JP4864143B2 - コンパクトで、シングルチップベースのもつれ偏光状態光子源、及びもつれ偏光状態にある光子を生成する方法 - Google Patents
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Description
|ψ>=α|0>+β|1>
状態|ψ>は「キュービット」と呼ばれ、パラメータα及びβは次の条件を満たす複素数値係数である。
|α|2+|β|2=1
|ψ>=cos(θ/2)|0>+eiφsin(θ/2)|1>
式中、0≦θ<πであり、0≦φ<2πである。
図1Aはキュービット系のブロッホ球表現を示す。図1Aでは、線101〜103はそれぞれ、直交するx、y及びzデカルト座標軸であり、ブロッホ球106が原点を中心にして位置する。ブロッホ球106上には無数の点があり、各点はキュービット系の1つの固有状態を表す。たとえば、ブロッホ球106上の点108はキュービット系の1つの固有状態を表しており、それは、部分的に状態|0>、及び部分的に状態|1>を同時に含む。しかしながら、キュービット系の状態が基底{|0>,|1>}において測定されると、そのキュービット系の状態は状態|0>110上に、又は状態|1>112上に射影される。
あるので、電界成分だけが物質との電磁波相互作用の大部分を占める。
ット系のうちの1つに関連付けられる、複数のキュービットのテンソル積によって表される。たとえば、第1のキュービット系及び第2のキュービット系を含む系のテンソル積は以下の式によって与えられる。
|ψ>12=|ψ>1|ψ>2
ただし、第1のキュービット系の状態は以下のとおりである。
|ψ>1=(1/21/2)(|0>1+|1>1)
また、第2のキュービット系の状態は以下のとおりである。
|ψ>2=(1/21/2)(|0>2+|1>2)
状態|ψ>12は、基底状態の積の線形重ね合わせとして次のように書き換えることもできる。
|ψ>12=|ψ>1|ψ>2=(1/2)(|0>1|0>2+|0>1|1>2+|1>1|0>2+|1>1|1>2)
ただし、項|0>1|0>2、|0>1|1>2、|1>1|0>2及び|1>1|1>2はテンソル積空間の基底である。状態|ψ>12にある各積状態は、1/2という関連する係数を有し、それは、第1のキュービット系の状態が基底{|0>1,|1>1}において測定され、第2のキュービット系の状態が基底{|0>2,|1>2}において測定されるときに、結合されたキュービット系がそれらの積状態のうちのいずれか1つにおいて見出される確率が1/4(|1/2|2)であることを示している。
|ψ+>12=(1/21/2)(|0>1|1>2+|1>1|0>2)
もつれ状態|ψ+>12は、パラメータα1、β1、α2及びβ2をどのように選択しても、キ
ュービットα1|0>1+β1|1>1及びα2|0>2+β2|1>2の積に分解することはできない。
状態|ψ>12によれば、測定した直後のもつれていない2キュービット系の状態は、状態(|0>1|0>2+|0>1|1>2、)/21/2の線形重ね合わせである。同じ基準系に
おいて、第1の測定直後に、基底{|0>2,|1>2}にある第2のキュービット系について第2の測定が実行されるとき、第2のキュービット系の状態を状態|0>2上に射影
する確率は1/2であり、第2のキュービット系の状態を状態|1>2上に射影する確率
は1/2である。言い換えると、第2のキュービット系の状態は、第1のキュービット系の状態とは相関がない。
同じく、基底{|0>1,|1>1}にある第1のキュービット系について実行される第1の測定が、第1のキュービット系の状態を状態|0>1上に射影するものと仮定する。も
つれ状態|ψ+>12によれば、第1の測定後のもつれた2キュービット系の状態は積状態
|0>1|1>2である。基底{|0>2,|1>2}にある第2のキュービット系について第2の測定が実行されるとき、第2のキュービット系の状態は、確実に|1>2である。
言い換えると、第1のキュービット系の状態は、第2のキュービット系の状態と相関がある。
には機能しない偏光もつれ光子ベル状態の高輝度光子源について記載している。さらに、特定の方向に放射された光子だけにもつれが生じる。結果として、限られた数のベル状態しか生成することができない。非特許文献2において、Kwiatは、偏光もつれ光子対の光
