JP5342672B2 - Semiconductor detector interpolation apparatus and method - Google Patents

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Description

本発明は、例えば医療用の核医学検査に用いるガンマ線イメージングや工業用のガンマ線による非破壊検査、観測衛星などのX線半導体イメージング装置に用いる半導体検出器の補間装置及びその方法に関する。   The present invention relates to an interpolating apparatus for a semiconductor detector used in an X-ray semiconductor imaging apparatus such as a gamma-ray imaging used for medical nuclear medicine inspection, a non-destructive inspection using industrial gamma-rays, and an observation satellite, and a method therefor.

ガンマ線イメージングには、半導体検出器が用いられている。この半導体検出器は、ガンマ線を検出し、そのエネルギ信号を出力する。この半導体検出器には、1つの半導体チップが用いられている。この半導体チップには、多数のピクセル型半導体素子が縦横方向に設けられている。これらピクセル型半導体素子は、それぞれガンマ線を検出してエネルギ信号を出力する。又、ピクセル型半導体素子は、位置識別信号を出力する。これらピクセル型半導体素子は、それぞれ各画素に対応し、これら半導体素子から出力される各エネルギ信号は、それぞれ各画素値(ピクセルデータ)として求められる。   A semiconductor detector is used for gamma ray imaging. This semiconductor detector detects gamma rays and outputs an energy signal thereof. One semiconductor chip is used for this semiconductor detector. In this semiconductor chip, a large number of pixel-type semiconductor elements are provided in the vertical and horizontal directions. Each of these pixel type semiconductor elements detects gamma rays and outputs an energy signal. The pixel type semiconductor element outputs a position identification signal. Each of these pixel-type semiconductor elements corresponds to each pixel, and each energy signal output from these semiconductor elements is obtained as each pixel value (pixel data).

しかしながら、これらピクセル型半導体素子は、現状ではそれぞれ各画素値のばらつきが大きい。このため、全ての画素値の平均値を求め、画素値が平均値よりもかけ離れている場合には、当該画素を欠損と判断してその画素値を捨てるか、又は欠損画素の周りの各画素の値を用いて欠損画素の値を補間して求めている。   However, these pixel-type semiconductor elements currently have large variations in pixel values. For this reason, if the average value of all the pixel values is obtained and the pixel value is far from the average value, the pixel is judged to be missing and the pixel value is discarded, or each pixel around the missing pixel Is used to interpolate the missing pixel value.

半導体検出器中において欠損画素の数が多くなると、半導体検出器から出力されるエネルギ信号から取得される画像データの画質が低下する。画像データの画質低下が大きい場合、半導体検出器は不良品として使用できない。一方、ピクセル型半導体素子は、製造面での歩留まりが悪い。性能の良いピクセル型半導体素子のみを選択すると、ピクセル型半導体素子そのもののコストが高くなる。このような状況の下、現状のピクセル型半導体素子をより良く有効に用いる手法の要望がある。   When the number of defective pixels increases in the semiconductor detector, the image quality of the image data acquired from the energy signal output from the semiconductor detector decreases. When the image quality degradation of the image data is large, the semiconductor detector cannot be used as a defective product. On the other hand, the pixel-type semiconductor element has a poor manufacturing yield. If only a pixel-type semiconductor element with good performance is selected, the cost of the pixel-type semiconductor element itself increases. Under such circumstances, there is a demand for a method for using the current pixel type semiconductor device more effectively.

特開平11−337645号公報JP 11-337645 A

本発明の目的は、現状のピクセル型半導体素子をより良く有効に用いることができる半導体検出器の補間装置及びその方法を提供することにある。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an interpolation apparatus and method for a semiconductor detector, which can use the current pixel type semiconductor device better and effectively.

本発明は、複数の半導体素子により各画素を形成する半導体検出器を備えた放射線イメージング装置において、前記各半導体素子からそれぞれ出力される放射線のエネルギ強度分布を示すエネルギスペクトラムデータとしての各エネルギ信号の形を解析する解析部と、前記解析部による前記エネルギスペクトラムデータの解析結果に基づいて前記各半導体素子の性能を3つに分類する分類部と、前記3つの分類結果のうち前記各半導体素子の性能が低いと分類される2つの前記分類の前記各画素の値をそれぞれ補間処理する補正部とを具備すThe present invention provides a radiation imaging apparatus having a semiconductor detector forming each pixel by a plurality of semiconductor elements, each energy signal as an energy spectrum data showing the energy intensity distribution of the radiation output from each of the respective semiconductor elements An analysis unit for analyzing the shape , a classification unit for classifying the performance of each semiconductor element into three based on an analysis result of the energy spectrum data by the analysis unit, and among the three classification results, and a correction unit for each interpolation the value of each pixel of the two said classification performance is classified as low.

本発明は、放射線イメージング装置に備えられ、複数の半導体素子により各画素を形成する半導体検出器の補間方法において、前記各半導体素子からそれぞれ出力される放射線のエネルギ強度分布を示すエネルギスペクトラムデータとしての各エネルギ信号の形を解析し、前記エネルギスペクトラムデータの解析結果に基づいて前記各半導体素子の性能を3つに分類し、前記3つの分類結果のうち前記各半導体素子の性能が低いと分類される2つの前記分類の前記各画素の値をそれぞれ補間処理する。 The present invention relates to an interpolation method for a semiconductor detector provided in a radiation imaging apparatus, wherein each pixel is formed by a plurality of semiconductor elements, as energy spectrum data indicating the energy intensity distribution of radiation output from each semiconductor element. Analyzing the shape of each energy signal, classifying the performance of each semiconductor element into three based on the analysis result of the energy spectrum data, and classifying the performance of each semiconductor element as low among the three classification results. The values of the respective pixels of the two classifications are interpolated.

本発明によれば、現状のピクセル型半導体素子をより良く有効に用いることができる半導体検出器の補間装置及びその方法を提供できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the interpolation apparatus and method of a semiconductor detector which can use the present pixel type semiconductor element better and effectively can be provided.

本発明に係るガンマ線イメージング装置に用いられる半導体検出器の補間装置の一実施の形態を示す構成図。The block diagram which shows one Embodiment of the interpolation apparatus of the semiconductor detector used for the gamma ray imaging apparatus which concerns on this invention. 同装置のピクセル・エネルギスペクトラム解析装置により取得される理想の半導体検出器の画素値を示す模式図。The schematic diagram which shows the pixel value of the ideal semiconductor detector acquired by the pixel energy spectrum analyzer of the apparatus. 同装置のピクセル・エネルギスペクトラム解析装置により取得される実際の半導体検出器の画素値を示す模式図。The schematic diagram which shows the pixel value of the actual semiconductor detector acquired by the pixel energy spectrum analyzer of the apparatus. 同装置の分類装置による各画素(ピクセル型半導体素子)の正常、注意及び欠損ピクセルの分類を示す模式図。The schematic diagram which shows the classification | category of the normal, attention, and defect pixel of each pixel (pixel type semiconductor device) by the classification device of the same apparatus. 同装置の分類装置による注意ピクセル内の分類を示す模式図。The schematic diagram which shows the classification | category in the attention pixel by the classification device of the apparatus. 同装置の分類装置による分類結果を記憶するデータテーブルの模式図。The schematic diagram of the data table which memorize | stores the classification result by the classification device of the apparatus. 同装置の補間処理装置による補間処理の説明をするための注目画素及び周辺画素を示す模式図。The schematic diagram which shows the attention pixel and peripheral pixel for demonstrating the interpolation process by the interpolation processing apparatus of the apparatus. 同装置の補間処理装置に用いる重み付けデータの模式図。The schematic diagram of the weighting data used for the interpolation processing apparatus of the apparatus. 同装置の補間処理装置による補間処理の具体例を説明するための模式図。The schematic diagram for demonstrating the specific example of the interpolation process by the interpolation processing apparatus of the apparatus.

以下、本発明の一実施の形態について図面を参照して説明する。
図1は半導体検出器の補間装置の構成図を示す。半導体検出器1は、複数のピクセル型半導体素子1aを縦横方向に配置して成る。この半導体検出器1は、例えば医療用の核医学検査に用いるガンマ線イメージング装置に用いられる。各ピクセル型半導体素子1aは、それぞれガンマ線gを検出してエネルギ信号を出力する。この半導体検出器1には、面線源2が対向して設けられる。この面線源2は、複数のピクセル型半導体素子1aの性能を分類するときに半導体検出器1に対向して設けられる。この面線源2は、ガンマ線gを対向する面に対して均一に放射する。これにより、半導体検出器1には、均一なガンマ線gが入射する。この半導体検出器1は、面線源2から放射されたガンマ線gを各ピクセル型半導体素子1aで検出し、これらピクセル型半導体素子1aから各エネルギ信号e1を出力する。これらエネルギ信号e1は、均一性測定データとしてピクセル・エネルギスペクトラム解析装置3に送られる。又、各エネルギ信号e1は、エネルギスペクトラムデータとしてピクセル・エネルギスペクトラム解析装置3に送られる。エネルギスペクトラムデータは、ガンマ線gのエネルギ強度の分布を示す。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 shows a configuration diagram of an interpolation device for a semiconductor detector. The semiconductor detector 1 is formed by arranging a plurality of pixel-type semiconductor elements 1a in the vertical and horizontal directions. This semiconductor detector 1 is used for a gamma ray imaging apparatus used for a medical nuclear medicine examination, for example. Each pixel type semiconductor element 1a detects a gamma ray g and outputs an energy signal. The semiconductor detector 1 is provided with a surface ray source 2 facing the semiconductor detector 1. The surface ray source 2 is provided to face the semiconductor detector 1 when classifying the performance of the plurality of pixel type semiconductor elements 1a. The surface ray source 2 emits gamma rays g uniformly to the opposing surface. As a result, uniform gamma rays g are incident on the semiconductor detector 1. The semiconductor detector 1 detects gamma rays g emitted from the surface source 2 with each pixel type semiconductor element 1a, and outputs each energy signal e1 from the pixel type semiconductor element 1a. These energy signals e1 are sent to the pixel energy spectrum analyzer 3 as uniformity measurement data. Each energy signal e1 is sent to the pixel energy spectrum analyzing apparatus 3 as energy spectrum data. The energy spectrum data indicates the energy intensity distribution of the gamma ray g.

一方、半導体検出器1は、例えば医療用の核医学検査に用いるガンマ線イメージング装置に設けられて核医学検査を行う場合、人体等の被検体内に投与された薬品からのガンマ線gを各ピクセル型半導体素子1aで検出し、これらピクセル型半導体素子1aから各エネルギ信号e1を出力する。   On the other hand, the semiconductor detector 1 is provided, for example, in a gamma-ray imaging apparatus used for a medical nuclear medicine examination and performs gamma-ray g from a medicine administered into a subject such as a human body for each pixel type. Detection is performed by the semiconductor element 1a, and each energy signal e1 is output from the pixel type semiconductor element 1a.

ピクセル・エネルギスペクトラム解析装置3は、半導体検出器1の各ピクセル型半導体素子1aから出力される各エネルギ信号e1を解析する。このピクセル・エネルギスペクトラム解析装置3は、半導体検出器1の各ピクセル型半導体素子1aから出力される各エネルギ信号e1を収集してカウントし、この収集カウント値から各画素値(ピクセルデータ)を求める。   The pixel energy spectrum analyzer 3 analyzes each energy signal e1 output from each pixel type semiconductor element 1a of the semiconductor detector 1. The pixel energy spectrum analyzer 3 collects and counts each energy signal e1 output from each pixel type semiconductor element 1a of the semiconductor detector 1, and obtains each pixel value (pixel data) from the collected count value. .

半導体検出器1が理想の半導体検出器であり、全てのピクセル型半導体素子1aから正常な各エネルギ信号が出力されていれば、図2に示すように半導体検出器1の全ての画素の値は、一定の値、例えば「100」となる。同図では半導体検出器1の各画素を1aとしている。この画素1aの値「100」は、半導体検出器1における全ての画素数の例えば2分の1乃至3分の2の画素の値の平均値であって、説明が分かり易いように仮に画素値「100」にしており、「50」又は「30」でもよい。実際の半導体検出器1は、各画素1a毎にばらつきがあり、例えば図3に示すように画素値「100」「0」「50」「140」「1000」等の値をとる。   If the semiconductor detector 1 is an ideal semiconductor detector and normal energy signals are output from all the pixel-type semiconductor elements 1a, the values of all the pixels of the semiconductor detector 1 are as shown in FIG. A constant value, for example, “100”. In the figure, each pixel of the semiconductor detector 1 is denoted by 1a. The value “100” of the pixel 1a is an average value of, for example, one-half to two-thirds of the total number of pixels in the semiconductor detector 1, and is assumed to be a pixel value for easy understanding. It is “100” and may be “50” or “30”. The actual semiconductor detector 1 varies for each pixel 1a, and takes values such as pixel values “100” “0” “50” “140” “1000” as shown in FIG.

ピクセル・エネルギスペクトラム解析装置3は、各ピクセル型半導体素子1aから出力される各エネルギ信号e1の形をカーブ解析してディスプレイ等に表示したり、各エネルギ信号e1のピーク位置、このピーク位置のカウント値、半値幅(FWHM)を解析する。   The pixel energy spectrum analyzer 3 analyzes the shape of each energy signal e1 output from each pixel type semiconductor element 1a on a display or the like, displays the peak position of each energy signal e1, and counts the peak positions. Analyze value, half width (FWHM).

分類装置4は、ピクセル・エネルギスペクトラム解析装置3の解析結果、例えば図3に示す半導体検出器1の画素ごとの各画素値に基づいて各ピクセル型半導体素子1aの性能をそれぞれ少なくとも3つに分類(以下、ピクセル分類と称する)する。この分類装置4は、3つに分類として例えば各ピクセル型半導体素子1aの性能が正常である第1の分類と、ピクセル型半導体素子1aから出力されるエネルギ信号e1を補正すれば使用可能とする第2の分類と、ピクセル型半導体素子1aから出力されるエネルギ信号e1の補正が不可能で異常である第3の分類とにピクセル分類する。   The classification device 4 classifies the performance of each pixel type semiconductor element 1a into at least three based on the analysis result of the pixel energy spectrum analysis device 3, for example, each pixel value for each pixel of the semiconductor detector 1 shown in FIG. (Hereinafter referred to as pixel classification). This classification device 4 can be used by correcting the first classification in which the performance of each pixel type semiconductor element 1a is normal and the energy signal e1 output from the pixel type semiconductor element 1a as three classifications, for example. The pixels are classified into the second classification and the third classification in which the energy signal e1 output from the pixel type semiconductor element 1a cannot be corrected and is abnormal.

具体的に第1の分類C1は、ピクセル型半導体素子1aからエネルギ信号e1が正常に出力され、画像毎のエネルギーウィンドウ設定やエネルギ信号e1の強度を補正することにより正常な画像を取得できる。この第1の分類C1は、図4に示すように半導体検出器1における全ての画素数の例えば2分の1乃至3分の2の画素の値の平均値AVを中間値としてそれを跨いで設定された画素値範囲である。第1の分類C1の画素は、正常ピクセルと称する。
第2の分類C2は、第1の分類C1と比較してエネルギ分解能やエネルギ信号e1の強度のばらつきが大きいが、当該画素の周辺の複数の画素値を用いて補間処理することにより画像の取得を可能とする。この第2の分類C2は、図4に示すように第1の分類C1の画素値範囲よりも正負側に画素値が大きく設定された各画素値範囲である。第2の分類C2の画素は、注意ピクセルと称する。
第3の分類C3は、ピクセル型半導体素子1aからエネルギ信号e1が出力されない、又は常に異常なレベルのエネルギ信号e1が出力され続けられている。この第3の分類C3は、図4に示すように第2の分類C2の画素値範囲よりも正負側に画素値が大きく設定された各画素値範囲である。第3の分類C3の画素は、データに応じた出力信号を全く出せない画素で、欠損ピクセルと称する。
Specifically, in the first classification C1, the energy signal e1 is normally output from the pixel-type semiconductor element 1a, and a normal image can be acquired by correcting the energy window setting for each image and the intensity of the energy signal e1. In the first classification C1, as shown in FIG. 4, the average value AV of the values of, for example, one-half to two-thirds of all the numbers of pixels in the semiconductor detector 1 is set as an intermediate value and straddles it. This is the set pixel value range. The pixels of the first classification C1 are referred to as normal pixels.
The second classification C2 has a large variation in energy resolution and intensity of the energy signal e1 compared to the first classification C1, but an image is acquired by performing interpolation using a plurality of pixel values around the pixel. Is possible. The second classification C2 is each pixel value range in which the pixel value is set larger on the positive and negative side than the pixel value range of the first classification C1 as shown in FIG. The pixels of the second category C2 are referred to as attention pixels.
In the third classification C3, the energy signal e1 is not output from the pixel-type semiconductor element 1a, or the energy signal e1 having an abnormal level is continuously output. The third category C3 is each pixel value range in which the pixel value is set larger on the positive and negative side than the pixel value range of the second category C2, as shown in FIG. The pixel of the third classification C3 is a pixel that cannot output an output signal corresponding to data at all, and is called a defective pixel.

