JP5130164B2 - Positive resist composition and pattern forming method using the same - Google Patents

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Description

本発明は、超LSIや高容量マイクロチップの製造などの超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトファブリケーションプロセスに好適に用いられるポジ型レジスト組成物に関するものである。さらに詳しくは、電子線、EUV光等を使用して高精細化したパターン形成しうるポジ型フォトレジストに関するものであり、電子線、EUV光を用いる半導体素子の微細加工に好適に用いることができるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法に関する。   The present invention relates to a positive resist composition suitably used in an ultramicrolithography process such as the manufacture of VLSI and high-capacity microchips and other photofabrication processes. More specifically, the present invention relates to a positive photoresist capable of forming a high-definition pattern using an electron beam, EUV light or the like, and can be suitably used for fine processing of a semiconductor element using an electron beam or EUV light. The present invention relates to a positive resist composition and a pattern forming method using the same.

従来、ICやLSIなどの半導体デバイスの製造プロセスにおいては、フォトレジスト組成物を用いたリソグラフィーによる微細加工が行われている。近年、集積回路の高集積化に伴い、サブミクロン領域やクオーターミクロン領域の超微細パターン形成が要求されるようになってきている。それに伴い、露光波長もg線からi線に、さらにKrFエキシマレーザー光に、というように短波長化の傾向が見られる。さらには、現在では、エキシマレーザー光以外にも、電子線やX線、あるいはEUV光を用いたリソグラフィーも開発が進んでいる。   Conventionally, in the manufacturing process of semiconductor devices such as IC and LSI, fine processing by lithography using a photoresist composition has been performed. In recent years, with the high integration of integrated circuits, the formation of ultrafine patterns in the submicron region and the quarter micron region has been required. Along with this, there is a tendency to shorten the exposure wavelength from g-line to i-line and further to KrF excimer laser light. Furthermore, at present, in addition to excimer laser light, lithography using electron beams, X-rays, or EUV light is also being developed.

電子線やEUV光を用いたリソグラフィーは、次世代もしくは次々世代のパターン形成技術として位置付けられ、高感度であるポジ型レジストが望まれている。
特にウェハー処理時間の短縮化のために高感度化は重要な課題である。化学増幅型のポジレジストは一般に、アルカリ可溶性基を酸分解性基で保護しアルカリ不溶化した樹脂、光酸発生剤および塩基性化合物からなる。露光によって光酸発生剤が分解して酸が発生し、その酸がレジスト膜中を拡散しながら酸分解性基を分解し、樹脂をアルカリ可溶化する。したがって、高感度化のためには酸が拡散し脱保護反応を促進することが望ましい。
一方、露光ラチチュード(EL)などのプロセス余裕度も性能上重要な要件である。ELは酸が拡散すると劣化することが知られている。
高感度化のためには、発生酸個数あたりの脱保護量を増加させることが好ましいが、このとき酸の拡散を同時に伴うため、高感度化と高EL化の両立は難しい技術課題となる。
Lithography using an electron beam or EUV light is positioned as a next-generation or next-generation pattern forming technique, and a positive resist with high sensitivity is desired.
In particular, high sensitivity is an important issue for shortening the wafer processing time. A chemically amplified positive resist generally comprises a resin in which an alkali-soluble group is protected with an acid-decomposable group to make it insoluble in alkali, a photoacid generator, and a basic compound. The photoacid generator is decomposed by exposure to generate an acid, and the acid decomposes the acid-decomposable group while diffusing in the resist film, solubilizing the resin with alkali. Therefore, for high sensitivity, it is desirable that the acid diffuses to promote the deprotection reaction.
On the other hand, process margins such as exposure latitude (EL) are also important requirements in terms of performance. It is known that EL deteriorates when acid diffuses.
In order to achieve high sensitivity, it is preferable to increase the amount of deprotection per number of generated acids, but at this time, acid diffusion is accompanied at the same time, so it is difficult to achieve both high sensitivity and high EL.

酸拡散を抑制しつつ高感度化を実現するためには酸発生効率を高めることが有効と考えられる。そのためには光酸発生剤の分解効率を高めたり、その濃度を高めたりすることができればよいが、光酸発生剤の濃度を高めると、光酸発生剤の凝集、経時安定性の劣化、析出などの弊害があった。   In order to achieve high sensitivity while suppressing acid diffusion, it is considered effective to increase acid generation efficiency. For that purpose, it is sufficient if the decomposition efficiency of the photoacid generator can be increased or the concentration thereof can be increased, but if the concentration of the photoacid generator is increased, the photoacid generator aggregates, deterioration of stability over time, precipitation There were harmful effects such as.

特許文献1〜6において、酸分解性基として脂環式基を有する酸分解性アクリレートモノマーを共重合したフェノール性酸分解性樹脂を用いたレジスト組成物が開示されている。
特許文献7は、所定量の樹脂、酸発生剤、塩基性化合物、溶剤を含有し、樹脂が、一部の極性基が低活性化エネルギーの不安定基で保護された親水性モノマーおよび芳香環基を有する疎水モノマーの共重合体であるレジストを開示している。
特許文献8には、感度、解像度、パターン形状を良好とし、ラフネス及びアウトガスの問題を低減すべく、酸発生剤として特定のスルホニウム塩を含有する感光性組成物が開示されている。
特許文献9には、特定の樹脂とスルホン酸発生剤を含有し、該スルホン酸発生剤の濃度を規定したポシ型レジスト組成物を開示している。
特許文献10は、ラインエッジラフネスが低減され、良好なパターンプロファイルを提供する感光性組成物として、ラクトン構造を有するスルフォニウム塩化合物を酸発生剤と
して含有する感光性組成物を開示している。
Patent Documents 1 to 6 disclose resist compositions using a phenolic acid-decomposable resin copolymerized with an acid-decomposable acrylate monomer having an alicyclic group as an acid-decomposable group.
Patent Document 7 contains a predetermined amount of a resin, an acid generator, a basic compound, and a solvent, and the resin includes a hydrophilic monomer and an aromatic ring in which some polar groups are protected by unstable groups having low activation energy. A resist which is a copolymer of a hydrophobic monomer having a group is disclosed.
Patent Document 8 discloses a photosensitive composition containing a specific sulfonium salt as an acid generator in order to improve sensitivity, resolution, and pattern shape and reduce problems of roughness and outgas.
Patent Document 9 discloses a positive resist composition that contains a specific resin and a sulfonic acid generator and defines the concentration of the sulfonic acid generator.
Patent Document 10 discloses a photosensitive composition containing a sulfonium salt compound having a lactone structure as an acid generator as a photosensitive composition having a reduced line edge roughness and providing a good pattern profile.

米国特許第5561194号明細書US Pat. No. 5,561,194 特開2001−166474号公報JP 2001-166474 A 特開2001−166478号公報JP 2001-166478 A 特開2003−107708号公報JP 2003-107708 A 特開2001−194792号公報JP 2001-194792 A 特開2005−234434号公報JP 2005-234434 A 米国特許出願公開第2007/0248908号明細書US Patent Application Publication No. 2007/0248908 特開2007−210904号公報JP 2007-210904 A 特開2004−271629号公報JP 2004-271629 A 特開2007−178848号公報JP 2007-178848 A

本発明の目的は、電子線、X線、あるいはEUV光によるパターニングにおいて、ラインエッジラフネス(LER)低減とともに、高感度、高解像度、パターン形状が良好であるポジ型レジスト組成物、及び、該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供することである。   An object of the present invention is to provide a positive resist composition having high sensitivity, high resolution, and good pattern shape as well as reduction of line edge roughness (LER) in patterning by electron beam, X-ray or EUV light, and the positive resist composition. It is providing the pattern formation method using a type | mold resist composition.

(1)(A)下記一般式(I)で表されるスルホニウム塩化合物を、ポジ型レジスト組成物中の全固形分に対し、少なくとも21質量%含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。 (1) (A) A positive resist composition comprising at least 21% by mass of a sulfonium salt compound represented by the following general formula (I) with respect to the total solid content in the positive resist composition: .

Figure 0005130164
Figure 0005130164

一般式(I)に於いて、
Aは、(m+1)価の連結基を表す。Aが複数ある場合、互いに結合して環状構造を形成してもよい。
Rは、1価の有機基を表す。Rが2個ある場合、互いに結合して環状構造を形成してもよい。
Lは、ラクトン環構造を表す。
-は、陰イオンを表す。
nは、1〜3の整数を表す。
mは、1又は2を表す。
A、R、Lは、それぞれ複数ある場合は、同じでも異なっていてもよい。
In general formula (I),
A represents a (m + 1) -valent linking group. When there are a plurality of A, they may be bonded to each other to form a cyclic structure.
R represents a monovalent organic group. When there are two R, they may be bonded to each other to form a cyclic structure.
L represents a lactone ring structure.
X represents an anion.
n represents an integer of 1 to 3.
m represents 1 or 2.
When there are a plurality of A, R and L, they may be the same or different.

(2)(B)重量平均分子量4000以下で、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂を含有することを特徴とする上記(1)に記載のポジ型レジスト組成物。
(3)一般式(I)に於ける、Aの(m+1)価の連結基が、芳香環を有することを特徴とする上記(1)又は(2)に記載のポジ型レジスト組成物。
(4)一般式(I)に於ける、X-の陰イオンが、有機スルホン酸アニオン(R1-SO3 -)、有機カルボン酸アニオン(R1-CO2 -)、有機イミド酸アニオン(N-(SO2-R12、N-(SO2-R1)(CO−R1))又は有機メチド酸アニオン(C-(SO2-R13)であることを特徴とする上記(1)〜(3)のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。 ここで、R1は、1価の有機基を表し、複数ある場合は同じでも異なっていてもよい。
(2) (B) A positive resist composition as described in (1) above, which contains a resin having a weight average molecular weight of 4000 or less, decomposed by the action of an acid, and increased in solubility in an alkaline developer. object.
(3) The positive resist composition as described in (1) or (2) above, wherein the (m + 1) -valent linking group of A in the general formula (I) has an aromatic ring.
(4) In the general formula (I), the anion of X is an organic sulfonate anion (R 1 —SO 3 ), an organic carboxylate anion (R 1 —CO 2 ), an organic imido acid anion ( N - and characterized in that the - ((SO 2 -R 1 C ) 3) - (SO 2 -R 1) 2, N (SO 2 -R 1) (CO-R 1)) or an organic methide anion The positive resist composition according to any one of (1) to (3) above. Here, R 1 represents a monovalent organic group, and when there are a plurality of R 1 groups, they may be the same or different.

(5)上記(1)〜(4)のいずれかに記載のレジスト組成物により、レジスト膜を形成し、該レジスト膜を電子線、X線、あるいはEUV光により露光、現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
更に、本発明の好ましい実施の態様として、以下の構成を挙げる。
(6)更に、(B)成分の樹脂が、ヒドロキシスチレン構造単位を有することを特徴とする上記(2)〜(5)のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
(7)更に、塩基性化合物を含有することを特徴とする上記(1)〜(6)のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
(8)更に、界面活性剤を含有することを特徴とする上記(1)〜(7)のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
(5) including a step of forming a resist film from the resist composition according to any one of (1) to (4) above, and exposing and developing the resist film with an electron beam, an X-ray, or EUV light. A pattern forming method characterized by the above.
Furthermore, the following structures are mentioned as a preferable embodiment of this invention.
(6) The positive resist composition as described in any one of (2) to (5) above, wherein the resin as the component (B) has a hydroxystyrene structural unit.
(7) The positive resist composition as described in any one of (1) to (6) above, further comprising a basic compound.
(8) The positive resist composition as described in any one of (1) to (7) above, further comprising a surfactant.

本発明により、電子線、X線、あるいはEUV光によるパターニングにおいて、LER低減とともに、高感度、高解像度、パターン形状が良好であるポジ型レジスト組成物、及び、該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供することができる。   According to the present invention, in patterning by electron beam, X-ray, or EUV light, a positive resist composition having high sensitivity, high resolution, and good pattern shape as well as LER reduction, and the positive resist composition are used. A pattern forming method can be provided.

以下、本発明について詳細に説明する。
尚、本明細書に於ける基(原子団)の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも包含するものである。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
In addition, in the description of a group (atomic group) in this specification, the description which does not describe substituted and unsubstituted includes what has a substituent with the thing which does not have a substituent. For example, the “alkyl group” includes not only an alkyl group having no substituent (unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).

〔1〕(A)一般式(I)で表されるスルホニウム塩化合物
本発明のポジ型レジスト組成物は、下記一般式(I)で表されるスルホニウム塩化合物(「化合物(A)」ともいう)を、ポジ型レジスト組成物中の全固形分に対し、少なくとも21質量%含有する。
[1] (A) Sulphonium Salt Compound Represented by General Formula (I) The positive resist composition of the present invention is a sulfonium salt compound represented by the following general formula (I) (also referred to as “compound (A)”). ) At least 21% by mass with respect to the total solid content in the positive resist composition.

Figure 0005130164
Figure 0005130164

一般式(I)に於いて、
Aは、(m+1)価の連結基を表す。Aが複数ある場合、互いに結合して環状構造を形成してもよい。
Rは、1価の有機基を表す。Rが2個ある場合、互いに結合して環状構造を形成してもよい。
Lは、ラクトン環構造を表す。
-は、陰イオンを表す。
nは、1〜3の整数を表す。
mは、1又は2を表す。
A、R、Lは、それぞれ複数ある場合は、同じでも異なっていてもよい。
In general formula (I),
A represents a (m + 1) -valent linking group. When there are a plurality of A, they may be bonded to each other to form a cyclic structure.
R represents a monovalent organic group. When there are two R, they may be bonded to each other to form a cyclic structure.
L represents a lactone ring structure.
X represents an anion.
n represents an integer of 1 to 3.
m represents 1 or 2.
When there are a plurality of A, R and L, they may be the same or different.

化合物(A)は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物である。   The compound (A) is a compound that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation.

一般式(I)に於ける、Aの(m+1)価の連結基は、S+とLとをつなぐ連結基である。
mが1のとき、Aは、SとLをとつなぐ2価の連結基を表し、アリーレン基、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基、エーテル結合、エステル結合などの2価の基または結合、及び、その組み合わせにより形成される2価の基を挙げることができ、これらは置換基を有していてもよい。
アリーレン基は、炭素数6〜15のアリーレン基が好ましく、例えば、フェニレン基、ナフチレン基等を挙げることができる。
アルキレン基は、炭素数1〜8の直鎖状及び分岐状アルキレン基が好ましく、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等を挙げることができる。
シクロアルキレン基は、炭素数5〜12のシクロアルキレン基が好ましく、例えば、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基等の単環の残基及びノルボルナン骨格、アダマンタン骨格等の多環の残基等を挙げることができる。
アルケニレン基は、炭素数2〜6のアルケニレン基が好ましく、例えば、エテニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基等を挙げることができる。
mが2のとき、Aは、mが1のときの2価の連結基に於ける任意の水素原子を、もう一つのLとの結合のための結合手とした基を挙げることができる。
Aとしての(m+1)価の連結基は、炭素数20以下が好ましく、15以下がより好ましい。
In the general formula (I), the (m + 1) -valent linking group of A is a linking group that connects S + and L.
when m is 1, A represents a divalent linking group that connects S and L, and a divalent group or bond such as an arylene group, an alkylene group, a cycloalkylene group, an alkenylene group, an ether bond or an ester bond; And the bivalent group formed by the combination can be mentioned, These may have a substituent.
The arylene group is preferably an arylene group having 6 to 15 carbon atoms, and examples thereof include a phenylene group and a naphthylene group.
The alkylene group is preferably a linear or branched alkylene group having 1 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a hexylene group, and an octylene group.
The cycloalkylene group is preferably a cycloalkylene group having 5 to 12 carbon atoms, and examples thereof include monocyclic residues such as cyclopentylene group and cyclohexylene group, and polycyclic residues such as norbornane skeleton and adamantane skeleton. be able to.
The alkenylene group is preferably an alkenylene group having 2 to 6 carbon atoms, and examples thereof include an ethenylene group, a propenylene group, and a butenylene group.
When m is 2, A can include a group in which any hydrogen atom in the divalent linking group when m is 1 is used as a bond for another L bond.
The (m + 1) -valent linking group as A preferably has 20 or less carbon atoms, and more preferably 15 or less.

Aの(m+1)価の連結基は、芳香環を有することが好ましく、これにより化合物(A)の安定性が向上し、これを用いた組成物の保存安定性が向上する。芳香環は、硫黄原子(S+)に直結していてもしていなくてもよい。芳香環としては、炭素数5〜30の芳香環が好ましく、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ビフェニレン環、フルオレン環、ピレン環等が挙げられる。これらは同一のAに1個以上結合していてもよい。芳香環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環が特に好ましく、溶剤溶解性が向上する。 The (m + 1) -valent linking group of A preferably has an aromatic ring, whereby the stability of the compound (A) is improved, and the storage stability of the composition using the same is improved. The aromatic ring may or may not be directly connected to the sulfur atom (S + ). The aromatic ring is preferably an aromatic ring having 5 to 30 carbon atoms, and examples thereof include a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, a phenanthrene ring, a biphenylene ring, a fluorene ring, and a pyrene ring. One or more of these may be bonded to the same A. As the aromatic ring, a benzene ring, a naphthalene ring and an anthracene ring are particularly preferable, and the solvent solubility is improved.

Aの(m+1)価の連結基に於ける、アリーレン基、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基は、1個以上の有機基(B)で置換されていてもよい。
有機基(B)としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アルキルチオ基、アルキルイミノスルホニル基、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基、シアノ基などを挙げることができる。有機基(B)が複数個ある場合に、複数個の有機基(B)は、同一であっても異なっていてもよい。
有機基(B)としてのアルキル基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数1〜30の直鎖及び分岐アルキル基であり、アルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を有していてもよい。具体的にはメチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基、n−ドデシル基、n−テトラデシル基、n−オクタデシル基などの直鎖アルキル基、イソプロピル基、イソブチル基、t−ブチル基、ネオペンチル基、2−エチルヘキシル基などの分岐アルキル基を挙げることができる。
有機基(B)としてのシクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数3〜20のシクロアルキル基であり、環内に酸素原子を有していてもよい。具体的には、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマ
ンチル基などを挙げることができる。
有機基(B)としてのアリール基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数6〜14のアリール基であり、例えばフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。
有機基(B)としてのアラルキル基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数7〜20のアラルキル基が挙げられ、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基が挙げられる。
有機基(B)としてのアルケニル基は、上記アルキル基の任意の位置に2重結合を有する基が挙げられる。
有機基(B)としてのアルコキシ基及びアルコキシカルボニルアミノ基に於けるアルコキシ基は、炭素数1〜30のアルコキシ基が好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、n−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基等が挙げられる。
有機基(B)としてのアルキルチオ基及びアルキルイミノスルホニル基に於けるアルキル基としては、上記のアルキル基を挙げることができる。
有機基(B)としてのシクロアルキルアリールオキシスルホニル基に於けるシクロアルキル基、アリール基としては、上記のシクロアルキル基、アリール基を挙げることができる。
上記各有機基(B)が有してもよい更なる置換基としては、例えば、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、カルボニル基、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜10)、アリール基(好ましくは炭素数6〜14)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜10)、アシル基(好ましくは炭素数2〜20)、アシルオキシ基(好ましくは炭素数2〜10)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜20)、アミノアシル基(好ましくは炭素数2〜10)などが挙げられる。アリール基、シクロアルキル基などにおける環状構造については、更なる置換基としてはアルキル基(好ましくは炭素数1〜10)を挙げることができる。アミノアシル基については、更なる置換基として1または2のアルキル基(好ましくは炭素数1〜10)を挙げることができる。
The arylene group, alkylene group, cycloalkylene group, and alkenylene group in the (m + 1) -valent linking group of A may be substituted with one or more organic groups (B).
Examples of the organic group (B) include an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonylamino group, an alkylthio group, an alkyliminosulfonyl group, a cycloalkylaryloxysulfonyl group, and a cyano group. Examples include groups. When there are a plurality of organic groups (B), the plurality of organic groups (B) may be the same or different.
The alkyl group as the organic group (B) may have a substituent, and is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, and an oxygen atom, a sulfur atom, or a nitrogen atom in the alkyl chain. You may have. Specifically, methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-octyl group, n-dodecyl group, n-tetradecyl group, n-octadecyl group, etc. And a branched alkyl group such as isopropyl group, isopropyl group, isobutyl group, t-butyl group, neopentyl group, 2-ethylhexyl group.
The cycloalkyl group as the organic group (B) may have a substituent, preferably a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms, and may have an oxygen atom in the ring. Specific examples include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a norbornyl group, an adamantyl group, and the like.
The aryl group as the organic group (B) may have a substituent and is preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, and examples thereof include a phenyl group and a naphthyl group.
The aralkyl group as the organic group (B) may have a substituent, preferably an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms, such as a benzyl group, a phenethyl group, a naphthylmethyl group, or a naphthylethyl group. Is mentioned.
Examples of the alkenyl group as the organic group (B) include a group having a double bond at an arbitrary position of the alkyl group.
The alkoxy group in the alkoxy group and the alkoxycarbonylamino group as the organic group (B) is preferably an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, an n-butoxy group, or a pentyloxy group. Group, hexyloxy group, heptyloxy group and the like.
Examples of the alkyl group in the alkylthio group and the alkyliminosulfonyl group as the organic group (B) include the above alkyl groups.
Examples of the cycloalkyl group and aryl group in the cycloalkylaryloxysulfonyl group as the organic group (B) include the above cycloalkyl groups and aryl groups.
Examples of the further substituent that each organic group (B) may have include, for example, a halogen atom, a hydroxyl group, a nitro group, a cyano group, a carboxy group, a carbonyl group, and a cycloalkyl group (preferably having 3 to 10 carbon atoms). ), An aryl group (preferably 6 to 14 carbon atoms), an alkoxy group (preferably 1 to 10 carbon atoms), an acyl group (preferably 2 to 20 carbon atoms), an acyloxy group (preferably 2 to 10 carbon atoms), Examples include an alkoxycarbonyl group (preferably having 2 to 20 carbon atoms), an aminoacyl group (preferably having 2 to 10 carbon atoms), and the like. As for the cyclic structure in the aryl group, cycloalkyl group and the like, examples of the further substituent include an alkyl group (preferably having a carbon number of 1 to 10). As for the aminoacyl group, examples of the further substituent include 1 or 2 alkyl groups (preferably having 1 to 10 carbon atoms).

