JP5158002B2 - Buck-boost converter - Google Patents
Buck-boost converter Download PDFInfo
- Publication number
- JP5158002B2 JP5158002B2 JP2009097560A JP2009097560A JP5158002B2 JP 5158002 B2 JP5158002 B2 JP 5158002B2 JP 2009097560 A JP2009097560 A JP 2009097560A JP 2009097560 A JP2009097560 A JP 2009097560A JP 5158002 B2 JP5158002 B2 JP 5158002B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor module
- vehicle
- potential side
- semiconductor
- diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Description
本発明は、車両に搭載され、直流電力の昇圧及び降圧を行う昇降圧コンバータに関する。 The present invention relates to a step-up / down converter that is mounted on a vehicle and performs step-up and step-down of DC power.
電気自動車やハイブリッド自動車等には、その動力源である交流モータを作動させるための交流電力を、直流電源から生成するためのインバータが搭載されている。そして、バッテリー電源の電圧を昇圧してインバータへ供給する、さらには、交流モータにおいて発電されると共にインバータにおいて直流電力に変換された高電圧の電力を降圧するために、昇降圧コンバータが、車両に搭載されている。 An electric vehicle, a hybrid vehicle, and the like are equipped with an inverter for generating AC power for operating an AC motor as a power source from a DC power source. Then, in order to step up the voltage of the battery power supply and supply it to the inverter, and further to step down the high voltage power generated in the AC motor and converted into DC power in the inverter, a step-up / down converter is applied to the vehicle. It is installed.
かかる昇降圧コンバータは、上記インバータと同様に、スイッチング動作を繰り返す半導体モジュールの温度上昇を抑制するために、冷却液を流通させる冷却管を半導体モジュールに接触配置してなる(特許文献1)。
また、冷却液は、ポンプによって冷却管内を含めた循環経路を循環する。そして、半導体モジュールと熱交換して温度上昇し、冷却管から排出された冷却液は、放熱手段において放熱した後、再度冷却管に導入され、半導体モジュールを冷却する。
Such a step-up / down converter has a cooling pipe through which a coolant flows in contact with the semiconductor module in order to suppress the temperature rise of the semiconductor module that repeats the switching operation, similarly to the inverter (Patent Document 1).
Further, the coolant circulates in a circulation path including the inside of the cooling pipe by a pump. Then, the temperature rises due to heat exchange with the semiconductor module, and the coolant discharged from the cooling pipe dissipates heat in the heat radiating means, and is then introduced into the cooling pipe again to cool the semiconductor module.
しかしながら、例えば、上記ポンプに異常が生じたときには、冷却液の循環が停止し、冷却管内において冷却液が停滞することとなる。このような異常事態において、車両の通常走行も不能とする制御もある。しかし、この場合でも、突然車両走行が不能となると、車両の停止場所等によっては安全を確保できないなどの問題があるため、ある程度の走行は可能となるように設計してある。 However, for example, when an abnormality occurs in the pump, the circulation of the coolant is stopped and the coolant is stagnated in the cooling pipe. In such an abnormal situation, there is also control that disables normal traveling of the vehicle. However, even in this case, if the vehicle suddenly becomes impossible, there is a problem that safety cannot be ensured depending on the stop location of the vehicle, and therefore, the vehicle is designed to be able to travel to some extent.
そのため、この異常時の走行においても、昇降圧コンバータは作動することとなり、これを構成する半導体モジュールを、ある程度は冷却可能にしておく必要がある。
ところが、冷却液の循環が停止して冷却液が停滞したとき、冷却管内の液面が下がることがある。この場合、車両の姿勢や、加速、減速などの走行状態によっては、半導体モジュール内における発熱原である半導体素子やダイオードの位置に、冷却液が存在しなくなることもあり得る。このような場合には、半導体素子やダイオードの放熱効率が極端に低下してしまい、これらの素子の故障の原因となり、昇降圧コンバータの故障の原因となる。
For this reason, the step-up / step-down converter operates even when traveling in an abnormal state, and it is necessary to allow the semiconductor module constituting the converter to be cooled to some extent.
However, when the cooling liquid circulation stops and the cooling liquid stagnates, the liquid level in the cooling pipe may fall. In this case, depending on the posture of the vehicle and the running state such as acceleration and deceleration, the coolant may not exist at the position of the semiconductor element or the diode that is the heat generation source in the semiconductor module. In such a case, the heat dissipation efficiency of the semiconductor elements and diodes is extremely lowered, causing the failure of these elements and the failure of the buck-boost converter.
