JP5346759B2 - Substrate positioning method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体製造装置に投入する前におけるウェハ等の基板の角度及び偏心位置補正のための基板位置決め方法に関する。特に、当該技術を用いつつ基板上にパターンを描画するパターン描画装置に用いる位置決め方法に関する。 The present invention relates to a substrate positioning method for correcting the angle and eccentric position of a substrate such as a wafer before being introduced into a semiconductor manufacturing apparatus. In particular, the present invention relates to a positioning method used in a pattern drawing apparatus that draws a pattern on a substrate using the technique.
従来、半導体製造装置では、製造装置に投入される半導体ウェハの中心だし、ノッチ、又はオリフラ角度の検出を行なうことが必要であり、これに用いられるプリアライメト装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。従来の装置ではウェハを載置して回転する回転テーブルに設けられた角度検出手段と、回転テーブルの側面近傍と、回転テーブルの上方近傍に配置された測長ユニットと、この測長ユニットの計測データからウェハの偏心量を、測長ユニットと角度検出手段との計測データからウェハに形成されたノッチ角度を算出する。 Conventionally, in a semiconductor manufacturing apparatus, it is necessary to detect the center, notch, or orientation flat angle of a semiconductor wafer put into the manufacturing apparatus, and a pre-alignment apparatus used for this has been proposed (for example, Patent Documents). 1). In the conventional apparatus, an angle detection means provided on a rotary table on which a wafer is placed and rotated, a length measuring unit disposed near the side surface of the rotating table, and an upper vicinity of the rotating table, and measurement by the length measuring unit The amount of eccentricity of the wafer is calculated from the data, and the notch angle formed on the wafer is calculated from the measurement data of the length measurement unit and the angle detection means.
一方、半導体装置の製造工程は、ウェハ上に種々の半導体素子のパターンを形成する工程と、このウェハを個々のチップに切断分離し、パッケージに封止する工程とに大別できる。近年、製造コストの低減を図るためにウェハの大口径化が推進されるとともに、実装密度を高めるためにパッケージの小型薄厚化が望まれている。 On the other hand, the manufacturing process of a semiconductor device can be broadly divided into a process of forming various semiconductor element patterns on a wafer and a process of cutting and separating the wafer into individual chips and sealing them in a package. In recent years, an increase in wafer diameter has been promoted in order to reduce the manufacturing cost, and a reduction in the size and thickness of the package has been desired in order to increase the mounting density.
そして、薄厚化したパッケージに封止するために、ウェハを個々のチップに切断分離するのに先立って、ウェハのパターン形成面(主表面)の反対側の面(ウェハの裏面)を砥石による研削及び遊離砥粒による研磨等により除去して薄くし、その後ダイシングして切断分離している。しかしながら、この技術では、ウェハの裏面に多数の傷が入る、また、薄厚化によりウェハの外周縁の形状に大きな影響がある。即ち、ウェハは円形を呈するよう形成されるが、薄厚化により周縁端部が微小に欠けることで滑らかな曲線だったものが、凹凸を有することになった。このような薄厚化のウェハでは、ノッチの形状も変形を余儀なくされ、その結果、他の凹凸との判別がつきにくくなった。 Then, before sealing the wafer into individual chips for sealing in a thin package, the surface opposite to the pattern formation surface (main surface) of the wafer (back surface of the wafer) is ground with a grindstone. In addition, the thin film is removed by polishing with loose abrasive grains, etc., and then diced for cutting and separation. However, in this technique, a large number of scratches are made on the back surface of the wafer, and the shape of the outer peripheral edge of the wafer is greatly affected by the thinning. In other words, the wafer is formed to have a circular shape, but a thin curved surface due to the thinning of the peripheral edge portion results in unevenness. In such a thinned wafer, the shape of the notch has to be deformed, and as a result, it is difficult to distinguish it from other irregularities.
よって、薄厚化されたウェハでは、ノッチの検出を行なうアライメトでは位置検出の精度が悪いという問題があった。そこで、ウェハを位置決めする方法に係り、基板上に形成されたスクライブラインやアライメントマークを検出して、基板を位置補正する技術が提供されている。その従来の位置決めパターンは、スクライブライン領域上に設けられた、ウェハの回転方向に対する比較的荒い位置合わせを行なうためのいわゆるシータマークと、繰り返し配置された半導体集積回路チップ一つ一つに対して正確な位置合せを行なうためのX方向トリミングマーク、及びY方向トリミングマークとからなる。 Therefore, in the thinned wafer, there is a problem that the position detection accuracy is poor in the alignment for detecting the notch. Therefore, there is provided a technique for correcting a position of a substrate by detecting a scribe line or an alignment mark formed on the substrate in relation to a method for positioning a wafer. The conventional positioning pattern is a so-called theta mark provided on the scribe line region for relatively rough alignment with the rotation direction of the wafer, and each semiconductor integrated circuit chip repeatedly arranged. It consists of an X direction trimming mark and a Y direction trimming mark for accurate alignment.
そして、具体的には、アラメントマークが設けられているウェハを位置決めするアライメント方法であって、低い倍率で基板上の左右のプリアライメントマークを検出し、プリアライメントマークの位置を求め、ウェハの中心を取得する第1計測工程と、それよりも高倍の倍率でウェハ上の複数のアライメントマークを計測し、精密な検出を行う第2計測工程とを備える(例えば、特許文献2)。 Specifically, this is an alignment method for positioning a wafer provided with an alignment mark, which detects the left and right pre-alignment marks on the substrate at a low magnification, determines the position of the pre-alignment mark, and A first measurement step of acquiring the center, and a second measurement step of measuring a plurality of alignment marks on the wafer at a magnification higher than that and performing precise detection (for example, Patent Document 2).
