JP4958941B2 - Analytical element - Google Patents

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本発明は、タンパク質等の生体物質を高感度に測定することのできる分析用素子に関する。   The present invention relates to an analytical element capable of measuring biological substances such as proteins with high sensitivity.

代表的なタンパク質の測定法である酵素免疫測定法は、抗体が特定のタンパク質に選択的に結合する反応、すなわち抗原抗体反応を利用しており、その測定法は、大きく分けて、サンドイッチ法と競合反応法がある。サンドイッチ法では、抗体に標識した酵素などを通して間接的に抗原量を測定する方法である。予め固相に固定化した一次抗体と試料中の抗原との反応後、酵素標識抗体を加えて、一次抗体-抗原-酵素標識抗体を形成させる。その後、結合した酵素標識抗体(B)と遊離の酵素標識抗体(F)を分離(BF分離)し、結合した酵素標識抗体(B)の酵素と基質のサイクリック反応の生成物を発光や吸光度で測定して、抗原量を得る。競合反応法は、測定対象の非標識抗原と濃度既知の酵素標識した抗原の間での固定化抗体への結合が競合する性質を用いている。酵素標識抗原の抗体への結合量は、測定対象の抗原と酵素標識抗原の濃度比に依存するため、酵素標識抗原の結合量を測定することにより、測定対象の抗原の量を求めることができる。その中で、サンドイッチ法は高感度であり、現在広く用いられている。病気のマーカーである生体内に極めて微量で存在するペプチドやタンパク質の測定にも用いられている。   The enzyme immunoassay, which is a typical protein measurement method, utilizes a reaction in which an antibody selectively binds to a specific protein, that is, an antigen-antibody reaction. The measurement method is roughly divided into a sandwich method and a sandwich method. There is a competitive reaction method. In the sandwich method, the amount of antigen is indirectly measured through an enzyme labeled with an antibody. After the reaction between the primary antibody previously immobilized on the solid phase and the antigen in the sample, an enzyme-labeled antibody is added to form a primary antibody-antigen-enzyme-labeled antibody. Thereafter, the bound enzyme-labeled antibody (B) and the free enzyme-labeled antibody (F) are separated (BF separation), and the product of the cyclic reaction between the enzyme and the substrate of the bound enzyme-labeled antibody (B) is luminescence or absorbance. To obtain the amount of antigen. The competitive reaction method uses the property that the binding to the immobilized antibody competes between the unlabeled antigen to be measured and the enzyme-labeled antigen of known concentration. Since the amount of the enzyme-labeled antigen bound to the antibody depends on the concentration ratio of the antigen to be measured and the enzyme-labeled antigen, the amount of the antigen to be measured can be determined by measuring the amount of the enzyme-labeled antigen bound. . Among them, the sandwich method is highly sensitive and widely used at present. It is also used to measure peptides and proteins that are present in very small amounts in the living body, which is a disease marker.

近年、健康意識が高まり、生活習慣病に対する対策や予防が問題となっている。特に、心疾患や脳血管疾患はガンにつぐ死亡原因となっており、その予防が重要となってきている。例えば、脳性ナトリウム利尿ペプチド(BNP)は、血管拡張作用、利尿作用をもち、体液量や血圧の調整に重要な役割を果たしている。健常人における血漿中BNP濃度は、極めて低いが、心不全患者では重症度に応じてその値が増加するため、BNPの測定は心不全の病態の把握に重要な意義を持っている。健常人の血中濃度は、18ppt(pg/mL)であり、10ppt以下の装置の測定感度が必要である。炎症性サイトカインのひとつであるTNF-α(Tumor Necrosis Factor:腫瘍壊死因子)も、心筋の損傷、とりわけ心不全にきわめて重要な役割を果たしていると言われている。心不全患者の血中あるいは心臓組織ではTNF-αのレベルが上昇し、それが心不全の病態形成に大きく関与している。その濃度も1ppt以下と極めて低い。また、サイトカインは疾患や感染に対する生体反応の発達と調節において重要な役割を担う多機能タンパク質であり、特に、免疫、炎症を制御する重要な因子である。例えば、インターロイキン-1βの濃度が上昇する疾患としては、アルコ-ル性肝炎、肝炎、関節リウマチ、脊髄疾患、頭部障害等が知られている。インターロイキン-1βの健常人の値は10ppt以下である。   In recent years, health awareness has increased, and countermeasures and prevention for lifestyle-related diseases have become a problem. In particular, heart disease and cerebrovascular disease are causes of death after cancer, and prevention thereof is becoming important. For example, brain natriuretic peptide (BNP) has a vasodilatory action and a diuretic action, and plays an important role in regulating body fluid volume and blood pressure. The plasma BNP concentration in healthy individuals is extremely low, but in patients with heart failure, the value increases according to the severity. Therefore, measurement of BNP is important for understanding the pathophysiology of heart failure. The blood concentration of a healthy person is 18 ppt (pg / mL), and the measurement sensitivity of an apparatus of 10 ppt or less is required. One of the inflammatory cytokines, TNF-α (Tumor Necrosis Factor) is also said to play an extremely important role in myocardial damage, particularly heart failure. The level of TNF-α is elevated in the blood or heart tissue of patients with heart failure, which is greatly involved in the pathogenesis of heart failure. Its concentration is also very low at 1ppt or less. Cytokines are multifunctional proteins that play an important role in the development and regulation of biological responses to diseases and infections, and are particularly important factors that control immunity and inflammation. For example, alcoholic hepatitis, hepatitis, rheumatoid arthritis, spinal cord disease, head disorders and the like are known as diseases in which the concentration of interleukin-1β increases. The value of healthy individuals with interleukin-1β is 10ppt or less.

このような背景の中、生体内に極めて微量で存在する物質を高感度、簡便に測定する方法として、酵素免疫法と電気化学検出法を組み合わせた酵素免疫電気化学測定法が提案されている。従来のサンドイッチ法を用いた酵素免疫法では、予め固相に固定化した一次抗体と試料中の抗原との反応後、酵素標識抗体を加えて、一次抗体-抗原-酵素標識抗体を形成させる。その後、結合した酵素標識抗体(B)と遊離の酵素標識抗体(F)を分離(BF分離)し、結合した酵素標識抗体(B)の酵素と基質のサイクリック反応の生成物を発光や吸光度で測定して、抗原量を得ていた。酵素免疫電気化学測定法では、BF分離までの工程は従来と同じであるが、酵素標識抗体(B)のサイクリック反応の生成物を銀電極に吸着、濃縮して、その量を電気化学的手法で計測するものである。その際、抗体に標識する酵素としてコリンエステラーゼを使用し、コリンエステラーゼによる分解物であるチオコリンを銀電極に吸着、濃縮し、銀電極に吸着したチオコリンの強アルカリ中での還元脱離により発生する電流信号を計測して検出していた(特開2004−257996号公報)。そのため、微量の酵素反応生成物を銀電極上に濃縮することができ、高感度計測が可能となる。本手法は、金表面に結合したチオール化合物の還元脱離法(Langmuir 7, (1991) 2687-2693)を応用したものであり、この還元脱離を応用した他の例としては、アセチルコリンエステラーゼ活性を測定した報告(Sensors and Actuators B 91, (2003) 148-151)がある。   In such a background, an enzyme immunoelectrochemical measurement method combining an enzyme immunoassay and an electrochemical detection method has been proposed as a method for easily and sensitively measuring a substance present in a very small amount in a living body. In a conventional enzyme immunization method using a sandwich method, an enzyme-labeled antibody is added after a reaction between a primary antibody immobilized on a solid phase in advance and an antigen in a sample to form a primary antibody-antigen-enzyme-labeled antibody. Thereafter, the bound enzyme-labeled antibody (B) and the free enzyme-labeled antibody (F) are separated (BF separation), and the product of the cyclic reaction between the enzyme and the substrate of the bound enzyme-labeled antibody (B) is luminescence or absorbance. As a result, the amount of antigen was obtained. In the enzyme immunoelectrochemical measurement method, the steps up to BF separation are the same as before, but the product of the cyclic reaction of the enzyme-labeled antibody (B) is adsorbed and concentrated on the silver electrode, and the amount is electrochemically determined. It is measured by a technique. At this time, cholinesterase is used as an enzyme to label the antibody, thiocholine, which is a degradation product of cholinesterase, is adsorbed and concentrated on the silver electrode, and current signal generated by reductive desorption of thiocholine adsorbed on the silver electrode in a strong alkali. Was measured and detected (Japanese Patent Laid-Open No. 2004-257996). Therefore, a very small amount of enzyme reaction product can be concentrated on the silver electrode, and highly sensitive measurement is possible. This method is an application of the reductive elimination method of thiol compounds bound to the gold surface (Langmuir 7, (1991) 2687-2693). Another example of this reductive elimination is acetylcholinesterase activity. (Sensors and Actuators B 91, (2003) 148-151).

