JP4892425B2 - Semiconductor package mounting structure and semiconductor package - Google Patents
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Description
本発明は半導体パッケージの実装構造および半導体パッケージに関し、より詳細には配線基板にピン付き基板を接合して形成されるPGA（ピングリッドアレイ）型の半導体パッケージおよびこれをソケットに装着して構成される半導体パッケージの実装構造に関する。 Relates mounting structure and semi-conductor package of the present invention is a semiconductor package, is equipped with a semiconductor package and its PGA (pin grid array) type formed by bonding a pin attached substrate to the wiring board to the socket and more about the implementation structure of the semiconductor package composed of Te.
PGA型の半導体パッケージには、図７に示すような、配線基板にピン付き基板を接合して形成された製品がある。図７（ａ）は、配線基板１０にピン付き基板２０を位置合わせする状態、図７（ｂ）は配線基板１０にピン付き基板２０を接合して形成した半導体パッケージ３０を示す。図示例の配線基板１０は、内層に配線パターン１２とビア１４を形成したビルドアップ基板であり、ピン付き基板２０を接合する一方の面にピン接続用のパッド１６が形成され、他方の面に半導体素子を接合するパッド１７が形成されている。 As a PGA type semiconductor package, there is a product formed by bonding a substrate with a pin to a wiring substrate as shown in FIG. 7A shows a state in which the pinned substrate 20 is aligned with the wiring substrate 10, and FIG. 7B shows a semiconductor package 30 formed by bonding the pinned substrate 20 to the wiring substrate 10. FIG. The wiring board 10 in the illustrated example is a build-up board in which a wiring pattern 12 and a via 14 are formed in an inner layer, and a pin connection pad 16 is formed on one surface to which the pinned substrate 20 is bonded, and the other surface is formed. Pads 17 for joining the semiconductor elements are formed.
ピン付き基板２０は、配線基板１０に形成されたパッド１６に接合されるピン２２が、薄平板状に形成された基板２４に支持されて形成されている。ピン２２のヘッド部２２ａは、配線基板１０のパッド１６と同一の平面配置に設けられ、パッド１６に供給されたはんだ１８により、ヘッド部２２ａをピン接続用のパッド１６に接合して半導体パッケージ３０が形成される。 The substrate with pins 20 is formed by supporting pins 22 to be bonded to the pads 16 formed on the wiring substrate 10 on a substrate 24 formed in a thin flat plate shape. The head portion 22a of the pin 22 is provided in the same planar arrangement as the pad 16 of the wiring substrate 10, and the semiconductor portion 30 is bonded to the pin connection pad 16 by the solder 18 supplied to the pad 16. Is formed.
ところで、近年はきわめて薄型の半導体パッケージが提供されるようになっており、配線基板にピン付き基板を接合して形成される半導体パッケージにおいては、厚さが１ｍｍ以下といったきわめて薄い配線基板が用いられるようになってきた。このように配線基板が薄くなると、配線基板自体の強度が低下し、配線基板が反ってしまうといった問題が生じることから、ピン付き基板によって配線基板を補強して半導体パッケージの反りを抑えるといったことが検討されている。 Incidentally, in recent years, an extremely thin semiconductor package has been provided. In a semiconductor package formed by bonding a substrate with a pin to a wiring substrate, a very thin wiring substrate having a thickness of 1 mm or less is used. It has become like this. If the wiring board is thinned in this way, the strength of the wiring board itself is reduced and the wiring board is warped. Therefore, the wiring board is reinforced by a substrate with pins to suppress warping of the semiconductor package. It is being considered.
なお、PGA型の半導体パッケージとして、配線基板とは別個にピン付き基板を用意し、ピン付き基板を配線基板に接合して構成した半導体パッケージが提案されている（たとえば、特許文献１、２参照）。
ところで、PGA型の半導体パッケージをソケットに装着する際には、ソケットに設けられている枠形のセット部に半導体パッケージを挿入するようにして装着する。セット部の下側には、ピンと接触するコンタクトがピンの平面配置に合わせて配置されたベースプレートが設けられている。半導体パッケージをセット部に装着する際には、セット部の内側面で半導体パッケージの外形位置をガイドするようにして装着する。セット部の内側面に、半導体パッケージの外側面に接して位置合わせするガイド突起が設けられている場合もある。 By the way, when mounting a PGA type semiconductor package on a socket, the semiconductor package is mounted so as to be inserted into a frame-shaped set portion provided on the socket. A base plate is provided on the lower side of the set portion in which contacts that contact the pins are arranged in accordance with the planar arrangement of the pins. When the semiconductor package is mounted on the set part, the semiconductor package is mounted so that the outer position of the semiconductor package is guided by the inner surface of the set part. In some cases, a guide protrusion is provided on the inner side surface of the set portion so as to be in contact with the outer surface of the semiconductor package.
このように、半導体パッケージをソケットに装着する際には、セット部の内側面に半導体パッケージを外形合わせして装着するから、PGA型の半導体パッケージでは、パッケージ本体の外形形状（外形寸法）を正確に形成する必要がある。
配線基板自体が厚く形成され、配線基板に貫設したピン装着孔にピンを差し込んで形成した従前のPGA型の半導体パッケージでは、配線基板自体の外形寸法を規定することによって半導体パッケージを位置決めすることができる。これに対して、図７に示す半導体パッケージ３０では、配線基板１０とピン付き基板２０の外形形状を一致させ、配線基板１０とピン付き基板２０とを位置合わせして接合し、半導体パッケージをソケットに装着する際には、配線基板１０の外側面とピン付き基板２０の外側面をガイド位置（位置決め位置）として装着される。
In this way, when mounting a semiconductor package in a socket, the semiconductor package is mounted on the inner surface of the set part with its outer shape aligned, so in the case of a PGA type semiconductor package, the package body's outer shape (outer dimensions) is accurate. Need to be formed.
