JP5336141B2 - Method for forming anodized film of valve metal using ionic liquid with water added - Google Patents

Method for forming anodized film of valve metal using ionic liquid with water added Download PDF

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Description

本発明は水とイオン液体の混合溶液を用いる弁金属の陽極酸化皮膜形成方法に関わるものである。   The present invention relates to a method for forming an anodized film of a valve metal using a mixed solution of water and an ionic liquid.

一般に陽極酸化法とは、金属を陽極として酸性水溶液、あるいは中性水溶液中で金属表面に酸化皮膜を形成する方法である。この方法はアルミニウムやタンタル、ニオブなどの弁金属表面への酸化皮膜の形成に使用されることが多く、アルミニウムを例にとると、硫酸、シュウ酸、リン酸などの酸性水溶液中では厚いポーラス型の酸化皮膜が生成し、ホウ酸塩、リン酸塩、アジピン酸塩などの中性水溶液中では薄く緻密なバリヤー型の皮膜が生成する。皮膜生成の機構はバリヤー型もポーラス型も本質的な差異はなく、いずれが生成するのかは溶液の皮膜溶解性、すなわちアニオン種とその濃度およびプロトン濃度によって決まる。また皮膜は常に多少ともアニオンおよびプロトンを含み、それによって性質が左右される。
アルミニウムのポーラス型の酸化皮膜は金属の防食、摩擦防止、および着色による装飾などの目的に主に使用されている。一方でバリヤー型の皮膜は電解コンデンサの誘電体として広く用いられており、陽極酸化の主たる用途となっている。
In general, the anodic oxidation method is a method of forming an oxide film on a metal surface in an acidic aqueous solution or a neutral aqueous solution using a metal as an anode. This method is often used to form an oxide film on the surface of valve metals such as aluminum, tantalum, and niobium. For example, aluminum is a thick porous type in acidic aqueous solutions such as sulfuric acid, oxalic acid, and phosphoric acid. In the neutral aqueous solution such as borate, phosphate and adipate, a thin and dense barrier type film is formed. The mechanism of film formation is not fundamentally different between the barrier type and the porous type, and which is formed depends on the film solubility of the solution, that is, the anion species and their concentration and proton concentration. The film also always contains some anions and protons, which influences the properties.
Aluminum porous oxide films are mainly used for the purposes of metal anticorrosion, friction prevention, and decoration by coloring. On the other hand, the barrier-type film is widely used as a dielectric for electrolytic capacitors, and is a main application for anodization.

電解コンデンサは一般にアルミニウム、タンタル等の弁金属を陽極金属とし、その表面に陽極酸化法によって形成された酸化皮膜を誘電体とし、さらに誘電体上に形成された電解質層を挟んで陰極を形成した構成となっている。なかでも電解質として導電性高分子を用いた導電性高分子電解コンデンサは、その優れたインピーダンス特性により市場を拡大しつつある。   Electrolytic capacitors generally use a valve metal such as aluminum or tantalum as an anode metal, an oxide film formed on the surface thereof as a dielectric, and a cathode formed with an electrolyte layer formed on the dielectric. It has a configuration. In particular, conductive polymer electrolytic capacitors using a conductive polymer as an electrolyte are expanding the market due to their excellent impedance characteristics.

導電性高分子としては、典型的には、ポリピロールあるいはポリチオフェン誘導体等を用いるが、一般的にこれらの導電性高分子は、液体を電解質として用いた電解コンデンサと比べて高耐圧のコンデンサを作ることが困難である。なぜなら、液体とは異なり、導電性高分子が本質的に誘電体である弁金属表面に形成された酸化皮膜の修復能力を有していないためである。したがって、導電性高分子電解コンデンサにおいては、陽極酸化により優れた皮膜を効率よく形成することが重要となる。   Typically, polypyrrole or polythiophene derivatives are used as the conductive polymer, but in general, these conductive polymers make capacitors with a higher withstand voltage than electrolytic capacitors using liquid as an electrolyte. Is difficult. This is because, unlike liquids, conductive polymers do not have the ability to repair oxide films formed on valve metal surfaces that are essentially dielectrics. Therefore, in a conductive polymer electrolytic capacitor, it is important to efficiently form an excellent film by anodic oxidation.

上述したように電解コンデンサの誘電体としての酸化皮膜を形成するには、一般的にはホウ酸塩、リン酸塩、アジピン酸塩などの中性水溶液中で行われるが、現状では陽極酸化皮膜形成効率が不十分であり、十分な厚さを有する酸化皮膜を効率良く得ることが困難であるという課題があった。また、イオン液体が陽極酸化能力を有することが報告されているが、酸化皮膜形成について陽極酸化の効率や含水量との関係に関しては何ら記載されていない(特許文献1)。
国際公開WO2005/012599号パンフレット
As described above, an oxide film as a dielectric of an electrolytic capacitor is generally formed in a neutral aqueous solution such as borate, phosphate, or adipate. There existed a subject that formation efficiency was inadequate and it was difficult to obtain the oxide film which has sufficient thickness efficiently. Moreover, although it has been reported that an ionic liquid has an anodic oxidation capability, nothing is described regarding the relationship between the anodic oxidation efficiency and the water content for forming an oxide film (Patent Document 1).
International Publication WO2005 / 012599 Pamphlet

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的とするところは、ある濃度範囲で水を添加したイオン液体を用いることにより、高効率な弁金属の陽極酸化皮膜形成方法を提供することである。   The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and the object of the present invention is to form a highly efficient valve metal anodic oxide film by using an ionic liquid to which water is added in a certain concentration range. Is to provide a method.

本発明者らは、上記に鑑み鋭意検討を行った結果、ある濃度範囲で水を添加したイオン液体を用いて陽極酸化することで、弁金属により厚い酸化皮膜を効率的に形成することができる事を発見して、本発明を成すに至った。   As a result of intensive studies in view of the above, the present inventors can efficiently form a thick oxide film with a valve metal by anodizing using an ionic liquid to which water is added in a certain concentration range. I discovered this and made the present invention.

すなわち、本発明は、2wt%〜50wt%の範囲で水を添加したイオン液体を用いた弁金属の陽極酸化皮膜形成方法に関する。   That is, the present invention relates to a method for forming an anodic oxide film on a valve metal using an ionic liquid to which water is added in a range of 2 wt% to 50 wt%.

また本発明は、少なくともその製造工程の一部として上記の酸化皮膜形成方法を用いる事を特徴とする電解コンデンサの製造方法に関する。   The present invention also relates to a method for manufacturing an electrolytic capacitor, characterized in that the above oxide film forming method is used as at least a part of the manufacturing process.

2wt%〜50wt%の範囲で水を添加したイオン液体は、陽極酸化能力が高く、従来のホウ酸塩、リン酸塩、アジピン酸塩などの中性水溶液を用いた陽極酸化法よりも、効率的により厚い酸化皮膜を形成することができる。   An ionic liquid with water added in the range of 2 wt% to 50 wt% has a high anodizing ability and is more efficient than conventional anodizing methods using neutral aqueous solutions such as borate, phosphate and adipate. A thicker oxide film can be formed.

まず本発明で用いるイオン液体について説明する。イオン液体は、常温溶融塩ともいわれ、イオンのみから構成されているにも関わらず常温で液体であるものを指し、イミダゾリウムなどのカチオンと適当なアニオンの組み合わせから構成される。イオン液体は、通常の有機溶媒のように一部がイオン化・解離しているのではなく、イオンのみから形成され100%イオン化していると考えられている。   First, the ionic liquid used in the present invention will be described. An ionic liquid, also called a room temperature molten salt, refers to a liquid that is liquid at room temperature despite being composed only of ions, and is composed of a combination of a cation such as imidazolium and an appropriate anion. The ionic liquid is not partially ionized and dissociated like a normal organic solvent, but is considered to be formed from only ions and 100% ionized.

イオン液体が弁金属の陽極酸化能力を有することはすでに報告されており、例えばアルミニウムの酸化皮膜の欠陥を修復できる事を利用し高耐電圧の導電性高分子コンデンサが作製されている(特許文献1)。ここでいう陽極酸化能力とは、弁金属上に酸化皮膜を形成する能力およびあらかじめ形成された酸化皮膜の欠陥修復能力のことをいう。また、弁金属とは、バルブ金属ともいい、陽極酸化により金属表面がその金属の酸化皮膜表面で一様に覆われて優れた耐食性を示し、その酸化皮膜が電流を一方向にのみ流して逆方向には非常に流しにくくなる、いわゆる整流作用(弁作用)を示すものをいう。このように陽極酸化により酸化皮膜で覆われ整流作用を示す弁金属としては、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、亜鉛、タングステン、ビスマス、アンチモンなどが知られており、これらの中ではアルミニウム、タンタル、ニオブなどが電解コンデンサに用いられている。   It has already been reported that ionic liquids have the ability to anodize valve metals. For example, high-voltage conductive polymer capacitors have been fabricated using the ability to repair defects in aluminum oxide films (Patent Documents). 1). The anodic oxidation ability here refers to the ability to form an oxide film on the valve metal and the ability to repair defects in the previously formed oxide film. The valve metal is also called a valve metal. The metal surface is uniformly covered with the surface of the metal oxide film by anodic oxidation, and exhibits excellent corrosion resistance. The oxide film flows in only one direction and is reversed. This means a so-called rectifying action (valve action) that is very difficult to flow in the direction. As valve metals that are covered with an oxide film by anodic oxidation and exhibit a rectifying action, aluminum, tantalum, niobium, titanium, hafnium, zinc, tungsten, bismuth, antimony, and the like are known. Among these, aluminum, Tantalum, niobium, etc. are used for electrolytic capacitors.

イオン液体に対する水の添加量は重量比で、2wt%〜50wt%の範囲が好ましく、特に5wt%〜45wt%の範囲が好ましい。水の添加重量比が2wt%以下と少ない場合、イオン液体のみで陽極酸化を行っているのとほぼ同等になり、酸化皮膜を形成することはできるが、効率良く十分な厚い酸化皮膜を得ることができない。親水性のイオン液体の場合には空気中に放置する事で大気中の水分を吸収する事が知られている。しかし、この様にして吸収されるイオン液体中の水の量は一般に2wt%以下で飽和する。従って、意識的に水を加えない限り2wt%以上の水が自然にイオン液体中に含まれる事はないと考えられる。一方、水の添加重量比が50wt%以上と多い場合、水の分解の影響が大きくなり、電流が多く流れてしまい、陽極酸化皮膜を形成する効率は、従来のホウ酸塩、リン酸塩、アジピン酸塩などの中性水溶液を用いた陽極酸化法よりも低くなる。   The amount of water added to the ionic liquid is preferably in the range of 2 wt% to 50 wt%, particularly preferably in the range of 5 wt% to 45 wt%, by weight. When the added weight ratio of water is as low as 2 wt% or less, it is almost equivalent to anodic oxidation using only ionic liquid, and an oxide film can be formed, but a sufficiently thick oxide film can be obtained efficiently. I can't. In the case of a hydrophilic ionic liquid, it is known to absorb moisture in the atmosphere by leaving it in the air. However, the amount of water in the ionic liquid absorbed in this way is generally saturated at 2 wt% or less. Therefore, it is considered that 2 wt% or more of water is not naturally contained in the ionic liquid unless water is intentionally added. On the other hand, when the added weight ratio of water is as large as 50 wt% or more, the influence of water decomposition becomes large, a large amount of current flows, and the efficiency of forming an anodic oxide film is the conventional borate, phosphate, It becomes lower than the anodic oxidation method using a neutral aqueous solution such as adipate.

次に、本発明において用いられるイオン液体のアニオン成分について説明する。
本発明におけるイオン液体のアニオン成分は、スルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、硫酸アニオン、イミドアニオン、ハロゲンアニオン、ホウ素アニオン、リンアニオンからなる群から1以上選ばれるアニオンが、例示されるが、これらに限定されるものではない。以下に順に説明する。
Next, the anion component of the ionic liquid used in the present invention will be described.
Examples of the anion component of the ionic liquid in the present invention include anions selected from the group consisting of sulfonate anion, carboxylate anion, sulfate anion, imide anion, halogen anion, boron anion, and phosphorus anion. It is not limited. This will be described in order below.

スルホン酸アニオンはR3SO3 -、硫酸アニオンはR4OSO3 -と記載され、(ここでR3、R4は脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基を表す)。より具体的にはスルホン酸アニオンとして、メタンスルホン酸アニオン、ベンゼンスルホン酸アニオン、トルエンスルホン酸アニオン、ナフタレンスルホン酸アニオン、アルキルナフタレンスルホンン酸アニオン、アントラキノンスルホン酸アニオン、ヒドロキシスルホン酸アニオンなどが挙げられる。 The sulfonate anion is described as R 3 SO 3 , and the sulfate anion is described as R 4 OSO 3 (wherein R 3 and R 4 represent an aliphatic hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, Represent). More specifically, examples of the sulfonate anion include a methanesulfonate anion, a benzenesulfonate anion, a toluenesulfonate anion, a naphthalenesulfonate anion, an alkylnaphthalenesulfonate anion, an anthraquinonesulfonate anion, and a hydroxysulfonate anion. .

硫酸アニオンとして具体的には、CH3CH2OCH2CH2OSO3 -,C65OCH2CH2OSO3 -、等である。無論、本発明に適した硫酸アニオンはこれらの例に限定されるものではない。 Specific examples of the sulfate anion include CH 3 CH 2 OCH 2 CH 2 OSO 3 , C 6 H 5 OCH 2 CH 2 OSO 3 , and the like. Of course, the sulfate anion suitable for the present invention is not limited to these examples.

本発明に好ましく用いられる他のアニオンの例としては、イミドアニオンがあり、具体的にはスルホニルイミド、ビス(メチルスルホニル)イミド、ビス(ペンチルスルホニル)イミドアニオンなどが挙げられる。   Examples of other anions preferably used in the present invention include imide anions, and specific examples include sulfonylimide, bis (methylsulfonyl) imide, bis (pentylsulfonyl) imide anion and the like.

ハロゲンアニオンでは、フッ素アニオン、塩素アニオン、臭素アニオン、ヨウ素アニオンを例示する事が出来る。無論、本発明に適したこれらの例に限定されるものではない。   Examples of the halogen anion include a fluorine anion, a chlorine anion, a bromine anion, and an iodine anion. Of course, it is not limited to these examples suitable for the present invention.

本発明に好ましく用いられる他のアニオンの例としては、ホウ素アニオンがあり、具体的には、テトラフルオロホウ素アニオンを例示する事が出来るが、これらの例に限定されるものではない。   Examples of other anions preferably used in the present invention include boron anions. Specifically, tetrafluoroboron anions can be exemplified, but the examples are not limited to these examples.

本発明に好ましく用いられる他のアニオンの例としては、リンアニオンが挙げられ、具体的にはヘキサフルオロリンアニオンが例示できるが、これに限定されるものではない。   Examples of other anions that are preferably used in the present invention include phosphorus anions, and specific examples include hexafluorophosphorus anions, but are not limited thereto.

また、本発明に用いられるアニオン成分として、特にカルボン酸アニオンは、陽極酸化能力の高いイオン液体が得られることから、本発明に好ましく用いることができる。   In addition, as the anion component used in the present invention, a carboxylic acid anion can be preferably used in the present invention because an ionic liquid having a high anodizing ability is obtained.

カルボン酸アニオンは、ギ酸アニオン又は一般式(1);   Carboxylate anion is formate anion or general formula (1);

で表されるアニオンを用いることができる。前記式(1)において、R1及びR2は、それぞれ独立に水素原子、保護又は無保護の水酸基、保護又は無保護のアミノ基、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、ハロゲン原子、直鎖または分岐もしくは環を形成していてもよく置換基を有していてもよいC1〜C20のアルキル基,直鎖または分岐もしくは環を形成していてもよく、置換基を有していてもよいC2〜C20のアルケニル基,直鎖または分岐もしくは環を形成していてもよく置換基を有していてもよいC2〜C20のアルキニル基,置換基を有していてもよいC6〜C20のアリール基,置換基を有していてもよいC4〜C20のヘテロアリール基,置換基を有していてもよいC7〜C20のアラルキル基,置換基を有していてもよいC4〜C20のヘテロアラルキル基を表し、互いに同じであっても異なっていてもよく、また一緒になって環を形成してもよい。 An anion represented by can be used. In the formula (1), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, a protected or unprotected hydroxyl group, a protected or unprotected amino group, an alkoxy group, a nitro group, a cyano group, a carboxyl group, a halogen atom, C 1 -C 20 alkyl group which may form a straight chain or branched or ring and may have a substituent, may have a straight chain or branched or ring and have a substituent alkenyl group which may C 2 -C 20 optionally, linear or branched or cyclic formed to have C 2 may have also well substituent -C 20 alkynyl group, substituted C 6 -C 20 aryl group which may be substituted, C 4 -C 20 heteroaryl group which may have substituent, C 7 -C 20 aralkyl group which may have substituent, substituted A C 4 -C 20 heteroaralkyl group which may have a group; And they may be the same or different from each other, and may form a ring together.

なお、本発明において「置換基を有していてもよい」とは、他の原子あるいは置換基によって置換されていてもよいことを示す。「置換基」とは、反応に悪影響を与えない限り特に限定されるものではなく、具体的には、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、カルボキシル基、ハロゲン原子などが挙げられる。   In the present invention, “may have a substituent” means that it may be substituted with another atom or substituent. The “substituent” is not particularly limited as long as it does not adversely affect the reaction. Specifically, the hydroxyl group, alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, nitro group, amino group, cyano group, carboxyl group, A halogen atom etc. are mentioned.

1およびR2のより具体的な例として、直鎖または分岐もしくは環を形成していてもよく置換基を有していてもよいC1〜C20のアルキル基としては、特に限定されるものではないが、例えばメチル基、ヒドロキシメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、シクロブチル基、n−ペンチル基、シクロペンチル基、n−ヘキシル基、シクロヘキシル基、n−オクチル基、n−デシル基、などを挙げることができ、またこれらのアルキル基の水素原子が任意の数だけフッ素原子で置換されたものを挙げることができる。C2〜C20の直鎖または分岐もしくは環を形成していてもよく置換基を有していてもよいアルケニル基としては、例えば、ビニル基,プロペニル基,スチリル基,イソプロペニル基,シクロプロペニル基,ブテニル基,シクロブテニル基,シクロペンテニル基,ヘキセニル基,シクロヘキセニル基などが挙げられる。C2〜C6の直鎖または分岐もしくは環を形成していても良く置換基を有していても良いアルキニル基としては、例えば、エチニル基,プロピニル基,フェニルエチニル基,シクロプロピルエチニル基,ブチニル,ペンチニル,シクロブチルエチニル基,ヘキシニル基などが挙げられる。置換基を有していても良いアリール基としては、例えば、フェニル基,ナフチル基,アントリル基,フェナントリル基,テルフェニル基,3,4,5−トリフルオロフェニル基などが挙げられる。置換基を有していても良いヘテロアリール基としては、例えば、ピロリニル基,ピリジル基,キノリル基,イミダゾリル基,フリル基,インドリル基,チエニル基,オキサゾリル基,チアゾリル基,2−フェニルチアゾリル,2−アニシルチアゾリル基などが挙げられる。置換基を有していても良いアラルキル基としては、例えば、ベンジル基,クロロベンジル基,ブロモベンジル基,サリチル基、α−ヒドロキシベンジル基、フェネチル基,α−ヒドロキシフェネチル基、ナフチルメチル基,アントラセニルメチル基,3,5−ジフルオロベンジル基,トリチル基などが挙げられる。置換基を有していても良いヘテロアラルキル基としては、ピリジルメチル基,ジフルオロピリジルメチル基,キノリルメチル基,インドリルメチル基,フルフリル基,チエニルメチル基などが挙げられる。また、R1又は/およびR2が置換基として水酸基を有する場合には、水酸基は保護されていても無保護でもよく、保護されている場合には保護基は特に制限されるものではないが、例えば各種エーテルとする方法,各種エステルとする方法,各種スルホン酸エステルとする方法,各種炭酸エステルとする方法などが挙げられる。 As a more specific example of R 1 and R 2, the C 1 -C 20 alkyl group which may form a straight chain, a branched chain or a ring and may have a substituent is particularly limited. Although not intended, for example, methyl group, hydroxymethyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, cyclopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, cyclobutyl group, n-pentyl group , A cyclopentyl group, an n-hexyl group, a cyclohexyl group, an n-octyl group, an n-decyl group, and the like, and those obtained by substituting an arbitrary number of hydrogen atoms of these alkyl groups with fluorine atoms. Can be mentioned. Examples of the alkenyl group which may form a C 2 to C 20 straight chain or branched or ring and may have a substituent include, for example, vinyl group, propenyl group, styryl group, isopropenyl group, cyclopropenyl Group, butenyl group, cyclobutenyl group, cyclopentenyl group, hexenyl group, cyclohexenyl group and the like. Examples of the alkynyl group which may form a C 2 to C 6 straight chain or branched or ring and may have a substituent include, for example, an ethynyl group, a propynyl group, a phenylethynyl group, a cyclopropylethynyl group, Examples include butynyl, pentynyl, cyclobutylethynyl group, and hexynyl group. Examples of the aryl group that may have a substituent include a phenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a phenanthryl group, a terphenyl group, and a 3,4,5-trifluorophenyl group. Examples of the heteroaryl group which may have a substituent include, for example, pyrrolinyl group, pyridyl group, quinolyl group, imidazolyl group, furyl group, indolyl group, thienyl group, oxazolyl group, thiazolyl group, 2-phenylthiazolyl group. , 2-anisyl thiazolyl group and the like. Examples of the aralkyl group which may have a substituent include, for example, benzyl group, chlorobenzyl group, bromobenzyl group, salicyl group, α-hydroxybenzyl group, phenethyl group, α-hydroxyphenethyl group, naphthylmethyl group, anthra Examples include senylmethyl group, 3,5-difluorobenzyl group, and trityl group. Examples of the heteroaralkyl group which may have a substituent include a pyridylmethyl group, a difluoropyridylmethyl group, a quinolylmethyl group, an indolylmethyl group, a furfuryl group, and a thienylmethyl group. In addition, when R 1 or / and R 2 has a hydroxyl group as a substituent, the hydroxyl group may be protected or unprotected, and when it is protected, the protecting group is not particularly limited. Examples of the method include various ethers, various esters, various sulfonate esters, and various carbonate esters.

これらのイオン液体は単独で用いてもよいし、二種以上を任意の割合で混合して用いてもよい。また分子内に不斉点を有する場合には、光学活性体であってもよいし、ラセミ体でもよい。陽極酸化能力および入手の容易さの観点からは、R1およびR2は少なくとも片方が水素原子または水酸基であり、もう片方がメチル基、エチル基、トリフルオロメチル基、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基などであることが好ましい。R1およびR2の少なくとも片方が水酸基である場合には、保護されていても無保護でもよいが、一般に無保護のほうが高い陽極酸化能力を示し好ましい。より具体的にはR1およびR2の少なくとも片方が水酸基であり、もう片方がフェニル基である、すなわちマンデル酸あるいはその誘導体が特に好ましい。またR1とR2が一緒になってシクロヘキシル基、フェニル基を形成しているものも好ましい例として挙げられる。 These ionic liquids may be used alone or in admixture of two or more at any ratio. Moreover, when it has an asymmetric point in a molecule | numerator, an optically active body may be sufficient and a racemic body may be sufficient. From the viewpoint of anodic oxidation ability and availability, at least one of R 1 and R 2 is a hydrogen atom or a hydroxyl group, and the other is a methyl group, an ethyl group, a trifluoromethyl group, a phenyl group, a benzyl group, or a naphthyl group. A group or the like is preferable. When at least one of R 1 and R 2 is a hydroxyl group, it may be protected or unprotected, but generally unprotected is preferable because it exhibits a higher anodic oxidation ability. More specifically, at least one of R 1 and R 2 is a hydroxyl group and the other is a phenyl group, that is, mandelic acid or a derivative thereof is particularly preferable. Also preferred are those in which R 1 and R 2 together form a cyclohexyl group or a phenyl group.

次にイオン液体のカチオン成分について説明する。カチオン成分としては、アンモニウムおよびその誘導体、イミダゾリニウムおよびその誘導体、ピリジニウムおよびその誘導体、ピロリジニウムおよびその誘導体、ピロリニウムおよびその誘導体、ピラジニウムおよびその誘導体、ピリミジニウムおよびその誘導体、トリアゾニウムおよびその誘導体、トリアジニウムおよびその誘導体、トリアジンおよびその誘導体、キノリニウムおよびその誘導体、イソキノリニウムおよびその誘導体、インドリニウムおよびその誘導体、キノキサリニウムおよびその誘導体、ピペラジニウムおよびその誘導体、オキサゾリニウムおよびその誘導体、チアゾリニウムおよびその誘導体、モルフォリニウムおよびその誘導体、ピペラジンおよびその誘導体が挙げられるが、得られるイオン液体が比較的低い粘度を示すことから、イミダゾリウム誘導体が好ましく、イミダゾリウム誘導体としてはジエチルイミダゾリウム、エチルブチルイミダゾリウム、ジメチルイミダゾリウムが好ましく、特に好ましくはエチルメチルイミダゾリウム、メチルブチルイミダゾリウムである。   Next, the cation component of the ionic liquid will be described. Cationic components include ammonium and its derivatives, imidazolinium and its derivatives, pyridinium and its derivatives, pyrrolidinium and its derivatives, pyrrolinium and its derivatives, pyrazinium and its derivatives, pyrimidinium and its derivatives, triazonium and its derivatives, triazinium and its derivatives Derivatives, triazines and derivatives thereof, quinolinium and derivatives thereof, isoquinolinium and derivatives thereof, indolinium and derivatives thereof, quinoxalinium and derivatives thereof, piperazinium and derivatives thereof, oxazolinium and derivatives thereof, thiazolinium and derivatives thereof, morpholinium and derivatives thereof, Piperazine and its derivatives, but the resulting ionic liquid is relatively low Because they exhibit a degree, imidazolium derivatives are preferred, as the imidazolium derivatives diethyl imidazolium, ethyl butyl imidazolium, dimethyl imidazolium are preferred, particularly preferably ethyl methyl imidazolium, methyl butyl imidazolium.

本発明のイオン性液体は、上記のアニオンと上記のカチオンとを組み合わせた物質であり、公知の方法で合成する事ができる。具体的には、アニオン交換法、酸エステル法、中和法等の方法を用いることができる。   The ionic liquid of the present invention is a substance obtained by combining the above anion and the above cation, and can be synthesized by a known method. Specifically, a method such as an anion exchange method, an acid ester method, or a neutralization method can be used.

本発明では、熱安定性の向上、さらなる陽極酸化皮膜形成効率の向上を実現するために必要によりニトロ化合物、リン酸化合物、ホウ酸化合物、多価アルコール類、ケイ素化合物、アンモニウム塩、アミン塩、四級アンモニウム塩、三級アミン及び有機酸、イミダゾリウム塩などの添加物を加えることができる。ニトロ化合物の例としては、ニトロフェノール、ニトロアセトフェノン、ニトロ安息香酸、ニトロベンジルアルコール、ニトロクレゾール、ニトロトルエン、ニトロアニソールなどが挙げられる。リン酸化合物の例としては、オルトリン酸、亜リン酸、次亜リン酸、ピロリン酸、ポリリン酸、リン酸メチル、リン酸エチル、リン酸ブチル、リン酸イソプロピル、リン酸ジブチル、リン酸ジオクチルなどが挙げられる。ホウ酸化合物の例としては、ホウ酸及びその錯化合物などが挙げられる。多価アルコール類の例としては、エリスリトール、グリセリン、トレイトール、リビトール、アラビニトール、アリトール、グルシトール、マンニトール、ソルビトール、キシリトール、イジトール、ガラクチトール、タリトール、ポリビニルアルコール類などが挙げられる。ケイ素化合物の例としては、コロイダルシリカ、アルミノシリケート、シリコーン化合物、シランカップリング剤などが挙げられる。アンモニウム塩の例としては、アジピン酸アンモニウム、ホウ酸アンモニウム、リン酸アンモニウム、アジピン酸アンモニウム、マレイン酸アンモニウムなどを挙げることができる。アミン塩としては、マレイン酸トリエチルアミンなどを、四級アンモニウム塩としてはマレイン酸第四級アンモニウム、フタル酸第四級アンモニウムなどを例示することができる。三級アミンおよび有機酸の例としては、例えばトリエチルアミンやジイソプロピルエチルアミンなどの三級アミンとアジピン酸、リン酸、ホウ酸、サリチル酸、リンゴ酸、コハク酸などの組み合わせを例示することができる。イミダゾリウム塩としては、1,3−エチルメチルイミダゾリウム−p−トルエンスルホン酸塩、1,3−ブチルメチルイミダゾリウム−p−トルエンスルホン酸塩、1,3−エチルメチルイミダゾリウム−p−トリフルオロメチルフェニルスルホン酸塩、1,3−ブチルメチルイミダゾリウム−p−トリフルオロメチルフェニルスルホン酸塩などが挙げられる。   In the present invention, a nitro compound, a phosphoric acid compound, a boric acid compound, a polyhydric alcohol, a silicon compound, an ammonium salt, an amine salt, if necessary, in order to realize an improvement in thermal stability and further improvement in anodized film formation efficiency. Additives such as quaternary ammonium salts, tertiary amines and organic acids, imidazolium salts can be added. Examples of nitro compounds include nitrophenol, nitroacetophenone, nitrobenzoic acid, nitrobenzyl alcohol, nitrocresol, nitrotoluene, nitroanisole and the like. Examples of phosphoric acid compounds include orthophosphoric acid, phosphorous acid, hypophosphorous acid, pyrophosphoric acid, polyphosphoric acid, methyl phosphate, ethyl phosphate, butyl phosphate, isopropyl phosphate, dibutyl phosphate, dioctyl phosphate, etc. Is mentioned. Examples of boric acid compounds include boric acid and its complex compounds. Examples of the polyhydric alcohols include erythritol, glycerin, threitol, ribitol, arabinitol, allitol, glucitol, mannitol, sorbitol, xylitol, iditol, galactitol, taritol, polyvinyl alcohol and the like. Examples of the silicon compound include colloidal silica, aluminosilicate, silicone compound, silane coupling agent and the like. Examples of ammonium salts include ammonium adipate, ammonium borate, ammonium phosphate, ammonium adipate, and ammonium maleate. Examples of the amine salt include triethylamine maleate, and examples of the quaternary ammonium salt include quaternary ammonium maleate and quaternary ammonium phthalate. Examples of tertiary amines and organic acids include combinations of tertiary amines such as triethylamine and diisopropylethylamine and adipic acid, phosphoric acid, boric acid, salicylic acid, malic acid, succinic acid, and the like. Examples of the imidazolium salt include 1,3-ethylmethylimidazolium-p-toluenesulfonate, 1,3-butylmethylimidazolium-p-toluenesulfonate, 1,3-ethylmethylimidazolium-p-tri Examples thereof include fluoromethylphenyl sulfonate and 1,3-butylmethylimidazolium-p-trifluoromethylphenyl sulfonate.

これらの添加物の添加量は、イオン液体の液体としての性質が失われない範囲で任意に選択することができる。例えばアジピン酸アンモニウムをイオン液体に添加する場合、イオン液体の種類にもよるが、一般には陽極酸化能力の改善には0.1wt%以上50wt%以下の範囲であることが好ましい。0.1wt%以下の場合、濃度が低すぎて添加効果が見られない。また、50wt%以上の場合、イオン液体に添加物が溶解しない場合が多く、溶解する場合でもイオン液体の粘性が上昇してしまい、イオン液体の液体としての性質が失われてしまう。   The addition amount of these additives can be arbitrarily selected as long as the properties of the ionic liquid as a liquid are not lost. For example, when ammonium adipate is added to the ionic liquid, although it depends on the type of the ionic liquid, it is generally preferably in the range of 0.1 wt% or more and 50 wt% or less for improving the anodizing ability. In the case of 0.1 wt% or less, the concentration is too low to show the effect of addition. Moreover, when it is 50 wt% or more, the additive does not often dissolve in the ionic liquid, and even when dissolved, the viscosity of the ionic liquid increases, and the properties of the ionic liquid as a liquid are lost.

また、これらの添加物は、単独で用いてもよいし任意の割合で2種以上を混合して用いてもよい。   Moreover, these additives may be used independently and may mix and use 2 or more types by arbitrary ratios.

次に本発明における陽極酸化の方法について説明する。
陽極酸化法は弁金属表面にその弁金属の酸化皮膜を形成する手段として広く用いられ、酸化皮膜を形成したい弁金属を陽極として電解質液中で電圧、又は電流を印加することによって酸化皮膜を形成する。この方法は特にアルミニウム、タンタル、ニオブなどの弁金属の表面に酸化皮膜を形成する手段としては最も一般的な手法であり、弁金属としてはアルミニウムおよび/又はその合金、タンタルおよび/又はその合金、ニオブおよび/又はその合金などが挙げられる。
Next, the anodic oxidation method in the present invention will be described.
The anodic oxidation method is widely used as a means to form an oxide film of the valve metal on the surface of the valve metal. The oxide film is formed by applying voltage or current in the electrolyte solution with the valve metal on which the oxide film is to be formed as the anode. To do. This method is the most general method for forming an oxide film on the surface of a valve metal such as aluminum, tantalum, or niobium, and the valve metal includes aluminum and / or its alloy, tantalum and / or its alloy, Niobium and / or an alloy thereof may be used.

本発明は、必ずしもイオン液体と水の混合液のみで行う必要は無く、任意成分として溶媒を含有していてもよい。用いる溶媒としては公知のもので良く、特に限定されるものではないが、例えばメタノール、エタノール、ブタノール、2−プロパノール、アセトン、ジエチルエーテル、酢酸エチル、THF、DMF、アセトニトリル、DMSO、ジメチルカーボネート、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ヘキサン、トルエン、クロロホルムなどが挙げられ、目的に応じて選択すればよいが、溶媒の電気化学的安定性や溶媒由来の不純物の混入などに注意する必要がある。   The present invention does not necessarily need to be performed only with a mixture of ionic liquid and water, and may contain a solvent as an optional component. The solvent used may be a known solvent and is not particularly limited. For example, methanol, ethanol, butanol, 2-propanol, acetone, diethyl ether, ethyl acetate, THF, DMF, acetonitrile, DMSO, dimethyl carbonate, ethylene Examples include carbonate, propylene carbonate, hexane, toluene, chloroform, and the like, which may be selected according to the purpose. However, attention must be paid to the electrochemical stability of the solvent and the incorporation of impurities derived from the solvent.

次に本発明における電解コンデンサの製造方法について説明する。   Next, the manufacturing method of the electrolytic capacitor in this invention is demonstrated.

弁金属に該陽極酸化の方法によって形成された酸化皮膜からなる誘電体を組み合わせることにより、弁金属と誘電酸化皮膜とからなる陽極を形成でき、コンデンサの陽極として用いることができる。   By combining a dielectric made of an oxide film formed by the anodic oxidation method with the valve metal, an anode made of the valve metal and the dielectric oxide film can be formed and used as an anode of a capacitor.

まずは、捲回型アルミ電解コンデンサについて説明する。上記の陽極箔と、陰極箔をその間にセパレータを介在させて捲回することにより構成されたコンデンサであって良く、陽極箔と陰極箔との間に導電性高分子あるいは電解液からなる電解質を設け、前記素子をたとえば、有底筒状のアルミニウムケースに収納した後、アルミニウムケースの開口部を封口剤で密封して捲回型アルミニウム電解コンデンサを構成することができる。   First, a wound aluminum electrolytic capacitor will be described. The capacitor may be configured by winding the anode foil and the cathode foil with a separator interposed therebetween, and an electrolyte made of a conductive polymer or an electrolyte between the anode foil and the cathode foil. For example, after the element is housed in a bottomed cylindrical aluminum case, the opening of the aluminum case is sealed with a sealing agent to form a wound aluminum electrolytic capacitor.

本発明の導電性高分子コンデンサの陰極としてはたとえばカーボンペーストおよび銀ペースト等が従来公知の方法で形成され得る。陽極および陰極はそれぞれ端子に接続される。このようにして陽極と電解質と陰極とを少なくとも備えるアルミニウム電解コンデンサが形成され得る。   As the cathode of the conductive polymer capacitor of the present invention, for example, carbon paste and silver paste can be formed by a conventionally known method. The anode and cathode are each connected to a terminal. In this way, an aluminum electrolytic capacitor having at least an anode, an electrolyte, and a cathode can be formed.

次にチップ型タンタルコンデンサは、タンタル粉末を成形、焼成して作製した焼結体に上記の方法により形成した酸化皮膜/二酸化マンガン層/カーボン層/銀ペースト層を順次形成している。焼結体にはタンタル線が埋設されているか、表面に溶着されている。   Next, in the chip type tantalum capacitor, an oxide film / manganese dioxide layer / carbon layer / silver paste layer formed by the above method is sequentially formed on a sintered body produced by molding and firing tantalum powder. A tantalum wire is embedded in the sintered body or welded to the surface.

先ず、粉末状の金属タンタルを直方体などの形に焼結して微多孔質の陽極体を得た後、その陽極体の表面(微孔の表面を含む)に、誘電体として酸化タンタル皮膜を上記の陽極酸化法で形成する。次いで、酸化タンタル皮膜上に固体電解質層としての二酸化マンガンの層を形成し、更にその上に陰極導体層を重ねて形成する。固体電解質層には、例えばピロールやチオフェンなどのような導電性高分子を用いることもできる。陰極導体層は、例えばグラファイト層、銀ペースト層をこの順に重ねたものからなる。   First, powder metal tantalum is sintered into a rectangular parallelepiped shape to obtain a microporous anode body, and then a surface of the anode body (including the surface of micropores) is coated with a tantalum oxide film as a dielectric. It forms by said anodic oxidation method. Next, a manganese dioxide layer as a solid electrolyte layer is formed on the tantalum oxide film, and a cathode conductor layer is further formed thereon. For the solid electrolyte layer, for example, a conductive polymer such as pyrrole or thiophene can be used. The cathode conductor layer is composed of, for example, a graphite layer and a silver paste layer stacked in this order.

次に本発明における化学重合による導電性高分子コンデンサ電解質の製造方法について説明する。ここでいう導電性高分子コンデンサは電解質に導電性高分子を用いたコンデンサをいう。化学重合法は、適切な酸化剤の存在下で、例えばピロールなどの導電性高分子モノマーを重合し合成する方法である。酸化剤としては、例えばパラトルエンスルホン酸第二鉄、ナフタレンスルホン酸第二鉄、n−ブチルナフタレンスルホン酸第二鉄、トリイソプロピルナフタレンスルホン酸第二鉄、過硫酸塩、過酸化水素、ジアゾニウム塩、ハロゲン及びハロゲン化物、あるいは鉄、銅、マンガン等の遷移金属塩が使用できる。化学重合により合成された導電性高分子は、酸化剤のアニオンがドーバントとして重合過程でポリマー中に取り込まれることにより、一段階の反応で導電性を有するポリマーを得る事ができることから、ドーパントとしての移動度の高いパラトルエンスルホン酸イオンを含むパラトルエンスルホン酸第二鉄を酸化剤として用いることが好ましい。   Next, a method for producing a conductive polymer capacitor electrolyte by chemical polymerization in the present invention will be described. The conductive polymer capacitor here means a capacitor using a conductive polymer as an electrolyte. The chemical polymerization method is a method of polymerizing and synthesizing a conductive polymer monomer such as pyrrole in the presence of an appropriate oxidizing agent. Examples of the oxidizing agent include ferric paratoluenesulfonate, ferric naphthalenesulfonate, ferric n-butylnaphthalenesulfonate, ferric triisopropylnaphthalenesulfonate, persulfate, hydrogen peroxide, diazonium salt , Halogens and halides, or transition metal salts such as iron, copper, and manganese can be used. The conductive polymer synthesized by chemical polymerization can obtain a polymer having conductivity in a single step by incorporating an anion of an oxidant into the polymer as a dopant in the polymerization process. It is preferable to use ferric paratoluenesulfonate containing paratoluenesulfonate ions having high mobility as an oxidizing agent.

重合条件は公知の重合条件で良く、温度範囲は−100℃〜200℃で、特に好ましくは−30℃〜150℃である。重合時間は、1分〜120時間であり、特に好ましくは1分〜1440分間である。また、該重合は複数回繰り返してもよい。   The polymerization conditions may be known polymerization conditions, and the temperature range is from -100 ° C to 200 ° C, particularly preferably from -30 ° C to 150 ° C. The polymerization time is 1 minute to 120 hours, particularly preferably 1 minute to 1440 minutes. The polymerization may be repeated a plurality of times.

上記方法により形成された酸化皮膜を用いた本発明の電解コンデンサにおいて、特に言及していないコンデンサの構成要素については特に制限されるものではなく、従来公知のものを適宜適用することができる。   In the electrolytic capacitor of the present invention using the oxide film formed by the above method, constituent elements of the capacitor not particularly mentioned are not particularly limited, and conventionally known ones can be appropriately applied.

以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において適宜変更可能である。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further more concretely, this invention is not limited at all by these Examples, In the range which does not change the summary, it can change suitably.

<イオン液体および塩>
最初に、実施例として用いたイオン液体および塩の合成法または入手先について述べる。
<Ionic liquid and salt>
First, a method for synthesizing or obtaining ionic liquids and salts used as examples will be described.

1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム マンデレート([BMIm][MA])1-butyl-3-methylimidazolium mandelate ([BMIm] [MA])

1−ブチル−3−メチルイミダゾリウムハイドロジェンカーボネート 50%水溶液(5000mg, 12.48mmol)を加え、0℃に冷却した。その後、マンデル酸(1899mg, 12.48mmol)の水溶液をゆっくり滴下し、室温で1時間攪拌した。反応溶液をそのまま濃縮して溶媒を減圧下留去し、得られた残渣にジクロロメタンを加え、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧下留去することで、目的化合物を薄褐色の油状物として3622.3mg得た。(収率100%)
1H NMR(CDCl3、300MHz)δ0.93(t、3H)、1.29−1.34(m、2H)、1.74−1.79(m、2H)、3.84(s、3H)、4.10(t、2H)、4.92(s、1H)、7.04(s、1H)、7.14−7.26(m、1H)、7.23−7.26(m、3H)、7.54(d、2H)、10.74(s、1H)
1-butyl-3-methylimidazolium hydrogen carbonate 50% aqueous solution (5000 mg, 12.48 mmol) was added, and the mixture was cooled to 0 ° C. Thereafter, an aqueous solution of mandelic acid (1899 mg, 12.48 mmol) was slowly added dropwise and stirred at room temperature for 1 hour. The reaction solution was concentrated as it was, the solvent was distilled off under reduced pressure, dichloromethane was added to the resulting residue, and the organic layer was dried over anhydrous sodium sulfate. The solvent was distilled off under reduced pressure to obtain 3622.3 mg of the target compound as a light brown oil. (Yield 100%)
1 H NMR (CDCl 3 , 300 MHz) δ 0.93 (t, 3H), 1.29-1.34 (m, 2H), 1.74-1.79 (m, 2H), 3.84 (s, 3H), 4.10 (t, 2H), 4.92 (s, 1H), 7.04 (s, 1H), 7.14-7.26 (m, 1H), 7.23-7.26 (M, 3H), 7.54 (d, 2H), 10.74 (s, 1H)

1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム カプリレート([BMIm][CA])1-butyl-3-methylimidazolium caprylate ([BMIm] [CA])

1−ブチル−3−メチルイミダゾリウムハイドロジェンカーボネート 50%水溶液(5.0g, 12.48mmol)を加え、0℃に冷却した。その後、カプリル酸(1.8g, 12.48mmol)の水溶液をゆっくり滴下し、室温で1時間攪拌した。反応溶液をそのまま濃縮して溶媒を減圧下留去し、得られた残渣にジクロロメタンを加え、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧下留去することで、目的化合物を黄色の油状物として2.2g得た。(収率62%)
1H NMR(CDCl3、300MHz)δ0.83−0.92(m、7H)、1.21−1.29(m、11H)、1.38(m、2H)、1.73−1.78(m、2H)、3.85(s、3H)、4.17(t、2H)、7.72(s、1H)、7.79(s、1H)、9.39(s、1H)
1-butyl-3-methylimidazolium hydrogen carbonate 50% aqueous solution (5.0 g, 12.48 mmol) was added, and the mixture was cooled to 0 ° C. Thereafter, an aqueous solution of caprylic acid (1.8 g, 12.48 mmol) was slowly added dropwise and stirred at room temperature for 1 hour. The reaction solution was concentrated as it was, the solvent was distilled off under reduced pressure, dichloromethane was added to the resulting residue, and the organic layer was dried over anhydrous sodium sulfate. The solvent was distilled off under reduced pressure to obtain 2.2 g of the objective compound as a yellow oil. (Yield 62%)
1 H NMR (CDCl 3 , 300 MHz) δ 0.83-0.92 (m, 7H), 1.21-1.29 (m, 11H), 1.38 (m, 2H), 1.73-1. 78 (m, 2H), 3.85 (s, 3H), 4.17 (t, 2H), 7.72 (s, 1H), 7.79 (s, 1H), 9.39 (s, 1H) )

1−エチル−3−メチルイミダゾリウム ラクテート([EMIm][LA])1-ethyl-3-methylimidazolium lactate ([EMIm] [LA])

アルドリッチより購入した。 Purchased from Aldrich.

リン酸アンモニウム([NH 4 2 PO 4 ])
アルドリッチより購入した。
Ammonium phosphate ([NH 4 H 2 PO 4 ])
Purchased from Aldrich.

<陽極酸化皮膜の膜厚分析>
10mm×10mm×0.5mmに加工した純度99.99%のアルミニウム板(和光純薬社製)を、図1に示す測定セルを用い各種イオン液体あるいは塩に浸漬し、100mV/秒の速度で40Vまで電圧を上昇させ、皮膜を形成させた後、メタノールで洗浄し乾燥することで分析用サンプルを作製した。得られたサンプルの酸化皮膜分析は、XPS(アルバック・ファイ社製Quantum2000)を用い、X線強度:AlKα/15kV・12.5W、X線ビーム径:50μmΦ、スパッタレート:0.9nm/min(SiO2換算)の条件において、アルゴンイオンエッチング法によりデプスプロファイル測定にて行った。得られたデプスプロファイルにおいて、Al2Pデータ、O1Sデータ値の両方が、一定時間の定常状態を経た後に、直前データと比較して5%以上変動したスパッタ時間を「酸化皮膜厚さに相当するスパッタ時間」と定義した。また、リン酸アンモニウムを用いたデータにおいて、膜厚とスパッタ時間において認められた、0.40nm/分の結果を利用し、各種イオン性液体を用いた酸化皮膜の膜厚(nm)を計算によって求めた。
<Analyzed film thickness analysis>
An aluminum plate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) with a purity of 99.99% processed to 10 mm × 10 mm × 0.5 mm is immersed in various ionic liquids or salts using the measurement cell shown in FIG. 1, and at a rate of 100 mV / sec. After increasing the voltage to 40 V to form a film, the sample for analysis was prepared by washing with methanol and drying. For the oxide film analysis of the obtained sample, XPS (Quantum 2000 manufactured by ULVAC-PHI) was used, X-ray intensity: AlKα / 15 kV · 12.5 W, X-ray beam diameter: 50 μmΦ, sputtering rate: 0.9 nm / min ( Under a condition of (SiO 2 conversion), the depth profile measurement was performed by an argon ion etching method. In the obtained depth profile, a sputtering time in which both Al 2P data and O 1S data values fluctuate by 5% or more compared with the immediately preceding data after passing through a steady state for a certain time is “corresponding to the oxide film thickness. It was defined as “sputtering time”. In addition, in the data using ammonium phosphate, the film thickness (nm) of the oxide film using various ionic liquids was calculated by using the result of 0.40 nm / min recognized in the film thickness and sputtering time. Asked.

<電荷効率>
電荷効率(%)は、図2([BMIm][CA]を用いた例)のような酸化皮膜形成時に得られたI−V曲線から求めた。
<Charge efficiency>
The charge efficiency (%) was obtained from an IV curve obtained at the time of forming an oxide film as shown in FIG. 2 (example using [BMIm] [CA]).

40Vまで電圧を上昇したときの電流値から積算した電荷を求め、以下の式(1)を用いて電荷から理論的に形成される膜厚を計算し、式(3)から電荷効率を求めた。
膜厚=酸化アルミニウムの分子量×積算電荷/(6×96486×酸化アルミニウムの面積×酸化アルミニウムの密度) 式(1)
The accumulated charge is obtained from the current value when the voltage is increased to 40 V, the film thickness theoretically formed from the charge is calculated using the following equation (1), and the charge efficiency is obtained from equation (3). .
Film thickness = Molecular weight of aluminum oxide × Integrated charge / (6 × 96486 × Aluminum oxide area × Aluminum oxide density) Formula (1)

ここで、6は式(2)から皮膜形成に必要な電子数を意味し、96486はファラデー定数である。
2Al+3H2O→Al23+6H++6e- 式(2)
Here, 6 means the number of electrons necessary for film formation from Equation (2), and 96486 is a Faraday constant.
2Al + 3H 2 O → Al 2 O 3 + 6H + + 6e - Equation (2)

また、酸化アルミニウムの分子量は102、酸化アルミニウムの密度は3.9cm2/gとした。
電荷効率=実際に得られた膜厚/理論的に形成される膜厚×100 式(3)
The molecular weight of aluminum oxide was 102, and the density of aluminum oxide was 3.9 cm 2 / g.
Charge efficiency = actually obtained film thickness / theoretically formed film thickness × 100 Formula (3)

(実施例1)
重量比で11wt%の水が含まれる[BMIm][CA]の酸化皮膜分析を行い、酸化皮膜の膜厚および電荷効率を求めた。得られた膜厚は51nm、電荷効率は99%であった。また、図2は得られたI−V曲線である。
Example 1
An oxide film analysis of [BMIm] [CA] containing 11 wt% of water by weight ratio was performed to determine the film thickness and charge efficiency of the oxide film. The film thickness obtained was 51 nm and the charge efficiency was 99%. FIG. 2 shows the obtained IV curve.

(実施例2)
重量比で25wt%の水が含まれる[BMIm][MA]の酸化皮膜分析を行い、酸化皮膜の膜厚および電荷効率を求めた。得られた膜厚は63nm、電荷効率は97%であった。
(Example 2)
An oxide film analysis of [BMIm] [MA] containing 25 wt% water by weight was performed to determine the film thickness and charge efficiency of the oxide film. The film thickness obtained was 63 nm and the charge efficiency was 97%.

(実施例3)
重量比43wt%の水が含まれる[EMIm][LA] の酸化皮膜分析を行い、酸化皮膜の膜厚および電荷効率を求めた。得られた膜厚は58nm、電荷効率は87%であった。
(Example 3)
An oxide film analysis of [EMIm] [LA] containing 43 wt% of water was performed, and the film thickness and charge efficiency of the oxide film were determined. The film thickness obtained was 58 nm and the charge efficiency was 87%.

(実施例4)
実施例3に0.1wt%のリン酸アンモニウムを添加した以外は同じ条件で酸化皮膜の分析を行い、酸化皮膜の膜厚および電荷効率を求めた。得られた膜厚は64nm、電荷効率は95%であった。
Example 4
The oxide film was analyzed under the same conditions except that 0.1 wt% ammonium phosphate was added to Example 3, and the film thickness and charge efficiency of the oxide film were determined. The film thickness obtained was 64 nm and the charge efficiency was 95%.

(比較例1)
重量比で0.9wt%の水が含まれる[BMIm][CA]の酸化皮膜分析を行い、酸化皮膜の膜厚および電荷効率を求めた。得られた膜厚は32nm、電荷効率は40%であった。
(Comparative Example 1)
An oxide film analysis of [BMIm] [CA] containing 0.9 wt% of water by weight ratio was performed to determine the film thickness and charge efficiency of the oxide film. The film thickness obtained was 32 nm and the charge efficiency was 40%.

(比較例2)
重量比で60wt%の水が含まれる[BMIm][CA]の酸化皮膜分析を行ったが、皮膜は形成されなかった。
(Comparative Example 2)
An oxide film analysis of [BMIm] [CA] containing 60 wt% water by weight was performed, but no film was formed.

(比較例3)
重量比で0.3wt%の水が含まれる[BMIm][MA]の酸化皮膜分析を行い、酸化皮膜の膜厚および電荷効率を求めた。得られた膜厚は40nm、電荷効率は73%であった。
(Comparative Example 3)
An oxide film analysis of [BMIm] [MA] containing 0.3 wt% of water by weight was performed, and the film thickness and charge efficiency of the oxide film were determined. The film thickness obtained was 40 nm and the charge efficiency was 73%.

(比較例4)
重量比で75wt%の水が含まれる[BMIm][MA]の酸化皮膜分析を行ったが、皮膜は形成されなかった。
(Comparative Example 4)
An oxide film analysis of [BMIm] [MA] containing 75 wt% water by weight was performed, but no film was formed.

(比較例5)
重量比で1.1wt%の水が含まれる[EMIm][LA]の酸化皮膜分析を行い、酸化皮膜の膜厚および電荷効率を求めた。得られた膜厚は34nm、電荷効率は80%であった。
(Comparative Example 5)
An oxide film analysis of [EMIm] [LA] containing 1.1 wt% of water by weight was performed to determine the film thickness and charge efficiency of the oxide film. The film thickness obtained was 34 nm and the charge efficiency was 80%.

(比較例6)
重量比で90wt%の水が含まれる[EMIm][LA]の酸化皮膜分析を行ったが、皮膜は形成されなかった。
(Comparative Example 6)
An oxide film analysis of [EMIm] [LA] containing 90 wt% water by weight was performed, but no film was formed.

(比較例7)
0.1wt%のリン酸アンモニウム水溶液の酸化皮膜分析を行い、酸化皮膜の膜厚および電荷効率を求めた。得られた膜厚は50nm、電荷効率は71%であった。
(Comparative Example 7)
An oxide film analysis of a 0.1 wt% ammonium phosphate aqueous solution was performed to determine the film thickness and charge efficiency of the oxide film. The film thickness obtained was 50 nm and the charge efficiency was 71%.

実施例1〜4および比較例1〜7の結果を表1にまとめた。   The results of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 7 are summarized in Table 1.

表1より、実施例1〜4において示したイオン液体は、いずれも比較例1〜7に示したイオン液体や塩と比較して陽極酸化皮膜能力の高いことがわかる。参考までに[BMIm][CA]について実際のデータを図2に示した。   From Table 1, it can be seen that all of the ionic liquids shown in Examples 1 to 4 have a higher anodic oxide film ability than the ionic liquids and salts shown in Comparative Examples 1 to 7. For reference, actual data for [BMIm] [CA] is shown in FIG.

(実施例5)
アルミニウムエッチド箔に25wt%の水が含まれる[BMIm][MA]を用いて陽極酸化し、形成した酸化皮膜上に3,4−エチレンジオキシチオフェン(以下、EDOTと略す。H.C.Starck−V TECH社製)の化学重合によって得られた導電性高分子を形成することで導電性高分子アルミ電解コンデンサの作製を行った。
(Example 5)
The aluminum etched foil was anodized using [BMIm] [MA] containing 25 wt% of water, and 3,4-ethylenedioxythiophene (hereinafter abbreviated as EDOT) on the formed oxide film. A conductive polymer aluminum electrolytic capacitor was manufactured by forming a conductive polymer obtained by chemical polymerization of Stark-V TECH.

すなわち、有効面積が10mm×10mmのアルミニウムエッチド箔を、重量比で25wt%の水が含まれる[BMIm][MA]に浸漬し、まず20mV/secの速度で0から45Vまで上げ、つづけて45Vの定電圧を40分間印加し、前記アルミニウムエッチド箔の表面に[BMIm][MA]によって皮膜を形成した。この箔を脱イオン水の流水により3分洗浄してから120℃で1時間乾燥を行った。この時得られた、アルミエッチド箔の液中容量は20μFであった。液中容量は、東洋テクニカ製のsolartron、型番「1480」を用い、0〜4V間の50μAの定電流充放電試験において得られるグラフの傾きから算出した。   That is, an aluminum etched foil having an effective area of 10 mm × 10 mm is immersed in [BMIm] [MA] containing 25 wt% of water in a weight ratio, and is first increased from 0 to 45 V at a rate of 20 mV / sec. A constant voltage of 45V was applied for 40 minutes, and a film was formed on the surface of the aluminum etched foil with [BMIm] [MA]. The foil was washed with running deionized water for 3 minutes and then dried at 120 ° C. for 1 hour. The liquid volume of the aluminum etched foil obtained at this time was 20 μF. The volume in the liquid was calculated from the slope of the graph obtained in a constant current charge / discharge test of 50 μA between 0 and 4 V using solartron, model number “1480” manufactured by Toyo Technica.

次に導電性高分子のモノマーとして3,4−エチレンジオキシチオフェン、酸化剤としてはパラトルエンスルホン酸鉄(40wt%1−ブタノール溶液)をモル比でEDOT:酸化剤:イオン液体=1:0.5の配合割合で混合し、電解質形成に用いる化学重合組成物を調製した。   Next, 3,4-ethylenedioxythiophene as a monomer for the conductive polymer, and iron para-toluenesulfonate (40 wt% 1-butanol solution) as the oxidant at a molar ratio of EDOT: oxidant: ionic liquid = 1: 0 The chemical polymerization composition used for electrolyte formation was prepared by mixing at a blending ratio of 0.5.

この化学重合組成物をよく乾燥したビーカーで混合させ、次にその重合溶液中に前記アルミエッチド箔を重合溶液に浸漬し、引き上げ後120℃で1時間加熱処理を行った。同じ処理を4回繰り返し、箔表面が均一に電解質で覆われる様にした。   This chemical polymerization composition was mixed in a well-dried beaker, and then the aluminum etched foil was immersed in the polymerization solution in the polymerization solution, and after being pulled up, heat treatment was performed at 120 ° C. for 1 hour. The same treatment was repeated four times so that the foil surface was uniformly covered with the electrolyte.

こうして得られた導電性高分子アルミ電解コンデンサを試料とし、20Vで1時間エージングした後、図3に示す水銀セルを用いて、初期容量の測定を行った。装置には、東洋テクニカ製のsolartron、型番「1480」を用い、0〜4Vの範囲において、50μAの定電流充放電試験を行い、得られるグラフの傾きから容量を算出し、コンデンサ特性の一つである容量発現率を求めた。   The conductive polymer aluminum electrolytic capacitor thus obtained was used as a sample, and after aging at 20 V for 1 hour, the initial capacity was measured using the mercury cell shown in FIG. The device uses solartron, model number “1480” manufactured by Toyo Technica, performs a constant current charge / discharge test of 50 μA in the range of 0 to 4 V, calculates the capacity from the slope of the obtained graph, and is one of the capacitor characteristics The capacity expression rate was determined.

容量発現率(%)は式(4)のように定義した。
容量発現率=(液中容量/初期容量)×100 式(4)
また、コンデンサ特性であるインピーダンス(mΩ)および耐電圧(V)を測定した。インピーダンス測定は、初期容量測定後、図3に示す水銀セルを用いて行った。装置には、Electrochemical Analyzer Model 608B(ALS/[H]CH Instruments)を用い、DC Potential:0V、AC Amplitude:100Vの条件で1Hzから1MHzの範囲で測定を行った。10kHzのインピーダンス値をインピーダンスと定義した。
The volume expression rate (%) was defined as in equation (4).
Volume expression rate = (volume in liquid / initial volume) × 100 formula (4)
In addition, impedance (mΩ) and withstand voltage (V), which are capacitor characteristics, were measured. The impedance measurement was performed using the mercury cell shown in FIG. 3 after the initial capacity measurement. Electrochemical Analyzer Model 608B (ALS / [H] CH Instruments) was used as the apparatus, and measurement was performed in the range of 1 Hz to 1 MHz under the conditions of DC Potential: 0 V and AC Amplitude: 100 V. An impedance value of 10 kHz was defined as impedance.

耐電圧は、インピーダンスの測定後、図3に示す水銀セルを用いて測定した。装置には、アドバンテスト社製の型番「TR6143」を用い、20mV/秒の速度で電圧を上昇させて測定したが、耐電圧値は、10mAの電流が流れた電圧と定義した。   The withstand voltage was measured using the mercury cell shown in FIG. As a device, model number “TR6143” manufactured by Advantest Corporation was used and measured by increasing the voltage at a speed of 20 mV / sec. The withstand voltage value was defined as a voltage at which a current of 10 mA flowed.

得られたコンデンサ特性は、容量発現率が58%、インピーダンスが235mΩ、破耐電圧42Vであった。結果はいずれも3個の電極の平均値である。   As for the obtained capacitor characteristics, the capacity expression rate was 58%, the impedance was 235 mΩ, and the breakdown voltage was 42V. All the results are average values of three electrodes.

(比較例8)
0.1wt%リン酸アンモニウム水溶液を用いてアルミエッチド箔を陽極酸化した以外は実施例5と同様にして実験を行った。この時得られた、液中容量は25μFであった。また、得られたコンデンサ特性は、容量発現率が53%、インピーダンスが240mΩ、耐電圧が38Vであった。
(Comparative Example 8)
An experiment was performed in the same manner as in Example 5 except that the aluminum etched foil was anodized using a 0.1 wt% ammonium phosphate aqueous solution. The liquid volume obtained at this time was 25 μF. Moreover, the obtained capacitor | condenser characteristic was 53% of capacity | capacitance expression rates, the impedance was 240 mohm, and the withstand voltage was 38V.

実施例5および比較例8の結果を表2にまとめた。   The results of Example 5 and Comparative Example 8 are summarized in Table 2.

表2より、強制的に水分を添加したイオン液体を用いて陽極酸化した箔を用いても、導電性高分子アルミ電解コンデンサを作製できることがわかる。   From Table 2, it can be seen that a conductive polymer aluminum electrolytic capacitor can also be produced using a foil anodized with an ionic liquid to which water is forcibly added.

イオン液体によるアルミの陽極酸化に用いたセルCell used for anodic oxidation of aluminum with ionic liquid [BMIm][CA]のI−V曲線[BMIm] [CA] IV curve 電極の測定を行う水銀セルMercury cell for measuring electrodes

Claims (8)

少なくともイオン液体と水を含み、水が2wt%〜50wt%の範囲である溶液を用いた弁金属の陽極酸化皮膜形成方法。   A method for forming an anodized film of a valve metal using a solution containing at least an ionic liquid and water, wherein the water is in a range of 2 wt% to 50 wt%. イオン液体のアニオン成分が、スルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、硫酸アニオン、イミドアニオン、ハロゲンアニオン、ホウ素アニオン、リンアニオン、から選択された少なくとも一つのアニオンを有している事を特徴とする請求項1に記載の弁金属の陽極酸化皮膜形成方法。   The anion component of the ionic liquid has at least one anion selected from a sulfonate anion, a carboxylate anion, a sulfate anion, an imide anion, a halogen anion, a boron anion, and a phosphorus anion. 2. A method for forming an anodized film of a valve metal according to 1. 請求項2に記載のカルボン酸アニオンが、ギ酸アニオン又は一般式(1);
(式中、R1及びR2は、それぞれ独立に水素原子、保護又は無保護の水酸基、保護又は無保護のアミノ基、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、ハロゲン原子、直鎖または分岐もしくは環を形成していてもよく置換基を有していてもよいC1〜C20のアルキル基,直鎖または分岐もしくは環を形成していてもよく置換基を有していてもよいC2〜C20のアルケニル基,直鎖または分岐もしくは環を形成していてもよく置換基を有していてもよいC2〜C20のアルキニル基,置換基を有していてもよいC6〜C20のアリール基,置換基を有していてもよいC4〜C20のヘテロアリール基,置換基を有していてもよいC7〜C20のアラルキル基,置換基を有していてもよいC4〜C20のヘテロアラルキル基を表し、互いに同じであっても異なっていてもよく、また一緒になって環を形成してもよい)で表される群の中から選択された少なくとも1種以上であることを特徴とする、請求項2に記載の弁金属の陽極酸化皮膜形成方法。
The carboxylate anion according to claim 2 is a formate anion or general formula (1);
(Wherein R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, a protected or unprotected hydroxyl group, a protected or unprotected amino group, an alkoxy group, a nitro group, a cyano group, a carboxyl group, a halogen atom, a straight chain or branched or alkyl group optionally C 1 -C 20 optionally may have a substituent to form a ring, may have a straight-chain or branched or may substituents may form a ring C 2 -C 20 alkenyl group, straight chain, branched or ring may be formed and optionally substituted C 2 -C 20 alkynyl group, optionally substituted C 6 to C 20 aryl group, optionally having C 4 to C 20 heteroaryl group, optionally having C 7 to C 20 aralkyl group and having substituent Represents a C 4 to C 20 heteroaralkyl group which may be The structure may be at least one selected from the group represented by the following formula: An anodized film forming method for valve metal.
イオン液体のカチオン成分が、アンモニウムカチオン、イミダゾリウムカチオン、ピリジニウムカチオン、ピロリジニウムカチオン、ピロリニウムカチオン、ピラジニウムカチオン、ピリミジニウムカチオン、トリアゾニウムカチオン、トリアジニウムカチオン、トリアジンカチオン、キノリニウムカチオン、イソキノリニウムカチオン、インドリニウムカチオン、キノキサリニウムカチオン、ピペラジニウムカチオン、オキサゾリニウムカチオン、チアゾリニウムカチオン、モルフォリニウムカチオン、ピペラジンカチオン及びこれらの誘導体からなる群より選択されることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の弁金属の陽極酸化皮膜形成方法。   The cation component of the ionic liquid is ammonium cation, imidazolium cation, pyridinium cation, pyrrolidinium cation, pyrrolium cation, pyrazinium cation, pyrimidinium cation, triazonium cation, triazinium cation, triazine cation, key From the group consisting of norinium cation, isoquinolinium cation, indolinium cation, quinoxalinium cation, piperazinium cation, oxazolinium cation, thiazolinium cation, morpholinium cation, piperazine cation and derivatives thereof The method for forming an anodic oxide film of a valve metal according to any one of claims 1 to 3, wherein the method is selected. イオン液体と水に加え、ニトロ化合物、リン酸化合物、ホウ酸化合物、多価アルコール類、ケイ素化合物、アンモニウム塩、アミン塩、四級アンモニウム塩、三級アミン及び有機酸、イミダゾリウム塩からなる群より選ばれる少なくとも1つ以上が選択され含まれることを特徴とする請求項1〜4に記載の弁金属の陽極酸化皮膜形成方法。   In addition to ionic liquid and water, group consisting of nitro compounds, phosphate compounds, boric acid compounds, polyhydric alcohols, silicon compounds, ammonium salts, amine salts, quaternary ammonium salts, tertiary amines and organic acids, imidazolium salts The method for forming an anodized film of a valve metal according to claim 1, wherein at least one selected from the above is selected and contained. 少なくともその製造工程の一部として請求項1〜5のいずれかに記載の弁金属の酸化皮膜形成方法を用いる事を特徴とする電解コンデンサの製造方法。   A method for producing an electrolytic capacitor, wherein the method for forming an oxide film of a valve metal according to any one of claims 1 to 5 is used as at least a part of the production process. 電解コンデンサが導電性高分子コンデンサである請求項6記載の製造方法。   The manufacturing method according to claim 6, wherein the electrolytic capacitor is a conductive polymer capacitor. 導電性高分子コンデンサ電解質が化学重合で形成されることを特徴とする請求項7記載の導電性高分子コンデンサ電解質の製造方法。   8. The method for producing a conductive polymer capacitor electrolyte according to claim 7, wherein the conductive polymer capacitor electrolyte is formed by chemical polymerization.
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CN104532323B (en) * 2014-12-19 2017-05-10 浙江工业大学 Method for oxidizing anode of titanium-aluminum alloy in ion liquid-added ethylene glycol solution
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JP3997035B2 (en) * 1999-05-17 2007-10-24 三菱化学株式会社 Chemical liquid for metal oxide film formation
JP4098979B2 (en) * 2001-12-04 2008-06-11 ディップソール株式会社 Method for forming a ceramic film on the surface of an aluminum substrate
JP4685631B2 (en) * 2003-07-31 2011-05-18 株式会社カネカ Capacitor and its manufacturing method
JP4661496B2 (en) * 2004-10-12 2011-03-30 三菱化学株式会社 Chemical liquid for forming oxide film, method for forming oxide film using the same, laminate, method for producing the same, and metal oxide film
JP5009627B2 (en) * 2004-11-12 2012-08-22 株式会社カネカ Ionic liquid and method for producing the same, method for forming oxide film on metal surface, electrolytic capacitor and electrolyte
JP2007091617A (en) * 2005-09-28 2007-04-12 Kaneka Corp Ionic liquid and its manufacturing method

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