JP4805460B2 - 反応プロセスガス生成方法及びシステム - Google Patents
反応プロセスガス生成方法及びシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP4805460B2 JP4805460B2 JP2000602168A JP2000602168A JP4805460B2 JP 4805460 B2 JP4805460 B2 JP 4805460B2 JP 2000602168 A JP2000602168 A JP 2000602168A JP 2000602168 A JP2000602168 A JP 2000602168A JP 4805460 B2 JP4805460 B2 JP 4805460B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- reaction
- chamber
- indoor
- precursor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 80
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 27
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 42
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 31
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 17
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 9
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims description 6
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000012713 reactive precursor Substances 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 82
- 239000000047 product Substances 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- -1 halide compounds Chemical class 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000914 Mn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015275 MoF 6 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000792 Monel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004529 TaF 5 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003542 behavioural effect Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010961 commercial manufacture process Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000856 hastalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100001261 hazardous Toxicity 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J7/00—Apparatus for generating gases
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J12/00—Chemical processes in general for reacting gaseous media with gaseous media; Apparatus specially adapted therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J12/00—Chemical processes in general for reacting gaseous media with gaseous media; Apparatus specially adapted therefor
- B01J12/002—Chemical processes in general for reacting gaseous media with gaseous media; Apparatus specially adapted therefor carried out in the plasma state
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J12/00—Chemical processes in general for reacting gaseous media with gaseous media; Apparatus specially adapted therefor
- B01J12/007—Chemical processes in general for reacting gaseous media with gaseous media; Apparatus specially adapted therefor in the presence of catalytically active bodies, e.g. porous plates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/087—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
