JP5423539B2

JP5423539B2 - Deposition film manufacturing method

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Publication number: JP5423539B2
Application number: JP2010084046A
Authority: JP
Inventors: 紀雄秋田; 達彦見目
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 2010-03-31
Filing date: 2010-03-31
Publication date: 2014-02-19
Anticipated expiration: 2030-03-31
Also published as: JP2011214089A

Description

本発明は、ＲｏｌｌＴｏＲｏｌｌ方式で基材上に薄膜を成膜する蒸着フィルムの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for producing a vapor deposition film in which a thin film is formed on a substrate by the Roll To Roll method.

プラズマアシスト付きの真空成膜装置は、基材上に成膜される薄膜の膜質を向上させる目的で従来から使用されている。従来のプラズマアシスト付きの真空成膜装置は、光学用途の薄膜をレンズなどの基材上に成膜させる際などに頻繁に使用され、この場合基本的にバッチ式である。 2. Description of the Related Art A vacuum film forming apparatus with plasma assist has been conventionally used for the purpose of improving the film quality of a thin film formed on a substrate. A conventional vacuum film forming apparatus with plasma assist is frequently used when a thin film for optical use is formed on a substrate such as a lens, and in this case, is basically a batch type.

バッチ式の真空成膜装置は、ＲｏｌｌＴｏＲｏｌｌ式の真空成膜装置と比較して、薄膜付基材（蒸着フィルム等）の生産性が低い。このため、プラズマアシスト付きの真空成膜装置であり、且つＲｏｌｌＴｏＲｏｌｌ方式で基材上に薄膜を成膜することが可能な真空成膜装置が開示されている（特許文献１参照）。 The batch-type vacuum film formation apparatus has a lower productivity of a substrate with a thin film (e.g., a vapor deposition film) than the Roll To Roll-type vacuum film formation apparatus. For this reason, a vacuum film forming apparatus with plasma assist, and a vacuum film forming apparatus capable of forming a thin film on a substrate by the Roll To Roll method is disclosed (see Patent Document 1).

特許文献１に記載の真空成膜装置は、導電性の膜を形成する装置である。この装置ではプラズマガンが電気的にフローティングされた防着板に囲まれている。そのためプラズマガンから照射された電子がこれら防着板に帯電することによりプラズマ放出源から成膜装置内部への電子の流れが阻害され、プラズマを長時間安定的に照射できない。このようにプラズマの照射が不安定になると、膜質に大きな影響を与える。また防着板が負電子で帯電することによりイオン化した蒸発物の多くが防着板に引き寄せられ積層するため成膜ローラー上のフィルムへの積層効率が低下してしまう上、長時間運転すると防着板上に堆積した膜が剥離して蒸発源やプラズマガンに落下し故障を引き起こす恐れがある。したがって、特許文献１に記載の真空成膜装置は、長時間の薄膜の成膜に使用することはできない。 The vacuum film forming apparatus described in Patent Document 1 is an apparatus for forming a conductive film. In this apparatus, the plasma gun is surrounded by a protective plate electrically floating. For this reason, the electrons irradiated from the plasma gun are charged on these deposition preventing plates, so that the flow of electrons from the plasma emission source to the inside of the film forming apparatus is hindered, and the plasma cannot be stably irradiated for a long time. When plasma irradiation becomes unstable in this way, the film quality is greatly affected. In addition, since the deposition plate is charged with negative electrons, most of the ionized evaporate is attracted to the deposition plate and laminated, which reduces the lamination efficiency of the film on the film forming roller and prevents it when operated for a long time. There is a risk that the film deposited on the landing plate will peel off and fall to the evaporation source or plasma gun, causing a failure. Therefore, the vacuum film forming apparatus described in Patent Document 1 cannot be used for forming a thin film for a long time.

また、特許文献２には、ＲｏｌｌＴｏＲｏｌｌ方式で基材上に絶縁性の薄膜を成膜するプラズマアシスト付きの真空成膜装置も開示されている（特許文献２参照）。特許文献２に記載の真空成膜装置は、その実施例からもわかるように１ｍ／分未満で基材の搬送速度が非常に遅く、ＲｏｌｌＴｏＲｏｌｌ方式で行うことの利点が小さく現実的でない。この理由として、特許文献２の方法では、真空容器内に蒸発した状態で存在する絶縁性の蒸着材料が、真空容器の壁面に設置されている反射電極に付着し導電性が低下するため、やはりプラズマガンから成膜装置内部への電子の流れが阻害されプラズマの効果が低減する。そのため搬送速度が速くなると、プラズマアシストを行うことの効果が非常に小さくなり、膜質の改善効果がほとんど得られないのである。 Further, Patent Document 2 also discloses a vacuum film forming apparatus with plasma assist that forms an insulating thin film on a substrate by the Roll To Roll method (see Patent Document 2). As can be seen from the examples, the vacuum film forming apparatus described in Patent Document 2 is less than 1 m / min, and the transport speed of the substrate is very slow, and the advantages of using the Roll To Roll method are small and impractical. As a reason for this, in the method of Patent Document 2, since the insulating vapor deposition material that exists in an evaporated state in the vacuum vessel adheres to the reflective electrode installed on the wall surface of the vacuum vessel, the conductivity decreases. The flow of electrons from the plasma gun to the inside of the film forming apparatus is obstructed, and the effect of plasma is reduced. For this reason, when the conveyance speed is increased, the effect of performing plasma assist becomes very small, and the effect of improving the film quality is hardly obtained.

このように、ＲｏｌｌＴｏＲｏｌｌ方式で、基材の搬送速度を非常に速い条件に設定しても、基材上に絶縁性の高品質な薄膜を成膜することが可能な蒸着フィルムの製造方法は、存在しないのが現状である。 As described above, in the Roll To Roll method, a method for producing a vapor deposition film capable of forming an insulating high-quality thin film on a base material even if the conveyance speed of the base material is set to a very high condition. Currently does not exist.

特開２００９−６２５９７号公報JP 2009-62597 A 特開２００７−４６０８１号公報JP 2007-46081 A

本発明は、以上のような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、ＲｏｌｌＴｏＲｏｌｌ方式で、基材の搬送速度を非常に速い条件に設定しても、基材上に絶縁性の高品質な薄膜を成膜することが可能な蒸着フィルムの製造方法を提供することにある。 The present invention has been made in order to solve the above-described problems. The purpose of the present invention is the Roll To Roll method, even if the substrate conveyance speed is set to a very high condition, An object of the present invention is to provide a method for producing a vapor deposition film capable of forming an insulating high-quality thin film.

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた。その結果、ア−スに接地させた防着板と、帰還電極を有するプラズマガンとを組み合わせることにより、搬送速度を速い条件に設定することによる膜質の低下を最小限に抑えられることを見出した。また、薄膜形成前の基材の被成膜面に対してプラズマを照射する前処理、基材に形成された薄膜に対してプラズマを照射する後処理を同一装置、同一工程で行うことで、更に膜質が改善されることを見出し、本発明を完成するに至った。 The inventors of the present invention have made extensive studies to solve the above problems. As a result, it was found that the deterioration of the film quality caused by setting the transfer speed to a high condition can be minimized by combining the deposition plate grounded to the ground and the plasma gun having the return electrode. . In addition, by performing pre-processing for irradiating plasma on the film-forming surface of the base material before thin film formation and post-processing for irradiating plasma on the thin film formed on the base material in the same apparatus and the same process, Further, the present inventors have found that the film quality is improved and have completed the present invention.

（１）成膜用ドラム上を１０〜２００ｍ／分で走行する基材に向けて、蒸発源から珪素を含む蒸着材料を蒸発させるとともに、この蒸発させられた蒸着材料に向けてプラズマガンにより出力が３ＫＷから１２ＫＷの範囲内でＡｒプラズマを照射して、前記基材の被成膜面に上記蒸着材料よりなる酸化珪素を含む薄膜を成膜する蒸着フィルムの製造方法であって、前記プラズマガンは、帰還電極を備え、前記蒸発源と前記成膜用ドラムとの間には、前記蒸発源と前記被成膜面とを結ぶ直線が通る開口を有する防着板が配設され、４０℃、１００％ＲＨにおける水蒸気透過度が１．０ｇ／ｍ^２／ｄａｙ以下である蒸着フィルムの製造方法。 (1) A vapor deposition material containing silicon is evaporated from an evaporation source toward a substrate traveling at 10 to 200 m / min on a film forming drum, and output from the plasma gun toward the evaporated vapor deposition material Is a method for producing a vapor deposition film in which Ar plasma is irradiated in the range of 3 KW to 12 KW, and a thin film containing silicon oxide made of the above vapor deposition material is formed on the film-forming surface of the base material. Includes a return electrode, and an adhesion preventing plate having an opening through which a straight line connecting the evaporation source and the film formation surface is disposed between the evaporation source and the film formation drum. The manufacturing method of the vapor deposition film whose water-vapor permeability in 100% RH is 1.0 g / m < ² > / day or less.

（２）前記酸化珪素における、珪素原子１に対する酸素原子の割合Ｘの値が１．２以下である（１）に記載の蒸着フィルムの製造方法。 (2) The manufacturing method of the vapor deposition film as described in (1) whose value of the ratio X of the oxygen atom with respect to the silicon atom 1 in the said silicon oxide is 1.2 or less.

（３）前記珪素を含む蒸着材料がＳｉＯである（１）又は（２）に記載の蒸着フィルムの製造方法。 (3) The manufacturing method of the vapor deposition film as described in (1) or (2) whose vapor deposition material containing the said silicon is SiO.

（４）前記透明基材フィルムがポリエステルフィルムである（１）から（３）のいずれかに記載の蒸着フィルムの製造方法。 (4) The manufacturing method of the vapor deposition film in any one of (1) to (3) whose said transparent base film is a polyester film.

（５）更に成膜時に被成膜面に対して窒素ガスをアシストし、酸化珪素を含む薄膜における、珪素原子１に対する酸素原子の割合Ｘの値が１．２以下である（１）から（４）のいずれか記載の蒸着フィルムの製造方法。 (5) Further, nitrogen gas is assisted to the deposition surface during film formation, and the value of the ratio X of oxygen atoms to silicon atoms 1 in the thin film containing silicon oxide is 1.2 or less (1) to ( The manufacturing method of the vapor deposition film in any one of 4).

（６）前記Ａｒプラズマを前記透明基材フィルムの流れ方向に対して直交する方向から、前記被成膜面に向けて照射することにより、前記Ａｒプラズマによる透明基材フィルムの前処理工程と、前記被成膜面上に薄膜を形成する成膜工程と、前記Ａｒプラズマによる前記薄膜の後処理工程とを、連続的に一体化して行う（１）から（５）のいずれか記載の蒸着フィルムの製造方法。 (6) By irradiating the Ar plasma from the direction orthogonal to the flow direction of the transparent substrate film toward the film formation surface, a pretreatment step of the transparent substrate film with the Ar plasma; The vapor deposition film according to any one of (1) to (5), wherein a film forming process for forming a thin film on the film formation surface and a post-processing process for the thin film using the Ar plasma are continuously integrated. Manufacturing method.

