JP5341381B2 - Piezoelectric vibrator, temperature sensor, and temperature measuring method - Google Patents
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Description
本発明は、温度測定センサに関し、特に、極低温から1300℃程度の高温までの広い温度範囲を一つの素子で測定可能な温度測定センサに関する。 The present invention relates to a temperature measurement sensor, and more particularly to a temperature measurement sensor capable of measuring a wide temperature range from a very low temperature to a high temperature of about 1300 ° C. with one element.
(ウェハ温度の測定方法)
半導体プロセスにおけるウェハ温度の測定手段としては、熱電対や放射温度計が広く用いられている。図12は、拡散や酸化工程に用いられる電気炉の断面図である。電気炉の本体である石英管101内のボート102上に複数のウェハ103を配列し、ヒータにより石英管101を加熱する。石英管101に挿入された熱電対104により石英管101内部の温度を測定し加熱温度を制御する。
熱電対は、接触させた異なる金属材料間に発生する熱起電力が温度依存性を持つことを利用して温度を測定するセンサである。素子間の特性のばらつきが少なく、熱起電力が安定で寿命が長いという利点があるが、測定可能な温度範囲が狭いという欠点がある。そのため、測定温度範囲によって熱電対を使い分けたり、広範囲の温度測定には複数種類の熱電対を使用する必要がある。また、図12に示すように、熱電対は、石英管101の外部に配置された電圧測定装置106とリード線105による有線の接続が必要であり、複数のウェハに熱電対を接触させて温度を測定することが困難である。そのため、ウェハ間、ウェハ内での温度のばらつきを測定することができず、拡散温度や酸化温度の精密制御ができないという問題がある。
一方、放射温度計は、有線による測定装置との接続は不要であるが、熱電対と同様にウェハと非接触で測定するために正確な温度測定ができない。また、ウェハ間、ウェハ内での温度のばらつきを測定することができないという問題がある。
特許文献1には、ウェハを複数の領域に区分し、区分された各領域に表面弾性波素子を備えた温度センサを配置し、外部の通信装置と表面弾性波素子との無線通信によりウェハの温度測定を行う温度センサが開示されている。特許文献1に開示された温度センサは、表面弾性波素子として、La3Ga5SiO14(ランガサイト)単結晶からなる振動板(圧電基板)を用い、その圧電特性の温度変化を利用して温度測定を行うものである。しかし、ランガサイトは、高温でCI値が変動し圧電特性が不安定になるため、測定可能な最高温度は1000℃程度である。そのため、半導体プロセスの中でも精密な温度制御が必要となる拡散や酸化など1000℃〜1300℃の高温工程で温度測定ができないという問題がある。
また、特許文献1に開示された表面弾性波素子は振動板の一方の面に対となる2枚の櫛型電極を配置した構造であるため、振動板の面積を小さくすることができず、温度センサの小型化が困難である。さらに、振動板の他に、整合回路とアンテナを備えているが、整合回路の耐熱性にも制限されて、高温領域での温度測定ができないという問題がある。実際に、特許文献1に記載された温度センサを使用するプロセスは、フォトリソグラフィー工程におけるプリベーキングやポストベーキングなど100℃〜200℃の比較的低い温度のプロセスであり、拡散や酸化工程のような高温プロセスではない。
(Wafer temperature measurement method)
Thermocouples and radiation thermometers are widely used as means for measuring the wafer temperature in semiconductor processes. FIG. 12 is a cross-sectional view of an electric furnace used for diffusion and oxidation processes. A plurality of
A thermocouple is a sensor that measures temperature by utilizing the temperature dependence of thermoelectromotive force generated between different metal materials in contact with each other. There are advantages in that there is little variation in characteristics between elements, the thermoelectromotive force is stable, and the lifetime is long, but there is a disadvantage that the measurable temperature range is narrow. Therefore, it is necessary to use different thermocouples depending on the measurement temperature range, or to use a plurality of types of thermocouples for a wide range of temperature measurements. In addition, as shown in FIG. 12, the thermocouple requires a wired connection with the
On the other hand, the radiation thermometer does not need to be connected to a wired measuring device, but cannot measure the temperature accurately because it measures in a non-contact manner with the wafer, like a thermocouple. In addition, there is a problem that temperature variations between wafers and within wafers cannot be measured.
In
In addition, since the surface acoustic wave element disclosed in
(振動板の固定方法)
発振回路やセンサに用いる表面弾性波素子は、振動板に対しパーティクルの付着や振動板材料の変質により振動特性が変化しないように、一般に、振動板を容器に気密封止して使用する。振動板を容器に固定する従来の方法について、図13(a)、(b)に断面図を示す表面弾性波素子の構造を用い説明する。図13(a)に示す構造は、振動板113が容器本体111に対して、振動板の両端(接続部115と接続部116)において容器に固定されている。また、特許文献2に開示された圧電振動子は、図13(b)に示すように、振動板123が容器本体121に対して、振動板の一端(接続部125)において容器に固定されている。振動板と容器の接着方法として、特許文献2では半田による接着が記載されており、他にも、金属バネや導電性接着剤で固定する方法が知られている。しかし、1000〜1300℃の高温領域で使用するためには、金属バネは高温での保持力が低下する問題があり、半田や導電性接着材は耐熱性に欠けるという問題がある。また、振動板を振動板と異なる材料の容器に振動板の一端又は両端において固定する構造では、振動板と容器の熱膨張率の差によって振動板に熱応力が発生するために、振動周波数が変動し、正確な温度の測定ができなくなる問題がある。導電性接着材を用いる場合は、熱応力が接着条件にも依存してくるので、正確な温度測定がより困難になる。
(How to fix the diaphragm)
In general, a surface acoustic wave element used for an oscillation circuit or a sensor is used by hermetically sealing a diaphragm to a container so that vibration characteristics do not change due to adhesion of particles to the diaphragm or alteration of diaphragm material. A conventional method for fixing the vibration plate to the container will be described using the structure of the surface acoustic wave device shown in cross-sectional views in FIGS. In the structure shown in FIG. 13 (a), the
(容器、導電性部材の材料)
圧電振動子を用いた温度センサの容器は、一般に、金属ハーメティックやセラミックスが用いられている。しかし、金属ハーメティックは高温で軟化するなど耐熱性に問題があり、セラミックスは気孔を数%有するために外気遮断性に欠け、外気の条件によって結晶材料が変質する可能性がある。
また、圧電振動子に取り付ける電極やリード線、端子などの導電性部材として金や銀を用いる場合、金の融点が1064℃、銀の融点が961℃であるため、1100〜1300℃の高温領域では使用できないという問題がある。
(Material for containers and conductive members)
In general, a metal sensor or ceramics is used for a container of a temperature sensor using a piezoelectric vibrator. However, metal hermetics have a problem in heat resistance, such as softening at high temperatures, and ceramics have a few percent of pores, and thus lack the ability to block outside air, and there is a possibility that the crystalline material may be altered depending on the conditions of the outside air.