子源についても記載している。しかしながら、良好なもつれを得るために、薄い結晶及び持続波ポンプを使用しなければならない。非特許文献3及び非特許文献4において、Kim
及びFiorentinoはいずれも、ベル状態偏光もつれ光子の超高輝度パラメトリックダウンコンバージョン光子源について記載している。
共に、マイクロスケールデバイス内に実装するために光ファイバ結合器に結合することができる偏光もつれ光子源が必要とされていることを認識している。本発明の種々の実施形態は、偏光もつれ光子を生成するためのコンパクトで、シングルチップベースのシステムを対象とする。
TE/TMモード変換器は、入射する垂直偏光した電磁波を水平偏光した電磁波に変換し、且つ入射する水平偏光した電磁波を垂直偏光した電磁波に変換する。モード変換過程は多くの場合に、次のように表される。
(Appl. Phys. Lett. 36(7), 1 April 1980)及びH. Porte他著「Integrated waveguide modulator using a LiNbO3 TM∈TE converter for electrooptic coherence modulation of light」(J. Lightwave Technology, vol. 6, no. 6, June 1988)を参照されたい。
02、404、406として、リッジ導波路、フォトニック結晶内の導波路、又は複屈折結晶の原子ドープ領域を用いることができる。図4Aに示されるように、Y形接合コンバイナ400は、第1の導波路402において電界振幅E1を有する電磁放射の第1のビー
ムと、第2の導波路404において電界振幅E2を有する電磁放射の第2のビームとを受
光し、導波路406において、電界振幅E1+E2を有する電磁放射の単一のビームを出力する。一般的に、Y形接合コンバイナは、ビームの偏光状態とは無関係に動作することに留意されたい。
の電界振幅を有する2つの個別のビームに分割される。
E2=c2E1、及び
E3=c3E1
ただし、c2及びc3は次の条件を満たす複素数値をとる係数を表す。
|c2|2+|c3|2=1
電界振幅E2を有するビームは出力導波路504において伝送され、電界振幅E3を有するビームは出力導波路506において伝送される。出力導波路504と506が対称であるとき、Y形BS500は、出力導波路504において、入射ビームの線束密度の50%を伝送し、出力導波路506において50%を伝送する。このY形BSは「50:50ビームスプリッタ」と呼ばれ、対応する係数c1及びc2はいずれも、1/21/2に等しくする
ことができる。言い換えると、出力導波路504及び506はいずれも、導波路502において伝送される入射ビームの線束密度の同じ割合を伝送する。
534はそれぞれ、電界E2の反射経路及び透過経路を表す。図5Cでは、r41E1及びt31E1は、反射及び透過する電界E1の量を表し、r32E2及びt42E2は、反射及び透過する電界E2の量を表す。ただし、r31及びr42は複素数値をとる反射係数を表し、t41及
びt32は複素数値をとる透過係数を表し、それらの係数は次の関係を満たす。
|r31|2+|t41|2=|r42|2+|t32|2=1、及び
r31t* 32+t41r* 42=0
入力電界からエネルギーを取り去る可能性がある、いかなる無損失過程もないBS510の場合、入力電界及び出力電界に関連付けられたエネルギーは保存される。結果として、入力電界振幅E1及びE2、並びに出力電界振幅E3及びE4は、次の行列式によって数学的に関連付けられる。
有するポンプビーム602が、長さLの非線形結晶604に入射する。ポンプビーム602は、非線形結晶604内で第1の非直線偏光波及び第2の非直線偏光波を生成する。第1の非直線偏光波は、ωiによって示される周波数で振動する「アイドラ」波と呼ばれ、
第2の非直線偏光波は、ωsによって示される周波数で振動する「信号」波と呼ばれる。
用語「信号」及び「アイドラ」は、特別な意味を有しない慣用的な用語である。結果として、ビームの表記の選択は任意である。2つの非直線偏光波及び初期ポンプ波の相対的な位相が強め合うように加えられるとき、アイドラビーム606は、周波数ωi、及び対応
する波数kiで出力され、信号ビーム608は、周波数ωs、及び対応する波数ksで出力される。
