JP4906137B2 - Lighting device - Google Patents
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
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Description
本発明は発光素子を用いた照明装置に関する。 The present invention relates to a lighting device using a light emitting element.
発光素子は、自発光型の素子であり、照明装置として利用することが試みされている。
発光素子は、面発光体であり、照明として用いることでより自然光に近い照明装置を得る
ことができる。
The light-emitting element is a self-luminous element and has been attempted to be used as a lighting device.
The light emitting element is a surface light emitter, and an illumination device closer to natural light can be obtained by using it as illumination.
発光素子は、電場を加えることでルミネッセンス(Electroluminesce
nce)が得られる発光物質を含む層と、陽極と、陰極とを有している。陽極から注入さ
れたホールと、陰極から注入された電子とが電界発光層で結合することで、発光が得られ
る。電界発光層から得られるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際
の発光(蛍光)と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光(燐光)とが含まれる。
A light-emitting element emits luminescence by applying an electric field.
nce), a layer containing a light-emitting substance, an anode, and a cathode. Light emission can be obtained by combining holes injected from the anode and electrons injected from the cathode in the electroluminescent layer. The luminescence obtained from the electroluminescent layer includes light emission (fluorescence) when returning from the singlet excited state to the ground state and light emission (phosphorescence) when returning from the triplet excited state to the ground state.
このような発光素子を用いた発光装置において、光が射出する方向の電極は透明である
必要がある。しかし、一般に透明電極として用いられる透明導電膜は抵抗率が比較的大き
いものが多く、電流供給端子から離れた部分では電圧降下が生じる。特に、照明装置は、
全面を同じ輝度で発光させることが多いため、この輝度のばらつきがさらに目立ってしま
う。
In a light emitting device using such a light emitting element, an electrode in a direction in which light is emitted needs to be transparent. However, many transparent conductive films generally used as transparent electrodes have a relatively high resistivity, and a voltage drop occurs at a portion away from the current supply terminal. In particular, the lighting device
Since the entire surface often emits light with the same luminance, this variation in luminance becomes more conspicuous.
しかし、照明装置を大面積化した場合、電流が流れにくい部分では輝度が低下してしま
う。つまり、照明装置の発光領域内で輝度にばらつきが生じてしまう。また、一般に陽極
として使用されているITO電極は、陰極に用いられているAl等の金属に比べ電気抵抗
が高い。そのため、電流供給端子から離れた部分では電圧降下を生じ、輝度が低くなって
しまう。この問題点を解決するため、陽極の少なくとも一部分に、陽極より電気抵抗の低
い補助電極を併設した構造が報告されている(特許文献1参照)。
However, when the area of the illuminating device is increased, the luminance is reduced in a portion where current is difficult to flow. That is, the luminance varies within the light emitting region of the lighting device. In general, an ITO electrode used as an anode has a higher electric resistance than a metal such as Al used for a cathode. For this reason, a voltage drop occurs at a portion away from the current supply terminal, and the luminance is lowered. In order to solve this problem, a structure in which an auxiliary electrode having an electric resistance lower than that of the anode is provided in at least a part of the anode has been reported (see Patent Document 1).
特許文献1では、発光素子の長辺または短辺に補助電極を設けているが、照明装置を大
面積化した場合、補助電極から離れた部分(例えば、照明装置の中心部)では、輝度低下
が起きてしまう。しかし、特許文献1の構造で、陽極の全面に補助電極を設けると、発光
層から射出された光が外部に出ることができないため、補助電極は一部にしか設けること
ができない。
In Patent Document 1, auxiliary electrodes are provided on the long side or the short side of the light emitting element. However, when the area of the lighting device is increased, luminance decreases in a portion away from the auxiliary electrode (for example, the central portion of the lighting device). Will happen. However, if the auxiliary electrode is provided on the entire surface of the anode in the structure of Patent Document 1, light emitted from the light emitting layer cannot be emitted to the outside, and therefore the auxiliary electrode can be provided only in part.
また、照明装置は、全面を同じ輝度で発光させることが多いため、この輝度のばらつき
がさらに目立ってしまう。
In addition, since the illuminating device often emits light with the same luminance on the entire surface, the variation in luminance becomes more conspicuous.
上記問題を鑑みて、本発明は、照明装置を大面積化した際に、発光領域内での輝度のば
らつきを抑制することができる照明装置を提供することを課題とする。
In view of the above problems, it is an object of the present invention to provide an illumination device that can suppress variation in luminance within a light emitting region when the illumination device is increased in area.
本発明の照明装置は、第1の電極と、第2の電極との間に、発光物質を含む層が形成さ
れ、第2の電極と、発光物質を含む層とに形成された開口部を介して、第1の電極と接続
する第3の電極が備えられている構成であることを特徴とする。
In the lighting device of the present invention, a layer containing a light-emitting substance is formed between the first electrode and the second electrode, and an opening formed in the second electrode and the layer containing the light-emitting substance is provided. And a third electrode connected to the first electrode.
つまり、第1の電極と補助電極との間に、発光物質を含む層と、第2の電極とを有し、
補助電極は、第2の電極を挟んで、第1の電極とは反対側に形成され、第1の電極と補助
電極とは、第2の電極と発光物質を含む層とに形成された開口部を通じて電気的に接続さ
れている構成とする。なお、第1の電極と第2の電極、第2の電極と補助電極とは、電気
的に絶縁されている必要がある。
In other words, between the first electrode and the auxiliary electrode, a layer containing a light-emitting substance, and a second electrode,
The auxiliary electrode is formed on the opposite side of the first electrode with the second electrode interposed therebetween, and the first electrode and the auxiliary electrode are openings formed in the second electrode and the layer containing a light emitting substance. It is set as the structure electrically connected through the part. Note that the first electrode and the second electrode, and the second electrode and the auxiliary electrode need to be electrically insulated.
より具体的には、透明導電膜からなる第1の電極上に、第1の開口部が形成された発光
物質を含む層と、第2の開口部が形成された第2の電極とが、前記第1の開口部と前記第
2の開口部とが重畳するように配置され、第2の電極上に設けられ、第1の開口部と第2
の開口部と、第2の開口部の側部を覆い、前記第1の電極を露出させる第3の開口部が形
成された絶縁層と、絶縁層上に備えられ、第1乃至第3の開口部を介して、第1の電極と
接する第3の電極とが備えられていることを特徴とする。
More specifically, a layer containing a light emitting substance in which a first opening is formed on a first electrode made of a transparent conductive film, and a second electrode in which a second opening is formed, The first opening and the second opening are arranged so as to overlap with each other, provided on the second electrode, and the first opening and the second opening
And an insulating layer formed on the insulating layer, covering the side of the second opening and the side of the second opening and exposing the first electrode, and provided on the insulating layer. A third electrode in contact with the first electrode is provided through the opening.
上記構成において、開口部は照明装置の発光領域に複数設けられていることを特徴とす
る。
In the above structure, a plurality of openings are provided in the light emitting region of the lighting device.
また、上記構成において、発光物質を含む層から発光した光は、第1の電極側から放射
される。つまり、第1の電極は透光性を有しており、透明導電膜で形成されている。具体
的には、インジウム錫酸化物(以下、ITOと示す)、または珪素を含有したインジウム
錫酸化物、2〜20%の酸化亜鉛(ZnO)を含む酸化インジウム等が挙げられる。
In the above structure, light emitted from the layer containing a light-emitting substance is emitted from the first electrode side. That is, the first electrode has translucency and is formed of a transparent conductive film. Specifically, indium tin oxide (hereinafter referred to as ITO), indium tin oxide containing silicon, indium oxide containing 2 to 20% zinc oxide (ZnO), or the like can be given.
なお、補助電極としては、抵抗率の小さい材料を用いることが好ましい。抵抗率の小さ
い材料を用いることにより、第1の電極の抵抗率が比較的大きいことによる電圧降下の影
響を低減することができる。
Note that it is preferable to use a material having a low resistivity as the auxiliary electrode. By using a material having a low resistivity, it is possible to reduce the influence of a voltage drop due to the relatively high resistivity of the first electrode.
また、上記構成において、発光物質を含む層は、複数の発光物質を含む層を積層させた
構成としてもよい。
In the above structure, the layer containing a light-emitting substance may have a structure in which a plurality of layers containing a light-emitting substance are stacked.
上記の構成において、補助電極は光の射出方向に配置されていないため、補助電極と第
1の電極の接続部分以外での光の損失がない。そのため、補助電極の材料や膜厚、形成場
所を自由に設定することができる。
In the above configuration, since the auxiliary electrode is not arranged in the light emitting direction, there is no loss of light except at the connection portion between the auxiliary electrode and the first electrode. Therefore, the material, film thickness, and formation location of the auxiliary electrode can be freely set.
また、補助電極と第1の電極の接続部分の面積を十分に小さくしておけば、光の射出面
から見た場合も、補助電極の存在をほぼ無視できる。よって、開口部を照明装置の発光領
域内に複数設けることが可能となる。
Further, if the area of the connection portion between the auxiliary electrode and the first electrode is made sufficiently small, the presence of the auxiliary electrode can be almost ignored even when viewed from the light emission surface. Therefore, a plurality of openings can be provided in the light emitting region of the lighting device.
本発明を用いることにより、輝度のばらつきが低減された照明装置を得ることができる
。また、補助電極は光の射出方向に配置されていないため、補助電極による光の損失が小
さく、補助電極の材料や膜厚、形成場所を自由に設定することができる。
By using the present invention, a lighting device with reduced variation in luminance can be obtained. Further, since the auxiliary electrode is not arranged in the light emission direction, the loss of light by the auxiliary electrode is small, and the material, film thickness, and formation location of the auxiliary electrode can be freely set.
本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説
明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様
々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実
施の形態の記述内容に限定して解釈されるものではない。
Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following description, and it is easily understood by those skilled in the art that modes and details can be variously changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Therefore, the present invention should not be construed as being limited to the description of the embodiments below.
(実施の形態1)
本発明の照明装置の構造を図1を用いて説明する。図1に示した照明装置は、基板側か
ら光を出射する下面出射型の照明装置である。なお、図1(B)は本発明の照明装置の発
光領域の上面図、図1(A)は発光領域の開口部付近(図1(B)のA−A’)における
断面図である。
(Embodiment 1)
The structure of the lighting device of the present invention will be described with reference to FIG. The illumination device shown in FIG. 1 is a bottom emission type illumination device that emits light from the substrate side. 1B is a top view of the light-emitting region of the lighting device of the present invention, and FIG. 1A is a cross-sectional view in the vicinity of the opening of the light-emitting region (AA ′ in FIG. 1B).
図1において、基板101は透光性を有する基板を用いる。具体的には、ガラス、プラ
スチック、ポリエステルまたはアクリル樹脂のような透光性を有する材料を用いることが
できる。また、基板101は可撓性を有していてもよい。
In FIG. 1, a substrate having a light-transmitting property is used as the
基板101上には第1の電極102として透明導電膜が形成されている。透明導電膜と
しては、例えばインジウム錫酸化物(以下、ITOと示す)、または珪素を含有したイン
ジウム錫酸化物、2〜20%の酸化亜鉛(ZnO)を含む酸化インジウム等が挙げられる
。
A transparent conductive film is formed over the
第1の電極102上には、発光物質を含む層103が形成されている。発光物質を含む
層103には、公知の材料を用いることができ、低分子系材料および高分子系材料のいず
れを用いることもできる。なお、発光物質を含む層を形成する材料には、有機化合物材料
のみから成るものだけでなく、無機化合物を一部に含む構成も含めるものとする。また、
発光物質を含む層は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層(ホールブロッキング層)、
発光層、電子輸送層、電子注入層等を適宜組み合わせて構成されるが、単層で構成しても
よいし、複数の層を積層させた構成としてもよい。図11に、発光物質を含む層が、正孔
注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を有する構造の一例を示す。図1
1では、基板1100上に、第1の電極(陽極)1101、発光物質を含む層1102、
第2の電極(陰極)1103が形成されており、発光物質を含む層1102は、正孔注入
層1111、正孔輸送層1112、発光層1113、電子輸送層1114、電子注入層1
115を有している。なお、本発明の照明装置において、発光物質を含む層は、図11の
構造に限定されない。以下に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入
層に用いる具体的な材料を示す。
A
The layer containing the luminescent material includes a hole injection layer, a hole transport layer, a hole blocking layer (hole blocking layer),
A light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like are appropriately combined. However, the light emitting layer, the electron transport layer, the electron injection layer, and the like may be combined. FIG. 11 illustrates an example of a structure in which a layer containing a light-emitting substance includes a hole injection layer, a hole transport layer, a light-emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. FIG.
1, on a
A second electrode (cathode) 1103 is formed, and the
115. Note that in the lighting device of the present invention, the layer containing a light-emitting substance is not limited to the structure shown in FIG. Specific materials used for the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting layer, the electron transport layer, and the electron injection layer are shown below.
正孔注入層を形成する正孔注入性材料としては、有機化合物であればポルフィリン系の
化合物が有効であり、フタロシアニン(以下、H2−Pcと示す)、銅フタロシアニン(
以下、Cu−Pcと示す)等を用いることができる。また、導電性高分子化合物に化学ド
ーピングを施した材料もあり、ポリスチレンスルホン酸(以下、PSSと示す)をドープ
したポリエチレンジオキシチオフェン(以下、PEDOTと示す)などを用いることもで
きる。また、ベンゾオキサゾール誘導体と、TCQn、FeCl3、C60またはF4TCN
Qのいずれか一または複数の材料とを含むようにしても良い。
As the hole injecting material for forming the hole injecting layer, a porphyrin-based compound is effective as long as it is an organic compound, and phthalocyanine (hereinafter referred to as H 2 -Pc), copper phthalocyanine (
(Hereinafter referred to as Cu-Pc) or the like can be used. In addition, there is a material in which a conductive polymer compound is chemically doped, and polyethylenedioxythiophene (hereinafter referred to as PEDOT) doped with polystyrene sulfonic acid (hereinafter referred to as PSS) can also be used. Also, benzoxazole derivatives and TCQn, FeCl 3 , C 60 or F 4 TCN
Any one or more materials of Q may be included.
また、正孔輸送層を形成する正孔輸送性材料としては、芳香族アミン系(すなわち、ベ
ンゼン環−窒素の結合を有するもの)の化合物が好適である。広く用いられている材料と
して、例えば、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−[1,
1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(以下、TPDと示す)の他、その誘導体であ
る4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニル−アミノ]−ビフェニル(以下
、α−NPDと示す)や、4,4’,4’’−トリス(N−カルバゾリル)−トリフェニ
ルアミン(以下、TCTAと示す)、4,4’,4’’−トリス(N,N−ジフェニル−
アミノ)−トリフェニルアミン(以下、TDATAと示す)、4,4’,4’’−トリス
[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニル−アミノ]−トリフェニルアミン(以下、
MTDATAと示す)などのスターバースト型芳香族アミン化合物が挙げられる。
As the hole transporting material for forming the hole transporting layer, an aromatic amine-based compound (that is, a compound having a benzene ring-nitrogen bond) is suitable. As a widely used material, for example, N, N′-bis (3-methylphenyl) -N, N′-diphenyl- [1,
In addition to 1′-biphenyl] -4,4′-diamine (hereinafter referred to as TPD), its derivative 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenyl-amino] -biphenyl ( Hereinafter referred to as α-NPD), 4,4 ′, 4 ″ -tris (N-carbazolyl) -triphenylamine (hereinafter referred to as TCTA), 4,4 ′, 4 ″ -tris (N, N-diphenyl-
Amino) -triphenylamine (hereinafter referred to as TDATA), 4,4 ′, 4 ″ -tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenyl-amino] -triphenylamine (hereinafter,
Starburst aromatic amine compounds such as MTDATA).
また、発光層を形成する発光性材料としては、具体的には、トリス(8−キノリノラト
)アルミニウム(以下、Alq3と示す)、トリス(4−メチル−8−キノリノラト)ア
ルミニウム(以下、Almq3と示す)、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]−キノリ
ナト)ベリリウム(以下、BeBq2と示す)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)
−(4−ヒドロキシ−ビフェニリル)−アルミニウム(以下、BAlqと示す)、ビス[
2−(2−ヒドロキシフェニル)−ベンゾオキサゾラト]亜鉛(以下、Zn(BOX)2
と示す)、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)−ベンゾチアゾラト]亜鉛(以下、Z
n(BTZ)2と示す)などの金属錯体の他、各種蛍光色素が有効である。
Specific examples of the light-emitting material for forming the light-emitting layer include tris (8-quinolinolato) aluminum (hereinafter referred to as Alq 3 ), tris (4-methyl-8-quinolinolato) aluminum (hereinafter referred to as Almq 3). ), Bis (10-hydroxybenzo [h] -quinolinato) beryllium (hereinafter referred to as BeBq 2 ), bis (2-methyl-8-quinolinolato)
-(4-hydroxy-biphenylyl) -aluminum (hereinafter referred to as BAlq), bis [
2- (2-Hydroxyphenyl) -benzoxazolate] zinc (hereinafter Zn (BOX) 2
), Bis [2- (2-hydroxyphenyl) -benzothiazolate] zinc (hereinafter Z
In addition to metal complexes such as n (BTZ) 2 ), various fluorescent dyes are effective.
なお、ゲスト材料と組み合わせて発光層を形成する場合には、キナクリドン、ジエチル
キナクリドン(以下、DEQDと示す)、ジメチルキナクリドン(以下、DMQDと示す
)、ルブレン、ペリレン、クマリン、クマリン545T(以下、C545Tと示す)、D
PT、Co−6、PMDFB、BTX、ABTX、DCM、DCJTの他、トリス(2−
フェニルピリジン)イリジウム(以下、Ir(ppy)3と示す)、2,3,7,8,1
2,13,17,18−オクタエチル−21H,23H−ポルフィリン−白金(以下、P
tOEPと示す)等の三重項発光材料(燐光材料)をゲスト材料として用いることができ
る。
When a light emitting layer is formed in combination with a guest material, quinacridone, diethylquinacridone (hereinafter referred to as DEQD), dimethylquinacridone (hereinafter referred to as DMQD), rubrene, perylene, coumarin, coumarin 545T (hereinafter referred to as C545T). D)
In addition to PT, Co-6, PMDFB, BTX, ABTX, DCM, DCJT, Tris (2-
Phenylpyridine) iridium (hereinafter referred to as Ir (ppy) 3 ), 2, 3, 7, 8, 1
2,13,17,18-octaethyl-21H, 23H-porphyrin-platinum (hereinafter referred to as P
A triplet light-emitting material (phosphorescent material) such as tOEP can be used as a guest material.
電子輸送層に用いることができる電子輸送性材料としては、先に述べたAlq3、Al
mq3、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)−4−フェニルフェノラト−アルミニウ
ム(略称:BAlq)、Gaq3、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)−4−フェニ
ルフェノラト−ガリウム(略称:BGaq)、BeBq2、Zn(BOX)2、Zn(BT
Z)2などの金属錯体のほか、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチル
フェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)や、1,3−ビス[5−(
p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン
(略称:OXD−7)、3−(4−tert−ブチルフェニル)−4−フェニル−5−(
4−ビフェニリル)−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、3−(4−tert
−ブチルフェニル)−4−(4−エチルフェニル)−5−(4−ビフェニリル)−1,2
,4−トリアゾール(略称:p−EtTAZ)、バソフェナントロリン(略称:BPhe
n)、バソキュプロイン(略称:BCP)などが挙げられる。
Examples of the electron transporting material that can be used for the electron transporting layer include Alq 3 and Al described above.
mq 3 , bis (2-methyl-8-quinolinolato) -4-phenylphenolato-aluminum (abbreviation: BAlq), Gaq 3 , bis (2-methyl-8-quinolinolato) -4-phenylphenolato-gallium (abbreviation) : BGaq), BeBq 2 , Zn (BOX) 2 , Zn (BT
Z) In addition to metal complexes such as 2, 2- (4-biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole (abbreviation: PBD), 1,3-bis [5- (
p-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazol-2-yl] benzene (abbreviation: OXD-7), 3- (4-tert-butylphenyl) -4-phenyl-5- (
4-biphenylyl) -1,2,4-triazole (abbreviation: TAZ), 3- (4-tert
-Butylphenyl) -4- (4-ethylphenyl) -5- (4-biphenylyl) -1,2
, 4-triazole (abbreviation: p-EtTAZ), bathophenanthroline (abbreviation: BPhe)
n), bathocuproine (abbreviation: BCP), and the like.
電子注入層を形成する電子注入性材料としては、具体的には、LiF、CsFなどのア
ルカリ金属ハロゲン化物や、CaF2のようなアルカリ土類ハロゲン化物、Li2Oなどの
アルカリ金属酸化物のような絶縁体の超薄膜がよく用いられる。また、リチウムアセチル
アセトネート(略称:Li(acac)や8−キノリノラト−リチウム(略称:Liq)
などのアルカリ金属錯体も有効である。また、ベンゾオキサゾール誘導体と、アルカリ金
属、アルカリ土類金属、または遷移金属のいずれか一または複数の材料とを含むようにし
ても良い。
Specific examples of the electron injecting material for forming the electron injection layer include alkali metal halides such as LiF and CsF, alkaline earth halides such as CaF 2 , and alkali metal oxides such as Li 2 O. Such an insulating ultra-thin film is often used. In addition, lithium acetylacetonate (abbreviation: Li (acac) or 8-quinolinolato-lithium (abbreviation: Liq)
Alkali metal complexes such as are also effective. Moreover, you may make it contain a benzoxazole derivative and any one or more materials of an alkali metal, an alkaline-earth metal, or a transition metal.
なお、発光物質を含む層103は、複数の発光物質を含む層を積層させた構造としても
よい。図12に複数の発光物質を含む層を積層させた構造の一例を示す。図12では、基
板1200上に、第1の電極1201、第1の発光物質を含む層1202、電荷発生層1
203、第2の発光物質を含む層1204、第2の電極を積層した構造を有している。電
荷発生層1203はキャリアを注入する役割を持ち、透光性の高い材料であることが必要
である。なお、図12では、2層の発光物質を含む層を積層した構造を示したが、これに
限定されず、3層以上の発光物質を含む層を積層した構造でもよい。また、図12では基
板側の電極を第1の電極としたが、基板側の電極を第2の電極としてもよい。
Note that the
203, a
発光物質を含む層を積層させた構造にすることにより、同じ電流でも積層しただけ輝度
が向上する。特に、高輝度が必要とされる照明用途には、発光物質を含む層を積層させた
構造が好適である。また、複数の発光物質を含む層を積層させた構造とする場合、同じ材
料で構成された発光物質を含む層を積層させた構造としてもよいし、異なる材料で構成さ
れた発光物質を含む層を積層させた構造としてもよい。
With a structure in which layers containing a light-emitting substance are stacked, luminance is improved only by stacking even with the same current. In particular, a structure in which layers containing a light-emitting substance are stacked is suitable for lighting applications that require high luminance. In addition, in the case of a structure in which a plurality of layers containing light-emitting substances are stacked, a structure in which layers containing light-emitting substances made of the same material are stacked may be used, or layers containing light-emitting substances made of different materials It is good also as a structure which laminated | stacked.
例えば、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の発光を示す材料で形成した発光物質を
含む層を積層し、全体として白色発光を得ることもできる。このような赤色(R)、緑色
(G)、青色(B)の発光を示す材料は、それぞれ蒸着マスクを用いた蒸着法、又は液滴
吐出法(インクジェット法ともいう)などによって形成すればよい。具体的には、正孔注
入層としてCuPcやPEDOT、正孔輸送層としてα−NPD、電子輸送層としてBC
PやAlq3、電子注入層としてBCP:LiやCaF2をそれぞれ用いることができる。
また例えば発光層は、R、G、Bのそれぞれの発光色に対応したドーパント(Rの場合D
CM等、Gの場合DMQD等)をドープしたAlq3を用いればよい。なお、白色発光を
得る場合には、上記の3色の発光材料を積層した構造に限らず、2色の発光材料を積層し
た構造としてもよい。例えば、青色と黄色の発光を示す材料を積層して白色発光を得るこ
ともできる。
For example, a layer containing a light-emitting substance formed using a material that emits red (R), green (G), and blue (B) light can be stacked to obtain white light emission as a whole. Such materials that emit red (R), green (G), and blue (B) light may be formed by an evaporation method using an evaporation mask, a droplet discharge method (also referred to as an inkjet method), or the like. . Specifically, CuPc or PEDOT as the hole injection layer, α-NPD as the hole transport layer, BC as the electron transport layer
P, Alq 3 , and BCP: Li or CaF 2 can be used as the electron injection layer, respectively.
In addition, for example, the light emitting layer has a dopant corresponding to each of the emission colors of R, G, and B (in the case of R, D
Alq 3 doped with CM or the like, DMQD or the like in the case of G) may be used. In addition, when obtaining white light emission, it is good also as a structure which laminated | stacked the light emission material of not only the above-mentioned three colors light emitting material but laminated | stacked two colors. For example, white light emission can be obtained by stacking materials that emit blue and yellow light.
なお、発光物質を含む層の構造は、上記積層構造に限定されるものではない。例えば、
発光物質を含む層は、単層型、積層型、また層の界面がない混合型のいずれでもよい。ま
た蛍光材料、燐光材料、又はそれらを組み合わせた材料を用いることができる。例えば、
赤色(R)の発光を示す材料に、燐光材料を用い、緑(G)や青(B)の発光を示す材料
に蛍光材料を用いることができる。またさらに、低分子材料、高分子材料及び中分子材料
を含む有機材料、電子注入性に優れる酸化モリブデン等に代表される無機材料、有機材料
と無機材料の複合材料のいずれを用いてもよい。
Note that the structure of the layer containing a light-emitting substance is not limited to the above stacked structure. For example,
The layer containing a light-emitting substance may be any of a single layer type, a stacked type, and a mixed type having no layer interface. Alternatively, a fluorescent material, a phosphorescent material, or a combination thereof can be used. For example,
A phosphorescent material can be used as a material that emits red (R) light, and a fluorescent material can be used as a material that emits green (G) or blue (B) light. Furthermore, any of an organic material including a low molecular material, a high molecular material, and a medium molecular material, an inorganic material typified by molybdenum oxide having excellent electron injection properties, and a composite material of an organic material and an inorganic material may be used.
なお、本発明の照明装置は、白色に限らず、所望の色の光を得るようにしてもよい。ま
た、カラーフィルター、又はカラーフィルター及び色変換層などを別途設けてもよい。
The lighting device of the present invention is not limited to white, and may obtain light of a desired color. Further, a color filter, or a color filter and a color conversion layer may be provided separately.
発光物質を含む層103上には第2の電極104を形成されている。第2の電極104
としては、公知の材料を用いることができる。第2の電極104を陰極とする場合は、仕
事関数の小さい導電性材料を用いることが好ましく、具体的には、LiやCs等のアルカ
リ金属、およびMg、Ca、Sr等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金(Mg
:Ag、Al:Liなど)の他、YbやEr等の希土類金属を用いて形成することもでき
る。また、LiF、CsF、CaF2、Li2O等の電子注入層を用いる場合は、アルミニ
ウム等の通常の導電性薄膜を用いることができる。第2の電極104を陽極とする場合は
、仕事関数の大きい導電性材料を用いることが好ましい。具体的には、TiN、ZrN、
Ti、W、Ni、Pt、Cr等の単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする
膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との三層構造
等を用いることができる。あるいは、Ti、Al等の反射性電極の上に透明導電膜を積層
する方法でもよい。
A
As this, a known material can be used. When the
: Ag, Al: Li, and the like), or a rare earth metal such as Yb or Er. Further, LiF, CsF, in the case of using an electron injecting layer such as CaF 2, Li 2 O, may be used usual conductive thin film such as aluminum. In the case where the
In addition to a single layer film of Ti, W, Ni, Pt, Cr, etc., a laminate of titanium nitride and a film containing aluminum as a main component, and a three layer of a titanium nitride film, a film containing aluminum as a main component, and a titanium nitride film A structure or the like can be used. Or the method of laminating | stacking a transparent conductive film on reflective electrodes, such as Ti and Al, may be used.
第2の電極104と発光物質を含む層103を覆うように絶縁膜105が形成されてい
る。この絶縁膜105により、第1の電極102と第2の電極104、第2の電極104
と補助電極106が、それぞれ電気的に絶縁されている。なお、この絶縁膜105は、水
分や酸素などの発光物質を含む層の劣化を促進させる原因となる物質の透過を防ぐ保護膜
としての機能を有していてもよい。
An insulating
And the
絶縁膜105の一部は開口部107を有し、この開口部107において、第1の電極1
02と補助電極106とが電気的に接続している。補助電極106としては、抵抗率の小
さい材料を用いることが好ましく、具体的にはアルミニウム、銅、銀等の材料を用いるこ
とができる。また、開口部の径は10〜500μm、好ましくは50〜200μmとする
。
A part of the insulating
02 and the
また、開口部107は発光領域108に複数設けられている。この開口部107を介し
て、補助電極106が第1の電極102と電気的に接続することにより、透明導電膜の抵
抗が比較的高いことに起因する電圧降下の影響を低減することができる。つまり、補助電
極106が、発光領域108に複数設けられた開口部107を介して第1の電極102を
電気的に接続されていることにより、第1の電極102の抵抗を実質的に低下させている
。それにより、電流供給端子から離れた部分が暗くなる輝度のばらつきを低減することが
できる。なお、この開口部の大きさを十分小さくしておけば、光の射出方向、つまり透光
性を有する基板側から照明装置を見たとき、補助電極の存在はほぼ無視することができる
。また、補助電極は光の射出方向に配置されていないため、補助電極の材料や膜厚、形成
場所を自由に設定することができる。そのため、補助電極を、電圧降下が起こりやすい場
所に選択的に形成することも可能であるし、照明装置の発光領域全面に形成することも可
能となる。
A plurality of
本発明の照明装置は、第1の電極の抵抗が比較的大きいことに起因する電圧降下による
輝度のばらつきを低減できるため、特に大面積の照明装置に適用することが好ましい。
The lighting device of the present invention is particularly preferably applied to a lighting device having a large area because variation in luminance due to a voltage drop caused by the relatively high resistance of the first electrode can be reduced.
(実施の形態2)
本発明の照明装置の構造を図5を用いて説明する。図5に示した照明装置は、基板側と
は逆側から光を出射する上面出射型の照明装置である。なお、図5(B)は照明装置の発
光領域の上面図、図5(A)は発光領域の開口部付近(図5(B)のA−A’)における
断面図である。
(Embodiment 2)
The structure of the lighting device of the present invention will be described with reference to FIG. The lighting device shown in FIG. 5 is a top emission type lighting device that emits light from the side opposite to the substrate side. 5B is a top view of the light-emitting region of the lighting device, and FIG. 5A is a cross-sectional view in the vicinity of the opening of the light-emitting region (AA ′ in FIG. 5B).
図5において、基板501は薄型で可撓性を有する素材で形成されている基板を用いる
。具体的には、プラスチック基板、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムの
ような可撓性を有する基板を用いることができる。
In FIG. 5, the
基板501上には第2の電極502が形成されている。第2の電極502としては、公
知の材料を用いることができる。第2の電極502を陰極とする場合は、仕事関数の小さ
い導電性材料を用いることが好ましく、具体的には、LiやCs等のアルカリ金属、およ
びMg、Ca、Sr等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金(Mg:Ag、Al
:Liなど)の他、YbやEr等の希土類金属を用いて形成することもできる。また、L
iF、CsF、CaF2、Li2O等の電子注入層を用いる場合は、アルミニウム等の通常
の導電性薄膜を用いることができる。第2の電極502を陽極とする場合は、仕事関数の
大きい導電性材料を用いることが好ましい。具体的には、TiN、ZrN、Ti、W、N
i、Pt、Cr等の単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、
窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との三層構造等を用いるこ
とができる。あるいは、Ti、Al等の反射性電極の上に透明導電膜を積層する方法でも
よい。
A
: Li, etc.), or a rare earth metal such as Yb or Er. L
When an electron injection layer such as iF, CsF, CaF 2 , or Li 2 O is used, a normal conductive thin film such as aluminum can be used. In the case where the
In addition to a single layer film such as i, Pt, Cr, etc., a laminate of a film mainly composed of titanium nitride and aluminum,
A three-layer structure of a titanium nitride film, a film containing aluminum as its main component, and a titanium nitride film can be used. Or the method of laminating | stacking a transparent conductive film on reflective electrodes, such as Ti and Al, may be used.
第2の電極502上には、発光物質を含む層503が形成されている。発光物質を含む
層503には、公知の材料を用いることができ、低分子系材料および高分子系材料のいず
れを用いることもできる。なお、発光物質を含む層を形成する材料には、有機化合物材料
のみから成るものだけでなく、無機化合物を一部に含む構成も含めるものとする。また、
発光物質を含む層は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層(ホールブロッキング層)、
発光層、電子輸送層、電子注入層等を適宜組み合わせて構成されるが、単層で構成しても
よいし、複数の層を積層させた構成としてもよい。
A
The layer containing the luminescent material includes a hole injection layer, a hole transport layer, a hole blocking layer (hole blocking layer),
A light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like are appropriately combined. However, the light emitting layer, the electron transport layer, the electron injection layer, and the like may be combined.
なお、発光物質を含む層503は、複数の発光物質を含む層を積層させた構造としても
よい。積層させた構造にすることにより、同じ電流でも積層しただけ輝度が向上する。特
に、高輝度が必要とされる照明用途には、発光物質を含む層を積層させた構造が好適であ
る。また、複数の発光物質を含む層を積層させた構造とする場合、同じ材料で構成された
発光物質を含む層を積層させた構造としてもよいし、異なる材料で構成された発光物質を
含む層を積層させた構造としてもよい。
Note that the
発光物質を含む層503の上には第1の電極504として透明導電膜が形成されている
。透明導電膜としては、例えばインジウム錫酸化物(以下、ITOと示す)、または珪素
を含有したインジウム錫酸化物、2〜20%の酸化亜鉛(ZnO)を含む酸化インジウム
等が挙げられる。
A transparent conductive film is formed as the
基板501、第2の電極502、発光物質を含む層503および第1の電極504は開
口部507を有しており、第1の電極504および基板501の開口部付近と、開口部の
側壁とを、覆うように絶縁膜505が形成されている。この絶縁膜505により、第1の
電極504と第2の電極502、第2の電極502と補助電極506が、それぞれ電気的
に絶縁されている。なお、この絶縁膜505は、水分や酸素などの発光物質を含む層の劣
化を促進させる原因となる物質の透過を防ぐ保護膜としての機能を有していてもよい。
The
補助電極506は、基板の下面、開口部、第1の電極の開口部付近に形成され、開口部
付近で第1の電極と補助電極とが電気的に接続している。補助電極506としては、抵抗
率の小さい材料を用いることが好ましく、具体的にはアルミニウム、銅、銀等の材料を用
いることができる。また、開口部の径は10〜500μm、好ましくは50〜200μm
とする。
The
And
また、開口部507は発光領域508に複数設けられている。この開口部507を介し
て、補助電極506が第1の電極504と電気的に接続することにより、透明導電膜の抵
抗が比較的高いことに起因する電圧降下の影響を低減することができる。つまり、補助電
極506が、発光領域508に複数設けられた開口部507を介して第1の電極504を
電気的に接続されていることにより、第1の電極504の抵抗を実質的に低下させている
。それにより、電流供給端子から離れた部分が暗くなる輝度のばらつきを低減することが
できる。なお、この開口部の大きさを十分小さくしておけば、光の射出方向、つまり透光
性を有する基板側から照明装置を見たとき、補助電極の存在はほぼ無視することができる
。また、補助電極は光の射出方向に配置されていないため、補助電極の材料や膜厚、形成
場所を自由に設定することができる。そのため、補助電極を、電圧降下が起こりやすい場
所に選択的に形成することも可能であるし、照明装置の発光領域全面に形成することも可
能となる。
A plurality of
本発明の照明装置は、第1の電極の抵抗が比較的大きいことに起因する電圧降下による
輝度のばらつきを低減できるため、特に大面積の照明装置に適用することが好ましい。
The lighting device of the present invention is particularly preferably applied to a lighting device having a large area because variation in luminance due to a voltage drop caused by the relatively high resistance of the first electrode can be reduced.
本実施例では、図1に示した本発明の照明装置の作製方法について、図2を用いて説明
する。
In this embodiment, a method for manufacturing the lighting device of the present invention illustrated in FIG. 1 will be described with reference to FIGS.
透光性を有する基板201の上に第1の電極202である透明導電膜を成膜する。本実
施例では、透光性を有する基板201としてガラス基板を用い、第1の電極202として
ITOを成膜する。
A transparent conductive film which is the
次に、第1の電極202上に発光物質を含む層203を形成する。発光物質を含む層2
03は公知の材料を用いることができる。また、複数の発光物質を含む層を積層した構成
としてもよい。
Next, a
For 03, a known material can be used. Alternatively, a structure in which layers containing a plurality of light-emitting substances are stacked may be employed.
この発光物質を含む層203の上に第2の電極204を成膜する(図2(A))。第2
の電極204は、開口部を有しており、発光物質を含む層上に全面に成膜した後フォトリ
ソグラフィ法でパターニングしてもよいし、マスクを用いて形成してもよい。本実施例で
は、第2の電極204としてアルミニウムを用い、発光物質を含む層203上に全面に形
成した後、フォトリソグラフィ法によりパターニングする。その後、パターニングされた
第2の電極をマスクとして、発光物質を含む層に開口部を形成する(図2(B))。
A
The
次に、発光物質を含む層203と第2の電極204とを覆うように絶縁膜205を形成
する(図2(C))。絶縁膜205も開口部を有しており、全面に成膜した後フォトリソ
グラフィ法でパターニングしてもよいし、マスクを用いて形成してもよい。本実施例では
、絶縁膜205として酸化珪素を用いる。
Next, an insulating
次に、補助電極206を形成する(図2(D))。補助電極206は低抵抗であること
が望ましく、本実施例ではアルミニウムを用いる。補助電極206は開口部207におい
て第1の電極202と電気的に接続しており、第2の電極204とは絶縁されている。
Next, the
このように第1の電極102であるITOは、補助電極206と開口部207で接続さ
れているおり、第1の電極の抵抗が比較的高いことに起因する電圧降下の影響を低減する
ことができる。そのため大面積の照明装置に適用した場合、輝度のばらつきを低減するこ
とができる。また、開口部207を十分小さくしておけば、光の射出方向、つまり透光性
を有する基板側から照明装置を見たとき、補助電極の存在はほぼ無視することができる。
As described above, the ITO that is the
なお、本実施例では、発光物質を含む層は全面に形成した後、アルミニウムをマスクと
してパターニングされていたが、開口部を有するようにマスクを用いて発光物質の含む層
を形成してもよい。
In this embodiment, the layer containing the light emitting material is formed over the entire surface and then patterned using aluminum as a mask. However, the layer containing the light emitting material may be formed using the mask so as to have an opening. .
また、図3には、発光物質を含む層303および第2の電極304をそれぞれマスクを
用いて形成する方法を示した。すなわち、基板301上に、全面に第1の電極302を形
成した後、発光物質を含む層303、第2の電極304をそれぞれマスクを用いて形成し
、絶縁膜305、補助電極306、開口部307は上述した方法と同様に形成すればよい
。このとき、発光物質を含む層303よりも第2の電極304の開口部を大きくすること
により、第1の電極と第2の電極の絶縁をより確実にすることができる。
FIG. 3 illustrates a method in which the layer 303 containing a light-emitting substance and the
本実施例では、図1に示した本発明の照明装置の実施例1とは異なる作製方法について
、図4を用いて説明する。
In this embodiment, a manufacturing method different from that of Embodiment 1 of the lighting device of the present invention shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS.
透光性を有する基板401の上に第1の電極402である透明導電膜を成膜する。本実
施例では、透光性を有する基板401としてガラス基板を用い、第1の電極402として
ITOを成膜する。
A transparent conductive film which is the
次に、発光物質を含む層403、第2の電極404を順次形成する(図4(A))。本
実施例では第2の電極404としてアルミニウムを成膜する。
Next, a
次に、透光性を有する基板401側から、レーザ光を照射し、開口部を形成する(図4
(B))。レーザ光としては、ガラス基板およびITOを透過し、発光物質を含む層40
3および第2の電極404に吸収される波長のレーザ光を用いる。本実施例では、波長5
32nmのレーザ光を使用する。波長532nmのレーザ光は、YAGレーザまたはYV
O4等の基本波(波長1064nm)を非線形光学素子によって第2高調波に変換するこ
とで得られる。レーザ光を吸収した発光物質を含む層および第2の電極は加熱され、昇華
し、開口部が形成される。開口部を形成したあとは、実施例1と同様に絶縁膜405、補
助電極406を形成すし、第1の電極402と補助電極406とが、開口部407におい
て、電気的に接続するようにする。(図4(C))。
Next, laser light is irradiated from the light-transmitting
(B)). As the laser light, a layer 40 that transmits the glass substrate and ITO and contains a luminescent material.
Laser light having a wavelength absorbed by the third and
A 32 nm laser beam is used. Laser light with a wavelength of 532 nm is YAG laser or YV
It is obtained by converting a fundamental wave such as O 4 (wavelength 1064 nm) to a second harmonic by a nonlinear optical element. The layer containing the light-emitting substance that has absorbed the laser light and the second electrode are heated and sublimated to form an opening. After the opening is formed, the insulating film 405 and the
本実施例では、図5に示した本発明の照明装置の作製方法について、図6〜図7を用い
て説明する。
In this embodiment, a method for manufacturing the lighting device of the present invention illustrated in FIG. 5 will be described with reference to FIGS.
薄型で可撓性を有する素材で形成されている基板601上に、第2の電極602、発光
物質を含む層603、第1の電極604を形成する。本実施例では、ポリエステルフィル
ム上に、第2の電極602としてアルミニウム、第1の電極604としてITOを形成す
る(図6(A))。
A
次に、基板601、第2の電極602、発光物質を含む層603、第1の電極604を
開口部を設ける(図6(B))。基板601は可撓性を有する素材で形成されているため
、物理的に力を加えることで容易に開口部を設けることができる。
Next, an opening is formed in the
次に、絶縁膜605として、酸化珪素膜を形成する。酸化珪素膜はマスクを用いて、ス
パッタ法または蒸着法により形成する(図6(C))。スパッタ法または蒸着法を用いる
ことで、開口部を通して、膜形成しようとする面と反対側の面にも回り込んで酸化珪素膜
が形成される。これにより、第2の電極602と補助電極606との絶縁性がより確実な
ものとなる。
Next, a silicon oxide film is formed as the insulating
次に、補助電極606を形成する。まず、印刷法により、第1の電極604側に銀を成
膜する。このとき印刷法を用いることにより、開口部607に銀が満たされる(図7(A
))。次に、基板601側から全面に銀を成膜する(図7(B))。これにより第1の電
極604と補助電極606が電気的に接続される。これにより、第1の電極の抵抗が比較
的高いことに起因する電圧降下の影響を低減することができる。そのため大面積の照明装
置に適用した場合、輝度のばらつきを低減することができる。
Next, the
)). Next, silver is formed over the entire surface from the
また、本実施例の構造では、第1の電極であるITOと、補助電極である銀とは、光の
射出方向で接続しているが、開口部607を十分小さくしておけば、光の射出方向、つま
り第1の電極側から照明装置を見たとき、補助電極の存在はほぼ無視することができる。
In the structure of this example, ITO as the first electrode and silver as the auxiliary electrode are connected in the light emission direction. However, if the
本実施例では、本発明の照明装置の全体の構造の一例について、図8を用いて説明する
。
In this embodiment, an example of the entire structure of the lighting device of the present invention will be described with reference to FIG.
図8は、本発明の照明装置の上面図および断面図である、本発明の照明装置は、基板8
01、第1の電極802、発光物質を含む層803、第2の電極804、絶縁膜805、
補助電極806を有し、開口部807において第1の電極802と補助電極806が電気
的に接続されている。開口部807は発光領域に複数設けられている。また、発光領域の
端部には第2の絶縁膜808があり、第1の電極802と第2の電極804が短絡するの
を防ぐ役割をしている。電流供給端子809は、それぞれ第2の電極804と補助電極8
06に接続されている。そして、発光領域は、封止材810により封止されている。発光
物質を含む層の劣化を防ぐため、封止材はできるだけ水分や酸素を透過しない材料である
ことが望ましい。また、封止材で囲まれた空間には、充填剤811が充填されている。充
填剤は、不活性気体(窒素やアルゴン等)でもよいし、封止材で充填されていてもよい。
FIG. 8 is a top view and a cross-sectional view of the illuminating device of the present invention.
01, a
An
06 is connected. The light emitting region is sealed with a sealing
図8では、実施例1に示した構造を例示するが、実施例2および実施例3に示した構造
でも同様に封止し、照明装置として用いることが可能である。
FIG. 8 illustrates the structure shown in Embodiment 1, but the structures shown in Embodiment 2 and Embodiment 3 can be similarly sealed and used as a lighting device.
本実施例では、本発明の照明装置を用いた機器の一例を図9〜図10を用いて説明する
。
In this embodiment, an example of a device using the lighting device of the present invention will be described with reference to FIGS.
図9は、本発明の照明装置をバックライトとして用いた液晶表示装置の一例である。図
9に示した液晶表示装置は、筐体901、液晶層902、バックライト903、筐体90
4を有し、液晶層902は、ドライバIC905と接続されている。また、バックライト
903は、本発明の照明装置が用いられおり、端子906により、電流が供給されている
。
FIG. 9 shows an example of a liquid crystal display device using the lighting device of the present invention as a backlight. A liquid crystal display device illustrated in FIG. 9 includes a
4 and the
本発明の照明装置を液晶表示装置のバックライトとして用いることにより、輝度のばら
つきの少ないバックライトが得られるので、表示装置としての品質が向上する。また、バ
ックライトの大面積化が可能となるため、液晶表示装置の大面積化も可能になる。さらに
、発光素子は薄型で低消費電力であるため、表示装置の薄型化、低消費電力化も可能とな
る。
By using the lighting device of the present invention as a backlight of a liquid crystal display device, a backlight with little variation in luminance can be obtained, so that the quality as a display device is improved. In addition, since the backlight can have a large area, the liquid crystal display device can have a large area. Further, since the light emitting element is thin and has low power consumption, the display device can be thinned and the power consumption can be reduced.
図10(A)は、本発明の照明装置を室内の照明として用いたものである。本発明の照
明装置は、面発光の照明装置であり、大面積化した場合でも輝度のばらつきが少ないため
、例えば、天井全面に本発明の照明装置を用いることもできる。また、天井に限らず、壁
、床や柱等にも本発明の照明装置を用いることができる。さらに、本発明の照明装置は可
撓性を有しているため、曲面に設置することも可能である。また、室内に限らず、室外で
使用することも可能であり、外灯として、建物の壁等に設置することもできる。。
FIG. 10A illustrates the lighting device of the present invention used as indoor lighting. The illuminating device of the present invention is a surface emitting illuminating device, and since there is little variation in luminance even when the area is increased, for example, the illuminating device of the present invention can also be used on the entire ceiling surface. Further, the lighting device of the present invention can be used not only on the ceiling but also on walls, floors, pillars, and the like. Furthermore, since the lighting device of the present invention has flexibility, it can be installed on a curved surface. Further, it can be used not only indoors but also outdoors, and can be installed on a building wall or the like as an external light. .
図10(B)は、本発明の照明装置を、トンネル内の照明として用いたものである。本
発明の照明装置は、可撓性を有しているため、トンネル内の壁の曲面に沿って設置するこ
とが可能である。
FIG. 10B shows an example in which the lighting device of the present invention is used as lighting in a tunnel. Since the lighting device of the present invention has flexibility, it can be installed along the curved surface of the wall in the tunnel.
図10(C)は、本発明の照明装置をインテリア用の照明として用いた一例である。本
発明の照明装置は、薄型で可撓性を有しており、かつ面発光であるため、図10(B)の
ように、自由な形状に加工することが可能である。
FIG. 10C illustrates an example in which the lighting device of the present invention is used as interior lighting. Since the lighting device of the present invention is thin, flexible, and has surface emission, it can be processed into a free shape as shown in FIG.
また、本発明の照明装置は、写真を撮影する際の照明として用いることもできる。写真
を撮影する場合は、大面積の均一化された輝度の光で被写体を照らすことにより、自然光
で被写体を照らした場合と同様な写真を撮ることができる。
The lighting device of the present invention can also be used as lighting when taking a photograph. When taking a picture, it is possible to take a picture similar to the case where the subject is illuminated with natural light by illuminating the subject with light having a uniform luminance with a large area.
101 基板
102 電極
103 発光物質を含む層
104 第2の電極
105 絶縁膜
106 補助電極
107 開口部
108 発光領域
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記第1の電極の端部を覆う第1の絶縁層と、A first insulating layer covering an end of the first electrode;
前記第1の電極上及び前記第1の絶縁層上に設けられた発光物質を含む層と、A layer containing a light-emitting substance provided over the first electrode and the first insulating layer;
前記発光物質を含む層上に設けられた第2の電極と、A second electrode provided on the layer containing the luminescent material;
前記第2の電極上に設けられた第2の絶縁層と、A second insulating layer provided on the second electrode;
前記第2の絶縁層上に設けられた第3の電極と、を有し、A third electrode provided on the second insulating layer,
前記発光物質を含む層及び前記第2の電極は第1の開口部を有し、The layer containing the luminescent material and the second electrode have a first opening;
前記第2の絶縁層は第2の開口部を有し、The second insulating layer has a second opening;
前記第2の開口部は、前記第1の開口部内に位置し、The second opening is located within the first opening;
前記第2の開口部において、前記第1の電極と前記第3の電極とが電気的に接続されていることを特徴とする照明装置。The lighting device, wherein the first electrode and the third electrode are electrically connected in the second opening.
前記第1の電極の端部を覆う第1の絶縁層と、A first insulating layer covering an end of the first electrode;
前記第1の電極上及び前記第1の絶縁層上に設けられた発光物質を含む層と、A layer containing a light-emitting substance provided over the first electrode and the first insulating layer;
前記発光物質を含む層上に設けられた第2の電極と、A second electrode provided on the layer containing the luminescent material;
前記第2の電極上に設けられた第2の絶縁層と、A second insulating layer provided on the second electrode;
前記第2の絶縁層上に設けられた第3の電極と、を有し、A third electrode provided on the second insulating layer,
前記発光物質を含む層及び前記第2の電極が形成されていない第1の領域を有し、A first region in which the layer containing the luminescent material and the second electrode are not formed;
前記第2の絶縁層が形成されていない第2の領域を有し、A second region where the second insulating layer is not formed;
前記第2の領域は、前記第1の領域内に位置し、The second region is located within the first region;
前記第2の領域において、前記第1の電極と前記第3の電極とが電気的に接続されていることを特徴とする照明装置。In the second region, the lighting device is characterized in that the first electrode and the third electrode are electrically connected.
前記第2の電極と電気的に接続する第1の端子と、A first terminal electrically connected to the second electrode;
前記第3の電極と電気的に接続する第2の端子と、を有することを特徴とする照明装置。An illumination device comprising: a second terminal electrically connected to the third electrode.
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