JP5334093B2 - Inverter - Google Patents
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Description
本発明は、直流電力を交流電力に変換するインバータに関し、特に出力交流電流を制限している期間において出力交流電圧の低下を少なくする技術に関するものである。 The present invention relates to an inverter that converts DC power into AC power, and more particularly to a technique for reducing a decrease in output AC voltage during a period in which output AC current is limited.
従来、直流電力を交流電力に変換するインバータが知られている(例えば非特許文献1、2、3参照)。インバータに変圧器や誘導電動機などのように投入時や起動時に大きな突入電流が流れる負荷が接続されていると、インバータの過電流保護によりインバータが停止する場合がある。そのため、このような過大な出力交流電流が流れた場合には、出力交流電流値が電流リミッタのレベル(一定値)を超えたときは、インバータを構成する半導体スイッチング素子のゲートに加える電圧を変えて半導体スイッチング素子をオフにし(ゲートブロック)、出力交流電流値が電流リミッタのレベルを下まわったときには、インバータを構成する半導体スイッチング素子のゲートに加える電圧を変えてスイッチング素子をオンに(デブロック)することにより、出力交流電流をある一定値に制限し、インバータが停止しないようにする手法が用いられている。
しかし、上述の手法では、出力交流電流を制限している期間はインバータの出力交流電圧が大きく低下し、他の負荷機器に影響を及ぼし、他の負荷機器が停止したり、その動作が不安定になったりする可能性があるという問題があった。
そこで、本発明が解決しようとする課題は、上述の問題点を解決し、出力交流電流を制限している期間のインバータの出力交流電圧の低下を従来よりも少なくすることができるインバータを提供することである。
However, in the above method, the output AC voltage of the inverter greatly decreases during the period when the output AC current is limited, affects other load devices, stops other load devices, and the operation is unstable. There was a problem that it might become.
Therefore, the problem to be solved by the present invention is to solve the above-mentioned problems and to provide an inverter that can reduce the decrease in the output AC voltage of the inverter during the period in which the output AC current is limited as compared with the prior art. That is.
上記課題を解決するため、本発明における第1の発明は、直流電力を交流電力に変換するインバータにおいて、インバータの出力段の半導体スイッチング素子の温度が所定の温度まで上昇したときにエラー信号を発生するエラー信号発生手段と、インバータから負荷に供給される交流電流の目標値となるインバータの電流指令値が所定値を超えたときにはこの電流指令値に前記所定値で制限をかけ、前記電流指令値が前記所定値以下のときは前記電流指令値に制限をかけないで、かつ、前記エラー信号がある場合には前記電流指令値の前記所定値を小さくし、前記エラー信号がない場合には前記電流指令値の前記所定値を大きくする制御が繰り返し行われる電流制限手段とを備えることを特徴とするインバータである。ここで、「半導体スイッチング素子」は、例えばIGBT、サイスタ、GTOである。 In order to solve the above problems, the first invention in the present invention is an inverter that converts DC power into AC power, and generates an error signal when the temperature of the semiconductor switching element at the output stage of the inverter rises to a predetermined temperature. When the current command value of the inverter that is the target value of the alternating current supplied from the inverter to the load exceeds the predetermined value, the current command value is limited by the predetermined value, and the current command value When the current command value is equal to or less than the predetermined value, the current command value is not limited, and when there is the error signal, the predetermined value of the current command value is decreased, and when there is no error signal, the current command value is reduced. An inverter comprising: current limiting means for repeatedly performing control to increase the predetermined value of the current command value. Here, the “semiconductor switching element” is, for example, an IGBT, a thyristor, or a GTO.
上記第1の発明により、直流電力を交流電力に変換するインバータにおいて、電流制限手段がインバータから負荷に供給される交流電流の目標値となるインバータの電流指令値が所定値を超えたときにはこの電流指令値に前記所定値で制限をかけ、前記電流指令値が前記所定値以下のときは前記電流指令値に制限をかけないようにする。さらに、エラー信号発生手段がインバータの出力段の半導体スイッチング素子の温度が所定の温度まで上昇したときにエラー信号を発生し、前記電流制限手段においては、前記エラー信号がある場合には前記電流指令値の前記所定値を小さくし、前記エラー信号がない場合には前記電流指令値の前記所定値を大きくする制御が繰り返し行われるので、半導体スイッチング素子の温度が所定値を超えることを防ぎ、出力交流電流を制限しているときの出力交流電圧の低下を少なくすることができ、さらに、半導体スイッチング素子の能力ぎりぎりまでインバータから出力交流電流を出力できる。 According to the first aspect of the present invention, in the inverter that converts DC power into AC power, when the current limit value of the inverter, which is the target value of the AC current supplied from the inverter to the load, exceeds the predetermined value, The command value is limited by the predetermined value, and when the current command value is equal to or less than the predetermined value, the current command value is not limited. Further, the error signal generating means generates an error signal when the temperature of the semiconductor switching element at the output stage of the inverter rises to a predetermined temperature. In the current limiting means , if there is the error signal, the current command Since the control for decreasing the predetermined value of the value and increasing the predetermined value of the current command value when there is no error signal is repeatedly performed , the temperature of the semiconductor switching element is prevented from exceeding the predetermined value, and the output it is possible to reduce the decrease in the output AC voltage while limiting the AC current, further, Ru can output an output AC current from the inverter to the capacity last minute of the semiconductor switching element.
さらに、本発明における第2の発明は、上記第1の発明として記載したインバータであって、前記エラー信号発生手段は、前記半導体スイッチング素子と同じチップにダイオードを形成し、前記ダイオードに順方向電流を供給したときに前記ダイオードの順方向電圧降下を測定して前記ダイオードの温度を測定し、測定した前記ダイオードの温度を前記半導体スイッチング素子の温度とみなしてこの測定した温度が所定の許容値を超えたときにエラー信号を発生することを特徴とするインバータである。 Further, a second invention in the present invention is the inverter described as the first invention , wherein the error signal generating means forms a diode on the same chip as the semiconductor switching element, and a forward current flows in the diode. The diode temperature is measured by measuring the forward voltage drop of the diode, and the measured temperature is regarded as the temperature of the semiconductor switching element. An inverter is characterized by generating an error signal when exceeded.
上記第2の発明により、前記エラー信号発生手段は、前記半導体スイッチング素子と同じチップに形成されたダイオードに順方向電流を供給したときに前記ダイオードの順方向電圧降下を測定して前記ダイオードの温度を測定し、測定した前記ダイオードの温度を前記半導体スイッチング素子の温度とみなしてこの測定した温度が所定の許容値を超えたときにエラー信号を発生するので、前記半導体スイッチング素子の温度が所定の許容値を超えたときにエラー信号を発生することができる。 According to the second aspect of the invention, the error signal generating means measures a forward voltage drop of the diode when a forward current is supplied to the diode formed on the same chip as the semiconductor switching element, and detects the temperature of the diode. Since the measured temperature of the diode is regarded as the temperature of the semiconductor switching element and an error signal is generated when the measured temperature exceeds a predetermined allowable value, the temperature of the semiconductor switching element is An error signal can be generated when the allowable value is exceeded.
さらに、本発明における第3の発明は、上記第1の発明として記載したインバータであって、前記エラー信号が発生したときに、所定の時間前記半導体スイッチング素子をオフにすることを特徴とするインバータである。 Furthermore, a third invention in the present invention is the inverter described as the first invention, wherein the semiconductor switching element is turned off for a predetermined time when the error signal is generated. It is.
上記第3の発明により、前記エラー信号が発生したときに、所定の時間前記半導体スイッチング素子をオフにするので、前記半導体スイッチング素子の温度が許容値を超えて前記半導体スイッチング素子が破壊されることを確実に防ぐことができる。 According to the third aspect , when the error signal is generated, the semiconductor switching element is turned off for a predetermined time, so that the temperature of the semiconductor switching element exceeds an allowable value and the semiconductor switching element is destroyed. Can be surely prevented.
上述した第1の発明によれば、インバータの出力交流電流を制限しているときの出力交流電圧の低下を従来よりも少なくすることができ、さらに、半導体スイッチング素子の能力ぎりぎりまでインバータから出力交流電流を出力できる。
さらに、上述した第2の発明によれば、上記第1の発明の効果とともに、前記半導体スイッチング素子の温度が所定の許容値を超えたときにエラー信号を発生することができる。
さらに、上述した第3の発明によれば、上記第1の発明の効果とともに、前記半導体スイッチング素子が温度上昇により破壊されることを確実に防ぐことができる。
According to the first invention described above, it is possible to reduce the decrease in the output AC voltage when the output AC current of the inverter is limited as compared with the prior art , and further, the output AC from the inverter to the limit of the capacity of the semiconductor switching element. Ru can output current.
Furthermore, according to the second invention described above, together with the effect of the first invention, an error signal can be generated when the temperature of the semiconductor switching element exceeds a predetermined allowable value.
Furthermore, according to the third invention described above, together with the effect of the first aspect of the present invention, the semiconductor switching element can be reliably prevented from being destroyed by the temperature rise.
以下、本発明における実施の形態を図面に基づいて説明する。
図1は、本発明の実施の形態に係るインバータのブロック図であり、図2は図1の一部分の詳細回路図であり、図3は図1のインバータの1相分のエラー信号発生手段を示し、図4は図1のインバータの動作を示すフローチャートである。図5は図1のインバータの出力交流電流および出力交流電圧を示す。さらに、図6は電流リミッタ(電流制限値)を75A一定にした場合の実験結果を示し、図7は初期電流リミッタを90A、エラー信号1ステップで電流リミッタの値を15A下げる設定での実験結果であり、図8は電流リミッタを初期値75Aに設定し、エラー信号が検出されないと仮定して実験と同じ条件でシミュレーションを行った結果である。さらに、図9は初期電流リミッタを70Aに設定し、エラー信号1回で電流リミッタを10A下げた実験結果であり、図10は初期電流リミッタを70Aに設定し、エラー信号1回で電流リミッタを10A下げ、1秒間で電流リミッタを10A上げた実験結果である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
1 is a block diagram of an inverter according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a detailed circuit diagram of a part of FIG. 1, and FIG. 3 shows error signal generating means for one phase of the inverter of FIG. 4 is a flowchart showing the operation of the inverter of FIG. FIG. 5 shows the output AC current and output AC voltage of the inverter of FIG. Further, FIG. 6 shows the experimental results when the current limiter (current limit value) is kept constant at 75 A, and FIG. 7 shows the experimental results when the initial current limiter is set to 90 A and the current limiter value is reduced by 15 A in one step of the error signal. FIG. 8 shows the result of simulation under the same conditions as the experiment assuming that the current limiter is set to the initial value 75A and no error signal is detected. Further, FIG. 9 shows an experimental result in which the initial current limiter is set to 70 A, and the current limiter is lowered by 10 A with one error signal. FIG. 10 sets the initial current limiter to 70 A, and the current limiter is set with one error signal. It is an experimental result in which the current limiter is increased by 10 A in 1 second by reducing 10 A.
図1に示すように、本発明のインバータ10は、直流電力を交流電力に変換するものであり、出力段20と制御回路30を備える。そして、制御回路30はPWM制御回路31、電流制御回路32、電圧制御回路33、電流制限手段(電流リミッタ回路)35およびエラー信号発生手段40(図3参照)を備えている。なお、制御回路30は出力段20に接続されている。
As shown in FIG. 1, the
出力段20は三相モジュールであるIPM(Intelligent Power Module)であり、各相の半導体スイッチング素子22はIGBTである。なお、IGBTに逆並列にダイオード23が接続されている。
具体的には、図2に示すように、直流電源1としてコンデンサ2に貯えられた直流電圧が使用されている。直流電源1は出力段20の半導体スイッチング素子22に供給される。コンデンサ2は例えば電気二重層コンデンサ(EDLC)である。なお、具体的には、
図3に示すように、三相交流電源(AC電源)3の交流電圧を整流回路4で整流して得た直流電圧によりコンデンサ2が充電されている。
The
Specifically, as shown in FIG. 2, a DC voltage stored in a
As shown in FIG. 3, the
なお、図2に示すように、変圧器62は、インバータ10から供給される交流電圧の大きさを負荷50に最適な大きさの交流電圧に変換する。また、フィルタ63はリアクトル63aとコンデンサ63bで構成され、インバータ10から負荷50に供給される交流電圧や交流電流の高調波を吸収し、きれいな正弦波の交流電圧や交流電流にする。なお、リアクトル63aは各相の送電線に直列に接続され、コンデンサ63bは各相の送電線間に接続されている。
As shown in FIG. 2, the
図1に示す制御回路30の電圧制御回路33は以下の動作をする。すなわち、電圧指令値とフィルタ63のコンデンサ63bの電圧(負荷50の交流電圧)値との電圧差分を取り、この電圧差分を電圧制御回路33に入力する。電圧制御回路33は前記電圧差分値を基に負荷50の交流電圧が電圧指令値に等しくなるように、電流指令値を調整して出力する。具体的には、電圧差分値が正の場合(負荷50の交流電圧が電圧指令値より低い場合)は、電流指令値を上げ、電圧差分値が負の場合(負荷50の交流電圧が電圧指令値より高い場合)は、電流指令値を下げる。
The
また、電流制限手段35は、インバータ10から負荷50に供給される交流電流の目標値となるインバータ10の電流指令値が所定値を超えたときにはインバータ10の電流指令値に前記所定値で制限をかけ、インバータ10の電流指令値が前記所定値以下のときにはインバータ10の電流指令値に制限をかけないようにする。
具体的には、電圧制御回路33が出す電流指令値は電流制限手段35に入力され、電流制限手段35は、前記電流指令値が電流リミッタ値(所定値)より低い場合は、そのまま電流指令値を出力し、電流指令値が電流リミッタ値(所定値)より高い場合は、電流指令値を電流リミッタ値(所定値)に置き換えて出力する。
また、変流器61がインバータ10の出力交流電流を検知し、検知した出力交流電流値を一定の比率で小さくした値を制御回路30に導き、この制御回路30に導かれた値が電流制限手段35の出力と比較され、インバータ10から出力される交流電流が所定値で制限されることになる。
The current limiting means 35 limits the current command value of the
Specifically, the current command value output from the
Further, the
電流制限手段35から出力された電流指令値と変流器61により検知されたインバータ10の出力交流電流との差分をとり、この差分を電流制御回路32に入力する。電流制御回路32は電流差分値を基にインバータ10の出力交流電流が電流指令値に等しくなるように、基準信号(例えば正弦波信号)の振幅を調整して出力する。具体的には、電流差分値が正の場合(インバータ10の出力交流電流が電流指令値より低い場合)には、基準信号の振幅を大きくし、電流差分値が負の場合(インバータ10の出力交流電流が電流指令値より高い場合)には、基準信号の振幅を小さくする。
この基準信号は、PWM制御回路31に入力され、PWM制御回路31にて搬送波信号(例えば三角波信号)と比較することにより、パルス状のPWM制御信号が作成される。このPWM制御信号が半導体スイッチング素子22となるIGBTのゲートに入力される。
The difference between the current command value output from the current limiting
The reference signal is input to the
エラー信号発生手段40は半導体スイッチング素子22の温度が所定の温度まで上昇したときにエラー信号Foを発生する。
エラー信号Foは電流制限手段35に入力される。エラー信号Foがある場合には、電流制限手段35の電流リミッタ値(所定値)を小さくし、エラー信号Foがない場合には、電流制限手段35のリミッタ値(所定値)を大きくする制御を行う。これにより、インバータ10の出力交流電流の制限レベルを半導体スイッチング素子22の温度に応じて上げ下げして、半導体スイチング素子22の能力ぎりぎりまでインバータ10から出力交流電流を出力できるようにしている。
すなわち、電流制限手段35は、エラー信号Foがある場合にはインバータ10から負荷50に供給される交流電流の前記所定値を小さくし、エラー信号Foがない場合にはインバータ10から負荷50に供給される交流電流の前記所定値を大きくする。
このように、半導体スイッチング素子22の温度に応じて、ダイナミックにレベルが変化する電流リミッタ値を用いて、半導体スイッチング素子22となるIGBTのゲートブロックとデブロックを繰り返すことにより、電流制限制御を行う。
The
The error signal Fo is input to the current limiting
That is, the current limiting
As described above, current limit control is performed by repeating the gate block and deblocking of the IGBT serving as the
図3に示すように、エラー信号発生手段40は、半導体スイッチング素子22と同じチップ21に形成されたダイオード41に順方向電流を供給したときにダイオード41の順方向電圧降下を測定してダイオード41の温度を測定し、測定したダイオード41の温度を半導体スイッチング素子22の温度とみなしてこの測定した温度が所定の許容値を超えたときにエラー信号Foを発生する。
なお、具体的には、ダイオード41がシリコンダイオードの場合には、ダイオード41の順方向電流Ifを一定とすると、ダイオード41の順方向電圧Vfは絶対温度Tに比例するので、基準となる温度での順方向電圧Vfを予め測定しておき、半導体スイッチング素子22が動作しているときのダイオード41の順方向電圧Vfを測定して比較すれば、半導体スイッチング素子22の動作時のダイオード41の温度すなわち半導体スイッチング素子22の動作時の温度を測定することができる。
さらに、エラー信号Foが発生したときに、所定の時間(例えば数ms)半導体スイッチング素子22をオフにする。
As shown in FIG. 3, the error signal generating means 40 measures the forward voltage drop of the diode 41 when the forward current is supplied to the diode 41 formed on the same chip 21 as the
Specifically, when the diode 41 is a silicon diode, if the forward current If of the diode 41 is constant, the forward voltage Vf of the diode 41 is proportional to the absolute temperature T. Therefore, at the reference temperature. The forward voltage Vf of the diode 41 is measured in advance, and the forward voltage Vf of the diode 41 when the
Further, when the error signal Fo is generated, the
具体的には、IPMはセンサ回路42からのトリガ信号を受けると、加熱保護回路43の状態をセットし、エラー信号出力回路44がエラー信号Foを出力すると同時に、PWM制御入力信号を無効にして駆動回路45(半導体スイッチング素子22となるIGBTのゲートを駆動する)を停止させる。加熱保護において、トリップしてから数ms後に設定値以下であれば、加熱保護回路43の状態はリセットされ、通常動作に復帰する。なお、駆動回路45は電源回路46から電源電圧を供給される。また、エラー信号Foはインターフェース(I/F)47を経由して取り出される。
Specifically, when the IPM receives the trigger signal from the
上記構成のインバータ10は下記の動作をする。
図2のように、インバータ10の出力側に変圧器62を接続し、三相スイッチ51により誘導電動機52を負荷50に並列に接続する(図4のステップS1)。このとき、誘導電動機52と負荷50を並列に接続したものがインバータ10の負荷となる。そして、インバータ10を動作させる。つぎに、電流リミッタ(電流制限値)の初期設定をする(図4のステップS2)。
電流制限手段35がインバータ10から負荷(50,52)に供給される交流電流の目標値となるインバータ10の電流指令値が所定値を超えたときにはこの電流指令値に前記所定値で制限をかけ、前記電流指令値が前記所定値以下のときは前記電流指令値に制限をかけないようにする(図4のステップS3)。
さらに、エラー信号発生手段40がインバータ10の出力段20の半導体スイッチング素子22の温度が所定の温度まで上昇したときにエラー信号Foを発生する。そして、エラー信号Foがある場合には(図4のステップS4)、電流制限手段35が前記電流指令値の前記所定値を小さくし(図4のステップS6)、エラー信号Foがない場合には(図4のステップS4)、電流制限手段35が前記電流指令値の前記所定値を大きくする(図4のステップS7)ので、半導体スイッチング素子22の温度が所定値を超えることを防ぎ、出力交流電流を制限しているときの出力交流電圧の低下を少なくすることができる。
The
As shown in FIG. 2, the
When the current command value of the
Further, the error signal generating means 40 generates an error signal Fo when the temperature of the
さらに、エラー信号Foが発生したときに、所定の時間半導体スイッチング素子22をオフにする(図4のステップS5)ので、半導体スイッチング素子22の温度が許容値を超えて半導体スイッチング素子22が破壊されることを確実に防ぐことができる。
Further, when the error signal Fo is generated, the
さらに、エラー信号発生手段40は、半導体スイッチング素子22と同じチップ21に作成されたダイオード41とこのダイオード41に電流を供給したときにダイオード41の電圧降下を測定してダイオード41の温度を測定し、測定したダイオード41の温度を半導体スイッチング素子22の温度とみなしてこの測定した温度が所定の許容値を超えたときにエラー信号Foを発生するので、半導体スイッチング素子22の温度が所定の許容値を超えたときにエラー信号Foを発生することができる。
Further, the error signal generation means 40 measures the voltage of the diode 41 by measuring the voltage drop of the diode 41 when a current is supplied to the diode 41 formed on the same chip 21 as the
このようにして、図5に示すような、誘導電動機52の起動時のインバータ10の出力交流電流および出力交流電圧が得られる。なお、ここで、横軸は時間(秒)であり、縦軸は電流(A)および電圧(V)である。このように、インバータ10の直流交流変換動作時において、インバータ10の出力交流電流を制限している期間の出力交流電圧の一時的な低下も少なくでき、負荷50(他の負荷機器を含む)の動作に及ぼす影響も最小限に抑えることができる。
In this way, the output AC current and output AC voltage of the
さらに、100Vまで充電したコンデンサ2から電流値を1Aに設定した負荷50に電力を供給している際に、無負荷の誘導電動機52を起動し、突入電流を発生させた。それぞれのインバータ電流、負荷線間電圧、負荷線間電圧実効値の波形を以下に示す。負荷線間電圧実効値は移動平均を用いて、一周期前までの電圧値から算出した。
Furthermore, when electric power was supplied from the
図6は電流リミッタを75A一定に設定した場合の実験結果である。誘導電動機52の投入後に電流リミッタにより過電流は抑制できており、エラー信号Foが出ることなくスイチングは停止しなかった。
FIG. 6 shows an experimental result when the current limiter is set to be constant at 75A. The overcurrent could be suppressed by the current limiter after the
図7は初期電流リミッタを90A、エラー信号Fo1ステップで15Aリミッタの値を下げる設定での実験結果である。エラー信号Foが1回検出され、その際にインバータ10のスイッチングが1.8ms間停止し、電流リミッタの値が90Aから75Aに低下し、過電流が抑制されている。しかしながら、電圧実効値に関しては、75A一定の場合の電圧実効値よりも定常状態に戻るのに時間を要した。これは75A一定の場合はエラー信号Foが検出されず、インバータ10が停止することなく安定に動作したためであると考えられる。
FIG. 7 shows the experimental results when the initial current limiter is set to 90A and the value of the 15A limiter is decreased in the error signal Fo1 step. The error signal Fo is detected once. At that time, switching of the
図8は電流リミッタを初期値75Aに設定し、エラー信号Foが検出されないと仮定して実験と同じ条件でシミュレーションを行った結果である。誘導電動機52を投入後0.1秒後に電流リミッタを15A上げることとし、75Aから90Aに変化させた。負荷電圧の実効値が電流リミッタを上げた際に投入前の状態に戻っていることから、リミッタを上げることにより固定した場合に比べて負荷50への影響を小さくできるといえる。
FIG. 8 shows the result of simulation under the same conditions as in the experiment, assuming that the current limiter is set to the initial value 75A and the error signal Fo is not detected. The current limiter was increased by 15 A 0.1 seconds after the
図9に示すように、初期電流リミッタを70Aに設定し、エラー信号Foが1回発生する毎に電流リミッタを10A下げると、エラー信号Foは3回出力されたが、誘導電動機52は正常に回転し、1.75秒後に負荷電圧が通常状態に復帰している。なお、図9において最初のエラー信号Fo1と2番目のエラー信号Fo2が重なって表示され、3番目のエラー信号Fo3が遅れて表示されている。
As shown in FIG. 9, when the initial current limiter is set to 70A and the current limiter is lowered by 10A every time the error signal Fo is generated once, the error signal Fo is output three times, but the
図10に示すように、初期電流リミッタを70Aに設定し、エラー信号Foが1回発生する毎に電流リミッタを10A下げ、1秒間で電流リミッタを10A徐々に上げる制御をすると、エラー信号Foは3回出力されたが、誘導電動機52は正常に運転し、0.8秒後に負荷電圧も通常状態に復帰した。したがって、図9の場合よりも図10の場合のほうが早く負荷電圧が通常状態に復帰した。なお、図10において最初のエラー信号Fo1、2番目エラー信号Fo2および3回目のエラー信号Fo3はそれぞれ別個に表示されている。
As shown in FIG. 10, when the initial current limiter is set to 70A and the control is performed to decrease the current limiter by 10A every time the error signal Fo is generated once, the current limiter is gradually increased by 10A in 1 second. Although it was output three times, the
なお、上記実施の形態において、半導体スイッチング素子22としてIGBTを使用しているが、これに限定されず、任意の電力用スイッチング素子を使用することができる。
In the above-described embodiment, the IGBT is used as the
10 インバータ
20 出力段
21 チップ
22 半導体スイッチング素子
30 制御回路
31 PWM制御回路
32 電流制御回路
33 電圧制御回路
35 電流制限手段
40 エラー信号発生手段
41 ダイオード
DESCRIPTION OF
Claims (2)
インバータの出力段の半導体スイッチング素子の温度が所定の温度まで上昇したときにエラー信号を発生するエラー信号発生手段と、
インバータから負荷に供給される交流電流の目標値となるインバータの電流指令値が所定値を超えたときにはこの電流指令値に前記所定値で制限をかけ、前記電流指令値が前記所定値以下のときは前記電流指令値に制限をかけないで、かつ、前記エラー信号がある場合には前記電流指令値の前記所定値を小さくし、前記エラー信号がない場合には前記電流指令値の前記所定値を大きくする制御が繰り返し行われる電流制限手段とを備えることを特徴とするインバータ。 In an inverter that converts DC power to AC power,
Error signal generating means for generating an error signal when the temperature of the semiconductor switching element at the output stage of the inverter rises to a predetermined temperature;
When the current command value of the inverter, which is the target value of the alternating current supplied from the inverter to the load, exceeds a predetermined value, the current command value is limited by the predetermined value, and the current command value is less than the predetermined value Does not limit the current command value, and when there is the error signal, decreases the predetermined value of the current command value, and when there is no error signal, the predetermined value of the current command value An inverter comprising: current limiting means for repeatedly performing control to increase the current.
前記エラー信号が発生したときに、所定の時間前記半導体スイッチング素子をオフにすることを特徴とするインバータ。 An inverter according to claim 1,
An inverter, wherein the semiconductor switching element is turned off for a predetermined time when the error signal is generated .
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