JP4890376B2

JP4890376B2 - Semiconductor laser inspection equipment

Info

Publication number: JP4890376B2
Application number: JP2007195850A
Authority: JP
Inventors: 貴司東島; 靖夫増田; 明紀上山
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2007-07-27
Filing date: 2007-07-27
Publication date: 2012-03-07
Anticipated expiration: 2027-07-27
Also published as: JP2009032931A

Description

本発明は、例えば、光記録媒体に記録された情報を読み取ったり、光記録媒体に情報を書き込んだりする光ピックアップ装置等に用いることができる半導体レーザの検査装置に関するものである。 The present invention relates to a semiconductor laser inspection apparatus that can be used in, for example, an optical pickup device that reads information recorded on an optical recording medium and writes information on the optical recording medium.

従来、光ピックアップ装置は、ＣＤ−Ｒ／ＲＷ（書き込み可能なコンパクトディスク／書き換え可能なコンパクトディスク）やＤＶＤ−Ｒ／ＲＷ（書き込み可能なデジタル万能ディスク／書き換え可能なデジタル万能ディスク）などの光ディスクに情報を書き込んだり、その光ディスクに記録された情報を読み出したりするため、半導体レーザを搭載している。 Conventionally, optical pickup devices are used for optical discs such as CD-R / RW (writable compact disc / rewritable compact disc) and DVD-R / RW (writable digital universal disc / rewritable digital universal disc). A semiconductor laser is mounted for writing information and reading information recorded on the optical disk.

上記半導体レーザの中には、特開２００３−３１８８５号公報（特許文献１）に開示されたフレームタイプ半導体レーザがある。このフレームタイプ半導体レーザは、金属製のリードフレームと、このリードフレームに搭載された半導体レーザチップと、そのリードフレーム近傍に配置された複数のリード端子とを備えている。この複数のリード端子は、樹脂によってリードフレームに一体に固定されている。また、上記半導体レーザチップは、ワイヤにより複数のリード端子に電気的に接続されている。 Among the semiconductor lasers, there is a frame type semiconductor laser disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2003-31885 (Patent Document 1). The frame type semiconductor laser includes a metal lead frame, a semiconductor laser chip mounted on the lead frame, and a plurality of lead terminals arranged in the vicinity of the lead frame. The plurality of lead terminals are integrally fixed to the lead frame with resin. The semiconductor laser chip is electrically connected to a plurality of lead terminals by wires.

また、特開２００６−１９３３２号公報（特許文献２）に開示されたフレームタイプ半導体レーザは半導体レーザチップを覆うキャップを備え、半導体レーザチップをキャップで保護している。 A frame type semiconductor laser disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-19332 (Patent Document 2) includes a cap that covers the semiconductor laser chip, and the semiconductor laser chip is protected by the cap.

そして、フレームタイプ半導体レーザを検査を行える検査装置としては、特開平６−１１８１２９号公報（特許文献３）に開示されている。この検査装置は、図７に示すように、検査台１０１と、この検査台１０１上に配置された導電性の弾性シート１０２とを備えている。 An inspection apparatus capable of inspecting a frame type semiconductor laser is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 6-118129 (Patent Document 3). As shown in FIG. 7, the inspection apparatus includes an inspection table 101 and a conductive elastic sheet 102 disposed on the inspection table 101.

上記検査台１０１の弾性シート１０２側の表面にはネジ穴１０３が設けられ、弾性シート１０２にはネジ穴１０３と重なる貫通穴１０４が設けられている。 A screw hole 103 is provided on the surface of the inspection table 101 on the elastic sheet 102 side, and a through hole 104 overlapping the screw hole 103 is provided in the elastic sheet 102.

上記構成の検査装置でフレームタイプ半導体レーザ１０５を検査する場合、弾性シート１０２上にフレームタイプ半導体レーザ１０５を載せ、フレームタイプ半導体レーザ１０５のフレーム１０６を弾性シート１０２に接触させる。 When the frame type semiconductor laser 105 is inspected by the inspection apparatus having the above configuration, the frame type semiconductor laser 105 is placed on the elastic sheet 102 and the frame 106 of the frame type semiconductor laser 105 is brought into contact with the elastic sheet 102.

次に、上記ネジ穴１０３に固定治具１０７のネジ部を螺合させ、固定治具１０７と検査台１０１とでフレームタイプ半導体レーザ１０５のフレーム１０６を挟み、フレームタイプ半導体レーザ１０５を位置決めする。 Next, the screw portion of the fixing jig 107 is screwed into the screw hole 103, the frame 106 of the frame type semiconductor laser 105 is sandwiched between the fixing jig 107 and the inspection table 101, and the frame type semiconductor laser 105 is positioned.

次に、上記フレームタイプ半導体レーザ１０５に通電することにより、フレームタイプ半導体レーザ１０５のレーザ出力を測定し、そのレーザ出力が基準範囲にあるか否かを判定する。 Next, by energizing the frame type semiconductor laser 105, the laser output of the frame type semiconductor laser 105 is measured, and it is determined whether or not the laser output is within the reference range.

しかしながら、上記検査装置で複数のフレームタイプ半導体レーザ１０５を検査する場合、フレームタイプ半導体レーザ１０５を１個づつ検査しなければならない。また、上記フレームタイプ半導体レーザ１０５を１個検査する毎に、固定治具１０７のネジ部をネジ穴１０３に螺合させる作業と、その螺合を解除する作業とを行わなければならない。 However, when inspecting a plurality of frame type semiconductor lasers 105 with the inspection apparatus, the frame type semiconductor lasers 105 must be inspected one by one. Further, every time one frame type semiconductor laser 105 is inspected, an operation of screwing the screw portion of the fixing jig 107 into the screw hole 103 and an operation of releasing the screw engagement must be performed.

したがって、上記検査装置には、複数のフレームタイプ半導体レーザ１０５を効率良く検査できないという問題がある。
特開２００３−３１８８５公報特開２００６−１９３３２公報特開平６−１１８１２９号公報 Therefore, the above inspection apparatus has a problem that a plurality of frame type semiconductor lasers 105 cannot be efficiently inspected.
JP 2003-31885 A JP 2006-19332 A JP-A-6-118129

そこで、本発明の課題は、複数のフレームタイプ半導体レーザを効率良く検査することができる半導体レーザの検査装置を提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor laser inspection apparatus capable of efficiently inspecting a plurality of frame type semiconductor lasers.