- B01J19/088—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/24—Stationary reactors without moving elements inside
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B7/00—Halogens; Halogen acids
- C01B7/24—Inter-halogen compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C17/00—Preparation of halogenated hydrocarbons
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/0802—Details
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/125—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
- H01L21/30655—Plasma etching; Reactive-ion etching comprising alternated and repeated etching and passivation steps, e.g. Bosch process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
- H01L21/3081—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00002—Chemical plants
- B01J2219/00027—Process aspects
- B01J2219/00038—Processes in parallel
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00002—Chemical plants
- B01J2219/00027—Process aspects
- B01J2219/0004—Processes in series
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
- B01J2219/00051—Controlling the temperature
- B01J2219/00054—Controlling or regulating the heat exchange system
- B01J2219/00056—Controlling or regulating the heat exchange system involving measured parameters
- B01J2219/00058—Temperature measurement
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
- B01J2219/00162—Controlling or regulating processes controlling the pressure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/0803—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
- B01J2219/0805—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
- B01J2219/0807—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges involving electrodes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/0803—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
- B01J2219/0805—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
- B01J2219/0807—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges involving electrodes
- B01J2219/0809—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges involving electrodes employing two or more electrodes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/0803—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
- B01J2219/0805—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
- B01J2219/0807—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges involving electrodes
- B01J2219/0837—Details relating to the material of the electrodes
- B01J2219/0841—Metal
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/0869—Feeding or evacuating the reactor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/0871—Heating or cooling of the reactor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/0873—Materials to be treated
