JP5216047B2 - Gas sensor element manufacturing method and gas sensor manufacturing method - Google Patents
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Description
本発明は、ガスセンサ素子の製造方法、及び、ガスセンサの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a gas sensor element and a method for manufacturing a gas sensor.
ガスセンサとしては、例えば、自動車の排気管に取り付けられて、排気ガス中の酸素濃度を検出するガスセンサが知られている。このガスセンサは、例えば、軸線方向に延びる有底筒状をなし、その軸線方向の略中間部に径方向外側に突出する環状の鍔部が形成された基体(固体電解質体)と、この基体の内表面及び外表面に形成された貴金属(例えば、白金)からなる電極と、を有するガスセンサ素子を備えている(例えば、特許文献1参照)。 As a gas sensor, for example, a gas sensor that is attached to an exhaust pipe of an automobile and detects an oxygen concentration in the exhaust gas is known. For example, the gas sensor has a bottomed cylindrical shape extending in the axial direction, and a base body (solid electrolyte body) in which an annular flange projecting radially outward is formed at a substantially intermediate portion in the axial direction. And a gas sensor element having an electrode made of a noble metal (for example, platinum) formed on the inner surface and the outer surface (see, for example, Patent Document 1).
ところで、特許文献1には、基体の内表面に貴金属(白金)からなる電極を形成する方法として、次のような方法が開示されている。まず、核付け工程において、基体の内表面に核を付着させる。具体的には、例えば、基体の内部に塩化白金酸水溶液(白金濃度;0.5g/L)を注入し、加熱した後、この塩化白金酸水溶液を排出し、基体の内表面全体に塩化白金酸の水溶液の塗布膜を形成する。そして、基体の内部空間にヒドラジンの水溶液(濃度;5質量%)を注入し、75℃に加熱して30分間放置して、基体の内表面全体に白金の核を析出させる。次いで、メッキ工程において、基体の内部に白金錯塩水溶液(白金濃度;15g/L)と、ヒドラジンの水溶液(濃度;85質量%)とを混合して調整したメッキ液を注入し、これを加熱して放置することによりメッキ液中の白金を析出させる。このようにして、基体の内表面全体に、貴金属(白金)からなる電極を形成する。
By the way,
ところが、基体の内表面に形成する電極は、基体の内表面全体に必要とされない。具体的には、基体の内表面に形成する電極は、検知部とリード部と端子接続部とからなる。検知部は、基体の内表面のうち、先端側(底部側)の部位(例えば、基体の鍔部よりも先端側に位置する部位)に、基体の周方向について全周または部分的に形成されていれば良い。また、端子接続部は、基体の軸線方向後端部(底部とは反対側の端部)に、基体の周方向について全周または部分的に形成されていれば良い。また、リード部は、基体の内表面のうち、検知部の後端(基体の底部側とは反対側に位置する端部)の位置から端子接続部先端(底部側の端部)の位置まで、線状に延びる形態(または、断面弧状をなして軸線方向に延びる形態)で形成されていれば良い。すなわち、リード部は、基体の周方向については一部分に形成されていれば良い。このように、基体の内表面全体に、貴金属(白金)からなる電極を形成する必要がない。このため、特許文献1のように、メッキ工程において基体の内表面全体に貴金属を析出させて、基体の内表面全体に貴金属からなる電極を形成する方法では、高価で希少な貴金属を無駄に使用することになっていた。
However, the electrode formed on the inner surface of the substrate is not required on the entire inner surface of the substrate. Specifically, the electrode formed on the inner surface of the substrate includes a detection portion, a lead portion, and a terminal connection portion. The detection part is formed on the inner surface of the base on the tip side (bottom side) part (for example, the part located on the tip side of the base part of the base) in the entire circumference or partly in the circumferential direction of the base body. It should be. In addition, the terminal connecting portion may be formed all or partly in the circumferential direction of the base body at the rear end portion in the axial direction of the base body (end portion opposite to the bottom portion). In addition, the lead portion extends from the position of the rear end of the detection portion (the end located on the side opposite to the bottom side of the base) to the position of the tip of the terminal connection portion (end on the bottom side) on the inner surface of the base. It may be formed in a linearly extending form (or a form extending in the axial direction with a cross-sectional arc shape). That is, the lead portion may be formed in a part in the circumferential direction of the base. Thus, it is not necessary to form an electrode made of a noble metal (platinum) on the entire inner surface of the substrate. For this reason, in the method of depositing noble metal on the entire inner surface of the substrate in the plating process and forming electrodes made of noble metal on the entire inner surface of the substrate as in
そこで、次のような製造方法が有効であると考えられている。具体的には、メッキ工程に先立って、マスク治具装着工程において、基体の内表面のうち電極を形成する予定の電極予定部とは異なるマスク部(電極を形成しない予定の部位)に、マスク治具を装着する(マスク部をマスク治具で覆う)。これにより、後のメッキ工程において、マスク部に貴金属を析出させないようにして、基体の内表面の電極予定部に、貴金属を析出させるようにする。このため、メッキ工程において基体の内表面全体に貴金属を析出させて、基体の内表面全体に貴金属からなる電極を形成する場合に比べて、貴金属の使用量を低減することができると考えられている。 Therefore, the following manufacturing method is considered to be effective. More specifically, prior to the plating process, in the mask jig mounting process, a mask is formed on a mask part (part where no electrode is to be formed) on the inner surface of the substrate that is different from the electrode planned part where the electrode is to be formed. Mount the jig (cover the mask with a mask jig). Thus, in the subsequent plating step, the noble metal is not deposited on the mask portion, but is deposited on the planned electrode portion on the inner surface of the substrate. For this reason, it is thought that the usage-amount of a noble metal can be reduced compared with the case where a noble metal is deposited on the whole inner surface of a base | substrate in a plating process, and the electrode which consists of a noble metal is formed in the whole inner surface of a base | substrate. Yes.
しかしながら、マスク部に対し、適切にマスク治具を装着する(適切に、マスク部をマスク治具で覆う)ことが難しかった。なぜなら、マスク部は基体の内側に位置しているため、マスク部にマスク治具を装着するためには、マスク治具を基体の内側に挿入する必要がある。ところが、マスク治具の曲率半径がマスク部の曲率半径よりも大きいと、マスク治具を基体の内側に挿入できなくなることがある。反対に、マスク治具の曲率半径がマスク部の曲率半径よりも小さい場合、マスク治具を基体の内側に挿入することはできるが、マスク治具をマスク部に固定することができず、マスク治具がマスク部とは異なる部位に装着される虞がある。仮に、マスク治具をマスク部に配置できたとしても、マスク治具の外面をマスク部に密着させることができず、マスク部とマスク治具の外面との間に隙間ができてしまう。このため、後のメッキ工程において、メッキ液がこの隙間に流れ込んでしまい、マスク部にも貴金属を析出させてしまう虞があった。従って、マスク治具の外面をマスク部に隙間無く密着させて、マスク部にマスク治具を適切に装着することができる技術が求められていた。 However, it has been difficult to properly attach the mask jig to the mask portion (appropriately cover the mask portion with the mask jig). This is because the mask portion is located inside the base body, and in order to mount the mask jig on the mask portion, it is necessary to insert the mask jig inside the base body. However, if the curvature radius of the mask jig is larger than the curvature radius of the mask portion, the mask jig may not be inserted inside the base. On the contrary, when the radius of curvature of the mask jig is smaller than the radius of curvature of the mask portion, the mask jig can be inserted inside the base, but the mask jig cannot be fixed to the mask portion, and the mask There is a possibility that the jig is attached to a portion different from the mask portion. Even if the mask jig can be arranged in the mask portion, the outer surface of the mask jig cannot be brought into close contact with the mask portion, and a gap is formed between the mask portion and the outer surface of the mask jig. For this reason, in the subsequent plating step, the plating solution may flow into the gap, and there is a possibility that noble metal is deposited on the mask portion. Therefore, there has been a demand for a technique that allows the mask jig to be properly attached to the mask portion by bringing the outer surface of the mask jig into close contact with the mask portion without any gap.
本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであって、基体の内表面について貴金属の使用量を低減するために、マスク治具の外面をマスク部に隙間無く密着させて、マスク治具を適切にマスク部に装着できるガスセンサ素子の製造方法、及び、ガスセンサの製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the current situation, and in order to reduce the amount of noble metal used on the inner surface of the substrate, the outer surface of the mask jig is brought into close contact with the mask portion without any gap, and the mask jig is mounted. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a gas sensor element that can be appropriately attached to a mask portion, and a method for manufacturing a gas sensor.