In the former PGA type semiconductor package, where the wiring board itself is formed thick and the pins are inserted into the pin mounting holes provided in the wiring board, the semiconductor package is positioned by defining the external dimensions of the wiring board itself. Can do. On the other hand, in the semiconductor package 30 shown in FIG. 7, the external shapes of the wiring substrate 10 and the pinned substrate 20 are matched, the wiring substrate 10 and the pinned substrate 20 are aligned and joined, and the semiconductor package is socketed. When mounted on the board, the outer surface of the wiring substrate 10 and the outer surface of the substrate with pins 20 are mounted as guide positions (positioning positions).
配線基板１０とピン付き基板２０とをはんだ接合する際には、配線基板１０とピン付き基板２０とを支持治具に支持し、支持治具により配線基板１０とピン付き基板２０とを位置合わせした状態ではんだリフロー装置中を移送させて接合する。このはんだ接合操作では、配線基板１０とピン付き基板２０とは位置ずれしないとは限らないから、配線基板１０とピン付き基板２０の外形寸法を高精度に形成したとしても、半導体パッケージ３０の外形寸法がばらつくことが避けられない。半導体パッケージ３０の外形寸法のばらつきは、はんだ付けによる位置ずれと、配線基板１０およびピン付き基板２０の製造公差が重畳されたものとなる。 When soldering the wiring substrate 10 and the pinned substrate 20 to each other, the wiring substrate 10 and the pinned substrate 20 are supported by a supporting jig, and the wiring substrate 10 and the pinned substrate 20 are aligned by the supporting jig. In this state, the solder reflow device is transferred and joined. In this soldering operation, the wiring substrate 10 and the pinned substrate 20 are not necessarily displaced. Therefore, even if the outer dimensions of the wiring substrate 10 and the pinned substrate 20 are formed with high accuracy, the outer shape of the semiconductor package 30 is not limited. It is inevitable that the dimensions vary. The variation in the external dimensions of the semiconductor package 30 is a result of superposition of positional deviation due to soldering and manufacturing tolerances of the wiring substrate 10 and the substrate with pins 20.
本発明は、配線基板とピン付き基板とを接合して形成される半導体パッケージをソケットに装着する際に、半導体パッケージを確実にソケットに装着することを可能にする半導体パッケージの実装構造およびこの実装構造に好適に用いられる半導体パッケージを提供することを目的とする。 The present invention relates to a semiconductor package mounting structure that enables a semiconductor package to be securely attached to a socket when the semiconductor package formed by joining a wiring board and a substrate with pins is attached to the socket. An object of the present invention is to provide a semiconductor package suitably used for a structure.
上記目的を達成するために、本発明は次の構成を備える。
すなわち、ピン接続用のパッドが形成された配線基板と、ピンが取り付けられたピン付き基板とが接合されて形成された半導体パッケージを、前記ピンと電気的に接続されるコンタクトが設けられたソケットに挿入して装着する半導体パッケージの実装構造であって、前記ソケットには、前記半導体パッケージが収容されるセット凹部が設けられ、前記半導体パッケージは、前記ピン付き基板が前記配線基板よりも外形形状が大きく、かつ前記ピン付き基板の外側面が前記配線基板の外側面よりも外側に延出して形成され、前記セット凹部の内側面に前記ピン付き基板の外側面がガイドされて半導体パッケージが前記ソケットに装着されていることを特徴とする。
なお、半導体パッケージをガイドしてセットするセット凹部の内側面は半導体パッケージを位置決めする作用をなすものであり、単に平坦面に形成する他に、半導体パッケージの外形位置を位置決めするガイド突起などのガイド部が形成されている場合を含む。
In order to achieve the above object, the present invention comprises the following arrangement.
That is, a semiconductor package formed by bonding a wiring board on which a pin connection pad is formed and a substrate with a pin to which a pin is attached is connected to a socket provided with a contact electrically connected to the pin. A mounting structure of a semiconductor package to be inserted and mounted, wherein the socket is provided with a set recess for accommodating the semiconductor package, and the semiconductor package has an outer shape of the substrate with pins than the wiring substrate. large and the outer surface of the pin with the substrate is formed to extend outward from the outer surface of the wiring board, the set concave outer surface of the pin with the substrate on the inner surface is guided in a semiconductor package wherein the socket It is equipped with.
The inner surface of the set recess for guiding and setting the semiconductor package serves to position the semiconductor package. In addition to simply forming the semiconductor package on a flat surface, guides such as guide protrusions for positioning the outer position of the semiconductor package are provided. Including the case where the part is formed.
また、ピン接続用のパッドが形成された配線基板と、ピンが取り付けられたピン付き基板とが接合された半導体パッケージであって、前記ピン付き基板が前記配線基板よりも外形形状が大きく、かつ前記ピン付き基板の外側面が前記配線基板の外側面よりも外側に延出して形成されていることを特徴とする。ピン付き基板の外側面を位置決めに利用することによって、配線基板とピン付き基板を接合する際の位置ずれ量に関わりなく正確に位置決めすることができる。 Further, a semiconductor package in which a wiring board on which pads for pin connection are formed and a board with pins to which pins are attached is joined, wherein the board with pins has a larger outer shape than the wiring board, and wherein the outer surface of the pin-bearing substrate is formed extending outward from the outer surface of the wiring board. By using the outer surface of the substrate with pins for positioning, positioning can be performed accurately regardless of the amount of misalignment when the wiring substrate and the substrate with pins are joined .
前記ピン付き基板は、樹脂成形によって形成された樹脂基板に一体に前記ピンが立設されて形成されていることにより、ピン付き基板の外形形状の精度が向上し、さらに正確な位置決めがなされる。The pin-equipped substrate is formed by standing up the pins integrally with a resin substrate formed by resin molding, so that the accuracy of the outer shape of the pin-equipped substrate is improved and more accurate positioning is performed. .
また、前記樹脂基板の一方の面から前記ピンの一端部が露出し、前記樹脂基板の他方の面から前記ピンの他端部が延出し、前記ピンの一端部が、前記配線基板のピン接続用のパッドに接合されている。Also, one end of the pin is exposed from one surface of the resin substrate, the other end of the pin extends from the other surface of the resin substrate, and the one end of the pin is connected to the pin of the wiring substrate. It is joined to the pad for.
