JP5341025B2 - Scanning electron microscope - Google Patents
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Description
本発明は、集束した電子線を試料面上で走査することにより、試料の走査画像を取得するための走査電子顕微鏡に関する。 The present invention relates to a scanning electron microscope for acquiring a scanned image of a sample by scanning a focused electron beam on the sample surface.
走査電子顕微鏡において、一次電子線は、対物レンズによる励磁によって、試料面上でそのプローブ径が小さくなるように集束される。この状態で、走査偏向器により、電子線を試料面上で二次元的に走査し、これにより試料から発生する反射電子等の被検出電子を電子検出器により輝度信号として検出する。 In the scanning electron microscope, the primary electron beam is focused on the sample surface so that the probe diameter becomes small by excitation with the objective lens. In this state, the electron beam is scanned two-dimensionally on the sample surface by the scanning deflector, whereby detected electrons such as reflected electrons generated from the sample are detected as luminance signals by the electron detector.
通常、このような被検出電子を検出するための電子検出器は、対物レンズの下方(試料側)若しくは上方(電子線源側)に設置されており、これにより検出された輝度信号は、増幅器により増幅される。 Usually, an electron detector for detecting such detected electrons is installed below (sample side) or above (electron beam source side) the objective lens, and the detected luminance signal is an amplifier. Is amplified.
増幅された輝度信号は、画像処理ボードに送られる。画像処理ボードは、輝度信号及び走査信号に基づき、走査画像データを形成する。これにより形成された走査画像データは、LCD(Liquid Crystal Display)等の表示部に送られ、該走査画像データに基づく画像が走査像として表示部により表示される。 The amplified luminance signal is sent to the image processing board. The image processing board forms scanned image data based on the luminance signal and the scanning signal. The scan image data thus formed is sent to a display unit such as an LCD (Liquid Crystal Display), and an image based on the scan image data is displayed on the display unit as a scan image.
対物レンズの上方に配置される電子検出器の例としては、一次電子線の光軸に対応する位置に開口が形成されて該光軸近傍に配置される検出器や、該光軸から外れた位置に配置される検出器がある。 Examples of electron detectors arranged above the objective lens include detectors that are arranged near the optical axis with an opening formed at a position corresponding to the optical axis of the primary electron beam, and are off the optical axis. There is a detector placed in position.
さらに、光軸外に配置されて輝度信号を検出するものの中には、試料からの反射電子を反射板に衝突させて、これにより該反射板から発生する二次電子を検出するものもある。 Further, among those that are arranged outside the optical axis and detect the luminance signal, there are those that detect the secondary electrons generated from the reflecting plate by colliding the reflected electrons from the sample with the reflecting plate.
ここで、対物レンズの上方に電子検出器を配置する場合、空間的制限が大きいので、電子検出器は対物レンズの下方に配置されることが多い。 Here, when the electron detector is arranged above the objective lens, the spatial limit is large, so the electron detector is often arranged below the objective lens.
また、試料から発生する被検出電子の中で、反射電子のみ検出するために、一次電子線が通過するインナーチューブの内壁に二次電子を衝突させて吸収し、インナーチューブ内を上昇してきた反射電子を選択的にインナーチューブ内部で検出するものもある(特許文献1参照)。 In addition, in order to detect only the reflected electrons among the detected electrons generated from the sample, the secondary electrons collide with the inner wall of the inner tube through which the primary electron beam passes to absorb it, and the reflection that has risen inside the inner tube Some devices selectively detect electrons inside the inner tube (see Patent Document 1).
なお、一次電子線の走査に応じて試料から発生する反射電子の中で、特に低い角度(例えば30度以下)で放出される電子は、その試料の極表面の情報及び結晶構造の情報等の非常に有用な情報を多く含んでいる。従って、このような低角度で放出された反射電子の効率的な検出が望まれている。 Of the reflected electrons generated from the sample in response to the scanning of the primary electron beam, electrons emitted at a particularly low angle (for example, 30 degrees or less) are information on the surface of the sample and information on the crystal structure. It contains a lot of very useful information. Therefore, efficient detection of reflected electrons emitted at such a low angle is desired.
通常の走査電子顕微鏡においては、試料からの二次電子の検出を行う目的で、対物レンズ下面より離れた位置に二次電子検出器が配置されている。この二次電子検出器と試料表面までの距離は大きいので、上述した低角度で放出される反射電子は当該二次電子検出器まで到達することが困難である。よって、この二次電子検出器を用いてこのような反射電子を検出することはできない。 In a normal scanning electron microscope, a secondary electron detector is disposed at a position away from the lower surface of the objective lens for the purpose of detecting secondary electrons from a sample. Since the distance between the secondary electron detector and the sample surface is large, it is difficult for the above-described reflected electrons emitted at a low angle to reach the secondary electron detector. Therefore, such reflected electrons cannot be detected using this secondary electron detector.
従って、当該反射電子の検出を行うためには、対物レンズの下方であって、対物レンズ下面と試料との間に円板状の電子検出器を挿入し、当該電子検出器を用いて反射電子(低角度放出の反射電子及び高角度放出の反射電子を含む)の検出を行っていた。 Therefore, in order to detect the reflected electrons, a disk-shaped electron detector is inserted below the objective lens and between the lower surface of the objective lens and the sample, and the reflected electrons are detected using the electron detector. (Including low-angle emission backscattered electrons and high angle emission backscattered electrons).
しかしながら、このような構成では、当該電子検出器の存在によって、試料表面を対物レンズ下面に近付けることに制限が生じ、対物レンズ下面から試料表面までの作動距離(WD)が必然的に長くなる。この結果、試料像(走査像)を得る際の分解能の低下をもたらすこととなる。 However, in such a configuration, the presence of the electron detector limits the approach of the sample surface to the lower surface of the objective lens, which inevitably increases the working distance (WD) from the lower surface of the objective lens to the sample surface. As a result, the resolution at the time of obtaining the sample image (scanned image) is reduced.
また、対物レンズの下部に設けられている電子線が通過する穴の径を大きくして、対物レンズの内部に電子検出器を配置して反射電子等を検出する構成も検討されているが、対物レンズ内部において空間的制限が大きく生じることとなる。 In addition, a configuration in which the diameter of a hole through which an electron beam provided at the lower part of the objective lens passes is increased and an electron detector is disposed inside the objective lens to detect reflected electrons or the like has been studied. A large spatial restriction occurs inside the objective lens.
本発明は、このような点に鑑みて成されたものであり、試料像の取得時における分解能の低下をもたらすことなく、試料からの低角度放出反射電子の検出を効率良く行うことのできる走査電子顕微鏡の提供を行うことを目的とする。 The present invention has been made in view of the above points, and scanning that can efficiently detect low-angle emission backscattered electrons from a sample without degrading resolution at the time of acquiring a sample image. The purpose is to provide an electron microscope.
本発明に基づく走査電子顕微鏡は、電子線を放出する電子線源と、電子線源から放出された電子線を試料上で集束させるための対物レンズと、集束した電子線を試料上で走査するための走査偏向器と、電子線源からの電子線が通過するインナーチューブとを備える走査電子顕微鏡において、インナーチューブの内壁に第1のシンチレータを設けるとともに、電子線の走査に応じて試料から発生する第1の被検出電子が第1のシンチレータに衝突して発光が生じ、該発光によりインナーチューブの内部において電子線源側に向かって進む第1の光を検出するための光検出器を設置し、該光検出器による検出結果に基づいて走査像を形成することを特徴とする。 A scanning electron microscope according to the present invention scans an electron beam source that emits an electron beam, an objective lens that focuses the electron beam emitted from the electron beam source on the sample, and the focused electron beam on the sample. In a scanning electron microscope comprising a scanning deflector for scanning and an inner tube through which an electron beam from an electron beam source passes, a first scintillator is provided on the inner wall of the inner tube and generated from a sample in response to scanning of the electron beam A first detector to be detected collides with the first scintillator to emit light, and a light detector is installed to detect the first light traveling toward the electron beam source inside the inner tube due to the light emission. The scanning image is formed on the basis of the detection result by the photodetector.
本発明においては、電子線源からの電子線が通過するためのインナーチューブの内壁に設けられたシンチレータに、試料からの被検出電子が衝突することにより、該シンチレータにおいて発光が生じ、これによりインナーチューブ内部において電子線源側に向かう光の検出を行う。 In the present invention, the detected electrons from the sample collide with the scintillator provided on the inner wall of the inner tube through which the electron beam from the electron beam source passes, so that the scintillator emits light, thereby causing the inner scintillator to emit light. Detection of light toward the electron beam source side is performed inside the tube.
これにより、対物レンズと試料との間に電子検出器を配置することなく、試料表面を対物レンズ下面に近付けた状態で、試料からの反射電子等の被検出電子の検出を効率良く行うことができる。この結果、試料観察時での作動距離を短くすることができ、試料像を取得する際の分解能の低下を防ぐことができる。 As a result, it is possible to efficiently detect electrons to be detected such as reflected electrons from the sample without placing an electron detector between the objective lens and the sample, with the sample surface close to the lower surface of the objective lens. it can. As a result, the working distance at the time of sample observation can be shortened, and a reduction in resolution when acquiring a sample image can be prevented.
特に、本発明の場合、試料からの被検出電子として、低角度放出の反射電子を該シンチレータに衝突させることができるので、分解能の低下をもたらすことなく当該低角度放出反射電子の検出を効率良く行うことができる。 In particular, in the case of the present invention, low-angle emission reflected electrons can be made to collide with the scintillator as electrons to be detected from the sample, so that detection of the low-angle emission reflected electrons can be performed efficiently without causing a reduction in resolution. It can be carried out.
以下、図面を参照して、本発明の第1実施例について説明する。図1は、本発明における走査電子顕微鏡を示す概略構成図である。 A first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a scanning electron microscope in the present invention.
同図において、電子銃(電子線源)1から放出される電子線7は、所定の加速電圧によって加速されており、集束レンズ2が発生する磁界により対物絞り10に向けて集束される。対物絞り10には孔10aが形成されており、当該集束された電子線7は対物絞り10の孔10aを通過する。さらに、孔10aを通過した電子線7は、電子/光検出手段6を構成するライトガイド(導光部材)25及びシンチレータ24に設けられた開口23を通過する。
In the figure, an
ここで、電子銃1から放出された電子線7は、電子銃1から検出手段6の開口23に至るまでの間は、インナーチューブ(真空パイプ)8の前段部分(図示省略)の内部を通過する。そして、検出手段6の開口23を通過した電子線7は、インナーチューブ8の後段部分8a内部を通過し、試料5に到達する。
Here, the
検出手段6は、インナーチューブ8の前段部分と後段部分(以下、当該後段部分を「後段インナーチューブ」という)8aとの間に位置している。そして、後段インナーチューブ8aの下端部における内壁には、シンチレータ(第1のシンチレータ)9が設けられている。このシンチレータ9は、粉末のシンチレータ材料を塗布する等の方法により設けられる。後段インナーチューブ8aの当該下端部は、対物レンズ4の電子線通過孔内に位置しており、試料5と対向するように配置される。
The detection means 6 is located between the front part and the rear part (hereinafter, the rear part is referred to as “rear inner tube”) 8 a of the
後段インナーチューブ8a内を通過した電子線7は、対物レンズ4が発生する磁界によって試料5上に電子プローブとして集束される。また、このとき、この集束された電子線7は、走査偏向器3の動作に基づき試料5の上面を走査する。走査偏向器3は、後段インナーチューブ8aの外側に配置されている。また、試料5は、図示しない試料ステージに載置されている。
The
この電子線7の試料5上での走査に基づき、試料5上での該走査領域からは、反射電子等の被検出電子(検出対象電子)が発生する。この被検出電子の検出については、後述する。
Based on the scanning of the
電子銃1、集束レンズ2、走査偏向器3及び対物レンズ4は、それぞれ対応する駆動電源1a〜4aにより駆動される。各駆動電源1a〜4aはバスライン12に接続されている。バスライン12には、CPU13が接続されている。これにより、これら駆動電源1a〜4aは、バスライン12を介してCPU13によって駆動制御される。
The electron gun 1, the focusing
また、検出手段6は、ライトガイド(導光部材)25と、このライトガイド25の先端部分の下面であってインナーチューブ8内に位置する部分に設けられたシンチレータ(第2のシンチレータ)24と、該ライトガイド25の基端に接続された光電子増倍管(PMT)26から構成されている。シンチレータ24は、後段インナーチューブ8aを介して試料5と対向するように位置している。シンチレータは、被検出電子の入射に応じて発光するものである。本発明(第1実施例)では、光電子増倍管26が光検出器となる。
The detection means 6 includes a light guide (light guide member) 25, and a scintillator (second scintillator) 24 provided on a lower surface of the tip portion of the
検出手段6を構成する光電子増倍管26からの出力信号(検出信号)は、画像処理部11に送られる。これと同時に画像処理部11には、電子線7を走査偏向器により走査するための走査信号がCPU13よりバスライン12を介して送られる。画像処理部11は、当該検出信号及び走査信号に基づき、走査像データを作成する。該走査像データは、バスライン12を介してメモリ14に送られ、メモリ14内に適宜格納される。
An output signal (detection signal) from the
メモリ14内に格納された走査像データは、CPU13の制御によって読み出されることにより、バスライン12を介して表示部15に送られる。表示部15は、当該走査像データに基づく走査像(試料像)を表示する。
Scanned image data stored in the
なお、CPU13の制御によって、画像処理部11からの走査像データ11が、バスライン12を介して表示部15に送られる場合もある。この場合は、ライブ画像としての走査像が表示部15により表示されることとなる。
Note that the scan image data 11 from the image processing unit 11 may be sent to the
上記構成において、各駆動電源1a〜4a、画像処理部11、メモリ14及び表示部15は、それぞれCPU13により制御される。また、図中の入力部16は、マウス等のポインティングデバイス及びキーボード等のキーデバイスからなる。
In the above configuration, the drive power supplies 1a to 4a, the image processing unit 11, the
以上が、本発明における走査電子顕微鏡の構成である。次に、本走査電子顕微鏡の動作について、図2を交えて説明する。 The above is the configuration of the scanning electron microscope in the present invention. Next, the operation of the present scanning electron microscope will be described with reference to FIG.
電子銃1から放出された電子線7は、上述したように集束レンズ2、対物絞り10の孔10a、検出手段6の開口23、及びインナーチューブ8を通過した後、試料5の上面に到達する。このとき、上記のように、対物レンズ4の磁界によって電子線7は試料5上で集束するとともに、走査偏向器3の動作に基づき試料5上の所定領域を走査する。電子線7による試料5上での走査は、CPU13から駆動電源3aに供給される走査信号に基づいて行われる。
The
電子線7の走査によって試料5上からは、反射電子等の被検出電子が発生する。このようにして発生した被検出電子の中の各種放出角度の反射電子21は、図2に示すごとく、対物レンズ4が発生する磁界あるいはそれに付属する電界によって捕獲されて、対物レンズ4内部を上昇する。
Electrons to be detected such as reflected electrons are generated from the
上記反射電子21のうちで、試料5の表面(上面)に対して30度以下で放出される低角度放出反射電子21aは、後段インナーチューブ8aの下端部内壁に設けられたシンチレータ9(第1のシンチレータ)に衝突する。
Among the reflected
これによりシンチレータ9においては、衝突する該反射電子21aの量に基づく発光が生じる。この発光による光22(第1の光)は、後段インナーチューブ8a内部において、後段インナーチューブ8aの下端部から上方に向かって進む。
As a result, the
後段インナーチューブ8の上端部分まで進んだ光22は、検出手段6のシンチレータ24を通過し、ライトガイド25に到達する。ここで、検出手段6のシンチレータ24(第2のシンチレータ)は、後段インナーチューブ8aの下端部内壁に設けられたシンチレータ9から発生する光22が透過する材料からなっている。
The light 22 traveling to the upper end portion of the rear
また、インナーチューブ8において、少なくとも後段インナーチューブ8a全体の内壁部分は、予め鏡面処理が施されている。従って、後段インナーチューブ8aの内壁部分のうち、シンチレータ9によって被われていない内壁部分は、鏡面が露出されており、シンチレータ9から発生した光22を後段インナーチューブ8aの内部において効率良く上方へ導くことができる。
Further, in the
検出手段6のライトガイド25に到達した光22は、ライトガイド25内部において、ライトガイド25の先端部分からその基端側に導光される。このようにして導光された光22は、光検出器である光電子増倍管26により検出される。
The light 22 that has reached the
また、上述した電子線7の走査によって発生する反射電子のうちで、試料5の表面に対して30度を超える角度で放出される高角度放出反射電子21bの大部分は、対物レンズ4内部を上昇した後、後段インナーチューブ8aの内壁に衝突することなく、そのまま後段インナーチューブ8a内を上昇する。
Of the reflected electrons generated by the scanning of the
このようにして、後段インナーチューブ8a内を上昇した該反射電子21bは、検出手段6のシンチレータ24に衝突する。この衝突によって、シンチレータ24で発光が生じ、その光(第2の光)はライトガイド25に入射する。この第2の光も、上記第1の光と同様に、ライトガイド25内部をその基端側に導光される。このようにして導光された第2の光も光電子増倍管26によって検出される。
In this way, the reflected electrons 21b that have moved up in the rear
この結果、検出手段6を構成する光電子増倍管26は、試料から発生した低角度放出反射電子21a及び高角度放出反射電子21bの双方を含む検出信号を画像処理部11に出力する。
As a result, the
画像処理部11は、上述したように、光電子増倍管26からの該検出信号とCPU13からの走査信号とに基づき、走査像データを作成する。該走査像データは、メモリ14に格納され、その後CPU13の制御によってメモリ14から読み出されて表示部15に送られる。表示部15は、当該走査像データに基づく走査像の表示を行う。
As described above, the image processing unit 11 creates scan image data based on the detection signal from the
また、画像処理部11によって作成された走査像データを、CPU13の制御によって、バスライン12を介して表示部15に送ることも可能である。この場合も、表示部15は、当該走査像データに基づく走査像の表示を行う。
The scanned image data created by the image processing unit 11 can be sent to the
このようにして表示された各走査像は、試料から発生した低角度放出反射電子21a及び高角度放出反射電子21bの双方の情報に基づく試料像となっている。 Each scanned image displayed in this way is a sample image based on information on both the low-angle emission reflected electrons 21a and the high-angle emission reflected electrons 21b generated from the sample.
次に、本発明の第2実施例について、以下に説明する。この第2実施例においては、反射電子の衝突に応じて、第1のシンチレータ9が発光する第1の光の波長と第2のシンチレータ24が発光する第2の光の波長を異なるものとする。例えば、第1のシンチレータ9から発生する第1の光の波長を600nm程度とし、第2のシンチレータ24から発生する第2の光の波長を400nm程度とする。これは、各シンチレータ9,24の材料を選択することによって設定可能である。
Next, a second embodiment of the present invention will be described below. In the second embodiment, the wavelength of the first light emitted from the
さらに、検出手段6を構成するライトガイド25と光電子増倍管26との間に分光器(図示せず)を設ける。この分光器は、波長の相違に基づき、第1の光又は第2の光のうちの何れか一方を選択して光電子増倍管26に導光するという機能を有する。
Further, a spectroscope (not shown) is provided between the
これにより、検出手段6において、分光器により第1の光が選択されて光電子増倍管26に導光された場合には、取得される走査像データは、低角度放出反射電子21aに基づく像データとなる。また、分光器により第2の光が選択されて光電子増倍管26に導光された場合には、取得される走査像データは、高角度放出反射電子21bに基づく像データとなる。ここで、分光器による分光機能を解除することにより、双方の反射電子21a,21bに基づく走査像データを取得することも可能となる。
Thereby, in the detection means 6, when the first light is selected by the spectroscope and guided to the
さらに、上記第1実施例及び第2実施例の変形例として、第1のシンチレータ9を図3のように設けることもできる。図3では、図1及び図2における後段インナーチューブ8aのうち、右側断面の部分のみを図示している。
Furthermore, as a modification of the first and second embodiments, the
図3において、後段インナーチューブ8aの下端部内壁面には、多数の段部8bが形成されている。これら各段部8bにおいて上方に面している面(上側面)のそれぞれに、第1のシンチレータ9が設けられている。さらに、各段部8bの上面は鏡面となっている。
In FIG. 3, a large number of step portions 8b are formed on the inner wall surface of the lower end portion of the rear
このような構成とすれば、各段部8bの上面に設けられた第1のシンチレータ9に反射電子21aが衝突して生じる第1の光22を、後段インナーチューブ8a内においてさらに効率良く上方に導光することができる。
With such a configuration, the
また、他の変形例としては、後段インナーチューブ8aの下端部内壁面に設けられる第1のシンチレータ9を単結晶からなるシンチレータとすることもできる。
As another modification, the
さらに、検出手段6において高角度放出反射電子21bの検出を行う素子として、シンチレータを用いる構成とせずに半導体素子(半導体検出器)を用いることもできる。この場合、ライトガイド25及び光電子増倍管26を設けなくても、該半導体検出器によって第1の光22の検出を同時に行うことができる。この場合、該半導体検出器が光検出器を構成する。
Further, a semiconductor element (semiconductor detector) can be used as an element for detecting the high-angle emission reflected electrons 21b in the detection means 6 without using a scintillator. In this case, the
このように、本発明における走査電子顕微鏡は、電子線7を放出する電子線源1と、電子線源1から放出された電子線7を試料5上で集束させるための対物レンズ4と、集束した電子線4を試料5上で走査するための走査偏向器3と、電子線源1からの電子線7が通過するインナーチューブ8(8a)とを備える走査電子顕微鏡において、インナーチューブ8(8a)の内壁に第1のシンチレータ9を設けるとともに、電子線7の走査に応じて試料5から発生する第1の被検出電子21aが第1のシンチレータ9に衝突して発光が生じ、該発光によりインナーチューブ8(8a)の内部において電子線源1側に向かって進む第1の光22を検出するための光検出器26を設置し、該光検出器26による検出結果に基づいて走査像を形成する。
As described above, the scanning electron microscope according to the present invention includes the electron beam source 1 that emits the
第1のシンチレータは9、インナーチューブ8(8a)内壁において形成された多数の段部8bに形成されており、それぞれの発光面が電子線源1側に向いているように構成することもできる。このとき、各段部8bにおいてシンチレータ9が設けられる面を鏡面とすることもできる。
The
また、インナーチューブ8(8a)の内壁において、第1のシンチレータ9が設けられた部分以外の露出面に鏡面部分を設けることができる。これにより、第1の光22を効率よく導光することが可能となる。
Further, on the inner wall of the inner tube 8 (8a), a mirror surface portion can be provided on the exposed surface other than the portion where the
さらに、第1の光22を受光する導光部材25が配置されており、該導光部材25によって導光された光が光検出器26によって検出される。このとき、導光部材25の受光面に第2のシンチレータ24が配置されており、電子線7の走査に応じて試料5から発生する第2の被検出電子21bが第2のシンチレータ24に衝突して生じる第2の光も光検出器26によって検出される。第2のシンチレータ24は、第1のシンチレータ9から生じた第1の光22が透過可能となる材質により構成されている。
Further, a
そして、第1のシンチレータ9から発生する第1の光22の波長と、第2のシンチレータ24から発生する第2の光の波長とは相違しており、第1又は第2の光の何れか一方を光検出器に導くことのできる分光手段を導光部材に設けることもできる。
The wavelength of the
また、変形例として、第1の光22を検出する光検出器を、半導体素子から構成される半導体検出器とし、電子線の走査に応じて試料から発生する第2の被検出電子も該半導体検出器によって検出するようにすることもできる。
As a modification, the photodetector for detecting the
本発明においては、インナーチューブ8aの内壁にシンチレータ9を設けることにより、これまで検出が困難であった低角度放出の反射電子21aに基づく走査像を得ることが可能となる。
In the present invention, by providing the
この場合、当該反射電子21aの検知に起因する信号が、インナーチューブ8a内を通るシンチレーション光であるので、電子線7の光軸上の近傍に検出面が位置する検出手段6を用いて当該信号を検出できるので、別途検出器を設ける必要がなく、装置が複雑化することがない。
In this case, since the signal resulting from the detection of the reflected electrons 21a is scintillation light passing through the
そして、当該信号が光であるので、検出手段が対物レンズ4下面からある程度離れていても効率的に信号の検出が可能となる。 Since the signal is light, the signal can be efficiently detected even if the detection unit is separated from the lower surface of the objective lens 4 to some extent.
また、第1の被検出電子21aの検知に基づくシンチレーション光22の波長と、第2の被検出電子21bの検知に基づくシンチレーション光の波長とを変え、さらにこれらの光を選別する分光器を設けることにより、分光して別々の像を取得することが可能となる。
Further, a spectroscope is provided that changes the wavelength of the
1…電子銃(電子線源)、2…集束レンズ、3…走査偏向器、4…対物レンズ、5…試料、6…検出手段、7…電子線、8…インナーチューブ、8a…後段インナーチューブ、9…第1のシンチレータ、10…対物絞り、11…画像処理部、12…バスライン、13…CPU、14…メモリ、15…表示部、16…入力部、2…反射電子、21a…低角度放出反射電子、21b…高角度放出反射電子、22…第1の光、24…第2のシンチレータ、25…ライトガイド(導光部材)、26…光電子増倍管(光検出器) DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electron gun (electron beam source), 2 ... Condensing lens, 3 ... Scanning deflector, 4 ... Objective lens, 5 ... Sample, 6 ... Detection means, 7 ... Electron beam, 8 ... Inner tube, 8a ... Later stage inner tube , 9 ... 1st scintillator, 10 ... Objective stop, 11 ... Image processing unit, 12 ... Bus line, 13 ... CPU, 14 ... Memory, 15 ... Display unit, 16 ... Input unit, 2 ... Reflected electron, 21a ... Low Angle emission reflected electrons, 21b ... High angle emission reflected electrons, 22 ... First light, 24 ... Second scintillator, 25 ... Light guide (light guide member), 26 ... Photomultiplier tube (photo detector)
Claims (9)
Priority Applications (1)
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JP2010124078A JP5341025B2 (en) | 2010-05-31 | 2010-05-31 | Scanning electron microscope |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010124078A JP5341025B2 (en) | 2010-05-31 | 2010-05-31 | Scanning electron microscope |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011249273A JP2011249273A (en) | 2011-12-08 |
JP5341025B2 true JP5341025B2 (en) | 2013-11-13 |
Family
ID=45414269
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010124078A Expired - Fee Related JP5341025B2 (en) | 2010-05-31 | 2010-05-31 | Scanning electron microscope |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5341025B2 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7495939B2 (en) * | 2019-01-08 | 2024-06-05 | アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド | Scanning Electron Microscopy and Overlay Monitoring Methods |
JP7076021B1 (en) | 2021-03-10 | 2022-05-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | Light guide, electron beam detector, and charged particle device |
CN115616017B (en) * | 2022-09-30 | 2023-11-10 | 南方科技大学 | Electronic optical test platform device |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3236271A1 (en) * | 1982-09-30 | 1984-04-05 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | SPECTROMETER LENS FOR THE CARPUSULAR BEAM MEASUREMENT TECHNOLOGY |
JPS6410561A (en) * | 1987-07-02 | 1989-01-13 | Akashi Biimu Technol Kk | Electrostatic lens with secondary electron detector function |
JPH09134697A (en) * | 1995-11-10 | 1997-05-20 | Hitachi Ltd | Transmission interference electron microscope and detector used for the same |
JP3432091B2 (en) * | 1996-11-05 | 2003-07-28 | 日本電子株式会社 | Scanning electron microscope |
JP2000131045A (en) * | 1998-10-26 | 2000-05-12 | Jeol Ltd | Scanning type charged particle beam system |
JP2001057172A (en) * | 1999-08-18 | 2001-02-27 | Jeol Ltd | Scanning electron microscope |
JP2001196020A (en) * | 2000-01-12 | 2001-07-19 | Musashino Eng:Kk | Rheed device and its operating method |
JP2003151482A (en) * | 2001-11-14 | 2003-05-23 | Jeol Ltd | Electron detector |
-
2010
- 2010-05-31 JP JP2010124078A patent/JP5341025B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011249273A (en) | 2011-12-08 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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