JP5336049B2 - Negative electrode base material for lithium secondary battery - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、リチウム二次電池用負極基材、この負極基材を用いたリチウム二次電池、この負極基材の形成に用いられるポジ型ホトレジスト組成物、及びこの負極基材の製造方法に関し、特に、充放電サイクル特性に優れたリチウム二次電池を提供できるリチウム二次電池用負極基材、この負極基材を用いたリチウム二次電池、この負極基材の形成に用いられるポジ型ホトレジスト組成物、及びこの負極基材の製造方法に関する。 The present invention is a lithium secondary battery anode substrate, a lithium secondary battery using the negative Gokumoto material, positive photoresist composition used for forming the negative Gokumoto material, and relates to a manufacturing method of the negative Gokumoto material, In particular, a negative electrode base material for a lithium secondary battery capable of providing a lithium secondary battery excellent in charge / discharge cycle characteristics, a lithium secondary battery using the negative electrode base material, and a positive photoresist composition used for forming the negative electrode base material And a method for producing the negative electrode substrate.
従来、高い出力電圧と、高いエネルギー密度を兼ね備えた電池の研究開発が盛んに進められている。特に、内部抵抗が低く、充放電による電池容量の低下が少ない、充放電サイクル特性に優れた二次電池が求められている。例えば、薄膜状の非晶質シリコン又は微結晶シリコンを負極材料(負極活物質)として用いたリチウム二次電池が知られている(特許文献1参照)。具体的には、集電体上にシリコン薄膜からなる負極材料層を形成した負極を用いたリチウム二次電池が開示されており、シリコン薄膜の形成には、CVD法(化学気相成長法、化学蒸着法ともいう)やスパッタリング法等の薄膜形成手法が用いられている。 Conventionally, research and development of batteries having high output voltage and high energy density have been actively promoted. In particular, a secondary battery having a low internal resistance and a low battery capacity decrease due to charge / discharge and excellent charge / discharge cycle characteristics is required. For example, a lithium secondary battery using thin-film amorphous silicon or microcrystalline silicon as a negative electrode material (negative electrode active material) is known (see Patent Document 1). Specifically, a lithium secondary battery using a negative electrode in which a negative electrode material layer made of a silicon thin film is formed on a current collector is disclosed. For the formation of a silicon thin film, a CVD method (chemical vapor deposition method, Thin film forming methods such as chemical vapor deposition and sputtering are used.
ここで、シリコン等の材料は、リチウムの吸蔵/放出に伴って、膨張/収縮を繰り返すと考えられている。集電体上にシリコン薄膜を形成した負極では、集電体と負極材料層との密着性が高いため、負極材料の膨張/収縮に伴う集電体の膨張/収縮が頻繁に行われることになる。このため、充放電に伴って負極材料層及び集電体に皺等の不可逆的な変形が発生するおそれがある。特に、集電体に銅箔等の延性に富んだ金属箔を用いた場合、変形の程度が大きくなる傾向にある。負極が変形すると、電極としての体積が増加して電気化学反応が不均一になる等の理由から、電池のエネルギー密度が低下するおそれがある。また、充放電に伴う膨張/収縮を繰り返す間に、負極材料が微粉化して集電体から脱離したり、場合によっては薄膜状のまま脱離したりするおそれもあり、電池の充放電サイクル特性が悪化する要因となる。 Here, it is considered that a material such as silicon repeats expansion / contraction as the lithium is occluded / released. In the negative electrode in which the silicon thin film is formed on the current collector, the adhesion between the current collector and the negative electrode material layer is high, and thus the current collector is frequently expanded / contracted due to the expansion / contraction of the negative electrode material. Become. For this reason, there is a possibility that irreversible deformation such as wrinkles may occur in the negative electrode material layer and the current collector along with charging and discharging. In particular, when a metal foil having a high ductility such as a copper foil is used for the current collector, the degree of deformation tends to increase. When the negative electrode is deformed, the energy density of the battery may be lowered due to an increase in volume as an electrode and non-uniform electrochemical reaction. In addition, while the expansion / contraction associated with charge / discharge is repeated, the negative electrode material may be pulverized and detached from the current collector, or may be detached in a thin film in some cases. It becomes a factor to deteriorate.
負極の変形を抑制する方法としては、引張り強さや引張り弾性率等の機械的強度が高い材料を集電体として用いる方法が挙げられる。しかしながら、このような材料からなる集電体上に、薄膜状の負極材料からなる負極材料層を形成した場合、負極材料層と集電体との密着性が不十分となり、十分な充放電サイクル特性が得られないおそれがある。このため、特許文献1には、負極材料と合金化する材料からなる中間層を集電体と負極材料層との間に配置し、中間層よりも機械的強度が高い集電体を用いることによって、充放電時における負極材料の脱離を抑制するとともに、皺等の発生を抑制する技術が開示されている。具体的には、中間層として銅層を用い、集電体としてニッケル箔が用いられている。 Examples of a method for suppressing deformation of the negative electrode include a method in which a material having high mechanical strength such as tensile strength and tensile elastic modulus is used as a current collector. However, when a negative electrode material layer made of a thin film negative electrode material is formed on a current collector made of such a material, the adhesion between the negative electrode material layer and the current collector becomes insufficient, and a sufficient charge / discharge cycle Characteristics may not be obtained. For this reason, in Patent Document 1, an intermediate layer made of a material that forms an alloy with the negative electrode material is disposed between the current collector and the negative electrode material layer, and a current collector having higher mechanical strength than the intermediate layer is used. Discloses a technique for suppressing the detachment of the negative electrode material during charging and discharging and suppressing the generation of soot and the like. Specifically, a copper layer is used as the intermediate layer, and a nickel foil is used as the current collector.
上記特許文献1以外にも、負極材料層としてシリコンに銅を固溶させた薄膜を用い、リチウムの吸蔵量を抑制することによって、リチウムを吸蔵した場合の負極材料の膨張を抑制する技術が開示されている(特許文献2参照)。また、負極材料層として、リチウムと合金化する金属と、リチウムと合金化しない金属とからなる合金薄膜を用い、リチウムの吸蔵量を抑制することによって、リチウムを吸蔵した場合の負極材料の膨張を抑制する技術が開示されている(特許文献3参照)。具体的には、リチウムと合金化して固溶体又は金属間化合物等を形成する金属として、Sn、Ge、Al、In、Mg、及びSi等が用いられ、リチウムと合金化しない金属として、Cu、Fe、Ni、Co、Mo、W、Ta、及びMn等が用いられている。 In addition to Patent Document 1, a technique for suppressing expansion of the negative electrode material when lithium is occluded by using a thin film in which copper is dissolved in silicon as the negative electrode material layer and suppressing the occlusion amount of lithium is disclosed. (See Patent Document 2). Moreover, as the negative electrode material layer, an alloy thin film composed of a metal alloying with lithium and a metal not alloying with lithium is used, and by suppressing the occlusion amount of lithium, the negative electrode material expands when lithium is occluded. The technique to suppress is disclosed (refer patent document 3). Specifically, Sn, Ge, Al, In, Mg, Si, or the like is used as a metal that is alloyed with lithium to form a solid solution or an intermetallic compound. Cu, Fe, and the like that are not alloyed with lithium are used. Ni, Co, Mo, W, Ta, Mn, and the like are used.
また、厚さ方向への変形量が5μm〜20μmである変形部が、1cm2あたり10個以上形成され、且つ、変形部による開口率が4%以下である集電体を用いることによって、充放電に伴う電極の変形を抑制する技術が開示されている(特許文献4参照)。さらには、リチウムを可逆的に吸蔵/放出できる薄膜状の負極材料層の表面及び内部の少なくとも一方に、リチウム非吸蔵性材料を配置させる技術が開示されている(特許文献5参照)。
しかしながら、上述の各種負極材料いずれをもってしても、十分な出力電圧、エネルギー密度、及び充放電サイクル特性を有する電池は得られていないのが現状である。従って、本発明の目的は、上述した従来技術とは異なる構成により、高い出力電圧と高いエネルギー密度を有し、且つ充放電サイクル特性に優れたリチウム二次電池の実現を可能とするリチウム二次電池用負極基材、この負極基材を用いたリチウム二次電池、この負極基材の形成に用いられるポジ型ホトレジスト組成物、及びこの負極基材の製造方法を提供することにある。 However, even with any of the various negative electrode materials described above, a battery having a sufficient output voltage, energy density, and charge / discharge cycle characteristics has not been obtained. Accordingly, an object of the present invention, the structure different from the prior art described above, has a high output voltage and a high energy density, and a lithium secondary allows the realization of excellent lithium secondary battery charge-discharge cycle characteristics primary The object is to provide a negative electrode substrate for a battery, a lithium secondary battery using the negative electrode substrate, a positive photoresist composition used for forming the negative electrode substrate, and a method for producing the negative electrode substrate.
本発明者らは、上記に鑑みて鋭意研究を重ねた結果、(A)アルカリ可溶性樹脂、及び(B)キノンジアジド基含有化合物を含有するポジ型ホトレジスト組成物からなる有機膜上に金属膜が形成された負極基材によれば、高い出力電圧と高いエネルギー密度を有し、且つ充放電サイクル特性に優れた電池を提供できることを見出し、本発明を完成するに至った。 As a result of intensive studies in view of the above, the present inventors have formed a metal film on an organic film comprising a positive photoresist composition containing (A) an alkali-soluble resin and (B) a quinonediazide group-containing compound. According to the negative electrode substrate, the present inventors have found that a battery having a high output voltage and a high energy density and excellent charge / discharge cycle characteristics can be provided, and the present invention has been completed.
即ち、本発明は、(A)アルカリ可溶性樹脂、及び(B)キノンジアジド基含有化合物を含有するポジ型ホトレジスト組成物により形成された有機膜を備えた支持体に所定の金属膜を形成してなることを特徴とするリチウム二次電池用負極基材、この負極基材を用いたリチウム二次電池、この負極基材の形成に用いられるポジ型ホトレジスト組成物、さらにはこの負極基材の製造方法を提供する。 That is, the present invention comprises forming a predetermined metal film on a support provided with an organic film formed of a positive photoresist composition containing (A) an alkali-soluble resin and (B) a quinonediazide group-containing compound. for lithium secondary battery, wherein the anode substrate, a lithium secondary battery using the negative Gokumoto material, positive photoresist composition used for forming the negative Gokumoto material, further the manufacturing method of the negative Gokumoto material I will provide a.
本発明によれば、高い出力電圧と高いエネルギー密度を有し、且つ充放電サイクル特性に優れたリチウム二次電池の実現を可能とするリチウム二次電池用負極基材、この負極基材を用いたリチウム二次電池、この負極基材の形成に用いられるポジ型ホトレジスト組成物、さらにはこの負極基材の製造方法を提供できる。 According to the present invention, has a high output voltage and a high energy density, and charge-discharge cycle characteristics superior anode substrate for a lithium secondary battery that allows the realization of a lithium secondary battery, use the negative Gokumoto material The present invention can provide a lithium secondary battery, a positive photoresist composition used for forming the negative electrode substrate, and a method for producing the negative electrode substrate.
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
<負極基材>
本発明に係る負極基材10の模式図を図1に示す。図1に示される通り、本発明に係る負極基材10は、支持体11と、有機膜12と、金属膜13とから構成される。より詳しくは、パターン露光により所定形状にパターン化された有機膜12を備えた支持体10に対して、金属膜13を形成してなることを特徴とする。
<Negative electrode base material>
A schematic diagram of a
<支持体>
本発明に係る負極基材10に用いられる支持体11は、その表面上に有機膜12を形成できるものであればよく、特に限定されない。例えば、電子部品用の基板等の従来公知のものが用いられる。具体的には、シリコンウエハ、有機系又は無機系の反射防止膜が設けられたシリコンウエハ、磁性膜が形成されたシリコンウエハ、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属製の基板や、ガラス基板等が挙げられる。なお、これらの支持体は、銅、ニッケル、ステンレス、モリブデン、タングステン、チタン、及びタンタルから選ばれる少なくとも1種の元素を含む材料、金属箔、不織布、三次元構造を有する金属集電体等の集電体を兼ねてもよいし、これらの集電体上に形成されてもよい。
<Support>
The
<有機膜>
本発明に係る負極基材10における有機膜12は、後述する(A)アルカリ可溶性樹脂、及び(B)キノンジアジド基含有化合物を含有するポジ型ホトレジスト組成物により形成されるものであり、さらには、このポジ型ホトレジスト組成物からなる有機膜をパターン露光により所定形状にパターン化したパターン化有機膜であることが好ましい。
<Organic film>
The
[ポジ型ホトレジスト組成物]
本発明に係る負極基材10における有機膜12の形成に用いられるポジ型ホトレジスト組成物としては、(A)アルカリ可溶性樹脂、及び(B)キノンジアジド基含有化合物を含有するポジ型ホトレジスト組成物であれば特に限定されない。
[Positive photoresist composition]
The positive photoresist composition used for forming the
前記(A)成分としては、例えば、フェノール類(フェノール、m−クレゾール、p−クレゾール、キシレノール、トリメチルフェノール等)と、アルデヒド類(ホルムアルデヒド、ホルムアルデヒド前駆体、プロピオンアルデヒド、2−ヒドロキシベンズアルデヒド、3−ヒドロキシベンズアルデヒド、4−ヒドロキシベンズアルデヒド等)及び/又はケトン類(メチルエチルケトン、アセトン等)とを、酸性触媒存在下に縮合させて得られるノボラック樹脂、ヒドロキシスチレンの単独重合体、ヒドロキシスチレンと他のスチレン系単量体との共重合体、ヒドロキシスチレンとアクリル酸又はメタクリル酸あるいはその誘導体との共重合体等のヒドロキシスチレン系樹脂、アクリル酸、メタクリル酸、あるいはその誘導体、又はこれらの共重合体等のアクリル系樹脂等が挙げられる。 Examples of the component (A) include phenols (phenol, m-cresol, p-cresol, xylenol, trimethylphenol, etc.) and aldehydes (formaldehyde, formaldehyde precursor, propionaldehyde, 2-hydroxybenzaldehyde, 3- Novolak resin obtained by condensing hydroxybenzaldehyde, 4-hydroxybenzaldehyde, etc.) and / or ketones (methyl ethyl ketone, acetone, etc.) in the presence of an acidic catalyst, a homopolymer of hydroxystyrene, hydroxystyrene and other styrene series Copolymers with monomers, hydroxystyrene resins such as copolymers of hydroxystyrene and acrylic acid or methacrylic acid or derivatives thereof, acrylic acid, methacrylic acid, or derivatives thereof, or these Acrylic resins such polymers, and the like.
特に、m−クレゾール、p−クレゾール、3,4−キシレノール、及び2,3,5−トリメチルフェノールの中から選ばれる少なくとも2種を含有するフェノール類とホルムアルデヒド、2−ヒドロキシベンズアルデヒド(サリチルアルデヒド)及びプロピオンアルデヒドの中から選ばれる少なくとも1種を含有するアルデヒド類とを縮合反応させて得られるノボラック樹脂が、高感度で解像性に優れたポジ型ホトレジスト組成物の調整に好適である。(A)成分は、常法にしたがって製造することができる。 In particular, phenols containing at least two selected from m-cresol, p-cresol, 3,4-xylenol, and 2,3,5-trimethylphenol, formaldehyde, 2-hydroxybenzaldehyde (salicylaldehyde) and A novolak resin obtained by a condensation reaction with an aldehyde containing at least one selected from propionaldehyde is suitable for preparing a positive photoresist composition having high sensitivity and excellent resolution. (A) A component can be manufactured in accordance with a conventional method.
(A)成分のゲルパーミエーションクロマトグラフィによるポリスチレン換算質量平均分子量(Mw)は、その種類にもよるが、感度やパターン形成の点から好ましくは2,000〜100,000、より好ましくは3,000〜30,000である。 The polystyrene-reduced mass average molecular weight (Mw) by gel permeation chromatography of the component (A) is preferably 2,000 to 100,000, more preferably 3,000, from the viewpoint of sensitivity and pattern formation, although it depends on the type. ~ 30,000.
また、(A)成分は、Mwが3,000〜30,000、より好ましくは5,000〜20,000の範囲内となるように分別処理されているノボラック樹脂(以下、分別樹脂という)であることが好ましい。このような分別樹脂を(A)成分として用いることにより、耐熱性に優れたポジ型ホトレジスト組成物が得られる。分別処理は、例えば、重合体の溶解度の分子量依存性を利用した分別沈殿処理によって行うことができる。分別沈殿処理は、例えば、まず、上述したようにして得られた縮合生成物のノボラック樹脂を極性溶媒に溶解し、この溶液に対し、水、ヘプタン、ヘキサン、ペンタン、シクロヘキサン等の貧溶媒を加える。このとき、低分子量の重合体は貧溶媒に溶解したままであるので、析出物をろ取することにより、低分子量の重合体の含有量が低減された分別樹脂を得ることができる。極性溶媒としては、例えばメタノール、エタノール等のアルコール、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル、テトラヒドロフラン等の環状エーテル等を挙げることができる。 The component (A) is a novolak resin (hereinafter referred to as a fractional resin) that has been subjected to a fractionation treatment so that Mw is within a range of 3,000 to 30,000, more preferably 5,000 to 20,000. Preferably there is. By using such a fractionation resin as the component (A), a positive photoresist composition having excellent heat resistance can be obtained. The fractionation treatment can be performed, for example, by a fractional precipitation treatment utilizing the molecular weight dependency of the solubility of the polymer. In the fractional precipitation treatment, for example, the novolak resin of the condensation product obtained as described above is first dissolved in a polar solvent, and a poor solvent such as water, heptane, hexane, pentane, or cyclohexane is added to this solution. . At this time, since the low molecular weight polymer remains dissolved in the poor solvent, the fractionated resin in which the content of the low molecular weight polymer is reduced can be obtained by filtering the precipitate. Examples of the polar solvent include alcohols such as methanol and ethanol, ketones such as acetone and methyl ethyl ketone, glycol ether esters such as ethylene glycol monoethyl ether acetate, and cyclic ethers such as tetrahydrofuran.
前記(B)成分は、キノンジアジド基含有化合物であり、特に下記一般式(b1)
上記一般式(b1)に該当するフェノール化合物としては、例えば、
〔1〕Q1がRb9の末端と結合しておらず、Rb9が水素原子又は炭素数1〜6のアルキル基を表し、Q1が前記化学式(b2)で表される残基を表し、nが0を表すトリスフェノール型化合物、及び
〔2〕Q1がRb9の末端と結合しておらず、Rb9が水素原子又は炭素数1〜6のアルキル基を表し、Q1が水素原子又は炭素数1〜6のアルキル基を表し、nが1〜3の整数を表すリニア型ポリフェノール化合物が好ましい。
As a phenol compound corresponding to the general formula (b1), for example,
[1] Q 1 is not bonded with the terminal of R b9, R b9 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a residue which Q 1 is represented by Formula (b2) , trisphenol compounds n represents 0, and (2) Q 1 is not bonded with the terminal of R b9, R b9 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, Q 1 is hydrogen A linear polyphenol compound which represents an atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms and n represents an integer of 1 to 3 is preferable.
トリスフェノール型化合物として、より具体的には、トリス(4−ヒドロシキフェニル)メタン、ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,3,5−トリメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−3−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−3−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−2,4−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3−メトキシ−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(5−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−2−メチルフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(5−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−2−メチルフェニル)−3−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(5−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−2−メチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(5−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−2−メチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン等を挙げることができる。 More specifically, as the trisphenol type compound, tris (4-hydroxyphenyl) methane, bis (4-hydroxy-3-methylphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, bis (4-hydroxy-2,3, 5-trimethylphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) -4-hydroxyphenylmethane, bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) -3-hydroxyphenyl Methane, bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, bis (4-hydroxy-2,5-dimethylphenyl) -4-hydroxyphenylmethane, bis (4-hydroxy-2, 5-dimethylphenyl) -3-hydroxyphenylmethane, bis (4-hydroxy) -2,5-dimethylphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) -3,4-dihydroxyphenylmethane, bis (4-hydroxy-2,5-dimethylphenyl) -3,4-dihydroxyphenylmethane, bis (4-hydroxy-2,5-dimethylphenyl) -2,4-dihydroxyphenylmethane, bis (4-hydroxyphenyl) -3-methoxy-4-hydroxyphenylmethane, bis (5-cyclohexyl-4-hydroxy-2-methylphenyl) -4-hydroxyphenylmethane, bis (5-cyclohexyl-4-hydroxy-2-methylphenyl) -3-hydroxyphenylmethane, bis (5-cyclohexyl-4 -Hydroxy-2-methylphenyl) -2-hydroxyfe Rumetan, and bis (5-cyclohexyl-4-hydroxy-2-methylphenyl) -3,4-dihydroxyphenyl methane.
リニア型ポリフェノール化合物として、より具体的には、2,4−ビス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシベンジル)−5−ヒドロキシフェノール、2,6−ビス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシベンジル)−4−メチルフェノール等のリニア型3核体フェノール化合物;1,1−ビス〔3−(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−4−ヒドロキシ−5−シクロヘキシルフェニル〕イソプロパン、ビス[2,5−ジメチル−3−(4−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−4−ヒドロキシフェニル]メタン、ビス[2,5−ジメチル−3−(4−ヒドロキシベンジル)−4−ヒドロキシフェニル]メタン、ビス[3−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシベンジル)−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル]メタン、ビス[3−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシベンジル)−4−ヒドロキシ−5−エチルフェニル]メタン、ビス[3−(3,5−ジエチル−4−ヒドロキシベンジル)−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル]メタン、ビス[3−(3,5−ジエチル−4−ヒドロキシベンジル)−4−ヒドロキシ−5−エチルフェニル]メタン、ビス[2−ヒドロキシ−3−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシベンジル)−5−メチルフェニル]メタン、ビス[2−ヒドロキシ−3−(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−5−メチルフェニル]メタン、ビス[4−ヒドロキシ−3−(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−5−メチルフェニル]メタン、ビス[2,5−ジメチル−3−(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−4−ヒドロキシフェニル]メタン等のリニア型4核体フェノール化合物;2,4−ビス[2−ヒドロキシ−3−(4−ヒドロキシベンジル)−5−メチルベンジル]−6−シクロヘキシルフェノール、2,4−ビス[4−ヒドロキシ−3−(4−ヒドロキシベンジル)−5−メチルベンジル]−6−シクロヘキシルフェノール、2,6−ビス[2,5−ジメチル−3−(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−4−ヒドロキシベンジル]−4−メチルフェノール等のリニア型5核体フェノール化合物等を挙げることができる。 More specifically, examples of the linear polyphenol compound include 2,4-bis (3,5-dimethyl-4-hydroxybenzyl) -5-hydroxyphenol and 2,6-bis (2,5-dimethyl-4-hydroxy). Benzyl) -4-methylphenol and other linear trinuclear phenol compounds; 1,1-bis [3- (2-hydroxy-5-methylbenzyl) -4-hydroxy-5-cyclohexylphenyl] isopropane, bis [ 2,5-dimethyl-3- (4-hydroxy-5-methylbenzyl) -4-hydroxyphenyl] methane, bis [2,5-dimethyl-3- (4-hydroxybenzyl) -4-hydroxyphenyl] methane, Bis [3- (3,5-dimethyl-4-hydroxybenzyl) -4-hydroxy-5-methylphenyl] methane, bis [3- ( , 5-dimethyl-4-hydroxybenzyl) -4-hydroxy-5-ethylphenyl] methane, bis [3- (3,5-diethyl-4-hydroxybenzyl) -4-hydroxy-5-methylphenyl] methane, Bis [3- (3,5-diethyl-4-hydroxybenzyl) -4-hydroxy-5-ethylphenyl] methane, bis [2-hydroxy-3- (3,5-dimethyl-4-hydroxybenzyl) -5 -Methylphenyl] methane, bis [2-hydroxy-3- (2-hydroxy-5-methylbenzyl) -5-methylphenyl] methane, bis [4-hydroxy-3- (2-hydroxy-5-methylbenzyl) -5-methylphenyl] methane, bis [2,5-dimethyl-3- (2-hydroxy-5-methylbenzyl) -4-hydroxyphenyl Linear tetranuclear phenol compounds such as methane; 2,4-bis [2-hydroxy-3- (4-hydroxybenzyl) -5-methylbenzyl] -6-cyclohexylphenol, 2,4-bis [4-hydroxy -3- (4-hydroxybenzyl) -5-methylbenzyl] -6-cyclohexylphenol, 2,6-bis [2,5-dimethyl-3- (2-hydroxy-5-methylbenzyl) -4-hydroxybenzyl ] Linear pentanuclear phenol compounds such as 4-methylphenol.
また、トリスフェノール型化合物及びリニア型ポリフェノール化合物以外の、一般式(b1)に該当するフェノール化合物としては、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)メタン、2,3,4−トリヒドロキシフェニル−4’−ヒドロキシフェニルメタン、2−(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)−2−(2’,3’,4’−トリヒドロキシフェニル)プロパン、2−(2,4−ジヒドロキシフェニル)−2−(2’,4’−ジヒドロキシフェニル)プロパン、2−(4−ヒドロキシフェニル)−2−(4’−ヒドロキシフェニル)プロパン、2−(3−フルオロ−4−ヒドロキシフェニル)−2−(3’−フルオロ−4’−ヒドロキシフェニル)プロパン、2−(2,4−ジヒドロキシフェニル)−2−(4’−ヒドロキシフェニル)プロパン、2−(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)−2−(4’−ヒドロキシフェニル)プロパン、2−(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)−2−(4’−ヒドロキシ−3’,5’−ジメチルフェニル)プロパン等のビスフェノール型化合物;1−[1−(4−ヒドロキシフェニル)イソプロピル]−4−[1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エチル]ベンゼン、1−[1−(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)イソプロピル]−4−[1,1−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)エチル]ベンゼン、等の多核枝分かれ型化合物;1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン等の縮合型フェノール化合物等が挙げられる。これらのフェノール化合物は、1種又は2種以上組み合わせて用いることができる。 Other than the trisphenol type compound and the linear type polyphenol compound, phenol compounds corresponding to the general formula (b1) include bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane, bis (2,4-dihydroxyphenyl). Methane, 2,3,4-trihydroxyphenyl-4′-hydroxyphenylmethane, 2- (2,3,4-trihydroxyphenyl) -2- (2 ′, 3 ′, 4′-trihydroxyphenyl) propane 2- (2,4-dihydroxyphenyl) -2- (2 ′, 4′-dihydroxyphenyl) propane, 2- (4-hydroxyphenyl) -2- (4′-hydroxyphenyl) propane, 2- (3 -Fluoro-4-hydroxyphenyl) -2- (3'-fluoro-4'-hydroxyphenyl) propane, 2- (2,4-di Droxyphenyl) -2- (4′-hydroxyphenyl) propane, 2- (2,3,4-trihydroxyphenyl) -2- (4′-hydroxyphenyl) propane, 2- (2,3,4- Bisphenol type compounds such as trihydroxyphenyl) -2- (4′-hydroxy-3 ′, 5′-dimethylphenyl) propane; 1- [1- (4-hydroxyphenyl) isopropyl] -4- [1,1- Bis (4-hydroxyphenyl) ethyl] benzene, 1- [1- (3-methyl-4-hydroxyphenyl) isopropyl] -4- [1,1-bis (3-methyl-4-hydroxyphenyl) ethyl] benzene , Etc .; and condensed phenol compounds such as 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) cyclohexane. These phenol compounds can be used alone or in combination of two or more.
このような(B)成分の中でも、上記トリスフェノール型化合物が特に好ましく、中でもビス(5−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−2−メチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン[以下(B1)と略記する。]、ビス(4−ヒドロキシ−2,3,5−トリメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン[以下、(B3)と略記する。]のトリスフェノール型化合物のナフトキノンジアジドエステル化物を含有するホトレジスト組成物は、感度、解像性にも優れて好ましい。また、当該トリスフェノール型化合物のナフトキノンジアジドエステル化物とともに、他のフェノール化合物のナフトキノンジアジドエステル化物、つまり上述のビスフェノール型化合物、多核枝分かれ型化合物、及び縮合型フェノール化合物等のフェノール化合物のナフトキノンジアジドエステル化物を用いると、解像性、感度、耐熱性、DOF特性、マスクリニアリティ等、レジスト特性のトータルバランスに優れたレジスト組成物を調整できて好ましい。特にビスフェノール型化合物、中でもビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)メタン[以下(B2)と略記する。]は好ましい。なお、上記(B1)、(B3)及び(B2)の3種のフェノール化合物のナフトキノンジアジドエステル化物を含有するポジ型ホトレジスト組成物は、高感度、高解像性で、形状の良好なレジストパターンを形成できる点で好ましい。 Among these components (B), the above trisphenol type compound is particularly preferable, and bis (5-cyclohexyl-4-hydroxy-2-methylphenyl) -3,4-dihydroxyphenylmethane [hereinafter abbreviated as (B1)]. To do. ], Bis (4-hydroxy-2,3,5-trimethylphenyl) -2-hydroxyphenylmethane [hereinafter abbreviated as (B3). The photoresist composition containing a naphthoquinone diazide esterified product of a trisphenol type compound is preferable because of its excellent sensitivity and resolution. In addition to the naphthoquinone diazide esterified product of the trisphenol type compound, naphthoquinone diazide esterified products of other phenol compounds, that is, naphthoquinone diazide esterified products of phenol compounds such as the above-mentioned bisphenol type compounds, polynuclear branched type compounds, and condensed type phenol compounds. Is preferably used because a resist composition excellent in total balance of resist characteristics such as resolution, sensitivity, heat resistance, DOF characteristics, mask linearity and the like can be adjusted. In particular, bisphenol type compounds, especially bis (2,4-dihydroxyphenyl) methane [hereinafter abbreviated as (B2)]. ] Is preferable. The positive photoresist composition containing the naphthoquinone diazide esterified product of the three phenol compounds (B1), (B3) and (B2) is a resist pattern having a high sensitivity, a high resolution and a good shape. Is preferable in that it can be formed.
(B1)、(B3)を用いる場合、(B)成分中の配合量は、全(B)成分中、それぞれ10質量%以上、さらに15質量%以上であることが好ましい。また、(B1)、(B2)、(B3)を全て用いる場合は効果の点から、それぞれの配合量は、全(B)成分中、(B1)が50〜90質量%、好ましくは60〜80質量%、(B2)の配合量が5〜20質量%、好ましくは10〜15質量%、(B3)の配合量が5〜20質量%、好ましくは10〜15質量%であることが好ましい。 When using (B1) and (B3), it is preferable that the compounding quantity in (B) component is 10 mass% or more in all (B) components, respectively, and also 15 mass% or more. Moreover, when using all (B1), (B2), and (B3), from the point of an effect, each compounding quantity is 50-90 mass% in all (B) components, Preferably it is 60- 80% by mass, the blending amount of (B2) is 5 to 20% by mass, preferably 10 to 15% by mass, and the blending amount of (B3) is 5 to 20% by mass, preferably 10 to 15% by mass. .
上記一般式(b1)で表される化合物のフェノール性水酸基の全部又は一部をナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化する方法は、常法により行うことができる。例えば、ナフトキノンジアジドスルホニルクロライドを上記一般式(b1)で表される化合物と縮合させることにより得ることができる。具体的には、例えば上記一般式(b1)で表される化合物と、ナフトキノン−1,2−ジアジド−4(又は5)−スルホニルクロライドとを、ジオキサン、n−メチルピロリドン、ジメチルアセトアミド、テトラヒドロフラン等の有機溶媒に所定量溶解し、ここにトリエチルアミン、トリエタノールアミン、ピリジン、炭酸アルカリ、炭酸水素アルカリ等の塩基性触媒を1種以上加えて反応させ、得られた生成物を水洗、乾燥して調製することができる。 The method of converting all or part of the phenolic hydroxyl group of the compound represented by the general formula (b1) into naphthoquinonediazide sulfonic acid ester can be performed by a conventional method. For example, it can be obtained by condensing naphthoquinonediazide sulfonyl chloride with the compound represented by the general formula (b1). Specifically, for example, the compound represented by the general formula (b1) and naphthoquinone-1,2-diazide-4 (or 5) -sulfonyl chloride are mixed with dioxane, n-methylpyrrolidone, dimethylacetamide, tetrahydrofuran, and the like. A predetermined amount is dissolved in an organic solvent, and one or more basic catalysts such as triethylamine, triethanolamine, pyridine, alkali carbonate, alkali hydrogen carbonate and the like are added and reacted, and the resulting product is washed with water and dried. Can be prepared.
(B)成分としては、上述の様に、これら例示した好ましいナフトキノンジアジドエステル化物の他に、他のナフトキノンジアジドエステル化物も用いることができ、例えばポリヒドロキシベンゾフェノンや没食子酸アルキル等のフェノール化合物とナフトキノンジアジドスルホン酸化合物とのエステル化反応生成物等も用いられ得る。これら他のナフトキノンジアジドエステル化物の使用量は(B)成分中、80質量%以下、特には50質量%以下であることが好ましい。 As the component (B), as described above, in addition to these exemplified preferred naphthoquinone diazide esterified products, other naphthoquinone diazide esterified products can also be used. For example, phenol compounds such as polyhydroxybenzophenone and alkyl gallate, An esterification reaction product with a quinonediazide sulfonic acid compound or the like can also be used. The amount of these other naphthoquinone diazide esterification products is preferably 80% by mass or less, particularly 50% by mass or less in the component (B).
ポジ型ホトレジスト組成物中の(B)成分の配合量は、(A)成分と、任意に配合される後述の(C)成分との合計量に対し、20〜70質量%、好ましくは25〜60質量%とされる。(B)成分の配合量を上記下限値以上とすることにより、パターンに忠実な画像が得られ、転写性が向上する。上記上限値以下とすることにより、感度の劣化を防ぐことができ、形成されるレジスト膜の均質性が向上し、解像性が向上するという効果が得られる。 The compounding amount of the component (B) in the positive photoresist composition is 20 to 70% by mass, preferably 25 to the total amount of the component (A) and an optional component (C) described later. 60% by mass. By setting the blending amount of the component (B) to the above lower limit value or more, an image faithful to the pattern can be obtained and transferability is improved. By setting it to the upper limit value or less, it is possible to prevent the sensitivity from being deteriorated, improve the homogeneity of the formed resist film, and improve the resolution.
このようなポジ型ホトレジスト組成物には、上述した(A)成分及び(B)成分の他に、さらに(C)成分として、分子量が1,000以下のフェノール性水酸基含有化合物を増感剤として配合してもよい。この(C)成分は、感度向上効果に優れており、(C)成分を用いることにより、低NA条件下においても、高感度、高解像度であり、さらにはマスクリニアリティに優れた材料が得られる。(C)成分の分子量は1,000以下、好ましくは700以下であり、実質的には200以上、好ましくは300以上である。 In such a positive photoresist composition, in addition to the components (A) and (B) described above, as a component (C), a phenolic hydroxyl group-containing compound having a molecular weight of 1,000 or less is used as a sensitizer. You may mix | blend. This component (C) is excellent in the sensitivity improvement effect, and by using the component (C), a material having high sensitivity and high resolution even under low NA conditions and further excellent in mask linearity can be obtained. . Component (C) has a molecular weight of 1,000 or less, preferably 700 or less, and is substantially 200 or more, preferably 300 or more.
このような(C)成分としては、感度向上剤、あるいは増感剤として一般にホトレジスト組成物に用いられるフェノール性水酸基含有化合物であって、好ましくは上記分子量の条件を満足するものであれば、特に制限はなく、1種又は2種以上を任意に選択して用いることができる。そして、中でも、下記一般式(c1)
具体的には、例えば上記(B)成分において例示した、フェノール化合物のナフトキノンジアジドエステル化物において用いられる、フェノール化合物の他、ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)−4−イソプロピルフェニルメタン、ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)−フェニルメタン、ビス(2−メチル−4−ヒドロキシフェニル)−フェニルメタン、ビス(3−メチル−2−ヒドロキシフェニル)−フェニルメタン、ビス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−フェニルメタン、ビス(3−エチル−4−ヒドロキシフェニル)−フェニルメタン、ビス(2−メチル−4−ヒドロキシフェニル)−フェニルメタン、ビス(2−tert−ブチル−4,5−ジヒドロキシフェニル)−フェニルメタン等のトリスフェニル型化合物を好適に用いることができる。中でもビス(2−メチル−4−ヒドロキシフェニル)−フェニルメタン、1−[1−(4−ヒロドキシフェニル)イソプロピル]−4−[1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エチル]ベンゼンが好ましい。 Specifically, for example, in addition to the phenol compound used in the naphthoquinonediazide esterified product of the phenol compound exemplified in the component (B), bis (3-methyl-4-hydroxyphenyl) -4-isopropylphenylmethane, bis (3-methyl-4-hydroxyphenyl) -phenylmethane, bis (2-methyl-4-hydroxyphenyl) -phenylmethane, bis (3-methyl-2-hydroxyphenyl) -phenylmethane, bis (3,5- Dimethyl-4-hydroxyphenyl) -phenylmethane, bis (3-ethyl-4-hydroxyphenyl) -phenylmethane, bis (2-methyl-4-hydroxyphenyl) -phenylmethane, bis (2-tert-butyl-4 , 5-dihydroxyphenyl) -phenylmethane It can be suitably used phenyl-type compound. Among them, bis (2-methyl-4-hydroxyphenyl) -phenylmethane, 1- [1- (4-hydroxyphenyl) isopropyl] -4- [1,1-bis (4-hydroxyphenyl) ethyl] benzene preferable.
前記(C)成分の配合量は、前記(A)成分に対し10〜70質量%、好ましくは20〜60質量%の範囲とされる。 The blending amount of the component (C) is 10 to 70% by mass, preferably 20 to 60% by mass with respect to the component (A).
またポジ型ホトレジスト組成物には、有機溶剤を含有していることが好ましい。有機溶剤は、ホトレジスト組成物に用いられる一般的なものであれば特に制限なく1種又は2種以上を選択して用いることができる。このような有機溶剤としては、具体的には、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、2−ヘプタノン等のケトン類;エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、あるいはこれらのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル又はモノフェニルエーテル等の多価アルコール類及びその誘導体;ジオキサンのような環式エーテル類;及び酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類、γ−ブチロラクトン等があげられる。 The positive photoresist composition preferably contains an organic solvent. The organic solvent is not particularly limited as long as it is a general one used in a photoresist composition, and one or more organic solvents can be selected and used. Specific examples of such organic solvents include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl isoamyl ketone, and 2-heptanone; ethylene glycol, propylene glycol, diethylene glycol, ethylene glycol monoacetate, propylene glycol monoacetate, and diethylene glycol. Monoacetate or polyhydric alcohols such as monomethyl ether, monoethyl ether, monopropyl ether, monobutyl ether or monophenyl ether and derivatives thereof; cyclic ethers such as dioxane; and methyl acetate, ethyl acetate, acetic acid Esters such as butyl, ethyl lactate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate, γ-buty Lactone, and the like.
上記有機溶剤の中でも、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、2−ヘプタノン、乳酸メチル、乳酸エチル、及びγ−ブチロラクトンの中から選ばれる少なくとも1種の有機溶剤を用いることが好ましい。これらの溶剤を用いる場合、全有機溶剤中、50質量%以下とすることが望ましい。 Among the above organic solvents, use at least one organic solvent selected from propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, 2-heptanone, methyl lactate, ethyl lactate, and γ-butyrolactone. Is preferred. When these solvents are used, it is desirable that the total organic solvent be 50% by mass or less.
さらにポジ型ホトレジスト組成物には、本発明の目的を損なわない範囲で、必要に応じて相容性のある添加物、例えばレジスト膜の性能等を改良するための付加的樹脂、可塑剤、保存安定剤、界面活性剤、現像した像をより一層可視的にするための着色料、より増感効果を向上させるための増感剤やハレーション防止用染料、密着性向上剤、等の慣用の添加物を含有させることができる。 Furthermore, in the positive photoresist composition, as long as the object of the present invention is not impaired, a compatible additive, for example, an additional resin, a plasticizer, a storage for improving the performance of the resist film, etc. Conventional additions such as stabilizers, surfactants, colorants to make the developed image more visible, sensitizers and antihalation dyes to improve the sensitization effect, adhesion improvers, etc. Products can be included.
上記ハレーション防止用染料としては、紫外線吸収剤(例えば2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、4−ジメチルアミノ−2’,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン、5−アミノ−3−メチル−1−フェニル−4−(4−ヒドロキシフェニルアゾ)ピラゾール、4−ジメチルアミノ−4’−ヒドロキシアゾベンゼン、4−ジエチルアミノ−4’−エトキシアゾベンゼン、4−ジエチルアミノアゾベンゼン、クルクミン等)等を用いることができる。 Examples of the antihalation dye include ultraviolet absorbers (for example, 2,2 ′, 4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 4-dimethylamino-2 ′, 4′-dihydroxybenzophenone, 5-amino-3-methyl-1). -Phenyl-4- (4-hydroxyphenylazo) pyrazole, 4-dimethylamino-4'-hydroxyazobenzene, 4-diethylamino-4'-ethoxyazobenzene, 4-diethylaminoazobenzene, curcumin, etc.) can be used.
上記界面活性剤は、例えばストリエーション防止等のために添加することができ、例えばフロラードFC−430、FC431(商品名、住友3M(株)製)、エフトップEF122A、EF122B、EF122C、EF126(商品名、トーケムプロダクツ(株)製)等のフッ素系界面活性剤、XR−104、メガファックR−08(商品名、大日本インキ化学工業(株)製)等を用いることができる。 The surfactant can be added, for example, to prevent striation, and the like, for example, Florard FC-430, FC431 (trade name, manufactured by Sumitomo 3M Co., Ltd.), F-top EF122A, EF122B, EF122C, EF126 (product) Fluorosurfactants such as name, manufactured by Tochem Products Co., Ltd.), XR-104, MegaFac R-08 (trade name, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) and the like can be used.
[パターン化有機膜]
有機膜12は、前記ポジ型ホトレジスト組成物を、支持体11上にスピンナーを用いて塗布することにより形成される。さらに、このような有機膜12は、支持体11上に塗布された後、紫外線、エキシマレーザー、X線、電子線等の活性光線又は放射線を、マスクを介して照射して画像露光し、次いで、必要に応じて加熱処理を行い、さらにアルカリ現像液で現像処理を施して未照射部を溶解除去し、必要に応じて加熱処理を行い、パターン化有機膜とされる。
[Patterned organic film]
The
なお、上記のようにして得られたパターン化有機膜のアスペクト比は、0.1以上であることが好ましい。パターン化有機膜のアスペクト比を0.1以上とすることにより、負極基材10の表面積を増大でき、後述するメッキ処理により形成される金属膜量を増大させることができる結果、さらなる高出力化、高エネルギー密度化が達成される。
The aspect ratio of the patterned organic film obtained as described above is preferably 0.1 or more. By setting the aspect ratio of the patterned organic film to 0.1 or more, the surface area of the
<金属膜>
本発明に係る負極基材10における金属膜13は、メッキ処理により形成されるものが好ましいが、特に限定されるものではない。メッキ処理は従来公知のものが用いられ、上述の有機膜12上に金属膜13を形成できるものであれば特に限定されない。また、金属膜13は、多段階メッキ処理により複数の層から構成されていてもよい。このような金属膜を形成する工程、即ちメッキ処理工程は、好ましくは、洗浄工程、触媒化処理工程に続いて、無電解ニッケルメッキ、又は無電解銅メッキ工程を行い、さらに無電解錫メッキ工程、又は電解錫メッキ工程を含む。
<Metal film>
The
本発明に好適なメッキ処理について、以下に具体的に説明する。 The plating process suitable for the present invention will be specifically described below.
[洗浄工程]
先ず、有機膜12を備えた支持体11を、リン酸系溶液中に浸漬させて洗浄を行う。リン酸系溶液としては、リン酸ナトリウム等が用いられる。浸漬時間は、30〜180秒とすることが好ましく、45〜90秒とすることがより好ましい。
[Washing process]
First, the
[触媒化工程]
上記洗浄工程を経た支持体11を、所定濃度の塩化錫(SnCl2)水溶液中に所定時間浸漬させる。塩化錫の濃度は、0.01g/dm3〜0.10g/dm3が好ましく、0.03g/dm3〜0.07g/dm3がより好ましい。また、浸漬時間は15〜180秒とすることが好ましく、30〜60秒とすることがより好ましい。
[Catalysis process]
The
次いで、塩化錫(SnCl2)水溶液中に所定時間浸漬させた支持体11を、所定濃度の塩化パラジウム(PdCl2)水溶液中に所定時間浸漬させる。塩化パラジウムの濃度は、0.01g/dm3〜0.3g/dm3が好ましく、0.03g/dm3〜0.07g/dm3がより好ましい。また、浸漬時間は15〜180秒とすることが好ましく、30〜60秒とすることがより好ましい。
Next, the
[無電解ニッケルメッキ工程]
上記触媒化工程を経た支持体11を、ニッケルメッキ浴中に浸漬させてニッケルメッキを行う。ニッケルメッキ浴としては、従来公知のものが用いられる。例えば、硫酸ニッケルを0.05M〜0.20M、次亜リン酸ナトリウムを0.10M〜0.30M、鉛イオンを0.05ppm〜0.30ppm、錯化剤を0.05M〜0.30M含有するニッケルメッキ浴が一例として挙げられる。錯化剤としては、カルボン酸類の錯化剤が好ましく用いられる。ニッケルメッキ浴の温度は、50℃〜70℃が好ましく、pHは4.0〜5.5が好ましい。pHの調整には水酸化ナトリウム、硫酸が用いられる。
[Electroless nickel plating process]
Nickel plating is performed by immersing the
なお、上記無電解ニッケルメッキの代わりに、無電解銅メッキを行ってもよい。銅メッキ浴としては、従来公知のものが用いられる。 In place of the electroless nickel plating, electroless copper plating may be performed. A conventionally well-known thing is used as a copper plating bath.
[無電解銅メッキ工程]
上記触媒化工程を経た支持体11を、銅メッキ浴中に浸漬させて銅メッキを行う。銅メッキ浴としては、従来公知のものが用いられる。例えば、硫酸銅を0.02M〜0.10M、ホルマリンを0.10M〜0.40M、2,2’−ビピリジルを1.0ppm〜20.0ppm、界面活性剤(ポリエチレングリコール等)を50.0ppm〜500ppm、錯化剤を0.20M〜0.40M含有する銅メッキ浴が一例として挙げられる。錯化剤としては、エチレン−アミン系の錯化剤が好ましく用いられる。銅メッキ浴の温度は、50℃〜70℃が好ましく、pHは11.5〜12.5が好ましい。また、空気通気による攪拌を行うのが好ましい。pHの調整には水酸化カリウム、硫酸が用いられる。
[Electroless copper plating process]
The
[無電解錫メッキ工程]
上記無電解ニッケルメッキ、又は無電解銅メッキ工程を経た支持体11を、錫メッキ浴中に浸漬させて錫メッキを行うことにより、有機膜12上に金属膜13が形成される。錫メッキ浴としては、従来公知のものが用いられる。例えば、塩化錫を0.02M〜0.20M、三塩化チタン等の還元剤を0.02M〜0.08M、クエン酸3ナトリウム、エチレンジアミン四酢酸2ナトリウム(EDTA−2Na)、ニトリロ三酢酸(NTA)等の錯化剤を0.10M〜0.50M含有する錫メッキ浴が一例として挙げられる。錫メッキ浴の温度は、45℃〜70℃が好ましく、pHは6.5〜8.5が好ましい。pHの調整には炭酸ナトリウム又はアンモニアと塩酸が用いられる。なお、錫メッキ処理は、窒素雰囲気下で行われるのが好ましい。
[Electroless tin plating process]
The
[電解錫メッキ工程]
なお、上記無電解錫メッキの代わりに、電解錫メッキを行ってもよい。このような錫メッキ工程としては、上記無電解ニッケルメッキ、又は無電解銅メッキ工程を経た支持体11を、錫メッキ浴中に浸漬、通電させて電解錫メッキを行うことにより、有機膜12上に金属膜13が形成される。電解錫メッキ浴としては、従来公知のものが用いられる。例えば、レイボルド株式会社の市販メッキ液、スタータークルモ錫メッキ浴が一例として挙げられる。錫メッキ浴の温度は、10℃〜28℃が好ましく、pHは1.0〜1.5とすることが好ましい。また、適用電流密度は0.5A/dm2〜6.0A/dm2が好ましい。
[Electrolytic tin plating process]
In place of the electroless tin plating, electrolytic tin plating may be performed. As such a tin plating process, the
<二次電池>
上記負極基材10は、二次電池用負極基材、特にリチウム二次電池用負極基材として好適に用いられる。リチウム二次電池は、電解液として有機溶媒及びリチウム塩を用い、負極と正極との間で行われるリチウムイオン(Li+)の移動による電荷の授受により、充放電がなされる二次電池であり、出力電圧が高く、エネルギー密度が高いという利点を有する。従来のリチウム二次電池では、通常、負極として炭素、正極として遷移金属酸化物リチウム化合物が用いられていたが、近年ではさらなる高出力、高エネルギー密度を求めて負極材料の検討が進められている。負極材料は、薄膜を形成することができ、且つリチウムを可逆的に吸蔵/放出できるものであることが必要であるところ、上記負極基材10はこれらの要求を満たすため、好適に用いられる。ここで、「吸蔵」とは、リチウムを可逆的に内包したり、リチウムと可逆的に合金、固溶体等を形成したり、リチウムと可逆的に化学結合したりすることである。
<Secondary battery>
The said negative
上記負極基材10を、リチウム二次電池の負極材料として利用する際には、負極基材10を集電体上に積層して負極を形成することが必要である。ただし、上記支持体11が導電性を有するものであればその必要はなく、支持体11が集電体となり得る。集電体は、導電性を有するものであればよく、その材料や構造等は特に限定されない。従来一般的なリチウム二次電池に用いられる集電体が用いられる。好ましくは、上記負極基材10との密着性が良好なものである。また、リチウムと合金化しない材料であることが好ましい。具体的には、銅、ニッケル、ステンレス、モリブデン、タングステン、チタン、及びタンタルよりなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を含む材料が挙げられる。また、金属箔、不織布、三次元構造を有する金属集電体等の構造が好ましい。特に、金属箔を用いることが好ましく、具体的には、銅箔等を用いることが好ましい。集電体の厚さは特に限定されない。
When the
一般に、集電体上に薄膜状の負極材料層を積層して形成された負極では、粒子状の負極材料を結着剤等とともに集電体上に積層した負極に比べ、内部抵抗を低減できる。即ち、上記負極基材10を集電体上に積層して形成された負極によれば、発電特性が高いリチウム二次電池が得られる。しかしながら、集電体上に薄膜状の負極材料層を積層した負極では、負極材料層と集電体との密着性が大きいため、充放電に伴う負極材料層の膨張/収縮によって、負極材料層や集電体に皺等の変形が発生するおそれがある。特に、銅箔等の延性に富んだ金属箔を集電体に用いた場合、変形の程度がより大きくなる傾向にある。このため、薄膜状の負極材料層を集電体上に単に積層するだけでは、電池としてのエネルギー密度が低下したり、充放電サイクル特性が悪化するおそれがある。
Generally, in a negative electrode formed by laminating a thin film negative electrode material layer on a current collector, the internal resistance can be reduced compared to a negative electrode in which a particulate negative electrode material is laminated on a current collector together with a binder or the like. . That is, according to the negative electrode formed by laminating the
これに対して、本発明に係る上記負極基材10は、有機膜12上に金属膜13が積層された構造を有するため、リチウムの吸蔵/放出に伴って金属膜13が膨張/収縮することにより生ずる応力は、有機膜12の緩衝作用により緩和される。このため、充放電時に生ずる応力の増大を抑制することができる結果、負極基材や集電体における皺等の変形の発生を抑制できる。ひいては、負極基材の亀裂や集電体からの剥離を抑制できる。即ち、上記負極基材10を集電体上に積層して形成された負極によれば、高い出力電圧と高いエネルギー密度を有し、且つ充放電サイクル特性に優れたリチウム二次電池が得られる。
On the other hand, since the
なお、負極以外の構成については特に限定されず、従来公知のリチウム二次電池と同様の構成でよい。具体的には、リチウムを可逆的に吸蔵/放出できる正極、リチウム伝導性を有する電解質から主に構成される。電解質は、必要によりセパレータによって保持され、セパレータに保持された状態で負極及び正極と接触し、リチウムの交換が行われる。 In addition, it is not specifically limited about structures other than a negative electrode, The structure similar to a conventionally well-known lithium secondary battery may be sufficient. Specifically, it is mainly composed of a positive electrode capable of reversibly inserting / extracting lithium and an electrolyte having lithium conductivity. The electrolyte is held by a separator as necessary, and in contact with the negative electrode and the positive electrode while being held by the separator, lithium is exchanged.
正極は、リチウムを可逆的に吸蔵/放出できる限り特に限定されず、リチウム二次電池に一般的に用いられる正極が用いられる。具体的には、集電体上に正極材料層を積層した正極を用いればよい。例えば、正極材料と導電剤、結着剤とを分散溶媒中に分散させてスラリー状とし、集電体上に塗布した後に乾燥させることにより形成される。集電体、正極材料層の厚さは特に限定されず、電池設計容量等に応じて任意に設定される。 The positive electrode is not particularly limited as long as lithium can be reversibly occluded / released, and a positive electrode generally used for a lithium secondary battery is used. Specifically, a positive electrode in which a positive electrode material layer is stacked over a current collector may be used. For example, it is formed by dispersing a positive electrode material, a conductive agent, and a binder in a dispersion solvent to form a slurry, coating the current collector, and drying. The thicknesses of the current collector and the positive electrode material layer are not particularly limited, and are arbitrarily set according to the battery design capacity and the like.
正極材料も特に限定されず、リチウムと遷移元素とを含む酸化物等の従来公知のものが用いられる。具体的には、LiCoO2、LiNiO2、LiMnO2、LiMn2O4、LiCo0.5Ni0.5O2等が用いられる。導電剤は、電気伝導性を有する材料であれば特に限定されず、例えば、アセチレンブラック、カーボンブラック、黒鉛粉末等が用いられる。結着剤は、正極を形成した後に正極材料層の形状を保持できるものであれば特に限定されず、ゴム系結着剤や、フッ素樹脂等の樹脂系結着剤が用いられる。 The positive electrode material is not particularly limited, and a conventionally known material such as an oxide containing lithium and a transition element is used. Specifically, LiCoO 2, LiNiO 2, LiMnO 2, LiMn 2 O 4, LiCo 0.5 Ni 0.5 O 2 or the like is used. The conductive agent is not particularly limited as long as it is a material having electrical conductivity. For example, acetylene black, carbon black, graphite powder, or the like is used. The binder is not particularly limited as long as it can maintain the shape of the positive electrode material layer after forming the positive electrode, and a rubber-based binder or a resin-based binder such as a fluororesin is used.
セパレータは、リチウム伝導性を有する電解質を保持することができ、負極と正極との間の電気的な絶縁を保つことができるものであればよく、その材料や構造等は特に限定されない。例えば、多孔質ポリプロピレン薄膜、多孔質ポリエチレン薄膜等の多孔質性樹脂薄膜や、ポリオレフィン等を含む樹脂製不織布等が用いられる。 The separator is not particularly limited as long as it can hold an electrolyte having lithium conductivity and can maintain electrical insulation between the negative electrode and the positive electrode. For example, a porous resin thin film such as a porous polypropylene thin film or a porous polyethylene thin film, or a resin nonwoven fabric containing polyolefin or the like is used.
電解質は、リチウム伝導性を有するものであればよく、特に限定されない。例えば、リチウムを含む電解質を非水溶媒に溶解させた非水電解質溶液が用いられる。リチウムを含む電解質としては、例えば、LiPF6、LiBF4、LiClO4、LiAsF6、LiCF3SO3等のリチウム塩が用いられる。非水溶媒としては、例えば、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、ジメチルカーボネート、メチルエチルカーボネート、ジエチルカーボネート、γ−ブチロラクトン、1,2−ジメトキシエタン、1,2−ジエトキシエタン、エトキシメトキシエタン等、又はこれら非水溶媒の混合溶媒が用いられる。非水電解質溶液の濃度は特に限定されず、いわゆるポリマー電解質や固体電解質等を用いてもよい。 The electrolyte is not particularly limited as long as it has lithium conductivity. For example, a nonaqueous electrolyte solution in which an electrolyte containing lithium is dissolved in a nonaqueous solvent is used. As the electrolyte containing lithium, for example, a lithium salt such as LiPF 6 , LiBF 4 , LiClO 4 , LiAsF 6 , LiCF 3 SO 3 is used. Examples of the non-aqueous solvent include propylene carbonate, ethylene carbonate, dimethyl carbonate, methyl ethyl carbonate, diethyl carbonate, γ-butyrolactone, 1,2-dimethoxyethane, 1,2-diethoxyethane, ethoxymethoxyethane, and the like. A mixed solvent of a nonaqueous solvent is used. The concentration of the non-aqueous electrolyte solution is not particularly limited, and a so-called polymer electrolyte or solid electrolyte may be used.
本発明に係る上記負極基材10を負極として利用したリチウム二次電池は、コイン形、円筒形、角形、あるいは平板形の電池等の様々な形状とすることができる。また、その容量も特に限定されず、精密機器等に用いる小型の電池からハイブリッド自動車等に用いる大型の電池にまで適用できる。
The lithium secondary battery using the
以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, the present invention is not limited to the following examples.
〔実施例〕
(A)成分として、m−クレゾール/p−クレゾール/2,3,5−トリメチルフェノール=40/35/25(モル比)の混合フェノール類、サリチルアルデヒド/ホルムアルデヒド=1/5(モル比)の混合アルデヒド類とを用いて常法により合成した、Mw=5,200のノボラック樹脂13g、(B)成分として、ビス(5−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−2−メチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン(B1)1モルと1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロライド[以下、(5−NQD)と略記する。]2モルとのエステル化反応生成物、ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)メタン(B2)1モルと5−NQD2モルとのエステル化反応生成物、及びビス(4−ヒドロキシ−2,3,5−トリメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン(B3)1モルと5−NQD2モルとのエステル化反応生成物の混合物7.5g(質量混合比=B1:B2:B3=4:1:1)、(C)成分として、ビス(2−メチル−4−ヒドロキシフェニル)−フェニルメタン5.5g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶剤74gを混合し、ポジ型ホトレジスト組成物を調製した。
〔Example〕
As component (A), m-cresol / p-cresol / 2,3,5-trimethylphenol = 40/35/25 (molar ratio) mixed phenols, salicylaldehyde / formaldehyde = 1/5 (molar ratio) 13 g of novolak resin with Mw = 5,200 synthesized by a conventional method using mixed aldehydes, and as component (B), bis (5-cyclohexyl-4-hydroxy-2-methylphenyl) -3,4-dihydroxy 1 mol of phenylmethane (B1) and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl chloride [hereinafter abbreviated as (5-NQD). The esterification reaction product with 2 moles, the esterification reaction product with 1 mole of bis (2,4-dihydroxyphenyl) methane (B2) and 2 moles of 5-NQD, and bis (4-hydroxy-2,3,3) 7.5 g of a mixture of esterification reaction product of 1 mol of 5-trimethylphenyl) -2-hydroxyphenylmethane (B3) and 2 mol of 5-NQD (mass mixing ratio = B1: B2: B3 = 4: 1: 1) As a component (C), 5.5 g of bis (2-methyl-4-hydroxyphenyl) -phenylmethane and 74 g of a propylene glycol monomethyl ether acetate solvent were mixed to prepare a positive photoresist composition.
このポジ型ホトレジスト組成物をシリコンウエハ上に塗布し、プレベーク処理を行い、膜厚1.48μmの有機膜を形成した。該有機膜に対して、i線露光装置(製品名「NSR−2005i10D」;東京応化工業社製)にて選択的露光を行い、次いで、2.38質量%濃度のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(製品名「NMD−3」;東京応化工業社製)にて60秒間の現像処理、純水による30秒間のリンス処理を行い、その後乾燥工程を経て、5(ピッチ20μm)μmのピラー形状のパターン化有機膜を形成した。 This positive photoresist composition was applied on a silicon wafer and pre-baked to form an organic film having a thickness of 1.48 μm. The organic film is selectively exposed with an i-line exposure apparatus (product name “NSR-2005i10D”; manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.), and then an aqueous tetramethylammonium hydroxide solution having a concentration of 2.38% by mass ( The product name “NMD-3” (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) is subjected to a development process for 60 seconds and a rinse process for 30 seconds with pure water, followed by a drying step, and a 5 (pitch 20 μm) μm pillar-shaped pattern A formed organic film was formed.
このパターン化有機膜が形成されたシリコンウエハを、リン酸ナトリウム溶液中に60秒間浸漬して洗浄処理を行った。続いて、上記洗浄工程を経たシリコンウエハを、0.05g/dm3の塩化錫(SnCl2)水溶液中に60秒間浸漬させ、さらに、0.05g/dm3の塩化パラジウム(PdCl2)水溶液中に60秒間浸漬させることにより、触媒化工程を行った。 The silicon wafer on which the patterned organic film was formed was immersed in a sodium phosphate solution for 60 seconds for cleaning treatment. Subsequently, the silicon wafer that has undergone the above cleaning step is immersed in a 0.05 g / dm 3 tin chloride (SnCl 2 ) aqueous solution for 60 seconds, and further in a 0.05 g / dm 3 palladium chloride (PdCl 2 ) aqueous solution. The catalyzing process was performed by immersing the film in 60 seconds.
次いで、上記触媒化工程を経たシリコンウエハを、硫酸ニッケル0.20M、次亜リン酸ナトリウム0.30M、鉛イオン0.30ppm、カルボン酸類の錯化剤0.30Mからなるニッケルメッキ浴中に浸漬させてニッケルメッキ処理を行った。なお、このときのニッケルメッキ浴の温度は70℃とし、pHは5.5に調整した。 Next, the silicon wafer that has undergone the catalyzing step is immersed in a nickel plating bath comprising 0.20M nickel sulfate, 0.30M sodium hypophosphite, 0.30ppm lead ion, and 0.30M carboxylic acid complexing agent. And nickel plating treatment was performed. The temperature of the nickel plating bath at this time was 70 ° C., and the pH was adjusted to 5.5.
さらに、上記無電解ニッケルメッキ工程を経たシリコンウエハを、塩化錫を0.20M、三塩化チタン等の還元剤を0.08M、クエン酸3ナトリウム0.50Mからなる錫メッキ浴中に浸漬させて錫メッキ処理を行った。なお、このときの錫メッキ浴の温度は70℃とし、pHは8.5に調整した。 Further, the silicon wafer that has undergone the electroless nickel plating step is immersed in a tin plating bath made of 0.20M tin chloride, 0.08M reducing agent such as titanium trichloride, and 0.50M trisodium citrate. A tin plating process was performed. At this time, the temperature of the tin plating bath was 70 ° C., and the pH was adjusted to 8.5.
上記実施例にて得られた負極基材を用い、以下の手法で非水電解液二次電池を作製した。この電池の1〜3サイクル後の放電容量を以下の方法で測定した。結果を以下の表1に示す。 Using the negative electrode substrate obtained in the above example, a non-aqueous electrolyte secondary battery was produced by the following method. The discharge capacity after 1 to 3 cycles of this battery was measured by the following method. The results are shown in Table 1 below.
実施例で得た負極基材を作用極とし、対極(正極)としてLiCoO2を用い、両極を、セパレータを介して対向させた。非水電解液としてLiPF6/エチレンカーボネートとジメチルカーボネートの混合液(1:1容量比)を用いて常法により非水電解液二次電池を作製した。この非水電解液二次電池は、正極と負極との容量比は1:1であった。 The negative electrode substrate obtained in the example was used as a working electrode, LiCoO 2 was used as a counter electrode (positive electrode), and both electrodes were opposed to each other through a separator. A nonaqueous electrolyte secondary battery was produced by a conventional method using a mixed solution (1: 1 volume ratio) of LiPF 6 / ethylene carbonate and dimethyl carbonate as a nonaqueous electrolyte. In this non-aqueous electrolyte secondary battery, the capacity ratio between the positive electrode and the negative electrode was 1: 1.
1〜3サイクル後の各放電容量として単位容積当たりの放電容量(mAh/cm2)を測定した。単位容積当たりの放電容量は、負極の体積を基準とした。但し、充電時の負極の膨張は考慮しなかった。 The discharge capacity per unit volume (mAh / cm 2 ) was measured as each discharge capacity after 1 to 3 cycles. The discharge capacity per unit volume was based on the volume of the negative electrode. However, the expansion of the negative electrode during charging was not considered.
上記負極基材に対して、実施例の錫メッキ処理を施した負極基材の表面積は、平面状にメッキ処理を施した場合の約115%であった。 The surface area of the negative electrode base material subjected to the tin plating treatment of the example with respect to the negative electrode base material was about 115% when the plating treatment was performed in a planar shape.
本発明に係るリチウム二次電池用負極基材によれば、高い出力電圧と高いエネルギー密度を有し、且つ充放電サイクル特性に優れたリチウム二次電池の実現が可能であり、例えば、携帯機器等に用いる小型の電池から、ハイブリッド自動車等に用いる大型の電池まで、容量を問わず、各種用途に用いることができる。 According to anode substrate for a lithium secondary battery according to the present invention, it has a high output voltage and a high energy density, is and can be realized an excellent lithium secondary battery charge-discharge cycle characteristics, for example, a portable device The battery can be used for various purposes regardless of the capacity, from a small battery used in a battery to a large battery used in a hybrid vehicle or the like.
10 負極基材
11 支持体
12 有機膜
13 金属膜
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記金属膜が、無電解ニッケルメッキ処理又は無電解銅メッキ処理を行った後、さらに無電解錫メッキ処理又は電解錫メッキ処理を行うことにより形成されたものであり、最表面に錫メッキ膜を有することを特徴とするリチウム二次電池用負極基材。 A negative electrode group for a lithium secondary battery formed by forming a metal film on a support provided with an organic film formed of a positive photoresist composition containing (A) an alkali-soluble resin and (B) a quinonediazide group-containing compound. Material,
The metal film is formed by performing an electroless nickel plating process or an electroless copper plating process, and then performing an electroless tin plating process or an electrolytic tin plating process. A tin plating film is formed on the outermost surface. A negative electrode base material for a lithium secondary battery, comprising:
で表される残基を表し、Q1がRb9の末端と結合する場合、Q1はRb9及び、Q1とRb9との間の炭素原子とともに、炭素原子鎖3〜6のシクロアルキレン鎖を構成し、a及びbは1〜3の整数を示し、dは0〜3の整数を示し、nは0〜3の整数を示す。]
で表される化合物と、1,2−ナフトキノンジアジドスルホニル化合物とのエステル化反応生成物であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のリチウム二次電池用負極基材。 The component (B) is represented by the following general formula (b1)
And Q 1 is bonded to the terminal of R b9 , Q 1 is R b9 and a cycloalkylene having 3 to 6 carbon atoms together with the carbon atom between Q 1 and R b9. It comprises a chain | strand, a and b show the integer of 1-3, d shows the integer of 0-3, n shows the integer of 0-3. ]
The negative electrode substrate for a lithium secondary battery according to any one of claims 1 to 3 , wherein the product is an esterification reaction product of a compound represented by formula (1) and a 1,2-naphthoquinonediazidosulfonyl compound. .
(i)支持体上に、(A)アルカリ可溶性樹脂、及び(B)キノンジアジド基含有化合物を含有するポジ型ホトレジスト組成物を用いて有機膜を形成する工程と、
(ii)前記有機膜上にメッキ処理により金属膜を形成するメッキ処理工程と、
を含み、
前記メッキ処理工程では、前記有機膜上に無電解ニッケルメッキ処理又は無電解銅メッキ処理を行った後、さらに無電解錫メッキ処理又は電解錫メッキ処理を行うことにより、最表面に錫メッキ膜を形成することを特徴とするリチウム二次電池用負極基材の製造方法。 A method for producing a negative electrode base material for a lithium secondary battery,
(I) forming an organic film on a support using a positive photoresist composition containing (A) an alkali-soluble resin and (B) a quinonediazide group-containing compound;
(Ii) a plating process for forming a metal film on the organic film by plating;
Including
In the plating process, after the electroless nickel plating process or the electroless copper plating process is performed on the organic film, the electroless tin plating process or the electrolytic tin plating process is further performed to form a tin plating film on the outermost surface. A method for producing a negative electrode substrate for a lithium secondary battery.
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