JP5071502B2 - Solid-state imaging device - Google Patents
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Description
本発明は、入射光の光電変換によって生成された信号電荷を電荷検出ノードに送り、この電荷検出ノードの電位を増幅回路によって検出して撮像信号を取り出す増幅型の固体撮像装置に関し、各種の撮像型半導体デバイス、カメラモジュール、及びカメラ等に用いられる固体撮像装置に関する。 The present invention relates to an amplification type solid-state imaging device that sends signal charges generated by photoelectric conversion of incident light to a charge detection node, detects the potential of the charge detection node by an amplifier circuit, and extracts an imaging signal. The present invention relates to a solid-state imaging device used for a type semiconductor device, a camera module, a camera, and the like.
一般にCMOSイメージセンサと呼ばれる増幅型の固体撮像装置は、半導体基板上に複数の画素によって構成される画素アレイ部を設け、各画素毎にフォトダイオード等の受光部と各種MOSトランジスタによる読み出し回路とを設けて構成され、各受光部の光電変換によって生成された信号電荷をフローティングデフュージョン(FD)部と呼ばれる電荷検出ノードに転送し、この電荷検出ノードの電位をMOSトランジスタによって増幅するものであり、各画素内に増幅機能を持たせた点が特徴となっている。
このようなCMOSイメージセンサは、CCDイメージセンサに比べて、画素数の増減が容易であり、画像サイズの縮小、拡大や動画と静止画の切り替えに適していることから、低消費電力であることと相侯って、さらなる開発や応用の進展が期待されつつある。
In general, an amplification type solid-state imaging device called a CMOS image sensor is provided with a pixel array unit composed of a plurality of pixels on a semiconductor substrate, and a light receiving unit such as a photodiode and a readout circuit using various MOS transistors for each pixel. The signal charge generated by photoelectric conversion of each light receiving part is transferred to a charge detection node called a floating diffusion (FD) part, and the potential of this charge detection node is amplified by a MOS transistor. A feature is that each pixel has an amplification function.
Compared with a CCD image sensor, such a CMOS image sensor can easily increase or decrease the number of pixels, and is suitable for reducing or enlarging an image size or switching between a moving image and a still image. Together with this, further development and application progress is being expected.
図3は、従来の増幅型CMOSイメージセンサの構成を概略的に示すブロック図である(例えば特許文献1参照)。なお、図示のイメージセンサは、例えば33万画素規模の仕様を有する例である。
図3において、半導体基板上に形成される撮像領域1には、1画素/1ユニットの単位セル1Aが二次元の行列状に配置されている。各単位セル1Aは、例えば4個のトランジスタTa、Tb、Tc、Tdと、1個のフォトダイオードPDから構成される。すなわち、各単位セル1Aは、アノード側に接地電位が与えられるフォトダイオードPDと、このフォトダイオードPDの信号電荷を読み出す転送トランジスタ(シャッタゲートトランジスタ)Tdと、この転送トランジスタTdによって読み出された信号電荷によるゲート電位(電荷検出ノードDN)の電位変動を検出する増幅トランジスタTbと、この増幅トランジスタTbからの信号出力を画素行単位で選択する垂直選択トランジスタ(行選択トランジスタ)Taと、電荷検出ノードDNをリセットするリセットトランジスタTcとを具備する。
そして、フォトダイオードPDのカソードには転送トランジスタTdの信号入力端(ソース)が接続され、転送トランジスタTdの信号出力端(ドレイン)には増幅トランジスタTbのゲート(電荷検出ノードDN)が接続されている。また、増幅トランジスタTbの電源供給端(ドレイン)には、垂直選択トランジスタTaの電源出力端(ソース)が接続され、増幅トランジスタTbのゲート(電荷検出ノード)にはリセットトランジスタTcの基準電位供給端(ソース)が接続されている。
FIG. 3 is a block diagram schematically showing a configuration of a conventional amplification type CMOS image sensor (see, for example, Patent Document 1). The illustrated image sensor is an example having a specification of, for example, 330,000 pixels.
