JP5073260B2 - Laser annealing apparatus and laser annealing method - Google Patents
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Description
本発明は、液晶ディスプレイ製造工程に使用されるレーザアニール装置に係り、特に絶縁基板上に形成したアモルファスシリコン（非結晶質）やポリシリコン（多結晶質）にレーザ光を照射してシリコン膜の改質を行う液晶ディスプレイの製造システムに好適なレーザアニール装置及びレーザアニール方法に関する。 The present invention relates to a laser annealing apparatus used in a liquid crystal display manufacturing process, and in particular, irradiates laser light to amorphous silicon (noncrystalline) or polysilicon (polycrystalline) formed on an insulating substrate to form a silicon film. The present invention relates to a laser annealing apparatus and a laser annealing method suitable for a liquid crystal display manufacturing system that performs modification.
近年のディスプレイ装置は、表示素子として液晶素子を使用し、この液晶素子（画素素子）や該液晶素子のドライバー回路は薄膜トランジスター（ＴＦＴ［Thin Film Transistor］、以下、ＴＦＴと呼ぶ）により構成されている。このＴＦＴは、製造過程においてガラス基板上に形成したアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）をポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）に改質する工程が必要である。 In recent display devices, a liquid crystal element is used as a display element, and the liquid crystal element (pixel element) and a driver circuit of the liquid crystal element are configured by a thin film transistor (TFT). Yes. This TFT requires a step of modifying amorphous silicon (a-Si) formed on a glass substrate in the manufacturing process to polysilicon (p-Si).
この改質工程は、レーザ照射によるシリコン膜の改質を行うものであり、石英ガラスや無アルカリガラスの絶縁基板上に絶縁基板から不純物の混入を阻止するアンダーコート膜（ＳｉＯ２）を形成する工程と、該アンダーコート膜上にアモルファスシリコン膜面を形成する工程と、高出力レーザを光源とし、アモルファスシリコン膜面に線状レーザビームを照射し、線状レーザビームの短手方向に走査させることによりポリシリコンに改質する工程と、ＴＦＴを構成する位置のみポリシリコンを切り出す工程と、その上にゲート酸化膜（ＳｉＯ２）を形成し最上部にゲート電極を取り付ける工程と、酸化膜（ＳｉＯ２）に所定の不純物イオンを注入してソース／ドレインを形成する工程と、ソース／ドレインにアルミ電極を立て全体を保護膜で被いＴＦＴを造る工程から成る。尚、前記絶縁基板７２とアンダーコート膜の間にＳｉＮまたはＳｉＯＮを挟み込んでも良い。 In this modification step, the silicon film is modified by laser irradiation, and an undercoat film (SiO 2 ) is formed on a quartz glass or non-alkali glass insulating substrate to prevent impurities from entering from the insulating substrate. A step of forming an amorphous silicon film surface on the undercoat film, and using a high-power laser as a light source, irradiating the amorphous silicon film surface with a linear laser beam to scan in the lateral direction of the linear laser beam A step of modifying the polysilicon into a polysilicon, a step of cutting out the polysilicon only at a position constituting the TFT, a step of forming a gate oxide film (SiO 2 ) thereon and attaching a gate electrode to the top, an oxide film ( forming a source / drain by injecting a predetermined impurity ions in SiO 2), the entire set up an aluminum electrode to the source / drain coercive Comprising the step of making a TFT covered with film. SiN or SiON may be sandwiched between the insulating substrate 72 and the undercoat film.
