JP5236615B2 - Edge detection method, length measurement method, charged particle beam device - Google Patents

Edge detection method, length measurement method, charged particle beam device Download PDF

Info

Publication number
JP5236615B2
JP5236615B2 JP2009261883A JP2009261883A JP5236615B2 JP 5236615 B2 JP5236615 B2 JP 5236615B2 JP 2009261883 A JP2009261883 A JP 2009261883A JP 2009261883 A JP2009261883 A JP 2009261883A JP 5236615 B2 JP5236615 B2 JP 5236615B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
edge portion
scanning range
size
length measurement
axis direction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2009261883A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2011106947A (en
Inventor
茂樹 助川
祥広 太田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi High Technologies Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi High Technologies Corp filed Critical Hitachi High Technologies Corp
Priority to JP2009261883A priority Critical patent/JP5236615B2/en
Publication of JP2011106947A publication Critical patent/JP2011106947A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5236615B2 publication Critical patent/JP5236615B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)

Description

本発明は、半導体パターンのエッジ部分検出方法、半導体パターン間隔の測長方法、これらの方法を実行する荷電粒子線装置に関するものである。   The present invention relates to a method for detecting an edge portion of a semiconductor pattern, a method for measuring a distance between semiconductor patterns, and a charged particle beam apparatus that executes these methods.

半導体デバイスの半導体形成パターンを検査する際には、半導体デバイスに荷電粒子を照射して観察画像を取得し、その画像を解析することにより検査を行う。半導体パターンの検査項目の1つとして、半導体パターン間の間隔を測定する検査がある。下記特許文献1には、荷電粒子ビームを用いて測長を行う技術が記載されている。   When inspecting a semiconductor formation pattern of a semiconductor device, the semiconductor device is irradiated with charged particles to obtain an observation image, and the inspection is performed by analyzing the image. One of the inspection items of the semiconductor pattern is an inspection for measuring an interval between the semiconductor patterns. Patent Document 1 below describes a technique for measuring a length using a charged particle beam.

特開2008−215824号公報JP 2008-215824 A

半導体パターン間の間隔を測定する際には、測定対象領域を測定者が判断し、その領域を走査して観察画像の輝度変化を検出することにより、半導体パターンのエッジ部分を検出し、そのエッジ部分を用いて間隔を測定する。このとき、観察画像上のパターンのサイズと測定対象領域のサイズが大きく乖離していると、走査線上でノイズなどの雑信号を多く検出し、パターンのエッジ部分を識別することが難しくなる。   When measuring the interval between semiconductor patterns, the measurer determines the area to be measured, scans the area and detects the luminance change of the observation image, detects the edge portion of the semiconductor pattern, and the edge The interval is measured using the part. At this time, if the size of the pattern on the observation image and the size of the measurement target area are greatly different from each other, it is difficult to detect many miscellaneous signals such as noise on the scanning line and identify the edge portion of the pattern.

例えば、FEM(Focus Exposure Matrix)ウェハのように1枚のウェハ内でパターン形状が大きく変化する場合、測定対象領域のサイズに対して半導体パターン幅が小さすぎるなどの状況が発生する。この場合、上記のような状況が発生しやすくなる。その他、OPC(Optics Proximity Collection)設計のために用いられるテスト用の半導体パターンには、ラインエンドパターンが多く含まれるため、上記のような状況が発生しやすい。   For example, when the pattern shape largely changes in one wafer like a FEM (Focus Exposure Matrix) wafer, a situation occurs in which the semiconductor pattern width is too small with respect to the size of the measurement target region. In this case, the above situation is likely to occur. In addition, since the test semiconductor pattern used for the OPC (Optics Proximity Collection) design includes many line end patterns, the above situation is likely to occur.

本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、測定対象領域のサイズを動的に設定し、半導体パターンのエッジ部分を精度良く検出する技術を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a technique for dynamically setting the size of a measurement target region and detecting an edge portion of a semiconductor pattern with high accuracy. To do.

本発明に係るエッジ部分検出方法では、観察画像のうち半導体パターンのエッジ部分を含む大きめの画像領域を走査することにより、検出対象のエッジ部分と直交する第2エッジ部分を検出し、最終的な走査範囲を第2エッジ部分よりも内側に設定する。   In the edge portion detection method according to the present invention, a second image portion that is orthogonal to the edge portion to be detected is detected by scanning a larger image area including the edge portion of the semiconductor pattern in the observed image. The scanning range is set inside the second edge portion.

本発明に係るエッジ部分検出方法によれば、エッジ部分を検出するための走査範囲サイズを、エッジ部分の幅よりもやや小さいサイズに設定することができる。これにより、パターンのサイズと走査範囲のサイズが大きく乖離する状況を発生しにくくし、エッジ部分の検出精度を高めることができる。   According to the edge portion detection method of the present invention, the scan range size for detecting the edge portion can be set to a size slightly smaller than the width of the edge portion. As a result, it is difficult to generate a situation in which the pattern size and the scanning range size greatly deviate, and the edge portion detection accuracy can be improved.

半導体パターン110の観察画像100を示す図である。It is a figure which shows the observation image 100 of the semiconductor pattern 110. FIG. 測長カーソル120内の画像輝度を走査している様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the image brightness | luminance in the length measurement cursor 120 is scanned. 半導体パターン110のエッジ部分のサイズよりも測長カーソルのサイズが大幅に大きい例を示す図である。It is a figure which shows the example whose size of a length measurement cursor is significantly larger than the size of the edge part of the semiconductor pattern 110. FIG. 図3の測長カーソル120内の画像輝度を走査している様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the image brightness | luminance in the length measurement cursor 120 of FIG. 3 is scanned. エッジ部分を包含するFOV領域を設定した様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the FOV area | region containing an edge part was set. FOV内を走査している様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the inside of FOV is scanned. FOV内を逆方向に走査している様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the inside of FOV is scanned in the reverse direction. ステップ2〜ステップ3の検出結果をグラフ上にプロットした様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the detection result of step 2-step 3 was plotted on the graph. 測長カーソル120のy座標とサイズを定める様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the y coordinate and size of the length measurement cursor 120 are defined. 測長カーソル120のx座標とサイズを定めた様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the x coordinate and size of the length measurement cursor 120 were defined. ステップ4で検出した、x軸に沿ったエッジ部分の形状を多項式で近似した様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the shape of the edge part detected in step 4 was approximated with the polynomial. 測長カーソル120のy座標とサイズを定めた様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the y coordinate and size of the length measurement cursor 120 were defined. 測長カーソル120のx座標とサイズが不適切である例を示す図である。It is a figure which shows the example whose x coordinate and size of the length measurement cursor 120 are improper. 測長カーソル120のx座標とサイズを定める様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the x coordinate and size of the length measurement cursor 120 are defined. 実施の形態3のステップ6においてエッジ部分を検出する別手法を説明する図である。It is a figure explaining another method which detects an edge part in Step 6 of Embodiment 3. FIG. 2つの対向する測長カーソル120が重なっている様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the two opposing length measurement cursors 120 have overlapped. 測長カーソル120の位置とサイズを再調整した後の様子を示す図である。It is a figure which shows the mode after adjusting the position and size of the length measurement cursor 120 again. 測長カーソル120が観察画像100の外に突出している様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the length measurement cursor 120 protrudes out of the observation image 100. FIG. 測長カーソル120の位置とサイズを再調整した後の様子を示す図である。It is a figure which shows the mode after adjusting the position and size of the length measurement cursor 120 again. 実施の形態8に係る荷電粒子線装置200の構成を示す模式図である。FIG. 10 is a schematic diagram showing a configuration of a charged particle beam apparatus 200 according to an eighth embodiment.