上記課題を解決するため、本発明の半導体レーザの検査装置は、
リードフレームの一部であって切り離し前の連結部を介して互いに連結された複数のフレームタイプ半導体レーザを搭載する搭載部と、
上記複数のフレームタイプ半導体レーザが出射する各レーザ光を受光すると共に、その各レーザ光の光強度に応じた電気信号を出力する複数の受光部と、
上記搭載部に対して上記複数のフレームタイプ半導体レーザを上記連結部を介して位置決めする第１の位置決め部と
を備え、
上記複数の受光部は、共通の支持台に、上記複数のフレームタイプ半導体レーザに対応して予め位置決めされて固定されており、
上記支持台を上記複数のフレームタイプ半導体レーザの上記搭載部に対して位置決めする第２の位置決め部と、
上記連結部に密着して上記連結部の熱を放熱する均熱部と
を備えたことを特徴としている。 In order to solve the above problems, a semiconductor laser inspection apparatus according to the present invention includes:
A mounting part for mounting a plurality of frame type semiconductor lasers that are part of the lead frame and connected to each other via a connecting part before separation;
A plurality of light receiving units that receive each laser beam emitted by the plurality of frame type semiconductor lasers and output an electrical signal corresponding to the light intensity of each laser beam;
A first positioning part for positioning the plurality of frame type semiconductor lasers with respect to the mounting part via the connecting part ;
The plurality of light receiving units are fixedly positioned and fixed in advance on a common support base corresponding to the plurality of frame type semiconductor lasers,
A second positioning portion for positioning the support base with respect to the mounting portion of the plurality of frame type semiconductor lasers;
A soaking part that adheres closely to the connecting part and dissipates the heat of the connecting part;
It is characterized by comprising a.

上記構成の半導体レーザの検査装置によれば、リードフレームの一部であって切り離し前の連結部を介して互いに連結された複数のフレームタイプ半導体レーザを搭載する搭載部と、搭載部に対して複数のフレームタイプ半導体レーザを連結部を介して位置決めする第１の位置決め部とを備えるので、搭載部に対する複数のフレームタイプ半導体レーザの位置決め作業を一度で行える。 According to the semiconductor laser inspection apparatus having the above-described configuration, a mounting unit that mounts a plurality of frame type semiconductor lasers that are part of a lead frame and are connected to each other via a connecting unit before separation, and the mounting unit Since the first positioning unit that positions the plurality of frame type semiconductor lasers via the connecting unit is provided, the positioning operation of the plurality of frame type semiconductor lasers with respect to the mounting unit can be performed at a time.

したがって、上記複数のフレームタイプ半導体レーザを効率良く検査することができる。 Therefore, the plurality of frame type semiconductor lasers can be efficiently inspected.

また、上記第１の位置決め部が搭載部に対して複数のフレームタイプ半導体レーザを位置決めするので、フレームタイプ半導体レーザに対する受光部の位置ずれを防ぐことができる。 In addition, since the first positioning unit positions the plurality of frame type semiconductor lasers with respect to the mounting unit, it is possible to prevent the light receiving unit from being displaced with respect to the frame type semiconductor laser.

したがって、上記位置ずれによって受光部の受光量が損失するのを防いで、フレームタイプ半導体レーザの検査結果の信頼性を高めることができる。 Therefore, it is possible to prevent the amount of light received by the light receiving unit from being lost due to the above-described positional deviation, and to improve the reliability of the inspection result of the frame type semiconductor laser.

また、上記第２の位置決め部によって支持台を搭載部に対して位置決めすると、複数の受光部の位置が一度で決まるので、複数の受光部の位置調整に要する時間を短くすることができる。 Moreover, when positioning the support table with respect to the mounting portion by the second positioning portion, it is possible to shorten the position of the plurality of light receiving portions Runode KOR at once, the time required for positional adjustment of the plurality of light receiving portions.

また、上記均熱部が連結部に密着して連結部の熱を放熱するので、連結部の熱的損傷の発生を防ぐことができる。 Moreover , since the said heat equalization part closely_contact | adheres to a connection part and thermally radiates the heat | fever of a connection part, generation | occurrence | production of the thermal damage of a connection part can be prevented.

一実施形態の半導体レーザの検査装置は、
上記連結部を挟み込んで上記連結部の反りを矯正する矯正部を備えている。 An inspection apparatus for a semiconductor laser according to an embodiment includes:
A correction portion is provided for correcting the warpage of the connection portion by sandwiching the connection portion.

上記実施形態の半導体レーザの検査装置によれば、上記フレームタイプ半導体レーザに電流を供給するための端子を連結部に接触させる場合、矯正部が連結部を挟み込んで連結部の反りを矯正するので、その端子と連結部との接触不良を防ぐことができる。 According to the semiconductor laser inspection apparatus of the above embodiment, when the terminal for supplying current to the frame type semiconductor laser is brought into contact with the connecting portion, the correction portion sandwiches the connecting portion and corrects the warpage of the connecting portion. In addition, contact failure between the terminal and the connecting portion can be prevented.

一実施形態の半導体レーザの検査装置は、
上記フレームタイプ半導体レーザを上記搭載部に向けて押圧する押圧部と、
上記フレームタイプ半導体レーザが上記押圧部によって押圧されているか否かを検知する検知部と、
上記検知部による検知結果に基づいて、上記フレームタイプ半導体レーザへの電流の供給をＯＮまたはＯＦＦする切替部と
を備えている。 An inspection apparatus for a semiconductor laser according to an embodiment includes:
A pressing portion for pressing the frame type semiconductor laser toward the mounting portion;
A detection unit for detecting whether or not the frame type semiconductor laser is pressed by the pressing unit;
And a switching unit that turns on or off the supply of current to the frame type semiconductor laser based on the detection result of the detection unit.

上記実施形態の半導体レーザの検査装置によれば、上記押圧部がフレームタイプ半導体レーザを搭載部に向けて押圧するので、フレームタイプ半導体レーザが検査中に動かないようにして、フレームタイプ半導体レーザの誤検査の発生を防ぐことができる。 According to the semiconductor laser inspection apparatus of the above embodiment, since the pressing portion presses the frame type semiconductor laser toward the mounting portion, the frame type semiconductor laser is prevented from moving during the inspection. It is possible to prevent the occurrence of erroneous inspection.

