2011184767A (en) | 2011-09-22 |
JP5427653B2 true JP5427653B2 (en) | 2014-02-26 |
Family
ID=44791392
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010053105A Expired - Fee Related JP5427653B2 (en) | 2010-03-10 | 2010-03-10 | Gas production apparatus and gas production method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5427653B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108541275B (en) * | 2015-12-23 | 2021-01-12 | 雷普索尔有限公司 | Photoelectrochemical cell, photoelectrode and method of manufacturing photoelectrode |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101403708B1 (en) * | 2012-09-19 | 2014-06-13 | 국민대학교산학협력단 | Dye-sensitized solar cell and method of manufacturing thereof |
EP3147385B1 (en) * | 2014-05-20 | 2020-02-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photoelectrochemical reaction device |
US20210025062A1 (en) * | 2017-11-07 | 2021-01-28 | King Abdullah University Of Science And Technology | Photoelectrochemical device, monolithic water splitting device and methods of production |
DE102018116373A1 (en) * | 2018-07-06 | 2020-01-09 | Schaeffler Technologies AG & Co. KG | Catalyst arrangement for an electrolyser system or a fuel cell system, electrolyser system, fuel cell system, use of a catalyst arrangement and method for producing a catalyst arrangement |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000192275A (en) * | 1998-12-25 | 2000-07-11 | Toshiba Corp | Apparatus for electrolysis of water |
DE10393792T5 (en) * | 2002-11-27 | 2005-11-03 | The University Of Toledo, Toledo | Integrated photoelectrochemical cell and system with a liquid electrolyte |
JP2007252974A (en) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Sharp Corp | Photocatalyst film, semiconductive photo-electrode for water decomposition and water decomposition device using the same |
JP2009274891A (en) * | 2008-05-13 | 2009-11-26 | Sharp Corp | Semiconductor oxide film, production method thereof, and hydrogen generation apparatus using the semiconductor oxide film |
-
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---|---|---|---|---|
CN108541275B (en) * | 2015-12-23 | 2021-01-12 | 雷普索尔有限公司 | Photoelectrochemical cell, photoelectrode and method of manufacturing photoelectrode |
US10903018B2 (en) * | 2015-12-23 | 2021-01-26 | Repsol, S.A. | Substrate-electrode (SE) interface illuminated photoelectrodes and photoelectrochemical cells |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011184767A (en) | 2011-09-22 |
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