JP5251471B2 - Positive photosensitive insulating resin composition and cured product thereof - Google Patents
Positive photosensitive insulating resin composition and cured product thereof Download PDFInfo
- Publication number
- JP5251471B2 JP5251471B2 JP2008312669A JP2008312669A JP5251471B2 JP 5251471 B2 JP5251471 B2 JP 5251471B2 JP 2008312669 A JP2008312669 A JP 2008312669A JP 2008312669 A JP2008312669 A JP 2008312669A JP 5251471 B2 JP5251471 B2 JP 5251471B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin composition
- group
- insulating resin
- photosensitive insulating
- structural unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims description 53
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 45
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 claims description 34
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 32
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 27
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 24
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 23
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 21
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims description 18
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 18
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 17
- WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 4-diazoniophenolate Chemical group [O-]C1=CC=C([N+]#N)C=C1 WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 10
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000000466 oxiranyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 8
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 claims description 6
- -1 acrylic compound Chemical class 0.000 description 48
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 18
- FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxystyrene Chemical compound OC1=CC=C(C=C)C=C1 FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 13
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 11
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 10
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 9
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 9
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 9
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 7
- 239000007870 radical polymerization initiator Substances 0.000 description 7
- MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 1,2-Divinylbenzene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1C=C MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical group OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 5
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N monopropylene glycol Natural products CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 5
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 5
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- WXYSZTISEJBRHW-UHFFFAOYSA-N 4-[2-[4-[1,1-bis(4-hydroxyphenyl)ethyl]phenyl]propan-2-yl]phenol Chemical compound C=1C=C(C(C)(C=2C=CC(O)=CC=2)C=2C=CC(O)=CC=2)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 WXYSZTISEJBRHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 3
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001644 13C nuclear magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 2
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FZXRXKLUIMKDEL-UHFFFAOYSA-N 2-Methylpropyl propanoate Chemical compound CCC(=O)OCC(C)C FZXRXKLUIMKDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BNCADMBVWNPPIZ-UHFFFAOYSA-N 2-n,2-n,4-n,4-n,6-n,6-n-hexakis(methoxymethyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-triamine Chemical compound COCN(COC)C1=NC(N(COC)COC)=NC(N(COC)COC)=N1 BNCADMBVWNPPIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NZGQHKSLKRFZFL-UHFFFAOYSA-N 4-(4-hydroxyphenoxy)phenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1OC1=CC=C(O)C=C1 NZGQHKSLKRFZFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BRPSWMCDEYMRPE-UHFFFAOYSA-N 4-[1,1-bis(4-hydroxyphenyl)ethyl]phenol Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C=1C=CC(O)=CC=1)(C)C1=CC=C(O)C=C1 BRPSWMCDEYMRPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PVFQHGDIOXNKIC-UHFFFAOYSA-N 4-[2-[3-[2-(4-hydroxyphenyl)propan-2-yl]phenyl]propan-2-yl]phenol Chemical compound C=1C=CC(C(C)(C)C=2C=CC(O)=CC=2)=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 PVFQHGDIOXNKIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFCQTAXSWSWIHS-UHFFFAOYSA-N 4-[bis(4-hydroxyphenyl)methyl]phenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(C=1C=CC(O)=CC=1)C1=CC=C(O)C=C1 WFCQTAXSWSWIHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCFAJYNVAYBARA-UHFFFAOYSA-N 4-heptanone Chemical compound CCCC(=O)CCC HCFAJYNVAYBARA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004203 4-hydroxyphenyl group Chemical group [H]OC1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- JAGRUUPXPPLSRX-UHFFFAOYSA-N 4-prop-1-en-2-ylphenol Chemical compound CC(=C)C1=CC=C(O)C=C1 JAGRUUPXPPLSRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VOWWYDCFAISREI-UHFFFAOYSA-N Bisphenol AP Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C=1C=CC(O)=CC=1)(C)C1=CC=CC=C1 VOWWYDCFAISREI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GIXXQTYGFOHYPT-UHFFFAOYSA-N Bisphenol P Chemical compound C=1C=C(C(C)(C)C=2C=CC(O)=CC=2)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 GIXXQTYGFOHYPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Chemical compound CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N N-methylacetamide Chemical compound CNC(C)=O OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- 229920001214 Polysorbate 60 Polymers 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- APEJMQOBVMLION-UHFFFAOYSA-N cinnamamide Chemical compound NC(=O)C=CC1=CC=CC=C1 APEJMQOBVMLION-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 2
- 238000007720 emulsion polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 2
- BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-ethoxypropanoate Chemical compound CCOCCC(=O)OCC BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol monomethyl ether acetate Natural products COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 2
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 2
- VPVSTMAPERLKKM-UHFFFAOYSA-N glycoluril Chemical compound N1C(=O)NC2NC(=O)NC21 VPVSTMAPERLKKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N heptan-3-one Chemical compound CCCCC(=O)CC NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N isoamyl acetate Chemical compound CC(C)CCOC(C)=O MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004843 novolac epoxy resin Substances 0.000 description 2
- PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N pentyl acetate Chemical compound CCCCCOC(C)=O PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 2
- YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N propyl acetate Chemical compound CCCOC(C)=O YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- GBQZZLQKUYLGFT-UHFFFAOYSA-N (2,4-dihydroxyphenyl)-(2,3,4-trihydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(O)C(O)=C1O GBQZZLQKUYLGFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZRDYULMDEGRWRC-UHFFFAOYSA-N (4-hydroxyphenyl)-(2,3,4-trihydroxyphenyl)methanone Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(O)C(O)=C1O ZRDYULMDEGRWRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMJHHCWVYXUKFD-SNAWJCMRSA-N (E)-1,3-pentadiene Chemical compound C\C=C\C=C PMJHHCWVYXUKFD-SNAWJCMRSA-N 0.000 description 1
- NQQRXZOPZBKCNF-NSCUHMNNSA-N (e)-but-2-enamide Chemical compound C\C=C\C(N)=O NQQRXZOPZBKCNF-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- KYPOHTVBFVELTG-OWOJBTEDSA-N (e)-but-2-enedinitrile Chemical compound N#C\C=C\C#N KYPOHTVBFVELTG-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M .beta-Phenylacrylic acid Natural products [O-]C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M 0.000 description 1
- VPBZZPOGZPKYKX-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxypropane Chemical compound CCOCC(C)OCC VPBZZPOGZPKYKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethoxypropane Chemical compound COCC(C)OC LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVMMVWNXKOSPRB-UHFFFAOYSA-N 1,2-dipropoxypropane Chemical compound CCCOCC(C)OCCC PVMMVWNXKOSPRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KETQAJRQOHHATG-UHFFFAOYSA-N 1,2-naphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=O)C=CC2=C1 KETQAJRQOHHATG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940105324 1,2-naphthoquinone Drugs 0.000 description 1
- XGQJGMGAMHFMAO-UHFFFAOYSA-N 1,3,4,6-tetrakis(methoxymethyl)-3a,6a-dihydroimidazo[4,5-d]imidazole-2,5-dione Chemical compound COCN1C(=O)N(COC)C2C1N(COC)C(=O)N2COC XGQJGMGAMHFMAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMGJMGFZLXYHCR-UHFFFAOYSA-N 1-(2-butoxypropoxy)butane Chemical compound CCCCOCC(C)OCCCC QMGJMGFZLXYHCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUWDFGKRNIDKAE-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCCCOCC(C)OC(C)=O FUWDFGKRNIDKAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCCOCC(C)OC(C)=O DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trihydroxbenzophenone Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDJHPPZKZZWAKF-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylbuta-1,3-diene Chemical compound CC(=C)C(C)=C SDJHPPZKZZWAKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUMMBDBTERQYCG-UHFFFAOYSA-N 2,6-bis(hydroxymethyl)-4-methylphenol Chemical compound CC1=CC(CO)=C(O)C(CO)=C1 KUMMBDBTERQYCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIBPJPNDSZRXRO-UHFFFAOYSA-N 2-(chloromethyl)prop-2-enenitrile Chemical compound ClCC(=C)C#N QIBPJPNDSZRXRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HDPLHDGYGLENEI-UHFFFAOYSA-N 2-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)propan-2-yloxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COC(C)COCC1CO1 HDPLHDGYGLENEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOBIOSPNXBMOAT-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)ethoxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCCOCC1CO1 AOBIOSPNXBMOAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PLDLPVSQYMQDBL-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-(oxiran-2-ylmethoxy)-2,2-bis(oxiran-2-ylmethoxymethyl)propoxy]methyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCC(COCC1OC1)(COCC1OC1)COCC1CO1 PLDLPVSQYMQDBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYUNTGBISCIYPW-UHFFFAOYSA-N 2-chloroprop-2-enenitrile Chemical compound ClC(=C)C#N OYUNTGBISCIYPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVBFWXYFXKDVKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyprop-2-enenitrile Chemical compound CCOC(=C)C#N RVBFWXYFXKDVKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEVADDDOVGMCSI-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxybutyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCC(O)COC(=O)C(C)=C IEVADDDOVGMCSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLLXMBCBJGATSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenol Chemical group OC=CC1=CC=CC=C1 XLLXMBCBJGATSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- WYYQKWASBLTRIW-UHFFFAOYSA-N 2-trimethoxysilylbenzoic acid Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1C(O)=O WYYQKWASBLTRIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SGJZXXPWUDGJSV-UHFFFAOYSA-N 4,6-bis[2-(4-hydroxyphenyl)propan-2-yl]benzene-1,3-diol Chemical compound C=1C(C(C)(C)C=2C=CC(O)=CC=2)=C(O)C=C(O)C=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 SGJZXXPWUDGJSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNMDNPCBIKJCQP-UHFFFAOYSA-N 5-nonyl-7-oxabicyclo[4.1.0]hepta-1,3,5-trien-2-ol Chemical compound C(CCCCCCCC)C1=C2C(=C(C=C1)O)O2 RNMDNPCBIKJCQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZIIFPSPUDAGJM-UHFFFAOYSA-N 6-chloro-2-n,2-n-diethylpyrimidine-2,4-diamine Chemical compound CCN(CC)C1=NC(N)=CC(Cl)=N1 XZIIFPSPUDAGJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 6-phenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 8beta-(2,3-epoxy-2-methylbutyryloxy)-14-acetoxytithifolin Natural products COC(=O)C(C)O LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N Bisphenol A diglycidyl ether Chemical compound C=1C=C(OCC2OC2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OCC1CO1 LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GAWIXWVDTYZWAW-UHFFFAOYSA-N C[CH]O Chemical group C[CH]O GAWIXWVDTYZWAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003270 Cymel® Polymers 0.000 description 1
- 239000004641 Diallyl-phthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N Ethyl pyruvate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=O XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJMWOMHMDSDKGK-UHFFFAOYSA-N Isopropyl propionate Chemical compound CCC(=O)OC(C)C IJMWOMHMDSDKGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 229920001213 Polysorbate 20 Polymers 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- IYFATESGLOUGBX-YVNJGZBMSA-N Sorbitan monopalmitate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](O)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1O IYFATESGLOUGBX-YVNJGZBMSA-N 0.000 description 1
- HVUMOYIDDBPOLL-XWVZOOPGSA-N Sorbitan monostearate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](O)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1O HVUMOYIDDBPOLL-XWVZOOPGSA-N 0.000 description 1
- 239000004147 Sorbitan trioleate Substances 0.000 description 1