また、前記ピンの一端部にヘッド部が形成され、前記ヘッド部の端面が、前記樹脂基板の一方の面に面一に露出しており、前記ヘッド部の端面が、前記配線基板のピン接続用のパッドに接合されている。A head portion is formed at one end of the pin, an end surface of the head portion is exposed flush with one surface of the resin substrate, and an end surface of the head portion is connected to the pin of the wiring substrate. It is joined to the pad for.
本発明に係る半導体パッケージの実装構造によれば、半導体パッケージをソケットに装着する際に、ピン付き基板の外側面をソケットに形成されたセット凹部の内側面によってガイドして装着されることから、ピン付き基板の製造公差のみによってソケットに対する半導体パッケージの位置ずれが規制され、半導体パッケージをより高精度にソケットに位置決めして装着することが可能になる。
According to the mounting structure of a semiconductor package according to the present invention, a semiconductor package in mounting the socket, the outer side surface of the pin with the substrate from being attached to the guide by the inner surface of the concave portion set formed in the socket , positional displacement of the semiconductor package for the socket only by manufacturing tolerances of the pin with the substrate is restricted, comprising a semiconductor package with high accuracy can be mounted to position the socket.
以下、本発明に係る半導体パッケージの実装構造および半導体パッケージの好適な実施の形態について添付図面とともに詳細に説明する。
（半導体パッケージ）
図１は、本発明に係る半導体パッケージの第１の実施の形態の構成を示す断面図である。図１に示す半導体パッケージ４０は、図７（ｂ）に示す半導体パッケージ３０と同様に、配線基板１０とピン付き基板２５とを接合して形成されている。本実施の形態の半導体パッケージ４０において特徴的な構成は、ピン付き基板２５の外形寸法を配線基板１０の外形寸法よりも大きく設定し、ピン付き基板２５の外側面（「外周側面」ともいう）が配線基板１０の外側面（「外周側面」ともいう）よりも外側に位置する平面位置関係としたことにある。
Hereinafter, a semiconductor package mounting structure and a preferred embodiment of a semiconductor package according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
(Semiconductor package)
FIG. 1 is a cross-sectional view showing the configuration of a first embodiment of a semiconductor package according to the present invention. The semiconductor package 40 shown in FIG. 1 is formed by bonding the wiring substrate 10 and the pinned substrate 25 in the same manner as the semiconductor package 30 shown in FIG. 7B. A characteristic configuration of the semiconductor package 40 of the present embodiment is that the outer dimension of the substrate 25 with pins is set larger than the outer dimension of the wiring substrate 10, and the outer surface (also referred to as “outer peripheral surface”) of the substrate 25 with pins. Is the planar positional relationship located outside the outer surface (also referred to as “outer peripheral side surface”) of the wiring board 10.
配線基板１０の構成は図７に示す配線基板１０と同様であり、複数層に積層して絶縁層１３と配線パターン１２（配線層）が形成され、絶縁層１３に層間で配線パターン１２を電気的に接続するビア１４が形成されている。配線基板１０のピン付き基板２５が接合される一方の面は、ピン２２のヘッド部２２ａが接合されるピン接続用のパッド１６を露出させてソルダーレジスト層１５ａによって被覆され、配線基板１０の他方の面は半導体素子と電気的に接続されるパッド１７を露出させてソルダーレジスト層１５ｂによって被覆されている。本実施形態の配線基板１０はビルドアップ法によって形成したコアレス基板であるが、配線基板１０の製造方法や配線基板１０に形成する配線パターン１２の積層数等が限定されるものではない。 The configuration of the wiring board 10 is the same as that of the wiring board 10 shown in FIG. 7, and an insulating layer 13 and a wiring pattern 12 (wiring layer) are formed by being laminated in a plurality of layers, and the wiring pattern 12 is electrically connected to the insulating layer 13 between the layers. The vias 14 are connected to each other. One side of the wiring board 10 to which the pinned substrate 25 is bonded is covered with the solder resist layer 15a by exposing the pin connection pad 16 to which the head portion 22a of the pin 22 is bonded. This surface is covered with a solder resist layer 15b with the pads 17 electrically connected to the semiconductor element exposed. The wiring board 10 of the present embodiment is a coreless board formed by a build-up method, but the manufacturing method of the wiring board 10, the number of laminated wiring patterns 12 formed on the wiring board 10 are not limited.
ピン付き基板２５も図７に示したピン付き基板２０と同様に、配線基板１０に形成されたパッド１６と同一の平面配置にピン２２を配列したものである。本実施の形態のピン付き基板２５は、両面を平坦面として樹脂成形によって形成された樹脂基板２６と一体にピン２２を立設して形成されている。ピン２２は一端部に形成されたヘッド部２２ａの端面（頂部面）が配線基板１０に対向する側の樹脂基板２６の面に面一に露出するように取り付けられ、ピン２２の他端部は樹脂基板２６から下方に延出する。 Similarly to the pinned substrate 20 shown in FIG. 7, the pinned substrate 25 has pins 22 arranged in the same plane arrangement as the pads 16 formed on the wiring substrate 10. The substrate with pins 25 of the present embodiment is formed by standing the pins 22 integrally with a resin substrate 26 formed by resin molding with both surfaces being flat surfaces. The pin 22 is attached so that the end surface (top surface) of the head portion 22a formed at one end is exposed flush with the surface of the resin substrate 26 on the side facing the wiring substrate 10, and the other end of the pin 22 is It extends downward from the resin substrate 26.
図１に示す半導体パッケージ４０は、配線基板１０に形成されたピン接続用のパッド１６にはんだ１８を供給し、配線基板１０とピン付き基板２５とを位置合わせし、はんだリフロー工程により、配線基板１０とピン付き基板２５とをはんだ接合して形成される。もちろん、配線基板１０とピン付け基板２５とを接合する接合材としてははんだ以外の導電シート等を含む導電材を使用することができる。 The semiconductor package 40 shown in FIG. 1 supplies the solder 18 to the pin connection pad 16 formed on the wiring substrate 10, aligns the wiring substrate 10 and the pinned substrate 25, and performs the solder reflow process to perform the wiring substrate. 10 and the pinned substrate 25 are formed by soldering. Of course, as a bonding material for bonding the wiring substrate 10 and the pinned substrate 25, a conductive material including a conductive sheet other than solder can be used.
