JP4816630B2 - Data line driving circuit, electro-optical device, and electronic apparatus - Google Patents

Data line driving circuit, electro-optical device, and electronic apparatus Download PDF

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電気光学装置の画素の輝度を調整する技術に関する。   The present invention relates to a technique for adjusting the luminance of a pixel of an electro-optical device.

有機EL(Electro Luminescence)ディスプレイ等の電気光学装置の画素回路を駆動する駆動回路として、電流加算型のデジタル/アナログ変換回路(以下、DACと呼ぶ)を用いた駆動回路が広く知られている。電流加算型のDACは、電圧出力型のDACに比べて少ない配線で構成することができるため、電気光学装置の多階調化に対応しやすいという利点を持っている。電流加算型のDACに関しては、種々の技術が提案されている(例えば、特許文献1、2および3)。   As a drive circuit for driving a pixel circuit of an electro-optical device such as an organic EL (Electro Luminescence) display, a drive circuit using a current addition type digital / analog conversion circuit (hereinafter referred to as DAC) is widely known. Since the current addition type DAC can be configured with fewer wirings than the voltage output type DAC, it has an advantage that it can easily cope with the multi-gradation of the electro-optical device. Various techniques have been proposed for current addition type DACs (for example, Patent Documents 1, 2, and 3).

特許文献1では、複数の電流源からの電流を階調データに応じて選択して加算する電流加算型DACについて記載されている。ここで、階調データはnビット(n≧1の整数)であり、各電流源から供給される電流量は、階調データのビットに対応して、例えば1:2:4:…:2n-1の比を持つように構成されており、これによって、配線の数の削減を図っている。特許文献2に記載の電流加算型のDACは、コンデンサに接続された複数の電流源を階調データに応じてオン/オフさせ、コンデンサに蓄積された電荷を用いて画素を駆動する。これによって、コンデンサの数を削減し、回路の大きさを縮小することができるとしている。特許文献3に記載の電流加算型DACは、階調データに応じて加算された電流を電圧に変換する際に、電圧が所定の範囲内の値を持つように調整することで、チャネル毎の電圧のばらつきの解消を図っている。 Patent Document 1 describes a current addition type DAC that selects and adds currents from a plurality of current sources according to gradation data. Here, the gradation data has n bits (n ≧ 1), and the amount of current supplied from each current source corresponds to, for example, 1: 2: 4:...: 2 corresponding to the bits of the gradation data. It is configured to have a ratio of n-1 , thereby reducing the number of wirings. The current addition type DAC described in Patent Document 2 turns on / off a plurality of current sources connected to a capacitor in accordance with gradation data, and drives a pixel using charges accumulated in the capacitor. As a result, the number of capacitors can be reduced and the size of the circuit can be reduced. The current addition type DAC described in Patent Document 3 adjusts the voltage so as to have a value within a predetermined range when converting the added current according to the gradation data into a voltage, so that each channel has a predetermined value. Eliminates voltage variations.

特開平5−216439号公報JP-A-5-216439 特開平8−95522号公報JP-A-8-95522 特開2002−26729号公報JP 2002-26729 A

ところで、電圧駆動型の画素回路を用いた有機ELディスプレイにおいては、画素回路に設けられた駆動トランジスタに階調データに応じた電圧が印加され、この電圧に応じた電流が有機EL素子に供給されることにより、有機EL素子が階調データに応じた輝度にて発光する。このような画素回路の例を図3に示す。トランジスタ162のソース・ドレイン間に流れる電流Iとゲート電圧Vgsとの関係は(1)式で表される。
I=(1/2)β(Vgs−Vth)2 …(1)
ここで、β:利得係数、Vth:閾値電圧である。
By the way, in an organic EL display using a voltage-driven pixel circuit, a voltage corresponding to gradation data is applied to a driving transistor provided in the pixel circuit, and a current corresponding to this voltage is supplied to the organic EL element. As a result, the organic EL element emits light at a luminance corresponding to the gradation data. An example of such a pixel circuit is shown in FIG. The relationship between the current I flowing between the source and drain of the transistor 162 and the gate voltage Vgs is expressed by equation (1).
I = (1/2) β (Vgs−Vth) 2 (1)
Here, β: gain coefficient, Vth: threshold voltage.

ところが、βおよびVthが全ての駆動トランジスタについて同一であればVgsによって電流Iが一意に定まるが、実際には、駆動トランジスタ毎にβやVthにばらつきを持っているため、電流Iにもばらつきが生じ、その結果、輝度のばらつきが生じてしまう。また、Vth補償機能を有する画素回路を用いたとしても、βのばらつきが残るため、輝度のばらつきは解消されない。また、上記のいずれの特許文献においても、この問題を解決するための構成は開示されていない。   However, if β and Vth are the same for all the drive transistors, the current I is uniquely determined by Vgs. However, since the drive transistors actually vary in β and Vth, the current I also varies. As a result, luminance variation occurs. Even if a pixel circuit having a Vth compensation function is used, the variation in luminance remains, and thus the variation in luminance cannot be eliminated. Further, none of the above-mentioned patent documents discloses a configuration for solving this problem.

その一方で、以下のような問題もある。画素回路に設けられた駆動トランジスタと駆動回路で用いられるトランジスタとは、その製造プロセスが異なっている場合がある。多くの場合、画素回路においてはTFT(Thin Film Transistor)が用いられ、駆動回路においてはMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)で構成されたIC(Integrated Circuit)が用いられる。製造プロセスが異なるトランジスタでは、(1)式に示した利得係数βおよびしきい値電圧Vthが、製造プロセスの違いに起因して異なることとなる。このように利得係数βやしきい値電圧Vthが異なっている場合、画素回路の駆動トランジスタでは階調データに応じた所望の電流値とは異なる電流値の電流が生成されることとなり、有機EL素子を所望の輝度で発光させることができないという問題が生じる。上記のいずれの特許文献においても、この問題を解決するための構成は開示されていない。   On the other hand, there are the following problems. There are cases where the manufacturing process is different between the driving transistor provided in the pixel circuit and the transistor used in the driving circuit. In many cases, a thin film transistor (TFT) is used in the pixel circuit, and an integrated circuit (IC) composed of a MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) is used in the drive circuit. In transistors having different manufacturing processes, the gain coefficient β and the threshold voltage Vth shown in the equation (1) are different due to differences in manufacturing processes. Thus, when the gain coefficient β and the threshold voltage Vth are different, a current having a current value different from a desired current value corresponding to the gradation data is generated in the driving transistor of the pixel circuit, and the organic EL There arises a problem that the element cannot emit light with a desired luminance. None of the above-mentioned patent documents disclose a configuration for solving this problem.

本発明は、上述した背景の下になされたものであり、電気光学装置の輝度を画素毎に調整することのできる技術の提供を目的とする。また、画素回路の駆動トランジスタと駆動回路のトランジスタの特性が異なっていても、画素を所望の輝度で発光させることのできる技術の提供を目的とする。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is that it provides a technique capable of adjusting the luminance of an electro-optical device for each pixel. It is another object of the present invention to provide a technique capable of causing a pixel to emit light with a desired luminance even if the characteristics of the driving transistor of the pixel circuit and the transistor of the driving circuit are different.

請求項1に係る発明は、複数の走査線と複数のデータ線との各交差に設けられているとともに、印加された電圧に応じて電流を生成する駆動トランジスタと、該駆動トランジスタから供給された電流によって駆動される被駆動素子と、ゲートが前記走査線に接続され、ソースが前記データ線に接続され、ドレインが前記駆動トランジスタのゲートに接続されたスイッチングトランジスタとを有する画素回路と、前記複数の走査線の各々を順次選択するとともに、選択した走査線に選択信号を供給する走査線駆動回路とを有する電気光学装置の前記データ線を駆動するデータ線駆動回路において、前記走査線に選択信号が供給されている期間において、当該走査線上に設けられた画素の階調を表す階調データに基づいた階調電流を生成する階調電流生成回路と、ドレインとゲートとが短絡されているとともに該ゲートが前記データ線及び前記スイッチングトランジスタを介して前記駆動トランジスタのゲートに接続された第1のトランジスタを備え、前記階調電流生成回路で生成された階調電流を該第1のトランジスタに供給することにより該階調電流に応じた電圧を生成する電流電圧変換回路とを有し、前記電流電圧変換回路は、前記第1のトランジスタのしきい値電圧が前記駆動トランジスタのしきい値電圧よりも低い場合には、前記第1のトランジスタの高位側の電源電圧を、前記駆動トランジスタの高位側の電源電圧に対して、前記第1のトランジスタと前記駆動トランジスタのしきい値電圧の差分だけ低い電圧に設定し、前記第1のトランジスタのしきい値電圧が前記駆動トランジスタのしきい値電圧よりも高い場合には、前記第1のトランジスタの高位側の電源電圧を、前記駆動トランジスタの高位側の電源電圧に対して、前記第1のトランジスタと前記駆動トランジスタのしきい値電圧の差分だけ高い電圧に設定することを特徴とするデータ線駆動回路である。The invention according to claim 1 is provided at each intersection of the plurality of scanning lines and the plurality of data lines, and generates a current according to the applied voltage, and is supplied from the driving transistor. A pixel circuit having a driven element driven by a current, a switching transistor in which a gate is connected to the scanning line, a source is connected to the data line, and a drain is connected to a gate of the driving transistor; In the data line driving circuit for driving the data line of the electro-optical device, the scanning line driving circuit that sequentially selects each of the scanning lines and supplies a selection signal to the selected scanning line. A gray scale that generates a gray scale current based on gray scale data representing the gray scale of a pixel provided on the scan line during a period in which the current is supplied A gray-scale current generation circuit comprising: a current generation circuit; and a first transistor in which a drain and a gate are short-circuited and the gate is connected to the gate of the drive transistor via the data line and the switching transistor A current-voltage conversion circuit that generates a voltage corresponding to the grayscale current by supplying the grayscale current generated in step 1 to the first transistor, and the current-voltage conversion circuit includes the first transistor When the threshold voltage of the first transistor is lower than the threshold voltage of the driving transistor, the first power supply voltage of the first transistor is set to be higher than the first power supply voltage of the driving transistor. The threshold voltage of the first transistor is set to a voltage lower by the difference between the threshold voltage of the transistor and the driving transistor. When the threshold voltage of the transistor is higher, the higher power supply voltage of the first transistor is set to be higher than the higher power supply voltage of the drive transistor. The data line driving circuit is characterized in that the voltage is set higher by the threshold voltage difference.

請求項2に係る発明は、複数の走査線と複数のデータ線との各交差に設けられているとともに、印加された電圧に応じて電流を生成する駆動トランジスタと、該駆動トランジスタから供給された電流によって駆動される被駆動素子と、ゲートが前記走査線に接続され、ソースが前記データ線に接続され、ドレインが前記駆動トランジスタのゲートに接続されたスイッチングトランジスタとを有する画素回路と、前記複数の走査線の各々を順次選択するとともに、選択した走査線に選択信号を供給する走査線駆動回路とを有する電気光学装置の前記データ線を駆動するデータ線駆動回路において、前記走査線に選択信号が供給されている期間において、当該走査線上に設けられた画素の階調を表す階調データに基づいた階調電流を生成する階調電流生成回路と、ゲート同士が共通に接続された複数のトランジスタと、予め作成されたデータに基づいて前記複数のトランジスタの各々のドレインとゲートとを短絡させるとともに前記ドレイン同士を共通に接続させるスイッチとを有し、前記ゲートが前記データ線及び前記スイッチングトランジスタを介して前記駆動トランジスタのゲートに接続されており、前記階調電流生成回路で生成された階調電流を前記複数のトランジスタに供給することにより該階調電流に応じた電圧を生成する電流電圧変換回路とを有し、前記電流電圧変換回路は、前記複数のトランジスタのしきい値電圧が前記駆動トランジスタのしきい値電圧よりも低い場合には、前記複数のトランジスタの高位側の電源電圧を、前記駆動トランジスタの高位側の電源電圧に対して、前記複数のトランジスタと前記駆動トランジスタのしきい値電圧の差分だけ低い電圧に設定し、前記複数のトランジスタのしきい値電圧が前記駆動トランジスタのしきい値電圧よりも高い場合には、前記複数のトランジスタの高位側の電源電圧を、前記駆動トランジスタの高位側の電源電圧に対して、前記複数のトランジスタと前記駆動トランジスタのしきい値電圧の差分だけ高い電圧に設定することを特徴とするデータ線駆動回路である。 The invention according to claim 2 is provided at each intersection of the plurality of scanning lines and the plurality of data lines, and generates a current according to the applied voltage, and is supplied from the driving transistor. A pixel circuit having a driven element driven by a current, a switching transistor in which a gate is connected to the scanning line, a source is connected to the data line, and a drain is connected to a gate of the driving transistor; In the data line driving circuit for driving the data line of the electro-optical device, the scanning line driving circuit that sequentially selects each of the scanning lines and supplies a selection signal to the selected scanning line. A gray scale that generates a gray scale current based on gray scale data representing the gray scale of a pixel provided on the scan line during a period in which the current is supplied A current generation circuit, a plurality of transistors whose gates are connected in common, and a switch that short-circuits the drain and gate of each of the plurality of transistors based on pre-created data and connects the drains in common And the gate is connected to the gate of the driving transistor via the data line and the switching transistor, and supplies the plurality of transistors with the grayscale current generated by the grayscale current generation circuit. have a current-voltage conversion circuit which generates a voltage corresponding to the gradation current by the current-voltage conversion circuit, the threshold voltage of the plurality of transistors is lower than the threshold voltage of the driving transistor In this case, the high-side power supply voltage of the plurality of transistors is the high-side power supply voltage of the driving transistor. On the other hand, when the threshold voltage of the plurality of transistors is set lower than the threshold voltage of the driving transistor, the threshold voltage of the plurality of transistors is set lower than the threshold voltage of the driving transistor. The high-side power supply voltage of the plurality of transistors is set to a voltage that is higher than the high-side power supply voltage of the driving transistor by a difference between the threshold voltages of the plurality of transistors and the driving transistor. This is a data line driving circuit.

請求項3に係る発明は、請求項1又は2に記載のデータ線駆動回路を備えたことを特徴とする電気光学装置である。According to a third aspect of the present invention, there is provided an electro-optical device comprising the data line driving circuit according to the first or second aspect.
請求項4に係る発明は、請求項3に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器である。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an electronic apparatus comprising the electro-optical device according to the third aspect.