本発明の一態様は、軸線方向に延びる有底筒状の基体の内表面に核を付着させる核付け工程と、上記核が触媒として作用するメッキ液を用いて、上記メッキ液中の貴金属を上記基体の内表面に析出させるメッキ工程と、を経て、上記基体の内表面に、上記貴金属からなる電極を形成するガスセンサ素子の製造方法であって、上記メッキ工程に先立って、上記基体の内表面のうち上記電極を形成する予定の電極予定部とは異なるマスク部に、マスク治具を装着するマスク治具装着工程と、上記マスク治具装着工程の後、上記基体内に注液装置を挿入し、上記注液装置を用いて上記メッキ液を上記基体内に注入することで、上記電極予定部に上記貴金属を析出させる上記メッキ工程と、を備え、上記マスク治具は、上記軸線方向に延びる形態で、当該マスク治具を上記マスク部に装着したときに上記マスク部と接するマスク外面が、当該マスク治具を上記軸線方向に直交する方向に切断した断面において円弧をなし、上記マスク外面の曲率半径が拡縮する方向に弾性変形可能とされ、当該マスク治具を上記マスク部に装着する前の上記マスク外面の曲率半径が、上記マスク部の曲率半径よりも大きくされてなり、上記マスク治具装着工程では、上記マスク外面の曲率半径が縮小する方向に上記マスク治具を弾性変形させつつ、上記マスク治具を上記基体の内側に挿入し、上記マスク治具の弾性復元力により、上記マスク外面を上記マスク部に密着させると共に上記マスク治具を上記マスク部に固定するガスセンサ素子の製造方法である。
One aspect of the present invention is to use a nucleation step in which nuclei are attached to the inner surface of a bottomed cylindrical base extending in the axial direction, and a plating solution in which the nuclei act as a catalyst. And a plating step for depositing on the inner surface of the base body, and a method for producing a gas sensor element, wherein the electrode made of the noble metal is formed on the inner surface of the base body. A mask jig mounting step for mounting a mask jig on a mask portion different from the electrode planned portion on which the electrode is to be formed on the surface, and a liquid injection device in the substrate after the mask jig mounting step. And the plating step of depositing the noble metal on the electrode planned portion by injecting the plating solution into the substrate using the liquid injection device, and the mask jig includes the axial direction In a form extending to When the mask jig is mounted on the mask portion, the mask outer surface that is in contact with the mask portion forms an arc in a cross section obtained by cutting the mask jig in a direction perpendicular to the axial direction, and the radius of curvature of the mask outer surface is The mask jig mounting step, wherein the mask jig is elastically deformable in a direction of expansion and contraction, and the curvature radius of the mask outer surface before mounting the mask jig on the mask portion is larger than the curvature radius of the mask portion. Then, while elastically deforming the mask jig in a direction in which the radius of curvature of the mask outer surface is reduced, the mask jig is inserted inside the base, and the mask outer surface is moved by the elastic restoring force of the mask jig. In the method of manufacturing a gas sensor element, the mask jig is brought into close contact with the mask portion and the mask jig is fixed to the mask portion.
上述のようなマスク治具を用いることで、マスク外面の曲率半径が縮小する方向にマスク治具を弾性変形させつつ、マスク治具を基体の内側に挿入すると、マスク治具の弾性復元力により、マスク外面をマスク部(電極を形成しない予定の部位)に隙間無く密着させると共に、マスク治具をマスク部に固定することができる。従って、上述の製造方法によれば、マスク治具装着工程において、マスク治具がマスク部以外の部位に装着されることがなく、しかも、マスク部とマスク治具の外面との間に隙間が生じることもない。このため、後のメッキ工程において、マスク部とマスク治具の外面との間の隙間にメッキ液が流れ込むのを防止でき、マスク部に貴金属を析出させてしまうことがない。 By using the mask jig as described above, when the mask jig is inserted into the base while elastically deforming the mask jig in a direction in which the radius of curvature of the mask outer surface is reduced, the elastic restoring force of the mask jig causes In addition, the mask outer surface can be brought into close contact with the mask part (part where no electrode is to be formed) without gaps, and the mask jig can be fixed to the mask part. Therefore, according to the manufacturing method described above, in the mask jig mounting step, the mask jig is not mounted on a portion other than the mask portion, and there is a gap between the mask portion and the outer surface of the mask jig. It does not occur. For this reason, it is possible to prevent the plating solution from flowing into the gap between the mask portion and the outer surface of the mask jig in the subsequent plating step, and no precious metal is deposited on the mask portion.
従って、上述の製造方法では、マスク部には貴金属を析出させることなく、基体の内表面の電極予定部に、貴金属を析出させることができる。すなわち、基体の内表面の電極予定部にのみ、貴金属からなる電極を形成することができる。これにより、貴金属の使用量を適切に低減することができる。
しかも、上述の製造方法では、上述のような簡易な方法で、基体の内表面(マスク部)にマスク治具を適切に装着できるので、ガスセンサ素子の製造効率が良く、製造コストも安価になる。
Therefore, in the manufacturing method described above, the noble metal can be deposited on the planned electrode portion on the inner surface of the substrate without depositing the noble metal on the mask portion. That is, an electrode made of a noble metal can be formed only on a predetermined electrode portion on the inner surface of the substrate. Thereby, the usage-amount of a noble metal can be reduced appropriately.
Moreover, in the above-described manufacturing method, the mask jig can be appropriately mounted on the inner surface (mask portion) of the base body by the simple method as described above, so that the manufacturing efficiency of the gas sensor element is good and the manufacturing cost is low. .
なお、上述のマスク治具としては、例えば、弾性を有する樹脂(例えば、ポリプロピレン、ポリエチレン、PET)からなり、円筒の周方向一部を、軸線方向について円筒の全体にわたって切り欠いた形状のマスク治具を挙げることができる。また、マスク治具の材質は樹脂に限定されるものではないが、メッキ工程においてマスク治具がメッキされるのを防止するために、樹脂製のマスク治具を用いるのが好ましい。 The above-mentioned mask jig is made of, for example, an elastic resin (for example, polypropylene, polyethylene, PET), and a mask jig having a shape in which a part of the cylinder in the circumferential direction is cut out over the entire cylinder in the axial direction. You can list the ingredients. The material of the mask jig is not limited to resin, but it is preferable to use a resin mask jig in order to prevent the mask jig from being plated in the plating step.
このようなマスク治具を用いることで、基体の内表面に形成する電極として、下記のような形態の検知部とリード部と端子接続部とからなる電極を形成することができる。例えば、検知部を、基体の内表面のうち、先端側(底部側)の部位(例えば、基体の軸線方向中心位置よりも先端側に位置する部位)にのみ形成することができる。また、端子接続部を、基体の内表面のうち、後端側(底部とは反対側)の部位に形成することができる。また、リード部を、基体の内表面のうち、検知部の後端(基体の底部側とは反対側に位置する端部)の位置から端子接続部の先端(底部側の端部)の位置まで、線状に延びる形態(または、断面弧状をなして軸線方向に延びる形態)で形成することができる。すなわち、リード部を、基体の周方向について一部分にのみ形成することができる。 By using such a mask jig, an electrode composed of a detection portion, a lead portion, and a terminal connection portion in the following form can be formed as an electrode formed on the inner surface of the base. For example, the detection unit can be formed only on the tip side (bottom side) portion of the inner surface of the base (for example, the portion located on the tip side of the center in the axial direction of the base). Further, the terminal connection portion can be formed on the rear end side (the side opposite to the bottom portion) of the inner surface of the base body. Further, the lead portion is positioned from the position of the rear end of the detection portion (the end portion opposite to the bottom portion side of the substrate) from the position of the inner end surface of the substrate to the tip end (end portion on the bottom side) of the terminal connection portion. Until then, it can be formed in a linearly extending form (or an axially extending cross-sectional arc shape). That is, the lead portion can be formed only in a part in the circumferential direction of the substrate.
このような電極を形成する場合、先に例示したマスク治具は、例えば、基体の内表面のうち、リード部を形成する予定の部位と周方向に隣り合う部位(この部位がマスク部に相当する)に装着すれば良い。これにより、基体の内表面のうちマスク治具の切欠部を通じて露出する部位に、線状のリード部を形成することができる。また、基体の内表面のうち、マスク治具よりも先端側に位置する部位の全体に検知部を形成することができ、マスク治具よりも後端側に位置する部位の全体に環状の端子接続部を形成することができる。
このように、上述のガスセンサ素子の製造方法では、基体の内表面について、電極が必要な部位に選択的に、貴金属からなる電極を形成することができる。
When such an electrode is formed, the mask jig exemplified above is, for example, a portion of the inner surface of the base that is adjacent to a portion where the lead portion is to be formed in the circumferential direction (this portion corresponds to the mask portion). To install). Thereby, a linear lead part can be formed in the site | part exposed through the notch part of a mask jig | tool among the inner surfaces of a base | substrate. In addition, the detection part can be formed on the entire inner surface of the base body on the front end side of the mask jig, and the annular terminal is formed on the entire portion positioned on the rear end side of the mask jig. A connection can be formed.
Thus, in the above-described method for manufacturing a gas sensor element, an electrode made of a noble metal can be selectively formed on the inner surface of the substrate at a site where the electrode is required.
なお、端子接続部は、ガスセンサの端子部材と接続する部位であり、基体の軸線方向後端部(底部とは反対側の端部)において、基体の周方向について全周または部分的に形成されていれば良い。端子接続部は、例えば、リード部と同じ幅寸法(周方向の寸法)で基体の周方向について部分的に形成され、リード部と一体となって一直線状に延びる形態であっても良い。 The terminal connecting portion is a portion that is connected to the terminal member of the gas sensor, and is formed at the rear end portion in the axial direction of the base body (the end portion on the opposite side to the bottom portion) in the entire circumference or partly in the circumferential direction of the base body. It should be. For example, the terminal connecting portion may be formed partially in the circumferential direction of the base body with the same width dimension (circumferential dimension) as the lead portion, and may extend in a straight line integrally with the lead portion.
また、マスク治具装着工程は、核付け工程の後、メッキ工程の前に行っても良いし、核付け工程の前に行っても良い。
また、核付け工程において基体の内表面に付着させる核は、後にメッキ液に対して触媒として作用すれば良く、例えば、白金、パラジウム、ロジウム等が挙げられる。また、メッキ液中の貴金属としては、ガスセンサの電極として用いられるものであれば良く、例えば、白金、パラジウム、ロジウム等が挙げられる。なお、核とメッキ液中の貴金属は同一材料であっても良いし、別材料であっても良い。
Further, the mask jig mounting step may be performed after the nucleation step and before the plating step, or may be performed before the nucleation step.
In addition, the nuclei to be attached to the inner surface of the substrate in the nucleation process may act as a catalyst for the plating solution later, and examples thereof include platinum, palladium, and rhodium. Further, the noble metal in the plating solution may be any one used as an electrode of a gas sensor, and examples thereof include platinum, palladium, rhodium and the like. The core and the noble metal in the plating solution may be the same material or different materials.
さらに、上記のガスセンサ素子の製造方法であって、前記マスク外面の前記円弧の長さは、前記基体の内表面のうち前記マスク部を周方向に含む筒状部の周長の1/2より長く、上記筒状部の周長以下であるガスセンサ素子の製造方法とすると良い。 Furthermore, in the method for manufacturing the gas sensor element described above, the length of the arc on the outer surface of the mask is more than half of the peripheral length of the cylindrical portion including the mask portion in the circumferential direction on the inner surface of the base. A gas sensor element manufacturing method that is long and equal to or less than the circumferential length of the cylindrical portion is preferable.
上述の製造方法では、マスク治具として、マスク外面の円弧(マスク治具を軸線方向に直交する方向に切断した断面における円弧)の長さが、基体の内表面のうちマスク部を周方向に含む筒状部の周長(軸線まわりの円周長)の1/2より長く、筒状部の周長以下であるマスク治具を用いる。このような形状のマスク治具を用いることで、マスク治具の弾性復元力により、マスク外面をマスク部に隙間無く密着させて、マスク治具をマスク部に確実に固定することができる。従って、マスク治具を装着したときに、マスク部とマスク治具の外面との間に隙間が生じることがない。 In the above manufacturing method, as the mask jig, the length of the arc on the outer surface of the mask (the arc in the cross section obtained by cutting the mask jig in a direction orthogonal to the axial direction) is the circumferential direction of the mask portion of the inner surface of the substrate. A mask jig that is longer than ½ of the circumferential length of the cylindrical portion (circumferential length around the axis) and not more than the circumferential length of the cylindrical portion is used. By using the mask jig having such a shape, the mask jig can be securely fixed to the mask portion by making the mask outer surface closely contact the mask portion without any gap by the elastic restoring force of the mask jig. Therefore, when the mask jig is mounted, there is no gap between the mask portion and the outer surface of the mask jig.
さらに、上記いずれかのガスセンサ素子の製造方法であって、前記メッキ工程に先立って、前記基体の内表面のうち前記電極予定部及び前記マスク部を除いたメッキレジスト部に、メッキレジスト膜を形成するメッキレジスト膜形成工程と、上記メッキ工程の後、上記メッキレジスト膜を焼失させる焼失工程と、を備えるガスセンサ素子の製造方法とすると良い。 Further, in any of the above gas sensor element manufacturing methods, prior to the plating step, a plating resist film is formed on a plating resist portion excluding the predetermined electrode portion and the mask portion on the inner surface of the substrate. It is preferable to provide a gas sensor element manufacturing method comprising: a plating resist film forming step to be performed; and a burnout step of burning the plating resist film after the plating step.
上述の製造方法では、メッキ工程に先立って、メッキレジスト膜形成工程において、基体の内表面のうち電極予定部及びマスク部を除いた部位(メッキレジスト部)に、メッキレジスト膜を形成する。これにより、後のメッキ工程において、基体の内表面のうちマスク治具を装着した部位(マスク部)に加えて、メッキレジスト膜を形成した部位(メッキレジスト部)にも貴金属を析出させることなく、基体の内表面の電極予定部にのみ、貴金属を析出させることができる。このため、貴金属の使用量をより一層低減することができる。 In the above-described manufacturing method, prior to the plating step, in the plating resist film forming step, a plating resist film is formed on a portion (plating resist portion) on the inner surface of the substrate excluding the planned electrode portion and the mask portion. Thereby, in the subsequent plating step, in addition to the portion (mask portion) where the mask jig is mounted on the inner surface of the substrate, no precious metal is deposited on the portion where the plating resist film is formed (plating resist portion). The noble metal can be deposited only on the electrode portion on the inner surface of the substrate. For this reason, the usage-amount of a noble metal can be reduced further.
しかも、上述のガスセンサ素子の製造方法では、メッキ工程の後、メッキレジスト膜を焼失させる焼失工程を備えている。これにより、メッキ工程後に不要となるメッキレジスト膜を、適切に除去することができる。また、焼失によるメッキレジスト膜の除去方法は、メッキレジスト膜を剥離して除去する方法に比べて、容易に且つ適切に、メッキレジスト膜を除去することができる。 In addition, the above-described method for manufacturing a gas sensor element includes a burnout process for burning the plating resist film after the plating process. Thereby, the plating resist film which becomes unnecessary after a plating process can be removed appropriately. Also, the plating resist film removal method by burning can remove the plating resist film more easily and appropriately than the method of peeling and removing the plating resist film.
また、メッキレジスト膜を形成する方法としては、例えば、メッキレジスト(塗料)を、基体の内表面のうちメッキレジスト部に塗布し、これを硬化させて、メッキレジスト膜を形成する方法が挙げられる。メッキレジスト(塗料)としては、例えば、アクリル系マスク材、エマルション、染料、セラミック焼成用バインダーペーストなどが挙げられる。 Moreover, as a method of forming a plating resist film, for example, a method of forming a plating resist film by applying a plating resist (coating material) to the plating resist portion of the inner surface of the substrate and curing it is exemplified. . Examples of the plating resist (paint) include an acrylic mask material, an emulsion, a dye, and a ceramic baking binder paste.
なお、メッキレジスト膜は、基体の内表面のうちマスク治具を装着することが難しい部位(例えば、基体の底部)に電極を形成したくない場合に、極めて効果的となる。基体の内表面のうちマスク治具を装着することが難しい部位(例えば、基体の底部(先端面))であっても、メッキレジスト膜を形成する(メッキレジストを塗布する)ことは可能であるため、当該部位へのメッキ(電極形成)を防止することができる。
また、メッキレジスト膜形成工程は、マスク治具装着工程より先に行うようにしても良いし、マスク治具装着工程の後に行うようにしても良い。
Note that the plating resist film is extremely effective when it is not desired to form an electrode on a portion of the inner surface of the base where it is difficult to mount the mask jig (for example, the bottom of the base). It is possible to form a plating resist film (apply a plating resist) even at a portion of the inner surface of the substrate where it is difficult to mount the mask jig (for example, the bottom (tip surface) of the substrate). Therefore, plating (electrode formation) on the part can be prevented.
Further, the plating resist film forming step may be performed before the mask jig mounting step or after the mask jig mounting step.
さらに、上記のガスセンサ素子の製造方法であって、前記メッキレジスト膜形成工程では、前記メッキレジスト膜として、金属成分を含まない有機物からなるメッキレジスト膜を形成するガスセンサ素子の製造方法とすると良い。 Further, the gas sensor element manufacturing method described above may be a gas sensor element manufacturing method in which, in the plating resist film forming step, a plating resist film made of an organic substance not containing a metal component is formed as the plating resist film.
メッキレジスト膜に金属成分が含まれていると、後の焼失工程においてメッキレジスト膜を焼失させた後も、その金属成分が基体の内表面に残存してしまう。この残存した金属成分は、ガスセンサ素子の特性に影響を及ぼす虞がある。このため、メッキレジスト膜に金属成分が含まれているのは好ましくない。 When the metal component is contained in the plating resist film, the metal component remains on the inner surface of the substrate even after the plating resist film is burned out in a later burning step. This remaining metal component may affect the characteristics of the gas sensor element. For this reason, it is not preferable that the plating resist film contains a metal component.
これに対し、上述のガスセンサ素子の製造方法では、メッキレジスト膜形成工程において、金属成分を含まない有機物からなるメッキレジスト膜を形成する。このため、焼失工程では、「基体の内表面(メッキレジスト膜を形成していた部位)に金属成分が残存する」という上記不具合が生じることがなく、有機物からなるメッキレジスト膜を適切に焼失させることができる。 On the other hand, in the gas sensor element manufacturing method described above, in the plating resist film forming step, a plating resist film made of an organic substance not containing a metal component is formed. For this reason, in the burn-out process, the above-mentioned problem that “the metal component remains on the inner surface of the substrate (the portion where the plating resist film was formed)” does not occur, and the plating resist film made of an organic material is appropriately burned off. be able to.
なお、金属成分を含まない有機物からなるメッキレジスト膜を形成する方法としては、例えば、金属成分を含まない有機物からなるメッキレジスト(塗料)を、基体の内表面のうち電極予定部を除いた部位に塗布し、これを硬化させて、金属成分を含まない有機物からなるメッキレジスト膜を形成する方法が挙げられる。 In addition, as a method of forming a plating resist film made of an organic material that does not contain a metal component, for example, a plating resist (paint) made of an organic material that does not contain a metal component is removed from a portion of the inner surface of the substrate excluding a predetermined electrode portion. And a method of forming a plating resist film made of an organic material that does not contain a metal component.
また、金属成分を含まない有機物からなるメッキレジスト(塗料)としては、例えば、アクリル系マスク材、エマルション、染料、セラミック焼成用バインダーペーストなどが挙げられる。このうち、エマルションとしては、アクリル系エマルション(具体的には、例えば、サイビノールCA−1108(サイデン化学株式会社製、商品名)を例示できる。 Examples of the plating resist (paint) made of an organic material not containing a metal component include acrylic mask materials, emulsions, dyes, ceramic baking binder pastes, and the like. Among these, as the emulsion, an acrylic emulsion (specifically, for example, Cybinol CA-1108 (trade name, manufactured by Saiden Chemical Co., Ltd.) can be exemplified.
本発明の他の態様は、ガスセンサ素子と、このガスセンサ素子を保持する主体金具と、を有するガスセンサの製造方法であって、前記いずれかのガスセンサ素子の製造方法により上記ガスセンサ素子を製造し、その後に、当該ガスセンサ素子を上記主体金具の内側に保持させる工程を備えるガスセンサの製造方法である。
Another aspect of the present invention includes a gas sensor element, a metal shell for holding the gas sensor element, a manufacturing method of a gas sensor having, to produce the gas sensor element by the manufacturing method of the preceding SL any of the gas sensor element, Thereafter, the gas sensor manufacturing method includes a step of holding the gas sensor element inside the metal shell.
上述のガスセンサの製造方法では、前述のガスセンサ素子の製造方法によりガスセンサ素子を製造し、その後に、当該ガスセンサ素子を主体金具の内側に保持させる工程を備える。前述のガスセンサ素子の製造方法によれば、基体の内表面に貴金属からなる電極を形成する際、貴金属の使用量を低減することができる。従って、上述のガスセンサの製造方法によれば、貴金属の使用量が低減されたガスセンサを製造することができる。
The above-described gas sensor manufacturing method includes the steps of manufacturing the gas sensor element by the above-described gas sensor element manufacturing method and then holding the gas sensor element inside the metal shell . According to the gas sensor element manufacturing method described above, the amount of noble metal used can be reduced when an electrode made of a noble metal is formed on the inner surface of the substrate. Therefore, according to the above-described gas sensor manufacturing method, it is possible to manufacture a gas sensor in which the amount of noble metal used is reduced.
(実施例1)
次に、本発明の実施例1について、図面を参照しつつ説明する。
まず、本実施例1にかかるガスセンサ素子の製造方法に用いる基体1について説明する。基体1は、図1〜図3に示すように、軸線AXに沿って延び、一端が閉塞され他端が開放された有底筒状をなしている。ここで、基体1のうち、閉塞された側の端部を先端部1sとし、開放された側の端部を後端部1eとする。
Example 1
Next, Example 1 of the present invention will be described with reference to the drawings.
First, the
基体1の軸線方向(軸線AXに沿った方向、図2及び図3において上下方向)の略中間部には、径方向外側に突出する環状の鍔部2が形成されている。この鍔部2は、後述するガスセンサ30の主体金具31内に基体1を係合するために用いられる。
An
このような基体1の内表面1nのうち、これから電極21を形成しようとする部位(電極を形成する予定の部位)が、電極予定部3である。電極予定部3は、電極21のうち検知部21gとなる予定の検知予定部3gと、リード部21sとなる予定のリード予定部3sと、端子接続部21tとなる予定の端子接続予定部3tとからなる。
Of the
このうち、検知予定部3gは、基体1の内表面1nのうち、鍔部2の先端部2sより先端側(先端部1s側、図2及び図3において下側)に位置する全ての部位である。すなわち、検知予定部3gは、基体1の内表面1nのうち、鍔部2の先端部2sより先端側に位置する部位であって、基体1の周方向について全周にわたる部位とされている。
Among these, the detection scheduled
また、端子接続予定部3tは、基体1の内表面1nのうち後端側(後端部1e側)に位置する部位であって、基体1の周方向について全周にわたる環状の部位である。
Further, the terminal connection planned
また、リード予定部3sは、基体1の内表面1nのうち、検知予定部3gの後端(基体1の後端部1e側に位置する端部、図2において上端)の位置から端子接続予定部3tの先端(基体1の先端部1s側に位置する端部、図2において下端)の位置まで、線状に延びる形態(詳細には、断面弧状をなして軸線方向に延びる形態)の部位である。このリード予定部3sは、基体1の周方向について、一部分の範囲D(図1において矢印で示す範囲、中心角80°の円弧)とされている。
Further, the
また、基体1の内表面1nのうち、電極予定部3(検知予定部3g、リード予定部3s、及び端子接続予定部3t)を除いた部位が、マスク部4(非電極予定部)である。このマスク部4は、基体1の内表面1nのうち、基体1の周方向についてリード予定部3sと隣り合う部位である。詳細には、検知予定部3gの後端の位置から端子接続予定部3tの先端の位置まで、断面弧状(中心角280°の円弧)をなして軸線AX方向(図2及び図3において上下方向)に延びる形態の部位である。
なお、図2及び図3では、電極予定部3とマスク部4との境界を破線で示している。
Further, a portion of the
2 and 3, the boundary between the
このような基体1としては、例えば、公知のプレス成形法を用いて、ジルコニアを主成分とする固体電解質体を有底筒状の成形体とした後、これを1500℃で2時間程度焼成したものを用いることができる。
なお、基体1の内表面1nのうちマスク部4を周方向に含む筒状部1m(マスク部4の先端から後端にわたって軸線AX方向に延びる円筒形状の部位)の周長(軸線AX回りの円周長)は、L2で一定である(図1参照)。また、マスク部4の曲率半径は、R2で一定である(図1、図2参照)。
As such a
It should be noted that the peripheral length (around the axis AX) of the
次に、本実施例1にかかるガスセンサ素子の製造方法について説明する。
まず、公知の手法(例えば、特開2007−248123号参照)を用いて、基体1の外表面1hに電極(図示なし)を形成する。
Next, a method for manufacturing the gas sensor element according to the first embodiment will be described.
First, an electrode (not shown) is formed on the
次いで、核付け工程において、基体1の内表面1nに核を付着させる。具体的には、まず、図4に示すように、注液装置11を用いて、基体1の内部空間Sに、塩化白金酸水溶液8(白金濃度;0.5g/L)を注入する。なお、本実施例1では、基体1の後端部1eに、シリコンゴムからなる液溜め部材13を装着し、基体1の内部空間Sを満たした塩化白金酸水溶液8が基体1の内部空間Sから溢れて液溜め部材13に達するまで、塩化白金酸水溶液8を注液する。
Next, in the nucleation step, nuclei are attached to the
次いで、基体1の内部空間Sを満たしている塩化白金酸水溶液8を加熱する。これにより、基体1の内表面1nに塩化白金酸の水溶液の塗膜を形成することができる。その後、注液装置11を用いて、基体1の内部空間Sに注入した塩化白金酸水溶液8を、基体1の外部に排出する。
Next, the chloroplatinic acid aqueous solution 8 filling the internal space S of the
次いで、注液装置11を用いて、基体1の内部空間Sにヒドラジン水溶液9(濃度;5質量%)を注入する。このときも、基体1の後端部1eに液溜め部材13を装着した状態で、基体1の内部空間Sを満たしたヒドラジン水溶液9が基体1の内部空間Sから溢れて液溜め部材13に達するまで、ヒドラジン水溶液9を注液する。その後、注入したヒドラジン水溶液9を加熱し、75℃とした状態で30分間放置する。これにより、基体1の内表面1nに白金の核を析出させることができる。その後、注液装置11を用いて、基体1の内部空間Sに注入したヒドラジン水溶液9を、基体1の外部に排出する。
Next, a hydrazine aqueous solution 9 (concentration: 5 mass%) is injected into the internal space S of the
次に、マスク治具装着工程に進み、基体1の内表面1nのうちマスク部4に、マスク治具18を装着する(図9〜図11参照)。
ここで、マスク治具18について詳細に説明する。マスク治具18は、図5及び図6に示すように、軸線AX方向に延びる曲板形状をなしている。マスク治具18は、マスク治具18をマスク部4に装着したときにマスク部4と接するマスク外面18bを有している。なお、図5及び図7において上下方向が、軸線AX方向(軸線AXが延びる方向)に一致する。
Next, it progresses to a mask jig | tool mounting process, and the mask jig |
Here, the
このマスク外面18bは、マスク治具18をマスク部4に装着したときに軸線AX方向に直交する方向に切断した断面(図6の断面に相当する)において円弧をなす。この円弧の長さL1は、基体1の内表面1nのうちマスク部4を周方向に含む筒状部1mの周長L2の1/2より長く、L2より短くされている。すなわち、(L2/2)<L1<L2の関係を満たしている。また、マスク治具18をマスク部4に装着する前のマスク外面18b(図6に示す状態のマスク外面18b)の曲率半径R1bは、マスク部4の曲率半径R2よりも大きくされている。
The mask
このマスク治具18は、ポリプロピレンからなり、マスク外面18bの曲率半径R1が拡縮する方向に弾性変形可能とされている。これにより、図7及び図8に示すように、マスク外面18bの曲率半径R1が縮小する方向にマスク治具18を弾性変形させる(例えば、マスク外面18bの曲率半径R1を、マスク部4の曲率半径R2と同等のR1cにする)ことができる。
The
このため、本実施例1のマスク治具装着工程では、マスク外面18bの曲率半径R1が縮小する方向にマスク治具18を弾性変形させつつ(マスク外面18bの曲率半径R1を、マスク部4の曲率半径R2以下にしつつ)、マスク治具18を基体1の内側に(マスク部4と重なる位置まで)挿入する(図9〜図11参照)と、その後のマスク治具18の弾性復元力により、マスク外面18bをマスク部4に密着させて(このとき、マスク外面18bの曲率半径は、マスク部4の曲率半径R2と同等のR1cとなる、図9参照)、マスク治具18をマスク部4に固定することができる。このようにして、本実施例1のマスク治具装着工程では、基体1の内表面1nのうちマスク部4にマスク治具18を装着(マスク部4をマスク治具18で被覆)する(図9〜図11参照)。
For this reason, in the mask jig mounting step of the first embodiment, the
なお、図9は、マスク治具18を装着した基体1の上面図(基体1をその後端部1e側から軸線AX方向に見た図)に相当する。また、図10は、図9のH−H矢視断面図に相当する。また、図11は、図9のG−G矢視断面図に相当する。
FIG. 9 corresponds to a top view of the
次に、メッキ工程に進み、基体1の内表面1nに析出させた核が触媒として作用するメッキ液12を用いて、メッキ液12中の貴金属(白金)を、基体1の内表面1nのうち電極予定部3(検知予定部3g、リード予定部3s、及び端子接続予定部3t)に析出させる。具体的には、図12に示すように、注液装置15を用いて、基体1の内部空間Sにメッキ液12を注入する。このとき、基体1の後端部1eに液溜め部材13を装着した状態で、基体1の内部空間Sを満たしたメッキ液12が基体1の内部空間Sから溢れて液溜め部材13に達するまで、メッキ液12を注入する。
Next, the process proceeds to a plating step, and the noble metal (platinum) in the
なお、本実施例1では、メッキ液12として、白金錯塩水溶液(白金濃度;15g/L)とヒドラジンの水溶液(濃度;85質量%)とを混合して調整したメッキ液を用いている。
次いで、基体1の内部空間S内に注入したメッキ液12を加熱し、その後、所定時間放置する。これにより、メッキ液12中の白金を、基体1の内表面1n(電極予定部3)に析出させることができる。その後、注液装置15を用いて、基体1の内部空間Sに注入したメッキ液12を、基体1の外部に排出する。
In Example 1, as the
Next, the
本実施例1では、前述のように、メッキ工程に先立って、マスク治具装着工程において、基体1の内表面1nのうち電極予定部3を除いたマスク部4に、マスク治具18を装着(マスク治具18でマスク部4を被覆)している。このため、上述のメッキ工程において、基体1の内表面1nのうちマスク治具18を設けた部位(マスク部4)には、貴金属(白金)を析出させることなく、基体1の内表面1nのうちマスク治具18を設けていない部位(電極予定部3)にのみ、貴金属(白金)を析出させることができる。
In the first embodiment, as described above, the
従って、図13及び図14に示すように、基体1の内表面1nのうちマスク治具18を設けていない部位(電極予定部3)にのみ、貴金属(白金)からなる電極21を形成することができる。詳細には、電極予定部3の検知予定部3gに、電極21の検知部21gを形成することができ、電極予定部3のリード予定部3sに、電極21のリード部21sを形成することができ、電極予定部3の端子接続予定部3tに、電極21の端子接続部21tを形成することができる。
なお、図13は、図10と同じ位置でメッキ済み基体20B(電極予定部3に貴金属を析出させた基体1)を切断した断面図である。また、図14は、図11と同じ位置でメッキ済み基体20Bを切断した断面図である。
Therefore, as shown in FIGS. 13 and 14, the
FIG. 13 is a cross-sectional view of the plated
このように、本実施例1の製造方法では、基体1の内表面1nについて、電極が必要な部位に選択的に、貴金属からなる電極21(検知部21gとリード部21sと端子接続部21t)を形成することができる。このため、本実施例1では、メッキ工程において基体の内表面全体に貴金属を析出させて、基体の内表面全体に貴金属からなる電極を形成する場合に比べて、貴金属の使用量を低減することができる。
As described above, in the manufacturing method of the first embodiment, the
次に、マスク治具取り外し工程に進み、メッキ済み基体20Bから、マスク治具18を取り外す(図15及び図16参照)。マスク治具18は、自身の弾性復元力によってマスク部4に固定されているだけなので、容易に、マスク治具18をメッキ済み基体20Bから取り外すことができる。
なお、図15は、図13と同じ位置でメッキ済み基体20Bを切断した断面図である。また、図16は、図14と同じ位置でメッキ済み基体20Bを切断した断面図である。
Next, the process proceeds to a mask jig removing step, and the
FIG. 15 is a cross-sectional view of the plated
その後、還元処理工程に進み、メッキ済み基体20Bを、750℃の還元雰囲気で加熱処理する。これにより、電極21(白金メッキ)の表面に吸着している酸素を取り除くと共に、電極21(白金メッキ)を基体1の内表面1nに焼き付けて、所定の特性を有する電極21を形成することができる。このようにして、本実施例1のガスセンサ素子20(図15及び図16参照)が完成する。
Thereafter, the process proceeds to a reduction process, and the plated
上述のようにして製造したガスセンサ素子20は、従来のガスセンサ素子と同様にして、ガスセンサの製造に用いることができる。本実施例1では、ガスセンサ素子20を用いて、公知の組立方法(例えば、特開2004−053425号参照)により、ガスセンサ30を製造した。図17は、本発明の製造方法によって製造されたガスセンサ素子20を用いたガスセンサ30の一例を示したものである。
The
ガスセンサ30は、図17に示すように、ガスセンサ素子20と、このガスセンサ素子20を包囲する筒状の主体金具31とを有する。さらに、ガスセンサ30は、内側端子部材32とヒータ33とを有する。ヒータ33は、ガスセンサ素子20の内部に配置されると共に、内側端子部材32によって姿勢が保持されている。詳細には、ヒータ33は、内側端子部材32によって、その先端部33bがガスセンサ素子20の電極21(検知部21g)に接触した状態に保持されている。
As shown in FIG. 17, the
主体金具31は、その中空筒内部に、金属製パッキン34,35,36、インシュレータ37,38、及びタルク粉末39を介在させて、ガスセンサ素子20(基体1)の鍔部2を係合保持している。これにより、ガスセンサ素子20は、その先端部20bを主体金具31の先端側開口部31bから突出させた状態で、主体金具31によって保持されている。
The
さらに、主体金具31には、主体金具31の先端側開口部31bから突出するガスセンサ素子20の先端部20bを覆うように、プロテクタ40が取り付けられている。このプロテクタ40は、外側プロテクタ40aと内側プロテクタ40bとを有する二重構造をなしている。外側プロテクタ40a及び内側プロテクタ40bには、排気ガスを通過させる複数の通気口が形成されている。このため、ガスセンサ素子20の外表面に形成されている電極(以下、外側電極ともいう)の検知部に、プロテクタ40の通気口から導入された排気ガスを接触させることができる。
Further, a protector 40 is attached to the
なお、外側電極の検知部は、例えば、基体1の外表面1hのうち、基体1の厚み方向について電極21の検知部21gが存在する部位に形成されている。すなわち、外側電極の検知部は、例えば、基体1の外表面1hのうち、鍔部2の先端部2sより先端側(図2及び図3において下側)に位置する全ての部位に形成されている。また、本実施例1のガスセンサ30では、パッキン34,35による封止によって、プロテクタ40の通気口からガスセンサ30内に導入された排気ガスが、ガスセンサ素子20の鍔部2よりも後端側(図17において上側)には取り込まれないようにしている。
In addition, the detection part of an outer electrode is formed in the site | part in which the
一方、主体金具31において、六角部31hより後端側(図17において上側)の接続部31cには、筒状の金属外筒41の先端部が、外側からの全周レーザ溶接により固着されている。また、この金属外筒41の後端側開口部は、フッ素ゴムで構成されたグロメット42を嵌入させて、加締封止されている。このグロメット42の先端側(図17において下側)には、絶縁性のアルミナセラミックからなるセパレータ43が設けられている。そして、グロメット42の貫通孔及びセパレータ43の貫通孔(保持孔43d)内には、センサ出力リード線44,45及びヒータリード線46,47が挿入されている。
On the other hand, in the
なお、グロメット42の中央にも、軸線AXに沿う貫通孔が形成されている。この貫通孔には、撥水性及び通気性を兼ね備えるシート状のフィルタ48によって被覆された金属パイプ49が嵌め込まれている。これにより、ガスセンサ30の外部に存在する大気を、フィルタ48を通じて金属外筒41内に導入し、さらには、ガスセンサ素子20の内部に導入して、電極21の検知部21gに接触させることができる。
A through hole along the axis AX is also formed in the center of the
このガスセンサ30では、外側電極と電極21(内側電極)との間に所定の電圧を印加すると、外側電極の検知部に接触する排気ガス中の酸素濃度と、電極21(内側電極)の検知部21gに接触する大気の酸素濃度との濃度差に応じた電流が流れる。この電流値を検知することで、排気ガス中の酸素濃度を把握することができる。
In this
また、ステンレス鋼板からなる外側端子部材50は、軸線AXの直交方向断面が略C字状をなす外嵌部50pと、この外嵌部50pの後端側中央付近から後端側に延びるセパレータ挿入部50sと、さらにこの後端側に位置するコネクタ部50cとを含む。このうちコネクタ部50cは、センサ出力リード線45の芯線を加締めにより把持して、外側端子部材50とセンサ出力リード線45とを電気的に接続する。
Further, the
また、セパレータ挿入部50sは、セパレータ43内に挿入されると共に、このセパレータ挿入部50sから分岐して突出するセパレータ当接部50dが、保持孔43dに弾性的に当接することにより、外側端子部材50自身をセパレータ43内に保持している。
また、外嵌部50pは、ガスセンサ素子20の外表面に形成された電極(外側電極)と接触している。これにより、外側電極と外側端子部材50とが電気的に接続する。
Further, the
Further, the outer
また、ステンレス銅板からなる内側端子部材32は、軸線AXの直交方向断面が略馬蹄形状の素子挿入部32kと、素子挿入部32kの後端側中央付近から後端側に延びるセパレータ挿入部32sと、さらにこの後端側に位置するコネクタ部32cとを有する。このうち、コネクタ部32cは、センサ出力リード線44の芯線を加締めにより把持して、内側端子部材32とセンサ出力リード線44とを電気的に接続する。
The
また、セパレータ挿入部32sは、セパレータ43内に挿入されると共に、このセパレータ挿入部32sから分岐して突出するセパレータ当接部32dが、保持孔43dに弾性的に当接して、内側端子部材32自身をセパレータ43内に保持している。
また、内側端子部材32の素子挿入部32kは、ガスセンサ素子20の内部に挿入されて、電極21の端子接続部21tと接触している。これにより、電極21の端子接続部21tと内側端子部材32とが電気的に接続する。
The
The
(実施例2)
次に、本発明の実施例2について、図面を参照しつつ説明する。
なお、本実施例2のガスセンサは、実施例1のガスセンサと比較して、電極の検知部の形状が異なり(従って、基体の電極予定部の検知予定部の形状が異なる)、その他の部位については同様である。また、本実施例2の製造方法は、実施例1の製造方法と比較して、検知部を形成する方法のみが異なり、その他については同様である。従って、ここでは、実施例1と異なる点を中心に説明し、実施例1と同様な点については説明を省略または簡略化する。
(Example 2)
Next,
In addition, the gas sensor of the present Example 2 differs in the shape of the electrode detection part from the gas sensor of Example 1 (therefore, the shape of the scheduled detection part of the planned electrode part of the substrate is different), and other parts Is the same. Further, the manufacturing method of the second embodiment is different from the manufacturing method of the first embodiment only in the method of forming the detection part, and the other is the same. Therefore, here, the description will focus on the differences from the first embodiment, and the description of the same points as in the first embodiment will be omitted or simplified.
まず、本実施例2にかかるガスセンサ素子の製造方法に用いる基体101について説明する。本実施例2の基体101は、実施例1の基体1と比較して、電極予定部103(詳細には、検知予定部103g)の形状(範囲)が異なる(図18〜図20参照)。具体的には、本実施例2の基体101では、実施例1の検知予定部3gのうち基体の先端側の部位(先端面101p)を、メッキレジスト部105(後に、メッキレジスト膜を形成する部位)に変更している。これにより、本実施例2の基体101では、検知予定部103gが、基体101の内表面101nのうち、鍔部102の先端部102sの位置から先端側(先端部101s側、図19及び図20において下側)に向かって延びる筒形状の部位となる。
First, the base |
本実施例2の電極予定部103は、電極121の検知部121gとなる予定の検知予定部103gと、リード部121sとなる予定のリード予定部103s(実施例1のリード予定部3sと同等の部位)と、端子接続部121tとなる予定の端子接続予定部103t(実施例1の端子接続予定部3tと同等の部位)とからなる(図18〜図20参照)。
The planned
また、基体101の内表面101nのうち、電極予定部103(検知予定部103g、リード予定部103s、及び端子接続予定部103t)を除いた部位が、マスク部104及びメッキレジスト部105(非電極予定部)である。マスク部104は、実施例1のマスク部4と同等の部位である。メッキレジスト部105は、基体101の内表面101nのうち先端面101pに一致する部位であり、略半球面状をなしている。
Further, portions of the
なお、図19及び図20では、電極予定部3とマスク部4及びメッキレジスト部105との境界を破線で示している。
また、基体101の内表面101nのうちマスク部104を周方向に含む筒状部101m(実施例1の筒状部1mと同等の部位)の周長(軸線AX回りの円周長)は、L2で一定である(図18参照)。また、マスク部104の曲率半径は、R2で一定である(図19及び図20参照)。
In FIG. 19 and FIG. 20, the boundaries between the
Further, the circumferential length (circumferential length around the axis AX) of the
次に、本実施例2にかかるガスセンサ素子の製造方法について説明する。
まず、実施例1と同様にして、基体101の外表面110hに電極(図示なし)を形成する。次いで、核付け工程において、実施例1と同様にして、基体101の内表面101nに核を付着させる(図4参照)。
Next, a method for manufacturing the gas sensor element according to the second embodiment will be described.
First, in the same manner as in Example 1, electrodes (not shown) are formed on the outer surface 110h of the
次に、メッキレジスト膜形成工程に進み、基体101の内表面101nのうちメッキレジスト部105に、メッキレジスト膜110を形成する(図21〜図23参照)。具体的には、メッキレジスト部105にメッキレジスト110bを塗布し、これを加熱乾燥により硬化させて、メッキレジスト膜110を形成する。なお、本実施例2では、メッキレジスト110bとして、アクリル系エマルションであるサイビノールCA−1108(サイデン化学株式会社製、商品名)を用いている。このメッキレジスト110bは、金属成分を含まない有機物からなるメッキレジスト(塗料)である。従って、本実施例2では、メッキレジスト膜110が、金属成分を含まない有機物からなるメッキレジスト膜となる。
Next, it progresses to a plating resist film formation process, and forms the plating resist
その後、マスク治具装着工程に進み、実施例1と同様にして、基体101の内表面101nのうちマスク部104に、マスク治具18を装着する(図21〜図23参照)。
なお、図21は、マスク治具18を装着した基体101の上面図(基体101をその後端部101e側から軸線AX方向に見た図)に相当する。また、図22は、図21のM−M矢視断面図に相当する。また、図23は、図21のL−L矢視断面図に相当する。
Thereafter, the process proceeds to a mask jig mounting step, and the
FIG. 21 corresponds to a top view of the
次に、メッキ工程に進み、実施例1と同様にして、メッキ液12中の貴金属(白金)を、基体101の内表面101nに析出させる。
Next, the process proceeds to the plating step, and the noble metal (platinum) in the
ところで、本実施例2では、前述のように、メッキ工程に先立って、メッキレジスト膜形成工程において、基体101の内表面101nのうち電極予定部103とは異なるメッキレジスト部105に、メッキレジスト膜110を形成している。さらに、メッキ工程に先立って、マスク治具装着工程において、基体101の内表面101nのうち電極予定部103及びメッキレジスト部105を除いたマスク部104に、マスク治具18を装着している。
In the second embodiment, as described above, prior to the plating process, in the plating resist film forming process, the plating resist
このため、上述のメッキ工程では、基体101の内表面101nのうちマスク治具18及びメッキレジスト膜110を設けた部位(マスク部104とメッキレジスト部105)には、貴金属(白金)を析出させることなく、基体101の内表面101nのうちマスク治具18及びメッキレジスト膜110を設けていない部位(電極予定部103)にのみ、貴金属(白金)を析出させることができる。
For this reason, in the above-described plating step, noble metal (platinum) is deposited on the portion of the
従って、図25及び図26に示すように、基体101の内表面101nのうちマスク治具18及びメッキレジスト膜110を設けていない部位(電極予定部103)にのみ、貴金属(白金)からなる電極121を形成することができる。詳細には、電極予定部103の検知予定部103gに、電極121の検知部121gを形成することができ、電極予定部103のリード予定部103sに、電極121のリード部121sを形成することができ、電極予定部103の端子接続予定部103tに、電極121の端子接続部121tを形成することができる。
Therefore, as shown in FIGS. 25 and 26, an electrode made of a noble metal (platinum) is provided only on a portion (the planned electrode portion 103) where the
なお、図25は、図22と同じ位置でメッキ済み基体120B(電極予定部103に貴金属を析出させた基体101)を切断した断面図である。また、図26は、図23と同じ位置でメッキ済み基体120Bを切断した断面図である。
25 is a cross-sectional view of the plated
このように、本実施例2の製造方法では、基体101の内表面101nについて、電極が必要な部位に選択的に、貴金属からなる電極121(検知部121gとリード部121sと端子接続部121t)を形成することができる。このため、本実施例2では、メッキ工程において基体の内表面全体に貴金属を析出させて、基体の内表面全体に貴金属からなる電極を形成する場合に比べて、貴金属の使用量を低減することができる。
As described above, in the manufacturing method according to the second embodiment, the
特に、本実施例2の製造方法は、基体101の内表面101nのうちマスク治具18を装着することが困難な部位(具体的には、先端面101p)に対し、メッキレジストを塗布しメッキレジスト膜を形成することで、当該部位(具体的には、先端面101p)への貴金属メッキを防止することができる点で優れている。このように、本実施例2の製造方法は、基体の内表面のうちマスク治具を装着することが難しい部位に電極(貴金属メッキ)を形成したくない場合に、極めて効果的となる。
In particular, in the manufacturing method of the second embodiment, a plating resist is applied to a portion of the
次に、マスク治具取り外し工程に進み、実施例1と同様にして、メッキ済み基体120Bから、マスク治具18を取り外す。
Next, the process proceeds to a mask jig removing step, and the
次に、焼失工程に進み、マスク治具18を取り外したメッキ済み基体120Bを、約500℃の大気雰囲気で加熱処理し、メッキレジスト膜110を焼失させた。これにより、メッキレジスト膜110を、基体101の内表面101n(メッキレジスト部105)から適切に除去することができた(図27及び図28参照)。このように、メッキレジスト膜を焼失させることで、メッキレジスト膜を剥離して除去する場合に比べて、容易に且つ適切にメッキレジスト膜を除去することができる。
なお、図27は、図25と同じ位置でメッキ済み基体120Bを切断した断面図である。また、図28は、図26と同じ位置でメッキ済み基体120Bを切断した断面図である。
Next, proceeding to the burning step, the plated
27 is a cross-sectional view of the plated
ところで、メッキレジスト膜に金属成分が含まれていると、焼失工程においてメッキレジスト膜を焼失させた後も、その金属成分が基体の内表面に残存してしまう虞がある。この残存した金属成分は、ガスセンサ素子の特性に影響を及ぼす虞がある。このため、メッキレジスト膜に金属成分が含まれているのは好ましくない。 By the way, if a metal component is contained in the plating resist film, the metal component may remain on the inner surface of the substrate even after the plating resist film is burned out in the burning step. This remaining metal component may affect the characteristics of the gas sensor element. For this reason, it is not preferable that the plating resist film contains a metal component.
これに対し、本実施例2では、前述のように、メッキレジスト膜形成工程において、金属成分を含まない有機物からなるメッキレジスト膜110を形成している。このため、焼失工程では、「基体の内表面(メッキレジスト膜を形成していた部位)に金属成分が残存する」という上記不具合が生じることがなく、有機物からなるメッキレジスト膜110を適切に焼失させることができる。
On the other hand, in the second embodiment, as described above, the plating resist
次に、還元処理工程に進み、メッキレジスト膜110を焼失させたメッキ済み基体120Bを、750℃の還元雰囲気で加熱処理する。これにより、電極121(白金メッキ)の表面に吸着している酸素を取り除くと共に、電極121(白金メッキ)を基体101の内表面101nに焼き付けて、所定の特性を有する電極121を形成することができる。このようにして、本実施例2のガスセンサ素子120(図27及び図28参照)が完成する。
Next, proceeding to a reduction treatment step, the plated
ところで、先の焼失工程において、還元処理工程における加熱温度(750℃)に近い温度またはそれ以上の温度環境にメッキ済み基体120Bを晒してしまうと、電極121(白金メッキ)の特性に影響が及ぶ(所定の特性が得られなくなる)虞がある。これに対し、本実施例2の焼失工程では、メッキレジスト膜110を700℃以下の温度(詳細には約500℃)で焼失させている。換言すれば、メッキレジスト膜形成工程において、700℃以下の温度(詳細には約500℃)で焼失するメッキレジスト膜110(焼失温度が700℃以下のメッキレジスト膜110)を形成している。このため、上記のような不具合(焼失工程において電極121の特性に影響を及ぼす)が生じる虞がない。
By the way, if the plated
上述のようにして製造したガスセンサ素子120は、従来のガスセンサ素子と同様にして、ガスセンサの製造に用いることができる。本実施例2では、ガスセンサ素子120を用いて、実施例1と同様にして、ガスセンサ130を製造した。図17は、本発明の製造方法によって製造されたガスセンサ素子120を用いたガスセンサ130の一例を示したものである。このガスセンサ130は、実施例1のガスセンサと比較して、ガスセンサ素子のみが異なり、その他の部位については同様である。
The
以上において、本発明を実施例1,2に即して説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。 In the above, the present invention has been described with reference to the first and second embodiments. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and it can be applied as appropriate without departing from the scope of the present invention. Nor.
具体的には、ガスセンサの製造については、ガスセンサ素子として本発明のガスセンサ素子の製造方法によって得られたものを用いることを除き、従来のガスセンサと同様にして製造することができる。このような本発明のガスセンサの製造方法によれば、ガスセンサ素子として貴金属の使用量が少ないものを用いるため、従来のガスセンサの製造方法に比べ安価にガスセンサを製造することが可能となる。 Specifically, the gas sensor can be manufactured in the same manner as a conventional gas sensor, except that the gas sensor element obtained by the gas sensor element manufacturing method of the present invention is used. According to such a gas sensor manufacturing method of the present invention, since a gas sensor element that uses a small amount of noble metal is used, a gas sensor can be manufactured at a lower cost than a conventional gas sensor manufacturing method.
また、実施例1では、核付け工程の後、メッキ工程の前に、マスク治具装着工程を行った。しかしながら、マスク治具装着工程は、核付け工程の前に行うようにしても良い。すなわち、基体1の内表面1nのマスク部4にマスク治具18を装着した後に、核付け工程とメッキ工程を行うようにしても良い。
In Example 1, a mask jig mounting step was performed after the nucleation step and before the plating step. However, the mask jig mounting step may be performed before the nucleation step. That is, the nucleation step and the plating step may be performed after the
また、実施例2では、核付け工程の後、メッキ工程の前に、マスク治具装着工程及びメッキレジスト膜形成工程を行った。しかしながら、マスク治具装着工程及びメッキレジスト膜形成工程は、核付け工程の前に行うようにしても良い。すなわち、基体101の内表面101nのマスク部104にマスク治具18を装着し、さらに、メッキレジスト部105にメッキレジスト膜110を形成した後に、核付け工程とメッキ工程を行うようにしても良い。
In Example 2, a mask jig mounting step and a plating resist film forming step were performed after the nucleation step and before the plating step. However, the mask jig mounting step and the plating resist film forming step may be performed before the nucleation step. That is, the nucleation process and the plating process may be performed after the
1,101 基体
1m,101m 筒状部
1n,101n 基体の内表面
3,103 電極予定部
3g,103g 検知予定部
3s,103s リード予定部
3t,103t 端子接続予定部
4,104 マスク部
105 メッキレジスト部
110 メッキレジスト膜
12 メッキ液
18 マスク治具
18b マスク外面
20,120 ガスセンサ素子
21,121 電極
21g,121g 検知部
21s,121s リード部
21t,121t 端子接続部
30,130 ガスセンサ
L1 マスク外面の円弧の長さ
L2 筒状部の周長
R1b マスク治具をマスク部に装着する前のマスク外面の曲率半径
R2 マスク部の曲率半径
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,101 Base |
Claims (5)
上記核が触媒として作用するメッキ液を用いて、上記メッキ液中の貴金属を上記基体の内表面に析出させるメッキ工程と、を経て、
上記基体の内表面に、上記貴金属からなる電極を形成するガスセンサ素子の製造方法であって、
上記メッキ工程に先立って、上記基体の内表面のうち上記電極を形成する予定の電極予定部とは異なるマスク部に、マスク治具を装着するマスク治具装着工程と、
上記マスク治具装着工程の後、上記基体内に注液装置を挿入し、上記注液装置を用いて上記メッキ液を上記基体内に注入することで、上記電極予定部に上記貴金属を析出させる上記メッキ工程と、を備え、
上記マスク治具は、
上記軸線方向に延びる形態で、
当該マスク治具を上記マスク部に装着したときに上記マスク部と接するマスク外面が、当該マスク治具を上記軸線方向に直交する方向に切断した断面において円弧をなし、
上記マスク外面の曲率半径が拡縮する方向に弾性変形可能とされ、
当該マスク治具を上記マスク部に装着する前の上記マスク外面の曲率半径が、上記マスク部の曲率半径よりも大きくされてなり、
上記マスク治具装着工程では、
上記マスク外面の曲率半径が縮小する方向に上記マスク治具を弾性変形させつつ、上記マスク治具を上記基体の内側に挿入し、上記マスク治具の弾性復元力により、上記マスク外面を上記マスク部に密着させると共に上記マスク治具を上記マスク部に固定する
ガスセンサ素子の製造方法。 A nucleation step of attaching nuclei to the inner surface of a bottomed cylindrical base extending in the axial direction;
Using a plating solution in which the nucleus acts as a catalyst, a plating step for precipitating a noble metal in the plating solution on the inner surface of the substrate, and
A gas sensor element manufacturing method for forming an electrode made of the noble metal on the inner surface of the substrate,
Prior to the plating step, a mask jig mounting step of mounting a mask jig on a mask portion different from the electrode planned portion on which the electrode is to be formed on the inner surface of the base body,
After the mask jig mounting step, a liquid injection device is inserted into the substrate, and the plating solution is injected into the substrate using the liquid injection device, so that the noble metal is deposited on the planned electrode portion. The plating step,
The mask jig is
In the form extending in the axial direction,
When the mask jig is mounted on the mask part, the mask outer surface that comes into contact with the mask part forms an arc in a cross section obtained by cutting the mask jig in a direction perpendicular to the axial direction,
It is possible to elastically deform in the direction in which the radius of curvature of the mask outer surface expands and contracts
The curvature radius of the mask outer surface before mounting the mask jig on the mask portion is made larger than the curvature radius of the mask portion,
In the mask jig mounting process,
The mask jig is inserted into the base while elastically deforming the mask jig in a direction in which the radius of curvature of the mask outer surface decreases, and the mask outer surface is masked by the elastic restoring force of the mask jig. A method for manufacturing a gas sensor element, wherein the mask jig is fixed to the mask portion while being in close contact with the portion.
前記マスク外面の前記円弧の長さは、前記基体の内表面のうち前記マスク部を周方向に含む筒状部の周長の1/2より長く、上記筒状部の周長以下である
ガスセンサ素子の製造方法。 It is a manufacturing method of the gas sensor element according to claim 1,
The length of the circular arc on the outer surface of the mask is longer than ½ of the circumferential length of the cylindrical portion including the mask portion in the circumferential direction on the inner surface of the base, and is not more than the circumferential length of the cylindrical portion. Device manufacturing method.
前記メッキ工程に先立って、前記基体の内表面のうち前記電極予定部及び前記マスク部を除いたメッキレジスト部に、メッキレジスト膜を形成するメッキレジスト膜形成工程と、
上記メッキ工程の後、上記メッキレジスト膜を焼失させる焼失工程と、を備える
ガスセンサ素子の製造方法。 It is a manufacturing method of the gas sensor element according to any one of claims 1 and 2,
Prior to the plating step, a plating resist film forming step of forming a plating resist film on the plating resist portion excluding the electrode portion and the mask portion of the inner surface of the substrate;
A method of manufacturing a gas sensor element, comprising: a burn-out step of burning off the plating resist film after the plating step.
前記メッキレジスト膜形成工程では、前記メッキレジスト膜として、金属成分を含まない有機物からなるメッキレジスト膜を形成する
ガスセンサ素子の製造方法。 It is a manufacturing method of the gas sensor element according to claim 3,
In the plating resist film forming step, a method of manufacturing a gas sensor element, wherein a plating resist film made of an organic material not containing a metal component is formed as the plating resist film.
請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載のガスセンサ素子の製造方法により上記ガスセンサ素子を製造し、その後に、当該ガスセンサ素子を上記主体金具の内側に保持させる工程を備える
ガスセンサの製造方法。
A gas sensor manufacturing method comprising a gas sensor element and a metal shell for holding the gas sensor element ,
To produce the gas sensor element by the manufacturing method of the gas sensor element according to any one of 請 Motomeko 1 to claim 4, thereafter, comprises a step of holding the gas sensor element inside said metal shell <br / > Manufacturing method of gas sensor.
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JP2007248123A (en) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Gas sensor element and manufacturing method of gas sensor |
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