JP5299595B1 - 液晶表示素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
本発明の液晶表示素子10は、第一の基板11および第二の基板12の間に挟持された液晶組成物層13と、反応性基を有する重合性化合物の重合体を含む垂直配向膜16,17とを有し、液晶組成物層13を構成する液晶組成物が、一般式(I)、(II)で表される化合物を含有することを特徴とする。
Description
[液晶表示素子]
本発明の液晶表示素子は、一対の基板の間に挟持された液晶組成物層を有する液晶表示素子であって、液晶組成物層に電圧を印加し、液晶組成物層中の液晶分子をフレデリクス転移させることにより、光学的なスイッチとして働かせる原理に基づくものであり、この点では周知慣用技術を用いることができる。
(反応性基を有する重合性化合物)
反応性基を有する重合性化合物はメソゲン性部位を含んでいても、含んでいなくてもよい。また、反応性基を有する重合性化合物の重合体は耐久性の観点から、架橋構造を有していることが好ましく、耐久性の観点から、反応性基を有する重合性化合物はニ官能又は三官能等の二つ以上の反応性基を有する重合性化合物が好ましい。
Uが環構造を有する場合、前記Sp1及びSp2は少なくとも一方が単結合を表すことが好ましく、両方共に単結合であることも好ましい。
上記一般式(Vb)において、X1及びX2は、はそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表すが、いずれも水素原子を表すジアクリレート誘導体、又はいずれもメチル基を有するジメタクリレート誘導体が好ましく、一方が水素原子を表し、もう一方がメチル基を表す化合物も好ましい。これらの化合物の重合速度は、ジアクリレート誘導体が最も早く、ジメタクリレート誘導体が遅く、非対称化合物がその中間であり、その用途により好ましい態様を用いることができる。PSA液晶表示素子においては、ジメタクリレート誘導体が特に好ましい。
本発明における液晶組成物において、第一成分として、以下の一般式(I)で表される化合物を30〜65質量%含有することが好ましく、30〜50質量%含有することがより好ましく、35〜45質量%含有することがさらに好ましく、38〜42質量%含有することが最も好ましい。
上記一般式(I)において、R1及びR2はそれぞれ独立して、炭素原子数1〜8のアルキル基、炭素原子数2〜8のアルケニル基、炭素原子数1〜8のアルコキシ基又は炭素原子数2〜8のアルケニルオキシ基を表すが、
炭素原子数1〜5のアルキル基、炭素原子数2〜5のアルケニル基、炭素原子数1〜5のアルコキシ基又は炭素原子数2〜5のアルケニルオキシ基を表すことが好ましく、
炭素原子数2〜5のアルキル基、炭素原子数2〜4のアルケニル基、炭素原子数1〜4のアルコキシ基又は炭素原子数2〜4のアルケニルオキシ基を表すことがより好ましく、
炭素原子数2〜5のアルキル基、炭素原子数2〜4のアルケニル基を表すことが特に好ましい。
上記構造中、炭素原子数2又は3のアルケニル基であるビニル基又は1−プロペニル基がさらに好ましい。
上記一般式(Ia)から一般式(Ik)において、一般式(Ia)、一般式(Ib)及び一般式(Ig)が好ましく、一般式(Ia)及び一般式(Ig)がより好ましく、応答速度、焼付き特性の低減、並びに滴下痕の抑制をバランス良く改善するためには、一般式(Ia)が特に好ましいが、応答速度を重視する場合には一般式(Ib)も好ましく、より応答速度を重視する場合には、一般式(Ib)、一般式(Ie)、一般式(If)及び一般式(Ih)が好ましく、一般式(Ie)及び一般式(If)のジアルケニル化合物は特に応答速度を重視する場合に好ましい。
上記一般式(II−1)において、R3は炭素原子数1〜8のアルキル基、炭素原子数2〜8のアルケニル基、炭素原子数1〜8のアルコキシ基又は炭素原子数2〜8のアルケニルオキシ基を表すが、
炭素原子数1〜5のアルキル基又は炭素原子数2〜5のアルケニル基を表すことが好ましく、
炭素原子数2〜5のアルキル基又は炭素原子数2〜4のアルケニル基を表すことがより好ましく、
炭素原子数3〜5のアルキル基又は炭素原子数2のアルケニル基を表すことがさらに好ましく、
炭素原子数3のアルキル基を表すことが特に好ましい。
炭素原子数1〜5のアルキル基又は炭素原子数1〜5のアルコキシ基を表すことが好ましく、
炭素原子数1〜3のアルキル基又は炭素原子数1〜3のアルコキシ基を表すことがより好ましく、
炭素原子数3のアルキル基又は炭素原子数2のアルコキシ基を表すことがさらに好ましく、
炭素原子数2のアルコキシ基を表すことが特に好ましい。
上記一般式(II−1a)において、R3は上記一般式(II−1)における同様の実施態様が好ましい。
上記一般式(II−2)において、R5は炭素原子数1〜8のアルキル基、炭素原子数2〜8のアルケニル基、炭素原子数1〜8のアルコキシ基又は炭素原子数2〜8のアルケニルオキシ基を表すが、
炭素原子数1〜5のアルキル基又は炭素原子数2〜5のアルケニル基を表すことが好ましく、
炭素原子数2〜5のアルキル基又は炭素原子数2〜4のアルケニル基を表すことがより好ましく、
炭素原子数3〜5のアルキル基又は炭素原子数2のアルケニル基を表すことがさらに好ましく、
炭素原子数3のアルキル基を表すことが特に好ましい。
炭素原子数1〜5のアルキル基又は炭素原子数1〜5のアルコキシ基を表すことが好ましく、
炭素原子数1〜3のアルキル基又は炭素原子数1〜3のアルコキシ基を表すことがより好ましく、
炭素原子数3のアルキル基又は炭素原子数2のアルコキシ基を表すことがさらに好ましく、
炭素原子数2のアルコキシ基を表すことが特に好ましい。
上記一般式(II−2a)及び一般式(II−2b)において、R5は一般式(II−2)における同様の実施態様が好ましい。
上記一般式(III)において、R7は炭素原子数1〜8のアルキル基、炭素原子数2〜8のアルケニル基、炭素原子数1〜8のアルコキシ基又は炭素原子数2〜8のアルケニルオキシ基を表すが、
Dがトランス−1,4−シクロヘキシレンを表す場合、炭素原子数1〜5のアルキル基又は炭素原子数2〜5のアルケニル基を表すことが好ましく、炭素原子数2〜5のアルキル基又は炭素原子数2〜4のアルケニル基を表すことがより好ましく、炭素原子数3〜5のアルキル基又は炭素原子数2のアルケニル基を表すことがさらに好ましく、炭素原子数3のアルキル基を表すことが特に好ましく、
Dがフッ素置換されていてもよい、1,4−フェニレン基を表す場合、炭素原子数1〜5のアルキル基又は炭素原子数4又は5のアルケニル基を表すことが好ましく、炭素原子数2〜5のアルキル基又は炭素原子数4のアルケニル基を表すことがより好ましく、炭素原子数2〜4のアルキル基を表すことがさらに好ましい。
Fがトランス−1,4−シクロヘキシレンを表す場合、炭素原子数1〜5のアルキル基又は炭素原子数2〜5のアルケニル基を表すことが好ましく、炭素原子数2〜5のアルキル基又は炭素原子数2〜4のアルケニル基を表すことがより好ましく、炭素原子数3〜5のアルキル基又は炭素原子数2のアルケニル基を表すことがさらに好ましく、炭素原子数3のアルキル基を表すことが特に好ましく、
Fがフッ素置換されていてもよい、1,4−フェニレン基を表す場合、炭素原子数1〜5のアルキル基又は炭素原子数4又は5のアルケニル基を表すことが好ましく、炭素原子数2〜5のアルキル基又は炭素原子数4のアルケニル基を表すことがより好ましく、炭素原子数2〜4のアルキル基を表すことがさらに好ましい。
この場合においても、炭素原子数4のアルケニル基がさらに好ましい。
上記一般式(III)で表される化合物は、nが1を表す場合、具体的には、以下の一般式(III−2a)から一般式(III−2l)で表される化合物が好ましい。
本発明における液晶組成物は、上記一般式(I)から一般式(III)で表される化合物の組合せで構成されるものであるが、これらの組合せとしては次のような含有量が好ましい。
上記一般式(I)で表される化合物を35〜45質量%含有することがより好ましく、一般式(II−1)、一般式(II−2)及び一般式(III)で表される化合物を45〜65質量%含有することがより好ましく、
上記一般式(I)で表される化合物を38〜42質量%含有することが特に好ましく、一般式(II−1)、一般式(II−2)及び一般式(III)で表される化合物を50〜60質量%含有することが特に好ましい。
本発明における液晶組成物は、ネマチック相−等方性液体相転移温度(Tni)を幅広い範囲で使用することができるものであるが、ネマチック相−等方性液体相転移温度(Tni)は60〜120℃であることが好ましく、70〜100℃であることがより好ましく、70〜85℃であることが特に好ましい。
[液晶表示素子の製造方法]
次に、図1を参照して、本発明の液晶表示素子の製造方法を説明する。
Tni :ネマチック相−等方性液体相転移温度(℃)
Δn :25℃における屈折率異方性
Δε :25℃における誘電率異方性
η :20℃における粘度(mPa・s)
γ1 :25℃における回転粘度(mPa・s)
以下の実施例及び比較例において、下記の方法により、液晶表示素子の焼き付き、滴下痕を評価した。
(焼き付き)
液晶表示素子の焼き付き評価は、表示エリア内に所定の固定パターンを1000時間表示させた後に、全画面均一な表示を行ったときの固定パターンの残像のレベルを目視にて以下の4段階評価で行った。
◎:残像無し
○:残像ごく僅かに有るも許容できるレベル
△:残像有り許容できないレベル
×:残像有りかなり劣悪
(滴下痕)
液晶表示装置の滴下痕の評価は、全面黒表示した場合における白く浮かび上がる滴下痕を目視にて以下の4段階評価で行った。
◎:残像無し
○:残像ごく僅かに有るも許容できるレベル
△:残像有り許容できないレベル
×:残像有りかなり劣悪
なお、実施例において化合物の記載について以下の略号を用いた。
(側鎖)
−nは、−CnH2n+1(炭素原子数nの直鎖状アルキル基)を表す。
−Onは、−OCnH2n+1(炭素原子数nの直鎖状アルコキシ基)を表す。
(環構造)
透明な共通電極からなる透明電極層及びカラーフィルター層を具備した第一の基板(共通電極基板)と、アクティブ素子により駆動される透明画素電極を有する画素電極層を具備した第二の基板(画素電極基板)とを作製した。
以下に示す化学式で表される化合物を含有する液晶組成物を調製し、その液晶組成物を用いた以外は実施例1と同様にして、比較例1の液晶表示素子を得た。
表3に示す組成からなる液晶組成物を調製し、その液晶組成物を用いた以外は実施例1と同様にして、比較例2の液晶表示素子を得た。
(比較例3)
表4に示す組成からなる液晶組成物を調製し、その液晶組成物を用いた以外は実施例1と同様にして、比較例3の液晶表示素子を得た。
(比較例4)
表5に示す組成からなる液晶組成物を調製し、その液晶組成物を用いた以外は実施例1と同様にして、比較例4の液晶表示素子を得た。
(比較例5)
表6に示す組成からなる液晶組成物を調製し、その液晶組成物を用いた以外は実施例1と同様にして、比較例5の液晶表示素子を得た。
(比較例6)
表7に示す組成からなる液晶組成物を調製し、その液晶組成物を用いた以外は実施例1と同様にして、比較例6の液晶表示素子を得た。
(実施例2)
垂直配向膜形成材料として、ポリイミド前駆体を3%含有するポリイミド溶液(商品名:JALS2131−R6、JSR社製 )に、以下の式(V−4a)で表される反応性基を有する重合性化合物を3%含有する溶液を用いた以外は実施例1と同様にして、実施例2の液晶表示素子を得た。
垂直配向膜形成材料として、ポリイミド前駆体を3%含有するポリイミド溶液(商品名:JALS2131−R6、JSR社製 )に、以下の式(V−6a)で表される反応性基を有する重合性化合物を3%含有する溶液を用いた以外は実施例1と同様にして、実施例3の液晶表示素子を得た。
表10に示す組成からなる液晶組成物を調製し、その液晶組成物を用いた以外は実施例1と同様にして、実施例4の液晶表示素子を得た。
(実施例5)
表11に示す組成からなる液晶組成物を調製し、その液晶組成物を用いた以外は実施例1と同様にして、実施例5の液晶表示素子を得た。
(実施例6)
表12に示す組成からなる液晶組成物を調製し、その液晶組成物を用いた以外は実施例1と同様にして、実施例6の液晶表示素子を得た。
(実施例7)
表13に示す組成からなる液晶組成物を調製し、その液晶組成物を用いた以外は実施例1と同様にして、実施例7の液晶表示素子を得た。
Claims (12)
- 共通電極を有する第一の基板と、画素電極を有する第二の基板と、前記第一の基板と前記第二の基板の間に挟持された液晶組成物層とを有し、前記共通電極と前記画素電極間に、前記第一の基板と前記第二の基板に略垂直に電荷を印加し、前記液晶組成物層中の液晶分子を制御する液晶表示素子であって、
前記第一の基板と前記第二の基板の少なくとも一方に、前記液晶組成物層中の液晶分子の配向方向を、前記第一の基板および前記第二の基板における前記液晶組成物層と隣接する面に対して略垂直に制御する垂直配向膜を有し、該垂直配向膜は、反応性基を有する重合性化合物の重合体を含み、前記液晶組成物層を構成する液晶組成物が、下記一般式(I)
- 複数の画素を有し、該画素中にプレチルト角が異なる2以上の領域を有する請求項1に記載の液晶表示素子。
- 前記垂直配向膜が、ポリイミド構造を含む請求項1に記載の液晶表示素子。
- 前記第一の基板及び前記第二の基板における前記液晶組成物層と隣接する面に前記垂直配向膜を有し、前記第一の基板にカラーフィルター層を有する請求項1に記載の液晶表示素子。
- 前記画素電極が、画素の中央から4方向に櫛歯状にスリットを有し、前記液晶組成物層中の液晶分子が異なった方向に配向する4つの領域を有する請求項1に記載の液晶表示素子。
- 前記液晶組成物層が、滴下法により形成された請求項1に記載の液晶表示素子。
- 前記液晶組成物が、前記一般式(I)で表される化合物を30〜50質量%含有し、前記一般式(II)で表される化合物を30〜65質量%含有する請求項1に記載の液晶表示素子。
- 前記重合性化合物が、下記一般式(V)
- 共通電極を有する第一の基板と画素電極を有する第二の基板の少なくとも一方に、反応性基を有する重合性化合物及び垂直配向材料を含有する配向材料を塗布し、加熱することにより配向膜を形成した後、前記第一の基板と前記第二の基板により液晶組成物を挟持し、前記共通電極と前記画素電極間に、電圧を印加した状態で活性エネルギー線を照射することにより、前記配向膜中の重合性化合物を重合する液晶表示素子の製造方法であって、
前記液晶組成物が、下記一般式(I)
- 前記活性エネルギー線が紫外線であり、その強度が2mW/cm−2〜100mW/cm−2であり、照射総エネルギー量が10J〜300Jである請求項10に記載の液晶表示素子の製造方法。
- 前記液晶組成物が、前記一般式(I)で表される化合物を30〜50質量%含有し、前記一般式(II)で表される化合物を30〜50質量%含有する請求項10に記載の液晶表示素子の製造方法。
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