- B01J2219/0881—Two or more materials
- B01J2219/0883—Gas-gas
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/0894—Processes carried out in the presence of a plasma
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
Description
乾式(プラズマおよび非プラズマ)加工装置のための代替プロセスガスに対する産業界の要求から、いくつかの異なる化学物質の研究がなされた。いくつかの異なる、反応性の高い、ハロゲンを基材とする化学物質が、加工能力たとえばエッチ速度、選択性などの改良の実現のために、有望な候補であることが知られている。この種類のガスの例としては、純ハロゲン化物(ハロゲン間化合物及びハロゲン分子(2原子分子))化合物があり、これらには、費用増大(配送と廃棄のシステムおよび前駆物質それ自身)、大きな健康と安全性に関するリスク、輸送の難しさ(および費用)、ならびに商業的入手が割合に困難であること、といった不利がある。
【0002】
本発明によれば、単一のガス反応室又は室内反応システム、純粋なハロゲン分子ガスの供給源を含む複数の前駆供給源から前記反応室又は室内反応システムに前駆ガスを導入する複数の入口、及び前記反応室又は室内反応システムで生成した反応プロセスガスを単一の加工室又は単一若しくは複数の室内加工装置へ供給する出口を備え、前記ガス反応室又は室内反応システムの後続工程で反応プロセスガスを直接使用してなる反応プロセスガス生成システムが提供される。
【0003】
好ましい構成においては、前記出口に弁を含め、その弁の制御により後続工程への反応プロセスガスの流れを制御することができる。
【0004】
“現場”(または、使用場所)というのは、配送システムが一つの加工室、または互いに近いいくつかの加工室もしくはいくつかの加工装置の近くに配置されており、したがって生成されたガスを、すぐに使用するために加工室または加工装置に直接配送することができ、離れた場所で生成され、装置への後続導入のために適当な容器で搬送することがない、ということを意味する。
【0005】
各加工室に対して、一つよりも多くのガス生成装置を使用することができる。
【0006】
一つの実施形態において、本発明は反応性プロセスガスの現場生成を行う。これらのガスは、それぞれの加工装置に近い現場で、制御された温度と圧力の反応条件下で、いろいろな前駆物質ガスを直接化合させることによって、生成させることができる。いろいろなハロゲン間の化合物およびハロゲン化ガスを、このようにして生成させることができる。このシステムは、生成されつつある前駆物質を正確に制御するためのフィードバックシステムを有することができる。
【0007】
本発明の第二の実施形態によれば、プラズマまたは非プラズマ加工のための反応性前駆物質の現場合成であって、前記反応性前駆物質には、不安定性、または短寿命、または商業的製造もしくは供給の困難さのために前記合成以外のやり方では簡単には入手できない前駆物質が含まれる。これにより、半導体または非半導体加工のためのハロゲン化物前駆物質の新しい基の直接合成または反応性研究が可能になる。
【0008】
本発明の第三の実施形態によれば、産業で使用されているかまたは使用されていたガスであって、新しい環境関係の法律により使用が制限または中止されたガスを、直接または間接に(挙動を模擬することによる)置き換える前駆物質の合成がなされる。モントリオール議定書においては、環境にやさしくない化学物質が、すでに使用が制限されたものまたは近い将来に使用が制限されるものを含めて、規定されている。これは、製造が制限されるためにガスの入手可能性に影響をおよぼすものであり、また制限された使用下でも廃棄する際の増大しつつある必要事物にも影響をおよぼすものである。実際、最近の多くの研究は、適当な代替ガスの探索に焦点が合わされている(Fracassiおよびd’Agostino,J.Vac.Sci.Technol.B 16(4),Jul/Aug.1998)。適当な廃棄手段により、要求される物質の合成は既存の化学物質の使用を継続するのに、十分適した手段となりうる。商業的には、いくつかの解決策のうちこれだけが実施可能なものであるかもしれない。
【0009】
本発明は、さらに、純粋なハロゲン分子ガスの供給源を含む複数の前駆ガス供給源を単一のガス反応室又は室内反応システムに接続し、複数の前駆ガス供給源から反応室又は室内反応システムに前駆ガスを導入し且つ導入した前駆ガスを反応させて反応プロセスガスを生成し、その生成した反応プロセスガスをガス反応室又は室内反応システムから出口経由で単一の加工室又は単一若しくは複数の室内加工装置に供給してその加工室又は室内加工装置の後続工程で直接使用する反応プロセスガス生成方法を含む。
【0010】
この直接化合ガス生成装置は、適当な前駆物質ガスを、おそらくは、加工装置または加工室に近い現場の温度および圧力制御反応室内にあらかじめ装入できる他の物質と反応させることにより、加工室内でガスを生成させることができる。前駆物質ガスは、加工される基板と反応できないように、または実際加工装置内に個別に導入するのが望ましい。装置の設計は、前駆物質ガスの化合中に加工装置または加工室内でどんな有害な反応の発生をも避けるようなものとする。そのようにしないと、工程全体に悪影響がでると考えられる。加工室から廃棄装置へのバイパスは、加工室内で反応前混合物が工程に悪影響を与えることを阻止する。前駆物質ガスは、必要な流量と組成が安定化するかまたはウェーハの装入が完了したあと、工程制御器によってふたたび加工室に向けられる。このバイパス機能は、一定の供給品質と条件とを維持するために、ウェーハ移送中にも使用することができる。
【0011】
反応室に導入する前駆物質は、下記のガスのうち任意のものを含む。
1.必要なハロゲン供給源としての、F2、Cl2、Br2、I2から選択される少なくとも一つのハロゲン分子ガス。
