JP5056834B2 - Method of manufacturing the electroluminescent device - Google Patents

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智之 立川
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本発明は、フォトリソグラフィー法を用いて形成されたエレクトロルミネッセント層を有するエレクトロルミネッセント(以下、エレクトロルミネッセントをELと略す場合がある。)素子およびその製造方法に関するものである。 The present invention, electroluminescent having electroluminescent layer formed by photolithography (hereinafter, may be abbreviated as EL electroluminescent.) It relates to device and a manufacturing method thereof.

EL素子は対向する電極から注入された正孔および電子が発光層内で結合し、そのエネルギーで発光層中の蛍光物質を励起し、蛍光物質に応じた色の発光を行うものであり、自発光の面状表示素子として注目されている。 EL element holes and electrons injected from the opposite electrode are bonded in the light-emitting layer to excite the fluorescent material in the light emitting layer at their energy, which emits light of color corresponding to the fluorescent substance, the own It has attracted attention as a planar display element of the light emitting. その中でも有機物質を発光材料として用いた有機薄膜ELディスプレイは印加電圧が10V弱であっても高輝度な発光が実現するなど発光効率が高く、単純な素子構造で発光が可能で、特定のパターンを発光表示させる広告その他低価格の簡易表示ディスプレイへの応用が期待されている。 The organic thin film EL displays using organic substances among them as the light emitting material is also applied voltage a 10V weak high luminous efficiency, such as high-luminance light emission is realized, it can emit light with a simple device structure, a specific pattern ad to a light-emitting display and other applications to low-cost simple display display is expected.

このようなEL素子を用いたディスプレイの製造にあっては、電極層や有機EL層のパターニングが通常なされている。 Such In the production of displays using EL elements, patterning of the electrode layer and the organic EL layer has been made normally. このEL素子のパターニング方法としては、発光材料をシャドウマスクを介して蒸着する方法、インクジェットにより塗り分ける方法、紫外線照射により特定の発光色素を破壊する方法、スクリーン印刷法等がある。 The patterning method of the EL element, a method of depositing a light-emitting material through a shadow mask, a method of separately coating by an ink jet method to destroy specific luminescent dye by ultraviolet irradiation, a screen printing method, and the like. しかしながらこれらの方法では、発光効率や光の取り出し効率の高さ、製造工程の簡便さや高精細なパターン形成の全てを実現するEL素子を提供することはできなかった。 However, in these methods, light emission efficiency and light extraction efficiency height, it was not possible to provide an EL device that realizes all simplicity and highly precise pattern formation of the manufacturing process.

このような問題点を解決する手段として、発光層をフォトリソグラフィー法によりパターニングすることにより形成するEL素子の製造方法が提案されている。 To solve this problem, a manufacturing method of an EL element is formed by patterning the light-emitting layer by a photolithography method has been proposed. この方法によれば、従来行われてきた蒸着によるパターニング法を比較すると、高精度のアライメント機構を備えた真空設備等が不要であることから、比較的容易にかつ安価に製造することができる。 According to this method, when comparing the patterning method by vapor deposition has been done conventionally, since a vacuum equipment, etc. with high accuracy of the alignment mechanism is not necessary, it is possible to relatively easily and inexpensively manufactured. 一方、インクジェット方式を用いたパターニング法と比較すると、パターニングを補助する構造物や基板に対する前処理等を行うことがない点で好ましく、さらにインクジェットヘッドの吐出精度との関係から、フォトリソグラフィー法による製造方法の方が高精細なパターンの形成に対しては好ましい方法であるといった利点を有するものである。 On the other hand, when compared with patterning method using an inkjet method, preferred because never performs preprocessing such as for the structure and the substrate to assist in patterning, the further the relationship between the ejection accuracy of the ink jet head, manufactured by photolithography Write methods for the formation of high-definition pattern is one having the advantage is the preferred method.

このようなフォトリソグラフィー法により複数の発光部を形成する方法としては、例えば図4に示す方法が提案されている(特許文献1)。 As the method for forming a plurality of light emitting portions by a photolithography method, a method shown in FIG. 4 for example has been proposed (Patent Document 1).

まず、図4(a)に示すように、電極が設けられた基板1上に発光層4を塗布し、図4(b)に示すように、その上にフォトレジスト層6を積層する。 First, as shown in FIG. 4 (a), the light-emitting layer 4 is coated on the substrate 1, electrodes are provided, as shown in FIG. 4 (b), laminating a photoresist layer 6 thereon. 次いで、図4(c)に示すように、第1発光部を形成する部分のみをフォトマスク7でマスクし、これら以外の部分を紫外線8で露光する。 Then, as shown in FIG. 4 (c), only the portion for forming the first light-emitting portion is masked with a photomask 7, to expose a portion other than these ultraviolet 8. これを、フォトレジスト現像液によって現像し、洗浄することにより、図4(d)に示すように、露光部のフォトレジスト層6が除去される。 This was developed by photoresist developer, by washing, as shown in FIG. 4 (d), the photoresist layer 6 of the exposure portion is removed. さらにフォトレジスト層が除去され発光層が剥き出しとなった部分をエッチングにより除去し、図4(e)を得る。 Further photoresist layer is removed portion emitting layer becomes exposed is removed by etching to obtain Figure 4 (e).

以上の工程を3回繰り返すことにより、3種類の発光部のパターニングを行うことができる。 By repeating 3 times the above steps, it is possible to perform patterning of the three kinds of light-emitting portion. 最後に、フォトレジスト剥離液によって剥離処理をすると、図4(n)に示すように3種類の発光部6、9、10が剥き出しとなる。 Finally, the photo the resist stripping solution by the stripping treatment, three kinds of light-emitting portions 6, 9, 10 as shown in FIG. 4 (n) becomes exposed. この後、各発光部上に第2電極層を形成する工程等を経て、図の下方に発光を放つEL素子が製造される。 Thereafter, through a process such as forming a second electrode layer on the light-emitting portions, EL element emits light emission below the figure is produced.

特開2002−170673号公報 JP 2002-170673 JP

上述のようなフォトリソグラフィー法によるパターニングの中で、エッチング方法としてはドライエッチングを用いることが多い。 Among patterning by photolithography as described above, it is often used dry etching as the etching method. ドライエッチングは効率良く、有機物を除去することができ、残渣もなくエッチングができるからである。 Dry etching efficiently, organic can be removed, because the residue can be not etched. しかし、ドライエッチングは、有機材料の種類によって多少エッチング速度が異なるものの、結果的にはほとんどの有機材料を選択性なくエッチングしてしまう。 However, dry etching, although somewhat etch rate depending on the kind of the organic materials are different, consequently resulting in selective without etching most of the organic material is.

有機EL素子には、陽極や配線と陰極との間での短絡を防止するために、一般的に絶縁層が設けられている。 The organic EL element, in order to prevent a short circuit between the anode and the wiring and the cathode, typically the insulating layer is provided. この絶縁層は熱硬化樹脂や紫外線硬化樹脂などの有機材料で作製されているため、ドライエッチングの際に絶縁層までも浸食されてしまい、絶縁性を失って陽極や配線と陰極間での短絡を引き起こすという問題があった。 Since this insulating layer being produced by organic material such as thermosetting resin or ultraviolet curable resin, to the insulating layer at the time of dry etching also will be eroded, short circuit between the anode and the wiring and the cathode losing insulation there is a problem that cause.

本発明は、上記問題点を鑑みてなされたもので、その目的は、フォトリソグラフィー法による利点を有しつつ、エッチングによる絶縁層の欠損を防止し、素子の短絡の欠陥が防止された長寿命で安定な発光が得られる素子、及びその製造方法を提供することを主目的とするものである。 The present invention has been made in consideration of the above situation, and an object, while having the advantage by photolithography, long life and preventing the loss of the insulating layer by etching, which prevents defects of a short circuit element in stable light emission can be obtained element, and a method for manufacturing the same in which a main object.

本発明は、 基板上に少なくとも第1電極と複数種類のエレクトロルミネッセント層と第2電極を有するエレクトロルミネッセント素子の製造方法において、 The present invention is the manufacturing method of the electroluminescent element having at least a first electrode and a plurality of types of electroluminescent layer and a second electrode on a substrate,
メチルトリクロルシラン、メチルトリブロムシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、メチルトリt−ブトキシシラン;エチルトリクロルシラン、エチルトリブロムシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリt−ブトキシシラン;n−プロピルトリクロルシラン、n−ブロピルトリブロムシラン、n−ブロピルトリメトキシシラン、n−プロピルトリエトキシシラン、n−プロピルトリイソプロポキシシラン、n−プロピルトリt−ブトキシシラン;n−ヘキシルトリクロルシラン、n−ヘキシルトリブロムシラン、n−ヘキシルトリメトキシシラン、n−ヘキシルトリエトキシシラン、n−ヘキシルトリイソ Methyltrichlorosilane, methyltrimethoxysilane bromine silane, methyl trimethoxy silane, methyl triethoxy silane, methyl triisopropoxysilane, methyl tri t- butoxysilane, ethyl trichlorosilane, ethyl tri bromo, ethyl trimethoxysilane, ethyl triethoxysilane, ethyl triisopropoxysilane, ethyltri t- butoxysilane; n-propyl trichlorosilane, n- Bro pills tribromomethyl silane, n- Bro pills trimethoxysilane, n- propyl triethoxysilane, n- propyl triisopropoxysilane, n - propyltrimethoxysilane t- butoxysilane; n-hexyl trichlorosilane, n- hexyl-tribromophenyl silane, n- hexyl trimethoxysilane, n- hexyl triethoxysilane, n- hexyl triisobutyl ロポキシシラン、n−ヘキシルトリt−ブトキシシラン;n−デシルトリクロルシラン、n−デシルトリブロムシラン、n−デシルトリメトキシシラン、n−デシルトリエトキシシラン、n−デシルトリイソプロポキシシラン、n−デシルトリt−ブトキシシラン;n−オクタデシルトリクロルシラン、n−オクタデシルトリブロムシラン、n−オルタデシルトリメトキシシラン、n−オクタデシルトリエトキシシラン、n−オクタデシルトリイソプロポキシシラン、n−オクタデシルトリt−ブトキシシラン;フェニルトリクロルシラン、フェニルトリブロムシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリイソプロポキシシラン、フェニルトリt−ブトキシシラン;テトラクロルシラン、テトラブロ Ropokishishiran, n- Hekishirutori t- butoxysilane; n-decyl trichlorosilane, n- tridecyl bromine silane, n- decyl trimethoxysilane, n- decyl triethoxysilane, n- decyl triisopropoxysilane, n- Deshirutori t- butoxysilane; n-octadecyl trichlorosilane, n- octadecyl-tribromophenyl silane, n- alternator decyltrimethoxysilane, n- octadecyl triethoxysilane, n- octadecyl triisopropoxysilane, n- octadecyl tri t- butoxysilane; phenyl trichlorosilane silane, phenyl trimethoxy bromine silane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, phenyl triisopropoxysilane, phenyl tri t- butoxysilane; tetrachlorosilane, Tetoraburo シラン、テトラメトキシシラン、テトラブトキシシラン、トリクロルヒドロシラン、トリブロムヒドロシラン、トリメトキシヒドロシラン、トリエトキシヒドロシラン、トリイソプロポキシヒドロシラン、トリt−ブトキシヒトロシラン;トリフルオロプロピルトリクロルシラン、トリフルオロプロピルトリブロムシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、トリフルオロプロピルトリエトキシシラン、トリフルオロプロピルトリイソプロポキシシラン、トリフルオロプロピルトリt−ブトキシシラン;γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリイソプロポキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリt−ブトキシシラン;γ−アミノプロピルトリ Silane, tetramethoxysilane, tetrabutoxysilane, trichlorosilane hydrosilane, tri bromine hydrosilane, trimethoxy hydrosilane, triethoxy hydrosilane, tri-isopropoxy hydrosilane, tri t- butoxy human-chlorosilane; trifluoropropyl trichlorosilane, trifluoropropyl tri bromine silane, trifluoropropyl trimethoxysilane, trifluoropropyl triethoxysilane, trifluoropropyl triisopropoxysilane, trifluoropropyl tri t- butoxysilane; .gamma.-glycidoxypropyltrimethoxysilane, .gamma.-glycidoxypropyl triethoxysilane , .gamma.-glycidoxypropyltrimethoxysilane tetraisopropoxysilane, .gamma.-glycidoxypropyltrimethoxysilane t- butoxysilane; .gamma.-aminopropyl tri トキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリイソプロポキシシラン、γ−アミノプロピルトリt−ブトキシシラン;γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリイソプロポキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリt−ブトキシシラン;β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリエトキシシラン、CF 3 (CF 2 3 CH 2 CH 2 Si(OCH 3 3 、CF 3 (CF 2 5 CH 2 CH 2 Si(OCH 3 3 、 CF 3 (CF 2 7 CH 2 CH 2 Si(OCH 3 3 、CF 3 (CF 2 9 CH 2 CH 2 Si(OCH 3 3 、(CF 3 2 CF(CF 2 4 Tokishishiran, .gamma.-aminopropyltriethoxysilane, .gamma.-aminopropyl triisopropoxysilane, .gamma.-aminopropyl trimethoxy t- butoxysilane; .gamma.-mercaptopropyltrimethoxysilane, .gamma.-mercaptopropyl triethoxysilane, .gamma.-mercaptopropyltrimethoxysilane tetraisopropoxysilane, .gamma.-mercaptopropyltrimethoxysilane t- butoxysilane; beta-(3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, beta-(3,4-epoxycyclohexyl) ethyl triethoxysilane, CF 3 (CF 2) 3 CH 2 CH 2 Si (OCH 3) 3, CF 3 (CF 2) 5 CH 2 CH 2 Si (OCH 3) 3, CF 3 (CF 2) 7 CH 2 CH 2 Si (OCH 3) 3, CF 3 (CF 2) 9 CH 2 CH 2 Si (OCH 3) 3, (CF 3) 2 CF (CF 2) 4 CH 2 CH 2 Si(OCH 3 3 、(CF 3 2 CF(CF 2 6 CH 2 CH 2 Si(OCH 3 3 、(CF 3 2 CF(CF 2 8 CH 2 CH 2 Si(OCH 3 3 、CF 3 (C 6 4 )C 2 4 Si(OCH 3 3 、CF 3 (CF 2 3 (C 6 4 )C 2 4 Si(OCH 3 3 、 CF 3 (CF 2 5 (C 6 4 )C 2 4 Si(OCH 3 3 、CF 3 (CF 2 7 (C 6 4 )C 2 4 Si(OCH 3 3 、CF 3 (CF 2 3 CH 2 CH 2 Si(OCH 2 CH 3 3 、CF 3 (CF 2 5 CH 2 CH 2 Si(OCH 2 CH 3 3 、CF 3 (CF 2 7 CH 2 CH 2 Si(OCH 2 CH 3 3 、CF 3 (CF 2 9 CH 2 CH 2 Si(OCH 2 CH 3 3 、及び、CF 3 (CF 2 7 SO 2 N(C 2 5 )C 2 4 CH 2 Si(OC CH 2 CH 2 Si (OCH 3 ) 3, (CF 3) 2 CF (CF 2) 6 CH 2 CH 2 Si (OCH 3) 3, (CF 3) 2 CF (CF 2) 8 CH 2 CH 2 Si ( OCH 3) 3, CF 3 ( C 6 H 4) C 2 H 4 Si (OCH 3) 3, CF 3 (CF 2) 3 (C 6 H 4) C 2 H 4 Si (OCH 3) 3, CF 3 (CF 2) 5 (C 6 H 4) C 2 H 4 Si (OCH 3) 3, CF 3 (CF 2) 7 (C 6 H 4) C 2 H 4 Si (OCH 3) 3, CF 3 (CF 2) 3 CH 2 CH 2 Si (OCH 2 CH 3) 3, CF 3 (CF 2) 5 CH 2 CH 2 Si (OCH 2 CH 3) 3, CF 3 (CF 2) 7 CH 2 CH 2 Si (OCH 2 CH 3) 3, CF 3 (CF 2) 9 CH 2 CH 2 Si (OCH 2 CH 3) 3, and, CF 3 (CF 2) 7 SO 2 N (C 2 H 5) C 2 H 4 CH 2 Si (OC 3 3 より選択される珪素化合物の1種または2種以上を溶剤に溶解し、塗工し、加熱し、加水分解重縮合反応を行うことにより、前記珪素化合物の1種または2種以上の加水分解縮合物もしくは共加水分解縮合物であるオルガノポリシロキサンを絶縁層中に90重量以上絶縁層を形成する工程と、 One or more of the 3) 3 silicon compound selected from dissolved in a solvent, coated and heated, by hydrolysis polycondensation reaction of one or more of the silicon compounds a step of the organopolysiloxane to form a including insulating layers 90 weight or more in the insulating layer is a hydrolytic condensate or cohydrolysis condensate,
少なくとも第一電極が形成された基板上にエレクトロルミネッセント層を塗布法で形成し、所定のガスを用いたドライエッチングプロセスを含むフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることにより、パターニングされたエレクトロルミネッセント層を形成する工程と、 By patterning at least the first electrode is formed on a substrate to form an electroluminescent layer by a coating method, a photolithography method including dry-etching process using a predetermined gas, patterned electro lumi forming a Nessento layer,
前記パターニングされたエレクトロルミネッセント層を形成する工程を複数回有することを特徴とする、エレクトロルミネッセント素子の製造方法を提供する。 It characterized in that it has a plurality of times a step of forming an electroluminescent layer, which is the patterning, provides a method for producing electroluminescent devices.

本発明に係るエレクトロルミネッセント素子の製造方法は、上記のような珪素化合物の1種または2種以上の加水分解縮合物もしくは共加水分解縮合物であるオルガノポリシロキサンを含む絶縁層を形成する工程を有することにより、フォトリソグラフィー法によりパターニングされる際にドライエッチングを用いても、絶縁層までも浸食されることが防止され、電極間や電極と配線の間での短絡を引き起こすことなく、フォトリソグラフィー法による利点を有することができる。 Method for producing electroluminescent device according to the present invention, an insulating layer containing an organopolysiloxane which is one or two or more hydrolytic condensate or cohydrolysis condensate of a silicon compound as described above by having the step, it is dry etched when being patterned by photolithography, it is possible to prevent also eroded to the insulating layer, without causing a short circuit between the wires and the electrodes or between the electrodes, it can have advantages by photolithography. すなわち、本発明においては、比較的容易にかつ安価に高精細なパターンが形成された素子であって、素子の短絡の欠陥が防止された長寿命で安定な発光が得られる素子を得ることができる。 That is, in the present invention, there is provided a device relatively easily and inexpensively a high-definition pattern is formed, to obtain a stable luminescence is obtained a long life defects of a short circuit element is prevented it can.

前記フォトリソグラフィー法を用いたパターニング工程において、パターニングされるエレクトロルミネッセント層上にフォトレジストを塗布し、露光し、現像することによりフォトレジストをパターニングした後、 所定のガスを用いたドライエッチングプロセスによりフォトレジストが除去された部分のエレクトロルミネッセント層を除去することが、高精細なパターンが得られる点から好ましい。 In patterning process using the photolithography method, a photoresist is applied to the electroluminescent layer to be patterned, exposed, after patterning the photoresist by developing, dry etching process using a predetermined gas removing the electroluminescent layer in a portion where the photoresist has been removed by the, from the viewpoint of high-definition pattern can be obtained.

また、本発明に係る製造方法におけるドライエッチングプロセスは、反応性イオンエッチングプロセスであることが、効果的なエッチング方法である点から好ましい。 Further, a dry etching process in the manufacturing method according to the present invention, it is a reactive ion etching process is preferred because it is effective etching method.
更に、本発明に係る製造方法におけるドライエッチングプロセスは、酸素単体または酸素を含むガスを用いることが好ましい。 Further, a dry etching process in the manufacturing method according to the present invention, it is preferable to use a gas containing oxygen alone or an oxygen. 酸素は、毒性もなく安全で、安定的に入手できる材料であり、また酸化反応により、ガラスやITO等の基板に影響を与えることなく効果的にエレクトロルミネッセント層をエッチング可能だからである。 Oxygen toxicity without safe, material available stably, also by the oxidation reaction is effectively electroluminescent layer without affecting the substrate such as glass and ITO because etchable.

本発明に係る製造方法において、絶縁層は、短絡防止の点から、第1電極と第2電極の間に設けられることが好ましい。 In the production method according to the present invention, the insulating layer, from the viewpoint of preventing short-circuit, it is preferably provided between the first electrode and the second electrode.

また、本発明に係る製造方法において、絶縁層は、短絡防止の点から、基板上の配線と第1電極の間及び/又は基板上の配線と第2電極の間に設けられることが好ましい。 In the method according to the present invention, the insulating layer, from the viewpoint of preventing short-circuit, it is preferably provided between the wiring and the second electrode between the wire and the first electrode on the substrate and / or substrate.

本発明に係るエレクトロルミネッセント素子及びその製造方法によれば、フォトリソグラフィー法によりパターニングされる際にドライエッチングを用いても、絶縁層までも浸食されることが防止され、電極間や電極と配線の間での短絡を引き起こすことなく、フォトリソグラフィー法による利点を有することができる。 According to the electroluminescent device and a manufacturing method thereof according to the present invention, it is dry etched when being patterned by the photolithography method, also is prevented from being eroded to the insulating layer, and the electrodes and between the electrodes without causing a short circuit between the wirings can have advantages by photolithography. すなわち、本発明においては、比較的容易にかつ安価に高精細なパターンが形成された素子であって、素子の短絡の欠陥が防止された長寿命で安定な発光が得られる素子を得ることができる。 That is, in the present invention, there is provided a device relatively easily and inexpensively a high-definition pattern is formed, to obtain a stable luminescence is obtained a long life defects of a short circuit element is prevented it can.

本発明に係るEL素子の一例を示す断面図である。 Is a cross-sectional view showing an example of an EL device according to the present invention. フォトリソグラフィー法を用いたパターニングの一例を示す断面図である。 Is a cross-sectional view showing an example of patterning using photolithography. (a)はフォトリソグラフィー法を用いたEL素子の一例、(b)(c)は従来のEL素子の一例を示す断面図である。 (A) is an example of an EL device using a photolithographic method, (b) (c) is a sectional view showing an example of a conventional EL element. フォトリソグラフィー法を用いたパターニングの一例を示す断面図である。 Is a cross-sectional view showing an example of patterning using photolithography. 従来のEL素子の一例を示す断面図である。 Is a sectional view showing an example of a conventional EL element.

1. 1. エレクトロルミネッセント素子 本発明に係るエレクトロルミネッセント素子は、基板上に少なくとも第1電極とエレクトロルミネッセント層と第2電極を有し、該エレクトロルミネッセント層の少なくとも1層を、所定のガスを用いたドライエッチングプロセスを含むフォトリソグラフィー法によりパターニングしてなるエレクトロルミネッセント素子であって、前記所定のガスを用いたドライエッチングプロセスにおいて有機化合物との選択比が2.5以上である無機材料を含む絶縁層を有することを特徴とする。 Electroluminescent device according to the electroluminescent element present invention has at least a first electrode and the electroluminescent layer and the second electrode on a substrate, at least one layer of the electroluminescent layer, a predetermined in the a electroluminescent element formed by patterning by photolithography including dry etching process using a gas, the selection ratio of the organic compound in the dry etching process using the predetermined gas is 2.5 or more characterized in that it has an insulating layer containing certain inorganic materials.

また、本発明に係るエレクトロルミネッセント素子は、基板上に少なくとも第1電極とエレクトロルミネッセント層と第2電極を有し、該エレクトロルミネッセント層の少なくとも1層をフォトリソグラフィー法によりパターニングしてなるエレクトロルミネッセント素子であって、Y SiX (4−n) (ここで、Yはアルキル基、フルオロアルキル基、ビニル基、アミノ基、フェニル基またはエポキシ基を示し、Xはアルコキシル基またはハロゲンを示す。nは0〜3までの整数である。) で示される珪素化合物の1種または2種以上の加水分解縮合物もしくは共加水分解縮合物であるオルガノポリシロキサンを含む絶縁層を有することを特徴とする。 Further, electroluminescent device according to the present invention patterning has at least first electrode and the electroluminescent layer and the second electrode on a substrate, at least one layer of the electroluminescent layer by photolithography a electroluminescent element obtained by, Y n SiX (4-n ) ( wherein, Y represents an alkyl group, fluoroalkyl group, vinyl group, amino group, phenyl group or epoxy group, X is an alkoxyl .n showing a group or a halogen is an integer of 0 to 3.) one or more hydrolytic condensate or an insulating layer containing an organopolysiloxane is a cohydrolysis condensate of a silicon compound represented by the characterized in that it has a.

従来、図5に示されるように、絶縁層20は熱硬化樹脂や紫外線硬化樹脂などの有機材料で作製されていたため、EL層4をフォトリソグラフィー法によりパターニングすると、ドライエッチングの際に絶縁層までも浸食されて、配線21が露出したり、第1電極2と絶縁層20の間に隙間ができてしまっていた(図5(b))。 Conventionally, as shown in FIG. 5, the insulating layer 20 were made of an organic material such as a thermosetting resin or an ultraviolet curing resin, an EL layer 4 when patterned by photolithography, to the insulating layer during dry etching be eroded, or exposed wires 21, had gotten a gap between the first electrode 2 and the insulating layer 20 (Figure 5 (b)). このように絶縁層20が浸食された状態で第2電極を積層すると、第1電極の側面に第2電極が接触して伝導路ができて短絡22を引き起こしたり、露出した配線21に第2電極が接触して伝導路ができて短絡22を引き起こすという問題があった(図5(c))。 With such an insulating layer 20 is laminated a second electrode in a state of being eroded, or cause the second electrode is in contact with and be conducting path short 22 on the side surface of the first electrode, the wiring 21 exposed 2 electrode has a problem of causing short-circuit 22 can conduction path in contact (FIG. 5 (c)).

本発明に係るEL素子は、図1に示されるように、所定のガスを用いたドライエッチングプロセスにおいて有機化合物との選択比が2.5以上である無機材料、又は、上記のような珪素化合物の1種または2種以上の加水分解縮合物もしくは共加水分解縮合物であるオルガノポリシロキサンを含む絶縁層を有することにより(図1(a))、フォトリソグラフィー法によりパターニングされる際にドライエッチングを用いても、絶縁層までも浸食されることが防止される(図1(b))。 EL element according to the present invention, as shown in FIG. 1, an inorganic material selected ratio of the organic compound is 2.5 or more in the dry etching process using a predetermined gas, or silicon compounds as described above one or by having an insulating layer containing organopolysiloxane is more hydrolysis condensate or cohydrolysis condensate (FIG. 1 (a)), dry etching as it is patterned by the photolithography method be used, to be eroded is prevented even insulating layer (Figure 1 (b)). 従って、本発明に係るEL素子は、第2電極を積層しても第2電極が第1電極2や配線(図示せず)に接触しないため(図1(c))、第1電極と第2電極の間や電極と配線の間での短絡を引き起こすことなく、フォトリソグラフィー法による利点を有することができる。 Therefore, EL element according to the present invention, since the laminated second electrode and the second electrode not in contact with the first electrode 2 and the wiring (not shown) (FIG. 1 (c)), and the first electrode second without causing a short circuit between the 2 between the electrodes and the electrode wiring, it can have advantages by photolithography. すなわち、本発明においては、比較的容易にかつ安価に高精細なパターンが形成された素子であって、素子の短絡の欠陥が防止された長寿命で安定な発光が得られる素子を得ることができる。 That is, in the present invention, there is provided a device relatively easily and inexpensively a high-definition pattern is formed, to obtain a stable luminescence is obtained a long life defects of a short circuit element is prevented it can.

図1(c)は本発明に係るEL素子の一例を示す概略断面図である。 1 (c) is a schematic sectional view showing an example of an EL device according to the present invention. 図1(c)において、EL素子は、基板1と上記基板1上に形成された第1電極2と、上記第1電極2上のエッジ部分及び素子の非発光部分を覆うように形成された絶縁層3と、上記第1電極上に形成され、少なくとも発光層を有するEL層4と、上記EL層4上に形成された第2電極5とを有しており、上記EL層4の少なくとも1層をフォトリソグラフィー法によりパターニングしてなる。 In FIG. 1 (c), EL element includes a first electrode 2 formed on the substrate 1 and the substrate 1, is formed to cover the non-emission portion of the edge portions and elements of the upper first electrode 2 an insulating layer 3 is formed on the first electrode, an EL layer 4 having at least a light emitting layer, and a second electrode 5 formed on the EL layer 4, at least the EL layer 4 one layer formed by patterning by photolithography.

以下、本発明のEL素子の構成要素について説明する。 The following describes the components of the EL device of the present invention. なお、フォトリソグラフィー法によるパターニングは、後述の本発明に係るEL素子の製造方法において、詳細に説明する。 Incidentally, patterning by photolithography is the manufacturing method of an EL element according to the present invention described below will be described in detail.

(基板) (substrate)
基板は、EL素子の支持体になるものであり、例えばフレキシブルな材質であっても、硬質な材質であってもよい。 Substrate is made of a support of the EL element, for example, even flexible material, or a hard material. 本発明で使用するEL素子の基板としては、従来のEL素子に使用されているガラスやプラスチックシートなどの基板であれば用いることができ、特に限定されない。 As the substrate of the EL element used in the present invention can be used as long as the substrate such as glass or plastic sheets used in conventional EL elements are not particularly limited. これらの基板の厚みは通常約0.1〜2.0mmである。 The thickness of these substrates is typically about 0.1 to 2.0 mm.

(第1及び第2電極) (First and second electrodes)
本発明においては、基板上に第1電極を形成し、また、前記EL層の上には第2電極を形成する。 In the present invention, the first electrode is formed on a substrate and also on the EL layer forms a second electrode. これらの電極は、陽極と陰極とからなる。 These electrodes are composed of an anode and a cathode. EL層4で発光した光の取り出し方向により、どちらの電極に透明性が要求されるか否かが異なり、基板1側から光を取り出す場合には第1電極を透明または半透明な材料で形成する必要があり、また第2電極側から光を取り出す場合には第2電極を透明または半透明な材料で形成する必要がある。 The extraction direction of light emitted from the EL layer 4, unlike which of whether transparency electrode is required, a transparent or translucent material a first electrode in the case of extracting light from the substrate 1 side It must also in the case where light is extracted from the second electrode side is required to form the second electrode of a transparent or translucent material.

電極は、導電性材料から形成され、抵抗ができるだけ小さいものが好ましく、一般的には金属材料が用いられるが、有機化合物または無機化合物であってもよい。 Electrode is formed of a conductive material is preferably a resistance as small as possible, but in general a metal material is used, it may be an organic compound or an inorganic compound. また、複数の材料を混合して形成してもよい。 Or it may be formed by mixing a plurality of materials.

陽極は、正孔が注入しやすいように仕事関数の大きい導電性材料から形成することが好ましい。 Anode, it is preferable that the holes are formed from a large conductive material work function for enhanced injection. 好ましい陽極材料としては、例えば、酸化インジウムや金などが挙げられる。 Preferred anode materials include, for example, indium oxide or gold.

陰極は、電子が注入しやすいように仕事関数の小さい導電性材料から形成することが好ましい。 Cathode, it is preferable that electrons form a small conductive material work function for enhanced injection. 好ましい陰極材料としては、例えば、マグネシウム合金(Mg−Agなど)、アルミニウム合金(Al−Li、Al−Ca、Al−Mgなど)、金属カルシウムおよび仕事関数の小さな金属が挙げられる。 Preferred cathode materials, for example, (such as Mg-Ag) magnesium alloy, aluminum alloy (Al-Li, Al-Ca, Al-Mg, etc.), and a small metal of the metal calcium and the work function. これらの電極層の厚みは、それぞれ通常約20〜1000Åである。 The thickness of these electrode layers, each of which is usually about 20~1000A.

(絶縁層) (Insulating layer)
EL素子において絶縁層を必要とする場合、絶縁層は、通常、短絡防止の点から、第1電極と第2電極の間に設けられる。 If you need an insulating layer in the EL element, the insulating layer is usually in terms of preventing a short circuit is provided between the first electrode and the second electrode. また、絶縁層は、基板上に配線を有する場合、短絡防止の点から、基板上の配線と第1電極の間及び/又は基板上の配線と第2電極の間にも設けられる。 The insulating layer, if having a wiring on the substrate, from the viewpoint of preventing short-circuit, is also provided between the wiring and the second electrode on and / or between the substrate of the wiring and the first electrode on the substrate. なお、第1電極と第2電極の「間」や、基板上の配線と電極の「間」には、空間的に間に介在する場合だけでなく、伝導路の間に介在する場合も含まれる。 It included Incidentally, "between" and the first electrode and the second electrode, the "between" the wiring and electrodes on the substrate, not only when interposed between spatially, may be interposed between the conduction path It is.

絶縁層は、発光に不要な部分での短絡を防ぐために、例えば、基板上にパターン状に形成された第1電極のエッジ部分および素子の非発光部分を覆い、発光部分が開口となるように予め設けることにより、第1電極と第2電極の間、及び、基板上の配線と第1電極の間及び/又は基板上の配線と第2電極の間に形成される。 The insulating layer, in order to prevent a short circuit in the unnecessary portion on the light emission, for example, covers the non-luminous portion of the edge portion and the element of the first electrode formed in a pattern on the substrate, so that the light emitting portion therein becomes open by providing in advance, between the first electrode and the second electrode, and is formed between the wiring and the second electrode between the wire and the first electrode on the substrate and / or substrate. このようにすることで、素子の短絡などによる欠陥が低減し、長寿命で安定発光する素子が得られる。 By doing so, reduces the defects due to short-circuiting of the device, stable light emission for device can be obtained a long life.

フォトリソグラフィー法においてドライエッチングでEL層をパターニングする場合、絶縁層はドライエッチング耐性があることが望ましい。 When patterning the EL layer by dry etching in a photolithography process, it is desirable for the insulating layer to have a dry etching resistance. パターニングされるEL層の主要成分が有機材料である場合には、ドライエッチングの中でも好適に用いられる反応性イオンエッチングは、例えば、酸素単体または酸素を含むガスなどの反応性ガスを用いてプラズマを発生させ、有機材料がこれら反応ガスと化学反応してガスとなって除去されることにより行われる。 When the major component of the patterned the EL layer is an organic material, preferably reactive ion etching used among dry etching, for example, a plasma using a reactive gas such as a gas containing oxygen alone or an oxygen is generated and performed by the organic material is removed so that these reactive gases chemically react with the gas. そのため、ドライエッチングに用いられる所定のガスと反応しない絶縁層が好適なものとして求められる。 Therefore, the insulating layer does not react with the predetermined gas used for dry etching is determined as suitable.

本発明において、絶縁層は、所定のガスを用いたドライエッチングプロセスにおいて有機化合物との選択比が2.5以上である無機材料を含む絶縁層(絶縁層の第一の態様)であるか、又は、Y SiX (4−n) (ここで、Yはアルキル基、フルオロアルキル基、ビニル基、アミノ基、フェニル基またはエポキシ基を示し、Xはアルコキシル基またはハロゲンを示す。nは0〜3までの整数である。) で示される珪素化合物の1種または2種以上の加水分解縮合物もしくは共加水分解縮合物であるオルガノポリシロキサンを含む絶縁層(絶縁層の第二の態様)である。 In the present invention, the insulating layer, or an insulating layer selectivity to an organic compound containing an inorganic material is 2.5 or more (first aspect of the insulating layer) in the dry etching process using a predetermined gas, or, Y n SiX (4-n ) ( wherein, Y represents an alkyl group, fluoroalkyl group, vinyl group, amino group, phenyl group or epoxy group, X is .n showing an alkoxyl group or a halogen 0 3 is an integer of up to.) in one or more hydrolysis condensate or cohydrolysis insulating layer containing organopolysiloxane is a condensate of a silicon compound represented by (the second embodiment of the insulating layer) is there. このため、フォトリソグラフィー法によりパターニングされる際にドライエッチングを用いても、絶縁層までも浸食されることが防止される。 Therefore, be dry etched when being patterned by the photolithography method, is prevented also eroded to the insulating layer.