<第1実施形態>
本発明の第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態にかかる電気光学装置100の構成を示す図である。本実施形態においては、本発明を有機ELディスプレイに適用した例について説明する。
電気光学パネル10は、m本の走査線11とn本のデータ線12とを有している。走査線11の各々とデータ線12の各々とは互いに直交し、走査線11とデータ線12との交差部の各々には画素回路16が設けられている。画像メモリ80は、データ線駆動回路22に供給される階調データを記憶している。制御装置60は、CPU(Central Processing Unit),RAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)等からなり
、ROMに格納されているプログラムをCPUが実行することにより電気光学装置100の各部を制御する。電源回路70は、電気光学装置100の各部に電源を供給する回路である。
<First Embodiment>
A first embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of an electro-optical device 100 according to the first embodiment. In this embodiment, an example in which the present invention is applied to an organic EL display will be described.
The electro-optical panel 10 has m scanning lines 11 and n data lines 12. Each of the scanning lines 11 and each of the data lines 12 are orthogonal to each other, and a pixel circuit 16 is provided at each intersection of the scanning lines 11 and the data lines 12. The image memory 80 stores gradation data supplied to the data line driving circuit 22. The control device 60 includes a CPU (Central Processing Unit), a RAM (Random Access Memory), a ROM (Read Only Memory), and the like, and each part of the electro-optical device 100 is executed by the CPU executing a program stored in the ROM. Control. The power supply circuit 70 is a circuit that supplies power to each unit of the electro-optical device 100.

走査線駆動回路21は、走査線11の各々に走査信号を供給する回路である。図2は、走査線駆動回路21から供給される信号を示す図である。具体的には、走査線駆動回路21は、1垂直走査期間(1F)の開始時点から、1水平走査期間(1H)毎に1本ずつ順番に走査線11を選択して、選択した走査線11にアクティブレベル(Hレベル)の走査信号(選択信号)を、それ以外の走査線11には非アクティブレベル(Lレベル)の走査信号(非選択信号)を供給する。ここでは、i行目(i=1、2、…、m)の走査線に供給される走査信号をYiと表記する。
一方、データ線駆動回路22は、データ線12を介して画素回路16の各々に階調データに応じた電圧を印加する回路である。データ線駆動回路22の詳細については後述する。
The scanning line driving circuit 21 is a circuit that supplies a scanning signal to each of the scanning lines 11. FIG. 2 is a diagram illustrating signals supplied from the scanning line driving circuit 21. Specifically, the scanning line driving circuit 21 selects the scanning lines 11 one by one every one horizontal scanning period (1H) from the start point of one vertical scanning period (1F), and selects the selected scanning line. 11 is supplied with an active level (H level) scanning signal (selection signal), and the other scanning lines 11 are supplied with an inactive level (L level) scanning signal (non-selection signal). Here, the scanning signal supplied to the scanning line of the i-th row (i = 1, 2,..., M) is denoted as Yi.
On the other hand, the data line driving circuit 22 is a circuit that applies a voltage corresponding to the gradation data to each of the pixel circuits 16 via the data line 12. Details of the data line driving circuit 22 will be described later.

次に、画素回路16の構成について説明する。図3は、画素回路16の構成の一例を示す図である。同図にはi行目の走査線11とj列目(j=1、2、…、n)のデータ線12との交差部に位置する画素回路16のみ示されているが、他の画素回路16も同様の構成を有している。トランジスタ164はスイッチングトランジスタとして機能するnチャネル型トランジスタであり、そのゲートは走査線11に接続され、そのソースはデータ線12に接続され、そのドレインはトランジスタ162のゲートおよび容量素子166の一端に接続されている。容量素子166の他端は高位側の電源電圧Vddが印加された電源線14に接続されている。トランジスタ162は、駆動トランジスタとして機能するpチャネル型トランジスタであり、そのソースは電源線14に接続され、そのドレインは有機EL素子168の陽極に接続されている。有機EL素子168の陰極は、低位側の電源電圧Gndに接続されている。有機EL素子168の陽極と陰極との間には、有機EL層が挟持されている。   Next, the configuration of the pixel circuit 16 will be described. FIG. 3 is a diagram illustrating an example of the configuration of the pixel circuit 16. Although only the pixel circuit 16 located at the intersection of the scanning line 11 in the i-th row and the data line 12 in the j-th column (j = 1, 2,..., N) is shown in FIG. The circuit 16 has a similar configuration. The transistor 164 is an n-channel transistor that functions as a switching transistor, and has a gate connected to the scanning line 11, a source connected to the data line 12, and a drain connected to the gate of the transistor 162 and one end of the capacitor 166. Has been. The other end of the capacitive element 166 is connected to the power supply line 14 to which the higher power supply voltage Vdd is applied. The transistor 162 is a p-channel transistor that functions as a drive transistor, and has a source connected to the power supply line 14 and a drain connected to the anode of the organic EL element 168. The cathode of the organic EL element 168 is connected to the lower power supply voltage Gnd. An organic EL layer is sandwiched between the anode and the cathode of the organic EL element 168.

次に、i行目の走査線11とj列目のデータ線12との交差部に位置する画素回路16の動作について説明する。i行目の走査線11が選択され、走査信号YiがHレベルになると、トランジスタ164がオン状態となり、トランジスタ162のゲートには電圧Voutが印加される。すると、トランジスタ162のソース・ドレイン間には、電圧Voutに応じた電流Ioutが流れ、この電流Ioutに応じた輝度にて有機EL素子168が発光する。また、このとき、容量素子166には、電圧Voutに応じた電荷が蓄積される。   Next, the operation of the pixel circuit 16 located at the intersection of the i-th scanning line 11 and the j-th data line 12 will be described. When the i-th scanning line 11 is selected and the scanning signal Yi becomes H level, the transistor 164 is turned on, and the voltage Vout is applied to the gate of the transistor 162. Then, a current Iout corresponding to the voltage Vout flows between the source and drain of the transistor 162, and the organic EL element 168 emits light with luminance corresponding to the current Iout. At this time, electric charge corresponding to the voltage Vout is accumulated in the capacitor 166.

続いて、i行目の走査線11が非選択となり、走査信号YiがLレベルになると、トランジスタ164はオフ状態となるが、トランジスタ162のゲート電圧は容量素子166によって保持されているので、有機EL素子168にはトランジスタ164がオン状態のときと等しい大きさの電流Ioutが引き続き流れる。このため、有機EL素子168は、i行目の走査線11が非選択となっても、選択時の電流Ioutに応じた輝度で発光し続ける。
上記の動作がi行目の走査線11と各データ線12との交差部に位置するすべての画素回路16において行われる。さらに、走査線11が順番に選択されることにより、すべての画素回路16において同様な動作が行われ、これによって1フレームの画像が表示される。そして、この1フレームの画像の表示が1垂直走査期間毎に繰り返される。
Subsequently, when the scanning line 11 in the i-th row is not selected and the scanning signal Yi becomes the L level, the transistor 164 is turned off, but the gate voltage of the transistor 162 is held by the capacitor 166, so A current lout having the same magnitude as that when the transistor 164 is on continues to flow through the EL element 168. For this reason, the organic EL element 168 continues to emit light with luminance corresponding to the current Iout at the time of selection even when the scanning line 11 in the i-th row is not selected.
The above operation is performed in all the pixel circuits 16 located at the intersections of the i-th scanning line 11 and the data lines 12. Further, by selecting the scanning lines 11 in order, the same operation is performed in all the pixel circuits 16, thereby displaying an image of one frame. Then, the display of the image of one frame is repeated every one vertical scanning period.

次に、データ線駆動回路22について説明する。図4は、データ線駆動回路22の構成を示す図である。ラインメモリ221は、走査線駆動回路11によって選択された走査線11と各データ線12との交差部に位置する画素に対応する階調データの供給を画像メモリ80から受け、供給された階調データを格納する。基準電圧生成回路223は、基準電圧を生成してDAC222に印加する。DAC222は、画素回路16の各々に対応する階調データの供給をラインメモリ221から受け、供給された階調データに応じた電流を生成し、生成された電流を電流電圧変換回路224に供給する。電流電圧変換回路224は、供給された電流に応じた電圧(データ信号)を生成し、この電圧をバッファ回路225を介してデータ線12の各々に出力する。   Next, the data line driving circuit 22 will be described. FIG. 4 is a diagram showing a configuration of the data line driving circuit 22. The line memory 221 receives supply of gradation data corresponding to the pixel located at the intersection of the scanning line 11 selected by the scanning line driving circuit 11 and each data line 12 from the image memory 80, and the supplied gradation Store the data. The reference voltage generation circuit 223 generates a reference voltage and applies it to the DAC 222. The DAC 222 receives supply of gradation data corresponding to each of the pixel circuits 16 from the line memory 221, generates a current corresponding to the supplied gradation data, and supplies the generated current to the current-voltage conversion circuit 224. . The current-voltage conversion circuit 224 generates a voltage (data signal) corresponding to the supplied current, and outputs this voltage to each of the data lines 12 via the buffer circuit 225.

次に、DAC222について説明する。図5は、DAC222および基準電圧生成回路223の構成を示す図である。DAC222は、データ線12の各々に対応するn個のDAC31とn個のDAC32とからなる。DAC31は、階調データに基づいて階調電流を生成するためのDACであり、DAC32は、DAC31により生成された電流に加算される補正電流を生成するためのDACである。
基準電圧生成回路223は、DAC31の各々に対応するn個の基準電圧生成回路33と、DAC32の各々に対応するn個の基準電圧生成回路34とからなる。基準電圧生成回路33は、DAC31の各々に基準電圧を印加するための回路であり、基準電圧生成回路34は、DAC32の各々に基準電圧を印加するための回路である。
なお、図5においては、図面が複雑になることを避けるために、j列目のデータ線12に対応するDAC31、DAC32、基準電圧生成回路33および基準電圧生成回路34のみ示されている。
Next, the DAC 222 will be described. FIG. 5 is a diagram illustrating the configuration of the DAC 222 and the reference voltage generation circuit 223. The DAC 222 includes n DACs 31 and n DACs 32 corresponding to the data lines 12. The DAC 31 is a DAC for generating a gradation current based on the gradation data, and the DAC 32 is a DAC for generating a correction current that is added to the current generated by the DAC 31.
The reference voltage generation circuit 223 includes n reference voltage generation circuits 33 corresponding to the respective DACs 31 and n reference voltage generation circuits 34 corresponding to the respective DACs 32. The reference voltage generation circuit 33 is a circuit for applying a reference voltage to each DAC 31, and the reference voltage generation circuit 34 is a circuit for applying a reference voltage to each DAC 32.
In FIG. 5, only the DAC 31, DAC 32, reference voltage generation circuit 33, and reference voltage generation circuit 34 corresponding to the data line 12 in the j-th column are shown in order to avoid complication of the drawing.

次に、DAC31および基準電圧生成回路33の構成について説明する。DAC31は、トランジスタ31a、トランジスタ31b、トランジスタ31c、トランジスタ31dを有する。トランジスタ31a乃至dはいずれもnチャネル型トランジスタであり、そのソースは接地されている。また、トランジスタ31a乃至dのドレインはスイッチ31e、31f、31g、31hの一端にそれぞれ接続されている。スイッチ31e乃至hの他端はいずれも端子Aに接続されている。基準電圧生成回路33は、定電流源331とトランジスタ332を有している。トランジスタ332はnチャネル型トランジスタであり、そのドレインは定電流源331に接続され、そのソースは接地されている。ここで、トランジスタ332のドレインとゲートとが短絡され、ダイオード接続が形成されている。そして、トランジスタ332のゲートとトランジスタ31a乃至dのゲートとが接続されることにより、カレントミラー回路が形成されている。これによって、トランジスタ332のゲート電圧と等しい大きさのゲート電圧がトランジスタ31a乃至dのゲートに印加され、このゲート電圧に応じた電流(要素電流)がトランジスタ31a乃至dのソース・ドレイン間に流れることとなる。   Next, the configuration of the DAC 31 and the reference voltage generation circuit 33 will be described. The DAC 31 includes a transistor 31a, a transistor 31b, a transistor 31c, and a transistor 31d. The transistors 31a to 31d are all n-channel transistors, and their sources are grounded. The drains of the transistors 31a to 31d are connected to one ends of the switches 31e, 31f, 31g, and 31h, respectively. The other ends of the switches 31e to 31h are all connected to the terminal A. The reference voltage generation circuit 33 includes a constant current source 331 and a transistor 332. The transistor 332 is an n-channel transistor, its drain is connected to the constant current source 331, and its source is grounded. Here, the drain and gate of the transistor 332 are short-circuited to form a diode connection. A current mirror circuit is formed by connecting the gate of the transistor 332 and the gates of the transistors 31a to 31d. As a result, a gate voltage having a magnitude equal to the gate voltage of the transistor 332 is applied to the gates of the transistors 31a to 31d, and a current (element current) corresponding to the gate voltage flows between the sources and drains of the transistors 31a to 31d. It becomes.

ここで、トランジスタ31a乃至dのチャネルのサイズ比について説明する。トランジスタ31a乃至dは、いずれも同一のチャネル長L1を有する一方、そのチャネル幅が異なっている。トランジスタ31a、31b、31c、31dのチャネル幅をそれぞれWa、Wb、Wc、Wdとすると、それらの比は、Wa:Wb:Wc:Wd=1:2:4:8となっている。トランジスタの利得係数βは、β=μCW/Lで表される。ここで、μ:キャリアの移動度、C:ゲート容量、W:チャネル幅、L:チャネル長である。従って、トランジスタに流れる電流は、チャネル幅に比例する。よって、同一のゲート電圧が印加された場合に、トランジスタ31a、31b、31c、31dに流れる電流の比も、1:2:4:8となる。   Here, the channel size ratio of the transistors 31a to 31d will be described. The transistors 31a to 31d all have the same channel length L1, but have different channel widths. When the channel widths of the transistors 31a, 31b, 31c, and 31d are Wa, Wb, Wc, and Wd, respectively, the ratio is Wa: Wb: Wc: Wd = 1: 2: 4: 8. The gain coefficient β of the transistor is expressed as β = μCW / L. Here, μ is the carrier mobility, C is the gate capacity, W is the channel width, and L is the channel length. Therefore, the current flowing through the transistor is proportional to the channel width. Therefore, when the same gate voltage is applied, the ratio of the currents flowing through the transistors 31a, 31b, 31c, and 31d is 1: 2: 4: 8.

本実施形態においては、階調データは4ビットの2進数からなる。この階調データがラインメモリ221を介してDAC31に供給されると、この階調データに応じてスイッチ31e乃至hのオン/オフが行われる。具体的には、各ビットは最下位のビットから順にスイッチ31e、31f、31g、31hに対応している。例えば、最下位ビットの値が0のとき、スイッチ31eがオフ状態とされ、1のときオン状態とされる。このように、階調データに基づいてスイッチ31e乃至hがオン/オフされ、オン状態となったスイッチに対応するトランジスタに電流が流れる。よって、これらの電流を合計した電流は0を含む16段階の電流値を持ち得ることとなり、階調データに応じた大きさの階調電流Idata1が出力されることとなる。   In the present embodiment, the gradation data consists of a 4-bit binary number. When the gradation data is supplied to the DAC 31 via the line memory 221, the switches 31e to 31h are turned on / off according to the gradation data. Specifically, each bit corresponds to the switches 31e, 31f, 31g, and 31h in order from the least significant bit. For example, when the value of the least significant bit is 0, the switch 31e is turned off, and when it is 1, the switch 31e is turned on. In this manner, the switches 31e to 31h are turned on / off based on the gradation data, and a current flows through the transistor corresponding to the switch that is turned on. Therefore, the sum of these currents can have 16 levels of current values including 0, and the gradation current Idata1 having a magnitude corresponding to the gradation data is output.