前記レーザ照射によるシリコン膜の改質工程は、エキシマレーザを用いるエキシマレーザアニールが一般的であり、シリコン膜に光吸収率の高い波長３０７ｎｍでパルス幅が数１０ｎｓのＸｅＣｌエキシマレーザを照射し、１６０ｍJ/ｃｍ２の比較的低いエネルギー注入によりシリコン膜を一気に融点まで加熱することによりポリシリコン膜を形成している。前記エキシマレーザは、数百Ｗの大出力を持ち、長方形マザーガラスの一辺以上の長さを持つ大型線状レーザスポットを形成させることができ、マザーガラス上に形成したシリコン膜全面を一括で効率よく改質できるといった特徴をもつ。このエキシマレーザによるシリコン改質では、ＴＦＴの性能に強く影響を与えるポリシリコンの結晶粒径が１００ｎｍから５００ｎｍと小さく、ＴＦＴ性能の指標である電界効果移動度は１５０ｃｍ２／Ｖ・ｓ程度に留まることができる。このシリコン膜の改質を行う装置は、レーザアニール装置と呼ばれている。 The silicon film modification step by laser irradiation is generally excimer laser annealing using an excimer laser. The silicon film is irradiated with a XeCl excimer laser having a wavelength of 307 nm with a high light absorption rate and a pulse width of several tens of ns, and 160 mJ. The polysilicon film is formed by heating the silicon film at once to the melting point by relatively low energy injection of / cm 2 . The excimer laser has a large output of several hundred watts, can form a large linear laser spot with a length of one side or more of a rectangular mother glass, and the entire silicon film formed on the mother glass is efficiently integrated. It has the feature that it can be well modified. In silicon modification by this excimer laser, the crystal grain size of polysilicon that strongly affects the TFT performance is as small as 100 to 500 nm, and the field-effect mobility, which is an indicator of TFT performance, remains at about 150 cm 2 / V · s. be able to. An apparatus for modifying the silicon film is called a laser annealing apparatus.
近年、フラットディスプレイ上の画素子やドライバー回路以外に、コントロール回路やインタフェース回路、更には演算回路など高機能回路を搭載するシステム・オン・ガラスが提案され、一部実現している。前記高機能回路を形成するＴＦＴは高性能なものが要求され、良質（大型結晶粒）なポリシリコン改質が必須である。この良質なポリシリコン改質に関する技術が記載された文献としては下記特許文献が挙げられ、特許文献１には、光源に半導体励起固体レーザを用いて連続発光（ＣＷ）しながらシリコン膜上に照射したレーザビームを走査させることにより、走査方向に細長い大型結晶粒をもつ良質なポリシリコン膜を形成することや、高性能ＴＦＴが必要な箇所に予めアモルファスシリコンを線状（リボン状）または島状（アイランド状）にパターニングしておくことにより、３００ｃｍ２／Ｖ・ｓ以上の電界効果移動度が得られ、高性能ＴＦＴを形成することが記載されている。
In recent years, in addition to image elements and driver circuits on flat displays, system-on-glass has been proposed and partially realized, which is equipped with high-performance circuits such as control circuits, interface circuits, and arithmetic circuits. The TFT forming the high-function circuit is required to have high performance, and high-quality (large crystal grain) polysilicon modification is essential. The following patent document is cited as a document describing a technique related to this high-quality polysilicon modification.
他方、特許文献２には、半導体励起連続発光固体レーザを用いて走査方向に細長い大型結晶粒を形成する方法として、シリコン膜上に形成した線状レーザスポットの走査方向幅と走査速度の関係を規定したものが記載されている。前記特許文献に記載されている主な固体レーザは、波長が５３２ｎｍのＮｄ：ＹＶＯ4レーザの第二高調波固体レーザである。
前記したレーザアニール装置では、光源となるエキシマレーザ発振器がガスレーザであるが故、レーザ出力に不安定性が生じやすく、基板上シリコン膜に対し均一な改質が困難となり、局所的にＴＦＴ性能の偏が生じ易すくなると言う不具合があった。また、レーザ発振を重ねるごとに、レーザ発振管及び光学部品や充填ガス等の劣化が進み、改質のむらである改質斑を防止するためには短期的なメンテナンスが必要となり、装置の安定性、保守性、ランニングコストから生じる生産性低下は避けられず、装置規模も大きく重厚壮大な大掛かりなものであると言う不具合もあった。 In the laser annealing apparatus described above, since the excimer laser oscillator serving as the light source is a gas laser, instability in the laser output is likely to occur, and uniform modification of the silicon film on the substrate is difficult, and local deviation in TFT performance occurs. There was a problem that it became easier to occur. In addition, every time laser oscillation is repeated, deterioration of the laser oscillation tube, optical components, filling gas, etc. progresses, and short-term maintenance is required to prevent modification spots, which are unevenness of modification. In addition, there was a problem that the productivity decline caused by the maintainability and the running cost was unavoidable, and the equipment scale was large and heavy and grand.