Aの(m+1)価の連結基は、更に、ハロゲン原子(好ましくはフッ素原子)等で置換されていてもよい。   The (m + 1) -valent linking group of A may be further substituted with a halogen atom (preferably a fluorine atom) or the like.

Rの1価の有機基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基などを挙げることができる。
Rの1価の有機基としてのアルキル基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数1〜30の直鎖及び分岐アルキル基であり、アルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を有していてもよい。具体的にはメチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基、n−ドデシル基、n−テトラデシル基、n−オクタデシル基などの直鎖アルキル基、イソプロピル基、イソブチル基、t−ブチル基、ネオペンチル基、2−エチルヘキシル基などの分岐アルキル基を挙げることができる。
Rの1価の有機基としてのシクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数3〜20のシクロアルキル基であり、環内に酸素原子を有していてもよい。具体的には、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基などを挙げることができる。
Rの1価の有機基としてのアリール基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数6〜14のアリール基であり、例えばフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。
Rの1価の有機基としてのアラルキル基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数7〜20のアラルキル基が挙げられ、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基が挙げられる。
Rの1価の有機基としてのアルケニル基は、上記アルキル基の任意の位置に2重結合を
有する基が挙げられる。
Rの1価の有機基が有してもよい更なる置換基としては、例えば、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、カルボニル基、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜10)、アリール基(好ましくは炭素数6〜14)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜10)、アシル基(好ましくは炭素数2〜20)、アシルオキシ基(好ましくは炭素数2〜10)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜20)、アミノアシル基(好ましくは炭素数2〜10)などが挙げられる。アリール基、シクロアルキル基などにおける環状構造については、更なる置換基としてはアルキル基(好ましくは炭素数1〜10)を挙げることができる。アミノアシル基については、更なる置換基として1または2のアルキル基(好ましくは炭素数1〜10)を挙げることができる。
Examples of the monovalent organic group for R include an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, and an alkenyl group.
The alkyl group as a monovalent organic group for R may have a substituent, and is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, and an oxygen atom, a sulfur atom, It may have a nitrogen atom. Specifically, methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-octyl group, n-dodecyl group, n-tetradecyl group, n-octadecyl group, etc. And a branched alkyl group such as isopropyl group, isopropyl group, isobutyl group, t-butyl group, neopentyl group, 2-ethylhexyl group.
The cycloalkyl group as a monovalent organic group for R may have a substituent, preferably a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms, and may have an oxygen atom in the ring. . Specific examples include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a norbornyl group, an adamantyl group, and the like.
The aryl group as a monovalent organic group for R may have a substituent and is preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, such as a phenyl group and a naphthyl group.
The aralkyl group as a monovalent organic group for R may have a substituent, preferably an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms, such as benzyl group, phenethyl group, naphthylmethyl group, naphthyl. An ethyl group is mentioned.
Examples of the alkenyl group as a monovalent organic group for R include a group having a double bond at an arbitrary position of the alkyl group.
Examples of the further substituent that the monovalent organic group of R may have include, for example, a halogen atom, a hydroxyl group, a nitro group, a cyano group, a carboxy group, a carbonyl group, and a cycloalkyl group (preferably having 3 to 10 carbon atoms). ), An aryl group (preferably 6 to 14 carbon atoms), an alkoxy group (preferably 1 to 10 carbon atoms), an acyl group (preferably 2 to 20 carbon atoms), an acyloxy group (preferably 2 to 10 carbon atoms), Examples include an alkoxycarbonyl group (preferably having 2 to 20 carbon atoms), an aminoacyl group (preferably having 2 to 10 carbon atoms), and the like. As for the cyclic structure in the aryl group, cycloalkyl group and the like, examples of the further substituent include an alkyl group (preferably having a carbon number of 1 to 10). As for the aminoacyl group, examples of the further substituent include 1 or 2 alkyl groups (preferably having 1 to 10 carbon atoms).

Lのラクトン環構造は、環を構成する原子数が4〜20が好ましく、更に好ましくは4〜10である。Lのラクトン環構造は、1個以上の前記有機基(B)で置換されていてもよい。
Lのラクトン環構造は、好ましくは5〜7員環ラクトン構造であり、5〜7員環ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環していてもよい。ラクトン環構造は、下記一般式(LC1−1)〜(LC1−16)のいずれかで表される構造がより好ましい。特に好ましいラクトン環構造は(LC1−1)、(LC1−4)、(LC1−5)、(LC1−6)、(LC1−13)、(LC1−14)であり、特定のラクトン環構造であることによって現像欠陥が良好になる。
In the lactone ring structure of L, the number of atoms constituting the ring is preferably 4 to 20, and more preferably 4 to 10. The lactone ring structure of L may be substituted with one or more organic groups (B).
The lactone ring structure of L is preferably a 5- to 7-membered ring lactone structure, and other ring structures may be condensed so as to form a bicyclo structure or a spiro structure in the 5- to 7-membered ring lactone structure. The lactone ring structure is more preferably a structure represented by any of the following general formulas (LC1-1) to (LC1-16). Particularly preferred lactone ring structures are (LC1-1), (LC1-4), (LC1-5), (LC1-6), (LC1-13), (LC1-14), and a specific lactone ring structure Some development defects are improved.

Figure 0005130164
Figure 0005130164

ラクトン環構造は、置換基(Rb2)を有していても有していなくてもよい。好ましい
置換基(Rb2)としては、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数3〜7のシクロアルキル
基、炭素数1〜8のアルコキシ基、炭素数1〜8のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基などが挙げられる。n2は、0〜4
の整数を表す。n2が、2以上の整数の時、複数存在するRb2は、同一でも異なっていてもよく、また、複数存在するRb2同士が結合して環を形成してもよい。
The lactone ring structure may or may not have a substituent (Rb 2 ). Preferred substituents (Rb 2 ) include an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 7 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group having 1 to 8 carbon atoms, and a carboxyl group. , Halogen atom, hydroxyl group, cyano group, acid-decomposable group and the like. n 2 is, 0-4
Represents an integer. When n 2 is an integer of 2 or more, a plurality of Rb 2 may be the same or different, and a plurality of Rb 2 may be bonded to form a ring.

Lとしてのラクトン環構造は、環上の任意の箇所で、Aとしての連結基と結合していればよい。   The lactone ring structure as L should just be couple | bonded with the coupling group as A in the arbitrary places on a ring.

以下、化合物(A)に於ける、カチオン部の具体例を挙げるが、本発明は、これに限定されるものではない。   Hereinafter, although the specific example of a cation part in a compound (A) is given, this invention is not limited to this.

Figure 0005130164
Figure 0005130164

Figure 0005130164
Figure 0005130164

一般式(I)に於ける、X-の陰イオンとしては、例えば、有機スルホン酸アニオン(
1-SO3 -)、有機カルボン酸アニオン(R1-CO2 -)、有機イミド酸アニオン(N-
SO2-R12、N-(SO2-R1)(CO−R1))、有機メチド酸アニオン(C-(SO2-R13)、ハロゲンアニオン(Br-、Cl-)、BF4 -、PF6-が挙げられる。X-の陰
イオンとしては、有機スルホン酸アニオン(R1-SO3 -)、有機カルボン酸アニオン(R1-CO2 -)、有機イミド酸アニオン(N-(SO2-R12、N-(SO2-R1)(CO−R1
))、有機メチド酸アニオン(C-(SO2-R13)が特に好ましい。ここで、R1は、1価の有機基を表す。
1の1価の有機基は、好ましくは炭素数1〜40であり、例えば、アルキル基、アリ
ール基、樟脳残基などを挙げることができる。複数のR1は、同一でも異なっていても良
く、結合して環を形成してもよく、更に、ハロゲン原子(好ましくはフッ素原子)、前記有機基(B)等によって置換されていてもよい。
1としてのアルキル基は、好ましくは炭素数1〜30の直鎖及び分岐アルキル基であ
り、アルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、酸素原子が付加した硫黄原子、窒素原子を複数有していてもよい。R1は、具体的にはメチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチ
ル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基、n−ドデシル基、n−テトラデシル基、n−オクタデシル基などの直鎖アルキル基、イソプロピル基、イソブチル基、t−ブチル基、ネオペンチル基、2−エチルヘキシル基などの分岐アルキル基を挙げることができる。アルキル基は、水素原子数の30〜100%がフッ素原子で置換されることにより、熱安定性が向上し、より好ましい。フッ素原子で置換されたアルキル基としては、例えば、パーフロロメチル基、パーフロロエチル基、パーフロロプロピル基、パーフロロブチル基などのパーフルオロアルキル基を挙げることができる。
1としてのアリール基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数6〜
14のアリール基であり、例えばフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。アリール基は、フッ素原子で置換されていることが好ましい。フッ素原子で置換されたアリール基としては、パーフロロフェニル基を挙げることができる。
Examples of the anion of X − in the general formula (I) include an organic sulfonate anion (
R 1 —SO 3 ), organic carboxylate anion (R 1 —CO 2 ), organic imido acid anion (N (
SO 2 -R 1) 2, N - (SO 2 -R 1) (CO-R 1)), organic methide anion (C - (SO 2 -R 1 ) 3), halogen anions (Br -, Cl - ), BF 4 and PF 6 −. Examples of the anion of X include an organic sulfonate anion (R 1 —SO 3 ), an organic carboxylate anion (R 1 —CO 2 ), an organic imido acid anion (N (SO 2 —R 1 ) 2 , N - (SO 2 -R 1) (CO-R 1
)), Organic methide anion (C - (SO 2 -R 1 ) 3) is especially preferred. Here, R 1 represents a monovalent organic group.
The monovalent organic group for R 1 preferably has 1 to 40 carbon atoms, and examples thereof include an alkyl group, an aryl group, and a camphor residue. Plural R 1 s may be the same or different and may be bonded to form a ring, and may be further substituted by a halogen atom (preferably a fluorine atom), the organic group (B), or the like. .
The alkyl group as R 1 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, and has an oxygen atom, a sulfur atom, a sulfur atom having an oxygen atom added thereto, and a plurality of nitrogen atoms in the alkyl chain. May be. R 1 is specifically a methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-octyl group, n-dodecyl group, n-tetradecyl group, n -A linear alkyl group such as an octadecyl group, and a branched alkyl group such as an isopropyl group, an isobutyl group, a t-butyl group, a neopentyl group, and a 2-ethylhexyl group. The alkyl group is more preferable because 30 to 100% of the number of hydrogen atoms is replaced with a fluorine atom, thereby improving thermal stability. Examples of the alkyl group substituted with a fluorine atom include perfluoroalkyl groups such as a perfluoromethyl group, a perfluoroethyl group, a perfluoropropyl group, and a perfluorobutyl group.
The aryl group as R 1 may have a substituent, and preferably has 6 to 6 carbon atoms.
14 aryl groups such as a phenyl group and a naphthyl group. The aryl group is preferably substituted with a fluorine atom. Examples of the aryl group substituted with a fluorine atom include a perfluorophenyl group.

以下、化合物(A)に於ける、アニオン部の具体例を挙げるが、本発明は、これに限定されるものではない。   Hereinafter, although the specific example of the anion part in a compound (A) is given, this invention is not limited to this.

Figure 0005130164
Figure 0005130164

下記表に、化合物(A)の具体例を示すが、本発明は、これに限定されるものではない。   Although the specific example of a compound (A) is shown in the following table | surface, this invention is not limited to this.

Figure 0005130164
Figure 0005130164

化合物(A)の合成は、容易に入手・合成可能な水酸基を有するスルホニウム化合物に、脱離基(ハロゲン原子など)が導入されたラクトン構造を有する化合物とウィリアムソン法に従い反応させて合成することができる(下記スキーム1)。
また、ジフェニルスルホキシド誘導体とラクトン構造を有するアリール化合物を酸条件または酸無水物などの活性化剤の存在下反応させる方法によりスルホニウム骨格を構築することが出来る(参考:特開2002−193925号公報、下記スキーム2)。
Compound (A) is synthesized by reacting a sulfonium compound having a hydroxyl group that can be easily obtained and synthesized with a compound having a lactone structure in which a leaving group (such as a halogen atom) is introduced, according to the Williamson method. (Scheme 1 below).
In addition, a sulfonium skeleton can be constructed by a method in which a diphenyl sulfoxide derivative and an aryl compound having a lactone structure are reacted in the presence of an activating agent such as an acid condition or an acid anhydride (reference: JP 2002-193925 A, The following scheme 2).

Figure 0005130164
Figure 0005130164

化合物(A)の添加量は、ポジ型レジスト組成物中の全固形分に対し、少なくとも21質量%であり、好ましくは21〜60質量%、より好ましくは30〜50質量%である。   The amount of compound (A) added is at least 21% by mass, preferably 21-60% by mass, more preferably 30-50% by mass, based on the total solid content in the positive resist composition.

〔2〕(B)活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物
本発明のポジ型レジスト組成物は、化合物(A)の外に、更に、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(以下、「併用酸発生剤」ともいう)を含有することが好ましい。
併用酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。
[2] (B) Compound that generates acid upon irradiation with actinic ray or radiation In addition to compound (A), the positive resist composition of the present invention further generates an acid upon irradiation with actinic ray or radiation. It is preferable to contain a compound (hereinafter also referred to as “combination acid generator”).
As the combined acid generator, photo-initiator of photocation polymerization, photo-initiator of photo-radical polymerization, photo-decoloring agent of dyes, photo-discoloring agent, irradiation of actinic ray or radiation used for micro resist, etc. The known compounds that generate an acid and mixtures thereof can be appropriately selected and used.

たとえば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、イミドスルホネート、オキシムスルホネート、ジアゾジスルホン、ジスルホン、o−ニトロベンジルスルホネートを挙げることができる。   Examples thereof include diazonium salts, phosphonium salts, sulfonium salts, iodonium salts, imide sulfonates, oxime sulfonates, diazodisulfones, disulfones, and o-nitrobenzyl sulfonates.

また、これらの活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基、あるいは化合物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化合物、たとえば、米国特許第3,849,137号、独国特許第3914407号、特開昭63−26653号、特開昭55−164824号、特開昭62−69263号、特開昭63−146038号、特開昭63−163452号、特開昭62−153853号、特開昭63−146029号等に記載の化合物を用いることができる。   Further, a group that generates an acid upon irradiation with these actinic rays or radiation, or a compound in which a compound is introduced into the main chain or side chain of the polymer, for example, US Pat. No. 3,849,137, German Patent No. 3914407. JP, 63-26653, JP, 55-164824, JP, 62-69263, JP, 63-146038, JP, 63-163452, JP, 62-153853, The compounds described in JP-A 63-146029 can be used.

さらに米国特許第3,779,778号、欧州特許第126,712号等に記載の光によ
り酸を発生する化合物も使用することができる。
Furthermore, compounds capable of generating an acid by light described in US Pat. No. 3,779,778, European Patent 126,712 and the like can also be used.

併用酸発生剤の内で好ましい化合物として、下記一般式(ZI)、(ZII)、(ZIII)で表される化合物を挙げることができる。   Preferred compounds among the combined acid generators include compounds represented by the following general formulas (ZI), (ZII), and (ZIII).

Figure 0005130164
Figure 0005130164

上記一般式(ZI)において、
201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。
201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1〜30、好ましくは1
〜20である。
また、R201〜R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201〜R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基(例えば、ブチレン基、ペンチレン基)を挙げることができる。
-は、非求核性アニオンを表す。
In the general formula (ZI),
R 201 , R 202 and R 203 each independently represents an organic group.
The carbon number of the organic group as R 201 , R 202 and R 203 is generally 1 to 30, preferably 1
~ 20.
Two of R 201 to R 203 may be bonded to form a ring structure, and the ring may contain an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond, an amide bond, or a carbonyl group. The two of the group formed by bonding of the R 201 to R 203, there can be mentioned an alkylene group (e.g., butylene, pentylene).
Z represents a non-nucleophilic anion.

-としての非求核性アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン、カルボン酸ア
ニオン、スルホニルイミドアニオン、ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチルアニオン等を挙げることができる。
Examples of the non-nucleophilic anion as Z include a sulfonate anion, a carboxylate anion, a sulfonylimide anion, a bis (alkylsulfonyl) imide anion, and a tris (alkylsulfonyl) methyl anion.

非求核性アニオンとは、求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンであり、分子内求核反応による経時分解を抑制することができるアニオンである。これによりレジストの経時安定性が向上する。   A non-nucleophilic anion is an anion that has an extremely low ability to cause a nucleophilic reaction, and is an anion that can suppress degradation over time due to an intramolecular nucleophilic reaction. This improves the temporal stability of the resist.

スルホン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族スルホン酸アニオン、芳香族スルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオンなどが挙げられる。   Examples of the sulfonate anion include an aliphatic sulfonate anion, an aromatic sulfonate anion, and a camphor sulfonate anion.

カルボン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなどが挙げられる。   Examples of the carboxylate anion include an aliphatic carboxylate anion, an aromatic carboxylate anion, and an aralkylcarboxylate anion.

脂肪族スルホン酸アニオンにおける脂肪族部位は、アルキル基であってもシクロアルキル基であってもよく、好ましくは炭素数1〜30のアルキル基及び炭素数3〜30のシクロアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボニル基、ボロニル基等を挙げることができる。   The aliphatic moiety in the aliphatic sulfonate anion may be an alkyl group or a cycloalkyl group, preferably an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms and a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms such as methyl. Group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, pentyl group, neopentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group , Tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, hexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group, nonadecyl group, eicosyl group, cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, adamantyl group, norbornyl group, boronyl group and the like.

芳香族スルホン酸アニオンにおける芳香族基としては、好ましくは炭素数6〜14のアリール基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。   The aromatic group in the aromatic sulfonate anion is preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, such as a phenyl group, a tolyl group, and a naphthyl group.

脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基としては、例えば、ニトロ基、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃
素原子)、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜15)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜15)、アリール基(好まし
くは炭素数6〜14)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜7)、アシル基(好ましくは炭素数2〜12)、アルコキシカルボニルオキシ基(好ましくは炭素数2〜7)、アルキルチオ基(好ましくは炭素数1〜15)、アルキルスルホニル基(好ましくは炭素数1〜15)、アルキルイミノスルホニル基(好ましくは炭素数2〜15)、アリールオキシスルホニル基(好ましくは炭素数6〜20)、アルキルアリールオキシスルホニル基(好ましくは炭素数7〜20)、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基(好ましくは炭素数10〜20)、アルキルオキシアルキルオキシ基(好ましくは炭素数5〜20)、シクロアルキルアルキルオキシアルキルオキシ基(好ましくは炭素数8〜20)等を挙げることができる。各基が有するアリール基及び環構造については、置換基としてさらにアルキル基(好ましくは炭素数1〜15)を挙げることができる。
The alkyl group, cycloalkyl group and aryl group in the aliphatic sulfonate anion and aromatic sulfonate anion may have a substituent. Examples of the substituent of the alkyl group, cycloalkyl group, and aryl group in the aliphatic sulfonate anion and aromatic sulfonate anion include, for example, a nitro group, a halogen atom (fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom), carboxyl group , Hydroxyl group, amino group, cyano group, alkoxy group (preferably having 1 to 15 carbon atoms), cycloalkyl group (preferably having 3 to 15 carbon atoms), aryl group (preferably having 6 to 14 carbon atoms), alkoxycarbonyl group ( Preferably 2 to 7 carbon atoms, acyl group (preferably 2 to 12 carbon atoms), alkoxycarbonyloxy group (preferably 2 to 7 carbon atoms), alkylthio group (preferably 1 to 15 carbon atoms), alkylsulfonyl group (Preferably having 1 to 15 carbon atoms), alkyliminosulfonyl group (preferably having 2 to 15 carbon atoms), aryl Ruoxysulfonyl group (preferably having 6 to 20 carbon atoms), alkylaryloxysulfonyl group (preferably having 7 to 20 carbon atoms), cycloalkylaryloxysulfonyl group (preferably having 10 to 20 carbon atoms), alkyloxyalkyloxy group (Preferably having 5 to 20 carbon atoms), a cycloalkylalkyloxyalkyloxy group (preferably having 8 to 20 carbon atoms), and the like. About the aryl group and ring structure which each group has, an alkyl group (preferably C1-C15) can further be mentioned as a substituent.

脂肪族カルボン酸アニオンにおける脂肪族部位としては、脂肪族スルホン酸アニオンおけると同様のアルキル基及びシクロアルキル基を挙げることができる。   Examples of the aliphatic moiety in the aliphatic carboxylate anion include the same alkyl group and cycloalkyl group as in the aliphatic sulfonate anion.

芳香族カルボン酸アニオンにおける芳香族基としては、芳香族スルホン酸アニオンにおけると同様のアリール基を挙げることができる。   Examples of the aromatic group in the aromatic carboxylate anion include the same aryl group as in the aromatic sulfonate anion.

アラルキルカルボン酸アニオンにおけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数6〜12のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルメチル基等を挙げることができる。   The aralkyl group in the aralkyl carboxylate anion is preferably an aralkyl group having 6 to 12 carbon atoms, such as a benzyl group, a phenethyl group, a naphthylmethyl group, a naphthylethyl group, and a naphthylmethyl group.

脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、置換基を有していてもよい。脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基の置換基としては、例えば、芳香族スルホン酸アニオンにおけると同様のハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等を挙げることができる。   The alkyl group, cycloalkyl group, aryl group and aralkyl group in the aliphatic carboxylate anion, aromatic carboxylate anion and aralkylcarboxylate anion may have a substituent. Examples of the substituent of the alkyl group, cycloalkyl group, aryl group and aralkyl group in the aliphatic carboxylate anion, aromatic carboxylate anion and aralkylcarboxylate anion include, for example, the same halogen atom and alkyl as in the aromatic sulfonate anion Group, cycloalkyl group, alkoxy group, alkylthio group and the like.

スルホニルイミドアニオンとしては、例えば、サッカリンアニオンを挙げることができる。   Examples of the sulfonylimide anion include saccharin anion.

ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチルアニオンにおけるアルキル基は、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基等を挙げることができる。これらのアルキル基の置換基としてはハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基等を挙げることができ、フッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。   The alkyl group in the bis (alkylsulfonyl) imide anion and tris (alkylsulfonyl) methyl anion is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, An isobutyl group, a sec-butyl group, a pentyl group, a neopentyl group, and the like can be given. Examples of substituents for these alkyl groups include halogen atoms, alkyl groups substituted with halogen atoms, alkoxy groups, alkylthio groups, alkyloxysulfonyl groups, aryloxysulfonyl groups, cycloalkylaryloxysulfonyl groups, and the like. Alkyl groups substituted with fluorine atoms are preferred.

その他の非求核性アニオンとしては、例えば、弗素化燐、弗素化硼素、弗素化アンチモン等を挙げることができる。   Examples of other non-nucleophilic anions include fluorinated phosphorus, fluorinated boron, and fluorinated antimony.

-の非求核性アニオンとしては、スルホン酸のα位がフッ素原子で置換された脂肪族
スルホン酸アニオン、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換された芳香族スルホン酸アニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたトリス(アルキルスルホニル)メチドアニ
オンが好ましい。非求核性アニオンとして、より好ましくは炭素数4〜8のパーフロロ脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子を有するベンゼンスルホン酸アニオン、更により好ましくはノナフロロブタンスルホン酸アニオン、パーフロロオクタンスルホン酸アニオン、ペンタフロロベンゼンスルホン酸アニオン、3,5−ビス(トリフロロメチル)ベンゼンスルホン酸アニオンである。
Examples of the non-nucleophilic anion of Z include an aliphatic sulfonate anion in which the α-position of the sulfonic acid is substituted with a fluorine atom, an aromatic sulfonate anion substituted with a fluorine atom or a group having a fluorine atom, and an alkyl group. A bis (alkylsulfonyl) imide anion substituted with a fluorine atom and a tris (alkylsulfonyl) methide anion wherein an alkyl group is substituted with a fluorine atom are preferred. The non-nucleophilic anion is more preferably a perfluoroaliphatic sulfonic acid anion having 4 to 8 carbon atoms, a benzenesulfonic acid anion having a fluorine atom, still more preferably a nonafluorobutanesulfonic acid anion, a perfluorooctanesulfonic acid anion, It is a pentafluorobenzenesulfonic acid anion and 3,5-bis (trifluoromethyl) benzenesulfonic acid anion.

201、R202及びR203としての有機基としては、例えば、後述する化合物(ZI−1
)、(ZI−2)、(ZI−3)における対応する基を挙げることができる。
Examples of the organic group as R 201 , R 202 and R 203 include a compound (ZI-1) described later.
), (ZI-2) and (ZI-3).

尚、一般式(ZI)で表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般
式(ZI)で表される化合物のR201〜R203の少なくともひとつが、一般式(ZI)で表されるもうひとつの化合物のR201〜R203の少なくともひとつと結合した構造を有する化合物であってもよい。
In addition, the compound which has two or more structures represented by general formula (ZI) may be sufficient. For example, the general formula at least one of R 201 to R 203 of a compound represented by (ZI) is, at least one bond with structure of R 201 to R 203 of another compound represented by formula (ZI) It may be a compound.

更に好ましい(ZI)成分として、以下に説明する化合物(ZI−1)、(ZI−2)、及び(ZI−3)を挙げることができる。   More preferable (ZI) components include compounds (ZI-1), (ZI-2), and (ZI-3) described below.

化合物(ZI−1)は、上記一般式(ZI)のR201〜R203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニウム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。 The compound (ZI-1) is at least one of the aryl groups R 201 to R 203 in formula (ZI), arylsulfonium compounds, namely, compounds containing an arylsulfonium as a cation.

アリールスルホニウム化合物は、R201〜R203の全てがアリール基でもよいし、R201
〜R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基又はシクロアルキル基でもよい。
In the arylsulfonium compound, all of R 201 to R 203 may be an aryl group, or R 201
Some of to R 203 is an aryl group and the remainder may be an alkyl group or a cycloalkyl group.

アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物、ジアリールシクロアルキルスルホニウム化合物、アリールジシクロアルキルスルホニウム化合物を挙げることができる。   Examples of the arylsulfonium compound include triarylsulfonium compounds, diarylalkylsulfonium compounds, aryldialkylsulfonium compounds, diarylcycloalkylsulfonium compounds, and aryldicycloalkylsulfonium compounds.

アリールスルホニウム化合物のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。アリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造を有するアリール基としては、例えば、ピロール残基(ピロールから水素原子が1個失われることによって形成される基)、フラン残基(フランから水素原子が1個失われることによって形成される基)、チオフェン残基(チオフェンから水素原子が1個失われることによって形成される基)、インドール残基(インドールから水素原子が1個失われることによって形成される基)、ベンゾフラン残基(ベンゾフランから水素原子が1個失われることによって形成される基)、ベンゾチオフェン残基(ベンゾチオフェンから水素原子が1個失われることによって形成される基)等を挙げることができる。アリールスルホニウム化合物が2つ以上のアリール基を有する場合に、2つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。   The aryl group of the arylsulfonium compound is preferably a phenyl group or a naphthyl group, and more preferably a phenyl group. The aryl group may be an aryl group having a heterocyclic structure having an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom or the like. Examples of the aryl group having a heterocyclic structure include a pyrrole residue (a group formed by losing one hydrogen atom from pyrrole) and a furan residue (a group formed by losing one hydrogen atom from furan). Groups), thiophene residues (groups formed by the loss of one hydrogen atom from thiophene), indole residues (groups formed by the loss of one hydrogen atom from indole), benzofuran residues ( A group formed by losing one hydrogen atom from benzofuran), a benzothiophene residue (a group formed by losing one hydrogen atom from benzothiophene), and the like. When the arylsulfonium compound has two or more aryl groups, the two or more aryl groups may be the same or different.

アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数1〜15の直鎖又は分岐アルキル基及び炭素数3〜15のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。   The alkyl group or cycloalkyl group that the arylsulfonium compound has as necessary is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 15 carbon atoms and a cycloalkyl group having 3 to 15 carbon atoms, such as a methyl group, Examples thereof include an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a t-butyl group, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, and a cyclohexyl group.

201〜R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、アルキル基(例えば炭素数1〜15)、シクロアルキル基(例えば炭素数3〜15)、アリール基(例えば炭素
数6〜14)、アルコキシ基(例えば炭素数1〜15)、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基としては炭素数1〜12の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数3〜12のシクロアルキル基、炭素数1〜12の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、より好ましくは炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基である。置換基は、3つのR201〜R203のうちのいずれか1つに置換していてもよいし、3つ全てに置換していてもよい。また、R201〜R203がアリール基の場合に、置換基はアリール基のp−位に置換していることが好ましい。
Aryl group, alkyl group of R 201 to R 203, cycloalkyl group, an alkyl group (for example, 1 to 15 carbon atoms), a cycloalkyl group (for example, 3 to 15 carbon atoms), an aryl group (for example, 6 to 14 carbon atoms) , An alkoxy group (for example, having 1 to 15 carbon atoms), a halogen atom, a hydroxyl group, or a phenylthio group may be substituted. Preferred substituents are linear or branched alkyl groups having 1 to 12 carbon atoms, cycloalkyl groups having 3 to 12 carbon atoms, and linear, branched or cyclic alkoxy groups having 1 to 12 carbon atoms, more preferably carbon. These are an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. The substituent may be substituted with any one of the three R 201 to R 203 , or may be substituted with all three. When R 201 to R 203 are an aryl group, the substituent is preferably substituted at the p-position of the aryl group.

次に、化合物(ZI−2)について説明する。
化合物(ZI−2)は、式(ZI)におけるR201〜R203が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。
Next, the compound (ZI-2) will be described.
Compound (ZI-2) is a compound in which R 201 to R 203 in formula (ZI) each independently represents an organic group having no aromatic ring. Here, the aromatic ring includes an aromatic ring containing a hetero atom.

201〜R203としての芳香環を含有しない有機基は、一般的に炭素数1〜30、好ましくは炭素数1〜20である。 The organic group having no aromatic ring as R 201 to R 203 generally has 1 to 30 carbon atoms, preferably 1 to 20 carbon atoms.

201〜R203は、各々独立に、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリル基、ビニル基であり、更に好ましくは直鎖又は分岐の2−オキソアルキル基、2−オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、特に好ましくは直鎖又は分岐2−オキソアルキル基である。 R 201 to R 203 are each independently preferably an alkyl group, a cycloalkyl group, an allyl group, or a vinyl group, more preferably a linear or branched 2-oxoalkyl group, 2-oxocycloalkyl group, alkoxy group. A carbonylmethyl group, particularly preferably a linear or branched 2-oxoalkyl group.

201〜R203のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1〜10の直鎖又は分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基)、炭素数3〜10のシクロアルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基)を挙げることができる。アルキル基として、より好ましくは2−オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基を挙げることができる。シクロアルキル基として、より好ましくは、2−オキソシクロアルキル基を挙げることができる。 The alkyl group and cycloalkyl group of R 201 to R 203, preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (e.g., methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group), carbon Examples thereof include cycloalkyl groups of several 3 to 10 (cyclopentyl group, cyclohexyl group, norbornyl group). More preferred examples of the alkyl group include a 2-oxoalkyl group and an alkoxycarbonylmethyl group. More preferred examples of the cycloalkyl group include a 2-oxocycloalkyl group.

2−オキソアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、好ましくは、上記のアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
2−オキソシクロアルキル基は、好ましくは、上記のシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
The 2-oxoalkyl group may be either linear or branched, and a group having> C = O at the 2-position of the above alkyl group is preferable.
The 2-oxocycloalkyl group is preferably a group having> C═O at the 2-position of the cycloalkyl group.

アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基としては、好ましくは炭素数1〜5のアルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基)を挙げることができる。   The alkoxy group in the alkoxycarbonylmethyl group is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms (methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, pentoxy group).

201〜R203は、ハロゲン原子、アルコキシ基(例えば炭素数1〜5)、水酸基、シアノ基、ニトロ基によって更に置換されていてもよい。 R 201 to R 203 may be further substituted with a halogen atom, an alkoxy group (for example, having 1 to 5 carbon atoms), a hydroxyl group, a cyano group, or a nitro group.

化合物(ZI−3)とは、以下の一般式(ZI−3)で表される化合物であり、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物である。   The compound (ZI-3) is a compound represented by the following general formula (ZI-3), and is a compound having a phenacylsulfonium salt structure.

Figure 0005130164
Figure 0005130164

一般式(ZI−3)に於いて、
1c〜R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子を表す。
6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
x及びRyは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。
In general formula (ZI-3),
R 1c to R 5c each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group or a halogen atom.
R 6c and R 7c each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group or a cycloalkyl group.
R x and R y each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an allyl group or a vinyl group.

1c〜R5c中のいずれか2つ以上、R6cとR7c、及びRxとRyは、それぞれ結合して環構造を形成しても良く、この環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合を含んでいてもよい。R1c〜R5c中のいずれか2つ以上、R6cとR7c、及びRxとRyが結合して形成する基としては、ブチレン基、ペンチレン基等を挙げることができる。 Any two or more of R 1c to R 5c , R 6c and R 7c , and R x and R y may be bonded to each other to form a ring structure, and this ring structure includes an oxygen atom and a sulfur atom. , An ester bond and an amide bond may be included. Examples of the group formed by combining any two or more of R 1c to R 5c , R 6c and R 7c , and R x and R y include a butylene group and a pentylene group.

Zc-は、非求核性アニオンを表し、一般式(ZI)に於けるZ-と同様の非求核性アニオンを挙げることができる。 Zc represents a non-nucleophilic anion, and examples thereof include the same non-nucleophilic anion as Z − in formula (ZI).

1c〜R7cとしてのアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、例えば炭素数1〜20個のアルキル基、好ましくは炭素数1〜12個の直鎖及び分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、直鎖又は分岐プロピル基、直鎖又は分岐ブチル基、直鎖又は分岐ペンチル基)を挙げることができ、シクロアルキル基としては、例えば炭素数3〜8個のシクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基)を挙げることができる。 The alkyl group as R 1c to R 7c may be either linear or branched, for example, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms ( Examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a linear or branched propyl group, a linear or branched butyl group, and a linear or branched pentyl group. Examples of the cycloalkyl group include cyclohexane having 3 to 8 carbon atoms. An alkyl group (for example, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group) can be mentioned.

1c〜R5cとしてのアルコキシ基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数1〜10のアルコキシ基、好ましくは、炭素数1〜5の直鎖及び分岐アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、直鎖又は分岐プロポキシ基、直鎖又は分岐ブトキシ基、直鎖又は分岐ペントキシ基)、炭素数3〜8の環状アルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基)を挙げることができる。 The alkoxy group as R 1c to R 5c may be linear, branched or cyclic, for example, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, preferably a linear or branched alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms. (For example, methoxy group, ethoxy group, linear or branched propoxy group, linear or branched butoxy group, linear or branched pentoxy group), C3-C8 cyclic alkoxy group (for example, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group) ).

好ましくは、R1c〜R5cの内のいずれかが直鎖又は分岐アルキル基、シクロアルキル基又は直鎖、分岐もしくは環状アルコキシ基であり、更に好ましくは、R1c〜R5cの炭素数の和が2〜15である。これにより、より溶剤溶解性が向上し、保存時にパーティクルの発生が抑制される。 Preferably, any of R 1c to R 5c is a linear or branched alkyl group, a cycloalkyl group, or a linear, branched or cyclic alkoxy group, and more preferably the sum of the carbon number of R 1c to R 5c. Is 2-15. Thereby, solvent solubility improves more and generation | occurrence | production of a particle is suppressed at the time of a preservation | save.

x及びRyとしてのアルキル基及びシクロアルキル基は、R1c〜R7cおけると同様のアルキル基及びシクロアルキル基を挙げることができ、2−オキソアルキル基、2−オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基がより好ましい。 Examples of the alkyl group and cycloalkyl group as R x and R y include the same alkyl group and cycloalkyl group as in R 1c to R 7c , such as a 2-oxoalkyl group, a 2-oxocycloalkyl group, an alkoxy group. A carbonylmethyl group is more preferred.

2−オキソアルキル基及び2−オキソシクロアルキル基は、R1c〜R7cとしてのアルキル基及びシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。 Examples of the 2-oxoalkyl group and 2-oxocycloalkyl group include a group having> C═O at the 2-position of the alkyl group or cycloalkyl group as R 1c to R 7c .

アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基については、R1c〜R5cおけると同様のアルコキシ基を挙げることができる。 Examples of the alkoxy group in the alkoxycarbonylmethyl group include the same alkoxy groups as in R 1c to R 5c .

x及びRyは、好ましくは炭素数4個以上のアルキル基又はシクロアルキル基であり、より好ましくは6個以上、更に好ましくは8個以上のアルキル基又はシクロアルキル基である。 R x and R y are preferably an alkyl group or cycloalkyl group having 4 or more carbon atoms, more preferably 6 or more, and still more preferably 8 or more alkyl groups or cycloalkyl groups.

一般式(ZII)、(ZIII)中、
204〜R207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
In general formulas (ZII) and (ZIII),
R 204 to R 207 each independently represents an aryl group, an alkyl group or a cycloalkyl group.

204〜R207のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。R204〜R207のアリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造を有するアリール基としては、例えば、ピロール残基(ピロールから水素原子が1個失われることによって形成される基)、フラン残基(フランから水素原子が1個失われることによって形成される基)、チオフェン残基(チオフェンから水素原子が1個失われることによって形成される基)、インドール残基(インドールから水素原子が1個失われることによって形成される基)、ベンゾフラン残基(ベンゾフランから水素原子が1個失われることによって形成される基)、ベンゾチオフェン残基(ベンゾチオフェンから水素原子が1個失われることによって形成される基)等を挙げることができる。 Phenyl group and a naphthyl group are preferred as the aryl group of R 204 to R 207, more preferably a phenyl group. Aryl group R 204 to R 207 represents an oxygen atom, a nitrogen atom, may be an aryl group having a heterocyclic structure having a sulfur atom and the like. Examples of the aryl group having a heterocyclic structure include a pyrrole residue (a group formed by losing one hydrogen atom from pyrrole) and a furan residue (a group formed by losing one hydrogen atom from furan). Groups), thiophene residues (groups formed by the loss of one hydrogen atom from thiophene), indole residues (groups formed by the loss of one hydrogen atom from indole), benzofuran residues ( A group formed by losing one hydrogen atom from benzofuran), a benzothiophene residue (a group formed by losing one hydrogen atom from benzothiophene), and the like.

204〜R207におけるアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1〜10の直鎖又は分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基)、炭素数3〜10のシクロアルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基)を挙げることができる。
The alkyl group and cycloalkyl group in R 204 to R 207, preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (e.g., methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group), carbon Examples thereof include cycloalkyl groups of several 3 to 10 (cyclopentyl group, cyclohexyl group, norbornyl group).

204〜R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。R204〜R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基(例えば炭素数1〜15)、シクロアルキル基(例えば炭素数3〜15)、アリール基(例えば炭素数6〜15)、アルコキシ基(例えば炭素数1〜15)、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基等を挙げることができる。 Aryl group, alkyl group of R 204 to R 207, cycloalkyl groups may have a substituent. Aryl group, alkyl group of R 204 to R 207, the cycloalkyl group substituent which may be possessed by, for example, an alkyl group (for example, 1 to 15 carbon atoms), a cycloalkyl group (for example, 3 to 15 carbon atoms ), An aryl group (for example, having 6 to 15 carbon atoms), an alkoxy group (for example, having 1 to 15 carbon atoms), a halogen atom, a hydroxyl group, and a phenylthio group.

-は、非求核性アニオンを表し、一般式(ZI)に於けるZ-の非求核性アニオンと同様のものを挙げることができる。 Z represents a non-nucleophilic anion, and examples thereof include the same as the non-nucleophilic anion of Z − in formula (ZI).

併用酸発生剤として、更に、下記一般式(ZIV)、(ZV)、(ZVI)で表される化合物を挙げることができる。   Examples of the combined acid generator may further include compounds represented by the following general formulas (ZIV), (ZV), and (ZVI).

Figure 0005130164
Figure 0005130164

一般式(ZIV)〜(ZVI)中、
Ar3及びAr4は、各々独立に、アリール基を表す。
206、R207及びR208は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール
基を表す。
Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。
In general formulas (ZIV) to (ZVI),
Ar 3 and Ar 4 each independently represents an aryl group.
R 206 , R 207 and R 208 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group.
A represents an alkylene group, an alkenylene group or an arylene group.

併用酸発生剤の内でより好ましくは、一般式(ZI)〜(ZIII)で表される化合物である。
また、併用酸発生剤として、スルホン酸基又はイミド基を1つ有する酸を発生する化合物が好ましく、さらに好ましくは1価のパーフルオロアルカンスルホン酸を発生する化合物、または1価のフッ素原子またはフッ素原子を含有する基で置換された芳香族スルホン酸を発生する化合物、または1価のフッ素原子またはフッ素原子を含有する基で置換されたイミド酸を発生する化合物であり、更により好ましくは、フッ化置換アルカンスルホン酸、フッ素置換ベンゼンスルホン酸又はフッ素置換イミド酸のスルホニウム塩である。使用可能な併用酸発生剤は、発生した酸のpKaがpKa=−1以下のフッ化置換アルカンスルホン酸、フッ化置換ベンゼンスルホン酸、フッ化置換イミド酸であることが特に好ましく、感度が向上する。
Of the combined acid generators, compounds represented by the general formulas (ZI) to (ZIII) are more preferable.
Further, as the combined acid generator, a compound that generates an acid having one sulfonic acid group or imide group is preferable, more preferably a compound that generates monovalent perfluoroalkanesulfonic acid, or a monovalent fluorine atom or fluorine. A compound that generates an aromatic sulfonic acid substituted with a group containing an atom, or a compound that generates an imide acid substituted with a monovalent fluorine atom or a group containing a fluorine atom. And a sulfonium salt of fluorine-substituted benzenesulfonic acid or fluorine-substituted imidic acid. The combined acid generator that can be used is particularly preferably a fluorinated substituted alkane sulfonic acid, a fluorinated substituted benzene sulfonic acid, or a fluorinated substituted imido acid whose pKa of the generated acid is pKa = -1 or less, and the sensitivity is improved. To do.

併用酸発生剤の中で、特に好ましい例を以下に挙げる。   Among the combined acid generators, particularly preferred examples are given below.

Figure 0005130164
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Figure 0005130164
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Figure 0005130164
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Figure 0005130164
Figure 0005130164

併用酸発生剤は、1種類単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。
併用酸発生剤のポジ型レジスト組成物中の含量は、ポジ型レジスト組成物の全固形分を基準として、0.1〜20質量%が好ましく、より好ましくは0.5〜10質量%、更に好ましくは1〜7質量%である。
併用酸発生剤のポジ型レジスト組成物中の含量は、化合物(A)に対して、1〜8質量%が好ましい。
The combined acid generator can be used alone or in combination of two or more.
The content of the combined acid generator in the positive resist composition is preferably 0.1 to 20% by mass, more preferably 0.5 to 10% by mass, based on the total solid content of the positive resist composition. Preferably it is 1-7 mass%.
The content of the combined acid generator in the positive resist composition is preferably 1 to 8% by mass relative to the compound (A).

〔2〕酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂(B)
本発明のポジ型レジスト組成物は、酸により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂(B)(以下、「酸分解性樹脂」ともいう)を含有することが好ましい。
酸分解性樹脂は、樹脂の主鎖又は側鎖、或いは、主鎖及び側鎖の両方に、酸の作用によ
り分解し、アルカリ可溶性基を生じる基(酸分解性基)を有する樹脂である。この内、酸分解性基を側鎖に有する樹脂がより好ましい。
[2] Resin (B) which decomposes by the action of an acid and increases the solubility in an alkaline developer
The positive resist composition of the present invention preferably contains a resin (B) (hereinafter also referred to as “acid-decomposable resin”) that decomposes with an acid and increases the solubility in an alkaline developer.
The acid-decomposable resin is a resin having a group (acid-decomposable group) that is decomposed by the action of an acid to generate an alkali-soluble group in the main chain or side chain of the resin or in both the main chain and the side chain. Among these, a resin having an acid-decomposable group in the side chain is more preferable.

酸分解性基として好ましい基は、−COOH基、−OH基などのアルカリ可溶性基の水素原子を酸で脱離する基で置換した基である。
本発明においては、酸分解性基は、アセタール基又は3級エステル基が好ましい。
A preferable group as the acid-decomposable group is a group in which a hydrogen atom of an alkali-soluble group such as a —COOH group or a —OH group is substituted with a group capable of leaving with an acid.
In the present invention, the acid-decomposable group is preferably an acetal group or a tertiary ester group.

これら酸で分解し得る基が側鎖として結合する場合の母体樹脂は、側鎖に−OHもしくは−COOH基を有するアルカリ可溶性樹脂である。例えば、後述するアルカリ可溶性樹脂を挙げることができる。   The base resin in the case where these acid-decomposable groups are bonded as side chains is an alkali-soluble resin having —OH or —COOH groups in the side chains. For example, the alkali-soluble resin mentioned later can be mentioned.

これらアルカリ可溶性樹脂のアルカリ溶解速度は、レジスト膜として形成した場合、0.261Nテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)で測定(23℃)して80Å/秒以上が好ましい。特に好ましくは160Å/秒以上である。   The alkali dissolution rate of these alkali-soluble resins, when formed as a resist film, is preferably 80 kg / sec or more as measured with 0.261N tetramethylammonium hydroxide (TMAH) (23 ° C.). Particularly preferably, it is 160 Å / second or more.

酸分解性樹脂は、芳香族基を有する繰り返し単位を含有することが好ましく、特に、ヒドロキシスチレン繰り返し単位を有する酸分解性樹脂(以下、「樹脂(B1)」ともいう)であることが好ましい。更に好ましくはヒドロキシスチレン/酸分解基で保護されたヒドロキシスチレン共重合体、ヒドロキシスチレン/(メタ)アクリル酸3級アルキルエステルが好ましい。
樹脂(B1)の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。
The acid-decomposable resin preferably contains a repeating unit having an aromatic group, and particularly preferably an acid-decomposable resin having a hydroxystyrene repeating unit (hereinafter also referred to as “resin (B1)”). More preferably, hydroxystyrene / hydroxystyrene copolymer protected with an acid-decomposable group and hydroxystyrene / (meth) acrylic acid tertiary alkyl ester are preferred.
Specific examples of the resin (B1) are shown below, but are not limited thereto.

Figure 0005130164
Figure 0005130164

上記具体例において、tBuはt−ブチル基を表す。   In the above specific example, tBu represents a t-butyl group.

酸で分解し得る基の含有率は、樹脂中の酸で分解し得る基の数(B)と酸で脱離する基で保護されていないアルカリ可溶性基の数(S)をもって、B/(B+S)で表される。含有率は、好ましくは0.01〜0.7、より好ましくは0.05〜0.50、更に好ましくは0.05〜0.40である。   The content of the group that can be decomposed by an acid is determined by the number of groups (B) that can be decomposed by an acid in the resin and the number of alkali-soluble groups that are not protected by a group capable of leaving by an acid (S). B + S). The content is preferably 0.01 to 0.7, more preferably 0.05 to 0.50, and still more preferably 0.05 to 0.40.

樹脂(B1)として、特に下記一般式(II)で表される繰り返し単位及び一般式(III)で表される繰り返し単位を有する樹脂が好ましい。   As the resin (B1), a resin having a repeating unit represented by the following general formula (II) and a repeating unit represented by the general formula (III) is particularly preferable.

Figure 0005130164
Figure 0005130164

一般式(II)及び(III)に於いて、
01は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、またはアルコキシカルボニル基を表す。
1及びL2は、同じでも異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアラルキル基を表す。
Mは、単結合または2価の連結基を表す。
Qは、アルキル基、シクロアルキル基、アリールオキシ基、もしくはヘテロ原子を含んでいてもよい、脂環基または芳香環基を表す。
Q、M、L1の少なくとも2つが結合して5員または6員環を形成しても良い。
Aは、複数ある場合は各々独立に、ハロゲン原子、シアノ基、アシル基、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、またはアルコキシカルボニル基を表す。
m及びnは各々独立に0〜4の整数を表す。但し、mとnは同時に0でないことが好ましい。
In general formulas (II) and (III):
R 01 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group, or an alkoxycarbonyl group.
L 1 and L 2 may be the same or different and each represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group or an aralkyl group.
M represents a single bond or a divalent linking group.
Q represents an alicyclic group or an aromatic ring group which may contain an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryloxy group, or a hetero atom.
At least two of Q, M, and L 1 may combine to form a 5-membered or 6-membered ring.
When there are a plurality of A's, each independently represents a halogen atom, a cyano group, an acyl group, an alkyl group, an alkoxy group, an acyloxy group, or an alkoxycarbonyl group.
m and n each independently represents an integer of 0 to 4. However, m and n are preferably not 0 at the same time.

また、樹脂(B1)として、一般式(II)で表される繰り返し単位、一般式(III)
で表される繰り返し単位及び一般式(IV)で表される繰り返し単位を有する樹脂であってもよい。なお、この場合は、m=n=0であってもよい。
Further, as the resin (B1), a repeating unit represented by the general formula (II), the general formula (III)
And a resin having a repeating unit represented by formula (IV). In this case, m = n = 0 may be used.

Figure 0005130164
Figure 0005130164

一般式(IV)に於いて、
01は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、またはアルコキシカルボニル基を表す。
Bは、ハロゲン原子、シアノ基、アシル基、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基またはアルコキシカルボニル基を表す。
pは0〜5の整数を表す。
In general formula (IV),
R 01 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group, or an alkoxycarbonyl group.
B represents a halogen atom, a cyano group, an acyl group, an alkyl group, an alkoxy group, an acyloxy group or an alkoxycarbonyl group.
p represents an integer of 0 to 5.

一般式(II)で表される繰り返し単位におけるベンゼン環が有する置換基は、酸の作用により分解し、水酸基(アルカリ可溶性基)を生じる基(酸分解性基)であり、酸により分解し、ヒドロキシスチレン単位を生じ、当該樹脂をアルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂とする。   The substituent that the benzene ring in the repeating unit represented by the general formula (II) has is a group (acid-decomposable group) that is decomposed by the action of an acid to generate a hydroxyl group (an alkali-soluble group). Hydroxystyrene units are produced, and the resin is a resin with increased solubility in an alkaline developer.

一般式(II)〜(IV)に於ける、R01は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、またはアルコキシカルボニル基を表し、好ましくは炭素数20以下である。
01におけるアルキル基またはシクロアルキル基としては、炭素数20個以下が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、ドデシル基などである。これらの基は置換基を有していても良く、例えばアルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、チオフェンカルボニルオキシ基、チオフェンメチルカルボニルオキシ基、ピロリドン残基等のヘテロ環残基などが挙げられ、炭素数8以下が好ましい。CF3基、アルコキシカルボニルメチ
ル基、アルキルカルボニルオキシメチル基、ヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基等がさらに好ましい。
01におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
01におけるアルコキシカルボニル基に含まれるアルキル基としては、上記R01におけるアルキル基と同様のものが好ましい。
In the general formulas (II) to (IV), R 01 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group, or an alkoxycarbonyl group, and preferably has 20 or less carbon atoms. It is.
The alkyl group or cycloalkyl group in R 01 preferably has 20 or less carbon atoms, and is a methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, t-butyl group, pentyl group, cyclopentyl group. Hexyl group, cyclohexyl group, octyl group, dodecyl group and the like. These groups may have a substituent, for example, alkoxy group, hydroxyl group, halogen atom, nitro group, acyl group, acyloxy group, acylamino group, sulfonylamino group, alkylthio group, arylthio group, aralkylthio group, thiophene. Examples include carbonyloxy groups, thiophenemethylcarbonyloxy groups, and heterocyclic residues such as pyrrolidone residues, and those having 8 or less carbon atoms are preferred. CF 3 group, alkoxycarbonylmethyl group, alkylcarbonyloxymethyl group, hydroxymethyl group, alkoxymethyl group and the like are more preferable.
Examples of the halogen atom for R 01 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is preferred.
As the alkyl group contained in the alkoxycarbonyl group in R 01, the same alkyl groups represented by R 01 are preferred.

1及びL2としてアルキル基は、例えば炭素数1〜8個のアルキル基であって、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘキシル基、オクチル基を好ましく挙げることができる。
1及びL2としてシクロアルキル基は、例えば炭素数3〜15個のシクロアルキル基であって、具体的には、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基を好ましく挙げることができる。
1及びL2としてアリール基は、例えば炭素数6〜15個のアリール基であって、具体的には、フェニル基、トリル基、ナフチル基、アントリル基等を好ましく挙げることができる。
1及びL2としてアラルキル基は、例えば、炭素数6〜20であって、ベンジル基、フェネチル基などが挙げられる。
また、L1、L2の何れか一方が水素原子であることが好ましい。
The alkyl group as L 1 and L 2 is, for example, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and specifically includes a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a hexyl group. An octyl group can be preferably mentioned.
The cycloalkyl group as L 1 and L 2 is, for example, a cycloalkyl group having 3 to 15 carbon atoms, and specifically, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a norbornyl group, and an adamantyl group can be preferably exemplified.
The aryl group as L 1 and L 2 is, for example, an aryl group having 6 to 15 carbon atoms, and specific examples thereof include a phenyl group, a tolyl group, a naphthyl group, and an anthryl group.
The aralkyl group as L 1 and L 2 has, for example, 6 to 20 carbon atoms, and examples thereof include a benzyl group and a phenethyl group.
Further, it is preferable that either one of L 1, L 2 is a hydrogen atom.

Mとしての2価の連結基は、例えば、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、−OCO−、−COO−、または−CON(R0)−、およびこれ
らのうちの複数を含有する連結基である。R0は、水素原子またはアルキル基である。
The divalent linking group as M contains, for example, an alkylene group, a cycloalkylene group, an alkenylene group, an arylene group, —OCO—, —COO—, or —CON (R 0 ) —, and a plurality thereof. A linking group. R 0 is a hydrogen atom or an alkyl group.

Qとしてのアルキル基、シクロアルキル基は、上述のL1及びL2としての各基と同様である。
Qとしてのアリールオキシ基は、フェノキシ基、ナフトキシ基、ターフェニルオキシ基等が挙げられる。
Qとしてのヘテロ原子を含んでいてもよい、脂環基もしくは芳香環基としては、上述のL1及びL2としてのシクロアルキル基、アリール基などが挙げられ、好ましくは、炭素数3〜15である。
ヘテロ原子を含む脂環基もしくは芳香環基としては、チイラン、シクロチオラン、チオフェン、フラン、ピロール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ベンゾピロール、トリアジン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、チアジアゾール、チアゾール
、ピロリドン等が挙げられるが、一般にヘテロ環と呼ばれる構造(炭素とヘテロ原子で形成される環、あるいはヘテロ原子にて形成される環)であれば、これらに限定されない。
The alkyl group and cycloalkyl group as Q are the same as the above groups as L 1 and L 2 .
Examples of the aryloxy group as Q include a phenoxy group, a naphthoxy group, and a terphenyloxy group.
Examples of the alicyclic group or aromatic ring group which may contain a hetero atom as Q include the cycloalkyl group and aryl group as L 1 and L 2 described above, preferably 3 to 15 carbon atoms. It is.
Examples of the alicyclic group or aromatic ring group containing a hetero atom include thiirane, cyclothiolane, thiophene, furan, pyrrole, benzothiophene, benzofuran, benzopyrrole, triazine, imidazole, benzimidazole, triazole, thiadiazole, thiazole, pyrrolidone, and the like. Is a structure generally called a heterocycle (a ring formed from carbon and a heteroatom, or a ring formed from a heteroatom).

Q、M、L1の少なくとも2つが結合して形成してもよい5員または6員環としては、
Q、M、L1の少なくとも2つが結合して、例えば、プロピレン基、ブチレン基を形成して、酸素原子を含有する5員または6員環を形成する場合が挙げられる。
As a 5-membered or 6-membered ring that may be formed by combining at least two of Q, M, and L 1 ,
Examples include a case where at least two of Q, M, and L 1 are bonded to form, for example, a propylene group or a butylene group to form a 5-membered or 6-membered ring containing an oxygen atom.

−M−Qで表される基として、炭素数1〜30が好ましく、炭素数5〜20がより好ましく、例えば、−OC(L1)(L2)O−M−Qで表される基として、以下のものが挙げられる。 As the group represented by -M-Q, 1 to 30 carbon atoms, more preferably from 5 to 20 carbon atoms, for example, -OC (L 1) (L 2) a group represented by O-M-Q The following may be mentioned.

Figure 0005130164
Figure 0005130164

Figure 0005130164
Figure 0005130164

Aとしてのアシル基は、例えば炭素数2〜8個のアシル基であって、具体的には、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブタノイル基、ピバロイル基、ベンゾイル基等を好ましく挙げることができる。
Aとしてのアルキル基は、例えば炭素数1〜8個のアルキル基であって、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘキシル基、オクチル基を好ましく挙げることができる。
Aとしてのアルコキシ基は、例えば炭素数1〜8の上記アルコキシ基であり、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ
基、シクロヘキシルオキシ基等を挙げることができる。
Aとしてのアシルオキシ基またはアルコキシカルボニル基は、上記アシル基、アルコキシ基に対応する基を挙げることができる。
The acyl group as A is, for example, an acyl group having 2 to 8 carbon atoms. Specifically, a formyl group, an acetyl group, a propanoyl group, a butanoyl group, a pivaloyl group, a benzoyl group and the like can be preferably exemplified. .
The alkyl group as A is, for example, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and specifically includes a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a hexyl group, and an octyl group. Can be preferably mentioned.
The alkoxy group as A is, for example, the above alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group, a pentyloxy group, a hexyloxy group, and a cyclohexyloxy group. .
Examples of the acyloxy group or alkoxycarbonyl group as A include groups corresponding to the above acyl group and alkoxy group.

上記各基は置換基を有していてもよく、好ましい置換基として、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子)、アルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等)等を挙げることができる。環状構造については、置換基として更にアルキル基(好ましくは炭素数1〜8)を挙げることができる。   Each of the above groups may have a substituent, and preferred substituents include a hydroxyl group, a carboxyl group, a cyano group, a halogen atom (fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom), an alkoxy group (methoxy group, Ethoxy group, propoxy group, butoxy group, etc.). As for the cyclic structure, examples of the substituent further include an alkyl group (preferably having 1 to 8 carbon atoms).

m及びnは独立に0〜4の整数を表す。m及びnは、それぞれ0〜2が好ましく、更に好ましくは1である。   m and n independently represent an integer of 0 to 4. m and n are each preferably 0 to 2, and more preferably 1.

一般式(II)で表される繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、これらに限定されるものではない。   Specific examples of the repeating unit represented by the general formula (II) are shown below, but are not limited thereto.

Figure 0005130164
Figure 0005130164

Figure 0005130164
Figure 0005130164

一般式(III)で表される繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、これらに限定され
るものではない。
Specific examples of the repeating unit represented by the general formula (III) are shown below, but are not limited thereto.

Figure 0005130164
Figure 0005130164

一般式(IV)におけるR01は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、またはアルコキシカルボニル基を表し、好ましくは炭素数20以下であり、前述の一般式(II)または(III)におけるR01と同様である。
一般式(IV)におけるBとしてのアシル基、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基またはアルコキシカルボニル基は、一般式(II)におけるAとしての各基と同様のものが挙げられるが、Bとしては、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基が好ましく、アシルオキシ基がより好ましい。また、アシルオキシ基(一般式−O−CO−Rで表される。Rはアルキル基)の中でも、Rの炭素数が1〜6のものが好ましく、Rの炭素数1〜3のものがより好ましく、Rの炭素数が1のもの(即ち、アセトキシ基)が特に好ましい。
pは0〜5の整数を表し、0〜2が好ましく、1〜2がより好ましく、1が更に好ましい。
R 01 in the general formula (IV) independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group, or an alkoxycarbonyl group, and preferably has 20 or less carbon atoms. The same as R 01 in (II) or (III).
Examples of the acyl group, alkyl group, alkoxy group, acyloxy group or alkoxycarbonyl group as B in the general formula (IV) include the same groups as A in the general formula (II). An acyloxy group and an alkoxycarbonyl group are preferable, and an acyloxy group is more preferable. Among acyloxy groups (represented by the general formula —O—CO—R A , where R A is an alkyl group), those having 1 to 6 carbon atoms in RA are preferred, and those having 1 to 3 carbon atoms in RA. Are more preferable, and those in which R A has 1 carbon atom (that is, an acetoxy group) are particularly preferable.
p represents an integer of 0 to 5, preferably 0 to 2, more preferably 1 to 2, and still more preferably 1.

上記各基は置換基を有していてもよく、好ましい置換基として、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子)、アルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等)等を挙げることができる。環状構造については、置換基として更にアルキル基(好ましくは炭素数1〜8)を挙げることができる。   Each of the above groups may have a substituent, and preferred substituents include a hydroxyl group, a carboxyl group, a cyano group, a halogen atom (fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom), an alkoxy group (methoxy group, Ethoxy group, propoxy group, butoxy group, etc.). As for the cyclic structure, examples of the substituent further include an alkyl group (preferably having 1 to 8 carbon atoms).

一般式(IV)で表される繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、これらに限定されるものではない。   Specific examples of the repeating unit represented by the general formula (IV) are shown below, but are not limited thereto.

Figure 0005130164
Figure 0005130164

樹脂(B1)は、下記一般式(V)で示される繰り返し単位を有していてもよい。   The resin (B1) may have a repeating unit represented by the following general formula (V).

Figure 0005130164
Figure 0005130164

一般式(V)に於いて、
a〜Rcは、各々独立に、水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基またはアルキル基を表す。
1は、水素原子または有機基を表す。
In general formula (V),
R a to R c each independently represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a cyano group or an alkyl group.
X 1 represents a hydrogen atom or an organic group.

一般式(V)に於ける、Ra〜Rcとしてのアルキル基は、好ましくは炭素数1〜5個のアルキル基であって、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基を挙げることができる。 In general formula (V), the alkyl group as R a to R c is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, and a propyl group. .

1としての有機基は、好ましくは炭素数1〜40であり、酸分解性基であっても非酸分解性基であってもよい。 The organic group as X 1 preferably has 1 to 40 carbon atoms and may be an acid-decomposable group or a non-acid-decomposable group.

