JP4974656B2

JP4974656B2 - Display device and method for manufacturing display device

Info

Publication number: JP4974656B2
Application number: JP2006323218A
Authority: JP
Inventors: 邦雄細谷
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2005-12-01
Filing date: 2006-11-30
Publication date: 2012-07-11
Anticipated expiration: 2026-11-30
Also published as: JP2007179034A

Description

本発明は、携帯電話等の携帯型情報端末機器に用いて両面表示可能な表示装置、及びその作製方法に関する。 The present invention relates to a display device capable of double-sided display for use in a portable information terminal device such as a mobile phone, and a manufacturing method thereof.

従来の携帯電話においては、メインディスプレイと、メールの到着や時間を知らせる為の背面ディスプレイ（サブディスプレイ）とで構成されたものが広く採用されている。 A conventional mobile phone is widely used that includes a main display and a rear display (sub-display) for notifying the arrival and time of mail.

例えば、メインディスプレイ及びサブディスプレイの両方を透過型液晶パネルとした構造がある。これは、一つのバックライト装置の両側に液晶パネルを一枚ずつ設けた構成となっている。（例えば、特許文献１） For example, there is a structure in which both a main display and a sub display are transmissive liquid crystal panels. This is a configuration in which one liquid crystal panel is provided on each side of one backlight device. (For example, Patent Document 1)

また、薄膜トランジスタ（以下「ＴＦＴ」という）などの能動素子を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置がある。（例えば、特許文献２）
特開２００１−２９８５１９号公報特開平９−１７１１９２号公報 In addition, there is an active matrix liquid crystal display device using an active element such as a thin film transistor (hereinafter referred to as “TFT”). (For example, Patent Document 2)
JP 2001-298519 A JP-A-9-171192

しかし、一つのバックライト装置の両側に液晶パネルを一枚ずつ設けた構成は、基板を４枚使用している。そして、表示装置の厚さは、基板４枚分の厚さとバックライトの厚さの和よりも厚くなる。そして、携帯型情報端末機器等は薄型化が要望されている為、表示装置をもっと薄くする必要がある。 However, the configuration in which one liquid crystal panel is provided on each side of one backlight device uses four substrates. The thickness of the display device is larger than the sum of the thickness of the four substrates and the thickness of the backlight. Since portable information terminal devices and the like are required to be thin, it is necessary to make the display device thinner.

また、アクティブマトリクス型液晶表示装置は、ＴＦＴ、容量、抵抗等の素子を配置した電気回路を有する領域（ＴＦＴ領域）が形成された基板と、カラーフィルタ、ブラックマトリクス、液晶に電圧を印加する為の電極を有する領域（対向領域）が形成された基板と、の間に配向膜、スペーサー及び液晶を挟み込むという構成である。したがって、一つの液晶表示装置を作製する為には、基板を２枚用意し、ＴＦＴ領域が形成された基板と対向領域が形成された基板を、別々に作製する必要がある。 In addition, an active matrix liquid crystal display device applies voltage to a substrate on which a region (TFT region) having an electric circuit in which elements such as TFTs, capacitors, and resistors are arranged, a color filter, a black matrix, and liquid crystal. An alignment film, a spacer, and a liquid crystal are sandwiched between a substrate having a region (opposite region) having the electrode and the substrate. Therefore, in order to manufacture one liquid crystal display device, it is necessary to prepare two substrates and separately manufacture a substrate in which a TFT region is formed and a substrate in which a counter region is formed.

したがって、従来の技術では、ＴＦＴ等を有する基板の装置処理回数と、カラーフィルター等を有する基板の装置処理回数と、の合計の装置処理回数が多くなってしまうという問題がある。 Therefore, in the conventional technique, there is a problem that the total number of times of device processing, that is, the number of times of device processing of a substrate having a TFT or the like and the number of times of device processing of a substrate having a color filter or the like increases.

合計装置処理回数が増加すると、歩留まりが低下し、コストの増加にもつながる。 As the total number of device processing increases, the yield decreases and the cost increases.

「装置処理回数」とは、液晶表示装置が完成するまでに基板が装置で処理される回数である。以下の記載においても同様である。 “Number of times of device processing” is the number of times the substrate is processed in the device before the liquid crystal display device is completed. The same applies to the following description.

本発明は、上述の課題に鑑み、薄型で両面表示可能な液晶表示装置及びその歩留まりを向上させる作製方法を提供することを目的とするものである。 In view of the above-described problems, an object of the present invention is to provide a thin liquid crystal display device capable of double-sided display and a manufacturing method for improving the yield.

本発明に係る液晶表示装置、又は液晶表示装置作製用基板の構成について述べる。 The structure of the liquid crystal display device or the substrate for manufacturing the liquid crystal display device according to the present invention will be described.

「液晶表示装置作製用基板」とは、上記ＴＦＴ領域又は上記対向領域のどちらか一方が、少なくとも一つ形成されている基板をいう。 The “substrate for manufacturing a liquid crystal display device” refers to a substrate on which at least one of the TFT region or the counter region is formed.

「ＴＦＴ領域」とは、少なくとも、液晶表示制御の為のＴＦＴと、ＴＦＴ同士を接続する配線と、画素電極と、（以下「ＴＦＴ等」という）を配置した電気回路を有する領域をいう。また、他の構成要素（例えば、ＴＦＴ同士を接続する配線と、画素電極と容量素子、抵抗素子、層間絶縁膜、カラーフィルタ、ブラックマトリクス等）を有するものであっても、液晶表示制御の為のＴＦＴ等を有していれば「ＴＦＴ領域」に含むものをいう。 The “TFT region” refers to a region having an electric circuit in which at least a TFT for liquid crystal display control, a wiring connecting the TFTs, a pixel electrode, and (hereinafter referred to as “TFT or the like”) are arranged. In addition, even if it has other components (for example, wiring for connecting TFTs, pixel electrodes and capacitor elements, resistance elements, interlayer insulating films, color filters, black matrices, etc.) If it has a TFT or the like, it is included in the “TFT region”.

「対向領域」とは、少なくとも、対向電極を有する領域をいう。また、（例えば、層間絶縁膜、カラーフィルタ、ブラックマトリクス等）を有するものであっても、対向電極を有していれば「対向領域」に含むものをいう。 The “opposite region” means at least a region having a counter electrode. Moreover, even if it has (for example, an interlayer insulating film, a color filter, a black matrix, etc.), it means what is included in the “opposing region” if it has a counter electrode.

ここで、液晶に電圧を印加する為の電極を「画素電極」と「対向電極」とする。また、ＴＦＴ等によって表示制御のために電圧が制御される電極を「画素電極」とする。一方、画素電極の対向側に位置し、表示中は電圧の制御がなされず一定の電圧が印加される電極を「対向電極」とする。 Here, an electrode for applying a voltage to the liquid crystal is referred to as a “pixel electrode” and a “counter electrode”. An electrode whose voltage is controlled for display control by a TFT or the like is referred to as a “pixel electrode”. On the other hand, an electrode which is located on the opposite side of the pixel electrode and to which a constant voltage is applied without controlling the voltage during display is referred to as a “counter electrode”.

本発明に係る液晶表示装置、又は液晶表示装置作製用基板の構成は、第１のＴＦＴ領域は、第１のゲート電極を有し、第２のＴＦＴ領域は、第２のゲート電極を有し、第１の対向領域は、第１のブラックマトリクスを有しており、第２の対向領域は、第２のブラックマトリクスを有しており、前記第１のゲート電極と、前記第２のゲート電極と、前記第１のブラックマトリクスと、前記第２のブラックマトリクスと、は同層であることを特徴とする。 In the structure of the liquid crystal display device or the substrate for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, the first TFT region has the first gate electrode, and the second TFT region has the second gate electrode. The first counter region has a first black matrix, the second counter region has a second black matrix, the first gate electrode, and the second gate. The electrode, the first black matrix, and the second black matrix are in the same layer.

「ブラックマトリクス」とは、ＲＧＢ（赤、緑、青）のカラーフィルタの各ドットの周辺を窓枠のように黒く縁取り、光漏れ防止（遮光）の役割を果たし、同時にコントラスト向上や製造時の混色防止の役割を果たすものである。 The “black matrix” means that each dot of the RGB (red, green, blue) color filter has a black border like a window frame and serves to prevent light leakage (light shielding). It plays a role in preventing color mixing.

ここで、同時に成膜した薄膜を、マスクパターン転写技術を用いて加工し、Ａ_１からＡ_ＮまでのＮ個の領域（Ｎは２以上の自然数）を形成した場合、「Ａ_１と、Ａ_２と、〜Ａ_Ｎと、は同層」と記載するものとする。例えば、導電膜を成膜し、マスクパターン転写技術により、第１の電極と、第２の電極と、第１の配線と、第２の配線と、を形成した場合、「第１の電極と、第２の電極と、第１の配線と、第２の配線と、は同層」と記載する。また、「Ａ_１と、Ａ_２と、〜Ａ_Ｎと、は同層」であれば、「Ａ_１と、Ａ_２と、〜Ａ_Ｎと、は同一材料」からなる。 Here, the thin film formed at the same time, when processed using the mask pattern transfer technique, N-number of regions from A ₁ to A _N (N is the natural number of 2 or more) to form, as "A _1, A ₂ and ˜A _N are described as “the same layer”. For example, when a conductive film is formed and the first electrode, the second electrode, the first wiring, and the second wiring are formed by a mask pattern transfer technique, The second electrode, the first wiring, and the second wiring are the same layer ”. Further, "the _{A 1,} and _{A 2,} and to A _N, the same layer" if, "and _{A 1,} and _{A 2,} and to A _N, the same material" composed of.

ここで、「成膜」とは、基板全面に所望の物質を形成することをいう。例えば、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法、蒸着法等により基板全面に所望の物質を形成する方法があり、また、スピンコート法、スリット方式等の液体材料を用いて膜を形成する方法も含むこととする。ただし、これら例示した方法に限定されるものではなく、関連する技術分野において、基板全面に所望の物質を形成することができる他の技術手段も含まれるものとする。以下の記載においても同様である。 Here, “film formation” refers to forming a desired substance on the entire surface of the substrate. For example, there is a method of forming a desired substance on the entire surface of the substrate by a CVD method, a PVD method, a vapor deposition method, or the like, and a method of forming a film using a liquid material such as a spin coating method or a slit method is also included. . However, the method is not limited to these exemplified methods, and other technical means capable of forming a desired substance on the entire surface of the substrate are also included in the related technical field. The same applies to the following description.

また、「マスクパターン」とは、マスクの幾何学的模様（パターン）のことである。マスクパターンは作製しようとする素子及び電気回路構成によって決定される。以下の記載においても同様である。 The “mask pattern” is a geometric pattern (pattern) of the mask. The mask pattern is determined by the element to be manufactured and the electric circuit configuration. The same applies to the following description.

また、「マスクパターン転写技術」とは、所望の物質を所望のマスクパターンに形成する技術をいう。例えば、リソグラフィ法、インクジェット法、ナノインプリント法等により、一時的なマスクを形成し、マスクに覆われていない部分をエッチングし、その後、一時的なマスクを除去することにより、所望の物質を所望の形状に加工する方法や、感光性の有機膜（例えば、レジスト、アクリル、ポリイミド等）にマスクパターンを露光後、現像することにより露光された部分を除去し、感光性の有機膜を所望の形状に加工する方法がある。また、インクジェット法やナノインプリント法等により、直接的に所望の物質を所望のマスクパターンを形成する方法もある。ただし、これら例示した方法に限定されるものではなく、関連する技術分野において、所望の物質を所望のマスクパターンを形成することができる他の技術手段も含まれるものとする。以下の記載においても同様である。 The “mask pattern transfer technique” refers to a technique for forming a desired substance into a desired mask pattern. For example, a temporary mask is formed by a lithography method, an ink jet method, a nanoimprint method, or the like, a portion that is not covered with the mask is etched, and then the temporary mask is removed to obtain a desired substance in a desired manner. A method of processing into a shape, or exposing a mask pattern to a photosensitive organic film (for example, resist, acrylic, polyimide, etc.) and then developing to remove the exposed portion, thereby forming a photosensitive organic film in a desired shape There is a method of processing. There is also a method of directly forming a desired mask pattern of a desired substance by an ink jet method or a nanoimprint method. However, the present invention is not limited to these exemplified methods, and other technical means capable of forming a desired mask pattern of a desired substance in a related technical field are also included. The same applies to the following description.

なお、成膜を行い、リソグラフィ法により、一時的なマスクを形成し、マスクに覆われていない部分をエッチングし、その後、一時的なマスクを除去することにより、所望の物質を所望の形状に加工する方法は広く採用されており、この方法を用いて、ＴＦＴや容量、抵抗等の素子を配置した電気回路は、一度基板全面に所望の物質を成膜した後、所望のマスクパターンに加工するので、同じ材料を用いて同時に別々の素子を形成することが可能である。 Note that a temporary mask is formed by lithography, a portion not covered with the mask is etched, and then the temporary mask is removed to form a desired substance into a desired shape. The processing method is widely adopted, and using this method, an electric circuit in which elements such as TFTs, capacitors, resistors, etc. are arranged is processed into a desired mask pattern after a desired material is once formed on the entire surface of the substrate. Therefore, it is possible to simultaneously form separate elements using the same material.

また、本発明に係る他の液晶表示装置、又は液晶表示装置作製用基板の構成は、第１のＴＦＴ領域は、第１の配線を有し、第２のＴＦＴ領域は、第２の配線を有し、第１の対向領域は、第１のブラックマトリクスを有しており、第２の対向領域は、第２のブラックマトリクスを有しており、前記第１の配線と、前記第２の配線と、前記第１のブラックマトリクスと、前記第２のブラックマトリクスと、は同層であることを特徴とする。 In the structure of another liquid crystal display device or a substrate for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, the first TFT region has the first wiring and the second TFT region has the second wiring. The first counter region has a first black matrix, the second counter region has a second black matrix, and the first wiring and the second black matrix The wiring, the first black matrix, and the second black matrix are in the same layer.

また、本発明に係る他の液晶表示装置、又は液晶表示装置作製用基板は、第２のＴＦＴ領域にブラックマトリクスを有することを特徴とする。 Another liquid crystal display device or a substrate for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention has a black matrix in the second TFT region.

また、本発明に係る他の液晶表示装置、又は液晶表示装置作製用基板は、第１のＴＦＴ領域は、第１のブラックマトリクスを有し、第２のＴＦＴ領域は、第２のブラックマトリクスを有し、前記第１のブラックマトリクスと、前記第２のブラックマトリクスと、は同層であることを特徴とする。 In another liquid crystal display device or a substrate for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, the first TFT region has the first black matrix, and the second TFT region has the second black matrix. And the first black matrix and the second black matrix are in the same layer.

また、本発明に係る他の液晶表示装置、又は液晶表示装置作製用基板は、第１のＴＦＴ領域は、第１のゲート電極を有し、第２のＴＦＴ領域は、第２のゲート電極と、反射電極と、を有し、前記第１のゲート電極と、前記第２のゲート電極と、前記反射電極と、同層であることを特徴とする。 In another liquid crystal display device or a substrate for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, the first TFT region has a first gate electrode, and the second TFT region has a second gate electrode. , A reflective electrode, and the first gate electrode, the second gate electrode, and the reflective electrode are in the same layer.

また、本発明に係る他の液晶表示装置、又は液晶表示装置作製用基板は、第１のＴＦＴ領域は、第１の配線を有し、第２のＴＦＴ領域は、第２の配線と、反射電極と、を有し、前記第１の配線と、前記第２の配線と、前記反射電極と、同層であることを特徴とする。 In another liquid crystal display device or a substrate for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, the first TFT region has the first wiring, the second TFT region has the second wiring, and the reflection. The first wiring, the second wiring, and the reflective electrode are in the same layer.

また、本発明に係る他の液晶表示装置、又は液晶表示装置作製用基板は、第１のＴＦＴ領域は、第１のゲート電極を有し、第２のＴＦＴ領域は、第２のゲート電極を有し、第２の対向領域は反射電極を有し、前記第１のゲート電極と、前記第２のゲート電極と、前記反射電極と、は同層であることを特徴とする。 In another liquid crystal display device or a substrate for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, the first TFT region has a first gate electrode, and the second TFT region has a second gate electrode. And the second opposing region has a reflective electrode, and the first gate electrode, the second gate electrode, and the reflective electrode are in the same layer.

また、本発明に係る他の液晶表示装置、又は液晶表示装置作製用基板は、第１のＴＦＴ領域は、第１の配線を有し、第２のＴＦＴ領域は、第２の配線を有し、第２の対向領域は反射電極を有し、前記第１の配線と、前記第２の配線と、前記反射電極と、は同層であることを特徴とする。 In another liquid crystal display device or a substrate for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, the first TFT region has a first wiring, and the second TFT region has a second wiring. The second facing region has a reflective electrode, and the first wiring, the second wiring, and the reflective electrode are in the same layer.

また、本発明に係る他の液晶表示装置、又は液晶表示装置作製用基板は、第１のＴＦＴ領域は、第１の透明電極を有し、第１の対向領域は、第２の透明電極を有しており、第２の対向領域は、第３の透明電極を有し、前記第１の透明電極と、前記第２の透明電極と、前記第３の透明電極と、は同層であることを特徴とする。 In another liquid crystal display device or a substrate for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, the first TFT region has a first transparent electrode, and the first counter region has a second transparent electrode. The second transparent region has a third transparent electrode, and the first transparent electrode, the second transparent electrode, and the third transparent electrode are in the same layer. It is characterized by that.

また、本発明に係る他の液晶表示装置、又は液晶表示装置作製用基板は、第１のＴＦＴ領域は、第１の透明電極を有し、第１の対向領域は、第２の透明電極を有しており、第２のＴＦＴ領域は、第３の透明電極を有し、前記第１の透明電極と、前記第２の透明電極と、前記第３の透明電極と、は同層であることを特徴とする。 In another liquid crystal display device or a substrate for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, the first TFT region has a first transparent electrode, and the first counter region has a second transparent electrode. And the second TFT region has a third transparent electrode, and the first transparent electrode, the second transparent electrode, and the third transparent electrode are in the same layer. It is characterized by that.

また、本発明に係る他の液晶表示装置、又は液晶表示装置作製用基板は、第１のＴＦＴ領域は、第１の透明電極を有し、第２のＴＦＴ領域は、第２の透明電極を有し、第１の対向領域は、第３の透明電極を有しており、第２の対向領域は、第４の透明電極を有し、前記第１の透明電極と、前記第２の透明電極と、前記第３の透明電極と、前記第４の透明電極と、は同層であることを特徴とする。 In another liquid crystal display device or a substrate for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, the first TFT region has a first transparent electrode, and the second TFT region has a second transparent electrode. The first opposing region has a third transparent electrode, the second opposing region has a fourth transparent electrode, and the first transparent electrode and the second transparent electrode The electrode, the third transparent electrode, and the fourth transparent electrode are the same layer.

また、本発明に係る他の液晶表示装置、又は液晶表示装置作製用基板は、第１の対向領域は、第１の層間絶縁膜を有しており、第２の対向領域は、第２の層間絶縁膜を有し、前記第１の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜と、は同層であることを特徴とする。 In another liquid crystal display device or a substrate for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, the first facing region has a first interlayer insulating film, and the second facing region has a second interlayer insulating film. It has an interlayer insulating film, and the first interlayer insulating film and the second interlayer insulating film are the same layer.