また、上記切替部が、検知部による検知結果に基づいて、フレームタイプ半導体レーザへの電流の供給をＯＮまたはＯＦＦするので、押圧部がフレームタイプ半導体レーザを搭載部に向けて押圧しているときのみ、フレームタイプ半導体レーザへの電流の供給をＯＮするようにして、フレームタイプ半導体レーザの検査の信頼性を高めることができる。 Further, since the switching unit turns on or off the supply of current to the frame type semiconductor laser based on the detection result by the detection unit, the pressing unit is pressing the frame type semiconductor laser toward the mounting unit. Only by turning on the supply of current to the frame type semiconductor laser, the reliability of the inspection of the frame type semiconductor laser can be improved.

一実施形態の半導体レーザの検査装置では、
上記複数のフレームタイプ半導体レーザに対して同時に通電することが可能である。 In the semiconductor laser inspection apparatus of one embodiment,
It is possible to energize the plurality of frame type semiconductor lasers simultaneously.

上記実施形態の半導体レーザの検査装置によれば、上記複数のフレームタイプ半導体レーザに対して同時に通電することによって、各フレームタイプ半導体レーザ毎に通電するよりも、フレームタイプ半導体レーザの検査効率を高めることができる。 According to the semiconductor laser inspection apparatus of the above embodiment, the inspection efficiency of the frame type semiconductor laser is improved by energizing the plurality of frame type semiconductor lasers at the same time, rather than energizing each frame type semiconductor laser. be able to.

一実施形態の半導体レーザの検査装置では、
上記複数のフレームタイプ半導体レーザに対して個別に通電することが可能である。 In the semiconductor laser inspection apparatus of one embodiment,
The plurality of frame type semiconductor lasers can be individually energized.

上記実施形態の半導体レーザの検査装置によれば、上記複数のフレームタイプ半導体レーザに対して個別に通電することが可能であるので、正常に検査できなかったフレームタイプ半導体レーザのみについて容易に再検査することができる。 According to the semiconductor laser inspection apparatus of the above embodiment, since it is possible to individually energize the plurality of frame type semiconductor lasers, only the frame type semiconductor laser that could not be normally inspected can be easily re-inspected. can do.

一実施形態の半導体レーザの検査装置は、
上記各フレームタイプ半導体レーザのフレーム端子に接触するように移動可能であると共に、上記各フレームタイプ半導体レーザのフレーム端子から離れるように移動可能である電圧印加部を備えている。 An inspection apparatus for a semiconductor laser according to an embodiment includes:
A voltage application unit is provided that is movable so as to be in contact with the frame terminal of each of the frame type semiconductor lasers and that is movable away from the frame terminal of each of the frame type semiconductor lasers.

上記実施形態の半導体レーザの検査装置によれば、上記電圧印加部を移動させて、各フレームタイプ半導体レーザのフレーム端子に接触させたり、各フレームタイプ半導体レーザのフレーム端子から離れるように移動させることにより、フレームタイプ半導体レーザのフレーム端子に対する電圧印加を制御することができる。 According to the semiconductor laser inspection apparatus of the above embodiment, the voltage application unit is moved so as to be in contact with the frame terminal of each frame type semiconductor laser or moved away from the frame terminal of each frame type semiconductor laser. Thus, voltage application to the frame terminal of the frame type semiconductor laser can be controlled.

一実施形態の半導体レーザの検査装置では、
上記搭載部は、上記フレームタイプ半導体レーザの少なくとも一部に嵌合する凹部を有する。 In the semiconductor laser inspection apparatus of one embodiment,
The mounting portion has a recess that fits into at least a part of the frame type semiconductor laser.

上記実施形態の半導体レーザの検査装置によれば、上記搭載部の凹部に、フレームタイプ半導体レーザの少なくとも一部を嵌合させることにより、フレームタイプ半導体レーザが検査中に動かないようにして、フレームタイプ半導体レーザの誤検査の発生を防ぐことができる。 According to the semiconductor laser inspection apparatus of the embodiment, the frame type semiconductor laser is prevented from moving during the inspection by fitting at least a part of the frame type semiconductor laser into the recess of the mounting portion. It is possible to prevent an erroneous inspection of the type semiconductor laser.

一実施形態の半導体レーザの検査装置では、
上記凹部には、弾性および放熱性を有する材料からなる緩衝放熱材が設けられている。 In the semiconductor laser inspection apparatus of one embodiment,
The recess is provided with a buffer heat dissipation material made of a material having elasticity and heat dissipation.

上記実施形態の半導体レーザの検査装置によれば、上記凹部には、弾性および放熱性を有する材料からなる緩衝放熱材が設けられているので、フレームタイプ半導体レーザの機械的損傷および熱的損傷の発生を防ぐことができる。 According to the semiconductor laser inspection apparatus of the above embodiment, the recess is provided with a buffer heat radiating material made of a material having elasticity and heat dissipation, so that mechanical damage and thermal damage of the frame type semiconductor laser are prevented. Occurrence can be prevented.

一実施形態の半導体レーザの検査装置は、
上記搭載部の温度を測定する温度測定部を備えている。 An inspection apparatus for a semiconductor laser according to an embodiment includes:
A temperature measuring unit for measuring the temperature of the mounting unit is provided.

上記実施形態の半導体レーザの検査装置によれば、上記温度測定部が搭載部の温度を測定するので、搭載部の温度がフレームタイプ半導体レーザに熱的損傷を与える温度であるか否かを判定することができる。 According to the semiconductor laser inspection apparatus of the above embodiment, since the temperature measuring unit measures the temperature of the mounting part, it is determined whether or not the temperature of the mounting part is a temperature that causes thermal damage to the frame type semiconductor laser. can do.

したがって、上記搭載部の温度がフレームタイプ半導体レーザに熱的損傷を与える温度に近いと判定した場合、搭載部からフレームタイプ半導体レーザを降ろして、フレームタイプ半導体レーザが熱的損傷を受けるのを防ぐことができる。 Therefore, when it is determined that the temperature of the mounting portion is close to the temperature that causes thermal damage to the frame type semiconductor laser, the frame type semiconductor laser is lowered from the mounting portion to prevent the frame type semiconductor laser from being thermally damaged. be able to.

一実施形態の半導体レーザの検査装置は、
上記温度測定部の測定結果に基づいて、上記搭載部の温度を調節する温度調節部を備えている。 An inspection apparatus for a semiconductor laser according to an embodiment includes:
A temperature adjustment unit is provided for adjusting the temperature of the mounting unit based on the measurement result of the temperature measurement unit.