以下では、まず初めに半導体ラインパターンのエッジ部分を検出するための一般的な手法を説明するとともに、エッジ部分の検出精度が低下する状況について説明する。その後、本発明に係るエッジ部分検出方法を説明する。   In the following, first, a general method for detecting an edge portion of a semiconductor line pattern will be described, and a situation in which the detection accuracy of the edge portion is reduced will be described. Then, the edge part detection method according to the present invention will be described.

図1は、半導体パターン110の観察画像100を示す図である。ここでは2つの半導体ラインパターンのエッジ部分が対向して配置されている例を示した。図1において、観察画像100は、例えば荷電粒子ビームを半導体デバイスに照射することによって得られる。SEM(Scanning Electron Microscope)観察画像などがこれに相当する。観察画像を取得する手法は任意でよく、SEM観察像以外の観察画像を用いることもできる。   FIG. 1 is a view showing an observation image 100 of the semiconductor pattern 110. Here, an example in which the edge portions of two semiconductor line patterns are arranged to face each other is shown. In FIG. 1, an observation image 100 is obtained, for example, by irradiating a semiconductor device with a charged particle beam. An SEM (Scanning Electron Microscope) observation image corresponds to this. Any method may be used for obtaining the observation image, and an observation image other than the SEM observation image may be used.

図1において、半導体パターン110間の距離を測定対象とする。半導体パターン110間の間隔を測定するためには、各半導体パターン110が対向しているエッジ部分を検出する必要がある。そこで、測長カーソル120を観察画像100上のエッジ部分近傍に配置し、輝度走査を行う。   In FIG. 1, the distance between the semiconductor patterns 110 is a measurement target. In order to measure the interval between the semiconductor patterns 110, it is necessary to detect an edge portion where the semiconductor patterns 110 face each other. Therefore, the length measurement cursor 120 is placed in the vicinity of the edge portion on the observation image 100, and luminance scanning is performed.

図2は、測長カーソル120内の画像輝度を走査している様子を示す図である。半導体パターン110のエッジ部分に沿って走査位置を変化させながら画像輝度を取得すると、エッジ部分で画像輝度が大きく変化する。この輝度変化に基づき、エッジ部分の位置を検出することができる。   FIG. 2 is a diagram illustrating a state in which the image brightness in the length measurement cursor 120 is scanned. When the image luminance is acquired while changing the scanning position along the edge portion of the semiconductor pattern 110, the image luminance greatly changes at the edge portion. Based on this luminance change, the position of the edge portion can be detected.

図3は、半導体パターン110のエッジ部分のサイズよりも測長カーソルのサイズが大幅に大きい例を示す図である。図3において、半導体パターン110は図1よりも細い形状を有しており、エッジ部分の幅が測長カーソルの幅よりも大幅に狭い。   FIG. 3 is a diagram illustrating an example in which the size of the length measurement cursor is significantly larger than the size of the edge portion of the semiconductor pattern 110. In FIG. 3, the semiconductor pattern 110 has a narrower shape than that in FIG. 1, and the width of the edge portion is significantly narrower than the width of the length measurement cursor.

図4は、図3の測長カーソル120内の画像輝度を走査している様子を示す図である。図3のように測長カーソル120の幅が半導体パターン110のエッジ部分の幅よりも大幅に広い場合、エッジ部分と交差しない走査線が多く存在することになる。この場合、エッジ部分と交差しない走査線が観察画像100上のノイズを多く検出し、エッジ部分の輝度とノイズの輝度の区別をつけにくくなる。そのため、エッジ部分の検出精度が低下する傾向がある。   FIG. 4 is a diagram illustrating a state in which the image luminance in the length measurement cursor 120 in FIG. 3 is scanned. When the width of the length measurement cursor 120 is significantly wider than the width of the edge portion of the semiconductor pattern 110 as shown in FIG. 3, there are many scanning lines that do not intersect the edge portion. In this case, a scanning line that does not intersect the edge portion detects a lot of noise on the observation image 100, and it becomes difficult to distinguish between the luminance of the edge portion and the luminance of the noise. Therefore, the detection accuracy of the edge part tends to be lowered.

ノイズをできる限り検出しないようにするためには、エッジ部分と交差しない走査線ができる限り少なくなることが望ましい。   In order to prevent detection of noise as much as possible, it is desirable that the number of scanning lines that do not intersect the edge portion be as small as possible.

以上説明した理由から、半導体パターン110のエッジ部分を精度良く検出するためには、測長カーソル120のエッジ幅方向(図1の縦方向)のサイズを、エッジ幅よりもやや小さく設定することが望ましいといえる。   For the reason described above, in order to accurately detect the edge portion of the semiconductor pattern 110, the size of the length measuring cursor 120 in the edge width direction (vertical direction in FIG. 1) may be set slightly smaller than the edge width. This is desirable.

<実施の形態1>
以下、測長カーソル120のエッジ幅方向のサイズを望ましいサイズに設定して測長を行う手法を、下記(ステップ1)〜(ステップ6)で説明する。
<Embodiment 1>
Hereinafter, a method of measuring the length by setting the size of the length measurement cursor 120 in the edge width direction to a desirable size will be described in the following (Step 1) to (Step 6).

(ステップ1:FOVの設定)
図5は、エッジ部分を包含するFOV(Field Of View)領域を設定した様子を示す図である。FOVは、半導体パターン110のエッジ部分の幅を測定するため観察画像100上に設定される領域である。FOVは、本発明における「エッジ部分を包含する画像領域」に相当する。FOVは、半導体パターン110のエッジ部分を内部に包含する程度のサイズと位置に設定される。FOVのサイズは、測長カーソル120よりも大きめに設定される。FOVのサイズと位置を設定する手法として、例えば以下のようなものが考えられる。
(Step 1: FOV setting)
FIG. 5 is a diagram illustrating a state in which an FOV (Field Of View) region including an edge portion is set. The FOV is an area set on the observation image 100 in order to measure the width of the edge portion of the semiconductor pattern 110. The FOV corresponds to “an image area including an edge portion” in the present invention. The FOV is set to a size and position that includes the edge portion of the semiconductor pattern 110 inside. The size of the FOV is set larger than the length measurement cursor 120. As a method for setting the size and position of the FOV, for example, the following can be considered.

(ステップ1:FOVの設定:例1)
測定者が画面上で観察画像100を目視確認しながら、半導体パターン110のエッジ部分を包含する好適な位置とサイズでFOVを手動設定する。
(Step 1: FOV setting: Example 1)
While the measurer visually confirms the observation image 100 on the screen, the FOV is manually set at a suitable position and size including the edge portion of the semiconductor pattern 110.

(ステップ1:FOVの設定:例2)
荷電粒子線装置が備える演算装置または外部のコンピュータは(以下記載の便宜上、演算装置についてのみ述べる)、半導体パターン110の設計データをあらかじめ取得しておく。演算装置は、設計データ上で定義されているエッジ部分をFOVの中央に設定し、FOVのサイズは、半導体パターン110の設計データ上の幅よりも十分大きなサイズ(例えば2倍の幅)とする。
(Step 1: FOV setting: Example 2)
An arithmetic unit or an external computer included in the charged particle beam apparatus (only the arithmetic unit will be described for convenience in the following description) acquires design data of the semiconductor pattern 110 in advance. The arithmetic device sets the edge portion defined on the design data at the center of the FOV, and the size of the FOV is sufficiently larger than the width on the design data of the semiconductor pattern 110 (for example, twice the width). .

(ステップ2:FOV内を走査する)
図6は、FOV内を走査している様子を示す図である。演算装置は、ステップ1で設定したFOV内を、半導体パターン110のエッジ部分と平行な座標軸方向(図6のy軸方向)に順次走査する。x軸方向の走査位置は、x座標が小さいほうから大きいほうに向かって順次変化させる。y軸方向の走査は、y座標が大きいほうから小さいほうに向かう。演算装置は、各走査線上の画像輝度値を取得する。
(Step 2: Scan the FOV)
FIG. 6 is a diagram illustrating a state in which scanning is performed in the FOV. The arithmetic device sequentially scans the FOV set in step 1 in the coordinate axis direction (y-axis direction in FIG. 6) parallel to the edge portion of the semiconductor pattern 110. The scanning position in the x-axis direction is sequentially changed from the smaller x coordinate to the larger x coordinate. The scanning in the y-axis direction is from the larger y coordinate to the smaller one. The arithmetic device acquires an image luminance value on each scanning line.

(ステップ3:FOV内を逆方向に走査する)
図7は、FOV内を逆方向に走査している様子を示す図である。演算装置は、ステップ2とは逆方向にFOV内を走査する。x軸方向の走査位置は、x座標が大きいほうから小さいほうに向かって順次変化させる。y軸方向の走査は、y座標が小さいほうから大きいほうに向かう。演算装置は、各走査線上の画像輝度値を取得する。
(Step 3: Scan the FOV in the reverse direction)
FIG. 7 is a diagram illustrating a state where the FOV is scanned in the reverse direction. The arithmetic unit scans the FOV in the direction opposite to that in step 2. The scanning position in the x-axis direction is changed sequentially from the largest x coordinate to the smallest x coordinate. Scanning in the y-axis direction is from the smaller y coordinate to the larger y coordinate. The arithmetic device acquires an image luminance value on each scanning line.

(ステップ4:x軸に沿ったエッジ部分を検出する)
図8は、ステップ2〜ステップ3の検出結果をグラフ上にプロットした様子を示す図である。図8の左半分はステップ2の検出結果、図8の右半分はステップ3の検出結果を示す。演算装置は、走査線上で最初に輝度値のピークを検出した位置を、図8のようなグラフ上にプロットする。実際に画面上にグラフを表示する必要はなく、内部的にプロットと同等の処理を実行すればよい。以後のステップおよび実施形態でも同様である。演算装置は、プロットした点が連続している部分に、x軸に沿ったエッジ部分が存在していると判断する。
(Step 4: Detect an edge part along the x-axis)
FIG. 8 is a diagram illustrating a state in which the detection results of Step 2 to Step 3 are plotted on a graph. The left half of FIG. 8 shows the detection result of Step 2, and the right half of FIG. The arithmetic unit plots the position where the peak of the luminance value is first detected on the scanning line on a graph as shown in FIG. It is not necessary to actually display a graph on the screen, and processing equivalent to plotting may be executed internally. The same applies to the subsequent steps and embodiments. The arithmetic unit determines that an edge portion along the x-axis exists in a portion where the plotted points are continuous.

(ステップ4:x軸に沿ったエッジ部分を検出する:補足)
演算装置は、走査線上で最初に輝度値のピークを検出した位置を図8のようにプロットするため、半導体パターン110が存在しない部分では、ノイズを検出してプロットすることになる。ノイズはFOV内全体にわたって存在しているため、半導体パターン110が存在しない部分では、走査を開始してすぐにピークを検出することになる。したがってx軸方向の走査位置がy軸に沿ったエッジ部分を通過する前後で、ピークを検出する位置が大きく異なる。演算装置は、このことを利用して、半導体パターン110のx軸に沿ったエッジ部分を検出することができる。
(Step 4: Detect edge part along x-axis: Supplement)
Since the arithmetic unit plots the position where the peak of the luminance value is first detected on the scanning line as shown in FIG. 8, the noise is detected and plotted in the portion where the semiconductor pattern 110 does not exist. Since noise is present throughout the FOV, in a portion where the semiconductor pattern 110 does not exist, a peak is detected immediately after scanning is started. Therefore, the position where the peak is detected differs greatly before and after the scanning position in the x-axis direction passes through the edge portion along the y-axis. The arithmetic unit can detect the edge portion along the x-axis of the semiconductor pattern 110 by utilizing this fact.

(ステップ5:測長カーソル120のy座標とサイズを定める)
図9は、測長カーソル120のy座標とサイズを定める様子を示す図である。演算装置は、ステップ4で検出したx軸沿いのエッジ部分よりも若干内側の位置をそれぞれのエッジ部分について設定する。演算装置は、2つの位置のy座標の中央を、測長カーソル120の中心y座標として設定する。また、2つの位置のy軸方向の間隔を、測長カーソル120のy軸方向サイズとする。
(Step 5: Determine the y coordinate and size of the length measurement cursor 120)
FIG. 9 is a diagram illustrating how the y coordinate and size of the length measurement cursor 120 are determined. The arithmetic unit sets a position slightly inside the edge portion along the x-axis detected in step 4 for each edge portion. The arithmetic unit sets the center of the y coordinate of the two positions as the center y coordinate of the length measurement cursor 120. The interval between the two positions in the y-axis direction is the y-axis direction size of the length measurement cursor 120.

