JP5360153B2 - Surge detection circuit for sensors - Google Patents
Surge detection circuit for sensors Download PDFInfo
- Publication number
- JP5360153B2 JP5360153B2 JP2011166379A JP2011166379A JP5360153B2 JP 5360153 B2 JP5360153 B2 JP 5360153B2 JP 2011166379 A JP2011166379 A JP 2011166379A JP 2011166379 A JP2011166379 A JP 2011166379A JP 5360153 B2 JP5360153 B2 JP 5360153B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- input
- surge
- sensor
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Description
この発明は、センサから出力されるサージを検出するセンサ用サージ検出回路に関するものである。
近年、様々な分野でセンサが利用され、センサの小型化にともなってセンサ出力が微小となっているため、センサ出力を検出する検出回路と組み合わせて使用されるようになっている。このようなセンサは、応力あるいは急激な温度変化によりサージを発生するものがあるため、サージによる次段の損傷を防止する必要がある。
The present invention relates to a sensor surge detection circuit for detecting a surge output from a sensor.
In recent years, sensors have been used in various fields, and the sensor output has become minute with the miniaturization of the sensor, so that it is used in combination with a detection circuit that detects the sensor output. Some sensors generate a surge due to stress or a sudden temperature change, and therefore it is necessary to prevent the next stage damage due to the surge.
図6は、サージ保護回路を備えたセンサ出力検出回路の従来例を示す。センサ1の出力信号はそれぞれチップ内に搭載された入力段アンプ2a,2bを介して次段の回路に出力される。
FIG. 6 shows a conventional example of a sensor output detection circuit provided with a surge protection circuit. The output signal of the
入力段アンプ2a,2bの入力端子には、それぞれサージ保護回路が接続されている。サージ保護回路は、入力端子側をアノードとして高電位側電源VDDに接続されるダイオードD1と、入力端子側をカソードとして低電位側電源GNDに接続されるダイオードD2とで構成される。
Surge protection circuits are connected to the input terminals of the
センサ1から入力端子に印加される高電位側のサージは、ダイオードD1を介して高電位側電源VDDに吸収され、センサ1から入力端子に印加される低電位側のサージは、ダイオードD2を介して低電位側電源GNDに吸収される。このような動作により、入力段アンプ2a,2bの保護が図られる。
The high potential side surge applied from the
特許文献1には、テレビジョン受像機の水平偏向回路において、サージなどの単発パルス入力に対する誤動作防止と破壊防止を行う構成が開示されている。
特許文献2には、静電気やサージ等のノイズによる誤動作を防止するために、パルス検出回路でパルスを検出し、それらをパルス引き延ばし回路を経て入力信号と共にレベル保持回路に供給する構成が開示されている。
Patent Document 2 discloses a configuration in which pulses are detected by a pulse detection circuit and supplied to a level holding circuit together with an input signal through a pulse stretching circuit in order to prevent malfunction due to noise such as static electricity or surge. Yes.
上記のようなサージ保護回路は、通常センサ1の出力電圧が微小であること及び入力段アンプ2a,2bの入力端子での寄生容量の増大を防止するために、僅かなサージ吸収能力だけを確保したものが接続されている。
The surge protection circuit as described above usually has only a slight surge absorption capability in order to prevent the output voltage of the
一方、センサ1は応力あるいは急激な温度変化により微小時間に数十V〜百数十Vのサージを出力する場合があり、上記のようなサージ保護回路ではこのような急峻なサージを吸収することができない。従って、入力段アンプ2a,2b及び次段の回路の特性劣化あるいは永久破壊等が発生するおそれがある。
On the other hand, the
特許文献1,2には、サージによるIC内部の特性劣化による信頼性の低下を防止する構成は開示されていない。
この発明の目的は、チップ外のセンサから入力されるサージによるチップ内部の特性劣化を判定して、警告信号を出力するセンサ用サージ検出回路を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a sensor surge detection circuit that determines deterioration in characteristics inside a chip due to a surge input from a sensor outside the chip and outputs a warning signal.
