JP5197673B2 - Bottom chassis for thin film transistor type liquid crystal display element and manufacturing method thereof - Google Patents
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Description
本発明は、薄膜トランジスタ型液晶表示素子（ＴＦＴ−ＬＣＤ）用ボトムシャーシ（Ｂｏｔｔｏｍ Ｃｈａｓｓｉｓ）及びその製造方法に関するもので、より詳細には、薄膜トランジスタ型液晶表示素子にパネルユニットと共に必須で含まれるバックライトユニットを収納するためのボトムシャーシの軽量化及びスリム化を達成することができ、耐汚染性を与えることができる技術に関するものである。 The present invention relates to a bottom chassis for a thin film transistor type liquid crystal display element (TFT-LCD) and a method for manufacturing the same, and more particularly, a backlight unit included in the thin film transistor type liquid crystal display element together with a panel unit. TECHNICAL FIELD The present invention relates to a technology capable of achieving weight reduction and slimming of a bottom chassis for storing a battery and imparting stain resistance.
薄膜トランジスタ型液晶表示素子（ＴＦＴ−ＬＣＤ）は、平面ディスプレイの一種であって、液晶の変化と偏光板を通過する光の量を調節する方式を用いる。ＴＦＴ−ＬＣＤは、電気消費量が少なく、軽くかつ薄いとともに解像度が高いという利点のため、現在、ノートブックコンピュータ、デスクトップコンピュータのモニタ、携帯電話、テレビ、デジタルカメラなどの多くの装置のディスプレイとして使用されている。 A thin film transistor type liquid crystal display element (TFT-LCD) is a kind of flat display, and uses a method of adjusting a change of liquid crystal and an amount of light passing through a polarizing plate. TFT-LCD is currently used as a display for many devices such as notebook computers, desktop computer monitors, mobile phones, TVs, digital cameras, etc. due to the advantages of low power consumption, light and thin and high resolution Has been.
ＴＦＴ−ＬＣＤは、大きくパネルユニット、バックライトユニット及びボトムシャーシで構成される。 The TFT-LCD is mainly composed of a panel unit, a backlight unit, and a bottom chassis.
このうち、ボトムシャーシは、バックライトユニットを収納及び支持する役割とともに、光源から発生する熱を放出する役割をし、場合によっては、光源などの接地の役割、電磁波遮蔽の役割をすることもある。このようなボトムシャーシには、強度、表面電気伝導性、耐化学性が要求されるとともに、優れた加工性が要求される。 Among these, the bottom chassis serves to store and support the backlight unit, and also to release heat generated from the light source. In some cases, the bottom chassis serves to ground the light source and the like, and also to shield electromagnetic waves. . Such a bottom chassis is required to have strength, surface electrical conductivity, chemical resistance, and excellent workability.
一方、従来のボトムシャーシとしては、鋼板が主に用いられたが、鋼板の厚さが薄い場合、強度がよくないので、主に１ｍｍ級以上の相対的に厚い鋼板を用いることによって強度を補完した。これによって、ボトムシャーシの重さ及び厚さが相対的に大きな値を有するようになり、ＴＦＴ−ＬＣＤ全体の軽量化及びスリム化に制限があるという問題がある。また、従来のボトムシャーシは、ＴＦＴ−ＬＣＤの組み立て過程における作業者の指紋や汚染物質に対して脆弱であるという問題がある。 On the other hand, steel plates are mainly used as conventional bottom chassis, but the strength is not good when the thickness of the steel plate is thin, so the strength is complemented mainly by using a relatively thick steel plate of 1 mm class or more. did. As a result, the weight and thickness of the bottom chassis have relatively large values, and there is a problem in that there is a limitation in reducing the weight and slimness of the entire TFT-LCD. In addition, the conventional bottom chassis has a problem that it is vulnerable to a worker's fingerprint and contaminants in the process of assembling the TFT-LCD.
したがって、高い強度を維持しながらも、０．９ｍｍ以下の厚さによって従来に比べて軽量化及びスリム化を達成することができ、ＴＦＴ−ＬＣＤの組み立て過程における指紋や汚染物質に対して耐汚染性を有することができる薄膜トランジスタ型液晶表示素子用ボトムシャーシが要求される。 Therefore, while maintaining high strength, the thickness of 0.9 mm or less can achieve lighter weight and slimmerness compared to conventional ones, and it is resistant to fingerprints and contaminants in the TFT-LCD assembly process. There is a need for a bottom chassis for a thin film transistor type liquid crystal display element that can have the property.
本発明の目的は、ＴＦＴ−ＬＣＤにパネルユニットと共に必須で含まれるバックライトユニットを収納するためのボトムシャーシにおいて、高い強度を維持しながらも、ボトムシャーシに耐汚染性を与えるとともに、従来のボトムシャーシに比べて軽量化及びスリム化を図ることによって、ＴＦＴ−ＬＣＤ全体の軽量化及びスリム化が可能な薄膜トランジスタ型液晶表示素子用ボトムシャーシを提供することである。 An object of the present invention is to provide a bottom chassis for storing a backlight unit, which is essential in a TFT-LCD, together with a panel unit. It is an object of the present invention to provide a bottom chassis for a thin film transistor type liquid crystal display element capable of reducing the weight and slimming of the entire TFT-LCD by reducing the weight and slimming compared to the chassis.