Also, when using gold or silver as a conductive member such as an electrode, lead wire, or terminal to be attached to the piezoelectric vibrator, the melting point of gold is 1064 ° C and the melting point of silver is 961 ° C. There is a problem that cannot be used.
本発明は、1000℃〜1300℃の高温領域でも高精度の温度測定が可能で、測定対象物に取り付け、測定装置に無線で測定データを送信することが可能で、さらに、極低温、高温、真空、高圧などの過酷な環境下でも使用可能な温度センサを提供することを目的とする。 The present invention enables high-precision temperature measurement even in a high temperature region of 1000 ° C. to 1300 ° C., can be attached to a measurement object, and can transmit measurement data wirelessly to a measurement device. An object of the present invention is to provide a temperature sensor that can be used in harsh environments such as vacuum and high pressure.
本発明(1)は、ランタン、ガリウム、及び、アルミニウムのすべての元素を含み、さらに、タンタル、及び/又は、ニオブを含むランガサイト構造を有する酸化物結晶からなる圧電振動子とコイルとからなる共振回路を備え、前記共振回路の共振周波数が温度変化に応じて変化することを利用する温度センサであって、
容器が容器本体と蓋とからなり、前記圧電振動子が前記容器本体に固定され、前記コイルが前記蓋に固定された構造であり、
前記圧電振動子を構成する振動板が、外側板と、内側板と、前記外側板と前記内側板を接続する支持部とからなり、前記外側板と前記内側板が、前記内側板の周囲に形成された前記振動板を貫通する溝により、前記支持部を除き、隔てられ、
前記圧電振動子と前記コイル、及び、前記圧電振動子と前記コイルを電気的に接続する導電性部材が、容器の内部に気密封止され、前記外側板を介して前記圧電振動子が前記容器に固定されていることを特徴とする温度センサである。
本発明(2)は、前記圧電振動子と前記コイル、及び、前記圧電振動子と前記コイルを電気的に接続する導電性部材が、前記容器、及び、前記容器の外側に設けられた石英管の内部に気密封止され、前記圧電振動子が容器の内部に配置され、前記コイルが前記石英管の内部に配置された構造であることを特徴とする請求項1記載の温度センサである。
本発明(3)は、前記容器の内壁部における前記コイルを除く部分の一部又は全部を、白金、イリジウム、ロジウム、及び、パラジウムからなる元素群の中から選択された1種類の元素からなる単体金属、又は、2種類以上の元素からなる合金によりコーティングした構造であることを特徴とする請求項1又は2記載の温度センサである。
本発明(4)は、前記容器が、容器本体と蓋とからなり、前記容器本体と前記蓋がシリコン単結晶からなり、前記容器本体と前記蓋を接合する接合部にシリコンゲルマニウム合金からなる薄膜が形成された請求項1乃至3のいずれか1項記載の温度センサである。
本発明(5)は、前記容器本体と前記蓋の間にゲルマニウムからなる薄膜を挟着して加熱することにより、前記容器本体と前記蓋を構成するシリコン単結晶と前記薄膜を構成するゲルマニウムを反応させ、前記容器本体と前記蓋の間にシリコンゲルマニウム合金からなる薄膜を形成することにより気密封止を行うことを特徴とする請求項4記載の温度センサである。
本発明(6)は、前記圧電振動子と前記コイルを封入する容器が、容器本体と蓋とからなり、前記容器本体と前記蓋が石英からなり、前記容器本体と前記蓋を構成する石英を加熱融合することにより気密封止を行う請求項1乃至3のいずれか1項記載の温度センサである。
本発明(7)は、前記電極、前記コイル、及び、前記導電性部材の材料が、白金、イリジウム、ロジウム、及び、パラジウムからなる元素群の中から選択された1種類の元素からなる単体金属、又は、2種類以上の元素からなる合金であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項記載の温度センサである。
本発明(8)は、前記容器の内部の雰囲気が、真空、又は、不活性ガスであることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項記載の温度センサである。
本発明(9)は、測定対象物に接触し、温度測定装置と非接触となるように配置され、前記温度測定装置から送信される電磁波を受信し、前記電磁波に対する反射波を前記温度測定装置に送り返し、前記反射波の変化を検出することにより前記測定対象物の温度を測定する請求項1乃至8のいずれか1項記載の温度センサである。
本発明(10)は、測定対象物がウェハであり、測定対象ウェハ、又は、測定専用ウェハに埋め込まれたことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項記載の温度センサである。
本発明(11)は、前記測定対象ウェハ、又は、前記測定専用ウェハに、アンテナを埋め込んだウェハを接触させて温度を測定することを特徴とする請求項10記載の温度センサである。
本発明(12)は、請求項1乃至11のいずれか1項記載の温度センサと、該温度センサに対し無線で高周波信号を送信/受信して、該信号である周波数の変化を分析することにより測定温度を求める送受信装置とからなる温度測定システムである。
本発明(13)は、請求項12記載の温度測定システムを用いて測定対象物の温度を測定する温度測定方法である。
本発明(14)は、請求項12記載の温度測定システムを用いてウェハの温度制御及び/又は温度管理を行う半導体装置の製造装置である。
本発明(15)は、請求項12記載の温度測定システムを用いてウェハの温度制御及び/又は温度管理を行う半導体装置の製造方法である。
The present invention (1) comprises a piezoelectric vibrator and a coil comprising an oxide crystal having a langasite structure containing all elements of lanthanum, gallium, and aluminum, and further containing tantalum and / or niobium. A temperature sensor comprising a resonance circuit and utilizing the fact that the resonance frequency of the resonance circuit changes according to a temperature change,
Container consists of a container body and the lid, the piezoelectric vibrator is fixed to the container body, Ri structures der which the coil is fixed to the lid,
The diaphragm constituting the piezoelectric vibrator includes an outer plate, an inner plate, and a support portion that connects the outer plate and the inner plate, and the outer plate and the inner plate are disposed around the inner plate. By the groove that penetrates the formed diaphragm, it is separated, except for the support part,
A conductive member that electrically connects the piezoelectric vibrator and the coil, and the piezoelectric vibrator and the coil is hermetically sealed inside a container, and the piezoelectric vibrator is connected to the container via the outer plate. a temperature sensor characterized that you have been fixed.
