JP5047192B2 - Electron beam exposure system - Google Patents
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Description
本発明は、電子ビーム露光装置に関し、特に、ウエハの帯電を低減させることが可能な電子ビーム露光装置に関する。 The present invention relates to an electron beam exposure apparatus, and more particularly to an electron beam exposure apparatus that can reduce the charging of a wafer.
近年、半導体装置等の製造におけるリソグラフィ工程において、微細パターンを形成するために、電子ビーム露光装置が使用されるようになってきている。 In recent years, an electron beam exposure apparatus has been used to form a fine pattern in a lithography process in manufacturing a semiconductor device or the like.
電子ビーム露光装置を使用した微細パターンの形成においては、ウエハに電荷が蓄積するチャージアップにより電子ビームが曲げられ、描画位置精度が悪化するという現象が発生する。 In the formation of a fine pattern using an electron beam exposure apparatus, a phenomenon occurs in which the electron beam is bent by charge-up that accumulates charges on the wafer, and the drawing position accuracy deteriorates.
この現象を防止するため、一般に導電性の帯電防止膜を形成している。帯電防止膜を形成することによって、例えば帯電防止膜の電位をアース電位とし、電子がレジストに帯電しないようにしている。 In order to prevent this phenomenon, a conductive antistatic film is generally formed. By forming the antistatic film, for example, the potential of the antistatic film is set to the ground potential so that electrons are not charged to the resist.
また、ウエハに電荷が蓄積することを防止するために、ウエハに直接アースを接続する技術が種々検討されている。 Various techniques for directly connecting a ground to the wafer have been studied in order to prevent electric charges from accumulating on the wafer.
これに関する技術として、特許文献1には、ウエハにアースを接続させる力に起因して生ずるウエハの撓みを減少させることができる機構が開示されている。
As a technique related to this,
上述したように、電子ビームを使用してウエハを露光する場合には、電子ビームの直進性を確保するために、ウエハに帯電防止膜を形成し、帯電防止膜の電位をアース電位にするようにしている。 As described above, when the wafer is exposed using an electron beam, an antistatic film is formed on the wafer and the potential of the antistatic film is set to the ground potential in order to ensure straightness of the electron beam. I have to.
しかし、このようにした場合であっても、ウエハが帯電し、正確に露光ができない現象が発生することがある。その原因としては、ウエハに接続する端子が帯電防止膜を形成した部分からずれてしまうことが考えられる。通常、このような接続部分はウエハの周縁部に設けられるが、この周縁部はエッジリンスを施すことによって帯電防止膜が剥離してしまうため、この部分に導体を接続してもウエハに帯電する電荷を十分に除去することができなくなる。
本発明は、かかる従来技術の課題に鑑みなされたものであり、帯電防止膜がウエハの全面に形成されていない場合であってもウエハへの帯電を削減し、精度良くパターンを露光することが可能な電子ビーム露光装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the problems of the prior art, and even when the antistatic film is not formed on the entire surface of the wafer, the charge on the wafer can be reduced and the pattern can be accurately exposed. An object is to provide a possible electron beam exposure apparatus.
上記した課題は、ウエハを載置するウエハステージと、前記ウエハに帯電する電荷を放電させる電荷放電手段とを有する電子ビーム露光装置であって、前記電荷放電手段は、前記ウエハの上部と接する上面接触部を有する第1接続手段と、前記ウエハの下部と接する下面接触部を有する第2接続手段と、前記第1接続手段と前記第2接続手段とを互いに回転可能に接続する軸と、前記第2接続手段とウエハステージとに接続され、前記第1接続手段及び前記第2接続手段を前記ウエハステージ上に固定する板ばねと、を備えたことを特徴とする電子ビーム露光装置により解決する。 An object of the present invention is to provide an electron beam exposure apparatus having a wafer stage on which a wafer is placed and charge discharge means for discharging charges charged on the wafer, the charge discharge means being an upper surface in contact with an upper portion of the wafer A first connection means having a contact portion; a second connection means having a lower surface contact portion in contact with the lower portion of the wafer; a shaft for rotatably connecting the first connection means and the second connection means; An electron beam exposure apparatus comprising: a plate spring connected to a second connection means and a wafer stage, and fixing the first connection means and the second connection means on the wafer stage. .
また、この形態に係る電子ビーム露光装置において、前記第2接続手段のうち前記ウエハと接する部分は針状であって、当該針状部分は前記ウエハ内部に到達するようにしても良く、前記第1接続手段及び第2接続手段は表面が導電性材料でコーティングされるようにしても良い。 In the electron beam exposure apparatus according to this aspect, the portion of the second connecting means that contacts the wafer may have a needle shape, and the needle portion may reach the inside of the wafer. The surface of the first connecting means and the second connecting means may be coated with a conductive material.
本発明では、電荷放電手段によってウエハの周縁部(縁部)の一部を上下両側から挟むようにしている。ウエハの上部はウエハ面に接触し、ウエハの下部は突き刺さる針状の端子を用いている。電荷放電手段はセラミックで構成し、その表面に導電性材料をコーティングした構成にしている。これにより、ウエハに帯電する電荷をウエハの表面からだけでなく、ウエハの内部からも捕捉して放電することができ、ウエハの帯電を効果的に防止することが可能となる。 In the present invention, a part of the peripheral edge (edge) of the wafer is sandwiched from both the upper and lower sides by the charge discharging means. The upper part of the wafer is in contact with the wafer surface, and the lower part of the wafer uses needle-like terminals that pierce. The charge discharging means is made of ceramic and has a surface coated with a conductive material. As a result, the charge charged on the wafer can be captured and discharged not only from the surface of the wafer but also from the inside of the wafer, and the wafer can be effectively prevented from being charged.
また、本発明では、ウエハの上側に接触するウエハ上面接触部と下部に接触するウエハ下面接触部とは、シャフト(軸)を介して接続され、ウエハの下部に接触する方は板ばねを介してウエハステージに固定されている。このように、電荷放電手段は、ばね性によりフローティング状態になっており、ウエハを挟んだ状態で、ウエハの面にならうため、余計な負荷を与えることがなく、ウエハに撓みが発生することを防止することが可能となる。 In the present invention, the wafer upper surface contact portion that contacts the upper side of the wafer and the wafer lower surface contact portion that contacts the lower portion are connected via a shaft (axis), and the one that contacts the lower portion of the wafer via a leaf spring. Is fixed to the wafer stage. In this way, the charge discharging means is in a floating state due to the spring property, and follows the surface of the wafer while sandwiching the wafer, so that no additional load is applied and the wafer is bent. Can be prevented.
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
はじめに、電子ビーム露光装置の構成について説明する。次に、ウエハに帯電する電荷を効率よく放電させる電荷放電機構の概要について説明する。次に、電荷放電機構の具体的な構成及び設置方法について説明する。
(電子ビーム露光装置の構成)
図1は、本実施形態に係る電子ビーム露光装置の構成図である。First, the configuration of the electron beam exposure apparatus will be described. Next, an outline of a charge discharge mechanism that efficiently discharges the charge charged on the wafer will be described. Next, a specific configuration and installation method of the charge discharge mechanism will be described.
(Configuration of electron beam exposure system)
FIG. 1 is a block diagram of an electron beam exposure apparatus according to the present embodiment.
この電子ビーム露光装置は、露光部100と、露光部100の各部を制御する制御部200とに大別される。このうち、露光部100は、電子ビーム生成部130、マスク偏向部140及び基板偏向部150によって構成され、その内部が減圧される。
The electron beam exposure apparatus is broadly divided into an
電子ビーム生成部130では、電子銃101から生成した電子ビームEBが第1電磁レンズ102で収束作用を受けた後、ビーム整形用マスク103の矩形アパーチャ103aを透過し、電子ビームEBの断面が矩形に整形される。
In the
その後、電子ビームEBは、マスク偏向部140の第2電磁レンズ105によって露光マスク110上に結像される。そして、電子ビームEBは、第1、第2静電偏向器104、106により、露光マスク110に形成された特定のパターンSに偏向され、その断面形状がパターンSの形状に整形される。
Thereafter, the electron beam EB is imaged on the
なお、露光マスク110はマスクステージ123に固定されるが、そのマスクステージ123は水平面内において移動可能であって、第1、第2静電偏向器104、106の偏向範囲(ビーム偏向領域)を超える部分にあるパターンSを使用する場合、マスクステージ123を移動することにより、そのパターンSをビーム偏向領域内に移動させる。
Although the
露光マスク110の上下に配された第3、第4電磁レンズ108、111は、それらの電流量を調節することにより、電子ビームEBをウエハW上で結像させる役割を担う。
The third and fourth
露光マスク110を通った電子ビームEBは、第3、第4静電偏向器112、113の偏向作用によって光軸Cに振り戻された後、第5電磁レンズ114によってそのサイズが縮小される。
The size of the electron beam EB that has passed through the
マスク偏向部140には、第1、第2補正コイル107、109が設けられており、それらにより、第1〜第4静電偏向器104、106、112、113で発生するビーム偏向収差が補正される。
The
その後、電子ビームEBは、基板偏向部150を構成する遮蔽板115のアパーチャ115aを通過し、第1、第2投影用電磁レンズ116、121によってウエハW上に投影される。これにより、露光マスク110のパターンの像が、所定の縮小率、例えば1/10の縮小率でウエハWに転写されることになる。
Thereafter, the electron beam EB passes through the
基板偏向部150には、第5静電偏向器119と電磁偏向器120とが設けられており、これらの偏向器119、120によって電子ビームEBが偏向され、ウエハWの所定の位置に露光マスクのパターンの像が投影される。
The
更に、基板偏向部150には、ウエハW上における電子ビームEBの偏向収差を補正するための第3、第4補正コイル117、118が設けられる。
Further, the
ウエハWは、モータ等の駆動部125により水平方向に移動可能なウエハステージ124に静電チャックによって固定されており、ウエハステージ124を移動させることで、ウエハWの全面に露光を行うことが可能となる。また、ウエハWには、電子ビームが照射されることによって電荷が蓄積されるが、この電荷の蓄積を防止するために電荷を放電することを可能にする電荷放電機構が取り付けられる。
(制御部の説明)
一方、制御部200は、電子銃制御部202、電子光学系制御部203、マスク偏向制御部204、マスクステージ制御部205、ブランキング制御部206、基板偏向制御部207及びウエハステージ制御部208を有する。これらのうち、電子銃制御部202は電子銃101を制御して、電子ビームEBの加速電圧やビーム放射条件等を制御する。また、電子光学系制御部203は、電磁レンズ102、105、108、111、114、116及び121への電流量等を制御して、これらの電磁レンズが構成される電子光学系の倍率や焦点位置等を調節する。ブランキング制御部206は、ブランキング電極127への印加電圧を制御することにより、露光開始前から発生している電子ビームEBを遮蔽板115上に偏向し、露光前にウエハW上に電子ビームEBが照射されるのを防ぐ。The wafer W is fixed by an electrostatic chuck to a
(Description of control unit)
On the other hand, the
基板偏向制御部207は、第5静電偏向器119への印加電圧と、電磁偏向器120への電流量を制御することにより、ウエハWの所定の位置上に電子ビームEBが偏向されるようにする。
The substrate
ウエハステージ制御部208は、駆動部125の駆動量を調節してウエハWを水平方向に移動させ、ウエハWの所望の位置に電子ビームEBが照射されるようにする。また、ウエハWをウエハステージに固定させたり、ウエハWに電荷放電機構を取り付けるための制御を行う。
The wafer
上記の各部202〜208は、ワークステーション等の統合制御系201によって統合的に制御される。
(電荷放電機構の概要)
次に、ウエハに帯電する電荷を効率よく放電させるための電荷放電機構(電荷放電手段)について説明する。The above-described
(Outline of charge discharge mechanism)
Next, a charge discharge mechanism (charge discharge means) for efficiently discharging the charge charged on the wafer will be described.
図2は、ウエハに帯電する電荷を放電させる原理を説明する図である。図2(a)に示すように、ウエハ21は、ウエハステージ上に静電チャック部22を介して載置されている。ウエハ21は次のような静電チャックによりウエハステージ上に固定される。例えば、アルミナセラミクスで形成される本体内部に埋め込んだ電極(32a、32b)に電圧25を印加し、本体の表面近傍に負電荷26a及び正電荷26bを静電誘導させる。ウエハ21の静電チャック部22と接する面に静電チャック部22と逆の電荷が静電誘導されて、ウエハ21が静電チャック部22に吸着される。
FIG. 2 is a diagram for explaining the principle of discharging the charge charged on the wafer. As shown in FIG. 2A, the
このようにウエハ21がウエハステージ上に固定された状態で、電子ビーム23が照射される。電子ビーム23が照射されると、ウエハ21の表面に負電荷が帯電し、この帯電のために電子ビーム23の軌道が不安定になってしまう。この現象を回避するために、電荷がウエハ21に帯電しないように、導体24をウエハ21に接続し、電荷を放出させている。
In this way, the
図2(b)は、図2(a)に示したウエハの帯電防止手段よりも効率よく電荷の放出を行うための方法を説明する図である。 FIG. 2B is a diagram for explaining a method for discharging charges more efficiently than the antistatic means for the wafer shown in FIG.
図2(b)に示すように、ウエハ21の表面に導電性の帯電防止膜28を形成する。この帯電防止膜28に導体を接続してアース電位にすることにより、効率よく電荷を放電させている。
As shown in FIG. 2B, a conductive
しかし、帯電防止膜28が存在しない部分29に導体を接続したり、帯電防止膜28が存在する部分に導体を接続しても帯電防止膜28が何らかの原因で剥離してしまう場合には、ウエハの上面から帯電を除去しようとしても図2(a)と効果がほぼ同じになってしまい、十分な効果が得られない場合が観測された。
However, if a conductor is connected to the
そこで、本実施形態では、ウエハ21の上面だけでなく、ウエハ21の下面にも導体31を接続し、ウエハ21の上下両側から電荷を放電させることに着目した。
(電荷放電機構の構成及び設置方法)
次に、ウエハに帯電する電荷を放電させる電荷放電機構の構成及び電荷放電機構をウエハに設置する方法について図面を参照しながら説明する。Therefore, in this embodiment, attention is paid to connecting the
(Configuration and installation method of charge discharge mechanism)
Next, the structure of the charge discharge mechanism for discharging the charge charged on the wafer and the method for installing the charge discharge mechanism on the wafer will be described with reference to the drawings.
図3(a)、(b)は電荷放電機構(電荷放電手段)を説明する図である。電荷放電機構は、ウエハ上面接触部(第1接続手段)41と、ウエハ下面接触部(第2接続手段)42とで構成される。 FIGS. 3A and 3B are diagrams for explaining the charge discharge mechanism (charge discharge means). The charge discharge mechanism includes a wafer upper surface contact portion (first connection means) 41 and a wafer lower surface contact portion (second connection means) 42.
ウエハ上面接触部41は、上面接触部41aと上面接触本体部41bで構成される。上面接触部41aは、ウエハ48の上面と接する部分が平面になっている。上面接触部41aは、例えば、非磁性導電性セラミクスに窒化チタン(TiN)をイオンプレーティングして構成される。なお、この部分を針状にすると、針状の部分がウエハ48に刺さり、パーティクルが発生し、ウエハ48表面を汚染することになり、歩留まりや信頼性の低下につながるため好ましくない。
The wafer upper
ウエハ下面接触部42は下面接触部42aと下面接触本体部42bで構成される。下面接触部42aはウエハ48の下面と接する部分が針状になっている。この針状部分は例えば非磁性の超鋼で形成され、ウエハ48の裏面に突き刺さるようになっている。この下面接触部42aと下面接触本体部42bとは導電性接着剤を用いて接着する。
The wafer lower
上面接触本体部41b及び下面接触本体部42bは導電性材料を用いて形成する。その全体が導電性材質であっても良いが、導電性材質の使用は最小限であることが好ましい。これは、ウエハステージの上方に配置される電磁偏向器120の偏向コイルによる磁束が導電性材質で形成される上面接触本体部41b又は下面接触本体部42bを通過することにより渦電流が発生し、不要な発熱等の現象を引き起こしてしまうことを防止するためである。従って、上面接触本体部41b及び下面接触本体部42bを、例えば、セラミックで形成し、その表面に導電性材料、例えば窒化チタン(TiN)をイオンプレーティングなどの方法でメッキ(コーティング)するようにして、必要最小限の導電性材質を使用するようにしている。
The upper surface contact
下面接触本体部42bには、板ばね43が取り付けられ、板ばね43はウエハステージ47とステージ接続部45を介して接続され固定される。
A
上面接触本体部41bと下面接触本体部42bとは、シャフト44により接続されている。また、ウエハ上面接触部41及びウエハ下面接触部42は、図3(b)に示すように、シャフト44の中心軸を中心として回転できるようになっている。
The upper surface contact
上面接触本体部41bと下面接触本体部42bは、楕円形状をしたカム53を挟んで配置される。このカム53が回転することにより、カム53の上面と接する上面接触本体部41bはカム53の形状にならって上側に回転して、上面接触部41aが開き、カム53の下面と接する下面接触本体部42bは、カム53の形状にならって下側に回転し、下面接触部42aが開く。
The upper surface contact
上面接触本体部41bと下面接触本体部42bは、スプリング46を介して接続され、上面接触部41及び下面接触部42が閉じた状態を保持するようにしている。
The upper surface contact
このようなウエハ上面接触部41の上面接触部41aとウエハ下面接触部42の下面接触部42aとでウエハ48の周縁の一部、例えば、ウエハのエッジから1〜2mmの位置を挟むことにより、電荷放電機構を構成する。
By sandwiching a part of the periphery of the
ウエハ48の縁部の上下を挟むことにより、その部分にかかる力によってはウエハ48が湾曲してしまうおそれがある。つまり、上からの力、又は下からの力のウエハにかかる力のつり合いがとれないと、ウエハが曲がってしまう。本実施形態では、この現象を回避するために、次のように電荷放電機構を構成している。
If the upper and lower edges of the
上記したように、下面接触本体部42bは、板ばね43でウエハステージ47に固定される。このように、ウエハ上面接触部41とウエハ下面接触部42は板ばね43だけで固定されており、ばね性によりフローティング状態になっている。このため、ウエハを挟んだ状態で、ウエハの面にならうため、余計な負荷を与えることがなく、ウエハに撓みが発生することを防止することが可能となる。
As described above, the lower surface contact
次に、図4及び図5を参照しながら、電荷放電機構をウエハに設置する方法について説明する。 Next, a method for installing the charge discharge mechanism on the wafer will be described with reference to FIGS.
電荷放電機構はウエハを挟んでいない初期の状態では図4に示すようになっている。図4に示すように、ウエハ上面接触部41は、平面部と曲面部を有する形状(以後、楕円形状とも言う)のカム53の平面部の上に乗っている状態である。このカム53はシャフト57によりベアリング56に接続し、ベアリング56はベアリング55を介してベアリング52と連動するようになっている。これらのベアリング52、55、56及びカム53は、カム53の中心軸を中心として回転可能になっている。一方、ベアリング54は固定されている。
The charge discharge mechanism is as shown in FIG. 4 in an initial state where no wafer is sandwiched. As shown in FIG. 4, the wafer upper
なお、カム53は、例えばリン青銅で構成し、その表面の摩擦係数を小さくするためにDLCコーティング(ダイヤモンドライクコーティング)が施される。
The
この初期状態から上面接触部41aと下面接触部42aとの間(以後、ウエハ接触部とも言う)の距離を広げた、開状態にするために、本実施形態では押上げ機構を使用する。押上げ機構は、電荷放電機構とは別の独立した機構であり、図5に示すように、先端がテーパー形状をした押し上げ部61を使用する。
In this embodiment, a push-up mechanism is used to increase the distance between the upper
図5(a)から(c)は、ウエハ接触部を開状態にする処理を時系列的に説明する図である。 FIGS. 5A to 5C are diagrams for explaining processing for opening the wafer contact portion in time series.
図5(a)は、ウエハ接触部が一定の間隔を有し、ウエハを挟む前の初期状態を示している。押し上げ部61は、ベアリング52,53の間の下方に配置されている。この状態から、ウエハステージ制御部208によって、ウエハの位置決めをする機構と同時に押し上げ部61を上昇させ、ベアリング52とベアリング54の間に押し上げ部61を挿入する。
FIG. 5A shows an initial state before the wafer contact portion has a constant interval and sandwiches the wafer. The push-up
図5(b)は、押し上げ部61がベアリング52とベアリング54の間に挿入され、押し上げ部61のテーパー部によりベアリング52及びベアリング52と連動してカム53がテーパーの傾斜面にそって回転移動した状態を示している。
In FIG. 5B, the push-up
楕円形状のカム53がベアリング52の移動に連動して回転移動することにより、カムの水平面に乗っていたウエハ上面接触部41の全体が、図5(b)に示すように、シャフト44の中心を回転中心としてカム53の形状にならって上方へ回転移動する。また、カム53の下面に接するウエハ下面接触部42の全体がシャフト44の中心を回転中心としてカム53の形状にならって下方へ回転移動する。これにより、ウエハ接触部の間隔が広がり開状態になる。この状態でウエハ48が搬送される。
As the
次に、ウエハが正しい位置に載置されるように、ガイド(不図示)で軽くウエハを固定し、上部からカメラでウエハの位置を観察して位置を調整する。正しい位置にウエハが載置された状態で、静電チャック部62でウエハをウエハステージに固定する。
Next, the wafer is lightly fixed with a guide (not shown) so that the wafer is placed at a correct position, and the position of the wafer is adjusted by observing the position of the wafer with a camera from above. With the wafer placed at a correct position, the wafer is fixed to the wafer stage by the
その後、図5(c)に示すように、押し上げ部61を下降させ、スプリング46により、ウエハ上面接触部41とウエハ下面接触部42の位置関係が初期の状態になるように移動して、ウエハ48の周縁の一部を挟む。
Thereafter, as shown in FIG. 5C, the push-up
なお、下面接触部42aと上面接触部41aとの間隔は、既知のウエハ48の厚さに応じて予め調整しておく。
The distance between the lower
このようにして、ウエハ48を上下両側から挟むようにする。特に、下面接触部42aは針状であるため、ウエハの下面の1点に突き刺さり、ウエハ48内部に蓄積する電荷を捕捉してその電荷を放電させることが可能となる。
In this way, the
以上説明したように、本実施形態では、電荷放電機構によってウエハの周縁部の一部を上下両側から挟むようにしている。ウエハの上部はウエハ面に接触し、ウエハの下部は突き刺さる針状の端子を用いている。電荷放電機構はセラミックで構成し、その表面に導電性材料をメッキした構成にしている。これにより、ウエハに帯電する電荷をウエハの表面からだけでなく、ウエハの内部からも捕捉して放電することができ、ウエハの帯電を効果的に防止することが可能となる。 As described above, in this embodiment, a part of the peripheral portion of the wafer is sandwiched from both the upper and lower sides by the charge discharge mechanism. The upper part of the wafer is in contact with the wafer surface, and the lower part of the wafer uses needle-like terminals that pierce. The charge discharge mechanism is made of ceramic and the surface thereof is plated with a conductive material. As a result, the charge charged on the wafer can be captured and discharged not only from the surface of the wafer but also from the inside of the wafer, and the wafer can be effectively prevented from being charged.
また、本実施形態では、ウエハの上側に接触するウエハ上面接触部と下部に接触するウエハ下面接触部とは、シャフトを介して接続され、ウエハの下部に接触する方は板ばねを介してウエハステージに固定されている。このように、電荷放電機構は、ばね性によりフローティング状態になっており、ウエハを挟んだ状態で、ウエハの面にならうため、余計な負荷を与えることがなく、ウエハに撓みが発生することを防止することが可能となる。 In this embodiment, the wafer upper surface contact portion that contacts the upper side of the wafer and the wafer lower surface contact portion that contacts the lower portion are connected via a shaft, and the one that contacts the lower portion of the wafer via a leaf spring. It is fixed on the stage. In this way, the charge discharge mechanism is in a floating state due to its spring property, and it follows the surface of the wafer with the wafer sandwiched therebetween, so that no additional load is applied and the wafer is bent. Can be prevented.
なお、本実施形態のように、電荷放電機構をウエハ21の上下両側を挟むようにして電荷を放電させることにより、従来の帯電防止手段を施した場合よりもウエハ上に正確に電子ビームを露光できることが確認されている。
As in the present embodiment, by discharging the charge with the charge discharge mechanism sandwiching the upper and lower sides of the
また、本実施形態では、電荷放電機構がウエハの一箇所に設置される場合を例にとって説明したが、これに限らず、電荷放電機構をウエハの複数の箇所に設置するようにしてもよい。電荷放電機構を複数設置することにより、発生する電荷と電荷放電機構との距離を短くすることができ、より効率的にウエハの帯電を防止することが可能になる。 In this embodiment, the case where the charge discharge mechanism is installed at one location of the wafer has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and the charge discharge mechanism may be installed at a plurality of locations on the wafer. By installing a plurality of charge discharge mechanisms, the distance between the generated charges and the charge discharge mechanism can be shortened, and the wafer can be more efficiently prevented from being charged.
また、本実施形態では、電荷放電機構を構成するウエハ上面接触部とウエハ下面接触部が共に可動する場合について説明したが、これに限らず、例えば、ウエハ上面接触部だけが可動するようにしてもよい。
In the present embodiment, the case where both the wafer upper surface contact portion and the wafer lower surface contact portion constituting the charge discharge mechanism are movable has been described. However, the present invention is not limited to this. For example, only the wafer upper surface contact portion is movable. Also good.
Claims (7)
前記ウエハに帯電する電荷を放電させる電荷放電手段とを有する電子ビーム露光装置であって、
前記電荷放電手段は、
前記ウエハの上部と接する上面接触部を有する第1接続手段と、
前記ウエハの下部と接する下面接触部を有する第2接続手段と、
前記第1接続手段と前記第2接続手段とを互いに回転可能に接続する軸と、
前記第2接続手段とウエハステージとに接続され、前記第1接続手段及び前記第2接続手段を前記ウエハステージ上に固定する板ばねと、
を備えたことを特徴とする電子ビーム露光装置。A wafer stage on which the wafer is placed;
An electron beam exposure apparatus having charge discharge means for discharging the charge charged on the wafer,
The charge discharging means includes
First connection means having an upper surface contact portion in contact with the upper portion of the wafer;
Second connection means having a lower surface contact portion in contact with the lower portion of the wafer;
A shaft that rotatably connects the first connecting means and the second connecting means;
A leaf spring connected to the second connection means and the wafer stage, and fixing the first connection means and the second connection means on the wafer stage;
An electron beam exposure apparatus comprising:
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JPH1167884A (en) * | 1997-08-22 | 1999-03-09 | Hitachi Ltd | Electrostatic attraction device and electron beam plotting apparatus using it |
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JP2006108643A (en) * | 2004-09-10 | 2006-04-20 | Hitachi High-Technologies Corp | For charged particle beam lithography device and charged particle beam lithography method |
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