前記目的を達成するための本発明の一実施例に係る薄膜トランジスタ型液晶表示素子用ボトムシャーシは、炭素（Ｃ）：０．００１〜０．１重量％、シリコン（Ｓｉ）：０．００２〜０．０５重量％、マンガン（Ｍｎ）：０．２８〜２．０重量％及び残部の鉄とその他不回避な不純物を含む内部層と、前記内部層上に形成される電気亜鉛めっき層と、前記電気亜鉛めっき層上に形成される高分子クロムフリー汚染防止層とを備えており、前記内部層、電気亜鉛めっき層及び高分子クロムフリー汚染防止層全体の厚さは、０．５〜０．９ｍｍであり、前記電気亜鉛めっき層は、１０〜３０ｇ／ｍ 2 の付着量でメッキされており、前記高分子クロムフリー汚染防止層は、アミン系樹脂１０〜３０重量％、シリカ混合物１０〜５０重量％、無機ゾル１〜１０重量％及び残量のバインダー樹脂としてのエポキシ樹脂を含んでおり、前記無機ゾルは、ジルコニアゾル、アルミナゾル及びチタンゾルのうち少なくとも一つであり、前記高分子クロムフリー汚染防止層は、０．８〜１．３ｇ／ｍ 2 の付着量でコーティングされている、ことを特徴とする。 In order to achieve the above object, the bottom chassis for a thin film transistor type liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention has carbon (C): 0.001 to 0.1 wt%, silicon (Si): 0.002 to 0. 0.05% by weight, manganese (Mn): 0.28 to 2.0% by weight and the inner layer containing the balance iron and other unavoidable impurities, an electrogalvanized layer formed on the inner layer, A polymer chromium-free contamination preventing layer formed on the electrogalvanized layer, and the total thickness of the inner layer, the electrogalvanized layer and the polymer chromium-free contamination preventing layer is 0.5 to 0.00. Ri 9mm der, the electro-galvanized layer is plated at a coverage of 10 to 30 g / m 2, the polymer chrome-free antifouling layer, amine based resin 10 to 30 wt%, silica mixture 10 50% by weight, inorganic sol The inorganic sol is at least one of zirconia sol, alumina sol, and titanium sol, and the polymer chromium-free antifouling layer is 0.1% by weight. It is coated with an adhesion amount of 8 to 1.3 g / m 2 .
このとき、高分子クロムフリー汚染防止層は、アミン系樹脂１０〜３０重量％；コロイダルシリカ又はヒュームドシリカより選ばれた１種と、グリシドオキシプロピルエトキシシラン、アミノプロピルエトキシシラン、メトキシオキシプロピルトリメトキシシランより選ばれた１種とが重量比１：０．２〜０．８の割合で混合されるシリカ化合物１０〜５０重量％；ジルコニアゾル、アルミナゾル及びチタンゾルのうち少なくとも一つの無機ゾル１〜１０重量％；及び残量のバインダー樹脂としてのエポキシ樹脂を含んでいることを提示することができる。 At this time, the polymer chromium-free antifouling layer is composed of 10 to 30% by weight of an amine resin; one selected from colloidal silica or fumed silica, glycidoxypropylethoxysilane, aminopropylethoxysilane, methoxyoxypropyl 10 to 50% by weight of a silica compound in which one kind selected from trimethoxysilane is mixed at a weight ratio of 1: 0.2 to 0.8; at least one inorganic sol 1 among zirconia sol, alumina sol and titanium sol 1 -10% by weight; and the remaining amount of epoxy resin as binder resin can be presented.
一方、本発明に係る薄膜トランジスタ型液晶表示素子用ボトムシャーシの製造方法は、炭素（Ｃ）：０．００１〜０．１重量％、シリコン（Ｓｉ）：０．００２〜０．０５重量％、マンガン（Ｍｎ）：０．２８〜２．０重量％及び残部の鉄とその他不回避な不純物を含む内部層上に電気亜鉛めっきを実施することによって１０〜３０ｇ／ｍ 2 の付着量の電気亜鉛めっき層を形成し、前記電気亜鉛めっき層の表面に、固形分がアミン系樹脂１０〜３０重量％、シリカ混合物１０〜５０重量％、ジルコニアゾル、アルミナゾル及びチタンゾルのうち少なくとも一つの無機ゾル１〜１０重量％及び残量のバインダー樹脂としてのエポキシ樹脂からなる高分子クロムフリー汚染防止組成物をコーティングすることによって０．８〜１．３ｇ／ｍ 2 の付着量の高分子クロムフリー汚染防止層を形成することを含み、前記内部層、電気亜鉛めっき層及び高分子クロムフリー汚染防止層全体の厚さが０．５〜０．９ｍｍであるものを得る、ことを特徴とする。 On the other hand, the manufacturing method of the bottom chassis for a thin film transistor type liquid crystal display element according to the present invention includes carbon (C): 0.001 to 0.1% by weight, silicon (Si): 0.002 to 0.05% by weight, manganese. (Mn): 0.28~2.0 wt% and by performing the electro-galvanized on the inside layer containing the remainder of iron and other inevitable impurities of 10 to 30 g / m 2 coating weight of electro-galvanized A layer is formed, and the surface of the electrogalvanized layer has a solid content of 10 to 30% by weight of an amine-based resin, 10 to 50% by weight of a silica mixture, at least one inorganic sol 1 to 10 of zirconia sol, alumina sol, and titanium sol. Adhesion of 0.8 to 1.3 g / m 2 by coating polymeric chromium-free antifouling composition consisting of epoxy resin as binder resin in weight% and remaining amount Look including forming a polymer Cr-free antifouling layer amounts get what the inner layer, the electro-galvanized layer and the thickness of the entire polymer Cr-free antifouling layer is 0.5~0.9mm , characterized in that.
本発明に係る薄膜トランジスタ型液晶表示素子用ボトムシャーシは、軽量化及びスリム化が可能であるという効果を有する。また、従来に比べて薄い厚さであるにもかかわらず高い強度を示すことができ、高分子クロムフリー汚染防止層を通して製品組み立て過程における作業者の指紋や汚染物質に対する耐汚染性を有し、クロムが含まれないことから環境に悪影響を及ぼさないという効果を有する。 The bottom chassis for a thin film transistor type liquid crystal display element according to the present invention has an effect that it can be reduced in weight and slim. In addition, it can show high strength despite its thin thickness compared to conventional ones, and has resistance to fingerprints and contaminants of workers in the product assembly process through the polymer chromium-free contamination prevention layer, Since chromium is not contained, it has an effect of not adversely affecting the environment.