1が非酸分解性基である場合、該非酸分解性基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基等が挙げられる。但し、該アルキル基及びシクロアルキル基として、後述する(pI)〜(pVI)の構造に該当するものを除く。アルキル基としては炭素数1〜10のものが好ましく、炭素数1〜6のものがより好ましい。シクロアルキル基としては炭素数3〜12のものが好ましく、炭素数6〜10のものがより好ましい。また、シクロアルキル基は単環でも多環でもよい。アリール基としては炭素数6〜10のものが好ましい。これら置換基は更に置換基を有していてもよい。
非酸分解性基において、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基の様な炭素数1〜4個のものが好ましく、シクロアルキル基としてはシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基の様な炭素数3〜10個のものが好ましく、アリール基としてはフェニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基、アントラセニル基の様な炭素数6〜14個のものが好ましい。
When X 1 is a non-acid-decomposable group, examples of the non-acid-decomposable group include an alkyl group, a cycloalkyl group, and an aryl group. However, those corresponding to the structures of (pI) to (pVI) described later are excluded as the alkyl group and cycloalkyl group. As an alkyl group, a C1-C10 thing is preferable and a C1-C6 thing is more preferable. As a cycloalkyl group, a C3-C12 thing is preferable and a C6-C10 thing is more preferable. The cycloalkyl group may be monocyclic or polycyclic. As the aryl group, those having 6 to 10 carbon atoms are preferable. These substituents may further have a substituent.
In the non-acid-decomposable group, the alkyl group is preferably a group having 1 to 4 carbon atoms such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group or a sec-butyl group. Those having 3 to 10 carbon atoms such as propyl group, cyclobutyl group, cyclohexyl group and adamantyl group are preferable, and aryl group is carbon such as phenyl group, xylyl group, toluyl group, cumenyl group, naphthyl group and anthracenyl group. Those of several 6 to 14 are preferable.

1の酸分解性基の有機基としては、例えば、−C(R11a)(R12a)(R13a)、−C(R14a)(R15a)(OR16a)、−CO−OC(R11a)(R12a)(R13a)を挙げることができる。
11a〜R13aは、それぞれ独立して、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基またはアリール基を表す。R14aおよびR15aは、それぞれ独立して、水素原子またはアルキル基を表す。R16aは、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、
アラルキル基またはアリール基を表す。尚、R11a、R12a、R13aのうちの2つ、または
14a、R15a、R16aのうちの2つが結合して環を形成してもよい。
なお、X1には、酸分解性基を有する基を変性により導入することもできる。このよう
にして、酸分解性基を導入したX1は、例えば、以下のようになる。
−〔C(R17a)(R18a)〕p−CO−OC(R11a)(R12a)(R13a)R17aおよびR18aは、それぞれ独立して、水素原子またはアルキル基を表す。pは1〜4の整数である。
As the organic group of the acid-decomposable group for X 1 , for example, —C (R 11a ) (R 12a ) (R 13a ), —C (R 14a ) (R 15a ) (OR 16a ), —CO—OC ( R 11a ) (R 12a ) (R 13a ) can be mentioned.
R 11a to R 13a each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an aralkyl group or an aryl group. R 14a and R 15a each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group. R 16a represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group,
Represents an aralkyl group or an aryl group. Two of R 11a , R 12a and R 13a , or two of R 14a , R 15a and R 16a may be bonded to form a ring.
Note that a group having an acid-decomposable group can be introduced into X 1 by modification. In this way, X 1 introduced with the acid decomposable group is, for example, as follows.
-[C ( R17a ) ( R18a )] p- CO-OC ( R11a ) ( R12a ) ( R13a ) R17a and R18a each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group. p is an integer of 1 to 4.

1としての有機基は、脂環式、芳香環式、有橋脂環式から選ばれる少なくとも1つの環状構造を有する酸分解性基であることが好ましく、芳香族基(特にフェニル基)を含む構造、又は下記一般式(pI)〜(pVI)で表される脂環式又は有橋脂環式構造を含む構造であることが好ましい。 The organic group as X 1 is preferably an acid-decomposable group having at least one cyclic structure selected from alicyclic, aromatic and bridged alicyclic, and an aromatic group (particularly a phenyl group). Or a structure containing an alicyclic or bridged alicyclic structure represented by the following general formulas (pI) to (pVI).

Figure 0005130164
Figure 0005130164

式中、R11は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基又はsec−ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。
12〜R16は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R12〜R14のうち少なくとも1つ、もしくはR15、R16のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。
17〜R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R17〜R21のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R19、R21のいずれかは炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。
22〜R25は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R22〜R25のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R23とR24は、互いに結合して環を形成していてもよい。
In the formula, R 11 represents a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group or a sec-butyl group, and Z forms an alicyclic hydrocarbon group together with a carbon atom. Represents the atomic group necessary to do.
R 12 to R 16 each independently represents a linear or branched alkyl group or alicyclic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 12 to R 14 , or Either R 15 or R 16 represents an alicyclic hydrocarbon group.
R 17 to R 21 each independently represents a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an alicyclic hydrocarbon group, provided that at least one of R 17 to R 21 Represents an alicyclic hydrocarbon group. Further, either R 19 or R 21 represents a linear or branched alkyl group or alicyclic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms.
R 22 to R 25 each independently represents a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an alicyclic hydrocarbon group, provided that at least one of R 22 to R 25 Represents an alicyclic hydrocarbon group. R 23 and R 24 may be bonded to each other to form a ring.

一般式(pI)〜(pVI)において、R12〜R25におけるアルキル基としては、置換もしくは非置換のいずれであってもよい、1〜4個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。そのアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基等が挙げられる。
また、上記アルキル基の更なる置換基としては、炭素数1〜4個のアルコキシ基、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、アシル基、アシルオキシ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基等を挙げることができる。
In the general formulas (pI) to (pVI), the alkyl group in R 12 to R 25 may be substituted or unsubstituted, and is a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Represents. Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, and a t-butyl group.
Further, the further substituent of the alkyl group includes an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a halogen atom (fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom), acyl group, acyloxy group, cyano group, hydroxyl group, A carboxy group, an alkoxycarbonyl group, a nitro group, etc. can be mentioned.

11〜R25における脂環式炭化水素基あるいはZと炭素原子が形成する脂環式炭化水素基としては、単環式でも、多環式でもよい。具体的には、炭素数5以上のモノシクロ、ビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができる。その炭素数は6〜30個が好ましく、特に炭素数7〜25個が好ましい。これらの脂環式炭化水素基は置換基を有していてもよい。
以下に、脂環式炭化水素基のうち、脂環式部分の構造例を示す。
The alicyclic hydrocarbon group in R 11 to R 25 or the alicyclic hydrocarbon group formed by Z and a carbon atom may be monocyclic or polycyclic. Specific examples include groups having a monocyclo, bicyclo, tricyclo, tetracyclo structure or the like having 5 or more carbon atoms. The carbon number is preferably 6-30, and particularly preferably 7-25. These alicyclic hydrocarbon groups may have a substituent.
Below, the structural example of an alicyclic part is shown among alicyclic hydrocarbon groups.

Figure 0005130164
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Figure 0005130164
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Figure 0005130164
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本発明においては、上記脂環式部分の好ましいものとしては、アダマンチル基、ノルアダマンチル基、デカリン残基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基を挙げることができる。より好ましくは、アダマンチル基、デカリン残基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基である。   In the present invention, preferred examples of the alicyclic moiety include an adamantyl group, a noradamantyl group, a decalin residue, a tricyclodecanyl group, a tetracyclododecanyl group, a norbornyl group, a cedrol group, a cyclohexyl group, and a cycloheptyl group. Group, cyclooctyl group, cyclodecanyl group and cyclododecanyl group. More preferred are an adamantyl group, a decalin residue, a norbornyl group, a cedrol group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a cyclodecanyl group, and a cyclododecanyl group.

脂環式炭化水素基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基が挙げられる。
アルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基よりなる群から選択された置換基が挙げられる。上記アルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個のものを挙げることができる。
また、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基は、更に置換基を有していてもよく、このような置換基としては、例えば、炭素数1〜4のアルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基等)、ヒドロキシ基、オキソ基、アルキルカルボニル基(好ましくは炭素数2〜5)、アルキルカルボニルオキシ基基(好ましくは炭素数2〜5)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜5)、ハロゲン原子(塩素原子、臭素原子、フッ素原子等)等を挙げることができる。
Examples of the substituent that the alicyclic hydrocarbon group may have include an alkyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group, a carboxyl group, and an alkoxycarbonyl group.
The alkyl group is preferably a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, or a butyl group, more preferably a substituent selected from the group consisting of a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and an isopropyl group. Can be mentioned. Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group.
The alkyl group, alkoxy group, and alkoxycarbonyl group may further have a substituent. Examples of such a substituent include an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms (methoxy group, ethoxy group, butoxy group). Group), hydroxy group, oxo group, alkylcarbonyl group (preferably 2 to 5 carbon atoms), alkylcarbonyloxy group group (preferably 2 to 5 carbon atoms), alkoxycarbonyl group (preferably 2 to 5 carbon atoms) And halogen atoms (chlorine atom, bromine atom, fluorine atom, etc.).

また、樹脂(B1)は、アルカリ現像液に対する良好な現像性を維持するために、アルカリ可溶性基、例えばフェノール性水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基、ヘキサフルオロイソプロパノール基(−C(CF3)2OH)が導入され得るように適切な他の重合性モノマーが共重合されていてもよいし、膜質向上のためにアルキルアクリレートやアルキルメタクリレートのような疎水性の他の重合性モノマーが共重合されてもよい。 Further, the resin (B1) contains an alkali-soluble group such as a phenolic hydroxyl group, a carboxyl group, a sulfonic acid group, a hexafluoroisopropanol group (—C (CF 3 ) 2 ) in order to maintain good developability for an alkali developer. Other suitable polymerizable monomers may be copolymerized so that (OH) can be introduced, and other hydrophobic polymerizable monomers such as alkyl acrylates and alkyl methacrylates may be copolymerized to improve film quality. May be.

一般式(II)で表される繰り返し単位の含有率は、樹脂を構成する全繰り返し単位中、好ましくは5〜60モル%、より好ましくは10〜50モル%、特に好ましくは10〜40モル%である。
一般式(III)で表される繰り返し単位の含有率は、樹脂を構成する全繰り返し単位中、好ましくは40〜90モル%、より好ましくは45〜80モル%、特に好ましくは50〜75モル%である。
The content of the repeating unit represented by the general formula (II) is preferably 5 to 60 mol%, more preferably 10 to 50 mol%, and particularly preferably 10 to 40 mol% in all repeating units constituting the resin. It is.
The content of the repeating unit represented by the general formula (III) is preferably 40 to 90 mol%, more preferably 45 to 80 mol%, particularly preferably 50 to 75 mol% in all repeating units constituting the resin. It is.

一般式(IV)で表される繰り返し単位の含有率は、樹脂を構成する全繰り返し単位中、好ましくは0〜50モル%、より好ましくは10〜40モル%、特に好ましくは15〜30モル%である。
一般式(V)で表される繰り返し単位の含有率は、樹脂を構成する全繰り返し単位中、好ましくは0〜30モル%、より好ましくは0〜20モル%、特に好ましくは0〜10モル%である。
The content of the repeating unit represented by the general formula (IV) is preferably 0 to 50 mol%, more preferably 10 to 40 mol%, and particularly preferably 15 to 30 mol% in all repeating units constituting the resin. It is.
The content of the repeating unit represented by the general formula (V) is preferably 0 to 30 mol%, more preferably 0 to 20 mol%, and particularly preferably 0 to 10 mol% in all repeating units constituting the resin. It is.

水酸基以外の、カルボキシ基、スルホン酸基などのアルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の含有率は、樹脂を構成する全繰り返し単位中、好ましくは0〜10モル%、より好ましくは1〜8モル%、特に好ましくは2〜6モル%である。
酸分解性基を有する繰り返し単位の含有率は、樹脂(B1)を構成する全繰り返し単位中、好ましくは5〜60モル%、より好ましくは10〜55モル%、特に好ましくは10〜50モル%である。
The content of the repeating unit having an alkali-soluble group such as a carboxy group or a sulfonic acid group other than a hydroxyl group is preferably 0 to 10 mol%, more preferably 1 to 8 mol%, in all repeating units constituting the resin. Most preferably, it is 2-6 mol%.
The content of the repeating unit having an acid-decomposable group is preferably 5 to 60 mol%, more preferably 10 to 55 mol%, particularly preferably 10 to 50 mol% in all repeating units constituting the resin (B1). It is.

樹脂(B1)の合成は、欧州特許254853号、特開平2−258500号、3−223860号、4−251259号に記載されているような、アルカリ可溶性樹脂に酸で分解しうる基の前駆体を反応させる方法、もしくは、酸で分解しうる基を有するモノマーを種々のモノマーと共重合する方法など公知の合成法により合成することができる。   The synthesis of the resin (B1) is a precursor of a group that can be decomposed with an acid into an alkali-soluble resin, as described in European Patent No. 254853, JP-A-2-258500, 3-223860, and 4-251259. It can be synthesized by a known synthesis method such as a method of reacting the above, or a method of copolymerizing a monomer having a group decomposable with an acid with various monomers.

樹脂(B1)の重量平均分子量は、GPC法によりポリスチレン換算値として、4,000以下が好ましく、より好ましくは1,000〜3,000である。
樹脂(B1)の分散度(Mw/Mn)は、1.0〜3.0が好ましく、より好ましくは1.05〜2.0であり、更により好ましくは1.1〜1.7である。
The weight average molecular weight of the resin (B1) is preferably 4,000 or less, more preferably 1,000 to 3,000, in terms of polystyrene by GPC method.
The dispersity (Mw / Mn) of the resin (B1) is preferably 1.0 to 3.0, more preferably 1.05 to 2.0, and even more preferably 1.1 to 1.7. .

また、樹脂(B1)は、2種類以上組み合わせて使用してもよい。   Moreover, you may use resin (B1) in combination of 2 or more types.

樹脂(B1)の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。   Specific examples of the resin (B1) are shown below, but are not limited thereto.

Figure 0005130164
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本発明のポジ型レジスト組成物にArFエキシマレーザー光を照射する場合には、(B)成分の樹脂は、単環又は多環の脂環炭化水素構造を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度が増加する樹脂(樹脂(B2))であることが好ましい。   When irradiating the positive resist composition of the present invention with ArF excimer laser light, the resin of component (B) has a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon structure, and is decomposed by the action of an acid. A resin (resin (B2)) having increased solubility in an alkali developer is preferred.

単環又は多環の脂環炭化水素構造を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度が増加する樹脂(B2)(以下、「脂環炭化水素系酸分解性樹脂」ともいう)
としては、下記一般式(pI)〜一般式(pV)で表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位及び下記一般式(II−AB)で表される繰り返し単位の群から選択される少なくとも1種類を有する樹脂であることが好ましい。
Resin (B2) having a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon structure, decomposed by the action of an acid, and increased in solubility in an alkali developer (hereinafter also referred to as “alicyclic hydrocarbon-based acid-decomposable resin”) )
As a repeating unit having a partial structure containing an alicyclic hydrocarbon represented by the following general formula (pI) to general formula (pV) and a repeating unit represented by the following general formula (II-AB) A resin having at least one selected is preferable.

Figure 0005130164
Figure 0005130164

一般式(pI)〜(pV)中、
11は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基又はsec−ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともにシクロアルキル基を形成するのに必要な原子団を表す。
12〜R16は、各々独立に、直鎖もしくは分岐のアルキル基、又はシクロアルキル基を表す。但し、R12〜R14の内の少なくとも1つ、もしくはR15及びR16のいずれかは、シクロアルキル基を表す。
17〜R21は、各々独立に、水素原子、直鎖もしくは分岐のアルキル基、又はシクロアルキル基を表す。但し、R17〜R21の内の少なくとも1つは、シクロアルキル基を表す。また、R19及びR21のいずれかは、直鎖もしくは分岐のアルキル基、又はシクロアルキル基を表す。
22〜R25は、各々独立に、水素原子、直鎖もしくは分岐のアルキル基、又はシクロアルキル基を表す。但し、R22〜R25の内の少なくとも1つは、シクロアルキル基を表す。また、R23とR24は、互いに結合して環を形成していてもよい。
In general formulas (pI) to (pV),
R 11 represents a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group or a sec-butyl group, and Z is an atom necessary for forming a cycloalkyl group together with a carbon atom. Represents a group.
R 12 to R 16 each independently represents a linear or branched alkyl group or a cycloalkyl group. However, at least one of R 12 to R 14 , or any of R 15 and R 16 represents a cycloalkyl group.
R 17 to R 21 each independently represents a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group, or a cycloalkyl group. However, at least one of R 17 to R 21 represents a cycloalkyl group. In addition, any of R 19 and R 21 represents a linear or branched alkyl group or a cycloalkyl group.
R 22 to R 25 each independently represents a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group, or a cycloalkyl group. However, at least one of R 22 to R 25 represents a cycloalkyl group. R 23 and R 24 may be bonded to each other to form a ring.

Figure 0005130164
Figure 0005130164

一般式(II−AB)中、
11'及びR12'は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。
Z'は、結合した2つの炭素原子(C−C)を含み、脂環式構造を形成するための原子
団を表す。
In general formula (II-AB),
R 11 ′ and R 12 ′ each independently represents a hydrogen atom, a cyano group, a halogen atom or an alkyl group.
Z ′ represents an atomic group for forming an alicyclic structure containing two bonded carbon atoms (C—C).

一般式(II−AB)は、下記一般式(II−AB1)又は一般式(II−AB2)であることが好ましい。   The general formula (II-AB) is preferably the following general formula (II-AB1) or general formula (II-AB2).

Figure 0005130164
Figure 0005130164

一般式(II−AB1)及び(II−AB2)中、
13'〜R16'は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、−COOH、−COOR5、酸の作用により分解する基、−C(=O)−X−A'−R17'、アルキル基又は
シクロアルキル基を表す。Rl3'〜R16'の内の少なくとも2つが結合して環を形成してもよい。
5は、アルキル基、シクロアルキル基又はラクトン構造を有する基を表す。
Xは、酸素原子、硫黄原子、−NH−、−NHSO2−又は−NHSO2NH−を表す。
A'は、単結合又は2価の連結基を表す。
17'は、−COOH、−COOR5、−CN、水酸基、アルコキシ基、−CO−NH−R6、−CO−NH−SO2−R6又はラクトン構造を有する基を表す。
6は、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
nは0又は1を表す。
In general formulas (II-AB1) and (II-AB2),
R 13 ′ to R 16 ′ each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, —COOH, —COOR 5 , a group that decomposes by the action of an acid, —C (═O) —XA′—R. 17 ′ represents an alkyl group or a cycloalkyl group. At least two members out of R 13 ′ to R 16 ′ may combine to form a ring.
R 5 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or a group having a lactone structure.
X represents an oxygen atom, a sulfur atom, -NH -, - NHSO 2 - or an -NHSO 2 NH-.
A ′ represents a single bond or a divalent linking group.
R 17 ′ represents —COOH, —COOR 5 , —CN, a hydroxyl group, an alkoxy group, —CO—NH—R 6 , —CO—NH—SO 2 —R 6 or a group having a lactone structure.
R 6 represents an alkyl group or a cycloalkyl group.
n represents 0 or 1.

一般式(pI)〜(pV)に於ける、R12〜R25のアルキル基としては、炭素数1〜4個の直鎖もしくは分岐のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基等を挙げることができる。 In the general formulas (pI) to (pV), the alkyl group of R 12 to R 25 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, n -Propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group and the like can be mentioned.

12〜R25に於ける、シクロアルキル基或いはZと炭素原子が形成するシクロアルキル基は、単環式でも、多環式でもよい。具体的には、炭素数5以上のモノシクロ、ビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができる。その炭素数は6〜30個が好ましく、特に炭素数7〜25個が好ましい。 The cycloalkyl group or the cycloalkyl group formed by Z and the carbon atom in R 12 to R 25 may be monocyclic or polycyclic. Specific examples include groups having a monocyclo, bicyclo, tricyclo, tetracyclo structure or the like having 5 or more carbon atoms. The carbon number is preferably 6-30, and particularly preferably 7-25.

好ましいシクロアルキル基としては、アダマンチル基、ノルアダマンチル基、デカリン残基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基を挙げることができる。より好ましくは、アダマンチ
ル基、ノルボルニル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、テトラシクロドデカニル基、トリシクロデカニル基を挙げることができる。
Preferred cycloalkyl groups include adamantyl group, noradamantyl group, decalin residue, tricyclodecanyl group, tetracyclododecanyl group, norbornyl group, cedrol group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, A cyclodecanyl group and a cyclododecanyl group can be mentioned. More preferable examples include an adamantyl group, norbornyl group, cyclohexyl group, cyclopentyl group, tetracyclododecanyl group, and tricyclodecanyl group.

これらのアルキル基、シクロアルキル基は、更なる置換基を有していてもよい。これらのアルキル基、シクロアルキル基の更なる置換基としては、アルキル基(炭素数1〜4)、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基(炭素数1〜4)、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基(炭素数2〜6)が挙げられる。上記のアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基等が、更に有していてもよい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げることができる。   These alkyl groups and cycloalkyl groups may have a further substituent. As further substituents of these alkyl groups and cycloalkyl groups, alkyl groups (1 to 4 carbon atoms), halogen atoms, hydroxyl groups, alkoxy groups (1 to 4 carbon atoms), carboxyl groups, alkoxycarbonyl groups (carbon numbers) 2-6). Examples of the substituent that the alkyl group, alkoxy group, alkoxycarbonyl group and the like may further have include a hydroxyl group, a halogen atom, and an alkoxy group.

上記樹脂における一般式(pI)〜(pV)で表される構造は、アルカリ可溶性基の保護に使用することができる。アルカリ可溶性基としては、この技術分野において公知の種々の基が挙げられる。   The structures represented by the general formulas (pI) to (pV) in the resin can be used for protecting alkali-soluble groups. Examples of the alkali-soluble group include various groups known in this technical field.

具体的には、カルボン酸基、スルホン酸基、フェノール基、チオール基の水素原子が、一般式(pI)〜(pV)で表される構造で置換された構造等が挙げられ、好ましくは、カルボン酸基、スルホン酸基の水素原子が、一般式(pI)〜(pV)で表される構造で置換された構造である。   Specific examples include a structure in which a hydrogen atom of a carboxylic acid group, a sulfonic acid group, a phenol group, or a thiol group is substituted with a structure represented by the general formulas (pI) to (pV). This is a structure in which a hydrogen atom of a carboxylic acid group or a sulfonic acid group is substituted with a structure represented by general formulas (pI) to (pV).

一般式(pI)〜(pV)で表される構造で保護されたアルカリ可溶性基を有する繰り返し単位としては、下記一般式(pA)で表される繰り返し単位が好ましい。   As the repeating unit having an alkali-soluble group protected by a structure represented by the general formulas (pI) to (pV), a repeating unit represented by the following general formula (pA) is preferable.

Figure 0005130164
Figure 0005130164

一般式(pA)に於いて、
Rは、水素原子、ハロゲン原子又は1〜4個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。複数のRは、各々同じでも異なっていてもよい。
Aは、単結合、アルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルホンアミド基、ウレタン基及びウレア基よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを表す。好ましくは、単結合である。
Rpは、一般式(pI)〜(pV)のいずれかの基を表す。
In the general formula (pA),
R represents a hydrogen atom, a halogen atom or a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. A plurality of R may be the same or different.
A represents a single bond, an alkylene group, an ether group, a thioether group, a carbonyl group, an ester group, an amide group, a sulfonamide group, a urethane group or a urea group, or a combination of two or more groups. Represent. Preferably, it is a single bond.
Rp 1 represents any group of the general formulas (pI) to (pV).

一般式(pA)で表される繰り返し単位は、最も好ましくは、2−アルキル−2−アダマンチル(メタ)アクリレート、ジアルキル(1−アダマンチル)メチル(メタ)アクリレートによる繰り返し単位である。   The repeating unit represented by the general formula (pA) is most preferably a repeating unit of 2-alkyl-2-adamantyl (meth) acrylate and dialkyl (1-adamantyl) methyl (meth) acrylate.

以下、一般式(pA)で表される繰り返し単位の具体例を示すが、本発明は、これに限定されるものではない。   Hereinafter, although the specific example of the repeating unit represented by general formula (pA) is shown, this invention is not limited to this.

Figure 0005130164
Figure 0005130164

前記一般式(II−AB)に於ける、R11'及びR12'のハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げることができる。
11'及びR12'のアルキル基としては、炭素数1〜10個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基が挙げられる。
Z'の脂環式構造を形成するための原子団は、置換基を有していてもよい脂環式炭化水
素構造を有する繰り返し単位を形成する原子団であり、中でも有橋式の脂環式炭化水素構造を有する繰り返し単位を形成する原子団が好ましい。
In the general formula (II-AB), examples of the halogen atom for R 11 ′ and R 12 ′ include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, and an iodine atom.
Examples of the alkyl group for R 11 ′ and R 1 2 ′ include linear or branched alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms.
The atomic group for forming the alicyclic structure of Z ′ is an atomic group that forms a repeating unit having an alicyclic hydrocarbon structure which may have a substituent, and in particular, a bridged alicyclic ring An atomic group forming a repeating unit having the formula hydrocarbon structure is preferred.

形成される脂環式炭化水素の骨格としては、例えば、前記一般式(pI)〜(pV)に於けるR12〜R25の脂環式炭化水素基と同様のものが挙げられる。 Examples of the skeleton of the alicyclic hydrocarbon formed include the same alicyclic hydrocarbon groups as R 12 to R 25 in the general formulas (pI) to (pV).

脂環式炭化水素構造の骨格は、置換基を有していてもよい。そのような置換基としては、前記一般式(II−AB1)又は(II−AB2)中のR13'〜R16'を挙げることができる。 The skeleton of the alicyclic hydrocarbon structure may have a substituent. Examples of such a substituent include R 13 ′ to R 16 ′ in the general formula (II-AB1) or (II-AB2).

樹脂(B2)に於いては、酸の作用により分解する基は、前記一般式(pI)〜一般式(pV)で表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位、一般式(II−AB)で表される繰り返し単位、及び後記共重合成分の繰り返し単位の内の少なくとも1種類の繰り返し単位に有することができる。   In the resin (B2), the group decomposed by the action of an acid is a repeating unit having a partial structure containing an alicyclic hydrocarbon represented by the general formula (pI) to the general formula (pV), a general formula It can be contained in at least one type of repeating unit among the repeating unit represented by (II-AB) and the repeating unit of the copolymerization component described later.

一般式(II−AB1)又は一般式(II−AB2)に於けるR13'〜R16'の各種置換基は、上記一般式(II−AB)に於ける脂環式炭化水素構造を形成するための原子団乃至有橋脂環式炭化水素構造を形成するための原子団Zの置換基ともなり得る。 Various substituents of R 13 ′ to R 16 ′ in general formula (II-AB1) or general formula (II-AB2) form an alicyclic hydrocarbon structure in general formula (II-AB). It can also be a substituent for the atomic group Z for forming an atomic group for forming a bridged alicyclic hydrocarbon structure.

以下、一般式(II−AB1)又は一般式(II−AB2)で表される繰り返し単位の具体例を挙げるが、本発明はこれらの具体例に限定されない。   Hereinafter, although the specific example of the repeating unit represented by general formula (II-AB1) or general formula (II-AB2) is given, this invention is not limited to these specific examples.

Figure 0005130164
Figure 0005130164

樹脂(B2)は、ラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。
ラクトン構造を有する基としては、前述の一般式(I)で表されるスルホニウム塩化合物における原子団Lとして説明したものが挙げられる。好ましいラクトン構造としては、前掲の一般式(LC1−1)〜(LC1−16)のいずれかで表される構造が、より好ましいラクトン構造としては(LC1−1)、(LC1−4)、(LC1−5)、(LC1−6)、(LC1−13)、(LC1−14)が挙げられる。置換基(Rb2)についても前述の説明と同様である。
The resin (B2) preferably has a repeating unit having a group having a lactone structure.
Examples of the group having a lactone structure include those described as the atomic group L in the sulfonium salt compound represented by the aforementioned general formula (I). As a preferable lactone structure, a structure represented by any of the general formulas (LC1-1) to (LC1-16) described above is preferable, and as a more preferable lactone structure, (LC1-1), (LC1-4), ( LC1-5), (LC1-6), (LC1-13), and (LC1-14). The substituent (Rb 2 ) is the same as described above.

Figure 0005130164
Figure 0005130164

ラクトン構造部分は、置換基(Rb2)を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基(Rb2)としては、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数3〜7のシクロアルキル基、炭素数1〜8のアルコキシ基、炭素数1〜8のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基等が挙げられる。n2は、0〜4の整数を表す。n2が2以上の時、複数存在するRb2は、同一でも異なっていてもよく、また、複数存在するRb2同士が結合して環を形成してもよい。 The lactone structure moiety may or may not have a substituent (Rb 2 ). Preferred substituents (Rb 2 ) include an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 7 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group having 1 to 8 carbon atoms, and a carboxyl group. , Halogen atom, hydroxyl group, cyano group, acid-decomposable group and the like. n 2 represents an integer of 0-4. When n 2 is 2 or more, a plurality of Rb 2 may be the same or different, and a plurality of Rb 2 may be bonded to form a ring.

一般式(LC1−1)〜(LC1−16)のいずれかで表されるラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位としては、前記一般式(II−AB1)又は(II−AB2)中のR13'〜R16'の内の少なくとも1つが、一般式(LC1−1)〜(LC1−16)で表されるラクトン構造を有する基であるもの(例えば、−COOR5のR5が、一般式(LC1−1)〜(LC1−16)で表されるラクトン構造を有する基を表す)、又は下記一般
式(AI)で表される繰り返し単位を挙げることができる。
As the repeating unit having a group having a lactone structure represented by any of the general formulas (LC1-1) to (LC1-16), R 13 in the general formula (II-AB1) or (II-AB2) may be used. Wherein at least one of 'to R 16 ' is a group having a lactone structure represented by the general formulas (LC1-1) to (LC1-16) (for example, R 5 of -COOR 5 is a group represented by the general formula And (LC1-1) to (LC1-16)), or a repeating unit represented by the following general formula (AI).

Figure 0005130164
Figure 0005130164

一般式(AI)中、
Rb0は、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。Rb0のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。
Rb0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げる
ことができる。
Rb0は、水素原子、メチル基が好ましい。
Abは、単結合、アルキレン基、単環若しくは多環の脂環炭化水素構造を有する2価の連結基、エーテル基、エステル基、カルボニル基、カルボキシル基、又はこれらを組み合わせた2価の基を表す。
Abは、好ましくは、単結合、−Ab1−CO2−で表される連結基である。Ab1は、
直鎖、分岐アルキレン基、単環若しくは多環のシクロアルキレン基であり、好ましくはメチレン基、エチレン基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基である。
Vは、一般式(LC1−1)〜(LC1−16)の内のいずれかで表されるラクトン構造を有する基を表す。
In general formula (AI),
Rb 0 represents a hydrogen atom, a halogen atom, or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Preferred substituents that the alkyl group represented by Rb 0 may have include a hydroxyl group and a halogen atom.
Examples of the halogen atom for Rb 0 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
Rb 0 is preferably a hydrogen atom or a methyl group.
Ab represents a single bond, an alkylene group, a divalent linking group having a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon structure, an ether group, an ester group, a carbonyl group, a carboxyl group, or a divalent group obtained by combining these. Represent.
Ab is preferably a single bond or a linking group represented by —Ab 1 —CO 2 —. Ab 1 is
A linear, branched alkylene group, a monocyclic or polycyclic cycloalkylene group, preferably a methylene group, an ethylene group, a cyclohexyl group, an adamantyl group, or a norbornyl group.
V represents a group having a lactone structure represented by any one of the general formulas (LC1-1) to (LC1-16).

ラクトン構造を有する繰り返し単位は、通常光学異性体が存在するが、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、1種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体混合して用いてもよい。1種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度(ee)が90以上のものが好ましく、より好ましくは95以上である。   The repeating unit having a lactone structure usually has an optical isomer, but any optical isomer may be used. One optical isomer may be used alone, or a plurality of optical isomers may be mixed and used. When one kind of optical isomer is mainly used, the optical purity (ee) thereof is preferably 90 or more, more preferably 95 or more.

ラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。   Specific examples of the repeating unit having a group having a lactone structure are given below, but the present invention is not limited thereto.

Figure 0005130164
Figure 0005130164

Figure 0005130164
Figure 0005130164

Figure 0005130164
Figure 0005130164

樹脂(B2)は、極性基で置換された脂環炭化水素構造を有する基を有する繰り返し単位を有していることが好ましい。これにより基板密着性、現像液親和性が向上する。極性基で置換された脂環炭化水素構造の脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルナン基が好ましい。極性基としては、水酸基、シアノ基が好ましい。極性基で置換された脂環炭化水素構造を有する基としては、下記一般式(VIIa)〜(VIId)で表される基が好ましい。   The resin (B2) preferably has a repeating unit having a group having an alicyclic hydrocarbon structure substituted with a polar group. This improves the substrate adhesion and developer compatibility. The alicyclic hydrocarbon structure of the alicyclic hydrocarbon structure substituted with a polar group is preferably an adamantyl group, a diamantyl group, or a norbornane group. As the polar group, a hydroxyl group and a cyano group are preferable. As the group having an alicyclic hydrocarbon structure substituted with a polar group, groups represented by the following general formulas (VIIa) to (VIId) are preferable.

Figure 0005130164
Figure 0005130164

一般式(VIIa)〜(VIIc)中、
2c〜R4cは、各々独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、R2c〜R4cの内の少なくとも1つは、水酸基又はシアノ基を表す。好ましくはR2c〜R4cの内の1つ又は2つが水酸基で、残りが水素原子である。一般式(VIIa)に於いて、更に好ましくは、R2c〜R4cの内の2つが水酸基で、残りが水素原子である。
In general formulas (VIIa) to (VIIc),
R 2 c to R 4 c each independently represents a hydrogen atom, a hydroxyl group or a cyano group. However, at least one of R 2 c to R 4 c represents a hydroxyl group or a cyano group. Preferably, one or two of R 2 c to R 4 c are a hydroxyl group and the remaining is a hydrogen atom. In the general formula (VIIa), more preferably, two of R 2 c to R 4 c are hydroxyl groups and the rest are hydrogen atoms.

一般式(VIIa)〜(VIId)で表される基を有する繰り返し単位としては、前記一般式(II−AB1)又は(II−AB2)中のR13'〜R16'の内の少なくとも1つが、一般式(VIIa)〜(VIId)で表される基を有するもの(例えば、−COOR5のR5が一般式(VIIa)〜(VIId)で表される基を表す)、又は下記一般式(A
IIa)〜(AIId)で表される繰り返し単位を挙げることができる。
The repeating unit having a group represented by general formulas (VIIa) to (VIId) includes at least one of R 13 ′ to R 16 ′ in general formula (II-AB1) or (II-AB2). , Having a group represented by general formulas (VIIa) to (VIId) (for example, R 5 of —COOR 5 represents a group represented by general formulas (VIIa) to (VIId)), or the following general formula (A
The repeating units represented by IIa) to (AIId) can be mentioned.

Figure 0005130164
Figure 0005130164

一般式(AIIa)〜(AIId)中、
1cは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキメチル基を表す。
In general formulas (AIIa) to (AIId),
R 1 c represents a hydrogen atom, a methyl group, a trifluoromethyl group or a hydroxymethyl group.

一般式(AIIa)〜(AIIb)で表される繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明は、これらに限定されない。   Although the specific example of the repeating unit represented by general formula (AIIa)-(AIIb) is given to the following, this invention is not limited to these.

Figure 0005130164
Figure 0005130164

樹脂(B2)は、下記一般式(VIII)で表される繰り返し単位を有してもよい。   Resin (B2) may have a repeating unit represented by the following general formula (VIII).

Figure 0005130164
Figure 0005130164

一般式(VIII)に於いて、
2は、−O−又は−N(R41)−を表す。R41は、水素原子、水酸基、アルキル基又は−OSO2−R42を表す。R42は、アルキル基、シクロアルキル基又は樟脳残基を表す。R41及びR42のアルキル基は、ハロゲン原子(好ましくはフッ素原子)等で置換されていてもよい。
In general formula (VIII):
Z 2 represents —O— or —N (R 41 ) —. R 41 represents a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, or —OSO 2 —R 42 . R 42 represents an alkyl group, a cycloalkyl group or a camphor residue. The alkyl group of R 41 and R 42 may be substituted with a halogen atom (preferably a fluorine atom) or the like.

一般式(VIII)で表される繰り返し単位として、以下の具体例が挙げられるが、
本発明はこれらに限定されない。
Examples of the repeating unit represented by the general formula (VIII) include the following specific examples.
The present invention is not limited to these.

Figure 0005130164
Figure 0005130164

樹脂(B2)は、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を有することが好ましく、カルボキシル基を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。これを含有することによりコンタクトホール用途での解像性が増す。カルボキシル基を有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接カルボキシル基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖にカルボキシル基が結合している繰り返し単位、さらにはアルカリ可溶性基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入、のいずれも好ましく、連結基は単環または多環の環状炭化水素構造を有していてもよい。特に好ましくはアクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位である。
樹脂(B2)の重量平均分子量は、GPC法によりポリスチレン換算値として、4,000以下が好ましく、より好ましくは1,000〜3,000である。
樹脂(B2)の分散度(Mw/Mn)は、1.0〜3.0が好ましく、より好ましくは1.05〜2.0であり、更により好ましくは1.1〜1.7である。
The resin (B2) preferably has a repeating unit having an alkali-soluble group, and more preferably has a repeating unit having a carboxyl group. By containing this, the resolution in contact hole applications increases. The repeating unit having a carboxyl group includes a repeating unit in which a carboxyl group is directly bonded to the main chain of the resin, such as a repeating unit of acrylic acid or methacrylic acid, or a carboxyl group in the main chain of the resin through a linking group. Either a repeating unit that is bonded, or a polymerization initiator or chain transfer agent having an alkali-soluble group is introduced at the end of the polymer chain at the time of polymerization, and the linking group is a monocyclic or polycyclic hydrocarbon. You may have a structure. Particularly preferred are repeating units of acrylic acid or methacrylic acid.
The weight average molecular weight of the resin (B2) is preferably 4,000 or less, more preferably 1,000 to 3,000, in terms of polystyrene by GPC method.
The dispersity (Mw / Mn) of the resin (B2) is preferably 1.0 to 3.0, more preferably 1.05 to 2.0, and even more preferably 1.1 to 1.7. .

本発明のポジ型レジスト組成物において、樹脂(B)の組成物中の配合量は、組成物の全固形分中、40〜79質量%が好ましく、より好ましくは50〜70質量%である。   In the positive resist composition of the present invention, the blending amount of the resin (B) in the composition is preferably 40 to 79% by mass, more preferably 50 to 70% by mass, based on the total solid content of the composition.

〔3〕塩基性化合物(C)
本発明のレジスト組成物は、露光から加熱までの経時による性能変化を低減するために、塩基性化合物を含有することが好ましい。塩基性化合物は、露光により発生した酸による脱保護反応をクエンチする役割を果たし、その拡散性や塩基性度が実質的な酸拡散性に影響する。
[3] Basic compound (C)
The resist composition of the present invention preferably contains a basic compound in order to reduce the change in performance over time from exposure to heating. The basic compound serves to quench the deprotection reaction by the acid generated by exposure, and its diffusibility and basicity affect the substantial acid diffusibility.

好ましい構造として、下記式(A)〜(E)で示される構造を有する塩基性化合物を挙げることができる。   Preferable structures include basic compounds having structures represented by the following formulas (A) to (E).

Figure 0005130164
Figure 0005130164

ここでR250、R251及びR252は、各々独立に、水素原子、アルキル基(好ましくは炭
素数1〜20)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜20)又はアリール基(好ましくは炭素数6〜20)であり、ここでR250とR251は互いに結合して環を形成してもよい。
これらは置換基を有していてもよく、置換基を有するアルキル基及びシクロアルキル基としては、炭素数1〜20のアミノアルキル基又は炭素数3〜20のアミノシクロアルキル基、炭素数1〜20のヒドロキシアルキル基又は炭素数3〜20のヒドロキシシクロアルキル基が好ましい。
また、これらはアルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を含んでも良い。
Here, R 250 , R 251 and R 252 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group (preferably having 1 to 20 carbon atoms), a cycloalkyl group (preferably having 3 to 20 carbon atoms) or an aryl group (preferably carbon). Where R 250 and R 251 may combine with each other to form a ring.
These may have a substituent. Examples of the alkyl group and cycloalkyl group having a substituent include an aminoalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aminocycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms, and 1 to 1 carbon atoms. A 20 hydroxyalkyl group or a C 3-20 hydroxycycloalkyl group is preferred.
These may contain an oxygen atom, a sulfur atom, or a nitrogen atom in the alkyl chain.

式中、R253、R254、R255及びR256は、各々独立に、アルキル基(好ましくは炭素数1〜6)又はシクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜6)を示す。 In the formula, R 253 , R 254 , R 255 and R 256 each independently represents an alkyl group (preferably having 1 to 6 carbon atoms) or a cycloalkyl group (preferably having 3 to 6 carbon atoms).

好ましい化合物として、グアニジン、アミノピロリジン、ピラゾール、ピラゾリン、ピペラジン、アミノモルホリン、アミノアルキルモルフォリン、ピペリジンを挙げることができ、置換基を有していてもよい。更に好ましい化合物として、イミダゾール構造、ジアザビシクロ構造、オニウムヒドロキシド構造、オニウムカルボキシレート構造、トリアルキルアミン構造、アニリン構造又はピリジン構造を有する化合物、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体等を挙げることができる。   Preferable compounds include guanidine, aminopyrrolidine, pyrazole, pyrazoline, piperazine, aminomorpholine, aminoalkylmorpholine, and piperidine, and may have a substituent. More preferable compounds include compounds having an imidazole structure, a diazabicyclo structure, an onium hydroxide structure, an onium carboxylate structure, a trialkylamine structure, an aniline structure or a pyridine structure, an alkylamine derivative having a hydroxyl group and / or an ether bond, a hydroxyl group and / or Or the aniline derivative which has an ether bond etc. can be mentioned.

イミダゾール構造を有する化合物としてはイミダゾール、2、4、5−トリフェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール等があげられる。ジアザビシクロ構造を有する化合物としては1、4−ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン、1、5−ジアザビシクロ[4,3,0]ノナ−5−エン、1、8−ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデカ−7−エンなどがあげられる。オニウムヒドロキシド構造を有する化合物としてはトリアリールスルホニウムヒドロキシド、フェナシルスルホニウムヒドロキシド、2−オキソアルキル基を有するスルホニウムヒドロキシド、具体的にはトリフェニルスルホニウムヒドロキシド、トリス(t−ブチルフェニル)スルホニウムヒドロキシド、ビス(t−ブチルフェニル)ヨ
ードニウムヒドロキシド、フェナシルチオフェニウムヒドロキシド、2−オキソプロピルチオフェニウムヒドロキシドなどがあげられる。オニウムカルボキシレート構造を有する化合物としてはオニウムヒドロキシド構造を有する化合物のアニオン部がカルボキシレートになったものであり、例えばアセテート、アダマンタン−1−カルボキシレート、パーフロロアルキルカルボキシレート等があげられる。トリアルキルアミン構造を有する化合物としては、トリ(n−ブチル)アミン、トリ(n−オクチル)アミン等を挙げることができる。アニリン化合物としては、2,6−ジイソプロピルアニリン、N,N−ジメチルアニリン等を挙げることができる。水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリス(メトキシエトキシエチル)アミン等を挙げることができる。水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体としては、N,N−ビス(ヒドロキシエチル)アニリン等を挙げることができる。
Examples of the compound having an imidazole structure include imidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, benzimidazole, and the like. Examples of the compound having a diazabicyclo structure include 1,4-diazabicyclo [2,2,2] octane, 1,5-diazabicyclo [4,3,0] non-5-ene, and 1,8-diazabicyclo [5,4,0. ] Undec-7-ene. Examples of the compound having an onium hydroxide structure include triarylsulfonium hydroxide, phenacylsulfonium hydroxide, sulfonium hydroxide having a 2-oxoalkyl group, specifically triphenylsulfonium hydroxide, tris (t-butylphenyl) sulfonium. Examples thereof include hydroxide, bis (t-butylphenyl) iodonium hydroxide, phenacylthiophenium hydroxide, and 2-oxopropylthiophenium hydroxide. The compound having an onium carboxylate structure is a compound having an onium hydroxide structure in which the anion moiety is converted to a carboxylate, and examples thereof include acetate, adamantane-1-carboxylate, and perfluoroalkylcarboxylate. Examples of the compound having a trialkylamine structure include tri (n-butyl) amine and tri (n-octyl) amine. Examples of aniline compounds include 2,6-diisopropylaniline and N, N-dimethylaniline. Examples of the alkylamine derivative having a hydroxyl group and / or an ether bond include ethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, and tris (methoxyethoxyethyl) amine. Examples of aniline derivatives having a hydroxyl group and / or an ether bond include N, N-bis (hydroxyethyl) aniline.

更に、フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物から選ばれる少なくとも1種類の含窒素化合物を挙げることができる。   Further, at least one nitrogen-containing compound selected from an amine compound having a phenoxy group, an ammonium salt compound having a phenoxy group, an amine compound having a sulfonic acid ester group, and an ammonium salt compound having a sulfonic acid ester group can be exemplified. .

アミン化合物は、1級、2級、3級のアミン化合物を使用することができ、少なくとも1つのアルキル基が窒素原子に結合しているアミン化合物が好ましい。アミン化合物は、3級アミン化合物であることがより好ましい。アミン化合物は、少なくとも1つのアルキル基(好ましくは炭素数1〜20)が窒素原子に結合していれば、アルキル基の他に、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜20)又はアリール基(好ましくは炭素数6〜12)が窒素原子に結合していてもよい。
また、アミン化合物は、アルキル鎖中に、酸素原子を有し、オキシアルキレン基が形成されていることが好ましい。オキシアルキレン基の数は、分子内に1つ以上、好ましくは3〜9個、さらに好ましくは4〜6個である。オキシアルキレン基の中でもオキシエチレン基(−CH2CH2O−)もしくはオキシプロピレン基(−CH(CH3)CH2O−もしくは−CH2CH2CH2O−)が好ましく、さらに好ましくはオキシエチレン基である。
As the amine compound, a primary, secondary or tertiary amine compound can be used, and an amine compound in which at least one alkyl group is bonded to a nitrogen atom is preferable. The amine compound is more preferably a tertiary amine compound. As long as at least one alkyl group (preferably having 1 to 20 carbon atoms) is bonded to a nitrogen atom, the amine compound has an cycloalkyl group (preferably having 3 to 20 carbon atoms) or an aryl group (preferably having 3 to 20 carbon atoms). Preferably C6-C12) may be bonded to a nitrogen atom.
The amine compound preferably has an oxygen atom in the alkyl chain and an oxyalkylene group is formed. The number of oxyalkylene groups is one or more in the molecule, preferably 3 to 9, and more preferably 4 to 6. Among the oxyalkylene groups, an oxyethylene group (—CH 2 CH 2 O—) or an oxypropylene group (—CH (CH 3 ) CH 2 O— or —CH 2 CH 2 CH 2 O—) is preferable, and more preferably oxy Ethylene group.

アンモニウム塩化合物は、1級、2級、3級、4級のアンモニウム塩化合物を使用することができ、少なくとも1つのアルキル基が窒素原子に結合しているアンモニウム塩化合物が好ましい。アンモニウム塩化合物は、少なくとも1つのアルキル基(好ましくは炭素数1〜20)が窒素原子に結合していれば、アルキル基の他に、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜20)又はアリール基(好ましくは炭素数6〜12)が窒素原子に結合していてもよい。
アンモニウム塩化合物は、アルキル鎖中に、酸素原子を有し、オキシアルキレン基が形成されていることが好ましい。オキシアルキレン基の数は、分子内に1つ以上、好ましくは3〜9個、さらに好ましくは4〜6個である。オキシアルキレン基の中でもオキシエチレン基(−CH2CH2O−)もしくはオキシプロピレン基(−CH(CH3)CH2O−もしくは−CH2CH2CH2O−)が好ましく、さらに好ましくはオキシエチレン基である。
アンモニウム塩化合物のアニオンとしては、ハロゲン原子、スルホネート、ボレート、フォスフェート等が挙げられるが、中でもハロゲン原子、スルホネートが好ましい。ハロゲン原子としてはクロライド、ブロマイド、アイオダイドが特に好ましく、スルホネートとしては、炭素数1〜20の有機スルホネートが特に好ましい。有機スルホネートとしては、炭素数1〜20のアルキルスルホネート、アリールスルホネートが挙げられる。アルキルスルホネートのアルキル基は置換基を有していてもよく、置換基としては例えばフッ素、塩素、臭素、アルコキシ基、アシル基、アリール基等が挙げられる。アルキルスルホネートとして、具体的にはメタンスルホネート、エタンスルホネート、ブタンスルホネート、ヘキサンスルホネート、オクタンスルホネート、ベンジルスルホネート、トリフルオロメタンスルホネート、ペンタフルオロエタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホ
ネート等が挙げられる。アリールスルホネートのアリール基としてはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環が挙げられる。ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環は置換基を有していてもよく、置換基としては炭素数1〜6の直鎖若しくは分岐アルキル基、炭素数3〜6のシクロアルキル基が好ましい。直鎖若しくは分岐アルキル基、シクロアルキル基として、具体的には、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、i−ブチル、t−ブチル、n−ヘキシル、シクロヘキシル等が挙げられる。他の置換基としては炭素数1〜6のアルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ、ニトロ、アシル基、アシルオキシ基等が挙げられる。
As the ammonium salt compound, a primary, secondary, tertiary, or quaternary ammonium salt compound can be used, and an ammonium salt compound in which at least one alkyl group is bonded to a nitrogen atom is preferable. As long as at least one alkyl group (preferably having 1 to 20 carbon atoms) is bonded to a nitrogen atom, the ammonium salt compound has a cycloalkyl group (preferably having 3 to 20 carbon atoms) or an aryl group in addition to the alkyl group. (Preferably having 6 to 12 carbon atoms) may be bonded to a nitrogen atom.
The ammonium salt compound preferably has an oxygen atom in the alkyl chain and an oxyalkylene group is formed. The number of oxyalkylene groups is one or more in the molecule, preferably 3 to 9, and more preferably 4 to 6. Among the oxyalkylene groups, an oxyethylene group (—CH 2 CH 2 O—) or an oxypropylene group (—CH (CH 3 ) CH 2 O— or —CH 2 CH 2 CH 2 O—) is preferable, and more preferably oxy Ethylene group.
Examples of the anion of the ammonium salt compound include halogen atoms, sulfonates, borates, and phosphates. Among them, halogen atoms and sulfonates are preferable. As the halogen atom, chloride, bromide, and iodide are particularly preferable. As the sulfonate, an organic sulfonate having 1 to 20 carbon atoms is particularly preferable. Examples of the organic sulfonate include alkyl sulfonates having 1 to 20 carbon atoms and aryl sulfonates. The alkyl group of the alkyl sulfonate may have a substituent, and examples of the substituent include fluorine, chlorine, bromine, alkoxy groups, acyl groups, and aryl groups. Specific examples of the alkyl sulfonate include methane sulfonate, ethane sulfonate, butane sulfonate, hexane sulfonate, octane sulfonate, benzyl sulfonate, trifluoromethane sulfonate, pentafluoroethane sulfonate, and nonafluorobutane sulfonate. Examples of the aryl group of the aryl sulfonate include a benzene ring, a naphthalene ring, and an anthracene ring. The benzene ring, naphthalene ring and anthracene ring may have a substituent, and the substituent is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a cycloalkyl group having 3 to 6 carbon atoms. Specific examples of the linear or branched alkyl group and cycloalkyl group include methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, i-butyl, t-butyl, n-hexyl, cyclohexyl and the like. Examples of the other substituent include an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a halogen atom, cyano, nitro, an acyl group, and an acyloxy group.

フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物とは、アミン化合物又はアンモニウム塩化合物のアルキル基の窒素原子と反対側の末端にフェノキシ基を有するものである。フェノキシ基は、置換基を有していてもよい。フェノキシ基の置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、カルボン酸エステル基、スルホン酸エステル基、アリール基、アラルキル基、アシルオキシ基、アリールオキシ基等が挙げられる。置換基の置換位は、2〜6位のいずれであってもよい。置換基の数は、1〜5の範囲で何れであってもよい。   The amine compound having a phenoxy group and the ammonium salt compound having a phenoxy group are those having a phenoxy group at the terminal opposite to the nitrogen atom of the alkyl group of the amine compound or ammonium salt compound. The phenoxy group may have a substituent. Examples of the substituent of the phenoxy group include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a carboxyl group, a carboxylic acid ester group, a sulfonic acid ester group, an aryl group, an aralkyl group, an acyloxy group, and an aryloxy group. Etc. The substitution position of the substituent may be any of the 2-6 positions. The number of substituents may be any in the range of 1 to 5.

フェノキシ基と窒素原子との間に、少なくとも1つのオキシアルキレン基を有することが好ましい。オキシアルキレン基の数は、分子内に1つ以上、好ましくは3〜9個、さらに好ましくは4〜6個である。オキシアルキレン基の中でもオキシエチレン基(−CH2CH2O−)もしくはオキシプロピレン基(−CH(CH3)CH2O−もしくは−CH2CH2CH2O−)が好ましく、さらに好ましくはオキシエチレン基である。 It is preferable to have at least one oxyalkylene group between the phenoxy group and the nitrogen atom. The number of oxyalkylene groups is one or more in the molecule, preferably 3 to 9, and more preferably 4 to 6. Among the oxyalkylene groups, an oxyethylene group (—CH 2 CH 2 O—) or an oxypropylene group (—CH (CH 3 ) CH 2 O— or —CH 2 CH 2 CH 2 O—) is preferable, and more preferably oxy Ethylene group.

スルホン酸エステル基を有するアミン化合物、スルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物に於ける、スルホン酸エステル基としては、アルキルスルホン酸エステル、シクロアルキル基スルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステルのいずれであっても良く、アルキルスルホン酸エステルの場合にアルキル基は炭素数1〜20、シクロアルキルスルホン酸エステルの場合にシクロアルキル基は炭素数3〜20、アリールスルホン酸エステルの場合にアリール基は炭素数6〜12が好ましい。アルキルスルホン酸エステル、シクロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステルは置換基を有していてもよく、置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、カルボン酸エステル基、スルホン酸エステル基が好ましい。   In the amine compound having a sulfonic acid ester group and the ammonium salt compound having a sulfonic acid ester group, the sulfonic acid ester group may be any of alkyl sulfonic acid ester, cycloalkyl group sulfonic acid ester, and aryl sulfonic acid ester. In the case of an alkyl sulfonate ester, the alkyl group has 1 to 20 carbon atoms, in the case of a cycloalkyl sulfonate ester, the cycloalkyl group has 3 to 20 carbon atoms, and in the case of an aryl sulfonate ester, the aryl group has 6 carbon atoms. ~ 12 are preferred. Alkyl sulfonic acid ester, cycloalkyl sulfonic acid ester, and aryl sulfonic acid ester may have a substituent. Examples of the substituent include a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a carboxyl group, a carboxylic acid ester group, and a sulfonic acid. An ester group is preferred.

スルホン酸エステル基と窒素原子との間に、少なくとも1つのオキシアルキレン基を有することが好ましい。オキシアルキレン基の数は、分子内に1つ以上、好ましくは3〜9個、さらに好ましくは4〜6個である。オキシアルキレン基の中でもオキシエチレン基(−CH2CH2O−)もしくはオキシプロピレン基(−CH(CH3)CH2O−もしくは−CH2CH2CH2O−)が好ましく、さらに好ましくはオキシエチレン基である。 It is preferable to have at least one oxyalkylene group between the sulfonate group and the nitrogen atom. The number of oxyalkylene groups is one or more in the molecule, preferably 3 to 9, and more preferably 4 to 6. Among the oxyalkylene groups, an oxyethylene group (—CH 2 CH 2 O—) or an oxypropylene group (—CH (CH 3 ) CH 2 O— or —CH 2 CH 2 CH 2 O—) is preferable, and more preferably oxy Ethylene group.

フェノキシ基を有するアミン化合物は、フェノキシ基を有する1または2級アミンとハロアルキルエーテルを加熱して反応させた後、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、テトラアルキルアンモニウム等の強塩基の水溶液を添加した後、酢酸エチル、クロロホルム等の有機溶剤で抽出することにより得ることができる。または、1または2級アミンと末端にフェノキシ基を有するハロアルキルエーテルを加熱して反応させた後、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、テトラアルキルアンモニウム等の強塩基の水溶液を添加した後、酢酸エチル、クロロホルム等の有機溶剤で抽出することにより得ることができる。   The amine compound having a phenoxy group is prepared by reacting a primary or secondary amine having a phenoxy group with a haloalkyl ether by heating, and then adding an aqueous solution of a strong base such as sodium hydroxide, potassium hydroxide or tetraalkylammonium. It can be obtained by extraction with an organic solvent such as ethyl acetate or chloroform. Alternatively, after reacting by heating a primary or secondary amine and a haloalkyl ether having a phenoxy group at the end, an aqueous solution of a strong base such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, or tetraalkylammonium is added, and then ethyl acetate, It can be obtained by extraction with an organic solvent such as chloroform.

これらの塩基性化合物は、単独であるいは2種以上で用いられる。
塩基性化合物の分子量は、250〜1000であることが好ましく、より好ましくは250〜800、更に好ましくは400〜800である。
塩基性化合物の含有量は、該組成物の全固形分に対して、1.0〜8.0質量%であることが好ましく、より好ましくは1.5〜5.0質量%、更に好ましくは2.0〜4.0質量%である。
These basic compounds are used alone or in combination of two or more.
The molecular weight of the basic compound is preferably 250 to 1000, more preferably 250 to 800, and still more preferably 400 to 800.
The content of the basic compound is preferably 1.0 to 8.0% by mass, more preferably 1.5 to 5.0% by mass, and still more preferably based on the total solid content of the composition. It is 2.0-4.0 mass%.

〔4〕固形分濃度および溶剤(D)
本発明のレジスト組成物は、上記の成分を溶剤に溶解して調製する。
冷蔵、室温等での保存による感度変動を抑制する点で、レジスト組成物中の全固形分濃度を1.0〜4.5質量%に調整することが好ましく、より好ましくは2.0〜4.0質量%、更に好ましくは2.0〜3.0質量%である。
全固形分とは、組成物から溶剤を除いたものに相当し、組成物から形成される、乾燥後の塗膜の質量に相当する。
[4] Solid content concentration and solvent (D)
The resist composition of the present invention is prepared by dissolving the above components in a solvent.
It is preferable to adjust the total solid content concentration in the resist composition to 1.0 to 4.5% by mass, more preferably 2.0 to 4% in terms of suppressing sensitivity fluctuations due to refrigeration and storage at room temperature. It is 0.0 mass%, More preferably, it is 2.0-3.0 mass%.
The total solid content corresponds to the composition obtained by removing the solvent, and corresponds to the mass of the dried coating film formed from the composition.

レジスト組成物の調製のための溶剤としては、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、2−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、2−メトキシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリドン、テトラヒドロフラン等などの有機溶剤が好ましく、更に好ましくは、シクロヘキサノン、γ−ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチルであり、特に好ましくはプロピレングリコールモノメチルエーテルである。
溶剤は、1種単独でも2種以上を混合した混合溶剤であってもよい。
全溶剤量のうち、プロピレングリコールモノメチルエーテルを50質量%以上含有することが特に好ましく、50〜80質量%含有することが最も好ましい。プロピレングリコールモノメチルエーテルと併用する溶剤としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、乳酸エチルが好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが最も好ましい。
Solvents for preparing the resist composition include ethylene dichloride, cyclohexanone, cyclopentanone, 2-heptanone, γ-butyrolactone, methyl ethyl ketone, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, 2-methoxyethyl acetate, ethylene glycol Monoethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, toluene, ethyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, N , N-dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, N-methylpyrrolidone, tetrahydrofuran, and other organic solvents Preferably, more preferably cyclohexanone, .gamma.-butyrolactone, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl lactate, and particularly preferably propylene glycol monomethyl ether.
The solvent may be a single solvent or a mixed solvent in which two or more are mixed.
Of the total amount of solvent, it is particularly preferable to contain 50% by mass or more of propylene glycol monomethyl ether, most preferably 50 to 80% by mass. As the solvent used in combination with propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, cyclohexanone and ethyl lactate are preferable, and propylene glycol monomethyl ether acetate is most preferable.

本発明のレジスト組成物には、上記成分のほかに、以下のような成分を含有してもよい。   In addition to the above components, the resist composition of the present invention may contain the following components.

〔5〕フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤(E)
本発明のレジスト組成物は、更に、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤(フッ素系界面活性剤及びシリコン系界面活性剤、フッ素原子と珪素原子の両方を含有する界面活性剤)のいずれか、あるいは2種以上を含有することが好ましい。
[5] Fluorine-based and / or silicon-based surfactant (E)
The resist composition of the present invention further includes any one of fluorine-based and / or silicon-based surfactants (fluorine-based surfactants and silicon-based surfactants, surfactants containing both fluorine atoms and silicon atoms). Or it is preferable to contain 2 or more types.

本発明のレジスト組成物がフッ素及び/又はシリコン系界面活性剤とを含有することにより、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠陥の少ないレジストパターンを与えることが可能となる。   When the resist composition of the present invention contains fluorine and / or a silicon-based surfactant, it is possible to provide a resist pattern with less adhesiveness and development defects with good sensitivity and resolution.

これらのフッ素及び/又はシリコン系界面活性剤として、例えば特開昭62−36663号公報、特開昭61−226746号公報、特開昭61−226745号公報、特開昭62−170950号公報、特開昭63−34540号公報、特開平7−230165号公報、特開平8−62834号公報、特開平9−54432号公報、特開平9−5988号公報、特開2002−277862号公報、米国特許第5405720号明細書、同5360692号明細書、同5529881号明細書、同5296330号明細書、同5436098号明細書、同5576143号明細書、同5294511号明細書、同582
4451号明細書記載の界面活性剤を挙げることができ、下記市販の界面活性剤をそのまま用いることもできる。
Examples of these fluorine and / or silicon surfactants include, for example, JP-A No. 62-36663, JP-A No. 61-226746, JP-A No. 61-226745, JP-A No. 62-170950, JP 63-34540 A, JP 7-230165 A, JP 8-62834 A, JP 9-54432 A, JP 9-5988 A, JP 2002-277862 A, US Patent Nos. 5,405,720, 5,360,692, 5,529,881, 5,296,330, 5,436,098, 5,576,143, 5,294,511, 582
The surfactant described in the specification of No. 4451 can be mentioned, and the following commercially available surfactants can also be used as they are.

使用できる市販の界面活性剤として、例えばエフトップEF301、EF303、(新
秋田化成(株)製)、フロラードFC430、431(住友スリーエム(株)製)、メガファッ
クF171、F173、F176、F189、R08(大日本インキ化学工業(株)製)、サーフロンS−382、SC101、102、103、104、105、106(旭硝子(株)製)、トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)製)等のフッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を挙げることができる。またポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工業(株)製)もシリコン系界面活性剤として用いることができる。
Examples of commercially available surfactants that can be used include F-top EF301, EF303 (manufactured by Shin-Akita Kasei Co., Ltd.), Florard FC430, 431 (manufactured by Sumitomo 3M Co., Ltd.), MegaFuck F171, F173, F176, F189, R08 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.), Surflon S-382, SC101, 102, 103, 104, 105, 106 (Asahi Glass Co., Ltd.), Troisol S-366 (Troy Chemical Co., Ltd.), etc. Fluorine type surfactant or silicon type surfactant can be mentioned. Polysiloxane polymer KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) can also be used as a silicon-based surfactant.

また、界面活性剤としては、上記に示すような公知のものの他に、テロメリゼーション法(テロマー法ともいわれる)もしくはオリゴメリゼーション法(オリゴマー法ともいわれる)により製造されたフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を有する重合体を用いた界面活性剤を用いることが出来る。フルオロ脂肪族化合物は、特開2002−90991号公報に記載された方法によって合成することが出来る。   In addition to the known surfactants described above, the surfactant is derived from a fluoroaliphatic compound produced by a telomerization method (also called telomer method) or an oligomerization method (also called oligomer method). A surfactant using a polymer having a fluoroaliphatic group can be used. The fluoroaliphatic compound can be synthesized by the method described in JP-A-2002-90991.

フルオロ脂肪族基を有する重合体としては、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート及び/又は(ポリ(オキシアルキレン))メタクリレートとの共重合体が好ましく、不規則に分布していても、ブロック共重合していてもよい。また、ポリ(オキシアルキレン)基としては、ポリ(オキシエチレン)基、ポリ(オキシプロピレン)基、ポリ(オキシブチレン)基などが挙げられ、また、ポリ(オキシエチレンとオキシプロピレンとオキシエチレンとのブロック連結体)やポリ(オキシエチレンとオキシプロピレンとのブロック連結体)など同じ鎖長内に異なる鎖長のアルキレンを有するようなユニットでもよい。さらに、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体は2元共重合体ばかりでなく、異なる2種以上のフルオロ脂肪族基を有するモノマーや、異なる2種以上の(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)などを同時に共重合した3元系以上の共重合体でもよい。   As the polymer having a fluoroaliphatic group, a copolymer of a monomer having a fluoroaliphatic group and (poly (oxyalkylene)) acrylate and / or (poly (oxyalkylene)) methacrylate is preferable and distributed irregularly. It may be block copolymerized. Examples of the poly (oxyalkylene) group include a poly (oxyethylene) group, a poly (oxypropylene) group, a poly (oxybutylene) group, and the like, and a poly (oxyethylene, oxypropylene, and oxyethylene group). A unit having different chain lengths in the same chain length, such as a block link) or poly (block link of oxyethylene and oxypropylene) may be used. Furthermore, a copolymer of a monomer having a fluoroaliphatic group and (poly (oxyalkylene)) acrylate (or methacrylate) is not only a binary copolymer but also a monomer having two or more different fluoroaliphatic groups, Further, it may be a ternary or higher copolymer obtained by simultaneously copolymerizing two or more different (poly (oxyalkylene)) acrylates (or methacrylates).

例えば、市販の界面活性剤として、メガファックF178、F−470、F−473、F−475、F−476、F−472(大日本インキ化学工業(株)製)を挙げることができる。さらに、C613基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オ
キシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、C613基を有
するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシエチレン))アクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシプロピレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、C817基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、C817基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシエチレン))アクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシプロピレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、などを挙げることができる。
Examples of commercially available surfactants include Megafac F178, F-470, F-473, F-475, F-476, and F-472 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.). Further, a copolymer of an acrylate (or methacrylate) having a C 6 F 13 group and (poly (oxyalkylene)) acrylate (or methacrylate), an acrylate (or methacrylate) having a C 6 F 13 group and (poly (oxy) (Ethylene)) acrylate (or methacrylate) and (poly (oxypropylene)) acrylate (or methacrylate) copolymer, acrylate (or methacrylate) and (poly (oxyalkylene)) acrylate having C 8 F 17 groups (or Copolymer of acrylate (or methacrylate), (poly (oxyethylene)) acrylate (or methacrylate), and (poly (oxypropylene)) acrylate (or methacrylate) having a C 8 F 17 group Coalesce, etc. Can.

フッ素及び/又はシリコン系界面活性剤の使用量は、レジスト組成物の全固形分に対して、好ましくは0.0001〜2質量%、より好ましくは0.001〜1質量%である。   The amount of fluorine and / or silicon surfactant used is preferably 0.0001 to 2% by mass, more preferably 0.001 to 1% by mass, based on the total solid content of the resist composition.

〔6〕酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する、分子量3000以下の溶解阻止化合物(F)
以下、「(F)成分」或いは「溶解阻止化合物」ともいう。
(F)酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する、分子量3000以下の溶解阻止化合物としては、220nm以下の透過性を低下させないため、Proceeding of SPIE, 2724, 355 (1996)に記載されている酸分解性基を含むコール酸誘導体の様な、酸分解性基を含有する脂環族又は脂肪族化合物が好ましい。
[6] Dissolution inhibiting compound (F) having a molecular weight of 3000 or less, which is decomposed by the action of an acid to increase the solubility in an alkaline developer.
Hereinafter, it is also referred to as “component (F)” or “dissolution inhibitor compound”.
(F) As a dissolution-inhibiting compound having a molecular weight of 3000 or less that decomposes by the action of an acid and increases its solubility in an alkaline developer, the transmittance of 220 nm or less is not lowered, so Proceeding of SPIE, 2724, 355 (1996) An alicyclic or aliphatic compound containing an acid-decomposable group is preferred, such as a cholic acid derivative containing an acid-decomposable group described in 1).

本発明のレジスト組成物を、電子線で照射する場合には、フェノール化合物のフェノール性水酸基を酸分解基で置換した構造を含有するものが好ましい。フェノール化合物としてはフェノール骨格を1〜9個含有するものが好ましく、さらに好ましくは2〜6個含有するものである。   When the resist composition of the present invention is irradiated with an electron beam, it preferably contains a structure in which the phenolic hydroxyl group of the phenol compound is substituted with an acid-decomposable group. As a phenol compound, what contains 1-9 phenol frame | skeleton is preferable, More preferably, it contains 2-6 pieces.

本発明における溶解阻止化合物の分子量は、3000以下であり、好ましくは300〜3000、更に好ましくは500〜2500である。   The molecular weight of the dissolution inhibiting compound in the present invention is 3000 or less, preferably 300 to 3000, and more preferably 500 to 2500.

溶解阻止化合物の添加量は、レジスト組成物の全固形分に対し、好ましくは3〜50質量%であり、より好ましくは5〜40質量%である。   The addition amount of the dissolution inhibiting compound is preferably 3 to 50% by mass, more preferably 5 to 40% by mass, based on the total solid content of the resist composition.

以下に溶解阻止化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。   Specific examples of the dissolution inhibiting compound are shown below, but the present invention is not limited thereto.

Figure 0005130164
Figure 0005130164

〔7〕その他の添加剤
本発明のレジスト組成物には、必要に応じてさらに染料、可塑剤、上記(E)成分以外の界面活性剤、光増感剤、及び現像液に対する溶解性を促進させる化合物等を含有させることができる。
[7] Other Additives The resist composition of the present invention further promotes solubility in dyes, plasticizers, surfactants other than the above component (E), photosensitizers, and developers as necessary. The compound to be made can be contained.

本発明で使用できる現像液に対する溶解促進性化合物は、フェノール性OH基を2個以上、又はカルボキシ基を1個以上有する分子量1,000以下の低分子化合物である。カルボキシ基を有する場合は脂環族又は脂肪族化合物が好ましい。   The dissolution accelerating compound for the developer that can be used in the present invention is a low molecular weight compound having a molecular weight of 1,000 or less and having two or more phenolic OH groups or one or more carboxy groups. When it has a carboxy group, an alicyclic or aliphatic compound is preferable.

これら溶解促進性化合物の好ましい添加量は、(A)成分の樹脂に対して2〜50質量%であり、さらに好ましくは5〜30質量%である。現像残渣抑制、現像時パターン変形防止の点で50質量%以下が好ましい。   A preferable addition amount of these dissolution promoting compounds is 2 to 50% by mass, and more preferably 5 to 30% by mass with respect to the resin of the component (A). 50 mass% or less is preferable at the point of development residue suppression and the pattern deformation prevention at the time of image development.

このような分子量1000以下のフェノール化合物は、例えば、特開平4−122938号、特開平2−28531号、米国特許第4916210号、欧州特許第219294号等に記載の方法を参考にして、当業者において容易に合成することができる。   Such phenolic compounds having a molecular weight of 1000 or less can be obtained by referring to methods described in, for example, JP-A-4-1222938, JP-A-2-28531, U.S. Pat. No. 4,916,210, European Patent 219294, and the like. Can be easily synthesized.

カルボキシル基を有する脂環族、又は脂肪族化合物の具体例としてはコール酸、デオキシコール酸、リトコール酸などのステロイド構造を有するカルボン酸誘導体、アダマンタンカルボン酸誘導体、アダマンタンジカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、シクロヘキサンジカルボン酸などが挙げられるがこれらに限定されるものではない。   Specific examples of alicyclic or aliphatic compounds having a carboxyl group include carboxylic acid derivatives having a steroid structure such as cholic acid, deoxycholic acid, lithocholic acid, adamantane carboxylic acid derivatives, adamantane dicarboxylic acid, cyclohexane carboxylic acid, cyclohexane Examples thereof include, but are not limited to, dicarboxylic acids.

本発明においては、上記(E)フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を加えることもできる。具体的には、ポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタン脂肪族エステル類、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪族エステル類等のノニオン系界面活性剤を挙げることができる。   In the present invention, a surfactant other than the above (E) fluorine-based and / or silicon-based surfactant may be added. Specifically, nonionic interfaces such as polyoxyethylene alkyl ethers, polyoxyethylene alkyl allyl ethers, polyoxyethylene / polyoxypropylene block copolymers, sorbitan aliphatic esters, polyoxyethylene sorbitan aliphatic esters, etc. Mention may be made of activators.

これらの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また、いくつかの組み合わせで添加することもできる。   These surfactants may be added alone or in some combination.

〔8〕パターン形成方法
本発明のレジスト組成物は、基板など支持体上に塗布され、レジスト膜を形成する。このレジスト膜の膜厚は、0.02〜0.1μmが好ましく、0.04〜0.06μmがより好ましい。
基板上に塗布する方法としては、スピン塗布が好ましく、その回転数は1000〜3000rpmが好ましい。
[8] Pattern Forming Method The resist composition of the present invention is coated on a support such as a substrate to form a resist film. The thickness of this resist film is preferably 0.02 to 0.1 μm, and more preferably 0.04 to 0.06 μm.
As a method of coating on the substrate, spin coating is preferable, and the rotation speed is preferably 1000 to 3000 rpm.

例えば、レジスト組成物を精密集積回路素子の製造に使用されるような基板(例:シリコン/二酸化シリコン被覆)上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法により塗布、乾燥し、レジスト膜を形成する。なお、予め公知の反射防止膜を塗設することもできる。
当該レジスト膜に、電子線、X線またはEUVを照射し、好ましくはベーク(加熱)を行い、現像する。これにより良好なパターンを得ることができる。
For example, a resist film is formed by applying and drying a resist composition on a substrate (eg, silicon / silicon dioxide coating) used for manufacturing a precision integrated circuit element by an appropriate application method such as a spinner or a coater. . In addition, a known antireflection film can be applied in advance.
The resist film is irradiated with an electron beam, X-rays or EUV, preferably baked (heated) and developed. Thereby, a good pattern can be obtained.

現像工程では、アルカリ現像液を次のように用いる。レジスト組成物のアルカリ現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピヘリジ
ン等の環状アミン類等のアルカリ性水溶液を使用することができる。
さらに、上記アルカリ現像液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常0.1〜20質量%である。
アルカリ現像液のpHは、通常10.0〜15.0である。
In the development step, an alkaline developer is used as follows. As an alkaline developer of the resist composition, inorganic hydroxides such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, and aqueous ammonia, primary amines such as ethylamine and n-propylamine, Secondary amines such as diethylamine and di-n-butylamine, tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine, alcohol amines such as dimethylethanolamine and triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide and the like Alkaline aqueous solutions such as quaternary ammonium salts, cyclic amines such as pyrrole and pihelidine can be used.
Furthermore, alcohols and surfactants can be added in appropriate amounts to the alkaline developer.
The alkali concentration of the alkali developer is usually from 0.1 to 20% by mass.
The pH of the alkali developer is usually from 10.0 to 15.0.

以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明の内容がこれにより限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention still in detail, the content of this invention is not limited by this.

<化合物(A)の合成>
以下の実施例において使用した化合物(A)は、特開2007−178848号公報に記載の方法に基づいて合成した。
<Synthesis of Compound (A)>
The compound (A) used in the following Examples was synthesized based on the method described in JP-A-2007-178848.

<樹脂(B)>
実施例に用いた、樹脂(B)の構造及び分子量、分散度を示す。尚、繰り返し単位の右側の数字は、モル比を表す。以下、同様とする。
<Resin (B)>
The structure, molecular weight, and dispersity of the resin (B) used in the examples are shown. The number on the right side of the repeating unit represents the molar ratio. The same shall apply hereinafter.

Figure 0005130164
Figure 0005130164


Figure 0005130164
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Figure 0005130164
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Figure 0005130164
Figure 0005130164


〔実施例1〜29及び比較例1〜3〕
<レジスト調製>
下記表に示す成分を溶剤に溶解させ固形分濃度4質量%の溶液を調製し、これを孔径0.1μmのポリエチレンフィルターでろ過してポジ型レジスト溶液を調製した。調製したポジ型レジスト溶液を下記の方法で評価し、結果を表に示した。
[Examples 1-29 and Comparative Examples 1-3]
<Resist preparation>
The components shown in the following table were dissolved in a solvent to prepare a solution having a solid content concentration of 4% by mass, and this was filtered through a polyethylene filter having a pore size of 0.1 μm to prepare a positive resist solution. The prepared positive resist solution was evaluated by the following method, and the results are shown in the table.

<レジスト評価>
上記のように調製したポジ型レジスト液をスピンコータを利用して、ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコンウエハー上に均一に塗布し、120℃90秒間加熱乾燥を行い、膜厚0.06μmのポジ型レジスト膜を形成した。このレジスト膜に対し、電子線描画装置((株)日立製作所製HL750、加速電圧50KeV)を用いて電子線照射を行った。照射後に110℃、90秒ベークし、2.38質量%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)水溶液を用いて60秒間浸漬した後、30秒間、水でリンスして乾燥した。得られたパターンを下記の方法で評価した。
<Resist evaluation>
The positive resist solution prepared as described above is uniformly applied on a silicon wafer subjected to hexamethyldisilazane treatment using a spin coater, and is heated and dried at 120 ° C. for 90 seconds to obtain a positive film thickness of 0.06 μm. A mold resist film was formed. The resist film was irradiated with an electron beam using an electron beam drawing apparatus (HL750 manufactured by Hitachi, Ltd., acceleration voltage 50 KeV). After irradiation, it was baked at 110 ° C. for 90 seconds, immersed in an aqueous 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) solution for 60 seconds, rinsed with water for 30 seconds and dried. The obtained pattern was evaluated by the following method.

[感度]
得られたパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製 S−4800)を用いて観察した。150nmライン(ライン:スペース=1:1)を解像する時の最小照射エネルギーを感度とした。
[解像度]
上記の感度を示す照射量において、たとえパターンの一部に倒れが見られたとしても分離解像が認められたラインサイズ(ライン:スペース=1:1)を限界解像サイズとし、これを解像度と定義した。
[sensitivity]
The cross-sectional shape of the obtained pattern was observed using a scanning electron microscope (S-4800, manufactured by Hitachi, Ltd.). The minimum irradiation energy when resolving a 150 nm line (line: space = 1: 1) was defined as sensitivity.
[resolution]
The line size (line: space = 1: 1) in which separation resolution is recognized even when a part of the pattern is tilted is used as the limit resolution size at the irradiation dose showing the above sensitivity, and this is the resolution. Defined.

[ラインエッジラフネス(LER)]
上記の感度を示す照射量における150nmラインパターンの長さ方向50μmにおける任意の30点について、走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製S−9220)を用いてエッジがあるべき基準線からの距離を測定し、標準偏差を求め、3σを算出した。この値が小さい程、良好な性能であることを意味する。
[Line edge roughness (LER)]
The distance from the reference line where there should be an edge using a scanning electron microscope (S-9220, manufactured by Hitachi, Ltd.) at any 30 points in the length direction of 50 μm of the 150 nm line pattern at the irradiation dose showing the sensitivity described above. Was measured, the standard deviation was obtained, and 3σ was calculated. A smaller value means better performance.

[パターンプロファイル]
上記、感度における、150nmライン(ライン:スペース=1:1)のプロファイルを走査型顕微鏡(SEM)により観察した。
[Pattern profile]
The profile of the 150 nm line (line: space = 1: 1) in the sensitivity was observed with a scanning microscope (SEM).

評価結果を表に示す。   The evaluation results are shown in the table.

Figure 0005130164
Figure 0005130164

〔塩基性化合物〕
N−1:トリオクチルアミン
N−2:1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノネン
N−3:2,4,6−トリフェニルイミダゾール
〔界面活性剤〕
W−1:メガファックF176(大日本インキ化学工業(株)製)
W−2:メガファックR08(大日本インキ化学工業(株)製)
W−3:トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)製)
W−4:ポリオキシエチレンラウリルエーテル
〔溶剤〕
S−1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)
S−2:プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)
S−3:乳酸エチル
S−4:シクロヘキサノン
[Basic compounds]
N-1: Trioctylamine N-2: 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene N-3: 2,4,6-triphenylimidazole [surfactant]
W-1: Megafuck F176 (manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.)
W-2: Megafuck R08 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.)
W-3: Troisol S-366 (manufactured by Troy Chemical Co., Ltd.)
W-4: Polyoxyethylene lauryl ether [solvent]
S-1: Propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA)
S-2: Propylene glycol monomethyl ether (PGME)
S-3: Ethyl lactate S-4: Cyclohexanone

上記結果から、本発明のレジスト組成物は、電子線リソグラフィーにおける評価において、比較例の組成物に比べて、高感度、高解像度、低LER、パターン形状良好であることが分かる。EUV露光においても同様の性能を示すものと期待される。   From the above results, it can be seen that the resist composition of the present invention has high sensitivity, high resolution, low LER, and good pattern shape as compared with the composition of the comparative example in the evaluation in electron beam lithography. It is expected to show similar performance in EUV exposure.

Claims (5)

(A)下記一般式(I)で表されるスルホニウム塩化合物を、ポジ型レジスト組成物中の全固形分に対し、少なくとも21質量%含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
Figure 0005130164
一般式(I)に於いて、
Aは、(m+1)価の連結基を表す。Aが複数ある場合、互いに結合して環状構造を形成してもよい。
Rは、1価の有機基を表す。Rが2個ある場合、互いに結合して環状構造を形成してもよい。
Lは、ラクトン環構造を表す。
-は、陰イオンを表す。
nは、1〜3の整数を表す。
mは、1又は2を表す。
A、R、Lは、それぞれ複数ある場合は、同じでも異なっていてもよい。
(A) A positive resist composition comprising at least 21% by mass of a sulfonium salt compound represented by the following general formula (I) with respect to the total solid content in the positive resist composition.
Figure 0005130164
In general formula (I),
A represents a (m + 1) -valent linking group. When there are a plurality of A, they may be bonded to each other to form a cyclic structure.
R represents a monovalent organic group. When there are two R, they may be bonded to each other to form a cyclic structure.
L represents a lactone ring structure.
X represents an anion.
n represents an integer of 1 to 3.
m represents 1 or 2.
When there are a plurality of A, R and L, they may be the same or different.
(B)重量平均分子量4000以下で、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂を含有することを特徴とする請求項1に記載のポジ型レジスト組成物。   2. The positive resist composition according to claim 1, further comprising (B) a resin having a weight average molecular weight of 4000 or less, decomposed by the action of an acid, and increased in solubility in an alkali developer. 一般式(I)に於ける、Aの(m+1)価の連結基が、芳香環を有することを特徴とする請求項1又は2に記載のポジ型レジスト組成物。   3. The positive resist composition according to claim 1, wherein the (m + 1) -valent linking group of A in the general formula (I) has an aromatic ring. 一般式(I)に於ける、X-の陰イオンが、有機スルホン酸アニオン(R1-SO3 -)、有機カルボン酸アニオン(R1-CO2 -)、有機イミド酸アニオン(N-(SO2-R12、N-(SO2-R1)(CO−R1))又は有機メチド酸アニオン(C-(SO2-R13)であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。 ここで、R1は、1価の有機基を表し、複数ある場合は同じでも異なっていてもよい。 In formula (I), the anion of X is an organic sulfonate anion (R 1 —SO 3 ), an organic carboxylate anion (R 1 —CO 2 ), an organic imido acid anion (N ( SO 2 -R 1) 2, N - (SO 2 -R 1) (CO-R 1)) or an organic methide anion (C - (claims, characterized in that SO 2 -R 1) 3) is The positive resist composition according to any one of 1 to 3 . Here, R 1 represents a monovalent organic group, and when there are a plurality of R 1 groups, they may be the same or different. 請求項1〜4のいずれかに記載のレジスト組成物により、レジスト膜を形成し、該レジスト膜を電子線、X線、あるいはEUV光により露光、現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。   A pattern formation comprising a step of forming a resist film from the resist composition according to claim 1, and exposing and developing the resist film with an electron beam, an X-ray, or EUV light. Method.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS604165A (en) * 1983-06-21 1985-01-10 Taiho Yakuhin Kogyo Kk Sulfonium derivative and its preparation
JP2002255930A (en) * 2001-03-01 2002-09-11 Fuji Photo Film Co Ltd Optically acid-generating compound and positive-working photoresist composition
JP4271968B2 (en) * 2003-03-13 2009-06-03 富士フイルム株式会社 Positive or negative resist compositions and compounds
JP2006011005A (en) * 2004-06-25 2006-01-12 Toyo Ink Mfg Co Ltd Energy-line sensitive acid generator, method for generating acid and energy-line sensitive curable composition
JP4866605B2 (en) * 2005-12-28 2012-02-01 富士フイルム株式会社 Photosensitive composition, pattern forming method using the photosensitive composition, and compound used in the photosensitive composition

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