（半導体パッケージの実装構造）
図２、３は、半導体パッケージ４０に半導体素子１００を搭載した半導体装置をソケット５０に装着する半導体パッケージの実装構造の例を示す。半導体装置は半導体パッケージ４０に半導体素子１００をフリップチップ接続によって搭載した例を示す。ソケット５０は、半導体パッケージ４０の本体部分を収容するセット部５２とコンタクト５４が形成されたベースプレート５６とを備える。
セット部５２には半導体パッケージ４０の配線基板１０とピン付き基板２５とを収容するセット凹部５２ａと、ピン２２を挿通するピン挿通孔５２ｂが設けられている。ピン挿通孔５２ｂは半導体パッケージ４０に取り付けられたピン２２と同一の平面配置に設けられ、ピン２２の外径よりも若干大径に形成されている。ベースプレート５６に設けられたコンタクト５４はセット凹部５２ａに半導体パッケージ４０を挿入した状態でピン２２の先端が接触して電気的導通がとられる。
(Semiconductor package mounting structure)
2 and 3 show examples of the mounting structure of the semiconductor package in which the semiconductor device having the semiconductor element 100 mounted on the semiconductor package 40 is mounted in the socket 50. FIG. The semiconductor device shows an example in which a semiconductor element 100 is mounted on a semiconductor package 40 by flip chip connection. The socket 50 includes a set portion 52 that accommodates a main body portion of the semiconductor package 40 and a base plate 56 on which contacts 54 are formed.
The set portion 52 is provided with a set recess 52 a for accommodating the wiring substrate 10 and the pinned substrate 25 of the semiconductor package 40 and a pin insertion hole 52 b for inserting the pin 22. The pin insertion hole 52 b is provided in the same planar arrangement as the pin 22 attached to the semiconductor package 40, and has a diameter slightly larger than the outer diameter of the pin 22. The contact 54 provided on the base plate 56 is electrically connected to the tip of the pin 22 in a state where the semiconductor package 40 is inserted into the set recess 52a.
図２は、ソケット５０に半導体パッケージ４０を挿入開始した状態を示す。ソケット５０のセット部５２に形成されているセット凹部５２ａは半導体パッケージ４０を外形合わせして位置決めする作用をなす。本実施形態の半導体パッケージ４０においてはピン付き基板２５が配線基板１０よりも外形寸法が大きく、ピン付き基板２５の外側面が配線基板１０の外側面よりも外側に延出する形態に形成されているから、セット凹部５２ａはピン付き基板２５の外側面の寸法に合わせて形成される。すなわち、ソケット５０のセット凹部５２ａは、ピン付き基板２５の外形形状に合わせた平面形状に形成され、半導体パッケージ４０をソケット５０に装着する際に、ピン付き基板２５の外側面がセット凹部５２ａの内側面５２ｃによってガイドされて装着されるように設けられる。 FIG. 2 shows a state in which the semiconductor package 40 has started to be inserted into the socket 50. The set recess 52a formed in the set portion 52 of the socket 50 serves to position the semiconductor package 40 by matching the outer shape. In the semiconductor package 40 of the present embodiment, the pinned substrate 25 has a larger outer dimension than the wiring substrate 10, and the outer surface of the pinned substrate 25 is formed to extend outward from the outer surface of the wiring substrate 10. Therefore, the set recess 52a is formed in accordance with the dimension of the outer surface of the pinned substrate 25. That is, the set recess 52 a of the socket 50 is formed in a planar shape that matches the outer shape of the pinned substrate 25, and when the semiconductor package 40 is mounted on the socket 50, the outer surface of the pinned substrate 25 is the set recess 52 a. It is provided so as to be guided and mounted by the inner side surface 52c.
ソケット５０に半導体パッケージ４０を装着する際には、図２に示すように、セット凹部５２ａの内側面５２ｃにピン付き基板２５の外側面を摺接させるようにして挿入してセットする。セット凹部５２ａにピン付き基板２５を挿入開始した時点では、ピン２２の先端がピン挿通孔５２ｂにまで達しないようにし、ピン付き基板２５の外側面がセット凹部５２ａの内側面５２ｃにガイドされて位置決めされてさらに挿入されたところでピン挿通孔５２ｂにピン２２の先端が挿入されるようにする。これによって、セット凹部５２ａにピン付き基板２５が確実に位置決めされたところでピン２２がピン挿通孔５２ｂに挿入される。ピン挿通孔５２ｂはピン２２の位置精度のばらつきを考慮してピン２２の外径よりも若干大径に形成されているから確実にピン２２をピン挿通孔５２ｂに挿入することができる。 When the semiconductor package 40 is attached to the socket 50, as shown in FIG. 2, the semiconductor package 40 is inserted and set so that the outer surface of the pinned substrate 25 is in sliding contact with the inner surface 52c of the set recess 52a. When the insertion of the pinned substrate 25 into the set recess 52a is started, the tip of the pin 22 is prevented from reaching the pin insertion hole 52b, and the outer surface of the pinned substrate 25 is guided by the inner surface 52c of the set recess 52a. When it is positioned and further inserted, the tip of the pin 22 is inserted into the pin insertion hole 52b. As a result, the pin 22 is inserted into the pin insertion hole 52b when the substrate 25 with the pin is reliably positioned in the set recess 52a. The pin insertion hole 52b is formed with a slightly larger diameter than the outer diameter of the pin 22 in consideration of variations in the positional accuracy of the pin 22, so that the pin 22 can be reliably inserted into the pin insertion hole 52b.
図３は、ソケット５０のセット凹部５２ａにピン付き基板２５の下面が当接した状態で、ソケット５０に半導体パッケージ４０が装着された状態を示す。ピン２２はピン挿通孔５２ｂを通過して、ベースプレート５６に設けられたコンタクト５４に接触する位置まで挿入されている。ピン付き基板２５がセット凹部５２ａの内側面５２ｃにガイドされることにより、半導体パッケージ４０の位置ずれが防止され、半導体パッケージ４０のピン２２をコンタクト５４に確実に接触させることができる。
配線基板１０はピン付き基板２５よりも外形寸法が小さく形成され、外側面はピン付き基板２５の外側面よりも内側に位置しているから、セット凹部５２ａの内側面５２ｃと配線基板１０とが干渉することはない。
FIG. 3 shows a state where the semiconductor package 40 is mounted on the socket 50 in a state where the lower surface of the pinned substrate 25 is in contact with the set recess 52 a of the socket 50. The pin 22 passes through the pin insertion hole 52 b and is inserted to a position where it contacts a contact 54 provided on the base plate 56. Since the substrate 25 with pins is guided by the inner side surface 52c of the set recess 52a, the positional deviation of the semiconductor package 40 is prevented, and the pins 22 of the semiconductor package 40 can be reliably brought into contact with the contacts 54.
Since the wiring board 10 is formed to have an outer dimension smaller than that of the substrate 25 with pins, and the outer surface is located on the inner side of the outer surface of the substrate 25 with pins, the inner surface 52c of the set recess 52a and the wiring substrate 10 are There is no interference.
このように本実施形態の半導体パッケージ４０をソケット５０に実装する実装構造においては、ピン付き基板２５の外形形状、具体的にはピン付き基板２５を構成する樹脂基板２６の外側面を位置決め位置としてソケット５０に装着される。
ピン付き基板２５の外側面の位置をソケット５０に対する位置決め位置（ガイド位置）として半導体パッケージ４０をソケット５０に装着する方法によれば、半導体パッケージ４０のピン位置のずれ量は、ピン付き基板２５を製造する際の公差（ピン付き基板２５の外形形成精度、ピン位置精度）のみによって規定され、従来のような、配線基板１０とピン付き基板２０とを接合する際の位置ずれや、配線基板１０とピン付き基板２０の製造公差が重畳的に位置ずれに作用するという問題が解消される。
As described above, in the mounting structure in which the semiconductor package 40 of this embodiment is mounted on the socket 50, the outer shape of the substrate 25 with pins, specifically, the outer surface of the resin substrate 26 constituting the substrate 25 with pins is used as a positioning position. Mounted on the socket 50.
According to the method of mounting the semiconductor package 40 on the socket 50 with the position of the outer surface of the pinned substrate 25 as a positioning position (guide position) with respect to the socket 50, the amount of deviation of the pin position of the semiconductor package 40 is determined by It is defined only by tolerances at the time of manufacturing (accuracy of forming the pinned substrate 25, pin position accuracy), and the conventional positional deviation when the wiring substrate 10 and the pinned substrate 20 are joined, and the wiring substrate 10 And the problem that the manufacturing tolerance of the board | substrate 20 with a pin acts on position shift in a superimposed manner is eliminated.
なお、本実施形態の半導体パッケージ４０では、ピン付け基板２５の外側面を半導体パッケージ４０の位置決めに利用するから、配線基板１０とピン付け基板２５を接合した際に位置ずれしても、配線基板１０の外側面がピン付け基板２５の外側面よりも外側に突出しないようにする必要がある。このため、ピン付き基板２５と配線基板１０の外形寸法の差分を設定する際には、配線基板１０とピン付き基板２５とを接合する際に生じ得る最大の位置ずれ量よりも差分が大きくなるように設定する必要がある。
本実施形態の半導体パッケージ４０のように、ピン付き基板２５よりも配線基板１０を小型に形成する場合には、ピン付き基板２５の大きさには拘わらずに配線基板１０の小型化を図ることができるという利点もある。
In the semiconductor package 40 of the present embodiment, the outer surface of the pinned substrate 25 is used for positioning the semiconductor package 40. Therefore, even when the wiring substrate 10 and the pinned substrate 25 are joined, the wiring substrate outer surface 10 there is a need to prevent protrudes outside the outer surface of the pin with the substrate 25. For this reason, when setting the difference between the external dimensions of the substrate with pin 25 and the wiring substrate 10, the difference becomes larger than the maximum amount of positional deviation that can occur when the wiring substrate 10 and the substrate with pin 25 are joined. It is necessary to set as follows.
When the wiring substrate 10 is formed smaller than the pinned substrate 25 as in the semiconductor package 40 of the present embodiment, the wiring substrate 10 can be downsized regardless of the size of the pinned substrate 25. There is also an advantage of being able to.
（ピン付き基板の製造方法）
図４は、本実施形態で使用しているピン付き基板２５の製造方法を示す。ピン付き基板２５は前述したように樹脂成形によって形成した樹脂基板２６にピン２２を一体的に立設して形成されている。樹脂成形によってピン付き基板２５を形成するには、図４（ａ）に示すように、モールド用の金型の下型６０にピン２２をセットし、図４（ｂ）に示すように、上型６２と下型６０とでピン２２をクランプし、キャビティ６６に樹脂を充填して樹脂成形すればよい（図４（ｃ））。
(Manufacturing method of substrate with pins)
FIG. 4 shows a method of manufacturing the pinned substrate 25 used in this embodiment. As described above, the pin-equipped substrate 25 is formed by integrally standing the pins 22 on the resin substrate 26 formed by resin molding. In order to form the pinned substrate 25 by resin molding, as shown in FIG. 4A, the pins 22 are set on the lower mold 60 of the mold for molding, and as shown in FIG. The pin 22 may be clamped by the mold 62 and the lower mold 60, and the resin may be molded by filling the cavity 66 with resin (FIG. 4C).
図４（ａ）に示すように、下型６０には、ピン付き基板２５におけるピン２２の平面配置に合わせてピン２２をセットするセット穴６０ａを形成する。セット穴６０ａはピン２２の軸部が摺入される内径に形成され、ピン２２をセットした状態でヘッド部２２ａが下型６０の平坦面に形成された成形面６０ｂから上方に突出するようにセット穴６０ａの深さを設定する。下型６０の成形面６０ｂから上方に突出するピン２２の突出部分が樹脂基板２６の厚さに相当する部分となる。 As shown in FIG. 4A, a set hole 60a for setting the pin 22 is formed in the lower mold 60 in accordance with the planar arrangement of the pin 22 in the substrate 25 with the pin. The set hole 60a is formed to have an inner diameter into which the shaft portion of the pin 22 is slid, and the head portion 22a protrudes upward from a molding surface 60b formed on the flat surface of the lower mold 60 with the pin 22 set. The depth of the set hole 60a is set. The protruding portion of the pin 22 protruding upward from the molding surface 60 b of the lower mold 60 is a portion corresponding to the thickness of the resin substrate 26.
図４（ｂ）に示すように、上型６２には樹脂が充填されるキャビティ６６を構成するための凹部が形成され、凹部の内底面６２ａ（下型６０の成形面６０ｂに対向する面）は平坦面に形成されている。上型６２の凹部内面はモールド用のフィルム６４によって被覆され、上型６２と下型６０とでピン２２をクランプすることによってキャビティ６６が形成され、その際にピン２２のヘッド部２２ａの端面（頂部面）がフィルム６４に接触するように設定する。 As shown in FIG. 4B, the upper mold 62 is formed with a recess for forming a cavity 66 filled with resin, and the inner bottom surface 62a of the recess (the surface facing the molding surface 60b of the lower mold 60). Is formed on a flat surface. The inner surface of the concave portion of the upper die 62 is covered with a molding film 64, and the cavity 22 is formed by clamping the pin 22 with the upper die 62 and the lower die 60. At this time, the end surface (the end surface of the head portion 22a of the pin 22 ( Set so that the top surface contacts the film 64.
モールド用のフィルム６４には、モールド金型の加熱温度に耐えられる耐熱性を有し、金型面および樹脂から容易に剥離し、樹脂成形用の凹部の内面にならって容易に変形する柔軟性および伸展性を有する材料、たとえばPTFE、ETFE、PET、FEPフィルム、フッ素含浸ガラスクロス、ポリプロピレンフィルム、ポリ塩化ビニリジン等が用いられる。また、フィルム６４を凹部の内面にならうように上型６２にエア吸着して支持した後、キャビティ６６を減圧して樹脂７０を充填することによって、樹脂中にボイドが混入することを防止して樹脂成形することができる。 The mold film 64 has heat resistance that can withstand the heating temperature of the mold, and is easily peeled off from the mold surface and the resin and is easily deformed according to the inner surface of the resin molding recess. In addition, materials having extensibility, such as PTFE, ETFE, PET, FEP film, fluorine-impregnated glass cloth, polypropylene film, polyvinyl chloride, etc. are used. Further, after the film 64 is supported by air adsorbing to the upper mold 62 so as to follow the inner surface of the recess, the cavity 66 is decompressed and filled with the resin 70 to prevent the voids from being mixed into the resin. Resin molding.
図４（ｃ）は、キャビティ６６に樹脂７０を充填して樹脂成形している状態である。樹脂７０は上型６２に設けられたゲート６２ｂからキャビティ６６に充填され、熱硬化される。ピン２２のヘッド部２２ａの端面がモールド用のフィルム６４によって被覆され、樹脂成形時にヘッド部２２ａの端面に樹脂７０が侵入することが防止され、樹脂成形によって形成される樹脂基板２６の上面と面一にヘッド部２２ａの端面が露出した状態で樹脂成形される。 FIG. 4C shows a state in which the cavity 66 is filled with a resin 70 and molded. The resin 70 is filled into the cavity 66 from the gate 62b provided in the upper mold 62 and is thermally cured. The end surface of the head portion 22a of the pin 22 is covered with a molding film 64, and the resin 70 is prevented from entering the end surface of the head portion 22a during resin molding, and the upper surface and surface of the resin substrate 26 formed by resin molding. First, resin molding is performed with the end surface of the head portion 22a exposed.
本実施形態のピン付き基板２５のように、樹脂成形によって形成する樹脂基板２６は、配線基板１０と同等もしくはそれ以上に外形寸法（外形精度）を高精度に規定することが可能であり、本実施形態の半導体パッケージ４０のように、ピン付き基板２５の外形位置を基準としてソケット５０に装着して実装する製品に好適に利用することができる。
また、樹脂成形方法を利用してピン付き基板２５を製造する方法は、所定の強度を有する樹脂材、たとえばエポキシ系の樹脂あるいはエポキシ系の樹脂に補強用にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を使用することによって、配線基板１０を補強する効果的な作用を得ることができる。また、樹脂基板２６の厚さを選択することによってピン付き基板２５の強度を調節することも可能である。また、樹脂基板２６の外面に面一にヘッド部２２ａの端面を露出させる形態に形成することによって、ピン付き基板２５の薄形化を図ることができる。
Like the pinned substrate 25 of the present embodiment, the resin substrate 26 formed by resin molding can define the outer dimensions (outer accuracy) to be equal to or higher than the wiring substrate 10 with high accuracy. Like the semiconductor package 40 of the embodiment, it can be suitably used for a product that is mounted and mounted on the socket 50 on the basis of the outer position of the pinned substrate 25.
The method of manufacturing the pinned substrate 25 using the resin molding method is to mix a filler such as silica or alumina into a resin material having a predetermined strength, for example, an epoxy resin or an epoxy resin for reinforcement. By using the resin material, an effective action of reinforcing the wiring board 10 can be obtained. It is also possible to adjust the strength of the pinned substrate 25 by selecting the thickness of the resin substrate 26. Further, by forming the end surface of the head portion 22a so as to be flush with the outer surface of the resin substrate 26, the pinned substrate 25 can be thinned.
