JP5083707B2 - Method for producing alkali-free glass substrate - Google Patents

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本発明は、液晶ディスプレイ、ELディスプレイ等のフラットディスプレイ基板及び、電荷結合素子(CCD)、等倍近接型固体撮像素子(CIS)等の各種イメージセンサー、ハードディスク、フィルター等の基板として適した無アルカリガラス基板に関するものである。   The present invention is a non-alkali suitable as a substrate for flat display substrates such as liquid crystal displays and EL displays, various image sensors such as charge-coupled devices (CCD) and equal-magnification proximity solid-state imaging devices (CIS), hard disks and filters. It relates to a glass substrate.

従来、液晶ディスプレイ、ELディスプレイ等のフラットディスプレイの基板として、ガラス基板が広く用いられている。   Conventionally, glass substrates have been widely used as substrates for flat displays such as liquid crystal displays and EL displays.

特に薄膜トランジスタ型アクティブマトリックス液晶ディスプレイ(TFT−LCD)等の電子デバイスは、薄型で消費電力も少ないことから、カーナビゲーション、デジタルカメラのファインダー、パソコンのモニターやTV用など、様々な用途に使用されている。   In particular, electronic devices such as thin-film transistor active matrix liquid crystal displays (TFT-LCDs) are thin and have low power consumption, so they are used in various applications such as car navigation, digital camera finder, PC monitor and TV. Yes.

液晶ディスプレイを駆動するためには、TFT素子を代表とする駆動素子をガラス基板上に形成する必要がある。TFT素子の製造工程では、ガラス基板上に透明導電膜や絶縁膜、半導体膜、金属膜等を成膜する。さらにフォトリソグラフィ−エッチング工程において、ガラス基板を種々の熱処理や薬品処理で処理する。例えばTFT型アクティブマトリックス液晶ディスプレイでは、ガラス基板上に絶縁膜や透明導電膜を成膜する。さらにアモルファスシリコンや多結晶シリコンのTFT(薄膜トランジスタ)がフォトリソグラフィ−エッチング工程でガラス基板上に多数形成される。このような製造工程において、ガラス基板は300〜600℃の熱処理を受けると共に、硫酸、塩酸、アルカリ溶液、フッ酸、バッファードフッ酸等の種々の薬品による処理を受ける。そのためTFT液晶ディスプレイ用ガラス基板には、以下のような特性が求められる。
(1)ガラス中にアルカリ金属酸化物が含有されていると、熱処理中にアルカリイオンが成膜された半導体物質中に拡散し、膜の特性の劣化を招くため、実質的にアルカリ金属酸化物を含有しないこと。
(2)フォトリソグラフィ−エッチング工程で使用される酸、アルカリ等の溶液に対する耐性、すなわち耐薬品性に優れていること。
(3)成膜、アニール等の工程で、ガラス基板は高温に晒される。その際、ガラス基板の熱収縮率が小さいことが望まれる。つまり熱収縮率が大きいと、基板上に形成される回路のパターンずれが生じてしまうためである。熱収縮率を小さくするという観点から、ガラスの歪点は高い方が有利である。
In order to drive a liquid crystal display, it is necessary to form a driving element typified by a TFT element on a glass substrate. In the manufacturing process of a TFT element, a transparent conductive film, an insulating film, a semiconductor film, a metal film, etc. are formed on a glass substrate. Further, in the photolithography-etching process, the glass substrate is processed by various heat treatments and chemical treatments. For example, in a TFT type active matrix liquid crystal display, an insulating film or a transparent conductive film is formed on a glass substrate. Further, a large number of TFTs (thin film transistors) made of amorphous silicon or polycrystalline silicon are formed on a glass substrate by a photolithography-etching process. In such a manufacturing process, the glass substrate is subjected to heat treatment at 300 to 600 ° C., and is also subjected to treatment with various chemicals such as sulfuric acid, hydrochloric acid, alkaline solution, hydrofluoric acid, and buffered hydrofluoric acid. Therefore, the following characteristics are required for a glass substrate for a TFT liquid crystal display.
(1) If an alkali metal oxide is contained in the glass, alkali ions are diffused into the semiconductor material on which the film is formed during the heat treatment, resulting in deterioration of the film characteristics. Do not contain.
(2) Photolithography—Excellent resistance to acid, alkali, and other solutions used in the etching process, that is, chemical resistance.
(3) The glass substrate is exposed to a high temperature in processes such as film formation and annealing. At that time, it is desired that the thermal shrinkage of the glass substrate is small. That is, if the thermal contraction rate is large, the circuit pattern formed on the substrate is shifted. From the viewpoint of reducing the heat shrinkage rate, it is advantageous that the glass has a higher strain point.

また上記以外にも、TFT液晶ディスプレイ用ガラス基板には以下の特性が要求される。
(4)ガラスの溶融工程や成形工程でガラス中に異物が発生しないように、耐失透性に優れていること。特にオーバーフローダウンドロー法等のダウンドロー法によってガラスを成形する場合には、ガラスの耐失透性が重要であり、ガラス成形温度を考慮すると、その液相線温度が1200℃以下であることが要求される。
(5)液晶ディスプレイを軽量化するため、密度が低いこと。特にノート型パソコンに搭載されるガラス基板は軽量化の要求が強く、具体的には、2.50g/cm3以下であることが要求されている。
(6)表面の平坦度が高いこと。例えば液晶ディスプレイは、2枚の薄いガラス基板の間に挟まれた液晶層が、光シャッターとして働き、この層が光を遮蔽したり、透過したりすることで表示が行われる。この液晶層は、数μm〜10数μmと非常に薄い厚みに保持されている。そのため、ガラス基板の表面の平坦度、特にうねりと呼ばれるμmレベルの凹凸は、液晶層の厚み(セルギャップと呼ばれる)に影響を与えやすく、表面のうねりが大きいと、表示ムラ等の表示不良の原因となる。
In addition to the above, the following characteristics are required for a glass substrate for a TFT liquid crystal display.
(4) Excellent devitrification resistance so that no foreign matter is generated in the glass during the glass melting or forming step. In particular, when glass is formed by a downdraw method such as an overflow downdraw method, the devitrification resistance of the glass is important, and when the glass forming temperature is taken into account, the liquidus temperature may be 1200 ° C. or lower. Required.
(5) The density is low in order to reduce the weight of the liquid crystal display. In particular, a glass substrate mounted on a notebook personal computer has a strong demand for weight reduction, and specifically, it is required to be 2.50 g / cm 3 or less.
(6) The surface flatness is high. For example, in a liquid crystal display, a liquid crystal layer sandwiched between two thin glass substrates works as an optical shutter, and this layer displays light by shielding or transmitting light. This liquid crystal layer is maintained at a very thin thickness of several μm to several tens μm. Therefore, the flatness of the surface of the glass substrate, particularly the irregularities of the μm level called waviness, can easily affect the thickness of the liquid crystal layer (called cell gap). If the waviness of the surface is large, display defects such as display unevenness can occur. Cause.