また、感光材料が主面に付与された半導体基板やガラス基板等(以下、「基板」という。)に光ビームを照射してパターンを描画するパターン描画装置や露光装置では、光ビームを出射するヘッド部に対して基板が主面に沿う方向に相対的に移動することにより、基板の全体にパターンが描画される。パターン描画装置にてパターンを精度よく描画するには、光ビームが照射される基板の部位とヘッド部との相対的な位置(すなわち、基板のヘッド部に対する相対位置)が一定とされる必要があるので、上記と同様に基板上のアライメントマークを利用した位置決め方法が考えられている。 Further, in a pattern drawing apparatus or an exposure apparatus that draws a pattern by irradiating a light beam onto a semiconductor substrate or a glass substrate (hereinafter referred to as “substrate”) having a photosensitive material applied to the main surface, the light beam is emitted. As the substrate moves relative to the head portion in the direction along the main surface, a pattern is drawn on the entire substrate. In order to accurately draw a pattern with the pattern drawing apparatus, the relative position between the portion of the substrate irradiated with the light beam and the head portion (that is, the relative position of the substrate with respect to the head portion) needs to be constant. Therefore, a positioning method using an alignment mark on the substrate is considered in the same manner as described above.
ところで、アライメントマークを利用した位置決め方法においても、検出および計測を短時間で行う要求も高い。すなわち、単位時間でのウェハ処理枚数をあげる必要があるため、アライメントと呼ばれる、露光を伴わない処理の時間をできるだけ短くしなければならない。しかしながら、上記の従来技術では、第1と第2計測工程とも複数のアライメントマークを検出しており、計測を短時間で行う上では改善の余地があった。 By the way, also in the positioning method using an alignment mark, the request | requirement which performs a detection and measurement in a short time is also high. That is, since it is necessary to increase the number of wafers processed per unit time, it is necessary to shorten the processing time called exposure, which does not involve exposure, as much as possible. However, in the above prior art, a plurality of alignment marks are detected in both the first and second measurement steps, and there is room for improvement in performing measurement in a short time.
また、近年、サブミクロンオーダの高分解能を有し、高精度の転写、焼付けが可能な真空紫外線や軟X線を照明光とする露光装置が開発され、最小線幅0.2μmのパターン焼付けも実現可能となった。このような高精度の焼付けを行う露光装置においては、ウェハを、照明光およびマスクに対して極めて高精度で位置合せをする必要があるが、従来のアライメントマークだけによる位置合せでは十分な精度を得ることができない。 In recent years, an exposure apparatus that uses vacuum ultraviolet rays or soft X-rays as illumination light, which has high resolution on the order of submicrons and can be transferred and printed with high precision, has been developed. Pattern printing with a minimum line width of 0.2 μm is also possible. It became feasible. In such an exposure apparatus that performs printing with high accuracy, it is necessary to align the wafer with the illumination light and the mask with extremely high accuracy. However, the alignment using only the conventional alignment mark provides sufficient accuracy. Can't get.
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、アライメントに要する時間を低減することを可能にし、基板の相対位置を高精度にかつ安定して求める基板位置決め方法を提供することを目的としている。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a substrate positioning method capable of reducing the time required for alignment and obtaining the relative position of the substrate with high accuracy and stability.
本発明は上記課題を解決するために、位置決め計測に利用可能な少なくとも2個のマークを設けられた基板を位置決めする基板位置決め方法であって、(A)前記少なくとも2個のマークのうち前記基板の回転中心位置に設けられたマークを低い倍率で撮像して得た基板中心位置情報に基づいて、前記基板の回転中心位置と前記基板を保持するステージの回転中心位置との、水平方向の位置ずれを検出し、前記基板の位置を補正するべく前記ステージを水平面に沿って移動する第一位置移動工程と、(B)前記第一位置移動工程の後で、前記少なくとも2個のマークのうち前記基板の端部に設けられたマークを撮像して得た基板端部位置情報に基づいて、前記基板の位置を補正すべく前記ステージを鉛直軸周りに回転し、前記基板の表面に設けられたスクライブライン領域を撮像して得た当該スクライブライン領域の位置情報と、前記撮像の前に予め登録された前記スクライブライン領域の位置情報とを比較することで、前記基板の位置を補正すべく前記ステージを鉛直軸周りに回転する第二位置移動工程と、(C)前記第一位置移動工程と前記第二位置移動工程とにより移動された前記基板の前記少なくとも2個のマークのうち前記基板の前記回転中心位置に設けられた前記マークを前記低い倍率よりも高い倍率で撮像して得た基板中心位置情報に基づいて前記基板の位置を補正すべく前記ステージを移動する第三位置移動工程と、を備えるようにしたものである。 In order to solve the above problems, the present invention provides a substrate positioning method for positioning a substrate provided with at least two marks that can be used for positioning measurement, and (A) the substrate among the at least two marks. The horizontal position between the rotation center position of the substrate and the rotation center position of the stage holding the substrate based on the substrate center position information obtained by imaging the mark provided at the rotation center position of the substrate at a low magnification A first position moving step of detecting a shift and moving the stage along a horizontal plane to correct the position of the substrate; and (B) after the first position moving step, of the at least two marks based on the substrate edge position information obtained by imaging the mark provided at an end portion of the substrate, and rotate the stage to correct the position of the substrate around the vertical axis, the surface of the substrate By comparing the location information of the scribe line region of the scribe line region kicked obtained by imaging, and the position information of the pre-registered the scribe line regions in front of the imaging, correcting the position of the substrate a second position moving step of rotating Subeku the stage around the vertical axis, (C) of the at least two marks of the substrate that is moved said first position moving step and the said second position moving step A third position for moving the stage to correct the position of the substrate based on substrate center position information obtained by imaging the mark provided at the rotation center position of the substrate at a magnification higher than the low magnification. And a moving process.
また本発明の請求項1記載の基板位置決め方法において、前記第三位置移動工程の前記基板中心位置情報は前記基板の前記回転中心位置に設けられた前記マークの重心位置情報であるようにしたものである。
Further, in the substrate positioning method according to
また本発明の請求項1または請求項2に記載の基板位置決め方法において、前記第一位置移動工程における前記撮像は、前記基板の前記回転中心位置に設けられた前記マークを、前記基板の裏面側から赤外線で前記基板を透過して前記低い倍率で観察する撮像であるようにしたものである。
Also, in the substrate positioning method according to
本発明の請求項1に係る基板位置決め方法によれば、第一位置移動工程で基板中心位置が位置決めされ、第二位置移動工程で基板端部位置情報とスクライブライン情報に基づいて基板を位置決めするので第一位置移動工程で位置決めされた基板位置が補正され、更に、第三位置移動工程では高い倍率でマークが撮像され基板位置が補正されるので基板が精密に位置決めされる。 According to the substrate positioning method of the present invention, the substrate center position is positioned in the first position moving step, and the substrate is positioned based on the substrate end position information and the scribe line information in the second position moving step. Therefore, the substrate position positioned in the first position moving step is corrected, and further, in the third position moving step, the mark is imaged at a high magnification and the substrate position is corrected, so that the substrate is accurately positioned.
また本発明の請求項2に係る基板位置決め方法によれば、基板回転中心を高い倍率で撮像されたマークの重心位置を検出することで位置補正されるので、精密位置決めをすることができる効果を奏する。 According to the substrate positioning method of the present invention, the position of the center of rotation of the substrate is corrected by detecting the position of the center of gravity of the mark imaged at a high magnification. Play.
以下、本発明の実施例を図1乃至図4に基づいて説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to FIGS.
図1は本発明にかかる基板位置決め装置を装備したパターン描画装置の一実施形態を示す正面図であり、図2は図1に示すパターン描画装置の平面図であり、図3は、図1のパターン描画装置の電気的構成を示すブロック図である。このパターン描画装置(露光装置)1では、基台2の一方端側領域(図1および図2の左手側領域)が半導体ウェハ等の基板W(以下、「基板」と称す)の受け渡しを行う基板受渡領域となっているのに対し、他方端側領域(図1および図2の右手側領域)が基板Wへのパターン描画を行うパターン描画領域となっている。この基台2上では、基板受渡領域とパターン描画領域の境界位置にヘッド支持部21が設けられている。このヘッド支持部21では、基台2から上方に2本の脚部材211、212が立設されるとともに、それらの脚部材211、212の頂部を橋渡しするように梁部材213が横設されている。そして、このように構成されたヘッド支持部21のパターン描画領域側で光学ヘッド3が上下方向Zに移動自在に取り付けられており、露光制御部41からの動作指令に応じてヘッド移動機構30が作動することで後述するステージ5に保持される基板Wと光学ヘッド3との距離を高精度に調整可能になっている。
FIG. 1 is a front view showing an embodiment of a pattern drawing apparatus equipped with a substrate positioning device according to the present invention, FIG. 2 is a plan view of the pattern drawing apparatus shown in FIG. 1, and FIG. It is a block diagram which shows the electric constitution of a pattern drawing apparatus. In this pattern drawing apparatus (exposure apparatus) 1, one end side region (the left hand side region in FIGS. 1 and 2) of the
また、基台2の基板受渡領域では、パターン描画領域と反対側の端部に2本の脚部材221、222が立設されている。そして、脚部材221、222の頂部と梁部材213の上面を橋渡しするように光学ヘッド3の照明光学系を収納したボックスが設けられている。また、梁部材213の基板受渡領域側側面に基板位置決め装置として機能するカメラ(撮像部)6が固定されてステージ5に保持された基板Wの表面(被描画面、被露光面)を撮像可能となっている。
In the substrate delivery area of the
この基板受渡領域の近傍には、図示しない基板収納カセット、メカアライメント部および基板搬送ロボットが配置されている。そして、露光制御部41からの指令に応じて基板Wが基板収納用カセット、メカアライメント部および基板受渡領域に位置するステージの間で搬送される。また、後述するようにしてパターン描画領域でパターン描画された基板Wはステージ5とともに基板受渡領域に移動され、基板搬送ロボットによりカセットに搬入される。
A substrate storage cassette, a mechanical alignment unit, and a substrate transfer robot (not shown) are arranged in the vicinity of the substrate delivery area. Then, in response to a command from the