上記実施形態の半導体レーザの検査装置によれば、上記温度調節部が、温度測定部の測定結果に基づいて、搭載部の温度を調節するので、搭載部からフレームタイプ半導体レーザを降ろさなくても、フレームタイプ半導体レーザが熱的損傷を受けるのを防ぐことができる。 According to the semiconductor laser inspection apparatus of the above embodiment, the temperature adjusting unit adjusts the temperature of the mounting unit based on the measurement result of the temperature measuring unit, so that it is not necessary to lower the frame type semiconductor laser from the mounting unit. The frame type semiconductor laser can be prevented from being thermally damaged.

本発明の半導体レーザの検査装置によれば、第１の位置決め部によって、搭載部に対して複数のフレームタイプ半導体レーザを連結部を介して位置決めするので、搭載部に対する複数のフレームタイプ半導体レーザの位置決め作業を一度で行える。 According to the semiconductor laser inspection apparatus of the present invention, the first positioning unit positions the plurality of frame type semiconductor lasers with respect to the mounting unit via the connecting unit. Positioning can be done at once.

以下、本発明の半導体レーザの検査装置を図示の実施の形態により詳細に説明する。 Hereinafter, a semiconductor laser inspection apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to embodiments shown in the drawings.

図１は、本発明の一実施の形態の半導体レーザの検査装置の要部を上方から見た模式図である。また、図２は、上記検査装置が検査する複数のフレームタイプ半導体レーザ５０を上方から見た模式図である。 FIG. 1 is a schematic view of a main part of a semiconductor laser inspection apparatus according to an embodiment of the present invention as viewed from above. FIG. 2 is a schematic view of a plurality of frame type semiconductor lasers 50 to be inspected by the inspection apparatus as viewed from above.

上記検査装置は、図１，図２に示すように、金属製のリードフレーム５１の一部であって切り離し前の連結部６０を介して互いに連結された複数のフレームタイプ半導体レーザ５０を搭載する搭載部１と、この搭載部１に取り付けられた支持台２と、その搭載部１に対して複数のフレームタイプ半導体レーザ５０を連結部６０を介して位置決めする支持台用位置決めピン３とを備えて、複数のフレームタイプ半導体レーザ５０に対して同時に通電したり、複数のフレームタイプ半導体レーザ５０に対して個別に通電したりすることができる。なお、上記搭載部１は搭載部の一例と矯正部の一例とを兼ねている。また、上記支持台用位置決めピン３は第２の位置決め部の一例である。 As shown in FIGS. 1 and 2, the inspection apparatus includes a plurality of frame type semiconductor lasers 50 that are part of a metal lead frame 51 and are connected to each other via a connecting portion 60 before separation. A mounting portion 1, a support base 2 attached to the mounting portion 1, and a support base positioning pin 3 for positioning a plurality of frame type semiconductor lasers 50 with respect to the mounting portion 1 via a connecting portion 60. Thus, the plurality of frame type semiconductor lasers 50 can be energized simultaneously, or the plurality of frame type semiconductor lasers 50 can be energized individually. The mounting unit 1 serves as an example of a mounting unit and an example of a correction unit. The support stand positioning pin 3 is an example of a second positioning portion.

上記搭載部１は、フレームタイプ半導体レーザ５０の一部に嵌合する複数の凹部４と、鉛直方向の上方に向かって延びる複数の半導体レーザ用位置決めピン５とを上面に有している。また、上記各凹部４には、弾性および放熱性を有する材料からなる第１の緩衝放熱材６が設けられている。この第１の緩衝放熱材６は、複数のフレームタイプ半導体レーザ５０を搭載部１に搭載したとき、連結部６０に接触する。また、上記半導体レーザ用位置決めピン５の近傍にも、弾性および放熱性を有する材料からなる第２の緩衝放熱材７が設けられている。なお、上記半導体レーザ用位置決めピン５は第１の位置決め部の一例である。また、上記第２の緩衝放熱材７は均熱部の一例である。 The mounting portion 1 has a plurality of recesses 4 fitted to a part of the frame type semiconductor laser 50 and a plurality of semiconductor laser positioning pins 5 extending upward in the vertical direction. Each of the recesses 4 is provided with a first buffer heat dissipation material 6 made of a material having elasticity and heat dissipation. The first buffer heat dissipating material 6 comes into contact with the connecting portion 60 when the plurality of frame type semiconductor lasers 50 are mounted on the mounting portion 1. A second buffer heat radiating material 7 made of a material having elasticity and heat dissipation is also provided in the vicinity of the semiconductor laser positioning pin 5. The semiconductor laser positioning pin 5 is an example of a first positioning portion. Moreover, the said 2nd buffer heat radiating material 7 is an example of a soaking | uniform-heating part.

上記支持台２には、複数の受光素子８が複数のフレームタイプ半導体レーザ５０に対応して予め位置決めされて固定されている。 A plurality of light receiving elements 8 are positioned and fixed in advance on the support base 2 corresponding to the plurality of frame type semiconductor lasers 50.

上記各受光素子８は、複数のフレームタイプ半導体レーザ５０が出射する各レーザ光を受光する複数の受光素子８が取り付けられている。そして、上記各受光素子８は受光した各レーザ光の光強度に応じた電気信号を出力する。なお、上記受光素子８は受光部の一例である。 Each light receiving element 8 is provided with a plurality of light receiving elements 8 for receiving each laser beam emitted from a plurality of frame type semiconductor lasers 50. Each light receiving element 8 outputs an electrical signal corresponding to the light intensity of each received laser beam. The light receiving element 8 is an example of a light receiving unit.

上記支持台用位置決めピン３は支持台２および搭載部１から取り外し可能となっている。この支持台２および搭載部１から支持台用位置決めピン３を取り外すことにより、搭載部１から支持台２を分離させることができる。また、上記搭載部１から支持台２を分離することで、搭載部１に搭載したフレームタイプ半導体レーザ５０の状態を目視で容易に確認できると共に、フレームタイプ半導体レーザ５０の波長・光出力に応じて受光素子８を容易に交換できる。 The positioning pins 3 for the support base can be detached from the support base 2 and the mounting portion 1. By removing the support base positioning pins 3 from the support base 2 and the mounting portion 1, the support base 2 can be separated from the mounting portion 1. Further, by separating the support base 2 from the mounting portion 1, the state of the frame type semiconductor laser 50 mounted on the mounting portion 1 can be easily confirmed visually, and according to the wavelength and light output of the frame type semiconductor laser 50. Thus, the light receiving element 8 can be easily replaced.