（半導体パッケージの他の構成例）
図５に、本発明に係る半導体パッケージの第２の実施の形態の構成を示す。本実施形態の半導体パッケージ４１も図１に示す半導体パッケージ４０と同様に、配線基板にピン付き基板を接合して構成される。第１の実施の形態の半導体パッケージは配線基板１０の外形寸法にくらべてピン付き基板２５の外形寸法を大きく設定し、配線基板１０とピン付き基板２５とを接合した状態で、ピン付き基板２５の外側面が配線基板１０の外側面よりも外側に延出する形態としたのに対して、本実施形態の半導体パッケージ４１では配線基板１０の外形寸法をピン付き基板２５の０外形寸法よりも大きく設定し、配線基板１０とピン付き基板２５とを接合した状態で、配線基板１０の外側面がピン付き基板２５の外側面よりも外側に延出するように構成したことを特徴とする。
(Other configuration examples of semiconductor packages)
FIG. 5 shows the configuration of the second embodiment of the semiconductor package according to the present invention. Similarly to the semiconductor package 40 shown in FIG. 1, the semiconductor package 41 of this embodiment is configured by bonding a substrate with a pin to a wiring substrate. In the semiconductor package of the first embodiment, the external dimensions of the pinned substrate 25 are set larger than the external dimensions of the wiring substrate 10, and the pinned substrate 25 is bonded to the wiring substrate 10 and the pinned substrate 25. respect of the outer surface is a form extending outwardly from the outer surface of the wiring substrate 10, than zero external dimensions of the pin with the substrate 25 the outer dimensions of the semiconductor package 41 in the wiring board 10 of this embodiment set large, while bonding the wiring substrate 10 and the pin with the substrate 25, characterized in that the outer surface of the wiring board 10 is configured to extend outward from the outer surface of the pin with the substrate 25.
本実施形態の半導体パッケージ４１における配線基板１０およびピン付き基板２５の構成は第１の実施の形態における配線基板１０およびピン付き基板２５の構成と変わらないので、各部の構成についての説明は省略する。
半導体パッケージ４１では、配線基板１０の外側面がピン付き基板２５の外側面よりも外側に延出しているから、図６に示すように、半導体パッケージ４１に半導体素子１００を搭載して形成した半導体装置をソケット５０に装着する際には、配線基板１０のみが半導体パッケージ４１をソケット５０に対して位置決めする作用をなす。
Since the configurations of the wiring substrate 10 and the pinned substrate 25 in the semiconductor package 41 of the present embodiment are the same as the configurations of the wiring substrate 10 and the pinned substrate 25 in the first embodiment, description of the configuration of each part is omitted. .
In the semiconductor package 41, because the outer surface of the wiring board 10 is extended outward from the outer surface of the pin with the substrate 25, as shown in FIG. 6, the semiconductor formed by mounting a semiconductor element 100 on the semiconductor package 41 When the device is mounted in the socket 50, only the wiring substrate 10 serves to position the semiconductor package 41 with respect to the socket 50.
図６では、配線基板１０の外側面がソケット５０のセット凹部５２ａの内側面５２ｃに摺接して挿入されることによって、半導体パッケージ４１がソケット５０に位置決めされることを示す。この場合に、ピン付き基板２５の外側面はセット凹部５２ａの内側面５２ｃからは離間し、内側面５２ｃとは干渉しない位置にある。
半導体パッケージ４１はセット凹部５２ａに配線基板１０を位置決めして挿入されることにより、セット部５２に形成されたピン挿通孔５２ｂにピン２２が位置決めされて挿入され、ベースプレート５６に設けられたコンタクト５４にピン２２が挿入されて電気的な導通がとられる。
6 shows that the semiconductor package 41 is positioned in the socket 50 by inserting the outer surface of the wiring substrate 10 into sliding contact with the inner surface 52c of the set recess 52a of the socket 50. FIG. In this case, the outer side surface of the substrate 25 with pins is separated from the inner side surface 52c of the set recess 52a and is in a position where it does not interfere with the inner side surface 52c.
The semiconductor package 41 is inserted with the wiring substrate 10 positioned and inserted into the set recess 52 a, whereby the pin 22 is positioned and inserted into the pin insertion hole 52 b formed in the set portion 52, and the contact 54 provided on the base plate 56. The pin 22 is inserted into the electrical connection to establish electrical continuity.
配線基板１０の製造工程においては、大判のワークについて所要の配線パターンを形成する等の工程の後に、スライサーによってワークから個片の製品として切り出しする。ワークを切り出しする際の切り出し位置は、ワークに設けられたマーキング位置を基準としてなされ、個片に形成された配線基板１０の側面位置（外形寸法）は１００μｍ以下といった高精度の単位で設定することが可能である。
第１の実施の形態における場合と同様に、本実施形態では、配線基板１０の外形位置を基準位置として半導体パッケージ４１がソケット５０に位置決めされて装着されるから、半導体パッケージ４１の位置決め精度は配線基板１０の精度によって規定され、ピン付き基板２５との相互位置による位置ずれを解消して装着することができる。
In the manufacturing process of the wiring substrate 10, after a process of forming a required wiring pattern for a large-sized workpiece, the product is cut out from the workpiece as an individual product. The cutting position when cutting the workpiece is made with reference to the marking position provided on the workpiece, and the side surface position (outside dimension) of the wiring board 10 formed on the individual piece is set in a highly accurate unit such as 100 μm or less. Is possible.
As in the case of the first embodiment, in this embodiment, the semiconductor package 41 is positioned and mounted on the socket 50 with the outer position of the wiring board 10 as a reference position. It is defined by the accuracy of the substrate 10 and can be mounted by eliminating the positional shift caused by the mutual position with the substrate 25 with pins.