In FIG. 3,
The signal input terminal (source) of the transfer transistor Td is connected to the cathode of the photodiode PD, and the gate (charge detection node DN) of the amplification transistor Tb is connected to the signal output terminal (drain) of the transfer transistor Td. Yes. Further, the power supply output terminal (drain) of the vertical selection transistor Ta is connected to the power supply terminal (drain) of the amplification transistor Tb, and the reference potential supply terminal of the reset transistor Tc is connected to the gate (charge detection node) of the amplification transistor Tb. (Source) is connected.
また、各画素行に対応して、同一行の単位セル1Aの各転送トランジスタTdのゲートには、読み取り線4が共通に接続され、同一行の単位セル1Aの各垂直選択トランジスタTaのゲートには、垂直選択線6が共通に接続され、同一行の単位セル1Aの各リセットトランジスタTcのゲートにはリセット線7が共通に接続されている。
また、各画素列に対応して、同一列の単位セル1Aの各増幅トランジスタTbの信号出力端(ソース)には垂直信号線VLINが共通に接続され、同一列の単位セル1Aの各リセットトランジスタTcの基準電位入力端(ドレイン)および各垂直選択トランジスタTaの電源入力端(ドレイン)には電源線9が共通に接続されている。
Further, corresponding to each pixel row, the
Corresponding to each pixel column, the vertical signal line VLIN is commonly connected to the signal output terminal (source) of each amplification transistor Tb of the
さらに、撮像領域1の外部(図中の下方側)には、各画素行毎に複数の負荷トランジスタTLが水平方向に並列に設けられ、各負荷トランジスタTLのゲートは垂直信号線VLINの一方の端部と接地ノードとの接続点に接続され、ゲートにバイアス電圧VVLが供給されている。
また、撮像領域1の他方の外部(図中の上方側)には、例えば2個のトランジスタTSH、TCLPと2個のコンデンサCc、Ctから構成されたノイズキャンセラ回路12が水平方向に複数個配置されている。そして、各ノイズキャンセラ回路12を介して各垂直信号線VLINの他方の端部に接続された複数の水平選択トランジスタTHが水平方向に配置されている。
さらに、各水平選択トランジスタTHの出力端には共通に水平信号線HLINが接続されており、この水平信号線HLINには水平リセットトランジスタ(図示せず)および出力増幅回路AMPが接続されている。
また、各水平選択トランジスタTHのゲートには、撮像領域1における水平方向のシフト動作を制御する水平シフトレジスタ3が接続されており、各水平選択トランジスタTHに水平同期クロックφHnが入力される。
Further, a plurality of load transistors TL are provided in parallel in the horizontal direction for each pixel row outside the imaging region 1 (lower side in the figure), and the gate of each load transistor TL is one of the vertical signal lines VLIN. A bias voltage VVL is supplied to the gate, connected to a connection point between the end and the ground node.
In addition, a plurality of
Further, a horizontal signal line HLIN is commonly connected to the output terminals of the horizontal selection transistors TH, and a horizontal reset transistor (not shown) and an output amplifier circuit AMP are connected to the horizontal signal line HLIN.
Further, a
さらに、撮像領域1の外部には、タイミング発生回路10、垂直シフトレジスタ2、パルスセレクタ2a、バイアス発生回路11が設けられている。
タイミング発生回路10は、このイメージセンサの各部に各種のタイミング信号を送出する。垂直シフトレジスタ2は、撮像領域1における垂直方向のシフト動作を制御するものであり、パルスセレクタ2aは、この垂直シフトレジスタ2からの制御に基づいて、画素回路に上述した各種パルス信号を出力する。また、バイアス発生回路11は、各トランジスタ等にバイアス電圧VVC、VVLを供給するものである。
Further, a
The
ところで、上述のような固体撮像装置において、撮像信号のS/N比を改善するためには、フォトダイオードから増幅トランジスタに読み出す信号量を増大することが必要である。そして、増幅トランジスタに読み出せる信号量を増大するためには、フォトダイオード及び電荷検出ノードで蓄積できる電荷量で決まる。
図4は、転送トランジスタの動作に基づくフォトダイオードから電荷検出ノードまでの信号電荷の転送動作を示す説明図である。なお、図中の転送ゲートTGは転送トランジスタTdのゲートを示しており、フォトダイオードPDで蓄積した電荷を検出ノード(DN)に転送する。
図示のように、転送ゲートへのパルス印加によって、半導体基板内でのポテンシャルが図4(a)の状態から図4(b)の状態に変化し、フォトダイオードの信号電荷が検出ノードに転送される。
従って信号量を大きくするためには、フォトダイオードと電荷検出ノードのポテンシャルを深くするとともに、フォトダイオードから電荷検出ノードまでの間の電位差を大きくすることにより、電荷量を増加させることができる。
しかしこの場合、図4(c)、(d)に示すように、フォトダイオード及び電荷検出ノードに蓄積できる電荷量を増加することと、フォトダイオードから電荷検出ノードまでの間の電荷転送とを十分に行うためには、転送ゲートと電荷検出ノードの間の電界を高くする必要があるので、この部分の酸化膜の絶縁性劣化が不良の原因となる問題が生じる。
そこで本発明は、絶縁膜に負担をかけることなく、画素の蓄積電荷量を増大でき、S/N等の出力信号特性を向上することが可能な固体撮像装置を提供することを目的とする。