本発明の利点と特徴及びそれらを達成する方法は、添付の図面と共に詳細に説明する各実施例を参照することによって明確になるだろう。しかし、本発明は、以下で開示する各実施例に限定されるものでなく、互いに異なる多様な形態で具現可能である。ただし、本実施例は、本発明を完全に開示し、本発明の属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるもので、本発明は、特許請求の範囲の範疇によって定義される。明細書全般にわたって、同一の参照符号は同一の構成要素を示す。 Advantages and features of the present invention and methods of achieving them will become apparent by reference to the embodiments described in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, and can be embodied in various different forms. However, this embodiment is provided in order to completely disclose the present invention and to inform those who have ordinary knowledge in the technical field to which the present invention pertains to the full scope of the invention. Defined by the category of the range. Throughout the specification, the same reference signs refer to the same components.
以下、添付の図面を参照して、本発明の好適な実施例に係る薄膜トランジスタ型液晶表示素子用ボトムシャーシ及びその製造方法について詳細に説明する。 Hereinafter, a bottom chassis for a thin film transistor type liquid crystal display device according to a preferred embodiment of the present invention and a method for manufacturing the same will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
図１は、本発明に係る薄膜トランジスタ型液晶表示素子を概略的に示した分解斜視図である。 FIG. 1 is an exploded perspective view schematically showing a thin film transistor type liquid crystal display device according to the present invention.
図１を参照すれば、薄膜トランジスタ型液晶表示素子は、パネルユニット１１０、バックライトユニット１２０及びボトムシャーシ１３０を含む。 Referring to FIG. 1, the thin film transistor type liquid crystal display device includes a panel unit 110, a backlight unit 120, and a bottom chassis 130.
パネルユニット１１０は、バックライトユニット１２０から照射された光を用いて平面映像を表示する。パネルユニット１１０は、薄膜トランジスタが形成された背面ガラス基板（ＴＦＴ基板ともいう）と、前記背面ガラス基板との対向面にカラーフィルタが形成された前面ガラス基板（カラーフィルタ基板ともいう）と、前記２枚のガラス基板の間に充填される液晶とを含む。背面ガラス基板に形成される薄膜トランジスタは、液晶を調節し、画面を構成する最小単位である画素を制御する。前面ガラス基板に形成されるカラーフィルタは、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色を有する画素をガラス基板上にコーティングしたもので、映像を具現する。 The panel unit 110 displays a planar image using light emitted from the backlight unit 120. The panel unit 110 includes a rear glass substrate (also referred to as a TFT substrate) on which a thin film transistor is formed, a front glass substrate (also referred to as a color filter substrate) in which a color filter is formed on a surface facing the rear glass substrate, and the 2 Liquid crystal filled between the glass substrates. The thin film transistor formed on the rear glass substrate adjusts the liquid crystal and controls the pixel which is the minimum unit constituting the screen. The color filter formed on the front glass substrate is formed by coating pixels having three colors of red (R), green (G), and blue (B) on the glass substrate, and embodies an image.
バックライトユニット１２０は、前記パネルユニット１１０の後面から光を照射する。バックライトユニット１２０は、光源、反射板、導光板や拡散板などの光学プレート、その他の多様な光学シートなどを含み、光源の位置によって、パネルユニットの下部に光源を配置し、パネルの前面に直接照光を行う方式の直下型と、パネルユニットの縁部に光源を配置し、パネルの前面に直接照光を行う方式のエッジ型とに区分される。 The backlight unit 120 emits light from the rear surface of the panel unit 110. The backlight unit 120 includes a light source, a reflection plate, an optical plate such as a light guide plate and a diffusion plate, and various other optical sheets. A light source is arranged at the lower part of the panel unit according to the position of the light source, and is placed on the front surface of the panel. A direct type that directly illuminates, and an edge type that directly illuminates the front surface of the panel by arranging a light source at the edge of the panel unit.
ボトムシャーシ１３０は、前記バックライトユニット１２０を収納する。本発明では、ボトムシャーシ１３０には、内部基材の外側表面に電気亜鉛めっきが行われ、その上に高分子クロムフリー汚染防止層が形成されている。また、ボトムシャーシ１３０は、バックライトユニット１２０の直接的及び間接的収納の他にも、バックライトユニット１２０の光源及びその他の内部回路と電気的に連結され、接地の役割をする。 The bottom chassis 130 houses the backlight unit 120. In the present invention, the bottom chassis 130 is electrogalvanized on the outer surface of the inner base material, and a polymer chromium-free contamination prevention layer is formed thereon. In addition to direct and indirect storage of the backlight unit 120, the bottom chassis 130 is electrically connected to the light source of the backlight unit 120 and other internal circuits, and serves as a ground.
この他にも、ＴＦＴ−ＬＣＤは、パネルユニット１１０及びバックライトユニット１２０を外部から保護し、パネルユニット１１０をバックライトユニット１２０に固定することによってパネルユニット１１０の離脱を防止するトップシャーシ１４０を含む。トップシャーシ１４０は、パネルユニット１１０の前面の縁部及び側面を取り囲む形態を有する。 In addition, the TFT-LCD includes a top chassis 140 that protects the panel unit 110 and the backlight unit 120 from the outside, and prevents the panel unit 110 from being detached by fixing the panel unit 110 to the backlight unit 120. . The top chassis 140 has a form surrounding the front edge and side surface of the panel unit 110.
図２は、本発明に係るボトムシャーシの厚さ方向断面を概略的に示した図である。薄膜トランジスタ型液晶表示素子に実際に適用されるボトムシャーシは、図２に示すような断面構造を有する鋼板を成形及び加工することによって製造される。 FIG. 2 is a diagram schematically showing a cross section in the thickness direction of the bottom chassis according to the present invention. A bottom chassis that is actually applied to a thin film transistor type liquid crystal display element is manufactured by forming and processing a steel plate having a cross-sectional structure as shown in FIG.
ボトムシャーシ１３０は、バックライトユニットが収納される側に位置する内部層２１０と、バックライトユニットが収納される側の反対側に位置する電気亜鉛めっき層２２０と、高分子クロムフリー汚染防止層２３０とを備えている。 The bottom chassis 130 includes an inner layer 210 located on the side where the backlight unit is accommodated, an electrogalvanized layer 220 located on the side opposite to the side where the backlight unit is accommodated, and a polymer chromium-free contamination prevention layer 230. And.
