JP5233459B2 - Power reception control device, power reception device, and electronic device - Google Patents

Power reception control device, power reception device, and electronic device Download PDF

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Description

本発明は、受電制御装置、受電装置および電子機器等に関する。   The present invention relates to a power reception control device, a power reception device, an electronic device, and the like.

近年、電磁誘導を利用し、金属部分の接点がなくても電力伝送を可能にする無接点電力伝送が脚光を浴びている。この無接点電力伝送の適用例として、携帯電話機や家庭用機器(例えば電話機の子機)の充電などが提案されている。   In recent years, contactless power transmission that uses electromagnetic induction and enables power transmission even without a contact of a metal part has been in the spotlight. As an application example of this non-contact power transmission, charging of a mobile phone or a household device (for example, a handset of a phone) has been proposed.

1次コイルと2次コイルを用いた無接点電力伝送装置は、例えば、特許文献1に記載されている。
特開2006−60909号公報
A non-contact power transmission device using a primary coil and a secondary coil is described in Patent Document 1, for example.
JP 2006-60909 A

近年、携帯型電話機やノートブック型パーソナルコンピュータ等の携帯端末のバッテリとして、リチウムイオン電池やリチウムポリマー電池等の2次電池が広く利用されている。これらリチウムイオン電池やリチウムポリマー電池等の2次電池は、他の電池と比べてエネルギ密度が極めて高いという利点を有するが、一方で、劣化や安全性を考慮した厳密な充電制御を行う必要があり、高精度の充電管理技術が必要となる。   In recent years, secondary batteries such as lithium ion batteries and lithium polymer batteries have been widely used as batteries for portable terminals such as portable telephones and notebook personal computers. These secondary batteries such as lithium ion batteries and lithium polymer batteries have the advantage that the energy density is extremely higher than other batteries, but on the other hand, it is necessary to perform strict charge control in consideration of deterioration and safety. Yes, high-accuracy charge management technology is required.

したがって、2次電池を充電するために、高精度な出力制御を行い得るレギュレータ(例えば、シリーズレギュレータ)を利用した充電回路を用いるのが好ましいといえる。   Therefore, it can be said that it is preferable to use a charging circuit using a regulator (for example, a series regulator) capable of performing highly accurate output control in order to charge the secondary battery.

また、携帯端末のユーザの使い勝手を考慮すれば、2次電池の充電時間は短い方がよいが、無接点電力伝送を利用した場合の2次電池の充電効率は、通常の充電器(ACアダプタを使用した充電器)による充電効率よりも低く、充電時間が長くなる傾向がある。したがって、無接点電力伝送を用いて携帯端末の充電を行う際、充電中の電力損失を、可能な限り低減することが重要となる。   Also, considering the convenience of the user of the mobile terminal, the charging time of the secondary battery is better, but the charging efficiency of the secondary battery when using non-contact power transmission is a normal charger (AC adapter). The charging efficiency tends to be lower than the charging efficiency of the charger using the battery. Therefore, when charging a portable terminal using contactless power transmission, it is important to reduce power loss during charging as much as possible.

本発明の発明者の検討によれば、例えば、消耗の激しい2次電池を充電するときのように、大量の充電電流を流す必要がある場合において、上述のレギュレータにおいて電力損失(電力ロス)が発生し、このことが充電時間の短縮の妨げとなる場合があることが明らかとなった。また、携帯端末の安全性を考慮すれば、充電中におけるレギュレータの発熱は最小限に抑制するのが望ましい。   According to the study of the inventor of the present invention, when it is necessary to flow a large amount of charging current, for example, when a rechargeable secondary battery is charged, there is a power loss (power loss) in the regulator described above. It has become clear that this may hinder the shortening of the charging time. In consideration of the safety of the mobile terminal, it is desirable to suppress the heat generation of the regulator during charging to a minimum.

そこで、本発明の発明者は、2次電池への給電量が不足した場合(例えば、レギュレータの出力ノードの電圧が所与のしきい値電圧よりも低下した場合)に、レギュレータをバイパスするバイパス経路を形成し、このバイパス経路を経由して給電対象の負荷(2次電池等)に必要な電流を供給することによって、レギュレータにおける損失と発熱の低減を図る技術を検討した。   Therefore, the inventor of the present invention bypasses the regulator when the amount of power supplied to the secondary battery is insufficient (for example, when the voltage at the output node of the regulator drops below a given threshold voltage). A technique for reducing loss and heat generation in the regulator by forming a path and supplying necessary current to a load (secondary battery, etc.) to be fed via this bypass path was studied.

その検討の結果、バイパス経路がオフ状態になった後(例えば、直後)にバイパス経路がオン状態になり、あるいは、バイパス経路がオン状態になった後(例えば、直後)にバイパス経路がオフ状態になる発振動作(さらに、この発振動作が繰り返される場合もある)が生じる場合があることがわかった。   As a result of the examination, the bypass path is turned on after the bypass path is turned off (for example, immediately after), or the bypass path is turned off after the bypass path is turned on (for example, immediately after). It has been found that an oscillating operation (which may be repeated in some cases) may occur.

発振が生じる原因としては、例えば、受電側モジュールで採用される2次コイルが、規格の範囲を超えてより多くの電流を流すこと、あるいは、レギュレータのオン抵抗と、バイパス経路を構成するスイッチ回路のオン抵抗との差が、設計値よりも大きいこと等があげられる。   The cause of the oscillation is, for example, that the secondary coil employed in the power receiving module passes more current beyond the standard range, or the on-resistance of the regulator and the switch circuit that constitutes the bypass path The difference from the on-resistance is greater than the designed value.

例えば、バイパス経路がオン状態(大電流を流している状態)からオフ状態(レギュレータにより電流や電圧が制御される状態)に切り換ったとき、レギュレータを経由して流れる電流とレギュレータのオン抵抗によって生じる電圧降下によって、レギュレータの出力ノードの電圧が瞬時的に低下する。その低下の程度が、バイパス制御回路に付与されるヒステリシス特性のヒステリシス幅よりも大きいと、バイパス経路は再びオン状態となり、発振状態が生じる。   For example, when the bypass path switches from an on state (a state in which a large current flows) to an off state (a state in which current and voltage are controlled by the regulator), the current flowing through the regulator and the on resistance of the regulator Due to the voltage drop caused by, the voltage at the output node of the regulator drops instantaneously. If the degree of the decrease is larger than the hysteresis width of the hysteresis characteristic given to the bypass control circuit, the bypass path is turned on again, and an oscillation state occurs.

受電側モジュール(2次コイルと受電装置を含む)の設計に際しては、バイパス制御回路にヒステリシス特性を付与し、例えば、細かなノイズに起因して、バイパスのオン/オフが切り換るような誤動作が生じないようにしている。しかし、2次コイル、レギュレータ(例えば、LDOのようなシリーズレギュレータ)、ならびに、バイパス経路を形成するためのスイッチ回路(例えば、パワースイッチングトランジスタ)等は、外付け部品であり、外付け部品として、どのような特性をもつ部品を採用するかは、原則として、受電側モジュールを製造するメーカの判断に委ねられる。   When designing a power receiving module (including a secondary coil and a power receiving device), a hysteresis characteristic is added to the bypass control circuit, for example, a malfunction that switches on / off of the bypass due to fine noise. Is prevented from occurring. However, a secondary coil, a regulator (for example, a series regulator such as an LDO), and a switch circuit (for example, a power switching transistor) for forming a bypass path are external components. As a general rule, it is left to the judgment of the manufacturer that manufactures the power receiving module to determine what characteristics are used.

したがって、採用された外付け部品の特性によっては、バイパスのオン/オフの切り換えの際に、整流電圧に、予想外の瞬時的な大きな電圧変化が生じる場合が生じ得る。   Therefore, depending on the characteristics of the external parts employed, an unexpected and instantaneous large voltage change may occur in the rectified voltage when the bypass is turned on / off.

受電制御装置(受電制御IC:バイパス制御を実行するバイパス制御回路を含む)を供給するICメーカには、受電側モジュールの信頼性の確保が強く求められる。受電側モジュールの信頼性を高めるためには、バイパスのオン/オフの切り換えに際して、受電装置の整流電圧に、予想外の瞬時的な大きな電圧変化が生じた場合でも、発振状態を確実に防止することが重要である。このような事項が、本発明の発明者による検討によって明らかとされた。   An IC manufacturer that supplies a power reception control device (power reception control IC: including a bypass control circuit that performs bypass control) is strongly required to ensure the reliability of the power receiving module. In order to increase the reliability of the power receiving module, the oscillation state is reliably prevented even when an unexpected large instantaneous voltage change occurs in the rectified voltage of the power receiving device when switching the bypass on / off. This is very important. Such matters have been clarified by studies by the inventors of the present invention.

本発明は、このような考察に基づいてなされたものである。本発明の幾つかの態様によれば、例えば、レギュレータのバイパス技術によって受電装置における電力損失および発熱を低減することができ、一方、バイパスのオン/オフの切り換えによって、受電装置の整流電圧に、予想外の瞬時的な大きな電圧変化が生じた場合でも、発振を確実に防止することができ、受電装置の信頼性を高めることができる。   The present invention has been made based on such consideration. According to some aspects of the present invention, for example, power loss and heat generation in the power receiving device can be reduced by regulator bypass technology, while switching the bypass on / off to the rectified voltage of the power receiving device. Even when an unexpected large instantaneous voltage change occurs, oscillation can be reliably prevented and the reliability of the power receiving apparatus can be improved.

(1)本発明の受電制御装置の一態様では、1次コイルと2次コイルを電磁的に結合させて送電装置から、整流回路およびレギュレータを含む受電装置に対して電力を伝送し、前記受電装置の電圧出力ノードから給電対象の負荷に対して前記電力を供給する無接点電力伝送システムにおける、前記受電装置に設けられる受電制御装置であって、前記受電装置の動作を制御する受電側制御回路を含み、前記受電側制御回路は、前記レギュレータの入力ノードと出力ノードとの間に設けられたスイッチ回路をオンするか否かを制御するバイパス制御部を有し、前記バイパス制御部は、前記レギュレータの前記入力ノードおよび前記出力ノードの少なくとも一方の電圧レベルを検出する電圧検出回路と、前記電圧検出回路から出力される検出信号に基づいて、前記スイッチ回路をオン状態とするかオフ状態とするかを制御するバイパス制御信号を出力するバイパス制御信号出力回路と、前記スイッチ回路がオフ状態になった後に前記スイッチ回路がオン状態になり、あるいは、前記スイッチ回路がオン状態になった後に前記スイッチ回路がオフ状態になる発振状態を防止するための発振防止回路と、を有し、前記発振防止回路によって前記発振状態、あるいは前記発振状態を生じさせ得る状態が検出されると、前記バイパス制御信号出力回路は、前記スイッチ回路をオフ状態とする。   (1) In one aspect of the power reception control device of the present invention, the primary coil and the secondary coil are electromagnetically coupled to transmit power from the power transmission device to the power reception device including the rectifier circuit and the regulator, A power receiving control device provided in the power receiving device in a non-contact power transmission system for supplying the power to a load to be fed from a voltage output node of the device, the power receiving side control circuit controlling the operation of the power receiving device The power receiving side control circuit includes a bypass control unit that controls whether or not to turn on a switch circuit provided between an input node and an output node of the regulator, and the bypass control unit includes: A voltage detection circuit for detecting a voltage level of at least one of the input node and the output node of the regulator, and a detection signal output from the voltage detection circuit; Accordingly, a bypass control signal output circuit that outputs a bypass control signal that controls whether the switch circuit is turned on or off, and the switch circuit is turned on after the switch circuit is turned off. Or an oscillation prevention circuit for preventing an oscillation state in which the switch circuit is turned off after the switch circuit is turned on, and the oscillation state or the oscillation is generated by the oscillation prevention circuit. When a state that can cause a state is detected, the bypass control signal output circuit turns off the switch circuit.

本態様では、受電制御装置の受電側制御回路はバイパス制御部を有しており、バイパス制御部には、バイパスのオン/オフ(すなわち、スイッチ回路のオン/オフ)の切り換えに伴って生じる可能性のある発振を防止するための発振防止回路が設けられる。発振防止回路は、例えば、スイッチ回路がオフ状態になった後(直後)にスイッチ回路がオン状態になり、あるいは、スイッチ回路がオン状態になった後(直後)にスイッチ回路がオフ状態になる発振状態、あるいは、発振状態を生じさせ得る状態を検出する。   In this aspect, the power reception side control circuit of the power reception control device has a bypass control unit, and the bypass control unit may be generated when the bypass is turned on / off (that is, the switch circuit is turned on / off). An oscillation prevention circuit is provided for preventing the possibility of oscillation. In the oscillation prevention circuit, for example, the switch circuit is turned on after the switch circuit is turned off (immediately after), or the switch circuit is turned off after the switch circuit is turned on (immediately after). An oscillation state or a state that can cause an oscillation state is detected.

電圧検出回路は、受電装置の整流電圧(レギュレータの入力ノードの電圧、出力ノードの電圧、あるいは、それらの電圧の双方)を監視する。   The voltage detection circuit monitors the rectified voltage (the voltage at the input node of the regulator, the voltage at the output node, or both voltages) of the power receiving device.

バイパス制御信号出力回路は、原則として、電圧検出回路の検出信号に基づいて、スイッチ回路のオン/オフ(すなわちバイパスのオン/オフ)を制御する。但し、発振防止回路によって、発振状態または発振状態を生じさせ得る状態が検出されると、バイパス制御信号出力回路からのバイパス制御信号を、例えば非アクティブレベルに固定して、スイッチ回路をオフ状態とする。   In principle, the bypass control signal output circuit controls ON / OFF of the switch circuit (that is, ON / OFF of the bypass) based on the detection signal of the voltage detection circuit. However, when an oscillation state or a state that can cause an oscillation state is detected by the oscillation prevention circuit, the bypass control signal from the bypass control signal output circuit is fixed to an inactive level, for example, and the switch circuit is turned off. To do.

したがって、本態様によれば、レギュレータのバイパス技術によって受電装置における電力損失および発熱を低減させることができ、その一方、バイパスのオン/オフの切り換えによって、受電装置の整流電圧に、予想外の瞬時的な大きな電圧変化が生じた場合でも、発振状態を確実に防止することができる。よって、受電装置の信頼性を高めることができる。   Therefore, according to the present aspect, power loss and heat generation in the power receiving device can be reduced by the bypass technology of the regulator, and on the other hand, the rectified voltage of the power receiving device can be reduced to an unexpected moment by switching the bypass on / off. Even when a large voltage change occurs, the oscillation state can be reliably prevented. Thus, the reliability of the power receiving device can be increased.

(2)本発明の受電制御装置の他の態様では、前記電圧検出回路は、前記検出信号を出力するヒステリシスコンパレータを有し、前記ヒステリシスコンパレータから出力される前記検出信号の電圧レベルは、前記レギュレータの前記入力ノードおよび前記出力ノードの少なくとも一方の電圧レベルが、第1のしきい値電圧を下回ると第1のレベルとなり、前記第1のしきい値電圧より高い電圧である第2のしきい値電圧を超えると第2のレベルとなる。   (2) In another aspect of the power reception control device of the present invention, the voltage detection circuit includes a hysteresis comparator that outputs the detection signal, and the voltage level of the detection signal output from the hysteresis comparator is the regulator. When the voltage level of at least one of the input node and the output node is lower than the first threshold voltage, the first threshold is reached, and the second threshold is higher than the first threshold voltage. When the value voltage is exceeded, the second level is reached.

バイパス制御回路は、ヒステリシス特性をもつヒステリシスコンパレータを有する。つまり、整流電圧が第1のしきい値レベルまで低下するとスイッチ回路(すなわちバイパス)がオンし、その後、整流電圧が第2のしきい値レベルまで上昇したときに、スイッチ回路(すなわちバイパス)がオフする。これによって、例えば、細かなノイズに起因して、バイパスのオン/オフが切り換るような誤動作が生じない。   The bypass control circuit has a hysteresis comparator having hysteresis characteristics. That is, when the rectified voltage drops to the first threshold level, the switch circuit (that is, bypass) is turned on, and then when the rectified voltage rises to the second threshold level, the switch circuit (that is, bypass) is turned on. Turn off. As a result, for example, a malfunction that switches on / off of the bypass due to fine noise does not occur.

ここで、例えば、第1のしきい値電圧をさらに低くして、ヒステリシス幅を拡大した場合、バイパスのオン/オフの切り換えの際に、発振状態が生じる可能性は低くなる。しかし、バイパスのオン/オフの切り換えの際に生じる整流電圧の電圧変動の程度は、外付け部品の特性(例えば、入出力特性を決める定数等)によって変動する。また、バイパス制御のためのヒステリシス幅をあまりに広く設定すると、給電対象の負荷への給電量が低下してもバイパスがオンしにくくなる。また、バイパスのオンが解除されにくくなり、この場合、レギュレータによる給電電圧の制御が働かない期間が長くなるため、結果的に、受電装置の耐圧マージンが減少する。この場合には、高効率化を実現し、かつ安全な動作を保障するという本来の目的が達成できなくなる。   Here, for example, when the first threshold voltage is further reduced and the hysteresis width is expanded, the possibility of an oscillation state occurring when the bypass is switched on / off is reduced. However, the degree of voltage fluctuation of the rectified voltage that occurs when the bypass is turned on / off varies depending on the characteristics of external components (for example, constants that determine input / output characteristics). If the hysteresis width for bypass control is set too wide, the bypass is difficult to turn on even when the amount of power supplied to the load to be supplied is reduced. In addition, it becomes difficult to turn on the bypass, and in this case, the period during which the control of the power supply voltage by the regulator does not work is lengthened. As a result, the withstand voltage margin of the power receiving device is reduced. In this case, the original purpose of achieving high efficiency and ensuring safe operation cannot be achieved.

そこで、ヒステリシスコンパレータのヒステリシス幅は、上述の本来の目的を達成可能な範囲に設定し、バイパスのオン/オフの際に生じる可能性がある発振については、別途、発振防止回路によって対策するようにしたものである。   Therefore, the hysteresis width of the hysteresis comparator is set within a range where the above-mentioned original purpose can be achieved, and oscillations that may occur when the bypass is turned on / off should be separately dealt with by an oscillation prevention circuit. It is a thing.

(3)本発明の受電制御装置の他の態様では、前記バイパス制御信号出力回路は、前記発振防止回路によって、前記スイッチ回路がオン状態となる回数が所与の許可回数m(mは1以上の整数)に達したことが検出されると、(m+1)回目の前記スイッチ回路のオンを禁止する。   (3) In another aspect of the power reception control device of the present invention, the bypass control signal output circuit is configured such that the number of times the switch circuit is turned on by the oscillation prevention circuit is a given permission number m (m is 1 or more). (M + 1) times, the switch circuit is prohibited from being turned on.

本態様では、バイパス(スイッチ回路)がオン状態となることができる回数(バイパスオン回数)に制限を設けることによって、バイパス(スイッチ回路)のオン/オフ切り換えに起因して生じる発振を確実に防止する。同一の負荷への給電期間中においては、給電不足を補うためにバイパスをオンさせるような事態は、それほど多くは発生しないと考えられる。   In this mode, by setting a limit on the number of times that the bypass (switch circuit) can be turned on (bypass on frequency), oscillation caused by switching on / off of the bypass (switch circuit) is surely prevented. To do. During the period of supplying power to the same load, it is considered that there are not many situations where the bypass is turned on to compensate for the shortage of power supply.

そこで、バイパス(スイッチ回路)がオン状態になることが許容される回数(バイパスオン許可回数)をm回に設定する。mの値を適切な値に設定すれば、給電不足を補うためにバイパス(スイッチ回路)をオンさせることを妨げることなく、発振を確実に防止することができる。すなわち、(m+1)回目のバイパス(スイッチ回路)のオンは禁止されるため、発振は確実に阻止される。   Therefore, the number of times that the bypass (switch circuit) is allowed to be in the ON state (bypass-on permitted number) is set to m times. If the value of m is set to an appropriate value, oscillation can be reliably prevented without preventing the bypass (switch circuit) from being turned on in order to compensate for the shortage of power supply. That is, since the (m + 1) -th bypass (switch circuit) is turned on, oscillation is reliably prevented.

(4)本発明の受電制御装置の他の態様では、前記所与の許可回数mは“1”に設定される。   (4) In another aspect of the power reception control device of the present invention, the given permission count m is set to “1”.

同一の負荷への給電期間中においては、給電不足を補うためにバイパスをオンさせるような事態は、それほど多くはないと考えられる。基本的には、同一の負荷への給電期間中においては、1回だけバイパスがオンすれば足りる場合が多いと考えられる。例えば、2次電池を充電する場合、充電の初期に、消耗している2次電池に大量に電流を供給する必要性からバイパスがオンすることが多い。その後、2次電池がある程度、充電されると、受電装置の整流電圧は徐々に上昇していき、整流電圧が所与のレベルを超えるバイパスが解除され、受電装置の整流電圧は安定化し、やがて、2次電池は満充電状態となる、というのが、一般的な充電動作である。また、2次電池以外の負荷に給電する場合も、同一の負荷への給電中には、バイパスは1回だけオンすればよい、というケースは多いと考えられる。   During the power supply period to the same load, it is considered that there are not so many situations where the bypass is turned on to compensate for the shortage of power supply. Basically, it is considered that it is often sufficient to turn on the bypass only once during the period of supplying power to the same load. For example, when charging a secondary battery, the bypass is often turned on in the initial stage of charging because of the need to supply a large amount of current to the depleted secondary battery. After that, when the secondary battery is charged to some extent, the rectified voltage of the power receiving device gradually increases, the bypass where the rectified voltage exceeds a given level is released, the rectified voltage of the power receiving device stabilizes, and eventually It is a general charging operation that the secondary battery is fully charged. Even when power is supplied to a load other than the secondary battery, it is considered that there are many cases in which the bypass only needs to be turned on once during the power supply to the same load.

そこで、本態様では、同一対象の負荷への給電期間中には、バイパスのオンを1回のみ許可する。したがって、受電装置の給電能力の不足を補うためにバイパスがオンすると、2回目のバイパスのオン(すなわち、2回目のスイッチ回路のオン)は禁止されることになる。   Therefore, in this aspect, during the power supply period to the same target load, the bypass is turned on only once. Accordingly, when the bypass is turned on to compensate for the shortage of the power supply capability of the power receiving device, the second bypass on (that is, the second switch circuit is turned on) is prohibited.

例えば、受電装置の給電能力の不足を補うためにバイパスがオンし(第1回目のオン)、次に、バイパスがオン状態からオフ状態に切り換ったことが発振防止回路により検出されると、第2回目のバイパスのオンが禁止される。この場合、「第1回目のバイパスのオン状態が終了した状態」が、「発振を生じさせ得る状態」である。つまり、発振防止回路によって、発振を生じさせ得る状態となったことが検出されると、第2回目のバイパスのオンが禁止され、これによって、バイパスのオン/オフの切り換えに起因して生じる発振状態は、未然に、確実に防止される。   For example, when the bypass is turned on to compensate for the shortage of power supply capability of the power receiving device (first turn on), and then the oscillation prevention circuit detects that the bypass is switched from the on state to the off state. The second bypass is prohibited from being turned on. In this case, the “state in which the first bypass on-state is completed” is the “state in which oscillation can occur”. In other words, when it is detected by the oscillation prevention circuit that the oscillation can be generated, the second bypass ON is prohibited, thereby causing the oscillation caused by switching the bypass on / off. The condition is reliably prevented before it happens.

(5)本発明の受電制御装置の他の態様では、前記バイパス制御信号出力回路は、前記発振防止回路によって前記発振状態または前記発振状態を生じさせ得る状態が検出されると、前記スイッチ回路のオンを所与の時間だけ禁止し、前記所与の時間の経過後に、前記スイッチ回路のオンの禁止を解除する。   (5) In another aspect of the power reception control device of the present invention, when the bypass control signal output circuit detects the oscillation state or a state that can cause the oscillation state by the oscillation prevention circuit, The switch-on is prohibited for a given time, and after the given time has elapsed, the switch circuit is no longer turned on.

同一の給電対象の負荷に対する給電期間中においては、バイパスがオンする回数は基本的には1回程度と考えられるが、しかし、何らかの理由によって、給電能力が不足する状態が、2回、3回と生じる場合もあり得る。このような場合には、バイパスをオンして、十分な電流を負荷に対して供給できるようにするのが好ましい。一方、バイパスのオン/オフに起因して生じる瞬時的な整流電圧の大きな変動は、長く継続せず、ある程度の時間が経過すると収束するのが一般的である。   During the power supply period for the same power supply target load, the number of times the bypass is turned on is considered to be about 1 time. However, for some reason, the state where the power supply capacity is insufficient is twice or three times. May occur. In such a case, it is preferable to turn on the bypass so that a sufficient current can be supplied to the load. On the other hand, the large fluctuation of the instantaneous rectified voltage caused by the on / off of the bypass does not continue for a long time, and generally converges after a certain period of time.

そこで、本態様では、バイパス制御信号が、例えばアクティブレベルになることを所与の時間内(例えば10秒程度)において禁止し、これによって、この期間内では、バイパス(スイッチ回路)のオンが禁止される。そして、その所与の時間が経過すると、バイパス(スイッチ回路)のオンの禁止を解除する。バイパスのオン/オフの切り換えタイミングから所与の時間内はバイパスのオンが禁じられることから、バイパスのオン/オフに起因して生じる発振は確実に防止される。また、同一の給電対象の負荷に対する給電期間中において、給電能力が不足する状態が複数回、生じる場合には、その都度、バイパスをオンして給電量の不足を補うことができる。   Therefore, in this aspect, for example, the bypass control signal is prohibited from becoming an active level within a given time (for example, about 10 seconds), and thereby, the bypass (switch circuit) is prohibited from being turned on within this period. Is done. When the given time elapses, the prohibition of turning on the bypass (switch circuit) is canceled. Since the bypass is prohibited from being turned on for a given time from the bypass on / off switching timing, oscillation caused by the bypass on / off is reliably prevented. In addition, during a power supply period for the same power supply target load, when a state in which the power supply capability is insufficient occurs a plurality of times, the shortage of power supply can be compensated by turning on the bypass each time.

(6)本発明の受電制御装置の他の態様では、前記バイパス制御信号出力回路は、前記発振防止回路によって、前記スイッチ回路の最初のオン状態からオフ状態への変化が検出されると、前記スイッチ回路のオンを所与の時間だけ禁止し、前記所与の時間の経過後に、前記スイッチ回路のオンの禁止を解除する。   (6) In another aspect of the power reception control device of the present invention, when the bypass control signal output circuit detects a change from the first on state to the off state of the switch circuit by the oscillation prevention circuit, The switch circuit is inhibited from being turned on for a given time, and after the given time has elapsed, the switch circuit is turned off.

本態様では、受電装置の給電能力の不足を補うためにバイパスがオンし(第1回目のオン)、次に、バイパスがオン状態からオフ状態に切り換ったことが発振防止回路により検出されると、そのタイミングから所与の期間(例えば、10秒程度の期間)は、第2回目のバイパスのオンが禁止される。この場合、「第1回目のバイパスのオン状態が終了した状態」が、「発振を生じさせ得る状態」である。つまり、発振防止回路によって、発振を生じさせ得る状態となったことが検出されると、所与の時間だけ第2回目のバイパス(スイッチ回路)のオンが禁止され、これによって、バイパスのオン/オフの切り換えに起因して生じる発振状態は、未然に、確実に防止される。   In this mode, the oscillation prevention circuit detects that the bypass is turned on to compensate for the lack of power supply capability of the power receiving device (first turn on), and that the bypass is then switched from the on state to the off state. Then, the second bypass is prohibited from being turned on for a given period (for example, a period of about 10 seconds) from that timing. In this case, the “state in which the first bypass on-state is completed” is the “state in which oscillation can occur”. In other words, when it is detected by the oscillation prevention circuit that the oscillation can be generated, the second bypass (switch circuit) is prohibited from being turned on for a given time. An oscillation state caused by switching off is surely prevented.

(7)本発明の受電制御装置の他の態様では、前記バイパス制御信号出力回路は、前記発振防止回路によって、前記バイパス経路が最初のオン状態からオフ状態に変化し、さらにオン状態に変化したことが検出されると、前記スイッチ回路のオンを所与の時間だけ禁止し、前記所与の時間の経過後に、前記スイッチ回路のオンの禁止を解除する。   (7) In another aspect of the power reception control device of the present invention, the bypass control signal output circuit changes the bypass path from the first on state to the off state and further to the on state by the oscillation prevention circuit. When this is detected, the switch circuit is turned off for a given time, and after the given time has elapsed, the switch circuit is turned off.

本態様では、受電装置の給電能力の不足を補うためにバイパスがオンし(第1回目のオン)、次に、バイパスがオン状態からオフ状態に切り換り、その後(例えば直後)に、バイパスが再びオン(第2回目のオン)になったことが発振防止回路により検出されるとバイパスがオフされ、そのタイミングから所与の期間(例えば、10秒程度の期間)は、次のバイパスのオン(第3回目のバイパスのオン)が禁止される。   In this aspect, the bypass is turned on to compensate for the shortage of the power supply capability of the power receiving device (first turn-on), then the bypass is switched from the on state to the off state, and then the bypass is performed (for example, immediately after). When the oscillation prevention circuit detects that is turned on again (on for the second time), the bypass is turned off, and for a given period (for example, a period of about 10 seconds) from that timing, On (third bypass on) is prohibited.

この場合、バイパスがオン状態からオフ状態に変化し、直後に再びオン状態に変化することによって、1回だけ発振状態が生じるが、その後、バイパスのオンが繰り返される事態が生じない。よって、バイパスのオン/オフの切り換えに起因して生じる発振状態が継続されることが、確実に防止される。本態様では、実際に発振状態が生じたことを検出しているため、誤って発振防止機能が動作することがないという利点がある。   In this case, the bypass changes from the on-state to the off-state, and immediately after that changes to the on-state again, an oscillation state is generated only once. However, the bypass is not repeatedly turned on thereafter. Therefore, it is possible to reliably prevent the oscillation state caused by the on / off switching of the bypass from being continued. In this aspect, since an actual oscillation state is detected, there is an advantage that the oscillation prevention function does not operate by mistake.

(8)本発明の受電制御装置の他の態様では、前記電圧検出回路は、前記検出信号を出力するヒステリシスコンパレータを有し、前記発振防止回路によって前記発振状態、あるいは前記発振状態を生じさせ得る状態が検出される前においては、前記ヒステリシスコンパレータの出力信号のレベルは、前記レギュレータの前記入力ノードおよび前記出力ノードの少なくとも一方の電圧レベルが、第1のしきい値電圧より低下すると第1のレベルとなり、前記第1のしきい値電圧より高い電圧である第2のしきい値電圧を超えると第2のレベルとなり、前記発振防止回路によって前記発振状態、あるいは前記発振状態を生じさせ得る状態が検出されると、前記ヒステリシスコンパレータのヒステリシス特性が変更され、これによって、前記ヒステリシスコンパレータの出力信号のレベルは、前記レギュレータの前記入力ノードおよび前記出力ノードの少なくとも一方の電圧レベルが、前記第1のしきい値電圧よりも低い電圧である第3のしきい値電圧を下回ると前記第1のレベルとなり、前記第3のしきい値電圧は、前記発振状態においては下回ることがない電圧であって、かつ、前記給電対象の負荷への給電量が不足する場合においては下回ることがある電圧に設定される。   (8) In another aspect of the power reception control device of the present invention, the voltage detection circuit includes a hysteresis comparator that outputs the detection signal, and the oscillation state or the oscillation state can be generated by the oscillation prevention circuit. Before a state is detected, the level of the output signal of the hysteresis comparator is the first level when the voltage level of at least one of the input node and the output node of the regulator falls below a first threshold voltage. A level that exceeds the second threshold voltage, which is higher than the first threshold voltage, becomes the second level, and the oscillation state or the oscillation state can be generated by the oscillation prevention circuit Is detected, the hysteresis characteristic of the hysteresis comparator is changed, whereby the hysteresis is The level of the output signal of the cis-comparator is lower than a third threshold voltage at which the voltage level of at least one of the input node and the output node of the regulator is lower than the first threshold voltage. And the first level, and the third threshold voltage is a voltage that does not drop in the oscillation state, and is lower when the amount of power supplied to the load to be fed is insufficient. Set to a certain voltage.

本態様では、発振防止回路によって発振状態、あるいは発振状態を生じさせ得る状態が検出されると、バイパス制御に使用されるヒステリシスコンパレータのヒステリシス幅を拡大し、発振が生じないようにする。   In this aspect, when an oscillation state or a state that can cause an oscillation state is detected by the oscillation prevention circuit, the hysteresis width of the hysteresis comparator used for bypass control is expanded to prevent oscillation.

上述のとおり、ヒステリシスコンパレータのヒステリシス幅を利用して、バイパスのオン/オフの切り換え制御を実行する。つまり、整流電圧が第1のしきい値レベルまで低下するとバイパスがオンし、その後、整流電圧が第2のしきい値レベルまで上昇したときにバイパスがオフする。そして、本態様では、発振防止回路によって発振状態、あるいは発振状態を生じさせ得る状態が検出されると、バイパスをオンするしきい値電圧が、第1のしきい値電圧よりも低い電圧である第3のしきい値電圧に変更される。この結果、発振状態が生じたとしても、整流電圧(レギュレータの入力ノードの電圧および出力ノードの電圧の少なくとも一方)が、第3のしきい値電圧を下回ることが困難となり、発振を阻止すること、あるいは、発振の継続を阻止することができる。   As described above, bypass ON / OFF switching control is executed using the hysteresis width of the hysteresis comparator. That is, the bypass is turned on when the rectified voltage falls to the first threshold level, and then the bypass is turned off when the rectified voltage rises to the second threshold level. In this aspect, when the oscillation prevention circuit detects an oscillation state or a state that can cause an oscillation state, the threshold voltage for turning on the bypass is a voltage lower than the first threshold voltage. The third threshold voltage is changed. As a result, even if an oscillation state occurs, it becomes difficult for the rectified voltage (at least one of the voltage at the input node and the voltage at the output node of the regulator) to fall below the third threshold voltage, thereby preventing oscillation. Alternatively, it is possible to prevent the oscillation from continuing.

第3のしきい値電圧は、発振状態においては下回ることがない電圧であって、かつ、給電対象の負荷への給電量が不足する場合においては下回ることがある電圧に設定するのが好ましい。すなわち、バイパス制御のためのヒステリシス幅をあまりに広げすぎると、給電対象の負荷への給電量が低下してもバイパスがオンしにくくなり、また、バイパスのオンが解除されにくくなるという不都合が生じるため、第3のしきい値電圧のレベルは、発振を阻止でき、かつ、給電量の不足によるバイパスオンの要請には応えることができるような、適切なレベルに設定するのが好ましい。   The third threshold voltage is preferably set to a voltage that does not fall below in the oscillation state and that may fall below when the amount of power supplied to the load to be fed is insufficient. That is, if the hysteresis width for bypass control is too wide, the bypass is difficult to turn on even when the amount of power supplied to the load to be fed is reduced, and the bypass is not easily released. The level of the third threshold voltage is preferably set to an appropriate level that can prevent oscillation and respond to a request for bypass-on due to a shortage of power supply.

(9)本発明の受電制御装置の他の態様では、前記発振防止回路によって、前記スイッチ回路の最初のオン状態からオフ状態への変化が検出されると、前記ヒステリシスコンパレータのヒステリシス特性が変更され、これによって、前記ヒステリシスコンパレータの出力信号のレベルは、前記レギュレータの前記入力ノードおよび前記出力ノードの少なくとも一方の電圧レベルが前記第3のしきい値電圧を下回ると前記第1のレベルとなる。   (9) In another aspect of the power reception control device of the present invention, when the oscillation prevention circuit detects a change from the first on state to the off state of the switch circuit, the hysteresis characteristic of the hysteresis comparator is changed. As a result, the level of the output signal of the hysteresis comparator becomes the first level when the voltage level of at least one of the input node and the output node of the regulator falls below the third threshold voltage.

受電装置の給電能力の不足を補うためにバイパスがオンし(第1回目のオン)、次に、バイパスがオン状態からオフ状態に切り換ったことが発振防止回路により検出されると、バイパスをオンさせるためのしきい値が、第1のしきい値電圧から第3のしきい値電圧に変更される。   When the bypass is turned on to compensate for the lack of power supply capability of the power receiving apparatus (first turn on), and then the oscillation prevention circuit detects that the bypass is switched from the on state to the off state, The threshold value for turning on is changed from the first threshold voltage to the third threshold voltage.

この場合、「第1回目のバイパスのオン状態が終了した状態」が、「発振を生じさせ得る状態」である。つまり、発振防止回路によって、発振を生じさせ得る状態となったことが検出されると、ヒステリシス幅が拡大される。よって、バイパスのオン/オフの切り換えに起因して生じる発振状態が、未然に防止される。   In this case, the “state in which the first bypass on-state is completed” is the “state in which oscillation can occur”. That is, when the oscillation preventing circuit detects that the oscillation can be generated, the hysteresis width is expanded. Therefore, an oscillation state caused by switching on / off of the bypass is prevented in advance.

(10)本発明の受電制御装置の他の態様では、前記発振防止回路によって、前記スイッチ回路が最初のオン状態からオフ状態に変化し、さらにオン状態に変化したことが検出されると、前記ヒステリシスコンパレータのヒステリシス特性が変更され、これによって、前記ヒステリシスコンパレータの出力信号のレベルは、前記レギュレータの前記入力ノードおよび前記出力ノードの少なくとも一方の電圧レベルが前記第3のしきい値電圧を下回ると前記第1のレベルとなる。   (10) In another aspect of the power reception control device of the present invention, when it is detected by the oscillation prevention circuit that the switch circuit is changed from an initial on state to an off state and further changed to an on state, When the hysteresis characteristic of the hysteresis comparator is changed, the level of the output signal of the hysteresis comparator is changed when the voltage level of at least one of the input node and the output node of the regulator is lower than the third threshold voltage. This is the first level.

本態様では、受電装置の給電能力の不足を補うためにバイパスがオンし(第1回目のオン)、次に、バイパスがオン状態からオフ状態に切り換り、その直後に、バイパスが再びオン(第2回目のオン)になったことが発振防止回路により検出されると、バイパスをオンさせるためのしきい値が、第1のしきい値電圧から第3のしきい値電圧に変更され、ヒステリシス幅が拡大される。よって、バイパスのオン/オフの切り換えに起因して生じる発振状態が防止される。本態様では、実際に発振状態が生じたことを検出しているため、誤って発振防止機能(ヒステリシス幅を拡大する機能)が動作することがないという利点がある。   In this aspect, the bypass is turned on to compensate for the shortage of the power supply capability of the power receiving device (first turn-on), then the bypass is switched from the on state to the off state, and immediately after that, the bypass is turned on again. When the oscillation prevention circuit detects that (second turn-on) has occurred, the threshold value for turning on the bypass is changed from the first threshold voltage to the third threshold voltage. The hysteresis width is expanded. Therefore, an oscillation state caused by switching on / off of the bypass is prevented. In this aspect, since the fact that the oscillation state has actually occurred is detected, there is an advantage that the oscillation prevention function (function for expanding the hysteresis width) does not operate by mistake.

(11)本発明の受電制御装置の他の態様では、前記ヒステリシスコンパレータのヒステリシス特性が変更された状態は、前記変更のタイミングから所与の時間だけ継続し、前記時間が経過すると、前記ヒステリシスコンパレータのヒステリシス特性は、前記ヒステリシス特性の変更前の状態に戻る。   (11) In another aspect of the power reception control device of the present invention, the state in which the hysteresis characteristic of the hysteresis comparator is changed continues for a given time from the timing of the change, and when the time has elapsed, the hysteresis comparator The hysteresis characteristic returns to the state before the change of the hysteresis characteristic.

本態様では、ヒステリシスコンパレータのヒステリシス幅の変更は、所与の時間(例えば、10秒程度)だけ継続され、その時間の経過後、ヒステリシスコンパレータのヒステリシス特性は、変更前の状態に戻る。   In this aspect, the change of the hysteresis width of the hysteresis comparator is continued for a given time (for example, about 10 seconds), and the hysteresis characteristic of the hysteresis comparator returns to the state before the change after the time has elapsed.

バイパスのオン/オフの切り換えタイミングから所与の期間内はヒステリシス幅を広げることによって発振を防止する。一方、所与の期間の経過後はヒステリシス幅をもとに戻して、バイパスがオンしにくい状況をなくし、負荷への給電能力の不足が生じたときには、速やかにバイパスをオンさせることができるようにする。   Oscillation is prevented by increasing the hysteresis width within a given period from the on / off switching timing of the bypass. On the other hand, after the lapse of a given period, the hysteresis width is restored to the original state so that the situation in which the bypass is difficult to turn on is eliminated, and when the power supply capacity to the load is insufficient, the bypass can be turned on quickly. To.

(12)本発明の受電装置の一態様は、前記整流回路を含み、前記2次コイルの誘起電圧を直流電圧に変換する受電部と、前記レギュレータと、前記レギュレータの入力端および出力端との間に設けられた前記スイッチ回路と、を含み、前記給電対象の負荷への給電を制御する給電制御部と、を含む。   (12) One aspect of the power receiving device of the present invention includes the rectifier circuit, and includes a power receiving unit that converts an induced voltage of the secondary coil into a DC voltage, the regulator, and an input terminal and an output terminal of the regulator. And a power feeding control unit that controls power feeding to the load to be fed.

本態様によれば、小型、低損失、低発熱という優れた特性をもち、かつ、バイパスのオン/オフが繰り返される発振状態が確実に防止可能な、高い信頼性をもつ無接点電力伝送システムの受電装置が実現される。   According to this aspect, there is provided a highly reliable non-contact power transmission system having excellent characteristics of small size, low loss, and low heat generation and capable of reliably preventing an oscillation state in which bypass is repeatedly turned on and off. A power receiving apparatus is realized.

(13)本発明の受電装置の他の態様では、前記レギュレータおよび前記スイッチ回路は、外付け部品である。   (13) In another aspect of the power receiving device of the present invention, the regulator and the switch circuit are external components.

バイパスのオン/オフの切り換えの際に生じる整流電圧の電圧変動の程度は、外付け部品の特性(例えば、入出力特性を決める定数等)によって変動する。本発明を用いない場合は、発振防止の観点から、採用可能な外付け部品が限定される場合もあり得る。本発明によれば、発振が確実に防止される。よって、受電モジュールを使用するユーザは、外付け部品としての2次コイルやレギュレータ、あるいは、バイパス経路を形成するためのパワースイッチングトランジスタ等を自由に選定することができる。   The degree of voltage fluctuation of the rectified voltage that occurs when the bypass is turned on / off varies depending on the characteristics of external components (for example, constants that determine input / output characteristics). When the present invention is not used, external parts that can be employed may be limited from the viewpoint of preventing oscillation. According to the present invention, oscillation is reliably prevented. Therefore, a user who uses the power receiving module can freely select a secondary coil or a regulator as an external component, a power switching transistor for forming a bypass path, or the like.

(14)本発明の電子機器の一態様は、上記の受電装置と、前記受電装置により電力が供給される給電対象の負荷と、を含む。   (14) One embodiment of the electronic device of the present invention includes the above power receiving device and a load to be supplied with power supplied by the power receiving device.

本発明は、多様な電子機器(例えば、腕時計、コードレス電話器、シェーバー、電動歯ブラシ、リストコンピュータ、ハンディターミナル、携帯情報端末、あるいは電動自転車など)に適用可能である。特に好適な電子機器の例としては、携帯端末(携帯電話端末、PDA端末、持ち運び可能なパーソナルコンピュータ端末を含む)や時計(ウオッチ)があげられる。本発明の受電装置は、構成が簡単で小型であるため携帯端末等への搭載も可能であり、低損失であるために、例えば、電子機器における2次電池の充電時間を短縮することが可能であり、また、発熱が低減されることから、電子機器の安全面からみた信頼性も向上する。また、バイパスのオン/オフが繰り返される発振状態が確実に防止されるため、給電対象の負荷への安定化した電力供給が実現される。よって、電子機器の信頼性はさらに向上する。   The present invention can be applied to various electronic devices (for example, wristwatches, cordless telephones, shavers, electric toothbrushes, wrist computers, handy terminals, portable information terminals, electric bicycles, etc.). Examples of particularly suitable electronic devices include mobile terminals (including mobile phone terminals, PDA terminals, portable personal computer terminals) and watches (watches). Since the power receiving device of the present invention is simple in configuration and small in size, it can be mounted on a portable terminal or the like and has low loss. For example, the charging time of a secondary battery in an electronic device can be shortened. In addition, since the heat generation is reduced, the reliability of the electronic device from the viewpoint of safety is also improved. In addition, since an oscillation state in which the bypass is repeatedly turned on / off is reliably prevented, stable power supply to the power supply target load is realized. Therefore, the reliability of the electronic device is further improved.

以下、図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。
なお以下に説明する本実施形態は特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
The present embodiment described below does not unduly limit the contents of the present invention described in the claims, and all the configurations described in the present embodiment are indispensable as means for solving the present invention. Not necessarily.

(第1の実施形態)
以下、無接点電力伝送システムについて説明する。
(First embodiment)
Hereinafter, the non-contact power transmission system will be described.

(電子機器の構成)
図1(A)〜図1(C)は、無接点電力システムの一例の構成を示す図である。図1(A)に本実施形態の無接点電力伝送手法が適用される電子機器の例を示す。電子機器の1つである充電器500(クレードル)は送電装置10を有する。また電子機器の1つである携帯電話機510は受電装置40を有する。また携帯電話機510は、LCDなどの表示部512、ボタン等で構成される操作部514、マイク516(音入力部)、スピーカ518(音出力部)、アンテナ520を有する。
(Configuration of electronic equipment)
FIG. 1A to FIG. 1C are diagrams illustrating a configuration of an example of a contactless power system. FIG. 1A shows an example of an electronic device to which the contactless power transmission method of this embodiment is applied. A charger 500 (cradle) which is one of electronic devices has a power transmission device 10. A mobile phone 510 that is one of the electronic devices includes a power receiving device 40. The mobile phone 510 includes a display unit 512 such as an LCD, an operation unit 514 including buttons and the like, a microphone 516 (sound input unit), a speaker 518 (sound output unit), and an antenna 520.

充電器500にはACアダプタ502を介して電力が供給され、この電力が、無接点電力伝送により送電装置10から受電装置40に送電される。これにより、携帯電話機510のバッテリを充電したり、携帯電話機510内のデバイスを動作させたりすることができる。   Electric power is supplied to the charger 500 via the AC adapter 502, and this electric power is transmitted from the power transmitting device 10 to the power receiving device 40 by contactless power transmission. Thereby, the battery of the mobile phone 510 can be charged or the device in the mobile phone 510 can be operated.

なお、本実施形態が適用される電子機器は携帯電話機510に限定されない。例えば腕時計、コードレス電話器、シェーバー、電動歯ブラシ、リストコンピュータ、ハンディターミナル、携帯情報端末、電動自転車、或いはICカードなどの種々の電子機器に適用できる。   The electronic device to which this embodiment is applied is not limited to the mobile phone 510. For example, the present invention can be applied to various electronic devices such as wristwatches, cordless telephones, shavers, electric toothbrushes, wrist computers, handy terminals, portable information terminals, electric bicycles, and IC cards.

図1(B)に模式的に示すように、送電装置10から受電装置40への電力伝送は、送電装置10側に設けられた1次コイルL1(送電コイル)と、受電装置40側に設けられた2次コイルL2(受電コイル)を電磁的に結合させて電力伝送トランスを形成することで実現される。これにより非接触での電力伝送が可能になる。   As schematically shown in FIG. 1B, power transmission from the power transmission device 10 to the power reception device 40 is performed on the primary coil L1 (power transmission coil) provided on the power transmission device 10 side and on the power reception device 40 side. This is realized by electromagnetically coupling the secondary coil L2 (power receiving coil) formed to form a power transmission transformer. Thereby, non-contact power transmission becomes possible.

なお、図1(B)では1次コイルL1、2次コイルL2は、平面上でスパイラル状にコイル線を巻くことで形成された例えば空芯の平面コイルになっている。しかしながら、本実施形態のコイルはこれに限定されず、1次コイルL1と2次コイルL2を電磁的に結合させて電力を伝送できるものであれば、その形状・構造等は問わない。   In FIG. 1B, the primary coil L1 and the secondary coil L2 are, for example, air-core planar coils formed by winding a coil wire spirally on a plane. However, the coil of the present embodiment is not limited to this, and any shape, structure, or the like may be used as long as the primary coil L1 and the secondary coil L2 can be electromagnetically coupled to transmit power.

例えば図1(C)では、磁性体コアに対してX軸回りでコイル線をスパイラル状に巻くことで1次コイルL1が形成されている。携帯電話機510に設けられた2次コイルL2も同様である。図1(C)のようなコイルにも本実施形態は適用可能である。なお図1(C)の場合に、1次コイルL1や2次コイルL2として、X軸回りにコイル線を巻いたコイルに加えて、Y軸周りにコイル線を巻いたコイルを組み合わせてもよい。   For example, in FIG. 1C, the primary coil L1 is formed by winding a coil wire around the X-axis around the magnetic core in a spiral shape. The same applies to the secondary coil L2 provided in the mobile phone 510. The present embodiment can also be applied to a coil as shown in FIG. In the case of FIG. 1 (C), as the primary coil L1 and the secondary coil L2, in addition to the coil wound around the X axis, a coil wound around the Y axis may be combined. .

また、本実施形態が適用される電子機器は携帯電話機510に限定されない。例えば腕時計、コードレス電話器、シェーバー、電動歯ブラシ、リストコンピュータ、ハンディターミナル、携帯情報端末、あるいは電動自転車などの種々の電子機器に適用できる。   Further, the electronic device to which the present embodiment is applied is not limited to the mobile phone 510. For example, the present invention can be applied to various electronic devices such as wristwatches, cordless telephones, shavers, electric toothbrushes, wrist computers, handy terminals, portable information terminals, and electric bicycles.

特に好適な電子機器の例としては、携帯端末(携帯電話端末、PDA端末、持ち運び可能なパーソナルコンピュータ端末を含む)や時計(ウオッチ)があげられる。本発明の受電装置は、構成が簡単で小型であるため携帯端末等への搭載も可能であり、低損失であるために、例えば、電子機器における2次電池の充電時間を短縮することが可能であり、また、発熱が低減されることから、電子機器の安全面からみた信頼性も向上する。   Examples of particularly suitable electronic devices include mobile terminals (including mobile phone terminals, PDA terminals, portable personal computer terminals) and watches (watches). Since the power receiving device of the present invention is simple in configuration and small in size, it can be mounted on a portable terminal or the like and has low loss. For example, the charging time of a secondary battery in an electronic device can be shortened. In addition, since the heat generation is reduced, the reliability of the electronic device from the viewpoint of safety is also improved.

特に、携帯端末(携帯電話端末、PDA端末、持ち運び可能なパーソナルコンピュータ端末を含む)は、高負荷時の充電電流量が大きく、発熱の問題も顕在化しやすい。また、時計(ウオッチ)は小型化かつ低消費電力性が厳しく求められる機器であり、電池の充電時の低損失性が重要である。よって、これらの機器は、本発明が有する低損失かつ低発熱という特性を十分に活かすことが可能な機器といえる。   In particular, mobile terminals (including mobile phone terminals, PDA terminals, and portable personal computer terminals) have a large amount of charging current at high loads, and the problem of heat generation is likely to become obvious. A watch (watch) is a device that is required to be downsized and have low power consumption, and low loss during battery charging is important. Therefore, these devices can be said to be devices that can fully utilize the low loss and low heat generation characteristics of the present invention.

(送電装置および受電装置の構成の具体例)
図2は、送電装置、受電装置を含む無接点電力伝送システムにおける、各部の具体的な構成の一例を示す回路図である。
(Specific examples of the configuration of the power transmitting device and the power receiving device)
FIG. 2 is a circuit diagram illustrating an example of a specific configuration of each unit in a contactless power transmission system including a power transmission device and a power reception device.

送電装置10は、送電制御装置20と、送電部12と、波形モニタ回路14と、表示部16と、を有する。また、送電制御装置20は、送電側制御回路22と、発振回路24と、ドライバ制御回路26と、波形検出回路28と、を有する。   The power transmission device 10 includes a power transmission control device 20, a power transmission unit 12, a waveform monitor circuit 14, and a display unit 16. The power transmission control device 20 includes a power transmission side control circuit 22, an oscillation circuit 24, a driver control circuit 26, and a waveform detection circuit 28.

また、受電装置40には、受電部42と、負荷変調部46と、給電制御部48と、受電制御装置50と、が設けられている。また、無接点電力伝送システムにおける給電対象の負荷は、2次電池(例えば、リチウムイオン電池)94である。2次電池94の充電は、充電装置(チャージャ)90により管理される。以下、具体的に説明する。   In addition, the power receiving device 40 includes a power receiving unit 42, a load modulation unit 46, a power supply control unit 48, and a power reception control device 50. Further, the load to be fed in the non-contact power transmission system is a secondary battery (for example, a lithium ion battery) 94. Charging of the secondary battery 94 is managed by a charging device (charger) 90. This will be specifically described below.

充電器500などの送電側の電子機器は、少なくとも図2に示される送電装置10を含む。また、携帯電話機510などの受電側の電子機器は、少なくとも受電装置40と、充電装置90と、給電対象の負荷94と、を含む。   The electronic device on the power transmission side such as the charger 500 includes at least the power transmission device 10 shown in FIG. In addition, the electronic device on the power receiving side such as the mobile phone 510 includes at least the power receiving device 40, the charging device 90, and the load 94 to be supplied with power.

そして、図2の構成により、1次コイルL1と2次コイルL2を電磁的に結合させて送電装置10から受電装置40に対して電力を伝送し、受電装置40の電圧出力端子TA1から、給電対象の負荷94に対して電力を供給する無接点電力伝送(非接触電力伝送)システムが実現される。   2, the primary coil L1 and the secondary coil L2 are electromagnetically coupled to transmit power from the power transmitting device 10 to the power receiving device 40, and power is supplied from the voltage output terminal TA1 of the power receiving device 40. A non-contact power transmission (non-contact power transmission) system for supplying power to the target load 94 is realized.

送電装置10(送電モジュール、1次モジュール)は、1次コイルL1、送電部12、波形モニタ回路14、表示部16、送電制御装置20を含むことができる。なお、送電装置10や送電制御装置20は図2の構成に限定されず、その構成要素の一部(例えば表示部、波形モニタ回路)を省略したり、他の構成要素を追加したり、接続関係を変更するなどの種々の変形実施が可能である。   The power transmission device 10 (power transmission module, primary module) can include a primary coil L1, a power transmission unit 12, a waveform monitor circuit 14, a display unit 16, and a power transmission control device 20. The power transmission device 10 and the power transmission control device 20 are not limited to the configuration in FIG. 2, and some of the components (for example, the display unit and the waveform monitor circuit) are omitted, other components are added, and the connection is made. Various modifications such as changing the relationship are possible.

送電部12は、電力伝送時には所定周波数の交流電圧を生成し、データ転送時にはデータに応じて周波数が異なる交流電圧を生成して、1次コイルL1に供給する。送電部12は、1次コイルL1の一端を駆動する第1の送電ドライバと、1次コイルL1の他端を駆動する第2の送電ドライバと、1次コイルL1と共に共振回路を構成する少なくとも1つのコンデンサを含むことができる。そして、送電部12が含む第1、第2の送電ドライバの各々は、例えば、パワーMOSトランジスタにより構成されるインバータ回路(あるいはバッファ回路)であり、送電制御装置20のドライバ制御回路26により制御される。   The power transmission unit 12 generates an AC voltage having a predetermined frequency during power transmission, and generates an AC voltage having a different frequency according to data during data transfer, and supplies the AC voltage to the primary coil L1. The power transmission unit 12 forms a resonance circuit together with the first power transmission driver that drives one end of the primary coil L1, the second power transmission driver that drives the other end of the primary coil L1, and the primary coil L1. One capacitor can be included. Each of the first and second power transmission drivers included in the power transmission unit 12 is, for example, an inverter circuit (or buffer circuit) configured by a power MOS transistor, and is controlled by the driver control circuit 26 of the power transmission control device 20. The

1次コイルL1(送電側コイル)は、2次コイルL2(受電側コイル)と電磁結合して電力伝送用トランスを形成する。例えば、電力伝送が必要なときには、図1に示すように、充電器500の上に携帯電話機510を置き、1次コイルL1の磁束が2次コイルL2を通るような状態にする。一方、電力伝送が不要なときには、充電器500と携帯電話機510を物理的に離して、1次コイルL1の磁束が2次コイルL2を通らないような状態にする。   The primary coil L1 (power transmission side coil) is electromagnetically coupled to the secondary coil L2 (power reception side coil) to form a power transmission transformer. For example, when electric power transmission is required, as shown in FIG. 1, the mobile phone 510 is placed on the charger 500 so that the magnetic flux of the primary coil L1 passes through the secondary coil L2. On the other hand, when power transmission is unnecessary, the charger 500 and the mobile phone 510 are physically separated so that the magnetic flux of the primary coil L1 does not pass through the secondary coil L2.

1次コイルL1と2次コイルL2としては、例えば、平面コイルを用いることができる。波形モニタ回路14は、1次コイルL1の誘起電圧を検出する回路であり、例えば、抵抗RA1、RA2や、RA1とRA2の接続ノードNA3とGND(広義には低電位側電源)との間に設けられるダイオードDA1を含む。具体的には、1次コイルの誘起電圧を抵抗RA1、RA2で分圧することによって得られた信号PHINが、送電制御装置20の波形検出回路28に入力される。   For example, planar coils can be used as the primary coil L1 and the secondary coil L2. The waveform monitor circuit 14 is a circuit that detects an induced voltage of the primary coil L1, and is, for example, between resistors RA1 and RA2 or a connection node NA3 between RA1 and RA2 and GND (low-potential side power supply in a broad sense). It includes a provided diode DA1. Specifically, a signal PHIN obtained by dividing the induced voltage of the primary coil by the resistors RA1 and RA2 is input to the waveform detection circuit 28 of the power transmission control device 20.

表示部16は、無接点電力伝送システムの各種状態(電力伝送中、ID認証等)を、色や画像などを用いて表示するものであり、例えばLED(発光ダイオード)やLCD(液晶表示装置)などにより実現される。   The display unit 16 displays various states of the contactless power transmission system (during power transmission, ID authentication, etc.) using colors, images, and the like. For example, an LED (light emitting diode) or LCD (liquid crystal display device). And so on.

送電制御装置20は、送電装置10の各種制御を行う装置であり、集積回路装置(IC)などにより実現できる。この送電制御装置20は、送電側制御回路22と、発振回路24と、ドライバ制御回路26と、波形検出回路28と、を含む。   The power transmission control device 20 is a device that performs various controls of the power transmission device 10, and can be realized by an integrated circuit device (IC) or the like. The power transmission control device 20 includes a power transmission side control circuit 22, an oscillation circuit 24, a driver control circuit 26, and a waveform detection circuit 28.

また、送電側制御回路22は、送電装置10や送電制御装置20の制御を行うものであり、例えば、ゲートアレイやマイクロコンピュータなどにより実現できる。   The power transmission side control circuit 22 controls the power transmission device 10 and the power transmission control device 20, and can be realized by, for example, a gate array or a microcomputer.

具体的には、送電側制御回路22は、電力伝送、負荷検出、周波数変調、異物検出、あるいは着脱検出などに必要な各種のシーケンス制御や判定処理を行う。送電側制御回路22は、例えば、動作スイッチのオンを契機として、受電装置40に対する、位置検出やID認証用の仮送電を開始する。   Specifically, the power transmission side control circuit 22 performs various sequence controls and determination processes necessary for power transmission, load detection, frequency modulation, foreign object detection, and attachment / detachment detection. For example, when the operation switch is turned on, the power transmission side control circuit 22 starts temporary power transmission for position detection and ID authentication for the power receiving device 40.

発振回路24は、例えば、水晶発振回路により構成され、1次側のクロック(駆動クロックDRCK)を生成する。ドライバ制御回路26は、発振回路24で生成されたクロックや制御回路22からの周波数設定信号などに基づいて、所望の周波数の制御信号を生成し、送電部12の送電ドライバ(不図示)に出力し、その送電ドライバの動作を制御する。   The oscillation circuit 24 is composed of, for example, a crystal oscillation circuit, and generates a primary side clock (drive clock DRCK). The driver control circuit 26 generates a control signal having a desired frequency based on the clock generated by the oscillation circuit 24, the frequency setting signal from the control circuit 22, and the like, and outputs the control signal to a power transmission driver (not shown) of the power transmission unit 12. Then, the operation of the power transmission driver is controlled.

波形検出回路28は、1次コイルL1の一端の誘起電圧に相当する信号PHINの波形をモニタし、負荷検出、異物検出等を行う。例えば、受電装置40の負荷変調部46が、送電装置10に対してデータを送信するための負荷変調を行うと、1次コイルL1の誘起電圧の信号波形が、それに対応して変化する。   The waveform detection circuit 28 monitors the waveform of the signal PHIN corresponding to the induced voltage at one end of the primary coil L1, and performs load detection, foreign object detection, and the like. For example, when the load modulation unit 46 of the power receiving device 40 performs load modulation for transmitting data to the power transmission device 10, the signal waveform of the induced voltage of the primary coil L1 changes correspondingly.

例えば、データ「0」を送信するために、受電装置40の負荷変調部46が負荷を低くすると、信号波形の振幅(ピーク電圧)が小さくなり、データ「1」を送信するために負荷を高くすると、信号波形の振幅が大きくなる。したがって、波形検出回路28は、誘起電圧の信号波形のピークホールド処理などを行って、ピーク電圧がしきい値電圧を超えたか否かを判断することで、受電装置40からのデータが「0」なのか「1」なのかを判断できる。なお、波形検出の手法は、上述の手法に限定されない。例えば、受電側の負荷が高くなったか低くなったかを、ピーク電圧以外の物理量(電流と電圧の位相差や、電圧波形に基づいて生成されるパルスのパルス幅等)を用いて判断してもよい。   For example, when the load modulation unit 46 of the power receiving device 40 decreases the load to transmit data “0”, the amplitude (peak voltage) of the signal waveform decreases, and the load increases to transmit the data “1”. As a result, the amplitude of the signal waveform increases. Therefore, the waveform detection circuit 28 performs peak hold processing of the signal waveform of the induced voltage and determines whether or not the peak voltage exceeds the threshold voltage, whereby the data from the power receiving device 40 is “0”. Whether it is “1” or not. Note that the method of waveform detection is not limited to the above-described method. For example, whether the load on the power receiving side has increased or decreased can be determined using physical quantities other than the peak voltage (phase difference between current and voltage, pulse width of a pulse generated based on a voltage waveform, etc.). Good.

受電装置40(受電モジュール、2次モジュール)は、2次コイルL2、受電部42、負荷変調部46、給電制御部48、受電制御装置50を含むことができる。なお、受電装置40や受電制御装置50は図2の構成に限定されず、その構成要素の一部を省略したり、他の構成要素を追加したり、接続関係を変更するなどの種々の変形実施が可能である。   The power reception device 40 (power reception module, secondary module) can include a secondary coil L2, a power reception unit 42, a load modulation unit 46, a power supply control unit 48, and a power reception control device 50. The power reception device 40 and the power reception control device 50 are not limited to the configuration shown in FIG. 2, and various modifications such as omitting some of the components, adding other components, and changing the connection relationship. Implementation is possible.

受電部42は、2次コイルL2の交流の誘起電圧を直流電圧に変換する。この変換は受電部42が有する整流回路43により行われる。この整流回路43は、ダイオードDB1〜DB4を含む。ダイオードDB1は、2次コイルL2の一端のノードNB1と直流電圧VDCの生成ノードNB3との間に設けられ、DB2は、ノードNB3と2次コイルL2の他端のノードNB2との間に設けられ、DB3は、ノードNB2とVSSのノードNB4との間に設けられ、DB4は、ノードNB4とNB1との間に設けられる。   The power receiving unit 42 converts the AC induced voltage of the secondary coil L2 into a DC voltage. This conversion is performed by a rectifier circuit 43 included in the power receiving unit 42. The rectifier circuit 43 includes diodes DB1 to DB4. The diode DB1 is provided between the node NB1 at one end of the secondary coil L2 and the generation node NB3 of the DC voltage VDC, and DB2 is provided between the node NB3 and the node NB2 at the other end of the secondary coil L2. , DB3 is provided between the node NB2 and the VSS node NB4, and DB4 is provided between the nodes NB4 and NB1.

受電部42の抵抗RB1、RB2はノードNB1とNB4との間に設けられる。そしてノードNB1、NB4間の電圧を抵抗RB1、RB2により分圧することで得られた信号CCMPIが、受電制御装置50の周波数検出回路60に入力される。   The resistors RB1 and RB2 of the power receiving unit 42 are provided between the nodes NB1 and NB4. A signal CCMPI obtained by dividing the voltage between the nodes NB1 and NB4 by the resistors RB1 and RB2 is input to the frequency detection circuit 60 of the power reception control device 50.

受電部42のコンデンサCB1及び抵抗RB4、RB5は、直流電圧VDCのノードNB3とVSSのノードNB4との間に設けられる。そしてノードNB3、NB4間の電圧を抵抗RB4、RB5により分圧して得られる分圧電圧VD4は、信号線LP2を経由して、受電側制御回路52および位置検出回路56に入力される。位置検出回路56に関しては、その分圧電圧VD4が、位置検出のための信号入力(ADIN)となる。   The capacitor CB1 and the resistors RB4 and RB5 of the power receiving unit 42 are provided between the node NB3 of the DC voltage VDC and the node NB4 of VSS. A divided voltage VD4 obtained by dividing the voltage between the nodes NB3 and NB4 by the resistors RB4 and RB5 is input to the power receiving side control circuit 52 and the position detection circuit 56 via the signal line LP2. As for the position detection circuit 56, the divided voltage VD4 serves as a signal input (ADIN) for position detection.

負荷変調部46は、負荷変調処理を行う。具体的には、受電装置40から送電装置10に所望のデータを送信する場合に、送信データに応じて負荷変調部46(2次側)での負荷を可変に変化させ、1次コイルL1の誘起電圧の信号波形を変化させる。このために負荷変調部46は、ノードNB3、NB4の間に直列に設けられた抵抗RB3、トランジスタTB3(N型のCMOSトランジスタ)を含む。   The load modulation unit 46 performs load modulation processing. Specifically, when transmitting desired data from the power receiving device 40 to the power transmitting device 10, the load at the load modulation unit 46 (secondary side) is variably changed according to the transmission data, and the primary coil L1 The signal waveform of the induced voltage is changed. For this purpose, the load modulation unit 46 includes a resistor RB3 and a transistor TB3 (N-type CMOS transistor) provided in series between the nodes NB3 and NB4.

このトランジスタTB3は、受電制御装置50の受電側制御回路52から信号線LP3を経由して与えられる制御信号P3Qによりオン/オフ制御される。本送電が開始される前の認証ステージにおいて、負荷変調トランジスタTB3をオン/オフ制御して負荷変調を行って送電装置に信号を送信する。   This transistor TB3 is ON / OFF controlled by a control signal P3Q given from the power reception side control circuit 52 of the power reception control device 50 via the signal line LP3. In the authentication stage before the actual power transmission is started, the load modulation transistor TB3 is turned on / off to perform load modulation, and a signal is transmitted to the power transmission apparatus.

例えば、データ「0」を送信するために2次側を低負荷(インピーダンス大)にする場合には、負荷変調トランジスタTB3の駆動信号P3QがLレベルになって負荷変調トランジスタTB3がオフになる。これにより負荷変調部46の負荷はほぼ無限大(無負荷)になる。一方、データ「1」を送信するために2次側を高負荷(インピーダンス小)にする場合には、負荷変調トランジスタTB3の駆動信号P3QがHレベルになって、負荷変調トランジスタTB3がオンになる。これにより負荷変調部46の負荷は、抵抗RB3(高負荷)になる。   For example, when the secondary side is made to have a low load (high impedance) in order to transmit data “0”, the drive signal P3Q of the load modulation transistor TB3 becomes L level and the load modulation transistor TB3 is turned off. As a result, the load of the load modulator 46 becomes almost infinite (no load). On the other hand, when the secondary side is set to a high load (impedance is small) to transmit data “1”, the drive signal P3Q of the load modulation transistor TB3 becomes H level and the load modulation transistor TB3 is turned on. . As a result, the load of the load modulation unit 46 becomes the resistance RB3 (high load).

給電制御部48は、給電対象の負荷94への電力の給電を制御する。レギュレータ(LDO)49は、整流回路43での変換で得られた直流電圧VDCの電圧レベルを調整して、電源電圧VD5(例えば5V)を生成する。VD5は、レギュレータ(LDO)49の出力端の電圧である。受電制御装置50は、この電源電圧VD5によって動作する。   The power feeding control unit 48 controls power feeding to the load 94 to be fed. The regulator (LDO) 49 adjusts the voltage level of the DC voltage VDC obtained by the conversion in the rectifier circuit 43, and generates a power supply voltage VD5 (for example, 5V). VD 5 is a voltage at the output terminal of the regulator (LDO) 49. The power reception control device 50 operates with the power supply voltage VD5.

また、レギュレータ(LDO)49の入力端と出力端との間には、PMOSトランジスタ(M1)からなるスイッチ回路が設けられている。このスイッチ回路としてのPMOSトランジスタ(M1)をオンすることによって、レギュレータ(LDO)49をバイパスする経路が形成される。例えば、高負荷時(例えば、消耗が激しい2次電池の充電の初期においては、ほぼ一定の大電流を定常的に流すことが必要となり、このようなときが高負荷時に該当する)においては、レギュレータ49自体の等価インピーダンスによって電力ロスが増大し、発熱も増大することから、レギュレータを迂回して、バイパス経路を経由して電流を負荷に供給するようにする。   Further, a switch circuit composed of a PMOS transistor (M1) is provided between the input terminal and the output terminal of the regulator (LDO) 49. By turning on the PMOS transistor (M1) as the switch circuit, a path bypassing the regulator (LDO) 49 is formed. For example, at the time of high load (for example, in the initial stage of charging of a rechargeable secondary battery, it is necessary to constantly flow a substantially constant large current, and such time corresponds to the time of high load) Since the power loss increases and the heat generation increases due to the equivalent impedance of the regulator 49 itself, the regulator is bypassed and current is supplied to the load via the bypass path.

バイパス形成用のスイッチとしてのPMOSトランジスタM1のオン/オフを制御するために、パイパス制御用のNMOSトランジスタM2およびプルアップ抵抗R8が設けられている。   In order to control the on / off of the PMOS transistor M1 as a bypass forming switch, a bypass control NMOS transistor M2 and a pull-up resistor R8 are provided.

受電側制御回路52から、信号線LP4を介して、ハイレベルのバイパス制御信号VPBPがNMOSトランジスタM2のゲートに与えられると、NMOSトランジスタM2がオンする。すると、PMOSトランジスタM1のゲートがローレベルになり、PMOSトランジスタM1がオンしてレギュレータ(LDO)49をバイパスする経路が形成される。一方、NMOSトランジスタM2がオフ状態のときは、PMOSトランジスタM1のゲートは、プルアップ抵抗R8を介してハイレベルに維持されるため、PMOSトランジスタM1はオフし、バイパス経路は形成されない。   When the high-level bypass control signal VPBP is supplied from the power receiving side control circuit 52 to the gate of the NMOS transistor M2 via the signal line LP4, the NMOS transistor M2 is turned on. Then, the gate of the PMOS transistor M1 becomes a low level, and the PMOS transistor M1 is turned on to form a path that bypasses the regulator (LDO) 49. On the other hand, when the NMOS transistor M2 is in an off state, the gate of the PMOS transistor M1 is maintained at a high level via the pull-up resistor R8, so that the PMOS transistor M1 is turned off and no bypass path is formed.

バイパス経路のオン/オフ(すなわち、NMOSトランジスタM2のオン/オフ)は、受電制御装置50に含まれる受電側制御回路52によって制御される。バイパスのオン/オフに関係する受電側制御回路52の構成と、その動作については後述する。   ON / OFF of the bypass path (that is, ON / OFF of the NMOS transistor M2) is controlled by a power reception side control circuit 52 included in the power reception control device 50. The configuration and operation of the power receiving side control circuit 52 related to the on / off of the bypass will be described later.

また、トランジスタTB2(P型のCMOSトランジスタ)は、電源電圧VD5の生成ノードNB5(レギュレター49の出力ノード)とトランジスタTB1(ノードNB6)との間に設けられ、受電制御装置50の受電側制御回路52からの信号P1Qにより制御される。具体的には、トランジスタTB2は、ID認証が完了(確立)して通常の電力伝送を行う場合にはオン状態となる。   The transistor TB2 (P-type CMOS transistor) is provided between the generation node NB5 (output node of the regulator 49) of the power supply voltage VD5 and the transistor TB1 (node NB6), and the power reception side control circuit of the power reception control device 50. Controlled by a signal P1Q from 52. Specifically, the transistor TB2 is turned on when the ID authentication is completed (established) and normal power transmission is performed.

なお、電源電圧生成ノードNB5とトランジスタTB2のゲートのノードNB8との間にはプルアップ抵抗RU2が設けられる。   A pull-up resistor RU2 is provided between the power supply voltage generation node NB5 and the node NB8 of the gate of the transistor TB2.

受電制御装置50は、受電装置40の各種制御を行う装置であり、集積回路装置(IC)などにより実現できる。この受電制御装置50は、2次コイルL2の誘起電圧から生成される電源電圧VD5により動作することができる。また、受電制御装置50は、受電側制御回路52と、位置検出回路56と、発振回路58と、周波数検出回路60と、満充電検出回路62と、を含むことができる。   The power reception control device 50 is a device that performs various controls of the power reception device 40 and can be realized by an integrated circuit device (IC) or the like. The power reception control device 50 can be operated by a power supply voltage VD5 generated from the induced voltage of the secondary coil L2. The power reception control device 50 can include a power reception side control circuit 52, a position detection circuit 56, an oscillation circuit 58, a frequency detection circuit 60, and a full charge detection circuit 62.

受電側制御回路52は、受電装置40や受電制御装置50の制御を行うものであり、例えば、ゲートアレイやマイクロコンピュータなどにより実現できる。この受電側制御回路52は、シリーズレギュレータ(LDO)49の出力ノードの定電圧(VD5)を電源として動作する。この電源電圧(VD5)は、電源供給線LP1を経由して、受電側制御回路52に与えられる。   The power receiving side control circuit 52 controls the power receiving device 40 and the power receiving control device 50, and can be realized by, for example, a gate array or a microcomputer. The power receiving side control circuit 52 operates using the constant voltage (VD5) at the output node of the series regulator (LDO) 49 as a power source. This power supply voltage (VD5) is given to the power receiving side control circuit 52 via the power supply line LP1.

この受電側制御回路52は、具体的には、ID認証、位置検出、周波数検出、満充電検出、認証用の通信のための負荷変調、異物挿入検出を可能とするための通信のための負荷変調などに必要な各種のシーケンス制御や判定処理を行う。   Specifically, the power receiving side control circuit 52 includes ID authentication, position detection, frequency detection, full charge detection, load modulation for communication for authentication, and load for communication to enable foreign object insertion detection. Various sequence control and determination processing necessary for modulation and the like are performed.

また、受電側制御回路52には、通常送電中に、給電対象の負荷94への給電を一時的に停止するための電力供給制御信号(ICUTX)を出力するための、電力供給制御信号出力端子TS1が設けられている。電力供給制御信号(ICUTX)は、負荷変調が実行される期間(つまり、負荷変調トランジスタTB3がオン/オフされる期間)において、アクティブレベルとなる。電力供給制御信号(ICUTX)は、充電装置90に与えられる。すなわち、電力供給制御信号(ICUTX)は、電力供給制御信号出力端子TS1、ならびに、受電装置(受電モジュール)40に設けられた端子TA3、さらに充電装置90に設けられた端子TA7を経由して、充電装置90に供給される。   The power reception control circuit 52 also has a power supply control signal output terminal for outputting a power supply control signal (ICUTX) for temporarily stopping power supply to the load 94 to be supplied during normal power transmission. TS1 is provided. The power supply control signal (ICUTX) is at an active level during a period in which load modulation is performed (that is, a period in which the load modulation transistor TB3 is turned on / off). The power supply control signal (ICUTX) is given to the charging device 90. That is, the power supply control signal (ICUTX) passes through the power supply control signal output terminal TS1, the terminal TA3 provided in the power receiving device (power receiving module) 40, and the terminal TA7 provided in the charging device 90, It is supplied to the charging device 90.

充電装置90には、電力供給制御トランジスタ(PMOSトランジスタ)M3が設けられている。電力供給制御トランジスタ(PMOSトランジスタ)M3のゲートは、通常状態では、プルダウン抵抗R16によって接地され、よって、電力供給制御トランジスタ(PMOSトランジスタ)M3はオン状態である。したがって、通常状態では、電力供給制御トランジスタ(PMOSトランジスタ)M3を経由して、2次電池(給電対象の負荷)94に電流が供給される。   The charging device 90 is provided with a power supply control transistor (PMOS transistor) M3. In the normal state, the gate of the power supply control transistor (PMOS transistor) M3 is grounded by the pull-down resistor R16. Therefore, the power supply control transistor (PMOS transistor) M3 is in the on state. Therefore, in a normal state, a current is supplied to the secondary battery (power supply target load) 94 via the power supply control transistor (PMOS transistor) M3.

受電側制御回路52の電力供給制御信号出力端子TS1から出力される電力供給制御信号(ICUTX)がアクティブレベル(Hレベル)になると、充電装置90には、電力供給制御トランジスタ(PMOSトランジスタ)M3のゲートがハイレベルになって、電力供給制御トランジスタ(PMOSトランジスタ)M3がオフする。これによって、2次電池(負荷)94への給電が一時的に停止する。電力供給制御信号(ICUTX)が非アクティブレベル(Lレベル)になると、電力供給制御トランジスタ(PMOSトランジスタ)M3は、オン状態に復帰する。   When the power supply control signal (ICUTX) output from the power supply control signal output terminal TS1 of the power receiving side control circuit 52 becomes active level (H level), the charging device 90 includes a power supply control transistor (PMOS transistor) M3. The gate becomes high level, and the power supply control transistor (PMOS transistor) M3 is turned off. As a result, power supply to the secondary battery (load) 94 is temporarily stopped. When the power supply control signal (ICUTX) becomes an inactive level (L level), the power supply control transistor (PMOS transistor) M3 returns to the on state.

また、位置検出回路56は、2次コイルL2の誘起電圧の波形に相当する信号ADINの波形を監視して、1次コイルL1と2次コイルL2の位置関係が適正であるかを判断する。具体的には、信号ADINをコンパレータで2値に変換して、位置関係が適正であるか否かを判断する。   Further, the position detection circuit 56 monitors the waveform of the signal ADIN corresponding to the waveform of the induced voltage of the secondary coil L2, and determines whether the positional relationship between the primary coil L1 and the secondary coil L2 is appropriate. Specifically, the signal ADIN is converted into a binary value by a comparator, and it is determined whether or not the positional relationship is appropriate.

発振回路58は、例えばCR発振回路により構成され、2次側のクロックを生成する。周波数検出回路60は、信号CCMPIの周波数(f1、f2)を検出して、送電装置10からの送信データが「1」なのか「0」なのかを判断する。   The oscillation circuit 58 is constituted by a CR oscillation circuit, for example, and generates a secondary clock. The frequency detection circuit 60 detects the frequency (f1, f2) of the signal CCMPI and determines whether the transmission data from the power transmission device 10 is “1” or “0”.

満充電検出回路62(充電検出回路)には、充電装置90に含まれる充電制御装置92から出力される信号LEDRが、端子TA4および端子TS2を経由して入力される。充電制御装置92は、給電対象の負荷である2次電池94の充電状態を監視し、所定の条件(例えば、電圧が4.2Vであり、電流が所定値以下となる状態が所定時間だけ継続するという条件)を満足するか否かによって、2次電池94の満充電を検出する。充電制御装置92は、満充電が検出されると、信号LEDRをHレベルからLレベルに変化させる。これによって、充電状態の表示に使用される発光ダイオード(LED)が順バイアスされて点灯する。また、満充電検出回路62は、信号LEDRの電圧レベルの変化に基づいて、2次電池94が満充電状態になったことを知ることができる。   A signal LEDR output from the charging control device 92 included in the charging device 90 is input to the full charge detection circuit 62 (charge detection circuit) via the terminal TA4 and the terminal TS2. The charge control device 92 monitors the state of charge of the secondary battery 94 that is a load to be fed, and a predetermined condition (for example, the voltage is 4.2 V and the current is below a predetermined value continues for a predetermined time). Whether or not the secondary battery 94 is fully charged is detected depending on whether or not the above condition is satisfied. When full charge is detected, charge control device 92 changes signal LEDR from the H level to the L level. As a result, the light emitting diode (LED) used for displaying the charge state is forward-biased and lit. Further, the full charge detection circuit 62 can know that the secondary battery 94 has been fully charged based on the change in the voltage level of the signal LEDR.

また、充電装置90は、電力供給制御トランジスタ(PMOSトランジスタ)M3と、給電対象の負荷である2次電池(バッテリ)94の充電制御等を行う充電制御装置92と、充電制御トランジスタM5と、電流検出抵抗R15と、を含む。充電制御装置92は、例えば、電流検出抵抗R15の両端の電位を検出し、検出結果に基づいて負帰還制御を実行し、例えば、充電電流が一定になるように(あるいは、充電電圧が一定になるように)、充電制御トランジスタM5のオン状態を制御する。また、充電制御装置92は、発光装置(LED)の点灯状態に基づいて満充電状態を検出することができる。この充電制御装置92(充電制御IC)は集積回路装置などにより実現できる。   In addition, the charging device 90 includes a power supply control transistor (PMOS transistor) M3, a charging control device 92 that performs charging control of a secondary battery (battery) 94 that is a power supply target load, a charging control transistor M5, a current And a detection resistor R15. For example, the charge control device 92 detects the potential at both ends of the current detection resistor R15, and executes negative feedback control based on the detection result, for example, so that the charge current is constant (or the charge voltage is constant). As such, the ON state of the charge control transistor M5 is controlled. Moreover, the charge control apparatus 92 can detect a full charge state based on the lighting state of the light-emitting device (LED). The charge control device 92 (charge control IC) can be realized by an integrated circuit device or the like.

なお、受電装置40は、4つの端子(TA1〜TB1)を有する。また、充電装置(チャージャ)90は、5つの端子(TA5〜TA9)を有する。受電制御装置50は、2つの端子(ICUTX信号の出力端子TS1,LEDR信号の入力端子TS2)を有する。なお、給電対象の負荷は、2次電池に限定されるものではない。例えば、所定の回路が動作することによって、その回路が負荷となる場合もあり得る。   In addition, the power receiving apparatus 40 has four terminals (TA1 to TB1). The charging device (charger) 90 has five terminals (TA5 to TA9). The power reception control device 50 has two terminals (ICUTX signal output terminal TS1, LEDR signal input terminal TS2). The load to be fed is not limited to the secondary battery. For example, when a predetermined circuit operates, the circuit may become a load.

(通信方式の説明)   (Description of communication method)

図3(A),図3(B)は、送電装置と受電装置との間の通信方式を説明するための図である。図3(A)は、送電装置から受電装置に信号を送信する場合の通信方式(周波数変調)を示し、図3(B)は、受電装置から送電装置に信号を送信する場合の通信方式(負荷変調)を示している。   3A and 3B are diagrams for explaining a communication method between the power transmission device and the power reception device. FIG. 3A illustrates a communication method (frequency modulation) when a signal is transmitted from the power transmission device to the power reception device, and FIG. 3B illustrates a communication method (frequency modulation) when the signal is transmitted from the power reception device to the power transmission device. Load modulation).

図3(A)に示すように、周波数変調によって、送信周波数を、f1とf2との間で切り換えることによって、送電装置は、受電装置に「1」および「0」を送信することができる。   As illustrated in FIG. 3A, the power transmission device can transmit “1” and “0” to the power receiving device by switching the transmission frequency between f1 and f2 by frequency modulation.

また、図3(B)に示すように、受電装置は、受電装置の負荷を変調することによって、送電装置に、「0」および「1」を送信することができる。すなわち、負荷変調部46に設けられる負荷変調トランジスタTB3がオン/オフされると、1次コイルL1のコイル端電圧は、例えば、図3(B)に示すように示すように変化する。したがって、送電側制御回路22は、例えば、1次コイルL1のコイル端(ノードNA2)の電圧をしきい値電圧と比較することによって、負荷変調信号が「0」であるか、「1」であるかを検出することができる。   Further, as illustrated in FIG. 3B, the power receiving device can transmit “0” and “1” to the power transmitting device by modulating the load of the power receiving device. That is, when the load modulation transistor TB3 provided in the load modulation unit 46 is turned on / off, the coil end voltage of the primary coil L1 changes as shown in FIG. 3B, for example. Therefore, the power transmission side control circuit 22 compares the voltage at the coil end (node NA2) of the primary coil L1 with the threshold voltage, for example, so that the load modulation signal is “0” or “1”. It can be detected.

(バイパスのオン/オフ切り換えに起因する発振を防止するための構成例)
図4は、バイパスのオン/オフ切り換えに起因する発振を防止するための構成の一例を示す図である。
(Configuration example for preventing oscillation due to bypass ON / OFF switching)
FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a configuration for preventing oscillation due to bypass on / off switching.

受電制御装置50は、受電側制御回路52を有し、受電側制御回路52は、バイパス制御部105を有する。バイパス制御部105は、電圧検出回路106と、電圧検出回路106から出力される検出信号SCMPに基づいて、バイパス制御スイッチ(スイッチ回路)SW10のオン/オフを制御するバイパス制御信号VPBPを出力するバイパス制御信号出力回路109と、発振防止回路111と、を有する。   The power reception control device 50 includes a power reception side control circuit 52, and the power reception side control circuit 52 includes a bypass control unit 105. The bypass control unit 105 outputs a bypass control signal VPBP for controlling on / off of the bypass control switch (switch circuit) SW10 based on the voltage detection circuit 106 and the detection signal SCMP output from the voltage detection circuit 106. A control signal output circuit 109 and an oscillation prevention circuit 111 are included.

電圧検出回路106は、受電装置40における整流電圧の電圧レベルを検出する。すなわち、電圧検出回路106は、レギュレータ(LDO)49の入力ノードの電圧Vinおよび出力ノードの電圧VD5の少なくとも一方を検出することができる。入力ノードの電圧Vinが変動すれば、出力ノードの電圧VD5も変動するため、基本的には、電圧検出回路106は、電圧Vinと電圧VD5のいずれかを検出すればよく、また、電圧Vinと電圧VD5の双方を検出することもできる。   The voltage detection circuit 106 detects the voltage level of the rectified voltage in the power receiving device 40. That is, the voltage detection circuit 106 can detect at least one of the voltage Vin at the input node of the regulator (LDO) 49 and the voltage VD5 at the output node. If the voltage Vin at the input node fluctuates, the voltage VD5 at the output node also fluctuates. Therefore, basically, the voltage detection circuit 106 only has to detect either the voltage Vin or the voltage VD5. Both of the voltage VD5 can also be detected.

但し、レギュレータ(LDO)49の出力ノードの方が、給電対象の負荷(2次電池94)に近いため、出力ノードの電圧VD5をモニタした方が、給電電圧の電圧レベルをより正確に検出できる。よって、電圧Vinと電圧VD5のいずれか一方を検出するのであれば、出力ノードの電圧VD5の電圧レベルを検出するのが好ましい。以下、電圧検出回路106は、レギュレータ(LDO)49の出力ノードの電圧VD5を検出するものとして説明する。   However, since the output node of the regulator (LDO) 49 is closer to the load (secondary battery 94) to be fed, monitoring the output node voltage VD5 can more accurately detect the voltage level of the feeding voltage. . Therefore, if one of the voltage Vin and the voltage VD5 is detected, it is preferable to detect the voltage level of the voltage VD5 at the output node. In the following description, it is assumed that the voltage detection circuit 106 detects the voltage VD5 at the output node of the regulator (LDO) 49.

電圧検出回路106は、例えば、ヒステリシスコンパレータを含み、ヒステリシスコンパレータから出力される検出信号SCMPの電圧レベルは、レギュレータ(LDO)49の出力ノードの電圧VD5の電圧レベルが、第1のしきい値電圧(例えば、4.9V)を下回ると第1のレベル(例えばH:アクティブレベル)となり、第1のしきい値電圧より高い電圧である第2のしきい値電圧(例えば、5.2V)を超えると第2のレベル(例えばL:非アクティブレベル)となる。   The voltage detection circuit 106 includes, for example, a hysteresis comparator, and the voltage level of the detection signal SCMP output from the hysteresis comparator is such that the voltage level of the voltage VD5 of the output node of the regulator (LDO) 49 is the first threshold voltage. (For example, H: active level) when lower than (for example, 4.9 V), a second threshold voltage (for example, 5.2 V) that is higher than the first threshold voltage is set. When it exceeds, it becomes the second level (for example, L: inactive level).

バイパス制御信号出力回路109は、電圧検出回路106から出力される検出信号SCMPがアクティブレベルの期間において、バイパス制御信号VPBPをアクティブレベル(例えばH)とする。これによって、スイッチ回路(バイパス経路を形成するためのスイッチ回路)SW10がオンし、バイパス経路(以下、単にバイパスという場合もある)が形成され、バイパスを経由して電流が給電対象の負荷94に供給される。よって、給電量の不足が解消し、かつ、レギュレータ(LDO)49における電力損失ならびに発熱が生じない。スイッチ回路SW10は、例えば、図2に示されるように、PMOSトランジスタM1およびNMOSトランジスタM2によって構成することができる。   The bypass control signal output circuit 109 sets the bypass control signal VPBP to an active level (for example, H) during a period in which the detection signal SCMP output from the voltage detection circuit 106 is at an active level. As a result, the switch circuit (switch circuit for forming a bypass path) SW10 is turned on to form a bypass path (hereinafter sometimes simply referred to as a bypass), and current is supplied to the load 94 to be fed via the bypass. Supplied. Therefore, the shortage of the power supply amount is solved, and power loss and heat generation in the regulator (LDO) 49 do not occur. The switch circuit SW10 can be configured by a PMOS transistor M1 and an NMOS transistor M2, for example, as shown in FIG.

また、バイパス制御信号出力回路109は、電圧検出回路106から出力される検出信号SCMPが非アクティブレベル(例えばL)になると、バイパス制御信号VPBPを非アクティブレベル(例えばL)とする。これによって、バイパス制御スイッチSW10がオフし、バイパスがオフする。   The bypass control signal output circuit 109 sets the bypass control signal VPBP to an inactive level (eg, L) when the detection signal SCMP output from the voltage detection circuit 106 becomes an inactive level (eg, L). As a result, the bypass control switch SW10 is turned off and the bypass is turned off.

バイパスのオン/オフ制御のためにヒステリシスコンパレータを使用することによって、例えば、細かなノイズに起因して、バイパスのオン/オフが切り換るような誤動作が生じない。   By using the hysteresis comparator for the on / off control of the bypass, for example, a malfunction that switches the on / off of the bypass due to fine noise does not occur.

発振防止回路111は、バイパスのオン/オフの切り換えに伴って生じる可能性のある発振状態を防止するために設けられている。ここで、発振とは、例えば、バイパスがオフ状態になった後(具体的には直後)にバイパスがオン状態になり、あるいは、バイパスがオン状態になった後(具体的には直後)にバイパスがオフ状態になる動作、あるいは、その動作が繰り返されることをいう。   The oscillation prevention circuit 111 is provided in order to prevent an oscillation state that may occur with the on / off switching of the bypass. Here, the oscillation is, for example, after the bypass is turned off (specifically immediately after), or after the bypass is turned on (specifically immediately after). The operation in which the bypass is turned off or the operation is repeated.

上述のとおり、バイパス制御信号出力回路109は、原則として、電圧検出回路106の検出信号SCMPに基づいて、バイパスのオン/オフを制御する。但し、発振防止回路111によって、「発振状態」または「発振状態を生じさせ得る状態」が検出されると、バイパス正制御信号出力回路109は、バイパス制御信号VPBPのレベルを非アクティブレベルに固定して、スイッチ回路SW10をオフ状態とする。つまり、バイパス制御信号出力回路109は、発振状態または発振状態を生じさせ得る状態が検出されると、バイパスのオンを禁止する。ここで、「発振状態を生じさせ得る状態」は、例えば、オン状態のバイパスがオフ状態に移行したときである。つまり、その直後に、バイパスが再びオン状態に移行すると発振状態となる。言い換えるならば、オン状態のバイパスがオフ状態に移行したとき、その直後に発振が生じる可能性が生じたと考えることができる。このように「発振が生じる可能性が生じた状態」が、「発振状態を生じさせ得る状態」である。   As described above, the bypass control signal output circuit 109 controls on / off of the bypass based on the detection signal SCMP of the voltage detection circuit 106 in principle. However, when the oscillation prevention circuit 111 detects an “oscillation state” or “a state that can cause an oscillation state”, the bypass positive control signal output circuit 109 fixes the level of the bypass control signal VPBP to an inactive level. Thus, the switch circuit SW10 is turned off. That is, the bypass control signal output circuit 109 prohibits the bypass from being turned on when an oscillation state or a state that can cause an oscillation state is detected. Here, the “state in which the oscillation state can be generated” is, for example, when the on-state bypass is shifted to the off-state. That is, immediately after that, when the bypass is turned on again, the oscillation state is entered. In other words, when the bypass in the on state shifts to the off state, it can be considered that there is a possibility that oscillation occurs immediately after that. In this way, “a state where a possibility of occurrence of oscillation” is “a state where an oscillation state can be generated”.

したがって、図4の回路構成によれば、レギュレータ(LDO)49のバイパス技術によって受電装置40における電力損失および発熱を低減させることができ、その一方、バイパスのオン/オフの切り換えによって、受電装置の整流電圧に、予想外の瞬時的な大きな電圧変化が生じた場合でも、発振状態を確実に防止することができる。よって、受電装置の信頼性を高めることができる。   Therefore, according to the circuit configuration of FIG. 4, the power loss and heat generation in the power receiving device 40 can be reduced by the bypass technology of the regulator (LDO) 49, while the bypass of the power receiving device can be reduced by switching the bypass on / off. Even when an unexpected large instantaneous voltage change occurs in the rectified voltage, the oscillation state can be reliably prevented. Thus, the reliability of the power receiving device can be increased.

図5は、バイパスのオン/オフの制御例を説明するための図である。図5に示すように、レギュレータ(LDO)49の出力ノードの電圧VD5は、時刻t1に第1のしきい値電圧(4.9V)を下回り、この状態は、時刻t4まで継続する。したがって、時刻t1〜時刻t4までの期間T100がバイパスオン期間となる。時刻t4に、電圧VD5は第2のしきい値電圧(5.2V)を超えるため、バイパスはオフする。期間T99ならびに期間T101はバイパスオフ期間である   FIG. 5 is a diagram for explaining an example of bypass on / off control. As shown in FIG. 5, the voltage VD5 at the output node of the regulator (LDO) 49 falls below the first threshold voltage (4.9 V) at time t1, and this state continues until time t4. Therefore, the period T100 from time t1 to time t4 is the bypass on period. At time t4, the voltage VD5 exceeds the second threshold voltage (5.2V), so the bypass is turned off. Period T99 and period T101 are bypass-off periods.

(発振状態の説明)
図6は、バイパスのオン/オフに起因して生じる発振状態を説明するための図である。図6では、時刻t4以降、バイパスのオン/オフが繰り返され、発振状態が生じている。
(Description of oscillation state)
FIG. 6 is a diagram for explaining an oscillation state caused by the on / off of the bypass. In FIG. 6, after the time t4, the bypass is repeatedly turned on / off, and an oscillation state is generated.

上述のとおり、2次コイル、レギュレータ(例えば、LDOのようなシリーズレギュレータ)、ならびに、バイパス経路を形成するためのスイッチ回路(例えば、パワースイッチングトランジスタ)等は、外付け部品であり、採用された外付け部品の特性によっては、バイパスのオン/オフの切り換えの際に、整流電圧に、予想外の瞬時的な大きな電圧変化が生じる場合が生じ得る。   As described above, the secondary coil, the regulator (for example, a series regulator such as LDO), the switch circuit (for example, the power switching transistor) for forming the bypass path, and the like are external parts and adopted. Depending on the characteristics of the external parts, unexpected large instantaneous voltage changes may occur in the rectified voltage when the bypass is turned on / off.

例えば、バイパスがオン状態(大電流を流している状態)からオフ状態(レギュレータ49により電流や電圧が制御される状態)に切り換ったとき、レギュレータ49を経由して流れる電流とレギュレータのオン抵抗によって生じる電圧降下によって、レギュレータ49の出力ノードの電圧VD5が瞬時的に低下する。その低下の程度が、バイパス制御のためのヒステリシス幅(図5における5.2Vと4.9Vの差電圧)よりも大きいと、バイパスは再びオン状態となり、発振状態が生じる。   For example, when the bypass is switched from an on state (a state in which a large current flows) to an off state (a state in which current and voltage are controlled by the regulator 49), the current flowing through the regulator 49 and the regulator on Due to the voltage drop caused by the resistance, the voltage VD5 at the output node of the regulator 49 is instantaneously reduced. When the degree of the reduction is larger than the hysteresis width for bypass control (difference voltage between 5.2 V and 4.9 V in FIG. 5), the bypass is turned on again and an oscillation state occurs.

ここで、例えば、第2のしきい値電圧(4.9V)をさらに低くして、ヒステリシス幅を拡大した場合、バイパスのオン/オフの切り換えの際に、発振状態が生じる可能性は低くなる。しかし、バイパスのオン/オフの切り換えの際に生じる整流電圧(電圧VD5)の電圧変動の程度は、外付け部品の特性(例えば、入出力特性を決める定数等)によって変動する。また、バイパス制御のためのヒステリシス幅をあまりに広く設定すると、給電対象の負荷94への給電量が低下してもバイパスがオンしにくくなる。また、バイパスのオンが解除されにくくなり、この場合、レギュレータ(LDO)49による給電電圧の制御が働かない期間が長くなるため、結果的に、受電装置の耐圧マージンが減少する。この場合には、高効率化を実現し、かつ安全な動作を保障するという本来の目的が達成できなくなる。   Here, for example, when the second threshold voltage (4.9 V) is further lowered and the hysteresis width is expanded, the possibility of an oscillation state occurring when switching the bypass on / off is reduced. . However, the degree of voltage fluctuation of the rectified voltage (voltage VD5) generated when the bypass is switched on / off varies depending on the characteristics of external components (for example, constants that determine input / output characteristics). If the hysteresis width for bypass control is set too wide, the bypass is difficult to turn on even if the amount of power supplied to the load 94 to be supplied decreases. In addition, it becomes difficult to turn on the bypass, and in this case, the period during which the control of the power supply voltage by the regulator (LDO) 49 does not work is lengthened. As a result, the withstand voltage margin of the power receiving device is reduced. In this case, the original purpose of achieving high efficiency and ensuring safe operation cannot be achieved.

そこで、本実施形態では、バイパスのオン/オフ制御のためのヒステリシス幅(つまり、ヒステリシスコンパレータのヒステリシス幅)は、上述の本来の目的を達成可能な範囲に設定し、バイパスのオン/オフの際に生じる可能性がある発振については、別途、発振防止回路111を設けることによって対策する。   Therefore, in this embodiment, the hysteresis width for the on / off control of the bypass (that is, the hysteresis width of the hysteresis comparator) is set to a range in which the above-mentioned original purpose can be achieved, and when the bypass is turned on / off. Oscillation that may occur in the case is taken by providing an oscillation prevention circuit 111 separately.

(具体的な発振対策の説明)
発振防止のための対策としては、バイパスのオン回数を制限する方法と、バイパス禁止区間を設定する方法と、ヒステリシス幅を拡大する方法と、がある。以下、順に説明する。
(Description of specific oscillation countermeasures)
As measures for preventing oscillation, there are a method of limiting the number of times the bypass is turned on, a method of setting a bypass-prohibited section, and a method of expanding the hysteresis width. Hereinafter, it demonstrates in order.

(1)バイパスのオン回数を制限する方法
図7は、発振対策の一例(バイパスのオン回数制限)を説明するための図である。例えば、バイパス制御信号出力回路109は、発振防止回路111によって、バイパスがオン状態となる回数が所与の許可回数m(mは1以上の整数)に達したことが検出されると、(m+1)回目のバイパスのオン(すなわちスイッチ回路のオン)を禁止する。すなわち、バイパスがオン状態となることができる回数(バイパスオン回数)に制限を設けることによって、バイパスのオン/オフ切り換えに起因して生じる発振を確実に防止することができる。
(1) Method of limiting the number of bypass ONs FIG. 7 is a diagram for explaining an example of oscillation countermeasures (limitation of the number of bypass ONs). For example, when the oscillation prevention circuit 111 detects that the bypass control signal output circuit 109 has reached a given permitted number m (m is an integer equal to or greater than 1), (m + 1) ) The bypass is turned on (that is, the switch circuit is turned on). In other words, by setting a limit on the number of times the bypass can be turned on (bypass on number), it is possible to reliably prevent oscillation caused by switching on / off of the bypass.

図7において、時刻t1〜時刻t4までの期間(期間T100)が、バイパス制御信号VPBPの第1回目の出力期間(すなわち、VPBPがアクティブレベルになる第1回目の期間)である。時刻t4にバイパスは解除される。   In FIG. 7, a period from time t1 to time t4 (period T100) is a first output period of the bypass control signal VPBP (that is, a first period in which VPBP is in an active level). Bypass is released at time t4.

ここで、バイパスのオン許可回数m=1のときは、2回目以降のバイパスのオンは禁止される。つまり、時刻t5において、電圧VD5は第1のしきい値4.9Vを下回るが、バイパス制御信号VPBPがアクティブレベルにならないため、バイパスがオンしない。よって、発振が未然に防止される。   Here, when the bypass ON permission count m = 1, the second and subsequent bypass ONs are prohibited. That is, at time t5, the voltage VD5 falls below the first threshold value 4.9V, but the bypass is not turned on because the bypass control signal VPBP does not become the active level. Therefore, oscillation is prevented in advance.

ここで、m=1の場合について考察する。基本的には、同一の負荷への給電期間中においては、1回だけバイパスがオンすれば足りる場合が多いと考えられる。例えば、2次電池を充電する場合、充電の初期に、消耗している2次電池に大量に電流を供給する必要性からバイパスがオンすることが多い。その後、2次電池がある程度、充電されると、受電装置の整流電圧は徐々に上昇していき、整流電圧が所与のレベルを超えるバイパスが解除され、受電装置の整流電圧は安定化し、やがて、2次電池は満充電状態となる、というのが、一般的な充電動作である。また、2次電池以外の負荷に給電する場合も、同一の負荷への給電中には、バイパスは1回だけオンすればよい、というケースは多いと考えられる。   Here, consider the case of m = 1. Basically, it is considered that it is often sufficient to turn on the bypass only once during the period of supplying power to the same load. For example, when charging a secondary battery, the bypass is often turned on in the initial stage of charging because of the need to supply a large amount of current to the depleted secondary battery. After that, when the secondary battery is charged to some extent, the rectified voltage of the power receiving device gradually increases, the bypass where the rectified voltage exceeds a given level is released, the rectified voltage of the power receiving device stabilizes, and eventually It is a general charging operation that the secondary battery is fully charged. Even when power is supplied to a load other than the secondary battery, it is considered that there are many cases in which the bypass only needs to be turned on once during the power supply to the same load.

この場合には、m=1に設定するのが有効である。つまり、同一対象の負荷への給電期間中には、バイパスのオン(スイッチ回路SW10のオン)を1回のみ許可する。したがって、受電装置の給電能力の不足を補うためにバイパスがオンすると、2回目のバイパスのオンは禁止される。   In this case, it is effective to set m = 1. In other words, the bypass is turned on (the switch circuit SW10 is turned on) only once during the power supply period to the same target load. Therefore, when the bypass is turned on to compensate for the shortage of the power supply capability of the power receiving device, the second bypass on is prohibited.

図7において、受電装置40の給電能力の不足を補うためにバイパスがオンし(第1回目のオン:時刻t1)、次に、バイパスがオン状態からオフ状態に切り換わる(時刻t4)。上述のとおり、第1回目のバイパスのオン状態が終了した状態(時刻t4における状態)が、「発振を生じさせ得る状態」である。つまり、発振防止回路111によって、発振を生じさせ得る状態となったことが検出されると、時刻t5における第2回目のバイパスのオンが禁止され、これによって、バイパスのオン/オフの切り換えに起因して生じる発振状態は、未然に、確実に防止される。   In FIG. 7, the bypass is turned on to compensate for the shortage of power supply capability of the power receiving device 40 (first on: time t <b> 1), and then the bypass is switched from the on state to the off state (time t <b> 4). As described above, the state in which the first bypass on-state is completed (the state at time t4) is the “state in which oscillation can occur”. In other words, when the oscillation prevention circuit 111 detects that the oscillation can be generated, the second bypass on at time t5 is prohibited, thereby causing the bypass on / off switching. The oscillation state that occurs is surely prevented beforehand.

また、m=2に設定される場合は、同一対象の負荷への給電中において、2回のバイパスのオンが許容され、3回目のバイパスのオンが禁止される。図7において、時刻t5にバイパスが瞬時的にオンするが(第2回目のオン)、時刻t7における第3回目のオンは、確実に防止される。   Further, when m = 2 is set, the bypass is turned on twice and the third bypass is prohibited during power feeding to the same target load. In FIG. 7, the bypass is instantaneously turned on at time t5 (second turn-on), but the third turn-on at time t7 is reliably prevented.

バイパスがオン状態になることが許容される回数(バイパスオン許可回数)mの値を適切な値に設定すれば、給電不足を補うためにバイパスをオンさせることを妨げることなく、発振を確実に防止することができる。すなわち、(m+1)回目のバイパスのオンは禁止されるため、発振は確実に阻止される。   By setting the value of the number of times that the bypass is allowed to be turned on (number of times the bypass is allowed) m to an appropriate value, oscillation can be ensured without preventing the bypass from being turned on to compensate for insufficient power supply. Can be prevented. That is, since the (m + 1) th bypass is prohibited from being turned on, oscillation is reliably prevented.

(2)バイパス禁止区間を設定する方法
図8は、発振対策の他の例(バイパスの禁止区間を設定する方法)を説明するための図である。図8に示されるように、発振防止回路111によって発振状態または発振状態を生じさせ得る状態が検出されると、バイパス制御信号VPBPのレベルが所与の時間(例えば10秒間)だけ非アクティブレベルに固定され、その期間中は、スイッチ回路SW10のオンが禁止される。そして、その所与の時間の経過後に、スイッチ回路SW10のオンの禁止が解除される。
(2) Method of Setting Bypass Prohibited Section FIG. 8 is a diagram for explaining another example of oscillation countermeasures (method of setting a bypass prohibited section). As shown in FIG. 8, when the oscillation prevention circuit 111 detects an oscillation state or a state that can cause an oscillation state, the level of the bypass control signal VPBP is set to an inactive level for a given time (for example, 10 seconds). During this period, the switch circuit SW10 is inhibited from being turned on. Then, after the given time has elapsed, the prohibition of turning on of the switch circuit SW10 is released.

例えば、バイパスがオン状態からオフ状態になったことが発振防止回路111によって検出されると(図8の時刻t4)、そのタイミング((時刻t4)から、例えば、10秒間のバイパス禁止区間T200を設けることができる。   For example, when the oscillation prevention circuit 111 detects that the bypass has changed from the on state to the off state (time t4 in FIG. 8), the bypass prohibition section T200 for 10 seconds is changed from the timing ((time t4)). Can be provided.

第1回目のバイパスのオン状態が終了した状態(時刻t4における状態)が、発振を生じさせ得る状態である。つまり、発振防止回路111によって、発振を生じさせ得る状態となったことが検出されると、所与の時間だけバイパスのオンが禁止される。これによって、バイパスのオン/オフの切り換えに起因して生じる発振状態は、未然に確実に防止される。   The state in which the first bypass on state is completed (the state at time t4) is a state in which oscillation can occur. That is, when the oscillation prevention circuit 111 detects that the oscillation can be generated, turning on the bypass is prohibited for a given time. As a result, an oscillation state caused by switching on / off of the bypass is surely prevented.

また、バイパスがオン状態からオフ状態になり(時刻t4)、その直後、再びオン状態になったことが発振防止回路111によって検出されると(図8の時刻t5)、そのタイミング((時刻t5)から、例えば、10秒間のバイパス禁止区間T201を設けることができる。この例の場合、受電装置の給電能力の不足を補うためにバイパスがオンし(時刻t1)、次に、バイパスがオン状態からオフ状態に切り換り(時刻t4)、その直後に、バイパスが再びオンになったことが発振防止回路により検出されると(時刻t5)、バイパスはオフされ、そのタイミング(時刻t5)から所与の期間(例えば、10秒程度の期間)は、次のバイパスのオン(第3回目のバイパスのオン)が禁止される。   When the bypass is changed from the on state to the off state (time t4) and immediately after that, the oscillation prevention circuit 111 detects that the bypass is turned on again (time t5 in FIG. 8), the timing ((time t5 For example, in this example, the bypass is turned on (time t1) to compensate for the shortage of the power supply capability of the power receiving apparatus, and then the bypass is turned on. When the oscillation prevention circuit detects immediately after that that the bypass is turned on again (time t5), the bypass is turned off and from that timing (time t5). During a given period (for example, a period of about 10 seconds), the next bypass is prohibited from being turned on (the third bypass is turned on).

この場合、バイパスがオン状態からオフ状態に変化し、直後に再びオン状態に変化することによって、1回だけ発振状態が生じるが、その後、バイパスのオンが繰り返される事態が生じない。よって、バイパスのオン/オフの切り換えに起因して生じる発振状態が継続されることが、確実に防止される。この例の場合、実際に発振状態が生じたことを検出しているため、誤って発振防止機能が動作することがないという利点がある。   In this case, the bypass changes from the on-state to the off-state, and immediately after that changes to the on-state again, an oscillation state is generated only once. However, the bypass is not repeatedly turned on thereafter. Therefore, it is possible to reliably prevent the oscillation state caused by the on / off switching of the bypass from being continued. In the case of this example, since the fact that an oscillation state has actually occurred is detected, there is an advantage that the oscillation prevention function does not operate by mistake.

同一の給電対象の負荷に対する給電期間中においては、バイパスがオンする回数は基本的には1回程度と考えられるが、しかし、何らかの理由によって、給電能力が不足する状態が、2回、3回と生じる場合もあり得る。このような場合には、バイパスをオンして、十分な電流を負荷に対して供給できるようにするのが好ましい。一方、バイパスのオン/オフに起因して生じる瞬時的な整流電圧の大きな変動は、長く継続せず、ある程度の時間が経過すると収束するのが一般的である。   During the power supply period for the same power supply target load, the number of times the bypass is turned on is considered to be about 1 time. However, for some reason, the state where the power supply capacity is insufficient is twice or three times. May occur. In such a case, it is preferable to turn on the bypass so that a sufficient current can be supplied to the load. On the other hand, the large fluctuation of the instantaneous rectified voltage caused by the on / off of the bypass does not continue for a long time, and generally converges after a certain period of time.

そこで、本実施例では、バイパス制御信号VPBPがアクティブレベルになることによるバイパス(スイッチ回路)のオンを、所与の時間内(例えば10秒程度)において禁止し、その時間が経過すると、バイパス制御信号の出力禁止を解除する。バイパスのオンが禁止される期間は、バイパスのオン/オフに起因して生じる瞬時的な整流電圧の大きな変動が継続する時間よりも十分に長く設定される。   Therefore, in this embodiment, turning on of the bypass (switch circuit) due to the bypass control signal VPBP becoming active level is prohibited within a given time (for example, about 10 seconds), and when the time elapses, the bypass control is performed. Release the signal output prohibition. The period in which the bypass is prohibited is set to be sufficiently longer than the time during which a large fluctuation of the instantaneous rectified voltage caused by the on / off of the bypass continues.

本実施例では、バイパスのオン/オフの切り換えタイミングから所与の時間内はバイパス(スイッチ回路)のオンが禁じられることから、バイパスのオン/オフに起因して生じる発振は確実に防止される。また、本実施例では、バイパスのオンの回数が制限されないため、同一の給電対象の負荷94に対する給電期間中において、給電能力が不足する状態が複数回、生じる場合には、その都度、バイパスをオンして給電量の不足を補うことが可能である。   In this embodiment, since the bypass (switch circuit) is prohibited from being turned on within a given time from the bypass on / off switching timing, oscillation caused by the bypass on / off is reliably prevented. . Further, in this embodiment, since the number of times the bypass is turned on is not limited, when the power supply capability is insufficient several times during the power supply period for the same power supply target load 94, the bypass is performed each time. It can be turned on to compensate for the shortage of power supply.

(3)ヒステリシス幅を拡大する方法
図9は、発振対策のさらに他の例(ヒステリシス幅を拡大する方法)を説明するための図である。
(3) Method for Enlarging the Hysteresis Width FIG. 9 is a diagram for explaining still another example (method for enlarging the hysteresis width) of countermeasures against oscillation.

本実施例では、発振防止回路111によって発振状態、あるいは発振状態を生じさせ得る状態が検出されると、バイパス制御に使用されるヒステリシスコンパレータのヒステリシス幅を拡大し、発振が生じないようにする。   In this embodiment, when the oscillation prevention circuit 111 detects an oscillation state or a state that can cause an oscillation state, the hysteresis width of the hysteresis comparator used for bypass control is expanded to prevent oscillation.

上述のとおり、ヒステリシスコンパレータのヒステリシス幅を利用して、バイパスのオン/オフの切り換え制御を実行する。つまり、整流電圧が第1のしきい値レベルまで低下するとバイパスがオンし、その後、整流電圧が第2のしきい値レベルまで上昇したときにバイパスがオフする。そして、本実施例では、発振防止回路111によって発振状態、あるいは発振状態を生じさせ得る状態が検出されると、バイパスをオンするしきい値電圧が、第1のしきい値電圧(例えば4.9V)よりも低い電圧である第3のしきい値電圧(例えば、4.75V)に変更される。   As described above, bypass ON / OFF switching control is executed using the hysteresis width of the hysteresis comparator. That is, the bypass is turned on when the rectified voltage falls to the first threshold level, and then the bypass is turned off when the rectified voltage rises to the second threshold level. In this embodiment, when the oscillation prevention circuit 111 detects an oscillation state or a state that can cause an oscillation state, the threshold voltage for turning on the bypass is the first threshold voltage (for example, 4. 9V) is changed to a third threshold voltage (for example, 4.75 V), which is a lower voltage.

この結果、発振状態が生じたとしても、整流電圧(電圧VD5)が、第3のしきい値電圧を下回ることが困難となり、発振を阻止すること、あるいは、発振の継続を阻止することができる。   As a result, even if an oscillation state occurs, it becomes difficult for the rectified voltage (voltage VD5) to fall below the third threshold voltage, and oscillation can be prevented or continuation of oscillation can be prevented. .

第3のしきい値電圧は、発振状態においては下回ることがない電圧であって、かつ、給電対象の負荷への給電量が不足する場合においては下回ることがある電圧に設定するのが好ましい。すなわち、バイパス制御のためのヒステリシス幅をあまりに広げすぎると、給電対象の負荷への給電量が低下してもバイパスがオンしにくくなり、また、バイパスのオンが解除されにくくなるという不都合が生じるため、第3のしきい値電圧のレベルは、発振を阻止でき、かつ、給電量の不足によるバイパスオンの要請には応えることができるようなレベルに設定するのが好ましい。   The third threshold voltage is preferably set to a voltage that does not fall below in the oscillation state and that may fall below when the amount of power supplied to the load to be fed is insufficient. That is, if the hysteresis width for bypass control is too wide, the bypass is difficult to turn on even when the amount of power supplied to the load to be fed is reduced, and the bypass is not easily released. The level of the third threshold voltage is preferably set to a level that can prevent oscillation and respond to a request for bypass-on due to insufficient power supply.

図9に示されるように、時刻t4を、ヒステリシス幅を変更するタイミングとする場合(例(1)および例(3))と、時刻t5を、ヒステリシス幅を変更するタイミングとする場合(例(2)および例(4))とがある。   As shown in FIG. 9, when the time t4 is set as the timing for changing the hysteresis width (example (1) and example (3)), and when the time t5 is set as the timing for changing the hysteresis width (example ( 2) and Example (4)).

ここで、時刻t4は、上述のとおり、発振が生じ得る状態が発振防止回路111によって検出されるタイミングである。時刻t5は、発振防止回路111によって、発振状態が検出されるタイミングである。   Here, time t4 is a timing at which the oscillation preventing circuit 111 detects a state where oscillation can occur as described above. Time t <b> 5 is timing when the oscillation state is detected by the oscillation prevention circuit 111.

また、図9の例(3),例(4)に示されるように、変更したヒステリシス幅を、所与の時間経過後に、元のヒステリシス幅に戻すこともできる。   Further, as shown in examples (3) and (4) in FIG. 9, the changed hysteresis width can be returned to the original hysteresis width after a given time has elapsed.

図9の例1の場合、発振を生じさせ得る状態となったことが検出されると(時刻t4)、バイパスをオンさせるためのしきい値電圧が、第1のしきい値電圧から第3のしきい値電圧に変更され、これによってヒステリシス幅が第1のヒステリシス幅HY1から第2のヒステリシス幅HY2に拡大される。よって、バイパスのオン/オフの切り換えに起因して生じる発振状態が、未然に防止される。   In the case of Example 1 in FIG. 9, when it is detected that the oscillation can be generated (time t4), the threshold voltage for turning on the bypass is changed from the first threshold voltage to the third threshold voltage. As a result, the hysteresis width is expanded from the first hysteresis width HY1 to the second hysteresis width HY2. Therefore, an oscillation state caused by switching on / off of the bypass is prevented in advance.

また、図9の例2の場合、発振が生じたことが発振防止回路111により検出されると(時刻t5)、バイパスをオンさせるためのしきい値電圧が、第1のしきい値電圧から第3のしきい値電圧に変更され、ヒステリシス幅が第1のヒステリシス幅HY1から第2のヒステリシス幅HY2に拡大される。よって、バイパスのオン/オフの切り換えに起因して生じる発振状態を防止することができる。この例(2)では、実際に発振状態が生じたことを検出しているため、誤って発振防止機能(ヒステリシス幅を拡大する機能)が動作することがないという利点がある。   In the case of Example 2 in FIG. 9, when the oscillation prevention circuit 111 detects that oscillation has occurred (time t5), the threshold voltage for turning on the bypass is changed from the first threshold voltage. By changing to the third threshold voltage, the hysteresis width is expanded from the first hysteresis width HY1 to the second hysteresis width HY2. Accordingly, it is possible to prevent an oscillation state caused by switching on / off of the bypass. In this example (2), since an actual oscillation state is detected, there is an advantage that the oscillation prevention function (function to increase the hysteresis width) does not operate by mistake.

また、図9の例(3)、例(4)では、ヒステリシスコンパレータのヒステリシス幅の変更は、所与の時間(例えば、10秒程度)だけ継続され、その時間の経過後、ヒステリシスコンパレータのヒステリシス性は、変更前の状態に戻る。   In the example (3) and the example (4) in FIG. 9, the change of the hysteresis width of the hysteresis comparator is continued for a given time (for example, about 10 seconds). Sex returns to the state before the change.

すなわち、バイパスのオン/オフの切り換えタイミングから所与の期間内はヒステリシス幅を広げることによって発振を防止する。一方、所与の期間の経過後はヒステリシス幅をもとに戻して、バイパスがオンしにくい状況をなくし、負荷への給電能力の不足が生じたときには、速やかにバイパスをオンさせることができるようにする。   That is, the oscillation is prevented by widening the hysteresis width within a given period from the on / off switching timing of the bypass. On the other hand, after the lapse of a given period, the hysteresis width is restored to the original state so that the situation in which the bypass is difficult to turn on is eliminated, and when the power supply capacity to the load is insufficient, the bypass can be turned on quickly. To.

図9の例(3)では、時刻t4〜時刻t10までの期間T250において、ヒステリシス幅が第2のヒステリシス幅HY2に拡大され、時刻t10以降の期間(期間T260)では、元のヒステリシス幅(すなわち第1のヒステリシス幅HY1)に戻る。   In the example (3) of FIG. 9, in the period T250 from time t4 to time t10, the hysteresis width is expanded to the second hysteresis width HY2, and in the period after the time t10 (period T260), the original hysteresis width (ie, Return to the first hysteresis width HY1).

図9の例(4)では、時刻t5〜時刻t11までの期間T270において、ヒステリシス幅が第2のヒステリシス幅HY2に拡大され、時刻t11以降の期間(期間T280)では、元のヒステリシス幅(すなわち第1のヒステリシス幅HY1)に戻る。   In the example (4) of FIG. 9, in the period T270 from time t5 to time t11, the hysteresis width is expanded to the second hysteresis width HY2, and in the period after the time t11 (period T280), the original hysteresis width (ie, Return to the first hysteresis width HY1).

(発振防止回路を有するバイパス制御部の具体的な回路構成の例)
図10は、発振防止回路を有するバイパス制御部の具体的な回路構成の一例を示す図である。
(Example of specific circuit configuration of bypass control unit having oscillation prevention circuit)
FIG. 10 is a diagram illustrating an example of a specific circuit configuration of a bypass control unit having an oscillation prevention circuit.

受電制御装置50に含まれる受電側制御回路52は、バイパス制御部105と、を有する。   The power reception side control circuit 52 included in the power reception control device 50 includes a bypass control unit 105.

また、受電装置の給電制御部48には、バイパス制御スイッチAと、バイパス制御スイッチの制御回路Bとが設けられる。バイパス制御スイッチAは、PMOSトランジスタM1により構成される。また、バイパス制御スイッチの制御回路Bは、NMOSトランジスタM2と、プルアップ抵抗R8と、により構成される。なお、バイパス制御スイッチAおよびバイパス制御スイッチの制御回路Bによって、バイパスをオン/オフするためのスイッチ回路SW10が構成される(但し、この構成に限定されるものではない)。   Further, the power supply control unit 48 of the power receiving apparatus is provided with a bypass control switch A and a control circuit B for the bypass control switch. The bypass control switch A is configured by a PMOS transistor M1. Further, the control circuit B of the bypass control switch includes an NMOS transistor M2 and a pull-up resistor R8. The bypass control switch A and the control circuit B of the bypass control switch constitute a switch circuit SW10 for turning on / off the bypass (however, the configuration is not limited to this).

バイパス制御部105は、レギュレータ(LDO)49の出力端の電圧VD5の電圧レベルを検出する電圧検出回路106と、電圧検出回路106から出力される検出信号(コンパレータ出力)SCMPに基づいて、バイパス制御信号VPBPの電圧レベルを切り換えるロジック回路107と、を有する。   The bypass control unit 105 performs bypass control based on a voltage detection circuit 106 that detects the voltage level of the voltage VD5 at the output terminal of the regulator (LDO) 49, and a detection signal (comparator output) SCMP output from the voltage detection circuit 106. And a logic circuit 107 that switches a voltage level of the signal VPBP.

ロジック回路107は、バイパス制御信号出力回路109と、発振防止回路111と、ヒステリシス制御回路113と、を有する。   The logic circuit 107 includes a bypass control signal output circuit 109, an oscillation prevention circuit 111, and a hysteresis control circuit 113.

電圧検出回路106は、例えば、ヒステリシスコンパレータによって構成される。図10の電圧検出回路106は、コンパレータ108と、分圧抵抗R50〜R53と、しきい値を切り換えるためのトランジスタMA,MBと、を有する。コンパレータ108の反転端子には、分圧抵抗R50と分圧抵抗R51の共通接続点X1の電圧が供給され、非反転端子には、基準電圧Vref(例えば1.3V)が供給される。   The voltage detection circuit 106 is configured by, for example, a hysteresis comparator. The voltage detection circuit 106 in FIG. 10 includes a comparator 108, voltage dividing resistors R50 to R53, and transistors MA and MB for switching threshold values. The voltage at the common connection point X1 of the voltage dividing resistor R50 and the voltage dividing resistor R51 is supplied to the inverting terminal of the comparator 108, and the reference voltage Vref (for example, 1.3 V) is supplied to the non-inverting terminal.

分圧抵抗R52の抵抗値は、分圧抵抗R53の抵抗値よりも大きく設定される。よって、トランジスタMAがオンしたときに流れるバイアス電流I1の電流量は、トランジスタMBがオンしたときに流れるバイアス電流I2の電流量よりも小さい。   The resistance value of the voltage dividing resistor R52 is set larger than the resistance value of the voltage dividing resistor R53. Accordingly, the amount of bias current I1 that flows when the transistor MA is turned on is smaller than the amount of bias current I2 that flows when the transistor MB is turned on.

バイパスがオフしている状態では、ヒステリシス制御回路113の制御によって、トランジスタMAがオンし、トランジスタMBがオフしている。したがって、分圧抵抗R50,R51ならびにR52を経由してバイアス電流I1が流れている。このとき、コンパレータ108の反転端子の電圧(ノードX1の電位)は、基準電圧Vrefよりも大きく、コンパレータ108の出力はLレベルになっている。   In a state where the bypass is off, the transistor MA is turned on and the transistor MB is turned off under the control of the hysteresis control circuit 113. Therefore, the bias current I1 flows through the voltage dividing resistors R50, R51 and R52. At this time, the voltage at the inverting terminal of the comparator 108 (the potential at the node X1) is larger than the reference voltage Vref, and the output of the comparator 108 is at the L level.

また、上述のとおり、抵抗R52の抵抗値は抵抗53の抵抗値に比べて大きいため、バイアス電流I1の電流量は小さい。よって、分圧抵抗R50で発生する電圧降下は小さい。したがって、レギュレータ49の出力端の電圧VD5が十分に小さくならない限り、コンパレータ108の反転端子に供給される電圧レベル(ノードX1の電位)は、非反転端子に供給される基準電圧Vref(例えば1.3V)を下回らない。   Further, as described above, since the resistance value of the resistor R52 is larger than the resistance value of the resistor 53, the current amount of the bias current I1 is small. Therefore, the voltage drop generated by the voltage dividing resistor R50 is small. Therefore, unless the voltage VD5 at the output terminal of the regulator 49 becomes sufficiently small, the voltage level (potential of the node X1) supplied to the inverting terminal of the comparator 108 is the reference voltage Vref (for example, 1.. Not less than 3V).

次に、電圧VD5が第1のしきい値(4.9V)よりも低下すると、コンパレータ108の反転端子の電圧(ノードX1の電位)が基準電圧Vrefよりも低下し、コンパレータ108の出力(SCMP)がLレベル(非アクティブレベル)からHレベル(アクティブレベル)に変化する。すると、ヒステリシス制御回路113は、トランジスタMAをオフさせ、トランジスタMBをオンさせる。   Next, when the voltage VD5 falls below the first threshold value (4.9 V), the voltage at the inverting terminal of the comparator 108 (the potential at the node X1) falls below the reference voltage Vref, and the output of the comparator 108 (SCMP). ) Changes from L level (inactive level) to H level (active level). Then, the hysteresis control circuit 113 turns off the transistor MA and turns on the transistor MB.

抵抗R53の抵抗値は、抵抗R52の抵抗値よりも小さいため、バイアス電流I2の電流量は、バイパス電流I1の電流量よりも大きい。よって、抵抗R50における電圧降下が大きくなる。したがって、電圧VD5の電圧レベルが十分に高くならないと、コンパレータ108の反転端子の電圧(ノードX1の電位)が基準電圧Vrefを超えない。つまり、バイパスがオンした後は、電圧VD5が第2のしきい値電圧(5.2V)を超えたときに、コンパレータ108の出力(SCMP)の電圧レベルが、HレベルからLレベルに変化する。このようにして、ヒステリシスを用いたバイパスのオン/オフ制御が実行される。   Since the resistance value of the resistor R53 is smaller than the resistance value of the resistor R52, the current amount of the bias current I2 is larger than the current amount of the bypass current I1. Therefore, the voltage drop at the resistor R50 increases. Therefore, unless the voltage level of the voltage VD5 is sufficiently high, the voltage at the inverting terminal of the comparator 108 (the potential at the node X1) does not exceed the reference voltage Vref. That is, after the bypass is turned on, the voltage level of the output (SCMP) of the comparator 108 changes from the H level to the L level when the voltage VD5 exceeds the second threshold voltage (5.2V). . In this manner, bypass on / off control using hysteresis is executed.

一方、バイパス制御信号出力回路109は、上述のとおり、コンパレータ108の出力(SCMP)の電圧レベルがアクティブレベル(H)である期間において、バイパス制御信号VPBPを出力する(すなわち、バイパス制御信号VPBPをアクティブレベル(H)とする)。   On the other hand, as described above, the bypass control signal output circuit 109 outputs the bypass control signal VPBP (that is, the bypass control signal VPBP is output during the period when the voltage level of the output (SCMP) of the comparator 108 is the active level (H)). Active level (H).

また、発振防止回路111は、コンパレータ108の出力(SCMP)の電圧を監視し、発振状態となったこと、あるいは、発振状態が生じ得る状態となったことを検出する。   Further, the oscillation prevention circuit 111 monitors the voltage of the output (SCMP) of the comparator 108, and detects that the oscillation state is entered or that the oscillation state can occur.

(発振防止回路の構成の一例)
図11は、発振防止回路の構成の一例を示す図である。図11の回路構成によれば、図7および図8を用いて説明した対策(バイパスのオン回数を制限する対策、ならびに、バイパスオンの禁止区間を設ける対策)を実行することができる。
(Example of configuration of oscillation prevention circuit)
FIG. 11 is a diagram illustrating an example of the configuration of the oscillation prevention circuit. According to the circuit configuration of FIG. 11, the measures described with reference to FIGS. 7 and 8 (measures for limiting the number of times the bypass is turned on and measures for providing a bypass-on prohibited section) can be executed.

図11の発振防止回路111は、レベル判定回路と201と、カウンタ203と、リセット回路205と、を有する。   The oscillation prevention circuit 111 in FIG. 11 includes a level determination circuit 201, a counter 203, and a reset circuit 205.

バイパスのオンの回数制限を実行する場合は、カウンタ203に許可回数mがセットされる。カウンタ203のカウント値が、許可回数mに満たない場合は、カウンタ203から出力される制御信号QXはアクティブレベルである。この制御信号QXがアクティブレベルであるときは、バイパス制御信号出力回路109は、コンパレータ108の出力(電圧検出回路106の検出信号)SCMPに基づいてバイパス制御信号VPBPのレベルを切り換えて、バイパス(スイッチ回路)のオン/オフを制御することができる。   When the bypass ON frequency limit is executed, the permitted number m is set in the counter 203. When the count value of the counter 203 is less than the permitted number m, the control signal QX output from the counter 203 is at an active level. When the control signal QX is at the active level, the bypass control signal output circuit 109 switches the level of the bypass control signal VPBP based on the output of the comparator 108 (detection signal of the voltage detection circuit 106) SCMP, and bypasses (switches Circuit) can be controlled.

レベル判定回路201は、コンパレータ108の出力(電圧検出回路106の検出信号)SCMPの非アクティブレベル(L)からアクティブレベル(H)への変化を検出する。その検出毎にカウンタ203がインクリメントされ、カウント値がmに一致すると、カウンタ203から出力される制御信号QXは非アクティブレベルに変化する。これによって、それ以降は、コンパレータ108の出力(電圧検出回路106の検出信号)SCMPに関係なく、バイパス制御信号出力回路109は、バイパス制御信号VPBPのレベルを非アクティブレベルに固定して、バイパス(スイッチ回路)のオンを禁止する。   The level determination circuit 201 detects a change from the inactive level (L) to the active level (H) of the output of the comparator 108 (detection signal of the voltage detection circuit 106) SCMP. The counter 203 is incremented for each detection, and when the count value matches m, the control signal QX output from the counter 203 changes to an inactive level. Accordingly, the bypass control signal output circuit 109 thereafter fixes the level of the bypass control signal VPBP to the inactive level regardless of the output of the comparator 108 (detection signal of the voltage detection circuit 106) SCMP, and bypasses ( Switch circuit) is prohibited.

また、バイパス禁止区間を設定する場合は、例えば、以下のような動作が実行される。すなわち、カウンタ203のカウント値がmに一致するタイミングで、制御信号QXが非アクティブレベルになる。リセット回路205は、そのタイミングから所定時間が経過したことを、タイマ121を利用して計測し、そのタイミングでカウンタ203をリセットする。これによって、制御信号QXがアクティブレベルに変化し、それ以降は、バイパスのオンが可能となる。   Moreover, when setting a bypass prohibition area, the following operation | movement is performed, for example. That is, the control signal QX becomes an inactive level at the timing when the count value of the counter 203 coincides with m. The reset circuit 205 uses the timer 121 to measure that a predetermined time has elapsed from the timing, and resets the counter 203 at the timing. As a result, the control signal QX changes to the active level, and thereafter, the bypass can be turned on.

(発振防止回路を有するバイパス制御部の具体的な回路構成の他の例)
図12は、発振防止回路を有するバイパス制御部の具体的な回路構成の他の例を示す図である。図12のバイパス制御部によれば、図9を用いて説明した対策(ヒステリシス幅を変更する対策)を実行することができる。
(Another example of a specific circuit configuration of a bypass control unit having an oscillation prevention circuit)
FIG. 12 is a diagram illustrating another example of a specific circuit configuration of the bypass control unit having the oscillation prevention circuit. According to the bypass control unit of FIG. 12, the countermeasure described with reference to FIG. 9 (the countermeasure for changing the hysteresis width) can be executed.

図12に示される電圧検出回路106では、トランジスタMCおよび分圧抵抗R54が追加されている。分圧抵抗R54の抵抗値は、分圧抵抗R52の抵抗値よりも大きい。よって、バイアス電流I1,I2,I3の電流量を比較すると、I3<I1<I2である。   In the voltage detection circuit 106 shown in FIG. 12, a transistor MC and a voltage dividing resistor R54 are added. The resistance value of the voltage dividing resistor R54 is larger than the resistance value of the voltage dividing resistor R52. Therefore, when the current amounts of the bias currents I1, I2, and I3 are compared, I3 <I1 <I2.

バイアス電流I3の電流量は小さいことから、分圧抵抗R50で発生する電圧降下は小さい。したがって、レギュレータ49の出力端の電圧VD5が、さらに小さくならない限り(すなわち、第3のしきい値電圧である4.75Vを下回らない限り)、コンパレータ108の反転端子に供給される電圧レベル(ノードX1の電位)は、非反転端子に供給される基準電圧Vref(例えば1.3V)を下回らない。よって、バイパスオフ時において、トランジスタMAをオフして、トランジスタMCをオンさせることによって、バイパスのオン判定に用いるしきい値の電圧レベルを、例えば、4.9Vから4.75Vに低下させることができる。すなわち、ヒステリシス幅を拡大することができる。   Since the amount of the bias current I3 is small, the voltage drop generated by the voltage dividing resistor R50 is small. Therefore, as long as the voltage VD5 at the output terminal of the regulator 49 does not further decrease (that is, does not fall below the third threshold voltage of 4.75 V), the voltage level (node) supplied to the inverting terminal of the comparator 108 X1 potential) does not fall below a reference voltage Vref (eg, 1.3 V) supplied to the non-inverting terminal. Therefore, when the bypass is turned off, the transistor MA is turned off and the transistor MC is turned on, so that the voltage level of the threshold used for the bypass on determination can be lowered from 4.9 V to 4.75 V, for example. it can. That is, the hysteresis width can be expanded.

(発振防止回路の構成の他の例)
図13は、発振防止回路の構成の他の例(図12の回路構成に対応した構成)を示す図である。図13に示される発振防止回路111の回路構成は、図11に示される回路構成と、ほとんど同じである。但し、図13の発振防止回路111では、カウンタ203から出力される制御信号QYは、ヒステリシス制御回路113に供給される。
(Other examples of oscillation prevention circuit configuration)
FIG. 13 is a diagram illustrating another example of the configuration of the oscillation prevention circuit (a configuration corresponding to the circuit configuration of FIG. 12). The circuit configuration of the oscillation prevention circuit 111 shown in FIG. 13 is almost the same as the circuit configuration shown in FIG. However, in the oscillation prevention circuit 111 in FIG. 13, the control signal QY output from the counter 203 is supplied to the hysteresis control circuit 113.

図13の発振防止回路111において、例えば、カウンタ203のカウント値がmに一致するタイミングで、制御信号QYが非アクティブレベルになる。ヒステリシス制御回路113は、そのタイミングで、トランジスタMAをオフし、トランジスタMCをオンさせる。これによって、バイパスのオン判定に用いるしきい値の電圧レベルを、例えば、4.9Vから4.75Vに低下させることができ、ヒステリシス幅が拡大される。   In the oscillation prevention circuit 111 of FIG. 13, for example, the control signal QY becomes inactive level at the timing when the count value of the counter 203 coincides with m. At that timing, the hysteresis control circuit 113 turns off the transistor MA and turns on the transistor MC. As a result, the voltage level of the threshold used for determining whether the bypass is on can be reduced from 4.9 V to 4.75 V, for example, and the hysteresis width is expanded.

また、所定時間経過後に、拡大したヒステリシス幅を元のヒステリシス幅に戻す場合には、以下の制御が実行される。すなわち、リセット回路205は、そのタイミングから所定時間が経過したことを、タイマ121を利用して計測し、そのタイミングでカウンタ203をリセットする。これによって、制御信号QXがアクティブレベルに変化する。このタイミングで、ヒステリシス制御回路113は、トランジスタMCをオフさせ、トランジスタMAをオンさせる。これによって、ヒステリシス幅が元のヒステリシス幅に戻る。   Further, when the expanded hysteresis width is returned to the original hysteresis width after the predetermined time has elapsed, the following control is executed. That is, the reset circuit 205 uses the timer 121 to measure that a predetermined time has elapsed from the timing, and resets the counter 203 at the timing. As a result, the control signal QX changes to the active level. At this timing, the hysteresis control circuit 113 turns off the transistor MC and turns on the transistor MA. As a result, the hysteresis width returns to the original hysteresis width.

以上説明したように、本発明の幾つかの態様によれば、例えば、レギュレータのバイパス技術によって受電装置における電力損失および発熱を低減することができ、一方、バイパスのオン/オフの切り換えによって、受電装置の整流電圧に、予想外の瞬時的な大きな電圧変化が生じた場合でも、発振状態を確実に防止することができ、受電装置の信頼性を高めることができる。   As described above, according to some aspects of the present invention, power loss and heat generation in a power receiving device can be reduced by, for example, regulator bypass technology, while power is received by switching on / off of the bypass. Even when an unexpected large instantaneous voltage change occurs in the rectified voltage of the device, the oscillation state can be reliably prevented, and the reliability of the power receiving device can be improved.

したがって、小型、低損失、低発熱という優れた特性をもち、かつ、バイパスのオン/オフの切り換えに起因する発振が生じない、高い信頼性をもつ、無接点電力伝送システム用の受電装置ならびに受電制御装置が実現される。   Therefore, it has excellent characteristics such as small size, low loss, and low heat generation, and does not generate oscillation caused by switching on / off of the bypass, and has high reliability, and a power receiving device and power receiving device for a contactless power transmission system. A control device is realized.

本態様によれば、小型、低損失、低発熱という優れた特性をもち、かつ、バイパスのオン/オフが繰り返される発振状態が確実に防止可能な、高い信頼性をもつ無接点電力伝送システムの受電装置が実現される。   According to this aspect, there is provided a highly reliable non-contact power transmission system having excellent characteristics of small size, low loss, and low heat generation and capable of reliably preventing an oscillation state in which bypass is repeatedly turned on and off. A power receiving apparatus is realized.

また、バイパスのオン/オフの切り換えの際に生じる整流電圧の電圧変動の程度は、外付け部品の特性(例えば、入出力特性を決める定数等)によって変動するため、本発明を用いない場合は、発振防止の観点から、採用可能な外付け部品が限定される場合もあり得る。本発明によれば、発振が確実に防止される。よって、受電モジュールを使用するユーザは、外付け部品としての2次コイルやレギュレータ、あるいは、バイパス経路を形成するためのパワースイッチングトランジスタ等を自由に選定することができる。   In addition, since the degree of voltage fluctuation of the rectified voltage that occurs when switching the bypass on / off varies depending on the characteristics of external components (for example, constants that determine input / output characteristics, etc.), the present invention is not used. From the viewpoint of preventing oscillation, external parts that can be employed may be limited. According to the present invention, oscillation is reliably prevented. Therefore, a user who uses the power receiving module can freely select a secondary coil or a regulator as an external component, a power switching transistor for forming a bypass path, or the like.

また、本発明の受電装置は、構成が簡単で小型であるため携帯端末等への搭載も可能であり、低損失であるために、例えば、電子機器における2次電池の充電時間を短縮することが可能であり、また、発熱が低減されることから、電子機器の安全面からみた信頼性も向上する。また、バイパスのオン/オフが繰り返される発振状態が確実に防止されるため、給電対象の負荷への安定化した電力供給が実現される。よって、電子機器の信頼性はさらに向上する。   In addition, since the power receiving device of the present invention has a simple configuration and is small, it can be mounted on a portable terminal or the like and has low loss. For example, the charging time of a secondary battery in an electronic device can be shortened. In addition, since the heat generation is reduced, the reliability from the viewpoint of safety of the electronic device is also improved. In addition, since an oscillation state in which the bypass is repeatedly turned on / off is reliably prevented, stable power supply to the power supply target load is realized. Therefore, the reliability of the electronic device is further improved.

本発明は、多様な電子機器(例えば、腕時計、コードレス電話器、シェーバー、電動歯ブラシ、リストコンピュータ、ハンディターミナル、携帯情報端末、あるいは電動自転車など)に適用可能である。特に好適な電子機器の例としては、携帯端末(携帯電話端末、PDA端末、持ち運び可能なパーソナルコンピュータ端末を含む)や時計(ウオッチ)があげられる。本発明の受電装置は、構成が簡単で小型であるため携帯端末等への搭載も可能であり、低損失であるために、例えば、電子機器における2次電池の充電時間を短縮することが可能であり、また、発熱が低減されることから、電子機器の安全面からみた信頼性も向上する。また、バイパスのオン/オフの切り換えに起因する発振が生じないため、常に、負荷への安定した給電が実現される。よって、電子機器の信頼性はさらに向上する。   The present invention can be applied to various electronic devices (for example, wristwatches, cordless telephones, shavers, electric toothbrushes, wrist computers, handy terminals, portable information terminals, electric bicycles, etc.). Examples of particularly suitable electronic devices include mobile terminals (including mobile phone terminals, PDA terminals, portable personal computer terminals) and watches (watches). Since the power receiving device of the present invention is simple in configuration and small in size, it can be mounted on a portable terminal or the like and has low loss. For example, the charging time of a secondary battery in an electronic device can be shortened. In addition, since the heat generation is reduced, the reliability of the electronic device from the viewpoint of safety is also improved. Further, since oscillation due to switching of bypass on / off does not occur, stable power supply to the load is always realized. Therefore, the reliability of the electronic device is further improved.

なお、上記のように本実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。したがって、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。   Although the present embodiment has been described in detail as described above, it will be easily understood by those skilled in the art that many modifications can be made without departing from the novel matters and effects of the present invention. Accordingly, all such modifications are intended to be included in the scope of the present invention.

例えば、スイッチ回路をオンしてレギュレータをバイパスするときに、併せてレギュレータ自体の動作を停止させることによって、無駄な電力消費および発熱をさらに抑制し、受電した電力のロスを最小限化することができる。レギュレータの構成要素の全部を非動作とする場合には、レギュレータにおける消費電力および発熱を零にすることができる。また、一部の構成要素だけを非動作状態とする場合にも、レギュレータの消費電力および発熱の低減が可能である。したがって、この態様によれば、無接点電力伝送を用いた受電装置における、受電した電力のロスを最小化しつつ、負荷に対する給電能力を効果的に向上させることができ、レギュレータにおける発熱の問題も解消する。   For example, when the switch circuit is turned on and the regulator is bypassed, the operation of the regulator itself is also stopped, thereby further suppressing unnecessary power consumption and heat generation and minimizing the loss of received power. it can. When all the components of the regulator are deactivated, the power consumption and heat generation in the regulator can be made zero. In addition, even when only a part of the components is set in a non-operating state, the power consumption and heat generation of the regulator can be reduced. Therefore, according to this aspect, in the power receiving device using contactless power transmission, it is possible to effectively improve the power supply capability to the load while minimizing the loss of the received power, and to solve the problem of heat generation in the regulator. To do.

また、例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義または同義な異なる用語(外部電源供給装置、低電位側電源、電子機器等)と共に記載された用語(ACアダプタ、GND、携帯電話端末・充電器等)は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。また本実施形態及び変形例の全ての組み合わせも、本発明の範囲に含まれる。また受電制御装置、その他の制御回路の構成・動作や、ACアダプタ接続検出時の送電手法等も、本実施形態で説明したものに限定されず、種々の変形実施が可能である。   In addition, for example, in the specification or the drawings, at least once, terms (AC adapter, GND, mobile phone terminal, etc.) described together with different terms having a broader meaning or the same meaning (external power supply device, low-potential side power supply, electronic device, etc.) Charger, etc.) may be replaced by the different terms anywhere in the specification or drawings. All combinations of the present embodiment and the modified examples are also included in the scope of the present invention. Further, the configuration and operation of the power reception control device and other control circuits, the power transmission method when AC adapter connection is detected, and the like are not limited to those described in the present embodiment, and various modifications can be made.

レギュレータ(LDO)をバイパスさせるためのスイッチ回路の構成、そのオン/オフのためのバイパス制御部の構成も適宜、最適なものを選択することができる。例えば、複数の半導体素子からなる高機能な回路を用いることもできる。また、レギュレータ周りの温度を検出し、その温度が高温となったときに、バイパス経路をオンさせてレギュレータの発熱を積極的に低減する、といった使用方法も可能である。   The optimum configuration of the switch circuit for bypassing the regulator (LDO) and the configuration of the bypass controller for turning on / off the regulator (LDO) can be selected as appropriate. For example, a highly functional circuit including a plurality of semiconductor elements can be used. Further, it is possible to use such that the temperature around the regulator is detected, and when the temperature becomes high, the bypass path is turned on to actively reduce the heat generation of the regulator.

本発明は、例えば、無接点電力伝送技術を利用する受電装置(電力供給を受ける側の装置)における電力損失および発熱を、簡単な構成によって効果的に低減することができ、かつ、バイパスのオン/オフに起因する発振を確実に防止することができるという効果を奏し、したがって、例えば、無接点電力伝送を用いた受電制御装置(受電制御LSI)、受電装置(受電モジュール)および電子機器(携帯端末等)等として有用である。   The present invention can effectively reduce, for example, power loss and heat generation in a power receiving device (device that receives power supply) using contactless power transmission technology with a simple configuration, and can turn on a bypass. Thus, it is possible to reliably prevent oscillation caused by off / off. Therefore, for example, a power reception control device (power reception control LSI), a power reception device (power reception module), and an electronic device (portable) using non-contact power transmission Terminal).

図1(A)〜図1(C)は、無接点電力システムの一例の構成を示す図1A to 1C are diagrams illustrating an example of a configuration of a contactless power system. 送電装置、受電装置を含む無接点電力伝送システムにおける、各部の具体的な構成の一例を示す回路図The circuit diagram which shows an example of the concrete structure of each part in the non-contact electric power transmission system containing a power transmission apparatus and a power receiving apparatus 図3(A),図3(B)は、送電装置と受電装置との間の通信方式を説明するための図3A and 3B are diagrams for explaining a communication method between a power transmission device and a power reception device. バイパスのオン/オフ切り換えに起因する発振を防止するための構成の一例を示す図The figure which shows an example of the structure for preventing the oscillation resulting from ON / OFF switching of a bypass バイパスのオン/オフの制御例を説明するための図The figure for demonstrating the control example of ON / OFF of a bypass バイパスのオン/オフに起因して生じる発振状態を説明するための図The figure for demonstrating the oscillation state resulting from on / off of a bypass 発振対策の一例(バイパスのオン回数制限)を説明するための図Diagram for explaining an example of oscillation countermeasures (limit on number of bypasses) 発振対策の他の例(バイパスの禁止区間を設定する方法)を説明するための図Diagram for explaining another example of oscillation countermeasures (method of setting a bypass bypass prohibited section) 発振対策のさらに他の例(ヒステリシス幅を拡大する方法)を説明するための図Diagram for explaining another example of oscillation countermeasures (method of expanding hysteresis width) 発振防止回路を有するバイパス制御部の具体的な回路構成の一例を示す図The figure which shows an example of the concrete circuit structure of the bypass control part which has an oscillation prevention circuit 発振防止回路の構成の一例を示す図The figure which shows an example of a structure of an oscillation prevention circuit 発振防止回路を有するバイパス制御部の具体的な回路構成の他の例を示す図The figure which shows the other example of the concrete circuit structure of the bypass control part which has an oscillation prevention circuit 発振防止回路の構成の他の例(図12の回路構成に対応した構成)を示す図The figure which shows the other example (structure corresponding to the circuit structure of FIG. 12) of a structure of an oscillation prevention circuit.

符号の説明Explanation of symbols

L1 1次コイル、L2 2次コイル、10 送電装置、12 送電部、
14 波形モニタ回路、16 表示部、20 送電制御装置、22 送電側制御回路、
24 発振回路、26 ドライバ制御回路、28 波形検出回路、40 受電装置、
42 受電部、43 整流回路、46 負荷変調部、48 給電制御部、
49 レギュレータ(LDO)、50 受電制御装置、52 受電側制御回路、
56 位置検出回路、58 発振回路、60 周波数検出回路、62 満充電検出回路、
72 電圧検出回路、90 充電装置(チャージャ)、
92 充電制御装置(充電制御IC)、94 給電対象の負荷(2次電池,バッテリ)、
103 負荷変調部、105 バイパス制御部、107 ロジック回路、
106 電圧検出回路(ヒステリシスコンパレータ)、
109 バイパス制御信号出力回路、111 発振防止回路、
113 ヒステリシス制御回路、121 タイマ、
SW10 スイッチ回路、
A バイパス制御スイッチ、B バイパス制御スイッチの制御回路、
M1 バイパス制御スイッチとしてのPMOSトランジスタ、
M2 バイパス制御スイッチの制御回路としてNMOSトランジスタ、
VPBP バイパス制御信号、QX 発振防止制御信号
L1 primary coil, L2 secondary coil, 10 power transmission device, 12 power transmission unit,
14 waveform monitor circuit, 16 display unit, 20 power transmission control device, 22 power transmission side control circuit,
24 oscillation circuit, 26 driver control circuit, 28 waveform detection circuit, 40 power receiving device,
42 power receiving unit, 43 rectifier circuit, 46 load modulation unit, 48 power feeding control unit,
49 Regulator (LDO), 50 Power reception control device, 52 Power reception side control circuit,
56 position detection circuit, 58 oscillation circuit, 60 frequency detection circuit, 62 full charge detection circuit,
72 voltage detection circuit, 90 charging device (charger),
92 Charging control device (charging control IC), 94 Power supply load (secondary battery, battery),
103 load modulation unit, 105 bypass control unit, 107 logic circuit,
106 Voltage detection circuit (hysteresis comparator),
109 bypass control signal output circuit, 111 oscillation prevention circuit,
113 hysteresis control circuit, 121 timer,
SW10 switch circuit,
A bypass control switch, B bypass control switch control circuit,
M1 PMOS transistor as a bypass control switch,
NMOS transistor as a control circuit of the M2 bypass control switch,
VPBP bypass control signal, QX oscillation prevention control signal

Claims (14)

1次コイルと2次コイルを電磁的に結合させて送電装置から、整流回路およびレギュレータを含む受電装置に対して電力を伝送し、前記受電装置の電圧出力ノードから給電対象の負荷に対して前記電力を供給する無接点電力伝送システムにおける、前記受電装置に設けられる受電制御装置であって、
前記受電装置の動作を制御する受電側制御回路を含み、
前記受電側制御回路は、前記レギュレータの入力ノードと出力ノードとの間に設けられたスイッチ回路をオンするか否かを制御するバイパス制御部を有し、
前記バイパス制御部は、
前記レギュレータの前記入力ノードおよび前記出力ノードの少なくとも一方の電圧レベルを検出する電圧検出回路と、
前記電圧検出回路から出力される検出信号に基づいて、前記スイッチ回路をオン状態とするかオフ状態とするかを制御するバイパス制御信号を出力するバイパス制御信号出力回路と、
前記スイッチ回路がオフ状態になった後に前記スイッチ回路がオン状態になり、あるいは、前記スイッチ回路がオン状態になった後に前記スイッチ回路がオフ状態になる発振状態を防止するための発振防止回路と、を有し、
前記発振防止回路によって前記発振状態、あるいは前記発振状態を生じさせ得る状態が検出されると、前記バイパス制御信号出力回路は、前記スイッチ回路をオフ状態とする、
ことを特徴とする受電制御装置。
The primary coil and the secondary coil are electromagnetically coupled to transmit power from the power transmission device to the power reception device including the rectifier circuit and the regulator, and the voltage output node of the power reception device to the load to be fed In a contactless power transmission system for supplying power, a power reception control device provided in the power reception device,
A power receiving side control circuit for controlling the operation of the power receiving device;
The power receiving side control circuit has a bypass control unit that controls whether or not to turn on a switch circuit provided between an input node and an output node of the regulator,
The bypass control unit
A voltage detection circuit for detecting a voltage level of at least one of the input node and the output node of the regulator;
A bypass control signal output circuit that outputs a bypass control signal that controls whether the switch circuit is turned on or off based on a detection signal output from the voltage detection circuit;
An oscillation prevention circuit for preventing an oscillation state in which the switch circuit is turned on after the switch circuit is turned off, or the switch circuit is turned off after the switch circuit is turned on; Have
When the oscillation prevention circuit detects the oscillation state or a state that can cause the oscillation state, the bypass control signal output circuit turns off the switch circuit.
A power reception control device characterized by that.
請求項1記載の受電制御装置であって、
前記電圧検出回路は、前記検出信号を出力するヒステリシスコンパレータを有し、
前記ヒステリシスコンパレータから出力される前記検出信号の電圧レベルは、前記レギュレータの前記入力ノードおよび前記出力ノードの少なくとも一方の電圧レベルが、第1のしきい値電圧を下回ると第1のレベルとなり、前記第1のしきい値電圧より高い電圧である第2のしきい値電圧を超えると第2のレベルとなることを特徴とする受電制御装置。
The power reception control device according to claim 1,
The voltage detection circuit has a hysteresis comparator that outputs the detection signal;
The voltage level of the detection signal output from the hysteresis comparator becomes a first level when the voltage level of at least one of the input node and the output node of the regulator falls below a first threshold voltage, A power reception control device characterized in that a second level is reached when a second threshold voltage that is higher than the first threshold voltage is exceeded.
請求項1または請求項2記載の受電制御装置であって、
前記バイパス制御信号出力回路は、前記発振防止回路によって、前記スイッチ回路がオン状態となる回数が所与の許可回数m(mは1以上の整数)に達したことが検出されると、(m+1)回目の前記スイッチ回路のオンを禁止することを特徴とする受電制御装置。
The power reception control device according to claim 1 or 2,
When the bypass control signal output circuit detects that the number of times the switch circuit is turned on reaches a given permitted number m (m is an integer of 1 or more) by the oscillation prevention circuit, (m + 1) ) A power reception control device for prohibiting turning on of the switch circuit for the second time.
請求項3記載の受電制御装置であって、
前記所与の許可回数mは“1”に設定されることを特徴とする受電制御装置。
The power reception control device according to claim 3,
The power reception control device, wherein the given permission count m is set to "1".
請求項1または請求項2記載の受電制御装置であって、
前記バイパス制御信号出力回路は、前記発振防止回路によって前記発振状態または前記発振状態を生じさせ得る状態が検出されると、前記スイッチ回路のオンを所与の時間だけ禁止し、前記所与の時間の経過後に、前記スイッチ回路のオンの禁止を解除することを特徴とする受電制御装置。
The power reception control device according to claim 1 or 2,
The bypass control signal output circuit prohibits the switch circuit from being turned on for a given time when the oscillation prevention circuit detects the oscillation state or a state that can cause the oscillation state. After the elapse of time, the power reception control device releases the prohibition of turning on of the switch circuit.
請求項5記載の受電制御装置であって、
前記バイパス制御信号出力回路は、前記発振防止回路によって、前記バイパス経路の最初のオン状態からオフ状態への変化が検出されると、前記スイッチ回路のオンを所与の時間だけ禁止し、前記所与の時間の経過後に、前記スイッチ回路のオンの禁止を解除することを特徴とする受電制御装置。
The power reception control device according to claim 5,
The bypass control signal output circuit prohibits the switch circuit from being turned on for a given time when the oscillation prevention circuit detects a change from the first on state to the off state of the bypass path. A power reception control device that cancels the prohibition of turning on of the switch circuit after a lapse of a given time.
請求項5記載の受電制御装置であって、
前記バイパス制御信号出力回路は、前記発振防止回路によって、前記バイパス経路が最初のオン状態からオフ状態に変化し、さらにオン状態に変化したことが検出されると、前記スイッチ回路のオンを所与の時間だけ禁止し、前記所与の時間の経過後に、前記スイッチ回路のオンの禁止を解除することを特徴とする受電制御装置。
The power reception control device according to claim 5,
The bypass control signal output circuit is configured to turn on the switch circuit when the oscillation prevention circuit detects that the bypass path has changed from an initial on state to an off state and further to an on state. The power reception control apparatus is characterized in that the switch circuit is prohibited only for a predetermined period of time, and the prohibition of turning on the switch circuit is canceled after the lapse of the given time.
請求項1または請求項2記載の受電制御装置であって、
前記電圧検出回路は、前記検出信号を出力するヒステリシスコンパレータを有し、
前記発振防止回路によって前記発振状態、あるいは前記発振状態を生じさせ得る状態が検出される前においては、前記ヒステリシスコンパレータの出力信号のレベルは、前記レギュレータの前記入力ノードおよび前記出力ノードの少なくとも一方の電圧レベルが、第1のしきい値電圧より低下すると第1のレベルとなり、前記第1のしきい値電圧より高い電圧である第2のしきい値電圧を超えると第2のレベルとなり、
前記発振防止回路によって前記発振状態、あるいは前記発振状態を生じさせ得る状態が検出されると、前記ヒステリシスコンパレータのヒステリシス特性が変更され、これによって、前記ヒステリシスコンパレータの出力信号のレベルは、前記レギュレータの前記入力ノードおよび前記出力ノードの少なくとも一方の電圧レベルが、前記第1のしきい値電圧よりも低い電圧である第3のしきい値電圧を下回ると前記第1のレベルとなり、
前記第3のしきい値電圧は、前記発振状態においては下回ることがない電圧であって、かつ、前記給電対象の負荷への給電量が不足する場合においては下回ることがある電圧に設定されることを特徴とする受電制御装置。
The power reception control device according to claim 1 or 2,
The voltage detection circuit has a hysteresis comparator that outputs the detection signal;
Before the oscillation prevention circuit detects the oscillation state or a state that can cause the oscillation state, the level of the output signal of the hysteresis comparator is at least one of the input node and the output node of the regulator. When the voltage level falls below the first threshold voltage, it becomes the first level, and when the voltage level exceeds the second threshold voltage, which is higher than the first threshold voltage, the second level,
When the oscillation prevention circuit detects the oscillation state or a state that can cause the oscillation state, the hysteresis characteristic of the hysteresis comparator is changed, whereby the level of the output signal of the hysteresis comparator is changed to that of the regulator. When the voltage level of at least one of the input node and the output node falls below a third threshold voltage, which is a voltage lower than the first threshold voltage, the first level is reached.
The third threshold voltage is set to a voltage that does not fall below in the oscillation state and that may fall below when the amount of power supplied to the load to be fed is insufficient. A power reception control device characterized by that.
請求項8記載の受電制御装置であって、
前記発振防止回路によって、前記スイッチ回路の最初のオン状態からオフ状態への変化が検出されると、前記ヒステリシスコンパレータのヒステリシス特性が変更され、これによって、前記ヒステリシスコンパレータの出力信号のレベルは、前記レギュレータの前記入力ノードおよび前記出力ノードの少なくとも一方の電圧レベルが前記第3のしきい値電圧を下回ると前記第1のレベルとなることを特徴とする受電制御装置。
The power reception control device according to claim 8, wherein
When the oscillation prevention circuit detects a change from the first on state to the off state of the switch circuit, the hysteresis characteristic of the hysteresis comparator is changed, whereby the level of the output signal of the hysteresis comparator is The power reception control device according to claim 1, wherein when the voltage level of at least one of the input node and the output node of the regulator falls below the third threshold voltage, the power reception control device becomes the first level.
請求項8記載の受電制御装置であって、
前記発振防止回路によって、前記スイッチ回路が最初のオン状態からオフ状態に変化し、さらにオン状態に変化したことが検出されると、前記ヒステリシスコンパレータのヒステリシス特性が変更され、これによって、前記ヒステリシスコンパレータの出力信号のレベルは、前記レギュレータの前記入力ノードおよび前記出力ノードの少なくとも一方の電圧レベルが前記第3のしきい値電圧を下回ると前記第1のレベルとなることを特徴とする受電制御装置。
The power reception control device according to claim 8, wherein
When it is detected by the oscillation prevention circuit that the switch circuit is changed from the first on state to the off state, and further changed to the on state, the hysteresis characteristic of the hysteresis comparator is changed, whereby the hysteresis comparator is changed. The power reception control device is characterized in that the level of the output signal of the regulator becomes the first level when the voltage level of at least one of the input node and the output node of the regulator falls below the third threshold voltage. .
請求項9または請求項10記載の受電制御装置であって、
前記ヒステリシスコンパレータのヒステリシス特性が変更された状態は、前記変更のタイミングから所与の時間だけ継続し、前記時間が経過すると、前記ヒステリシスコンパレータのヒステリシス特性は、前記ヒステリシス特性の変更前の状態に戻ることを特徴とする受電制御装置。
The power reception control device according to claim 9 or 10, wherein
The state where the hysteresis characteristic of the hysteresis comparator is changed continues for a given time from the timing of the change, and when the time elapses, the hysteresis characteristic of the hysteresis comparator returns to the state before the change of the hysteresis characteristic. A power reception control device characterized by that.
請求項1〜請求項11のいずれかに記載の受電制御装置と、
前記整流回路を含み、前記2次コイルの誘起電圧を直流電圧に変換する受電部と、
前記レギュレータと、前記レギュレータの入力端および出力端との間に設けられた前記スイッチ回路と、を含み、前記給電対象の負荷への給電を制御する給電制御部と、
を含むことを特徴とする受電装置。
The power reception control device according to any one of claims 1 to 11,
A power receiving unit that includes the rectifier circuit and converts the induced voltage of the secondary coil into a DC voltage;
A power supply control unit that controls power supply to the load to be supplied, including the regulator and the switch circuit provided between an input terminal and an output terminal of the regulator;
A power receiving device comprising:
請求項12記載の受電装置であって、
前記レギュレータおよび前記スイッチ回路は、外付け部品であることを特徴とする受電装置。
The power receiving device according to claim 12,
The power receiving device, wherein the regulator and the switch circuit are external components.
請求項12または請求項13記載の受電装置と、
前記受電装置により電力が供給される、前記給電対象の負荷と、を含むことを特徴とする電子機器。
A power receiving device according to claim 12 or claim 13,
An electronic device comprising: a power supply target load to which electric power is supplied by the power receiving device.
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