2.N2、H2、O2から選択される追加ガス。
3.He、Ar、Kr、Xeから選択される追加ガス。
【0012】
ガス生成装置は、下記の要素のうち任意の一つ以上のものをも有することができる。
1.C、B、S、Si、Ge、Pから選択される、元素または適当な化合物の形の電極物質。適当であれば、電極物質は多孔質として、表面反応面積を大きくすることができる。金属含有電極をも使用することができる。この電極は、温度制御と、電気的および/または磁気的バイアス印加とを、別々に行うことができる。
2.適当な触媒(発生する生成物による)。
3.ガス分析器、たとえば赤外分光器および/または質量分析計。
4.生成ガスを検出し、反応パラメータ(ガス流量、温度、圧力、その他)を調節して、所望の生成濃度を実現するためのフィードバック制御システム。
5.適当な反応容器または反応室。いくつかの反応室を直列および/または並列に使用して、より複雑な生成機構を必要とする前駆物質を生成させることができる。
6.適当な真空制御システム、弁類、および計器類。バイパスおよびパージのための手段を含む。
7.適当な廃棄装置。
【0013】
このガス生成装置は、数Torr〜大気圧、および、室温〜数百度C、および数Torr〜大気圧の、温度および圧力範囲で運転することができる。特に、反応室は大気圧またはその近く、すなわち数Torr〜760Torrにわたる範囲で、運転することができる。反応室の温度は、一般に、周囲の室温〜800℃の範囲で制御することができるが、100〜500℃の範囲内にあることが多いと考えられる。室内反応システムの少なくとも二つの別個の帯域を、異なる温度に保つことができる。ある種の工程では、生成物の純度制御のために、システムの要素を室温よりも低温にすることができる。すべての電極の温度制御は、反応容器から独立なものとすることができ、また電極には、個別に電気的および/または磁気的にバイアスをかけることができる。このバイアス手段または他のバイアス手段を使用して、プラズマを生成させることができる。
【0014】
高純度のガスをガス反応生成装置に供給することにより、加工室に送る前に、望ましくない不純物を除去するために生成ガスを精製する必要がなくなる。質量流量制御器を使用して、供給ガスの流量を正確に量ることができる。
【0015】
加工室への流れの弁制御(必要であれば、制御システムを備える)により、このガス生成装置が加工室の低圧(減圧)を感じないことが保証される。フッ素生成の好ましい方法は、フッ化物融解電解発生装置によるものであり、この装置はガス生成装置の近く現場に設置することができ、ボンベにはいった高純度の100%フッ素を得る必要を克服するものである。F2生成の他の手段をも適当に使用することができる。Cl2供給の好ましい方法は、電解発生装置または高圧ボンベによるものであり、どちらも簡単に利用することができる。Br2、I2の適当な供給源も同様に使用することができる。
【0016】
必要に応じて、複数または単一のガス入口および/または二つ以上の電極(または単一の複合電極)を使用して、いくつかのより複雑なハロゲン化物種を生成させることができる。反応室内の電極は電気的および/または磁気的にバイアスをかけることができる。
【0017】
反応室は高純度材料(たとえば、商標名モネル(ニッケル/銅/鉄合金)、インコネル(ニッケル/クロム/鉄合金)、およびハステロイ(ニッケル/モリブデン/クロム/マンガン/鉄合金)で販売されているもの)で作ることができる。これらは、大規模な生成装置では経済的に適当でないと考えられるものである。
【0018】
現場生成のコンセプトにより、所望のプロセスガスを高純度で製造することができるが、特定の反応生成物は一つの特定生成物だけから成るのではなく一群の化合物から成りうる。これは、妥当な費用と低い危険性とで実施することができる。加工装置に供給するこのガス生成装置を付設することにより、多くの理由によってプロセスガスの直接使用の選択が不可能である場合に、いろいろな生成プロセスガスを加工室に導入する新しい能力が与えられる。
【0019】
このガス生成装置は、要求に応じて、たとえば下記のようないろいろなガスを現場供給することができる。
1.ハロゲン同士の化合物、たとえばClxFy、Fx Bry、ClxBry、およびFxCly Brz(ここで、X、YおよびZは整数)。I含有化合物ハロゲンを追加供給するために、I2供給源をも追加することができる。
2.不安定性、または短寿命、または商業的製造もしくは供給の困難さのために他のやり方では入手できない前駆物質を含む、プラズマまたは非プラズマ加工のためのハロゲン化物前駆物質のグループ。
3.フレオンまたはハロゲン炭化物、たとえばCxFy、CwFxCly、CwFxBry、CwFxClyBrz、CwClx、CwClxBry、CWFxBry、CwBry(ここでW、X、YおよびZは整数)。I含有ハロゲン炭化物を追加供給するために、I2供給源をも追加することができる。
4.CをNまたはBで置き換えた他の反応性ハロゲン化物。
5.任意のCを、CとN、B、および/またはHとの組合せで置き換えた他の反応性ハロゲン化物。
6.C供給源を適当な金属含有電極(たとえば、W、Mo、Ti、およびTa)で置き換えた金属ハロゲン化物。
7.前記3、4、5、および6に示したグループの任意の組合せから成るハロゲン化物複合体。
【0020】
生成のために理想的なガスの例としては、ClF、ClF3、ClF5、BrF3、WF6、MoF6、TiF4、TiCl4、TaF5、BrF、CF4、C2F6、C3F8、 CHF3、CF2H2、CCl2F2、CCl4、CF3Br、およびNF3、ならびに関連化合物がある。また、前駆物質の適当な選択により、有機金属化合物の合成または生成を行うこともできる。
【0021】
本発明の生成装置は、直接のガス配送に比して、数多くの利点を与える。いくつかのガスの場合、この反応ガス発生装置は大気圧またはその近くで運転することができ、したがってシステムにおける高圧調節器の必要がなくなる。危険なガスの設備と貯蔵器が縮小される。必要に応じた危険なガスの現場生成により、中央貯蔵器から装置への長い(かつ通常高圧の)ガスラインがなくなり、したがって付随する安全性に関するリスクが最小限に抑えられる。設置費用が大きく減少すると考えられる。追加ガスのための配管作業が少なくてすみ、かつ付随する