The present invention ( 2 ) includes a quartz tube in which the piezoelectric vibrator and the coil, and a conductive member that electrically connects the piezoelectric vibrator and the coil are provided outside the container and the container. 2. The temperature sensor according to
According to the present invention ( 3 ), a part or all of a portion of the inner wall portion of the container excluding the coil is made of one element selected from the group consisting of platinum, iridium, rhodium, and palladium. 3. The temperature sensor according to
According to the present invention ( 4 ), the container is composed of a container body and a lid, the container body and the lid are composed of a silicon single crystal, and a thin film composed of a silicon germanium alloy at a joint portion for joining the container body and the lid. The temperature sensor according to any one of
According to the present invention ( 5 ), a thin film made of germanium is sandwiched between the container main body and the lid and heated, whereby the silicon single crystal constituting the container main body and the lid and the germanium constituting the thin film are obtained. 5. The temperature sensor according to
In the present invention ( 6 ), the container enclosing the piezoelectric vibrator and the coil is composed of a container body and a lid, the container body and the lid are composed of quartz, and the quartz constituting the container body and the lid is composed of 4. The temperature sensor according to
In the present invention ( 7 ), the material of the electrode, the coil, and the conductive member is a single metal composed of one element selected from the group consisting of platinum, iridium, rhodium, and palladium. The temperature sensor according to any one of
The present invention ( 8 ) is the temperature sensor according to any one of
The present invention ( 9 ) is arranged so as to be in contact with the measurement object and not in contact with the temperature measuring device, to receive the electromagnetic wave transmitted from the temperature measuring device, and to transmit the reflected wave with respect to the electromagnetic wave to the temperature measuring device. The temperature sensor according to any one of
The present invention ( 10 ) is the temperature sensor according to any one of
The present invention (11), the measurement target wafer, or, in the measurement only wafer, a temperature sensor according to
According to the present invention ( 12 ), the temperature sensor according to any one of
The present invention (13) is a temperature measuring method for measuring the temperature of the object to be measured using the temperature measuring system according to
The present invention (14) is an apparatus for manufacturing a semiconductor device which performs temperature control and / or temperature control of the wafer by using the temperature measuring system according to
The present invention (15) is a method for manufacturing a semiconductor device which performs temperature control and / or temperature control of the wafer by using the temperature measuring system according to
本発明(1)によれば、LTGAからなる振動板を用いているために、極低温から高温までの広い温度範囲で安定した発振動作を行うことが可能である。また、容器に固定された外側板と支持部により接続された内側板との間に熱膨張率の差がないために、高温領域でも熱応力による圧電特性の変化が少ない。
また、圧電振動子とコイルだけからなる温度センサとすることにより温度センサの小型化が可能になる。
容器に固定された外側板と支持部により接続された内側板との間に熱膨張率の差がないために、高温においても高精度の温度測定が可能である。
振動板に対するパーティクルの付着や外気との接触による変質を防ぐことができ、振動特性の長期信頼性が向上する。また、圧電振動子、コイル、導電性部材をすべて容器の中に封止することにより、容器外部へのパーティクルの放出を防止することができる。
振動板を容器本体に固定し、コイルを蓋に固定することにより、温度センサの小型化、組み立て作業性の向上に効果がある。
本発明(2)によれば、アンテナとして機能するコイルを容器の外側に設けることにより、温度センサから発せられる信号を効率的に外部の送受信装置で受信することが可能になる。
本発明(3)によれば、温度センサの容器内壁にコーティングした導電性膜がアースカバーとして機能するので、温度センサから発せられる信号に対するノイズの低減に効果がある。
本発明(4)によれば、一般的な半導体ウェハ材料であるシリコンと同じ材料で容器を作製することにより、ウェハに直接取り付けても汚染や熱応力の発生などの問題が生じない。外気遮断性も良好である。
本発明(5)によれば、薄膜の挿入、加熱により容易に容器本体と蓋の気密封止が可能である。
本発明(6)によれば、半導体ウェハ上に形成される一般的な薄膜材料である石英と同じ材料で容器を作製することにより、ウェハに直接取り付けても汚染や熱応力の発生などの問題が生じない。外気遮断性も良好である。また、加熱融合により容易に容器本体と蓋の気密封止が可能である。
本発明(7)によれば、白金族元素は融点が高いため1000〜1300℃の高温領域でも溶融することがなく、伝導率も高いので配線抵抗の低減にも効果がある。
本発明(8)によれば、酸素などの活性ガスによる振動板の変質を防止することが可能になる。
本発明(9)、(12)、(13)によれば、小型の温度センサを測定対象物に直接取り付けて、無線通信により測定データを収集することが可能である。また、収集したデータはデジタルデータ処理が可能である。そのため、温度のばらつきを測定して高精度の温度制御を行ったり、温度の経時変化を自動的に記録してプロセス管理をすることが可能である。また、一つの測定対象物に対し複数の製造装置による熱処理を連続して行う場合に測定対象物に温度センサを取り付けておくことにより、測定対象物の熱履歴を記録することも可能になる。
本発明(10)によれば、熱伝導のばらつきによる測定誤差を低減できるので温度測定精度が向上する。
本発明(11)によれば、温度センサから発せられる信号の受信感度が向上するので、より安定したSN比の高い高精度の温度測定が可能になる。
本発明(14)、(15)によれば、小型の温度センサをウェハに直接取り付けて、無線通信により測定データを収集することが可能である。また、収集したデータはデジタルデータ処理が可能である。そのため、温度のばらつきを測定して高精度の温度制御を行ったり、温度の経時変化を自動的に記録してプロセス管理をすることが可能である。また、一つのウェハに対し複数の製造装置による熱処理を連続して行う場合にウェハに温度センサを取り付けておくことにより、ウェハの熱履歴を記録することも可能になる。
According to the present invention (1 ), since the diaphragm made of LTGA is used, stable oscillation operation can be performed in a wide temperature range from extremely low temperature to high temperature. In addition, since there is no difference in thermal expansion coefficient between the outer plate fixed to the container and the inner plate connected by the support portion, the change in piezoelectric characteristics due to thermal stress is small even in a high temperature region .
