JP5200692B2 - Data processing apparatus, voltage control method for data processing apparatus, and image forming apparatus - Google Patents
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Description
本発明は、データ処理手段と主記憶装置とを接続する接続線に、終端電圧を印加する回路構成を有したデータ処理装置、データ処理装置の電圧制御方法及び画像形成装置に関する。 The present invention relates to a data processing device having a circuit configuration for applying a termination voltage to a connection line connecting a data processing means and a main storage device, a voltage control method for the data processing device, and an image forming apparatus.
DDR−SDRAM(Double−Data−Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory)は、一定時間以上アクセスがない場合にパワーダウンモード若しくはセルフリフレッシュモードと呼ばれる通常動作時よりも消費電力を抑えたモードに移行する機能を有している。また、DDR−SDRAM等の高速信号は、データ処理手段とDRAM間のデータ通信線及び制御線に終端抵抗を介して終端電圧に接続されている。この終端電圧は、高速信号特有の波形反射と、これを起因とするショルダー(段付き波形)とによる誤動作を低減する役割を担う反面、データ処理の非実行時に終端抵抗は単なるプルアップ抵抗として振る舞うため、終端電圧から不必要に電流が流れることが分かっている。 DDR-SDRAM (Double-Data-Rate Synchronous Random Access Memory) has a function to shift to a mode with less power consumption than normal operation called power-down mode or self-refresh mode when there is no access for a certain period of time. Have. A high-speed signal such as DDR-SDRAM is connected to a termination voltage via a termination resistor on a data communication line and a control line between the data processing means and the DRAM. This termination voltage plays a role of reducing malfunctions due to the waveform reflection peculiar to high-speed signals and the shoulder (stepped waveform) resulting from this, but the termination resistor behaves as a simple pull-up resistor when data processing is not performed. For this reason, it is known that a current flows unnecessarily from the termination voltage.
そのため、従来、上述したパワーダウンモードまたはリフレッシュモードの省電力化を図った種々の技術が提案されている。例えば、特許文献1には、パワーダウンモード若しくはセルフリフレッシュモード時に、データ処理手段の端子論理毎に終端電圧系統を設けるとともに、基板内の電圧プレーンを分け、これを遮断若しくは存続を選択することにより、終端電圧及びデータ処理手段の電力消費を低減させる技術が開示されている。 For this reason, conventionally, various techniques have been proposed that achieve power saving in the above-described power-down mode or refresh mode. For example, in Patent Document 1, in the power-down mode or the self-refresh mode, a termination voltage system is provided for each terminal logic of the data processing means, and a voltage plane in the board is divided, and this is cut off or selected for survival. A technique for reducing the power consumption of the termination voltage and data processing means is disclosed.
しかしながら、特許文献1の技術では、端子論理毎に電源系統が必要となり、また、基板内の電圧プレーンを分けているため、配置スペースが増大し、レイアウトが困難になるという問題がある。また、終端電圧に流れる電流値は数アンペアとなることから、遮断手段としてレギュレータのような電圧安定化手段を用いるため、回路サイズが大型化しコストが嵩むという問題がある。また、遮断手段としてレギュレータを用いた場合には、パワーダウンモードまたはリフレッシュモードからの復帰時において、電圧が安定するまでに時間を要するという問題がある。 However, the technique of Patent Document 1 requires a power supply system for each terminal logic, and has a problem that layout space is increased and layout is difficult because the voltage planes in the board are divided. In addition, since the current value flowing through the termination voltage is several amperes, voltage stabilizing means such as a regulator is used as the interruption means, which causes a problem that the circuit size is increased and the cost is increased. Further, when a regulator is used as the shut-off means, there is a problem that it takes time for the voltage to stabilize when returning from the power-down mode or the refresh mode.
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、終端電圧による電力消費をより効率的に低減させることが可能なデータ処理装置、データ処理装置の終端電圧制御方法及び画像形成装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above, and provides a data processing apparatus, a termination voltage control method for a data processing apparatus, and an image forming apparatus capable of more efficiently reducing power consumption due to a termination voltage. For the purpose.
上述した課題を解決し、目的を達成するために、請求項1に係る発明は、記憶手段と、所定のデータ処理を行うデータ処理手段と、前記記憶手段と前記データ処理手段とを接続する複数の接続線の各々に接続され、当該接続線に抵抗を介して所定の電圧を印加する電圧印加手段と、前記接続線と前記抵抗との間に接続され、前記データ処理手段のデータ処理状態に応じて前記所定の電圧の通電を制御する通電遮断手段と、を備え、前記複数の接続線のうち、前記記憶手段と前記データ処理手段との間で一定時間以上アクセスが無い場合に当該データ処理手段の端子論理をハイインピーダンス状態とする端子に接続された接続線が、前記通電遮断手段を介さずに前記電圧印加手段に接続されていることを特徴とする。 To solve the above problems and achieve the object, a plurality invention, for connecting the storage means, data processing means for performing a predetermined data processing, and said data processing means and said storage means according to claim 1 It is connected to the respective connection lines, and a voltage application means for applying a predetermined voltage through a resistor to the connecting line, is connected between the resistor and the connection line, to the data processing state of the data processing means And an energization cut-off means for controlling energization of the predetermined voltage in response to the data processing when there is no access for more than a certain time between the storage means and the data processing means among the plurality of connection lines. The connection line connected to the terminal which sets the terminal logic of the means to the high impedance state is connected to the voltage applying means without going through the energization cutoff means .
また、請求項2に係る発明は、請求項1に係る発明において、前記抵抗は終端抵抗であり、前記所定の電圧は終端電圧であることを特徴とする。
The invention according to
また、請求項3に係る発明は、請求項1又は2に係る発明において、前記データ処理手段は、データ処理時に前記所定の電圧の通電をオンとする信号を前記通電遮断手段に出力し、実行すべきデータ処理が無い時に前記所定の電圧の通電をオフとする信号を前記通電遮断手段に出力し、前記通電遮断手段は、前記データ処理手段から入力された信号に基づいて、前記所定の電圧の通電をオン/オフすることを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, in the first or second aspect of the invention, the data processing means outputs a signal for turning on the energization of the predetermined voltage to the energization cut-off means at the time of data processing. When there is no data processing to be performed, a signal for turning off the energization of the predetermined voltage is output to the energization cut-off means, and the energization cut-off means is configured to output the predetermined voltage based on the signal input from the data processing means. This is characterized in that the energization of is turned on / off.
また、請求項4に係る発明は、請求項1〜3の何れか一項に係る発明において、前記通電遮断手段は、前記複数の接続線を流れる信号のうち、前記データ処理手段のデータ処理状態に応じて変動する特定の信号の信号レベルに基づいて、前記所定の電圧の通電をオン/オフすることを特徴とする。 According to a fourth aspect of the present invention, in the invention according to any one of the first to third aspects, the power cut-off means is a data processing state of the data processing means among signals flowing through the plurality of connection lines. The energization of the predetermined voltage is turned on / off based on the signal level of a specific signal that varies depending on the signal level.