安全性要件が少ないからである。システム全体の保守は、システムが運転されていないときには生成ガスが存在しないために、簡単になる。生成ガスの量は特定の用途に必要な量に調節することができ、したがってガス消費を最適化して、過剰な生成ガスを避けることができる。ガスによっては高い生成圧力(大気圧よりも高い)を要することがあり、したがって圧力調節装置の使用が必要となる。
【0022】
本発明は、いろいろなやり方で実施することができる。以下、添付の図面を参照しつつ、本発明の好ましい実施形態を例として説明する。
【0023】
図1に示す構成の場合、前駆物質ガスが適当な供給源1および2から反応室3に送られ、ガスは、反応室3において、制御された条件のもとで、化合させられる。次に、反応生成物は加工室4に供給され、ここで、このガスを用いた乾式工程が実施される。適当な弁類には、適当な制御と分離の手段としてA、B、C、およびDに備えてある弁が含まれる。結合された制御システム5と6は、室3と4への供給量とこれらの室の状態とをモニターし、かつ維持する。
【0024】
ガスは、加工室4から排出装置7に送られ、排出装置7は廃棄装置8(通常、必要である)に導く。バイパス出口9は、反応室3から排出装置に導き、したがってガスは加工のために必要なときだけ加工室に切り替えることができる。このことにより、また、加工室に切り替える前に、安定なガス組成と流量とを維持するのを保証する手段の使用が可能になる。
【0025】
図2は、反応室3の装置と反応室3への接続とを、より詳細に示す。この図には、供給源1および2からの入口1Aおよび2A、ならびに第三の前駆物質ガスのためのもう一つの入口10が示してある(必要であれば、さらに別の入口を付けることもできる)。制御システム11(これは単一のシステムであるが、簡明なように、二つの部分11と15に分けて示してある)は、分析器12および13ならびに圧力測定器14からの測定値を受け取ることができる。制御システム15は温度測定器16からの測定値を受け取ることができ、また自動圧力制御装置17および温度制御装置18を制御することもできる。随意であるが、電極19を、バイアス装置(図示せず)および温度制御装置(図示せず)とともに、反応室3内に取りつけることができる。
【0026】
図3、4、5、および6は、電極を反応室3内に収容しうるいろいろなやり方を示す(反応室自身は、単一の室、または直列もしくは並列もしくはこれらの任意の所望の組合せで連結した室の組合せから成ることができる)。図3の場合、室3は多孔質電極20を備えているように示してある。図4は、二室システムを示し、この場合、前置反応室3Aは通常の電極21を収容しているが、下流室3Bは多孔質電極22を収容している。第三のガス供給ライン10がこの第二の室3Bに接続してある。図5には、三つの連結された反応室3A、3B、および3Cが示してあり、これらは、それぞれのガス供給源3、4、10を有し、それぞれ、標準電極23、24、および25を収容している。図6に示す変形構成の場合、室3A、3B、および3Cは多孔質電極23A、24A、および25Aを収容するように変形されている。
【0027】
本発明の方法は、また、特に、適当な前駆物質を使用していくつかの短保存寿命の有機金属化合物を現場生成させる方法としても有効である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一般的なガス生成装置の模式図である。
【図2】 図1の装置のいろいろな投入および制御装置を示す。
【図3】 図2に示す装置を変形した装置である。
【図4】 図1に示す一般的なガス生成装置のさらなる変形を示す。
【図5】 図1に示す一般的なガス生成装置のさらなる変形を示す。
【図6】 図1に示す一般的なガス生成装置のさらなる変形を示す。
【符号の説明】
1、2 前駆物質ガス供給源
3 反応室
4 加工室
9 バイパス出口
C 弁
Claims (7)
- 純粋なハロゲン分子ガスの供給源を含む複数の前駆ガス供給源を単一のガス反応室又は室内反応システムに接続し、
前記複数の前駆ガス供給源から反応室又は室内反応システムに前駆ガスを導入し且つ導入した前駆ガスを反応させて反応プロセスガスを生成し、
前記生成した反応プロセスガスをガス反応室又は室内反応システムから出口経由で単一の加工室又は単一若しくは複数の室内加工装置に供給してその加工室又は室内加工装置の後続工程で直接使用してなる反応プロセスガス生成方法。 - 請求項1の方法において、前記反応プロセスガスの生成時に、プラズマまたは非プラズマ加工のための反応性前駆物質を現場合成してなる反応プロセスガス生成方法。
- 請求項1又は2の方法において、前記出口に弁を含め、その弁の制御により後続工程への反応プロセスガスの流れを制御してなる反応プロセスガス生成方法。
- 請求項1の方法に用いる反応プロセスガス生成システムであって、
単一のガス反応室又は室内反応システム、
純粋なハロゲン分子ガスの供給源を含む複数の前駆ガス供給源から前記反応室又は室内反応システムに前駆ガスを導入する複数の入口、及び
前記反応室又は室内反応システムで生成した反応プロセスガスを単一の加工室又は単一若しくは複数の室内加工装置へ供給する出口を備え、
前記ガス反応室又は室内反応システムの後続工程で反応プロセスガスを直接使用してなる反応プロセスガス生成システム。 - 請求項4のシステムにおいて、前記ガス反応室又は室内反応システムに1以上の電極を含めてなる反応プロセスガス生成システム。
- 請求項4又は5のシステムにおいて、前記単一のガス反応室又は室内反応システムに、前記後続工程をバイパスして反応室又は室内反応システム内の生成ガスを出力するバイパス出口を設けてなる反応プロセスガス生成システム。
- 請求項4から6の何れかのシステムにおいて、前記純粋なハロゲン分子ガスの供給源を電解発生装置としてなる反応プロセスガス生成システム。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GBGB9904925.6A GB9904925D0 (en) | 1999-03-04 | 1999-03-04 | Gas delivery system |
GB9904925.6 | 1999-03-04 | ||
GBGB9909853.5A GB9909853D0 (en) | 1999-04-29 | 1999-04-29 | Gas generation system |
GB9909853.5 | 1999-04-29 | ||
PCT/GB2000/000793 WO2000051937A1 (en) | 1999-03-04 | 2000-03-06 | Gas generation system |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002538067A JP2002538067A (ja) | 2002-11-12 |
JP4805460B2 true JP4805460B2 (ja) | 2011-11-02 |
Family
ID=26315214
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000602168A Expired - Lifetime JP4805460B2 (ja) | 1999-03-04 | 2000-03-06 | 反応プロセスガス生成方法及びシステム |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6926871B1 (ja) |
EP (1) | EP1089937A1 (ja) |
JP (1) | JP4805460B2 (ja) |
KR (1) | KR100746384B1 (ja) |
WO (1) | WO2000051937A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102593106B1 (ko) * | 2023-05-16 | 2023-10-25 | 문희성 | 스마트 rx가스 제너레이터 시스템 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100746384B1 (ko) * | 1999-03-04 | 2007-08-03 | 서페이스 테크놀로지 시스템스 피엘씨 | 기체발생장치 |
US20040074516A1 (en) * | 2002-10-18 | 2004-04-22 | Hogle Richard A. | Sub-atmospheric supply of fluorine to semiconductor process chamber |
JP6208009B2 (ja) | 2010-03-26 | 2017-10-04 | ソルヴェイ(ソシエテ アノニム) | フッ素供給方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3876754A (en) * | 1964-06-09 | 1975-04-08 | North American Rockwell | Preparation of chlorine pentafluoride |
JPH02230720A (ja) * | 1989-03-03 | 1990-09-13 | Nec Corp | 化合物半導体の気相成長方法およびその装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3854886A (en) * | 1964-06-09 | 1974-12-17 | Rockwell International Corp | Apparatus for preparing chlorine pentafluoride |
US3976757A (en) * | 1964-08-12 | 1976-08-24 | Allied Chemical Corporation | Method for increasing the productivity of chemical reactors |
GB1268377A (en) * | 1968-06-17 | 1972-03-29 | James Ephraim Lovelock | An improved method for cleaning articles |
US4511440A (en) * | 1983-12-22 | 1985-04-16 | Allied Corporation | Process for the electrolytic production of fluorine and novel cell therefor |
GB9418598D0 (en) * | 1994-09-14 | 1994-11-02 | British Nuclear Fuels Plc | Fluorine cell |
GB9626329D0 (en) * | 1996-12-19 | 1997-02-05 | British Nuclear Fuels Plc | Improvements in and relating to the storage, transportation and production of active fluoride |
US6079426A (en) * | 1997-07-02 | 2000-06-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for determining the endpoint in a plasma cleaning process |
AU8737998A (en) * | 1997-08-08 | 1999-03-01 | Inchem (Proprietary) Limited | Method and apparatus for generating a gas |
JP2823555B2 (ja) * | 1997-08-12 | 1998-11-11 | セントラル硝子株式会社 | 薄膜形成装置の表面清浄に三フッ化塩素を用いる方法 |
KR100746384B1 (ko) * | 1999-03-04 | 2007-08-03 | 서페이스 테크놀로지 시스템스 피엘씨 | 기체발생장치 |
-
2000