バージョン過程が生じ、信号ビームとアイドラビームが直交する偏光を有するときは、「タイプIIダウンコンバージョン」と呼ばれる第2のダウンコンバージョン過程が生じる。図7A及び図7Bは、タイプIダウンコンバージョンの2つの例を示す。図7Aでは、第1のタイプIダウンコンバージョン結晶(「DCC」)702は、|αV>pによって示されるコヒーレントな状態にある垂直偏光したポンプビーム704を受光し、垂直偏光した信号光子|V>s706及び垂直偏光したアイドラ光子|V>i708の両方を出力する。図7Bでは、第2のタイプIDCC710は、|αH>pによって示されるコヒーレントな状態にある水平偏光したポンプビーム712を受光し、垂直偏光した信号光子|V>s714と垂直偏光したアイドラ光子|V>i716の両方を出力する。図7Cは、タイプIIダウンコンバージョンの一例を示す。タイプII DCC718は、|αV>pによって示されるコヒーレントな状態にある垂直偏光したポンプビーム720を受光し、垂直偏光した信号光子|V>s722と水平偏光したアイドラ光子|H>i724の両方を同時に出力する。
Is=Is(max)((sin(ΔkL/2))/(ΔkL/2))2、及び
Ii=Ii(max)((sin(ΔkL/2))/(ΔkL/2))2
ただし、Is(max)及びIi(max)は非線形結晶から出力することができる最大信号ビーム強度及び最大アイドラビーム強度であり、Lは非線形結晶の長さであり、Δk=kp−ks−kiは、「波数ベクトル又は運動量不整合」と呼ばれる。
に、横軸802はΔkL/2値の範囲に対応し、縦軸804は信号ビーム強度に対応し、曲線806は信号ビーム強度をΔkL/2の関数として表す。曲線806は、Δkが0に等しいときに、効率または強度が最大になることを示しており、|Δk|Lが増加するのに応じて、非線形結晶の効率が低下することも示している。結果として、|Δk|Lの大きい非ゼロ値の場合に、信号ビーム及びアイドラビームからポンプビーム中へと後方に、電力が流れることがある。ダウンコンバージョン過程に関わる電磁波を位相整合して、それらが前方の伝播方向において強め合うように加わるときに、最大効率(Δk=0)が達成される。アイドラビームの場合にも、0に等しい波数ベクトル不整合Δkを中心に配置される同じような形状の強度曲線Iiをプロットすることができることに留意されたい。
ΔkQ=kp−ks−ki±2π/Λ
によって与えられる。最適な周期は、
Λ=±2π/(kp−ks−ki)
である。
図9は、本発明の一実施形態を表す、第1の単結晶偏光もつれ光子源900の概略的な平面図を示す。もつれ光子源900は、50:50Y形BS902と、周期分極反転タイプI DCC904と、TE/TMモード変換器906と、Y形コンバイナ908とを備
えており、これらの全ては単一の伝送層912内に埋め込まれた構成要素である。伝送層912として、zカット(された)LiNbO3(「ニオブ酸リチウム」)、KTiOP
O4(「KTP」)、KTiOAsO4(「KTA」)、β−BaB2O4(「β−BBO」
)、若しくは任意の他の適切な非線形結晶材料、又は電気光学ポリマーのようなzカット非線形結晶を用いることができる。伝送層912は1つの光学軸を含み、用語「zカット」は、光学軸が伝送層912の平面に対して垂直に向けられることを示す。もつれ光子源900は、伝送層912内に埋め込まれた、導波路914のような多数のストリップ導波路も備える。導波路は、構成要素間で電磁放射を伝送すると共に、光子源900との間で電磁放射を伝送するように構成される。導波路として、分離されたリッジ導波路を形成するようにエッチングされた伝送層912の領域を用いることができ、又は導波路として、伝送層912の残りの領域よりも高い屈折率を有する伝送層912の領域を用いることができる。或る特定の領域に陽子又は原子をドープすることによって、高屈折率の導波路を作り出すことができる。たとえば、LiNbO3伝送層の残りの部分よりも高い屈折率を
有する導波路を、LiNbO3伝送層の領域にTiを注入することによって、LiNbO3伝送層内に作り出すことができる。伝送層912は、伝送層912よりも低い屈折率を有すると共に、導波路内の電磁放射の伝送を妨害するSiO2、ポリ(メチルメタクリレー
ト)(「PMMA」)又は任意の他の基板(図示せず)によって支持することができる。
|φ>=(1/21/2)(|V>s|V>i+eiθ|H>s|H>i)
ただし、|H>s及び|V>sは、水平偏光した信号及び垂直偏光した信号と呼ばれる光子を表し、|H>i及び|V>iは、水平偏光したアイドラ及び垂直偏光したアイドラと呼ばれる光子を表し、θは、水平偏光した光子と垂直偏光した光子との間の相対的な位相差である。