上記目的は、入力端子に接続されたセンサ用サージ検出回路であって、前記入力端子に接続された入力回路と、前記入力端子に接続され、前記入力回路と同一の回路構成を有する比較用入力回路と、前記入力回路の出力信号と比較用入力回路の出力信号とのレベル差を検出して、検出信号を出力するレベル差検出回路と、前記レベル差が所定値以上である場合に、前記検出信号に基づいて警告信号を出力する制御部と、前記入力回路の動作特性を補正するための補正値を格納したメモリ回路とを備え、前記制御部は、前記制御部は、前記検出信号に基づいて前記メモリ回路から前記補正値を読み出し、読み出された前記補正値に基づいて前記入力回路の動作特性を補正するセンサ用サージ検出回路により達成される。 The above object is achieved by a surge detecting circuit connected to the input terminal sensor, the input circuit connected to an input terminal, connected to said input terminal, an input for comparison with the same circuit configuration as the input circuit a circuit detects the level difference between the output signal of the comparator input circuit and an output signal of said input circuit, and a level difference detection circuit for outputting a detection signal, when the level difference is a predetermined value or more, the and a control unit for outputting a warning signal on the basis of the detection signal, and a memory circuit for storing a correction value for correcting the operating characteristics of said input circuit, said control unit, said control unit, said detection signal wherein the memory circuit reads out the correction value is accomplished by read on the basis of the correction value to correct the operation characteristics of the entering force circuit Rousset capacitors for surge detection circuit based.
本発明によれば、チップ外のセンサから入力されるサージによるチップ内部の特性劣化を判定して、警告信号を出力するセンサ用サージ検出回路を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the surge detection circuit for sensors which outputs the warning signal by determining the characteristic deterioration inside a chip | tip by the surge input from the sensor outside a chip | tip can be provided.
(第一の実施の形態)
図1は、この発明を具体化したセンサ出力検出回路の第一の実施の形態を示す。チップの入力端子Tは入力回路11に接続され、入力端子Tに入力されるセンサの出力信号Vsが入力回路11を介して次段に出力される。
(First embodiment)
FIG. 1 shows a first embodiment of a sensor output detection circuit embodying the present invention. The input terminal T of the chip is connected to the
また、入力端子Tにはサージ保護回路12が接続される。サージ保護回路12は、入力端子T側をアノードとして高電位側電源VDDに接続されるダイオードD1と、入力端子T側をカソードとして低電位側電源GNDに接続されるダイオードD2とで構成される。その動作は、上記従来例と同様である。
A
また、入力端子Tにはサージ検出装置が接続されている。サージ検出装置は、サージ検出部13と、カウンタ14と、メモリ回路15と、制御部16とから構成される。
前記サージ検出部13は、入力端子Tに所定の値を超えるサージを検出した場合、パルス信号をカウンタ14に出力する。カウンタ14は、入力されるパルス信号を累積し、その累積値をメモリ回路15に出力する。
A surge detector is connected to the input terminal T. The surge detection device includes a
When the
メモリ回路15は、不揮発性メモリを備え、カウンタ14から出力される累積値を格納する。
前記メモリ回路15には制御部16が接続されている。そして、制御部16は不揮発性メモリに格納されている累積値を読み出し、その累積値があらかじめ設定されている警告設定値に達すると、警告信号Aを出力する。警告信号Aは、例えば外部ピンからマイコンチップ等に出力される。
The
A
このように構成されたサージ検出装置では、入力端子Tに入力されたサージがサージ検出部13で検出され、その検出回数がカウンタ14で累積されて、メモリ回路15に格納される。そして、メモリ回路15に格納された累積値が警告設定値に達すると、制御部16から警告信号Aが出力される。
In the surge detection device configured as described above, the surge input to the input terminal T is detected by the
上記のようなサージ検出装置を備えたセンサ出力検出回路では、次に示す作用効果を得ることができる。
(1)サージが入力回路11に入力されるとき、そのサージの入力回数がサージ検出部13及びメモリ回路15で累積され、その累積値が警告設定値に達すると、警告信号Aを出力することができる。従って、警告信号Aにより、入力回路11あるいはその次段の回路が劣化した可能性があることを認識することができる。
(2)メモリ回路15は不揮発性メモリを搭載したので、センサ出力検出回路の電源を遮断しても、格納されている累積値を保持することができる。従って、センサ出力検出回路の電源の遮断の有無に関わらず、センサ出力検出回路の使用開始時からの累積値を正確に検出することができる。
(3)センサ出力検出回路が搭載されたチップに他の用途の不揮発性メモリが搭載されている場合には、その不揮発性メモリをメモリ回路15として利用することができる。
(第二の実施の形態)
図2は、第二の実施の形態を示す。この実施の形態は、サージ検出部13にタイマー回路17を接続したものであり、その他の構成は前記第一の実施の形態と同様である。第一の実施の形態と同一構成部分は同一符号を付して説明する。
In the sensor output detection circuit including the surge detection device as described above, the following operational effects can be obtained.
(1) When a surge is input to the
(2) Since the
(3) When a non-volatile memory for other uses is mounted on a chip on which the sensor output detection circuit is mounted, the non-volatile memory can be used as the
(Second embodiment)
FIG. 2 shows a second embodiment. In this embodiment, a timer circuit 17 is connected to the
タイマー回路17は、あらかじめ設定された所定時間の範囲でサージ検出部13を動作させる。すると、メモリ回路15にはタイマー回路17で設定される所定時間内でのサージの検出回数の累積値が格納される。そして、累積値が警告設定値に達すると、制御部16から警告信号Aが出力される。
The timer circuit 17 operates the
従って、タイマー回路17で設定された時間内でサージ検出回数が警告設定値に達したとき、警告信号Aを出力することができる。
(第三の実施の形態)
図3は、第三の実施の形態を示す。この実施の形態は、複数系統の入力回路を並列に接続し、サージ検出回数が所定回数に達したとき、入力回路を切り替えて使用するようにしたものである。第一の実施の形態と同一構成部分は同一符号を付して説明する。
Therefore, when the number of surge detections reaches the warning set value within the time set by the timer circuit 17, the warning signal A can be output.
(Third embodiment)
FIG. 3 shows a third embodiment. In this embodiment, a plurality of input circuits are connected in parallel, and when the number of surge detections reaches a predetermined number, the input circuits are switched and used. The same components as those in the first embodiment will be described with the same reference numerals.
入力回路18a,18bは、入力端子Tと次段回路19との間で並列に接続され、入力端子T及び次段回路19との間にそれぞれスイッチ20a〜20dが配設されている。各スイッチ20a〜20dは制御部21により開閉制御される。
The
すなわち、センサ出力検出回路の起動時には、スイッチ20a,20bが閉路され、スイッチ20c,20dが開路される。この状態でサージがカウンタ14でカウントされ、累積値が第一の設定値に達すると、制御部21によりスイッチ20a,20bが開路され、スイッチ20c,20dが閉路される。第一の設定値は、サージの繰り返しの入力により入力回路18aに特性劣化が発生するおそれがある値である。
That is, when the sensor output detection circuit is activated, the
スイッチ20c,20dが閉路された後、さらにサージがカウンタ14でカウントされ、累積値が第二の設定値に達すると、制御部21によりスイッチ20c,20dが開路される。そして、制御部21から警告信号Aが出力される。
After the
このような構成により、前記第一の実施の形態で得られた作用効果に加えて、入力回路18a,18bを切り替えて使用するので、入力回路の寿命を延長可能とする作用効果を得ることができる。
(第四の実施の形態)
図4は、第四の実施の形態を示す。この実施の形態は、サージによる入力回路の特性劣化を検出するための比較用入力回路を備えたものである。前記第一の実施の形態と同一構成部分は、同一符号を付して説明する。
With such a configuration, in addition to the operational effects obtained in the first embodiment, since the
(Fourth embodiment)
FIG. 4 shows a fourth embodiment. This embodiment is provided with a comparison input circuit for detecting characteristic deterioration of the input circuit due to a surge. The same components as those in the first embodiment will be described with the same reference numerals.