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたもので、冷却管内の冷却液の液面が低下した際においても、半導体モジュールの温度上昇を抑制することができる昇降圧コンバータを提供しようとするものである。 The present invention has been made in view of such a problem, and intends to provide a step-up / down converter capable of suppressing an increase in the temperature of a semiconductor module even when the liquid level of the cooling liquid in the cooling pipe is lowered. It is.
本発明は、車両に搭載され、直流電力の昇圧及び降圧を行う昇降圧コンバータであって、
被制御電流のオン、オフのスイッチングを行う半導体モジュールと、該半導体モジュールを冷却する冷却液を流通する冷却管とを有し、
上記半導体モジュールは、高電位側と低電位側とにそれぞれ少なくとも一つずつ配設されると共に、上記スイッチングを行う半導体素子と、該半導体素子に逆並列接続されたダイオードとを有し、
上記冷却管は、上記半導体モジュールの両面に接触配置されると共に、上記車両の前後方向にその長手方向を一致させており、
上記冷却管の長手方向に、上記高電位側の半導体モジュールと、上記低電位側の半導体モジュールとが並べて配置されており、
上記高電位側の半導体モジュールが上記車両の前方側、上記低電位側の半導体モジュールが上記車両の後方側にそれぞれ配置され、
上記高電位側の半導体モジュールにおいては、上記半導体素子が上記ダイオードよりも上記車両の前方側に配置され、上記低電位側の半導体モジュールにおいては、上記半導体素子が上記ダイオードよりも上記車両の後方側に配置されていることを特徴とする昇降圧コンバータにある(請求項1)。
The present invention is a step-up / down converter that is mounted on a vehicle and performs step-up and step-down of DC power,
A semiconductor module that performs on / off switching of the controlled current, and a cooling pipe that circulates a coolant that cools the semiconductor module,
The semiconductor module includes at least one each on a high potential side and a low potential side, and includes a semiconductor element that performs the switching, and a diode connected in reverse parallel to the semiconductor element,
The cooling pipe is arranged in contact with both surfaces of the semiconductor module, and the longitudinal direction of the cooling pipe is matched with the longitudinal direction of the vehicle.
In the longitudinal direction of the cooling pipe, the semiconductor module on the high potential side and the semiconductor module on the low potential side are arranged side by side,
The high-potential side semiconductor module is disposed on the front side of the vehicle, and the low-potential side semiconductor module is disposed on the rear side of the vehicle.
In the high-potential side semiconductor module, the semiconductor element is arranged on the front side of the vehicle with respect to the diode, and in the low-potential side semiconductor module, the semiconductor element is on the rear side of the vehicle with respect to the diode. The step-up / step-down converter is characterized in that the step-up / step-down converter is arranged in the above-described manner.
本発明の昇降圧コンバータにおいては、上記高電位側の半導体モジュールが上記車両の前方側、上記低電位側の半導体モジュールが上記車両の後方側にそれぞれ配置されている。これにより、例えば冷却液の流通が停止して、冷却管内に冷却液が停滞し、冷却液の液面が下がったときでも、半導体モジュールの温度上昇を抑制することができる。そのメカニズムについて、以下に説明する。 In the step-up / down converter according to the present invention, the high-potential side semiconductor module is disposed on the front side of the vehicle, and the low-potential side semiconductor module is disposed on the rear side of the vehicle. Thereby, for example, even when the circulation of the cooling liquid is stopped, the cooling liquid is stagnated in the cooling pipe, and the liquid level of the cooling liquid is lowered, the temperature rise of the semiconductor module can be suppressed. The mechanism will be described below.