また近年では、液晶ディスプレイでは、高速応答化や高精細化の目的で、セルギャップがより薄くなる傾向にあるため、これに用いられるガラス基板の表面のうねりを低減することがますます重要となってきている。ガラス基板の表面のうねりを低減するために最も有効な方法は、成形後のガラス基板の表面を精密に研磨することであるが、この方法ではガラス基板の製造コストが非常に高くなる。そのため現在では、オーバーフローダウンドロー法やフロート法等の成形法により、できるだけ表面のうねりの小さいガラス基板を成形し、無研磨の状態で、あるいは極く軽い研磨(タッチポリッシュ)を施して出荷されている。   In recent years, liquid crystal displays have a tendency to make the cell gap thinner for the purpose of high-speed response and high definition. Therefore, it is increasingly important to reduce the waviness of the surface of the glass substrate used for this purpose. It is coming. The most effective method for reducing the waviness of the surface of the glass substrate is to precisely polish the surface of the glass substrate after molding, but this method increases the manufacturing cost of the glass substrate. For that reason, glass substrates with as little surface waviness as possible are formed by molding methods such as the overflow downdraw method and the float method, and they are shipped without being polished or subjected to extremely light polishing (touch polishing). Yes.

これらの特性を満足するために種々のガラス基板が提案されている。(例えば特許文献1)
特開平8−811920号公報
In order to satisfy these characteristics, various glass substrates have been proposed. (For example, Patent Document 1)
JP-A-8-811920

ガラス基板の熱収縮率は、上記した通り、小さいほど好ましいとされている。ところが、近年ではガラス基板の熱収縮率を考慮して、回路形成時にフォトマスクによる補正を行う技術が採用されるようになってきている。その結果、中小型のガラス基板であれば、熱収縮率が十分に小さくない場合であっても、パターンずれの問題を解決することができるようになった。しかし、例えば第6世代と呼ばれるような大型のガラス基板(例えば各辺が1500mm以上のガラス基板)では、未だこの技術を採用することが難しい。   As described above, the smaller the heat shrinkage rate of the glass substrate, the better. However, in recent years, taking into account the thermal shrinkage rate of the glass substrate, a technique for performing correction using a photomask during circuit formation has been adopted. As a result, the medium-to-small glass substrate can solve the problem of pattern deviation even when the thermal shrinkage rate is not sufficiently small. However, it is still difficult to adopt this technology for a large glass substrate (for example, a glass substrate having a side of 1500 mm or more) as called the sixth generation.

本発明の目的は、回路形成時にフォトマスクによる補正が可能な大型の無アルカリガラス基板とその製造方法を提供することである。   An object of the present invention is to provide a large alkali-free glass substrate that can be corrected by a photomask during circuit formation and a method for manufacturing the same.

本発明者は種々の検討を行った結果、基板サイズが大きくなるほど、基板内の熱収縮率のばらつきが大きくなることに着目し、本発明を提案するに至った。   As a result of various studies, the present inventor has come to propose the present invention by paying attention to the fact that the variation in the thermal shrinkage rate in the substrate increases as the substrate size increases.

また本発明の無アルカリガラス基板の製造方法は、ガラス原料を溶融、成形して無アルカリガラス基板を製造する方法であって、成形時の冷却過程において、徐冷点から(徐冷点−100℃)の温度の範囲での平均冷却速度が、板幅方向中央部分で200℃/分以上であり、且つ板幅方向の中央部分と端部で100℃/分以内の差となるように調節することを特徴とする。
The method for producing an alkali-free glass substrate of the present invention is a method for producing an alkali-free glass substrate by melting and molding a glass raw material, and in the cooling process at the time of molding, from a slow cooling point (slow cooling point-100). The average cooling rate in the temperature range of 200 ° C. is adjusted to be 200 ° C./min or more at the center portion in the plate width direction and within 100 ° C./min at the center portion and the end portion in the plate width direction. It is characterized by doing.

本発明の製造方法により得られるガラス基板は、基板内の熱収縮率のばらつきが小さい。それゆえTFT回路を形成する際にフォトマスクによる補正を行うと、基板内の熱収縮が常に一定範囲にあるため、歩留まりよく安定してパターン形成を行うことができる。
The glass substrate obtained by the production method of the present invention has a small variation in thermal shrinkage rate within the substrate. Therefore, when correction using a photomask is performed at the time of forming a TFT circuit, the thermal contraction in the substrate is always within a certain range, so that pattern formation can be performed stably with high yield.

また本発明の製造方法によれば、上記したガラス基板を容易に作製することができる。   Moreover, according to the manufacturing method of this invention, an above-described glass substrate can be produced easily.

ガラス基板の熱収縮率は、板ガラス成形時の冷却速度に左右される。本発明者等の調査によれば、図2に示すように、高い冷却速度で冷却された板ガラスは熱収縮率が大きく、逆に低い速度で冷却された板ガラスは熱収縮率が小さくなる。またガラス基板は、ガラス成形装置によって連続的に板引きされているので、板引き方向では温度履歴(冷却速度)の変動が少ない。従って板引き方向では熱収縮率差が生じにくい。一方、板幅方向では温度差が生じやすく、特に中央部分と端部の温度履歴(冷却速度)が異なってしまう。それゆえ板幅方向での熱収縮率差が大きい。   The thermal shrinkage rate of the glass substrate depends on the cooling rate at the time of forming the glass sheet. According to the investigation by the present inventors, as shown in FIG. 2, the plate glass cooled at a high cooling rate has a large heat shrinkage rate, and conversely, the plate glass cooled at a low rate has a low heat shrinkage rate. Moreover, since the glass substrate is continuously drawn by the glass forming apparatus, the temperature history (cooling rate) varies little in the drawing direction. Accordingly, a difference in heat shrinkage rate is unlikely to occur in the plate drawing direction. On the other hand, a temperature difference is likely to occur in the plate width direction, and in particular, the temperature history (cooling rate) between the central portion and the end portion is different. Therefore, the difference in thermal shrinkage in the plate width direction is large.

この傾向は、板幅が大きくなればなるほど顕著になる。つまりガラス基板が大型化するに従って、1枚の基板内での熱収縮率のばらつきが大きくなってしまう。   This tendency becomes more prominent as the plate width increases. That is, as the glass substrate becomes larger, the variation in the thermal shrinkage rate within one substrate becomes larger.

