JP5197914B2 - Polishing pad - Google Patents
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Description
この発明は、半導体等の研磨に用いる研磨パッドに関する。 The present invention relates to a polishing pad used for polishing a semiconductor or the like.
半導体等の製造における研磨工程は、通常、研磨パッドとスラリーを使用して行われる。 The polishing step in the production of semiconductors and the like is usually performed using a polishing pad and slurry.
図１は、一般的な研磨構造を示す図である。
図１を用いて研磨工程を説明すると、被研磨物であるウエハ１を研磨ヘッド２に保持し、定盤３上に設置した研磨パッド４に押し付け、水中に砥粒等を分散したスラリーを供給しながら研磨ヘッド２と定盤３を矢印５および６の方向に回転することにより行われる。
FIG. 1 is a diagram showing a general polishing structure.
The polishing process will be described with reference to FIG. 1. A
研磨された被研磨物に要求される品質は、被研磨物の全体的な平坦度を示す指標であるＧＢＩＲ（グローバル・バックサイド・アイデアル・レンジ）や、被研磨物の部分的な平坦度を示す指標であるＳＦＱＲ（サイト・フロント・リースト・スクェアー・レンジ）などの平坦度で表される。特に、シリコンウエハの一次研磨工程においては、これらのＧＢＩＲおよびＳＦＱＲの値が出来る限り低い事が望まれている。当該平坦度は、被研磨物の種類により適宜設定されるが、例えばウエハの一次研磨工程においては、ＧＢＩＲが１．０μｍ以下、ウエハ全面の平均ＳＦＱＲが０．５μｍ以下が必要となる。 The quality required for the polished workpiece is the GBIR (Global Backside Ideal Range), which is an indicator of the overall flatness of the workpiece, and the partial flatness of the workpiece. It is represented by flatness such as SFQR (site front, least, square, range) which is an index to be shown. In particular, in the primary polishing process of a silicon wafer, it is desired that these GBIR and SFQR values are as low as possible. The flatness is appropriately set depending on the type of the object to be polished. For example, in the primary polishing step of the wafer, GBIR is required to be 1.0 μm or less and the average SFQR of the entire wafer surface is required to be 0.5 μm or less.
高平坦度のウエハ１を得るためには、定盤３の回転速度、研磨時の圧力、スラリー量などが影響するが、中でも研磨パッド４の特性が大きく影響する。
In order to obtain the
図５は、図１の一点鎖線で囲んだ部分の拡大図である。
図５に示す研磨工程において、研磨パッド４にはウエハ１が研磨パッド４上を移動した直後、研磨パッド４の圧縮されていた部分が元に戻ろうとする矢印９に示す力が生じる。
FIG. 5 is an enlarged view of a portion surrounded by a one-dot chain line in FIG.
In the polishing step shown in FIG. 5, immediately after the
研磨パッドの硬度を高くした場合、研磨パッド表面の変形量が小さくなり、研磨後のウエハ表面の良好な平坦度が得られるものとして、高硬度の研磨パッドが知られている（例えば、特許文献１参照。）。この高硬度の研磨パッドは、一般的に回復率も高くなることが知られている。 When the hardness of the polishing pad is increased, the amount of deformation of the polishing pad surface is reduced, and a high hardness polishing pad is known as one that can obtain good flatness of the polished wafer surface (for example, Patent Documents). 1). It is known that this high hardness polishing pad generally has a high recovery rate.
特許文献１に記載の高硬度・高回復率の研磨パッドを使用した場合、移動するウエハ１のエッジ部分１０に、研磨パッド４が戻ろうとする過度の圧力がかかり、結果的にウエハ１のエッジ部分１０が過度に研磨された「フチダレ」といわれる角がとれた様な状態になり、ウエハ周辺部の平坦度を悪化させる問題が生じていた。「フチダレ」状態が発生した場合、ウエハ１のエッジ部分１０の平坦度が確保できないため、当該部分は使用不可能となる。この「フチダレ」は、ウエハ１の全外周に発生するため、一枚のウエハ１から製造できるデバイスの量が大幅に減少する。
When the polishing pad having a high hardness and a high recovery rate described in
したがって、本発明は上記問題点を解決するためになされたもので、被研磨物のエッジ部分の角が削れた状態にならない、すなわち被研磨物表面全体の平坦性を確保することができる研磨パッドを提供することを目的とする。 Therefore, the present invention has been made to solve the above-described problems, and the polishing pad that does not cut the corner of the edge portion of the object to be polished, that is, can ensure the flatness of the entire surface of the object to be polished. The purpose is to provide.
本発明の研磨パッドは、半導体などの製造における研磨工程に用いられる研磨パッドであって、
不織布にポリウレタンを含浸して硬化させたもので、
前記不織布が、レーヨン不織布、ナイロン不織布、ポリエステル不織布、アクリル不織布、ポリプロピレン不織布からなる群より選択される１種であって、
（ａ）アスカーＣ硬度が９０〜１００、
（ｂ）圧縮率が１．０〜２．５％、
（ｃ）回復率が５０〜６５％、
の物性を有することを特徴とする。
The polishing pad of the present invention is a polishing pad used in a polishing step in the production of a semiconductor or the like,
A nonwoven fabric impregnated with polyurethane and cured.
The nonwoven fabric is one selected from the group consisting of rayon nonwoven fabric, nylon nonwoven fabric, polyester nonwoven fabric, acrylic nonwoven fabric, polypropylene nonwoven fabric,
(A) Asker C hardness is 90-100,
(B) the compression ratio is 1.0 to 2.5%,
(C) 50-65% recovery rate,
It has the following physical properties.
また、本発明の研磨パッドは、半導体などの製造における研磨工程に用いられる研磨パッドであって、
不織布にポリウレタンを含浸して硬化させたもので、
前記不織布が、レーヨン不織布、ナイロン不織布、ポリエステル不織布、アクリル不織布、ポリプロピレン不織布からなる群より選択される１種であって、
（ａ）アスカーＣ硬度が９０〜１００、
（ｂ）圧縮率が１．０〜２．５％、
（ｃ）回復率が５０〜６５％、
の物性を有し、前記ポリウレタンがプレポリマーとメチレンビス（２，３−ジクロロアニリン）の硬化剤からなることを特徴とする。
Moreover, the polishing pad of the present invention is a polishing pad used in a polishing step in the production of a semiconductor or the like,
A nonwoven fabric impregnated with polyurethane and cured.
The nonwoven fabric is one selected from the group consisting of rayon nonwoven fabric, nylon nonwoven fabric, polyester nonwoven fabric, acrylic nonwoven fabric, polypropylene nonwoven fabric,
(A) Asker C hardness is 90-100,
(B) the compression ratio is 1.0 to 2.5%,
(C) 50-65% recovery rate,
The polyurethane is composed of a prepolymer and a curing agent of methylenebis (2,3-dichloroaniline).
また、本発明の研磨パッドは、不織布にポリウレタンを含浸して硬化させたもので、「アスカーＣ硬度」が９０〜１００、「圧縮率」が１．０〜２．５％、「回復率」が５０〜６５％、の物性を有し、前記ポリウレタンがプレポリマーとメチレンビス(２，３−ジクロロアニリン)の硬化剤からなり、前記ポリウレタン中の硬化剤の添加量が、プレポリマー中のイソシアネート基に対する硬化剤中のアミン基が０．８〜１．２当量であることを特徴とする。 Further, the polishing pad of the present invention is obtained by impregnating a polyurethane into a non-woven fabric and cured, and the “ Asker C hardness” is 90 to 100, the “compression rate” is 1.0 to 2.5%, and the “recovery rate”. Has a physical property of 50 to 65%, the polyurethane is composed of a prepolymer and a curing agent of methylenebis (2,3-dichloroaniline), and the addition amount of the curing agent in the polyurethane is an isocyanate group in the prepolymer. The amine group in the curing agent is 0.8 to 1.2 equivalents.
本発明によれば、回復率を最適な値とした研磨パッドを用いることにより、被研磨物のエッジ部分の角が削れた状態にならない、すなわち被研磨物表面全体の平坦性を確保することができる。 According to the present invention, by using a polishing pad with an optimum recovery rate, the edge of the edge portion of the object to be polished is not scraped, that is, the flatness of the entire surface of the object to be polished can be ensured. it can.
また、本発明による研磨パッドを使用することにより、被研磨物表面全面にデバイスを作成することができ、デバイス製造工程における製品歩留まりの向上が可能である。 Further, by using the polishing pad according to the present invention, a device can be formed on the entire surface of the object to be polished, and the product yield in the device manufacturing process can be improved.
以下に、本発明の実施形態を説明する。
本発明に係る研磨パッドは、ポリウレタンを主な材料にした研磨パッドであり、特定の物性を有する。本発明に係る研磨パッドは、「硬度」が９０〜１００、「圧縮率」が１．０〜２．５％、「回復率」が５０〜６５％未満である研磨パッドであり、被研磨物表面全体の平坦度を確保できる。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.
The polishing pad according to the present invention is a polishing pad mainly made of polyurethane and has specific physical properties. The polishing pad according to the present invention is a polishing pad having a “hardness” of 90 to 100, a “compression rate” of 1.0 to 2.5%, and a “recovery rate” of less than 50 to 65%, and an object to be polished The flatness of the entire surface can be ensured.
ここで、永井進監修 実用プラスチック辞典第３版によると、研磨パッドの硬度は、「ある物体を持って研磨パッドに変形を与えた時、後者の示す抵抗の大小」と定義される。
本発明における「硬度」の値は、アスカーゴム硬度計Ｃ型を用いて測定を行った際の硬度を示している。 本発明に係る研磨パッドの「アスカーＣ硬度」は９０〜１００である。９０未満では、研磨パッドが軟らかくなりすぎてしまい、研磨時に目的とする平坦度が得られない。また、研磨時にパッドの変形が大きくなりすぎてしまい、被研磨物のエッジ部分の角が削れてしまうので好ましくない。硬度１００は、アスカーゴム硬度計Ｃ型による測定器上限であり、当該硬度計により変形が確認されない硬度を意味する。
Here, according to the third edition of the Practical Plastic Dictionary supervised by Susumu Nagai, the hardness of the polishing pad is defined as “the magnitude of the resistance indicated by the latter when a polishing pad is deformed with a certain object”.
The value of “hardness” in the present invention indicates the hardness when measured using an Asker rubber hardness meter C type. The “ Asker C hardness” of the polishing pad according to the present invention is 90-100. If it is less than 90, the polishing pad becomes too soft and the desired flatness cannot be obtained during polishing. Further, the pad deformation becomes too large during polishing, and the corners of the edge of the object to be polished are scraped off, which is not preferable. The hardness 100 is the upper limit of the measuring instrument by the Asker rubber hardness meter C type, and means a hardness at which no deformation is confirmed by the hardness meter.
一方、研磨パッドの圧縮率は、ＪＩＳ Ｌ １０９６に準拠した方法により以下に示す厚みを測定し、その値に基づいて算出する。
圧縮率（％）＝｛（Ｔ１―Ｔ２）／Ｔ１｝×１００
ここで、
Ｔ１：研磨パッドに無負荷状態から３００ｇ／ｃｍ２の応力を６０秒間加えて保持した際の研磨パッドの厚み
Ｔ２：Ｔ１の状態からさらに１８００ｇ／ｃｍ２の応力を６０秒間加えて保持した際の研磨パッドの厚みである。
On the other hand, the compressibility of the polishing pad is calculated based on a value obtained by measuring the thickness shown below by a method based on JIS L 1096.
Compression rate (%) = {(T1-T2) / T1} × 100
here,
T1: Thickness of the polishing pad when a stress of 300 g / cm 2 is applied to the polishing pad from an unloaded state for 60 seconds and held T2: When a stress of 1800 g / cm 2 is applied for 60 seconds from the state of T1 This is the thickness of the polishing pad.
本発明に係る研磨パッドの「圧縮率」は、１．０〜２．５％である。「圧縮率」が１．０％未満である場合は、研磨パッドが硬すぎるため、スクラッチなどが発生し易い。また、２．５％以上では、研磨パッドの変形量が大きすぎるため、平坦度が得られない。 The “compression rate” of the polishing pad according to the present invention is 1.0 to 2.5%. When the “compression ratio” is less than 1.0%, the polishing pad is too hard, and scratches and the like are likely to occur. On the other hand, if it is 2.5% or more, the amount of deformation of the polishing pad is too large, and flatness cannot be obtained.
次に、研磨パッドの回復率は、以下に示す厚みを測定することにより行った。
回復率（％）＝｛（Ｔ３―Ｔ２）／（Ｔ１―Ｔ２）｝×１００
ここで、
Ｔ１：研磨パッドに無負荷状態から３００ｇ／ｃｍ２の応力を６０秒間加えて保持した際の研磨パッドの厚み
Ｔ２：Ｔ１の状態からさらに１８００ｇ／ｃｍ２の応力を６０秒間加えて保持した際の研磨パッドの厚み
Ｔ３：Ｔ２の状態から無負荷状態で６０秒間保持し、その後、３００ｇ／ｃｍ２の応力を６０秒間加えて保持した際の研磨パッドの厚みである。
Next, the recovery rate of the polishing pad was measured by measuring the thickness shown below.
Recovery rate (%) = {(T3-T2) / (T1-T2)} × 100
here,
T1: Thickness of the polishing pad when a stress of 300 g / cm 2 is applied to the polishing pad from an unloaded state for 60 seconds and held T2: When a stress of 1800 g / cm 2 is applied for 60 seconds from the state of T1 Polishing Pad Thickness T3: The thickness of the polishing pad when held for 60 seconds in the unloaded state from T2, and then held by applying a stress of 300 g / cm 2 for 60 seconds.
本発明に係る研磨パッドの「回復率」は５０〜６５％である。「回復率」が５０％未満の場合、研磨中の繰り返し荷重により、研磨パッド表面に大きすぎる段差が発生し、研磨特性がばらつくことになる。６５％以上の場合、研磨時に被研磨物のエッジ部にかかる応力が大きくなるため、エッジ部の角が削れてしまい、「フチダレ」が発生する。 The “recovery rate” of the polishing pad according to the present invention is 50 to 65%. When the “recovery rate” is less than 50%, an excessively large step is generated on the surface of the polishing pad due to the repeated load during polishing, and the polishing characteristics vary. If it is 65% or more, the stress applied to the edge portion of the object to be polished at the time of polishing becomes large, and the corners of the edge portion are scraped off, resulting in “edge”.
本発明に係る研磨パッドは、上記条件を満たすものであって不織布にポリウレタンを含浸して硬化後、その表面を研削加工することにより平坦としたものを用いる。特に、シリコンウエハの一次研磨工程においては、研磨パッド表面に有する孔がスラリーを十分量保持できる。 A polishing pad according to the present invention, after curing by impregnating the polyurethane nonwoven fabric I above condition is satisfied der, Ru with those flat by grinding the surface. In particular, in the primary polishing step of the silicon wafer, the holes on the polishing pad surface can hold a sufficient amount of slurry .
不織布は、レーヨン、ナイロン、ポリエステル、アクリル、ポリプロピレンから必要に応じて種々選択することができる。 The nonwoven fabric can be variously selected from rayon, nylon, polyester, acrylic, and polypropylene as necessary.
ポリウレタンは、プレポリマーと硬化剤を溶剤により適度な粘度に調整し、不織布に含浸させた後、硬化させる。 Polyurethane is cured after the prepolymer and curing agent are adjusted to an appropriate viscosity with a solvent, impregnated into a nonwoven fabric.
ここで、本発明に使用されるプレポリマーは、イソシアネートとポリオールからなる。イソシアネートとしては、２，４−トルエンジイソシアネート、２，６−トルエンジイソシアネート、２，２’−ジフェニルメタンジイソシアネート、２，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、１，５−ナフタレンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、ｍ−フェニレンジイソシアネート、ｐ−キシリレンジイソシアネート、ｍ−キシリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、１，４−シクロヘキサンジイソシアネート、４，４’−ジシクロへキシルメタンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。 Here, the prepolymer used in the present invention comprises an isocyanate and a polyol. As the isocyanate, 2,4-toluene diisocyanate, 2,6-toluene diisocyanate, 2,2′-diphenylmethane diisocyanate, 2,4′-diphenylmethane diisocyanate, 4,4′-diphenylmethane diisocyanate, 1,5-naphthalene diisocyanate, p -Phenylene diisocyanate, m-phenylene diisocyanate, p-xylylene diisocyanate, m-xylylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, 1,4-cyclohexane diisocyanate, 4,4'-dicyclohexylmethane diisocyanate, isophorone diisocyanate and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
ポリオールとしては、ポリテトラメチレンエーテルグリコールに代表されるポリエ−テルポリオール、ポリブチレンアジペ−トに代表されるポリエステルポリオ−ル、ポリカプロラクトンポリオール、ポリエステルポリカーボネートポリオール、ポリエステルポリカーボネートポリオール、及びポリカーボネートポリオールや、エチレングリコール、１，２−プロピレングリコール、１，３−プロピレングリコール、１，４−ブタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール、１，４−シクロヘキサンジメタノール、３−メチル−１，５−ペンタンジオール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、１，４−ビス（２−ヒドロキシエトキシ）ベンゼン等の低分子量ポリオールなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。 Examples of the polyol include a polyether polyol typified by polytetramethylene ether glycol, a polyester polyol typified by polybutylene adipate, a polycaprolactone polyol, a polyester polycarbonate polyol, a polyester polycarbonate polyol, and a polycarbonate polyol. Ethylene glycol, 1,2-propylene glycol, 1,3-propylene glycol, 1,4-butanediol, 1,6-hexanediol, neopentyl glycol, 1,4-cyclohexanedimethanol, 3-methyl-1,5 -Low molecular weight polyols such as pentanediol, diethylene glycol, triethylene glycol and 1,4-bis (2-hydroxyethoxy) benzene. These may be used alone or in combination of two or more.
ウレタンプレポリマー用の硬化剤としては、通常ＭｂＯＣＡ（４，４−メチレンビス２−クロロアニリン）が使用される。しかし、ＭｂＯＣＡの場合、ポリウレタンとして硬化させた際の硬度は比較的高いが、圧縮率が６５％を超えるため「フチダレ」が発生する。従って、本発明に係る特性を達成するためには、硬化剤としてメチレンビス(２，３−ジクロロアニリン)を使用することが好ましい。メチレンビス(２，３−ジクロロアニリン)を使用した場合、研磨パッドは、硬度が高く、「圧縮率」が５０〜６５％と、圧縮応力を受けた際、適度な反発と、適度な永久変形を示す。つまり、研磨時に被研磨物のエッジ部にかかる応力が最適となり、「フチダレ」が発生しない。 As the curing agent for the urethane prepolymer, MbOCA (4,4-methylenebis-2-chloroaniline) is usually used. However, in the case of MbOCA, the hardness when cured as polyurethane is relatively high, but “compression” occurs because the compression rate exceeds 65%. Therefore, in order to achieve the characteristics according to the present invention, it is preferable to use methylene bis (2,3-dichloroaniline) as a curing agent. When methylene bis (2,3-dichloroaniline) is used, the polishing pad has a high hardness and a “compression ratio” of 50 to 65%. When subjected to a compressive stress, the polishing pad exhibits an appropriate rebound and an appropriate permanent deformation. Show. In other words, the stress applied to the edge portion of the object to be polished at the time of polishing is optimal, and “edge” does not occur.
硬化剤の添加量は、本発明に係る特性を保持できる量を添加することが好ましいが、特に、プレポリマー中のイソシアネート基に対するアミノ基が０．８〜１．２当量となるよう添加することが好ましい。アミノ基の添加量が０．８当量未満の場合反応が十分進まず、１．２当量を超えた場合硬化までの時間が短くなりすぎたり、研磨パッドが過度に高硬度になったりするため、好ましくない。 The addition amount of the curing agent is preferably an amount that can maintain the characteristics according to the present invention, but in particular, the addition should be performed so that the amino group with respect to the isocyanate group in the prepolymer is 0.8 to 1.2 equivalents. Is preferred. When the amount of amino group added is less than 0.8 equivalent, the reaction does not proceed sufficiently, and when it exceeds 1.2 equivalent, the time to cure becomes too short, or the polishing pad becomes excessively hard, It is not preferable.
本発明に係る研磨パッド表面には、必要に応じて孔や溝などの加工を施しても良い。これらは、研磨パッド上にスラリーを保持して、被研磨物（ウエハ）を効率良く研磨する為に有効に作用する。孔加工を施すことにより、研磨パッドの硬度が低下したり、圧縮率が上昇したりした場合、不織布の密度を選択する事により、研磨パッド全体の密度を高くする事ができる。ここで、本発明に係る研磨パッドとしての「密度」は、０．５ｇ／ｃｍ３以上であれば良好な平坦度を得られる。しかしながら、高すぎると孔の存在率が低下してスラリーを十分研磨パッド上に保持できなくなり、研磨レートが低下することとなるため、上限は０．８ｇ／ｃｍ３程度が好ましく、より好ましくは０．６ｇ／ｃｍ３程度である。 The surface of the polishing pad according to the present invention may be subjected to processing such as holes and grooves as necessary. These effectively act to hold the slurry on the polishing pad and efficiently polish the object to be polished (wafer). When the hardness of the polishing pad is reduced or the compression rate is increased by performing the hole processing, the density of the entire polishing pad can be increased by selecting the density of the nonwoven fabric. Here, if the “density” as the polishing pad according to the present invention is 0.5 g / cm 3 or more, good flatness can be obtained. However, if it is too high, the abundance ratio of the pores is lowered and the slurry cannot be sufficiently retained on the polishing pad, and the polishing rate is lowered. Therefore, the upper limit is preferably about 0.8 g / cm 3 , more preferably 0. About 6 g / cm 3 .
次に、本発明の実施例１を詳細に説明する。
目付け２５０ｇ／ｍ2のポリエステル不織布をプレポリマー中のイソシアネート基に対する硬化剤中のアミン基の量が０．９当量となるよう、イソシアネート末端のプレポリマーとメチレンビス(２，３−ジクロロアニリン)を混合し、固形分が２７％になる様にＭＥＫ（メチルエチルケトン）にて希釈した溶液に浸漬した後、オーブンで硬化させた。ウレタン溶液の含浸量は、硬化後の密度が０．６ｇ／ｃｍ３になるよう調整した。
Next, Example 1 of the present invention will be described in detail.
A polyester non-woven fabric having a basis weight of 250 g / m 2 is mixed with an isocyanate-terminated prepolymer and methylene bis (2,3-dichloroaniline) so that the amount of amine groups in the curing agent is 0.9 equivalent to the isocyanate groups in the prepolymer. The film was immersed in a solution diluted with MEK (methyl ethyl ketone) so that the solid content was 27%, and then cured in an oven. The impregnation amount of the urethane solution was adjusted so that the density after curing was 0.6 g / cm 3 .
次に、このシートの表面、裏面を高速回転する研削装置により研削し、厚さを１．２７ｍｍに仕上げ研磨パッドを得た。この研磨パッドを使用してエッチドシリコンウエハを一次研磨した。研磨機は米国ストラスバー社製研磨機（機器名：６ＣＡ）を使用し、得られた研磨パッドを両面テープにて定盤に固定した。定盤の回転速度を１１５ｒｐｍとし、シリカ砥粒を含むスラリーを毎分３００ｍｌ滴下して研磨を行った。研磨したウエハは、日本ＡＤＥ株式会社製測定器（機器名：ウルトラゲージ９５００Ａ）を使用してその平坦度を測定した。また、試作した研磨パッドの物性について、「圧縮率」、「回復率」、「硬度」および「密度」を測定した。結果を図２乃至図４に示す。 Next, the front and back surfaces of the sheet were ground by a grinding device that rotates at high speed, to obtain a finished polishing pad with a thickness of 1.27 mm. Using this polishing pad, the etched silicon wafer was primarily polished. As the polishing machine, a polishing machine (equipment name: 6CA) manufactured by Strasbar, USA was used, and the obtained polishing pad was fixed to a surface plate with a double-sided tape. The rotation speed of the platen was 115 rpm, and 300 ml of slurry containing silica abrasive grains was dropped every minute for polishing. The polished wafer was measured for flatness using a measuring instrument (device name: Ultra Gauge 9500A) manufactured by Japan ADE Co., Ltd. In addition, the “compression ratio”, “recovery ratio”, “hardness” and “density” were measured for the physical properties of the trial polishing pad. The results are shown in FIGS.
＜比較例＞
硬化剤にＭｂＯＣＡを使用した以外は、全て実施例１を同じ条件として研磨パッドを製作し、実施例１と同様に研磨試験および研磨パッドの物性を測定した。結果を図２および図４に示す。
<Comparative example>
Except for using MbOCA as the curing agent, a polishing pad was manufactured under the same conditions as in Example 1, and the polishing test and the physical properties of the polishing pad were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in FIG. 2 and FIG.
図２は、実施例１と比較例の研磨パッドの特性を示す図である。
図２に示すとおり、実施例１の研磨パッドは、「圧縮率」が２．３０％、「回復率」が６２％、「硬度」が９２％、「密度が０．６１ｇ／ｃｍ３」と本発明を満足する値を示した。
FIG. 2 is a graph showing the characteristics of the polishing pads of Example 1 and Comparative Example.
As shown in FIG. 2, the polishing pad of Example 1 has a “compression rate” of 2.30%, a “recovery rate” of 62%, a “hardness” of 92%, and a “density of 0.61 g / cm 3 ”. A value satisfying the present invention was shown.
図３は、図１の一点鎖線で囲んだ部分の拡大図である。
図３に示すとおり、実施例１における研磨パッドを用いて研磨した場合、十分な圧縮率を有することにより、移動するウエハ１のエッジ部分８に、研磨パッド４が戻ろうとする方向７に圧力がほとんどかかることなく、「フチダレ」が生じなかった。
FIG. 3 is an enlarged view of a portion surrounded by a one-dot chain line in FIG.
As shown in FIG. 3, when polishing is performed using the polishing pad in Example 1, the pressure is applied in the direction 7 in which the
図４は、実施例１と比較例の研磨試験の結果を示す図である。
図４に示すとおり、実施例１の研磨パッドによる研磨試験結果は、ＧＢＩＲが１．０μｍ以下、ＳＦＱＲが０．５μｍ以下の良好な平坦度を得る事ができた。
FIG. 4 is a diagram showing the results of the polishing test of Example 1 and the comparative example.
As shown in FIG. 4, the results of the polishing test using the polishing pad of Example 1 were able to obtain good flatness with a GBIR of 1.0 μm or less and an SFQR of 0.5 μm or less.
本発明によれば、回復率を最適な値とした研磨パッドを用いることにより、被研磨物のエッジ部分の角が削れた状態にならない、すなわち被研磨物表面全体の平坦性を確保することができる。 According to the present invention, by using a polishing pad with an optimum recovery rate, the edge of the edge portion of the object to be polished is not scraped, that is, the flatness of the entire surface of the object to be polished can be ensured. it can.
また、本発明による研磨パッドを使用することにより、被研磨物表面全面にデバイスを作成することができ、デバイス製造工程における製品歩留まりの向上が可能である。 Further, by using the polishing pad according to the present invention, a device can be formed on the entire surface of the object to be polished, and the product yield in the device manufacturing process can be improved.
１ 被研磨物
２ 研磨ヘッド
３ 定盤
４ 研磨パッド
５、６ 回転方向
７ 圧力方向
８ エッジ部分
DESCRIPTION OF
Claims (3)
不織布にポリウレタンを含浸して硬化させたもので、
前記不織布が、レーヨン不織布、ナイロン不織布、ポリエステル不織布、アクリル不織布、ポリプロピレン不織布からなる群より選択される１種であって、
（ａ）アスカーＣ硬度が９０〜１００、
（ｂ）圧縮率が１．０〜２．５％、
（ｃ）回復率が５０〜６５％、
の物性を有することを特徴とする研磨パッド。 A polishing pad used in a polishing process in the manufacture of semiconductors and the like,
A nonwoven fabric impregnated with polyurethane and cured.
The nonwoven fabric is one selected from the group consisting of rayon nonwoven fabric, nylon nonwoven fabric, polyester nonwoven fabric, acrylic nonwoven fabric, polypropylene nonwoven fabric,
(A) Asker C hardness is 90-100,
(B) the compression ratio is 1.0 to 2.5%,
(C) 50-65% recovery rate,
A polishing pad having the following physical properties:
不織布にポリウレタンを含浸して硬化させたもので、
前記不織布が、レーヨン不織布、ナイロン不織布、ポリエステル不織布、アクリル不織布、ポリプロピレン不織布からなる群より選択される１種であって、
（ａ）アスカーＣ硬度が９０〜１００、
（ｂ）圧縮率が１．０〜２．５％、
（ｃ）回復率が５０〜６５％、
の物性を有し、前記ポリウレタンがプレポリマーとメチレンビス（２，３−ジクロロアニリン）の硬化剤からなることを特徴とする研磨パッド。 A polishing pad used in a polishing process in the manufacture of semiconductors and the like,
A nonwoven fabric impregnated with polyurethane and cured.
The nonwoven fabric is one selected from the group consisting of rayon nonwoven fabric, nylon nonwoven fabric, polyester nonwoven fabric, acrylic nonwoven fabric, polypropylene nonwoven fabric,
(A) Asker C hardness is 90-100,
(B) the compression ratio is 1.0 to 2.5%,
(C) 50-65% recovery rate,
A polishing pad, wherein the polyurethane comprises a prepolymer and a curing agent of methylenebis (2,3-dichloroaniline).
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