また、請求項5に係る発明は、請求項4に係る発明において、前記通電遮断手段に入力される前記特定の信号の信号レベルをネゲートとし、当該特定の信号による前記通電遮断手段への寄与を無効化する無効化手段を更に備えたことを特徴とする。 The invention according to claim 5 is the invention according to claim 4, wherein the signal level of the specific signal input to the energization cutoff unit is negated, and the contribution of the specific signal to the energization cutoff unit is made. It further comprises invalidating means for invalidating.
また、請求項6に係る発明は、請求項5に係る発明において、前記データ処理手段は、前記無効化手段を制御し、前記特定の信号による前記通電遮断手段への寄与の有効化と無効化とを切り替えることを特徴とする。 The invention according to claim 6 is the invention according to claim 5 , wherein the data processing means controls the invalidation means to validate and invalidate the contribution of the specific signal to the energization cutoff means. And switching between.
また、請求項7に係る発明は、請求項5又は6に係る発明において、前記無効化手段は、外部から入力される無効化制御信号に基づいて、前記特定の信号による前記通電遮断手段への寄与の有効化と無効化とを切り替えることを特徴とする。 According to a seventh aspect of the present invention, in the invention according to the fifth or sixth aspect , the invalidation means is configured to apply the specific signal to the energization cutoff means based on an invalidation control signal input from the outside. Switching between enabling and disabling contributions.
また、請求項8に係る発明は、請求項1〜7の何れか一項に係る発明において、前記通電遮断手段は、半導体スイッチであることを特徴とする。 The invention according to claim 8 is the invention according to any one of claims 1 to 7 , wherein the energization cutoff means is a semiconductor switch.
また、請求項9に係る発明は、請求項8に係る発明において、前記半導体スイッチは、バススイッチ又は電界効果トランジスタであることを特徴とする。 The invention according to claim 9 is the invention according to claim 8 , wherein the semiconductor switch is a bus switch or a field effect transistor.
また、請求項10に係る発明は、請求項8又は9に係る発明において、前記抵抗は、前記半導体スイッチが通電時に有する抵抗成分であることを特徴とする。 The invention according to claim 10 is the invention according to claim 8 or 9 , wherein the resistance is a resistance component that the semiconductor switch has when energized.
また、請求項11に係る発明は、記憶手段と、所定のデータ処理を行うデータ処理手段と、前記記憶手段と前記データ処理手段とを接続する複数の接続線の各々に接続され、当該接続線に抵抗を介して所定の電圧を印加する電圧印加手段と、を備えたデータ処理装置で実行される電圧制御方法であって、前記接続線と前記抵抗との間に接続した通電遮断手段により、前記データ処理手段のデータ処理状態に応じて、前記所定の電圧の通電を制御する通電遮断工程を含み、前記複数の接続線のうち、前記記憶手段と前記データ処理手段との間で一定時間以上アクセスが無い場合に当該データ処理手段の端子論理をハイインピーダンス状態とする端子に接続された接続線が、前記通電遮断手段を介さずに前記電圧印加手段に接続されていることを特徴とする。
The invention according to
また、請求項12に係る発明は、記憶手段と、画像形成に係る所定のデータ処理を行うデータ処理手段と、前記記憶手段と前記データ処理手段とを接続する複数の接続線の各々に接続され、当該接続線に抵抗を介して所定の電圧を印加する電圧印加手段と、前記接続線と前記抵抗との間に接続され、前記データ処理手段のデータ処理状態に応じて前記所定の電圧の通電を制御する通電遮断手段と、を備え、前記複数の接続線のうち、前記記憶手段と前記データ処理手段との間で一定時間以上アクセスが無い場合に当該データ処理手段の端子論理をハイインピーダンス状態とする端子に接続された接続線が、前記通電遮断手段を介さずに前記電圧印加手段に接続されていることを特徴とする。
The invention according to
請求項1、11、12によれば、接続線と抵抗との間に、データ処理手段のデータ処理状態に応じて所定の電圧の通電を制御する通電遮断手段を設けたことで、電圧系統及び電圧プレーンを分割することなく、データ処理手段のデータ処理状態に応じて電圧を遮断することができるため、配置スペースを抑えることができるとともに、当該電圧による電力消費をより効率的に低減させることができる。また、通電遮断手段に流れる電流値を抑えることができるため、小型且つ低価格な半導体スイッチ等を通電遮断手段として用いることが可能となり、遮断手段に係る回路サイズ及びコストの増加を抑えることができる。また、データ処理手段が実行すべきデータ処理が無い時にハイインピーダンスとなる通信線については、電圧の通電制御が不要となるため、通電遮断手段を接続しないことで、部品点数を削減することができる。 According to the first, eleventh, and twelfth aspects, by providing the current cutoff means for controlling the current supply of a predetermined voltage according to the data processing state of the data processing means between the connection line and the resistor , the voltage system and without dividing the voltage plane, it is possible to cut off the voltage in accordance with the data processing state of the data processing means, it is possible to suppress the installation space, is possible to reduce the power consumption by the voltage more efficiently it can. Further, since the value of the current flowing through the current interrupting means can be suppressed, a small and inexpensive semiconductor switch or the like can be used as the current interrupting means, and an increase in circuit size and cost related to the interrupting means can be suppressed. . In addition, since there is no need for voltage energization control for a communication line that becomes high impedance when there is no data processing to be executed by the data processing means, the number of parts can be reduced by not connecting the energization cutoff means. .
また、請求項3によれば、データ処理手段に実行すべきデータ処理が無い時に、所定の電圧の通電をオフとすることができるため、当該電圧による電力消費を効率的に低減させることができる。 According to the third aspect of the present invention , when there is no data processing to be executed in the data processing means, it is possible to turn off energization of the predetermined voltage , so that power consumption due to the voltage can be efficiently reduced. .
また、請求項4によれば、データ処理手段が備える既存の信号を利用することで、通電遮断手段の制御用の機能を用意することなく、データ処理手段に実行すべきデータ処理が無い時に所定の電圧の通電をオフとすることができるため、部品点数及びコストの増加を抑えることができるとともに、当該電圧による電力消費を効率的に低減させることができる。 Further, according to claim 4, by utilizing the existing signal comprising data processing means, without providing a mechanism for controlling the energization interrupting means, predetermined when the data processing is not to be performed on the data processing means the energization voltage it is possible to turn off, it is possible to suppress the increase in the number of components and cost can be reduced power consumption by the voltage efficiently.
また、請求項5、6によれば、データ処理手段により、特定の信号による通電遮断手段への寄与の有効化と無効化とを切り替えることができるため、使用する環境に応じた任意の期間に所定の電圧による電力消費を低減させることができる。 Further, according to claims 5 and 6 , since the data processing means can switch between the validation and invalidation of the contribution to the power cut-off means by the specific signal, it can be performed in an arbitrary period according to the environment to be used. Power consumption due to a predetermined voltage can be reduced.
また、請求項7によれば、外部から入力される無効化制御信号に基づいて、特定の信号による前記通電遮断手段への寄与の有効化と無効化とを切り替えることができるため、使用する環境に応じた任意の期間に所定の電圧による電力消費を低減させることができる。 Further, according to claim 7 , since it is possible to switch between the validation and invalidation of the contribution of the specific signal to the power cut-off means based on the invalidation control signal input from the outside, the environment to be used It is possible to reduce power consumption due to a predetermined voltage during an arbitrary period according to the above.
また、請求項8、9によれば、通電遮断手段に半導体スイッチを用いることで、回路サイズ及びコストを抑えることができる。 Further, according to the eighth and ninth aspects , the circuit size and cost can be suppressed by using the semiconductor switch as the energization cutoff means.
また、請求項10によれば、半導体スイッチが通電時に有する抵抗成分を、抵抗として用いることができるため、部品点数を抑えることができる。 According to the tenth aspect , since the resistance component that the semiconductor switch has when energized can be used as the resistance , the number of components can be suppressed.
以下に添付図面を参照して、本発明に係るデータ処理装置、データ処理装置の電圧制御方法及び画像形成装置の最良な実施の形態を詳細に説明する。 Exemplary embodiments of a data processing apparatus, a voltage control method for the data processing apparatus, and an image forming apparatus according to the present invention will be explained below in detail with reference to the accompanying drawings.
[第1の実施形態]
図1は、以下の各実施の形態の説明に好適な画像形成装置100の全体構成を示した図である。画像形成装置100は、複数の機能を備えたMFP(Multi Functional Peripheral)であって、図1に示したように、自動両面原稿送り装置111(以下、RADFという)と、スキャナユニット112と、原稿台113とで構成される読取部11と、用紙搬送部121とレーザ書込ユニット122と電子写真プロセス部123とで構成される画像形成部12と、後処理部13と、FAX部14とを備えている。
[First Embodiment]
FIG. 1 is a diagram showing an overall configuration of an
画像形成装置100は、読取部11と画像形成部12で画像の形成、用紙への印字を行い、後処理部13で出力紙揃え、ステープル、パンチ穴の処理を行う。
In the
読取部11において読み取った画像データは、画像形成部12に出力される。RADF111は、図示しない原稿トレイから原稿台113を経由して図示しない排出トレイに至る片面原稿給紙路、スキャナユニット112による片面の画像の読み取りが完了した原稿の表裏面を反転して再度原稿台に導く両面原稿給紙路を有し、片面、両面の原稿どちらでも対応できる。スキャナユニット112は、原稿をランプで照射し、レンズ、ミラー等で原稿の反射光を光電変換素子の受光面に結像させる。
The image data read by the
光電変換素子は、原稿の原稿面における反射光を電気信号に変換し、後述するメインCTL基板15に出力する。画像形成部12は、用紙を搬送する用紙搬送部121、レーザ書込ユニット122及び電子写真プロセス部123を備えている。用紙搬送部121は、用紙の両面に画像を形成する両面複写モード時、定着ローラを通過した用紙を表裏面を反転して再度電子写真プロセス部123に導く副搬送路を備えている。
The photoelectric conversion element converts the reflected light on the document surface of the document into an electrical signal and outputs it to a
レーザ書込ユニット122は、後述するメインCTL基板15から供給される画像データに基づいてレーザ光を照射する半導体レーザ、半導体レーザから照射された光をミラーやレンズを通して電子写真プロセス部123の感光体ドラム表面に配光する。感光ドラム表面は、静電潜像が形成され、現像装置からトナーが供給されることにより、トナー画像に顕在化される。
The
トナー画像は、用紙搬送部121から導かれた用紙上に転写され、その後、定着ローラにより、加熱及び加圧を受け、トナー画像が溶融して用紙の表面に定着する。このように、用紙書き込みが終了した後、後処理部13にて一部分の出力用紙が備えられ、ステープル、パンチ穴の処理が行われ、トレイに排出される。なお、本実施形態では、画像形成部12の印刷方式を電子写真方式としたが、これに限らず、インクジェット方式や昇華型熱転写方式、直接感熱記録方式、溶融型熱転写方式など、他の印刷方式を用いてもよい。
The toner image is transferred onto the paper guided from the
FAX部14は、読取部11により読み取られた画像データや、後述するメインCTL基板15から供給される画像データを、電話回線(例えば、アナログ公衆網PSTN)を介してファックス信号の送信を行う。また、当該電話回線を介して受信したファックス信号をメインCTL基板15に出力する。
The
次に、画像形成装置100の詳細な構成と機能について図2を用いて説明する。図2は、以下の各実施の形態の説明に好適な画像形成装置100の詳細構成を示したブロック図である。図2に示したように、画像形成装置100は、上述した読取部11、画像形成部12、後処理部13及びFAX部14の画像形成に係る各機能部と、メインCTL基板15と、表示操作部16と、電源ユニット17とを備えている。
Next, a detailed configuration and function of the
メインCTL基板15は、CPU151と、データ処理部152と、I/Oコントローラ153と、オプションスロット154と、データ蓄積部155とを有している。
The
ここで、CPU151は、画像形成装置100全体の制御を統括的に行う中央処理装置である。具体的に、CPU151は、データ蓄積部155に格納された所定のプログラムデータを実行することにより、画像形成装置100各部の初期化や、後述する省エネモードへの移行・復帰、画像形成等に係る各種の処理を実行する。
Here, the
データ処理部152は、CPU151の制御の下、画像形成装置100の動作に係る所定のデータ処理を実行するための機能部である。例えば、I/Oコントローラ153から入力される画像データや、データ蓄積部155に蓄積された画像データに対し所定の画像処理を施す。なお、データ処理部152の詳細については後述する。
The data processing unit 152 is a functional unit for executing predetermined data processing related to the operation of the
I/Oコントローラ153は、インターネット等のネットワーク(図中、Network)を介して、外部装置200と接続するためのインターフェースを備えた通信制御回路である。具体的に、I/Oコントローラ153は、外部装置200から送信された画像データをデータ処理部152に出力する。
The I /
オプションスロット154は、USBデバイスやIEEE1394デバイス等を接続するためのスロット(ブリッジ)である。なお、接続されるデバイスの種別は、これらに限定されないものとし、使用するデバイスに応じた規格のスロットを設けることが可能であるものとする。
The
データ蓄積部155は、画像形成装置100で印刷する画像データを記憶するものであり、ハードディスクドライブ装置(HDD)等の記憶媒体に記憶されている。また、データ蓄積部155は、画像形成装置100の制御に係る各種のプログラムデータや設定情報を予め記憶している。
The
表示操作部16は、タッチパネル方式の入力デバイスであって、CPU151の制御の下、例えば、操作を促すメッセージや処理状況を示す種々の表示を行うとともに、画像形成に係る印刷条件の設定等の入力を受け付ける。なお、本実施形態では、入力デバイスと表示デバイスとを一体とした表示操作部16を用いた態様としたが、これに限らず、入力デバイスと表示デバイスとを別体とする態様としてもよい。
The
電源ユニット17は、外部の商用電源から供給される電源を、画像形成装置100内部で必要となる電源に変換し、当該画像形成装置100の各部に供給する。
The power supply unit 17 converts power supplied from an external commercial power supply into power required in the
図3は、データ処理部152に対応する本実施形態のデータ処理部20の構成を示したブロック図である。同図に示したように、データ処理部20は、ASIC21と、揮発性メモリ22と、終端電圧部23と、通電遮断部24とを備えている。
FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of the
ASIC21は、CPU151の制御の下、画像形成装置100の動作に係る所定のデータ処理向けに用意された集積回路である。具体的に、ASIC21は、CPU151等から所定のデータ処理の実行を指示する処理要求が入力されると、複数本の接続線25により夫々接続された揮発性メモリ22をワーク領域として利用しながら要求されたデータ処理を実行する。
The
揮発性メモリ22は、画像形成装置100の主記憶装置であって、DDR−SDRAMやDRAM(Dynamic Random Access Memory)等を用いることができる。なお、揮発性メモリ22は、ASIC21との間で一定時間以上アクセスがない場合にパワーダウンモード若しくはセルフリフレッシュモードと呼ばれる通常動作時よりも消費電力を抑えたモードに移行する機能を有しているものとする。
The
終端電圧部23は、ASIC21と揮発性メモリ22間の信号を終端するための終端電圧を供給する電源回路である。ここで、終端電圧部23は、終端抵抗26を介して接続線25の各々に接続されている。
The
通電遮断部24は、終端抵抗26と接続線25との間に接続され、ASIC21から入力される制御信号に応じて、終端電圧部23から各接続線25に印加される終端電圧の通電をオン(通電)/オフ(遮断)する。このように、通電遮断部24を、終端電圧部23から見て終端抵抗26の下流側に接続することで、通電遮断部24に流れる電流値を抑えることができるため、小型且つ低価格な半導体スイッチを通電遮断部24として用いることが可能である。
The
例えば、通電遮断部24として、複数の接続をオン/オフすることが可能な半導体スイッチであるバススイッチを用いることができる。このバススイッチを用いることで、ASIC21から入力される制御信号(Hレベル/Lレベル)に応じて、終端電圧部23から各接続線25に印加される終端電圧を一度にオン/オフすることが可能となる。
For example, a bus switch that is a semiconductor switch capable of turning on / off a plurality of connections can be used as the
上記の構成において、揮発性メモリ22のパワーダウンモード或いはセルフリフレッシュモード時、揮発性メモリ22の端子はハイインピーダンス状態となるが、ASIC21では端子毎に論理が異なり、Hレベル(ハイレベル)、Lレベル(ローレベル)、ハイインピーダンスの何れかの状態となる。この時、Hレベルとなった端子からは、Lレベルとなった端子及び終端電圧部23にドライブ電流が流れる一方、Lレベルとなった端子はHレベルとなった端子及び終端電圧部23から電流を引き込む。つまり、ASIC21が処理を行っていないにも関わらず、上記2種類の電流が流れることになるため、終端電圧部23から不必要に電流が流れることになる。
In the above configuration, when the
そのため、ASIC21は、通電遮断部24を制御して終端電圧部23からの通電を遮断することで、上記2種類の不要な電流の発生を抑制する。具体的に、ASIC21は、自己の回路でデータ処理を行わない期間、通電遮断部24に通電をオフ(遮断)とする制御信号を出力することで、通電遮断部24により終端電圧部23から接続線25に供給される終端電圧を遮断する。
Therefore, the
以下、図4を参照して、ASIC21の動作を説明する。図4は、ASIC21による通電制御処理の手順を示したフローチャートである。
Hereinafter, the operation of the
まず、ASIC21は、CPU151からデータ処理の実行を要求する処理要求が入力されたか否かを判定する(ステップS11)。ここで、処理要求が入力されていないと判定した場合(ステップS11;No)、ASIC21は、通電遮断部24に通電を遮断する制御信号(通電オフ信号)を出力し(ステップS12)、ステップS11の処理に再び戻る。なお、CPU151から要求されるデータ処理とは、例えば、読取部11で読み取られたデータの揮発性メモリ22への格納処理や、揮発性メモリ22に格納された画像データの読出処理、画像データに対する所定の画像処理等が挙げられるが、これらの処理に限定されないものとする。
First, the
一方、ステップS11において、処理要求が入力されたと判定した場合(ステップS11;Yes)、ASIC21は、通電遮断部24に通電を指示する制御信号(通電オン信号)を出力する(ステップS13)。続いて、ASIC21は揮発性メモリ22をワーク領域として利用しながら要求されたデータ処理を実行し(ステップS14)、ステップS11の処理に再び戻る。
On the other hand, when it is determined in step S11 that a processing request has been input (step S11; Yes), the
ASIC21は、上記の通電処理を行うことにより、ASIC21が処理を行っていない期間、即ち、揮発性メモリ22のパワーダウンモード或いはセルフリフレッシュモード時に、終端電圧部23から接続線25に供給される終端電圧を遮断することが可能となる。
The
以上のように、本実施形態によれば、接続線25と終端抵抗26との間に接続した通電遮断部24により、ASIC21に実行すべきデータ処理が無い時に、終端電圧の通電をオフ(遮断)することができるため、終端電圧による電力消費を効率的に低減させることができる。また、通電遮断部24に流れる電流値を抑えることができるため、小型且つ低価格な半導体スイッチを通電遮断部24として用いることが可能となり、通電遮断部24に係る回路サイズ及びコストの増加を抑えることができる。
As described above, according to the present embodiment, when the
[第2の実施形態]
次に、第2の実施形態として、半導体スイッチである電界効果トランジスタを、上述した通電遮断部24に用いた構成例について説明する。なお、上述した第1の実施形態と同様の要素については、同一の符号を用いて示し、その説明は適宜省略する。
[Second Embodiment]
Next, as a second embodiment, a configuration example in which a field effect transistor that is a semiconductor switch is used for the above-described
図5は、データ処理部152に対応する本実施形態のデータ処理部30の構成を示したブロック図である。同図に示したように、データ処理部30は、ASIC32と、揮発性メモリ22と、終端電圧部23と、通電遮断部31とを備えている。
FIG. 5 is a block diagram showing a configuration of the
通電遮断部31は、接続線25の本数に応じた数のFET(電界効果トランジスタ)311を有し、これらFET311により、終端電圧部23と各接続線25とを接続している。具体的には、各FET311のドレイン端子とソース端子とを介して、終端電圧部23と各接続線25とが接続されており、各FET311のゲート端子に、ASIC32からの制御信号が入力されるよう構成されている。
The
ASIC32の基本的な動作は、上述したASIC21と同様であるが、自己の回路で処理すべきデータ処理が無い期間、各FET311のゲート端子にLレベルの制御信号を出力することで、各FET311のドレイン−ソース間抵抗を増大させ、通電遮断部31により終端電圧部23から接続線25に供給される終端電圧を遮断する。なお、Lレベルの制御信号は、FET311のピンチオフ電圧より小なるものとする。
The basic operation of the
また、ASIC32は、自己の回路でデータ処理を行う期間、各FET311のゲート端子にHレベルの制御信号を出力することで、各FET311のドレイン−ソース間抵抗を減少させ、通電遮断部31により終端電圧部23から接続線25に終端電圧が供給されるよう制御する。なお、Hレベルの制御信号は、FET311のピンチオフ電圧より大なるものとする。
Further, the
なお、本実施形態のように、通電遮断部31としてFET311を用いた場合、FETのデバイス特性により通電時に抵抗成分が発生する。そのため、この抵抗成分を終端抵抗26して取り扱うことで、図5に示したように、終端抵抗26自体を省略した構成とすることができる。
Note that, when the
以上のように、本実施形態によれば、接続線25と終端抵抗26との間に接続した通電遮断部31により、ASIC32に実行すべきデータ処理が無い時に、終端電圧の通電をオフ(遮断)することができるため、終端電圧による電力消費を効率的に低減させることができる。また、小型且つ低価格な半導体スイッチを通電遮断部31として用いることが可能となり、通電遮断部31に係る回路サイズ及びコストの増加を抑えることができる。また、半導体スイッチが通電時に有する抵抗成分を終端抵抗として用いることで、終端抵抗を不要とすることができるため、部品点数を抑えることができる。
As described above, according to the present embodiment, when the
なお、本実施形態では、半導体スイッチとして、エンハンスメント形のFETを用いた例について説明したが、ディプレッション形のFETを用いる態様としてもよく、この場合、ASIC32から通電遮断部31に出力する制御信号の論理を、本構成と反対にすることで対応することが可能である。また、MOSFET等の他の半導体スイッチを用いる態様としてもよい。
In the present embodiment, an example in which an enhancement type FET is used as a semiconductor switch has been described. However, a depletion type FET may be used. In this case, a control signal output from the
また、本構成の変形例として、ASIC32の端子のうち、ハイインピーダンス状態となる端子に接続された接続線25については、通電遮断部31を介さずに終端電圧部23と短絡する態様としてもよい。以下、図6を参照して、データ処理部30の変形例について説明する。
As a modified example of this configuration, the
図6は、本実施形態の変形例に係るデータ処理部30aの構成を示したブロック図である。同図に示したように、データ処理部30aは、上述したデータ処理部30と同様、ASIC32と、揮発性メモリ22と、終端電圧部23と、通電遮断部31とを備えている。
FIG. 6 is a block diagram showing a configuration of a
ここで、揮発性メモリ22のパワーダウンモード或いはセルフリフレッシュモード時に、ASIC32の端子論理がハイインピーダンス(Hiz)状態となる接続線25には、通電遮断部31を接続しない構成としている。つまり、ASIC32の端子論理がハイインピーダンス(Hiz)状態となる接続線25については、終端電圧部23からの終端電圧が常時印加されるようになっている。
Here, when the
上述したとおり、揮発性メモリ22のパワーダウンモード或いはセルフリフレッシュモード時には、揮発性メモリ22の端子はハイインピーダンス状態となる。そのため、端子論理がハイインピーダンス(Hiz)状態となったASIC32の端子と、揮発性メモリ22の端子との間に接続された接続線25に電流は流れ込まない。即ち、データ処理部30aでは、データ処理部30の構成から、通電遮断部31による通電制御を必要最小限に留めた構成となっている。これにより、上述したデータ処理部よりも、通電遮断部31を構成するFET311の個数を減少させることができる。
As described above, when the
なお、図6の構成では、終端電圧部23と接続線25とを終端抵抗26を介して接続する態様としているが、通電遮断部31の抵抗成分を終端抵抗26として用いることが可能な場合には、通電遮断部31を終端抵抗26として取り扱う態様としてもよい。
In the configuration of FIG. 6, the
[第3の実施形態]
次に、第3の実施形態として、ASICから出力されるCKE(ClocK Enable)信号を利用して通電遮断部31の通電制御を行う構成例について説明する。なお、上述した第1、第2の実施形態と同様の要素については、同一の符号を用いて示し、その説明は適宜省略する。
[Third Embodiment]
Next, as a third embodiment, a configuration example in which energization control of the
図7は、データ処理部152に対応する本実施形態のデータ処理部40の構成を示したブロック図である。同図に示したように、本実施形態に係るデータ処理部40は、ASIC41と、揮発性メモリ22と、終端電圧部23と、通電遮断部31とを備えている。
FIG. 7 is a block diagram showing a configuration of the
ASIC41は、CKE信号を出力する端子を有しており、当該端子に接続された接続線25を介し、揮発性メモリ22にCKE信号を出力する。ここで、CKE信号は、ASIC41がデータ処理を行う間、Hレベルとなり、データ処理を行わない間、Lレベルとなる信号である。揮発性メモリ22では入力されるCKE信号のレベルに基づいて、ASIC41がデータ処理中であるか否かを判断することが可能となっている。
The
通電遮断部31に含まれた各FET311のゲート端子は、ASIC41におけるCKE信号の出力端子に接続された接続線25と短絡されており、ASIC41から出力されるCKE信号が、各FET311のゲート端子に入力されるよう構成されている。なお、ASIC41のCKE信号の出力端子に接続された接続線25については、通電遮断部31による通電制御の対象から除外している。
The gate terminal of each
通電遮断部31の各FET311は、ゲート端子から入力されるCKE信号のレベルに応じて、終端電圧部23から接続線25の各々への通電をオン/オフ制御する。つまり、通電遮断部31は、CKE信号がHレベルの時、即ち、ASIC41がデータ処理を行う間、終端電圧部23から接続線25に終端電圧が供給されるよう制御する。また、通電遮断部31は、CKE信号がLレベルの時、即ち、ASIC41がデータ処理を行わない期間、終端電圧部23から接続線25に供給される終端電圧を遮断する。
Each
次に、図8を参照して、データ処理部40の動作について説明する。図8は、ASIC41により実行される通電制御処理の手順を示したフローチャートである。なお、本処理の初期状態として、ASIC41はCPU151から要求されたデータ処理を実行後、CKE信号のHレベル状態を継続中であるものとする。
Next, the operation of the
まず、ASIC41は、CPU151からデータ処理の実行を要求する処理要求が、前回の入力から所定時間内に入力されたか否かを判定する(ステップS21)。ここで、所定時間内に入力されたと判定した場合(ステップS21;Yes)、ASIC41は揮発性メモリ22をワーク領域として利用しながら要求されたデータ処理を実行し(ステップS22)、ステップS21の処理に再び戻る。なお、処理要求の入力間隔となる所定時間は、特に問わないものとするが、例えば、揮発性メモリ22の消費電力モードへの移行時間と一致させてもよい。
First, the
一方、ステップS21において、所定時間内に処理要求が入力されないと判定した場合(ステップS21;No)、ASIC41は、CKE信号をLレベルとし(ステップS23)、ステップS24の処理に移行する。ステップS23の処理に伴い、通電遮断部31は、終端電圧部23から接続線25への終端電圧を遮断し、揮発性メモリ22は、消費電力モード(パワーダウンモード或いはセルフリフレッシュモード)に移行する。
On the other hand, if it is determined in step S21 that the processing request is not input within the predetermined time (step S21; No), the
続くステップS24では、ASIC41が、CPU151から処理要求が入力されるまで待機する(ステップS24;No)。ここで、ASIC41は、処理要求が入力されたと判定すると(ステップS24;Yes)、要求されたデータ処理を実行するためCKE信号をHレベルとする(ステップS25)。ステップS25の処理に伴い、通電遮断部31は、終端電圧部23から接続線25への終端電圧を通電状態とし、揮発性メモリ22は、省電力モードを解除する。続いて、ASIC41は、揮発性メモリ22をワーク領域として利用しながら要求されたデータ処理を実行し(ステップS26)、ステップS21の処理に再び戻る。
In subsequent step S24, the
以上のように、本実施形態によれば、ASIC41が備える既存の信号(CKE信号)を利用することで、通電遮断部31の制御用の機能を用意することなく、ASIC41に実行すべきデータ処理が無い時に終端電圧の通電をオフとすることができるため、部品点数及びコストの増加を抑えることができるとともに、終端電圧による電力消費を効率的に低減させることができる。
As described above, according to the present embodiment, by using an existing signal (CKE signal) included in the
なお、CKE信号の論理が反転した状態で出力されるような場合、CKE信号の信号レベルを反転する反転回路(NOT素子)を別途設け、当該反転回路によりASIC41から出力されたCKE信号を反転し、各FET311のゲート端子に入力することで、上記同様、ASIC41が備える既存の信号を利用して通電遮断部31の通電制御を行うことが可能となる。また、後述するディプレッション型のFET312を用いることで対応することとしてもよい。
If the logic of the CKE signal is output in an inverted state, an inverting circuit (NOT element) for inverting the signal level of the CKE signal is separately provided, and the CKE signal output from the
また、図7の構成では、終端電圧部23と接続線25とを終端抵抗26を介して接続する構成としているが、通電遮断部31の抵抗成分を終端抵抗26として用いることが可能な場合には、通電遮断部31を終端抵抗26として取り扱う態様としてもよい。
Further, in the configuration of FIG. 7, the
[第4の実施形態]
次に、第4の実施形態として、第3の実施形態で説明したCKE信号を利用する構成において、当該CKE信号による通電遮断部31への寄与を無効化することを可能にした構成例について説明する。なお、上述した第1、第2、第3の実施形態と同様の要素については、同一の符号を用いて示し、その説明は適宜省略する。
[Fourth Embodiment]
Next, as a fourth embodiment, a configuration example that makes it possible to invalidate the contribution of the CKE signal to the current cut-off
図9は、データ処理部152に対応する本実施形態のデータ処理部50の構成を示したブロック図である。同図に示したように、本実施形態に係るデータ処理部50は、ASIC51と、揮発性メモリ22と、終端電圧部23と、通電遮断部31と、トライステート反転回路52と、プルダウン抵抗53と、を備えている。
FIG. 9 is a block diagram showing a configuration of the
ASIC51の基本的な動作は、上述したASIC41と同様であるが、CKE信号による通電遮断部31への寄与を無効化するための制御信号をトライステート反転回路52のゲート端子に出力するようになっている。また、ASIC51のCKE信号は、揮発性メモリ22に出力されるとともに、トライステート反転回路52のX端子に出力されるようになっている。
The basic operation of the
トライステート反転回路52は、HレベルとLレベルの他、何れの状態でもないHiz(ハイインピーダンス)を出力値に持つ論理回路(トライステートバッファ)であって、ゲート端子及びX端子に入力された信号値に応じて定まる値を反転した状態でFEP312のゲート端子に出力する。具体的に、トライステート反転回路52は、ゲート端子及びX端子に入力される信号レベルが「L、L」又は「L、H」のときHizを出力し、「H、L」のときHを出力し、「H、H」のときLを出力する。
The
FET312は、ディプレッション形のFETであって、上述したFET311の論理とは反対の論理を有している。即ち、各FET311のゲート端子にHレベルの電圧が印加されることで、終端電圧部23から接続線25に供給される終端電圧が遮断され、各FET311のゲート端子にLレベルの電圧が印加されることで、終端電圧部23から接続線25に終端電圧が供給される。
The
トライステート反転回路52とFET312のゲート端子との間には、プルダウン抵抗53の一端が接続されている。また、プルダウン抵抗53の他端は接地されており、トライステート反転回路52から出力されるハイインピーダンスの信号値を、GNDレベルにプルダウンさせる。
One end of a pull-
図9の構成において、ASIC51は、トライステート反転回路52に出力する通電制御信号のレベルをLとすることで、CKE信号による通電遮断部31への寄与を無効化することができる。また、通電制御信号のレベルをHとすることで、CKE信号による通電遮断部31への寄与を有効化することができる。以下、通電制御信号によるCKE信号の有効化/無効化について説明する。
In the configuration of FIG. 9, the
図10は、通電制御信号と、CKE信号と、通電遮断部31の動作との関係を示したタイミングチャートである。なお、同図では、画像形成装置100の電源投入時から始まる動作例を示しているが、これに限らないものとする。
FIG. 10 is a timing chart showing the relationship between the energization control signal, the CKE signal, and the operation of the
図10に示したように、画像形成装置100の電源投入時において、ASIC51は、トライステート反転回路52にLレベルの通電制御信号を出力しているものとする。この時、CKE信号のレベルが変化したとしても、トライステート反転回路52及びプルダウン抵抗53による作用により、通電遮断部31(FET312のゲート端子)に入力される電圧はLレベル、即ちネゲート状態となるため、終端電圧部23から接続線25に終端電圧が供給されることになる。つまり、ASIC51が、Lレベルの通電制御信号を出力することで、CKE信号による通電遮断部31への寄与が無効となる。
As shown in FIG. 10, it is assumed that the
続いて、ASIC51が、所定のタイミングでHレベルの通電制御信号を出力すると、トライステート反転回路52による作用により、CKE信号がLレベルの時のみ、通電遮断部31(FET312のゲート端子)に入力される電圧がHレベルとなり、終端電圧部23から接続線25に供給される終端電圧が遮断されることになる。つまり、ASIC51が、Hレベルの通電制御信号を出力することで、CKE信号による通電遮断部31への寄与が有効となる。
Subsequently, when the
以後、通電制御信号が、HレベルからLレベルに切り替わった場合、ASIC51のデータ処理状況によらず、通電遮断部31(FET312のゲート端子)に入力される電圧はLレベルとなり、CKE信号による通電遮断部31への寄与が無効化されることになる。
Thereafter, when the energization control signal is switched from the H level to the L level, the voltage input to the energization cutoff unit 31 (the gate terminal of the FET 312) becomes the L level regardless of the data processing status of the
以上のように、本実施形態によれば、ASIC51の制御により、CKE信号による通電遮断部31への寄与の有効化と無効化とを切り替えることができるため、使用する環境に応じた任意の期間に終端電圧による電力消費を低減させることができる。
As described above, according to the present embodiment, the control of the
なお、通電制御信号をLレベル、Hレベルとするタイミングは、上記の例に限らず、任意のタイミングで切り替えることが可能であるものとする。 The timing at which the energization control signal is set to the L level and the H level is not limited to the above example, and can be switched at an arbitrary timing.
[第5の実施形態]
次に、第5の実施形態として、上記第4の実施形態で説明した構成において、CKE信号による通電遮断部31への寄与を、外部から入力される省エネモードへの移行を指示する省エネ移行信号により無効化する構成例について説明する。なお、上述した第1、第2、第3、第4の実施形態と同様の要素については、同一の符号を用いて示し、その説明は適宜省略する。
[Fifth Embodiment]
Next, as a fifth embodiment, in the configuration described in the fourth embodiment, the energy-saving transition signal that instructs the transition to the energy-saving mode that is input from the outside, with the contribution of the CKE signal to the
図11は、データ処理部152に対応する本実施形態のデータ処理部60の構成を示したブロック図である。同図に示したように、本実施形態に係るデータ処理部60は、ASIC41と、揮発性メモリ22と、終端電圧部23と、通電遮断部31と、トライステート反転回路52と、プルダウン抵抗53と、を備えている。
FIG. 11 is a block diagram showing a configuration of the
図11に示したように、トライステート反転回路52のゲート端子には、CPU151等の外部回路から入力される省エネモードへの移行を指示する省エネ移行信号が入力されるようになっている。ここで、「省エネモード」は、画像形成装置100の消費電力を抑えるための特殊な動作状態であって、スリープモードとも呼ばれるものである。この消費電力を抑えるための特殊な動作状態には、どれだけの消費電力を抑えるかによって何段階かの状態のレベルが存在している。
As shown in FIG. 11, an energy saving transition signal for instructing a transition to an energy saving mode input from an external circuit such as the
例えば、CPU151のクロック速度を低下させたり、機器内のデバイスへの電力供給を断つ等のいくつかの動作状態が存在する。何れの動作状態もCPU151から出力される省エネ移行信号に応じて移行が行われるものとするが、ここでは、「省エネモード」としてASIC41でデータ処理が行われない期間、終端電圧部23からの供給電力を遮断することが行われるものとする。
For example, there are several operation states such as reducing the clock speed of the
ここで、CPU151から入力される省エネ移行信号のうち、Hレベルの信号が省エネモードへの移行を指示(以下、省エネ移行信号ONという)し、Lレベルの信号が省エネモードではない通常の動作状態(通常動作モード)を指示するものとする。つまり、省エネ移行信号は、上述した第4の実施形態における通電制御信号と同様となるため、省エネ移行信号の信号レベルにより、CKE信号による通電遮断部31への寄与の無効化/有効化が制御されることになる。以下、Hレベルの省エネ移行信号を「ON状態」といい、Lレベルの省エネ移行信号を「OFF状態」という。
Here, among the energy saving transition signals input from the
なお、省エネモードに移行する要因(トリガ)は、特に問わないものとするが、例えば、CPU151が、各機能部(読取部11、画像形成部12、後処理部13、FAX部14、表示操作部16)が所定時間処理を行っていないことを確認した場合や、表示操作部16等を介してユーザから省エネモードへの移行が明示的に指示された場合に、省エネ移行信号をHレベルとする態様としてもよい。
Note that the factor (trigger) for shifting to the energy saving mode is not particularly limited. For example, the
また、省エネモードから復帰する要因も、特に問わないものとするが、例えば、表示操作部16等がユーザにより操作された場合や、図示しないセンサからの出力信号により読取部11に原稿が置かれたことをCPU151が検知した場合に、省エネ移行信号をLレベルとする態様としてもよい。
The factor for returning from the energy saving mode is not particularly limited. For example, when the
図12は、省エネ移行信号と、CKE信号と、通電遮断部31の動作との関係を示したタイミングチャートである。なお、同図では、画像形成装置100の電源投入時から始まる動作例を示しているが、これに限らないものとする。
FIG. 12 is a timing chart showing the relationship among the energy saving transition signal, the CKE signal, and the operation of the
図12に示したように、画像形成装置100の電源投入時において、CPU151はOFF状態の省エネ移行信号をトライステート反転回路52に出力しているものとする。この時、ASIC41のデータ処理状況によりCKE信号のレベルが変化したとしても、トライステート反転回路52及びプルダウン抵抗53による作用により、通電遮断部31(FET312のゲート端子)に入力される電圧はLレベル、即ちネゲート状態となるため、終端電圧部23から接続線25に終端電圧が供給されることになる。つまり、画像形成装置100の省エネモードがOFF状態の時に、CKE信号による通電遮断部31への寄与が無効となる。
As illustrated in FIG. 12, it is assumed that the
続いて、CPU151がON状態の省エネ移行信号を出力すると、トライステート反転回路52による作用により、CKE信号がLレベルの時のみ、通電遮断部31(FET312のゲート端子)に入力される電圧がHレベルとなり、終端電圧部23から接続線25に供給される終端電圧が遮断されることになる。つまり、画像形成装置100の省エネモードがON状態の時に、CKE信号による通電遮断部31への寄与が有効となる。
Subsequently, when the
以後、ON状態からOFF状態の省エネ移行信号に切り替わった場合、つまり省エネモードからの復帰が要求された場合には、ASIC41のデータ処理状況によらず、通電遮断部31(FET312のゲート端子)に入力される電圧はLレベルとなり、CKE信号による通電遮断部31への寄与が無効化されることになる。
Thereafter, when the energy saving transition signal is switched from the ON state to the OFF state, that is, when a return from the energy saving mode is requested, the energization cut-off unit 31 (the gate terminal of the FET 312) is connected regardless of the data processing status of the
次に、図13を参照して、データ処理部60の動作について説明する。図13は、データ処理部60の各部により実行される省エネ制御処理の手順を示したフローチャートである。
Next, the operation of the
まず、CPU151は、省エネモードに移行する要因が存在するか否を常時又は所定時間間隔毎に判定する(ステップS31;No)。CPU151は、上記した省エネモードへの移行要因の存在を確認すると(ステップS31;Yes)、トライステート反転回路52のゲート端子にON状態の省エネ移行信号を入力する(ステップS32)。これにより、CKE信号による通電遮断部31への寄与が有効化される(ステップS33)。
First, the
次いで、CPU151は、省エネモードから復帰する要因が存在するか否を判定し、上記した復帰要因が存在しないと判定した場合(ステップS34;No)、省エネ移行信号をON状態のまま維持する。続くステップS35では、ASIC41が、CPU151からデータ処理の実行を要求する処理要求が入力されたか否かを判定する(ステップS35)。
Next, the
ステップS35において、処理要求が入力されたと判定した場合(ステップS35;Yes)、ASIC41は処理要求で要求されたデータ処理を実行する。この間、ASIC41のCKE信号はHレベルとなるため、通電遮断部31は終端電圧部23からの終端電圧を接続線25に通電する(ステップS36)。
If it is determined in step S35 that a processing request has been input (step S35; Yes), the
ASIC41が処理要求で要求されたデータ処理を完了すると(ステップS37)、ASIC41のCKE信号がLレベルとなるため、通電遮断部31は、終端電圧部23から接続線25に供給される終端電圧を遮断し(ステップS38)、ステップS34の処理に再び戻る。
When the
また、ステップS35において、処理要求が入力されていないと判定した場合(ステップS35;No)、ASIC41のCKE信号はLレベルであるため、通電遮断部31は、終端電圧部23から接続線25に供給される終端電圧を遮断し(ステップS38)、ステップS34の処理に再び戻る。
If it is determined in step S35 that a processing request has not been input (step S35; No), the CKE signal of the
一方、ステップS34において、CPU151は、省エネモードからの復帰要因の存在を確認すると(ステップS34;Yes)、トライステート反転回路52のゲート端子にOFF状態の省エネ移行信号を入力する(ステップS39)。これにより、CKE信号による通電遮断部31への寄与が無効化される(ステップS40)。続いて、CPU151は、画像形成装置を省エネモードから通常動作モードへと復帰させ(ステップS41)、本処理を終了する。
On the other hand, in step S34, when the
以上のように、本実施形態によれば、データ処理部60外部のCPU151から入力される省エネ移行信号に基づいて、CKE信号による通電遮断部31への寄与の有効化と無効化とを切り替えることができるため、画像形成装置100の省エネモード時に終端電圧による電力消費を低減させることができる。
As described above, according to this embodiment, based on the energy saving transition signal input from the
以上、本発明を第1〜第5の実施形態を用いて説明してきたが、上述した実施形態に多様な変更または改良を加えることができる。また、上述した第1〜第5の実施形態において説明した構成や機能は、自由に組み合わせることができる。 As mentioned above, although this invention has been demonstrated using the 1st-5th embodiment, a various change or improvement can be added to embodiment mentioned above. Moreover, the structure and function demonstrated in the 1st-5th embodiment mentioned above can be combined freely.
例えば、上記の実施形態では、画像形成装置にデータ処理装置(データ処理部20、30(30a)、40、50、60)を適用した例を説明したが、これに限らず、PC(Personal Computer)等の情報処理装置に適用する態様としてもよい。
For example, in the above-described embodiment, the example in which the data processing apparatus (
以上のように、本発明に係るデータ処理装置、データ処理装置の終端電圧制御方法及び画像形成装置は、データ処理手段と主記憶装置とを接続する接続線に、終端電圧を印加する回路構成に有効であり、特に、データ処理手段に実行すべきデータ処理が無い時の終端電圧の通電制御を行う場合に適している。 As described above, the data processing apparatus, the termination voltage control method of the data processing apparatus, and the image forming apparatus according to the present invention have a circuit configuration in which the termination voltage is applied to the connection line that connects the data processing unit and the main storage device. This is effective, and is particularly suitable for controlling energization of the termination voltage when there is no data processing to be executed in the data processing means.
100 画像形成装置
11 読取部
111 自動両面原稿送り装置(RADF)
112 スキャナユニット
113 原稿台
12 画像形成部
121 用紙搬送部
122 レーザ書込ユニット
123 電子写真プロセス部
13 後処理部
14 FAX部
15 メインCTL基板
151 CPU
152 データ処理部
153 I/Oコントローラ
154 オプションスロット
155 データ蓄積部
16 表示操作部
17 電源ユニット
20 データ処理部
21 ASIC
22 揮発性メモリ
23 終端電圧部
24 通電遮断部
25 接続線
26 終端抵抗
30 データ処理部
30a データ処理部
31 通電遮断部
311 FET
312 FET
32 ASIC
40 データ処理部
41 ASIC
50 データ処理部
51 ASIC
52 トライステート反転回路
53 プルダウン抵抗
60 データ処理部
200 外部装置
DESCRIPTION OF
DESCRIPTION OF
152 Data Processing Unit 153 I /
22
312 FET
32 ASIC
40
50
52
Claims (12)
所定のデータ処理を行うデータ処理手段と、
前記記憶手段と前記データ処理手段とを接続する複数の接続線の各々に接続され、当該接続線に抵抗を介して所定の電圧を印加する電圧印加手段と、
前記接続線と前記抵抗との間に接続され、前記データ処理手段のデータ処理状態に応じて前記所定の電圧の通電を制御する通電遮断手段と、
を備え、
前記複数の接続線のうち、前記記憶手段と前記データ処理手段との間で一定時間以上アクセスが無い場合に当該データ処理手段の端子論理をハイインピーダンス状態とする端子に接続された接続線が、前記通電遮断手段を介さずに前記電圧印加手段に接続されていることを特徴とするデータ処理装置。 Storage means;
Data processing means for performing predetermined data processing;
It is connected to each of the plurality of connection lines for connecting the data processing means and said memory means, and a voltage applying means for applying a predetermined voltage through a resistor to the connection line,
An energization cut-off means connected between the connection line and the resistor and controlling energization of the predetermined voltage according to a data processing state of the data processing means;
With
Of the plurality of connection lines, a connection line connected to a terminal that sets the terminal logic of the data processing means to a high impedance state when there is no access for a certain time or more between the storage means and the data processing means, A data processing apparatus, wherein the data processing apparatus is connected to the voltage application means without going through the energization cutoff means .
前記通電遮断手段は、前記データ処理手段から入力された信号に基づいて、前記所定の電圧の通電をオン/オフすることを特徴とする請求項1又は2に記載のデータ処理装置。 The data processing means outputs a signal for turning on energization of the predetermined voltage to the energization cutoff means during data processing, and outputs a signal for turning off energization of the predetermined voltage when there is no data processing to be executed. Output to the power-off means,
3. The data processing apparatus according to claim 1, wherein the energization cutoff unit turns on / off energization of the predetermined voltage based on a signal input from the data processing unit.
前記接続線と前記抵抗との間に接続した通電遮断手段により、前記データ処理手段のデータ処理状態に応じて、前記所定の電圧の通電を制御する通電遮断工程を含み、
前記複数の接続線のうち、前記記憶手段と前記データ処理手段との間で一定時間以上アクセスが無い場合に当該データ処理手段の端子論理をハイインピーダンス状態とする端子に接続された接続線が、前記通電遮断手段を介さずに前記電圧印加手段に接続されていることを特徴とする電圧制御方法。 Applying a storage unit, a data processing unit for performing predetermined data processing, which is connected with the storage means to each of the plurality of connection lines for connecting the data processing unit, a predetermined voltage through a resistor to the connection line A voltage control method executed by a data processing device comprising:
By energization interrupting means connected between said resistor and said connection line, according to the data processing state of the data processing unit, viewed including the current interrupting step of controlling the energization of said predetermined voltage,
Of the plurality of connection lines, a connection line connected to a terminal that sets the terminal logic of the data processing means to a high impedance state when there is no access for a certain time or more between the storage means and the data processing means, A voltage control method , wherein the voltage application means is connected to the voltage application means without going through the energization cutoff means .
画像形成に係る所定のデータ処理を行うデータ処理手段と、
前記記憶手段と前記データ処理手段とを接続する複数の接続線の各々に接続され、当該接続線に抵抗を介して所定の電圧を印加する電圧印加手段と、
前記接続線と前記抵抗との間に接続され、前記データ処理手段のデータ処理状態に応じて前記所定の電圧の通電を制御する通電遮断手段と、
を備え、
前記複数の接続線のうち、前記記憶手段と前記データ処理手段との間で一定時間以上アクセスが無い場合に当該データ処理手段の端子論理をハイインピーダンス状態とする端子に接続された接続線が、前記通電遮断手段を介さずに前記電圧印加手段に接続されていることを特徴とする画像形成装置。 Storage means;
Data processing means for performing predetermined data processing relating to image formation ;
Voltage application means connected to each of a plurality of connection lines connecting the storage means and the data processing means, and applying a predetermined voltage to the connection lines via a resistor;
An energization cut-off means connected between the connection line and the resistor and controlling energization of the predetermined voltage according to a data processing state of the data processing means;
With
Of the plurality of connection lines, a connection line connected to a terminal that sets the terminal logic of the data processing means to a high impedance state when there is no access for a certain time or more between the storage means and the data processing means, An image forming apparatus, wherein the image forming apparatus is connected to the voltage application means without going through the energization cutoff means.
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