車両の動力源である回転電機を作動させる力行時には、昇降圧コンバータは、直流電力の昇圧を行うこととなり、主として、低電位側の半導体モジュールの半導体素子と高電位側の半導体モジュールのダイオードが発熱する。一方、回転電機によって発電された電力を回収する回生時には、昇降圧コンバータは、直流電力の降圧を行うこととなり、主として、高電位側の半導体モジュールの半導体素子と低電位側の半導体モジュールのダイオードが発熱する。ただし、ダイオードの発熱は、半導体素子の発熱に比べて小さく、主に発熱するのは半導体素子である。 During powering to operate the rotating electrical machine that is the power source of the vehicle, the step-up / step-down converter boosts DC power. Mainly, the semiconductor elements of the low-potential side semiconductor module and the diodes of the high-potential side semiconductor module generate heat. To do. On the other hand, at the time of regeneration for recovering the electric power generated by the rotating electrical machine, the step-up / step-down converter performs step-down of the DC power, and mainly the semiconductor element of the high-potential side semiconductor module and the diode of the low-potential side semiconductor module. Fever. However, the heat generation of the diode is smaller than the heat generation of the semiconductor element, and the semiconductor element mainly generates heat.
また、力行時における車両の状況を考えると、上り坂を上る状況、あるいは加速する状況がある。このとき、冷却管内の冷却液は、車両後方に偏ることとなる。
一方、回生時における車両の状況は、逆に、下り坂を下る状況、あるいは減速する状況がある。このとき、冷却管内の冷却液は、車両前方に偏ることとなる。
Further, when considering the situation of the vehicle during power running, there are situations where the vehicle climbs uphill or accelerates. At this time, the coolant in the cooling pipe is biased toward the rear of the vehicle.
On the other hand, the situation of the vehicle at the time of regeneration includes, on the contrary, a situation where the vehicle goes downhill or decelerates. At this time, the coolant in the cooling pipe is biased forward of the vehicle.
そこで、本発明においては、上記のごとく、高電位側の半導体モジュールが車両の前方側、低電位側の半導体モジュールが車両の後方側にそれぞれ配置されている。
これにより、低電位側の半導体モジュールの半導体素子が発熱する力行時に、冷却管内の冷却液が車両後方に偏り、高電位側の半導体モジュールの半導体素子が発熱する回生時に、冷却管内の冷却液が車両前方に偏る。すなわち、常に、発熱する半導体素子のある位置に、冷却液が移動することとなる。これにより、効果的に半導体モジュールの温度上昇を抑制することができる。
Therefore, in the present invention, as described above, the high potential side semiconductor module is disposed on the front side of the vehicle, and the low potential side semiconductor module is disposed on the rear side of the vehicle.
As a result, when the semiconductor element of the low potential side semiconductor module generates heat, the coolant in the cooling pipe is biased toward the rear of the vehicle, and when the semiconductor element of the high potential side semiconductor module generates heat, the coolant in the cooling pipe is It is biased toward the front of the vehicle. That is, the cooling liquid always moves to a position where the semiconductor element that generates heat is located. Thereby, the temperature rise of a semiconductor module can be suppressed effectively.
なお、ダイオードの発熱に関しては、半導体素子と逆のパターンとなるが、上述のごとく、ダイオードの発熱は、半導体素子の発熱に比べて充分小さいため、その影響は小さい。 The heat generation of the diode has a pattern opposite to that of the semiconductor element. However, as described above, the heat generation of the diode is sufficiently smaller than the heat generation of the semiconductor element, and thus the influence is small.
また、高電位側の半導体モジュールにおいては、半導体素子がダイオードよりも車両の前方側に配置され、低電位側の半導体モジュールにおいては、半導体素子がダイオードよりも車両の後方側に配置されている。これにより、同時に発熱する、高電位側の半導体モジュールの半導体素子と低電位側の半導体モジュールのダイオード、或いは、高電位側の半導体モジュールのダイオードと低電位側の半導体モジュールの半導体素子が、隣り合わせにならない。そのため、昇圧時及び降圧時において、素子同士の熱干渉を低減することができる。また、特に発熱の大きい高電位側及び低電位側の半導体モジュールの半導体素子同士が冷却管の長手方向の両端に配置されることとなるため、放熱性を効果的に向上させることができる。 Further, in the semiconductor module on the high potential side, the semiconductor element is disposed on the front side of the vehicle with respect to the diode, and in the semiconductor module on the low potential side, the semiconductor element is disposed on the rear side of the vehicle with respect to the diode. Accordingly, the semiconductor element of the high potential side semiconductor module and the diode of the low potential side semiconductor module, or the diode of the high potential side semiconductor module and the semiconductor element of the low potential side semiconductor module, which generate heat simultaneously, are adjacent to each other. Don't be. Therefore, thermal interference between elements can be reduced at the time of step-up and step-down. In addition, since the semiconductor elements of the high potential side and low potential side semiconductor modules that generate particularly large heat are arranged at both ends in the longitudinal direction of the cooling pipe, the heat dissipation can be effectively improved.