一方、特許文献に記載された半導体励起固体レーザを用いたレーザアニール装置は、前記の通り第二高調波を利用しているため、装置投入パワーに対し光出力パワーが小さく光変換効率が十分でないと言う不具合があった。更に、固体レーザを用いたレーザアニール装置は、出力レーザ波長が５３２ｎｍであり、シリコンの光吸収ピーク値（約３００ｎｍ）から大きく離れているため、シリコン膜の光エネルギー吸収が大きくなく、相乗して装置投入エネルギーに対しシリコン改質エネルギーが小さく成り、エネルギー変換効率が好ましくないと言う不具合もあった。 On the other hand, the laser annealing apparatus using the semiconductor-pumped solid-state laser described in the patent document uses the second harmonic as described above, so that the optical output power is small relative to the apparatus input power and the light conversion efficiency is not sufficient. There was a problem. Furthermore, the laser annealing apparatus using a solid-state laser has an output laser wavelength of 532 nm and is far away from the light absorption peak value of silicon (about 300 nm). There is also a problem that the silicon reforming energy becomes smaller than the apparatus input energy and the energy conversion efficiency is not preferable.
本発明は前述の従来技術による不具合を鑑みてなされたもので、出力安定性、保守性に優れかつ、省スペース化、低ランニングコスト化が可能なシリコン膜を改質するレーザアニール装置及びレーザアニール方法を提供することである。 The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and a laser annealing apparatus and a laser annealing for modifying a silicon film that have excellent output stability and maintainability, and can save space and reduce running costs. Is to provide a method .
前記目的を達成するために本発明は、被対象物をレーザ照射により改質するレーザアニール装置であって、レーザ波長を３７０ｎｍ〜４８０ｎｍとするレーザビームを照射する第１のレーザ光源と、レーザ波長を６４０ｎｍ〜８４０ｎｍとするレーザビームを照射する第２のレーザ光源と、前記第１の光源から照射されたレーザビームを所定のピーク及びスポットサイズをもつ短波長ビームスポットに形成する第１手段と、前記第２の光源から照射されたレーザビームを所定のピーク及びスポットサイズをもつ長波長ビームスポットに形成する第２手段と、前記短波長ビームスポット及び長波長ビームスポットの光線を、前記短波長ビームスポットのピークと長波長ビームスポットのピークとの間隔が任意の値となるように重ね合わせる第３手段と、前記第３手段により重ね合わせた２波長ビームスポットの内、前記短波長ビームスポットに次いで長波長ビームスポットを被対象物に照射する第４手段を備えたことを第１の特徴とし、
前記第１の特徴のレーザアニール装置において、前記第１手段及び第２手段が、ビームスポットを長尺状に形成すると共に、前記長尺状の短手方向の幅を調整する機能を備えることを第２の特徴とする。
In order to achieve the above object, the present invention is a laser annealing apparatus for modifying an object by laser irradiation, a first laser light source for irradiating a laser beam having a laser wavelength of 370 nm to 480 nm, and a laser wavelength. a second laser source for irradiating a laser beam to 640nm~840nm and a first means for forming a laser beam emitted from the first light source to the short wavelength beam spot having a predetermined peak及 beauty spot size A second means for forming a laser beam irradiated from the second light source into a long wavelength beam spot having a predetermined peak and spot size; and the light beams of the short wavelength beam spot and the long wavelength beam spot are converted into the short wavelength the distance between the peak of the long wavelength beam spot of the beam spot Ru superposed to be any value 3 Stage and, of the two wavelengths beam spots overlapped by said third means, the first comprising the fourth means for irradiating is subsequently long wavelength beam spot on the short wavelength beam spot onto the object,
In the laser annealing apparatus of the first feature, the first means and the second means have a function of forming a beam spot in a long shape and adjusting a width in a short direction of the long shape. The second feature.
また、本発明は、前記第１又は第２の特徴のレーザアニール装置において、前記第３手段が、前記第１及び第２手段により形成した短波長ビームスポット及び長波長ビームスポットを、短波長ビームスポットと長波長ビームスポットとのスポット間隔が１ｕｍ〜１０ｕｍとなるように光線を重ね合わせることを第３の特徴とし、前記何れかの特徴のレーザアニール装置において、前記第１及び第２のレーザ光源が、半導体レーザダイオード素子であることを第４の特徴とする。 According to the present invention, in the laser annealing apparatus according to the first or second feature, the third means converts the short wavelength beam spot and the long wavelength beam spot formed by the first and second means into a short wavelength beam. the Rukoto superimposing light as spot interval between the spots and the long wavelength beam spot becomes 1um~10um a third aspect, the laser annealing apparatus of any one of the above features, the first and second laser A fourth feature is that the light source is a semiconductor laser diode element.