Incidentally, in the solid-state imaging device as described above, in order to improve the S / N ratio of the imaging signal, it is necessary to increase the amount of signal read from the photodiode to the amplification transistor. In order to increase the amount of signal that can be read out to the amplification transistor, the amount of charge that can be stored in the photodiode and the charge detection node is determined.
FIG. 4 is an explanatory diagram showing a signal charge transfer operation from the photodiode to the charge detection node based on the operation of the transfer transistor. Note that the transfer gate TG in the figure indicates the gate of the transfer transistor Td, and charges accumulated in the photodiode PD are transferred to the detection node (DN).
As shown in the figure, by applying a pulse to the transfer gate, the potential in the semiconductor substrate changes from the state of FIG. 4A to the state of FIG. 4B, and the signal charge of the photodiode is transferred to the detection node. The
Therefore, in order to increase the signal amount, the charge amount can be increased by increasing the potential between the photodiode and the charge detection node and increasing the potential difference between the photodiode and the charge detection node.
However, in this case, as shown in FIGS. 4C and 4D, it is sufficient to increase the amount of charge that can be accumulated in the photodiode and the charge detection node and to transfer the charge between the photodiode and the charge detection node. In order to achieve this, since it is necessary to increase the electric field between the transfer gate and the charge detection node, there arises a problem that the insulating deterioration of the oxide film in this portion causes a defect.
Therefore, an object of the present invention is to provide a solid-state imaging device that can increase the amount of accumulated charges in a pixel without imposing a burden on an insulating film and improve output signal characteristics such as S / N.
上述の目的を達成するため、本発明の固体撮像装置は、入射光量に応じて信号電荷を生成する受光部と、前記受光部にて生成された信号電荷が蓄積される電荷検出ノードと、前記受光部及び前記電荷検出ノードに少なくとも第1電圧と第2電圧を含む2値の電圧を選択的に供給する電源手段とを有し、前記電源手段が、前記受光部及び前記電荷検出ノードに、動画撮影期間の少なくとも一部に前記第1電圧を供給し、静止画撮影期間の少なくとも一部に前記第1電圧より大きい前記第2電圧を供給し、前記電源手段が、前記静止画撮影期間における受光部の電荷蓄積期間とその前後の所定期間だけに前記第2電圧を供給することを特徴とする。 In order to achieve the above object, a solid-state imaging device of the present invention includes a light receiving unit that generates a signal charge according to an incident light amount, a charge detection node in which the signal charge generated by the light receiving unit is accumulated, Power supply means for selectively supplying a binary voltage including at least a first voltage and a second voltage to the light receiving section and the charge detection node, wherein the power supply means is connected to the light receiving section and the charge detection node. at least partially supplying the first voltage, at least in part on supplying a first voltage higher than the second voltage, said power supply means, the still image shooting period of the still image shooting period of moving image shooting period It characterized that you supply the second voltage by a predetermined period of charge accumulation period of the light receiving portion and its front and rear.
また本発明の固体撮像装置は、入射光量に応じて信号電荷を生成する受光部と、前記受光部にて生成された信号電荷を基準電位にリセットするリセットトランジスタと、前記リセットトランジスタの基準電位接続端に少なくとも第1電圧と第2電圧を含む2値の電圧を選択的に供給する電源手段とを有し、前記電源手段が、前記リセットトランジスタの基準電位接続端には、動画撮影期間の少なくとも一部に前記第1電圧を供給し、静止画撮影期間の少なくとも一部に前記第1電圧より大きい前記第2電圧を供給し、前記電源手段が、前記静止画撮影期間における受光部の電荷蓄積期間とその前後の所定期間だけに前記第2電圧を供給することを特徴とする。 The solid-state imaging device according to the present invention includes a light receiving unit that generates a signal charge according to an incident light amount, a reset transistor that resets the signal charge generated by the light receiving unit to a reference potential, and a reference potential connection of the reset transistor. Power supply means for selectively supplying a binary voltage including at least a first voltage and a second voltage to the end, and the power supply means is connected to a reference potential connection end of the reset transistor at least during a video shooting period. supplying said first voltage to a part, and supplying the first voltage is greater than said second voltage to at least a portion of the still image shooting period, the power supply unit, the charge accumulation of the light receiving portion in the still image shooting period period and the only feature that you supply the second voltage predetermined period before and after.
本発明の固体撮像装置によれば、動画撮影時には受光部及び電荷検出ノードに小さい電圧を供給し、静止画撮影時には受光部及び電荷検出ノードに大きい電圧を供給することにより、必要な動作時には読み出し電荷量の増大を図り、不必要な電圧印加を抑制し、絶縁膜に対する負荷の軽減を図ることができる効果がある。
また本発明の固体撮像装置によれば、動画撮影時にはリセットトランジスタの基準電位接続端に小さい電圧を供給し、静止画撮影時にはリセットトランジスタの基準電位接続端に大きい電圧を供給することにより、必要な動作時には読み出し電荷量の増大を図り、不必要な電圧印加を抑制し、絶縁膜に対する負荷の軽減を図ることができる効果がある。
According to the solid-state imaging device of the present invention, a small voltage is supplied to the light receiving unit and the charge detection node at the time of moving image shooting, and a large voltage is supplied to the light receiving unit and the charge detection node at the time of still image shooting, thereby reading out when necessary. There is an effect that the amount of charge can be increased, unnecessary voltage application can be suppressed, and the load on the insulating film can be reduced.
Further, according to the solid-state imaging device of the present invention, a small voltage is supplied to the reference potential connection terminal of the reset transistor during moving image shooting, and a large voltage is supplied to the reference potential connection terminal of the reset transistor during still image shooting. At the time of operation, there is an effect that the amount of read charge can be increased, unnecessary voltage application can be suppressed, and the load on the insulating film can be reduced.
本発明の実施の形態では、受光部と電荷検出ノードとの間の電位差を、少なくとも2段階の電源電圧によって選択できるようにした。すなわち、上述した転送ゲートと電荷検出ノードの間における絶縁性劣化は、磨耗モードであるので、ある一定の累積時間以上の高電界が印加されると、故障に至る。一方、静止画を撮影するためのカメラでは、固体撮像装置が動作している時間の大半は、得ようとする画像をモニタする時間であり、最終的に得る画像を取り込むための動作時間は極めて短い。
従って、最終的に得ようとする画像を取り込む蓄積期間と、その直前、直後の一定時間のみ、フォトダイオードから電荷検出ノードに至る間の電位差を比較的大きくし、それ以外のモニタリングの期間は、電位差を小さくするようにすれば、撮像画像のS/N比を高くしながら、絶縁膜劣化を抑制でき、所望の撮像素子の寿命を得ることが可能となる。
In the embodiment of the present invention, the potential difference between the light receiving portion and the charge detection node can be selected by at least two stages of power supply voltages. That is, since the above-described insulation deterioration between the transfer gate and the charge detection node is a wear mode, a failure occurs when a high electric field of a certain cumulative time or longer is applied. On the other hand, in a camera for taking a still image, most of the time during which the solid-state imaging device is operating is the time for monitoring the image to be obtained, and the operation time for capturing the finally obtained image is extremely short.
Therefore, the potential difference between the photodiode and the charge detection node is relatively large only during a certain period immediately before and immediately after the accumulation period for capturing the image to be finally obtained, and other monitoring periods are as follows. If the potential difference is reduced, it is possible to suppress deterioration of the insulating film while increasing the S / N ratio of the captured image, and to obtain a desired lifetime of the image sensor.
なお、本発明で言う固体撮像装置とは、イメージセンサ等の形態で構成される半導体デバイス、この半導体デバイスを組み込んだカメラモジュール、ならびに他のカメラ構成要素との組み合わせによって構成されるカメラをも含む広義の意味を有するものとする。 The solid-state imaging device referred to in the present invention includes a semiconductor device configured in the form of an image sensor or the like, a camera module incorporating the semiconductor device, and a camera configured in combination with other camera components. It shall have a broad meaning.
図1は、本発明の実施例1による増幅型CMOSイメージセンサの構成を概略的に示すブロック図である。なお、本実施例のイメージセンサは、図3に示す従来の構成と多くの共通部分を有することから、以下の実施例の説明では、従来例との相違点を中心に説明し、共通の構成については、同一符号を付して重複する説明は省略する。
まず、図1に示す実施例の構成と図3に示す従来例の構成との主な相違点は以下のとおりである。
(1)本実施例では、図3に示す構成に加えて新たにVdd電源回路(電源手段)13が付加されており、その出力は単位セル1Aの各リセットトランジスタTcの基準電位接続端(ドレイン)および各垂直選択トランジスタTaの電源入力端(ドレイン)に共通に接続された電源線(Vdd)9に接続されている。
(2)Vdd電源回路13には、パルス信号ΦADが入力される入力端子を有する。このパルス信号ΦADは、オートフォーカスシャッタのトリガ信号である。Vdd電源回路13はパルス信号ΦADが入力されると、出力電圧を第1電圧Vdd1から第2電圧Vdd2(>Vdd1)に変化させる。
FIG. 1 is a block diagram schematically showing the configuration of an amplification type CMOS image sensor according to
First, the main differences between the configuration of the embodiment shown in FIG. 1 and the configuration of the conventional example shown in FIG. 3 are as follows.
(1) In this embodiment, a Vdd power supply circuit (power supply means) 13 is newly added in addition to the configuration shown in FIG. 3, and its output is the reference potential connection terminal (drain) of each reset transistor Tc of the unit cell 1A. ) And a power supply line (Vdd) 9 commonly connected to the power supply input terminal (drain) of each vertical selection transistor Ta.
(2) The Vdd
(3)Vdd電源回路13とタイミング発生回路(タイミング制御手段)10を接続する配線が付加されている。この配線は、タイミング回路10の出力信号ΦVDをVdd電源回路13の入力端子に伝達するためのものである。タイミング回路10の出力信号ΦVDは露光期間の終了時または、それから一定時間経過した時を示す信号である。この信号を受けると、Vdd電源回路13は出力電圧をVdd2からVdd1に変化させる。
このように本実施例では、電源電圧をVdd2からVdd1に変化させることで、フォトダイオードと電荷検出ノードのポテンシャルを変化させて信号量を部分的に増大させることを特徴としている。
(3) A wiring for connecting the Vdd
As described above, this embodiment is characterized in that the signal amount is partially increased by changing the potential of the photodiode and the charge detection node by changing the power supply voltage from Vdd2 to Vdd1.
次に本実施例の動作について説明する。
図2はVdd電源回路の出力波形を示すタイミングチャートである。
まず撮像を開始する前のモニタリング期間は、Vdd電源回路13の出力はVdd1である。実際に用いる電圧としては、2.5V±0.2V、2.7 V±0.2V、3.3V±0.3Vなどが考えられる。
この時、フォトダイオードおよび検出ノードに蓄積できる電荷量は標準的な量(8000〜10000e-)であり、得られる画質(ここではダイナミックレンジ)も標準的なものである。すなわち、モニタリング時は、サイズの小さい液晶表示デバイスで画像をモニタリングするだけであるので、フォトダイオードおよび検出ノードに蓄積できる標準的な電荷量あるいはそれ以下でも、十分な役割を果たすことができる。
次に、被写体を撮像するためにシャッタを押すと、まずAF(オートフォーカス)用シャッタのトリガが出力され、引き続いて撮像用シャッタのトリガが出力される。
Next, the operation of this embodiment will be described.
FIG. 2 is a timing chart showing output waveforms of the Vdd power supply circuit.
First, during the monitoring period before imaging starts, the output of the Vdd
At this time, the amount of charge that can be stored in the photodiode and the detection node is a standard amount (800 to 10,000 e−), and the image quality (dynamic range in this case) is also standard. That is, at the time of monitoring, since only the image is monitored with a small-sized liquid crystal display device, even a standard charge amount that can be stored in the photodiode and the detection node or less can play a sufficient role.
Next, when the shutter is pressed to capture an image of the subject, an AF (autofocus) shutter trigger is output first, followed by an imaging shutter trigger.
そして、オートフォーカス用シャッタのトリガが、パルス信号ΦADとしてVdd電源回路13に入力されると、電源電圧VddはVdd1からVdd2に上昇する。ここで、Vdd2の例としては、3.3V±0.3V(Vdd1が2.7V±0.2Vの時)、あるいは、5.0V±0.5V(Vdd1が3.3V±0.3Vの時)などがある。これらのVddの上昇により、フォトダイオードおよび検出ノードに蓄積できる電荷量は10〜20%上昇し、ダイナミックレンジの広域化を実現できる。
また、オートフォーカス用シャッタに引き続き撮影シャッタのトリガが出力されると、画素信号のリセットレベルと信号レベルの読み取りを行い、画像信号を後段の信号処理回路に送り出す。
以上の所定撮像動作が終了する時間が経過したら、タイミング発生回路10の出力信号ΦVDからVdd電源回路13に信号が送られ、それによってVdd電源回路13の出力電圧がVdd2からVdd1に下降する。
When the trigger for the autofocus shutter is input to the Vdd
When a shooting shutter trigger is output following the autofocus shutter, the reset level and signal level of the pixel signal are read, and the image signal is sent to the signal processing circuit at the subsequent stage.
When the time for ending the above predetermined imaging operation elapses, a signal is sent from the output signal ΦVD of the
このように、電源電圧VddがVdd1になるとモニタリング期間となって、次に撮影する画像の表示を行う。なお、実際に撮像を取り込む時間は1回当たり1/30秒程度であるのに対し、通常は数十秒程度である。また、モニタリング期間は使用する個人により差がある。
以上のような本実施例では、電源電圧を部分的に切り替えて露光を行うことにより、従来技術と比較して、磨耗故障による製品の寿命を3桁程度長くすることが可能となる。また個人の使用方法に依存する製品寿命のばらつきを小さくすることが可能となる。
なお、上述した実施例では、リセットトランジスタTcと垂直選択トランジスタTaに供給する電源電圧をモニタリング期間と露光期間に合わせて2値の電圧Vdd1、Vdd2に切り替える例を説明したが、本発明はこれに限定されず、種々の形態が可能である。
例えば、画素回路の形態としては、種々の方式が採用されており、その構成に合わせて電源線の配置を選択するものとする。また、電源電圧の切り替え方法についても、具体的には種々の形態が可能であり、切り替えタイミングについても、例えば、動画撮影期間の少なくとも一部に第1電圧を供給し、静止画撮影期間の少なくとも一部に第2電圧を供給するという構成によって、十分な効果を得ることができるものである。
As described above, when the power supply voltage Vdd becomes Vdd1, the monitoring period is started, and an image to be photographed next is displayed. Note that the actual capturing time is about 1/30 second per time, but is usually about several tens of seconds. Also, the monitoring period varies depending on the individual who uses it.
In the present embodiment as described above, by performing exposure by partially switching the power supply voltage, it is possible to extend the life of the product due to wear failure by about three orders of magnitude as compared with the prior art. In addition, it is possible to reduce the variation in product life depending on the usage method of individuals.
In the above-described embodiment, the example in which the power supply voltage supplied to the reset transistor Tc and the vertical selection transistor Ta is switched to the binary voltages Vdd1 and Vdd2 in accordance with the monitoring period and the exposure period has been described. Without limitation, various forms are possible.
For example, various types of pixel circuits are employed, and the arrangement of power supply lines is selected in accordance with the configuration. The power supply voltage switching method can also be variously configured. Specifically, for example, the switching timing can be determined by supplying the first voltage to at least a part of the moving image shooting period and at least the still image shooting period. A sufficient effect can be obtained by a configuration in which the second voltage is supplied to a part.
1……撮像領域、1A……単位セル、10……タイミング発生回路、13……Vdd電源回路、PD……フォトダイオード、Ta……垂直選択トランジスタ、Tb……増幅トランジスタ、Tc……リセットトランジスタ、Td……転送トランジスタ
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記受光部にて生成された信号電荷が蓄積される電荷検出ノードと、
前記受光部及び前記電荷検出ノードに少なくとも第1電圧と第2電圧を含む2値の電圧を選択的に供給する電源手段とを有し、
前記電源手段が、前記受光部及び前記電荷検出ノードに、動画撮影期間の少なくとも一部に前記第1電圧を供給し、静止画撮影期間の少なくとも一部に前記第1電圧より大きい前記第2電圧を供給し、
前記電源手段が、前記静止画撮影期間における受光部の電荷蓄積期間とその前後の所定期間だけに前記第2電圧を供給する
固体撮像装置。 A light receiving unit that generates a signal charge according to the amount of incident light;
A charge detection node for accumulating signal charges generated by the light receiving unit;
Power supply means for selectively supplying a binary voltage including at least a first voltage and a second voltage to the light receiving unit and the charge detection node;
Said power supply means, the light-receiving portion and the charge detection node, and supplying the first voltage to at least a portion of the moving image shooting period, at least in part on the first voltage is greater than the second voltage of the still image shooting period supplies,
The solid-state imaging device , wherein the power supply unit supplies the second voltage only during a charge accumulation period of the light receiving unit during the still image shooting period and a predetermined period before and after the charge accumulation period .
請求項1記載の固体撮像装置。 The solid-state imaging device according to claim 1, further comprising timing control means for switching a supply voltage by the power supply means to a first voltage or a second voltage .
請求項1記載の固体撮像装置。 The solid-state imaging device according to claim 1 , further comprising: a transfer transistor that transfers a signal charge generated by the light receiving unit to the charge detection node; and an amplification transistor that outputs a pixel signal corresponding to a potential variation of the charge detection node. .
前記受光部にて生成された信号電荷を基準電位にリセットするリセットトランジスタと、
前記リセットトランジスタの基準電位接続端に少なくとも第1電圧と第2電圧を含む2値の電圧を選択的に供給する電源手段とを有し、
前記電源手段が、前記リセットトランジスタの基準電位接続端には、動画撮影期間の少なくとも一部に前記第1電圧を供給し、静止画撮影期間の少なくとも一部に前記第1電圧より大きい前記第2電圧を供給し、
前記電源手段が、前記静止画撮影期間における受光部の電荷蓄積期間とその前後の所定期間だけに前記第2電圧を供給する
固体撮像装置。 A light receiving unit that generates a signal charge according to the amount of incident light;
A reset transistor for resetting a signal charge generated in the light receiving unit to a reference potential;
Power supply means for selectively supplying a binary voltage including at least a first voltage and a second voltage to a reference potential connection terminal of the reset transistor;
The power supply means supplies the first voltage to the reference potential connection end of the reset transistor for at least a part of the moving image shooting period, and the second voltage greater than the first voltage for at least a part of the still image shooting period. Supply voltage,
The solid-state imaging device , wherein the power supply unit supplies the second voltage only during a charge accumulation period of the light receiving unit during the still image shooting period and a predetermined period before and after the charge accumulation period .
請求項4記載の固体撮像装置。 The reset transistor is connected to a charge detection node in which signal charges read from the light receiving unit are accumulated.
The solid-state imaging device according to claim 4 .
請求項4記載の固体撮像装置。 The solid-state imaging device according to claim 4, further comprising timing control means for switching a supply voltage by the power supply means to a first voltage or a second voltage .
請求項4記載の固体撮像装置。 5. The solid-state imaging device according to claim 4 , further comprising: a transfer transistor that transfers the signal charge generated by the light receiving unit to the charge detection node; and an amplification transistor that outputs a pixel signal corresponding to a potential variation of the charge detection node. .
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