以上のごとく、本発明によれば、冷却管内の冷却液の液面が低下した際においても、半導体モジュールの温度上昇を抑制することができる昇降圧コンバータを提供することができる。 As described above, according to the present invention, it is possible to provide a step-up / step-down converter capable of suppressing an increase in the temperature of a semiconductor module even when the liquid level of the cooling liquid in the cooling pipe is lowered.
本発明において、上記半導体素子としては、例えばIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)を用いることができ、上記ダイオードとしては、例えばフライホイールダイオードを用いることができる。
また、上記「半導体素子に逆並列接続」とは、例えば、半導体素子におけるエミッタとコレクタとの間にダイオードを接続し、その整流方向を、電流がエミッタからコレクタへ向かう方向となるように接続することを言う。
また、高電位側の半導体モジュールと低電位側の半導体モジュールとは、互いに一体化されていてもよい。
In the present invention, for example, an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) can be used as the semiconductor element, and a flywheel diode can be used as the diode.
The above-mentioned “antiparallel connection to the semiconductor element” means, for example, that a diode is connected between the emitter and the collector in the semiconductor element, and the rectification direction is connected so that the current is directed from the emitter to the collector. Say that.
The high potential side semiconductor module and the low potential side semiconductor module may be integrated with each other.
また、上記冷却液としては、例えば、水やアンモニア等の自然冷媒、エチレングリコール系の不凍液を混入した水、フロリナート等のフッ化炭素系冷媒、HCFC123、HFC134a等のフロン系冷媒、メタノール、アルコール等のアルコール系冷媒、アセトン等のケトン系冷媒等を用いることができる。 Examples of the coolant include natural refrigerants such as water and ammonia, water mixed with ethylene glycol antifreeze, fluorocarbon refrigerants such as fluorinate, chlorofluorocarbon refrigerants such as HCFC123 and HFC134a, methanol, alcohol, and the like. An alcohol-based refrigerant, a ketone-based refrigerant such as acetone, or the like can be used.
(実施例)
本発明の実施例にかかる昇降圧コンバータにつき、図1〜図8を用いて説明する。
本例の昇降圧コンバータ1は、電気自動車やハイブリッド自動車等の車両に搭載され、直流電力の昇圧及び降圧を行うものであり、図1〜図3に示すごとく、被制御電流のオン、オフのスイッチングを行う半導体モジュール2と、該半導体モジュール2を冷却する冷却液Wを流通する冷却管3とを有する。
(Example)
A buck-boost converter according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
The buck-
半導体モジュール2は、高電位側と低電位側とにそれぞれ少なくとも一つずつ配設されると共に、スイッチングを行う半導体素子21と、該半導体素子21に逆並列接続されたダイオード22とを有する。例えば、半導体素子21としてはIGBTを用い、ダイオード22としてはフライホイールダイオードを用いることができる。
The
冷却管3は、半導体モジュール2の両面に接触配置されると共に、車両の前後方向にその長手方向を一致させている。図1等に示す矢印Fが車両の前方を示す。
冷却管3の長手方向に、高電位側の半導体モジュール2Hと、低電位側の半導体モジュール2Lとが並べて配置されている。
そして、高電位側の半導体モジュール2Hが車両の前方側(矢印F側)、低電位側の半導体モジュール2Lが車両の後方側にそれぞれ配置されている。
また、高電位側の半導体モジュール2Hにおいては、半導体素子21がダイオード22よりも車両の前方側に配置され、低電位側の半導体モジュール2Lにおいては、半導体素子21がダイオード22よりも車両の後方側に配置されている。
The
In the longitudinal direction of the
The high potential
In the
本例においては、図1、図4に示すごとく、昇降圧コンバータ1を構成する半導体モジュール2は4個設けられており、互いに直列接続された高電位側の半導体モジュール2Hと低電位側の半導体モジュール2Lとが、2組並列に接続されている。そして、互いに直列接続された高電位側の半導体モジュール2Hと低電位側の半導体モジュール2Lとは、一対の冷却管3の間に、冷却管3の長手方向に沿って並んで配設されている。また、冷却管3と半導体モジュール2とが交互に積層されている。
なお、昇降圧コンバータ1を構成する半導体モジュール2は、4個に限らず、少なくとも2個設けられていればよく、高電位側の半導体モジュール2Hと低電位側の半導体モジュール2Lとが、少なくとも1組設けられていればよい。
In this example, as shown in FIGS. 1 and 4, four
Note that the number of
積層された冷却管3は、長手方向の両端部において、連結管31によって互いに連結されている。これにより、冷媒導入口321から導入された冷却液Wは、上流側の連結管31を通じて各冷却管3に分配されて流通する。この間に、冷却液Wは、半導体モジュール2との間で熱交換を行い、下流側の連結管31を通じて冷媒排出口322から排出される。また、温度上昇して排出された冷却液Wは、空冷等によって冷却され再度冷媒導入口321から冷却管3に導入される。この冷却液Wの循環は、循環ポンプによって行われる。
これにより、半導体モジュール2の冷却を行っている。
The stacked
Thereby, the
また、冷却液Wとしては、例えば、水やアンモニア等の自然冷媒、エチレングリコール系の不凍液を混入した水、フロリナート等のフッ化炭素系冷媒、HCFC123、HFC134a等のフロン系冷媒、メタノール、アルコール等のアルコール系冷媒、アセトン等のケトン系冷媒等を用いることができる。
また、冷却管3は、例えばアルミニウム又はその合金によって構成されている。
Examples of the coolant W include natural refrigerants such as water and ammonia, water mixed with ethylene glycol antifreeze, fluorocarbon refrigerants such as fluorinate, chlorofluorocarbon refrigerants such as HCFC123 and HFC134a, methanol, alcohol, and the like. An alcohol-based refrigerant, a ketone-based refrigerant such as acetone, or the like can be used.
The
半導体モジュール2は、図3に示すごとく、半導体素子21とダイオード22とを樹脂25によってモールドしてなる。また、半導体素子21とダイオード22とは、一対の放熱板24によって挟持されている。半導体素子21と一方の放熱板24との間、及びダイオード22と一方の放熱板24との間には、それぞれスペーサ26が配設されている。また、半導体素子21、ダイオード22のそれぞれの両面、及びスペーサ26の両面には、はんだなどの導電性及び熱伝導性を有する接合部材27が配されている。
As shown in FIG. 3, the
また、各放熱板24は、その一方の表面を、半導体モジュール2の一対の主面に露出させるようにして配設されている。そして、一対の主面に露出した放熱板24に対して、熱伝導性に優れた絶縁部材11を介して、冷却管3を接触させている。これにより、半導体モジュール2は、半導体素子21およびダイオード22から発生した熱を、両主面から放熱することができるよう構成されている。
Further, each of the
本例の昇降圧コンバータ1は、図4に示すごとく、直流電源51と回転電機(三相交流モータージェネレータ)52との間において、直流電力と交流電力との間の変換を行うインバータ53と共に配線される。
昇降圧コンバータ1は、上述した複数の半導体モジュール2の他に、リアクトル12を有する。リアクトル12は、高電位側の半導体モジュール2Hと低電位側の半導体モジュール2Lとの間に一方の電極を接続し、他方の電極を直流電源51の正極に接続している。
As shown in FIG. 4, the step-up / down
The step-up / down
インバータ53は上記半導体モジュール2と同様の構成を有する半導体モジュール20を少なくとも6個備えている。
半導体モジュール20は、インバータ53において、高電位側、低電位側にそれぞれ少なくとも3個ずつ配置されている。このうち、高電位側の半導体モジュール20は、直流電源51の正極側に接続された正極電源線501に接続され、低電位側の半導体モジュール20は、直流電源51の負極側に接続された負極電源線502に接続されている。そして、高電位側の半導体モジュール20と低電位側の半導体モジュール20とが互いに直列に接続されており、三相のアームを形成している。また、各アームにおける一対の半導体モジュール20の接続点から、三相交流モータージェネレータである回転電機52の各相(U相、V相、W相)の電極とそれぞれ接続する出力線503が配線されている。
なお、インバータ53を構成する半導体モジュール20も、昇降圧コンバータ1を構成する半導体モジュール2と同様な冷却構造を有しているが、図示は省略してある。
The
In the
The
そして、昇降圧コンバータ1は、高電位側の半導体モジュール2Hの高電位側電極が、インバータ53の正極電源線501に接続し、低電位側の半導体モジュール2Lの低電位側電極が、インバータ53の負極電源線502に接続するように配線されている。
また、昇降圧コンバータ1とインバータ53との間における、正極電源線501と負極電源線502との間に、平滑コンデンサ54が接続されている。さらに、直流電源51と昇降圧コンバータ1との間には、直流電源51に並列的に接続されたフィルタコンデンサ55が配設されている。
In the buck-
A smoothing
このような回路構成によって、直流電源51の直流電圧を昇降圧コンバータ1によって昇圧してインバータ53へ送り、インバータ53において直流電力を三相交流電力に変換して、回転電機52を駆動して車両を加速等させる(力行)。一方、車両の減速時などにおいては、回転電機52において発電された交流電力を、インバータ53において直流電力に変換し、これを昇降圧コンバータ1において降圧して、直流電源51に蓄電する(回生)。
With such a circuit configuration, the DC voltage of the
そして、昇降圧コンバータ1においては、昇圧時(車両の加速時等)には、主に、被制御電流が、低電位側の半導体モジュール2Lにおける半導体素子21と、高電位側の半導体モジュール2Hにおけるダイオード22に流れ、これらが発熱する。一方、降圧時(車両の減速時等)には、主に、被制御電流が、高電位側の半導体モジュール2Hにおける半導体素子21と、低電位側の半導体モジュール2Lにおけるダイオード22に流れ、これらが発熱する。