- PRXRUNOAOLTIEF-ADSICKODSA-N Sorbitan trioleate Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)OC[C@@H](OC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC PRXRUNOAOLTIEF-ADSICKODSA-N 0.000 description 1
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(ethenyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)C=C NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003172 aldehyde group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004844 aliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 125000005011 alkyl ether group Chemical group 0.000 description 1
- XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N alpha-Methylstyrene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1 XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N bis(prop-2-enyl) benzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound C=CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC=C QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- YACLQRRMGMJLJV-UHFFFAOYSA-N chloroprene Chemical compound ClC(=C)C=C YACLQRRMGMJLJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 1
- 229930016911 cinnamic acid Natural products 0.000 description 1
- 235000013985 cinnamic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- VSYLGGHSEIWGJV-UHFFFAOYSA-N diethyl(dimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](CC)(OC)OC VSYLGGHSEIWGJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001664 diethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])N(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVUVKQDVTIIMOD-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dipropyl)silane Chemical compound CCC[Si](OC)(OC)CCC JVUVKQDVTIIMOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- CJSBUWDGPXGFGA-UHFFFAOYSA-N dimethyl-butadiene Natural products CC(C)=CC=C CJSBUWDGPXGFGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N doxepin Chemical compound C1OC2=CC=CC=C2C(=C/CCN(C)C)/C2=CC=CC=C21 ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000012156 elution solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003995 emulsifying agent Substances 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- SSHMNHMNSPXAGX-UHFFFAOYSA-N ethene;2-octylphenol Chemical compound C=C.CCCCCCCCC1=CC=CC=C1O SSHMNHMNSPXAGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGJUMYVLIWBDFK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate;2-hydroxypropanoic acid Chemical class CC(O)C(O)=O.CCOC(=O)C(C)O IGJUMYVLIWBDFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJUHLFUALMUWOM-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-methoxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)CCOC IJUHLFUALMUWOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940117360 ethyl pyruvate Drugs 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000004464 hydroxyphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- GJRQTCIYDGXPES-UHFFFAOYSA-N iso-butyl acetate Natural products CC(C)COC(C)=O GJRQTCIYDGXPES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940117955 isoamyl acetate Drugs 0.000 description 1
- FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-M isocaproate Chemical compound CC(C)CCC([O-])=O FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N isopropanol acetate Natural products CC(C)OC(C)=O JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940011051 isopropyl acetate Drugs 0.000 description 1
- GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-N isovaleric acid Chemical compound CC(C)CC(O)=O GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQAGVSWESNCJJT-UHFFFAOYSA-N isovaleric acid methyl ester Natural products COC(=O)CC(C)C OQAGVSWESNCJJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000007974 melamines Chemical class 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 125000005641 methacryl group Chemical group 0.000 description 1
- BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N methyl 3-methoxypropanoate Chemical compound COCCC(=O)OC BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940057867 methyl lactate Drugs 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N methyl p-hydroxycinnamate Natural products OC(=O)C=CC1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWKLZLBVOJRSOM-UHFFFAOYSA-N methyl pyruvate Chemical compound COC(=O)C(C)=O CWKLZLBVOJRSOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000693 micelle Substances 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N mono-hydroxyphenyl-ethylene Natural products OC1=CC=CC=C1C=C JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKISUIUJZGSLEV-UHFFFAOYSA-N n-[2-(octadecanoylamino)ethyl]octadecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)NCCNC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC RKISUIUJZGSLEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- SFBTTWXNCQVIEC-UHFFFAOYSA-N o-Vinylanisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1C=C SFBTTWXNCQVIEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003566 oxetanyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- PMJHHCWVYXUKFD-UHFFFAOYSA-N piperylene Natural products CC=CC=C PMJHHCWVYXUKFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 1
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 1
- 229920000259 polyoxyethylene lauryl ether Polymers 0.000 description 1
- 239000000256 polyoxyethylene sorbitan monolaurate Substances 0.000 description 1
- 235000010486 polyoxyethylene sorbitan monolaurate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000249 polyoxyethylene sorbitan monopalmitate Substances 0.000 description 1
- 235000010483 polyoxyethylene sorbitan monopalmitate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001816 polyoxyethylene sorbitan tristearate Substances 0.000 description 1
- 235000010988 polyoxyethylene sorbitan tristearate Nutrition 0.000 description 1
- 229920002503 polyoxyethylene-polyoxypropylene Polymers 0.000 description 1
- KIWATKANDHUUOB-UHFFFAOYSA-N propan-2-yl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CC(C)OC(=O)C(C)O KIWATKANDHUUOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ILVGAIQLOCKNQA-UHFFFAOYSA-N propyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCCOC(=O)C(C)O ILVGAIQLOCKNQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N salicylaldehyde Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=O SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229940035044 sorbitan monolaurate Drugs 0.000 description 1
- 239000001570 sorbitan monopalmitate Substances 0.000 description 1
- 235000011071 sorbitan monopalmitate Nutrition 0.000 description 1
- 229940031953 sorbitan monopalmitate Drugs 0.000 description 1
- 239000001587 sorbitan monostearate Substances 0.000 description 1
- 235000011076 sorbitan monostearate Nutrition 0.000 description 1
- 229940035048 sorbitan monostearate Drugs 0.000 description 1
- 235000019337 sorbitan trioleate Nutrition 0.000 description 1
- 229960000391 sorbitan trioleate Drugs 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N trans-crotonic acid Natural products CC=CC(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- FRGPKMWIYVTFIQ-UHFFFAOYSA-N triethoxy(3-isocyanatopropyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN=C=O FRGPKMWIYVTFIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHYFQTYBJUILEZ-IUPFWZBJSA-N triolein Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)OCC(OC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC)COC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC PHYFQTYBJUILEZ-IUPFWZBJSA-N 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Graft Or Block Polymers (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Description
本発明は、半導体素子等の層間絶縁膜、平坦化膜、表面保護膜(オーバーコート膜、パッシベーション膜等)、高密度実装基板用絶縁膜、感光性接着剤、感圧接着剤等に用いられるポジ型感光性絶縁樹脂組成物及びそれが硬化されてなる絶縁性の硬化物に関する。更に詳しくは、特定のブロック共重合体が含有されているため、絶縁膜を形成する際の基板の反りを抑えることができ、且つ永久膜レジストとして、解像性に優れるとともに、良好な密着性、熱衝撃性、電気絶縁性、パターニング性及び伸び等を有する硬化物を形成することができるポジ型感光性絶縁樹脂組成物、及びそれが硬化されてなる硬化物に関する。 The present invention is used for interlayer insulating films, planarizing films, surface protective films (overcoat films, passivation films, etc.) for semiconductor elements, insulating films for high-density mounting substrates, photosensitive adhesives, pressure-sensitive adhesives, and the like. The present invention relates to a positive photosensitive insulating resin composition and an insulating cured product obtained by curing the positive photosensitive insulating resin composition. More specifically, since a specific block copolymer is contained, it is possible to suppress warping of the substrate when forming an insulating film, and as a permanent film resist, it has excellent resolution and good adhesion. The present invention relates to a positive photosensitive insulating resin composition capable of forming a cured product having thermal shock properties, electrical insulation properties, patterning properties, elongation, and the like, and a cured product obtained by curing the same.
従来、電子機器の半導体素子に用いられる層間絶縁膜、表面保護膜等として、優れた耐熱性及び機械的特性等を有するポリイミド系樹脂が広く使用されている。また、生産性及び膜形成精度等を向上させるため、感光性を付与した感光性ポリイミド系樹脂が種々検討されている。例えば、特許文献1及び特許文献2には、それぞれ、ポリイミド前駆体にエステル結合又はイオン結合により光架橋基を導入したネガ型の樹脂、及びポリイミド前駆体とオルソキノンジアジド化合物からなるポジ型の樹脂が記載されている。
Conventionally, polyimide-based resins having excellent heat resistance, mechanical properties, and the like have been widely used as interlayer insulating films, surface protective films, and the like used for semiconductor elements of electronic devices. In order to improve productivity, film formation accuracy, and the like, various photosensitive polyimide resins having photosensitivity have been studied. For example,
更に、半導体素子の高集積化にともなって、膜形成精度をより向上させるため、種々の感光性ポリイミド系樹脂が提案されている。例えば、特許文献3及び特許文献4には、それぞれ、ポリイミド前駆体にイオン結合により光架橋基を導入した感光性ポリイミド系樹脂を含有する組成物、及びポリイミド前駆体にエステル結合により光架橋基を導入した感光性ポリイミド系樹脂を含有する組成物が記載されている。また、特許文献5にも、芳香族ポリイミド前駆体に多官能アクリル化合物を配合したネガ型感光性組成物が記載されている。更に、ポリイミド系樹脂を含有する組成物ではない他の樹脂組成物として、特許文献6には、フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂、架橋剤及び光感応性酸発生剤を含有する感光性絶縁樹脂組成物が記載されている。
Furthermore, with the high integration of semiconductor elements, various photosensitive polyimide resins have been proposed in order to further improve film formation accuracy. For example, in
しかしながら、特許文献1に記載されたネガ型の樹脂では、解像性や膜形成に問題があり、特許文献2に記載されたポジ型の樹脂では、耐熱性や電気絶縁性、基板への密着性等に問題がある。また、その他にも多数の特許出願がなされているが、半導体素子の高集積化、薄型化等による要求特性を十分に満足するものとはいえない。更に、硬化後の膜減り(体積収縮率)や硬化時の多段階ベーク、雰囲気制御等の問題点を抱えており、工業的に実施する場合には使用し難いという問題が指摘されている。また、特許文献3、4に記載された組成物では、イミド化するための閉環工程を必要としており、溶剤現像であるため解像性が十分でないという欠点があり、特許文献5に記載された組成物でも、同様な問題点が指摘されている。更に、特許文献6に記載された組成物を用いて形成される絶縁膜では、絶縁膜を形成する際に生じる基板の反りが問題になっている。
However, the negative type resin described in
本発明は、上記の従来技術の問題点を解決するものであり、より具体的には、絶縁膜等を形成するポジ型感光性絶縁樹脂組成物であって、絶縁膜を形成する際の基板の反りが抑えられ、且つ優れた解像性、電気絶縁性等を有するポジ型感光性絶縁樹脂組成物、及びこの組成物が硬化されてなる絶縁膜等の硬化物を提供することを目的とする。 The present invention solves the above-mentioned problems of the prior art, more specifically, a positive photosensitive insulating resin composition for forming an insulating film or the like, and a substrate for forming the insulating film And a cured product such as an insulating film obtained by curing the composition, and a positive photosensitive insulating resin composition having excellent resolution, electrical insulation and the like. To do.
本発明は以下のとおりである。
1.(A)下記式(1)で表される構造単位(a1)と、下記式(2)で表される構造単位(a2)とを有するブロック共重合体、
(B)架橋剤
(C)キノンジアジド基含有化合物、
(D)溶剤、を含有することを特徴とするポジ型感光性絶縁樹脂組成物。
2.前記構造単位(a1)と前記構造単位(a2)との合計を100モル%とした場合に、該構造単位(a1)の含有割合が20〜90モル%である前記1.に記載のポジ型感光性絶縁樹脂組成物。
3.前記ブロック共重合体(A)のゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定したポリスチレン換算の重量平均分子量が、3,000〜30,000である前記1.又は2.に記載のポジ型感光性絶縁樹脂組成物。
4.前記架橋剤(B)が、分子中に2個以上のアルキルエーテル化されたアミノ基を有する化合物及びオキシラン環含有化合物のうちの少なくとも一方である前記1.乃至3.のうちのいずれか1項に記載のポジ型感光性絶縁樹脂組成物。
5.更に密着助剤(E)を含有する前記1.乃至4.のうちのいずれか1項に記載のポジ型感光性絶縁樹脂組成物。
6.更に架橋微粒子(F)を含有し、
前記架橋微粒子は、ヒドロキシル基及び/又はカルボキシル基を有する単量体と、不飽和重合性基を2個以上有する架橋性単量体との共重合体からなる前記1.乃至5.のうちのいずれか1項に記載のポジ型感光性絶縁樹脂組成物。
7.前記1.乃至6.のうちのいずれか1項に記載のポジ型感光性絶縁樹脂組成物が硬化されてなることを特徴とする硬化物。
The present invention is as follows.
1. (A) a block copolymer having a structural unit (a1) represented by the following formula (1) and a structural unit (a2) represented by the following formula (2);
(B) a crosslinking agent (C) a quinonediazide group-containing compound,
(D) A positive photosensitive insulating resin composition comprising a solvent.
2. 1. When the total of the structural unit (a1) and the structural unit (a2) is 100 mol%, the content of the structural unit (a1) is 20 to 90 mol%. The positive photosensitive insulating resin composition described in 1.
3. The polystyrene-converted weight average molecular weight measured by gel permeation chromatography of the block copolymer (A) is 3,000 to 30,000. Or 2. The positive photosensitive insulating resin composition described in 1.
4). 1. The crosslinking agent (B) is at least one of a compound having two or more alkyl etherified amino groups in the molecule and an oxirane ring-containing compound. To 3. The positive photosensitive insulating resin composition according to any one of the above.
5. Furthermore, the said 1. containing adhesion assistant (E). To 4. The positive photosensitive insulating resin composition according to any one of the above.
6). Furthermore, it contains crosslinked fine particles (F) ,
The crosslinked fine particles are composed of a copolymer of a monomer having a hydroxyl group and / or a carboxyl group and a crosslinking monomer having two or more unsaturated polymerizable groups . To 5. The positive photosensitive insulating resin composition according to any one of the above.
7. 1 above. To 6. A cured product obtained by curing the positive photosensitive insulating resin composition according to any one of the above.
