JP5403849B2 - 二重制御装置を有する冗長データ記憶システムおよびその動作方法 - Google Patents
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Description
特許請求の範囲に記載されている本発明の実施例の特徴である、これらの特徴および他の特徴は、以下の詳細な説明を読み、また関連する図面を点検するとき明らかとなろう。
システム100は、ホストA、B、およびCとしてそれぞれが特定されている、いくつかのホスト・コンピュータ102を含む。ホスト・コンピュータ102は、組織若しくはファブリック(fabric)106を経て、互いに対話すると共に、(AおよびBによりそれぞれ示されている)1対のデータ記憶装置アレイ104とも対話する。組織106は、好ましくは、ファイバチャネルに基づく交換ネットワークであることを特徴とするが、インタネットを含む他の構成も同様に利用することができる。
108A2 制御装置
113A1 プロセッサ・キャッシュ
113A2 プロセッサ・キャッシュ
128A1 メモリ空間
128A2 メモリ空間
130A1 マップト・メモリ領域
130A2 マップト・メモリ領域
132 データ転送ウィンドウ
Claims (5)
- 第1のメモリ空間のトップレベル制御を行う第1の制御装置と、前記第1のメモリ空間と異なる第2のメモリ空間のトップレベル制御を行う第2の制御装置とを含む冗長データ記憶システムであって、
状態情報変更要求に応答して、前記第1の制御装置により、状態情報を前記第2のメモリ空間に書込むとともに、前記第2の制御装置のキャッシュブロック内に存在する前記状態情報変更に関連する既存の状態情報を無効化し、前記第2のメモリ空間への状態情報の書込みの受理通知に伴う遅延なしで前記状態情報を前記第2の制御装置に使用可能とさせるようにように構成されている冗長データ記憶システム。 - 第1の制御装置および第2の制御装置を有する冗長データ記憶システムを動作させる方法であって、
状態情報変更要求を受けるステップと、
前記状態情報変更要求を現存の状態に対応付けるクラッシュ回復記録を前記第1の制御装置により生成するステップと、
前記クラッシュ回復記録の生成の後、前記第1の制御装置のトップレベル制御の下で第1のメモリ空間内において前記状態情報変更要求に従って前記第1の制御装置により前記状態情報を修正するステップと、
前記第1のメモリ空間とは異なる、前記第2の制御装置のトップレベル制御のもとにある前記第2のメモリ空間に該修正された状態情報および前記クラッシュ回復記録を反射的に書込んで前記第2のメモリ空間への前記修正された状態情報の該書込みの受理通知に伴う遅延なしで前記修正された状態情報を前記第2の制御装置に使用可能とさせるステップと、
前記第2の制御装置のキャッシュ内に存在する前記状態情報変更要求に関連する現存の状態情報を無効化するステップとを含む方法。 - 前に前記第2のメモリ空間に書込まれた状態情報を用いることにより、前記冗長記憶システムにおける制御を前記第2の制御装置にスイッチするステップをさらに含む請求項2記載の方法。
- 前記スイッチするステップは、前に前記第2のメモリ空間に書込まれた状態情報を、前記クラッシュ回復記録と組み合わせるステップを含む請求項3記載の方法。
- 前記無効化するステップは、前記クラッシュ回復記録をクリアするステップをさらに含む請求項4記載の方法。
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