JP5061422B2 - Pattern correction method and pattern correction apparatus - Google Patents
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Description
本発明は、デバイスのレイアウト設計に関連するパターン補正方法、およびパターン補正装置、並びに、それらにより補正されたマスクパターンを利用して作成されるフォトマスク、およびデバイスに関する。 The present invention relates to a pattern correction method and a pattern correction apparatus related to device layout design, a photomask created by using a mask pattern corrected thereby, and a device.
デバイスの設計段階において、マスクパターンに微小図形が発生しないようにレイアウト設計が行われる。ところが、近年の半導体技術の微細化に伴い、マスクのパターン形状をウェハ上に予定された形状および寸法どおりに形成することが困難になってきた。このため、微細化されたマスクパターンにおいては予めマスクパターンに図形を付加したり、疎密に応じてサイズを補正する光近接効果補正(OPC:Optical Proximity Effect Correction)が行われるようになってきた。この光近接効果補正によりマスクパターンのエッジに発生した微小段差が微小図形の大量発生と、図形分割後の図形数の増大によるデータボリュームの増加につながっていた。 In the device design stage, layout design is performed so as not to generate minute figures in the mask pattern. However, with the recent miniaturization of semiconductor technology, it has become difficult to form the pattern shape of the mask in accordance with the planned shape and dimensions on the wafer. For this reason, in a miniaturized mask pattern, a figure is added to the mask pattern in advance, or optical proximity effect correction (OPC: Optical Proximity Effect Correction) is performed to correct the size according to the density. The minute step generated at the edge of the mask pattern due to the optical proximity effect correction leads to the generation of a large number of minute figures and the increase in the data volume due to the increase in the number of figures after the figure division.
このため、微小図形の削減を目的とした光近接効果補正後のマスクパターンの補正方法が種々提案されている(例えば、特許文献1参照。)。特許文献1に開示された補正方法は、マスクパターンのエッジに発生した微小段差をなくすために片側単位でエッジの補正を行うものである。
光近接効果補正によりマスクパターンの対向するエッジの微小段差の位置の相違が微小図形の大量発生と、図形分割後のデータボリュームの低減を妨げている大きな要因になる。しかしながら、特許文献1に開示された補正方法は、片側単位でエッジの補正を行うものであるため、マスクパターンの対向するエッジの微小段差の位置の相違により大量発生する微小図形の数に対する対策と、図形分割後のデータボリュームの低減に有効な対策がなされたものではない。
Due to the optical proximity effect correction, the difference in the positions of the minute steps on the opposing edges of the mask pattern is a major factor that hinders the generation of a large number of minute figures and the reduction of the data volume after figure division. However, since the correction method disclosed in
そこで、本発明は、マスクパターンの対向するエッジの微小段差の位置の相違により大量発生する微小図形の数の減少と図形分割後のデータボリュームの低減を可能にするパターン補正方法、およびパターン補正装置、並びに、それらにより補正されたマスクパターンを利用して作成されるフォトマスク、およびデバイスを提供することを目的とする。 Accordingly, the present invention provides a pattern correction method and a pattern correction apparatus that can reduce the number of minute figures generated in large quantities due to the difference in position of minute steps on opposite edges of a mask pattern and reduce the data volume after figure division. An object of the present invention is to provide a photomask and a device which are created by using a mask pattern corrected by them.
本発明のパターン補正方法は、記憶手段に記憶されているマスクパターンの外形線を構成する長さが0より長いエッジにおいて、平行に対向する第1エッジと第2エッジについて、前記第1エッジと垂直に点接触する第3エッジを検出し、前記第2エッジと垂直に点接触する第4エッジを検出する検出ステップと、前記第1エッジと平行方向における前記第3エッジの位置と前記第4エッジの位置とのずれ量が所定量以下であるかを判断する判断ステップと、前記ずれ量が前記所定量以下であれば前記第3エッジと前記第4エッジとが前記第1エッジに垂直に交わる同一の垂線上になるように前記第3エッジおよび前記第4エッジの少なくとも一方の位置を補正する補正ステップと、を有する。 According to the pattern correction method of the present invention, the first edge and the second edge that are opposed in parallel at an edge having a length longer than 0 constituting the outline of the mask pattern stored in the storage means, A detection step of detecting a third edge that makes a point contact perpendicularly and detecting a fourth edge that makes a point contact perpendicular to the second edge; a position of the third edge in a direction parallel to the first edge; and the fourth edge A determination step for determining whether a deviation amount from an edge position is equal to or less than a predetermined amount; and if the deviation amount is equal to or less than the predetermined amount, the third edge and the fourth edge are perpendicular to the first edge. And a correction step of correcting the position of at least one of the third edge and the fourth edge so as to be on the same perpendicular line that intersects.
上記パターン補正方法において、前記補正ステップにおいて、前記第3エッジが前記第1エッジと垂直に点接触する垂線上に前記第4エッジが位置するように前記第4エッジの位置を補正する。 In the pattern correction method, in the correction step, the position of the fourth edge is corrected so that the fourth edge is positioned on a perpendicular line where the third edge is perpendicular to the first edge.
本発明のパターン補正方法は、第1記憶手段に記憶されている光近接効果補正後のマスクパターンの外形線を構成する長さが0より長いエッジにおいて、平行に対向する第1エッジと第2エッジについて、前記第1エッジと垂直に点接触する第3エッジを検出し、前記第2エッジと垂直に点接触する第4エッジを検出する検出ステップと、前記第1エッジと平行方向における前記第3エッジの位置と前記第4エッジの位置とのずれ量が所定量以下であるかを判断する判断ステップと、前記ずれ量が前記所定量以下であれば前記第3エッジが前記第1エッジと垂直に点接触する垂線上に前記第4エッジが位置するように前記第4エッジの位置を補正する補正ステップと、前記補正ステップにより得られるマスクパターンに基づくウェハ転写後のイメージパターンと、第2記憶手段に記憶されている光近接効果補正前のマスクパターンとの比較を行い、この比較の結果に基づいて前記イメージパターンを構成する外形線のエッジの位置と前記光近接効果補正前のマスクパターンを構成する外形線のエッジの位置との差分が許容範囲に入っているかを検証する検証ステップと、前記差分が許容範囲に入っていない場合、前記補正ステップにおける補正後の前記第4エッジと垂直に点接触するエッジの位置を当該第4エッジが位置する直線と垂直に点接触させながら所定量平行移動させる再補正ステップと、を有することを特徴とする。 According to the pattern correction method of the present invention, the first edge and the second edge that are parallelly opposed to each other at the edge having a length longer than 0 constituting the outline of the mask pattern after the optical proximity effect correction stored in the first storage means. A detection step of detecting a third edge that makes point contact perpendicularly to the first edge, and detects a fourth edge that makes point contact perpendicular to the second edge; and the first edge in a direction parallel to the first edge. A determination step of determining whether a deviation amount between the position of the three edges and the position of the fourth edge is equal to or less than a predetermined amount; and if the deviation amount is equal to or less than the predetermined amount, the third edge is defined as the first edge. A correction step for correcting the position of the fourth edge so that the fourth edge is positioned on a perpendicular line that makes a point contact vertically; and after wafer transfer based on a mask pattern obtained by the correction step A comparison is made between the image pattern and the mask pattern before optical proximity effect correction stored in the second storage means, and based on the result of this comparison, the position of the edge of the outline forming the image pattern and the optical proximity A verification step of verifying whether the difference between the position of the edge of the contour line constituting the mask pattern before effect correction is within the allowable range, and if the difference is not within the allowable range, after the correction in the correction step And a re-correction step of translating a predetermined amount of the position of the edge that makes point contact with the fourth edge vertically while making point contact with the straight line where the fourth edge is located.
本発明のパターン補正装置は、補正対象のマスクパターンを記憶する第1記憶手段と、前記第1記憶手段に記憶されているマスクパターンの外形線を構成する長さが0より長いエッジにおいて、平行に対向する第1エッジと第2エッジについて、前記第1エッジと垂直に点接触する第3エッジを検出し、前記第2エッジと垂直に点接触する第4エッジを検出する検出手段と、前記第1エッジと平行方向における前記第3エッジの位置と前記第4エッジの位置とのずれ量が所定量以下であるかを判断する判断手段と、前記ずれ量が前記所定量以下であれば前記第3エッジが前記第1エッジと垂直に点接触する垂線上に前記第4エッジが位置するように前記第4エッジの位置を補正する補正手段と、前記補正手段により補正されたマスクパターンを記憶する第2記憶手段と、を備えたことを特徴とする。 In the pattern correction apparatus of the present invention, the first storage means for storing the mask pattern to be corrected and the edge constituting the outline of the mask pattern stored in the first storage means are parallel at an edge longer than zero. Detecting means for detecting a third edge point-contacting perpendicularly to the first edge and detecting a fourth edge point-contacting perpendicularly to the second edge with respect to the first edge and the second edge opposite to each other; Determining means for determining whether a deviation amount between the position of the third edge and the position of the fourth edge in a direction parallel to the first edge is a predetermined amount or less; and if the deviation amount is the predetermined amount or less, Correction means for correcting the position of the fourth edge so that the fourth edge is positioned on a perpendicular line where the third edge is perpendicular to the first edge, and the mask pattern corrected by the correction means A second storage means for storing, and further comprising a.
本発明のフォトマスクは、上記何れかのパターン補正方法により補正されたマスクパターンに基づいて描画されたものである。
本発明のデバイスは、上記何れかのパターン補正方法により補正されたマスクパターンに基づいて製造されたものである。
本発明のデバイスは、上記何れかのパターン補正方法により補正されたマスクパターンに基づいて描画されたフォトマスクを用いて製造されたものである。
The photomask of the present invention is drawn based on the mask pattern corrected by any one of the above pattern correction methods.
The device of the present invention is manufactured based on the mask pattern corrected by any one of the above pattern correction methods.
The device of the present invention is manufactured using a photomask drawn based on the mask pattern corrected by any one of the pattern correction methods.
本発明によれば、マスクパターンの対向する両エッジの夫々に垂直に点接触するエッジ同士の位置を合わせることによって描画図形の数が減り、データボリュームの増加を防止することが可能になる。また、上記のデータボリュームの増加の防止により、マスクパターンのデータ転送時間の短縮が図られる。また、本発明のフォトマスクおよびデバイスによれば、描画図形の数の少ないマスクパターンを利用して作成されるので、製造時間を短縮することが図られる。 According to the present invention, it is possible to reduce the number of drawn figures and prevent an increase in data volume by aligning the positions of edges that are vertically point-contacted with both opposing edges of the mask pattern. Further, by preventing the increase in the data volume, the data transfer time of the mask pattern can be shortened. In addition, according to the photomask and device of the present invention, the mask is produced using a mask pattern with a small number of drawing figures, so that the manufacturing time can be shortened.
《第1の実施の形態》
本発明の第1の実施の形態におけるパターン補正装置の機能構成について図1および図2を参照しつつ説明する。図1は本実施の形態におけるパターン補正装置の機能ブロック図である。図2は図1のパターン補正装置の機能を説明するための補足図である。
図1に示すパターン補正装置1は、入力データ記憶部2、検出部3、判断部4、補正部5、および出力データ記憶部6として機能する各部を有している。
<< First Embodiment >>
A functional configuration of the pattern correction apparatus according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a functional block diagram of the pattern correction apparatus according to the present embodiment. FIG. 2 is a supplementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG.
The
入力データ記憶部2は、光近接効果補正(OPC)により補正されたマスクパターンを記憶する記憶装置である。なお、入力データ記憶部2に記憶するマスクパターンとして、光近接効果補正(OPC)以外の手法により補正されたマスクパターンであってもよい。
検出部3は、入力データ記憶部2に記憶されているマスクパターンの外形線を構成する長さが0より長いエッジ(以下、適宜、外形構成エッジという。)の各位置座標(入力データ記憶部2に記憶されている。)を利用して、平行に対向する両エッジ(以下、適宜、対向エッジという。)の夫々について垂直に点接触するエッジ(以下、適宜、垂直交差エッジという。)を検出する。図2の例では、検出部3は、マスクパターンの平行に対向するエッジ11とエッジ12について、エッジ11と垂直に点接触するエッジ13を検出し、エッジ12と垂直に点接触するエッジ14を検出する。
The input
The
判断部4は、検出部3により検出された垂直交差エッジの位置座標を利用して、両対向エッジと平行方向における両垂直交差エッジの位置のずれ量が所定量以下であるか否かを判断する。図2の例では、判断部4は、エッジ11と平行方向におけるエッジ13の位置とエッジ14の位置とのずれ量15が所定量以下であるかを判断する。
補正部5は、ずれ量が所定量以下であれば両垂直交差エッジの位置が対向エッジに垂直に交わる同一の垂線上になるように両垂直交差エッジの位置を補正する。図2の例では、補正部5は、ずれ量が所定量以下であればエッジ13とエッジ14とがエッジ14のエッジ12に点接触する位置におけるエッジ12に対する垂線16上になるようにエッジ13を垂線16上の位置に補正し、マスクパターンの補正を行う。
出力データ記憶部6は、入力データ記憶部2に記憶されているマスクパターンに対して補正が行われたマスクパターンを記憶する。
The determination unit 4 uses the position coordinates of the vertical crossing edges detected by the
The correction unit 5 corrects the positions of the two vertical intersection edges so that the positions of the two vertical intersection edges are on the same perpendicular line perpendicular to the opposite edge if the deviation amount is equal to or less than the predetermined amount. In the example of FIG. 2, the correction unit 5 determines that the
The output data storage unit 6 stores a mask pattern obtained by correcting the mask pattern stored in the input
次に、図1のパターン補正装置において行われるパターン補正方法について図3を参照しつつ説明する。図3は図1のパターン補正装置が実行するパターン補正方法の処理の流れを示すフローチャートである。
検出部3は、入力データ記憶部2に記憶されているマスクパターンの外形構成エッジにおいて、平行に対向する両対向エッジの夫々について垂直に点接触する垂直交差エッジを検出する(ステップS1)。判断部4は、両対向エッジと平行方向におけるステップS1において検出された両垂直交差エッジの位置のずれ量が所定量以下であるか否かを判断する(ステップS2)。補正部5は、ステップS2においてずれ量が所定量以下であると判断された両垂直交差エッジに関して両垂直交差エッジの位置が対向エッジに垂直に交わる垂線(例えば、一方の垂直交差エッジが対向エッジに点接触する位置における垂線)上になるように両垂直交差エッジの位置を補正し、出力データ記憶部6に記憶する(ステップS3)。
Next, a pattern correction method performed in the pattern correction apparatus of FIG. 1 will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a flowchart showing the flow of processing of the pattern correction method executed by the pattern correction apparatus of FIG.
The
以上説明したようにマスクパターンを補正すれば、図2に示すように、補正前までは4分割必要であったのに対して、補正後は2分割でよくなり、大量発生する微小図形の数と、図形分割後のデータボリュームの低減が可能になる。 If the mask pattern is corrected as described above, as shown in FIG. 2, four divisions are required before correction, but two divisions are necessary after correction, and the number of minute figures generated in large quantities. Thus, the data volume after figure division can be reduced.
《第2の実施の形態》
本発明の第2の実施の形態におけるパターン補正装置の機能構成について図4〜図18を参照しつつ説明する。図4は本実施の形態におけるパターン補正装置の機能ブロック図である。図5〜図18は図4のパターン補正装置の機能を説明するための補足図である。
図4に示すパターン補正装置100は、入力データ記憶部101、エッジ検出部102、外向き図形発生部103、内向き図形発生部104、非接触エッジ検出部105、所定アングルエッジ検出部106、接触エッジ検出部107、対向図形発生部108、パターン内図形選択部109、選択図形合成部110、6頂点図形選択部111、4頂点図形発生部112、外部図形発生部113、接触図形選択部114、非接触図形選択部115、図形付加部116、および出力データ記憶部117として機能する各部を有する。
<< Second Embodiment >>
A functional configuration of the pattern correction apparatus according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a functional block diagram of the pattern correction apparatus according to the present embodiment. 5 to 18 are supplementary diagrams for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG.
The
入力データ記憶部101は、光近接効果補正(OPC)により補正されたマスクパターンを記憶する記憶装置である。なお、入力データ記憶部2に記憶するマスクパターンとして、光近接効果補正(OPC)以外の手法により補正されたマスクパターンであってもよい。
エッジ検出部102は、入力データ記憶部101に記憶されているマスクパターンの外形構成エッジの各位置座標を利用して、マスクパターンの予め定められた量(第11規定量)以上の長さのエッジに挟まれ、それらと垂直に点接触するマスクパターンの予め定められた量(第12規定量)以下の長さのエッジを検出する。
図5の例では、エッジ151〜154は第11規定量以上の長さのエッジであり、エッジ155、156は第12規定量以下の長さのエッジであって、エッジ155はエッジ152と隣り合う関係がマスクパターンの存在しない方の角(外角)が90度で点接触し、エッジ151と隣り合う関係がマスクパターンの存在する方の角(内角)が90度で点接触した頂点の間に挟まれ、エッジ156はエッジ154と隣り合う関係が外角90度で点接触し、エッジ153と隣り合う関係が内角90度で点接触した頂点の間に挟まれているとすると、エッジ検出部102は、エッジ151〜156の中から、エッジ155、156を検出する。
The input
The
In the example of FIG. 5, the
外向き図形発生部103は、エッジ検出部102により検出されたエッジの夫々について、エッジを当該エッジに平行にかつマスクパターンの外側方向に予め定められた量(第13規定量)移動させる間に当該エッジが通過する領域からなる図形を作成する。
図6を参照すると、外向き図形発生部103は、エッジ検出部102により検出されたエッジ155を当該エッジ155に平行に且つマスクパターンの外側方向に第13規定量移動させる間にエッジ155が通過する領域からなる図形157を作成する。また、外向き図形発生部103は、エッジ検出部102により検出されたエッジ156を当該エッジ156に平行に且つマスクパターンの外側方向に第13規定量移動させる間にエッジ156が通過する領域からなる図形158を作成する。
The outward
Referring to FIG. 6, the outward
内向き図形発生部104は、エッジ検出部102により検出されたエッジの夫々について、エッジを当該エッジに平行にかつマスクパターンの内側方向に予め定められた量(第13規定量)移動させる間に当該エッジが通過する領域からなる図形を作成する。
図7を参照すると、内向き図形発生部104は、エッジ検出部102により検出されたエッジ155を当該エッジ155に平行に且つマスクパターンの内側方向に第13規定量移動させる間にエッジ155が通過する領域からなる図形159を作成する。また、内向き図形発生部104は、エッジ検出部102により検出されたエッジ156を当該エッジ156に平行に且つマスクパターンの内側方向に第13規定量移動させる間にエッジ156が通過する領域からなる図形160を作成する。
While the inward-
Referring to FIG. 7, the inward-
非接触エッジ検出部105は、外向き図形発生部103により作成された図形を構成するエッジのうち、内向き図形発生部104により作成された図形を構成するエッジと線接触していないエッジ(非接触エッジ)を検出する。
図6〜図8を参照すると、非接触エッジ検出部105は、外向き図形発生部103により作成された図形157を構成するエッジのうち内向き図形発生部104により作成された図形159、160を構成するエッジと線接触していないエッジ(非接触エッジ)161〜163を検出する。また、非接触エッジ検出部105は、外向き図形発生部103により作成された図形158を構成するエッジのうち内向き図形発生部104により作成された図形159、160を構成するエッジと線接触していないエッジ(非接触エッジ)164〜166を検出する。
The non-contact
6 to 8, the non-contact
所定アングルエッジ検出部106は、非接触エッジ検出部105により検出されたエッジ(非接触エッジ)の中から所定方向に延びたエッジ(所定アングルエッジ)を検出する。
図8、図9を参照すると、所定方向がエッジ151〜154の延びる方向であるとすると、所定アングルエッジ検出部106は、非接触エッジ検出部105により検出されたエッジ(非接触エッジ)161〜166の中から、エッジ151〜154と平行なエッジ(所定アングルエッジ)161、163、164、166を検出する。
The predetermined angle
Referring to FIGS. 8 and 9, if the predetermined direction is the direction in which the
接触エッジ検出部107は、所定アングルエッジ検出部106により検出されたエッジ(所定アングルエッジ)の中から入力データ記憶部101に記憶されているマスクパターンの外形構成エッジと線接触しているエッジ(線接触エッジ)を検出する。
図9、図10を参照すると、接触エッジ検出部107は、所定アングルエッジ検出部106により検出されたエッジ(所定アングルエッジ)161、163、164、166の中からマスクパターンの外形構成エッジと線接触しているエッジ(線接触エッジ)163、164を検出する。
The contact
Referring to FIGS. 9 and 10, the contact
対向図形発生部108は、接触エッジ検出部107により検出されたエッジ(線接触エッジ)の夫々について、線接触エッジからその垂線方向に存在する外形構成エッジまでの距離が予め定められた量(第14規定量)以下であるかを判断し、以下であれば、線接触エッジをその垂線方向に存在する外形構成エッジまで平行に移動させる間に当該線接触エッジが通過する領域からなる図形を作成する。
図11を参照すると、エッジ163とエッジ153との距離、およびエッジ164とエッジ152との距離が第14規定量以下であるとすると、対向図形発生部108は、接触エッジ検出部107により検出されたエッジ(線接触エッジ)163をその垂線方向に存在するエッジ(外形構成エッジ)153まで平行に移動させる間に当該エッジ163が通過する領域からなる図形167を作成し、エッジ(線接触エッジ)164をその垂線方向に存在するエッジ(外形構成エッジ)152まで平行に移動させる間に当該エッジ164が通過する領域からなる図形168を作成する。
The opposing
Referring to FIG. 11, assuming that the distance between the
パターン内図形選択部109は、対向図形発生部108により作成された図形のうち、入力データ記憶部101に記憶されているマスクパターン内に完全に含まれる図形を選択する。
選択図形合成部110は、パターン内図形選択部109により選択された図形を合成して新たに図形を作成する。
図12を参照すると、対向図形発生部108により作成された図形167と図形168はマスクパターンに完全に含まれているので、パターン内図形選択部109により図形167と図形168とが選択され、選択図形合成部110は、選択された図形167と図形168とを合成して図形169を作成する。
なお、所定方向として複数の方向を任意に設定でき、複数設定した場合には、所定アングルエッジ検出部106、接触エッジ検出部107、対向図形発生部108、パターン内図形選択部109、選択図形合成部110は、各所定方向毎に処理を行う。
The in-pattern
The selected
Referring to FIG. 12, since the figure 167 and figure 168 created by the opposed
A plurality of directions can be arbitrarily set as the predetermined direction. When a plurality of directions are set, the predetermined angle
6頂点図形選択部111は、選択図形合成部110によって合成された図形の中から、頂点の数が6つの図形を選択する。
図13を参照すると、選択図形合成部110によって作成された図形169が6つの頂点170〜175を有しているので、6頂点図形選択部111は、頂点の数が6つの図形(6頂点図形)として図形169を選択する。
The six-vertex
Referring to FIG. 13, since the figure 169 created by the selected
4頂点図形発生部112は、6頂点図形選択部111により選択された図形(6頂点図形)の夫々について、6頂点図形の3つの頂点を頂点とし、当該6頂点図形の領域の全てを含む頂点の数が4つの図形(長方形)を作成する。
図14を参照すると、4頂点図形発生部112は、6頂点図形選択部111により選択された図形169に対して、その頂点170、171、175を頂点とし、図形169の領域を全て含む図形176を作成する。
The four-vertex
Referring to FIG. 14, the four-vertex
外部図形発生部113は、4頂点図形発生部112により作成された4頂点の図形の夫々について、4頂点の図形の領域からその作成の基となった6頂点の図形の領域を除いた図形を作成する。
図13〜図15を参照すると、外部図形発生部113は、4頂点図形発生部112により作成された4頂点の図形176の領域からその作成の基となった6頂点の図形169の領域を除いた図形177を作成する。
For each of the four-vertex graphics created by the four-vertex
Referring to FIGS. 13 to 15, the external
接触図形選択部114は、外向き図形発生部103により作成された図形の中から、6頂点図形選択部111により選択された図形(6頂点図形)のいずれかと線接触する図形を選択する。
図6、図13、図16を参照すると、図形157、158が図形169と線接触しているので、接触図形選択部114は、外向き図形発生部103により作成された図形157、158の中から、6頂点図形選択部111により選択された図形(6頂点図形)169と線接触している図形157、158を選択する。
The contact
Referring to FIGS. 6, 13, and 16, since the figures 157 and 158 are in line contact with the figure 169, the contact
非接触図形選択部115は、接触図形選択部114により選択された図形の中から、外部図形発生部113により作成された図形と重ならない図形を選択する。
図15〜図17を参照すると、図形157と図形177とは重ならないが、図形158と図形177は重なるので、非接触図形選択部115は、接触図形選択部114により選択された図形157、158の中から外部図形発生部113により作成された図形177と重ならない図形157を選択する。
The non-contact
15 to 17, the graphic 157 and the graphic 177 do not overlap with each other, but the graphic 158 and the graphic 177 overlap with each other. Therefore, the non-contact graphic selecting
図形付加部116は、非接触図形選択部115により選択された図形を入力データ記憶部101に記憶されているマスクパターンに付加してマスクパターンの補正を行う。
図18を参照すると、図形付加部116は、入力データ記憶部101に記憶されているマスクパターンに非接触図形選択部115により選択された図形157を付加して、付加して得られる形状を新たなマスクパターンとする。
The
Referring to FIG. 18, the
出力データ記憶部117は、入力データ記憶部101に記憶されているマスクパターンに対して図形付加部116により図形が付加された後のマスクパターンを記憶する記憶装置である。
The output
次に、図4のパターン補正装置において行われるパターン補正方法について図19を参照しつつ説明する。図19は図4のパターン補正装置が実行するパターン補正方法の処理の流れを示すフローチャートである。
エッジ検出部102は、入力データ記憶部101に記憶されているマスクパターンの外形構成エッジの各位置座標を利用して、マスクパターンの予め定められた量(第11規定量)以上の長さのエッジに挟まれ、それらと垂直に点接触するマスクパターンの予め定められた量(第12規定量)以下の長さのエッジを検出する(ステップS101)。
Next, a pattern correction method performed in the pattern correction apparatus of FIG. 4 will be described with reference to FIG. FIG. 19 is a flowchart showing the flow of processing of the pattern correction method executed by the pattern correction apparatus of FIG.
The
外向き図形発生部103は、ステップS101において検出されたエッジの夫々について、エッジを当該エッジに平行にかつマスクパターンの外側方向に予め定められた量(第13規定量)移動させる間に当該エッジが通過する領域からなる図形を作成する(ステップS102)。内向き図形発生部104は、ステップS101において検出されたエッジの夫々について、エッジを当該エッジに平行にかつマスクパターンの内側方向に予め定められた量(第13規定量)移動させる間に当該エッジが通過する領域からなる図形を作成する(ステップS103)。非接触エッジ検出部105は、ステップS102において作成された図形を構成するエッジのうち、ステップS103において作成された図形を構成するエッジと線接触していないエッジ(非接触エッジ)を検出する(ステップS104)。
For each of the edges detected in step S101, the outward
所定アングルエッジ検出部106は、ステップS104において検出されたエッジ(非接触エッジ)の中から所定方向に延びたエッジ(所定アングルエッジ)を検出する(ステップS105)。接触エッジ検出部107は、ステップS105において検出されたエッジ(所定アングルエッジ)の中から入力データ記憶部101に記憶されているマスクパターンの外形構成エッジと線接触しているエッジ(線接触エッジ)を検出する(ステップS106)。対向図形発生部108は、ステップS106において検出されたエッジ(線接触エッジ)の夫々について、線接触エッジからその垂線方向に存在する外形構成エッジまでの距離が予め定められた量(第14規定量)以下であるかを判断し、以下であれば、線接触エッジをその垂線方向に存在する外形構成エッジまで平行に移動させる間に当該線接触エッジが通過する領域からなる図形を作成する(ステップS107)。なお、第14規定量以下でない線接触エッジに関して、対向図形発生部108は図形の作成を行わない。
The predetermined angle
パターン内図形選択部109は、ステップS107において作成された図形のうち、入力データ記憶部101に記憶されているマスクパターン内に完全に含まれる図形を選択する(ステップS108)。選択図形合成部110は、ステップS108において選択された図形を合成して新たに図形を作成する(ステップS109)。6頂点図形選択部111は、ステップS109において合成されて新たに作成された図形の中から、頂点の数が6つの図形を選択する(ステップS110)。4頂点図形発生部112は、ステップS109において選択された図形(6頂点図形)の夫々について、6頂点図形の3つの頂点を頂点とし、当該6頂点図形の領域の全てを含む頂点の数が4つの図形(長方形)を作成する(ステップS111)。
The in-pattern
外部図形発生部113は、ステップS111において作成された4頂点の図形の夫々について、4頂点の図形の領域からその作成の基となった6頂点の図形の領域を除いた図形を作成する(ステップS112)。接触図形選択部114は、ステップS102において作成された図形の中から、ステップS110において選択された図形(6頂点図形)のいずれかと線接触する図形を選択する(ステップS113)。非接触図形選択部115は、ステップS113において選択された図形の中から、ステップS112において作成された図形と重ならない図形を選択する(ステップS114)。図形付加部116は、ステップS114において選択された図形を入力データ記憶部101に記憶されているマスクパターンに付加してマスクパターンの補正を行い、補正後のマスクパターンを出力データ記憶部117に格納する(ステップS115)。
The external
なお、接触図形選択部114、非接触図形選択部115、および図形付加部116を次の機能を有する第1および第2処理部に置き換えてもよい。
第1処理部は、内向き図形発生部104により作成された図形の中から、外部図形発生部113により作成された図形と線接触する図形を選択する。
図20を参照すると、第1処理部は、内向き図形発生部104により作成された図形159、160の中から、外部図形発生部113により作成された図形177と線接触する図形160を選択する。
Note that the contact
The first processing unit selects a graphic that makes line contact with the graphic created by the external
Referring to FIG. 20, the first processing unit selects a figure 160 that makes line contact with the figure 177 created by the external
第2処理部は、第1処理部により選択された図形を入力データ記憶部101に記憶されているマスクパターンから削除してマスクパターンの補正を行う。
図21を参照すると、第2処理部は、入力データ記憶部101に記憶されているマスクパターンから第1処理部により選択された図形160を削除して、削除して得られる形状を新たなマスクパターンとする。
The second processing unit corrects the mask pattern by deleting the graphic selected by the first processing unit from the mask pattern stored in the input
Referring to FIG. 21, the second processing unit deletes the figure 160 selected by the first processing unit from the mask pattern stored in the input
《第3の実施の形態》
本発明の第3の実施の形態におけるパターン補正装置の機能構成について図22〜図46を参照しつつ説明する。図22は本実施の形態におけるパターン補正装置の機能ブロック図である。図23〜図46は図22のパターン補正装置の機能を説明するための補足図である。
図22に示すパターン補正装置200は、入力データ記憶部201、エッジ検出部202、外向き図形発生部203、内向き図形発生部204、エッジ発生部205、第1接触エッジ検出部206、長さエッジ検出部207、第2接触エッジ検出部208、図形発生部209、図形選択部210、コーナエッジ検出部211、対向図形発生部212、パターン内図形選択部213、非接触エッジ検出部214、エッジ接触部検出部215、外図形発生部216、6頂点図形選択部217、4頂点図形選択部218、交差エッジ検出部219、外部図形発生部220、接触図形選択部221、第1接触図形抽出部222、第2接触図形抽出部223、図形付加部224、図形削除部225、および出力データ記憶部226として機能する各部を有する。
<< Third Embodiment >>
The functional configuration of the pattern correction apparatus according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 22 is a functional block diagram of the pattern correction apparatus in the present embodiment. 23 to 46 are supplementary diagrams for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG.
The
入力データ記憶部201は、光近接効果補正(OPC)により補正されたマスクパターンを記憶する記憶装置である。なお、入力データ記憶部201に記憶するマスクパターンとして、光近接効果補正(OPC)以外の手法により補正されたマスクパターンであってもよい。
エッジ検出部202は、入力データ記憶部201に記憶されているマスクパターンの外形構成エッジの各位置座標を利用して、マスクパターンの予め定められた量(第21規定量)以上の長さのエッジに挟まれ、それらと垂直に点接触するマスクパターンの予め定められた量(第22規定量)以下の長さのエッジを検出する。
図23の例では、エッジ251〜258は第21規定量以上の長さのエッジであり、エッジ259〜262は第22規定量以下の長さのエッジであって、エッジ259はエッジ251と隣り合う関係がマスクパターンの存在しない方の角(外角)90度で点接触し、エッジ252と隣り合う関係がマスクパターンの存在する方の角(内角)90度で点接触した頂点の間に挟まれ、エッジ260はエッジ254と隣り合う関係が外角90度で点接触し、エッジ253と隣り合う関係が内角90度で点接触した頂点の間に挟まれ、エッジ261はエッジ256と隣り合う関係が外角90度で点接触し、エッジ255と隣り合う関係が内角90度で点接触した頂点の間に挟まれ、エッジ262はエッジ257と隣り合う関係が外角90度で点接触し、エッジ258と隣り合う関係が内角90度で点接触した頂点の間に挟まれているとすると、エッジ検出部202は、エッジ251〜262の中からエッジ259〜262を検出する。
The input
The
In the example of FIG. 23, the
外向き図形発生部203は、エッジ検出部202により検出されたエッジの夫々について、エッジを当該エッジに平行にかつマスクパターンの外側方向に予め定められた量(第23規定量)移動させる間に当該エッジが通過する領域からなる図形を作成する。
図24を参照すると、外向き図形発生部203は、エッジ検出部202により検出されたエッジ259をエッジ259に平行に且つマスクパターンの外側方向に第23規定量移動させる間にエッジ259が通過する領域からなる図形263を作成する。また、外向き図形発生部203は、エッジ検出部202により検出されたエッジ260をエッジ260に平行に且つマスクパターンの外側方向に第23規定量移動させる間にエッジ260が通過する領域からなる図形264を作成する。また、外向き図形発生部203は、エッジ検出部202により検出されたエッジ261をエッジ261に平行に且つマスクパターンの外側方向に第23規定量移動させる間にエッジ261が通過する領域からなる図形265を作成する。また、外向き図形発生部203は、エッジ検出部202により検出されたエッジ262をエッジ262に平行に且つマスクパターンの外側方向に第23規定量移動させる間にエッジ262が通過する領域からなる図形266を作成する。
The outward
Referring to FIG. 24, the outward
内向き図形発生部204は、エッジ検出部202により検出されたエッジの夫々について、エッジを当該エッジに平行にかつマスクパターンの内側方向に予め定められた量(第23規定量)移動させる間に当該エッジが通過する領域からなる図形を作成する。
図25を参照すると、内向き図形発生部204は、エッジ検出部202により検出されたエッジ259をエッジ259に平行に且つマスクパターンの内側方向に第23規定量移動させる間にエッジ259が通過する領域からなる図形267を作成する。また、内向き図形発生部204は、エッジ検出部202により検出されたエッジ260をエッジ260に平行に且つマスクパターンの内側方向に第23規定量移動させる間にエッジ260が通過する領域からなる図形268を作成する。また、内向き図形発生部204は、エッジ検出部202により検出されたエッジ261をエッジ261に平行に且つマスクパターンの内側方向に第23規定量移動させる間にエッジ261が通過する領域からなる図形269を作成する。また、内向き図形発生部204は、エッジ検出部202により検出されたエッジ262をエッジ262に平行に且つマスクパターンの内側方向に第23規定量移動させる間にエッジ262が通過する領域からなる図形270を作成する。
While the inward-
Referring to FIG. 25, the inward-
エッジ発生部205は、マスクパターンのエッジ(外形構成エッジ)の中から、隣り合う関係がマスクパターンの存在しない方の角(外角)90度で点接触したエッジを検出し、その隣り合うエッジの接触点からそれらのエッジ上に予め定められた量(第24規定量)以下のエッジを作成する。
図26を参照すると、エッジ発生部205は、マスクパターンのエッジ(外形構成エッジ)の中から、隣り合う関係が外角90度で点接触したエッジとして、エッジ251、259と、エッジ253、260と、エッジ255、261と、エッジ254、257と、エッジ257、262と、を検出する。そして、エッジ発生部205は、エッジ251、259についてそれらの接触点からそれらのエッジ上に位置する第24規定量以下のエッジ271、272を作成する。エッジ発生部205は、エッジ253、260についてそれらの接触点からそれらのエッジ上に位置する第24規定量以下のエッジ273、274を作成する。エッジ発生部205は、エッジ255、261についてそれらの接触点からそれらのエッジ上に位置する第24規定量以下のエッジ275、276を作成する。エッジ発生部205は、エッジ254、257についてそれらの接触点からそれらのエッジ上に位置する第24規定量以下のエッジ277、278を作成する。エッジ発生部205は、エッジ257、262についてそれらの交点からそれらの上に位置する第24規定量以下のエッジ279、280を作成する。
The
Referring to FIG. 26, the
第1接触エッジ検出部206は、入力データ記憶部201に記憶されているマスクパターンの夫々のエッジ(外形構成エッジ)のうち、エッジ発生部205により作成されたエッジの少なくとも一つに線接触しているエッジを検出する。
図26、図27を参照すると、第1接触エッジ検出部206は、エッジ251〜262のうち、エッジ271に線接触するエッジ251、エッジ272に線接触するエッジ259、エッジ273に線接触するエッジ260、エッジ274、277に線接触するエッジ254、エッジ275に線接触するエッジ261、エッジ276に線接触するエッジ256、エッジ278、279に線接触するエッジ257、およびエッジ280に線接触するエッジ262を検出する。
The first contact
Referring to FIG. 26 and FIG. 27, the first contact
長さエッジ検出部207は、第1接触エッジ検出部206により検出されたエッジの中から、予め規定した量(第25規定量)以上のエッジを検出する。
図27、図28を参照すると、エッジ251〜258は第25規定量以上の長さのエッジであり、エッジ259〜262は第25規定量未満のエッジであるとすると、長さエッジ検出部207は、第1接触エッジ検出部206により検出されたエッジ251、254、256、257、259、260、261、262の中から、エッジ251、254、256、257を検出する。
The length
27 and 28, if the
第2接触エッジ検出部208は、エッジ発生部205により作成されたエッジの中から、長さエッジ検出部207により検出されたエッジのいずれかと線接触しているエッジを検出する。
図26、図28、図29を参照すると、第2接触エッジ検出部208は、エッジ発生部205により作成されたエッジ271〜280の中から長さエッジ検出部207により検出されたエッジ251、254、256、257のいずれかと線接触しているエッジ271、274、276、277、278、279を検出する。
The second contact
Referring to FIGS. 26, 28, and 29, the second contact
図形発生部209は、第2接触エッジ検出部208により検出されたエッジのうち第2接触エッジ検出部208により検出されたエッジの他のエッジと点接触していないエッジの夫々について、エッジを当該エッジに平行にかつマスクパターンの内側方向にマスクパターンを変更する上で最小となる量(以下、適宜、最小グリッド長という。)移動させる間に当該エッジが通過する領域からなる図形を作成する。また、図形発生部209は、第2接触エッジ検出部208により検出されたエッジのうち第2接触エッジ検出部208により検出されたエッジの他のエッジと点接触しているエッジの夫々について、一方のエッジおよび互いに接触している接触点を当該エッジに平行にかつマスクパターンの内側方向に最小グリッド長分移動させる間に当該エッジが通過する領域、他方のエッジおよびその接触点を当該エッジに平行にかつマスクパターンの内側方向に最小グリッド長分移動させる間に当該エッジが通過する領域、接触点が2方向に移動する間に通過する線を2辺とする正方形の領域、からなる図形を作成する。
図30を参照すると、図形発生部209は、検出された他のエッジと点接触していないエッジ271、274、276、279に対して、図形281、282、283、284を作成する。また、図形発生部209は、互いに点接触するエッジ277とエッジ278とを利用してコーナを埋めるように図形285を作成する。
The
Referring to FIG. 30, the
図形選択部210は、図形発生部209により作成された図形の中から頂点の数が6つの図形を選択する。
図30、図31を参照すると、図形281〜284は頂点の数が4つの図形であり、図形285は頂点の数が6つの図形であることから、図形選択部210は、図形発生部209により作成された図形281〜285の中から図形285を選択する。
The
Referring to FIG. 30 and FIG. 31, the figures 281 to 284 are figures having four vertices, and the figure 285 is a figure having six vertices. A figure 285 is selected from the created figures 281 to 285.
コーナエッジ検出部211は、図形選択部210により選択された図形(6頂点図形)のエッジのうち、入力データ記憶部201に記憶されているマスクパターンのエッジ(外形構成エッジ)と線接触するエッジ(コーナエッジ)を検出する。
図31、図32を参照すると、コーナエッジ検出部211は、図形選択部209により選択された図形(6頂点図形)285のエッジのうち、マスクパターンのエッジ(外形構成エッジ)と線接触しているエッジ277、278を検出する。
The corner
Referring to FIGS. 31 and 32, the corner
対向図形発生部212は、コーナエッジ検出部209により検出されたエッジ(コーナエッジ)の夫々について、エッジ(コーナエッジ)からその垂線方向に存在する外形構成エッジまでの距離が予め定められた量(第26規定量)以下であるかを判断し、以下であれば、エッジ(コーナエッジ)をその垂線方向に存在する外形構成エッジまで平行に移動させる間に通過する領域からなる図形を作成する。
図33を参照すると、エッジ277とエッジ251との距離、およびエッジ278とエッジ255との距離が第26規定量以下であるとすると、対向図形発生部212は、コーナエッジ検出部209により検出されたエッジ277をその垂線方向に存在する外形構成エッジ251まで平行に移動させる間にエッジ277が通過する領域からなる図形286を作成し、エッジ278をその垂線方向に存在する外形構成エッジエッジ255まで平行に移動させる間にエッジ278が通過する領域からなる図形287を作成する。
The opposing
Referring to FIG. 33, assuming that the distance between the
パターン内図形選択部213は、対向図形発生部212により作成された図形のうち、入力データ記憶部201に記憶されているマスクパターン内に完全に含まれる図形を選択する。
図34を参照すると、対向図形発生部212により作成された図形286と図形287はマスクパターンに完全に含まれているので、パターン内図形選択部213は、対向図形発生部212により作成された図形286、287のうち、図形286、287を選択する。
The in-pattern
Referring to FIG. 34, since the figure 286 and the figure 287 created by the opposing
非接触エッジ検出部214は、パターン内図形選択部213により選択された各図形のエッジの中から、コーナエッジ検出部209により検出されたエッジのいずれとも線接触していないエッジ(非接触エッジ)を検出する。
図34、図35を参照すると、非接触エッジ検出部214は、パターン内図形選択部213により選択された図形286、287のエッジの中から、コーナエッジ検出部209により検出されたエッジ277、278のいずれとも線接触していないエッジ288〜293を検出する。
The non-contact
34 and 35, the non-contact
エッジ接触部検出部215は、非接触エッジ検出部214によって検出されたエッジの夫々について、入力データ記憶部201に記憶されているマスクパターンのエッジと線接触している部分(線接触部)を検出する。
図36を参照すると、エッジ接触部検出部215は、非接触エッジ検出部214によって検出されたエッジの夫々について、入力データ記憶部201に記憶されているマスクパターンのエッジと線接触している線接触部を構成するエッジ294〜296を検出する。
The edge contact
Referring to FIG. 36, the edge contact
外図形発生部216は、エッジ接触部検出部215により検出されたエッジのうちエッジ接触部検出部215により検出されたエッジの他のエッジと接触していない夫々について、エッジを当該エッジに平行にかつマスクパターンの外側方向に最小グリッド長分移動させる間に当該エッジが通過する領域からなる図形を作成する。また、外図形発生部216は、エッジ接触部検出部215により検出されたエッジの他のエッジと点接触しているエッジの夫々について、一方のエッジおよび互いに接触している接触点を当該エッジに平行にかつマスクパターンの外側方向に最小グリッド長分移動させる間に当該エッジが通過する領域、他方のエッジおよびその接触点を当該エッジに平行にかつマスクパターンの外側方向に最小グリッド長分移動させる間に当該エッジが通過する領域、接触点が2方向に移動する間に通過する線を2辺とする正方形の領域、からなる図形を作成する。
図37を参照すると、外図形発生部216は、エッジ接触部検出部215により検出された他のエッジと線接触していないエッジ294を利用してマスクパターンの外側に図形297を作成する。外図形発生部216は、エッジ接触部検出部215により検出された互いに線接触するエッジ295、エッジ296とを利用してマスクパターンの外側にそのコーナを埋めるように図形298を作成する。
The outer
Referring to FIG. 37, the outer
6頂点図形選択部217は、外図形発生部216により作成された図形の中から、頂点の数が6つの図形(6頂点図形)を選択する。
図37、図38を参照すると、図形297は頂点の数が4つの図形であり、図形298は頂点の数が6つの図形であるので、6頂点図形選択部217は、外図形発生部216により作成された図形297、298の中から、図形298を選択する。
The six-vertex
37 and 38, the figure 297 is a figure with four vertices, and the figure 298 is a figure with six vertices. Therefore, the six-vertex
4頂点図形選択部218は、外図形発生部216により作成された図形の中から、頂点の数が4つの図形(4頂点図形)を選択する。
図37、図39を参照すると、図形297は頂点の数が4つの図形であり、図形298は頂点の数が6つの図形であるので、4頂点図形選択部218は、外図形発生部216により作成された図形297、298の中から、図形297を選択する。
The four-vertex
Referring to FIGS. 37 and 39, the figure 297 is a figure having four vertices, and the figure 298 is a figure having six vertices. Therefore, the four-vertex
交差エッジ検出部219は、パターン内図形選択部213により選択された図形において、選択された図形のエッジと選択された他の図形のエッジとが外角(選択された図形が存在しない方の角)90度で互いに点接触するエッジの組を検出する。
図34、図40を参照すると、図形286のエッジ299と図形287のエッジ300とが互いに外角90度で交わっており、図形286のエッジ301と図形287のエッジ302とが互いに外角90度で交わっているので、交差エッジ検出部219は、パターン内図形選択部213により選択された図形286、287において、互いに外角90度に点接触するエッジ299とエッジ300との組、およびエッジ301とエッジ302との組を検出する。
In the graphic selected by the in-pattern graphic selecting
34 and 40, the
外部図形発生部220は、交差エッジ検出部219により検出されたエッジの組毎に、組を構成するエッジの夫々について当該エッジの元図形の外側方向に平行に第24規定量移動させ、組を構成する両エッジの通過する領域からなる図形を作成する。
図40、図41を参照すると、外部図形発生部220は、交差エッジ検出部219により検出されたエッジ299、300を、当該エッジの元の図形286、287の外側方向に平行に第24規定量移動させ、エッジ299、300の通過する領域からなる図形303を作成する。また、外部図形発生部220は、交差エッジ検出部219により検出されたエッジ301、302を、当該エッジの元の図形286、287の外側方向に平行に第24規定量移動させ、エッジ301、302の通過する領域からなる図形304を作成する。
The external graphic generation unit 220 moves, for each set of edges detected by the intersecting
Referring to FIGS. 40 and 41, the external graphic generation unit 220 sets the
接触図形選択部221は、外向き図形発生部203により作成された図形のうち、外部図形発生部220により作成された図形のいずれかと線接触する図形を選択する。
図24、図42を参照すると、接触図形選択部221は、外向き図形発生部203により作成された図形263〜266のうち、外部図形発生部218により作成された図形303、304のいずれかと線接触している図形263を選択する。
The contact
Referring to FIGS. 24 and 42, the contact
第1接触図形抽出部222は、接触図形選択部221により選択された図形の中から、4頂点図形選択部218により選択された図形(4頂点図形)のいずれかと線接触する図形を抽出する。
図39、図42、図43を参照すると、図形263と図形297とが線接触することから、第1接触図形抽出部222は、接触図形選択部221により選択された図形263の中から、4頂点図形選択部218により選択された図形297と線接触している図形263を抽出する。
The first contact
39, FIG. 42, and FIG. 43, since the figure 263 and the figure 297 are in line contact, the first contact
第2接触図形抽出部223は、内向き図形発生部204により作成された図形の中から、6頂点図形選択部217により選択された図形(6頂点図形)のいずれかと線接触する図形を抽出する。
図25、図38、図44を参照すると、図形269と図形298とが線接触することから、第2接触図形抽出部223は、内向き図形発生部204により作成された図形267〜270の中から、6頂点図形選択部217により選択された図形(6頂点図形)298と線接触している図形269を抽出する。
The second contact
Referring to FIGS. 25, 38, and 44, since the graphic 269 and the graphic 298 are in line contact with each other, the second contact
図形付加部224は、第1接触図形抽出部222により抽出された図形を入力データ記憶部201に記憶されているマスクパターンに付加してマスクパターンの補正を行う。
図45を参照すると、図形付加部224は、入力データ記憶部201に記憶されているマスクパターンに第1接触図形抽出部222により抽出された図形263を付加して、付加して得られる形状を新たなマスクパターンとする。
The
Referring to FIG. 45, the
図形削除部225は、第2接触図形抽出部223により抽出された図形を図形付加部224により新たに作成されたマスクパターンから削除してマスクパターンの補正を行う。
図46を参照すると、図形削除部225は、第2接触図形抽出部223により抽出された図形269を図形付加部222により新たに作成されたマスクパターンから削除してマスクパターンの補正を行う。
The
Referring to FIG. 46, the
出力データ記憶部226は、図形削除部225により新たに作成されたマスクパターンを記憶する記憶装置である。
The output
次に、図22のパターン補正装置において行われるパターン補正方法について図47を参照しつつ説明する。図47は図22のパターン補正装置が実行するパターン補正方法の処理の流れを示すフローチャートである。
エッジ検出部202は、入力データ記憶部201に記憶されているマスクパターンの外形構成エッジの各位置座標を利用して、マスクパターンの予め定められた量(第21規定量)以上の長さのエッジに挟まれ、それらと垂直に点接触するマスクパターンの外形構成エッジの予め定められた量(第22規定量)以下の長さのエッジを検出する(ステップS201)。外向き図形発生部203は、ステップS201において検出されたエッジの夫々について、エッジを当該エッジに平行にかつマスクパターンの外側方向に予め定められた量(第23規定量)移動させる間に当該エッジが通過する領域からなる図形を作成する(ステップS202)。内向き図形発生部204は、ステップS201において検出されたエッジの夫々について、エッジを当該エッジに平行にかつマスクパターンの内側方向に予め定められた量(第23規定量)移動させる間に当該エッジが通過する領域からなる図形を作成する(ステップS203)。
Next, a pattern correction method performed in the pattern correction apparatus of FIG. 22 will be described with reference to FIG. FIG. 47 is a flowchart showing the flow of processing of the pattern correction method executed by the pattern correction apparatus of FIG.
The
エッジ発生部205は、マスクパターンを構成するエッジの中から、隣り合うエッジが外角90度で互いに点接触するエッジを検出し、その隣り合うエッジの接触点からそれらのエッジ上に予め定められた量(第24規定量)のエッジを作成する(ステップS204)。第1接触エッジ検出部206は、入力データ記憶部201に記憶されているマスクパターンのエッジ(外形構成エッジ)のうち、ステップS204において作成されたエッジの少なくとも一つに線接触しているエッジを検出する(ステップS205)。長さエッジ検出部207は、ステップS204において検出されたエッジの中から、予め規定した量(第25規定量)以上のエッジを検出する(ステップS206)。第2接触エッジ検出部208は、ステップS204において作成されたエッジの中から、ステップS206において検出されたエッジのいずれかと線接触しているエッジを検出する(ステップS207)。
The
図形発生部209は、ステップS207において検出されたエッジを利用して、上述した処理により、マスクパターン内に図形を作成する(ステップS208)。図形選択部210は、ステップS208において作成された図形の中から頂点の数が6つの図形を選択する(ステップS209)。コーナエッジ検出部211は、ステップS209において選択された図形(6頂点図形)のエッジのうち、入力データ記憶部201に記憶されているマスクパターンのエッジ(外形構成エッジ)と線接触するエッジ(コーナエッジ)を検出する(ステップS210)。対向図形発生部212は、ステップS210において検出されたエッジ(コーナエッジ)の夫々について、エッジ(コーナエッジ)からその垂線方向に存在する外形構成エッジまでの距離が予め定められた量(第26規定量)以下であるかを判断し、以下であれば、エッジ(コーナエッジ)をその垂線方向に存在する外形構成エッジまで平行に移動させる間に通過する領域からなる図形を作成する(ステップS211)。なお、第26規定量以下でないコーナエッジに関して、対向図形発生部212は図形の作成を行わない。パターン内図形選択部213は、ステップS211において作成された図形のうち、入力データ記憶部201に記憶されているマスクパターン内に完全に含まれる図形を選択する(ステップS212)。
The
非接触エッジ検出部214は、ステップS212において選択された各図形のエッジの中から、ステップS210において検出されたエッジ(コーナエッジ)のいずれとも線接触していないエッジ(非接触エッジ)を検出する(ステップS213)。エッジ接触部検出部215は、ステップS213において検出されたエッジの夫々について、入力データ記憶部201に記憶されているマスクパターンの外形構成エッジと線接触している接触部分を構成するエッジを検出する(ステップS214)。外図形発生部216は、ステップS214において検出されたエッジを利用して、上述した処理により、マスクパターンの外側に図形を作成する(ステップS215)。6頂点図形選択部217は、ステップS215において作成された図形の中から、頂点の数が6つの図形(6頂点図形)を選択する(ステップS216)。4頂点図形選択部218は、ステップS215において作成された図形の中から、頂点の数が4つの図形(4頂点図形)を選択する(ステップS217)。
The non-contact
交差エッジ検出部219は、ステップS212において選択された図形において、選択された図形のエッジと選択された他の図形のエッジとが外角90度で互いに点接触するエッジの組を抽出する(ステップS218)。外部図形発生部220は、ステップS218において検出されたエッジの組毎に、組を構成するエッジの夫々を当該エッジの元図形の外側方向に平行に第24規定量分移動させ、組を構成する両エッジの通過する領域からなる図形を作成する(ステップS219)。
The intersection
接触図形選択部221は、ステップS202において作成された図形のうち、ステップS219において作成された図形のいずれかと線接触する図形を選択する(ステップS220)。第1接触図形抽出部222は、ステップS220において選択された図形の中から、ステップS217において選択された図形(4頂点図形)のいずれかと線接触する図形を抽出する(ステップS221)。第2接触図形抽出部223は、ステップS202において作成された図形の中から、ステップS216において選択された図形(6頂点図形)のいずかと線接触する図形を抽出する(ステップS222)。
The contact
図形付加部224は、ステップS221において抽出された図形を入力データ記憶部201に記憶されているマスクパターンに付加してマスクパターンの補正を行う(ステップS223)。図形削除部225は、ステップS221において抽出された図形をステップS223において補正された後のマスクパターンから削除してマスクパターンの補正を行い、補正後のマスクパターンを出力データ記憶部226に格納する(ステップS224)。
The
《第4の実施の形態》
本発明の第4の実施の形態におけるパターン補正装置の機能構成について図48〜図54を参照しつつ説明する。図48は本実施の形態におけるパターン補正装置の機能ブロック図である。図49〜図54は図48のパターン補正装置の機能を説明するための補足図である。
図48に示すパターン補正装置500は、補正マスクパターンデータ記憶部501、モデル記憶部502、ターゲットデータ記憶部503、転写イメージ作成部504、検査ポイント作成部505、規格内判断部506、パターン修正部507、およびフォトマスク作成データ記憶部508として機能する各部を有している。
<< Fourth Embodiment >>
The functional configuration of the pattern correction apparatus according to the fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 48 is a functional block diagram of the pattern correction apparatus in the present embodiment. 49 to 54 are supplementary diagrams for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG.
48 includes a correction mask pattern
補正マスクパターンデータ記憶部501は、光近接効果補正(OPC)により補正されたマスクパターンに対して第1から第3の実施の形態において説明したパターン補正方法により補正されたマスクパターンを記憶する記憶装置である。図49は、光近接効果補正(OPC)により補正されたマスクパターンに対して第3の実施の形態において説明したパターン補正方法により図形551を追加し、図形552が削除されたマスクパターン530を示しており、補正マスクパターンデータ記憶部501は図49に示すようなマスクパターンを記憶している。
The correction mask pattern
モデル記憶部502は、マスクパターンからウェハに転写後の転写イメージのパターン(以下、適宜、転写イメージパターンという。)を求めるための関数を記憶する記憶装置である。
ターゲットデータ記憶部503は、光近接効果補正(OPC)により補正される前のマスクパターンを記憶する記憶装置である。図50は、光近接効果補正(OPC)により補正される前のマスクパターン540を示しており、ターゲットデータ記憶部503は図50に示すようなマスクパターンを記憶している。
The
The target
転写イメージ作成部504は、補正マスクパターンデータ記憶部501に記憶されているマスクパターンに対して、或いは、後述するパターン修正部507により修正された後のマスクパターンに対して、モデル記憶部502に記憶されているモデル関数を利用して、ウェハへの転写後の転写イメージのパターン(転写イメージパターン)の外郭線を作成する。なお、モデル関数を利用してマスクパターンに対するウェハ転写後の転写イメージパターンの外郭線を作成することは通常行われている既知の光学シミュレーションなどの手法を利用するものとし、ここでは、モデル関数やそれを利用したウェハ転写後の転写イメージのパターンの外郭線の作成の詳細は省略する。
図49のマスクパターン530に対して図51に示すような転写時のパターンの外郭線561、562が作成される。
The transfer
For the
検査ポイント作成部505は、ターゲットデータ記憶部503に記憶されているマスクパターン上の複数の位置に、転写イメージパターンとのエッジ位置の差分と、ずれている方向を検査するためのポイント(検査ポイント)を作成する。図50のマスクパターン540に対して図52に示すような検査ポイント571〜579を作成する。
The inspection
規格内判断部506は、転写イメージ作成部504により作成された転写イメージパターンの外郭線を、ターゲットデータ記憶部503に記憶されているマスクパターンに重ね合わせる。そして、規格内判断部506は、検査ポイント作成部505により作成した検査ポイント毎に、ターゲットデータ記憶部503に記憶されているマスクパターンのエッジと転写イメージ作成部504により作成された転写イメージの外郭線とのターゲット記憶部503に記憶されているマスクパターンのエッジに対する垂直方向の差分と、エッジ位置がずれている方向(外郭線がターゲット記憶部503に記憶されているマスクパターンの外方向、内方向)とを検出し、その差分が予め規定された量以下であるか否かを判断する。図53に示すように、規格内判断部506は、転写イメージ作成部504により作成された転写イメージの外郭線561、562をターゲットデータ記憶部503に記憶されているマスクパターン540に重ね合わせる。そして、検査ポイント573、574において差分が予め規定された量を超えている(許容範囲外)とすると、規格内判断部506は、各検査ポイント571〜579における差分と、エッジ位置のずれている方向を検出し、差分が予め定められた量を超えている検査ポイント573、574を検出する。
The
パターン修正部507は、規格内判断部506により差分が予め定められた量を超えると判断された検出ポイントに関して、補正マスクパターンデータ記憶部501に記憶されているマスクパターン或いはパターン修正部507により修正された後は修正された後のマスクパターンにおけるその検査ポイントを含むエッジを外郭線がターゲットデータ記憶部503に記憶されているマスクパターンに対してずれている方向と反対方向に所定量平行に移動させ、マスクパターンを修正する。なお、パターン修正部507は、差分が許容範囲外のときに、第1から第3の実施の形態のパターン補正方法により補正されたエッジと垂直に点接触するエッジの位置を当該補正されたエッジが位置する直線と垂直に点接触させながら所定量平行移動させている。
図54に示すように、パターン修正部507は、検査ポイント573、574を含むエッジ580、581をマスクパターンの内側方向に平行に移動させて新たなエッジ582、583として、マスクパターン530をマスクパターン541に修正する。
The
As shown in FIG. 54, the
フォトマスク作成データ記憶部508は、規格内判断部506により全ての検出ポイントにおいて差分が予め定められた量以下であると判断されたときの、マスクパターン(補正マスクパターンデータ記憶部501に記憶されているマスクパターン、或いは、パターン修正部507により修正された後のマスクパターン)を記憶する記憶装置である。
The photomask creation
次に、図48のパターン補正装置において行われるパターン補正方法について図55を参照しつつ説明する。図55は図48のパターン補正装置が実行するパターン補正方法の処理の流れを示すフローチャートである。
検査ポイント作成部505は、ターゲットデータ記憶部503に記憶されているマスクパターン上の複数の位置に転写イメージとのエッジ位置の差分と、ずれている方向を検査するポイントして検査ポイントを作成する(ステップS501)。
Next, a pattern correction method performed in the pattern correction apparatus of FIG. 48 will be described with reference to FIG. FIG. 55 is a flowchart showing the flow of processing of the pattern correction method executed by the pattern correction apparatus of FIG.
The inspection
転写イメージ作成部504は、補正マスクパターンデータ記憶部501に記憶されているマスクパターンに対して、モデル記憶部502に記憶されているモデル関数を利用して、ウェハへの転写後の転写イメージのパターンの外郭線を作成する(ステップS502)。規格内判断部506は、転写イメージ作成部504により作成された転写後の転写イメージパターンの外郭線を、ターゲットデータ記憶部503に記憶されているマスクパターンに重ね合わせる。そして、規格内判断部506は、検査ポイント作成部505により作成した検査ポイント毎に、ターゲットデータ記憶部503に記憶されているマスクパターンのエッジと転写イメージ作成部504により作成された転写イメージパターンの外郭線とのターゲットデータ記憶部503に記憶されているマスクパターンのエッジに対する垂直方向の差分と、ずれている方向を検出する(ステップS503)。検査ポイントの何れかにおいて差分が予め規定された量を超えていると(S503:NO)、ステップS504の処理へ進み、検査ポイントの全てにおいて差分が予め規定された量以下であると(S503:YES)、ステップS506の処理へ進む。
The transfer
パターン修正部507は、規格内判断部506により差分が予め定められた量を超えると判断された検出ポイントに関して、上述した処理により、マスクパターンの修正を行い(ステップS504)、転写イメージ作成部504は、修正されたマスクパターンに対するウェハへの転写後の転写イメージパターンの外郭線を作成し(ステップS505)、ステップS503の処理へ戻る。
The
規格内判断部505は、転写イメージ作成部504により外郭線が作成され差分が予め定められた量以下であると判断されたときのマスクパターンを記憶部508に記憶し(ステップS506)、処理を終了する。
The
上記第1から第4の実施の形態において補正されたマスクパターン、或いは、さらに第4の実施の形態において補正されたマスクパターンを利用し、このマスクパターンが描画されるフォトマスクを提供することができる。フォトマスクへの描画は通常行われている手法により行うことが可能であり、詳細な説明は省略する。例えば、感光体が形成された透明基板に対して感光体が形成された側からマスクパターンの形状で露光光(紫外線、X線、電子線など)を照射し、照射後に現像を行う。 To provide a photomask on which the mask pattern corrected in the first to fourth embodiments or the mask pattern corrected in the fourth embodiment is used and the mask pattern is drawn. it can. Drawing on the photomask can be performed by a conventional method, and detailed description thereof is omitted. For example, exposure light (ultraviolet rays, X-rays, electron beams, etc.) is irradiated in the form of a mask pattern from the side where the photosensitive member is formed on the transparent substrate on which the photosensitive member is formed, and development is performed after irradiation.
上記第1から第4の実施の形態において補正されたマスクパターン、或いは、さらに第4の実施の形態において補正されたマスクパターンを利用して、デバイスを製造することができる。
また、上記第1から第4の実施の形態において補正されたマスクパターン、或いは、さらに第4の実施の形態において補正されたマスクパターンを利用し作成されたフォトマスクを用いて製造されるデバイスを提供することができる。フォトマスクを用いたデバイスの製造は通常行われている手法により行うことが可能であり、詳細な説明は省略する。例えば、露光装置、フォトマスク、ターゲット(基板、基板の上に形成された被加工層、さらに被加工層の上に形成されたレジスト)の順に並べ、露光装置によりフォトマスクを介してターゲットに露光光(紫外線、X線、電子線など)を照射し、その後、現像、エッチング、レジスト除去の各処理を行う。
A device can be manufactured using the mask pattern corrected in the first to fourth embodiments or the mask pattern corrected in the fourth embodiment.
A device manufactured using the mask pattern corrected in the first to fourth embodiments or a photomask created using the mask pattern corrected in the fourth embodiment. Can be provided. Manufacturing of a device using a photomask can be performed by a commonly performed technique, and detailed description thereof is omitted. For example, an exposure device, a photomask, and a target (substrate, layer to be processed formed on the substrate, and resist formed on the layer to be processed) are arranged in this order, and the target is exposed to light through the photomask by the exposure device. Light (ultraviolet rays, X-rays, electron beams, etc.) is irradiated, and thereafter, development, etching, and resist removal are performed.
以上説明した各実施の形態によれば、マスクパターンの対向するエッジおいて、対向するエッジと平行方向における、対向する一方のエッジに垂直に点接触するエッジの位置と他方のエッジに垂直に点接触するエッジの位置とがずれている場合に、垂直に点接触するエッジ同士が対向するエッジに対する同一の垂線上になるようにそれらの位置を補正する。これにより、微小図形の大量発生と、図形分割後の図形数の増大によるデータボリュームの増大を防止することが可能になる。 According to each of the embodiments described above, at the opposing edges of the mask pattern, the position of the edge perpendicular to one of the opposing edges in the direction parallel to the opposing edge and the point perpendicular to the other edge. When the positions of the contacting edges are deviated from each other, the positions are corrected so that the vertically point-contacting edges are on the same perpendicular to the facing edges. As a result, it is possible to prevent an increase in the data volume due to the generation of a large number of minute figures and the increase in the number of figures after figure division.
以上、本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明は上述の実施の形態に限られるものではなく、特許請求の範囲に記載した限りにおいて様々な設計変更が可能なものである。 The preferred embodiments of the present invention have been described above. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various design changes can be made as long as they are described in the claims.
1 パターン補正装置
2 入力データ記憶部
3 検出部
4 判断部
5 補正部
6 出力データ記憶部
1
Claims (2)
光近接効果補正後のマスクパターンの外郭線を構成する長さが0より長いエッジにおいて、平行に対向する第1エッジと第2エッジについて、前記第1エッジと垂直に点接触する第3エッジを検出し、前記第2エッジと垂直に点接触する第4エッジを検出する検出ステップと、
前記第1エッジと平行方向における前記第3エッジの位置と前記第4エッジの位置とのずれ量が所定量以下であるかを判断する判断ステップと、
前記ずれ量が前記所定量以下であれば前記第3エッジが前記第1エッジと垂直に点接触する垂線上に前記第4エッジが位置するように前記第4エッジの位置を補正して、補正したマスクパターンデータを前記補正マスクパターンデータ記憶手段に記憶する補正ステップと、
前記ターゲットデータ記憶手段に記憶されているマスクパターン上の複数の位置に、前記転写イメージパターンとのエッジ位置の差分と、ずれている方向を検査するための検査ポイントを作成する検査ポイント作成ステップと、
前記モデル記憶手段に記憶されているモデル関数を利用して、前記補正マスクパターンデータ記憶手段に記憶されている前記マスクパターンデータからウェハへの転写後の転写イメージのパターンの外郭線を作成する転写イメージ作成ステップと、
前記転写イメージ作成ステップにより作成された転写イメージパターンの外郭線を、前記ターゲットデータ記憶手段に記憶されている光近接効果補正前のマスクパターンに重ね合わせ、前記作成した検査ポイント毎に、前記光近接効果補正前のマスクパターンのエッジと、前記転写イメージパターンの外郭線との前記光近接効果補正前のマスクパターンのエッジに対する垂直方向の差分と、エッジ位置がずれている方向とを検出し、該差分が予め規定された量以下であるか否かを判断する規格内判断ステップと、
前記規格内判断ステップにより前記差分が予め規定された量を超えると判断された前記検査ポイントを含む前記マスクパターンのエッジを、前記転写イメージパターンの外郭線が前記マスクパターンに対してずれている方向と反対方向に所定量平行に移動させることにより前記マスクパターンデータを修正する動作を前記差分が予め規定された量を超えなくなるまで繰り返し行い、前記差分が予め規定された量を超えないと判断されたときの前記マスクパターンデータを前記補正マスクパターンデータ記憶部に記憶するパターン修正ステップと
を有することを特徴とするパターン補正方法。 Corrected mask pattern data storage means for storing corrected mask pattern data; model storage means for storing a model function for obtaining an outline of a transferred image pattern after transfer to the wafer from the mask pattern data; and optical proximity A pattern correction method in a pattern correction apparatus comprising target data storage means in which mask pattern data before effect correction is stored,
A third edge that is point-contacted perpendicularly to the first edge of the first edge and the second edge that are parallel to each other at an edge having a length longer than 0 that constitutes the outline of the mask pattern after the optical proximity correction. A detection step of detecting and detecting a fourth edge that makes point contact perpendicularly to the second edge;
A determination step of determining whether a deviation amount between the position of the third edge and the position of the fourth edge in a direction parallel to the first edge is equal to or less than a predetermined amount;
If the amount of deviation is less than or equal to the predetermined amount, the position of the fourth edge is corrected so that the fourth edge is positioned on a perpendicular line where the third edge is perpendicular to the first edge. A correction step of storing the mask pattern data performed in the correction mask pattern data storage means;
An inspection point creation step of creating an inspection point for inspecting a difference in edge position with the transfer image pattern and a direction of deviation at a plurality of positions on the mask pattern stored in the target data storage means; ,
Transfer using the model function stored in the model storage means to create a contour line of the pattern of the transferred image after transfer to the wafer from the mask pattern data stored in the correction mask pattern data storage means An image creation step;
The outline of the transfer image pattern created by the transfer image creation step is overlaid on the mask pattern before optical proximity effect correction stored in the target data storage means, and the optical proximity for each of the created inspection points. A difference between a mask pattern edge before effect correction and a contour line of the transfer image pattern in a vertical direction with respect to an edge of the mask pattern before optical proximity correction, and a direction in which the edge position is shifted, and An intra-standard determination step for determining whether the difference is equal to or less than a predetermined amount;
A direction in which an outline of the transfer image pattern deviates from the mask pattern, including an edge of the mask pattern that includes the inspection point, in which the difference is determined to exceed a predetermined amount by the in-standard determination step. determining that the difference of the operation for correcting the mask pattern data by moving a predetermined amount parallel to the opposite directions have repeated rows until no more than a predefined amount, no more than the amount that the difference is defined previously and And a pattern correction step of storing the mask pattern data at the time of being stored in the correction mask pattern data storage unit .
前記マスクパターンデータからウェハに転写後の転写イメージパターンの外郭線を求めるためのモデル関数が記憶されたモデル記憶手段と、
光近接効果補正前のマスクパターンデータが記憶されたターゲットデータ記憶手段と、
光近接効果補正後のマスクパターンの外郭線を構成する長さが0より長いエッジにおいて、平行に対向する第1エッジと第2エッジについて、前記第1エッジと垂直に点接触する第3エッジを検出し、前記第2エッジと垂直に点接触する第4エッジを検出する検出手段と、
前記第1エッジと平行方向における前記第3エッジの位置と前記第4エッジの位置とのずれ量が所定量以下であるかを判断する判断手段と、
前記ずれ量が前記所定量以下であれば前記第3エッジが前記第1エッジと垂直に点接触する垂線上に前記第4エッジが位置するように前記第4エッジの位置を補正して、補正したマスクパターンデータを前記補正マスクパターンデータ記憶手段に記憶する補正手段と、
前記ターゲットデータ記憶手段に記憶されているマスクパターン上の複数の位置に、前記転写イメージパターンとのエッジ位置の差分と、ずれている方向を検査するための検査ポイントを作成する検査ポイント作成手段と、
前記モデル記憶手段に記憶されているモデル関数を利用して、前記補正マスクパターンデータ記憶手段に記憶されている前記マスクパターンデータからウェハへの転写後の転写イメージのパターンの外郭線を作成する転写イメージ作成手段と、
前記転写イメージ作成手段により作成された転写イメージパターンの外郭線を、前記ターゲットデータ記憶手段に記憶されている光近接効果補正前のマスクパターンに重ね合わせ、前記作成した検査ポイント毎に、前記光近接効果補正前のマスクパターンのエッジと、前記転写イメージパターンの外郭線との前記光近接効果補正前のマスクパターンのエッジに対する垂直方向の差分と、エッジ位置がずれている方向とを検出し、該差分が予め規定された量以下であるか否かを判断する規格内判断手段と、
前記規格内判断手段により前記差分が予め規定された量を超えると判断された前記検査ポイントを含む前記マスクパターンのエッジを、前記転写イメージパターンの外郭線が前記マスクパターンに対してずれている方向と反対方向に所定量平行に移動させることにより前記マスクパターンデータを修正する動作を前記差分が予め規定された量を超えなくなるまで繰り返し行い、前記差分が予め規定された量を超えないと判断されたときの前記マスクパターンデータを前記補正マスクパターンデータ記憶部に記憶するパターン修正手段と
を備えたことを特徴とするパターン補正装置。 Corrected mask pattern data storage means for storing corrected mask pattern data;
Model storage means for storing a model function for obtaining an outline of a transferred image pattern after being transferred to the wafer from the mask pattern data;
Target data storage means in which mask pattern data before optical proximity effect correction is stored;
A third edge that is point-contacted perpendicularly to the first edge of the first edge and the second edge that are parallel to each other at an edge having a length longer than 0 that constitutes the outline of the mask pattern after the optical proximity correction. Detecting means for detecting and detecting a fourth edge point-contacting perpendicularly to the second edge;
Determining means for determining whether a deviation amount between the position of the third edge and the position of the fourth edge in a direction parallel to the first edge is a predetermined amount or less;
If the amount of deviation is less than or equal to the predetermined amount, the position of the fourth edge is corrected so that the fourth edge is positioned on a perpendicular line where the third edge is perpendicular to the first edge. Correction means for storing the mask pattern data performed in the correction mask pattern data storage means;
An inspection point creating means for creating an inspection point for inspecting a difference in edge position from the transfer image pattern and a direction of deviation at a plurality of positions on the mask pattern stored in the target data storage means; ,
Transfer using the model function stored in the model storage means to create a contour line of the pattern of the transferred image after transfer to the wafer from the mask pattern data stored in the correction mask pattern data storage means Image creation means;
The outline of the transfer image pattern created by the transfer image creation means is overlaid on the mask pattern before optical proximity effect correction stored in the target data storage means, and the optical proximity for each of the created inspection points. A difference between a mask pattern edge before effect correction and a contour line of the transfer image pattern in a vertical direction with respect to an edge of the mask pattern before optical proximity correction, and a direction in which the edge position is shifted, and In-standard judgment means for judging whether or not the difference is equal to or less than a predetermined amount;
A direction in which an outline of the mask pattern including the inspection point at which the difference exceeds a predetermined amount by the determination unit within the standard is shifted with respect to the mask pattern. determining that the difference of the operation for correcting the mask pattern data by moving a predetermined amount parallel to the opposite directions have repeated rows until no more than a predefined amount, no more than the amount that the difference is defined previously and And a pattern correction means for storing the mask pattern data at the time of being stored in the correction mask pattern data storage unit .
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