本発明のポジ型感光性絶縁樹脂組成物は、特定のブロック共重合体が含有されているため、絶縁膜を形成する際の基板の反りが十分に抑えられ、且つ優れた解像性、電気絶縁性等を有する絶縁膜等の硬化物を形成することができる。
また、構造単位(a1)と構造単位(a2)との合計を100モル%とした場合に、構造単位(a1)の含有割合が20〜90モル%である場合は、優れたアルカリ現像性が得られると共に、得られる絶縁膜の応力を十分に低減することができる。
更に、ブロック共重合体(A)のゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定したポリスチレン換算の重量平均分子量が、3,000〜30,000である場合は、絶縁膜の解像性、熱衝撃性、耐熱性及び残膜率等をより向上させることができる。
また、架橋剤(B)が、分子中に2個以上のアルキルエーテル化されたアミノ基を有する化合物及びオキシラン環含有化合物のうちの少なくとも一方である場合は、優れたアルカリ現像性が得られると共に、得られる絶縁膜の応力を十分に低減することができる。
更に、密着助剤(E)を含有する場合は、基材と絶縁膜等の硬化物との密着性をより向上させることができる。
また、架橋微粒子(F)を含有する場合は、硬化物の耐久性及び熱衝撃性等をより向上させることができる。
本発明の硬化物は、本発明のポジ型感光性絶縁樹脂組成物が硬化されてなり、優れた解像性、電気絶縁性等を有する。
Since the positive type photosensitive insulating resin composition of the present invention contains a specific block copolymer, the warp of the substrate when forming the insulating film is sufficiently suppressed, and excellent resolution and electrical properties are achieved. A cured product such as an insulating film having an insulating property or the like can be formed.
Further, when the total content of the structural unit (a1) and the structural unit (a2) is 100 mol%, when the content ratio of the structural unit (a1) is 20 to 90 mol%, excellent alkali developability is obtained. As a result, the stress of the obtained insulating film can be sufficiently reduced.
Furthermore, when the weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography of the block copolymer (A) is 3,000 to 30,000, the resolution, thermal shock resistance, and heat resistance of the insulating film And the remaining film rate can be further improved.
When the crosslinking agent (B) is at least one of a compound having two or more alkyl etherified amino groups and an oxirane ring-containing compound in the molecule, excellent alkali developability is obtained. Thus, the stress of the obtained insulating film can be sufficiently reduced.
Furthermore, when the adhesion assistant (E) is contained, the adhesion between the substrate and a cured product such as an insulating film can be further improved.
Moreover, when a crosslinked fine particle (F) is contained, durability, thermal shock property, etc. of hardened | cured material can be improved more.
The cured product of the present invention is obtained by curing the positive photosensitive insulating resin composition of the present invention, and has excellent resolution, electrical insulation and the like.
以下、本発明を詳しく説明する。尚、本明細書において、「(メタ)アクリル」は、「アクリル」又は「メタクリル」を意味する。また、「(メタ)アクリレート」は、「アクリレート」又は「メタクリレート」を意味する。 The present invention will be described in detail below. In the present specification, “(meth) acryl” means “acryl” or “methacryl”. “(Meth) acrylate” means “acrylate” or “methacrylate”.
[1]ポジ型感光性絶縁樹脂組成物
本発明のポジ型感光性絶縁樹脂組成物(以下、「樹脂組成物」ということもある。)は、(A)前記式(1)により表される構造単位(a1)と、前記式(2)により表される構造単位(a2)とを有するブロック共重合体、(B)架橋剤、(C)キノンジアジド基を有する化合物、及び(D)溶剤、を含有する。
[1] Positive Photosensitive Insulating Resin Composition The positive photosensitive insulating resin composition of the present invention (hereinafter sometimes referred to as “resin composition”) is represented by (A) the above formula (1). A block copolymer having the structural unit (a1) and the structural unit (a2) represented by the formula (2), (B) a crosslinking agent, (C) a compound having a quinonediazide group, and (D) a solvent, Containing.
(A)ブロック共重合体
本発明における「ブロック共重合体(A)」は、アルカリ可溶性樹脂であり、前記式(1)で表される構造単位(a1)と、前記式(2)で表される構造単位(a2)とを有する。構造単位(a1)は、ヒドロキシスチレン単位又はヒドロキシスチレンアルキル誘導体単位(但し、アルキル基はメチル基、エチル基、プロピル基又はブチル基であり、プロピル基及びブチル基である場合、直鎖状でもよく、分岐していてもよい。)であり、構造単位(a2)は、アルキルビニルエーテル単位(但し、アルキル基はメチル基、エチル基、プロピル基又はブチル基であり、プロピル基及びブチル基である場合、直鎖状でもよく、分岐していてもよい。)である。
(A) Block copolymer The “block copolymer (A)” in the present invention is an alkali-soluble resin, represented by the structural unit (a1) represented by the formula (1) and the formula (2). Structural unit (a2). The structural unit (a1) is a hydroxystyrene unit or a hydroxystyrene alkyl derivative unit (provided that the alkyl group is a methyl group, an ethyl group, a propyl group, or a butyl group, and may be linear when it is a propyl group and a butyl group). And the structural unit (a2) is an alkyl vinyl ether unit (provided that the alkyl group is a methyl group, an ethyl group, a propyl group, or a butyl group, and is a propyl group or a butyl group). May be linear or branched.).
ブロック共重合体(A)は、AB型、即ち、構造単位(a1)からなるブロック及び構造単位(a2)からなるブロックのうちのいずれか一方のブロックの片末端に、他方のブロックが結合されたブロック共重合体でもよく、ABA型、即ち、構造単位(a1)からなるブロック及び構造単位(a2)からなるブロックのうちのいずれか一方のブロックの両末端に、他方のブロックが結合されたブロック共重合体でもよい。これらのうちでは、より解像度に優れるため、AB型ブロック共重合体が好ましい。尚、ブロック共重合体(A)は、通常、構造単位(a1)からなるブロックと、構造単位(a2)からなるブロックとが結合したAB型ブロック共重合体である。 The block copolymer (A) is AB type, that is, the other block is bonded to one end of one of the block consisting of the structural unit (a1) and the block consisting of the structural unit (a2). A block copolymer may be used, and the other block is bonded to both ends of either one of the ABA type, that is, the block composed of the structural unit (a1) and the block composed of the structural unit (a2). A block copolymer may be used. Of these, AB type block copolymers are preferred because of their higher resolution. The block copolymer (A) is usually an AB type block copolymer in which a block composed of the structural unit (a1) and a block composed of the structural unit (a2) are combined.
構造単位(a1)の形成に用いる単量体としては、4−ヒドロキシスチレン、4−ヒドロキシ−α−メチルスチレン等が挙げられる。
また、構造単位(a2)の形成に用いる単量体としては、Rx 2Si(ORy)2を用いることができる。ここで、Rxはメチル基、エチル基、プロピル基又はブチル基であり、2個のRxは同じ基であってもよく、異なっていてもよい。また、プロピル基及びブチル基である場合、直鎖状でもよく、分岐していてもよい。また、このRxは、重合後、構造単位(a2)が有するR2及びR3となるアルキル基である。更に、Ryもメチル基、エチル基、プロピル基又はブチル基であり、2個のRxは同じ基であってもよく、異なっていてもよい。また、プロピル基及びブチル基である場合、直鎖状でもよく、分岐していてもよい。前記Rx 2Si(ORy)2で表される単量体としては、例えば、ジメチルジメトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジプロピルジメトキシシラン等が挙げられる。
Examples of the monomer used for forming the structural unit (a1) include 4-hydroxystyrene and 4-hydroxy-α-methylstyrene.
In addition, R x 2 Si (OR y ) 2 can be used as a monomer used for forming the structural unit (a2). Here, R x is a methyl group, an ethyl group, a propyl group, or a butyl group, and the two R x s may be the same group or different. Moreover, when it is a propyl group and a butyl group, it may be linear and may be branched. Further, R x is an alkyl group that becomes R 2 and R 3 of the structural unit (a2) after polymerization. Furthermore, R y is also a methyl group, an ethyl group, a propyl group or a butyl group, and the two R x s may be the same group or different. Moreover, when it is a propyl group and a butyl group, it may be linear and may be branched. Examples of the monomer represented by R x 2 Si (OR y ) 2 include dimethyldimethoxysilane, diethyldimethoxysilane, and dipropyldimethoxysilane.
ブロック共重合体(A)を構成する構造単位(a1)と構造単位(a2)との含有割合は特に限定されないが、構造単位(a1)と構造単位(a2)との合計を100モル%とした場合に、構造単位(a1)が20〜90モル%であることが好ましく、40〜80モル%であることがより好ましい。また、構造単位(a2)も10〜80モル%であることが好ましく、20〜60モル%であることがより好ましい。 The content ratio of the structural unit (a1) and the structural unit (a2) constituting the block copolymer (A) is not particularly limited, but the total of the structural unit (a1) and the structural unit (a2) is 100 mol%. In this case, the structural unit (a1) is preferably 20 to 90 mol%, more preferably 40 to 80 mol%. Further, the structural unit (a2) is also preferably 10 to 80 mol%, and more preferably 20 to 60 mol%.
更に、ブロック共重合体(A)のゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定した重量平均分子量は特に限定されないが、絶縁膜の解像性、熱衝撃性、耐熱性及び残膜率等の観点から、3,000以上であることが好ましく、3,000〜30,000であることがより好ましい。 Furthermore, the weight average molecular weight measured by gel permeation chromatography of the block copolymer (A) is not particularly limited, but from the viewpoints of resolution, thermal shock, heat resistance, and remaining film ratio of the insulating film, 3 3,000 or more, more preferably 3,000 to 30,000.
また、ポジ型感光性絶縁樹脂組成物に含有されるブロック共重合体(A)の含有割合は特に限定されないが、溶剤(D)を除く他の成分の合計量を100質量%とした場合に、30〜90質量%であることが好ましく、40〜80質量%であることがより好ましい。このブロック共重合体(A)の含有割合が30〜90質量%であれば、ポジ型感光性絶縁樹脂組成物を用いて形成された絶縁膜がアルカリ水溶液による十分な現像性を有しているため好ましい。 In addition, the content of the block copolymer (A) contained in the positive photosensitive insulating resin composition is not particularly limited, but when the total amount of other components excluding the solvent (D) is 100% by mass. 30 to 90% by mass, and more preferably 40 to 80% by mass. When the content of the block copolymer (A) is 30 to 90% by mass, the insulating film formed using the positive photosensitive insulating resin composition has sufficient developability with an alkaline aqueous solution. Therefore, it is preferable.
更に、樹脂組成物にはフェノール性低分子化合物が配合されていてもよい。このフェノール性低分子化合物としては、例えば、4,4’−ジヒドロキシジフェニルメタン、4,4’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエタン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、1,3−ビス[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]ベンゼン、1,4−ビス[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]ベンゼン、4,6−ビス[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]−1,3−ジヒドロキシベンゼン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−[4−〔1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル〕フェニル]エタン、1,1,2,2−テトラ(4−ヒドロキシフェニル)エタン等が挙げられる。これらのフェノール性低分子化合物は、1種のみ用いてもよく、2種以上を併用してもよい。 Furthermore, a phenolic low molecular weight compound may be blended in the resin composition. As this phenolic low molecular weight compound, for example, 4,4′-dihydroxydiphenylmethane, 4,4′-dihydroxydiphenyl ether, tris (4-hydroxyphenyl) methane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -1- Phenylethane, tris (4-hydroxyphenyl) ethane, 1,3-bis [1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl] benzene, 1,4-bis [1- (4-hydroxyphenyl) -1 -Methylethyl] benzene, 4,6-bis [1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl] -1,3-dihydroxybenzene, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -1- [4 -[1- (4-Hydroxyphenyl) -1-methylethyl] phenyl] ethane, 1,1,2,2-tetra (4-hydro Shifeniru) ethane and the like. These phenolic low molecular weight compounds may be used alone or in combination of two or more.
フェノール性低分子化合物の配合量は、ブロック共重合体(A)を100質量部とした場合に、40質量部以下であることが好ましく、1〜30質量部であることがより好ましい。 The compounding amount of the phenolic low molecular compound is preferably 40 parts by mass or less, and more preferably 1 to 30 parts by mass, when the block copolymer (A) is 100 parts by mass.
ブロック共重合体(A)は、上記構造単位(a2)の構造を有する高分子ラジカル重合開始剤を用いた、ラジカル重合法により製造することができる。市販されている高分子ラジカル重合開始剤としては、例えば、和光純薬社製の商品名「VPS−1001」等を挙げることができる。 The block copolymer (A) can be produced by a radical polymerization method using a polymer radical polymerization initiator having the structure of the structural unit (a2). Examples of commercially available polymer radical polymerization initiators include trade name “VPS-1001” manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.
