JP5121476B2 - Vacuum processing equipment - Google Patents
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Description
本発明は、真空槽内にラジカルを発生させる真空処理装置に関する。 The present invention relates to a vacuum processing apparatus that generates radicals in a vacuum chamber.
従来より、ドライエッチングや成膜には、真空槽内部でガスをプラズマ化させる真空処理装置が用いられている。 Conventionally, a vacuum processing apparatus that converts gas into plasma inside a vacuum chamber has been used for dry etching and film formation.
図7は従来の真空処理装置100を示す断面図であり、真空槽112の天井には貫通孔109が形成され、各貫通孔109にはアンテナ容器125が挿通されている。各アンテナ容器125は石英等の電波を通す誘電体材料で構成され、その内部にはアンテナ122が配置されている。
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a conventional
真空排気系119により、真空槽112内部に真空雰囲気を形成し、ガス供給系118から処理ガスを真空槽112内部に導入しながら、電源139からアンテナ122に高周波電圧を印加してマイクロ波を放出させると、マイクロ波はアンテナ容器125を通過して真空槽112内部に放出され、処理ガスがラジカル化し、ラジカル化したガスで基板107が表面処理される。
A vacuum atmosphere is formed in the
マイクロ波の漏出を防止するために、アンテナ容器125の貫通孔109内に挿通された部分の周囲は筒状の導電性シールド133で囲まれている。
導電性シールド133が浮遊状態であったり、真空槽112との間の電気抵抗が高いと、マイクロ波が貫通孔109内壁面に到達し、貫通孔109の内壁面と導電性シールド133との間の隙間でプラズマが発生する。そのため、導電性シールド133を確実に接地電位に接続する必要がある。
In order to prevent leakage of the microwave, the periphery of the portion inserted into the
When the
従来では、導電性シールド133の真空槽112外側開口縁部分がリング状に膨出した導電性フランジ部134を設け、導電性フランジ部134を、Oリング150を挟んで、アンテナ容器125のフランジ部130で真空槽112に押し付けていた。
Conventionally, a
Oリング150は弾性変形するから、導電性フランジ部134と真空槽112の距離が短くなって接触し、導電性フランジ部134が真空槽112に電気的に接続される。Oリング150は、復元力により導電性フランジ部134と真空槽112に気密に密着するから、Oリング150で貫通孔109周囲を取り囲めば、真空槽112の内部空間を外部から遮断することができる。
Since the O-
しかし、アンテナ容器125とそのフランジ部130は石英等の誘電体材料で構成されるため、導電性フランジ部134が真空槽112と密着するよう強く押圧すると破損する恐れがある。
However, since the
破損を防ぐために押圧する力を弱くすると、導電性フランジ部134が真空槽112から離間して浮遊状態となるか、接地電位に接続されたとしても真空槽112との間の電気抵抗が高くなって、プラズマが発生し、Oリング150がプラズマで燃えてしまう。
本発明は上記課題を解決するためのものであり、その目的は、異常放電を防止し、寿命の長い真空処理装置を提供することである。 The present invention is for solving the above-described problems, and an object thereof is to provide a vacuum processing apparatus that prevents abnormal discharge and has a long life.