特開2004−257996号公報JP 2004-257996 A

Langmuir 7, (1991) 2687-2693Langmuir 7, (1991) 2687-2693 Sensors and Actuators B 91, (2003) 148-151Sensors and Actuators B 91, (2003) 148-151

電気化学手法を用いた酵素免疫電気化学測定法では、銀電極に吸着したチオコリンの還元脱離反応を強アルカリ溶液(例えば、0.5M KOH溶液)中で行なう必要がある。そのため、電気化学計測工程では、BF分離までの工程を行なう溶液を強アルカリ溶液に交換しなければならない。強アルカリ溶液の使用は、安全性に問題があるため、取扱に注意が必要である。さらに、本測定法では、コリンエステラーゼの酵素反応生成物であるチオコリンを銀電極に吸着した後に測定するため、酵素反応のエンドポイント測定となり、直接酵素の反応速度を測定できない。すなわち、コリンエステラーゼの酵素反応の途中経過を測定できないため、測定精度が低下する問題があった。銀電極に吸着したチオコリンを還元脱離させる方法においても、還元電流のピーク面積から吸着量を見積もるため、夾雑物による影響を受けやすくベースラインが安定しにくく、測定精度が低下する問題があった。   In the enzyme immunoelectrochemical measurement method using the electrochemical method, it is necessary to carry out the reductive elimination reaction of thiocholine adsorbed on the silver electrode in a strong alkaline solution (for example, 0.5 M KOH solution). Therefore, in the electrochemical measurement step, the solution for performing the steps up to BF separation must be replaced with a strong alkaline solution. The use of a strong alkaline solution has a safety problem, and therefore needs to be handled with care. Furthermore, in this measurement method, since the thiocholine, which is the enzyme reaction product of cholinesterase, is measured after being adsorbed to the silver electrode, the end point of the enzyme reaction is measured, and the reaction rate of the enzyme cannot be measured directly. That is, there is a problem that the measurement accuracy is lowered because the progress of the enzymatic reaction of cholinesterase cannot be measured. Even in the method of reducing and desorbing thiocholine adsorbed on the silver electrode, the amount of adsorption is estimated from the peak area of the reduction current. .

本発明の目的は、溶液交換操作なしで簡便に使用でき、かつ標識酵素の酵素反応速度を直接測定し、高感度で高精度の測定装置及び測定方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a highly sensitive and highly accurate measuring apparatus and measuring method that can be used easily without a solution exchange operation and that directly measures the enzyme reaction rate of a labeled enzyme.

上記目的を達成するために、本発明では酵素標識抗体のサイクリック反応の生成物であるチオール化合物量又は生成速度を電界効果トランジスタで測定する。電界効果トランジスタは、センシング部分に例えば金電極を有し、絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲートと導電性配線で接続されている。センシング部分の金電極へのチオール化合物の吸着に伴う電位変化は、電界効果トランジスタのソース、ドレイン間のドレイン電流変化として計測する。すなわち、同一容器中でチオール化合物を生成する酵素反応を行い、その際生成したチオール化合物の金電極への吸着反応をドレイン電流変化として測定する。また、チオール化合物を生成する酵素反応と生成したチオール化合物の金電極への吸着反応を別々の容器で行なう場合でも、生成したチオール化合物が含まれる容器中の溶液を金電極への吸着反応を行なう容器に移し替えた後に、同様にチオール化合物量をドレイン電流変化として計測する。測定時には、金電極と参照電極間に交流電圧を印加する。さらに、測定時のドリフト低減のために、直鎖高分子ポリマーを金電極上に物理吸着させて使用するのが好ましい。   In order to achieve the above object, in the present invention, the amount or generation rate of a thiol compound that is a product of a cyclic reaction of an enzyme-labeled antibody is measured with a field effect transistor. The field effect transistor has, for example, a gold electrode in a sensing portion, and is connected to the gate of the insulated gate field effect transistor by a conductive wiring. The potential change accompanying the adsorption of the thiol compound to the gold electrode in the sensing portion is measured as a change in drain current between the source and drain of the field effect transistor. That is, an enzyme reaction for generating a thiol compound is performed in the same container, and an adsorption reaction of the thiol compound generated at that time to the gold electrode is measured as a drain current change. In addition, even when the enzyme reaction for generating the thiol compound and the adsorption reaction of the generated thiol compound to the gold electrode are performed in separate containers, the solution in the container containing the generated thiol compound is subjected to the adsorption reaction to the gold electrode. After transferring to a container, the amount of thiol compounds is similarly measured as a drain current change. At the time of measurement, an AC voltage is applied between the gold electrode and the reference electrode. Furthermore, it is preferable to use a linear polymer polymer by physical adsorption on a gold electrode in order to reduce drift during measurement.

本発明によると、金電極を有する電界効果トランジスタを用いて、抗体に標識された酵素のサイクリック反応の生成物であるチオール化合物の金電極への吸着に伴うドレイン電流変化を計測することにより、酵素反応の生成物であるチオール化合物の量、又は生成速度を測定することが出来る。その際、同一容器中でチオール化合物を生成する酵素反応と生成したチオール化合物の金電極への吸着反応を行なうことにより、酵素反応をリアルタイムで計測でき、高精度な定量が可能となる。また、チオール化合物を生成する酵素反応と生成したチオール化合物の金電極への吸着反応を別々の容器で行なう場合でも、生成したチオール化合物が含まれる容器中の溶液を金電極への吸着反応を行なう容器に移し替えるだけの簡単な操作で、生成したチオール化合物量を計測できる。そのため、従来の手法を用いてB/F分離及び酵素反応までの操作を行なうことができ、本発明の計測のために新たな操作を行なう必要がない。溶液中で金電極を使用する際に問題となる金電極上への夾雑物の吸着や溶液中のイオン等によるドリフトの影響は、金電極と参照電極間に交流電圧を印加することにより、容易に除くことができる。あるいは、直鎖高分子ポリマーを金電極上に物理吸着させることにより、ドリフトを低減することができる。   According to the present invention, by using a field effect transistor having a gold electrode, by measuring the drain current change accompanying the adsorption of the thiol compound, which is a product of the cyclic reaction of the enzyme labeled with the antibody, to the gold electrode, The amount of the thiol compound that is a product of the enzyme reaction or the production rate can be measured. At that time, by performing an enzyme reaction for generating a thiol compound and an adsorption reaction of the generated thiol compound to a gold electrode in the same container, the enzyme reaction can be measured in real time, and highly accurate quantification becomes possible. In addition, even when the enzyme reaction for generating the thiol compound and the adsorption reaction of the generated thiol compound to the gold electrode are performed in separate containers, the solution in the container containing the generated thiol compound is subjected to the adsorption reaction to the gold electrode. The amount of thiol compound produced can be measured with a simple operation by simply transferring it to the container. Therefore, operations up to B / F separation and enzyme reaction can be performed using conventional techniques, and there is no need to perform new operations for the measurement of the present invention. When using gold electrodes in solution, the effects of the adsorption of contaminants on the gold electrode and the drift due to ions in the solution can be easily achieved by applying an AC voltage between the gold electrode and the reference electrode. Can be excluded. Alternatively, drift can be reduced by physically adsorbing the linear polymer on the gold electrode.

本発明による免疫分析装置の例を示すブロック図。1 is a block diagram showing an example of an immune analyzer according to the present invention. 本発明の免疫分析装置に使用する絶縁ゲート電界効果トランジスタの構造例を示す図であり、(a)は断面図、(b)は平面図。It is a figure which shows the structural example of the insulated gate field effect transistor used for the immunoassay apparatus of this invention, (a) is sectional drawing, (b) is a top view. 本発明による免疫分析装置の例を示す図The figure which shows the example of the immunoassay apparatus by this invention 本発明による免疫分析システムの例を示すブロック図Block diagram showing an example of an immune analysis system according to the present invention 本発明による免疫分析の反応フローを示す図。The figure which shows the reaction flow of the immunoassay by this invention. 本発明による高周波重畳法の効果を示す図(印加した電圧の周波数、(a):DC、(b):10Hz、(c):100Hz、(d):1KHz、(e):10KHz、(f):100kHz、(g):1MHz、(h):10MHz)。The figure which shows the effect of the high frequency superposition method by this invention (The frequency of the applied voltage, (a): DC, (b): 10Hz, (c): 100Hz, (d): 1KHz, (e): 10KHz, (f ): 100 kHz, (g): 1 MHz, (h): 10 MHz). 異なる濃度のチオール化合物溶液を測定した結果を示す図(チオール化合物の濃度(a):50μM、(b):25μM、(c):10μM、(d):5μM、(e):2.5μM、(f):0.5μM、(g):0.1μM)。The figure which shows the result of having measured the thiol compound solution of a different density | concentration (The density | concentration (a) of a thiol compound: 50 micromol, (b): 25 micromol, (c): 10 micromol, (d): 5 micromol, (e): 2.5 micromol, ( f): 0.5 μM, (g): 0.1 μM). チオール化合物の濃度と金電極への吸着速度の関係を示す図。The figure which shows the relationship between the density | concentration of a thiol compound, and the adsorption rate to a gold electrode. 本発明の免疫分析装置による測定結果を示す図。The figure which shows the measurement result by the immunoassay apparatus of this invention. 本発明の装置で測定した試料溶液中の濃度と吸着速度の関係を示す図。The figure which shows the relationship between the density | concentration in the sample solution measured with the apparatus of this invention, and adsorption rate. 本発明の装置で測定した試料溶液中の濃度と吸着速度の関係を示す図。The figure which shows the relationship between the density | concentration in the sample solution measured with the apparatus of this invention, and adsorption rate. 金電極上に物理吸着した直鎖状ポリマーの効果を示す図。The figure which shows the effect of the linear polymer physically adsorbed on the gold electrode. 金電極上に物理吸着した直鎖状ポリマーの効果を示す図。The figure which shows the effect of the linear polymer physically adsorbed on the gold electrode. 直鎖状ポリマーを物理吸着させた金電極と高周波重畳法を組み合わせた場合の効果を示す図。The figure which shows the effect at the time of combining the gold electrode which physically adsorbed the linear polymer, and the high frequency superposition method.