In the step-up / step-down
次に、本例の作用効果につき説明する。
本例の昇降圧コンバータ1においては、図1〜図3に示すごとく、高電位側の半導体モジュール2Hが車両の前方側(矢印F側)、低電位側の半導体モジュール2Lが車両の後方側にそれぞれ配置されている。これにより、例えば冷却液Wの流通が停止して、冷却管3内に冷却液Wが停滞し、冷却液Wの液面が下がったときでも、半導体モジュール2の温度上昇を抑制することができる。そのメカニズムについて、以下に説明する。
Next, the function and effect of this example will be described.
In the step-up / down
回転電機52を作動させる力行時には、昇降圧コンバータ1は、直流電力の昇圧を行うこととなり、上述のごとく、主として、低電位側の半導体モジュール2Lの半導体素子21と高電位側の半導体モジュール2Hのダイオード22が発熱する。一方、回転電機52によって発電された電力を回収する回生時には、昇降圧コンバータ1は、直流電力の降圧を行うこととなり、上述のごとく、主として、高電位側の半導体モジュール2Hの半導体素子21と低電位側の半導体モジュール2Lのダイオード22が発熱する。ただし、ダイオード22の発熱は、半導体素子21の発熱に比べて小さく、主に発熱するのは半導体素子21である。
At the time of powering that operates the rotating
また、力行時における車両4の状況を考えると、図5に示すような上り坂を上る状況、あるいは加速する状況である。このとき、図6に示すごとく、冷却管3内の冷却液Wは、車両後方に偏ることとなる。
一方、回生時における車両4の状況は、逆に、図7に示すような下り坂を下る状況、あるいは減速する状況である。このとき、図8に示すごとく、冷却管3内の冷却液Wは、車両前方に偏ることとなる。
Further, when considering the situation of the vehicle 4 during power running, it is a situation where the vehicle climbs uphill as shown in FIG. 5 or accelerates. At this time, as shown in FIG. 6, the coolant W in the
On the other hand, the situation of the vehicle 4 at the time of regeneration is, conversely, a situation where the vehicle goes downhill as shown in FIG. At this time, as shown in FIG. 8, the coolant W in the
そこで、本発明においては、上記のごとく、高電位側の半導体モジュール2Hが車両4の前方側、低電位側の半導体モジュール2Lが車両4の後方側にそれぞれ配置されている。
これにより、低電位側の半導体モジュール2Lの半導体素子21が発熱する力行時に、図6に示すごとく、冷却管3内の冷却液Wが車両後方に偏り、高電位側の半導体モジュール2Hの半導体素子21が発熱する回生時に、図8に示すごとく、冷却管3内の冷却液Wが車両前方に偏る。すなわち、常に、発熱する半導体素子21のある位置に、冷却液Wが移動することとなる。これにより、効果的に半導体モジュール2の温度上昇を抑制することができる。
Therefore, in the present invention, as described above, the high potential
As a result, as shown in FIG. 6, when the
なお、ダイオード22の発熱に関しては、半導体素子21と逆のパターンとなるが、上述のごとく、ダイオード22の発熱は、半導体素子21の発熱に比べて充分小さいため、その影響は小さい。
The heat generation of the
また、高電位側の半導体モジュール2Hにおいては、半導体素子21がダイオード22よりも車両4の前方側(矢印F側)に配置され、低電位側の半導体モジュール2Lにおいては、半導体素子21がダイオード22よりも車両4の後方側に配置されている。これにより、同時に発熱する、高電位側の半導体モジュール2Hの半導体素子21と低電位側の半導体モジュール2Lのダイオード22、或いは、高電位側の半導体モジュール2Hのダイオード22と低電位側の半導体モジュール2Lの半導体素子21が、隣り合わせにならない。そのため、昇圧時及び降圧時において、素子同士の熱干渉を低減することができる。また、特に発熱の大きい高電位側及び低電位側の半導体モジュール2の半導体素子21同士が冷却管3の長手方向の両端に配置されることとなるため、放熱性を効果的に向上させることができる。
Further, in the
以上のごとく、本例によれば、冷却管内の冷却液の液面が低下した際においても、半導体モジュールの温度上昇を抑制することができる昇降圧コンバータを提供することができる。 As described above, according to this example, it is possible to provide a step-up / step-down converter capable of suppressing an increase in the temperature of a semiconductor module even when the liquid level of the coolant in the cooling pipe is lowered.
(比較例)
本例は、図9、図10に示すごとく、低電位側の半導体モジュール2Lが車両の前方側(矢印F側)、高電位側の半導体モジュール2Hが車両の後方側にそれぞれ配置された昇降圧コンバータ9の例である。
また、低電位側及び高電位側のいずれの半導体モジュール2においても、半導体素子21がダイオード22よりも車両の後方側に配置されている。
その他は、実施例1と同様である。
(Comparative example)
In this example, as shown in FIG. 9 and FIG. 10, the step-up / step-down pressure in which the low-potential-