分類装置4は、第2の分類C2に分類されたピクセル型半導体素子1aを、この第2の分類C2の画素値範囲内においてピクセル型半導体素子1aの性能の程度に応じてさらに複数の段階にピクセル分類する。この分類装置4は、図5に示すように第2の分類C2の各画素値範囲内をそれぞれ例えば3段階d1、d2、d3にピクセル分類する。第1段階d1は、第2の分類C2の各画素値範囲内で第1の分類C1の画素値範囲に隣接する。第2段階d2は、第2の分類C2の各画素値範囲内の中間に設定される。第3段階d3は、第2の分類C2の各画素値範囲内で第3の分類C3の各画素値範囲に隣接する。   The classification device 4 further converts the pixel type semiconductor element 1a classified in the second classification C2 into a plurality of stages in accordance with the performance level of the pixel type semiconductor element 1a within the pixel value range of the second classification C2. Classify pixels. As shown in FIG. 5, the classification device 4 classifies pixels within the pixel value range of the second classification C2 into, for example, three stages d1, d2, and d3. The first stage d1 is adjacent to the pixel value range of the first classification C1 within each pixel value range of the second classification C2. The second stage d2 is set in the middle of each pixel value range of the second classification C2. The third stage d3 is adjacent to each pixel value range of the third category C3 within each pixel value range of the second category C2.

分類装置4は、メモリ5を備える。この分類装置4は、第1、第2又は第3の分類C1、C2、C3にピクセル分類した結果をデータテーブル化してメモリ5に記憶する。なお、メモリ5には、第2の分類C2と第3の分類C3とに分類した結果のみを記憶してもよい。図6はデータテーブル10の模式図を示す。このデータテーブル10は、複数の欄10aを縦横方向に配列して形成されており、各欄10aが半導体検出器1の各画素1aに対応する。ここで、第1の分類C1にピクセル分類した画素1aを符号「0」とし、第2の分類C2にピクセル分類した画素1aを符号「1」とし、第3の分類C3にピクセル分類した画素1aを符号「2」としている。データテーブル10の各欄10aは、半導体検出器1の各画素1aに対応するので、欄10aの位置から画素の座標(x,y)が分かる。   The classification device 4 includes a memory 5. The classification device 4 stores the result of pixel classification in the first, second, or third classification C1, C2, C3 in the memory 5 in a data table. Note that the memory 5 may store only the results of the classification into the second classification C2 and the third classification C3. FIG. 6 is a schematic diagram of the data table 10. The data table 10 is formed by arranging a plurality of columns 10 a in the vertical and horizontal directions, and each column 10 a corresponds to each pixel 1 a of the semiconductor detector 1. Here, the pixel 1a pixel-classified into the first classification C1 is designated as “0”, the pixel 1a classified into the second classification C2 is designated as “1”, and the pixel 1a is classified into the third classification C3. Is denoted by “2”. Since each column 10a of the data table 10 corresponds to each pixel 1a of the semiconductor detector 1, the coordinates (x, y) of the pixel can be known from the position of the column 10a.

データテーブル10は、「x座標、y座標、ピクセル分類」のように記述してもよい。例えば「0,2,符号0」であれば、x座標が「0」でy座標が「2」の画素は、正常ピクセルである。「10,25,符号1」であれば、x座標が「10」でy座標が「25」の画素は、注意ピクセルである。「20,20,符号2」であれば、x座標が「20」でy座標が「20」の画素は、欠損ピクセルである。「30,10,符号1」であれば、x座標が「30」でy座標が「10」の画素は、注意ピクセルである。   The data table 10 may be described as “x coordinate, y coordinate, pixel classification”. For example, if “0, 2, code 0”, a pixel having an x coordinate of “0” and a y coordinate of “2” is a normal pixel. In the case of “10, 25, code 1”, a pixel whose x coordinate is “10” and y coordinate is “25” is a caution pixel. In the case of “20, 20, code 2”, a pixel whose x coordinate is “20” and y coordinate is “20” is a defective pixel. In the case of “30, 10, code 1”, a pixel whose x coordinate is “30” and y coordinate is “10” is a caution pixel.

データテーブル10は、予め設定されたx座標、y座標の順序に従ってピクセル分類を記述してもよい。例えば、「0,0,1,0,0,2,2,0,0,0,2,……,0」である。この場合、(x,y)座標は、「(x1,y1),(x1,y2)(x1,y3)…(xn,ym)」である。なお、データテーブル10のフォーマットは、各画素のxy座標とピクセル分類とが分かればよいので、如何なるフォーマットでもよい。   The data table 10 may describe pixel classifications according to a preset order of x coordinate and y coordinate. For example, “0, 0, 1, 0, 0, 2, 2, 0, 0, 0, 2,..., 0”. In this case, the (x, y) coordinates are “(x1, y1), (x1, y2) (x1, y3)... (Xn, ym)”. Note that the format of the data table 10 may be any format as long as the xy coordinates and pixel classification of each pixel are known.

データテーブル10は、ピクセル分類の結果として第1、第2又は第3の分類C1、C2、C3に限らず、第2の分類C2の各画素値範囲内をピクセル分類した結果の例えば3段階d1、d2、d3も記憶する。これら3段階d1、d2、d3の分類結果は、例えば図6に示す該当する座標の各欄10aに記憶される。   The data table 10 is not limited to the first, second, or third classification C1, C2, C3 as a result of the pixel classification, for example, three stages d1 of the result of pixel classification within each pixel value range of the second classification C2. , D2, and d3 are also stored. The classification results of these three stages d1, d2, and d3 are stored in each column 10a of the corresponding coordinates shown in FIG. 6, for example.

補間処理装置6は、分類装置4のピクセル分類結果のうちピクセル型半導体素子1aの性能が低いと分類された例えば第2の分類C2と第3の分類C3の各画素の値をそれぞれ補間処理する。例えば、補間処理装置6は、図7に示すように各画素p1、p2、…、p9のうち注目画素p5の画素値と、この注目画素p5の周囲に配置されている複数の周辺画素p1、p2、p3、p4、p6、p7、p8、p9の各画素値との平均値処理を行い、この平均値を注目画素p5に補間する。この場合、補間処理装置6は、注目画素p5が第2の分類C2に分類された注意ピクセルであれば、注目画素p5を平均値処理に含める。又、補間処理部6は、注目画素p5が第3の分類C3に分類された欠損ピクセルであれば、注目画素p5を平均値処理から除く。   The interpolation processing device 6 interpolates, for example, the values of the respective pixels of the second classification C2 and the third classification C3 that are classified as having a low performance of the pixel type semiconductor element 1a among the pixel classification results of the classification device 4. . For example, as illustrated in FIG. 7, the interpolation processing device 6 includes a pixel value of the target pixel p5 among the pixels p1, p2,..., P9 and a plurality of peripheral pixels p1, which are arranged around the target pixel p5, An average value process is performed on the pixel values of p2, p3, p4, p6, p7, p8, and p9, and this average value is interpolated to the target pixel p5. In this case, the interpolation processing device 6 includes the target pixel p5 in the average value process if the target pixel p5 is the attention pixel classified into the second classification C2. Further, the interpolation processing unit 6 excludes the target pixel p5 from the average value processing if the target pixel p5 is a missing pixel classified into the third classification C3.

補間処理装置6は、図7に示すように注目画素p5の画素値と複数の周辺画素p1、p2、p3、p4、p6、p7、p8、p9の各画素値とに対して重み付けを行う。例えば、補間処理装置6は、第2の分類C2内で3段階d1、d2、d3に分類された各ピクセル型半導体素子1aに対応する各画素値のうち注目画素p5の画素値と複数の周辺画素p1、p2、p3、p4、p6、p7、p8、p9の各画素値とに対して重み付けを行い、この重み付けされた各画素値に対して平均値処理を行う。   As shown in FIG. 7, the interpolation processing device 6 weights the pixel value of the target pixel p5 and the pixel values of the plurality of peripheral pixels p1, p2, p3, p4, p6, p7, p8, and p9. For example, the interpolation processing device 6 includes the pixel value of the pixel of interest p5 and a plurality of surroundings among the pixel values corresponding to the pixel-type semiconductor elements 1a classified into the three stages d1, d2, and d3 in the second classification C2. The pixel values of the pixels p1, p2, p3, p4, p6, p7, p8, and p9 are weighted, and the average value processing is performed on the weighted pixel values.

補間処理装置6には、重み付けデータメモリ7が接続されている。この重み付けデータメモリ7には、重み付けデータが記憶されている。図8(a)(b)(c)は重み付けデータG1、G2、G3の一例の模式図を示す。これら重み付けデータG1、G2、G3は、第2の分類C2内をさらに3段階d1、d2、d3にピクセル分類された各画素に対して重み付けするもので、各段階d1、d2、d3に応じて重み付け値が異なる。   A weighting data memory 7 is connected to the interpolation processing device 6. The weighting data memory 7 stores weighting data. FIGS. 8A, 8B, and 8C are schematic diagrams illustrating examples of the weighting data G1, G2, and G3. These weighting data G1, G2, and G3 are for weighting each pixel classified into three stages d1, d2, and d3 in the second classification C2, and according to each stage d1, d2, and d3. The weight value is different.