本発明者等の調査によれば、(徐冷点+50℃)の温度から(徐冷点−100℃)の温度の範囲での冷却速度の違いが熱収縮率差を生じさせる原因となっていることが分かった。さらに徐冷点から(徐冷点−100℃)の温度範囲における冷却条件は、フラットパネルディスプレイ基板にとって重要な特性である板厚や歪みには大きな影響を与えないことが判明した。従って徐冷点以上の温度領域で板厚や歪みを制御し、徐冷点から(徐冷点−100℃)の温度範囲(=徐冷領域)での熱収縮率のばらつきを調整すればよい。   According to the investigation by the present inventors, the difference in the cooling rate in the temperature range from (annealing point + 50 ° C.) to (annealing point−100 ° C.) causes the difference in heat shrinkage rate. I found out. Furthermore, it has been found that the cooling conditions in the temperature range from the annealing point (annealing point−100 ° C.) do not significantly affect the plate thickness and distortion, which are important characteristics for the flat panel display substrate. Therefore, the thickness and strain are controlled in the temperature range above the annealing point, and the variation of the thermal shrinkage rate in the temperature range (= annealing region) from the annealing point (annealing point-100 ° C) may be adjusted. .

熱収縮率のばらつきを調整する手段としては、徐冷点から(徐冷点−100℃)の温度範囲において、板幅方向における冷却速度の差を小さくすればよく、具体的にはこの温度範囲において、板幅方向中央部分と端部との冷却速度差を100℃/分以内となるように調節すればよい。冷却速度は、主として板引き速度と徐冷炉内のヒーター加熱によって調整されるが、板幅方向の冷却温度差の調整には、板幅方向のヒーターの電力を調整すればよい。   As a means for adjusting the variation of the thermal shrinkage rate, the difference in the cooling rate in the plate width direction should be made small in the temperature range from the annealing point to (annealing point−100 ° C.). In this case, the cooling rate difference between the central portion in the plate width direction and the end portion may be adjusted to be within 100 ° C./min. The cooling rate is adjusted mainly by the sheet drawing speed and the heating of the heater in the slow cooling furnace. To adjust the cooling temperature difference in the sheet width direction, the power of the heater in the sheet width direction may be adjusted.

また冷却速度を高くすることによっても、熱収縮率のばらつきを小さくすることができる。つまり図2より、冷却速度が高くなればなるほど熱収縮率は大きくなるが、冷却速度が多少変化しても熱収縮率は殆ど変化しないことが分かる。   Also, the variation in the thermal shrinkage rate can be reduced by increasing the cooling rate. In other words, it can be seen from FIG. 2 that the higher the cooling rate, the greater the heat shrinkage rate, but the heat shrinkage rate hardly changes even if the cooling rate changes somewhat.

本発明の製造方法をさらに詳述する。   The production method of the present invention will be further described in detail.

まず所望の組成となるように調合したガラス原料を溶融する。ガラス原料の調合は、その用途に適した特性を有するガラス組成となるように、酸化物、硝酸塩、炭酸塩等のガラス原料、カレット等を秤量し混合すればよい。シリカガラス、ボロシリケートガラス、アルミノシリケートガラス等、ガラスの種類は特に問わないが、これらの中でもダウンドロー法、特にオーバーフローダウンドロー法で成形可能なガラスとなるように調合することが好ましい。ダウンドロー法で成形可能なガラスとは、例えばオーバーフローダウンドロー法の場合、液相粘度が104.5Pa・s以上、好ましくは105.0Pa・s以上のガラスである。なお、液相粘度は結晶が析出する時の粘度であり、液相粘度が高いほどガラス成形時に失透が発生しにくく、製造がしやすくなる。 First, a glass material prepared so as to have a desired composition is melted. The glass raw material may be prepared by weighing and mixing glass raw materials such as oxides, nitrates and carbonates, cullet and the like so as to obtain a glass composition having characteristics suitable for the application. There are no particular restrictions on the type of glass, such as silica glass, borosilicate glass, aluminosilicate glass, etc. Among them, it is preferable to prepare a glass that can be molded by the downdraw method, particularly the overflow downdraw method. For example, in the overflow downdraw method, the glass that can be formed by the downdraw method is a glass having a liquid phase viscosity of 10 4.5 Pa · s or more, preferably 10 5.0 Pa · s or more. In addition, liquid phase viscosity is a viscosity at the time of a crystal | crystallization precipitating, and devitrification does not generate | occur | produce easily at the time of glass shaping, and it becomes easy to manufacture, so that a liquid phase viscosity is high.

液晶ディスプレイ基板用途に好適なガラス組成としては、後述の通り、質量%でSiO2 50〜70%、Al23 1〜20%、B23 0〜15%、MgO 0〜30%、CaO 0〜30%、SrO 0〜30%、BaO 0〜30%、特に質量%でSiO2 50〜70%、Al23 10〜20%、B23 3〜15%、MgO 0〜15%、CaO 0〜15%、SrO 0〜15%、BaO 0〜15%含有するアルミノシリケート系無アルカリガラス組成が挙げられる。 As a glass composition suitable for the liquid crystal display substrate application, as will be described later, SiO 2 50 to 70%, Al 2 O 3 1 to 20%, B 2 O 3 0 to 15%, MgO 0 to 30% by mass%, as described later. CaO 0~30%, SrO 0~30%, BaO 0~30%, in particular SiO 2 50-70% by mass%, Al 2 O 3 10~20% , B 2 O 3 3~15%, MgO 0~ Aluminosilicate-based alkali-free glass composition containing 15%, CaO 0-15%, SrO 0-15%, BaO 0-15%.

このようにして調合したガラス原料を、ガラス溶融装置に供給して溶融する。溶融温度は、ガラスの種類に応じて適宜調節すればよく、例えば上記組成を有するガラスの場合には、1500〜1650℃程度の温度で溶融すればよい。なお本発明でいう溶融には、清澄、攪拌等の各種工程を含む。   The glass raw material thus prepared is supplied to a glass melting apparatus and melted. What is necessary is just to adjust a melting temperature suitably according to the kind of glass, for example, in the case of the glass which has the said composition, what is necessary is just to fuse | melt at the temperature of about 1500-1650 degreeC. The melting referred to in the present invention includes various steps such as clarification and stirring.