また、一般的に基板の洗浄工程において、アルゴンまたは酸素を用いたプラズマ処理がドライ洗浄工程として使用されている。 Further, in a general washing process of the substrate, a plasma treatment using an argon or oxygen is used as a dry cleaning process. 洗浄の場合、パターニングするドライエッチングの時ほど基板へのダメージは大きくはないが、膜表面が荒れてしまうことがある。 For washing, although not large damage to the substrate as when the dry etching for patterning, there may be a film surface becomes rough. 本発明におけるような無機絶縁層を用いる場合には、一般的なドライ洗浄工程における膜表面の荒れを防止する効果もある。 In the case of using the inorganic insulating layer as in the present invention is also effective for preventing the roughening of the film surface in the general dry cleaning processes.

i)絶縁層の第一の態様 絶縁層の第一の態様に用いられる無機材料は、無機材料の中でも絶縁性を有し、且つ、所定のガスを用いたドライエッチングプロセスにおいて有機化合物との選択比が2.5以上であるものである。 i) an inorganic material used in the first embodiment of the first aspect insulating layer of the insulating layer has an insulating property among the inorganic materials, and the selection of the organic compound in the dry etching process using a predetermined gas those ratios are 2.5 or more.

ここで、ドライエッチングプロセスにおける選択比は、エッチングしたい物質のエッチング速度とエッチングしたくない物質のエッチング速度との比(エッチングしたい物質のエッチング速度/エッチングしたくない物質のエッチング速度)をいい、本件の場合、有機化合物のエッチング速度と絶縁層に用いられる無機材料のエッチング速度との比(有機化合物のエッチング速度/絶縁層に用いられる無機材料のエッチング速度)をいう。 The selection ratio in dry etching process refers to a ratio of the etching want etching rate of the material and etching rate of the etching do not want material (etching rate of the material that do not want to etch rate / etch material to be etched), the present cases, refers to the ratio of the etching rate of the inorganic material used for the etching rate to the insulating layer of an organic compound (etching rate of the inorganic material used for the etching rate / insulating layer of an organic compound). なお、ここでいう有機化合物は、ドライエッチングプロセスを含むフォトリソグラフィー法によりパターニングしてなるエレクトロルミネッセント層の少なくとも1層の形成材料の主要成分であり、標準物質としては、発光性材料、例えばポリビニルカルバゾール、ポリパラフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリフルオレンを用いることができる。 Note that the organic compounds referred to here is the main component of the material for forming the at least one layer of electroluminescent layer formed by patterning by photolithography including dry etching process, as the reference material, luminescent material, e.g. polyvinylcarbazole, polyparaphenylene vinylene, polythiophene, can be used polyfluorene.

ドライエッチングプロセスにおいて有機化合物との選択比が2.5以上である無機材料は、大部分が有機化合物で形成されているEL層をエッチングするためのエッチング条件においては、EL層との選択性が高く、浸食されない。 Inorganic materials selection ratio is 2.5 or more and an organic compound in the dry etching process, in the etching conditions for etching the EL layer is mostly formed of an organic compound, the selectivity of the EL layer high, not eroded.

本発明における無機材料において、所定のガスを用いたドライエッチングプロセスにおいて有機化合物との選択比が2.5以上であるが、更に3以上であることが好ましく、特に4以上、中でも特に5以上であることが好ましい。 Inorganic material in the present invention, at although selectivity to an organic compound 2.5 or more in the dry etching process using a predetermined gas, it is preferably further 3 or more, particularly 4 or more, among others 5 or more there it is preferable.
なお、本発明における無機材料とは、無機化合物を主体とした材料をいい、有機無機複合体も含む。 Note that the inorganic material in the present invention means a material of the inorganic compound mainly, including organic-inorganic composite.

また、絶縁性の点から、無機材料の中でも、比抵抗(Ωcm)が、10 10以上であるものを選択する必要があり、更に10 12以上であるものを選択することが好ましい。 Further, from the viewpoint of insulating properties, among inorganic materials, specific resistance ([Omega] cm) is, it is necessary to select not more 10 10 or more, it is preferable to select not more further 1012 or more. ここで、比抵抗(Ωcm)は、(電気抵抗率×断面積/長さ)により求めることができる。 Here, the specific resistance ([Omega] cm) can be obtained by (electrical resistivity × cross-sectional area / length).

また、上記ドライエッチングプロセスは、酸素単体または酸素を含むガスを用いることが好ましい。 Further, the dry etching process, it is preferable to use a gas containing oxygen alone or an oxygen. 酸素は、毒性もなく安全で安定的に入手できる材料であり、反応性も高くエッチングガスとして有用なため、本発明におけるフォトリソグラフィー法に用いられ得るドライエッチングプロセスにおいて好適に用いられるガスだからである。 Oxygen toxicity is also safe and stable available materials without because useful as reactive also high etching gas is because preferably the gas used in the dry etching process that can be used in photolithography in the present invention .

無機材料の中でも絶縁性を有し、且つ、ドライエッチングプロセスにおいて有機化合物との選択比が2.5以上であるものとしては、例えば、珪素の酸化物(例えば、SiOx(xは1以上2以下))、珪素の窒化物(例えば、SiNx(xは1/2以上4/3以下))、SiON、SiAlON、SiOF、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ、酸化バナジウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウム酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、フッ化バリウムマグネシウム、チタン酸ビスマス、チタン酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ニオブ酸ビスマス、トリオキサイドイットリウム Has an insulating property among the inorganic materials, and, as selectivity to the organic compound is 2.5 or more in the dry etching process, for example, oxides of silicon (e.g., SiOx (x is 1 to 2 )), nitride of silicon (e.g., SiNx (x is 1/2 or more 4/3 or less)), SiON, SiAlON, SiOF, aluminum oxide, tantalum oxide, titanium oxide, tin oxide, vanadium oxide, barium strontium titanate , barium zirconate titanate, lead zirconate titanate, lead lanthanum titanate, strontium titanate, barium titanate, magnesium barium fluoride, bismuth titanate, strontium bismuth titanate, strontium bismuth tantalate, tantalum niobate bismuth , yttrium trioxide どが挙げられる。 Etc., and the like.

中でも、上記無機材料は、珪素の酸化物及び/または窒化物からなることが好ましい。 Among them, the inorganic material preferably comprises an oxide and / or nitride of silicon. 珪素の酸化物及び/または窒化物は、毒性もなく安定的に入手できる絶縁材料であるからである。 Oxides and / or nitrides of silicon, because toxicity is stable insulating material available without. またスパッタリング、蒸着法などで容易に成膜できるからである。 The sputtering is because it easily formed by vapor deposition or the like. 珪素の酸化物及び/または窒化物の中でも、SiOx(xは1以上2以下)、SiNx(xは1/2以上4/3以下)は好適に用いることができ、中でも特に、SiOx(xは2)、SiNx(xは4/3)は、本発明において特に好適に用いることができる。 Among the oxides and / or nitrides of silicon, SiOx (x is 1 to 2), SiNx (x is 1/2 or more 4/3 or less) can be suitably used, is inter alia, SiOx (x 2), SiNx (x is 4/3) can be particularly suitably used in the present invention.

絶縁層の第一の態様には、本発明の効果を損なわない範囲で、ドライエッチングプロセスにおいて有機化合物との選択比が2.5以上である無機材料以外の他の成分を含んでもよいが、その場合においても、ドライエッチングプロセスにおいて有機化合物との選択比が2.5以上である無機材料は、ドライエッチング耐性の点から、絶縁層中に50重量%以上、更に70重量%以上、特に90重量%以上含まれることが好ましい。 The first aspect of the insulating layer, within a range not to impair the effects of the present invention, but may include other components than the inorganic material is selected to an organic compound 2.5 or more in the dry etching process, also in this case, an inorganic material selected ratio of the organic compound is 2.5 or more in the dry etching process, in terms of dry etching resistance, 50 wt% or more in the insulating layer, further 70 wt% or more, in particular 90 it is preferably contained in wt% or more. 絶縁層は、ドライエッチング耐性及び絶縁性の点から、ドライエッチングプロセスにおいて有機化合物との選択比が2.5以上である無機材料からなるものであることが、特に好ましい。 Insulating layer, from the viewpoint of dry-etching resistance and insulating properties, it is intended that selectivity to the organic compound in the dry etching process is formed of an inorganic material is 2.5 or more is particularly preferred.

ii)絶縁層の第二の態様 絶縁層の第二の態様に用いられる、YnSiX(4-n)(ここで、Yはアルキル基、フルオロアルキル基、ビニル基、アミノ基、フェニル基またはエポキシ基を示し、Xはアルコキシル基またはハロゲンを示す。nは0〜3までの整数である。) で示される珪素化合物の1種または2種以上の加水分解縮合物もしくは共加水分解縮合物であるオルガノポリシロキサンは、ゾルゲル反応等によりハロゲン及び/またはアルコキシル基を加水分解、重縮合して、分子同士が重合し、ドライエッチング耐性がある強固で均一な層を形成する点から、及び、簡便に湿式法で塗工等が可能な点から好ましい。 ii) used in the second embodiment of the second aspect insulating layer of the insulating layer, YnSiX (4-n) (where, Y is an alkyl group, fluoroalkyl group, vinyl group, amino group, phenyl group or epoxy group are shown, X is an integer.) one or more hydrolytic condensate or cohydrolysis condensate of a silicon compound represented by up .n 0-3 showing an alkoxyl group or a halogen organo polysiloxane, hydrolysis halogen and / or alkoxy group by a sol-gel reaction or the like, polycondensation, and molecules with each other polymerization, from the viewpoint of forming a strong and uniform layer with a dry etching resistance, and conveniently wet from the viewpoint capable coating or the like by law.

上記YnSiX(4-n) で示される珪素化合物は、具体的には、メチルトリクロルシラン、メチルトリブロムシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、メチルトリt−ブトキシシラン;エチルトリクロルシラン、エチルトリブロムシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリt−ブトキシシラン;n−プロピルトリクロルシラン、n−ブロピルトリブロムシラン、n−ブロピルトリメトキシシラン、n−プロピルトリエトキシシラン、n−プロピルトリイソプロポキシシラン、n−プロピルトリt−ブトキシシラン;n−ヘキシルトリクロルシラン、n−ヘキシルトリブロムシラン、n−ヘキシルトリメトキシシラ Silicon compounds represented by the YnSiX (4-n), specifically, methyl trichlorosilane, methyl trimethoxy bromine silane, methyl trimethoxy silane, methyl triethoxy silane, methyl triisopropoxysilane, methyl tri t- butoxysilane; ethyl trichlorosilane, ethyl tri bromo, ethyl trimethoxysilane, ethyl triethoxysilane, ethyl triisopropoxysilane, ethyltri t- butoxysilane; n-propyl trichlorosilane, n- Bro pills tribromomethyl silane, n- Buropirutori silane, n- propyl triethoxysilane, n- propyl triisopropoxysilane, n- propyltrimethoxysilane t- butoxysilane; n-hexyl trichlorosilane, n- hexyl-tribromophenyl silane, n- hexyl trimethoxysilane ン、n−ヘキシルトリエトキシシラン、n−ヘキシルトリイソプロポキシシラン、n−ヘキシルトリt−ブトキシシラン;n−デシルトリクロルシラン、n−デシルトリブロムシラン、n−デシルトリメトキシシラン、n−デシルトリエトキシシラン、n−デシルトリイソプロポキシシラン、n−デシルトリt−ブトキシシラン;n−オクタデシルトリクロルシラン、n−オクタデシルトリブロムシラン、n−オルタデシルトリメトキシシラン、n−オクタデシルトリエトキシシラン、n−オクタデシルトリイソプロポキシシラン、n−オクタデシルトリt−ブトキシシラン;フェニルトリクロルシラン、フェニルトリブロムシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリイソプロポキシシラン、フェニ Emissions, n- hexyl triethoxysilane, n- hexyl triisopropoxysilane, n- Hekishirutori t- butoxysilane; n-decyl trichlorosilane, n- tridecyl bromine silane, n- decyl trimethoxysilane, n- decyl triethoxy silane, n- decyl triisopropoxysilane, n- Deshirutori t- butoxysilane; n-octadecyl trichlorosilane, n- octadecyl-tribromophenyl silane, n- alternator decyltrimethoxysilane, n- octadecyl triethoxysilane, n- octadecyl tri tetraisopropoxysilane, n- octadecyl tri t- butoxysilane; phenyl trichlorosilane, phenyltrimethoxysilane bromine silane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, phenyl triisopropoxysilane, phenylene トリt−ブトキシシラン;テトラクロルシラン、テトラブロムシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラブトキシシラン、ジメトキシジエトキシシラン;ジメチルジクロルシラン、ジメチルジブロムシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン;ジフェニルジクロルシラン、ジフェニルジブロムシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン;フェニルメチルジクロルシラン、フェニルメチルジブロムシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、フェニルメチルジエトキシシラン;トリクロルヒドロシラン、トリブロムヒドロシラン、トリメトキシヒドロシラン、トリエトキシヒドロシラン、トリイソプロポキシヒドロシラン、トリt−ブトキシヒトロシラン;ビニルトリク Tri t- butoxysilane; tetrachlorosilane, tetrabromobisphenol silane, tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetrabutoxysilane, dimethoxy diethoxy silane; dimethyldichlorosilane, dimethyl bromine silane, dimethyl dimethoxy silane, dimethyl diethoxy silane; diphenyl dichlorosilane, diphenyl bromine, diphenyldimethoxysilane, diphenyldiethoxysilane; phenylmethyl dichlorosilane, phenyl methyl dibromo silane, phenyl methyl dimethoxy silane, phenyl methyl diethoxy silane; trichlorosilane hydrosilane, tri bromine hydrosilane, tri methoxy hydrosilane, triethoxy hydrosilane, tri-isopropoxy hydrosilane, tri t- butoxy human-chlorosilane; Binirutoriku ルシラン、ビニルトリブロムシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリイソプロポキシシラン、ビニルトリt−ブトキシシラン;トリフルオロプロピルトリクロルシラン、トリフルオロプロピルトリブロムシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、トリフルオロプロピルトリエトキシシラン、トリフルオロプロピルトリイソプロポキシシラン、トリフルオロプロピルトリt−ブトキシシラン;γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリイソプロポキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリt−ブトキシシ Rushiran, vinyltrimethoxysilane bromine silane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyl triisopropoxysilane, vinyl tri t- butoxysilane; trifluoropropyl trichlorosilane, trifluoropropyl tri brominated silane, trifluoropropyl trimethoxy silane, tri trifluoropropyl triethoxysilane, trifluoropropyl triisopropoxysilane, trifluoropropyl tri t- butoxysilane; .gamma.-glycidoxypropyl methyl dimethoxy silane, .gamma.-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, .gamma.-glycidoxypropyltrimethoxysilane trimethoxysilane, .gamma.-glycidoxypropyl triethoxysilane, .gamma.-glycidoxypropyltrimethoxysilane tetraisopropoxysilane, .gamma.-glycidoxypropyltrimethoxysilane t- Butokishishi ラン;γ−メタアクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタアクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタアクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタアクロヤキシプロピルトリエトキシシラン、γ−メタアクリロキシプロピルトリイソプロポキシシラン、γ−メタアクリロキシプロピルトリt−ブトキシシラン;γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリイソプロポキシシラン、γ−アミノプロピルトリt−ブトキシシラン;γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリ Orchids; .gamma. methacryloxypropyl methyl dimethoxy silane, .gamma. methacryloxypropyl methyl diethoxy silane, .gamma. methacryloxypropyl trimethoxy silane, .gamma. meth Acro ya trimethoxy silane, .gamma. methacryloxypropyltrimethoxysilane triisopropoxysilane, .gamma. methacryloxypropyltrimethoxysilane tri t- butoxysilane; .gamma.-aminopropyl methyl dimethoxy silane, .gamma.-aminopropyl methyl diethoxy silane, .gamma.-aminopropyltrimethoxysilane, .gamma.-aminopropyltriethoxysilane, .gamma.-aminopropyl triisopropoxysilane, .gamma.-aminopropyl trimethoxy t- butoxysilane; .gamma.-mercaptopropyl methyl dimethoxy silane, .gamma.-mercaptopropyl methyl diethoxy silane, .gamma.-mercaptopropyltrimethoxysilane トキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリイソプロポキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリt−ブトキシシラン;β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリエトキシシラン;下記に一例を示す一般的にフッ素系シランカップリング剤として知られたフルオロアルキルシラン;および、それらの加水分解縮合物もしくは共加水分解縮合物;および、それらの混合物を挙げることができる。 Tokishishiran, .gamma.-mercaptopropyl triethoxysilane, .gamma.-mercaptopropyl triisopropoxysilane, .gamma.-mercaptopropyltrimethoxysilane t- butoxysilane; beta-(3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, beta-(3, 4 - epoxycyclohexyl) ethyl triethoxysilane; fluoroalkyl silanes commonly known as a fluorine-based silane coupling agent, an example of which is illustrated in the following; and their hydrolysis condensate or cohydrolysis condensate; and their mixture can be mentioned.

CF 3 (CF 23 CH 2 CH 2 Si(OCH 33 、CF 3 (CF 25 CH 2 CH 2 Si(OCH 33 、 CF 3 (CF 27 CH 2 CH 2 Si(OCH 33 、CF 3 (CF 29 CH 2 CH 2 Si(OCH 33 、(CF 32 CF(CF 24 CH 2 CH 2 Si(OCH 33 、(CF 32 CF(CF 26 CH 2 CH 2 Si(OCH 33 、(CF 32 CF(CF 28 CH 2 CH 2 Si(OCH 33 、CF 3 (C 64 )C 24 Si(OCH 33 、CF 3 (CF 23 (C 64 )C 24 Si(OCH 33 、 CF 3 (CF 25 (C 64 )C 24 Si(OCH 33 、CF 3 (CF 27 (C 64 )C 24 Si(OCH 33 、CF 3 (CF 23 CH 2 CH 2 SiCH 3 (OCH 32 、CF 3 CF 3 (CF 2) 3 CH 2 CH 2 Si (OCH 3) 3, CF 3 (CF 2) 5 CH 2 CH 2 Si (OCH 3) 3, CF 3 (CF 2) 7 CH 2 CH 2 Si (OCH 3) 3, CF 3 (CF 2) 9 CH 2 CH 2 Si (OCH 3) 3, (CF 3) 2 CF (CF 2) 4 CH 2 CH 2 Si (OCH 3) 3, (CF 3) 2 CF (CF 2) 6 CH 2 CH 2 Si (OCH 3) 3, (CF 3) 2 CF (CF 2) 8 CH 2 CH 2 Si (OCH 3) 3, CF 3 (C 6 H 4) C 2 H 4 Si (OCH 3) 3, CF 3 (CF 2) 3 (C 6 H 4) C 2 H 4 Si (OCH 3) 3, CF 3 (CF 2) 5 (C 6 H 4) C 2 H 4 Si ( OCH 3) 3, CF 3 ( CF 2) 7 (C 6 H 4) C 2 H 4 Si (OCH 3) 3, CF 3 (CF 2) 3 CH 2 CH 2 SiCH 3 (OCH 3) 2, CF 3 ( 25 CH 2 CH 2 SiCH 3 (OCH 32 、CF 3 (CF 27 CH 2 CH 2 SiCH 3 (OCH 32 、CF 3 (CF 29 CH 2 CH 2 SiCH 3 (OCH 32 、(CF 32 CF(CF 24 CH 2 CH 2 SiCH 3 (OCH 32 、(CF 32 CF(CF 26 CH 2 CH 2 SiCH 3 (OCH 32 、(CF 32 CF(CF 28 CH 2 CH 2 SiCH 3 (OCH 32 、CF 3 (C 64 )C 24 SiCH 3 (OCH 32 、CF 3 (CF 23 (C 64 )C 24 SiCH 3 (OCH 32 、 CF 3 (CF 25 (C 64 )C 24 SiCH 3 (OCH 32 、CF 3 (CF 27 (C 64 )C 24 SiCH 3 (OCH 32 、CF 3 (CF 23 CH 2 CH 2 Si(OCH 2 CH 33 、CF 3 F 2) 5 CH 2 CH 2 SiCH 3 (OCH 3) 2, CF 3 (CF 2) 7 CH 2 CH 2 SiCH 3 (OCH 3) 2, CF 3 (CF 2) 9 CH 2 CH 2 SiCH 3 (OCH 3) 2, (CF 3) 2 CF (CF 2) 4 CH 2 CH 2 SiCH 3 (OCH 3) 2, (CF 3) 2 CF (CF 2) 6 CH 2 CH 2 SiCH 3 (OCH 3) 2, (CF 3) 2 CF (CF 2) 8 CH 2 CH 2 SiCH 3 (OCH 3) 2, CF 3 (C 6 H 4) C 2 H 4 SiCH 3 (OCH 3) 2, CF 3 (CF 2) 3 (C 6 H 4) C 2 H 4 SiCH 3 (OCH 3) 2, CF 3 (CF 2) 5 (C 6 H 4) C 2 H 4 SiCH 3 (OCH 3) 2, CF 3 (CF 2) 7 (C 6 H 4) C 2 H 4 SiCH 3 (OCH 3) 2, CF 3 (CF 2) 3 CH 2 CH 2 Si (OCH 2 CH 3) 3, CF 3 ( 25 CH 2 CH 2 Si(OCH 2 CH 33 、CF 3 (CF 27 CH 2 CH 2 Si(OCH 2 CH 33 、CF 3 (CF 29 CH 2 CH 2 Si(OCH 2 CH 33 、CF 3 (CF 27 SO 2 N(C 25 )C 24 CH 2 Si(OCH 33 F 2) 5 CH 2 CH 2 Si (OCH 2 CH 3) 3, CF 3 (CF 2) 7 CH 2 CH 2 Si (OCH 2 CH 3) 3, CF 3 (CF 2) 9 CH 2 CH 2 Si ( OCH 2 CH 3) 3, CF 3 (CF 2) 7 SO 2 N (C 2 H 5) C 2 H 4 CH 2 Si (OCH 3) 3

上記のオルガノポリシロキサンの中でも、ドライエッチング耐性を向上させるために架橋により強固な膜を形成させる点から、アルコキシル基またはハロゲンのような、架橋点になり得る官能基を多く含むことが好ましい。 Among the above-mentioned organopolysiloxane, thereby to form a strong film by crosslinking in order to improve the dry etching resistance, such as an alkoxyl group or halogen, preferably contains a lot of functional group which may be the crosslinking points. 従って、YnSiX(4-n)(ここで、Yはアルキル基、フルオロアルキル基、ビニル基、アミノ基、フェニル基またはエポキシ基を示し、Xはアルコキシル基またはハロゲンを示す。nは0〜3までの整数である。) で示される珪素化合物のうち、nは小さい方が好ましく、特に、n=0であることが好ましい。 Therefore, YnSiX (4-n) (where, Y is an alkyl group, fluoroalkyl group, vinyl group, amino group, a phenyl group or an epoxy group, X until .n 0-3 showing an alkoxyl group or a halogen of an integer. among the silicon compound represented by), n is more preferably small, in particular, it is preferred that n = 0.

また、絶縁層の第二の態様には、本発明の効果を損なわない範囲で、上記オルガノポリシロキサン以外の他の成分を含んでもよいが、その場合においても、上記オルガノポリシロキサンは、ドライエッチング耐性の点から、絶縁層中に50重量%以上、更に70重量%以上、特に90重量%以上含まれることが好ましい。 Further, in the second embodiment of the insulating layer, within a range not to impair the effects of the present invention may contain components other than the organopolysiloxane, but in that case, the organopolysiloxane, dry etching from resistant points, 50 wt% or more in the insulating layer, further 70 wt% or more is preferably contained particularly 90 wt% or more. 絶縁層は、ドライエッチング耐性及び絶縁性の点から、上記オルガノポリシロキサンからなるものであることが、特に好ましい。 Insulating layer, from the viewpoint of dry-etching resistance and insulating properties, it is made of the organopolysiloxane is particularly preferred.

また、第二の態様においても、本発明において絶縁層の比抵抗(Ωcm)は、10 10以上であるものを選択する必要があり、更に10 12以上であるものを選択することが好ましい。 Also in the second embodiment, the resistivity of the insulating layer in the present invention ([Omega] cm), it is necessary to select not more 10 10 or more, it is preferable to select not more further 1012 or more.

また、本発明において絶縁層の厚さは、絶縁性の点から 0.1μm〜5μmであることが好ましく、更に0.5μm〜1.5μmであることが好ましい。 The thickness of the insulating layer in the present invention is preferably 0.1μm~5μm in terms of insulating properties, is preferably further 0.5Myuemu~1.5Myuemu. 厚すぎると第2電極が断線したり、絶縁層のパターニング不良が生じる場合があり、薄すぎると短絡する場合があるからである。 Too thick or the second electrode is disconnected, there is a case where the patterning of the insulating layer failure occurs, there is a case where a short circuit and too thin.

(EL層) (EL layer)
EL層4は、少なくとも1層をフォトリソグラフィー法によりパターニングしてなる。 EL layer 4 is formed by patterning by photolithography at least one layer. EL層には、少なくとも発光層が含まれている必要があり、その他、バッファー層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層等が組み合わされていてもよい。 The EL layer, must contain at least the light emitting layer, other buffer layer, a hole transport layer, a hole injection layer, electron transporting layer, an electron injection layer or the like may be combined.

また、上記パターニングされるEL層は、上述したEL層を構成するいずれの層であってもよいが、本発明においては、発光層もしくはバッファー層であることが好ましく、中でも発光層をEL層としてパターニングしたものであることが、エリアカラーまたはフルカラー表示素子を作製する点で好ましい。 Further, the EL layer that is the patterning may be any layer included in the EL layer described above, in the present invention is preferably a light-emitting layer or a buffer layer, among others the light-emitting layer as the EL layer it is preferable in terms of making the area color or full-color display device is obtained by patterning. さらに、EL素子のキャリア注入バランスの点から、この発光層とバッファー層とをEL層としてパターニングしたものであることが、更に好ましい。 Moreover, it is further preferable in terms of carrier injection balance of the EL element, and the light-emitting layer and the buffer layer is obtained by patterning the EL layer.

また、フルカラーのEL素子の場合には、EL層は、上記発光層が三種類の発光層であり、3回フォトリソグラフィー法によりパターニングされたEL層であっても良い。 In the case of full color EL device can EL layer, the light emitting layer is a three types of light-emitting layer may be an EL layer which is patterned by three photolithography.

[発光層] [Light-emitting layer]
第1電極上に形成する発光層は、本発明においては有機発光層であることが好ましく、通常、主として蛍光またはりん光を発光する有機物(低分子化合物および高分子化合物)と、これを補助するドーパントとから形成される。 Emitting layer formed on the first electrode is preferably in the present invention is an organic light-emitting layer, usually, mainly fluorescent or phosphorescent organic material that emits light (low-molecular compounds and polymer compounds), to assist this It is formed from a dopant. 発光層を形成する材料は、発光層がフォトリソグラフィー法によりパターニングされて形成される場合は、フォトリソグラフィー法に用いられる、下記フォトレジスト溶媒、下記フォトレジスト現像液、および下記フォトレジスト剥離液に不溶である材料であることが好ましい。 Material forming the light emitting layer, when the light-emitting layer is formed by patterning by photolithography is used photolithography, insoluble below a photoresist solvent, following photoresist developer, and the following photoresist stripping solution is preferably a material is.

本発明において用いることができる発光層を形成する材料としては、例えば以下のものが挙げられる。 As the material for forming the light-emitting layer that can be used in the present invention, for example, the following.
<色素系材料> <Dye-based material>
色素系材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマーなどが挙げられる。 The dye material, for example, cyclopropyl derivatives, tetraphenyl butadiene derivative compounds, triphenylamine derivatives, oxadiazole derivatives, pyrazoloquinoline derivatives, distyryl benzene derivatives, distyryl arylene derivatives, pyrrole derivatives, thiophene ring compounds , pyridine ring compounds, perinone derivatives, perylene derivatives, oligothiophene derivatives, triflumizole Mani propylamine derivatives, oxadiazole dimers, and the like pyrazoline dimer.

<金属錯体系材料> <Metal complex-based material>
金属錯体系材料としては、例えば、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体など、中心金属に、Al、Zn、BeなどまたはTb、Eu、Dyなどの希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを有する金属錯体などを挙げることができる。 As the metal complex-based materials, e.g., aluminum quinolinol complexes, benzoquinolinol beryllium complexes, benzoxazolyl zinc complexes, benzothiazole zinc complexes, azomethyl zinc complexes, porphyrin zinc complexes, and europium complexes, the central metal, Al, Zn, having like or Tb, Eu, rare earth metals such as Dy be, mention may be made of ligands oxadiazole, thiadiazole, phenylpyridine, phenylbenzimidazole, and metal complexes having a quinoline structure.

<高分子系材料> <Polymer-based materials>
高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素体や金属錯体系発光材料を高分子化したものなどが挙げられる。 As the polymer material, polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, polyparaphenylene derivatives, polysilane derivatives, polyacetylene derivatives, polyfluorene derivatives, polyvinylcarbazole derivatives, those of the dye body and the metal complex based light emitting material by polymerizing and the like.

上記発光性材料のうち、青色に発光する材料としては、ジスチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、およびそれらの重合体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。 Among the above luminescent materials, the material that emits blue light include distyrylarylene derivatives, oxadiazole derivatives, and polymers thereof, polyvinylcarbazole derivatives, polyparaphenylene derivatives, and polyfluorene derivatives. なかでも高分子材料のポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体やポリフルオレン誘導体などが好ましい。 Among them polyvinylcarbazole derivative, polymer materials such as polyparaphenylene derivatives and polyfluorene derivatives are preferred.

また、緑色に発光する材料としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。 The material that emits green light include quinacridone derivatives, coumarin derivatives, and polymers thereof, polyparaphenylene vinylene derivatives, polyfluorene derivatives, and the like. なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などが好ましい。 Among them, the polyparaphenylene vinylene derivatives, polymer materials such as polyfluorene derivatives are preferred.

また、赤色に発光する材料としては、クマリン誘導体、チオフェン環化合物、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることが出来る。 The material that emits red light include coumarin derivatives, thiophene ring compounds, and polymers thereof, polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, polyfluorene derivatives, and the like. なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体などが好ましい。 Among them, the polyparaphenylene vinylene derivatives polymeric material, a polythiophene derivative, and polyfluorene derivatives are preferred.

<ドーパント材料> <Dopant material>
発光層中に発光効率の向上や発光波長を変化させるなどの目的で、ドーパントを添加することができる。 For the purpose of varying the increase or emission wavelength of the light emitting efficiency in the light-emitting layer may be added a dopant. このようなドーパントとしては、例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾンなどを挙げることができる。 Such dopants, for example, perylene derivatives, coumarin derivatives, rubrene derivatives, quinacridone derivatives, squarylium derivatives, porphyrin derivatives, styryl dyes, tetracene derivatives, pyrazolone derivatives, mention may be made of decacyclene, phenoxazone and the like.
なお、このような発光層の厚さは、通常約20〜2000Åである。 The thickness of such a light-emitting layer is generally about 20~2000A.

[バッファー層] [Buffer layer]
本発明におけるバッファー層とは、発光層に電荷の注入が容易に行われるように、陽極と発光層との間に、または陰極と発光層との間に設けられ、有機物、特に有機導電体などを含む層である。 The buffer layer of the present invention, as the injection of charges into the light emitting layer is easily performed, between the anode and the light emitting layer, or provided between the cathode and the light-emitting layer, organic, in particular organic conductor such as it is a layer containing a. 例えば、発光層への正孔注入効率を高めて、電極などの凹凸を平坦化する機能を有する導電性高分子から形成することができる。 For example, it can be formed by increasing the efficiency of hole injection into the light emitting layer, a conductive polymer having a function of flattening the irregularity, such as an electrode.

上記バッファー層は、その導電性が高い場合、素子のダイオード特性を保ち、クロストークを防ぐために、パターニングされていることが望ましい。 The buffer layer, if the conductivity is high, keeping the diode characteristics of the device, in order to prevent crosstalk, it is desirable that the patterned. なお、バッファー層の抵抗が高い場合などはパターニングされていなくてもよい場合があり、また、バッファー層が省ける素子の場合、バッファー層は設けなくてもよい。 Note that there may be other cases the resistance of the buffer layer is high may not be patterned, and if the element buffer layer can be omitted, it is not necessary to provide the buffer layer.

本発明において、バッファー層および発光層の両者がフォトリソグラフィー法によりパターニングされて形成される場合は、バッファー層を形成する材料が、下記フォトレジスト溶媒および発光層形成に用いる溶媒に不溶であるものを選択することが好ましく、さらに、バッファー層を形成する材料が、下記フォトレジスト剥離液に不溶である材料を選択することがより好ましい。 In the present invention, if both the buffer layer and the luminescent layer are formed by patterning by photolithography, the material forming the buffer layer, those which are insoluble in the solvent used in the following photoresist solvent and the light emitting layer formation preferably selected, further, the material forming the buffer layer, it is preferable to select a material that is insoluble below the photoresist stripping solution.

一方、発光層が真空蒸着等により形成され、EL層としてフォトリソグラフィー法によりパターニングされる層がバッファー層のみである場合は、バッファー層を形成する材料が、下記フォトレジスト溶媒および下記フォトレジスト剥離液に不溶である材料を選択することが好ましい。 On the other hand, the light emitting layer is formed by vacuum deposition or the like, if the layer to be patterned by photolithography as EL layer is only buffer layer material, below the photoresist solvent and the following photoresist stripping solution for forming the buffer layer it is preferable to select a material which is insoluble in.

バッファー層を形成する材料としては、具体的には、ポリアルキルチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、トリフェニルアミンなどの正孔輸送性物質の重合体、無機化合物のゾルゲル膜、トリフルオロメタンなどの有機物の重合膜、ルイス酸を含む有機化合物膜などが挙げられるが、上述したような溶解性に関する条件を満たしていれば特に限定されず、製膜後に反応、重合あるいは焼成等により上記の条件を満たしても良い。 As a material for forming the buffer layer, specifically, polyalkyl thiophene derivatives, polyaniline derivatives, polymer hole transporting materials such as triphenylamine, sol-gel film of an inorganic compound, the polymerization film of organic materials such as trifluoromethane Although organic compound film containing a Lewis acid is not particularly limited if they meet the condition relating to solubility as described above, the reaction after the film may meet the above requirements by the polymerization, firing, etc. . また、発光層を真空製膜等によって製膜する場合は一般に使用されているバッファー材料、正孔注入材料、正孔輸送材料を使用することができる。 Further, the light-emitting layer can be used a buffer material that is commonly used when forming a film, a hole injection material, a hole transport material by a vacuum film or the like.
なお、このようなバッファー層の厚みは、通常約100〜2000Åである。 The thickness of such a buffer layer is generally about 100 to 2,000 Å.

[電荷輸送・注入層] [Charge transport and injection layer]
本発明のEL素子には、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層が形成されていてもよい。 The EL element of the present invention, the hole transport layer, a hole injection layer, electron transporting layer, an electron injection layer may be formed. これらは、例えば、特開平11−4011号公報に記載のもののように、従来のEL素子に一般に用いられているものであれば特に限定されない。 These include, for example, as those described in JP-A-11-4011, is not particularly limited as long as it is generally used in the conventional EL element.

2. 2. エレクトロルミネッセント素子の製造方法 本発明に係るエレクトロルミネッセント素子の製造方法は、ドライエッチングプロセスにおいて有機化合物との選択比が2.5以上である無機材料を含む材料を用いて絶縁層を形成する工程と、エレクトロルミネッセント素子を構成する少なくとも1層のエレクトロルミネッセント層を、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングする工程を有する。 Method for producing electroluminescent device according to the production method the present invention of the electroluminescent element, an insulating layer using a material selected to an organic compound containing an inorganic material is 2.5 or more in the dry etching process forming at least one layer electroluminescent layer constituting an electroluminescent device, comprising a step of patterning by photolithography.

また、本発明に係るエレクトロルミネッセント素子の製造方法は、Y SiX (4−n) (ここで、Yはアルキル基、フルオロアルキル基、ビニル基、アミノ基、フェニル基またはエポキシ基を示し、Xはアルコキシル基またはハロゲンを示す。nは0〜3までの整数である。) で示される珪素化合物の1種または2種以上の加水分解縮合物もしくは共加水分解縮合物であるオルガノポリシロキサンを含む材料を用いて絶縁層を形成する工程と、エレクトロルミネッセント素子を構成する少なくとも1層のエレクトロルミネッセント層を、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングする工程を有する。 A method of manufacturing an electroluminescent device according to the present invention, Y n SiX (4-n ) ( wherein, Y represents an alkyl group, fluoroalkyl group, vinyl group, amino group, phenyl group or epoxy group , X is the .n showing an alkoxyl group or a halogen is an integer of 0 to 3.) is one or more of the hydrolysis condensate or cohydrolysis condensate of a silicon compound represented by the organopolysiloxanes forming an insulating layer using a material containing at least one layer electroluminescent layer constituting an electroluminescent device, comprising a step of patterning by photolithography.

本発明に係るエレクトロルミネッセント素子の製造方法は、ドライエッチングプロセスにおいて有機化合物との選択比が2.5以上である無機材料、又は、上記のような珪素化合物の1種または2種以上の加水分解縮合物もしくは共加水分解縮合物であるオルガノポリシロキサンを含む絶縁層を形成する工程を有するため、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングする工程においてドライエッチングを用いても、絶縁層までも浸食されることが防止され、電極間や電極と配線の間での短絡を引き起こすことなく、フォトリソグラフィー法による利点を有することができる。 Method for producing electroluminescent device according to the present invention, an inorganic material selected ratio of the organic compound is 2.5 or more in the dry etching process, or silicon compounds as described above one or more since a step of forming a hydrolysis-condensation product or co-hydrolysis insulating layer containing organopolysiloxane is a condensation product, be dry etching in the step of patterning by photolithography, also eroded to the insulating layer Rukoto is prevented without causing a short circuit between the wires and the electrodes or between the electrodes, it can have advantages by photolithography.

(絶縁層を形成する工程) (Forming an insulating layer)
i)絶縁層の第一の態様 上述した、ドライエッチングプロセスにおいて有機化合物との選択比が2.5以上である無機材料を含む絶縁層の形成方法としては、特に限定されないが、上述の材料を用いて、スパッタリング法、蒸着法など、被覆材料を気相状態で被覆面に堆積させる公知の乾式成膜法を好適に用いることができる。 i) mentioned above the first aspect of the insulating layer, as a method of forming the insulating layer selectivity to an organic compound containing an inorganic material is 2.5 or more in the dry etching process is not particularly limited, any of the above materials used, sputtering, vapor deposition or the like, the coating material can be preferably used a known dry film formation method for depositing the coating surface in a gas phase state.

ii)絶縁層の第二の態様 上述した、オルガノポリシロキサンを含む絶縁層の形成方法としては、特に限定されないが、溶剤に溶解可能な場合が多いことから、スピンコート、スプレーコート、ディップコート、ロールコート、ビードコート等の公知の湿式成膜法を好適に用いることができる。 ii) mentioned above second aspect of the insulating layer, as a formation method of the insulating layer containing organopolysiloxane is not particularly limited, since if soluble in the solvent is large, spin coating, spray coating, dip coating, roll coating, known wet film-forming method such as bead coating can be suitably used. この場合、Y SiX (4−n) (ここで、Yはアルキル基、フルオロアルキル基、ビニル基、アミノ基、フェニル基またはエポキシ基を示し、Xはアルコキシル基またはハロゲンを示す。nは0〜3までの整数である。) で示される珪素化合物の1種または2種以上を、適宜溶剤に溶解させ、上記のような湿式成膜法を用いて塗工等を行い、これをクリーンオーブン等の加熱手段を用いて加熱し、加水分解重縮合反応と乾燥を行うことにより成膜する。 In this case, Y n SiX (4-n ) ( wherein, Y represents an alkyl group, fluoroalkyl group, vinyl group, amino group, phenyl group or epoxy group, X is .n showing an alkoxyl group or a halogen 0 to 3 is an integer from. one or two or more kinds of silicon compounds represented by), dissolved in an appropriate solvent, subjected to coating or the like using a wet film formation method as described above, a clean oven so was heated using a heating means etc. is deposited by drying the hydrolytic polycondensation reaction.

使用することができる溶剤は、上記Y SiX (4−n)を溶解するものであり、例えばエタノール、イソプロパノール等のアルコール類、アセトン、アセトニトリル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルフォキシド、ジオキサン、エチレングリコール、ヘキサメチル燐酸トリアミド、ピリジン、テトラヒドロフラン、N−メチルピロリジノン等およびこれらの混合溶媒から選択することができる。 Solvents which can be used is to dissolve the Y n SiX (4-n) , for example alcohols such as ethanol and isopropanol, acetone, acetonitrile, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, dimethylformamide, dimethyl sulfoxides can dioxane, ethylene glycol, hexamethylphosphoric triamide, pyridine, tetrahydrofuran, be selected from N- methylpyrrolidinone, and the like, and mixed solvents thereof.

(少なくとも1層のEL層を、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングする工程) (The EL layer at least one layer, patterning by photolithography)
フォトリソグラフィー法とは、光照射により膜の光照射部の溶解性が変化することを利用して光照射パターンに応じた任意のパターンを形成する方法である。 The photolithography method is a method in which by utilizing the fact that the solubility of the light irradiation portion of the film by light irradiation is changed to form an arbitrary pattern according to the light irradiation pattern.

フォトリソグラフィー法を用いたパターニングは、従来のシャドウマスクを介して行われる蒸着法と比較すると真空装置等が不要であることから、容易にかつ安価に有機EL層のパターニングを行うことが可能である。 Patterning using photolithography, as compared with vapor deposition method performed via the conventional shadow mask since the vacuum device or the like is unnecessary, it is possible to perform easily and patterning of low cost organic EL layer . 一方、インクジェット法によるパターニングと比較すると、基体の前処理やパターン間に撥液性の凸部を設ける等を行わなくても、高精細なパターニングを行うことが可能である。 On the other hand, compared with the patterning by the ink jet method, even without such provision of the convex portion of the liquid repellency between pretreatment and pattern of the substrate, it is possible to perform high-definition patterning. すなわち、少なくとも1層のEL層を、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングする工程を有すると、高精細なパターンを有する高品質なEL素子を安価に得ることができる。 That is, at least one layer EL layer and a step of patterning by photolithography, a high-quality EL device having a highly precise pattern can be obtained at low cost.

[フォトレジスト] [Photoresist]
本発明において用いることができるフォトレジストは、ポジ型であってもネガ型であってもよく、特に限定されるものではないが、下地を溶解しない溶媒に可溶で塗布可能なものであって、且つ、発光層などのEL層形成に用いる溶媒に不溶であるものが好ましい。 Photoresists which can be used in the present invention may be negative even positive, but are not particularly limited, there is a solvent which does not dissolve the underlying coatable soluble and, it is preferable insoluble in the solvent used for the EL layer formation such as a light emitting layer.
具体的に用いることができるフォトレジストとしては、ノボラック樹脂系、ゴム+ビスアジド系等を挙げることができる。 The photoresist can be specifically used, may be mentioned a novolak resin, a rubber-+ bisazide system or the like.

[フォトレジスト溶媒] [Photoresist solvent]
本発明において、上記フォトレジストをコーティングする際に用いられるフォトレジスト溶媒としては、フォトレジスト製膜の際に発光層等の上述したEL層とフォトレジスト材料が混合や溶解することを防ぎ、本来の発光特性を保つために発光層材料等のEL層形成用材料を溶解しないものを用いることが望ましい。 In the present invention, the photoresist solvent used in coating of the photoresist prevents the above-mentioned EL layer and the photoresist material such as light-emitting layer when the photoresist film formation are mixed and dissolved, the original the use of which does not dissolve the EL layer forming material such as a light emitting layer material to keep the light emission properties are desired. この点を考慮すると、本発明に用いることができるフォトレジスト溶媒としては、発光層材料等のEL層形成用材料に対する溶解度が、25℃、1気圧で0.001(g/g溶媒)以下であるものを選択することが好ましく、さらに好ましくは0.0001(g/g溶媒)以下であるものを選択することが好ましい。 In view of this, as the photoresist solvent which can be used in the present invention, the solubility EL layer forming material such as a light emitting layer material, 25 ° C., with 0.001 (g / g solvent) 1 atm or less it is preferred to select a thing, more preferably it is preferred to select those which are 0.0001 (g / g solvent) below. なお、一般に下地との混合や溶解を防止するには、以下のいずれの場合も、この溶解度の条件を用いることが好ましい。 Note that to prevent the general mixing and dissolution of the base, even if any of the following, it is preferable to use the conditions of the solubility.

例えば、バッファー層形成材料が水系の溶媒に溶解し、発光層が芳香族系等の無極性有機溶媒に溶解する場合に用いることができるフォトレジスト溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトンをはじめとするケトン類、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、をはじめとするセロソルブアセテート類、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルをはじめとするセロソルブ類、メタノール、エタノール、1−ブタノール、2−ブタノー For example, a photoresist solvent which can be used when the buffer layer forming material is dissolved in an aqueous solvent, the light-emitting layer is dissolved in the non-polar organic solvents such as aromatic, ketones including acetone, methyl ethyl ketone , propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, cellosolve acetates of ethylene glycol monoethyl ether acetate, the beginning, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether , cellosolves including ethylene glycol monoethyl ether, methanol, ethanol, 1-butanol, 2-butanol 、シクロヘキサノールをはじめとするアルコール類、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、シクロヘキサン、デカリン等が挙げられるが、この他でも条件を満たす溶媒であれば使用可能であり、2種以上の混合溶媒であっても良い。 Alcohols, including cyclohexanol, ethyl acetate, ester solvents such as butyl acetate, cyclohexane, and decalin, and the like, may be used as long as satisfying a solvent even in this other, mixing of two or more a solvent may be.

[フォトレジスト現像液] [Photoresist developer]
また、本発明に用いることができるフォトレジスト現像液としては、上記EL層形成用材料を溶解するものでなければ特に限定されるものではない。 As the photoresist developer that can be used in the present invention, is not particularly limited as long as it does not dissolve the EL layer forming material. 具体的には、一般的に使用されている有機アルカリ系現像液を使用できるが、そのほかに、無機アルカリ、またはレジストの現像が可能な水溶液を使用することができる。 Specifically, although an organic alkaline developing solution which is generally used can be used, that in addition, it is possible to use an inorganic alkali or resist development is possible solution. レジストの現像を行った後は水で洗浄するのが望ましい。 After development of the resist is desirably washed with water.

本発明に用いることができる現像液としては、発光層材料等のEL層形成用材料に対する溶解度が、上記溶解度の条件であるものを用いることができる。 The developer that can be used in the present invention, the solubility EL layer forming material such as a light emitting layer material, it is possible to use those which are conditions for the solubility.

[フォトレジスト剥離液] [Photoresist stripping solution]
さらに、本発明において用いることができるフォトレジスト剥離液としては、上記EL層を溶解するものではなく、フォトレジスト層を溶解することが必要であり、上述したようなフォトレジストの溶媒をそのまま使用することがでる。 Further, as the photoresist stripping liquid that can be used in the present invention, not intended to dissolve the EL layer, it is necessary to dissolve the photoresist layer, which is used as the solvent of the photoresist as described above it comes out. また、ポジ型レジストを用いた場合はUV露光を行った後でレジスト現像液として挙げた液を用いて剥離することも可能である。 It is also possible to peel by using the liquid described above as a resist developing solution after UV exposure in the case of using a positive resist.

さらに、強アルカリ水溶液、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチル−2−ピロリドン等の溶媒、およびそれらの混合物、市販のレジスト剥離液を用いてもよい。 Furthermore, strong alkaline aqueous solution, dimethylformamide, dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, a solvent such as N- methyl-2-pyrrolidone, and mixtures thereof, may be used a commercially available resist stripper. レジスト剥離後は、2−プロパノール等でリンスし、さらに水でリンスしてもよい。 After resist stripping, rinsed with 2-propanol or the like, it may be further rinsed with water.

[パターニング方法] [Patterning method]
本発明に用いられるフォトリソグラフィー法によるパターニングは、具体的には、ポジ型のフォトレジストを用いた場合、まずEL層を全面形成後、その上に上記フォトレジスト材料を上記フォトレジスト溶媒に溶解したフォトレジスト溶液を全面塗布して乾燥させることにより、まずフォトレジスト層を形成する。 Patterning by photolithography used in the present invention, specifically, in the case of using a positive photoresist, after first the entire surface forming the EL layer, the photoresist material thereon and dissolved in the photoresist solvent dried by entirely coating a photoresist solution, it is first to form a photoresist layer. 次いで、このフォトレジスト層に対してパターン露光を行い、露光部分のフォトレジストを上述したようなレジスト現像液で現像する。 Then, a pattern is exposed to the photoresist layer, developing the photoresist exposed portion in the resist developer solution as described above. この現像により、未露光部のフォトレジストのみ残す。 This development, leaving only the photoresist in the unexposed area. そして、フォトレジストが被覆されていない部分のEL層を除去することにより、EL層をパターニングする方法である。 Then, by removing the EL layer in a portion where the photoresist is not coated, a method of patterning the EL layer.

なお、上記のような発光層やバッファー層等のEL層を全面形成する方法としては、通常のEL層の形成と同様であって特に制限はないが、蒸着法の他、電着法、材料の溶融液、溶液または混合液を使用するスピンコーティング法、キャスティング法、ディッピング法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、グラビアコート法、フレキソ印刷法、スプレーコート法等の塗布方法が挙げられる。 As a method of entirely forming an EL layer of a light-emitting layer and a buffer layer such as described above is not particularly limited to a same manner as in the formation of the normal EL layer, other deposition method, an electrodeposition method, material mentioned melt of a spin coating method using a solution or mixture, casting method, dipping method, bar coating method, a blade coating method, a roll coating method, gravure coating method, flexographic printing method, a method of coating a spray coating method It is.

なお、バッファー層を形成する場合、発光層塗布用溶媒は、発光層の製膜の際にバッファー層と発光層材料が混合や溶解することを防ぎ、バッファー層を溶解しないことが望ましい。 In the case of forming the buffer layer, the light-emitting layer coating solvent, the light emitting layer material and the buffer layer during deposition of the light-emitting layer prevents the mixing and dissolution, it is desirable not to dissolve the buffer layer. このような観点から、発光層塗布用溶媒はバッファー層材料に対する溶解度が、上記溶解度の条件であるものを用いることができる。 From this viewpoint, the light-emitting layer coating solvent solubility buffer layer material, it is possible to use those which are conditions for the solubility.

また、2種以上の発光層を並列に形成する場合、発光層塗布用溶媒は、2色目以降の発光層製膜の際に、フォトレジスト層と発光層材料が混合や溶解することを防ぎ、さらに、すでにパターニングされている発光層を保護するためにフォトレジストを溶解しないことが望ましい。 In the case of forming two or more light emitting layers in parallel, the light-emitting layer coating solvent, when two subsequent colors of the light emitting layer formation, prevents the light-emitting layer material as a photoresist layer is mixed and dissolved, further, it is desirable not to dissolve the photoresist in order to protect the light-emitting layer that is already patterned.

このような観点から、発光層塗布溶媒はフォトレジストに対する溶解度が、上記溶解度の条件であるものを用いることができる。 From this viewpoint, the light-emitting layer coating solvent may be used as solubility photoresist, a condition of the solubility. 例えば、バッファー層が水系やDMF、DMSO、アルコール等の極性溶媒に溶解し、フォトレジストが一般的なノボラック系ポジレジストの場合、ベンゼン、トルエン、キシレンの各異性体およびそれらの混合物、メシチレン、テトラリン、p−シメン、クメン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ブチルベンゼン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンの各異性体およびそれらの混合物等をはじめとする芳香族系溶媒、アニソール、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、テトラヒドロフラン、2−ブタノン、1,4−ジオキサン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、ジグライム等をはじめとするエーテル系溶媒、ジクロロメタン、1,1−ジクロロエタン、1,2−ジクロロエ For example, water or DMF buffer layer, DMSO, dissolved in a polar solvent such as alcohol, if the photoresist is a typical novolac positive resist, benzene, toluene, isomers and mixtures thereof xylene, mesitylene, tetralin , p- cymene, cumene, ethylbenzene, diethylbenzene, butylbenzene, chlorobenzene, aromatic solvents, including isomers and mixtures thereof dichlorobenzene, anisole, phenetole, butyl phenyl ether, tetrahydrofuran, 2-butanone, 1,4-dioxane, diethyl ether, diisopropyl ether, diphenyl ether, dibenzyl ether, ether solvents, including diglyme, etc., dichloromethane, 1,1-dichloroethane, 1,2-dichloroethene ン、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン、クロロホルム、四塩化炭素、1−クロロナフタレン等のクロル系溶媒、シクロヘキサノン等が挙げられるが、この他でも条件を満たす溶媒であれば使用可能であり、2種以上の混合溶媒であっても良い。 Emissions, trichlorethylene, tetrachlorethylene, chloroform, carbon tetrachloride, 1-chloro solvents chloronaphthalene, but cyclohexanone, may be used as long as the other even satisfy the solvent, a mixture of two or more solvents it may be.

また、バッファー層が塗布方法のように溶媒を用いて形成される場合のバッファー層塗布用溶媒は、バッファー材料が分散または溶解していればよく、特に制限されるものではないが、フルカラーのパターニング等において、複数回のバッファー層の製膜が必要である場合、フォトレジスト材料を溶解しないバッファー層溶媒を用いる必要があり、さらに好ましくは発光層を溶解しないバッファー層溶媒であることが好ましい。 Further, a buffer layer coating solvent when the buffer layer is formed by using a solvent as the coating method, it is sufficient buffer material is dispersed or dissolved, is not particularly limited, patterned full color in such, when it is necessary to film a plurality of times of the buffer layer, it is necessary to use a buffer layer solvent that does not dissolve the photoresist material, further preferably a buffer layer solvent which does not dissolve an emission layer. 本発明に用いることができるバッファー層溶媒としては、レジスト材料の溶解度が、上記溶解度の条件であるものを用いることができる。 As the buffer layer solvent that can be used in the present invention, the solubility of the resist material, it is possible to use those which are conditions for the solubility. またバッファー層溶媒としてさらに好ましくは、発光材料の溶解度が、上記溶解度の条件であるものを用いることができる。 Further more preferably as a buffer layer solvent, the solubility of the luminescent material, it is possible to use those which are conditions for the solubility. 例えば、水、メタノール、エタノールをはじめとするアルコール類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチル−2−ピロリドン等の溶媒が挙げられるが、この他でも条件を満たす溶媒であれば使用可能である。 For example, alcohols including water, methanol, ethanol, dimethylformamide, dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, N- methyl-but solvent pyrrolidone, and the like, can be used if the other even satisfy the solvent it is. また、2種以上の溶媒を混合して用いても良い。 It may also be used in combination of two or more solvents.

フォトリソグラフィー法において、フォトレジストが被覆されていない部分のEL層を除去する方法には、EL層を溶解する溶剤を用いる湿式法とドライエッチングプロセス(乾式法)を用いることが可能であるが、異方性を特徴とするドライエッチングプロセスを用いることが好ましい。 In photolithography, the method of removing the EL layer in a portion where the photoresist is not coated, it is possible to use a wet method and a dry etching process using a solvent which dissolves the EL layer (dry method), it is preferable to use a dry etching process, characterized in anisotropy.

従って、前記フォトリソグラフィー法を用いたパターニングは、パターニングされるEL層上にフォトレジストを塗布し、露光し、現像することによりフォトレジストをパターニングした後、ドライエッチングプロセスによりフォトレジストが除去された部分のエレクトロルミネッセント層を除去することによるパターニングであることが好ましい。 Therefore, portions patterning using the photolithographic method, a photoresist is applied to the EL layer to be patterned, exposed, after patterning the photoresist by developing the photoresist by dry etching process is removed it is preferably patterned by removing the electroluminescent layer. ドライエッチングプロセスによりフォトレジストが除去された部分のエレクトロルミネッセント層を除去すると、エッチングの端部をよりシャープとすることが可能となることから、パターンの端部に存在する膜厚不均一領域の幅をより狭くすることが可能となり、その結果、より高精細なパターニングが可能となるからである。 Removal of the electroluminescent layer in a portion where the photoresist is removed by dry etching process, since it is possible to sharper end of the etching, the film thickness nonuniformity region present at the end of the pattern width enables more narrow that the, with the consequence that higher resolution patterning can be performed.

本発明においては、ドライエッチングプロセスの中でも、反応性イオンエッチングプロセスが好ましい。 In the present invention, among the dry etching process, preferably reactive ion etching process. 反応性イオンエッチング法を用いることにより、有機材料が化学的に反応を受け、分子量の小さい化合物になることにより、気化・蒸発して基板上から除去することができ、エッチング精度が高くかつ短時間での加工が可能となるからである。 By using a reactive ion etching method, it undergoes reaction organic material is chemically, by becoming small compound molecular weight, vaporization and evaporated to be removed from the substrate, high etching accuracy and in a short period of time This is because working in is possible.

また、ドライエッチングプロセスには、酸素単体または酸素を含むガスを用いることが好ましい。 Further, the dry etching process, it is preferable to use a gas containing oxygen alone or an oxygen. 酸素単体または酸素を含むガスを用いることで、有機発光層の酸化反応による分解除去が可能であり、基板上から不要な有機物を除去することができ、エッチング精度が高くかつ短時間での加工が可能となるからである。 By using a gas containing oxygen alone or an oxygen, but may be decomposed and removed by oxidation reaction of an organic light-emitting layer, it is possible to remove unwanted organic matter from the substrate, it is processed in a high and in a short time etching accuracy This is because it is possible. また、この条件では、通常用いられるITO等の酸化物透明導電膜をエッチングすることがないので、電極特性を損なうことなく、電極表面を浄化することができる点においても効果的である。 Further, in this condition, since no etching the transparent conductive oxide film of ITO or the like is usually used, without impairing the electrode characteristics, it is also effective in terms of being able to clean the electrode surface.

さらに上記ドライエッチングプロセスには、大気圧プラズマを用いることが好ましい。 More the dry etching process, it is preferable to use the atmospheric pressure plasma. 大気圧プラズマを用いることで、通常真空装置が必要であるドライエッチングを大気圧下で行うことができ、処理時間の短縮やコストの低減が可能である。 By using the atmospheric pressure plasma, dry etching is required usually vacuum device can be carried out under atmospheric pressure, it is possible to reduce the shortening and cost in processing time. この場合、エッチングはプラズマ化した大気中の酸素によって有機材料が酸化分解することを利用できるが、ガスの置換および循環によって反応雰囲気のガス組成を任意に調整してもよい。 In this case, etching can utilize the organic material is decomposed oxidized by oxygen in the atmosphere that plasma may be arbitrarily adjust the gas composition of the reaction atmosphere by substitution and circulation of the gas.

一方、湿式法によりEL層の一部を除去する方法には、EL層を溶解又は剥離可能な溶剤を用いてEL層を除去する方法、更に溶剤を用いて超音波浴中でEL層を除去する方法等が挙げられる。 On the other hand, a method of removing a part of the EL layer by a wet method, removing the EL layer method, further using a solvent in an ultrasonic bath to remove the EL layer by using a dissolving or peelable solvent EL layer a method in which, and the like.

このとき用いる溶剤は、フォトレジストを剥離することなく、発光層を溶解または剥離することが必要であり、発光層の塗布溶媒の他、上記条件を満たす溶剤を選択することができる。 The solvent used at this time, without the photoresist is removed, it is necessary to dissolve or release a luminescent layer, other coating solvent of the light-emitting layer, it is possible to select the condition is satisfied solvent.

更に超音波浴を用いる場合には、フォトレジストを用いたEL層のパターニングにおいて、各パターンの細りやEL層形成用材料の流出等の不具合が無い、精度の高いパターニングが可能となり、短時間で精度の高いパターニングが可能となる点で好ましい。 Further in the case of using an ultrasonic bath, in the patterning of the EL layer using a photoresist, trouble free outflow such fine rear EL layer forming material of each pattern, enables highly precise patterning, in a short time It preferred because highly accurate patterning becomes possible. なお、上記フォトレジストを現像する際にもこの超音波浴を用いて行うようにしてもよい。 It may be performed by using the ultrasonic bath even when developing the photoresist.

本発明においては、この超音波浴に用いる超音波の条件は、25℃において、20〜100キロヘルツの発振周波数で、0.1〜60秒間行なうことが好ましく、このような条件とすることで、短時間で精度の高いパターニングが可能となる。 In the present invention, ultrasonic conditions used in this ultrasonic bath at 25 ° C., at an oscillation frequency of 20 to 100 kilohertz, preferably carried out 0.1 to 60 seconds, that such a condition, short time it is possible to highly accurate patterning.

[保護層] [Protective Layer]
特に、上記発光層が三種類の発光層であり、3回フォトリソグラフィー法によりパターニングされて形成されたフルカラーのEL素子を製造する場合には、先に形成された第1、第2EL層およびその端部が露出しないように保護層を形成する工程を含むことが好ましい。 In particular, a light emitting layer are three kinds of light-emitting layer, in the case of producing a full color EL device which is formed by patterning by three photolithography method, first the previously formed first 2EL layer and its preferably includes a step of end forming the protective layer so as not to be exposed. 第1、第2EL層およびその端部が露出しないように被覆する保護層を形成する場合には、第2EL層を形成する工程および第3EL層を形成する工程において、第2または第3EL層中に、第1及び第2EL層が溶出し、混色や画素細りが生じる等の問題を防ぐことができる。 First, when the first 2EL layer and its end forms a protective layer that covers so as not to be exposed, in the step of forming a step and a 3EL layer forming the first 2EL layer, second or 3EL layer , the first and second 2EL layer eluted, it is possible to prevent problems such as color mixing and pixel thinning occurs. これにより、複数種類の高精細な発光部を有するEL素子を製造することができる。 Thus, it is possible to manufacture an EL device having a high-definition light-emitting portion of the plurality of types.

本発明における保護層形成工程は、上記工程により形成されたEL層を覆うように保護層形成用塗工液を塗布する工程と、後述する保護層パターニング工程とからなり、EL層およびその端部を覆うように形成する。 Protective layer forming step in the present invention includes the steps of applying a protective layer coating liquid so as to cover the EL layer formed by the above process, it consists of a protective layer patterning step described below, EL layer and its end the formed to cover.

このような保護層形成用塗工液として用いられる材料としては、後述する保護層パターニング工程によりパターニングすることが可能な材料であれば、特に限定されるものではないが、パターニングが容易であり、かつ最終的に各フォトレジスト層および各保護層を除去する際に用いられるレジスト剥離液により剥離可能であるという観点から上述したフォトレジスト等を用いることが好ましい。 The material used as such a protective layer forming coating solution as long as the material that can be patterned by a protective layer patterning step described below, but are not particularly limited, it is easy to patterning, and it is preferable to use a final photoresist or the like described above from the viewpoint that it is peelable by a resist stripping solution used in removing the photoresist layer and the protective layer.

なお、本工程における保護層の塗布方法等は、上述したEL層等と同様の方法により行うことが可能である。 The coating method and the like of the protective layer in the present step may be carried out by a method similar to the EL layer or the like described above. また、本工程は、EL層上に残存するフォトレジスト層を、フォトレジスト剥離液等により剥離した後、行うものであってもよい。 Further, this step, the photoresist layer remaining on the EL layer, after removing the photoresist stripping liquid or the like, may perform. これにより、より良好な保護層を形成することが可能となるからである。 This is because it is possible to form a better protective layer.

次に、本発明における保護層パターニング工程は、上記EL層およびその端部が露出しないように、上述した保護層を露光した後、現像する工程である。 Next, protective layer patterning step of the present invention, as described above EL layer and the end portion is not exposed after exposing the protective layer described above, a step of developing. このような保護層のパターニングにおける露光および現像については、上記EL層より大きな幅でEL層を覆うようにパターニングを行う。 For exposure and development in the patterning of such a protective layer is patterned so as to cover the EL layer with a large width than the EL layer. すなわち、EL層の端部を覆うとともに、隣接するEL層を形成する位置にかからない程度の大きさで保護層を露光・現像する。 That covers the end portion of the EL layer, exposed and developed a protective layer in a size that does not overlap the position for forming the adjacent EL layers. これにより、上記EL層およびその端部が保護層により保護される。 Thus, the EL layer and the end portion is protected by a protective layer. よって、続いて行われるEL層形成の際に、第1又は第2EL層が、第2又は第3EL層と接触せず、溶出することを防ぐことができ、混色や画素細りといった問題を防止することができる。 Thus, during subsequent EL layer formation takes place, the first or second 2EL layer, not in contact with the second or 3EL layer, elution it is possible to prevent that, to prevent problems such as thinning color mixing and pixel be able to.

なお、保護層パターニング工程における露光および現像の方法等は、上述したEL層用フォトレジスト層をパターニングする工程と同様の方法により行うことが可能である。 A method such as exposure and development in the protection layer patterning process may be performed by a method similar to the step of patterning the EL layer photoresist layer described above.

以下に、フルカラーのEL素子を製造する場合に3回フォトリソグラフィー法により発光層をパターニングする工程の一例であって、保護層を形成する工程を含むものを示す。 Hereinafter, an example of a step of patterning the light emitting layer by three photolithography when manufacturing full color EL device, showing those comprising forming a protective layer. なお、以下において「発光層」とは発光層形成用塗工液を塗布し、乾燥させることにより形成された層を意味し、「発光部」とは所定の位置に形成された発光層を意味するものとする。 Note that by applying a light-emitting layer forming coating solution as "light-emitting layer" in the following, means the layer formed by drying, the term "light emitting portion" refers to a light-emitting layer formed in a predetermined position It shall be.

まず、図2(a)に示すように、電極を備えた基板1上に発光層4を塗布し、図2(b)に示すように、その上にフォトレジスト層6を積層する。 First, as shown in FIG. 2 (a), applying a luminescent layer 4 on the substrate 1 provided with the electrodes, as shown in FIG. 2 (b), laminating a photoresist layer 6 thereon. 次いで、図2(c)に示すように、第1発光部を形成する部分のみをフォトマスク7でマスクし、これら以外の部分を紫外線8で露光する。 Then, as shown in FIG. 2 (c), only the portion for forming the first light-emitting portion is masked with a photomask 7, to expose a portion other than these ultraviolet 8.

これを、フォトレジスト現像液によって現像し、洗浄することにより、図2(d)に示すように、露光部のフォトレジスト層が除去される。 This was developed by photoresist developer, by washing, as shown in FIG. 2 (d), the photoresist layer in the exposed portion is removed. 図2(e)に示すように、さらにフォトレジスト層が除去され発光層が剥き出しとなった部分をエッチングにより除去し、ついで、図2(f)に示すように、第1発光部のフォトレジスト層を剥離して、第1発光部4を得る。 As shown in FIG. 2 (e), further photoresist layer is removed is removed by etching the portion where the light emitting layer becomes exposed, and then, as shown in FIG. 2 (f), the photoresist of the first light emitting portion and peeling the layer to obtain a first light-emitting portion 4.
次に、第1発光部4を覆うように保護層形成用塗工液を塗布して保護層11を形成し、さらに保護層11を露光し、現像することにより、第1発光部4およびその端部を覆う保護層11を形成する(図2(g))。 Next, a protective layer coating liquid so as to cover the first light-emitting portion 4 and applying a protective layer 11 formed, and further exposing the protective layer 11, by developing the first light-emitting portion 4 and forming a protective layer 11 covering the end portion (FIG. 2 (g)).

次いで、上記と同様に第2発光層形成用塗工液を塗布し、第2発光層9を形成する。 Then, the second light-emitting layer forming coating solution was coated in the same manner as described above, to form a second light-emitting layer 9. さらに、その上にポジ型フォトレジストを全面塗布し、第2発光層用フォトレジスト層6'を形成する(図2(h))。 Furthermore, the positive type photoresist is entirely coated on to form a second light-emitting layer for the photoresist layer 6 '(FIG. 2 (h)).

次いで、図2(i)に示すように、上記と同様に第2発光部が形成される位置にのみフォトマスク7でマスクし第2発光部が形成される位置以外の位置に紫外線8を露光し、第2発光層用フォトレジスト層6'をフォトレジスト現像液により現像し、洗浄する。 Then, as shown in FIG. 2 (i), exposed to ultraviolet rays 8 at a position other than the position where the second light-emitting portion is masked with a photomask 7 only at a position where the second light-emitting portion in the same manner as described above are to be formed and, a photoresist layer 6 'for the second light-emitting layer is developed with photoresist developer, and washed. これにより、第2発光部が形成される部分のみに第2発光層用フォトレジスト層6'が残る(図2(j))。 Thus, the second light-emitting layer for the photoresist layer 6 'is left only in a portion where the second light-emitting portion is formed (FIG. 2 (j)).

さらに、第2発光層用フォトレジスト層6'が除去されて、露出した第2発光層9を除去することにより、基板1上には、第2発光層用フォトレジスト層6'に被覆された第2発光部9と、第1保護層11に被覆された第1発光部4が残る(図2(k))。 Further, the second light-emitting layer for the photoresist layer 6 'is removed, by removing the second light emitting layer 9 exposed, on a substrate 1, a photoresist layer 6 for the second light-emitting layer' coated on a second light emitting portion 9, the first light-emitting portion 4 is left coated on the first protective layer 11 (FIG. 2 (k)).

ここで、上記第2発光部9上の第2発光層用フォトレジスト層6'を剥離して、第2発光部9を露出させる(図2(l))。 Here, by stripping the photoresist layer 6 'for the second light-emitting layer of the upper second light-emitting section 9, thereby exposing the second light-emitting section 9 (Fig. 2 (l)). 通常この際、第1発光部2上に形成された第1保護層11も、上記第2発光層用フォトレジスト層6'と同時に剥離する。 Usually at this time, the first protective layer 11 formed on the first light-emitting portion 2 also, the second light-emitting layer for the photoresist layer 6 'at the same time peeling off.

続いて、図2(m)に示すように、上記工程で露出した第1発光部4および第2発光部9を覆うように保護層形成用塗工液を塗布して、さらに第2保護層11'を露光し、現像し、第1および第2発光部とそれぞれの端部が露出しないように第2保護層11'を形成する。 Subsequently, as shown in FIG. 2 (m), by applying a protective layer forming coating solution so as to cover the first light-emitting portion 4 and the second light emitting portion 9 exposed in the above step, further second protective layer 11 'are formed by exposing and developing, an end of each of the first and second light emitting portion and the second protective layer 11 so as not to be exposed'. これにより、第1発光部4およびその端部と、第2発光部9およびその端部とを覆う第2保護層11'を形成する。 This forms a first light-emitting portion 4 and the end portion, the second protective layer 11 covering the second light-emitting section 9 and its end '. なお、第1発光部2上に形成された第2保護層と第2発光部上に形成された第2保護層とは、つながっていても、互いに独立していてもよい。 Note that the second protective layer and the second protective layer formed on the second light-emitting portion formed on the first light-emitting portion 2, even if connected, may be independent of each other.

次いで、3色目の発光部のパターニングを行う。 Then, patterning of the light emitting portion of the third color. 第1発光部4およびその端部を覆うように形成された第2保護層11'により被覆された第1発光部4と、第2発光部9およびその端部を覆うように形成された第2保護層11'により被覆された第2発光部9とが形成された基板1上に、図2(n)に示すように、第3発光層形成用塗工液を塗布し、第3発光層10を形成する。 A first light-emitting portion 4 covered by the second protective layer 11 'formed to cover the first light-emitting portion 4 and the end portion, the second is formed to cover the second light emitting portion 9 and the end portion the second protective layer 11 'by on the substrate 1 and the second light emitting portion 9 is formed which is coated, as shown in FIG. 2 (n), by applying the third light-emitting layer forming coating solution, the third light emitting to form a layer 10. さらに、その上にポジ型フォトレジストを塗布し、第3発光層用フォトレジスト層6”を形成する。この際、第1発光部4および第2発光部9は、第2保護層11'により、第1発光部4およびその端部と、第2発光部9およびその端部とが保護されていることにより、第3発光層10と接触することがない。これにより、第1発光部4および第2発光部9が端部から第3発光層10中に溶出することを防ぐことが可能となる。 Furthermore, a positive photoresist is applied thereon to form a photoresist layer 6 "for the third light-emitting layer. In this case, the first light-emitting portion 4 and the second light-emitting section 9, the second protective layer 11 ' a first light emitting portion 4 and the end portion, by a second light emitting portion 9 and its end is protected, not contact with the third light-emitting layer 10. Thus, the first light-emitting portion 4 and the second light-emitting section 9 it is possible to prevent the elution in the third light-emitting layer 10 from the end portion.

次いで、図2(o)に示すように、第3発光部が形成される位置のみフォトマスク7でマスクし、マスクされた以外の領域を紫外線8で露光した後、フォトレジスト現像液で現像、洗浄することにより、第3発光部が形成される領域以外に位置する第3発光層用フォトレジスト層6”が除去される(図2(p))。 Then, as shown in FIG. 2 (o), after masking in a position only photomask 7 the third light emitting portion is formed, a region other than the masked and exposed to ultraviolet rays 8, developed with photoresist developer, by washing, the third light-emitting layer for the photoresist layer 6, located outside the region where the third light emitting portion is formed "is removed (FIG. 2 (p)).

次いで、第3発光層用フォトレジスト層6”が除去され露出した第3発光層10を除去することにより、表面に第3発光層用フォトレジスト層6”を有する第3発光部10が残る(図2(q))。 Then, "by the removal of the third light-emitting layer 10 exposed are removed, the third light emitting layer for a photoresist layer 6 on the surface" third light-emitting layer for the photoresist layer 6 third light emitting portion 10 having a leaving ( Figure 2 (q)). 第3発光層用フォトレジスト層パターニング工程において、第3発光部が形成される位置のみフォトマスクを介してパターン露光すると、第1発光部4および第2発光部9上には一層の第2保護層11'が積層された状態とすることができる。 In a third light-emitting layer for the photoresist layer patterning step, the pattern exposure through a photomask only the position where the third light emitting portion is formed, on the first light-emitting portion 4 and the second light-emitting section 9 further second protective so that the state layers 11 'are stacked.

最後に、図2(r)に示すように、最上層に位置する各フォトレジスト層および保護層を剥離し(剥離工程)、露出した各発光層上に第2電極層を形成し、図の下方に発光するEL素子を製造することが可能となる。 Finally, as shown in FIG. 2 (r), and peeled off the photoresist layer and a protective layer located on the uppermost layer (peeling step), the second electrode layer is formed on each light-emitting layer exposed, in FIG. it is possible to manufacture an EL element which emits light downward.

上述のような、フォトリソグラフィー法のプロセスを用いて製造されたEL素子は、他の製法により製造されたEL素子とは異なる次の特徴を有する。 As described above, the EL element manufactured using the process of photolithography have different following characteristics and EL device manufactured by another method.

まず、他の製法と異なり、フォトリソグラフィー法では一度全面に塗布した膜をエッチングによって不要部を除去するために、EL層の端部の形状12に特徴がある (図3(a)参照)。 First, unlike other method, the film coated once entire surface by photolithography to remove unnecessary portions by etching, is characterized by the shape 12 of the end portion of the EL layer (see Figure 3 (a)). 一般的な蒸着法や塗布法等の製法では図3(b)に示すように、端部に膜厚の傾斜が存在し、膜厚不均一領域の幅が広いのに対し、フォトリソグラフィー法ではエッチングによりパターニングすることから、図3(a)に示すように、端部の膜厚が中央部と同等、すなわち端部の膜厚不均一領域の幅が15μm以下、好ましくは10μm以下、特に好ましくは7μm以下であるという特徴を有する。 As a general evaporation method or process of the coating method shown in FIG. 3 (b), the film thickness of slope present on the end, while the width of the film thickness nonuniformity region is wide, the photolithography since the patterning by etching, as shown in FIG. 3 (a), equal to the thickness of the end portion is a central portion, that is, the width of the film thickness non-uniformity area edge is 15μm or less, preferably 10μm or less, particularly preferably It has a characteristic that is 7μm or less. なお「膜厚不均一領域」とは、膜厚が平坦部の平均膜厚の90%以下となっている領域をいう。 Note that "thickness nonuniformity region" refers to a region where the film thickness is less than or equal to 90% of the average thickness of the flat portion.

また、例えば、インクジェット法では、隔壁と呼ばれる構造物が必要となり(図3(C))、EL層が絶縁層または隔壁内部に収まる構造となるのに対し、フォトリソグラフィー法では隔壁、パターニングを補助する構成物およびパターニングを補助する表面処理のいずれをも有しないことを特徴とし、EL層端部が絶縁層上に形成されるという特徴を有する。 Further, for example, in the inkjet method, the structure called a septum is required (FIG. 3 (C)), with respect to the EL layer that becomes a structure that fit inside the insulating layer or partition wall, the auxiliary partition wall, a patterning by photolithography also characterized in that it does not have any compositions and surface treatment to assist patterned to have a feature that EL layer end is formed on the insulating layer.

次に、本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例の記載に限定されるものではない。 Next, the present invention will be described examples in more detail, the present invention is not intended to be limited to the description of the following examples.

参考例1) (Reference Example 1)
(絶縁層の形成) (Formation of insulating layer)
6インチ□、板厚1.1mmのパターニングされたITO基板を洗浄し、基体および第1電極層とした。 6 inches □, washed patterned ITO substrate having a thickness of 1.1 mm, and the substrate and the first electrode layer. 得られた基板に、ドライエッチングプロセスにおいて有機化合物との選択比が2.5である二酸化珪素(SiO 2 )を、スパッタリングにより全面に2000オングストロームの厚みで成膜した。 To the resulting substrate, selectivity to an organic compound in the dry etching process is a 2.5 in which silicon dioxide (SiO 2), was deposited at 2000 Å thickness on the entire surface by sputtering. さらに、二酸化珪素膜上にポジ型フォトレジスト(東京応化社製;OFPR−800)を1μmの厚みで成膜した。 Furthermore, a positive photoresist (produced by Tokyo Ohka Kogyo Co.; OFPR-800) on the silicon dioxide film was formed in a thickness of 1 [mu] m. その後、アライメント露光機に露光マスクと共にセットし、発光部のみ紫外線露光した。 Then, set with the exposure mask alignment exposure machine, and ultraviolet exposure only the light-emitting portion. レジスト現像液(東京応化社製;NMD−3)で、20秒間現像後、水洗し、露光部のフォトレジストを除去した。 Resist developer (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.; NMD-3), the post 20 seconds development, and washed with water to remove the photoresist in the exposed area. その後、四フッ化メタンを反応ガスとして用い、反応性イオンエッチングにより、フォトレジストが除去された部分の二酸化珪素を除去した。 Then, using tetrafluoromethane as a reaction gas, by reactive ion etching to remove the silicon dioxide portion where the photoresist is removed. アセトンでフォトレジストを除去し、二酸化珪素の絶縁層を得た。 The photoresist is removed with acetone to obtain an insulating layer of silicon dioxide.

(第1バッファー層の成膜) (Formation of the first buffer layer)
得られた基板上に、バッファー層塗布液(バイエル;BaytronP)を0.5mLとり、基板の中心部に滴下して、絶縁層の開口部にスピンコーティングを行った。 On the resulting substrate, a buffer layer coating solution; take (Bayer BaytronP) 0.5 mL, was added dropwise to the center portion of the substrate was subjected to spin coating to the opening of the insulating layer. 2500rpmで20秒間保持して層を形成した。 To form a layer and held for 20 seconds at 2500 rpm. この結果、膜厚は800オングストロームとなった。 As a result, the film thickness was 800 angstroms.

(第1発光層の成膜) (Formation of the first light-emitting layer)
第1の発光層として、バッファー層上に赤色発光有機材料である塗布液(ポリビニルカルバゾール70重量部、オキサジアゾール30重量部、ジシアノメチレンピラン誘導体1重量部、モノクロロベンゼン4900重量部)を1mLとり、基板の中心部に滴下して、絶縁層の開口部にスピンコーティングを行った。 As the first light-emitting layer, the red light emitting organic material is a coating solution onto the buffer layer (70 parts by weight of polyvinyl carbazole, oxadiazole 30 parts by weight, 1 part by weight dicyanomethylenepyran derivatives, 4900 parts by weight of monochlorobenzene) was 1mL tori , and dropped onto the central portion of the substrate was subjected to spin coating to the opening of the insulating layer. 2000rpmで10秒間保持して層を形成した。 To form a layer and held for 10 seconds at 2000 rpm. この結果、膜厚は800オングストロームとなった。 As a result, the film thickness was 800 angstroms.

ポジ型フォトレジスト液(東京応化社製;OFPR−800)を2mLとり、基体の中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。 Positive photoresist solution (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.; OFPR-800) was taken 2 mL, was added dropwise to the center portion of the substrate, and was coated by spin coating method. 500rpmで10秒間保持し、その後、2000rpmで20秒間保持して層形成した。 And held for 10 seconds at 500 rpm, then the layer formed and held for 20 seconds at 2000 rpm. この結果、膜厚は約1μmとなった。 As a result, the film thickness was about 1 [mu] m. 80℃で30分間プリベークを行った。 Prebaked for 30 minutes was carried out at 80 ° C.. その後、アライメント露光機に露光マスクと共にセットし、第1発光部以外の発光層を除去したい部分に紫外線露光した。 Then, set with the exposure mask alignment exposure machine, and ultraviolet exposure to the portion to be removed of the light-emitting layer other than the first light-emitting portion. レジスト現像液(東京応化社製;NMD−3)で20秒間現像後、水洗し、露光部のフォトレジスト層を除去した。 Resist developer (Tokyo Ohka; NMD-3) for 20 seconds after the development, washing with water, removing the photoresist layer in the exposed portion. 120℃で30分間ポストベークした後、酸素プラズマを用いた反応性イオンエッチングにより、フォトレジスト層が除去された部分のバッファー層および発光層を除去した。 After post-baking for 30 minutes at 120 ° C., by reactive ion etching using oxygen plasma, to remove the buffer layer and light emitting layer portion where the photoresist layer has been removed. アセトンでフォトレジストを除去した後、再度、ポジ型フォトレジスト液(東京応化社製;OFPR−800)を2mLとり、基体の中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。 After removing the photoresist with acetone, again, a positive photoresist solution (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co.; OFPR-800) was taken 2 mL, was added dropwise to the center portion of the substrate, and was coated by spin coating method. 500rpmで10秒間保持し、その後、2000rpmで20秒間保持して層を形成した。 And held for 10 seconds at 500 rpm, then, to form a layer and held for 20 seconds at 2000 rpm. この結果、膜厚は約1μmとなった。 As a result, the film thickness was about 1 [mu] m. 80℃で30分間プリベークを行った。 Prebaked for 30 minutes was carried out at 80 ° C.. その後、アライメント露光機に露光マスクと共にセットし、第1発光部の幅よりも10μmずつ大きい幅のフォトレジスト層を残すように紫外線露光した。 Then, set with the exposure mask alignment exposure machine to ultraviolet exposure so as to leave the photoresist layer of greater width by 10μm than the width of the first light-emitting portion. レジスト現像液(東京応化社製;NMD−3)で20秒間現像後、水洗し、露光部のフォトレジスト層を除去した。 Resist developer (Tokyo Ohka; NMD-3) for 20 seconds after the development, washing with water, removing the photoresist layer in the exposed portion. 120℃で30分間ポストベークし、第1発光部が第1発光部の幅よりも10μmずつ大きい幅を有するフォトレジスト層で保護された基体を得た。 Post-baked for 30 minutes at 120 ° C., the first light emitting portion to obtain a protected substrate with a photoresist layer having a width greater by 10μm than the width of the first light-emitting portion.

(第2バッファー層の成膜) (Formation of the second buffer layer)
得られた基体に、バッファー層塗布液(バイエル;BaytronP)を0.5mLとり、基板の中心部に滴下して、絶縁層の開口部にスピンコーティングを行った。 To the resulting substrate, a buffer layer coating solution; take (Bayer BaytronP) 0.5 mL, was added dropwise to the center portion of the substrate was subjected to spin coating to the opening of the insulating layer. 2500rpmで20秒間保持して層形成した。 The layers were formed and held for 20 seconds at 2500 rpm. この結果、膜厚は800オングストロームとなった。 As a result, the film thickness was 800 angstroms.

(第2発光層の成膜) (Formation of the second light-emitting layer)
第2の発光層として、バッファー層上に緑色発光有機材料である塗布液(ポリビニルカルバゾール70重量部、オキサジアゾール30重量部、クマリン6を1重量部、モノクロロベンゼン4900重量部)を1mLとり、基板の中心部に滴下して、絶縁層の開口部にスピンコーティングを行った。 As the second light-emitting layer, a green luminescent organic material is a coating solution onto the buffer layer takes (polyvinylcarbazole 70 parts by weight, oxadiazole 30 parts by weight, 1 part by weight Coumarin 6, 4900 parts by weight of monochlorobenzene) was 1 mL, and it dropped onto the central portion of the substrate was subjected to spin coating to the opening of the insulating layer. 2000rpmで10秒間保持して層形成を行った。 The layers were formed and held for 10 seconds at 2000 rpm. この結果、膜厚は800オングストロームとなった。 As a result, the film thickness was 800 angstroms.

ポジ型フォトレジスト液(東京応化社製;OFPR−800)を2mLとり、基体の中心部に滴下して、スピンコーティングを行った.500rpmで10秒間保持し、その後、2000rpmで20秒間保持して層形成した。 Positive photoresist solution (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.; OFPR-800) was taken 2 mL, was added dropwise to the center portion of the substrate, and held for 10 seconds at .500rpm subjected to spin coating, then held for 20 seconds at 2000rpm and the layers were formed. この結果、膜厚は約1μmとなった。 As a result, the film thickness was about 1 [mu] m. 80℃で30分間プリベークを行った。 Prebaked for 30 minutes was carried out at 80 ° C.. その後、アライメント露光機に露光マスクと共にセットし、第1発光部と第2発光部以外の発光層を除去したい部分に紫外線露光した。 Then, set with the exposure mask alignment exposure machine, and ultraviolet exposure to the portion to be removed and the first light emitting portion emitting layer other than the second light-emitting portion. レジスト現像液(東京応化社製;NMD−3)で20秒間現像後、水洗し、露光部のフォトレジストを除去した。 Resist developer (Tokyo Ohka; NMD-3) for 20 seconds after the development, and washed with water to remove the photoresist in the exposed area. 120℃で30分間ポストベークした後、酸素プラズマを用いた反応性イオンエッチングにより、フォトレジスト層が除去された部分のバッファー層および発光層を除去した。 After post-baking for 30 minutes at 120 ° C., by reactive ion etching using oxygen plasma, to remove the buffer layer and light emitting layer portion where the photoresist layer has been removed. アセトンでフォトレジストを除去した後、再度、ポジ型フォトレジスト液(東京応化社製OFPR−800)を2mLとり、基体の中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。 After removing the photoresist with acetone, again, positive photoresist solution (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. OFPR-800) taken 2 mL, was added dropwise to the center portion of the substrate, and was coated by spin coating method. 500rpmで10秒間保持し、その後、2000rpmで20秒間保持して層形成した。 And held for 10 seconds at 500 rpm, then the layer formed and held for 20 seconds at 2000 rpm. この結果、膜厚は約1μmとなった。 As a result, the film thickness was about 1 [mu] m. 80℃で30分間プリベークを行った。 Prebaked for 30 minutes was carried out at 80 ° C.. その後、アライメント露光機に露光マスクと共にセットし、第1発光部及び第2発光部の幅よりも10μmずつ大きい幅でフォトレジスト層が残るように紫外線露光した。 Then, set with the exposure mask alignment exposure machine, and ultraviolet exposure to the photoresist layer remains in a large width by 10μm than the width of the first light emitting portion and the second light-emitting portion. レジスト現像液(東京応化社製;NMD−3)で20秒間現像後、水洗し、露光部のフォトレジストを除去した。 Resist developer (Tokyo Ohka; NMD-3) for 20 seconds after the development, and washed with water to remove the photoresist in the exposed area. 120℃で30分間ポストベークし、第1発光部及び第2発光部の幅よりも10μmずつ大きい幅を有するフォトレジストで保護された基体を得た。 120 post-baked for 30 minutes at ° C., to obtain a protected substrate with photoresist having a width greater by 10μm than the width of the first light emitting portion and the second light-emitting portion.

(第3バッファー層の成膜) (Formation of the third buffer layer)
得られた基体に、バッファー層塗布液(バイエル;BaytronP)を0.5mLとり、基板の中心部に滴下して、絶縁層の開口部にスピンコーティングを行った。 To the resulting substrate, a buffer layer coating solution; take (Bayer BaytronP) 0.5 mL, was added dropwise to the center portion of the substrate was subjected to spin coating to the opening of the insulating layer. 2500rpmで20秒間保持して層形成した。 The layers were formed and held for 20 seconds at 2500 rpm. この結果、膜厚は800オングストロームとなった。 As a result, the film thickness was 800 angstroms.

(第3発光層の成膜) (Formation of the third light emitting layer)
第3の発光層として、バッファー層上に青色発光有機材料である塗布液(ポリビニルカルバゾール70重量部、オキサジアゾール30重量部、ペリレン1重量部、モノクロロベンゼン4900重量部)を1mLとり、基板の中心部に滴下して、絶縁層の開口部にスピンコーティングを行った。 As the third light-emitting layer, the coating solution is a blue light emitting organic material on the buffer layer takes (70 parts by weight of polyvinyl carbazole, oxadiazole 30 parts by weight, 1 part by weight of perylene, 4900 parts by weight of monochlorobenzene) was 1 mL, the substrate was dropped in the center, it was spin-coated on the opening portion of the insulating layer. 2000rpmで10秒間保持して層形成を行った。 The layers were formed and held for 10 seconds at 2000 rpm. この結果、膜厚は800オングストロームとなった。 As a result, the film thickness was 800 angstroms.

ポジ型フォトレジスト液(東京応化社製;OFPR−800)を2mLとり、基体の中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。 Positive photoresist solution (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.; OFPR-800) was taken 2 mL, was added dropwise to the center portion of the substrate, and was coated by spin coating method. 500rpmで10秒間保持し、その後、2000rpmで20秒間保持して層を形成した。 And held for 10 seconds at 500 rpm, then, to form a layer and held for 20 seconds at 2000 rpm. この結果、膜厚は約1μmとなった。 As a result, the film thickness was about 1 [mu] m. 80℃で30分間プリベークを行った。 Prebaked for 30 minutes was carried out at 80 ° C.. その後、アライメント露光機に露光マスクと共にセットし、第1発光部、第2発光部、及び第3発光部以外の発光層を除去したい部分に紫外線露光した。 Then, set with the exposure mask alignment exposure machine, the first light emitting portion, the second light emitting portion, and the ultraviolet exposure in the third part to be removed luminescent layer other than the light-emitting portion. レジスト現像液(東京応化社製;NMD−3)で20秒間現像後、水洗し、露光部のフォトレジストを除去した。 Resist developer (Tokyo Ohka; NMD-3) for 20 seconds after the development, and washed with water to remove the photoresist in the exposed area. 120℃で30分間ポストベークした後、酸素プラズマを用いた反応性イオンエッチングにより、フォトレジスト層が除去された部分のバッファー層および発光層を除去し、第1発光部、第2発光部、および第3発光部がフォトレジストで保護された基体を得た。 After post-baking for 30 minutes at 120 ° C., by reactive ion etching using oxygen plasma, the photoresist layer is removed the buffer layer and the luminescent layer of the removed portion, the first light emitting portion, the second light emitting portion, and the third light emitting portion to obtain a protected substrate with photoresist. その後、アセトンでフォトレジストをすべて除去し、パターニングされた発光層を露出させた。 Thereafter, all the photoresist is removed with acetone, to expose the patterned light emitting layer.

100℃で1時間乾燥した後、次いで、得られた基体上に、第二電極層としてCaを500オングストロームの厚みで蒸着し、さらに保護層としてAgを2500オングストロームの厚みで蒸着し、有機EL素子を作製した。 After drying for 1 hour at 100 ° C., then, on the resulting substrate, a Ca as a second electrode layer deposited to a thickness of 500 angstroms, and further depositing Ag at 2500 Angstroms in thickness as a protective layer, an organic EL device It was produced.

(実施例 ) (Example 1)
絶縁層を以下のように形成した以外は、 参考例1と同様に有機EL素子を作製した。 Except that an insulating layer was formed as shown below, to produce an organic EL element in the same manner as in Reference Example 1.

(絶縁層の形成) (Formation of insulating layer)
6インチ□、板厚1.1mmのパターニングされたITO基板を洗浄し、基体および第1電極層とした。 6 inches □, washed patterned ITO substrate having a thickness of 1.1 mm, and the substrate and the first electrode layer. 得られた基板に、オルガノアルコキシシラン(東芝シリコーン(株)製、TSL8113)の5重量%イソプロピルアルコール溶液)を0.5mlとり、基板の中心部に滴下し、スピンコーティングを行い、全面に2000オングストローム成膜した。 To the resulting substrate, organoalkoxysilane (Toshiba Silicone Co., Ltd., TSL8113) take 0.5ml of 5 wt% isopropyl alcohol solution) of was added dropwise to the center portion of the substrate, subjected to spin coating, the whole surface 2000 Å It was formed. 成膜後、200℃にて30分加熱し、オルガノポリシロキサンの硬化膜を形成した。 After the film formation, and heated for 30 minutes at 200 ° C., to form a cured film of the organopolysiloxane. さらに、得られた基板上にポジ型フォトレジスト(東京応化社製;OFPR−800)を1μmの厚みで成膜した。 Further, the resulting substrate to a positive photoresist (produced by Tokyo Ohka Kogyo Co.; OFPR-800) was deposited to a thickness of 1 [mu] m. その後、アライメント露光機に露光マスクと共にセットし、発光部のみ紫外線露光した。 Then, set with the exposure mask alignment exposure machine, and ultraviolet exposure only the light-emitting portion. レジスト現像液(東京応化社製;NMD−3)で、20秒間現像後、水洗し、露光部のフォトレジストを除去した。 Resist developer (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.; NMD-3), the post 20 seconds development, and washed with water to remove the photoresist in the exposed area. その後、四フッ化メタンを反応ガスとして用い、反応性イオンエッチングにより、フォトレジストが除去された部分のオルガノポリシロキサンを除去した。 Then, using tetrafluoromethane as a reaction gas, by reactive ion etching to remove the organopolysiloxane portion where the photoresist is removed. アセトンでフォトレジストを除去し、オルガノポリシロキサンの絶縁層を得た。 The photoresist is removed with acetone to obtain an insulating layer of the organopolysiloxane.

<結果> <Result>
参考例1及び実施例1において、比較的容易にかつ安価に高精細なパターンが形成された素子を得ることができた。 Reference Example 1 and Example 1, it was possible to obtain relatively easily and inexpensively a high-definition pattern formed element.

(EL素子の発光特性の評価) (Evaluation of light emission characteristics of the EL element)
参考例1及び実施例1において、ITO電極側を正極、Ag電極側を負極に接続し、ソースメーターにより、直流電流を印加した。 Reference Example 1 and Example 1, to connect the ITO electrode side positive electrode, the Ag electrode side to the negative electrode, the source meter, a direct current was applied. 10V印加時に第1、2、3の発光部それぞれより発光が認められた。 Emitted from each first, second and third light emitting portion was observed during the 10V application.

(絶縁性) (Insulating)
参考例1及び実施例1において、目視評価にて、開口部のみで発光を確認することができた。 Reference Example 1 and Example 1, it was possible to confirm visually evaluated, the light only at the opening. また、電圧−電流密度特性を測定したところ、ダイオード特性が示され、短絡が起きていないことを確認した。 The voltage - was measured current density characteristics, diode characteristics are shown, it was confirmed that a short circuit does not occur. フォトリソグラフィー法によりパターニングする際にドライエッチングを用いても、絶縁層までも浸食されることが防止され、電極間や電極と配線の間での短絡を引き起こすことがなかった。 Be dry etching in patterning by photolithography, it is possible to prevent also eroded to the insulating layer was not to cause short circuit between the wires and the electrodes or between the electrodes.

1 基板 2 第一電極 3 絶縁層 4 EL層(発光層、第1発光部) 1 substrate 2 first electrode 3 insulating layer 4 EL layer (light emitting layer, the first light emitting portion)
5 第二電極 6、6'、6” フォトレジスト層 7 フォトマスク 8 紫外線 9 第2発光層(第2発光部) 5 second electrodes 6, 6 ', 6 "photoresist layer 7 photomask 8 UV 9 second light emitting layer (second light emitting part)
10 第3発光層(第3発光部) 10 third light emitting layer (third light emitting portion)
11、11' 保護層 12 端部の形状 13 隔壁 20 有機材料からなる絶縁層 21 配線 22 短絡 11, 11 'shaped 13 partition wall 20 insulating layer 21 wire 22 shorts made of an organic material of the protective layer 12 ends

Claims (9)

  1. 基板上に少なくとも第1電極と複数種類のエレクトロルミネッセント層と第2電極を有するエレクトロルミネッセント素子の製造方法において、 In the method for manufacturing an electroluminescent element having at least a first electrode and a plurality of types of electroluminescent layer and a second electrode on a substrate,
    メチルトリクロルシラン、メチルトリブロムシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、メチルトリt−ブトキシシラン;エチルトリクロルシラン、エチルトリブロムシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリt−ブトキシシラン;n−プロピルトリクロルシラン、n−ブロピルトリブロムシラン、n−ブロピルトリメトキシシラン、n−プロピルトリエトキシシラン、n−プロピルトリイソプロポキシシラン、n−プロピルトリt−ブトキシシラン;n−ヘキシルトリクロルシラン、n−ヘキシルトリブロムシラン、n−ヘキシルトリメトキシシラン、n−ヘキシルトリエトキシシラン、n−ヘキシルトリイソ Methyltrichlorosilane, methyltrimethoxysilane bromine silane, methyl trimethoxy silane, methyl triethoxy silane, methyl triisopropoxysilane, methyl tri t- butoxysilane, ethyl trichlorosilane, ethyl tri bromo, ethyl trimethoxysilane, ethyl triethoxysilane, ethyl triisopropoxysilane, ethyltri t- butoxysilane; n-propyl trichlorosilane, n- Bro pills tribromomethyl silane, n- Bro pills trimethoxysilane, n- propyl triethoxysilane, n- propyl triisopropoxysilane, n - propyltrimethoxysilane t- butoxysilane; n-hexyl trichlorosilane, n- hexyl-tribromophenyl silane, n- hexyl trimethoxysilane, n- hexyl triethoxysilane, n- hexyl triisobutyl ロポキシシラン、n−ヘキシルトリt−ブトキシシラン;n−デシルトリクロルシラン、n−デシルトリブロムシラン、n−デシルトリメトキシシラン、n−デシルトリエトキシシラン、n−デシルトリイソプロポキシシラン、n−デシルトリt−ブトキシシラン;n−オクタデシルトリクロルシラン、n−オクタデシルトリブロムシラン、n−オルタデシルトリメトキシシラン、n−オクタデシルトリエトキシシラン、n−オクタデシルトリイソプロポキシシラン、n−オクタデシルトリt−ブトキシシラン;フェニルトリクロルシラン、フェニルトリブロムシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリイソプロポキシシラン、フェニルトリt−ブトキシシラン;テトラクロルシラン、テトラブロ Ropokishishiran, n- Hekishirutori t- butoxysilane; n-decyl trichlorosilane, n- tridecyl bromine silane, n- decyl trimethoxysilane, n- decyl triethoxysilane, n- decyl triisopropoxysilane, n- Deshirutori t- butoxysilane; n-octadecyl trichlorosilane, n- octadecyl-tribromophenyl silane, n- alternator decyltrimethoxysilane, n- octadecyl triethoxysilane, n- octadecyl triisopropoxysilane, n- octadecyl tri t- butoxysilane; phenyl trichlorosilane silane, phenyl trimethoxy bromine silane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, phenyl triisopropoxysilane, phenyl tri t- butoxysilane; tetrachlorosilane, Tetoraburo シラン、テトラメトキシシラン、テトラブトキシシラン、トリクロルヒドロシラン、トリブロムヒドロシラン、トリメトキシヒドロシラン、トリエトキシヒドロシラン、トリイソプロポキシヒドロシラン、トリt−ブトキシヒトロシラン;トリフルオロプロピルトリクロルシラン、トリフルオロプロピルトリブロムシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、トリフルオロプロピルトリエトキシシラン、トリフルオロプロピルトリイソプロポキシシラン、トリフルオロプロピルトリt−ブトキシシラン;γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリイソプロポキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリt−ブトキシシラン;γ−アミノプロピルトリ Silane, tetramethoxysilane, tetrabutoxysilane, trichlorosilane hydrosilane, tri bromine hydrosilane, trimethoxy hydrosilane, triethoxy hydrosilane, tri-isopropoxy hydrosilane, tri t- butoxy human-chlorosilane; trifluoropropyl trichlorosilane, trifluoropropyl tri bromine silane, trifluoropropyl trimethoxysilane, trifluoropropyl triethoxysilane, trifluoropropyl triisopropoxysilane, trifluoropropyl tri t- butoxysilane; .gamma.-glycidoxypropyltrimethoxysilane, .gamma.-glycidoxypropyl triethoxysilane , .gamma.-glycidoxypropyltrimethoxysilane tetraisopropoxysilane, .gamma.-glycidoxypropyltrimethoxysilane t- butoxysilane; .gamma.-aminopropyl tri トキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリイソプロポキシシラン、γ−アミノプロピルトリt−ブトキシシラン;γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリイソプロポキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリt−ブトキシシラン;β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリエトキシシラン、CF 3 (CF 23 CH 2 CH 2 Si(OCH 33 、CF 3 (CF 25 CH 2 CH 2 Si(OCH 33 、 CF 3 (CF 27 CH 2 CH 2 Si(OCH 33 、CF 3 (CF 29 CH 2 CH 2 Si(OCH 33 、(CF 32 CF(CF 24 Tokishishiran, .gamma.-aminopropyltriethoxysilane, .gamma.-aminopropyl triisopropoxysilane, .gamma.-aminopropyl trimethoxy t- butoxysilane; .gamma.-mercaptopropyltrimethoxysilane, .gamma.-mercaptopropyl triethoxysilane, .gamma.-mercaptopropyltrimethoxysilane tetraisopropoxysilane, .gamma.-mercaptopropyltrimethoxysilane t- butoxysilane; beta-(3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, beta-(3,4-epoxycyclohexyl) ethyl triethoxysilane, CF 3 (CF 2) 3 CH 2 CH 2 Si (OCH 3) 3, CF 3 (CF 2) 5 CH 2 CH 2 Si (OCH 3) 3, CF 3 (CF 2) 7 CH 2 CH 2 Si (OCH 3) 3, CF 3 (CF 2) 9 CH 2 CH 2 Si (OCH 3) 3, (CF 3) 2 CF (CF 2) 4 CH 2 CH 2 Si(OCH 33 、(CF 32 CF(CF 26 CH 2 CH 2 Si(OCH 33 、(CF 32 CF(CF 28 CH 2 CH 2 Si(OCH 33 、CF 3 (C 64 )C 24 Si(OCH 33 、CF 3 (CF 23 (C 64 )C 24 Si(OCH 33 、 CF 3 (CF 25 (C 64 )C 24 Si(OCH 33 、CF 3 (CF 27 (C 64 )C 24 Si(OCH 33 、CF 3 (CF 23 CH 2 CH 2 Si(OCH 2 CH 33 、CF 3 (CF 25 CH 2 CH 2 Si(OCH 2 CH 33 、CF 3 (CF 27 CH 2 CH 2 Si(OCH 2 CH 33 、CF 3 (CF 29 CH 2 CH 2 Si(OCH 2 CH 33 、及び、CF 3 (CF 27 SO 2 N(C 25 )C 24 CH 2 Si(OC CH 2 CH 2 Si (OCH 3 ) 3, (CF 3) 2 CF (CF 2) 6 CH 2 CH 2 Si (OCH 3) 3, (CF 3) 2 CF (CF 2) 8 CH 2 CH 2 Si ( OCH 3) 3, CF 3 ( C 6 H 4) C 2 H 4 Si (OCH 3) 3, CF 3 (CF 2) 3 (C 6 H 4) C 2 H 4 Si (OCH 3) 3, CF 3 (CF 2) 5 (C 6 H 4) C 2 H 4 Si (OCH 3) 3, CF 3 (CF 2) 7 (C 6 H 4) C 2 H 4 Si (OCH 3) 3, CF 3 (CF 2) 3 CH 2 CH 2 Si (OCH 2 CH 3) 3, CF 3 (CF 2) 5 CH 2 CH 2 Si (OCH 2 CH 3) 3, CF 3 (CF 2) 7 CH 2 CH 2 Si (OCH 2 CH 3) 3, CF 3 (CF 2) 9 CH 2 CH 2 Si (OCH 2 CH 3) 3, and, CF 3 (CF 2) 7 SO 2 N (C 2 H 5) C 2 H 4 CH 2 Si (OC 33より選択される珪素化合物の1種または2種以上を溶剤に溶解し、塗工し、加熱し、加水分解重縮合反応を行うことにより、前記珪素化合物の1種または2種以上の加水分解縮合物もしくは共加水分解縮合物であるオルガノポリシロキサンを絶縁層中に90重量以上含む絶縁層を形成する工程と、 One or more of the 3) 3 silicon compound selected from dissolved in a solvent, coated and heated, by hydrolysis polycondensation reaction of one or more of the silicon compounds forming a hydrolysis condensate or cohydrolysis insulating layer comprising 90 wt or more of the organopolysiloxane into the insulating layer is a condensation product,
    少なくとも第一電極が形成された基板上にエレクトロルミネッセント層を塗布法で形成し、所定のガスを用いたドライエッチングプロセスを含むフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることにより、パターニングされたエレクトロルミネッセント層を形成する工程と、 By patterning at least the first electrode is formed on a substrate to form an electroluminescent layer by a coating method, a photolithography method including dry-etching process using a predetermined gas, patterned electro lumi forming a Nessento layer,
    前記パターニングされたエレクトロルミネッセント層を形成する工程を複数回有することを特徴とする、エレクトロルミネッセント素子の製造方法。 It characterized in that it has a plurality of times a step of forming an electroluminescent layer, which is the patterning method of the electroluminescent element.
  2. 前記複数種類のエレクトロルミネッセント層が3種類のエレクトロルミネッセント層であり、3回フォトリソグラフィー法を用いてエレクトロルミネッセント層をパターニングすることによりフルカラーのエレクトロルミネッセント素子を製造する、請求項1に記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。 Wherein a plurality of types of electroluminescent layers are three types of electroluminescent layer, to produce the electroluminescent element full color by patterning the electroluminescent layer using three photolithography, manufacturing method of the electroluminescent element according to claim 1.
  3. 前記パターニングされたエレクトロルミネッセント層上にその端部が露出しないように保護層を塗布法で形成する工程と、 A step of its ends to the patterned electroluminescent layer is formed by coating a protective layer so as not to be exposed,
    前記パターニングされたエレクトロルミネッセント層上に形成された保護層を覆うように、前記パターニングされたエレクトロルミネッセント層と異なる種類のエレクトロルミネッセント層を塗布法で形成する工程とを有する、請求項1又は2に記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。 So as to cover the protective layer formed on the patterned electroluminescent layer, and a step of forming an electroluminescent layer of a different type and the patterned electroluminescent layer by a coating method, manufacturing method of the electroluminescent element according to claim 1 or 2.
  4. 前記フォトリソグラフィー法を用いたパターニング工程において、パターニングされるエレクトロルミネッセント層上にフォトレジストを塗布し、露光し、現像することによりフォトレジストをパターニングした後、所定のガスを用いたドライエッチングプロセスによりフォトレジストが除去された部分のエレクトロルミネッセント層を除去することを特徴とする、請求項1乃至3のいずれかに記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。 In patterning process using the photolithography method, a photoresist is applied to the electroluminescent layer to be patterned, exposed, after patterning the photoresist by developing, dry etching process using a predetermined gas photoresist and removing the electroluminescent layer of the removed portion, the manufacturing method of the electroluminescent element according to any one of claims 1 to 3 by.
  5. 前記ドライエッチングプロセスが、反応性イオンエッチングプロセスであることを特徴とする、請求項1乃至4のいずれかに記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。 The dry etching process, characterized in that it is a reactive ion etching process, the manufacturing method of the electroluminescent element according to any one of claims 1 to 4.
  6. 前記所定のガスが、酸素単体または酸素を含むガスであることを特徴とする、請求項1乃至5のいずれかに記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。 It said predetermined gas, characterized in that it is a gas containing oxygen alone or an oxygen method of the electroluminescent element according to any one of claims 1 to 5.
  7. 前記絶縁層が、第1電極と第2電極の間に設けられることを特徴とする、請求項1乃至6のいずれかに記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。 Said insulating layer, characterized in that provided between the first electrode and the second electrode, the manufacturing method of the electroluminescent element according to any one of claims 1 to 6.
  8. 前記絶縁層が、基板上の配線と第1電極の間及び/又は基板上の配線と第2電極の間に設けられることを特徴とする、請求項1乃至7のいずれかに記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。 Said insulating layer, characterized in that provided between the wiring and the second electrode between the wire and the first electrode on the substrate and / or substrate, electro Rumi according to any one of claims 1 to 7 method of manufacturing a Nessento element.
  9. 前記保護層を塗布法で形成する工程が、前記パターニングされたエレクトロルミネッセント層を覆うように保護層形成用塗工液を塗布する工程と、前記パターニングされたエレクトロルミネッセント層及びその端部が露出しないように、保護層を露光した後、現像する工程を有することを特徴とする、請求項に記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。 Step, a step of applying a protective layer coating liquid so as to cover the electroluminescent layer is the patterned, the patterned electroluminescent layer and its end forming the protective layer by a coating method as part it is not exposed after the exposure of the protective layer, characterized by having a step of developing, manufacturing method of the electroluminescent element according to claim 3.
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