入力端子Tには入力回路11及び比較用入力回路22が接続される。その入力回路11及び比較用入力回路22の出力信号はレベル差検出回路23に入力される。レベル差検出回路23は両入力回路11,22の出力信号のレベル差を検出し、その検出値を制御部24に出力する。
The
制御部24は、入力された検出値が所定値以上となったとき、入力回路11に特性劣化が発生したことを検知して、警告信号Aを出力する。
前記比較用入力回路22は、例えば入力端子Tとの距離を大きくすることによりサージを減衰させて、サージによる特性劣化を発生しないようにする。
The control unit 24 detects that the characteristic deterioration has occurred in the
The
このような構成により、入力回路11の特性劣化を検出して警告信号Aを出力することができる。また、第一の実施の形態に比して、入力回路11と同様な構成の比較用入力回路22及びレベル差検出回路23で入力回路11の特性劣化を検出することができるので、メモリ回路15を具備しないチップでも、特性劣化を検出して警告信号Aを出力することができる。
(第五の実施の形態)
図5は、第五の実施の形態を示す。この実施の形態は、前記第四の実施の形態のレベル差検出回路23の出力信号に基づいて、入力回路11の特性を補正する機能を備えたものである。前記第四の実施の形態と同一構成部分は、同一符号を付して説明する。
With such a configuration, it is possible to detect the characteristic deterioration of the
(Fifth embodiment)
FIG. 5 shows a fifth embodiment. This embodiment has a function of correcting the characteristics of the
レベル差検出回路23の出力信号は、制御部25に出力される。また、制御部25にはメモリ回路26が接続されている。メモリ回路26は、不揮発性メモリで構成され、入力回路11と比較用入力回路22の出力信号のレベル差に応じて入力回路11の利得あるいはオフセット値を補正するための補正テーブルが格納されている。
The output signal of the level
そして、制御部25はレベル差検出回路23の出力信号に基づいてメモリ回路26から補正値を読み出し、その補正値に従って入力回路11の利得あるいはオフセット値を調整して、入力回路11と比較用入力回路22の出力信号のレベル差を縮小させるように動作する。
The
また、入力回路11の利得あるいはオフセット値の調整処理を行っても、入力回路11と比較用入力回路22の出力信号のレベル差が所定値以上となる場合には、制御部25は警告信号Aを出力する。
If the level difference between the output signals of the
このような構成により、前記第四の実施の形態で得られた作用効果に加えて、制御部25により、入力回路11の特性劣化を補正するように、入力回路11の利得あるいはオフセット値を調整することができるので、入力回路11の長寿命化を図ることができる。
With such a configuration, in addition to the operational effects obtained in the fourth embodiment, the
上記実施の形態は、以下の態様で実施してもよい。
・第三の実施の形態に、第二の実施の形態のタイマー回路17を備えてもよい。
・第三の実施の形態において、さらに多数の入力回路を並列に接続して、切替可能としてもよい。
You may implement the said embodiment in the following aspects.
The timer circuit 17 of the second embodiment may be provided in the third embodiment.
In the third embodiment, a larger number of input circuits may be connected in parallel to be switchable.
11 入力回路
22 比較用入力回路
23 レベル差検出回路
24,25 制御部
26 メモリ回路
T 入力端子
A 警告信号
DESCRIPTION OF
Claims (2)
前記入力端子に接続された入力回路と、
前記入力端子に接続され、前記入力回路と同一の回路構成を有する比較用入力回路と、
前記入力回路の出力信号と前記比較用入力回路の出力信号とのレベル差を検出して、検出信号を出力するレベル差検出回路と、
前記レベル差が所定値以上である場合に、前記検出信号に基づいて警告信号を出力する制御部と、
前記入力回路の動作特性を補正するための補正値を格納したメモリ回路とを備え、
前記制御部は、前記検出信号に基づいて前記メモリ回路から前記補正値を読み出し、読み出された前記補正値に基づいて前記入力回路の動作特性を補正することを特徴とするセンサ用サージ検出回路。 A surge detection circuit for a sensor connected to an input terminal,
An input circuit connected to the input terminal;
A comparison input circuit connected to the input terminal and having the same circuit configuration as the input circuit;
By detecting the level difference between the output signal of the output signal and the comparison input circuit of the input circuit, and a level difference detection circuit for outputting a detection signal,
A control unit that outputs a warning signal based on the detection signal when the level difference is greater than or equal to a predetermined value ;
And a memory circuit for storing a correction value for correcting the operating characteristics of said input circuit,
Wherein the control unit, sensor, wherein said on the basis of the detection signal reading said correction value from said memory circuit, Turkey to correct the operating characteristics of the entering force circuit based on the correction value read out Surge detection circuit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011166379A JP5360153B2 (en) | 2011-07-29 | 2011-07-29 | Surge detection circuit for sensors |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011166379A JP5360153B2 (en) | 2011-07-29 | 2011-07-29 | Surge detection circuit for sensors |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006031092A Division JP4893008B2 (en) | 2006-02-08 | 2006-02-08 | Surge detection circuit for sensors |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011250467A JP2011250467A (en) | 2011-12-08 |
JP5360153B2 true JP5360153B2 (en) | 2013-12-04 |
Family
ID=45415054
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011166379A Active JP5360153B2 (en) | 2011-07-29 | 2011-07-29 | Surge detection circuit for sensors |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5360153B2 (en) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2714149B2 (en) * | 1989-06-28 | 1998-02-16 | 株式会社日立製作所 | Disk device |
JP2973218B2 (en) * | 1990-05-31 | 1999-11-08 | オムロン株式会社 | Compensation method for change in received light amount of photoelectric sensor |
JP2003307544A (en) * | 2002-04-12 | 2003-10-31 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor integrated circuit |
-
2011
- 2011-07-29 JP JP2011166379A patent/JP5360153B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011250467A (en) | 2011-12-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7636227B2 (en) | Noise immune over current protection with inherent current limiting for switching power converter | |
JP5948447B2 (en) | Method and apparatus for supply voltage glitch detection in monolithic integrated circuit devices | |
EP1393443B1 (en) | Overcurrent detection and protection apparatus for switching element | |
TW200710419A (en) | Voltage glitch detection circuits and methods thereof | |
JP2007251503A (en) | Semiconductor device and electronic apparatus embedded with the same | |
US20110110008A1 (en) | Over current protection circuit | |
US10474214B2 (en) | Data storage device and method for monitoring power storage capability of secondary power of data storage device | |
US20130064397A1 (en) | Microphone amplifier | |
US8804265B2 (en) | Calibration of a resonance frequency filter | |
JP4893008B2 (en) | Surge detection circuit for sensors | |
US8217660B2 (en) | Open terminal detection device and semiconductor device | |
JP5360153B2 (en) | Surge detection circuit for sensors | |
TW201838280A (en) | Battery set, secondary battery protecting integrated circuit, battery monitoring module, and information readout method | |
CN110543112A (en) | Short-circuit rapid protection structure, method, power supply and electronic cigarette | |
KR950003136B1 (en) | Power amplifier | |
US20160282138A1 (en) | Surge-protected sensor | |
US20190271728A1 (en) | Device and method for detecting a number of electrostatic discharges | |
JP4550506B2 (en) | DC stabilized power supply circuit | |
JP5970241B2 (en) | Capacitive load bias circuit | |
JP6884050B2 (en) | Photoelectric switch | |
JP2012169712A (en) | Charge amplifier | |
US10965135B2 (en) | Charge/discharge control circuit and battery device | |
JP4909303B2 (en) | Conversion circuit | |
JP6322124B2 (en) | Noise detection circuit | |
JP2015103939A (en) | Semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130122 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130315 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130423 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130621 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130806 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130819 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5360153 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |