JP4945367B2 - Apparatus and method for separating a circuit pattern into a plurality of circuit patterns - Google Patents

Apparatus and method for separating a circuit pattern into a plurality of circuit patterns Download PDF

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Description

[0001] 本出願は参照により本明細書に組み込まれる2006年8月14日出願の米国暫定特許出願第60/837,325号に対する優先権を主張する。 [0001] This application claims priority to US Provisional Patent Application No. 60 / 837,325, filed Aug. 14, 2006, which is incorporated herein by reference.

[0002] 本開示は概ねマルチパターニング露光方法に関する。特に、高密度の回路パターンをマルチパターニング露光のためにこれより低密度の回路パターンに分離する方法に関する。 The present disclosure generally relates to a multi-patterning exposure method. In particular, the present invention relates to a method for separating a high-density circuit pattern into a lower-density circuit pattern for multi-patterning exposure.

[0003] ダブルパターニングは現在、非常に研究されているテーマである。概して、ダブルパターニングとは、高密度の回路パターンを2つの別々のこれより低密度のパターンに分割(split)(つまり割る(divide)又は分離する(separate))ことを含む露光方法である。次に、単純化されたパターンを、2つの別々のマスクを使用してターゲットウェーハへ別々に印刷する(一方のマスクは、一方のより低密度のパターンを結像するために使用され、他方のマスクは、他方のより低密度のパターンを結像するために使用される)。さらに第2パターンを第1パターンのラインの間に印刷し、したがって結像されたウェーハは、例えば2つのマスクのいずれかに見られるものの半分のフィーチャピッチを有する。この技術は、リソグラフィプロセスの複雑さを効果的に低下させ、達成可能な解像度を改善し、他の方法で可能であるよりはるかに小さいフィーチャの印刷を可能にする。 [0003] Double patterning is currently a very researched theme. In general, double patterning is an exposure method that involves splitting (i.e., dividing or separating) a high density circuit pattern into two separate lower density patterns. The simplified pattern is then printed separately onto the target wafer using two separate masks (one mask is used to image one lower density pattern and the other The mask is used to image the other lower density pattern). In addition, a second pattern is printed between the lines of the first pattern, so that the imaged wafer has a feature pitch that is half that found, for example, in either of the two masks. This technique effectively reduces the complexity of the lithographic process, improves the achievable resolution, and allows printing of features that are much smaller than would otherwise be possible.

[0004] ライン・スペースパターンを2つの別々のマスクに分離する方法を決定することは簡単かもしれないが、複雑な論理設計を別々のマスクに分離する方法を決定することは非常に困難なことがある。分離プロセスを実行する現在の方法は通常、複雑であり、矛盾を解決できないことがあり、介入操作を必要とすることがある。 [0004] Although it may be easy to determine how to separate a line space pattern into two separate masks, it is very difficult to determine how to separate a complex logical design into separate masks There is. Current methods of performing the separation process are usually complex, may not be able to resolve conflicts, and may require intervention.

[0005] したがって、複雑な回路パターンを2つ以上のこれより複雑でないマスクに効率的かつ効果的な方法で自動的に分割する方法および装置を提供することが、本発明の目的である。 [0005] Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method and apparatus for automatically dividing a complex circuit pattern into two or more less complex masks in an efficient and effective manner.

[0006] 本開示は、ウェーハに印刷されるべき原回路パターン(original circuit pattern)を、それほど複雑でない回路パターンの一つに専用の別々のマスクを使用してそれぞれ結像される複数の回路パターンへ、分割/分離する方法、装置、およびそのためのプログラムを記憶するコンピュータ読取可能記憶媒体に関する。本発明によれば、(例えばターゲットパターンの)回路パターンデータを取得し、次にイメージログスロープ(ILS)、正規化イメージログスロープ(NILS)、またはターゲット回路パターンの多角形のエッジに関する画像品質の他の特徴を取得するシミュレーションを実行する。次に、ウェーハに適切に印刷されたエッジと不適切に印刷されたエッジとを、任意のエッジのILSレベルに従って識別する。プロセスが終了したら、原回路パターンを複数の回路パターンに分離する。ここで、複数の回路パターンはそれぞれ不適切に印刷されたエッジを全く有さず、複数の回路パターンはそれぞれ別々のマスクを使用して結像される。 [0006] The present disclosure discloses a plurality of circuit patterns that are each imaged using an original circuit pattern to be printed on a wafer, using a separate mask dedicated to one of the less complex circuit patterns. The present invention relates to a method, an apparatus, and a computer-readable storage medium for storing a program therefor. According to the present invention, circuit pattern data (e.g., of a target pattern) is acquired, and then image quality of an image log slope (ILS), normalized image log slope (NILS), or polygon edge of the target circuit pattern. Run a simulation to get other features. Next, properly printed edges and improperly printed edges are identified according to the ILS level of any edge. When the process is completed, the original circuit pattern is separated into a plurality of circuit patterns. Here, each of the plurality of circuit patterns has no improperly printed edges, and each of the plurality of circuit patterns is imaged using a separate mask.

[0007] 1つの態様では、分割するステップは、ターゲットパターンによって画定された多角形の中から第1の不適切に印刷されたエッジをもつ第1多角形を選択し、第1の不適切に印刷されたエッジに対向する第2の不適切に印刷されたエッジをもつ少なくとも1つの第2多角形を発見することを含む。トポロジー基準に基づいて、第2多角形を第1多角形から分離できるか判断し、トポロジー基準は、例えば1つの第1の不適切に印刷されたエッジおよび2n個の対向する第2の不適切に印刷されたエッジ(n:整数)である。トポロジー基準は、異なるマルチパターニング露光方法によって変化してよい。第2多角形を分離できる(つまりトポロジー基準に適合していない)と判断した場合は、第2多角形を第1多角形から分離し、別々のマスクに配置することができる。他方で、トポロジー基準に適合した場合は、第2多角形を第1多角形から分離することができない。このような不適切に印刷されたエッジを使用して、次に隣接フィーチャと矛盾するフィーチャを識別する。次に矛盾するこのようなフィーチャの1つを、矛盾を解決するように別々のマスクへ移動させる。不適切に印刷されたエッジによって画定されたターゲットパターンの全ての矛盾が解決されるまで、このプロセスを繰り返す。 [0007] In one aspect, the step of dividing selects a first polygon having a first improperly printed edge from among the polygons defined by the target pattern, and the first improperly Finding at least one second polygon having a second improperly printed edge opposite the printed edge. Based on the topology criteria, it is determined whether the second polygon can be separated from the first polygon, and the topology criteria is, for example, one first improperly printed edge and 2n opposite second improper Are the edges (n: integer) printed on. The topology criteria may vary with different multi-patterning exposure methods. If it is determined that the second polygon can be separated (i.e., does not meet the topology criteria), the second polygon can be separated from the first polygon and placed on separate masks. On the other hand, if the topology criterion is met, the second polygon cannot be separated from the first polygon. Such improperly printed edges are then used to identify features that contradict neighboring features. One of these conflicting features is then moved to a separate mask to resolve the conflict. This process is repeated until all inconsistencies in the target pattern defined by improperly printed edges are resolved.

[0008] 本文ではICの製造における本発明の使用に特に言及しているが、本発明には他の用途もあることを明確に理解されたい。例えば、これは、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用誘導および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイパネル、薄膜磁気ヘッドなどである。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「レチクル」、「ウェーハ」または「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「マスク」、「基板」または「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことは、当業者に明らかである。 [0008] Although the text specifically refers to the use of the present invention in the manufacture of ICs, it should be clearly understood that the present invention has other applications. For example, this is an integrated optical device, guidance and detection pattern for magnetic domain memory, flat panel display, liquid crystal display panel, thin film magnetic head, and the like. In light of these alternative applications, where the terms “reticle”, “wafer” or “die” are used herein, the terms “mask”, “substrate” or “target portion”, respectively, It will be apparent to those skilled in the art that they may be considered synonymous with general terms.

[0009] 本発明自体は、さらなる目的および利点とともに、以下の詳細な説明および図面を参照することによってさらによく理解される。 [0009] The invention itself, along with further objects and advantages, will be better understood by reference to the following detailed description and drawings.

[0041] 本開示は、高密度の回路パターン(つまりターゲットパターン)を、ダブルパターニング露光プロセスで別々のマスクを使用して結像される2つの別々の回路パターン(しかしそれに制限されない)に分割(split)または割る(divide)方法を示す。図1は1つの回路パターン(つまりターゲットパターン)を、別々のマスクの形成に使用可能な第1および第2パターンに分割(split)または分離(separate)するプロセスを示す例示フローチャートである。プロセスの第1ステップ、つまりステップS10は、ターゲットパターンのGDS(グラフィックデータシステム)、つまりマスクレイアウト情報の業界標準ファイルフォーマットを取得することである。図2は、原回路パターンまたはターゲットパターンを示す例示図である。以降のステップで、この回路パターンはフラグメンテーションされ、2つのマスクパターンに分割される。図2に示すターゲットパターンは、ターゲットパターンのフィーチャを表す標準的な方法である多角形50を使用して既定または表される。 [0041] The present disclosure divides a dense circuit pattern (ie, target pattern) into two separate circuit patterns (but not limited to) that are imaged using separate masks in a double patterning exposure process ( Indicates how to split or divide. FIG. 1 is an exemplary flowchart illustrating a process of splitting or separating a circuit pattern (ie, a target pattern) into first and second patterns that can be used to form separate masks. The first step of the process, step S10, is to obtain the GDS (graphic data system) of the target pattern, ie the industry standard file format of the mask layout information. FIG. 2 is an exemplary diagram showing an original circuit pattern or a target pattern. In the subsequent steps, this circuit pattern is fragmented and divided into two mask patterns. The target pattern shown in FIG. 2 is defined or represented using a polygon 50, which is a standard way of representing the features of the target pattern.

[0042] プロセスの第2ステップ、つまりステップS12は、GDSデータに基づいて、多角形50のエッジのイメージログスロープ(ILS)または正規化ログスロープ(NILS)を取得するシミュレーションプロセスを実行することである。しかし、ターゲットパターンは、シミュレーションプロセスを実行する前に、OPC(光近接効果補正)またはRET(超解像技法)にかけてもよいことが分かる。空間像の対数の勾配をILSと呼び、これは多角形50のラインエッジの位置におけるエネルギ(強度)勾配を表す。ILSは、ターゲットパターンの任意のフィーチャを結像する場合に結像ツールの性能を求めるために使用される既知の測定基準である。知られているように、ILSを使用してフィーチャがいつ適切に結像されるか判断/定量化することが可能である(例えば、任意の数より低い対応するILS値を有するフィーチャは、許容可能なエラー公差内では印刷されず、任意の値より大きいILSを有するフィーチャは、許容可能な方法で印刷される)。 [0042] The second step of the process, step S12, is by executing a simulation process that obtains the image log slope (ILS) or normalized log slope (NILS) of the edges of the polygon 50 based on the GDS data. is there. However, it will be appreciated that the target pattern may be subjected to OPC (Optical Proximity Effect Correction) or RET (Super Resolution Technique) before performing the simulation process. The logarithmic gradient of the aerial image is called ILS, which represents the energy (intensity) gradient at the position of the line edge of the polygon 50. ILS is a known metric that is used to determine the performance of an imaging tool when imaging any feature of a target pattern. As is known, ILS can be used to determine / quantify when a feature is properly imaged (eg, features with a corresponding ILS value lower than any number are acceptable Features that have an ILS greater than any value that are not printed within possible error tolerances are printed in an acceptable manner).

[0043] プロセスの第3ステップ、つまりステップS14は、対応するILSレベルに従って、ウェーハに適切に印刷できない多角形50のミスプリントされたエッジがあるかを判断することである。与えられた例ではILSを第一の基準として使用しているが、印刷されるフィーチャのロバスト性を示すことができる例えばNILS、空間像のコントラスト、およびEPE(エッジプレイスメントエラー)といった、これらに限定されないが、結像性能を判断可能な他の基準を使用することも可能である。図3は、ステップ14の結果を例示的に示す線図であり、多角形50のミスプリントエッジ52を示す。ミスプリントエッジは、例えば回路パターンをウェーハに印刷する場合に、対向するエッジに近すぎ、したがってどちらのエッジも適切に結像されないエッジである。ミスプリントエッジ54を発見するために、プロセスはエッジのILSレベルを解析し、ミスプリントエッジ(つまり最小値より低いILSレベル値を有するエッジ)の区間、および良好なエッジ(つまり最小許容ILS値より大きいILSを有するエッジ)の区間を決定する。良好なエッジとは、対向するエッジの印刷を干渉せずに、または対向するエッジから影響を受けずに、ウェーハに適切に印刷されたエッジである。したがって、多角形50は、エッジの間の距離が任意のプロセスの最小解像度より大きくなるように、フラグメンテーションされ、2つの別々のマスクパターンに分割される。 [0043] The third step in the process, step S14, is to determine whether there are misprinted edges of polygon 50 that cannot be properly printed on the wafer according to the corresponding ILS level. The given example uses ILS as the primary criterion, but these can indicate the robustness of the printed features, such as NILS, aerial image contrast, and EPE (edge placement error). Although not limited, other criteria that can determine imaging performance can also be used. FIG. 3 is a diagram exemplarily showing the result of step 14, showing a misprinted edge 52 of the polygon 50. A misprinted edge is an edge that is too close to the opposing edge, for example when printing a circuit pattern on a wafer, and thus neither edge is properly imaged. In order to find the misprinted edge 54, the process analyzes the ILS level of the edge, determines the interval of the misprinted edge (ie, an edge having an ILS level value lower than the minimum value), and the good edge (ie, the minimum acceptable ILS value The edge of the edge having a large ILS is determined. A good edge is an edge that has been properly printed on the wafer without interfering with or being affected by the printing of the opposite edge. Therefore, polygon 50 is fragmented and divided into two separate mask patterns so that the distance between the edges is greater than the minimum resolution of any process.

[0044] 第3ステップでミスプリントエッジがないと判断した場合、プロセスは終了する。残りのミスプリントエッジがある場合、プロセスは次のステップへ進行する。 [0044] If it is determined in the third step that there is no misprinted edge, the process ends. If there are remaining misprinted edges, the process proceeds to the next step.

[0045] プロセスの第4ステップ、つまりステップS16は、ILSに基づくプレスプリットフラグメンテーションシミュレーション(ILS-based pre-split fragmentation simulation)を実行することである。このステップは、回路パターンを2つのマスクパターンに分割する準備のために、図3の多角形50をフラグメンテーションして、より小さい多角形にする。図4は、ILSに基づくプレスプリットフラグメンテーション後の多角形を示す例示図であり、ここでミスプリントエッジ52(図3参照)はフラグメント54a〜54nに変換されている。 [0045] The fourth step of the process, step S16, is to perform an ILS-based pre-split fragmentation simulation. This step fragments the polygon 50 of FIG. 3 into smaller polygons in preparation for dividing the circuit pattern into two mask patterns. FIG. 4 is an exemplary diagram showing polygons after pre-split fragmentation based on ILS, where misprinted edges 52 (see FIG. 3) have been converted into fragments 54a-54n.

[0046] 図5Aから図5Bは、この実施形態のILSに基づくプレスプリットフラグメントを例示的に示す。図5Aは、ターゲット回路パターンに対応する初期設計を示す。図5Bは、ステップS12で実行したシミュレーション(図3参照)の結果として識別されたミスプリントエッジ52をもつ回路パターンを示す。図5Cは、ミスプリントエッジ52から変換したフラグメント54(点線領域)を示す。以下でさらに説明するように、フラグメント54のサイズ(つまり幅)は、対向エッジからの近接範囲に応じて求められる(図7および図8の点線の円または楕円を参照)。多角形のエッジが対向エッジの最小近接または解像範囲内に位置する場合、そのエッジはウェーハに印刷された場合に、対向エッジに悪影響を及ぼすか、それと重なり、したがってどちらのエッジも適切に印刷されない。したがって、対向エッジの任意の近接範囲内にあるターゲットパターンの領域は、フラグメント54に変換し、したがって以下でさらに詳細に検討するように、フラグメント54を必要に応じて多角形50から分離し、別のマスクパターンへ移動することができる。図5Cは、このようなフラグメント54を示す。 [0046] FIGS. 5A-5B exemplarily illustrate pre-split fragments based on the ILS of this embodiment. FIG. 5A shows the initial design corresponding to the target circuit pattern. FIG. 5B shows a circuit pattern having a misprint edge 52 identified as a result of the simulation (see FIG. 3) executed in step S12. FIG. 5C shows a fragment 54 (dotted line region) converted from the misprint edge 52. As described further below, the size (ie, width) of the fragment 54 is determined according to the proximity range from the opposing edge (see dotted circles or ellipses in FIGS. 7 and 8). If a polygon edge is located within the minimum proximity or resolution range of the opposing edge, that edge will adversely affect or overlap the opposing edge when printed on the wafer, so both edges will print properly. Not. Thus, regions of the target pattern that are within any proximity of the opposing edge are converted into fragments 54, thus separating the fragments 54 from the polygon 50 as necessary, as discussed in more detail below. It is possible to move to the mask pattern. FIG. 5C shows such a fragment 54.

[0047] プロセスの第6ステップ、つまりステップS18は、現在実行中のプロセスがフローチャートの第1ループにあるかを判断することである。第1ループを実行している場合、プロセスはステップS22へ進み、実行中のループが第1ループではない場合、プロセスはステップS20へ進む。この例では、第1ループを実行中と仮定し、プロセスはステップS22へ進む。 [0047] The sixth step of the process, that is, step S18 is to determine whether the currently executing process is in the first loop of the flowchart. If the first loop is being executed, the process proceeds to step S22. If the loop being executed is not the first loop, the process proceeds to step S20. In this example, assuming that the first loop is being executed, the process proceeds to step S22.

[0048] プロセスの第7ステップ、つまりステップS22は、「新シングルシード」手順を実行することである。図6はミスプリントエッジをもつシードフラグメントの選択を示す。この例では、回路パターンのコーナーに位置するフラグメントに、シードフラグメントになる優先権が与えられるが、このフラグメントに制限されない。言うまでもなく、任意のフラグメントをシードフラグメントとして選択することができる。ここで、シードフラグメントは、少なくとも1つのミスプリントエッジをもち、そこから1つまたは複数の他のフラグメントを多角形50から分離できるか判断する1つのフラグメントと定義される。図6では、ミスプリントエッジ52aをもつフラグメント54aを、シードフラグメントとして選択する。 [0048] The seventh step of the process, step S22, is to perform a "new single seed" procedure. FIG. 6 shows the selection of seed fragments with misprinted edges. In this example, the fragment located at the corner of the circuit pattern is given priority to become a seed fragment, but is not limited to this fragment. Needless to say, any fragment can be selected as a seed fragment. Here, a seed fragment is defined as one fragment that has at least one misprinted edge from which one or more other fragments can be separated from the polygon 50. In FIG. 6, a fragment 54a having a misprint edge 52a is selected as a seed fragment.

[0049] プロセスの第8ステップ、つまりステップS24は、シード多角形に対向するミスプリントエッジをもつフラグメントを探すことである。図6では、フラグメント54bは、シードフラグメント54aのミスプリントエッジ52aに対向するミスプリントエッジ52bを有する。したがって、フラグメント54bが、対向フラグメントとして選択され、このフラグメントを多角形50から分離して、第2マスクパターンへ移動できるか判断するために解析される。 [0049] The eighth step of the process, step S24, is to look for fragments with misprinted edges opposite the seed polygon. In FIG. 6, fragment 54b has a misprint edge 52b opposite to misprint edge 52a of seed fragment 54a. Thus, fragment 54b is selected as the opposing fragment and is analyzed to determine if this fragment can be separated from polygon 50 and moved to the second mask pattern.

[0050] プロセスの第9ステップ、つまりステップS26は、対向フラグメントを元の多角形から分離できるか判断することである。図7から図11は、どの回路パターンを分割できるかについてのトポロジー基準を例示的に示す。この例では、フラグメントを分離できるか判断するために使用するグラフを導入する。 [0050] The ninth step of the process, step S26, is to determine whether the opposing fragment can be separated from the original polygon. 7 to 11 exemplarily show the topology criteria for which circuit patterns can be divided. This example introduces a graph that is used to determine if fragments can be separated.

[0051] 図7は、それぞれがミスプリントエッジを有する4つの多角形60aから60dを示す。ミスプリントエッジ62aから62fは、ILSレベルに基づいて識別される。点線領域IからVIは、図4および図5Cに従って説明されるフラグメントを表す。図7の点線の円および楕円は、対向エッジからの近接範囲を示す。以上で簡単に説明したように、フラグメントIからVIのサイズは、対応する対向エッジからのこのような近接範囲に応じて決定される。近接範囲の決定は、対向する多角形を評価エッジから移動させ、ILS(または他の)シミュレーションを繰り返すことによって実行することができる。シミュレーションしたILSが印刷可能性の閾値より低いというこのような決定に基づいて獲得される範囲が、近接範囲(点線の円)である。このプロセスは、最小印刷ピッチに等しい近接範囲を設定することによって単純化することができる。例えば、最小フィーチャサイズ(最小設計基準)が最小スペースと等しい場合、多角形内の不良エッジが、最小フィーチャサイズ(最小設計基準)だけ拡張することがある。 [0051] FIG. 7 shows four polygons 60a to 60d, each having a misprinted edge. Misprinted edges 62a through 62f are identified based on the ILS level. Dotted areas I to VI represent the fragments described according to FIGS. 4 and 5C. The dotted circle and ellipse in FIG. 7 indicate the proximity range from the opposite edge. As briefly described above, the sizes of fragments I to VI are determined according to such proximity ranges from the corresponding opposing edges. The determination of the proximity range can be performed by moving the opposing polygon away from the evaluation edge and repeating the ILS (or other) simulation. The range obtained based on such a determination that the simulated ILS is below the printability threshold is the proximity range (dotted circle). This process can be simplified by setting a proximity range equal to the minimum print pitch. For example, if the minimum feature size (minimum design criterion) is equal to the minimum space, a bad edge in the polygon may expand by the minimum feature size (minimum design criterion).

[0052] 図7では、多角形60aが多角形60b、60cおよび60dとそれぞれ重なり、多角形60bおよび60cには、相互に重なるエッジがない。例えば、多角形60aのエッジが多角形60bの対向エッジと重なるのを回避するために、フラグメントIまたはフラグメントIIは、別のマスクパターンへ移動する必要がある。 In FIG. 7, polygon 60a overlaps polygons 60b, 60c and 60d, respectively, and polygons 60b and 60c have no overlapping edges. For example, in order to avoid the edge of the polygon 60a overlapping the opposite edge of the polygon 60b, the fragment I or fragment II needs to be moved to another mask pattern.

[0053] 図7に示すグラフ64aおよび64bは、この例の多角形60a〜60dの関係を表す。グラフ64aおよび64bでは、ノードn1〜n5が多角形60a〜60dのフラグメントI〜VIに対応し、エッジe1〜e3は、それぞれエッジ62aと62b、62cと62d、および62eと62fの間のスペースに対応する。例えば、フラグメントIおよびIIが配置され、その間に、エッジ62aおよび62bからの近接範囲が相互に重なる(つまり相互に近すぎる)スペースがある。これは、1つのエッジe1によって接続された2つのノードn1およびn2を有するグラフ63aによって示される。 [0053] Graphs 64a and 64b shown in FIG. 7 represent the relationships of the polygons 60a to 60d in this example. In graphs 64a and 64b, nodes n1 to n5 correspond to fragments I to VI of polygons 60a to 60d, and edges e1 to e3 are in the spaces between edges 62a and 62b, 62c and 62d, and 62e and 62f, respectively. Correspond. For example, fragments I and II are placed, and there is a space between them where the proximity ranges from edges 62a and 62b overlap (ie, are too close to each other). This is shown by a graph 63a having two nodes n1 and n2 connected by one edge e1.

[0054] グラフ64bは、フラグメントIII、IVおよびVIに対応する3つのノードn3〜n5を有する。多角形内で重複するフラグメントの全ミスプリントエッジは、1つのエッジと見なすことができる。したがって、フラグメントIIIおよびVのミスプリントエッジ62cおよび62eは、1つのエッジと見なされ、グラフ64bのノードn3として処理される。ノードn3とノードn4は、エッジe2によって接続され、ノードn3とノードn5はエッジe3によって接続される。しかし、ノードn4とノードn5はどのエッジによっても接続されない。というのは、多角形60cおよび60dが、相互に対向するミスプリントエッジを有さないからである。 [0054] The graph 64b has three nodes n3 to n5 corresponding to the fragments III, IV and VI. All misprinted edges of fragments that overlap within a polygon can be considered as one edge. Accordingly, the misprinted edges 62c and 62e of the fragments III and V are regarded as one edge and are processed as the node n3 of the graph 64b. Node n3 and node n4 are connected by edge e2, and node n3 and node n5 are connected by edge e3. However, the nodes n4 and n5 are not connected by any edge. This is because polygons 60c and 60d do not have misprinted edges opposite to each other.

[0055] 図8は、図7の多角形と同様の4つの多角形60e〜60hの例を示す。図8の多角形と図7のそれとの違いは、多角形60fおよび60gが相互に対向するミスプリントエッジを有さず、多角形60eからの近接範囲が多角形60fと60gの両方を覆うことである。多角形60e内で重なるフラグメントの全てのミスプリントエッジは、任意のプロセスの例示的規則に従って1つのエッジと見なすことができるので、フラグメントVIIおよびXのエッジが1つのノードと見なされる。つまりグラフ64cのノードn6である。多角形60eおよび60gそれぞれに対向する多角形60fのエッジは1つのエッジと見なされ、グラフ64cのノードn7として処理される。多角形60eおよび60gそれぞれのエッジに対向する多角形60gのエッジも、1つのエッジと見なされ、ノードn9として処理される。各多角形60eに対向する多角形60hのエッジは、ノードn8として処理される。グラフ64cでは、ノードn6がエッジe4によってノードn7に接続され、エッジe5によってノードn9に接続され、エッジe7によってノードn8に接続される。ノードn7は、エッジe6によってノードn9にも接続される。 [0055] FIG. 8 shows an example of four polygons 60e to 60h similar to the polygon of FIG. The difference between the polygon of FIG. 8 and that of FIG. 7 is that polygons 60f and 60g do not have mutually misprinted edges, and the proximity range from polygon 60e covers both polygons 60f and 60g. It is. Since all misprinted edges of fragments that overlap within polygon 60e can be considered as one edge according to any process example rule, the edges of fragments VII and X are considered as one node. That is, it is the node n6 of the graph 64c. The edge of the polygon 60f facing each of the polygons 60e and 60g is regarded as one edge, and is processed as the node n7 of the graph 64c. The edge of the polygon 60g that faces the edges of the polygons 60e and 60g is also regarded as one edge and is processed as the node n9. The edge of the polygon 60h facing each polygon 60e is processed as a node n8. In graph 64c, node n6 is connected to node n7 by edge e4, connected to node n9 by edge e5, and connected to node n8 by edge e7. Node n7 is also connected to node n9 by edge e6.

[0056] 図5Cの矢印で示された多角形の全エッジを、1つのエッジと見なすことができ、グラフでは1つのノードとなることに留意されたい。これは、この例では多角形が各エッジの近接範囲内にあるせいである(その結果、結像干渉が生じる)。 [0056] Note that all the edges of the polygon indicated by the arrows in FIG. 5C can be considered as one edge, resulting in one node in the graph. This is because in this example the polygon is within the proximity of each edge (resulting in imaging interference).

[0057] 以上のグラフは、ノードのどの構成を分割できるか、つまり特定の多角形(例えば図6の対向するフラグメント54b)が別の多角形(例えば図6のフラグメント54a)から分離できるか否かのトポロジー基準を示す。このプロセスについては、図9Aから図9Dに関して説明する。 [0057] In the above graph, which configuration of nodes can be divided, that is, whether a specific polygon (for example, the opposing fragment 54b in FIG. 6) can be separated from another polygon (for example, the fragment 54a in FIG. 6). These topology standards are shown. This process is described with respect to FIGS. 9A-9D.

[0058] 図9Aに示すように、グラフが1つのエッジe1によって接続された2つのノードn1およびn2を有する場合、2つのノードを別々のマスクに分割し、次にこれを別々に結像することができる。図9Aの数字「1」および「2」は、それぞれノードn1およびn2が割り当てられるマスクを示す。つまり、ノードn1は第1マスクパターンに割り当てられ、ノードn2は第2マスクパターンに割り当てられる。 [0058] As shown in FIG. 9A, if the graph has two nodes n1 and n2 connected by one edge e1, divide the two nodes into separate masks and then image them separately be able to. Numbers “1” and “2” in FIG. 9A indicate masks to which nodes n1 and n2 are assigned, respectively. That is, the node n1 is assigned to the first mask pattern, and the node n2 is assigned to the second mask pattern.

[0059] 図9Bは、3つのノードn1〜n3および3つのエッジe1〜e3(ノードの三角形ループ)を有する例示的な三角形のグラフを示す。このグラフは、ダブルパターニング露光方法でノードn1〜n3を相互から分割できないことを示す。例えば、ノードn1およびn2がそれぞれ第1および第2マスクパターンに割り当てられていると仮定すると、ノードn3を割り当てられるマスクパターンがない。つまり、ノードn1およびn3が第1マスクパターンに割り当てられ、ノードn2が第2マスクパターンに割り当てられている場合、ノードn1およびn3、つまり2つの対向する多角形のエッジが相互に重なり、ウェーハ上に適切に印刷することができない。 [0059] FIG. 9B shows an exemplary triangular graph with three nodes n1-n3 and three edges e1-e3 (a triangular loop of nodes). This graph shows that the nodes n1 to n3 cannot be divided from each other by the double patterning exposure method. For example, assuming that nodes n1 and n2 are assigned to the first and second mask patterns, respectively, there is no mask pattern to which node n3 is assigned. That is, when nodes n1 and n3 are assigned to the first mask pattern and node n2 is assigned to the second mask pattern, nodes n1 and n3, that is, two opposing polygonal edges overlap each other on the wafer. Cannot print properly.

[0060] 図9Cは、4つのノードn1〜n4および4つのエッジe1からe4を有する例示的な正方形グラフを示す。図9Cでは、ノードn1およびn3を第1マスクパターンに割り当てることができ、ノードn2およびn4を第2マスクパターンに割り当てることができる。したがって、図9Cのグラフは、ノードn1からn4を2つのマスクパターンに分割できることを示す。図9Dは、5つのノードn1〜n5および5つのエッジe1〜e5を有する例示的な五角形のグラフを示す。図9Bのグラフと同様に、このグラフは、ノードntを第1マスクパターンまたは第2マスクパターンのいずれにも割り当てられないという問題を有する。というのは、第1または第2マスクのいずれかに配置すると、n3またはn4との干渉を引き起こすからである。 [0060] FIG. 9C shows an exemplary square graph having four nodes n1-n4 and four edges e1-e4. In FIG. 9C, nodes n1 and n3 can be assigned to the first mask pattern, and nodes n2 and n4 can be assigned to the second mask pattern. Therefore, the graph of FIG. 9C shows that the nodes n1 to n4 can be divided into two mask patterns. FIG. 9D shows an exemplary pentagonal graph with five nodes n1-n5 and five edges e1-e5. Similar to the graph of FIG. 9B, this graph has the problem that node nt cannot be assigned to either the first mask pattern or the second mask pattern. This is because placing it on either the first or second mask causes interference with n3 or n4.

[0061] 要するに、図9Aから図9Dは、グラフがノードの接続によって形成された三角形または五角形を有する場合、回路パターンを2つのマスクパターンに分割することができないことを示す。対照的に、図7に示すように、3つのノードn3〜n5およびノードn3とノードn4を接続する2つのエッジe1およびe2を有するグラフは、このようなグラフによって表される回路パターンを2つのマスクパターンに分割できることを示す。そうなるのは、図7のグラフが三角形形状を有さず、つまりノードn4およびn5はエッジによって接続されないからである。例えば、多角形60aを第1マスクパターンに割り当てることができ、多角形60cを第2マスクパターンに割り当てることができる。したがって、グラフに3つのノードがあっても、グラフが三角形を形成する3つのエッジを含まない限り、回路パターンを2つのパターンに分割することが可能である。 In summary, FIGS. 9A to 9D show that a circuit pattern cannot be divided into two mask patterns if the graph has triangles or pentagons formed by connecting nodes. In contrast, a graph having two edges e1 and e2 connecting three nodes n3-n5 and nodes n3 and n4, as shown in FIG. 7, represents two circuit patterns represented by such a graph. Indicates that it can be divided into mask patterns. This is because the graph of FIG. 7 does not have a triangular shape, that is, nodes n4 and n5 are not connected by an edge. For example, the polygon 60a can be assigned to the first mask pattern, and the polygon 60c can be assigned to the second mask pattern. Therefore, even if there are three nodes in the graph, it is possible to divide the circuit pattern into two patterns as long as the graph does not include three edges forming a triangle.

[0062] 異なるマルチパターニング露光方法によってトポロジー基準を変更してよいことに留意されたい。ダブルパターニング方法で分割不可能な構成が、トリプルパターニング方法では分割可能になることがある。図9Eは、トリプルパターニングでも分割できる四面体構成を示す。 [0062] Note that the topology criteria may be altered by different multi-patterning exposure methods. A structure that cannot be divided by the double patterning method may be divided by the triple patterning method. FIG. 9E shows a tetrahedral configuration that can also be divided by triple patterning.

[0063] 図10Aから図10Dに関して、さらに実際的な例について検討する。図10Aは、2つのノードn1およびn2、および1つのエッジe1を有するグラフ(図9A参照)に対応する2つの多角形p1およびp2を示す。多角形p1の1つのエッジが多角形p2の1つのエッジと重なる。以上で既に説明したように、グラフは、これらの多角形p1およびp2を第1および第2マスクパターンに分割できることを示す。図10Bは、3つのノードおよび3つのエッジを有する三角形のグラフ(図9B参照)に対応する3つの多角形を示す。これらの多角形p1、p2およびp3は、第1および第2マスクパターンに分割することができない。というのは、以上で説明したように、グラフは、3つのノードおよび3つのエッジをもつ三角形を有するからである。図10Cは、4つのノードおよび4つのエッジを有する正方形のグラフ(図9C参照)に対応する4つの多角形p1〜p4を示す。図10Cでは、矢印によって指された対角線上のコーナーからコーナーへのスペースが、十分なスペースを有し、したがってノードn2とノードn4も、ノードn1とノードn3も重ならないか、適切な結像を阻止するよう相互に近接していないと仮定する。図10Cのグラフは、三角形または五角形を有さないので、多角形p1〜p4を2つのマスクパターンに分割することができる。図10Dは、4つのノードおよび6つのエッジを有する正方形のグラフに対応する4つの多角形p1〜p4を示す。図10Dのグラフは、ノードn1とノードn3、およびノードn2とノードn4をそれぞれ対角線上で接続する追加のエッジe5およびe6を有する。これらの追加のエッジは、矢印によって指された対角線上のコーナーからコーナーへのスペースが、多角形p1〜p4との重なりを回避するのに十分なスペースを有さないことを示す。したがって、例えばノードn4およびn2を第1および第2マスクパターンに割り当てることができるが、ノードn1およびn3を割り当てられ、干渉を引き起こさないマスクパターンはない。したがって、多角形p1〜p4を2つのマスクパターンに分割することはできない。 [0063] A more practical example will be discussed with respect to FIGS. 10A-10D. FIG. 10A shows two polygons p1 and p2 corresponding to a graph having two nodes n1 and n2 and one edge e1 (see FIG. 9A). One edge of the polygon p1 overlaps with one edge of the polygon p2. As already explained above, the graph shows that these polygons p1 and p2 can be divided into first and second mask patterns. FIG. 10B shows three polygons corresponding to a triangular graph (see FIG. 9B) with three nodes and three edges. These polygons p1, p2 and p3 cannot be divided into first and second mask patterns. This is because, as explained above, the graph has a triangle with three nodes and three edges. FIG. 10C shows four polygons p1-p4 corresponding to a square graph with four nodes and four edges (see FIG. 9C). In FIG. 10C, the diagonal corner-to-corner space pointed to by the arrow has sufficient space, so that nodes n2 and n4, and nodes n1 and n3 do not overlap or have proper imaging. Assume that they are not in close proximity to each other. Since the graph of FIG. 10C does not have a triangle or pentagon, the polygons p1 to p4 can be divided into two mask patterns. FIG. 10D shows four polygons p1-p4 corresponding to a square graph with four nodes and six edges. The graph of FIG. 10D has additional edges e5 and e6 that connect nodes n1 and n3 and nodes n2 and n4 diagonally, respectively. These additional edges indicate that the diagonal corner-to-corner space pointed to by the arrow does not have enough space to avoid overlapping the polygons p1-p4. Thus, for example, nodes n4 and n2 can be assigned to the first and second mask patterns, but there are no mask patterns that are assigned nodes n1 and n3 and do not cause interference. Therefore, the polygons p1 to p4 cannot be divided into two mask patterns.

[0064] また、図11Aは全ノードがエッジによって順番に接続されて、ツリーを形成するグラフを示す。このグラフを、ここででは「グラフツリー」と呼ぶ。このグラフツリーに対応する回路設計は、2つのマスクパターンに分割することができる。対照的に、図11Bに示すグラフは、自身内に閉ループ、例えば五角形を有するので、グラフツリーではない。図11Bのグラフに対応する回路設計は、2つのマスクパターンに分割することができない。グラフツリーの定義は、全ノードがエッジで接続されるが、奇数のノードをもつループがない、とされる。上述したように、図6は、回路パターンを2つのマスクパターンに分割するためにシードフラグメントを選択することを示す。シードフラグメントを使用するというこのような概念は、図11Aのグラフツリーから導かれる。例えば、図11のノードn1に対応するフラグメントが、シードフラグメントとして選択され(図1のステップS22)、ノード2に対応するフラグメントが対向フラグメントとして選択される(図1のS24)と仮定する。これで、対向するフラグメントが分離され、第2マスクパターン(以下で説明)に割り当てられる。というのは、シードフラグメントおよび対向フラグメントを、図10Aに示したグラフで説明できるからである。次に、ノードn3に対応するフラグメントを、次のシードフラグメントとして選択し(以下で説明する図1のS20)、ノード4に対応するフラグメントを、対向フラグメントとして選択して、分離する(以下で説明する図1のS32およびS34)。 FIG. 11A shows a graph in which all nodes are connected in order by edges to form a tree. This graph is referred to herein as a “graph tree”. The circuit design corresponding to this graph tree can be divided into two mask patterns. In contrast, the graph shown in FIG. 11B is not a graph tree because it has a closed loop, eg, a pentagon, within itself. The circuit design corresponding to the graph of FIG. 11B cannot be divided into two mask patterns. The definition of the graph tree is that all nodes are connected by edges, but there is no loop with an odd number of nodes. As described above, FIG. 6 illustrates selecting a seed fragment to divide the circuit pattern into two mask patterns. This concept of using seed fragments is derived from the graph tree of FIG. 11A. For example, assume that the fragment corresponding to the node n1 in FIG. 11 is selected as the seed fragment (step S22 in FIG. 1), and the fragment corresponding to the node 2 is selected as the opposite fragment (S24 in FIG. 1). Thus, the opposing fragments are separated and assigned to a second mask pattern (described below). This is because the seed fragment and the opposite fragment can be explained by the graph shown in FIG. 10A. Next, the fragment corresponding to the node n3 is selected as the next seed fragment (S20 in FIG. 1 described below), and the fragment corresponding to the node 4 is selected as the opposite fragment and separated (described below). S32 and S34 in FIG.

[0065] 図1に戻ると、ステップS26で、例えば図10Bおよび図10Dに示すトポロジー基準が存在しない限り、フラグメントを第1および第2マスクパターンに分割することができる。つまり、シードフラグメントおよび1つまたは複数の対向フラグメントに対応するグラフのエッジが、奇数のノードに接続して、ループ(三角形、五角形など)を形成し、これらのフラグメントは2つの回路パターンに分割することができない。再び図6を参照すると、シードフラグメント54aおよび対向フラグメント54bが奇数のノードと接続せず、ループも形成しないので、シードフラグメント54aおよび対向フラグメント54bを第1および第2マスクパターンに分割することができる。シードフラグメント54aおよび対向フラグメント54bを分割できない場合は、プロセスは中止するか、これらのフラグメントに関するフラグを生成し、このような状況で次のステップへ進むことができる。元のターゲットマスクパターンは、再設計する必要があるか、可能であれば公差を調節する。他方で、フラグメントを分割できる場合、プロセスは図1のステップS28へ進む。 Returning to FIG. 1, in step S26, the fragment can be divided into first and second mask patterns, for example, unless the topology criteria shown in FIGS. 10B and 10D exist, for example. That is, the edges of the graph corresponding to the seed fragment and one or more opposing fragments connect to odd nodes to form a loop (triangle, pentagon, etc.) that divides these fragments into two circuit patterns. I can't. Referring to FIG. 6 again, since the seed fragment 54a and the opposite fragment 54b do not connect to an odd number of nodes and do not form a loop, the seed fragment 54a and the opposite fragment 54b can be divided into first and second mask patterns. . If the seed fragment 54a and the opposing fragment 54b cannot be split, the process can be aborted or a flag for these fragments can be generated and proceeding to the next step in such a situation. The original target mask pattern needs to be redesigned or the tolerance is adjusted if possible. On the other hand, if the fragment can be split, the process proceeds to step S28 of FIG.

[0066] プロセスの第10ステップ、つまりステップS28は、多角形50からの対向フラグメント54bを分離し、それを第2マスクパターンに割り当てて、図12に示すように対向フラグメント54bの位置(点線)をとっておくことである。プロセスの第11ステップ、つまりステップS30は、フラグメント54bが除去されている第1マスク、さらにフラグメント54bが追加されている第2マスクを保存(save)/記憶(store)することである。プロセスは、次にステップS12へ戻り、ミスプリントエッジ(54d〜54n)を有する全ての多角形50が処理されるまで、以上のプロセスを繰り返すように、第2ループに入る。 [0066] The tenth step of the process, ie, step S28, separates the opposing fragment 54b from the polygon 50 and assigns it to the second mask pattern to position the opposing fragment 54b (dotted line) as shown in FIG. It is to keep. The eleventh step of the process, step S30, is to save / store the first mask from which fragment 54b has been removed and the second mask to which fragment 54b has been added. The process then returns to step S12 and enters the second loop to repeat the above process until all polygons 50 with misprinted edges (54d-54n) have been processed.

[0067] より具体的には、ステップS18では、現在のプロセスが図1のフローチャートの第1ループにあるか否か、プロセスが判断する。プロセスの第2ループが現在実行されているので、プロセスがステップS20へ進んで、分離したフラグメント54bに対向するミスプリントエッジを有するフラグメントがあるか否かを判断する。図12に示すように、分離したフラグメント54bに対向するフラグメント54cがあるので、プロセスはステップ32へ進んで、「分離フラグメントに対向するシード」手順を実行して、フラグメント54cをシードフラグメントとして特定し、ステップS34で対向フラグメントがあるか否かを判断する。しかし、フラグメント54cは対向フラグメントを有さない(図13参照)。シードフラグメント54cは、例えば図11Aのノードn4に対応すると言うことができる(ノードn4は、例えばエッジによってノードn5に接続されない)。したがって、プロセスはステップ22へ進んで、新しいシードフラグメントを選択する。 More specifically, in step S18, the process determines whether the current process is in the first loop of the flowchart of FIG. Since the second loop of the process is currently being executed, the process proceeds to step S20 to determine whether there is a fragment with a misprint edge facing the separated fragment 54b. As shown in FIG. 12, since there is a fragment 54c opposite the separated fragment 54b, the process proceeds to step 32 to perform the “seed opposite fragment” procedure to identify fragment 54c as a seed fragment. In step S34, it is determined whether there is an opposing fragment. However, the fragment 54c has no opposing fragment (see FIG. 13). It can be said that the seed fragment 54c corresponds to, for example, the node n4 in FIG. 11A (the node n4 is not connected to the node n5 by an edge, for example). Accordingly, the process proceeds to step 22 to select a new seed fragment.

[0068] 上述したように、任意のフラグメントをシードフラグメントとして選択することができる。シードフラグメントとしてコーナーフラグメントを選択するという例示的規則に従い、フラグメント54bが図14に示すようにシードフラグメントになる。プロセスはステップS24へ進み、シードフラグメント54bに対向してミスプリントエッジをもつフラグメントを探す。フラグメント54eが対向フラグメントでよい。プロセスは、フラグメント54dおよび54eに関するグラフを解析して、トポロジー条件に適合するか判断する(ステップS26)。したがって、シードフラグメント54dおよび対向フラグメント54eは、図10Aに示すようなグラフを有すると見なされるので、対向フラグメント54eを多角形50から分離することができる。次に、ステップS28およびS30で、プロセスがフラグメント54eを図15に示すように第2マスクパターンへ移動させ、修正した第1マスクパターン(つまりフラグメント54eが除去されている)および修正した第2パターン(つまりフラグメント54eが追加されている)をとっておく。 [0068] As described above, any fragment can be selected as a seed fragment. Following the exemplary rule of selecting a corner fragment as a seed fragment, fragment 54b becomes a seed fragment as shown in FIG. The process proceeds to step S24 and looks for a fragment with a misprinted edge facing the seed fragment 54b. Fragment 54e may be an opposing fragment. The process analyzes the graph relating to the fragments 54d and 54e to determine whether the topology condition is met (step S26). Therefore, since the seed fragment 54d and the opposing fragment 54e are considered to have a graph as shown in FIG. 10A, the opposing fragment 54e can be separated from the polygon 50. Next, in steps S28 and S30, the process moves the fragment 54e to the second mask pattern as shown in FIG. 15, and the modified first mask pattern (ie, fragment 54e has been removed) and the modified second pattern. (That is, the fragment 54e is added).

[0069] 図16は、第3ループのステップS16にてILSに基づくプレスプリットフラグメンテーション後の回路パターンを示す。ステップS20で、プロセスは、第2ループで第2マスクパターンに移動したフラグメント54eに対向するミスプリントエッジを有するフラグメントがあったか判断する。図17に示すように、プロセスは、以前のループでフラグメント54eに対向するミスプリントエッジを有するフラグメントであったフラグメント54fを探す(ステップS20)。したがって、プロセスはステップS32へ進み、「第2マスク内で多角形に対向するシード」手順を実行し、ここでフラグメント54fがシードフラグメントとして選択される。次に、プロセスはステップS34へ進み、シードフラグメント54fに対向するミスプリントエッジをもつフラグメントがあるか判断する。プロセスは、シードフラグメント54fのミスプリントエッジに対向するフラグメント54gを探す。フラグメント54fおよび54gについてステップS16で取得したグラフィは、図10Aに示したグラフであると見なされるので(ステップS26)、対向フラグメント54gを図18に示すように第2マスクパターンへ移動することができる(ステップS28)。 FIG. 16 shows a circuit pattern after pre-split fragmentation based on ILS in step S16 of the third loop. In step S20, the process determines whether there is a fragment having a misprint edge facing the fragment 54e moved to the second mask pattern in the second loop. As shown in FIG. 17, the process searches for a fragment 54f that was a fragment having a misprint edge facing the fragment 54e in the previous loop (step S20). Accordingly, the process proceeds to step S32, where the “seed opposite the polygon in the second mask” procedure is executed, where fragment 54f is selected as the seed fragment. Next, the process proceeds to step S34 to determine whether there is a fragment having a misprint edge facing the seed fragment 54f. The process looks for a fragment 54g that faces the misprinted edge of the seed fragment 54f. Since the graph acquired in step S16 for the fragments 54f and 54g is regarded as the graph shown in FIG. 10A (step S26), the opposing fragment 54g can be moved to the second mask pattern as shown in FIG. (Step S28).

[0070] 図19は、第4ループのステップS16にてILSに基づくプレスプリットフラグメンテーション後の回路パターンを示す。フラグメンテーションステップは、フラグメント54gを第2マスクパターンへ移動した後に実行される。以前のループ(ステップS20)で第2マスクへ移動したフラグメント54gに対向するミスプリントエッジを有するフラグメントはなかったので、プロセスはステップS22へ進み、「新シングルシード」手順を実行する(図11A、グラフツリーの最後を参照)。ステップS22では、ミスプリントエッジを有するフラグメント54hを、シードフラグメントとして選択する(図20)。プロセスは、シードフラグメント54hに対向するミスプリントエッジを有するフラグメント54iを探し(ステップS24)、フラグメント54iを第2マスクへ移動できるか判断して(ステップS26)、次に図21に示すようにフラグメントを第2マスクへ移動する(ステップS28)。 FIG. 19 shows a circuit pattern after pre-split fragmentation based on ILS in step S16 of the fourth loop. The fragmentation step is performed after moving the fragment 54g to the second mask pattern. Since there was no fragment with a misprinted edge facing fragment 54g that moved to the second mask in the previous loop (step S20), the process proceeds to step S22 and performs the “new single seed” procedure (FIG. 11A, (See the end of the graph tree). In step S22, the fragment 54h having a misprint edge is selected as a seed fragment (FIG. 20). The process looks for a fragment 54i having a misprinted edge facing the seed fragment 54h (step S24), determines whether the fragment 54i can be moved to the second mask (step S26), and then as shown in FIG. Is moved to the second mask (step S28).

[0071] 図22は、ステップS16にてILSに基づくプレスプリットフラグメンテーション後の回路パターンを示す。フラグメンテーションステップは、フラグメント54iを第2マスクへ移動した後に実行される。以前のループ(ステップS20)で第2マスクへ移動したフラグメント54iに対向するミスプリントエッジを有するフラグメント54jがあったので、プロセスはステップS32へ進み、「第2マスクに対向するシード」手順を実行する。ステップS32では、ミスプリントエッジを有するフラグメント54jを、シードフラグメントとして選択する(図23)。プロセスは、シードフラグメント54jに対向するミスプリントエッジをもつフラグメント54kも探し(ステップS24)、フラグメント54kを第2マスクへ移動できるか判断して(ステップS26)、次にフラグメントを図24に示すように第2マスクへ移動させる(ステップS28)。 FIG. 22 shows a circuit pattern after pre-split fragmentation based on ILS in step S16. The fragmentation step is performed after moving fragment 54i to the second mask. Since there was a fragment 54j with a misprinted edge facing the fragment 54i that was moved to the second mask in the previous loop (step S20), the process proceeds to step S32 and performs the "seed facing the second mask" procedure. To do. In step S32, the fragment 54j having a misprint edge is selected as a seed fragment (FIG. 23). The process also searches for a fragment 54k having a misprint edge facing the seed fragment 54j (step S24), determines whether the fragment 54k can be moved to the second mask (step S26), and then the fragment is shown in FIG. To the second mask (step S28).

[0072] 図25は、ステップS16にてILSに基づくプレスプリットフラグメンテーション後の回路パターンを示す。フラグメンテーションステップは、フラグメント54kを第2マスクへ移動した後に実行される。以前のループ(ステップS20)で第2マスクへ移動したフラグメント54kに対向するミスプリントエッジを有するフラグメントがなかったので、プロセスはステップS22へ進み、「新シングルシード」手順を実行する。ステップS22では、ミスプリントエッジを有するフラグメント54lを、シードフラグメントとして選択する(図26)。プロセスは、シードフラグメント54lに対向するミスプリントエッジをもつフラグメント54mも探し(ステップS24)、フラグメント54mを第2マスクへ移動できるか判断して(ステップS26)、次にフラグメントを図27に示すように第2マスクへ移動させる(ステップS28)。 FIG. 25 shows a circuit pattern after pre-split fragmentation based on ILS in step S16. The fragmentation step is performed after moving fragment 54k to the second mask. Since there was no fragment with a misprinted edge facing fragment 54k moved to the second mask in the previous loop (step S20), the process proceeds to step S22 and performs the “new single seed” procedure. In step S22, the fragment 54l having a misprint edge is selected as a seed fragment (FIG. 26). The process also searches for a fragment 54m having a misprint edge facing the seed fragment 54l (step S24), determines whether the fragment 54m can be moved to the second mask (step S26), and then the fragment is shown in FIG. To the second mask (step S28).

[0073] フラグメント54mを第2マスクパターンへ移動した後、プロセスはステップS12およびS14を実行して、図28に示すように回路パターンにミスプリントエッジがないと判断する。したがって、プロセスは終了する。図29は、原回路パターンを2つの回路パターンに分割した最終結果を示す。陰影を付けた多角形は第2マスクに割り当てられ、他の多角形は第1マスクに割り当てられる。OPCを2つの回路パターンで実行することができ、これらの2つのマスクをダブルパターニングプロセスに使用する。 [0073] After moving fragment 54m to the second mask pattern, the process executes steps S12 and S14 to determine that the circuit pattern has no misprinted edges as shown in FIG. Therefore, the process ends. FIG. 29 shows the final result of dividing the original circuit pattern into two circuit patterns. The shaded polygon is assigned to the second mask and the other polygons are assigned to the first mask. OPC can be performed with two circuit patterns, and these two masks are used in the double patterning process.

[0074] 上述した実施形態によれば、本開示は回路パターンを分離する位置と方法、および回路パターンを複数の回路パターンに分離するアルゴリズムを提供することができる。開示された実施形態によって、任意のターゲットパターンの(例えば)2つのマスクの自動化した設計をダブルパターニングプロセスで使用することができる。したがって、開示された方法は時間の効率がよく、マスク設計プロセスに熟練した設計エンジニアの必要性を最小限にする。 [0074] According to the above-described embodiments, the present disclosure can provide a position and a method for separating circuit patterns, and an algorithm for separating a circuit pattern into a plurality of circuit patterns. With the disclosed embodiments, an automated design of (for example) two masks of any target pattern can be used in a double patterning process. Thus, the disclosed method is time efficient and minimizes the need for design engineers skilled in the mask design process.

[0075] ロバスト性およびプロセスのモデリングに基づく分割性のチェックによって、設計開発の初期段階で分割不可能な構成を発見することができ、設計者によるその調整に役立つ。というのは、シミュレーションが実際のプロセス解像度に基づいて全ての限界スペースおよびピッチを示すからである。 [0075] Divisibility checks based on robustness and process modeling can discover indivisible configurations in the early stages of design development and help the designer adjust them. This is because the simulation shows all critical spaces and pitches based on actual process resolution.

[0076] モデルに基づく分割は、エラーがない設計分解を可能にする。分割の決定は、実際のプロセスの解像度に従って実行される。したがって、不必要な分割が不可能であり、分割されないフィーチャはないように予想される。多角形の予想外の構成さえ、プロセスシミュレーションに基づいて分割することができる。規則に基づく分割方法は、複雑で予想外の設計の影響を被るが、提案されたモデルベースのピッチ分解には、このような問題がない。モデルベースの分割は、プロセスウィンドウが減少した状態で、「限界ピッチ」、つまり最小より大きいピッチの発見および調整も可能にする。 [0076] Partitioning based on the model allows design decomposition without errors. The split decision is performed according to the actual process resolution. Thus, it is expected that unnecessary splitting is not possible and no features are not split. Even unexpected configurations of polygons can be segmented based on process simulation. Although the rule-based partitioning method suffers from complex and unexpected design influences, the proposed model-based pitch decomposition does not have this problem. Model-based partitioning also allows for the discovery and adjustment of “limit pitch”, ie, pitches that are larger than the minimum, with a reduced process window.

[0077] 図30は、以上で説明され、開示されたプロセスを実現することができるコンピュータシステム100を示すブロック図である。コンピュータシステム100は、情報を通信するバス102または他の通信機構、および情報を処理するためにバス102に結合されたプロセッサ104を含む。コンピュータシステム100は、プロセッサ104によって実行される情報および命令を記憶するためにバス102に結合されたランダムアクセスメモリ(RAM)または他のダイナミックストレージデバイスなどのメインメモリ106も含む。メインメモリ106は、プロセッサ104によって実行される命令の実行中に一時変数または他の中間情報を記憶するためにも使用することができる。コンピュータシステム100はさらに、プロセッサ104用の静的情報および命令を記憶するためにバス102に結合されたリードオンリーメモリ(ROM)108または他のスタティックストレージデバイスを含む。情報および命令を記憶するために、磁気ディスクまたは光ディスクなどのストレージデバイス110が提供され、バス102に結合される。 FIG. 30 is a block diagram that illustrates a computer system 100 that can implement the processes described and disclosed above. Computer system 100 includes a bus 102 or other communication mechanism for communicating information, and a processor 104 coupled with bus 102 for processing information. Computer system 100 also includes a main memory 106 such as a random access memory (RAM) or other dynamic storage device coupled to bus 102 for storing information and instructions executed by processor 104. Main memory 106 may also be used to store temporary variables or other intermediate information during execution of instructions executed by processor 104. Computer system 100 further includes a read only memory (ROM) 108 or other static storage device coupled to bus 102 for storing static information and instructions for processor 104. A storage device 110, such as a magnetic disk or optical disk, is provided and coupled to the bus 102 for storing information and instructions.

[0078] コンピュータシステム100は、情報をコンピュータの使用者へ表示するために、バス102を介して陰極線管(CRT)またはフラットパネルまたはタッチパネルディスプレイなどのディスプレイ112に結合することができる。情報および指令の選択内容をプロセッサ104へ通信するために、英数字および他のキーを含む入力デバイス114が、バス102に結合される。別のタイプのユーザ入力デバイスは、方向情報および指令の選択内容をプロセッサ104に通信し、ディスプレイ112上でカーソルの動きを制御するマウス、トラックボール、またはカーソル方向キーなどのカーソルコントロール機器116である。この入力デバイスは通常、第1軸(例えばx)および第2軸(例えばy)という2つの軸で2自由度を有し、装置が平面で位置を指定できるようにする。タッチパネル(スクリーン)ディスプレイも、入力デバイスとして使用することができる。 [0078] The computer system 100 can be coupled via a bus 102 to a display 112, such as a cathode ray tube (CRT) or flat panel or touch panel display, for displaying information to a computer user. An input device 114, including alphanumeric characters and other keys, is coupled to the bus 102 for communicating information and command selections to the processor 104. Another type of user input device is a cursor control device 116 such as a mouse, trackball, or cursor direction key that communicates direction information and command selections to the processor 104 and controls cursor movement on the display 112. . This input device typically has two degrees of freedom in two axes, a first axis (eg, x) and a second axis (eg, y), allowing the device to specify a position in a plane. A touch panel (screen) display can also be used as an input device.

[0079] 本発明の1つの実施形態によれば、開示されたプロセスはメインメモリ106に含まれる1つまたは複数のシーケンスの1つまたは複数の命令を実行するプロセッサ104に応答して、コンピュータシステム100によって実行することができる。このような命令は、ストレージデバイス110などの別のコンピュータ読取可能媒体からメインメモリ106へ読み取ることができる。メインメモリ106に含まれる命令のシーケンスを実行すると、プロセッサ104は本明細書で述べたプロセスのステップを実行する。多重処理構成内の1つまたは複数のプロセッサも使用して、メインメモリ106に含まれた命令のシーケンスを実行することができる。代替実施形態では、固定配線回路をソフトウェア命令の代わりに、またはそれと組み合わせて使用し、本発明を実現することができる。したがって、本発明の実施形態は、ハードウェア回路とソフトウェアとの特定の組合せに制限されない。 [0079] According to one embodiment of the invention, the disclosed process is responsive to a processor 104 executing one or more instructions of one or more sequences contained in a main memory 106, in a computer system. 100. Such instructions can be read into main memory 106 from another computer readable medium, such as storage device 110. When executing the sequence of instructions contained in main memory 106, processor 104 performs the steps of the processes described herein. One or more processors in a multi-processing configuration can also be used to execute a sequence of instructions contained in main memory 106. In alternative embodiments, fixed wiring circuitry may be used in place of or in combination with software instructions to implement the present invention. Thus, embodiments of the invention are not limited to a specific combination of hardware circuitry and software.

[0080] 本明細書で使用する「コンピュータ読取可能媒体」という用語は、実行するために命令をプロセッサ104に提供することに関与する任意の媒体を指す。このような媒体は多くの形態をとり、これは不揮発性媒体、揮発性媒体、および伝送媒体を含むが、それに制限されない。不揮発性媒体は、ストレージデバイス110などの例えば光または磁気ディスクを含む。揮発性媒体は、メインメモリ106などのダイナミックメモリを含む。伝送媒体は同軸ケーブル、銅線および光ファイバを含み、バス102からなる線を含む。伝送媒体は、無線周波(RF)および赤外線(IR)データ通信中に発生するような音波または光波の形態もとることができる。コンピュータ読取可能媒体の一般的形態は、例えばフロッピディスク、フレキシブルディスク、ハードディスク、磁気テープ、任意の他の磁気媒体、CD−ROM、DVD、任意の他の光学的媒体、パンチカード、紙テープ、穴のパターンがある任意の他の物理的媒体、RAM、PROM、およびEPROM、FLASH−EPROM、任意の他のメモリチップまたはカートリッジ、以降で述べるような搬送波、またはコンピュータが読み出すことができる任意の他の媒体を含む。 [0080] The term "computer-readable medium" as used herein refers to any medium that participates in providing instructions to processor 104 for execution. Such media take many forms, including but not limited to, non-volatile media, volatile media, and transmission media. Non-volatile media includes, for example, optical or magnetic disks, such as storage device 110. Volatile media includes dynamic memory, such as main memory 106. Transmission media includes coaxial cables, copper wire and optical fiber, and includes a line consisting of bus 102. Transmission media can take the form of acoustic or light waves, such as those generated during radio frequency (RF) and infrared (IR) data communications. Common forms of computer readable media are, for example, floppy disks, flexible disks, hard disks, magnetic tapes, any other magnetic media, CD-ROM, DVD, any other optical media, punch cards, paper tapes, holes Any other physical medium with patterns, RAM, PROM, and EPROM, FLASH-EPROM, any other memory chip or cartridge, carrier wave as described below, or any other medium that can be read by a computer including.

[0081] 様々な形態のコンピュータ読取可能媒体が、1つまたは複数のシーケンスの1つまたは複数の命令を実行するためにプロセッサ104へ搬送することに関与することができる。例えば、命令は最初に遠隔コンピュータの磁気ディスクに担持することができる。遠隔コンピュータは命令をダイナミックメモリにロードし、モデムを使用して電話線で命令を送信することができる。コンピュータシステム100にローカルなモデムは電話線でデータを受信し、赤外線送信機を使用してデータを赤外線信号に変換することができる。バス102に結合された赤外線検出器は、赤外線信号で搬送されたデータを受信し、データをバス102に配置することができる。バス102はデータをメインメモリ106へ搬送し、そこからプロセッサ104が命令を検索し、実行する。メインメモリ106が受信した命令は、プロセッサ104によって実行される前または後に、任意選択でストレージデバイス110に記憶してよい。 [0081] Various forms of computer readable media may be involved in carrying one or more sequences of one or more instructions to processor 104 for execution. For example, the instructions can initially be carried on a remote computer magnetic disk. The remote computer can load the instructions into dynamic memory and send the instructions over a telephone line using a modem. A modem local to computer system 100 can receive the data on the telephone line and use an infra-red transmitter to convert the data to an infra-red signal. An infrared detector coupled to bus 102 can receive the data carried in the infrared signal and place the data on bus 102. Bus 102 carries data to main memory 106, from which processor 104 retrieves and executes instructions. The instructions received by main memory 106 may optionally be stored on storage device 110 either before or after execution by processor 104.

[0082] コンピュータシステム100は、バス102に結合された通信インタフェース118も含むことが好ましい。通信インタフェース118は、ローカルネットワーク122に接続されたネットワークリンク120への双方向データ通信結合を提供する。例えば、通信インタフェース118は、対応するタイプの電話線へデータ通信接続を提供するサービス総合ディジタル網(ISDN)カードまたはモデムでよい。別の例として、通信インタフェース118は、互換性LANにデータ通信接続を提供するローカルエリアネットワーク(LAN)カードでよい。無線リンクも実施することができる。このような実施例のいずれでも、通信インタフェース118は様々なタイプの情報を表すディジタルデータ流を搬送する電気、電磁気または光信号を送受信する。 [0082] Computer system 100 also preferably includes a communication interface 118 coupled to bus 102. Communication interface 118 provides a two-way data communication coupling to network link 120 connected to local network 122. For example, the communication interface 118 may be an Integrated Services Digital Network (ISDN) card or modem that provides a data communication connection to a corresponding type of telephone line. As another example, communication interface 118 may be a local area network (LAN) card that provides a data communication connection to a compatible LAN. A wireless link can also be implemented. In any such implementation, communication interface 118 sends and receives electrical, electromagnetic or optical signals that carry digital data streams representing various types of information.

[0083] ネットワークリンク120は通常、1つまたは複数のネットワークを通して他のデータ装置へデータ通信を提供する。例えば、ネットワークリンク120は、ローカルネットワーク122を通してホストコンピュータ124へ、またはインターネットサービスプロバイダ(ISP)126によって操作されるデータ機器への接続を提供することができる。ISP126は、現在は一般的に「インターネット」128と呼ばれる世界的なパケットデータ通信網を通してデータ通信サービスを提供する。ローカルネットワーク122およびインターネット128は両方ともディジタルデータ流を搬送する電気、電磁気または光信号を使用する。様々なネットワークを通る信号、およびネットワークリンク120上にあり通信インタフェース118を通ってコンピュータシステム100との間でディジタル信号を搬送する信号は、情報を伝送する搬送波の例示的形態である。 [0083] The network link 120 typically provides data communication through one or more networks to other data devices. For example, the network link 120 may provide a connection to a host computer 124 through the local network 122 or to data equipment operated by an Internet service provider (ISP) 126. ISP 126 provides data communication services through a global packet data communication network now commonly referred to as the “Internet” 128. Local network 122 and Internet 128 both use electrical, electromagnetic or optical signals that carry digital data streams. Signals passing through various networks and carrying digital signals to and from the computer system 100 over the network link 120 and through the communication interface 118 are exemplary forms of carrier waves that carry information.

[0084] コンピュータシステム100は、ネットワーク、ネットワークリンク120、および通信インタフェース118を通してメッセージを送信し、プログラムコードなどのデータを受信することができる。インターネットの例では、サーバ120は要求されたアプリケーションプログラムのコードをインターネット128、ISP126、ローカルネットワーク122および通信インタフェース118を通して伝送することができる。本発明によれば、1つのこのようなダウンロードされたアプリケーションは、例えば実施形態の開示されたプロセスを提供する。受信したコードは、受信した状態でプロセッサ104が実行する、および/または後に実行するためにストレージデバイス110または他の不揮発性ストレージに記憶することができる。この方法で、コンピュータシステム100は搬送波の形態でアプリケーションコードを取得することができる。 [0084] The computer system 100 can send messages and receive data, such as program code, through the network, the network link 120, and the communication interface 118. In the Internet example, the server 120 may transmit the code of the requested application program over the Internet 128, ISP 126, local network 122 and communication interface 118. According to the present invention, one such downloaded application provides, for example, the disclosed process of the embodiment. The received code may be executed by the processor 104 as received and / or stored in the storage device 110 or other non-volatile storage for later execution. In this manner, computer system 100 can obtain application code in the form of a carrier wave.

[0085] 図31は、本発明の助けにより設計されたマスクとともに使用するのに適切なリソグラフィ投影装置を概略的に示したものである。装置は、
− 放射投影ビームPBを調節するように構成され、この特定のケースでは放射源LAも備える放射システムEx、ILと、
− マスクMA(例えばレチクル)を保持するマスクホルダが設けられ、アイテムPLに対してマスクを正確に位置決めする第1位置決め手段に接続された第1オブジェクトテーブル(マスクテーブル)MTと、
− 基板W(例えばレジストコートウェーハ)を保持する基板ホルダが設けられ、アイテムに対して基板を正確に位置決めする第2位置決め手段に接続された第2オブジェクトテーブル(基板テーブル)WTと、
− マスクMAの照射部分を基板Wのターゲット部分C(例えば1つまたは複数のダイを含む)に結像する投影システム(「レンズ」)PL(例えば屈折、反射または反射屈折光学システム)からなる。
[0085] Figure 31 schematically depicts a lithographic projection apparatus suitable for use with a mask designed with the aid of the present invention. The device
A radiation system Ex, IL configured to adjust the radiation projection beam PB, in this particular case also comprising a radiation source LA;
A first object table (mask table) MT provided with a mask holder for holding a mask MA (eg a reticle) and connected to a first positioning means for accurately positioning the mask with respect to the item PL;
A second object table (substrate table) WT provided with a substrate holder for holding the substrate W (eg resist-coated wafer) and connected to second positioning means for accurately positioning the substrate with respect to the item;
A projection system (“lens”) PL (eg a refractive, reflective or catadioptric optical system) that images the irradiated part of the mask MA onto a target part C (eg containing one or more dies) of the substrate W

[0086] ここに示している本装置は透過タイプである(つまり透過マスクを有する)。しかし、概してこれは例えば(反射マスクがある)反射タイプでもよい。あるいは、装置はマスクの使用の代替方法として別の種類のパターニング手段を使用してよく、その例はプログラマブルミラーアレイまたはLCDマトリクスを含む。 The apparatus shown here is of a transmissive type (ie has a transmissive mask). However, in general this may for example be of the reflective type (with a reflective mask). Alternatively, the apparatus may use another type of patterning means as an alternative to the use of a mask, examples of which include a programmable mirror array or LCD matrix.

[0087] 放射源LA(例えば水銀ランプまたはエキシマレーザ)は放射ビームを生成する。このビームは、直接的に、または例えばビームエクスパンダExなどの調整手段を横切った後に照明システム(イルミネータ)ILへ供給される。イルミネータILは、ビームの強度分布の外側および/または内側半径範囲(一般にそれぞれ、σ-outerおよびσ-innerと呼ばれる)を設定する調節手段AMを備えてよい。また、これはインテグレータINおよびコンデンサCOなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。この方法で、マスクMAに当たるビームPBは、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とを有する。 [0087] The radiation source LA (eg, a mercury lamp or excimer laser) generates a radiation beam. This beam is supplied to the illumination system (illuminator) IL either directly or after traversing adjustment means such as, for example, a beam expander Ex. The illuminator IL may comprise adjusting means AM for setting the outer and / or inner radius range (commonly referred to as σ-outer and σ-inner, respectively) of the intensity distribution of the beam. It may also comprise various other components such as an integrator IN and a capacitor CO. In this way, the beam PB impinging on the mask MA has the desired uniformity and intensity distribution across its cross section.

[0088] 図31に関して、放射源LAは(ソースLAが例えば水銀ランプの場合によくあるように)リソグラフィ投影装置のハウジング内にあってもよいが、リソグラフィ投影装置から離れていて、これが生成される放射ビームを(例えば適切な誘導ミラーの助けにより)装置内へ案内してもよく、後者のシナリオは、放射源LAがエキシマレーザである(例えばKrF、ArF、またはF2レーザに基づく)場合に多いことに留意されたい。 [0088] With reference to FIG. 31, the radiation source LA may be within the housing of the lithographic projection apparatus (as is often the case when the source LA is, for example, a mercury lamp) but is remote from the lithographic projection apparatus and is generated. May be guided into the device (eg with the aid of a suitable guiding mirror), the latter scenario being when the source LA is an excimer laser (eg based on a KrF, ArF or F 2 laser) Please note that there are many.

[0089] その後、ビームPBはマスクテーブルMT上に保持されたマスクMAと交差する。ビームPBはマスクMAを通り抜けて、基板Wのターゲット部分C上にビームPBを集束するレンズPLを通過する。第2位置決め手段(および干渉計測定手段IF)の助けにより、基板テーブルWTを、例えばビームPBの経路において様々なターゲット部分Cに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第1位置決め手段を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、またはスキャン中に、ビームPBの経路に対してマスクMAを正確に位置決めすることができる。一般的に、オブジェクトテーブルMT、WTの移動は、図31には例示的に図示されていないロングストロークモジュール(粗動位置決め)およびショートストロークモジュール(微動位置決め)の助けにより実現できる。しかし、ウェーハステッパの場合(走査ステップ式ツールとは対照的に)マスクテーブルMTをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。 Thereafter, the beam PB intersects with the mask MA held on the mask table MT. The beam PB passes through the mask MA and passes through a lens PL that focuses the beam PB onto the target portion C of the substrate W. With the aid of the second positioning means (and the interferometer measuring means IF), the substrate table WT can be accurately moved to position various target portions C, for example in the path of the beam PB. Similarly, the first positioning means can be used to accurately position the mask MA with respect to the path of the beam PB, for example after mechanical retrieval from a mask library or during a scan. In general, the movement of the object tables MT and WT can be realized with the help of a long stroke module (coarse positioning) and a short stroke module (fine movement positioning) which are not illustrated in FIG. However, in the case of a wafer stepper (as opposed to a scanning step tool), the mask table MT may be connected only to a short stroke actuator or fixed.

[0090] 図示のツールは2つの異なるモードで使用することができる。
− ステップモードにおいては、マスクテーブルMTが基本的に静止状態に維持され、パターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち1回の「フラッシュ」)。次に、別のターゲット部分CをビームPBで照射できるように、基板テーブルWTがx方向および/またはy方向に移動される。
− スキャンモードにおいては、基本的に同じシナリオが当てはまるが、任意のターゲット部分Cが1回の「フラッシュ」で露光しない。代わりに、マスクテーブルMTは任意の方向(いわゆる「スキャン方向」、例えばy方向)に速度vで移動可能であり、したがって投影ビームPBがマスクの像をスキャンする。これと同時に、基板テーブルWTが速度V=Mvで、同一方向あるいは反対方向に運動する。ここで、MはレンズPLの倍率(一般的にM=1/4あるいは1/5)である。このように、解像度を妥協することなく、比較的大きなターゲット部分Cを露光することができる。
[0090] The illustrated tool can be used in two different modes.
In step mode, the mask table MT is basically kept stationary, and the entire pattern is projected onto the target portion C in one go (ie one “flash”). Next, the substrate table WT is moved in the x and / or y direction so that another target portion C can be irradiated with the beam PB.
In scan mode, basically the same scenario applies, but any target portion C is not exposed in a single “flash”. Instead, the mask table MT can be moved at a velocity v in any direction (so-called “scan direction”, eg the y direction), so that the projection beam PB scans the image of the mask. At the same time, the substrate table WT moves in the same direction or in the opposite direction at a speed V = Mv. Here, M is the magnification of the lens PL (generally, M = 1/4 or 1/5). Thus, a relatively large target portion C can be exposed without compromising resolution.

[0091] 本発明を詳細に説明し、図示してきたが、これは例証および例示にすぎず、制限とは見なされなく、本発明の範囲は請求の範囲によってのみ制限されることを明白に理解されたい。 [0091] While the invention has been described and illustrated in detail, it is to be understood that this is by way of illustration and example only and is not to be considered limiting, the scope of the invention being limited only by the claims. I want to be.

[0010] 本発明の実施形態により1つの回路パターン(つまりターゲットパターン)を2つの回路パターンに分割するプロセスを示す例示フローチャートである。[0010] FIG. 4 is an exemplary flowchart illustrating a process of dividing one circuit pattern (that is, a target pattern) into two circuit patterns according to an embodiment of the present invention. [0011] 本発明の一実施形態による原回路パターン(つまりターゲットパターン)を示す例示図である。[0011] FIG. 3 is an exemplary diagram showing an original circuit pattern (ie, a target pattern) according to an embodiment of the present invention. [0012] 本発明の実施形態により多角形として表されたターゲットパターンの許容可能なエッジおよびミスプリントエッジを示す例示図である。[0012] FIG. 5 is an exemplary diagram illustrating allowable and misprinted edges of a target pattern represented as a polygon according to an embodiment of the present invention. [0013] 本発明の実施形態によりILSに基づくプレスプリットフラグメンテーションを示す例示図である。[0013] FIG. 5 is an exemplary diagram illustrating pre-split fragmentation based on ILS according to an embodiment of the present invention. [0014] (A)(B)は、本発明の実施形態によりILSに基づくプレスプリットフラグメンテーションを示す例示図である。[0014] (A) and (B) are exemplary diagrams illustrating pre-split fragmentation based on ILS according to an embodiment of the present invention. [0015] 本発明の実施形態により、ミスプリントエッジを有するシードフラグメント、およびミスプリントエッジを有する対向フラグメントの選択を示す例示図である。[0015] FIG. 5 is an exemplary diagram illustrating selection of seed fragments having misprinted edges and opposing fragments having misprinted edges, according to embodiments of the invention. [0016] 本発明の一実施形態によるフラグメントを示す例示図およびグラフである。[0016] FIG. 5 is an exemplary diagram and graph showing fragments according to one embodiment of the invention. [0017] 本発明の一実施形態によるフラグメントを示す例示図およびグラフである。[0017] FIG. 5 is an exemplary diagram and graph showing fragments according to one embodiment of the present invention. [0017] (A)−(E)は、本発明の一実施形態によるどの回路パターンを分割できるかを説明するトポロジー基準を示す例示図である。 本発明の一実施形態によるどの回路パターンを分割できるかを説明するトポロジー基準を示す例示図である。[0017] FIGS. 4A to 4E are exemplary diagrams illustrating topology criteria for explaining which circuit patterns can be divided according to an embodiment of the present invention. FIG. 6 is an exemplary diagram illustrating a topology criterion explaining which circuit patterns can be divided according to an embodiment of the present invention. [0019] (A)−(D)は、本発明の一実施形態によるどの回路パターンを分割できるかを説明するトポロジー基準を示す例示図である。 本発明の一実施形態によるどの回路パターンを分割できるかを説明するトポロジー基準を示す例示図である。[0019] FIGS. 4A to 4D are exemplary diagrams illustrating topology criteria for explaining which circuit patterns can be divided according to an embodiment of the present invention. FIG. 6 is an exemplary diagram illustrating a topology criterion explaining which circuit patterns can be divided according to an embodiment of the present invention. [0020] (A)(B)は、本発明の一実施形態によるどの回路パターンを分割できるかを説明するトポロジー基準を示す例示図である。(A) and (B) are exemplary diagrams illustrating topology criteria for explaining which circuit patterns can be divided according to an embodiment of the present invention. [0021] 本発明の一実施形態による多角形からの対向フラグメントの分離を示す例示図である。[0021] FIG. 4 is an exemplary diagram illustrating the separation of opposing fragments from a polygon according to one embodiment of the invention. [0022] 本発明の一実施形態によるILSに基づくプレスプリットフラグメンテーションを実行した後の回路パターンを示す例示図である。[0022] FIG. 5 is an exemplary diagram showing a circuit pattern after performing ILS-based pre-split fragmentation according to an embodiment of the present invention. [0023] 本発明の一実施形態による、ミスプリントエッジを有するシードフラグメント、およびミスプリントエッジを有する対向フラグメントの選択を示す例示図である。[0023] FIG. 6 is an exemplary diagram illustrating selection of seed fragments with misprinted edges and opposing fragments with misprinted edges, according to one embodiment of the invention. [0024] 本発明の一実施形態による多角形からの対向フラグメントの選択を示す例示図である。[0024] FIG. 6 is an exemplary diagram illustrating selection of opposing fragments from a polygon according to one embodiment of the present invention. [0025] 本発明の一実施形態によるILSに基づくプレスプリットフラグメンテーション後の回路パターンを示す例示図である。[0025] FIG. 6 is an exemplary diagram showing a circuit pattern after pre-split fragmentation based on ILS according to an embodiment of the present invention; [0026] 本発明の一実施形態による、ミスプリントエッジを有するシードフラグメントおよびミスプリントエッジを有する対向フラグメントの選択を示す例示図である。[0026] FIG. 6 is an exemplary diagram illustrating selection of seed fragments with misprinted edges and opposing fragments with misprinted edges, according to one embodiment of the invention. [0027] 本発明の一実施形態による多角形からの対向フラグメントの分離を示す例示図である。[0027] FIG. 5 is an exemplary diagram illustrating the separation of opposing fragments from a polygon according to one embodiment of the invention. [0028] 本発明の一実施形態によるILSに基づくプレスプリットフラグメンテーション実行後の回路パターンを示す例示図である。[0028] FIG. 6 is an exemplary diagram showing a circuit pattern after execution of ILS-based pre-split fragmentation according to an embodiment of the present invention. [0029] 本発明の一実施形態による、ミスプリントエッジを有するシードフラグメントおよびミスプリントエッジを有する対向フラグメントの選択を示す例示図である。[0029] FIG. 6 is an exemplary diagram illustrating selection of seed fragments having misprinted edges and opposing fragments having misprinted edges, according to one embodiment of the present invention. [0030] 本発明の一実施形態による多角形からの対向フラグメントの分離を示す例示図である。[0030] FIG. 6 is an exemplary diagram illustrating the separation of opposing fragments from a polygon according to one embodiment of the present invention. [0031] 本発明の一実施形態によるILSに基づくプレスプリットフラグメンテーション実行後の回路パターンを示す例示図である。[0031] FIG. 5 is an exemplary diagram showing a circuit pattern after execution of ILS-based pre-split fragmentation according to an embodiment of the present invention. [0032] 本発明の一実施形態による、ミスプリントエッジを有するシードフラグメントおよびミスプリントエッジを有する対向フラグメントの選択を示す例示図である。[0032] FIG. 6 is an exemplary diagram illustrating selection of seed fragments having misprinted edges and opposing fragments having misprinted edges, according to one embodiment of the present invention. [0033] 本発明の一実施形態による多角形からの対向フラグメントの分離を示す例示図である。[0033] FIG. 6 is an exemplary diagram illustrating separation of opposing fragments from a polygon according to one embodiment of the present invention. [0034] 本発明の一実施形態によるILSに基づくプレスプリットフラグメンテーション実行後の回路パターンを示す例示図である。[0034] FIG. 6 is an exemplary diagram showing a circuit pattern after execution of ILS-based pre-split fragmentation according to an embodiment of the present invention. [0035] 本発明の一実施形態による、ミスプリントエッジを有するシードフラグメントおよびミスプリントエッジを有する対向フラグメントの選択を示す例示図である。[0035] FIG. 6 is an exemplary diagram illustrating selection of seed fragments having misprinted edges and opposing fragments having misprinted edges, according to one embodiment of the invention. [0036] 本発明の一実施形態による多角形からの対向フラグメントの分離を示す例示図である。[0036] FIG. 6 is an exemplary diagram illustrating the separation of opposing fragments from a polygon according to one embodiment of the present invention. [0037] 本発明の一実施形態によるILSに基づくプレスプリットフラグメンテーション実行後の回路パターンを示す例示図である。[0037] FIG. 6 is an exemplary diagram showing a circuit pattern after performing pre-split fragmentation based on ILS according to an embodiment of the present invention; [0038] 本発明の一実施形態による2つの回路パターンに分割された多角形を示す例示図である。[0038] FIG. 5 is an exemplary diagram showing a polygon divided into two circuit patterns according to an embodiment of the present invention; [0039] 本発明の一実施形態による最適化した短期間フレアモデルパラメータを取得するプロセスを実現することができるコンピュータシステムを示す例示的ブロック図である。[0039] FIG. 6 is an exemplary block diagram illustrating a computer system capable of implementing a process for obtaining optimized short-term flare model parameters according to an embodiment of the present invention. [0040] 本発明の一実施形態の助けにより設計されたマスクで使用するのに適切な例示的リソグラフィ投影装置を概略的に示している。[0040] FIG. 1 schematically depicts an exemplary lithographic projection apparatus suitable for use with a mask designed with the aid of an embodiment of the invention.

Claims (22)

ウェーハに印刷されるべき原回路パターンをダブルパターニングのための複数の回路パターンにシミュレーションを用いて分離する方法であって、
回路パターンデータを取得するステップ、
前記回路パターンデータに基づいて、前記回路パターンにおける多角形のエッジに関する像品質情報を取得するシミュレーションを実行するステップ、
前記像品質情報に従って、前記ウェーハに適切に印刷されたエッジと不適切に印刷されたエッジとを識別するステップ、および
不適切に印刷されたエッジがあった場合にのみ、前記複数の回路パターンの各々が不適切に印刷されたエッジを有さないように、前記原回路パターンを複数の回路パターンに分離するステップ
を含む方法。
A method of separating an original circuit pattern to be printed on a wafer into a plurality of circuit patterns for double patterning using simulation ,
Obtaining circuit pattern data;
Executing a simulation for obtaining image quality information regarding polygonal edges in the circuit pattern based on the circuit pattern data;
Distinguishing between properly printed edges and improperly printed edges according to the image quality information, and only if there are improperly printed edges, the plurality of circuit patterns Separating the original circuit pattern into a plurality of circuit patterns such that each does not have an improperly printed edge.
前記分離ステップは、
前記多角形の中から第1の不適切に印刷されたエッジをもつ第1多角形を選択し、かつ、前記第1の不適切に印刷されたエッジに近接して対向する第2の不適切に印刷されたエッジをもつ少なくとも1つの第2多角形を見付け出すこと、
どの回路パターンを分割できるかについてのトポロジー基準に基づいて、前記第2多角形を前記第1多角形から分離できるか判断すること、および
前記第2多角形を分離できると判断した場合に、前記第2多角形を前記第1多角形から分離すること
を含む、請求項1に記載の方法。
The separation step includes
Selecting a first polygon having a first improperly printed edge from among the polygons, and a second improper adjacent to and in close proximity to the first improperly printed edge Finding at least one second polygon with an edge printed on it,
Determining whether the second polygon can be separated from the first polygon based on a topology criterion as to which circuit pattern can be divided; and when determining that the second polygon can be separated, The method of claim 1, comprising separating a second polygon from the first polygon.
前記実行ステップ、前記識別ステップ、ならびに前記選択ステップ、前記判断ステップおよび前記分離ステップを含む前記分離ステップが、前記原回路パターン中に不適切に印刷されたエッジをもつ多角形が見付け出されなくなるまで、その順序で実行される、請求項2に記載の方法。 The separation step, including the execution step, the identification step, and the selection step, the determination step, and the separation step, until no polygon with improperly printed edges is found in the original circuit pattern. 3. The method of claim 2, wherein the methods are performed in that order. 前記トポロジー基準は、少なくとも前記判断ステップに、1つの第1の不適切に印刷されたエッジおよび2n個の第2の不適切に印刷されたエッジ(n:整数)があるか、および前記第1の不適切に印刷されたエッジ及び前記第2の不適切に印刷されたエッジが相互に対向しているか、の双方を満たしているかを判断させ、
前記トポロジー基準に適合した場合、前記分離ステップは、前記第2多角形を前記第1多角形から分離しない、請求項3に記載の方法。
The topology criterion is that at least the determining step has one first improperly printed edge and 2n second improperly printed edges (n: integer), and the first Determining whether the improperly printed edge and the second improperly printed edge are facing each other or both
4. The method of claim 3, wherein if the topology criteria is met, the separating step does not separate the second polygon from the first polygon.
前記選択ステップは、前記分離した第2多角形に対向している第3の不適切に印刷されたエッジをもつ第3多角形を選択し、さらに前記第3多角形の前記第3の不適切に印刷されたエッジに対向する第4の不適切に印刷されたエッジをもつ第4多角形を見付け出し、
前記判断ステップは、前記トポロジー基準に基づいて、前記第4多角形を前記第3多角形から分離できるか判断し、
前記分離ステップは、前記第4多角形を分離できると判断した場合に、前記第4多角形を前記第3多角形から分離する、請求項3に記載の方法。
The selecting step selects a third polygon having a third improperly printed edge facing the separated second polygon, and further the third improper of the third polygon. Find a fourth polygon with a fourth improperly printed edge opposite the printed edge;
The determining step determines whether the fourth polygon can be separated from the third polygon based on the topology criterion;
The method according to claim 3, wherein the separating step separates the fourth polygon from the third polygon when it is determined that the fourth polygon can be separated.
前記選択ステップは、第3多角形が存在しない場合に、不適切に印刷されたエッジをもついかなる多角形をも前記第1多角形として選択する、請求項5に記載の方法。 6. The method of claim 5, wherein the selecting step selects any polygon with an improperly printed edge as the first polygon if there is no third polygon. 前記像品質情報が、イメージログスロープ(ILS)と正規化イメージログスロープ(NILS)のうち1つである、請求項1に記載の方法。 The method of claim 1, wherein the image quality information is one of an image log slope (ILS) and a normalized image log slope (NILS). ウェーハに印刷されるべき原回路パターンをダブルパターニングのための複数の回路パターンにシミュレーションを用いて分離する装置であって、
回路パターンデータから取得される前記回路パターンの多角形のエッジに関する像品質情報を取得するシミュレーションを実行するよう構成された第1ユニット、
前記像品質情報に従って、前記ウェーハに適切に印刷されたエッジと不適切に印刷されたエッジとを識別するよう構成された第2ユニット、および
不適切に印刷されたエッジがあった場合にのみ、前記複数の回路パターンの各々が不適切に印刷されたエッジを有さないように、前記原回路パターンを複数の回路パターンに分離するよう構成された第3ユニット
を備える装置。
An apparatus for separating an original circuit pattern to be printed on a wafer into a plurality of circuit patterns for double patterning using simulation ,
A first unit configured to perform a simulation for obtaining image quality information relating to a polygonal edge of the circuit pattern obtained from circuit pattern data;
Only if there was a second unit configured to distinguish between improperly printed edges and improperly printed edges according to the image quality information, and improperly printed edges, An apparatus comprising a third unit configured to separate the original circuit pattern into a plurality of circuit patterns such that each of the plurality of circuit patterns does not have an improperly printed edge.
前記第3ユニットはさらに、
前記多角形の中から第1の不適切に印刷されたエッジをもつ第1多角形を選択し、かつ、前記第1の不適切に印刷されたエッジに近接して対向する第2の不適切に印刷されたエッジをもつ少なくとも1つの第2多角形を見付け出し、
どの回路パターンを分割できるかについてのトポロジー基準に基づいて、前記第2多角形を前記第1多角形から分離できるか判断し、
前記第2多角形を分離できると判断した場合に、前記第2多角形を前記第1多角形から分離する、
よう構成される、請求項8に記載の装置。
The third unit further includes
Selecting a first polygon having a first improperly printed edge from among the polygons, and a second improper adjacent to and in close proximity to the first improperly printed edge Find at least one second polygon with edges printed on it,
Determining whether the second polygon can be separated from the first polygon based on a topology criterion on which circuit patterns can be divided;
Separating the second polygon from the first polygon when it is determined that the second polygon can be separated;
9. The apparatus of claim 8, configured as follows.
前記シミュレーションの実行、前記エッジの識別、前記第1多角形の選択、前記第2多角形の発見、前記第2多角形を分離できるかの判断、および前記第2多角形の分離が、前記原回路パターン中に不適切に印刷されたエッジをもつ多角形が発見されなくなるまで、その順序で実行される、請求項9に記載の装置。 The execution of the simulation, identification of the edge, selection of the first polygon, discovery of the second polygon, determination of whether the second polygon can be separated, and separation of the second polygon include the original polygon 10. The apparatus of claim 9, wherein the apparatus is executed in that order until no polygons with improperly printed edges are found in the circuit pattern. 前記トポロジー基準は、少なくとも第3ユニットに、1つの第1の不適切に印刷されたエッジおよび2n個の第2の不適切に印刷されたエッジ(n:整数)があるか、および前記第1の不適切に印刷されたエッジ及び前記第2の不適切に印刷されたエッジが相互に対向しているか、の双方を満たしているかを判断させ、
前記トポロジー基準に適合した場合、前記第3ユニットは、前記第2多角形を前記第1多角形から分離しない、請求項10に記載の装置。
The topology criterion is that at least the third unit has one first improperly printed edge and 2n second improperly printed edges (n: integer), and the first Determining whether the improperly printed edge and the second improperly printed edge are facing each other or both
11. The apparatus of claim 10, wherein the third unit does not separate the second polygon from the first polygon when the topology criteria is met.
前記第3ユニットはさらに、
前記分離した第2多角形に対向している第3の不適切に印刷されたエッジをもつ第3多角形を選択し、さらに前記第3多角形の前記第3の不適切に印刷されたエッジに対向する第4の不適切に印刷されたエッジをもつ第4多角形を見付け出し、
前記トポロジー基準に基づいて、前記第4多角形を前記第3多角形から分離できるか判断し、
前記第4多角形を分離できると判断した場合に、前記第4多角形を前記第3多角形から分離するように構成される、請求項10に記載の装置。
The third unit further includes
Selecting a third polygon having a third improperly printed edge facing the separated second polygon, and further selecting the third improperly printed edge of the third polygon Find a fourth polygon with a fourth improperly printed edge opposite to
Determining whether the fourth polygon can be separated from the third polygon based on the topology criteria;
The apparatus of claim 10, wherein the apparatus is configured to separate the fourth polygon from the third polygon when it is determined that the fourth polygon can be separated.
前記第3ユニットは、第3多角形の存在しない場合に、不適切に印刷されたエッジをもつ全ての多角形を前記第1多角形として選択する、請求項12に記載の装置。 13. The apparatus of claim 12, wherein the third unit selects all polygons with improperly printed edges as the first polygon when there is no third polygon. 前記像品質情報が、イメージログスロープ(ILS)と正規化イメージログスロープ(NILS)のうち1つである、請求項8に記載の装置。 9. The apparatus of claim 8, wherein the image quality information is one of an image log slope (ILS) and a normalized image log slope (NILS). ウェーハに印刷されるべき原回路パターンをダブルパターニングのための複数の回路パターンにシミュレーションを用いて分離するコンピュータプログラムを記憶するコンピュータ読取可能記憶媒体であって、実行時に、コンピュータに、
回路パターンデータを取得するステップ、
前記回路パターンデータに基づいて、前記回路パターンの多角形のエッジに関する像品質情報を取得するシミュレーションを実行するステップ、
前記像品質情報に従って、前記ウェーハに適切に印刷されたエッジと不適切に印刷されたエッジとを識別するステップ、および
不適切に印刷されたエッジがあった場合にのみ、前記複数の回路パターンの各々が不適切に印刷されたエッジを有さないように、前記原回路パターンを複数の回路パターンに分離するステップ
を実行させる、コンピュータ読取可能記憶媒体。
A computer readable storage medium storing a computer program for separating a circuit pattern to be printed on a wafer into a plurality of circuit patterns for double patterning by using a simulation .
Obtaining circuit pattern data;
Executing a simulation for obtaining image quality information relating to a polygonal edge of the circuit pattern based on the circuit pattern data;
Distinguishing between properly printed edges and improperly printed edges according to the image quality information, and only if there are improperly printed edges, the plurality of circuit patterns A computer-readable storage medium that causes the original circuit pattern to be separated into a plurality of circuit patterns so that each does not have an improperly printed edge.
前記分離ステップは、
前記多角形の中から第1の不適切に印刷されたエッジをもつ第1多角形を選択し、かつ、前記第1の不適切に印刷されたエッジに近接して対向する第2の不適切に印刷されたエッジをもつ少なくとも1つの第2多角形を見付け出すこと、
どの回路パターンを分割できるかについてのトポロジー基準に基づいて、前記第2多角形を前記第1多角形から分離できるか判断すること、および
前記第2多角形を分離できると判断した場合に、前記第2多角形を前記第1多角形から分離すること
を含む、請求項15に記載のコンピュータ読取可能記憶媒体。
The separation step includes
Selecting a first polygon having a first improperly printed edge from among the polygons, and a second improper adjacent to and in close proximity to the first improperly printed edge Finding at least one second polygon with an edge printed on it,
Determining whether the second polygon can be separated from the first polygon based on a topology criterion as to which circuit pattern can be divided; and when determining that the second polygon can be separated, The computer-readable storage medium of claim 15, comprising separating a second polygon from the first polygon.
前記実行ステップ、前記識別ステップ、および選択ステップ、判断ステップおよび分離ステップを含む前記分離ステップが、前記原回路パターンで不適切に印刷されたエッジをもつ多角形が発見されなくなるまで、その順序で実行される、請求項15に記載のコンピュータ読取可能記憶媒体。 The separation steps including the execution step, the identification step, and the selection step, the determination step and the separation step are performed in that order until no polygons with improperly printed edges are found in the original circuit pattern. The computer-readable storage medium according to claim 15, wherein: 前記トポロジー基準は、少なくとも前記判断ステップに、1つの第1の不適切に印刷されたエッジおよび2n個の第2の不適切に印刷されたエッジ(n:整数)があるか、および前記第1の不適切に印刷されたエッジ及び前記第2の不適切に印刷されたエッジが相互に対向しているか、の双方を満たしているかを判断させ、
前記トポロジー基準に適合した場合、前記分離ステップは、前記第2多角形を前記第1多角形から分離しない、請求項17に記載のコンピュータ読取可能記憶媒体。
The topology criterion is that at least the determining step has one first improperly printed edge and 2n second improperly printed edges (n: integer), and the first Determining whether the improperly printed edge and the second improperly printed edge are facing each other or both
The computer-readable storage medium of claim 17, wherein the separation step does not separate the second polygon from the first polygon when the topology criteria are met.
前記選択ステップは、第3の不適切に印刷されたエッジをもつ第3多角形を選択し、前記第3の不適切に印刷されたエッジが前記分離した第2多角形に対向しており、さらに前記第3多角形の前記第3の不適切に印刷されたエッジに対向する第4の不適切に印刷されたエッジをもつ第4多角形を見付け出し、
前記判断ステップが、前記トポロジー基準に基づいて、前記第4多角形を前記第3多角形から分離できるか判断し、
前記分離ステップが、前記第4多角形を分離できると判断した場合に、前記第4多角形を前記第3多角形から分離する、請求項17に記載のコンピュータ読取可能記憶媒体。
The selecting step selects a third polygon having a third improperly printed edge, the third improperly printed edge facing the separated second polygon; And finding a fourth polygon having a fourth improperly printed edge opposite the third improperly printed edge of the third polygon;
Determining whether the fourth polygon can be separated from the third polygon based on the topology criterion;
The computer-readable storage medium according to claim 17, wherein the separation step separates the fourth polygon from the third polygon when it is determined that the fourth polygon can be separated.
前記選択ステップは、第3多角形の存在しない場合に、不適切に印刷されたエッジをもつ全ての多角形を前記第1多角形として選択する、請求項19に記載のコンピュータ読取可能記憶媒体。 20. The computer readable storage medium of claim 19, wherein the selecting step selects all polygons having improperly printed edges as the first polygon when there is no third polygon. 前記像品質情報が、イメージログスロープ(ILS)と正規化イメージログスロープ(NILS)のうち1つである、請求項15に記載のコンピュータ読取可能記憶媒体。 The computer-readable storage medium of claim 15, wherein the image quality information is one of an image log slope (ILS) and a normalized image log slope (NILS). (a)放射感応性材料層で少なくとも部分的に覆われた基板を提供するステップ、
(b)結像システムを使用して、放射投影ビームを提供するステップ、
(c)前記投影ビームの断面にパターンを与えるために、マスクのパターンを使用するステップ、および
(d)前記パターニング付き放射ビームを放射感応性材料層のターゲット部分に投影するステップ
を含み、
ステップ(c)でマスクのパターンを提供することが、
ウェーハに印刷されるべき原回路パターンをダブルパターニングのための複数の回路パターンにシミュレーションを用いて分離することを含み、
前記分離することは、
路パターンデータから取得した回路パターンの多角形のエッジに関する像品質情報を取得するシミュレーションを実行するステップ、
前記像品質情報に従って、ウェーハに適切に印刷されたエッジと不適切に印刷されたエッジとを識別するステップ、および
不適切に印刷されたエッジがあった場合にのみ、前記複数の回路パターンの各々が不適切に印刷されたエッジを有さないように、前記原回路パターンを、前記マスクに割り当てられる複数の回路パターンに分離するステップ
を含む、デバイス製造方法。
(A) providing a substrate at least partially covered with a radiation sensitive material layer;
(B) providing a radiation projection beam using the imaging system;
(C) using a pattern of a mask to provide a pattern in a cross section of the projection beam; and (d) projecting the patterned radiation beam onto a target portion of a radiation sensitive material layer,
Providing a mask pattern in step (c);
Separating the original circuit pattern to be printed on the wafer into a plurality of circuit patterns for double patterning using simulation,
Said separating is
Executing a simulation for obtaining the image quality information about the polygon edge of the circuit pattern acquired from circuitry pattern data,
Distinguishing between properly printed edges and improperly printed edges according to the image quality information, and each of the plurality of circuit patterns only when there are improperly printed edges. Separating the original circuit pattern into a plurality of circuit patterns that are assigned to the mask such that does not have improperly printed edges.
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