(ステップ5:測長カーソル120のy座標とサイズを定める:補足)
本ステップでいう内側とは、x軸沿いのエッジ部分よりも半導体パターン110の内部寄りの方向をいう。エッジ部分よりも内側の位置を基準として測長カーソル120のy軸方向サイズを設定することにより、半導体パターン110のy軸方向幅よりもやや小さい幅を有する測長カーソル120を生成することができる。すなわち、測長カーソル120のy軸方向サイズと、半導体パターンのy軸方向幅とが、大きく乖離しないようにすることができる。
(Step 5: Determine y-coordinate and size of measuring cursor 120: Supplement)
The inside in this step means a direction closer to the inside of the semiconductor pattern 110 than the edge portion along the x axis. By setting the y-axis direction size of the length measurement cursor 120 with reference to the position inside the edge portion, the length measurement cursor 120 having a width slightly smaller than the width of the semiconductor pattern 110 in the y-axis direction can be generated. . In other words, the size of the length measurement cursor 120 in the y-axis direction and the width of the semiconductor pattern in the y-axis direction can be prevented from greatly differing.

(ステップ6:測長カーソル120のx座標とサイズを定める)
図10は、測長カーソル120のx座標とサイズを定めた様子を示す図である。演算装置は、測長カーソル120のx座標とサイズを、設計データに基づき定める。例えば、設計データ上における半導体パターン110のy軸方向に沿ったエッジ部分のx座標を、測長カーソル120の中心x座標として設定する。x軸方向のサイズは、ステップ5で定めたy軸方向のサイズy1の定数倍、例えば2倍の2y1とする。
(Step 6: Determine the x coordinate and size of the length measurement cursor 120)
FIG. 10 is a diagram illustrating a state in which the x coordinate and the size of the length measurement cursor 120 are determined. The arithmetic device determines the x coordinate and size of the length measurement cursor 120 based on the design data. For example, the x coordinate of the edge portion along the y-axis direction of the semiconductor pattern 110 on the design data is set as the center x coordinate of the length measurement cursor 120. The size in the x-axis direction is a constant multiple of the size y1 in the y-axis direction determined in step 5, for example, 2y1 which is twice as large.

以上、本実施の形態1において、演算装置が測長カーソル120の位置とサイズを自動的に設定する手法を説明した。   As described above, in the first embodiment, the method in which the arithmetic device automatically sets the position and size of the length measurement cursor 120 has been described.

以上のように、本実施の形態1によれば、演算装置は、半導体パターン110のy軸に沿ったエッジ部分を包含するFOV領域を観察画像100上で設定し、FOV内をy軸に沿って走査してx軸に沿ったエッジ部分を検出する。x軸に沿ったエッジ部分のy座標に基づき、測長カーソル120のy軸方向のサイズを、y軸に沿ったエッジ幅よりも若干小さい幅に自動設定することができる。したがって、測長カーソル120のy軸方向のサイズと半導体パターン110のy軸方向のエッジ幅とが大きく乖離せず、エッジ部分を精度良く検出することができる。   As described above, according to the first embodiment, the arithmetic device sets the FOV region including the edge portion along the y axis of the semiconductor pattern 110 on the observation image 100, and the inside of the FOV is along the y axis. And scanning to detect an edge portion along the x-axis. Based on the y-coordinate of the edge portion along the x-axis, the size of the length measurement cursor 120 in the y-axis direction can be automatically set to a width slightly smaller than the edge width along the y-axis. Therefore, the size of the length measurement cursor 120 in the y-axis direction and the edge width of the semiconductor pattern 110 in the y-axis direction do not greatly deviate, and the edge portion can be detected with high accuracy.

<実施の形態2>
本発明の実施の形態2では、実施の形態1で説明したステップ5の変形例を説明する。その他のステップは実施の形態1と同様であるため、以下ではステップ5のみ説明する。本実施の形態2において、ステップ5はステップ5−1とステップ5−2の2段階で実行される。
<Embodiment 2>
In the second embodiment of the present invention, a modification of step 5 described in the first embodiment will be described. Since other steps are the same as those in the first embodiment, only step 5 will be described below. In the second embodiment, step 5 is executed in two stages, step 5-1 and step 5-2.

(ステップ5−1:x軸に沿ったエッジ部分の形状を近似する)
図11は、ステップ4で検出した、x軸に沿ったエッジ部分の形状を多項式で近似した様子を示す図である。ここで用いる近似式は、x軸に沿ったエッジ部分の上下に2つ以上の極値が存在し、x軸に沿ったエッジ部分をこれらの極値が間に挟むような形状を有する多項式を用いる。2つの極値がx軸に沿ったエッジ部分を挟む場合は、図11の左半分に2つ、右半分に2つの合計4つの極値が存在することになるので、5次多項式を用いることができる。エッジ部分を極値で挟む理由は、次の図12で説明する。
(Step 5-1: Approximate the shape of the edge portion along the x-axis)
FIG. 11 is a diagram illustrating a state in which the shape of the edge portion along the x-axis detected in step 4 is approximated by a polynomial. The approximate expression used here is a polynomial having a shape in which two or more extreme values exist above and below the edge portion along the x-axis, and these extreme values sandwich the edge portion along the x-axis. Use. When two extreme values sandwich the edge along the x-axis, there are two extreme values in the left half and two in the right half of FIG. 11, so use a fifth order polynomial. Can do. The reason why the edge portion is sandwiched between extreme values will be described with reference to FIG.

(ステップ5−2:測長カーソル120のy座標とサイズを定める)
図12は、測長カーソル120のy座標とサイズを定めた様子を示す図である。演算装置は、ステップ5−1で定めた近似式のうち、半導体パターン110のx軸方向に沿ったエッジ部分よりも内側の極値点を2つ特定する。該当する極値が3つ以上ある場合は、ステップ2で検出したエッジ部分とステップ3で検出したエッジ部分それぞれに対応する極値を1つずつ任意に選択する。演算装置は、2つの極値点のy座標の中央を、測長カーソル120の中心y座標として設定する。また、2つの極値点のy軸方向の間隔を、測長カーソル120のy軸方向サイズとする。
(Step 5-2: Determine y-coordinate and size of measuring cursor 120)
FIG. 12 is a diagram illustrating a state in which the y coordinate and the size of the length measurement cursor 120 are determined. The arithmetic unit specifies two extreme points inside the edge portion along the x-axis direction of the semiconductor pattern 110 in the approximate expression determined in Step 5-1. When there are three or more corresponding extreme values, one extreme value corresponding to each of the edge portion detected in step 2 and the edge portion detected in step 3 is arbitrarily selected. The arithmetic unit sets the center of the y coordinates of the two extreme points as the center y coordinate of the length measurement cursor 120. The interval between the two extreme points in the y-axis direction is the size of the length measurement cursor 120 in the y-axis direction.

以上のように、本実施の形態2によれば、半導体パターンのx軸に沿ったエッジ部分を多項式で近似することにより、実施の形態1と同様の効果を発揮することができる。   As described above, according to the second embodiment, the same effect as in the first embodiment can be exhibited by approximating the edge portion along the x-axis of the semiconductor pattern with a polynomial.

<実施の形態3>
実施の形態1〜2のステップ6では、測長カーソル120のx座標を設計データに基づき定めることを説明した。本発明の実施の形態3では、ステップ6においてFOV内の走査結果に基づき測長カーソル120のx座標を定める手順を説明する。ステップ6以外のステップは実施の形態1〜2いずれかと同様であるため、以下ではステップ6のみ説明する。
<Embodiment 3>
In step 6 of the first and second embodiments, it has been described that the x coordinate of the length measurement cursor 120 is determined based on the design data. In the third embodiment of the present invention, the procedure for determining the x coordinate of the length measurement cursor 120 based on the scanning result in the FOV in step 6 will be described. Since steps other than step 6 are the same as those in the first and second embodiments, only step 6 will be described below.

図13は、測長カーソル120のx座標とサイズが不適切である例を示す図である。図13では、測長カーソル120が半導体パターン110のy軸方向に沿ったエッジ部分の内側に入り込んでしまい、測長カーソル120内でエッジ部分を走査することができない。   FIG. 13 is a diagram illustrating an example in which the x coordinate and the size of the length measurement cursor 120 are inappropriate. In FIG. 13, the length measurement cursor 120 enters inside the edge portion along the y-axis direction of the semiconductor pattern 110, and the edge portion cannot be scanned within the length measurement cursor 120.

図13のような状況を避けるため、測長カーソル120のx座標とサイズを適切に設定する必要がある。しかし、設計データに基づき測長カーソル120のx座標とサイズを定めた場合、設計データと実際の半導体パターン110が大きく乖離している可能性がある。この場合、測長カーソル120の位置が想定とずれてしまい、図13のような状況が発生し得る。そこで本実施の形態3では、実際の観察画像100を用いて、測長カーソル120のx座標とサイズを定める。以下、本実施の形態3におけるステップ6の内容を説明する。   In order to avoid the situation shown in FIG. 13, it is necessary to appropriately set the x coordinate and the size of the length measurement cursor 120. However, when the x coordinate and the size of the length measurement cursor 120 are determined based on the design data, there is a possibility that the design data and the actual semiconductor pattern 110 are greatly deviated. In this case, the position of the length measurement cursor 120 deviates from the assumption, and the situation shown in FIG. 13 may occur. Therefore, in the third embodiment, the actual observation image 100 is used to determine the x coordinate and size of the length measurement cursor 120. Hereinafter, the content of step 6 in this Embodiment 3 is demonstrated.

(ステップ6:測長カーソル120のx座標とサイズを定める)
図14は、測長カーソル120のx座標とサイズを定める様子を示す図である。実施の形態1の図8で説明したように、走査線上の半導体パターン110が存在しない部分ではノイズを拾うため、輝度ピークを検出する位置がx軸に沿ったエッジ部分から大きく離れている。したがって、輝度ピークをプロットすると、エッジ部分とノイズ部分が非連続となる。演算装置は、この非連続部分を検出することにより、半導体パターン110のy軸に沿ったエッジ部分のx座標を検出することができる。演算装置は、このエッジ部分のx座標を測長カーソル120の中心x座標とする。測長カーソル120のx軸方向サイズは、実施の形態1〜2と同様に定めればよい。
(Step 6: Determine the x coordinate and size of the length measurement cursor 120)
FIG. 14 is a diagram showing how the x coordinate and the size of the length measurement cursor 120 are determined. As described with reference to FIG. 8 of the first embodiment, since the noise is picked up in the portion where the semiconductor pattern 110 on the scanning line does not exist, the position where the luminance peak is detected is greatly separated from the edge portion along the x axis. Therefore, when the luminance peak is plotted, the edge portion and the noise portion are discontinuous. The arithmetic unit can detect the x coordinate of the edge portion along the y-axis of the semiconductor pattern 110 by detecting the discontinuous portion. The arithmetic unit sets the x coordinate of the edge portion as the center x coordinate of the length measurement cursor 120. The size of the length measurement cursor 120 in the x-axis direction may be determined in the same manner as in the first and second embodiments.

(ステップ6:測長カーソル120のx座標とサイズを定める:補足)
エッジ部分のx座標を定める処理は、ステップ2で検出したx軸沿いのエッジ部分またはステップ3で検出したx軸沿いのエッジ部分いずれかについてのみ行えばよい。すなわち、図14に示すプロット結果の左右いずれか半分についてのみ実行すればよい。
(Step 6: Determine x-coordinate and size of measuring cursor 120: Supplement)
The process of determining the x coordinate of the edge portion may be performed only for either the edge portion along the x axis detected in step 2 or the edge portion along the x axis detected in step 3. In other words, it is only necessary to execute for either the left or right half of the plot result shown in FIG.

以上のように、本実施の形態3によれば、観察画像100上のFOVを走査した結果に基づき、測長カーソル120のx座標とサイズを定めることができる。すなわち、実際の測定結果に基づき動的に測長カーソル120のx座標とサイズを定めることになる。したがって、設計データと実際の半導体パターン110が乖離していても、測長カーソル120のx座標とサイズを適切に定め、エッジ部分を測長カーソル120内に含めることができる。   As described above, according to the third embodiment, the x coordinate and the size of the length measurement cursor 120 can be determined based on the result of scanning the FOV on the observation image 100. That is, the x coordinate and the size of the length measurement cursor 120 are dynamically determined based on the actual measurement result. Therefore, even if the design data and the actual semiconductor pattern 110 are deviated, the x coordinate and the size of the length measuring cursor 120 can be appropriately determined, and the edge portion can be included in the length measuring cursor 120.

<実施の形態4>
図15は、実施の形態3のステップ6においてエッジ部分を検出する別手法を説明する図である。図14において、走査線上の輝度ピークをプロットすると、x軸沿いのエッジ部分とノイズ部分が非連続となることを説明した。この性質を利用して、統計処理的にエッジ部分を検出することができる。以下、本実施の形態4におけるステップ6の内容を説明する。その他のステップは実施の形態3と同様である。
<Embodiment 4>
FIG. 15 is a diagram for explaining another method for detecting an edge portion in step 6 of the third embodiment. In FIG. 14, it has been described that when the luminance peak on the scanning line is plotted, the edge portion and the noise portion along the x-axis are discontinuous. Using this property, the edge portion can be detected statistically. The contents of step 6 in the fourth embodiment will be described below. Other steps are the same as those in the third embodiment.

(ステップ6:測長カーソル120のx座標とサイズを定める)
演算装置は、FOV内を走査して得られた輝度ピークのy座標値を取得し、これらの平均値と分散値を図15のようにプロットする。x軸沿いのエッジ部分とノイズ部分の輝度ピークが非連続となることに起因して、y軸沿いのエッジ部分のx座標に相当する位置で極値が得られる。演算装置は、この極値を特定することにより、y軸沿いのエッジ部分のx座標を特定することができる。演算装置は、このエッジ部分のx座標を測長カーソル120の中心x座標とする。測長カーソル120のx軸方向サイズは、実施の形態1〜2と同様に定めればよい。
(Step 6: Determine the x coordinate and size of the length measurement cursor 120)
The arithmetic unit obtains the y coordinate value of the luminance peak obtained by scanning the FOV, and plots the average value and the variance value as shown in FIG. An extreme value is obtained at a position corresponding to the x coordinate of the edge portion along the y axis due to the discontinuity of the luminance peaks of the edge portion and the noise portion along the x axis. The arithmetic unit can specify the x coordinate of the edge portion along the y axis by specifying the extreme value. The arithmetic unit sets the x coordinate of the edge portion as the center x coordinate of the length measurement cursor 120. The size of the length measurement cursor 120 in the x-axis direction may be determined in the same manner as in the first and second embodiments.

以上のように、本実施の形態4によれば、走査線上の輝度ピークがx軸沿いのエッジ部分とノイズ部分で非連続となる性質を利用して、y軸沿いのエッジ部分のx座標を統計処理的に検出することができる。これにより、実施の形態3と同様の効果を発揮することができる。   As described above, according to the fourth embodiment, the x-coordinate of the edge portion along the y-axis is obtained by utilizing the property that the luminance peak on the scanning line is discontinuous between the edge portion along the x-axis and the noise portion. It can be detected statistically. Thereby, the same effect as Embodiment 3 can be exhibited.

<実施の形態5>
本発明の実施の形態5では、測長カーソル120の位置とサイズを設定した後、他の測長カーソル120と重なってしまった場合の処理手順を説明する。
<Embodiment 5>
In the fifth embodiment of the present invention, a processing procedure when the position and size of the length measurement cursor 120 are set and then overlapped with another length measurement cursor 120 will be described.

図16は、2つの対向する測長カーソル120が重なっている様子を示す図である。図16において、個々の測長カーソル120は半導体パターン110のエッジ部分を含んでおり、適正な位置とサイズに設定されているが、対向配置されている他の測長カーソル120と重なっている。   FIG. 16 is a diagram illustrating a state in which two opposing length measurement cursors 120 overlap each other. In FIG. 16, each length measuring cursor 120 includes an edge portion of the semiconductor pattern 110 and is set to an appropriate position and size, but overlaps with another length measuring cursor 120 arranged oppositely.

図17は、測長カーソル120の位置とサイズを再調整した後の様子を示す図である。演算装置は、各測長カーソル120の位置とサイズに基づき、各測長カーソル120が重なっているか否かを判断することができる。いずれかの測長カーソル120が重なっている場合、演算装置は、重なっている部分の中央を中心として、重なっている各測長カーソル120の位置を移動させ、重複部分をなくす。このとき、測長カーソル120のサイズを適宜再設定してもよい。   FIG. 17 is a diagram illustrating a state after the position and size of the length measurement cursor 120 are readjusted. The arithmetic device can determine whether or not the length measurement cursors 120 overlap each other based on the position and size of each length measurement cursor 120. When any length measuring cursor 120 overlaps, the arithmetic unit moves the position of each overlapping length measuring cursor 120 around the center of the overlapped portion to eliminate the overlapping portion. At this time, the size of the length measurement cursor 120 may be reset as appropriate.

以上のように、本実施の形態5によれば、演算装置は、測長カーソル120が重なっている部分がなくなるように、測長カーソル120の位置とサイズを調整する。これにより本来検出すべきでない他の半導体パターン110のエッジ部分を検出するなどの不都合を回避することができる。   As described above, according to the fifth embodiment, the arithmetic device adjusts the position and size of the length measurement cursor 120 so that there is no portion where the length measurement cursor 120 overlaps. As a result, inconveniences such as detecting edge portions of other semiconductor patterns 110 that should not be detected can be avoided.

<実施の形態6>
本発明の実施の形態5では、測長カーソル120の位置とサイズを設定した後、測長カーソル120が観察画像100の外に突出してしまった場合の処理手順を説明する。
<Embodiment 6>
In the fifth embodiment of the present invention, a processing procedure when the length measurement cursor 120 protrudes out of the observation image 100 after setting the position and size of the length measurement cursor 120 will be described.

図18は、測長カーソル120が観察画像100の外に突出している様子を示す図である。図18において、個々の測長カーソル120は半導体パターン110のエッジ部分を含んでおり、適正な位置とサイズに設定されているが、サイズが観察画像100サイズに比して大きいため、観察画像100の外まで突出してしまっている。   FIG. 18 is a diagram illustrating a state in which the length measurement cursor 120 protrudes outside the observation image 100. In FIG. 18, each length measurement cursor 120 includes the edge portion of the semiconductor pattern 110 and is set to an appropriate position and size. However, since the size is larger than the size of the observation image 100, the observation image 100 is displayed. It protrudes to the outside.

図19は、測長カーソル120の位置とサイズを再調整した後の様子を示す図である。演算装置は、各測長カーソル120の位置とサイズに基づき、各測長カーソル120が観察画像100の外に突出しているか否かを判断することができる。いずれかの測長カーソル120が観察画像100の外に突出している場合、演算装置は、各測長カーソル120のサイズと位置を再調整して、突出部分をなくす。   FIG. 19 is a diagram illustrating a state after the position and size of the length measurement cursor 120 are readjusted. The arithmetic device can determine whether or not each length measurement cursor 120 protrudes outside the observation image 100 based on the position and size of each length measurement cursor 120. When any one of the length measurement cursors 120 protrudes outside the observation image 100, the arithmetic device readjusts the size and position of each length measurement cursor 120 to eliminate the protruding portion.

以上のように、本実施の形態6によれば、演算装置は、測長カーソル120が観察画像100の外に突出している部分がなくなるように、測長カーソル120の位置とサイズを調整する。これにより半導体パターン110が観察画像100上で存在しない領域で走査処理を行うなどの不要な処理を行う必要がなくなり、また観察画像100の外を走査することに起因する測定エラーを回避することができる。   As described above, according to the sixth embodiment, the arithmetic device adjusts the position and size of the length measurement cursor 120 so that there is no portion where the length measurement cursor 120 protrudes outside the observation image 100. As a result, it is not necessary to perform unnecessary processing such as performing scanning processing in a region where the semiconductor pattern 110 does not exist on the observation image 100, and measurement errors caused by scanning outside the observation image 100 can be avoided. it can.

<実施の形態7>
以上の実施の形態1〜6で説明した手法により、演算装置は半導体パターン110のエッジ部分を精度良く検出することができる。演算装置は、エッジ部分を検出した後、その検出結果を用いてその他の測定を行うこともできる。例えば対向する半導体パターン110間の間隔を測定する測長処理を実行することができる。
<Embodiment 7>
By the method described in the first to sixth embodiments, the arithmetic unit can detect the edge portion of the semiconductor pattern 110 with high accuracy. After detecting the edge portion, the arithmetic unit can also perform other measurements using the detection result. For example, a length measurement process for measuring an interval between the semiconductor patterns 110 facing each other can be executed.

<実施の形態8>
図20は、本発明の実施の形態8に係る荷電粒子線装置200の構成を示す模式図である。本実施の形態8に係る荷電粒子線装置200は、演算装置270を備える。演算装置270は荷電粒子線装置200の全体動作を制御する。演算装置270はその他、実施の形態1〜6のいずれかで説明した半導体パターン110のエッジ部分を検出する方法、および実施の形態7で説明した半導体パターン110間の間隔を測定する方法の少なくともいずれかを実行する。以下図20の各構成について説明する。
<Eighth embodiment>
FIG. 20 is a schematic diagram showing a configuration of a charged particle beam apparatus 200 according to Embodiment 8 of the present invention. The charged particle beam device 200 according to the eighth embodiment includes an arithmetic device 270. The arithmetic device 270 controls the overall operation of the charged particle beam device 200. The arithmetic device 270 is at least one of the method for detecting the edge portion of the semiconductor pattern 110 described in any one of the first to sixth embodiments and the method for measuring the interval between the semiconductor patterns 110 described in the seventh embodiment. Do something. Hereinafter, each configuration of FIG. 20 will be described.

エミッタ211から放出された荷電粒子ビーム212は、静電レンズ221、222で集束され、試料ステージ214上の試料213上に照射される。試料213上での荷電粒子ビーム212の照射位置は、偏向器231および232で荷電粒子ビーム212を偏向することによって調整される。   The charged particle beam 212 emitted from the emitter 211 is focused by the electrostatic lenses 221 and 222 and irradiated onto the sample 213 on the sample stage 214. The irradiation position of the charged particle beam 212 on the sample 213 is adjusted by deflecting the charged particle beam 212 with the deflectors 231 and 232.

試料213から発生した2次電子215は2次電子検出器240で検出され、その信号強度を偏向強度と対応させた2次電子観察像が演算装置270で形成される。ユーザは、演算装置270が出力する2次電子観察像をディスプレイなどの表示装置上で見ながら、測定結果を画面上で確認することができる。   The secondary electrons 215 generated from the sample 213 are detected by the secondary electron detector 240, and a secondary electron observation image in which the signal intensity corresponds to the deflection intensity is formed by the arithmetic unit 270. The user can confirm the measurement result on the screen while viewing the secondary electron observation image output from the arithmetic device 270 on a display device such as a display.

静電レンズ221および222、ビーム制限絞り223、アライナー224を含むレンズ系220は、レンズ系制御器250で制御される。偏向器231、232を含む偏向系230は、偏向系制御器260で制御される。なお、各部のドライバを表すボックスの符号は省略してある。   The lens system 220 including the electrostatic lenses 221 and 222, the beam limiting aperture 223, and the aligner 224 is controlled by a lens system controller 250. The deflection system 230 including the deflectors 231 and 232 is controlled by the deflection system controller 260. In addition, the code | symbol of the box showing the driver of each part is abbreviate | omitted.

本実施の形態8における「荷電粒子照射部」は、エミッタ211が相当する。「画像取得部」は、2次電子検出器240および演算装置270が相当する。   The “charged particle irradiation unit” in the eighth embodiment corresponds to the emitter 211. The “image acquisition unit” corresponds to the secondary electron detector 240 and the arithmetic device 270.

以上のように、本実施の形態8によれば、実施の形態1〜6のいずれかで説明した半導体パターン110のエッジ部分を検出する方法、および実施の形態7で説明した半導体パターン110間の間隔を測定する方法を、荷電粒子線装置200が備える演算装置270を用いて実行することができる。なお演算装置270に代えて、外部のコンピュータなどを用いてもよい。   As described above, according to the eighth embodiment, the method for detecting the edge portion of the semiconductor pattern 110 described in any of the first to sixth embodiments and the semiconductor pattern 110 described in the seventh embodiment. The method for measuring the interval can be executed using the arithmetic device 270 provided in the charged particle beam device 200. Note that an external computer or the like may be used instead of the arithmetic unit 270.

100:観察画像、110:半導体パターン、120:測長カーソル、200:荷電粒子線装置、211:エミッタ、212:荷電粒子ビーム、213:試料、214:試料ステージ、215:2次電子、220:レンズ系、221、222:静電レンズ、223:ビーム制限絞り、224:アライナー、230:偏向系、231、232:偏向器、240:2次電子検出器、250:レンズ系制御器、260:偏向系制御器、270:演算装置。   100: Observation image, 110: Semiconductor pattern, 120: Measuring cursor, 200: Charged particle beam device, 211: Emitter, 212: Charged particle beam, 213: Sample, 214: Sample stage, 215: Secondary electrons, 220: Lens system, 221 and 222: electrostatic lens, 223: beam limiting aperture, 224: aligner, 230: deflection system, 231 and 232: deflector, 240: secondary electron detector, 250: lens system controller, 260: Deflection system controller, 270: arithmetic unit.

Claims (8)

半導体デバイスの半導体パターンのエッジ部分を検出する方法であって、
前記半導体デバイスの観察画像を得るステップと、
前記観察画像のうち前記エッジ部分を包含する画像領域を特定するステップと、
前記画像領域を前記観察画像上における前記エッジ部分と平行な座標軸方向に走査して前記半導体パターンのうち前記エッジ部分と直交する座標軸方向に存在する第2エッジ部分を検出する直交エッジ検出ステップと、
前記エッジ部分を検出するための走査範囲のうち前記エッジ部分と平行な座標軸方向の端部を前記第2エッジ部分よりも前記半導体パターン寄りに設定する走査範囲設定ステップと、
前記走査範囲を走査して前記エッジ部分を検出するステップと、
を有することを特徴とするエッジ部分検出方法。
A method for detecting an edge portion of a semiconductor pattern of a semiconductor device,
Obtaining an observation image of the semiconductor device;
Identifying an image region that includes the edge portion of the observed image;
An orthogonal edge detection step of scanning the image region in a coordinate axis direction parallel to the edge portion on the observation image and detecting a second edge portion existing in a coordinate axis direction orthogonal to the edge portion of the semiconductor pattern;
A scanning range setting step of setting an end portion in a coordinate axis direction parallel to the edge portion of the scanning range for detecting the edge portion closer to the semiconductor pattern than the second edge portion;
Scanning the scanning range to detect the edge portion;
An edge portion detection method characterized by comprising:
前記走査範囲設定ステップでは、
前記第2エッジ部分よりも前記半導体パターン寄りに極値を有する多項式を用いて前記第2エッジ部分の形状を近似し、
前記極値に対応する位置を前記走査範囲の前記エッジ部分と平行な座標軸方向の端部として設定する
ことを特徴とする請求項1記載のエッジ部分検出方法。
In the scanning range setting step,
Approximating the shape of the second edge portion using a polynomial having extreme values closer to the semiconductor pattern than the second edge portion,
The edge portion detection method according to claim 1, wherein a position corresponding to the extreme value is set as an end portion in a coordinate axis direction parallel to the edge portion of the scanning range.
前記走査範囲設定ステップでは、
前記第2エッジ部分の検出結果が非連続になっている部分が前記走査範囲に含まれるように、前記走査範囲の前記エッジ部分と直交する座標軸方向の端部を設定する
ことを特徴とする請求項1記載のエッジ部分検出方法。
In the scanning range setting step,
The end in the coordinate axis direction orthogonal to the edge portion of the scanning range is set so that a portion where the detection result of the second edge portion is discontinuous is included in the scanning range. Item 2. The edge portion detection method according to Item 1.
前記走査範囲設定ステップでは、
前記第2エッジ部分の検出結果が非連続になっている部分を、前記走査範囲のうち前記エッジ部分と直交する座標軸方向の中心座標とし、
前記走査範囲のうち前記エッジ部分と直交する座標軸方向のサイズを、前記走査範囲のうち前記エッジ部分と平行な座標軸方向のサイズの定数倍に設定する
ことを特徴とする請求項3記載のエッジ部分検出方法。
In the scanning range setting step,
A portion where the detection result of the second edge portion is discontinuous is set as a central coordinate in a coordinate axis direction orthogonal to the edge portion in the scanning range,
4. The edge portion according to claim 3, wherein the size in the coordinate axis direction orthogonal to the edge portion in the scanning range is set to a constant multiple of the size in the coordinate axis direction parallel to the edge portion in the scanning range. Detection method.
前記走査範囲設定ステップでは、
前記走査範囲が他のエッジ部分を検出するための走査範囲と重複する場合は、前記走査範囲の位置またはサイズを調整して重複を回避する
ことを特徴とする請求項3記載のエッジ部分検出方法。
In the scanning range setting step,
The edge part detection method according to claim 3, wherein, when the scanning range overlaps with a scanning range for detecting another edge part, the position or size of the scanning range is adjusted to avoid the overlap. .
前記走査範囲設定ステップでは、
前記走査範囲が前記観察画像外に突出する場合は、前記走査範囲の位置またはサイズを調整して突出を回避する
ことを特徴とする請求項3記載のエッジ部分検出方法。
In the scanning range setting step,
The edge part detection method according to claim 3, wherein when the scanning range protrudes outside the observation image, the position or size of the scanning range is adjusted to avoid the protrusion.
半導体デバイスの複数の半導体パターン間の間隔を測定する方法であって、
請求項1記載のエッジ部分検出方法を用いて対向する前記複数の半導体パターンのエッジ部分を検出するステップと、
前記エッジ部分の検出結果を用いて前記複数の半導体パターン間の間隔を測定するステップと、
を有することを特徴とする測長方法。
A method for measuring an interval between a plurality of semiconductor patterns of a semiconductor device,
Detecting edge portions of the plurality of semiconductor patterns facing each other using the edge portion detection method according to claim 1;
Measuring a distance between the plurality of semiconductor patterns using a detection result of the edge portion;
A length measuring method characterized by comprising:
荷電粒子を測定対象に照射する荷電粒子照射部と、
前記測定対象の観察画像を取得する画像取得部と、
前記観察画像を用いて請求項1記載のエッジ部分検出方法および請求項記載の測長方法の少なくともいずれかを実行する演算部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。
A charged particle irradiation unit that irradiates the measurement target with charged particles;
An image acquisition unit for acquiring an observation image of the measurement object;
An arithmetic unit for performing at least one of the edge portions detection method and claim 7 measurement method according to claim 1, wherein using the observation image,
A charged particle beam apparatus comprising:
JP2009261883A 2009-11-17 2009-11-17 Edge detection method, length measurement method, charged particle beam device Active JP5236615B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009261883A JP5236615B2 (en) 2009-11-17 2009-11-17 Edge detection method, length measurement method, charged particle beam device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009261883A JP5236615B2 (en) 2009-11-17 2009-11-17 Edge detection method, length measurement method, charged particle beam device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011106947A JP2011106947A (en) 2011-06-02
JP5236615B2 true JP5236615B2 (en) 2013-07-17

Family

ID=44230594

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009261883A Active JP5236615B2 (en) 2009-11-17 2009-11-17 Edge detection method, length measurement method, charged particle beam device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5236615B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6043529B2 (en) * 2012-07-20 2016-12-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ Pattern measuring device and contour line extracting device

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0658221B2 (en) * 1985-11-01 1994-08-03 株式会社日立製作所 Scanning electron microscope
JP3720476B2 (en) * 1996-07-30 2005-11-30 松下電器産業株式会社 Component detection method
JPH11201919A (en) * 1998-01-16 1999-07-30 Toshiba Corp Apparatus and method for inspecting pattern and recording medium recording pattern inspection process program
JP2003016463A (en) * 2001-07-05 2003-01-17 Toshiba Corp Extracting method for outline of figure, method and device for pattern inspection, program, and computer- readable recording medium with the same stored therein
JP4401126B2 (en) * 2003-08-22 2010-01-20 株式会社日立国際電気 Method for registering predetermined part of dimension measuring device
JP2006318955A (en) * 2005-05-10 2006-11-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method and apparatus for measuring pattern dimension
WO2007094439A1 (en) * 2006-02-17 2007-08-23 Hitachi High-Technologies Corporation Sample dimension inspecting/measuring method and sample dimension inspecting/measuring apparatus
JP4950716B2 (en) * 2007-03-22 2012-06-13 株式会社日立ハイテクノロジーズ Image processing system and scanning electron microscope apparatus
DE112008003774T5 (en) * 2008-03-10 2011-02-24 Advantest Corp. Structural measuring device and structural measuring method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011106947A (en) 2011-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5156619B2 (en) Sample size inspection / measurement method and sample size inspection / measurement device
WO2014129307A1 (en) Pattern-measuring apparatus and semiconductor-measuring system
JP5651428B2 (en) Pattern measuring method, pattern measuring apparatus, and program using the same
JP4078280B2 (en) Circuit pattern inspection method and inspection apparatus
JP5164598B2 (en) Review method and review device
WO2013153891A1 (en) Charged particle beam apparatus
JP2010276487A (en) Template creating method for template matching, and template creating apparatus
WO2016017561A1 (en) Charged particle beam device
KR101615829B1 (en) Semiconductor inspecting system
JP2004177139A (en) Support program for preparation of inspection condition data, inspection device, and method of preparing inspection condition data
JP2016170896A (en) Charged particle beam device and image formation method using the same
JP3836735B2 (en) Circuit pattern inspection device
JP6084888B2 (en) Defect inspection apparatus and defect inspection method
JP5236615B2 (en) Edge detection method, length measurement method, charged particle beam device
JP2019067545A (en) Charged particle beam device
JP4594833B2 (en) Defect inspection equipment
JP5103253B2 (en) Charged particle beam equipment
JP2004271269A (en) Pattern inspection method and pattern inspection device
JP6033325B2 (en) Semiconductor inspection apparatus and inspection method using charged particle beam
JP5386519B2 (en) Semiconductor inspection apparatus and charged particle beam image or optical condition selection apparatus
JPH09265931A (en) Image acquisition device and its method
JP2004271270A (en) Pattern inspection method and pattern inspection device
JP2004077423A (en) Sample image length measurement method and device therefor
JP7555896B2 (en) Charged particle beam image processing device and charged particle beam device equipped with same
TW202403816A (en) Charged particle beam apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120213

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121126

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121204

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130204

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130226

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130327

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 5236615

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160405

Year of fee payment: 3

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350