また、本発明に係る他の液晶表示装置、又は液晶表示装置作製用基板は、第１のＴＦＴ領域は、第１の層間絶縁膜を有し、第２のＴＦＴ領域は、第２の層間絶縁膜を有し、第１の対向領域は、第３の層間絶縁膜を有しており、第２の対向領域は、第４の層間絶縁膜を有し、前記第１の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜と、前記第３の層間絶縁膜と、前記第４の層間絶縁膜と、は同層であることを特徴とする。 In another liquid crystal display device or a substrate for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, the first TFT region has a first interlayer insulating film, and the second TFT region has a second interlayer insulating film. The first opposing region has a third interlayer insulating film, the second opposing region has a fourth interlayer insulating film, and the first interlayer insulating film, The second interlayer insulating film, the third interlayer insulating film, and the fourth interlayer insulating film are the same layer.

また、本発明に係る他の液晶表示装置、又は液晶表示装置作製用基板は、第１の対向領域は、第１の透明電極と、第１のレッドカラーフィルターと、第１のグリーンカラーフィルターと、第１のブルーカラーフィルターと、を有し、第２の対向領域は、第２の透明電極と、第２のＴＦＴ領域は第２のレッドカラーフィルターと、第２のグリーンカラーフィルターと、第２のブルーカラーフィルターと、を有し、前記第１の透明電極は、前記第１のレッドカラーフィルターと、前記第１のグリーンカラーフィルターと、前記第１のブルーカラーフィルターと、の上に接して設けられており、前記第２の透明電極は、前記第２のレッドカラーフィルターと、前記第２のグリーンカラーフィルターと、前記第２のブルーカラーフィルターと、の上に接して設けられており、前記第１のレッドカラーフィルターと、前記第２のレッドカラーフィルターと、は同層であり、前記第１のグリーンカラーフィルターと、前記第２のグリーンカラーフィルターと、は同層であり、第１のブルーカラーフィルターと、前記第２のブルーカラーフィルターと、は同層であり、前記第１の透明電極と、前記第２の透明電極と、は同層であることを特徴とする。 In another liquid crystal display device or a substrate for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, the first facing region includes a first transparent electrode, a first red color filter, and a first green color filter. , A first blue color filter, the second opposing region is a second transparent electrode, the second TFT region is a second red color filter, a second green color filter, The first transparent electrode is in contact with the first red color filter, the first green color filter, and the first blue color filter. And the second transparent electrode is disposed on the second red color filter, the second green color filter, and the second blue color filter. The first red color filter and the second red color filter are in the same layer, and the first green color filter and the second green color filter are: In the same layer, the first blue color filter and the second blue color filter are in the same layer, and the first transparent electrode and the second transparent electrode are in the same layer. It is characterized by.

また、本発明に係る他の液晶表示装置、又は液晶表示装置作製用基板は、第１の対向領域は第１のレッドカラーフィルターと、第１のグリーンカラーフィルターと、第１のブルーカラーフィルターと、第１の透明電極と、を有し、第２のＴＦＴ領域は第２のレッドカラーフィルターと、第２のグリーンカラーフィルターと、第２のブルーカラーフィルターと、第２の透明電極と、第３の透明電極と、第４の透明電極と、を有し、前記第１のレッドカラーフィルターと、前記第１のグリーンカラーフィルターと、前記第１のブルーカラーフィルターと、は前記第１の透明電極の下に接して配置され、前記第２のレッドカラーフィルターは、前記第２の透明電極の下に配置され、前記第２のグリーンカラーフィルターは、前記第３の透明電極の下に配置され、前記第２のブルーカラーフィルターは、前記第４の透明電極の下に配置され、前記第１のレッドカラーフィルターと、前記第２のレッドカラーフィルターと、は同層であり、前記第１のグリーンカラーフィルターと、前記第２のグリーンカラーフィルターと、は同層であり、第１のブルーカラーフィルターと、前記第２のブルーカラーフィルターと、は同層であり、前記第１の透明電極の材料と、前記第２の透明電極の材料と、前記第３の透明電極の材料と、前記第４の透明電極の材料と、は同層であることを特徴とする。 In another liquid crystal display device or a substrate for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, the first facing region has a first red color filter, a first green color filter, and a first blue color filter. A first transparent electrode, and the second TFT region has a second red color filter, a second green color filter, a second blue color filter, a second transparent electrode, 3 transparent electrodes and a fourth transparent electrode, wherein the first red color filter, the first green color filter, and the first blue color filter are the first transparent The second red color filter is disposed under the second transparent electrode, and the second green color filter is disposed under the third transparent electrode. The second blue color filter is disposed under the fourth transparent electrode, and the first red color filter and the second red color filter are in the same layer; The first green color filter and the second green color filter are in the same layer, and the first blue color filter and the second blue color filter are in the same layer, and the first transparent The material of the electrode, the material of the second transparent electrode, the material of the third transparent electrode, and the material of the fourth transparent electrode are the same layer.

また、本発明に係る他の液晶表示装置、又は液晶表示装置作製用基板は、第１のＴＦＴ領域は第１のレッドカラーフィルターと、第１のグリーンカラーフィルターと、第１のブルーカラーフィルターと、第１の透明電極と、第２の透明電極と、第３の透明電極と、を有し、第２のＴＦＴ領域は、第２のレッドカラーフィルターと、第２のグリーンカラーフィルターと、第２のブルーカラーフィルターと、第４の透明電極と、第５の透明電極と、第６の透明電極と、を有し、前記第１のレッドカラーフィルターと、前記第２のレッドカラーフィルターと、は同一物質からなり、前記第１のグリーンカラーフィルターと、前記第２のグリーンカラーフィルターと、は同層であり、第１のブルーカラーフィルターと、前記第２のブルーカラーフィルターと、は同層であり、前記第１の透明電極と、前記第２の透明電極と、前記第３の透明電極と、前記第４の透明電極と、前記第５の透明電極と、前記第６の透明電極と、は同層であることを特徴とする。 In another liquid crystal display device or a substrate for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, the first TFT region includes a first red color filter, a first green color filter, and a first blue color filter. , Having a first transparent electrode, a second transparent electrode, and a third transparent electrode, wherein the second TFT region has a second red color filter, a second green color filter, 2 blue color filters, a fourth transparent electrode, a fifth transparent electrode, and a sixth transparent electrode, the first red color filter, the second red color filter, Are made of the same material, and the first green color filter and the second green color filter are in the same layer, the first blue color filter, and the second blue color filter. -Is the same layer, the first transparent electrode, the second transparent electrode, the third transparent electrode, the fourth transparent electrode, the fifth transparent electrode, The sixth transparent electrode is the same layer.

また、本発明に係る他の液晶表示装置、又は液晶表示装置作製用基板は、第１のＴＦＴ領域は、第１のブラックマトリクスと、第１のレッドカラーフィルターと、第１のグリーンカラーフィルターと、第１のブルーカラーフィルターと、からなる第１の層間絶縁膜と、第１の透明電極と、第２の透明電極と、第３の透明電極と、を有し、第２のＴＦＴ領域は、第２の層間絶縁膜と、第２のブラックマトリクスと、第２のレッドカラーフィルターと、第２のグリーンカラーフィルターと、第２のブルーカラーフィルターと、からなる第１の層間絶縁膜と、第４の透明電極と、第５の透明電極と、第６の透明電極と、を有し、前記第１のレッドカラーフィルターは、前記第１の透明電極の下に配置され、前記第１のグリーンカラーフィルターは、前記第２の透明電極の下に配置され、前記第１のブルーカラーフィルターは、前記第３の透明電極の下に配置され、前記第２のレッドカラーフィルターは、前記第４の透明電極の下に配置され、前記第２のグリーンカラーフィルターは、前記第５の透明電極の下に配置され、前記第２のブルーカラーフィルターは、前記第６の透明電極の下に配置されており、前記第１のブラックマトリクスと、前記第２のブラックマトリクスと、は同層であり、前記第１のレッドカラーフィルターと、前記第２のレッドカラーフィルターと、は同層であり、前記第１のグリーンカラーフィルターと、前記第２のグリーンカラーフィルターと、は同層であり、第１のブルーカラーフィルターと、前記第２のブルーカラーフィルターと、は同層であり、前記第１の透明電極と、前記第２の透明電極と、前記第３の透明電極と、前記第４の透明電極と、前記第５の透明電極と、前記第６の透明電極と、は同層であることを特徴とする。 In another liquid crystal display device or a substrate for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, the first TFT region includes a first black matrix, a first red color filter, and a first green color filter. , A first blue color filter, a first interlayer insulating film, a first transparent electrode, a second transparent electrode, and a third transparent electrode, and the second TFT region is A first interlayer insulating film comprising a second interlayer insulating film, a second black matrix, a second red color filter, a second green color filter, and a second blue color filter; A fourth transparent electrode, a fifth transparent electrode, and a sixth transparent electrode, wherein the first red color filter is disposed under the first transparent electrode, Green color filter The first blue color filter is disposed under the third transparent electrode, and the second red color filter is disposed under the fourth transparent electrode. The second green color filter is disposed under the fifth transparent electrode, the second blue color filter is disposed under the sixth transparent electrode, and the second green color filter is disposed under the sixth transparent electrode. The first black matrix and the second black matrix are in the same layer, and the first red color filter and the second red color filter are in the same layer, and the first green color The filter and the second green color filter are in the same layer, and the first blue color filter and the second blue color filter are in the same layer, and the first The transparent electrode, the second transparent electrode, the third transparent electrode, the fourth transparent electrode, the fifth transparent electrode, and the sixth transparent electrode are in the same layer. It is characterized by.

本発明に係る液晶表示装置は、第１の基板と、第２の基板と、を有し、前記第１の基板は、第１のＴＦＴ領域と、第２の対向領域と、を有し、前記第２の基板は、第２のＴＦＴ領域と、第１の対向領域と、を有することを特徴とする。 The liquid crystal display device according to the present invention has a first substrate and a second substrate, and the first substrate has a first TFT region and a second counter region, The second substrate has a second TFT region and a first opposing region.

本発明に係る液晶表示装置は、第１の基板と、第２の基板と、を有し、前記第１の基板は、第１のＴＦＴ領域と、第２のＴＦＴ領域と、を有し、前記第２の基板は、第１の対向領域と、第２の対向領域と、を有することを特徴とする。 The liquid crystal display device according to the present invention has a first substrate and a second substrate, and the first substrate has a first TFT region and a second TFT region, The second substrate has a first opposing region and a second opposing region.

また、本発明に係る他の液晶表示装置の構成は、第１の基板と、第２の基板と、を含む液晶表示装置であって、前記液晶表示装置は、透過型のアクティブマトリクス方式の第１の液晶表示装置と、反射型のアクティブマトリクス方式の第２の液晶表示装置と、を有し、前記第１の基板は、前記第１の液晶表示装置のＴＦＴ領域と、前記第２の液晶表示装置の対向領域と、を有し、前記第２の基板は、前記第１の液晶表示装置の対向領域と、前記第２の液晶表示装置のＴＦＴ領域と、を有することを特徴とする。 Another configuration of the liquid crystal display device according to the present invention is a liquid crystal display device including a first substrate and a second substrate, and the liquid crystal display device is a transmissive active matrix type first liquid crystal display device. 1 liquid crystal display device and a reflective active matrix type second liquid crystal display device, wherein the first substrate includes a TFT region of the first liquid crystal display device and the second liquid crystal display device. And the second substrate has a counter region of the first liquid crystal display device and a TFT region of the second liquid crystal display device.

ここで、透過型のアクティブマトリクス方式の液晶表示装置及び反射型のアクティブマトリクス方式の液晶表示装置について述べる。 Here, a transmissive active matrix liquid crystal display device and a reflective active matrix liquid crystal display device will be described.

「透過型」の液晶表示装置とは、画面裏面の光源（例えばバックライト等）により表示を行うタイプの液晶表示装置である。つまり、液晶表示装置の裏面から光を入射した場合、入射した面と反対側にある表面にて表示が行われる方式の液晶表示装置をいう。以下の記載においても同様である。 The “transmission type” liquid crystal display device is a type of liquid crystal display device that performs display using a light source (for example, a backlight) on the back side of the screen. That is, it refers to a liquid crystal display device of a type in which, when light is incident from the back surface of the liquid crystal display device, display is performed on the surface opposite to the incident surface. The same applies to the following description.

「反射型」の液晶表示装置とは、画面表面の光源（例えば、外光、フロントライト等）により表示を行うタイプの液晶表示装置である。つまり、液晶表示装置の表面から光を入射した場合、液晶表示装置に設けられた光を反射することのできる物質（例えば金属電極）に反射した光が入射した面に反射され、入射した表面にて表示が行われる方式の液晶表示装置をいう。以下の記載においても同様である。 The “reflection type” liquid crystal display device is a type of liquid crystal display device that performs display using a light source (for example, external light, front light, etc.) on the screen surface. That is, when light is incident from the surface of the liquid crystal display device, the light reflected by the substance (for example, a metal electrode) that can reflect the light provided in the liquid crystal display device is reflected by the incident surface and is incident on the incident surface. A liquid crystal display device of a type in which display is performed. The same applies to the following description.

「アクティブマトリクス方式」の液晶表示装置とは、液晶表示の制御が画素部ごとに設けられた薄膜トランジスタにより行われるタイプの液晶表示装置をいう。以下の記載においても同様である。 An “active matrix type” liquid crystal display device refers to a liquid crystal display device of a type in which liquid crystal display control is performed by a thin film transistor provided for each pixel portion. The same applies to the following description.

また、本発明に係る他の液晶表示装置の構成は、第１の基板と、第２の基板と、を含む液晶表示装置であって、前記液晶表示装置は、半透過型のアクティブマトリクス方式の第１の液晶表示装置と、反射型のアクティブマトリクス方式の第２の液晶表示装置と、を有し、前記第１の基板は、前記第１の液晶表示装置のＴＦＴ領域と、前記第２の液晶表示装置の対向領域と、を有し、前記第２の基板は、前記第１の液晶表示装置の対向領域と、前記第２の液晶表示装置のＴＦＴ領域と、を有することを特徴とする。 Another configuration of the liquid crystal display device according to the present invention is a liquid crystal display device including a first substrate and a second substrate, and the liquid crystal display device is a transflective active matrix type. A first liquid crystal display device; and a reflective active matrix second liquid crystal display device, wherein the first substrate includes a TFT region of the first liquid crystal display device, and the second liquid crystal display device. And the second substrate has a facing region of the first liquid crystal display device and a TFT region of the second liquid crystal display device. .

「半透過型」の液晶表示装置は、画面裏面から光が入射されている時は「透過型」の液晶表示装置の機能を有する。一方、画面裏面から光源が入射されていない時は、「反射型」の液晶表示装置の機能を有する。 The “semi-transmissive” liquid crystal display device has the function of a “transmissive” liquid crystal display device when light is incident from the back side of the screen. On the other hand, when the light source is not incident from the back side of the screen, it has a function of a “reflection type” liquid crystal display device.

本発明に係る液晶表示装置の他の構成は、第１の基板と、第２の基板と、を含む液晶表示装置であって、前記液晶表示装置は、透過型のアクティブマトリクス方式の第１の液晶表示装置と、反射型のアクティブマトリクス方式の第２の液晶表示装置と、を有し、前記第１の基板は、前記第１の液晶表示装置のＴＦＴ領域と、前記第２の液晶表示装置のＴＦＴ領域と、を有し、前記第２の基板は、前記第１の液晶表示装置の対向領域と、前記第２の液晶表示装置の対向領域と、を有することを特徴とする。 Another configuration of the liquid crystal display device according to the present invention is a liquid crystal display device including a first substrate and a second substrate, wherein the liquid crystal display device is a first transmissive active matrix type. A liquid crystal display device and a reflective active matrix type second liquid crystal display device, wherein the first substrate includes a TFT region of the first liquid crystal display device and the second liquid crystal display device. And the second substrate has a facing region of the first liquid crystal display device and a facing region of the second liquid crystal display device.

本発明に係る液晶表示装置の他の構成は、第１の基板と、第２の基板と、を含む液晶表示装置であって、前記液晶表示装置は、半透過型のアクティブマトリクス方式の第１の液晶表示装置と、反射型のアクティブマトリクス方式の第２の液晶表示装置と、を有し、前記第１の基板は、前記第１の液晶表示装置のＴＦＴ領域と、前記第２の液晶表示装置のＴＦＴ領域と、を有し、前記第２の基板は、前記第１の液晶表示装置の対向領域と、前記第２の液晶表示装置の対向領域と、を有することを特徴とする。 Another configuration of the liquid crystal display device according to the present invention is a liquid crystal display device including a first substrate and a second substrate, wherein the liquid crystal display device is a transflective active matrix type first. And a reflective active matrix type second liquid crystal display device, wherein the first substrate includes a TFT region of the first liquid crystal display device and the second liquid crystal display. A TFT region of the device, wherein the second substrate has a facing region of the first liquid crystal display device and a facing region of the second liquid crystal display device.

また、本発明に係る第１の液晶表示装置の液晶と第２の液晶表示装置の液晶がシール材によって分離されていても良い。 The liquid crystal of the first liquid crystal display device and the liquid crystal of the second liquid crystal display device according to the present invention may be separated by a sealing material.

上述した液晶表示装置の構成、及び液晶表示装置作製用基板の構成は、適宜組み合わせることが可能である。 The above-described configuration of the liquid crystal display device and the configuration of the substrate for manufacturing a liquid crystal display device can be combined as appropriate.

本発明の表示装置は、第１のＴＦＴ領域と、第１の対向領域と、が形成された第１の基板と、第２のＴＦＴ領域と、第２の対向領域と、が形成された第２の基板と、前記第１のＴＦＴ領域と前記第２の対向領域が対向してなる第１の液晶表示装置と、前記第２のＴＦＴ領域と前記第１の対向領域が対向してなる第２の液晶表示装置と、を有し、前記第１のＴＦＴ領域に形成されたゲート電極と、前記第２のＴＦＴ領域に形成されたゲート電極と、前記第２の対向領域に形成されたブラックマトリクスと、前記第１の対向領域の有するブラックマトリクスと、は同層であることを特徴とする。 The display device of the present invention includes a first substrate on which a first TFT region and a first counter region are formed, a second TFT region, and a second counter region on which a first counter region is formed. Two substrates, a first liquid crystal display device in which the first TFT region and the second opposing region face each other, and a second liquid crystal display device in which the second TFT region and the first opposing region face each other. A liquid crystal display device, a gate electrode formed in the first TFT region, a gate electrode formed in the second TFT region, and a black formed in the second opposing region. The matrix and the black matrix of the first opposing region are in the same layer.

本発明の表示装置は、第１のＴＦＴ領域と、第１の対向領域と、が形成された第１の基板と、第２のＴＦＴ領域と、第２の対向領域と、が形成された第２の基板と、前記第１のＴＦＴ領域と前記第２の対向領域が対向してなる第１の液晶表示装置と、前記第２のＴＦＴ領域と前記第１の対向領域が対向してなる第２の液晶表示装置と、を有し、前記第１のＴＦＴ領域に形成された配線と、前記第２のＴＦＴ領域に形成された配線と、前記第２の対向領域に形成されたブラックマトリクスと、前記第１の対向領域の有するブラックマトリクスと、は同層であることを特徴とする。 The display device of the present invention includes a first substrate on which a first TFT region and a first counter region are formed, a second TFT region, and a second counter region on which a first counter region is formed. Two substrates, a first liquid crystal display device in which the first TFT region and the second opposing region face each other, and a second liquid crystal display device in which the second TFT region and the first opposing region face each other. A liquid crystal display device, a wiring formed in the first TFT region, a wiring formed in the second TFT region, and a black matrix formed in the second opposing region; The black matrix of the first opposing region is the same layer.

本発明の表示装置は、前記第２のＴＦＴ領域に形成されたゲート電極と、前記第２のＴＦＴ領域に形成された反射電極と、は同層であることを特徴とする。 The display device of the present invention is characterized in that the gate electrode formed in the second TFT region and the reflective electrode formed in the second TFT region are in the same layer.

本発明の表示装置は、前記第２のＴＦＴ領域に形成された配線と、前記第２のＴＦＴ領域に形成された反射電極と、は同層であることを特徴とする。 The display device of the present invention is characterized in that the wiring formed in the second TFT region and the reflective electrode formed in the second TFT region are in the same layer.

本発明の表示装置は、前記第１のＴＦＴ領域と、前記第２のＴＦＴ領域と、前記第２の対向領域と、に形成された透明電極は、同層であること特徴とする。 The display device of the present invention is characterized in that the transparent electrodes formed in the first TFT region, the second TFT region, and the second opposing region are in the same layer.

本発明の表示装置は、前記第１のＴＦＴ領域と、前記第２のＴＦＴ領域と、前記第１の対向領域と、前記第２の対向領域と、に形成された層間絶縁膜は、同層であること特徴とする。 In the display device of the present invention, the interlayer insulating film formed in the first TFT region, the second TFT region, the first opposing region, and the second opposing region is the same layer. It is characterized by being.

本発明の表示装置は、前記第１の液晶表示装置は、透過型の液晶表示装置であり、前記第２の液晶表示装置は、反射型又は半透過型の液晶表示装置であることを特徴とする。 The display device of the present invention is characterized in that the first liquid crystal display device is a transmissive liquid crystal display device, and the second liquid crystal display device is a reflective or transflective liquid crystal display device. To do.

本発明の表示装置の作製方法は、基板上に、第１及び第２のＴＦＴ領域と第１及び第２の対向領域とを形成する際、前記第１のＴＦＴ領域のゲート電極と、前記第２のＴＦＴ領域のゲート電極と、前記第２の対向領域のブラックマトリクスと、前記第１の対向領域のブラックマトリクスと、を同時に形成し、前記第１及び第２のＴＦＴ領域と前記第１及び第２の対向領域とが形成された前記基板を分断することにより、第１のＴＦＴ領域と第２の対向領域とが配置された第１の基板と、第２のＴＦＴ領域と第１の対向領域とが配置された第２の基板と、を形成し、前記第１の基板と第２の基板とを対向して貼り合わせることにより、前記第１のＴＦＴ領域と前記第１の対向領域が対向してなる第１の液晶表示装置と、前記第２のＴＦＴ領域と前記第２の対向領域が対向してなる第２の液晶表示装置と、を形成することを特徴とする。 According to the method for manufacturing a display device of the present invention, when the first and second TFT regions and the first and second opposing regions are formed on the substrate, the gate electrode of the first TFT region, the first TFT region, A gate electrode of the second TFT region, a black matrix of the second counter region, and a black matrix of the first counter region are formed simultaneously, and the first and second TFT regions, By dividing the substrate on which the second counter region is formed, the first substrate on which the first TFT region and the second counter region are arranged, and the second TFT region and the first counter region are separated. And forming the second substrate on which the region is disposed, and bonding the first substrate and the second substrate so that the first TFT region and the first opposing region are bonded to each other. A first liquid crystal display device opposed to the second TFT region; Serial second opposing region and forming a second liquid crystal display device in which opposed.

本発明の表示装置の作製方法は、基板上に、第１及び第２のＴＦＴ領域と第１及び第２の対向領域とを形成する際、前記第１のＴＦＴ領域の配線と、前記第２のＴＦＴ領域の配線と、前記第２の対向領域のブラックマトリクスと、前記第１の対向領域のブラックマトリクスと、を同時に形成し、前記第１及び第２のＴＦＴ領域と前記第１及び第２の対向領域とが形成された前記基板を分断することにより、第１のＴＦＴ領域と第２の対向領域とが配置された第１の基板と、第２のＴＦＴ領域と第１の対向領域とが配置された第２の基板と、を形成し、前記第１の基板と第２の基板とを対向して貼り合わせることにより、前記第１のＴＦＴ領域と前記第１の対向領域が対向してなる第１の液晶表示装置と、前記第２のＴＦＴ領域と前記第２の対向領域が対向してなる第２の液晶表示装置と、を形成することを特徴とする。 In the method for manufacturing a display device of the present invention, when the first and second TFT regions and the first and second opposing regions are formed on the substrate, the wiring of the first TFT region and the second TFT region are formed. The TFT region wiring, the second opposing region black matrix, and the first opposing region black matrix are simultaneously formed, and the first and second TFT regions and the first and second TFT regions are formed simultaneously. The first substrate on which the first TFT region and the second opposing region are arranged, the second TFT region, and the first opposing region are separated by dividing the substrate on which the opposing region is formed. Is formed, and the first TFT region and the first counter region are opposed to each other by bonding the first substrate and the second substrate to face each other. A first liquid crystal display device, the second TFT region, and the second pair. Region and forming a second liquid crystal display device formed by opposed.

本発明の表示装置の作製方法は、前記基板上に、第１及び第２のＴＦＴ領域と第１及び第２の対向領域とを形成する際、前記第２のＴＦＴ領域のゲート電極と、前記第２のＴＦＴ領域の反射電極と、を同時に形成することを特徴とする。 When the first and second TFT regions and the first and second opposing regions are formed on the substrate, the display device manufacturing method of the present invention includes the gate electrode of the second TFT region, The reflective electrode of the second TFT region is formed at the same time.

本発明の表示装置の作製方法は、前記基板上に、第１及び第２のＴＦＴ領域と第１及び第２の対向領域とを形成する際、前記第２のＴＦＴ領域の配線と、前記第２のＴＦＴ領域の反射電極と、を同時に形成することを特徴とする。 In the method for manufacturing a display device of the present invention, when forming the first and second TFT regions and the first and second opposing regions on the substrate, the wiring of the second TFT region, the first TFT region, And a reflective electrode in two TFT regions are formed at the same time.

本発明の表示装置の作製方法は、前記基板上に、第１及び第２のＴＦＴ領域と第１及び第２の対向領域とを形成する際、前記第１のＴＦＴ領域と、前記第２のＴＦＴ領域と、前記第２の対向領域と、の透明電極を同時に形成することを特徴とする。 In the method for manufacturing a display device of the present invention, when the first and second TFT regions and the first and second opposing regions are formed on the substrate, the first TFT region and the second TFT region are formed. A transparent electrode of the TFT region and the second opposing region is formed simultaneously.

本発明の表示装置の作製方法は、前記基板上に、第１及び第２のＴＦＴ領域と第１及び第２の対向領域とを形成する際、前記第１のＴＦＴ領域と、前記第２のＴＦＴ領域と、前記第１の対向領域と、前記第２の対向領域と、の層間絶縁膜を同時に形成することを特徴とする。 In the method for manufacturing a display device of the present invention, when the first and second TFT regions and the first and second opposing regions are formed on the substrate, the first TFT region and the second TFT region are formed. An interlayer insulating film of the TFT region, the first opposing region, and the second opposing region is formed at the same time.

本発明の構成により、消費電力が低く、両面表示可能な薄型の液晶表示装置の提供ができる。 With the structure of the present invention, a thin liquid crystal display device with low power consumption and capable of double-sided display can be provided.

また、本発明の構成により、液晶表示装置作製時の使用基板枚数を減少できる為、歩留まりが向上でき、コストの削減が可能となる。 Further, according to the structure of the present invention, the number of substrates used for manufacturing the liquid crystal display device can be reduced, so that the yield can be improved and the cost can be reduced.

また、本発明の構成により、対向領域の作製材料の一部とＴＦＴ領域の作製材料の一部に同じ材料を使用し、ＴＦＴ領域の形成時と同時に対向領域を形成できる為、装置処理回数の減少、及び使用材料を減少させることができる為、歩留まりを向上でき、コストの削減が可能となる。 Further, according to the structure of the present invention, the same material is used for part of the material for forming the opposing region and part of the material for preparing the TFT region, and the opposing region can be formed simultaneously with the formation of the TFT region. Since the reduction and the amount of materials used can be reduced, the yield can be improved and the cost can be reduced.

以下に実施の形態を示す。なお、以下の実施の形態は適宜に組み合わせて実施することが可能である。
（実施の形態１） Embodiments are shown below. Note that the following embodiments can be implemented in combination as appropriate.
(Embodiment 1)

本実施の形態では、アクティブマトリクス型のＴＦＴ領域と、対向領域と、をそれぞれ２つ有する基板を両面表示可能な液晶表示パネルに組み立てる方法の一例を説明する。 In this embodiment, an example of a method for assembling a substrate having two active matrix TFT regions and two opposing regions into a liquid crystal display panel capable of double-sided display will be described.

最初に、基板の構成について説明する。 First, the configuration of the substrate will be described.

基板１上に、第１のＴＦＴ領域１００１、第２のＴＦＴ領域１００２、第１の対向領域２００１、第２の対向領域２００２を、第１のＴＦＴ領域１００１と第２の対向領域２００２が隣り合って配置されるようにし、且つ第２のＴＦＴ領域１００２と第１の対向領域２００１が隣り合って配置されるような構成の基板を作製する。（図１（Ａ）参照） A first TFT region 1001, a second TFT region 1002, a first opposing region 2001, and a second opposing region 2002 are adjacent to each other on the substrate 1, and the first TFT region 1001 and the second opposing region 2002 are adjacent to each other. And a substrate having a structure in which the second TFT region 1002 and the first opposing region 2001 are arranged adjacent to each other is manufactured. (See Fig. 1 (A))

基板１は、バリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラスでなるもの、石英、シリコンウエハなどを用いることができる。これらの材料は、半導体装置の用途、又は温度などプロセス条件に応じて適宜選択することができる。 The substrate 1 may be made of glass such as barium borosilicate glass or alumino borosilicate glass, quartz, silicon wafer, or the like. These materials can be appropriately selected according to the use of the semiconductor device or process conditions such as temperature.

プロセス温度に耐え得れば、耐熱性の高いプラスチック材料、例えばポリカーボネイド、ポリイミド、アクリル材料でなる基板を用いることもできる。また、基板１の形状は平面、曲面あるいは両方を有するものであり、平板状、帯状、長尺のものなど、プロセスや製造装置によって適宜選択される。 A substrate made of a plastic material having high heat resistance, such as polycarbonate, polyimide, or an acrylic material, can be used as long as it can withstand the process temperature. The shape of the substrate 1 has a flat surface, a curved surface, or both, and is appropriately selected depending on the process and the manufacturing apparatus, such as a flat plate shape, a strip shape, and a long shape.

ＴＦＴ領域は、少なくとも、ＴＦＴと、画素電極と、電気回路構成や液晶表示装置の機能に応じて各ＴＦＴを電気的に接続する為の配線と、外部入力端子（ＦＰＣ等）と電気回路部を接続する為の配線と、を有している。また、必要に応じて、層間絶縁膜、反射電極等を有する。また、電気回路の構成上必要であれば容量素子や抵抗素子等の素子を配置してもよい。 The TFT region includes at least a TFT, a pixel electrode, a wiring for electrically connecting each TFT in accordance with the electric circuit configuration and the function of the liquid crystal display device, an external input terminal (FPC, etc.), and an electric circuit unit. Wiring for connection. Moreover, it has an interlayer insulation film, a reflective electrode, etc. as needed. In addition, elements such as a capacitor element and a resistor element may be arranged if necessary for the configuration of the electric circuit.

ＴＦＴと、容量素子や抵抗素子等の素子、画素電極及び反射電極は電気回路構成に応じて配線で電気的に接続されている。 The TFT, an element such as a capacitor element or a resistance element, a pixel electrode, and a reflective electrode are electrically connected by wiring according to the electric circuit configuration.

なお、層間絶縁膜は、ゲート電極と配線等の導電体同士のショートを防ぐ為のものである。また、平坦化可能な材料（例えばアクリル、ポリイミド、シロキサン等）を使用すれば基板上の凹凸（ＴＦＴの作製は、成膜とリソグラフィ法によりマスクパターンを転写し、エッチングする工程を繰り返すので、工程が進む程凹凸が多くなる。）を平坦化する効果もある。 Note that the interlayer insulating film is for preventing a short circuit between conductors such as a gate electrode and a wiring. Further, if a material that can be flattened (for example, acrylic, polyimide, siloxane, etc.) is used, unevenness on the substrate (TFT fabrication involves repeating the process of transferring and etching the mask pattern by film formation and lithography, As the distance increases, the unevenness increases.).

ここで、「平坦化」とは、基板上に凹凸を有するとき、凸部分の膜厚は薄くデポジッションされ、凹部分の膜厚は厚くデポジッションされることにより凹凸の段差を減らすことをいう。以下の記載においても同様である。 Here, “planarization” means that when the substrate has irregularities, the film thickness of the convex part is deposited thin, and the film thickness of the concave part is deposited thick, thereby reducing the level difference of the irregularity. . The same applies to the following description.

また、反射電極は、外光を反射することができればよいので、必ずしも電気的に接続されている必要はない。 In addition, the reflective electrode need only be able to reflect external light, and thus does not necessarily need to be electrically connected.

ＴＦＴは、少なくとも、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、島状半導体層と、を有しており、島状半導体層は、少なくとも、ソース領域と、ドレイン領域と、チャネル形成領域を有している。必要であれば、低濃度不純物領域（以下ＬＤＤ領域）をチャネル形成領域とソース領域間又はチャネル形成領域とドレイン領域間の一方又は両方に設けても良い。 The TFT includes at least a gate electrode, a gate insulating film, and an island-shaped semiconductor layer, and the island-shaped semiconductor layer includes at least a source region, a drain region, and a channel formation region. . If necessary, a low-concentration impurity region (hereinafter referred to as an LDD region) may be provided between the channel formation region and the source region or between the channel formation region and the drain region.

上記の容量素子や抵抗は、ゲート電極や島状半導体層、配線、層間絶縁膜、反射電極等を形成する材料を使用して作製することが可能である。 The capacitor element and the resistor can be manufactured using a material for forming a gate electrode, an island-shaped semiconductor layer, a wiring, an interlayer insulating film, a reflective electrode, or the like.

対向領域は、少なくとも対向電極を有している。また、必要に応じて、カラーフィルター、ブラックマトリクス、平坦化絶縁層、反射電極等を有する。これらは、液晶表示装置の構造によって適宜取捨選択が可能である。 The counter area has at least a counter electrode. In addition, a color filter, a black matrix, a planarization insulating layer, a reflective electrode, and the like are included as necessary. These can be appropriately selected depending on the structure of the liquid crystal display device.

なお、カラーフィルターは、液晶表示装置の表示画像に色彩を付ける為のものであり、ＲＧＢ（赤、緑、青）の３種類がある。 The color filter is for coloring the display image of the liquid crystal display device, and there are three types of RGB (red, green, blue).

また、対向電極は、対向領域に形成されていて、液晶に電圧を印加する為の役割を果たすためのものである。 Further, the counter electrode is formed in the counter region and plays a role for applying a voltage to the liquid crystal.

また、「平坦化絶縁膜」（もしくは、「オーバーコート膜」又は「層間絶縁膜」という）とは、対向電極を形成する前に、対向領域の例えばブラックマトリクス形成やカラーフィルタ形成により形成された凹凸を平坦化する為の膜である。 In addition, the “planarization insulating film” (or “overcoat film” or “interlayer insulating film”) is formed by forming, for example, a black matrix or a color filter in the counter region before forming the counter electrode. It is a film for flattening unevenness.

上記のブラックマトリクス、対向電極、平坦化絶縁層、反射電極等は、ＴＦＴを構成するゲート電極や配線、層間絶縁膜、反射電極等を形成する材料を使用して作製することが可能である。 The black matrix, the counter electrode, the planarization insulating layer, the reflective electrode, and the like can be manufactured using a material for forming a gate electrode, a wiring, an interlayer insulating film, a reflective electrode, and the like constituting the TFT.

例えば、ブラックマトリクスは、ＴＦＴを構成するゲート電極材料や配線材料と同一の材料を使用して形成することが可能である。即ち、ＴＦＴのゲート電極や配線の作製時と同時に対向領域のブラックマトリクスを作製できる。 For example, the black matrix can be formed using the same material as the gate electrode material and the wiring material constituting the TFT. In other words, the black matrix in the opposing region can be produced simultaneously with the production of the TFT gate electrode and wiring.

さらに、同様に対向電極は、画素電極、ゲート電極、配線と同一の材料を使用して形成することが可能である。即ち、ＴＦＴの画素電極、ゲート電極、配線の作製時と同時に対向領域の対向電極を作製できる。 Further, similarly, the counter electrode can be formed using the same material as the pixel electrode, the gate electrode, and the wiring. That is, the counter electrode in the counter region can be manufactured simultaneously with the manufacture of the TFT pixel electrode, gate electrode, and wiring.

さらに、同様に平坦化絶縁層には、平坦化可能な材料を使用した層間絶縁膜と同一の材料を使用して形成することが可能である。即ち、ＴＦＴの層間絶縁膜の作製時と同時に対向領域の平坦化絶縁層を作製できる。 Further, similarly, the planarization insulating layer can be formed using the same material as the interlayer insulating film using a planarizable material. That is, the planarization insulating layer in the opposite region can be manufactured simultaneously with the manufacturing of the TFT interlayer insulating film.

このように、対向領域の材料をＴＦＴの構成材料と同一の材料を使用し、ＴＦＴの構成材料の一つの形成時と同時に対向領域の構成材料を形成できるので、対向領域作製の為の装置処理回数の減少及び使用材料を減少させることができる。その結果、歩留まりを向上でき、コストの削減が可能となる。 In this way, the material for the opposing region is the same as that of the TFT, and the constituent material for the opposing region can be formed simultaneously with the formation of one of the TFT constituent materials. The number of times and materials used can be reduced. As a result, the yield can be improved and the cost can be reduced.

次いで、上述した構成の基板から両面表示可能な液晶表示装置に組み立てる手順を説明する。 Next, a procedure for assembling a liquid crystal display device capable of double-sided display from the substrate having the above configuration will be described.

基板１を、第１のＴＦＴ領域１００１と第２の対向領域２００２を有する第１の基板１ａと、第２のＴＦＴ領域１００２と第１の対向領域２００１を有する第２の基板１ｂと、になるように分断する。（図１（Ａ）（Ｂ）参照分断箇所を図１（Ａ）第１の破線８０００ａで示した。） The substrate 1 becomes a first substrate 1a having a first TFT region 1001 and a second opposing region 2002, and a second substrate 1b having a second TFT region 1002 and a first opposing region 2001. Divide like so. (See FIGS. 1 (A) and 1 (B). The dividing points are indicated by the first broken line 8000a in FIG. 1 (A).)

次に、配向膜を第１の基板１ａ及び第２の基板１ｂに形成し、スペーサーを散布し、第１の基板１ａの第１のＴＦＴ領域１００１のＴＦＴ及び第２の対向領域２００２のＴＦＴが配置されていない部分にシール材４０００を形成する。（図２（Ａ）参照） Next, alignment films are formed on the first substrate 1a and the second substrate 1b, spacers are dispersed, and the TFTs in the first TFT region 1001 and the TFTs in the second counter region 2002 of the first substrate 1a are formed. A sealing material 4000 is formed in a portion that is not arranged. (See Fig. 2 (A))

なお、第１のＴＦＴ領域１００１の一部にシール材４０００が形成された重畳領域５０００には配線が形成されている。（図２（Ａ）（Ｂ）参照） Note that a wiring is formed in the overlapping region 5000 in which the sealant 4000 is formed in a part of the first TFT region 1001. (See FIGS. 2A and 2B)

ただし、液晶の注入口を形成する為に、第１の基板１ａの第１のＴＦＴ領域１００１の周りのうちの一部及び第２の対向領域２００２の周りのうちの一部にはシール材４０００は形成しない。（図２（Ａ）（Ｂ）参照） However, in order to form a liquid crystal injection port, a sealant 4000 is provided on a part of the first substrate 1a around the first TFT region 1001 and a part of the second counter region 2002. Does not form. (See FIGS. 2A and 2B)

また、シール材４０００は、第１のＴＦＴ領域１００１と第２の対向領域２００２が分離されるように形成する。（図２（Ａ）（Ｂ）参照） Further, the sealant 4000 is formed so that the first TFT region 1001 and the second opposing region 2002 are separated. (See FIGS. 2A and 2B)

したがって、例えば、第１のＴＦＴ領域１００１と第２の対向領域２００２の間の領域全体にシール材を形成しても良い。（図２（Ａ）参照） Therefore, for example, a sealing material may be formed over the entire region between the first TFT region 1001 and the second facing region 2002. (See Fig. 2 (A))

また、第１のＴＦＴ領域１００１と第２の対向領域２００２の間の領域にシール材４０００で区切られた空間があっても良い。（図２（Ｂ）参照） Further, there may be a space partitioned by the sealant 4000 in a region between the first TFT region 1001 and the second opposing region 2002. (See Fig. 2 (B))

なお、本実施の形態では、第１の基板１ａにシール材４０００を形成したが、第２の基板１ｂにシール材４０００を形成しても良く、適宜選択可能である。 In this embodiment, the sealing material 4000 is formed on the first substrate 1a. However, the sealing material 4000 may be formed on the second substrate 1b, and can be selected as appropriate.

次に、第１のＴＦＴ領域１００１の対向側に第１の対向領域２００１が配置され、第２のＴＦＴ領域１００２の対向側に第２の対向領域２００２が配置されるように、第１の基板１ａと第２の基板１ｂを貼り合わせて、シール材４０００を硬化する。（図３（Ａ）参照） Next, the first counter region 2001 is disposed on the opposite side of the first TFT region 1001, and the second counter region 2002 is disposed on the opposite side of the second TFT region 1002. The sealing material 4000 is cured by laminating 1a and the second substrate 1b. (See Fig. 3 (A))

次に、液晶の注入口から液晶を注入した後、液晶注入口を第１の封止領域４００１及び第２の封止領域４００２で封止する。（図３（Ｂ）参照） Next, after the liquid crystal is injected from the liquid crystal injection port, the liquid crystal injection port is sealed with the first sealing region 4001 and the second sealing region 4002. (See Fig. 3 (B))

なお、第１のＴＦＴ領域１００１と第２の対向領域２００２との間をシール材４０００で区切ることにより、第１の液晶表示領域３００１に使用するバックライトの光を遮光することが可能である。これにより、第２の液晶表示領域３００２の表示に与える影響を低減できる。 Note that the light of the backlight used for the first liquid crystal display region 3001 can be blocked by separating the first TFT region 1001 and the second facing region 2002 with a sealant 4000. Thereby, the influence on the display of the second liquid crystal display region 3002 can be reduced.

また、上記シール材４０００の構成により、第１のＴＦＴ領域１００１に印加される電圧によって第２の液晶表示領域３００２の表示に影響を与えたり、逆に、第２のＴＦＴ領域１００２に印加される電圧によって第１の液晶表示領域３００１の表示に影響を与えたりすることはなくなる。 In addition, the structure of the sealant 4000 affects the display of the second liquid crystal display region 3002 by the voltage applied to the first TFT region 1001, or conversely, is applied to the second TFT region 1002. The voltage does not affect the display of the first liquid crystal display region 3001.

なお、本実施の形態では、上記効果を得る為にシール材で液晶表示領域を分離したが、必ずしも分離する必要はない。（図３５参照） In the present embodiment, the liquid crystal display region is separated by the sealing material in order to obtain the above effect, but it is not always necessary to separate it. (See Figure 35)

次に、偏光板を取り付ける。 Next, a polarizing plate is attached.

次に第１のＦＰＣ６００１及び第２のＦＰＣ６００２を貼り付ける。（図４（Ａ）参照） Next, the first FPC 6001 and the second FPC 6002 are attached. (See Fig. 4 (A))

なお、ＦＰＣはＦｌｅｘｉｂｌｅＰｒｉｎｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔの略称であり、以下も同様に記載する。 Note that FPC is an abbreviation for “Flexible Printed Circuit”, and the same applies to the following.

また、第１のＴＦＴ領域１００１と第１の対向領域２００１から構成される液晶表示領域を第１の液晶表示領域３００１とし、第２のＴＦＴ領域１００２と第２の対向領域２００２から構成される液晶表示領域を第２の液晶表示領域３００２とする。（図４（ａ）参照） In addition, a liquid crystal display region including the first TFT region 1001 and the first counter region 2001 is referred to as a first liquid crystal display region 3001, and a liquid crystal including the second TFT region 1002 and the second counter region 2002 is used. The display area is a second liquid crystal display area 3002. (See Fig. 4 (a))

また、第１の液晶表示領域３００１は透過型又は半透過型の液晶表示装置であり、第２の液晶表示領域３００２は反射型の液晶表示装置である。 The first liquid crystal display region 3001 is a transmissive or transflective liquid crystal display device, and the second liquid crystal display region 3002 is a reflective liquid crystal display device.

したがって、第１の液晶表示領域３００１はバックライト等を使用することによって、明るく鮮明な表示とすることができ、第２の液晶表示領域３００２はバックライトを設ける必要はなく、低消費電力化が可能である。（バックライトは、第１の液晶表示領域３００１の第１のＴＦＴ領域１００１の配置された基板側に取り付ける） Therefore, the first liquid crystal display region 3001 can be bright and clear by using a backlight or the like, and the second liquid crystal display region 3002 does not need to be provided with a backlight, so that power consumption can be reduced. Is possible. (The backlight is attached to the substrate side of the first TFT region 1001 in the first liquid crystal display region 3001)

なお、第２の液晶表示領域３００２の第２のＴＦＴ領域１００２の配置された基板側にフロントライトを設けても良い。 Note that a front light may be provided on the substrate side of the second liquid crystal display region 3002 where the second TFT region 1002 is disposed.

更に、第１のＦＰＣ６００１と第２のＦＰＣ６００２を設け、別々の表示信号を送ることができるので、例えば、メインパネルとなる第１の液晶表示領域３００１が表示されているときは、サブパネルとなる第２の液晶表示領域３００２の電源を止め、逆にサブパネルとなる第２の液晶表示領域３００２が表示されているときは、メインパネルとなる第１の液晶表示領域３００１の電源を止めるといった動作をさせることが可能であり、消費電力の低下が可能である。 Further, since the first FPC 6001 and the second FPC 6002 are provided and different display signals can be transmitted, for example, when the first liquid crystal display area 3001 serving as the main panel is displayed, the first FPC 6001 serving as the sub panel is displayed. When the second liquid crystal display area 3002 serving as a sub-panel is displayed, the power of the first liquid crystal display area 3001 serving as the main panel is turned off. It is possible to reduce power consumption.

このようにして、両面表示可能な液晶表示装置ができる。（図４（Ａ）参照） In this way, a liquid crystal display device capable of double-sided display can be obtained. (See Fig. 4 (A))

液晶表示装置を携帯電話に取り付けたものを図示する。（図４（Ｂ）参照） 1 illustrates a liquid crystal display device attached to a mobile phone. (See Fig. 4 (B))

上記の方法を用いて作製した液晶表示装置の断面図を図３６に示す。 A cross-sectional view of a liquid crystal display device manufactured using the above method is shown in FIG.

第１の液晶表示装置７００１は透過型又は半透過型の液晶表示装置である。そして、バックライト１００００からの光８００１が第１の液晶表示領域３００１を透過する。また、バックライトが光を発していない場合、外部からの光８００２が第１の液晶表示領域３００１内において反射する。したがって、第１の液晶表示領域３００１の表示面は、バックライト１００００が配置された面の反対側である。 The first liquid crystal display device 7001 is a transmissive or transflective liquid crystal display device. Then, light 8001 from the backlight 10000 passes through the first liquid crystal display region 3001. When the backlight does not emit light, external light 8002 is reflected in the first liquid crystal display region 3001. Therefore, the display surface of the first liquid crystal display region 3001 is on the opposite side of the surface on which the backlight 10000 is disposed.

また、第２の液晶表示装置７００２は反射型の液晶表示装置である。そして、外部からの光８００３が第２の液晶表示領域３００２内において反射する。したがって、第２の液晶表示領域３００２の表示面は、バックライト１００００が配置された面である。 The second liquid crystal display device 7002 is a reflective liquid crystal display device. Then, external light 8003 is reflected in the second liquid crystal display region 3002. Therefore, the display surface of the second liquid crystal display region 3002 is a surface on which the backlight 10000 is disposed.

外部からの光８００２、８００３は自然光である。また、バックライト又は導光板を使用して光を入射しても良い。なお、外部からの光８００３が自然光である場合、バックライト１００００以外のバックライトを必要としない。したがって、液晶表示装置を薄型化できる。 External light 8002 and 8003 is natural light. Further, light may be incident using a backlight or a light guide plate. Note that when the external light 8003 is natural light, a backlight other than the backlight 10000 is not required. Therefore, the liquid crystal display device can be thinned.

本実施形態の構成により、薄型の両面表示可能な液晶表示装置を作製でき、且つ１枚の基板上に対向領域を同時に作製可能である為、液晶表示パネル作製時の使用基板の減少が可能である為、歩留まりを向上でき、コストを削減できることになる。
（実施の形態２） With the configuration of this embodiment, a thin liquid crystal display device capable of double-sided display can be manufactured, and an opposing region can be simultaneously manufactured on a single substrate. Therefore, the yield can be improved and the cost can be reduced.
(Embodiment 2)

実施の形態１においては、基板１上に、第１のＴＦＴ領域１００１、第２のＴＦＴ領域１００２、第１の対向領域２００１、第２の対向領域２００２を、第１のＴＦＴ領域１００１と第２の対向領域２００２が互いに隣り合って配置されるようにし、且つ第２のＴＦＴ領域１００２と第１の対向領域２００１が互いに隣り合うように配置した。（図１（Ａ）参照） In Embodiment Mode 1, a first TFT region 1001, a second TFT region 1002, a first opposing region 2001, and a second opposing region 2002 are formed on a substrate 1 with a first TFT region 1001 and a second TFT region 1002. The opposing regions 2002 are arranged adjacent to each other, and the second TFT region 1002 and the first opposing region 2001 are arranged adjacent to each other. (See Fig. 1 (A))

本実施の形態では、基板１上に、第１のＴＦＴ領域１００１、第２のＴＦＴ領域１００２、第１の対向領域２００１、第２の対向領域２００２を、第１のＴＦＴ領域１００１と第２のＴＦＴ領域１００２が隣り合って配置されるようにし、且つ第２の対向領域２００２と第１の対向領域２００１が隣り合って配置されるような構成の基板を作製する。（図５（Ａ）参照） In this embodiment mode, the first TFT region 1001, the second TFT region 1002, the first opposing region 2001, and the second opposing region 2002 are formed on the substrate 1 with the first TFT region 1001 and the second TFT region 1002. A substrate having a structure in which the TFT regions 1002 are arranged adjacent to each other and the second opposing region 2002 and the first opposing region 2001 are arranged adjacent to each other is manufactured. (See FIG. 5 (A))

本実施の形態の場合も、実施の形態１と同様に、対向領域の材料をＴＦＴの構成材料と同一の材料を使用し、ＴＦＴの構成材料の一つの形成時と同時に対向領域の構成材料を形成できることにより、対向領域作製の為の装置処理回数の減少及び使用材料を減少させることができる為、工程期間の減削減及びコストの削減が可能となる。 In the case of this embodiment as well, as in the first embodiment, the same material as the constituent material of the TFT is used as the material of the opposing region, and the constituent material of the opposing region is changed simultaneously with the formation of one of the constituent materials of the TFT. Since it can be formed, the number of processing times of the apparatus for manufacturing the opposing region can be reduced and the materials used can be reduced. Therefore, reduction in process period and cost can be achieved.

本実施の形態の場合も、実施の形態１に記述したように、ブラックマトリクスは、ＴＦＴを構成するゲート電極材料や配線材料と同一の材料を使用して形成し、ＴＦＴのゲート電極や配線の作製時と同時に対向領域のブラックマトリクスを作製できる。 Also in the present embodiment, as described in the first embodiment, the black matrix is formed using the same material as the gate electrode material and the wiring material constituting the TFT, and the gate electrode and the wiring of the TFT are formed. A black matrix in the opposing region can be manufactured simultaneously with the manufacturing.

同様に、対向電極は、画素電極、ゲート電極、配線と同一の材料を使用して形成し、ＴＦＴの画素電極、ゲート電極、配線の作製時と同時に対向領域の対向電極を作製できる。 Similarly, the counter electrode is formed using the same material as the pixel electrode, the gate electrode, and the wiring, and the counter electrode in the counter region can be manufactured at the same time as the pixel electrode, the gate electrode, and the wiring of the TFT.

同様に、平坦化絶縁層には、平坦化可能な材料を使用した層間絶縁膜と同一の材料を使用して形成することが可能である。即ち、ＴＦＴの層間絶縁膜の作製時と同時に対向領域の平坦化絶縁層を作製できる。 Similarly, the planarization insulating layer can be formed using the same material as the interlayer insulating film using a planarizable material. That is, the planarization insulating layer in the opposite region can be manufactured simultaneously with the manufacturing of the TFT interlayer insulating film.

また、本実施の形態の場合、ＴＦＴ領域の層間絶縁膜にカラーフィルターと黒色の有機膜を使用することにより、対向領域の平坦化絶縁層及びブラックマトリクスを使用する必要をなくすことが可能である。 In the case of this embodiment, the use of a color filter and a black organic film for the interlayer insulating film in the TFT region can eliminate the need to use a planarization insulating layer and a black matrix in the opposite region. .

即ち、一画素に対して、ＲＧＢのうち何れかの色が割り当てられる為、画素電極の下に配置される層間絶縁膜をそれぞれ割り当てられる色のカラーフィルターとして配置し、画素電極下以外の層間絶縁膜は黒い有機膜にすることでブラックマトリクスの役割を果たすため、対向領域には、対向電極のみを形成すれば良くなる。 That is, since any one of RGB colors is assigned to one pixel, an interlayer insulating film arranged under the pixel electrode is arranged as a color filter of the assigned color, and interlayer insulation other than under the pixel electrode is arranged. Since the film serves as a black matrix by making it a black organic film, it suffices to form only the counter electrode in the counter region.

対向領域において、平坦な基板の上に対向電極を形成することになり、平坦化絶縁膜を形成する必要はなくなる。 In the counter region, a counter electrode is formed on a flat substrate, and it is not necessary to form a planarization insulating film.

したがって、対向領域作製の為の装置処理回数の減少及び使用材料を減少させることができる為、歩留まりを向上でき、コストの削減が可能となる。 Accordingly, since the number of processing times of the apparatus for manufacturing the opposing region can be reduced and the materials used can be reduced, the yield can be improved and the cost can be reduced.

また、ブラックマトリクスを新たにＴＦＴの層間絶縁膜として採用することは、使用材料が一つ増加するので、画素電極下以外の層間絶縁膜をＲＧＢ何れかのカラーフィルタとしても良く、この場合も、対向領域作製の為の装置処理回数の減少及び使用材料を減少させることができる為、工程期間の減削減及びコストの削減が可能となる。 In addition, adopting a new black matrix as an interlayer insulating film of TFT increases the material used, so the interlayer insulating film other than under the pixel electrode may be any RGB color filter. Since it is possible to reduce the number of processing times of the apparatus for manufacturing the facing region and to reduce the material used, it is possible to reduce the process period and cost.

本実施形態の構成の場合、基板１を、第１のＴＦＴ領域１００１と第２のＴＦＴ領域１００２を有する第３の基板１ｃと、第１の対向領域２００１と第２の対向領域２００２を有する第４の基板１ｄと、になるように分断する。また、第１のＴＦＴ領域１００１と第２のＴＦＴ領域１００２をＦＰＣに接続する領域を露出させるため、第４の基板１ｄを短くカットしておく。（図５（Ａａ）（Ｂ）参照分断箇所を図５（Ａ）第２の破線８０００ｂ、第３の破線８０００ｃで示した） In the case of the configuration of this embodiment, the substrate 1 is a third substrate 1c having a first TFT region 1001 and a second TFT region 1002, and a first substrate having a first counter region 2001 and a second counter region 2002. 4 substrate 1d. In addition, the fourth substrate 1d is cut short in order to expose a region where the first TFT region 1001 and the second TFT region 1002 are connected to the FPC. (Refer to FIG. 5 (Aa) and (B). The dividing points are indicated by the second broken line 8000b and the third broken line 8000c in FIG. 5A)

次に、第３の基板１ｃにシール材を形成する。シール材４０００は実施の形態１と同様に、第１のＴＦＴ領域１００１と第２のＴＦＴ領域１００２が完全に分離されるように形成する。（図６（Ａ）参照） Next, a sealing material is formed on the third substrate 1c. As in Embodiment Mode 1, the sealant 4000 is formed so that the first TFT region 1001 and the second TFT region 1002 are completely separated. (See FIG. 6 (A))

第１のＴＦＴ領域１００１の対向側に第１の対向領域２００１が配置され、第２のＴＦＴ領域１００２の対向側に第２の対向領域２００２が配置されるように貼り合わせる。（図６（Ｂ）参照） Bonding is performed so that the first opposing region 2001 is disposed on the opposite side of the first TFT region 1001 and the second opposing region 2002 is disposed on the opposite side of the second TFT region 1002. (Refer to FIG. 6 (B))

次に、実施の形態１と同様に、ＦＰＣ、偏光板、バックライトを取り付け、組み立てて、例えば、携帯電話を作製する。 Next, as in Embodiment 1, an FPC, a polarizing plate, and a backlight are attached and assembled, for example, to manufacture a mobile phone.

本実施の形態においても、薄型の両面表示可能な液晶表示装置を作製でき、且つ液晶表示パネル作製時の使用基板枚数は１枚で済むため、歩留まりを向上でき、コストを削減できることになる。
（実施の形態３） Also in this embodiment mode, a thin liquid crystal display device capable of double-sided display can be manufactured, and the number of substrates used for manufacturing a liquid crystal display panel is one, so that the yield can be improved and the cost can be reduced.
(Embodiment 3)

実施の形態１、２では、１枚の基板に両面表示可能な液晶表示装置に最低限必要な４つの領域（第１のＴＦＴ領域１００１、第２のＴＦＴ領域１００２、第１の対向領域２００１、第２の対向領域２００２）が形成された形態を例示した。 In the first and second embodiments, a minimum of four regions (first TFT region 1001, second TFT region 1002, first opposing region 2001, which are necessary for a liquid crystal display device capable of double-sided display on one substrate, An example in which the second opposing region 2002) is formed is illustrated.

本実施の形態では、ＴＦＴ領域と対向領域を複数作製する一例を説明する。 In this embodiment, an example in which a plurality of TFT regions and a plurality of opposite regions are formed will be described.

両面表示可能な液晶表示装置に最低限必要な４つの領域をマトリクス状に並べて作製する。（図７参照図７においては一部符号を省略している。） Four regions necessary for a liquid crystal display device capable of double-sided display are arranged in a matrix. (See FIG. 7. In FIG. 7, some symbols are omitted.)

ＴＦＴ領域と対向領域が完成した後、適宜基板を切断し、実施形態１、２の方法を適用することにより、両面表示可能な液晶表示装置を作製することが可能である。（図８（Ａ）（Ｂ）参照第４の破線８０００ｄに沿って基板を分断する。） After the TFT region and the opposing region are completed, the substrate is appropriately cut, and the liquid crystal display device capable of double-sided display can be manufactured by applying the methods of Embodiments 1 and 2. (See FIGS. 8A and 8B.) The substrate is divided along the fourth broken line 8000d.

本実施の形態を採用すれば、実施の形態１、２の効果に加え、大型の基板から複数の液晶表示装置を作成することが可能となる。 If this embodiment is adopted, in addition to the effects of the first and second embodiments, a plurality of liquid crystal display devices can be formed from a large substrate.

大型の基板から複数の液晶表示装置を作成することが可能になるということは、同じ数の液晶表示装置を作成するときの合計装置処理回数を削減できるということであり、コストの低減にもつながる。
（実施の形態４） The fact that it is possible to create a plurality of liquid crystal display devices from a large substrate means that the total number of processing times when the same number of liquid crystal display devices are produced can be reduced, leading to cost reduction. .
(Embodiment 4)

アクティブマトリクス型の液晶表示装置などのＴＦＴや容量素子、抵抗素子等の素子を配置した電気回路の代表的な作製方法は、成膜を行う工程と、マスクパターン転写技術によりマスクパターンを形成する工程と、を繰り返し、所望の素子を作製すると同時に回路を作製するものである。 A typical manufacturing method of an electric circuit in which an element such as a TFT, a capacitor element, a resistance element, or the like such as an active matrix liquid crystal display device is arranged includes a film forming process and a mask pattern transfer process using a mask pattern transfer technique. The circuit is fabricated simultaneously with the fabrication of a desired element.

本実施形態では、実施の形態１において、透過型若しくは半透過型の液晶表示装置用の第１のＴＦＴ領域１００１と第１の対向領域２００１と反射型の液晶表示装置用の第２のＴＦＴ領域１００２と第２の対向領域２００２を、上述した代表的な作製方法により、同一の基板上に作製する方法の一例を説明する。 In this embodiment mode, the first TFT region 1001 for the transmissive or transflective liquid crystal display device, the first opposing region 2001, and the second TFT region for the reflective liquid crystal display device in the first embodiment are used. An example of a method for manufacturing 1002 and the second facing region 2002 on the same substrate by the above-described typical manufacturing method will be described.

本実施形態では、第１のＴＦＴ領域１００１と第２のＴＦＴ領域１００２のＴＦＴは逆スタガ型ＴＦＴの代表的な作製方法の一例を説明する。 In this embodiment mode, an example of a typical manufacturing method of an inverted staggered TFT as a TFT in the first TFT region 1001 and the second TFT region 1002 will be described.

なお、本実施形態の説明に使用する図において、便宜的に、第１のＴＦＴ領域１００１のＴＦＴのうちの一つと、第２のＴＦＴ領域１００２のうちのＴＦＴの一つと、第１の対向領域２００１のカラーフィルタのうちの一つと、第２の対向領域２００２のカラーフィルタのうちの一つ（レッドカラーフィルター領域）と、を図示して説明を行うが、それぞれのＴＦＴ領域は複数のＴＦＴ及び必要な素子、配線等を有しており、また、対向領域は、グリーンカラーフィルター領域及びブルーカラーフィルター領域等を有している。 Note that in the drawing used for description of this embodiment, for convenience, one of the TFTs in the first TFT region 1001, one of the TFTs in the second TFT region 1002, and the first counter region are shown. One of the color filters of 2001 and one of the color filters of the second opposing region 2002 (red color filter region) are illustrated and described. Each TFT region includes a plurality of TFTs and a plurality of TFTs. Necessary elements, wirings, and the like are included, and the opposing region has a green color filter region, a blue color filter region, and the like.

また、本実施形態の説明に使用する図において、便宜的に、４つの領域（第１のＴＦＴ領域１００１、第２のＴＦＴ領域１００２、第１の対向領域２００１、第２の対向領域２００２）を一点鎖線で囲んで図示する。 In the drawing used for description of this embodiment, four regions (a first TFT region 1001, a second TFT region 1002, a first opposing region 2001, and a second opposing region 2002) are shown for convenience. It is shown surrounded by an alternate long and short dash line.

また、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能である。また、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなく、その形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。 Also, the present invention can be implemented in many different ways. Moreover, it will be easily understood by those skilled in the art that the modes and details can be variously changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Therefore, the present invention is not construed as being limited to the description of this embodiment mode.

なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。 Note that in all the drawings for describing the embodiments, the same portions or portions having similar functions are denoted by the same reference numerals, and repetitive description thereof is omitted.

まず、基板１００を用意する。（図９（Ａ）参照） First, the substrate 100 is prepared. (See Fig. 9 (A))

基板１００は、バリウムホウケイ酸ガラス、またはアルニウムホウケイ酸ガラスなどのガラスでなるものや、石英や、シリコンウエハなど、半導体装置の用途や、温度などプロセス条件によって適宜選択することができる。 The substrate 100 can be appropriately selected depending on the use of a semiconductor device such as a glass made of barium borosilicate glass or aluminium borosilicate glass, quartz, a silicon wafer, or the like, or process conditions such as temperature.

プロセス温度に耐え得れば、耐熱性の高いプラスチック材料、例えばポリカーボネイド、ポリイミド、アクリル材料でなる基板を用いることもできる。また、基板１００の形状は平面、曲面あるいは両方を有するものであり、平板状、帯状、長尺のものなど、プロセスや製造装置によって適宜選択される。 A substrate made of a plastic material having high heat resistance, such as polycarbonate, polyimide, or an acrylic material, can be used as long as it can withstand the process temperature. The shape of the substrate 100 has a flat surface, a curved surface, or both, and is appropriately selected depending on the process and the manufacturing apparatus such as a flat plate shape, a strip shape, and a long shape.

次に、基板１００上に第１の導電膜２００を成膜する。（図９（Ｂ）参照） Next, a first conductive film 200 is formed over the substrate 100. (Refer to FIG. 9 (B))

次に、第１の導電膜２００を、リソグラフィ法によりマスクパターンを転写し、エッチングして、第１のＴＦＴ領域１００１に第１のゲート電極２０１ａ、第１のゲート配線２０２ａ）を形成し、第２のＴＦＴ領域１００２に第２のゲート電極２０１ｂ、第２のゲート配線２０２ｂを形成し、第１の対向領域２００１に第１のブラックマトリクス２０３ａを形成し、第２の対向領域２００２に第２のブラックマトリクス２０３ｂを形成する。その後、転写したレジストマスクを除去する。（図９（Ｃ）参照） Next, the first conductive film 200 is transferred with a mask pattern by a lithography method and etched to form a first gate electrode 201 a and a first gate wiring 202 a) in the first TFT region 1001. The second gate electrode 201b and the second gate wiring 202b are formed in the second TFT region 1002, the first black matrix 203a is formed in the first opposing region 2001, and the second opposing region 2002 has the second A black matrix 203b is formed. Thereafter, the transferred resist mask is removed. (See FIG. 9C)

なお、図示していない第１のゲート配線２０２ａと第１のゲート電極２０１ａは、電気的に接続されている。 Note that the first gate wiring 202a (not shown) and the first gate electrode 201a are electrically connected.

同様に、図示していない第２のゲート配線２０２ｂと第２のゲート電極２０１ｂは、電気的に接続されている。 Similarly, the second gate wiring 202b (not shown) and the second gate electrode 201b are electrically connected.

第１の導電膜２００は、スパッタ法等を用いて形成した導電材料からなる導電膜であり、導電性材料または半導体材料を主成分とする材料である。 The first conductive film 200 is a conductive film made of a conductive material formed by a sputtering method or the like, and is a material mainly containing a conductive material or a semiconductor material.

例えば、３００ｎｍの膜厚でＭｏ（モリブデン）を形成する。第１の導電膜には、Ｍｏ（モリブデン）の他にも、Ｔａ（タンタル）、Ｔｉ（チタン）、Ｗ（タングステン）、クロム（Ｃｒ）等の金属材料、これら金属材料とシリコンとの化合物であるシリサイド、Ｎ型又はＰ型の導電性を有するポリシリコン等の材料、低抵抗金属材料Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）等を主成分とする材料を少なくとも一層有する構造であれば特に限定されることなく用いることができる。 For example, Mo (molybdenum) is formed with a thickness of 300 nm. In addition to Mo (molybdenum), the first conductive film is made of a metal material such as Ta (tantalum), Ti (titanium), W (tungsten), or chromium (Cr), or a compound of these metal materials and silicon. The structure is particularly limited as long as it has at least one layer of a material mainly composed of a certain silicide, N-type or P-type conductive polysilicon, or the like, or a low-resistance metal material such as Cu (copper) or Al (aluminum). Can be used without any problem.

なお、第１のゲート電極２０１ａ、第２のゲート電極２０１ｂ、第１のゲート配線２０２ａ、第２のゲート配線２０２ｂ、第１のブラックマトリクス２０３ａ、第２のブラックマトリクス２０３ｂは、第１の導電膜２００をリソグラフィ法によりマスクパターンを転写し、エッチングして形成している為、第１の導電膜２００と同じ材料である。 Note that the first gate electrode 201a, the second gate electrode 201b, the first gate wiring 202a, the second gate wiring 202b, the first black matrix 203a, and the second black matrix 203b are formed using the first conductive film. Since 200 is formed by transferring a mask pattern by lithography and etching, 200 is the same material as the first conductive film 200.

ブラックマトリクス材料をゲート電極材料と同一の材料を使用して、基板面内に同時に作製することにより、マスク数の削減、装置処理回数の削減、使用材料の削減が可能となる為、歩留まりが向上でき、コストの削減が可能となる。 Using the same material as the gate electrode material for the black matrix material on the substrate surface simultaneously, the number of masks, the number of device treatments, and the number of materials used can be reduced, improving yield. And cost reduction is possible.

次に、ゲート絶縁膜１０３を成膜し、ゲート絶縁膜１０３上に第１の半導体膜１０２を成膜する。（図９（Ｄ）参照） Next, the gate insulating film 103 is formed, and the first semiconductor film 102 is formed over the gate insulating film 103. (Refer to FIG. 9D)

ゲート絶縁膜１０３は、ＣＶＤ法またはスパッタ法等を用いて形成した絶縁材料であり、例えばシリコンを主成分とする絶縁材料である。 The gate insulating film 103 is an insulating material formed using a CVD method, a sputtering method, or the like, for example, an insulating material mainly containing silicon.

例えば、３００ｎｍの膜厚で窒化シリコン膜を形成する。ゲート絶縁膜１０３には、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。 For example, a silicon nitride film is formed with a thickness of 300 nm. As the gate insulating film 103, another insulating film containing silicon may be used as a single layer or a stacked structure.

第１の半導体膜１０２は、ＣＶＤ法またはスパッタ法等を用いて形成した半導体材料である。 The first semiconductor film 102 is a semiconductor material formed using a CVD method, a sputtering method, or the like.

例えば、１５０ｎｍの膜厚でアモルファスシリコン膜を形成する。第１の半導体膜１０２の材料はシリコンに限られたものではなく、他の半導体材料も適宜選択可能である。 For example, an amorphous silicon film is formed with a thickness of 150 nm. The material of the first semiconductor film 102 is not limited to silicon, and other semiconductor materials can be selected as appropriate.

また、ゲート絶縁膜１０３と第１の半導体膜１０２は、真空雰囲気内で連続成膜することが好ましい。真空雰囲気内で連続成膜することで大気雰囲気からのゲート絶縁膜界面の汚染が防止され、ゲート絶縁膜界面の欠陥低減になるからである。 In addition, the gate insulating film 103 and the first semiconductor film 102 are preferably formed continuously in a vacuum atmosphere. This is because continuous film formation in a vacuum atmosphere prevents contamination of the gate insulating film interface from the air atmosphere and reduces defects on the gate insulating film interface.

また、第１の半導体膜１０２の結晶性を高める為に、レーザー光の照射やファーネスアニール、ＲＴＡ（ＲａｐｉｄＴｈｅｒｍａｌＡｎｎｅａｌｉｎｇ）等により、エネルギーを加えて結晶化をしても良い。 In order to improve the crystallinity of the first semiconductor film 102, crystallization may be performed by applying energy by laser light irradiation, furnace annealing, RTA (Rapid Thermal Annealing), or the like.

ここで、作製されるＴＦＴの閾値電圧制御の為に不純物イオンをドーピングしても良い。 Here, impurity ions may be doped in order to control the threshold voltage of the manufactured TFT.

次に、第１の半導体膜１０２上に第１の不純物半導体膜１０４を成膜する。（図１０（Ａ）参照） Next, a first impurity semiconductor film 104 is formed over the first semiconductor film 102. (See FIG. 10 (A))

第１の不純物半導体膜は、ＣＶＤ法等により形成されたドナー型元素を含む半導体膜である。 The first impurity semiconductor film is a semiconductor film containing a donor element formed by a CVD method or the like.

例えば、５０ｎｍの膜厚でリン（Ｐ）を含むシリコン膜を形成する。 For example, a silicon film containing phosphorus (P) is formed with a thickness of 50 nm.

なお、本実施の形態では、ｎ−ｃｈＴＦＴを作製する為、第１の不純物半導体膜１０４はリン（Ｐ）を含むシリコン膜としたが、ｐ−ｃｈＴＦＴを作製する場合は、ボロン（Ｂ）等のアクセプター型元素を含む半導体膜を形成する。 Note that in this embodiment mode, the first impurity semiconductor film 104 is a silicon film containing phosphorus (P) in order to manufacture an n-ch TFT. However, in the case of manufacturing a p-ch TFT, boron (B) or the like is used. A semiconductor film containing the acceptor type element is formed.

次に、積層された第１の不純物半導体膜１０４と第１の半導体膜１０２を、リソグラフィ法によりマスクパターンを転写し、エッチングして、第１のＴＦＴ領域１００１に第１の島状不純物半導体層１０４ａ及び第１の島状半導体層１０２ａを形成し、且つ第２のＴＦＴ領域１００２に第２の島状不純物半導体層１０４ｂ及び第２の島状半導体層１０２ｂを形成する。その後、転写したレジストマスクを除去する。（図１０（Ｂ）参照） Next, a mask pattern is transferred to the stacked first impurity semiconductor film 104 and the first semiconductor film 102 by a lithography method and etched, so that a first island-shaped impurity semiconductor layer is formed in the first TFT region 1001. 104 a and the first island-shaped semiconductor layer 102 a are formed, and the second island-shaped impurity semiconductor layer 104 b and the second island-shaped semiconductor layer 102 b are formed in the second TFT region 1002. Thereafter, the transferred resist mask is removed. (Refer to FIG. 10 (B))

次に、ゲート絶縁膜１０３を、リソグラフィ法によりマスクパターンを転写し、エッチングして、第１のゲート配線２０２ａの一部を露出させて第１のコンタクト領域９００ａを形成し、第２のゲート配線２０２ｂの一部を露出させて第２のコンタクト領域９００ｂを形成する。その後、転写したレジストマスクを除去する。 Next, the gate insulating film 103 is transferred with a mask pattern by a lithography method and etched to expose a part of the first gate wiring 202a to form the first contact region 900a, and the second gate wiring A part of 202b is exposed to form a second contact region 900b. Thereafter, the transferred resist mask is removed.

次に、第２の導電膜４００を成膜する。（図１０（Ｃ）参照） Next, a second conductive film 400 is formed. (See FIG. 10C)

第２の導電膜４００は、スパッタ法等を用いて形成した導電材料からなる導電膜であり、導電性材料または半導体材料を主成分とする材料である。 The second conductive film 400 is a conductive film made of a conductive material formed by a sputtering method or the like, and is a material mainly containing a conductive material or a semiconductor material.

例えば、３００ｎｍの膜厚でＭｏ（モリブデン）を形成する。第２の導電膜には、Ｍｏ（モリブデン）の他にも、Ｔａ（タンタル）、Ｔｉ（チタン）、Ｗ（タングステン）、クロム（Ｃｒ）等の金属材料、これら金属材料とシリコンとの化合物であるシリサイド、Ｎ型又はＰ型の導電性を有するポリシリコン等の材料、低抵抗金属材料Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）等を主成分とする材料を少なくとも一層有する構造であれば特に限定されることなく用いることができる。 For example, Mo (molybdenum) is formed with a thickness of 300 nm. In addition to Mo (molybdenum), the second conductive film is made of a metal material such as Ta (tantalum), Ti (titanium), W (tungsten), or chromium (Cr), or a compound of these metal materials and silicon. The structure is particularly limited as long as it has at least one layer of a material mainly composed of a certain silicide, N-type or P-type conductive polysilicon, or the like, or a low-resistance metal material such as Cu (copper) or Al (aluminum). Can be used without any problem.

次に、第２の導電膜４００を、リソグラフィ法によりマスクパターンを転写し、エッチングして、第１のＴＦＴ領域１００１に第１の配線４０１ａ、第２の配線４０１ｂを形成し、第２のＴＦＴ領域１００２に第３の配線４０１ｃ、第１の反射電極４０２ａを形成する。その後、転写したレジストマスクを除去する。なお、第１の反射電極４０２ａは、反射電極の機能と画素電極の機能を兼ねている。（図１０（Ｄ）参照） Next, the mask pattern is transferred to the second conductive film 400 by a lithography method and etched to form the first wiring 401a and the second wiring 401b in the first TFT region 1001, and the second TFT A third wiring 401c and a first reflective electrode 402a are formed in the region 1002. Thereafter, the transferred resist mask is removed. Note that the first reflective electrode 402a has both a function of a reflective electrode and a function of a pixel electrode. (Refer to FIG. 10 (D))

なお、ここで形成される配線は、マスクパターンに応じて、適宜ＴＦＴ、コンタクト領域を介して露出されたゲート配線、その他の素子等と接続される。 Note that the wiring formed here is appropriately connected to the TFT, the gate wiring exposed through the contact region, other elements, and the like according to the mask pattern.

また、この時、第１の島状不純物半導体層１０４ａはＴＦＴのチャネル形成領域となる領域上のみ露出するようにマスクパターンを形成し、また、第２の島状不純物半導体層１０４ｂをＴＦＴのチャネル形成領域となる領域上のみ露出するようにマスクパターンを形成するようにする。その後、転写したレジストマスクを除去する。 At this time, a mask pattern is formed so that the first island-shaped impurity semiconductor layer 104a is exposed only on a region that becomes a channel formation region of the TFT, and the second island-shaped impurity semiconductor layer 104b is formed on the channel of the TFT. A mask pattern is formed so as to be exposed only on a region to be a formation region. Thereafter, the transferred resist mask is removed.

次に、第１の配線４０１ａ、第２の配線４０１ｂをマスクとして、第１の島状半導体層のチャネル形成領域上の不純物半導体層を自己整合的にエッチングすることにより、第１のＴＦＴ領域１００１に第１のソース領域１０５ａ及び第１のドレイン領域１０６ａを形成し、同時に、第３の配線４０１ｃ、第１の反射電極４０２ａをマスクとして、第２の島状半導体層のチャネル形成領域上の不純物半導体層を自己整合的にエッチングすることによって、第２のＴＦＴ領域１００２に第２のソース領域１０５ｂ及び第２のドレイン領域１０６ｂを形成する。（図１１（Ａ）参照） Next, by using the first wiring 401a and the second wiring 401b as masks, the impurity semiconductor layer on the channel formation region of the first island-shaped semiconductor layer is etched in a self-aligned manner, whereby the first TFT region 1001 is obtained. The first source region 105a and the first drain region 106a are formed at the same time, and at the same time, impurities on the channel formation region of the second island-shaped semiconductor layer using the third wiring 401c and the first reflective electrode 402a as a mask A second source region 105 b and a second drain region 106 b are formed in the second TFT region 1002 by etching the semiconductor layer in a self-aligned manner. (See FIG. 11 (A))

ここで、第１の島状半導体層１０２ａと、第１のソース領域１０５ａと、第１のドレイン領域１０６ａと、で構成された島状の半導体層を第３の島状半導体層１０２ｃとし、第２の島状半導体層１０２ｂと、第２のソース領域１０５ｂと、第２のドレイン領域１０６ｂと、で構成された島状の半導体層を第４の島状半導体層１０２ｄとする。（図１１（Ａ）参照） Here, an island-shaped semiconductor layer including the first island-shaped semiconductor layer 102a, the first source region 105a, and the first drain region 106a is referred to as a third island-shaped semiconductor layer 102c. The island-shaped semiconductor layer including the two island-shaped semiconductor layers 102b, the second source region 105b, and the second drain region 106b is referred to as a fourth island-shaped semiconductor layer 102d. (See FIG. 11 (A))

次に、第１の層間絶縁膜３００を成膜する。（図１１（Ｂ）参照） Next, a first interlayer insulating film 300 is formed. (See FIG. 11 (B))

第１の層間絶縁膜３００は、ＣＶＤ法またはスパッタ法等を用いて形成した絶縁材料であり、例えばシリコンを主成分とする絶縁材料である。 The first interlayer insulating film 300 is an insulating material formed using a CVD method, a sputtering method, or the like, for example, an insulating material mainly containing silicon.

例えば、２００ｎｍの膜厚で窒化シリコン膜を形成する。第１の層間絶縁膜３００には、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。 For example, a silicon nitride film is formed with a thickness of 200 nm. As the first interlayer insulating film 300, another insulating film containing silicon may be used as a single layer or a stacked structure.

次に、第１の層間絶縁膜３００を、リソグラフィ法によりマスクパターンを転写し、エッチングして、第１の配線４０１ａの一部を露出させて第３のコンタクト領域９００ｃを形成する。その後、転写したレジストマスクを除去する。（図１１（Ｃ）参照） Next, the first interlayer insulating film 300 is transferred with a mask pattern by a lithography method and etched to expose a part of the first wiring 401a to form a third contact region 900c. Thereafter, the transferred resist mask is removed. (See FIG. 11C)

また、同時に、第２の配線４０１ｂの一部を露出させて第４のコンタクト領域９００ｄを形成し、第３の配線４０１ｃの一部を露出させて第５のコンタクト領域９００ｅを形成する。 At the same time, a part of the second wiring 401b is exposed to form a fourth contact region 900d, and a part of the third wiring 401c is exposed to form a fifth contact region 900e.

次に、レッドカラーフィルター膜７１１を成膜する。（図１１（Ｄ）参照） Next, a red color filter film 711 is formed. (Refer to FIG. 11D)

次に、リソグラフィ法によりマスクパターンを露光し、現像して、第１の対向領域２００１に第１のレッドカラーフィルター領域７１１ａを形成し、第２の対向領域２００２に第２のレッドカラーフィルター領域７１１ｂを形成する。（図１２（Ａ）参照） Next, the mask pattern is exposed by lithography and developed to form a first red color filter region 711a in the first counter region 2001, and a second red color filter region 711b in the second counter region 2002. Form. (See FIG. 12 (A))

レッドカラーフィルター膜７１１は、スピンコート法等を用いて形成した赤色のカラーレジストである。 The red color filter film 711 is a red color resist formed using a spin coat method or the like.

例えば、１．０μｍの膜厚でカラーレジストを形成する。 For example, a color resist is formed with a film thickness of 1.0 μm.

次に、グリーンカラーフィルター膜７２１を成膜し、リソグラフィ法によりマスクパターンを露光し、現像して、第１の対向領域２００１に第１のグリーンカラーフィルター領域７２１ａを形成し、第２の対向領域２００２に第２のグリーンカラーフィルター領域７２１ｂを形成する。 Next, a green color filter film 721 is formed, a mask pattern is exposed by a lithography method, and developed to form a first green color filter region 721a in the first opposing region 2001, and the second opposing region In 2002, a second green color filter region 721b is formed.

グリーンカラーフィルター膜７２１は、スピンコート法等を用いて形成した緑色のカラーレジストである。 The green color filter film 721 is a green color resist formed using a spin coat method or the like.

次に、ブルーカラーフィルター膜７３１を成膜し、リソグラフィ法によりマスクパターンを露光し、現像して、第１の対向領域２００１に第１のブルーカラーフィルター領域７３１ａを形成し、第２の対向領域２００２に第２のブルーカラーフィルター領域７３１ｂを形成する。 Next, a blue color filter film 731 is formed, a mask pattern is exposed by a lithography method, and developed to form a first blue color filter region 731a in the first counter region 2001, and a second counter region In 2002, a second blue color filter region 731b is formed.

ブルーカラーフィルター膜７３１は、スピンコート法等を用いて形成した青色のカラーレジストである。 The blue color filter film 731 is a blue color resist formed by using a spin coat method or the like.

次に、第２の層間絶縁膜５００を成膜する。（図１２（Ｂ）参照） Next, a second interlayer insulating film 500 is formed. (Refer to FIG. 12 (B))

第２の層間絶縁膜５００は、スピンコート法等を用いて形成した絶縁材料である。 The second interlayer insulating film 500 is an insulating material formed using a spin coat method or the like.

例えば、１μｍの膜厚でアクリルを形成する。第２の層間絶縁膜５００には、アクリルの他にも、ポリイミド、シロキサン等を少なくとも主成分とする材料を少なくとも一層有する構造であれば特に限定されることなく用いることができる。 For example, acrylic is formed with a film thickness of 1 μm. The second interlayer insulating film 500 can be used without particular limitation as long as it has at least one layer of a material containing at least a main component of polyimide, siloxane, or the like in addition to acrylic.

これらの材料を用いることにより、平坦化の効果を得られる。 By using these materials, a planarization effect can be obtained.

次に、第２の層間絶縁膜５００を、リソグラフィ法によりマスクパターンを転写し、エッチングして、第１の絶縁領域５０１ａ及び第２の絶縁領域５０１ｂを形成する。（図１２（Ｃ）参照） Next, a mask pattern is transferred to the second interlayer insulating film 500 by a lithography method and etched to form a first insulating region 501a and a second insulating region 501b. (See FIG. 12C)

次に、透明導電膜６００を成膜する。（図１２（Ｄ）参照） Next, a transparent conductive film 600 is formed. (Refer to FIG. 12 (D))

透明導電膜６００は、スパッタリング法等を用いて形成した透過性の高い導電材料である。 The transparent conductive film 600 is a highly transmissive conductive material formed using a sputtering method or the like.

例えば、９０ｎｍの膜厚でインジウム錫酸化物（以下ＩＴＯという。）を形成する。透明導電膜６００には、ＩＴＯの他にも、Ｓｉ元素を含むインジウム錫酸化物（以下ＩＴＳＯという）、酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）などの材料、もしくはこれらを組み合わせた化合物を含む膜を用いることができる。 For example, indium tin oxide (hereinafter referred to as ITO) is formed with a thickness of 90 nm. In addition to ITO, the transparent conductive film 600 includes indium tin oxide containing Si element (hereinafter referred to as ITSO), IZO (Indium Zinc Oxide) in which indium oxide is mixed with 2 to 20% zinc oxide (ZnO), and the like. A film containing a material of the above or a combination of these materials can be used.

次に、透明導電膜６００を、リソグラフィ法によりマスクパターンを転写し、エッチングして、第１のＴＦＴ領域に第１の透明電極６０１ａ、第１の対向領域に第２の透明電極６０１ｂ、第２の対向領域に第３の透明電極６０１ｃを形成する。その後、転写したレジストマスクを除去する。（図１３参照） Next, the transparent conductive film 600 is transferred with a mask pattern by a lithography method and etched, so that the first transparent electrode 601a is formed in the first TFT region, the second transparent electrode 601b is formed in the first opposing region, the second A third transparent electrode 601c is formed in the opposite region. Thereafter, the transferred resist mask is removed. (See Figure 13)

以上のようにして、透過型若しくは半透過型の第１のＴＦＴ領域１００１と反射型の第２のＴＦＴ領域１００２と第１のＴＦＴ領域１００１の対向側に配置される第１の対向領域２００１と第２のＴＦＴ領域１００２の対向側に配置される第２の対向領域２００２を同一の基板上に作製することができる。 As described above, the transmissive or transflective first TFT region 1001, the reflective second TFT region 1002, and the first opposing region 2001 disposed on the opposite side of the first TFT region 1001. A second opposing region 2002 disposed on the opposite side of the second TFT region 1002 can be manufactured over the same substrate.

次に、実施の形態１に記載した方法により、液晶パネル作製する。 Next, a liquid crystal panel is manufactured by the method described in Embodiment Mode 1.

液晶パネルは、第１の液晶表示領域３００１及び第２の液晶表示領域３００２を有しており、第１の液晶表示領域３００１内にＦＰＣ接続配線９０００ａを有し、及び第２の液晶表示領域３００２内にＦＰＣ接続配線９０００ｂを有する。（図１９参照図１９は、実施の形態１の基板配置を本実施の形態に適用した図を例示した。） The liquid crystal panel includes a first liquid crystal display region 3001 and a second liquid crystal display region 3002, an FPC connection wiring 9000 a in the first liquid crystal display region 3001, and a second liquid crystal display region 3002. An FPC connection wiring 9000b is included therein. (See FIG. 19) FIG. 19 illustrates a diagram in which the substrate arrangement of the first embodiment is applied to this embodiment.

以上実施の形態４によれば、マスク数の削減、装置処理回数の削減、使用材料の削減が可能となる為、歩留まりを向上でき、コストの削減が可能となる。
（実施の形態５） As described above, according to the fourth embodiment, it is possible to reduce the number of masks, reduce the number of times of apparatus processing, and reduce the materials used. Therefore, it is possible to improve yield and reduce cost.
(Embodiment 5)

実施の形態４では、第２のＴＦＴ領域１００２に形成される反射電極に配線と同じ材料を使用したが、反射電極と画素電極を兼用せずに、画素電極に透明電極を用い、ゲート電極材料を反射電極として使用しても良い。（図２０、図２１参照） In the fourth embodiment, the same material as the wiring is used for the reflective electrode formed in the second TFT region 1002, but the transparent electrode is used for the pixel electrode without using the reflective electrode and the pixel electrode together, and the gate electrode material is used. May be used as a reflective electrode. (See FIGS. 20 and 21)

例えば、第２の反射電極２０４は、ゲート絶縁膜１０３と第１の層間絶縁膜３００を介して、画素電極の下層に配置することができる。（図２０参照） For example, the second reflective electrode 204 can be disposed below the pixel electrode with the gate insulating film 103 and the first interlayer insulating film 300 interposed therebetween. (See Figure 20)

この場合の作製方法は、実施の形態４の場合において、第１の導電膜２００のマスクパターン形成時に、第２の反射電極２０４を形成し、第２の導電膜４００のマスクパターン形成時に、第１の反射電極４０２ａの代わりに第４の配線４０１ｄを形成し、透明導電膜６００のマスクパターン形成時に、第４の透明電極６０１ｄを形成すれば良い。 The manufacturing method in this case is the same as that in Embodiment Mode 4, in which the second reflective electrode 204 is formed when the mask pattern of the first conductive film 200 is formed and the second reflective electrode 204 is formed when the mask pattern of the second conductive film 400 is formed. The fourth wiring 401d may be formed instead of the first reflective electrode 402a, and the fourth transparent electrode 601d may be formed when the mask pattern of the transparent conductive film 600 is formed.

また、第２の反射電極２０４と第４の透明電極６０１ｄを接して形成することができる（図２１参照）。 Further, the second reflective electrode 204 and the fourth transparent electrode 601d can be formed in contact with each other (see FIG. 21).

この場合の作製方法は、実施の形態４の場合において、第１の導電膜２００のマスクパターン形成時に、第２の反射電極２０４を形成し、ゲート絶縁膜１０３のマスクパターン形成時に第２の反射電極２０４の上のゲート絶縁膜１０３を除去し、第１の層間絶縁膜３００のマスクパターン形成時に第２の反射電極２０４上の第１の層間絶縁膜３００を除去し、第２の導電膜４００のマスクパターン形成時に、第１の反射電極４０２ａを形成せずに第４の配線４０１ｄを形成し、透明導電膜６００のマスクパターン形成時に、第４の透明電極６０１ｄを形成すれば良い。
（実施の形態６） In the manufacturing method in this case, in the case of Embodiment 4, the second reflective electrode 204 is formed when the mask pattern of the first conductive film 200 is formed, and the second reflection is performed when the mask pattern of the gate insulating film 103 is formed. The gate insulating film 103 on the electrode 204 is removed, and the first interlayer insulating film 300 on the second reflective electrode 204 is removed when the mask pattern of the first interlayer insulating film 300 is formed, and the second conductive film 400 is removed. The fourth wiring 401d may be formed without forming the first reflective electrode 402a when the mask pattern is formed, and the fourth transparent electrode 601d may be formed when the mask pattern of the transparent conductive film 600 is formed.
(Embodiment 6)

実施の形態４、５では、ブラックマトリクス材料にゲート電極材料と同じ材料を使用したが、ブラックマトリクス材料に配線膜と同じ材料を使用しても良い。（図２２、図２３、図２４参照） In the fourth and fifth embodiments, the same material as the gate electrode material is used as the black matrix material, but the same material as the wiring film may be used as the black matrix material. (See FIGS. 22, 23, and 24)

この場合の作製方法は、実施の形態４の場合において、第１の導電膜２００のマスクパターン形成時に、第１のブラックマトリクス２０３ａ、第２のブラックマトリクス２０３ｂを形成しないで、第２の導電膜４００のマスクパターン形成時に、第１の対向領域２００１に第３のブラックマトリクス４０３ａを形成し、第２の対向領域２００２に第４のブラックマトリクス４０３ｂを形成すればよい。
（実施の形態７） The manufacturing method in this case is the same as that in Embodiment 4 except that the first black matrix 203a and the second black matrix 203b are not formed when the mask pattern of the first conductive film 200 is formed. When the 400 mask pattern is formed, the third black matrix 403a may be formed in the first counter area 2001, and the fourth black matrix 403b may be formed in the second counter area 2002.
(Embodiment 7)

本実施の形態では、実施の形態２に記載した基板の作製方法を例示する。なお、実施の形態４と同様の作製方法を用いるので、実施の形態４と異なる部分のみについて説明を行う。 In this embodiment, the method for manufacturing the substrate described in Embodiment 2 is illustrated. Note that since a manufacturing method similar to that in Embodiment 4 is used, only portions different from those in Embodiment 4 will be described.

本実施の形態の作製方法は、実施の形態４の場合において、第１の導電膜２００のマスクパターン形成時に、第２の対向領域２００２に第２のブラックマトリクス２０３ｂを形成せずに第３の反射電極２０５を形成し、第２の導電膜４００のマスクパターン形成時に、第１の反射電極４０２ａを形成せずに第４の配線４０１ｄを形成し、透明導電膜６００のマスクパターン形成時に、第４の透明電極６０１ｄを形成した後、マスクパターン転写技術により、第３のブラックマトリクス８００を第２の対向領域２００２に形成する。 In the manufacturing method of this embodiment mode, in the case of Embodiment Mode 4, the second black matrix 203b is not formed in the second opposing region 2002 when the mask pattern of the first conductive film 200 is formed. When the reflective electrode 205 is formed, the fourth wiring 401d is formed without forming the first reflective electrode 402a when forming the mask pattern of the second conductive film 400, and when the mask pattern of the transparent conductive film 600 is formed, After the fourth transparent electrode 601d is formed, a third black matrix 800 is formed in the second facing region 2002 by a mask pattern transfer technique.

第３のブラックマトリクスは、例えば、黒色の有機膜を使用する。 For example, a black organic film is used for the third black matrix.

これにより、透過型又は半透過型の第１の液晶表示領域３００１と反射型の第２の液晶表示領域３００２を形成することが可能である。（図２５参照）
（実施の形態８） Thus, a transmissive or transflective first liquid crystal display region 3001 and a reflective second liquid crystal display region 3002 can be formed. (See Figure 25)
(Embodiment 8)

実施の形態７において、第２の対向領域２００２の第３の反射電極２０５に第１の導電膜２００と同じ材料を使用したが、第３の反射電極２０５に第２の導電膜４００と同じ材料を使用することが可能である。（図２６参照） In Embodiment 7, the same material as that of the first conductive film 200 is used for the third reflective electrode 205 in the second facing region 2002, but the same material as that of the second conductive film 400 is used for the third reflective electrode 205. Can be used. (See Figure 26)

この場合の作製方法は、実施の形態７の場合において、第１の導電膜２００のマスクパターン形成時に第２の対向領域２００２に第３の反射電極２０５を形成せずに、第２の導電膜４００のマスクパターン形成時に、第２の対向領域２００２に第４の反射電極４０４を形成すれば良い。
（実施の形態９） The manufacturing method in this case is the same as that in Embodiment 7, in which the second conductive film is formed without forming the third reflective electrode 205 in the second facing region 2002 when the mask pattern of the first conductive film 200 is formed. When the 400 mask pattern is formed, the fourth reflective electrode 404 may be formed in the second facing region 2002.
(Embodiment 9)

実施の形態７においては、第２の層間絶縁膜５００を形成しなくても良い。（図２７参照） In the seventh embodiment, the second interlayer insulating film 500 need not be formed. (See Figure 27)

この場合は、実施の形態７において、第２の層間絶縁膜５００を形成する工程と、第２の層間絶縁膜５００のマスクパターンを形成する工程と、を除外すればよい。 In this case, in the seventh embodiment, the step of forming the second interlayer insulating film 500 and the step of forming the mask pattern of the second interlayer insulating film 500 may be excluded.

本実施形態の場合、第２の層間絶縁膜５００を形成する必要がない為、マスク数の削減、装置処理回数の削減、使用材料の削減が可能である為、歩留まりを向上でき、コストの削減が可能となる。
（実施の形態１０） In the case of the present embodiment, since it is not necessary to form the second interlayer insulating film 500, the number of masks, the number of device processing times, and the materials used can be reduced, so that the yield can be improved and the cost can be reduced. Is possible.
(Embodiment 10)

実施の形態８においては、第２の層間絶縁膜５００を形成しなくても良い。（図２８参照） In the eighth embodiment, the second interlayer insulating film 500 may not be formed. (See Figure 28)

この場合は、実施の形態８において、第２の層間絶縁膜５００を形成する工程と、第２の層間絶縁膜５００のマスクパターンを形成する工程と、を除外すればよい。 In this case, in the eighth embodiment, the step of forming the second interlayer insulating film 500 and the step of forming the mask pattern of the second interlayer insulating film 500 may be excluded.

本実施形態の場合、第２の層間絶縁膜５００を形成する必要がない為、マスク数の削減、装置処理回数の削減、使用材料の削減が可能である為、歩留まりを向上でき、コストの削減が可能となる。
（実施の形態１１） In the case of the present embodiment, since it is not necessary to form the second interlayer insulating film 500, the number of masks, the number of device processing times, and the materials used can be reduced, so that the yield can be improved and the cost can be reduced. Is possible.
(Embodiment 11)

実施の形態９においては、カラーフィルター領域を第２のＴＦＴ領域１００２に形成することが可能である（図２９参照） In Embodiment 9, the color filter region can be formed in the second TFT region 1002 (see FIG. 29).

この場合は、第９の実施の形態において、カラーフィルター領域形成時に、第２の対向領域２００２にはカラーフィルター領域を形成せず、第２のＴＦＴ領域１００２の第４の透明電極６０１ｄの下にカラーフィルター領域が配置されるようにカラーフィルター領域を形成すればよい。 In this case, in the ninth embodiment, when the color filter region is formed, no color filter region is formed in the second counter region 2002, and the second TFT region 1002 is under the fourth transparent electrode 601d. The color filter area may be formed so that the color filter area is arranged.

この場合、カラーフィルター領域は表示面となる基板に配置されるので、より鮮明な表示が可能となる。
（実施の形態１２） In this case, since the color filter region is arranged on the substrate serving as the display surface, clearer display is possible.
(Embodiment 12)

実施の形態１０においては、カラーフィルター領域を第２のＴＦＴ領域１００２に形成することが可能である（図３０参照） In Embodiment Mode 10, the color filter region can be formed in the second TFT region 1002 (see FIG. 30).

この場合は、第１０の実施の形態において、カラーフィルター領域形成時に、第２の対向領域２００２にはカラーフィルター領域を形成せず、第２のＴＦＴ領域１００２の第４の透明電極６０１ｄの下にカラーフィルター領域が配置されるようにカラーフィルター領域を形成すればよい。 In this case, in the tenth embodiment, when the color filter region is formed, no color filter region is formed in the second facing region 2002, and the second TFT region 1002 is under the fourth transparent electrode 601d. The color filter area may be formed so that the color filter area is arranged.

この場合、カラーフィルター領域は表示面となる基板に配置されるので、より鮮明な表示が可能となる。
（実施の形態１３） In this case, since the color filter region is arranged on the substrate serving as the display surface, clearer display is possible.
(Embodiment 13)

本実施形態では、透過型若しくは半透過型の液晶表示装置用の第１のＴＦＴ領域１００１と第１の対向領域２００１と反射型の液晶表示装置用の第２のＴＦＴ領域１００２と第２の対向領域２００２を同一の基板上に作製する方法の一例を説明する。 In this embodiment, a first TFT region 1001 and a first opposing region 2001 for a transmissive or transflective liquid crystal display device and a second TFT region 1002 and a second opposing region for a reflective liquid crystal display device are used. An example of a method for manufacturing the region 2002 over the same substrate is described.

本実施形態では、第１のＴＦＴ領域１００１と第２のＴＦＴ領域１００２のＴＦＴはトップゲート型ＴＦＴの一例を説明する。 In this embodiment, an example of a top-gate TFT as a TFT in the first TFT region 1001 and the second TFT region 1002 will be described.

なお、本実施形態の説明に使用する図において、便宜的に第１のＴＦＴ領域１００１のＴＦＴの一つと、第２のＴＦＴ領域１００２のＴＦＴの一つと、第１の対向領域２００１のカラーフィルタの一つと、第２の対向領域２００２のカラーフィルタの一つ（レッドカラーフィルター領域）と、を図示して説明を行うが、それぞれのＴＦＴ領域は複数のＴＦＴ及び必要な素子、配線等を有しており、また、対向領域は、図示していないグリーンカラーフィルター領域及びブルーカラーフィルター領域等を有しているものとする。 Note that in the drawing used for description of this embodiment, for convenience, one of the TFTs in the first TFT region 1001, one of the TFTs in the second TFT region 1002, and the color filter in the first counter region 2001. One color filter and one of the color filters (red color filter region) in the second opposing region 2002 are illustrated and described. Each TFT region has a plurality of TFTs and necessary elements and wirings. In addition, the opposing region has a green color filter region, a blue color filter region, and the like (not shown).

まず、基板１００を用意する。（図１４（Ａ）参照） First, the substrate 100 is prepared. (See FIG. 14 (A))

プロセス温度に耐え得れば、耐熱性の高いプラスチック材料、例えばポリカーボネイド、ポリイミド、アクリル材料でなる基板を用いることもできる。また、基板１００の形状は平面、曲面あるいは両方を有するものであり、平板状、帯状、長尺のものなど、プロセスや製造装置によって適宜選択される。 A substrate made of a plastic material having high heat resistance, such as polycarbonate, polyimide, or an acrylic material, can be used as long as it can withstand the process temperature. The shape of the substrate 100 has a flat surface, a curved surface, or both, and is appropriately selected depending on the process and the manufacturing apparatus, such as a flat plate shape, a belt shape, and a long shape.

次に、基板１００上に、下地絶縁膜１０１を成膜し、下地絶縁膜１０１上に、第１の半導体膜１０２を成膜する。（図１４（Ｂ）参照） Next, a base insulating film 101 is formed over the substrate 100, and a first semiconductor film 102 is formed over the base insulating film 101. (See FIG. 14 (B))

下地絶縁膜１０１は、基板１００から不純物が拡散することを防止する膜で、例えば、１００ｎｍの膜厚で酸化窒化シリコンを形成する。下地絶縁膜１０１には、酸化窒化シリコンの他にも、窒化酸化シリコン、酸化シリコン、窒化シリコン等の単層又は積層を用いることができる。 The base insulating film 101 is a film that prevents impurities from diffusing from the substrate 100. For example, silicon oxynitride is formed to a thickness of 100 nm. For the base insulating film 101, a single layer or a stacked layer of silicon nitride oxide, silicon oxide, silicon nitride, or the like can be used in addition to silicon oxynitride.

例えば、５４ｎｍの膜厚でアモルファスシリコン膜を形成する。第１の半導体膜１０２の材料はシリコンに限られたものではなく、他の半導体材料も適宜選択可能である。 For example, an amorphous silicon film is formed with a thickness of 54 nm. The material of the first semiconductor film 102 is not limited to silicon, and other semiconductor materials can be selected as appropriate.

次に、第１の半導体膜１０２を、リソグラフィ法によりマスクパターンを転写し、エッチングして、第１のＴＦＴ領域１００１に第１の島状半導体層１０２ａ及び第２の島状半導体層１０２ｂを形成する。その後、転写したレジストマスクを除去する。（図１４（Ｃ）参照） Next, a mask pattern is transferred to the first semiconductor film 102 by a lithography method and etched to form the first island-shaped semiconductor layer 102a and the second island-shaped semiconductor layer 102b in the first TFT region 1001. To do. Thereafter, the transferred resist mask is removed. (See FIG. 14C)

次に、ゲート絶縁膜１０３を成膜する。（図１４（Ｄ）参照） Next, a gate insulating film 103 is formed. (See FIG. 14D)

例えば、１００ｎｍの膜厚で酸化窒化シリコン膜を形成する。ゲート絶縁膜１０３には、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。 For example, a silicon oxynitride film is formed with a thickness of 100 nm. As the gate insulating film 103, another insulating film containing silicon may be used as a single layer or a stacked structure.

次に、ゲート絶縁膜１０３上に第１の導電膜２００を成膜する。（図１５（Ａ）参照） Next, a first conductive film 200 is formed over the gate insulating film 103. (See FIG. 15A)

次に、第１の導電膜２００を、リソグラフィ法によりマスクパターンを転写し、エッチングして、第１のＴＦＴ領域１００１に第１のゲート電極２０１ａ、第１のゲート配線２０２ａを形成し、第２のＴＦＴ領域１００２に第２のゲート電極２０１ｂ、第２のゲート配線２０２ｂを形成し、第１の対向領域２００１に第１のブラックマトリクス２０３ａを形成し、第２の対向領域２００２に第２のブラックマトリクス２０３ｂを形成する。その後、転写したレジストマスクを除去する。（図１５（Ｂ）参照） Next, the first conductive film 200 is transferred with a mask pattern by a lithography method and etched to form the first gate electrode 201a and the first gate wiring 202a in the first TFT region 1001, and the second A second gate electrode 201b and a second gate wiring 202b are formed in the TFT region 1002, a first black matrix 203a is formed in the first counter region 2001, and a second black is formed in the second counter region 2002. A matrix 203b is formed. Thereafter, the transferred resist mask is removed. (Refer to FIG. 15 (B))

ブラックマトリクス材料をゲート電極材料と同一の材料を使用して、基板面内に同時に作製することにより、マスク数の削減、装置処理回数の削減、使用材料の削減が可能である為、歩留まりを向上でき、コストの削減が可能となる。 Using the same material as the gate electrode material for the black matrix material at the same time on the substrate surface can reduce the number of masks, reduce the number of device treatments, and reduce the materials used, thus improving the yield. And cost reduction is possible.

次に、第１の島状半導体層１０２ａ及び第２の島状半導体層１０２ｂに不純物イオンの注入を行い、第１のＴＦＴ領域１００１に、第１のソース領域１０５ａ、第１のドレイン領域１０６ａを形成し、第２のＴＦＴ領域１００２に、第２のソース領域１０５ｂ、第２のドレイン領域１０６ｂを形成する。（図１５（Ｃ）参照） Next, impurity ions are implanted into the first island-shaped semiconductor layer 102a and the second island-shaped semiconductor layer 102b, and the first source region 105a and the first drain region 106a are formed in the first TFT region 1001. Then, a second source region 105 b and a second drain region 106 b are formed in the second TFT region 1002. (See FIG. 15C)

不純物の注入方法としては、イオン注入法、プラズマドーピング法、又はイオンシャワードーピング法が可能であり、注入するイオンは、ｎ−ｃｈＴＦＴにする場合は、ドナー型元素（例えばＰ（リン）やＡｓ（ヒ素））を注入し、ｐ−ｃｈＴＦＴにする場合は、アクセプター型元素（例えばＢ（ボロン））を注入する。 As an impurity implantation method, an ion implantation method, a plasma doping method, or an ion shower doping method can be used. When an ion to be implanted is an n-ch TFT, a donor type element (for example, P (phosphorus) or As ( In the case where arsenic)) is implanted to form a p-ch TFT, an acceptor element (for example, B (boron)) is implanted.

また、基板面内にｎ−ｃｈＴＦＴとｐ−ｃｈＴＦＴを配置したいわゆるＣＭＯＳ回路を作製する場合、ドナー型元素を注入する時は、ｐ−ｃｈＴＦＴになる領域をマスクで覆ってドナー元素を注入し、アクセプター型元素を注入する時は、ｎ−ｃｈＴＦＴになる領域をマスクで覆ってアクセプター型元素を注入する。 When a so-called CMOS circuit in which an n-ch TFT and a p-ch TFT are arranged in the substrate surface is produced, when a donor type element is implanted, a donor element is implanted by covering a region to be a p-ch TFT with a mask, When the acceptor type element is implanted, the acceptor type element is implanted by covering the region to be the n-ch TFT with a mask.

なお、マスクで覆う方法には、例えば、リソグラフィ法を用いる。 As a method of covering with a mask, for example, a lithography method is used.

次に、第１の層間絶縁膜３００を成膜する。（図１５（Ｄ）参照） Next, a first interlayer insulating film 300 is formed. (See FIG. 15D)

例えば、１００ｎｍの膜厚で窒化シリコン膜を形成する。第１の層間絶縁膜３００には、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。 For example, a silicon nitride film is formed with a thickness of 100 nm. As the first interlayer insulating film 300, another insulating film containing silicon may be used as a single layer or a stacked structure.

次に、注入した不純物イオンを活性化する為にアニールを行う。 Next, annealing is performed to activate the implanted impurity ions.

アニールは、例えば、窒素雰囲気で５５０度１時間でファーネスアニールを行う。アニールはＲＴＡやレーザー照射によって行っても良い。 For example, the annealing is performed in a nitrogen atmosphere at 550 ° C. for 1 hour. Annealing may be performed by RTA or laser irradiation.

次に、レッドカラーフィルター膜７１１を成膜する。（図１６（Ａ）参照） Next, a red color filter film 711 is formed. (See FIG. 16 (A))

次に、リソグラフィ法によりマスクパターンを露光し、現像して、第１の対向領域２００１に第１のレッドカラーフィルター領域７１１ａを形成し、第２の対向領域２００２に第２のレッドカラーフィルター領域７１１ｂを形成する。（図１６（Ｂ）参照） Next, the mask pattern is exposed by lithography and developed to form a first red color filter region 711a in the first counter region 2001, and a second red color filter region 711b in the second counter region 2002. Form. (Refer to FIG. 16 (B))

次に、第２の層間絶縁膜５００を成膜する。（図１６（Ｃ）参照） Next, a second interlayer insulating film 500 is formed. (See FIG. 16C)

次に、第２の層間絶縁膜５００を、リソグラフィ法によりマスクパターンを転写し、エッチングして、第１のＴＦＴ領域に、第１のソース領域１０５ａの一部を露出して第１のコンタクト領域９０１ａを形成し、第１のドレイン領域１０６ａの一部を露出して第２のコンタクト領域９０１ｂを形成し、第１のゲート電極２０１ａの一部を露出して第３のコンタクト領域９０１ｃを形成し第２のＴＦＴ領域に、第２のソース領域１０５ｂの一部を露出して第４のコンタクト領域９０１ｄを形成し、第２のドレイン領域１０６ｂの一部を露出して第５のコンタクト領域９０１ｅを形成し、第２のゲート電極２０１ｂの一部を露出して第６のコンタクト領域９０１ｆを形成する。（図１６（Ｄ）参照） Next, the second interlayer insulating film 500 is transferred with a mask pattern by a lithography method and etched to expose a part of the first source region 105a in the first TFT region, thereby exposing the first contact region. 901a is formed, a part of the first drain region 106a is exposed to form a second contact region 901b, and a part of the first gate electrode 201a is exposed to form a third contact region 901c. In the second TFT region, a part of the second source region 105b is exposed to form a fourth contact region 901d, and a part of the second drain region 106b is exposed to form a fifth contact region 901e. A sixth contact region 901f is formed by exposing part of the second gate electrode 201b. (Refer to FIG. 16D)

ここで、第１の対向領域２００１及び第２の対向領域２００２上の第２の層間絶縁膜５００は除去しないので、第１の対向領域２００１及び第２の対向領域２００２に平坦化層が形成されることとなる。（図１６（Ｄ）参照） Here, since the second interlayer insulating film 500 on the first counter region 2001 and the second counter region 2002 is not removed, a planarization layer is formed in the first counter region 2001 and the second counter region 2002. The Rukoto. (Refer to FIG. 16D)

ＴＦＴ領域の層間絶縁膜材料を対向領域の平坦化絶縁膜材料と同一の材料を使用して、基板面内に同時に作製することにより、マスク数の削減、装置処理回数の削減、使用材料の削減が可能となる為、歩留まりを向上でき、コストの削減が可能となる。 By using the same material as the planarization insulation film material in the opposing area for the interlayer insulation film material in the TFT area, and simultaneously producing it on the substrate surface, the number of masks, the number of device processing times, and the material used are reduced. Therefore, the yield can be improved and the cost can be reduced.

次に、第２の導電膜４００を成膜する。（図１７（Ａ）参照） Next, a second conductive film 400 is formed. (See FIG. 17A)

例えば、１００ｎｍの膜厚でＴｉ（チタン）を形成した後、３００ｎｍの膜厚でＡｌ（アルミニウム）を形成する。第１の導電膜には、Ｔｉ（チタン）とＡｌ（アルミニウム）の積層の他にも、Ｔａ（タンタル）、Ｔｉ（チタン）、Ｗ（タングステン）、クロム（Ｃｒ）等の金属材料、これら金属材料とシリコンとの化合物であるシリサイド、Ｎ型又はＰ型の導電性を有するポリシリコン等の材料、低抵抗金属材料Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）等を主成分とする材料を少なくとも一層有する構造であれば特に限定されることなく用いることができる。 For example, after forming Ti (titanium) with a film thickness of 100 nm, Al (aluminum) is formed with a film thickness of 300 nm. For the first conductive film, in addition to the lamination of Ti (titanium) and Al (aluminum), a metal material such as Ta (tantalum), Ti (titanium), W (tungsten), chromium (Cr), or the like It has at least one material mainly composed of silicide, which is a compound of material and silicon, polysilicon having N-type or P-type conductivity, low-resistance metal material Cu (copper), Al (aluminum), etc. Any structure can be used without particular limitation.

次に、第２の導電膜４００を、リソグラフィ法によりマスクパターンを転写し、エッチングして、第１のＴＦＴ領域１００１に第１の配線４０１ａ、第２の配線４０１ｂを形成し、第２のＴＦＴ領域１００２に第３の配線４０１ｃ、第１の反射電極４０２ａを形成する。その後、転写したレジストマスクを除去する。なお、第１の反射電極４０２ａは、反射電極の機能と画素電極の機能を兼ねている。（図１７（Ｂ）参照） Next, the mask pattern is transferred to the second conductive film 400 by a lithography method and etched to form the first wiring 401a and the second wiring 401b in the first TFT region 1001, and the second TFT A third wiring 401c and a first reflective electrode 402a are formed in the region 1002. Thereafter, the transferred resist mask is removed. Note that the first reflective electrode 402a has both a function of a reflective electrode and a function of a pixel electrode. (Refer to FIG. 17 (B))

次に、透明導電膜６００を成膜する。（図１７（Ｃ）） Next, a transparent conductive film 600 is formed. (Fig. 17 (C))

次に、透明導電膜６００を、リソグラフィ法によりマスクパターンを転写し、エッチングして、第１のＴＦＴ領域に第１の透明電極６０１ａ、第１の対向領域に第２の透明電極６０１ｂ、第２の対向領域に第３の透明電極６０１ｃを形成する。その後、転写したレジストマスクを除去する。（図１８参照） Next, the transparent conductive film 600 is transferred with a mask pattern by a lithography method and etched, so that the first transparent electrode 601a is formed in the first TFT region, the second transparent electrode 601b is formed in the first opposing region, the second A third transparent electrode 601c is formed in the opposite region. Thereafter, the transferred resist mask is removed. (See Figure 18)

以上のようにして、透過型若しくは半透過型の第１のＴＦＴ領域１００１と、反射型の第２のＴＦＴ領域１００２と、第１のＴＦＴ領域１００１の対向側に配置される第１の対向領域２００１と、第２のＴＦＴ領域１００２の対向側に配置される第２の対向領域２００２と、を同一の基板上に作製することができる。 As described above, the transmissive or transflective first TFT region 1001, the reflective second TFT region 1002, and the first opposing region disposed on the opposite side of the first TFT region 1001. 2001 and the second opposing region 2002 disposed on the opposite side of the second TFT region 1002 can be manufactured over the same substrate.

次に、実施の形態１に記載した方法で、液晶パネル作製する。 Next, a liquid crystal panel is manufactured by the method described in Embodiment Mode 1.

液晶パネルは、第１の液晶表示領域３００１及び第２の液晶表示領域３００２を有しており、第１の液晶表示領域３００１内にＦＰＣ接続配線９０００ａを有し、及び第２の液晶表示領域３００２内にＦＰＣ接続配線９０００ｂを有する。（図３１参照図３１は、実施の形態１の基板配置を本実施の形態に適用した図を例示した。） The liquid crystal panel includes a first liquid crystal display region 3001 and a second liquid crystal display region 3002, an FPC connection wiring 9000 a in the first liquid crystal display region 3001, and a second liquid crystal display region 3002. An FPC connection wiring 9000b is included therein. (See FIG. 31. FIG. 31 illustrates a diagram in which the substrate arrangement of the first embodiment is applied to the present embodiment.)

以上本実施の形態によれば、マスク数の削減、装置処理回数の削減、使用材料の削減が可能となり、従って、コストの削減が可能となる。
（実施の形態１４） As described above, according to the present embodiment, it is possible to reduce the number of masks, reduce the number of times of apparatus processing, and reduce the materials used, and therefore, the cost can be reduced.
(Embodiment 14)

実施の形態１３では、第２のＴＦＴ領域１００２に形成される反射電極に配線と同じ材料を使用したが、反射電極と画素電極を兼用せずに、画素電極に透明電極を用い、ゲート電極材料を反射電極として使用しても良い。（図３２参照） In Embodiment 13, the same material as the wiring is used for the reflective electrode formed in the second TFT region 1002, but the transparent electrode is used for the pixel electrode without using the reflective electrode and the pixel electrode together, and the gate electrode material is used. May be used as a reflective electrode. (See Figure 32)

この場合の作製方法は、実施の形態４の場合において、第１の導電膜２００のマスクパターン形成時に、第２の反射電極２０４を形成し、第２の導電膜４００のマスクパターン形成時に、第１の反射電極４０２ａの代わりに第４の配線４０１ｄを形成し、透明導電膜６００のマスクパターン形成時に、第４の透明電極６０１ｄを形成すれば良い。
（実施の形態１５） The manufacturing method in this case is the same as that in Embodiment Mode 4, in which the second reflective electrode 204 is formed when the mask pattern of the first conductive film 200 is formed and the second reflective electrode 204 is formed when the mask pattern of the second conductive film 400 is formed. The fourth wiring 401d may be formed instead of the first reflective electrode 402a, and the fourth transparent electrode 601d may be formed when the mask pattern of the transparent conductive film 600 is formed.
(Embodiment 15)

本実施の形態では、実施の形態２に記載した基板の作製方法を例示する。なお、実施の形態１３と同様の作製方法を用いるので、実施の形態４と異なる部分のみについて説明を行う。 In this embodiment, the method for manufacturing the substrate described in Embodiment 2 is illustrated. Note that since a manufacturing method similar to that in Embodiment 13 is used, only portions different from those in Embodiment 4 will be described.

本実施の形態の作製方法は、実施の形態１３の場合において、第１の導電膜２００のマスクパターン形成時に、第２の対向領域２００２に第２のブラックマトリクス２０３ｂを形成せずに第３の反射電極２０５を形成する。（第１の対向領域２００１には、第１のブラックマトリクス２０３ａを形成する。） In the manufacturing method of this embodiment mode, in the case of Embodiment Mode 13, the second black matrix 203b is not formed in the second opposing region 2002 when the mask pattern of the first conductive film 200 is formed. A reflective electrode 205 is formed. (The first black matrix 203a is formed in the first counter area 2001.)

また、カラーフィルター領域形成時に、第１の対向領域２００１及び第２の対向領域２００２にはカラーフィルター領域を形成せず、第１のＴＦＴ領域１００１の透明電極の下、及び第２のＴＦＴ領域１００２の透明電極の下にカラーフィルター領域が配置されるようにカラーフィルター領域を形成する。 In addition, when the color filter region is formed, no color filter region is formed in the first counter region 2001 and the second counter region 2002, and under the transparent electrode of the first TFT region 1001 and in the second TFT region 1002. The color filter region is formed so that the color filter region is disposed under the transparent electrode.

また、第２の層間絶縁膜５００に黒色の有機膜を使用し、且つカラーフィルタ領域上の第２の層間絶縁膜５００は除去する。 Further, a black organic film is used for the second interlayer insulating film 500, and the second interlayer insulating film 500 on the color filter region is removed.

また、第２の導電膜４００のマスクパターン形成時に、第１の反射電極４０２ａを形成せずに第４の配線４０１ｄを形成し、透明導電膜６００のマスクパターン形成時に、第４の透明電極６０１ｄを形成する。 Further, the fourth wiring 401d is formed without forming the first reflective electrode 402a when the mask pattern of the second conductive film 400 is formed, and the fourth transparent electrode 601d is formed when the mask pattern of the transparent conductive film 600 is formed. Form.

なお、第１の層間絶縁膜３００を形成した後に、カラーフィルタ領域と第２の層間絶縁膜５００を形成するが、上記のようにカラーフィルター領域を先に形成しても良いし、第２の層間絶縁膜５００を先に形成しても良い。 Note that the color filter region and the second interlayer insulating film 500 are formed after the first interlayer insulating film 300 is formed, but the color filter region may be formed first as described above, or the second The interlayer insulating film 500 may be formed first.

第２の層間絶縁膜５００を先に形成する場合には、カラーフィルター領域が配置される位置の第２の層間絶縁膜をマスクパターン転写技術により除去しておけばよい。 When the second interlayer insulating film 500 is formed first, the second interlayer insulating film at the position where the color filter region is disposed may be removed by a mask pattern transfer technique.

次に、第２の実施形態と同様の方法で組み立てを行う。 Next, assembly is performed in the same manner as in the second embodiment.

以上のようにして、第１の液晶表示領域３００１と第２の液晶表示領域３００２を有し、対向領域にカラーフィルター領域を配置していない両面表示可能な液晶表示装置を作成できる。（図３３参照） As described above, a liquid crystal display device having a first liquid crystal display region 3001 and a second liquid crystal display region 3002 and capable of double-sided display without arranging a color filter region in a facing region can be created. (See Figure 33)

本実施の形態を採用することにより、第１のＴＦＴ領域１００１及び第１の対向領域２００１にブラックマトリクスの役割を果たす領域を形成することが可能な為、第１の液晶表示領域３００１のコントラストを向上できる。
（実施の形態１６） By employing this embodiment mode, a region serving as a black matrix can be formed in the first TFT region 1001 and the first counter region 2001, so that the contrast of the first liquid crystal display region 3001 can be increased. It can be improved.
(Embodiment 16)

実施の形態１５において、第２の対向領域２００２の第３の反射電極２０５に第１の導電膜２００と同じ材料を使用したが、第３の反射電極２０５に第２の導電膜４００と同じ材料を使用することが可能である。（図３４参照） In Embodiment 15, the same material as that of the first conductive film 200 is used for the third reflective electrode 205 in the second facing region 2002, but the same material as that of the second conductive film 400 is used for the third reflective electrode 205. Can be used. (See Figure 34)

この場合の作製方法は、実施の形態１５の場合において、第１の導電膜２００のマスクパターン形成時に第２の対向領域２００２に第３の反射電極２０５を形成せずに、第２の導電膜４００のマスクパターン形成時に、第２の対向領域２００２に第４の反射電極４０４を形成すれば良い。 In this case, in the case of Embodiment 15, the second conductive film is formed without forming the third reflective electrode 205 in the second facing region 2002 when the mask pattern of the first conductive film 200 is formed. When the 400 mask pattern is formed, the fourth reflective electrode 404 may be formed in the second facing region 2002.

本実施の形態を採用することにより、実施の形態１５と同様に、第１のＴＦＴ領域１００１及び第１の対向領域２００１にブラックマトリクスの役割を果たす領域を形成することが可能な為、第１の液晶表示領域３００１のコントラストを向上できる。 By adopting this embodiment mode, a region serving as a black matrix can be formed in the first TFT region 1001 and the first opposing region 2001 as in the fifteenth embodiment. The contrast of the liquid crystal display region 3001 can be improved.

さらに本実施の形態では、第１の対向領域２００１において透明電極と第４の反射電極４０４が接している為、対向領域の電極の抵抗を下げることが可能となる。 Furthermore, in this embodiment, since the transparent electrode and the fourth reflective electrode 404 are in contact with each other in the first facing region 2001, the resistance of the electrode in the facing region can be reduced.

液晶表示装置の組立て方法。Assembling method of liquid crystal display device. 液晶表示装置の組立て方法。Assembling method of liquid crystal display device. 液晶表示装置の組立て方法。Assembling method of liquid crystal display device. 液晶表示装置の組立て方法。及び液晶表示装置を使用した携帯電話。Assembling method of liquid crystal display device. And a mobile phone using a liquid crystal display device. 液晶表示装置の組立て方法。Assembling method of liquid crystal display device. 液晶表示装置の組立て方法。Assembling method of liquid crystal display device. 大判基板に作製した液晶表示装置作製用基板の図。The figure of the board | substrate for liquid crystal display device production produced on the large format board | substrate. 大判基板に作製した液晶表示装置作製用基板の図及び分断の例。The figure of the board | substrate for liquid crystal display device produced on the large format board | substrate, and the example of parting. ボトムゲート型ＴＦＴ及び対向領域の作製方法（断面図）。A manufacturing method (cross-sectional view) of a bottom gate TFT and a counter region. ボトムゲート型ＴＦＴ及び対向領域の作製方法（断面図）。A manufacturing method (cross-sectional view) of a bottom gate TFT and a counter region. ボトムゲート型ＴＦＴ及び対向領域の作製方法（断面図）。A manufacturing method (cross-sectional view) of a bottom gate TFT and a counter region. ボトムゲート型ＴＦＴ及び対向領域の作製方法（断面図）。A manufacturing method (cross-sectional view) of a bottom gate TFT and a counter region. ボトムゲート型ＴＦＴ及び対向領域の作製方法（断面図）。A manufacturing method (cross-sectional view) of a bottom gate TFT and a counter region. トップゲート型ＴＦＴ及び対向領域の作製方法（断面図）。A manufacturing method (cross-sectional view) of a top-gate TFT and a counter region. トップゲート型ＴＦＴ及び対向領域の作製方法（断面図）。A manufacturing method (cross-sectional view) of a top-gate TFT and a counter region. トップゲート型ＴＦＴ及び対向領域の作製方法（断面図）。A manufacturing method (cross-sectional view) of a top-gate TFT and a counter region. トップゲート型ＴＦＴ及び対向領域の作製方法（断面図）。A manufacturing method (cross-sectional view) of a top-gate TFT and a counter region. トップゲート型ＴＦＴ及び対向領域の作製方法（断面図）。A manufacturing method (cross-sectional view) of a top-gate TFT and a counter region. トップゲート型ＴＦＴ及び対向領域の作製方法（断面図）。A manufacturing method (cross-sectional view) of a top-gate TFT and a counter region. 両面表示装置断面図（実施の形態１７）Cross-sectional view of double-sided display device (Embodiment 17) 両面表示装置断面図（実施の形態１８）Cross-sectional view of double-sided display device (Embodiment 18) 両面表示装置断面図（実施の形態１９）Cross-sectional view of double-sided display device (Embodiment 19) 両面表示装置断面図（実施の形態２０）Cross-sectional view of double-sided display device (Embodiment 20) 両面表示装置断面図（実施の形態２１）Cross-sectional view of a double-sided display device (Embodiment 21) 両面表示装置断面図（実施の形態２２）Cross-sectional view of a double-sided display device (Embodiment 22) 両面表示装置断面図（実施の形態２３）Cross-sectional view of double-sided display device (embodiment 23) 両面表示装置断面図（実施の形態２４）Cross-sectional view of double-sided display device (Embodiment 24) 両面表示装置断面図（実施の形態２５）Cross-sectional view of double-sided display device (Embodiment 25) 両面表示装置断面図（実施の形態２６）Cross-sectional view of double-sided display device (Embodiment 26) 両面表示装置断面図（実施の形態２７）Cross section of double-sided display device (Embodiment 27) 両面表示装置断面図（実施の形態２８）Cross-sectional view of double-sided display device (Embodiment 28) 両面表示装置断面図（実施の形態２９）Cross-sectional view of double-sided display device (embodiment 29) 両面表示装置断面図（実施の形態３０）Cross-sectional view of double-sided display device (Embodiment 30) 両面表示装置断面図（実施の形態３１）Cross-sectional view of double-sided display device (Embodiment 31) 液晶表示装置の組立て方法。Assembling method of liquid crystal display device. 両面表示装置断面図。FIG.

Explanation of symbols

１基板
１ａ第１の基板
１ｂ第２の基板
１ｃ第３の基板
１ｄ第４の基板
１００基板
１０１下地絶縁膜
１０２第１の半導体膜
１０２ａ第１の島状半導体層
１０２ｂ第２の島状半導体層
１０２ｃ第３の島状半導体層
１０２ｄ第４の島状半導体層
１０３ゲート絶縁膜
１０４ａ第１の島状不純物半導体層
１０４ｂ第２の島状不純物半導体層
１０４第１の不純物半導体膜
１０５ａ第１のソース領域
１０６ａ第１のドレイン領域
１０５ｂ第２のソース領域
１０６ｂ第２のドレイン領域
２００第１の導電膜
２０１ａ第１のゲート電極
２０１ｂ第２のゲート電極
２０２ａ第１のゲート配線
２０２ｂ第２のゲート配線
２０３ａ第１のブラックマトリクス
２０３ｂ第２のブラックマトリクス
２０４第２の反射電極
２０５第３の反射電極
３００第１の層間絶縁膜
４００第２の導電膜
４０１ａ第１の配線
４０１ｂ第２の配線
４０１ｃ第３の配線
４０１ｄ第４の配線
４０２ａ第１の反射電極
４０３ａ第３のブラックマトリクス
４０３ｂ第４のブラックマトリクス
４０４第４の反射電極
５００第２の層間絶縁膜
５０１ａ第１の絶縁領域
５０１ｂ第２の絶縁領域
６００透明導電膜
６０１ａ第１の透明電極
６０１ｂ第２の透明電極
６０１ｃ第３の透明電極
６０１ｄ第４の透明電極
７１１レッドカラーフィルター膜
７１１ａ第１のレッドカラーフィルター領域
７１１ｂ第２のレッドカラーフィルター領域
７２１グリーンカラーフィルター膜
７２１ａ第１のグリーンカラーフィルター領域
７２１ｂ第２のグリーンカラーフィルター領域
７３１ブルーカラーフィルター膜
７３１ａ第１のブルーカラーフィルター領域
７３１ｂ第２のブルーカラーフィルター領域
８００第３のブラックマトリクス
９００ａ第１のコンタクト領域
９００ｂ第２のコンタクト領域
９００ｃ第３のコンタクト領域
９００ｄ第４のコンタクト領域
９００ｅ第５のコンタクト領域
９００ｆ第６のコンタクト領域
９０１ａ第１のコンタクト領域
９０１ｂ第２のコンタクト領域
９０１ｃ第３のコンタクト領域
９０１ｄ第４のコンタクト領域
９０１ｅ第５のコンタクト領域
９０１ｆ第６のコンタクト領域
１００１第１のＴＦＴ領域
１００２第２のＴＦＴ領域
２００１第１の対向領域
２００２第２の対向領域
３００１第１の液晶表示領域
３００２第２の液晶表示領域
４０００シール材
４００１第１の封止領域
４００２第２の封止領域
５０００重畳領域
６００１第１のＦＰＣ
６００２第２のＦＰＣ
７００１第１の液晶表示装置
７００２第２の液晶表示装置
８０００ａ第１の破線
８０００ｂ第２の破線
８０００ｃ第３の破線
８０００ｄ第４の破線
８００１光
８００２光
８００３光
１００００バックライト DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Board | substrate 1a 1st board | substrate 1b 2nd board | substrate 1c 3rd board | substrate 1d 4th board | substrate 100 Substrate 101 Base insulating film 102 1st semiconductor film 102a 1st island-shaped semiconductor layer 102b 2nd island-shaped semiconductor layer 102c Third island-shaped semiconductor layer 102d Fourth island-shaped semiconductor layer 103 Gate insulating film 104a First island-shaped impurity semiconductor layer 104b Second island-shaped impurity semiconductor layer 104 First impurity semiconductor film 105a First source Region 106a first drain region 105b second source region 106b second drain region 200 first conductive film 201a first gate electrode 201b second gate electrode 202a first gate wiring 202b second gate wiring 203a 1st black matrix 203b 2nd black matrix 204 2nd reflective electrode 205 3rd reflective electrode 300 1st Interlayer insulating film 400 Second conductive film 401a First wiring 401b Second wiring 401c Third wiring 401d Fourth wiring 402a First reflective electrode 403a Third black matrix 403b Fourth black matrix 404 4th reflective electrode 500 2nd interlayer insulation film 501a 1st insulation area 501b 2nd insulation area 600 Transparent conductive film 601a 1st transparent electrode 601b 2nd transparent electrode 601c 3rd transparent electrode 601d 4th transparent Electrode 711 Red color filter film 711a First red color filter area 711b Second red color filter area 721 Green color filter film 721a First green color filter area 721b Second green color filter area 731 Blue color filter film 731a 1's Lou color filter region 731b Second blue color filter region 800 Third black matrix 900a First contact region 900b Second contact region 900c Third contact region 900d Fourth contact region 900e Fifth contact region 900f 6th contact region 901a 1st contact region 901b 2nd contact region 901c 3rd contact region 901d 4th contact region 901e 5th contact region 901f 6th contact region 1001 1st TFT region 1002 2nd TFT region 2001 First opposing region 2002 Second opposing region 3001 First liquid crystal display region 3002 Second liquid crystal display region 4000 Sealing material 4001 First sealing region 4002 Second sealing region 5000 Overlapping region 6001 The first of the FPC
6002 Second FPC
7001 First liquid crystal display device 7002 Second liquid crystal display device 8000a First broken line 8000b Second broken line 8000c Third broken line 8000d Fourth broken line 8001 Light 8002 Light 8003 Light 10000 Backlight

Claims

A first substrate on which a first TFT region and a first opposing region are formed;
A second substrate on which a second TFT region and a second opposing region are formed;
A first liquid crystal display device in which the first TFT region and the second counter region are opposed to each other, and a second liquid crystal display device in which the second TFT region and the first counter region are opposed to each other And having
A gate electrode formed on the first TFT region, a gate electrode formed on the second TFT region, a black matrix formed on the second opposite region, formed in the first opposite region And a black matrix formed on the same layer.

A first substrate on which a first TFT region and a first opposing region are formed;
A second substrate on which a second TFT region and a second opposing region are formed;
A first liquid crystal display device in which the first TFT region and the second counter region are opposed to each other, and a second liquid crystal display device in which the second TFT region and the first counter region are opposed to each other And having
A wiring formed in the first TFT region; a wiring formed in the second TFT region; a black matrix formed in the second opposing region; and a wiring formed in the first opposing region . A display device, wherein the black matrix is in the same layer.

In claim 1,
The display device, wherein the gate electrode formed in the second TFT region and the reflective electrode formed in the second TFT region are in the same layer.

In claim 2,
The display device, wherein the wiring formed in the second TFT region and the reflective electrode formed in the second TFT region are in the same layer.

In any one of Claims 1 thru | or 4,
The display device, wherein the transparent electrodes formed in the first TFT region, the second TFT region, and the second counter region are in the same layer.

In any one of Claims 1 thru | or 5,
The interlayer insulating film formed in the first TFT region, the second TFT region, the first counter region, and the second counter region is the same layer. apparatus.

In any one of Claims 1 thru | or 6,
The first liquid crystal display device is a transmissive liquid crystal display device,
The display device, wherein the second liquid crystal display device is a reflective or transflective liquid crystal display device.

When forming the first and second TFT regions and the first and second opposing regions on the substrate, the gate electrode of the first TFT region, the gate electrode of the second TFT region, Forming a black matrix of a second opposing region and a black matrix of the first opposing region simultaneously;
By dividing the substrate on which the first and second TFT regions and said first and second opposing region is formed, the first TFT region and the second opposite region is located a first substrate and a second substrate on which the second TFT region and said first opposite region is disposed, is formed,
By attaching to face and said second substrate and said first substrate, a first liquid crystal display device of the first opposing area between the first TFT region is facing, the second And a second liquid crystal display device in which the second opposing region is opposed to the TFT region. A method for manufacturing a display device, comprising:

When forming the first and second TFT regions and the first and second opposing regions on the substrate, the wiring of the first TFT region, the wiring of the second TFT region, and the second Simultaneously forming a black matrix of the opposite region and a black matrix of the first opposite region,
By dividing the substrate on which the first and second TFT regions and said first and second opposing region is formed, the first TFT region and the second opposite region is located a first substrate and a second substrate on which the second TFT region and said first opposite region is disposed, is formed,
By attaching to face and said second substrate and said first substrate, a first liquid crystal display device of the first opposing area between the first TFT region is facing, the second And a second liquid crystal display device in which the second opposing region is opposed to the TFT region. A method for manufacturing a display device, comprising:

In claim 8,
When forming the first and second TFT regions and the first and second opposing regions on the substrate, the gate electrode of the second TFT region and the reflection of the second TFT region And a method of manufacturing a display device.

In claim 9,
When forming the first and second TFT regions and the first and second opposing regions on the substrate, the wiring in the second TFT region and the reflective electrode in the second TFT region And a method for manufacturing a display device.

In any one of Claims 8 thru | or 11,
When forming the first and second TFT regions and the first and second opposing regions on the substrate, the first TFT region, the second TFT region, and the second TFT region are formed. A method for manufacturing a display device, wherein a transparent electrode is formed simultaneously with an opposing region.

In any one of Claims 8 to 12,
When forming the first and second TFT regions and the first and second opposing regions on the substrate,
A method for manufacturing a display device, wherein an interlayer insulating film of the first TFT region, the second TFT region, the first opposing region, and the second opposing region is formed simultaneously. .