このステージ5は基台2上でステージ移動機構51によりX方向、Y方向ならびにθ方向に移動される。すなわち、ステージ移動機構51は基台2の上面にY軸駆動部51Y(図3)、X軸駆動部51X(図3)およびθ軸駆動部51T(図3)をこの順序で積層配置したものであり、ステージ5を水平面内で2次元的に移動させて位置決めする。また、ステージ5をθ軸(鉛直軸)回りの回転をさせて後述する光学ヘッド3に対する相対角度を調整して位置決めする。なお、このようなステージ移動機構51としては、従来より多用されているX−Y−θ軸移動機構を用いることができる。
The
次に、光学ヘッド3の構成および動作について説明する。この実施形態では、光学ヘッド3は上記したようにヘッド支持部21に対して上下方向Zに移動自在に取り付けられており、光学ヘッド3の直下位置で移動している基板Wに対して光を落射することでステージ5に保持された基板Wを露光してパターンを描画する。なお、本実施形態では、光学ヘッド3はX方向に複数チャンネルで光を同時に照射可能となっており、X方向が「副走査方向」に相当している。また、ステージ5をY方向に移動させることで基板Wに対してパターンを2次元的に描画することが可能となっており、Y方向が「主走査方向」に相当している。
Next, the configuration and operation of the
なお、上記のように構成されたパターン描画装置1は装置全体を制御するために制御部としてのコンピュータ8を有している。コンピュータ8はCPUやメモリ81等を有しており、露光制御部41とともに電装ラック(図示省略)内に配置されている。また、コンピュータ8内のCPUが所定のプログラムに従って演算処理することにより、ラスタライズ部82、伸縮率算出部83、データ修正部84およびデータ生成部85が実現される。例えば1つのLSIに相当するパターンのデータは外部のCAD等により生成されたデータであり、予めLSIデータ811としてメモリ81に準備されており、当該LSIデータ811に基づき後述するようにしてLSIのパターンが基板W上に描画される。
The
ラスタライズ部82は、LSIデータ811が示す単位領域を分割してライタライズし、ライタデータ812を生成しメモリ81に保存する。こうしてラスタデータ812の準備後、または、ライタデータ812の準備と並行して、上記のようにしてカセットに収納されている未処理の基板Wがロボットにより搬出され、プリアライメント部によるメカアライメント処理を受けた後にロボットによってステージ5に載置される。
The rasterizing
図3に示す伸縮率算出部83は、後述する画像処理ユニット9にて求められた基板W上のアライメントマークの位置、および基板Wの向きの修正量を取得し、アライメント後のアライメントマークの位置、並びに、主走査方向Yおよび副走査方向Xに対する基板Wの伸縮率(すなわち、主面の伸縮率)を求める。
The stretch
一方、データ修正部84はラスタデータ812を取得し、伸縮の検出結果である伸縮率に基づいてデータの修正を行う。なお、このデータ修正については、例えば特許第4020248号に記載の方法を採用することができ、1つの分割領域のデータ修正が終了すると、修正後のラスタデータ812がデータ生成部85へと送られる。データ生成部85では、変更後の分割領域に対応する描画データ、すなわち、1つのストライプに相当するデータが生成される。
On the other hand, the
こうして生成された描画データは、データ生成部85から露光制御部41へと送られ、露光制御部41が変調部338、ヘッド移動機構30およびステージ移動機構51の各部を制御することにより1ストライプ分の描画が行われる。なお、露光動作についは上記したとおり変調器338による電界発生制御により行われる。そして、1つのストライプに対する露光記録が終了すると、次の分割領域に対して同様の処理が行われ、ストライプごとに描画が繰り返される。
The drawing data generated in this way is sent from the
図4は本発明の一の実施形態に係る基板位置決め装置の構成を示す図である。位置決め装置は、ステージ5とステージ移動機構51とカメラ6より構成され、カメラ6に基板Wの表面が拡大撮像される。基板Wの表面の多階調画像は、後述する位置合わせ処理を行なうコンピュータ8内の画像処理ユニット9にて処理される。画像処理ユニット9は、後に詳述するセンタリング処理によって、基板Wの回転中心とステージ5の回転中心との誤差を検出して、露光制御部41を介してステージ移動機構51を駆動することにより、基板Wを光学ヘッド3に対して位置補正する。即ち、ステージ5に対して光学ヘッド3の位置関係が維持されて露光動作を行う前提として、基板Wのステージ5に対する位置関係が決められる必要があるが、基板Wがステージ5に対してズレている場合、そのズレ量をステージ5の移動で補正することで、基板Wの光学ヘッド3との位置関係を維持するようにする。
FIG. 4 is a diagram showing the configuration of the substrate positioning apparatus according to one embodiment of the present invention. The positioning device includes a
基板のセンタリングが補正されると回転補正処理によって、基板Wのアライメントマークとカメラ6の基準軸であるX軸あるいはY軸との回転誤差を検出して、露光制御部41を介してステージ移動機構51を駆動することにより、基板Wを回転補正する。基板の回転誤差が補正されると、画像処理ユニット9は、基板Wのスクライブライン情報とカメラ6の基準軸X、Y軸との移動誤差を検出し、その移動誤差だけ露光制御部41を介してステージ移動機構51を移動させて基板Wの傾斜角度位置補正を完了する。
The rotation correction processing Sentari in g of the substrate is corrected, by detecting a rotation error between the X-axis or Y-axis is the reference axis of the alignment mark and the
図5は、本実施形態の半導体装置の概略断面図で、図6は基板W表面の模式図である。本実施形態の基板Wである半導体装置は、図5に示すように、SOI構造を有し、半導体基板(バルクウェハ)101に形成されている。以下に、その構成について述べる。 FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of the semiconductor device of this embodiment, and FIG. 6 is a schematic view of the surface of the substrate W. The semiconductor device which is the substrate W of this embodiment has an SOI structure and is formed on a semiconductor substrate (bulk wafer) 101 as shown in FIG. The configuration will be described below.
半導体基板101には素子103が形成されており、素子103は半導体基板101の表面101a側に形成されている。ここで、半導体基板101としては、シリコンウェハ、または、炭化シリコンウェハからなるものを用いることができる。また、表面101aには、図6に示すように素子単位、CMOSのウェル単位、または、回路単位でスクライブライン203が形成され、これらの領域を区画している。また、素子103としては、例えば、CMOS、バイポーラトランジスタ、パワートランジスタ等を形成することができる。
An
次に、図5に示すように、素子(デバイス)103が形成された半導体基板101の表面101aに対して接着剤107を用いて支持用の支持基板108を接着する。これは、後述の工程において、半導体基板101の損傷を防ぐためである。ここで、支持用の支持基板108としては、例えば、シリコンウェハ、ガラス基板、セラミック基板、メタル基板、テープ部材等を用いることができるが、本実施例ではガラス基板が用いられる。なお、この支持基板Wは半導体基板101より外径が大きく形成されている。
Next, as shown in FIG. 5, a
この状態で、支持基板108側を支持し半導体基板101の裏面101b側から半導体基板101の厚みを薄くする(以下、薄厚化という)。薄厚化の方法は、まず、研削で薄くし、その後、化学機械研磨で研磨する。ここで、研磨剤としては、例えば、有機系のアルカリ溶液にコロイダルシリカを混入させたものを用い、また、研磨布としては、ポリエステル不織布を用いることができる。
In this state, the
ステージ移動機構51は、実際のパターン描画時には、基板Wの支持基板108を支持する。即ち、基板Wの裏面101bを上側に向けた状態で、この裏面101bに対して事前に塗布されたレジスト等の塗布膜に対して、光学ヘッド3から基板W上に光ビームを照射する。
The
図6を参照し、基板Wであるウェハは、複数の露光領域201をもち、各露光領域201は、格子状のスクライブライン領域203によって囲まれている。該スクライブライン領域203は、それぞれ長方形の外形をもつ各露光領域202の各辺にそれぞれ隣接する帯状部分203aと、帯状部分203aと各露光領域202との間の境界線領域203bをもち、各帯状部分203aは基板Wの中心に相当する位置に1個の位置決め用のアライメントマーク204と、周縁に相当する位置に1個の位置決め用のアライメントマーク205を備えている。各アライメントマーク204、205は一辺約0.1mmの多層膜反射層からなる。該多層膜反射層は、蒸着等の方法によって形成され、赤外線を効率よく反射するものである。
Referring to FIG. 6, the wafer as the substrate W has a plurality of
以下、図7と図8のフローチャートを参照して処理動作を説明する。図8はパターン描画装置1の動作を説明するフローチャート、図8は本発明の一実施形態である基板位置決め方法を説明するフローチャートである。
The processing operation will be described below with reference to the flowcharts of FIGS. FIG. 8 is a flowchart for explaining the operation of the
パターン描画装置1では、露光制御部41からの指令に応じて基板Wが基板収納用カセット、プリアライメント部および基板受渡領域に位置するステージ5の間で搬送される(ステップS1、S2、S3)。
In the
その後、ステージ移動機構51によりステージ5がカメラ6の直下位置に移動して基板W上の各アライメントマーク(基準マーク)を順番にカメラ6の撮像可能位置に位置決めし、カメラ6によるマーク撮像が実行されプリアライメント(ステップS4)とファインアライメント(ステップS5)とが実行される。カメラ6から出力される画像信号は電装ラック内の画像処理ユニット9により処理され、アライメントマークのステージ5上の位置が正確に求められる。ここで、ステージ5を光学ヘッド3の直下位置に移動させた後に当該アライメントを行ってもよい。
Thereafter, the
プリアライメント処理とファインアライメント処理について図8を参照して更に説明する。図8のフローチャートは、基板Wが、プリアライメント部でメカアライメント処理によってメカニカルなプリメカアライメント(ステップS2)が行われてステージ5に装着され(ステップS3)、カメラ6を用いて行われるプリアライメント処理を説明している。最初に基板Wとステージ5の回転中心のズレを補正するセンタリングをする(ステップS11)。センタリング処理を行うことで次に続く基板Wの位置決めは、回転補正だけで行えるというメリットがある。
The pre-alignment process and fine alignment process will be further described with reference to FIG. In the flowchart of FIG. 8, the substrate W is mechanically pre-mechanically aligned (step S <b> 2) by a mechanical alignment process in the pre-alignment unit and mounted on the stage 5 (step S <b> 3), and pre-alignment is performed using the
最初に基板Wの回転中心位置のアライメントマーク204が、カメラ6で基板Wの裏面101b側から赤外線で半導体基板101を透過して、低倍で観察される(ステップS12)。すなわち、初めにアライメントマーク204を低倍で撮像して基板Wの回転中心位置を求め、この処理の結果を用いて、アライメントマーク204位置の目標であるステージ5の回転中心に対するX方向のずれとY方向のずれを算出する(ステップS13)。
First, the
ここで、カメラ6による倍率の低倍とは、アライメントマーク204を人が視認した大きさより5倍の大きさに撮像できる倍率である。カメラ6による基板Wの撮像領域は一部の限られた領域であり、基板Wの全体を撮像可能な視野範囲を有するカメラとするのは装置構造を大きくしてしまうので基板W全体よりは小さい領域が撮像範囲であるカメラを用いる。よって、このカメラ6による倍率は、アライメントマーク204の存在が認識でき、基板Wがステージ5に対してズレて載置された時にアライメントマーク204が存在する領域を含む大きさの領域が撮像範囲に入る程度に設定される。よって、プリメカアライメント工程によるズレが大きいほど、カメラ6による撮像範囲を予め大きくしておく必要がある。
Here, the low magnification of the magnification by the
