JP5167481B2

JP5167481B2 - 抗がん薬

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Publication number: JP5167481B2
Application number: JP2006301564A
Authority: JP
Inventors: 晴樹江口; 義弘石川; 勝己谷垣
Original assignee: IHI Corp; Yokohama City University
Current assignee: IHI Corp; Yokohama City University
Priority date: 2006-11-07
Filing date: 2006-11-07
Publication date: 2013-03-21
Anticipated expiration: 2026-11-07
Also published as: JP2008115129A

Description

本発明は、薬、薬の誘導装置、体内動態検知器及び薬の設計方法に関する。

一般に薬剤は生体に投与され患部に到達し、その患部局所において薬理効果を発揮することで治療効果を引き起こすが、薬剤が患部以外の組織（つまり正常組織）に到達しても治療にはならない。したがって、いかにして効率的に患部に薬剤を誘導するかが治療戦略上重要となる。このように薬剤を患部に誘導する技術はドラッグ・デリバリと呼ばれ、近年研究開発が盛んに行なわれている。このドラッグ・デリバリには少なくとも二つのメリットがある。一つは患部組織において十分に高い薬剤濃度が得られることである。薬理効果は患部における薬剤濃度が一定以上でないと現れず、低い濃度では治療効果が望めないからである。二つ目は薬剤を患部組織のみに誘導して、不必要に正常組織に誘導させないことである。これにより副作用を抑制することができる。

このようなドラッグ・デリバリが最も効果を発揮するのが抗がん剤によるがん治療である。抗がん剤は細胞分裂の活発ながん細胞の細胞増殖を抑制するものが大半であるため、正常組織においても細胞分裂の活発な組織、例えば骨髄あるいは毛根、消化管粘膜などの細胞増殖を抑制してしまう。このため抗がん剤の投与を受けたがん患者には貧血、抜け毛、嘔吐などの副作用が発生する。これら副作用は患者にとって大きな負担となるため投薬量を制限しなければならず、抗がん剤の薬理効果を十分に得ることができないという問題がある。さらに最悪の場合、副作用によって患者が死亡してしまう恐れがある。そこで、ドラッグ・デリバリによって抗がん剤をがん細胞まで誘導し、がん細胞に集中して薬理効果を発揮させることによって、副作用を抑えつつ効果的にがん治療を行うことができると期待されている。

ドラッグ・デリバリの具体的な手法としては、例えば担体（キャリア）を用いた患部組織へ誘導が検討されている。これは患部に集中しやすい担体に薬剤を乗せて、担体に薬剤を患部まで運ばせようというものである。担体としては各種抗体やマイクロスフェア、あるいは磁性体を使用することが検討されている。なかでも有力視されているのが磁性体であり、薬剤に磁性体である担体を付着させ、磁場によって患部に集積させる方法が検討されている（例えば下記特許文献１参照）。この方法は誘導方法の簡便性と患部を標的にした治療が可能であることから、細胞毒性の高い抗がん剤にはとりわけ有効な手法として考えられている。
特開２００１−１０９７８号公報

しかしながら、上述したように、磁性体である担体をキャリアとして用いる場合、経口投与が困難なこと、担体分子が一般的に巨大であること、あるいは薬剤分子との結合強度、親和性に技術的な問題が指摘されており、実用化が困難であった。

本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、従来の技術的問題を解決でき、実用化が容易なドラッグ・デリバリシステムを実現することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明は、磁性キャリアを必要とすることなく、投与後外からの磁場によって、体温下で、患部に誘導されるための、磁性を自身で備えるサレン金属錯体化合物を有する抗がん薬であることを特徴とする。

本発明の態様において、前記化合物は鉄錯体であり、前記鉄錯体は次の化合物の少なくとも一つである。

本発明によれば、薬そのものに磁性を持たせるため、従来のように磁性体からなる担体を用いることなく、薬自体が有する磁性を利用して体内の患部まで薬を誘導することができる。その結果、従来における、経口投与が困難なこと、担体分子が一般的に巨大であること、あるいは薬剤分子との結合強度、親和性に技術的な問題があること等を解決することができ、実用化が容易なドラッグ・デリバリシステムを実現することが可能である。

以下、図面を参照して、本発明の一実施形態について説明する。
〔第１実施形態〕
まず、第１実施形態として、有機化合物、より具体的には薬候補剤としてのフォルスコリンを用いて説明する。
図１は、フォルスコリンの基本分子構造モデル図である。この図において、Ｒ_６、Ｒ_７及びＲ_１３はフォルスコリンの側鎖を修飾するための原子または分子が結合する位置を示しており、当該位置にどのような原子または分子が結合するかによってフォルスコリンの物性が変化する。この図において、Ｒ_６にＨ、Ｒ_７にＣＨ_３、Ｒ_１３にＣＨ＝ＣＨ_２が結合したものが、自然界に存在するフォルスコリンであり、人工的に側鎖の構造を変える、つまりＲ_６、Ｒ_７及びＲ_１３を修飾する原子または分子を変えることで生成されたフォルスコリンをフォルスコリン誘導体という。なお、図１において、Ｃ_１〜Ｃ_１３は、炭素原子（Ｃ）を示す。

図２は、磁性（フェリ磁性）を有するフォルスコリン誘導体Ａの基本分子構造モデル図である。この図に示すように、フォルスコリン誘導体Ａは、上記のような自然界に存在するフォルスコリンのＲ_６をＣＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＣＨ_３に、Ｒ_７をＣＨ_２に変えると共に、Ｃ_９に結合している酸素原子（Ｏ）と、Ｃ_１３に結合している炭素原子とを架橋したものである。

図３に、第一原理分子動力学法に基づくコンピュータ・シミュレーションにより求めた、上記フォルスコリン誘導体Ａの３次元的な分子構造及びスピン電荷密度分布を示す。図３において、領域１は下向きのスピン電荷密度を示し、領域２〜５は上向きのスピン電荷密度を示す。よって、フォルスコリン誘導体Ａは、図２に示すような下向きのスピン状態１’と、上向きのスピン状態２’〜５’とが混在するのでフェリ磁性体であることがわかる。

一方、図４は、磁性（強磁性）を有するフォルスコリン誘導体Ｂの基本分子構造モデル図である。この図に示すように、フォルスコリン誘導体Ｂは、上記のような自然界に存在するフォルスコリンのＲ_６をＣＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＣＨ_３に、Ｒ_７をＣＨ_２に、Ｒ_１３をＣＨ−ＣＨ_３に変えると共に、Ｃ_９に結合している酸素原子と、Ｃ_１３に結合している炭素原子とを架橋したものである。

図５に、上記と同様に、第一原理分子動力学法に基づくコンピュータ・シミュレーションにより求めた、フォルスコリン誘導体Ｂの３次元的な分子構造及びスピン電荷密度分布を示す。図５において、領域１０〜１２は上向きのスピン電荷密度を示す。よって、フォルスコリン誘導体Ｂは、図４に示すような上向きのスピン状態１０’〜１２’のみが存在するので強磁性体であることがわかる。

このように、フォルスコリンの側鎖を所定の原子または分子で修飾すると共に、所定の箇所に存在する側鎖間を架橋することにより磁性を有するフォルスコリン誘導体、つまり薬を生成することができる。では、このような磁性を有する薬の設計方法について以下説明する。図６は、本薬の設計方法の処理手順を示すフローチャートである。なお、以下で説明する処理は、第一原理分子動力学法に基づくコンピュータ・シミュレーション上で行われるものである。

まず、薬として用いられるフォルスコリン誘導体には２００以上もの種類があるので、その中から評価対象とするフォルスコリン誘導体を選定し、その化学式をコンピュータ・シミュレーションに入力する（ステップＳ１）。ここで、フォルスコリン誘導体として上述したフォルスコリン誘導体Ａを選定した場合を想定して以下説明する。

続いて、フォルスコリン誘導体Ａの化学式に基づいて上向きのスピン（スピンアップ）波動関数Φ_↑（ｒ）、下向きのスピン（スピンダウン）波動関数Φ_↓（ｒ）、スピンアップ有効ポテンシャルＶ_↑（ｒ）、スピンダウン有効ポテンシャルＶ_↓（ｒ）、スピンアップ電荷密度ρ_↑（ｒ）及びスピンダウン電荷密度ρ_↓（ｒ）の初期値を設定する（ステップＳ２）。なお、ｒは３次元空間上の座標を示す変数である。

