JP5061422B2 - Pattern correction method and pattern correction device - Google Patents

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JP5061422B2 JP2005088850A JP2005088850A JP5061422B2 JP 5061422 B2 JP5061422 B2 JP 5061422B2 JP 2005088850 A JP2005088850 A JP 2005088850A JP 2005088850 A JP2005088850 A JP 2005088850A JP 5061422 B2 JP5061422 B2 JP 5061422B2
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清志 影山
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凸版印刷株式会社
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本発明は、デバイスのレイアウト設計に関連するパターン補正方法、およびパターン補正装置、並びに、それらにより補正されたマスクパターンを利用して作成されるフォトマスク、およびデバイスに関する。 The present invention relates to a pattern correction method related to the layout design of the device, and pattern correction apparatus, as well as photomask is created by using a mask pattern corrected by them and to the device.

デバイスの設計段階において、マスクパターンに微小図形が発生しないようにレイアウト設計が行われる。 In the design stage of the device, the micro graphics are performed layout design so as not to generate a mask pattern. ところが、近年の半導体技術の微細化に伴い、マスクのパターン形状をウェハ上に予定された形状および寸法どおりに形成することが困難になってきた。 However, with the miniaturization of recent semiconductor technology, it has a pattern shape of the mask becomes difficult to form the shape and dimensions exactly scheduled on the wafer. このため、微細化されたマスクパターンにおいては予めマスクパターンに図形を付加したり、疎密に応じてサイズを補正する光近接効果補正(OPC:Optical Proximity Effect Correction)が行われるようになってきた。 Accordingly, or after addition of a shape to advance the mask pattern in the mask pattern is miniaturized, the optical proximity correction for correcting the size according to the density (OPC: Optical Proximity Effect Correction) have come to be performed. この光近接効果補正によりマスクパターンのエッジに発生した微小段差が微小図形の大量発生と、図形分割後の図形数の増大によるデータボリュームの増加につながっていた。 And the optical proximity correction by outbreak of minute step occurring at the edge of the mask pattern is micro graphics, which leads to an increase in data volume due to the increase in the number of figures after the figure dividing.

このため、微小図形の削減を目的とした光近接効果補正後のマスクパターンの補正方法が種々提案されている(例えば、特許文献1参照。)。 Therefore, a method of correcting the mask pattern after the optical proximity correction for the purpose of reducing the micro graphics have been proposed (e.g., see Patent Document 1.). 特許文献1に開示された補正方法は、マスクパターンのエッジに発生した微小段差をなくすために片側単位でエッジの補正を行うものである。 Correcting method disclosed in Patent Document 1 performs the correction of the edge on one side units in order to eliminate the minute step occurring at the edge of the mask pattern.
特開2003−195473号公報 JP 2003-195473 JP

光近接効果補正によりマスクパターンの対向するエッジの微小段差の位置の相違が微小図形の大量発生と、図形分割後のデータボリュームの低減を妨げている大きな要因になる。 And outbreak of differences micro graphic position opposite edges minute step of the mask pattern by optical proximity correction, becomes a major factor that prevents a reduction in the data volume after the figure dividing. しかしながら、特許文献1に開示された補正方法は、片側単位でエッジの補正を行うものであるため、マスクパターンの対向するエッジの微小段差の位置の相違により大量発生する微小図形の数に対する対策と、図形分割後のデータボリュームの低減に有効な対策がなされたものではない。 However, the correction method disclosed in Patent Document 1, since one side units performs a correction of the edge, and measures against the number of outbreaks that minute figure by the difference in the position of the minute step of opposing edges of the mask pattern does not effective measures have been made to reduce the data volume after the figure dividing.

そこで、本発明は、マスクパターンの対向するエッジの微小段差の位置の相違により大量発生する微小図形の数の減少と図形分割後のデータボリュームの低減を可能にするパターン補正方法、およびパターン補正装置、並びに、それらにより補正されたマスクパターンを利用して作成されるフォトマスク、およびデバイスを提供することを目的とする。 The present invention relates to a pattern correction method that allows a reduction of the data volume after reduction and figure dividing the number of micro graphic of mass caused by the difference in the position of the minute step of opposing edges of the mask pattern, and the pattern correction device as well, and to provide a photomask to be created, and a device using a mask pattern corrected by them.

本発明のパターン補正方法は、記憶手段に記憶されているマスクパターンの外形線を構成する長さが0より長いエッジにおいて、平行に対向する第1エッジと第2エッジについて、前記第1エッジと垂直に点接触する第3エッジを検出し、前記第2エッジと垂直に点接触する第4エッジを検出する検出ステップと、前記第1エッジと平行方向における前記第3エッジの位置と前記第4エッジの位置とのずれ量が所定量以下であるかを判断する判断ステップと、前記ずれ量が前記所定量以下であれば前記第3エッジと前記第4エッジとが前記第1エッジに垂直に交わる同一の垂線上になるように前記第3エッジおよび前記第4エッジの少なくとも一方の位置を補正する補正ステップと、を有する。 Pattern correcting method of the present invention is the longer edge than the length 0 constituting the outline of the mask pattern stored in the storage means, the first edge and a second edge parallel to and facing, the first edge detecting a third edge of vertical point contact, said second edge and a detection step of detecting a fourth edge which vertically point contact, said the position of the third edge in the first edge and the parallel fourth a determining step of the deviation amount between the position of the edge to determine whether it is less than a predetermined amount, perpendicularly to the third edge and the fourth edge and said first edge when the deviation amount is equal to or less than the predetermined amount intersect; and a correction step of correcting at least one of the position of the third edge and the fourth edge to be the same on the vertical line.

上記パターン補正方法において、前記補正ステップにおいて、前記第3エッジが前記第1エッジと垂直に点接触する垂線上に前記第4エッジが位置するように前記第4エッジの位置を補正する。 In the pattern correction method, wherein in the correction step, to correct the position of the fourth edge as said fourth edge on a perpendicular third edge point contact perpendicularly to the first edge is located.

本発明のパターン補正方法は、第1記憶手段に記憶されている光近接効果補正後のマスクパターンの外形線を構成する長さが0より長いエッジにおいて、平行に対向する第1エッジと第2エッジについて、前記第1エッジと垂直に点接触する第3エッジを検出し、前記第2エッジと垂直に点接触する第4エッジを検出する検出ステップと、前記第1エッジと平行方向における前記第3エッジの位置と前記第4エッジの位置とのずれ量が所定量以下であるかを判断する判断ステップと、前記ずれ量が前記所定量以下であれば前記第3エッジが前記第1エッジと垂直に点接触する垂線上に前記第4エッジが位置するように前記第4エッジの位置を補正する補正ステップと、前記補正ステップにより得られるマスクパターンに基づくウェハ転写後の Pattern correcting method of the present invention, the first edge and a second length which constitutes the outline of the mask pattern after optical proximity effect correction stored in the first storage means in longer edge than 0, in parallel to face for edge, detects the third edge point contact perpendicularly to the first edge, a detection step of detecting a fourth edge contacting point perpendicular to the second edge, the at the first edge and parallel first 3 a judgment step that the amount of deviation of the edge position and the position of the fourth edge is determined whether it is less than a predetermined amount, said third edge if the shift amount is less than the predetermined amount and the first edge a correction step of correcting a position of the fourth edge so that said fourth edge on the perpendicular to vertically point contact is positioned, after the wafer transfer based on the mask pattern obtained by the correction step メージパターンと、第2記憶手段に記憶されている光近接効果補正前のマスクパターンとの比較を行い、この比較の結果に基づいて前記イメージパターンを構成する外形線のエッジの位置と前記光近接効果補正前のマスクパターンを構成する外形線のエッジの位置との差分が許容範囲に入っているかを検証する検証ステップと、前記差分が許容範囲に入っていない場合、前記補正ステップにおける補正後の前記第4エッジと垂直に点接触するエッジの位置を当該第4エッジが位置する直線と垂直に点接触させながら所定量平行移動させる再補正ステップと、を有することを特徴とする。 And image pattern, and compares with the optical proximity correction before the mask pattern stored in the second storing means, the light close to the position of the edge of the contour lines constituting the image pattern based on the result of the comparison a verification step in which the difference between the position of the edge of the outline constituting the mask pattern before effect correction is verified whether the entered tolerance, if the difference is not within the allowable range, after correction in the correction step characterized by having a a re correction step of moving a predetermined amount parallel with the position of the edge of the fourth edge perpendicularly to point contact is linearly and vertically point contact which position the fourth edge.

本発明のパターン補正装置は、補正対象のマスクパターンを記憶する第1記憶手段と、前記第1記憶手段に記憶されているマスクパターンの外形線を構成する長さが0より長いエッジにおいて、平行に対向する第1エッジと第2エッジについて、前記第1エッジと垂直に点接触する第3エッジを検出し、前記第2エッジと垂直に点接触する第4エッジを検出する検出手段と、前記第1エッジと平行方向における前記第3エッジの位置と前記第4エッジの位置とのずれ量が所定量以下であるかを判断する判断手段と、前記ずれ量が前記所定量以下であれば前記第3エッジが前記第1エッジと垂直に点接触する垂線上に前記第4エッジが位置するように前記第4エッジの位置を補正する補正手段と、前記補正手段により補正されたマスクパターン Pattern correction apparatus of the present invention, in the first storage means, the longer edge than the length 0 constituting the outline of the mask pattern stored in the first storage means for storing a mask pattern to be corrected, parallel for the first edge and a second edge opposite the, detection means first detects the edge and a third edge which vertically point contact, detecting a fourth edge of the second edge perpendicular to point contact, the judgment means for displacement of the position of said fourth edge of said third edge of the first edge and the parallel direction to determine whether there are less than a predetermined amount, the long the shift amount is equal to or less than the predetermined amount and correcting means for third edge to correct the position of the fourth edge so that said fourth edge on a perpendicular contact point perpendicularly to said first edge is located, the mask pattern corrected by said correction means 記憶する第2記憶手段と、を備えたことを特徴とする。 A second storage means for storing, and further comprising a.

本発明のフォトマスクは、上記何れかのパターン補正方法により補正されたマスクパターンに基づいて描画されたものである。 The photomask of the present invention is drawn based on the mask pattern corrected by any of the above pattern correction methods.
本発明のデバイスは、上記何れかのパターン補正方法により補正されたマスクパターンに基づいて製造されたものである。 The device of the present invention has been made based on the mask pattern corrected by any of the above pattern correction methods.
本発明のデバイスは、上記何れかのパターン補正方法により補正されたマスクパターンに基づいて描画されたフォトマスクを用いて製造されたものである。 The device of the present invention has been manufactured using the photomask drawn based on the mask pattern corrected by any of the above pattern correction methods.

本発明によれば、マスクパターンの対向する両エッジの夫々に垂直に点接触するエッジ同士の位置を合わせることによって描画図形の数が減り、データボリュームの増加を防止することが可能になる。 According to the present invention reduces the number of drawing figures by aligning the edges to each other in contact opposite both edges of each the vertical point of the mask pattern, it is possible to prevent an increase in data volume. また、上記のデータボリュームの増加の防止により、マスクパターンのデータ転送時間の短縮が図られる。 Further, by preventing the increase of the data volume, reduction of the data transfer time of the mask pattern is achieved. また、本発明のフォトマスクおよびデバイスによれば、描画図形の数の少ないマスクパターンを利用して作成されるので、製造時間を短縮することが図られる。 Further, according to the photomask and the device of the present invention, because it is created using a small number of mask pattern drawing figures, is achieved is possible to shorten the manufacturing time.

《第1の実施の形態》 "The first embodiment"
本発明の第1の実施の形態におけるパターン補正装置の機能構成について図1および図2を参照しつつ説明する。 The functional configuration of the pattern correction apparatus in the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 図1は本実施の形態におけるパターン補正装置の機能ブロック図である。 Figure 1 is a functional block diagram of a pattern correction apparatus of the present embodiment. 図2は図1のパターン補正装置の機能を説明するための補足図である。 Figure 2 is a supplementary diagram for explaining the function of pattern correction apparatus of FIG.
図1に示すパターン補正装置1は、入力データ記憶部2、検出部3、判断部4、補正部5、および出力データ記憶部6として機能する各部を有している。 Pattern correction apparatus 1 shown in FIG. 1, the input data storage unit 2, the detection unit 3, judgment unit 4, and a relevant circuits for operation as a correction unit 5, and the output data storage unit 6.

入力データ記憶部2は、光近接効果補正(OPC)により補正されたマスクパターンを記憶する記憶装置である。 Input data storage unit 2 is a storage device that stores a mask pattern corrected by optical proximity correction (OPC). なお、入力データ記憶部2に記憶するマスクパターンとして、光近接効果補正(OPC)以外の手法により補正されたマスクパターンであってもよい。 Furthermore, the mask pattern to be stored in the input data storage unit 2, the optical proximity correction may be a mask pattern that is corrected by a method other than (OPC).
検出部3は、入力データ記憶部2に記憶されているマスクパターンの外形線を構成する長さが0より長いエッジ(以下、適宜、外形構成エッジという。)の各位置座標(入力データ記憶部2に記憶されている。)を利用して、平行に対向する両エッジ(以下、適宜、対向エッジという。)の夫々について垂直に点接触するエッジ(以下、適宜、垂直交差エッジという。)を検出する。 Detector 3, the length is longer edge than 0 that constitutes the outline of the mask pattern stored in the input data storage unit 2 (hereinafter referred to outline configuration edges.) Each position coordinate (input data storage unit utilized.) of 2 to stored, parallel opposing both edges (hereinafter referred to as the opposite edge. edge to vertically point contact for each of) (hereinafter, referred to a vertical cross-edges.) To detect. 図2の例では、検出部3は、マスクパターンの平行に対向するエッジ11とエッジ12について、エッジ11と垂直に点接触するエッジ13を検出し、エッジ12と垂直に点接触するエッジ14を検出する。 In the example of FIG. 2, the detecting unit 3, the edge 11 and the edge 12 which faces parallel to the mask pattern, detects an edge 13 which vertically point contact with the edge 11, the edge 14 of vertical point contact with the edge 12 To detect.

判断部4は、検出部3により検出された垂直交差エッジの位置座標を利用して、両対向エッジと平行方向における両垂直交差エッジの位置のずれ量が所定量以下であるか否かを判断する。 Determining unit 4 uses the position coordinates of the vertical cross edges detected by the detecting unit 3, it determines the shift amount of the position of both vertical cross edges at both opposite edges parallel direction or less than a predetermined amount to. 図2の例では、判断部4は、エッジ11と平行方向におけるエッジ13の位置とエッジ14の位置とのずれ量15が所定量以下であるかを判断する。 In the example of FIG. 2, the determining unit 4, the deviation amount 15 between the positions of the edge 14 of the edge 13 in the direction parallel to the edge 11 it is determined whether or not more than a predetermined amount.
補正部5は、ずれ量が所定量以下であれば両垂直交差エッジの位置が対向エッジに垂直に交わる同一の垂線上になるように両垂直交差エッジの位置を補正する。 Correcting section 5, the deviation amount is the position of the two vertical cross edges is equal to or less than a predetermined amount to correct the positions of both vertical cross edges to be on the same vertical line intersecting perpendicularly to the opposite edge. 図2の例では、補正部5は、ずれ量が所定量以下であればエッジ13とエッジ14とがエッジ14のエッジ12に点接触する位置におけるエッジ12に対する垂線16上になるようにエッジ13を垂線16上の位置に補正し、マスクパターンの補正を行う。 FIG The second example, the correction unit 5, the deviation amount is a predetermined amount as less edge 13 and the edge 14 if is above the perpendicular 16 to the edge 12 at the position contacting edge 12 two points of the edge 14 edge 13 It was corrected to a position on the vertical line 16, to correct the mask pattern.
出力データ記憶部6は、入力データ記憶部2に記憶されているマスクパターンに対して補正が行われたマスクパターンを記憶する。 Output data storage section 6 stores the mask pattern correction is performed on the mask pattern stored in the input data storage unit 2.

次に、図1のパターン補正装置において行われるパターン補正方法について図3を参照しつつ説明する。 Next, it will be described with reference to FIG. 3 for pattern correction method performed in the pattern correction apparatus of FIG. 図3は図1のパターン補正装置が実行するパターン補正方法の処理の流れを示すフローチャートである。 Figure 3 is a flow chart showing the flow of processing of pattern correction methods pattern correction apparatus of FIG. 1 executes.
検出部3は、入力データ記憶部2に記憶されているマスクパターンの外形構成エッジにおいて、平行に対向する両対向エッジの夫々について垂直に点接触する垂直交差エッジを検出する(ステップS1)。 Detector 3, the profile configuration the edges of the mask pattern stored in the input data storage unit 2, detects the vertical cross edges vertically point contact for each of the two opposing edges parallel to each (step S1). 判断部4は、両対向エッジと平行方向におけるステップS1において検出された両垂直交差エッジの位置のずれ量が所定量以下であるか否かを判断する(ステップS2)。 Determination unit 4, the deviation amount of the position of both vertical cross edge detected in step S1 in the two facing edges parallel direction is equal to or less than a predetermined amount (step S2). 補正部5は、ステップS2においてずれ量が所定量以下であると判断された両垂直交差エッジに関して両垂直交差エッジの位置が対向エッジに垂直に交わる垂線(例えば、一方の垂直交差エッジが対向エッジに点接触する位置における垂線)上になるように両垂直交差エッジの位置を補正し、出力データ記憶部6に記憶する(ステップS3)。 Correcting unit 5, a perpendicular displacement amount in step S2 is the position of the two vertical cross edges for both vertical cross edge is determined to be below a predetermined amount perpendicularly intersects the opposing edge (e.g., one vertical cross edge facing edge correcting the positions of both vertical cross edges to overlie perpendicular) at the position in contact two points, it is stored in the output data storage section 6 (step S3).

以上説明したようにマスクパターンを補正すれば、図2に示すように、補正前までは4分割必要であったのに対して、補正後は2分割でよくなり、大量発生する微小図形の数と、図形分割後のデータボリュームの低減が可能になる。 By correcting a mask pattern as described above, as shown in FIG. 2, whereas before the correction was required 4 division, after the correction becomes well in 2 divided, the number of micro graphics that outbreak If, it is possible to reduce the data volume after the figure dividing.

《第2の実施の形態》 "The second embodiment"
本発明の第2の実施の形態におけるパターン補正装置の機能構成について図4〜図18を参照しつつ説明する。 The functional configuration of the pattern correction apparatus according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS 18. 図4は本実施の形態におけるパターン補正装置の機能ブロック図である。 Figure 4 is a functional block diagram of a pattern correction apparatus of the present embodiment. 図5〜図18は図4のパターン補正装置の機能を説明するための補足図である。 5 through FIG. 18 is a supplementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG.
図4に示すパターン補正装置100は、入力データ記憶部101、エッジ検出部102、外向き図形発生部103、内向き図形発生部104、非接触エッジ検出部105、所定アングルエッジ検出部106、接触エッジ検出部107、対向図形発生部108、パターン内図形選択部109、選択図形合成部110、6頂点図形選択部111、4頂点図形発生部112、外部図形発生部113、接触図形選択部114、非接触図形選択部115、図形付加部116、および出力データ記憶部117として機能する各部を有する。 Pattern correction apparatus shown in FIG. 4 100 includes an input data storage unit 101, an edge detection unit 102, the outward graphic generation unit 103, an inward graphic generation unit 104, the non-contact edge detecting unit 105, a predetermined angle edge detection unit 106, the contact edge detector 107, the counter graphic generation unit 108, the pattern in the figure selecting section 109, selecting the graphic combining section 110,6 vertex figure selector 111,4 vertex figure generating portion 112, an external graphic generation unit 113, the contact graphic selection part 114, contactless graphic selection part 115, with each unit functioning as graphic adding section 116 and the output data storage unit 117.

入力データ記憶部101は、光近接効果補正(OPC)により補正されたマスクパターンを記憶する記憶装置である。 Input data storage unit 101 is a storage device for storing a mask pattern corrected by optical proximity correction (OPC). なお、入力データ記憶部2に記憶するマスクパターンとして、光近接効果補正(OPC)以外の手法により補正されたマスクパターンであってもよい。 Furthermore, the mask pattern to be stored in the input data storage unit 2, the optical proximity correction may be a mask pattern that is corrected by a method other than (OPC).
エッジ検出部102は、入力データ記憶部101に記憶されているマスクパターンの外形構成エッジの各位置座標を利用して、マスクパターンの予め定められた量(第11規定量)以上の長さのエッジに挟まれ、それらと垂直に点接触するマスクパターンの予め定められた量(第12規定量)以下の長さのエッジを検出する。 Edge detecting unit 102 uses the respective position coordinates of the profile configuration edges of the mask pattern stored in the input data storage unit 101, a predetermined mask pattern amount (11 specified amount) or more in length sandwiched edge, detecting a predetermined amount (12 specified amount) or less of the length of the edges of the mask pattern perpendicular thereto in point contact.
図5の例では、エッジ151〜154は第11規定量以上の長さのエッジであり、エッジ155、156は第12規定量以下の長さのエッジであって、エッジ155はエッジ152と隣り合う関係がマスクパターンの存在しない方の角(外角)が90度で点接触し、エッジ151と隣り合う関係がマスクパターンの存在する方の角(内角)が90度で点接触した頂点の間に挟まれ、エッジ156はエッジ154と隣り合う関係が外角90度で点接触し、エッジ153と隣り合う関係が内角90度で点接触した頂点の間に挟まれているとすると、エッジ検出部102は、エッジ151〜156の中から、エッジ155、156を検出する。 In the example of FIG. 5, the edge 151 to 154 is the eleventh specified amount or more of the length of the edge, the edge 155, 156 is a first 12 defined amount less the length of the edge, the edge 155 is adjacent the edge 152 during fit relationship of vertices nonexistent towards the corner (outer angle) is in point contact at 90 degrees, corners towards the relationship adjacent to an edge 151 is present in the mask pattern (internal angle) is in point contact at 90 degrees of the mask pattern sandwiched, the relationship edge 156 adjacent to the edge 154 is in point contact at 90 ° external angle, a relationship adjacent to the edge 153 is sandwiched between the vertex point contact at 90 ° internal angle, the edge detection unit 102, from the edge 151 to 156, detects the edge 155 and 156.

外向き図形発生部103は、エッジ検出部102により検出されたエッジの夫々について、エッジを当該エッジに平行にかつマスクパターンの外側方向に予め定められた量(第13規定量)移動させる間に当該エッジが通過する領域からなる図形を作成する。 During outward graphic generation unit 103, for each of the edges detected by the edge detection unit 102, the predetermined amount outward of parallel and the mask pattern edge to the edge (13 specified amount) is moved to create a shape consisting of a region where the edge passes.
図6を参照すると、外向き図形発生部103は、エッジ検出部102により検出されたエッジ155を当該エッジ155に平行に且つマスクパターンの外側方向に第13規定量移動させる間にエッジ155が通過する領域からなる図形157を作成する。 Referring to FIG. 6, the outward graphic generation unit 103, the edge 155 passes through the edges 155, which is detected by the edge detection unit 102 while moving 13 the specified amount in the outward direction of the parallel and the mask pattern to the edge 155 to create a shape 157 comprising a region. また、外向き図形発生部103は、エッジ検出部102により検出されたエッジ156を当該エッジ156に平行に且つマスクパターンの外側方向に第13規定量移動させる間にエッジ156が通過する領域からなる図形158を作成する。 Further, the outward graphic generation unit 103 is an edge 156 which is detected by the edge detection unit 102 from the region where the edge 156 passes while moving 13 the specified amount in the outward direction of the parallel and the mask pattern to the edge 156 to create a graphic 158.

内向き図形発生部104は、エッジ検出部102により検出されたエッジの夫々について、エッジを当該エッジに平行にかつマスクパターンの内側方向に予め定められた量(第13規定量)移動させる間に当該エッジが通過する領域からなる図形を作成する。 Inwardly graphic generation unit 104, the s husband edges detected by the edge detection unit 102, an edge while moving a predetermined amount inward direction parallel to and the mask pattern to the edge (13 specified amount) to create a shape consisting of a region where the edge passes.
図7を参照すると、内向き図形発生部104は、エッジ検出部102により検出されたエッジ155を当該エッジ155に平行に且つマスクパターンの内側方向に第13規定量移動させる間にエッジ155が通過する領域からなる図形159を作成する。 Referring to FIG. 7, the inward graphic generation unit 104, the edge 155 passes through the edges 155, which is detected by the edge detection unit 102 while moving the 13 specified amount inwardly of the parallel and the mask pattern to the edge 155 to create a shape 159 comprising a region. また、内向き図形発生部104は、エッジ検出部102により検出されたエッジ156を当該エッジ156に平行に且つマスクパターンの内側方向に第13規定量移動させる間にエッジ156が通過する領域からなる図形160を作成する。 Further, inward graphic generation unit 104 is composed of an edge 156 which is detected by the edge detection unit 102 from the region where the edge 156 passes between the first 13 to define the amount of movement toward the inside of the parallel and the mask pattern to the edge 156 to create a graphic 160.

非接触エッジ検出部105は、外向き図形発生部103により作成された図形を構成するエッジのうち、内向き図形発生部104により作成された図形を構成するエッジと線接触していないエッジ(非接触エッジ)を検出する。 Non-contact edge detecting unit 105, outward of the edges constituting the shape created by the graphic generation unit 103 does not contact edges and lines constituting the graphic created by the inward graphic generator 104 Edge (non contact edge) is detected.
図6〜図8を参照すると、非接触エッジ検出部105は、外向き図形発生部103により作成された図形157を構成するエッジのうち内向き図形発生部104により作成された図形159、160を構成するエッジと線接触していないエッジ(非接触エッジ)161〜163を検出する。 Referring to FIGS, non-contact edge detecting unit 105, a graphic 159 and 160 created by the outward graphic generation unit 103 edge out inwardly graphic generator 104 which constitute the graphic 157 created by configuration edge line contact with non edge detecting a (non-contact edge) 161-163. また、非接触エッジ検出部105は、外向き図形発生部103により作成された図形158を構成するエッジのうち内向き図形発生部104により作成された図形159、160を構成するエッジと線接触していないエッジ(非接触エッジ)164〜166を検出する。 The non-contact edge detecting unit 105, is contacted edges and lines constituting the figures 159 and 160 created by the inner inward graphic generation unit 104 of the edges constituting the graphic 158 created by outward graphic generation unit 103 not edge detecting a (non-contact edge) 164-166.

所定アングルエッジ検出部106は、非接触エッジ検出部105により検出されたエッジ(非接触エッジ)の中から所定方向に延びたエッジ(所定アングルエッジ)を検出する。 Predetermined angle edge detection unit 106 detects an edge extending in a predetermined direction from the detected edge by the non-contact edge detector 105 (the non-contact edge) (predetermined angle edge).
図8、図9を参照すると、所定方向がエッジ151〜154の延びる方向であるとすると、所定アングルエッジ検出部106は、非接触エッジ検出部105により検出されたエッジ(非接触エッジ)161〜166の中から、エッジ151〜154と平行なエッジ(所定アングルエッジ)161、163、164、166を検出する。 8, referring to FIG. 9, when the predetermined direction is the direction of extension of the edges 151 to 154, the predetermined angle edge detection unit 106, a detected edge by the non-contact edge detector 105 (the non-contact edge) 161 to from 166 detects an edge 151 to 154 and parallel edges (predetermined angle edge) 161,163,164,166.

接触エッジ検出部107は、所定アングルエッジ検出部106により検出されたエッジ(所定アングルエッジ)の中から入力データ記憶部101に記憶されているマスクパターンの外形構成エッジと線接触しているエッジ(線接触エッジ)を検出する。 Contact the edge detector 107, a predetermined angle edge detecting unit 106 by the detected edge (predetermined angle edge) input data profile configuration edge and line contact with that edge of the stored in the storage unit 101 and the mask pattern from ( detecting a line contact edge).
図9、図10を参照すると、接触エッジ検出部107は、所定アングルエッジ検出部106により検出されたエッジ(所定アングルエッジ)161、163、164、166の中からマスクパターンの外形構成エッジと線接触しているエッジ(線接触エッジ)163、164を検出する。 9, referring to FIG. 10, the contact edge detector 107, profile configuration edges and lines of the mask pattern from the predetermined angle edge detected edge by the detection unit 106 (predetermined angle edge) 161,163,164,166 contact with that edge to detect the (linear contact edge) 163, 164.

対向図形発生部108は、接触エッジ検出部107により検出されたエッジ(線接触エッジ)の夫々について、線接触エッジからその垂線方向に存在する外形構成エッジまでの距離が予め定められた量(第14規定量)以下であるかを判断し、以下であれば、線接触エッジをその垂線方向に存在する外形構成エッジまで平行に移動させる間に当該線接触エッジが通過する領域からなる図形を作成する。 Opposing graphic generation unit 108, for each of the contact edge detecting unit 107 by the detected edge (line contact edge), the amount of the distance from the line contact edge to outer configurations edge existing in the perpendicular direction is predetermined (the 14 specified amount) to determine the whether less, not more than, create a shape consisting of a region where the line contact edge passes while moving in parallel to the outer structure edge existing line contact edge in its normal direction to.
図11を参照すると、エッジ163とエッジ153との距離、およびエッジ164とエッジ152との距離が第14規定量以下であるとすると、対向図形発生部108は、接触エッジ検出部107により検出されたエッジ(線接触エッジ)163をその垂線方向に存在するエッジ(外形構成エッジ)153まで平行に移動させる間に当該エッジ163が通過する領域からなる図形167を作成し、エッジ(線接触エッジ)164をその垂線方向に存在するエッジ(外形構成エッジ)152まで平行に移動させる間に当該エッジ164が通過する領域からなる図形168を作成する。 Referring to FIG. 11, the distance between the edge 163 and the edge 153, and the distance between the edge 164 and the edge 152 is to be less than or equal to 14 defined amount, opposing graphic generation unit 108 is detected by the contact edge detector 107 edges edges exist (line contact edge) 163 in the perpendicular direction to create a shape 167 comprising a region where the edge 163 passes while moving in parallel to the (outer configuration edge) 153, an edge (line contact edge) 164 create a graphic 168 consisting of regions where the edge 164 passes while moving parallel to the edge (profile configuration edge) 152 existing in the perpendicular direction.

パターン内図形選択部109は、対向図形発生部108により作成された図形のうち、入力データ記憶部101に記憶されているマスクパターン内に完全に含まれる図形を選択する。 Pattern in figure selecting section 109, among the graphics created by opposing graphic generation unit 108, to select a shape that is completely contained in the mask pattern stored in the input data storage unit 101.
選択図形合成部110は、パターン内図形選択部109により選択された図形を合成して新たに図形を作成する。 Selecting graphic combining section 110 newly creates a shape by combining a figure selected by the pattern in the figure selecting section 109.
図12を参照すると、対向図形発生部108により作成された図形167と図形168はマスクパターンに完全に含まれているので、パターン内図形選択部109により図形167と図形168とが選択され、選択図形合成部110は、選択された図形167と図形168とを合成して図形169を作成する。 Referring to FIG. 12, the graphic 167 and the figure 168 created by opposing graphic generation unit 108 because it contains completely mask pattern, and the figure 167 and figure 168 is selected by the pattern in the figure selecting section 109, selected graphics Synthesizer unit 110 creates a graphic 169 by synthesizing the graphic 167 and the figure 168 has been selected.
なお、所定方向として複数の方向を任意に設定でき、複数設定した場合には、所定アングルエッジ検出部106、接触エッジ検出部107、対向図形発生部108、パターン内図形選択部109、選択図形合成部110は、各所定方向毎に処理を行う。 Incidentally, can be arbitrarily set a plurality of directions as the predetermined direction, when the plurality of setting a predetermined angle edge detection unit 106, the contact edge detection unit 107, face graphic generation unit 108, the pattern in the figure selecting section 109, selects the Graphics Synthesizer part 110 performs processing for each predetermined direction.

6頂点図形選択部111は、選択図形合成部110によって合成された図形の中から、頂点の数が6つの図形を選択する。 6 vertex figure selection unit 111, from among the graphic synthesized by selecting graphic combining unit 110, the number of vertices to select six figures.
図13を参照すると、選択図形合成部110によって作成された図形169が6つの頂点170〜175を有しているので、6頂点図形選択部111は、頂点の数が6つの図形(6頂点図形)として図形169を選択する。 Referring to FIG. 13, the graphic 169 created by selecting the Graphics Synthesizer 110 has six vertices 170-175, 6 vertex figure selection unit 111, the number of vertices of six figures (6 vertex figure ) to select a shape 169 as.

4頂点図形発生部112は、6頂点図形選択部111により選択された図形(6頂点図形)の夫々について、6頂点図形の3つの頂点を頂点とし、当該6頂点図形の領域の全てを含む頂点の数が4つの図形(長方形)を作成する。 4 vertices vertices graphic generation unit 112, comprising for each of the selected shape by 6 vertices graphic selection part 111 (6 vertex figure), an apex of the three vertices of the 6 vertices figure, all areas of the 6 vertices figure number to create four figures (rectangle) of.
図14を参照すると、4頂点図形発生部112は、6頂点図形選択部111により選択された図形169に対して、その頂点170、171、175を頂点とし、図形169の領域を全て含む図形176を作成する。 Referring to FIG. 14, four vertexes graphic generation unit 112, 6 relative to figure 169, which is selected by the vertex figure selecting section 111, an apex that vertex 170,171,175, figure 176 that includes all regions of the graphic 169 to create a.

外部図形発生部113は、4頂点図形発生部112により作成された4頂点の図形の夫々について、4頂点の図形の領域からその作成の基となった6頂点の図形の領域を除いた図形を作成する。 External graphic generation unit 113, the 4 vertices of the figure respectively created by four vertices graphic generation unit 112, a figure except for the area of ​​the figure 6 vertices from which it creates the base from the four vertices of the area of ​​the figure create.
図13〜図15を参照すると、外部図形発生部113は、4頂点図形発生部112により作成された4頂点の図形176の領域からその作成の基となった6頂点の図形169の領域を除いた図形177を作成する。 Referring to FIGS. 13 to 15, the external graphics generating unit 113, except for the area of ​​the graphic 169 6 vertices since its creation of groups from 4 regions of the vertices of the figure 176 created by the four vertices graphic generator 112 to create a graphic 177.

接触図形選択部114は、外向き図形発生部103により作成された図形の中から、6頂点図形選択部111により選択された図形(6頂点図形)のいずれかと線接触する図形を選択する。 Contact graphic selection part 114, from the graphic created by the outward graphic generation unit 103, selects either a figure that line contact of the selected figure (6 vertex figure) by 6 vertex figure selecting section 111.
図6、図13、図16を参照すると、図形157、158が図形169と線接触しているので、接触図形選択部114は、外向き図形発生部103により作成された図形157、158の中から、6頂点図形選択部111により選択された図形(6頂点図形)169と線接触している図形157、158を選択する。 6, FIG. 13, referring to FIG. 16, since the figures 157 and 158 are in contact shapes 169 and line contact graphic selection part 114, in the figure 157 and 158 created by the outward graphic generation unit 103 from selects 6 vertices graphic selection part 111 is graphic (6 vertex figure) 169 and a line contact with that graphic 157 and 158 selected by.

非接触図形選択部115は、接触図形選択部114により選択された図形の中から、外部図形発生部113により作成された図形と重ならない図形を選択する。 Contactless graphic selection part 115, from the figure that has been selected by the contact graphic selection part 114 selects a graphic that does not overlap with the graphics created by an external graphic generation unit 113.
図15〜図17を参照すると、図形157と図形177とは重ならないが、図形158と図形177は重なるので、非接触図形選択部115は、接触図形選択部114により選択された図形157、158の中から外部図形発生部113により作成された図形177と重ならない図形157を選択する。 Referring to FIGS. 15-17, but does not overlap the graphic 157 and the figure 177, the graphic 158 and the figure 177 overlap, graphic contactless graphic selection part 115 has been selected by the contact graphic selection part 114 157, 158 selecting a graphic 157 that does not overlap with the graphic 177 created by an external graphic generation unit 113 from the.

図形付加部116は、非接触図形選択部115により選択された図形を入力データ記憶部101に記憶されているマスクパターンに付加してマスクパターンの補正を行う。 Graphic adding section 116 performs correction of the mask pattern is added to the mask pattern stored a figure selected by the non-contact graphic selection part 115 in the input data storage unit 101.
図18を参照すると、図形付加部116は、入力データ記憶部101に記憶されているマスクパターンに非接触図形選択部115により選択された図形157を付加して、付加して得られる形状を新たなマスクパターンとする。 Referring to FIG. 18, the graphic adding section 116 adds the graphic 157 that is selected by the non-contact graphic selection part 115 in the mask pattern stored in the input data storage unit 101, a shape obtained by adding new and a mask pattern.

出力データ記憶部117は、入力データ記憶部101に記憶されているマスクパターンに対して図形付加部116により図形が付加された後のマスクパターンを記憶する記憶装置である。 Output data storage unit 117 is a storage device for storing the mask pattern after the graphic has been added by the graphic adding section 116 with respect to the mask pattern stored in the input data storage unit 101.

次に、図4のパターン補正装置において行われるパターン補正方法について図19を参照しつつ説明する。 Next, while referring to describing FIG 19 for pattern correction method performed in the pattern correction apparatus of FIG. 図19は図4のパターン補正装置が実行するパターン補正方法の処理の流れを示すフローチャートである。 Figure 19 is a flow chart showing the flow of processing of pattern correction methods pattern correction apparatus of FIG. 4 is executed.
エッジ検出部102は、入力データ記憶部101に記憶されているマスクパターンの外形構成エッジの各位置座標を利用して、マスクパターンの予め定められた量(第11規定量)以上の長さのエッジに挟まれ、それらと垂直に点接触するマスクパターンの予め定められた量(第12規定量)以下の長さのエッジを検出する(ステップS101)。 Edge detecting unit 102 uses the respective position coordinates of the profile configuration edges of the mask pattern stored in the input data storage unit 101, a predetermined mask pattern amount (11 specified amount) or more in length sandwiched edge, detecting a predetermined amount (12 specified amount) or less of the length of the edges of the mask pattern perpendicular thereto in point contact (step S101).

外向き図形発生部103は、ステップS101において検出されたエッジの夫々について、エッジを当該エッジに平行にかつマスクパターンの外側方向に予め定められた量(第13規定量)移動させる間に当該エッジが通過する領域からなる図形を作成する(ステップS102)。 Outward graphic generation unit 103, for each of the detected edges in Step S101, the edge between which edges is moved a predetermined amount toward the outside of the parallel and the mask pattern to the edge (13 specified amount) There create a graphic consisting region passes (step S102). 内向き図形発生部104は、ステップS101において検出されたエッジの夫々について、エッジを当該エッジに平行にかつマスクパターンの内側方向に予め定められた量(第13規定量)移動させる間に当該エッジが通過する領域からなる図形を作成する(ステップS103)。 Inwardly graphic generation unit 104, for each of the detected edges in Step S101, the edge while moving a predetermined amount inward direction parallel to and a mask pattern edge to the edge (13 specified amount) There create a graphic consisting region passes (step S103). 非接触エッジ検出部105は、ステップS102において作成された図形を構成するエッジのうち、ステップS103において作成された図形を構成するエッジと線接触していないエッジ(非接触エッジ)を検出する(ステップS104)。 Non-contact edge detection unit 105, among the edges constituting the shape created in step S102, detects the edge line contact with non edge (non-contact edge) constituting a graphic created in step S103 (step S104).

所定アングルエッジ検出部106は、ステップS104において検出されたエッジ(非接触エッジ)の中から所定方向に延びたエッジ(所定アングルエッジ)を検出する(ステップS105)。 Predetermined angle edge detection unit 106 detects an edge extending in a predetermined direction from the detected edge (non-contact edge) (predetermined angle edge) at step S104 (step S105). 接触エッジ検出部107は、ステップS105において検出されたエッジ(所定アングルエッジ)の中から入力データ記憶部101に記憶されているマスクパターンの外形構成エッジと線接触しているエッジ(線接触エッジ)を検出する(ステップS106)。 Contact the edge detector 107, the detected edges in Step S105 (the predetermined angle edge) profile configuration edges of the mask pattern stored in the input data storage unit 101 from the line contact to have an edge (line contact edge) detecting a (step S106). 対向図形発生部108は、ステップS106において検出されたエッジ(線接触エッジ)の夫々について、線接触エッジからその垂線方向に存在する外形構成エッジまでの距離が予め定められた量(第14規定量)以下であるかを判断し、以下であれば、線接触エッジをその垂線方向に存在する外形構成エッジまで平行に移動させる間に当該線接触エッジが通過する領域からなる図形を作成する(ステップS107)。 Opposing graphic generation unit 108, for each of the detected edge (line contact edge) in step S106, the amount of the distance from the line contact edge to outer configurations edge existing in the perpendicular direction is predetermined (14 specified amount ) was determined by whether or less, if less, to create a shape consisting of a region where the line contact edge passes while moving in parallel to the outer structure edge existing line contact edge in its normal direction (step S107). なお、第14規定量以下でない線接触エッジに関して、対向図形発生部108は図形の作成を行わない。 Regarding linear contact edge not less 14 defined amount, opposing graphic generation unit 108 does not perform the creation of the graphic.

パターン内図形選択部109は、ステップS107において作成された図形のうち、入力データ記憶部101に記憶されているマスクパターン内に完全に含まれる図形を選択する(ステップS108)。 Pattern in figure selecting section 109, among the graphics created in step S107, selecting a graphic contained entirely within the mask pattern stored in the input data storage unit 101 (step S108). 選択図形合成部110は、ステップS108において選択された図形を合成して新たに図形を作成する(ステップS109)。 Selection Graphics Synthesizer 110 synthesizes the selected graphics newly creates a graphic in step S108 (step S109). 6頂点図形選択部111は、ステップS109において合成されて新たに作成された図形の中から、頂点の数が6つの図形を選択する(ステップS110)。 6 vertex figure selection unit 111, from the new graphic created are combined in step S109, the number of vertices to select six figures (step S110). 4頂点図形発生部112は、ステップS109において選択された図形(6頂点図形)の夫々について、6頂点図形の3つの頂点を頂点とし、当該6頂点図形の領域の全てを含む頂点の数が4つの図形(長方形)を作成する(ステップS111)。 4 vertices graphic generation unit 112, for each of the selected graphics (6 vertex figure) in step S109, the vertex three vertices of 6 vertices figure, the number of vertices that includes all the areas of the 6 vertices figure 4 One of creating a graphic (rectangle) (step S111).

外部図形発生部113は、ステップS111において作成された4頂点の図形の夫々について、4頂点の図形の領域からその作成の基となった6頂点の図形の領域を除いた図形を作成する(ステップS112)。 External graphic generation unit 113, the s husband figure 4 vertices created in step S111, creates a figure except for the area of ​​the figure 6 vertices from which it creates the base from the four vertices of the area of ​​the figure (step S112). 接触図形選択部114は、ステップS102において作成された図形の中から、ステップS110において選択された図形(6頂点図形)のいずれかと線接触する図形を選択する(ステップS113)。 Contact graphic selection part 114, from the figure that was created at step S102, it selects either a figure that line contact of the selected figure (6 vertex figure) in step S110 (step S113). 非接触図形選択部115は、ステップS113において選択された図形の中から、ステップS112において作成された図形と重ならない図形を選択する(ステップS114)。 Contactless graphic selection part 115, from among the selected graphics in step S113, to select a shape that does not overlap with the graphic created in step S112 (step S114). 図形付加部116は、ステップS114において選択された図形を入力データ記憶部101に記憶されているマスクパターンに付加してマスクパターンの補正を行い、補正後のマスクパターンを出力データ記憶部117に格納する(ステップS115)。 Graphic adding section 116 performs correction of the mask pattern is added to the mask patterns stored graphics selected in step S114 in the input data storage unit 101, stores the mask pattern after the correction to the output data storage unit 117 (step S115).

なお、接触図形選択部114、非接触図形選択部115、および図形付加部116を次の機能を有する第1および第2処理部に置き換えてもよい。 The contact graphic selection part 114, the non-contact graphic selection part 115, and a graphic adding unit 116 may be replaced with the first and second processing unit has the following functions.
第1処理部は、内向き図形発生部104により作成された図形の中から、外部図形発生部113により作成された図形と線接触する図形を選択する。 The first processing unit, from the graphic created by the inward graphic generation unit 104, selects the shape of the contacted shapes and lines created by an external graphic generation unit 113.
図20を参照すると、第1処理部は、内向き図形発生部104により作成された図形159、160の中から、外部図形発生部113により作成された図形177と線接触する図形160を選択する。 Referring to FIG. 20, the first processing unit, from the figures 159 and 160 created by the inward graphic generation unit 104 selects the graphic 160 that contacts graphic 177 and the line created by an external graphic generating portion 113 .

第2処理部は、第1処理部により選択された図形を入力データ記憶部101に記憶されているマスクパターンから削除してマスクパターンの補正を行う。 The second processing unit performs the correction of the mask pattern by removing from the mask pattern stored graphics selected by the first processing unit to the input data storage unit 101.
図21を参照すると、第2処理部は、入力データ記憶部101に記憶されているマスクパターンから第1処理部により選択された図形160を削除して、削除して得られる形状を新たなマスクパターンとする。 Referring to FIG. 21, the second processing section deletes the graphic 160 that is selected from the mask pattern stored in the input data storage unit 101 by the first processing unit, a new shape obtained by deleting the mask a pattern.

《第3の実施の形態》 "The third embodiment"
本発明の第3の実施の形態におけるパターン補正装置の機能構成について図22〜図46を参照しつつ説明する。 The functional configuration of the pattern correction apparatus according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 22 to 46. 図22は本実施の形態におけるパターン補正装置の機能ブロック図である。 Figure 22 is a functional block diagram of a pattern correction apparatus of the present embodiment. 図23〜図46は図22のパターン補正装置の機能を説明するための補足図である。 23 through 46 is a supplementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 22.
図22に示すパターン補正装置200は、入力データ記憶部201、エッジ検出部202、外向き図形発生部203、内向き図形発生部204、エッジ発生部205、第1接触エッジ検出部206、長さエッジ検出部207、第2接触エッジ検出部208、図形発生部209、図形選択部210、コーナエッジ検出部211、対向図形発生部212、パターン内図形選択部213、非接触エッジ検出部214、エッジ接触部検出部215、外図形発生部216、6頂点図形選択部217、4頂点図形選択部218、交差エッジ検出部219、外部図形発生部220、接触図形選択部221、第1接触図形抽出部222、第2接触図形抽出部223、図形付加部224、図形削除部225、および出力データ記憶部226として機能する各部を Pattern correction apparatus 200 shown in FIG. 22, the input data storage unit 201, an edge detection unit 202, the outward graphic generation unit 203, an inward graphic generation unit 204, the edge generation section 205, the first contact edge detector 206, the length edge detector 207, the second contact edge detection unit 208, a graphic generation unit 209, a graphic selection part 210, the corner edge detecting unit 211, face graphic generation unit 212, the pattern in the figure selection unit 213, the non-contact edge detector 214, the edge contact portion detection unit 215, the external graphics generator 216,6 vertex figure selector 217,4 vertex figure selecting section 218, it intersects the edge detection unit 219, the external graphics generating unit 220, the contact graphic selection part 221, the first contact figure extractor 222, the second contact figure extractor 223, graphic adding section 224, a graphic deleting unit 225, and each unit functions as an output data storage unit 226 する。 To.

入力データ記憶部201は、光近接効果補正(OPC)により補正されたマスクパターンを記憶する記憶装置である。 Input data storage unit 201 is a storage device for storing a mask pattern corrected by optical proximity correction (OPC). なお、入力データ記憶部201に記憶するマスクパターンとして、光近接効果補正(OPC)以外の手法により補正されたマスクパターンであってもよい。 Furthermore, the mask pattern to be stored in the input data storage unit 201, optical proximity correction may be a mask pattern that is corrected by a method other than (OPC).
エッジ検出部202は、入力データ記憶部201に記憶されているマスクパターンの外形構成エッジの各位置座標を利用して、マスクパターンの予め定められた量(第21規定量)以上の長さのエッジに挟まれ、それらと垂直に点接触するマスクパターンの予め定められた量(第22規定量)以下の長さのエッジを検出する。 Edge detecting unit 202 uses the respective position coordinates of the profile configuration edges of the mask pattern stored in the input data storage unit 201, a predetermined mask pattern amount (21 specified amount) or more in length sandwiched edge, detecting a predetermined amount (22 specified amount) or less of the length of the edges of the mask pattern perpendicular thereto in point contact.
図23の例では、エッジ251〜258は第21規定量以上の長さのエッジであり、エッジ259〜262は第22規定量以下の長さのエッジであって、エッジ259はエッジ251と隣り合う関係がマスクパターンの存在しない方の角(外角)90度で点接触し、エッジ252と隣り合う関係がマスクパターンの存在する方の角(内角)90度で点接触した頂点の間に挟まれ、エッジ260はエッジ254と隣り合う関係が外角90度で点接触し、エッジ253と隣り合う関係が内角90度で点接触した頂点の間に挟まれ、エッジ261はエッジ256と隣り合う関係が外角90度で点接触し、エッジ255と隣り合う関係が内角90度で点接触した頂点の間に挟まれ、エッジ262はエッジ257と隣り合う関係が外角90度で点接触し In the example of FIG. 23, the edge 251-258 is 21 specified amount or more of the length of the edge, the edge 259-262 is a 22 defined amount less the length of the edge, the edge 259 adjacent the edge 251 fit relationship contact point in the presence corners of those who do not (exterior angle) 90 degrees of the mask pattern, the relationship adjacent to the edge 252 is sandwiched between the vertex point contact in the presence towards the corner (an interior angle) 90 degrees to the mask pattern is, the edge 260 is in point contact relationship adjacent to an edge 254 at 90 ° external angle, relation adjacent to the edge 253 is sandwiched between the vertex point contact at 90 ° internal angle, the edge 261 is related adjacent to edge 256 There was a point contact at 90 ° external angle, relation adjacent to the edge 255 is sandwiched between the vertex point contact at 90 ° internal angle, the edge 262 is related adjacent to the edge 257 is in point contact at 90 ° external angle エッジ258と隣り合う関係が内角90度で点接触した頂点の間に挟まれているとすると、エッジ検出部202は、エッジ251〜262の中からエッジ259〜262を検出する。 When the relationship adjacent to the edge 258 and is sandwiched between the vertex point contact at 90 ° internal angle, the edge detecting unit 202 detects the edge 259-262 from the edge 251-262.

外向き図形発生部203は、エッジ検出部202により検出されたエッジの夫々について、エッジを当該エッジに平行にかつマスクパターンの外側方向に予め定められた量(第23規定量)移動させる間に当該エッジが通過する領域からなる図形を作成する。 During outward graphic generation unit 203, for each of the edges detected by the edge detection unit 202, the predetermined amount outward of parallel and the mask pattern edge to the edge (23 specified amount) is moved to create a shape consisting of a region where the edge passes.
図24を参照すると、外向き図形発生部203は、エッジ検出部202により検出されたエッジ259をエッジ259に平行に且つマスクパターンの外側方向に第23規定量移動させる間にエッジ259が通過する領域からなる図形263を作成する。 Referring to FIG. 24, the outward graphic generation unit 203, the edge 259 passes between the first 23 to define the amount of movement of the edge 259 which is detected by the edge detection unit 202 in the outward direction of the parallel and the mask pattern to the edge 259 to create a shape 263 made from the area. また、外向き図形発生部203は、エッジ検出部202により検出されたエッジ260をエッジ260に平行に且つマスクパターンの外側方向に第23規定量移動させる間にエッジ260が通過する領域からなる図形264を作成する。 Further, the outward graphic generation unit 203, a figure consisting of a region where the edge 260 passes while moving 23 the specified amount in the outward direction of the parallel and the mask pattern edge 260 detects the edge 260 by the edge detection unit 202 264 to create. また、外向き図形発生部203は、エッジ検出部202により検出されたエッジ261をエッジ261に平行に且つマスクパターンの外側方向に第23規定量移動させる間にエッジ261が通過する領域からなる図形265を作成する。 Further, the outward graphic generation unit 203, a figure consisting of a region where the edge 261 passes while moving 23 the specified amount in the outward direction of the parallel and the mask pattern edge 261 is detected at the edge 261 by the edge detection unit 202 265 to create. また、外向き図形発生部203は、エッジ検出部202により検出されたエッジ262をエッジ262に平行に且つマスクパターンの外側方向に第23規定量移動させる間にエッジ262が通過する領域からなる図形266を作成する。 Further, the outward graphic generation unit 203, a figure consisting of a region where the edge 262 passes while moving 23 the specified amount in the outward direction of the parallel and the mask pattern edge 262 is detected in the edge 262 by the edge detection unit 202 266 to create.

内向き図形発生部204は、エッジ検出部202により検出されたエッジの夫々について、エッジを当該エッジに平行にかつマスクパターンの内側方向に予め定められた量(第23規定量)移動させる間に当該エッジが通過する領域からなる図形を作成する。 Inwardly graphic generation unit 204, for each of the edges detected by the edge detection unit 202, while moving a predetermined amount inward direction parallel to and a mask pattern edge to the edge (23 specified amount) to create a shape consisting of a region where the edge passes.
図25を参照すると、内向き図形発生部204は、エッジ検出部202により検出されたエッジ259をエッジ259に平行に且つマスクパターンの内側方向に第23規定量移動させる間にエッジ259が通過する領域からなる図形267を作成する。 Referring to FIG 25, an inward graphic generation unit 204, the edge 259 passes between the first 23 to define the amount of movement of the edge 259 which is detected by the edge detection section 202 inwardly of the parallel and the mask pattern to the edge 259 to create a shape 267 made from the area. また、内向き図形発生部204は、エッジ検出部202により検出されたエッジ260をエッジ260に平行に且つマスクパターンの内側方向に第23規定量移動させる間にエッジ260が通過する領域からなる図形268を作成する。 Further, inward graphic generation unit 204, a figure consisting of a region where the edge 260 passes between the first 23 to define the amount of movement of the edge 260 which is detected by the edge detection section 202 inwardly of the parallel and the mask pattern to the edge 260 268 to create. また、内向き図形発生部204は、エッジ検出部202により検出されたエッジ261をエッジ261に平行に且つマスクパターンの内側方向に第23規定量移動させる間にエッジ261が通過する領域からなる図形269を作成する。 Further, inward graphic generation unit 204, a figure consisting of a region where the edge 261 passes between the first 23 to define the amount of movement of the edge 261 which is detected by the edge detection section 202 inwardly of the parallel and the mask pattern to the edge 261 269 ​​to create. また、内向き図形発生部204は、エッジ検出部202により検出されたエッジ262をエッジ262に平行に且つマスクパターンの内側方向に第23規定量移動させる間にエッジ262が通過する領域からなる図形270を作成する。 Further, inward graphic generation unit 204, a figure consisting of a region where the edge 262 passes between the first 23 to define the amount of movement of the edge 262 which is detected by the edge detection section 202 inwardly of the parallel and the mask pattern to the edge 262 to create a 270.

エッジ発生部205は、マスクパターンのエッジ(外形構成エッジ)の中から、隣り合う関係がマスクパターンの存在しない方の角(外角)90度で点接触したエッジを検出し、その隣り合うエッジの接触点からそれらのエッジ上に予め定められた量(第24規定量)以下のエッジを作成する。 Edge generator unit 205, from the mask pattern of the edge (profile configuration edge) detects an edge the relationship adjacent to point contact in the presence corners of those who do not (exterior angle) 90 degrees of the mask pattern, the adjacent edges create those predetermined amount on an edge (24 specified amount) following the edge from the contact point.
図26を参照すると、エッジ発生部205は、マスクパターンのエッジ(外形構成エッジ)の中から、隣り合う関係が外角90度で点接触したエッジとして、エッジ251、259と、エッジ253、260と、エッジ255、261と、エッジ254、257と、エッジ257、262と、を検出する。 Referring to FIG. 26, the edge generation section 205, from the mask pattern of the edge (profile configuration edge), as an edge relationship adjacent has point contact with 90 ° external angle, the edges 251,259, an edge 253,260 detects an edge 255,261, an edge 254,257, an edge 257,262, the. そして、エッジ発生部205は、エッジ251、259についてそれらの接触点からそれらのエッジ上に位置する第24規定量以下のエッジ271、272を作成する。 Then, the edge generation section 205 generates a first 24 defined amount less edges 271 and 272 located on their edges from their contact points for the edge 251,259. エッジ発生部205は、エッジ253、260についてそれらの接触点からそれらのエッジ上に位置する第24規定量以下のエッジ273、274を作成する。 Edge generator unit 205 generates a first 24 defined amount below the edge 273, 274 located on their edges from their contact points for the edge 253,260. エッジ発生部205は、エッジ255、261についてそれらの接触点からそれらのエッジ上に位置する第24規定量以下のエッジ275、276を作成する。 Edge generator unit 205 generates a first 24 defined amount below the edge 275, 276 located on their edges from their contact points for the edge 255,261. エッジ発生部205は、エッジ254、257についてそれらの接触点からそれらのエッジ上に位置する第24規定量以下のエッジ277、278を作成する。 Edge generator unit 205 generates a first 24 defined amount below the edge 277, 278 located on their edges from their contact points for the edge 254,257. エッジ発生部205は、エッジ257、262についてそれらの交点からそれらの上に位置する第24規定量以下のエッジ279、280を作成する。 Edge generator unit 205 generates a first 24 defined amount less edges 279,280 located on them from their intersection the edge 257,262.

第1接触エッジ検出部206は、入力データ記憶部201に記憶されているマスクパターンの夫々のエッジ(外形構成エッジ)のうち、エッジ発生部205により作成されたエッジの少なくとも一つに線接触しているエッジを検出する。 First contact edge detection unit 206, among the respective edges of the mask pattern stored in the input data storage unit 201 (outer configuration edge), line contact to at least one edge that is created by the edge generation section 205 and it has to detect the edge.
図26、図27を参照すると、第1接触エッジ検出部206は、エッジ251〜262のうち、エッジ271に線接触するエッジ251、エッジ272に線接触するエッジ259、エッジ273に線接触するエッジ260、エッジ274、277に線接触するエッジ254、エッジ275に線接触するエッジ261、エッジ276に線接触するエッジ256、エッジ278、279に線接触するエッジ257、およびエッジ280に線接触するエッジ262を検出する。 Figure 26 Referring to Figure 27, the first contact edge detection unit 206, among the edges 251 to 262, the edge 251 of line contact with the edge 271, the edge 259 of line contact with the edge 272, the edge of line contact with the edge 273 260, the edge 254 of line contact with the edges 274,277, the edge 261 of line contact with the edge 275, the edge 256 of line contact with the edge 276, the edge 257 of line contact with the edges 278 and 279, and line contact edge to edge 280 262 to detect.

長さエッジ検出部207は、第1接触エッジ検出部206により検出されたエッジの中から、予め規定した量(第25規定量)以上のエッジを検出する。 Length edge detecting unit 207, from among the detected edges by the first contact edge detector 206 detects a pre-defined amount (25 specified amount) or more edges.
図27、図28を参照すると、エッジ251〜258は第25規定量以上の長さのエッジであり、エッジ259〜262は第25規定量未満のエッジであるとすると、長さエッジ検出部207は、第1接触エッジ検出部206により検出されたエッジ251、254、256、257、259、260、261、262の中から、エッジ251、254、256、257を検出する。 Figure 27 Referring to Figure 28, the edge 251-258 is 25 specified amount or more of the length of the edge, when the edge 259-262 is an edge of less than the 25 specified amount, length edge detector 207 from among the detected edges 251,254,256,257,259,260,261,262 by the first contact edge detection unit 206 detects an edge 251,254,256,257.

第2接触エッジ検出部208は、エッジ発生部205により作成されたエッジの中から、長さエッジ検出部207により検出されたエッジのいずれかと線接触しているエッジを検出する。 The second contact edge detection unit 208, from among the created edge by the edge generation section 205, detecting any line contact to that edge of the detected edges by the length edge detector 207.
図26、図28、図29を参照すると、第2接触エッジ検出部208は、エッジ発生部205により作成されたエッジ271〜280の中から長さエッジ検出部207により検出されたエッジ251、254、256、257のいずれかと線接触しているエッジ271、274、276、277、278、279を検出する。 Figure 26, Figure 28, referring to FIG. 29, the second contact edge detection unit 208, an edge is detected by a length edge detecting unit 207 from the edge 271 to 280 created by the edge generation section 205 251, 254 detects an edge 271,274,276,277,278,279 are in line contact with either the 256, 257.

図形発生部209は、第2接触エッジ検出部208により検出されたエッジのうち第2接触エッジ検出部208により検出されたエッジの他のエッジと点接触していないエッジの夫々について、エッジを当該エッジに平行にかつマスクパターンの内側方向にマスクパターンを変更する上で最小となる量(以下、適宜、最小グリッド長という。)移動させる間に当該エッジが通過する領域からなる図形を作成する。 Graphic generating unit 209, for each of the other edges and edges that are not in point contact of the detected edge by the second contact edge detecting unit 208 of the detected edges by the second contact edge detection unit 208, the edge the amount of the minimum in order to change the mask pattern inwardly of the parallel and the mask pattern to the edge (hereinafter referred to as the minimum grid length.) to create a shape where the edge is made from a region that passes while moving. また、図形発生部209は、第2接触エッジ検出部208により検出されたエッジのうち第2接触エッジ検出部208により検出されたエッジの他のエッジと点接触しているエッジの夫々について、一方のエッジおよび互いに接触している接触点を当該エッジに平行にかつマスクパターンの内側方向に最小グリッド長分移動させる間に当該エッジが通過する領域、他方のエッジおよびその接触点を当該エッジに平行にかつマスクパターンの内側方向に最小グリッド長分移動させる間に当該エッジが通過する領域、接触点が2方向に移動する間に通過する線を2辺とする正方形の領域、からなる図形を作成する。 Also, graphic generation unit 209, for each of the other edge and the point contact with that edge of the detected edges by the second contact edge detecting unit 208 of the detected edges people by the second contact edge detection unit 208, whereas parallel region where the edge passes between the contact points in contact edge and mutually moving the minimum grid length min inwardly of parallel and the mask pattern to the edge, the other edge and the contact point on the edge of creating area where the edge passes while moving minimum grid length min inward direction of the mask pattern, a square area to two sides of the line passing through between the contact point moves in two directions, a figure consisting of and the to.
図30を参照すると、図形発生部209は、検出された他のエッジと点接触していないエッジ271、274、276、279に対して、図形281、282、283、284を作成する。 Referring to FIG. 30, the graphic generation unit 209, the edge 271,274,276,279 which are not in contact other edges and points that are detected to create a shape 281,282,283,284. また、図形発生部209は、互いに点接触するエッジ277とエッジ278とを利用してコーナを埋めるように図形285を作成する。 Also, graphic generation unit 209 creates a graphic 285 to fill the corners using the edge 277 and the edge 278 to point contact with each other.

図形選択部210は、図形発生部209により作成された図形の中から頂点の数が6つの図形を選択する。 Graphic selection part 210, the number of vertices among the graphic created by the graphic generation unit 209 selects six figures.
図30、図31を参照すると、図形281〜284は頂点の数が4つの図形であり、図形285は頂点の数が6つの図形であることから、図形選択部210は、図形発生部209により作成された図形281〜285の中から図形285を選択する。 Figure 30 Referring to Figure 31, the graphic 281 to 284 are four figures the number of vertices, since the graphic 285 is the number of vertices is six figures, graphic selection part 210, a graphic generation unit 209 to select a shape 285 from the figure 281-285 that have been created.

コーナエッジ検出部211は、図形選択部210により選択された図形(6頂点図形)のエッジのうち、入力データ記憶部201に記憶されているマスクパターンのエッジ(外形構成エッジ)と線接触するエッジ(コーナエッジ)を検出する。 Corner edge detecting unit 211, among the edges of the selected shape by shape selector 210 (6 vertex figure), the mask pattern stored in the input data storage unit 201 the edge (profile configuration edge) line contact edge to detect the (corner edge).
図31、図32を参照すると、コーナエッジ検出部211は、図形選択部209により選択された図形(6頂点図形)285のエッジのうち、マスクパターンのエッジ(外形構成エッジ)と線接触しているエッジ277、278を検出する。 Figure 31 Referring to Figure 32, the corner edge detecting unit 211, among the edges of the graphic selection part figure selected by 209 (6 vertex figure) 285, in line contact with the mask pattern of the edge (profile configuration edge) to detect're edge 277 and 278.

対向図形発生部212は、コーナエッジ検出部209により検出されたエッジ(コーナエッジ)の夫々について、エッジ(コーナエッジ)からその垂線方向に存在する外形構成エッジまでの距離が予め定められた量(第26規定量)以下であるかを判断し、以下であれば、エッジ(コーナエッジ)をその垂線方向に存在する外形構成エッジまで平行に移動させる間に通過する領域からなる図形を作成する。 Opposing graphic generation unit 212, for each of the corner edge detection unit 209 by the detected edge (corner edge), the amount of distance from the edge (corner edge) to profile configuration edge existing in the perpendicular direction is predetermined ( determines whether there are 26 defined amount) or less, if less, to create a shape consisting of a region passing while moving in parallel to the outer structure edge existing edges (corner edges) in the perpendicular direction.
図33を参照すると、エッジ277とエッジ251との距離、およびエッジ278とエッジ255との距離が第26規定量以下であるとすると、対向図形発生部212は、コーナエッジ検出部209により検出されたエッジ277をその垂線方向に存在する外形構成エッジ251まで平行に移動させる間にエッジ277が通過する領域からなる図形286を作成し、エッジ278をその垂線方向に存在する外形構成エッジエッジ255まで平行に移動させる間にエッジ278が通過する領域からなる図形287を作成する。 Referring to FIG. 33, the distance between the edge 277 and the edge 251, and the distance between the edge 278 and the edge 255 is to be less than or equal to 26 defined amount, opposing graphic generation unit 212 is detected by the corner edge detector 209 the edge 277 creates a graphic 286 consisting of regions where the edge 277 passes while moving in parallel to the outer structure edge 251 present in the perpendicular direction, until profile configuration edges edge 255 present an edge 278 in its normal direction to create a shape 287 comprising a region where the edge 278 passes while moving in parallel.

パターン内図形選択部213は、対向図形発生部212により作成された図形のうち、入力データ記憶部201に記憶されているマスクパターン内に完全に含まれる図形を選択する。 Pattern in figure selection unit 213, among the graphics created by opposing graphic generation unit 212, to select a shape that is completely contained in the mask pattern stored in the input data storage unit 201.
図34を参照すると、対向図形発生部212により作成された図形286と図形287はマスクパターンに完全に含まれているので、パターン内図形選択部213は、対向図形発生部212により作成された図形286、287のうち、図形286、287を選択する。 Referring to FIG. 34, since the graphic 286 and the figure 287 created by opposing graphic generation unit 212 is completely included in the mask pattern, the pattern in the figure selection unit 213, created by the opposing graphic generation unit 212 shapes of the 286, 287, to select a shape 286 and 287.

非接触エッジ検出部214は、パターン内図形選択部213により選択された各図形のエッジの中から、コーナエッジ検出部209により検出されたエッジのいずれとも線接触していないエッジ(非接触エッジ)を検出する。 Non-contact edge detecting unit 214, from the edge of each figure selected by the pattern in the figure selecting section 213, not in contact with any line of the detected edge by corner edge detection unit 209 edge (non-contact edge) to detect.
図34、図35を参照すると、非接触エッジ検出部214は、パターン内図形選択部213により選択された図形286、287のエッジの中から、コーナエッジ検出部209により検出されたエッジ277、278のいずれとも線接触していないエッジ288〜293を検出する。 Figure 34 Referring to Figure 35, non-contact edge detector 214, from the edge of the figure 286 and 287 selected by the pattern in the figure selecting section 213, an edge is detected by the corner edge detection unit 209 277 and 278 detecting edges 288-293 which are not in contact with any line.

エッジ接触部検出部215は、非接触エッジ検出部214によって検出されたエッジの夫々について、入力データ記憶部201に記憶されているマスクパターンのエッジと線接触している部分(線接触部)を検出する。 Edge contact portion detection unit 215, for each of the edges detected by the non-contact edge detector 214, the edge and line contact with that portion of the mask pattern stored in the input data storage unit 201 (line contact portion) To detect.
図36を参照すると、エッジ接触部検出部215は、非接触エッジ検出部214によって検出されたエッジの夫々について、入力データ記憶部201に記憶されているマスクパターンのエッジと線接触している線接触部を構成するエッジ294〜296を検出する。 Referring to FIG. 36, the edge contact portion detection unit 215, for each of the edges detected by the non-contact edge detecting unit 214, it is in contact edge and a line mask pattern stored in the input data storage unit 201 line detecting edges 294-296 which constitute the contact portion.

外図形発生部216は、エッジ接触部検出部215により検出されたエッジのうちエッジ接触部検出部215により検出されたエッジの他のエッジと接触していない夫々について、エッジを当該エッジに平行にかつマスクパターンの外側方向に最小グリッド長分移動させる間に当該エッジが通過する領域からなる図形を作成する。 External graphic generation unit 216, for each not in contact with the other edge of the detected edges by the edge contact portion detection unit 215 among the edges detected by the edge contact portion detection unit 215, parallel edges in the edge and to create a shape consisting of a region where the edge passes while moving minimum grid length min outward direction of the mask pattern. また、外図形発生部216は、エッジ接触部検出部215により検出されたエッジの他のエッジと点接触しているエッジの夫々について、一方のエッジおよび互いに接触している接触点を当該エッジに平行にかつマスクパターンの外側方向に最小グリッド長分移動させる間に当該エッジが通過する領域、他方のエッジおよびその接触点を当該エッジに平行にかつマスクパターンの外側方向に最小グリッド長分移動させる間に当該エッジが通過する領域、接触点が2方向に移動する間に通過する線を2辺とする正方形の領域、からなる図形を作成する。 The outer graphic generation unit 216, for each of the edges in contact other edges and points of the edge detected by the edge contact portion detection unit 215, the contact points in contact one edge and from one another on the edge the edge region passes so the other edge and the contact point moves minimum grid length min outward direction parallel to and the mask pattern to the edge while for parallel and move the minimum grid length min outward direction of the mask pattern region where the edge passes the contact point square area to two sides of the line passing through while moving in two directions, to create a shape consisting of between.
図37を参照すると、外図形発生部216は、エッジ接触部検出部215により検出された他のエッジと線接触していないエッジ294を利用してマスクパターンの外側に図形297を作成する。 Referring to FIG. 37, the outer shape generating section 216 creates a graphic 297 on the outside of the mask pattern using an edge 294 that is not in contact other edges and lines detected by the edge contact portion detection unit 215. 外図形発生部216は、エッジ接触部検出部215により検出された互いに線接触するエッジ295、エッジ296とを利用してマスクパターンの外側にそのコーナを埋めるように図形298を作成する。 External graphic generation unit 216, an edge 295 of line contact with each other is detected by the edge contact portion detection unit 215, by using the edge 296 to create a graphic 298 to fill the corners on the outside of the mask pattern.

6頂点図形選択部217は、外図形発生部216により作成された図形の中から、頂点の数が6つの図形(6頂点図形)を選択する。 6 vertex figure selection unit 217, from among the graphic created by external graphic generation unit 216, the number of vertices to select six figures (6 vertex figure).
図37、図38を参照すると、図形297は頂点の数が4つの図形であり、図形298は頂点の数が6つの図形であるので、6頂点図形選択部217は、外図形発生部216により作成された図形297、298の中から、図形298を選択する。 Figure 37 Referring to Figure 38, figure 297 is a four figures the number of vertices, the figure 298 is the number of vertices is six figures, 6 vertex figure selecting section 217, the external graphics generating unit 216 from the figure 297, 298 that have been created, to select a shape 298.

4頂点図形選択部218は、外図形発生部216により作成された図形の中から、頂点の数が4つの図形(4頂点図形)を選択する。 4 vertices graphic selection part 218, from the graphic created by external graphic generation unit 216, the number of vertices selects four figures (4 vertices figure).
図37、図39を参照すると、図形297は頂点の数が4つの図形であり、図形298は頂点の数が6つの図形であるので、4頂点図形選択部218は、外図形発生部216により作成された図形297、298の中から、図形297を選択する。 Figure 37 Referring to Figure 39, figure 297 is a four figures the number of vertices, the figure 298 is the number of vertices is six figures, four vertices graphic selection part 218, the outer shape generating section 216 from the figure 297, 298 that have been created, to select a shape 297.

交差エッジ検出部219は、パターン内図形選択部213により選択された図形において、選択された図形のエッジと選択された他の図形のエッジとが外角(選択された図形が存在しない方の角)90度で互いに点接触するエッジの組を検出する。 Crossing edge detection unit 219, the graphics selected by the pattern in the figure selection unit 213, (corner towards the absence of selected graphics) and the edge of the other of the selected shape and an edge of the selected shape the exterior angle detecting a set of edges that point contact with each other at 90 degrees.
図34、図40を参照すると、図形286のエッジ299と図形287のエッジ300とが互いに外角90度で交わっており、図形286のエッジ301と図形287のエッジ302とが互いに外角90度で交わっているので、交差エッジ検出部219は、パターン内図形選択部213により選択された図形286、287において、互いに外角90度に点接触するエッジ299とエッジ300との組、およびエッジ301とエッジ302との組を検出する。 Figure 34 Referring to Figure 40, which meet at an edge 300 and is mutually exterior angle 90 degree edge 299 and the figure 287 of the figure 286, intersects the edge 302 of the edge 301 and the figure 287 figure 286 exterior angle 90 degrees from each other since it is, crossing the edge detection unit 219, the graphics 286 and 287 selected by the pattern in the figure selecting section 213, set between the edge 299 and the edge 300 to point contact exterior angle 90 degrees from each other, and the edge 301 and edge 302 to detect a set of the.

外部図形発生部220は、交差エッジ検出部219により検出されたエッジの組毎に、組を構成するエッジの夫々について当該エッジの元図形の外側方向に平行に第24規定量移動させ、組を構成する両エッジの通過する領域からなる図形を作成する。 External graphic generation unit 220, for each set of the detected edge by crossing edge detection unit 219, a set parallel moved 24 defined amount for each of the edges constituting outwardly of the original figure of the edge, set the to create a shape consisting of a region that passes through both edges constituting.
図40、図41を参照すると、外部図形発生部220は、交差エッジ検出部219により検出されたエッジ299、300を、当該エッジの元の図形286、287の外側方向に平行に第24規定量移動させ、エッジ299、300の通過する領域からなる図形303を作成する。 Figure 40 Referring to Figure 41, the external graphics generating unit 220, an edge 299,300 detected by crossing edge detection unit 219, the 24 defined amount in parallel outward of the source geometry 286, 287 of the edge the moved to create a shape 303 comprising a region that passes the edge 299,300. また、外部図形発生部220は、交差エッジ検出部219により検出されたエッジ301、302を、当該エッジの元の図形286、287の外側方向に平行に第24規定量移動させ、エッジ301、302の通過する領域からなる図形304を作成する。 The external graphics generating unit 220, an edge 301, 302 detected by the intersection edge detecting unit 219, parallel moved 24 defined amount outward of the source geometry 286, 287 of the edge, the edge 301, 302 to create a shape 304 made from a region which passes the.

接触図形選択部221は、外向き図形発生部203により作成された図形のうち、外部図形発生部220により作成された図形のいずれかと線接触する図形を選択する。 Contact graphic selection part 221, of the graphic created by the outward graphic generation unit 203, selects the shape of either a line contact of a figure created by an external graphic generator 220.
図24、図42を参照すると、接触図形選択部221は、外向き図形発生部203により作成された図形263〜266のうち、外部図形発生部218により作成された図形303、304のいずれかと線接触している図形263を選択する。 Figure 24 Referring to Figure 42, the contact graphic selection part 221, of the figure 263-266 created by outward graphic generation unit 203, a line with any of the figures 303 and 304 created by an external graphic generating portion 218 to select a shape 263 that are in contact with each other.

第1接触図形抽出部222は、接触図形選択部221により選択された図形の中から、4頂点図形選択部218により選択された図形(4頂点図形)のいずれかと線接触する図形を抽出する。 First contact figure extractor 222 extracts from the figure that has been selected by the contact graphic selection part 221, either a figure that line contact of the selected shape by four vertices graphic selection part 218 (4 vertices figure).
図39、図42、図43を参照すると、図形263と図形297とが線接触することから、第1接触図形抽出部222は、接触図形選択部221により選択された図形263の中から、4頂点図形選択部218により選択された図形297と線接触している図形263を抽出する。 Figure 39, Figure 42, referring to FIG. 43, since the touching figure 263 and the figure 297 transgressions line, first contact graphic extracting unit 222, among the graphics 263 selected by the contact graphic selection part 221, 4 extracting a vertex figure selecting section 218 shapes 297 and the figure 263 are in line contact which is selected by.

第2接触図形抽出部223は、内向き図形発生部204により作成された図形の中から、6頂点図形選択部217により選択された図形(6頂点図形)のいずれかと線接触する図形を抽出する。 Second contact graphic extracting unit 223 extracts from among the graphic created by the inward graphic generation unit 204, either the graphic line contact of the selected shape by 6 vertices graphic selection part 217 (6 vertex figure) .
図25、図38、図44を参照すると、図形269と図形298とが線接触することから、第2接触図形抽出部223は、内向き図形発生部204により作成された図形267〜270の中から、6頂点図形選択部217により選択された図形(6頂点図形)298と線接触している図形269を抽出する。 Figure 25, Figure 38, referring to FIG. 44, since the contact graphic 269 and the figure 298 transgressions line, the second contact graphic extracting unit 223, among the graphics 267 to 270 created by the inward graphic generator 204 from which the extracted figure (6 vertex figure) 298 and the figure 269 are in line contact selected by 6 vertices graphic selection part 217.

図形付加部224は、第1接触図形抽出部222により抽出された図形を入力データ記憶部201に記憶されているマスクパターンに付加してマスクパターンの補正を行う。 Graphic adding section 224 corrects the mask pattern is added to the mask pattern stored in the input data storage unit 201 shapes extracted by the first contact figure extractor 222.
図45を参照すると、図形付加部224は、入力データ記憶部201に記憶されているマスクパターンに第1接触図形抽出部222により抽出された図形263を付加して、付加して得られる形状を新たなマスクパターンとする。 Referring to FIG. 45, the graphic adding section 224 adds the graphic 263 extracted by the first contact figure extractor 222 in the mask pattern stored in the input data storage unit 201, a shape obtained by adding as a new mask pattern.

図形削除部225は、第2接触図形抽出部223により抽出された図形を図形付加部224により新たに作成されたマスクパターンから削除してマスクパターンの補正を行う。 Graphic deleting unit 225 corrects the mask pattern by removing from the mask pattern created new shapes extracted by the second contact graphic extracting unit 223 by the graphic adding section 224.
図46を参照すると、図形削除部225は、第2接触図形抽出部223により抽出された図形269を図形付加部222により新たに作成されたマスクパターンから削除してマスクパターンの補正を行う。 Referring to FIG. 46, the graphic deleting section 225 performs correction of the mask pattern by removing from the mask pattern newly created by the graphic adding section 222 shapes 269 extracted by the second contact graphic extraction unit 223.

出力データ記憶部226は、図形削除部225により新たに作成されたマスクパターンを記憶する記憶装置である。 Output data storage unit 226 is a storage device for storing the mask pattern newly created by the graphic deleting section 225.

次に、図22のパターン補正装置において行われるパターン補正方法について図47を参照しつつ説明する。 Next, it will be described with reference to FIG. 47 for pattern correction method performed in the pattern correction apparatus of FIG. 22. 図47は図22のパターン補正装置が実行するパターン補正方法の処理の流れを示すフローチャートである。 Figure 47 is a flow chart showing the flow of processing of pattern correction methods pattern correction apparatus of FIG. 22 is executed.
エッジ検出部202は、入力データ記憶部201に記憶されているマスクパターンの外形構成エッジの各位置座標を利用して、マスクパターンの予め定められた量(第21規定量)以上の長さのエッジに挟まれ、それらと垂直に点接触するマスクパターンの外形構成エッジの予め定められた量(第22規定量)以下の長さのエッジを検出する(ステップS201)。 Edge detecting unit 202 uses the respective position coordinates of the profile configuration edges of the mask pattern stored in the input data storage unit 201, a predetermined mask pattern amount (21 specified amount) or more in length sandwiched edges, predetermined amount of profile configuration edges of the mask pattern to be perpendicular thereto in point contact (22 specified amount) to detect the following length of the edge (step S201). 外向き図形発生部203は、ステップS201において検出されたエッジの夫々について、エッジを当該エッジに平行にかつマスクパターンの外側方向に予め定められた量(第23規定量)移動させる間に当該エッジが通過する領域からなる図形を作成する(ステップS202)。 Outward graphic generation unit 203, for each of the detected edges in Step S201, the edge between which edges is a moving predetermined amount outward parallel to and the mask pattern to the edge (23 specified amount) There create a graphic consisting region passes (step S202). 内向き図形発生部204は、ステップS201において検出されたエッジの夫々について、エッジを当該エッジに平行にかつマスクパターンの内側方向に予め定められた量(第23規定量)移動させる間に当該エッジが通過する領域からなる図形を作成する(ステップS203)。 Inwardly graphic generation unit 204, for each of the detected edges in Step S201, the edge while moving a predetermined amount inward direction parallel to and a mask pattern edge to the edge (23 specified amount) There create a graphic consisting region passes (step S203).

エッジ発生部205は、マスクパターンを構成するエッジの中から、隣り合うエッジが外角90度で互いに点接触するエッジを検出し、その隣り合うエッジの接触点からそれらのエッジ上に予め定められた量(第24規定量)のエッジを作成する(ステップS204)。 Edge generator unit 205, from the edges constituting the mask pattern, the adjacent edge detecting edges in point contact with each other at 90 ° external angle, predetermined from the contact point of the adjacent edges on their edges creating an edge amount (24 specified amount) (step S204). 第1接触エッジ検出部206は、入力データ記憶部201に記憶されているマスクパターンのエッジ(外形構成エッジ)のうち、ステップS204において作成されたエッジの少なくとも一つに線接触しているエッジを検出する(ステップS205)。 First contact edge detection unit 206, out of the mask pattern stored in the input data storage unit 201 the edge (profile configuration edge), at least one to have line contact edges of the created edge in step S204 detecting (step S205). 長さエッジ検出部207は、ステップS204において検出されたエッジの中から、予め規定した量(第25規定量)以上のエッジを検出する(ステップS206)。 Length edge detecting unit 207, from among the detected edges in Step S204, it detects a pre-defined amount (25 specified amount) or more of the edge (step S206). 第2接触エッジ検出部208は、ステップS204において作成されたエッジの中から、ステップS206において検出されたエッジのいずれかと線接触しているエッジを検出する(ステップS207)。 The second contact edge detection unit 208, among the edges created in step S204, detecting any line contact to that edge of the detected edges in Step S206 (Step S207).

図形発生部209は、ステップS207において検出されたエッジを利用して、上述した処理により、マスクパターン内に図形を作成する(ステップS208)。 Graphic generating unit 209, by using the detected edge in step S207, the above-described processing, to create a shape in the mask pattern (step S208). 図形選択部210は、ステップS208において作成された図形の中から頂点の数が6つの図形を選択する(ステップS209)。 Graphic selection part 210, the number of vertices from the figure that was created in step S208 to select the six figures (step S209). コーナエッジ検出部211は、ステップS209において選択された図形(6頂点図形)のエッジのうち、入力データ記憶部201に記憶されているマスクパターンのエッジ(外形構成エッジ)と線接触するエッジ(コーナエッジ)を検出する(ステップS210)。 Corner edge detecting unit 211, among the edges of the selected graphics (6 vertex figure) in step S209, the input data of the mask pattern in the storage unit 201 are stored edge (profile configuration edge) line contact edges (corners edge) is detected (step S210). 対向図形発生部212は、ステップS210において検出されたエッジ(コーナエッジ)の夫々について、エッジ(コーナエッジ)からその垂線方向に存在する外形構成エッジまでの距離が予め定められた量(第26規定量)以下であるかを判断し、以下であれば、エッジ(コーナエッジ)をその垂線方向に存在する外形構成エッジまで平行に移動させる間に通過する領域からなる図形を作成する(ステップS211)。 Opposing graphic generation unit 212, for each of the detected edge (corner edge) in step S210, the amount of distance from the edge (corner edge) to profile configuration edge existing in the perpendicular direction is predetermined (26 define It determines whether there are amounts) or less, if less, to create a shape consisting of a region passing while moving in parallel to the outer structure edge existing edges (corner edges) in the perpendicular direction (step S211) . なお、第26規定量以下でないコーナエッジに関して、対向図形発生部212は図形の作成を行わない。 Regarding corners edges not less 26 defined amount, opposing graphic generation unit 212 does not perform the creation of the graphic. パターン内図形選択部213は、ステップS211において作成された図形のうち、入力データ記憶部201に記憶されているマスクパターン内に完全に含まれる図形を選択する(ステップS212)。 Pattern in figure selection unit 213 among the graphic created in step S211, to select a shape that is completely contained in the mask pattern stored in the input data storage unit 201 (step S212).

非接触エッジ検出部214は、ステップS212において選択された各図形のエッジの中から、ステップS210において検出されたエッジ(コーナエッジ)のいずれとも線接触していないエッジ(非接触エッジ)を検出する(ステップS213)。 Non-contact edge detecting unit 214, from the edge of each figure selected in step S212, the detecting the detected edge with either line contact with non edge (corner edge) (non-contact edge) in step S210 (step S213). エッジ接触部検出部215は、ステップS213において検出されたエッジの夫々について、入力データ記憶部201に記憶されているマスクパターンの外形構成エッジと線接触している接触部分を構成するエッジを検出する(ステップS214)。 Edge contact portion detection unit 215, for each of the detected edges in Step S213, detects the edge which constitutes the outer structure edges and the contact portion are in line contact mask pattern stored in the input data storage unit 201 (step S214). 外図形発生部216は、ステップS214において検出されたエッジを利用して、上述した処理により、マスクパターンの外側に図形を作成する(ステップS215)。 External graphic generation unit 216, by using the detected edge in step S214, the by the above-described processing, to create a graphic on the outside of the mask pattern (step S215). 6頂点図形選択部217は、ステップS215において作成された図形の中から、頂点の数が6つの図形(6頂点図形)を選択する(ステップS216)。 6 vertex figure selection unit 217, from the figure that was created at step S215, the number of vertices to select six figures (6 vertex figure) (step S216). 4頂点図形選択部218は、ステップS215において作成された図形の中から、頂点の数が4つの図形(4頂点図形)を選択する(ステップS217)。 4 vertices graphic selection part 218, from the figure that was created at step S215, the number of vertices selects four figures (4 vertices figure) (step S217).

交差エッジ検出部219は、ステップS212において選択された図形において、選択された図形のエッジと選択された他の図形のエッジとが外角90度で互いに点接触するエッジの組を抽出する(ステップS218)。 Crossing edge detection unit 219 in the selected shape in step S212, the extracted sets of edges and edge of another of the selected shape and an edge of the selected shape is in point contact with each other at 90 ° external angle (step S218 ). 外部図形発生部220は、ステップS218において検出されたエッジの組毎に、組を構成するエッジの夫々を当該エッジの元図形の外側方向に平行に第24規定量分移動させ、組を構成する両エッジの通過する領域からなる図形を作成する(ステップS219)。 External graphic generation unit 220, for each set of the detected edges in Step S218, the respective edges that form the assembled by parallel movement 24 defined amount outwardly of the original figure of the edge, form the assembled to create a shape consisting of a region that passes through the two edges (step S219).

接触図形選択部221は、ステップS202において作成された図形のうち、ステップS219において作成された図形のいずれかと線接触する図形を選択する(ステップS220)。 Contact graphic selection part 221, of the figure created in step S202, selects either a figure that line contact of the graphic created in step S219 (step S220). 第1接触図形抽出部222は、ステップS220において選択された図形の中から、ステップS217において選択された図形(4頂点図形)のいずれかと線接触する図形を抽出する(ステップS221)。 First contact figure extractor 222 extracts from the figure selected in the step S220, either the graphic line contact of selected graphics (4 vertices figure) in step S217 (step S221). 第2接触図形抽出部223は、ステップS202において作成された図形の中から、ステップS216において選択された図形(6頂点図形)のいずかと線接触する図形を抽出する(ステップS222)。 Second contact graphic extracting unit 223 extracts from the figure that was created in step S202, the graphic whether selected graphics (6 vertex figure) noise in line contact at step S216 (step S222).

図形付加部224は、ステップS221において抽出された図形を入力データ記憶部201に記憶されているマスクパターンに付加してマスクパターンの補正を行う(ステップS223)。 Graphic adding section 224 corrects the mask pattern is added to the mask patterns stored graphic extracted in step S221 in the input data storage unit 201 (step S223). 図形削除部225は、ステップS221において抽出された図形をステップS223において補正された後のマスクパターンから削除してマスクパターンの補正を行い、補正後のマスクパターンを出力データ記憶部226に格納する(ステップS224)。 Graphic deleting section 225 performs correction of the mask pattern by deleting the figure extracted in step S221 from the mask pattern after being corrected in step S223, and stores the mask pattern after the correction to the output data storage unit 226 ( step S224).

《第4の実施の形態》 "The fourth embodiment"
本発明の第4の実施の形態におけるパターン補正装置の機能構成について図48〜図54を参照しつつ説明する。 The functional configuration of the pattern correction apparatus according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 48 54. 図48は本実施の形態におけるパターン補正装置の機能ブロック図である。 Figure 48 is a functional block diagram of a pattern correction apparatus of the present embodiment. 図49〜図54は図48のパターン補正装置の機能を説明するための補足図である。 FIGS. 49 54 is a complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 48.
図48に示すパターン補正装置500は、補正マスクパターンデータ記憶部501、モデル記憶部502、ターゲットデータ記憶部503、転写イメージ作成部504、検査ポイント作成部505、規格内判断部506、パターン修正部507、およびフォトマスク作成データ記憶部508として機能する各部を有している。 Pattern correction apparatus shown in FIG. 48 500, the corrected mask pattern data storage unit 501, model storage unit 502, the target data storage unit 503, transfer image creation unit 504, the inspection point creation unit 505, the standard in determining section 506, the pattern modifying unit 507, and has a relevant circuits for operation as a photomask creation data storage unit 508.

補正マスクパターンデータ記憶部501は、光近接効果補正(OPC)により補正されたマスクパターンに対して第1から第3の実施の形態において説明したパターン補正方法により補正されたマスクパターンを記憶する記憶装置である。 Corrected mask pattern data storage unit 501, optical proximity correction memory for storing the mask pattern corrected by the pattern correction method described in the third embodiment from the first relative corrected mask pattern by (OPC) it is a device. 図49は、光近接効果補正(OPC)により補正されたマスクパターンに対して第3の実施の形態において説明したパターン補正方法により図形551を追加し、図形552が削除されたマスクパターン530を示しており、補正マスクパターンデータ記憶部501は図49に示すようなマスクパターンを記憶している。 Figure 49 adds a graphic 551 by the pattern correction method described in the third embodiment with respect to the mask pattern is corrected by the optical proximity correction (OPC), it shows the mask pattern 530 figure 552 has been removed and the correction mask pattern data storage unit 501 stores a mask pattern as shown in FIG. 49.

モデル記憶部502は、マスクパターンからウェハに転写後の転写イメージのパターン(以下、適宜、転写イメージパターンという。)を求めるための関数を記憶する記憶装置である。 Model storage unit 502, the pattern of the printed image after the transfer from the mask pattern onto a wafer (hereinafter referred to as. Transferred image pattern) is a storage device that stores a function for obtaining a.
ターゲットデータ記憶部503は、光近接効果補正(OPC)により補正される前のマスクパターンを記憶する記憶装置である。 Target data storage unit 503 is a storage device for storing the mask pattern before being corrected by optical proximity correction (OPC). 図50は、光近接効果補正(OPC)により補正される前のマスクパターン540を示しており、ターゲットデータ記憶部503は図50に示すようなマスクパターンを記憶している。 Figure 50 shows a mask pattern 540 before being corrected by the optical proximity correction (OPC), the destination data storage unit 503 stores a mask pattern as shown in FIG. 50.

転写イメージ作成部504は、補正マスクパターンデータ記憶部501に記憶されているマスクパターンに対して、或いは、後述するパターン修正部507により修正された後のマスクパターンに対して、モデル記憶部502に記憶されているモデル関数を利用して、ウェハへの転写後の転写イメージのパターン(転写イメージパターン)の外郭線を作成する。 Transferring the image creation unit 504, the mask pattern stored in the corrected mask pattern data storage unit 501, or the mask pattern after being corrected by the pattern correction unit 507 to be described later, in the model storage unit 502 using the model function stored, creating an outline of the pattern (printed image pattern) of the printed image after transfer to the wafer. なお、モデル関数を利用してマスクパターンに対するウェハ転写後の転写イメージパターンの外郭線を作成することは通常行われている既知の光学シミュレーションなどの手法を利用するものとし、ここでは、モデル関数やそれを利用したウェハ転写後の転写イメージのパターンの外郭線の作成の詳細は省略する。 Incidentally, it is assumed to use the techniques such as the known optical simulation to create the outline is being normally performed in the printed image pattern after wafer transfer onto the mask pattern by using the model function, wherein the Ya model function details are omitted in the creation of outline of the pattern of printed image after wafer transfer using the same.
図49のマスクパターン530に対して図51に示すような転写時のパターンの外郭線561、562が作成される。 Outline 561, 562 of the pattern at the time of transfer as shown in FIG. 51 is created for the mask pattern 530 of FIG. 49.

検査ポイント作成部505は、ターゲットデータ記憶部503に記憶されているマスクパターン上の複数の位置に、転写イメージパターンとのエッジ位置の差分と、ずれている方向を検査するためのポイント(検査ポイント)を作成する。 Inspection point creation unit 505, a plurality of positions on the mask pattern stored in the target data storage unit 503, a point (test point for testing the difference between the edge positions, the direction in which the deviation between the printed image pattern ) to create. 図50のマスクパターン540に対して図52に示すような検査ポイント571〜579を作成する。 To create a test point 571-579 as shown in Figure 52 with respect to the mask pattern 540 of FIG. 50.

規格内判断部506は、転写イメージ作成部504により作成された転写イメージパターンの外郭線を、ターゲットデータ記憶部503に記憶されているマスクパターンに重ね合わせる。 Standard in determining section 506, the outline of the printed image pattern created by the transfer image creation unit 504 is superimposed on the mask pattern stored in the target data storage unit 503. そして、規格内判断部506は、検査ポイント作成部505により作成した検査ポイント毎に、ターゲットデータ記憶部503に記憶されているマスクパターンのエッジと転写イメージ作成部504により作成された転写イメージの外郭線とのターゲット記憶部503に記憶されているマスクパターンのエッジに対する垂直方向の差分と、エッジ位置がずれている方向(外郭線がターゲット記憶部503に記憶されているマスクパターンの外方向、内方向)とを検出し、その差分が予め規定された量以下であるか否かを判断する。 The standard in determining section 506, for each inspection point created by the examination point creation unit 505, the outline of the transfer image created with the edges of the mask pattern stored in the target data storage unit 503 by the transfer image creation unit 504 and vertical differences from the edges of the mask pattern stored in the target storage unit 503 of the line, the outer direction of the mask pattern direction (contour is stored in the target storage unit 503 the edge position is shifted, the inner detecting a direction) and determines whether the difference is more than the amount defined in advance. 図53に示すように、規格内判断部506は、転写イメージ作成部504により作成された転写イメージの外郭線561、562をターゲットデータ記憶部503に記憶されているマスクパターン540に重ね合わせる。 As shown in FIG. 53, the standard in the determination unit 506 superimposes the mask pattern 540, which is stored outlines 561 and 562 of the transfer image created by the transfer image creation unit 504 to the target data storage unit 503. そして、検査ポイント573、574において差分が予め規定された量を超えている(許容範囲外)とすると、規格内判断部506は、各検査ポイント571〜579における差分と、エッジ位置のずれている方向を検出し、差分が予め定められた量を超えている検査ポイント573、574を検出する。 Then, assuming that exceeds the amount of difference has been defined in advance in the test point 573 and 574 (out of tolerance), the determination unit 506 standards, the difference at each test point 571 to 579, are shifted edge position detecting the direction, to detect the test points 573 and 574 where the difference exceeds a predetermined amount.

パターン修正部507は、規格内判断部506により差分が予め定められた量を超えると判断された検出ポイントに関して、補正マスクパターンデータ記憶部501に記憶されているマスクパターン或いはパターン修正部507により修正された後は修正された後のマスクパターンにおけるその検査ポイントを含むエッジを外郭線がターゲットデータ記憶部503に記憶されているマスクパターンに対してずれている方向と反対方向に所定量平行に移動させ、マスクパターンを修正する。 Pattern correction unit 507 fixes, with respect to the detection point difference by standard in determining section 506 is determined to exceed the predetermined amount, the mask pattern or the pattern modifying unit 507 are stored in the corrected mask pattern data storage unit 501 move the edge containing the test point in the opposite direction to the parallel predetermined amount direction outline is shifted with respect to the mask pattern stored in the target data storage unit 503 in the mask pattern after being modified after being then, to correct the mask pattern. なお、パターン修正部507は、差分が許容範囲外のときに、第1から第3の実施の形態のパターン補正方法により補正されたエッジと垂直に点接触するエッジの位置を当該補正されたエッジが位置する直線と垂直に点接触させながら所定量平行移動させている。 The pattern modifying unit 507, when the difference is out of tolerance, the position of the corrected edges and edges that vertically point contact by the pattern correcting method of the third embodiment from the first is the corrected edge There has been moved a predetermined amount in parallel while being linearly and vertically point contact located.
図54に示すように、パターン修正部507は、検査ポイント573、574を含むエッジ580、581をマスクパターンの内側方向に平行に移動させて新たなエッジ582、583として、マスクパターン530をマスクパターン541に修正する。 As shown in FIG. 54, the pattern modifying unit 507, as a new edge 582 is moved in parallel to edges 580, 581 on the inner side direction of the mask pattern including a test point 573 and 574, the mask pattern 530 mask pattern It is corrected to 541.

フォトマスク作成データ記憶部508は、規格内判断部506により全ての検出ポイントにおいて差分が予め定められた量以下であると判断されたときの、マスクパターン(補正マスクパターンデータ記憶部501に記憶されているマスクパターン、或いは、パターン修正部507により修正された後のマスクパターン)を記憶する記憶装置である。 Photomask creation data storage unit 508, when the difference is determined to be less than a predetermined amount in all the detection points according to the standard in determining section 506, is stored in the mask pattern (corrected mask pattern data storage unit 501 and that the mask pattern, or a storage device for storing the mask pattern) after being corrected by the pattern correction unit 507.

次に、図48のパターン補正装置において行われるパターン補正方法について図55を参照しつつ説明する。 Next, while referring to describing FIG 55 for pattern correction method performed in the pattern correction apparatus of FIG. 48. 図55は図48のパターン補正装置が実行するパターン補正方法の処理の流れを示すフローチャートである。 Figure 55 is a flow chart showing the flow of processing of pattern correction methods pattern correction apparatus of FIG. 48 is executed.
検査ポイント作成部505は、ターゲットデータ記憶部503に記憶されているマスクパターン上の複数の位置に転写イメージとのエッジ位置の差分と、ずれている方向を検査するポイントして検査ポイントを作成する(ステップS501)。 Inspection point creation unit 505 creates a difference between the edge position of the transfer image to a plurality of positions on the mask pattern stored in the target data storage unit 503, the inspection point, point to check the direction in which the deviation (step S501).

転写イメージ作成部504は、補正マスクパターンデータ記憶部501に記憶されているマスクパターンに対して、モデル記憶部502に記憶されているモデル関数を利用して、ウェハへの転写後の転写イメージのパターンの外郭線を作成する(ステップS502)。 Transferring the image creation unit 504, the mask pattern stored in the corrected mask pattern data storage unit 501, by using the model function stored in the model storage unit 502, the printed image after transfer to the wafer to create a contour of the pattern (step S502). 規格内判断部506は、転写イメージ作成部504により作成された転写後の転写イメージパターンの外郭線を、ターゲットデータ記憶部503に記憶されているマスクパターンに重ね合わせる。 Standard in determining section 506 superimposes the outline of the printed image pattern after transfer created by transferring the image creating unit 504, the mask pattern stored in the target data storage unit 503. そして、規格内判断部506は、検査ポイント作成部505により作成した検査ポイント毎に、ターゲットデータ記憶部503に記憶されているマスクパターンのエッジと転写イメージ作成部504により作成された転写イメージパターンの外郭線とのターゲットデータ記憶部503に記憶されているマスクパターンのエッジに対する垂直方向の差分と、ずれている方向を検出する(ステップS503)。 The standard in determining section 506, for each inspection point created by the examination point creation unit 505, the printed image pattern created with the edges of the mask pattern stored in the target data storage unit 503 by the transfer image creation unit 504 and vertical differences from the edges of the mask pattern stored in the target data storage unit 503 of the outline, and detects the direction in which the deviation (step S503). 検査ポイントの何れかにおいて差分が予め規定された量を超えていると(S503:NO)、ステップS504の処理へ進み、検査ポイントの全てにおいて差分が予め規定された量以下であると(S503:YES)、ステップS506の処理へ進む。 In either test point and the difference exceeds a predefined amount (S503: NO), the process proceeds to step S504, the difference in all test point is equal to or less than the predefined amount (S503: YES), the processing proceeds to step S506.

パターン修正部507は、規格内判断部506により差分が予め定められた量を超えると判断された検出ポイントに関して、上述した処理により、マスクパターンの修正を行い(ステップS504)、転写イメージ作成部504は、修正されたマスクパターンに対するウェハへの転写後の転写イメージパターンの外郭線を作成し(ステップS505)、ステップS503の処理へ戻る。 Pattern correction unit 507, with respect to the detection point difference by standard in determining section 506 is determined to exceed the predetermined amount, the above-described processing, performs correction of the mask pattern (step S504), transfer the image creation unit 504 creates a outline of a transfer image pattern after transfer to the wafer with respect to the modified mask pattern (step S505), the process returns to step S503.

規格内判断部505は、転写イメージ作成部504により外郭線が作成され差分が予め定められた量以下であると判断されたときのマスクパターンを記憶部508に記憶し(ステップS506)、処理を終了する。 Standard in determining section 505 stores a mask pattern when the differential outline is created by the transfer image creation unit 504 is determined to be less than a predetermined amount in the storage unit 508 (step S506), processing finish.

上記第1から第4の実施の形態において補正されたマスクパターン、或いは、さらに第4の実施の形態において補正されたマスクパターンを利用し、このマスクパターンが描画されるフォトマスクを提供することができる。 The mask pattern is corrected from the first to the fourth embodiment, or be further using a mask pattern that has been corrected in the fourth embodiment, there is provided a photomask mask pattern is drawn it can. フォトマスクへの描画は通常行われている手法により行うことが可能であり、詳細な説明は省略する。 Drawing on the photomask is usually can be carried out by methods that are performed, the detailed description thereof is omitted. 例えば、感光体が形成された透明基板に対して感光体が形成された側からマスクパターンの形状で露光光(紫外線、X線、電子線など)を照射し、照射後に現像を行う。 For example, the exposure light from the side of the photosensitive member is formed to the transparent substrate on which the photosensitive member is formed in the shape of a mask pattern (ultraviolet rays, X-rays, or electron beam) is irradiated with, development is performed after irradiation.

上記第1から第4の実施の形態において補正されたマスクパターン、或いは、さらに第4の実施の形態において補正されたマスクパターンを利用して、デバイスを製造することができる。 The mask pattern is corrected in the first embodiment of the fourth embodiment, or can be further utilizing the corrected mask pattern in the fourth embodiment, for manufacturing a device.
また、上記第1から第4の実施の形態において補正されたマスクパターン、或いは、さらに第4の実施の形態において補正されたマスクパターンを利用し作成されたフォトマスクを用いて製造されるデバイスを提供することができる。 Further, the mask pattern that has been corrected from the first to the fourth embodiment, or a device manufactured using the further fourth photomask created using the corrected mask pattern in the embodiment of it is possible to provide. フォトマスクを用いたデバイスの製造は通常行われている手法により行うことが可能であり、詳細な説明は省略する。 Fabrication of devices using a photomask is usually can be carried out by methods that are performed, the detailed description thereof is omitted. 例えば、露光装置、フォトマスク、ターゲット(基板、基板の上に形成された被加工層、さらに被加工層の上に形成されたレジスト)の順に並べ、露光装置によりフォトマスクを介してターゲットに露光光(紫外線、X線、電子線など)を照射し、その後、現像、エッチング、レジスト除去の各処理を行う。 For example, the exposure apparatus, the photomask, the target arranged in the order of (substrate, the processed layer formed on the substrate, a resist formed on the layer to be processed), exposure to the target through a photomask by exposure device light (ultraviolet rays, X-rays, or electron beam) is irradiated with, then, development, etching, the processes of resist removal performed.

以上説明した各実施の形態によれば、マスクパターンの対向するエッジおいて、対向するエッジと平行方向における、対向する一方のエッジに垂直に点接触するエッジの位置と他方のエッジに垂直に点接触するエッジの位置とがずれている場合に、垂直に点接触するエッジ同士が対向するエッジに対する同一の垂線上になるようにそれらの位置を補正する。 According to the embodiments described above, keep the edge facing the mask pattern, opposite edges and in parallel, perpendicular to point to the position and the other edge of edges perpendicular to point contact with one of the opposite edges in the case where the position of the contact edge is displaced, the edge between the vertical point contact to correct the position thereof so that on the same line perpendicular to the opposite edge. これにより、微小図形の大量発生と、図形分割後の図形数の増大によるデータボリュームの増大を防止することが可能になる。 Thus, it becomes possible to prevent the outbreak of the micro graphics, an increase in data volume due to the increase in the number of figures after the figure dividing.

以上、本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明は上述の実施の形態に限られるものではなく、特許請求の範囲に記載した限りにおいて様々な設計変更が可能なものである。 Having described the preferred embodiments of the present invention, the present invention is not limited to the embodiments described above, those capable of various design modifications made within the scope recited in the claims.

第1の実施の形態におけるパターン補正装置の機能ブロック図。 Functional block diagram of a pattern correction apparatus of the first embodiment. 図1のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 図1のパターン補正装置が実行するパターン補正方法の処理の流れを示すフローチャート。 Flowchart showing a flow of processing of a pattern correction method pattern correction apparatus of FIG. 1 executes. 第2の実施の形態におけるパターン補正装置の機能ブロック図。 Functional block diagram of a pattern correction apparatus according to the second embodiment. 図4のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 図4のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 図4のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 図4のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 図4のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 図4のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 図4のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 図4のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 図4のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 図4のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 図4のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 図4のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 図4のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 図4のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 図4のパターン補正装置が実行するパターン補正方法の処理の流れを示すフローチャート。 Flowchart showing a flow of processing of a pattern correction method pattern correction apparatus of FIG. 4 is executed. 図4のパターン補正装置の変形例の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the variation of the pattern correction apparatus of FIG. 図4のパターン補正装置の変形例の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the variation of the pattern correction apparatus of FIG. 第3の実施の形態におけるパターン補正装置の機能ブロック図。 Functional block diagram of a pattern correction apparatus according to the third embodiment. 図22のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 22. 図22のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 22. 図22のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 22. 図22のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 22. 図22のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 22. 図22のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 22. 図22のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 22. 図22のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 22. 図22のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 22. 図22のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 22. 図22のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 22. 図22のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 22. 図22のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 22. 図22のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 22. 図22のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 22. 図22のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 22. 図22のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 22. 図22のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 22. 図22のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 22. 図22のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 22. 図22のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 22. 図22のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 22. 図22のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 22. 図22のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 22. 図22のパターン補正装置が実行するパターン補正方法の処理の流れを示すフローチャート。 Flowchart showing a flow of processing of a pattern correction method pattern correction apparatus of FIG. 22 is executed. 第3の実施の形態におけるパターン補正装置の機能ブロック図。 Functional block diagram of a pattern correction apparatus according to the third embodiment. 図48のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 48. 図48のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 48. 図48のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 48. 図48のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 48. 図48のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 48. 図48のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。 Complementary diagram for explaining the function of the pattern correction apparatus of FIG. 48. 図48のパターン補正装置が実行するパターン補正方法の処理の流れを示すフローチャート。 Flowchart showing a flow of processing of a pattern correction method pattern correction apparatus of FIG. 48 is executed.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 パターン補正装置 2 入力データ記憶部 3 検出部 4 判断部 5 補正部 6 出力データ記憶部 1 pattern correcting apparatus 2 input data storage unit 3 detector 4 determiner 5 corrector 6 output data storage unit

Claims (2)

  1. 補正されたマスクパターンデータを記憶する補正マスクパターンデータ記憶手段と、前記マスクパターンデータからウェハに転写後の転写イメージパターンの外郭線を求めるためのモデル関数が記憶されたモデル記憶手段と、光近接効果補正前のマスクパターンデータが記憶されたターゲットデータ記憶手段とを備えるパターン補正装置におけるパターン補正方法であって、 A corrected mask pattern data storing means for storing the corrected mask pattern data, a model storage unit that model function for determining the outline of the printed image pattern after transferring the wafer from the mask pattern data is stored, the optical proximity effect uncorrected mask pattern data is a pattern correction method in the pattern correcting device and a target data storage means is stored,
    光近接効果補正後のマスクパターンの外郭線を構成する長さが0より長いエッジにおいて、平行に対向する第1エッジと第2エッジについて、前記第1エッジと垂直に点接触する第3エッジを検出し、前記第2エッジと垂直に点接触する第4エッジを検出する検出ステップと、 In longer edge than the length 0 constituting the outline of the mask pattern after optical proximity effect correction, the first edge and a second edge that faces parallel to the third edge point contact perpendicularly with the first edge a detection step of detecting, detects a fourth edge of the second edge perpendicular to point contact,
    前記第1エッジと平行方向における前記第3エッジの位置と前記第4エッジの位置とのずれ量が所定量以下であるかを判断する判断ステップと、 A determining step of the deviation amount between the position of the position and the fourth edge of said third edge of the first edge and the parallel direction to determine whether there are less than a predetermined amount,
    前記ずれ量が前記所定量以下であれば前記第3エッジが前記第1エッジと垂直に点接触する垂線上に前記第4エッジが位置するように前記第4エッジの位置を補正して、補正したマスクパターンデータを前記補正マスクパターンデータ記憶手段に記憶する補正ステップと、 And correcting the position of said fourth edge so that said fourth edge on the vertical line the shift amount is the third edge not more than the predetermined amount is in point contact perpendicularly to the first edge is located, the correction a correction step of storing the mask pattern data on the corrected mask pattern data storing means,
    前記ターゲットデータ記憶手段に記憶されているマスクパターン上の複数の位置に、前記転写イメージパターンとのエッジ位置の差分と、ずれている方向を検査するための検査ポイントを作成する検査ポイント作成ステップと、 The plurality of positions on the mask pattern stored in the target data storage unit, a difference between the edge positions of the printed image pattern, and the inspection point creation step of creating a test point for testing the direction is deviated ,
    前記モデル記憶手段に記憶されているモデル関数を利用して、前記補正マスクパターンデータ記憶手段に記憶されている前記マスクパターンデータからウェハへの転写後の転写イメージのパターンの外郭線を作成する転写イメージ作成ステップと、 Transfer said using a model function stored in the model storage unit, creating the outline of the pattern of printed image after transfer to the corrected mask pattern data storing means the wafer from the mask pattern data stored in the and image creation step,
    前記転写イメージ作成ステップにより作成された転写イメージパターンの外郭線を、前記ターゲットデータ記憶手段に記憶されている光近接効果補正前のマスクパターンに重ね合わせ、前記作成した検査ポイント毎に、前記光近接効果補正前のマスクパターンのエッジと、前記転写イメージパターンの外郭線との前記光近接効果補正前のマスクパターンのエッジに対する垂直方向の差分と、エッジ位置がずれている方向とを検出し、該差分が予め規定された量以下であるか否かを判断する規格内判断ステップと、 The outline of the printed image pattern created by the transfer image creating step, the superimposed mask pattern before the optical proximity correction stored in the target data storage unit, for each inspection point the created, the optical proximity detecting the edge of the mask pattern before effect correction, and the vertical direction of the difference with respect to the optical proximity correction before the mask pattern of the edges of the outline of the printed image pattern, and a direction in which the edge position is shifted, the a standard in judging step that the difference is equal to or less than a predefined amount,
    前記規格内判断ステップにより前記差分が予め規定された量を超えると判断された前記検査ポイントを含む前記マスクパターンのエッジを、前記転写イメージパターンの外郭線が前記マスクパターンに対してずれている方向と反対方向に所定量平行に移動させることにより前記マスクパターンデータを修正する動作を前記差分が予め規定された量を超えなくなるまで繰り返し行い、前記差分が予め規定された量を超えないと判断されたときの前記マスクパターンデータを前記補正マスクパターンデータ記憶部に記憶するパターン修正ステップと を有することを特徴とするパターン補正方法。 The edge of the mask pattern including the check point where the difference is determined to exceed the predefined amount by the determining step in the specification, the direction in which outer line of the printed image pattern are offset with respect to the mask pattern determining that the difference of the operation for correcting the mask pattern data by moving a predetermined amount parallel to the opposite directions have repeated rows until no more than a predefined amount, no more than the amount that the difference is defined previously and by the pattern correction method characterized by the mask pattern data and a pattern correction step of storing the corrected mask pattern data storage unit when the.
  2. 補正されたマスクパターンデータを記憶する補正マスクパターンデータ記憶手段と、 A corrected mask pattern data storing means for storing the corrected mask pattern data,
    前記マスクパターンデータからウェハに転写後の転写イメージパターンの外郭線を求めるためのモデル関数が記憶されたモデル記憶手段と、 A model storage unit that model function for determining the outline of the printed image pattern after transferring the wafer from the mask pattern data is stored,
    光近接効果補正前のマスクパターンデータが記憶されたターゲットデータ記憶手段と、 And target data memory means the mask pattern data before the optical proximity correction is stored,
    光近接効果補正後のマスクパターンの外郭線を構成する長さが0より長いエッジにおいて、平行に対向する第1エッジと第2エッジについて、前記第1エッジと垂直に点接触する第3エッジを検出し、前記第2エッジと垂直に点接触する第4エッジを検出する検出手段と、 In longer edge than the length 0 constituting the outline of the mask pattern after optical proximity effect correction, the first edge and a second edge that faces parallel to the third edge point contact perpendicularly with the first edge detecting means for detecting detects a fourth edge of the second edge perpendicular to point contact,
    前記第1エッジと平行方向における前記第3エッジの位置と前記第4エッジの位置とのずれ量が所定量以下であるかを判断する判断手段と、 Judgment means for displacement of the position of said fourth edge of said third edge of the first edge and the parallel direction to determine whether there are less than a predetermined amount,
    前記ずれ量が前記所定量以下であれば前記第3エッジが前記第1エッジと垂直に点接触する垂線上に前記第4エッジが位置するように前記第4エッジの位置を補正して、補正したマスクパターンデータを前記補正マスクパターンデータ記憶手段に記憶する補正手段と、 And correcting the position of said fourth edge so that said fourth edge on the vertical line the shift amount is the third edge not more than the predetermined amount is in point contact perpendicularly to the first edge is located, the correction and correcting means for storing the mask pattern data on the corrected mask pattern data storing means,
    前記ターゲットデータ記憶手段に記憶されているマスクパターン上の複数の位置に、前記転写イメージパターンとのエッジ位置の差分と、ずれている方向を検査するための検査ポイントを作成する検査ポイント作成手段と、 The plurality of positions on the mask pattern stored in the target data storage unit, a difference between the edge positions of the printed image pattern, and the inspection point creation means for creating a test point for testing the direction is deviated ,
    前記モデル記憶手段に記憶されているモデル関数を利用して、前記補正マスクパターンデータ記憶手段に記憶されている前記マスクパターンデータからウェハへの転写後の転写イメージのパターンの外郭線を作成する転写イメージ作成手段と、 Transfer said using a model function stored in the model storage unit, creating the outline of the pattern of printed image after transfer to the corrected mask pattern data storing means the wafer from the mask pattern data stored in the and image creation means,
    前記転写イメージ作成手段により作成された転写イメージパターンの外郭線を、前記ターゲットデータ記憶手段に記憶されている光近接効果補正前のマスクパターンに重ね合わせ、前記作成した検査ポイント毎に、前記光近接効果補正前のマスクパターンのエッジと、前記転写イメージパターンの外郭線との前記光近接効果補正前のマスクパターンのエッジに対する垂直方向の差分と、エッジ位置がずれている方向とを検出し、該差分が予め規定された量以下であるか否かを判断する規格内判断手段と、 The outline of the printed image pattern created by the transfer image forming means, the superposed mask pattern before the optical proximity correction stored in the target data storage unit, for each inspection point the created, the optical proximity detecting the edge of the mask pattern before effect correction, and the vertical direction of the difference with respect to the optical proximity correction before the mask pattern of the edges of the outline of the printed image pattern, and a direction in which the edge position is shifted, the and standards in determining means difference is equal to or less than a predefined amount,
    前記規格内判断手段により前記差分が予め規定された量を超えると判断された前記検査ポイントを含む前記マスクパターンのエッジを、前記転写イメージパターンの外郭線が前記マスクパターンに対してずれている方向と反対方向に所定量平行に移動させることにより前記マスクパターンデータを修正する動作を前記差分が予め規定された量を超えなくなるまで繰り返し行い、前記差分が予め規定された量を超えないと判断されたときの前記マスクパターンデータを前記補正マスクパターンデータ記憶部に記憶するパターン修正手段と を備えたことを特徴とするパターン補正装置。 The edge of the mask pattern including the check point where the difference is determined to exceeds the amount defined in advance by the specifications in the determination means, a direction in which outer line of the printed image pattern are offset with respect to the mask pattern determining that the difference of the operation for correcting the mask pattern data by moving a predetermined amount parallel to the opposite directions have repeated rows until no more than a predefined amount, no more than the amount that the difference is defined previously and and patterned correction device, characterized in that the mask pattern data and a pattern modification means for storing the corrected mask pattern data storage unit when the.
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