- 2000-03-06 KR KR1020007012276A patent/KR100746384B1/ko active IP Right Grant
- 2000-03-06 EP EP00907806A patent/EP1089937A1/en not_active Withdrawn
- 2000-03-06 WO PCT/GB2000/000793 patent/WO2000051937A1/en active Application Filing
- 2000-03-06 JP JP2000602168A patent/JP4805460B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-06 US US09/674,659 patent/US6926871B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3876754A (en) * | 1964-06-09 | 1975-04-08 | North American Rockwell | Preparation of chlorine pentafluoride |
JPH02230720A (ja) * | 1989-03-03 | 1990-09-13 | Nec Corp | 化合物半導体の気相成長方法およびその装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102593106B1 (ko) * | 2023-05-16 | 2023-10-25 | 문희성 | 스마트 rx가스 제너레이터 시스템 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100746384B1 (ko) | 2007-08-03 |
EP1089937A1 (en) | 2001-04-11 |
WO2000051937A1 (en) | 2000-09-08 |
JP2002538067A (ja) | 2002-11-12 |
KR20010043311A (ko) | 2001-05-25 |
US6926871B1 (en) | 2005-08-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4689841B2 (ja) | 三フッ化塩素ガス生成装置 | |
US6818566B2 (en) | Thermal activation of fluorine for use in a semiconductor chamber | |
KR102483882B1 (ko) | ALE (atomic layer etching) 방법들 및 장치 | |
US6602433B1 (en) | Gas delivery system | |
EP1560252B1 (en) | Deposition apparatus | |
US20060016459A1 (en) | High rate etching using high pressure F2 plasma with argon dilution | |
JP4805460B2 (ja) | 反応プロセスガス生成方法及びシステム | |
US6737361B2 (en) | Method for H2 Recycling in semiconductor processing system | |
JP2023085279A (ja) | 薄膜製造のための化学物質源の統合された合成、送達及び加工のための方法及びシステム | |
WO1999007924A1 (en) | Apparatus and method for the in-situ generation of dopants | |
JP3246705B2 (ja) | 塩素ガスの供給方法 | |
JP2003190762A (ja) | フッ化水素を含むフッ素ガスの生成装置 | |
CN102134708A (zh) | 用于基板处理室的流体过滤 | |
JP2003193278A (ja) | フッ素ガス生成及び供給装置 | |
JPS6089575A (ja) | シリコン窒化膜の製造方法 | |
US20240062987A1 (en) | Chlorine-containing precursors for ion implantation systems and related methods | |
JP4534009B2 (ja) | 大気圧下での窒化ホウ素膜の製造方法 | |
JP3426972B2 (ja) | Si系生成物製造装置内部の洗浄方法及び装置 | |
JPH06196417A (ja) | 反応ガス供給装置及び反応ガス供給方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100303 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100527 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100603 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100903 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110124 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110422 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110804 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110811 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4805460 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140819 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |