JP5218148B2 - Semiconductor manufacturing equipment - Google Patents
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Description
この発明は、半導体製造装置に関し、より特定的には、処理対象物を保持するとともに回転可能なサセプタを備える半導体製造装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly to a semiconductor manufacturing apparatus including a susceptor that holds a processing target and can rotate.
従来、処理対象物としての基板を保持する回転可能なサセプタを備える気相成長装置などの半導体製造装置が知られている(たとえば、特許文献1参照)。 2. Description of the Related Art Conventionally, a semiconductor manufacturing apparatus such as a vapor phase growth apparatus including a rotatable susceptor that holds a substrate as a processing target is known (see, for example, Patent Document 1).
特許文献1に開示された半導体製造装置では、円盤状のサセプタの下面中央部に支持軸が接続され、当該支持軸が回転することによりサセプタが回転可能になっている。サセプタの下面側にはサセプタに保持される基板を加熱するためのヒータが配置されている。また、サセプタは反応室の底壁に形成された開口部に配置されている。
In the semiconductor manufacturing apparatus disclosed in
ところが、特許文献1に開示された半導体製造装置の場合、処理対象物である基板の大型化や、サセプタに搭載する基板の枚数を多くするために、サセプタを大型化した場合、従来のようにサセプタの中央部に接続された支持軸でサセプタを支持していると、サセプタの回転時にサセプタ表面を水平に保つことが難しい場合があった。これは、サセプタの中央部に配置された支持軸のみでサセプタの支持を行なうため、サセプタを大型化した場合に加工精度や支持軸とサセプタとの接合部における撓みなどに起因してサセプタの表面が水平からわずかに傾くことが原因と考えられる。
However, in the case of the semiconductor manufacturing apparatus disclosed in
そこで、上述した問題を解決するために、上述した特許文献1に開示された半導体製造装置の類型として、たとえばサセプタと、サセプタの外周部に設置され、サセプタとともに回転可能なフレームと、フレームを支持するサセプタ支持部と、サセプタ支持部を固定する架台とを備える半導体製造装置を用いることが考えられる。当該半導体製造装置は、サセプタ支持部がサセプタの外周部およびフレームを支持することにより、サセプタを中央部および外周部から支持する構成となすることができる。このため、当該半導体製造装置は、サセプタ表面を水平に保つことができ、特許文献1に開示された半導体製造装置のようにサセプタの表面が水平からわずかに傾くことを抑制することができる。したがって、サセプタの表面の傾きによりサセプタとヒータとの間の距離が局所的に異なることになり、ヒータにより加熱されたサセプタにおいて局所的な温度の差が発生することを抑制することができる。その結果、基板に対して均一な処理を行なうこと(たとえば均質な膜質の膜を形成すること)ができる。
Therefore, in order to solve the above-described problem, as a type of the semiconductor manufacturing apparatus disclosed in
上述した半導体製造装置において、フレームはサセプタとともに回転動作するが、サセプタ支持部は架台とともに固定された状態とする構成が考えられる。この場合、サセプタ支持部がサセプタやフレームとともに回転する現象を抑制するために、サセプタ支持部の下面側に固定された架台に対してサセプタ支持部を固定する必要がある。たとえばサセプタ支持部の主表面に垂直な方向から見たときに円環状を有するサセプタ支持部を架台に対して固定するために、サセプタ支持部の円環部の外周部の一部に切り欠き形状部を形成する。そして架台の一部に当該切り欠き形状と嵌合可能なフック状形状部を形成する。そして、当該フック状形状部と、当該切り欠き形状部とを嵌合する(噛み合わせる)ことによりサセプタ支持部を架台に対して固定する方法を用いることができる。なお、ここで主表面とは、表面のうち最も面積の大きい主要な面をいう。 In the semiconductor manufacturing apparatus described above, the frame rotates together with the susceptor, but a configuration in which the susceptor support portion is fixed together with the gantry is conceivable. In this case, in order to suppress a phenomenon in which the susceptor support portion rotates together with the susceptor and the frame, it is necessary to fix the susceptor support portion to a gantry fixed to the lower surface side of the susceptor support portion. For example, in order to fix the susceptor support part having an annular shape to the gantry when viewed from the direction perpendicular to the main surface of the susceptor support part, a notch shape is formed on a part of the outer peripheral part of the annular part of the susceptor support part Forming part. Then, a hook-shaped portion that can be fitted to the cutout shape is formed on a part of the gantry. And the method of fixing a susceptor support part with respect to a mount frame can be used by fitting (meshing) the said hook-shaped part and the said notch-shaped part. Here, the main surface means a main surface having the largest area among the surfaces.
ところが、上述したように円環部の外周部に形成した切り欠き形状部を有するサセプタ支持部を用いた場合、以下のような問題が起こることがある。以下、具体的に説明する。 However, when the susceptor support part having the notch-shaped part formed on the outer peripheral part of the annular part as described above is used, the following problems may occur. This will be specifically described below.
ここで、基板を加熱する処理を行なう際に、ヒータを用いてサセプタをたとえば1000℃以上の温度に加熱する場合を考える。このとき熱伝導により、フレームおよびサセプタ支持部や架台にも上述した熱の伝播が及ぶことがある。するとサセプタ支持部に熱応力が加わることになる。このとき、上述した切り欠き形状部において熱応力が集中する分布となるため、切り欠き形状部においてサセプタ支持部の変形や破損が起こる場合があった。 Here, consider the case where the susceptor is heated to a temperature of, for example, 1000 ° C. or higher by using a heater when the substrate is heated. At this time, due to heat conduction, the above-described heat propagation may also reach the frame, the susceptor support and the frame. As a result, thermal stress is applied to the susceptor support. At this time, since the thermal stress is distributed in the above-described cutout shape portion, the susceptor support portion may be deformed or broken in the cutout shape portion.
本発明は、上述した問題に鑑みなされたものであり、その目的は、基板の処理における加熱において、処理対象物を保持する部材における熱応力の集中を抑制することができる半導体製造装置を提供することである。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of suppressing the concentration of thermal stress in a member that holds an object to be processed in heating in substrate processing. That is.
本発明に係る半導体製造装置は、処理対象物を保持する、回転可能なサセプタと、サセプタの外周部に設置され、サセプタとともに回転可能なフレームと、フレームを支持するサセプタ支持部と、サセプタ支持部を固定する架台とを備える。上記サセプタ支持部と上記架台とが互いに対向する領域において、上記架台に対する上記サセプタ支持部の位置を固定するように、上記サセプタ支持部と上記架台との一方の表面に凹部が形成される。サセプタ支持部と架台との他方の表面には凹部に挿入固定される凸部が形成される。上記凹部および凸部は、上記サセプタの中心から外周側へ向かう径方向に対して交差する方向に延びるように形成されている。 A semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention includes a rotatable susceptor that holds an object to be processed, a frame that is installed on an outer periphery of the susceptor and that can rotate together with the susceptor, a susceptor support that supports the frame, and a susceptor support. And a gantry for fixing. A recess is formed on one surface of the susceptor support and the gantry so as to fix the position of the susceptor support with respect to the gantry in a region where the susceptor support and the gantry are opposed to each other. On the other surface of the susceptor support portion and the gantry, a convex portion that is inserted and fixed in the concave portion is formed. The concave portion and the convex portion are formed to extend in a direction intersecting with a radial direction from the center of the susceptor toward the outer peripheral side.
本発明に係る半導体製造装置は、サセプタの外周部及びフレームを支持するサセプタ支持部を、架台を用いて固定している。ここで、たとえばサセプタ支持部が架台と対向する表面上の一部の領域には凹部が形成されており、架台がサセプタ支持部と対向する表面上の一部の領域には凸部が形成されている。当該凹部と凸部とは嵌合されており、互いに干渉しあうため、サセプタ支持部の回転は架台により抑制される。 In the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, the outer periphery of the susceptor and the susceptor support that supports the frame are fixed using a gantry. Here, for example, a concave portion is formed in a part of the surface where the susceptor support part faces the gantry, and a convex part is formed in a part of the surface where the gantry supports the susceptor support part. ing. Since the concave portion and the convex portion are fitted and interfere with each other, the rotation of the susceptor support portion is suppressed by the gantry.
ここで、サセプタ支持部および架台のそれぞれの主表面の中心側から外周側へ向かう径方向に対して交差する方向、より好ましくは当該径方向に対して垂直な方向に延在するように、当該凹部および凸部が形成されている構成とする。 Here, the susceptor support portion and the gantry are extended so as to extend in the direction intersecting the radial direction from the center side to the outer peripheral side of the main surface, more preferably in the direction perpendicular to the radial direction. It is set as the structure by which the recessed part and the convex part are formed.
このような半導体製造装置を用いて、サセプタに保持された処理対象物を加熱するためにサセプタを加熱すれば、サセプタ支持部にも当該熱が伝播する。この場合、サセプタ支持部に形成された凹部が径方向に沿った方向に延びるような形状であると、当該径方向に沿った凹部の表面と、隣接する他の表面の接合部(角部)も当該径方向に沿って延びることになる。すると、当該角部に上記加熱時の熱に起因する熱応力が集中し、サセプタ支持部の変形や破損が発生する可能性が高くなっていた。一方、本発明のように凹部(および凸部)を径方向に対して交差する方向、より好ましくは径方向に対して垂直な方向に当該凹部(および凸部)を形成することにより、上記角部も径方向に対して交差する方向(好ましくは径方向に対して垂直な方向)に延びるように形成される。この場合、結果的に当該角部での熱応力の集中を緩和することができることを発明者は見出した。このようにすれば、当該接合部近傍の領域においてサセプタ支持部が変形や破損を起こすことを抑制することができる。なお、本発明に係る半導体製造装置においては、たとえばサセプタ支持部が架台と対向する表面上に凸部が形成されており、架台がサセプタ支持部と対向する表面上に凹部が形成された構成であってもよい。 If such a semiconductor manufacturing apparatus is used to heat the susceptor to heat the object to be processed held by the susceptor, the heat is also propagated to the susceptor support portion. In this case, if the concave portion formed in the susceptor support portion is shaped to extend in the direction along the radial direction, the joint portion (corner portion) between the surface of the concave portion along the radial direction and another adjacent surface. Will also extend along the radial direction. Then, the thermal stress resulting from the heat at the time of the heating is concentrated on the corner portion, and there is a high possibility that the susceptor support portion is deformed or broken. On the other hand, by forming the concave portion (and the convex portion) in a direction intersecting the radial direction with respect to the concave portion (and the convex portion) as in the present invention, more preferably in a direction perpendicular to the radial direction, The part is also formed to extend in a direction intersecting the radial direction (preferably a direction perpendicular to the radial direction). In this case, the inventor has found that the concentration of thermal stress at the corner can be reduced as a result. If it does in this way, it can control that a susceptor support part raise | generates a deformation | transformation and a damage in the area | region of the said junction part vicinity. In the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, for example, the susceptor support portion has a convex portion formed on the surface facing the gantry, and the gantry has a concave portion formed on the surface facing the susceptor support portion. There may be.
上記の半導体製造装置において好ましくは、凹部はサセプタ支持部の表面に形成され、一方、凸部は架台の表面に形成され、サセプタ支持部と架台とが互いに対向する領域において、サセプタ支持部の表面には溝が形成されている。上記領域において、架台の表面には溝に挿入可能な突出部が形成されている。上記凹部は、上記溝の内部において、上記溝の延在方向に沿って延びるように形成され、上記凸部は、上記溝の内部に形成された上記凹部と対向するとともに、上記突出部の延在方向に沿って延びるように、上記突出部の表面に形成されている。 Preferably, in the semiconductor manufacturing apparatus described above, the concave portion is formed on the surface of the susceptor support portion, while the convex portion is formed on the surface of the gantry, and the surface of the susceptor support portion is in a region where the susceptor support portion and the gantry face each other. A groove is formed in. In the above region, a protrusion that can be inserted into the groove is formed on the surface of the gantry. The concave portion is formed in the groove so as to extend along the extending direction of the groove, and the convex portion is opposed to the concave portion formed in the groove, and the protrusion extends. It is formed in the surface of the said protrusion part so that it may extend along a present direction.
以上のように、凹部が形成されるサセプタ支持部の表面には溝が、凸部が形成される架台の表面には突出部が形成されることにより、架台に対するサセプタ支持部の位置決め精度をより高めることができる。 As described above, a groove is formed on the surface of the susceptor support portion where the recess is formed, and a protrusion is formed on the surface of the mount on which the protrusion is formed, so that the positioning accuracy of the susceptor support portion with respect to the mount is further improved. Can be increased.
上記の半導体製造装置において好ましくは、サセプタ支持部において上記架台と対向する表面に垂直な方向から見た、上記溝および上記突出部の平面形状は円環状である。さらに、サセプタ支持部および架台は、サセプタ支持部において架台と対向する表面に沿った方向の中央部の領域に空洞を有する。さらに、サセプタ支持部および架台の、サセプタ支持部において架台と対向する表面に垂直な方向から見た形状は円環形状である。 Preferably, in the semiconductor manufacturing apparatus described above, the planar shape of the groove and the protruding portion when viewed from a direction perpendicular to the surface facing the gantry in the susceptor support portion is an annular shape. Furthermore, the susceptor support part and the gantry have a cavity in the central region in the direction along the surface facing the gantry in the susceptor support part. Furthermore, the shape of the susceptor support portion and the gantry viewed from a direction perpendicular to the surface facing the gantry in the susceptor support portion is an annular shape.
当該半導体製造装置においては、処理を行なう反応管の内部にサセプタを設置することが好ましい。ここで、サセプタと当該反応管との間に形成される間隙を狭くすることが好ましい。このため、サセプタは主表面が円盤状であることが好ましい。サセプタの中央部は支持軸によって支持されるため、サセプタ支持部が支持するのはサセプタの外周部である。したがって、サセプタ支持部は架台と対向する表面に沿った方向の中央部の領域、すなわち支持軸によってサセプタが支持される領域に空洞を有する、円環形状であることが好ましい。サセプタ支持部の主表面が円環形状であるため、当該主表面上に形成される溝、およびサセプタ支持部の主表面と対向する架台の主表面上に形成される突出部の平面形状は円環状であることが好ましい。 In the semiconductor manufacturing apparatus, it is preferable to install a susceptor inside a reaction tube for processing. Here, it is preferable to narrow a gap formed between the susceptor and the reaction tube. For this reason, it is preferable that the main surface of the susceptor has a disk shape. Since the central portion of the susceptor is supported by the support shaft, the susceptor support portion supports the outer peripheral portion of the susceptor. Therefore, it is preferable that the susceptor support portion has an annular shape having a cavity in a central region in a direction along the surface facing the gantry, that is, a region where the susceptor is supported by the support shaft. Since the main surface of the susceptor support part has an annular shape, the planar shape of the groove formed on the main surface and the protrusion part formed on the main surface of the gantry facing the main surface of the susceptor support part is circular. A ring shape is preferred.
上記の半導体製造装置において、サセプタ支持部において架台と対向する表面に垂直な方向であって、凹部の延びる方向に対して垂直な方向における凹部の断面形状は矩形状であり、サセプタ支持部において架台と対向する表面に垂直な方向であって、凸部の延びる方向に対して垂直な方向における凸部の断面形状は矩形状であってもよい。あるいは、上記凹部および凸部の断面形状は三角形状であってもよいし、アーチ型形状であってもよい。 In the semiconductor manufacturing apparatus described above, the cross-sectional shape of the recess in the direction perpendicular to the surface facing the gantry in the susceptor support and perpendicular to the direction in which the recess extends is rectangular, and the susceptor support in the susceptor support The cross-sectional shape of the convex portion in the direction perpendicular to the surface opposite to the direction in which the convex portion extends may be rectangular. Or the triangular shape may be sufficient as the cross-sectional shape of the said recessed part and a convex part, and an arch-shaped shape may be sufficient as it.
本発明によれば、基板の処理における加熱において、処理対象物を保持する部材における熱応力の集中を抑制することができる半導体製造装置を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, in the heating in the process of a board | substrate, the semiconductor manufacturing apparatus which can suppress the concentration of the thermal stress in the member holding a process target object can be provided.
以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態について説明する。なお、本実施の形態において、同一の機能を果たす要素には同一の参照符号を付し、その説明は、特に必要がなければ繰り返さない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the present embodiment, elements having the same function are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will not be repeated unless particularly necessary.
(実施の形態1)
図1に示すように、本実施の形態1に係る処理装置1は、反応管5と、反応管5の底壁に形成された開口部の内部に設置された回転可能なサセプタ3と、反応管5の内部に反応ガスを供給するための反応ガス供給部材9と、反応管5の内部から反応処理に用いられた後の反応ガスや雰囲気ガスなどを外部に排気するための排気部材11とを備える。さらに、処理装置1は、サセプタ3上に搭載される処理対象物である基板15を加熱するためのヒータ7と、サセプタ3を回転させるための駆動部材であるモータ20とを備える。
(Embodiment 1)
As shown in FIG. 1, the
反応管5はたとえば石英などの材料からなり、反応ガスが流れる方向に対して垂直な方向における断面形状がたとえば矩形状となっている。サセプタ3はその平面形状が円形状であり、当該サセプタ3の上部表面には基板15を搭載するための搭載用凹部13が複数形成されている。搭載用凹部13の数は、たとえば3つ、4つ、あるいは5個以上といった任意の数を採用できる。また、搭載用凹部13の配置は、サセプタ3の中央部に対して対称となるように配置されていてもよいし、複数の搭載用凹部13の間の距離が等間隔となるように配置されていてもよい。
The
サセプタ3の裏面側の中央部には回転軸17が接続されている。回転軸17の下端は、モータ20とジョイント19を介して接続されている。このモータ20によって発生した駆動力は、ジョイント19および回転軸17を介してサセプタ3に伝達される。サセプタ3と回転軸17との接続部の構造は、任意の構造とすることができる。たとえば、サセプタ3と回転軸17とをろう材などによって接合する、あるいはサセプタ3と回転軸17との対向する部分において、サセプタ3もしくは回転軸17のいずれか一方に凸部を設け、他方に当該凸部と対応する凹部または凸部(たとえば、上記凸部と側面が接触することにより回転軸17の回転がサセプタ3へ伝達されるようになっている凹部または凸部)を設け、当該凸部と凹部、あるいは凸部と凸部とが噛み合うことにより回転軸17の回転をサセプタ3に伝達するようにしてもよい。つまり、サセプタ3と回転軸17との接続部は、回転軸17の回転力をサセプタ3へ伝達することができればよく、サセプタ3と回転軸17とが固着されていなくてもよい。
A rotating
サセプタ3の外周部の下面には、サセプタとともに回転可能なフレーム23が設置されている。回転可能なフレーム23を支持するため、フレーム23がサセプタ支持部21と接触する面において、サセプタ支持部21との摩擦が小さくなるような研磨を施してもよい。あるいは粉体や粒子状の物質により、フレーム23とサセプタ支持部21との接触面における摩擦を小さくする処理を施してもよい。サセプタ支持部21の下側には、サセプタ支持部21を固定する架台22が設置されている。架台22は図示しない処理装置1のベース部材もしくは他の固定された部材に接続固定されている。なお、フレーム23、サセプタ支持部21、架台22はたとえばセラミック材料を用いて形成することが好ましい。このようにすれば、ヒータ7の発生する熱による軟化を抑制することができる。
A
サセプタ3は回転軸17を軸として回転するが、たとえばサセプタ3の外周部に設置されたフレーム23の外周部と、反応管5の開口部の端部との間には隙間が存在する。この隙間が広くなると、当該隙間に反応管5の内部を流れる反応ガスが漏洩することがある。このため、隙間を形成する反応管5の端部の壁面や、フレーム23の外周側面が面する領域に反応ガスが漏洩し、反応管5の端部の壁面や、フレーム23の外周側面に反応生成物や分解生成物が付着して異常成長することがある。したがって、上記隙間を極力狭くすることにより、上記の反応生成物や分解生成物が極力成長しない構成とするが好ましい。これゆえに、サセプタ3の平面形状は円形状であることが好ましい。サセプタ3の平面形状が円形状であれば、サセプタ3が回転軸17を軸として回転しても、サセプタ3(フレーム23)の外周面と反応管5の開口部の端部との間の隙間を、サセプタ3の外周面における位置に関係なくほぼ一定にすることができる。このため、当該隙間を小さくすることができる。
The
上記のように、サセプタ3の平面形状が円形状であるため、サセプタ支持部21および架台22についても、たとえば主表面であるサセプタ支持部21と架台22とのそれぞれが互いに対向する表面の平面形状が円形状であることが好ましい。ただし、サセプタ支持部21および架台22は、サセプタ3の外周部に設置されたフレーム23を支持する部材であるため、サセプタ支持部21および架台22は、平面形状における中央部の領域に空洞を有する円環状であることが好ましい。言い換えれば、サセプタ支持部21および架台22を、それぞれサセプタ支持部21および架台22の主表面に垂直な方向から見た平面形状は円環状である。このようにすれば、サセプタ支持部21および架台22が、回転軸17やジョイント19、モータ20と干渉することを避けることができる。
As described above, since the planar shape of the
図1および図2に示すように、サセプタ支持部21が架台22と対向する表面には溝21aが形成されている。また、図1および図5に示すように、架台22がサセプタ支持部21と対向する表面には突出部22aが形成されている。また、サセプタ支持部21が架台22と対向する表面には凹部21bが形成されている。凹部21bは、上述した溝21aの底壁の一部に形成された凹部である。さらに、架台22がサセプタ支持部21と対向する表面には凸部22bが形成されている。この凸部22bは、上述した突出部22aの上部表面の一部が突出した部分である。図2からわかるように、サセプタ支持部21に形成された凹部21bは、平面視が円環状の溝21aに沿った方向において互いに同じ間隔を隔てて配置されている。また、架台22に形成された凸部22bは、上記凹部21bと対向する位置、すなわち平面視が円環状の突出部22aに沿った方向において互いに同じ間隔を隔てて配置されている。ただし、図1と図2とを対比すれば、本来図2の断面図には凸部22bが含まれるべきといえるが、図を見やすくするため、図2では凸部22bを記載していない。
As shown in FIGS. 1 and 2, a
架台22に形成された突出部22aは、サセプタ支持部21に形成された溝21aに挿入することができる。また、架台22に形成された凸部22bは、サセプタ支持部21に形成された凹部21bに挿入することができる。凹部21bおよび凸部22bの数は、たとえば3つ、4つ、あるいは5個以上といった任意の数を採用できる。図1、図2、図5ではこれらが3つ存在する場合について例示している。また、凹部21bおよび凸部22bの配置は、サセプタ3の中央部に対して対称となるように配置されていてもよいし、図示したように複数の凹部21bおよび凸部22bの間の距離が等間隔となるように配置されていてもよい。
The protruding
上述したように、サセプタ支持部21が架台22と対向する表面、および架台22がサセプタ支持部21と対向する表面とは、たとえばその平面形状が円環状である。この場合、当該互いに対向するサセプタ支持部21および架台22の主表面に形成された溝21aおよび突出部22aの平面形状は上述のように円環状であることが好ましい。言い換えれば、溝21aおよび突出部22aを、それぞれサセプタ支持部21および架台22の主表面に垂直な方向から見た平面形状は円環状である。
As described above, the planar shape of the surface of the
サセプタ支持部21は本来、サセプタ3とともに回転しない構成となっている。しかし、サセプタ3およびフレーム23が回転軸17を軸として回転すると、フレーム23と間接的に接続しているサセプタ支持部21は、サセプタ3が回転する方向に力を加えられ、その位置がサセプタ3の回転方向に移動する可能性がある。そこで、このような現象を抑制し、サセプタ支持部21がサセプタ3の回転に伴い移動する可能性を低減するため、サセプタ支持部21を、ベース部材などに接続固定された架台22に固定することが好ましい。そこで凹部21bおよび凸部22bを互いに嵌合することにより、サセプタ支持部21を架台22に固定することができる。凹部21bに凸部22bを挿入すれば、サセプタ支持部21の内部の領域のうち、凹部21bが形成された領域以外の領域はサセプタ支持部21を形成する材質で充填されている。したがって、サセプタ支持部21に、サセプタ3の外周部分と同様に回転軸17を軸として回転しようとする力が加わっても、凹部21bに嵌合された凸部22bは凹部21bを形成する一の表面と干渉する(当該凹部21bの一の表面が凸部22bの移動に対する障壁となる)。このため、凹部21bが形成されたサセプタ支持部21は回転運動を起こさず、架台22と同様にベース部材などに固定された状態を保つことができる。以上のように、凹部21bおよび凸部22bは、サセプタ支持部21の位置を架台22に対して固定する役割を有する。
The
一方、溝21aおよび突出部22aは、凹部21bおよび凸部22bと同様に、溝21aに突出部22aが挿入することにより、サセプタ支持部21の位置を架台22に対して決定する役割を有する(なお、サセプタ3の中心から外側へ向かう径方向におけるサセプタ支持部21の移動を規制する役割も有する)。ただし、溝21aおよび突出部22aは、平面形状が円環状であるため、これらを嵌合させた状態(上記凹部21bおよび凸部22bが形成されていない状態)でたとえばサセプタ支持部21にサセプタ3の外周部分と同様に回転軸17を軸として回転しようとする力が加われば、突出部22aの動作は溝21aを形成する一の表面を障壁として干渉されることがなく、円環状の溝21aに沿って回転を始める。このため、溝21aおよび突出部22aのみでは、凹部21bおよび凸部22bのように、サセプタ支持部21の回転を拘束することはできない。ゆえに、凹部21bおよび凸部22bの形成が重要となる。したがって、凹部21bおよび凸部22bの形成により、サセプタ支持部21を架台22に対して確実に固定することが可能であれば、溝21aおよび突出部22aの構成を省略してもよい。
On the other hand, the
しかし、処理装置1を用いて基板15に対して処理を行なう際には、ヒータ7を用いてサセプタ3をたとえば1000℃以上の温度に加熱する。このように高温に加熱するため、サセプタ支持部21および架台22にもサセプタ3の熱が伝播し、高温に加熱される可能性がある。この場合、たとえばサセプタ支持部21の加熱に起因して、凹部21bに熱応力が集中する可能性がある。ところが、ここでサセプタ支持部21の主表面に沿った円環状の溝21aを設けることにより、発生した熱応力をサセプタ支持部21に均等に分散させることができる。このため、溝21aを設けることにより、たとえば凹部21bの一部に熱応力が集中したとしても、当該溝21aを設けない場合よりも、熱応力の集中を抑制することができる。したがって、凹部21bの一部分における熱応力の集中に起因する部材の変形や破損の発生する可能性を低減することができる。
However, when processing the
ただし、たとえば図2に示すように、凹部21bは、サセプタ支持部21の架台22と対向する表面を当該表面に垂直な方向から見たときに、溝21aに重畳するように形成されている。したがって、図4に示す凹部21bの深さD2は、図3に示す溝21aの深さD1よりも深いことが好ましい。なお、ここで深さとは、サセプタ支持部21の架台22と対向する表面に垂直な方向における深さを意味する。このようにすれば、たとえば図6の断面図に示す凹部21bの延びる方向における側面31eまたは側面31fが、凹部21bに挿入された凸部22bの延びる方向における側面22c(図5参照)と干渉する。このため、凹部21bおよび凸部22bが、サセプタ支持部21を架台22に対して回転しないよう固定することが可能となる。
However, as shown in FIG. 2, for example, the
また、図1、図2、図5に示すように、凹部21bおよび凸部22bは、サセプタ3の中心から外周側へ向かう径方向に対して交差する方向に延びるように形成されている。すなわち、たとえば図2に示すように、凹部21bは、サセプタ支持部21の架台22と対向する表面において、空洞を有する中心側から円環の外周部に向かう径方向に交差する(たとえば垂直な)方向に延びる(長手方向を有する)ように形成されている。言い換えれば、凹部21bは、サセプタ支持部21の架台22と対向する表面において、溝21aの円環形状の延在方向に沿った方向に延びる(長手方向を有する)ように形成されている。また、たとえば図5に示すように、凸部22bは、凹部21bと同様に、空洞を有する中心側から円環の外周部に向かう径方向に交差する(たとえば垂直な)方向に延びる(長手方向を有する)ように形成されている。言い換えれば、凸部22bは凹部21bと同様に、突出部22aの円環形状の延在方向に沿った方向に延びる(長手方向を有する)ように形成されている。
As shown in FIGS. 1, 2, and 5, the
凹部21bは、図2および図6に示すように、溝21aの内部において、溝21aの円環形状の延在方向に沿った方向に延びるように形成されている。凸部22bは、凹部21bに対向して挿入されるため、突出部22aの円環形状の延在方向に沿った方向に延びるように形成されている。上述したように、凹部21bの深さD2の方が、溝21aの深さD1よりも深い場合、凹部21bに凸部22bが、溝21aに突出部22aが挿入されるため、図5に示すように、凸部22bの高さH2の方が、突出部22aの高さH1よりも高い方が好ましい。ここで高さとは、架台22のサセプタ支持部21と対向する表面に垂直な方向における高さを意味する。
As shown in FIGS. 2 and 6, the
また、図1〜図5に示すように、本実施の形態1における凹部21bの延びる方向(溝21aの円環形状の延在方向に沿った方向)に対して垂直な方向を示す側面31c、側面31dの形状や、当該垂直な方向における凹部21bの断面形状は矩形状であることが好ましい。凹部21bが矩形状である場合、凹部21bに挿入される凸部22bについても、延びる方向(突出部22aの円環形状の延在方向に沿った方向)に対して垂直な方向を示す側面22cの形状や、当該垂直な方向における凸部22bの断面形状は矩形状であることが好ましい。このようにすれば、凸部22bを凹部21bに対して容易に挿入することが可能となる。また同様に、溝21aの延びる方向に対して垂直な方向における溝21aの断面形状や、突出部22aの延びる方向に対して垂直な方向における突出部22aの断面形状についても、矩形状であることが好ましい。
Moreover, as shown in FIGS. 1-5, the
ここで、上記処理装置1の動作を簡単に説明する。処理装置1においては、基板15をサセプタ3の搭載用凹部13に配置する。そして、基板15が搭載されたサセプタ3を反応管5の底壁に形成された開口部に回転可能に設置した後、反応管5の内部を所定の圧力に設定する。当該圧力の設定は、たとえば排気部材11により反応管5の内部から雰囲気ガスを排気することにより行なってもよい。そして、反応管5の内部が所定の設定圧力になった後、ヒータ7を動作させることによりサセプタ3を介して基板15を所定の温度(処理温度)に加熱する。このとき、同時にモータ20を駆動させることにより、ジョイント19および回転軸17を介してサセプタ3を回転させる。基板15の温度が処理温度となった状態で、反応ガス供給部材9から反応管5の内部に反応ガスを所定量供給する。この状態で、基板15と対向する領域において反応ガスが分解し、基板15の表面に反応ガスの成分を原料とする膜(たとえば窒化ガリウム(GaN)からなる膜)が形成される。なお、成膜反応に用いられた後のガスは排気部材11によって反応管5の内部から排気される。このようにして、基板15の表面に所定の膜を形成することができる。
Here, operation | movement of the said
上述した処理装置1においては、基板15に対して上記のような成膜処理を行なうとき、上述したように、ヒータ7によりサセプタ3を1000℃以上の高温に加熱する。このため、サセプタ3の加熱に伴い、サセプタ3の熱がサセプタ支持部21にも伝播するため、サセプタ支持部21も昇温する。ここで、サセプタ支持部21は、たとえばサセプタ支持部21の架台22と対向する表面や、図2に示す断面図において、サセプタ支持部21の中央部の空洞を有する領域から、ほぼ同心円状に熱分布が形成される。すなわち、サセプタ支持部21の中央部の空洞に近い領域は、サセプタ3に近いため高温に、サセプタ支持部21の外周部に近い領域は、サセプタ3から離れているため低温になるよう、同心円状に近い等温線が形成されるような温度分布となる。
In the
ただし、図1に示すように、サセプタ支持部21は、フレーム23の外周部に接触する領域と、架台22に対向する表面に近い領域とからなる、L字型の形状を有しているが、上述した温度分布は、後者の架台22に対向する表面に近い、溝21aや凹部21bが形成された領域の近傍についての温度分布である。
However, as shown in FIG. 1, the
このとき、凹部21bを溝21aが延びる円環形状に沿った方向に延びる形状とすることにより、図4の断面図における、凹部21bを形成する側面31c、31dと、図4における凹部21bの天井部(底壁)に当たる面との接合部31aと接合部31bとの温度差が小さくなる。これは、図4の断面図において紙面に交差する方向に凹部21bが延びるために、凹部21bが紙面に沿った方向(径方向)に延びる場合より、接合部31aと接合部31bとの距離(図4における左右方向)が小さくなるためである。接合部31aと接合部31bとを結ぶ方向(図4における左右方向)は、図2におけるサセプタ支持部21の中心から外周側へ向かう径方向であり、処理装置1を動作させたときのサセプタ支持部21の温度分布の勾配方向にほぼ一致する。したがって、接合部31aと接合部31bとの距離が短くなれば、接合部31aと接合部31bとの温度差が小さくなる。また、凹部21bのたとえば側面31cと側面31dとの温度差も小さくなる。また、たとえば図2の凹部21bの長手方向である、溝21aの延びる方向に沿った方向は、サセプタ支持部21の等温線にほぼ沿った方向となる。このため、長手方向における凹部21bの一の側面と他の側面との接合部における温度差が小さくなる。以上により、凹部21bを溝21aの延びる方向に沿った方向に延在するよう形成すれば、凹部21b全体における温度差を小さくすることができるため、凹部21bのたとえば接合部における熱応力の集中を抑制することができる。その結果、凹部21bのたとえば接合部を起点とする変形や破損が起こる可能性を低減することができる。
At this time, by forming the
処理装置1として以上に述べたサセプタ支持部21を用いて、ヒータ7を用いて加熱を行なう処理を行なうことにより、当該凹部21bには、上述した従来の切り欠き形状を有するサセプタ支持部の、当該切り欠き形状における最大の熱応力の約1/3の熱応力が発生していることが確認できた。このことから、本実施の形態におけるサセプタ支持部21を用いれば、凹部21bに加わる熱応力を大幅に緩和させることができるといえる。
By using the
なお、上述した実施の形態では、凸部22bを突出部22aの上部表面に形成したが、当該凸部22bは突出部22aの側壁上に形成してもよい。また、当該凸部22bを、突出部22aの上部表面および側壁の両方に形成してもよい。
In the above-described embodiment, the
(実施の形態2)
図7〜図11に示すように、本実施の形態2に係る処理装置1は、図1〜図5に示した本実施の形態1に係る処理装置1と基本的に同様の構造を備える。しかし、本実施の形態2における凹部21bの延びる方向(溝21aの円環形状の延在方向に沿った方向)に対して垂直な方向における凹部21bの断面形状は三角形状である。同様に、凹部21bが三角形状である場合、凹部21bに挿入される凸部22bについても、延びる方向(突出部22aの円環形状の延在方向に沿った方向)に対して垂直な方向での側面22c(図11参照)の形状や、当該垂直な方向における凸部22bの断面形状は三角形状であることが好ましい。このようにすれば、凸部22bを凹部21bに対して容易に挿入することが可能となる。また同様に、溝21aの延びる方向に対して垂直な方向における溝21aの断面形状や、突出部22aの延びる方向に対して垂直な方向における突出部22aの断面形状についても、三角形状であることが好ましい。以上に示すように、本実施の形態2に係る処理装置1は、本実施の形態1に係る処理装置1に対して、凹部21b、凸部22b、溝21a、突出部22aの断面形状が三角形状である点において異なる。
(Embodiment 2)
As shown in FIGS. 7 to 11, the
図7〜図10に示す溝21aおよび凹部21bは、それぞれサセプタ支持部21の架台22に対向する表面から一定の深さの領域において、当該表面に対して垂直に交差する三角形を、サセプタ支持部21の円環形状に沿った方向に平行移動することにより削り取られる形状を呈している。また、図11に示す突出部22aおよび凸部22bについても同様に、架台22のサセプタ支持部21に対向する表面上に、当該表面に対して垂直に交差する三角形を、架台22の円環形状に沿った方向に平行移動することによる当該三角形の軌跡となる形状を呈している。
The
この場合においても、凹部21bおよび凸部22bは、サセプタ支持部21を架台22に対して固定する役割を有する。したがって、図10に示す凹部21bの深さD4は、図9に示す溝21aの深さD3よりも深いことが好ましい。この場合、凹部21bに凸部22bが、溝21aに突出部22aが挿入されるため、図11に示すように、凸部22bの高さH4の方が、突出部22aの高さH3よりも高い方が好ましい。
Even in this case, the
この場合においても、凹部21bおよび凸部22bは、それぞれサセプタ支持部21の溝21aがなす円環形状に沿った方向、および架台22の突出部22aがなす円環形状に沿った方向に延びる形状を有する。このため、本実施の形態1と同様に、たとえば図10における凹部21bの三角形状を形成する側面33bと側面33cとの距離(図10における左右方向)は、全体的に短くなる。図10における左右方向は、サセプタ支持部21が昇温した際における温度分布の勾配方向である。また、図10において紙面に交差する方向に延在する、側面33bと側面33cとの接合部33aの延びる方向は、サセプタ支持部21が昇温した際における等温線の延びる方向に沿っている。したがって、凹部21bを溝21aの延びる方向に沿った方向に延在するよう形成すれば、凹部21b全体における温度差を小さくすることができるため、凹部21bのたとえば接合部33aにおける熱応力の集中を抑制することができる。その結果、凹部21bのたとえば接合部33aを起点とする変形や破損が起こる可能性を低減することができる。
Also in this case, the
なお、サセプタ支持部21に形成される凹部21b、架台22に形成される凸部22bの形状として、本実施の形態1における矩形状と、本実施の形態2における三角形状とを組み合わせた、図12および図13に示す五角形状のものを用いてもよい。この場合においても、凹部21bおよび凸部22bの延びる方向を溝21a、突出部22aの延びる方向に沿った方向となるよう形成すれば、上述した各実施の形態における凹部21b、凸部22bと同様の効果を奏する。その他、凹部21bおよび凸部22bの断面形状としては、任意の形状を用いることができる。また、凹部21bおよび凸部22bの断面形状としていかなる形状を用いた場合においても、溝21a、突出部22aの断面形状として矩形状、三角形状のいずれも用いることができる。
In addition, the figure which combined the rectangular shape in this
本発明の実施の形態2は、以上に述べた各点についてのみ、本発明の実施の形態1と異なる。すなわち、本発明の実施の形態2について、上述しなかった構成や条件、手順や効果などは、全て本発明の実施の形態1に順ずる。 The second embodiment of the present invention is different from the first embodiment of the present invention only in each point described above. That is, the configuration, conditions, procedures, effects, and the like that have not been described above for the second embodiment of the present invention are all in accordance with the first embodiment of the present invention.
(実施の形態3)
図14〜図18に示すように、本実施の形態3に係る処理装置1は、図1〜図5に示した本実施の形態1に係る処理装置1と基本的に同様の構造を備える。しかし、本実施の形態3における凹部21bの延びる方向(溝21aの円環形状の延在方向に沿った方向)に対して垂直な方向における凹部21bの断面形状はアーチ型形状である。なお、ここではアーチ型形状とは、球面形状や放物線形状などの曲線形状と定義する。同様に、凹部21bがアーチ型形状である場合、凹部21bに挿入される凸部22bについても、延びる方向(突出部22aの円環形状の延在方向に沿った方向)に対して垂直な方向での側面22c(図18参照)の形状や、当該垂直な方向における凸部22bの断面形状はアーチ型形状であることが好ましい。このようにすれば、凸部22bを凹部21bに対して容易に挿入することが可能となる。また同様に、溝21aの延びる方向に対して垂直な方向における溝21aの断面形状や、突出部22aの延びる方向に対して垂直な方向における突出部22aの断面形状についても、アーチ型形状であることが好ましい。以上に示すように、本実施の形態3に係る処理装置1は、本実施の形態1に係る処理装置1に対して、凹部21b、凸部22b、溝21a、突出部22aの断面形状がアーチ型形状である点において異なる。
(Embodiment 3)
As shown in FIGS. 14-18, the
図14〜図17に示す溝21aおよび凹部21bは、それぞれサセプタ支持部21の架台22に対向する表面から一定の深さの領域において、当該表面に対して垂直に交差するアーチ型形状の図形を、サセプタ支持部21の円環形状に沿った方向に平行移動することにより削り取られる形状を呈している。また、図11に示す突出部22aおよび凸部22bについても同様に、架台22のサセプタ支持部21に対向する表面上に、当該表面に対して垂直に交差するアーチ型形状の図形を、架台22の円環形状に沿った方向に平行移動することによる当該アーチ型形状の軌跡となる形状を呈している。
The
この場合においても、凹部21bおよび凸部22bは、サセプタ支持部21を架台22に対して固定する役割を有する。したがって、図17に示す凹部21bの深さD6は、図16に示す溝21aの深さD5よりも深いことが好ましい。この場合、凹部21bに凸部22bが、溝21aに突出部22aが挿入されるため、図11に示すように、凸部22bの高さH6の方が、突出部22aの高さH5よりも高い方が好ましい。
Even in this case, the
実施の形態3においては凹部21bの側面33bが曲面であるため、たとえば接合部33aのような熱応力の集中が起こりやすい領域が存在しない。しかしこの場合においても、サセプタ支持部21の主表面に沿った円環状の溝21aを設けることにより、発生した熱応力をサセプタ支持部21に均等に分散させることができる。このため、溝21aを設けることにより、たとえば凹部21bの一部に熱応力が集中したとしても、当該溝21aを設けない場合よりも、熱応力の集中を抑制することができる。したがって、凹部21bの一部分における熱応力の集中に起因する部材の変形や破損の発生する可能性を低減することができる。
In the third embodiment, since the
本発明の実施の形態3は、以上に述べた各点についてのみ、本発明の実施の形態1と異なる。すなわち、本発明の実施の形態3について、上述しなかった構成や条件、手順や効果などは、全て本発明の実施の形態1に順ずる。 The third embodiment of the present invention is different from the first embodiment of the present invention only in each point described above. That is, the configuration, conditions, procedures, effects, and the like that have not been described above for the third embodiment of the present invention are all in accordance with the first embodiment of the present invention.
(比較例)
図19〜図20に示すように、本比較例に係る処理装置2は、図1〜図5に示した本実施の形態1に係る処理装置1と基本的に同様の構造を備える。しかし、処理装置2における凹部21bは、溝21aと一部が重なるとともに、溝21aの円環形状の延在方向に交差する、たとえば当該延在方向に対して垂直な方向に延びるように形成されている。凸部22bは、凹部21bに対向して挿入されるため、突出部22aの円環形状の延在方向に交差する方向に延びるように形成されている。以上の点においてのみ、処理装置2は本実施の形態1に係る処理装置1と異なる。
(Comparative example)
As shown in FIGS. 19-20, the processing apparatus 2 which concerns on this comparative example is equipped with the structure fundamentally the same as the
処理装置2に対して本実施の形態1に係る処理装置1と同様の処理を行なった場合、サセプタ支持部21の加熱により、凹部21bには、上述した従来の切り欠き形状を有するサセプタ支持部の、当該切り欠き形状における最大の熱応力とほぼ同様の熱応力が発生することが確認できる。このことから、本比較例の形態におけるサセプタ支持部21を用いても、凹部21bに加わる熱応力の緩和は不十分であるといえる。
When the processing similar to that of the
これは以下の理由によると考えられる。処理装置2においてはサセプタ3の加熱によりサセプタ支持部21を昇温すると、処理装置1のサセプタ支持部21と同様にほぼ同心円状に熱分布が形成される。
This is considered to be due to the following reason. In the processing apparatus 2, when the temperature of the
このとき、処理装置2においては凹部21bを溝21aが延びる円環形状に交差する方向、すなわち等温線に交差する方向に延びるように形成している。したがって、凹部21bの延びる方向において対向する1対の側面間の温度差が大きくなる。また、温度分布の勾配方向に沿った方向に凹部21bが延在するため、凹部21bの延びる方向に延在する一の側面と他の側面との接合部において温度差が大きくなる。このため、長手方向における凹部21bの一の側面と他の側面との接合部における温度差が大きくなる。以上により、凹部21bを溝21aの延びる方向に交差する方向に延在するよう形成すれば、凹部21b全体における温度差が大きくなるため、凹部21bのたとえば接合部における熱応力の集中を抑制することが困難となると考えられる。このことからも、すでに説明したホン発明の実施の形態に示すように、凹部21bおよび凸部22bを、サセプタの中心から外周側へ向かう径方向に対して交差する方向(つまり等温線に沿った方向)に延びるように形成することが好ましいことがわかる。
At this time, in the processing apparatus 2, the
以上のように本発明の各実施の形態について説明を行なったが、今回開示した各実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 As described above, the embodiments of the present invention have been described. However, it should be considered that the embodiments disclosed herein are illustrative and non-restrictive in every respect. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.
本発明は、成膜を行なう半導体製造装置において、基板の処理における加熱を行なう際の、処理対象物を保持する部材における熱応力の集中を抑制する技術として、特に優れている。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is particularly excellent as a technique for suppressing concentration of thermal stress in a member that holds an object to be processed when performing heating in substrate processing in a semiconductor manufacturing apparatus that performs film formation.
1,2 処理装置、3 サセプタ、5 反応管、7 ヒータ、9 反応ガス供給部材、11 排気部材、13 搭載用凹部、15 基板、17 回転軸、19 ジョイント、20 モータ、21 サセプタ支持部、21a 溝、21b 凹部、22 架台、22a 突出部、22b 凸部、22c,31c,31d,31e,31f,33b,33c 側面、23 フレーム、31a,31b,33a 接合部。 1, 2 treatment device, 3 susceptor, 5 reaction tube, 7 heater, 9 reaction gas supply member, 11 exhaust member, 13 mounting recess, 15 substrate, 17 rotating shaft, 19 joint, 20 motor, 21 susceptor support, 21a Groove, 21b concave portion, 22 mount, 22a protruding portion, 22b convex portion, 22c, 31c, 31d, 31e, 31f, 33b, 33c side surface, 23 frame, 31a, 31b, 33a joint portion.
Claims (8)
前記サセプタの外周部に設置され、前記サセプタとともに回転可能なフレームと、
前記フレームを支持するサセプタ支持部と、
前記サセプタ支持部を固定する架台とを備え、
前記サセプタ支持部と前記架台とが互いに対向する領域において、前記架台に対する前記サセプタ支持部の位置を固定するように、前記サセプタ支持部と前記架台との一方の表面に凹部が形成され、前記サセプタ支持部と前記架台との他方の表面には前記凹部に挿入固定される凸部が形成され、
前記凹部および前記凸部は、前記サセプタの中心から外周側へ向かう径方向に対して交差する方向に延びるように形成されている、半導体製造装置。 A rotatable susceptor for holding the object to be processed;
A frame installed on the outer periphery of the susceptor and rotatable with the susceptor;
A susceptor support for supporting the frame;
A gantry for fixing the susceptor support,
A recess is formed on one surface of the susceptor support and the gantry so as to fix a position of the susceptor support with respect to the gantry in a region where the susceptor support and the gantry are opposed to each other. A convex portion that is inserted and fixed in the concave portion is formed on the other surface of the support portion and the gantry,
The said recessed part and the said convex part are the semiconductor manufacturing apparatuses currently formed so that it may extend in the direction which cross | intersects with respect to the radial direction which goes to the outer peripheral side from the center of the said susceptor.
前記サセプタ支持部と前記架台とが互いに対向する領域において、前記サセプタ支持部の表面には溝が形成され、
前記領域において、前記架台の表面には前記溝に挿入可能な突出部が形成され、
前記凹部は、前記溝の内部において、前記溝の延在方向に沿って延びるように形成され、
前記凸部は、前記溝の内部に形成された前記凹部と対向するとともに、前記突出部の延在方向に沿って延びるように、前記突出部の表面に形成されている、請求項1に記載の半導体製造装置。 The concave portion is formed on the surface of the susceptor support portion, while the convex portion is formed on the surface of the gantry,
In the region where the susceptor support part and the gantry are opposed to each other, a groove is formed on the surface of the susceptor support part,
In the region, a protrusion that can be inserted into the groove is formed on the surface of the gantry,
The recess is formed so as to extend along the extending direction of the groove inside the groove,
The said convex part is formed in the surface of the said protrusion part so that it may extend along the extension direction of the said protrusion part while facing the said recessed part formed in the inside of the said groove | channel. Semiconductor manufacturing equipment.
前記サセプタ支持部において前記架台と対向する表面に垂直な方向であって、前記凸部の延びる方向に対して垂直な方向における前記凸部の断面形状は矩形状である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体製造装置。 In the susceptor support portion, the cross-sectional shape of the concave portion in a direction perpendicular to the surface facing the gantry and perpendicular to the extending direction of the concave portion is rectangular.
The cross-sectional shape of the convex portion in a direction perpendicular to the surface of the susceptor support portion facing the mount and perpendicular to the extending direction of the convex portion is a rectangular shape. The semiconductor manufacturing apparatus of any one of Claims.
前記サセプタ支持部において前記架台と対向する表面に垂直な方向であって、前記凸部の延びる方向に対して垂直な方向における前記凸部の断面形状は三角形状である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体製造装置。 In the susceptor support portion, the cross-sectional shape of the concave portion in a direction perpendicular to the surface facing the gantry and perpendicular to the extending direction of the concave portion is a triangular shape,
The cross-sectional shape of the convex portion in a direction perpendicular to the surface of the susceptor support portion facing the gantry and perpendicular to the extending direction of the convex portion is a triangular shape. The semiconductor manufacturing apparatus of any one of Claims.
前記凹部の延びる方向に対して垂直な方向における前記凹部の断面形状はアーチ型形状であり、
前記サセプタ支持部において前記架台と対向する表面に垂直な方向であって、前記凸部の延びる方向に対して垂直な方向における前記凸部の断面形状はアーチ型形状である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体製造装置。 A direction perpendicular to the surface of the susceptor support that faces the mount;
The cross-sectional shape of the concave portion in a direction perpendicular to the extending direction of the concave portion is an arch shape,
The cross-sectional shape of the convex portion in a direction perpendicular to the surface facing the gantry in the susceptor support portion and perpendicular to the extending direction of the convex portion is an arch shape. The semiconductor manufacturing apparatus according to any one of the above.
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