Also, it is possible to miniaturize the temperature sensor by the temperature sensor consisting of only the coil and the piezoelectric vibrator.
Since there is no difference in thermal expansion coefficient between the fixed outer plate and the container and the support portion by the connected inner side plate, it is possible to temperature measurement also with high accuracy at high temperatures.
Deterioration due to contact with adhesion and external air of particles against vibration plate can be prevented, thereby improving the long-term reliability of the vibration characteristics. Further, by sealing all of the piezoelectric vibrator, coil, and conductive member in the container, it is possible to prevent particles from being released to the outside of the container .
The vibration rotation plate fixed to the container body, by fixing the coil to the lid, the miniaturization of the temperature sensor is effective in improving the assembling workability.
According to the present invention ( 2 ), by providing the coil functioning as an antenna outside the container, it is possible to efficiently receive a signal emitted from the temperature sensor by an external transmission / reception device.
According to the present invention ( 3 ), the conductive film coated on the inner wall of the temperature sensor functions as a ground cover, which is effective in reducing noise with respect to a signal emitted from the temperature sensor.
According to the present invention ( 4 ), since the container is made of the same material as silicon, which is a general semiconductor wafer material, problems such as contamination and generation of thermal stress do not occur even if the container is directly attached to the wafer. The outside air blocking property is also good.
According to the present invention ( 5 ), the container body and the lid can be hermetically sealed easily by inserting and heating the thin film.
According to the present invention ( 6 ), the container is made of the same material as quartz, which is a general thin film material formed on a semiconductor wafer, so that problems such as contamination and generation of thermal stress occur even when directly attached to the wafer. Does not occur. The outside air blocking property is also good. In addition, the container body and the lid can be hermetically sealed easily by heat fusion.
According to the present invention ( 7 ), since the platinum group element has a high melting point, it is not melted even in a high temperature region of 1000 to 1300 ° C., and its conductivity is high, so that it is effective in reducing wiring resistance.
According to the present invention ( 8 ), it is possible to prevent the diaphragm from being altered by an active gas such as oxygen.
According to the present invention ( 9 ), (1 2 ), (1 3 ), it is possible to directly attach a small temperature sensor to a measurement object and collect measurement data by wireless communication. The collected data can be digitally processed. Therefore, it is possible to perform temperature control with high accuracy by measuring variations in temperature, or to manage the process by automatically recording changes with time in temperature. In addition, when a heat treatment is continuously performed on a single measurement target by a plurality of manufacturing apparatuses, a thermal history of the measurement target can be recorded by attaching a temperature sensor to the measurement target.
According to the present invention (1 0 ), measurement errors due to variations in heat conduction can be reduced, so that temperature measurement accuracy is improved.
According to the present invention (1 1 ), since the reception sensitivity of the signal emitted from the temperature sensor is improved, it is possible to perform a more accurate temperature measurement with a higher stable SN ratio.
According to the present invention (1 4 ) and ( 15 ), it is possible to attach a small temperature sensor directly to the wafer and collect measurement data by wireless communication. The collected data can be digitally processed. Therefore, it is possible to perform temperature control with high accuracy by measuring variations in temperature, or to manage the process by automatically recording changes with time in temperature. In addition, when heat treatment is continuously performed on a single wafer by a plurality of manufacturing apparatuses, a thermal history of the wafer can be recorded by attaching a temperature sensor to the wafer.
以下、本発明の最良形態について説明する。
本願発明者は、さまざまな結晶材料からなる圧電振動子を評価、検討した結果、ガレート単結晶、特に、LTGA(ランタン酸タンタル酸ガリウムアルミニウム)と呼ばれるランタン、ガリウム、及び、アルミニウムのすべての元素を含み、さらに、タンタル、及び/又は、ニオブを含むランガサイト構造を有する酸化物結晶を用いると、常温から1000〜1300℃の高温までの広い温度範囲で安定した発振動作を示し、高温領域での精密な温度測定に用いることが可能であることを見出した。さらに、LTGAは、液体窒素温度(−196℃)や液体ヘリウム温度(−270℃)においても安定した発振動作を示すことが確認され、極低温から高温までの広い温度範囲での温度測定が可能であることがわかった。
LTGAはガリウムを多く含む酸化物であるガレート結晶の一種で、その製造方法は、特許文献3に開示されている。LTGAの中でも、特に、La3Ta0.5Ga5.3Al0.2O14、及び、La3Nb0.5Ga5.3Al0.2O14が高温でも安定動作が可能な圧電振動子の材料として優れていることがわかった。
LTGA(La3Ta0.5Ga5.3Al0.2O14)の主な物理特性は以下の通りである。
比重:6.10
結晶系:三方晶系
格子定数:a = b = 8.20, c = 5.10
融点:1470℃
電気機械結合係数k2:0.4
最高使用可能温度:1300℃
The best mode of the present invention will be described below.
As a result of evaluating and examining piezoelectric vibrators made of various crystal materials, the inventor of the present application has found that all elements of gallate single crystal, in particular, lanthanum, gallium, and aluminum called LTGA (gallium aluminum tantalate lanthanate) are included. In addition, when an oxide crystal having a langasite structure containing tantalum and / or niobium is used, a stable oscillation operation is exhibited in a wide temperature range from room temperature to a high temperature of 1000 to 1300 ° C. It was found that it can be used for precise temperature measurement. In addition, LTGA has been confirmed to show stable oscillation even at liquid nitrogen temperatures (-196 ° C) and liquid helium temperatures (-270 ° C), enabling temperature measurement in a wide temperature range from extremely low to high temperatures. I found out that
LTGA is a kind of gallate crystal that is an oxide containing a large amount of gallium, and its manufacturing method is disclosed in
The main physical characteristics of LTGA (La 3 Ta 0.5 Ga 5.3 Al 0.2 O 14 ) are as follows.