次に、得られた画像の中央位置に、基板W上のアライメントマーク204の像が位置する関係になるように、カメラ6に対する基板Wの位置関係に対する直交2軸方向(X、Y方向)のズレ量を検出し、このズレ量を補正する。このとき、位置合わせの対象となる基板Wに、回転方向のズレが生じていると、上記のような直交2軸方向の座標移動のみでは、正確な位置合わせができないので、その前段階として、基板Wの回転補正を行う必要がある(ステップS16、S17)。アライメントマーク204は予め基板Wの回転中心位置に配置されている情報に基づいて、得られた画像の中央位置とのズレを検出しているので、アライメントマーク204の画像情報が基板中心位置情報として画像処理ユニット9によって判断され、露光制御部41を介してステージ移動機構51が制御される。よって、ここまでの動作が本発明の第一位置移動工程に相当する。
Next, two orthogonal directions (X and Y directions) with respect to the positional relationship of the substrate W with respect to the
この時、アライメントマーク204が検出されない時は、図示しない表示部にエラー表示を行い(ステップS15)、装置1を待機モードとする。なお、ステージ移動機構51の設定された所定量の動作によりアライメントマーク204が検出されるまで、ステージ移動機構51の調整動作を繰り返すようにしてもよい。例えば、カメラ6の視野領域の半分のピッチを設定して、半ピッチずつX軸移動からY軸移動を繰り返す探索動作を行うように設定していてもよい。
At this time, if the
ここで、カメラ6の撮像範囲が小さく、倍率が高くなるとアライメントマーク204が撮像範囲に入らなくなる可能性が高くなる。一方、図5に示すような基板Wの場合、支持基板108に半導体基板101を接着する段階でズレが発生する。更に、支持基板108が半導体基板101より大きく形成されているため、メカアライメント処理を行っても、ステージ5への載置段階で基板Wの配置のズレが助長される。言い換えると、このセンタリング工程におけるカメラ6の撮像倍率は、このような観点からも後述するファインアライメント工程よりは低い倍率で、アライメントマーク204が撮像範囲に入ることを優先して設定されることが好ましい。
Here, if the imaging range of the
なお、アライメントマーク204は基板Wの回転中心位置に配置されているが、基板Wの回転中心位置情報が決定されるのなら、必ずしも回転中心に配置されてなくてもよい。即ち、回転中心近傍に配置されているアライメントマーク204から事前に設定されたシフト量より基板Wの回転中心位置情報が画像処理で探索されるものであればアライメントマーク204として機能する。この場合、予めそのようなアライメントマークを有する基板表面の画像情報からシフト量を検出しておけばよい。
The
次に、アライメントマーク205がカメラ6で撮像可能な位置にステージ5を移動し、基板Wの端部のアライメントマーク205を検出する(ステップS18)。ここでアライメントマーク204と205の距離は遠いので、基板Wをステージ5に置いた際のθ成分の影響をうける。よって、アライメントマーク205の検出でセンタリング後の基板Wのズレ角を補正する。なお、アライメントマーク205の撮像に際してステージ5を移動させたが、カメラ6を移動するように構成してもよい。
Next, the
アライメントマーク205の撮像にあたり、アライメントマーク205が検出されない時は、アライメントマーク204に対する検出工程(ステップS14)と同様に図示しない表示部にエラー表示を行(ステップS15)、装置1を待機モードとする。
When imaging the
ステップS20において、アライメントマーク205の位置を計測し、その計測結果に基づいて基板Wの回転角度位置を補正する。即ち、基板Wをセンタリング後の基板Wを回転させてアライメントマーク205が2軸方向に目標位置に位置されるように回転される。アライメントマーク205は、基板Wがセンタリングされていれば基板Wの端部において目標位置に位置していることとなる。よって、予め基板Wの端部位置に配置されている情報に基づいて、得られた画像の目標位置とのズレを検出しているので、アライメントマーク205の画像情報が基板端部位置情報として画像処理ユニット9によって判断され、露光制御部41を介してステージ移動機構51が制御される。
In step S20, the position of the
つづいて、ステップS21において、移動誤差補正をセットする。基板位置決め動作においては、基板Wの回転角度補正処理動作の後に、続いて移動誤差である傾斜角度補正処理動作が行われる。なお、カメラ6の倍率は低倍率の5倍のままである。
Subsequently, in step S21, movement error correction is set. In the substrate positioning operation, the rotation angle correction processing operation of the substrate W is followed by the tilt angle correction processing operation that is a movement error. Note that the magnification of the
カメラ6によって撮像された基板Wのスクライブライン領域203の拡大多階調画像を画像処理ユニット9に取り込む。画像処理ユニット9に取り込まれた画像は、前記したようにカメラ6を介して撮影された画像であるため、基板Wにおけるスクライブライン領域203の境界線領域203bであるエッジで、その階調値が変化する。よって、予め基板Wの回転中心位置から端部のスクライブライン領域203の位置情報を画像処理ユニット9に登録しておき、この登録情報と撮像画像のスクライブライン領域203の情報とを比較することで以後の処理を行う。
An enlarged multi-gradation image of the
基板W表面を撮像し、得られた画像の所定位置(例えば画像の中央位置)に、基板W上の端部の所要個所、例えばスクライブライン領域203の境界線領域203bの線状の像が位置する関係になるように、カメラ6に対する基板Wの位置関係に対する直交2軸方向(X,Y方向)のズレ量を検出し、このズレ量を補正する。このとき、位置あわせの対象となる基板Wはセンタリングが行われているので、境界線領域203bは傾斜していることとなる。そのため、この傾斜角度を補正するために、基板Wの回転補正を行う必要がある(ステップS22)。よって、アライメントマーク205による基板端部位位置情報を用いて回転角度補正を行う工程と、境界線領域203bによるスクライブライン情報を用いて傾斜角度補正を行う工程までが、本発明の第二位置移動工程に相当する。
An image of the surface of the substrate W is taken, and a linear image of a required portion at an end on the substrate W, for example, the
撮像画像の中からスクライブライン領域203の境界線領域203bを検出する方法として、いわゆる2値化処理と称される方法が知られている。この方法は、基板W表面を撮影した多階調画像を、例えばモード法と呼ばれる手法で設定した階調値を閾値に設定して、2値画像に変換することで、画像中の境界線領域203bを検出するものである。
As a method for detecting the
いわゆるモード法は、撮像画像の階調値ヒストグラムが双峰性を示す場合に、ピーク間の谷部分に閾値THを設定し、これによって撮像画像を2値化処理することによって境界線領域203bを検出している。このようにして境界線領域203bが検出されると、2値化処理された撮像画像に対して、パターン認識の手法を駆使してこの境界線領域203bを有する基板Wとカメラ6との回転角度誤差が算出され、その誤差を打ち消すように、基板Wを載置するステージ5が駆動される。そして、これらの位置情報に基づきθ軸駆動部51Tが作動してステージ5を鉛直軸回りに微小回転させて基板Wへのパターン描画に適した向きとして光学ヘッド3との位置関係がアライメント(位置合わせ)される。
In the so-called mode method, when the gradation value histogram of the captured image shows bimodality, a threshold value TH is set in the valley portion between the peaks, and thereby the
こうして3組のマーク位置情報を計算できたら、基板Wをステージ5に載置してプリメカアライメント処理を行った際のθ成分と中心のずれの補正量を決定することができる。従って、次に高倍率処理を行うアライメントマーク204の位置の計測においては、マークの目標位置が補正されているので低倍で観察する必要はない。即ち、カメラ6の撮像範囲を高い倍率で撮像してもアライメントマーク204が見つからないことがほとんどなくなる。ここで、前工程の倍率である5倍よりは高い倍率である、20倍の高倍率に設定されて撮像が行われる(ステップS22)。
If the three sets of mark position information can be calculated in this way, the correction amount of the θ component and the center deviation when the substrate W is placed on the
そして、ステップS23において、ステージ5を移動しカメラ6で再度、基板Wの回転中心位置が撮像位置とされる。その位置でセットされた高倍率にてアライメントマーク204を撮像し、基板Wの中心位置情報としてアライメントマーク204の重心位置を計算して当該アライメントマークの補正移動量を決定するファインアライメント処理を行う(ステップS5)。なお、図6に示されるアライメントマーク204は、ファインアライメント処理時においてより誤検出をしにくくした形状のマークであり、図示の様に正方形とする。
In step S23, the
この正方形のアライメントマーク204が基板Wの回転中心位置に位置決めされているが、高倍率で撮像し、重心位置を求めることで、この重心位置が得られた画像の中央位置に位置する関係になるように、カメラ6に対する基板Wの位置関係に対する直交2軸方向(X、Y方向)のズレ量を検出し、このズレ量を補正する。このとき、位置合わせの対象となる予め登録された撮像画像の中心位置が重心位置と一致するように画像処理ユニット9に設定される。そして、このステップS23において、アライメントマーク204の重心位置情報による基板中心位置情報を用いて基板Wの位置補正を行う工程が本発明の第三位置移動工程に相当する。
The
なお、ここでアライメントマーク204の撮像にあたり、アライメントマーク204が検出されない時は(ステップS24)、前述の検出工程(ステップS14)と同様に図示しない表示部にエラー表示を行(ステップS15)、装置1を待機モードとする。
Here, when the
以上のように、ステップS18において、図6で示したアライメントマーク205とスクライブライン領域203の境界線領域203bの位置を計測し、ステップS20において、その計測結果に基づいて基板Wの回転角度補正を補正する。つづいて、ステップS21において、傾斜角度補正をセットする。そして、ステップS22において、セットされた高倍率にて撮像し、アライメントマーク204の重心位置を計算して当該アライメントマークの位置を決定する。即ち、重心計算でマークの精密な位置を求める。
As described above, in step S18, the position of the
この方法を使うと、従来、複数のアライメント計測で複数のアライメントマークを必要としたが、少なくとも2個のアライメントマークで実行できる。その結果、アライメント計測における処理時間が減少し、アライメント時間を短縮できる。更に、カメラ6の撮像手段も撮像範囲が広範な視野角を有するカメラを用いなくとも装置を構成できる。また、プリアライメント工程ではマークを低倍率で撮像するためマークの検出が早く行われ、大きくズレが補正された後のファインアライメントにおいて高倍率で撮像してもマークを早く見つけることができるとともに、高倍率での精密な位置情報をもって位置合せを行なうことが出来る。
When this method is used, a plurality of alignment marks are conventionally required for a plurality of alignment measurements. However, this method can be executed with at least two alignment marks. As a result, the processing time in alignment measurement is reduced, and the alignment time can be shortened. Furthermore, the image pickup means of the
なお、アライメントマーク位置を求める方法は、2値化処理に限らず、例えば、マークの輪郭を抽出し、パターンマッチングする方法など様々な方法が有る。 The method for obtaining the alignment mark position is not limited to the binarization process, and there are various methods such as a method for extracting the contour of the mark and performing pattern matching.