以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
図1は、本発明によるFETセンサを用いた免疫分析装置の一例を示すブロック図である。本発明の計測システムは、測定部1、信号処理回路2、及びデータ処理装置3から構成される。測定部1内には、絶縁ゲート電界効果トランジスタ4、参照電極5、参照電極5に高周波電圧を印加する電源6、測定物質を含有する試料溶液を供給する試料溶液注入器7、チオール化合物を生成する酵素と測定物質に対する抗体とを結合した酵素標識抗体を供給する酵素標識抗体溶液注入器8、前記チオール化合物を生成する酵素の基質を供給するための基質溶液注入器9、測定セル10を備える。測定セル10内の反応溶液11中には、抗体12が固定化された抗体固定板13、絶縁ゲート電界効果トランジスタ4上に形成された金電極14、参照電極5が配置されている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a block diagram showing an example of an immune analyzer using an FET sensor according to the present invention. The measurement system of the present invention includes a measurement unit 1, a signal processing circuit 2, and a data processing device 3. In the measurement unit 1, an insulated gate field effect transistor 4, a reference electrode 5, a power source 6 for applying a high frequency voltage to the reference electrode 5, a sample solution injector 7 for supplying a sample solution containing a measurement substance, and a thiol compound are generated. An enzyme-labeled antibody solution injector 8 for supplying an enzyme-labeled antibody obtained by binding an enzyme to be measured and an antibody against a measurement substance; a substrate solution injector 9 for supplying a substrate of the enzyme that generates the thiol compound; and a measurement cell 10 . In the reaction solution 11 in the measurement cell 10, an antibody fixing plate 13 on which the antibody 12 is fixed, a gold electrode 14 formed on the insulated gate field effect transistor 4, and a reference electrode 5 are arranged.

測定手順は以下の通りである。最初、測定セル10内の反応溶液11中に試料溶液注入器7を用いて試料溶液を注入し、試料溶液中の抗原と抗体12を結合させる。一定時間後、反応溶液11中に酵素標識抗体溶液注入器8を用いて酵素標識抗体溶液を注入し、抗原・抗体反応を起こし、抗体-抗原-酵素標識抗体を形成させる。その後、結合した酵素標識抗体と遊離の酵素標識抗体を測定セル10の洗浄及び測定セル10内の反応溶液11の交換により分離する。測定セル10内の洗浄・溶液交換後、基質溶液注入器9を用いて標識酵素の基質を注入すると、基質は酵素により分解され、チオール化合物が生成する。生成したチオール化合物は、絶縁ゲート電界効果トランジスタ4上に形成された金電極14に吸着し、自己組織化膜を形成する。その結果、金電極14上の電位が変化する。測定は、基質溶液注入器9による基質注入前後で変化する絶縁ゲート電界効果トランジスタ4内のソース15、ドレイン16間の電流をリアルタイムでモニターし、信号処理回路2及びデータ処理装置3で記録することで行う。チオール化合物の金電極14への吸着速度は、チオール化合物の生成速度、すなわち、抗体-抗原-酵素標識抗体の量に比例する。そのため、チオール化合物の金電極14への吸着速度を測定することにより、結合した標識酵素の量、すなわち試料溶液中の抗原量を得ることができる。その際、測定外部変動による影響を低減するために、測定中は参照電極5に電源6により高周波電圧を印加している。   The measurement procedure is as follows. First, the sample solution is injected into the reaction solution 11 in the measurement cell 10 using the sample solution injector 7, and the antigen and the antibody 12 in the sample solution are combined. After a certain time, an enzyme-labeled antibody solution is injected into the reaction solution 11 using the enzyme-labeled antibody solution injector 8 to cause an antigen-antibody reaction to form an antibody-antigen-enzyme-labeled antibody. Thereafter, the bound enzyme-labeled antibody and the free enzyme-labeled antibody are separated by washing the measurement cell 10 and exchanging the reaction solution 11 in the measurement cell 10. When the substrate of the labeled enzyme is injected using the substrate solution injector 9 after washing and solution exchange in the measurement cell 10, the substrate is decomposed by the enzyme, and a thiol compound is generated. The generated thiol compound is adsorbed on the gold electrode 14 formed on the insulated gate field effect transistor 4 to form a self-assembled film. As a result, the potential on the gold electrode 14 changes. In the measurement, the current between the source 15 and the drain 16 in the insulated gate field effect transistor 4 changing before and after the substrate injection by the substrate solution injector 9 is monitored in real time and recorded by the signal processing circuit 2 and the data processing device 3. To do. The adsorption rate of the thiol compound to the gold electrode 14 is proportional to the production rate of the thiol compound, that is, the amount of antibody-antigen-enzyme labeled antibody. Therefore, by measuring the adsorption rate of the thiol compound to the gold electrode 14, the amount of bound labeled enzyme, that is, the amount of antigen in the sample solution can be obtained. At that time, a high frequency voltage is applied to the reference electrode 5 by the power source 6 during the measurement in order to reduce the influence due to the measurement external variation.

試料溶液注入器7、酵素標識抗体溶液注入器8、基質溶液注入器9には、シリンジポンプ又は加圧式送液装置を使用することができる。注入する体積が1μL以上であればシリンジポンプ、加圧式送液装置共に使用できるが、注入体積が1μL以下であれば、抵抗管にキャピラリーを使用した加圧式送液装置が望ましい。例えば、注入体積が0.2μLの場合には、内径25μm、長さ20mmの流量制御用キャピラリーを使用し、加圧2気圧、加圧時間2秒の条件下で正確に注入を行なうことができる。   For the sample solution injector 7, enzyme-labeled antibody solution injector 8, and substrate solution injector 9, a syringe pump or a pressurized liquid delivery device can be used. If the volume to be injected is 1 μL or more, both a syringe pump and a pressurized liquid delivery device can be used, but if the injection volume is 1 μL or less, a pressurized liquid delivery device using a capillary for the resistance tube is desirable. For example, when the injection volume is 0.2 μL, a flow rate control capillary having an inner diameter of 25 μm and a length of 20 mm can be used, and the injection can be accurately performed under the conditions of a pressure of 2 atm and a pressure time of 2 seconds. .

参照電極5は、反応溶液11中の金電極14の表面で起こる平衡反応あるいは化学反応に基づく電位変化を安定に測定するために、基準となる電位を与える。通常は参照電極としては、飽和塩化カリウムを内部溶液に使用している銀・塩化銀電極、あるいは甘こう(カロメル)電極が用いられるが、測定する試料溶液の組成が一定の場合には、疑似電極として銀・塩化銀電極のみを使用しても問題はない。   The reference electrode 5 gives a reference potential in order to stably measure a potential change based on an equilibrium reaction or a chemical reaction occurring on the surface of the gold electrode 14 in the reaction solution 11. Usually, the reference electrode is a silver / silver chloride electrode or calomel electrode using saturated potassium chloride as the internal solution. However, if the composition of the sample solution to be measured is constant, There is no problem even if only a silver / silver chloride electrode is used as an electrode.

図2は、本発明の免疫分析装置に使用する絶縁ゲート電界効果トランジスタの構造を示す図である。図2(a)、(b)は、各々断面構造及び平面構造を表わしている。絶縁ゲート電界効果トランジスタ21は、シリコン基板の表面にソース22、ドレイン23、及びゲート絶縁物24を形成し、金電極25を設けてある。金電極25と絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート26を導電性配線27で接続してある。好ましくは、絶縁ゲート電界効果トランジスタは、シリコン酸化物を絶縁膜として用いる金属酸化物半導体(Metal-oxide semiconducor)電界効果トランジスタ(FET)であるが、薄膜トランジスタ(TFT)を用いても問題はない。本構造を採用することにより、金電極25を任意の場所に、かつ任意の大きさに形成でき、測定対象の試料溶液量に応じて測定セルの容積を変更することができる。本発明で使用する絶縁ゲート電界効果トランジスタは、SiO2(厚さ;17.5nm)を用いた絶縁層を有するデプレション型FETであり、金電極を400μm×400μmの大きさで作製してある。通常の測定は、水溶液を使用するため、本素子は溶液中で動作しなければならない。溶液中で測定する場合には、電気化学反応を起こし難い−0.5〜0.5Vの電極電位範囲で動作することが必要である。そのため、本実施例ではデプレション型nチャネルFETの作製条件、すなわち閾値電圧(Vt)調整用イオン打ち込み条件を調整し、FETの閾値電圧を−0.5V付近に設定してある。なお、金電極に代えて、銀等の他の貴金属からなる電極を用いてもよい。 FIG. 2 is a diagram showing the structure of an insulated gate field effect transistor used in the immunoassay apparatus of the present invention. 2A and 2B show a cross-sectional structure and a planar structure, respectively. The insulated gate field effect transistor 21 has a source 22, a drain 23, and a gate insulator 24 formed on the surface of a silicon substrate, and a gold electrode 25. The gold electrode 25 and the gate 26 of the insulated gate field effect transistor are connected by a conductive wiring 27. Preferably, the insulated gate field effect transistor is a metal-oxide semiconductor field effect transistor (FET) using silicon oxide as an insulating film, but there is no problem even if a thin film transistor (TFT) is used. By adopting this structure, the gold electrode 25 can be formed at any location and in any size, and the volume of the measurement cell can be changed according to the amount of the sample solution to be measured. The insulated gate field effect transistor used in the present invention is a depletion type FET having an insulating layer using SiO 2 (thickness: 17.5 nm), and a gold electrode is fabricated in a size of 400 μm × 400 μm. . Since normal measurement uses an aqueous solution, the device must operate in solution. When measuring in a solution, it is necessary to operate in an electrode potential range of −0.5 to 0.5 V which hardly causes an electrochemical reaction. Therefore, in this embodiment, the fabrication condition of the depletion type n-channel FET, that is, the ion implantation condition for adjusting the threshold voltage (Vt) is adjusted, and the threshold voltage of the FET is set to around −0.5V. In place of the gold electrode, an electrode made of another noble metal such as silver may be used.

図3は、本発明によるFETセンサを用いた免疫分析装置の他の構成例を示す図である。本実施例に使用する絶縁ゲート電界効果トランジスタ31は、シリコン基板の表面にソース32、ドレイン33、及びゲート絶縁物34を形成し、ソース32、ドレイン33間のゲート絶縁物表面に金電極35を設けてある。金電極35の表面には、抗体36が固定化されている。   FIG. 3 is a diagram showing another configuration example of the immune analyzer using the FET sensor according to the present invention. In the insulated gate field effect transistor 31 used in this embodiment, a source 32, a drain 33, and a gate insulator 34 are formed on the surface of a silicon substrate, and a gold electrode 35 is formed on the surface of the gate insulator between the source 32 and the drain 33. It is provided. An antibody 36 is immobilized on the surface of the gold electrode 35.

実際の測定の際には、金電極35、金電極35の表面上に固定化された抗体36、及び参照電極37を測定セル38内の反応溶液39中に配置し、参照電極37に電源40により高周波電圧を印加し、反応溶液39で起こる酵素反応生成物を基質注入前後で変化する絶縁ゲート電界効果トランジスタ31の電気特性変化、すなわちソース32とドレイン33間の電流変化として検出する。こうして、抗体36に結合した試料溶液中の抗原量を測定することができる。   In actual measurement, the gold electrode 35, the antibody 36 immobilized on the surface of the gold electrode 35, and the reference electrode 37 are placed in the reaction solution 39 in the measurement cell 38, and the power source 40 is connected to the reference electrode 37. A high frequency voltage is applied to detect an enzyme reaction product occurring in the reaction solution 39 as a change in electrical characteristics of the insulated gate field effect transistor 31 that changes before and after substrate injection, that is, a change in current between the source 32 and the drain 33. Thus, the amount of antigen in the sample solution bound to the antibody 36 can be measured.

測定手順は以下の通りである。最初、測定セル38内の反応溶液39中に試料溶液注入器7を用いて試料溶液を注入し、試料溶液中の抗原と抗体36を結合させる。一定時間後、反応溶液39中に酵素標識抗体溶液注入器8を用いて酵素標識抗体溶液を注入し、抗原・抗体反応を起こし、抗体-抗原-酵素標識抗体を形成させる。その後、結合した酵素標識抗体と遊離の酵素標識抗体を、測定セル38内の反応溶液39の交換及び測定セル38の洗浄により分離する。測定セル38内の溶液交換・洗浄後、基質溶液注入器9を用いて標識酵素の基質を注入すると、基質は酵素により分解され、チオール化合物が生成する。生成したチオール化合物は、絶縁ゲート電界効果トランジスタ31上に形成された金電極35に吸着し、自己組織化膜を形成する。その結果、金電極35上の電位が変化する。チオール化合物の金電極35への吸着速度は、チオール化合物の生成速度、すなわち、抗体-抗原-酵素標識抗体の量に比例する。そのため、チオール化合物の金電極35への吸着速度を測定することにより、結合した標識酵素の量、すなわち試料溶液中の抗原量を得ることができる。その際、金電極35上への固定化は、抗体の他に抗体の一部であるFab’断片や一本鎖DNAであるアプタマーを用いても問題ない。   The measurement procedure is as follows. First, the sample solution is injected into the reaction solution 39 in the measurement cell 38 by using the sample solution injector 7 to bind the antigen 36 and the antibody 36 in the sample solution. After a certain time, an enzyme-labeled antibody solution is injected into the reaction solution 39 using the enzyme-labeled antibody solution injector 8 to cause an antigen-antibody reaction, thereby forming an antibody-antigen-enzyme-labeled antibody. Thereafter, the bound enzyme-labeled antibody and the free enzyme-labeled antibody are separated by exchanging the reaction solution 39 in the measurement cell 38 and washing the measurement cell 38. When the substrate of the labeled enzyme is injected using the substrate solution injector 9 after exchanging and washing the solution in the measurement cell 38, the substrate is decomposed by the enzyme and a thiol compound is generated. The generated thiol compound is adsorbed on the gold electrode 35 formed on the insulated gate field effect transistor 31 to form a self-assembled film. As a result, the potential on the gold electrode 35 changes. The adsorption rate of the thiol compound to the gold electrode 35 is proportional to the production rate of the thiol compound, that is, the amount of antibody-antigen-enzyme labeled antibody. Therefore, by measuring the adsorption rate of the thiol compound to the gold electrode 35, the amount of bound labeled enzyme, that is, the amount of antigen in the sample solution can be obtained. At that time, the immobilization onto the gold electrode 35 can be achieved by using an Fab ′ fragment that is a part of the antibody or an aptamer that is a single-stranded DNA in addition to the antibody.

図4は、本発明によるFETセンサを用いた免疫分析システムの例を示すブロック図である。この分析システムは、測定部41、信号処理回路42、データ処理装置43、及びチオール化合物生成反応のための反応容器44から構成される。測定部41内には、絶縁ゲート電界効果トランジスタ45、参照電極46、参照電極46に高周波電圧を印加する電源47、反応容器44内の溶液を供給するチオール化合物溶液注入器48が設けられている。測定セル49内の反応溶液50中には、絶縁ゲート電界効果トランジスタ45上に形成された金電極51、参照電極46が配置されている。チオール化合物生成反応のための反応容器44内には、抗体52が抗体固定板53上に固定化されている。尚、抗体52を直接反応容器44の内部に固定化してもよい。   FIG. 4 is a block diagram showing an example of an immune analysis system using an FET sensor according to the present invention. This analysis system includes a measurement unit 41, a signal processing circuit 42, a data processing device 43, and a reaction vessel 44 for a thiol compound generation reaction. In the measurement unit 41, an insulated gate field effect transistor 45, a reference electrode 46, a power source 47 for applying a high-frequency voltage to the reference electrode 46, and a thiol compound solution injector 48 for supplying a solution in the reaction vessel 44 are provided. . A gold electrode 51 and a reference electrode 46 formed on the insulated gate field effect transistor 45 are disposed in the reaction solution 50 in the measurement cell 49. An antibody 52 is immobilized on an antibody fixing plate 53 in a reaction container 44 for thiol compound generation reaction. The antibody 52 may be directly immobilized inside the reaction container 44.