DAC32はDAC31と同様の構成を有しており、また、基準電圧生成回路34は基準電圧生成回路33と同様の構成を有している。図5において、DAC32の各構成要素の符号は、DAC31の各構成要素の符号における「31」の部分を「32」に読み替えたものであり、また、基準電圧生成回路34の各構成要素の符号は、基準電圧生成回路33の各構成要素の符号における「33」の部分を「34」に読み替えたものである。   The DAC 32 has the same configuration as the DAC 31, and the reference voltage generation circuit 34 has the same configuration as the reference voltage generation circuit 33. In FIG. 5, the reference numerals of the constituent elements of the DAC 32 are obtained by replacing “31” in the reference numerals of the constituent elements of the DAC 31 with “32”, and the reference numerals of the constituent elements of the reference voltage generation circuit 34. Is obtained by replacing “33” in the reference numerals of the components of the reference voltage generation circuit 33 with “34”.

ところで、DAC32には階調データの代わりに補正データが入力されるようになっている。有機EL素子は、温度や外光などの環境条件、有機EL素子自体の経時変化などの影響により、その入出力特性が変化する。また、画素回路16に設けられている駆動トランジスタの特性のばらつきによって、入出力特性にばらつきが生じる。従って、環境条件の変化や経時変化の影響を考慮して、有機EL素子のピーク輝度やガンマ補正の傾きデータ等を画素毎に補正する必要が生じる。この補正を行うために用いられるデータが本実施形態における補正データである。補正データもまた4ビットの2進数からなり、0を含む16段階の値を持つ。
なお、補正データは、特定の階調帯に属する階調データでもよい。このような補正データを用いれば、階調帯ごとに画素の輝度を調整することができる。
なお、補正データは、階調データとともに画像メモリに格納されていてもよい。
Incidentally, correction data is input to the DAC 32 instead of gradation data. The input / output characteristics of an organic EL element change due to the influence of environmental conditions such as temperature and external light, and changes over time of the organic EL element itself. Also, the input / output characteristics vary due to variations in the characteristics of the drive transistors provided in the pixel circuit 16. Accordingly, it is necessary to correct the peak luminance of the organic EL element, the gradient data of the gamma correction, etc. for each pixel in consideration of the influence of the change in environmental conditions and the change with time. Data used to perform this correction is correction data in the present embodiment. The correction data is also a 4-bit binary number and has 16 levels including 0.
The correction data may be gradation data belonging to a specific gradation band. If such correction data is used, the luminance of the pixel can be adjusted for each gradation band.
The correction data may be stored in the image memory together with the gradation data.

上述の構成からなる電気光学装置100の動作は以下のとおりである。DAC31は、基準電圧生成回路33で生成された基準電圧を用いて、階調データに応じた階調電流Idata1を生成する。DAC32は、基準電圧生成回路34で生成された基準電圧を用いて、補正データに応じた補正電流Idata2を生成する。そして、階調電流Idata1と補正電流Idata2とが端子Aにおいて足し合わされて電流Idata3となる。
電流Idata3は電流電圧変換回路224に供給され、電流電圧変換回路224は、供給された電流Idata3に応じた電圧Voutを生成してバッファ回路225に出力し、バッファ回路225は電圧Voutをデータ線12の各々に印加する。データ線12に電圧Voutが印加されると、上述した動作により、画素回路16に設けられている有機EL素子にこの電圧Voutに応じた電流Ioutが供給され、この電流Ioutに応じた輝度で有機EL素子が発光する。
The operation of the electro-optical device 100 having the above-described configuration is as follows. The DAC 31 uses the reference voltage generated by the reference voltage generation circuit 33 to generate the gradation current Idata1 corresponding to the gradation data. The DAC 32 generates the correction current Idata2 corresponding to the correction data using the reference voltage generated by the reference voltage generation circuit 34. Then, the gradation current Idata1 and the correction current Idata2 are added together at the terminal A to become a current Idata3.
The current Idata3 is supplied to the current-voltage conversion circuit 224. The current-voltage conversion circuit 224 generates a voltage Vout corresponding to the supplied current Idata3 and outputs the voltage Vout to the buffer circuit 225. The buffer circuit 225 outputs the voltage Vout to the data line 12 To each of the above. When the voltage Vout is applied to the data line 12, the current Iout corresponding to the voltage Vout is supplied to the organic EL element provided in the pixel circuit 16 by the above-described operation, and the organic current has a luminance corresponding to the current Iout. The EL element emits light.

以上、説明したように、本実施形態によれば、画素毎に作成された補正データに基づいて補正電流を生成し、この補正電流を階調電流に加算することによって、画素毎に輝度の調整を行うことができる、これによって、すべての画素にわたって、ばらつきのない均一な発光を行わせることが可能となる。   As described above, according to the present embodiment, the correction current is generated based on the correction data created for each pixel, and the luminance is adjusted for each pixel by adding the correction current to the gradation current. This makes it possible to perform uniform light emission with no variation over all the pixels.

<第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態について説明する。図6は、DAC35を示す図である。第2実施形態においては、第1実施形態におけるDAC31および32に代えて、DAC35を用いる。なお、第1実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付している。
なお、図6においては、図面が複雑になることを避けるために、j列目のデータ線12に対応するDAC35、基準電圧生成回路33および基準電圧生成回路36のみ示されている。
Second Embodiment
Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 6 is a diagram illustrating the DAC 35. In the second embodiment, a DAC 35 is used in place of the DACs 31 and 32 in the first embodiment. In addition, the same code | symbol is attached | subjected about the component same as 1st Embodiment.
In FIG. 6, only the DAC 35, the reference voltage generation circuit 33, and the reference voltage generation circuit 36 corresponding to the data line 12 in the jth column are shown in order to avoid complication of the drawing.

次に、DAC35の構成について説明する。DAC35は、第1実施形態におけるDAC31を一部改変した構成となっている。ここでは、DAC35のDAC31と異なる点について説明する。DAC35は、DAC31の構成に加えてトランジスタ35aを有している。トランジスタ35aのソースは接地されており、そのドレインは端子Aに接続されている。基準電圧生成回路36は、電流源361とトランジスタ362を有している。電流源361は、生成する電流が調整可能となっている。トランジスタ362はnチャネル型トランジスタであり、そのドレインは電流源361に接続され、そのソースは接地されている。ここで、トランジスタ362のドレインとゲートとが短絡され、ダイオード接続が形成されている。そして、トランジスタ362のゲートとトランジスタ35aのゲートとが接続されており、カレントミラー回路が形成されている。これによって、トランジスタ362のゲート電圧と等しい大きさのゲート電圧がトランジスタ35aのゲートに印加され、このゲート電圧に応じた電流がトランジスタ35aのソース・ドレイン間に流れることとなる。   Next, the configuration of the DAC 35 will be described. The DAC 35 has a configuration obtained by partially modifying the DAC 31 in the first embodiment. Here, differences from the DAC 31 of the DAC 35 will be described. The DAC 35 includes a transistor 35 a in addition to the configuration of the DAC 31. The source of the transistor 35a is grounded, and its drain is connected to the terminal A. The reference voltage generation circuit 36 includes a current source 361 and a transistor 362. The current source 361 can adjust the generated current. The transistor 362 is an n-channel transistor, its drain is connected to the current source 361, and its source is grounded. Here, the drain and gate of the transistor 362 are short-circuited to form a diode connection. The gate of the transistor 362 and the gate of the transistor 35a are connected to form a current mirror circuit. As a result, a gate voltage having a magnitude equal to the gate voltage of the transistor 362 is applied to the gate of the transistor 35a, and a current corresponding to the gate voltage flows between the source and drain of the transistor 35a.

上述の構成からなる電気光学装置100の動作は以下のとおりである。DAC35は、基準電圧生成回路33で生成された基準電圧を用いて、階調データに応じた階調電流Idata1を生成する。基準電圧生成回路36は、調整可能な電流源361によって、補正電流Idata2を生成する。そして、階調電流Idata1と補正電流Idata2とが端子Aにおいて足し合わされて電流Idata3となる。
電流Idata3は電流電圧変換回路224に供給され、電流電圧変換回路224は、供給された電流Idata3に応じた電圧Voutを生成してバッファ回路225に出力し、バッファ回路225は電圧Voutをデータ線12の各々に印加する。データ線12に電圧Voutが印加されると、上述した動作により、画素回路16に設けられている有機EL素子にこの電圧Voutに応じた電流Ioutが供給され、この電流Ioutに応じた輝度で有機EL素子が発光する。
The operation of the electro-optical device 100 having the above-described configuration is as follows. The DAC 35 uses the reference voltage generated by the reference voltage generation circuit 33 to generate the gradation current Idata1 corresponding to the gradation data. The reference voltage generation circuit 36 generates the correction current Idata2 by the adjustable current source 361. Then, the gradation current Idata1 and the correction current Idata2 are added together at the terminal A to become a current Idata3.
The current Idata3 is supplied to the current-voltage conversion circuit 224. The current-voltage conversion circuit 224 generates a voltage Vout corresponding to the supplied current Idata3 and outputs the voltage Vout to the buffer circuit 225. The buffer circuit 225 outputs the voltage Vout to the data line 12 To each of the above. When the voltage Vout is applied to the data line 12, the current Iout corresponding to the voltage Vout is supplied to the organic EL element provided in the pixel circuit 16 by the above-described operation, and the organic current has a luminance corresponding to the current Iout. The EL element emits light.

以上、説明したように、本実施形態によれば、画素毎に補正電流を生成し、この補正電流を階調電流に加算することによって、画素毎に輝度の調整を行うことができる、これによって、すべての画素にわたって、ばらつきのない均一な発光を行わせることが可能となる。   As described above, according to the present embodiment, it is possible to adjust the luminance for each pixel by generating a correction current for each pixel and adding the correction current to the gradation current. Thus, uniform light emission with no variation can be performed over all the pixels.

<第3実施形態>
次に、本発明の第3実施形態について説明する。以下、第1実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
まず、DAC222について説明する。図7は、DAC222および基準電圧生成回路223の構成を示す図である。DAC222は、データ線12の各々に対応するn個のDAC41とn個のDAC42とからなる。DAC41は、階調データに基づいて階調電流を生成するためのDACであり、DAC42は、補正データに基づいて補正電圧を生成し、この補正電圧をDAC41に印加するためのDACである。
基準電圧生成回路223は、DAC42の各々に対応するn個の基準電圧生成回路44からなり、DAC42の各々に基準電圧を印加する。
なお、図7においては、図面が複雑になることを避けるために、j列目のデータ線12に対応するDAC41、DAC42および基準電圧生成回路44のみ示されている。
<Third Embodiment>
Next, a third embodiment of the present invention will be described. Hereinafter, the same components as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
First, the DAC 222 will be described. FIG. 7 is a diagram illustrating the configuration of the DAC 222 and the reference voltage generation circuit 223. The DAC 222 includes n DACs 41 and n DACs 42 corresponding to each of the data lines 12. The DAC 41 is a DAC for generating a gradation current based on the gradation data, and the DAC 42 is a DAC for generating a correction voltage based on the correction data and applying the correction voltage to the DAC 41.
The reference voltage generation circuit 223 includes n reference voltage generation circuits 44 corresponding to each of the DACs 42 and applies a reference voltage to each of the DACs 42.
In FIG. 7, only the DAC 41, the DAC 42, and the reference voltage generation circuit 44 corresponding to the data line 12 in the j-th column are shown in order to avoid complication of the drawing.

次に、DAC42および基準電圧生成回路44の構成について説明する。DAC42は、トランジスタ42a、トランジスタ42b、トランジスタ42c、トランジスタ42dを有する。トランジスタ42a乃至dはいずれもpチャネル型トランジスタであり、そのソースは高位側の電源電圧に接続されている。また、トランジスタ42a乃至dのドレインはスイッチ42e、42f、42g、42hの一端にそれぞれ接続されている。トランジスタ42kはnチャネル型トランジスタであり、スイッチ42e乃至hの他端はいずれもトランジスタ42kのドレインに接続されている。トランジスタ42kのソースは接地されている。基準電圧生成回路44は、定電流源441とトランジスタ442を有している。トランジスタ442はpチャネル型トランジスタであり、そのドレインは定電流源441に接続され、そのソースは高位側の電源電圧に接続されている。ここで、トランジスタ442のドレインとゲートとが短絡され、ダイオード接続が形成されている。そして、トランジスタ442のゲートとトランジスタ42a乃至dのゲートとが接続されることにより、カレントミラー回路が形成されている。これによって、トランジスタ442のゲート電圧と等しい大きさのゲート電圧がトランジスタ42a乃至dのゲートに印加され、このゲート電圧に応じた電流(要素電流)がトランジスタ42a乃至dのソース・ドレイン間に流れることとなる。   Next, the configuration of the DAC 42 and the reference voltage generation circuit 44 will be described. The DAC 42 includes a transistor 42a, a transistor 42b, a transistor 42c, and a transistor 42d. The transistors 42a to 42d are all p-channel transistors, and their sources are connected to the power supply voltage on the higher side. The drains of the transistors 42a to 42d are connected to one ends of the switches 42e, 42f, 42g, and 42h, respectively. The transistor 42k is an n-channel transistor, and the other ends of the switches 42e to 42h are all connected to the drain of the transistor 42k. The source of the transistor 42k is grounded. The reference voltage generation circuit 44 includes a constant current source 441 and a transistor 442. The transistor 442 is a p-channel transistor, and its drain is connected to the constant current source 441 and its source is connected to the power supply voltage on the higher side. Here, the drain and gate of the transistor 442 are short-circuited to form a diode connection. Then, the gate of the transistor 442 and the gates of the transistors 42a to 42d are connected to form a current mirror circuit. As a result, a gate voltage equal to the gate voltage of the transistor 442 is applied to the gates of the transistors 42a to 42d, and a current (element current) corresponding to the gate voltage flows between the sources and drains of the transistors 42a to 42d. It becomes.

ここで、トランジスタ42a乃至dのチャネルのサイズ比について説明する。トランジスタ42a乃至dは、いずれも同一のチャネル長L1を有する一方、そのチャネル幅が異なっている。トランジスタ42a、42b、42c、42dのチャネル幅をそれぞれWa、Wb、Wc、Wdとすると、それらの比は、Wa:Wb:Wc:Wd=1:2:4:8となっている。トランジスタの利得係数βは、β=μCW/Lで表される。ここで、μ:キャリアの移動度、C:ゲート容量、W:チャネル幅、L:チャネル長である。従って、トランジスタに流れる電流は、チャネル幅に比例する。よって、同一のゲート電圧が印加された場合に、トランジスタ42a、42b、42c、42dに流れる電流の比も、1:2:4:8となる。   Here, the channel size ratio of the transistors 42a to 42d will be described. The transistors 42a to 42d all have the same channel length L1, but have different channel widths. When the channel widths of the transistors 42a, 42b, 42c, and 42d are Wa, Wb, Wc, and Wd, respectively, the ratio is Wa: Wb: Wc: Wd = 1: 2: 4: 8. The gain coefficient β of the transistor is expressed as β = μCW / L. Here, μ is the carrier mobility, C is the gate capacity, W is the channel width, and L is the channel length. Therefore, the current flowing through the transistor is proportional to the channel width. Therefore, when the same gate voltage is applied, the ratio of the currents flowing through the transistors 42a, 42b, 42c, and 42d is 1: 2: 4: 8.

ここで、補正データについて説明する。有機EL素子は、温度や外光などの環境条件、有機EL素子自体の経時変化などの影響により、その入出力特性が変化する。また、画素回路16に設けられている駆動トランジスタの特性のばらつきによって、入出力特性にばらつきが生じる。従って、環境条件の変化や経時変化の影響を考慮して、有機EL素子のピーク輝度やガンマ補正の傾きデータ等を画素毎に補正する必要が生じる。この補正を行うために用いられるデータが本実施形態における補正データである。
なお、補正データは、階調データとともに画像メモリに格納されていてもよい。
Here, the correction data will be described. The input / output characteristics of an organic EL element change due to the influence of environmental conditions such as temperature and external light, and changes over time of the organic EL element itself. Also, the input / output characteristics vary due to variations in the characteristics of the drive transistors provided in the pixel circuit 16. Accordingly, it is necessary to correct the peak luminance of the organic EL element, the gradient data of the gamma correction, etc. for each pixel in consideration of the influence of the change in environmental conditions and the change with time. Data used to perform this correction is correction data in the present embodiment.
The correction data may be stored in the image memory together with the gradation data.

本実施形態においては、補正データは4ビットの2進数からなる。この補正データがラインメモリ221を介してDAC42に供給されると、この補正データに応じてスイッチ42e乃至hのオン/オフが行われる。具体的には、各ビットは最下位のビットから順にスイッチ42e、42f、42g、42hに対応している。例えば、最下位ビットの値が0のとき、スイッチ42eがオフ状態とされ、1のときオン状態とされる。このように、階調データに基づいてスイッチ42e乃至hがオン/オフされ、オン状態となったスイッチに対応するトランジスタに電流が流れる。よって、これらの電流を合計した電流は0を含む16段階の電流値を持ち得ることとなり、補正データに応じた大きさの補正電流Idata1が出力されることとなる。そして、補正電流Idata1はトランジスタ42kのドレインに供給され、補正電流Idata1の大きさに応じた補正電圧Vdata1がトランジスタ42kのゲート・ソース間に発生する。   In the present embodiment, the correction data is a 4-bit binary number. When the correction data is supplied to the DAC 42 via the line memory 221, the switches 42e to 42h are turned on / off according to the correction data. Specifically, each bit corresponds to the switches 42e, 42f, 42g, and 42h in order from the least significant bit. For example, when the value of the least significant bit is 0, the switch 42e is turned off, and when it is 1, the switch 42e is turned on. In this manner, the switches 42e to 42h are turned on / off based on the gradation data, and a current flows through the transistor corresponding to the switch that is turned on. Therefore, the sum of these currents can have 16 levels of current values including 0, and the correction current Idata1 having a magnitude corresponding to the correction data is output. The correction current Idata1 is supplied to the drain of the transistor 42k, and a correction voltage Vdata1 corresponding to the magnitude of the correction current Idata1 is generated between the gate and source of the transistor 42k.

次に、DAC41について説明する。DAC41は、トランジスタ41a、トランジスタ41b、トランジスタ41c、トランジスタ41dを有する。トランジスタ41a乃至dはいずれもnチャネル型トランジスタであり、そのソースは接地されている。また、トランジスタ41a乃至dのドレインはスイッチ41e、41f、41g、41hの一端にそれぞれ接続されている。ここで、DAC42のトランジスタ42kのゲートとトランジスタ41a乃至dのゲートとが接続されることにより、カレントミラー回路が形成されている。これによって、トランジスタ42kのゲート電圧と等しい大きさのゲート電圧がトランジスタ41a乃至dのゲートに印加され、このゲート電圧に応じた電流がトランジスタ41a乃至dのソース・ドレイン間に流れることとなる。   Next, the DAC 41 will be described. The DAC 41 includes a transistor 41a, a transistor 41b, a transistor 41c, and a transistor 41d. The transistors 41a to 41d are all n-channel transistors, and their sources are grounded. The drains of the transistors 41a to 41d are connected to one ends of the switches 41e, 41f, 41g, and 41h, respectively. Here, the gate of the transistor 42k of the DAC 42 and the gates of the transistors 41a to 41d are connected to form a current mirror circuit. As a result, a gate voltage having the same magnitude as the gate voltage of the transistor 42k is applied to the gates of the transistors 41a to 41d, and a current corresponding to the gate voltage flows between the sources and drains of the transistors 41a to 41d.

トランジスタ41a乃至dのチャネルのサイズ比も上述したトランジスタ42a乃至dと同様に、いずれも同一のチャネル長L1を有する一方、そのチャネル幅が異なっている。トランジスタ41a、41b、41c、41dのチャネル幅をそれぞれWa、Wb、Wc、Wdとすると、それらの比は、Wa:Wb:Wc:Wd=1:2:4:8となっている。これによって、同一のゲート電圧が印加された場合に、トランジスタ41a、41b、41c、41dに流れる電流の比も、1:2:4:8となる。階調データもまた4ビットの2進数からなり、0を含む16段階の値を持つ。   Similarly to the transistors 42a to 42d described above, the channel size ratios of the transistors 41a to 41d all have the same channel length L1, but have different channel widths. When the channel widths of the transistors 41a, 41b, 41c, and 41d are Wa, Wb, Wc, and Wd, respectively, the ratio is Wa: Wb: Wc: Wd = 1: 2: 4: 8. Thereby, when the same gate voltage is applied, the ratio of the currents flowing through the transistors 41a, 41b, 41c, and 41d is also 1: 2: 4: 8. The gradation data is also a 4-bit binary number and has 16 levels including 0.

上述の構成からなる電気光学装置100の動作は以下のとおりである。DAC42は、基準電圧生成回路44で生成された基準電圧に対して補正データを用いた補正を行い、補正電圧Vdata1(トランジスタ42kのゲート電圧)を出力する。DAC42は、階調データに応じた階調電流Idata2を生成する。この階調電流Idata2を生成する際に用いられる電圧は、DAC42のトランジスタ42kから出力された補正電圧Vdata1である。つまり、階調電流Idata2を生成する際の基準電流を補正することにより、階調電流のダイナミックレンジを調整することができるようになる。そして、DAC41は、生成された階調電流Idata2を電流電圧変換回路224に出力する。   The operation of the electro-optical device 100 having the above-described configuration is as follows. The DAC 42 performs correction using the correction data on the reference voltage generated by the reference voltage generation circuit 44, and outputs a correction voltage Vdata1 (gate voltage of the transistor 42k). The DAC 42 generates a gradation current Idata2 corresponding to the gradation data. The voltage used when generating the gradation current Idata2 is the correction voltage Vdata1 output from the transistor 42k of the DAC 42. That is, the dynamic range of the gradation current can be adjusted by correcting the reference current when the gradation current Idata2 is generated. Then, the DAC 41 outputs the generated gradation current Idata2 to the current-voltage conversion circuit 224.

電流電圧変換回路224は、供給された電流Idata2に応じた電圧Voutを生成してバッファ回路225に出力し、バッファ回路225は電圧Voutをデータ線12の各々に印加する。データ線12に電圧Voutが印加されると、上述した動作により、画素回路16に設けられている有機EL素子にこの電圧Voutに応じた電流Ioutが供給され、この電流Ioutに応じた輝度で有機EL素子が発光する。
なお、本実施形態では、基準電圧生成手段で生成された基準電圧を補正手段によって補正し、補正された基準電圧を用いて階調電流生成手段が階調電流を生成する構成となっているが、階調電流生成手段が基準電流を用いて階調電流を生成し、この階調電流を補正手段で補正する構成としてもよい。
The current-voltage conversion circuit 224 generates a voltage Vout corresponding to the supplied current Idata2 and outputs the voltage Vout to the buffer circuit 225. The buffer circuit 225 applies the voltage Vout to each of the data lines 12. When the voltage Vout is applied to the data line 12, the current Iout corresponding to the voltage Vout is supplied to the organic EL element provided in the pixel circuit 16 by the above-described operation, and the organic current has a luminance corresponding to the current Iout. The EL element emits light.
In the present embodiment, the reference voltage generated by the reference voltage generation unit is corrected by the correction unit, and the gradation current generation unit generates the gradation current using the corrected reference voltage. The gradation current generating means may generate the gradation current using the reference current, and the gradation current may be corrected by the correction means.

以上、説明したように、本実施形態によれば、画素毎に作成された補正データに基づいて補正電圧を生成し、この補正電圧を用いて階調データに応じた階調電流を生成することによって、画素毎に輝度のダイナミックレンジの調整を行うことができる、これによって、すべての画素にわたって、ばらつきのない均一な発光を行わせることが可能となる。   As described above, according to the present embodiment, the correction voltage is generated based on the correction data created for each pixel, and the gradation current corresponding to the gradation data is generated using the correction voltage. Thus, it is possible to adjust the dynamic range of luminance for each pixel. This makes it possible to perform uniform light emission without variation across all the pixels.

<第4実施形態>
次に、本発明の第4実施形態について説明する。図8は、DAC45を示す図である。第4実施形態においては、第3実施形態におけるDAC41および42に代えて、DAC45を用いる。なお、第3実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付している。
なお、図8においては、図面が複雑になることを避けるために、j列目のデータ線12に対応するDAC45および基準電圧生成回路46のみ示されている。
<Fourth embodiment>
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described. FIG. 8 is a diagram illustrating the DAC 45. In the fourth embodiment, a DAC 45 is used in place of the DACs 41 and 42 in the third embodiment. In addition, the same code | symbol is attached | subjected about the component same as 3rd Embodiment.
In FIG. 8, only the DAC 45 and the reference voltage generation circuit 46 corresponding to the data line 12 in the j-th column are shown in order to avoid the complexity of the drawing.

次に、DAC45の構成について説明する。DAC45は、第1実施形態におけるDAC41と同様の構成となっている。基準電圧生成回路46は、定電流源461とトランジスタ462を有している。トランジスタ462はnチャネル型トランジスタであり、そのドレインは電流源461に接続され、そのソースは接地されている。ここで、トランジスタ462のドレインとゲートとが短絡され、ダイオード接続が形成されている。そして、トランジスタ462のゲートとトランジスタ45a乃至dのゲートとが接続されることにより、カレントミラー回路が形成されている。これによって、トランジスタ462のゲート電圧と等しい大きさのゲート電圧がトランジスタ45a乃至dのゲートに印加され、このゲート電圧に応じた電流がトランジスタ45a乃至dのソース・ドレイン間に流れることとなる。   Next, the configuration of the DAC 45 will be described. The DAC 45 has the same configuration as the DAC 41 in the first embodiment. The reference voltage generation circuit 46 includes a constant current source 461 and a transistor 462. The transistor 462 is an n-channel transistor, its drain is connected to the current source 461, and its source is grounded. Here, the drain and gate of the transistor 462 are short-circuited to form a diode connection. A current mirror circuit is formed by connecting the gate of the transistor 462 and the gates of the transistors 45a to 45d. As a result, a gate voltage having a magnitude equal to the gate voltage of the transistor 462 is applied to the gates of the transistors 45a to 45d, and a current corresponding to the gate voltage flows between the sources and drains of the transistors 45a to 45d.

上述の構成からなる電気光学装置100の動作は以下のとおりである。基準電圧生成回路46は、調整可能な電流源461によって、補正電圧Vdata1を出力する。DAC45は、階調データに応じた階調電流Idata2を生成する。この階調電流Idata2を生成する際に用いられる電圧は、基準電圧生成回路46のトランジスタ462から出力された補正電圧Vdata1である。つまり、階調電流Idata2を生成する際の基準電流を補正することにより、階調電流のダイナミックレンジを調整することができるようになる。そして、DAC45は、生成された階調電流Idata2を電流電圧変換回路224に出力する。
電流電圧変換回路224は、供給された電流Idata2に応じた電圧Voutを生成してバッファ回路225に出力し、バッファ回路225は電圧Voutをデータ線12の各々に印加する。データ線12に電圧Voutが印加されると、上述した動作により、画素回路16に設けられている有機EL素子にこの電圧Voutに応じた電流Ioutが供給され、この電流Ioutに応じた輝度で有機EL素子が発光する。
The operation of the electro-optical device 100 having the above-described configuration is as follows. The reference voltage generation circuit 46 outputs the correction voltage Vdata1 by the adjustable current source 461. The DAC 45 generates a gradation current Idata2 corresponding to the gradation data. The voltage used when generating the gradation current Idata2 is the correction voltage Vdata1 output from the transistor 462 of the reference voltage generation circuit 46. That is, the dynamic range of the gradation current can be adjusted by correcting the reference current when the gradation current Idata2 is generated. Then, the DAC 45 outputs the generated gradation current Idata2 to the current-voltage conversion circuit 224.
The current-voltage conversion circuit 224 generates a voltage Vout corresponding to the supplied current Idata2 and outputs the voltage Vout to the buffer circuit 225. The buffer circuit 225 applies the voltage Vout to each of the data lines 12. When the voltage Vout is applied to the data line 12, the current Iout corresponding to the voltage Vout is supplied to the organic EL element provided in the pixel circuit 16 by the above-described operation, and the organic current has a luminance corresponding to the current Iout. The EL element emits light.

以上、説明したように、本実施形態によれば、画素毎に補正電圧を生成し、この補正電圧を用いて階調データに応じた階調電流を生成することによって、画素毎に輝度のダイナミックレンジの調整を行うことができる、これによって、すべての画素にわたって、ばらつきのない均一な発光を行わせることが可能となる。   As described above, according to the present embodiment, the correction voltage is generated for each pixel, and the gradation current is generated according to the gradation data by using the correction voltage, whereby the luminance dynamics are calculated for each pixel. The range can be adjusted. This makes it possible to perform uniform light emission without variation across all pixels.

<第5実施形態>
次に、本発明の第5実施形態について説明する。以下、第1実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
まず、データ線駆動回路22について説明する。図9は、データ線駆動回路22の構成を示す図である。ラインメモリ221は、走査線駆動回路11によって選択された走査線11と各データ線12との交差部に位置する画素に対応する階調データの供給を画像メモリ50から受け、供給された階調データを格納する。基準電圧生成回路223は、基準電圧を生成してDAC222に印加する。DAC222は、画素回路16の各々に対応する階調データの供給をラインメモリ221から受け、供給された階調データに応じた電流を生成し、生成された電流を電流電圧変換回路224に供給する。電流電圧変換回路224は、供給された電流に応じた電圧(データ信号)を生成し、この電圧をデータ線12の各々に出力する。
<Fifth Embodiment>
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described. Hereinafter, the same components as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
First, the data line driving circuit 22 will be described. FIG. 9 is a diagram showing a configuration of the data line driving circuit 22. The line memory 221 receives supply of gradation data corresponding to the pixel located at the intersection of the scanning line 11 selected by the scanning line driving circuit 11 and each data line 12 from the image memory 50, and the supplied gradation Store the data. The reference voltage generation circuit 223 generates a reference voltage and applies it to the DAC 222. The DAC 222 receives supply of gradation data corresponding to each of the pixel circuits 16 from the line memory 221, generates a current corresponding to the supplied gradation data, and supplies the generated current to the current-voltage conversion circuit 224. . The current-voltage conversion circuit 224 generates a voltage (data signal) corresponding to the supplied current, and outputs this voltage to each of the data lines 12.

次に、DAC222、基準電圧生成回路223および電流電圧変換回路224の構成について説明する。図10は、DAC222、基準電圧生成回路223および電流電圧変換回路224の構成を示す図である。DAC222は、データ線12の各々に対応するn個のDAC51からなる。DAC51は、階調データに基づいて階調電流を生成するためのDACである。
基準電圧生成回路223は、DAC51の各々に対応するn個の基準電圧生成回路53からなり、DAC51の各々に基準電圧を印加する。
電流電圧変換回路224は、DAC51の各々に対応するn個の電流電圧変換回路55からなり、DAC51から供給された階調電流に応じた電圧を生成し、生成された電圧をデータ線12の各々に出力する。
なお、図10においては、図面が複雑になることを避けるために、j列目のデータ線12に対応するDAC31、基準電圧生成回路33および電流電圧変換回路35のみ示されている。また、図10には、i行目の走査線11とj列目のデータ線12の交差部に設けられた画素回路16が示されている。
Next, the configuration of the DAC 222, the reference voltage generation circuit 223, and the current / voltage conversion circuit 224 will be described. FIG. 10 is a diagram illustrating configurations of the DAC 222, the reference voltage generation circuit 223, and the current-voltage conversion circuit 224. The DAC 222 includes n DACs 51 corresponding to the data lines 12. The DAC 51 is a DAC for generating gradation current based on gradation data.
The reference voltage generation circuit 223 includes n reference voltage generation circuits 53 corresponding to each of the DACs 51 and applies a reference voltage to each of the DACs 51.
The current-voltage conversion circuit 224 includes n current-voltage conversion circuits 55 corresponding to each of the DACs 51, generates a voltage corresponding to the grayscale current supplied from the DAC 51, and outputs the generated voltage to each of the data lines 12. Output to.
In FIG. 10, only the DAC 31, the reference voltage generation circuit 33, and the current-voltage conversion circuit 35 corresponding to the data line 12 in the j-th column are shown in order to avoid complication of the drawing. FIG. 10 also shows a pixel circuit 16 provided at the intersection of the i-th scanning line 11 and the j-th data line 12.

次に、DAC51、基準電圧生成回路53および電流電圧変換経路55の構成について説明する。
DAC51は、トランジスタ51a、トランジスタ51b、トランジスタ51c、トランジスタ51dを有する。トランジスタ51a乃至dはいずれもnチャネル型トランジスタであり、そのソースは接地されている。また、トランジスタ51a乃至dのドレインはスイッチ51e、51f、51g、51hの一端にそれぞれ接続されている。スイッチ51e乃至hの他端は、電流電圧変換回路55に設けられたトランジスタ551のドレインに共通に接続されている。
Next, the configuration of the DAC 51, the reference voltage generation circuit 53, and the current-voltage conversion path 55 will be described.
The DAC 51 includes a transistor 51a, a transistor 51b, a transistor 51c, and a transistor 51d. The transistors 51a to 51d are all n-channel transistors, and their sources are grounded. The drains of the transistors 51a to 51d are connected to one ends of the switches 51e, 51f, 51g, and 51h, respectively. The other ends of the switches 51e to 51h are connected in common to the drain of the transistor 551 provided in the current-voltage conversion circuit 55.

基準電圧生成回路53は、電流源531とトランジスタ532を有している。電流源531は、出力する電流の量を調整する機能を有している。トランジスタ532はnチャネル型トランジスタであり、そのドレインは電流源531に接続され、そのソースは接地されている。ここで、トランジスタ532のドレインとゲートとが短絡され、ダイオード接続が形成されている。そして、トランジスタ532のゲートとトランジスタ51a乃至dのゲートとが接続されることにより、カレントミラー回路が形成されている。これによって、トランジスタ532のゲート電圧と等しい大きさのゲート電圧がトランジスタ51a乃至dのゲートに印加され、このゲート電圧に応じた電流がトランジスタ51a乃至dのソース・ドレイン間に流れることとなる。なお、基準電圧生成回路53に代えて、外部入力の電圧や抵抗等によって得られる電圧を用いることもできる。
電流電圧変換回路55に設けられているpチャネル型のトランジスタ551のソースは高位側の電源電圧Vddに接続され、ドレインとゲートとが短絡されてダイオード接続が形成されている。さらに、トランジスタ551のゲートがデータ線12に接続されている。すなわち、i行目の走査線11が選択された期間においては、トランジスタ551とトランジスタ162とによってカレントミラー接続が形成されることとなる。
The reference voltage generation circuit 53 includes a current source 531 and a transistor 532. The current source 531 has a function of adjusting the amount of current to be output. The transistor 532 is an n-channel transistor, and its drain is connected to the current source 531 and its source is grounded. Here, the drain and gate of the transistor 532 are short-circuited to form a diode connection. The gate of the transistor 532 and the gates of the transistors 51a to 51d are connected to form a current mirror circuit. As a result, a gate voltage having the same magnitude as the gate voltage of the transistor 532 is applied to the gates of the transistors 51a to 51d, and a current corresponding to the gate voltage flows between the sources and drains of the transistors 51a to 51d. Instead of the reference voltage generation circuit 53, a voltage obtained by an external input voltage, a resistor, or the like can be used.
The source of the p-channel transistor 551 provided in the current-voltage conversion circuit 55 is connected to the higher power supply voltage Vdd, and the drain and gate are short-circuited to form a diode connection. Further, the gate of the transistor 551 is connected to the data line 12. That is, in the period when the i-th scanning line 11 is selected, the transistor 551 and the transistor 162 form a current mirror connection.

ここで、トランジスタ51a乃至dのチャネルのサイズ比について説明する。トランジスタ51a乃至dは、いずれも同一のチャネル長L1を有する一方、そのチャネル幅が異なっている。トランジスタ51a、51b、51c、51dのチャネル幅をそれぞれWa、Wb、Wc、Wdとすると、それらの比は、Wa:Wb:Wc:Wd=1:2:4:8となっている。トランジスタの利得係数βは、β=μCW/Lで表される。ここで、μ:キャリアの移動度、C:ゲート容量、W:チャネル幅、L:チャネル長である。従って、トランジスタに流れる電流は、チャネル幅に比例する。よって、同一のゲート電圧が印加された場合に、トランジスタ51a、51b、51c、51dに流れる電流の比も、1:2:4:8となる。   Here, the channel size ratio of the transistors 51a to 51d will be described. The transistors 51a to 51d all have the same channel length L1, but have different channel widths. When the channel widths of the transistors 51a, 51b, 51c, and 51d are Wa, Wb, Wc, and Wd, respectively, the ratio is Wa: Wb: Wc: Wd = 1: 2: 4: 8. The gain coefficient β of the transistor is expressed as β = μCW / L. Here, μ is the carrier mobility, C is the gate capacity, W is the channel width, and L is the channel length. Therefore, the current flowing through the transistor is proportional to the channel width. Therefore, when the same gate voltage is applied, the ratio of the currents flowing through the transistors 51a, 51b, 51c, and 51d is 1: 2: 4: 8.

本実施形態においては、階調データは4ビットの2進数からなる。この階調データがラインメモリ221を介してDAC51に供給されると、この階調データに応じてスイッチ51e乃至hのオン/オフが行われる。具体的には、各ビットは最下位のビットから順にスイッチ51e、51f、51g、51hに対応している。例えば、最下位ビットの値が0のとき、スイッチ51eがオフ状態とされ、1のときオン状態とされる。このように、階調データに基づいてスイッチ51e乃至hがオン/オフされ、オン状態となったスイッチに対応するトランジスタに電流が流れる。よって、これらの電流を合計した電流は0を含む16段階の電流値を持ち得ることとなり、階調データに応じた大きさの階調電流Idataが出力されることとなる。   In the present embodiment, the gradation data consists of a 4-bit binary number. When this gradation data is supplied to the DAC 51 via the line memory 221, the switches 51e to 51h are turned on / off according to this gradation data. Specifically, each bit corresponds to the switches 51e, 51f, 51g, and 51h in order from the least significant bit. For example, when the value of the least significant bit is 0, the switch 51e is turned off, and when it is 1, the switch 51e is turned on. In this manner, the switches 51e to 51h are turned on / off based on the gradation data, and a current flows through the transistor corresponding to the switch that is turned on. Therefore, the sum of these currents can have 16 levels of current values including 0, and the gradation current Idata having a magnitude corresponding to the gradation data is output.

ところで、一般に、画素回路で用いられるトランジスタとデータ線駆動回路で用いられるトランジスタとは、その製造プロセスが異なっている。多くの場合、画素回路においてはTFTが用いられ、データ線駆動回路においてはMOSFETで構成されたICが用いられる。製造プロセスが異なるトランジスタでは、(1)式に示した利得係数βおよびしきい値電圧Vthが、製造プロセスの違いに起因して異なることとなる。本実施形態は、このように利得係数βやしきい値電圧Vthが異なっていても、有機EL素子168に所望の電流を供給できるように構成されている。以下、この構成について説明する。   By the way, in general, a transistor used in a pixel circuit and a transistor used in a data line driving circuit have different manufacturing processes. In many cases, a TFT is used in the pixel circuit, and an IC composed of a MOSFET is used in the data line driving circuit. In transistors having different manufacturing processes, the gain coefficient β and the threshold voltage Vth shown in the equation (1) are different due to differences in manufacturing processes. The present embodiment is configured such that a desired current can be supplied to the organic EL element 168 even when the gain coefficient β and the threshold voltage Vth are different. Hereinafter, this configuration will be described.

まず、利得係数βの違いを考慮した調整について説明する。(1)式に示されるとおり、トランジスタによって供給される電流は利得係数βに比例する。仮に、画素回路16のトランジスタ162の利得係数βが電流電圧変換回路55のトランジスタ551の利得係数βの2倍であるとすると、トランジスタ162は、DAC51からトランジスタ551に供給された階調電流Idataの2倍の大きさの電流Ioutを出力することとなる。本実施形態では、このことを考慮して、以下の関係を満たすように階調電流を調整する。(トランジスタ551のβ):(トランジスタ162のβ)=Idata:Iout …(2)
階調電流の調整は、基準電圧生成回路53の電流源531から供給される電流を調整することによって行うことができる。これによって、トランジスタ162から所望の大きさの出力電流Ioutが出力されることとなる。
First, the adjustment considering the difference in gain coefficient β will be described. As shown in equation (1), the current supplied by the transistor is proportional to the gain factor β. Assuming that the gain coefficient β of the transistor 162 of the pixel circuit 16 is twice the gain coefficient β of the transistor 551 of the current-voltage conversion circuit 55, the transistor 162 has the gradation current Idata supplied from the DAC 51 to the transistor 551. A current Iout that is twice as large is output. In the present embodiment, in consideration of this, the gradation current is adjusted so as to satisfy the following relationship. (Β of transistor 551): (β of transistor 162) = Idata: Iout (2)
The gradation current can be adjusted by adjusting the current supplied from the current source 531 of the reference voltage generation circuit 53. As a result, an output current Iout having a desired magnitude is output from the transistor 162.

次に、しきい値電圧の違いを考慮した調整について説明する。(1)式に示されるとおり、トランジスタによって供給される電流は、ゲート電圧Vgsとしきい値電圧Vthとの差に依存する。仮に、電流電圧変換回路55のトランジスタ551のしきい値電圧が画素回路16のトランジスタ162のしきい値電圧よりもV1だけ低いとすると、有機EL素子に供給される電流は、所望の電流に対してV1に相当する分だけ少なくなってしまう。反対に、トランジスタ551のしきい値電圧がトランジスタ162のしきい値電圧よりもV1だけ高いとすると、有機EL素子に供給される電流は、所望の電流に対してV1に相当する分だけ多くなってしまう。その結果、有機EL素子を所望の輝度で発光させることができなくなる。このような不具合を回避するために、本実施形態では、画素回路16の駆動トランジスタ162と電流電圧変換回路55のトランジスタ551とのしきい値電圧の差を補償する電圧が画素回路16に出力されるように構成されている。すなわち、トランジスタ551のしきい値電圧がトランジスタ162のしきい値電圧よりもV1だけ低い場合には、トランジスタ551の高位側の電源電圧Vddをトランジスタ162の高位側の電源電圧VoelよりもV1だけ低い電圧に設定する。反対に、トランジスタ551のしきい値電圧がトランジスタ162のしきい値電圧よりもV1だけ高い場合には、電源電圧Vddを電源電圧VoelよりもV1だけ高い電圧に設定する。これによって、画素回路の駆動トランジスタと電流電圧変換回路のトランジスタとのしきい値電圧の違いがある場合にも、所望の階調電流Ioutが出力されることとなる。   Next, adjustment taking account of the difference in threshold voltage will be described. As shown in equation (1), the current supplied by the transistor depends on the difference between the gate voltage Vgs and the threshold voltage Vth. If the threshold voltage of the transistor 551 of the current-voltage conversion circuit 55 is lower by V1 than the threshold voltage of the transistor 162 of the pixel circuit 16, the current supplied to the organic EL element is less than the desired current. Therefore, the amount corresponding to V1 is reduced. On the other hand, if the threshold voltage of the transistor 551 is higher than the threshold voltage of the transistor 162 by V1, the current supplied to the organic EL element is larger than the desired current by an amount corresponding to V1. End up. As a result, the organic EL element cannot emit light with a desired luminance. In order to avoid such a problem, in the present embodiment, a voltage that compensates for the difference in threshold voltage between the drive transistor 162 of the pixel circuit 16 and the transistor 551 of the current-voltage conversion circuit 55 is output to the pixel circuit 16. It is comprised so that. That is, when the threshold voltage of the transistor 551 is lower than the threshold voltage of the transistor 162 by V1, the power supply voltage Vdd on the higher side of the transistor 551 is lower than the power supply voltage Voel on the higher side of the transistor 162 by V1. Set to voltage. On the other hand, when the threshold voltage of the transistor 551 is higher than the threshold voltage of the transistor 162 by V1, the power supply voltage Vdd is set to a voltage higher by V1 than the power supply voltage Voel. As a result, even when there is a difference in threshold voltage between the driving transistor of the pixel circuit and the transistor of the current-voltage conversion circuit, a desired gradation current Iout is output.

上述の構成からなる電気光学装置100の動作は以下のとおりである。
まず、i行目の走査線11が選択され、走査信号YiがHレベルになると、トランジスタ164がオン状態となる。DAC51は、基準電圧生成回路53で生成された基準電圧を用いて、i行目の走査線11とj列目のデータ線12との交差部に設けられた画素に対応する階調データに応じた階調電流Idataを生成する。
電流Idataは電流電圧変換回路55に供給され、電流電圧変換回路55は、供給された階調電流Idataに応じた電圧Voutを生成してデータ線12の各々に出力する。データ線12に電圧Voutが出力されると、上述した画素回路16の動作により、有機EL素子168にこの電圧Voutに応じた電流Ioutが供給され、この電流Ioutに応じた輝度で有機EL素子168が発光する。
The operation of the electro-optical device 100 having the above-described configuration is as follows.
First, when the i-th scanning line 11 is selected and the scanning signal Yi becomes H level, the transistor 164 is turned on. The DAC 51 uses the reference voltage generated by the reference voltage generation circuit 53 according to the gradation data corresponding to the pixel provided at the intersection of the scanning line 11 in the i-th row and the data line 12 in the j-th column. The gradation current Idata is generated.
The current Idata is supplied to the current-voltage conversion circuit 55, and the current-voltage conversion circuit 55 generates a voltage Vout corresponding to the supplied gradation current Idata and outputs it to each of the data lines 12. When the voltage Vout is output to the data line 12, the current Iout corresponding to the voltage Vout is supplied to the organic EL element 168 by the above-described operation of the pixel circuit 16, and the organic EL element 168 has luminance corresponding to the current Iout. Emits light.

以上、説明したように、本実施形態によれば、画素回路の駆動トランジスタと駆動回路のトランジスタの特性が異なっていても、画素を所望の輝度で発光させることができる。
なお、上記の説明においては、画素回路のトランジスタと電流電圧変換回路のトランジスタとの製造プロセスの違いに起因する利得係数βおよびしきい値電圧Vthの違いに着目したが、同種のトランジスタであっても利得係数βおよびしきい値電圧Vthがことなる場合がある。画素回路16で用いられるトランジスタは、通常、TFTであることは既に述べたが、TFTは利得係数βおよびしきい値電圧Vthがばらつきやすいという性質を持つ。その結果、画素の輝度が画素毎にばらついてしまうという問題が生じる。このような画素毎のばらつきが存在する場合においても、上述した調整方法は有効である。この方法を用いた調整によって、画素毎の輝度のばらつきを調整することができるから、所望の輝度で画素を発光させることができるようになる。
As described above, according to the present embodiment, even when the driving transistor of the pixel circuit and the transistor of the driving circuit have different characteristics, the pixel can emit light with a desired luminance.
In the above description, attention is paid to the difference in the gain coefficient β and the threshold voltage Vth caused by the difference in the manufacturing process between the transistor of the pixel circuit and the transistor of the current-voltage converter circuit. In some cases, the gain coefficient β and the threshold voltage Vth are different. As described above, the transistor used in the pixel circuit 16 is usually a TFT. However, the TFT has a characteristic that the gain coefficient β and the threshold voltage Vth are likely to vary. As a result, there arises a problem that the luminance of the pixel varies from pixel to pixel. Even when such pixel-to-pixel variations exist, the adjustment method described above is effective. By adjusting using this method, it is possible to adjust the variation in luminance for each pixel, so that the pixel can emit light with a desired luminance.

<第6実施形態>
次に、本発明の第6実施形態について説明する。図11は、基準電圧生成回路56を示す図である。第6実施形態においては、第5実施形態における基準電圧生成回路53に代えて、基準電圧生成回路56を用いる。なお、第5実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付している。基準電圧生成回路56は、データ線12の各々に対応してn個設けられている。
なお、図11においては、図面が複雑になることを避けるために、j列目のデータ線12に対応する基準電圧生成回路56のみ示されている。
<Sixth Embodiment>
Next, a sixth embodiment of the present invention will be described. FIG. 11 is a diagram illustrating the reference voltage generation circuit 56. In the sixth embodiment, a reference voltage generation circuit 56 is used instead of the reference voltage generation circuit 53 in the fifth embodiment. In addition, the same code | symbol is attached | subjected about the component same as 5th Embodiment. There are n reference voltage generation circuits 56 corresponding to each of the data lines 12.
In FIG. 11, only the reference voltage generation circuit 56 corresponding to the data line 12 in the j-th column is shown in order to avoid the complexity of the drawing.

次に、基準電圧生成回路56の構成について説明する。基準電圧生成回路56は、トランジスタ56a、トランジスタ56b、トランジスタ56c、トランジスタ56dを有する。トランジスタ56a乃至dはいずれもpチャネル型トランジスタであり、そのソースは高位側の電源電圧に接続されている。また、トランジスタ56a乃至dのドレインはスイッチ56e、56f、56g、56hの一端にそれぞれ接続されている。トランジスタ56kはnチャネル型トランジスタであり、スイッチ56e乃至hの他端はいずれもトランジスタ56kのドレインに接続されている。トランジスタ56kのソースは接地されている。さらに、基準電圧生成回路56は、電流源561とトランジスタ562を有している。トランジスタ562はpチャネル型トランジスタであり、そのドレインは電流源561に接続され、そのソースは高位側の電源電圧に接続されている。ここで、トランジスタ562のドレインとゲートとが短絡され、ダイオード接続が形成されている。そして、トランジスタ562のゲートとトランジスタ56a乃至dのゲートとが接続されることにより、カレントミラー回路が形成されている。これによって、トランジスタ562のゲート電圧と等しい大きさのゲート電圧がトランジスタ56a乃至dのゲートに印加され、このゲート電圧に応じた電流がトランジスタ56a乃至dのソース・ドレイン間に流れること
となる。
Next, the configuration of the reference voltage generation circuit 56 will be described. The reference voltage generation circuit 56 includes a transistor 56a, a transistor 56b, a transistor 56c, and a transistor 56d. The transistors 56a to 56d are all p-channel transistors, and their sources are connected to the power supply voltage on the higher side. The drains of the transistors 56a to 56d are connected to one ends of the switches 56e, 56f, 56g, and 56h, respectively. The transistor 56k is an n-channel transistor, and the other ends of the switches 56e to h are all connected to the drain of the transistor 56k. The source of the transistor 56k is grounded. Further, the reference voltage generation circuit 56 includes a current source 561 and a transistor 562. The transistor 562 is a p-channel transistor, its drain is connected to the current source 561, and its source is connected to the power supply voltage on the higher side. Here, the drain and gate of the transistor 562 are short-circuited to form a diode connection. The gate of the transistor 562 and the gates of the transistors 56a to 56d are connected to form a current mirror circuit. Accordingly, a gate voltage having a magnitude equal to the gate voltage of the transistor 562 is applied to the gates of the transistors 56a to 56d, and a current corresponding to the gate voltage flows between the sources and drains of the transistors 56a to 56d.

トランジスタ56a乃至dのチャネルのサイズ比は、第1実施形態におけるトランジスタ51a乃至dと同様のサイズ比となっており、これによって、トランジスタ56a、56b、56c、56dに流れる電流の比は、1:2:4:8となる。4ビットの2進数からなる調整用データが入力されると、この調整用データに基づいてスイッチ56e乃至hがオン/オフされ、オン状態となったスイッチに対応するトランジスタに電流が流れる。よって、これらの電流を合計した電流は0を含む16段階の電流値を持ち得ることとなり、調整用データに応じた大きさの基準電流が出力されることとなる。そして、基準電流はトランジスタ56kのドレインに供給され、基準電流の大きさに応じた基準電圧がトランジスタ56kのゲート・ソース間に発生する。
以上、説明したように、本実施形態によれば、画素回路の駆動トランジスタと駆動回路のトランジスタの特性が異なっていても、画素を所望の輝度で発光させることができる。
The channel size ratio of the transistors 56a to 56d is the same as that of the transistors 51a to 51d in the first embodiment, whereby the ratio of the current flowing through the transistors 56a, 56b, 56c, and 56d is 1: 2: 4: 8. When adjustment data consisting of a 4-bit binary number is input, the switches 56e to 56h are turned on / off based on the adjustment data, and a current flows through a transistor corresponding to the switch that is turned on. Therefore, the sum of these currents can have 16 levels of current values including 0, and a reference current having a magnitude corresponding to the adjustment data is output. The reference current is supplied to the drain of the transistor 56k, and a reference voltage corresponding to the magnitude of the reference current is generated between the gate and the source of the transistor 56k.
As described above, according to the present embodiment, even when the driving transistor of the pixel circuit and the transistor of the driving circuit have different characteristics, the pixel can emit light with a desired luminance.

<第7実施形態>
次に、本発明の第7実施形態について説明する。図12は、電流電圧変換回路57を示す図である。第7実施形態においては、第5実施形態における電流電圧変換回路55に代えて、電流電圧変換回路57を用いる。なお、第5実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付している。電流電圧変換回路57は、データ線12の各々に対応してn個設けられている。
なお、図12においては、図面が複雑になることを避けるために、j列目のデータ線12に対応する電流電圧変換回路57のみ示されている。
<Seventh embodiment>
Next, a seventh embodiment of the present invention will be described. FIG. 12 is a diagram illustrating the current-voltage conversion circuit 57. In the seventh embodiment, a current-voltage conversion circuit 57 is used instead of the current-voltage conversion circuit 55 in the fifth embodiment. In addition, the same code | symbol is attached | subjected about the component same as 5th Embodiment. N current-voltage conversion circuits 57 are provided corresponding to each of the data lines 12.
In FIG. 12, only the current-voltage conversion circuit 57 corresponding to the data line 12 in the j-th column is shown in order to avoid complication of the drawing.

次に、電流電圧変換回路57の構成について説明する。電流電圧変換回路57は、トランジスタ57a、トランジスタ57b、トランジスタ57c、トランジスタ57dを有する。トランジスタ57a乃至dはいずれもpチャネル型トランジスタであり、そのソースは高位側の電源電圧に接続されている。また、トランジスタ57a乃至dのドレインはスイッチ57e、57f、57g、57hの一端にそれぞれ接続されている。さらに、トランジスタ57a乃至dのゲートは共通に接続されており、スイッチ57e乃至hがオン状態となった際にトランジスタ57a乃至dのゲートが各々のドレインと短絡されることによりダイオード接続が形成されるようになっている。さらに、トランジスタ57a乃至dのゲートがデータ線12に接続されている。すなわち、i行目の走査線11が選択された期間においては、トランジスタ57a乃至dとトランジスタ162とによってカレントミラー接続が形成されることとなる。   Next, the configuration of the current-voltage conversion circuit 57 will be described. The current-voltage conversion circuit 57 includes a transistor 57a, a transistor 57b, a transistor 57c, and a transistor 57d. Each of the transistors 57a to 57d is a p-channel transistor, and its source is connected to the power supply voltage on the higher side. The drains of the transistors 57a to 57d are connected to one ends of the switches 57e, 57f, 57g, and 57h, respectively. Further, the gates of the transistors 57a to 57d are connected in common, and when the switches 57e to 57h are turned on, the gates of the transistors 57a to 57d are short-circuited with the respective drains, thereby forming a diode connection. It is like that. Further, the gates of the transistors 57 a to 57 d are connected to the data line 12. That is, during the period when the i-th scanning line 11 is selected, the transistors 57a to 57d and the transistor 162 form a current mirror connection.

トランジスタ57a乃至dのチャネルのサイズ比は、第5実施形態におけるトランジスタ51a乃至dと同様のサイズ比となっている。すなわち、トランジスタ57a乃至dは、いずれも同一のチャネル長L1を有する一方、そのチャネル幅が異なっている。トランジスタ57a、57b、57c、57dのチャネル幅をそれぞれWa、Wb、Wc、Wdとすると、それらの比は、Wa:Wb:Wc:Wd=1:2:4:8となっている。4ビットの2進数からなる調整用データが入力されると、この調整用データに基づいてスイッチ57e乃至hがオン/オフされ、オン状態となったスイッチに対応するトランジスタに電流が流れる。このとき、オン状態のスイッチに対応するトランジスタのチャネル幅の合計をWsとすると、トランジスタ57a乃至dは、チャネル幅Wsを有する1個のトランジスタと等価である。言い換えれば、本実施形態における電流電圧変換回路57は、第5実施形態におけるトランジスタ55のチャネル幅を調整可能としたものに相当する。トランジスタの利得係数βはチャネル幅に比例することから、チャネル幅を調整することは利得係数βを調整することに等しい。
以上、説明したように、本実施形態によれば、画素回路の駆動トランジスタと駆動回路のトランジスタの特性が異なっていても、画素を所望の輝度で発光させることができる。
The channel size ratio of the transistors 57a to 57d is the same as that of the transistors 51a to 51d in the fifth embodiment. That is, the transistors 57a to 57d all have the same channel length L1, but have different channel widths. When the channel widths of the transistors 57a, 57b, 57c, and 57d are Wa, Wb, Wc, and Wd, respectively, the ratio is Wa: Wb: Wc: Wd = 1: 2: 4: 8. When adjustment data consisting of a 4-bit binary number is input, the switches 57e to 57h are turned on / off based on the adjustment data, and a current flows through a transistor corresponding to the switch that is turned on. At this time, if the total channel width of the transistors corresponding to the switches in the on state is Ws, the transistors 57a to 57d are equivalent to one transistor having the channel width Ws. In other words, the current-voltage conversion circuit 57 in this embodiment corresponds to a circuit in which the channel width of the transistor 55 in the fifth embodiment can be adjusted. Since the gain coefficient β of the transistor is proportional to the channel width, adjusting the channel width is equivalent to adjusting the gain coefficient β.
As described above, according to the present embodiment, even when the driving transistor of the pixel circuit and the transistor of the driving circuit have different characteristics, the pixel can emit light with a desired luminance.

<第8実施形態>
次に、本発明の第8実施形態について説明する。図13は、バッファ回路58が設けられた構成を示す図である。第8実施形態においては、第5実施形態における電流電圧変換回路55から出力された電圧をバッファ回路58を介してデータ線12に出力する構成となっている。バッファ回路58は、例えば、ボルテージフォロアである。なお、第5実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付している。バッファ回路58は、データ線12の各々に対応してn個設けられている。
なお、図13においては、図面が複雑になることを避けるために、j列目のデータ線12に対応するバッファ回路58のみ示されている。
<Eighth Embodiment>
Next, an eighth embodiment of the present invention will be described. FIG. 13 is a diagram showing a configuration in which the buffer circuit 58 is provided. In the eighth embodiment, the voltage output from the current-voltage conversion circuit 55 in the fifth embodiment is output to the data line 12 via the buffer circuit 58. The buffer circuit 58 is, for example, a voltage follower. In addition, the same code | symbol is attached | subjected about the component same as 5th Embodiment. N buffer circuits 58 are provided corresponding to each of the data lines 12.
In FIG. 13, only the buffer circuit 58 corresponding to the data line 12 in the j-th column is shown in order to avoid complication of the drawing.

データ線12は寄生容量を有しているため、画素回路16の容量素子166に電荷を蓄積する前に、この寄生容量に充電する(データを書き込む)ことが必要になる。データ線にデータを書き込むのに要する時間は電流値に依存し、低階調のときには、書き込みにかかる時間が長くなるという問題がある。
本実施形態においては、バッファ回路58を介してデータ線12に電圧を出力する。この構成によれば、データ線12にデータを書き込むのに要する時間はバッファ回路58の出力段の電流能力に依存するため、低階調であっても、データを書き込むのに要する時間を短縮することができる。
Since the data line 12 has a parasitic capacitance, it is necessary to charge the parasitic capacitance (write data) before accumulating charges in the capacitor 166 of the pixel circuit 16. The time required to write data to the data line depends on the current value, and there is a problem that the time required for writing becomes long when the gradation is low.
In the present embodiment, a voltage is output to the data line 12 via the buffer circuit 58. According to this configuration, since the time required to write data to the data line 12 depends on the current capability of the output stage of the buffer circuit 58, the time required to write data is reduced even at a low gradation. be able to.

<第9実施形態>
次に、本発明の第9実施形態について説明する。図14は、画素回路17の構成を示す図である。第9実施形態においては、第5実施形態または第6実施形態における画素回路16に代えて、しきい値電圧補償型の画素回路17を用いる構成となっている。同図にはi行目の走査線11とj列目のデータ線12との交差部に位置する画素回路17のみ示されているが、他の画素回路17も同様の構成を有している。
<Ninth Embodiment>
Next, a ninth embodiment of the present invention will be described. FIG. 14 is a diagram illustrating a configuration of the pixel circuit 17. In the ninth embodiment, a threshold voltage compensation type pixel circuit 17 is used instead of the pixel circuit 16 in the fifth embodiment or the sixth embodiment. Although only the pixel circuit 17 located at the intersection of the scanning line 11 in the i-th row and the data line 12 in the j-th column is shown in the figure, the other pixel circuits 17 have the same configuration. .

トランジスタT1、T2はpチャネル型のトランジスタであり、トランジスタT3、T4,T5はnチャネル型のトランジスタである。トランジスタT4は、有機EL素子E1を駆動する駆動トランジスタとして機能し、トランジスタT1、T2、T3、T5はスイッチングトランジスタとして機能する。トランジスタT3のゲートは走査線11に接続され、そのソースはデータ線12に接続され、そのドレインはトランジスタT5のソースおよび容量素子C1の一端に接続されている。容量素子C1の他端はトランジスタT1のゲートおよびトランジスタT2のドレインに接続されている。トランジスタT5のゲートは初期化制御線112に接続されており、そのドレインは、トランジスタT2のドレイン、トランジスタT1のドレイン、およびトランジスタT4のドレインに接続されている。トランジスタT2のゲートは点灯制御線114およびトランジスタT4のドレインに接続されている。トランジスタT4のソースは、有機EL素子E1の陽極に接続され、有機EL素子R1の陰極は接地されている。トランジスタT1のソースは、高位側の電源電圧VELが印加された電源線14に接続されている。
走査線駆動回路21によって、走査線11には走査信号GWRTが供給され、初期化制御線112には制御信号GINITが供給され、点灯制御線114には制御信号GSETが供給される。
The transistors T1 and T2 are p-channel transistors, and the transistors T3, T4, and T5 are n-channel transistors. The transistor T4 functions as a driving transistor that drives the organic EL element E1, and the transistors T1, T2, T3, and T5 function as switching transistors. The gate of the transistor T3 is connected to the scanning line 11, the source is connected to the data line 12, and the drain is connected to the source of the transistor T5 and one end of the capacitive element C1. The other end of the capacitive element C1 is connected to the gate of the transistor T1 and the drain of the transistor T2. The gate of the transistor T5 is connected to the initialization control line 112, and the drain thereof is connected to the drain of the transistor T2, the drain of the transistor T1, and the drain of the transistor T4. The gate of the transistor T2 is connected to the lighting control line 114 and the drain of the transistor T4. The source of the transistor T4 is connected to the anode of the organic EL element E1, and the cathode of the organic EL element R1 is grounded. The source of the transistor T1 is connected to the power supply line 14 to which the higher power supply voltage VEL is applied.
The scanning line drive circuit 21 supplies the scanning signal GWRT to the scanning line 11, the control signal GINIT to the initialization control line 112, and the control signal GSET to the lighting control line 114.

次に、i行目の走査線11とj列目のデータ線12との交差部に位置する画素回路17の動作について説明する。図15は、画素回路17の動作を示す図である。画素回路17の動作は4つの期間に分けられる。図15におけるSTEP1〜STEP4は、それぞれ期間(1)〜(4)に相当する。
まず、期間(1)において、走査線駆動回路21は、制御信号GSETをLレベルとし、制御信号GINITをHレベルとする。また、データ線駆動回路22は、すべてのデータ線12に供給するデータ信号を初期電圧VSとする。ここで、VSはVELより一定値だけ低い電圧である。
図15(a)に示されるように、期間(1)においては、トランジスタT2がオンするので、駆動トランジスタT1がダイオードとして機能する一方、トランジスタT4がオフするので、有機EL素子E1への電流経路が遮断される。また、制御信号GINITがHレベルになることによってトランジスタT5がオンし、さらに、走査信号GWRTがHレベルになることによってトランジスタT3もオンする。従って、駆動トランジスタT1のゲートは、データ線12と略同一の初期電圧VSとなる。
Next, the operation of the pixel circuit 17 located at the intersection of the i-th scanning line 11 and the j-th data line 12 will be described. FIG. 15 is a diagram illustrating the operation of the pixel circuit 17. The operation of the pixel circuit 17 is divided into four periods. STEP1 to STEP4 in FIG. 15 correspond to periods (1) to (4), respectively.
First, in the period (1), the scanning line driving circuit 21 sets the control signal GSET to L level and the control signal GINIT to H level. Further, the data line driving circuit 22 sets the data signal supplied to all the data lines 12 as the initial voltage VS. Here, VS is a voltage lower than VEL by a certain value.
As shown in FIG. 15A, in the period (1), the transistor T2 is turned on, so that the driving transistor T1 functions as a diode, while the transistor T4 is turned off, so that the current path to the organic EL element E1 Is cut off. Further, when the control signal GINIT becomes H level, the transistor T5 is turned on, and when the scanning signal GWRT becomes H level, the transistor T3 is also turned on. Accordingly, the gate of the drive transistor T1 has the initial voltage VS substantially the same as that of the data line 12.

次の期間(2)において、走査線駆動回路21は、制御信号GSETをLレベルに維持し、制御信号GINITをLレベルに復帰させる。また、データ線駆動回路22は、データ信号を初期VSとする状態を維持する。
図15(b)に示されるように、期間(2)においては、トランジスタT2のオンが継続することによって、駆動トランジスタT1は引き続きダイオードとして機能するが、制御信号GINITがLレベルになることによってトランジスタT5がオフするので、電源線14からデータ線12への電流経路は遮断される。
一方、トランジスタT2のオンが継続していることによって、容量C1の一端、すなわちノードAの電圧は、電源の高位側電圧VELから駆動トランジスタT1のしきい値電圧Vthだけ減じた(VEL−Vth)に変化しようとする。ただし、トランジスタT3のオンによって、容量C1の他端がデータ線12における初期電圧VSにて一定に保たれているので、ノードAにおける電圧変化は、容量C1(および駆動トランジスタT1のゲート容量)における充放電に応じて進行することになる。しかし、容量C1の電荷は、期間(1)における短絡によってすでにクリアされているとともに、期間(1)からのノードAの電圧変化は少ないので、期間(2)においてノードAの電圧が(VEL−Vth)に達するまで、長い時間を必要とはしない。このため、期間(2)の終了タイミングにおけるノードAの電圧は、(VS−(VEL−Vth))になっている、と考えて良い。
In the next period (2), the scanning line driving circuit 21 maintains the control signal GSET at the L level and returns the control signal GINIT to the L level. Further, the data line driving circuit 22 maintains a state in which the data signal is set to the initial VS.
As shown in FIG. 15B, in the period (2), the transistor T2 continues to be turned on so that the driving transistor T1 continues to function as a diode. However, when the control signal GINIT becomes L level, the transistor Since T5 is turned off, the current path from the power supply line 14 to the data line 12 is interrupted.
On the other hand, since the transistor T2 is kept on, the voltage at one end of the capacitor C1, that is, the node A is reduced from the high voltage VEL of the power source by the threshold voltage Vth of the driving transistor T1 (VEL−Vth). Try to change. However, since the other end of the capacitor C1 is kept constant at the initial voltage VS in the data line 12 by turning on the transistor T3, the voltage change at the node A is in the capacitor C1 (and the gate capacitance of the driving transistor T1). It progresses according to charging / discharging. However, since the charge of the capacitor C1 is already cleared by the short circuit in the period (1) and the voltage change of the node A from the period (1) is small, the voltage of the node A is (VEL−) in the period (2). It does not take a long time to reach Vth). Therefore, it can be considered that the voltage of the node A at the end timing of the period (2) is (VS− (VEL−Vth)).

次に、データ線駆動回路22は、期間(3)において、データ信号Xの電圧を初期電圧(VEL−Vth)から電圧(VEL−Vth−ΔV)に切り替える。ここで、ΔVは、i行j列の画素に応じた画像データによって決定され、当該画素の有機EL素子E1を暗くするほどゼロに近くなる値である。したがって、電圧(VEL−Vth−ΔV)は、有機EL素子E1に流すべき電流量に応じた階調電圧を意味することになる。
図15(c)に示されるように、期間(3)においては、トランジスタT2がオフであるので、容量C1の一端(ノードA)は、駆動トランジスタT1のゲート容量のみによって保持されているに過ぎない。このため、ノードAは、電圧(VEL−Vth)から、容量C1の他端における電圧変化分であるΔVを容量C1と駆動トランジスタT1のゲート容量との容量比で配分した分だけ電圧減少することになる。詳細には、容量C1の大きさをCprgとし、駆動トランジスタT1のゲート容量をCtpとしたときに、ノードAは、オフ電圧(VEL−Vth)から、{ΔV・Cprg /(Ctp+Cprg)}だけ減少し、これにより、ノードAには、電圧{VEL−Vth−ΔV・Cprg /(Ctp+Cprg)}が書き込まれることになる。
そして、有機EL素子E1には、ノードAに書き込まれた電圧に応じた電流が流れて、発光が開始されることになる。このときにノードAに書き込まれた電圧が、有機EL素子E1に流すべき電流に応じた目標電圧である。
Next, the data line driving circuit 22 switches the voltage of the data signal X from the initial voltage (VEL−Vth) to the voltage (VEL−Vth−ΔV) in the period (3). Here, ΔV is determined by image data corresponding to a pixel in i row and j column, and is a value that becomes closer to zero as the organic EL element E1 of the pixel is darkened. Therefore, the voltage (VEL−Vth−ΔV) means a gradation voltage corresponding to the amount of current to be passed through the organic EL element E1.
As shown in FIG. 15C, in the period (3), since the transistor T2 is off, one end (node A) of the capacitor C1 is only held by the gate capacitor of the driving transistor T1. Absent. For this reason, the voltage of the node A is decreased from the voltage (VEL−Vth) by the amount of ΔV, which is the voltage change at the other end of the capacitor C1, distributed by the capacitance ratio of the capacitor C1 and the gate capacitance of the driving transistor T1. become. Specifically, when the size of the capacitor C1 is Cprg and the gate capacitance of the driving transistor T1 is Ctp, the node A is reduced by {ΔV · Cprg / (Ctp + Cprg)} from the off voltage (VEL−Vth). Thus, the voltage {VEL−Vth−ΔV · Cprg / (Ctp + Cprg)} is written to the node A.
Then, a current corresponding to the voltage written in the node A flows through the organic EL element E1, and light emission is started. The voltage written to the node A at this time is a target voltage corresponding to the current to be passed through the organic EL element E1.

次に、期間(4)において、走査線駆動回路21は、走査信号GWRTをLレベルにし、制御信号GSETをHレベルにする。
図15(d)に示されるように、期間(4)においては、トランジスタT3はオフするが、ノードAは、駆動トランジスタT1のゲート容量(および容量C1)によって、目標電圧{VEL−Vth−ΔV・Cprg /(Ctp+Cprg)}に保持される。したがって、期間(4)において、当該目標電圧に応じた電流が有機EL素子E1に流れ続けるので、有機EL素子E1は、画像データで指定された明るさで発光する状態が継続することになる。
そして、期間(4)が終了して、制御信号GSETがLレベルになると、トランジスタT4がオフして、有機EL素子E1への電流経路が遮断されるので、有機EL素子E1は消灯することになる。
Next, in the period (4), the scanning line driving circuit 21 sets the scanning signal GWRT to L level and the control signal GSET to H level.
As shown in FIG. 15D, in the period (4), the transistor T3 is turned off, but the node A has a target voltage {VEL−Vth−ΔV depending on the gate capacitance (and the capacitance C1) of the driving transistor T1. • Cprg / (Ctp + Cprg)}. Therefore, in the period (4), the current corresponding to the target voltage continues to flow through the organic EL element E1, and thus the organic EL element E1 continues to emit light with the brightness specified by the image data.
When the period (4) ends and the control signal GSET becomes L level, the transistor T4 is turned off and the current path to the organic EL element E1 is cut off, so that the organic EL element E1 is turned off. Become.

本実施形態によれば、駆動トランジスタのゲートに、有機EL素子に流すべき電流に応じた目標電圧を書き込むことができるので、駆動トランジスタのしきい値電圧のばらつきを補償することができる。これによって、駆動トランジスタのしきい値電圧のばらつきに起因する輝度のばらつきを調整することができるから、所望の輝度で画素を発光させることができる。   According to this embodiment, the target voltage corresponding to the current to be passed through the organic EL element can be written to the gate of the drive transistor, so that variations in the threshold voltage of the drive transistor can be compensated. Accordingly, variation in luminance caused by variation in threshold voltage of the driving transistor can be adjusted, so that the pixel can emit light with desired luminance.

<変形例>
以上説明した形態に限らず、本発明は種々の形態で実施可能である。例えば、上述の実施形態を以下のように変形した形態でも実施可能である。
第1および第2実施形態においては、基準電圧生成回路33から出力される基準電圧は、外部入力の電圧や抵抗等によって得られる電圧であってもよい。さらに、この電圧を調整可能とすることによって、DAC31またはDAC35から出力される階調電流のダイナミックレンジを調整することが可能となる。その結果、輝度のダイナミックレンジを画素毎に調整することが可能となる。
また、補正電流は外部入力の電流や抵抗等によって得られる電流であってもよい。
また、補正電流を生成するためのDAC32を複数のデータ線12で共有する構成としてもよい。
<Modification>
The present invention is not limited to the form described above, and can be implemented in various forms. For example, the embodiment described above can be modified as follows.
In the first and second embodiments, the reference voltage output from the reference voltage generation circuit 33 may be a voltage obtained by an external input voltage, a resistor, or the like. Further, by making this voltage adjustable, it is possible to adjust the dynamic range of the grayscale current output from the DAC 31 or the DAC 35. As a result, the luminance dynamic range can be adjusted for each pixel.
Further, the correction current may be a current obtained by an externally input current or a resistor.
Further, the DAC 32 for generating the correction current may be shared by the plurality of data lines 12.

第3実施形態においては、DAC31、32に入力する基準電圧は、外部入力の電圧や抵抗等によって得られる電圧であってもよい。さらに、この電圧を調整可能とすることによって、DAC31から出力される階調電流のダイナミックレンジを調整することが可能となる。その結果、輝度のダイナミックレンジを画素毎に調整することが可能となる。
また、補正電流は外部入力の電流や抵抗等によって得られる電流であってもよい。
また、補正電流を生成するためのDAC32を複数のデータ線12で共有する構成としてもよい。
In the third embodiment, the reference voltage input to the DACs 31 and 32 may be a voltage obtained by an external input voltage, resistance, or the like. Further, by making this voltage adjustable, it is possible to adjust the dynamic range of the grayscale current output from the DAC 31. As a result, the luminance dynamic range can be adjusted for each pixel.
Further, the correction current may be a current obtained by an externally input current or a resistor.
Further, the DAC 32 for generating the correction current may be shared by the plurality of data lines 12.

上述した実施形態では、本発明を有機ELディスプレイに適用した例を示したが、本発明は、有機ELディスプレイ以外の電気光学装置にも適用され得る。すなわち、電流の供給や電圧の印加といった電気的な作用を輝度や透過率の変化といった光学的な作用に変換する電気光学物質を用いて画像を表示する装置であれば本発明は適用され得る。
例えば、能動素子としてTFD(薄膜ダイオード)を用いたアクティブマトリクス型の電気光学パネル、帯状電極の交差によって液晶を挟持したパッシブマトリクス型の電気光学装置、着色された液体と当該液体に分散された白色の粒子とを含むマイクロカプセルを電気光学物質として用いた電気泳動表示装置、極性が相違する領域ごとに異なる色に塗り分けられたツイストボールを電気光学物質として用いたツイストボールディスプレイ、黒色トナーを電気光学物質として用いたトナーディスプレイ、あるいはヘリウムやネオンなどの高圧ガスを電気光学物質として用いたプラズマディスプレイパネル(PDP)など各種の電気光学装置に本発明が適用される。
In the embodiment described above, an example in which the present invention is applied to an organic EL display has been described. However, the present invention can also be applied to an electro-optical device other than an organic EL display. That is, the present invention can be applied to any device that displays an image using an electro-optical material that converts an electrical action such as supply of current or application of voltage into an optical action such as change in luminance or transmittance.
For example, an active matrix type electro-optical panel using TFD (thin film diode) as an active element, a passive matrix type electro-optical device in which liquid crystal is sandwiched by the intersection of strip electrodes, a colored liquid and white dispersed in the liquid Electrophoretic display device using microcapsules containing particles as an electro-optical material, twist ball display using a twist ball painted differently for each region of different polarity as an electro-optical material, and black toner as electricity The present invention is applied to various electro-optical devices such as a toner display used as an optical material or a plasma display panel (PDP) using a high-pressure gas such as helium or neon as an electro-optical material.

次に、本発明にかかる電気光学装置を用いた電子機器の例を説明する。
図16は、この電気光学装置100を用いたパーソナルコンピュータ200を示す図である。この図において、パーソナルコンピュータ200は、キーボード201を備えた本体部202と、本発明にかかる電気光学装置100を用いた表示部203とを備えている。
また、本発明にかかる電気光学装置が採用され得る電子機器としては、上記のパーソナルコンピュータの他にも、携帯電話機、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、ディジタルスチルカメラなど各種の機器が挙げられる。
Next, an example of an electronic apparatus using the electro-optical device according to the invention will be described.
FIG. 16 is a diagram illustrating a personal computer 200 using the electro-optical device 100. In this figure, a personal computer 200 includes a main body 202 provided with a keyboard 201 and a display unit 203 using the electro-optical device 100 according to the present invention.
In addition to the personal computer described above, the electronic apparatus to which the electro-optical device according to the present invention can be used includes a mobile phone, a liquid crystal television, a viewfinder type / direct monitor type video tape recorder, a car navigation device, a pager. And various devices such as electronic notebooks, calculators, word processors, workstations, videophones, POS terminals, and digital still cameras.

第1実施形態にかかる電気光学装置100の構成を示す図である。1 is a diagram illustrating a configuration of an electro-optical device 100 according to a first embodiment. 走査線駆動回路21から供給される信号を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing signals supplied from a scanning line driving circuit 21. 画素回路16の構成の一例を示す図である。2 is a diagram illustrating an example of a configuration of a pixel circuit 16. FIG. データ線駆動回路22の構成を示す図である。2 is a diagram showing a configuration of a data line driving circuit 22. FIG. DAC222および基準電圧生成回路223の構成を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating configurations of a DAC 222 and a reference voltage generation circuit 223. DAC35を示す図である。It is a figure which shows DAC35. DAC222および基準電圧生成回路223の構成を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating configurations of a DAC 222 and a reference voltage generation circuit 223. DAC45を示す図である。It is a figure which shows DAC45. データ線駆動回路22の構成を示す図である。2 is a diagram showing a configuration of a data line driving circuit 22. FIG. DAC222、基準電圧生成回路223および電流電圧変換回路224の構成を示す図である。2 is a diagram illustrating the configuration of a DAC 222, a reference voltage generation circuit 223, and a current-voltage conversion circuit 224. 基準電圧生成回路56を示す図である。2 is a diagram illustrating a reference voltage generation circuit 56. FIG. 電流電圧変換回路57を示す図である。5 is a diagram showing a current-voltage conversion circuit 57. バッファ回路58が設けられた構成を示す図である。It is a figure which shows the structure in which the buffer circuit 58 was provided. 画素回路17の構成を示す図である。2 is a diagram illustrating a configuration of a pixel circuit 17. FIG. 画素回路17の動作を示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating an operation of the pixel circuit 17. 電気光学装置100を用いたパーソナルコンピュータを示す図である。1 is a diagram showing a personal computer using an electro-optical device 100. FIG.

符号の説明Explanation of symbols

100…電気光学装置、10…電気光学パネル、11…走査線、12…データ線、14…電源線、16…画素回路、21…走査線駆動回路、22…データ線駆動回路、60…制御装置、70…電源回路、80…画像メモリ、221…ラインメモリ、222…DAC、223…基準電圧生成回路、224…電流電圧変換回路、225…バッファ回路、31…DAC、32…DAC、33…基準電圧生成回路、34…基準電圧生成回路、35…DAC、36…基準電圧生成回路、41…DAC、42…DAC、44…基準電圧生成回路、45…DAC、46…基準電圧生成回路、51…DAC、53…基準電圧生成回路、55…電流電圧変換回路、56…基準電圧生成回路、57…電流電圧変換回路、58…バッファ回路。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Electro-optical apparatus, 10 ... Electro-optical panel, 11 ... Scan line, 12 ... Data line, 14 ... Power supply line, 16 ... Pixel circuit, 21 ... Scan line drive circuit, 22 ... Data line drive circuit, 60 ... Control apparatus , 70 ... power supply circuit, 80 ... image memory, 221 ... line memory, 222 ... DAC, 223 ... reference voltage generation circuit, 224 ... current-voltage conversion circuit, 225 ... buffer circuit, 31 ... DAC, 32 ... DAC, 33 ... reference Voltage generating circuit 34 ... Reference voltage generating circuit 35 ... DAC 36 ... Reference voltage generating circuit 41 ... DAC 42 ... DAC 44 ... Reference voltage generating circuit 45 ... DAC 46 46 ... Reference voltage generating circuit 51 ... DAC, 53... Reference voltage generation circuit, 55... Current voltage conversion circuit, 56... Reference voltage generation circuit, 57.

Claims (4)

複数の走査線と複数のデータ線との各交差に設けられているとともに、印加された電圧に応じて電流を生成する駆動トランジスタと、該駆動トランジスタから供給された電流によって駆動される被駆動素子と、ゲートが前記走査線に接続され、ソースが前記データ線に接続され、ドレインが前記駆動トランジスタのゲートに接続されたスイッチングトランジスタとを有する画素回路と、
前記複数の走査線の各々を順次選択するとともに、選択した走査線に選択信号を供給する走査線駆動回路と
を有する電気光学装置の前記データ線を駆動するデータ線駆動回路において、
前記走査線に選択信号が供給されている期間において、当該走査線上に設けられた画素の階調を表す階調データに基づいた階調電流を生成する階調電流生成回路と、
ドレインとゲートとが短絡されているとともに該ゲートが前記データ線及び前記スイッチングトランジスタを介して前記駆動トランジスタのゲートに接続された第1のトランジスタを備え、前記階調電流生成回路で生成された階調電流を該第1のトランジスタに供給することにより該階調電流に応じた電圧を生成する電流電圧変換回路と
を有し、
前記電流電圧変換回路は、
前記第1のトランジスタのしきい値電圧が前記駆動トランジスタのしきい値電圧よりも低い場合には、前記第1のトランジスタの高位側の電源電圧を、前記駆動トランジスタの高位側の電源電圧に対して、前記第1のトランジスタと前記駆動トランジスタのしきい値電圧の差分だけ低い電圧に設定し、
前記第1のトランジスタのしきい値電圧が前記駆動トランジスタのしきい値電圧よりも高い場合には、前記第1のトランジスタの高位側の電源電圧を、前記駆動トランジスタの高位側の電源電圧に対して、前記第1のトランジスタと前記駆動トランジスタのしきい値電圧の差分だけ高い電圧に設定する
ことを特徴とするデータ線駆動回路。
A driving transistor that is provided at each intersection of a plurality of scanning lines and a plurality of data lines, generates a current in accordance with an applied voltage, and a driven element that is driven by the current supplied from the driving transistor A switching circuit having a gate connected to the scanning line, a source connected to the data line, and a drain connected to the gate of the driving transistor;
A data line driving circuit for driving the data lines of an electro-optical device, comprising: a scanning line driving circuit that sequentially selects each of the plurality of scanning lines and supplies a selection signal to the selected scanning line;
A gray-scale current generating circuit that generates gray-scale current based on gray-scale data representing the gray scale of a pixel provided on the scan line during a period in which a selection signal is supplied to the scan line;
A first transistor having a drain and a gate that are short-circuited and connected to the gate of the driving transistor via the data line and the switching transistor; A current-voltage conversion circuit that generates a voltage according to the gradation current by supplying a regulated current to the first transistor;
The current-voltage conversion circuit is
When the threshold voltage of the first transistor is lower than the threshold voltage of the driving transistor, the power supply voltage on the higher side of the first transistor is set to the power supply voltage on the higher side of the driving transistor. A voltage that is lower by a difference between threshold voltages of the first transistor and the driving transistor,
When the threshold voltage of the first transistor is higher than the threshold voltage of the drive transistor, the power supply voltage on the higher side of the first transistor is set to the power supply voltage on the higher side of the drive transistor. A data line driving circuit, wherein the voltage is set higher by a difference between threshold voltages of the first transistor and the driving transistor.
複数の走査線と複数のデータ線との各交差に設けられているとともに、印加された電圧に応じて電流を生成する駆動トランジスタと、該駆動トランジスタから供給された電流によって駆動される被駆動素子と、ゲートが前記走査線に接続され、ソースが前記データ線に接続され、ドレインが前記駆動トランジスタのゲートに接続されたスイッチングトランジスタとを有する画素回路と、
前記複数の走査線の各々を順次選択するとともに、選択した走査線に選択信号を供給する走査線駆動回路と
を有する電気光学装置の前記データ線を駆動するデータ線駆動回路において、
前記走査線に選択信号が供給されている期間において、当該走査線上に設けられた画素の階調を表す階調データに基づいた階調電流を生成する階調電流生成回路と、
ゲート同士が共通に接続された複数のトランジスタと、予め作成されたデータに基づいて前記複数のトランジスタの各々のドレインとゲートとを短絡させるとともに前記ドレイン同士を共通に接続させるスイッチとを有し、前記ゲートが前記データ線及び前記スイッチングトランジスタを介して前記駆動トランジスタのゲートに接続されており、前記階調電流生成回路で生成された階調電流を前記複数のトランジスタに供給することにより該階調電流に応じた電圧を生成する電流電圧変換回路と
を有し、
前記電流電圧変換回路は、
前記複数のトランジスタのしきい値電圧が前記駆動トランジスタのしきい値電圧よりも低い場合には、前記複数のトランジスタの高位側の電源電圧を、前記駆動トランジスタの高位側の電源電圧に対して、前記複数のトランジスタと前記駆動トランジスタのしきい値電圧の差分だけ低い電圧に設定し、
前記複数のトランジスタのしきい値電圧が前記駆動トランジスタのしきい値電圧よりも高い場合には、前記複数のトランジスタの高位側の電源電圧を、前記駆動トランジスタの高位側の電源電圧に対して、前記複数のトランジスタと前記駆動トランジスタのしきい値電圧の差分だけ高い電圧に設定する
ことを特徴とするデータ線駆動回路。
A driving transistor that is provided at each intersection of a plurality of scanning lines and a plurality of data lines, generates a current in accordance with an applied voltage, and a driven element that is driven by the current supplied from the driving transistor A switching circuit having a gate connected to the scanning line, a source connected to the data line, and a drain connected to the gate of the driving transistor;
A data line driving circuit for driving the data lines of an electro-optical device, comprising: a scanning line driving circuit that sequentially selects each of the plurality of scanning lines and supplies a selection signal to the selected scanning line;
A gray-scale current generating circuit that generates gray-scale current based on gray-scale data representing the gray scale of a pixel provided on the scan line during a period in which a selection signal is supplied to the scan line;
A plurality of transistors whose gates are connected in common, and a switch that short-circuits each drain and gate of the plurality of transistors based on data created in advance and connects the drains in common, The gate is connected to the gate of the driving transistor through the data line and the switching transistor, and the gradation current generated by the gradation current generation circuit is supplied to the plurality of transistors to supply the gradation. have a current-voltage conversion circuit which generates a voltage corresponding to the current,
The current-voltage conversion circuit is
When the threshold voltage of the plurality of transistors is lower than the threshold voltage of the drive transistor, the power supply voltage on the higher side of the plurality of transistors is set to the power supply voltage on the higher side of the drive transistor. Set a voltage lower by a difference between threshold voltages of the plurality of transistors and the driving transistor,
When the threshold voltage of the plurality of transistors is higher than the threshold voltage of the drive transistor, the power supply voltage on the higher side of the plurality of transistors is set to the power supply voltage on the higher side of the drive transistor. A data line driving circuit , wherein the voltage is set higher by a difference between threshold voltages of the plurality of transistors and the driving transistor .
請求項1又は2に記載のデータ線駆動回路を備えたことを特徴とする電気光学装置。   An electro-optical device comprising the data line driving circuit according to claim 1. 請求項3に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 3.
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