また、ファインアライメント処理において、アライメントマーク204の重心位置を検出して、この重心位置が得られた画像の中央位置に位置する関係になるように位置補正を行うが、高倍率で撮像しているので、アライメントマーク204の図形からX軸とY軸の方向を示す情報を抽出して、予め登録した図形情報と比較することでズレ量を検出する工程を追加してもよい。こうすることでより精密な位置合せを行なうことができる。
In the fine alignment process, the position of the center of gravity of the
図7に戻って、メカプリアライメント処理によるメカニカルなアライメント(ステップS2)が済み、ステージ5上に乗せられた基板W(ステップS3)に対して、図8に示す手順のプリアライメント(ステップS4)とファインアライメントが行われる(ステップS5)。こうして基板Wの位置決めを終えると、この基板Wのステージ5上のズレ量が補正された位置情報に基づいて、光学ヘッド3を用いてパターンを基板Wに焼きつける露光処理が開始される(ステップS6)。
Returning to FIG. 7, mechanical alignment by mechanical pre-alignment processing (step S2) is completed, and pre-alignment of the procedure shown in FIG. 8 (step S4) is performed on the substrate W (step S3) placed on the
パターン描画装置1では、光学ヘッド3が基板Wの主走査方向の端部上方まで到達すると、基板Wの移動が停止される。そして、基板Wを副走査方向に所定距離だけ移動した後、基板Wの主走査方向への移動が開始され、基板Wが連続的に移動する間、光学ヘッド3の高さ調整および光ビームのON/OFF制御が継続して行われる。基板Wを副走査方向に移動しつつ、上記の処理が繰り返され、基板Wの全体にパターンが描画されるとパターン描画処理が完了する。
In the
こうして、基板W上の描画が終了して基板Wの表面への所望パターンの描画が完了すると、ステージ5は描画済み基板Wを載置したまま基板受渡位置(図1および図2の左側領域)に移動した後、基板搬送ロボットにより基板Wがカセットへと戻され、次の基板Wが取り出されて上記したと同様の一連の処理が繰り返される。さらに、カセットに収納されている全ての基板Wに対するパターン描画が終了すると、カセットがパターン描画装置1から搬出される。
Thus, when drawing on the substrate W is completed and drawing of a desired pattern on the surface of the substrate W is completed, the
上記の実施形態では、アライメントメーク204、205として専用に形成したマークを用いたが、基板Wの表面101aにおいて光学的に検出可能な形状、例えば露光領域201内の構造をアライメントマークとし利用してもよい。即ち、光学的に検出可能な形状であれば、予めその形状をアライメントマークとして登録することで位置情報を得ることができる。
In the above embodiment, marks formed exclusively for the alignment make 204 and 205 are used. However, a shape that is optically detectable on the
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。 Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made.
パターン描画装置1における処理対象は、表示装置用のガラスの基板以外に、半導体基板やプリント配線基板等の他の基板(もちろん、矩形でなくてもよい。)であってもよい。また、パターン描画装置1における位置検出装置としての機能は、パターン描画以外の用途に用いられてもよく、例えばパターン検査に用いることが可能である。この場合、基板上のパターンを撮像するカメラ部の位置に対応付けられた基準点に対する基板の相対位置が検出される。
In addition to the glass substrate for the display device, the
1 パターン描画装置
2 基台
21 ヘッド支持部
211、212、221、222 脚部材
213 梁部材
3 光学ヘッド
41 露光制御部
5 ステージ
51 ステージ移動機構
6 カメラ
8 コンピュータ
9 画像処理ユニット
108 支持基板
203 スクライブライン領域
204、205 アライメントマーク
W 基板
DESCRIPTION OF
Claims (3)
(A)前記少なくとも2個のマークのうち前記基板の回転中心位置に設けられたマークを低い倍率で撮像して得た基板中心位置情報に基づいて、前記基板の回転中心位置と前記基板を保持するステージの回転中心位置との、水平方向の位置ずれを検出し、
前記基板の位置を補正するべく前記ステージを水平面に沿って移動する第一位置移動工程と、
(B)前記第一位置移動工程の後で、
前記少なくとも2個のマークのうち前記基板の端部に設けられたマークを撮像して得た基板端部位置情報に基づいて、前記基板の位置を補正すべく前記ステージを鉛直軸周りに回転し、
前記基板の表面に設けられたスクライブライン領域を撮像して得た当該スクライブライン領域の位置情報と、前記撮像の前に予め登録された前記スクライブライン領域の位置情報とを比較することで、前記基板の位置を補正すべく前記ステージを鉛直軸周りに回転する第二位置移動工程と、
(C)前記第一位置移動工程と前記第二位置移動工程とにより移動された前記基板の前記少なくとも2個のマークのうち前記基板の前記回転中心位置に設けられた前記マークを前記低い倍率よりも高い倍率で撮像して得た基板中心位置情報に基づいて前記基板の位置を補正すべく前記ステージを移動する第三位置移動工程と、
を備えた基板位置決め方法。 A substrate positioning method for positioning a substrate provided with at least two marks that can be used for positioning measurement,
(A) The rotation center position of the substrate and the substrate are held based on substrate center position information obtained by imaging the mark provided at the rotation center position of the substrate among the at least two marks at a low magnification. Detecting the horizontal displacement from the rotation center position of the stage
A first position moving step of moving the stage along a horizontal plane to correct the position of the substrate;
(B) After the first position moving step,
The stage is rotated around the vertical axis to correct the position of the substrate based on the substrate edge position information obtained by imaging the mark provided at the edge of the substrate among the at least two marks. ,
By comparing the position information of the scribe line area obtained by imaging the scribe line area provided on the surface of the substrate with the position information of the scribe line area registered in advance before the imaging, A second position moving step of rotating the stage around a vertical axis to correct the position of the substrate;
(C) from the first position moving step and the said low magnification the mark provided on the rotation center position of the substrate of the at least two marks of the substrate that has been moved by the second position moving step and a third position moving step of moving the stage to correct the position of the substrate based on substrate center position information obtained by imaging at high magnification,
A substrate positioning method comprising:
前記第一位置移動工程における前記撮像は、前記基板の前記回転中心位置に設けられた前記マークを、前記基板の裏面側から赤外線で前記基板を透過して前記低い倍率で観察する撮像であることを特徴とする基板位置決め方法。 In the substrate positioning method according to claim 1 or 2 ,
The imaging in the first position movement step is an imaging in which the mark provided at the rotation center position of the substrate is observed through the substrate with infrared rays from the back side of the substrate and observed at the low magnification. A substrate positioning method.
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