図8(a)に示す重み付けデータG1は、第2の分類C2内の第1段階d1に分類されたピクセル型半導体素子1aに対応する画素を注目画素として重み付けを行う。この重み付けデータG1は、注目画素に対する重みを周辺画素の重みよりも大きく設定されている。第1段階d1は、第1の分類C1の正常ピクセルに接して設けられている。従って、注目画素に対する正確度が正常ピクセルと近似して扱える。これにより、注目画素に対する重みを周辺画素の重みよりも大きく設定し、注目画素に対する寄与率を大きくしている。   The weighting data G1 shown in FIG. 8A weights the pixel corresponding to the pixel type semiconductor element 1a classified in the first stage d1 in the second classification C2 as a target pixel. In the weighting data G1, the weight for the target pixel is set to be larger than the weights of the surrounding pixels. The first stage d1 is provided in contact with the normal pixels of the first classification C1. Therefore, the accuracy with respect to the target pixel can be treated as being approximate to that of a normal pixel. Thereby, the weight for the pixel of interest is set larger than the weight of the surrounding pixels, and the contribution ratio for the pixel of interest is increased.

同図(b)に示す重み付けデータG2は、第2の分類C2内の第2段階d2に分類されたピクセル型半導体素子1aに対応する画素を注目画素として重み付けを行う。この重み付けデータG2は、注目画素と周辺画素との重みを同一に設定している。
同図(c)に示す重み付けデータG3は、第2の分類C2内の第3段階d3に分類されたピクセル型半導体素子1aに対応する画素を注目画素として重み付けを行う。この重み付けデータG3は、注目画素に対する重みを周辺画素の重みよりも小さく設定されている。
The weighting data G2 shown in FIG. 6B weights the pixel corresponding to the pixel type semiconductor element 1a classified in the second stage d2 in the second classification C2 as a target pixel. In this weighting data G2, the weights of the target pixel and the peripheral pixels are set to be the same.
The weighting data G3 shown in FIG. 6C weights the pixel corresponding to the pixel type semiconductor element 1a classified in the third stage d3 in the second classification C2 as a target pixel. In the weighting data G3, the weight for the target pixel is set to be smaller than the weights of the surrounding pixels.

第3段階d3は、第3の分類C3の欠損ピクセルに接して設けられている。従って、注目画素に対する正確度が欠損ピクセルと近似して扱える。これにより、注目画素に対する重みを周辺画素の重みよりも小さく設定し、注目画素に対する寄与率を小さくしている。 The third stage d3 is provided in contact with the missing pixel of the third classification C3. Accordingly, the accuracy with respect to the target pixel can be treated as being approximate to that of the defective pixel. Thereby, the weight for the pixel of interest is set smaller than the weight of the surrounding pixels, and the contribution rate to the pixel of interest is reduced.

補間処理装置6は、補間処理した被検体の画像Sを生成する、すなわち放射線の分布画像を生成する画像生成部として機能する。   The interpolation processing device 6 functions as an image generation unit that generates an image S of the subject subjected to the interpolation processing, that is, generates a radiation distribution image.

一方、例えば医療用の核医学検査に用いるガンマ線イメージング装置に設けられて核医学検査を行う場合、半導体検出器1は、人体等の被検体内に投与された薬品からのガンマ線gを各ピクセル型半導体素子1aで検出し、これらピクセル型半導体素子1aから各エネルギ信号e1を出力する。データ収集装置8は、各ピクセル型半導体素子1aから出力される各エネルギ信号e1を収集してカウントし、この収集カウント値から被検体の画像の各画素値(ピクセルデータ)を求める。
均一性補正装置9は、被検体の画像の各画素値に対して例えば感度の均一性の補正を行い、均一性補正の行われた被検体の画像を補間処理装置6に送る。
On the other hand, for example, when a nuclear medicine examination is performed by being provided in a gamma ray imaging apparatus used for medical nuclear medicine examination, the semiconductor detector 1 uses gamma rays g from a medicine administered into a subject such as a human body for each pixel type. Detection is performed by the semiconductor element 1a, and each energy signal e1 is output from the pixel type semiconductor element 1a. The data collection device 8 collects and counts each energy signal e1 output from each pixel type semiconductor element 1a, and obtains each pixel value (pixel data) of the image of the subject from the collected count value.
The uniformity correction device 9 performs, for example, sensitivity uniformity correction on each pixel value of the subject image, and sends the subject image subjected to the uniformity correction to the interpolation processing device 6.

次に、上記の如く構成された装置による半導体検出器1に対する補間処理について説明する。
面線源2は、ガンマ線gを均一に面放射する。半導体検出器1は、均一なガンマ線gを各ピクセル型半導体素子1aで検出し、これらピクセル型半導体素子1aから各エネルギ信号e1を出力する。これらエネルギ信号e1は、均一性測定データとしてピクセル・エネルギスペクトラム解析装置3に送られる。
Next, an interpolation process for the semiconductor detector 1 by the apparatus configured as described above will be described.
The surface ray source 2 uniformly emits gamma rays g. The semiconductor detector 1 detects a uniform gamma ray g by each pixel type semiconductor element 1a, and outputs each energy signal e1 from these pixel type semiconductor elements 1a. These energy signals e1 are sent to the pixel energy spectrum analyzer 3 as uniformity measurement data.

このピクセル・エネルギスペクトラム解析装置3は、半導体検出器1の各ピクセル型半導体素子1aから出力される各エネルギ信号e1を収集してカウントし、この収集カウント値から各画素値(ピクセルデータ)を求める。   The pixel energy spectrum analyzer 3 collects and counts each energy signal e1 output from each pixel type semiconductor element 1a of the semiconductor detector 1, and obtains each pixel value (pixel data) from the collected count value. .

ピクセル・エネルギスペクトラム解析装置3は、半導体検出器1の各ピクセル型半導体素子1aから出力される各エネルギ信号e1を解析する。このピクセル・エネルギスペクトラム解析装置3は、半導体検出器1の各ピクセル型半導体素子1aから出力される各エネルギ信号e1を収集してカウントし、この収集カウント値から各画素値(ピクセルデータ)を求める。図3は半導体検出器1の各画素の値を示し、例えば各画素値「100」「0」「50」「140」「1000」等のように各画素間にばらつきがある。なお、ピクセル・エネルギスペクトラム解析装置3は、各ピクセル型半導体素子1aから出力される各エネルギ信号e1の形をカーブ解析してディスプレイ等に表示したり、各エネルギ信号e1のピーク位置、このピーク位置のカウント値、半値幅(FWHM)を解析する。   The pixel energy spectrum analyzer 3 analyzes each energy signal e1 output from each pixel type semiconductor element 1a of the semiconductor detector 1. The pixel energy spectrum analyzer 3 collects and counts each energy signal e1 output from each pixel type semiconductor element 1a of the semiconductor detector 1, and obtains each pixel value (pixel data) from the collected count value. . FIG. 3 shows the value of each pixel of the semiconductor detector 1, and there are variations among the pixels, for example, the pixel values “100” “0” “50” “140” “1000”, and the like. The pixel energy spectrum analyzer 3 analyzes the shape of each energy signal e1 output from each pixel type semiconductor element 1a and displays it on a display or the like, or displays the peak position of each energy signal e1 and this peak position. The count value and half-value width (FWHM) are analyzed.

分類装置4は、ピクセル・エネルギスペクトラム解析装置3の解析結果、例えば図3に示す半導体検出器1の各画素の画素値を受け取り、これら画素を3つにピクセル分類、例えば図4に示すように各ピクセル型半導体素子1aの性能が正常である第1の分類C1と、ピクセル型半導体素子1aから出力されるエネルギ信号e1を補正すれば使用可能とする第2の分類C2と、ピクセル型半導体素子1aから出力されるエネルギ信号e1の補正が不可能で異常である第3の分類C3とにピクセル分類する。このうち第1の分類C1の画素は、正常ピクセルである。第2の分類C2の画素は、注意ピクセルである。第3の分類C3の画素は、欠損ピクセルである。   The classification device 4 receives the analysis result of the pixel energy spectrum analysis device 3, for example, the pixel value of each pixel of the semiconductor detector 1 shown in FIG. 3, and classifies these pixels into three pixels, for example, as shown in FIG. The first classification C1 in which the performance of each pixel type semiconductor element 1a is normal, the second classification C2 that can be used by correcting the energy signal e1 output from the pixel type semiconductor element 1a, and the pixel type semiconductor element The pixel classification is made into the third classification C3 in which the energy signal e1 output from 1a cannot be corrected and is abnormal. Of these, the pixels of the first classification C1 are normal pixels. The pixels of the second category C2 are attention pixels. The pixel of the third classification C3 is a defective pixel.

分類装置4は、第2の分類C2に分類されたピクセル型半導体素子1aを、この第2の分類C2の画素値範囲内においてピクセル型半導体素子1aの性能の程度に応じてさらに複数の段階にピクセル分類する。この分類装置4は、図5に示すように第2の分類C2の各画素値範囲内をそれぞれ例えば3段階d1、d2、d3にピクセル分類する。この分類装置4は、第1、第2又は第3の分類C1、C2、C3にピクセル分類した結果を例えば図6に示すようにデータテーブル化してメモリ5に記憶すると共に、第2の分類C2の各画素値範囲内をピクセル分類した結果の例えば3段階d1、d2、d3もメモリ5に記憶する。   The classification device 4 further converts the pixel type semiconductor element 1a classified in the second classification C2 into a plurality of stages in accordance with the performance level of the pixel type semiconductor element 1a within the pixel value range of the second classification C2. Classify pixels. As shown in FIG. 5, the classification device 4 classifies pixels within the pixel value range of the second classification C2 into, for example, three stages d1, d2, and d3. The classification device 4 converts the pixel classification results into the first, second, or third classification C1, C2, and C3 into a data table as shown in FIG. 6, for example, and stores it in the memory 5 as well as the second classification C2. For example, three stages d1, d2, and d3 of the result of pixel classification within each pixel value range are also stored in the memory 5.

一方、例えば医療用の核医学検査に用いるガンマ線イメージングに設けられて核医学検査を行う場合、半導体検出器1は、人体等の被検体内に投与された薬品からのガンマ線gを各ピクセル型半導体素子1aで検出し、これらピクセル型半導体素子1aから各エネルギ信号e1を出力する。データ収集装置8は、各ピクセル型半導体素子1aから出力される各エネルギ信号e1を収集してカウントし、この収集カウント値から被検体の画像の各画素値(ピクセルデータ)を求める。均一性補正装置9は、被検体の画像の各画素値に対して例えば感度の均一性の補正を行い、均一性補正の行われた被検体の画像を補間処理装置6に送る。   On the other hand, for example, when performing a nuclear medicine examination provided in gamma-ray imaging used for medical nuclear medicine examination, the semiconductor detector 1 uses gamma rays g from a medicine administered into a subject such as a human body for each pixel type semiconductor. It detects with the element 1a and outputs each energy signal e1 from these pixel type semiconductor elements 1a. The data collection device 8 collects and counts each energy signal e1 output from each pixel type semiconductor element 1a, and obtains each pixel value (pixel data) of the image of the subject from the collected count value. The uniformity correction device 9 performs, for example, sensitivity uniformity correction on each pixel value of the subject image, and sends the subject image subjected to the uniformity correction to the interpolation processing device 6.

補間処理装置6は、均一性補正装置9により均一性補正された被検体の画像を受け取り、この画像に対して分類装置4によるピクセル分類結果のうちピクセル型半導体素子1aの性能が低いと分類された例えば第2の分類C2と第3の分類C3の各画素の値をそれぞれ補間処理する。例えば、補間処理装置6は、図7に示すように各画素p1、p2、…、p9のうち注目画素p5の画素値と、この注目画素p5の周囲に配置されている複数の周辺画素p1、p2、p3、p4、p6、p7、p8、p9の各画素値との平均値処理を行い、この平均値を注目画素p5に補間する。この場合、補間処理装置6は、注目画素p5が第2の分類C2に分類された注意ピクセルであれば、注目画素p5を平均値処理に含める。又、補間処理部6は、注目画素p5が第3の分類C3に分類された欠損ピクセルであれば、注目画素p5を平均値処理から除く。   The interpolation processing device 6 receives the image of the subject whose uniformity has been corrected by the uniformity correction device 9, and is classified as having a low performance of the pixel type semiconductor element 1a in the pixel classification result by the classification device 4 for this image. For example, each pixel value of the second classification C2 and the third classification C3 is interpolated. For example, as illustrated in FIG. 7, the interpolation processing device 6 includes a pixel value of the target pixel p5 among the pixels p1, p2,..., P9 and a plurality of peripheral pixels p1, which are arranged around the target pixel p5, An average value process is performed on the pixel values of p2, p3, p4, p6, p7, p8, and p9, and this average value is interpolated to the target pixel p5. In this case, the interpolation processing device 6 includes the target pixel p5 in the average value process if the target pixel p5 is the attention pixel classified into the second classification C2. Further, the interpolation processing unit 6 excludes the target pixel p5 from the average value processing if the target pixel p5 is a missing pixel classified into the third classification C3.

ここで、補間処理の具体的な例について説明する。図9は半導体検出器1における各ピクセル型半導体素子1aに対応する各画素p1、p2、…、p9を示す。同図では第1乃至第4の領域H1〜H4に対する補間処理を説明する。これら領域H1〜H4において各画素は、便宜上、符号p1、p2、…、p9により示す。
先ず、第1の領域H1において画素p5が注目画素となり、各画素p1、p2、p3、p4、p6、p7、p8、p9が周辺画素になる。注目画素p5が注意ピクセルに分類されると、補間処理装置6は、注目画素p5に対する補間処理を行うとき注目画素p5を含めて平均値処理を行う。すなわち注目画素p5に対する補間処理は、
(p1+p2+p3+p4+p5+p6+p7+p8+p9)/9.0 …(1)
を計算し、この計算値を注目画素p5の画素値として注目画素p5に入れ替える。なお、上記式(1)において各画素p1、p2、p3、p4、p5、p6、p7、p8、p9は画素値を示すものとする。
注目画素p5が欠損ピクセルに分類されると、補間処理装置6は、注目画素p5に対する補間処理を行うとき注目画素p5を除いて平均値処理を行う。すなわち注目画素p5に対する補間処理は、
(p1+p2+p3+p4+p6+p7+p8+p9)/8.0 …(2)
を計算し、この計算値を注目画素p5の画素値として注目画素p5に入れ替える。
Here, a specific example of the interpolation process will be described. FIG. 9 shows each pixel p1, p2,..., P9 corresponding to each pixel type semiconductor element 1a in the semiconductor detector 1. In the figure, an interpolation process for the first to fourth regions H1 to H4 will be described. In the regions H1 to H4, each pixel is denoted by reference numerals p1, p2,.
First, in the first region H1, the pixel p5 is a target pixel, and the pixels p1, p2, p3, p4, p6, p7, p8, and p9 are peripheral pixels. When the target pixel p5 is classified as a target pixel, the interpolation processing device 6 performs an average value process including the target pixel p5 when performing the interpolation process on the target pixel p5. That is, the interpolation process for the pixel of interest p5 is
(P1 + p2 + p3 + p4 + p5 + p6 + p7 + p8 + p9) /9.0 (1)
And the calculated value is replaced with the target pixel p5 as the pixel value of the target pixel p5. In the above formula (1), each pixel p1, p2, p3, p4, p5, p6, p7, p8, and p9 represents a pixel value.
When the target pixel p5 is classified as a defective pixel, the interpolation processing device 6 performs an average value process except for the target pixel p5 when performing the interpolation process on the target pixel p5. That is, the interpolation process for the pixel of interest p5 is
(P1 + p2 + p3 + p4 + p6 + p7 + p8 + p9) /8.0 (2)
And the calculated value is replaced with the target pixel p5 as the pixel value of the target pixel p5.

次に、第2の領域H2は、周辺に画像の境界がある場合である。この第2の領域H2において画素p5が注目画素となり、各画素p4、p7、p8が周辺画素になる。注目画素p5が注意ピクセルに分類されると、補間処理装置6は、注目画素p5に対する補間処理を行うとき注目画素p5を含めて平均値処理を行う。すなわち注目画素p5に対する補間処理は、
(p4+p5+p7+p8)/4.0 …(3)
を計算し、この計算値を注目画素p5の画素値として注目画素p5に入れ替える。
注目画素p5が欠損ピクセルに分類されると、補間処理装置6は、注目画素p5に対する補間処理を行うとき注目画素p5を除いて平均値処理を行う。すなわち注目画素p5に対する補間処理は、
(p4+p7+p8)/3.0 …(4)
を計算し、この計算値を注目画素p5の画素値として注目画素p5に入れ替える。
Next, the second region H2 is a case where there is an image boundary in the periphery. In the second region H2, the pixel p5 is a target pixel, and the pixels p4, p7, and p8 are peripheral pixels. When the target pixel p5 is classified as a target pixel, the interpolation processing device 6 performs an average value process including the target pixel p5 when performing the interpolation process on the target pixel p5. That is, the interpolation process for the pixel of interest p5 is
(P4 + p5 + p7 + p8) /4.0 (3)
And the calculated value is replaced with the target pixel p5 as the pixel value of the target pixel p5.
When the target pixel p5 is classified as a defective pixel, the interpolation processing device 6 performs an average value process except for the target pixel p5 when performing the interpolation process on the target pixel p5. That is, the interpolation process for the pixel of interest p5 is
(P4 + p7 + p8) /3.0 (4)
And the calculated value is replaced with the target pixel p5 as the pixel value of the target pixel p5.

次に、第3の領域H3は、周辺に欠損ピクセルがある場合である。ここではp6を欠損ピクセルとする。第3の領域H3において画素p5が注目画素となり、各画素p1、p2、p3、p4、p6、p7、p8、p9が周辺画素になる。注目画素p5が注意ピクセルに分類されると、補間処理装置6は、注目画素p5に対する補間処理を行うとき注目画素p5を含めて平均値処理を行う。なお、欠損ピクセルp6は、除かれる。すなわち注目画素p5に対する補間処理は、
(p1+p2+p3+p4+p5+p7+p8+p9)/8.0 …(5)
を計算し、この計算値を注目画素p5の画素値として注目画素p5に入れ替える。
注目画素p5が欠損ピクセルに分類されると、補間処理装置6は、注目画素p5に対する補間処理を行うとき注目画素p5を除いて平均値処理を行う。欠損ピクセルp6も除かれる。すなわち注目画素p5に対する補間処理は、
(p1+p2+p3+p4+p7+p8+p9)/7.0 …(6)
を計算し、この計算値を注目画素p5の画素値として注目画素p5に入れ替える。
Next, the third region H3 is a case where there are missing pixels in the periphery. Here, p6 is a missing pixel. In the third region H3, the pixel p5 is the target pixel, and the pixels p1, p2, p3, p4, p6, p7, p8, and p9 are peripheral pixels. When the target pixel p5 is classified as a target pixel, the interpolation processing device 6 performs an average value process including the target pixel p5 when performing the interpolation process on the target pixel p5. Note that the missing pixel p6 is excluded. That is, the interpolation process for the pixel of interest p5 is
(P1 + p2 + p3 + p4 + p5 + p7 + p8 + p9) /8.0 (5)
And the calculated value is replaced with the target pixel p5 as the pixel value of the target pixel p5.
When the target pixel p5 is classified as a defective pixel, the interpolation processing device 6 performs an average value process except for the target pixel p5 when performing the interpolation process on the target pixel p5. The missing pixel p6 is also removed. That is, the interpolation process for the pixel of interest p5 is
(P1 + p2 + p3 + p4 + p7 + p8 + p9) /7.0 (6)
And the calculated value is replaced with the target pixel p5 as the pixel value of the target pixel p5.

次に、第4の領域H4は、周辺に画像の境界があると共に、周辺に欠損ピクセルがある場合である。ここではp1、p7を欠損ピクセルとする。第4の領域H4において画素p5が注目画素となり、各画素p1、p2、p4、p5、p7、p8が周辺画素になる。注目画素p5が注意ピクセルに分類されると、補間処理装置6は、注目画素p5に対する補間処理を行うとき注目画素p5を含めて平均値処理を行う。なお、欠損ピクセルp1、p7は、除かれる。すなわち注目画素p5に対する補間処理は、
(p2+p4+p5+p8)/4.0 …(7)
を計算し、この計算値を注目画素p5の画素値として注目画素p5に入れ替える。
注目画素p5が欠損ピクセルに分類されると、補間処理装置6は、注目画素p5に対する補間処理を行うとき注目画素p5を除いて平均値処理を行う。欠損ピクセルp1、p7も除かれる。すなわち注目画素p5に対する補間処理は、
(p2+p4+p8)/3.0 …(8)
を計算し、この計算値を注目画素p5の画素値として注目画素p5に入れ替える。
Next, the fourth region H4 is a case where there are image boundaries in the periphery and missing pixels in the periphery. Here, let p1 and p7 be defective pixels. In the fourth region H4, the pixel p5 is the target pixel, and the pixels p1, p2, p4, p5, p7, and p8 are peripheral pixels. When the target pixel p5 is classified as a target pixel, the interpolation processing device 6 performs an average value process including the target pixel p5 when performing the interpolation process on the target pixel p5. Note that the missing pixels p1 and p7 are excluded. That is, the interpolation process for the pixel of interest p5 is
(P2 + p4 + p5 + p8) /4.0 (7)
And the calculated value is replaced with the target pixel p5 as the pixel value of the target pixel p5.
When the target pixel p5 is classified as a defective pixel, the interpolation processing device 6 performs an average value process except for the target pixel p5 when performing the interpolation process on the target pixel p5. The missing pixels p1, p7 are also removed. That is, the interpolation process for the pixel of interest p5 is
(P2 + p4 + p8) /3.0 (8)
And the calculated value is replaced with the target pixel p5 as the pixel value of the target pixel p5.

又、補間処理装置6は、図7に示すように注目画素p5の画素値と複数の周辺画素p1、p2、p3、p4、p6、p7、p8、p9の各画素値とに対して重み付けを行う。なお、上記補間処理の具体的な説明は、重み付けが注目画素p5と、各周辺画素p1、p2、p3、p4、p6、p7、p8、p9に対して全て「1」である。すなわち、図8(b)に示す重み付けデータG2を用いたのと同一である。   Further, as shown in FIG. 7, the interpolation processing device 6 weights the pixel value of the target pixel p5 and the pixel values of a plurality of peripheral pixels p1, p2, p3, p4, p6, p7, p8, and p9. Do. In the specific description of the interpolation process, the weighting is all “1” for the target pixel p5 and the surrounding pixels p1, p2, p3, p4, p6, p7, p8, and p9. That is, it is the same as using the weighting data G2 shown in FIG.

これに対して補間処理装置6は、例えば第2の分類C2内で3段階d1、d2、d3に分類された各ピクセル型半導体素子1aに対応する各画素値のうち注目画素p5の画素値と複数の周辺画素p1、p2、p3、p4、p6、p7、p8、p9の各画素値とに対して重み付けを行い、この重み付けされた各画素値に対して平均値処理を行う。重み付けは、重み付けデータメモリ7に記憶されている各重み付けデータG1、G2、G3を用いる。   In contrast, for example, the interpolation processing device 6 determines the pixel value of the target pixel p5 among the pixel values corresponding to the pixel type semiconductor elements 1a classified into the three stages d1, d2, and d3 in the second classification C2. A plurality of peripheral pixels p1, p2, p3, p4, p6, p7, p8, and p9 are weighted, and an average value process is performed on the weighted pixel values. For weighting, the weighting data G1, G2, and G3 stored in the weighting data memory 7 are used.

例えば、第1の領域H1において注目画素p5が図5に示す注意ピクセル中の第1段階d1に分類されると、補間処理装置6は、注目画素p5に対する補間処理を行うとき、図8(a)に示す重み付けデータG1を用いて注目画素p5の画素値と各周辺画素p1、p2、p3、p4、p6、p7、p8、p9の各画素値とを重み付けをして注目画素p5を含めて平均値処理を行う。すなわち注目画素p5に対する補間処理は、
(1・p1+1・p2+1・p3+1・p4+2・p5+1・p6
+1・p7+1・p8+1・p9)/9.0 …(9)
を計算し、この計算値を注目画素p5の画素値として注目画素p5に入れ替える。
For example, when the target pixel p5 is classified into the first stage d1 in the attention pixel shown in FIG. 5 in the first region H1, the interpolation processing device 6 performs the interpolation process on the target pixel p5 as shown in FIG. ) To weight the pixel value of the pixel of interest p5 and the pixel values of the surrounding pixels p1, p2, p3, p4, p6, p7, p8, and p9 to include the pixel of interest p5. Average value processing is performed. That is, the interpolation process for the pixel of interest p5 is
(1 ・ p1 + 1 ・ p2 + 1 ・ p3 + 1 ・ p4 + 2 ・ p5 + 1 ・ p6
+ 1 · p7 + 1 · p8 + 1 · p9) /9.0 (9)
And the calculated value is replaced with the target pixel p5 as the pixel value of the target pixel p5.

又、第1の領域H1において注目画素p5が図5に示す注意ピクセル中の第3段階d3に分類されると、補間処理装置6は、注目画素p5に対する補間処理を行うとき、図8(c)に示す重み付けデータG3を用いて注目画素p5の画素値と各周辺画素p1、p2、p3、p4、p6、p7、p8、p9の各画素値とを重み付けをして注目画素p5を含めて平均値処理を行う。すなわち注目画素p5に対する補間処理は、
(2・p1+2・p2+2・p3+2・p4+1・p5+2・p6
+2・p7+2・p8+2・p9)/9.0 …(10)
を計算し、この計算値を注目画素p5の画素値として注目画素p5に入れ替える。
しかるに、補間処理装置6は、補間処理した被検体の画像Sを生成する、すなわち放射線の分布画像を生成する。
When the target pixel p5 is classified into the third stage d3 in the attention pixel shown in FIG. 5 in the first region H1, the interpolation processing device 6 performs the interpolation process for the target pixel p5 as shown in FIG. ) To weight the pixel value of the pixel of interest p5 and the pixel values of the surrounding pixels p1, p2, p3, p4, p6, p7, p8, and p9 to include the pixel of interest p5. Average value processing is performed. That is, the interpolation process for the pixel of interest p5 is
(2 ・ p1 + 2 ・ p2 + 2 ・ p3 + 2 ・ p4 + 1 ・ p5 + 2 ・ p6
+ 2 · p7 + 2 · p8 + 2 · p9) /9.0 (10)
And the calculated value is replaced with the target pixel p5 as the pixel value of the target pixel p5.
However, the interpolation processing device 6 generates an image S of the subject subjected to the interpolation processing, that is, generates a radiation distribution image.

このように上記一実施の形態によれば、半導体検出器1の各ピクセル型半導体素子1aから出力される各エネルギ信号e1をピクセル・エネルギスペクトラム解析装置3による解析により各画素値(ピクセルデータ)を求め、これら画素値を分類装置4によって各ピクセル型半導体素子1aの性能の程度に応じた例えば第1乃至第3の分類C1、C2、C3にピクセル分類し、このうちピクセル型半導体素子1aの性能が低いと分類された例えば第2の分類C2の注意ピクセルと第3の分類C3の欠損ピクセルとの各画素の値を補間処理装置6によりそれぞれ補間処理する。   As described above, according to the above embodiment, each pixel value (pixel data) is obtained by analyzing each energy signal e1 output from each pixel type semiconductor element 1a of the semiconductor detector 1 by the pixel energy spectrum analyzer 3. The pixel values are obtained and classified by the classification device 4 into, for example, first to third classifications C1, C2, and C3 according to the performance level of each pixel type semiconductor element 1a. For example, the interpolation processing device 6 performs interpolation processing on each pixel value of the attention pixel of the second classification C2 and the missing pixel of the third classification C3 classified as low.

これにより、従来、正常ピクセルのみを用い、画素値が平均値よりもかけ離れている欠損ピクセルを捨てていたが、注意ピクセルと欠損ピクセルとに対しても、これら注意ピクセルと欠損ピクセルとの各画素値を補間処理によって入れ替えることができる。注意ピクセルに対しては、当該注意ピクセルの画素値を含めて補間処理を行い、欠損ピクセルに対しては、当該欠損ピクセルの画素値を除いて補間処理を行うことにより、注意ピクセルと欠損ピクセルとの各画素値を実際の画素値に近い値に入れ替えることができる。注意ピクセルは、正常ピクセルと比較してエネルギ分解能やエネルギ信号e1の強度のばらつきが大きいが、当該画素の周辺の複数の画素値を用いて補間処理することにより画像の取得を可能とする画素であるので、補間処理に含めることが可能である。従って、注意ピクセルや欠損ピクセルとなった性能不足のピクセル型半導体素子1aの画素値を有効に用いることができる。   As a result, conventionally, only normal pixels are used, and defective pixels whose pixel values are far from the average value are discarded. However, for each of the attention pixel and the defective pixel, each of the attention pixel and the defective pixel Values can be exchanged by interpolation processing. For the attention pixel, interpolation processing is performed including the pixel value of the attention pixel, and for the missing pixel, interpolation processing is performed by excluding the pixel value of the defective pixel. Each pixel value can be replaced with a value close to the actual pixel value. The attention pixel is a pixel that can obtain an image by performing interpolation using a plurality of pixel values around the pixel, although the energy resolution and the intensity variation of the energy signal e1 are large compared to the normal pixel. Therefore, it can be included in the interpolation process. Therefore, the pixel value of the pixel-type semiconductor element 1a with insufficient performance that is a caution pixel or a defective pixel can be used effectively.

しかるに、注意ピクセルや欠損ピクセルに分類された各画素の値が補間処理により求められ、例えば画像の取得に用いることができる。この結果、半導体検出器1中における欠損画素の数が多くなっても画像データの画質を低下させずに取得でき、現状の半導体検出器1をより良く有効に用いることができる。   However, the value of each pixel classified as a caution pixel or a defective pixel is obtained by interpolation processing, and can be used, for example, for acquiring an image. As a result, even if the number of defective pixels in the semiconductor detector 1 increases, it can be acquired without degrading the image quality of the image data, and the current semiconductor detector 1 can be used more effectively.

補間処理は、例えば図9に示すように注目画素p5の周辺に画像の境界や欠損ピクセルが無い場合の第2の領域H1や、周辺に画像の境界がある第2の領域H2、周辺に欠損ピクセルがある第3の領域H3、周辺に画像の境界があると共に、周辺に欠損ピクセルがある第4の領域H4に対してもそれぞれ注目画素p5の補間処理ができる。   For example, as shown in FIG. 9, the interpolation process is performed by using the second region H1 when there is no image boundary or missing pixel around the pixel of interest p5, the second region H2 having an image boundary around the target pixel p5, and the surrounding defect. The pixel of interest p5 can be interpolated for the third region H3 with pixels and the fourth region H4 with image boundaries in the periphery and missing pixels in the periphery.

補間処理装置6は、例えば第2の分類C2内の注意ピクセルを3段階d1、d2、d3に分類し、このうち第1段階d1の注意ピクセルに対して重み付けデータG1を用いて補間処理し、第3段階d3の注意ピクセルに対して重み付けデータG3を用いて補間処理する。第1段階d1の注意ピクセルに対して重み付けデータG1を用いることにより、注目画素に対する重みを周辺画素の重みよりも大きく設定し、注目画素に対する寄与率を大きくした補間処理ができる。第3段階d3の欠損ピクセルに対して重み付けデータG3を用いることにより、注目画素に対する重みを周辺画素の重みよりも小さく設定し、注目画素に対する寄与率を小さくした補間処理ができる。これにより、第2の分類C2内で、ピクセル型半導体素子1aの性能の程度に応じた重み付けを行って補間処理ができる。
以上のような補間処理は、半導体検出器1におけるピクセル型半導体素子1a自体やハードウエア系を変更せずに画像の画質を向上できる。又、補間処理に要する計算時間も従来と変わらない。
For example, the interpolation processing device 6 classifies the attention pixels in the second classification C2 into three stages d1, d2, and d3, and interpolates the attention pixels in the first stage d1 using the weighted data G1, An interpolation process is performed on the attention pixel in the third stage d3 using the weighting data G3. By using the weighting data G1 for the attention pixel in the first stage d1, it is possible to perform an interpolation process in which the weight for the target pixel is set larger than the weights of the surrounding pixels and the contribution ratio to the target pixel is increased. By using the weighting data G3 for the missing pixel in the third stage d3, it is possible to perform an interpolation process in which the weight for the target pixel is set smaller than the weights of the surrounding pixels and the contribution ratio to the target pixel is reduced. Thereby, interpolation processing can be performed by performing weighting in accordance with the degree of performance of the pixel type semiconductor element 1a within the second classification C2.
The interpolation processing as described above can improve the image quality without changing the pixel type semiconductor element 1a itself or the hardware system in the semiconductor detector 1. Further, the calculation time required for the interpolation processing is not different from the conventional one.

上記一実施の形態は、例えば医療用の核医学検査に用いるガンマ線イメージング装置に用いられる半導体検出器1について説明したが、これに限らず、X線等の放射線検出器にも適用できる。
補間処理は、線形補間、3次元スプライン補間等の非線形補間を用いてもよい。
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
In the above-described embodiment, for example, the semiconductor detector 1 used in the gamma-ray imaging apparatus used for the medical nuclear medicine examination has been described. However, the present invention is not limited to this and can be applied to a radiation detector such as an X-ray.
The interpolation process may use nonlinear interpolation such as linear interpolation and three-dimensional spline interpolation.
Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment as it is, and can be embodied by modifying the constituent elements without departing from the scope of the invention in the implementation stage. In addition, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of components disclosed in the embodiment. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment. Furthermore, constituent elements over different embodiments may be appropriately combined.

1:半導体検出器、1a:ピクセル型半導体素子、2:面線源、3:ピクセル・エネルギスペクトラム解析装置、4:分類装置、5:メモリ、6:補間処理装置、7:重み付けデータメモリ、8:データ収集装置、9:均一性補正装置、10:データテーブル、10a:欄。   1: Semiconductor detector, 1a: Pixel type semiconductor element, 2: Surface source, 3: Pixel energy spectrum analyzer, 4: Classification device, 5: Memory, 6: Interpolation processing device, 7: Weighted data memory, 8 : Data collection device, 9: Uniformity correction device, 10: Data table, 10a: column.

Claims (14)

複数の半導体素子により各画素を形成する半導体検出器を備えた放射線イメージング装置において、
前記各半導体素子からそれぞれ出力される放射線のエネルギ強度分布を示すエネルギスペクトラムデータとしての各エネルギ信号の形を解析する解析部と、
前記解析部による前記エネルギスペクトラムデータの解析結果に基づいて前記各半導体素子の性能を3つに分類する分類部と、
前記3つの分類結果のうち前記各半導体素子の性能が低いと分類される2つの前記分類の前記各画素の値をそれぞれ補間処理する補正部と、
を具備することを特徴とする半導体検出器の補間装置。
In a radiation imaging apparatus including a semiconductor detector that forms each pixel by a plurality of semiconductor elements,
An analysis unit for analyzing the shape of each energy signal as energy spectrum data indicating the energy intensity distribution of radiation output from each of the semiconductor elements;
A classification unit for classifying the performance of each semiconductor element into three based on the analysis result of the energy spectrum data by the analysis unit;
A correction unit that interpolates each pixel value of the two classifications classified as low performance of each of the semiconductor elements among the three classification results;
An interpolating device for a semiconductor detector, comprising:
前記解析部は、前記各半導体素子からそれぞれ出力される前記各エネルギ信号の形を解析し、かつ前記各エネルギ信号のピーク位置、当該ピーク位置のカウント値、半値幅を解析することを特徴とする請求項1記載の半導体検出器の補間装置。The analysis unit analyzes a shape of each energy signal output from each semiconductor element, and analyzes a peak position of each energy signal, a count value of the peak position, and a half value width. 2. The semiconductor detector interpolating device according to claim 1. 前記分類部は、前記エネルギスペクトラムデータの解析結果に基づいて前記複数の半導体素子のそれぞれの特性を少なくとも前記各半導体素子の性能に応じて正常である第1の分類と、当該画素の周辺の画素値を用いて補間処理することにより画像の取得を可能とする第2の分類と、当該画素値の補正が不可能で異常である第3の分類とに分類することを特徴とする請求項1記載の半導体検出器の補間装置。   The classification unit includes a first classification in which each characteristic of the plurality of semiconductor elements is normal according to at least the performance of each semiconductor element based on the analysis result of the energy spectrum data, and pixels around the pixel 2. The classification according to claim 1, wherein the second classification that enables image acquisition by performing interpolation processing using values and the third classification in which correction of the pixel value is impossible and abnormal are performed. The semiconductor detector interpolating device described. 前記分類部は、前記各半導体素子から前記エネルギ信号が正常に出力されていると当該前記各半導体素子を前記第1の分類に分類し、
当該第1の分類と比較して前記各半導体素子のエネルギ分解能や前記エネルギ信号の強度にばらつきが大きく、かつ当該画素の周辺の複数の画素値を用いて補間処理することにより画像の取得を可能とする前記各半導体素子を前記第2の分類に分類し、
前記各半導体素子から前記各エネルギ信号が出力されない、又は常に異常なレベルの前記エネルギ信号が出力され続けられている前記各半導体素子を前記第3の分類に分類する、
ことを特徴とする請求項3記載の半導体検出器の補間装置。
The classification unit classifies each semiconductor element into the first classification when the energy signal is normally output from each semiconductor element,
Compared with the first classification, the energy resolution of each semiconductor element and the intensity of the energy signal vary greatly, and an image can be acquired by performing interpolation processing using a plurality of pixel values around the pixel. And classifying each of the semiconductor elements into the second classification,
Classifying each semiconductor element to which the energy signal is not output from each semiconductor element or the energy signal of which an abnormal level is always output is continuously output into the third classification;
4. The semiconductor detector interpolating device according to claim 3, wherein:
前記第1の分類は、前記半導体検出器の全ての画素の所定割合の画素の値の平均値を中間値としてそれを跨いだ画素値範囲に設定され、
前記第2の分類は、前記第1の分類の画素値範囲よりも正負側に画素値が大きい各画素値範囲に設定され、
前記第3の分類は、前記第2の分類の画素値範囲よりも正負側に画素値が大きい各画素値範囲に設定される、
ことを特徴とする請求項4記載の半導体検出器の補間装置。
The first classification is set to a pixel value range across the average value of the pixel values of a predetermined ratio of all the pixels of the semiconductor detector as an intermediate value,
The second classification is set to each pixel value range whose pixel value is larger on the positive and negative side than the pixel value range of the first classification,
The third classification is set to each pixel value range in which the pixel value is larger on the positive and negative side than the pixel value range of the second classification.
5. The semiconductor detector interpolating device according to claim 4, wherein the interpolating device is a semiconductor detector.
前記補正部は、前記分類部の分類結果のうち少なくとも前記第2の分類と前記第3の分類とに分類された前記各画素値のうち注目画素の画素値と前記注目画素の周囲に配置されている複数の周辺画素の前記各画素値との少なくとも平均値処理を行って前記注目画素の補間処理を行い、当該補間処理の際には、前記注目画素が前記第3の分類に分類されていると当該注目画素を前記平均値処理から除くことを特徴とする請求項3記載の半導体検出器の補間装置。   The correction unit is disposed around the pixel value of the pixel of interest and the pixel of interest among the pixel values classified into at least the second classification and the third classification among the classification results of the classification unit. The pixel of interest is interpolated by performing at least an average value process with the respective pixel values of a plurality of neighboring pixels, and the pixel of interest is classified into the third classification during the interpolation process. 4. The semiconductor detector interpolating apparatus according to claim 3, wherein the pixel of interest is excluded from the average value processing. 前記分類部は、前記第2の分類に分類された前記半導体素子を、前記第2の分類内において前記各半導体素子の性能の程度に応じて複数の段階に分類することを特徴とする請求項1記載の半導体検出器の補間装置。   The said classification | category part classifies the said semiconductor element classified into the said 2nd classification into a several step according to the grade of the performance of each said semiconductor element within the said 2nd classification. 2. The semiconductor detector interpolating device according to 1. 前記分類部により少なくとも前記第2の分類と前記第3の分類とに分類された前記各半導体素子をデータテーブル化して記憶するメモリを有することを特徴とする請求項1記載の半導体検出器の補間装置。   2. The semiconductor detector interpolation according to claim 1, further comprising a memory for storing each of the semiconductor elements classified into at least the second classification and the third classification by the classification unit in a data table. apparatus. 前記データテーブルは、前記半導体素子の座標と、前記少なくとも前記第2の分類又は前記第3の分類の分類結果とから形成されることを特徴とする請求項8記載の半導体検出器の補間装置。   9. The semiconductor detector interpolation device according to claim 8, wherein the data table is formed from coordinates of the semiconductor element and a classification result of the at least the second classification or the third classification. 前記補正部は、前記注目画素の前記画素値と前記複数の周辺画素の前記各画素値とに対して重み付けを行うことを特徴とする請求項1記載の半導体検出器の補間装置。   2. The semiconductor detector interpolation device according to claim 1, wherein the correction unit performs weighting on the pixel value of the target pixel and the pixel values of the plurality of peripheral pixels. 前記補正部は、前記第2の分類内で前記複数の段階に分類された前記各半導体素子に対応する前記各画素値のうち前記注目画素の前記画素値と前記注目画素の周囲に配置されている前記複数の周辺画素の前記各画素値とに対して重み付けを行い、この重み付けされた前記各画素値に対して少なくとも平均値処理を行うことを特徴とする請求項6記載の半導体検出器の補間装置。   The correction unit is arranged around the pixel value of the pixel of interest and the pixel of interest among the pixel values corresponding to the semiconductor elements classified into the plurality of stages in the second classification. 7. The semiconductor detector according to claim 6, wherein the pixel values of the plurality of surrounding pixels are weighted, and at least an average value process is performed on the weighted pixel values. Interpolator. 前記補正部は、前記複数の段階別に前記重み付け値を異ならせることを特徴とする請求項11記載の半導体検出器の補間装置。   12. The semiconductor detector interpolating apparatus according to claim 11, wherein the correction unit varies the weighting value for each of the plurality of stages. 放射線イメージング装置に備えられ、複数の半導体素子により各画素を形成する半導体検出器の補間方法において、
前記各半導体素子からそれぞれ出力される放射線のエネルギ強度分布を示すエネルギスペクトラムデータとしての各エネルギ信号の形を解析し、
前記エネルギスペクトラムデータの解析結果に基づいて前記各半導体素子の性能を3つに分類し、
前記3つの分類結果のうち前記各半導体素子の性能が低いと分類される2つの前記分類の前記各画素の値をそれぞれ補間処理する、
ことを特徴とする半導体検出器の補間方法。
In a semiconductor detector interpolation method provided in a radiation imaging apparatus and forming each pixel by a plurality of semiconductor elements,
Analyzing the shape of each energy signal as energy spectrum data indicating the energy intensity distribution of the radiation output from each semiconductor element,
Based on the analysis result of the energy spectrum data, the performance of each semiconductor element is classified into three,
Interpolating each pixel value of the two classifications classified as low performance of each semiconductor element among the three classification results,
An interpolating method for a semiconductor detector.
前記解析は、前記各半導体素子からそれぞれ出力される前記各エネルギ信号の形を解析し、かつ前記各エネルギ信号のピーク位置、当該ピーク位置のカウント値、半値幅を解析することを特徴とする請求項13記載の半導体検出器の補間方法。The analysis includes analyzing the shape of each energy signal output from each semiconductor element, and analyzing a peak position of each energy signal, a count value of the peak position, and a half value width. Item 14. A semiconductor detector interpolation method according to Item 13.
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