Specific gravity: 6.10
Crystalline system: Trigonal lattice constant: a = b = 8.20, c = 5.10
Melting point: 1470 ° C
Electromechanical coupling coefficient k 2 : 0.4
Maximum usable temperature: 1300 ℃
図8は、各種圧電結晶材料の比較表である。本発明の圧電振動子材料であるLTGAに対し比較を行った材料は、水晶、PZT(セラミックス)、LN(ニオブ酸リチウム)、LGS(La3Ga5SiO14、ランガサイト)である。図7に示されるように、LTGAは、水晶と比較して電気機械結合係数が大きく、発振特性に優れている。また、PZT、LN、LGSと比較して圧電発振のエージング特性が安定で素子の信頼性が高い。さらに、使用可能な最高温度が、水晶、PZT、LNがせいぜい300℃まで、LGSでも1000℃までであるのに対し、LTGAは、600℃付近までCI値の変化が観察されず、約1300℃でも安定した圧電動作を行うことが確認されている。 FIG. 8 is a comparison table of various piezoelectric crystal materials. The materials compared with LTGA which is the piezoelectric vibrator material of the present invention are quartz, PZT (ceramics), LN (lithium niobate), and LGS (La 3 Ga 5 SiO 14 , langasite). As shown in FIG. 7, LTGA has a larger electromechanical coupling coefficient than quartz and has excellent oscillation characteristics. Compared with PZT, LN, and LGS, the aging characteristics of piezoelectric oscillation are stable and the reliability of the element is high. Furthermore, the maximum usable temperature is at most 300 ° C for quartz, PZT, and LN, and up to 1000 ° C for LGS, whereas LTGA does not observe a change in CI value near 600 ° C, and is about 1300 ° C. However, it has been confirmed that stable piezoelectric operation is performed.
(温度センサの構造の第一の具体例)
図1(a)乃至(c)は、本発明の温度センサの実施の形態に係る第一の具体例の平面図である。温度センサは、振動板4、コイル8、振動板4とコイル8を電気的に接続する導電性部材をすべて容器本体1と蓋7とからなる容器に収納した構造を持つ。温度センサを構成する回路要素をすべて容器内に収納することにより、測定対象物に対する温度センサから発生するパーティクルの付着を防止できる。図1(a)は、容器本体1の平面図である。振動板4に取り付けられた電極と容器本体1に取り付けられた外部端子2、3がリード線5、6により接続されている。図1(b)は、蓋7の平面図である。蓋7上にはコイル8が形成されている。例えば、白金などの高融点金属からなる薄膜をスパッター等の方法で形成することにより、コイル8を形成する。コイル8の両端と外部端子5、6は図示しないリード線により接続される。
容器は、振動板等を収納してから、容器本体1と蓋7を溶融することにより内部を気密封止する。容器内の雰囲気は、真空、又は、N2、Ar、He、Xe等の不活性ガスとすることが好ましい。振動板の変質による振動特性の変化を防止することが可能である。
振動板を収納する容器本体、及び、蓋の材料は、シリコン単結晶、又は、石英を用いるのが好ましい。シリコンは融点が1414℃であり、高温領域での温度測定が可能になる。
図1(c)は、振動板の平面図である。電極14、15、リード線5、6、外部端子2、3からなる導電性部材とコイル8の材料は、白金、イリジウム、ロジウム、及び、パラジウムからなる元素群の中から選択された1種類の元素からなる単体金属、又は、2種類以上の元素からなる合金を用いるのが好ましい。融点が高いために1000〜1300℃の高温でも溶融することがなく、また、電気伝導度が高いので配線抵抗を小さくできる。
振動板9は、外側板11、内側板12、支持部13からなり、外側板11と内側板12が支持部13により接続され、溝10により隔てられた構造とするのが好ましい。電極14、15は外側板11上に取り付けられ、また、振動板9は容器本体に対し、外側板11を介して固定される。このような構造では、内側板は外部から受ける熱応力をほとんど受けない。また、内側板と直接接触している支持部13も内側板と同じ熱膨張率の材料である。そのため、高温領域でも熱応力による圧電特性の変化が少なく、温度センサとして圧電振動子を用いる場合は、高温でも高精度の温度測定が可能である。
(First specific example of temperature sensor structure)
FIGS. 1A to 1C are plan views of a first specific example according to the embodiment of the temperature sensor of the present invention. The temperature sensor has a structure in which a
The container is hermetically sealed by melting the
It is preferable to use a silicon single crystal or quartz as the material of the container main body and the lid for housing the diaphragm. Silicon has a melting point of 1414 ° C., and temperature measurement in a high temperature region becomes possible.
FIG. 1C is a plan view of the diaphragm. The conductive member composed of the
The
(温度センサの構造の第二の具体例)
図2(a)及び(b)は、本発明の温度センサの実施の形態に係る第二の具体例の断面図である。図2(a)は、気密封止前の断面図であり、図2(b)は、気密封止後の断面図である。容器本体21と蓋26の材料はシリコン単結晶である。溝30を備えた振動板23は容器本体21に取り付けられている。蓋25上にはコイル26が形成されている。容器本体21は、3段構造になっており、振動板23は、外側板を介して容器に取り付けられる。内側板は、容器の凹部29上に配置されるので容器と直接接触することはない。外側板上に配置された電極と外部端子22をリード線24により接続し、外部端子22とコイル26をリード線28により接続する。さらに、ゲルマニウム薄膜27を容器本体21上に置き、蓋25をゲルマニウム薄膜27の上に置き、加熱する。加熱により、シリコンとゲルマニウムが反応してシリコンゲルマニウム合金薄膜31が形成され、容器本体21と蓋25が融合し、容器が気密封止される(図2(b))。
(Second specific example of temperature sensor structure)
2A and 2B are cross-sectional views of a second specific example according to the embodiment of the temperature sensor of the present invention. 2A is a cross-sectional view before hermetic sealing, and FIG. 2B is a cross-sectional view after hermetic sealing. The material of the
(温度センサの構造の第三の具体例)
図2(c)は、本発明の温度センサの実施の形態に係る第三の具体例の断面図である。容器本体32と蓋36の材料は石英である。溝40を備えた振動板34は容器本体32に取り付けられている。蓋36上にはコイル37が形成されている。外側板上に配置された電極と外部端子33をリード線35により接続し、外部端子35とコイル37をリード線38により接続する。さらに、容器本体32上に蓋36を置き、加熱する。加熱により、容器本体32と蓋36が融合し、容器が気密封止される(図2(c))。
(Third example of temperature sensor structure)
FIG.2 (c) is sectional drawing of the 3rd example based on embodiment of the temperature sensor of this invention. The material of the
(温度センサの構造の第四の具体例)