重合溶媒としては、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等のアミド系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒、γ−ブチロラクトン、乳酸エチル等のエステル系溶媒、シクロヘキシルベンゾフェノン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒などを用いることができる。
また、ラジカル重合開始剤の使用量は、導入する構造単位(a2)の割合により適宜決定することができる。反応温度は、末端が保護されたリビンググループが解裂されるのに必要なエネルギーによって決定され、例えば、60〜200℃とすることができる。
Polymerization solvents include amide solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone, hydrocarbon solvents such as benzene, toluene, xylene, hexane and cyclohexane, ester solvents such as γ-butyrolactone and ethyl lactate, cyclohexyl Ketone solvents such as benzophenone and cyclohexanone can be used.
Moreover, the usage-amount of a radical polymerization initiator can be suitably determined with the ratio of the structural unit (a2) to introduce | transduce. The reaction temperature is determined by the energy required to cleave the end-protected living group and can be, for example, 60-200 ° C.
(B)架橋剤
架橋剤(B)は、ブロック共重合体(A)と反応する架橋成分(硬化成分)として作用するものであればよく、特に限定されない。この架橋剤(B)としては、例えば、分子中に2個以上のアルキルエーテル化されたアミノ基を有する化合物(以下、「アミノ基含有化合物」という。)、オキシラン環含有化合物、オキセタニル基含有化合物、イソシアネート基含有化合物(ブロック化されたものを含む。)、アルデヒド基含有フェノール化合物、メチロール基含有フェノール化合物等が挙げられ、特にo−ヒドロキシベンズアルデヒド、2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾール、ヘキサメトキシメチルメラミン等が好ましい。これらの架橋剤(B)は、1種のみ用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
(B) Crosslinking agent The crosslinking agent (B) is not particularly limited as long as it acts as a crosslinking component (curing component) that reacts with the block copolymer (A). Examples of the crosslinking agent (B) include a compound having two or more alkyl etherified amino groups in the molecule (hereinafter referred to as “amino group-containing compound”), an oxirane ring-containing compound, and an oxetanyl group-containing compound. , Isocyanate group-containing compounds (including blocked ones), aldehyde group-containing phenol compounds, methylol group-containing phenol compounds, etc., especially o-hydroxybenzaldehyde, 2,6-bis (hydroxymethyl) -p- Cresol and hexamethoxymethylmelamine are preferred. These crosslinking agents (B) may be used alone or in combination of two or more.
アミノ基含有化合物は特に限定されないが、例えば、(ポリ)メチロール化メラミン、(ポリ)メチロール化グリコールウリル、(ポリ)メチロール化ベンゾグアナミン、(ポリ)メチロール化ウレア等の窒素化合物中の活性メチロール基(CH2OH基)の全部又は一部(少なくとも2個)がアルキルエーテル化された化合物が挙げられる。ここで、アルキルエーテルを構成するアルキル基としては、メチル基、エチル基又はブチル基が挙げられ、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。また、アルキルエーテル化されていないメチロール基は、一分子内で自己縮合していてもよく、二分子間で縮合して、その結果、オリゴマー成分が形成されていてもよい。具体的には、ヘキサメトキシメチルメラミン、ヘキサブトキシメチルメラミン、テトラメトキシメチルグリコールウリル、テトラブトキシメチルグリコールウリル等を用いることができる。 The amino group-containing compound is not particularly limited. For example, an active methylol group in a nitrogen compound such as (poly) methylolated melamine, (poly) methylolated glycoluril, (poly) methylolated benzoguanamine, (poly) methylolated urea ( And a compound in which all or a part of (CH 2 OH group) or at least two (CH 2 OH groups) is alkyl etherified. Here, examples of the alkyl group constituting the alkyl ether include a methyl group, an ethyl group, and a butyl group, which may be the same as or different from each other. In addition, the methylol group that is not alkyletherified may be self-condensed within one molecule, or may be condensed between two molecules, and as a result, an oligomer component may be formed. Specifically, hexamethoxymethyl melamine, hexabutoxymethyl melamine, tetramethoxymethyl glycoluril, tetrabutoxymethyl glycoluril and the like can be used.
オキシラン環含有化合物としては、分子内にオキシラン環が含有されていればよく、特に限定されないが、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、テトラフェノール型エポキシ樹脂、フェノール−キシリレン型エポキシ樹脂、ナフトール−キシリレン型エポキシ樹脂、フェノール−ナフトール型エポキシ樹脂、フェノール−ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂等が挙げられる。 The oxirane ring-containing compound is not particularly limited as long as it contains an oxirane ring in the molecule. For example, a phenol novolac epoxy resin, a cresol novolac epoxy resin, a bisphenol epoxy resin, a trisphenol epoxy resin, Tetraphenol type epoxy resin, phenol-xylylene type epoxy resin, naphthol-xylylene type epoxy resin, phenol-naphthol type epoxy resin, phenol-dicyclopentadiene type epoxy resin, alicyclic epoxy resin, aliphatic epoxy resin, etc. .
架橋剤(B)としては、アミノ基含有化合物、オキシラン環含有化合物が好ましく、アミノ基含有化合物とオキシラン環含有化合物とを併用することもできる。また、併用する場合、合計を100質量%としたときに、オキシラン環含有化合物が50質量%以下であることが好ましく、5〜40質量%であることがより好ましい。このような質量割合で併用した場合、高解像性を損なうことなく、且つ耐薬品性に優れた硬化膜を形成することができるため好ましい。 As the crosslinking agent (B), an amino group-containing compound and an oxirane ring-containing compound are preferable, and an amino group-containing compound and an oxirane ring-containing compound can be used in combination. Moreover, when using together, when a sum total is 100 mass%, it is preferable that an oxirane ring containing compound is 50 mass% or less, and it is more preferable that it is 5-40 mass%. The combined use at such a mass ratio is preferable because a cured film excellent in chemical resistance can be formed without impairing high resolution.
架橋剤(B)の含有量は、ブロック共重合体(A)を100質量部とした場合に、1〜100質量部であることが好ましく、5〜50質量部であることがより好ましい。この架橋剤(B)の含有量が1〜100質量部であれば、硬化反応が十分に進行し、形成される絶縁膜は高解像度で良好なパターン形状を有し、且つ耐熱性、電気絶縁性等に優れるため好ましい。 The content of the crosslinking agent (B) is preferably 1 to 100 parts by mass and more preferably 5 to 50 parts by mass when the block copolymer (A) is 100 parts by mass. When the content of the crosslinking agent (B) is 1 to 100 parts by mass, the curing reaction proceeds sufficiently, the formed insulating film has a high resolution and a good pattern shape, and has heat resistance and electrical insulation. It is preferable because of its excellent properties.
(C)キノンジアジド基含有化合物
キノンジアジド基含有化合物(C)とは、フェノール性水酸基を少なくとも1個有する化合物と、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸又は1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸とのエステル化合物である。
フェノール性水酸基を少なくとも1個有する化合物は特に限定されないが、下記式(3)〜式(7)に記載の構造を有する化合物であることが好ましい。
(C) Quinonediazide group-containing compound The quinonediazide group-containing compound (C) is a compound having at least one phenolic hydroxyl group and 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid or 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfone. It is an ester compound with an acid.
The compound having at least one phenolic hydroxyl group is not particularly limited, but is preferably a compound having a structure described in the following formulas (3) to (7).
キノンジアジド基含有化合物(C)の具体例としては、例えば、4,4’−ジヒドロキシジフェニルメタン、4,4’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,2’,4’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエタン、1,3−ビス[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]ベンゼン、1,4−ビス[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]ベンゼン、4,6−ビス[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]−1,3−ジヒドロキシベンゼン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−[4−〔1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル〕フェニル]エタン等と、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸又は1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸とのエステル化合物などが挙げられる。これらのキノンジアジド基含有化合物(C)は、1種のみ用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
Specific examples of the quinonediazide group-containing compound (C) include, for example, 4,4′-dihydroxydiphenylmethane, 4,4′-dihydroxydiphenyl ether, 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,3,4,4′- Tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,2 ′, 4′-pentahydroxybenzophenone, tris (4-hydroxyphenyl) methane, tris (4-hydroxyphenyl) ethane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl)- 1-phenylethane, 1,3-bis [1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl] benzene, 1,4-bis [1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl] benzene, 4 , 6-Bis [1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl] -1,3-
キノンジアジド基含有化合物(C)の含有量は特に限定されないが、ブロック共重合体(A)を100質量部とした場合に、10〜50質量部であることが好ましく、15〜30質量部であることがより好ましい。このキノンジアジド基含有化合物(C)の含有量が10質量部未満であると、未露光部の残膜率が低下したり、マスクパターンに忠実な像が形成されなかったりすることがある。一方、この含有量が50質量部を越えると、パターン形状が劣化したり、硬化時に発泡してしまったりすることがある。 Although content of a quinonediazide group containing compound (C) is not specifically limited, When a block copolymer (A) is 100 mass parts, it is preferable that it is 10-50 mass parts, and is 15-30 mass parts. It is more preferable. When the content of the quinonediazide group-containing compound (C) is less than 10 parts by mass, the remaining film ratio in the unexposed area may be reduced, or an image faithful to the mask pattern may not be formed. On the other hand, if the content exceeds 50 parts by mass, the pattern shape may be deteriorated or foamed during curing.
(D)溶剤
ポジ型感光性絶縁樹脂組成物に溶剤(D)を含有させることにより、樹脂組成物の取り扱い性を向上させたり、粘度及び保存安定性を調節したりすることができる。この溶剤(D)は特に限定されないが、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類;プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジプロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル等のプロピレングリコールジアルキルエーテル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ等のセロソルブ類;ブチルカルビトール等のカルビトール類;乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n−プロピル、乳酸イソプロピル等の乳酸エステル類;酢酸エチル、酢酸n−プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸n−ブチル、酢酸イソブチル、酢酸n−アミル、酢酸イソアミル、プロピオン酸イソプロピル、プロピオン酸n−ブチル、プロピオン酸イソブチル等の脂肪族カルボン酸エステル類;3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル等の他のエステル類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン類;N−ジメチルホルムアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等のアミド類;γ−ブチロラクン等のラクトン類などが挙げられる。これらの溶剤は1種のみ用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
(D) Solvent By containing the solvent (D) in the positive photosensitive insulating resin composition, the handleability of the resin composition can be improved, and the viscosity and storage stability can be adjusted. The solvent (D) is not particularly limited, and examples thereof include ethylene glycol monoalkyl ether acetates such as ethylene glycol monomethyl ether acetate and ethylene glycol monoethyl ether acetate; propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl Propylene glycol monoalkyl ethers such as ether and propylene glycol monobutyl ether; Propylene glycol dialkyl ethers such as propylene glycol dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether, propylene glycol dipropyl ether and propylene glycol dibutyl ether; Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol Propylene glycol monoalkyl ether acetates such as rumonoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate; cellosolves such as ethyl cellosolve and butyl cellosolve; carbitols such as butyl carbitol; methyl lactate, ethyl lactate Lactic acid esters such as ethyl acetate, n-propyl lactate, isopropyl lactate; ethyl acetate, n-propyl acetate, isopropyl acetate, n-butyl acetate, isobutyl acetate, n-amyl acetate, isoamyl acetate, isopropyl propionate, n-butyl propionate Aliphatic carboxylic acid esters such as isobutyl propionate; methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, and 3-ethoxypropionate , Other esters such as ethyl 3-ethoxypropionate, methyl pyruvate and ethyl pyruvate; aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; ketones such as 2-heptanone, 3-heptanone, 4-heptanone and cyclohexanone Amides such as N-dimethylformamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone; lactones such as γ-butyrolacun. These solvents may be used alone or in combination of two or more.
(E)密着助剤
本発明のポジ型感光性絶縁樹脂組成物には、基材との密着性を向上させるため、密着助剤(E)を更に含有させることができる。この密着助剤(E)としては、例えば、カルボキシル基、メタクリロイル基、イソシアネート基、エポキシ基等の反応性置換基を有する官能性シランカップリング剤等が挙げられる。具体的には、トリメトキシシリル安息香酸、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−イソシアナートプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、1,3,5−N−トリス(トリメトキシシリルプロピル)イソシアヌレート等が挙げられる。これらの密着助剤は1種のみ用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
(E) Adhesion aid The positive photosensitive insulating resin composition of the present invention may further contain an adhesion aid (E) in order to improve the adhesion to the substrate. Examples of the adhesion assistant (E) include a functional silane coupling agent having a reactive substituent such as a carboxyl group, a methacryloyl group, an isocyanate group, and an epoxy group. Specifically, trimethoxysilylbenzoic acid, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, γ-isocyanatopropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, β -(3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 1,3,5-N-tris (trimethoxysilylpropyl) isocyanurate and the like. These adhesion assistants may be used alone or in combination of two or more.
