JP4842212B2 - Mold for glass hard disk substrate - Google Patents
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Description
本発明は、ガラス製ハードディスク基板用成形型に関し、より詳細には、炭化ケイ素−炭素複合セラミックスを含む、ガラス製ハードディスク基板用成形型、及びそれを用いたガラス製ハードディスク基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a glass hard disk substrate mold, and more particularly to a glass hard disk substrate mold containing silicon carbide-carbon composite ceramics and a method for manufacturing a glass hard disk substrate using the same.
ガラス製ハードディスク基板は、情報記録装置に好適に用いられる磁気記録媒体用基板である。このガラス製ハードディスク基板は、通常、成形型の上型と下型との間にガラス原料を配置し、熱間プレスによって所望の形状に成形し、さらに、必要に応じて、表面を研磨することによって製品化される。 The glass hard disk substrate is a magnetic recording medium substrate that is preferably used in an information recording apparatus. This glass hard disk substrate usually has a glass raw material placed between an upper mold and a lower mold of a mold, molded into a desired shape by hot pressing, and further, the surface is polished if necessary. It is commercialized by.
このようなガラス製ハードディスク基板を成形するための成形型の材料としては、熱安定性に優れることから、種々のセラミックスが使用されている(特許文献1)。 As a material of a mold for forming such a glass hard disk substrate, various ceramics are used because of excellent thermal stability (Patent Document 1).
他方、特許文献2には、セラミックス、ガラス、金属等を成形加工する際の成形型の原料として、特定粒径のセラミックス材料(炭化ケイ素等)と特定粒径のカーボンとを特定の割合で配合したセラミックス複合燒結体が開示されている。
しかしながら、ガラス製ハードディスク基板の製造において、成形の高速化、高頻度化に伴い、前記特許文献1に記載されたような成形型材料では、表面が磨耗し易く、ガラス成分が成形型表面と高温で反応することによって、成形されたガラスの表面精度が低下するという問題がある。また、特許文献2に記載されたようなセラミックス複合焼結体では、含まれる炭素粒子の粒径が微小であるため、ガラス成分が成形型表面と強く密着し、前記成形型から剥離し難いため、連続成形が困難であるという問題があった。 However, in the production of a glass hard disk substrate, the molding material as described in Patent Document 1 tends to wear due to the speeding up and the frequency of molding, and the glass component has a high temperature and the mold surface. There is a problem in that the surface accuracy of the molded glass is lowered by reacting with. Further, in the ceramic composite sintered body described in Patent Document 2, since the particle size of the carbon particles contained is very small, the glass component adheres strongly to the surface of the mold and is difficult to peel from the mold. There was a problem that continuous molding was difficult.
そこで、本発明は、ガラスとの反応性が少なく、耐磨耗性と耐久性が高く、成形したガラスの成形型表面からの離型性が良好なガラス製ハードディスク基板用成形型及びそれを用いたガラス製ハードディスク基板の製造方法を提供する。 Accordingly, the present invention provides a glass hard disk substrate mold having low reactivity with glass, high wear resistance and durability, and good releasability from the surface of the molded glass. A method for manufacturing a glass hard disk substrate is provided.
本発明は、炭化ケイ素−炭素複合セラミックスを含む成形型であって、前記炭化ケイ素−炭素複合セラミックスが、炭化ケイ素100重量部に対し15〜50重量部の炭素粒子を含有し、前記炭素粒子の平均粒径が0.3〜100μmの範囲であるガラス製ハードディスク基板用成形型(以下、「本発明の成形型」ともいう)に係る。 The present invention is a mold containing silicon carbide-carbon composite ceramics, wherein the silicon carbide-carbon composite ceramics contains 15 to 50 parts by weight of carbon particles with respect to 100 parts by weight of silicon carbide, The present invention relates to a glass hard disk substrate mold having an average particle diameter in the range of 0.3 to 100 μm (hereinafter also referred to as “mold of the present invention”).
本発明は、成形型にガラス原料を配置し、前記ガラス原料を加圧成形する工程を含むガラス製ハードディスク基板の製造方法であって、前記成形型が、本発明のガラス製ハードディスク基板用成形型であるガラス製ハードディスク基板の製造方法に係る。 The present invention is a method for producing a glass hard disk substrate, comprising a step of placing a glass raw material in a mold and press-molding the glass raw material, wherein the mold is the glass hard disk substrate mold according to the present invention. This relates to a method for manufacturing a glass hard disk substrate.
本発明のガラス製ハードディスク基板用成形型によれば、ガラスとの反応性が少なく、耐磨耗性と耐久性が高く、成形したガラスの成形型表面からの離型性が良好なガラス製ハードディスク基板用成形型及びそれを用いたガラス製ハードディスク基板の製造方法を提供できる。 According to the glass hard disk substrate mold of the present invention, the glass hard disk has low reactivity with glass, high wear resistance and durability, and good releasability from the surface of the molded glass. A substrate mold and a glass hard disk substrate manufacturing method using the same can be provided.
(ガラス製ハードディスク基板用成形型)
本発明の成形型は、前述のように、炭化ケイ素100重量部に対し15〜50重量部の炭素粒子を含有し且つ前記炭素粒子の平均粒径が0.3〜100μmの範囲である炭化ケイ素−炭素複合セラミックス(以下、「複合セラミックス」ともいう)を含む。
(Molding mold for glass hard disk substrate)
As described above, the mold of the present invention contains 15 to 50 parts by weight of carbon particles with respect to 100 parts by weight of silicon carbide, and the average particle diameter of the carbon particles is in the range of 0.3 to 100 μm. -Carbon composite ceramics (hereinafter also referred to as “composite ceramics”) are included.
このように、本発明の成形型は、前記複合セラミックスに、炭化ケイ素100重量部に対し15〜50重量部の炭素粒子が含まれており、この含有量は、従来技術、例えば、前記特許文献1の炭化ケイ素複合セラミックスの製造において焼結助剤として使用される炭素量と比較して多量である。このような含有量にすることによって、ガラス成形時におけるガラスとの反応性が抑制され、高い耐磨耗性と耐久性とを示す成形型となる。また、特許文献2のように、非常に炭素含有量が高いセラミックスでは達成できなかった十分な耐久性も確保することができる。 Thus, in the mold according to the present invention, the composite ceramic material contains 15 to 50 parts by weight of carbon particles with respect to 100 parts by weight of silicon carbide. The amount of carbon is larger than the amount of carbon used as a sintering aid in the production of one silicon carbide composite ceramic. By setting it as such content, the reactivity with the glass at the time of glass shaping | molding is suppressed, and it becomes a shaping | molding die which shows high abrasion resistance and durability. Further, as in Patent Document 2, sufficient durability that cannot be achieved with ceramics having a very high carbon content can be ensured.
また、本発明の成形型は、前記複合セラミックスに含まれる炭素粒子の平均粒径が0.3〜100μmであり、この平均粒径は、特許文献2のセラミックスにおける炭素粒子と比較して、非常に大きい粒径である。このような大きな粒径の炭素粒子を用いることで、成形したガラスと成形型表面との密着性が低減し、良好な離型性を達成することができる。 Further, in the mold according to the present invention, the average particle size of the carbon particles contained in the composite ceramic is 0.3 to 100 μm, and this average particle size is much higher than the carbon particles in the ceramic of Patent Document 2. The particle size is very large. By using carbon particles having such a large particle diameter, the adhesion between the molded glass and the mold surface can be reduced, and good mold release can be achieved.
また、前記複合セラミックスに含まれる炭素粒子の平均粒径は、より良好な離型性を確保することから、好ましくは0.5μm以上であり、より好ましくは0.7μm以上、さらに好ましくは1μm以上である。同じく、より良好な離型性を確保することから、好ましくは25μm以下であり、より好ましくは5μm以下である。具体的には、炭素粒子の平均粒径は、好ましくは0.5〜25μmであり、より好ましくは0.7μm〜5μm、さらに好ましくは1〜5μmである。前記炭素粒子の平均粒径は、レーザー回折/散乱光式粒子径分布測定装置(商品名LA720、堀場製作所社製)によって測定される体積平均粒径D50である(以下、同様)。 The average particle size of the carbon particles contained in the composite ceramic is preferably 0.5 μm or more, more preferably 0.7 μm or more, and even more preferably 1 μm or more in order to ensure better releasability. It is. Similarly, it is preferably 25 μm or less and more preferably 5 μm or less in order to ensure better release properties. Specifically, the average particle diameter of the carbon particles is preferably 0.5 to 25 μm, more preferably 0.7 μm to 5 μm, and still more preferably 1 to 5 μm. The average particle size of the carbon particles is a volume average particle size D 50 measured by a laser diffraction / scattered light type particle size distribution measuring device (trade name LA720, manufactured by Horiba, Ltd.) (hereinafter the same).
なお、本発明の成形型は、ガラス製ハードディスク基板の製造に使用する成形型であるが、ガラス製ハードディスク基板は、非晶性ガラス(アモルファスガラス)製の基板でも、結晶化ガラス(ガラスセラミックス)製の基板でもよく、ガラス系の基板であれば特に制限されない。 The mold of the present invention is a mold used for manufacturing a glass hard disk substrate, but the glass hard disk substrate may be a crystallized glass (glass ceramic) even if it is a substrate made of amorphous glass (amorphous glass). It may be a substrate made of glass and is not particularly limited as long as it is a glass substrate.
前記複合セラミックスに含まれる炭素粒子の含有量は、より高い耐磨耗性及び耐久性を確保する点から、好ましくは炭化ケイ素100重量部に対して15〜45重量部であり、より好ましくは15〜30重量部である。 The content of the carbon particles contained in the composite ceramic is preferably 15 to 45 parts by weight with respect to 100 parts by weight of silicon carbide, more preferably 15 parts, from the viewpoint of ensuring higher wear resistance and durability. -30 parts by weight.
前記炭化ケイ素の原料としては、α、βのいずれの結晶型であってもよい。また、炭化ケイ素原料の純度は、特に制限されないが、より高密度に焼結させ、耐磨耗性及び耐久性をさらに向上するという点から、好ましくは90重量%以上、より好ましくは95重量%以上である。炭化ケイ素原料(粒子)の平均粒径は、特に制限されないが、焼結性がより良好であることから、前記原料は0.1〜10μmの粉末であることが好ましい。 The silicon carbide raw material may be either α or β crystal type. Further, the purity of the silicon carbide raw material is not particularly limited, but is preferably 90% by weight or more, more preferably 95% by weight, from the viewpoint of sintering at higher density and further improving wear resistance and durability. That's it. The average particle diameter of the silicon carbide raw material (particles) is not particularly limited. However, since the sinterability is better, the raw material is preferably a powder of 0.1 to 10 μm.
前記複合セラミックスに含まれる炭素粒子は、好ましくは、炭素の単体であって、結晶相、非晶相、または、結晶相及び非晶相の混合相からなる。これらの単体の結晶相は、レーザーラマン分光法により得られる測定スペクトルにおいて、1580cm-1付近を中心とする1450〜1700cm-1にかけて結晶相のピークを有することが好ましい。その結晶構造としては、特に制限されないが、好ましくは、グラファイト型平面六角形構造、菱面体形構造等があげられる。また、非晶相は、レーザーラマン分光法により得られる測定スペクトルにおいて、1360cm-1付近を中心とする1300〜1450cm-1にかけて結晶相のピークを有することが好ましい。 The carbon particles contained in the composite ceramic are preferably a simple substance of carbon, and are composed of a crystalline phase, an amorphous phase, or a mixed phase of a crystalline phase and an amorphous phase. These single crystal phases preferably have a crystal phase peak from 1450 to 1700 cm −1 centered around 1580 cm −1 in a measurement spectrum obtained by laser Raman spectroscopy. The crystal structure is not particularly limited, but preferred examples include a graphite-type planar hexagonal structure and a rhombohedral structure. Also, amorphous phase, in the measurement spectrum obtained by laser Raman spectroscopy, it is preferable to have a peak of the crystal phase toward 1300~1450Cm -1 centered around 1360 cm -1.
前記複合セラミックスに含まれる炭素粒子は、より高い耐摩耗性及び耐久性を確保する点から、さらに、より高い強度及び破壊靭性を達成する点から、結晶相と非晶相とのレーザーラマン分光強度のピーク面積比(結晶相/非晶相)が、好ましくは1〜10であり、より好ましくは1〜5である。前記ピーク面積比は、通常、炭素の黒鉛化度に相当すると考えられるため、この値が前記範囲にあれば、より良好な強度と破壊靭性とを達成できる。なお、前記スペクトルの測定は、アルゴンレーザーラマン分光装置(NEC社製)が使用できる。このようなピーク面積比とするには、炭素源として、好ましくは残炭率30〜95重量%、さらに好ましくは残炭率40〜90重量%のアルキル変性フェノール樹脂、コールタールピッチを選択すればよい。なお、残炭率とは、JIS K 2425に基づいて測定される炭素源中の固定炭素の重量%をいう。 The carbon particles contained in the composite ceramic have a laser Raman spectral intensity of a crystalline phase and an amorphous phase from the viewpoint of ensuring higher wear resistance and durability, and further achieving higher strength and fracture toughness. The peak area ratio (crystalline phase / amorphous phase) is preferably 1 to 10, more preferably 1 to 5. Since the peak area ratio is generally considered to correspond to the degree of graphitization of carbon, if this value is within the above range, better strength and fracture toughness can be achieved. For the measurement of the spectrum, an argon laser Raman spectrometer (manufactured by NEC) can be used. In order to obtain such a peak area ratio, preferably, as a carbon source, an alkyl-modified phenol resin or coal tar pitch having a residual carbon ratio of 30 to 95% by weight, more preferably a residual carbon ratio of 40 to 90% by weight is selected. Good. In addition, a residual carbon rate means the weight% of fixed carbon in the carbon source measured based on JISK2425.
前記複合セラミックスに含まれる炭化ケイ素の平均粒径は、より高い耐磨耗性及び耐久性を確保する観点から、好ましくは0.3μm以上である。同じく、より高い耐磨耗性及び耐久性を確保する観点から、好ましくは100μm以下であり、より好ましくは50μm以下であり、さらに好ましくは4μm以下である。具体的には、炭化ケイ素の平均粒径は、好ましくは0.3〜100μmであり、より好ましくは0.3〜50μmであり、さらに好ましくは0.3〜4μmである。なお、炭化ケイ素の平均粒径は、前記炭素粒子の平均粒径と同様の方法によって測定できる。炭化ケイ素は、前記複合セラミックスにおいて、マトリックスとなるものであり、その結晶型は、α、βのいずれであってもよい。 The average particle size of silicon carbide contained in the composite ceramic is preferably 0.3 μm or more from the viewpoint of ensuring higher wear resistance and durability. Similarly, from the viewpoint of ensuring higher wear resistance and durability, it is preferably 100 μm or less, more preferably 50 μm or less, and further preferably 4 μm or less. Specifically, the average particle diameter of silicon carbide is preferably 0.3 to 100 μm, more preferably 0.3 to 50 μm, and still more preferably 0.3 to 4 μm. In addition, the average particle diameter of silicon carbide can be measured by the same method as the average particle diameter of the carbon particles. Silicon carbide serves as a matrix in the composite ceramic, and the crystal type thereof may be either α or β.
前記複合セラミックスは、前記炭化ケイ素と炭素から構成されることが好ましいが、本発明の効果を損なわない範囲で、炭化ケイ素以外の炭化物等の任意成分をさらに含有してもよい。 The composite ceramic is preferably composed of silicon carbide and carbon, but may further contain an optional component such as a carbide other than silicon carbide as long as the effects of the present invention are not impaired.
本発明における複合セラミックスは、比較的粒径の大きな炭素粒子と好ましくは比較的粒径の大きな炭化ケイ素とを含有するため、複合セラミックスの強度を確保するため、ボイド径が小さいことが好ましい。最大ボイド径は、300μm以下であることが好ましく、より好ましくは0〜100μmであり、さらに好ましくは50μm以下、さらにより好ましくは25μm以下である。なお、最大ボイド径は、以下のようにして測定することができる。すなわち、複合セラミックスの表面の空隙孔について、キーエンス社製のVH−8000型により空隙孔の像(写真)を得、得られた像を画像解析することにより求めることができる。画像解析の際は、ランダムに配向させた空隙孔の長軸径(mm)と短軸径(mm)とを測定して、(長軸径+短軸径)/2を求め、前記VH−8000型の倍率100倍の時の視野中の空隙孔につき、それぞれ得られた値の最大値を最大ボイド径とする。長軸径と短軸径とは、それぞれ以下のように定義される。空隙孔を2本の平行線ではさんだ時、その2本の平行線の間隔が最小となる空隙孔の幅を短軸径といい、一方、この平行線に直角な方向の2本の平行線で空隙孔をはさんだ時、その2本の平行線の間隔を長軸径という。なお、金型成形、CIP(COLD ISOSTATIC PRESS)、HIP(HOT ISOSTATIC PRESS)等において、0.5〜5t/cm2の圧力で成形すると、複合セラミックスの最大ボイド径を300μm以下にすることができる。 Since the composite ceramic in the present invention contains carbon particles having a relatively large particle diameter and preferably silicon carbide having a relatively large particle diameter, the void diameter is preferably small in order to ensure the strength of the composite ceramic. The maximum void diameter is preferably 300 μm or less, more preferably 0 to 100 μm, still more preferably 50 μm or less, and even more preferably 25 μm or less. The maximum void diameter can be measured as follows. That is, the voids on the surface of the composite ceramic can be obtained by obtaining an image (photograph) of the voids with a VH-8000 type manufactured by Keyence Corporation, and analyzing the obtained image. In the image analysis, the major axis diameter (mm) and minor axis diameter (mm) of the randomly oriented void holes are measured to obtain (major axis diameter + minor axis diameter) / 2, and the VH− The maximum value of the obtained values for the voids in the field of view when the magnification of the 8000 type is 100 times is the maximum void diameter. The major axis diameter and the minor axis diameter are respectively defined as follows. When the gap hole is sandwiched between two parallel lines, the width of the gap hole that minimizes the distance between the two parallel lines is called the minor axis diameter. On the other hand, two parallel lines in a direction perpendicular to the parallel line When the gap hole is sandwiched between the two parallel lines, it is called the major axis diameter. In addition, when forming at a pressure of 0.5 to 5 t / cm 2 in mold forming, CIP (COLD ISOSTATIC PRESS), HIP (HOT ISOSTATIC PRESS), etc., the maximum void diameter of the composite ceramic can be reduced to 300 μm or less. .
本発明の成形型は、ガラスに対する離型性が高いことから、ガラス成形の際にガラスが接触する表面の少なくとも一部が前記複合セラミックスから構成されていることが好ましいが、さらに、前記接触表面の全てが前記複合セラミックスから構成されることが好ましい。また、前記成形型の全体が前記複合セラミックスから構成されてもよい。具体例としては、本発明の成形型がダイスとパンチとからなる場合、ダイス及びパンチのいずれか一方、もしくは、両方を、前記複合セラミックスで構成してもよい。また、ダイス及びパンチのいずれか一方、または、両方について、ガラスとの接触面の一部もしくは全面を前記複合セラミックスで構成してもよい。 Since the mold according to the present invention has high mold releasability, it is preferable that at least a part of the surface that comes into contact with the glass during glass molding is composed of the composite ceramics. Is preferably composed of the composite ceramic. Moreover, the whole said shaping | molding die may be comprised from the said composite ceramics. As a specific example, when the molding die of the present invention includes a die and a punch, either or both of the die and the punch may be made of the composite ceramic. Further, for either one or both of the die and the punch, a part or the whole of the contact surface with the glass may be composed of the composite ceramic.
本発明の成形型の形状としては、従来公知の成形型と同様の形状があげられる。本発明の成形型は、前述のような複合セラミックスを含むことが特徴であり、前述のように、ガラスが接触する表面の少なくとも一部が前記複合セラミックスを含めば、ガラスに対する離型性を向上できるため、その形状自体は何ら制限されない。 Examples of the shape of the mold of the present invention include the same shapes as those of conventionally known molds. The mold according to the present invention is characterized by including the composite ceramic as described above. As described above, if at least a part of the surface in contact with the glass includes the composite ceramic, the mold releasability with respect to the glass is improved. Therefore, the shape itself is not limited at all.
本発明の成形型を用いてガラス製ハードディスク基板を製造する場合、前記成形型におけるガラスとの接触表面の形状が、成形したガラス表面に転写されることから、前記接触表面は、できるだけ滑らかであることが好ましい。具体的には、成形後の基板研磨効率の観点及び前記接触表面の平滑性の観点から、前記接触表面の中心線平均粗さRaは、0.001〜10μmが好ましく、より好ましくは0.01〜9.5μm、さらに好ましくは0.02〜9μmである。なお、中心線平均粗さRaは、JIS B0651により求めることができる。中心線平均粗さRaは、焼結体の密度を高くすることによって、前記範囲に設定することができるため、後述するような仮焼した粉末(複合セラミックス)を使用すればよい。 When producing a glass hard disk substrate using the mold of the present invention, the shape of the contact surface with the glass in the mold is transferred to the molded glass surface, so that the contact surface is as smooth as possible. It is preferable. Specifically, from the viewpoint of substrate polishing efficiency after molding and the smoothness of the contact surface, the centerline average roughness Ra of the contact surface is preferably 0.001 to 10 μm, more preferably 0.01. It is -9.5 micrometers, More preferably, it is 0.02-9 micrometers. The centerline average roughness Ra can be determined according to JIS B0651. Since the center line average roughness Ra can be set within the above range by increasing the density of the sintered body, a calcined powder (composite ceramic) as described later may be used.
(複合セラミックスの製造方法)
本発明のガラス製ハードディスク基板用成形型における複合セラミックスは、以下のようにして調製することができる。
(Production method of composite ceramics)
The composite ceramic in the glass hard disk substrate mold of the present invention can be prepared as follows.
前記複合セラミックスは、炭化ケイ素及び炭素源を含む原料混合物を必要に応じて仮焼した後、所望の形状に成形し、これを焼成することによって製造できる。後述するが、本発明の成形型全体をこの複合セラミックスで構成する場合には、所望の成形型の形状に成形すればよく、また、本発明の成形型の一部をこの複合セラミックスで構成する場合には、成形型の部品として所望の形状に成形すればよい。 The composite ceramics can be manufactured by calcining a raw material mixture containing silicon carbide and a carbon source, if necessary, and then shaping the mixture into a desired shape and firing it. As will be described later, when the entire mold of the present invention is composed of this composite ceramic, it may be formed into a desired mold shape, and a part of the mold of the present invention is composed of this composite ceramic. In such a case, it may be formed into a desired shape as a part of the mold.
前記複合セラミックスには、前述のように炭素の単体が含まれることが好ましいが、この炭素の単体は、製造中に適当な炭素源から生成されることが好ましい。具体的には、炭化ケイ素、後述する炭素源、及び、所望により従来公知の添加剤を湿式混合して仮焼すればよい。この仮焼工程において、通常、炭素源の炭素は、単体に変換される。前記各原料の混合割合は、得られる複合セラミックスが、炭化ケイ素100重量部に対し15〜50重量部の炭素粒子を含有するように適宜設定すればよい。 As described above, the composite ceramic preferably contains a simple substance of carbon, but this simple substance of carbon is preferably generated from a suitable carbon source during the production. Specifically, silicon carbide, a carbon source, which will be described later, and, if desired, a conventionally known additive may be wet mixed and calcined. In this calcination step, carbon as a carbon source is usually converted into a simple substance. What is necessary is just to set the mixing rate of each said raw material suitably so that the composite ceramics obtained may contain 15-50 weight part carbon particles with respect to 100 weight part of silicon carbide.
前記添加剤としては、特に制限されないが、公知のホウ素化合物、チタン化合物、アルミニウム、イットリア化合物等の焼結助剤等があげられる。 The additive is not particularly limited, and examples thereof include known sintering aids such as boron compounds, titanium compounds, aluminum, and yttria compounds.
前記湿式混合は、ボールミル、振動ミル、遊星ミル等を用いて行うことができる。また、湿式混合に使用する溶剤としては、特に制限されないが、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤;メタノール、エタノール等のアルコール系溶剤;メチルエチルケトン等のケトン系溶剤等の有機溶剤が好ましい。その他の溶剤としては、水、水と前記有機溶剤との混合溶剤等も使用できる。 The wet mixing can be performed using a ball mill, a vibration mill, a planetary mill or the like. The solvent used for the wet mixing is not particularly limited, but is preferably an aromatic solvent such as benzene, toluene or xylene; an alcohol solvent such as methanol or ethanol; or an organic solvent such as a ketone solvent such as methyl ethyl ketone. As other solvents, water, a mixed solvent of water and the organic solvent, or the like can be used.
湿式混合した混合物の仮焼は、特に制限されず、従来公知の方法で行うことができるが、使用する炭素源をより充分に炭素単体に変換させつつ、良好な分散性を維持する観点から、不活性雰囲気下(窒素ガス、アルゴンガス等の雰囲気下)、150〜800℃で熱処理して行うことが好ましい。 The calcination of the wet-mixed mixture is not particularly limited and can be performed by a conventionally known method, but from the viewpoint of maintaining good dispersibility while more sufficiently converting the carbon source to be used to carbon simple substance, It is preferable to carry out heat treatment at 150 to 800 ° C. in an inert atmosphere (in an atmosphere such as nitrogen gas or argon gas).
前記炭素源としては、特に制限されず、湿式混合に使用する前記有機溶剤に可溶性または分散性のものであり、且つ、前記仮焼条件下で炭素に変換されるものであるものが使用できる。炭素源が固体粉末の場合は、その分散性の観点から、平均粒径0.1〜100μm程度の材料が好ましい。また、前記炭素源は、仮焼後における炭素への変換率が高いことから、芳香族炭化水素が好ましく、具体的にはフラン樹脂、フェノール樹脂、コールタールピッチ等があげられ、中でもフェノール樹脂、コールタールピッチがより好ましい。また、仮焼したこれらのものを炭素源として用いることもできる。 The carbon source is not particularly limited, and a carbon source that is soluble or dispersible in the organic solvent used for wet mixing and that is converted to carbon under the calcination conditions can be used. When the carbon source is a solid powder, a material having an average particle size of about 0.1 to 100 μm is preferable from the viewpoint of dispersibility. The carbon source is preferably an aromatic hydrocarbon because of its high conversion rate to carbon after calcination, and specifically includes furan resins, phenol resins, coal tar pitch, etc. Coal tar pitch is more preferred. These calcined materials can also be used as a carbon source.
前記炭化ケイ素原料(粒子)としては、前述のように、α、βのいずれの結晶型であってもよい。また、その炭化ケイ素原料の純度は、特に制限されないが、より高密度に焼結させ、耐磨耗性及び耐久性をさらに向上するという点から、好ましくは90重量%以上、より好ましくは95重量%以上である。炭化ケイ素原料(粒子)の平均粒径は、特に制限されないが、焼結性がより良好であることから、0.1〜10μmの粉末であることが好ましい。なお、炭化ケイ素原料(粒子)の平均粒径は、レーザー回折/散乱光式粒子径分布測定装置(商品名LA720、堀場製作所社製)によって測定される体積平均粒径D50である(以下、同様)。 As described above, the silicon carbide raw material (particles) may be either α or β crystal type. Further, the purity of the silicon carbide raw material is not particularly limited, but is preferably 90% by weight or more, more preferably 95% by weight from the viewpoint of sintering at a higher density and further improving wear resistance and durability. % Or more. The average particle diameter of the silicon carbide raw material (particles) is not particularly limited, but is preferably a powder of 0.1 to 10 μm because the sinterability is better. The average particle size of the silicon carbide raw material (particles) is a volume average particle size D 50 measured by a laser diffraction / scattered light type particle size distribution measuring device (trade name LA720, manufactured by HORIBA, Ltd.) The same).
次いで、仮焼後の混合物を、所望により造粒した後、所望の形状に成形する。成形方法は、特に制限されず、金型成形法、インジェクション法、CIP(COLD ISOSTATIC PRESS)法等でブロックを形成し、必要に応じて前記ブロックを機械加工して所望の形状の成形体を作製すればよい。 Next, the calcined mixture is granulated as desired, and then formed into a desired shape. The molding method is not particularly limited, and a block is formed by a mold molding method, an injection method, a CIP (COLD ISOSTATIC PRESS) method, and the block is machined as necessary to produce a molded body having a desired shape. do it.
続いて、得られた成形体を焼成工程に供する。焼成方法は、特に制限されず、従来公知の方法に従えばよいが、不活性雰囲気下または真空下において、1800〜2300℃で処理することが好ましい。このような焼成温度で処理すれば、焼結体の密度、強度や硬度等の機械的特性がより良好となり得る。前記焼成方法としては、さらに高密度化を達成させるために、ホットプレス、HIP(HOT ISOSTATIC PRESS)法等を採用することが好ましい。 Subsequently, the obtained molded body is subjected to a firing step. The firing method is not particularly limited and may be a conventionally known method, but it is preferable to perform the treatment at 1800 to 2300 ° C. in an inert atmosphere or under vacuum. By treating at such a firing temperature, the mechanical properties such as density, strength and hardness of the sintered body can be improved. As the firing method, it is preferable to employ a hot press, a HIP (HOT ISOSTATIC PRESS) method or the like in order to achieve higher density.
この複合セラミックスは、容易に加工成形できることに加え、その特性に依存して、本発明が解決しようとする課題の1つである、成形型に要求される特性の付与、具体的には、高温のガラスに対する化学的安定性(耐酸化性、耐食性、ガラスに対する不活性)や耐摩耗性、ガラスとの離型性、表面平滑性等のガラス製ハードディスク基板用成形型の特性の付与に大きく貢献する。 In addition to being easy to process and mold, this composite ceramic is one of the problems to be solved by the present invention depending on its properties. Greatly contributes to the characteristics of glass hard disk substrate molds, such as chemical stability (oxidation resistance, corrosion resistance, inertness to glass) and abrasion resistance, releasability from glass, and surface smoothness. To do.
前記複合セラミックスにおける炭素粒子や炭化ケイ素の平均粒径を過度に微細にしないようにするには、炭素原料の残炭率、粒径を前記好適範囲に調整し、仮焼条件を調整し、原料の溶解を過度に行わないことが好ましい。また、炭化ケイ素については、焼成条件を調整して結晶性を向上させ、適度に粒子成長させることが好ましい。 In order not to make the average particle size of carbon particles and silicon carbide in the composite ceramics excessively fine, the residual carbon ratio and particle size of the carbon raw material are adjusted to the preferred ranges, the calcining conditions are adjusted, and the raw material It is preferable not to dissolve excessively. Moreover, about silicon carbide, it is preferable to adjust a baking condition, to improve crystallinity, and to make a particle grow moderately.
(本発明の成形型の製造方法)
つぎに、本発明の成形型の好適な製造方法について説明するが、本発明の成形型の製造方法はこれらには限定されない。本発明の成形型の全体を、前記複合セラミックスから構成する場合には、前述の複合セラミックスの製造工程において、仮焼した混合物を所望の成形型の形状に成形し、焼成すればよい。また、本発明の成形型の一部を前記複合セラミックスで構成する場合には、前述のように、複合セラミックスからなる部品を作製し、これを成形型の一部として組み込むことで、本発明の成形型を製造できる。
(Method for producing mold of the present invention)
Next, although the suitable manufacturing method of the shaping | molding die of this invention is demonstrated, the manufacturing method of the shaping | molding die of this invention is not limited to these. When the entire mold according to the present invention is composed of the composite ceramic, the calcined mixture may be formed into a desired mold and fired in the above-described composite ceramic manufacturing process. Further, when a part of the molding die of the present invention is composed of the composite ceramic, as described above, a part made of the composite ceramic is produced and incorporated as a part of the molding die. Molds can be manufactured.
本発明の成形型において、ガラス製ハードディスク基板の製造においてガラスと接触する表面は、前述のように滑らかであることが好ましい。このため、前記ガラスとの接触表面は、必要に応じて、研磨することが好ましい。研磨方法は、特に制限されないが、前記複合セラミックスが高硬度材料の場合は、ダイヤモンド以外の砥粒による研磨では所要時間が長くなるため、ダイヤモンド砥粒によって研磨することが好ましい。本発明の成形型におけるガラスとの接触表面の表面平滑性を十分に確保する点から、使用するダイヤモンド砥粒の平均粒径は、2μm以下が好ましい。 In the mold of the present invention, it is preferable that the surface in contact with the glass in the production of the glass hard disk substrate is smooth as described above. For this reason, it is preferable to grind the contact surface with the said glass as needed. The polishing method is not particularly limited, but when the composite ceramic is a high-hardness material, polishing with abrasive grains other than diamond requires a long time, and therefore it is preferable to polish with diamond abrasive grains. From the viewpoint of sufficiently ensuring the surface smoothness of the contact surface with the glass in the mold of the present invention, the average grain size of the diamond abrasive grains used is preferably 2 μm or less.
本発明の成形型を構成する前記複合セラミックスは、HIP法により焼成した場合、非常に高密度の焼結体として得られる。成形するガラスの表面により良好な平滑性を付与できることから、成形型の相対密度は高いことが好ましい。具体的には、成形型の相対密度は95%以上が好ましく、より好ましくは98%以上である。この相対密度は、嵩密度を理論密度(真比重)で除することにより算出でき、嵩密度は、JIS R1634に基づいて測定できる。なお、セラミックスが複数成分から構成される場合には、各成分の理論密度×各成分の含有量(重量%)÷100を計算し、得られた各成分についての計算値の和を、前記セラミックス全体の理論密度とする。 The composite ceramic constituting the mold of the present invention is obtained as a very high density sintered body when fired by the HIP method. It is preferable that the relative density of the mold is high because good smoothness can be imparted to the surface of the glass to be molded. Specifically, the relative density of the mold is preferably 95% or more, more preferably 98% or more. This relative density can be calculated by dividing the bulk density by the theoretical density (true specific gravity), and the bulk density can be measured based on JIS R1634. When the ceramic is composed of a plurality of components, the theoretical density of each component × the content (% by weight) of each component ÷ 100 is calculated, and the sum of the calculated values for each component obtained is calculated as the ceramics. The overall theoretical density.
(ガラス製ハードディスク基板の製造方法)
本発明のガラス製ハードディスク基板の製造方法は、前述のように、成形型にガラス原料を配置し、必要に応じて加熱条件の下で、前記ガラス原料を加圧成形する工程を含むガラス製ハードディスク基板の製造方法であって、前記成形型が、本発明のガラス製ハードディスク基板用成形型である。このように本発明の製造方法においては、成形型として本発明の成形型を使用すればよく、その他の工程や処理条件等に関しては、何ら制限されるものではない。
(Manufacturing method of glass hard disk substrate)
As described above, the method for producing a glass hard disk substrate of the present invention includes a step of placing a glass raw material in a mold and press-molding the glass raw material under heating conditions as necessary. It is a manufacturing method of a board | substrate, Comprising: The said shaping | molding die is a shaping | molding die for glass hard disk substrates of this invention. Thus, in the manufacturing method of the present invention, the molding die of the present invention may be used as the molding die, and the other steps, processing conditions, etc. are not limited at all.
本発明のガラス製ハードディスク基板の製造方法の一例について、図1を用いて説明するが、本発明はこれに制限されない。 Although an example of the manufacturing method of the glass hard disk board | substrate of this invention is demonstrated using FIG. 1, this invention is not restrict | limited to this.
図1は、本発明のガラス製ハードディスク基板用成形型の一例を示す断面図である。同図に示すように、成形型は、対向する上型10a及び下型10b、これらを上下に移動可能に連結する外周部12を備え、101aは、上型10aにおける加工面(ガラスとの接触面)であり、101bは、下型10bにおける加工面(ガラスとの接触面)である。そして、成形型は、少なくとも上型10aの加工面101aと下型10bの加工面101bとが、前述の複合セラミックスで構成されている。なお、成形型は外周部を備えなくても良い。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a glass hard disk substrate mold of the present invention. As shown in the figure, the mold includes an
まず、成形型の上型10aと下型10bとの間にガラス材料11を配置する(例えば、下型10bの加工面101b上に配置)。そして、上型10aと下型10bとを移動させることによりガラス材料11をプレスし、その後、これを冷却することによってガラス製ハードディスク基板が成形される。そして、この成形されたガラス製ハードディスク基板を前記成形型から離型して、ガラス製ハードディスク基板が得られる。なお、本発明のガラス製ハードディスク基板用成形型の製造方法においては、本発明の成形型を使用することが特徴であり、温度や加重の条件等は、何ら制限されず、従来公知の通りに設定できる。
First, the
ガラス材料11は、未加熱のガラス原料(室温程度)を上型10aと下型10bとの間に配置し、加熱しながらプレス加工を行ってもよいし、予めガラス原料11を所定の温度に加熱して溶融ガラスとし、これを溶融ガラス槽から流出パイプを通じて、下型10bの加工面に流下させてもよい。加熱処理の温度は、特に制限されないが、成形性の観点から200〜1500℃が好ましく、より好ましくは400〜1500℃、さらに好ましくは500〜1400℃、さらにより好ましくは600〜1400℃である。また、溶融ガラスの温度は、ガラス原料が溶融していればよく、特に制限されないが、成形性の観点から200〜1500℃が好ましく、より好ましくは400〜1500℃であり、さらに好ましくは500〜1400℃、さらにより好ましくは600〜1400℃である。
The
プレス時に印加する圧力は、特に制限されないが、0.2〜50MPaが好ましく、プレス時間をより短縮できることから、より好ましくは、0.3〜40MPaであり、さらに好ましくは0.4〜30MPaである。なお、プレスは、上型10aと下型10bの両方を移動させて行ってもよいし、図1の矢印に示すように上型10aに圧力を加えて行ってもよい。
The pressure to be applied at the time of pressing is not particularly limited, but is preferably 0.2 to 50 MPa, more preferably 0.3 to 40 MPa, and further preferably 0.4 to 30 MPa because the pressing time can be further shortened. . The pressing may be performed by moving both the
前記ガラス原料の種類も何ら制限されず、成形後の形態が、アモルファスガラスとなる原料でもよいし、結晶化ガラス(ガラスセラミック)となる原料であってもよい。 The kind of the glass raw material is not limited at all, and the form after molding may be a raw material that becomes amorphous glass or a raw material that becomes crystallized glass (glass ceramic).
(情報記録媒体)
本発明によれば、前述のガラス製ハードディスク基板を備えた情報記録媒体を提供することもできる。この場合、前述の方法により作製したガラス製ハードディスク基板を使用すればよく、情報記録媒体のその他の構成等に関しては何ら制限されるものではない。
(Information recording medium)
According to the present invention, an information recording medium provided with the glass hard disk substrate described above can also be provided. In this case, a glass hard disk substrate produced by the above-described method may be used, and other configurations of the information recording medium are not limited at all.
下記表1に示す炭素源、平均粒径0.5μmのβ−炭化ケイ素粒子(純度98重量%)、及び、焼結助剤B4C(2重量%)を振動ミルにてエタノールによる湿式混合を行い、乾燥後、500℃で2時間仮焼し、この仮焼物をエタノールによって湿式粉砕してスラリー化した。このスラリーを噴霧乾燥機により造粒して顆粒を得た。これらの顆粒を用いてCIP法によりブロックを形成し、得られたブロックをNC(Numerical Control)加工機で加工してガラス成形型を成形し、さらに、アルゴンガス雰囲気下、2200℃で4時間焼成した。なお、この焼成によって、本発明における炭化ケイ素−炭素複合セラミックスが形成される。焼成後の成形型について、ガラスと接触する表面を平均粒径2μmのダイヤモンド砥粒で研磨し、最終的にガラス製ハードディスク基板用の成形型を得た。なお、下記表1において、炭素含有量は、炭化ケイ素100重量部に対する焼成後の炭素含有量を示す。 Wet mixing of carbon source shown in Table 1 below, β-silicon carbide particles having an average particle size of 0.5 μm (purity 98 wt%), and sintering aid B 4 C (2 wt%) with ethanol in a vibration mill After drying, it was calcined at 500 ° C. for 2 hours, and this calcined product was wet pulverized with ethanol to form a slurry. This slurry was granulated with a spray dryer to obtain granules. These granules are used to form blocks by the CIP method, and the resulting blocks are processed with an NC (Numerical Control) processing machine to form a glass mold, and further fired at 2200 ° C. for 4 hours in an argon gas atmosphere. did. In addition, the silicon carbide-carbon composite ceramic in this invention is formed by this baking. About the shaping | molding die after baking, the surface which contacts glass was grind | polished with the diamond abrasive grain of average particle diameter of 2 micrometers, and the shaping | molding die for glass hard disk substrates was finally obtained. In Table 1 below, the carbon content indicates the carbon content after firing with respect to 100 parts by weight of silicon carbide.
得られた成形型について、以下の測定方法によって各特性を評価した。これらの結果を下記表1に併せて示す。 About the obtained shaping | molding die, each characteristic was evaluated with the following measuring methods. These results are also shown in Table 1 below.
(1)レーザーラマン比
レーザーラマン比とは、炭素粒子の結晶相と非晶相とのレーザーラマン分光強度のピーク面積比(結晶相/非晶相)であり、アルゴンレーザーラマン分光装置(NEC社製)により測定した。
(1) Laser Raman ratio The laser Raman ratio is the peak area ratio (crystalline phase / amorphous phase) of the laser Raman spectral intensity between the crystalline phase and the amorphous phase of carbon particles. Argon laser Raman spectrometer (NEC Corporation) Manufactured).
(2)表面粗さ
前記成形型について、ガラスと接触する表面の中心線平均粗さRaを、粗さ計(小坂技研製)を用いてJIS B 0651に基づき測定した。
(2) Surface roughness About the said shaping | molding die, centerline average roughness Ra of the surface which contacts glass was measured based on JISB0651 using the roughness meter (made by Kosaka Giken).
(3)離型性
作製した成形型を用いてハードディスク基板を以下の条件で作製し、前記ハードディスク基板のハードディスク基板成形型からの離型性を以下のようにして評価した。すなわち、前記成形型に原料となるガラスGob塊(粘度logη:1〜4)を投入し、20MPaの圧力を印加することにより、ガラス製ハードディスク基板を製造した。さらに、ガラス製ハードディスク基板の製造を同一の成形型を使用して1000個連続して行い、各ガラス製ハードディスク基板の離型性を、下記評価基準に基づいて評価した。
(3) Releasability A hard disk substrate was produced using the produced mold under the following conditions, and the releasability of the hard disk substrate from the hard disk substrate mold was evaluated as follows. That is, a glass Gob lump (viscosity log η: 1 to 4) as a raw material was put into the mold and a pressure of 20 MPa was applied to produce a glass hard disk substrate. Further, 1000 glass hard disk substrates were continuously manufactured using the same mold, and the releasability of each glass hard disk substrate was evaluated based on the following evaluation criteria.
(ハードディスク基板の作製条件)
ガラス成分:SiO2、Li2O、AL2O3、B2O3、Na2O、K2O
プレス直前のガラス温度:1200〜1400℃(放射温度計により測定)
プレス方法:ダイレクトプレス法で所定重量の溶融ガラスの温度を成形温度領域(logη=7〜10)まで降温させて、成形型によりガラス塊のプレス成形を行う。
冷却条件:プレス中に熱交換用流体(水)によりプレス品の熱を吸収させる。これにより、プレス面が冷却されることで高品質かつ効率的なガラス成形品ができる。
(Hard disk substrate manufacturing conditions)
Glass components: SiO 2, Li 2 O, AL 2 O 3, B 2 O 3, Na 2 O, K 2 O
Glass temperature immediately before pressing: 1200 to 1400 ° C. (measured with a radiation thermometer)
Pressing method: The temperature of the molten glass having a predetermined weight is lowered to the forming temperature region (log η = 7 to 10) by the direct pressing method, and the glass lump is press-formed by the forming die.
Cooling condition: The heat of the pressed product is absorbed by the heat exchange fluid (water) during pressing. Thereby, a high-quality and efficient glass molded product is made by cooling a press surface.
(評価基準)
◎:1000個とも良好な型離れを示した
○:1000個中1個が型離れ不良を起した
△:1000個中2〜4個が型離れ不良を起した
×:1000個中5個以上が型離れ不良を起した
ただし、良好な型離れとは、プレス直後、成形型の上型をプレス品から離した際にプレス品の動きがないことを良い、型離れ不良とは、プレス直後、成形型の上型をプレス品から離した際にプレス品が動くこと、または、プレス品が上型にくっついてしまうことをいう。
(Evaluation criteria)
◎: 1000 pieces showed good mold release ○: 1 out of 1000 caused mold release failure Δ: 2-4 pieces out of 1000 caused mold release failure ×: 5 or more out of 1000 pieces However, good mold separation means that there is no movement of the press product when the upper mold of the mold is separated from the press product. Improper mold release is immediately after pressing. When the upper mold of the mold is separated from the press product, the press product moves or the press product sticks to the upper mold.
(4)耐久性
成形型の耐久性は、前記(3)の離型性試験後の成形型について、表面の外観及びその粗さの目視による観察、ならびに、中心線平均粗さRaの測定を行い、下記評価基準に基づいて評価した。中心線平均粗さRaは、成形型(上型)のガラスとの接触面(プレス面)における中心部と外周部のそれぞれ一点を測定し、二つの測定値の差を求めた。図2に、成形型の上型を模式的に示す。図2において、(A)が成形型の上型の断面図であり、(B)が成形型の上型の平面図である。図2(B)に示すように、前記中心部については、成形型(上型)のプレス面の中心点を中心として2mm(図中の矢印X)を測定し、前記外周部については、外周(同図(B)において内側の実線)から内側10mmのさらに内側2mm(図中の矢印Y)を測定した。下記評価基準において、「粗さ変化」とは、前記中心部と外周部との差における粗さの違い、すなわち、前記中心部と外周部との差について離型性試験前後で生じた変化量を意味する。なお、成形型の耐久性が高い評価である場合、同様に耐磨耗性も良好といえる。
(4) Durability Durability of the mold is determined by visually observing the appearance and roughness of the surface and measuring the centerline average roughness Ra for the mold after the releasability test of (3). And evaluated based on the following evaluation criteria. The center line average roughness Ra was determined by measuring one point at each of the center portion and the outer peripheral portion of the contact surface (press surface) with the glass of the forming die (upper die) and obtaining the difference between the two measured values. FIG. 2 schematically shows the upper mold of the mold. 2A is a sectional view of the upper mold of the mold, and FIG. 2B is a plan view of the upper mold of the mold. As shown in FIG. 2 (B), about the center part, 2 mm (arrow X in the figure) is measured around the center point of the pressing surface of the mold (upper mold), and the outer periphery part is the outer periphery. The inner 2 mm (arrow Y in the figure) 10 mm on the inner side from the inner solid line in FIG. In the following evaluation criteria, “roughness change” means the difference in roughness in the difference between the central portion and the outer peripheral portion, that is, the amount of change generated before and after the releasability test for the difference between the central portion and the outer peripheral portion. Means. In addition, when the durability of the mold is highly evaluated, it can be said that the wear resistance is also good.
(評価基準)
◎:粗さ変化がない
○:粗さ変化が若干認められる Ra Δ10%以下
△:粗さ変化が認められる Ra Δ20%以下
×:粗さ変化が大きく認められる Ra Δ30%以下
(Evaluation criteria)
◎: No change in roughness ◯: Some change in roughness is observed Ra Δ10% or less △: Change in roughness is observed Ra Δ20% or less ×: Large change in roughness is recognized Ra Ra Δ30% or less
本発明のガラス製ハードディスク基板用成形型によれば、ガラスとの反応性が少なく、耐磨耗性と耐久性に優れ、且つ、成形したガラスの前記成形型表面からの離型性が良好となる。このため、連続的に、また、長期に本発明の成形型を使用しても、成形型の加工表面の荒れや離型不良が抑制され、高頻度でのガラス製ハードディスク基板の製造が可能となる。また、得られるガラス製ハードディスク基板の歩留まりも向上し、成形後の研磨が実質的には不要となる程度の表面平滑性を実現することも可能となる。したがって、本発明の成形型によれば、ガラス製ハードディスク基板の成形コストを低減することもできる。 According to the glass mold for a hard disk substrate of the present invention, the reactivity with glass is low, the wear resistance and durability are excellent, and the mold release from the mold surface is good. Become. For this reason, even if the mold of the present invention is used continuously and for a long period of time, it is possible to suppress the roughening of the processed surface of the mold and the mold release failure, and it is possible to manufacture a glass hard disk substrate at a high frequency. Become. In addition, the yield of the obtained glass hard disk substrate is improved, and it is possible to realize surface smoothness to the extent that polishing after molding is substantially unnecessary. Therefore, according to the molding die of the present invention, the molding cost of the glass hard disk substrate can be reduced.
10a 上型
10b 下型
11 ガラス材料
12 外周部
101a 加工面
101b 加工面
Claims (6)
前記炭化ケイ素−炭素複合セラミックスは、炭化ケイ素100重量部に対し15〜50重量部の炭素粒子を含有し、前記炭化ケイ素−炭素複合セラミックス中の前記炭素粒子の平均粒径が0.3〜100μmの範囲であり、前記炭化ケイ素−炭素複合セラミックス中の炭化ケイ素の平均粒径が0.2〜100μmの範囲である、ガラス製ハードディスク基板用成形型。 A glass mold for hard disk substrate containing silicon carbide-carbon composite ceramics,
The silicon carbide-carbon composite ceramic contains 15 to 50 parts by weight of carbon particles with respect to 100 parts by weight of silicon carbide , and the average particle size of the carbon particles in the silicon carbide-carbon composite ceramics is 0.3 to 100 μm. range der of is, the silicon carbide - range average particle diameter of the silicon carbide is 0.2~100μm carbon composite ceramics, mold for glass hard disk substrate.
前記成形型は、請求項1から4のいずれか一項に記載のガラス製ハードディスク基板用成形型であるガラス製ハードディスク基板の製造方法。 A method for producing a glass hard disk substrate comprising a glass forming step of placing a glass raw material in a mold and press-molding the glass raw material,
The said shaping | molding die is a manufacturing method of the glass hard disk substrate which is a shaping | molding die for glass hard disk substrates as described in any one of Claim 1 to 4 .
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