図3(a)乃至(c)は、本発明の温度センサの実施の形態に係る第四の具体例の平面図及び断面図である。図3(a)は、温度センサの容器の蓋202の平面図であり、図3(b)は、温度センサの断面図であり、図3(c)は、振動板の平面図である。蓋202上にはコイル203が、スパッターや印刷により形成されている。コイル203は、リード線204、205により振動板208に形成された外部端子214、215と接続されている。振動板は、図3(c)に示すように、平面形状が四角形であり、振動板内の4辺に溝216、217、218、219が形成されている。振動板208における溝の内側にある内側板には、表面に電極211が取り付けられている。電極211に対抗する裏面にも裏面電極が取り付けられている。電極211は、配線213により外部端子215に接続され、裏面電極は配線211により外部電極214に接続されている。振動板の表面と裏面に電極を配置することにより振動板の小型化に効果がある。
(Fourth example of temperature sensor structure)
3A to 3C are a plan view and a sectional view of a fourth specific example according to the embodiment of the temperature sensor of the present invention. 3A is a plan view of the
(温度センサの構造の第五の具体例)
図4(a)乃至(c)は、本発明の温度センサの実施の形態に係る第五の具体例の平面図及び断面図である。図4(a)は、温度センサの容器の蓋222の平面図であり、図4(b)は、温度センサの断面図であり、図4(c)は、振動板の平面図である。容器の外部には石英管225が取り付けられており、石英管225の中にコイル226が収納されている。石英管225と容器は、容器内部と石英管内部が気密封止されるように接合されている。石英はシリコンと比較して無線波が通りやすく、温度センサと送受信装置との無線通信効率や送受信感度が向上する。コイル226は、リード線223、224により振動板229に形成された外部端子235、236と接続されている。振動板は、図4(c)に示すように、平面形状が四角形であり、振動板内の4辺に溝237、238、239、240が形成されている。振動板229における溝の内側にある内側板には、表面に電極232が取り付けられている。電極232に対抗する裏面にも裏面電極が取り付けられている。電極232は、配線234により外部端子236に接続され、裏面電極は配線233により外部電極235に接続されている。
(Fifth example of temperature sensor structure)
4 (a) to 4 (c) are a plan view and a cross-sectional view of a fifth specific example according to the embodiment of the temperature sensor of the present invention. 4A is a plan view of the
(温度センサの構造の第六の具体例)
図5(a)乃至(c)は、本発明の温度センサの実施の形態に係る第六の具体例の平面図及び断面図である。図5a)は、温度センサの容器の蓋242の平面図であり、図5(b)は、温度センサの断面図であり、図5(c)は、振動板の平面図である。蓋242上にはコイル243が、スパッターや印刷により形成されている。コイル243は、リード線244、245により振動板248に形成された外部端子254、255と接続されている。振動板は、図5(c)に示すように、平面形状が円形である。圧電振動子の形状としては、平面形状が四角形の薄板だけでなく、平面形状が円形の薄板も広く用いられている。振動板内の2辺に溝256、257が形成されている。振動板248における溝の内側にある内側板には、表面に電極251が取り付けられている。電極251に対抗する裏面にも裏面電極が取り付けられている。電極251は、配線253により外部端子255に接続され、裏面電極は配線252により外部電極254に接続されている。
(Sixth example of temperature sensor structure)
5A to 5C are a plan view and a cross-sectional view of a sixth specific example according to the embodiment of the temperature sensor of the present invention. 5A) is a plan view of the
(温度センサの構造の第七の具体例)
本発明の温度センサの実施の形態に係る第一の具体例、乃至、第六の具体例において、温度センサの内壁部における前記コイルを除く部分の一部又は全部を導電性膜によりコーティングするのが好ましい。導電性膜の材料は、白金、イリジウム、ロジウム、及び、パラジウムからなる元素群の中から選択された1種類の元素からなる単体金属、又は、2種類以上の元素からなる合金とするのが好ましい。
導電性膜はアース電位などの固定電位に電気的に接続するのが好ましい。温度センサから発せられる信号に対するノイズの低減に高い効果が得られる。
(Seventh example of temperature sensor structure)
In the first specific example to the sixth specific example according to the embodiment of the temperature sensor of the present invention, a part or all of the portion excluding the coil in the inner wall portion of the temperature sensor is coated with a conductive film. Is preferred. The material of the conductive film is preferably a single metal composed of one element selected from the group of elements composed of platinum, iridium, rhodium, and palladium, or an alloy composed of two or more elements. .
The conductive film is preferably electrically connected to a fixed potential such as a ground potential. A high effect can be obtained in reducing noise with respect to a signal emitted from the temperature sensor.
(温度センサの構造の第八の具体例)
本発明の温度センサの実施の形態に係る第一の具体例、乃至、第七の具体例に温度センサを検査対象物に埋め込むことも可能である。検査対象物がウェハの場合は、測定対象ウェハに埋め込んでもよいし、測定専用ウェハに埋め込んでもよい。温度センサを単にウェハに貼り付けた場合と比較し、熱伝導のばらつきによる測定誤差を小さくできるので、高精度の温度測定が可能である。
図6は、本発明の温度センサの実施の形態に係る第八の具体例の断面図である。図6において、センサ埋め込みウェハ(測定専用ウェハ)261に温度センサ262を埋め込んだ構造が示されている。センサ埋め込みウェハは、測定対象となるウェハの近傍に配置し、測定対象ウェハと同じ熱処理を行う。
図6に示すように、センサ埋め込みウェハ261に接触させて、アンテナ264を埋め込んだウェハ263を配置し、アンテナ264と受信機265を配線で接続するのが好ましい。センサ埋め込みウェハ261とアンテナ埋め込みウェハ263は、直径が同じウェハを用いるのが好ましい。温度センサの近傍に受信機のアンテナを配置できるので、温度センサから発せられる信号が微弱な場合でも、より安定して高い感度で信号を受信し、高い信頼性の温度測定が可能である。
(Eighth specific example of temperature sensor structure)
It is also possible to embed the temperature sensor in the inspection object in the first specific example or the seventh specific example according to the embodiment of the temperature sensor of the present invention. When the inspection object is a wafer, it may be embedded in a measurement target wafer or may be embedded in a measurement dedicated wafer. Compared with the case where the temperature sensor is simply attached to the wafer, the measurement error due to the variation in heat conduction can be reduced, so that highly accurate temperature measurement is possible.
FIG. 6 is a sectional view of an eighth example according to the embodiment of the temperature sensor of the present invention. FIG. 6 shows a structure in which a
As shown in FIG. 6, it is preferable to place a
(温度測定システム)
図7(a)乃至(c)は、本発明の温度測定システムの実施の形態に係る具体例の説明図である。温度センサは、図7(a)に示すように、並列に接続された圧電振動子41とコイル42から構成される。温度センサ自体には電源を備えておらず、部品数も少ないので、温度センサを極めて小さいチップ状の素子として作製することが可能である。図7(b)は、温度センサに対し無線で高周波信号を送信/受信するための送受信装置である。送受信装置44は、アンテナ43を備え、図7(c)に示すように、高周波信号45を温度センサ41に送信する。温度センサは、高周波信号45をアンテナとしても機能するコイル42により受信し、反射波46を送受信装置44に送り返す。圧電振動子の共振周波数が温度により変化し、これにより圧電振動子41とコイル42により構成される共振回路の共振周波数が変化するので、反射波46が測定温度により変化し、この変化を送受信装置、あるいは、送受信装置に接続されたデータ処理装置により分析することにより測定温度を求めることができる。複数の温度センサに対し、複数の異なる無線周波数を同時に送信することにより、同時に複数個所の温度を測定することも可能である。
(Temperature measurement system)
FIGS. 7A to 7C are explanatory diagrams of specific examples according to the embodiment of the temperature measurement system of the present invention. As shown in FIG. 7A, the temperature sensor includes a
(ウェハ温度の測定システム)
図11(a)及び(b)は、本発明のウェハの温度測定システムの実施の形態に係る具体例の説明図である。図11(a)は、ウェハの平面図であり、ウェハ51の表面の3か所に温度センサ52、53、54を取りつけてある。このように温度センサを取りつけることにより、ウェハ内の温度変動を測定することが可能である。図11(b)は、拡散や酸化プロセスに用いられる電気炉の断面図である。電気炉を構成する石英管56の中には、複数のウェハ57がボート59上に配置され、高温の熱処理を行っている。ウェハ57にはそれぞれ温度センサ58が取り付けられている。複数のウェハに温度センサを取り付けることにより、電気炉内(ウェハ間)の温度変動を測定することが可能である。電気炉の外部に配置された送受信装置55から無線波を温度センサ58に無線波を送り、その反射波を受信することにより、複数の温度センサが検出する温度データを取りだすことができる。
温度センサの容器は、ウェハと同じシリコン又は石英でできている。また、温度センサは、極めて小型のチップ状にすることが可能である。そのため、温度センサをウェハに取り付けたまま、半導体プロセスを連続的に行うことが可能である。例えば、酸化、拡散、CVD、アニールなど複数の高温プロセスを行う半導体プロセスにおいて、ウェハの熱履歴を記録し、トレーサビリティーをとることにより、不良発生の際の原因調査等に有用なデータをとることが可能になる。
(Wafer temperature measurement system)
FIGS. 11A and 11B are explanatory diagrams of specific examples according to the embodiment of the wafer temperature measurement system of the present invention. FIG. 11A is a plan view of the wafer, in which
The container of the temperature sensor is made of the same silicon or quartz as the wafer. Further, the temperature sensor can be formed into an extremely small chip. Therefore, it is possible to continuously perform the semiconductor process with the temperature sensor attached to the wafer. For example, in semiconductor processes that perform multiple high-temperature processes such as oxidation, diffusion, CVD, annealing, etc., record the thermal history of the wafer and take traceability to obtain data useful for investigating the cause of defects. Is possible.
(電気抵抗の温度依存性)
図9は、圧電振動子の電気抵抗の温度依存性のグラフである。比較評価を行った圧電振動子の材料は、LTGA、LGSA、SNGS、LNGである。LGSAはLGSにアルミニウムをわずかに含む結晶である。SNGSは、Sr3Nb0.95Ga3.05Si2O14である。LNGはLa3Nb0.5Ga5.5O14である。
比較材料であるSNGS、LNGが、100~500℃の温度範囲で高温になるにつれて急激に電気抵抗が低下し、振動特性が悪化するのに対し、LTGA及び比較材料であるLGSAは、電気抵抗の低下が少なく、電気抵抗の温度依存性がより優れていることがわかった。
(Temperature dependence of electrical resistance)
FIG. 9 is a graph of the temperature dependence of the electrical resistance of the piezoelectric vibrator. The materials of piezoelectric vibrators that have been comparatively evaluated are LTGA, LGSA, SNGS, and LNG. LGSA is a crystal containing a slight amount of aluminum in LGS. SNGS is Sr 3 Nb 0.95 Ga 3.05 Si 2 O 14 . LNG is La 3 Nb 0.5 Ga 5.5 O 14 .
Compared with SNGS and LNG, which are comparative materials, the electrical resistance suddenly decreases and the vibration characteristics deteriorate as the temperature rises in the temperature range of 100 to 500 ° C, whereas LTGA and the comparative material LGSA It was found that there was little decrease and the temperature dependence of electrical resistance was better.
(CI値の温度依存性)
図10は、圧電振動子のCI値温度依存性のグラフである。CI値は、圧電振動子の内部の等価抵抗成分で、振動損失に相当し発振のし易さの目安となる特性である。比較評価を行った圧電振動子の材料は、LTGAと水晶である。測定した温度範囲は0〜1000℃である。水晶が約250℃までしか発振せず、それ以上の温度ではCI値が急上昇し発振しなくなるのに対し、LTGAは、1000℃近辺の高温でも安定して発振することがわかった。
(CI value temperature dependence)
FIG. 10 is a graph of the CI value temperature dependency of the piezoelectric vibrator. The CI value is an equivalent resistance component inside the piezoelectric vibrator, and is a characteristic that corresponds to vibration loss and is a measure of ease of oscillation. The materials of the piezoelectric vibrators that have been comparatively evaluated are LTGA and quartz. The measured temperature range is 0 to 1000 ° C. The quartz crystal oscillates only up to about 250 ° C, and at higher temperatures, the CI value suddenly increases and stops oscillating, whereas LTGA oscillates stably even at high temperatures around 1000 ° C.
(圧電振動子)
LTGAからなる振動板を加工し、図1に示す構造の圧電振動子を試作した。振動板の大きさは、幅3mm、長さ5mm、厚さ130μmとした。この振動板に、製法エッチング又はサンドブラスト加工法により振動板を貫通する幅100μmの溝を形成した。試作した圧電振動子を用い高温条件下で動作確認をしたところ、1050℃での正常動作が確認できた。また、低温条件下では、-196℃での正常動作が確認できた。
(Piezoelectric vibrator)
A diaphragm made of LTGA was processed to produce a piezoelectric vibrator having the structure shown in FIG. The size of the diaphragm was 3 mm in width, 5 mm in length, and 130 μm in thickness. On this diaphragm, a groove having a width of 100 μm penetrating the diaphragm was formed by manufacturing etching or sandblasting. When operation was confirmed under high temperature conditions using the prototype piezoelectric vibrator, normal operation at 1050 ° C was confirmed. Also, normal operation at -196 ° C was confirmed under low temperature conditions.
以上のように、本発明に係る温度センサ、温度測定方法は、特に、高温領域の高精度な温度測定が可能であるため、例えば、半導体プロセスのウェハの温度測定や内燃機関の温度測定等に利用可能である。 As described above, the temperature sensor and the temperature measuring method according to the present invention are capable of measuring a temperature with high accuracy particularly in a high temperature region. Is available.
1 容器本体
2、3 電極
4 振動板
5、6 リード線
7 蓋
8 コイル
9 振動板
10 溝
11 外側板
12 内側板
13 支持部
14、15 電極
21、32 容器本体
22、33 外部端子
23、34 振動板
24、28、35、38 リード線
25、36 蓋
26、37 コイル
27 ゲルマニウム薄膜
29、39 凹部
30、40 溝
31 シリコンゲルマニウム合金薄膜
201、221、241 容器本体
202、222、242 蓋
203、226、243 コイル
204、205、223、224、244、245 リード線
225 石英管
206、207、227、228、246、247 シリコンゲルマニウム合金薄膜
208、229、248 振動板
209、210、230、231、249、250 溝
211、232、251 電極
212、213、233、234、252、253 配線
214、215、235、236、254、255 外部端子
216、217、218、219、237、238、239、240、256、257 溝
261 センサ埋め込みウェハ
262 温度センサ
263 アンテナ埋め込みウェハ
264 アンテナ
265 受信機
41 圧電振動子
42 コイル
43 アンテナ
44 送受信装置
45 送信波形
46 反射波形
51 ウェハ
52、53、54 温度センサ
55 送受信装置
56 石英管
57 ウェハ
58 温度センサ
59 ボート
101 石英管
102 ボート
103 ウェハ
104 熱電対
105 リード線
106 測定装置
111、121 容器本体
112、122 蓋
113、123 圧電振動子
114、124 凹部
115、116、125、126 接続部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Container body 2, 3 Electrode 4 Diaphragm 5, 6 Lead wire 7 Lid 8 Coil 9 Diaphragm 10 Groove 11 Outer plate 12 Inner plate 13 Support part 14, 15 Electrode 21, 32 Container main body 22, 33 External terminal 23, 34 Diaphragm 24, 28, 35, 38 Lead wire 25, 36 Lid 26, 37 Coil 27 Germanium thin film 29, 39 Recess 30, 40 Groove 31 Silicon germanium alloy thin film 201, 221, 241 Container body 202, 222, 242 Lid 203, 226, 243 Coils 204, 205, 223, 224, 244, 245 Lead wire 225 Quartz tube 206, 207, 227, 228, 246, 247 Silicon germanium alloy thin film 208, 229, 248 Vibration plates 209, 210, 230, 231 249, 250 Grooves 211, 232, 251 Electrodes 212, 213, 233 234, 252, 253 Wiring 214, 215, 235, 236, 254, 255 External terminal 216, 217, 218, 219, 237, 238, 239, 240, 256, 257 Groove 261 Sensor embedded wafer 262 Temperature sensor 263 Antenna embedded Wafer 264 Antenna 265 Receiver 41 Piezoelectric vibrator 42 Coil 43 Antenna 44 Transmitter / receiver 45 Transmitted waveform 46 Reflected waveform 51 Wafer 52, 53, 54 Temperature sensor 55 Transmitter / receiver 56 Quartz tube 57 Wafer 58 Temperature sensor 59 Boat 101 Quartz tube 102 Boat 103 Wafer 104 Thermocouple 105 Lead wire 106 Measuring device 111, 121 Container body 112, 122 Lid 113, 123 Piezoelectric vibrator 114, 124 Recess 115, 116, 125, 126 Connection part
Claims (15)
容器が容器本体と蓋とからなり、前記圧電振動子が前記容器本体に固定され、前記コイルが前記蓋に固定された構造であり、
前記圧電振動子を構成する振動板が、外側板と、内側板と、前記外側板と前記内側板を接続する支持部とからなり、前記外側板と前記内側板が、前記内側板の周囲に形成された前記振動板を貫通する溝により、前記支持部を除き、隔てられ、
前記圧電振動子と前記コイル、及び、前記圧電振動子と前記コイルを電気的に接続する導電性部材が、容器の内部に気密封止され、前記外側板を介して前記圧電振動子が前記容器に固定されていることを特徴とする温度センサ。 A resonance circuit including a piezoelectric vibrator and a coil including an oxide crystal having a langasite structure including all elements of lanthanum, gallium, and aluminum, and further including tantalum and / or niobium; A temperature sensor that utilizes the fact that the resonant frequency of a circuit changes according to a temperature change,
Container consists of a container body and the lid, the piezoelectric vibrator is fixed to the container body, Ri structures der which the coil is fixed to the lid,
The diaphragm constituting the piezoelectric vibrator includes an outer plate, an inner plate, and a support portion that connects the outer plate and the inner plate, and the outer plate and the inner plate are disposed around the inner plate. By the groove that penetrates the formed diaphragm, it is separated, except for the support part,
A conductive member that electrically connects the piezoelectric vibrator and the coil, and the piezoelectric vibrator and the coil is hermetically sealed inside a container, and the piezoelectric vibrator is connected to the container via the outer plate. temperature sensor characterized that you have been fixed.
半導体装置の製造装置。 Apparatus for manufacturing a semiconductor device which performs temperature control and / or temperature control of the wafer by using the temperature measuring system according to claim 1 wherein.
半導体装置の製造方法。 The method of manufacturing a semiconductor device which performs temperature control and / or temperature control of the wafer by using the temperature measuring system according to claim 1 wherein.
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