状態|φ>にある偏光もつれ光子は導波路916において出力される。
導波路916を、量子コンピュータ、量子情報プロセッサ、量子記憶装置、量子暗号化デバイス、量子テレポーテーションデバイス、又は他の光学ベースのデバイス若しくはネットワーク(または回路)に接続することができる。
を表し、
|αH>2pは第2の導波路926において伝送される水平偏光したポンプビームを表す。
プビーム|αH>1pを、次のように、一対の水平偏光した信号光子及びアイドラ光子に変
換する。
ポンプビーム|αH>2pを、次のように、一対の水平偏光した信号光子及びアイドラ光子
に変換する。
1108とを備えており、これらの全ては、単一の伝送層1112内に埋め込まれた構成要素である。伝送層1112として、ニオブ酸リチウム、KTP、KTA、竈−BBO、若しくは任意の他の適切な非線形結晶、又は電気光学ポリマーのようなzカット非線形結晶を用いることができる。もつれ光子源1100は、伝送層1112内に埋め込まれた多数のストリップ導波路も備える。導波路として、図9を参照しながら上述したように、分離されたリッジ導波路を形成するようにエッチングされた伝送層1112の領域を用いることができ、又は伝送層1112の残りの領域よりも導波路の屈折率を高めるために陽子又は原子をドープされた領域を用いることができる。伝送層1112は、伝送層1112よりも低い屈折率を有すると共に、導波路内を伝送する電磁放射を妨害しないSiO2、
PMMA又は任意の他の基板(図示せず)によって支持することができる。
|αH>2pは第2の導波路1126において伝送される水平偏光したポンプビームを表す
。
ポンプビーム|αH>1pを、次のように、一対の水平偏光した信号光子と垂直偏光したア
イドラ光子に変換する。
御式偏光コンバイナ1308とを備えており、これらの全ては単一の伝送層1312内に埋め込まれた構成要素である。伝送層1312として、図9及び図11を参照しながら上述したzカットされた非線形結晶又は電気光学ポリマーを用いることができる。もつれ光子源1300は、図9に示される第1のもつれ光子源900を参照しながら上述したように構成することができる多数のストリップ導波路も備える。伝送層1312は、伝送層1312よりも低い屈折率を有すると共に、導波路内の電磁放射の伝送を妨害するSiO2
、ポリ(メチルメタクリレート)(「PMMA」)又は任意の他の基板(図示せず)によって支持することができる。
とを意図するものではない。当業者には本発明の思想内における変更が明らかになるであろう。本発明の代替的な実施形態では、伝送層912、1112、及び1312として、薄膜非線形結晶又は薄膜電気光学ポリマーを用いることができる。本発明の代替的な実施形態では、さらなる電極を使用して、位相シフト又は結合比(coupling ratio)のような製造誤差を補償することができる。本発明の代替的な実施形態では、さらなる導波路要素を加えて、信号ビームとアイドラビームを、同じ導波路上に結合するか、または、異なる導波路上に分離することができる。本発明の代替的な実施形態では、伝送層912としてニオブ酸リチウムを用いることができ、タイプI DCCとして、酸化マグネシウム(「MgO」)が添加され、約7.73μmの分極反転周期を有する周期分極反転ニオブ酸リチウムを用いることができる。ポンプビームは、約532nmの波長を有することができ、もつれ光子源900は、810nm及び1550nmの波長を有する信号光子及びアイドラ光子を出力する。本発明の代替的な実施形態では、伝送層1112としてニオブ酸リチウムを用いることができ、タイプII DCC1104及び1106として、約19.48n
mの分極反転周期を有する、酸化マグネシウムが添加された周期分極反転ニオブ酸リチウムを用いることができる。約780nmの波長を有する水平偏光したポンプビームを入力することによって、約1560nmの波長を有する縮退した信号光子及びアイドラ光子の両方が生成される。本発明の代替的な実施形態では、伝送層1112としてKTPを用いることができ、タイプII DCC1104及び1106として、約7.85μmの分極反
転周期を有する、周期分極反転KTP(「PPKTP」)を用いることができる。約380nmの波長を有する水平偏光したポンプビームを入力することによって、約780nmの波長を有する縮退した信号光子及びアイドラ光子の両方が生成される。本発明の代替的な実施形態では、非線形結晶としてKTPを用いることでき、タイプII DCC1104
として、約60nmの分極反転周期を有するPPKTP結晶を用いることができる。約655nmの波長を有する水平偏光したポンプビームを入力することによって、約1310nmの波長を有する縮退した信号光子及びアイドラ光子の両方が生成される。本発明の代替的な実施形態では、リッジ導波路を有する非線形結晶又は電気光学ポリマーを用いて、もつれ光子状態源900、1000、1100、1200、1300及び1400を実現することができる。図15は、本発明の一実施形態を表す、リッジ導波路を有する単結晶偏光もつれ光子源1500の一例を示す。図15では、もつれ光子源1500は、もつれ光子源900と同一の構成要素を備える。リッジ導波路1502のようなリッジ導波路を、伝送層内にエッチングすることができ、又は導波路屈折率を高める陽子をドープすることができ、又は原子を注入することができる。本発明の代替的な実施形態では、もつれ光子状態源900、1000、1100、1200、1300、1400はフォトニック結晶において実現することができる。図16は、本発明の一実施形態を表す、単一のフォトニック結晶偏光もつれ光子源1600の一例を示す。図16では、導波路1602のような導波路が、異なる間隔又は寸法で穴を除去したり、穴を形成したりしてフォトニック結晶形状を変更することによって形成される。もつれ光子源1600は、もつれ光子源1300と同一の構成要素を備える。本発明の代替的な実施形態では、50:50BS902及び1102を、ポンプビームを不均等に分割する非対称なBSで置き換えることができ、または、BS1302を調整して、ポンプビームを不均等に分割することができる。たとえば、上述した水平偏光したポンプビームは、次に示す状態のコヒーレントな線形重ね合わせ状態にあるBSから出力することができる。
α|αH>1p+β|αH>2p
ただし、α及びβは次の条件を満たす複素数値の振幅である。
|α|2+|β|2=1、及び|α|2≠|β|2
本発明を開示した形態そのものに限定することを意図したものではない。上記の教示に照らして、数多くの変更及び変形が可能であることは明らかである。それらの実施形態は、本発明の原理及びその実用的な用途を最もわかりやすく説明し、それによって、当業者が、本発明及び様々な実施形態を、企図する特定の用途に適合するように様々な変更を加えて最大限に利用できるようにするために図示及び説明されたものである。本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲及びその等価物によって画定されるべきことが意図されている。
Claims (9)
- 偏光もつれ光子状態源であって、
電磁放射を伝送するように構成された単一の伝送層(912、1112、1312、1500、1600)と、
前記伝送層に埋め込まれて、ポンプビームを受光し、第1のポンプビーム及び第2のポンプビームを出力するように構成されたビームスプリッタ(902、1102、1302)と、
前記伝送層に埋め込まれて、前記ビームスプリッタからの前記第1のポンプビームを伝送するための第1の導波路と、
前記伝送層に埋め込まれて、前記ビームスプリッタからの前記第2のポンプビームを伝送するための第2の導波路と、
前記伝送層に埋め込まれて、前記第1の導波路から前記第1のポンプビームを受光し、第1の信号ビーム及び第1のアイドラビームの両方を出力し、前記第2の導波路から前記第2のポンプビームを受光し、第2の信号ビーム及び第2のアイドラビームを出力するように構成されたダウンコンバージョンデバイス(904、1104)と、
前記伝送層に埋め込まれて、前記第1の信号ビームと前記第1のアイドラビームの両方の電界成分を磁界成分に変換し、前記第1の信号ビーム及び前記第1のアイドラビームの両方の磁界成分を電界成分に変換するように構成されたモード変換器(906、1106、1306)と、
前記第1または第2の導波路に電圧を印加して、前記第1及び第2の導波路を通る信号光子及びアイドラ光子によって得られる位相差を調整するための電圧印加手段と、
前記伝送層に埋め込まれて、前記第1の信号ビーム及び前記第2の信号ビームと、前記第1のアイドラビーム及び前記第2のアイドラビームとを受光し、該第1の信号ビーム及び該第2の信号ビームと、該第1のアイドラビーム及び該第2のアイドラビームとを、もつれた状態において出力するように構成されたコンバイナ(908、1108、1308)
とを備える、偏光もつれ光子状態源。 - 前記伝送層は、
LiNbO3と、
KTPと、
KTAと、
β−BBOと、
電気光学ポリマー
とのうちの1つを含むzカット非線形結晶をさらに含む、請求項1に記載の偏光もつれ光子状態源。 - 前記ビームスプリッタ(902、1102、1302)は、
Y形ビームスプリッタ(500)と、電子的に調整可能なビームスプリッタ(510)とのうちの一方をさらに含む、請求項1に記載の偏光もつれ光子状態源。 - 前記ダウンコンバージョンデバイス(810、904、1104、1304)は、前記第1のポンプビームを受光し、前記第1の信号ビーム及び前記第1のアイドラビームの両方を出力し、前記第2のポンプビームを受光し、前記第2の信号ビームと前記第2のアイドラビームの両方を出力するように構成された単一のダウンコンバージョン結晶をさらに含み、該単一のダウンコンバージョン結晶は、タイプI ダウンコンバージョン結晶(904、1304)とタイプII ダウンコンバージョン結晶(1104)のいずれかをさらに含む、請求項1に記載の偏光もつれ光子状態源。
- 前記モード変換器は、前記第1の導波路と前記第2の導波路のうち一方の導波路から部分的に構成され、前記モード変換器において、該一方の導波路は、第1の電極と第2の電極との間に配置され、前記コンバイナは、Y形接合コンバイナ(500)と電子的に調整可能な偏光コンバイナ(510)のいずれかをさらに含む、請求項1に記載の偏光もつれ光子状態源。
- 前記伝送層は、
導波路を有するフォトニック結晶(1600)と、
リッジ導波路を有する非線形結晶(1500)と、
Tiを注入されているか、又は陽子をドープされているLiNbO3結晶のストリップを有する非線形結晶基板(912、1112、1312)
とのうちの1つをさらに含む、請求項1に記載の偏光もつれ光子状態源。 - 偏光もつれ光子状態を生成する方法であって、
ポンプビームを第1のポンプビームと第2のポンプビームに分割することと、
前記第1のポンプビームを第1の信号ビーム及び第1のアイドラビームにダウンコンバートし、前記第2のポンプビームを第2の信号ビーム及び第2のアイドラビームにダウンコンバートすることと、
前記第1の信号ビームと前記第1のアイドラビームの両方の電界成分を磁界成分に変換し、前記第1の信号ビームと前記第1のアイドラビームの両方の磁界成分を電界成分に変換することと、
前記第1の信号ビーム及び前記第1のアイドラビームを伝送する第1の導波路、または、前記第2の信号ビーム及び前記第2のアイドラビームを伝送する第2の導波路に電圧を印加して、該第1及び第2の導波路を通る信号光子とアイドラ光子によって得られる位相差を調整することと、
前記第1の信号ビーム及び前記第2の信号ビーム、並びに前記第1のアイドラビーム及び前記第2のアイドラビームをもつれた状態において得るために、該第1の信号ビーム及び該第2の信号ビームと、該第1のアイドラビーム及び該第2のアイドラビームとを結合すること
を含む、方法。 - 前記ポンプビームを第1のポンプビームと第2のポンプビームに分割することは、前記ポンプビームをビームスプリッタ(902、1102、1302)の中に通すことをさらに含み、前記第1のポンプビーム及び前記第2のポンプビームをダウンコンバートすることは、前記第1のポンプビーム及び前記第2のポンプビームをダウンコンバージョン結晶の中に通すことをさらに含み、該ダウンコンバージョン結晶は、タイプI ダウンコンバージョン結晶(904、1304)とタイプII ダウンコンバージョン結晶(1104)のいずれかを含む、請求項7に記載の方法。
- 電界成分を磁界成分に変換し、磁界成分を電界成分に変換することは、前記第1の信号ビーム及び前記第1のアイドラビームをモード変換器(906、1106、1306)の中に通すことをさらに含み、前記第1のアイドラビーム及び前記第2のアイドラビームと前記第1の信号ビーム及び前記第2の信号ビームとを結合することは、前記第1のアイドラビーム及び前記第2のアイドラビーム並びに前記第1の信号ビーム及び前記第2の信号ビームを偏光コンバイナ(908、1108、1308)の中に通すことをさらに含む、請求項7に記載の方法。
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