密着助剤(E)の含有量は特に限定されないが、ブロック共重合体(A)を100質量部とした場合に、0.2〜10質量部であることが好ましく、0.5〜8質量部であることがより好ましい。密着助剤(E)の含有量が0.2〜10質量部であれば、貯蔵安定性に優れ、且つ良好な密着性を有する樹脂組成物とすることができるため好ましい。 The content of the adhesion aid (E) is not particularly limited, but when the block copolymer (A) is 100 parts by mass, it is preferably 0.2 to 10 parts by mass, and 0.5 to 8 parts by mass. More preferably, it is a part. If the content of the adhesion assistant (E) is 0.2 to 10 parts by mass, it is preferable because the resin composition has excellent storage stability and good adhesion.
(F)架橋微粒子
本発明のポジ型感光性絶縁樹脂組成物には、更に架橋微粒子(F)を含有させることもできる。この架橋微粒子(F)は、通常、ヒドロキシル基及び/又はカルボキシル基を有する単量体と、不飽和重合性基を2個以上有する架橋性単量体(以下、単に「架橋性単量体」という。)との共重合体の架橋微粒子が用いられる。また、更に他の単量体が共重合された共重合体の架橋微粒子を用いることもできる。
(F) Crosslinked fine particles The positive photosensitive insulating resin composition of the present invention may further contain crosslinked fine particles (F). The crosslinked fine particles (F) are usually composed of a monomer having a hydroxyl group and / or a carboxyl group and a crosslinkable monomer having two or more unsaturated polymerizable groups (hereinafter simply referred to as “crosslinkable monomer”). And crosslinked fine particles of the copolymer. In addition, crosslinked fine particles of a copolymer obtained by copolymerizing another monomer can also be used.
ヒドロキシル基及び/又はカルボキシル基を有する単量体としては、例えば、ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート等のヒドロキシル基含有不飽和化合物、(メタ)アクリル酸、イタコン酸、コハク酸−β−(メタ)アクリロキシエチル、マレイン酸−β−(メタ)アクリロキシエチル、フタル酸−β−(メタ)アクリロキシエチル、ヘキサヒドロフタル酸−β−(メタ)アクリロキシエチル等の不飽和酸化合物などが挙げられる。これらのヒドロキシル基及び/又はカルボキシル基を有する単量体は、1種のみ用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。 Examples of the monomer having a hydroxyl group and / or a carboxyl group include hydroxyl group-containing unsaturated compounds such as hydroxyethyl (meth) acrylate, hydroxypropyl (meth) acrylate, hydroxybutyl (meth) acrylate, and (meth) acrylic. Acid, itaconic acid, succinic acid-β- (meth) acryloxyethyl, maleic acid-β- (meth) acryloxyethyl, phthalic acid-β- (meth) acryloxyethyl, hexahydrophthalic acid-β- (meta ) Unsaturated acid compounds such as acryloxyethyl. These monomers having a hydroxyl group and / or a carboxyl group may be used alone or in combination of two or more.
架橋微粒子(F)におけるヒドロキシル基及び/又はカルボキシル基を有する単量体に由来する構造単位の割合は、架橋微粒子(F)における単量体由来の全構造単位を100モル%とした場合に、JIS K 0070により測定した酸価、水酸基価より算出した値で20〜90モル%、好ましくは20〜70モル%、より好ましくは20〜50モル%である。このヒドロキシル基及び/又はカルボキシル基を有する単量体に由来する構造単位の割合が20モル%未満であると、アルカリ現像液に対する分散性が不十分となり、パターニング性能が低下することがある。一方、この割合が90モル%を越えると、硬化膜に亀裂が発生したり、伸びが低下したりすることがある。 The ratio of the structural unit derived from the monomer having a hydroxyl group and / or carboxyl group in the crosslinked fine particles (F) is, when the total structural unit derived from the monomer in the crosslinked fine particles (F) is 100 mol%, It is 20 to 90 mol%, preferably 20 to 70 mol%, more preferably 20 to 50 mol%, as calculated from the acid value and hydroxyl value measured according to JIS K 0070. When the proportion of the structural unit derived from the monomer having a hydroxyl group and / or a carboxyl group is less than 20 mol%, dispersibility in an alkali developer may be insufficient, and patterning performance may be deteriorated. On the other hand, when this ratio exceeds 90 mol%, cracks may occur in the cured film or elongation may decrease.
また、架橋性単量体としては、例えば、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート等の複数の重合性不飽和基を有する化合物が挙げられ、ジビニルベンゼンが好ましい。これらの架橋性単量体は、1種のみ用いてもよく、2種以上を併用してもよい。 Examples of the crosslinkable monomer include divinylbenzene, diallyl phthalate, ethylene glycol di (meth) acrylate, propylene glycol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, and pentaerythritol tri (meth) acrylate. And compounds having a plurality of polymerizable unsaturated groups such as polyethylene glycol di (meth) acrylate and polypropylene glycol di (meth) acrylate, and divinylbenzene is preferred. These crosslinking monomers may be used alone or in combination of two or more.
架橋微粒子(F)における架橋性単量体に由来する構造単位の割合は、架橋微粒子(F)における単量体由来の全構造単位を100モル%とした場合に、1〜20モル%であることが好ましく、1〜10モル%であることがより好ましい。この架橋性単量体に由来する構造単位の割合が1〜20モル%であれば、形状が安定した微粒子とすることができるため好ましい。 The proportion of the structural unit derived from the crosslinkable monomer in the crosslinked fine particles (F) is 1 to 20 mol% when the total structural unit derived from the monomer in the crosslinked fine particles (F) is 100 mol%. It is preferably 1 to 10% by mole. If the ratio of the structural unit derived from this crosslinkable monomer is 1 to 20 mol%, it is preferable because it can be a fine particle having a stable shape.
更に、他の単量体としては、例えば、ブタジエン、イソプレン、ジメチルブタジエン、クロロプレン、1,3−ペンタジエン等のジエン化合物;(メタ)アクリロニトリル、α−クロロアクリロニトリル、α−クロロメチルアクリロニトリル、α−メトキシアクリロニトリル、α−エトキシアクリロニトリル、クロトン酸ニトリル、ケイ皮酸ニトリル、イタコン酸ジニトリル、マレイン酸ジニトリル、フマル酸ジニトリル等の不飽和ニトリル化合物類;(メタ)アクリルアミド、ジメチル(メタ)アクリルアミド、N,N’−メチレンビス(メタ)アクリルアミド、N,N’−エチレンビス(メタ)アクリルアミド、N,N’−ヘキサメチレンビス(メタ)アクリルアミド、N−ヒドロキシメチル(メタ)アクリルアミド、N−(2−ヒドロキシエチル)(メタ)アクリルアミド、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)(メタ)アクリルアミド、クロトン酸アミド、ケイ皮酸アミド等の不飽和アミド類;(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸プロピル、(メタ)アクリル酸ブチル、(メタ)アクリル酸ヘキシル、(メタ)アクリル酸ラウリル、ポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート等の(メタ)アクリル酸エステル類、スチレン、α−メチルスチレン、o−メトキシスチレン、p−ヒドロキシスチレン、p−イソプロペニルフェノール等の芳香族ビニル類、ビスフェノールAのジグリシジルエーテル、グリコールのジグリシジルエーテル等と、(メタ)アクリル酸、ヒドロキシアルキル(メタ)アクリレート等との反応によって生成するエポキシ(メタ)アクリレート類;ヒドロキシアルキル(メタ)アクリレートとポリイソシアナートとの反応によって生成するウレタン(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート、(メタ)アリルグリシジルエーテル等のエポキシ基含有不飽和化合物;ジメチルアミノ(メタ)アクリレート、ジエチルアミノ(メタ)アクリレート等のアミノ基含有不飽和化合物等が挙げられる。これらの他の単量体のうちでは、ジエン化合物、スチレン、アクリロニトリルが好ましく、特にブタジエンがより好ましい。これらの他の単量体は1種のみ用いてもよく、2種以上を併用してもよい。 Furthermore, as other monomers, for example, diene compounds such as butadiene, isoprene, dimethylbutadiene, chloroprene, 1,3-pentadiene; (meth) acrylonitrile, α-chloroacrylonitrile, α-chloromethylacrylonitrile, α-methoxy Unsaturated nitrile compounds such as acrylonitrile, α-ethoxyacrylonitrile, crotonic acid nitrile, cinnamic acid nitrile, itaconic acid dinitrile, maleic acid dinitrile, and fumaric acid dinitrile; (meth) acrylamide, dimethyl (meth) acrylamide, N, N ′ -Methylenebis (meth) acrylamide, N, N'-ethylenebis (meth) acrylamide, N, N'-hexamethylenebis (meth) acrylamide, N-hydroxymethyl (meth) acrylamide, N- (2-hydroxy Unsaturated amides such as ethyl) (meth) acrylamide, N, N-bis (2-hydroxyethyl) (meth) acrylamide, crotonic acid amide, cinnamic acid amide; methyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid (Meth) acrylic acid such as ethyl, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, polyethylene glycol (meth) acrylate, polypropylene glycol (meth) acrylate Esters, styrene, α-methylstyrene, o-methoxystyrene, p-hydroxystyrene, p-isopropenylphenol and other aromatic vinyls, bisphenol A diglycidyl ether, glycol diglycidyl ether and the like (meth) Acrylic acid, hydroxyalkyl Epoxy (meth) acrylates produced by reaction with (meth) acrylate, etc .; Urethane (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, (meth) allyl produced by reaction of hydroxyalkyl (meth) acrylate and polyisocyanate Examples thereof include epoxy group-containing unsaturated compounds such as glycidyl ether; amino group-containing unsaturated compounds such as dimethylamino (meth) acrylate and diethylamino (meth) acrylate. Of these other monomers, diene compounds, styrene, and acrylonitrile are preferable, and butadiene is particularly preferable. These other monomers may be used alone or in combination of two or more.
架橋微粒子(F)における他の単量体に由来する構造単位の割合は、架橋微粒子(F)における単量体由来の全構造単位を100モル%とした場合に、10〜80モル%であることが好ましく、30〜80モル%であることがより好ましく、50〜80モル%であることが更に好ましい。この他の単量体に由来する構造単位の割合が10モル%未満であると、伸びが低下することがある。一方、この割合が80モル%を越えると、アルカリ現像液に対する分散性が不十分になり、パターニング性能が低下することがある。
これらの架橋微粒子(F)は1種のみ用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
The proportion of structural units derived from other monomers in the crosslinked fine particles (F) is 10 to 80 mol% when the total structural units derived from monomers in the crosslinked fine particles (F) are 100 mol%. It is preferable that it is 30-80 mol%, and it is still more preferable that it is 50-80 mol%. If the proportion of structural units derived from these other monomers is less than 10 mol%, the elongation may decrease. On the other hand, when this ratio exceeds 80 mol%, the dispersibility with respect to the alkaline developer becomes insufficient, and the patterning performance may be deteriorated.
These crosslinked fine particles (F) may be used alone or in combination of two or more.
また、架橋微粒子(F)を構成している共重合体のガラス転移温度(Tg)は、20℃以下であることが好ましく、10℃以下であることがより好ましく、0℃以下であることが更に好ましい(尚、下限は、通常、−70℃である。)。この架橋微粒子(F)のTgが20℃を越えると、絶縁膜等の硬化物に亀裂が発生したり、伸びが低下したりすることがある。 The glass transition temperature (Tg) of the copolymer constituting the crosslinked fine particles (F) is preferably 20 ° C. or less, more preferably 10 ° C. or less, and preferably 0 ° C. or less. Further preferred (note that the lower limit is usually -70 ° C). When the Tg of the crosslinked fine particles (F) exceeds 20 ° C., cracks may occur in the cured product such as an insulating film, and elongation may decrease.
架橋微粒子(F)は共重合体の微粒子であり、この架橋微粒子(F)の平均粒径は特に限定されないが、30〜500nmであることが好ましく、40〜200nmであることがより好ましく、50〜120nmであることが更に好ましい。架橋微粒子(F)の粒径を制御する方法は特に限定されないが、例えば、乳化重合により架橋微粒子を作製する場合は、用いる乳化剤の量により乳化重合中のミセル数を調整することにより、粒径を制御することができる。
尚、架橋微粒子(F)の平均粒径は、光散乱流動分布測定装置(大塚電子社製、型式「LPA−3000」)を使用し、架橋微粒子(F)の分散液を常法に従って希釈して測定した値である。
The crosslinked fine particles (F) are copolymer fine particles, and the average particle diameter of the crosslinked fine particles (F) is not particularly limited, but is preferably 30 to 500 nm, more preferably 40 to 200 nm, and 50 More preferably, it is -120 nm. The method for controlling the particle size of the crosslinked fine particles (F) is not particularly limited. For example, when preparing the crosslinked fine particles by emulsion polymerization, the particle size can be adjusted by adjusting the number of micelles during emulsion polymerization according to the amount of the emulsifier used. Can be controlled.
The average particle diameter of the crosslinked fine particles (F) is obtained by diluting the dispersion of the crosslinked fine particles (F) according to a conventional method using a light scattering flow distribution measuring device (model “LPA-3000” manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd.). Measured value.
架橋微粒子(F)の含有量は、ブロック共重合体(A)を100質量部とした場合に、1〜200質量部であることが好ましく、1〜150質量部であることがより好ましくは1〜100質量部であることが更に好ましい。この架橋微粒子(F)の含有量が1質量部未満であると、形成される絶縁膜等に亀裂が発生したり、伸びが低下したりすることがある。一方、含有量が200質量部を越えると、現像時に架橋微粒子(F)の残渣が発生し、パターニング性能が低下することがある。 The content of the crosslinked fine particles (F) is preferably 1 to 200 parts by mass, more preferably 1 to 150 parts by mass, when the block copolymer (A) is 100 parts by mass. More preferably, it is -100 mass parts. When the content of the crosslinked fine particles (F) is less than 1 part by mass, the formed insulating film or the like may be cracked or the elongation may be reduced. On the other hand, if the content exceeds 200 parts by mass, a residue of crosslinked fine particles (F) is generated during development, and the patterning performance may be deteriorated.
その他の添加剤
本発明のポジ型感光性絶縁樹脂組成物には、必要に応じて、他の添加剤を、本発明の特性を損なわない程度に添加することができる。このような他の添加剤としては、熱感応性酸発生剤、増感剤、レベリング剤・界面活性剤等が挙げられる。
Other Additives Other additives can be added to the positive photosensitive insulating resin composition of the present invention as needed so as not to impair the characteristics of the present invention. Examples of such other additives include heat-sensitive acid generators, sensitizers, leveling agents and surfactants.
熱感応性酸発生剤は、加熱処理により酸を発生する化合物であればよく、特に限定されない。この発生した酸の触媒作用により、ブロック共重合体(A)と、架橋剤(B)中のアルキルエーテル基等の官能基との反応が促進される。この熱感応性酸発生剤としては、例えば、オニウム塩化合物等が挙げられる。 The heat-sensitive acid generator is not particularly limited as long as it is a compound that generates an acid by heat treatment. The catalytic action of the generated acid promotes the reaction between the block copolymer (A) and a functional group such as an alkyl ether group in the crosslinking agent (B). Examples of the heat-sensitive acid generator include onium salt compounds.
レベリング剤・界面活性剤は、樹脂組成物の塗布性を向上さるため、通常、添加される。このレベリング剤・界面活性剤は特に限定されないが、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステリアルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレインエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類;ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類;ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー類;ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類;ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類などのノニオン系レベリング剤・界面活性剤が挙げられる。 The leveling agent / surfactant is usually added to improve the coating property of the resin composition. The leveling agent / surfactant is not particularly limited. For example, polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene cetyl ether, polyoxyethylene olein ether; Polyoxyethylene alkyl allyl ethers such as ethylene octylphenol ether and polyoxyethylene nonylphenol ether; polyoxyethylene polyoxypropylene block copolymers; sorbitan fatty acid esters such as sorbitan monolaurate, sorbitan monopalmitate, sorbitan monostearate; Polyoxyethylene sorbitan monolaurate, polyoxyethylene sorbitan monopalmitate, polyoxyethylene sorbita Monostearate, polyoxyethylene sorbitan trioleate, nonionic leveling agent, surfactants such as polyoxyethylene sorbitan fatty acid esters such as polyoxyethylene sorbitan tristearate and the like.
また、具体的な商品としては、トーケムプロダクツ社製の商品名「エフトップEF301」、「EF303」、「EF352」、大日本インキ化学工業社製の商品名「メガファックF171」、「F172」、「F173」、住友スリーエム社製の商品名「フロラードFC430」、「FC431」、旭硝子社製の商品名「アサヒガードAG710」、「サーフロンS−381」、「S−382」、「SC101」、「SC102」、「SC103」、「SC104」、「SC105」、「SC106」、「サーフィノールE1004、「KH−10」、「KH−20」、「KH−30」、「KH−40」、ネオス社製の「フタージェント250、「251」、「222F」、「FTX−218」等のフッ素系レベリング剤・界面活性剤、信越化学工業社製の商品名「KP341」、「X−70−092」、「X−70−093」、東レ・ダウコーニング社製の商品名「SH8400」等のオルガノシロキサンポリマー系レベリング剤・界面活性剤、共栄社油脂化学工業製の商品名「ポリフローNo.75」、「No.77」、「No.90」、「No.95」等のアクリル酸系又はメタクリル酸系レベリング剤・界面活性剤などが挙げられる。
これらのレベリング剤・界面活性剤は1種のみ用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
Further, as specific products, product names “F-top EF301”, “EF303”, “EF352” manufactured by Tochem Products, Inc., and product names “Megafac F171”, “F172” manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc. , “F173”, trade names “Florard FC430” and “FC431” manufactured by Sumitomo 3M, trade names “Asahi Guard AG710”, “Surflon S-381”, “S-382”, “SC101” manufactured by Asahi Glass Co., Ltd., “SC102”, “SC103”, “SC104”, “SC105”, “SC106”, “Surfinol E1004,“ KH-10 ”,“ KH-20 ”,“ KH-30 ”,“ KH-40 ”, Neos Fluorine leveling agents / surfactants such as “Factent 250,“ 251 ”,“ 222F ”,“ FTX-218 ”, etc. Organosiloxane polymer leveling agents and surfactants such as “KP341”, “X-70-092”, “X-70-093” manufactured by Kagaku Kogyo Co., Ltd., and “SH8400” manufactured by Toray Dow Corning Acrylic or methacrylic acid leveling agents / surfactants such as “Polyflow No. 75”, “No. 77”, “No. 90”, “No. 95” manufactured by Kyoeisha Yushi Chemical Co., Ltd. Is mentioned.
These leveling agents and surfactants may be used alone or in combination of two or more.
レベリング剤・界面活性剤の添加量は、樹脂組成物を含有する溶液中、通常、50〜1000ppmであることが好ましく、100〜800ppmであることがより好ましい。50ppm未満であると、段差基板上への均一塗布性が低下し、1000ppmを越えると、現像時及び硬化後の密着性が低下することがある。 The amount of the leveling agent / surfactant added is usually preferably 50 to 1000 ppm, more preferably 100 to 800 ppm in the solution containing the resin composition. When it is less than 50 ppm, the uniform coating property on the stepped substrate is lowered, and when it exceeds 1000 ppm, the adhesion during development and after curing may be lowered.
製造方法
本発明のポジ型感光性絶縁樹脂組成物の製造方法は特に限定されず、公知の方法により製造することができる。また、各々の成分をサンプル瓶に投入し、その後、密栓し、ウェーブローター上で攪拌することによっても製造することができる。
Manufacturing method The manufacturing method of the positive photosensitive insulating resin composition of this invention is not specifically limited, It can manufacture by a well-known method. Moreover, it can manufacture also by throwing each component into a sample bottle, sealing after that, and stirring on a wave rotor.
[2]硬化物
本発明の硬化物は、ポジ型感光性絶縁樹脂組成物が硬化されてなる。
本発明のポジ型感光性絶縁樹脂組成物は、解像性、密着性、熱衝撃性、電気絶縁性、パターニング性能、及び伸び等の諸特性に優れているため、その硬化物は、回路基板(半導体素子)、半導体パッケージ等の電子部品の表面保護膜、平坦化膜、層間絶縁膜、高密度実装基板用絶縁膜材料、感光性接着剤、感圧接着剤等として好適に用いることができる。特に、硬化物を、層間絶縁膜又は平坦化膜として備える回路基板とすることができる。
[2] Cured product The cured product of the present invention is obtained by curing a positive photosensitive insulating resin composition.
Since the positive photosensitive insulating resin composition of the present invention is excellent in various properties such as resolution, adhesion, thermal shock, electrical insulation, patterning performance, and elongation, the cured product is a circuit board. (Semiconductor elements), surface protective films for electronic components such as semiconductor packages, planarizing films, interlayer insulating films, insulating film materials for high-density mounting substrates, photosensitive adhesives, pressure-sensitive adhesives, etc. . In particular, the cured product can be a circuit board provided with an interlayer insulating film or a planarizing film.
本発明の硬化物は、本発明のポジ型感光性絶縁樹脂組成物を、支持体(樹脂付き銅箔、銅張り積層板並びに金属スパッタ膜を付設したシリコンウエハー及びアルミナ基板等)に塗工し、乾燥して、溶剤等を揮散させて塗膜を形成し、その後、所望のマスクパターンを介して露光し、加熱処理(以下、この加熱処理を「PEB」という。)をし、ブロック共重合体(A)と化合物(B)との反応を促進させ、次いで、アルカリ性現像液により現像して、露光部を溶解、除去することにより、所望のパターンを形成し、その後、絶縁膜特性を発現させるために加熱処理する、ことにより形成することができる。 The cured product of the present invention is obtained by applying the positive-type photosensitive insulating resin composition of the present invention to a support (a copper wafer with resin, a copper-clad laminate, a silicon wafer provided with a metal sputtered film, an alumina substrate, or the like). , Dried, volatilized solvent, etc. to form a coating film, and then exposed through a desired mask pattern, heat-treated (hereinafter referred to as “PEB”), Accelerate the reaction between the union (A) and the compound (B), and then develop with an alkaline developer to dissolve and remove the exposed area to form a desired pattern, and then express the insulating film characteristics In order to make it heat-processed, it can form.
樹脂組成物を支持体に塗工する方法としては、例えば、ディッピング法、スプレー法、バーコート法、ロールコート法、スピンコート法、カーテンコート法等の各種の塗布方法を採用することができる。また、塗布膜の厚さは、塗布手段、樹脂組成物溶液の固形分濃度及び粘度等を調整することにより、適宜制御することができる。 As a method for applying the resin composition to the support, various coating methods such as a dipping method, a spray method, a bar coating method, a roll coating method, a spin coating method, and a curtain coating method can be employed. Further, the thickness of the coating film can be appropriately controlled by adjusting the coating means, the solid content concentration of the resin composition solution, the viscosity, and the like.
露光に用いられる放射線としては、例えば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、メタルハライドランプ、g線ステッパー、i線ステッパー等から照射される、紫外線、電子線、レーザー光線等が挙げられる。更に、露光量は、使用する光源及び樹脂膜厚等によって適宜設定することができ、例えば、高圧水銀灯から照射される紫外線の場合、塗布膜の厚さが5〜50μmである場合、1000〜20,000J/m2程度とすることができる。 Examples of radiation used for exposure include ultraviolet rays, electron beams, laser beams, and the like irradiated from a low-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, a metal halide lamp, a g-line stepper, an i-line stepper, and the like. Furthermore, the exposure amount can be appropriately set depending on the light source to be used, the resin film thickness, and the like. For example, in the case of ultraviolet rays irradiated from a high-pressure mercury lamp, when the coating film thickness is 5 to 50 μm, 1000 to 20 About 1,000 J / m 2 .
露光後、アルカリ性現像液により現像し、露光部を溶解、除去することによって所望のパターンを形成する。この現像方法としては、シャワー現像法、スプレー現像法、浸漬現像法、パドル現像法等が挙げられる。現像条件は、通常、20〜40℃で、1〜10分程度である。アルカリ性現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア水、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等のアルカリ性化合物を、1〜10質量%濃度となるように水に溶解させたアルカリ性水溶液が挙げられる。また、このアルカリ性水溶液には、例えば、メタノール、エタノール等の水溶性の有機溶剤及び界面活性剤等を適量添加することもできる。尚、アルカリ性現像液で現像した後は、水で洗浄し、乾燥させる。 After the exposure, development is performed with an alkaline developer, and a desired pattern is formed by dissolving and removing the exposed portion. Examples of the developing method include shower developing method, spray developing method, immersion developing method, paddle developing method and the like. The development conditions are usually 20 to 40 ° C. and about 1 to 10 minutes. Examples of the alkaline developer include an alkaline aqueous solution in which an alkaline compound such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, ammonia water, tetramethylammonium hydroxide, and choline is dissolved in water so as to have a concentration of 1 to 10% by mass. Can be mentioned. In addition, an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol, a surfactant, or the like can be added to the alkaline aqueous solution. In addition, after developing with an alkaline developer, it is washed with water and dried.
更に、現像後、絶縁膜としての特性を十分に発現させるため、加熱処理により十分に硬化させることができる。このような硬化条件は特に限定されないが、硬化物の用途に応じて、100〜250℃の温度で、30分〜10時間程度加熱し、硬化させることができる。また、硬化を十分に進行させたり、形成されパターン形状の変形を防止したりするため、二段階で加熱することもでき、例えば、第一段階では、50〜100℃の温度で、10分〜2時間程度加熱し、更に100〜250℃の温度で、20分〜8時間程度加熱して硬化させることもできる。このような硬化条件であれば、加熱設備として一般的なオーブン及び赤外線炉等を用いることができる。 Furthermore, after development, in order to sufficiently develop the characteristics as an insulating film, it can be sufficiently cured by heat treatment. Such curing conditions are not particularly limited, but can be cured by heating at a temperature of 100 to 250 ° C. for about 30 minutes to 10 hours depending on the use of the cured product. Moreover, in order to advance hardening fully or to prevent the deformation | transformation of a pattern shape formed, it can also heat in two steps, for example, at the temperature of 50-100 degreeC in a 1st step, 10 minutes- It can also be heated for about 2 hours and further cured at a temperature of 100 to 250 ° C. for about 20 minutes to 8 hours. Under such curing conditions, a general oven, an infrared furnace, or the like can be used as a heating facility.
本発明のポジ型感光性絶縁樹脂組成物を用いれば、図1及び図2のような、回路基板(半導体素子)等の電子部品を形成することができる。即ち、基板1上に金属パッド2をパターン状に形成し、その後、樹脂組成物を用いて硬化絶縁膜3をパターン状に形成し、次いで、金属配線4をパターン状に形成することにより、図1のような回路基板を作製することができる。また、この基板上に更に硬化絶縁膜5を形成することにより、図2のような回路基板を作製することができる。
By using the positive-type photosensitive insulating resin composition of the present invention, electronic parts such as circuit boards (semiconductor elements) as shown in FIGS. 1 and 2 can be formed. That is, the
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
[1]ブロック共重合体の製造
製造例1
窒素気流下にp−t−ブトキシスチレン50重量部を、プロピレングリコールモノメチルエーテル150質量部に溶解させ、窒素雰囲気下、反応温度を70℃に保持して、ジメチルシロキサン構造を有する高分子ラジカル重合開始剤(和光純薬社製、商品名「VPS−1001」)10重量部を用いて10時間重合させた。その後、反応溶液に硫酸を加えて反応温度を90℃に保持して10時間反応させ、p−t−ブトキシスチレンを脱保護して4−ヒドロキシスチレンに変換した。得られた共重合体に酢酸エチルを加え、水洗を5回繰り返し、酢酸エチル相を分取し、溶剤を除去して、ブロック共重合体[4−ヒドロキシスチレン/ジメチルシロキサン共重合体(以下、「共重合体(A−1)」という)]を得た。
共重合体(A−1)の組成を13C−NMRにより分析したところ、4−ヒドロキシスチレンに由来する構造単位(a1)の割合が80モル%、ジメチルシロキサンに由来する構造単位(a2)の割合が20モル%であった。また、共重合体(A−1)のポリスチレン換算の重量平均分子量は5,000であり、分子量分布は1.3であった。
Hereinafter, the present invention will be described specifically by way of examples.
[1] Production of block copolymer Production Example 1
Polymer radical polymerization having a dimethylsiloxane structure was started by dissolving 50 parts by weight of pt-butoxystyrene in 150 parts by weight of propylene glycol monomethyl ether under a nitrogen stream and maintaining the reaction temperature at 70 ° C. in a nitrogen atmosphere. Polymerization was carried out for 10 hours using 10 parts by weight of an agent (trade name “VPS-1001” manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.). Thereafter, sulfuric acid was added to the reaction solution, and the reaction temperature was kept at 90 ° C. for reaction for 10 hours, and pt-butoxystyrene was deprotected and converted to 4-hydroxystyrene. Ethyl acetate was added to the obtained copolymer, washing with water was repeated 5 times, the ethyl acetate phase was separated, the solvent was removed, and a block copolymer [4-hydroxystyrene / dimethylsiloxane copolymer (hereinafter, "Copolymer (A-1)") was obtained.
When the composition of the copolymer (A-1) was analyzed by 13 C-NMR, the proportion of the structural unit (a1) derived from 4-hydroxystyrene was 80 mol%, and the structural unit (a2) derived from dimethylsiloxane. The ratio was 20 mol%. The copolymer (A-1) had a polystyrene equivalent weight average molecular weight of 5,000 and a molecular weight distribution of 1.3.
尚、13C−NMR分析には、日本電子社製、型式「JNM−EX270」を用いた。また、Mw及びMnの測定には、東ソー社製、型式「HLC−8220GPC」のGPCを用いた。具体的には、カラムとして、G2000HXLを2本、G3000HXLを1本及びG4000HXLを1本使用し、流量;1.0ミリリットル/分、溶出溶媒;テトラヒドロフラン、カラム温度;40℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするGPCにより測定した。分子量分布(Mw/Mn)は、Mw及びMnの各々の測定値に基づいて算出した。 For 13 C-NMR analysis, a model “JNM-EX270” manufactured by JEOL Ltd. was used. For measurement of Mw and Mn, GPC of the model “HLC-8220GPC” manufactured by Tosoh Corporation was used. Specifically, two G2000HXL, one G3000HXL and one G4000HXL were used as columns, flow rate: 1.0 ml / min, elution solvent; tetrahydrofuran, column temperature; It was measured by GPC using dispersed polystyrene as a standard. The molecular weight distribution (Mw / Mn) was calculated based on the measured values of Mw and Mn.
製造例2〜3及び比較製造例1
製造例2
p−t−ブトキシスチレンとジメチルシロキサン構造を有する高分子ラジカル重合開始剤(和光純薬社製、商品名「VPS−1001」)との量比を変更した他は、製造例1と同様にして、AB型ブロック共重合体を製造した[「共重合体(A−2)」とする。]。共重合体(A−2)を製造例1の場合と同様にして分析したところ、4−ヒドロキシスチレンに由来する構造単位(a1)の割合が80モル%、ジメチルシロキサンに由来する構造単位(a2の割合20モル%であった。また、共重合体(A−2)のポリスチレン換算の重量平均分子量は10,000であり、分子量分布は1.4であった。
Production Examples 2-3 and Comparative Production Example 1
Production Example 2
Except having changed the quantity ratio with pt-butoxystyrene and the polymer radical polymerization initiator which has a dimethylsiloxane structure (the product name "VPS-1001" by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), it carried out similarly to manufacture example 1 Then, an AB type block copolymer was produced [referred to as “copolymer (A-2)”. ]. When the copolymer (A-2) was analyzed in the same manner as in Production Example 1, the proportion of the structural unit (a1) derived from 4-hydroxystyrene was 80 mol%, and the structural unit (a2 derived from dimethylsiloxane). The copolymer (A-2) had a polystyrene equivalent weight average molecular weight of 10,000 and a molecular weight distribution of 1.4.
製造例3
p−t−ブトキシスチレンとジメチルシロキサン構造を有する高分子ラジカル重合開始剤(和光純薬社製、商品名「VPS−1001」)との量比を変更した他は、製造例1と同様にしてAB型ブロック共重合体を製造した[「共重合体(A−3)」とする。]。共重合体(A−3)を製造例1の場合と同様にして分析したところ、4−ヒドロキシスチレンに由来する構造単位(a1)の割合が60モル%、ジメチルシロキサンに由来する構造単位(a2)の割合が40モル%であった。また、共重合体(A−3)のポリスチレン換算の重量平均分子量は5,000であり、分子量分布は1.3であった。
Production Example 3
Except having changed the quantity ratio with pt-butoxystyrene and the polymer radical polymerization initiator which has a dimethylsiloxane structure (the product name "VPS-1001" by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), it carried out similarly to manufacture example 1 An AB type block copolymer was produced [referred to as “copolymer (A-3)”. ]. When the copolymer (A-3) was analyzed in the same manner as in Production Example 1, the proportion of the structural unit (a1) derived from 4-hydroxystyrene was 60 mol%, and the structural unit (a2 derived from dimethylsiloxane). ) Was 40 mol%. The copolymer (A-3) had a polystyrene equivalent weight average molecular weight of 5,000 and a molecular weight distribution of 1.3.
比較製造例1
高分子ラジカル重合開始剤に代えて、スチレン及びラジカル重合開始剤[AIBN(アゾビスイソブチロニトリル)]を用いた他は、製造例1と同様にしてAB型ブロック共重合体を製造した[「共重合体AR−1」とする。]。共重合体(AR−1)を製造例1の場合と同様にして分析したところ、4−ヒドロキシスチレンに由来する構造単位(ar1)の割合が80モル%、スチレンに由来する構造単位(ar2)の割合が20モル%であった。また、共重合体(AR−1)のポリスチレン換算の重量平均分子量は10,000であり、分子量分布は1.5であった。
Comparative production example 1
An AB type block copolymer was produced in the same manner as in Production Example 1 except that styrene and a radical polymerization initiator [AIBN (azobisisobutyronitrile)] were used instead of the polymer radical polymerization initiator. This is designated as “Copolymer AR-1.” ]. When the copolymer (AR-1) was analyzed in the same manner as in Production Example 1, the proportion of the structural unit (ar1) derived from 4-hydroxystyrene was 80 mol%, and the structural unit (ar2) derived from styrene. The ratio was 20 mol%. The copolymer (AR-1) had a polystyrene equivalent weight average molecular weight of 10,000 and a molecular weight distribution of 1.5.
[2]ポジ型感光性絶縁樹脂組成物の製造
実施例1
表1のように、共重合体(A−1)を100質量部、架橋剤(B−1/B−4)を10/10質量部、キノンジアジド基含有化合物(C−1)を25質量部、溶剤(D−1)を150質量部、及び密着助剤(E−1)を3質量部、界面活性剤を0.1質量部配合し、各々の成分を溶剤に溶解させてポジ型感光性絶縁樹脂組成物を製造した。
[2] Production Example 1 of Positive Type Photosensitive Insulating Resin Composition
As shown in Table 1, 100 parts by mass of the copolymer (A-1), 10/10 parts by mass of the crosslinking agent (B-1 / B-4), and 25 parts by mass of the quinonediazide group-containing compound (C-1). , 150 parts by mass of solvent (D-1), 3 parts by mass of adhesion assistant (E-1), 0.1 parts by mass of surfactant, and each component is dissolved in a solvent, and positive photosensitive An insulating resin composition was produced.
実施例2〜7及び比較例1
表1に記載の共重合体、架橋剤、キノンジアジド基含有化合物、溶剤、密着助剤及び界面活性剤を、表1に記載の質量割合となるように配合し、ポジ型感光性絶縁樹脂組成物を製造した。
尚、上記の成分の他に、実施例5では、フェノール性低分子化合物[フェノール化合物(a−1)]を5質量部配合した。また、実施例6では、架橋微粒子(F−1)を5質量部配合した。
Examples 2 to 7 and Comparative Example 1
A positive photosensitive insulating resin composition containing the copolymer, the crosslinking agent, the quinonediazide group-containing compound, the solvent, the adhesion aid and the surfactant described in Table 1 so as to have the mass ratio shown in Table 1. Manufactured.
In addition to the above components, in Example 5, 5 parts by mass of a phenolic low molecular compound [phenol compound (a-1)] was blended. Moreover, in Example 6, 5 mass parts of crosslinked fine particles (F-1) were mix | blended.
表1に記載の各々の成分のうち共重合体を除く他の成分の詳細は下記のとおりである。
(a)フェノール化合物
a−1:1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−{4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]フェニル}エタン
(B)架橋剤
B−1:ヘキサメトキシメチル化メラミン(三井サイテック社製、商品名「サイメル300」)
B−2:プロピレングリコールジグリシジルエーテル(共栄社製、商品名「エポライト70P」)
B−3:ペンタエリスリトールグリシジルエーテル(ナガセケムテック社製、商品名「デナコールEX411」)
B−4:フェノール−ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂(日本化薬社製、商品名「XD−1000」)
(C)キノンジアジド基含有化合物
C−1:1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−[4−[1−(ヒドロキシアェニル)−1−メチルエチル]フェニル]エタンと、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸とをエステル化反応させてなるキノンジアジドスルホン酸エステル(2.0モル縮合物)
C−2:1,1−ビス(4−(ヒドロキシフェニル)−1−エタンと、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸とをエステル化反応させてなるキノンジアジドスルホン酸エステル(1.5モル縮合物)
(D)溶剤
D−1:乳酸エチル
(E)密着助剤
E−1:1,3,5−N−トリス(トリメトキシリルプロピル)イソシアヌレート(モメンティブ社製、商品名「Y11597」)
E−2;γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(チッソ社製、商品名「S−510」)
(F)架橋微粒子
F−1:ブタジエン/スチレン/ヒドロキシブチルメタクリレート/メタクリル酸/ジ
ビニルベンゼン=60/20/12/6/2(質量%)、平均粒径;65nm
(G)界面活性剤
G−1:ネオス社製、商品名「FTX−218」
Details of the other components excluding the copolymer among the components described in Table 1 are as follows.
(A) Phenol compound a-1: 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -1- {4- [1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl] phenyl} ethane (B) Crosslinking agent B -1: Hexamethoxymethylated melamine (Mitsui Cytec Co., Ltd., trade name "Cymel 300")
B-2: Propylene glycol diglycidyl ether (manufactured by Kyoeisha, trade name “Epolite 70P”)
B-3: Pentaerythritol glycidyl ether (manufactured by Nagase Chemtech, trade name “Denacol EX411”)
B-4: Phenol-dicyclopentadiene type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., trade name “XD-1000”)
(C) quinonediazide group-containing compound C-1: 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -1- [4- [1- (hydroxyenyl) -1-methylethyl] phenyl] ethane; -Quinonediazide sulfonic acid ester (2.0 molar condensate) obtained by esterifying naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid
C-2: quinonediazide sulfonic acid ester (1.5 mol) obtained by
(D) Solvent D-1: Ethyl lactate (E) Adhesion aid E-1: 1,3,5-N-tris (trimethoxylylpropyl) isocyanurate (product name “Y11597” manufactured by Momentive)
E-2; γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane (manufactured by Chisso, trade name “S-510”)
(F) Crosslinked fine particles F-1: butadiene / styrene / hydroxybutyl methacrylate / methacrylic acid / divinylbenzene = 60/20/12/6/2 (mass%), average particle diameter: 65 nm
(G) Surfactant G-1: Neos, trade name “FTX-218”
[3]感光性絶縁樹脂組成物の評価
実施例1〜7及び比較例1のポジ型感光性絶縁樹脂組成物の特性を、下記の方法に従って評価した。結果は表2のとおりである。
(1)解像度
6インチのシリコンウエハーにポジ型感光性絶縁樹脂組成物をスピンコートし、その後、ホットプレートを用いて110℃で3分間加熱し、厚さ20μmの均一な樹脂塗膜を作製した。次いで、アライナー(Karl Suss社製、型式「MA−100」)を使用し、パターンマスクを介して高圧水銀灯から照射される紫外線を、波長365nmにおける露光量が500mJ/cm2となるように露光した。その後、ホットプレートを用いて110℃で3分間加熱(PEB)し、2.38質量%濃度のテトラメチルアンモニウムハイドロキサイド水溶液を用いて23℃で120秒間、浸漬し、現像した。このようにして得られたパターンの最小寸法を解像度とする。
[3] Evaluation of photosensitive insulating resin composition The characteristics of the positive photosensitive insulating resin compositions of Examples 1 to 7 and Comparative Example 1 were evaluated according to the following methods. The results are shown in Table 2.
(1) Resolution A 6-inch silicon wafer was spin-coated with a positive photosensitive insulating resin composition, and then heated at 110 ° C. for 3 minutes using a hot plate to produce a uniform resin film having a thickness of 20 μm. . Next, using an aligner (model “MA-100” manufactured by Karl Suss), UV light irradiated from a high-pressure mercury lamp through a pattern mask was exposed so that the exposure amount at a wavelength of 365 nm was 500 mJ / cm 2 . . Thereafter, the substrate was heated (PEB) at 110 ° C. for 3 minutes using a hot plate, and immersed and developed at 23 ° C. for 120 seconds using a 2.38 mass% aqueous tetramethylammonium hydroxide solution. The minimum dimension of the pattern thus obtained is taken as the resolution.
(2)絶縁膜の応力
8インチのシリコンウエハーにポジ型感光性絶縁樹脂組成物をスピンコートし、その後、ホットプレートを用いて110℃で3分間加熱し、厚さ20μmの均一な樹脂塗膜を作製した。次いで、アライナー(Karl Suss社製、型式「MA−100」)を使用し、高圧水銀灯から照射される紫外線を、波長365nmにおける露光量が500mJ/cm2となるように露光した。その後、ホットプレートを用いて110℃で3分間加熱(PEB)し、2.38質量%濃度のテトラメチルアンモニウムハイドロキサイド水溶液を用いて23℃で120秒間、浸漬し、現像した。その後、対流式オーブンを用いて190℃で1時間加熱し、樹脂塗膜を硬化させて絶縁膜を形成した。そして、絶縁膜形成前後の基板の応力差を応力測定装置(TOHOテクノロジー(旧技術所有KLA−Tencor)社製 FLX−2320−s)にて測定し、応力を評価した。
(2) Stress of insulating film A positive photosensitive insulating resin composition is spin-coated on an 8-inch silicon wafer, and then heated at 110 ° C. for 3 minutes using a hot plate to form a uniform resin film having a thickness of 20 μm. Was made. Next, using an aligner (manufactured by Karl Suss, model “MA-100”), ultraviolet light irradiated from a high-pressure mercury lamp was exposed so that the exposure amount at a wavelength of 365 nm was 500 mJ / cm 2 . Thereafter, the substrate was heated (PEB) at 110 ° C. for 3 minutes using a hot plate, and immersed and developed at 23 ° C. for 120 seconds using a 2.38 mass% aqueous tetramethylammonium hydroxide solution. Then, it heated at 190 degreeC for 1 hour using the convection type oven, the resin coating film was hardened, and the insulating film was formed. And the stress difference of the board | substrate before and behind insulating film formation was measured with the stress measuring device (FLX-2320-s by the TOHO technology (old technology possession KLA-Tencor) company), and the stress was evaluated.
(3)電気絶縁性
図3のように、基板6上にパターン状の銅箔7を有している絶縁性評価用の基材8に、ポジ型感光性絶縁樹脂組成物を塗布し、ホットプレートを用いて110℃で3分間加熱し、銅箔7上での厚さが10μmである樹脂塗膜を有する基材を作製した。その後、対流式オーブンを用いて190℃で1時間加熱し、樹脂塗膜を硬化させて硬化膜を形成した。この基材8をマイグレーション評価システム(タバイエスペック社製、型式「AEI,EHS−221MD」)に投入し、温度121℃、湿度85%、圧力1.2気圧、印加電圧5Vの条件で200時間処理した。次いで、試験基材の抵抗値(Ω)を測定し、絶縁性を評価した。
(3) Electrical Insulation As shown in FIG. 3, a positive photosensitive insulating resin composition is applied to a base material 8 for insulating evaluation having a patterned
表2の結果によれば、実施例1〜7は、絶縁膜の応力が小さく、且つ解像性及び電気絶縁性に優れていることが分かった。 According to the result of Table 2, it turned out that Examples 1-7 have small stress of an insulating film, and are excellent in resolution and electrical insulation.
1;基板、2;金属パッド、3;硬化絶縁膜、4;金属配線、5;硬化絶縁膜、6;基板、7;銅箔、8;絶縁性評価用の基材。
DESCRIPTION OF
Claims (7)
(B)架橋剤、
(C)キノンジアジド基を有する化合物、
(D)溶剤、を含有することを特徴とするポジ型感光性絶縁樹脂組成物。
(B) a crosslinking agent,
(C) a compound having a quinonediazide group,
(D) A positive photosensitive insulating resin composition comprising a solvent.
前記架橋微粒子は、ヒドロキシル基及び/又はカルボキシル基を有する単量体と、不飽和重合性基を2個以上有する架橋性単量体との共重合体からなる請求項1乃至5のうちのいずれか1項に記載のポジ型感光性絶縁樹脂組成物。 Furthermore, it contains crosslinked fine particles (F) ,
The cross-linked fine particle is made of a copolymer of a monomer having a hydroxyl group and / or a carboxyl group and a cross-linkable monomer having two or more unsaturated polymerizable groups. The positive photosensitive insulating resin composition according to claim 1.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008312669A JP5251471B2 (en) | 2008-12-08 | 2008-12-08 | Positive photosensitive insulating resin composition and cured product thereof |
PCT/JP2009/068146 WO2010067665A1 (en) | 2008-12-08 | 2009-10-21 | Photosensitive insulating resin composition and cured product thereof |
TW98140829A TW201030460A (en) | 2008-12-08 | 2009-11-30 | Photosensitive insulating resin composition and cured product thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008312669A JP5251471B2 (en) | 2008-12-08 | 2008-12-08 | Positive photosensitive insulating resin composition and cured product thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010134388A JP2010134388A (en) | 2010-06-17 |
JP5251471B2 true JP5251471B2 (en) | 2013-07-31 |
Family
ID=42345713
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008312669A Active JP5251471B2 (en) | 2008-12-08 | 2008-12-08 | Positive photosensitive insulating resin composition and cured product thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5251471B2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7058214B2 (en) * | 2015-11-06 | 2022-04-21 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ・コリア・リミテッド | Photosensitive resin composition and cured film prepared from it |
JP7371566B2 (en) * | 2020-04-24 | 2023-10-31 | 信越化学工業株式会社 | Photosensitive resin composition, photosensitive resin film, photosensitive dry film, and pattern forming method |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4296792B2 (en) * | 2003-02-05 | 2009-07-15 | Jsr株式会社 | Positive photosensitive resin composition and cured product thereof |
JP2005043876A (en) * | 2003-07-09 | 2005-02-17 | Jsr Corp | Photosensitive fluorine-containing resin composition, hardened film obtained from the composition, and method for forming pattern |
JP2008024874A (en) * | 2006-07-24 | 2008-02-07 | Fujifilm Corp | Curable composition, antireflection film, and polarizing plate and image display device, using the same |
-
2008
- 2008-12-08 JP JP2008312669A patent/JP5251471B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010134388A (en) | 2010-06-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5585065B2 (en) | Photosensitive insulating resin composition, cured product thereof and method for producing insulating film | |
JP5195428B2 (en) | Negative photosensitive insulating resin composition, cured product thereof, and circuit board including the same | |
JP4983798B2 (en) | Photosensitive insulating resin composition and cured product thereof | |
JP5035240B2 (en) | Radiation-sensitive insulating resin composition | |
TWI409589B (en) | Photosensitive insulating resin composition, hardened product thereof and electronic component comprising the same | |
KR101434010B1 (en) | Photosensitive insulating resin composition and cured product thereof | |
JP5093116B2 (en) | Photosensitive resin composition for forming insulating film, cured film thereof and electronic component comprising the same | |
JP4765951B2 (en) | Large silicon wafer having insulating film and method for manufacturing the same | |
JP5251424B2 (en) | Negative photosensitive insulating resin composition and cured product thereof | |
JP5531617B2 (en) | Electrode forming method and electrode | |
JP4692219B2 (en) | Positive photosensitive insulating resin composition and cured product thereof | |
JP5381517B2 (en) | Radiation sensitive resin composition and cured product thereof | |
JP4655882B2 (en) | Positive photosensitive insulating resin composition and cured product thereof | |
JP5251471B2 (en) | Positive photosensitive insulating resin composition and cured product thereof | |
JP5251452B2 (en) | Positive photosensitive insulating resin composition and cured product thereof | |
WO2010067665A1 (en) | Photosensitive insulating resin composition and cured product thereof | |
JP5251470B2 (en) | Negative photosensitive insulating resin composition and cured product thereof | |
JP2009198767A (en) | Negative photosensitive resin composition for silica glass optical waveguide formation | |
JP2014044438A (en) | Photosensitive insulating resin composition, cured product thereof, and method for producing insulating film | |
JP2007056109A (en) | Photosensitive insulating resin composition and cured product thereof | |
JP2007056108A (en) | Photosensitive insulating resin composition and cured product thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110822 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20111219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130122 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130319 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130401 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5251471 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160426 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |