JP5024774B2 - 3端子固有ジョセフソン接合積層体 - Google Patents
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r2CaCu2O8の場合では各々の接合間距離は1.5nmであり、固有ジョセフソン接
合(IJJ)と呼ばれる(R.Kleinerら,1992;G.Oyaら,1992)。高温(high-Tc)超伝導
体における固有ジョセフソン接合の発見は、マイクロエレクトロニクスの分野に、例えば、固有ジョセフソン接合を利用した高周波検出器、テラヘルツ発振器、超伝導デジタル回路等の新しい分野を切り開いた。しかし、実際にこれらが実現されるまでには、更に解決しなければならない問題は多い。一つの興味深い課題は、固有ジョセフソン接合の集積化である。言い換えれば、実際に応用される場合〔例えば、量子電圧標準(quantum voltage standard)〕のように多数の接合がある場合に、どのようにしたら多数の接合をもつ大きな接合アレイをつくれるか、さらには、自己発熱や照射光の不均等な分布をどう防ぐか、ということである。
らの発熱のような他の影響は避けがたい。
本発明は、固有ジョセフソン接合特性とともに、温度等の物理パラメータを測定することができる固有ジョセフソン接合積層体を提供すること及びそれを用いた固有ジョセフソン接合積層体の評価方法を提供することを課題とする。
すなわち、本発明は、劈開性単結晶を立体的に微細加工して得られる(劈開性単結晶だけで構成される)固有ジョセフソン接合積層体であって、その固有ジョセフソン接合積層体の上部には上部電極(T)が、中間部には中間電極(M1/M2)が、下部には下部電極(B)が各々、積層面(a−b面)に並行に突き出るように形成されるとともに、前記上部電極と中間電極との間、及び中間電極と下部電極との間にはいずれにも固有ジョセフソン接合スタック(各々、「上部スタック」及び「下部スタック」という)が形成されている固有ジョセフソン接合積層体、である。
下部電極(B)と他の中間電極(M2)との間(すなわち、「下部スタック」)で、電流−電圧特性から見積もられる物理パラメータを測定することを特徴とする、固有ジョセフソン接合積層体の評価方法も提供する。なおここで、逆に、下部スタックにおいて固有ジョセフソン接合特性を測定し、上部スタックにおいて電流−電圧特性から見積もられる物理パラメータを測定しても構わない。
上記固有ジョセフソン接合特性としては、通常、電流−電圧特性が選ばれる。また、上記電流−電圧特性から見積もられる物理パラメータとしては、典型的なものは温度であり、そのほかにも電流―電圧特性に影響を与えるもの、たとえば磁場の強さ、電磁波の強度又は周波数等の特性であってもよい。以下の実施例においては、電流―電圧特性を測定し、その変化から温度を見積もることにより温度を測定するものであるが、磁場の強さ、電磁波の強度、周波数等の物理パラメータも電流−電圧特性に影響を与えるものであるから、温度と同様に測定できる。
と共にスタックを2個(あるいはその整数倍)形成させた固有ジョセフソン接合積層体である。これによって接合アレイの中の所望する点へ原子スケールでアクセスできる。
また、本発明の固有ジョセフソン接合積層体は、固有ジョセフソン接合における物理的プロセスを探るための必須のプローブを提供する。
本発明の(ジョセフソン接合積層体の)評価方法を用いて、2個のスタック(上部スタック及び下部スタック)のうちの一方のスタックを通常の固有ジョセフソン接合特性評価用スタックとし、他方のスタックを温度測定用スタックとして用いれば、ジュール熱などによる加熱(温度変化)が起きているかどうかをリアルタイムでモニターしながら、そのジョセフソン接合(スタック)におけるジョセフソン特性の測定が可能である。
本発明の固有ジョセフソン接合積層体を用いた固有ジョセフソン接合アレイは、超伝導デジタル回路、3端子デバイス、3次元アレイ、及びその他のマイクロエレクトロニクス分野で多くの応用が期待できる。
図1は、本発明の一例の固有ジョセフソン接合積層体(模式図)であり、図2はその固有ジョセフソン接合積層体を用いてMgO基板上に作られた固有ジョセフソン接合アレー(サンプル)の光学顕微鏡像(平面図)で、図2中の点線で囲ったコア部分が上記固有ジョセフソン接合積層体である。基板MgOは透明なので、背後から光を当てるとサンプルの構造が詳細に分かる。図1の模式図から分かるように、サンプル中には、中間部のわずか100nm(1000オングストローム)の厚みのBSCCO電極によって分離された二つのスタックがある。図では、この電極は薄くて殆ど透明である。固有ジョセフソン接合積層体は、BSCCO電極によって分離された二つのスタック(数百オングストロームにデザインされる)のほかに、数十のジョセフソン接合T,B,及びM(T:上部電極、B:下部電極、M:中間電極)を有している。TM間のスタックはいわゆる「上部スタック」と呼ばれ、MB間のスタックはいわゆる「下部スタック」と呼ばれ、TB間のスタックはいわゆる「上部下部間スタック」と各々呼ばれる。BSCCO電極はいずれも(平面視で)末広がりにテーパーがついていて、更に、電圧端子と電流端子(図2では金線を用いている)との二つに分けられている。合計8つの端子が製作されており、これを用いて、任意の二つの積層間の様々な輸送特性やスタック間の相互作用を測定できる。
である。全ての測定は、物性測定システム(Quantum Design)を用いて4.2Kで行なった。いくつかのサンプルについての臨界電流の温度依存性については、4.2Kからその臨界温度までの範囲で行なった。これらのデータを用いて、臨界電流の値からサンプルの温度を推定した。
測定されたI-V特性は均一な接合特性を有する固有ジョセフソン接合の典型的なもので
ある。マルチの分枝数を注意深く数えると、いずれの場合も55の接合があり、これは精密な製作物であることを示している。しかしながら、フォトリソグラフィーのあいだのマスク材の位置合わせの少々の誤差が原因で、上部スタック及び下部スタックは異なるa−b平面サイズを有しており、臨界電流は各々90μA及び60μAであった。
性である。図3(b)と図3(a)、(c)とを比較すると、面白いことに上部下部間スタックのI-V曲線では、ある点で電流の急激な上昇があることに気付く。この電流の急激
な上昇は、下部スタックの臨界電流値をちょうど越えた電流で起こっている。このことは偶然に観察したが、この観察は、電流が急に上昇する点で下部スタックの全ての接合は電圧状態(voltage state)にあると我々に信じさせる。全体として、下部スタックは上部
スタックの臨界電流を抑える熱源のように振舞う。ここでは示さない上部スタックの臨界
電流の温度依存性を参照して、図3(b)の上部スタックは約36Kであると推定している。
図4の曲線は、センサースタックの臨界電流(Ic)とそれに対応する温度が、バイアスドスタックのバイアス電流(Ib)に依存していることを示している。データは、バイアス電流をゼロから1.28mAに増加させて得(▲印)、それから、ゼロに減少させて得た(▼印)ものである。この順序は、バイアス電流自体が重要であるほどには重要でないことは明らかである。図4にはまた、その二つのスタックが存在する有効温度(Te)が示されている。接合の多くが電圧状態(voltage state)(50−100μAのバイアス電流
を有する)へ転換するほど、Teは非常に早く上昇することが分かる。610μAでは、Teは既に70Kと高い。更にバイアス電流が増加すると、臨界温度88Kを超え、その後上昇傾向はゆっくりとなる。これは、より高温ではc軸の比抵抗(resistivity)が減少す
るためと考えられる。このバイアス源の電圧制限の理由で、我々は100−600μAの範囲のバイアス電流のデータは得られていない。にもかかわらず、Teは35Kと70Kの間であると信じる多くの理由を我々は持っている。
T:上部電極
M、M1、M2:中間電極
Claims (5)
- 劈開性単結晶を立体的に微細加工して得られる固有ジョセフソン接合積層体であって、
その固有ジョセフソン接合積層体の上部には立体的に微細加工された前記劈開性単結晶の一部で構成される上部電極が、中間部には立体的に微細加工された前記劈開性単結晶の一部で構成される中間電極が、下部には立体的に微細加工された前記劈開性単結晶の一部で構成される下部電極が各々、積層面に並行に突き出るように形成されるとともに、
前記上部電極と中間電極との間、及び中間電極と下部電極との間にはいずれにも、固有ジョセフソン接合スタックが形成されていることを特徴とする固有ジョセフソン接合積層体。 - 前記劈開性単結晶はビスマス・ストロンチウム・カルシウム・銅酸化物単結晶であることを特徴とする請求項1の固有ジョセフソン接合積層体。
- 劈開性単結晶だけで構成される固有ジョセフソン接合積層体の上部、中間部及び下部に各々、積層面に並行に突き出るように上部電極、中間電極及び下部電極を形成するとともに、
前記上部電極と中間電極との間、及び中間電極と下部電極との間に、各々固有ジョセフソン接合スタックを形成し、
上部電極と中間電極との間(上部スタック)及び下部電極と他の中間電極との間(下部スタック)のうち一方のスタックで、固有ジョセフソン接合特性を測定し、
他方のスタックで、電流−電圧特性から見積もられる物理パラメータを測定することを特徴とする、固有ジョセフソン接合積層体の評価方法。 - 前記劈開性単結晶はビスマス・ストロンチウム・カルシウム・銅酸化物単結晶であることを特徴とする請求項3の評価方法。
- 前記物理パラメータが温度であることを特徴とする請求項3又は4の評価方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005007454A JP5024774B2 (ja) | 2005-01-14 | 2005-01-14 | 3端子固有ジョセフソン接合積層体 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005007454A JP5024774B2 (ja) | 2005-01-14 | 2005-01-14 | 3端子固有ジョセフソン接合積層体 |
Publications (2)
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---|---|
JP2006196741A JP2006196741A (ja) | 2006-07-27 |
JP5024774B2 true JP5024774B2 (ja) | 2012-09-12 |
Family
ID=36802563
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005007454A Expired - Fee Related JP5024774B2 (ja) | 2005-01-14 | 2005-01-14 | 3端子固有ジョセフソン接合積層体 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5024774B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101564438B1 (ko) | 2014-01-23 | 2015-10-29 | 포항공과대학교 산학협력단 | 선천성 적층형 단결정 물질을 포함하는 적층형 소자 및 그의 제조방법 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0260175A (ja) * | 1988-08-04 | 1990-02-28 | Hypres Inc | 10↑−↑1↑5秒3端子スイッチ及び垂直トンネル接合 |
JP2003069095A (ja) * | 2001-08-27 | 2003-03-07 | Japan Science & Technology Corp | 固有ジョセフソン素子を含む集積回路によるミリ波・サブミリ波受信機 |
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JP2006196741A (ja) | 2006-07-27 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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