JP5268936B2 - 放射性同位体材料を生成するための標的体およびその生成方法ならびにシステム - Google Patents
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Description
本発明の特定の例示的側面は、以下に記載される。これらの側面は、単に、本発明がとり得る特定の形態の概要を読者に提供するために提示されるものであって、これらの側面が、本発明の範囲を制限することを意図するものではないことを理解されたい。実際、本発明は、以下に記載され得ない種々の側面も包含する場合がある。
本発明は、例えば、以下を提供する。
(項目1)
放射性同位体の生成において使用するための標的体であって、
冷却路を備える基盤と、
該基盤上に配置される保護層と、
該基盤上に配置される放射性同位体出発材料と、
を含み、該保護層は、該基盤と該放射性同位体出発材料との間に配置される、標的体。
(項目2)
上記保護層は、クロムを備える、項目1に記載の標的体。
(項目3)
上記保護層は、クロム、タンタル、タングステン、金、ニオブ、アルミニウム、ジルコニウム、または白金、あるいはそれらの組み合わせを備える、項目1に記載の標的体。
(項目4)
上記保護層は、電気めっきされた層を備える、項目1〜3のいずれかに記載の標的体。
(項目5)
上記保護層は、つや消し仕上げを有する表面を備える、項目1〜4のいずれかに記載の標的体。
(項目6)
上記保護層は、化学薬品による除去に対し、化学的に耐性を有する材料を備え、上記放射性同位体出発材料は、該化学薬品による除去に対し影響を受けやすい、項目1〜5のいずれかに記載の標的体。
(項目7)
上記基盤は、上記化学薬品による除去に対し影響を受けやすい、項目6に記載の標的体。
(項目8)
上記保護層は、別の放射性同位体出発材料を備える、項目1〜7のいずれかに記載の標的体。
(項目9)
上記基盤は、別の放射性同位体出発材料を備える、項目1〜8のいずれかに記載の標的体。
(項目10)
上記放射性同位体出発材料は、タリウム203を備える、項目1〜9のいずれかに記載の標的体。
(項目11)
上記放射性同位体出発材料は、カドミウム112または亜鉛68を備える、項目1〜9のいずれかに記載の標的体。
(項目12)
放射性同位体生成のための標的体を生成するための方法であって、
該標的体の基盤上に保護層を電気めっきするステップと、
放射性同位体出発材料を該保護層上に配置するステップと、
を含む、方法。
(項目13)
電気めっきのために指定された上記基盤のバフ研磨領域を備える、項目12に記載の方法。
(項目14)
電気めっき用に指定されていない上記基盤の被覆領域を備える、項目12または13に記載の方法。
(項目15)
上記保護層を電気めっきするステップは、つや消し仕上げを有する該保護層の表面を生成するステップを含む、項目12〜14のいずれかに記載の方法。
(項目16)
上記電気めっきするステップの継続時間を延長し、上記つや消し仕上げの粗度を増加させ、上記保護層の厚さを増大させるステップを含む、項目12〜15のいずれかに記載の方法。
(項目17)
上記保護層は、クロムを備える、項目12〜16のいずれかに記載の方法。
(項目18)
上記保護層は、クロム、タンタル、タングステン、金、ニオブ、アルミニウム、ジルコニウム、または白金、あるいはそれらの組み合わせを備える、項目12〜16のいずれかに記載の方法。
(項目19)
上記放射性同位体出発材料は、タリウム203、またはカドミウム112、または亜鉛68、あるいはそれらの組み合わせを備える、項目12〜18のいずれかに記載の方法。
(項目20)
流体冷却剤の循環を受けるように構成される冷却剤部分を有する、上記標的体を生成するステップを含む、項目12〜19のいずれかに記載の方法。
(項目21)
放射性同位体を生成するための方法であって、
標的体の化学保護層上に位置する出発材料にエネルギー粒子を衝突させ、該出発材料の放射性同位体を生成するステップを含む、方法。
(項目22)
上記保護層によって保護された上記標的体の基材を除去することなく、上記放射性同位体を有する上記出発材料を除去するステップを含む、項目21に記載の方法。
(項目23)
除去するステップは、上記出発材料を化学的に除去する一方、上記化学保護層は、上記基材上方の上記標的体上に残されるステップを含む、項目22に記載の方法。
(項目24)
上記出発材料を除去した後、上記化学保護層を除去し、該化学保護層の別の放射性同位体を取得するステップを含む、項目22または23に記載の方法。
(項目25)
上記出発材料を除去し、上記化学保護層を除去した後、上記基材の少なくとも一部を除去し、該基材のさらなる放射性同位体を取得するステップを含む、項目24に記載の方法。
(項目26)
上記出発材料は、濃縮されたタリウム203を備える、項目21〜25のいずれかに記載の方法。
(項目27)
上記放射性同位体を上記出発材料の残部から分離するステップを含む、項目21〜26のいずれかに記載の方法。
(項目28)
上記残部は、概して、長期の半減期を有する放射性材料を含まない、項目27に記載の方法。
(項目29)
追加的な放射性同位体を生成するための上記出発材料の上記残部を再利用するステップを含む、項目27または28に記載の方法。
(項目30)
衝突させるステップは、上記出発材料内で第1の放射性同位体と、上記化学保護層内で第2の放射性同位体と、上記標的体の基材内で第3の放射性同位体とを生成するステップを含む、項目21〜29のいずれかに記載の方法。
(項目31)
照射された標的体から材料を除去するための方法であって、
該標的体から、第1の放射性同位体材料を備える第1の層を化学的に剥離するステップと、
該標的体の第3の層を使用して、該標的体の第2の層の除去を実質的に低減または防止するステップと、
を備え、該第3の層は、該化学的剥離に先立って、該第1の層と該第2の層との間に位置付けられる、方法。
(項目32)
上記第3の層は、上記第1の層を化学的に剥離するために使用される化学薬品に対し耐性を有する、項目31に記載の方法。
(項目33)
上記第1の層を化学的に剥離した後、上記照射された標的体から、第2の放射性同位体材料を備える上記第3の層を化学的に剥離するステップを含む、項目31または32に記載の方法。
(項目34)
上記第1の層を化学的に剥離し、上記第3の層を化学的に剥離した後、上記照射された標的体から、第3の放射性同位体材料を備える上記第2の層を化学的に剥離するステップを含む、項目33に記載の方法。
(項目35)
上記第2の層は、上記標的体の基盤を備える、項目34に記載の方法。
(項目36)
上記第1の層の残留する部分から、上記第1の放射性同位体材料を化学的に分離するステップを含む、項目31〜35のいずれかに記載の方法。
(項目37)
1週間、1日、または数時間未満の比較的短時間以内に可能な追加的な放射性同位体生成のための上記残留する部分を再生するステップを含む、項目36に記載の方法。
(項目38)
上記第1の放射性同位体材料は、鉛201を備え、上記残留する部分は、濃縮されたタリウム203を備える、項目36または37に記載の方法。
(項目39)
上記第1の層は、タリウム203を備え、上記第2の層は、銅を備え、上記第3の層は、クロム51を備える、項目31〜38のいずれかに記載の方法。
(項目40)
放射性同位体を生成するためのシステムであって、
粒子加速器と、
基盤と、
該基盤の表面上に配置される保護層であって、クロム、タンタル、タングステン、金、ニオブ、アルミニウム、ジルコニウム、または白金、あるいはそれらの組み合わせを備える、保護層と、
該保護層上に配置される放射性同位体出発材料であって、該保護層は、該基盤と該放射性同位体出発材料との間に位置付けられる、放射性同位体出発材料と、
を備える、標的体と、
該粒子加速器に連結される制御システムと、
を備える、システム。
(項目41)
上記粒子加速器は、サイクロトロンを備える、項目40に記載のシステム。
(項目42)
上記粒子加速器は、線形粒子加速器を備える、項目40に記載のシステム。
(項目43)
上記放射性同位体出発材料は、化学薬品による除去に対し影響を受けやすく、上記保護層は、概して、該化学薬品による除去に対し耐性を有する、項目40、41、または42に記載のシステム。
Claims (32)
- 放射性同位体の生成において使用するための標的体であって、
冷却路を備える基盤と、
クロムを備え、該基盤上に配置される保護層と、
該基盤上に配置される放射性同位体出発材料と、
を含み、該保護層は、該基盤と該放射性同位体出発材料との間に配置される、標的体。 - 前記保護層は、タンタル、タングステン、金、ニオブ、アルミニウム、ジルコニウム、または白金、あるいはそれらの組み合わせをさらに備える、請求項1に記載の標的体。
- 前記保護層は、電気めっきされた層を備える、請求項1〜2のいずれかに記載の標的体。
- 前記保護層は、つや消し仕上げを有する表面を備える、請求項1〜3のいずれかに記載の標的体。
- 前記保護層は、化学薬品による除去に対し、化学的に耐性を有する材料を備え、前記放射性同位体出発材料は、該化学薬品による除去に対し影響を受けやすい、請求項1〜4のいずれかに記載の標的体。
- 前記基盤は、前記化学薬品による除去に対し影響を受けやすい、請求項5に記載の標的体。
- 前記保護層は、別の放射性同位体出発材料を備える、請求項1〜6のいずれかに記載の標的体。
- 前記基盤は、別の放射性同位体出発材料を備える、請求項1〜7のいずれかに記載の標的体。
- 前記放射性同位体出発材料は、タリウム203を備える、請求項1〜8のいずれかに記載の標的体。
- 前記放射性同位体出発材料は、カドミウム112または亜鉛68を備える、請求項1〜8のいずれかに記載の標的体。
- 放射性同位体生成のための標的体を生成するための方法であって、
該標的体の基盤上に保護層を電気めっきするステップであって、該保護層は、クロムを備える、ステップと、
放射性同位体出発材料を該保護層上に配置するステップと、
を含む、方法。 - 電気めっきのために指定された前記基盤のバフ研磨領域を備える、請求項11に記載の方法。
- 電気めっき用に指定されていない前記基盤の被覆領域を備える、請求項11または12に記載の方法。
- 前記保護層を電気めっきするステップは、つや消し仕上げを有する該保護層の表面を生成するステップを含む、請求項11〜13のいずれかに記載の方法。
- 前記電気めっきするステップの継続時間を延長し、前記つや消し仕上げの粗度を増加させ、前記保護層の厚さを増大させるステップを含む、請求項11〜14のいずれかに記載の方法。
- 前記保護層は、タンタル、タングステン、金、ニオブ、アルミニウム、ジルコニウム、または白金、あるいはそれらの組み合わせをさらに備える、請求項11〜15のいずれかに記載の方法。
- 前記放射性同位体出発材料は、タリウム203、またはカドミウム112、または亜鉛68、あるいはそれらの組み合わせを備える、請求項11〜16のいずれかに記載の方法。
- 流体冷却剤の循環を受けるように構成される冷却剤部分を有する、前記標的体を生成するステップを含む、請求項11〜17のいずれかに記載の方法。
- 放射性同位体を生成するための方法であって、
標的体の化学保護層上に位置する出発材料にエネルギー粒子を衝突させ、該出発材料の放射性同位体を生成するステップであって、該化学保護層は、クロムを備える、ステップを含む、方法。 - 前記保護層によって保護された前記標的体の基材を除去することなく、前記放射性同位体を有する前記出発材料を除去するステップを含む、請求項19に記載の方法。
- 除去するステップは、前記出発材料を化学的に除去する一方、前記化学保護層は、前記基材上方の前記標的体上に残されるステップを含む、請求項20に記載の方法。
- 前記出発材料を除去した後、前記化学保護層を除去し、該化学保護層の別の放射性同位体を取得するステップを含む、請求項20または21に記載の方法。
- 前記出発材料を除去し、前記化学保護層を除去した後、前記基材の少なくとも一部を除去し、該基材のさらなる放射性同位体を取得するステップを含む、請求項22に記載の方法。
- 前記出発材料は、濃縮されたタリウム203を備える、請求項19〜23のいずれかに記載の方法。
- 前記放射性同位体を前記出発材料の残部から分離するステップを含む、請求項19〜24のいずれかに記載の方法。
- 前記残部は、概して、長期の半減期を有する放射性材料を含まない、請求項25に記載の方法。
- 追加的な放射性同位体を生成するための前記出発材料の前記残部を再利用するステップを含む、請求項25または26に記載の方法。
- 衝突させるステップは、前記出発材料内で第1の放射性同位体と、前記化学保護層内で第2の放射性同位体と、前記標的体の基材内で第3の放射性同位体とを生成するステップを含む、請求項19〜27のいずれかに記載の方法。
- 放射性同位体を生成するためのシステムであって、
粒子加速器と、
基盤と、
該基盤の表面上に配置される保護層であって、クロム、タンタル、タングステン、金、ニオブ、アルミニウム、ジルコニウム、または白金、あるいはそれらの組み合わせを備える、保護層と、
該保護層上に配置される放射性同位体出発材料であって、該保護層は、該基盤と該放射性同位体出発材料との間に位置付けられる、放射性同位体出発材料と、
を備える、標的体と、
該粒子加速器に連結される制御システムと、
を備える、システム。 - 前記粒子加速器は、サイクロトロンを備える、請求項29に記載のシステム。
- 前記粒子加速器は、線形粒子加速器を備える、請求項29に記載のシステム。
- 前記放射性同位体出発材料は、化学薬品による除去に対し影響を受けやすく、前記保護層は、概して、該化学薬品による除去に対し耐性を有する、請求項29、30、または31に記載のシステム。
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