上記各フレームタイプ半導体レーザ５０は、金属製のリードフレーム５１と、このリードフレーム５１に搭載された半導体レーザチップ５２と、そのリードフレーム５１近傍に配置されたリード端子５３，５４，５５と、半導体レーザチップ５２を覆う樹脂ブロック５６とを有している。 Each of the frame type semiconductor lasers 50 includes a metal lead frame 51, a semiconductor laser chip 52 mounted on the lead frame 51, lead terminals 53, 54, 55 disposed in the vicinity of the lead frame 51, and a semiconductor. And a resin block 56 covering the laser chip 52.

上記リードフレーム５１は、樹脂ブロック５６によって３つのリード端子５３，５４，５５と一体化されている。また、上記リードフレーム５１は、連結部６０を介して他のリードフレーム５１と電気的に接続されている。 The lead frame 51 is integrated with three lead terminals 53, 54, and 55 by a resin block 56. The lead frame 51 is electrically connected to another lead frame 51 through a connecting portion 60.

上記連結部６０には、半導体レーザ用位置決めピン５を挿通する複数のピン穴６１が設けられている。 The connecting portion 60 is provided with a plurality of pin holes 61 through which the semiconductor laser positioning pins 5 are inserted.

また、上記検査装置は、図３に示すように、ブロック部９と、フレームタイプ半導体レーザ５０を搭載部１に向けて押圧する押圧部１０と、フレームタイプ半導体レーザ５０が押圧部１０によって押圧されているか否かを検知する検知部１１と、この検知部１１による検知結果に基づいて、フレームタイプ半導体レーザ５０への電流の供給をＯＮまたはＯＦＦする切替部１２とを備えている。なお、上記ブロック部９は矯正部の一例である。 As shown in FIG. 3, the inspection apparatus includes a block unit 9, a pressing unit 10 that presses the frame type semiconductor laser 50 toward the mounting unit 1, and the frame type semiconductor laser 50 is pressed by the pressing unit 10. A detection unit 11 that detects whether the current is supplied to the frame type semiconductor laser 50 based on the detection result of the detection unit 11. The block unit 9 is an example of a correction unit.

上記ブロック部９には、半導体レーザ用位置決めピン５を挿通する複数のガイド穴１３が設けられている。この各ガイド穴１３はブロック部９の下面から上面まで略真っ直ぐに伸びている。また、上記ブロック部９の下面には、第３の緩衝放熱材１４が設けられている。なお、上記第３の緩衝放熱材１４は均熱部の一例である。 The block portion 9 is provided with a plurality of guide holes 13 through which the semiconductor laser positioning pins 5 are inserted. Each guide hole 13 extends substantially straight from the lower surface to the upper surface of the block portion 9. In addition, a third buffer heat dissipation material 14 is provided on the lower surface of the block portion 9. The third buffer heat dissipation material 14 is an example of a soaking part.

また、上記検査装置は、図５Ａ〜図５Ｃに示すように、コンタクトピン１５，１６，１７，１８と、搭載部１の温度を測定する第１，第２の温度センサ１９，２０と、第１，第２のペルチェ素子２１，２２とを備えている。なお、上記コンタクトピン１５，１６，１７，１８は電圧印加部の一例である。また、上記第１，第２の温度センサ１９，２０は温度測定部の一例である。また、上記第１，第２のペルチェ素子２１，２２は温度調節部の一例である。 Further, as shown in FIGS. 5A to 5C, the inspection apparatus includes contact pins 15, 16, 17, 18, first and second temperature sensors 19, 20 that measure the temperature of the mounting portion 1, 1 and second Peltier elements 21 and 22. The contact pins 15, 16, 17, and 18 are examples of voltage application units. The first and second temperature sensors 19 and 20 are an example of a temperature measuring unit. The first and second Peltier elements 21 and 22 are examples of a temperature adjusting unit.

上記コンタクトピン１５，１６，１７は、それぞれ、搭載部１に搭載できるフレームタイプ半導体レーザ５０の数と同数ある。一方、上記コンタクトピン１８の数は１つである。また、上記コンタクトピン１５，１６，１７，１８は、それぞれ独立して、各フレームタイプ半導体レーザ５０のリード端子５３，５４，５５および連結部６０に接触するように移動可能であると共に、各フレームタイプ半導体レーザ５０のリード端子５３，５４，５５および連結部６０から離れるように移動可能である。 The number of contact pins 15, 16, and 17 is the same as the number of frame type semiconductor lasers 50 that can be mounted on the mounting portion 1. On the other hand, the number of the contact pins 18 is one. The contact pins 15, 16, 17, and 18 are independently movable so as to contact the lead terminals 53, 54, 55 and the connecting portion 60 of each frame type semiconductor laser 50, and each frame. The type semiconductor laser 50 is movable away from the lead terminals 53, 54, 55 and the connecting portion 60.

上記第１，第２のペルチェ素子２１，２２は、第１，第２の温度センサ１９，２０の測定結果に基づいて、搭載部１の温度を調節する。 The first and second Peltier elements 21 and 22 adjust the temperature of the mounting portion 1 based on the measurement results of the first and second temperature sensors 19 and 20.

上記構成の検査装置によって複数のフレームタイプ半導体レーザ５０を検査する場合、まず、図４に示すように、連結部６０を介して互いに連結された複数のフレームタイプ半導体レーザ５０を搭載部１上に載置する。このとき、図５Ａ，図５Ｂに示すように、コンタクトピン１５，１６，１７がリード端子５３，５４，５５に接触すると共に、コンタクトピン１８が連結部６０に接触する（図２参照）。また、上記フレームタイプ半導体レーザ５０の一部が搭載部１の凹部４に嵌合する。また、上記連結部６０の複数のピン穴６１に半導体レーザ用位置決めピン５が挿通されることにより、搭載部１に対して複数のフレームタイプ半導体レーザ５０が位置決めされ、各半導体レーザチップ５２が受光素子８に対向する。 When a plurality of frame type semiconductor lasers 50 are inspected by the inspection apparatus having the above-described configuration, first, as shown in FIG. 4, a plurality of frame type semiconductor lasers 50 connected to each other via a connection unit 60 are placed on the mounting unit 1. Place. At this time, as shown in FIGS. 5A and 5B, the contact pins 15, 16, and 17 come into contact with the lead terminals 53, 54, and 55, and the contact pin 18 comes into contact with the connecting portion 60 (see FIG. 2). A part of the frame type semiconductor laser 50 is fitted in the recess 4 of the mounting portion 1. Further, by inserting the semiconductor laser positioning pins 5 into the plurality of pin holes 61 of the connecting portion 60, the plurality of frame type semiconductor lasers 50 are positioned with respect to the mounting portion 1, and each semiconductor laser chip 52 receives light. It faces the element 8.