スピンアップ波動関数Φ_↑（ｒ）の初期値は、フォルスコリン誘導体Ａを構成する各原子が孤立原子として３次元空間上に存在する場合のスピンアップ波動関数Φ_↑（ｒ）を各原子毎に求め、このように求めたスピンアップ波動関数Φ_↑（ｒ）を全て加算したものである。同様に、スピンダウン波動関数Φ_↓（ｒ）の初期値は、各原子が孤立原子として３次元空間上に存在する場合のスピンダウン波動関数Φ_↓（ｒ）を各原子毎に求め、全て加算したものである。また、スピンアップ有効ポテンシャルＶ_↑（ｒ）の初期値は、フォルスコリン誘導体Ａを構成する各原子が孤立原子として３次元空間上に存在する場合のスピンアップ波動関数Φ_↑（ｒ）に基づいてスピンアップ有効ポテンシャルＶ_↑（ｒ）を各原子毎に求め、当該各原子毎に求めたスピンアップ有効ポテンシャルＶ_↑（ｒ）を全て加算したものである。同様に、有効ポテンシャルＶ_↓（ｒ）の初期値は、各原子が孤立原子として３次元空間上に存在する場合のスピンダウン波動関数Φ_↓（ｒ）に基づいてスピンダウン有効ポテンシャルＶ_↓（ｒ）を各原子毎に求め、当該各原子毎に求めたスピンダウン有効ポテンシャルＶ_↓（ｒ）を全て加算したものである。また、スピンアップ電荷密度ρ_↑（ｒ）の初期値は、上記のように各原子毎に求めたスピンアップ波動関数Φ_↑（ｒ）を下記演算式（１）に代入することによって求める。また、スピンダウン電荷密度ρ_↓（ｒ）の初期値は、各原子毎に求めたスピンダウン波動関数Φ_↓（ｒ）を下記演算式（２）に代入することによって求める。なお、下記演算式（１）において、Φ_↑ ^＊（ｒ）は、スピンアップ波動関数Φ_↑（ｒ）の共役複素数であり、下記演算式（２）において、Φ_↓ ^＊（ｒ）は、スピンダウン波動関数Φ_↓（ｒ）の共役複素数である。

次に、上記スピンアップ有効ポテンシャルＶ_↑（ｒ）及びスピンダウン有効ポテンシャルＶ_↓（ｒ）の初期値と、スピンアップ電荷密度ρ_↑（ｒ）及びスピンダウン電荷密度ρ_↓（ｒ）の初期値に基づいて下記Kohn Sham方程式（３）、（４）を解くことにより、フォルスコリン誘導体Ａのスピンアップ波動関数Φ_↑（ｒ）及びスピンダウン波動関数Φ_↓（ｒ）と、スピンアップエネルギ固有値ε_↑及びスピンダウンエネルギ固有値ε_↓を算出する（ステップＳ３）。

そして、ステップＳ３で求めたフォルスコリン誘導体Ａのスピンアップ波動関数Φ_↑（ｒ）及びスピンダウン波動関数Φ_↓に基づいてフォルスコリン誘導体Ａのスピンアップ電荷密度ρ_↑（ｒ）及びスピンダウン電荷密度ρ_↓（ｒ）と、スピンアップ有効ポテンシャルＶ_↑（ｒ）及びスピンダウン有効ポテンシャルＶ_↓（ｒ）とを算出し（ステップＳ４）、このスピンアップ電荷密度ρ_↑（ｒ）及びスピンダウン電荷密度ρ_↓（ｒ）と当該スピンアップ電荷密度ρ_↑（ｒ）及びスピンダウン電荷密度ρ_↓（ｒ）の前回値、つまりここでは初期値とが等しいか否かを判断する（ステップＳ５）。このステップＳ５において、「NO」、すなわちスピンアップ電荷密度ρ_↑（ｒ）及びスピンダウン電荷密度ρ_↓（ｒ）の前回値（初期値）と、ステップＳ４で求めた今回値とが等しくないと判断された場合、ステップＳ４で求めたスピンアップ有効ポテンシャルＶ_↑（ｒ）及びスピンダウン有効ポテンシャルＶ_↓（ｒ）と、スピンアップ電荷密度ρ_↑（ｒ）及びスピンダウン電荷密度ρ_↓（ｒ）とを新たな初期値と設定し（ステップＳ６）、ステップＳ３に移行して、再度Kohn Sham方程式（３）、（４）を解くことにより、新たなスピンアップ波動関数Φ_↑（ｒ）及びスピンダウン波動関数Φ_↓と、スピンアップエネルギ固有値ε_↑及びスピンダウンエネルギ固有値ε_↓とを算出する。すなわち、ステップＳ５において、スピンアップ電荷密度ρ_↑（ｒ）及びスピンダウン電荷密度ρ_↓（ｒ）の前回値と今回値とが等しくなるまでステップＳ３〜Ｓ６の処理を繰り返すことにより、Kohn Sham方程式（３）、（４）を満足するスピンアップ波動関数Φ_↑（ｒ）及びスピンダウン波動関数Φ_↓（ｒ）と、スピンアップエネルギ固有値ε_↑及びスピンダウンエネルギ固有値ε_↓（ｒ）とが求まる。

一方、ステップＳ５において、「YES」、すなわちスピンアップ電荷密度ρ_↑（ｒ）及びスピンダウン電荷密度ρ_↓（ｒ）の前回値と今回値とが等しいと判断された場合、上記のようにKohn Sham方程式（３）、（４）を満足するスピンアップ波動関数Φ_↑（ｒ）及びスピンダウン波動関数Φ_↓（ｒ）と、スピンアップエネルギ固有値ε_↑及びスピンダウンエネルギ固有値ε_↓（ｒ）とに基づいて各原子に働く原子間力を算出すると共に、フォルスコリン誘導体Ａの構造の最適化を行う（ステップＳ７）。つまり、ステップＳ３〜Ｓ６の繰り返しによって求めたスピンアップ波動関数Φ_↑（ｒ）及びスピンダウン波動関数Φ_↓（ｒ）等は、あくまで図２に示すような２次元平面上のモデルにおいて最適な値であって、実際には３次元空間上におけるフォルスコリン誘導体Ａの構造を考慮する必要がある。

具体的には、ステップＳ７では、フォルスコリン誘導体Ａを構成する各原子を、３次元空間上においてスピンアップ波動関数Φ_↑（ｒ）及びスピンダウン波動関数Φ_↓（ｒ）から推測される最適な方向に所定の距離だけ移動させ、その時の各原子に働く原子間力を算出する。この時の原子間力が０になり、各原子が動かなくなった場合にフォルスコリン誘導体Ａの構造が最適化されたと判断できる。よって、移動後の各原子に働く原子間力を算出し、該原子間力が０になったか否かを判断する（ステップＳ８）。このステップＳ８において、「NO」、すなわち原子間力が０ではなく、構造が最適化されていない場合、各原子の移動後の構造におけるスピンアップ波動関数Φ_↑（ｒ）及びスピンダウン波動関数Φ_↓（ｒ）を求めると共に、当該スピンアップ波動関数Φ_↑（ｒ）及びスピンダウン波動関数Φ_↓（ｒ）から求めたスピンアップ有効ポテンシャルＶ_↑（ｒ）及びスピンダウン有効ポテンシャルＶ_↓（ｒ）と、スピンアップ電荷密度ρ_↑（ｒ）及びスピンダウン電荷密度ρ_↓（ｒ）とを新たな初期値と設定し（ステップＳ９）、ステップＳ３〜Ｓ８の処理を繰り返す。ここで、ステップＳ３に戻るのは、各原子の移動後の構造変化によってスピンアップ波動関数Φ_↑（ｒ）及びスピンダウン波動関数Φ_↓（ｒ）が変化するためである。また、各原子の移動後の構造は記憶されており、再度ステップＳ７を行う時には、前回の構造から各原子を再び所定の距離だけ移動させることになる。

このようなフォルスコリン誘導体Ａの構造を最適化する際に、図２に示すように、Ｃ_９に結合している酸素原子と、Ｃ_１３に結合している炭素原子とを架橋させるように、強制的に３次元構造を変化させる。なお、このような架橋させるために選択する原子は任意に変更可能である。

一方、このステップＳ８において、「YES」、すなわち各原子に働く原子間力が０になり、フォルスコリン誘導体Ａの構造が最適化された場合、その最適化された構造におけるスピンアップ波動関数Φ_↑（ｒ）及びスピンダウン波動関数Φ_↓（ｒ）に基づいて、図３に示すようなスピン電荷密度分布を求める（ステップＳ１０）。

ここで、評価対象として選定したフォルスコリン誘導体によっては、図３に示す領域１〜５のようなスピン電荷密度分布が生じない、若しくはスピン電荷密度分布は生じるが、そのスピン電荷密度の大きさ（つまり磁性の強度）が非常に小さいものが存在する。このようなフォルスコリン誘導体は、磁性を有するとは判定することができない。従って、スピン電荷密度分布に基づいて、まず評価対象として選定したフォルスコリン誘導体が磁性を有するか否かを判断する（ステップＳ１１）。

ステップＳ１１において、「NO」、すなわち、評価対象として選定したフォルスコリン誘導体が磁性を有しない場合、ステップＳ１に移行し、他のフォルスコリン誘導体を新たに選定して再度磁性評価を行う。一方、ステップＳ１１において、「YES」、すなわち評価対象として選定したフォルスコリン誘導体が磁性を有する場合、スピン電荷密度分布に基づいて強磁性かフェリ磁性かを判断する（ステップＳ１２）。上述したように、スピン電荷密度分布は、スピンアップ電荷密度とスピンダウン電荷密度との分布を示すものであるので、これらスピンアップ電荷密度及びスピンダウン電荷密度が混在している場合は、フェリ磁性を有すると判断でき、スピンアップ電荷密度またはスピンダウン電荷密度のどちらか一方のみが存在する場合は、強磁性を有すると判断することができる。

フォルスコリン誘導体Ａは、図３に示すようにスピンアップ電荷密度（領域２〜５）及びスピンダウン電荷密度（領域１）が混在するので、フェリ磁性フォルスコリン誘導体と判定する（ステップＳ１３）。一方、例えば選定したフォルスコリン誘導体がフォルスコリン誘導体Ｂであれば、図５に示すように、スピンアップ電荷密度（領域１０〜１２）のみが存在するので、強磁性フォルスコリン誘導体と判定する（ステップＳ１４）。なお、スピン電荷密度分布に基づいて磁性の強度を求めることも可能である。

以上のように、本薬の設計方法によれば、様々な原子または分子で側鎖を修飾し、さらに側鎖間を任意に架橋したフォルスコリン誘導体の磁性を判定することができ、磁性を有すると判定された分子モデルを基にフォルスコリン誘導体を生成することにより、磁性を有する薬を製造することができる。よって、従来のように磁性体からなる担体（キャリア）を用いることなく、薬自体が有する磁性を利用して体内の患部まで薬を誘導することができる。その結果、従来における、経口投与が困難なこと、担体分子が一般的に巨大であること、あるいは薬剤分子との結合強度、親和性に技術的な問題があること等を解決することができ、実用化が容易なドラッグ・デリバリシステムを実現することが可能である。

なお、上記第１実施形態では、フォルスコリン誘導体Ａ及びＢ共に、Ｃ_９に結合している酸素原子と、Ｃ_１３に結合している炭素原子とを架橋させるように、強制的に３次元構造を変化させたが、これに限らず、架橋させる原子は他を選択しても良い。また、架橋を行なわず、側鎖を修飾する原子または分子を変更するだけで磁性を有するか否かを判定しても良い。

〔第２実施形態〕
次に、第２実施形態として、無機化合物、より具体的には抗がん剤としての鉄錯体及びコバルト（Ｃｏ）錯体について説明する。

図７（ａ）〜（ｅ）は、鉄錯体にそれぞれ側鎖修飾を施した鉄錯体誘導体の分子構造モデル図である。これらの鉄錯体誘導体は、文献「Sylvain Routier, Herve Vezin, Eric Lamour, Jean-Luc Bernier, Jean-Pierre Catteau and Christian Bailly, Nucleic Acids Research, 27 (1999) 4160-4166」に記載されているように、抗がん作用のあることが確認されている。

また、図８（ａ）及び（ｂ）は、コバルト錯体に側鎖修飾を施したコバルト錯体誘導体の分子構造モデル図である。図８（ａ）は、〔Co(NH₃)₂Cl₂〕のシス幾何異性体であり、図８（ｂ）は、〔Co(NH₃)₂Cl₂〕のトランス幾何異性体である。これらのコバルト錯体誘導体は、文献「M. D. Astudillo, M. V. Alvarez and G. Pinillos, Arch Farmac Toxicol, 6 (1980) 265-276」に記載されているように、抗がん作用のあることが確認されている。

薬の磁性が強ければ強い程、より効率よく患部に薬を誘導することができ、薬理効果の増大及び副作用の抑制を期待できる。そこで、本願発明者は、上述した本薬の設計方法におけるコンピュータ・シミュレーションによって、上記鉄錯体誘導体及びコバルト錯体誘導体について磁性強度の解析を行った。以下、その解析結果について説明する。なお、磁性強度はスピン電荷密度と比例関係にあるため、これら鉄錯体誘導体及びコバルト錯体誘導体におけるスピン電荷密度の解析を行った。

まず、リファレンスとして、マグネタイト（Fe₃O₄）の結晶から総原子数１０１個、一辺８Å程度の微粒子を切り出したものを分子モデルに設定し、上記コンピュータ・シミュレーションによって、電子状態と構造の最適化を行なった後、スピン電荷密度解析を行なった。そして、上記マグネタイトのスピン電荷密度を基準にし、鉄錯体誘導体及びコバルト錯体誘導体について同様にスピン電荷密度の解析を行った。

その結果、図７（ａ）に示す鉄錯体誘導体は、マグネタイトと比較して約４０．２％（マグネタイトのスピン電荷密度を１００％とする）のスピン電荷密度を有していた。また、図７（ｂ）に示す鉄錯体誘導体は、マグネタイトと比較して約０％のスピン電荷密度を有していた。また、図７（ｃ）に示す鉄錯体誘導体は、マグネタイトと比較して約６８．６％のスピン電荷密度を有していた。また、図７（ｄ）に示す鉄錯体誘導体は、マグネタイトと比較して約８２．２％のスピン電荷密度を有していた。さらに、図７（ｅ）に示す鉄錯体誘導体は、マグネタイトと比較して約６９．７％のスピン電荷密度を有していた。一方、図８（ａ）に示すコバルト錯体誘導体は、マグネタイトと比較して約１１８．５％のスピン電荷密度を有していた。また、図８（ｂ）に示すコバルト錯体誘導体は、マグネタイトと比較して約１１８．１％のスピン電荷密度を有していた。

これらの結果より、図７（ｂ）に示す鉄錯体誘導体は、スピン電荷密度（つまり磁性強度）が非常に小さく、磁性薬として大きな効果はないことが確認された。また、他の鉄錯体誘導体は、マグネタイトと比較して約４０％以上のスピン電荷密度を有しており、磁性薬として有効であることが確認された。特に図７（ｄ）に示す鉄錯体誘導体は、マグネタイトと比較して約８０％以上ものスピン電荷密度を有しており、磁性薬として非常に有効であることがわかった。一方、図８（ａ）及び（ｂ）に示すコバルト錯体誘導体は、どちらもマグネタイト以上の磁性強度を有しており、磁性薬として非常に有効であることがわかった。

次に、図７（ａ）に示す鉄錯体誘導体の試料を用意し、当該試料の磁性測定を行なった。
磁性測定は測定対象物に磁場を印加し、その測定対象物の周囲に磁場が発生するかどうかを測定する。一般的に磁性測定には、力学的方法、電磁誘導法、あるいは磁気共鳴法、超伝導の量子効果などの方法が考えられる。本実施形態では、そのうち最も精度が高い超伝導量子干渉素子（ＳＱＵＩＤ: Superconducting Quantum Interference Devices）を使用した。このＳＱＵＩＤは高感度の磁化測定装置であり、試料を動かしたときに生じる、Josephson接合を持った超伝導ループ素子を貫く磁束の微弱な変化を、接合を通るトンネル電流の変化として測定し試料の磁化の値を求める。この方法により最大７テスラ（Ｔ）の強磁場と高精度(1 x 10^-８emu)の条件で温度と磁性の関係についての測定が可能になる。

図９は、上記ＳＱＵＩＤによって測定した、図７（ａ）に示す鉄錯体誘導体の試料の磁化−磁場特性曲線である。図９（ｂ）は、図９（ａ）の特性曲線におけるヒステリシス部分を拡大した図である。なお、測定温度は３１０Ｋ、つまりほぼ体温に近い温度である。この図９に示すように、体温に近い温度下で、図７（ａ）に示す鉄錯体誘導体は磁性を有し、さらにヒステリシスが生じるので強磁性体であることが確認された。

また、図７（ａ）に示す鉄錯体誘導体の試料と１テスラの永久磁石を用いて簡易磁場誘導実験を行なった。まず、試料を薬包紙にのせて下から永久磁石で磁場誘導したところ試料が磁場誘導されることを確認した。次に、水を入れたビーカーに試料を混入し、ビーカーの下から永久磁石で磁場誘導したところ試料が磁場誘導できたことを確認した。

なお、上記実施形態では、抗がん剤として鉄錯体誘導体とコバルト錯体誘導体について説明したが、シスプラチン誘導体のような白金錯体や、白金錯体の白金（Pt）をパラジウム（Pd）、ロジウム（Rh）、イリジウム（Ir）、金（Au）、ニッケル（Ni）、銀（Ag）、銅（Cu）に置換した各種金属錯体の誘導体についても抗がん作用があることが知られており、これら各種金属錯体の誘導体で磁性を有するものを磁性薬として使用しても良い。

以上のように、本実施形態における薬の設計方法によれば、有機化合物のみならず無機化合物からなる薬についても、その分子モデルから磁性を有するか否かを解析することができ、磁性強度の高い（つまり薬効の高い）薬を事前に調査することにより、有効な薬を非常に効率良く設計することが可能となる。

続いて、上述したような磁性を有する薬を、患部に誘導する誘導装置について説明する。この誘導装置は、磁界を発生するものであれば良く、様々な形態の装置が考えられる。例えば、その一例として、磁気共鳴画像診断装置（MRI：Magnetic Resonance Imaging）の応用が考えられ、人体に磁界を放射し、当該磁界を薬が患部に誘導されるようにコントロールするような構成にすれば良い。また、例えば、磁石等の磁気を発生するものを患部の皮膚表面に貼りつけても良い。これにより、患部の近くに到達した薬は、患部に誘導されると共に、患部に集中して留まるため、他の正常な細胞に副作用を起こすこともない。以上のような誘導装置によれば、磁性を持つ薬を選択的且つ集中的に患部に誘導することが可能である。

さらに、体内に投与された薬の磁性を利用して、その薬の体内動態を調べることもできる。より具体的には、体内に投与された薬の磁性を検出する磁気検出装置を備えた体内動態検知器を使用し、磁性を有する薬をトレーサとし、磁気検出装置により薬から発生する磁気をトレースすることで薬の体内動態を調べる。このような体内動態検知器により、薬が体内に投与されてから患部に到達するまでの時間などの体内動態を調べることができ、薬の研究・開発に寄与することができる。

本発明の一実施形態におけるフォルスコリンの基本分子構造モデル図である。本発明の一実施形態におけるフェリ磁性を持つフォルスコリン誘導体Ａの分子構造モデル図である。本発明の一実施形態におけるフォルスコリン誘導体Ａの３次元的分子構造モデル及びスピン電荷密度分布を示す図である。本発明の一実施形態における強磁性を持つフォルスコリン誘導体Ｂの分子構造モデル図である。本発明の一実施形態におけるフォルスコリン誘導体Ｂの３次元的分子構造モデル及びスピン電荷密度分布を示す図である。本発明の一実施形態における薬の設計方法のフローチャートである。本発明の一実施形態における鉄錯体誘導体の分子構造モデル図である。本発明の一実施形態におけるコバルト錯体誘導体の分子構造モデル図である。本発明の一実施形態における鉄錯体誘導体の磁性測定結果である。

符号の説明

Ａ、Ｂ…フォルスコリン誘導体

Claims

磁性キャリアを必要とすることなく、投与後外からの磁場によって、体温下で、患部に誘導されるための、磁性を自身で備えるサレン金属錯体化合物を有する抗がん薬。
前記化合物は鉄錯体である、請求項１記載の抗がん薬。
前記鉄錯体は次の化合物の少なくとも一つである、請求項２記載の抗がん薬。