In both the low potential side and high potential
Others are the same as in the first embodiment.
かかる構成において、低電位側の半導体モジュール2Lの半導体素子21が発熱する力行時に、図11に示すごとく、冷却管3内の冷却液Wが車両後方に偏り、高電位側の半導体モジュール2Hの半導体素子21が発熱する回生時に、図12に示すごとく、冷却管3内の冷却液Wが車両前方に偏る。これに対して、本例の昇降圧コンバータ9においては、低電位側の半導体モジュール2Lの半導体素子21は車両前方にあり、高電位側の半導体モジュール2Hの半導体素子21は車両後方にある。
したがって、常に、発熱する半導体素子21のある位置とは反対側に、冷却液Wが移動することとなる。そのため、冷却管3内における冷却液Wの液面が低いと、効果的に半導体モジュール2の冷却が行えず、半導体モジュール2の温度上昇を招き、故障の原因となるおそれがある。
In such a configuration, during powering in which the
Therefore, the coolant W always moves to the side opposite to the position where the
また、低電位側及び高電位側のいずれの半導体モジュール2においても、半導体素子21がダイオード22よりも車両の後方側に配置されているため、上述のごとく力行時に同時に発熱する低電位側の半導体モジュール2Lの半導体素子21と高電位側の半導体モジュール2Hのダイオード22とが隣り合わせとなることとなる。そのため、昇圧時において、素子同士の熱干渉を招き、これらの素子の温度上昇を招くおそれがある。
Further, in both the low potential side and high potential
これに対して、本発明の昇降圧コンバータ1は、上記のごとく、半導体モジュール2及び半導体素子21、ダイオード22の配置を工夫したことにより、半導体モジュール2の温度上昇を効果的に抑制することができる。
On the other hand, the buck-
1 昇降圧コンバータ
2 半導体モジュール
2H 高電位側の半導体モジュール
2L 低電位側の半導体モジュール
21 半導体素子
22 ダイオード
3 冷却管
DESCRIPTION OF
Claims (1)
被制御電流のオン、オフのスイッチングを行う半導体モジュールと、該半導体モジュールを冷却する冷却液を流通する冷却管とを有し、
上記半導体モジュールは、高電位側と低電位側とにそれぞれ少なくとも一つずつ配設されると共に、上記スイッチングを行う半導体素子と、該半導体素子に逆並列接続されたダイオードとを有し、
上記冷却管は、上記半導体モジュールの両面に接触配置されると共に、上記車両の前後方向にその長手方向を一致させており、
上記冷却管の長手方向に、上記高電位側の半導体モジュールと、上記低電位側の半導体モジュールとが並べて配置されており、
上記高電位側の半導体モジュールが上記車両の前方側、上記低電位側の半導体モジュールが上記車両の後方側にそれぞれ配置され、
上記高電位側の半導体モジュールにおいては、上記半導体素子が上記ダイオードよりも上記車両の前方側に配置され、上記低電位側の半導体モジュールにおいては、上記半導体素子が上記ダイオードよりも上記車両の後方側に配置されていることを特徴とする昇降圧コンバータ。 A buck-boost converter that is mounted on a vehicle and performs step-up and step-down of DC power,
A semiconductor module that performs on / off switching of the controlled current, and a cooling pipe that circulates a coolant that cools the semiconductor module,
The semiconductor module includes at least one each on a high potential side and a low potential side, and includes a semiconductor element that performs the switching, and a diode connected in reverse parallel to the semiconductor element,
The cooling pipe is arranged in contact with both surfaces of the semiconductor module, and the longitudinal direction of the cooling pipe is matched with the longitudinal direction of the vehicle.
In the longitudinal direction of the cooling pipe, the semiconductor module on the high potential side and the semiconductor module on the low potential side are arranged side by side,
The high-potential side semiconductor module is disposed on the front side of the vehicle, and the low-potential side semiconductor module is disposed on the rear side of the vehicle.
In the high-potential side semiconductor module, the semiconductor element is arranged on the front side of the vehicle with respect to the diode, and in the low-potential side semiconductor module, the semiconductor element is on the rear side of the vehicle with respect to the diode. A step-up / down converter characterized by being arranged in
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009097560A JP5158002B2 (en) | 2009-04-14 | 2009-04-14 | Buck-boost converter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009097560A JP5158002B2 (en) | 2009-04-14 | 2009-04-14 | Buck-boost converter |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010252462A JP2010252462A (en) | 2010-11-04 |
JP5158002B2 true JP5158002B2 (en) | 2013-03-06 |
Family
ID=43314160
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009097560A Active JP5158002B2 (en) | 2009-04-14 | 2009-04-14 | Buck-boost converter |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5158002B2 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5483221B2 (en) * | 2011-12-05 | 2014-05-07 | トヨタ自動車株式会社 | Fuel cell vehicle |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4905636B2 (en) * | 2005-10-03 | 2012-03-28 | 株式会社東芝 | Power converter for vehicle |
JP4636055B2 (en) * | 2007-07-06 | 2011-02-23 | 株式会社デンソー | Power stack |
-
2009
- 2009-04-14 JP JP2009097560A patent/JP5158002B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010252462A (en) | 2010-11-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5212088B2 (en) | Semiconductor module cooling device | |
JP4506848B2 (en) | Semiconductor module | |
JP5970983B2 (en) | Power converter | |
JP5694278B2 (en) | Power converter | |
JP4770490B2 (en) | Power semiconductor element cooling structure and inverter | |
JP5488540B2 (en) | Semiconductor module | |
JP2010104204A (en) | Power converter | |
JP2008206345A (en) | Power converter | |
US20190069450A1 (en) | Power converter for railroad vehicle | |
JP5712750B2 (en) | Power converter | |
JP2014204589A (en) | Power conversion apparatus | |
JP2011259544A (en) | Power conversion apparatus | |
JP5169092B2 (en) | Power converter | |
JP2012212776A (en) | Electric power conversion device | |
JP5158002B2 (en) | Buck-boost converter | |
US20170310270A1 (en) | Power Conversion Apparatus | |
JP6350330B2 (en) | Power converter | |
JP2006197723A (en) | Motor drive device | |
JP2020145317A (en) | Power conversion device | |
JP7028843B2 (en) | Power converter | |
JP5644643B2 (en) | Load drive device | |
JP2012016073A (en) | Electric power conversion device | |
WO2023175909A1 (en) | Inverter and electric vehicle | |
JP2015136269A (en) | Power converter | |
JP2011228426A (en) | Cooling device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110531 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121102 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121113 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121126 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5158002 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151221 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |