JP5413060B2 - Memory diagnostic method and memory circuit - Google Patents

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Description

本発明は、ネットワークから受信したフレームを書き込まれるメモリの診断方法及びメモリ回路に関する。   The present invention relates to a diagnostic method and a memory circuit for a memory in which a frame received from a network is written.

イーサネット(登録商標)等のLANフレームの伝送を行う伝送装置では、入力インタフェース部でネットワークから受信したフレームデータをユーザ毎にメモリに書き込む。そして、スケジューラの制御で上記メモリからフレームデータを読み出してスイッチング部に供給し、宛先に応じてクロスコネクト処理を行う。クロスコネクトされたフレームデータは出力インタフェース部からネットワークに送出される。このように、伝送装置のメモリは伝送フレーム処理で常にアクセスされており、メモリへのアクセス頻度が高い。また、1つのメモリ空間を複数のユーザが分割して使用している。   In a transmission apparatus that transmits LAN frames such as Ethernet (registered trademark), frame data received from a network is written in a memory for each user by an input interface unit. Under the control of the scheduler, the frame data is read from the memory and supplied to the switching unit, and a cross-connect process is performed according to the destination. The cross-connected frame data is sent from the output interface unit to the network. As described above, the memory of the transmission apparatus is always accessed by transmission frame processing, and the frequency of access to the memory is high. Also, one memory space is divided and used by a plurality of users.

図1は従来のメモリ回路の一例の構成図を示す。LANフレーム(入力データ)はライト制御部1に供給される。ライト制御部1は入力データをワード単位とし、ユーザ毎に使用領域を異ならせてライトアドレスを生成し、上記入力データをワード単位でメモリ2に書き込む。リード制御部3はリードアドレスを生成してメモリ2からデータを読み出し、読み出されたデータは後続回路に供給される。   FIG. 1 is a block diagram showing an example of a conventional memory circuit. The LAN frame (input data) is supplied to the write control unit 1. The write controller 1 sets the input data in units of words, generates a write address by changing the use area for each user, and writes the input data in the memory 2 in units of words. The read control unit 3 generates a read address and reads data from the memory 2, and the read data is supplied to a subsequent circuit.

故障診断プログラムを起動してメモリの診断を行い、メモリにおける故障アドレスを検出してレジスタに格納しておき、メモリをアクセスするアドレスが故障アドレスと一致したときセレクタによりメモリに代えて救済用レジスタを選択することで、メモリの故障アドレスを救済用レジスタに置き換えてメモリの故障救済を行う方法が従来から知られている(例えば特許文献1参照)。   Start the failure diagnosis program to diagnose the memory, detect the failure address in the memory, store it in the register, and when the address to access the memory matches the failure address, replace the memory by the selector with the repair register A method of performing memory failure relief by replacing the memory failure address with a relief register by selecting is conventionally known (see, for example, Patent Document 1).

特開2000−181806号公報JP 2000-181806 A

一般的なメモリのチェック方法として、パリティコードや誤り訂正コード(ECC)を用いたチェック方法があるが、以下のようなデメリットがある。パリティチェックは、偶数又は奇数のチェックであるため確率論で必ずしもエラーが検出できるとは限らない。ECCチェックは、チェックのための冗長ビットが必要であり、メモリ容量や回路規模が増大する。   As a general memory check method, there is a check method using a parity code or an error correction code (ECC), which has the following disadvantages. Since the parity check is an even or odd check, an error cannot always be detected by probability theory. The ECC check requires redundant bits for checking, and increases the memory capacity and circuit scale.

従来、伝送装置では出荷試験においてメモリ診断が行われるだけであり、出荷後は運用状態でメモリ診断を実施することは時間制約上難しかった。このため、経年変化でメモリ故障が発生しても、メモリ故障を検出することができなかった。また、使用されていないメモリ空間に対する診断も十分でないという問題があった。   Conventionally, in a transmission apparatus, only memory diagnosis is performed in a shipping test, and it is difficult to perform memory diagnosis in an operational state after shipping because of time constraints. For this reason, even if a memory failure occurs due to secular change, the memory failure cannot be detected. Further, there is a problem that the diagnosis for the unused memory space is not sufficient.

開示のメモリ回路は、運用中に自動でメモリ全体の故障検出を行うことを目的とする。   The disclosed memory circuit is intended to automatically detect a failure in the entire memory during operation.

開示の一実施形態によるメモリ回路は、ネットワークから受信したフレームをユーザ毎に領域を割り当てたメモリに書き込み、前記メモリから各ユーザのフレームデータを読み出して後続回路に供給するメモリ回路において、
前記ネットワークから受信したフレームのフレーム間ギャップとフレーム先頭のプリアンブルとフレーム開始分界点を含む期間である空きタイムスロットで、前記メモリのテストを行うためのテストアドレスを順次変化させて生成するテストアドレス生成手段と、
前記メモリの前記テストアドレスから読み出したデータを退避する退避手段と、
前記メモリの前記テストアドレスにテストデータを書き込むテスト書き込み手段と、
前記メモリの前記テストアドレスからテストデータを読み出すテスト読み出し手段と、
前記テスト読み出し手段で読み出されたテストデータを予め保持している基準データと比較して障害の有無を判定する判定手段と、
前記退避手段に退避されているデータを前記メモリの前記テストアドレスに書き戻す書き戻し手段と、を有する。
A memory circuit according to an embodiment of the disclosure is a memory circuit that writes a frame received from a network to a memory allocated with an area for each user, reads out frame data of each user from the memory, and supplies the frame data to a subsequent circuit.
Test address generation by sequentially changing the test address for testing the memory in an empty time slot that includes a frame-to-frame gap , a frame leading preamble and a frame start demarcation point received from the network Means,
Saving means for saving data read from the test address of the memory;
Test writing means for writing test data to the test address of the memory;
Test read means for reading test data from the test address of the memory;
Determination means for determining the presence or absence of a failure by comparing the test data read by the test reading means with reference data held in advance;
Write back means for writing back the data saved in the save means to the test address of the memory.

本実施形態によれば、運用中に自動でメモリ全体の故障検出を行うことができる。   According to this embodiment, it is possible to automatically detect a failure of the entire memory during operation.

従来のメモリ回路の一例の構成図である。It is a block diagram of an example of the conventional memory circuit. 伝送装置の一実施形態の構成図である。It is a block diagram of one Embodiment of a transmission apparatus. メモリ回路の一実施形態の構成図である。1 is a configuration diagram of an embodiment of a memory circuit. LANフレーム間ギャップを示す図である。It is a figure which shows the gap between LAN frames. メモリチェック処理の一実施形態のフローチャートである。It is a flowchart of one Embodiment of a memory check process. メモリチェックの信号タイミングチャートを示す図である。It is a figure which shows the signal timing chart of a memory check. メモリチェックの信号タイミングチャートを示す図である。It is a figure which shows the signal timing chart of a memory check. 障害メモリ管理テーブルの一実施形態を示す図である。It is a figure which shows one Embodiment of a failure memory management table. ユーザ領域が故障した場合の障害メモリ管理テーブルの例を示す図である。It is a figure which shows the example of the failure memory management table when a user area | region fails.

以下、図面に基づいて実施形態を説明する。   Embodiments will be described below with reference to the drawings.

<伝送装置の構成>
図2は伝送装置の一実施形態の構成図を示す。図2において、インタフェースユニット10には複数の光トランシーバ11−0〜11−7が設けられている。各光トランシーバ11−0〜11−7にはネットワークから光信号が供給され電気信号に変換される。なお、ネットワークから入来するLANフレームはTPID(タグプロトコル識別子:0x8100)とタグ制御情報からなるVLANタグを有している。上記タグ制御情報内には3ビットのユーザプライオリティと12ビットのVID(仮想LAN識別子)が含まれている。
<Configuration of transmission device>
FIG. 2 shows a configuration diagram of an embodiment of the transmission apparatus. In FIG. 2, the interface unit 10 is provided with a plurality of optical transceivers 11-0 to 11-7. Each of the optical transceivers 11-0 to 11-7 is supplied with an optical signal from the network and is converted into an electric signal. The LAN frame coming from the network has a VLAN tag composed of TPID (tag protocol identifier: 0x8100) and tag control information. The tag control information includes a 3-bit user priority and a 12-bit VID (virtual LAN identifier).

各光トランシーバ11−0〜11−7から出力されるLANフレームはMAC処理部12に供給され、MACアドレスの終端等のMAC処理が行われる。その後、LANフレームは優先度制御部13に供給される。   The LAN frames output from the optical transceivers 11-0 to 11-7 are supplied to the MAC processing unit 12, and MAC processing such as termination of the MAC address is performed. Thereafter, the LAN frame is supplied to the priority control unit 13.

優先度制御部13内のフレーム識別部14はLANフレームのVIDを識別し、識別したVIDをリード・ライト制御部16に供給し、LANフレームをポリサー15に供給する。ポリサー15はLANフレームの流量制限を行う。   The frame identification unit 14 in the priority control unit 13 identifies the VID of the LAN frame, supplies the identified VID to the read / write control unit 16, and supplies the LAN frame to the policer 15. The policer 15 limits the flow rate of the LAN frame.

リード・ライト制御部16はVIDに応じてメモリのライトアドレスを発生し、入力LANフレームはライトアドレスによってメモリ17のVIDに応じた領域に書き込まれる。スケジューラ18は読み出し順序の調整を行う。   The read / write control unit 16 generates a write address of the memory according to the VID, and the input LAN frame is written in an area according to the VID of the memory 17 by the write address. The scheduler 18 adjusts the reading order.

リード・ライト制御部16はスケジューラ18の調整に応じたリードアドレスを生成してメモリ17に供給し、メモリ17のリードアドレスで指示された領域からLANフレームが読み出される。メモリ17から読み出されたLANフレームはインタフェース部20を経てスイッチファブリックユニット30に供給される。また、リード・ライト制御部16はメモリ17の障害を検出すると障害情報を障害メモリ管理部19に通知し、障害情報は障害メモリ管理部19にて保持管理される。   The read / write control unit 16 generates a read address according to the adjustment of the scheduler 18 and supplies the read address to the memory 17, and the LAN frame is read from the area designated by the read address of the memory 17. The LAN frame read from the memory 17 is supplied to the switch fabric unit 30 via the interface unit 20. When the read / write control unit 16 detects a failure in the memory 17, it notifies the failure memory management unit 19 of the failure information, and the failure information is held and managed by the failure memory management unit 19.

スイッチファブリックユニット30はLANフレームに対し宛先に応じてクロスコネクト処理を行い、クロスコネクトされたLANフレームは宛先に応じたインタフェースユニット35の光トランシーバ36からネットワークに送出される。   The switch fabric unit 30 performs cross-connect processing on the LAN frame according to the destination, and the cross-connected LAN frame is transmitted from the optical transceiver 36 of the interface unit 35 corresponding to the destination to the network.

また、CPUユニット40により、インタフェースユニット10,スイッチファブリックユニット30,インタフェースユニット35それぞれのCPU21,31,37に対し、フローエントリ設定と監視が行われている。   The CPU unit 40 performs flow entry setting and monitoring for the CPUs 21, 31, and 37 of the interface unit 10, the switch fabric unit 30, and the interface unit 35, respectively.

<伝送装置の構成>
図3はメモリ回路の一実施形態の構成図を示す。このメモリ回路は図2におけるリード・ライト制御部16及びメモリ17に対応する。図3において、端子50からのLANフレーム(入力データ)はライト制御部51に供給される。
<Configuration of transmission device>
FIG. 3 shows a block diagram of an embodiment of a memory circuit. This memory circuit corresponds to the read / write control unit 16 and the memory 17 in FIG. In FIG. 3, the LAN frame (input data) from the terminal 50 is supplied to the write control unit 51.

ライト制御部51は障害メモリ管理部19又はCPU21からユーザ毎の使用領域を指示されており、入力データをワード単位とし、ユーザ毎に使用領域を異ならせてライトアドレスを生成する。上記入力データとライトアドレスはデータセレクタ52とアドレスセレクタ53を介してメモリ54に供給され、入力データはワード単位でメモリ54に書き込まれる。メモリ54は図2におけるメモリ17に対応する。   The write control unit 51 is instructed by the fault memory management unit 19 or the CPU 21 for the use area for each user, and generates the write address by using the input data in units of words and changing the use area for each user. The input data and the write address are supplied to the memory 54 via the data selector 52 and the address selector 53, and the input data is written to the memory 54 in units of words. The memory 54 corresponds to the memory 17 in FIG.

また、リード制御部55はリードアドレスを生成する。リードアドレスはアドレスセレクタ56を介してメモリ54に供給され、メモリ54から読み出されたデータは端子57から後続回路に供給される。なお、読み出されたデータはテンポラリフリップフロップ(temp−FF)58及びテストリード制御及びチェック部62に供給される。テンポラリフリップフロップ58は格納データをデータセレクタ52に供給する。   In addition, the read control unit 55 generates a read address. The read address is supplied to the memory 54 via the address selector 56, and the data read from the memory 54 is supplied from the terminal 57 to the subsequent circuit. The read data is supplied to a temporary flip-flop (temp-FF) 58 and a test read control / check unit 62. The temporary flip-flop 58 supplies the stored data to the data selector 52.

端子60にはフレーム識別部14から空きタイムスロット指示信号が供給されており、この空きタイムスロット指示信号はテストライト制御部61,データセレクタ52,アドレスセレクタ53,56それぞれに供給される。   An empty time slot instruction signal is supplied to the terminal 60 from the frame identification unit 14, and this empty time slot instruction signal is supplied to the test write control unit 61, the data selector 52, and the address selectors 53 and 56, respectively.

テストライト制御部61は空きタイムスロットの期間においてテストデータ0xAA,0x55(0xは16進表示を示す)を生成すると共に、内蔵するアドレスカウンタにてライトアドレスを生成する。また、テストライト制御部61は空きタイムスロットの期間の1番タイムスロットでデータセレクタ52にテストデータ(テストライト制御部61の出力)を選択させ、5番タイムスロットで退避データ(テンポラリフリップフロップ58の出力)を選択させる選択信号を生成する。上記選択信号はデータセレクタ52に供給される。上記テストデータとライトアドレスはデータセレクタ52とアドレスセレクタ53を介してメモリ54に供給されて、テストデータ又は退避データがワード単位でメモリ54に書き込まれる。   The test write control unit 61 generates test data 0xAA, 0x55 (0x indicates a hexadecimal display) during an empty time slot, and also generates a write address using a built-in address counter. Also, the test write control unit 61 causes the data selector 52 to select test data (output of the test write control unit 61) in the first time slot of the empty time slot, and save data (temporary flip-flop 58 in the fifth time slot. A selection signal for selecting the output of the output. The selection signal is supplied to the data selector 52. The test data and the write address are supplied to the memory 54 via the data selector 52 and the address selector 53, and the test data or saved data is written to the memory 54 in units of words.

なお、テストデータ0xAAは2進表示の‘1010’つまり1,0が交番する第1の値であり、テストデータ0x55は2進表示で‘0101’つまり0,1が交番する第2の値であり、同一アドレスに2つのテストデータ0xAA,0x55それぞれを書き込み、上記アドレスから読み出したテストデータを基準データ0xAA,0x55それぞれと比較する2回のチェックを行うことで、メモリ54の1アドレス分の正確な故障検出を行うことができる。   Note that the test data 0xAA is a binary value “1010”, that is, a first value alternating with 1, 0, and the test data 0x55 is a binary value “0101”, ie, a second value where 0, 1 is alternating. Yes, by writing two test data 0xAA and 0x55 at the same address and comparing the test data read from the address with each of the reference data 0xAA and 0x55, two checks are performed, so that one address of the memory 54 is accurate. Fault detection can be performed.

また、テストリード制御及びチェック部62は、空きタイムスロットの期間において内蔵するアドレスカウンタにてリードアドレスを生成する。リードアドレスはアドレスセレクタ56を介してメモリ54に供給され、メモリ54からテストデータが読み出されてテストリード制御及びチェック部62に供給される。テストリード制御及びチェック部62はメモリ54から読み出されたテストデータを予め保持している基準データ0xAA,0x55と比較して、不一致の場合にチェック結果とリードアドレス(テストアドレス)を含む故障情報を故障障害メモリ管理部19に対して通知する。   In addition, the test read control and check unit 62 generates a read address by an address counter built in the empty time slot. The read address is supplied to the memory 54 via the address selector 56, and the test data is read from the memory 54 and supplied to the test read control and check unit 62. The test read control and check unit 62 compares the test data read from the memory 54 with reference data 0xAA and 0x55 stored in advance, and if there is a mismatch, the failure information including the check result and the read address (test address) Is notified to the fault / failure memory management unit 19.

<LANフレーム間ギャップ>
図4にLANフレーム間ギャップを示す。LANフレームは、先行するLANフレームとの間に少なくとも12バイト分のIFG(Interframe Gap)がある。LANフレームの先頭には7バイト分のプリアンブルと、1バイト分のSFD(Start Frame Delimeter:フレーム開始分界点)があり、その後に最大9600バイトの可変長のLANフレーム(ペイロード領域)が続いている。このため、IFGとプリアンブルとSFDの計20バイト分を空きタイムスロットとしてメモリ54のチェックを行う。
<Gap between LAN frames>
FIG. 4 shows a gap between LAN frames. There is at least 12 bytes of IFG (Interframe Gap) between the LAN frame and the preceding LAN frame. The LAN frame starts with a 7-byte preamble and a 1-byte SFD (Start Frame Delimiter), followed by a variable-length LAN frame (payload area) of up to 9600 bytes. . Therefore, the memory 54 is checked using a total of 20 bytes of IFG, preamble, and SFD as empty time slots.

<メモリチェック処理>
図5にメモリ回路が空きタイムスロットに実行するメモリチェック処理の一実施形態のフローチャートを示す。図5において、ステップS1でテストライト制御部61とテストリード制御及びチェック部62が生成するリードアドレス及びライトアドレスであるテストアドレスをメモリ54の先頭アドレスに設定する。このとき、テストデータとして0xAAを設定する。
<Memory check processing>
FIG. 5 shows a flowchart of an embodiment of a memory check process executed by the memory circuit in an empty time slot. In FIG. 5, in step S <b> 1, a test address that is a read address and a write address generated by the test write control unit 61 and the test read control / check unit 62 is set as the head address of the memory 54. At this time, 0xAA is set as test data.

ステップS2でテストリード制御及びチェック部62からのリードアドレスをメモリ54に供給して、メモリ54から読み出されたデータをテンポラリフリップフロップ58に書き込んで退避する。   In step S2, the read address from the test read control and check unit 62 is supplied to the memory 54, and the data read from the memory 54 is written into the temporary flip-flop 58 and saved.

次に、ステップS3でテストライト制御部61からのテストデータ(0xAA又は0x55)をメモリ54のライトアドレスに書き込む。なお、上記テストリード制御及びチェック部62とテストライト制御部61は同期しており、上記リードアドレスとライトアドレスは同一である。そして、テストリード制御及びチェック部62からのリードアドレスをメモリ54に供給して、メモリ54から読み出されたテストデータをテストリード制御及びチェック部62に供給する。   Next, the test data (0xAA or 0x55) from the test write control unit 61 is written to the write address of the memory 54 in step S3. The test read control / check unit 62 and the test write control unit 61 are synchronized, and the read address and the write address are the same. Then, the read address from the test read control / check unit 62 is supplied to the memory 54, and the test data read from the memory 54 is supplied to the test read control / check unit 62.

ステップS4でテストリード制御及びチェック部62はメモリ54から読み出されたテストデータを予め保持している基準データ(0xAA又は0x55)と比較して正常(一致)であればステップS5に進み、異常(不一致)であればステップS6に進む。   In step S4, the test read control and check unit 62 compares the test data read from the memory 54 with the reference data (0xAA or 0x55) held in advance and is normal (match), the process proceeds to step S5, and the abnormal If (mismatch), the process proceeds to step S6.

ステップS5ではテストライト制御部61からのライトアドレスとテンポラリフリップフロップ58の退避データをメモリ54に供給し、退避データをメモリ54の退避時と同一アドレスに書き戻す。   In step S5, the write address from the test write control unit 61 and the saved data of the temporary flip-flop 58 are supplied to the memory 54, and the saved data is written back to the same address as when the memory 54 was saved.

ステップS6ではテストリード制御及びチェック部62は故障情報を故障障害メモリ管理部19に対して通知し、障害メモリ管理部19は障害メモリ管理テーブルの故障と判定された領域を未使用領域とする。   In step S6, the test read control and check unit 62 notifies the failure information to the failure failure memory management unit 19, and the failure memory management unit 19 sets an area determined to be a failure in the failure memory management table as an unused area.

ステップS5又はS6の実行後、ステップS7で直前に使用したテストデータが0xAAであるか否かを判別する。直前のテストデータが0xAAの場合にはステップS8でテストデータとして0x55を設定してステップS2に進む。直前のテストデータが0x55の場合にはステップS9でテストデータとして0xAAを設定し、更に、テストアドレスとしてのリードアドレス及びライトアドレスを1だけカウントアップしてステップS2に進む。   After execution of step S5 or S6, it is determined whether or not the test data used immediately before in step S7 is 0xAA. If the immediately preceding test data is 0xAA, 0x55 is set as test data in step S8, and the process proceeds to step S2. If the immediately preceding test data is 0x55, 0xAA is set as test data in step S9, and the read address and write address as test addresses are incremented by 1, and the process proceeds to step S2.

<信号タイミングチャート>
図6及び図7にメモリチェックの信号タイミングチャートを示す。図6(B)に示すLANフレームの間に、図6(C)にハイレベルで示す20クロック分の空きタイムスロットがある。なお、図6(C)におけるクロックは、図6(A)に示す100MHzのシステムクロックを基にしてLANフレームの1バイトの期間を1周期で示すクロックである。
<Signal timing chart>
6 and 7 show signal timing charts of the memory check. Between the LAN frames shown in FIG. 6 (B), there is an empty time slot for 20 clocks shown in FIG. 6 (C) at a high level. Note that the clock in FIG. 6C is a clock that indicates one byte period of the LAN frame in one cycle based on the 100 MHz system clock shown in FIG. 6A.

上記20クロック分の空きタイムスロットの期間において、ライト制御部51は図6(D)に示すように、アドレスの生成(通常アドレスのカウント)を停止している。この空きタイムスロットの期間にテストライト制御部61及びテストリード制御及びチェック部62は図6(E),(F)に示すように、テストアドレス(即ち、ライトアドレス及びリードアドレス)を0,1,2と3回カウントアップする。なお、図6(A)〜(E)に対し図6(F)〜図6(J)は時間軸(横軸)を拡大して表している。   In the period of empty time slots for 20 clocks, the write control unit 51 stops generating addresses (counting normal addresses) as shown in FIG. As shown in FIGS. 6E and 6F, the test write control unit 61 and the test read control / check unit 62 set the test addresses (that is, the write address and the read address) to 0, 1 during this empty time slot. , 2 and 3 times. 6A to 6J, the time axis (horizontal axis) is enlarged.

そして、図6(F)に示す各テストアドレスの発生期間を図6(G)に示す0番から5番までの6タイムスロットに分割する。   Then, the generation period of each test address shown in FIG. 6 (F) is divided into 6 time slots from No. 0 to No. 5 shown in FIG. 6 (G).

0番タイムスロットでは、図6(H)に示すように、メモリ54のテストアドレスからデータを読み出してテンポラリフリップフロップ58に退避する。   In the time slot 0, data is read from the test address of the memory 54 and saved in the temporary flip-flop 58 as shown in FIG.

1番タイムスロットでは、図6(I)に示すように、メモリ54のテストアドレスにテストデータ0xAAを書き込む。   In the first time slot, test data 0xAA is written to the test address of the memory 54 as shown in FIG.

2番タイムスロットでは、図6(H)に示すように、メモリ54のテストアドレスからテストデータを読み出してテストリード制御及びチェック部62で基準データ0xAAと比較する。   In the second time slot, as shown in FIG. 6H, the test data is read from the test address of the memory 54 and compared with the reference data 0xAA by the test read control and check unit 62.

3番タイムスロットでは、図6(I)に示すように、メモリ54のテストアドレスにテストデータ0x55を書き込む。   In the third time slot, test data 0x55 is written to the test address of the memory 54 as shown in FIG.

4番タイムスロットでは、図6(H)に示すように、メモリ54のテストアドレスからテストデータを読み出してテストリード制御及びチェック部62で基準データ0x55と比較する。   In the fourth time slot, as shown in FIG. 6H, the test data is read from the test address of the memory 54 and compared with the reference data 0x55 by the test read control and check unit 62.

5番タイムスロットでは、図6(I)に示すように、メモリ54のテストアドレスにテンポラリフリップフロップ58の退避データを書き戻す。   In the fifth time slot, the saved data of the temporary flip-flop 58 is written back to the test address of the memory 54 as shown in FIG.

図6ではメモリ54のテストアドレスから基準データと一致するテストデータが読み出されて故障が検出されないため、テストリード制御及びチェック部62の出力するチェック結果は、図6(J)に示すように故障なしを示すローレベルを維持する。   In FIG. 6, since test data that matches the reference data is read from the test address of the memory 54 and no failure is detected, the check result output from the test read control and check unit 62 is as shown in FIG. Maintain a low level indicating no failure.

このようにして、メモリ54の1アドレスについてのチェックが行われ、20クロック分の空きタイムスロットの期間において、メモリ54の3つのテストアドレスのチェックがなされる。   In this way, a check is made for one address in the memory 54, and three test addresses in the memory 54 are checked in an empty time slot period of 20 clocks.

図6はメモリ54に故障がない場合を示しているのに対し、図7はメモリ54に故障がある場合を示している。図7(B)に示すLANフレームの間に、図7(C)にハイレベルで示す20クロック分の空きタイムスロットがある。   FIG. 6 shows a case where there is no failure in the memory 54, whereas FIG. 7 shows a case where there is a failure in the memory 54. Between the LAN frames shown in FIG. 7B, there is an empty time slot for 20 clocks shown at a high level in FIG. 7C.

上記20クロック分の空きタイムスロットの期間において、ライト制御部51は図7(D)に示すように、アドレスの生成(通常アドレスのカウント)を停止している。この空きタイムスロットの期間にテストライト制御部61及びテストリード制御及びチェック部62は図7(E),(F)に示すように、テストアドレス(即ち、ライトアドレス及びリードアドレス)を300,301,302と3回カウントアップする。なお、図7(A)〜(E)に対し図7(F)〜図7(J)は時間軸(横軸)を拡大して表している。   In the period of empty time slots for 20 clocks, the write control unit 51 stops generating addresses (counting normal addresses) as shown in FIG. As shown in FIGS. 7E and 7F, the test write control unit 61 and the test read control / check unit 62 set the test addresses (that is, the write address and the read address) to 300, 301 during this empty time slot. , 302 and counts up three times. 7A to 7J, the time axis (horizontal axis) is shown enlarged.

図7(F)に示す各テストアドレスの発生期間を図7(G)に示す0番から5番までの6タイムスロットに分割する。   The generation period of each test address shown in FIG. 7F is divided into 6 time slots from No. 0 to No. 5 shown in FIG.

テストアドレス300の0番タイムスロットでは、図7(H)に示すように、メモリ54のテストアドレスからデータを読み出してテンポラリフリップフロップ58に退避する。   In the 0th time slot of the test address 300, data is read from the test address of the memory 54 and saved in the temporary flip-flop 58 as shown in FIG.

テストアドレス300の1番タイムスロットでは、図7(I)に示すように、メモリ54のテストアドレスにテストデータ0xAAを書き込む。   In the first time slot of the test address 300, the test data 0xAA is written to the test address of the memory 54 as shown in FIG.

テストアドレス300の2番タイムスロットでは、図7(H)に示すように、メモリ54のテストアドレスからテストデータ0xAAを読み出してテストリード制御及びチェック部62で基準データ0xAAと比較する。   In the second time slot of the test address 300, as shown in FIG. 7H, the test data 0xAA is read from the test address in the memory 54 and compared with the reference data 0xAA by the test read control and check unit 62.

テストアドレス300の3番タイムスロットでは、図7(I)に示すように、メモリ54のテストアドレスにテストデータ0x55を書き込む。   In the third time slot of the test address 300, test data 0x55 is written to the test address of the memory 54 as shown in FIG.

テストアドレス300の4番タイムスロットでは、図7(H)に示すように、メモリ54のテストアドレスからテストデータ0x15を読み出してテストリード制御及びチェック部62で基準データ0x55と比較する。   In the fourth time slot of the test address 300, the test data 0x15 is read from the test address in the memory 54 and compared with the reference data 0x55 by the test read control and check unit 62, as shown in FIG.

テストアドレス300の5番タイムスロットでは、図7(I)に示すように、メモリ54のテストアドレスにテンポラリフリップフロップ58の退避データを書き戻す。   In the fifth time slot of the test address 300, the saved data of the temporary flip-flop 58 is written back to the test address of the memory 54 as shown in FIG.

図7(I)の3番タイムスロットでテストデータ0x55をメモリ54のテストアドレスに書き込んだにも拘わらず、図7(H)の4番タイムスロットでメモリ54のテストアドレスからテストデータ0x15が読み出され、故障が検出されないため、テストリード制御及びチェック部62の出力するチェック結果は、図7(J)に示すように5番タイムスロットで故障ありを示すハイレベルとなる。   Although the test data 0x55 is written to the test address of the memory 54 in the third time slot of FIG. 7 (I), the test data 0x15 is read from the test address of the memory 54 in the fourth time slot of FIG. Since no failure is detected, the check result output from the test lead control and check unit 62 becomes a high level indicating that there is a failure in the fifth time slot as shown in FIG.

図8に障害メモリ管理部19に内蔵される障害メモリ管理テーブルの一実施形態を示す。図8では、図7のチェック結果を反映して、メモリ54のアドレス300−3FFのユーザ領域に対するメモリ診断結果を異常としている。このようにユーザ毎に使用されるメモリ領域の一部が異常であった場合は、その領域を未使用領域としてユーザにはアサインされないようにしている。   FIG. 8 shows an embodiment of a fault memory management table built in the fault memory management unit 19. In FIG. 8, reflecting the check result of FIG. 7, the memory diagnosis result for the user area of the address 300-3FF in the memory 54 is abnormal. As described above, when a part of the memory area used for each user is abnormal, the area is not assigned to the user as an unused area.

図9は、ユーザflow−0に使用していたアドレス000−0FFのユーザ領域が故障した場合の障害メモリ管理テーブルの例を示す。使用されているメモリ空間(ユーザ領域)が異常と判定された場合は、そのメモリ空間を未使用領域とすると共に、代替の例えばアドレス500−5FFを使用領域としてユーザflow−0に再度アサインする。   FIG. 9 shows an example of a fault memory management table when the user area of the address 000-0FF used for the user flow-0 has failed. If it is determined that the used memory space (user area) is abnormal, the memory space is set as an unused area, and an alternative address 500-5FF, for example, is assigned to the user flow-0 again as a used area.

このように障害メモリ管理部19の障害メモリ管理テーブルで、ユーザ領域が有効か無効(正常か異常)かの判定結果とユーザflow−No情報を格納することで、ユーザ毎のメモリ空間の管理が可能となり、正常なメモリ空間を使用することが可能となる。   Thus, by storing the determination result of whether the user area is valid or invalid (normal or abnormal) and the user flow-No information in the fault memory management table of the fault memory management unit 19, the memory space for each user can be managed. It becomes possible to use a normal memory space.

なお、上記メモリ54の使用前提としてLANフレーム(SFD以降のペイロード領域)を格納することを想定している。従って、診断結果が異常であったメモリ領域は未使用とし、異常であったメモリ領域に既に格納されていたデータは廃棄する。そして、次に入力されるデータから新しいメモリ空間に格納し、正常に処理する構成としている。   It is assumed that a LAN frame (payload area after SFD) is stored as a precondition for using the memory 54. Therefore, the memory area where the diagnosis result is abnormal is not used, and the data already stored in the abnormal memory area is discarded. Then, the next input data is stored in a new memory space and processed normally.

このようにして、運用中に自動でメモリ全体の故障検出を行うことができ、異常があった場合は、その領域はユーザに開放せず未使用として扱い、メモリ空間が正常の領域にユーザの入力データがエントリされることで、メモリ回路の信頼性を確保することができる。
(付記1)
ネットワークから受信したフレームをユーザ毎に領域を割り当てたメモリに書き込み、前記メモリから各ユーザのフレームデータを読み出して後続回路に供給するメモリ回路において、
前記ネットワークから受信したフレームのフレーム間ギャップを含む空きタイムスロットで、前記メモリのテストを行うためのテストアドレスを順次変化させて生成するテストアドレス生成手段と、
前記メモリの前記テストアドレスから読み出したデータを退避する退避手段と、
前記メモリの前記テストアドレスにテストデータを書き込むテスト書き込み手段と、
前記メモリの前記テストアドレスからテストデータを読み出すテスト読み出し手段と、
前記テスト読み出し手段で読み出されたテストデータを予め保持している基準データと比較して障害の有無を判定する判定手段と、
前記退避手段に退避されているデータを前記メモリの前記テストアドレスに書き戻す書き戻し手段と、
を有することを特徴とするメモリ回路。
(付記2)
付記1記載のメモリ回路において、
前記判定手段で障害と判定されたアドレスを含むユーザの領域を障害領域として管理し前記障害領域に割り当てられていたユーザに別の障害のない領域を割り当てる障害メモリ管理手段
を有することを特徴とするメモリ回路。
(付記3)
付記2記載のメモリ回路において、
前記テストデータは、1,0が交番する第1の値と0,1が交番する第2の値であることを特徴とするメモリ回路。
(付記4)
ネットワークから受信したフレームをユーザ毎に領域を割り当てたメモリに書き込み、前記メモリから各ユーザのフレームデータを読み出して後続回路に供給するメモリ回路を診断するメモリ診断方法において、
前記ネットワークから受信したフレームのフレーム間ギャップを含む空きタイムスロットで、前記メモリのテストを行うためのテストアドレスを順次変化させて生成する第1ステップと、
前記メモリの前記テストアドレスから読み出したデータを退避する第2ステップと、
前記メモリの前記テストアドレスにテストデータを書き込む第3ステップと、
前記メモリの前記テストアドレスからテストデータを読み出す第4ステップと、
前記第4ステップで読み出されたテストデータを予め保持している基準データと比較して障害の有無を判定する第5ステップと、
前記第2ステップで退避されているデータを前記メモリの前記テストアドレスに書き戻す第6ステップと、
前記第1乃至第6ステップを繰り返すことを特徴とするメモリ診断方法。
(付記5)
付記4記載のメモリ診断方法において、
前記第5ステップで障害と判定されたアドレスを含むユーザの領域を障害領域として管理し、前記障害領域に割り当てられていたユーザに別の障害のない領域を割り当てることを特徴とするメモリ診断方法。
(付記6)
付記5記載のメモリ診断方法において、
前記テストデータは、1,0が交番する第1の値と0,1が交番する第2の値であり、
前記第1ステップは、前記第1の値のテストデータを用いて前記第2乃至第7ステップを実行し、前記第2の値のテストデータを用いて前記第2乃至第7ステップを実行したのち前記テストアドレスを変化させることを特徴とするメモリ診断方法。
(付記7)
付記3記載のメモリ回路において、
前記空きタイムスロットは、前記フレーム間ギャップとフレーム先頭のプリアンブルとフレーム開始分界点を含む期間であることを特徴とするメモリ回路。
(付記8)
付記6記載のメモリ診断方法において、
前記空きタイムスロットは、前記フレーム間ギャップとフレーム先頭のプリアンブルとフレーム開始分界点を含む期間であることを特徴とするメモリ診断方法。
In this way, failure detection of the entire memory can be performed automatically during operation, and if there is an abnormality, that area is not released to the user and is treated as unused, and the memory space is in a normal area. By inputting the input data, the reliability of the memory circuit can be ensured.
(Appendix 1)
In a memory circuit that writes a frame received from a network to a memory assigned an area for each user, reads out frame data of each user from the memory, and supplies the frame data to subsequent circuits.
Test address generating means for sequentially generating a test address for testing the memory in an empty time slot including an inter-frame gap of a frame received from the network;
Saving means for saving data read from the test address of the memory;
Test writing means for writing test data to the test address of the memory;
Test read means for reading test data from the test address of the memory;
Determination means for determining the presence or absence of a failure by comparing the test data read by the test reading means with reference data held in advance;
Write-back means for writing back the data saved in the save means to the test address of the memory;
A memory circuit comprising:
(Appendix 2)
In the memory circuit according to attachment 1,
It comprises failure memory management means for managing a user area including an address determined to be a failure by the determination means as a failure area and allocating another non-failure area to the user assigned to the failure area. Memory circuit.
(Appendix 3)
In the memory circuit according to attachment 2,
2. The memory circuit according to claim 1, wherein the test data is a first value in which 1, 0 alternates and a second value in which 0, 1 alternates.
(Appendix 4)
In a memory diagnostic method for diagnosing a memory circuit that writes a frame received from a network to a memory assigned an area for each user, reads out frame data of each user from the memory, and supplies the frame data to a subsequent circuit,
A first step of sequentially generating a test address for testing the memory in an empty time slot including an inter-frame gap of a frame received from the network;
A second step of saving data read from the test address of the memory;
A third step of writing test data to the test address of the memory;
A fourth step of reading test data from the test address of the memory;
A fifth step of comparing the test data read out in the fourth step with reference data stored in advance to determine the presence or absence of a failure;
A sixth step of writing back the data saved in the second step to the test address of the memory;
A memory diagnostic method comprising repeating the first to sixth steps.
(Appendix 5)
In the memory diagnosis method according to appendix 4,
A memory diagnostic method, comprising: managing a user area including an address determined to be a failure in the fifth step as a failure area, and allocating another non-failure area to the user assigned to the failure area.
(Appendix 6)
In the memory diagnosis method according to appendix 5,
The test data is a first value in which 1, 0 alternates and a second value in which 0, 1 alternates,
In the first step, the second to seventh steps are executed using the first value test data, and the second to seventh steps are executed using the second value test data. A memory diagnostic method, wherein the test address is changed.
(Appendix 7)
In the memory circuit described in Appendix 3,
2. The memory circuit according to claim 1, wherein the empty time slot is a period including the interframe gap, a preamble at the beginning of the frame, and a frame start demarcation point.
(Appendix 8)
In the memory diagnosis method according to appendix 6,
The memory diagnosis method according to claim 1, wherein the empty time slot is a period including the interframe gap, the preamble at the beginning of the frame, and the frame start demarcation point.

10 インタフェースユニット10
11−0〜11−7 光トランシーバ
12 MAC処理部
13 優先度制御部
14 フレーム識別部
15 ポリサー
16 リード・ライト制御部
17 メモリ
18 スケジューラ
19 障害メモリ管理部
20 インタフェース部
30 スイッチファブリックユニット
40 CPUユニット
51 ライト制御部
52,データセレクタ
53,56 アドレスセレクタ
54 メモリ
55 リード制御部
58 テンポラリフリップフロップ
61 テストライト制御部
62 テストリード制御及びチェック部
10 Interface unit 10
11-0 to 11-7 Optical transceiver 12 MAC processing unit 13 Priority control unit 14 Frame identification unit 15 Policer 16 Read / write control unit 17 Memory 18 Scheduler 19 Fault memory management unit 20 Interface unit 30 Switch fabric unit 40 CPU unit 51 Write control unit 52, data selector 53, 56 address selector 54 memory 55 read control unit 58 temporary flip-flop 61 test write control unit 62 test read control and check unit

Claims (6)

ネットワークから受信したフレームをユーザ毎に領域を割り当てたメモリに書き込み、前記メモリから各ユーザのフレームデータを読み出して後続回路に供給するメモリ回路において、
前記ネットワークから受信したフレームのフレーム間ギャップとフレーム先頭のプリアンブルとフレーム開始分界点を含む期間である空きタイムスロットで、前記メモリのテストを行うためのテストアドレスを順次変化させて生成するテストアドレス生成手段と、
前記メモリの前記テストアドレスから読み出したデータを退避する退避手段と、
前記メモリの前記テストアドレスにテストデータを書き込むテスト書き込み手段と、
前記メモリの前記テストアドレスからテストデータを読み出すテスト読み出し手段と、
前記テスト読み出し手段で読み出されたテストデータを予め保持している基準データと比較して障害の有無を判定する判定手段と、
前記退避手段に退避されているデータを前記メモリの前記テストアドレスに書き戻す書き戻し手段と、
を有することを特徴とするメモリ回路。
In a memory circuit that writes a frame received from a network to a memory assigned an area for each user, reads out frame data of each user from the memory, and supplies the frame data to subsequent circuits.
Test address generation by sequentially changing the test address for testing the memory in an empty time slot that includes a frame-to-frame gap , a frame leading preamble and a frame start demarcation point received from the network Means,
Saving means for saving data read from the test address of the memory;
Test writing means for writing test data to the test address of the memory;
Test read means for reading test data from the test address of the memory;
Determination means for determining the presence or absence of a failure by comparing the test data read by the test reading means with reference data held in advance;
Write-back means for writing back the data saved in the save means to the test address of the memory;
A memory circuit comprising:
請求項1記載のメモリ回路において、
前記判定手段で障害と判定されたアドレスを含むユーザの領域を障害領域として管理し前記障害領域に割り当てられていたユーザに別の障害のない領域を割り当てる障害メモリ管理手段
を有することを特徴とするメモリ回路。
The memory circuit of claim 1, wherein
It comprises failure memory management means for managing a user area including an address determined to be a failure by the determination means as a failure area and allocating another non-failure area to the user assigned to the failure area. Memory circuit.
請求項2記載のメモリ回路において、
前記テストデータは、1,0が交番する第1の値と0,1が交番する第2の値であることを特徴とするメモリ回路。
The memory circuit according to claim 2.
2. The memory circuit according to claim 1, wherein the test data is a first value in which 1, 0 alternates and a second value in which 0, 1 alternates.
ネットワークから受信したフレームをユーザ毎に領域を割り当てたメモリに書き込み、前記メモリから各ユーザのフレームデータを読み出して後続回路に供給するメモリ回路を診断するメモリ診断方法において、
前記ネットワークから受信したフレームのフレーム間ギャップとフレーム先頭のプリアンブルとフレーム開始分界点を含む期間である空きタイムスロットで、前記メモリのテストを行うためのテストアドレスを順次変化させて生成する第1ステップと、
前記メモリの前記テストアドレスから読み出したデータを退避する第2ステップと、
前記メモリの前記テストアドレスにテストデータを書き込む第3ステップと、
前記メモリの前記テストアドレスからテストデータを読み出す第4ステップと、
前記第4ステップで読み出されたテストデータを予め保持している基準データと比較して障害の有無を判定する第5ステップと、
前記第2ステップで退避されているデータを前記メモリの前記テストアドレスに書き戻す第6ステップと、
前記第1乃至第6ステップを繰り返すことを特徴とするメモリ診断方法。
In a memory diagnostic method for diagnosing a memory circuit that writes a frame received from a network to a memory assigned an area for each user, reads out frame data of each user from the memory, and supplies the frame data to a subsequent circuit,
A first step of generating by sequentially changing test addresses for testing the memory in an empty time slot which is a period including an inter-frame gap of a frame received from the network, a preamble at the beginning of a frame, and a frame start demarcation point When,
A second step of saving data read from the test address of the memory;
A third step of writing test data to the test address of the memory;
A fourth step of reading test data from the test address of the memory;
A fifth step of comparing the test data read out in the fourth step with reference data stored in advance to determine the presence or absence of a failure;
A sixth step of writing back the data saved in the second step to the test address of the memory;
A memory diagnostic method comprising repeating the first to sixth steps.
請求項4記載のメモリ診断方法において、
前記第5ステップで障害と判定されたアドレスを含むユーザの領域を障害領域として管理し、前記障害領域に割り当てられていたユーザに別の障害のない領域を割り当てることを特徴とするメモリ診断方法。
The memory diagnostic method according to claim 4,
A memory diagnostic method, comprising: managing a user area including an address determined to be a failure in the fifth step as a failure area, and allocating another non-failure area to the user assigned to the failure area.
請求項5記載のメモリ診断方法において、
前記テストデータは、1,0が交番する第1の値と0,1が交番する第2の値であり、
前記第1ステップは、前記第1の値のテストデータを用いて前記第2乃至第7ステップを実行し、前記第2の値のテストデータを用いて前記第2乃至第7ステップを実行したのち前記テストアドレスを変化させることを特徴とするメモリ診断方法。
The memory diagnostic method according to claim 5,
The test data is a first value in which 1, 0 alternates and a second value in which 0, 1 alternates,
In the first step, the second to seventh steps are executed using the first value test data, and the second to seventh steps are executed using the second value test data. A memory diagnostic method, wherein the test address is changed.
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