次いで溶融ガラスを板ガラス状に成形し、冷却する。ガラス基板内の熱収縮率のばらつきを少なくするためには、上記した通り、成形した板ガラスを室温まで冷却する温度領域での温度履歴を管理する必要がある。特に徐冷点から(徐冷点−100℃)の温度範囲において、冷却速度差が生じないようにすることが重要となる。具体的には、徐冷点から(徐冷点−100℃)の温度範囲での平均冷却速度の差が、板幅方向の中央部分と端部とで100℃/分以内、好ましくは50℃/分以内、さらには20℃/分以内となるように調節すればよい。   Next, the molten glass is formed into a plate glass and cooled. In order to reduce the variation of the thermal shrinkage rate in the glass substrate, as described above, it is necessary to manage the temperature history in the temperature region where the molded plate glass is cooled to room temperature. In particular, it is important to prevent a difference in cooling rate from occurring in the temperature range from the annealing point (annealing point−100 ° C.). Specifically, the difference in average cooling rate in the temperature range from the annealing point to (annealing point−100 ° C.) is within 100 ° C./min, preferably 50 ° C., between the central portion and the end portion in the plate width direction. / Min., Or even 20 ° C./min.

中央部分と端部の冷却速度の差を小さくする方法として、板幅方向中央部のヒーターの電力を下げる、端部のヒーターの電力を上げる等の方法が採用できる。   As a method for reducing the difference in cooling rate between the central portion and the end portion, methods such as lowering the power of the heater in the central portion in the plate width direction and increasing the power of the end heater can be employed.

また基板内の熱収縮率のばらつきをより小さくするために、冷却速度を高くすることが好ましい。具体的には徐冷点から(徐冷点−100℃)の温度の範囲における平均冷却速度を調節すればよい。この温度領域において、板幅方向中央部分の平均冷却速度を200℃/分以上、特に300℃/分以上、さらには350℃/分以上、さらには400℃/分以上、さらには500℃/分以上にすれば、基板内のばらつきが非常に小さいガラス基板を容易に得ることができる。なお高い冷却速度で冷却された板ガラスは、基板中央部の熱収縮率絶対値が大きい板ガラス、具体的には40ppm以上、特に50ppm以上、さらには53ppm以上、さらには55ppm、さらには57ppm以上の熱収縮率絶対値を有する板ガラスとなる。なおガラスに不適切な歪みが発生したり、成形体に過剰な負荷がかったりすることを防止するために、板幅方向中央部分における平均冷却速度の上限は1000℃/分以下であることが好ましい。また本発明における「熱収縮率絶対値」とは、常温から10℃/分の速度で昇温し、保持温度450℃で10時間保持し、10℃/分の速度で降温(図1に示す温度スケジュールで熱処理)したときの基板各部分の熱収縮率を意味する。また「平均冷却速度」とは、ガラスが徐冷領域(徐冷点から(徐冷点−100℃)の温度の範囲)に相当する区域を通過する時間を算出し、徐冷領域内の温度差を、通過時間で除することにより求めた速度を指す。   In order to reduce the variation in the thermal shrinkage rate in the substrate, it is preferable to increase the cooling rate. Specifically, the average cooling rate in the temperature range from the annealing point to (annealing point−100 ° C.) may be adjusted. In this temperature region, the average cooling rate of the central portion in the plate width direction is 200 ° C./min or more, particularly 300 ° C./min or more, further 350 ° C./min or more, more preferably 400 ° C./min or more, further 500 ° C./min. In this way, it is possible to easily obtain a glass substrate with very little variation in the substrate. The plate glass cooled at a high cooling rate is a plate glass having a large absolute value of the heat shrinkage rate at the center of the substrate, specifically 40 ppm or more, particularly 50 ppm or more, further 53 ppm or more, further 55 ppm, or even 57 ppm or more. It becomes the plate glass which has a shrinkage | contraction rate absolute value. The upper limit of the average cooling rate at the central portion in the plate width direction is preferably 1000 ° C./min or less in order to prevent inappropriate distortion in the glass or excessive load on the formed body. . In the present invention, the “absolute value of heat shrinkage rate” means that the temperature is increased from room temperature at a rate of 10 ° C./min, held at a holding temperature of 450 ° C. for 10 hours, and cooled at a rate of 10 ° C./min (shown in FIG. 1). It means the thermal contraction rate of each part of the substrate when it is heat-treated). The “average cooling rate” refers to the time during which the glass passes through the zone corresponding to the slow cooling region (the temperature range from the slow cooling point to (slow cooling point−100 ° C.)), and the temperature within the slow cooling region. It refers to the speed obtained by dividing the difference by the transit time.

平均冷却速度を変更する最も有効な方法の一つとして、板ガラスの板引き速度を変更する方法がある。板引き速度を上げれば上げるほど、ガラスの熱収縮率絶対値が大きくなり、板引き速度の変動による熱収縮率のばらつきを小さくできる。なお板引き速度を上げるには、成形されたガラスを引き延ばす引っ張りローラーの回転速度を高くすればよい。また成形工程における冷却領域(徐冷炉)がフロート法に比べて極めて短いダウンドロー法の場合は、この温度領域での平均冷却速度を容易に変更することができる。さらにダウンドロー法の一種であるオーバーフローダウンドロー法で成形すれば、表面品位に優れたガラス基板を得ることができ、研磨工程を省略することができるというメリットもある。具体的には、徐冷点から(徐冷点−100℃)の温度の範囲における板引き速度が150cm/分以上であることが好ましく、270cm/分以上、さらには320cm/分以上、特に400cm/分以上とすることが望ましい。また板引き速度の上限は特にないが、成形装置の負荷を考慮すると800cm/分以下とすることが好ましい。なおここで説明する「板引き速度」とは、ガラス基板の板幅方向中央部分が徐冷領域(徐冷点から(徐冷点−100℃)の温度の範囲にある領域)を通過する速度の平均を意味する。   One of the most effective methods for changing the average cooling rate is a method for changing the drawing speed of the plate glass. As the sheet drawing speed is increased, the absolute value of the heat shrinkage rate of the glass increases, and the variation in the heat shrinkage ratio due to fluctuations in the sheet drawing speed can be reduced. In addition, what is necessary is just to raise the rotational speed of the tension | pulling roller which extends the shape | molded glass in order to raise a plate | board drawing speed | rate. In the case of the downdraw method in which the cooling region (slow cooling furnace) in the molding process is extremely short compared to the float method, the average cooling rate in this temperature region can be easily changed. Furthermore, if it is formed by an overflow downdraw method which is a kind of downdraw method, a glass substrate having excellent surface quality can be obtained, and there is an advantage that the polishing step can be omitted. Specifically, the sheet drawing speed in the temperature range from the annealing point (annealing point−100 ° C.) is preferably 150 cm / min or more, 270 cm / min or more, further 320 cm / min or more, particularly 400 cm. / Min or more is desirable. The upper limit of the drawing speed is not particularly limited, but is preferably 800 cm / min or less in consideration of the load on the molding apparatus. In addition, the "plate drawing speed" demonstrated here is the speed which the plate width direction center part of a glass substrate passes through a slow cooling area | region (area | region in the temperature range from a slow cooling point to (slow cooling point-100 degreeC)). Means the average.

なおダウンドロー法で成形する場合、徐冷炉内では板幅方向中央部分に比べて端部の温度が低下しやすい。つまり中央部分は保温性がよいが、端部は熱が逃げやすい。従って板幅方向の冷却速度が一定となりにくく、板幅方向の熱収縮率に大きなばらつきが生じる傾向がある。それゆえ、ダウンドロー法で成形する場合、本発明方法を採用するメリットが大きいと言える。   In the case of molding by the downdraw method, the temperature at the end tends to decrease in the slow cooling furnace as compared with the central portion in the plate width direction. That is, the central portion has good heat retention, but heat easily escapes from the end portion. Therefore, the cooling rate in the plate width direction is difficult to be constant, and there is a tendency that the heat shrinkage rate in the plate width direction varies greatly. Therefore, when molding by the downdraw method, it can be said that the merit of employing the method of the present invention is great.

またガラスの板幅方向の距離が長くなると、得られるガラス基板の熱収縮率のばらつき大きくなりやすい。つまりガラスの有効幅が1500mm以上、特に1800mm以上となるように成形する場合には、成形時の冷却工程において、板幅方向での温度差が大きくなり易く、熱収縮率のばらつきが大きくなる傾向にある。それゆえ、大型のガラス基板を成形しようとする場合、本発明方法を採用するメリットが大きいと言える。   Moreover, when the distance of the glass width direction of glass becomes long, the dispersion | variation in the thermal contraction rate of the glass substrate obtained tends to become large. In other words, when the glass is formed so that the effective width is 1500 mm or more, particularly 1800 mm or more, the temperature difference in the sheet width direction tends to be large in the cooling process at the time of forming, and the variation in the thermal shrinkage rate tends to increase. It is in. Therefore, when a large glass substrate is to be molded, it can be said that the merit of employing the method of the present invention is great.

その後、板状に成形されたガラスは、所定のサイズに切断された後、端面処理、洗浄等必要な処理が施される。   Thereafter, the glass formed into a plate shape is cut into a predetermined size and then subjected to necessary processing such as end face processing and washing.

このようにして熱収縮率のばらつきが小さいガラス基板を得ることができる。   In this way, a glass substrate having a small variation in thermal shrinkage rate can be obtained.

次に、上記のようにして得られるガラス基板について説明する。
Next, a description will be given Ruga glass substrate obtained as described above.

本発明の方法により得られるガラス基板は、1枚の基板内での熱収縮率のばらつきが小さいという特徴がある。具体的には、常温から10℃/分の速度で昇温し、保持温度450℃で10時間保持し、10℃/分の速度で降温(図1に示す温度スケジュールで熱処理)したときに、基板内の熱収縮率絶対値の最大値と最小値の差が5ppm以内、好ましくは3ppm以内、さらに好ましくは1ppm以内となる。基板内の熱収縮率絶対値の最大値と最小値の差が5ppmを超える場合は、基板内でのパターンずれの差が大きくなり、フォトマスクによる補正が困難になって表示装置の生産性が著しく低下する。なお基板内の熱収縮率差を小さくするには、徐冷点から(徐冷点−100℃)の温度範囲における平均冷却速度が、ガラスの板幅方向中央部分と端部とで大きく相違しないように調節すればよい。
The glass substrate obtained by the method of the present invention is characterized by small variation in thermal shrinkage rate within one substrate. Specifically, when the temperature is raised from room temperature at a rate of 10 ° C./min, held at a holding temperature of 450 ° C. for 10 hours, and cooled at a rate of 10 ° C./min (heat treatment according to the temperature schedule shown in FIG. 1), The difference between the maximum value and the minimum value of the absolute value of the heat shrinkage rate in the substrate is within 5 ppm, preferably within 3 ppm, more preferably within 1 ppm. If the difference between the maximum value and the minimum value of the absolute value of the thermal contraction rate in the substrate exceeds 5 ppm, the difference in pattern deviation in the substrate becomes large, and correction with a photomask becomes difficult, and the productivity of the display device is reduced. It drops significantly. In order to reduce the thermal shrinkage difference in the substrate, the average cooling rate in the temperature range from the annealing point to (annealing point−100 ° C.) does not differ greatly between the central portion and the end portion of the glass in the plate width direction. Adjust as follows.

本発明の対象とするガラス基板は、短辺、長辺ともに1500mm以上、特に1800mm以上、さらには2000mm以上の無アルカリガラス基板である。このような大型のガラス基板では、熱収縮率のばらつきに対する要求が一層厳しくなる。つまり熱収縮率絶対値のばらつきが同じである場合、大型のガラス基板は小型基板に比べて、熱収縮による寸法変化のばらつきが大きくなる。それにもかかわらず、大型の基板を製造する際には、成形時の冷却工程において、板幅方向での温度差が大きくなり易く、熱収縮率のばらつきが大きくなる傾向にある。それゆえ、1枚の基板内での熱収縮率のばらつきを小さくすることが重要となる。   The glass substrate which is an object of the present invention is an alkali-free glass substrate having a short side and a long side of 1500 mm or more, particularly 1800 mm or more, and further 2000 mm or more. In such a large glass substrate, the demand for variation in the heat shrinkage rate becomes more severe. That is, when the absolute value of the thermal shrinkage rate is the same, the large glass substrate has a larger variation in dimensional change due to thermal contraction than the small substrate. Nevertheless, when manufacturing a large substrate, the temperature difference in the plate width direction tends to increase in the cooling process during molding, and the variation in thermal shrinkage tends to increase. Therefore, it is important to reduce the variation in the thermal shrinkage rate within one substrate.

また本発明の対象となるガラス基板は、高い冷却速度で作製されるガラス基板(即ち、熱収縮率絶対値が高いガラス基板)であればあるほど、1枚の基板内での熱収縮率のばらつきを小さくすることができる。つまり冷却速度が高いガラス基板は、ガラスの熱収縮率絶対値が大きくなる一方で、冷却速度が多少変動しても熱収縮率が殆ど変化しなくなり、基板内の熱収縮率差が小さくなるためである。なお高い冷却速度で作製されたガラス基板とは、徐冷点から(徐冷点−100℃)の温度の範囲における平均冷却速度が、板幅方向中央部分で200℃/分以上、特に300℃/分以上、さらには350℃/分、さらには400℃/分以上、さらには500℃/分以上で作製されたガラス基板であり、或いは基板中央部(重心付近)の熱収縮率絶対値が40ppm以上、特に50ppm以上、さらには53ppm以上、さらには55ppm以上、57ppm以上となるガラス基板である。またガラスの熱収縮率絶対値を高くすれば、冷却速度が多少変化しても熱収縮率が殆ど変わらないため、基板同士の熱収縮率のばらつきも小さいというメリットがある。   Moreover, the glass substrate which is the object of the present invention is a glass substrate produced at a high cooling rate (that is, a glass substrate having a high absolute value of the thermal shrinkage rate). Variation can be reduced. In other words, a glass substrate with a high cooling rate has a large absolute value of the heat shrinkage rate of the glass. On the other hand, even if the cooling rate varies slightly, the heat shrinkage rate hardly changes and the difference in heat shrinkage rate within the substrate becomes small. It is. The glass substrate produced at a high cooling rate means that the average cooling rate in the temperature range from the annealing point to (annealing point−100 ° C.) is 200 ° C./min or more, particularly 300 ° C. in the central part in the plate width direction. / Min or more, further 350 ° C./min, further 400 ° C./min or more, further 500 ° C./min or more, or the absolute value of the heat shrinkage rate at the center of the substrate (near the center of gravity) The glass substrate is 40 ppm or more, particularly 50 ppm or more, further 53 ppm or more, further 55 ppm or more, 57 ppm or more. Further, if the absolute value of the heat shrinkage rate of the glass is increased, the heat shrinkage rate hardly changes even if the cooling rate is slightly changed.

またガラス基板の熱収縮率絶対値が同じであれば、ガラス基板の歪点が高いほど熱収縮率変化量が小さくなる傾向にある。それゆえガラスの歪点は高い方が有利であると言える。具体的には、ガラスの歪点が630℃以上、特に650℃以上であることが好ましい。   If the absolute value of the heat shrinkage rate of the glass substrate is the same, the amount of change in the heat shrinkage rate tends to be smaller as the strain point of the glass substrate is higher. Therefore, it can be said that a higher strain point of glass is advantageous. Specifically, the strain point of the glass is preferably 630 ° C. or higher, particularly 650 ° C. or higher.

たガラス基板を構成する無アルカリガラスは、その用途に適したガラスであればシリカガラス、ボロシリケートガラス、アルミノシリケートガラス等、種々のガラスが使用可能である。中でもオーバーフローダウンドロー法で成形可能なガラスからなることが好ましい。つまり、オーバーフローダウンドロー法で成形されたガラス基板は、表面品位に優れており、研磨することなく使用に供することができるというメリットもある。なおダウンドロー法で成形されたガラス基板は、一般に板幅方向の冷却速度が一定になりにくいことから、基板内に熱収縮率のばらつきが生じやすいという傾向がある。そこで、基板内の熱収縮率のばらつきが一定範囲内となるように調節することが非常に重要となる。 Alkali-free glass constituting the or glass substrate is silica glass, if the glass suitable for the application, borosilicate glass, aluminosilicate glass, various glass can be used. Among them, it is preferable to be made of glass that can be molded by the overflow downdraw method. That is, the glass substrate formed by the overflow downdraw method has excellent surface quality and has an advantage that it can be used without being polished. Note that a glass substrate formed by the downdraw method generally has a tendency that the cooling rate in the plate width direction is hardly constant, and thus the thermal shrinkage rate tends to vary within the substrate. Therefore, it is very important to adjust so that the variation of the thermal shrinkage rate in the substrate is within a certain range.

ダウンドロー法で成形可能なガラスとは、例えばオーバーフローダウンドロー法の場合、液相粘度が104.5Pa・s以上、好ましくは105.0Pa・s以上のガラスである。 For example, in the overflow downdraw method, the glass that can be formed by the downdraw method is a glass having a liquid phase viscosity of 10 4.5 Pa · s or more, preferably 10 5.0 Pa · s or more.

また液晶ディスプレイ基板用途に好適なガラスとしては、質量%でSiO2 50〜70%、Al23 1〜20%、B23 0〜15%、MgO 0〜30%、CaO 0〜30%、SrO 0〜30%、BaO 0〜30%、好ましくは質量%でSiO2 50〜70%、Al23 10〜20%、B23 3〜15%、MgO 0〜15%、CaO 0〜15%、SrO 0〜15%、BaO 0〜15%含有するアルミノシリケート系無アルカリガラスが挙げられる。この範囲内であれば、上記要求特性を満たすガラス基板を得ることが可能である。 Also suitable glass LCD substrate applications, SiO 2 50-70% by mass%, Al 2 O 3 1~20% , B 2 O 3 0~15%, 0~30% MgO, CaO 0~30 %, SrO 0~30%, BaO 0~30 %, preferably SiO 2 50-70% by mass%, Al 2 O 3 10~20% , B 2 O 3 3~15%, 0~15% MgO, Examples include aluminosilicate-based alkali-free glass containing CaO 0 to 15%, SrO 0 to 15%, BaO 0 to 15%. Within this range, it is possible to obtain a glass substrate that satisfies the above required characteristics.

SiO2はガラスのネットワークフォーマーとなる成分である。SiO2の含有量が70%より多いと高温粘度が高くなり溶融性が悪くなり、また失透性も悪くなるため好ましくない。50%より少ないと化学的耐久性が悪くなるため好ましくない。 SiO 2 is a component that becomes a glass network former. When the content of SiO 2 is more than 70%, the high temperature viscosity is increased, the meltability is deteriorated, and the devitrification property is also deteriorated. If it is less than 50%, the chemical durability is deteriorated.

Al23は歪点を上げる成分である。Al23の含有量が20%より多いと失透性およびバッファードフッ酸に対する化学的耐久性が悪くなるため好ましくない。一方、1%より少ないと歪点が下がるため好ましくない。好ましくは10〜20%である。 Al 2 O 3 is a component that increases the strain point. If the content of Al 2 O 3 is more than 20%, devitrification and chemical durability against buffered hydrofluoric acid are deteriorated, which is not preferable. On the other hand, if it is less than 1%, the strain point is lowered, which is not preferable. Preferably it is 10 to 20%.

23は融剤として作用しガラスの溶融性を改善する成分である。B23の含有量15%より多いと歪点が下がり塩酸に対する耐薬品性が悪くなるため好ましくない。一方、少なすぎると高温粘度が高くなり溶融性が悪くなる。好ましくは3〜15%である。 B 2 O 3 is a component that acts as a flux and improves the meltability of the glass. When the content of B 2 O 3 is more than 15%, the strain point is lowered and the chemical resistance against hydrochloric acid is deteriorated, which is not preferable. On the other hand, if the amount is too small, the high-temperature viscosity becomes high and the meltability deteriorates. Preferably it is 3 to 15%.

またMgOは高温粘性を下げガラスの溶融性を改善する成分であり、0〜30%、特に0〜15%であることが好ましい。MgOの含有量が多すぎると失透性が悪くなりバッファードフッ酸に対する化学的耐久性も悪くなる。   MgO is a component that lowers the high-temperature viscosity and improves the meltability of the glass, and is preferably 0 to 30%, particularly preferably 0 to 15%. When there is too much content of MgO, devitrification will worsen and the chemical durability with respect to buffered hydrofluoric acid will also worsen.

CaOも、MgOと同じく、高温粘度を下げガラスの溶融性を改善する成分であり、その含有量は0〜30%、特に0〜15%であることが好ましい。CaOの含有量が多すぎると失透性が悪くなりバッファードフッ酸に対する化学的耐久性も悪くなるため好ましくない。   CaO, like MgO, is a component that lowers the high-temperature viscosity and improves the meltability of the glass, and its content is preferably 0 to 30%, particularly preferably 0 to 15%. If the content of CaO is too large, devitrification is deteriorated and chemical durability against buffered hydrofluoric acid is also deteriorated.

SrOは失透性および化学的耐久性を向上させる成分である。SrOの含有量が30%より多いと密度が大きくなり、高温粘度が高くなり溶融性が悪くなるため好ましくない。好適な範囲は0〜15%である。   SrO is a component that improves devitrification and chemical durability. When the content of SrO is more than 30%, the density increases, the high temperature viscosity increases, and the meltability deteriorates. The preferred range is 0-15%.

BaOもSrOと同じく、失透性および化学的耐久性を向上させるの成分であり、0〜30%、特に0〜15%であることが好ましい。BaOの含有量が多すぎると密度が大きくなり、高温粘度が高くなり溶融性が悪くなるため好ましくない。   BaO, like SrO, is a component that improves devitrification and chemical durability, and is preferably 0 to 30%, particularly preferably 0 to 15%. If the content of BaO is too large, the density increases, the high-temperature viscosity increases, and the meltability deteriorates.

なお上記以外にも種々の成分、例えば清澄剤等を必要に応じて添加することができる。   In addition to the above, various components such as a clarifying agent can be added as necessary.

以下、実施例に基づいて本発明を説明する。   Hereinafter, the present invention will be described based on examples.

まず質量%でSiO2 60%、Al23 15%、B23 10%、MgO 0%、CaO 5%、SrO 5%、BaO 2%の組成となるようにガラス原料を調合し、混合した後、連続溶融炉にて最高温度1650℃で溶融した。さらに溶融ガラスを、表1に示す種々の条件でオーバーフローダウンドロー法にて板状に成形し、徐冷した。その後、板状ガラスを切断することにより、1500×1800×0.65mmの大きさの無アルカリガラス基板を得た。このガラス基板は、歪点が650℃、徐冷点が705℃、液相粘度が105.0Pa・sの特性を有していた。なお歪点および徐冷点はファイバーエロンゲーション法で確認した。ガラスを粉砕し、標準篩30メッシュ(篩目開き500μm)を通過し、50メッシュ(篩目開き300μm)に残るガラス粉末を白金ボートに入れ、温度勾配炉中に24時間保持して、結晶の析出する温度、すなわち液相温度を測定し、その温度に相当する高温粘度から求めた。なお高温粘度は白金球引き上げ法で測定した。 First, a glass raw material is prepared so as to have a composition of SiO 2 60%, Al 2 O 3 15%, B 2 O 3 10%, MgO 0%, CaO 5%, SrO 5%, BaO 2% by mass%, After mixing, it was melted at a maximum temperature of 1650 ° C. in a continuous melting furnace. Further, the molten glass was formed into a plate shape by the overflow down draw method under various conditions shown in Table 1, and gradually cooled. Thereafter, the glass sheet was cut to obtain an alkali-free glass substrate having a size of 1500 × 1800 × 0.65 mm. This glass substrate had the characteristics of a strain point of 650 ° C., an annealing point of 705 ° C., and a liquidus viscosity of 10 5.0 Pa · s. The strain point and annealing point were confirmed by the fiber elongation method. The glass is pulverized, passed through a standard sieve 30 mesh (a sieve opening of 500 μm), and the glass powder remaining in a 50 mesh (a sieve opening of 300 μm) is put in a platinum boat and kept in a temperature gradient furnace for 24 hours. The temperature at which precipitation occurred, that is, the liquidus temperature, was measured and determined from the high temperature viscosity corresponding to that temperature. The high temperature viscosity was measured by a platinum ball pulling method.

得られたガラス基板について、板幅方向中央部及び端部におけるガラスの熱収縮率を表1に示す。   About the obtained glass substrate, Table 1 shows the thermal contraction rate of the glass in a plate width direction center part and an edge part.

表1より、板幅方向中央部と端部の冷却速度の差が小さいほど、また冷却速度が速いほど、基板内の熱収縮率のばらつきが小さいことが分かる。   From Table 1, it can be seen that the smaller the difference in the cooling rate between the central portion and the end portion in the plate width direction and the faster the cooling rate, the smaller the variation in the thermal shrinkage rate within the substrate.

なお板引き速度とは、連続的に成形されるガラス基板の板幅方向中央部が徐冷領域を通過する速度を指し、本実施例においては板幅方向中央部分の徐冷領域の中間点(徐冷点−50℃に相当する位置)に測定用ローラを当接させて測定したものである。徐冷領域とは、板幅方向各部分において、徐冷点から(徐冷点−100℃)の温度の範囲に相当する領域を意味し、本実施例では、705℃から605℃へ降温される領域を指す。また平均冷却速度とは、ガラスが徐冷領域に相当する区域を通過する時間を算出し、中央部又は端部の徐冷領域内の温度差を、通過時間で除することにより求めた速度を指す。   The sheet drawing speed refers to the speed at which the central portion of the continuously formed glass substrate in the plate width direction passes through the slow cooling region, and in this embodiment, the middle point of the slow cooling region at the central portion in the plate width direction ( It is measured by bringing a measuring roller into contact with the annealing point (position corresponding to -50 ° C.). The slow cooling region means a region corresponding to a temperature range from the slow cooling point to (slow cooling point−100 ° C.) in each part in the plate width direction. In this embodiment, the temperature is lowered from 705 ° C. to 605 ° C. Refers to the area. The average cooling rate is a rate obtained by calculating the time required for the glass to pass through the zone corresponding to the slow cooling region and dividing the temperature difference in the slow cooling region at the center or end by the passing time. Point to.

熱収縮率絶対値は、以下の方法で測定した。まず得られたガラス基板の中央部分、及び中央部分から端部側に900mm離れた位置に対応する場所(端部)からガラス板試料をそれぞれ切り出し、図3(a)に示すようにガラス板1の所定箇所に直線状のマーキングを入れた後、ガラス板1をマーキングに対して垂直に折り、2つのガラス板片1a、1bに分割する。そして一方のガラス板片1aのみに、図1に示す温度スケジュールで熱処理(常温から10℃/分の速度で昇温し、保持温度450℃で10時間保持し、10℃/分の速度で降温)を施す。その後、図3(b)に示すように熱処理を施したガラス板片1aと、未処理のガラス板片1bを並べて接着テープ(図示せず)で両者を固定してから、マーキングのずれを、レーザー顕微鏡にて測定し、下記の式1を用いて求める。なお式1中のl0はマーキング間の距離を、△L1及び△L2はマーキングの位置ズレ量を示している。 The absolute value of heat shrinkage rate was measured by the following method. First, a glass plate sample was cut out from the center portion of the obtained glass substrate and a place (end portion) corresponding to a position 900 mm away from the center portion toward the end portion side, and the glass plate 1 as shown in FIG. After placing a linear marking at a predetermined position, the glass plate 1 is folded perpendicularly to the marking and divided into two glass plate pieces 1a and 1b. Then, only one glass plate piece 1a is heat-treated according to the temperature schedule shown in FIG. ). Thereafter, as shown in FIG. 3 (b), the glass plate piece 1a subjected to the heat treatment and the untreated glass plate piece 1b are arranged and fixed with an adhesive tape (not shown), and then the marking shift is performed. Measure with a laser microscope and use the following formula 1. In Equation 1, l 0 indicates the distance between the markings, and ΔL 1 and ΔL 2 indicate the amount of marking displacement.

熱収縮率絶対値を求めるための温度スケジュールを示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the temperature schedule for calculating | requiring an absolute value of thermal contraction rate. 平均冷却速度と熱収縮率絶対値の関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between an average cooling rate and a thermal contraction rate absolute value. 熱収縮率絶対値を測定する方法を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the method of measuring a thermal contraction rate absolute value.

Claims (5)

ガラス原料を溶融、成形して無アルカリガラス基板を製造する方法であって、成形時の冷却過程において、徐冷点から(徐冷点−100℃)の温度の範囲での平均冷却速度が、板幅方向中央部分で200℃/分以上であり、且つ板幅方向の中央部分と端部で100℃/分以内の差となるように調節することを特徴とする無アルカリガラス基板の製造方法。   A method for producing a non-alkali glass substrate by melting and forming a glass raw material, wherein an average cooling rate in a temperature range from an annealing point to (an annealing point−100 ° C.) A method for producing an alkali-free glass substrate, characterized in that the difference is adjusted to be 200 ° C./min or more at the center portion in the plate width direction and within 100 ° C./min between the center portion and the end portion in the plate width direction. . 有効幅が1500mm以上となるようにガラスを成形することを特徴とする請求項1に記載の無アルカリガラス基板の製造方法。   2. The method for producing an alkali-free glass substrate according to claim 1, wherein the glass is molded so that the effective width is 1500 mm or more. ガラス原料を溶融、成形して無アルカリガラス基板を製造する方法であって、成形時の冷却過程において、徐冷点から(徐冷点−100℃)の温度の範囲での板引き速度が150cm/分以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載の無アルカリガラス基板の製造方法。   A method for producing an alkali-free glass substrate by melting and forming a glass raw material, and in the cooling process at the time of forming, the drawing speed in the temperature range from the annealing point to (annealing point−100 ° C.) is 150 cm. The method for producing an alkali-free glass substrate according to claim 1 or 2, wherein the production rate is at least 1 minute. オーバーフローダウンドロー法で成形することを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の無アルカリガラス基板の製造方法。   It shape | molds with the overflow downdraw method, The manufacturing method of the alkali free glass substrate in any one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned. 質量%でSiO 50〜70%、Al 1〜20%、B 0〜15%、MgO 0〜30%、CaO 0〜30%、SrO 0〜30%、BaO 0〜30%含有する無アルカリガラス基板を製造することを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載の無アルカリガラス基板の製造方法。 SiO 2 50-70% by mass%, Al 2 O 3 1~20% , B 2 O 3 0~15%, 0~30% MgO, CaO 0~30%, SrO 0~30%, BaO 0~30 %. The method for producing an alkali-free glass substrate according to claim 1, wherein an alkali-free glass substrate containing 1% is produced.
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101331090B (en) 2005-12-16 2014-04-16 日本电气硝子株式会社 Alkali-free glass substrate and its production method
JP5071880B2 (en) * 2005-12-16 2012-11-14 日本電気硝子株式会社 Method for producing alkali-free glass substrate
US8713967B2 (en) * 2008-11-21 2014-05-06 Corning Incorporated Stable glass sheet and method for making same
JP5656080B2 (en) 2010-03-23 2015-01-21 日本電気硝子株式会社 Manufacturing method of glass substrate
KR101409534B1 (en) 2011-07-01 2014-06-19 아반스트레이트 가부시키가이샤 Glass substrate for flat panel display and manufacturing method thereof
CN103080032B (en) * 2011-07-01 2016-07-06 安瀚视特股份有限公司 Flat panel display glass substrate and manufacture method thereof
CN103781735B (en) * 2011-09-02 2016-02-10 Lg化学株式会社 Non-alkali glass and preparation method thereof
JP5816372B2 (en) * 2011-09-02 2015-11-18 エルジー・ケム・リミテッド Alkali-free glass and method for producing the same
JP5408374B2 (en) * 2012-11-22 2014-02-05 旭硝子株式会社 ELECTRONIC DEVICE MEMBER, ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE MEMBER
CN107074622A (en) * 2014-10-23 2017-08-18 旭硝子株式会社 alkali-free glass
JP6315011B2 (en) 2016-03-15 2018-04-25 旭硝子株式会社 Alkali-free glass substrate and method for producing alkali-free glass substrate
DE102019117498B4 (en) * 2018-07-06 2024-03-28 Schott Ag Glasses with improved ion exchangeability
DE102018116483A1 (en) * 2018-07-06 2020-01-09 Schott Ag Chemically toughened glasses with high chemical resistance and crack resistance

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1053425A (en) * 1996-08-02 1998-02-24 Hoya Corp Production of glass plate and device for producing the same
JP2001031434A (en) * 1999-07-19 2001-02-06 Nippon Electric Glass Co Ltd Forming of plate glass and forming apparatus
JP3586142B2 (en) * 1999-07-22 2004-11-10 エヌエッチ・テクノグラス株式会社 Glass plate manufacturing method, glass plate manufacturing apparatus, and liquid crystal device
TWI387570B (en) * 2004-06-11 2013-03-01 Nippon Electric Glass Co Panel glass selection method for flat panel display, panel glass for flat panel display, and manufacturing method thereof

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