上記課題を解決するために本発明は、真空槽と、アンテナ容器と、アンテナとを有し、前記アンテナ容器は、容器本体の開口の縁部分にフランジ部が設けられ、前記アンテナ容器は、前記フランジ部が前記真空槽の外側に位置し、前記容器本体が前記真空槽の貫通孔内に位置するように配置され、前記容器本体の側面の少なくとも前記貫通孔内に位置する部分には導電性シールド膜が配置され、前記アンテナは、前記容器本体内に配置され、前記アンテナに高周波電圧を印加すると、前記アンテナから前記真空槽の内部空間に向けてマイクロ波が放出される真空処理装置であって、前記フランジ部は、前記真空槽に向けられた表面に前記導電性シールド膜と電気的に接続された接地電極膜を有し、前記接地電極膜と、前記真空槽との間には、少なくとも表面に導電性物質が露出する導電性弾性部材が配置され、前記導電性弾性部材によって、前記接地電極膜と、前記真空槽とが電気的に接続された真空処理装置である。
本発明は真空処理装置であって、前記導電性弾性部材は、前記貫通孔を取り囲むリング状にされた真空処理装置である。
本発明は真空処理装置であって、前記フランジ部と前記真空槽との間には、弾性材料がリング状に成形されたオーリングが、前記貫通孔を取り囲むように配置され、前記導電性弾性部材は、前記オーリングのリング内側に位置する真空処理装置である。
In order to solve the above problems, the present invention includes a vacuum chamber, an antenna container, and an antenna, and the antenna container is provided with a flange portion at an edge portion of the opening of the container body, A flange portion is positioned outside the vacuum chamber, the container body is disposed so as to be positioned in the through hole of the vacuum chamber, and at least a portion of the side surface of the container body positioned in the through hole is electrically conductive. A shield film is disposed, and the antenna is disposed in the container body, and when a high frequency voltage is applied to the antenna, a microwave is emitted from the antenna toward the internal space of the vacuum chamber. The flange portion has a ground electrode film electrically connected to the conductive shield film on a surface directed to the vacuum chamber, and between the ground electrode film and the vacuum chamber, Without even being disposed conductive elastic member electrically conductive material are exposed on the surface, by the conductive elastic member, and the ground electrode layer, wherein the vacuum chamber is a vacuum processing apparatus which is electrically connected.
This invention is a vacuum processing apparatus, Comprising: The said electroconductive elastic member is a vacuum processing apparatus made into the ring shape surrounding the said through-hole.
The present invention is a vacuum processing apparatus, wherein an O-ring formed of an elastic material in a ring shape is disposed between the flange portion and the vacuum chamber so as to surround the through hole, and the conductive elastic The member is a vacuum processing apparatus located inside the ring of the O-ring.