なお、ソケット５０に半導体パッケージ４０、４１を装着する場合に、ピン付き基板２５を基準として装着する第１の実施の形態においては、ピン２２の位置精度はピン付き基板２５の製造公差によるのに対して、配線基板１０の外形位置を基準として位置出しする際には、配線基板１０とピン付き基板２５とを接合する際に生じる位置ずれによってピン２２の位置ずれが生じる。この点で、第１の実施の形態の半導体パッケージ４０の方が本実施形態の半導体パッケージ４１よりも、より高精度にソケット５０に装着させることができる。しかしながら、本実施形態の半導体パッケージ４１においては、ピン付き基板２５の製造公差が問題にならない点、配線基板１０はきわめて高精度に外形加工できる点で、配線基板１０とピン付き基板２５から構成される半導体パッケージをソケットに位置決めして装着する構成として有効である。 In the first embodiment in which the semiconductor package 40, 41 is mounted on the socket 50 with the pinned substrate 25 as a reference, the positional accuracy of the pin 22 depends on the manufacturing tolerance of the pinned substrate 25. On the other hand, when positioning with respect to the external position of the wiring board 10, the positional deviation of the pins 22 occurs due to the positional deviation that occurs when the wiring board 10 and the substrate 25 with pins are joined. In this respect, the semiconductor package 40 of the first embodiment can be mounted on the socket 50 with higher accuracy than the semiconductor package 41 of the present embodiment. However, in the semiconductor package 41 of this embodiment, the manufacturing tolerance of the pinned substrate 25 does not become a problem, and the wiring substrate 10 is configured by the wiring substrate 10 and the pinned substrate 25 in that the outer shape can be processed with extremely high accuracy. This is effective as a configuration in which a semiconductor package is positioned and mounted in a socket.
なお、上記実施形態では、配線基板１０に接合するピン付き基板２５として、樹脂成形によって樹脂基板２６とピン２２とを一体成形したものを使用した例を示したが、本発明はピン付き基板として樹脂成形によって形成したものを使用する場合に限られるものではない。たとえば、図７に示した、基板２４にピン２２を貫通させて形成したピン付き基板２０についても同様に適用される。また、樹脂成形によって形成したピン付き基板２５を使用する場合も、ピン２２のヘッド部２２ａを樹脂基板２６の外面から突出させて樹脂成形する等、種々の形態に形成することが可能である。 In the above-described embodiment, the example in which the resin substrate 26 and the pin 22 are integrally formed by resin molding is used as the pin-attached substrate 25 to be bonded to the wiring substrate 10. However, the present invention is not limited to the case where one formed by resin molding is used. For example, the present invention is similarly applied to the pinned substrate 20 formed by penetrating the pins 22 through the substrate 24 shown in FIG. In addition, when using the pin-equipped substrate 25 formed by resin molding, it is possible to form the head 22a of the pin 22 in various forms such as by projecting from the outer surface of the resin substrate 26 and resin molding.
１０ 配線基板
１３ 絶縁層
１５ａ、１５ｂ ソルダーレジスト層
１６ ピン接続用のパッド
１８ はんだ
２０、２５ ピン付き基板
２２ ピン
２２ａ ヘッド部
２６ 樹脂基板
３０、４０、４１ 半導体パッケージ
５０ ソケット
５２ セット部
５２ａ セット凹部
５２ｂ ピン挿通孔
５２ｃ 内側面
５４ コンタクト
５６ ベースプレート
６０ 下型
６２ 上型
７０ 樹脂
１００ 半導体素子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Wiring board 13 Insulation layer 15a, 15b Solder resist layer 16 Pin connection pad 18 Solder 20, 25 Board with pin 22 Pin 22a Head part 26 Resin board 30, 40, 41 Semiconductor package 50 Socket 52 Set part 52a Set recessed part 52b Pin insertion hole 52c Inner side surface 54 Contact 56 Base plate 60 Lower mold 62 Upper mold 70 Resin 100 Semiconductor element
Claims (8)
前記ソケットには、前記半導体パッケージが収容されるセット凹部が設けられ、
前記半導体パッケージは、前記ピン付き基板が前記配線基板よりも外形形状が大きく、かつ前記ピン付き基板の外側面が前記配線基板の外側面よりも外側に延出して形成され、
前記セット凹部の内側面に前記ピン付き基板の外側面がガイドされて半導体パッケージが前記ソケットに装着されていることを特徴とする半導体パッケージの実装構造。 A semiconductor package formed by bonding a wiring board on which pads for pin connection are formed and a board with pins to which pins are attached is inserted into a socket provided with contacts that are electrically connected to the pins. Mounting structure of a semiconductor package to be mounted,
The socket is provided with a set recess for receiving the semiconductor package,
The semiconductor package is formed such that the substrate with pins has a larger outer shape than the wiring substrate, and the outer surface of the substrate with pins extends outside the outer surface of the wiring substrate,
Mounting structure of a semiconductor package wherein the semiconductor package is the outer surface is guided in the pin-bearing substrate to the inner surface of the set concave portion is attached to the socket.
前記ピンの一端部が、前記配線基板のピン接続用のパッドに接合されていることを特徴とする請求項２記載の半導体パッケージの実装構造。3. The semiconductor package mounting structure according to claim 2, wherein one end of the pin is joined to a pin connection pad of the wiring board.
前記ヘッド部の端面が、前記樹脂基板の一方の面に面一に露出しており、The end surface of the head part is exposed flush with one surface of the resin substrate,
前記ヘッド部の端面が、前記配線基板のピン接続用のパッドに接合されていることを特徴とする請求項３記載の半導体パッケージの実装構造。4. The semiconductor package mounting structure according to claim 3, wherein an end surface of the head portion is bonded to a pin connection pad of the wiring board.
前記ピン付き基板が前記配線基板よりも外形形状が大きく、かつ前記ピン付き基板の外側面が前記配線基板の外側面よりも外側に延出して形成されていることを特徴とする半導体パッケージ。 A semiconductor package in which a wiring board on which pads for pin connection are formed and a board with pins to which pins are attached are joined,
Semiconductor package, characterized in that the pin-bearing substrate is formed extending outward from the outer surface the outer surface of the wiring board of the external shape is large and the pin-bearing substrate than the circuit board.
前記ピンの一端部が、前記配線基板のピン接続用のパッドに接合されていることを特徴とする請求項６記載の半導体パッケージ。7. The semiconductor package according to claim 6, wherein one end of the pin is bonded to a pin connection pad of the wiring board.
前記ヘッド部の端面が、前記樹脂基板の一方の面に面一に露出しており、The end surface of the head part is exposed flush with one surface of the resin substrate,
前記ヘッド部の端面が、前記配線基板のピン接続用のパッドに接合されていることを特徴とする請求項７記載の半導体パッケージ。The semiconductor package according to claim 7, wherein an end surface of the head portion is bonded to a pin connection pad of the wiring board.
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