測定手順は以下の通りである。チオール化合物生成反応のための反応容器44に試料溶液を注入し、試料溶液中の抗原と抗体52を結合させる。一定時間後、反応容器44に酵素標識抗体溶液を注入し、抗原・抗体反応を起こし、抗体-抗原-酵素標識抗体を形成させる。その後、結合した酵素標識抗体と遊離の酵素標識抗体を、反応容器44内の溶液交換及び反応容器44の洗浄により分離する。反応容器44内の溶液交換・洗浄後、標識酵素の基質を注入すると、基質は酵素により分解され、チオール化合物が生成する。一定時間反応後、生成したチオール化合物を、チオール化合物溶液注入器48を用いて測定セル49内の反応溶液50に導入する。測定セル49内の反応溶液50に導入されたチオール化合物は、絶縁ゲート電界効果トランジスタ45上に形成された金電極51に吸着し、自己組織化膜を形成する。その結果、金電極51上の電位が変化する。測定は、チオール化合物溶液注入器48による生成したチオール化合物の注入前後で変化する絶縁ゲート電界効果トランジスタ45内のソース54、ドレイン55間の電流をリアルタイムでモニターし、信号処理回路42及びデータ処理装置43で記録することで行う。チオール化合物の金電極51への吸着速度は、チオール化合物の濃度、すなわち、抗体-抗原-酵素標識抗体の量に比例する。そのため、チオール化合物の金電極51への吸着速度を測定することにより、結合した標識酵素の量、すなわち試料溶液中の抗原量を得ることができる。   The measurement procedure is as follows. The sample solution is injected into the reaction container 44 for the thiol compound generation reaction, and the antigen and the antibody 52 in the sample solution are combined. After a certain period of time, an enzyme-labeled antibody solution is injected into the reaction container 44 to cause an antigen-antibody reaction to form an antibody-antigen-enzyme-labeled antibody. Thereafter, the bound enzyme-labeled antibody and the free enzyme-labeled antibody are separated by exchanging the solution in the reaction container 44 and washing the reaction container 44. When the substrate of the labeling enzyme is injected after the solution in the reaction container 44 is exchanged and washed, the substrate is decomposed by the enzyme to generate a thiol compound. After the reaction for a certain time, the generated thiol compound is introduced into the reaction solution 50 in the measurement cell 49 using a thiol compound solution injector 48. The thiol compound introduced into the reaction solution 50 in the measurement cell 49 is adsorbed to the gold electrode 51 formed on the insulated gate field effect transistor 45 to form a self-assembled film. As a result, the potential on the gold electrode 51 changes. In the measurement, the current between the source 54 and the drain 55 in the insulated gate field effect transistor 45 that changes before and after the injection of the thiol compound generated by the thiol compound solution injector 48 is monitored in real time, and the signal processing circuit 42 and the data processing device are monitored. This is done by recording at 43. The adsorption rate of the thiol compound to the gold electrode 51 is proportional to the concentration of the thiol compound, that is, the amount of antibody-antigen-enzyme labeled antibody. Therefore, by measuring the adsorption rate of the thiol compound to the gold electrode 51, the amount of bound labeled enzyme, that is, the amount of antigen in the sample solution can be obtained.

図5は、本発明によるFETセンサを用いた免疫分析装置における反応フローを示している。
免疫分析では、抗原と抗体との特異的な結合反応を利用し、抗原と抗体の結合量を計測して抗原量を得る。本発明では、従来の免疫分析で一般的に用いられているサンドイッチ法を用いて、抗体に標識した酵素などを通して間接的に抗原量を測定する。予め固相に固定化した抗体61と試料中の抗原62との反応後、酵素標識抗体63を加えて、抗体-抗原-酵素標識抗体64を形成させる。その後、結合した酵素標識抗体65と遊離の酵素標識抗体63及び遊離の抗原62を分離し、結合した酵素標識抗体の酵素66と基質67のサイクリック反応の生成物であるチオール化合物68をFETセンサで測定して、抗原量を得ることができる。
FIG. 5 shows a reaction flow in the immunoassay apparatus using the FET sensor according to the present invention.
In the immunoassay, a specific binding reaction between an antigen and an antibody is used to measure the amount of binding between the antigen and the antibody to obtain the amount of antigen. In the present invention, the amount of antigen is indirectly measured through an enzyme labeled with an antibody using a sandwich method generally used in conventional immunoassay. After the reaction between the antibody 61 previously immobilized on the solid phase and the antigen 62 in the sample, an enzyme-labeled antibody 63 is added to form an antibody-antigen-enzyme-labeled antibody 64. Thereafter, the bound enzyme-labeled antibody 65, the free enzyme-labeled antibody 63, and the free antigen 62 are separated, and the thiol compound 68, which is a product of the cyclic reaction of the enzyme 66 and the substrate 67 of the bound enzyme-labeled antibody, is converted into an FET sensor. The amount of antigen can be obtained by measuring with

本発明の交流電圧印加の効果を、他の実施例を用いて説明する。図6(a)〜(h)は、図4に示した参照電極46に交流電圧を印加して、試料溶液を測定セル49内の反応溶液50中に導入した際のドレイン電流の経時変化を示す図である。図6(b)〜(h)は、各々周波数10Hz、100Hz、1KHz、10KHz、100KHz、1MHz、10MHzの交流電圧を印加した場合の結果を示している。交流電圧印加の効果を見るために、リファレンス実験として直流(DC)印加のデータを図6(a)に示してある。参照電極46にはAg/AgCl参照電極を使用した。参照電極46への交流電圧印加は、中心電圧100mV、振幅電圧100mVで行った。反応溶液には0.1M Na2SO4水溶液1.9mlを用いた。試料溶液には、アルカンチオール化合物として1mM 6−ヒドロキシ−1−ヘキサンチオール(6-HHT)水溶液を用いた。トランジスタの電流・電圧特性の測定は、半導体パラメータアナライザ(Agilent 4155C Semiconductor Parameter Analyzer)を用いて行った。 The effect of the AC voltage application of the present invention will be described using another embodiment. 6A to 6H show the change in drain current over time when an AC voltage is applied to the reference electrode 46 shown in FIG. 4 and the sample solution is introduced into the reaction solution 50 in the measurement cell 49. FIG. FIG. FIGS. 6B to 6H show the results when AC voltages having frequencies of 10 Hz, 100 Hz, 1 KHz, 10 KHz, 100 KHz, 1 MHz, and 10 MHz are applied, respectively. In order to see the effect of alternating voltage application, direct current (DC) application data is shown in FIG. 6A as a reference experiment. As the reference electrode 46, an Ag / AgCl reference electrode was used. The AC voltage was applied to the reference electrode 46 at a center voltage of 100 mV and an amplitude voltage of 100 mV. The reaction solution used was 1.9 ml of 0.1M Na 2 SO 4 aqueous solution. For the sample solution, 1 mM 6-hydroxy-1-hexanethiol (6-HHT) aqueous solution was used as the alkanethiol compound. The current / voltage characteristics of the transistor were measured using a semiconductor parameter analyzer (Agilent 4155C Semiconductor Parameter Analyzer).

測定開始600秒後(図中の矢印)に、試料溶液0.1mLを反応溶液中に導入した。試料溶液導入後、全ての場合でドレイン電流の減少が見られた。DC印加の場合には、安定性が悪く、測定開始から試料溶液導入までの間でのドリフトが大きかった。さらに、試料溶液の導入後、ドレイン電流値は減少後再び増加し、安定化までには10分以上を要した。この傾向は、周波数が1KHz以下の場合に見られた。一方、周波数が10KHz以上の場合には、ドレイン電流値は減少後ほとんど増加することなく、安定化までの時間は周波数が1KHz以下の場合と比べて短かった。また、測定開始から試料溶液導入までの間のドレイン電流もドリフトが小さく安定していた。これらの結果は、試料溶液を導入したことにより金電極の表面電位が不安定になるが、参照電極に印加する交流の周波数が10KHz以上の場合には、この金電極の表面電位の乱れを早く回復する効果が大きくなるためであると考えられる。このように、測定時に10KHz以上の高周波を参照電極に重畳することにより、金電極上で生じる反応過程を精度良く測定できるようになる。   After 600 seconds from the start of measurement (arrow in the figure), 0.1 mL of the sample solution was introduced into the reaction solution. After introducing the sample solution, a decrease in drain current was observed in all cases. When DC was applied, the stability was poor and the drift from the start of measurement to the introduction of the sample solution was large. Furthermore, after the sample solution was introduced, the drain current value increased again after decreasing, and it took more than 10 minutes to stabilize. This tendency was seen when the frequency was 1 KHz or less. On the other hand, when the frequency was 10 KHz or more, the drain current value hardly increased after the decrease, and the time to stabilization was shorter than that when the frequency was 1 KHz or less. Also, the drain current from the start of measurement to the introduction of the sample solution was stable with little drift. These results show that the surface potential of the gold electrode becomes unstable due to the introduction of the sample solution, but when the frequency of the alternating current applied to the reference electrode is 10 KHz or higher, the surface potential of the gold electrode is disturbed quickly. This is thought to be due to the greater recovery effect. Thus, by superimposing a high frequency of 10 KHz or more on the reference electrode during measurement, the reaction process occurring on the gold electrode can be accurately measured.

図7は、異なる濃度の試料溶液を測定した結果を示す図である。試料溶液には、アルカンチオール化合物として6-HHT水溶液を用いた。図7(a)〜(g)は、反応溶液中の最終濃度が各々50μM、25μM、10μM、5μM、2.5μM、0.5μM、0.1μMの場合の結果を示している。金電極への物理吸着の影響を見るために、リファレンス実験としてHDO(ヘキサンチジオール)水溶液を用いた(最終濃度;50μM)。図中の矢印は、使用溶液の導入した時間を表している。参照電極46にはAg/AgCl参照電極を使用した。参照電極46への交流電圧印加は、中心電圧100mV、振幅電圧100mV、周波数1MHzで行った。反応溶液には0.1M Na2SO4水溶液1.9mlを用いた。図7(a)、(b)に示すように、反応溶液中の濃度が50μMや25μMの場合には、数秒でドレイン電流値が一定となり、金電極への吸着反応が終了した。また、図7(d)、(e)に示すように、濃度が5μMや2.5μMの場合には、ドレイン電流値が一定となり反応が終了するのに各々約5分及び10分要した。一方、図7(f)、(g)に示すように、濃度が0.5μMや0.1μMの場合には、ドレイン電流値が一定となるのに1時間以上要した。また、図7(h)に示すように、HDO水溶液の場合は、ドレイン電流値はほとんど変化せず、金電極への物理吸着の影響が無い事を示している。 FIG. 7 is a diagram showing the results of measuring sample solutions having different concentrations. In the sample solution, 6-HHT aqueous solution was used as the alkanethiol compound. 7A to 7G show the results when the final concentrations in the reaction solution are 50 μM, 25 μM, 10 μM, 5 μM, 2.5 μM, 0.5 μM, and 0.1 μM, respectively. In order to see the effect of physical adsorption on the gold electrode, an HDO (hexanethidiol) aqueous solution was used as a reference experiment (final concentration: 50 μM). The arrow in the figure represents the time when the use solution was introduced. As the reference electrode 46, an Ag / AgCl reference electrode was used. The AC voltage was applied to the reference electrode 46 at a center voltage of 100 mV, an amplitude voltage of 100 mV, and a frequency of 1 MHz. The reaction solution used was 1.9 ml of 0.1M Na 2 SO 4 aqueous solution. As shown in FIGS. 7A and 7B, when the concentration in the reaction solution was 50 μM or 25 μM, the drain current value became constant within a few seconds, and the adsorption reaction to the gold electrode was completed. Further, as shown in FIGS. 7D and 7E, when the concentration was 5 μM or 2.5 μM, it took about 5 minutes and 10 minutes for the drain current value to be constant and the reaction to be completed, respectively. On the other hand, as shown in FIGS. 7F and 7G, when the concentration was 0.5 μM or 0.1 μM, it took 1 hour or more for the drain current value to become constant. Further, as shown in FIG. 7 (h), in the case of the HDO aqueous solution, the drain current value hardly changes, indicating that there is no influence of physical adsorption on the gold electrode.

このように、反応溶液中の濃度に応じてドレイン電流値が一定になるまでの時間が変化するため、試料溶液導入後からのドレイン電流値が一定になるまでの時間を測定又は推測すれば、試料溶液中のアルカンチオール化合物の濃度を得ることができる。また、試料溶液導入後からのドレイン電流値が一定になるまでの時間を測定又は推測する代わりに、試料溶液導入直後のドレイン電流値の変化量から金電極へのアルカンチオール化合物の吸着速度を用いて溶液中の濃度を得ることもできる。金電極への吸着速度は、試料溶液導入直後のドレイン電流値を多項式や指数関数を用いて最小二乗法などによりフィッティングして得られた関数y=F(x)を用いればよい。あるいは、試料溶液導入直後の吸着反応の初速度として、F(x)の微分値あるいは一定時間の変化量を用いればよい。   Thus, since the time until the drain current value becomes constant changes according to the concentration in the reaction solution, if the time until the drain current value after the sample solution introduction becomes constant is measured or estimated, The concentration of the alkanethiol compound in the sample solution can be obtained. Also, instead of measuring or estimating the time until the drain current value becomes constant after the sample solution is introduced, the rate of adsorption of the alkanethiol compound to the gold electrode is used from the amount of change in the drain current value immediately after the sample solution is introduced. The concentration in the solution can also be obtained. The adsorption rate to the gold electrode may be a function y = F (x) obtained by fitting the drain current value immediately after introduction of the sample solution by a least square method using a polynomial or exponential function. Alternatively, the differential value of F (x) or the amount of change over a certain time may be used as the initial rate of the adsorption reaction immediately after the sample solution is introduced.

図8は、試料溶液中の濃度と金電極への測定結果の吸着速度の関係を示す図である。測定は3回行い、図にはその平均をプロットした。吸着速度は、試料溶液導入直後のドレイン電流曲線の接線を初速度として計算して求めた。図8に示すように、試料溶液中の濃度と吸着速度は良好な直線性を示した。このように、ドレイン電流値が一定になるまでの時間を計測して吸着反応が終了するまでの時間を用いる代わりに、金電極への吸着速度から試料溶液中の濃度を迅速にかつ正確に得ることができる。   FIG. 8 is a diagram showing the relationship between the concentration in the sample solution and the adsorption rate of the measurement result on the gold electrode. The measurement was performed three times, and the average was plotted in the figure. The adsorption rate was determined by calculating the tangent of the drain current curve immediately after introduction of the sample solution as the initial rate. As shown in FIG. 8, the concentration in the sample solution and the adsorption rate showed good linearity. Thus, instead of measuring the time until the drain current value becomes constant and using the time until the adsorption reaction is completed, the concentration in the sample solution can be obtained quickly and accurately from the adsorption rate on the gold electrode. be able to.

本発明の装置を用いた酵素免疫測定法について以下に説明する。本実施例では、従来の免疫分析で一般的に用いられているサンドイッチ法を用いて、抗体に標識した酵素などを通して間接的に抗原量を測定した。予めプレート上に固定化した抗体と試料中の抗原との反応後、酵素標識抗体を加えて、抗体-抗原-酵素標識抗体を形成させた。その後、結合した酵素標識抗体と遊離の酵素標識抗体及び遊離の抗原を分離し、結合した酵素標識抗体の酵素と基質のサイクリック反応の生成物であるチオール化合物をFETセンサで測定した。本実施例で使用した試料及び試薬を以下に示す。
固定化抗体:Interleukin 1β 抗体
試料: Human plasma
測定対象:Interleukin 1β
酵素標識抗体:アセチルコリンエステラーゼ(AChE):Interleukin-1β Fab’ Conjugate
基質:2.5 mM アセチルチオコリン(Acetylthiocholine)
反応溶液: 0.1M リン酸バッファー(pH7.4)、0.15M NaCl、1mM EDTA
尚、ここで使用した反応条件や試薬濃度は単なる一例であり、装置構成及び測定対象に応じて適宜変更できる。
The enzyme immunoassay method using the apparatus of the present invention will be described below. In this example, the amount of antigen was indirectly measured through an enzyme labeled with an antibody using a sandwich method generally used in conventional immunoassay. After the reaction between the antibody immobilized on the plate and the antigen in the sample, an enzyme-labeled antibody was added to form an antibody-antigen-enzyme-labeled antibody. Thereafter, the bound enzyme-labeled antibody was separated from the free enzyme-labeled antibody and the free antigen, and the thiol compound that was a product of the cyclic reaction between the enzyme of the bound enzyme-labeled antibody and the substrate was measured with an FET sensor. Samples and reagents used in this example are shown below.
Immobilized antibody: Interleukin 1β antibody Sample: Human plasma
Measurement object: Interleukin 1β
Enzyme-labeled antibody: Acetylcholinesterase (AChE): Interleukin-1β Fab 'Conjugate
Substrate: 2.5 mM Acetylthiocholine
Reaction solution: 0.1 M phosphate buffer (pH 7.4), 0.15 M NaCl, 1 mM EDTA
Note that the reaction conditions and reagent concentrations used here are merely examples, and can be appropriately changed according to the apparatus configuration and the measurement target.

測定手順は以下の通りである。最初、Interleukin 1βの抗体が固定化されたプレートのウエルに100μLの試料溶液(Human plasma)及び100μLの酵素標識抗体(AChE:Interleukin-1β Fab’ Conjugate)を加えて、プレートをプラスチックフィルムでカバーして4℃で一晩反応させる。その後、プレートのウエルの溶液を捨てて、洗浄バッファーで5〜6回洗浄する。アセチルコリンエステラーゼの基質であるアセチルチオコリン溶液を各ウエルに添加して、約30分間反応させる。反応により生じたチオール化合物が含まれた反応溶液をFETセンサの浸漬した反応セルに導入して、チオール化合物の金電極への吸着速度を測定することにより、反応により生じたチオール化合物の濃度を得る。生成したチオール化合物の濃度は、抗体-抗原-酵素標識抗体の酵素濃度に比例するため、抗原量を定量することができる。   The measurement procedure is as follows. First, 100 μL of sample solution (Human plasma) and 100 μL of enzyme-labeled antibody (AChE: Interleukin-1β Fab 'Conjugate) are added to the wells of the plate on which the antibody of Interleukin 1β is immobilized, and the plate is covered with a plastic film. React overnight at 4 ° C. Thereafter, the plate well solution is discarded and washed 5-6 times with wash buffer. An acetylthiocholine solution, which is a substrate for acetylcholinesterase, is added to each well and allowed to react for about 30 minutes. The reaction solution containing the thiol compound produced by the reaction is introduced into the reaction cell immersed in the FET sensor, and the concentration of the thiol compound produced by the reaction is obtained by measuring the adsorption rate of the thiol compound to the gold electrode. . Since the concentration of the produced thiol compound is proportional to the enzyme concentration of the antibody-antigen-enzyme labeled antibody, the amount of antigen can be quantified.

FETセンサによる測定の際には、参照電極としてAg/AgCl参照電極を使用した。参照電極には、中心電圧100mV、振幅電圧100mV、周波数1MHzの交流電圧を印加した。FETセンサによる測定結果を図9に示す。図9(a)〜(d)のデータは、抗原であるInterleukin 1βの濃度が各々200、20、2.0、1.0pg/mLの試料の測定結果を表している。図9(e)のデータは、Interleukin 1βの濃度が0pg/mLであるブランクである。本発明では、試料中のInterleukin 1βの濃度を金電極への吸着速度として求めた。その吸着速度は、試料溶液導入直後(図中の矢印)のドレイン電流曲線の接線(図中の点線)を初速度として計算して求めた。   In the measurement with the FET sensor, an Ag / AgCl reference electrode was used as a reference electrode. An AC voltage having a center voltage of 100 mV, an amplitude voltage of 100 mV, and a frequency of 1 MHz was applied to the reference electrode. The measurement result by the FET sensor is shown in FIG. The data in FIGS. 9A to 9D show the measurement results of samples having concentrations of Interleukin 1β as an antigen of 200, 20, 2.0, and 1.0 pg / mL, respectively. The data in FIG. 9 (e) is a blank with a concentration of Interleukin 1β of 0 pg / mL. In the present invention, the concentration of Interleukin 1β in the sample was determined as the adsorption rate to the gold electrode. The adsorption rate was determined by calculating the initial rate of the tangent line (dotted line in the figure) of the drain current curve immediately after the introduction of the sample solution (arrow in the figure).

その結果、図10に示すように、試料溶液中の濃度と吸着速度は良好な直線性を示し、1.0pg/mLまで測定可能であった。この検出感度は従来法より1桁以上高い値である。このように、従来の免疫分析で一般的に用いられているサンドイッチ法の酵素反応で生成したチオール化合物の金電極への吸着速度を測定することにより、分光光度計を使用せずに、FETセンサにより、試料溶液中の濃度を高感度に測定することができる。   As a result, as shown in FIG. 10, the concentration in the sample solution and the adsorption rate showed good linearity and could be measured up to 1.0 pg / mL. This detection sensitivity is one digit higher than the conventional method. In this way, the FET sensor can be used without using a spectrophotometer by measuring the adsorption rate of the thiol compound produced by the sandwich-type enzyme reaction commonly used in conventional immunoassay to the gold electrode. Thus, the concentration in the sample solution can be measured with high sensitivity.

本発明の装置を用いた酵素免疫測定法の他の実施例について以下に説明する。本実施例では、図1に示す装置構成で、同一反応セル内で酵素免疫反応生成物のチオール化合物をリアルタイムで計測した。尚、FETセンサによる測定の際には、参照電極としてAg/AgCl参照電極を使用した。参照電極には、中心電圧100mV、振幅電圧100mV、周波数1MHzの交流電圧を印加した。本実施例で使用した試料及び試薬を以下に示す。
固定化抗体:Interleukin 1β 抗体
試料: Human plasma
測定対象:Interleukin 1β
酵素標識抗体:アセチルコリンエステラーゼ(AChE):Interleukin-1β Fab’ Conjugate
基質:2.5 mM アセチルチオコリン(Acetylthiocholine)
反応溶液: 0.1M リン酸バッファー(pH7.4)、0.15M NaCl、1mM EDTA
Another embodiment of the enzyme immunoassay using the apparatus of the present invention will be described below. In this example, the thiol compound of the enzyme immune reaction product was measured in real time in the same reaction cell with the apparatus configuration shown in FIG. In the measurement with the FET sensor, an Ag / AgCl reference electrode was used as a reference electrode. An AC voltage having a center voltage of 100 mV, an amplitude voltage of 100 mV, and a frequency of 1 MHz was applied to the reference electrode. Samples and reagents used in this example are shown below.
Immobilized antibody: Interleukin 1β antibody Sample: Human plasma
Measurement object: Interleukin 1β
Enzyme-labeled antibody: Acetylcholinesterase (AChE): Interleukin-1β Fab 'Conjugate
Substrate: 2.5 mM Acetylthiocholine
Reaction solution: 0.1 M phosphate buffer (pH 7.4), 0.15 M NaCl, 1 mM EDTA

測定手順は以下の通りである。最初、反応セル内にInterleukin 1βの抗体が固定化された抗体固定板を設置する。反応セルに100μLの試料溶液(Human plasma)及び100μLの酵素標識抗体(AChE:Interleukin-1β Fab’ Conjugate)を加え、反応セルをプラスチックフィルムでカバーして4℃で一晩反応させる。その後、反応セル内の溶液を捨てて、洗浄バッファーで5〜6回洗浄する。反応セル内に1.8mLの反応溶液(0.1M リン酸バッファー(pH7.4)、0.15M NaCl、1mM EDTA)を加えて、測定を開始する。測定開始から600秒後に0.2mLのアセチルチオコリン溶液を反応セル内に導入すると、酵素反応によりチオール化合物が生成する。反応により生じたチオール化合物の金電極への吸着により、FETセンサのドレイン電流値が変化する。このドレイン電流値をリアルタイムで計測することにより、チオール化合物の生成速度が正確に測定できる。チオール化合物の生成速度は、抗体-抗原-酵素標識抗体の酵素量に依存するため、チオール化合物の生成速度から結合した標識酵素の量、すなわち抗原量を得ることができる。   The measurement procedure is as follows. First, an antibody immobilization plate on which an antibody of Interleukin 1β is immobilized is placed in the reaction cell. 100 μL of sample solution (Human plasma) and 100 μL of enzyme-labeled antibody (AChE: Interleukin-1β Fab ′ Conjugate) are added to the reaction cell, and the reaction cell is covered with a plastic film and allowed to react at 4 ° C. overnight. Thereafter, the solution in the reaction cell is discarded and washed 5 to 6 times with a washing buffer. Add 1.8 mL of the reaction solution (0.1 M phosphate buffer (pH 7.4), 0.15 M NaCl, 1 mM EDTA) to the reaction cell, and start the measurement. When 0.2 mL of acetylthiocholine solution is introduced into the reaction cell 600 seconds after the start of measurement, a thiol compound is generated by an enzymatic reaction. The drain current value of the FET sensor changes due to adsorption of the thiol compound generated by the reaction to the gold electrode. By measuring the drain current value in real time, the generation rate of the thiol compound can be accurately measured. Since the production rate of the thiol compound depends on the enzyme amount of the antibody-antigen-enzyme labeled antibody, the amount of the labeled enzyme bound, that is, the antigen amount can be obtained from the production rate of the thiol compound.

本実施例では、試料中のInterleukin 1βの濃度を、金電極への吸着速度を試料溶液導入直後のドレイン電流曲線の接線を初速度として計算して求めた。FETセンサによる測定結果を図11に示す。図11に示すように、試料溶液中の濃度と吸着速度は良好な直線性を示した。   In this example, the concentration of Interleukin 1β in the sample was determined by calculating the adsorption rate on the gold electrode with the tangent to the drain current curve immediately after introducing the sample solution as the initial rate. FIG. 11 shows the measurement result by the FET sensor. As shown in FIG. 11, the concentration in the sample solution and the adsorption rate showed good linearity.

次に、金電極上に直鎖状ポリマーを物理吸着させることの効果について説明する。直鎖状のポリマーとして、分子量の異なるポリエチレングリコールを使用した。図12は、ポリエチレングリコールを物理吸着させた電極へのチオール化合物の吸着に伴うドレイン電流の経時変化を示す図である。図12(b)〜(f)は、各々分子量、1000、2000、8000、500000、2000000の0.5%ポリエチレングリコール水溶液をコーティングした金電極のデータである。図12(a)は、リファレンスとして未処理の金電極を用いた場合を示している。使用したチオール化合物は、1mM 6-HHT水溶液である。反応溶液には0.1M Na2SO4水溶液1.9mlを用いて、測定開始から600秒後に、0.1mLの6-HHT水溶液を導入した。参照電極にはAg/AgCl参照電極を使用した。尚、直鎖状ポリマーの効果を見るために、参照電極への交流電圧印加は行なわず、DC100mVを印加した。トランジスタの電流・電圧特性の測定は、半導体パラメータアナライザ(Agilent 4155C Semiconductor Parameter Analyzer)を用いて行った。 Next, the effect of physically adsorbing the linear polymer on the gold electrode will be described. As the linear polymer, polyethylene glycols having different molecular weights were used. FIG. 12 is a diagram showing the change with time of the drain current accompanying the adsorption of the thiol compound to the electrode on which polyethylene glycol is physically adsorbed. FIGS. 12B to 12F are data of gold electrodes coated with 0.5% polyethylene glycol aqueous solutions having molecular weights of 1000, 2000, 8000, 500000, and 2000000, respectively. FIG. 12A shows a case where an untreated gold electrode is used as a reference. The thiol compound used is a 1 mM 6-HHT aqueous solution. As the reaction solution, 1.9 ml of 0.1M Na 2 SO 4 aqueous solution was used, and 0.1 mL of 6-HHT aqueous solution was introduced 600 seconds after the start of measurement. An Ag / AgCl reference electrode was used as the reference electrode. In order to see the effect of the linear polymer, no DC voltage was applied to the reference electrode, and DC 100 mV was applied. The current / voltage characteristics of the transistor were measured using a semiconductor parameter analyzer (Agilent 4155C Semiconductor Parameter Analyzer).

その結果、図12に示すように、未処理の金電極では、6-HHT水溶液導入前はベースラインが大きく揺らいでいるが、ポリエチレングリコールを物理吸着した場合にはベースラインが安定している。特に、分子量が2000以上の場合では、ベースラインの揺らぎは無くなり安定した。   As a result, as shown in FIG. 12, in the untreated gold electrode, the baseline was greatly fluctuated before introducing the 6-HHT aqueous solution, but the baseline was stable when polyethylene glycol was physically adsorbed. In particular, when the molecular weight was 2000 or more, the baseline fluctuation disappeared and became stable.

また、別の直鎖状のポリマーとしてデキストランを用いた場合の測定結果を図13に示す。図13は、デキストランを物理吸着させた電極へのチオール化合物の吸着に伴うドレイン電流の経時変化を示す図である。図13(b)〜(d)は、各々分子量、40000、90000、200000の0.5%デキストラン溶液をコーティングした金電極のデータである。図13(a)は、リファレンスとして未処理の金電極を示している。使用したチオール化合物は、1mM 6-HHT水溶液である。反応溶液には0.1M Na2SO4水溶液1.9mlを用い、測定開始から600秒後に0.1mLの6-HHT水溶液を導入した。参照電極にはAg/AgCl参照電極を使用した。尚、直鎖状ポリマーの効果を見るために、参照電極への交流電圧印加は行なわず、DC100mVを印加した。トランジスタの電流・電圧特性の測定は、半導体パラメータアナライザ(Agilent 4155C Semiconductor Parameter Analyzer)を用いて行った。その結果、図12の場合と同様に、未処理の金電極では、6-HHT水溶液導入前はベースラインが大きく揺らいでいるが、金電極にデキストランを物理吸着した場合にはベースラインが安定した。 Moreover, the measurement result at the time of using dextran as another linear polymer is shown in FIG. FIG. 13 is a diagram showing a change with time in drain current accompanying adsorption of a thiol compound to an electrode on which dextran is physically adsorbed. FIGS. 13B to 13D are data of gold electrodes coated with 0.5% dextran solutions having molecular weights of 40,000, 90000, and 200,000, respectively. FIG. 13A shows an untreated gold electrode as a reference. The thiol compound used is a 1 mM 6-HHT aqueous solution. As the reaction solution, 1.9 ml of 0.1 M Na 2 SO 4 aqueous solution was used, and 0.1 mL of 6-HHT aqueous solution was introduced 600 seconds after the start of measurement. An Ag / AgCl reference electrode was used as the reference electrode. In order to see the effect of the linear polymer, no DC voltage was applied to the reference electrode, and DC 100 mV was applied. The current / voltage characteristics of the transistor were measured using a semiconductor parameter analyzer (Agilent 4155C Semiconductor Parameter Analyzer). As a result, as in the case of FIG. 12, in the untreated gold electrode, the baseline was greatly fluctuated before the introduction of the 6-HHT aqueous solution, but when dextran was physically adsorbed to the gold electrode, the baseline was stabilized. .

また、これらの直鎖状ポリマーを物理吸着させた金電極と高周波重畳法を組み合わせた場合の測定結果を図14に示す。図14(a)、(b)、(c)は、各々未処理の金電極、デキストラン(分子量:2000000)をコーティングした金電極、ポリエチレングリコール(分子量:500000)をコーティングした金電極に対応する。尚、金電極へのポリマーの物理吸着には0.5%水溶液を使用した。使用したチオール化合物は、1mM 6-HHT水溶液である。反応溶液には0.1M Na2SO4水溶液1.9mlを用いて、測定開始から600秒後に、0.1mLの6-HHT水溶液を導入した。参照電極にはAg/AgCl参照電極を使用した。参照電極への交流電圧印加は、中心電圧100mV、振幅電圧100mV、周波数1MHzとした。トランジスタの電流・電圧特性の測定は、半導体パラメータアナライザ(Agilent 4155C Semiconductor Parameter Analyzer)を用いて行った。 Moreover, the measurement result at the time of combining the gold electrode which physically adsorbed these linear polymers and the high frequency superposition method is shown in FIG. FIGS. 14A, 14B, and 14C correspond to an untreated gold electrode, a gold electrode coated with dextran (molecular weight: 2000000), and a gold electrode coated with polyethylene glycol (molecular weight: 500000), respectively. A 0.5% aqueous solution was used for physical adsorption of the polymer on the gold electrode. The thiol compound used is a 1 mM 6-HHT aqueous solution. As the reaction solution, 1.9 ml of 0.1M Na 2 SO 4 aqueous solution was used, and 0.1 mL of 6-HHT aqueous solution was introduced 600 seconds after the start of measurement. An Ag / AgCl reference electrode was used as the reference electrode. The AC voltage applied to the reference electrode was a center voltage of 100 mV, an amplitude voltage of 100 mV, and a frequency of 1 MHz. The current / voltage characteristics of the transistor were measured using a semiconductor parameter analyzer (Agilent 4155C Semiconductor Parameter Analyzer).

その結果、図14中に破線で囲んで示すように、未処理の金電極の場合でも、6-HHT水溶液導入前のベースラインの揺らぎが小さく安定していた。デキストランやポリエチレングリコールをコーティングした場合には、ほとんどベースラインの揺らぎが見られなくなり、直鎖状ポリマーのコーティングと高周波重畳法の相乗効果があった。   As a result, as shown in FIG. 14 surrounded by a broken line, even in the case of an untreated gold electrode, the baseline fluctuation before introduction of the 6-HHT aqueous solution was small and stable. When dextran or polyethylene glycol was coated, there was almost no baseline fluctuation, and there was a synergistic effect of the linear polymer coating and the high-frequency superposition method.

1,41…測定部、2,42…信号処理回路、3,43…データ処理装置、4,21,31,45…絶縁ゲート電界効果トランジスタ、5,37…参照電極、6,40,47…電源、7…試料溶液注入器、8…酵素標識抗体溶液注入器、9…基質溶液注入器、10,38,49…測定セル、11,39,50…反応溶液、12,36,52,61…抗体、13,53…抗体固定板、14,25,35,51…金電極、15,22,32,54…ソース、16,23,33,55…ドレイン、24,34…ゲート絶縁物、26…絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート、27…導電性配線、44…反応容器、48…チオール化合物溶液注入器、62…抗原、63…酵素標識抗体、64…抗体-抗原-酵素標識抗体、65…結合した酵素標識抗、66…結合した酵素標識抗体の酵素、67…基質、68…チオール化合物。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,41 ... Measuring part, 2,42 ... Signal processing circuit, 3,43 ... Data processing device, 4, 21, 31, 45 ... Insulated gate field effect transistor, 5, 37 ... Reference electrode, 6, 40, 47 ... Power source, 7 ... Sample solution injector, 8 ... Enzyme-labeled antibody solution injector, 9 ... Substrate solution injector, 10,38,49 ... Measurement cell, 11,39,50 ... Reaction solution, 12,36,52,61 ... antibody, 13, 53 ... antibody fixing plate, 14, 25, 35, 51 ... gold electrode, 15, 22, 32, 54 ... source, 16, 23, 33, 55 ... drain, 24, 34 ... gate insulator, 26 ... gate of insulated gate field effect transistor, 27 ... conductive wiring, 44 ... reaction vessel, 48 ... thiol compound solution injector, 62 ... antigen, 63 ... enzyme labeled antibody, 64 ... antibody-antigen-enzyme labeled antibody, 65 ... anti-conjugated enzyme label, 6 ... the enzyme-labeled antibody binding, 67 ... substrate, 68 ... thiol compound.

Claims (2)

チオール化合物を測定するための分析用素子であって、
電界効果トランジスタと、
直鎖状ポリマーを表面上に物理吸着した貴金属からなる電極とを有し、
前記電界効果トランジスタのゲートと前記電極が導電性配線で接続されており、
前記直鎖状ポリマーは、デキストラン又はポリエチレングリコールであることを特徴とするチオール化合物測定素子。
An analytical element for measuring a thiol compound,
A field effect transistor;
An electrode made of a noble metal physically adsorbed on the surface of a linear polymer,
The gate of the field effect transistor and the electrode are connected by a conductive wiring ,
The thiol compound measuring element , wherein the linear polymer is dextran or polyethylene glycol .
記貴金属は金又は銀であることを特徴とする請求項1記載のチオール化合物測定素子。 Before SL noble metals thiol compound measuring device according to claim 1, wherein the gold or silver.
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JPS61173148A (en) * 1985-01-29 1986-08-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd Sensor for low specific gravity lipoprotein
JPS62232555A (en) * 1986-04-02 1987-10-13 Unitika Ltd Oxygen sensor
GB9712386D0 (en) * 1997-06-14 1997-08-13 Univ Coventry Biosensor
JP2004257996A (en) * 2003-02-27 2004-09-16 National Institute Of Advanced Industrial & Technology Enzyme immunoassay
JP3874772B2 (en) * 2004-07-21 2007-01-31 株式会社日立製作所 Biologically related substance measuring apparatus and measuring method
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