接地電極膜は導電性弾性部材を介して真空槽に電気的に接続されるから、接地電極膜を強く真空槽に押し付けなくても、導電性シールドを接地電位に接続することが可能である。接地電極膜を真空槽に強く押し付ける必要が無いからフランジ部が破損しない。導電性弾性部材の外側にはオーリングが配置され、オーリングが真空槽とフランジ部に密着するから、真空槽の内部が気密に保たれる。 Since the ground electrode film is electrically connected to the vacuum chamber via the conductive elastic member, the conductive shield can be connected to the ground potential without strongly pressing the ground electrode film against the vacuum chamber. Since it is not necessary to press the ground electrode film strongly against the vacuum chamber, the flange is not damaged. Since an O-ring is disposed outside the conductive elastic member and the O-ring is in close contact with the vacuum chamber and the flange portion, the inside of the vacuum chamber is kept airtight.
図1の符号1は本発明の真空処理装置の一例を示している。
真空処理装置1は、真空槽12と、真空槽12に取り付けられたラジカル発生装置20とを有している。
ラジカル発生装置20は一又は複数のアンテナ容器25と、各アンテナ容器25内部に配置されたアンテナ22とを有している。各アンテナ容器25は同じ構造を有しており、同じ部材には同じ符号を付して説明する。
The
The
図2を参照し、アンテナ容器25は、アンテナ22を覆う容器本体24を有している。容器本体24は有底であればその形状は特に限定されないが、ここでは容器本体24の底面部分は、外側に半球状に膨出されたドーム状である。
Referring to FIG. 2, the
容器本体24の開口縁部分は、容器本体24の側面から外周方向に膨出している。図2の符号31は、その膨出部分であるベース部31を示しており、ベース部31は容器本体24と同じ材料で構成され、容器本体24の開口を取り囲むリング状になっている。
The opening edge portion of the
容器本体24の開口側根元部分の外側側面と、ベース部31の容器本体24底面側の表面には、スパッタ法や蒸着法等により金属膜(例えば銀膜)等の導電膜が密着形成されている。
A conductive film such as a metal film (for example, a silver film) is formed in close contact with the outer side surface of the opening-side base portion of the
図2の符号33は導電膜の容器本体24根元部分の外側側面に形成された部分である導電性シールドを示し、同図の符号34は導電膜のベース部31表面上に形成された部分である接地電極膜を示しており、ベース部31と接地電極膜34とでフランジ部30が構成される。
2 indicates a conductive shield which is a portion formed on the outer side surface of the base portion of the
フランジ部30の平面形状はベース部31の平面形状と略等しいから、フランジ部30は、容器本体24の開口縁部分が、容器本体24の側面から外周方向に膨出したリング状になっている。
また、導電膜は容器本体24の根元部分を取り囲むように形成されているから、導電性シールド33は筒状になっている。
Since the planar shape of the
In addition, since the conductive film is formed so as to surround the base portion of the
図2の符号40はAl等の金属製の筒(スリーブ)であり、スリーブ40を筒の中心軸線と垂直な方向に切断した切断面の内周は、導電性シールド33を筒の中心軸線と垂直な方向に切断した切断面の外周と同じか、それよりもやや大きくなっている。
スリーブ40の一端開口は外側に全周が膨出してリング状のスリーブフランジ部42が形成されており、アンテナ容器25は底面をスリーブ40内に向けて、スリーブフランジ部42が形成された側の開口から、スリーブ40の内部に挿通されている。
One end opening of the
フランジ部30のリング外周は、スリーブ40の上記切断面内周よりも大きく、フランジ部30はスリーブ40内に挿通されずに、スリーブフランジ部42に接触する。
真空槽12の一壁面(ここでは天井)には貫通孔9が形成されており、貫通孔9の外周は、スリーブ40の上記切断面の外周と同じか、やや大きくなっている。
The outer periphery of the ring of the
A through
アンテナ容器25はスリーブ40に挿通され、内部にアンテナ22が配置された状態で、容器本体24の底面を真空槽12内部に向け、真空槽12の外側から貫通孔9に押し込まれ、導電性シールド33と、容器本体24は、スリーブ40と一緒に貫通孔9内に挿通される。このとき、導電性シールド33はスリーブ40に覆われているから、導電性シールド33が貫通孔9内壁面で擦れず、破損しない。
The
スリーブフランジ部42のリング外周は貫通孔9の外周よりも大きくされており、スリーブフランジ部42とフランジ部30は貫通孔9に挿通されず、真空槽12外に留まる。
真空槽12の外側壁面の貫通孔9周囲には第一の溝51が貫通孔9を取り囲むリング状に形成され、真空槽12の外側壁面の第一の溝51の周囲には第二の溝52が第一の溝51を取り囲むリング状に形成されている。
The outer periphery of the ring of the
A
第一、第二の溝51、52内には、ゴムのように変形可能なリング状の第一、第二の弾性部材55、58が予め嵌め込まれ、第一、第二の弾性部材55、58の平面形状が第一、第二の溝51、52と略等しいリング状になっている。
押圧力を加えない状態では、第一、第二の弾性部材55、58のリング厚みは第一、第二の溝51、52の深さよりも厚く、第一、第二の弾性部材55、58の一部が第一、第二の溝51、52からそれぞれ上方に突き出ている。
In the first and
In the state where no pressing force is applied, the ring thickness of the first and second
フランジ部30のリング外周は、スリーブフランジ部42のリング外周よりも大きく、全周がスリーブフランジ部42のリング外周から外側にはみ出している。
ここでは、フランジ部30のリング外周は第二の溝52のリング外周よりも大きく、スリーブフランジ部42のリング外周は第二の溝52のリング内周より小さく、かつ、第一の溝51のリング外周よりは大きくされている。
The outer periphery of the ring of the
Here, the outer periphery of the ring of the
従って、フランジ部30が第二の弾性部材58と、スリーブフランジ部42が第一の弾性部材55とそれぞれ対面し、アンテナ容器25を真空槽12内に更に押し込むと、フランジ部30が第二の弾性部材58に、スリーブフランジ部42が第一の弾性部材55にそれぞれ押し当てられる。
Therefore, when the
アンテナ容器25は、第一、第二の弾性部材55、58が押圧されて変形するまで、真空槽12内に押し込まれた状態で、不図示の固定部材で真空槽12に取り付けられており、復元力により、第一の弾性部材55は真空槽12(第一の溝51底面)とスリーブフランジ部42にそれぞれ密着し、第二の弾性部材58は真空槽12(第二の溝52底面)とフランジ部30にそれぞれ密着する。
The
ここでは、ベース部31の真空槽12側表面全部に接地電極膜34が形成され、第二の弾性部材58は接地電極膜34表面に密着するが、図3に示したように、ベース部31の外周部分に接地電極膜34を形成せず、第二の弾性部材58をベース部31表面に密着させてもよい。
Here, the
第一、第二の弾性部材55、58のうち、少なくとも第一の弾性部材55は表面に導電材料が露出する導電性弾性部材で構成されている。例えば、第一の弾性部材55は、ゴム等の弾性材料からなるリング状の芯体56と、芯体56の表面に形成された導電層57(例えばAl層)で構成されており、真空槽12とスリーブフランジ部42は導電層57に密着し、電気的に接続される。
Of the first and second
上述したようにスリーブ40は金属製であって、スリーブフランジ部42も金属のような導電性材料で構成されている。フランジ部30の真空槽12側の面には接地電極膜34が露出しており、アンテナ容器25が真空槽12に押し込まれる時には、接地電極膜34がスリーブフランジ部42に押し付けられ、密着する。
As described above, the
従って、接地電極膜34はスリーブフランジ部42に電気的に接続され、スリーブフランジ部42と、第一の弾性部材55を介して真空槽12に電気的に接続され、真空槽12と同じ接地電位に置かれる。
Therefore, the
尚、図4に示すように、スリーブフランジ部42のリング外周を第一の溝51のリング内周よりも小さくし、第一の弾性部材55を接地電極膜34表面に直接密着させてもよい。
As shown in FIG. 4, the outer periphery of the ring of the
第一の弾性部材55は弾性変形して真空槽12とスリーブフランジ部42(又は接地電極膜34)に密着するから、弾性変形しない場合に比べて接触面積が大きく、接地電極膜34と真空槽12の間の電気抵抗が小さい。
Since the first
ここでは、導電性シールド33は接地電極膜34と同じ導電膜で一体成形されている。接地電極膜34と導電性シールド33は密着し、互いに電気的に接続されているから、導電性シールド33は、接地電極膜34と、第一の弾性部材55とを介して真空槽12に電気的に接続される。
Here, the
アンテナ22は棒状であって、取付板29の表面に立設されている。取付板29はアンテナ22が立設された面を容器本体24の内部空間に向けた状態で、ベース部31に取り付けられ、アンテナ22は先端を容器本体24底面に向けて容器本体24内に配置されている。
The
容器本体24とベース部31は石英等の誘電体を主成分とする。アンテナ22は容器本体24の内部に位置するから、導電性シールド33や接地電極膜34に接触せず、真空槽12から電気的に絶縁されている。従って、真空槽12を接地電位に置いたまま、アンテナ22に高周波電圧を印加することができる。
The
上述したように貫通孔9は第一の弾性部材55のリング内側にあり、第一の弾性部材55と真空槽12は気密に密着し、第一の弾性部材55とスリーブフランジ部42は気密に密着するから、貫通孔9には外部から大気が進入し難い。
As described above, the through
しかも、第一の弾性部材55は第二の弾性部材58で取り囲まれている。第二の弾性部材58はゴム等の弾性材料がリング状に成形されたオーリングであり、第二の弾性部材58はフランジ部30と真空槽12に気密に密着するから、フランジ部30とスリーブフランジ部42の間に例え隙間があったとしても、貫通孔9に外部から大気が進入しない。
Moreover, the first
接地電極膜34はスパッタ法や蒸着法等によりベース部31表面に密着形成され、接地電極膜34とベース部31との間に隙間が無いから、接地電極膜34とベース部31の間から大気が進入しない。
The
尚、接地電極膜34と導電性シールド33をベース部31と容器本体24に密着形成せずに、容器本体24に金属製のスリーブ40を挿通し、スリーブ40を導電性シールドとし、スリーブフランジ部42を接地電極膜としてもよい。この場合スリーブフランジ部42とベース部31の間が気密にならない虞があるから、図3に示したように、第二の弾性部材58をベース部31に密着させるとよい。
The
このように、アンテナ容器25を真空槽12に取り付けた状態では、導電性シールド33が真空槽12と同じ接地電位に置かれ、かつ、貫通孔9に大気が進入せず、真空槽12の内部空間が外部空間から遮断される。
Thus, in a state where the
真空槽12の内部圧力を外部雰囲気と略等しくしてから、固定部材を取り外せば、アンテナ容器25を真空槽12から取り外し、清掃や部品交換等のメンテナンスを行うことができる。
アンテナ容器25を溶接等で真空槽12に取り付ける場合と異なり、本発明の真空処理装置1はラジカル発生装置20を真空槽12から繰り返し着脱することができる。
If the fixing member is removed after making the internal pressure of the
Unlike the case where the
図2、図3に示すように、スリーブフランジ部42を第一の弾性部材55に、フランジ部30を第二の弾性部材58にそれぞれ密着させ、スリーブフランジ部42とフランジ部30が直接真空槽12と接触しないようにすれば、繰り返し着脱しても、フランジ部30やスリーブフランジ部42が破損し難い。
As shown in FIGS. 2 and 3, the
次に、本発明の真空処理装置1で基板を処理する工程について説明する。
真空槽12にはガス供給系18と、真空排気系19とが接続され、真空槽12内部の底面側には基板電極17が配置されている。
真空排気系19により、真空槽12内部を真空排気して真空雰囲気を形成し、該真空雰囲気を維持したまま、基板7を真空槽12内部に搬入し、基板電極17上に載置する。
Next, the process of processing a substrate with the
A
The inside of the
真空槽12の内部圧力が所定圧力まで低下後、真空排気を続けながら、ガス供給系18から処理ガスを導入し、真空槽12の内部に所定圧力の処理雰囲気を形成する。
容器本体24の底面から開口までの長さは、貫通孔9の一端から他端までの長さよりも長く、底面部分が真空槽12の内部に突き出されている。
After the internal pressure of the
The length from the bottom surface of the
上述したように導電性シールド33とスリーブ40は筒状であり、筒の一端から他端までの長さは、容器本体24の長さよりもそれぞれ短く、容器本体24の底面部分は導電性シールド33やスリーブ40に覆われずに、真空槽12内の処理雰囲気に露出している。
As described above, the
容器本体24は石英等電波が透過する誘電体で構成されており、高周波電源14からアンテナ22に2.45GHz程度の高周波電圧を印加してマイクロ波を放出させると、マイクロ波は容器本体24の底面部分を通過して真空槽12内部に放出され、マイクロ波によって処理ガスがラジカル化し、基板7表面がラジカル化した処理ガスにより処理される。
例えば、基板7表面にシリコン層が露出し、処理ガスが酸素ガスの場合は、シリコン層が酸素ガスのラジカルによって酸化され、酸化シリコン層が形成される。
The
For example, when the silicon layer is exposed on the surface of the
導電性シールド33の長さは貫通孔9と同じか、それよりもやや長く、容器本体24の貫通孔9内に位置する部分は、導電性シールド33で覆われ、アンテナ22から貫通孔9内壁面に向かうマイクロ波は、導電性シールド33に反射又は吸収される。
The length of the
ここでは、導電性シールド33の長さは貫通孔9よりも長く、導電性シールド33の一部が真空槽12の内部に突き出され、アンテナ22の真空槽12内に突き出された部分から貫通孔9内壁面に斜めに向かうマイクロ波も遮断される。
Here, the length of the
導電性シールド33が真空槽12に電気的に接続されていないか(例えば浮遊状態)、接続されていたとしても真空槽12との間の電気抵抗が大きい場合、マイクロ波は貫通孔9内壁面に到達し、スリーブ40と貫通孔9内壁面の間に隙間があると、その隙間でプラズマが発生し、第一、第二の弾性部材55、58がプラズマで焼失する恐れがある。
If the
本発明では、第二の弾性部材58が弾性変形し、真空槽12と接地電極膜34との接触面積が大きくなっているから、導電性シールド33と真空槽12との間の電気抵抗が小さくなっており、スリーブ40と貫通孔9内壁面の間に隙間があってもプラズマが発生せず、第一、第二の弾性部材55、58が焼失しない。
In the present invention, since the second
また、スリーブ40の上記切断面内周を、導電性シールド33の上記切断面外周と略等しくし、スリーブ40を導電性シールド33に密着させて一つのシールドとすれば、シールドの厚みが大きくなる分、導電性シールド33と真空槽12との間の電気抵抗をより小さくすることができる。
基板7の表面処理が終了後、真空槽12内部へのガス導入とマイクロ波の放出を停止し、基板7を真空槽12の外部に搬出する。
Further, if the inner circumference of the cut surface of the
After the surface treatment of the
上述したように、マイクロ波は貫通孔9の内壁面に到達せず、異常放電が起こらないから基板7はダメージを受けず、真空処理装置1の寿命も長い。
尚、処理ガスをラジカル化する際、電源8から基板電極17に高周波電圧を印加すれば、基板7表面に入射するラジカル等の入射エネルギーを制御できる。例えば、これにより入射エネルギーを小さくしてダメージを低減させたり、逆に入射エネルギーを大きくして処理速度を大きくすることができる。
As described above, the microwave does not reach the inner wall surface of the through
When radicalizing the processing gas, if a high frequency voltage is applied from the
以上は、アンテナ容器25をスリーブ40に挿通した状態で真空槽12に取り付ける場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
例えば、図5に示すように、アンテナ容器25をスリーブ40に挿通させずに、貫通孔9に挿通して、真空槽12に取り付けても良い。この場合、第二の弾性部材58はベース部31と接地電極膜34のいずれに密着させてもよいが、第一の弾性部材55は接地電極膜34に密着させる。
Although the case where the
For example, as shown in FIG. 5, the
更に、上記図2〜5のラジカル発生装置20では、第一の弾性部材55はリング状に限定されない。第一の弾性部材55がリング状でない場合は、1又は複数の第一の弾性部材55を、真空槽12の外壁面の貫通孔9の周囲に並べて配置し、真空槽12と接地電極膜34(又はスリーブフランジ部42)に密着させる。
第一の弾性部材55がリング状でなくても、貫通孔9は第二の弾性部材58で取り囲まれるから、真空槽12内部が気密に維持される。
Further, in the
Even if the first
また、第一の弾性部材55がリング状である場合は、図6に示すように、第二の弾性部材58を配置しなくてもよい。この場合、真空槽12の内部空間を外部空間からより確実に遮断するために、第一の弾性部材55をフランジ部30(接地電極膜34又はベース部31)に直接密着させることが望ましい。
Moreover, when the 1st
フランジ部30の構造は特に限定されない。例えば、容器本体24の開口周囲にベース部31を設けず、容器本体24の開口周囲にリング状の金属板を、容器本体24の外周方向に突き出るように配置し、フランジ部30を該金属板(接地電極膜)で構成してもよい。
The structure of the
スリーブ40は導電性であれば材質は特に限定されないが、銀等の柔らかい金属を用いると、貫通孔9内壁面と擦れて損傷するから、Al等の硬い金属を主成分とするものを用い、その厚み(筒の外周と内周の差)も、導電性シールド33の膜厚よりも厚くする方が望ましい(例えば1mm)。
The material of the
第一の弾性部材55の導電層57は全体の弾性変形を妨げない程度に膜厚を薄くすることが望ましい。導電層57と芯体56は特に限定されないが、一例を述べると、導電層57はAl等の金属を主成分とし、芯体56はバイトン(登録商標)のようなフッ素ゴムを主成分とする。
It is desirable that the
第一の弾性部材55(導電性弾性部材)の構造も限定されず、例えば、カーボンブラック等の導電材料がゴムに添加された導電性ゴムで第一の弾性部材55を構成してもよい。
第一の弾性部材55として、銅等の金属製ガスケットも用いることができるが、アンテナ容器25を繰り返し着脱する場合には用いることができない。
The structure of the first elastic member 55 (conductive elastic member) is not limited. For example, the first
A metal gasket such as copper can be used as the first
第二の弾性部材58も特に限定されないが、バイトン(登録商標)よりも誘電正接(tanδ)が小さい樹脂が好ましく、そのような樹脂としてはパーフロ(登録商標)のようなパーフルオロ樹脂がある。
Although the second
アンテナ22は特に限定されないが、アンテナ22としてマグネトロンを用いると、アンテナ22から強力なマイクロ波が放出されるから、処理ガスが高効率にラジカル化される。
Although the
処理ガスは酸素ガスに限定されず、ラジカル化して処理対象物の真空処理を行なえるガスであればよく、窒素ガスを用いて処理対象物の窒化処理を行なってもよいし、また酸化性ガス、還元性ガスを用いて処理対象物の表面処理を行なってもよい。また、フッ化ガスのようなエッチングガスを用いてエッチング処理を行ってもよい。更に、処理ガスに加えて原料ガス導入系から薄膜の原料ガスを導入し、真空槽12内で発生させた処理ガスのラジカルと、真空槽12内に導入された原料ガスとを反応させ、得られた反応生成物を処理対象物の表面に堆積させ、薄膜を成長させることができる。
The processing gas is not limited to oxygen gas, and may be any gas that can be radicalized to perform vacuum processing of the processing target. Nitrogen gas may be used for nitriding the processing target, or an oxidizing gas may be used. The surface treatment of the object to be treated may be performed using a reducing gas. Further, the etching process may be performed using an etching gas such as a fluorinated gas. Further, a thin film source gas is introduced from the source gas introduction system in addition to the process gas, and the radical of the process gas generated in the
要するに、本発明は成膜装置やエッチング装置や表面改質装置等の真空処理を行なう真空処理装置を広く含む。
貫通孔9の数は一つでもよいが、貫通孔9を複数設け、複数のアンテナ22を分散配置させれば、大面積の基板7表面に処理ガスのラジカルを均一に到達させて、大面積基板でも均一な真空処理が可能である。
In short, the present invention broadly includes vacuum processing apparatuses that perform vacuum processing such as film forming apparatuses, etching apparatuses, and surface modification apparatuses.
The number of through
1……真空処理装置 7……基板 9……貫通孔 12……真空槽 22……アンテナ 24……容器本体 25……アンテナ容器 30……フランジ部 33……導電性シールド 34……接地電極膜 55……導電性弾性部材(第一の弾性部材) 58……オーリング(第二の弾性部材)
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記アンテナ容器は、容器本体の開口の縁部分にフランジ部が設けられ、
前記アンテナ容器は、前記フランジ部が前記真空槽の外側に位置し、前記容器本体が前記真空槽の貫通孔内に位置するように配置され、
前記容器本体の側面の少なくとも前記貫通孔内に位置する部分には導電性シールド膜が配置され、
前記アンテナは、前記容器本体内に配置され、前記アンテナに高周波電圧を印加すると、前記アンテナから前記真空槽の内部空間に向けてマイクロ波が放出される真空処理装置であって、
前記フランジ部は、前記真空槽に向けられた表面に前記導電性シールド膜と電気的に接続された接地電極膜を有し、
前記接地電極膜と、前記真空槽との間には、少なくとも表面に導電性物質が露出する導電性弾性部材が配置され、
前記導電性弾性部材によって、前記接地電極膜と、前記真空槽とが電気的に接続された真空処理装置。 A vacuum chamber, an antenna container, and an antenna;
The antenna container is provided with a flange at the edge of the opening of the container body,
The antenna container is disposed such that the flange portion is located outside the vacuum chamber, and the container body is located in the through hole of the vacuum chamber,
A conductive shield film is disposed on at least a portion of the side surface of the container body located in the through hole,
The antenna is a vacuum processing apparatus that is arranged in the container body, and when a high frequency voltage is applied to the antenna, microwaves are emitted from the antenna toward the internal space of the vacuum chamber,
The flange portion has a ground electrode film electrically connected to the conductive shield film on a surface directed to the vacuum chamber,
Between the ground electrode film and the vacuum chamber, a conductive elastic member that exposes a conductive substance on at least a surface is disposed,
A vacuum processing apparatus in which the ground electrode film and the vacuum chamber are electrically connected by the conductive elastic member.
前記導電性弾性部材は、前記オーリングのリング内側に位置する請求項1又は請求項2のいずれか1項記載の真空処理装置。 Between the flange portion and the vacuum chamber, an O-ring formed of an elastic material in a ring shape is disposed so as to surround the through hole,
The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the conductive elastic member is located inside a ring of the O-ring.
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