内部層２１０は、炭素（Ｃ）：０．００１〜０．１重量％、シリコン（Ｓｉ）：０．００２〜０．０５重量％、マンガン（Ｍｎ）：０．２８〜２．０重量％及び残部の鉄とその他不回避な不純物を含む。 The inner layer 210 includes carbon (C): 0.001 to 0.1% by weight, silicon (Si): 0.002 to 0.05% by weight, manganese (Mn): 0.28 to 2.0% by weight, and Contains balance iron and other inevitable impurities.
炭素（Ｃ）は、内部層２１０の強度を確保するために添加される。炭素は、内部層の全体重量の０．００１〜０．１重量％に添加されることが望ましい。炭素が０．００１重量％未満に添加されれば、内部層２１０の強度確保が不充分であり、炭素が０．１重量％を超えれば、溶接性及び靱性が低下するという問題がある。 Carbon (C) is added to ensure the strength of the inner layer 210. Carbon is preferably added to 0.001 to 0.1% by weight of the total weight of the inner layer. If carbon is added to less than 0.001% by weight, the strength of the inner layer 210 is insufficiently secured, and if carbon exceeds 0.1% by weight, there is a problem that weldability and toughness are lowered.
シリコン（Ｓｉ）は、内部層２１０の固溶強化による強度を確保するために添加される。シリコンは、内部層の全体重量の０．００２〜０．０５重量％に添加されることが望ましい。シリコンが０．００２重量％未満に添加されれば、内部層２１０の固溶強化効果が低下し、シリコンが０．０５重量％を超えれば、界面酸化層の形成によって表面品質が低下するという問題がある。 Silicon (Si) is added in order to ensure strength by solid solution strengthening of the inner layer 210. Silicon is preferably added to 0.002 to 0.05 weight percent of the total weight of the inner layer. If silicon is added to less than 0.002% by weight, the solid solution strengthening effect of the inner layer 210 is reduced, and if silicon is more than 0.05% by weight, the surface quality is deteriorated due to the formation of an interface oxide layer. There is.
マンガン（Ｍｎ）は、内部層２１０の強度及び加工性を確保するために添加される。マンガンは、内部層の全体重量の０．２８〜２．０重量％に添加されることが望ましい。マンガンが０．２８重量％未満に添加されれば、強度及び加工性の確保が難しくなり、マンガンが２．０重量％を超えれば、マンガンの偏析による組織不均質が発生する。 Manganese (Mn) is added to ensure the strength and workability of the inner layer 210. Manganese is preferably added to 0.28 to 2.0% by weight of the total weight of the inner layer. If manganese is added to less than 0.28% by weight, it becomes difficult to ensure strength and workability. If manganese exceeds 2.0% by weight, structural heterogeneity due to segregation of manganese occurs.
内部層２１０のその他不回避な不純物としては、リン（Ｐ）：０．１重量％以下、硫黄（Ｓ）：０．００８重量％以下、クロム（Ｃｒ）：０．０１〜０．０３重量％、ニッケル（Ｎｉ）：０．００７〜０．０１５重量％、モリブデン（Ｍｏ）：０．００１〜０．００４重量％、アルミニウム（Ａｌ）：０．０４３〜０．０４５重量％、銅（Ｃｕ）：０．０２〜０．０４重量％、スズ（Ｓｎ）：０．００１７〜０．００１８重量％、酸素（Ｏ）：０．００４重量％以下、窒素（Ｎ）：０．００３重量％以下を提示することができ、必要によっては、ニオビウム（Ｎｂ）：０．００７５〜０．００８３重量％及びチタニウム（Ｔｉ）：０．０３０６〜０．０３１０重量％をさらに含むことができる。前記各物質の添加理由は広く知られているので、それについての詳細な説明は省略する。 Other unavoidable impurities in the inner layer 210 include phosphorus (P): 0.1 wt% or less, sulfur (S): 0.008 wt% or less, chromium (Cr): 0.01 to 0.03% by weight Nickel (Ni): 0.007 to 0.015 wt%, Molybdenum (Mo): 0.001 to 0.004 wt%, Aluminum (Al): 0.043 to 0.045 wt%, Copper (Cu) : 0.02-0.04 wt%, tin (Sn): 0.0017-0.0018 wt%, oxygen (O): 0.004 wt% or less, nitrogen (N): 0.003% wt% or less Niobium (Nb): 0.0075 to 0.0083 wt% and Titanium (Ti): 0.0306 to 0.0310 wt% may be further included if necessary. Since the reason for adding each of the substances is widely known, detailed description thereof is omitted.
電気亜鉛めっき層２２０は、前記内部層２１０上に形成される。電気亜鉛めっき層２２０は、１０〜３０ｇ／ｍ2の付着量でめっきされるが、望ましい例として、硫酸浴で２０ｇ／ｍ2の付着量でめっきされることを提示することができる。 The electrogalvanized layer 220 is formed on the inner layer 210. Galvanized layer 220 is plated at a coverage of 10 to 30 g / m 2, as a preferred example, it is possible to present to be plated at a coverage of 20 g / m 2 with sulfuric acid bath.
高分子クロムフリー汚染防止層２３０は、電気亜鉛めっき層２２０上に高分子クロムフリー組成物をコーティングすることによって形成される。本発明において、高分子クロムフリー汚染防止層２３０は、高分子樹脂に基づいて形成され、クロム（Ｃr）を含んでいない。 The polymer chromium-free contamination prevention layer 230 is formed by coating a polymer chromium-free composition on the electrogalvanized layer 220. In the present invention, the polymer chromium-free contamination prevention layer 230 is formed based on a polymer resin and does not contain chromium (Cr).
このような高分子クロムフリー汚染防止層２３０は、アミン系樹脂１０〜３０重量％、シリカ混合物１０〜５０重量％、無機ゾル１〜１０重量％及び残量のバインダー樹脂としてのエポキシ樹脂を含む。 Such a polymer chromium-free antifouling layer 230 includes 10 to 30% by weight of an amine-based resin, 10 to 50% by weight of a silica mixture, 1 to 10% by weight of an inorganic sol, and an epoxy resin as a remaining binder resin.
アミン系樹脂は、架橋による接着力を与える役割をする。このようなアミン系樹脂は、高分子クロムフリー汚染防止層２３０の全体重量の１０〜３０重量％に添加される。アミン系樹脂が１０重量％未満に添加されれば、架橋による接着力が不足するようになり、アミン系樹脂が３０重量％を超えれば、加工性が低下する。 The amine-based resin plays a role of providing an adhesive force by crosslinking. Such an amine resin is added to 10 to 30% by weight of the total weight of the polymer chromium-free contamination preventing layer 230. If the amine-based resin is added to less than 10% by weight, the adhesive force due to crosslinking becomes insufficient, and if the amine-based resin exceeds 30% by weight, the workability is lowered.
シリカ混合物は、貯蔵安定性、密着性、耐食性及び加工性を向上させるために添加される。このようなシリカ混合物は、高分子クロムフリー汚染防止層２３０の全体重量の１０〜５０重量％に添加される。シリカ混合物が１０重量％未満に添加される場合、伝導性が低下し、シリカ混合物が５０重量％を超えれば、加工性が低下する。 The silica mixture is added to improve storage stability, adhesion, corrosion resistance, and processability. Such a silica mixture is added to 10 to 50% by weight of the total weight of the polymer chromium-free contamination preventing layer 230. When the silica mixture is added to less than 10% by weight, the conductivity decreases, and when the silica mixture exceeds 50% by weight, the workability decreases.
シリカ混合物としては、シリカとシランが一定の割合で混合されたものを用いることができ、具体的には、コロイダルシリカ又はヒュームドシリカより選ばれたシリカと、グリシドオキシプロピルエトキシシラン、アミノプロピルエトキシシラン、メトキシオキシプロピルトリメトキシシランより選ばれたシランとが１：０．２〜０．８（シリカ：シラン）の重量比で混合されたものを用いることができる。シリカとシランが１：０．２未満の重量比で混合されれば、架橋性が低下し、シリカとシランが１：０．８を超えて混合されれば、加工性が低下する。 As the silica mixture, a mixture of silica and silane in a certain ratio can be used. Specifically, silica selected from colloidal silica or fumed silica, glycidoxypropylethoxysilane, and aminopropyl are used. A mixture of silane selected from ethoxysilane and methoxyoxypropyltrimethoxysilane in a weight ratio of 1: 0.2 to 0.8 (silica: silane) can be used. If silica and silane are mixed at a weight ratio of less than 1: 0.2, crosslinkability is lowered, and if silica and silane are mixed exceeding 1: 0.8, workability is lowered.
無機ゾルは、密着性と耐食性を向上させるために添加される。このような無機ゾルとしては、ジルコニアゾル、アルミナゾル、チタンゾルなどを単独で用いたり、又はこれらのうち二つ以上が混合されたものを用いる。無機ゾルは、高分子クロムフリー汚染防止層２３０の全体重量の１〜１０重量％に添加される。無機ゾルが１重量％未満であれば、無機ゾル添加の効果を得ることができず、無機ゾルが１０重量％を超えれば、耐食性は向上できるが、被膜形成が難しく、伝導性と加工性が低下するという問題がある。 The inorganic sol is added in order to improve adhesion and corrosion resistance. As such an inorganic sol, a zirconia sol, an alumina sol, a titanium sol or the like is used alone, or a mixture of two or more thereof is used. The inorganic sol is added to 1 to 10% by weight of the total weight of the polymer chromium-free contamination preventing layer 230. If the inorganic sol is less than 1% by weight, the effect of adding the inorganic sol cannot be obtained. If the inorganic sol exceeds 10% by weight, the corrosion resistance can be improved, but the film formation is difficult, and the conductivity and workability are low. There is a problem of lowering.
エポキシ樹脂は、バインダー樹脂の役割をし、緻密なバリア被膜形成をなし、塩や酸素などの腐食因子に強く、分子中の水酸基が素地との優れた密着性を有するので、優れた耐食性及び耐化学性を有するようになる。 Epoxy resin acts as a binder resin, forms a dense barrier film, is resistant to corrosion factors such as salt and oxygen, and has excellent adhesion and corrosion resistance because the hydroxyl group in the molecule has excellent adhesion to the substrate. Has chemical properties.
前記高分子クロムフリー汚染防止層２３０は、０．８〜１．３ｇ／ｍ2の付着量でコーティングされる。付着量が０．８ｇ／ｍ2未満である場合、所望のボトムシャーシの形状への加工性が低下し、付着量が１．３ｇ／ｍ2を超える場合、電気伝導度が低下し、バックライトユニット１２０に含まれる光源や素子に含まれる回路の接地としての役割を行えないという問題がある。前記のような付着量でコーティングされる高分子クロムフリー汚染防止層２３０は、約１μｍの厚さを有する。 The polymer chrome-free antifouling layer 230 is coated at a coverage of 0.8~1.3g / m 2. When the adhesion amount is less than 0.8 g / m 2 , the processability to the desired bottom chassis shape is lowered, and when the adhesion amount exceeds 1.3 g / m 2 , the electrical conductivity is lowered, and the backlight There is a problem in that it cannot function as a ground for a circuit included in the light source or element included in the unit 120. The polymer chromium-free antifouling layer 230 coated with the adhesion amount has a thickness of about 1 μm.
高分子クロムフリー汚染防止層２３０は、固形分が前記組成を有するように、溶媒に前記各物質を添加した溶液を電気亜鉛めっき層上に１コーティング１ベーキング（１ ｃｏａｔｉｎｇ １ ｂａｋｉｎｇ）タイプでコーティングし、焼付け乾燥後に水冷又は空冷方式で冷却することを望ましい例として挙げることができる。 The polymer chromium-free antifouling layer 230 is a 1 coating 1 baking type coating on the electrogalvanized layer with a solution obtained by adding the above substances to a solvent so that the solid content has the above composition. Cooling by water cooling or air cooling after baking and drying can be mentioned as a desirable example.
前記焼付け乾燥は、１４０〜２２０℃の温度範囲で実施されることが望ましい。焼付け乾燥が１４０℃未満の温度で実施される場合、樹脂の硬化反応が充分に行われず、塗膜のコーティング層の耐食性及びその他物性の諸効果を期待することが難しい。一方、焼付け乾燥が２２０℃を超える温度で実施される場合、過焼付けに該当し、コーティング層の亀裂や黄変現象が発生しやすい。 The baking drying is preferably performed in a temperature range of 140 to 220 ° C. When baking drying is performed at a temperature of less than 140 ° C., the resin curing reaction is not sufficiently performed, and it is difficult to expect various effects of corrosion resistance and other physical properties of the coating layer of the coating film. On the other hand, when baking drying is performed at a temperature exceeding 220 ° C., it corresponds to over-baking, and cracks and yellowing of the coating layer are likely to occur.
ボトムシャーシ１３０は、０．５〜０．９ｍｍの厚さで形成される。ボトムシャーシ１３０の厚さが０．９ｍｍを超える場合、前記電気亜鉛めっき層２２０や高分子クロムフリー汚染防止層２３０の形成には有利であるが、ボトムシャーシ１３０、さらには、ＴＦＴ−ＬＣＤの軽量化及びスリム化を期待することができない。その一方、ボトムシャーシ１３０の厚さが０．５ｍｍ未満である場合、電気亜鉛めっき層２２０及び高分子クロムフリー汚染防止層２３０の厚さがその分だけ薄くなり、腐食性及び耐汚染性が低下したり、電気亜鉛めっき層２２０や高分子クロムフリー汚染防止層２３０の厚さが厚くなり、相対的に内部層２１０自体が薄くなることによって強度が弱くなる。 The bottom chassis 130 is formed with a thickness of 0.5 to 0.9 mm. When the thickness of the bottom chassis 130 exceeds 0.9 mm, it is advantageous for forming the electrogalvanized layer 220 and the polymer chromium-free contamination prevention layer 230. However, the bottom chassis 130 and the light weight of the TFT-LCD are advantageous. It cannot be expected to be streamlined and slimmed. On the other hand, when the thickness of the bottom chassis 130 is less than 0.5 mm, the thickness of the electrogalvanized layer 220 and the polymer chromium-free contamination prevention layer 230 is reduced correspondingly, and the corrosion resistance and contamination resistance are reduced. In addition, the thickness of the electrogalvanized layer 220 and the polymer chromium-free contamination preventing layer 230 is increased, and the strength is weakened by relatively reducing the thickness of the inner layer 210 itself.
図３は、本発明に係るボトムシャーシ構造の各例を示した図である。 FIG. 3 is a view showing each example of the bottom chassis structure according to the present invention.
図３の（ａ）に示したボトムシャーシ３１０は、バックライトユニットを直接的に収納可能な構造を有しており、図３の（ｂ）に示したボトムシャーシ３２０は、バックライトユニットを直接的に収納するよりは、主にバックライトユニットを収納するモールドをカバーする役割を通してバックライトユニットを間接的に収納する構造を有している。 The bottom chassis 310 shown in FIG. 3A has a structure that can directly store the backlight unit, and the bottom chassis 320 shown in FIG. 3B directly connects the backlight unit. Rather than storing the backlight unit, the backlight unit is indirectly stored mainly through a role of covering a mold for storing the backlight unit.
本発明に係る薄膜トランジスタ型液晶表示素子用ボトムシャーシは、図３に示した各例の他にも、薄膜トランジスタ型液晶表示素子のバックライトユニットの設計によって多様な構造に変形可能である。 The bottom chassis for the thin film transistor type liquid crystal display element according to the present invention can be modified into various structures by designing the backlight unit of the thin film transistor type liquid crystal display element in addition to the examples shown in FIG.
以下、本発明の好適な実施例を通して本発明の構成及び作用をより詳細に説明する。ただし、これは、本発明の好適な例示として提示したもので、これによって本発明が制限されることはない。 Hereinafter, the configuration and operation of the present invention will be described in more detail through preferred embodiments of the present invention. However, this is presented as a preferred example of the present invention, and the present invention is not limited thereby.
ここに記載されていない内容は、この技術分野で熟練した者であれば充分に技術的に類推可能であるので、それについての説明は省略する。 The contents not described here can be sufficiently technically estimated by those skilled in this technical field, and therefore description thereof will be omitted.
１．ボトムシャーシ用鋼板の製造
表１に記載された組成を有する実施例１、実施例２及び比較例の内部層を製造し、硫酸浴で付着量２０ｇ／ｍ2で電気亜鉛めっきを実施し、電気亜鉛めっき層上に１コーティング１ベーキングタイプで高分子クロムフリー汚染防止層を１．０ｇ／ｍ2の付着量でコーティングし、１８０℃で焼付け乾燥及び冷却を実施し、ボトムシャーシに成形及び加工される前の鋼板を製造した。
1. Manufacture of steel plate for bottom chassis The inner layers of Example 1, Example 2 and Comparative Example having the composition described in Table 1 were manufactured, and electrogalvanized with an adhesion amount of 20 g / m 2 in a sulfuric acid bath. A chrome-free anti-fouling layer is coated on the galvanized layer with a coating amount of 1.0 g / m 2 , baked and dried at 180 ° C., and molded into a bottom chassis. The steel plate before manufacture was manufactured.
２．機械的特性
表２は、前記製造された実施例１〜２及び比較例の鋼板に対する機械的特性を示したものである。
2. Mechanical Properties Table 2 shows the mechanical properties of the manufactured Examples 1-2 and Comparative Example steel plates.
表２を参照すれば、実施例１〜２の場合、鋼板の厚さが約０．８ｍｍであって、一般的なボトムシャーシに用いられる１．０ｍｍ級の比較例に比べて、約８０％の厚さを有しながらも降伏強度（ＹＰ）及び引張強度（ＴＳ）がやや大きい値を示すことが分かる。 Referring to Table 2, in the case of Examples 1 and 2, the thickness of the steel plate is about 0.8 mm, which is about 80% compared with a comparative example of 1.0 mm class used for a general bottom chassis. It can be seen that the yield strength (YP) and the tensile strength (TS) show slightly larger values even though the thickness is.
３．成形性評価
成形性評価のために、実施例１〜２及び比較例によって製造された鋼板に対してＬＤＲ（Ｌｉｍｉｔ Ｄｏｍｅ Ｒａｔｉｏ）実験を行い、その結果を表３に示した。
3. Formability Evaluation For formability evaluation, LDR (Limit Dome Ratio) experiments were performed on the steel sheets produced in Examples 1 and 2 and Comparative Example, and the results are shown in Table 3.
ＬＤＲ実験の場合、限度値が大きいほど優れた成形性の尺度になり、表３を参照すれば、実施例１の場合に最も高い成形性を示すことが分かる。 In the case of the LDR experiment, the larger the limit value, the better the scale of formability. With reference to Table 3, it can be seen that Example 1 shows the highest formability.
４．加工性評価
加工性評価のために、９０゜Ｖベンドテスト方法及び１８０゜Ｕベンドテスト方法で曲げ加工実験を行い、クラックの発生有無を確認した。
図４ａ及び図４ｂは、実施例１〜２及び比較例すべての９０゜Ｖベンドテスト方法及び１８０゜Ｕベンドテスト方法による曲げ加工実験を行った結果を示したものである。
図４ａ及び図４ｂを参照すれば、実施例１〜２及び比較例のいずれにおいても、９０゜Ｖベンドテスト方法及び１８０゜Ｕベンドテスト方法による曲げ加工実験でクラックが発生していないことが分かる。
4). Evaluation of workability In order to evaluate workability, bending work experiments were performed by the 90 ° V bend test method and the 180 ° U bend test method, and the presence or absence of cracks was confirmed.
FIGS. 4a and 4b show the results of bending experiments by the 90 ° V bend test method and the 180 ° U bend test method of all of Examples 1 and 2 and the comparative example.
Referring to FIGS. 4a and 4b, it can be seen that cracks are not generated in the bending test by the 90 ° V bend test method and the 180 ° U bend test method in any of Examples 1 and 2 and the comparative example. .
５．その他の物性
実施例１〜２及び比較例によって製造された鋼板の耐食性、高温高湿性、伝導性、耐溶剤性、耐アルカリ性、潤滑性、耐寒性及び強アルカリ耐食性を評価した。
耐食性を評価するために、１）白錆が５％以内であるかどうかを測定し、２）テープ剥離で被膜が剥がれるかどうかを測定し、３）変色有無（許容値：ΔＥ≦３であるときに良好）を測定した。
高温高湿性を評価するために、１）表面に錆、膨れ及び析出物があるかどうかを測定し、２）裸板及び積層の各場合における変色有無（許容値：ΔＥ≦３であるときに良好）を測定し、３）テープ剥離で被膜が剥がれるかどうかを測定した。
伝導性を評価するために、１）全幅で１０ケ所を測定し、７ケ所以上が１ｍΩ以下であるかどうかを測定した。
耐溶剤性（ＭＥＫ）を評価するために、１）樹脂剥離及び膨れの発生有無を測定し、２）変色有無（許容値：ΔＥ≦１．０）を測定した。
耐アルカリ性を評価するために、１）テープ剥離で被膜が剥がれるかどうかを測定し、変色有無（許容値：ΔＥ≦０．８）を測定した。
潤滑性を評価するために、摩擦係数値（良好：０．０７〜０．０９）及び摩擦面における黒化又は白化の発生有無（許容値：ΔＥ≦０．８）を測定した。
耐寒性を評価するために、白錆の発生有無を観察し、樹脂の溶解によって亜鉛層が現れるかどうかを観察した。
強アルカリ耐食性を評価するために、１）樹脂剥離及び膨れの発生有無及赤錆の発生有無を観察した。
前記各物性に対する評価結果を表４に示した。
5. Other physical properties Corrosion resistance, high temperature and high humidity, conductivity, solvent resistance, alkali resistance, lubricity, cold resistance, and strong alkali corrosion resistance of the steel sheets produced in Examples 1 and 2 and Comparative Examples were evaluated.
In order to evaluate the corrosion resistance, 1) measure whether white rust is within 5%, 2) measure whether the film is peeled off by tape peeling, or 3) presence or absence of discoloration (allowable value: ΔE ≦ 3) Sometimes good).
In order to evaluate high temperature and high humidity, 1) Measure whether there is rust, blisters and deposits on the surface, 2) Presence or absence of discoloration in each case of bare board and laminate (allowable value: ΔE ≦ 3 3) was measured to determine whether or not the film was peeled off by tape peeling.
In order to evaluate the conductivity, 1) 10 points were measured in the full width, and it was measured whether 7 points or more were 1 mΩ or less.
In order to evaluate the solvent resistance (MEK), 1) the presence or absence of occurrence of resin peeling and swelling was measured, and 2) the presence or absence of discoloration (allowable value: ΔE ≦ 1.0) was measured.
In order to evaluate the alkali resistance, 1) whether or not the film was peeled off by tape peeling was measured, and the presence or absence of discoloration (allowable value: ΔE ≦ 0.8) was measured.
In order to evaluate the lubricity, the friction coefficient value (good: 0.07 to 0.09) and the occurrence of blackening or whitening on the friction surface (allowable value: ΔE ≦ 0.8) were measured.
In order to evaluate cold resistance, the presence or absence of white rust was observed, and it was observed whether a zinc layer appeared due to dissolution of the resin.
In order to evaluate the strong alkali corrosion resistance, 1) the presence or absence of resin peeling and swelling and the presence or absence of red rust were observed.
Table 4 shows the evaluation results for the physical properties.
前記表４を参照すれば、実施例１〜２の場合、従来用いられる比較例とほぼ同一の耐食性、高温高湿性、伝導性などを示すことが分かる。 Referring to Table 4, it can be seen that Examples 1 and 2 show almost the same corrosion resistance, high temperature and high humidity, conductivity and the like as those of the comparative examples used conventionally.
結果的に、前記のような物性を有する本発明に係る薄膜トランジスタ型液晶表示素子用ボトムシャーシは、従来のボトムシャーシに比べて薄いとともに、従来と類似した機械的物性、加工性、成形性、耐食性などを示すという長所を有する。したがって、ボトムシャーシの軽量化及びスリム化を図ることができ、これを通して、薄膜トランジスタ型液晶表示素子全体の軽量化及びスリム化も可能になる。 As a result, the bottom chassis for the thin film transistor type liquid crystal display device according to the present invention having the physical properties as described above is thinner than the conventional bottom chassis, and has similar mechanical properties, workability, moldability, and corrosion resistance. It has the advantage of showing. Therefore, the bottom chassis can be reduced in weight and slim, and through this, the entire thin film transistor type liquid crystal display element can be reduced in weight and slim.
以上では、本発明の一実施例を中心にして説明したが、当業者であれば多様な変更や変形が可能である。このような変更と変形は、本発明の範囲を逸脱しない限り、本発明に属するものと言える。したがって、本発明の権利範囲は、以下に記載される特許請求の範囲によって判断されなければならない。 In the above description, the embodiment of the present invention has been mainly described. However, those skilled in the art can make various changes and modifications. Such changes and modifications can be said to belong to the present invention without departing from the scope of the present invention. Accordingly, the scope of the present invention should be determined by the claims set forth below.
１１０：パネルユニット、１２０：バックライトユニット、１３０：ボトムシャーシ、１４０：トップシャーシ 110: Panel unit, 120: Backlight unit, 130: Bottom chassis, 140: Top chassis
Claims (9)
炭素（Ｃ）：０．００１〜０．１重量％、シリコン（Ｓｉ）：０．００２〜０．０５重量％、マンガン（Ｍｎ）：０．２８〜２．０重量％及び残部の鉄とその他不回避な不純物を含む内部層と、
前記内部層上に形成される電気亜鉛めっき層と、
前記電気亜鉛めっき層上に形成される高分子クロムフリー汚染防止層とを備えており、
前記内部層、電気亜鉛めっき層及び高分子クロムフリー汚染防止層全体の厚さは、０．５〜０．９ｍｍであり、
前記電気亜鉛めっき層は、１０〜３０ｇ／ｍ 2 の付着量でメッキされており、
前記高分子クロムフリー汚染防止層は、アミン系樹脂１０〜３０重量％、シリカ混合物１０〜５０重量％、無機ゾル１〜１０重量％及び残量のバインダー樹脂としてのエポキシ樹脂を含んでおり、
前記無機ゾルは、ジルコニアゾル、アルミナゾル及びチタンゾルのうち少なくとも一つであり、
前記高分子クロムフリー汚染防止層は、０．８〜１．３ｇ／ｍ 2 の付着量でコーティングされている、
ことを特徴とする薄膜トランジスタ型液晶表示素子用ボトムシャーシ。 In the bottom chassis that houses the backlight unit of the thin film transistor type liquid crystal display element,
Carbon (C): 0.001 to 0.1% by weight, Silicon (Si): 0.002 to 0.05% by weight, Manganese (Mn): 0.28 to 2.0% by weight, balance of iron and other An inner layer containing inevitable impurities,
An electrogalvanized layer formed on the inner layer;
A polymer chromium-free antifouling layer formed on the electrogalvanized layer,
The inner layer, electro-galvanized layer and the thickness of the entire polymer Cr-free antifouling layer, Ri 0.5~0.9mm der,
The electrogalvanized layer is plated with an adhesion amount of 10 to 30 g / m 2 ,
The polymer chromium-free antifouling layer contains 10 to 30% by weight of an amine-based resin, 10 to 50% by weight of a silica mixture, 1 to 10% by weight of an inorganic sol, and an epoxy resin as a residual binder resin.
The inorganic sol is at least one of zirconia sol, alumina sol, and titanium sol,
The polymer chromium-free antifouling layer is coated with an adhesion amount of 0.8 to 1.3 g / m 2 ,
A bottom chassis for a thin film transistor type liquid crystal display element.
前記電気亜鉛めっき層の表面に、固形分がアミン系樹脂１０〜３０重量％、シリカ混合物１０〜５０重量％、ジルコニアゾル、アルミナゾル及びチタンゾルのうち少なくとも一つの無機ゾル１〜１０重量％及び残量のバインダー樹脂としてのエポキシ樹脂からなる高分子クロムフリー汚染防止組成物をコーティングすることによって０．８〜１．３ｇ／ｍ 2 の付着量の高分子クロムフリー汚染防止層を形成することを含み、
前記内部層、電気亜鉛めっき層及び高分子クロムフリー汚染防止層全体の厚さが０．５〜０．９ｍｍであるものを得る、
ことを特徴とする薄膜トランジスタ型液晶表示素子用ボトムシャーシの製造方法。 Carbon (C): 0.001 to 0.1% by weight, Silicon (Si): 0.002 to 0.05% by weight, Manganese (Mn): 0.28 to 2.0% by weight, balance of iron and other Forming an electrogalvanized layer with an adhesion amount of 10 to 30 g / m 2 by performing electrogalvanization on the inner layer containing inevitable impurities ;
The surface of the electrogalvanized layer has a solid content of 10 to 30% by weight of an amine-based resin, 10 to 50% by weight of a silica mixture, 1 to 10% by weight of an inorganic sol of zirconia sol, alumina sol and titanium sol and the remaining amount. look including forming a polymer Cr-free antifouling layer of adhesion amount 0.8~1.3g / m 2 by coating the polymeric chromium-free antifouling composition comprising an epoxy resin as a binder resin ,
The total thickness of the inner layer, electrogalvanized layer and polymer chromium-free contamination prevention layer is 0.5 to 0.9 mm,
A method of manufacturing a bottom chassis for a thin film transistor type liquid crystal display element.
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| US7868957B2 (en) * | 2003-12-02 | 2011-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor, display device and liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
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