さらに、本発明は、レーザ波長を３７０ｎｍ〜４８０ｎｍとするレーザビームを照射する第１のレーザ光源と、レーザ波長を６４０ｎｍ〜８４０ｎｍとするレーザビームを照射する第２のレーザ光源と、前記第１の光源から照射されたレーザビームを所定のピーク及びスポットサイズをもつ短波長ビームスポットに形成する第１手段と、前記第２の光源から照射されたレーザビームを所定のピーク及びスポットサイズをもつ長波長ビームスポットに形成する第２手段とを備え、被対象物をレーザ照射により改質するレーザアニール方法であって、前記第１及び第２手段により形成した短波長ビームスポット及び長波長ビームスポットのピーク間隔が１ｕｍ〜１０ｕｍとなるように光線を重ね合わせ、該重ね合わせた２波長ビームスポットの内、前記短波長ビームスポットに次いで長波長ビームスポットを被対象物に照射することにより、被対象物をレーザ照射により改質することを第５の特徴とし、
前記レーザアニール方法において、前記第１手段及び第２手段が、ビームスポットを長尺状に形成すると共に、前記長尺状の短手方向の幅を調整する機能を備えることを第６の特徴とする。
Furthermore, the present invention provides a first laser light source that irradiates a laser beam with a laser wavelength of 370 nm to 480 nm, a second laser light source that irradiates a laser beam with a laser wavelength of 640 nm to 840 nm, and the first long wavelength having a first means for forming a laser beam emitted from the light source to the short wavelength beam spot having a predetermined peak and spot size, the second predetermined peak and a spot size of the laser beam emitted from the light source and a second means for forming the beam spot, a laser annealing method of modifying the laser irradiation to be subject, formed by the previous SL first and second means short wavelength beam spot and the long wavelength beam spot superposing light rays so that the peak interval is 1Um～10um, among two-wavelength beam spots overlapped the By irradiating is subsequently long wavelength beam spot on the short wavelength beam spot onto the object, a fifth feature that modified by laser irradiation of the subject matter,
In the laser annealing method, a sixth feature is that the first means and the second means have a function of forming a beam spot in a long shape and adjusting a width in a short direction of the long shape. To do.
さらに、本発明は、前記第５又は第６の特徴のレーザアニール方法において、前記第３手段が、前記第１及び第２手段により形成した短波長ビームスポット及び長波長ビームスポットのピーク間隔が１ｕｍ〜１０ｕｍとなるように光線を重ね合わせることを第７の特徴とし、前記第５乃至７何れかの特徴のレーザアニール方法において、前記第１及び第２のレーザ光源が、半導体レーザダイオード素子であることを第８の特徴とする。 Furthermore, the present invention provides a laser annealing method of the fifth or sixth aspect of the third means, the first and peak intervals of short wavelength beam spot and the long wavelength beam spot formed by the second means 1um the Rukoto superimposed light rays so that ~10um the seventh feature, the laser annealing method of the fifth to seventh one feature, the first and second laser light sources, a semiconductor laser diode element It is an eighth feature.
本発明は、短波長ビームスポット及び長波長ビームスポットのピーク間隔を規定して重ね合わせ、該重ね合わせた２波長ビームスポットの内、短波長ビームスポットに次いで長波長ビームスポットを被対象物に照射することにより、長波長／低出力のレーザで被対象物を改質することができる。 The present invention superimposes by defining a peak interval between a short wavelength beam spot and a long wavelength beam spot, and irradiates an object with a long wavelength beam spot next to the short wavelength beam spot among the superimposed two wavelength beam spots. By doing so, the object can be modified with a long wavelength / low output laser.
以下、本発明によるレーザアニール装置の一実施形態を図面を参照して詳細に説明するが、まず、本発明の原理を説明する。
＜原理説明＞
Hereinafter, an embodiment of a laser annealing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. First, the principle of the present invention will be described.
<Principle explanation>
一般にシリコン（Ｓｉ）は、液相状態の場合、ビーム波長にかかわらず光吸収率はさほど変化しないものの、固相状態の場合、ビーム波長が高くなるに従って光吸収率が急激に低下する特性を持つことが知られている。 In general, silicon (Si) does not change the light absorption rate so much regardless of the beam wavelength in the liquid phase state, but has a characteristic that the light absorption rate rapidly decreases as the beam wavelength increases in the solid phase state. It is known.
これを具体的に説明すると、図５に示す如く、液相Ｓｉでは、ビーム波長が２００ｎｍ〜５００ｎｍで、光吸収係数は１.００Ｅ＋０６程度で変化しないものの、１０００ｎｍでは、光吸収係数が１．００Ｅ＋０７に上昇する特性であるのに対し、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）では、ビーム波長を４００ｎｍ〜８００ｎｍとしたとき、光吸収係数が１.００Ｅ＋０６から波長が長波になるに従って１.００Ｅ＋０２まで急激に低下する特性をもつ。 Specifically, as shown in FIG. 5, in the liquid phase Si, although the beam wavelength is 200 nm to 500 nm and the light absorption coefficient does not change at about 1.00E + 06, at 1000 nm, the light absorption coefficient is 1.00E + 07. On the other hand, in the case of amorphous silicon (a-Si), when the beam wavelength is 400 nm to 800 nm, the light absorption coefficient rapidly decreases from 1.00E + 06 to 1.00E + 02 as the wavelength becomes longer. It has the characteristic to do.
また、結晶シリコン（ｃ−Ｓｉ）の場合、前記ａ−Ｓｉに比べて光吸収量の低下度合いは低いものの、やはり固相Ｓｉでは、ビーム波長を４００ｎｍから１０００ｎｍに向かって光吸収係数が急激に低下する特性をもつ。 In the case of crystalline silicon (c-Si), the degree of decrease in light absorption is lower than that in the a-Si, but in solid phase Si, the light absorption coefficient increases sharply from 400 nm to 1000 nm. It has a deteriorating property.
このようにＳｉは、液相状態では１０００ｎｍ以上の長波長ビームで光吸収率が高く、また固相状態では４００ｎｍ以下の短波長ビームで光吸収率が高い特性を持つ。 As described above, Si has a high light absorption rate with a long wavelength beam of 1000 nm or more in the liquid phase state and a high light absorption rate with a short wavelength beam of 400 nm or less in the solid phase state.
従来技術によるレーザアニール装置は、例えば６７０ｎｍのビーム波長を用い、スポットサイズが５０×０．７ｕｍ／のレーザスポットを走査速度２００ｎｍ／ｓにて走査することによって、アモルファスシリコンを結晶化するものであった。前記６７０ｎｍのビーム波長は、固相状態においては光吸収率が比較的低いため、膜面パワー密度として高出力の２０ｍＷ／ｕｍ２程度のパワーを必要とする不具合があった。 The laser annealing apparatus according to the prior art uses, for example, a beam wavelength of 670 nm and crystallizes amorphous silicon by scanning a laser spot with a spot size of 50 × 0.7 μm / s at a scanning speed of 200 nm / s. It was. The beam wavelength of 670 nm has a problem that it requires a high power of about 20 mW / um 2 as a film surface power density because the light absorption rate is relatively low in the solid phase.
発明者らは、Ｓｉが前記液相状態と固相状態では光吸収率が変化する特性に着目し、まず固相状態のＳｉに対して短波長のレーザスポットを照射して液相状態に変化させ、次いで長波長のレーザスポットを前記液相状態のＳｉに照射する事により、Ｓｉの結晶化を長波長／低出力のレーザを用いて行う本発明を成したものである。
＜実施形態の説明＞
The inventors pay attention to the property that Si absorbs light in the liquid phase state and the solid phase state, and first irradiates the solid phase Si with a short wavelength laser spot to change to the liquid phase state. Then, by irradiating Si in a liquid phase with a long-wavelength laser spot, Si is crystallized using a long-wavelength / low-power laser.
<Description of Embodiment>
次いで本発明によるレーザアニール装置の一実施形態を説明する。図１は本実施形態によるレーザアニール装置の構成を示す図、図２は本実施形態によるワーク面垂直方向から見たレーザスポットの模式図、図３は本実施形態によるレーザスポットの立体模式図、図４は走査方向側面から見たレーザスポットの模式図、図５はＳｉ吸収係数の比較例を説明するための図である。 Next, an embodiment of a laser annealing apparatus according to the present invention will be described. 1 is a diagram showing a configuration of a laser annealing apparatus according to the present embodiment, FIG. 2 is a schematic diagram of a laser spot viewed from a direction perpendicular to a work surface according to the present embodiment, and FIG. 3 is a three-dimensional schematic diagram of a laser spot according to the present embodiment. FIG. 4 is a schematic diagram of a laser spot viewed from the side in the scanning direction, and FIG. 5 is a diagram for explaining a comparative example of the Si absorption coefficient.
本実施形態によるレーザアニール装置は、図１に示す如く、液晶ディスプレイ用のアモルファスシリコンをガラス基板上に形成したワーク３を搭載するワーク搭載台７と、該ワーク３に対して対物レンズ２を介したレーザスポット５を照射するレーザヘッド１と、該レーザヘッド１にレーザ光を供給する２種類の半導体レーザ光源である光源１０及び１１と、前記ワーク搭載台７をＸＹ方向のワーク移動方向４に移動するキャリッジ６と、前記機構・光学系を制御するマイクロプロセッサ８とから構成され、該マイクロプロセッサ８がワーク搭載台７に搭載したワーク３をワーク移動方向４（ＸＹ方向）に移動しながらレーザヘッド１がレーザスポット５を照射することにより、ワーク３のアモルファスシリコンを結晶化する様に動作する。
As shown in FIG. 1, the laser annealing apparatus according to the present embodiment includes a work mounting table 7 on which a work 3 in which amorphous silicon for a liquid crystal display is formed on a glass substrate is mounted, and an objective lens 2 interposed between the work 3 and the workpiece 3. The
前記光源１０は、比較的長波の波長８１０ｎｍのレーザビームを発生し、光源１１は比較的短波の波長４４５ｎｍのレーザビームを発生し、これら両レーザビームをレーザヘッド１が対物レンズを用いて一部重複した２波長ビームスポットを形成する。
The
本実施形態による２波長ビームスポットは、図３及び図２に示す如く、スポットサイズが長尺状の４ｕｍ×２０００ｕｍ／膜面パワー密度が６ｍＷ／ｕｍ２の長波長ビームスポットＡと、スポットサイズが長尺状の２ｕｍ×２０００ｕｍ／膜面パワー密度が３ｍＷ／ｕｍ２の短波長ビームスポットＢとをピーク間隔Ｌ２を３ｕｍにして重複させた二こぶ形状となり、キャリッジ６の移動によりワーク３に対して走査速度を６００ｍｍ／ｓにて走査することによって、図４に示す如く、サブスレート２０上のワーク３のアモルファスシリコン膜２１を結晶化するものである。 As shown in FIGS. 3 and 2, the two-wavelength beam spot according to the present embodiment has a long spot size of 4 μm × 2000 μm / film surface power density of 6 mW / um 2 and a spot size of the long wavelength beam spot A. A long 2 mm × 2000 μm / short wavelength beam spot B having a film surface power density of 3 mW / um 2 is overlapped with a peak interval L 2 of 3 μm, and the carriage 6 moves relative to the workpiece 3. By scanning at a scanning speed of 600 mm / s, the amorphous silicon film 21 of the workpiece 3 on the sub slate 20 is crystallized as shown in FIG.
本実施形態によるレーザアニール装置は、最初に短波長ビームスポットＢを照射してアモルファスシリコン膜２１を固相状態から液相状態に変化させ、続いて長波長ビームスポットＡを照射してアモルファスシリコン膜２１を結晶化することができる。 The laser annealing apparatus according to the present embodiment first irradiates the short wavelength beam spot B to change the amorphous silicon film 21 from the solid phase state to the liquid phase state, and subsequently irradiates the long wavelength beam spot A to the amorphous silicon film. 21 can be crystallized.
尚、前記実施形態では、短波長として４４５ｎｍ、長波長として８１０ｎｍを採用した例を説明したが、本発明によるレーザアニール装置は、短波長として３７０ｎｍ〜４８０ｎｍ、長波長として６４０ｎｍ〜８４０ｎｍとしても良く、短波長ビームスポット及び長波長ビームスポットのピーク間隔も１ｕｍ〜１０ｕｍとしても良い。 In the above-described embodiment, an example in which 445 nm is used as the short wavelength and 810 nm is used as the long wavelength has been described. The peak interval between the short wavelength beam spot and the long wavelength beam spot may be 1 μm to 10 μm.
また前記実施形態においては波長の異なる２種類の半導体レーザ光源を使用する例を説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、例えば２種類の波長のレーザ光を１チップに集積した２波長半導体ＬＤ（TWIN-LD：Two Wavelength Integrated Laser Diode）を使用しても良い。また前記レーザヘッドが、短波長ビームスポットＢ及び長波長ビームスポットＡの短手方向の幅を調整する機能を設けても良く、この機能は一般のレンズ素子から成る光学系により容易に構成することができる。 In the above embodiment, an example in which two types of semiconductor laser light sources having different wavelengths are used has been described. However, the present invention is not limited to this. For example, two types of laser beams having two types of wavelengths are integrated on one chip. A wavelength semiconductor LD (TWIN-LD: Two Wavelength Integrated Laser Diode) may be used. Further, the laser head may be provided with a function of adjusting the width of the short wavelength beam spot B and the long wavelength beam spot A in the short direction, and this function is easily configured by an optical system composed of a general lens element. Can do.
尚、前記実施形態においては、最初に短波長ビームスポットＢを照射し、次いで長波長ビームスポットＡを照射してアモルファスシリコン膜２１を結晶化する例を説明したが、被対象物の性質によっては、最初に長波長ビームスポットＡを照射し、次いで短波長ビームスポットＢを照射する様に構成しても良い。
この実施形態によるレーザアニール装置は、レーザ波長を３７０ｎｍ〜４８０ｎｍとするレーザビームを照射する第１のレーザ光源と、レーザ波長を６４０ｎｍ〜８４０ｎｍとするレーザビームを照射する第２のレーザ光源と、前記第１の光源から照射されたレーザビームを所定のスポットサイズをもつ短波長ビームスポットに形成する第１手段と、前記第２の光源から照射されたレーザビームを所定のスポットサイズをもつ長波長ビームスポットに形成する第２手段と、前記第１及び第２手段により形成した短波長ビームスポット及び長波長ビームスポットのピーク間隔を任意の値だけ重ね合わせる第３手段と、前記第３手段により重ね合わせた２波長ビームスポットの内、前記長波長ビームスポットに次いで短波長ビームスポットを被対象物に照射する第４手段を備える様に構成される。
In the above-described embodiment, the example in which the short wavelength beam spot B is first irradiated and then the long wavelength beam spot A is irradiated to crystallize the amorphous silicon film 21 has been described. However, depending on the property of the target object The long wavelength beam spot A may be irradiated first, and then the short wavelength beam spot B may be irradiated.
The laser annealing apparatus according to this embodiment includes a first laser light source that irradiates a laser beam with a laser wavelength of 370 nm to 480 nm, a second laser light source that irradiates a laser beam with a laser wavelength of 640 nm to 840 nm, First means for forming a laser beam irradiated from the first light source into a short wavelength beam spot having a predetermined spot size, and a long wavelength beam having a predetermined spot size for the laser beam irradiated from the second light source A second means for forming a spot; a third means for superimposing the short wavelength beam spot formed by the first and second means and a peak interval of the long wavelength beam spot by an arbitrary value; and a superposition by the third means. Of the two wavelength beam spots, the short wavelength beam spot is followed by the long wavelength beam spot. Constructed as a fourth means for irradiating the object.
１：レーザヘッド、２：対物レンズ、３：ワーク、４：ワーク移動方向、５：ビームスポット、６：キャリッジ、７：ワーク搭載台、８：マイクロプロセッサ、１０及び１１：光源、２０：サブスレート、２１：アモルファスシリコン膜、７２：絶縁基板。 1: Laser head, 2: Objective lens, 3: Workpiece, 4: Workpiece moving direction, 5: Beam spot, 6: Carriage, 7: Workpiece mounting table, 8: Microprocessor, 10 and 11: Light source, 20: Subslate , 21: amorphous silicon film, 72: insulating substrate.
Claims (8)
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