次に、上記ブロック部９および押圧部１０を下降させて、図５Ｃに示すように、押圧部１０によってフレームタイプ半導体レーザ５０を搭載部１に押し付ける。このとき、上記ブロック部９の複数のガイド穴１３に半導体レーザ用位置決めピン５が挿通されることにより、ブロック部９を所定の位置に案内される。 Next, the block portion 9 and the pressing portion 10 are lowered, and the frame type semiconductor laser 50 is pressed against the mounting portion 1 by the pressing portion 10 as shown in FIG. 5C. At this time, the semiconductor laser positioning pin 5 is inserted into the plurality of guide holes 13 of the block portion 9 to guide the block portion 9 to a predetermined position.

次に、上記連結部６０をグラウンドにして、複数のフレームタイプ半導体レーザ５０に通電し、複数のフレームタイプ半導体レーザ５０が出射したレーザ光を複数の受光素子８で受光する。これにより、上記受光素子８が受光したレーザ光に応じた信号を出力し、この信号に基づいてフレームタイプ半導体レーザ５０が評価される。 Next, with the connecting portion 60 as the ground, the plurality of frame type semiconductor lasers 50 are energized, and the laser beams emitted from the plurality of frame type semiconductor lasers 50 are received by the plurality of light receiving elements 8. Thus, a signal corresponding to the laser beam received by the light receiving element 8 is output, and the frame type semiconductor laser 50 is evaluated based on this signal.

このように、上記連結部６０を介して互いに連結された複数のフレームタイプ半導体レーザ５０を搭載部１に搭載することによって、連結部６０のピン穴６１に半導体レーザ用位置決めピン５が挿通されるので、搭載部１に対する複数のフレームタイプ半導体レーザ５０の位置決めが一度に行える。 As described above, by mounting the plurality of frame type semiconductor lasers 50 connected to each other via the connecting portion 60 on the mounting portion 1, the semiconductor laser positioning pins 5 are inserted into the pin holes 61 of the connecting portion 60. Therefore, the positioning of the plurality of frame type semiconductor lasers 50 with respect to the mounting portion 1 can be performed at a time.

したがって、上記複数のフレームタイプ半導体レーザ５０の位置決めに関する作業が少なく、かつ、その位置決めの解除に関する作業も少ないので、複数のフレームタイプ半導体レーザ５０を効率良く検査することができる。 Accordingly, since there are few operations related to the positioning of the plurality of frame type semiconductor lasers 50 and there are few operations related to the release of the positioning, the plurality of frame type semiconductor lasers 50 can be inspected efficiently.

また、上記半導体レーザ用位置決めピン５が搭載部１に対して複数のフレームタイプ半導体レーザ５０を位置決めするので、フレームタイプ半導体レーザ５０に対する受光素子８の位置ずれを防ぐことができる。 Further, since the semiconductor laser positioning pins 5 position the plurality of frame type semiconductor lasers 50 with respect to the mounting portion 1, it is possible to prevent the light receiving element 8 from being displaced relative to the frame type semiconductor laser 50.

したがって、上記位置ずれによって受光素子８の受光量が損失するのを防いで、フレームタイプ半導体レーザ５０の検査結果の信頼性を高めることができる。 Therefore, it is possible to prevent the amount of light received by the light receiving element 8 from being lost due to the positional deviation, and to improve the reliability of the inspection result of the frame type semiconductor laser 50.

また、上記支持台用位置決めピン３によって支持台２を複数のフレームタイプ半導体レーザ５０に対して位置決めすると、複数の受光素子８の位置が一度で行えるので、複数の受光素子８の位置調整に要する時間を短くすることができる。 Further, when the support base 2 is positioned with respect to the plurality of frame type semiconductor lasers 50 by the support base positioning pins 3, the positions of the plurality of light receiving elements 8 can be performed at one time. Time can be shortened.

また、上記連結部６０をグラウンドにして、複数のフレームタイプ半導体レーザ５０に通電するので、複数のフレームタイプ半導体レーザ５０を同一条件で同時に検査することができる。 Further, since the plurality of frame type semiconductor lasers 50 are energized with the connecting portion 60 as the ground, the plurality of frame type semiconductor lasers 50 can be simultaneously inspected under the same conditions.

また、上記連結部６０に反りがあっても、図６Ａ〜図６Ｃに示すように、搭載部１とブロック部９とで連結部６０を挟み込んで連結部６０の反りを矯正するので、コンタクトピン１８（図５Ａ〜図５Ｃ参照）と連結部６０との接触不良を防ぐことができる。 Further, even if the connecting portion 60 is warped, as shown in FIGS. 6A to 6C, the connecting portion 60 is sandwiched between the mounting portion 1 and the block portion 9 to correct the warping of the connecting portion 60. 18 (see FIGS. 5A to 5C) and the connection portion 60 can be prevented from being poorly contacted.

また、上記搭載部１とブロック部９とで連結部６０を挟み込むことによって、第２，第３の緩衝放熱材１４が連結部６０に密着するので、連結部６０の熱が第２，第３の緩衝放熱材１４で放熱される結果、連結部６０の熱的損傷の発生を防ぐことができる。 Moreover, since the 2nd and 3rd buffer heat radiating material 14 closely_contact | adheres to the connection part 60 by pinching the connection part 60 with the said mounting part 1 and the block part 9, the heat of the connection part 60 is 2nd, 3rd. As a result of heat dissipation by the buffer heat dissipation material 14, it is possible to prevent the connection portion 60 from being thermally damaged.

また、上記押圧部１０がフレームタイプ半導体レーザ５０を搭載部１に向けて押圧するので、フレームタイプ半導体レーザ５０が検査中に動かないようにして、フレームタイプ半導体レーザ５０の誤検査の発生を防ぐことができる。 Further, since the pressing portion 10 presses the frame type semiconductor laser 50 toward the mounting portion 1, the frame type semiconductor laser 50 is prevented from moving during the inspection, thereby preventing the frame type semiconductor laser 50 from being erroneously inspected. be able to.

また、上記押圧部１０がフレームタイプ半導体レーザ５０を搭載部１に向けて押圧することによって、フレームタイプ半導体レーザ５０のリードフレーム５１が第１の緩衝放熱材６に密着するので、第１の緩衝放熱材６による放熱効果を高めることができる。 Further, since the pressing portion 10 presses the frame type semiconductor laser 50 toward the mounting portion 1, the lead frame 51 of the frame type semiconductor laser 50 comes into close contact with the first buffer heat dissipation material 6. The heat dissipation effect by the heat dissipation material 6 can be enhanced.

また、上記切替部１２が、検知部１１による検知結果に基づいて、フレームタイプ半導体レーザ５０への電流の供給をＯＮまたはＯＦＦするので、押圧部１０がフレームタイプ半導体レーザ５０を搭載部１に向けて押圧しているときのみ、フレームタイプ半導体レーザ５０への電流の供給をＯＮするようにして、フレームタイプ半導体レーザ５０の検査の信頼性を高めることができる。 Further, since the switching unit 12 turns on or off the current supply to the frame type semiconductor laser 50 based on the detection result by the detection unit 11, the pressing unit 10 directs the frame type semiconductor laser 50 toward the mounting unit 1. Thus, the reliability of the inspection of the frame type semiconductor laser 50 can be improved by turning on the supply of current to the frame type semiconductor laser 50 only when the frame type semiconductor laser 50 is pressed.

また、上記複数のフレームタイプ半導体レーザ５０に対して同時に通電することによって、各フレームタイプ半導体レーザ５０毎に通電するよりも、フレームタイプ半導体レーザ５０の検査効率を高めることができる。 Also, by energizing the plurality of frame type semiconductor lasers 50 at the same time, the inspection efficiency of the frame type semiconductor laser 50 can be increased as compared to energizing each frame type semiconductor laser 50.

また、上記複数のフレームタイプ半導体レーザ５０に対して個別に通電することが可能であるので、正常に検査できなかったフレームタイプ半導体レーザ５０のみについて容易に再検査することができる。 In addition, since the plurality of frame type semiconductor lasers 50 can be individually energized, only the frame type semiconductor laser 50 that could not be normally inspected can be easily re-inspected.

また、上記コンタクトピン１５，１６，１７，１８を移動させて、各フレームタイプ半導体レーザ５０のリード端子５３，５４，５５および連結部６０に接触させたり、各フレームタイプ半導体レーザ５０のリード端子５３，５４，５５および連結部６０から離れるように移動させることにより、フレームタイプ半導体レーザ５０のリード端子５３，５４，５５および連結部６０に対する電圧印加を制御することができる。 Further, the contact pins 15, 16, 17, 18 are moved to contact the lead terminals 53, 54, 55 and the connecting portion 60 of each frame type semiconductor laser 50, or the lead terminals 53 of each frame type semiconductor laser 50. , 54, 55 and the connecting portion 60, the voltage application to the lead terminals 53, 54, 55 and the connecting portion 60 of the frame type semiconductor laser 50 can be controlled.

また、上記搭載部１の凹部４に、フレームタイプ半導体レーザ５０の少なくとも一部を嵌合させることにより、フレームタイプ半導体レーザ５０が検査中に動かないようにして、フレームタイプ半導体レーザ５０の誤検査の発生を防ぐことができる。 In addition, the frame type semiconductor laser 50 is erroneously inspected by fitting at least a part of the frame type semiconductor laser 50 into the recess 4 of the mounting portion 1 so that the frame type semiconductor laser 50 does not move during the inspection. Can be prevented.

また、上記凹部４には、弾性および放熱性を有する材料からなる第１の緩衝放熱材６が設けられているので、フレームタイプ半導体レーザ５０の機械的損傷および熱的損傷の発生を防ぐことができる。 In addition, since the first buffer heat dissipating material 6 made of a material having elasticity and heat dissipation is provided in the concave portion 4, it is possible to prevent mechanical damage and thermal damage of the frame type semiconductor laser 50. it can.

また、上記第１，第２の温度センサ１９，２０が搭載部１の温度を測定するので、搭載部１の温度がフレームタイプ半導体レーザ５０に熱的損傷を与える温度であるか否かを判定することができる。 In addition, since the first and second temperature sensors 19 and 20 measure the temperature of the mounting portion 1, it is determined whether or not the temperature of the mounting portion 1 is a temperature that causes thermal damage to the frame type semiconductor laser 50. can do.

したがって、上記搭載部１の温度がフレームタイプ半導体レーザ５０に熱的損傷を与える温度に近いと判定した場合、搭載部１からフレームタイプ半導体レーザ５０を降ろして、フレームタイプ半導体レーザ５０が熱的損傷を受けるのを防ぐことができる。 Therefore, when it is determined that the temperature of the mounting portion 1 is close to the temperature that causes thermal damage to the frame type semiconductor laser 50, the frame type semiconductor laser 50 is lowered from the mounting portion 1 and the frame type semiconductor laser 50 is thermally damaged. Can be prevented.

また、上記第１，第２のペルチェ素子２１，２２が、第１，第２の温度センサ１９，２０の測定結果に基づいて、搭載部１の温度を調節するので、搭載部１からフレームタイプ半導体レーザ５０を降ろさなくても、フレームタイプ半導体レーザ５０が熱的損傷を受けるのを防ぐことができる。 Further, since the first and second Peltier elements 21 and 22 adjust the temperature of the mounting portion 1 based on the measurement results of the first and second temperature sensors 19 and 20, the mounting type 1 is changed to the frame type. Even if the semiconductor laser 50 is not lowered, the frame type semiconductor laser 50 can be prevented from being thermally damaged.

また、上記第１，第２の温度センサ１９，２０の測定結果に基づいて、搭載部１の温度を第１，第２のペルチェ素子２１，２２で調節して、搭載部１の温度を均一にすることができる。 Further, based on the measurement results of the first and second temperature sensors 19 and 20, the temperature of the mounting portion 1 is adjusted by the first and second Peltier elements 21 and 22, so that the temperature of the mounting portion 1 is uniform. Can be.

また、上記コンタクトピン１５，１６，１７，１８に微小な電圧を印加し、コンタクトピン１５，１６，１７，１８の電流をモニタすることにより、フレームタイプ半導体レーザ５０内のワイヤ等の断線の不具合を検出できる。 Also, by applying a minute voltage to the contact pins 15, 16, 17, and 18 and monitoring the current of the contact pins 15, 16, 17, and 18, there is a problem of disconnection of wires in the frame type semiconductor laser 50. Can be detected.

上記実施の形態では、
第１，第２のペルチェ素子２１，２２を有する搭載部１を用いていたが、ヒータ等の加熱部を有する搭載部を用いたり、第１，第２のペルチェ素子２１，２２とヒータ等の加熱部とを有する搭載部を用いたりしてもよい。 In the above embodiment,
Although the mounting part 1 having the first and second Peltier elements 21 and 22 is used, a mounting part having a heating part such as a heater is used, or the first and second Peltier elements 21 and 22 and the heater and the like are used. A mounting part having a heating part may be used.

図１は本発明の一実施の形態の半導体レーザの検査装置の搭載部および取付部の模式上面図である。FIG. 1 is a schematic top view of a mounting portion and a mounting portion of a semiconductor laser inspection apparatus according to an embodiment of the present invention. 図２は複数のフレームタイプ半導体レーザの模式上面図である。FIG. 2 is a schematic top view of a plurality of frame type semiconductor lasers. 図３は上記検査装置のブロック部、押圧部、検知部および切替部の模式上面図である。FIG. 3 is a schematic top view of the block unit, the pressing unit, the detection unit, and the switching unit of the inspection apparatus. 図４は上記検査装置の検査の一工程時の模式上面図である。FIG. 4 is a schematic top view at the time of one step of inspection by the inspection apparatus. 図５Ａは上記検査装置の検査の一工程時の模式側面図である。FIG. 5A is a schematic side view showing one step of inspection of the inspection apparatus. 図５Ｂは上記検査装置の検査の一工程時の模式側面図である。FIG. 5B is a schematic side view at one step of inspection of the inspection apparatus. 図５Ｃは上記検査装置の検査の一工程時の模式側面図である。FIG. 5C is a schematic side view at one step of inspection of the inspection apparatus. 図６Ａは上記検査装置の検査の一工程時の模式背面図である。FIG. 6A is a schematic rear view in one step of inspection of the inspection apparatus. 図６Ｂは上記検査装置の検査の一工程時の模式背面図である。FIG. 6B is a schematic rear view in one step of inspection of the inspection apparatus. 図６Ｃは上記検査装置の検査の一工程時の模式背面図である。FIG. 6C is a schematic rear view in one step of inspection of the inspection apparatus. 図７は従来の検査装置の模式斜視図である。FIG. 7 is a schematic perspective view of a conventional inspection apparatus.

１搭載部
３取付部用位置決めピン
４凹部
５フレームタイプ半導体レーザ用位置決めピン
６第１の緩衝放熱材
７第２の緩衝放熱材
８受光素子
９ブロック部
１０押圧部
１１検知部
１２切替部
１４第３の緩衝放熱材
１５，１６，１７，１８コンタクトピン
１９第１の温度センサ
２０第２の温度センサ
２１第１のペルチェ素子
２２第２のペルチェ素子
５０フレームタイプ半導体レーザ
５１リードフレーム
６０連結部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Mounting part 3 Positioning pin for attachment part 4 Recessed part 5 Positioning pin for frame type semiconductor laser 6 First buffer heat radiation material 7 Second buffer heat radiation material 8 Light receiving element 9 Block part 10 Pressing part 11 Detection part 12 Switching part 14 3 buffer heat dissipation material 15, 16, 17, 18 contact pin 19 first temperature sensor 20 second temperature sensor 21 first Peltier element 22 second Peltier element 50 frame type semiconductor laser 51 lead frame 60 connecting portion

Claims

A mounting part for mounting a plurality of frame type semiconductor lasers that are part of the lead frame and connected to each other via a connecting part before separation;
A plurality of light receiving units that receive each laser beam emitted by the plurality of frame type semiconductor lasers and output an electrical signal corresponding to the light intensity of each laser beam;
A first positioning part for positioning the plurality of frame type semiconductor lasers with respect to the mounting part via the connecting part ;
The plurality of light receiving units are fixedly positioned and fixed in advance on a common support base corresponding to the plurality of frame type semiconductor lasers,
A second positioning portion for positioning the support base with respect to the mounting portion of the plurality of frame type semiconductor lasers;
A soaking part that adheres closely to the connecting part and dissipates the heat of the connecting part;
The semiconductor laser inspection device, characterized in that it comprises a.

The semiconductor laser inspection apparatus according to claim 1 ,
An inspection apparatus for a semiconductor laser, comprising: a correction portion that sandwiches the connection portion and corrects the warp of the connection portion.

The semiconductor laser inspection apparatus according to claim 1 or 2 ,
A pressing portion for pressing the frame type semiconductor laser toward the mounting portion;
A detection unit for detecting whether or not the frame type semiconductor laser is pressed by the pressing unit;
An inspection apparatus for a semiconductor laser, comprising: a switching unit for turning on or off a current supply to the frame type semiconductor laser based on a detection result by the detection unit.

In the inspection apparatus of the semiconductor laser as described in any one of Claim 1 to 3 ,
An inspection apparatus for a semiconductor laser, wherein the plurality of frame-type semiconductor lasers can be energized simultaneously.

In the inspection apparatus of the semiconductor laser as described in any one of Claim 1 to 4 ,
An inspection apparatus for a semiconductor laser, wherein the plurality of frame type semiconductor lasers can be individually energized.

In the semiconductor laser inspection apparatus according to any one of claims 1 to 5 ,
A semiconductor laser comprising a voltage application unit that is movable so as to contact the frame terminal of each of the frame type semiconductor lasers and that is movable away from the frame terminal of each of the frame type semiconductor lasers. Inspection equipment.

In the semiconductor laser inspection apparatus according to any one of claims 1 to 6 ,
2. The semiconductor laser inspection apparatus according to claim 1, wherein the mounting portion has a recess that fits into at least a part of the frame type semiconductor laser.

The semiconductor laser inspection apparatus according to claim 7 ,
A semiconductor laser inspection apparatus, wherein the recess is provided with a buffer heat dissipation material made of a material having elasticity and heat dissipation.

In the inspection apparatus of the semiconductor laser according to any one of claims 1 to 8 ,
A semiconductor laser inspection apparatus comprising a temperature measuring unit for measuring the temperature of the mounting unit.

The semiconductor laser inspection apparatus according to claim 9 ,
An inspection apparatus for a semiconductor laser, comprising: a temperature adjusting unit that adjusts the temperature of the mounting unit based on a measurement result of the temperature measuring unit.