本発明によれば、プラズマを安定かつ高効率化することにより基材の搬送速度を速い条件に設定しても、高品質な薄膜を基材上に成膜することができる他、薄膜を形成する前の基材の被成膜面に対してプラズマを照射する前処理を行うことで、基材と蒸着物との密着性を向上させることができ、基材に形成された薄膜に対してプラズマを照射する後処理を行うことで、更なる膜質の改善を行うことができる。 According to the present invention, it is possible to form a high-quality thin film on a substrate even if the substrate is transported at a high speed by stabilizing and improving the efficiency of the plasma. By performing the pre-treatment of irradiating plasma on the film formation surface of the base material before the adhesion, the adhesion between the base material and the deposited material can be improved, and the thin film formed on the base material By performing post-treatment with plasma irradiation, the film quality can be further improved.

本発明に用いる真空成膜装置のＸＺ平面方向の断面の模式図である。It is a schematic diagram of the cross section of the XZ plane direction of the vacuum film-forming apparatus used for this invention. 本発明に用いる真空成膜装置のＸＹ平面方向の断面の模式図である。It is a schematic diagram of the cross section of the XY plane direction of the vacuum film-forming apparatus used for this invention. 本発明に用いる真空成膜装置のＹＺ平面方向の断面の模式図である。It is a schematic diagram of the cross section of the YZ plane direction of the vacuum film-forming apparatus used for this invention. 薄膜の成膜過程を示す図であり、（ａ）は前処理工程を示す図であり、（ｂ）は成膜工程を示す図であり、（ｃ）は後処理工程を示す図である。It is a figure which shows the film-forming process of a thin film, (a) is a figure which shows a pre-processing process, (b) is a figure which shows a film-forming process, (c) is a figure which shows a post-processing process. 従来の方法に用いる真空成膜装置を示すＸＺ平面方向の断面の模式図である。It is a schematic diagram of the cross section of the XZ plane direction which shows the vacuum film-forming apparatus used for the conventional method. 図１から４に示す形態とは別形態の本発明に用いる真空成膜装置を示す図であり、（ａ）はＸＹ平面方向の断面図であり、（ｂ）はＹＺ平面方向の断面の模式図である。FIG. 5 is a view showing a vacuum film forming apparatus used in the present invention in a form different from the form shown in FIGS. 1 to 4, (a) is a cross-sectional view in the XY plane direction, and (b) is a schematic cross-sectional view in the YZ plane direction. FIG. 図１から４、６に示す形態とは別形態の本発明に用いる真空成膜装置のＹＺ平面方向の断面の模式図である。It is a schematic diagram of the cross section of the YZ plane direction of the vacuum film-forming apparatus used for this invention of the form different from the form shown to FIGS.

以下、図面等を参照して、本発明の実施形態について説明する。図１を含め、以下に示す各図は、模式的に示した図であり、各部の大きさ、形状は、理解を容易にするために、適宜誇張している。また、本明細書中に記載する各部材の材料名等は、実施形態としての一例であり、これに限定されるものではなく、適宜選択して好適なものを使用することができる。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Each figure shown below including FIG. 1 is a schematic diagram, and the size and shape of each part are exaggerated as appropriate for easy understanding. Moreover, the material name etc. of each member described in this specification is an example as embodiment, It is not limited to this, It can select suitably and can use a suitable thing.

本発明の蒸着フィルムの製造方法は、蒸発源から蒸発させた珪素を含む蒸着材料に向けて、プラズマガンにより出力が３ＫＷから１２ＫＷの範囲内でＡｒプラズマを照射して、基材の被成膜面に上記蒸着材料よりなる酸化珪素を含む薄膜を成膜する。 In the method for producing a vapor deposition film of the present invention, an Ar plasma is irradiated by a plasma gun with an output within a range of 3 KW to 12 KW toward a vapor deposition material containing silicon evaporated from an evaporation source to form a film on a substrate. A thin film containing silicon oxide made of the vapor deposition material is formed on the surface.

例えば、下記に示す真空成膜装置を用いて、本発明の製造方法を実施することができる。以下、この真空成膜装置を用いて本発明の製造方法を実施する場合を例に、本発明の蒸着フィルムの製造方法を説明する。 For example, the manufacturing method of the present invention can be carried out using a vacuum film forming apparatus described below. Hereinafter, the manufacturing method of the vapor deposition film of this invention is demonstrated to the case where the manufacturing method of this invention is implemented as an example using this vacuum film-forming apparatus.

図１は本実施形態の製造方法で用いる真空成膜装置を示すＸＺ平面方向の断面の模式図であり、図２は本実施形態の製造方法で用いる真空成膜装置を示すＸＹ平面方向の断面の模式図であり、図３は本実施形態の製造方法で用いる真空成膜装置を示すＹＺ平面方向の断面の模式図である。図４は、薄膜の成膜過程を示す図であり、（ａ）は前処理工程を示す図であり、（ｂ）は成膜工程を示す図であり、（ｃ）は後処理工程を示す図である。 FIG. 1 is a schematic cross-sectional view in the XZ plane direction showing a vacuum film forming apparatus used in the manufacturing method of this embodiment, and FIG. 2 is a cross section in the XY plane direction showing a vacuum film forming apparatus used in the manufacturing method of this embodiment. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view in the YZ plane direction showing the vacuum film forming apparatus used in the manufacturing method of the present embodiment. 4A and 4B are diagrams showing a film forming process of a thin film, in which FIG. 4A shows a pretreatment process, FIG. 4B shows a film forming process, and FIG. 4C shows a post-treatment process. FIG.

本実施形態の真空成膜装置１について説明する。図１から図４に示すように、本実施形態の真空成膜装置１は、真空容器１０、基材１１、基材巻き出し部１２、成膜用ドラム１３、基材巻取り部１４、搬送ロール１５、１６、蒸発源１７、反応ガス供給部１８、防着箱１９、蒸着材料２、プラズマガン３を備える。 The vacuum film-forming apparatus 1 of this embodiment is demonstrated. As shown in FIGS. 1 to 4, the vacuum film forming apparatus 1 according to this embodiment includes a vacuum container 10, a base material 11, a base material unwinding unit 12, a film forming drum 13, a base material winding unit 14, and a conveyance. Rolls 15 and 16, an evaporation source 17, a reaction gas supply unit 18, a deposition box 19, a vapor deposition material 2, and a plasma gun 3 are provided.

図１に示すように、真空容器１０内の上部に、成膜用ドラム１３に巻き掛けられた基材１１がその被成膜面を下向きにして配設され、前記真空容器１０内の前記成膜用ドラム１３より下部に、電気的に接地された防着箱１９が配設される。防着箱１９は底面に蒸発源１７が配置される。蒸発源１７の上面と一定の間隔を空けて対向する位置に、成膜用ドラム１３に巻き掛けられた基材１１の被成膜面が位置するように、真空容器１０内に成膜用ドラム１３が配置される。また、成膜用ドラム１３は基材巻き出し部１２と基材巻き取り部１４との間に配置され、基材巻き出し部１２と成膜用ドラム１３との間には搬送ロール１５が配置され、成膜用ドラム１３と基材巻き取り部１４との間には搬送ロール１６が配置される。 As shown in FIG. 1, a base material 11 wound around a film-forming drum 13 is disposed on the upper part of the vacuum container 10 so that the film-forming surface faces downward. Below the film drum 13, an electrically grounded protective box 19 is disposed. The evaporation box 17 is disposed on the bottom surface of the deposition box 19. The film formation drum in the vacuum container 10 is positioned so that the film formation surface of the substrate 11 wound around the film formation drum 13 is positioned at a position facing the upper surface of the evaporation source 17 with a certain distance. 13 is arranged. The film forming drum 13 is disposed between the substrate unwinding unit 12 and the substrate winding unit 14, and a transport roll 15 is disposed between the substrate unwinding unit 12 and the film forming drum 13. Then, a transport roll 16 is disposed between the film forming drum 13 and the base material winding unit 14.

真空容器１０は、真空雰囲気中で成膜するために外部と隔離するための部位であり、その形状は中空の直方体である。真空容器１０は、真空成膜装置１の外部にある真空ポンプ（図示せず）と連結している。この真空ポンプにより真空容器１０内の真空度を調整することができる。 The vacuum vessel 10 is a part for isolating from the outside in order to form a film in a vacuum atmosphere, and the shape thereof is a hollow rectangular parallelepiped. The vacuum container 10 is connected to a vacuum pump (not shown) outside the vacuum film forming apparatus 1. The vacuum degree in the vacuum vessel 10 can be adjusted by this vacuum pump.

本実施形態の製造方法では、真空容器１０内の真空度は、１×１０^−４Ｐａ以上１×１０^−１Ｐａ以下の範囲に調整する。なお、本発明において、真空容器１０内の真空度は、特に限定されず、真空容器１０の大きさ、蒸着材料２、反応ガスの種類等に応じて適宜変更できる。 In the manufacturing method of this embodiment, the degree of vacuum in the vacuum vessel 10 is adjusted to a range of 1 × 10 ⁻⁴ Pa to 1 × 10 ⁻¹ Pa. In the present invention, the degree of vacuum in the vacuum vessel 10 is not particularly limited, and can be appropriately changed according to the size of the vacuum vessel 10, the vapor deposition material 2, the type of reaction gas, and the like.

基材１１は、薄膜を形成するための長尺のフィルム状の部位である。基材１１は被成膜面１１０を有する。後述する通り、薄膜形成前の基材１１は、基材巻き出し部１２にロール状に巻かれている。成膜後の基材１１は、順次、基材巻き取り部１４に巻き取られる。そして、図１に示すように、基材１１は、搬送ロール１５、１６を介して、成膜用ドラム１３の周面の一部に巻き掛けられるように保持される。後述する通り、本実施形態の真空成膜装置１は、基材巻き出し部１２から巻き出された基材１１が、搬送ロール１５、成膜用ドラム１３、搬送ロール１６を経て、基材巻取り部１４で巻き取られるように構成されている The base material 11 is a long film-like part for forming a thin film. The substrate 11 has a film formation surface 110. As will be described later, the base material 11 before forming the thin film is wound around the base material unwinding portion 12 in a roll shape. The substrate 11 after film formation is sequentially wound around the substrate winding unit 14. As shown in FIG. 1, the base material 11 is held so as to be wound around a part of the peripheral surface of the film forming drum 13 via the transport rolls 15 and 16. As will be described later, in the vacuum film forming apparatus 1 of the present embodiment, the base material 11 unwound from the base material unwinding section 12 passes through the transport roll 15, the film forming drum 13, and the transport roll 16, and then the base material winding. It is comprised so that it may be wound up by the take-up part 14

被成膜面１１０は、基材１１において、薄膜が形成される部位である。図１に示すように、被成膜面１１０を下向きにして、基材１１は成膜用ドラム１３の周面の一部に巻き掛けられるように配設される。なお、被成膜面１１０上にはプライマー処理等の加工が施されていてもよいし、平滑化層等の他の層が形成されていてもよい。 The film formation surface 110 is a part where a thin film is formed on the base material 11. As shown in FIG. 1, the substrate 11 is disposed so as to be wound around a part of the peripheral surface of the film forming drum 13 with the film forming surface 110 facing downward. Note that processing such as primer treatment may be performed on the film formation surface 110, or another layer such as a smoothing layer may be formed.

本実施形態において、基材１１は透明なポリエチレンテレフタレート樹脂フィルムである。なお、本発明において、基材１１は、従来公知の樹脂フィルムからなるものであれば特に限定されない。従来公知の樹脂フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ノルボルネン系樹脂、シクロオレフィン系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンナフタレート系樹脂、ポリアリレート樹脂等からなるフィルムが挙げられる。 In this embodiment, the base material 11 is a transparent polyethylene terephthalate resin film. In addition, in this invention, the base material 11 will not be specifically limited if it consists of a conventionally well-known resin film. Conventionally known resin films include polyester resins such as polyethylene terephthalate resin, polycarbonate resins, norbornene resins, cycloolefin resins, epoxy resins, acrylic resins, polyethersulfone resins, polyethylene naphthalate resins, polyarylate. Examples thereof include a film made of a resin or the like.

また、基材１１の厚みは、特に限定されないが、およそ５μｍ以上５００μｍ以下の範囲で適宜好適なものを使用可能である。 Moreover, the thickness of the base material 11 is not particularly limited, but a suitable material can be appropriately used within a range of about 5 μm to 500 μm.

基材巻き出し部１２は、基材１１を巻き出し、搬送ロール１５に基材１１を送るための部位である。図１、２に示す通り、基材巻き出し部１２は、Ｙ方向に延びる円柱状の形状を有する。基材巻き出し部１２は、図１の矢印Ａの方向に、基材巻き出し部１２の中心軸（Ｙ方向に延びる）を中心に回転するように、真空容器１０の側面（図示せず）に軸受け支持される。基材巻き出し部１２の周面には基材１１がロール状に巻かれており、上記矢印Ａの方向の回転により基材１１を巻き出すことができる。 The substrate unwinding unit 12 is a part for unwinding the substrate 11 and sending the substrate 11 to the transport roll 15. As shown in FIGS. 1 and 2, the substrate unwinding portion 12 has a cylindrical shape extending in the Y direction. The base material unwinding part 12 is a side surface (not shown) of the vacuum vessel 10 so as to rotate around the central axis (extending in the Y direction) of the base material unwinding part 12 in the direction of arrow A in FIG. Supported by bearings. The base material 11 is wound in a roll shape on the peripheral surface of the base material unwinding portion 12, and the base material 11 can be unwound by rotation in the direction of the arrow A.

成膜用ドラム１３は、成膜時に基材１１の被成膜面１１０が蒸発源１７の上面と対向するように基材１１を保持する部位である。図１、２に示す通り、成膜用ドラム１３は、Ｙ方向に延びる円柱状の形状を有する。上記の通り、成膜用ドラム１３は、基材巻き出し部１２と基材巻取り部１４との間に配設される。成膜用ドラム１３は、矢印Ｂの方向に、成膜用ドラム１３の中心軸（Ｙ方向に延びる）を中心に回転するように、基材巻き出し部１２と同様に真空容器１０の側面（図示せず）に軸受け支持される。成膜用ドラム１３は、上記回転により、成膜用ドラム１３の周面上に巻き掛けられた基材１１を、搬送ロール１５側から搬送ロール１６側へ搬送する。 The film formation drum 13 is a part that holds the base material 11 so that the film formation surface 110 of the base material 11 faces the upper surface of the evaporation source 17 during film formation. As shown in FIGS. 1 and 2, the film-forming drum 13 has a cylindrical shape extending in the Y direction. As described above, the film forming drum 13 is disposed between the substrate unwinding unit 12 and the substrate winding unit 14. The film forming drum 13 is rotated in the direction of the arrow B about the central axis (extending in the Y direction) of the film forming drum 13 as in the case of the substrate unwinding portion 12. It is supported by a bearing (not shown). The film formation drum 13 conveys the base material 11 wound on the peripheral surface of the film formation drum 13 from the conveyance roll 15 side to the conveyance roll 16 side by the above rotation.

基材巻取り部１４は、成膜後の基材１１を巻き取るための部位である。基材巻取り部１４は、Ｙ方向に延びる円柱状の形状を有する。基材巻取り部１４は、矢印Ｃの方向に、基材巻取り部１４の中心軸（Ｙ方向に延びる）を中心に回転するように、基材巻き出し部１２と同様に真空容器１０の側面に軸受け支持される。基材巻取り部１４は、上記矢印Ｃ方向の回転により成膜後の基材１１を巻き取る。 The base material winding unit 14 is a part for winding the base material 11 after film formation. The substrate winding part 14 has a columnar shape extending in the Y direction. The base material winding unit 14 is rotated in the direction of arrow C around the central axis (extending in the Y direction) of the base material winding unit 14 in the same manner as the base material unwinding unit 12. The bearing is supported on the side. The base material winding part 14 winds up the base material 11 after film formation by the rotation in the arrow C direction.

搬送ロール１５は、基材巻き出し部１２から巻き出された基材１１を成膜用ドラム１３に送るための部位である。図１、２に示す通り、搬送ロール１５はＹ方向に延びる円柱状の形状を有する。上記の通り、搬送ロール１５は基材巻き出し部１２と成膜ドラム１３との間に配設される。搬送ロール１５は、矢印Ｄの方向に、搬送ロール１５の中心軸（Ｙ方向に延びる）を中心に回転するように、基材巻き出し部１２と同様に真空容器１０の側面（図示せず）に軸受け支持される。搬送ロール１５は上記矢印Ｄ方向の回転により、搬送ロール１５の周面上に巻き掛けられた基材１１を、基材巻取り部１２側から成膜用ドラム１３側へ搬送する。 The transport roll 15 is a part for sending the substrate 11 unwound from the substrate unwinding unit 12 to the film forming drum 13. As shown in FIGS. 1 and 2, the transport roll 15 has a cylindrical shape extending in the Y direction. As described above, the transport roll 15 is disposed between the substrate unwinding unit 12 and the film forming drum 13. The transport roll 15 is rotated in the direction of arrow D around the central axis (extending in the Y direction) of the transport roll 15, as in the case of the substrate unwinding section 12. Supported by bearings. The conveyance roll 15 conveys the base material 11 wound on the peripheral surface of the conveyance roll 15 from the base material winding unit 12 side to the film forming drum 13 side by the rotation in the arrow D direction.

搬送ロール１６は、成膜用ドラム１３で成膜された基材１１を、基材巻き取り部１４に送るための部位である。図１、２に示す通り、搬送ロール１６はＹ方向に延びる円柱状の形状を有する。上記の通り、搬送ロール１６は、成膜用ドラム１３と基材巻き取り部１４との間に配設される。搬送ロール１６は、矢印Ｅの方向に、搬送ロール１６の中心軸（Ｙ方向に延びる）を中心に回転するように、基材巻き出し部１２と同様に真空容器１０の側面（図示せず）に軸受け支持される。搬送ロール１６は上記矢印Ｅ方向の回転により、搬送ロール１６の周面上に巻き掛けられた基材１１を、成膜用ドラム１３側から基材巻取り部１４側へ搬送する。 The transport roll 16 is a part for feeding the base material 11 formed on the film forming drum 13 to the base material winding unit 14. As shown in FIGS. 1 and 2, the transport roll 16 has a cylindrical shape extending in the Y direction. As described above, the transport roll 16 is disposed between the film forming drum 13 and the substrate winding unit 14. The transport roll 16 is rotated in the direction of arrow E around the central axis (extending in the Y direction) of the transport roll 16, as with the substrate unwinding section 12, on the side surface (not shown). Supported by bearings. The conveyance roll 16 conveys the base material 11 wound on the peripheral surface of the conveyance roll 16 from the film forming drum 13 side to the base material winding unit 14 side by the rotation in the arrow E direction.

蒸発源１７は、蒸着材料２を保持するための部位である。蒸発源１７は上面に凹部を有する坩堝１７０、加熱装置１７１を有する。図１に示すように、蒸発源１７は、蒸発源１７の上面（坩堝１７０の上面）と成膜用ドラム１３の周面上に巻き掛けられた基材１１の被成膜面１１０とが対向するように、防着箱１９の底面に配置される。 The evaporation source 17 is a part for holding the vapor deposition material 2. The evaporation source 17 includes a crucible 170 having a recess on the upper surface and a heating device 171. As shown in FIG. 1, the evaporation source 17 is such that the upper surface of the evaporation source 17 (the upper surface of the crucible 170) and the film formation surface 110 of the substrate 11 wound around the peripheral surface of the film formation drum 13 are opposed to each other. It arrange | positions to the bottom face of the adhesion prevention box 19 so that it may.

坩堝１７０は、図１に示すように、蒸着材料２を保持するための部位である。図１、２に示すように、坩堝１７０は、上面に蒸着材料２を保持するための凹部を有し、Ｚ方向に延びる円柱状の形状を有する。 The crucible 170 is a part for holding the vapor deposition material 2 as shown in FIG. As shown in FIGS. 1 and 2, the crucible 170 has a concave portion for holding the vapor deposition material 2 on its upper surface, and has a cylindrical shape extending in the Z direction.

加熱装置１７１は、蒸着材料２を加熱して蒸発させるための装置である。加熱装置１７１は、図１に示すように、坩堝１７０の周面にコイル状に巻かれるように配設される。 The heating device 171 is a device for heating and evaporating the vapor deposition material 2. As shown in FIG. 1, the heating device 171 is arranged so as to be wound around the peripheral surface of the crucible 170 in a coil shape.

本実施形態において、加熱装置１７１は、誘導加熱装置である。なお、本発明においては、例えば、抵抗加熱装置、電子ビーム加熱装置、イオンプレ−ティング加熱装置等の従来公知の加熱装置を使用することができる。 In the present embodiment, the heating device 171 is an induction heating device. In the present invention, conventionally known heating devices such as a resistance heating device, an electron beam heating device, and an ion plating heating device can be used.

反応ガス供給部１８は、蒸発した蒸着材料２と反応する反応ガスを供給する部位である。図１に示すように、反応ガス供給部１８は、被成膜面１１０に向けて反応ガスが供給されるように配置される。 The reactive gas supply unit 18 is a part that supplies a reactive gas that reacts with the evaporated deposition material 2. As shown in FIG. 1, the reactive gas supply unit 18 is arranged so that the reactive gas is supplied toward the film formation surface 110.

反応ガス供給部１８は反応ガスを供給する。なお、本発明において、供給する反応ガスの種類は特に限定されないが、酸素、窒素、ヘリウム等又はこれらの混合ガスが挙げられる。バリア性の非常に高いフィルムを作製するためには、反応ガスとして窒素を使用することが好ましい。バリア性が高く且つ透明なフィルムを得るためには、反応ガスとして酸素を使用することが好ましい。 The reactive gas supply unit 18 supplies reactive gas. In the present invention, the type of reaction gas to be supplied is not particularly limited, and examples thereof include oxygen, nitrogen, helium, and a mixed gas thereof. In order to produce a film having a very high barrier property, it is preferable to use nitrogen as a reaction gas. In order to obtain a transparent film having a high barrier property, it is preferable to use oxygen as a reaction gas.

防着箱１９は、真空容器１内に設けられており、防着箱１９内部の底面には蒸発源１７やプラズマガン３が配置される。防着箱１９の上板の蒸発源１７に対向する位置には、開口が設けられる。この開口から成膜ドラム１３の一部が、被成膜面１１０で開口を塞ぐように防着箱１９内に侵入する。また、防着箱１９は電気的にアース（接地）されている。なお、防着箱１９の上板が防着板に該当する。 The deposition box 19 is provided in the vacuum vessel 1, and the evaporation source 17 and the plasma gun 3 are disposed on the bottom surface inside the deposition box 19. An opening is provided at a position facing the evaporation source 17 on the upper plate of the deposition protection box 19. A part of the film formation drum 13 enters the deposition box 19 from this opening so as to close the opening with the film formation surface 110. The protective box 19 is electrically grounded (grounded). In addition, the upper plate of the deposition box 19 corresponds to the deposition plate.

蒸着材料２は、上記反応ガスと反応して、基材１１の被成膜面１１０に形成される薄膜となる原料である。蒸着材料２は、蒸発源１７の坩堝１７０に設けられる。 The vapor deposition material 2 is a raw material that reacts with the reaction gas and becomes a thin film formed on the deposition surface 110 of the substrate 11. The vapor deposition material 2 is provided in the crucible 170 of the evaporation source 17.

本実施形態において、蒸着材料２はＳｉＯである。なお、本発明において、蒸着材料２の種類は特に限定されないが、例えば、Ｓｉ、ＳｉＯ、ＳｉＯ_２、Ａｌ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＮ、ＳｉＯＺｎ等を挙げることができる。 In this embodiment, the vapor deposition material 2 is SiO. In the present invention, the type of the vapor deposition material 2 is not particularly limited, and examples thereof include Si, SiO, SiO ₂ , Al, Al ₂ O ₃ , SiN, and SiOZn.

プラズマガン３は、蒸発した蒸着材料２に対してＡｒプラズマを照射するための部位である。プラズマガン３は、図２、３に示すように、被成膜面１１０の下方に、成膜用ドラム１３の中心軸（破線Ｐ）を含んで鉛直方向（Ｚ方向）に伸びる仮想平面に沿って、蒸発源１７と同様に防着箱１９の底面に配置される。また、プラズマガン３は、図３に示すように、平面視において基材１１が搬送される方向（Ｘ方向）に直行する方向（Ｙ方向）から、被成膜面１１０に向けてプラズマが放出するように配置される。また、プラズマガンは、図２に示すように、真空成膜装置１の平面視において成膜ドラム１３の幅より外側に位置するように配設される。以下、プラズマガン３の位置についてさらに詳細に説明する。なお、プラズマガン３の設置位置は、蒸発した蒸着材料２に対してＡｒプラズマを照射可能であれば特に限定されない。 The plasma gun 3 is a part for irradiating the evaporated deposition material 2 with Ar plasma. As shown in FIGS. 2 and 3, the plasma gun 3 extends along a virtual plane extending in the vertical direction (Z direction) including the central axis (broken line P) of the film formation drum 13 below the film formation surface 110. In the same manner as the evaporation source 17, it is disposed on the bottom surface of the deposition protection box 19. Further, as shown in FIG. 3, the plasma gun 3 emits plasma toward the film formation surface 110 from a direction (Y direction) orthogonal to the direction (X direction) in which the base material 11 is conveyed in plan view. To be arranged. Further, as shown in FIG. 2, the plasma gun is disposed so as to be located outside the width of the film forming drum 13 in a plan view of the vacuum film forming apparatus 1. Hereinafter, the position of the plasma gun 3 will be described in more detail. Note that the installation position of the plasma gun 3 is not particularly limited as long as the evaporated deposition material 2 can be irradiated with Ar plasma.

「被成膜面１１０の下方に配置」とは、図３に示すように、プラズマガン３が真空容器１の底面側から被成膜面１１０に向けて照射可能な位置に配置されることを意味する。
「基材１１が搬送される方向（Ｘ方向）に直行する方向（Ｙ方向）から、被成膜面１１０に向けて」とは、プラズマガン３のプラズマを放出する部分の所定の点と、被成膜面１１０の所定の点とを結んだ直線が、Ｙ方向の成分を有することを指す。
「成膜ドラムの中心軸（Ｙ方向）を含んで鉛直方向（Ｚ方向）に伸びる仮想平面に沿って配設される」とは、プラズマガン３の放射方向軸がＹ成分とＺ成分のみを有しておりＸ成分を含まないことを指す。
「真空成膜装置１の平面視において成膜ドラム１３の幅より外側に位置するように配設される」とは、プラズマガン３の位置のＹ成分が、成膜用ドラム１３の幅となるＹ１とＹ２とを結んだ線分と重ならないことを意味する。 “Arranged below the film formation surface 110” means that the plasma gun 3 is arranged at a position where irradiation from the bottom surface side of the vacuum vessel 1 toward the film formation surface 110 can be performed, as shown in FIG. means.
“From the direction perpendicular to the direction (X direction) in which the substrate 11 is conveyed (Y direction) toward the film formation surface 110” means that a predetermined point of the plasma gun 3 emits plasma; A straight line connecting a predetermined point of the film formation surface 110 indicates that it has a component in the Y direction.
“Disposed along a virtual plane extending in the vertical direction (Z direction) including the central axis (Y direction) of the film formation drum” means that the radial direction axis of the plasma gun 3 includes only the Y component and the Z component. It means having X component.
“It is disposed so as to be located outside the width of the film forming drum 13 in a plan view of the vacuum film forming apparatus 1” means that the Y component at the position of the plasma gun 3 is the width of the film forming drum 13. This means that it does not overlap the line segment connecting Y1 and Y2.

本実施形態において、プラズマガン３は、Ａｒプラズマを放出する帰還電極を有する圧力勾配型のプラズマ発生装置である。なお、本発明において、プラズマガン３の種類は特に限定されないが、後述する通り、プラズマガン３は、帰還電極を有する圧力勾配型のプラズマ発生装置であることが好ましい。 In the present embodiment, the plasma gun 3 is a pressure gradient type plasma generator having a return electrode that emits Ar plasma. In the present invention, the type of the plasma gun 3 is not particularly limited. However, as will be described later, the plasma gun 3 is preferably a pressure gradient type plasma generator having a feedback electrode.

また、本実施形態において、プラズマガン３の出力の条件については、出力は３ＫＷ以上１２ＫＷ以下の範囲で調整する。他の条件については特に限定されないが、加速電圧の条件は４０Ｖから２００Ｖの範囲に調整することが好ましい。なお、本発明において、加速電圧等の条件は特に限定されず、基材フィルムの種類等に応じて適宜変更できる。 In the present embodiment, the output condition of the plasma gun 3 is adjusted in the range of 3 KW to 12 KW. The other conditions are not particularly limited, but the acceleration voltage condition is preferably adjusted in the range of 40V to 200V. In addition, in this invention, conditions, such as an acceleration voltage, are not specifically limited, According to the kind etc. of base film, it can change suitably.

次いで、本実施形態の蒸着フィルムの製造方法の一例について説明する。
基材巻き出し部１２の周面にロール状に巻かれた基材１１は、基材巻き出し部１２が矢印Ａ方向に、基材巻き出し部１２の中心軸を中心に回転することにより、白抜き矢印Ｆ（図１に記載）の方向に巻き出される。 Then, an example of the manufacturing method of the vapor deposition film of this embodiment is demonstrated.
The base material 11 wound in the form of a roll on the peripheral surface of the base material unwinding part 12 rotates the base material unwinding part 12 around the central axis of the base material unwinding part 12 in the direction of arrow A, It is unwound in the direction of the white arrow F (described in FIG. 1).

基材巻き出し部１２から巻き出された基材１１は、搬送ロール１５が矢印Ｄ方向に、搬送ロール１５の中心軸を中心に回転することにより、白抜き矢印Ｇ（図１に記載）の方向に搬送される。 The base material 11 unwound from the base material unwinding section 12 has a white arrow G (described in FIG. 1) when the transport roll 15 rotates around the central axis of the transport roll 15 in the arrow D direction. Conveyed in the direction.

一方、蒸発源１７からは加熱された蒸発材料２が蒸発し成膜用ドラム１３下部の基材１１の被成膜面１１０に向けて照射される。また同時にプラズマガン３からも被成膜面１１０に対してプラズマが照射される。 On the other hand, the heated evaporation material 2 evaporates from the evaporation source 17 and is irradiated toward the film formation surface 110 of the substrate 11 under the film formation drum 13. At the same time, plasma is irradiated from the plasma gun 3 to the film formation surface 110.

搬送ロール１５の回転により、基材１１は成膜用ドラム１３まで送られ、基材１１と成膜用ドラム１３とが接する点Ｑ付近（点Ｑは被成膜面１１０が防着箱１９内に侵入する点）からＡｒプラズマが基材１１の被成膜面１１０に強く照射される。Ａｒプラズマは、図３に示すように、プラズマガン３から被成膜面１１０に対して斜めに照射される。Ａｒプラズマが照射される領域は、例えば、図４（ａ）中の、一点鎖線で挟まれる領域である。なお、この薄膜形成前の被成膜面１１０へのＡｒプラズマの照射を前処理工程という。 By rotation of the transport roll 15, the base material 11 is sent to the film forming drum 13, and near the point Q where the base material 11 and the film forming drum 13 are in contact (the point Q is where the film forming surface 110 is in the deposition box 19. Ar plasma is strongly irradiated onto the film-forming surface 110 of the substrate 11 from the point of entry into the film. As shown in FIG. 3, the Ar plasma is irradiated obliquely from the plasma gun 3 to the deposition surface 110. The region irradiated with Ar plasma is, for example, a region sandwiched between alternate long and short dash lines in FIG. Note that the Ar plasma irradiation to the film formation surface 110 before the thin film formation is referred to as a pretreatment process.

点Ｑまで搬送された基材１１は、被成膜面１１０がＡｒプラズマによる前処理を受けながら、成膜用ドラム１３が矢印Ｂ方向（図１に記載）に、成膜用ドラム１３の中心軸を中心に回転することにより、白抜き矢印Ｈ方向に送られる。
一方、蒸着材料２は、加熱装置１７１により加熱され、図４（ｂ）に示すように蒸発する。そして、反応ガス（窒素）は、図４（ｂ）に示すように、蒸発した蒸着材料２に混合するように反応ガス供給部１８から供給される。蒸発した蒸着材料２と反応ガスとは反応しＳｉＯ_ｘＮ_ｙとなる。ＳｉＯ_ｘＮ_ｙは図４（ｂ）中にひし形で表した。なお、図４（ｂ）は、Ａｒプラズマを省略して図示している。
成膜用ドラム１３上で基材１１を搬送中、前処理工程を受けた被成膜面１１０上には徐々にＳｉＯ_ｘＮ_ｙが衝突していき薄膜が形成され始める。そして、図２（ｂ）に示すように蒸着材料２を配置するための坩堝１７０の上面と対向する位置まで基材１１が搬送されたときに、薄膜の形成は最も盛んになる。基材１１が坩堝１７０の上面と対向する位置からさらに＋Ｘ方向に送られると、徐々に形成される薄膜の量が少なくなる。この基材１１の被成膜面１１０に薄膜が形成される工程を成膜工程という。なお、成膜工程においても、被成膜面１１０には、Ａｒプラズマが衝突しているが、上記の通り、図４（ｂ）にはＡｒプラズマを省略して図示している。 The base material 11 transported to the point Q has the film formation drum 13 in the direction of the arrow B (described in FIG. 1) while the film formation surface 110 is subjected to pretreatment with Ar plasma. By rotating around the axis, it is sent in the direction of the white arrow H.
On the other hand, the vapor deposition material 2 is heated by the heating device 171 and evaporates as shown in FIG. Then, the reactive gas (nitrogen) is supplied from the reactive gas supply unit 18 so as to be mixed with the evaporated vapor deposition material 2 as shown in FIG. The evaporated vapor deposition material 2 reacts with the reactive gas to become SiO _x N _y . SiO _x N _y is represented by a rhombus in FIG. In FIG. 4B, Ar plasma is omitted.
While the substrate 11 is being transported on the film-forming drum 13, the SiO _x N _y gradually collides with the film-forming surface 110 that has undergone the pretreatment process, and a thin film begins to be formed. And as shown in FIG.2 (b), when the base material 11 is conveyed to the position facing the upper surface of the crucible 170 for arrange | positioning the vapor deposition material 2, formation of a thin film becomes the most prosperous. When the base material 11 is further sent in the + X direction from a position facing the upper surface of the crucible 170, the amount of the thin film formed gradually decreases. The process of forming a thin film on the film formation surface 110 of the substrate 11 is referred to as a film formation process. In the film formation process, Ar plasma collides with the film formation surface 110, but as shown above, Ar plasma is omitted in FIG. 4B.

形成される薄膜量が少なくなりながら、成膜用ドラム１３上を白抜き矢印Ｈ方向に、基材１１は搬送される。形成される薄膜量が少なくなっても、図４（ｃ）に示すように、Ａｒプラズマの照射は続く。この薄膜形成直後にＡｒプラズマが照射される工程を後処理工程という。後処理工程においては、被成膜面１１０に形成された薄膜に対して、Ａｒプラズマが照射される。成膜工程においてもＡｒプラズマは照射され続けているため、後処理工程は、成膜直後から始まり、基材１１が成膜用ドラム１３と離れる点Ｒ付近（点Ｒは被成膜面１１０が防着箱１９から出る点）まで続く。 The base material 11 is conveyed in the direction of the white arrow H on the film-forming drum 13 while the amount of thin film to be formed is reduced. Even if the amount of thin film formed is reduced, the Ar plasma irradiation continues as shown in FIG. The process in which Ar plasma is irradiated immediately after the thin film formation is called a post-processing process. In the post-processing step, Ar plasma is irradiated to the thin film formed on the film formation surface 110. Since Ar plasma continues to be irradiated in the film forming process, the post-processing process starts immediately after the film formation, and is in the vicinity of the point R where the substrate 11 is separated from the film forming drum 13 (the point R corresponds to the film formation surface 110). Continue until the point coming out of the box 19).

成膜用ドラム１３から離れた基材１１は、搬送ロール１６が矢印Ｅ方向に、搬送ロール１６の中心軸を中心に回転することにより、白抜き矢印Ｉ（図１に記載）の方向に搬送される。そして、基材１１は、搬送ロール１６の周面を沿うように送られる。 The base material 11 separated from the film forming drum 13 is transported in the direction of the white arrow I (described in FIG. 1) as the transport roll 16 rotates in the direction of arrow E and around the central axis of the transport roll 16. Is done. And the base material 11 is sent so that the surrounding surface of the conveyance roll 16 may be followed.

搬送ロール１６の周面を沿うように搬送された基材１１は、基材巻取り部１４が矢印Ｃ方向に、基材巻取り部１４の中心軸を中心に回転することにより、基材巻取り部１４にロール状に巻かれるように巻き取られる。 The base material 11 transported along the peripheral surface of the transport roll 16 rotates the base material winding portion 14 in the direction of arrow C around the central axis of the base material winding portion 14. The take-up part 14 is wound up so as to be wound in a roll shape.

本発明の蒸着フィルムの製造方法によれば以下の効果が奏される。
本発明の蒸着フィルムの製造方法では、ア−スに接地させた防着板と、帰還電極を有するプラズマガンとを組み合わせ、蒸発させた蒸着材料２に対して出力が３ＫＷ以上１２ＫＷ以下の条件のＡｒプラズマを照射しながら基材１１の被成膜面１１０上に薄膜を形成することで、搬送速度を速い条件に設定することによる膜質の低下を最小限に抑えられる。先ず、ア−スに接地させた防着板と、帰還電極を有するプラズマガンとを組み合わせることの効果について説明する。
プラズマガン３から照射された電子は、電気的にア−ス（接地）された防着箱１９に吸収され消滅する。時間の経過とともに防着箱１９の表面には蒸発材料２が付着していくが、防着箱１９はアースされているためイオン化された蒸発材料２は付着しにくく蒸発材料２が絶縁物であっても長時間に亘って電子を吸収する。また、プラズマガン３自体も電子の帰還電極を有するため電子の流れに問題が生じない。
以上よりプラズマガン３は安定した稼動を続け十分な量のイオン化エネルギ−を照射することができる。また、防着箱１９がアース（接地）され、その電位がゼロに保たれることで、防着箱１９の表面への蒸発材料２の堆積を減じる効果があり、堆積物が剥離・落下して蒸発源１７やプラズマガン３を故障させる機会を減らすこともできる。
上記の通り、ア−スに接地させた防着板と、帰還電極を有するプラズマガンとを組み合わせることで、プラズマガン３は安定した稼動を続け十分な量のイオン化エネルギ−を照射することができる。その結果、出力３ＫＷ以上１２ＫＷ以下の条件のＡｒプラズマ照射は非常に安定する。この安定なプラズマ照射により、緻密な薄膜が被成膜面１１０上に安定して形成される。
また、絶縁物である基材１１の被成膜面１１０には、電子が帯電し、イオン化され活性化された蒸発材料２が引き寄せられるため、プラズマアシスト効果により基材上に高品質な薄膜を成膜することが可能である。特に本発明によれば、防着箱１９に堆積する蒸着材料２が少ないため、多くの蒸着材料２が被成膜面１１０上に帯電する電子に引き寄せられるため非常に高品質な薄膜を形成することができる。
以上の通り、本発明の製造方法によれば、安定なプラズマ照射により、緻密な薄膜が被成膜面１１０上に安定して形成され、イオン化され活性化された蒸発材料２が被成膜面１１０に帯電する電子に引き寄せられるため、基材の搬送速度を速い条件に設定しても、プラズマアシスト効果により基材上に高品質な薄膜を成膜することが可能である。 According to the manufacturing method of the vapor deposition film of this invention, the following effects are show | played.
In the manufacturing method of the vapor deposition film of the present invention, the deposition plate 2 grounded to the ground and the plasma gun having the return electrode are combined, and the output of the vapor deposition material 2 is 3 KW or more and 12 KW or less. By forming a thin film on the film formation surface 110 of the substrate 11 while irradiating with Ar plasma, it is possible to minimize deterioration in film quality caused by setting the transport speed to a fast condition. First, the effect of combining an adhesion preventing plate grounded to the earth and a plasma gun having a return electrode will be described.
Electrons irradiated from the plasma gun 3 are absorbed and disappeared by an adhesion box 19 that is electrically grounded (grounded). The evaporative material 2 adheres to the surface of the adhesion prevention box 19 with the passage of time, but since the adhesion prevention box 19 is grounded, the ionized evaporation material 2 is less likely to adhere, and the evaporation material 2 is an insulator. But it absorbs electrons for a long time. Further, since the plasma gun 3 itself has an electron return electrode, no problem occurs in the flow of electrons.
As described above, the plasma gun 3 can continue to operate stably and can irradiate a sufficient amount of ionization energy. Further, since the deposition box 19 is grounded (grounded) and the potential thereof is kept at zero, there is an effect of reducing the deposition of the evaporation material 2 on the surface of the deposition box 19, and the deposits are peeled off and dropped. Thus, the chance of failure of the evaporation source 17 and the plasma gun 3 can be reduced.
As described above, the plasma gun 3 can continue to operate stably and can irradiate with a sufficient amount of ionization energy by combining the deposition plate grounded to the ground and the plasma gun having the return electrode. . As a result, Ar plasma irradiation under conditions of an output of 3 KW or more and 12 KW or less is very stable. By this stable plasma irradiation, a dense thin film is stably formed on the deposition surface 110.
In addition, since the deposition surface 110 of the base material 11 that is an insulator is charged with electrons and the evaporated and activated evaporation material 2 is attracted, a high-quality thin film is formed on the base material by the plasma assist effect. It is possible to form a film. In particular, according to the present invention, since the vapor deposition material 2 deposited on the deposition box 19 is small, a large amount of the vapor deposition material 2 is attracted to the charged electrons on the film formation surface 110, thereby forming a very high quality thin film. be able to.
As described above, according to the manufacturing method of the present invention, a dense thin film is stably formed on the film formation surface 110 by stable plasma irradiation, and the ionized and activated evaporation material 2 is formed on the film formation surface. Since it is attracted to electrons charged to 110, even if the transport speed of the base material is set to a fast condition, it is possible to form a high-quality thin film on the base material due to the plasma assist effect.

特許文献１に示すような従来の蒸着フィルムの製造に用いる真空成膜装置は、図５（ａ）に示すように、プラズマガン３と蒸発源１７とが、平面視で基材１１の流れ方向（Ｙ方向）に並ぶように配置される。特許文献２の場合には、図５（ｂ）に示すように、プラズマガン３が真空容器１の側面に配置され、Ａｒプラズマは薄膜形成後の基材１１や、成膜用ドラム１３と蒸発源１７との間の空間に照射される。
図５（ａ）に示されるような従来の真空成膜装置を使用して本発明の製造方法を実施した場合には、後処理工程が不十分なため、高品質な薄膜が形成されるものの薄膜を充分緻密にすることができない。その結果、バリア性が非常に高い蒸着フィルムにはならない。
図５（ｂ）に示されるような従来の真空成膜装置を使用して本発明の製造方法を実施した場合には、前処理工程を行うことができない。このため、蒸着材料２と被成膜面１１０との密着性向上効果が得られなくなる。 As shown in FIG. 5A, a vacuum film forming apparatus used for manufacturing a conventional deposited film as shown in Patent Document 1 includes a plasma gun 3 and an evaporation source 17 in the flow direction of the base material 11 in plan view. Arranged in the (Y direction). In the case of Patent Document 2, as shown in FIG. 5 (b), the plasma gun 3 is disposed on the side surface of the vacuum vessel 1, and Ar plasma evaporates with the base material 11 after film formation and the film forming drum 13. The space between the source 17 is irradiated.
When the manufacturing method of the present invention is carried out using a conventional vacuum film forming apparatus as shown in FIG. 5 (a), a high-quality thin film is formed because the post-treatment process is insufficient. The thin film cannot be made sufficiently dense. As a result, the deposited film does not have a very high barrier property.
When the manufacturing method of the present invention is carried out using a conventional vacuum film forming apparatus as shown in FIG. 5B, the pretreatment process cannot be performed. For this reason, the effect of improving the adhesion between the vapor deposition material 2 and the film formation surface 110 cannot be obtained.

本発明の蒸着フィルムの製造方法としては、薄膜が形成される前の被成膜面１１０にＡｒプラズマが照射される前処理工程と、蒸発した蒸着材料２等をＡｒプラズマで活性化しながら、被成膜面１１０に薄膜を形成する成膜工程と、形成直後の薄膜に対してＡｒプラズマを照射する後処理工程とを逐次一体的に備える方法が好ましい。前処理工程により、成膜工程での被成膜面１１０と蒸着材料２との密着性が向上する。後処理工程では、被成膜面１１０上に形成された薄膜がさらに改質され、より緻密な薄膜になる。 The vapor deposition film manufacturing method of the present invention includes a pretreatment process in which the film formation surface 110 before the thin film is formed is irradiated with Ar plasma, and the evaporated vapor deposition material 2 and the like while being activated with Ar plasma. A method of sequentially and integrally including a film forming process for forming a thin film on the film forming surface 110 and a post-treatment process for irradiating the thin film immediately after the formation with Ar plasma is preferable. The adhesion between the film formation surface 110 and the vapor deposition material 2 in the film forming process is improved by the pretreatment process. In the post-processing step, the thin film formed on the film formation surface 110 is further modified to become a denser thin film.

成膜される高品質な薄膜とは、例えば、酸化珪素膜であり、珪素原子１に対する酸素原子の割合Ｘが１．２以下である。また、高品質な薄膜は水蒸気バリア性が高く、例えば、４０℃、１００％ＲＨにおける水蒸気透過度がおよそ１．０ｇ／ｍ^２／ｄａｙ以下になる。 The high quality thin film formed is, for example, a silicon oxide film, and the ratio X of oxygen atoms to silicon atoms 1 is 1.2 or less. Moreover, a high-quality thin film has a high water vapor barrier property, for example, the water vapor permeability at 40 ° C. and 100% RH is about 1.0 g / m ² / day or less.

そして、プラズマガン３の照射条件は、出力が上記範囲内にあれば、他の条件は特に限定されないが、加速電圧を４０Ｖ以上２００Ｖ以下に調整することが好ましい。加速電圧の条件が上記の範囲であれば、Ａｒプラズマの照射による蒸着材料２や反応ガス等のイオン化も起こりやすく、薄膜の形成も促進されるためである。 The irradiation condition of the plasma gun 3 is not particularly limited as long as the output is within the above range, but the acceleration voltage is preferably adjusted to 40 V or more and 200 V or less. This is because, if the acceleration voltage condition is in the above range, ionization of the vapor deposition material 2 and the reactive gas due to Ar plasma irradiation is likely to occur, and the formation of a thin film is promoted.

本発明の蒸着フィルムの製造方法において、使用する蒸着材料は珪素を含むものであれば特に限定されないが、蒸着材料としてＳｉＯを使用すれば、珪素原子１に対する酸素原子の割合Ｘを１．２以下に調整しやすい。即ち、蒸着材料２としてＳｉＯを使用することで、高品質（バリア性の非常に高い）な薄膜が被成膜面１１０上に、より成膜されやすくなる。 In the method for producing a vapor deposition film of the present invention, the vapor deposition material to be used is not particularly limited as long as it contains silicon. However, if SiO is used as the vapor deposition material, the ratio X of oxygen atoms to silicon atoms 1 is 1.2 or less. Easy to adjust. That is, by using SiO as the vapor deposition material 2, a high-quality (very high barrier property) thin film can be more easily formed on the film formation surface 110.

本発明の蒸着フィルムの製造方法において、使用する反応ガスの種類は特に限定されないが、窒素を使用すれば、よりバリア性の高い薄膜を被成膜面１１０上に成膜できるため好ましい。反応ガスとして窒素を使用すると、蒸発した蒸着材料２等をさらに活性化することができ、また、前処理工程及び後処理工程による効果も高まる。このため、非常に緻密な薄膜が被成膜面１１０上に形成される。また、薄膜が窒素を含有するＳｉＯ_ｘＮ_ｙになればさらに緻密でバリア性の高い膜が得られる。なおＳｉＯ_ｘＮ_ｙの原子数比は、ＥＳＣＡ等の従来公知の分析装置を用いて評価することができる。 In the vapor deposition film manufacturing method of the present invention, the type of reaction gas to be used is not particularly limited, but it is preferable to use nitrogen because a thin film having higher barrier properties can be formed on the film formation surface 110. When nitrogen is used as the reaction gas, the evaporated vapor deposition material 2 and the like can be further activated, and the effects of the pretreatment process and the posttreatment process are enhanced. Therefore, a very dense thin film is formed on the film formation surface 110. Further, if the thin film is made of SiO _x N _y containing nitrogen, a denser and higher barrier film can be obtained. The atomic ratio of SiO _x N _y can be evaluated using a conventionally known analyzer such as ESCA.

また、上述の通り、真空成膜装置１においては、プラズマガン３は、被成膜面１１０の下方に、基材１１が搬送される方向（Ｘ方向）に直行する方向（Ｙ方向）から被成膜面１１０に向けてプラズマを照射できるように配置される。プラズマの照射方向が、図２、３に示すようにＹ成分を有することで、上記前処理工程、後処理工程を共に行うことができる。 Further, as described above, in the vacuum film forming apparatus 1, the plasma gun 3 is covered under the film formation surface 110 from the direction (Y direction) perpendicular to the direction in which the base material 11 is conveyed (X direction). It is arranged so that plasma can be irradiated toward the film formation surface 110. Since the plasma irradiation direction has the Y component as shown in FIGS. 2 and 3, both the pretreatment step and the posttreatment step can be performed.

本発明の蒸着フィルムの製造方法において、プラズマガン３の位置は特に限定されないが、プラズマガン３が成膜用ドラム１３の中心軸を含んで鉛直方向に伸びる仮想平面に沿って配置されることで、本発明は次の効果を奏する。プラズマの照射に偏りが無くなり、前処理工程、後処理工程のそれぞれで、蒸着材料２と被成膜面１１０との密着性の向上、形成された薄膜の緻密化のために充分なＡｒプラズマを照射することができる。
プラズマガン３を上記仮想平面からずらした位置に配置した場合（図２中のプラズマガン３を＋ｘ方向又は−ｘ方向に移動させた場合）、前処理工程による効果の程度、後処理工程による効果の程度を調整することができる。即ち、プラズマガン３を＋ｘ方向又は−ｘ方向に移動させることで、前処理工程による効果、後処理工程による効果を調整し最適化することができる。
なお、このような最適化は、２台のプラズマガン３、３が、基材１１の流れ方向（Ｘ方向）に蒸発源１７を挟んで並ぶように、防着箱１９の底面に配置されることでも行うことができるが、上記のようにして行えば、一台のプラズマガン３で最適化を行うことができる。ただし、成膜用ドラム１３の幅（Ｙ方向の長さ）が大きい場合には、上記のような２台のプラズマガン３、３の使用が好ましい。 In the vapor deposition film manufacturing method of the present invention, the position of the plasma gun 3 is not particularly limited, but the plasma gun 3 is arranged along a virtual plane extending in the vertical direction including the central axis of the film forming drum 13. The present invention has the following effects. There is no bias in the plasma irradiation, and Ar plasma sufficient for improving the adhesion between the vapor deposition material 2 and the film formation surface 110 and densifying the formed thin film in each of the pretreatment process and the posttreatment process. Can be irradiated.
When the plasma gun 3 is arranged at a position shifted from the virtual plane (when the plasma gun 3 in FIG. 2 is moved in the + x direction or the -x direction), the degree of the effect of the pretreatment process and the effect of the posttreatment process Can be adjusted. That is, by moving the plasma gun 3 in the + x direction or the −x direction, the effect of the pretreatment process and the effect of the posttreatment process can be adjusted and optimized.
In this optimization, the two plasma guns 3 and 3 are arranged on the bottom surface of the deposition box 19 so that the evaporation source 17 is sandwiched in the flow direction (X direction) of the base material 11. However, if performed as described above, the optimization can be performed with one plasma gun 3. However, when the film forming drum 13 has a large width (Y-direction length), it is preferable to use the two plasma guns 3 and 3 as described above.

また、本発明の蒸着フィルムの製造方法では、上述の通りプラズマガン３が、真空成膜装置１の平面視において、成膜ドラム１３の幅よりも外側に位置するように配置されることで、本発明は次の効果を奏する。加熱装置１７１による熱の影響も少なく、蒸着材料の付着等によるプラズマガン３の汚染も抑制される。この点も本発明の特徴である。 Moreover, in the manufacturing method of the vapor deposition film of this invention, as above-mentioned, the plasma gun 3 is arrange | positioned so that it may be located outside the width | variety of the film-forming drum 13 in planar view of the vacuum film-forming apparatus 1, The present invention has the following effects. The influence of heat by the heating device 171 is small, and contamination of the plasma gun 3 due to adhesion of vapor deposition material is suppressed. This point is also a feature of the present invention.

プラズマガン３は、Ａｒプラズマを照射する帰還電極を有する圧力勾配型プラズマガンである。そして、プラズマガン３の放射電源と真空容器１０との間の電位を調整することで、プラズマガン３の放射電源と真空容器１０との間の電流の値が最適になるように設定する。このため、真空容器１０内に蒸着材料等の絶縁物が付着する前（薄膜形成開始直後等）であっても、薄膜形成中に真空容器１０内に絶縁物が付着した場合と同様に、プラズマガン３の放射電源と真空容器１０との間に電流が流れにくくなる。したがって、薄膜形成の開始から終了までプラズマガン３の帰還電極に安定して電子が戻る構造になる。その結果、真空容器１０内部への絶縁物の付着による放射電源に流れ込む電流の変動が非常に小さくなりプラズマの照射が不安定になることが抑えられる。 The plasma gun 3 is a pressure gradient type plasma gun having a return electrode for irradiating Ar plasma. Then, by adjusting the potential between the radiation power source of the plasma gun 3 and the vacuum vessel 10, the current value between the radiation power source of the plasma gun 3 and the vacuum vessel 10 is set to be optimum. For this reason, even before an insulator such as a vapor deposition material adheres to the vacuum container 10 (immediately after the start of thin film formation, etc.), as in the case where the insulator adheres to the vacuum container 10 during the thin film formation, the plasma It becomes difficult for current to flow between the radiation power source of the gun 3 and the vacuum vessel 10. Therefore, the structure is such that electrons are stably returned to the return electrode of the plasma gun 3 from the start to the end of thin film formation. As a result, the fluctuation of the current flowing into the radiation power source due to the adhesion of the insulator inside the vacuum vessel 10 becomes very small, and the plasma irradiation can be suppressed from becoming unstable.

また、本発明の蒸着フィルムの製造方法において、プラズマガン３のＡｒプラズマの照射条件は、上記の通り、出力が３ＫＷ以上１２ＫＷ以下であれば特に限定されないが、加速電圧を４０Ｖ以上２００Ｖ以下に調整することで、本発明は次の効果を奏するためさらに好ましい。前処理工程により成膜工程における被成膜面１１０と蒸着材料２との密着性を向上させて薄膜の緻密化を促進することができる。後処理工程で充分に薄膜の緻密化を行うことができる。プラズマ照射の条件のいずれかが下限を下回ると、前処理工程での被成膜面１１０の改質、成膜工程での緻密な薄膜の形成、後処理工程での薄膜の緻密化が不十分になる場合がある。また、プラズマ照射条件のいずれかが上限を超えると、前処理工程、成膜工程、後処理工程において、基材１１にプラズマ照射による熱じわが発生することがある。 Moreover, in the manufacturing method of the vapor deposition film of this invention, the irradiation conditions of Ar plasma of the plasma gun 3 are not specifically limited as long as the output is 3 KW or more and 12 KW or less as described above, but the acceleration voltage is adjusted to 40 V or more and 200 V or less. Thus, the present invention is more preferable because the following effects can be obtained. By the pretreatment process, the adhesion between the film formation surface 110 and the vapor deposition material 2 in the film forming process can be improved and the densification of the thin film can be promoted. The thin film can be sufficiently densified in the post-processing step. If any of the plasma irradiation conditions falls below the lower limit, the film-forming surface 110 is modified in the pretreatment process, the dense thin film is formed in the film formation process, and the thin film is not sufficiently densified in the posttreatment process. It may become. Further, if any of the plasma irradiation conditions exceeds the upper limit, thermal wrinkles due to plasma irradiation may occur in the base material 11 in the pretreatment process, the film forming process, and the posttreatment process.

以上の通り、帰還電極を有する圧力勾配型プラズマガンを用いて、上記の条件で成膜を行えば、安定なプラズマの照射を行うことができるため、形成される薄膜の膜質は非常に優れ且つ膜質むらも非常に少ない。特に、プラズマガン３を、成膜ドラム１３の中心軸を含んで鉛直方向に伸びる仮想平面に沿って配置し、プラズマガン３として圧力勾配型プラズマガンを用い、プラズマの照射条件を上記の範囲に調整することにより、熱じわ等の不良の発生を抑えて、緻密な薄膜を安定して形成することができる。 As described above, if a film is formed under the above conditions using a pressure gradient type plasma gun having a return electrode, stable plasma irradiation can be performed, so that the film quality of the formed thin film is very excellent and There is also very little film quality unevenness. In particular, the plasma gun 3 is disposed along a virtual plane extending in the vertical direction including the central axis of the film formation drum 13, a pressure gradient type plasma gun is used as the plasma gun 3, and the plasma irradiation condition is set within the above range. By adjusting, the generation of defects such as heat wrinkles can be suppressed and a dense thin film can be stably formed.

また、本発明の蒸着フィルムの製造方法において、使用する加熱装置の種類は特に限定されないが、加熱装置１７１として、誘導加熱装置を使用することで、本発明は次の効果を奏する。加熱装置として、電子ビーム加熱装置等を使用した場合、加熱装置がプラズマガンに影響を与え、安定したプラズマの照射にならない場合があるが、誘導加熱装置を使用する場合、このような問題は生じない。 Moreover, in the manufacturing method of the vapor deposition film of this invention, although the kind of heating apparatus to be used is not specifically limited, By using an induction heating apparatus as the heating apparatus 171, this invention has the following effect. When an electron beam heating device or the like is used as a heating device, the heating device may affect the plasma gun, and stable plasma irradiation may not be achieved. However, when an induction heating device is used, such a problem occurs. Absent.

また、本発明の蒸着フィルムの製造方法においては、真空容器１０内の真空度は特に限定されないが１×１０^−３Ｐａ以上１×１０^−１Ｐａ以下の範囲で調整することが好ましい。真空度が１×１０^−３Ｐａ以上であれば、好適なプラズマ密度のプラズマをプラズマガン３から照射することができ、蒸着材料等がより活性化する。また、真空度が１×１０^−１Ｐａ以下であれば、緻密な薄膜を基材１１上に形成しやすくなる。 Moreover, in the manufacturing method of the vapor deposition film of this invention, although the vacuum degree in the vacuum vessel 10 is not specifically limited, It is preferable to adjust in the range of 1 * 10 < ^-3 > Pa or more and 1 * 10 < ^-1 > Pa or less. When the degree of vacuum is 1 × 10 ⁻³ Pa or more, plasma with a suitable plasma density can be irradiated from the plasma gun 3, and the vapor deposition material and the like are more activated. Moreover, if the degree of vacuum is 1 × 10 ⁻¹ Pa or less, a dense thin film can be easily formed on the substrate 11.

以上、本発明の蒸着フィルムの製造方法の一例について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではない。図６、図７に示すような装置を用いて、後述する方法で本発明の製造方法を実施することができる。図６は、図１から４に示す形態とは異なる形態の真空成膜装置を示す図であり、（ａ）はＸＹ平面方向の断面図であり、（ｂ）はＹＺ平面方向の断面図である。図７は、図１から４、６に示す形態とは異なる形態の真空成膜装置のＹＺ平面方向の断面図である。 As mentioned above, although an example of the manufacturing method of the vapor deposition film of this invention was demonstrated, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment. Using the apparatus as shown in FIGS. 6 and 7, the production method of the present invention can be carried out by the method described later. FIG. 6 is a view showing a vacuum film forming apparatus having a form different from the form shown in FIGS. 1 to 4, wherein (a) is a cross-sectional view in the XY plane direction, and (b) is a cross-sectional view in the YZ plane direction. is there. FIG. 7 is a cross-sectional view in the YZ plane direction of a vacuum film forming apparatus having a form different from the forms shown in FIGS.

図６に記載の真空成膜装置は、プラズマガン３を二個備える点が図１から４に記載の真空成膜装置と異なる。一方のプラズマガン３の位置は、図１から４に記載の真空成膜装置と同じである。また、二つのプラズマガン３、３は、基材１１の幅方向（Ｙ方向）の中心を貫くＸ軸に平行な直線に線対称に配置される。
図６に記載された真空成膜装置によれば、図６（ｂ）に示すように両側からプラズマを照射する方法で本発明の製造方法を実施することができる。その結果、より均一に緻密な薄膜を被成膜面上に形成することができる。しかし、図６（ｂ）に示すように、二個のプラズマガン３、３からのプラズマ照射が重なる領域（図６（ｂ）中にΔＹで示す領域）では、照射されるプラズマが強過ぎて、熱じわが発生する可能性が高い。このため、図６に示す真空蒸着装置を用いて本発明の製造方法を実施する場合には、図１から４に記載の真空成膜装置と比較して好適な成膜条件の範囲が非常に狭い。
なお、成膜用ドラム１３の幅（Ｙ方向の長さ）が大きい場合には、図６（ｂ）に示すような２台のプラズマガン３、３の使用が好ましい。 The vacuum film forming apparatus described in FIG. 6 is different from the vacuum film forming apparatus described in FIGS. 1 to 4 in that two plasma guns 3 are provided. The position of one plasma gun 3 is the same as that of the vacuum film forming apparatus described in FIGS. Further, the two plasma guns 3 and 3 are arranged symmetrically with respect to a straight line passing through the center of the base material 11 in the width direction (Y direction) and parallel to the X axis.
According to the vacuum film forming apparatus described in FIG. 6, the manufacturing method of the present invention can be carried out by a method of irradiating plasma from both sides as shown in FIG. 6 (b). As a result, a more uniform and dense thin film can be formed on the deposition surface. However, as shown in FIG. 6B, in the region where the plasma irradiations from the two plasma guns 3 and 3 overlap (the region indicated by ΔY in FIG. 6B), the irradiated plasma is too strong. , Heat wrinkles are likely to occur. For this reason, when implementing the manufacturing method of this invention using the vacuum evaporation system shown in FIG. 6, compared with the vacuum film-forming apparatus of FIGS. narrow.
When the film forming drum 13 has a large width (length in the Y direction), it is preferable to use two plasma guns 3 and 3 as shown in FIG.

図７に記載の真空成膜装置は、反応ガス供給部１８の位置が、図１から４に記載の真空成膜装置と異なる。本実施形態の真空成膜装置においては、図７に示すように、Ｙ方向に並ぶように反応ガス供給部１８とプラズマガン３が配置される。反応ガス供給部１８は、プラズマガン３によるプラズマ照射と同様に、基材１１が搬送される方向（Ｘ方向）に直行する方向（Ｙ方向）から被成膜面１１０に向けて反応ガスを供給する。
図７に記載された真空成膜装置によれば、予めプラズマ照射によりイオン化された反応ガスを蒸着材料に混合する方法で、本発明の製造方法を実施することができるため、被成膜面１１０に形成される薄膜の膜質が向上しやすくなる。 7 is different from the vacuum film forming apparatus described in FIGS. 1 to 4 in the position of the reactive gas supply unit 18. In the vacuum film-forming apparatus of this embodiment, as shown in FIG. 7, the reactive gas supply part 18 and the plasma gun 3 are arrange | positioned so that it may rank with a Y direction. The reactive gas supply unit 18 supplies the reactive gas from the direction (Y direction) perpendicular to the direction in which the base material 11 is conveyed (X direction) toward the film formation surface 110 in the same manner as the plasma irradiation by the plasma gun 3. To do.
According to the vacuum film forming apparatus shown in FIG. 7, the manufacturing method of the present invention can be carried out by a method in which a reactive gas ionized in advance by plasma irradiation is mixed with a vapor deposition material. It is easy to improve the film quality of the thin film formed.

以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited to these Examples.

＜材料・装置＞
プラズマガン：帰還電極を有する圧力勾配型プラズマガン
真空成膜装置：実施例１〜５、比較例１では図１から４に記載の真空成膜装置を使用した。実施例６〜１２では図７に記載の真空成膜装置を使用した。
蒸着材料：ＳｉＯ
基材：ポリエチレンテレフタレート樹脂フィルム１２μｍ <Materials and equipment>
Plasma gun: Pressure gradient type plasma gun vacuum film forming apparatus having a return electrode: In Examples 1 to 5 and Comparative Example 1, the vacuum film forming apparatus described in FIGS. 1 to 4 was used. In Examples 6 to 12, the vacuum film forming apparatus shown in FIG. 7 was used.
Vapor deposition material: SiO
Base material: Polyethylene terephthalate resin film 12 μm

＜実施例１〜５、比較例１＞
実施例１〜５、比較例１のプラズマの照射条件（出力、加速電圧、Ａｒガス流量）、真空度、基材の搬送速度は、表１に記載の通りである。 <Examples 1 to 5, Comparative Example 1>
The plasma irradiation conditions (output, acceleration voltage, Ar gas flow rate), the degree of vacuum, and the conveyance speed of the base material of Examples 1 to 5 and Comparative Example 1 are as shown in Table 1.

実施例１〜７において、反応ガスの種類、反応ガスの流量の条件は表２に記載の通りである。また、実施例１〜７について薄膜の膜厚、水蒸気透過度、酸素透過度の測定を以下の方法で行った。測定結果は表２に示した。
薄膜の膜厚の測定は、蛍光Ｘ線分析装置ＲＩＸ２０００（株式会社リガク製）を用いて、ケイ素（Ｓｉ）のピーク強度を測定し、その測定値を薄膜の膜厚として換算することにより行った。
水蒸気透過度の測定は、水蒸気透過率測定装置ＰＥＲＭＡＴＲＡＮ３／３１（ＭＯＣＯＮ社製）を用いて、４０℃、１００％ＲＨ雰囲気下で測定した。
酸素透過度の測定は、酸素透過率測定装置ＯＸＴＲＡＮ２／２０（ＭＯＣＯＮ社製）を用いて、２３℃、９０％ＲＨ雰囲気下で測定することにより行った。 In Examples 1 to 7, the types of reaction gas and the flow rate conditions of the reaction gas are as shown in Table 2. Moreover, about Examples 1-7, the film thickness, water vapor permeability, and oxygen permeability of the thin film were measured by the following methods. The measurement results are shown in Table 2.
The film thickness of the thin film was measured by measuring the peak intensity of silicon (Si) using a fluorescent X-ray analyzer RIX2000 (manufactured by Rigaku Corporation) and converting the measured value as the film thickness of the thin film. .
The water vapor transmission rate was measured using a water vapor transmission rate measuring device PERMATRAN 3/31 (manufactured by MOCON) in an atmosphere of 40 ° C. and 100% RH.
The oxygen permeability was measured by using an oxygen permeability measuring device OXTRAN 2/20 (manufactured by MOCON) and measuring in an atmosphere of 23 ° C. and 90% RH.

＜実施例６〜１２＞
実施例６〜１２のプラズマの照射条件（出力、加速電圧、Ａｒガス流量）、真空度、基材の搬送速度は、表３に記載の通りである。 <Examples 6 to 12>
Table 3 shows the plasma irradiation conditions (output, acceleration voltage, Ar gas flow rate), vacuum degree, and substrate transport speed in Examples 6-12.

実施例６〜１２において、反応ガスの種類、反応ガスの流量の条件は表４に記載の通りである。また、実施例６〜１２について薄膜の膜厚、水蒸気透過度、酸素透過度の測定を上記と同様の方法で行った。実施例６〜１１については、酸化度（ＳｉＯ_ｘのｘの値）の測定も行った。測定結果は表４に示した。
酸化度は、ＥＳＣＡ（英国ＶＧＳｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製、型式：ＬＡＢ２２０ｉ−ＸＬ）を用いて測定した。Ｘ線源としては、Ａｇ−３ｄ−５／２ピーク強度が３００Ｋｃｐｓ〜１ＭｃｐｓとなるモノクロＡｌＸ線源、及び、直径約１ｍｍのスリットを使用した。測定は、測定に供した試料面の法線上に検出器をセットした状態で行い、適正な帯電補正を行った。測定後の解析は、上述のＥＳＣＡ装置に付属されたソフトウエアＥｃｌｉｐｓｅバージョン２．１を使用し、Ｓｉ：２ｐ、Ｎ：１ｓ、Ｃ：１ｓ、Ｏ：１ｓのバインディングエネルギーに相当するピークを用いて行った。このとき、各ピークに対して、シャーリーのバックグラウンド除去を行い、ピーク面積に各元素の感度係数補正（Ｃ＝１に対して、Ｎ＝１．７７０、Ｓｉ＝０．８６５、Ｏ＝２．８５０）を行い、原子数比を求めた。得られた原子数比について、Ｓｉ原子数を１とし、他の成分であるＯとＮの原子数を算出して成分割合とした。 In Examples 6 to 12, the conditions of the type of reaction gas and the flow rate of the reaction gas are as shown in Table 4. Moreover, about Examples 6-12, the film thickness of a thin film, the water vapor permeability, and the measurement of oxygen permeability were performed by the method similar to the above. For example 6-11 it was also measured the degree of oxidation (the values of x in SiO _x). The measurement results are shown in Table 4.
The degree of oxidation was measured using ESCA (manufactured by VG Scientific, UK, model: LAB220i-XL). As the X-ray source, a monochrome AlX ray source having an Ag-3d-5 / 2 peak intensity of 300 Kcps to 1 Mcps and a slit having a diameter of about 1 mm were used. The measurement was performed with the detector set on the normal line of the sample surface used for the measurement, and appropriate charge correction was performed. The analysis after the measurement uses software Eclipse version 2.1 attached to the above-mentioned ESCA apparatus, and uses peaks corresponding to binding energies of Si: 2p, N: 1s, C: 1s, and O: 1s. went. At this time, Shirley background is removed for each peak, and sensitivity coefficient correction of each element is performed on the peak area (N = 1.770, Si = 0.865, O = 2. 850) and the atomic ratio was determined. About the obtained atomic ratio, the number of Si atoms was set to 1, and the number of atoms of O and N which are other components was calculated and made into the component ratio.

実施例１〜１２、比較例１の結果から、本発明によれば、形成される薄膜の水蒸気透過度、酸素透過度が共に低くなることが確認された。
実施例１〜１２の結果から、反応ガスとして窒素を使用すると、水蒸気バリア性が向上する傾向にあることが確認された。
実施例１２の結果から、搬送速度を速い条件に変更しても、薄膜の水蒸気バリア性は低いことが確認された。
また、実施例２〜４、実施例７〜８の結果から、予めプラズマ照射によりイオン化された反応ガスを蒸着材料に混合することで、より緻密な膜が得られる傾向にあることが確認された。 From the results of Examples 1 to 12 and Comparative Example 1, it was confirmed that according to the present invention, both the water vapor permeability and the oxygen permeability of the formed thin film were lowered.
From the results of Examples 1 to 12, it was confirmed that when nitrogen was used as the reaction gas, the water vapor barrier property tends to be improved.
From the result of Example 12, it was confirmed that the water vapor barrier property of the thin film was low even when the conveyance speed was changed to a fast condition.
Further, from the results of Examples 2 to 4 and Examples 7 to 8, it was confirmed that a denser film tends to be obtained by mixing the reaction gas ionized by plasma irradiation in advance with the vapor deposition material. .

１真空成膜装置
１０真空容器
１１基材
１１０被成膜面
１２基材巻き出し部
１３成膜用ドラム
１４基材巻き取り部
１５、１６搬送ロール
１７蒸発源
１７０坩堝
１７１加熱装置
１８反応ガス供給部
１９防着箱
２蒸着材料
３プラズマガン DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vacuum film-forming apparatus 10 Vacuum container 11 Base material 110 Film-forming surface 12 Base material unwinding part 13 Film formation drum 14 Base material winding part 15, 16 Conveyance roll 17 Evaporation source 170 Crucible 171 Heating apparatus 18 Reactive gas supply Part 19 Protection box 2 Vapor deposition material 3 Plasma gun

Claims

A vapor deposition material containing silicon is evaporated from an evaporation source toward a base material traveling at 10 to 200 m / min on a film forming drum, and an output from a plasma gun is directed toward the evaporated vapor deposition material from 3 kW. Irradiating Ar plasma within a range of 12 KW, a method for producing a vapor deposition film for forming a thin film containing silicon oxide made of the above vapor deposition material on the film deposition surface of the substrate,
The plasma gun includes a return electrode,
Between the evaporation source and the film formation drum, an adhesion preventing plate having an opening through which a straight line connecting the evaporation source and the film formation surface is disposed,
The manufacturing method of the vapor deposition film whose water-vapor permeability in 40 degreeC and 100% RH is 1.0 g / m < ² > / day or less.

The manufacturing method of the vapor deposition film of Claim 1 whose value of the ratio X of the oxygen atom with respect to the silicon atom 1 in the said silicon oxide is 1.2 or less.

The method for producing a vapor deposition film according to claim 1 or 2, wherein the vapor deposition material containing silicon is SiO.

The said base material is a polyester film, The manufacturing method of the vapor deposition film in any one of Claim 1 to 3.

Furthermore, nitrogen gas is assisted to the film formation surface during film formation,
The method for producing a vapor-deposited film according to any one of claims 1 to 4, wherein the ratio X of oxygen atoms to silicon atoms 1 is 1.2 or less in the thin film containing silicon oxide.

By irradiating the Ar plasma from the direction orthogonal to the flow direction of the base material toward the film formation surface, a pretreatment step of the base material by the Ar plasma, and on the film formation surface The method for producing a vapor-deposited film according to any one of claims 1 to 5, wherein a film forming step for forming a thin film and a post-processing step for the thin film using the Ar plasma are continuously integrated.